CN114203768A - 制造显示面板的方法 - Google Patents

Abstract

一种制造显示面板的方法包括：制备包括彼此间隔开的第一区域和第二区域以及在第一区域和第二区域之间的第三区域的支撑基板；在支撑基板上形成位于第一区域中的阻挡层；在支撑基板上形成位于第一区域至第三区域中的基板材料层；去除基板材料层的与第三区域相对应的部分，以在第一区域中形成虚设基板并在第二区域中形成基板；以及将基板与支撑基板分离，其中，虚设基板包括向基板突出的多个突出部，并且基板限定与多个突出部相对应的多个贯穿部分，其中，多个突出部中的每一个的边缘包括不平坦部分。

Description

制造显示面板的方法

本申请要求2020年9月17日递交的韩国专利申请第10-2020-0120018号的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用整体并入本文。

技术领域

一个或多个实施例涉及一种制造显示面板的方法。

背景技术

显示装置是一种用于可视化地显示数据的装置。显示装置中提供的显示面板显示图像。多个像素形成在显示面板的显示区域中。扫描线和数据线形成在显示面板上以彼此绝缘，并且包括与多个像素中的每一个像素相对应的薄膜晶体管和存储电容器的像素电路被包括在显示面板中。可以在显示面板的外围区域中提供用于将电信号传输到显示区域中的像素电路的各种布线、扫描驱动器、数据驱动器、控制器等。外围区域可以是不显示图像的非显示区域。

显示装置已经用于各种目的。此外，随着显示装置的厚度和重量的减小，显示装置的应用范围增加。此外，继续努力减少非显示区域的面积并且增加显示区域的面积。

显示面板的至少一部分可以以特定曲率弯曲以具有曲面，并且包括合成树脂等的柔性基板用于实现这种显示面板。因为这种柔性基板容易弯曲，所以制造工艺中的处理可能是困难的。因此，在通过在具有足够刚性的支撑基板上形成柔性基板来执行若干工艺之后，可以执行将柔性基板与支撑基板分离的工艺。

发明内容

一个或多个实施例包括一种制造显示面板的方法，其中，甚至在显示面板的拐角处也形成显示区域以扩展显示区域。为此，实施例可以使用柔性基板。

然而，在将柔性基板与支撑基板分离的工艺中，需要保留在支撑基板上的材料可能会与柔性基板一起分离，从而导致显示面板的质量缺陷。

一个或多个实施例提供了一种可以提高显示面板的制造质量的制造显示面板的方法。然而，实施例是示例，并且不限制本公开的范围。

另外的方面将部分地在下面的描述中阐述并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。

根据一个或多个实施例，一种制造显示面板的方法包括：制备包括第一区域、第二区域和第三区域的支撑基板，其中第一区域和第二区域彼此间隔开，并且第三区域设置在第一区域和第二区域之间；在支撑基板上形成位于第一区域中的阻挡层，在支撑基板上形成位于第一区域至第三区域中的基板材料层；去除基板材料层的与第三区域相对应的部分，以在第一区域中形成虚设基板并在第二区域中形成基板；以及将基板与支撑基板分离，其中，虚设基板包括向基板突出的多个突出部，并且基板限定与多个突出部相对应的多个贯穿部分，其中，多个突出部中的每一个的边缘包括不平坦部分。

多个贯穿部分中的每一个的边缘可以包括直线部分。

多个突出部中的每一个的边缘的不平坦部分可以包括第一凸出部分、第二凸出部分和凹入部分，并且凹入部分位于第一凸出部分和第二凸出部分之间并且相对凹入。第一凸出部分和第二凸出部分中的至少一个在平面图中具有与多边形形状的一部分、圆形形状的一部分或椭圆形形状的一部分相对应的形状。

多个突出部中的每一个可以具有蛇形形状。

基板材料层的形成可以包括：在支撑基板上形成位于第一区域至第三区域中的第一有机材料层；以及在第一有机材料层上形成第一无机材料层，该第一无机材料层包括与第一区域相对应的第1-1无机材料层和与第二区域相对应的第1-2无机材料层。

基板材料层的与第三区域相对应的部分的去除可以包括蚀刻第一有机材料层的与第三区域相对应的部分，其中，蚀刻后的第一有机材料层包括第一区域中的第1-1有机材料层和第二区域中的第1-2有机材料层。

虚设基板可以包括第1-1有机材料层和第1-1无机材料层的堆叠结构，其中，第1-1无机材料层包括从第1-1有机材料层的侧表面向基板突出的第一尖端。

基板可以包括第1-2有机材料层和第1-2无机材料层的堆叠结构，其中，第1-2无机材料层包括从第1-2有机材料层的侧表面向虚设基板突出的第二尖端。

第一尖端的至少一部分的突出长度可以大于第二尖端的突出长度。

基板材料层的形成可以进一步包括：形成覆盖第1-1无机材料层和第1-2无机材料层并且位于第一区域至第三区域中的第二有机材料层；以及在第二有机材料层上形成与第一区域相对应的第2-1无机材料层和与第二区域相对应的第2-2无机材料层。

基板材料层的与第三区域相对应的部分的去除可以包括蚀刻第一有机材料层和第二有机材料层的与第三区域相对应的部分，其中，蚀刻后的第一有机材料层包括第一区域中的第1-1有机材料层和第二区域中的第1-2有机材料层，并且蚀刻后的第二有机材料层包括第一区域中的第2-1有机材料层和第二区域中的第2-2有机材料层。

虚设基板可以包括第1-1有机材料层、第1-1无机材料层、第2-1有机材料层和第2-1无机材料层的堆叠结构，其中，第1-1无机材料层包括从第1-1有机材料层的侧表面向基板突出的第一尖端，并且第2-1无机材料层包括从第2-1有机材料层的侧表面向基板突出的第三尖端。

第一尖端的突出长度可以大于第三尖端的突出长度。

基板与支撑基板的分离可以包括通过将激光从支撑基板的底部通过支撑基板发射到基板来将基板与支撑基板分离。

当将基板与支撑基板分离时，阻挡层和阻挡层上的虚设基板可以不与支撑基板分离。

阻挡层可以包括非晶硅材料。

该方法可以进一步包括：在基板上形成包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层，其中，当将基板与支撑基板分离时，由于第一尖端，至少一个有机封装层的一部分保留在支撑基板上。

至少一个有机封装层的保留在支撑基板上的部分可以位于第三区域中。

该方法可以进一步包括：在基板材料层上形成包括薄膜晶体管的像素电路层；以及在像素电路层上形成包括电连接到薄膜晶体管的显示元件的显示元件层。

基板可以包括位于多个贯穿部分之间并且限定多个贯穿部分的多个条形部分，其中，多个条形部分位于基板的拐角处。

该方法可以进一步包括：减小多个条形部分中相邻的条形部分之间的间隔。

根据附图、权利要求书和详细描述，本公开的其他方面、特征和优点将变得更加显而易见。

这些一般和特定实施例可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现。

附图说明

根据结合附图进行的以下描述，特定实施例的上述和其他方面、特征以及优点将更加显而易见，附图中：

图1是根据实施例的显示装置的透视图；

图2是示出图1的显示装置的一部分的截面图；

图3是根据实施例的显示装置中包括的像素电路的等效电路图；

图4是根据实施例的显示面板的平面图；

图5A和图5B是示出根据实施例的显示面板的一部分的局部放大平面图；

图6是沿图5A的线VI-VI'截取的显示面板的截面图；

图7A和图7B分别是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的平面图和截面图；

图8A和图8B分别是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的平面图和截面图；

图9A和图9B分别是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的平面图和截面图；

图10是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图；

图11是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图；

图12A是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图；图12B是示出图12A的操作中支撑基板的虚设基板和基板的布置的平面图；图12C是示出图12B的部分B的放大平面图；图13是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图；

