KR20240015595A - 금속 착물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 전계 발광 장치, 특히 이미터(emitter)로서 사용하기에 적합한 이리듐 착물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 장치에서, 특히 이미터(emitter)로서 사용하기에 적합한 이리듐 착물에 관한 것이다.
본 출원은 35 U.S.C. § 119(a)-(d) 하에서 유럽 특허출원 제22187158.5호 (2022년 7월 27일에 출원됨) 및 유럽 특허출원 제22202099.2호(2022년 10월 18일에 출원됨)에 대한 우선권을 주장하고, 이들 모두는 그들의 전부에 관하여 본원에서 참조로서 포함된다.
종래 기술에 따르면, 인광 유기 전계 발광 장치(OLEDs)에서, 방향족 리간드를 갖는 비스- 및 트리스-오르토-금속화 이리듐의 착물이 주로 삼중항 이미터로서 사용되는데, 여기서 상기 리간드는 음전하를 띠는 탄소 원자 및 중성 질소 원자를 갖는다. 이러한 착물의 예는 트리스(페닐피리딜) 이리듐(III) 및 이의 유도체이다. 이러한 착물은 또한 예를 들어 US 7,332,232, WO 2016/124304 및 WO 2019/158453에 기재된 바와 같이, 폴리포달(polypodal) 리간드를 갖는 것으로 공지되어 있다. 폴리포달 리간드를 갖는 이들 착물은, 그 이외에는 동일한 리간드 구조를 갖지만 개별적인 리간드가 폴리포달형으로 가교되지 않은 착물에 비해, 이점을 나타내지만, 예를 들어 효율, 전압 및 수명의 관점에서는 개선이 여전히 필요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 OLED에 사용하기 위한 이미터로서 적합한 개선된 이리듐 착물을 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 특히 좁은 발광 스펙트럼을 갖고 따라서 상부 발광 OLED에서 이미터로서 특히 적합한 녹색 및 황색 발광 이리듐 착물을 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 화학식 (1)의 화합물에 관한 것이다:
[화학식 (1)]
Ir(L)
상기 식에서, 리간드 L은 하기 화학식 (2)의 구조를 갖는다:
[화학식 (2)]
상기 식에서,
리간드 L은 *로 표시된 위치를 통해 이리듐 원자에 배위되고, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 중수소로 부분적으로 또는 완전히 대체될 수 있고, 사용된 표시 및 지수(indice)는 다음과 같다:
R은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F 또는 CN이고;
Ar은 하나 이상의 라디칼로 치환되거나 비치환될 수 있는 페닐 또는 비페닐기로서, 상기 라디칼 각각은 동일하거나 상이하고, F, CN, Si(CH3)3, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되고; 이 경우, 페닐 또는 비페닐 기, 또는 이 페닐 또는 비페닐 기 위의 치환체도 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R1은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F, CN, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기, 페닐 또는 비페닐이고, R1이 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R1이 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬 기를 나타내면, 이들 2개의 라디칼 R1은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R2, R3은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기이고, R2 및 R3이 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R2 또는 2개의 인접한 라디칼 R3은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R4는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기, 페닐 또는 비페닐이고, R4가 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R4가 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬 기를 나타내면, 2개의 라디칼 R4는 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R5는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기이고, R5가 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 영구적으로 중수소화되며; 2개의 인접한 라디칼 R5는 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R6, R7은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, CH3 또는 C2H5이되,CH3 기 또는 C2H5 기는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고;
r은 1 또는 2이고;
s는 0 또는 1이고;
m은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 3 또는 4이고;
n, o는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 또는 3이고;
p는 0, 1 또는 2이고;
q는 0, 1, 2, 또는 3이되; 단, q + r + s의 합은 ≤ 4이다
도 1은 본 발명에 따른 화합물 Ir3 및 참고용 이미터 Ref-D1, Ref-D2 및 Ref-D3의 광발광 스펙트럼(탈기된 톨루엔 중 약 10-5 M)을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 화합물 Ir3, Ir178, Ir179 및 참고용 이미터 Ref-D3의 화합물의 광발광 스펙트럼(탈기된 톨루엔 중 약 10-5 M)을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 화합물 Ir3, Ir178, Ir179 및 참고용 이미터 Ref-D3의 화합물의 광발광 스펙트럼(탈기된 톨루엔 중 약 10-5 M)을 나타낸다.
놀랍게도, 후술하는 구조를 갖는 6자리(hexadentate) 삼중정(tripodal) 리간드를 갖는 이리듐 착물이 이러한 문제를 해결하며, 유기 전계 발광 장치에 사용하기에 매우 적합하다는 것이 밝혀졌다. 이들 이리듐 착체 및 이들 착체를 포함하는 유기 전계 발광 장치가 본 발명의 대상이 된다.
따라서, 본 발명의 청구 대상은 하기 화학식 (1)의 화합물이다:
[화학식 (1)]
Ir(L)
상기 식에서, 리간드 L은 하기 화학식 (2)의 구조를 갖는다:
[화학식 (2)]
상기 식에서,
리간드 L은 *로 표시된 위치를 통해 이리듐 원자에 배위되고, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 중수소로 부분적으로 또는 완전히 대체될 수 있고, 사용된 표시 및 지수는 다음과 같다:
R은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F 또는 CN이고;
Ar은 하나 이상의 라디칼로 치환되거나 비치환될 수 있는 페닐 또는 비페닐기로서, 상기 라디칼 각각은 동일하거나 상이하고, F, CN, Si(CH3)3, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되고; 페닐 또는 비페닐 기, 또는 이 페닐 또는 비페닐 기 위의 치환체도 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R1은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F, CN, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기, 페닐 또는 비페닐이고, R1이 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R1이 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬 기를 나타내면, 2개의 라디칼 R1은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R2, R3은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기이고, R2 및 R3이 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R2 또는 2개의 인접한 라디칼 R3은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R4는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기, 페닐 또는 비페닐이고, R4가 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R4가 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬 기를 나타내면, 2개의 라디칼 R4는 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R5는 각각 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기이고, R5가 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R5는 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R6, R7은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, CH3 또는 C2H5이고, CH3 기 또는 C2H5 기는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고;
r은 1 또는 2이고;
s는 0 또는 1이고;
m은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 3 또는 4이고;
n, o는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 또는 3이고;
p는 0, 1 또는 2이고;
q는 0, 1, 2, 또는 3이되; 단, q + r + s의 합은 ≤ 4이다
따라서, 화학식 (2)의 리간드 L은, 2개의 2자리 페닐피리딘 부분 리간드 및 하나의 2자리 디벤조푸라닐-피리딘 부분 리간드를 갖는 6자리 삼중정 리간드이다. 따라서, 이러한 리간드로 형성된 화학식 (1)의 착물 Ir(L)은 하기 구조를 갖는다:
상기 식에서, 표시 및 지수는 상기 주어진 의미를 갖고, 도시되지 않은 수소 원자도 부분적으로 또는 완전히 중수소로 대체될 수 있다.
이 경우, 배위하는 디벤조퓨란 기는, 비-배위하는 페닐 고리 위의 필수 특징으로서, 불소 및/또는 시아노를 나타내는 하나 이상의 기 R을 갖는다.
2개의 라디칼 R1 또는 2개의 라디칼 R2 또는 2개의 라디칼 R3 또는 2개의 라디칼 R4 또는 2개의 라디칼 R5가 서로 고리 시스템을 형성하는 경우, 이것은 모노사이클릭 또는 폴리사이클릭일 수 있다. 이 경우, 서로 고리 시스템을 형성하는 라디칼은 인접한다. 즉, 이들 라디칼이 서로 직접 결합되어 있는 탄소 원자에 결합한다.
2개의 라디칼이 서로 고리를 형성할 수 있다는 표현(formulation)이란, 본 명세서의 맥락에서는, 2개의 라디칼이 화학적 결합에 의해 서로 연결되되, 이때 2개의 수소 원자는 형식적으로(formal) 절단된다는 점이 이해되어야 한다. 이는 하기 반응식에 의해 설명된다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서, 라디칼 R1 또는 R2 또는 R3 또는 R4 또는 R5는 서로 고리를 형성하지 않는다.
본 발명의 의미 내에서 사이클릭 알킬 기는 모노사이클릭, 비사이클릭 또는 폴리사이클릭 기인 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서, C1- 내지 C10-알킬 기는 예를 들어, 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, 사이클로프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 사이클로부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오-펜틸, 사이클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오-헥실, 사이클로헥실, 1-메틸 사이클로펜틸, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 사이클로헵틸, 1-메틸사이클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 사이클로옥틸, 1-비사이클로[2,2,2]옥틸, 2-비사이클로[2,2,2]옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 아다만틸, 1,1-디메틸-n-헥스-1-일, 1,1-디메틸-n-헵트-1-일, 1,1-디메틸-n-옥트-1-일, 1,1-디에틸-n-헥스-1-일, 1-(n-프로필)-사이클로헥스-1-일 및 1-(n-부틸)-사이클로헥스-1-일을 들 수 있다. 이들은 또한 각각 부분적으로 또는 완전히 영구적으로 중수소화될 수 있다.
지수 m, n, o, p, q 또는 s가 0이면, 치환체 대신에 수소 원자 또는 중수소 원자가 결합된다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서, r = 1이고, 리간드는 하기 화학식 (3), 화학식 (4), 화학식 (5) 또는 화학식 (6)에 따른 구조를 갖는다:
[화학식 (3)]
[화학식 (4)]
[화학식 (5)]
[화학식 (6)]
상기 식에서, 사용된 표시 및 지수는 상기 주어진 의미를 가지며, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 부분적으로 또는 완전히 중수소로 대체될 수 있다. 이러한 맥락에서, R6은 각각 바람직하게는 동일하거나 상이하고, H, D, 또는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 CH3을 나타내고, R7은 각각 바람직하게는 동일하거나 상이하고, H 또는 D를 나타낸다. 이러한 맥락에서, 화학식 (4)의 리간드가 바람직하다.
r = 2인 경우, 1개의 잔기 R은 CN을 나타내고, 나머지 잔기 R은 F인 것이 바람직하다.
