CN220359681U - 显示设备 - Google Patents

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CN220359681U CN202321153835.1U CN202321153835U CN220359681U CN 220359681 U CN220359681 U CN 220359681U CN 202321153835 U CN202321153835 U CN 202321153835U CN 220359681 U CN220359681 U CN 220359681U
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Abstract

提供了显示设备。显示设备包括：显示元件，该显示元件包括像素电极、包括发光材料的发射层和相对电极；第一堤层，该第一堤层包括暴露像素电极的中心部分的第一开口；第二堤层，该第二堤层布置在第一堤层上面并且包括与第一开口重叠的第二开口；以及剩余牺牲层，该剩余牺牲层布置在第一堤层和第二堤层之间并且与第二堤层重叠，其中第二堤层的上表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面具有疏液性。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局(KIPO)于2022年5月17日提交的第10-2022-0060445号韩国专利申请和于2022年7月5日提交的第10-2022-0082699号韩国专利申请的优先权和权益，这些韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备和制造显示设备的方法。
背景技术
通常，显示设备包括基于电信号发射光以显示图像的多个像素。有机发光显示设备的像素包括作为显示元件的有机发光二极管。有机发光二极管包括像素电极、发射层和相对电极。有机发光二极管的发射层可以通过将包括发光材料的墨水排放到像素电极上来形成。
实用新型内容
然而，在相关技术的这样的显示设备和制造显示设备的方法中，存在难以均匀地形成有机发光二极管的发射层的厚度的问题。一个或多个实施方式包括用于通过在发射层的厚度均匀性方面进行改善来显示高质量图像的显示设备和制造显示设备的方法。然而，这些问题仅仅为示例，并且本公开的范围不限于此。
然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，以上和其他实施方式对本公开所属的领域的普通技术人员将变得更显而易见。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：显示元件，该显示元件包括像素电极、包括发光材料的发射层和相对电极；第一堤层，该第一堤层包括暴露像素电极的中心部分的第一开口；第二堤层，该第二堤层布置在第一堤层上面并且包括与第一开口重叠的第二开口；以及剩余牺牲层，该剩余牺牲层布置在第一堤层和第二堤层之间并且与第二堤层重叠，其中第二堤层的上表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面具有疏液性。
在实施方式中，剩余牺牲层的内侧表面可以布置在第一堤层的限定第一开口的内侧表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面之间，并且发射层的边界区域可以布置在剩余牺牲层的内侧表面或者第一堤层的与剩余牺牲层的内侧表面相邻的内侧表面上。在本文中，发射层的边界区域可以是指发射层的布置有边界(例如，下文中的边界221BP和/或边界222BP)的区域。
在实施方式中，第一堤层的限定第一开口的内侧表面可以具有亲液性。
在实施方式中，像素电极的上表面可以具有亲液性。
在实施方式中，第二堤层的接触剩余牺牲层的下表面可以具有亲液性。
在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，第一开口可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口，并且第二开口可以具有在第一方向上延伸的线形状，以与多个第一开口重叠。
在实施方式中，发射层可以在第一方向上连续地延伸。
在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，并且第一开口和第二开口可以各自提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口以及分别与多个像素电极重叠的多个第二开口。
在实施方式中，发射层可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个发射层。
在实施方式中，第一堤层的厚度可以在大约200nm至大约500nm的范围内。
在实施方式中，第二堤层的厚度可以在大约500nm至大约1μm的范围内。
在实施方式中，剩余牺牲层可以包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)或它们的混合物。
根据一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括：在衬底上面形成像素电极，形成包括暴露像素电极的中心部分的第一开口的第一堤层，在第一堤层上形成牺牲层，在牺牲层上形成包括与第一开口重叠的第二开口的第二堤层，对布置有第二堤层的衬底的前表面执行等离子体处理，通过去除通过第二开口暴露的牺牲层来形成剩余牺牲层，以及通过将包括发光材料的墨水排放到像素电极上来形成发射层。
在实施方式中，剩余牺牲层的内侧表面可以布置在第一堤层的限定第一开口的内侧表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面之间，并且包括发光材料的墨水的外侧表面可以布置在剩余牺牲层的内侧表面或者第一堤层的与剩余牺牲层的内侧表面相邻的内侧表面上。
在实施方式中，在执行等离子体处理中，可以将第二堤层的上表面、第二堤层的内侧表面和牺牲层的通过第二开口暴露的上表面处理为具有疏液性。
在实施方式中，牺牲层可以包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)或它们的混合物。
在实施方式中，牺牲层的厚度可以在大约20nm至大约50nm的范围内。
在实施方式中，第一堤层的内侧表面和像素电极的上表面可以具有亲液性。
在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，第一开口可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口，并且第二开口可以具有在第一方向上延伸的线形状，以与多个第一开口重叠。
在实施方式中，在形成发射层中，可以在第一方向上排放包括发光材料的墨水，并且发射层可以在第一方向上连续地延伸。
在实施方式中，像素电极可以提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，并且第一开口和第二开口可以各自提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个第一开口以及分别与多个像素电极重叠的多个第二开口。
在实施方式中，在形成发射层中，发射层可以提供为多个，以使得包括分别与多个像素电极重叠的多个发射层。
根据一个或多个实施方式，显示设备包括：显示元件，该显示元件包括像素电极、包括发光材料的发射层和相对电极；第一堤层，该第一堤层包括暴露像素电极的中心部分的第一开口；以及第二堤层，该第二堤层布置在第一堤层上面并且包括与第一开口重叠的第二开口。第二堤层的上表面和第二堤层的限定第二开口的内侧表面具有疏液性。
上述方面、特征和优点以外的其他方面、特征和优点将通过本公开的附图、所附权利要求书和详细描述而变得显而易见。
附图说明
本公开的特定实施方式的以上和其他方面、特征和优点将通过结合附图的下面的描述而更显而易见，在附图中：
图1是图示根据实施方式的显示设备的示意性透视图；