图14是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图；

图15A至图15J是示出在根据其他实施例的制造显示面板的方法的一些操作中形成的虚设基板的突出部的平面图；并且

图16是示出根据另一实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图。

具体实施方式

现在将详细地参考其示例在附图中示出的实施例，在附图中，相同的附图标记自始至终指代相同的元件。在这点上，当前实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图描述实施例以说明本描述的方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关列出的项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c全部或其变体。

由于本公开允许各种改变和众多实施例，因此特定实施例将在附图中示出并且在详细描述中描述。参考以下参考附图详细描述的实施例，将阐明本公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，根据本发明的本公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实现。

在下文中，将参考附图对实施例进行详细描述，其中相同的元件自始至终由相同的附图标记表示，并且省略其重复描述。

将理解，尽管本文可能使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。

如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式。

将理解，本文使用的术语“包括”、“具有”和“包含”旨在指示本说明书中描述的特征或元件的存在，而不旨在排除可以存在或可以添加一个或多个其他特征或元件的可能性。

将进一步理解，当层、区域或部件被称为在另一层、区域或部件“上”时，其可以直接在另一层、区域或部件上，或者可以间接在另一层、区域或部件上，其间具有居间层、区域或部件。

为了便于说明，可能会夸大或缩小附图中元件的尺寸。例如，因为为了便于说明而任意地示出了附图中元件的尺寸和厚度，所以根据本发明的本公开不限于此。

当可以不同地实现特定实施例时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续地描述的工艺。

本文使用“A和/或B”来仅选择A、仅选择B或选择A和B两者。使用“A和B中的至少一个”来仅选择A、仅选择B或选择A和B两者。

将理解，当层、区域或元件被称为“连接”到另一层、区域或元件时，其可以“直接连接”到另一层、区域或元件并且/或者可以“间接连接”到另一层、区域或元件，其他层、区域或元件介于其间。例如，当层、区域或元件被称为“电连接”时，它们可以直接电连接，并且/或者可以间接电连接，其间具有居间层、区域或元件。

在以下实施例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在广义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

图1是根据实施例的显示装置的透视图。

参考图1，显示装置1在平面图中可以具有四边形形状。可替代地，显示装置1可以具有诸如多边形形状(例如，三角形形状或四边形形状)、圆形形状或椭圆形形状的各种形状中的任何一种。为了便于说明，将假设显示装置1在平面图中具有四边形形状来描述以下内容。

显示装置1可以具有四个侧部SD和四个角部CN。侧部SD中的第一侧部SD1和第三侧部SD3可以在第一方向(例如，y方向)上延伸，并且可以定位为彼此相对。侧部SD中的第二侧部SD2和第四侧部SD4可以在第二方向(例如，x方向)上延伸，并且可以定位为彼此相对。

角部CN中的每一个可以位于侧部SD中的两个相邻的侧部SD之间，并且可以连接两个相邻的侧部SD。例如，第一角部CN1可以位于彼此相邻的第一侧部SD1与第四侧部SD4之间，并且第二角部CN2可以位于彼此相邻的第一侧部SD1与第二侧部SD2之间。

显示装置1的第一至第四侧部SD1、SD2、SD3和SD4中的每一个可以具有在特定方向上弯曲以具有特定曲率的曲面。例如，第一侧部SD1可以具有相对于作为弯曲轴的y轴弯曲的曲面，并且第二侧部SD2可以具有相对于作为弯曲轴的x轴弯曲的曲面。第一至第四侧部SD1、SD2、SD3和SD4的曲率可以彼此相同或不同。

其间具有角部CN的两个相邻的侧部SD可以具有沿着不同方向的弯曲轴弯曲的曲面。因为角部CN连接两个相邻的侧部SD，所以角部CN可以具有将在多个方向上弯曲的曲面连续地连接的曲面。

显示装置1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA的外部的外围区域PA。多个像素PX可以位于显示区域DA中，并且显示装置1可以通过布置在显示区域DA中的多个像素PX来提供图像。例如，多个像素PX中的每一个可以发射红光、绿光或蓝光，并且显示装置1可以通过使用由多个像素PX中的每一个发射的光来提供图像。

显示区域DA可以包括前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。例如，可以由分别位于前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA中的像素PX提供独立的图像。可替代地，可以由位于前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA中的像素PX提供一个图像。

前显示区域FDA可以是平面显示区域，并且在平面图中可以具有四边形形状。前显示区域FDA可以位于显示装置1的中心部分处。

侧显示区域SDA可以是分别与前显示区域FDA的四条边相邻的显示区域，并且可以包括第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4。第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4可以分别位于显示装置1的第一至第四侧部SD1、SD2、SD3和SD4。位于侧部SD的侧显示区域SDA中的每一个可以弯曲以具有特定曲率。第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4的曲率可以彼此相同或不同。因为侧显示区域SDA是弯曲的，所以与仅具有一个平面显示区域的显示装置相比，可以提高显示装置1的美感并且可以确保更多的用于显示图像的空间。

拐角显示区域CDA可以位于前显示区域FDA的拐角处，并且可以与前显示区域FDA间隔开。拐角显示区域CDA可以分别位于显示装置1的角部CN处。

中间显示区域MDA可以位于前显示区域FDA与拐角显示区域CDA之间，并且可以在侧显示区域SDA与拐角显示区域CDA之间延伸。

不提供图像的外围区域PA可以是非显示区域。外围区域PA可以完全或部分地围绕显示区域DA。用于将电信号或电力施加到多个像素PX中的每一个的驱动器等可以位于外围区域PA中。电子器件或印刷电路板可以电连接至的焊盘可以位于外围区域PA中。

显示装置1不仅可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“PC”)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航设备或超移动PC(“UMPC”)的便携式电子设备的显示屏，而且可以用作诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(“IoT”)产品的各种产品中的任何一种的显示屏。此外，根据实施例的显示装置1可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器或头戴式显示器(“HMD”)的可穿戴设备中。此外，根据实施例的显示装置1可以用作位于仪表面板、中央仪表板或车辆的仪表盘上的中央信息显示器(“CID”)、代替车辆的侧视镜的车内镜显示器或者位于前排座椅的背面用于车辆的后排座椅的娱乐的显示器。

图2是示出图1的显示装置1的一部分的截面图。图2是沿图1的线II-II'截取的显示装置1的截面图。

参考图2，显示装置1可以包括显示面板10，并且显示面板10可以具有基板100、像素电路层PCL、显示元件层DEL、薄膜封装层TFE、触摸电极层TEL和光学功能层OFL的堆叠结构。

基板100可以具有包括包含聚合物树脂的基底层和无机层的多层结构。例如，基板100可以包括包含聚合物树脂的基底层和无机绝缘层的阻挡层。例如，基板100可以包括顺序堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103中的每一个可以包括聚酰亚胺(“PI”)、聚醚砜(“PES”)、聚芳酯、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“TAC”)和/或醋酸丙酸纤维素(“CAP”)。第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每一个可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料。基板100可以是柔性的。

像素电路层PCL位于基板100上。在图2中，像素电路层PCL包括薄膜晶体管TFT以及位于薄膜晶体管TFT的元件的下方和/或上方的缓冲层111、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113、层间绝缘层114、第一平坦化绝缘层115和第二平坦化绝缘层116。

缓冲层111可以减少或阻止异物、湿气或外部空气从基板100的底部渗透，并且可以平坦化基板100。缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。