R = CN인 경우, s = 0, 즉 리간드가 기 Ar을 갖지 않는 것이 바람직하다. 또한, R = F인 경우, s = 1, 즉, 리간드가 하나의 Ar를 갖는 것이 바람직하다. 또한, R = F인 경우, s = 0 및 q = 1이고, 여기서 R5는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 기를 나타내는 것이 바람직하다.
s = 1인 경우, 리간드는 바람직하게는 하기 화학식 (7), 화학식 (8), 화학식 (9) 또는 화학식 (10) 중 하나에 따른 구조를 갖는다:
[화학식 (7)]
[화학식 (8)]
[화학식 (9)]
[화학식 (10)]
여기서, 사용된 기호 및 지수는 상기 주어진 의미를 가지며, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 부분적으로 또는 완전히 중수소로 대체될 수 있다. 이들 화학식에서, 이들 화학식에서, R은 바람직하게는 F를 나타낸다. R6은 각각 바람직하게는 동일하거나 상이하고, H, D, 또는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 CH3을 나타내고; R7은 바람직하게는 동일하거나 상이하고, H 또는 D를 나타낸다. 화학식 (7)의 리간드가 바람직하다.
특히 바람직한 실시양태에서, r = 1, R = CN 및 s = 0이고 리간드 L은 하기 화학식 (11a)의 구조를 나타내거나; r = 1, R = F 및 s = 1이고 리간드 L은 하기 화학식 (11b)의 구조를 나타내거나; r = 1, R = F 또는 CN, s = 0 및 q = 1이고 리간드 L은 화학식 (11c)의 구조를 나타낸다:
[화학식 (11a)]
[화학식 (11b)]
[화학식 (11c)]
상기 식에서, 사용된 기호 및 지수는 상기 주어진 의미를 가지며, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 중수소로 부분적으로 또는 완전히 대체될 수 있고, R6은 H, D, CH3 또는 CD3이고, 화학식 (11c)의 R5는 바람직하게는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 사이클로펜틸 또는 사이클로펙실 기를 나타내고, 이 기가 디벤조퓨란에 결합되는 C 원자, 즉 tert-C 원자에서의 중수소화가 특히 바람직하다.
본 발명의 또다른 바람직한 실시양태에서, 중수소는, Ar 또는 R5가 결합되지 않은, R에 대한 모든 오르토-위치에서 결합된다. q = 0에 대한 화학식 (11a), 화학식 (11b) 및 화학식 (11c)의 바람직한 실시양태는 따라서 각각 하기 화학식 (11a-1), 화학식 (11b-1) 및 화학식 (11c-1)이다:
[화학식 (11a-1)]
[화학식 (11b-1)]
[화학식 (11c-1)]
상기 식에서, 사용된 표시 및 지수는 전술한 의미를 가지며, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 중수소로 부분적으로 또는 완전히 대체될 수 있고, R6은 각각 동일하거나 상이하고, H, D, CH3 또는 CD3이고, 화학식 (11c-1)의 R5는 바람직하게는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 기이고; 특히 이 기가 디벤조퓨란에 결합되는 C 원자에서의 중수소화가 바람직하다. 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 사이클로헥실 기이고, 이 기가 디벤조퓨란에 결합하는 C 원자에서의 중수소화가 바람직하다.
브릿지헤드(bridgehead), 즉 트리에틸렌벤젠 기의 바람직한 실시양태는 하기 구조 A 내지 I이다:
상기 식에서, 점선 결합은 2개의 페닐피리딘 부분 리간드 및 디벤조퓨란피리딘 부분 리간드에 대한 결합을 각각 나타낸다. 여기서, 화학식 (D) 내지 (I)에서의 H/D는 수소 또는 중수소에 대해 동일하거나 상이하고, 이들 화학식 중 메틸기 및/또는 벤젠기는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있다. 화학식 (G), 화학식 (H) 및 화학식 (I)에서, 메틸기로 치환되지 않은 에틸렌기가 피리딘-디벤조퓨란 부분 리간드에 부착되고, 2개 또는 4개의 메틸기로 각각 치환된 2개의 에틸렌기는, 2개의 페닐피리딘 부분 리간드에 부착된다. 바람직한 실시양태는 화학식 (B), 화학식 (E) 및 화학식 (H)의 기이다.
치환체 Ar 및 R1 내지 R7의 바람직한 실시양태는 이하에 기술된다.
Ar은, 페닐기로서, 이는 바람직하게는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고, 그렇지 않으면 비치환되거나, 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 메틸기로 치환된다.
특히 바람직한 기 Ar은 하기 화학식 (Ar-1) 내지 (Ar-4)의 군 중에서 선택된다.
여기서, 점선 결합은 리간드의 디벤조퓨란 기에 대한 결합을 나타낸다.
본 발명의 또다른 바람직한 실시양태에서, R1은 각각 동일하거나 상이하고, CN, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기, 또는 페닐 기로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 각각은 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, R1은 각각 동일하거나 상이하고, 메틸, 이소-프로필, tert-부틸, 네오-펜틸, 페닐, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실로 이루어진 군 중에서 선택되고, 각각의 경우에 이들 기가 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화되는 것이 가능하다. 벤질계 위치, 즉 페닐 고리에 직접 결합되는 위치가 중수소화되면, 특히 바람직하다.
이 경우, 지수 m 각각은 바람직하게는 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2 또는 3, 특히 바람직하게는 0, 1 또는 2, 가장 바람직하게는 0 또는 1이다.
본 발명의 추가의 실시양태에서, R2 및 R3은 각각 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 또는 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 각각은 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, R2 및 R3은 각각 동일하거나 상이하고, 메틸, 이소-프로필, tert-부틸, 네오-펜틸, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실로 이루어진 군 중에서 선택되되, 각각의 경우에 이들 기가 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화되는 것이 가능하다. 벤질계 위치, 즉 피리딘 고리에 직접 결합되는 위치가 중수소화되면, 특히 바람직하다.
따라서, 지수 n 및 o 각각은 바람직하게는 동일하거나 상이하고, 0, 1 또는 2이고, 특히 바람직하게는 0 또는 1이다.
본 발명의 또다른 바람직한 실시양태에서, R4는 각각 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기, 또는 페닐로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기 각각은 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, R4는 각각 동일하거나 상이하고, 메틸, 이소-프로필, tert-부틸, 네오-펜틸 또는 페닐로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기 각각이 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화되는 것이 가능하다. 벤질계 위치들, 즉 디벤조퓨란에 직접 결합하는 위치들이 중수소화되는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에서, R5는 각각 동일하거나 상이하고,탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 또는 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기 각각은 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, R5는 각각 동일하거나 상이하고, 메틸, 이소-프로필, tert-부틸, 네오-펜틸, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실로 이루어진 군 중에서 선택되되, 각각의 경우에 이들 기가 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화되는 것이 가능하다. 벤질계 위치들, 즉 디벤조퓨란에 직접 결합하는 위치들이 중수소화되는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에서, R6은 각각 동일하거나 상이하고, H, D, CH3 또는 CD3이다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에서, R7은 각각 동일하거나 상이하고, H 또는 D, 특히 D이다.
지수 p는 바람직하게 0 또는 1이고, 0이 특히 바람직하다. 지수 q는 0 또는 1이 바람직하고, 0이 특히 바람직하다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시양태에서, 2개의 페닐피리딘 부분 리간드는 동일하다, 즉 2개의 부분 리간드 위의 치환체 R1은 동일하고, 2개의 부분 리간드 위의 치환체 R2는 동일하고, 지수 m은 동일하고, 지수 n은 동일하고, 치환체 R1 및/또는 R2가 존재하는 경우, 이들은 각각 동일한 위치에서 2개의 페닐피리딘 부분 리간드에 부착된다.
또한, 전술한 바람직한 실시양태가 동시에 발생한다면, 바람직하다. 따라서, 하기가 적용되는 화학식 (2) 내지 (11), 화학식 (11a), 화학식 (11b), 화학식 (11c), 화학식 (11a-1), 화학식 (11b-1) 및 화학식 (11c-1)의 리간드가 바람직하다:
Ar은 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 페닐기이되, 이는 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 메틸기로 치환될 수 있고;
R1은
각 경우에 동일하거나 상이하고, CN, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기, 또는 페닐 기로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기는 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R2, R3은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 또는 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 이들 기는 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R4는
각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기, 또는 페닐로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기는 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R5는
각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 또는 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 이들 기는 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R6은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 또는 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 CH3이고;
R7은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H 또는 D이고;
m은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2 또는 3이고;
n, o는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1 또는 2이고;
p는 0 또는 1이고;
q는 0 또는 1이고;
s는, R = CN인 경우 0이고 R = F인 경우 1이다.
특히 바람직한 것은, 하기를 보유하는, 화학식 (2) 내지 (11), 화학식 (11a), 화학식 (11b), 화학식 (11c), 화학식 (11a-1), 화학식 (11b-1) 및 화학식 (11c-1)의 리간드이다:
Ar은 전술한 바와 같은 화학식 (Ar-1) 내지 (Ar-4)의 군 중에서 선택되고;
R1은
각 경우에 동일하거나 상이하고, 메틸, 이소-프로필, tert-부틸, 네오-펜틸, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 또는 페닐로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기는 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R2, R3은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 메틸, 이소-프로필, tert-부틸, 네오-펜틸, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실로 이루어진 군 중에서 선택되고, 이들 기는 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R4 는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기, 또는 페닐로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기도 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R5는
각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 또는 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되되, 이들 기도 각각 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R6은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, CH3 또는 CD3이고;
R7은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H 또는 D이고;
m은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1 또는 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1이고;
n, o는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0 또는 1이고;
p, q는 0이고;
s는, R = CN인 경우 0이고, R = F인 경우 1이다
전술한 바람직한 실시양태는 원하는 대로 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시양태에서, 상기 바람직한 실시양태는 동시에 적용된다.
본 발명에 따른 적합한 구조의 예는 하기에 예시된 화합물이다.
발명에 따른 금속 착물은 키랄 구조이다. 또한, 리간드 L도 키랄이면, 부분입체이성질체 및 몇 쌍의 거울상이성질체의 형성이 가능하다. 그다음, 본 발명에 따른 착물은 부분입체이성질체와 상응하는 라세미체의 혼합물, 뿐만 아니라 개별적인 단리된 부분입체이성질체 및 거울상이성질체, 양쪽 모두를 포함한다.
