CN220733364U - 显示装置以及用于制造其的掩模 - Google Patents

显示装置以及用于制造其的掩模 Download PDF

Info

Publication number
CN220733364U
CN220733364U CN202321988087.9U CN202321988087U CN220733364U CN 220733364 U CN220733364 U CN 220733364U CN 202321988087 U CN202321988087 U CN 202321988087U CN 220733364 U CN220733364 U CN 220733364U
Authority
CN
China
Prior art keywords
bank
layer
display device
pixel electrode
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321988087.9U
Other languages
English (en)
Inventor
宋垠澔
罗艺瑟
具永谟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN220733364U publication Critical patent/CN220733364U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及显示装置以及用于制造其的掩模。显示装置包括：衬底；像素电极，设置在衬底上；第一堤，包括暴露像素电极的中央部分的堤开口；第二堤，设置在第一堤的外侧上并且包括比第一堤大的厚度；发射层，设置在堤开口中并且对应于像素电极；以及相对电极，与第一堤、第二堤和发射层重叠，其中，第一堤和第二堤各自包括负型光刻胶。

Description

显示装置以及用于制造其的掩模
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年7月27日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2022-0093460号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及具有改进的显示质量的显示装置、用于制造其的掩模以及制造显示装置的方法。
背景技术
通常，显示装置包括像素，其接收电信号并响应于电信号发光以显示图像。有机发光显示设备(OLED)的像素包括有机发光二极管作为显示元件。每个有机发光二极管包括像素电极、发射层和相对电极。有机发光二极管的发射层可以通过将包括发光材料的墨水排放到像素电极上来形成。
实用新型内容
然而，在现有的显示装置中，有机发光二极管的相对电极可能由于下部结构而断开连接，并且因此，像素的亮度可能根据像素的位置而不同。
本公开实现了包括克服上述问题的各种技术目标，并且提供了其显示质量通过减小像素之间的根据像素的位置的亮度差而改善的显示装置、用于制造该显示装置的掩模以及制造显示装置的方法。然而，这仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开的实施方式来获知。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括：衬底；像素电极，设置在衬底上；第一堤，包括暴露像素电极的中央部分的堤开口；第二堤，设置在第一堤的外侧上并且包括比第一堤大的厚度；发射层，设置在堤开口中并且对应于像素电极；以及相对电极，与第一堤、第二堤和发射层重叠，其中，第一堤和第二堤各自包括负型光刻胶。
第一堤和第二堤可以彼此成一体。
第一堤的厚度可以小于或等于第二堤的厚度的约一半。
第二堤的厚度可以是约300nm至约3μm。
由第一堤的侧壁与像素电极的上表面形成的角度可以小于或等于约50°。
由第二堤的侧壁与第一堤的上表面形成的角度可以小于或等于约50°。
第一堤和第二堤中的每一个的表面可以是拒液的。
显示装置还可以包括：间隔件，设置在衬底上以与像素电极分开；以及第三堤，与间隔件重叠并从第二堤的上表面突出。
第一堤、第二堤和第三堤可以彼此成一体。
间隔件可以包括正型光刻胶。
根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法可以包括：在衬底上形成像素电极；在像素电极上形成包括负型光刻胶的第一有机层；通过使用狭缝掩模将光照射到第一有机层上，并将第一有机层显影成有机图案层；通过加热有机图案层以形成第一堤和第二堤，第一堤包括堤开口，堤开口暴露像素电极的中央部分，第二堤设置在第一堤的外侧上，并且相比于第一堤，第二堤的厚度更大；与像素电极对应地在堤开口中形成发射层；以及形成相对电极以与第一堤、第二堤和发射层重叠。
有机图案层可以包括第一图案和第二图案，第一图案包括多个线图案，第二图案设置在第一图案的外侧上。
多个线图案中的任一个可以与像素电极的边缘重叠。
在平面图中，多个线图案中的每一个可以具有围绕像素电极的中央部分的环形形状。
该方法还可以包括在形成像素电极与形成第一有机层之间形成与像素电极分开的间隔件。
在形成第一堤和第二堤时，可以形成与间隔件重叠并从第二堤的上表面突出的第三堤。
间隔件可以包括正型光刻胶。
形成发射层可以包括通过将包括发光材料的墨水排放到堤开口中来形成发射层。
由第一堤的侧壁与像素电极的上表面形成的角度可以小于或等于约50°。
由第二堤的侧壁与第一堤的上表面形成的角度可以小于或等于约50°。
第一堤和第二堤中的每一个的表面可以是拒液的。
根据一个或多个实施方式，用于制造显示装置的掩模可以包括：第一掩模图案，与显示装置的像素电极对应；以及第二掩模图案，围绕第一掩模图案并包括供光穿过的多个狭缝。
在平面图中，多个狭缝中的每一个可以具有围绕第一掩模图案的环形形状。
多个狭缝中的任一个可对应于像素电极的边缘。
根据用于实施本公开的以下详细描述、权利要求书和附图，除了以上描述的方面、特征和优点之外的其它方面、特征和优点将变得显而易见。
附图说明
根据以下结合附图的描述，本公开的某些实施方式的以上及其它方面、特征和优点将变得更加明显，其中：
图1是根据实施方式的显示装置的示意性立体图；
图2是根据实施方式的包括在显示装置中的像素中的任何像素的等效电路图；
图3A和图3B是根据一个或多个实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图4是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
图5是沿图4的线I-I’截取的图4的显示装置的示意性剖视图；
图6是沿图4的线II-II’截取的图4的显示装置的示意性剖视图；
图7至图13是根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖视图；以及
图14至图16是示意性地示出根据实施方式的用于制造显示装置的方法的掩模的剖视图和平面图。
具体实施方式
