KR20240015815A - 디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법 - Google Patents

디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치하는 화소전극, 상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 뱅크개구를 갖는 제1뱅크, 상기 제1뱅크의 외측에 위치하고 상기 제1뱅크보다 두꺼운 제2뱅크, 상기 화소전극에 대응하여 상기 뱅크개구 내에 위치하는 발광층 및 상기 제1뱅크, 상기 제2뱅크 및 상기 발광층을 덮는 대향전극을 포함하고, 상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크는 네거티브형 포토레지스트를 포함하는 디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법을 제공한다.

Description

디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법{Display apparatus, mask for manufacturing the same, and manufacturing method of display apparatus}
본 발명은 디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 품질이 향상된 디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 디스플레이 장치는 화상을 디스플레이하기 위하여, 전기적 신호를 받아 발광하는 복수의 화소들을 포함한다. 유기발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED)의 화소는 표시요소로서 유기발광다이오드를 포함한다. 유기발광다이오드는 화소전극, 발광층 및 대향전극을 구비한다. 유기발광다이오드의 발광층은 발광물질을 포함하는 잉크를 화소전극 상에 토출하여 형성할 수 있다.
그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치에서는, 유기발광다이오드의 대향전극이 하부 구조에 의하여 단선되어 화소의 위치에 따라 휘도가 달라지는 문제점이 존재하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 위치에 따른 화소 간의 휘도 차이를 감소시켜 표시 품질이 향상된 디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 화소전극, 상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 뱅크개구를 갖는 제1뱅크, 상기 제1뱅크의 외측에 위치하고 상기 제1뱅크보다 두꺼운 제2뱅크, 상기 화소전극에 대응하여 상기 뱅크개구 내에 위치하는 발광층 및 상기 제1뱅크, 상기 제2뱅크 및 상기 발광층을 덮는 대향전극을 포함하고, 상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크는 네거티브형 포토레지스트를 포함하는 디스플레이 장치가 제공된다.
일 실시예에서, 상기 제1뱅크와 상기 제2뱅크는 일체(一體)일 수 있다.
일 실시예세서, 상기 제1뱅크의 두께는 상기 제2뱅크의 두께의 절반 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2뱅크의 두께는 300 nm 내지 3 μm일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1뱅크의 측벽이 상기 화소전극의 상면과 이루는 각도는 50° 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2뱅크의 측벽이 상기 제1뱅크의 상면과 이루는 각도는 50° 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크의 표면은 발액성일 수 있다.
일 실시예에서, 디스플레이 장치는 상기 기판 상에 상기 화소전극과 이격되어 배치되는 스페이서 및 상기 스페이서를 덮으며, 상기 제2뱅크의 상면으로부터 돌출된 제3뱅크를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1뱅크, 상기 제2뱅크 및 상기 제3뱅크는 일체(一體)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 스페이서는 포지티브형 포토레지스트를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계, 상기 화소전극 상에 네거티브형 포토레지스트를 포함하는 제1유기층을 형성하는 단계, 슬릿 마스크를 이용하여 상기 제1유기층에 광을 조사하고 현상하여 유기패턴층을 형성하는 단계, 상기 유기패턴층을 가열하여 상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 뱅크개구를 갖는 제1뱅크 및 상기 제1뱅크의 외측에 위치하고 상기 제1뱅크보다 두꺼운 제2뱅크를 형성하는 단계, 상기 화소전극에 대응하여 상기 뱅크개구 내에 발광층을 형성하는 단계 및 상기 제1뱅크, 상기 제2뱅크 및 상기 발광층을 덮도록 대향전극을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법이 제공된다.
일 실시예에서, 상기 유기패턴층은 복수의 라인패턴들을 포함하는 제1패턴 및 상기 제1패턴의 외측에 위치하는 제2패턴을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 라인패턴들 중 어느 하나의 라인패턴은 상기 화소전극의 가장자리와 중첩할 수 있다.
일 실시예에서 평면 상에서 상기 복수의 라인패턴들 각각은 상기 화소전극의 중앙부를 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 디스플레이 장치의 제조 방법은 상기 화소전극을 형성하는 단계와 상기 제1유기층을 형성하는 단계 사이에 상기 화소전극과 이격된 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크를 형성하는 단계에서, 상기 스페이서를 덮으며 상기 제2뱅크의 상면으로부터 돌출된 제3뱅크가 형성될 수 있다.
일 실시예에서 상기 스페이서는 포지티브형 포토레지스트를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광층을 형성하는 단계는, 상기 뱅크개구 내에 발광 물질을 포함하는 잉크를 토출하여 발광층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1뱅크의 측벽이 상기 화소전극의 상면과 이루는 각도는 50° 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2뱅크의 측벽이 상기 제1뱅크의 상면과 이루는 각도는 50° 이하일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크의 표면은 발액성일 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크에 있어서, 상기 마스크는 상기 디스플레이 장치에 포함된 화소전극에 대응하는 제1마스크패턴 및 상기 제1마스크패턴을 둘러싸며 광이 투과하는 복수의 슬릿을 갖는 제2마스크패턴을 구비할 수 있다.
일 실시예에서, 평면 상에서 상기 복수의 슬릿은 상기 제1마스크패턴을 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에서 상기 복수의 슬릿 중 어느 하나는 상기 화소전극의 가장자리에 대응할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 위치에 따른 화소 간의 휘도 차이를 감소시켜 표시 품질이 향상된 디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 포함된 어느 하나의 화소의 등가회로도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 4의 디스플레이 장치의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따른 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 4의 디스플레이 장치의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따른 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 14 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법에 이용되는 마스크를 개략적으로 도시한 단면도 및 평면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
본 명세서에서 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에서 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 기판(100) 상에 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)은 화상을 구현할 수 있다. 표시영역(DA)에는 평면 상에서 2차원적으로 배열된 복수의 화소(PX)들이 배치될 수 있다. 본 명세서에서 각 화소(PX)는 각각 서로 다른 색을 발광하는 부화소(Sub-Pixel)을 의미하며, 각 화소(PX)는 예컨대 적색 부화소, 녹색 부화소, 및 청색 부화소 중 어느 하나일 수 있다. 디스플레이 장치(1)는 복수의 화소(PX)들에서 방출되는 빛을 이용하여 화상을 제공할 수 있다.
비표시영역(NDA)은 화상을 제공하지 않는 영역으로, 화소(PX)가 배치되지 않는다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 화소(PX)들에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 또는 전압배선 등이 배치될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드부(미도시)를 포함할 수 있다.
