KR20240074818A - 조성물, 회로 기판, 및, 조성물의 제조 방법 - Google Patents

조성물, 회로 기판, 및, 조성물의 제조 방법 Download PDF

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KR20240074818A
KR20240074818A KR1020247013936A KR20247013936A KR20240074818A KR 20240074818 A KR20240074818 A KR 20240074818A KR 1020247013936 A KR1020247013936 A KR 1020247013936A KR 20247013936 A KR20247013936 A KR 20247013936A KR 20240074818 A KR20240074818 A KR 20240074818A
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유키 우에다
신고 오쿠노
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다이킨 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 개시는, UV 레이저 가공성이 우수한 조성물, 회로 기판, 및, 조성물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 불소 수지와, 열분해로 1질량％ 감량할 때의 온도가 330℃ 이상인 질소 함유 복소환 화합물을 함유하고, 파장이 355㎚인 광의 흡광도가 0.6 이상인 조성물이다.

Description

조성물, 회로 기판, 및, 조성물의 제조 방법
본 개시는, 조성물, 회로 기판 및 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
통신의 고속화에 수반하여, 전기 기기, 전자 기기, 통신 기기 등에 사용되는 회로 기판에는, 저유전, 저손실의 재료가 요구되고 있다. 이와 같은 재료로서 불소 수지가 검토되고 있지만, 불소 수지는, 자외선을 흡수하기 어려워, UV 레이저 가공성이 떨어진다고 하는 점에서 개선의 여지가 있다.
불소 수지의 자외선 흡수성을 향상시키는 방법으로서, 특허문헌 1에는, 산화티타늄 등의 금속 산화물을 불소 수지에 배합하는 방법이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2020-37662호 공보
본 개시는, UV 레이저 가공성이 우수한 조성물, 회로 기판, 및, 조성물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시 (1)은, 불소 수지와, 열분해로 1질량％ 감량할 때의 온도가 330℃ 이상인 질소 함유 복소환 화합물을 함유하고, 파장이 355㎚인 광의 흡광도가 0.6 이상인 조성물(이하, 「본 개시의 조성물」이라고도 기재함)에 관한 것이다.
본 개시 (2)는, 상기 질소 함유 복소환 화합물이, 비폴리머계인 본 개시 (1)의 조성물이다.
본 개시 (3)은, 상기 질소 함유 복소환 화합물이, 분자량이 1200g/mol 이하인 본 개시 (1) 또는 (2)의 조성물이다.
본 개시 (4)는, 상기 질소 함유 복소환 화합물 중의 질소 함유 복소환이, 3원환 내지 10원환이며, 또한, 질소 원자 및 산소 원자의 합계가 2개 이상인 본 개시 (1) 내지 (3) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (5)는, 상기 질소 함유 복소환 화합물 중의 질소 함유 복소환이, 트리아진환인 본 개시 (1) 내지 (4) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (6)은, 상기 질소 함유 복소환 화합물 중의 질소 함유 복소환이, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 1분자 중에 1 내지 3개 포함되는 본 개시 (1) 내지 (5) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (7)은, 상기 질소 함유 복소환 화합물이, 질소 함유 복소환 이외의 방향환을 더 포함하는 본 개시 (1) 내지 (6) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (8)은, 상기 방향환이, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 1분자 중에 1 내지 5개 포함되는 본 개시 (7)의 조성물이다.
본 개시 (9)는, 상기 질소 함유 복소환 화합물이, 하기 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 화합물인 본 개시 (7) 또는 (8)의 조성물이다.
X-Y (1)
(식 중, X는, 질소 함유 복소환이다. Y는, 질소 함유 복소환 이외의 방향환이다. X 및 Y는, 치환기를 가져도 된다.)
본 개시 (10)은, 상기 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 화합물이, 하기 식 (2A)로 표시되는 화합물, 또는, 하기 식 (2B)로 표시되는 화합물인 본 개시 (9)의 조성물이다.
(Y)m1-(X)n(-(Y)m2)-(Y)m3 (2A)
(식 중, X 및 Y는, 식 (1)과 마찬가지이다. n은, 1 내지 3의 정수이다. m1, m2 및 m3은, 0 내지 5의 정수이며, m1, m2 및 m3 중 적어도 1개는 0이 아니다. X가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다. Y가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다.)
(X)n1-(Y)m(-(X)n2)-(X)n3 (2B)
(식 중, X 및 Y는, 식 (1)과 마찬가지이다. n1, n2 및 n3은, 0 내지 3의 정수이며, n1, n2 및 n3 중 적어도 1개는 0이 아니다. m은, 1 내지 5의 정수이다. X가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다. Y가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다.)
본 개시 (11)은, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 함유량이, 상기 조성물에 대하여 0.1 내지 5.0질량％인 본 개시 (1) 내지 (10) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (12)는, 레이저 현미경 관찰의 화상 해석에 있어서, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 5㎛ 이상의 덩어리가 1㎟의 면적당 2500개 미만인 본 개시 (1) 내지 (11) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (13)은, 상기 불소 수지가, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로(알킬비닐에테르) 공중합체 및 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 본 개시 (1) 내지 (12) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (14)는, 상기 불소 수지가, 융점이 240 내지 320℃인 본 개시 (1) 내지 (13) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (15)는, 무기 필러를 함유하는 본 개시 (1) 내지 (14) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (16)은, 상기 무기 필러가, 자외선 흡수성을 갖지 않는 것인 본 개시 (15)의 조성물이다.
본 개시 (17)은, 상기 무기 필러가, 25℃, 1GHz의 비유전율이 5.0 이하, 또한, 25℃, 1GHz의 유전 정접이 0.01 이하인 것인 본 개시 (15) 또는 (16)의 조성물이다.
본 개시 (18)은, 상기 무기 필러의 함유량이, 상기 조성물에 대하여 5 내지 50질량％인 본 개시 (15) 내지 (17) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (19)는, 회로 기판의 절연 재료 또는 기판용 유전 재료인 본 개시 (1) 내지 (18) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물이다.
본 개시 (20)은 또한, 본 개시 (1) 내지 (19) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물과, 도전층을 갖는 회로 기판(이하, 「본 개시의 회로 기판」이라고도 기재함)에 관한 것이다.
본 개시 (21)은, 상기 도전층이, 금속인 본 개시 (20)의 회로 기판이다.
본 개시 (22)는, 상기 금속이, 상기 조성물 측의 면의 표면 조도 Rz가 2.0㎛ 이하인 본 개시 (21)의 회로 기판이다.
본 개시 (23)은, 상기 금속이, 구리인 본 개시 (21) 또는 (22)의 회로 기판이다.
본 개시 (24)는, 상기 구리가, 압연 구리 또는 전해 구리인 본 개시 (23)의 회로 기판이다.
본 개시 (25)는, 프린트 기판, 적층 회로 기판 또는 고주파 기판인 본 개시 (20) 내지 (24) 중 어느 것과의 임의의 조합의 회로 기판이다.
본 개시 (26)은 또한, 본 개시 (1) 내지 (19) 중 어느 것과의 임의의 조합의 조성물의 제조 방법이며, 상기 불소 수지 및 상기 질소 함유 복소환 화합물을 용융 혼련하여, 상기 조성물을 얻는 조성물의 제조 방법(이하, 「본 개시의 제조 방법」이라고도 기재함)에 관한 것이다.