图2是根据实施方式的包括在显示设备中的像素的等效电路的示意图；
图3A是图示根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图3B是图示根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图4是图示根据实施方式的显示设备的示意性平面视图；
图5是图示沿着图4中的线I-I'截取的显示设备的剖面的示意性剖视图；
图6是图示沿着图4中的线II-II'截取的显示设备的剖面的示意性剖视图；
图7是图示根据实施方式的显示设备的示意性平面视图；
图8是图示沿着图7中的线Ⅲ-Ⅲ'截取的显示设备的剖面的剖视图；
图9是图示沿着图7中的线Ⅳ-Ⅳ'截取的显示设备的剖面的示意性剖视图；以及
图10至图16是顺序地图示根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本申请的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，“实施方式”和“实现方式”为本文中公开的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者在一个或多个等效排列的情况下实践各种实施方式。这里，各种实施方式不必为排他性的，也不必限制本公开。例如，实施方式的具体形状、配置和特性可以在另一实施方式中使用或实现。
除非另有说明，否则图示的实施方式将理解成提供了本申请的特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本申请的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中被单独或统称为“元件”)可以以其他方式组合、分离、交换和/或重新排列。
在附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常提供为阐明相邻元件之间的边界。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在均不传达或指示对特殊的材料、材料性质、维度、比例、图示元件之间的共性和/或元件的任何其他特征、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可以被夸大。当实施方式可以不同地实现时，可以与描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时执行、或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，类似的附图标记表示类似的元件。
当元件(诸如层)被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或居间层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可以是指在具有或不具有居间元件的情况下的物理、电气和/或流体连接。此外，X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“A和B中的至少一个”可以被解释为理解成意指仅A、仅B、或者A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组群中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中的两个或多个的任何组合。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件能够被称作第二元件。
空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”、“上面”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)和类似词，可以在本文中出于描述的目的使用，并且从而描述如附图中图示的一个元件与另一元件(另一些元件)的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包括在使用、操作和/或制造中的设备的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后定向为在其他元件或特征“上方”。因此，术语“下方”能够包括上方和下方的方位两者。此外，设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他方位)，并且如此，本文中使用的空间相对描述词相应地解释。
本文中使用的专业用语出于描述特指实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另有明确指示，否则如本文中使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”时，说明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组群的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组群的存在或添加。也注意的是，如本文中使用的，术语“基本”、“大约”和其他相似术语被用作近似的术语，并且不被用作程度的术语，并且如此，被利用以解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值上的固有偏差。
本文中参考为实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图示和/或分解图示来描述各种实施方式。如此，由于例如制造技术和/或公差而引起的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中公开的实施方式不应必须被解释为限于特别图示的区的形状，而是将包括由例如制造而引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中图示的区在本质上可以为示意性的，并且这些区的形状可以不反映器件的区的实际形状，并且如此，不必须旨在进行限制。
在本文中，显示设备可以为显示图像的设备，并且可以为便携式移动设备，诸如游戏机、多媒体设备或超小型PC。以下描述的显示设备可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机EL显示器(无机发光显示器)、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器和阴极射线显示器。在下文中，将描述有机发光显示设备作为根据实施方式的显示设备的示例；然而，如上所述的这样的各种显示设备可以在实施方式中使用。
图1是图示根据实施方式的显示设备1的示意性透视图。
参考图1，显示设备1可以包括遍及衬底100的显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以显示图像。在平面上二维排列的像素PX可以排列在显示区域DA中。每个像素PX可以为发射不同颜色的光的子像素中的一个。例如，每个像素PX可以为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的任何一个。显示设备1可以通过使用从像素PX发射的光来显示图像。
非显示区域NDA可以为不显示图像的区域，并且像素PX不排列在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以围绕(例如，完全围绕)显示区域DA。用于向像素PX提供电信号(或电力)的驱动器、电力线等可以布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括为电子器件、印刷电路板等可以电连接到的区域的焊盘单元。
显示区域DA可以具有多边形形状。例如，如图1中图示，显示区域DA可以具有水平长度大于垂直长度的矩形形状。在另一示例中，显示区域DA可以具有方形形状。在另一示例中，显示区域DA可以具有各种形状，诸如椭圆形形状或圆形形状。