표시영역(DA)은 다각형의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)은 도 1에 도시된 바와 같이 가로의 길이가 세로의 길이보다 큰 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 또는, 표시영역(DA)은 정사각형의 형상을 가질 수 도 있다. 또는, 표시영역(DA)은 타원 또는 원형과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에 포함된 어느 하나의 화소(PX)의 등가회로도이다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소, 예를 들어, 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(PX)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압 또는 스위칭 신호(Sn)에 따라 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터 전압 또는 데이터 신호(Dm)를 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예를 들어, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 2는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
도 3a은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3a을 참조하면, 디스플레이 장치(1)의 기판(100) 상에는 표시층(DPL) 및 박막봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 표시층(DPL)은 화소회로와 절연층들을 포함하는 화소회로층(PCL) 및 화소회로층(PCL) 상에 배치되고 복수의 표시요소들을 포함하는 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 글라스, 금속 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 물론 기판(100)은 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 (실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON) 등의 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
표시요소층(DEL)은 표시요소들, 예를 들어, 유기발광다이오드를 포함할 수 있다. 화소회로층(PCL)은 유기발광다이오드에 연결된 화소회로와 절연층들을 포함할 수 있다. 예컨대, 화소회로층(PCL)은 복수의 트랜지스터들 및 복수의 스토리지 커패시터들, 그리고 이들 사이에 개재된 절연층들을 포함할 수 있다.
표시요소들은 박막봉지층(TFE)과 같은 봉지부재로 덮힐 수 있다. 박막봉지층(TFE)은 표시요소층(DEL)을 덮는 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 무기봉지층은 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 징크산화물(ZnO), 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx), 또는 실리콘산질화물(SiON) 등과 같은 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 유기봉지층은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 디스플레이 장치(1)의 기판(100) 상에는 표시층(DPL) 및 밀봉기판(400)을 포함할 수 있다. 기판(100) 및 밀봉기판(400) 사이에는 밀봉부재(300)가 배치될 수 있다. 밀봉기판(400)은 투명한 부재일 수 있다. 기판(100) 및 밀봉기판(400)은 밀봉부재(300)로 결합되어, 기판(100)과 밀봉기판(400) 사이의 내부공간이 밀봉되는 구조일 수 있다. 이 때, 내부공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다. 밀봉부재(300)는 실런트일 수 있으며, 다른 실시예에서, 밀봉부재(300)는 레이저에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉부재(300)는 프릿(frit)일 수 있다. 구체적으로 밀봉부재(300)는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 우레탄계 수지로서는, 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 아크릴계 수지로는, 예를 들어, 부틸아크릴레이트, 에틸헬실아크레이트 등을 사용할 수 있다. 한편, 밀봉부재(300)는 열에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수도 있다.
일부 실시예에서, 표시요소층(DEL)은 도 3a의 박막봉지층(TFE)과 함께 도 3b의 밀봉기판(400) 및 밀봉부재(300)에 의해 덮힐 수 있다.
박막봉지층(TFE) 및/또는 밀봉기판(400) 상에는 터치전극층(미도시)이 배치될 수 있으며, 터치전극층 상에는 광학기능층(미도시)이 배치될 수 있다. 터치전극층은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 광학기능층은 외부로부터 디스플레이 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 또는 광학기능층은 디스플레이 장치(1)에서 방출되는 빛의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 일 실시예로, 광학기능층은 위상지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학기능층은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 디스플레이 장치(1)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 각각은 전술한 안료나 염료 외에 양자점을 더 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 중 일부는 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.
터치전극층 및 광학기능층 사이에는 접착 부재가 배치될 수 있다. 접착 부재는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것을 제한 없이 채용할 수 있다. 일 실시예로, 접착 부재는 감압성 접착제(pressure sensitive adhesive, PSA)일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 4는 도 1에 도시된 디스플레이 장치(1)의 표시영역(DA)의 일부를 확대하여 개략적으로 도시한 것으로, 평면 상에 2차원적으로 배열된 복수의 화소전극(210)들과 화소전극(210)들의 중앙부를 노출하는 뱅크개구(120OP)를 갖는 뱅크층(120)을 도시하고 있다.
화소전극(210)들은 제1방향(예, y 방향) 및 제2방향(예, x 방향)으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 이와 관련하여, 도 4는 제1화소(PX1), 제2화소(PX2), 제3화소(PX3) 및 제4화소(PX4)에 대응하여 화소전극(210)들이 상호 이격되어 배치된 것을 도시한다.
일 실시예에서, 평면 상에서 볼 때 화소전극(210)들은 직사각형, 마름모형, 정사각형, 원형 또는 타원형과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 이와 관련하여, 도 4는 화소전극(210)들이 제1방향(예, y 방향)으로 긴 변을 갖는 직사각형 형상인 것을 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 화소전극(210)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 화소전극(210)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화소전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO의 다층 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 화소전극(210)의 표면은 친액성을 가질 수 있다. 본 명세서에서 친액성이란 소정의 용액에 대한 친화력이 우수한 성질을 의미하고, 이와 다른 성질로서 발액성이란 소정의 용액을 밀어내고 용액이 잘 스며들지 않는 성질을 의미한다.
예컨대, 소정의 용액은 친액성을 갖는 표면과 표면 결합력이 우수하여, 친액성을 갖는 일면 상에 배치된 소정의 용액은 표면 장력이 감소할 수 있다. 소정의 용액은 발액성을 갖는 표면과 표면 결합력이 낮으며, 발액성을 갖는 일면 상에 배치된 소정의 용액은 표면 장력이 커질 수 있다.
친액성이 커질수록, 또는 표면 장력이 감소할 수록 소정의 용액의 표면의 접선과 소정의 용액이 위치하는 일 면이 이루는 각인 접촉각이 감소할 수 있다. 마찬가지로, 발액성이 커질수록 또는 표면 장력이 증가할수록 소정의 표면과 소정의 용액이 위치하는 일 면의 접촉각이 증가할 수 있다.
여기서, 소정의 용액은 발광층을 형성하는 발광 물질을 포함하는 잉크, 또는 잉크의 용매일 수 있다.
뱅크층(120)은 화소전극(210)들의 가장자리를 덮는 제1뱅크(120P1) 및 제1뱅크(120P1)를 둘러싸는 제2뱅크(120P2)를 포함할 수 있다. 제1뱅크(120P1)는 화소전극(210)의 중앙부를 노출하는 뱅크개구(120OP)를 정의할 수 있다.
뱅크개구(120OP)는 대응하는 화소전극(210)과 유사한 형상을 가질 수 있다. 이와 관련하여, 도 4는 뱅크개구(120OP)가 제1방향(예, y 방향)으로 긴 변을 갖는 직사각형 형상인 것을 도시하고 있다. 뱅크개구(120OP)는 대응하는 화소전극(210)과 다른 형상을 가질 수도 있다.