缓冲层111上的薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区C以及位于沟道区C两侧的漏区D和源区S。栅电极GE可以与沟道区C重叠。

栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包含上述材料的单层或多层结构。

半导体层Act与栅电极GE之间的第一栅绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO_x)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。

第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极GE。像第一栅绝缘层112一样，第二栅绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO_x)的无机绝缘材料。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。

存储电容器Cst的上电极Cst2可以位于第二栅绝缘层113上。上电极Cst2可以与位于上电极Cst2下方的栅电极GE重叠。在这种情况下，彼此重叠的栅电极GE和上电极Cst2(第二栅绝缘层113在栅电极GE与上电极Cst2之间)可以构成存储电容器Cst。即，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极Cst1。

因此，存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以彼此重叠。在一些实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。

上电极Cst2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。

层间绝缘层114可以覆盖上电极Cst2。层间绝缘层114可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO_x)。氧化锌(ZnO_x)可以是ZnO和/或ZnO₂。层间绝缘层114可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。

漏电极DE和源电极SE中的每一个可以位于层间绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE可以分别通过位于漏电极DE和源电极SE下方的绝缘层的接触孔连接到漏区D和源区S。漏电极DE和源电极SE中的每一个可以包括具有高导电性的材料。漏电极DE和源电极SE中的每一个可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。在实施例中，漏电极DE和源电极SE中的每一个可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。

第一平坦化绝缘层115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一平坦化绝缘层115可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物的有机绝缘材料。

第二平坦化绝缘层116可以位于第一平坦化绝缘层115上。第二平坦化绝缘层116可以包括与第一平坦化绝缘层115的材料相同的材料，并且可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其混合物的有机绝缘材料。

显示元件层DEL可以位于具有上述结构的像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括作为显示元件的有机发光二极管(“OLED”)，并且有机发光二极管OLED可以具有像素电极210、中间层220和公共电极230的堆叠结构。有机发光二极管OLED可以发射例如红光、绿光或蓝光，或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。有机发光二极管OLED可以通过发射区域发光，并且发射区域可以被定义为像素PX。

有机发光二极管OLED的像素电极210可以通过在第二平坦化绝缘层116和第一平坦化绝缘层115中形成的接触孔以及位于第一平坦化绝缘层115上的接触金属CM电连接到薄膜晶体管TFT。

像素电极210可以包括诸如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射膜。在另一实施例中，像素电极210可以进一步包括在反射膜上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成的膜。

具有开口117OP的像素限定膜117位于像素电极210上，像素电极210的中心部分通过开口117OP被暴露。像素限定膜117可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口117OP可以限定由有机发光二极管OLED发射的光的发射区域。例如，开口117OP的尺寸/宽度可以与发射区域的尺寸/宽度相对应。因此，像素PX的尺寸和/或宽度可以取决于像素限定膜117的开口117OP的尺寸和/或宽度。

中间层220可以包括被形成为与像素电极210相对应的发射层222。发射层222可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。可替代地，发射层222可以包括无机发光材料，或者可以包括量子点。

第一功能层221和第二功能层223可以分别位于发射层222下方和上方。第一功能层221可以包括例如空穴传输层(“HTL”)，或者可以包括空穴传输层和空穴注入层(“HIL”)。是位于发射层222上的元件的第二功能层223可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。像下面描述的公共电极230一样，第一功能层221和/或第二功能层223可以是被形成为覆盖整个基板100的公共层。

公共电极230可以位于像素电极210上方，并且可以与像素电极210重叠。公共电极230可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，公共电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。可替代地，公共电极230可以进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的、由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成的层。公共电极230可以一体地形成以覆盖整个基板100。

薄膜封装层TFE可以位于显示元件层DEL上并且可以覆盖显示元件层DEL。薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，在图2中，薄膜封装层TFE包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。

第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。有机封装层320可以通过固化单体或涂覆聚合物而形成。有机封装层320可以是透明的。

包括触摸电极的触摸电极层TEL可以位于薄膜封装层TFE上，并且光学功能层OFL可以位于触摸电极层TEL上。触摸电极层TEL可以根据外部输入例如触摸事件获得坐标信息。光学功能层OFL可以降低入射在显示装置1上的光(外部光)的反射率，并且/或者提高从显示装置1发射的光的色纯度。

在实施例中，光学功能层OFL可以包括相位延迟器和/或偏振器。相位延迟器可以是膜型或液晶涂层型的，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂层型的。膜型偏振器可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型偏振器可以包括以特定取向排列的液晶。相位延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。

在另一实施例中，光学功能层OFL可以具有相消干涉结构。相消干涉结构可以包括位于不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消地干涉，从而降低外部光的反射率。

粘合构件可以位于触摸电极层TEL和光学功能层OFL之间。可以不受限制地使用相关领域中已知的任何粘合构件。粘合构件可以是压敏粘合剂(“PSA”)。

覆盖窗CW可以位于显示面板10上。覆盖窗CW可以通过粘合构件粘合到显示面板10。粘合构件可以是例如压敏粘合剂(“PSA”)。

覆盖窗CW可以具有高透射率以透射从显示面板10发射的光，并且可以具有小厚度以最小化显示装置1的重量。此外，覆盖窗CW可以具有高强度和高硬度以保护显示面板10免受外部冲击。覆盖窗CW可以包括例如玻璃或塑料。在实施例中，覆盖窗CW可以包括由于化学强化或热强化而具有增大的强度的超薄玻璃。

虽然显示装置1包括作为显示元件的有机发光二极管OLED，但是根据本发明的本公开的显示装置1不限于此。在另一实施例中，显示装置1可以是无机发光显示器或包括无机发光二极管的无机电致发光(“EL”)显示器。无机发光二极管可以包括包含无机半导体类材料的PN结二极管。当在正向方向上将电压施加到PN结二极管时，空穴和电子可以被注入，并且由空穴和电子的复合产生的能量可以转化为光能，以发射特定颜色的光。无机发光二极管可以具有几微米到几百微米的宽度，并且在一些实施例中，无机发光二极管可以被称为微型LED。

图3是根据实施例的显示装置中包括的像素电路的等效电路图。

参考图3，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器，并且可以电连接到有机发光二极管OLED。在实施例中，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。

开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的扫描信号或开关电压，将从数据线DL输入的数据信号或数据电压传输到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应给驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差相对应的电压。

驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储电容器Cst中存储的电压的值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED的公共电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。由于驱动电流，有机发光二极管OLED可以发射具有特定亮度的光。

尽管像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本发明的本公开不限于此。例如，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。在实施例中，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。可以根据像素电路PC的设计以各种方式改变薄膜晶体管和存储电容器的数量。然而，为了便于说明，以下将在假设像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况下进行描述。

图4是根据实施例的显示面板的平面图，示出了显示面板10的一面。

参考图4，显示面板10可以包括基板100，并且构成显示面板10的元件可以位于基板100上。像素电路PC、有机发光二极管OLED、驱动器和信号布线(例如，数据线DL和扫描线SL)可以位于显示面板10的基板100上。

如参考图3所描述的，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1和T2(参见图3)和存储电容器Cst(参见图3)，并且可以驱动有机发光二极管OLED。

有机发光二极管OLED可以电连接到像素电路PC，并且可以从像素电路PC接收驱动电流。接收驱动电流的有机发光二极管OLED可以作为显示元件发光，并且可以将通过有机发光二极管OLED发射光的发射区域定义为像素PX。因为像素PX位于其中的区域可以显示图像，所以可以形成显示区域DA。

