KR20240011259A - 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치 - Google Patents

플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치 Download PDF

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KR20240011259A
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치 웨이 찬
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비에이치티 서비시스 피티이. 엘티디.
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Abstract

플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치는 마이크로파 진동을 발생시키는 마이크로파 소스; 마이크로파 소스에 결합된 도파관 컴포넌트; 및 도파관 컴포넌트에 결합된 공진 공동을 포함하고, 마이크로파 진동은 도파관 방향 쪽으로 실질적으로 전파되며, 공진 공동은 제1 챔버와 제2 챔버를 포함하고, 도파관 방향은 제1 챔버에서 정의된 기준 축에 실질적으로 평행하며, 제1 챔버는 기준 축을 둘러싸는 내벽을 갖고, 내벽은 기준 축 쪽으로 비스듬히 경사진 제1 내벽과 기준 축에 대해 실질적으로 평행한 제2 내벽을 포함하며, 제1 챔버가 테이퍼진 공간을 갖도록 제1 내벽의 면적은 제2 내벽의 면적보다 크고, 마이크로파 진동은 토치를 발생시키도록 제2 챔버 내의 점화 가스와 상호 작용한다.

Description

플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치{DEVICE FOR TREATING GASEOUS POLLUTANT WITH PLASMA}
본 발명은 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 배기 가스는 인체나 환경에 유해한 다양한 화학 물질들, 예를 들면 CF4, C2F6, C3F8 등과 같은 가장 우려되는 과불화화합물(perfluorocompounds: PFCs)을 포함한다. 전형적인 배기 관리 시스템은 연소 처리 시스템, 플라즈마 처리 시스템, 열처리 시스템, 습식 스크러버 및 촉매 처리 시스템을 포함하며, 과불화화합물이 분해되는 온도가 비교적 높기 때문에, 연소 및 플라즈마 처리 시스템이 바람직하게 채택된다. 그 중에서, 플라즈마 처리 시스템은 충분히 발전된 기술이며, 플라즈마 토치에 의해 발생되는 온도는 비교적 높은데, 이는 과불화화합물을 분해하는 데 더 적합하며, 그래서 플라즈마 처리 시스템은 근년에 큰 주목을 받고 있다.
플라즈마의 소스에 따라, 배기 가스 처리 장치에 의해 발생되는 토치는 DC(직류) 플라즈마 토치 및 마이크로파 플라즈마 토치를 포함하는데, 이들은 미국 특허 공개 번호 20180071751A1, 미국 특허 번호 9937467, 미국 특허 번호 9346005, 미국 특허 번호 9371581, 미국 특허 번호 10064262, 미국 특허 번호 9512518, 미국 특허 번호 9277636, 미국 특허 공개 번호 20100074821A1, 미국 특허 공개 번호 20100290966A1, 및 미국 특허 공개 번호 20090301298A1에서 찾을 수 있다.
하지만, 기존 기술의 주된 결점은 대량의 전력 및 연료 소비를 필요로 한다는 것이다. 따라서, 폐가스를 처리하기 위해 플라스마 토치를 사용하는 비용을 합리적인 범위로 낮추기가 어렵다.
본 발명의 주 목적은 폐가스를 처리하기 위한 종래의 플라즈마 토치가 과도한 전력 및 연료 소비를 필요로 하는 문제를 해결하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 마이크로파 진동을 발생시키는 마이크로파 소스; 마이크로파 진동을 전달하기 위해 마이크로파 소스에 결합된 도파관 컴포넌트; 및 마이크로파 진동이 도파관 방향을 따라 공진 공동(resonant cavity) 내에서 실질적으로 전달되도록 도파관 컴포넌트에 결합된 공진 공동 - 공진 공동은 도파관 컴포넌트에 근접한 제1 챔버와 도파관 컴포넌트로부터 이격된 제2 챔버를 포함하고, 제1 챔버는 도파관 컴포넌트에 연결된 입구 단부와 도파관 컴포넌트로부터 이격된 출구 단부를 포함하며, 제2 챔버는 출구 단부와 연통되는 연통 단부(communicating end) 및 연통 단부로부터 멀리 있는 폐단부(closed end)를 포함하고, 제2 챔버는 제1 챔버를 통과하는 마이크로파 진동을 수신하도록 구성되며, 마이크로파 진동은 토치(torch)를 형성하도록 제2 챔버 내의 점화 가스와 상호 작용함 - 을 포함하는 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치를 제공하며, 도파관 방향은 제1 챔버에서 정의된 기준 축에 실질적으로 평행하고, 제1 챔버는 기준 축을 둘러싸고 기준 축을 따라 연장되는 내벽을 가지며, 내벽은 기준 축 쪽으로 경사진 제1 영역과 기준 축에 대해 실질적으로 평행한 제2 영역을 포함하고, 제1 챔버가 입구 단부로부터 출구 단부까지 감소하는 테이퍼진 공간을 형성하도록 제1 영역의 면적은 제2 영역의 면적보다 크다.
