KR20240023902A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240023902A
KR20240023902A KR1020220102181A KR20220102181A KR20240023902A KR 20240023902 A KR20240023902 A KR 20240023902A KR 1020220102181 A KR1020220102181 A KR 1020220102181A KR 20220102181 A KR20220102181 A KR 20220102181A KR 20240023902 A KR20240023902 A KR 20240023902A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cleaning
nozzle
center
chuck
Prior art date
Application number
KR1020220102181A
Other languages
English (en)
Inventor
서경진
안영서
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220102181A priority Critical patent/KR20240023902A/ko
Publication of KR20240023902A publication Critical patent/KR20240023902A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/20—Arrangements of several outlets along elongated bodies, e.g. perforated pipes or troughs, e.g. spray booms; Outlet elements therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/16—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B05B13/0421—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with rotating spray heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00—Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/02—Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

본 발명의 기술적 사상은 기판의 하면 중심을 지지하도록 구성된 센터 척 및 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하도록 구성된 사이드 척을 포함하고, 상기 센터 척 및 상기 사이드 척 중 하나를 이용하여 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지 장치; 제1 세정 로드 및 상기 제1 세정 로드에 탑재된 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 사이드 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사하도록 구성된, 센터 세정부; 및 제2 세정 로드 및 상기 제2 세정 로드에 탑재된 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 센터 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사하도록 구성된, 사이드 세정부;를 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 제1 노즐로부터 분사되는 상기 제1 세척액의 분사 영역이 조절되도록 상기 제1 세정 로드에 회전 가능하게 탑재되고, 상기 제2 노즐은 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제2 세척액의 분사 영역이 조절되도록 상기 제2 세정 로드에 회전 가능하게 탑재된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명의 기술적 사상은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 하면 세정시 파티클이 기판의 상면으로 튀는 현상을 방지하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함할 수 있다. 한편, 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 및 기판 지지 부재의 측면과 상부 일부를 둘러싸는 처리 용기를 포함할 수 있다. 기판의 하면을 세정하는 과정에서, 기판의 하면에 잔류하던 오염물이 기판의 상면으로 튀어 기판을 재오염시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 기판 하면 세정 공정에서, 파티클이 기판의 상면으로 튀어 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 기판의 하면 중심을 지지하도록 구성된 센터 척 및 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하도록 구성된 사이드 척을 포함하고, 상기 센터 척 및 상기 사이드 척 중 하나를 이용하여 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지 장치; 제1 세정 로드 및 상기 제1 세정 로드에 탑재된 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 사이드 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사하도록 구성된 센터 세정부; 및 제2 세정 로드 및 상기 제2 세정 로드에 탑재된 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 센터 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사하도록 구성된 사이드 세정부;를 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 제1 노즐로부터 분사되는 상기 제1 세척액의 분사 영역이 조절되도록 상기 제1 세정 로드에 회전 가능하게 탑재되고, 상기 제2 노즐은 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제2 세척액의 분사 영역이 조절되도록 상기 제2 세정 로드에 회전 가능하게 탑재된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 태양에서 상기 센터 척은 제1 세정 위치에 상기 기판을 지지하고, 상기 사이드 척은 상기 제1 세정 위치와 제2 세정 위치 사이에서 상기 기판을 이동시키도록 구성되고, 상기 센터 세정부는 상기 제2 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제1 세척액을 분사하도록 구성되고, 상기 사이드 세정부는 상기 제1 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제2 세척액을 분사하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 태양은 기판의 하면 중심을 지지하도록 구성된 센터 척 및 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하도록 구성된 사이드 척을 포함하고, 상기 센터 척 및 상기 사이드 척 중 하나를 이용하여 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지 장치; 제1 세정 로드 및 상기 제1 세정 로드에 탑재된 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 사이드 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사하도록 구성된 센터 세정부; 제2 세정 로드 및 상기 제2 세정 로드에 탑재된 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 센터 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사하도록 구성된 사이드 세정부;를 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 제1 노즐로부터 분사되는 상기 제1 세척액에 분사 영역이 조절되도록 상기 제1 세정 로드에 회전 가능하게 탑재되고, 상기 제2 노즐은 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제2 세척액에 분사 영역이 조절되도록 상기 제2 세정 로드에 회전 가능하게 탑재되고, 상기 센터 척은 제1 세정 위치에 상기 기판을 지지하고, 상기 사이드 척은 상기 제1 세정 위치와 제2 세정 위치 사이에서 상기 기판을 이동시키도록 구성되고, 상기 센터 세정부는 상기 제2 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제1 세척액을 분사하도록 구성되며, 상기 제1 노즐의 분사 영역을 조절하도록 구성된 제1 액츄에이터를 포함하고, 상기 사이드 세정부는 상기 제1 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제2 세척액을 분사하도록 구성되며, 상기 제2 노즐의 분사 영역을 조절하도록 구성된 제2 액츄에이터를 포함한 기판 처리 장치를 제공한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은 제1 세정 위치에서 기판의 하면 가장자리를 사이드 척이 지지하는 단계; 상기 사이드 척이 상기 기판을 상기 제1 세정 위치와 제2 세정 위치사이를 왕복 이동시키는 단계; 상기 기판이 왕복 이동하는 동안, 센터 세정부의 제1 노즐이 상기 사이드 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사하는 단계; 상기 제1 세정 위치에서 상기 기판과 상기 사이드 척이 이격되고, 상기 기판의 하면 중심을 센터 척이 지지하는 단계; 상기 센터 척이 상기 기판의 하면의 중심을 기준으로 회전하는 단계; 상기 센터 척이 회전하는 동안, 사이드 세정부의 제2 노즐이 상기 센터 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 세척액을 분사하는 단계에서, 상기 제1 노즐은 상기 제1 세척액의 분사 영역이 변경되도록 회전하고, 상기 제2 세척액을 분사하는 단계에서, 상기 제2 노즐은 상기 제2 세척액의 분사 영역이 변경되도록 회전하는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 기판 하면 세정시 노즐의 회전을 통해 저유량의 세척액으로 세정을 할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 기판 하면 세정시 저유량의 세척액을 사용하여 기판 상면으로 파티클이 튀는 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 기판 하면 세정시 기판의 특정 영역을 세척할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 사이드 세정부를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 사이드 세정부를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 6은 도 5의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 기판 처리 장치의 사이드 세정부를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 도 8의 기판 처리 장치의 센터 세정부를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 10은 도 8의 기판 처리 장치의 센터 세정부를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 12a 내지 도 12h는 본 발명의 기판 처리 방법을 순서에 따라 나타내는 평면도들이다.