2개의 동일한 부분 리간드를 갖는 리간드가 오르토-금속화에 사용되면, C1-대칭 착물의 라세믹 혼합물, 즉 Δ 및 Λ 거울상이성질체의 라세믹 혼합물이 통상 얻어진다. 이들은 하기 반응식에서 제시된 바와 같은 일반적인 방법(키랄 물질/칼럼 위에서의 크로마토그래피 또는 결정화에 의한 라세미체 분리)에 의해 분리될 수 있으며, 여기서 명확성을 위해 선택적인 치환체는 나타내지 않는다:
부분입체이성질체 염 쌍의 분별 결정화를 통한 라세미체 분리는 표준 방법에 따라 수행될 수 있다. 이 목적을 위해, 하기에서 개략적으로 나타낸 바와 같이, 중성 Ir(III) 착물을 (예를 들어, 과산화물, H2O2 또는 전기화학적으로) 산화시키고, 이렇게 생성된 양이온성 Ir(IV) 착물에, 거울상이성질적으로 순수한 모노음이온성 염기(키랄 염기)의 염을 첨가하고, 이렇게 생성된 부분입체이성질체 염을 분별 결정화에 의해 분리하고, 이어서 이들을, 환원제(예를 들어, 아연, 하이드라진 수화물, 아스코르브산 등)의 보조로 거울상이성질체 염으로 전환시키는 것이, 예를 들어 아연, 하이드라진 수화물, 아스코르브산 등)의 도움으로 거울상 이성질체적으로 순수한 중성 착물로 전환시키는 것이 유용하다:
또한, 거울상이성질체적으로 순수한 또는 거울상이성질체적으로 풍부한 합성은, 키랄 매질(chiral medium)(예를 들어, R- 또는 S-1,1-비나프톨)에서의 착물화에 의해 가능하다.
3개의 상이한 부분 리간드를 갖는 리간드가 착물화에 사용되는 경우, 착물의 부분입체이성질체 혼합물이 일반적으로 수득되며, 이는 일반적인 방법(크로마토그래피, 결정화 등)에 의해 분리될 수 있다.
거울상이성질체적으로 순수한 C1-대칭 착물이 또한 특이적으로 합성될 수 있다. 이 목적을 위해, 거울상이성질체적으로 순수한 C1-대칭 리간드가 존재하고, 착물화되고, 수득된 부분입체이성질체 혼합물이 분리되고, 이어서 키랄 기가 절단-제거된다(cleave off).
문헌으로부터 공지된 보론산 에스테르 (1) 및 (3)으로부터 개시하는 리간드의 합성이 제시될 수 있다. 명확성을 위해, 합성에 대한 다음의 설명은, 브릿지헤드에서의 치환체, 페닐 또는 피리딘 고리에서의 치환체, 및 치환체 R과는 별도로, 또한 디벤조퓨란에서의 치환체를 의도적으로 생략한다.
보론산 에스테르 (1)는, 스즈키 커플링에서 2,6-디할로피리딘의 2-위치에 위치선택적으로 커플링되어 5-할로피리딘-2-디벤조퓨란 (2)를 형성한다 (반응식 1).
반응식 1:
보론산 에스테르(3)는, 먼저 구리(II) 브로마이드와의 반응(반응식 2, 단계 2)에 의해 브롬화물(4)로 전환될 수 있고, 이어서 트리메틸실릴아세틸렌과의 소노가시라 반응(Sonogashira reaction)(반응식 2, 단계 3)에 의해 알킨(5)으로 전환될 수 있다.
반응식 2:
알킨(5)은 탄산칼륨의 존재 하에 메탄올과의 반응에 의해 인-시튜(in-situ)에서 탈보호화될 수 있고, 이어서 5-할로피리딘-2-디벤조퓨란(2)과 커플링되어 알킨(6)을 제공할 수 있고(반응식 3, 단계 4), 이어서 수소와 함께 Pd-촉매되어 리간드(7)를 제공할 수 있다(반응식 3, 단계 5). 리간드의 후속적인 오르토-금속화는 문헌에 공지된 절차에 따라 가능하다. 예를 들어, 승온에서, 예를 들어 약 250℃의 범위에서 하이드로퀴논 용융물 내 이리듐 트리스-아세틸아세토네이트 또는 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄 디오나토-κO3, κO5)-이리듐으로부터 개시되는 반응(WO 2016/124304), 또는 승온에서, 예를 들어 약 160℃의 범위에서 살리실산-메시틸렌 혼합물 내 이리듐(III)아세테이트로부터 진행하는 반응(WO 2021/013775)은 양호한 수율로 본 발명에 따른 착물을 제공한다(반응식 3, 단계 6). 이들은 문헌으로부터 공지된 방법(크로마토그래피, 고온 추출 결정화, 분별 승화)에 의해 최종적으로 정제된다.
반응식 3:
중수소화된 합성 빌딩 블록(1) 또는 (3)을 사용하는 경우, 또는 알킨 (6)의 수소화가 수소(H2) 대신에 중수소(D2)로 수행되는 경우, 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 착물(8)이 수득될 수 있다. 또한, 비-중수소화된 또는 부분적으로 중수소화된 착물은, 문헌(WO 2019/158453)으로부터 공지된 방법에 의해 알킬 및 아릴 기에서 추가로 중수소화될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물의 합성은 원칙적으로, 이리듐 염을 상응하는 유리 리간드와 반응시킴으로써 가능하다.
따라서, 본 발명의 추가의 목적은 상응하는 유리 리간드를 화학식 (Ir-1)의 이리듐 알콕사이드와, 화학식 (Ir-2)의 이리듐 케토케토네이트, 화학식 (Ir-3)의 이리듐 할라이드 또는 화학식 (Ir-4)의 이리듐 카복실레이트와 반응시킴으로써 본 발명의 화합물을 제조하는 방법이다:
상기 식에서, R은 상기 주어진 의미를 가지며, Hal은 F, Cl, Br 또는 I이고, 이리듐 유리체(educt)는 또한 상응하는 수화물로서 존재할 수 있다. 이러한 맥락에서, 알킬은 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미하는 것이 바람직하다.
알콕사이드 및/또는 할라이드 및/또는 하이드록사이드 뿐만 아니라 케토케토네이트 잔기를 보유하는 이리듐 화합물도 사용될 수 있다. 이들 화합물은 또한 하전될 수 있다. 반응물로서 특히 적합한 상응하는 이리듐 화합물은 WO 2004/085449에 개시되어 있다. 특히 적합한 것은 [IrCl2(acac)2]-, 예를 들어 Na[IrCl2(acac)2], 리간드로서 아세틸아세토네이트 유도체를 갖는 금속 착물, 예를 들어 Ir(acac)3 또는 트리스(2,2,6,6-테트라메틸헵탄-3,5-디오나토)이리듐, 및 IrCl3·xH2O(여기서, x는 일반적으로 2 내지 4의 수를 나타낸다)이다.
착물의 합성은 바람직하게는 WO 2002/060910 및 WO 2004/085449에 기재된 바와 같이 수행된다. WO 2021/013775에 기재된 바와 같은, 유기산 또는 유기산과 유기 용매의 혼합물에서의 합성은 또한 특히 적합하며, 특히 적합한 반응 매질은 예를 들어 아세트산, 또는 살리실산과 유기 용매(예를 들어 메시틸렌)의 혼합물이다. 이러한 맥락에서, 합성은 또한 열적으로, 광화학적으로 및/또는 마이크로파 방사선에 의해 활성화될 수 있다. 나아가, 합성은 또한 상승된 압력 및/또는 온도에서 오토클레이브 내에서 수행될 수 있다.
반응은, o-금속화될 상응하는 리간드의 용융물에서 용매 또는 용융 보조제(melting aid)의 첨가 없이 실시될 수 있다. 필요에 따라, 용매나 용융 보조제 등도 첨가할 수 있다. 적합한 용매는 양성자성 또는 비양성자성 용매, 예컨대 지방족 및/또는 방향족 알콜(메탄올, 에탄올, 이소-프로판올, t-부탄올 등), 올리고- 및 폴리알콜(에틸렌 글리콜, 1,2-프로판디올, 글리세롤 등), 알콜 에테르(에톡시에탄올, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜 등), 에테르(디- 및 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디페닐 에테르 등), 방향족, 헤테로방향족 및/또는 지방족 탄화수소(톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 클로로벤젠, 피리딘, 루티딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 트리데칸, 헥사데칸 등), 아미드(DMF, DMAC 등), 락탐(NMP), 설폭사이드(DMSO), 또는 술폰(디메틸 설폰, 술판 등)이다. 적합한 용융 보조제는, 실온에서 고체이지만 반응 혼합물이 가열될 때 반응물을 녹이고 용해하여 균질한 용융물을 생성하는 화합물이다. 특히 적합한 것은 비페닐, m-터페닐, 트리페닐렌, R- 또는 S-비나프톨 또는 또한 상응하는 라세미체, 1,2-, 1,3-, 1,4-비스페녹시벤젠, 트리페닐포스핀 옥사이드, 18-크라운-6, 페놀, 1-나프톨, 하이드로퀴논 등이다. 하이드로퀴논의 사용이 특히 바람직하다.
전술한 바와 같이 및 실시예 섹션에서, 완전히 또는 부분적으로 중수소화된 착물의 합성은, 착물화 반응에서 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 리간드를 사용함으로써 및/또는 착물화 반응 후에 착물을 중수소화시킴으로써 가능하다.
이들 방법에 의해, 임의로 뒤따르는 정제화, 예컨대 재결정화 또는 승화에 의해, 화학식 (1)에 따른 본 발명의 화합물은 고순도, 바람직하게는 99% 초과의 순도로 수득될 수 있다(1H-NMR 및/또는 HPLC에 의해 측정됨).
본 발명의 이리듐 착물의 배합물은 액체 상(liquid phase)으로부터, 예를 들어 스핀 코팅(spin coating)에 의해 또는 가압 공정에 의해 본 발명의 이리듐 착물을 가공하는 데에 요구된다. 이들 배합물은 예를 들어 용액, 분산액 또는 유화액일 수 있다. 이러한 목적을 위해 2개 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합한 및 바람직한 용매는, 예를 들어 톨루엔, 아니솔, o, m- 또는 p-자일렌, 메틸벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜콘, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 쿠멘, 사이클로헥산올, 사이클로헥산올, 사이클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-사이멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸 벤젠, 헥실 벤젠, 헵틸 벤젠, 옥틸 벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 헥사메틸인단, 2-메틸비페닐, 3-메틸비페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 세박산 디에틸 에스테르, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 메틸 이소발레레이트, 사이클로헥실 헥사노에이트 또는 이들의 혼합물이다.