일 실시예에서, 내벽은 제1 내측벽과 제1 내측벽 반대편의 제2 내측벽을 포함하고, 제1 내측벽과 제2 내측벽은 입구 단부로부터 출구 단부까지 기준 축 쪽으로 내측으로 경사진다.
일 실시예에서, 내벽은 제1 내측벽과 제1 내측벽 반대편의 제2 내측벽을 가지며, 제1 내측벽과 제2 내측벽 사이의 점진적인 폭차(width difference)는 기준 축을 따라 감소한다.
일 실시예에서, 제1 챔버의 내벽은 제1 상부벽과 제1 저부벽을 갖고, 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 제2 상부벽과 제1 상부벽 사이에는 제1 높이차가 있다.
일 실시예에서, 제1 챔버의 내벽은 제1 상부벽과 제1 저부벽을 갖고, 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 및 제1 저부벽 사이에는 제2 높이차가 있다.
일 실시예에서, 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 유전체 튜브는 제2 챔버에 삽입되며 점화 소스에 근접한 제1 단부와 점화 소스로부터 이격된 제2 단부를 갖고, 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 유전체 튜브의 제2 단부는 제2 챔버로부터 돌출하고 유전체 튜브의 제2 단부와 제2 챔버의 제2 저부벽 사이에는 제3 높이차가 있다.
일 실시예에서, 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 유전체 튜브는 제2 챔버에 삽입되며, 점화 소스는 프로브 컴포넌트를 포함하고, 프로브 컴포넌트는 지지 부재와 지지 부재 상에 배치된 적어도 하나의 팁을 포함하며, 팁은 1.6 mm 내지 2 mm의 외경을 갖는다.
일 실시예에서, 점화 가스는 공기, 질소, 및 아르곤으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
본 발명은 마이크로파 진동을 발생시키는 마이크로파 소스; 마이크로파 진동을 전달하기 위해 마이크로파 소스에 결합된 도파관 컴포넌트; 및 마이크로파 진동이 도파관 방향을 따라 공진 공동 내에서 실질적으로 전달되도록 도파관 컴포넌트에 결합된 공진 공동 - 공진 공동은 도파관 컴포넌트에 근접한 제1 챔버와 도파관 컴포넌트로부터 이격된 제2 챔버를 포함하고, 제1 챔버는 도파관 컴포넌트에 연결된 입구 단부와 도파관 컴포넌트로부터 이격된 출구 단부를 포함하며, 제2 챔버는 출구 단부와 연통되는 연통 단부 및 연통 단부로부터 이격된 폐단부를 포함하고, 제2 챔버는 제1 챔버를 통과하는 마이크로파 진동을 수신하도록 구성되며, 마이크로파 진동은 토치를 형성하도록 제2 챔버 내의 점화 가스와 상호 작용함 - 을 포함하는 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치를 또한 제공하며, 도파관 방향은 제1 챔버에서 정의된 기준 축에 실질적으로 평행하며, 제1 챔버는 제1 내측벽, 제1 내측벽 반대편의 제2 내측벽, 제1 상부벽, 및 제1 저부벽을 포함하고, 제1 내측벽과 제2 내측벽은 입구 단부로부터 출구 단부까지 기준 축 쪽으로 내측으로 경사진다.
일 실시예에서, 제1 내측벽과 제2 내측벽 사이의 점진적인 폭차(width difference)는 감소한다.
일 실시예에서, 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 제2 상부벽과 제1 챔버의 제1 상부벽 사이에는 제1 높이차가 있다.
일 실시예에서, 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 제2 저부벽과 제1 챔버의 제1 저부벽 사이에는 제2 높이차가 있다.
일 실시예에서, 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 유전체 튜브는 제2 챔버에 삽입되며 점화 소스에 근접한 제1 단부와 점화 소스로부터 이격된 제2 단부를 갖고, 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 유전체 튜브의 제2 단부는 제2 챔버로부터 돌출하고 유전체 튜브의 제2 단부와 제2 챔버의 제2 저부벽 사이에는 제3 높이차가 있다.
일 실시예에서, 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 유전체 튜브는 제2 챔버에 삽입되며, 점화 소스는 프로브 컴포넌트를 포함하고, 프로브 컴포넌트는 지지 부재와 지지 부재 상에 배치된 적어도 하나의 팁을 포함하며, 팁은 1.6 mm 내지 2 mm의 외경을 갖는다.
본 발명은 마이크로파 진동을 발생시키는 마이크로파 소스; 마이크로파 진동을 전달하기 위해 마이크로파 소스에 결합된 도파관 컴포넌트; 및 도파관 컴포넌트에 결합되고 도파관 방향을 따라 연장되는 공진 공동 - 공진 공동은 도파관 컴포넌트에 근접한 테이퍼진 챔버(tapered chamber)와 도파관 컴포넌트로부터 이격된 연소 챔버를 포함하고, 연소 챔버는 테이퍼진 챔버를 통과하는 마이크로파 진동을 수신하도록 구성되며, 마이크로파 진동은 토치를 형성하도록 연소 챔버 내의 비연료 점화 가스와 상호 작용함 - 을 포함하는, 연료 필요 없이 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치를 또한 제공한다.