显示区域DA可以包括前显示区域FDA、第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4、拐角显示区域CDA以及中间显示区域MDA。像素PX可以位于前显示区域FDA、第一至第四侧显示区域SDA1、SDA2、SDA3和SDA4、拐角显示区域CDA以及中间显示区域MDA中。是非显示区域的外围区域PA可以是像素PX不位于其中的区域。例如，有机发光二极管OLED和/或像素电路PC可以不位于外围区域PA中，或者，即使当有机发光二极管OLED位于外围区域PA中时，有机发光二极管OLED也可以不电连接到像素电路PC。外围区域PA可以至少部分地围绕显示区域DA。

用于通过信号布线将电信号施加到像素电路PC的驱动器可以位于外围区域PA中。例如，驱动器可以包括通过扫描线SL将扫描信号施加到每个像素电路PC的扫描驱动器DR。此外，用于通过数据线DL将数据信号施加到像素电路PC的数据驱动器(未示出)和用于将电源电压供应给像素电路PC的电源布线(未示出)可以位于外围区域PA中。数据驱动器(未示出)可以定位为与显示面板10的一侧相邻，或者可以位于电连接到位于显示面板10的一侧的焊盘(未示出)的柔性印刷电路板(“FPCB”)上。

如参考图1所描述的，显示面板10的角部CN中的每一个可以具有将在多个方向上弯曲的曲面连接的曲面。为了形成角部CN，可以收缩基板100的一部分并且可以拉伸基板100的另一部分。一般而言，在基板100上形成诸如像素电路PC和有机发光二极管OLED的元件后，基板100可以弯曲。在这种情况下，因为位于角部CN处的元件必须既收缩又拉伸，所以可能难以在角部CN上形成像素PX。出于这个原因，在比较例的显示装置中，可以在角部以外的部分上形成像素，并且因此角部成为非显示区域。

然而，根据实施例，位于角部CN处的元件可以定位为不会由于收缩和拉伸而损坏，并且因此可以通过也在角部CN处形成像素PX来形成拐角显示区域CDA。因此，可以减少显示面板10的非显示区域，并且可以扩展显示区域DA，这将在下面详细描述。

图5A和图5B是示出根据实施例的显示面板的一部分的局部放大平面图。图5A和图5B可以与图4的角部相对应。图5A可以与将外力施加到显示面板之前的状态相对应，并且图5B可以与将外力施加到显示面板并且发生变形的状态相对应。

参考图5A，显示面板10的基板100可以包括位于拐角处的多个条形部分STP。多个条形部分STP可以在从基板100的中心向基板100的拐角的方向(即，延伸方向)上延伸。多个条形部分STP在延伸方向上的长度可以大于在与延伸方向相交的方向上的宽度。多个条形部分STP的第一端可以连接到基板100的一部分，并且多个条形部分STP的另一端(即，第二端)可以形成基板100的拐角。

贯穿部分PN可以位于两个相邻的条形部分STP之间。贯穿部分PN可以是两个相邻的条形部分STP之间的间隙(即，空的空间)，并且可以由两个相邻的条形部分STP限定。贯穿部分PN可以在两个相邻的条形部分STP的延伸方向之间的方向上延伸。贯穿部分PN可以穿过显示面板10的顶表面和底表面，并且可以减少显示面板10的重量。

多个条形部分STP可以彼此平行布置，或者可以放射状地布置。在实施例中，当多个条形部分STP彼此平行布置时，在两个相邻的条形部分STP之间限定的贯穿部分PN的宽度WT在贯穿部分PN的延伸方向上可以是恒定的。在另一实施例中，当多个条形部分STP放射状地布置时，在两个相邻的条形部分STP之间限定的贯穿部分PN的宽度WT在贯穿部分PN的延伸方向上可以逐渐增大。为了便于说明，以下将在假设多个条形部分STP如图5A中所示放射状地布置的情况下进行描述。这里，如图5A中所示，贯穿部分PN的宽度WT被定义为限定贯穿部分PN的两个相邻的条形部分STP之间的距离。

诸如像素电路、有机发光二极管和信号布线的元件可以位于多个条形部分STP上，以形成多个像素PX。拐角显示区域CDA可以由多个条形部分STP上的像素PX实现。

参考图5B，当将外力(例如，弯曲力或压缩力)施加到显示面板10时，多个条形部分STP的位置可以改变，并且两个相邻的条形部分STP之间的间隙的形状可以改变。例如，当施加用于弯曲显示面板10的基板100的侧表面和拐角的弯曲力时，可以减小两个相邻的条形部分STP之间的间隔，并且可以减小间隙(即，贯穿部分PN)的面积。即，可以减小贯穿部分PN的宽度WT'和面积。最后，两个相邻的条形部分STP可以彼此接触。因此，位于相邻的条形部分STP上的像素PX可以彼此靠近。

当如上所述向显示面板10施加外力以弯曲显示面板10的拐角时，条形部分STP之间的间隙可以改变，但是可以最小化条形部分STP的变形。因此，因为位于条形部分STP上的元件(例如，像素电路和有机发光二极管)可以定位为不会由于收缩和拉伸而损坏，所以可以稳定地形成条形部分STP上的像素PX。因此，可以通过甚至在显示装置1的角部CN(参见图1)处形成像素PX来实现拐角显示区域CDA，并且因此可以扩展显示装置1的显示区域DA。

图6是沿图5A的线VI-VI'截取的显示面板的截面图。在图6中，与图2中的那些元件相同或对应的元件由相同的附图标记表示，并且因此将省略其重复描述。

参考图6，显示面板10的条形部分STP可以具有基板100、像素电路层PCL、显示元件层DEL和薄膜封装层TFE的堆叠结构。两个相邻的条形部分STP可以彼此间隔开，贯穿部分PN在两个相邻的条形部分STP之间。

基板100的第一阻挡层102和/或第二阻挡层104可以包括从第一基底层101和/或第二基底层103的侧表面向贯穿部分PN突出的尖端TP。

连接布线CL中的第一连接布线CL1可以位于层间绝缘层114上，并且可以被第一平坦化绝缘层115覆盖。第二连接布线CL2可以位于第一平坦化绝缘层115上，并且第二连接布线CL2的至少一部分可以被第二平坦化绝缘层116覆盖。第一连接布线CL1和第二连接布线CL2可以从中间显示区域MDA(参见图4)向拐角显示区域CDA(参见图4)延伸。第一连接布线CL1和第二连接布线CL2中的每一个可以是用于将电信号施加到位于条形部分STP上的像素电路的信号布线或者用于供电的电源布线。

条形部分STP可以限定通过去除第二平坦化绝缘层116的一部分而形成的并且在厚度方向上凹入的凹槽Gv。凹槽Gv在第三方向(例如，z方向)上的深度可以与第二平坦化绝缘层116的厚度基本相同。凹槽Gv可以位于条形部分STP的像素PX的外部。即，在平面图中，凹槽Gv可以位于条形部分STP的像素PX与贯穿部分PN之间。可以在条形部分STP中提供多个凹槽Gv，并且多个凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1和第二凹槽Gv2。

条形部分STP可以包括覆盖第二连接布线CL2的第一钝化层PVX1，使得第二连接布线CL2没有通过凹槽Gv暴露。第一钝化层PVX1可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。第一钝化层PVX1的边缘可以被第二平坦化绝缘层116覆盖。

条形部分STP可以包括位于第二平坦化绝缘层116上的第二钝化层PVX2。第二钝化层PVX2可以包括突出超过第二平坦化绝缘层116的限定凹槽Gv的侧表面的部分。第二钝化层PVX2的突出部分可以形成悬垂结构(例如，屋檐结构或底切结构)。