现在将详细参考其示例在附图中示出的实施方式，其中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在这一点上，实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文所阐述的描述。因此，下面通过参考附图来描述实施方式仅为了说明描述的方面。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指包括A、B或者A和B的任何组合。术语“和”和“或”可以以结合或析取的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，短语“至少一个”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自……的集合中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指包括A、B或者A和B的任何组合。
应当理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制，并且这些元件仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
除非上下文另外清楚地指示，否则如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。
术语“包含(comprises)”、“包含(“comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变型当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
将理解，当层、区域或元件被称为“形成在”另一层、区域或元件“上”时，其可以直接或间接地形成在另一层、区域或元件上。例如，可以存在介于中间的层、区域或元件。
将理解，当在说明书中元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一个元件”“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件时，它可以直接设置在上述的另一个元件上、直接连接到或直接联接到上述的另一个元件，或者它们之间可以设置介于中间的元件。
将理解，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理或电的连接或联接。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
一些实施方式可包括可与所描述的顺序不同地执行的特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
为了便于说明，可以放大附图中的元件的尺寸。换言之，由于附图中的元件的尺寸和厚度可能为了便于说明而被任意地示出，因此以下实施方式不限于此。
术语“与……重叠”或“重叠的”是指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者到第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括分层放置、层叠、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当一个元件被描述为“不与”另一个元件“重叠”或“与”另一个元件“不重叠”时，这可以包括这些元件彼此间隔开、彼此偏置或彼此置位或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
如本文所使用的“约”或“大约”包括所述值和在由本领域普通技术人员鉴于所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的语境中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义进行解释，除非在本文明确地如此定义。
图1是根据实施方式的显示装置1的示意性立体图。
参考图1，显示装置1可以在衬底100上包括显示区域DA和非显示区域NDA。
在显示区域DA中，可以产生图像。在显示区域DA中，像素PX可以设置在平面上。在本说明书中，像素PX可以指发射不同颜色的光的子像素，并且可以是例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的任一个。显示装置1可以通过使用从像素PX发射的光来提供图像。
非显示区域NDA是可以不提供图像并且可以不布置(设置)像素PX的区域。非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。在非显示区域NDA中，可以设置和配置驱动器或电压线以向像素PX提供电信号或电力。在非显示区域NDA中，可以包括可以电连接到电子组件或印刷电路板的焊盘部分(未示出)。
显示区域DA可以具有多边形形状。例如，如图1所示，显示区域DA可以具有水平长度大于竖直长度的矩形形状。在其它实施方式中，显示区域DA可以具有正方形形状。在其它实施方式中，显示区域DA可以具有诸如椭圆形形状和/或圆形形状的各种形状。
图2是根据实施方式的包括在显示装置1中的像素PX中的任一个的等效电路图。
参考图2，像素PX可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件，例如有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素PX可以通过使用有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光或蓝光或者发射红光、绿光、蓝光或白光。
第二薄膜晶体管T2可以是开关薄膜晶体管，并且可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且被配置为根据从扫描线SL输入的开关电压或开关信号Sn向第一薄膜晶体管T1传输从数据线DL输入的数据电压或数据信号Dm。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电源线PL，并且配置为存储与来自第二薄膜晶体管T2的电压和提供给驱动电源线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1可以是驱动薄膜晶体管，并且可以连接到驱动电源线PL和存储电容器Cst，并且被配置为根据存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电源线PL流入有机发光二极管OLED中的驱动电流。由于驱动电流，有机发光二极管OLED可以发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如阴极)可以接收第二电力电压ELVSS。