일 실시예에서, 테이퍼진 챔버의 내벽은 제1 상부벽과 제1 저부벽을 갖고, 연소 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 제2 상부벽과 제1 상부벽의 하단부 사이에는 제1 높이차가 있다.
일 실시예에서, 테이퍼진 챔버의 내벽은 제1 상부벽과 제1 저부벽을 갖고, 연소 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 제2 저부벽과 제1 저부벽 사이에는 제2 높이차가 있다.
일 실시예에서, 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 유전체 튜브는 연소 챔버에 삽입되며 점화 소스에 가까운 제1 단부와 점화 소스로부터 이격된 제2 단부를 갖고, 연소 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 가지며, 유전체 튜브의 제2 단부는 연소 챔버로부터 돌출하고 유전체 튜브의 제2 단부와 연소 챔버 사이에는 제3 높이차가 있다.
본 발명은 예를 들면, 이중으로 테이퍼진 챔버와 유사한 공간을 달성하기 위해 제1 챔버의 테이퍼진 표면을 증가시키기 위해 특수 챔버 구조 설계를 이용하며, 이에 의해 제2 챔버의 마이크로파장(microwave field) 강도가 최대화되도록 마이크로파장 강도를 증가시킨다. 이러한 방식으로, 마이크로파 소스에 필요한 전력을 크게 줄일 수 있고, 연료 가스가 필요하지 않다. 비용 절감에 더해, 에너지 절약이라는 목적도 달성한다. 또한, 본 발명의 점화 소스는 프로브만을 필요로 하며, 종래 기술에서와 같이 점화 변압기 및 글로우 방전 전극을 구비할 필요가 없고, 글로우 방전 전극에 전력을 공급하기 위한 점화 변압기가 필요하지 않다.
일 양태에서, 본 발명의 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치는 배기 가스 처리 장치로서 직접 사용될 수 있으며; 혹은, 본 발명의 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치는 다른 형태의 배기 가스 처리 장치들과 통합되는 배기 가스 처리 모듈로도 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 사시 조립도이다.
도 2는 XZ 평면에 따른 도 1의 부분 단면 사시도이다.
도 3a는 XZ 평면에 따른 도 1의 단면도이다.
도 3b는 도 3a의 부분 확대 단면도이다.
도 4a는 XY 평면에 따른 도 1의 단면도이다.
도 4b는 도 4a의 부분 확대 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에서의 프로브 컴포넌트의 사시 조립도이다.
도 6a는 본 발명의 제1 실시예의 부분 사시 조립도이다.
도 6b는 도 6a의 측면도이다.
도 7a는 본 발명의 제2 실시예의 부분 사시 조립도이다.
도 7b는 도 7a의 측면도이다.
도 8a는 본 발명의 제3 실시예의 부분 사시 조립도이다.
도 8b는 도 8a의 측면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예의 부분 개략도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예의 사시 조립도이다.
도 11은 YZ 평면에 따른 도 10의 단면도이다.
본 발명은 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치를 개시한다. 도 1, 도 2, 도 3a, 도 3b, 도 4a, 및 도 4b를 참조하자. 일 실시예에서, 장치는 마이크로파 소스(10), 도파관 컴포넌트(20), 세퍼레이터(30), 공진 공동(resonant cavity)(40), 유전체 튜브(50), 프로브 컴포넌트(60), 이동 부재(70), 냉각 어셈블리(80), 및 유전체 창 어셈블리(90)를 포함한다. 마이크로파 소스(10)는 마이크로파 진동을 발생시키는 데 사용된다. 이 실시예에서, 마이크로파 소스(10)는 마그네트론일 수 있다. 도파관 컴포넌트(20)는 마이크로파 소스(10)에 근접해 있으며 마이크로파 소스(10)에 결합된다. 도파관 컴포넌트(20)는, 직방체 형상이며 입구 단부(21a)와 출구 단부(21b)를 포함하는 공동(21)을 포함한다. 입구 단부(21a)는 마이크로파 소스(10)에 연결된다. 세퍼레이터(30)는 도파관 컴포넌트(20)와 공진 공동(40) 사이에 배치된다. 유전체 창 어셈블리(90)는 적어도 하나의 제1 유전체 창(90a)과 적어도 하나의 제2 유전체 창(90b)을 포함한다. 제1 유전체 창(90a)은 도파관 컴포넌트(20)와 세퍼레이터(30) 사이에 배치되고, 제2 유전체 창(90b)은 세퍼레이터(30)와 공진 공동(40) 사이에 배치된다. 이 실시예에서, 세퍼레이터(30)는 순환기와 워터 로드(water load)를 포함하고, 제1 유전체 창(90a)과 제2 유전체 창(90b)은 석영 유리로 제작된다.