본 실시예들에서 사용되는 용어는 본 실시예들에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어들을 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 판례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 또한, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 부분에서 상세히 그 의미를 기재할 것이다. 따라서, 본 실시예들에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌, 그 용어가 가지는 의미와 본 실시예들 전반에 걸친 내용을 토대로 정의되어야 한다.
본 실시예들은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 일부 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 실시예들을 특정한 개시형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 실시예들의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서에서 사용한 용어들은 단지 실시예들의 설명을 위해 사용된 것으로, 본 실시예들을 한정하려는 의도가 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1000)의 사이드 세정부(300)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3의 사이드 세정부(300)를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 기판 지지 장치(100), 센터 세정부(200), 사이드 세정부(300)를 포함할 수 있다.
기판 처리 장치(1000)의 기판 지지 장치(100)는 센터 척(110) 및 사이드 척(120)을 포함할 수 있다. 기판 지지 장치(100)는 센터 척(110) 및 사이드 척(120) 중 하나를 이용하여 상기 기판(W)을 지지할 수 있다. 즉, 기판 지지 장치(100)는 센터 척(110)을 통해 기판을 지지하거나, 사이드 척(120)을 통해 기판을 지지할 수 있다.
기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)은 기판(W) 하면의 중심을 지지하도록 구성될 수 있다. 즉, 센터 척(110)은 기판(W)의 하면 중심과 접촉할 수 있다. 일부 실시예에서, 센터 척(110)은 정전 척 또는 진공 척일 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(W)과 접촉하는 센터 척(110)의 중심부는 상하로 이동할 수 있다. 센터 척(110)이 기판(W)을 지지할 때 센터 척(110)의 중심부는 위로 이동할 수 있다. 또 사이드 척(120)이 기판(W)을 지지할 때, 센터 척(110)의 중심부는 아래로 이동할 수 있다.
기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)은 제1 세정 위치(P1)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 세정 위치(P1)는 기판 처리 공정 시작시 기판(W)이 로딩되는 위치일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 세정 위치(P1)는 기판의 사이드가 세정되는 위치일 수 있다.
기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)은 기판(W)의 하면을 중심으로 회전할 수 있다. 센터 척(110)의 회전 방향은 시계 방향 또는 반시계 방향일 수 있다. 센터 척(110)이 회전할 때, 센터 척(110)에 지지된 기판(W)도 같이 회전할 수 있다. 센터 척(110)의 회전을 통해 기판(W)을 회전시켜, 기판(W)의 하면의 사이드를 세척할 수 있다. 또한, 센터 척(110)의 회전에 의해 발생한 원심력에 의해 기판(W)의 하면에 있는 세척액을 기판(W)의 외곽으로 배출시킬 수 있다.
기판 지지 장치(100)의 사이드 척(120)은 기판(W)의 하면 가장자리를 지지할 수 있다. 일부 실시예에서, 사이드 척(120)은 기판(W)의 하면의 양쪽 가장자리와 접촉할 수 있다. 다시 말해, 사이드 척(120)은 기판(W)의 하면 중심과 접촉하지 않을 수 있다. 일부 실시예에서, 사이드 척(120)은 정전 척 또는 진공 척일 수 있다. 일부 실시 예에서, 사이드 척(120)은 상하로 이동할 수 있다. 사이드 척(120)이 기판(W)을 지지할 때 사이드 척(120)은 위로 이동할 수 있다. 또 센터 척(110)이 기판(W)을 지지할 때, 사이드 척(120)은 아래로 이동할 수 있다.