본 개시에 의하면, UV 레이저 가공성이 우수한 조성물, 회로 기판, 및, 조성물의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 「유기기」는, 1개 이상의 탄소 원자를 함유하는 기, 또는 유기 화합물로부터 1개의 수소 원자를 제거하여 형성되는 기를 의미한다.
당해 「유기기」의 예는,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알케닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알키닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 시클로알킬기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 시클로알케닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 시클로알카디에닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 아르알킬기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 비방향족 복소환기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 헤테로아릴기,
시아노기,
포르밀기,
RaO-,
RaCO-,
RaSO2-,
RaCOO-,
RaNRaCO-,
RaCONRa-,
RaOCO-,
RaOSO2-, 및,
RaNRbSO2-
(이들 식 중, Ra는, 독립적으로,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알케닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알키닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 시클로알킬기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 시클로알케닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 시클로알카디에닐기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 아르알킬기,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 비방향족 복소환기, 또는,
1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 헤테로아릴기,
Rb는, 독립적으로, H 또는 1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기임)
를 포함한다.
상기 유기기로서는, 1개 이상의 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기가 바람직하다.
이하, 본 개시를 구체적으로 설명한다.
본 개시의 조성물은, 불소 수지와, 열분해로 1질량％ 감량할 때의 온도가 330℃ 이상인 질소 함유 복소환 화합물을 함유하고, 파장이 355㎚인 광의 흡광도가 0.6 이상이다.
본 개시의 조성물은, 상기 질소 함유 복소환 화합물을 포함하기 때문에, 불소 수지를 포함하고 있음에도 불구하고, 흡광도가 높아, UV 레이저 가공성이 우수하다.
또한, 특허문헌 1에 기재된 산화티타늄 등의 금속 산화물을 배합한 경우, 불소 수지의 전기 특성이 손상될 우려가 있지만, 상기 질소 함유 복소환 화합물은, 전기 특성에 대한 영향이 적다고 하는 이점이 있다.
또한, 상기 질소 함유 복소환 화합물은, 열분해가 발생하기 어렵기 때문에, 용융 혼련으로 불소 수지와 혼합할 수 있다. 용융 혼련을 행함으로써, 불소 수지 중에 상기 질소 함유 복소환 화합물을 양호하게 분산시켜, UV 레이저 가공성을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 불소 수지로서는, 테트라플루오로에틸렌[TFE]의 중합체나, TFE와 공중합 가능한 공중합 모노머의 공중합체 등을 사용할 수 있다.
상기 공중합 모노머로서는, TFE와의 공중합이 가능한 것이면 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 헥사플루오로프로필렌[HFP], 플루오로알킬비닐에테르, 플루오로알킬에틸렌, 일반식 (100): CH2=CFRf101(식 중, Rf101은 탄소수 1 내지 12의 직쇄 또는 분지된 플루오로알킬기)로 표시되는 플루오로 모노머, 플루오로알킬알릴에테르 등을 들 수 있다.
상기 플루오로알킬비닐에테르로서는, 예를 들어
일반식 (110): CF2=CF-ORf111
(식 중, Rf111은, 퍼플루오로 유기기를 나타냄)로 표시되는 플루오로 모노머,
일반식 (120): CF2=CF-OCH2-Rf121
(식 중, Rf121은, 탄소수 1 내지 5의 퍼플루오로알킬기)로 표시되는 플루오로 모노머,
일반식 (130): CF2=CFOCF2ORf131
(식 중, Rf131은 탄소수 1 내지 6의 직쇄 또는 분지상 퍼플루오로알킬기, 탄소수 5 내지 6의 환식 퍼플루오로알킬기, 1 내지 3개의 산소 원자를 포함하는 탄소수 2 내지 6의 직쇄 또는 분지상 퍼플루오로옥시알킬기임)로 표시되는 플루오로 모노머,
일반식 (140): CF2=CFO(CF2CF(Y141)O)m(CF2)nF
(식 중, Y141은 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. m은 1 내지 4의 정수이다. n은 1 내지 4의 정수임)로 표시되는 플루오로 모노머, 및,
일반식 (150): CF2=CF-O-(CF2CFY151-O)n-(CFY152)m-A151
(식 중, Y151은, 불소 원자, 염소 원자, -SO2F기 또는 퍼플루오로알킬기를 나타낸다. 퍼플루오로알킬기는, 에테르성의 산소 및 -SO2F기를 포함해도 된다. n은, 0 내지 3의 정수를 나타낸다. n개의 Y151은, 동일해도 되고 다르게 되어 있어도 된다. Y152는, 불소 원자, 염소 원자 또는 -SO2F기를 나타낸다. m은, 1 내지 5의 정수를 나타낸다. m개의 Y152는, 동일해도 되고 다르게 되어 있어도 된다. A151은, -SO2X151, -COZ151 또는 -POZ152Z153을 나타낸다. X151은, F, Cl, Br, I, -OR151 또는 -NR152R153을 나타낸다. Z151, Z152 및 Z153은, 동일하거나 또는 다르고, -NR154R155 또는 -OR156을 나타낸다. R151, R152, R153, R154, R155 및 R156은, 동일하거나 또는 다르고, H, 암모늄, 알칼리 금속, 불소 원자를 포함해도 되는 알킬기, 아릴기, 혹은 술포닐 함유기를 나타냄)로 표시되는 플루오로 모노머
로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 상기 「퍼플루오로 유기기」란, 탄소 원자에 결합하는 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환되어 이루어지는 유기기를 의미한다. 상기 퍼플루오로 유기기는, 에테르산소를 갖고 있어도 된다.
일반식 (110)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, Rf111이 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기인 플루오로 모노머를 들 수 있다. 상기 퍼플루오로알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 1 내지 5이다.
일반식 (110)에 있어서의 퍼플루오로 유기기로서는, 예를 들어 퍼플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로펜틸기, 퍼플루오로헥실기 등을 들 수 있다.
일반식 (110)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, 또한, 상기 일반식 (110)에 있어서, Rf111이 탄소수 4 내지 9의 퍼플루오로(알콕시알킬)기인 것, Rf111이 하기 식:
Figure pct00001
(식 중, m은, 0 또는 1 내지 4의 정수를 나타냄)으로 표시되는 기인 것, Rf111이 하기 식:
Figure pct00002
(식 중, n은, 1 내지 4의 정수를 나타냄)으로 표시되는 기인 것 등을 들 수 있다.
일반식 (110)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, 그 중에서도, 퍼플루오로(알킬비닐에테르)[PAVE]가 바람직하고,
일반식 (160): CF2=CF-ORf161
(식 중, Rf161은, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기를 나타냄)로 표시되는 플루오로 모노머가 보다 바람직하다. Rf161은, 탄소수가 1 내지 5인 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하다.