도 2, 도 3a, 및 도 3b를 참조하면, 공진 공동(40)은 제1 챔버(41), 제2 챔버(42), 입구 단부(43), 연통 단부(44), 및 폐단부(45)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 챔버(41)는 기준 축(L)을 따라 연장되고, 마이크로파 진동은 도파관 방향에 실질적으로 평행한 공진 공동(40)에서 전파되며, 도파관 방향은 기준 축(L)에 실질적으로 평행하다. 제1 챔버(41)는 기준 축(L)의 둘레 및 기준 축(L)을 따라 연장되는 내벽(411) - 이는 제1 영역과 제2 영역을 포함함 - 을 갖는데, 제1 영역은 기준 축(L)에 대해 경사지며, 제2 영역은 기준 축(L)에 대해 실질적으로 평행하다. 제1 영역의 면적은 제2 영역의 면적보다 크며, 그래서 제1 챔버(41)는 입구 단부(43)로부터 연통 단부(44)로 갈수록 좁아지는 테이퍼진 형상의 공간을 형성한다. 본 발명의 다른 실시예에서, 공진 공동(40)은 도파관 컴포넌트(20)에 결합되며 도파관 방향을 따라 연장된다. 공진 공동(40)은 도파관 컴포넌트(20)에 근접한 테이퍼진 챔버와 도파관 컴포넌트(20)로부터 이격된 연소 챔버를 포함하고, 연소 챔버는 테이퍼진 챔버를 통과하는 마이크로파 진동을 수신하도록 구성되며, 마이크로파 진동은 토치(T)를 형성하도록 연소 챔버 내의 비연료 점화 가스와 상호 작용한다.
도 3a, 도 3b, 도 4a, 및 도 4b를 참조하면, 이 실시예에서, 내벽(411)은 제1 내측벽(411a), 제2 내측벽(411b), 제1 상부벽(411c), 및 제1 저부벽(411d)을 포함한다. 제1 내측벽(411a)과 제2 내측벽(411b)은 기준 축(L)에 대해 내측으로 대칭적으로 경사지며, 제1 내측벽(411a) 또는 제2 내측벽(411b)과 기준 축(L) 사이의 협각(θ2)은 1˚ 내지 5˚이며, 바람직하게는 협각(θ2)은 1˚ 내지 3˚이다. 제1 상부벽(411c)은 기준 축(L)에 대해 내측으로 경사지며, 제1 상부벽(411c)과 기준 축(L) 사이의 협각(θ1)은 10˚ 내지 15˚이고, 바람직하게는 협각(θ1)은 10˚ 내지 13˚이다. 제1 상부벽(411c)은 입구 단부(43)에 가까운 제1 단부와 연통 단부(44)에 가까운 제2 단부를 포함하며, 제1 단부는 제2 단부보다 높다. 제1 저부벽(411d)은 기준 축(L)에 대해 실질적으로 평행하다. 즉, 이 실시예에서, 제1 영역은 제1 내측벽(411a), 제2 내측벽(411b), 및 제1 상부벽(411c)을 포함하고, 제2 영역은 제1 저부벽(411d)을 포함한다. 이 실시예에서, 제1 영역 대 제2 영역의 면적비는 1.2 내지 2이다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 내측벽(411a)과 제2 내측벽(411b) 사이의 폭차(difference in width)(W1D)는 기준 축(L)을 따라 점진적으로 감소하고 있고; 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 상부벽(411c)과 제1 저부벽(411d) 사이의 높이차(H1D)는 기준 축(L)을 따라 점진적으로 감소하고 있다.
도 3a, 도 3b, 도 4a, 및 도 4b를 참조하면, 이 실시예에서, 제2 챔버(42)는 제1 내측벽(421a), 제2 내측벽(421b), 제2 상부벽(421c), 및 제2 저부벽(421d)을 포함한다. 제2 상부벽(421c)은 상부 개구(422)를 포함하고, 제2 저부벽(421d)은 하부 개구(423)를 포함하며, 유전체 튜브(50)는 상부 개구(422)와 하부 개구(423)를 통해 삽입된다. 유전체 튜브(50)는 제1 섹션 부분(51), 제2 섹션 부분(52), 제3 섹션 부분(53), 상단부(54), 및 하단부(55)를 포함한다. 제1 섹션 부분(51)과 제3 섹션 부분(53)은 상부 개구(422)와 하부 개구(423)로부터 각각 돌출되어 있고, 제2 섹션 부분(52)은 제2 챔버(42)에 위치된다. 이 실시예에서, 제2 챔버(42)의 제1 내측벽(421a)과 제1 챔버(41)의 제1 내측벽(411a)은 기준 축(L)에 대해 연속적인 경사면을 형성하도록 동일한 기울기를 공유하고; 제2 챔버(42)의 제2 내측벽(421b)과 제1 챔버(41)의 제2 내측벽(411b)도 기준 축(L)에 대해 연속적인 경사면을 형성하도록 동일한 기울기를 공유하며; 제2 챔버(42)의 제2 상부벽(421c)과 제2 저부벽(421d)은 서로 평행하다. 일 실시예에서, 제2 챔버(42)의 제2 저부벽(421d)과 제1 챔버(41)의 제1 저부벽(411d)은 동일한 높이(즉 동일한 수평선 상)에 위치되고; 제2 챔버(42)의 제2 상부벽(421c)과 제1 챔버(41)의 제1 상부벽(411c)의 최하단부는 동일한 높이(즉 동일한 수평선 상에)에 위치된다. 제2 챔버(42)의 제2 상부벽(421c)과 제2 저부벽(421d) 사이에는 높이차(H2D)가 제공된다. 이 실시예에서, 높이차(H2D)는 기준 축(L)을 따라 상수 값이며, 다른 실시예에서는, 높이차(H2D)는 기준 축(L)을 따라 점진적으로 변하는 값이거나 기준 축(L)을 따라 변하는 변수일 수 있다.