따라서, 본 발명의 추가의 목적은, 본 발명에 따른 하나 이상의 화합물 및 하나 이상의 추가의 화합물을 포함하는 배합물이다. 추가의 화합물은 예를 들어, 용매, 특히 상기 언급된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수 있다. 그러나, 상기 추가의 화합물은 전자 장치에서도 사용되는 추가의 유기 또는 무기 화합물, 예를 들면, 매트릭스 물질일 수 있다. 이러한 추가의 화합물은 또한 중합체일 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 전자 장치에서 활성 성분으로서, 바람직하게는 유기 전계 발광 장치의 발광층에서의 이미터로서 사용될 수 있다. 본 발명의 추가의 목적은 전자 장치, 특히 유기 전계 발광 장치에서 본 발명에 따른 화합물의 용도이다.
본 발명의 또 다른 대상은 본 발명에 따른 하나 이상의 화합물, 특히 유기 전계 발광 장치를 포함하는 전자 장치다.
전자 장치는, 애노드, 캐소드 및 적어도 하나의 층을 포함하고, 이 층이 적어도 하나의 유기 또는 유기금속 화합물을 포함하는 장치인 것으로 이해된다. 따라서, 본 발명에 따른 전자 장치는 애노드; 캐소드; 및 본 발명에 따른 적어도 하나의 이리듐 착물을 함유하는 적어도 하나의 층을 포함한다. 이러한 맥락에서, 바람직한 전자 장치는, 본 발명의 적어도 하나의 화합물을, 적어도 하나 이상 층에 포함하는, 유기 전계 발광 디바이스(OLED, PLEDs), 유기 집적 회로(O-ICs), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FETs), 유기 박막 트랜지스터(OTFTs), 유기 발광 트랜지스터(OLETs), 유기 태양 전지(OSCs)(여기서 이는 순수 유기 태양 전지 및 염료-감작 태양 전지 둘 모두를 포함한다), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계 급랭 디바이스(OFQDs), 발광 전기화학 전지(LECs), 산소 센서 또는 유기 레이저 다이오드(OLaser)로 이루어진 군 중에서 선택된다. 적외선에서 발광하는 화합물은 유기 적외선 전계 발광 장치 및 적외선 센서에 사용하기에 적합하다. 유기 전계 발광 장치가 특히 바람직하다. 활성 성분은 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 물질, 예를 들어, 전하 주입, 전하 수송 또는 전하 차단 물질, 특히 발광 물질 및 매트릭스 물질이다. 본 발명에 따른 화합물은 유기 전계 발광 장치에서 발광 물질로서 특히 우수한 특성을 나타낸다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시양태는 유기 전계 발광 장치이다. 나아가, 본 발명에 따른 화합물은 일중항 산소의 발생 또는 광촉매작용(photocatalysis)에 사용될 수 있다.
유기 전계 발광 장치는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 발광층을 포함한다. 이들 층 이외에, 다른 층, 예를 들어, 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층, 엑시톤 차단층, 전자 차단층, 전하 생성층 및/또는 유기 또는 무기 p/n 전이를 포함할 수 있다. 하나 이상의 정공 수송층이 p-도핑되는 것 및/또는 하나 이상의 전자 수송층이 n-도핑되는 것이 가능하다. 마찬가지로, 예를 들어, 엑시톤-차단 기능을 나타내고/내거나 방향화(direction) 전에 전계 발광에서 전하 균형을 제어하고/하거나 전하를 생성하는 중간층들(예를 들어, 다수의 발광층들을 갖는 층 시스템들, 예를 들어, 백색-발광 OLED 장치들에서, 전하-생성층)은, 2개의 발광층들 사이에 도입될 수 있다. 그러나, 반드시 이들 층들의 각각이 존재해야 하는 것은 아니라는 것에 유의해야 한다.
유기 전계 발광 장치는 발광층을 1개 포함할 수도 있거나, 여러 개의 발광층을 포함할 수도 있다. 여러 개의 발광층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 380 nm 내지 750 nm에서 총 여러 개의 발광 최대치를 가져서, 결과적으로 전체적으로 백색 발광을 유발한다, 즉, 형광 또는 인광을 가질 수 있는 상이한 발광 화합물이 발광층에 사용된다. 3개의 층이 청색, 녹색 및 주황색 또는 적색 발광을 나타내는 3층 시스템, 또는 3개 초과의 발광층을 갖는 시스템이 특히 바람직하다. 그것은 또한, 하나 이상의 층은 형광을 나타내고 하나 이상의 다른 층은 인광을 나타내는 하이브리드 시스템일 수 있다. 탠덤(tandem) OLED가 바람직한 실시양태이다. 백색 발광 유기 전계 발광은 조명 용도를 위해 또는 풀 컬러 디스플레이들을 위해 컬러 필터들과 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서, 유기 전계 발광 장치는 하나 이상의 발광층에서, 특히 녹색 발광층에서 본 발명의 화합물을 발광 화합물로서 함유한다.
본 발명에 따른 화합물이 발광층에서 발광 화합물로서 사용되는 경우, 바람직하게는 하나 이상의 매트릭스 물질과 조합하여 사용된다. 본 발명에 따른 화합물 및 매트릭스 물질의 혼합물은, 이미터 및 매트릭스 물질의 총 혼합물에 대해, 본 발명에 따른 화합물을 0.1 내지 99 체적%, 바람직하게는 1 내지 90 체적%, 특히 바람직하게는 3 내지 40 체적%, 특히 5 내지 15 체적% 함유한다. 따라서, 혼합물은 이미터 및 매트릭스 물질의 총 혼합물을 기준으로 99.9 내지 1 체적%, 바람직하게는 99 내지 10 체적%, 특히 바람직하게는 97 내지 60 체적%, 특히 95 내지 85 체적%의 매트릭스 물질을 함유한다.
일반적으로, 종래 기술에 공지된 모든 물질이 매트릭스 물질로서 사용될 수 있다. 바람직하게는, 매트릭스 물질의 삼중항 레벨은 이미터의 삼중항 레벨보다 높다.
본 발명에 따른 화합물을 위한 적합한 매트릭스 물질은, 케톤, 포스핀 옥사이드, 설폭사이드 및 설폰(예를 들어, WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680에 따름), 트리아릴아민, 카바졸 유도체, 예를 들어 CBP(N,N-비스카바졸릴비페닐), m-CBP 또는 카바졸 유도체(WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, WO 2008/086851 또는 US 2009/0134784에 개시됨), 비스카바졸 유도체, 인돌로카바졸 유도체(예를 들어, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746에 따름), 인데노카바졸 유도체(예를 들어, WO 2010/136109 또는 WO 2011/000455에 따름), 아자카바졸(예를 들어, EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160에 따름), 양극성 매트릭스 물질(예를 들어 WO 2007/137725에 따름), 실란(예를 들어, WO 2005/111172에 따름), 아자보롤 또는 보론산 에스테르(예를 들어, WO 2006/117052에 따름), 디아자실롤 유도체(예를 들어 WO 2010/054729에 따름), 디아자포스폴 유도체(예를 들,어 WO 2010/054730에 따름), 트리아진 유도체(예를 들어, WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746에 따름), 아연 착물(예를 들어, EP 652273 또는 WO 2009/062578에 따름), 디벤조퓨란 유도체(예를 들어, WO 2009/148015 또는 WO 2015/169412에 따름), 또는 브릿지화 카바졸 유도체(예를 들어, US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107 또는 WO 2011/088877)이다. 용액-가공된 OLEDs의 경우에, 중합체(예를 들어, WO 2012/008550 또는 WO 2012/048778에 따름), 올리고머 또는 덴드리머(예를 들어, 문헌[Journal of Luminescence 183 (2017), 150-158]에 따름)도 매트릭스 물질로서 적합하다.
혼합물로서 몇몇의 상이한 매트릭스 물질, 특히 하나 이상의 전자-전도성 매트릭스 물질 및 하나 이상의 정공-전도성 매트릭스 물질을 사용하는 것이 또한 바람직할 수 있다. 예를 들어, 바람직한 조합은, 본 발명에 따른 화합물을 위한 혼합 매트릭스로서, 트리아릴아민 유도체 또는 카바졸 유도체와 함께, 방향족 케톤, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 포스핀 옥사이드 유도체, 또는 방향족 락탐을 사용하는 것이다. 예를 들어 WO 2010/108579 또는 WO 2016/184540에 기재된 바와 같이 전하 수송에 관여하지 않거나 실질적으로 관여하지 않는, 전기 불활성 매트릭스 물질(소위 "와이드 밴드갭 호스트(wide bandgap host)"라 함) 및 전하 수송 매트릭스 물질의 혼합물을 사용하는 것이 동일하게 바람직하다. WO 2014/094964에 기재된 바와 같이, 2개의 전자 수송 매트릭스 물질, 예를 들어 트리아진 유도체 및 락탐 유도체의 사용이 동일하게 바람직하다.
본 발명의 화합물에 대해 매트릭스 물질로서 적합한 화합물의 예를 이하에 나타낸다.
본 발명에 따른 화합물의 매트릭스 물질로서 사용될 수 있는 바람직한 비스카바졸은 하기 화학식 (12) 및 화학식 (13)의 구조이다:
[화학식 (12)]
[화학식 (13)]
상기 식에서, 하기 내용이, 사용된 표시에 대해 적용된다:
Ar1은
각 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 30개의 방향족 고리 원자, 특히 바람직하게는 6 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 고리 시스템이되, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R', 바람직하게는 비-방향족 라디칼 R'로 치환될 수 있고
A1은 NAr1, C(R')2 , O 또는 S, 바람직하게는 C(R')2이고;
R'은
각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, 탄소수 1 내지 10, 바람직하게는 탄소수 1 내지 4의 알킬 기, 또는 5 내지 40개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 30개의 방향족 고리 원자, 특히 바람직하게는 6 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 비방향족 고리 시스템이되, 이들은 D, F, CN 또는 탄소수 1 내지 10, 바람직하게는 탄소수 1 내지 4의 알킬로 구성된 하나 이상의 치환체로 치환될 수 있다.
화학식 (12) 또는 화학식 (13)의 바람직한 실시양태는, 각각 하기 화학식 (12a) 또는 화학식 (13a)의 화합물이다:
상기 식에서, 사용된 표시는 상기 의미를 갖는다.