뱅크개구(120OP)에 의해 표시요소의 발광영역을 정의할 수 있으며, 이하, 본 명세서에서 화소의 형상 및 위치는 표시요소의 발광영역의 형상 및 위치를 의미할 수 있다.
도 4는 제1 내지 제4화소(PX1, PX2, PX3, PX4)의 크기(또는 면적)가 동일한 것으로 도시하고 있으나, 발광하는 색상에 따라 화소의 크기(또는 면적)이 상이할 수도 있다. 예컨대, 녹색으로 발광하는 화소의 크기(또는 면적)는 적색 또는 청색으로 발광하는 화소의 크기(또는 면적)보다 작을 수 있다.
제1뱅크(120P1)는 화소전극(210)의 가장자리를 덮으므로, 화소전극(210)의 가장자리와 유사한 형상을 가질 수 있다. 이와 관련하여 도 4는 제1뱅크(120P1)가 제1방향(예, y 방향)으로 긴 변을 갖는 직사각형 형상인 것을 도시하고 있다.
제2뱅크(120P2)는 제1뱅크(120P1) 외측에 위치하며, 제1뱅크(120P1)보다 두꺼울 수 있다. 일 실시예에서, 평면 상에서 볼 때, 제2뱅크(120P2)는 제1뱅크(120P1)를 둘러싸는 격자 형상을 가지며, 화소전극(210)들은 제2뱅크(120P2)가 이루는 격자 내에 위치할 수 있다. 제1뱅크(120P1)와 제2뱅크(120P2)는 일체(一體)일 수 있다.
일 실시예에서, 화소전극(210)들 사이에 제3뱅크(120P3)가 위치할 수 있다. 제3뱅크(120P3)는 화소전극(210)들로부터 이격되어 배치될 수 있다. 제3뱅크(120P3)는 제2뱅크(120P2)로 둘러싸이고, 제3뱅크(120P3)의 상면의 높이는 제2뱅크(120P2)의 상면의 높이보다 높을 수 있다. 다시 말해, 제3뱅크(120P3)는 제2뱅크(120P2)의 상면으로부터 돌출될 수 있다.
일 실시예에서, 제3뱅크(120P3)는 상부에 배치되는 구조물을 지지할 수 있다. 예컨대, 제3뱅크(120P3)는 도 3b에 도시된 것과 같이 기판(100)의 상면에 밀봉기판(400)이 배치될 때, 기판(100)과 밀봉기판(400) 사이의 셀 갭(Cell Gap)을 유지할 수 있다.
평면 상에서 볼 때, 제3뱅크(120P3)는 직사각형, 마름모형, 정사각형, 원형 또는 타원형과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 이와 관련하여, 도 4는 제3뱅크(120P3)가 원형인 것을 도시하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1뱅크(120P1), 제2뱅크(120P2) 및 제3뱅크(120P3)는 일체(一體)일 수 있다. 즉 뱅크층(120)은 기판(100, 도 5 참조)의 전면(全面)에 걸쳐 일체(一體)로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 뱅크층(120)은 포토레지스트, 즉, 감광성 수지를 포함할 수 있다. 구체적으로 뱅크층(120)은 노광(light exposure) 시 가교 등의 반응이 일어나는 네거티브형(Negative Type) 포토레지스트를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 뱅크층(120)의 표면은 발액성을 가질 수 있다. 특히, 뱅크층(120)의 상면은 발액성을 가질 수 있다.
예컨대, 뱅크층(120)은 불소계 단량체 및 불소계 단량체를 함유하는 불소계 중합체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 여기서 불소계 단량체는 불소 원자, 및/또는 적어도 하나의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 알킬기를 함유할 수 있다. 불소계 중합체는 상술한 불소계 단량체로부터 유도된 반복 단위를 가지며, 단독중합체일 수도 있고, 공중합체일 수도 있다.
뱅크층(120)의 표면에 노출되는 불소 원자 및/또는 적어도 하나의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 알킬기 등은 뱅크층(120) 표면의 발액성을 향상시킬 수 있다. 뱅크층(120)의 표면이 발액성을 가지므로, 제1 내지 제4화소(PX1, PX2, PX3, PX4) 잉크젯 프린팅 공정 시 토출된 발광층 형성용 물질이 뱅크개구(120OP) 내에만 위치할 수 있다. 따라서, 발광층 형성용 물질은 제1뱅크(120P1)의 상면으로 넘치지 않으며, 발광층을 원하는 위치에 형성할 수 있다.
도 5는 도 4의 디스플레이 장치의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따른 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 6은 도 4의 디스플레이 장치의 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따른 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(100) 상에는 화소회로층(PCL)이 배치될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 제1 내지 제4트랜지스터(TR1, TR2, TR3, TR4)와, 트랜지스터의 구성요소들 아래 또는/및 위에 배치되는 버퍼층(111), 제1게이트절연층(113), 제2게이트절연층(115), 층간절연층(117) 및 평탄화층(119)을 포함할 수 있다. 여기서 제1 내지 제4트랜지스터(TR1, TR2, TR3, TR4)는 각각 도 2에 도시된 제1박막트랜지스터(T1)에 대응할 수 있다. 제2 내지 제4트랜지스터(TR2, TR3, TR4)의 구조는 제1트랜지스터(TR1)의 구조와 동일하거나 유사하므로, 이에 대하여 중복되는 설명은 생략한다.
버퍼층(111)은 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON) 또는 실리콘산화물(SiOx) 등의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조일 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(100) 상면의 평활성을 높이고, 기판(100) 등으로부터 불순물이 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.
제1트랜지스터(TR1)는 반도체층(Act)을 포함하며, 반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체 물질을 포함하거나, 유기 반도체 물질을 포함할 수 있다.
게이트전극(GE)은 반도체층(Act)의 일부와 중첩할 수 있다. 게이트전극(GE)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 또는 티타늄(Ti) 등의 도전성 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 구조 또는 단층 구조를 가질 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 제1게이트절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등의 같은 무기 절연물질을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(115)은 게이트전극(GE)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(115)은 제1게이트절연층(113)과 유사하게 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(115) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)이 배치될 수 있다. 상부전극(CE2)은 그 아래의 게이트전극(GE)과 중첩할 수 있다. 이 때, 제2게이트절연층(115)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(GE) 및 상부전극(CE2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)으로 기능할 수 있다.
이와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)와 제1트랜지스터(TR1)가 중첩되어 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 제1트랜지스터(TR1)와 중첩되지 않도록 배치될 수도 있다.