공진 공동(40)에서, 입구 단부(43)는 제1 높이(H1)와 제1 폭(W1)을 갖고, 연통 단부(44)는 제2 높이(H2)와 제2 폭(W2)을 가지며, 폐단부(45)는 제3 높이(H3)와 제3 폭(W3)을 갖는다. 이 실시예에서, 입구 단부(43)의 제1 높이(H1)와 제1 폭(W1)은 각각 연통 단부(44)의 제2 높이(H2)와 제2 폭(W2)보다 더 크고; 연통 단부(44)의 제2 높이(H2)는 폐단부(45)의 제3 높이(H3)와 같으며; 연통 단부(44)의 제2 폭(W2)은 폐단부(45)의 제3 폭(W3)보다 크고; 다른 실시예들에서는, 연통 단부(44)의 제2 폭(W2)도 폐단부(45)의 제3 폭(W3)과 같을 수 있다.
도 2와 도 3b를 참조하면, 냉각 어셈블리(80)는 유전체 튜브(50)의 상단부(54)의 측면에 설치되어 유전체 튜브(50)의 제1 섹션 부분(51)을 덮으며, 이동 부재(70)는 프로브 컴포넌트(60)에 연결되고 냉각 어셈블리(80)에 설치된다. 프로브 컴포넌트(60)는 지지 부재(61)와 지지 부재(61)의 단부면(611)에 배치된 적어도 하나의 팁(62)을 포함한다. 이동 부재(70)는 제2 챔버(42)에 대한 프로브 컴포넌트(60)의 수직 이동을 제어한다. 냉각 어셈블리(80)는 가스 챔버(81), 가스 파이프라인(82), 및 냉각 파이프라인(83)을 포함한다. 가스 챔버(81)는 유전체 튜브(50)의 중공 부분(H)과 연통되고, 가스 챔버(81)의 내벽은 적어도 하나의 가스 구멍(811)을 가지며, 적어도 하나의 점화 가스가 적어도 하나의 가스 구멍(811)으로부터 가스 챔버(81)로 들어가서는 유전체 튜브(50)의 중공 부분(H)으로 들어간다. 일 실시예에서, 점화 가스는 비연료(non-fuel) 가스이다. 예에서, 비연료 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar), 또는 청정 건조 공기/압축 건조 공기(CDA)와 같은, 적어도 한 가지 유형의 불활성 가스이다. 냉각 파이프라인(83)은 과열 및 컴포넌트 손상을 회피하기 위해 가스 챔버(81)의 온도를 제어하기 위해 유체 흐름을 냉각하는 데 사용된다. 이 실시예에서, 프로브 컴포넌트(60), 이동 부재(70), 및 냉각 어셈블리(80)는 점화 소스를 구성한다. 하지만, 이는 예시를 위한 예일 뿐이며, 실제 적용에 따라, 점화 소스는 다른 구성들도 가질 수 있다.
도 3b를 참조하면, 공진 공동(40)의 제2 챔버(42)에서 마이크로파 진동의 최대 강도가 발생하며, 그 최대 강도는 유전체 튜브(50)의 제2 섹션 부분(52)의 중공 부분(H) 내부에서 발생하게 된다. 유전체 튜브(50)의 중공 부분(H)에 점화 가스가 채워지면, 이동 부재(70)는 프로브 컴포넌트(60)를 제2 섹션 부분(52)의 중공 부분(H)에 하향으로 들어가도록 제어하며, 마이크로파 진동의 최대 강도가 역치에 도달하면, 프로브 컴포넌트(60)의 팁(62)은 토치(T)를 발생시킨다. 이 실시예에서, 이동 부재(70)는 실린더일 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에서, 프로브 컴포넌트(60)는 제1 팁(62a)과 제2 팁(62b)을 포함하고, 제1 팁(62a)과 제2 팁(62b)은 각각 테이퍼진 단부 부분을 포함하며, 테이퍼진 단부 부분의 직경은 1.6 mm 내지 2.0 mm이고, 제1 팁(62a)과 제2 팁(62b)의 길이는 각각 30 mm 내지 50 mm이며, 제1 팁(62a)과 제2 팁(62b)의 재료는 구리(Cu), 텅스텐(W), 또는 인코넬®600와 같은 니켈-크롬 합금일 수 있다. 복수의 팁을 제공함으로써, 스파크 발생 확률을 높일 수 있다. 또한, 다른 실시예들에서, 단부 부분은 1.6 mm 미만의 직경을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 챔버(41)의 제1 상부벽(411c)과 제2 챔버(42)의 제2 상부벽(421c) 사이에는 제1 높이차가 있고; 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 챔버(41)의 제1 저부벽(411d)과 제2 챔버(42)의 제2 저부벽(421d) 사이에는 제2 높이차가 있다. 유전체 튜브(50)의 하단부(55)는 제2 챔버(42)로부터 돌출되어 있고, 유전체 튜브(50)의 하단부(55)와 제2 챔버(42)의 제2 저부벽(421d) 사이에는 제3 높이차가 있다.