기판 지지 장치(100)의 사이드 척(120)은 제1 세정 위치(P1)와 제2 세정 위치(P2) 사이에서 기판을 이동시킬 수 있다. 즉, 사이드 척(120)은 사이드 척(120)의 상부에 기판(W)을 지지하고, 제1 세정 위치(P1)에서 제2 세정 위치(P2)로 이동할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 세정 위치(P2)는 상기 기판(W)의 중심부를 세정하는 위치일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 세정 위치(P1)와 제2 세정 위치(P2)는 높이가 동일하여, 사이드 척(120)은 제1 세정 위치(P1)에서 제2 세정 위치(P2)로 이동시 높이의 변화가 없을 수 있다.
기판 처리 장치(1000)의 센터 세정부(200)는 제1 세정 로드(220) 및 제1 노즐(210)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 센터 세정부(200)는 제2 세정 위치(P2)에 위치된 기판(W)에 제1 세척액을 분사할 수 있다.
센터 세정부(200)의 제1 세정 로드(220)는 기판 처리 장치(1000)의 하면과 일정 거리 이격될 수 있다. 제1 세정 로드(220)는 기판 지지 장치(100)의 사이드 척(120)의 이동 경로에 간섭되지 않도록 위치할 수 있다. 다시 말해, 제1 세정 로드(220)는 기판 지지 장치(100)의 사이드 척(120)보다 아래 위치할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 세정 로드(220)는 제1 세정 위치(P1)와 제2 세정 위치(P2) 사이에 위치할 수 있다.
센터 세정부(200)의 제1 노즐(210)은 제1 세정 로드(220)에 탑재될 수 있다. 제1 노즐(210)은 사이드 척(120)에 지지된 기판(W)의 하면을 향해 제1 세척액을 분사할 수 있다. 즉, 제1 노즐(210)은 제1 세정 로드(220)의 상부를 향해 제1 세척액을 분사할 수 있다. 다시 말해, 제1 세정 로드(220)의 상부를 사이드 척(120)에 지지된 기판(W)이 이동할 때, 제1 노즐(210)은 제1 세척액을 분사할 수 있다. 일부 실시예에서, 센터 세정부(200)의 제1 노즐(210)은 제2 세정 위치(P2)에 위치한 기판(W)에 제1 세척액을 분사할 수 있다.
센터 세정부(200)의 제1 노즐(210)은 제1 노즐(210)에서 분사되는 제1 세척액의 분사 영역이 조절되도록 회전할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 세척액은 제1 노즐(210)에서 부채꼴 형식으로 분사될 수 있다. 제1 노즐(210)은 제1 세정 로드(220) 상에서 회전하여, 제1 세척액의 분사 영역을 조절할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 노즐(210)은 제1 노즐(210)의 상부의 중심을 축으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다.
기판(W)의 하면 세정시, 센터 세정부(200)의 제1 노즐(210)의 회전은 기판(W)의 하면 중심 영역의 세정에 용이할 수 있다. 제1 노즐(210)은 회전을 통해 더 넓은 범위를 세정할 수 있고, 저유량의 세척액을 사용할 수 있다. 제1 노즐(210)의 회전을 통해 저유량의 세척액을 사용하여, 기판(W)의 하면 세정시 기판(W)의 상면으로 파티클이 튀는 현상을 방지할 수 있다.
기판 처리 장치(1000)의 사이드 세정부(300)는 제2 세정 로드(320) 및 제2 노즐(310)을 포함할 수 있다. 사이드 세정부(300)는 제1 세정 위치(P1)에 위치된 기판(W)에 제2 세척액을 분사할 수 있다.
사이드 세정부(300)의 제2 세정 로드(320)는 기판 처리 장치(1000)의 하면과 일정 거리 이격될 수 있다. 일부 실시예에서, 기판 처리 장치(1000)를 평면에서 보았을 때, 제2 세정 로드(320)는 X축 또는 Y축을 기준으로 약 45도의 각도로 배치될 수 있다. 제2 세정 로드(320)는 기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)과 접촉하지 않을 수 있다. 즉, 제2 세정 로드(320)는 센터 척(110)의 회전 경로에 간섭되지 않도록 위치할 수 있다. 일부 실시예에서, 사이드 세정부(300)는 복수 개의 제2 세정 로드(320)를 포함할 수 있다. 복수 개의 제2 세정 로드(320)의 일 측은 서로 마주 볼 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1000)를 평면에서 보았을 때, 복수 개의 제2 세정 로드(320)는 동일한 각도로 배치될 수 있다.
사이드 세정부(300)의 제2 노즐(310)은 제2 세정 로드(320)에 탑재될 수 있다. 제2 노즐(310)은 기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)에 지지된 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사할 수 있다. 즉, 제2 노즐(310)은 제2 세정 로드(320)의 상부를 향해 제2 세척액을 분사할 수 있다. 다시 말해, 제2 세정 로드(320)의 상부에서 기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)에 지지된 기판(W)이 회전할 때, 제2 노즐(310)은 제2 세척액을 분사할 수 있다. 일부 실시예에서, 사이드 세정부(300)의 제2 노즐(310)은 제1 세정 위치(P1)에 위치한 기판(W)에 제2 세척액을 분사할 수 있다.