상부전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 또는 구리(Cu) 등의 도전 물질을 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
층간절연층(117)은 상부전극(CE2)을 덮을 수 있다. 층간절연층(117)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈륨산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 층간절연층(117)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
드레인전극(SD1) 및 소스전극(SD2)은 각각 층간절연층(117) 상에 위치할 수 있다. 드레인전극(SD1) 및 소스전극(SD2)은 각각 제1게이트절연층(113), 제2게이트절연층(115), 층간절연층(117)에 구비된 컨택홀을 통해 반도체층(Act)에 전기적으로 연결될 수 있다. 드레인전극(SD1) 및 소스전극(SD2)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 드레인전극(SD1) 및 소스전극(SD2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 또는 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 구조 또는 단층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예로, 드레인전극(SD1) 및 소스전극(SD2)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 드레인전극(SD1) 및 소스전극(SD2) 중 어느 하나는 생략되고, 반도체층(Act)의 일부분이 도전화되어 이를 갈음할 수 도 있다.
평탄화층(119)은 제1트랜지스터(TR1)를 덮으며, 제1트랜지스터(TR1)의 일부를 노출하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 평탄화층(119)은 유기절연층을 포함할 수 있다. 평탄화층(119)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물질을 포함할 수 있다.
화소회로층(PCL) 상에 표시요소층(DEL)이 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 제1 내지 제4유기발광다이오드(OLED1, OLED2, OLED3, OLED4)와, 유기발광다이오드의 구성요소들 아래 또는/및 위에 배치되는 뱅크층(120)을 포함할 수 있다. 제2 내지 제4유기발광다이오드(OLED2, OLED3, OLED4)의 구조는 제1유기발광다이오드(OLED1)의 구조와 동일하거나 유사하므로, 이에 대하여 중복되는 설명은 생략한다.
일 실시예에서, 제1화소전극(211)은 화소회로층(PCL) 상에 배치될 수 있다. 제1화소전극(211)은 평탄화층(119)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1트랜지스터(TR1)의 드레인전극(SD1) 또는 소스전극(SD2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1화소전극(211)과 제2화소전극(212)은 제2방향(예, x 방향)으로 소정 거리만큼 이격될 수 있다. 마찬가지로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제3화소전극(213)과 제4화소전극(214)은 제2방향(예, x 방향)으로 소정 거리만큼 이격될 수 있다.
뱅크층(120)은 화소회로층(PCL) 상에 배치될 수 있다. 뱅크층(120)은 제1화소전극(211)의 가장자리를 덮는 제1뱅크(120P1) 및 제1뱅크(120P1)의 외측에 위치하는 제2뱅크(120P2)를 포함할 수 있다.
제1뱅크(120P1)는 제1화소전극(211)의 중앙부를 노출하는 제1뱅크개구(120OP1), 제2화소전극(212)의 중앙부를 노출하는 제2뱅크개구(120OP2), 제3화소전극(213)의 중앙부를 노출하는 제3뱅크개구(120OP3) 및 제4화소전극(214)의 중앙부를 노출하는 제4뱅크개구(120OP4)를 정의할 수 있다. 예컨대, 제1뱅크(120P1)는 제1유기발광다이오드(OLED1)의 발광영역(EA1), 제2유기발광다이오드(OLED2)의 발광영역(EA2), 제3유기발광다이오드(OLED3)의 발광영역(EA3) 및 제4유기발광다이오드(OLED4)의 발광영역(EA4)을 정의할 수 있다. 제1뱅크(120P1)은 화소전극(210)들의 가장자리와 대향전극(230)의 거리를 증가시킴으로써, 화소전극(210)들의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.
상술한 바와 같이, 평면 상에서 제2뱅크(120P2)는 제1뱅크(120P1)의 외측에 위치할 수 있다. 제2뱅크(120P2)는 제1뱅크(120P1)보다 두꺼울 수 있다. 제2뱅크(120P2)의 두께(t2)는 제1뱅크(120P1)의 두께(t1)보다 크고, 잉크젯 프린팅 공정 시 토출된 발광층 형성용 물질을 분리하기에 충분한 두께일 수 있다. 이 때, 제1뱅크(120P1)의 두께(t1)는 제2뱅크(120P2)의 두께(t2)의 절반 이하일 수 있다.
제2뱅크(120P2)의 두께(t2)는 약 300 nm 내지 약 3 μm 일 수 있다. 일 실시예에서, 제2뱅크(120P2)의 두께(t2)는 약 1 μm이고, 제1뱅크(120P1)의 두께는 약 500 nm일 수 있다.
제1뱅크(120P1)와 제2뱅크(120P2)는 일체(一體)일 수 있다. 예컨대, 제1뱅크(120P1)와 제2뱅크(120P2)는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1뱅크(120P1)와 제2뱅크(120P2)는 슬릿(slit) 마스크를 이용한 포토 리소그래피 공정을 이용하여 동시에 형성된 것일 수 있다. 제1뱅크(120P1)의 상면과 제2뱅크(120P2)의 상면은 완만한 경사를 이루는 제2뱅크(120P2)의 측벽에 의하여 연결될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1뱅크(120P1)와 제2뱅크(120P2)는 네거티브형 포토레지스트를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1뱅크개구(120OP1)를 정의하는 제1뱅크(120P1)의 측벽이 제1화소전극(211)의 상면과 이루는 각도(θ1)는 50°이하일 수 있다. 제1뱅크(120P1)의 상면과 제2뱅크(120P2)의 상면을 연결하는 제2뱅크(120P2)의 측벽이 제1뱅크(120P1)의 상면과 이루는 각도(θ2)는 50° 이하일 수 있다.
도 6에 도시된 것과 같이, 뱅크층(120)의 하부에는 스페이서(SC)가 위치할 수 있다. 다시 말해, 스페이서(SC)는 평탄화층(119)과 뱅크층(120) 사이에 개재될 수 있다. 스페이서(SC)는 화소전극(210)들과 이격되어 위치할 수 있다.
스페이서(SC)는 스페이서(SC)가 없는 부분과 단차를 유발하기 위하여, 소정의 높이를 가질 수 있다. 스페이서(SC)는 반구형, 원통형, 원뿔형, 각뿔형, 각기둥형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
스페이서(SC)는 감광성 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 스페이서(SC)는 포지티브형(Positive Type) 포토레지스트를 포함할 수 있다.