도 6a, 도 6b, 도 7a, 도 7b, 도 8a, 도 8b, 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 상이한 실시예들에 따르면, 제1 높이차, 제2 높이차, 제3 높이차, 및 유전체 튜브(50)의 섹션 부분들의 치수들을 변경 및 조절함으로써, 마이크로파장(microwave field)의 강도가 더욱 조절 또는 증가될 수 있다. 도 6a와 도 6b는 각각 본 발명의 제1 실시예의 부분 사시 조립도 및 도 6a의 측면도를 도시한다. 이 실시예에서, 제2 챔버(42)는 제1 본체(42a)와 제2 본체(42b)를 포함한다. 제1 본체(42a)와 제2 본체(42b)의 높이는 각각 Ha 및 Hb로 표기된다. 유전체 튜브(50)의 하단부(55)와 제2 챔버(42)의 제1 본체(42a)의 외측 저부벽 사이의 거리는 Hd로 표기된다. 제1 본체(42a)는 직방체 형상이고, 제2 본체(42b)는 원통 형상이다. 제1 본체(42a)의 높이(Ha)는 20 mm이고, 제2 본체(42b)의 직경은 80 mm이며, 제1 본체(42a)의 개구(424)의 직경은 36 mm이고, 유전체 튜브(50)의 전체 길이는 20 cm이다. 아래의 표 1은 제2 본체(42b)의 상이한 높이들(Hb)과 상이한 거리들(Hd)에 따른 제2 챔버(42)의 최대 장(field) 강도(V/m)의 측정치들을 나타낸다.
Hb (mm) Hd (mm) 최대 장(field) 강도 (V/m)
100 35 342040
50 5 536790
75 60 643740
25 60 397650
60 35 659930
65 50 562390
70 55 472280
80 35 495810
각각 본 발명의 제2 실시예의 부분 사시 조립도 및 도 7b의 측면도에 대한 도 7a와 도 7b를 참조하자. 이 실시예에서, 제2 챔버(42)는 제1 본체(42a)와 제2 본체(42b)를 포함한다. 제1 본체(42a)와 제2 본체(42b)의 높이는 각각 Ha와 Hb로 표기된다. 유전체 튜브(50)의 하단부(55)와 제2 챔버(42)의 제1 본체(42a)의 외측 저부벽 사이의 거리는 Hd로 표기되며, 제1 본체(42a)와 제2 본체(42b) 양자 모두는 직방체이다. 제1 본체(42a)의 높이(Ha)는 20 mm이고, 제2 본체(42b)의 측면 길이는 80 mm이며, 제1 본체(42a)의 개구(424)의 직경은 36 mm이고, 유전체 튜브(50)의 전체 길이는 20 cm이다. 아래의 표 2는 제2 본체(42b)의 상이한 높이들(Hb)과 상이한 거리들(Hd)에 따른 제2 챔버(42)의 최대 장(field) 강도(V/m)의 측정치들을 나타낸다.
Hb (mm) Hd (mm) 최대 장(field) 강도 (V/m)
100 35 366710
50 5 746580
75 60 608990
25 70 386360
60 35 672790
65 70 555980
45 50 751930
55 80 507490
40 95 871530
각각 본 발명의 제3 실시예의 부분 사시 조립도 및 도 8a의 측면도에 대한 도 8a와 도 8b를 참조하자. 이 실시예에서, 제2 챔버(42)는 제1 본체(42a), 제2 본체(42b), 및 제3 본체(42c)를 포함한다. 제1 본체(42a), 제2 본체(42b), 및 제3 본체(42c)의 높이는 각각 Ha, Hb, 및 Hc로 표기된다. 유전체 튜브(50)의 하단부(55)와 제2 챔버(42)의 제3 본체(42c)의 외측 저부벽 사이의 거리는 Hd로 표기되며, 제1 본체(42a), 제2 본체(42b), 및 제3 본체(42c)는 모두 직방체이다. 제1 본체(42a)의 높이(Ha)는 20 mm이고, 제1 본체(42a)와 제3 본체(42c)의 측면 길이는 80 mm이며, 제1 본체(42a)의 개구(424)의 직경은 36 mm이고, 유전체 튜브(50)의 전체 길이는 20 cm이다. 아래의 표 3과 표 4는 제2 본체(42b)의 상이한 높이들(Hb), 제3 본체(42c)의 상이한 높이들(Hc), 및 상이한 거리들(Hd)에 따른 제2 챔버(42)의 최대 장(field) 강도(V/m)의 측정치들을 나타낸다.