有机发光二极管OLED的形成在第二平坦化绝缘层116上的公共层(例如，中间层220(参见图2)的第一功能层221(参见图2)和第二功能层223(参见图2)和/或公共电极230(参见图2))可以被第二钝化层PVX2的悬垂结构断开。悬垂结构可以在形成中间层220之前形成，并且有机发光二极管OLED的一体地形成以覆盖多个像素PX的公共层可以在形成悬垂结构的突出部分周围断开或分离。因此，有机发光二极管OLED的公共层的一部分可以保留在凹槽Gv的底表面上，例如在第一钝化层PVX1上。

条形部分STP可以包括位于第二钝化层PVX2上的分隔壁部分W和辅助分隔壁部分AW。分隔壁部分W和辅助分隔壁部分AW可以位于像素PX和贯穿部分PN之间，并且可以与第一凹槽Gv1和第二凹槽Gv2交替布置。例如，第一凹槽Gv1、辅助分隔壁部分AW、第二凹槽Gv2和分隔壁部分W可以在从像素PX到贯穿部分PN的方向上顺序布置。在平面图中，分隔壁部分W和辅助分隔壁部分AW可以完全或部分地围绕在条形部分STP上提供的像素PX。

分隔壁部分W可以包括第一层W1和在第一层W1上的第二层W2。第一层W1可以包括与像素限定膜117的材料相同的材料，并且可以通过使用同一工艺形成。第二层W2可以包括有机绝缘材料，并且例如可以通过使用与第一层W1的工艺不同的工艺形成。作为另一示例，第二层W2可以包括与第一层W1的材料相同的材料，并且在这种情况下，第一层W1和第二层W2可以通过使用半色调掩模一起形成。辅助分隔壁部分AW可以提供为一层，并且可以包括与像素限定膜117的材料相同的材料。

分隔壁部分W和辅助分隔壁部分AW可以用作有机封装层320的坝。在实施例中，可以通过将单体涂覆到基板100并且然后固化单体来形成有机封装层320。在这种情况下，为了防止单体溢出到期望区域以外的区域，可以通过分隔壁部分W和辅助分隔壁部分AW控制单体的流动，并且可以调节单体的厚度，即有机封装层320的厚度。作为控制单体的流动的结果，有机封装层320的一端可以位于分隔壁部分W的一侧，或者可以位于辅助分隔壁部分AW的一侧。

现在将详细描述制造显示面板10的方法。

图7A和图7B分别是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的平面图和截面图。图7B是沿图7A的线A-A'截取的截面图。

参考图7A和图7B，可以制备包括第一区域AR1至第三区域AR3的支撑基板SS。这里，第一区域AR1和第二区域AR2彼此间隔开，并且第三区域AR3设置在第一区域AR1与第二区域AR2之间。支撑基板SS可以具有第一表面S1以及与第一表面S1相对的第二表面S2。第一表面S1可以被称为支撑基板SS的顶表面，并且第二表面S2可以被称为支撑基板SS的底表面。支撑基板SS可以由具有足够高的硬度和刚度以支撑要制造的显示面板10的材料(例如，玻璃材料)形成。

可以在支撑基板SS的第一表面S1上形成阻挡层BL。如图7A中所示，阻挡层BL可以被图案化以具有特定形状。在实施例中，阻挡层BL可以包括被布置为彼此间隔开的多个突出部BL_PT，并且多个突出部BL_PT中的每一个的边缘BL_E可以包括包含凸出部分和凹入部分的不平坦部分。然而，该形状仅是示例，并且可以自由改变阻挡层BL的形状。

支撑基板SS的第一区域AR1可以被定义为阻挡层BL位于其中的区域，并且阻挡层BL不位于其中的区域可以包括第二区域AR2和第三区域AR3。根据实施例，当执行制造显示面板10的工艺时，可以在支撑基板SS的第一区域至第三区域AR1、AR2和AR3中堆叠并形成各种材料。在这种情况下，在最终的工艺之后，堆叠在阻挡层BL位于其中的第一区域AR1中的材料可以被去除而不在显示面板10上提供。相反，堆叠在阻挡层BL不位于其中的区域中的第二区域AR2中的材料可以构成显示面板10。即，第二区域AR2可以是与根据实施例制造的显示面板10重叠的区域，并且第一区域AR1和第三区域AR3可以是不与制造的显示面板10重叠的区域。

阻挡层BL可以包括能够阻挡在将显示面板10的基板100与支撑基板SS分离的步骤中使用的激光的材料(这将在下面描述)。在实施例中，阻挡层BL可以包括在大约300纳米(nm)的波长带中具有百分之90(％)或更高的吸收率(或者，10％或更低的透射率)的材料。例如，阻挡层BL可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(Poly-Si)、晶体硅、ZnO和IZO中的至少一种。在实施例中，当使用具有308nm波长的准分子激光时，在308nm波长下优选使用非晶硅(a-Si)。

可以使用光刻工艺来形成阻挡层BL。具体地，可以通过将用于形成阻挡层BL的材料涂覆到支撑基板SS并且然后使用光刻胶通过曝光和显影执行图案化来形成阻挡层BL。

图8A和图8B分别是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的平面图和截面图。图8B是沿图8A的线A-A'截取的截面图。图8B示出了图7B的操作之后的操作。

参考图8A和图8B，可以在支撑基板SS上形成第一有机材料层101M。第一有机材料层101M可以覆盖阻挡层BL，并且可以被形成为遍及整个第一区域至第三区域AR1、AR2和AR3定位。第一有机材料层101M可以通过使用例如丝网印刷、喷墨印刷或沉积形成。

图9A和图9B分别是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的平面图和截面图。图9B是沿图9A的线A-A'截取的截面图。图9B示出了图8B的操作之后的操作。

参考图9A和图9B，可以在第一有机材料层101M上进一步形成第一无机材料层102M。在实施例中，第一无机材料层102M可以包括与第一区域AR1相对应的第1-1无机材料层102M1以及与第二区域AR2相对应的第1-2无机材料层102M2。即，第一无机材料层102M可以仅位于第一区域AR1和第二区域AR2中，并且可以不位于第三区域AR3中。在另一实施例中，第一无机材料层102M可以仅形成在第二区域AR2中，并且可以不形成在第一区域AR1和第三区域AR3中。为了便于说明，以下将在假设形成与第一区域AR1相对应的第1-1无机材料层102M1以及与第二区域AR2相对应的第1-2无机材料层102M2的情况下进行描述。第一无机材料层102M可以通过使用例如丝网印刷、喷墨印刷或沉积形成。

图10是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图。图10示出了图9B的操作之后的操作。

参考图10，可以在第一无机材料层102M上形成第二有机材料层103M。像第一有机材料层101M一样，第二有机材料层103M可以被形成为遍及整个第一区域至第三区域AR1、AR2和AR3定位。第二有机材料层103M可以覆盖第一无机材料层102M。

接着，可以在第二有机材料层103M上形成第二无机材料层104M。第二无机材料层104M可以与第一无机材料层102M相对应。即，第二无机材料层104M可以包括与第一区域AR1相对应的第2-1无机材料层104M1以及与第二区域AR2相对应的第2-2无机材料层104M2。即，第二无机材料层104M可以仅位于第一区域AR1和第二区域AR2中，并且可以不位于第三区域AR3中。

第一有机材料层101M、第一无机材料层102M、第二有机材料层103M和第二无机材料层104M的堆叠结构可以统称为基板材料层100M。在基板材料层100M经历随后的工艺之后，可以形成显示面板10(参见图6)的基板100(参见图6)和不在显示面板10上提供的虚设基板100DM(参见图12A)。