스페이서(SC)와 중첩하여 제3뱅크(120P3)가 위치할 수 있다. 제3뱅크(120P3)는 제2뱅크(120P2)에 의하여 둘러싸이고, 제3뱅크(120P3)의 상면은 제2뱅크(120P2)의 상면으로부터 돌출될 수 있다. 예컨대, 평탄화층(119)의 상면으로부터 제3뱅크(120P3)의 상면까지의 제3뱅크(120P3)의 두께(t3)는 제2뱅크(120P2)의 두께(t2)보다 클 수 있다. 따라서, 제3뱅크(120P3)는 상부에 배치되는 구조물을 지지할 수 있다.
제1뱅크(120P1), 제2뱅크(120P2) 및 제3뱅크(120P3)는 일체(一體)일 수 있다. 예컨대, 제1뱅크(120P1), 제2뱅크(120P2) 및 제3뱅크(120P3)는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1뱅크(120P1), 제2뱅크(120P2) 및 제3뱅크(120P3)는 슬릿(slit) 마스크를 이용한 포토 리소그래피 공정을 이용하여 동시에 형성된 것일 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1뱅크(120P1), 제2뱅크(120P2) 및 제3뱅크(120P3)는 네거티브형 포토레지스트를 포함할 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 제1발광층(221)은 제1화소전극(211) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제1발광층(221)은 제1뱅크개구(120OP1) 내에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 제2발광층(222)은 제2뱅크개구(120OP2) 내에 위치하고, 제3발광층(223)은 제3뱅크개구(120OP3) 내에 위치하고, 제4발광층(224)은 제4뱅크개구(120OP4) 내에 위치할 수 있다. 제1 내지 제4발광층(221, 222, 223, 224)은 소정의 색상을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 이 때, 제1발광층(221)은 발광층 형성용 물질을 제1화소전극(211)상에 토출하여 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제4발광층(221, 222, 223, 224)은 잉크젯 프린팅 공정으로 형성될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 제1발광층(221)은 아래와 위에 각각 제1기능층 및/또는 제2기능층을 포함할 수 있다. 제1기능층은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층은 선택적으로 배치될 수 있다. 제2기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
제1발광층(221)은 중심부에서 제1뱅크개구(121OP1)의 가장자리 측으로 향할수록 두꺼워지는 오목한 형상을 가질 수 있다. 뱅크층(120)의 표면이 발액성을 가지므로, 제1 내지 제4발광층(221, 222, 223, 224)은 뱅크층(120)의 상면에는 위치하지 않을 수 있다..
대향전극(230)은 제1발광층(221) 및 뱅크층(120)을 덮으며 배치될 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 제1뱅크(120P1), 제2뱅크(120P2) 및 제3뱅크(120P3)를 덮도록 기판(100)의 전면(全面)에 걸쳐 일체(一體)로 구비될 수 있다.
대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
비교예로서, 뱅크층의 측벽이 화소전극의 상면과 이루는 각도가 50°를 초과하는 경우, 낮은 스텝 커버리지(step coverage)를 갖는 대향전극이 단선될 수 있다. 대향전극의 단선으로 인하여 유기발광다이오드의 전하 주입 특성이 저하되어 디스플레이 장치의 위치에 따른 휘도 차이가 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치(1, 도 1 참조)는 뱅크층(120)이 서로 다른 두께를 갖는 제1뱅크(120P1)과 제2뱅크(120P2)를 포함하여, 화소전극(210)의 상면과 제1뱅크(120P1)의 상면을 연결하는 제1뱅크(120P1)의 측벽과, 제1뱅크(120P1)의 상면과 제2뱅크(120 P2)의 상면을 연결하는 제2뱅크(120P2)의 측벽이 완만한 경사를 가질 수 있다. 따라서, 대향전극(230)의 단선을 감소시키거나 방지하여 표시 품질이 향상된 디스플레이 장치(1)를 제공할 수 있다.
도시하지는 않았으나, 일 실시예에서, 대향전극(230) 상에 박막봉지층 또는 봉지기판이 배치될 수 있다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조공정을 개략적으로 도시한 단면도들이다. 도 7, 도 9 내지 도 13은 도 4의 디스플레이 장치의 Ⅰ-Ⅰ'선을 대응하는 단면을 제조공정에 따라 도시하는 단면도들이다. 도 8은 도 4의 디스플레이 장치의 Ⅱ-Ⅱ'선을 대응하는 단면을 제조공정에 따라 도시하는 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로층(PCL)을 형성하고, 화소회로층(PCL) 상에 화소전극(210)들을 형성할 수 있다.
화소회로층(PCL)은 제1 내지 제4트랜지스터(TR1, TR2, TR3, TR4)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제4화소전극(211, 212, 213, 214)은 평탄화층(119) 상에 상호 이격되어 형성될 수 있다. 제1화소전극(211)은 제1트랜지스터(TR1)에 전기적으로 연결되고, 제2화소전극(212)은 제2트랜지스터(TR2)에 전기적으로 연결되고, 제3화소전극(213)은 제3트랜지스터(TR3)에 전기적으로 연결되고, 제4화소전극(214)은 제4트랜지스터(TR4)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제4화소전극(211, 212, 213, 214)과 이격되어, 평탄화층(119) 상에 스페이서(SC)가 형성될 수 있다. 스페이서(SC)는 제1 내지 제4화소전극(211, 212, 213, 214)으로부터 이격될 수 있다.
스페이서(SC)는 평탄화층(119) 상에 포지티브형 포토레지스트를 도포하고, 스페이서(SC)가 형성되는 위치를 제외한 다른 부분을 노광한 후 현상하여 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1 및 제2화소전극(211, 212)을 덮도록 평탄화층(119) 상에 제1유기층(121)을 도포한다. 도 10에 도시되지는 아니하였으나, 제1유기층(121)은 스페이서(SC, 도 8 참조)를 덮을 수 있으며, 스페이서(SC)로 인하여 제1유기층(121) 상면에 단차가 생길 수 있다.
제1유기층(121)은 불소계 단량체 및 불소계 단량체를 함유하는 불소계 중합체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 여기서 불소계 단량체는 불소 원자, 및/또는 적어도 하나의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 알킬기를 함유할 수 있다. 불소계 중합체는 상술한 불소계 단량체로부터 유도된 반복 단위를 가지며, 단독중합체일 수도 있고, 공중합체일 수도 있다. 제1유기층(121)의 표면에 불소 원자 및/또는 적어도 하나의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 알킬기를 함유하기 위하여, 제1유기층(121)은 네거티브형 포토레지스트일 수 있다.
이후, 마스크(M)를 이용하여 제1유기층(121)을 노광할 수 있다. 마스크(M)는 마스크(M)가 기판(100) 상에 위치할 때, 화소전극(210)들의 중앙부에 대응하는 제1마스크패턴(MP1)들, 제1마스크패턴(MP1)들 각각을 둘러싸며 광(L)이 투과하는 복수의 슬릿(SL)을 갖는 제2마스크패턴(MP2)들을 가질 수 있다.