플루오로알킬비닐에테르로서는, 일반식 (160), (130) 및 (140)으로 표시되는 플루오로 모노머로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
일반식 (160)으로 표시되는 플루오로 모노머(PAVE)로서는, 퍼플루오로(메틸비닐에테르)[PMVE], 퍼플루오로(에틸비닐에테르)[PEVE], 및, 퍼플루오로(프로필비닐에테르)[PPVE]로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 퍼플루오로(메틸비닐에테르), 및, 퍼플루오로(프로필비닐에테르)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다.
일반식 (130)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, CF2=CFOCF2OCF3, CF2=CFOCF2OCF2CF3, 및, CF2=CFOCF2OCF2CF2OCF3으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
일반식 (140)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3F, CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)3F, 및 CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2F로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
일반식 (150)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, CF2=CFOCF2CF2SO2F, CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2SO2F, CF2=CFOCF2CF(CF2CF2SO2F)OCF2CF2SO2F 및 CF2=CFOCF2CF(SO2F)2로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
일반식 (100)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, Rf101이 직쇄의 플루오로알킬기인 플루오로 모노머가 바람직하고, Rf101이 직쇄의 퍼플루오로알킬기인 플루오로 모노머가 보다 바람직하다. Rf101의 탄소수는 1 내지 6인 것이 바람직하다. 일반식 (100)으로 표시되는 플루오로 모노머로서는, CH2=CFCF3, CH2=CFCF2CF3, CH2=CFCF2CF2CF3, CH2=CFCF2CF2CF2H, CH2=CFCF2CF2CF2CF3, CHF=CHCF3(E체), CHF=CHCF3(Z체) 등을 들 수 있고, 그 중에서도, CH2=CFCF3으로 나타내어지는 2,3,3,3-테트라플루오로프로필렌이 바람직하다.
플루오로알킬에틸렌으로서는,
일반식 (170): CH2=CH-(CF2)n-X171
(식 중, X171은 H 또는 F이며, n은 3 내지 10의 정수임)로 표시되는 플루오로알킬에틸렌이 바람직하고, CH2=CH-C4F9, 및, CH2=CH-C6F13으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다.
상기 플루오로알킬알릴에테르로서는, 예를 들어
일반식 (180): CF2=CF-CF2-ORf111
(식 중, Rf111은, 퍼플루오로 유기기를 나타냄)로 표시되는 플루오로 모노머를 들 수 있다.
일반식 (180)의 Rf111은, 일반식 (110)의 Rf111과 동일하다. Rf111로서는, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알콕시알킬기가 바람직하다. 일반식 (180)으로 표시되는 플루오로알킬알릴에테르로서는, CF2=CF-CF2-O-CF3, CF2=CF-CF2-O-C2F5, CF2=CF-CF2-O-C3F7, 및, CF2=CF-CF2-O-C4F9로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, CF2=CF-CF2-O-C2F5, CF2=CF-CF2-O-C3F7, 및, CF2=CF-CF2-O-C4F9로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하고, CF2=CF-CF2-O-CF2CF2CF3이 더욱 바람직하다.
상기 공중합 모노머로서는, 조성물의 변형을 적게 할 수 있고, 선팽창률을 낮게 할 수 있는 점에서, 퍼플루오로비닐기를 갖는 모노머가 바람직하고, 퍼플루오로(알킬비닐에테르)(PAVE), 헥사플루오로프로필렌(HFP), 및, 퍼플루오로알릴에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하고, PAVE, 및, HFP로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 더욱 바람직하고, 조성물의 땜납 가공 시의 변형을 억제할 수 있는 점에서, PAVE가 특히 바람직하다.
상기 불소 수지는, 상기 공중합 모노머 단위를 합계로, 전체 단량체 단위의 0.1질량％ 이상 포함하는 것이 바람직하고, 1.0질량％ 이상 포함하는 것이 보다 바람직하고, 1.1질량％ 이상 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 공중합 모노머 단위의 합계량은, 또한, 전체 단량체 단위의 30질량％ 이하인 것이 바람직하고, 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 15질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
상기 공중합 모노머 단위의 양은, 19F-NMR법에 의해 측정한다.
상기 불소 수지로서는, 조성물의 변형을 적게 할 수 있고, 선팽창률을 낮게 할 수 있는 점에서, 테트라플루오로에틸렌(TFE)/퍼플루오로(알킬비닐)에테르(PAVE) 공중합체(PFA) 및 테트라플루오로에틸렌(TFE)/헥사플루오로프로필렌(HFP) 공중합체(FEP)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
상기 불소 수지가 TFE 단위 및 PAVE 단위를 포함하는 PFA인 경우, PAVE 단위를 전체 중합 단위에 대하여 0.1 내지 12질량％ 포함하는 것이 바람직하다. PAVE 단위의 양은, 전체 중합 단위에 대하여 0.3질량％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.7질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 1.0질량％ 이상인 것이 더욱 보다 바람직하고, 1.1질량％ 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 8.0질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 6.5질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 6.0질량％ 이하인 것이 특히 바람직하다.
또한, 상기 PAVE 단위의 양은, 19F-NMR법에 의해 측정한다.
상기 불소 수지가 TFE 단위 및 HFP 단위를 포함하는 FEP인 경우, TFE 단위와 HFP 단위의 질량비(TFE/HFP)가 70 내지 99/1 내지 30(질량％)인 것이 바람직하다. 상기 질량비(TFE/HFP)는, 85 내지 95/5 내지 15(질량％)가 보다 바람직하다.
상기 FEP는, HFP 단위를 전체 단량체 단위의 1질량％ 이상, 바람직하게는 1.1질량％ 이상 포함한다.
상기 FEP는, TFE 단위 및 HFP 단위와 함께, 퍼플루오로(알킬비닐에테르)[PAVE] 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 FEP에 포함되는 PAVE 단위로서는, 상술한 개질 PFA를 구성하는 PAVE 단위와 마찬가지의 것을 들 수 있다. 그 중에서도, PPVE가 바람직하다.
상술한 PFA는, HFP 단위를 포함하지 않으므로, 그 점에서, PAVE 단위를 포함하는 개질 FEP와는 다르다.
상기 FEP가, TFE 단위, HFP 단위, 및, PAVE 단위를 포함하는 경우, 질량비(TFE/HFP/PAVE)가 70 내지 99.8/0.1 내지 25/0.1 내지 25(질량％)인 것이 바람직하다. 상기 범위 내이면, 내열성, 내약품성이 우수하다.
상기 질량비(TFE/HFP/PAVE)는, 75 내지 98/1.0 내지 15/1.0 내지 10(질량％)인 것이 보다 바람직하다.
상기 FEP는, HFP 단위 및 PAVE 단위를 합계로 전체 단량체 단위의 1질량％ 이상, 바람직하게는 1.1질량％ 이상 포함한다.
상기 TFE 단위, HFP 단위, 및, PAVE 단위를 포함하는 FEP는, HFP 단위가 전체 단량체 단위의 25질량％ 이하인 것이 바람직하다.
HFP 단위의 함유량이 상술한 범위 내이면, 내열성이 우수한 조성물을 얻을 수 있다.
HFP 단위의 함유량은, 20질량％ 이하가 보다 바람직하고, 18질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 특히 바람직하게는 15질량％ 이하이다. 또한, HFP 단위의 함유량은, 0.1질량％ 이상이 바람직하고, 1질량％ 이상이 보다 바람직하다. 특히 바람직하게는, 2질량％ 이상이다.
