KR20230155529A - 점착성 수지 필름 및 전자 장치의 제조 방법 - Google Patents

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KR20230155529A
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다카시 가이
다카노부 무로후시
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Abstract

기재층과, 요철 흡수성 수지층과, 점착성 수지층을 이 순으로 구비하고, 전자 부품의 회로 형성면을 보호하기 위하여 사용되는 점착성 수지 필름이며, 상기 요철 흡수성 수지층의 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 저장 탄성률 G'b의 최솟값 G'bmin이 0.001MPa 이상 0.1MPa 미만이고, 또한 250℃에서의 저장 탄성률 G'b250이 0.005MPa 이상 0.3MPa 이하인, 점착성 수지 필름.

Description

점착성 수지 필름 및 전자 장치의 제조 방법
본 발명은 점착성 수지 필름 및 전자 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치는, 통상적으로, 반도체 웨이퍼의 비회로 형성면을 연삭하여 반도체 웨이퍼의 두께를 얇게 하는 공정(백그라인드 공정)이나, 연삭 후의 반도체 웨이퍼의 비회로 형성면에 스퍼터 등에 의해 전극을 형성하는 공정(백 메탈 공정) 등을 거쳐서 제조된다.
이들 공정은, 연삭 찌꺼기나 연삭수 등에 의한 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 오염을 억제하기 위함 등으로부터, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 표면 보호 필름을 접합한 상태에서 행해진다.
그렇게 하여 사용되는 표면 보호 필름은, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면의 요철에 양호하게 추종시킬 수 있고, 또한 박리 시에 접착제 잔여물 없이 박리할 수 있을 것이 요구된다.
반도체 웨이퍼 표면 보호 필름으로서는, 예를 들어, 특허문헌 1에는, 기재층 A와, 점착성 흡수층 B와, 점착성 표층 C를 이 순으로 갖고, 상기 점착성 흡수층 B는, 열경화성 수지 b1을 포함하는 점착제 조성물로 이루어지고, 상기 점착성 흡수층 B의, 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 저장 탄성률 G'b의 최솟값 G'bmin이 0.001MPa 이상 0.1MPa 미만이고, 250℃에서의 저장 탄성률 G'b250이 0.005MPa 이상이며, 또한 상기 G'bmin을 나타내는 온도가 50℃ 이상 150℃ 이하이며, 상기 점착성 표층 C의, 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 저장 탄성률 G'c의 최솟값 G'㎝in이 0.03MPa 이상인, 반도체 웨이퍼 표면 보호 필름이 개시되어 있다.
일본 특허 6404475호
근년의 경향으로서 전자 부품의 두께가 얇아지고 있다. 본 발명자들의 검토에 의하면, 전자 부품의 두께가 얇아짐에 따라서, 종래의 반도체 웨이퍼 표면 보호 필름에 있어서, 전자 부품의 비회로 형성면에 표면 보호 필름을 첩부한 후에 상기 보호 필름을 열경화할 때나, 백그라인드 공정 후에 전자 부품에 휨이 발생하기 쉬워지는 경향이 있는 것이 밝혀졌다. 특히, 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지(WLCSP)처럼 밀봉 수지와 반도체가 일체화되어 있어 당해 밀봉 수지의 두께가 비교적 두꺼울 경우에는, 휨이 발생하기 쉬운 경향이 있다. 전자 부품에 휨이 발생하면, 전자 부품의 핸들링이 어려워지거나, 전극에 크랙이 발생하거나 해버린다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 전자 부품(웨이퍼 등)의 휨을 억제하는 것이 가능한 점착성 수지 필름 및 전자 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 기재층과, 요철 흡수성 수지층과, 점착성 수지층을 이 순으로 구비하고, 전자 부품의 회로 형성면을 보호하기 위하여 사용되는 점착성 수지 필름이며, 상기 요철 흡수성 수지층의 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 저장 탄성률 G'b의 최솟값이 특정한 범위에 있고, 또한 250℃에서의 저장 탄성률 G'b250이 특정한 범위에 있는 점착성 수지 필름을 사용함으로써 전자 부품의 휨을 억제할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명에 따르면, 이하에 나타내는 점착성 수지 필름 및 상기 점착성 수지 필름을 사용한 전자 장치의 제조 방법이 제공된다.
[1]
기재층과, 요철 흡수성 수지층과, 점착성 수지층을 이 순으로 구비하고, 전자 부품의 회로 형성면을 보호하기 위하여 사용되는 점착성 수지 필름이며,
상기 요철 흡수성 수지층의 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 저장 탄성률 G'b의 최솟값 G'bmin이 0.001MPa 이상 0.1MPa 미만이고, 또한 250℃에서의 저장 탄성률 G'b250이 0.005MPa 이상 0.3MPa 이하인, 점착성 수지 필름.
[2]
상기 [1]에 기재된 점착성 수지 필름이며,
250℃에서의 상기 요철 흡수성 수지층의 손실 정접 tanδ가 0.05 이상 1.2 이하인, 점착성 수지 필름.
[3]
상기 [1] 또는 [2]에 기재된 점착성 수지 필름이며,
30℃에서의 상기 요철 흡수성 수지층의 저장 탄성률 G'b30이 0.1MPa 이상인, 점착성 수지 필름.
[4]
상기 [1] 내지 [3]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 요철 흡수성 수지층은 가교성 수지를 포함하는 층인, 점착성 수지 필름.
[5]
상기 [4]에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 가교성 수지가, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 및 에틸렌·비닐에스테르 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 점착성 수지 필름.
[6]
상기 [5]에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 에틸렌·비닐에스테르 공중합체가 에틸렌·아세트산비닐 공중합체를 포함하는, 점착성 수지 필름.
[7]
상기 [1] 내지 [6]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름이며,
백그라인드 테이프인, 점착성 수지 필름.
[8]
상기 [4] 내지 [7]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 요철 흡수성 수지층이 가교 보조제를 더 포함하는, 점착성 수지 필름.
[9]
상기 [8]에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 가교 보조제는, 벤조페논 화합물, 디비닐 방향족 화합물, 시아누레이트 화합물, 디알릴 화합물, 아크릴레이트 화합물, 트리알릴 화합물, 옥심 화합물 및 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 점착성 수지 필름.
[10]
상기 [1] 내지 [9]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 기재층을 구성하는 수지가, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 점착성 수지 필름.
[11]
상기 [1] 내지 [10]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 기재층을 구성하는 수지가 폴리에틸렌나프탈레이트를 포함하는, 점착성 수지 필름.
[12]
상기 [1] 내지 [11]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 요철 흡수성 수지층의 두께가 10㎛ 이상 1000㎛ 이하인, 점착성 수지 필름.
[13]
상기 [1] 내지 [12]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름이며,
상기 점착성 수지층을 구성하는 점착제가, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제 및 스티렌계 점착제로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 점착성 수지 필름.
[14]
회로 형성면을 갖는 전자 부품과, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면에 첩부된 점착성 적층 필름과, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면에 첩부된 열경화성 보호 필름을 구비하는 구조체를 준비하는 준비 공정 (A)와,
상기 구조체를 가열함으로써, 상기 열경화성 보호 필름을 열경화시키는 열경화 공정 (B)
를 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 점착성 적층 필름이 상기 [1] 내지 [13]의 어느 하나에 기재된 점착성 수지 필름인 전자 장치의 제조 방법.
[15]
상기 [14]에 기재된 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 공정 (A)는
상기 전자 부품의 상기 회로 형성면에 상기 점착성 수지 필름이 첩부된 상태에서, 상기 점착성 필름에 있어서의 요철 흡수성 수지층을 열경화 또는 자외선 경화시키는 경화 공정과,
상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면에 상기 열경화성 보호 필름을 첩부하는 공정
을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
[16]
상기 [15]에 기재된 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면에 상기 열경화성 보호 필름을 첩부하는 상기 공정에 있어서의 가열 온도가 50℃ 이상 90℃ 이하인, 전자 장치의 제조 방법.