图2是根据实施方式的包括在显示设备中的像素PX的等效电路的示意图。
参考图2，像素PX可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件，例如，有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素PX可以从有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光或蓝光、或者红光、绿光、蓝光或白光。
例如，第二薄膜晶体管T2(例如，开关薄膜晶体管)可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据从扫描线SL输入的开关电压或开关信号Sn将从数据线DL输入的数据电压或数据信号Dm发送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
例如，第一薄膜晶体管T1(例如，驱动薄膜晶体管)可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流以特定亮度发射光。可以向有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)供给第二电力电压ELVSS。
图2图示了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器；然而，在其他实施方式中，可以根据像素电路PC的设计对薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量进行各种修改。
图3A是图示根据实施方式的显示设备1的示意性剖视图。图3B是图示根据实施方式的显示设备1的示意性剖视图。
参考图3A，在显示设备1的衬底100上面可以包括显示层DPL和薄膜封装层TFE。显示层DPL可以包括包含像素电路和绝缘层的像素电路层PCL以及布置在像素电路层PCL上面并且包括显示元件的显示元件层DEL。
衬底100可以包括玻璃、金属、或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或它们的任何混合物。衬底100可以进行各种修改，诸如具有包括包含以上聚合物树脂的两层以及布置在两层之间并且包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料的阻挡层的多层结构。
显示元件层DEL可以包括显示元件，例如，有机发光二极管。像素电路层PCL可以包括绝缘层和电连接到有机发光二极管的像素电路。例如，像素电路层PCL可以包括晶体管、存储电容器和布置在其间的绝缘层。
显示元件可以由诸如薄膜封装层TFE的封装构件覆盖。薄膜封装层TFE可以包括覆盖显示元件层DEL的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。无机封装层可以包括无机绝缘材料，诸如氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)、硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或氮氧化硅(SiON)。有机封装层可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯酰基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和类似物。在实施方式中，有机封装层可以包括丙烯酸酯。
参考图3B，在显示设备1的衬底100上面可以包括显示层DPL和封装衬底400。封装构件300可以布置在衬底100和封装衬底400之间。封装衬底400可以为透明构件。衬底100和封装衬底400可以通过封装构件300联接，以使得可以封装衬底100和封装衬底400之间的内部空间。例如，吸湿剂、填料等可以定位在内部空间中。封装构件300可以包括密封剂，并且在另一示例中，封装构件300可以包括通过激光固化的材料。例如，封装构件300可以包括玻璃料。例如，封装构件300可以包括为有机密封剂的氨基甲酸乙酯基树脂、环氧基树脂或丙烯酰基树脂、或者为无机密封剂的硅酮。例如，氨基甲酸乙酯丙烯酸酯等可以用作氨基甲酸乙酯基树脂。例如，丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯等可以用作丙烯酰基树脂。此外，封装构件300可以包括通过热固化的材料。
在一些实施方式中，显示元件层DEL可以由图3B的封装衬底400和封装构件300以及图3A的薄膜封装层TFE覆盖。
触摸电极层可以布置在薄膜封装层TFE和/或封装衬底400上面，并且光学功能层可以布置在触摸电极层上面。触摸电极层可以根据外部输入(例如，触摸事件)来获得或感测坐标信息。光学功能层可以降低从外部朝向显示设备1入射的光(例如，外部光)的反射率。在另一示例中，光学功能层可以改善从显示设备1发射的光的颜色纯度。在实施方式中，光学功能层可以包括相位延迟器和/或偏振器。相位延迟器可以为膜类型或液晶涂覆类型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器可以为膜类型或液晶涂覆类型。膜类型可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂覆类型可以包括以特定排列所排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。
在另一示例中，光学功能层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以基于从显示设备1的像素(例如，参考图1中的像素PX)中的每个发射的光的颜色来布置。滤色器中的每个可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。在另一示例中，除了以上颜料或染料之外，滤色器中的每个还可以包括量子点。在另一示例中，滤色器中的一些可以不包括以上颜料或染料，并且可以包括散射颗粒，诸如氧化钛。
粘合构件可以布置在触摸电极层和光学功能层之间。粘合构件可以包括通用粘合剂，而没有限制。在实施方式中，粘合构件可以包括压敏粘合剂(PSA)。
图4是图示根据实施方式的显示设备的示意性平面视图，图5是图示沿着图4中的线I-I'截取的显示设备的剖面的示意性剖视图，并且图6是图示沿着图4中的线II-II'截取的显示设备的剖面的示意性剖视图。
参考图4，在平面上二维排列的像素电极210可以排列在显示区域DA中。像素电极210可以在第一方向(例如，y轴方向)和第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。例如，第一像素电极211和第二像素电极212可以在第一方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开特定距离，并且第一像素电极211和第三像素电极213可以在第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。
在实施方式中，在平面视图中，像素电极210可以具有各种形状，诸如矩形形状、菱形形状、方形形状、圆形形状或椭圆形形状。在这方面，尽管图4图示了像素电极210具有带有在第一方向(例如，y轴方向)上的长边的矩形形状，但实施方式不限于此。
在实施方式中，像素电极210可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。在实施方式中，像素电极210可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在实施方式中，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的任何化合物的反射层。在实施方式中，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