图11是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图。图11示出了图10的操作之后的操作。与图2和图6中的那些元件相同或对应的元件由相同的附图标记表示，并且因此将省略其重复描述。

参考图11，像素电路层PCL和显示元件层DEL可以形成在第二区域AR2中、基板材料层100M上。像素电路层PCL可以包括薄膜晶体管TFT和位于薄膜晶体管TFT上方/下方的绝缘层。显示元件层DEL可以包括有机发光二极管OLED和像素限定膜117。

虚设层DML可以形成在第一区域AR1中、基板材料层100M上。虚设层DML将被去除。因此，虚设层DML不构成显示面板10。虚设层DML可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在图11中，虚设层DML包括顺序堆叠的虚设缓冲层、虚设第一栅绝缘层、虚设第二栅绝缘层、虚设层间绝缘层、虚设第一平坦化绝缘层、虚设第二平坦化绝缘层、虚设像素限定层、虚设间隔物、虚设第一功能层、虚设第二功能层和虚设公共电极。虚设层DML可以是在第一区域AR1中在形成像素电路层PCL和显示元件层DEL的工艺中没有被完全去除的保留部分。

图12A是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图。图12B是示出图12A的操作中支撑基板的虚设基板和基板的布置的平面图。图12C是示出图12B的部分B的放大平面图。图12A至图12C示出了图11的操作之后的操作。在图12B和图12C中，为了便于说明，未示出虚设基板100DM和基板100上的堆叠结构。图12B和图12C示出了从支撑基板SS上方看到的虚设基板100DM和基板100。如以下所说明的，在通过蚀刻去除基板材料层100M的形成在第三区域AR3中的部分之后，基板材料层100M的保留在第二区域AR2中的部分被称为基板100，并且基板材料层100M的保留在第一区域AR1中的部分被称为虚设基板100DM。

参考图12A，可以去除基板材料层100M的与第三区域AR3相对应的部分。具体地，基板材料层100M的第一有机材料层101M和第二有机材料层103M的与第三区域AR3相对应的部分可以通过蚀刻去除。蚀刻可以是湿法蚀刻或干法蚀刻。因为第一无机材料层102M暴露第一有机材料层101M的在第一无机材料层102M下方并且与第三区域AR3相对应的部分，并且第二无机材料层104M暴露第二有机材料层103M的在第二无机材料层104M下方并且与第三区域AR3相对应的部分，所以蚀刻工艺中的蚀刻溶液或蚀刻气体可以顺序地去除第二有机材料层103M的对应部分和第一有机材料层101M的对应部分。

由于第一有机材料层101M的与第三区域AR3相对应的部分被去除，因此可以形成第一区域AR1中的第1-1有机材料层101M1和第二区域AR2中的第1-2有机材料层101M2。由于第一有机材料层101M的在第三区域AR3中的部分被蚀刻并被去除，因此第1-1有机材料层101M1和第1-2有机材料层101M2可以由第一有机材料层101M的保留部分形成。

同样地，由于第二有机材料层103M的与第三区域AR3相对应的部分被去除，因此可以形成第一区域AR1中的第2-1有机材料层103M1和第二区域AR2中的第2-2有机材料层103M2。由于第二有机材料层103M的在第三区域AR3中的部分被蚀刻并被去除，因此第2-1有机材料层103M1和第2-2有机材料层103M2可以由第二有机材料层103M的保留部分形成。

由于如上所述，基板材料层100M的与第三区域AR3相对应的部分被去除，因此可以在第一区域AR1中形成虚设基板100DM并且可以在第二区域AR2中形成基板100。虚设基板100DM可以具有第1-1有机材料层101M1、第1-1无机材料层102M1、第2-1有机材料层103M1和第2-1无机材料层104M1的堆叠结构。基板100可以具有第1-2有机材料层101M2、第1-2无机材料层102M2、第2-2有机材料层103M2和第2-2无机材料层104M2的堆叠结构。第1-2有机材料层101M2、第1-2无机材料层102M2、第2-2有机材料层103M2和第2-2无机材料层104M2可以分别与基板100的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104相对应。

第一区域AR1中的虚设基板100DM和虚设基板100DM上的虚设层DML可以被统称为虚设部分DM(参见图13)。虚设部分DM可以是最终不被包括在显示面板10中的部分。即，虚设部分DM将被去除。第二区域AR2中的基板100以及基板100上的像素电路层PCL和显示元件层DEL可以是构成条形部分STP的元件。条形部分STP可以是最终被包括在显示面板10中的部分。

由于第一有机材料层101M和第二有机材料层103M的与第三区域AR3相对应的部分被去除，因此虚设基板100DM和基板100可以彼此间隔开，第三区域AR3在虚设基板100DM与基板100之间。在比较例中，在第一有机材料层101M的与第三区域AR3相对应的部分未被去除的状态下，当在随后的工艺中将基板100与支撑基板SS分离时，基板100可能像其以阻挡层BL的边缘为边界被撕裂似的被分离，从而导致基板100的端部不光滑的问题。然而，根据实施例，因为虚设基板100DM和基板100彼此间隔开并且然后在随后的工艺中将基板100与支撑基板SS分离，所以可以解决上述问题。

根据实施例，虚设基板100DM的第1-1无机材料层102M1可以包括从第1-1有机材料层101M1的侧表面向基板100突出的第一尖端TP1。第一尖端TP1可以包括第1-1尖端TP1-1和第1-2尖端TP1-2。在平面图中，第1-1尖端TP1-1可以与虚设基板100DM的多个突出部PT(参见图12B)中的每一个的边缘PT_E(参见图12B)的凸出部分CV(参见图12B)相对应，并且第1-2尖端TP1-2可以与边缘PT_E的凹入部分CC(参见图12B)相对应。

在蚀刻第一有机材料层101M的一部分的工艺中，蚀刻溶液或蚀刻气体可以比第1-1无机材料层102M1的端部更向内渗透以蚀刻第一有机材料层101M。结果，第1-1有机材料层101M1的是蚀刻表面的侧表面可以定位为比第1-1无机材料层102M1的端部更向内。即，第1-1无机材料层102M1的端部可以比第1-1有机材料层101M1的侧表面更向基板100突出以形成第一尖端TP1。同样地，基板100的第1-2无机材料层102M2可以包括从第1-2有机材料层101M2的侧表面向虚设基板100DM突出的第二尖端TP2。在蚀刻第一有机材料层101M的一部分的工艺中，因为在第三区域AR3的两侧发生了使用蚀刻溶液或蚀刻气体的蚀刻，所以基板100的第1-2无机材料层102M2的端部也可以比第1-2有机材料层101M2的侧表面更向虚设基板100DM突出以形成第二尖端TP2。

在实施例中，虚设基板100DM的第一尖端TP1的第1-1尖端TP1-1的突出长度L1-1可以大于第1-2尖端TP1-2的突出长度L1-2。此外，虚设基板100DM的第1-1尖端TP1-1的突出长度L1-1可以大于基板100的第二尖端TP2的突出长度L2。第1-2尖端TP1-2的突出长度L1-2可以等于或小于第二尖端TP2的突出长度L2。下面将参考图12C描述尖端的突出长度之间存在差异的原因。

虚设基板100DM的第一尖端TP1可以防止位于第三区域AR3中的材料在随后的工艺中与支撑基板SS分离。具体地，在随后的工艺中，附加地堆叠在第二区域AR2中的有机材料可能会无意中积累在第三区域AR3中，并且优选的是，不将有机材料作为异物包括在显示面板10中。然而，在将第二区域AR2的条形部分STP与支撑基板SS分离的工艺中，由于基板100的第二尖端TP2，第三区域AR3的有机材料可能与条形部分STP一起分离。为了解决这个问题，根据实施例，虚设基板100DM的第1-1尖端TP1-1可以比基板100的第二尖端TP2长，使得第1-1尖端TP1-1牢固地保持第三区域AR3的有机材料。