또한, HFP 단위의 함유량은, 19F-NMR법에 의해 측정할 수 있다.
PAVE 단위의 함유량은, 20질량％ 이하가 보다 바람직하고, 10질량％ 이하가 더욱 바람직하다. 특히 바람직하게는 3질량％ 이하이다. 또한, PAVE 단위의 함유량은, 0.1질량％ 이상이 바람직하고, 1질량％ 이상이 보다 바람직하다. 또한, PAVE 단위의 함유량은, 19F-NMR법에 의해 측정할 수 있다.
상기 FEP는, 또한, 다른 에틸렌성 단량체(α) 단위를 포함하고 있어도 된다.
다른 에틸렌성 단량체(α) 단위로서는, TFE, HFP 및 PAVE와 공중합 가능한 단량체 단위이면 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 불화비닐[VF], 불화비닐리덴[VdF], 클로로트리플루오로에틸렌[CTFE], 에틸렌[Et] 등의 불소 함유 에틸렌성 단량체나, 에틸렌, 프로필렌, 알킬비닐에테르 등의 비불소화 에틸렌성 단량체 등을 들 수 있다.
상기 FEP가 TFE 단위, HFP 단위, PAVE 단위, 및, 다른 에틸렌성 단량체(α) 단위를 포함하는 경우, 질량비(TFE/HFP/PAVE/다른 에틸렌성 단량체(α))는, 70 내지 98/0.1 내지 25/0.1 내지 25/0.1 내지 25(질량％)인 것이 바람직하다.
상기 FEP는, TFE 단위 이외의 단량체 단위를 합계로 전체 단량체 단위의 1질량％ 이상, 바람직하게는 1.1질량％ 이상 포함한다.
상기 불소 수지는, 상기 PFA 및 상기 FEP인 것도 바람직하다. 바꾸어 말하면, 상기 PFA와 상기 FEP를 혼합하여 사용하는 것도 가능하다. 상기 PFA와 상기 FEP의 질량비(PFA/FEP)는, 9/1 내지 3/7인 것이 바람직하고, 9/1 내지 5/5인 것이 보다 바람직하다.
상기 PFA, 상기 FEP는, 예를 들어 그 구성 단위가 되는 모노머나, 중합 개시제 등의 첨가제를 적절히 혼합하여, 유화 중합, 현탁 중합을 행하는 등의 종래 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.
상기 불소 수지는, 융점이 240 내지 320℃인 것이 바람직하다. 이에 의해, 용융 혼련을 용이하게 행할 수 있다.
상기 불소 수지의 융점은, 보다 바람직하게는 318℃ 이하, 더욱 바람직하게는 315℃ 이하이고, 또한, 보다 바람직하게는 245℃ 이상, 더욱 바람직하게는 250℃ 이상이다.
또한, 불소 수지의 융점은, 시차 주사 열량계〔DSC〕를 사용하여 10℃/분의 속도로 승온하였을 때의 융해열 곡선에 있어서의 극댓값에 대응하는 온도이다.
상기 불소 수지는, 372℃에서의 멜트 플로 레이트(MFR)가 0.1 내지 100g/10분인 것이 바람직하다. 이에 의해, 용융 혼련을 용이하게 행할 수 있다.
MFR은, 0.5g/10분 이상이 보다 바람직하고, 80g/10분 이하가 보다 바람직하고, 40g/10분 이하가 더욱 바람직하다.
MFR은, ASTM D1238에 따라서, 멜트인덱서((주) 야스다 세이키 세이사쿠쇼제)를 사용하여, 372℃, 5kg 하중 하에서 내경 2㎜, 길이 8㎜의 노즐로부터 10분간당에 유출하는 폴리머의 질량(g/10분)으로서 얻어지는 값이다.
상기 불소 수지의 비유전율과 유전 정접은 특별히 한정되지는 않고, 25℃, 주파수 10GHz에 있어서, 비유전율이 4.5 이하이면 되지만, 바람직하게는 4.0 이하이며, 보다 바람직하게는 3.5 이하이며, 더욱 바람직하게는 2.5 이하이다. 또한 유전 정접이 0.01 이하이면 되지만, 바람직하게는 0.008 이하이며, 보다 바람직하게는 0.005 이하이다.
상기 불소 수지의 함유량은, 상기 조성물에 대하여, 바람직하게는 60질량％ 이상, 보다 바람직하게는 70질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 80질량％ 이상이며, 또한 바람직하게는 99.9질량％ 이하, 보다 바람직하게는 99.0질량％ 이하이다.
상기 질소 함유 복소환 화합물은, 열분해로 1질량％ 감량할 때의 온도(이하, 1％ 열분해 온도라고도 함)가 330℃ 이상이다.
용융 혼련을 용이하게 행할 수 있다고 하는 점에서, 상기 1％ 열분해 온도의 하한은, 바람직하게는 340℃, 보다 바람직하게는 350℃이다. 상한은 특별히 한정되지는 않는다.
또한, 상기 1％ 열분해 온도는, 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스사제 열분석 장치 STA7200을 사용하여 측정하였다. 측정은 200mL/min의 질소 퍼지 분위기 하에서 행하였다. 알루미늄제 팬에 시료 10mg을 넣고, 25℃에서 10분간 유지한 후, 10℃/min의 승온 속도로 600℃까지 승온하였다. 그때의 초기 질량으로부터 1％ 질량 감소 온도를 1％ 열분해 온도로 하였다.
상기 질소 함유 복소환 화합물은, 비폴리머계 질소 함유 복소환 화합물인 것이 바람직하다. 폴리머계의 경우, 용융 혼련 후의 조성물의 필름화가 어려운 경우가 있지만, 비폴리머계에서는, 용융 혼련한 경우라도, 조성물을 용이하게 필름화할 수 있다.
또한, 상기 비폴리머계 질소 함유 복소환 화합물은, 폴리머가 아닌 것이면 특별히 한정되지는 않는다.
상기 질소 함유 복소환 화합물은, 분자량이 1200g/mol 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 용융 혼련한 경우라도, 조성물을 용이하게 필름화할 수 있다.
상기 분자량의 상한은, 보다 바람직하게는 1100g/mol, 더욱 바람직하게는 1000g/mol이며, 하한은, 바람직하게는 50g/mol, 보다 바람직하게는 100g/mol이다.
상기 질소 함유 복소환 화합물은, 질소 함유 복소환을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 우수한 광 흡수능을 부여할 수 있다.
상기 질소 함유 복소환은, 3원환 내지 10원환이며, 또한, 질소 원자 및 산소 원자의 합계가 2개 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 상기 질소 함유 복소환 화합물에 우수한 광 흡수능이 부여됨과 함께, 상기 질소 함유 복소환 화합물과 수지의 친화 용이성이 향상된다.
상기 질소 함유 복소환은, 보다 바람직하게는 4원환 이상, 더욱 바람직하게는 5원환 이상이며, 또한, 보다 바람직하게는 9원환 이하, 더욱 바람직하게는 8원환 이하이다.