사이드 세정부(300)의 제2 노즐(310)은 제2 노즐(310)에서 분사되는 제2 세척액의 분사 영역이 조절되도록 회전할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 세척액은 제2 노즐(310)에서 부채꼴 형식으로 분사될 수 있다. 제2 노즐(310)은 제2 세정 로드(320) 상에서 회전하여, 제2 세척액의 분사 영역을 조절할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 노즐(310)은 제2 노즐(310)의 상부의 중심을 축(311)으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다.
기판(W)의 하면 세정시, 사이드 세정부(300)의 제2 노즐(310)의 회전은 기판(W)의 하면 사이드 영역의 세정에 용이할 수 있다 제2 노즐(310)은 회전을 통해 더 넓은 범위를 세정할 수 있고, 저유량의 세척액을 사용할 수 있다. 제2 노즐(310)의 회전을 통해 저유량의 세척액을 사용하여, 기판(W)의 하면 세정시 기판의 상면으로 파티클이 튀는 현상을 방지할 수 있다.
사이드 세정부(300)는 복수 개의 제2 노즐(310)을 포함할 수 있다. 즉 사이드 세정부(300)의 제2 세정 로드(320)에 복수 개의 제2 노즐(310)이 탑재될 수 있다. 복수 개의 제2 노즐(310)은 제2 세정 로드(320)에 일렬로 배치될 수 있다. 복수 개의 제2 노즐(310)은 서로 다른 회전 방향 또는 회전 속도를 가질 수 있다.
일부 실시예에서, 사이드 세정부(300)의 복수 개의 제2 노즐(310)은 제2 외측 노즐(312) 및 제2 내측 노즐(313)을 포함할 수 있다. 제2 외측 노즐(312)은 기판(W)의 가장자리에 인접할 수 있다. 제2 내측 노즐(313)은 기판(W)의 중심에 인접할 수 있다. 다시 말해, 복수 개의 제2 노즐(310) 중 기판(W)의 외곽에 인접한 제2 노즐은 제2 외측 노즐(312)일 수 있다. 또 복수 개의 제2 노즐(310) 중 기판(W)의 중심에 인접한 제2 노즐은 제2 내측 노즐(313)일 수 있다. 제2 외측 노즐(312)은 제2 내측 노즐(313)보다 제2 세척액을 분사하는 영역이 기판(W)의 하면 중심을 향하게 제2 세정 로드(320)에 탑재될 수 있다. 즉, 제2 외측 노즐(312)의 회전은 기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)에 지지된 기판(W)의 내측을 향하게 조절될 수 있다. 제2 외측 노즐(312)은 기판(W)의 가장자리에 인접하여, 기판(W)의 외곽을 향해 제2 세척액을 분사하면, 파티클이 기판(W)의 상면으로 튀는 현상이 발생할 수 있다. 따라서, 제2 외측 노즐(312)은 다른 복수 개의 제2 노즐에 비해 제2 세척액을 기판(W)의 중심을 향하게 분사하여, 파티클이 기판(W)의 상면으로 튀는 현상을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000a)를 개략적으로 나타내는 사시도이다. 도 6은 도 5의 기판 처리 장치(1000a)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 7은 도 6의 기판 처리 장치(1000a)의 사이드 세정부(300)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(1000a)는 기판 지지 장치(100), 센터 세정부(200), 사이드 세정부(300)를 포함할 수 있다. 이하에서, 도 5의 기판 처리 장치(1000a)와 도 1에서 설명한 기판 처리 장치(1000)의 중복된 내용은 생략하고, 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
기판 처리 장치(1000a)의 센터 세정부(200)는 제1 세정 로드(220), 제1 노즐(210) 및 제1 액츄에이터(240)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 센터 세정부(200)는 제2 세정 위치(P2)에 위치된 기판(W)에 제1 세척액을 분사할 수 있다.
센터 세정부(200)의 제1 액츄에이터(240)는 센터 세정부(200)의 제1 노즐(210)의 분사 영역을 조절하도록 구성될 수 있다. 즉 제1 액츄에이터(240)는 제1 노즐(210)의 회전을 조절하여 제1 세척액이 분사되는 영역을 조절할 수 있다. 제1 노즐(210)은 제1 세정 로드(220)에 베어링 등을 통해 탑재될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 노즐(210)은 베어링을 통해 제1 세정 로드(220) 상에서 회전할 수 있다. 제1 액츄에이터(240)는 제1 노즐(210)의 상기 베어링과 연결되어 제1 노즐(210)의 회전을 조절할 수 있다. 또는 제1 액츄에이터(240)는 모터 등을 통해 제1 노즐(210)의 회전을 조절할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1 액츄에이터(240)는 제1 노즐(210)을 제1 노즐(210)의 상부 중심을 지나는 축(211)을 기준으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시킬 수 있다.
제1 액츄에이터(240)를 통해 제1 노즐(210)의 회전 방향 및 회전 속도에 대한 조절을 세밀하게 할 수 있다. 제1 액츄에이터(240)를 통한 제1 노즐(210)의 회전을 세밀하게 조절하여, 기판 지지 장치(100)의 사이드 척(120)에 지지된 기판(W)의 하면의 특정 영역을 세정할 수 있다. 제1 액츄에이터는 기판(W)에 따라 제1 노즐의 분사 영역을 조절할 수 있어, 본 발명의 기판 처리 장치(1000a)는 기판의 하면의 중심 영역 세정에 용이하다.