[17]
상기 [15] 또는 [16]에 기재된 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 공정 (A)는 상기 경화 공정 전에, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면에 상기 점착성 수지 필름이 첩부된 상태에서, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면을 백그라인드하는, 백그라인드 공정을 포함하는, 전자 장치의 제조 방법.
[18]
상기 [14] 내지 [17]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 공정 (B)에 있어서의 가열 온도가 120℃ 이상 170℃ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
[19]
상기 [14] 내지 [18]의 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 전자 부품의 회로 형성면이 범프 전극을 포함하는, 전자 장치의 제조 방법.
[20]
[19]에 기재된 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 범프 전극의 높이를 H[㎛]라 하고, 상기 요철 흡수성 수지층의 두께를 d[㎛]라 했을 때, H/d는 0.01 이상 1 이하인, 전자 장치의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 전자 부품(웨이퍼 등)의 휨을 억제하는 것이 가능한 점착성 수지 필름 및 전자 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름의 일례를 모식적으로 도시한 개략 단면도이다.
도 2는 본 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에 있어서의 온도와 저장 탄성률 G'의 관계를 도시한 도면이다.
도 4는 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에 있어서의 온도와 손실 정접 tanδ의 관계를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서 마찬가지의 구성 요소는 공통의 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또한, 도면은 개략도이며, 실제의 치수 비율과는 일치하고 있지 않다. 수치 범위의 「A 내지 B」는 특별히 언급이 없으면, A 이상 B 이하를 나타낸다. 실시 형태에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 아크릴, 메타크릴 또는 아크릴 및 메타크릴의 양쪽을 의미한다.
전술한 바와 같이, 본 발명자들의 검토에 의하면, 전자 부품의 두께가 얇아짐에 따라서, 종래의 반도체 웨이퍼 표면 보호 필름에 있어서, 전자 부품의 회로 형성면에 표면 보호 필름을 첩부한 후에 상기 보호 필름을 열경화할 때나, 백그라인드 공정 후에 전자 부품에 휨이 발생하기 쉬워지는 경향이 있는 것이 밝혀졌다. 특히, WLCSP처럼 수지와 반도체가 일체화되어 있어, 당해 수지의 두께가 비교적 두꺼울 경우에는, 휨이 발생하기 쉬운 경향이 있다. 전자 부품에 휨이 발생하면, 전자 부품의 핸들링이 어려워지거나, 전극에 크랙이 발생하거나 해버린다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 기재층과, 요철 흡수성 수지층과, 점착성 수지층을 이 순으로 구비하고, 전자 부품의 회로 형성면을 보호하기 위하여 사용되는 점착성 수지 필름이며, 상기 요철 흡수성 수지층의 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 저장 탄성률 G'b의 최솟값 G'bmin이 0.001MPa 이상 0.1MPa 미만이고, 또한 250℃에서의 저장 탄성률 G'b250이 0.005MPa 이상 0.3MPa 이하인, 점착성 수지 필름에 의해, 전자 부품의 휨을 억제하는 것이 가능하게 되는 것이 밝혀졌다.
도 1은, 본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름(50)(이하, 「점착성 적층 필름(50)」이라고도 칭한다.)은 기재층(20)과, 요철 흡수성 수지층(30)과, 점착성 수지층(40)을 이 순으로 구비한다. 점착성 수지 필름(50)은 전자 부품의 회로 형성면을 보호하기 위하여 사용된다.
상기 요철 흡수성 수지층의 저장 탄성률은, 하기 조건에 의해 측정된다.
·측정 모드: 동적 점탄성 측정 모드
·주파수: 6.28Hz
·승온 속도: 3℃/min
·승온 범위: 0℃ 내지 250℃
·점탄성 샘플의 준비 방법:
{에틸렌·아세트산비닐의 경우}
펠릿에 첨가제를 함침 후, 100℃로 승온한 직경 25㎜ 패럴렐 플레이트의 스테이지 상에서 펠릿을 융해시키고, 이어서 두께 약 500㎛로 되도록 스테이지 갭을 조정하여, 필름막을 스테이지 상에서 제작한다. 그 후, 온도를 0℃까지 강온하여 5분 유지한 후에, 측정을 행할 수 있다.
{아크릴 중간층의 경우}
아크릴 중간층의 경우, 조제한 층을 사용하여 측정을 행할 수 있다.
본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름(50)은 전자 장치의 제조 공정에 있어서, 전자 부품의 표면을 보호하거나, 전자 부품을 고정하거나, 전극을 형성하거나 하기 위함 등에 사용되고, 보다 구체적으로는, 전자 장치의 제조 공정의 하나인 전자 부품을 연삭하는 공정(백그라인드 공정이라고도 칭한다)에 있어서 전자 부품의 회로 형성면(즉 회로 패턴을 포함하는 회로면)을 보호하기 위하여 사용하는 백그라인드 테이프나, 연삭 후의 반도체 웨이퍼의 비회로 형성면에 스퍼터 등에 의해 전극을 형성하는 공정(백 메탈 공정)에 적합하게 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름(50)은, 예를 들어, 다이싱 공정이나 전사 공정 등에 있어서 표면 요철을 갖는 전자 부품(예를 들어, 반도체 웨이퍼, 밀봉 웨이퍼 등)의 보호나 보유 지지에 사용하는 점착성 필름; 표면 요철을 갖는 전자 부품(예를 들어, 반도체 칩이나 반도체 패키지 등)을 임시 고정하기 위한 점착성 필름; 전자 부품(예를 들어, 반도체 웨이퍼 등)의 드라이 폴리쉬, 전자 부품(예를 들어, 반도체 웨이퍼 등)의 이면 보호용 부재의 첩부·경화, 전자 부품(예를 들어, 반도체 패키지 등)에의 전자파 실드막의 형성, 전자 부품(예를 들어, 반도체 웨이퍼 등)의 이면에의 금속막 형성 등의 90℃ 이상의 가열 공정에서 사용하는 필름으로서도 사용할 수 있다.
<기재층>
기재층(20)은 점착성 수지 필름(50)의 취급성이나 기계적 특성, 내열성 등의 특성을 보다 양호하게 하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.
기재층(20)은 특별히 한정되지 않고 수지 필름, 금속박 등을 들 수 있다.
기재층(20)을 구성하는 수지의 예에는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르; 폴리올레핀계 수지; 폴리이미드(PI); 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리염화비닐(PVC) 등의 폴리염화비닐계 수지; 폴리염화비닐리덴계 수지; 폴리아미드계 수지; 폴리우레탄; 폴리스티렌계 수지; 아크릴계 수지; 불소 수지; 셀룰로오스계 수지; 폴리카르보네이트 수지 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
이들 중에서도, 높은 내열성을 갖는 것으로부터, 기재층(20)을 구성하는 수지의 융점이 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 265℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 융점은 시차 주사 열량 측정(DSC)에 의해 측정할 수 있다. 이러한 기재층(20)을 구성하는 수지로서, 내열성을 보다 향상시키는 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 폴리에틸렌나프탈레이트를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
기재층(20)은, 단층이어도 되고, 2종 이상의 층이어도 된다. 또한, 기재층(20)을 형성하기 위하여 사용하는 수지 필름의 형태로서는, 연신 필름이어도 되고, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신한 필름이어도 된다.
기재층(20)의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이상이다. 기재층(20)의 두께를 일정 이상으로 함으로써 점착성 수지 필름의 첩부를 행하기 쉬워진다. 또한, 전자 부품(예를 들어 반도체 웨이퍼)의 연삭 시에 전자 부품을 안정적으로 보유 지지하기 쉽다.