상기 질소 함유 복소환에 포함되는 질소 원자 및 산소 원자의 합계는, 바람직하게는 5개 이하, 보다 바람직하게는 4개 이하, 더욱 바람직하게는 3개 이하, 특히 바람직하게는 3개이다.
또한, 상기에서 설명한 질소 원자 및 산소 원자의 합계는, 상기 질소 함유 복소환의 환 구성 원자만을 고려한 것이며, 상기 질소 함유 복소환의 치환기의 것은 포함하지 않는다.
상기 질소 함유 복소환의 구체예로서는, 트리아진환, 벤조트리아졸환, 옥사진환, 벤조옥사진환, 이미다졸환, 옥사졸환, 테트라졸환, 피리미딘환, 피라진환 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 트리아진환, 벤조트리아졸환, 벤조옥사진환이 바람직하고, 트리아진환이 보다 바람직하다. 트리아진환은, 1,2,3-트리아진환, 1,2,4-트리아진환, 1,3,5-트리아진환 중 어느 것이어도 되지만, 1,3,5-트리아진환이 바람직하다.
또한, 상기 질소 함유 복소환은, 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 질소 함유 복소환은, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 1분자 중에 1 내지 3개 포함되는 것이 바람직하다. 상기 질소 함유 복소환의 수는, 보다 바람직하게는 1 내지 2개, 더욱 바람직하게는 1개이다.
또한, 벤조트리아졸환 등의 축합환의 경우, 축합환을 1개로 센다.
상기 질소 함유 복소환 화합물은, 질소 함유 복소환 이외의 방향환을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 우수한 광 흡수능을 부여할 수 있다.
상기 방향환은, 바람직하게는 3개 이상, 보다 바람직하게는 4개 이상, 더욱 바람직하게는 5개 이상이며, 또한, 바람직하게는 10개 이하, 보다 바람직하게는 8개 이하, 더욱 바람직하게는 6개 이하이다.
상기 방향환의 구체예로서는, 벤젠환, 나프탈렌환 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 벤젠환이 바람직하다.
또한, 상기 방향환은, 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
상기 방향환은, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 1분자 중에 1 내지 5개 포함되는 것이 바람직하다. 상기 방향환의 수는, 보다 바람직하게는 2 내지 5개, 더욱 바람직하게는 3 내지 5개이다.
또한, 나프탈렌환 등의 축합환의 경우, 축합환을 1개로 센다.
상기 질소 함유 복소환 및 상기 방향환은, 치환기를 가져도 된다.
상기 치환기로서는 특별히 한정되지는 않지만, 알킬기, 알콕시기, 히드록시기, 옥소기(=O), 카르복시기, 아미노기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 알킬기, 알콕시기, 히드록시기, 옥소기가 바람직하다.
또한, 상기 치환기는, 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
또한, 상기 질소 함유 복소환 및 상기 방향환에 있어서, 상기 치환기의 수는, 바람직하게는 5 이하, 보다 바람직하게는 3 이하, 더욱 바람직하게는 2 이하이며, 0이어도 된다.
상기 알킬기는, 직쇄상, 분지상, 환상 중 어느 것이어도 된다.
상기 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 1 이상이며, 또한, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 8 이하이다.
상기 알콕시기는, 산소 원자에 상기 알킬기가 결합한 것이다.
상기 알콕시기에 결합하는 상기 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 1 이상, 보다 바람직하게는 3 이상이며, 또한, 바람직하게는 10 이하, 보다 바람직하게는 8 이하이다.
상기 질소 함유 복소환 화합물로서는, 하기 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 화합물을 적합하게 사용할 수 있다.
X-Y (1)
(식 중, X는, 질소 함유 복소환이다. Y는, 질소 함유 복소환 이외의 방향환이다. X 및 Y는, 치환기를 가져도 된다.)
상기 식 (1)에 있어서, X가 나타내는 질소 함유 복소환 및 Y가 나타내는 방향환은, 상기에서 설명한 것과 마찬가지이다.
또한, 상기 식 (1)에 있어서, X 및 Y는, 직접 결합하고 있어도 되고, 상기 알킬기 등의 치환기를 통해 결합하고 있어도 된다.
상기 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 화합물로서, 하기 식 (2A)로 표시되는 화합물, 또는, 하기 식 (2B)로 표시되는 화합물을 적합하게 사용할 수 있다.
(Y)m1-(X)n(-(Y)m2)-(Y)m3 (2A)
(식 중, X 및 Y는, 식 (1)과 마찬가지이다. n은, 1 내지 3의 정수이다. m1, m2 및 m3은, 0 내지 5의 정수이며, m1, m2 및 m3 중 적어도 1개는 0이 아니다. X가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다. Y가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다.)
(X)n1-(Y)m(-(X)n2)-(X)n3 (2B)
(식 중, X 및 Y는, 식 (1)과 마찬가지이다. n1, n2 및 n3은, 0 내지 3의 정수이며, n1, n2 및 n3 중 적어도 1개는 0이 아니다. m은, 1 내지 5의 정수이다. X가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다. Y가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다.)
상기 식 (2A) 및 (2B)에 있어서, X가 복수인 경우, 직접 결합하고 있어도 되고, 상기 알킬기 등의 치환기를 통해 결합하고 있어도 된다. Y가 복수인 경우도 마찬가지이다.
상기 식 (2A)에 있어서, n은, 바람직하게는 1 내지 2, 보다 바람직하게는 1이다. m1, m2 및 m3은, 바람직하게는 1 내지 2이다. 또한, n1, n2 및 n3 중 1개가 1이며, 나머지 2개가 1 내지 2인 것이 특히 바람직하다.
상기 식 (2A)로 표시되는 화합물의 구체예로서, 하기 식 (2A-1) 내지 (2A-4)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이들 식으로 표시되는 화합물의 구체적인 상품으로서는, BASF 재팬(주)제의 Tinuvin1600, (주) ADEKA제의 아데카스탭 LA-F70 등을 들 수 있다.
Figure pct00003
상기 식 (2B)에 있어서, m은, 바람직하게는 1 내지 2이다.
n1, n2 및 n3은, 바람직하게는 1 내지 2, 보다 바람직하게는 1이다. 또한, n1, n2 및 n3 중 1개가 0이며, 나머지 2개가 1인 것이 특히 바람직하다.
상기 식 (2B)로 표시되는 화합물의 구체예로서, 하기 식 (2B-1) 내지 (2B-2)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 이들 식으로 표시되는 화합물의 구체적인 상품으로서는, (주) ADEKA제의 아데카스탭 LA-31RG 등을 들 수 있다.
Figure pct00004
상기 질소 함유 복소환 화합물의 함유량은, 상기 조성물에 대하여, 바람직하게는 0.1질량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 1.0질량％ 이상이며, 또한, 바람직하게는 5.0질량％ 이하, 보다 바람직하게는 4.0질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 3.0질량％ 이하이다.
본 개시의 조성물은, 파장이 355㎚인 광의 흡광도가 0.6 이상이다.
UV 레이저 가공성이 보다 양호해진다고 하는 점에서, 상기 광의 흡광도의 하한은, 바람직하게는 0.7이다. 상한은 특별히 한정되지는 않는다.