기판 처리 장치(1000a)의 사이드 세정부(300)는 제2 세정 로드(320), 제2 노즐(310) 및 제2 액츄에이터(340)를 포함할 수 있다. 사이드 세정부(300)는제1 세정 위치(P1)에 위치된 기판(W)에 제2 세척액을 분사할 수 있다.
사이드 세정부(300)의 제2 액츄에이터(340)는 사이드 세정부(300)의 제2 노즐(310)의 분사 영역을 조절하도록 구성될 수 있다. 즉 제2 액츄에이터(340)는 제2 노즐(310)의 회전을 조절하여 제2 세척액이 분사되는 영역을 조절할 수 있다. 제2 노즐(310)은 제2 세정 로드(320)에 베어링 등을 통해 탑재될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 노즐(310)은 베어링을 통해 제2 세정 로드(320) 상에서 회전할 수 있다. 제2 액츄에이터(340)는 제2 노즐(310)의 상기 베어링과 연결되어 제2 노즐(310)의 회전을 조절할 수 있다. 또는 제2 액츄에이터(340)는 모터 등을 통해 제2 노즐(310)의 회전을 조절할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 액츄에이터(340)는 제2 노즐(310)을 제2 노즐(310)의 상부 중심을 지나는 축(311)을 기준으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전시킬 수 있다.
제2 액츄에이터(340)를 통해 제2 노즐(310)의 회전 방향 및 회전 속도에 대한 조절을 세밀하게 할 수 있다. 제2 액츄에이터(340)를 통한 제1 노즐(210)의 회전을 세밀하게 조절하여, 기판 지지 장치(100)의 센터 척(110)에 지지된 기판(W)의 하면의 특정 영역을 세정할 수 있다. 제2 액츄에이터(340)는 기판(W)에 따라 제2 노즐(310)의 분사 영역을 조절할 수 있어, 본 발명의 기판 처리 장치(1000a)는 기판의 하면의 중심 영역 세정에 용이하다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000b)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 9는 도 8의 기판 처리 장치(1000b)의 센터 세정부(200)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 10은 도 8의 기판 처리 장치(1000b)의 센터 세정부(200)를 개략적으로 나타내는 측면도이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 기판 처리 장치(1000b)는 기판 지지 장치, 센터 세정부(200), 사이드 세정부(300)를 포함할 수 있다. 이하에서, 도 8의 기판 처리 장치(1000b)와 도 1 및 도 5에서 설명한 기판 처리 장치의 중복된 내용은 생략하고, 차이점을 위주로 설명하도록 한다.
기판 처리 장치(1000b)의 센터 세정부(200)는 제1 세정 로드(220), 제1 노즐(210), 제1 액츄에이터(240)를 포함할 수 있다.
기판 처리 장치(1000b)의 센터 세정부(200)는 복수 개의 제1 노즐(210)을 포함할 수 있다. 즉 센터 세정부(200)의 제1 세정 로드(320)에 복수 개의 제1 노즐(210)이 탑재될 수 있다. 복수 개의 제1 노즐(210)은 제1 세정 로드(220)에 일렬로 배치될 수 있다. 제1 노즐(210)은 제1 노즐(210)의 상부 중심을 지나는 축(211)을 기준으로 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다. 복수 개의 제1 노즐(210)은 서로 다른 회전 방향 또는 회전 속도를 가질 수 있다.
기판 처리 장치(1000a)의 센터 세정부(200)는 복수 개의 제1 액츄에이터(240)를 포함할 수 있다. 복수 개의 제1 액츄에이터(240) 각각은 복수 개의 제1 노즐(210) 각각의 분사 영역을 조절하도록 구성될 수 있다. 즉 하나의 제1 액츄에이터(240)는 하나의 제1 노즐(210)의 회전을 조절하여 제1 세척액이 분사되는 영역을 조절할 수 있다.
기판 처리 장치(1000b)의 사이드 세정부(300)는 제2 세정 로드(320), 제2 노즐(310), 제2 액츄에이터(340)를 포함할 수 있다.
기판 처리 장치(1000b)의 사이드 세정부(300)는 복수 개의 제2 노즐(310)을 포함할 수 있다. 즉 사이드 세정부(300)의 제2 세정 로드(320)에 복수 개의 제2 노즐(310)이 탑재될 수 있다. 복수 개의 제2 노즐(310)은 제2 세정 로드(320)에 일렬로 배치될 수 있다. 복수 개의 제2 노즐(310)은 서로 다른 회전 방향 또는 회전 속도를 가질 수 있다.
기판 처리 장치(1000b)의 사이드 세정부(300)는 복수 개의 제2 액츄에이터(340)를 포함할 수 있다. 복수 개의 제2 액츄에이터(340) 각각은 복수 개의 제2 노즐(310) 각각의 분사 영역을 조절하도록 구성될 수 있다. 즉 하나의 제2 액츄에이터(340)는 하나의 제1 노즐(310)의 회전을 조절하여, 제1 세척액이 분사되는 영역을 조절할 수 있다.