바람직한 디벤조퓨란 유도체는 하기 화학식 (14)의 화합물이다:
상기 식에서, 산소는 황으로 치환될 수도 있어서, 디벤조티오펜이 형성되고, L1은 단일 결합; 또는 하나 이상의 라디칼 R'로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 비치환되는, 5 내지 30개, 바람직하게는 6 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; R' 및 Ar1은 앞에서 제공한 의미를 갖는다. 이러한 문맥에서, 동일한 질소 원자에 결합된 2개의 기 Ar', 또는 동일한 질소 원자에 결합된 기 Ar1 및 기 L은 서로 연결되어, 예를 들어 카바졸을 형성한다.
바람직한 카바졸아민은 하기 화학식 (15), 화학식 (16) 및 화학식 (17)의 구조이다:
상기 식에서, L1, R' 및 Ar1 은 상기 의미를 갖는다.
적합한 정공-전도성 매트릭스 물질의 예는 하기 표에 나타낸 화합물이다.
본 발명의 화합물과 함께 혼합물로서 사용될 수 있는 바람직한 트리아진 또는 피리미딘 유도체는 하기 화학식 (18) 및 화학식 (19)의 화합물이다:
상기 식에서, Ar1은 상기에서 제공된 의미를 갖는다.
특히 바람직한 것은 화학식 (18)의 트리아진 유도체이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에서, 화학식 (18) 및 화학식 (19)의 Ar1은 각각 동일하거나 상이하고, 6 내지 30개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 24개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스팀이되, 이들은 하나 이상의 라디칼 R'로 치환될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물과 함께 매트릭스 물질로서 사용될 수 있는 적합한 전자 수송성 화합물의 예는 하기 표에 나타낸 화합물이다.
추가의 층들에서, 일반적으로 모든 물질들은, 종래 기술에 따른 층들에 사용되는 바와 같이 사용될 수 있고, 당업자는 임의의 발명의 개입 없이 전자 장치에서 이러한 물질 중 임의의 물질을 본 발명에 따른 물질들과 조합할 수 있다.
승화 방법에 의해 하나 이상의 층이 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치가 더 바람직하다. 이 방법에서, 물질은 일반적으로 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서 증착된다. 또한 초기 압력이 더 낮거나 더 높은, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 가능하다.
또한, OVPD(Organic Vapor Phase Deposition) 방법 또는 캐리어 가스 승화(Carrier Gas Sublimation)를 이용하여 하나 이상의 층이 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치가 바람직하다. 이 방법에서, 물질은 10-5 mbar 내지 1 bar 사이의 압력에서 적용된다. 이 방법의 특정 케이스는 OVJP(Organic Vapor Jet Printing) 방법이며, 여기서 물질은 노즐을 통해 직접 도포되어 패턴화된다(예를 들어, 문헌[M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301]).
하나 이상의 층이 용액으로부터, 예컨대 스핀 코팅에 의해; 또는 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 노즐 인쇄, 특히 바람직하게는 LITI(Light Induced Thermal Imaging, Thermo trans printing) 또는 잉크젯 인쇄와 같은 임의의 인쇄 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 장치가 또한 바람직하다. 이를 위해 가용성 화합물이 요구되는데, 이는 예를 들어 적절한 치환에 의해 얻어질 수 있다.
유기 전계 발광 장치는 또한 용액의 하나 이상의 층을 침착하고 하나 이상의 다른 층을 증착(vapor deposition)함으로써 하이브리드 시스템으로서 제조될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 금속 착물 및 용액의 매트릭스 물질을 포함하는 발광층을 침착하고, 그 위에 정공-차단 층 및/또는 전자 수송 층을 진공 증발시키는 것이 가능하다.
이들 방법은 당업자에게 일반적으로 공지되어 있고, 이들에 의해 화학식 (1)에 따른 화합물 또는 상기 열거된 바람직한 실시양태를 함유하는 유기 전계 발광 장치에 용이하게 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 전자 장치, 특히 유기 전계 발광 장치는, 트리에틸렌벤젠 기에 의해 가교되지 않은 상응하는 착물보다 상당히 보다 좁은 발광 스펙트럼을 갖는다는, 종래 기술에 비해 예상치 못한 장점을 갖는다. 이는 특히 상부 발광 장치를 위한 장점인데, 이는 결과적으로 더 높은 전류 효율(cd/A 단위)을 초래하기 때문이다.
본 발명은 이를 제한하고자 하지 않은 채 하기 실시예에 의해 더 상세히 설명된다. 당업자라면 본 발명자의 개입 없이 차폐(shield)로부터 본 발명에 따른 추가의 전기 장치를 제조할 수 있고, 따라서 문제의 전체 분야에서 본 발명을 구현할 수 있다
실험예
하기 합성은, 특별히 언급되지 않는 한, 건조된 용매 중에서 불활성 가스 분위기 하에서 수행된다. 금속 착물을 광의 배제 하에서 또는 황색 광 하에서 추가로 다룬다. 용매 및 시약은 예를 들어 각각 시그마-알드리치(Sigma-ALDRICH) 및 ABCR로부터 입수될 수 있다. 개별적인 화합물에 대해 제공된 대괄호 내의 개별적인 데이타 또는 번호는 문헌으로부터 공지된 화합물의 CAS 번호를 의미한다. 몇몇 거울상이성질체, 부분입체이성질체 또는 토토머 형태를 가질 수 있는 화합물의 경우, 하나의 형태를 대표로서 나타낸다.
문헌-공지된 신톤 LS:
A) 신톤 S의 합성:
실시예 S1:
31.9 g (100 mmol) LS1, 14.8 g (100 mmol) 2,5-디클로로피리딘[16110-09-1], 41.5 g (300 mmol) 탄산칼륨, 702 mg (1 mmol) 비스(트리페닐포스피노)팔라듐 디클로라이드[13965-03-2], 100 g 유리 구(3 mm 직경), 200 ml 아세토니트릴, 및 200 ml 메탄올의 혼합물을 약한 환류 하에서 16시간 동안 가열한다. 여전히 승온하면서, 아세토니트릴로 예비-슬러리화된 셀라이트 베드(Celite bed)로 흡입을 적용하고, 여과액을, 건조될 때까지, 농축시키고, 잔류물을 400ml의 디클로로메탄(DCM) 및 100ml 에틸 아세테이트(EA) 중에 모으고, DCM/EA(4:1)로 예비-슬러리화된 실리카 겔 베드로 여과한다. 여과액에 200 ml 메탄올(MeOH)을 첨가하고, 이를 진공에서 약 100 ml가 될때까지 서서히 농축시키고, 결정화된 생성물로부터 흡인하고, 각각 30 ml MeOH로 2회 재세척하고, 진공에서 건조시킨다. 수율: 22.6 g (74 mmol) 74%; 순도: 1H NMR에 의해 약 98%.
유사하게, 하기 화합물들은 약 70-90%의 수율로 제조될 수 있다:
실시예 S100:
A) S100A
500 ml MeOH 중 56.7 g (100 mmol) LS100의 현탁액을 40℃로 가열한 다음, 양호하게 교반하면서 400 ml 물 중 46.9 g (210 mmol) 구리(II) 브로마이드의 용액을 30 분 동안 적가한다. 첨가가 완료된 후, 12시간 동안 환류 하에 가열하고, 이어서 약 500 ml를 증류-제거(distill off)하고, 500 ml의 물로 치환한다. 교반하면서 실온으로 냉각하고, 침전된 고체로부터 흡인하고, 매번 물 200 ml로 3회 세척하고, 흡인하여 건조시킨다. 고체를 600 ml DCM 중에 현탁시키고, 200 ml의 진한(conc.) 암모니아를 첨가하고, 2 시간 동안 교반하고, 수성 상을 분리하고, 유기 상을 각각 200 ml 2.5 N 암모니아 용액으로 3회, 각각 200 ml 물로 2회, 염수로 1회 세척하고, 황산마그네슘 위에서 건조시킨다. 흡습제로부터 흡인하고, 200 ml의 MeOH를 여과액에 첨가하고, 약 200 ml로 농축한다. 결정화된 생성물로부터 흡인하고, 약간의 메탄올로 2회 세척하고 진공에서 건조시킨다. 수율: 42.3 g (81 mmol) 81%; 순도: 1H NMR에 의해 약 97%.
B) S100
52.0 g (100 mmol) S100A, 28.6 ml (200 mmol) 트리메틸실릴아세틸렌[1066-54-2], 64.1 ml (500 mmol) 트리에틸아민[121-44-8], 300 ml DMF, 572 mg (3 mmol) 구리(I) 요오다이드[7681-65-4], 2.11 g (3 mmol) 비스(트리페닐포스피노)팔라듐 디클로라이드[13965-03-2]의 혼합물을 75℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응 혼합물을 대량으로 진공에서 농축시키고, 잔류물을 500 ml DCM에 녹이고, 200 ml 물 및 200 ml 총 염수로 각각 3회 세척하고, 황산마그네슘 위에서 건조시킨다. DCM으로 예비-슬러리화된 셀라이트 베드로 건조제로부터 여과하고, 여과액을 진공에서 농축시킨다. 수득된 조질의 생성물을 추가 정제 없이 추가로 반응시킨다. 수율: 49.0 g (91 mmol) 91%. 순도: 1H-NMR에 의해 약 95%.