또한, 상기 광의 흡광도는, 자외 가시 근적외 분광 광도계(예를 들어, 니혼 분코 가부시키가이샤제 「V-770」)를 사용하여, 두께 100㎛의 시트상으로 성형한 조성물에 대해, 반사 배치로 측정하였을 때의 값이다.
본 개시의 조성물은, 레이저 현미경 관찰의 화상 해석에 있어서, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 5㎛ 이상의 덩어리가 1㎟의 면적당 바람직하게는 2500개 미만, 보다 바람직하게는 2000개 이하, 더욱 바람직하게는 1000개 이하이다. 하한은 특별히 한정되지는 않는다. 이 범위이면, 상기 질소 함유 복소환 화합물이 양호하게 분산되어 있어, UV 레이저 가공성이 특히 양호해진다.
상기 레이저 현미경 관찰의 화상 해석은, 후술하는 실시예의 방법으로 행한다.
본 개시의 조성물은, 필요에 따라서 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 다른 성분으로서는, 충전제, 가교제, 대전 방지제, 내열 안정제, 발포제, 발포 핵제, 산화 방지제, 계면 활성제, 광중합 개시제, 마모 방지제, 표면 개질제, 수지(단, 상기 개질 불소 수지를 제외함), 액정 폴리머 등의 첨가제 등을 들 수 있다.
상기 다른 성분으로서는, 무기 필러가 바람직하다. 무기 필러를 포함함으로써, 강도의 향상 효과, 선팽창 계수의 저하 효과 등이 얻어진다.
상기 무기 필러는, 자외선 흡수성을 갖지 않는 것이 바람직하다. 자외선 흡수성을 갖지 않는다란, 파장이 355㎚인 광의 흡광도가 0.1 미만인 것을 의미한다.
또한, 상기 광의 흡광도는, 자외 가시 근적외 분광 광도계(예를 들어, 니혼 분코 가부시키가이샤제 「V-770」)를 사용하여, 두께 100㎛가 되도록 충전한 상기 무기 필러의 분말에 대해, 반사 배치로 측정하였을 때의 값이다.
또한, 상기 무기 필러는, 25℃, 1GHz의 비유전율이 5.0 이하, 또한, 25℃, 1GHz의 유전 정접이 0.01 이하인 것도 바람직하다.
상기 무기 필러의 구체예로서는, 실리카(보다 구체적으로는 결정성 실리카, 용융 실리카, 구상 용융 실리카 등), 산화티타늄, 산화지르코늄, 산화아연, 산화주석, 질화규소, 탄화규소, 질화붕소, 탄산칼슘, 규산칼슘, 티타늄산칼륨, 질화알루미늄, 산화인듐, 알루미나, 산화안티몬, 산화세륨, 산화마그네슘, 산화철, 주석 도프 산화인듐(ITO) 등의 무기 화합물을 들 수 있다. 또한, 몬모릴로나이트, 탈크, 마이카, 베마이트, 카올린, 스멕타이트, 조놀라이트, 버큘라이트, 세리사이트 등의 광물을 들 수 있다. 그 밖의 무기 필러로서는, 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 케첸 블랙, 카본 나노튜브 등의 탄소 화합물; 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물; 유리 비즈, 유리 플레이크, 유리 벌룬 등의 각종 유리 등을 들 수 있다.
상기 무기 필러는, 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
또한, 상기 무기 필러는, 분체를 그대로 사용해도 되고, 수지 중에 분산시킨 것을 사용해도 된다.
상기 무기 필러로서는, 강도의 향상 효과, 선팽창 계수의 저하 효과가 우수하다고 하는 점에서, 실리카, 질화붕소, 탈크 및 수산화알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 실리카가 특히 바람직하다.
상기 무기 필러의 형상으로서는, 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 입상, 구상, 인편상, 침상, 주상, 추상, 추대상, 다면체상, 중공상 등을 사용할 수 있다. 특히 구상, 입방체, 주발상, 원반상, 팔면체상, 인편상, 봉상, 판상, 로드상, 테트라포드상, 중공상인 것이 바람직하고, 구상, 입방상, 팔면체상, 판상, 중공상인 것이 보다 바람직하다. 인편상 또는 침상의 형상으로 함으로써, 이방성을 갖는 필러를 배열시킴으로써, 보다 높은 밀착성을 얻을 수 있다. 구상의 필러는, 표면적이 작기 때문에, 불소 수지의 특성에 대한 영향을 작게 할 수 있고, 또한, 액상물에 배합한 경우에 증점의 정도가 작은 점에서 바람직하다.
본 개시의 조성물이 상기 무기 필러를 포함하는 경우, 상기 무기 필러의 함유량은, 상기 조성물에 대하여, 바람직하게는 5질량％ 이상, 보다 바람직하게는 10질량％ 이상이며, 또한, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하, 더욱 바람직하게는 20질량％ 이하이다.
상기 무기 필러는, 평균 입자경이 0.1 내지 20㎛인 것이 바람직하다. 평균 입자경이 상기 범위 내이면, 응집이 적어, 양호한 표면 조도를 얻을 수 있다. 상기 평균 입자경의 하한은, 0.2㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.3㎛인 것이 더욱 바람직하다. 상기 평균 입자경의 상한은, 5㎛인 것이 보다 바람직하고, 2㎛인 것이 더욱 바람직하다.
상기 평균 입자경은, 레이저 회절·산란법에 의해 측정한 값이다.
상기 무기 필러는, 최대 입자경이 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. 최대 입자경이 10㎛ 이하이면, 응집이 적어, 분산 상태가 양호하다. 또한, 얻어진 불소 수지 재료의 표면 조도를 작은 것으로 할 수 있다. 상기 최대 입자경은, 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 최대 입자경은, SEM(주사형 전자 현미경) 사진을 촬영하고, SEM용 화상 해석 소프트웨어를 사용하여, 무작위로 선택한 입자 200개의 화상 데이터로부터 구하였다.
상기 무기 필러는, 표면 처리된 것이어도 되고, 예를 들어 실리콘 화합물로 표면 처리된 것이어도 된다. 상기 실리콘 화합물로 표면 처리함으로써, 무기 필러의 유전율을 저하시킬 수 있다.
상기 실리콘 화합물로서는 특별히 한정되지는 않고, 종래 공지의 실리콘 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 실란 커플링제 및 오르가노 실라잔으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 실리콘 화합물의 표면 처리량은, 무기 필러 표면에 대한 표면 처리제의 반응량이 단위 표면적(nm2)당 0.1 내지 10개인 것이 바람직하고, 0.3 내지 7개인 것이 보다 바람직하다.
상기 무기 필러는, 예를 들어 BET법에 의한 비표면적이, 1.0 내지 25.0㎡/g인 것이 바람직하고, 1.0 내지 10.0㎡/g인 것이 보다 바람직하고, 2.0 내지 6.4㎡/g인 것이 더욱 바람직하다. 비표면적이 상기 범위 내임으로써, 불소 수지 재료 중의 무기 필러의 응집이 적어 표면이 평활하기 때문에 바람직하다.
본 개시의 조성물은, 상기 불소 수지 및 상기 질소 함유 복소환 화합물을 용융 혼련하여, 상기 조성물을 얻는 제조 방법에 의해, 적합하게 제조할 수 있다. 본 개시는, 상기 제조 방법도 제공한다.