参考图12B，虚设基板100DM可以包括向基板100突出的多个突出部PT。基板100可以包括与多个突出部PT对应的多个贯穿部分PN。

在平面图中，虚设基板100DM的多个突出部PT中的每一个的边缘PT_E可以包括不平坦部分。在实施例中，边缘PT_E可以包括多个凸出部分CV和两个相邻的凸出部分CV之间的凹入部分CC。图12B示出边缘PT_E包括第一凸出部分CV1和第二凸出部分CV2以及位于第一凸出部分CV1和第二凸出部分CV2之间并且相对凹入的凹入部分CC。

在实施例中，例如，第一凸出部分CV1和第二凸出部分CV2中的至少一个可以在平面图中具有与圆形形状的一部分相对应的形状。尽管在图12B中，第一凸出部分CV1和第二凸出部分CV2中的每一个在平面图中具有与圆形形状的一部分相对应的形状，但是根据本发明的本公开不限于此。

相反，基板100的多个贯穿部分PN中的每一个的边缘PN_E可以包括直线部分。即，多个贯穿部分PN中的每一个的边缘PN_E可以不包括像多个突出部PT中的每一个的边缘PT_E的不平坦部分那样的不平坦部分。

突出部PT的边缘PT_E可以与虚设基板100DM的第1-1无机材料层102M1(参见图12A)的端部相对应。在突出部PT的边缘PT_E的内部示出的虚线可以与第1-1有机材料层101M1(参见图12A)的位于第1-1无机材料层102M1下方的侧表面相对应。因此，指示突出部PT的边缘PT_E的实线与实线内部的虚线之间的区域可以是第一尖端TP1位于其中的部分。

同样地，贯穿部分PN的边缘PN_E可以与第1-2无机材料层102M2(参见图12A)的端部相对应。在贯穿部分PN的边缘PN_E的内部示出的虚线可以与第1-2有机材料层101M2(参见图12A)的位于第1-2无机材料层102M2下方的侧表面相对应。因此，指示贯穿部分PN的边缘PN_E的实线与实线内部的虚线之间的区域可以是第二尖端TP2位于其中的部分。如图12B中所示，第一尖端TP1可以沿着突出部PT的边缘PT_E定位，并且第一尖端TP1的长度可以根据第一尖端TP1的位置而改变。例如，第一尖端TP1的与突出部PT的凸出部分CV相对应的部分可以比突出部PT的与凹入部分CC相对应的部分长。参考图12C，当通过蚀刻第一有机材料层101M(参见图12A)的一部分来形成第1-1有机材料层101M1(参见图12A)时，因为第1-1有机材料层101M1的与凸出部分CV相对应的部分与蚀刻溶液或蚀刻气体之间的接触面积大，所以第1-1有机材料层101M的与凸出部分CV相对应的部分可以更多地暴露于蚀刻溶液或蚀刻气体。此外，如图12C中的虚线箭头所指示，在平面图中，第1-1有机材料层101M1的与凸出部分CV相对应的部分被蚀刻的方向可以会聚。因此，第1-1有机材料层101M1的与凸出部分CV相对应的部分中的蚀刻程度可以重叠。

相反，第1-1有机材料层101M1的与凹入部分CC相对应的部分可以较少地暴露于蚀刻溶液或蚀刻气体。此外，在平面图中，第1-1有机材料层101M1的与凹入部分CC相对应的部分被蚀刻的方向可以彼此平行或者可以发散。因此，与第1-1有机材料层101M1的与凸出部分CV相对应的部分不同，第1-1有机材料层101M1的与凹入部分CC相对应的部分中的蚀刻程度可以不重叠。

因此，在平面图中，第1-1有机材料层101M1的位于凸出部分CV上的部分可以具有比位于凹入部分CC上的部分更大的蚀刻距离，并且因此第一尖端TP1的与凸出部分CV相对应的部分(例如，图12A的第1-1尖端TP1-1)可以具有相对长的突出长度。

此外，由于类似的原理，虚设基板100DM的第一尖端TP1的一部分可以比基板100的第二尖端TP2长。例如，第一尖端TP1的与凸出部分CV相对应的部分可以具有大于第二尖端TP2的突出长度的突出长度。

作为比较例，当虚设基板100DM的突出部PT和基板100的贯穿部分PN中的每一个包括不具有不平坦部分的边缘时，因为突出部PT的第1-1有机材料层101M1和基板100的第1-2有机材料层101M2在任何位置都被蚀刻溶液或蚀刻气体以同一水平暴露并蚀刻，并且可以具有相同的被蚀刻距离，所以，虚设基板100DM的第一尖端TP1和基板100的第二尖端TP2的突出长度可以基本相同。然而，根据实施例，位于虚设基板100DM的突出部PT上的第一尖端TP1的至少一部分可以具有大于基板100的第二尖端TP2的突出长度的突出长度。

图13是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图。

参考图13，可以在基板100上形成薄膜封装层TFE。如上所述，薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，薄膜封装层TFE可以包括顺序堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可以形成为遍及整个第一区域至第三区域AR1、AR2和AR3，而有机封装层320可以仅形成在第二区域AR2中。有机封装层320可以位于像素PX上的分隔壁部分W的内部。然而，用于形成有机封装层320的单体可能会不期望地溢出到分隔壁部分W之外。在这种情况下，溢出的单体可以位于第三区域AR3中，以形成残留物320R。

残留物320R必须保留在支撑基板SS上，而不与基板100一起分离。当残留物320R与基板100一起与支撑基板SS分离并且附着到基板100的条形部分STP的侧表面时，为异物的残留物320R可降低显示面板10的制造质量。

图14是示出根据实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图。

参考图14，可以将基板100与支撑基板SS分离。在实施例中，基板100和支撑基板SS可以通过使用用于将激光施加到基板100的激光释放方法而彼此分离。可以将激光从支撑基板SS的底部通过支撑基板SS发射到基板100。换句话说，可以在从支撑基板SS的第二表面S2到第一表面S1的方向上发射激光。激光可以是例如具有308nm波长的准分子激光或具有343nm或355nm波长的固态紫外(“UV”)激光。

阻挡层BL可以位于虚设部分DM下方，以吸收激光。因此，即使当发射激光时，虚设部分DM也可以保留而不与支撑基板SS分离。即，支撑基板SS上的阻挡层BL和阻挡层BL上的虚设基板100DM可以不与支撑基板SS分离。相反，因为阻挡层BL不位于条形部分STP下方，所以基板100与条形部分STP的支撑基板SS可以由于激光而彼此分离。

因为位于第三区域AR3中的残留物320R下方也没有阻挡层，所以残留物320R可能与支撑基板SS分离。具体地，由于条形部分STP的第二尖端TP2，残留物320R可能与条形部分STP一起分离。

然而，根据实施例，因为虚设部分DM的第1-1尖端TP1-1比条形部分STP的第二尖端TP2长，所以当基板100与支撑基板SS分离时，虚设部分DM的第1-1尖端TP1-1可以牢固地保持残留物320R。

此外，如上所述，因为突出部PT(参见图12B)包括不平坦部分，所以与条形部分STP的第二尖端TP2相比，虚设部分DM的第一尖端TP1可以具有与残留物320R的更大的接触面积。因此，第一尖端TP1可以牢固地保持残留物320R。