유사하게, 하기 화합물은 약 70-90%의 수율로 제조될 수 있다:
실시예 S200:
a) 단계 200a:
9.6 g (50 mmol) 1,1'-(5-메톡시-1,3-페닐렌)비스-에타논[35227-79-3], 23.4 g (100 mmol) 5-브로모-2-페닐 피리딘[27012-25-5] 및 150 ml의 THF의 잘 교반된 혼합물을, 24.0 g (250 mmol)의 나트륨 tert-부타놀레이트[865-48-5], 577 mg (1 mmol)의 잔트포스(XantPhos)[161265-03-8] 및 225 mg (1 mmol)의 팔라듐(II) 아세테이트[3375-31-3]와 혼합하고, 그다음, 3시간 동안 환류 하에서 가열한다. 냉각 후, THF를 진공에서 제거하고, 잔류물을 300 ml 디클로로메탄 (DCM)에 녹이고, 유기 상을 150 ml 물로 2회 및 100 ml 포화 염수로 한번 세척하고, 황산마그네슘 위에서 건조시킨다. 건조제를 걸러내고, 진공에서 DCM을 제거하고, 잔류물을 크로마토그래프(셈라우(Semrau)의 토렌트 자동 컬럼 기기)로 제거한다. 수율: 15.6 g (31 mmol) 62%; 순도: 1H-NMR에 의해 약 97%.
b)
단계 200b:
25℃로 가열된, 1000 ml의 테트라하이드로퓨란(THF) 중 18.3 g(50 mmol) 200a의 잘 교반된 용액에, THF 중 1M 칼륨 헥사메틸디실라자이드(KHMDS)[40949-94-0] 100 ml(100 mmol)를 5분 동안 적가하고 15분 동안 교반한다. 이어서, 3.4 ml (100 mmol)의 메틸요오다이드[74-88-4]을 한번에 첨가하고, 30분 동안 교반한다. 이어서, THF 중 1M 칼륨 헥사메틸디실라자이드(KHMDS) 100 ml (100 mmol)를 다시 반응 혼합물에 5분 동안 첨가하고, 15분 동안 교반을 계속한다. 이어서, 3.4 ml (100 mmol)의 메틸 요오다이드를 한번에 첨가하고, 30분 동안 교반한다. 이어서, THF 중 1M 칼륨 헥사메틸디실라자이드(KHMDS) 10 ml (10 mmol)를 5분 동안 반응 혼합물에 다시 첨가하고, 15분 동안 계속 교반한다. 이어서, 0.34 ml (10 mmol)의 메틸 요오다이드를 한번에 첨가하고, 1시간 동안 재교반한다. 진공에서 THF를 제거하고, 잔류물을 300 ml 디클로로메탄 (DCM) 중에 녹이고, 유기 상을 150 ml 물로 각각 2회, 100 ml 포화 염수로 1회 세척하고, 황산마그네슘 위에서 건조시킨다. 건조제를 걸러내고, 진공에서 DCM을 제거하고, 잔류물을 크로마토그래프(셈라우의 토렌트 자동 컬럼 기기)한다. 수율: 20.1 g (36 mmol) 72%; 순도: 1H-NMR에 의해 약 97%.
c)
단계 200c:
0℃로 냉각된, 1500 ml의 THF 중 55.5 g (100 mmol) 200b의 잘 교반된 용액에, 15.2 g (400 mmol)의 리튬 알루미늄-하이드라이드[16853-85-3]를 나눠서 첨가하고, 15분 동안 교반한다. 반응 혼합물을 실온으로 승온시키고, 1시간 동안 교반하고, 다시 0℃로 냉각시킨 후, 15 ml의 물 (주의: 발열 반응, 가스 발생), 15 ml의 15 중량% NaOH 수용액, 및 45 ml의 물을 적가하고, 30분 동안 교반한다. 침전된 알루미늄 염을 걸러내고, 여과액을 건조될 때까지 농축시키고, 잔류물을 300 ml DCM 및 100 ml 에틸 아세테이트 (EA)에 모으고, DCM:EA (3:1 vv)로 예비-슬러리화된 실리카 겔 베드로 여과하고, 진공에서 용매를 제거한다. 수율: 52.9 g (95 mmol), 95% 부분입체이성질체 혼합물; 순도: 1H NMR에 의해 약 97%.
d) 단계 200d:
500 ml 빙초산 중 55.8 g (100 mmol) 200c의 용액에, 263.4 ml 수성 요오드화수소산 (57 중량%) 및 49.3 ml 수성 하이포인산 (50 중량%)을 첨가한 후, 60 시간 동안 교반한다. 이어서, 용액을 500 ml 빙초산 중 0.5 g (100 mmol) 200c의 용액과 혼합한다. 냉각 후, 5 kg의 얼음 위에 붓고, 이어서 고체 NaOH를 나눠서 첨가하여 pH ~ 7로 조정하고, 300 ml의 DCM으로 3회 수성 상을 추출하고, 합한 유기 상을 200 ml의 물로 2회 및 200 ml의 포화 염수로 1회 세척한 다음, 황산마그네슘 위에서 건조시킨다. 건조제를 걸러내고 여과액을 건조될 때까지 농축시킨다. 수율: 47.7 g (93 mmol), 93%; 순도: 1H-NMR에 의해 약 97%.
e)
단계 200e:
0℃로 냉각된, 51.3 g (100 mmol) 200d, 10.5 ml (130 mmol) 피리딘[110-86-1] 및 300 ml DCM의 잘 교반된 혼합물에, 21.9 ml (130 mmol) 트리플루오로메탄설폰산 무수물[358-23-6]을 적가하고, 0℃에서 15분 동안 교반한 다음, 실온에서 16시간 동안 교반한다. 200 g의 얼음을 첨가하여 가수분해하고, 합한 유기 상을 150 ml의 물로 2회, 100 ml의 포화 염수로 1회 세척한 다음, 황산마그네슘 위에서 건조시킨다. 건조제를 걸러내고 여과액을 건조될 때까지 농축시킨다. 수율: 61.5 g (95 mmol), 95%; 순도: 1H-NMR에 의해 약 97%.
f) 단계 200:
64.5 g (100 mmol) 200e, 50.8 g (200 mmol) 비스(피나콜라토)디보란[73183-34-3], 29.5 g (300 mmol) 칼륨 아세테이트, 무수[127-08-2], 200 g 유리 구(3 mm 직경 나이프), 3.7 g (5 mmol) 비스(트리사이클로헥실포스피노)팔라듐(II) 클로라이드[29934-17-6], 및 1500 ml 디옥산의 잘 교반된 혼합물을, 100℃에서 18시간 동안 교반한다. 여전히 승온하면서, 디옥산으로 예비-슬러리화된 셀라이트 베드로 걸러내고, 여과액을 진공에서 농축시키고, 잔류물을 500 ml DCM 중에 모으고, 유기 상을 300 ml 물로 2회 및 200 ml 포화 염수로 1회 세척하고, 황산마그네슘 위에서 건조시킨다. 100 ml의 EA를 첨가하고, DCM:EA (3:1, vv)로 예비-슬러리화된 실리카 겔 베드로 걸러내고, 여과액을 건조될 때까지 농축하고, 잔류물 스탠드(residue stand)를 크로마토그래프(셈라우의 토렌트 자동 컬럼 기기)한다. 수율: 50.5 g (76 mmol) 76%; 순도: 1H-NMR에 의해 약 97%.
B)
리간드 L의 합성:
실시예 L1:
A) L1A:
500 ml 아세토니트릴 및 4.3 ml (105 mmol) 메탄올 중 53.7 g (100 mmol) S100의 잘 교반된 용액에, 13.8 g (100 mmol) 탄산칼륨 및 100 g 유리 비드를 실온에서 첨가한다. 약한 발열 반응 후, 1시간 동안 더 교반하고, 30.5 g (100 mmol) S1, 20.7 g (150 mmol) 탄산칼륨, 1.91 g (4 mmol) X-Phos 및 449 mg (2 mmol) 팔라듐(II) 아세테이트를 첨가하고, 환류 하에 16시간 동안 교반한다. 아세토니트릴로 예비-슬러리화된 셀라이트 베드에서, 여전히 승온하면서, 흡인하고, 40℃에서 진공 하에 여과액을 응축시키고, 600 ml DCM 중에서 녹이고, 200 ml 물로 각각 3회 및 200 ml 염수로 1회 세척하고, 황산마그네슘으로 건조시킨다. 200 ml의 EA를 첨가하고, DCM/EA (4:1 vv)로 예비 슬러리화된 실리카 겔 베드로 걸러내고, 진공에서 여과액을 약 150 ml로 농축시키고, 침전된 생성물로부터 흡인시키고, 각각 100 ml의 메탄올로 3회 세척하고, 진공에서 40℃에서 건조시킨다. 수율: 52.0 g (71 mmol), 71%; 순도: 1H NMR에 의한 약 97%.
B) L1:
수소 흡수(hydrogen uptake)가 완료될 때까지(약 12시간), 1.5 bar의 수소 분위기 하에서, 숯 위의 팔라듐(5 중량%) 2 g 및 NH4 Cl 16.1 g(300 mmol)을 첨가함으로써, 500 ml THF와 300 ml MeOH의 혼합물 중 73.3 g(100 mmol) L1A를 수소화한다. 촉매로부터, THF로 예비-슬러리화된 셀라이트 베드에서 여과하고, 진공에서 용매를 제거하고, 잔류물을, 자동화 컬럼(에이 셈라우로부터의 CombiFlash Torrent)에서 플래쉬-크로마토그래피한다. 수율: 55.4 g (75 mmol), 75%; 순도: 1H-NMR에 의해 약 97%.
유사하게, 알킨의 중수소화는 또한 중수소 D2, H3COD 및 ND4Cl을 사용하여 수행되어, -CH2-CH2 브리지 대신에 -CD2-CD2 브리지를 얻을 수 있다.
유사하게, 하기 화합물들은 약 40~60%의 수율로 제조될 수 있다.
C)
이리듐 착물의 합성:
이리듐 착물은 WO 2016/124304 또는 WO 2021/013775에서 기술한 방법에 따라 제조될 수 있다.
실시예 Ir1:
7.37 g (10 mmol) L1, 7.42 g (10 mmol) 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토-κO3, κO5)-이리듐[99581-86-9], 50 g 하이드로퀴논[123-31-9], 및 50 g 2,6-디이소프로필페놀[2078-54-8]의 혼합물을, 유리-재킷을 입힌 마그네틱 코어가 있는 500 mL 2구 둥근 바닥 플라스크에 넣는다. 플라스크에 물 분리기(물보다 밀도가 낮은 매질용) 및 아르곤 오버레이(overlay)를 구비한 공기 냉각기가 장착되어 있다. 플라스크를 금속 가열 접시에 놓는다. 아르곤 오버레이를 통해 15분 동안 상기 장치로부터의 아르곤으로 장치를 퍼징하여, 아르곤이 2구 플라스크의 측면 목부로부터 흘러나오도록 한다. 유리-재킷을 입힌 Pt-100 열전쌍을 2구 플라스크의 측면 목부를 통해 플라스크에 삽입하고, 단부를 마그네틱 교반기 코어 바로 위에 배치한다. 그 다음, 장치는 가정용 알루미늄 호일을 여러번 느슨하게 감싸서 열적으로 단열하되, 단열재는 물 분리기의 라이저(riser) 튜브의 중심까지 확장된다. 이어서, 용융된, 교반 반응 혼합물에 침지된 Pt-100 열 프로브에 의해 측정할때, 장치를 실험실 가열 교반기로 245-250℃로 급속 가열한다. 그다음 1.5 시간 동안, 응축물을 증류-제거하고 물 분리기에서 모으고 때때로 템퍼링(tempering)하면서, 반응 이온 혼합물을 245-250℃로 유지하였다. 1.5 시간 후, 약 100℃로 냉각한 다음, 천천히 300 ml의 에탄올 (EtOH)을 첨가한다. 수득된 황색 현탁액을 리버스-플릿(reverse ffit)을 통해 여과하고, 황색 고체를 30 ml EtOH로 3회 세척한 다음, 진공에서 건조시킨다. 이렇게 수득된 고체를 1000 ml의 디클로로메탄에 용해시키고, 공기 및 광을 배제하면서, 디클로로메탄으로 예비-슬러리화된 실리카 겔 800 g(컬럼 직경 약 12 cm)로 여과한다. 중심 분획(core fraction)을 모아(cut out) 회전식 증발기에서 농축하되, 이때 결정화될 때까지 EtOH를 동시에 연속적으로 첨가한다. 흡인, 소량의 EtOH에 의한 세척 및 진공에서의 건조 이후에, 폐쇄로부터의 조심스러운 공기 및 광 하에서, 디클로로메탄/이소-프로판올 2:1 (vv)로 2회 연속 고온 추출하고 이어서 디클로로메탄/아세토니트릴 1:1 (vv)로 4회 고온 추출(각 경우에 미리 충전된 양 약 200 ml, 추출 슬리브: 왓트맨(Whatman)의 표준 셀룰로스 속실렛 슬리브(standard cellulose Soxhlet sleeves))함으로써, 황색 생성물을 추가로 정제한다. 마지막으로, 생성물은 고 진공 하에 분별 승화된다. 수율: 6.59 g (7.1 mmol), 71%; 순도: HPLC에 의해 99.9% 초과.