图2示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据另一实施方式，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。
图3A是根据实施方式的显示装置1的示意性剖视图。图3B是根据另一实施方式的显示装置1的示意性剖视图。
参考图3A，在显示装置1的衬底100上，可以布置显示层DPL和薄膜封装层TFE。显示层DPL可包括像素电路层PCL和显示元件层DEL，像素电路层PCL包括像素电路和绝缘层，并且显示元件层DEL布置在像素电路层PCL上并包括显示元件。
衬底100可以包括玻璃材料、金属和/或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素或其混合物。可以对衬底100进行各种修改。例如，衬底100可以具有多层结构，该多层结构包括包含以上的聚合物树脂的两个层和布置其间且包括无机材料(例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等)的阻挡层。
显示元件层DEL可以包括显示元件，例如有机发光二极管。像素电路层PCL可以包括连接到有机发光二极管的像素电路和绝缘层。例如，像素电路层PCL可以包括晶体管、存储电容器和布置在它们之间的绝缘层。
显示元件可以被诸如薄膜封装层TFE的封装构件覆盖。薄膜封装层TFE可以包括覆盖显示元件层DEL的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。无机封装层可以包括无机绝缘材料，诸如氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO)、SiOx、SiNx和/或SiON。有机封装层可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料可包括丙烯酸树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施方式中，有机封装层可以包括丙烯酸酯。
参考图3B，显示层DPL和密封衬底400可以布置在显示装置1的衬底100上。密封构件300可以布置在衬底100和密封衬底400之间。密封衬底400可以包括透明构件。衬底100可通过密封构件300联接到密封衬底400，且因此，可密封衬底100与密封衬底400之间的内部空间。吸湿剂、填料等可以位于内部空间中。密封构件300可以是密封剂，并且在另一实施方式中，密封构件300可以包括通过激光固化的材料。例如，密封构件300可以是玻璃料。详细地，密封构件300可包括诸如氨基甲酸乙酯基树脂、环氧基树脂和/或丙烯酸树脂的有机密封剂或者诸如硅的无机密封剂。氨基甲酸乙酯基树脂可以包括例如氨基甲酸酯丙烯酸酯等。丙烯酸树脂可以包括例如丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯等。在其它实施方式中，密封构件300可包括通过加热固化的材料。
在一些实施方式中，显示元件层DEL可以与图3A的薄膜封装层TFE一起被图3B的密封衬底400和密封构件300覆盖。
触摸电极层(未示出)可以布置在薄膜封装层TFE和/或密封衬底400上，并且光学功能层(未示出)可以布置在触摸电极层上。触摸电极层可以根据外部输入(例如触摸事件)获得信息。光学功能层可以降低从显示装置1的外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率。在其它实施方式中，光学功能层可以提高从显示装置1发射的光的色纯度。在实施方式中，光学功能层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是膜类型或液晶涂层类型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜类型或液晶涂层类型。膜类型可以包括拉伸合成树脂膜，并且液晶涂层类型可以包括以某种布置排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。
在另一实施方式中，光学功能层可以包括黑色矩阵和滤色器。可以考虑分别从显示装置1的像素PX发射的光的颜色来布置滤色器。每个滤色器可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。在其它实施方式中，除了上述颜料或染料之外，每个滤色器还可以包括量子点。在其它实施方式中，一些滤色器可以不包括上述颜料或染料，并且可以包括诸如TiO2的散射粒子。
可以在触摸电极层和光学功能层之间布置粘合构件。可以不受限制地采用普通粘合构件。在实施方式中，粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。
图4是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。图4示意性地示出了图1的显示装置1的显示区域DA的放大部分，并且示出了在平面图中二维地布置的像素电极210以及包括暴露像素电极210的中央部分的堤开口120OP的堤层120。
像素电极210可以在第一方向(例如，y方向)和第二方向(例如，x方向)上彼此分开地布置。在这点上，图4示出了像素电极210分别对应于第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4而彼此分开地布置。
在实施方式中，在平面图中，像素电极210可以具有诸如矩形、菱形、正方形、圆形和/或椭圆形的各种形状。在这点上，图4示出了像素电极210各自具有在第一方向(例如，y方向)上具有长边的矩形形状，但是一个或多个实施方式不限于此。
在实施方式中，像素电极210可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料，并且可以是包含上述材料的一层或多层。在实施方式中，像素电极210可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化锌铝(AZO)的导电氧化物。在实施方式中，像素电极210可以包括反射膜，该反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施方式中，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
在实施方式中，像素电极210的表面可以是亲液的。在本说明书中，术语“亲液的”表示对某一溶液的极好的亲和力，而术语“拒液的”表示某一溶液被排斥并且不能很好地渗透。
例如，某一溶液与亲液表面具有大的表面联接，并且某一溶液在亲液表面上的表面张力可以减小。某一溶液与拒液表面具有低的表面联接，并且某一溶液在拒液表面上的表面张力可以增大。
当亲液性质增加或表面张力降低时，接触角可以减小，该接触角是由某一溶液的表面与某一溶液定位在其上的表面的切线形成的角。如上所述，当拒液性或表面张力增加时，由某一溶液的表面与该某一溶液定位在其上的表面形成的接触角可以增加。