在实施方式中，像素电极210的表面可以具有亲液性。在本文中，术语“亲液性”可以是指对于特定溶液具有极好亲和势的性质，并且作为另一性质，术语“疏液性”可以是指排斥特定溶液并且未很好渗有溶液的性质。
例如，由于特定溶液相对于亲液表面具有极好的表面结合力，因此布置在亲液表面上的特定溶液的表面张力可以减小。特定溶液相对于疏液表面可以具有低的表面结合力，并且布置在疏液表面上的特定溶液的表面张力可以增加。
随着亲液性增加或随着表面张力减小，在特定溶液的表面的切线和特定溶液定位在的表面之间形成的接触角可以减小。例如，随着疏液性增加或随着表面张力增加，在特定溶液的表面的切线和特定溶液定位在的表面之间形成的接触角可以增加。
特定溶液可以为包括形成发射层的发光材料的墨水，或者可以为墨水的溶剂。例如，亲液表面可以为相对于苯甲酸甲酯(MeB)溶液具有大约5°或更小的接触角的表面。例如，疏液表面可以为相对于苯甲酸甲酯溶液具有大约60°或更大的接触角的表面。
第一堤层121可以布置成覆盖像素电极210中的每个的边缘部分。例如，第一堤层121可以包括暴露像素电极210中的每个的中心部分的第一开口121OP。在平面视图中，第一开口121OP可以与像素电极210对应(或重叠)地在第一方向(例如，y轴方向)和第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。
例如，第一堤层121可以包括暴露第一像素电极211的中心部分的第1-1开口121OP1、暴露第二像素电极212的中心部分的第1-2开口121OP2以及暴露第三像素电极213的中心部分的第1-3开口121OP3。第1-1开口121OP1和第1-2开口121OP2可以在第一方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开特定距离，并且第1-1开口121OP1和第1-3开口121OP3可以在第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。
在实施方式中，如图4中图示，第一开口121OP可以具有带有在第一方向(例如，y轴方向)上的长边的矩形形状，像与其对应的像素电极210那样。在实施方式中，第一开口121OP可以具有和与其对应的像素电极210不同的形状。显示元件的发射区域可以由第一开口121OP限定，并且在下文中，像素的形状和位置可以是指显示元件的发射区域的形状和位置。
在实施方式中，如图4中图示，第一堤层121可以具有在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的限定壁和在第二方向(例如，x轴方向)上延伸的限定壁彼此相交的网格形状。
第一堤层121可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施方式中，第一堤层121可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等。在实施方式中，第一堤层121可以包括环氧基聚合物、丙烯酰基聚合物或它们的混合物。
第一堤层121的表面可以具有亲液性。在另一示例中，至少第一堤层121的通过第二开口125OP暴露的上表面(例如，参考图5中的上表面121US1)以及第一堤层121的限定第一开口121OP的内侧表面(例如，参考图5中的内侧表面121SS)可以具有亲液性。
第二堤层125可以定位在第一堤层121上面。在实施方式中，第二堤层125可以包括暴露在第一方向(例如，y轴方向)上排列的像素电极210的中心部分的第二开口125OP。第二开口125OP可以具有在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的线形状，并且可以与第一开口121OP重叠。在这方面，图4图示了线形状的第2-1开口125OPL1暴露第一像素电极211和第二像素电极212的中心部分，并且与第1-1开口121OP1和第1-2开口121OP2重叠。线形状的第2-2开口125OPL2可以在第二方向(例如，x轴方向)上与第2-1开口125OPL1间隔开特定距离。
在实施方式中，在平面视图中，第二堤层125可以覆盖像素电极210的在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的边缘部分。例如，如图4中图示，第二堤层125可以包括在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的限定壁。第二堤层125的在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的限定壁可以与第一堤层121的在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的限定壁重叠。第一堤层121的在第二方向(例如，x轴方向)上延伸的限定壁可以通过第二开口125OP暴露。例如，第一堤层121的定位在第1-1开口121OP1和第1-2开口121OP2之间的一部分可以通过线形状的第2-1开口125OPL1暴露。
第二堤层125可以包括有机绝缘材料。例如，第二堤层125可以包括环氧基光敏树脂、丙烯酰基光敏树脂或它们的混合物。在实施方式中，第二堤层125可以包括正性光敏树脂。在实施方式中，第二堤层125可以包括光敏聚酰亚胺。第二堤层125的上表面(例如，参考图6中的上表面125US)和第二堤层125的限定第二开口125OP的内侧表面(例如，参考图6中的内侧表面125SS)可以具有疏液性。在实施方式中，第二堤层125的下表面可以具有亲液性。
如上所述，像素的位置和形状可以对应于由第一堤层121的第一开口121OP限定的发射区域的位置和形状。例如，第一像素PX1可以对应于第1-1开口121OP1，第二像素PX2可以对应于第1-2开口121OP2，并且第三像素PX3可以对应于第1-3开口121OP3。
第一像素PX1和第二像素PX2可以在第一方向(例如，y轴方向)上排列以形成第一列，第三像素PX3和第四像素PX4可以在第一方向(例如，y轴方向)上排列以形成第二列，并且第五像素PX5和第六像素PX6可以在第一方向(例如，y轴方向)上排列以形成第三列。同样，第一像素PX1、第三像素PX3和第五像素PX5可以在第二方向(例如，x轴方向)上排列以形成第一行，并且第二像素PX2、第四像素PX4和第六像素PX6可以在第二方向(例如，x轴方向)上排列以形成第二行。
排列在相同列中的像素可以发射相同颜色的光。例如，第一像素PX1和第二像素PX2可以发射第一颜色的光，第三像素PX3和第四像素PX4可以发射第二颜色的光，并且第五像素PX5和第六像素PX6可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以为红色，第二颜色可以为绿色，并且第三颜色可以为蓝色。因此，排列在相同列中的像素可以包括相同颜色的发光材料。
尽管图4图示了每个像素的尺寸(或面积)相等，但像素的尺寸(或面积)可以根据发射光的颜色而不同。例如，发射绿光的像素的尺寸(或面积)可以小于发射红光或蓝光的像素的尺寸(或面积)。
参考图5和图6，像素电路层PCL可以布置在衬底100上面。像素电路层PCL可以包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管以及布置在晶体管的组件下面和/或上面的缓冲层111、第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层115、层间绝缘层117和平坦化层119。例如，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管可以对应于图2中图示的第一薄膜晶体管T1。由于第二晶体管TR2的结构和第三晶体管的结构与第一晶体管TR1的结构相同或相似，因此为了描述便利，将省略对其的冗余描述。
缓冲层111可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiO2)的无机绝缘材料，并且可以具有包括无机绝缘材料的单层结构或多层结构。缓冲层111可以起到增加衬底100的上表面的光滑度、或者防止或最小化杂质从衬底100渗透到半导体层Act等中的作用。