Hb (mm) Hc (mm) Hd (mm) 최대 장(field) 강도 (V/m)
75 75 105 120380
40 40 60 474520
20 20 35 1528900
60 60 115 461070
30 30 45 709300
50 50 125 220540
10 10 55 569970
15 15 70 488460
25 25 160 215230
Hb (mm) Hc (mm) Hd (mm) 최대 장(field) 강도 (V/m)
40 0 95 871530
35 5 100 1040100
30 10 25 827990
25 15 110 2387600
20 20 35 1528900
15 25 165 222230
10 30 125 426190
5 35 130 790510
0 40 175 3247600
위에서 언급한 구성들 중에서, 표 4의 예가 가장 높은 최대 장(field) 강도를 갖는다. 이 구성의 구조는 도 9에 도시되어 있다.각각 본 발명의 다른 실시예의 사시 조립도 및 YZ 평면에 따른 도 10의 단면도에 대한 본 발명의 도 10과 도 11을 참조하자. 본 실시예에서, 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치는 흡기 모듈(100)을 더 포함한다. 흡기 모듈(100)은 제1 파이프라인(100a)과 제2 파이프라인(100b)을 포함하며, 제1 파이프라인(100a)과 제2 파이프라인(100b)은 냉각 어셈블리(80)에 설치되어 가스 챔버(81)와 연통된다. 흡기 모듈(100)은 처리하고자 하는 적어도 하나의 가스상 오염 물질(G)을 가스 챔버(81) 내로 도입하는 데 사용되며, 적어도 하나의 가스상 오염 물질(G)은 가스 챔버(81)를 통해 유전체 튜브(50)의 중공 부분(H)으로 들어가서는 토치(T)에 의해 형성된 고온에 의해 분해된다.

Claims (12)

  1. 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치로서,
    마이크로파 진동을 발생시키도록 구성된 마이크로파 소스;
    상기 마이크로파 소스에 결합되고 상기 마이크로파 진동이 도파관 컴포넌트를 통해 전파되도록 상기 마이크로파 진동을 수신하도록 구성된 도파관 컴포넌트; 및
    상기 마이크로파 진동이 도파관 방향을 따라 공진 공동(resonant cavity) 내에서 실질적으로 전파되도록 상기 도파관 컴포넌트에 결합된 공진 공동 - 상기 공진 공동은 상기 도파관 컴포넌트에 근접한 제1 챔버와 상기 도파관 컴포넌트로부터 이격된 제2 챔버를 포함하고, 상기 제1 챔버는 상기 도파관 컴포넌트에 연결된 입구 단부와 상기 도파관 컴포넌트 반대편의 출구 단부를 포함하며, 상기 제2 챔버는 상기 출구 단부와 연통되는 연통 단부(communicating end) 및 상기 연통 단부 반대편의 폐단부(closed end)를 포함하고, 상기 제2 챔버는 상기 제1 챔버를 통과한 마이크로파 진동을 수신하도록 구성되며, 상기 마이크로파 진동은 토치(torch)를 발생시키도록 상기 제2 챔버 내의 점화 가스와 상호 작용함 -:
    을 포함하고,
    상기 도파관 방향은 상기 제1 챔버에서 정의된 기준 축에 실질적으로 평행하고, 상기 제1 챔버는 상기 기준 축의 둘레에서 상기 기준 축을 따라 연장되는 내벽을 포함하며, 상기 내벽은 상기 기준 축에 대해 경사진 제1 영역과 상기 기준 축에 대해 실질적으로 평행한 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 챔버가 상기 입구 단부로부터 상기 출구 단부로 갈수록 좁아지는 테이퍼진 형상의 공간을 포함하도록 상기 제1 영역의 면적은 상기 제2 영역의 면적보다 큰,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 내벽은 제1 내측벽과 상기 제1 내측벽 반대편의 제2 내측벽을 포함하고, 상기 제1 내측벽과 상기 제2 내측벽은 각각 상기 입구 단부로부터 상기 출구 단부까지 상기 기준 축 쪽으로 내측으로 비스듬히 경사지는,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 내벽은 제1 내측벽과 상기 제1 내측벽 반대편의 제2 내측벽을 포함하고, 상기 제1 내측벽과 상기 제2 내측벽 사이의 폭은 상기 기준 축을 따라 점진적으로 감소하는,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 챔버의 내벽은 제1 상부벽과 제1 저부벽을 포함하고, 상기 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 포함하며, 상기 제2 상부벽과 상기 제1 상부벽 사이에 제1 높이차가 제공되는,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 챔버의 내벽은 제1 상부벽과 제1 저부벽을 포함하고, 상기 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 포함하며, 상기 제2 저부벽과 상기 제1 저부벽 사이에 제2 높이차가 제공되는,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치는 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 상기 유전체 튜브는 상기 제2 챔버에 삽입되며 상기 점화 소스에 가까운 제1 단부와 상기 점화 소스로부터 이격된 제2 단부를 포함하고, 상기 제2 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 포함하며, 상기 유전체 튜브의 제2 단부는 상기 제2 챔버로부터 돌출하고 상기 유전체 튜브의 제2 단부와 상기 제2 챔버의 제2 저부벽 사이에 제3 높이차가 제공되는,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치는 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 상기 유전체 튜브는 상기 제2 챔버에 삽입되며, 상기 점화 소스는 프로브 컴포넌트를 포함하고, 상기 프로브 컴포넌트는 지지 부재와 상기 지지 부재 상에 배치된 적어도 하나의 팁을 포함하며, 상기 팁은 1.6 mm 내지 2 mm의 외경을 갖는,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 점화 가스는 공기, 질소, 및 아르곤으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는,