这里，某一溶液可以是墨水或包括形成发射层的发光材料的墨水的溶剂。
堤层120可以包括分别覆盖像素电极210的边缘的第一堤120P1和分别围绕第一堤120P1的第二堤120P2。第一堤120P1可以限定暴露像素电极210的中央部分的堤开口120OP。
堤开口120OP可以具有与其对应的像素电极210的形状相似的形状。在这点上，图4示出了堤开口120OP具有在第一方向(例如，y方向)上具有长边的矩形形状。堤开口120OP可以具有与其对应的像素电极210的形状不同的形状。
显示元件的发射区域可以由堤开口120OP限定，并且在本说明书中，像素PX的形状和位置可以表示显示元件的发射区域的形状和位置。
图4示出了第一像素PX1到第四像素PX4具有相同的尺寸(或相同的面积)，但是根据发射光的颜色，像素PX的尺寸(或面积)可以不同。例如，发射绿光的像素PX的尺寸(或面积)可以小于发射红光或蓝光的像素PX的尺寸。
因为第一堤120P1覆盖像素电极210的边缘，所以第一堤120P1可以具有与像素电极210的边缘的形状相似的形状。在这点上，图4示出了堤开口120OP具有在第一方向(例如，y方向)上具有长边的矩形形状。
第二堤120P2可以布置在第一堤120P1的外侧上，并且具有比第一堤120P1更大的厚度。在实施方式中，在平面图中，第二堤120P2可以具有围绕第一堤120P1的网格形状，并且像素电极210可以布置在由第二堤120P2形成的网格中。第一堤120P1可以与第二堤120P2一体地形成。
在实施方式中，第三堤120P3可以布置在像素电极210之间。第三堤120P3可以与像素电极210分开。第三堤120P3可以被第二堤120P2围绕，并且第三堤120P3的上表面的高度可以大于第二堤120P2的上表面的高度。换言之，第三堤120P3可以从第二堤120P2的上表面突出。
在实施方式中，第三堤120P3可以支撑布置在其上的结构。例如，在如图3B所示将密封衬底400布置在衬底100的上表面上的情况下，第三堤120P3可以在衬底100和密封衬底400之间保持单元间隙。
在平面图中，第三堤120P3可以具有诸如矩形、菱形、正方形、圆形和/或椭圆形的各种形状。在这点上，图4示出了第三堤120P3具有圆形形状，但是一个或多个实施方式不限于此。
第一堤120P1、第二堤120P2和第三堤120P3可以一体地形成。例如，可以在整个衬底100之上一体地形成堤层120(参见图5)。
在实施方式中，堤层120可以包括光刻胶，例如光敏树脂。详细地，堤层120可以包括在曝光期间发生诸如交联的反应的负型光刻胶。在实施方式中，堤层120的表面可以是拒液的。特别地，堤层120的上表面可以是拒液的。
例如，堤层120可以包括基于氟的单体和包含基于氟的单体的基于氟的聚合物中的一种或多种。这里，基于氟的单体可以含有氟原子和/或其中至少一个氢原子被氟原子取代的烷基基团。基于氟的聚合物可以具有衍生自上述基于氟的单体的重复单元，并且可以是同聚物或共聚物。
在堤层120的表面上暴露的氟原子、至少一个氢原子被氟原子取代的烷基基团等可以提高堤层120的表面的拒液性。因为堤层120的表面具有拒液性，所以在第一像素PX1至第四像素PX4的喷墨工艺期间排放的用于形成发射层的材料可以仅位于堤开口120OP中。因此，用于形成发射层的材料可以不在第一堤120P1的上表面之上流动，并且可以在期望的位置处形成发射层。
图5是沿图4的线I-I’截取的图4的显示装置的示意性剖视图，并且图6是沿图4的线II-II’截取的图4的显示装置的示意性剖视图。
参考图5和图6，像素电路层PCL可以设置在衬底100上。像素电路层PCL可以包括第一晶体管TR1至第四晶体管TR4、布置在第一晶体管TR1至第四晶体管TR4的组件上和/或之下的缓冲层111、第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层115、层间绝缘层117以及平坦化层119。第一晶体管TR1至第四晶体管TR4中的每一个可以对应于图2的第一薄膜晶体管T1。第二晶体管TR2至第四晶体管TR4的结构可以与第一晶体管TR1的结构相同或相似，且因此，省略其重复描述。
缓冲层111可以包括诸如SiNx、SiON和/或SiOx的无机绝缘材料，并且可以是包括上述无机绝缘材料的一层或多层。缓冲层111可增加衬底100上表面的平整度，并防止或减少杂质从衬底100渗入半导体层Act。
第一晶体管TR1可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以包括多晶硅。在其它实施方式中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体材料和/或有机半导体材料。
栅电极GE可以与半导体层Act的一部分重叠。栅电极GE可以包括导电材料。例如，栅电极GE可以包括包含Mo、Al和/或Ti的导电材料，并且可以是包括上述材料的一层或多层。
半导体层Act和栅电极GE之间的第一栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnO2。
第二栅极绝缘层115可以覆盖栅电极GE。与第一栅极绝缘层113类似，第二栅极绝缘层115可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnO2。
在第二栅极绝缘层115上，可以设置存储电容器Cst的上电极CE2。上电极CE2可以与布置在其之下的栅电极GE重叠。彼此重叠且其间具有第二栅极绝缘层115的栅电极GE和上电极CE2可以形成存储电容器Cst。例如，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。
如上所述，存储电容器Cst可以与第一晶体管TR1重叠。在一些实施方式中，存储电容器Cst可以不与第一晶体管TR1重叠。
上电极CE2可以包括诸如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu的导电材料，并且可以是包括上述材料的一层或多层。
层间绝缘层117可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层117可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnO2。层间绝缘层117可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
漏电极SD1和源电极SD2可以各自设置在层间绝缘层117上。漏电极SD1和源电极SD2可以各自通过形成在第一栅极绝缘层113、第二栅极绝缘层115和层间绝缘层117中的接触孔电连接到半导体层Act。漏电极SD1和源电极SD2可以各自包括具有良好导电性的材料。漏电极SD1和源电极SD2可以各自包括包含Mo、Al、Cu和/或Ti的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，漏电极SD1和源电极SD2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。在实施方式中，可以省略漏电极SD1和源电极SD2中的任一个，并且半导体层Act的一部分可以是导电的，从而代替漏电极SD1和源电极SD2。