第一晶体管TR1可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以包括多晶硅。在另一示例中，半导体层Act可以包括非晶硅，可以包括氧化物半导体材料，或者可以包括有机半导体材料。
栅电极GE可以与半导体层Act的一部分重叠。栅电极GE可以包括导电材料。栅电极GE可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
半导体层Act和栅电极GE之间的第一栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)。在本文中，锌氧化物(ZnOx)可以为ZnO和/或ZnO2。
第二栅极绝缘层115可以覆盖栅电极GE。例如，第二栅极绝缘层115可以包括无机绝缘材料，诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)。
存储电容器Cst的上电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层115上面。上电极CE2可以与上电极CE2下面的栅电极GE重叠。例如，在第二栅极绝缘层115在其间的情况下彼此重叠的栅电极GE和上电极CE2可以形成存储电容器Cst。例如，栅电极GE可以起到存储电容器Cst的下电极CE1的作用。
例如，存储电容器Cst和第一晶体管TR1可以布置成彼此重叠。在一些实施方式中，存储电容器Cst可以布置成不与第一晶体管TR1重叠。
上电极CE2可以包括导电材料，诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)，并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
层间绝缘层117可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层117可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx)。层间绝缘层117可以具有包括以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
漏电极SD1和源电极SD2中的每个可以定位在层间绝缘层117上面。漏电极SD1和源电极SD2中的每个可以通过形成在第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层115和层间绝缘层117中的接触孔连接(例如，电连接)到半导体层Act。漏电极SD1和源电极SD2可以包括具有高导电性的材料。漏电极SD1和源电极SD2可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括以上材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，漏电极SD1和源电极SD2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。在另一示例中，可以省略漏电极SD1和源电极SD2中的至少一个，并且半导体层Act的一部分可以为导电的，以取代漏电极SD1和源电极SD2的该至少一个。
平坦化层119可以覆盖第一晶体管TR1，并且可以包括暴露第一晶体管TR1的一部分的接触孔。平坦化层119可以包括有机绝缘层。平坦化层119可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、或它们的任何组合。
显示元件层DEL可以布置在像素电路层PCL上面。显示元件层DEL可以包括第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3以及布置在有机发光二极管的组件下面和/或上面的第一堤层121、剩余牺牲层123和第二堤层125。由于第二有机发光二极管OLED2的结构和第三有机发光二极管OLED3的结构与第一有机发光二极管OLED1的结构相同或相似，因此为了描述便利，将省略对其的冗余描述。
在实施方式中，第一像素电极211可以布置在像素电路层PCL上面。第一像素电极211可以通过穿透平坦化层119的接触孔电连接到第一晶体管TR1的漏电极SD1或源电极SD2。如图4和图5中图示，第二像素电极212可以在第一方向(例如，y轴方向)上与第一像素电极211间隔开特定距离。如图4和图6中图示，第三像素电极213可以在第二方向(例如，x轴方向)上与第一像素电极211间隔开特定距离。
第一堤层121可以布置在像素电路层PCL上面。第一堤层121可以包括暴露第一像素电极211的中心部分的第1-1开口121OP1、暴露第二像素电极212的中心部分的第1-2开口121OP2以及暴露第三像素电极213的中心部分的第1-3开口121OP3。第1-1开口121OP1可以限定第一有机发光二极管OLED1的发射区域EA1，第1-2开口121OP2可以限定第二有机发光二极管OLED2的发射区域EA2，并且第1-3开口121OP3可以限定第三有机发光二极管OLED3的发射区域EA3。例如，第一堤层121可以通过增加像素电极210的边缘部分和相对电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘部分处发生电弧等。
第一堤层121可以具有第一厚度t1。第一厚度t1可以在大约200nm至大约500nm的范围内。
第二堤层125可以布置在第一堤层121上面。第二堤层125可以包括与第一开口121OP重叠并且暴露像素电极210的中心部分的第二开口125OP。在实施方式中，如图4中图示，第二开口125OP可以具有在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的线形状。
在这方面，图4至图6图示了线形状的第2-1开口125OPL1暴露第一像素电极211和第二像素电极212的中心部分，并且与第1-1开口121OP1和第1-2开口121OP2重叠。线形状的第2-2开口125OPL2可以在第二方向(例如，x轴方向)上与线形状的第2-1开口125OPL1间隔开特定距离。
如图5中图示，第一堤层121的上表面121US1可以通过第1-1开口121OP1和第1-2开口121OP2之间的线形状的第2-1开口125OPL1暴露。如图6中图示，第二堤层125可以在第1-1开口121OP1和第1-3开口121OP3之间定位在第一堤层121的上表面121US2上。
第二堤层125可以具有第二厚度t2。第二厚度t2可以大于第一厚度t1，并且可以为足以使包括发光材料的墨水分开的厚度。例如，第二厚度t2可以在大约500nm至大约1μm的范围内。
剩余牺牲层123可以定位在第一堤层121和第二堤层125之间。剩余牺牲层123可以定位成在平面视图中与第二堤层125重叠。在平面视图中，由于剩余牺牲层123仅定位在与第二堤层125重叠的区域中，因此剩余牺牲层123可以具有与第二堤层125相同或基本相同的图案。剩余牺牲层123可以包括与第二开口125OP重叠的第三开口。
剩余牺牲层123可以包括通过显影剂(诸如水或四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液)去除的材料。例如，剩余牺牲层123可以包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)或它们的混合物。
第一开口121OP的在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的边界区域可以与第二开口125OP的边界区域重叠。例如，如图6中图示，第一堤层121的限定第一开口121OP的内侧表面121SS、剩余牺牲层123的限定第三开口的内侧表面123SS和第二堤层125的限定第二开口125OP的内侧表面125SS可以彼此连续连接。