여기서, 광(L)을 조사하기 위한 광원은 엑시머 레이저(excimer laser)일 수 있다. 이 때, 엑시머 레이저는 자외선 영역의 파장을 구비한 레이저일 수 있다. 예를 들어, 엑시머 레이저는 약 248nm의 KrF 엑시머 레이저일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않는다.
제1마스크패턴(MP1)들과 제2마스크패턴(MP2)들은 광차단물질을 포함할 수 있다. 따라서, 마스크(M)를 사이에 두고 제1유기층(121)을 향해 조사된 광(L)은 제1마스크패턴(MP1)과 제2마스크패턴(MP2)에 의해 차단될 수 있다.
마스크(M)가 기판(100) 상에 위치할 때, 제1마스크패턴(MP1)들 각각은 평면 상에서 제1화소전극(211)의 중앙부 및 제2화소전극(212)의 중앙부와 중첩하고, 제2마스크패턴(MP2)들 각각은 제1화소전극(211)의 가장자리 및 제2화소전극(212)의 가장자리와 중첩할 수 있다.
제2마스크패턴(MP2)은 복수의 슬릿(SL)들을 가질 수 있다. 슬릿(SL)들 각각은 대응하는 제1마스크패턴(MP1)을 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 평면 상에서 뱅크개구(120OP)가 제1방향(예, y 방향)으로 긴 직사각형 형상을 가질 경우, 제1마스크패턴(MP1)은 제1방향(예, y 방향)으로 긴 직사각형 형상을 가질 수 있다. 제2마스크패턴(MP2)은 제1마스크패턴(MP1)을 둘러싸며 소정의 거리만큼 상호 이격된 차광라인들을 포함할 수 있다. 슬릿(SL)들은 차광라인들 사이의 광(L)이 투과할 수 있는 영역일 수 있다.
복수의 슬릿(SL)들 중 어느 하나의 슬릿(SL1)은 대응하는 화소전극(210)의 가장자리와 중첩할 수 있다. 즉, 화소전극(210)의 가장자리와 중첩하는 제1유기층(121)의 일 부분은 상기 어느 하나의 슬릿(SL1)을 투과한 광(L)에 의하여 노광될 수 있다.
제2마스크패턴(MP2) 외측의 개구부(MOP) 및 제2마스크패턴(MP2)의 슬릿(SL)들을 투과한 광(L)에 의하여 노광된 제1유기층(121)의 일부 영역은 가교 반응 등을 통하여 고분자화될 수 있다.
도 11을 참조하면, 제1유기층(121)을 현상액 등을 이용하여 현상하여 유기패턴층(122)을 형성할 수 있다. 유기패턴층(122)은 복수의 라인패턴(LP)들을 포함하는 제1패턴(122P1) 및 제1패턴(122P1)의 외측에 위치하는 제2패턴(122P2)을 포함할 수 있다. 제1패턴(122P1)의 라인패턴(LP)들은 제1유기층(121)이 제2마스크패턴(MP2)의 복수의 슬릿(SL)을 통하여 노광된 영역에 대응하고, 제2패턴(122P2)은 마스크(M)의 개구부(MOP)를 통하여 노광된 영역에 대응할 수 있다. 도시되지 않았으나, 제2패턴(122P2)은 스페이서(SC)와 중첩할 수 있다. 즉, 스페이서(SC)를 덮도록 유기패턴층(122)이 형성될 수 있다.
제1유기층(121)에서 제1마스크패턴(MP1)에 의하여 차광된 영역은 제거되어 제1화소전극(211)의 중앙부 및 제2화소전극(212)의 중앙부를 노출하는 제1패턴개구(122OP1) 및 제2패턴개구(122OP2)가 형성될 수 있다. 제1유기층(121)에서 제2마스크패턴(MP2)에 의하여 차광된 영역은 제거되어 라인패턴(LP)들 사이의 이격영역이 형성될 수 있다.
제1패턴(122P1)은 화소전극(210)들의 가장자리와 중첩할 수 있다. 예컨대, 복수의 라인패턴(LP)들 중 어느 하나의 라인패턴은 대응하는 화소전극(210)의 가장자리와 중첩할 수 있다. 따라서, 후술하는 유기패턴층(122)을 가열하여 뱅크층(120)을 형성하는 단계에서 화소전극(210)의 가장자리가 노출되는 것을 방지할 수 있다.
평면 상에서, 제1패턴(122P1)은 화소전극(210)의 중앙부를 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 뱅크층(120)의 뱅크개구(120OP)가 제1방향(예, y 방향)으로 긴 직사각형 형상을 가질 경우, 제1패턴개구(122OP1)은 제1방향(예, y 방향)으로 긴 직사각형 형상을 가질 수 있다. 제1패턴(122P1)은 제1패턴개구(122OP1)의 경계를 따라 연장될 수 있다. 마찬가지로, 라인패턴(LP)들 각각은 화소전극(210)의 중앙부를 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 가질 수 있다.
도 11을 참조하면, 유기패턴층(122)을 가열하여, 뱅크층(120)을 형성할 수 있다. 뱅크층(120)은 화소전극(210)들의 가장자리를 덮는 제1뱅크(120P1)와 제1뱅크(120P1) 외측의 제2뱅크(120P2)를 가질 수 있다. 제1뱅크(120P1)는 제1화소전극(211)의 중앙부를 노출하는 제1뱅크개구(120OP1)와 제2화소전극(212)의 중앙부를 노출하는 제2뱅크개구(120OP2)를 가질 수 있다.
열에 의하여 유동성을 갖게 된 유기패턴층(122)의 복수의 라인패턴(LP)들이 라인패턴(LP)들 사이의 이격영역을 메우며 제1뱅크(120P1)가 형성될 수 있다. 따라서, 제1뱅크(120P1)는 유기패턴층(122)보다 얇은 제1두께(t1)를 가질 수 있다. 제1뱅크(120P1)의 두께(t1)가 얇아지며 제1뱅크개구(120OP1)를 정의하는 제1뱅크(120P1)의 측벽이 제1화소전극(211)의 상면과 이루는 각도(θ1)는 50°이하로 감소할 수 있다.