平坦化层119可以覆盖第一晶体管TR1，并且包括暴露第一晶体管TR1的一部分的接触孔。平坦化层119可以包括有机绝缘层。平坦化层119可以包括诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酰基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其任何共混物的有机绝缘材料。
显示元件层DEL可以设置在像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括第一有机发光二极管OLED1至第四有机发光二极管OLED4以及布置在第一有机发光二极管OLED1至第四有机发光二极管OLED4的组件上/之下的堤层120。由于第二有机发光二极管OLED2至第四有机发光二极管OLED4的结构可以与第一有机发光二极管OLED1的结构相同或相似，因此省略其重复描述。
在实施方式中，第一像素电极211可以设置在像素电路层PCL上。第一像素电极211可以通过穿透平坦化层119的接触孔电连接到第一晶体管TR1的漏电极SD1或源电极SD2。如图5所示，第一像素电极211可以在第二方向(例如，x方向)上与第二像素电极212隔开一定距离。如上所述，如图6所示，第三像素电极213可以在第二方向(例如，x方向)上与第四像素电极214隔开一定距离。
堤层120可以设置在像素电路层PCL上。堤层120可以包括覆盖第一像素电极211的边缘的第一堤120P1和布置在第一堤120P1的外侧上的第二堤120P2。
第一堤120P1可以限定暴露第一像素电极211的中央部分的第一堤开口120OP1、暴露第二像素电极212的中央部分的第二堤开口120OP2、暴露第三像素电极213的中央部分的第三堤开口120OP3以及暴露第四像素电极214的中央部分的第四堤开口120OP4。例如，第一堤120P1可以限定第一有机发光二极管OLED1的发射区域EA1、第二有机发光二极管OLED2的发射区域EA2、第三有机发光二极管OLED3的发射区域EA3以及第四有机发光二极管OLED4的发射区域EA4。第一堤120P1可以通过增加像素电极210的边缘和相对电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘处产生电弧等。
如上所述，在平面图中，第二堤120P2可以布置在第一堤120P1的外侧上。第二堤120P2的厚度可以大于第一堤120P1的厚度。第二堤120P2的第二厚度t2可以大于第一堤120P1的第一厚度t1，并且可以足以分离在喷墨印刷工艺期间排放的用于形成发射层的材料。第一堤120P1的第一厚度t1可以小于或等于第二堤120P2的第二厚度t2的一半。
第二堤120P2的第二厚度t2可以在约300nm与约3μm之间。在实施方式中，第二堤120P2的第二厚度t2可以是约1μm，并且第一堤120P1的第一厚度t1可以是约500nm。
第一堤120P1可以与第二堤120P2一体地形成。例如，第一堤120P1可以包括与第二堤120P2相同的材料。第一堤120P1和第二堤120P2可以通过使用狭缝掩模的光刻工艺同时形成。第一堤120P1的上表面和第二堤120P2的上表面可以通过第二堤120P2的具有平缓的坡度的侧壁彼此连接。如上所述，第一堤120P1和第二堤120P2可以各自包括负型光刻胶。
在实施方式中，由限定第一堤开口120OP1的第一堤120P1的侧壁与第一像素电极211的上表面形成的角度θ1可以小于或等于约50°。由第二堤120P2的用于将第一堤120P1的上表面连接到第二堤120P2的上表面的侧壁与第一堤120P1的上表面形成的角度θ2可以小于或等于约50°。
如图6所示，间隔件SC可以设置在堤层120之下。换言之，间隔件SC可以设置在平坦化层119和堤层120之间。间隔件SC可以与像素电极210分开。
间隔件SC可以具有一定的高度，以与没有间隔件SC的部分形成台阶差。间隔件SC可以具有各种形状，诸如半球形形状、圆柱形形状、圆锥形形状、棱锥形形状和棱柱形形状。
间隔件SC可以包括光敏树脂。在实施方式中，间隔件SC可以包括正型光刻胶。
第三堤120P3可以与间隔件SC重叠。第三堤120P3可以被第二堤120P2包围，并且第三堤120P3的上表面可以从第二堤120P2的上表面突出。例如，第三堤120P3的从平坦化层119的上表面到第三堤120P3的上表面的第三厚度t3可以大于第二堤120P2的第二厚度t2。因此，第三堤120P3可以支撑布置在其上的结构。
第一堤120P1、第二堤120P2和第三堤120P3可以一体地形成。例如，第一堤120P1、第二堤120P2和第三堤120P3可以包括相同的材料。第一堤120P1、第二堤120P2和第三堤120P3可以通过使用狭缝掩模的光刻工艺同时形成。如上所述，第一堤120P1、第二堤120P2和第三堤120P3可以各自包括负型光刻胶。
再次参考图5，第一发射层221可以设置在第一像素电极211上。例如，第一发射层221可以在第一堤开口120OP1中。如上所述，第二发射层222可以在第二堤开口120OP2中，第三发射层223可以在第三堤开口120OP3中，并且第四发射层224可以在第四堤开口120OP4中。第一发射层221至第四发射层224可以各自包括发射某一颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。第一发射层221可以通过将用于形成发射层的材料排放到第一像素电极211上来形成。例如，第一发射层221至第四发射层224可以通过喷墨印刷工艺形成。
尽管未示出，但是第一发射层221可以包括分别布置在第一发射层221之下和上的第一功能层和/或第二功能层。第一功能层可以包括例如空穴传输层(HTL)或者包括HTL和空穴注入层(HIL)两者。第二功能层可以被选择性地布置。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
第一发射层221可以具有厚度从第一发射层221的中央部分向第一堤开口120OP1的边缘增加的凹入形状。因为堤层120的表面是拒液的，所以第一发射层221至第四发射层224可以不设置在堤层120的上表面上。
相对电极230可以覆盖第一发射层221和堤层120。例如，相对电极230可以一体地形成在整个衬底100之上，以覆盖第一堤120P1、第二堤120P2和第三堤120P3。
相对电极230可包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半透明)透明层。在其它实施方式中，相对电极230还可以包括在包含上述材料的(半透明)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。