第一发射层221可以布置在第一像素电极211上面。例如，第一发射层221可以布置在第1-1开口121OP1中。在实施方式中，在定位在同一第二开口125OP中的像素电极210上面可以布置有一个发射层。例如，如图5中图示，第一发射层221可以在第1-1开口121OP1和第1-2开口121OP2之间跨过第一堤层121的上表面121US1在第一像素电极211和第二像素电极212上面连续延伸。第一发射层221可以与线形状的第2-1开口125OPL1重叠。
第一发射层221可以包括用于发射特定颜色的高分子量或低分子量有机材料。例如，第一发射层221可以通过将包括发光材料的墨水排放到第一像素电极211和第二像素电极212上来形成。例如，第一发射层221可以通过喷墨打印工艺形成。
例如，第一发射层221可以包括分别位于其下面和上面的第一功能层和/或第二功能层。例如，第一功能层可以包括空穴传输层(HTL)，或者可以包括空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)。第二功能层可以选择性地布置。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
第一发射层221可以具有使得第一发射层211的厚度随着从第一开口121OP的中心朝向边缘部分越来越近而增加的凹形形状。第一发射层221的在第一方向(例如，y轴方向)上的边界(或侧表面)221BP可以定位在剩余牺牲层123的内侧表面123SS或者第一堤层121的与剩余牺牲层123的内侧表面123SS相邻的内侧表面121SS上。
第二发射层222可以布置在第三像素电极213上面。第二发射层222可以与线形状的第2-2开口125OPL2重叠，并且可以通过定位在第2-1开口125OPL1和第2-2开口125OPL2之间的第二堤层125而与第一发射层221间隔开。第一发射层221可以包括发射第一颜色的光的发光材料，并且第二发射层222可以包括发射第二颜色的光的发光材料。由于第二发射层222具有与第一发射层221相同或相似的结构，因此为了描述便利，将省略对其的冗余描述。
相对电极230可以布置成覆盖第一发射层221、第一堤层121和第二堤层125。相对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的任何合金的透明层(或半透明层)。在另一示例中，相对电极230还可以包括在包括以上材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
例如，在实施方式中，薄膜封装层(例如，参考图3A中的薄膜封装层TFE)或封装衬底(例如，参考图3B中的封装衬底400)可以布置在相对电极230上面。
实施方式可以通过调整第一堤层121和剩余牺牲层123的位置来改善发射层的厚度的均匀性。在实施方式中，在剩余牺牲层123的内侧表面123SS在第一堤层121的内侧表面121SS和第二堤层125的内侧表面125SS之间的情况下，第一堤层121的内侧表面121SS可以具有亲液性，并且第二堤层125的内侧表面125SS可以具有疏液性。因此，在排放(或注入)包括发光材料的墨水以形成发射层的情况下，包括发光材料的墨水的边界(或外侧表面)可以定位在剩余牺牲层123的内侧表面123SS或者第一堤层121的与剩余牺牲层123的内侧表面123SS相邻的内侧表面121SS上。在包括发光材料的墨水的溶剂通过干燥工艺蒸发并且因此其体积收缩的情况下，定位在剩余牺牲层123的内侧表面123SS或者第一堤层121的与剩余牺牲层123的内侧表面123SS相邻的内侧表面121SS上的墨水的边界(或外侧表面)可以比墨水的中心部分改变得少。因此，可以通过调整第一堤层121和剩余牺牲层123的位置来改善发射层的厚度的均匀性。
例如，由于第二堤层125的上表面125US具有疏液性，因此包括发光材料的墨水可以不溢出到第二堤层125的上表面125US上，并且发射层可以更准确地形成在期望的位置处。
图7是图示根据实施方式的显示设备的示意性平面视图，图8是图示沿着图7中的线Ⅲ-Ⅲ'截取的显示设备的剖面的示意性剖视图，并且图9是图示沿着图7中的线Ⅳ-Ⅳ'截取的显示设备的剖面的示意性剖视图。
图7可以与图4相似，但可以与图4的不同之处在于，第二堤层125包括与每个第一开口121OP对应(或重叠)的第二开口125OP。在下文中，为了描述便利，将省略对其的冗余描述并且将描述其间的差异。
参考图7，在平面上二维排列的像素电极210可以显示区域DA中。像素电极210可以在第一方向(例如，y轴方向)和第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。例如，第一像素电极211和第二像素电极212可以在第一方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开特定距离，并且第一像素电极211和第三像素电极213可以在第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。
第一堤层121可以布置成覆盖像素电极210中的每个的边缘部分。例如，第一堤层121可以包括暴露像素电极210中的每个的中心部分的第一开口121OP。在平面视图中，第一开口121OP可以与像素电极210对应(或重叠)地在第一方向(例如，y轴方向)和第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。
例如，第一堤层121可以包括暴露第一像素电极211的中心部分的第1-1开口121OP1、暴露第二像素电极212的中心部分的第1-2开口121OP2以及暴露第三像素电极213的中心部分的第1-3开口121OP3。第1-1开口121OP1和第1-2开口121OP2可以在第一方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开特定距离，并且第1-1开口121OP1和第1-3开口121OP3可以在第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。
第二堤层125可以定位在第一堤层121上面。在实施方式中，第二堤层125可以包括在第一方向(例如，y轴方向)上排列的暴露像素电极210的中心部分并且分别与第一开口121OP对应(或重叠)的第二开口125OP。例如，第2-1开口125OP1可以与暴露第一像素电极211的中心部分的第1-1开口121OP1重叠，第2-2开口125OP2可以与暴露第二像素电极212的中心部分的第1-2开口121OP2重叠，并且第2-3开口125OP3可以与暴露第三像素电极213的中心部分的第1-3开口121OP3重叠。第2-1开口125OP1和第2-2开口125OP2可以在第一方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开特定距离，并且第2-1开口125OP1和第2-3开口125OP3可以在第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开特定距离。
在实施方式中，如图7中图示，第二堤层125可以具有在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的限定壁和在第二方向(例如，x轴方向)上延伸的限定壁彼此相交的网格形状。在实施方式中，第二堤层125可以覆盖第一堤层121的上表面(例如，参考图9中的上表面121US2)。
参考图8和图9，第一堤层121可以布置在像素电路层PCL上面。第一堤层121可以包括暴露第一像素电极211的中心部分的第1-1开口121OP1、暴露第二像素电极212的中心部分的第1-2开口121OP2以及暴露第三像素电极213的中心部分的第1-3开口121OP3。第1-1开口121OP1可以限定第一有机发光二极管OLED1的发射区域EA1，第1-2开口121OP2可以限定第二有机发光二极管OLED2的发射区域EA2，并且第1-3开口121OP3可以限定第三有机发光二极管OLED3的发射区域EA3。