因此，残留物320R不与条形部分STP一起分离，并且保留在第三区域AR3中、支撑基板SS上。因此，可以提高显示面板10的制造质量。

图15A至图15J是示出在根据其他实施例的制造显示面板的方法的一些操作中形成的虚设基板的突出部的平面图。

参考图15A至图15J，虚设基板100DM的多个突出部PT中的每一个的边缘PT_E可以包括不平坦部分，并且可以具有各种形状中的任一种。参考图15A至图15D，多个突出部PT中的每一个的边缘PT_E可以包括凸出部分，并且在平面图中，凸出部分中的至少一个可以具有与诸如三角形形状、四边形形状或五边形形状的多边形的一部分相对应的形状。此外，参考图15E，在平面图中，凸出部分中的至少一个可以具有与椭圆形形状的一部分相对应的形状。在一些实施例中，参考图15F至图15I，多个突出部PT中的每一个可以具有蛇形形状。

参考图15J，在平面图中在多个突出部PT中的每一个的边缘PT_E上提供的凸出部分的尺寸(即，宽度)可以在多个突出部PT的延伸方向上逐渐减小。因为基板100的条形部分STP之间的宽度(参见图12B)可以在突出部PT的延伸方向上减小，所以考虑了设计裕度。甚至在突出部PT具有图15B至图15I中的任一个的形状时，凸出部分的宽度也可以在突出部PT的延伸方向上逐渐减小。

图16是示出根据另一实施例的制造显示面板的方法的一些操作的截面图。与图12A中的那些元件相同或对应的元件的描述将被省略，并且以下将着重于不同之处。

参考图16，虚设部分DM的第2-1无机材料层104M1可以进一步包括从第2-1有机材料层103M1的侧表面向基板100突出的第三尖端TP3。在实施例中，虚设部分DM的第一尖端TP1的突出长度L1可以大于第二尖端TP2的突出长度L2和第三尖端TP3的突出长度L3中的每一个。第三尖端TP3的突出长度L3可以大于条形部分STP的第二尖端TP2的突出长度L2。

因为位于第三区域AR3中的残留物320R(参见图13)从支撑基板SS的第一表面S1积累，所以虚设部分DM的最靠近第一表面S1的第一尖端TP1的突出长度L1可以是最大的。为了使第一尖端TP1的突出长度L1大于第三尖端TP3的突出长度L3，例如，用于蚀刻第1-1有机材料层101M1和第2-1有机材料层103M1的蚀刻溶液或蚀刻气体的种类可以彼此不同，或者第1-1无机材料层102M1和第2-1无机材料层104M1可以被不同地图案化。

根据一个或多个实施例，当将其上形成有显示面板的元件的基板与支撑基板分离时，虚设基板防止需要保留在支撑基板上的材料与基板一起分离，从而实现了一种可以提高显示面板的制造质量的制造显示面板的方法。然而，本公开不受这些效果的限制。

应当理解，本文描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (21)

1.一种制造显示面板的方法，所述方法包括：

制备包括第一区域至第三区域的支撑基板，其中，所述第一区域和所述第二区域彼此间隔开，并且所述第三区域设置在所述第一区域与所述第二区域之间；

在所述支撑基板上形成位于所述第一区域中的阻挡层；

在所述支撑基板上形成位于所述第一区域至所述第三区域中的基板材料层；

去除所述基板材料层的与所述第三区域相对应的部分，以在所述第一区域中形成虚设基板并在所述第二区域中形成基板；以及

将所述基板与所述支撑基板分离，

其中，所述虚设基板包括向所述基板突出的多个突出部，并且

所述基板限定与所述多个突出部相对应的多个贯穿部分，

其中，所述多个突出部中的每一个的边缘包括不平坦部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个贯穿部分中的每一个的边缘包括直线部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个突出部中的每一个的所述边缘的所述不平坦部分包括第一凸出部分、第二凸出部分和凹入部分，并且所述凹入部分位于所述第一凸出部分和所述第二凸出部分之间并且相对凹入，

其中，所述第一凸出部分和所述第二凸出部分中的至少一个在平面图中具有与多边形形状的一部分、圆形形状的一部分或椭圆形形状的一部分相对应的形状。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个突出部中的每一个具有蛇形形状。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板材料层的所述形成包括：

在所述支撑基板上形成位于所述第一区域至所述第三区域中的第一有机材料层；以及

在所述第一有机材料层上形成第一无机材料层，所述第一无机材料层包括与所述第一区域相对应的第1-1无机材料层和与所述第二区域相对应的第1-2无机材料层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述基板材料层的与所述第三区域相对应的所述部分的所述去除包括蚀刻所述第一有机材料层的与所述第三区域相对应的部分，

其中，蚀刻后的所述第一有机材料层包括所述第一区域中的第1-1有机材料层和所述第二区域中的第1-2有机材料层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述虚设基板包括所述第1-1有机材料层和所述第1-1无机材料层的堆叠结构，

其中，所述第1-1无机材料层包括从所述第1-1有机材料层的侧表面向所述基板突出的第一尖端。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述基板包括所述第1-2有机材料层和所述第1-2无机材料层的堆叠结构，

其中，所述第1-2无机材料层包括从所述第1-2有机材料层的侧表面向所述虚设基板突出的第二尖端。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一尖端的至少一部分的突出长度大于所述第二尖端的突出长度。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述基板材料层的所述形成进一步包括：

形成覆盖所述第1-1无机材料层和所述第1-2无机材料层并且位于所述第一区域至所述第三区域中的第二有机材料层；以及

在所述第二有机材料层上形成与所述第一区域相对应的第2-1无机材料层和与所述第二区域相对应的第2-2无机材料层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基板材料层的与所述第三区域相对应的所述部分的所述去除包括蚀刻所述第一有机材料层和所述第二有机材料层的与所述第三区域相对应的部分，

其中，蚀刻后的所述第一有机材料层包括所述第一区域中的第1-1有机材料层和所述第二区域中的第1-2有机材料层，并且

蚀刻后的所述第二有机材料层包括所述第一区域中的第2-1有机材料层和所述第二区域中的第2-2有机材料层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述虚设基板包括所述第1-1有机材料层、所述第1-1无机材料层、所述第2-1有机材料层和所述第2-1无机材料层的堆叠结构，

其中，所述第1-1无机材料层包括从所述第1-1有机材料层的侧表面向所述基板突出的第一尖端，并且

所述第2-1无机材料层包括从所述第2-1有机材料层的侧表面向所述基板突出的第三尖端。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一尖端的突出长度大于所述第三尖端的突出长度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板与所述支撑基板的所述分离包括通过将激光从所述支撑基板的底部通过所述支撑基板发射到所述基板来将所述基板与所述支撑基板分离。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，当将所述基板与所述支撑基板分离时，所述阻挡层和所述阻挡层上的所述虚设基板不与所述支撑基板分离。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层包括非晶硅材料。

17.根据权利要求7-9和12-13中任一项所述的方法，进一步包括：在所述基板上形成包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层，

其中，当将所述基板与所述支撑基板分离时，由于所述第一尖端，所述至少一个有机封装层的一部分保留在所述支撑基板上。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述至少一个有机封装层的保留在所述支撑基板上的所述一部分位于所述第三区域中。

19.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，进一步包括：

在所述基板材料层上形成包括薄膜晶体管的像素电路层；以及

在所述像素电路层上形成包括电连接到所述薄膜晶体管的显示元件的显示元件层。

20.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中，所述基板包括位于所述多个贯穿部分之间并且限定所述多个贯穿部分的多个条形部分，

其中，所述多个条形部分位于所述基板的拐角处。

21.根据权利要求20所述的方法，进一步包括：减小所述多个条形部分中的相邻的条形部分之间的间隔。

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