마찬가지로, 열에 의하여 유동성을 갖게 된 유기패턴층(122)의 제2패턴(122P2)이 제1패턴(122P1)과 제2패턴(122P2) 사이의 이격영역을 메우며 제2뱅크(120P2)가 형성될 수 있다. 제2뱅크(120P2)는 제1두께(t1)보다 두꺼운 제2두께(t2)를 가질 수 있다. 제1뱅크(120P1)의 상면과 제2뱅크(120P2)의 상면을 연결하는 제2뱅크(120P2)의 측벽이 제1뱅크(120P1)의 상면과 이루는 각도(θ2)는 50° 이하로 감소할 수 있다.
비교예로서, 유기패턴층이 상호 이격된 라인패턴을 갖지 않는 경우, 뱅크개구를 정의하는 뱅크층의 측벽이 화소전극의 상면과 이루는 각도는 50°를 초과할 수 있다. 상술한 바와 같이, 뱅크층의 측벽이 화소전극의 상면과 이루는 각도가 50°를 초과할 경우 스텝 커버리지가 낮은 대향전극은 단선될 수 있다.
본 발명의 실시예는 상호 이격된 라인패턴(LP)을 갖는 제1패턴(122P1)과, 제1패턴(122P1) 외측의 제2패턴(122P2)을 포함하는 유기패턴층(122)을 가열하여 뱅크층(120)을 형성함에 따라, 뱅크층(120)이 완만한 경사를 가질 수 있다.
도 12를 참조하면, 발광 물질을 포함하는 잉크(Ink)를 토출하여 제1화소전극(211) 상에 제1발광층 형성용 물질(221')을 형성하고, 제2화소전극(212) 상에 제2발광층 형성용 물질(222')을 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 제1발광층 형성용 물질(221') 및 제2발광층 형성용 물질(222')은 잉크젯 프린팅 공정으로 형성될 수 있다.
뱅크층(120)의 표면은 발액성을 가지므로, 제1발광층 형성용 물질(221')은 제1뱅크개구(120OP1) 내에 위치하고, 제2발광층 형성용 물질(222')은 제2뱅크개구(120OP2)의 내에 위치할 수 있다. 따라서, 고해상도의 디스플레이 장치에서도 발광층을 원하는 위치에 정확하게 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 제1발광층 형성용 물질(221') 및 제2발광층 형성용 물질(222')은 표면 장력 및 건조 후 부피의 수축량을 고려하여 중심부가 두꺼운 볼록한 형상을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 발광 물질을 포함하는 잉크(Ink)의 분사량에 따라, 제1발광층 형성용 물질(221') 및 제2발광층 형성용 물질(222')은 평편한 형상을 갖거나, 오목한 형상을 가질 수도 있다.
도 13을 참조하면, 제1발광층 형성용 물질(221') 및 제2발광층 형성용 물질(222')을 건조하여 제1발광층(221) 및 제2발광층(222)을 형성할 수 있다.
일 실시예에서, 발광 물질을 포함하는 잉크(Ink)의 용매가 증발됨에 따라, 제1발광층(221) 및 제2발광층(222) 각각은 중심부에서 제1개구(121OP)의 가장자리 측으로 향할수록 두꺼워지는 오목한 형상을 가질 수 있다.
이후, 뱅크층(120), 제1발광층(221) 및 제2발광층(222) 상에 대향전극(230)이 형성될 수 있다. 대향전극(230)은 기판(100)의 전면(全面)에 걸쳐 일체로 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들은 슬릿 마스크를 이용하여 뱅크층(120)을 형성함으로써, 화소전극(210)의 상면과 제1뱅크(120P1)의 상면을 연결하는 제1뱅크(120P1)의 측벽과, 제1뱅크(120P1)의 상면과 제2뱅크(120 P2)의 상면을 연결하는 제2뱅크(120P2)의 측벽이 보다 완만한 경사를 가질 수 있다. 따라서, 대향전극(230)의 단선을 감소시키기거나 방지하여 표시 품질이 향상된 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
도시하지는 않았으나, 일 실시예에서, 대향전극(230) 상에 박막봉지층 또는 봉지기판을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.
도 14 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법에 이용되는 마스크를 개략적으로 도시한 단면도 및 평면도들이다.
도 14를 참조하면, 마스크(M)는 외곽을 형성하는 프레임부(10), 리브부(20) 및 유기필름부(30)를 구비한다.
프레임부(10)는 중앙에 개구(10OP)를 구비할 수 있다. 프레임부(10)는 원장기판 사이즈에 맞추어 대략 사각 형상으로 구비되나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 프레임부(10)은 오픈 마스크와 유사하게, 금속재로 형성될 수 있으며, 수십 mm 내지 수 cm의 두께(10t)를 갖도록 구비될 수 있다. 이러한 프레임부(10)를 통해 포토 마스크(M)는 원장 기판에 효과적으로 밀착될 수 있으며, 포토 마스크(M)의 중앙부가 처짐에 따라 제조과정에서 불량이 발생하는 확률을 현저히 낮출 수 있다.
리브부(20)는 프레임부(10)의 개구(10OP)를 가로질러, 일측 및 타측에 각각 프레임부(10)에 접하도록 구비될 수 있다. 리브부(20)는 폭이 좁은 살대 형상을 갖도록 가로 및 세로로 복수 개 구비될 수 있다. 리브부(20) 사이에는 복수의 투과창(TW)이 구비될 수 있다. 하나의 투과창(TW)은 디스플레이 장치에 대응하는 하나의 셀(cell)에 대응할 수 있다. 하나의 투과창(TW)은 일 디스플레이 장치의 표시영역에 대응할 수 있다.
리브부(20)은 금속재로 형성될 수 있다. 리브부(20)의 두께는 수십 ㎛ 내지 수 mm으로 프레임부(10)에 비해 매우 얇은 두께로 형성될 수 있다. 리브부(20)는 포토 마스크(M)의 중앙부에 처지는 현상을 방지하는 역할을 할 수 있다.
유기필름부(30)는 프레임부(10)의 개구(10OP)에 대응하여 배치될 수 있다. 유기필름부(30)는 리브부(20)의 일면에 위치할 수 있다. 유기필름부(30)의 일부는 리브부(20)와 중첩할 수 있다. 도 15에서는 유기필름부(30)가 리브부(20)의 하면에 배치된 것을 도시한다.
유기필름부(30)은 투광성을 갖는 유기 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 유기필름부(30)는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등으로 형성될 수 있다. 유기필름부(30)은 플렉서블한 재질로 형성될 수 있다.
도 14 및 도 15에서는 마스크(M)가 유기필름부(30)를 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서, 마스크(M)는 글래스재로 형성될 수도 있다.