실시예 Ir10:
KPG 교반기, 물 분리기 (10 ml 저장소), 환류 응축기 및 아르곤 오버레이를 구비한 500 ml 4구 플라스크를, 아르곤 분위기 하에서 7.42 g (10 mmol) L10, 3.69 g (10 mmol) 이리듐(III) 아세테이트 Ir(OAc)3, 40 g 살리실산 및 40 ml 메시틸렌으로 충전하고, 낮은 환류 (내부 온도 약 158℃) 하에서 22 시간 동안 가열한다. 일부 아세트산이 초기에 침전되어 빠져 나가는 것을 제외하고, 초기의 청색 용액은 시간에 따라 황색 현탁액이 된다. 22시간 후, 이 용액을 90℃로 냉각시키고, 200 ml의 에탄올을 조심스럽게 첨가하고, 교반하면서 40℃로 냉각시키고, 황색 고체를 흡입에 의해 회수하고, 매번 30 ml의 에탄올로 3회 세척하고 진공에서 건조시킨다. 생성된 고체를 1000 ml 디클로로메탄에 용해시키고, 공기 및 광을 배제하면서, 디클로로메탄으로 예비-슬러리화된 800 g 실리카 겔(컬럼 직경 약 12 cm)로 여과한다. 상기 중심 분획을 회수하여 회전 증발기에서 농축하고, 동시에 결정화될 때까지 EtOH가 계속 첨가된다. 흡인, 30mL EtOH에 의한 세척 및 진공에서의 건조 이후에, 폐쇄로부터의 조심스러운 공기 및 광 하에서, 디클로로메탄/이소-프로판올 2:1 (vv)로 2회 연속 고온 추출하고 이어서 디클로로메탄/아세토니트릴 1:1 (vv)로 4회 고온 추출(각 경우에 미리 충전된 양 약 200 ml, 추출 슬리브: 왓트맨의 표준 셀룰로스 속실렛 슬리브(standard cellulose Soxhlet sleeves))함으로써, 황색 생성물을 추가로 정제한다. 마지막으로, 생성물은 p ~ 10-6 mbar의 고 진공 및 T ~ 340℃ 하에서 분별 승화시킨다. 수율: 7.73 g (8.3 mmol), 83%. 순도: HPLC에 의해 99.9% 초과.
금속 착물은 상기 사용된 절차에 따라 Λ 및 Δ 이성질체/거울상이성질체의 1:1 혼합물로서 발생한다. 아래에 나열된 착물의 화학식(figure)은 보통 하나의 이성질체만을 보여준다. 3개의 상이한 부분 리간드를 갖는 리간드를 사용하는 경우, 또는 키랄 리간드를 라세미체로서 사용하는 경우, 유도된 금속 착물은 부분입체이성질체 혼합물로서 수득된다. 이들은 분별 결정화 또는 크로마토그래피로, 예를 들어 컬럼 오토메이트(에이. 셈라우(A. Semrau)의 CombiFlash)를 사용하여 분리될 수 있다. 키랄 리간드가 이성질체-순수하게(enantio-pure) 사용되는 경우, 유도된 금속 착물은 부분입체이성질체 혼합물로서 축적되고, 이것의 분별 결정 또는 크로마토그래피에 의한 분리는 순수한 거울상이성질체가 유도된다. 분리된 부분입체이성질체 또는 거울상이성질체는 전술된 바와 같이, 예를 들어 열 추출에 의해 추가로 정제될 수 있다.
유사하게, 하기 화합물은 약 60-90%의 수율로 제조될 수 있다:
D) 이리튬 착물의
중수소화
비-중수소화된 또는 부분적으로 중수소화된 이리듐 착물은 WO 2019/158453에 따라 추가로 중수소화될 수 있다. 정확한 중수소화도는 1H NMR 스펙트로스코피 또는 질량 분석법에 의해 분광학적으로 추적될 수 있다. C1-대칭 이리듐 착물의 각각의 양성자는, 반응 온도 및 반응 시간에 의존하는 그 자체의 교환 동역학(exchange kinetics)을 갖는다. 하기에 나타낸 구조에서, 약 90% 이상의 중수소화도를 갖는 중수소화된 알킬 위치, 또는 약 80% 이상의 중수소화도를 갖는 중수소화된 아릴 위치는 원소 기호 D로 나타내고; 개별적인 추가 위치가 또한 부분적으로 중수소화될 수 있다.
실시예 Ir100:
문헌[V. Salamanca, Eur. J. Org. Chem. 2020, 3206]과 유사하게 수행한다. 926.4 mg (1.0) mmol의 깨끗한 착물 Ir1(순도: 99.9% 초과), 425 mg (2.0 mmol)의 트리칼륨 포스페이트(무수), 20 g의 유리 비드 (1.5 mm 직경) 및 100 ml의 DMSO-D6 (중수소화도: 99.8% 초과)의 잘 교반된 혼합물을, 원하는 중수소화도가 달성될 때까지(1H-NMR을 통한 모니터링) 100 내지 120℃에서 10 내지 20 시간 동안 교반한다. 트리칼륨 포스페이트(무수) 대신에, 세슘 카보네이트(무수)도 70 내지 100℃의 온도에서 촉매량(10-20 mol%)으로 사용되어, CN 또는 F 기에 대해 오르토인 디벤조퓨란 위의 방향족 위치들을 선택적으로 바꿀 수 있다. 그 후, 냉수조를 사용하여 냉각시키고, 약 60℃부터 12 ml D2O 중 6 ml 1N 아세트산-D1을 적가한 다음, 200 ml 물 (H2 O)을 첨가하고, 실온으로 냉각시키고, 5시간 동안 교반하고, 고체로부터 흡인하고, 10 ml 각각의 H2O/EtOH (1:1, vv)로 3회 세척한 다음, 10 ml 각각의 EtOH로 3회 세척하고, 진공에서 건조시킨다. 고체를 DCM에 용해시키고, 용액을 실리카 겔로 여과하며, 중심 분획을 모아 회전식 버 스티머(rotary ver steamer)에 넣고, 동시에, 결정화까지 EtOH를 연속적으로 첨가하였다. 흡인, 소량의 EtOH에 의한 세척 및 진공에서의 건조 이후에, 폐쇄로부터의 조심스러운 공기 및 광 하에서, 이어서 디클로로메탄/아세토니트릴 1:1 (vv)로 4회 연속 고온 추출(각 경우에 미리 충전된 양 약 30 ml, 추출 슬리브: 왓트맨의 셀룰로스로 구성된 표준 속실렛 슬리브)함으로써, 황색 생성물을 추가로 정제한다. 마지막으로, 생성물은 고 진공 하에 분별 승화된다. 수율: 813.2 mg (0.87 mmol), 87%. 순도: HPLC에 의해 99.9% 초과.
유사하게, 하기 화합물은 약 70-90%의 수율로 제조될 수 있다:
실시예: 발광 특성
도 1은 본 발명에 따른 화합물 Ir3 및 참고용 이미터 Ref-D1, Ref-D2 및 Ref-D3(이들의 구조는 하기 표 3에 도시됨)의 광발광 스펙트럼(탈기된 톨루엔 중 약 10-5 M)을 나타낸다. 명확히 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 참고용 화합물들에 비해 유의하게 보다 좁은 발광 스펙트럼을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 화합물 Ir3, Ir178, Ir179 및 참고용 이미터 Ref-D3(이들의 구조는 하기 표 3에 도시됨)의 광발광 스펙트럼(탈기된 톨루엔 중 약 10-5 M)을 나타낸다. 명확히 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 참고용 화합물들에 비해 유의하게 보다 좁은 발광 스펙트럼을 나타낸다.
실시예: OLED의 제조
진공 처리된 장치:
본 발명에 따른 OLED뿐만 아니라 종래 기술에 따른 OLED는, 본 명세서에 기재된 조건(층 두께 변화, 사용된 물질)에 대해 조정된 WO 2004/058911에 따른 일반적인 공정에 의해 제조된다.
하기 실시예에서, 상이한 OLED의 결과가 제시된다. 두께 50 nm의 구조화된 ITO(인듐 주석 옥사이드)로 코팅된 세정된 유리 플레이트(밀레 실험실용 식기세척기(Miele laboratory dishwasher)에서, 세척제인 머크 엑트란(Merck Extran)으로 세정)는 25분 동안 UV-오존으로 전처리된다(UV-오존 발생기 PR-100, 컴파니 UVP). 이러한 코팅된 유리판은 기판을 형성하고, 그 위에 OLED가 침착된다.
진공 챔버에서 모든 물질들이 열로 증발된다. 발광층은 항상 하나 이상의 매트릭스 물질(M) 및 본 발명에 따른 인광 도펀트(Ir) 중 하나로 구성되는데, 인광 도판트 중 하나는 특정 체적 분율로 공동-증발(co-evaporation)에 의해 매트릭스 물질(들)에 첨가된다. M1:M2:Ir (55%:35%:10%)과 같은 세부사항(specification)은 층 내에 물질 M1이 55%의 체적 분율로 존재하고, M2가 35%의 체적 분율로 존재하고, Ir이 10%의 체적 분율로 존재함을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 2종의 물질의 혼합물로 구성된다. OLED의 정확한 구조는 표 1에서 확인할 수 있다. OLED를 제작하기 위해 사용된 물질은 표 3에 나타내었다.