第二堤层125可以布置在第一堤层121上面。第二堤层125可以包括与第一开口121OP重叠并且暴露像素电极210的中心部分的第二开口125OP。第2-1开口125OP1可以与暴露第一像素电极211的中心部分的第1-1开口121OP1重叠，第2-2开口125OP2可以与暴露第二像素电极212的中心部分的第1-2开口121OP2重叠，并且第2-3开口125OP3可以与暴露第三像素电极213的中心部分的第1-3开口121OP3重叠。
剩余牺牲层123可以定位在第一堤层121和第二堤层125之间。在平面视图中，剩余牺牲层123可以定位成与第二堤层125重叠。在平面视图中，由于剩余牺牲层123仅定位在与第二堤层125重叠的区域中，因此剩余牺牲层123可以具有与第二堤层125相同或基本相同的图案。剩余牺牲层123可以包括与第二开口125OP重叠的第三开口。
第1-1发射层221a可以布置在第一像素电极211上面，第1-2发射层221b可以布置在第二像素电极212上面，并且第2-1发射层222a可以布置在第三像素电极213上面。例如，第1-1发射层221a和第1-2发射层221b可以在第一堤层121和第二堤层125在其间的情况下在第一方向(例如，y轴方向)上彼此间隔开。第1-1发射层221a和第2-1发射层222a可以在第一堤层121和第二堤层125在其间的情况下在第二方向(例如，x轴方向)上彼此间隔开。
第1-1发射层221a、第1-2发射层221b和第2-1发射层222a中的每个可以具有使得第1-1发射层221a、第1-2发射层221b和第2-1发射层222a中的对应的一个的厚度随着从第一开口121OP的中心朝向边缘部分越来越近而增加的凹形形状。第1-1发射层221a的边界(或侧表面)221BP可以定位在剩余牺牲层123的内侧表面123SS或者第一堤层121的与剩余牺牲层123的内侧表面123SS相邻的内侧表面121SS上。
在实施方式中，由于第1-1发射层221a和第1-2发射层221b由第二堤层125分开，因此可以减小或最小化在第一方向(例如，y轴方向)上彼此相邻的像素(例如，第一像素PX1和第二像素PX2)之间的漏电流。
第1-1发射层221a和第1-2发射层221b可以包括发射第一颜色的光的发光材料，并且第2-1发射层222a可以包括发射第二颜色的光的发光材料。
相对电极230可以布置成覆盖第一发射层221、第一堤层121和第二堤层125。例如，在实施方式中，薄膜封装层(例如，参考图3A中的薄膜封装层TFE)或封装衬底(例如，参考图3B中的封装衬底400)可以布置在相对电极230上面。
图10至图16是顺序地图示根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图10至图16顺序地图示了制造在第二方向(例如，x轴方向)上彼此相邻的第一像素PX1和第三像素PX3的方法。
参考图10，可以在衬底100上面形成包括至少一个晶体管的像素电路层PCL，并且可以在像素电路层PCL上面形成第一像素电极211和第三像素电极213。
第一像素电极211和第三像素电极213的上表面可以具有亲液性。
参考图11，可以在像素电路层PCL上面形成第一堤层121。第一堤层121可以通过下述来形成：形成无机绝缘材料层或有机绝缘材料层并且图案化出第1-1开口121OP1和第1-3开口121OP3以使得第一像素电极211和第三像素电极213中的每个的中心部分可以暴露。
在实施方式中，第一堤层121可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等。在实施方式中，第一堤层121可以包括环氧基聚合物、丙烯酰基聚合物或它们的混合物。
在实施方式中，可以形成具有第一厚度t1(例如，参见图6)的第一堤层121。在排放包括发光材料的墨水的情况下，可以基于墨水的边界(或外侧表面)的位置来确定第一厚度t1。第一厚度t1可以在大约200nm至大约500nm的范围内。第一堤层121的上表面和第一堤层121的限定第一开口121OP的内侧表面121SS(例如，参见图12)可以具有亲液性。
参考图12，可以形成覆盖第一像素电极211、第三像素电极213和第一堤层121的牺牲层122。
在实施方式中，牺牲层122可以包括通过显影剂(诸如水或四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液)去除的材料。例如，牺牲层122可以包括钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)或它们的混合物。
在实施方式中，牺牲层122可以具有第三厚度t3。在以下描述的形成第二堤层125的操作中，第三厚度t3可以基于牺牲层122通过显影剂去除的厚度来确定。例如，第三厚度t3可以为足以使得牺牲层122即使在至少一次光刻工艺之后也可以覆盖第一像素电极211的暴露的上表面211US、第三像素电极213的暴露的上表面213US和第一堤层121的内侧表面121SS的厚度。在实施方式中，第三厚度t3可以在大约20nm至大约50nm的范围内。
参考图13，可以在牺牲层122上面形成第二堤层125。第二堤层125可以通过下述来形成：形成有机绝缘材料层并且图案化出第二开口125OP以使得第一像素电极211和第三像素电极213中的每个的中心部分可以暴露。
如上所述，在实施方式中，第二开口125OP可以具有在第一方向(例如，y轴方向)上延伸的线形状。在另一示例中，第二开口125OP中的每个可以具有与第一开口121OP中的对应的一个对应(或重叠)的形状。在这方面，图13图示了第二堤层125包括与第1-1开口121OP1对应(或重叠)的第2-1开口125OP1和与第1-3开口121OP3对应(或重叠)的第2-3开口125OP3。
在实施方式中，第二堤层125可以包括环氧基光敏树脂、丙烯酰基光敏树脂或它们的混合物。在实施方式中，第二堤层125可以包括正性光敏树脂。在实施方式中，第二堤层125可以包括光敏聚酰亚胺。在等离子体处理之前，第二堤层125的表面可以具有亲液性。
可以形成具有第二厚度t2(例如，参见图6)的第二堤层125。第二厚度t2可以大于第一厚度t1，并且可以为足以使包括发光材料的墨水分开的厚度。例如，第二厚度t2可以在大约500nm至大约1μm的范围内。
在图案化出第2-1开口125OP1和第2-3开口125OP3的工艺中，可能去除了牺牲层122的一部分，并且因此，牺牲层122的厚度可能减小。牺牲层122可以即使在形成第二堤层125之后也覆盖第一像素电极211的上表面211US、第三像素电极213的上表面213US和第一堤层121的内侧表面121SS。
可以执行使得第二堤层125的表面和牺牲层122的通过第二开口125OP暴露的表面可以具有疏液性的等离子体处理。在实施方式中，可以对第二堤层125的表面和牺牲层122的通过第二开口125OP暴露的表面执行四氟甲烷(CF4)的等离子体处理。
通过该等离子体处理，第二堤层125的上表面125US、第二堤层125的内侧表面125SS和牺牲层122的通过第二开口125OP暴露的表面可以具有疏液性。
例如，第一像素电极211的上表面211US、第三像素电极213的上表面213US和由牺牲层122覆盖的第一堤层121的内侧表面121SS可以仍然具有亲液性。在实施方式中，第二堤层125的下表面可以仍然具有亲液性。
参考图14，可以凭借通过使用显影剂去除通过第二开口125OP暴露的牺牲层122来形成剩余牺牲层123。例如，显影剂可以为水或四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液。
在平面视图中，由于剩余牺牲层123仅保留在由第二堤层125覆盖的区域中，因此剩余牺牲层123可以具有与第二堤层125相同或基本相同的图案。剩余牺牲层123可以包括与第二开口125OP重叠的第三开口。
通过去除牺牲层122的一部分而暴露的第一像素电极211的上表面211US、第三像素电极213的上表面213US和第一堤层121的内侧表面121SS可以仍然具有亲液性。
第一堤层121的内侧表面121SS可以与剩余牺牲层123的内侧表面123SS(例如，参见图15)和第二堤层125的内侧表面125SS连续。以剩余牺牲层123的内侧表面123SS作为边界，定位在剩余牺牲层123下面的第一堤层121的内侧表面121SS可以具有亲液性，并且定位在剩余牺牲层123上面的第二堤层125的内侧表面125SS可以具有疏液性。