作为比较示例，在由堤层的侧壁和像素电极的上表面形成的角度大于约50°的情况下，具有低台阶覆盖的相对电极可能断开连接。由于相对电极断开连接，有机发光二极管的电子注入特性劣化，且因此，可能出现根据显示装置的位置的亮度差。在显示装置1(参见图1)中，堤层120包括具有不同厚度的第一堤120P1和第二堤120P2，并且将像素电极210的上表面连接到第一堤120P1的上表面的第一堤120P1的侧壁以及将第一堤120P1的上表面连接到第二堤120P2的上表面的第二堤120P2的侧壁可以具有平缓的坡度。因此，可以通过降低或防止相对电极230的断开连接来提供具有改善的显示质量的显示装置1。
尽管未示出，但是在实施方式中，薄膜封装层或封装衬底可以布置在相对电极230上。
图7至图13是根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖视图。图7以及图9至图13是以制造顺序示出沿图4的线I-I’截取的图4的显示装置的横截面的剖视图。图8是以制造顺序示出沿图4的线II-II’截取的图4的显示装置的剖视图。
参考图7和图8，可以将像素电路层PCL形成在衬底100上，并且可以将像素电极210形成在像素电路层PCL上。
像素电路层PCL可以包括第一晶体管TR1至第四晶体管TR4。第一像素电极211到第四像素电极214可以在平坦化层119上彼此分开。第一像素电极211可以电连接到第一晶体管TR1，第二像素电极212可以电连接到第二晶体管TR2，第三像素电极213可以电连接到第三晶体管TR3，并且第四像素电极214可以电连接到第四晶体管TR4。
如图8所示，间隔件SC可以在平坦化层119上与第一像素电极211至第四像素电极214分开。间隔件SC可以与第一像素电极211到第四像素电极214分开。
可以通过在平坦化层119上散布正型光刻胶并将除了间隔件SC的位置之外的部分曝光并将曝光的部分进行显影来形成间隔件SC。
参考图9，可以将第一有机层121散布在平坦化层119上，以覆盖第一像素电极211和第二像素电极212。尽管在图9中未示出，但是第一有机层121可以覆盖间隔件SC(参见图8)，并且由于间隔件SC，可以在第一有机层121的上表面上产生台阶差。
第一有机层121可以包括基于氟的单体和包含基于氟的单体的基于氟的聚合物中的一种或多种。这里，基于氟的单体可以含有氟原子和/或至少一个氢原子被氟原子取代的烷基基团。基于氟的聚合物可以具有衍生自上述基于氟的单体的重复单元，并且可以是同聚物或共聚物。第一有机层121可以是负型光刻胶，以使第一有机层121的表面包含氟原子和/或至少一个氢原子被氟原子取代的烷基基团。
可以通过使用掩模M曝光第一有机层121。在掩模M布置在衬底100上方的情况下，掩模M可以包括第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2，第一掩模图案MP1对应于像素电极210的中央部分，第二掩模图案MP2分别围绕第一掩模图案MP1并具有光L穿过其的狭缝SL。
这里，用于照射光L的光源可以是准分子激光器。准分子激光器可以是具有在紫外区域中的波长的激光器。例如，准分子激光器可以是具有约248nm的波长的KrF准分子激光器。然而，一个或多个实施方式不限于此。
第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2可以包括遮光材料。因此，在光L和第一有机层121之间具有掩模M的情况下在向第一有机层121上照射的光L可以被第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2阻挡。
在将掩模M布置在衬底100上方的情况下，在平面图中，第一掩模图案MP1中的每一者可与第一像素电极211的中央部分和第二像素电极212的中央部分重叠，且第二掩模图案MP2中的每一者可与第一像素电极211的边缘和第二像素电极212的边缘重叠。
第二掩模图案MP2可以具有多个狭缝SL。每个狭缝SL可以具有围绕对应于狭缝SL的第一掩模图案MP1的环形形状。例如，如图4所示，在堤开口120OP在平面图中具有在第一方向(例如，y方向)上具有长边的矩形形状的情况下，第一掩模图案MP1可以具有在第一方向(例如，y方向)上具有长边的矩形形状。第二掩模图案MP2可以包括围绕第一掩模图案MP1并且彼此相隔一定距离的光屏蔽线。狭缝SL各自可以是位于光屏蔽线之间的、光L可以通过的区域。
任何狭缝SL(例如狭缝SL1)可与其对应的像素电极210的边缘重叠。例如，第一有机层121的与像素电极210的边缘重叠的部分可以被通过任何狭缝SL(例如，前述狭缝SL1)的光L曝光。
第一有机层121的由通过在第二掩模图案MP2的外侧上的开口MOP和第二掩模图案MP2的狭缝SL的光L曝光的一些部分可以通过交联等聚合。
参考图10，可以通过使用显影剂等对第一有机层121进行显影来形成有机图案层122。有机图案层122可包括第一图案122P1和布置在第一图案122P1的外侧上的第二图案122P2，第一图案122P1包括多个线图案LP。第一图案122P1的线图案LP可对应于第一有机层121的通过第二掩模图案MP2的狭缝SL曝光的部分，且第二图案122P2可对应于第一有机层121的通过掩模M的开口MOP曝光的部分。尽管未示出，但是第二图案122P2可以与间隔件SC重叠。例如，有机图案层122可以形成为覆盖间隔件SC。
当去除第一有机层121中被第一掩模图案MP1阻挡光的区域时，可以形成分别暴露第一像素电极211的中央部分和第二像素电极212的中央部分的第一图案开口122OP1和第二图案开口122OP2。可以去除第一有机层121的被第二掩模图案MP2阻挡光的区域，并且因此，线图案LP可以在其间具有间隙。
第一图案122P1可以与像素电极210的边缘重叠。例如，任何线图案LP都可以与其对应的像素电极210的边缘重叠。因此，在通过加热有机图案层122形成堤层120的工艺中，可以防止像素电极210的边缘暴露。
在平面图中，第一图案122P1可具有围绕像素电极210的中央部分的环形形状。例如，如图4所示，在堤层120的堤开口120OP具有在第一方向(例如，y方向)上具有长边的矩形形状的情况下，第一图案开口122OP1可以具有在第一方向(例如，y方向)上具有长边的矩形形状。第一图案122P1可以沿着第一图案开口122OP1的周边延伸。如所描述的，每个线图案LP可以具有围绕像素电极210的中央部分的环形形状。
参考图11，可以通过加热有机图案层122来形成堤层120。堤层120可以包括覆盖像素电极210的边缘的第一堤120P1和布置在第一堤120P1的外侧上的第二堤120P2。第一堤120P1可以包括暴露第一像素电极211的中央部分的第一堤开口120OP1和暴露第二像素电极212的中央部分的第二堤开口120OP2。在实施方式中，例如，在形成第一堤120P1和第二堤120P2时，可形成与间隔件SC重叠并从第二堤120P2的上表面突出的第三堤120P3(参见图6)。
由于热而具有流动性的有机图案层122的线图案LP可填充线图案LP之间的间隙，且因此可形成第一堤120P1。因此，第一堤120P1可具有比有机图案层122的厚度小的第一厚度t1。随着第一堤120P1的第一厚度t1减小，由限定第一堤开口120OP1的第一堤120P1的侧壁与第一像素电极211的上表面形成的角度θ1可以减小到小于或等于约50°。