복수 개의 제1 노즐(210) 및 복수 개의 제2 노즐(310)을 통해, 기판(W)의 하면 세정시 세정 시간을 단축시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 복수 개의 제1 액츄에이터(240) 및 복수 개의 제2 액츄에이터(340)를 통해 제1 노즐(210) 및 제2 노즐(310)의 회전을 개별적으로 조절할 수 있어, 노즐의 회전을 세밀하게 조절할 수 있다. 복수 개의 제1 노즐(210) 및 복수 개의 제2 노즐(310)의 회전의 세밀한 조절을 통해, 기판(W) 하면 세정시 저유량의 세척액을 사용할 수 있다. 저유량의 세척액을 사용하면, 기판(W) 하면의 파티클이 기판 상면으로 튀는 현상을 방지할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법(S10)을 나타내는 순서도이다.
도 11을 참조하면, 기판 처리 방법(S10)은 제1 세정 위치에서 기판의 하면 가장자리를 사이드 척이 지지할 수 있다(단계 S11). 기판을 사이드 척에 지지한 이후, 사이드 척이 기판을 제1 세정 위치와 제2 세정 위치 사이를 수평 왕복 이동시킬 수 있다(단계 S12). 사이드 척이 왕복 이동하는 동안, 제1 노즐이 사이드 척에 지지된 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사할 수 있다(단계 S13). 사이드 척의 왕복 이동이 끝나고 제1 세정 위치에서 기판과 사이드 척이 이격되고, 기판의 하면 중심을 센터 척이 지지할 수 있다(단계 S14). 기판을 센터 척에 지지한 이후, 센터 척은 기판 하면의 중심을 기준으로 회전할 수 있다(단계 S15). 센터 척이 회전하는 동안, 제2 노즐이 센터 척이 지지된 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사할 수 있다(단계 S16).
도 12a 내지 도 12h는 본 발명의 기판 처리 방법(S10)을 순서에 따라 나타내는 평면도들이다.
도 12a 내지 도 12h를 참조하면, 도 12a는 제1 세정 위치(P1)에서 기판(W)의 하면 가장자리를 사이드 척(120)이 지지하는 모습을 나타낸다. 사이드 척(120)은 기판 처리 장치의 측벽에서 돌출되어, 기판(W)의 하면 양 가장자리를 지지할 수 있다. 다시 말해, 사이드 척(120)은 기판(W)의 하면 중심과 접촉하지 않을 수 있다. 사이드 척(120)은 정전 척 또는 진공 척일 수 있다. 사이드 척(120)이 정전 척인 경우, 사이드 척(120)은 정전력으로 기판을 지지할 수 있다.
도 12b는 사이드 척(120)이 제1 세정 위치(P1)에서 제2 세정 위치(P2)로 이동하는 모습을 나타낸다. 사이드 척(120)은 기판(W)의 측벽에 위치하는 레일을 따라 제1 세정 위치(P1)와 제2 세정 위치(P2)를 왕복 이동할 수 있다. 사이드 척(120)이 제1 세정 위치(P1)에서 제2 세정 위치(P2)로 이동하는 동안, 사이드 척(120)에 지지된 기판(W)도 함께 이동할 수 있다.
도 12c 및 도 12d는 사이드 척(120)이 제1 세정 위치(P1)에서 제2 세정 위치(P2)로 이동하는 동안 센터 세정부(200)의 제1 노즐(210)이 기판(W)의 하면을 향해 제1 세척액(230)을 분사하는 모습을 나타낸다. 제1 노즐(210)은 제1 노즐(210)의 분사 영역이 변경되도록 센터 세정부(200)의 제1 세정 로드(220)에 탑재될 수 있다. 제1 노즐(210)이 제1 세척액(230)을 분사하는 동안, 제1 노즐(210)은 제1 노즐(210)의 분사 영역이 변경되도록 회전할 수 있다. 도 12c 및 도 12d에서 제1 노즐(210)이 180도 회전하는 것을 예시로 보였으나, 이에 국한되지 않고 제1 노즐(210)은 360도 이상 회전할 수 있다.
도 12d는 사이드 척(120)이 제2 세정 위치(P2)에서 제1 세정 위치(P1)로 이동하는 모습을 나타낸다. 도 12e는 제1 세정 위치(P1)에서 기판(W)과 사이드 척(120)이 이격되고, 센터 척(110)이 상기 기판(W)의 하면 중심을 지지하는 모습을 나타낸다. 센터 척(110)은 기판 처리 장치의 하면에서 돌출되어, 기판(W)의 하면 중심을 지지할 수 있다. 다시 말해 센터 척(110)은 기판(W)의 하면 사이드와 접촉하지 않을 수 있다. 센터 척(110)은 정전 척 또는 진공 척일 수 있다. 구체적으로, 센터 척(110)의 중심부가 상부로 이동하여 사이드 척(120)에 지지된 기판(W)의 하면 중심과 접촉할 수 있다. 이후, 사이드 척(120)은 기판(W)과의 정전력 또는 진공을 제거하고 아래로 이동하여 기판(W)과 이격될 수 있다. 다음으로, 센터 척(110)은 정전력 또는 진공을 통해 기판(W)의 하면 중심을 지지할 수 있다.