参考图15，通过排放包括发光材料的墨水，可以在第一像素电极211上面形成第一发射层形成材料221P，并且可以在第三像素电极213上面形成第二发射层形成材料222P。
在实施方式中，可以通过喷墨印刷工艺形成第一发射层形成材料221P和第二发射层形成材料222P。
由于第一像素电极211的上表面211US、第三像素电极213的上表面213US和第一堤层121的内侧表面121SS具有亲液性，因此可以抑制或防止第一发射层形成材料221P和第二发射层形成材料222P的不均匀施涂。
由于第二堤层125的上表面125US具有疏液性，因此第一发射层形成材料221P和第二发射层形成材料222P可以不形成在第二堤层125的上表面125US上。因此，即使在高分辨率显示设备中，发射层也可以更准确地形成在期望的位置处。
在实施方式中，基于表面张力以及干燥之后的体积收缩，第一发射层形成材料221P和第二发射层形成材料222P可以具有带有厚的中心部分的凸形形状。
如上所述，第一堤层121的内侧表面121SS可以具有亲液性，并且第二堤层125的内侧表面125SS可以具有疏液性。因此，第一发射层形成材料221P的边界(或侧表面)221BPa和第二发射层形成材料222P的边界(或侧表面)222BPa可以定位在剩余牺牲层123的内侧表面123SS或者第一堤层121的与剩余牺牲层123的内侧表面123SS相邻的内侧表面121SS上。
参考图16，可以通过干燥第一发射层形成材料221P和第二发射层形成材料222P来形成第一发射层221和第二发射层222。
由于第一像素电极211的上表面211US、第三像素电极213的上表面213US和第一堤层121的内侧表面121SS具有亲液性，因此可以抑制或防止在干燥工艺中第一发射层221和第二发射层222的不均匀形成。
随着包括发光材料的墨水的溶剂蒸发，第一发射层221和第二发射层222中的每个可以具有使得第一发射层211和第二发射层222中的对应的一个的厚度随着从第一开口121OP的中心朝向边缘部分越来越近而增加的凹形形状。
例如，即使在干燥工艺之后，发射层形成材料的边界区域的位置也可以不显著改变。因此，第一发射层221的边界(或侧表面)221BP和第二发射层222的边界(或侧表面)222BP可以定位在剩余牺牲层123的内侧表面123SS或者第一堤层121的与剩余牺牲层123的内侧表面123SS相邻的内侧表面121SS上。
此后，可以在第二堤层125、第一发射层221和第二发射层222上面形成相对电极230。可以形成(例如，一体地形成)覆盖衬底100的整个表面的相对电极230。
在实施方式中，凭借通过使用牺牲层122执行等离子体处理，可以选择性地对第二堤层125的表面形成疏液性。第二堤层125可以由亲液材料形成。例如，第二堤层125可以由正性光敏树脂形成。在第二堤层125包括光敏聚酰亚胺的情况下，如果在等离子体处理之前将一滴苯甲酸甲酯溶液滴在第二堤层125的表面上，则该溶液的接触角可以为大约4.7°。在四氟甲烷(CF4)的等离子体处理之后，第二堤层125的表面和苯甲酸甲酯溶液之间的接触角可以为大约64.4°或更大。即使在通过使用水进行清洁之后，第二堤层125的表面和苯甲酸甲酯溶液之间的接触角也可以为大约63.0°。
第一像素电极211的上表面211US和第三像素电极213的上表面213US可以具有亲液性。在第一像素电极211的上表面211US和第三像素电极213的上表面213US由ITO层形成的情况下，苯甲酸甲酯溶液的接触角可以为大约4.6°。作为比较例，如果在没有形成牺牲层122的情况下执行等离子体处理，则第一像素电极的上表面和第三像素电极的上表面与苯甲酸甲酯溶液之间的接触角可以为大约15.1°或更大。即使在通过使用水进行清洁之后，第一像素电极的上表面和第三像素电极的上表面与苯甲酸甲酯溶液之间的接触角也可以为大约12.4°。例如，包括发光材料的墨水可能不均匀地施涂到第一像素电极的上表面和第三像素电极的上表面。
在发射层的中心部分和外部部分之间的厚度差大的情况下，光可能不从发射层的外部提取，并且因此发射区域可能减小。根据实施方式，通过使用应用牺牲层122的等离子体处理，通过选择性地对第二堤层125的上表面125US和第二堤层125的内侧表面125SS形成疏液性，可以改善发射层的厚度的均匀性。
根据上述实施方式，实现用于通过在发射层的厚度均匀性方面进行改善来显示高质量图像的显示设备以及制造显示设备的方法是可能的。然而，本公开的范围不限于这些效果。
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅在描述意义上考虑，并且不出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施方式中的其他相似特征或方面。虽然已参考图描述了一个或多个实施方式，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由随附权利要求书限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，包括：
显示元件，所述显示元件包括像素电极、包括发光材料的发射层和相对电极；
第一堤层，所述第一堤层包括暴露所述像素电极的中心部分的第一开口；以及
第二堤层，所述第二堤层布置在所述第一堤层上面并且包括与所述第一开口重叠的第二开口；
其中，所述第二堤层的上表面和所述第二堤层的限定所述第二开口的内侧表面具有疏液性。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，还包括：
剩余牺牲层，所述剩余牺牲层布置在所述第一堤层和所述第二堤层之间并且与所述第二堤层重叠。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，
所述剩余牺牲层的内侧表面布置在所述第一堤层的限定所述第一开口的内侧表面和所述第二堤层的限定所述第二开口的所述内侧表面之间，并且
所述发射层的边界区域布置在所述剩余牺牲层的所述内侧表面或者所述第一堤层的与所述剩余牺牲层的所述内侧表面相邻的所述内侧表面上。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一堤层的限定所述第一开口的内侧表面具有亲液性。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述像素电极的上表面具有亲液性。
6.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述第二堤层的接触所述剩余牺牲层的下表面具有亲液性。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述像素电极提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，
所述第一开口提供为多个，以使得包括分别与所述多个像素电极重叠的多个第一开口，并且
所述第二开口具有在所述第一方向上延伸的线形状，以与所述多个第一开口重叠。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，所述发射层在所述第一方向上连续地延伸。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述像素电极提供为多个，以使得包括在第一方向上彼此间隔开的多个像素电极，并且
所述第一开口和所述第二开口各自提供为多个，以使得包括分别与所述多个像素电极重叠的多个第一开口以及分别与所述多个像素电极重叠的多个第二开口。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一堤层的厚度在200nm至500nm的范围内，和/或
所述第二堤层的厚度在500nm至1μm的范围内。
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