    플라즈마로 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  9. 마이크로파 진동을 발생시키도록 구성된 마이크로파 소스;
    상기 마이크로파 소스에 결합되고 상기 마이크로파 진동이 도파관 컴포넌트를 통해 전파되도록 상기 마이크로파 진동을 수신하도록 구성된 도파관 컴포넌트; 및
    상기 도파관 컴포넌트에 결합되고 도파관 방향을 따라 연장되는 공진 공동 - 상기 공진 공동은 상기 도파관 컴포넌트에 근접한 테이퍼진 챔버(tapered chamber)와 상기 도파관 컴포넌트로부터 이격된 연소 챔버를 포함하고, 상기 연소 챔버는 상기 테이퍼진 챔버를 통과한 마이크로파 진동을 수신하도록 구성되며, 상기 마이크로파 진동은 토치를 발생시키도록 상기 연소 챔버 내의 비연료 점화 가스와 상호 작용함 -:
    을 포함하는, 연료 필요 없이 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 테이퍼진 챔버는 제1 상부벽과 제1 저부벽을 포함하고, 상기 연소 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 포함하며, 상기 제2 상부벽과 제1 상부벽의 하단부 사이에 제1 높이차가 제공되는,
    연료 필요 없이 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 테이퍼진 챔버의 내벽은 제1 상부벽과 제1 저부벽을 포함하고, 상기 연소 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 포함하며, 상기 제2 저부벽과 상기 제1 저부벽 사이에 제2 높이차가 제공되는,
    연료 필요 없이 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 연료 필요 없이 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치는 점화 소스와 유전체 튜브를 더 포함하고, 상기 유전체 튜브는 상기 연소 챔버에 삽입되며 상기 점화 소스에 근접한 제1 단부와 상기 점화 소스로부터 이격된 제2 단부를 포함하고, 상기 연소 챔버는 제2 상부벽과 제2 저부벽을 포함하며, 상기 유전체 튜브의 제2 단부는 상기 연소 챔버로부터 돌출하고 상기 유전체 튜브의 제2 단부와 상기 연소 챔버 사이에 제3 높이차가 제공되는,
    연료 필요 없이 가스상 오염 물질을 처리하기 위한 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4890294A (en) * 1987-01-26 1989-12-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma apparatus
JP2000133494A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd マイクロ波プラズマ発生装置及び方法
TW495373B (en) * 2000-03-23 2002-07-21 Idatech L L C A fuel processor, hydrogen-selective metal membrane modules, method of forming the same and a hydrogen purification assembly comprising the same
GB0522088D0 (en) 2005-10-28 2005-12-07 Boc Group Plc Plasma abatement device
US8748785B2 (en) 2007-01-18 2014-06-10 Amastan Llc Microwave plasma apparatus and method for materials processing
CA2694158C (en) * 2007-08-06 2015-11-24 Industrial Microwave Systems, L.L.C. Wide waveguide applicator
CN101378615A (zh) * 2008-10-13 2009-03-04 电子科技大学 一种微波等离子体火炬波导激励腔
KR100965491B1 (ko) * 2009-11-02 2010-06-24 박영배 복합 플라스마 발생장치
CN101852444B (zh) * 2010-05-26 2012-06-13 白野 一种微波等离子体点燃器
CN101829487A (zh) * 2010-06-11 2010-09-15 天津市环境保护科学研究院 微波等离子体分解氟利昂无害化处理方法
TWI398293B (zh) * 2010-11-08 2013-06-11 Orient Service Co Ltd Cyclone Oxygen Combustion Unit for Treatment of Emissions from Semiconductor Processes
GB201106314D0 (en) * 2011-04-14 2011-06-01 Edwards Ltd Plasma torch
CN202621002U (zh) * 2012-06-08 2012-12-26 无锡市伟奥斯环保科技有限公司 一种可控温等离子体有机废气处理装置
CN103657370B (zh) * 2012-09-07 2015-09-30 韩国能量技术研究院 利用微波等离子体的硫化氢及硫化羰去除装置及方法
WO2014192062A1 (ja) * 2013-05-27 2014-12-04 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー マイクロ波プラズマ発生装置の空洞共振器
KR101475822B1 (ko) * 2014-03-19 2014-12-23 한국기초과학지원연구원 전자파 플라즈마 토치
US9767992B1 (en) * 2017-02-09 2017-09-19 Lyten, Inc. Microwave chemical processing reactor
CN107087339A (zh) * 2017-07-03 2017-08-22 李容毅 一种双腔激励的增强型微波等离子体炬发生装置

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