OLED는 표준으로서 특징지어진다. 이러한 목적을 위해, 전계 발광 스펙트럼들, 전류 효율(cd/A로 측정), 전력 효율(lm/W로 측정), 및 외부 양자 효율(EQE,%로 측정)은, 램버시안(Lambertian) 방사선 패턴을 가정한 전류-전압-휘도 곡선(IUL 곡선)으로부터 계산된 휘도, 및 수명의 함수로 결정된다. 효율(cd/A), EQE(%), 전압(V), 색좌표(CIE), 전계 발광 스펙트럼의 최대파장 λmax(nm) 및 전계 발광 스펙트럼의 스펙트럼 반폭(FWHM: 반치전폭)(eV)은 1000 cd/m2의 휘도로 특정된다.
OLED는 하기 층 구조를 갖는다:
-
기판
-
5% NDP-9로 도핑된 HTM1의 정공 주입층(HIL)(노바엘이디(Novaled)에서 시판 중임), 20 nm
-
정공 수송층(HTL), 표 1 참조
-
전자 차단층(EBL), 표 1 참조
-
발광층(EML), 표 1 참조
-
정공 차단층(HBL), 표 1 참조
-
ETM1:ETM2(50%:50%)로 구성된 전자 수송층(ETL), 30 nm
-
ETM2로 구성된 전자 주입층(EIL), 1 nm
-
알루미늄 캐쏘드, 100 nm
[표 1] 인광 OLED 장치의 구조
[표 2] 인광 OLED 장치의 결과
[표 3] 사용된 물질의 구조식
Claims (14)
- 하기 화학식 (1)의 화합물:
[화학식 (1)]
Ir(L)
상기 식에서, 리간드 L은 하기 화학식 (2)의 구조를 갖는다:
[화학식 (2)]
상기 식에서,
리간드 L은 *로 표시된 위치를 통해 이리듐 원자에 배위되고, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 중수소로 부분적으로 또는 완전히 대체될 수 있고, 사용된 표시(symbol) 및 지수(indice)는 다음과 같다:
R은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F 또는 CN이고;
Ar은 하나 이상의 라디칼로 치환되거나 비치환될 수 있는 페닐 또는 비페닐기이며, 상기 라디칼 각각은 동일하거나 상이하고, F, CN, Si(CH3)3, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되고; 이 경우, 페닐 또는 비페닐 기, 또는 상기 페닐 또는 비페닐 기 위의 치환체도 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있고;
R1은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F, CN, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기, 페닐 또는 비페닐이고, R1은 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R1이 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬 기를 나타내면, 이 2개의 라디칼 R1은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R2, R3은 각 경우에 동일하거나 상이하고, F, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기이고, R2 및 R3은 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R2 또는 2개의 인접한 라디칼 R3은 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R4는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기, 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기, 페닐 또는 비페닐이고, R4는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R4가 직쇄, 분지쇄 또는 사이클릭 알킬 기를 나타내면, 이 2개의 라디칼 R4는 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R5는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알킬기 또는 탄소수 4 내지 8의 사이클릭 알킬 기이고, R5가 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 영구적으로 중수소화되고; 2개의 인접한 라디칼 R5가 서로 고리 시스템을 형성할 수 있고;
R6, R7은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, CH3 또는 C2H5이고, CH3 기 또는 C2H5 기는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고;
r은 1 또는 2이고;
s는 0 또는 1이고;
m은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 3 또는 4이고;
n, o는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2, 또는 3이고;
p는 0, 1 또는 2이고;
q는 0, 1, 2, 또는 3이되; 단, q + r + s의 합은 ≤ 4이다. - 제1항에 있어서,
r = 1이고, 리간드 L이 하기 화학식 (3), 화학식 (4), 화학식 (5) 또는 화학식 (6)에 따른 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 화합물:
[화학식 (3)]
[화학식 (4)]
[화학식 (5)]
[화학식 (6)]
상기 식에서, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 부분적으로 또는 완전히 중수소로 대체될 수 있다. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
R = CN이고 s = 0이거나; R = F이고 s = 1이거나; R = F, s = 0 이고 q = 1이고; 여기서, R5는, 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 기를 나타내는 것을 특징으로 하는, 화합물. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
리간드 L이 하기 화학식 (7), 화학식 (8), 화학식 (9) 또는 화학식 (10) 중 하나에 따른 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 화합물:
[화학식 (7)]
[화학식 (8)]
[화학식 (9)]
[화학식 (10)]
상기 식에서, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 부분적으로 또는 완전히 중수소로 대체될 수 있다. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
리간드 L이 화학식 (11a), 화학식 (11b) 또는 화학식 (11c)의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 화합물:
[화학식 (11a)]
[화학식 (11b)]
[화학식 (11c)]
상기 식에서, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 부분적으로 또는 완전히 중수소로 대체될 수 있고, R6은 H, D, CH3 또는 CD3이고, 화학식 (11c)에서 R5는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 기이다. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
중수소 원자가, Ar 또는 R5가 결합되지 않은, R에 대한 모든 오르토-위치에서 결합되어 있는 것을 특징으로 하는, 화합물. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
리간드 L이 화학식 (11a-1), 화학식 (11b-1) 또는 화학식 (11c-1)의 구조 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 화합물:
[화학식 (11a-1)]
[화학식 (11b-1)]
[화학식 (11c-1)]
상기 식에서, 명시적으로 도시되지 않은 수소 원자도 중수소로 부분적으로 또는 완전히 대체될 수 있고, R6은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, CH3 또는 CD3를 나타내고, 화학식 (11c-1)에서 R5는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 기를 나타낸다. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar은 페닐기이되, 이 페닐기는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고, 다르게는, 비치환되거나, 또한 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화될 수 있는 메틸 기로 치환되는 것을 특징으로 하는, 화합물. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
표시 및 지수가
Ar은 페닐기이되, 이 페닐기는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고, 또한 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 메틸 기로 선택적으로 치환되고;
R1은 각 경우에 동일하거나 상이하고, CN, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기, 또는 페닐 기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 이들 기는 각각 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고;
R2, R3은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 또는 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 이들 기는 각각 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고;
R4는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기, 또는 페닐로 이루어진 군 중에서 선택되고, 이들 기는 각각 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고;
R5는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 탄소수 1 내지 4의 직쇄 알킬 기, 탄소수 3 내지 5의 분지쇄 알킬 기, 또는 탄소수 5 또는 6의 사이클릭 알킬 기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 이들 기는 각각 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화되고,
R6는 각 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 또는 선택적으로 부분적으로 또는 완전히 중수소화된 CH3이고;
R7은 각 경우에 동일하거나 상이하고, H 또는 D이고;
m은 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1, 2 또는 3이고;
n, o는 각 경우에 동일하거나 상이하고, 0, 1 또는 2이고;
p는 0 또는 1이고;
q는 0 또는 1이고;
R = CN인 경우, s는 0이고, R = F인 경우, s는 1인 것을 특징으로 하는, 화합물. - 유리 리간드를 이리듐 알콕사이드, 이리듐 케토케토네이트, 이리듐 할라이드 또는 이리듐 카복실레이트와 반응시키는 단계를 포함하는, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 화합물의 제조 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 화합물, 및 하나 이상의 추가 화합물을 포함하되, 추가 화합물이 용매 및/또는 매트릭스 물질 중에서 선택되는, 배합물.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 광촉매.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 장치.
- 제13항에 있어서,
유기 전계 발광 장치이고, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 화합물이 하나 이상의 발광층에서 발광 화합물로서 사용되는 것을 특징으로 하는, 전자 장치.
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| JP4411851B2 (ja) | 2003-03-19 | 2010-02-10 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| DE10314102A1 (de) | 2003-03-27 | 2004-10-14 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinen Organo-Iridium-Verbindungen |
| WO2004093207A2 (de) | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien, deren verwendung und elektronikbauteile enthaltend diese mischungen |
| US7740955B2 (en) | 2003-04-23 | 2010-06-22 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device and display |
| US7795801B2 (en) | 2003-09-30 | 2010-09-14 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound |
| US20050170206A1 (en) * | 2004-02-03 | 2005-08-04 | Bin Ma | OLEDs utilizing multidentate ligand systems |
| US7332232B2 (en) * | 2004-02-03 | 2008-02-19 | Universal Display Corporation | OLEDs utilizing multidentate ligand systems |
| US7790890B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-09-07 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device |
| DE102004023277A1 (de) | 2004-05-11 | 2005-12-01 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz |
| JP4862248B2 (ja) | 2004-06-04 | 2012-01-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| ITRM20040352A1 (it) | 2004-07-15 | 2004-10-15 | Univ Roma La Sapienza | Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso. |
| US8674141B2 (en) | 2005-05-03 | 2014-03-18 | Merck Patent Gmbh | Organic electroluminescent device and boric acid and borinic acid derivatives used therein |
| CN102633820B (zh) | 2005-12-01 | 2015-01-21 | 新日铁住金化学株式会社 | 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件 |
| DE102006025777A1 (de) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| US8062769B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-11-22 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Indolocarbazole compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
| DE102007002714A1 (de) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102007053771A1 (de) | 2007-11-12 | 2009-05-14 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| US7862908B2 (en) | 2007-11-26 | 2011-01-04 | National Tsing Hua University | Conjugated compounds containing hydroindoloacridine structural elements, and their use |
| US8221905B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-07-17 | Universal Display Corporation | Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes |
| CN105037368B (zh) | 2008-06-05 | 2017-08-29 | 出光兴产株式会社 | 卤素化合物、多环系化合物及使用其的有机电致发光元件 |
| DE102008033943A1 (de) | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102008036982A1 (de) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
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| WO2010054730A1 (de) | 2008-11-11 | 2010-05-20 | Merck Patent Gmbh | Organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
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| DE102009048791A1 (de) | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102010005697A1 (de) | 2010-01-25 | 2011-07-28 | Merck Patent GmbH, 64293 | Verbindungen für elektronische Vorrichtungen |
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| KR102179608B1 (ko) | 2012-12-18 | 2020-11-17 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 전계발광 소자 |
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