도 12f 내지 도 12h는 센터 척(110)이 회전하는 동안, 사이드 세정부(300)의 제2 노즐(310)이 상기 센터 척에 지지된 기판의 하면을 향해 제2 세척액(330)을 분사하는 모습을 나타낸다. 제2 노즐(310)은 제2 노즐(310)의 분사 영역이 변경되도록 사이드 세정부(300)의 제2 세정 로드(320)에 탑재될 수 있다. 제2 노즐(310)이 제2 세척액(330)을 분사하는 동안, 제2 노즐(310)은 제2 노즐(310)의 분사 영역이 변경되도록 회전할 수 있다.
일부 실시예에서, 사이드 세정부(300)는 복수 개의 제2 노즐(310)을 포함할 수 있다. 복수 개의 제2 노즐(310)은 제2 외측 노즐 및 제2 내측 노즐을 포함할 수 있다. 제2 외측 노즐은 센터 척에 지지된 기판의 가장자리에 인접한 제2 노즐일 수 있다. 제2 내측 노즐은 센터 척에 지지된 기판의 중심에 인접한 제2 노즐일 수 있다. 제2 외측 노즐은 제2 내측 노즐보다 제2 세척액(330)의 분사 영역이 기판(W)의 하면 중심을 향하게 제2 세정 로드(320)에 탑재될 수 있다. 즉, 제2 외측 노즐의 회전은 기판 지지 장치의 센터 척(110)에 지지된 기판(W)의 내측을 향하게 조절될 수 있다.
기판(W) 하면의 세정 공정시, 제1 노즐(210)의 회전 및 제2 노즐(310)의 회전을 통해 기판(W) 하면의 특정 영역에 대한 세정을 할 수 있다. 또한 제1 노즐(210)의 회전 및 제2 노즐(310)의 회전을 통해 세정력이 증가될 수 있고, 저유량의 세척액을 사용할 수 있다. 저유량의 세척액의 사용으로 인해, 본 발명에 따른 기판 처리 방법(S10)은 기판(W) 하면의 파티클이 기판(W) 상면으로 튀는 현상을 방지할 수 있다.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
1000, 1000a, 1000b: 기판 처리 장치 S10: 기판 처리 방법
100: 기판 지지 장치 110: 센터 척
120: 사이드 척 200: 센터 세정부
210: 제1 노즐 220: 제1 세정 로드
230: 제1 세척액 240: 제1 액츄에이터
300: 사이드 세정부 310: 제2 노즐
320: 제2 세정 로드 330: 제2 세척액
340: 제2 액츄에이터

Claims (10)

  1. 기판의 하면 중심을 지지하도록 구성된 센터 척 및 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하도록 구성된 사이드 척을 포함하고, 상기 센터 척 및 상기 사이드 척 중 하나를 이용하여 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지 장치;
    제1 세정 로드 및 상기 제1 세정 로드에 탑재된 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 사이드 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사하도록 구성된, 센터 세정부; 및
    제2 세정 로드 및 상기 제2 세정 로드에 탑재된 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 센터 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사하도록 구성된, 사이드 세정부;
    를 포함하고,
    상기 제1 노즐은 상기 제1 노즐로부터 분사되는 상기 제1 세척액의 분사 영역이 조절되도록 상기 제1 세정 로드에 회전 가능하게 탑재되고,
    상기 제2 노즐은 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제2 세척액의 분사 영역이 조절되도록 상기 제2 세정 로드에 회전 가능하게 탑재된 것을
    특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 센터 척은 제1 세정 위치에 상기 기판을 지지하고,
    상기 사이드 척은 상기 제1 세정 위치와 제2 세정 위치 사이에서 상기 기판을 이동시키도록 구성된
    기판 처리 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 센터 세정부는 상기 제2 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제1 세척액을 분사하도록 구성되고,
    상기 사이드 세정부는 상기 제1 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제2 세척액을 분사하도록 구성된,
    기판 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 센터 세정부는 상기 제1 노즐의 분사 영역을 조절하도록 구성된 제1 액츄에이터를 포함하고,
    상기 사이드 세정부는 상기 제2 노즐의 분사 영역을 조절하도록 구성된 제2 액츄에이터를 포함한
    기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 센터 세정부는 상기 제1 세정 로드에 마련된 복수 개의 제1 노즐을 포함하고,
    상기 사이드 세정부는 상기 제2 세정 로드에 마련된 복수 개의 제2 노즐을 포함한
    기판 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 노즐은 서로 다른 회전 방향 및 회전 속도를 가지고,
    상기 복수 개의 제2 노즐은 서로 다른 회전 방향 및 회전 속도를 가진
    기판 처리 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 복수 개의 제2 노즐은 제2 외측 노즐 및 제2 내측 노즐을 포함하고,
    상기 제2 외측 노즐은 상기 기판의 가장자리에 인접하며, 상기 제2 내측 노즐은 상기 기판의 중심에 인접하고,
    상기 제2 외측 노즐은 상기 제2 내측 노즐보다 상기 제2 세척액의 분사 영역이 상기 기판의 하면 중심을 향하게 상기 제2 세정 로드에 탑재된
    기판 처리 장치.