또한, 본 개시의 조성물은, 상기 제조 방법 이외의 방법, 예를 들어 사출 성형, 블로 성형, 인플레이션 성형, 진공·압공 성형으로 제조되어도 된다. 또한, 용매에 분산 또는 용해시킨 상태이면, 페이스트 압출, 캐스트법 등으로 제조되어도 된다.
상기 용융 혼련에 사용하는 장치는 특별히 한정되지는 않고, 2축 압출기, 단축 압출기, 다축 압출기, 탠덤 압출기 등을 사용할 수 있다.
상기 용융 혼련의 시간은, 1 내지 1800초가 바람직하고, 60 내지 1200초가 보다 바람직하다. 시간이 너무 길면, 불소 수지가 열화될 우려가 있고, 시간이 너무 짧으면, 상기 질소 함유 복소환 화합물을 충분히 분산시킬 수 없을 우려가 있다.
상기 용융 혼련의 온도는, 상기 불소 수지 및 상기 질소 함유 복소환 화합물의 융점 이상이면 되지만, 240 내지 450℃가 바람직하고, 260 내지 400℃가 보다 바람직하다.
불소 수지와 특정의 질소 함유 복소환 화합물을 포함하는 본 개시의 조성물은, UV 레이저 가공성 및 전기 특성(저유전율 등)이 우수하고, 또한 분산성도 양호한 것을 본 발명자들은 알아냈다. 이들 특성은, 회로 기판용 재료에 적합한 것이다.
즉, 본 개시의 조성물은, 회로 기판의 절연 재료나, 기판용 유전 재료로서 적합하게 사용된다.
본 개시의 회로 기판은, 상술한 본 개시의 조성물과, 도전층을 갖는다.
상기 도전층으로서는, 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 금속으로서는, 구리, 스테인리스, 알루미늄, 철, 은, 금, 루테늄 등을 들 수 있다. 또한, 이들 합금도 사용 가능하다. 그 중에서도, 구리가 바람직하다.
상기 구리로서는, 압연 구리, 전해 구리 등을 사용할 수 있다.
상기 금속은, 상기 조성물 측의 면의 표면 조도 Rz가 2.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 상기 조성물과 상기 금속을 접합하였을 때의 전송 손실이 양호해진다.
상기 표면 조도 Rz는, 보다 바람직하게는 1.8㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 이하이며, 또한, 보다 바람직하게는 0.3㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이상이다.
또한, 상기 표면 조도 Rz는, JIS C 6515-1998의 방법으로 산출되는 값(최대 높이 조도)이다.
상기 도전층의 두께는, 예를 들어 2 내지 200㎛여도 되고, 5 내지 50㎛인 것이 바람직하다.
상기 도전층은, 본 개시의 조성물을 포함하는 층의 편면에만 마련해도 되고, 양면에 마련해도 된다.
본 개시의 조성물을 포함하는 층의 막 두께는, 예를 들어 1㎛ 내지 1㎜여도 되고, 1 내지 500㎛인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 150㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는, 100㎛ 이하이다.
본 개시의 회로 기판은, 프린트 기판, 적층 회로 기판(다층 기판), 고주파 기판으로서 적합하게 사용된다.
고주파 회로 기판은, 고주파 대역에서도 동작시키는 것이 가능한 회로 기판이다. 고주파 대역이란, 1GHz 이상의 대역이어도 되고, 3GHz 이상의 대역인 것이 바람직하고, 5GHz 이상의 대역인 것이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 한정되지는 않지만, 100GHz 이하의 대역이어도 된다.
본 개시의 회로 기판은, 시트인 것이 바람직하다. 본 개시의 회로 기판의 두께는, 10 내지 3500㎛인 것이 바람직하고, 20 내지 3000㎛인 것이 보다 바람직하다.
실시예
다음으로 실시예를 들어 본 개시를 더욱 상세하게 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 사용하는 재료는, 이하와 같다.
(불소 수지)
PFA(TFE/PAVE(질량％): 94.6/5.4, 융점: 303℃, MFR: 14g/10분, 비유전율(25℃, 10GHz): 2.1, 유전 정접(25℃, 10GHz): 0.0003)
FEP(TFE/HFP(질량％): 90/10, 융점: 270℃, MFR: 6g/10분, 비유전율(25℃, 10GHz): 2.1, 유전 정접(25℃, 10GHz): 0.0015)
(질소 함유 복소환 화합물)
상기 식 (2A-1)로 표시되는 화합물(비폴리머계 질소 함유 복소환 화합물, 1％ 열분해 온도: 392℃, 분자량: 606g/mol)
상기 식 (2A-3)으로 표시되는 화합물(비폴리머계 질소 함유 복소환 화합물, 1％ 열분해 온도: 384℃, 분자량: 700g/mol)
상기 식 (2B-1)로 표시되는 화합물(비폴리머계 질소 함유 복소환 화합물, 1％ 열분해 온도: 341℃, 분자량: 659g/mol)
(무기 필러)
실리카(자외선 흡수성 없음(파장이 355㎚인 광의 흡광도: 0.1 미만), 비유전율(25℃, 1GHz): 2.8, 유전 정접(25℃, 1GHz): 0.001, 평균 입자경: 0.5㎛, 비표면적: 6.1㎡/g)
(실시예 및 비교예)
불소 수지, 질소 함유 복소환 화합물 및 무기 필러를, 표 1에 나타내는 비율(질량％)로, 라보 플라스토밀 믹서를 사용하여 용융 혼련(시간: 600초, 온도: 350℃)하여, 조성물을 얻었다.
얻어진 조성물을, 표 1에 나타내는 가공 온도에서 압출 성형하여, 표 1에 나타내는 두께의 시트를 얻었다.
실시예 9는, 실시예 1에서 얻어진 시트를 구리박(전해 구리, 두께: 18㎛, 시트에 접합되는 측의 표면 조도 Rz: 1.5㎛)과 적층하고, 가열 온도: 320℃, 압력: 15kN으로 5분간 프레스함으로써, 구리박의 편면에 시트가 접합된 접합체를 얻었다.
(UV 레이저 가공성)
상기 시트에 대해, 이하의 조건에서 UV 레이저를 조사하였을 때의 상태를 평가하였다. 실시예 9는, 접합체 중의 시트에 UV 레이저를 조사하였다.
구멍 직경: 100㎛
출력: 2W
반복 샷수: 7회
평가는, 하기 기준으로 행하였다.
◎: 완전히 관통하고, 구멍 형상에 이형 없음
○: 일부 관통, 또는, 완전히 관통하였지만 구멍 형상에 이형 있음
×: 관통 없음
(질소 함유 복소환 화합물의 덩어리의 수(레이저 현미경 관찰의 화상 해석), 첨가제 분산성)
이하의 방법으로, 1㎟의 면적당 질소 함유 복소환 화합물의 5㎛ 이상의 덩어리의 수를 평가하였다.