도 16을 참조하면, 유기필름부(30)는 광차단 물질을 포함하는 제1마스크패턴(MP1) 및 제2마스크패턴(MP2)을 포함할 수 있다. 제1마스크패턴(MP1)은 마스크(M)가 디스플레이 장치의 기판 상에 위치할 때, 화소전극의 중앙부에 대응하도록 도포될 수 있다. 제2마스크패턴(MP2)은 제1마스크패턴(MP1)을 둘러싸며, 광이 투과하는 복수의 슬릿(SL)을 가질 수 있다. 슬릿(SL)들은 제1마스크패턴(MP1)들을 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 가지며, 상호 이격될 수 있다. 제2마스크패턴(MP2) 외측에는 광차단 물질이 도포되지 않은 개구부가 위치할 수 있다.
이웃하는 제1마스크패턴(MP1)들은 제2방향(예, x 방향)으로 제1거리(d1)만큼 상호 이격될 수 있다. 제2마스크패턴(MP2)의 제2방향(예, x 방향)을 따른 제1폭(w1)은 제1거리(d1)의 약 30% 내지 약 35%일 수 있다. 예컨대, 제1거리(d1)는 약 10 μm이고, 제1폭(w1)은 약 3 μm일 수 있다. 이 때, 슬릿(SL)의 폭은 약 1 μm 이하일 수 있다.
광차단 물질은 예컨대, 흑색 안료, 흑색 염료 또는 흑색의 입자 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 광차단 물질은 Cr 또는 CrOx, Cr/CrOx, Cr/CrOx/CrNy, 수지, Carbon 안료, Graphite, Non-Cr계 등의 재료를 포함할 수 있다.
본 발명에서는 복수의 슬릿(SL)을 갖는 마스크(M)를 이용하여 뱅크층을 형성함으로써, 뱅크층이 완만한 경사를 가질 수 있다. 따라서, 대향전극의 단선을 감소시키기거나 방지하여 표시 품질이 향상된 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
1: 디스플레이 장치
10: 프레임부
100: 기판
111: 버퍼층
113: 제1게이트절연층
115: 제2게이트절연층
117: 층간절연층
119: 평탄화층
120OP: 뱅크개구
120P1: 제1뱅크
120P2: 제2뱅크
121: 제1유기층
122: 유기패턴층
122P1: 제1패턴
122P2: 제2패턴
20: 리브부
211, 212, 213, 214: 제1 내지 제4화소전극
221, 222, 223, 224: 제1 내지 제4발광층
230: 대향전극
30: 유기필름부
300: 밀봉부재
400: 밀봉기판

Claims (24)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 화소전극;
    상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 뱅크개구를 갖는 제1뱅크;
    상기 제1뱅크의 외측에 위치하고 상기 제1뱅크보다 두꺼운 제2뱅크;
    상기 화소전극에 대응하여 상기 뱅크개구 내에 위치하는 발광층; 및
    상기 제1뱅크, 상기 제2뱅크 및 상기 발광층을 덮는 대향전극;을 포함하고,
    상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크는 네거티브형 포토레지스트를 포함하는 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1뱅크와 상기 제2뱅크는 일체(一體)인 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1뱅크의 두께는 상기 제2뱅크의 두께의 절반 이하인 디스플레이 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2뱅크의 두께는 300 nm 내지 3 μm인 디스플레이 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1뱅크의 측벽이 상기 화소전극의 상면과 이루는 각도는 50° 이하인 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2뱅크의 측벽이 상기 제1뱅크의 상면과 이루는 각도는 50° 이하인 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크의 표면은 발액성인 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 화소전극과 이격되어 배치되는 스페이서; 및
    상기 스페이서를 덮으며, 상기 제2뱅크의 상면으로부터 돌출된 제3뱅크;를 더 포함하는 디스플레이 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1뱅크, 상기 제2뱅크 및 상기 제3뱅크는 일체(一體)인 디스플레이 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 스페이서는 포지티브형 포토레지스트를 포함하는 디스플레이 장치.
  11. 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계;
    상기 화소전극 상에 네거티브형 포토레지스트를 포함하는 제1유기층을 형성하는 단계;
    슬릿 마스크를 이용하여 상기 제1유기층에 광을 조사하고 현상하여 유기패턴층을 형성하는 단계;
    상기 유기패턴층을 가열하여 상기 화소전극의 중앙부를 노출하는 뱅크개구를 갖는 제1뱅크 및 상기 제1뱅크의 외측에 위치하고 상기 제1뱅크보다 두꺼운 제2뱅크를 형성하는 단계;
    상기 화소전극에 대응하여 상기 뱅크개구 내에 발광층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1뱅크, 상기 제2뱅크 및 상기 발광층을 덮도록 대향전극을 형성하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 유기패턴층은 복수의 라인패턴들을 포함하는 제1패턴 및 상기 제1패턴의 외측에 위치하는 제2패턴을 갖는 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 라인패턴들 중어느 하나의 라인패턴은 상기 화소전극의 가장자리와 중첩하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    평면 상에서 상기 복수의 라인패턴들 각각은 상기 화소전극의 중앙부를 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 갖는 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 화소전극을 형성하는 단계와 상기 제1유기층을 형성하는 단계 사이에 상기 화소전극과 이격된 스페이서를 형성하는 단계;를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크를 형성하는 단계에서,
    상기 스페이서를 덮으며 상기 제2뱅크의 상면으로부터 돌출된 제3뱅크가 형성되는 디스플레이 장치의 제조방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 스페이서는 포지티브형 포토레지스트를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계는,
    상기 뱅크개구 내에 발광 물질을 포함하는 잉크를 토출하여 발광층을 형성하는 단계를 포함하는, 디스플레이 장치의 제조방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 제1뱅크의 측벽이 상기 화소전극의 상면과 이루는 각도는 50° 이하인 디스플레이 장치의 제조방법.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 제2뱅크의 측벽이 상기 제1뱅크의 상면과 이루는 각도는 50° 이하인 디스플레이 장치의 제조방법.
  21. 제11항에 있어서,
    상기 제1뱅크 및 상기 제2뱅크의 표면은 발액성인 디스플레이 장치의 제조방법.
  22. 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크에 있어서,
    상기 마스크는,
    상기 디스플레이 장치에 포함된 화소전극에 대응하는 제1마스크패턴; 및
    상기 제1마스크패턴을 둘러싸며 광이 투과하는 복수의 슬릿을 갖는 제2마스크패턴;을 구비하는, 마스크.
  23. 제22항에 있어서,
    평면 상에서 상기 복수의 슬릿은 상기 제1마스크패턴을 둘러싸는 닫힌 도형 형상을 갖는, 마스크.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 복수의 슬릿 중 어느 하나는 상기 화소전극의 가장자리에 대응하는, 마스크.
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