  8. 기판의 하면 중심을 지지하도록 구성된 센터 척 및 상기 기판의 하면 가장자리를 지지하도록 구성된 사이드 척을 포함하고, 상기 센터 척 및 상기 사이드 척 중 하나를 이용하여 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 지지 장치;
    제1 세정 로드 및 상기 제1 세정 로드에 탑재된 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 노즐은 상기 사이드 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사하도록 구성된, 센터 세정부;
    제2 세정 로드 및 상기 제2 세정 로드에 탑재된 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 노즐은 상기 센터 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사하도록 구성된, 사이드 세정부;
    를 포함하고,
    상기 제1 노즐은 상기 제1 노즐로부터 분사되는 상기 제1 세척액에 분사 영역이 조절되도록 상기 제1 세정 로드에 회전 가능하게 탑재되고,
    상기 제2 노즐은 상기 제2 노즐로부터 분사되는 상기 제2 세척액에 분사 영역이 조절되도록 상기 제2 세정 로드에 회전 가능하게 탑재되고,
    상기 센터 척은 제1 세정 위치에 상기 기판을 지지하고,
    상기 사이드 척은 상기 제1 세정 위치와 제2 세정 위치 사이에서 상기 기판을 이동시키도록 구성되고,
    상기 센터 세정부는 상기 제2 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제1 세척액을 분사하도록 구성되며, 상기 제1 노즐의 분사 영역을 조절하도록 구성된 제1 액츄에이터를 포함하고,
    상기 사이드 세정부는 상기 제1 세정 위치에 위치된 상기 기판에 상기 제2 세척액을 분사하도록 구성되며, 상기 제2 노즐의 분사 영역을 조절하도록 구성된 제2 액츄에이터를 포함한
    기판 처리 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 센터 세정부는 상기 제1 세정 로드에 마련된 복수 개의 제1 노즐을 포함하고,
    상기 사이드 세정부는 상기 제2 세정 로드에 마련된 복수 개의 제2 노즐을 포함하고,
    상기 복수 개의 제2 노즐은 제2 외측 노즐 및 제2 내측 노즐을 포함하고,
    상기 제2 외측 노즐은 상기 기판의 가장자리에 인접하며, 상기 제2 내측 노즐은 상기 기판의 중심에 인접하고,
    상기 제2 외측 노즐은 상기 제2 내측 노즐보다 상기 제2 세척액의 분사 영역이 상기 기판의 하면 중심을 향하게 상기 제2 세정 로드에 탑재된
    기판 처리 장치.
  10. 제1 세정 위치에서 기판의 하면 가장자리를 사이드 척이 지지하는 단계;
    상기 사이드 척이 상기 기판을 상기 제1 세정 위치와 제2 세정 위치사이를 왕복 이동시키는 단계;
    상기 기판이 왕복 이동하는 동안, 센터 세정부의 제1 노즐이 상기 사이드 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제1 세척액을 분사하는 단계;
    상기 제1 세정 위치에서 상기 기판과 상기 사이드 척이 이격되고, 상기 기판의 하면 중심을 센터 척이 지지하는 단계;
    상기 센터 척이 상기 기판의 하면의 중심을 기준으로 회전하는 단계;
    상기 센터 척이 회전하는 동안, 사이드 세정부의 제2 노즐이 상기 센터 척에 지지된 상기 기판의 하면을 향해 제2 세척액을 분사하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 제1 세척액을 분사하는 단계에서, 상기 제1 노즐은 상기 제1 세척액의 분사 영역이 변경되도록 회전하고,
    상기 제2 세척액을 분사하는 단계에서, 상기 제2 노즐은 상기 제2 세척액의 분사 영역이 변경되도록 회전하는
    기판 처리 방법.
KR1020220102181A 2022-08-16 2022-08-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20240023902A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220102181A KR20240023902A (ko) 2022-08-16 2022-08-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220102181A KR20240023902A (ko) 2022-08-16 2022-08-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240023902A true KR20240023902A (ko) 2024-02-23

Family

ID=90042009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220102181A KR20240023902A (ko) 2022-08-16 2022-08-16 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240023902A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9378988B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
US9802227B2 (en) Method of cleaning substrate processing apparatus
KR102285832B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2013026381A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20150343495A1 (en) Apparatus and methods for treating substrates
JP5734705B2 (ja) 基板処理装置
JP5680705B2 (ja) 基板処理方法
CN113471108B (zh) 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置
JP2019533315A (ja) 半導体基板に対する湿式工程の装置および方法
JP2013026379A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6014312B2 (ja) 洗浄処理方法
JP6087772B2 (ja) 基板処理装置および洗浄用基板
KR20240023902A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5837788B2 (ja) ノズル、基板処理装置、および基板処理方法
JP6159200B2 (ja) 基板処理装置および洗浄用治具
CN113118099A (zh) 旋转喷头、清洗设备及清洗方法
KR20080088916A (ko) 반도체 제조 장치 및 그를 이용한 반도체 제조 방법
JP6087771B2 (ja) 基板処理装置
JP2011071198A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP7437600B2 (ja) 回転塗布装置
JP2014150136A (ja) 基板処理装置
JP4955586B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR20240023916A (ko) 기판 처리 장치
JP3773626B2 (ja) 両面洗浄ユニット及びこれを用いたウエット処理装置
JP3934745B2 (ja) 基板授受ユニット及びこれを用いたウエット処理装置