시료(시트)를 면도칼로 잘라내어, 단면을 레이저 현미경으로 관찰하였다. 질소 함유 복소환 화합물의 덩어리의 수는, 배율 150배로 측정한 화상에서 면적 0.008㎟(세로 0.08㎜, 가로 0.1㎜)의 면적당 덩어리의 수를 세어, 1㎟의 면적당 덩어리의 수로 환산하였다.
또한, 이하에 기재한 기준으로, 첨가제(질소 함유 복소환 화합물)의 분산성을 평가하였다.
◎: 레이저 현미경 관찰의 화상 해석에서 질소 함유 복소환 화합물의 5㎛ 이상의 덩어리의 수가 2000개 미만
○: 레이저 현미경 관찰의 화상 해석에서 질소 함유 복소환 화합물의 5㎛ 이상의 덩어리의 수가 2000개 이상 2500개 미만이지만, 눈으로 보는 평가에서 균일한 것
×: 레이저 현미경 관찰의 화상 해석에서 질소 함유 복소환 화합물의 5㎛ 이상의 덩어리의 수가 2500개 이상이며, 눈으로 보는 평가에서 불균일한 것
(흡광도)
상기 시트에 대해, 자외 가시 근적외 분광 광도계(니혼 분코 가부시키가이샤제 「V-770」)를 사용하여, 반사 배치로, 파장이 355㎚인 광의 흡광도를 측정하였다. 또한, 동장 적층판인 실시예 9는, 흡광도를 측정하지 않았다.
(비유전율(Dk), 유전 정접(Df))
실시예 5와 비교예 1의 시트에 대하여, 스플릿 실린더식 유전율·유전 정접 측정 장치(EM lab사제)를 사용하여, 25℃, 10GHz의 Dk 및 Df를 측정하였다. 그 결과, 실시예 5의 시트는 Dk: 2.02, Df: 0.00034, 비교예 1의 시트는 Dk: 2.08, Df: 0.00031이며, 질소 함유 복소환 화합물을 첨가한 것에 의한 전기 특성의 대폭적인 악화는 보이지 않았다.
Figure pct00005

Claims (26)

  1. 불소 수지와, 열분해로 1질량％ 감량할 때의 온도가 330℃ 이상인 질소 함유 복소환 화합물을 함유하고,
    파장이 355㎚인 광의 흡광도가 0.6 이상인, 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물은, 비폴리머계인, 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물은, 분자량이 1200g/mol 이하인, 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물 중의 질소 함유 복소환은, 3원환 내지 10원환이며, 또한, 질소 원자 및 산소 원자의 합계가 2개 이상인, 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물 중의 질소 함유 복소환은, 트리아진환인, 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물 중의 질소 함유 복소환은, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 1분자 중에 1 내지 3개 포함되는. 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물은, 질소 함유 복소환 이외의 방향환을 더 포함하는, 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 방향환은, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 1분자 중에 1 내지 5개 포함되는, 조성물.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 화합물인, 조성물.
    X-Y (1)
    (식 중, X는, 질소 함유 복소환이다. Y는, 질소 함유 복소환 이외의 방향환이다. X 및 Y는, 치환기를 가져도 된다.)
  10. 제9항에 있어서,
    상기 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 화합물은, 하기 식 (2A)로 표시되는 화합물, 또는, 하기 식 (2B)로 표시되는 화합물인, 조성물.
    (Y)m1-(X)n(-(Y)m2)-(Y)m3 (2A)
    (식 중, X 및 Y는, 식 (1)과 마찬가지이다. n은, 1 내지 3의 정수이다. m1, m2 및 m3은, 0 내지 5의 정수이며, m1, m2 및 m3 중 적어도 1개는 0이 아니다. X가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다. Y가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다.)
    (X)n1-(Y)m(-(X)n2)-(X)n3 (2B)
    (식 중, X 및 Y는, 식 (1)과 마찬가지이다. n1, n2 및 n3은, 0 내지 3의 정수이며, n1, n2 및 n3 중 적어도 1개는 0이 아니다. m은, 1 내지 5의 정수이다. X가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다. Y가 복수인 경우, 동일해도 달라도 된다.)
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 복소환 화합물의 함유량은, 상기 조성물에 대하여 0.1 내지 5.0질량％인, 조성물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    레이저 현미경 관찰의 화상 해석에 있어서, 상기 질소 함유 복소환 화합물의 5㎛ 이상의 덩어리가 1㎟의 면적당 2500개 미만인, 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소 수지는, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로(알킬비닐에테르) 공중합체 및 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인, 조성물.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 불소 수지는, 융점이 240 내지 320℃인, 조성물.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    무기 필러를 함유하는, 조성물.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 무기 필러는, 자외선 흡수성을 갖지 않는 것인, 조성물.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 무기 필러는, 25℃, 1GHz의 비유전율이 5.0 이하, 또한, 25℃, 1GHz의 유전 정접이 0.01 이하인 것인, 조성물.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기 필러의 함유량은, 상기 조성물에 대하여 5 내지 50질량％인, 조성물.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    회로 기판의 절연 재료 또는 기판용 유전 재료인, 조성물.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 조성물과, 도전층을 갖는 회로 기판.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 도전층은, 금속인, 회로 기판.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 금속은, 상기 조성물 측의 면의 표면 조도 Rz가 2.0㎛ 이하인, 회로 기판.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 금속은, 구리인, 회로 기판.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 구리는, 압연 구리 또는 전해 구리인, 회로 기판.
  25. 제20항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
    프린트 기판, 적층 회로 기판 또는 고주파 기판인, 회로 기판.
  26. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 조성물의 제조 방법이며,
    상기 불소 수지 및 상기 질소 함유 복소환 화합물을 용융 혼련하여, 상기 조성물을 얻는, 조성물의 제조 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020037662A (ja) 2018-09-05 2020-03-12 Ａｇｃ株式会社 フッ素樹脂膜、分散液の製造方法およびフッ素樹脂膜付基材の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2046881A1 (en) * 1989-01-25 1990-07-26 Hans E. Lunk Fluoropolymer compositions
JP3374064B2 (ja) * 1998-01-16 2003-02-04 イビデン株式会社 フッ素樹脂組成物および多層プリント配線板
JP4224290B2 (ja) * 2002-11-28 2009-02-12 三菱樹脂株式会社 剥離性フィルム
JP5200505B2 (ja) * 2007-11-26 2013-06-05 ダイキン工業株式会社 フッ素樹脂組成物及びフッ素樹脂成形体
CN106009430A (zh) * 2016-06-13 2016-10-12 衢州学院 一种基于选择性激光烧结的聚四氟乙烯粉末材料及其制备方法
JP2018039916A (ja) * 2016-09-08 2018-03-15 三菱ケミカル株式会社 樹脂組成物及び樹脂組成物からなるフィルム
KR102511730B1 (ko) * 2017-06-01 2023-03-20 덴카 주식회사 불화비닐리덴계 수지 필름
JP2019199576A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 凸版印刷株式会社 フッ素系樹脂フィルム及びその製造方法
JP7435462B2 (ja) * 2018-10-30 2024-02-21 Ａｇｃ株式会社 分散液

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020037662A (ja) 2018-09-05 2020-03-12 Ａｇｃ株式会社 フッ素樹脂膜、分散液の製造方法およびフッ素樹脂膜付基材の製造方法

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