如上所述，由于热而具有流动性的有机图案层122的第二图案122P2可以填充第一图案122P1和第二图案122P2之间的间隙，且因此可以形成第二堤120P2。第二堤120P2可具有大于第一厚度t1的第二厚度t2。由第一堤120P1的上表面和将第一堤120P1的上表面连接到第二堤120P2的上表面的第二堤120P2的侧壁形成的角度θ2可以减小到小于或等于约50°。
作为比较示例，在有机图案层不包括彼此分开的线图案的情况下，由像素电极的上表面和限定堤开口的堤层的侧壁形成的角度可能大于50°。如上所述，在由堤层的侧壁和像素电极的上表面形成的角度大于50°的情况下，具有低台阶覆盖的相对电极可能断开连接。
由于通过加热包括具有彼此分开的线图案LP的第一图案122P1和布置在第一图案122P1的外侧上的第二图案122P2的有机图案层122来形成堤层120，堤层120可以具有平缓的坡度。
参考图12，通过排放包括发光材料的墨水，可以将用于形成第一发射层的材料221’形成在第一像素电极211上，并且可以将用于形成第二发射层的材料222’形成在第二像素电极212上。
在实施方式中，用于形成第一发射层的材料221’和用于形成第二发射层的材料222’可以通过喷墨印刷工艺形成。
因为堤层120的表面是拒液的，所以材料221’可以在第一堤开口120OP1中，并且材料222’可以在第二堤开口120OP2中。因此，即使在高分辨率显示装置中，也可以在期望的位置处精确地形成发射层。
在实施方式中，通过考虑干燥材料221’和222’之后的表面张力和体积收缩，用于形成第一发射层的材料221’和用于形成第二发射层的材料222’可以各自具有凸出形状，该凸出形状具有厚度大的中央部分。在另一实施方式中，根据包括发光材料的墨水的注入量，用于形成第一发射层的材料221’和用于形成第二发射层的材料222’可以各自具有平坦形状或凹入形状。
参考图13，第一发射层221和第二发射层222可以分别通过干燥用于形成第一发射层的材料221’和用于形成第二发射层的材料222’来形成。
在实施方式中，当包括发光材料的墨水的溶剂蒸发时，第一发射层221和第二发射层222中的每一个可以具有凹入形状，该凹入形状的厚度从第一发射层221和第二发射层222中的每一个的中央部分朝向第一堤开口120OP1的边缘增加。
可以在堤层120、第一发射层221和第二发射层222上形成相对电极230。相对电极230可以一体地形成在整个衬底100之上。
如上所述，当通过使用狭缝掩模形成堤层120时，将像素电极210的上表面连接到第一堤120P1的上表面的第一堤120P1的侧壁和将第一堤120P1的上表面连接到第二堤120P2的上表面的第二堤120P2的侧壁可以各自具有平缓的坡度。因此，可以通过降低或防止相对电极230的断开连接来提供具有改善的显示质量的显示装置。
尽管未示出，但是可以进一步包括在相对电极230上形成薄膜封装层或封装衬底的工艺。
图14至图16是示意性地示出根据实施方式的在制造显示装置的方法期间使用的掩模的剖视图和平面图。图15是沿着图14的线III-III’截取的剖视图。图16示出了图14的部分IV的放大平面图。
参考图14，掩模M包括框架部分10、肋部分20和有机膜30。
框架部分10可以在其中心处包括开口10OP。框架部分10的形状基本上是根据母衬底的尺寸的矩形，但是一个或多个实施方式不限于此。与开口掩模一样，框架部分10可以包括金属材料并且具有在约几十毫米(mm)到几厘米(cm)之间的厚度10t。掩模M可以通过框架部分10有效地附接到母衬底，并且可以显著减少在显示装置1的制造工艺中由于掩模M的中央部分下垂导致的缺陷的发生。
肋部分20可以跨框架部分10的开口10OP，并且肋部分20的一端和另一端可以连接到框架部分10。肋部分20可以竖直地和水平地设置成多个，使得肋部分20具有宽度小的支架形状。多个透射窗TW可以设置在肋部分20之间。透射窗TW可对应于与显示装置1对应的单元。透射窗TW可以对应于显示装置的显示区域。
肋部分20可包括金属材料。肋部分20的厚度可以在远小于框架部分10的厚度10t的约几十微米(μm)到几毫米之间。肋部分20可防止掩模M的中央部分下垂。
有机膜30可对应于框架部分10的开口10OP。有机膜30可以在肋部分20的表面上。有机膜30的一部分可以与肋部分20重叠。图15示出了有机膜30设置在肋部分20的下表面上。
有机膜30可以包括透光的有机材料。例如，有机膜30可以包括PI、PET等。有机膜30可以包括柔性材料。
图14和图15示出了掩模M包括有机膜30，但是在另一实施方式中，掩模M可以包括玻璃材料。
参考图16，有机膜30可以包括第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2，第一掩模图案MP1和第二掩模图案MP2中的每一个都包括遮光材料。在掩模M布置在显示装置的衬底上的情况下，第一掩模图案MP1可以被散布为对应于像素电极的中央部分。第二掩模图案MP2可以围绕第一掩模图案MP1并且包括供光穿过的多个狭缝SL。狭缝SL可以各自具有围绕第一掩模图案MP1的环形形状，并且可以彼此分开。开口可以位于第二掩模图案MP2的外侧中，其中，没有遮光材料散布在开口中。
彼此相邻的第一掩模图案MP1可以在第二方向(例如，x方向)上彼此间隔开第一距离d1。第二掩模图案MP2在第二方向(例如，x方向)上的第一宽度w1可以是第一距离d1的约30％至约35％。例如，第一距离d1可以是约10μm，并且第一宽度w1可以是约3μm。狭缝SL的宽度可以小于或等于约1μm。
遮光材料可以包括例如黑色颜料、黑色染料和黑色粒子中的至少一种。在一些实施方式中，遮光材料可以包括Cr、CrOx、Cr/CrOx、Cr/CrOx/CrNy、树脂、碳颜料、石墨、非Cr基材料等。
在本说明书中，可使用具有多个狭缝SL的掩模M来形成堤层，使得堤层可具有平缓的坡度。因此，可以通过降低或防止相对电极的断开连接来提供具有改善的显示质量的显示装置。
根据以上描述的一个或多个实施方式，可以实现通过减小像素之间的根据像素的位置的亮度差而具有改善的显示质量的显示装置、用于制造该显示装置的掩模以及制造该显示装置的方法。然而，本公开的范围受本文所讨论的效果限制。
应该理解，本文描述的实施方式应仅以描述性的意义考虑，而不是为了限制的目的。在每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以在实施方式中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底；
像素电极，设置在所述衬底上；
第一堤，包括暴露所述像素电极的中央部分的堤开口；
第二堤，设置在所述第一堤的外侧上并且包括比所述第一堤大的厚度；
发射层，设置在所述堤开口中并且对应于所述像素电极；以及