또한, 기재층(20)의 두께는, 바람직하게는 500㎛ 이하, 보다 바람직하게는 300㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 기재층(20)의 두께를 일정 이하로 함으로써, 점착성 수지 필름을 박리할 때의 작업성이 용이하게 된다.
기재층(20)은 다른 층과의 접착성을 양호하게 하기 위해서, 표면 처리를 행해도 된다. 구체적으로는, 코로나 처리, 플라스마 처리, 언더코트 처리, 프라이머 코팅 처리 등을 행해도 된다.
<요철 흡수성 수지층>
본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름(50)은 기재층(20)과 점착성 수지층(40) 사이에 요철 흡수성 수지층(30)을 구비한다.
요철 흡수성 수지층(30)은 점착성 수지 필름(50)의 회로 형성면에 대한 추종성을 양호하게 하여, 회로 형성면과 점착성 수지 필름(50)의 밀착성을 양호하게 하는 것을 목적으로 하여 마련된 층이다.
25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 요철 흡수성 수지층(30)의 저장 탄성률 G'b의 최솟값 G'bmin은, 0.001MPa 이상, 바람직하게는 0.002MPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.003MPa 이상이다.
또한, 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 요철 흡수성 수지층(30)의 G'bmin은 0.1MPa 미만, 바람직하게는 0.08MPa 미만, 보다 바람직하게는 0.05MPa 미만, 더욱 바람직하게는 0.02MPa 미만, 더욱 바람직하게는 0.01MPa 미만, 더욱 바람직하게는 0.008MPa 미만, 더욱 바람직하게는 0.006MPa 미만, 더욱 바람직하게는 0.005MPa 미만이다.
25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 요철 흡수성 수지층(30)의 G'bmin이 상기 범위에 있는 것에 의해, 필름의 요철 추종성을 높이고, 고온 공정에서의 필름의 들뜸을 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 백 메탈 공정 등의 고온 공정을 거친 경우에 있어서도, 박리 시의 전자 부품의 갈라짐과 접착제 잔여물을 억제할 수 있다.
또한, 요철 흡수성 수지층(30)에 250℃에서의 저장 탄성률 G'b250은 0.005MPa 이상 0.3MPa 이하이며, 바람직하게는 0.007MPa 이상 0.25MPa 이하이며, 보다 바람직하게는 0.01MPa 이상 0.2MPa 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.02MPa 이상 0.18MPa 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.025MPa 이상 0.18MPa 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.03MPa 이상 0.17MPa 이하이다. 250℃에서의 저장 탄성률 G'가 상기 범위에 있는 것에 의해, 전자 부품의 휨을 억제할 수 있다.
250℃에서의 요철 흡수성 수지층(30)의 손실 정접 tanδ는, 바람직하게는 0.05 이상 1.2 이하이며, 보다 바람직하게는 0.05 이상 1.0 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.06 이상 0.5 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.06 이상 0.3 이하이다. 손실 정접 tanδ가 상기 범위 내에 있으면, 요철 흡수성 수지층의 스며나옴을 억제할 수 있다.
또한, 30℃에서의 요철 흡수성 수지층(30)의 저장 탄성률 G'b30은 바람직하게는 0.1MPa 이상, 보다 바람직하게는 0.15MPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.3MPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.5MPa 이상, 더욱 바람직하게는 0.8MPa 이상이며, 그리고, 예를 들어 2MPa 이하, 바람직하게는 1.5MPa 이하, 보다 바람직하게는 1.3MPa 이하이다. 30℃에서의 저장 탄성률 G'b30이 상기 값 이상이면, 전자 부품의 휨이나 요철 흡수성 수지층의 스며나옴을 보다 한층 억제할 수 있다.
요철 흡수성 수지층(30)의 재료는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 폴리올레핀계 수지 및 폴리스티렌계 수지로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
이들 중에서도, 요철 흡수성 수지층(30)은 융점이 40℃ 이상 80℃ 이하인 가교성 수지를 포함하는 층인 것이 바람직하다. 가교성 수지의 융점은, 시차 주사 열량계(DSC)로 측정할 수 있다.
요철 흡수성 수지층(30)이 가교성 수지를 포함함으로써, 효과적으로 열경화 또는 자외선 경화시킬 수 있고, 요철 흡수성 수지층(30)의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 전자 부품의 회로 형성면과는 반대측의 면에 열경화성 보호 필름을 첩부하는 공정이나 열경화성 보호 필름을 열경화시키는 열경화 공정에 있어서, 요철 흡수성 수지층(30)이 용융되어 수지의 비어져 나옴이 일어나는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 관계되는 가교성 수지로서는 요철 흡수성 수지층(30)을 형성할 수 있고, 또한, 열이나 자외선 등에 의해 가교하여 내열성이 향상되는 수지라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀을 포함하는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 고밀도 에틸렌계 수지, 저밀도 에틸렌계 수지, 중밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 프로필렌 (공)중합체, 1-부텐 (공)중합체, 4-메틸펜텐-1 (공)중합체, 에틸렌·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·방향족 비닐 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·방향족 비닐 공중합체 등의 올레핀계 수지; 에틸렌·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·불포화 무수 카르복실산 공중합체 등의 에틸렌·무수 카르복실산계 공중합체; 에틸렌·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체 등의 에틸렌·에폭시계 공중합체; 에틸렌·(메트)아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산메틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산프로필 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산부틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산헥실 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산-2-히드록시에틸 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산-2-히드록시프로필 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산글리시딜 공중합체 등의 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체; 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌·말레산 공중합체, 에틸렌·푸마르산 공중합체, 에틸렌·크로톤산 공중합체 등의 에틸렌·에틸렌성 불포화 산 공중합체; 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·프로피온산비닐 공중합체, 에틸렌·부티르산비닐 공중합체, 에틸렌·스테아르산비닐 공중합체 등의 에틸렌·비닐에스테르 공중합체; 에틸렌·스티렌 공중합체 등; (메트)아크릴산에스테르 (공)중합체 등의 불포화 카르복실산에스테르 (공)중합체; 에틸렌·아크릴산 금속염 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 금속염 공중합체 등의 아이오노머 수지; 우레탄계 수지; 실리콘계 수지; 아크릴산계 수지; 메타아크릴산계 수지; 환상 올레핀 (공)중합체; α-올레핀·방향족 비닐 화합물·방향족 폴리엔 공중합체; 에틸렌·α-올레핀·방향족 비닐 화합물; 방향족 폴리엔 공중합체; 에틸렌·방향족 비닐 화합물·방향족 폴리엔 공중합체; 스티렌계 수지; 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌 공중합체; 스티렌·공액 디엔 공중합체; 아크릴로니트릴·스티렌 공중합체; 아크릴로니트릴·에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔·스티렌 공중합체; 아크릴로니트릴·에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔·스티렌 공중합체; 메타아크릴산·스티렌 공중합체; 에틸렌테레프탈레이트 수지; 불소 수지; 폴리에스테르카르보네이트; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 폴리올레핀계 열가소성 엘라스토머; 폴리스티렌계 열가소성 엘라스토머; 폴리우레탄계 열가소성 엘라스토머; 1,2-폴리부타디엔계 열가소성 엘라스토머; 트랜스 폴리이소프렌계 열가소성 엘라스토머; 염소화폴리에틸렌계 열가소성 엘라스토머; 액정성 폴리에스테르; 폴리락트산 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 유기 과산화물 등의 가교제에 의한 가교가 용이한 것으로부터, 본 실시 형태에 관계되는 가교성 수지로서는, 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 저밀도 에틸렌계 수지, 중밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 에틸렌·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·환상 올레핀 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·방향족 비닐 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·방향족 비닐 공중합체 등의 올레핀계 수지, 에틸렌·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르복실산 공중합체, 1,2-폴리부타디엔계 열가소성 엘라스토머로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 관계되는 가교성 수지로서는, 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 저밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·불포화 무수 카르복실산 공중합체, 에틸렌·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·에폭시 함유 불포화 화합물 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르복실산 공중합체로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 관계되는 가교성 수지로서는, 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체, 저밀도 에틸렌계 수지, 초저밀도 에틸렌계 수지, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)계 수지, 에틸렌·α-올레핀·비공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·α-올레핀·공액 폴리엔 공중합체, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·메타아크릴산 공중합체 등의 에틸렌·불포화 카르복실산 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
이들 중에서도, 본 실시 형태에 관계되는 가교성 수지로서는, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 및 에틸렌·비닐에스테르 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 더욱 바람직하고, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 및 에틸렌·아세트산비닐 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 더욱 바람직하고, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체가 더욱 바람직하다. 또한 본 실시 형태에 있어서는 상술한 수지는, 단독으로 사용해도 되고, 블렌드하여 사용해도 된다.
본 실시 형태에 있어서의 가교성 수지로서 사용되는, 에틸렌 및 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀으로 이루어지는 에틸렌·α-올레핀 공중합체의 α-올레핀으로서는, 통상적으로, 탄소수 3 내지 20의 α-올레핀을 1종류 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 그 중에서도 바람직한 것은, 탄소수가 10 이하인 α-올레핀이며, 특히 바람직한 것은 탄소수가 3 내지 8의 α-올레핀이다. 이러한 α-올레핀으로서는, 예를 들어, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 3-메틸-1-부텐, 3,3-디메틸-1-부텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수의 용이함으로부터 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 4-메틸-1-펜텐 및 1-옥텐이 바람직하다. 또한, 에틸렌·α-올레핀 공중합체는 랜덤 공중합체여도, 블록 공중합체여도 되지만, 유연성의 관점에서 랜덤 공중합체가 바람직하다.
또한, 요철 흡수성 수지층(30)은 가교제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 요철 흡수성 수지층(30)이 가교제를 포함함으로써, 후술하는 공정 (B) 전에 요철 흡수성 수지층(30)을 보다 효과적으로 열경화 또는 자외선 경화시킬 수 있어, 요철 흡수성 수지층(30)의 내열성을 보다 한층 향상시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 후술하는 전자 부품의 회로 형성면과는 반대측의 면에 열경화성 보호 필름을 첩부하는 공정 (A2)나 열경화성 보호 필름(70)을 열경화시키는 열경화 공정 (B)에 있어서 전자 부품의 휨을 보다 한층 억제할 수 있다. 또한 전자 부품의 회로 형성면과는 반대측의 면에 열경화성 보호 필름을 첩부하는 공정 (A2)나 열경화성 보호 필름을 열경화시키는 열경화 공정 (B)에 있어서, 요철 흡수성 수지층(30)이 용융되어 수지의 비어져 나옴이 일어나는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 관계되는 가교제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 유기 과산화물이나 광 가교 개시제를 사용할 수 있다.
요철 흡수성 수지층(30) 중의 가교제의 함유량은, 가교성 수지 100질량부에 대하여 2.0질량부 이하인 것이 바람직하고, 1.0질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 요철 흡수성 수지층(30) 중의 가교제의 함유량은, 가교성 수지 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.10질량부 이상인 것이 더욱 바람직하다.
유기 과산화물로서는, 예를 들어, 디라우로일퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 디벤조일퍼옥사이드, 시클로헥사논퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼프탈레이트, 쿠멘히드로퍼옥시드, t-부틸히드로퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥센, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-아밀퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, t-부틸퍼옥시말레산, 1,1-디(t-아밀퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-디(t-아밀퍼옥시)시클로헥산, t-아밀퍼옥시이소노나노에이트, t-아밀퍼옥시노르말옥토에이트, 1,1-디(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-디(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실카르보네이트, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일퍼옥시)헥산, t-아밀퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트, t-부틸퍼옥시이소노나노에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 2,2-디(부틸퍼옥시)부탄, n-부틸-4,4-디(t-부틸퍼옥시)부티레이트, 메틸에틸케톤퍼사이드, 에틸-3,3-디(t-부틸퍼옥시)부티레이트, 디쿠밀퍼옥사이드, t-부틸쿠밀퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디-t-부틸퍼옥사이드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸하이드로퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥센, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실카르보네이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
광 가교 개시제로서는, 예를 들어, 벤조페논, 벤조페논 유도체, 티오크산톤, 티오크산톤 유도체, 벤조인, 벤조인 유도체, α-히드록시알킬페논류, α-아미노알킬페놀류, 아실포스핀옥사이드류, 알킬페닐글리옥실레이트류, 디에톡시아세토페논, 옥심에스테르류, 티타노센 화합물, 안트라퀴논 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 벤조페논, 벤조페논 유도체, 벤조인, 벤조인 유도체, α-히드록시알킬페논류, 옥심에스테르류, 안트라퀴논 유도체가, 가교성이 보다 양호한 점에서 바람직하고, 벤조페논, 벤조페논 유도체, 안트라퀴논 유도체가 보다 바람직하고, 벤조페논, 벤조페논 유도체가, 투명성도 양호하기 때문에 더욱 바람직하다.
벤조페논 및 벤조페논 유도체의 바람직한 예로서, 벤조페논, 4-페닐벤조페논, 4-페녹시벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-메틸벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논 등을 들 수 있다.
안트라퀴논 유도체의 바람직한 예로서, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.
또한, 요철 흡수성 수지층(30)은 내열성을 더욱 향상시키는 관점에서, 가교 보조제를 더 포함하는 것이 바람직하다.
가교 보조제로서는, 예를 들어, 벤조페논 화합물, 디비닐 방향족 화합물, 시아누레이트 화합물, 디알릴 화합물, 아크릴레이트 화합물, 트리알릴 화합물, 옥심 화합물 및 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
요철 흡수성 수지층(30) 중의 가교 보조제의 함유량은, 가교성 수지 100질량부에 대하여 5.0질량부 이하인 것이 바람직하고, 2.0질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 1.0질량부 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.5질량부 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.3질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 요철 흡수성 수지층(30) 중의 가교 보조제의 함유량은, 가교성 수지 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.10질량부 이상인 것이 더욱 바람직하고, 0.15질량부 이상인 것이 더욱 바람직하다.
벤조페논 화합물로서는, 예를 들어, 4-메틸벤조페논 등을 들 수 있다.
디비닐 방향족 화합물로서는, 예를 들어, 디비닐벤젠, 디-i-프로페닐벤젠 등을 들 수 있다.
시아누레이트 화합물로서는, 예를 들어, 트리알릴시아누레이트, 트리알릴이소시아누레이트 등을 들 수 있다.
디알릴 화합물로서는, 예를 들어, 디알릴프탈레이트 등을 들 수 있다.
트리알릴 화합물로서는, 예를 들어, 펜타에리트리톨트리알릴에테르 등을 들 수 있다.
아크릴레이트 화합물로서는, 예를 들어, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
옥심 화합물로서는, 예를 들어, p-퀴논디옥심, p-p'-디벤조일퀴논디옥심 등을 들 수 있다.
말레이미드 화합물로서는, 예를 들어, m-페닐렌디말레이미드 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 가교 보조제로서는, 시아누레이트 화합물이 바람직하고, 트리알릴시아누레이트 및 트리알릴이소시아누레이트로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하고, 트리알릴이소시아누레이트가 더욱 바람직하다.
요철 흡수성 수지층(30)의 두께는, 전자 부품의 회로 형성면의 요철을 매립할 수 있는 두께라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 10㎛ 이상 1000㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 900㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상 800㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50㎛ 이상 700㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 100㎛ 이상 700㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 300㎛ 이상 600㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 400㎛ 이상 600㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
전자 부품의 회로 형성면에 존재하는 범프 전극의 높이를 H[㎛]라 하고, 요철 흡수성 수지층(30)의 두께를 d[㎛]라 했을 때, H/d가 1 이하인 것이 바람직하고, 0.85 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.7 이하인 것이 더욱 바람직하다. H/d가 상기 상한값 이하이면, 점착성 수지 필름의 두께를 보다 얇게 하면서, 요철 흡수성을 보다 양호하게 할 수 있다.
H/d의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 0.01 이상이다. 범프 전극의 높이는, 일반적으로 2㎛ 이상 600㎛ 이하이다.
<점착성 수지층>
점착성 수지층(40)은 요철 흡수성 수지층(30)의 한쪽 면에 마련되는 층이며, 점착성 수지 필름을 전자 부품의 회로 형성면에 첩부할 때에, 전자 부품의 회로 형성면에 접촉하여 점착하는 층이다.
점착성 수지층(40)을 구성하는 점착제는, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제, 스티렌계 점착제 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 접착력의 조정을 용이하게 할 수 있는 점 등으로부터, (메트)아크릴계 중합체를 베이스 폴리머로 하는 (메트)아크릴계 점착제가 바람직하다.
또한, 점착성 수지층(40)을 구성하는 점착제로서는, 방사선에 의해 점착력을 저하시키는 방사선 가교형 점착제를 사용할 수도 있다. 방사선 가교형 점착제에 의해 구성된 점착성 수지층(40)은 방사선의 조사에 의해 가교하여 점착력이 현저하게 감소하기 때문에, 후술하는 전자 부품과 점착성 수지 필름을 박리하는 공정 (C)에 있어서, 점착성 수지층(40)으로부터 전자 부품을 박리하기 쉬워진다. 방사선으로서는, 자외선, 전자선, 적외선 등을 들 수 있다.
방사선 가교형 점착제로서는, 자외선 가교형 점착제가 바람직하다.
(메트)아크릴계 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 중합체로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산에스테르 화합물의 단독 중합체, (메트)아크릴산에스테르 화합물과 코모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르 화합물로서는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 (메트)아크릴산에스테르 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다.
또한, (메트)아크릴계 공중합체를 구성하는 코모노머로서는, 예를 들어, 아세트산비닐, (메트)아크릴니트릴, 스티렌, (메트)아크릴산, 이타콘산, (메트)아크릴아미드, 메틸올(메트)아크릴아미드, 무수 말레산 등을 들 수 있다. 이들의 코모노머는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다.
방사선 가교형 점착제는, 예를 들어, 상기 (메트)아크릴계 중합체와, 가교성 화합물(탄소-탄소 이중 결합을 갖는 성분)과, 광중합 개시제 또는 열 중합 개시제를 포함한다.
가교성 화합물로서는, 예를 들어, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 라디칼 중합에 의해 가교 가능한 모노머, 올리고머 또는 폴리머 등을 들 수 있다. 이러한 가교성 화합물로서는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르; 에스테르(메트)아크릴레이트올리고머; 2-프로페닐디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-(메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다.
또한, (메트)아크릴계 중합체가, 폴리머의 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 방사선 가교형 폴리머인 경우에는, 가교성 화합물을 첨가하지 않아도 된다.
가교성 화합물의 함유량은, (메트)아크릴계 중합체 100질량부에 대하여 1 내지 200질량부가 바람직하고, 2 내지 100질량부가 보다 바람직하고, 5 내지 50질량부가 더욱 바람직하다. 가교성 화합물의 함유량이 상기 범위인 것에 의해, 상기 범위보다도 적은 경우에 비하여 점착력의 조정을 하기 쉬워져, 상기 범위보다도 많은 경우에 비하여, 열이나 광에 대한 감도가 너무 높은 것에 의한 보존 안정성의 저하가 일어나기 어렵다.
광중합 개시제로서는, 방사선을 조사함으로써 개열되어 라디칼을 생성하는 화합물이면 되고, 예를 들어, 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르류; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리비닐벤조페논; 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤류 등을 들 수 있다.
열 중합 개시제로서는, 예를 들어, 유기 과산화물 유도체나 아조계 중합 개시제 등을 들 수 있다. 가열 시에 질소가 발생하지 않는 점에서, 바람직하게는 유기 과산화물 유도체이다. 열 중합 개시제로서는, 예를 들어, 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르 및 퍼옥시디카르보네이트 등을 들 수 있다.
점착제에는 가교제를 첨가해도 된다. 가교제로서는, 예를 들어, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리스리톨폴리글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르 등의 에폭시계 화합물; 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카르복시아미드) 등의 아지리딘계 화합물; 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 폴리이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 화합물; 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르 등을 들 수 있다.
가교제의 함유량은, 점착성 수지층(40)의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 향상시키는 관점에서, (메트)아크릴계 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 20질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 더욱 바람직하고, 5질량부 이상 10질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
점착성 수지층(40)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5㎛ 이상 20㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
점착성 수지층(40)은 예를 들어, 요철 흡수성 수지층(30) 상에 점착제 도포액을 도포함으로써 형성할 수 있다.
점착제 도포액을 도포하는 방법으로서는, 종래 공지된 도포 방법, 예를 들어, 롤 코터법, 리버스 롤 코터법, 그라비아 롤법, 바 코팅법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등을 채용할 수 있다. 도포된 점착제의 건조 조건에는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는, 80 내지 200℃의 온도 범위에 있어서, 10초 내지 10분간 건조시키는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 80 내지 170℃에서, 15초 내지 5분간 건조시킨다. 가교제와 점착제의 가교 반응을 충분히 촉진시키기 위해서, 점착제 도포액의 건조가 종료한 후, 40 내지 80℃에서 5 내지 300시간 정도 가열해도 된다.
본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름은, 요철 흡수성 수지층(30)을 자외선 경화시키거나, 점착성 수지층(40)을 자외선 가교시키거나 하는 경우에는, 당해 경화나 가교를 본 발명의 목적을 방해하지 않을 정도로 광선 투과율을 갖는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 관계되는 점착 수지 필름 전체의 두께는, 기계적 특성과 취급성의 밸런스로부터, 바람직하게는 25㎛ 이상 1100㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 100㎛ 이상 900㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 200㎛ 이상 800㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 300㎛ 이상 700㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 400㎛ 이상 600㎛ 이하이다.
본 실시 형태에 관계되는 점착성 수지 필름은, 각 층의 사이에 접착층(도시하지 않음)을 마련해도 된다. 접착층을 마련함으로써, 각 층 간의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
이어서, 본 실시 형태에 관계되는 점착 적층재의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.
먼저, 기재층(20)의 한쪽 면에 요철 흡수성 수지층(30)을 압출하고 라미네이트법에 의해 형성한다. 이어서, 요철 흡수성 수지층(30) 상에 점착제 도포액을 도포하고 건조시킴으로써 점착성 수지층(40)을 형성하여, 점착성 적층 필름(50)을 얻는다.
또한, 기재층(20)과 요철 흡수성 수지층(30)은, 공압출 성형에 의해 형성해도 되고, 필름상의 기재층(20)과 필름상의 요철 흡수성 수지층(30)을 라미네이트(적층)하여 형성해도 된다.
이어서, 본 실시 형태에 관계되는 전자 장치의 제조 방법 각 공정에 대하여 설명한다.
도 2는, 본 실시 형태에 관계되는 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다. 본 실시 형태에 관계되는 전자 장치의 제조 방법은, 이하의 공정 (A)와 (B)를 포함한다.
(A) 회로 형성면(10A)을 갖는 전자 부품(10)과, 상기 전자 부품(10)의 상기 회로 형성면(10A)에 첩부된 점착성 적층 필름(50)과, 상기 전자 부품(10)의 상기 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면에 첩부된 열경화성 보호 필름(70)을 구비하는 구조체(60)를 준비하는 준비 공정,
(B) 상기 구조체(60)를 가열함으로써, 상기 열경화성 보호 필름(70)을 열경화시키는 열경화 공정.
(공정 (A))
처음에, 회로 형성면(10A)을 갖는 전자 부품(10)과, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A) 측에 첩부된 점착성 적층 필름(50)과, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)에 첩부된 열경화성 보호 필름(70)을 구비하는 구조체(60)를 준비한다.
이러한 구조체(60)는 예를 들어, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)에 점착성 적층 필름(50)을 첩부하는 공정 (A1)과, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)에 열경화성 보호 필름(70)을 첩부하는 공정 (A2)를 행함으로써 제작할 수 있다.
전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)에 점착성 적층 필름(50)을 첩부하는 방법은 특별히 한정되지 않고 일반적으로 공지된 방법으로 첩부할 수 있다. 예를 들어, 사람 손에 의해 행해도 되고, 롤상의 점착성 적층 필름(50)을 설치한 자동 첩부기라고 칭해지는 장치에 의해 행해도 된다.
전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)에 열경화성 보호 필름(70)을 첩부하는 방법은 특별히 한정되지 않고 일반적으로 공지된 방법으로 첩부할 수 있다. 예를 들어, 사람 손에 의해 행해도 되고, 롤상의 열경화성 보호 필름(70)을 설치한 자동 첩부기라고 칭해지는 장치에 의해 행해도 된다.
전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)에 열경화성 보호 필름(70)을 첩부하는 공정 (A2)는 예를 들어, 열경화성 보호 필름(70)을 가열하면서 행해진다. 공정 (A2)에 있어서의 가열 온도는 열경화성 보호 필름(70)의 종류에 따라 적절히 설정되기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 50℃ 이상 90℃ 이하이며, 바람직하게는 60℃ 이상 80℃ 이하이다.
열경화성 보호 필름(70)으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 공지된 열경화형의 반도체 이면 보호용 필름을 사용할 수 있다.
열경화성 보호 필름(70)은 예를 들어, 열경화성의 접착제층을 구비하고, 필요에 따라 보호층을 더 구비해도 된다.
접착제층으로서는, 열경화성 수지에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하고, 열경화성 수지 및 열가소성 수지에 의해 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 열경화성 수지는, 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 에폭시 수지가 바람직하다.
열가소성 수지로서는, 예를 들어, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 공중합체, 에틸렌·아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는, 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 아크릴 수지가 바람직하다.
접착제층에는, 필요에 따라 다른 첨가제를 함유시킬 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어, 충전제, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 증량제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.
보호층은, 예를 들어, 내열성 수지, 금속 등으로 구성되어 있다.
보호층을 구성하는 내열성 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 폴리페닐렌술피드, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 액정 폴리머, 폴리테트라플루오로에틸렌 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리이미드, 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰, 폴리에테르이미드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤 등을 들 수 있다.
보호층을 구성하는 금속으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 알루미늄, 알루마이트, 스테인리스, 철, 티타늄, 주석, 구리 등을 들 수 있다.
열경화성 보호 필름(70)은 시판하고 있는 필름을 사용해도 된다. 시판하고 있는 필름으로서는, 예를 들어, 린텍사제의 칩 이면 보호 테이프(제품명: 「LC 테이프」 시리즈) 등을 들 수 있다.
전자 부품(10)으로서는 회로 형성면(10A)을 갖는 전자 부품(10)이라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 사파이어 기반, 탄탈산리튬 기판, 몰드 웨이퍼, 몰드 패널, 몰드 어레이 패키지, 반도체 기판 등을 들 수 있다.
또한, 반도체 기판으로서는, 예를 들어, 실리콘 기판, 게르마늄 기판, 게르마늄-비소 기판, 갈륨-인 기판, 갈륨-비소-알루미늄 기판, 갈륨-비소 기판 등을 들 수 있다.
또한, 전자 부품(10)은 어떤 용도의 전자 부품이어도 되지만, 예를 들어, 로직용(예를 들어, 통신용, 고주파 신호 처리용 등), 메모리용, 센서용, 전원용의 전자 부품 등을 들 수 있다. 이들은, 1종만을 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)은 예를 들어, 전극(10B)을 가짐으로써, 요철 구조로 되어 있다.
또한, 전극(10B)은 전자 장치를 실장면에 실장할 때에 실장면에 형성된 전극에 대하여 접합되어서, 전자 장치와 실장면(프린트 기판 등의 실장면) 간의 전기적 접속을 형성하는 것이다.
전극(10B)으로서는, 예를 들어, 볼 범프, 인쇄 범프, 스터드 범프, 도금 범프, 필러 범프 등의 범프 전극을 들 수 있다. 즉, 전극(10B)은 통상 볼록 전극이다. 이들 범프 전극은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
또한, 범프 전극을 구성하는 금속종은 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 은, 금, 구리, 주석, 납, 비스무트 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 이들 금속종은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
본 실시 형태에 관계되는 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)에 점착성 적층 필름(50)이 첩부된 상태에서, 점착성 적층 필름(50)에 있어서의 요철 흡수성 수지층(30)을 열경화 또는 자외선 경화시키는 경화 공정 (A3)을 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 점착성 적층 필름(50)의 내열성을 향상시킬 수 있다. 이와 같이 함으로써, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)에 열경화성 보호 필름(70)을 첩부하는 공정 (A2)나 열경화성 보호 필름(70)을 열경화시키는 열경화 공정 (B)에 있어서 전자 부품(10)의 휨을 억제할 수 있다. 또한 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)에 열경화성 보호 필름(70)을 첩부하는 공정 (A2)나 열경화성 보호 필름(70)을 열경화시키는 열경화 공정 (B)에 있어서, 요철 흡수성 수지층(30)이 용융하여 수지의 비어져 나옴이 일어나는 것을 억제할 수 있다. 경화 공정 (A3)은 특별히 한정되지 않지만, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)에 열경화성 보호 필름(70)을 첩부하는 공정 (A2) 전에 행하는 것이 바람직하다.
요철 흡수성 수지층(30)의 열경화 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 라디칼 중합 개시제에 의한 열 가교를 들 수 있다. 라디칼 중합 개시제에 의한 열 가교는, 공지된 열 라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다.
또한, 요철 흡수성 수지층(30)에 자외선을 조사함으로써, 요철 흡수성 수지층(30)을 가교시켜서 경화시킬 수 있다. 자외선은 예를 들어, 점착성 적층 필름의 기재층(20) 측의 면으로부터 조사된다.
또한, 어느 가교 방법에 있어서든 요철 흡수성 수지층(30)에 가교 보조제를 배합하여 요철 흡수성 수지층(30)의 가교를 행해도 된다.
본 실시 형태에 관계되는 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)에 점착성 적층 필름(50)이 첩부된 상태에서, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)을 백그라인드하는 백그라인드 공정 (A4)를 행해도 된다. 즉, 본 실시 형태에 관계되는 점착성 적층 필름(50)을 백그라인드 테이프로서 사용해도 된다. 여기서, 백그라인드 공정 (A4) 전에 경화 공정 (A3)을 행하면, 점착성 적층 필름(50)의 점착력이 저하되기 때문에, 백그라인드 공정 (A4)에 있어서, 점착성 적층 필름(50)이 벗겨져버릴 우려가 있다. 그 때문에, 경화 공정 (A3) 전에 백그라인드 공정 (A4)를 행하는 것이 바람직하다.
백그라인드 공정 (A4)에서는, 점착성 적층 필름(50)에 첩부된 상태에서, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)을 백그라인드한다.
여기서, 백그라인드한다란, 전자 부품(10)을 갈라지게 하거나, 파손시키거나 하지 않고, 소정의 두께까지 박화 가공하는 것을 의미한다.
전자 부품(10)의 백그라인드는, 공지된 방법으로 행할 수 있다. 예를 들어, 연삭기의 척 테이블 등에 전자 부품(10)을 고정하고, 전자 부품(10)의 회로 형성면(10A)과는 반대측의 면(10C)을 연삭하는 방법을 들 수 있다.
이면 연삭 방식으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 스루 피드 방식, 인 피드 방식 등의 공지된 연삭 방식을 채용할 수 있다. 각각 연삭은, 물을 전자 부품(10)과 지석에 뿌려서 냉각하면서 행할 수 있다.
(공정 (B))
이어서, 구조체(60)를 가열함으로써, 열경화성 보호 필름(70)을 열경화시킨다.
열경화성 보호 필름(70)을 열경화시키는 공정 (B)에 있어서의 가열 온도는 열경화성 보호 필름(70)의 종류에 따라 적절히 설정되기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 120℃ 이상 170℃ 이하이며, 바람직하게는 130℃ 이상 160℃ 이하이다.
(공정 (C))
또한, 본 실시 형태에 관계되는 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 공정 (B) 후에 전자 부품(10)과 점착성 적층 필름(50)을 박리하는 공정 (C)를 더 행해도 된다. 이 공정 (C)를 행함으로써, 점착성 적층 필름(50)으로부터 전자 부품(10)을 박리할 수 있다.
박리 온도는, 예를 들어, 20 내지 100℃이다.
전자 부품(10)과 점착성 적층 필름(50)의 박리는, 공지된 방법으로 행할 수 있다.
(기타의 공정)
본 실시 형태에 관계되는 전자 장치의 제조 방법은, 상기 이외의 기타의 공정을 갖고 있어도 된다. 기타의 공정으로서는, 전자 장치의 제조 방법에 있어서 공지된 공정을 사용할 수 있다.
예를 들어, 금속막 형성 공정, 어닐 처리, 다이싱 공정, 다이 본딩 공정, 와이어 본딩 공정, 플립 칩 접속 공정, 큐어 가온 테스트 공정, 밀봉 공정, 리플로우 공정 등의 전자 부품의 제조 공정에 있어서 일반적으로 행해지고 있는 임의의 공정 등을 또한 행해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 여러가지 구성을 채용할 수도 있다.
또한, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
<기재층>
기재층: 폴리에틸렌나프탈레이트 필름(제품명: 테오넥스 Q81, 도요보 필름 솔루션사제, 두께: 50㎛, 표 1 중에서는 「PENQ81」이라고 기재)
<요철 흡수성 수지층 형성용의 수지>
수지 1: 에틸렌·아세트산비닐 공중합체(제품명: 에바플렉스 EV150, 미츠이·다우·폴리케미컬사제, 융점: 61℃)
수지 2: 폴리머 P1
열중합성 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴산에스테르 폴리머 P1의 합성
아크릴산에틸 48질량부, 아크릴산2-에틸헥실 27질량부, 아크릴산메틸 20질량부, 메타크릴산글리시딜 5질량부 및 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드 0.2질량부(고형분 환산)를 혼합하였다. 얻어진 용액을, 톨루엔 65질량부, 아세트산에틸 50질량부가 들어간 질소 치환 플라스크 중에 교반하면서 80℃에서 5시간에 걸쳐서 적하하고, 또한 5시간 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액을 냉각하고, 크실렌 25질량부, 아크릴산 2.5질량부와 테트라데실벤질암모늄클로라이드 1.5질량부를 첨가하고, 공기를 취입하면서 80℃에서 10시간 반응시켜서, 열중합성 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴산에스테르계 폴리머 P1의 용액을 얻었다. 폴리머 P1을 구성하는 전체 구성 단위에 대한 메타크릴산글리시딜 유래의 구성 단위의 함유량은 3.926mol％였다.
<점착성 수지층 형성용의 수지>
점착성 수지층 형성용의 수지로서, 하기 점착제 도포액을 사용하였다.
·점착제 폴리머
아크릴산n-부틸 77질량부, 메타크릴산메틸 16질량부, 아크릴산2-히드록시에틸 16질량부 및 중합 개시제로서 t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 0.3질량부를 톨루엔 20질량부, 아세트산에틸 80질량부 중에서 10시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 이 용액을 냉각하고, 이것에 톨루엔 30질량부, 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴코(주)제, 제품명: 카렌즈 MOI) 7질량부 및 디라우릴산디부틸주석 0.05질량부를 첨가하고, 공기를 취입하면서 85℃에서 12시간 반응시켜, 점착제 폴리머 용액을 얻었다.
·점착성 도포액
상기 점착제 폴리머(고형분) 100질량부에 대하여 광 개시제로서 벤질디메틸케탈(BAFS사제, 상품명: 이르카큐어 651) 8질량부, 이소시아네이트계 가교제(미쯔이 가가꾸사제, 상품명: 오레스타 P49-75S) 2.33질량부, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트(신나까무라 가가꾸 고교사제, 상품명: AD-TMP) 6질량부를 첨가하여, 점착제 도포액을 얻었다.
(실시예 1)
수지 1(100질량부)에, 가교 보조제인 트리알릴이소시아누레이트(미쯔비시 가가꾸사제, 상품명: TAIC) 0.22질량부 및 가교제인 t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실카르보네이트(아르끄마 요시토미사제, 상품명: 루페록스 TBEC) 0.16질량부를 드라이 블렌드한 조성물을 얻었다. 이어서, 라보 플라스토밀로 용융 혼련하여 얻어진 조성물을 열 프레스기로 두께 500㎛로 성형하여, 요철 흡수성 수지층을 얻었다.
이어서, 기재층을 요철 흡수성 수지층에 접합하여, 적층 필름을 얻었다.
이어서, 점착성 수지층용의 점착제 도포액을 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 도포하고, 건조시켜서, 두께 10㎛의 점착성 수지층을 형성하였다. 이어서, 얻어진 점착성 수지층을 상술한 적층 필름의 요철 흡수성 수지층 측에 접합함으로써, 점착성 수지 필름을 얻었다. 얻어진 점착성 수지 필름에 대해서, 이하의 평가를 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
<평가>
(1) 저장 탄성률 G' 및 손실 정접 tanδ의 평가
저장 탄성률은, 동적 점도 측정 장치(TA Instruments사제 점탄성 측정 장치ARES, 직경 25㎜의 패럴렐 플레이트를 사용)를 사용하여, 주파수 6.28Hz에서, 0℃ 내지 250℃의 온도 범위에서 측정하였다. 구체적으로는, 샘플을 100℃에서 상기 패럴렐 플레이트 지그를 통하여 동적 점탄성 측정 장치에 세트하고, 0℃ 내지 250℃까지 3℃/분의 속도로 승온하면서 저장 탄성률을 측정하였다.
측정 종료 후, 얻어진 0℃ 내지 250℃의 저장 탄성률-온도 곡선 중, 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에서, 저장 탄성률이 최소가 되는 온도와 그 값(G'min), 30℃에서의 저장 탄성률 G'30, 250℃에서의 저장 탄성률 G'250의 값을 판독하였다. 또한, 아울러 손실 정접 tanδ에 대해서도 측정을 행하였다. 저장 탄성률과 온도의 관계를 도 3에 도시한다. 또한, 손실 정접과 온도의 관계를 도 4에 도시한다.
(2) 실리콘 테스트 피스의 휨 평가
두께 75㎛로 연삭한 실리콘 웨이퍼를 5㎝×2.5㎝로 개편화한 테스트 피스를 준비하였다. 점착성 수지 필름의 점착성 수지층 측의 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 벗기고, 70℃로 가열한 핫 플레이트 상에서 점착성 수지 필름의 점착성 수지층 측을 테스트 피스에 첩부하고 나서, 당해 점착성 필름을 테스트 피스의 사이즈에 따라서 커트하여, 점착성 수지 필름/실리콘 테스트 피스 적층체를 제작하였다. 그 후, 적층체의 실리콘 테스트 피스측을 아래로 하여, 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 이형면에 얹은 상태에서 가열 오븐에 넣고, 150℃에서 2시간 30분 가열하였다. 그 후, 취출한 적층체를 10분간 정치·방랭하고 나서, 적층 샘플의 실리콘 테스트 피스측을 아래로 하여, 적층 샘플의 한쪽의 짧은 변(2.5㎝ 폭) 중앙부를 위로부터 손가락으로 누르고, 그 때에 솟아오른 다른 한쪽의 샘플의 짧은 변의 중점의 저면으로부터의 높이를 정규로 측정하고, 그 값을 휨으로 하였다.
휨의 값(단위: ㎜)을 표에 나타낸다.
(3) 8인치 실리콘 웨이퍼의 휨
두께 100㎛의 8인치(200㎜) 실리콘 웨이퍼를, 점착성 수지 필름에 부착하였다. 그 후, 가열 오븐에 넣고, 150℃에서 2시간 가열하였다. 그 후, 취출한 적층체를 10분간 정치·방랭하고 나서, 실리콘 웨이퍼의 휨을 정규로 측정하였다. 또한, 표 중 「-」은 미평가를 의미하고, 「×」은 크게 휘어버린 결과를 의미한다.
(4) 요철 흡수성 수지층의 스며나옴 평가
휨 평가 후의 테스트 피스 단부로부터 요철 흡수성 수지층이 스며나와 있지 않은지를 눈으로 보아 확인하였다. 또한, 스며나와 있었을 경우에는, 스며나온 수지층이 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 첩부되어 있지 않은지를 확인하였다.
스며나옴은 이하의 기준으로 평가하였다.
◎: 스며나옴 없음
○: 스며나옴은 있지만, 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 첩부되어 있지 않음
×: 스며나옴이 있고, 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 첩부되어 있음
(5) 외관의 평가
외관은 이하의 기준에 기초하여 평가하였다.
◎: 기포 없음
○: 기포는 있지만, 기포의 총 면적이 테스트 피스의 총 면적의 30％ 미만
×: 기포가 있고, 또한 기포의 총 면적이 테스트 피스의 총 면적의 30％ 이상
(실시예 2 내지 3)
요철 흡수성 수지층의 종류를 표 1에 나타내는 것으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착성 수지 필름을 각각 제작하였다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로 각 평가를 각각 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에, 각각 나타낸다.
(비교예 1 내지 4)
요철 흡수성 수지층을 표 1에 나타내는 것으로 변경하여, 점착성 수지 필름을 각각 제작하였다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1 중의 오레스타 P49-75S는, 이소시아네이트계 가교제(미쯔이 가가꾸사제, 상품명: 오레스타 P49-75S)이며, 퍼카독스12는 유기 과산화물(가야쿠 누리온사제, 상품명: 퍼카독스12)이다.
Figure pct00001
비교예 1,2에서는 테스트 피스의 휨 및 실리콘 웨이퍼의 휨을 억제할 수 없었다. 비교예 3, 4에서는 테스트 피스의 휨은 억제할 수 있었지만, 실리콘 웨이퍼의 휨을 억제할 수 없었다. 또한, 비교예 3,4에서는 250℃에서의 tanδ의 값이 너무 높기 때문에, 가열 시에 스며나옴이 발생해버렸다.
한편, 실시예 1 내지 2에서는, 테스트 피스 및 실리콘 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있었다. 또한, 요철 흡수성 수지층의 스며나옴도 억제할 수 있었다. 또한, 실시예 3에서는 테스트 피스의 휨과 스며나옴을 억제할 수 있었다.
이 출원은, 2021년 4월 20일에 출원된 일본 출원 일본 특허 출원 제2021-071104호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 본 명세서에 도입한다.
10: 전자 부품
10A: 회로 형성면
10B: 전극
10C: 회로 형성면과는 반대측의 표면
20: 기재층
30: 요철 흡수성 수지층
40: 점착성 수지층
50: 점착성 수지 필름(점착성 적층 필름)
60: 구조체
70: 열경화성 보호 필름

Claims (20)

  1. 기재층과, 요철 흡수성 수지층과, 점착성 수지층을 이 순으로 구비하고, 전자 부품의 회로 형성면을 보호하기 위하여 사용되는 점착성 수지 필름이며,
    상기 요철 흡수성 수지층의 25℃ 이상 250℃ 미만의 범위에 있어서의 저장 탄성률 G'b의 최솟값 G'bmin이 0.001MPa 이상 0.1MPa 미만이고, 또한 250℃에서의 저장 탄성률 G'b250이 0.005MPa 이상 0.3MPa 이하인, 점착성 수지 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    250℃에서의 상기 요철 흡수성 수지층의 손실 정접 tanδ가 0.05 이상 1.2 이하인, 점착성 수지 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    30℃에서의 상기 요철 흡수성 수지층의 저장 탄성률 G'b30이 0.1MPa 이상인, 점착성 수지 필름.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철 흡수성 수지층은 가교성 수지를 포함하는 층인, 점착성 수지 필름.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가교성 수지가, 에틸렌·α-올레핀 공중합체 및 에틸렌·비닐에스테르 공중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는, 점착성 수지 필름.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 에틸렌·비닐에스테르 공중합체가 에틸렌·아세트산비닐 공중합체를 포함하는, 점착성 수지 필름.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    백그라인드 테이프인, 점착성 수지 필름.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철 흡수성 수지층이 가교 보조제를 더 포함하는, 점착성 수지 필름.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 가교 보조제는, 벤조페논 화합물, 디비닐 방향족 화합물, 시아누레이트 화합물, 디알릴 화합물, 아크릴레이트 화합물, 트리알릴 화합물, 옥심 화합물 및 말레이미드 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 점착성 수지 필름.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층을 구성하는 수지가, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 및 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 점착성 수지 필름.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층을 구성하는 수지가 폴리에틸렌나프탈레이트를 포함하는, 점착성 수지 필름.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 요철 흡수성 수지층의 두께가 10㎛ 이상 1000㎛ 이하인, 점착성 수지 필름.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착성 수지층을 구성하는 점착제가, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제 및 스티렌계 점착제로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는, 점착성 수지 필름.
  14. 회로 형성면을 갖는 전자 부품과, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면에 첩부된 점착성 적층 필름과, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면에 첩부된 열경화성 보호 필름을 구비하는 구조체를 준비하는 준비 공정 (A)와,
    상기 구조체를 가열함으로써, 상기 열경화성 보호 필름을 열경화시키는 열경화 공정 (B)
    를 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
    상기 점착성 적층 필름이 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 점착성 수지 필름인 전자 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 공정 (A)는
    상기 전자 부품의 상기 회로 형성면에 상기 점착성 수지 필름이 첩부된 상태에서, 상기 점착성 필름에 있어서의 요철 흡수성 수지층을 열경화 또는 자외선 경화시키는 경화 공정과,
    상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면에 상기 열경화성 보호 필름을 첩부하는 공정
    을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면에 상기 열경화성 보호 필름을 첩부하는 상기 공정에서의 가열 온도가 50℃ 이상 90℃ 이하인, 전자 장치의 제조 방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 공정 (A)는 상기 경화 공정 전에, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면에 상기 점착성 수지 필름이 첩부된 상태에서, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면과는 반대측의 면을 백그라인드하는, 백그라인드 공정을 포함하는, 전자 장치의 제조 방법.
  18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 (B)에 있어서의 가열 온도가 120℃ 이상 170℃ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
  19. 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 부품의 회로 형성면이 범프 전극을 포함하는, 전자 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 범프 전극의 높이를 H[㎛]라 하고, 상기 요철 흡수성 수지층의 두께를 d[㎛]라 했을 때, H/d는 0.01 이상 1 이하인, 전자 장치의 제조 방법.
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