相对电极，与所述第一堤、所述第二堤和所述发射层重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一堤和所述第二堤彼此成一体。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一堤的厚度小于或等于所述第二堤的厚度的一半。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二堤的厚度为300nm至3μm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，由所述第一堤的侧壁与所述像素电极的上表面形成的角度小于或等于50°。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，由所述第二堤的侧壁与所述第一堤的上表面形成的角度小于或等于50°。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
间隔件，设置在所述衬底上以与所述像素电极分开；以及
第三堤，与所述间隔件重叠并从所述第二堤的上表面突出。
8.一种用于制造显示装置的掩模，其特征在于，所述掩模包括：
第一掩模图案，与所述显示装置的像素电极对应；以及
第二掩模图案，围绕所述第一掩模图案并包括供光穿过的多个狭缝。
9.根据权利要求8所述的掩模，其特征在于，在平面图中，所述多个狭缝中的每一个具有围绕所述第一掩模图案的环形形状。
10.根据权利要求8所述的掩模，其特征在于，所述多个狭缝中的任一个对应于所述像素电极的边缘。
CN202321988087.9U 2022-07-27 2023-07-27 显示装置以及用于制造其的掩模 Active CN220733364U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0093460 2022-07-27
KR1020220093460A KR20240015815A (ko) 2022-07-27 2022-07-27 디스플레이 장치, 이를 제조하기 위한 마스크 및 디스플레이 장치의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220733364U true CN220733364U (zh) 2024-04-05

Family

ID=89626372

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321988087.9U Active CN220733364U (zh) 2022-07-27 2023-07-27 显示装置以及用于制造其的掩模
CN202310928511.9A Pending CN117479661A (zh) 2022-07-27 2023-07-27 显示装置、用于制造其的掩模及显示装置的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310928511.9A Pending CN117479661A (zh) 2022-07-27 2023-07-27 显示装置、用于制造其的掩模及显示装置的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240040849A1 (zh)
KR (1) KR20240015815A (zh)
CN (2) CN220733364U (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
CN117479661A (zh) 2024-01-30
US20240040849A1 (en) 2024-02-01
KR20240015815A (ko) 2024-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10916592B2 (en) Organic light-emitting diode display device
US10044002B2 (en) Display device
US20180240822A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20140043683A1 (en) Optical sheet assembly and display apparatus having the same
US11569321B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20210183983A1 (en) Display device
US11849605B2 (en) Display device having pixel-defining layers
US20210359048A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11749615B2 (en) Display device including alignment pattern
KR20210101380A (ko) 표시 장치
US20210359047A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN220733364U (zh) 显示装置以及用于制造其的掩模
KR20160029491A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US20220165817A1 (en) Display device and method of fabricating the same
US20220003909A1 (en) Display device
JP2022105283A (ja) タッチディスプレイ装置
KR20230049816A (ko) 표시 장치
KR20220007788A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN220359681U (zh) 显示设备
US20230380219A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20210024360A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
US11991897B2 (en) Display apparatus with spaced shielding wall portions within display area and peripheral area
KR20230161299A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN218004860U (zh) 显示面板
US20230225154A1 (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant