KR20230071567A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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KR20230071567A
KR20230071567A KR1020210157910A KR20210157910A KR20230071567A KR 20230071567 A KR20230071567 A KR 20230071567A KR 1020210157910 A KR1020210157910 A KR 1020210157910A KR 20210157910 A KR20210157910 A KR 20210157910A KR 20230071567 A KR20230071567 A KR 20230071567A
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rinsing
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강민옥
이영일
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세메스 주식회사
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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 유닛; 고온의 처리액을 상기 기판에 공급하는 처리액 공급 유닛; 기판으로 린스액을 공급하는 린스액 공급 유닛; 및 상기 처리액 공급 유닛이 상기 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 린스액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 공급 유닛과 상기 린스액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되; 상기 제어기는 상기 린스액이 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점에서 기판의 회전 중심을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점으로 이어지는 이동 경로를 따라 공급되도록 상기 린스액 공급 유닛을 제어할 수 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. A substrate processing apparatus includes a support unit rotatably provided to support a substrate; a processing liquid supply unit supplying a high-temperature processing liquid to the substrate; a rinsing liquid supply unit supplying rinsing liquid to the substrate; and a controller controlling the treatment liquid supply unit and the rinsing liquid supply unit so that the treatment liquid supply unit first supplies the treatment liquid to the substrate and then supplies the rinsing liquid to the substrate; The controller may control the rinsing liquid supply unit so that the rinsing liquid is supplied along a moving path extending from a first point away from the rotation center of the substrate through the rotation center of the substrate to a second point away from the rotation center of the substrate. .

Figure P1020210157910
Figure P1020210157910

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.In general, processes for processing glass substrates or wafers in flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing processes include a photoresist coating process, a developing process, an etching process, an ashing process, and the like. Various processes are performed. Each process includes a wet cleaning process using chemical or deionized water to remove various contaminants attached to the substrate and a drying process to dry the chemical or deionized water remaining on the substrate surface. ) process is performed.

최근에는 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다. 고온의 케미칼을 이용한 기판 처리 공정은 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다.Recently, an etching process for selectively removing a silicon nitride film and a silicon oxide film has been performed using a chemical used at high temperature such as phosphoric acid. In the substrate treatment process using a high-temperature chemical, a chemical treatment step, a rinse treatment step, and a drying treatment step are sequentially performed. In the chemical treatment step, a chemical for etching a thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinse liquid such as pure water is supplied on the substrate.

이러한 인산이 포함된 케미칼을 이용한 기판 처리 공정은 케미칼이 기판 상에 머무르는 시간이 길고, 고온의 케미칼이 상온의 초순수와 만나 온도 감소가 빠르게 일어남에 따른 석출물(인산염)/부산물이 생성된다. 이로 인해 석출물과 부산물은 파티클로 작용하며 기판 중앙에 몰림성이 발생된다.In the substrate treatment process using such a phosphoric acid-containing chemical, the chemical stays on the substrate for a long time, and the high-temperature chemical meets ultrapure water at room temperature and rapidly decreases in temperature, resulting in precipitates (phosphate) / by-products. As a result, precipitates and by-products act as particles, and convergence occurs in the center of the substrate.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 파티클 생성을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing the generation of particles on a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 유닛; 고온의 처리액을 상기 기판에 공급하는 처리액 공급 유닛; 기판으로 린스액을 공급하는 린스액 공급 유닛; 및 상기 처리액 공급 유닛이 상기 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 린스액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 공급 유닛과 상기 린스액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되; 상기 제어기는 상기 린스액이 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점에서 기판의 회전 중심을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점으로 이어지는 이동 경로를 따라 공급되도록 상기 린스액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다According to one aspect of the present invention, a support unit that supports a substrate and is rotatably provided; a processing liquid supply unit supplying a high-temperature processing liquid to the substrate; a rinsing liquid supply unit supplying rinsing liquid to the substrate; and a controller controlling the treatment liquid supply unit and the rinsing liquid supply unit so that the treatment liquid supply unit first supplies the treatment liquid to the substrate and then supplies the rinsing liquid to the substrate; The controller controls the rinsing liquid supply unit so that the rinsing liquid is supplied along a moving path extending from a first point away from the rotation center of the substrate through the rotation center of the substrate to a second point away from the rotation center of the substrate. device can be provided

또한, 상기 제어기는 상기 린스액이 공급될 때의 기판의 회전 속도가 상기 처리액이 공급될 때의 기판의 회전 속도보다 빠른 속도로 회전되도록 상기 지지 유닛을 제어할 수 있다.In addition, the controller may control the support unit so that the rotation speed of the substrate when the rinsing liquid is supplied is faster than the rotation speed of the substrate when the treatment liquid is supplied.

또한, 상기 린스액이 공급될 때의 기판의 회전 속도는 200~1800rpm이고, 상기 처리액이 공급될 때의 기판의 회전 속도는 200rpm 이하일 수 있다.Also, the rotational speed of the substrate when the rinsing liquid is supplied may be 200 to 1800 rpm, and the rotational speed of the substrate when the treatment liquid is supplied may be 200 rpm or less.

또한, 상기 제어기는 상기 린스액이 상기 제1지점과 상기 제2지점을 적어도 1회 이상 스캔 이동하면서 공급되도록 상기 린스액 공급 유닛을 제어할 수 있다.The controller may control the rinsing liquid supply unit so that the rinsing liquid is supplied while scanning the first point and the second point at least once.

또한, 상기 처리액은 인산을 포함할 수 있다.In addition, the treatment liquid may include phosphoric acid.

또한, 상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공될 수 있다.In addition, the substrate may be provided in a state in which a silicon nitride layer and a silicon oxide layer are formed.

또한, 상기 처리액 공급 유닛은 상기 처리액을 섭씨 160도 이상의 고온으로 가열한 상태로 기판으로 공급할 수 있다.Also, the treatment liquid supply unit may supply the treatment liquid to the substrate in a state in which the treatment liquid is heated to a high temperature of 160 degrees Celsius or more.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판이 회전되는 상태에서 고온의 처리액을 상기 기판으로 공급하여 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 약액 처리 공정; 상기 약액 처리 공정에 앞서, 상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 순수를 설정 시간 공급하는 프리 웨트 공정; 및 상기 약액 처리 단계 이후에, 상기 기판에 대하여 린스액을 공급하는 린스 공정을 포함하되; 상기 린스 공정은 상기 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점부터 기판의 회전 중심을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점으로 이어지는 이동 경로를 따라 상기 린스액을 공급하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a chemical treatment process for performing an etching process on the substrate by supplying a high-temperature treatment liquid to the substrate while the substrate is rotating; Prior to the chemical treatment step, a pre-wet step of supplying pure water to the substrate for a set period of time while the substrate is being rotated; and a rinsing process of supplying a rinsing liquid to the substrate after the chemical treatment step; In the rinsing process, the rinsing liquid is supplied along a moving path extending from a first point away from the rotation center of the substrate through the rotation center of the substrate to a second point away from the rotation center of the substrate. .

또한, 상기 린스 공정에서 기판은 상기 약액 처리 공정에서의 기판 회전 속도보다 빠른 속도로 회전될 수 있다.Also, in the rinsing process, the substrate may be rotated at a higher speed than the rotation speed of the substrate in the chemical treatment process.

또한, 상기 린스 공정에서의 상기 기판의 회전 속도는 200~1800rpm이고, 상기 약액 처리 공정에서의 상기 기판의 회전 속도는 200rpm 이하일 수 있다.Also, the rotation speed of the substrate in the rinsing process may be 200 to 1800 rpm, and the rotation speed of the substrate in the chemical treatment process may be 200 rpm or less.

또한, 상기 린스 공정은 상기 이동 경로를 적어도 1회 이상 왕복 이동할 수 있다. In addition, the rinsing process may reciprocate along the moving path at least once.

또한, 상기 처리액은 인산을 포함할 수 있다.In addition, the treatment liquid may include phosphoric acid.

또한, 상기 약액 처리 공정에서 상기 처리액은 섭씨 160도 이상의 고온으로 가열된 상태로 기판으로 공급할 수 있다.Also, in the chemical treatment process, the treatment solution may be supplied to the substrate in a state of being heated to a high temperature of 160 degrees Celsius or more.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 제1속도로 회전하는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계; 제2속도로 회전하는 기판으로 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 포함하되, 상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠른 속도로 제공되고, 상기 린스액을 상기 기판으로 토출하는 린스액 노즐은 상기 기판 표면 상의 제1위치와 제2위치로 이어지는 이동 경로를 따라 이동하며 상기 린스액을 공급하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a processing liquid supply step of supplying a processing liquid to a substrate rotating at a first speed; A rinsing liquid supply step of supplying a rinsing liquid to a substrate rotating at a second speed, wherein the second speed is provided at a higher speed than the first speed, and the rinsing liquid nozzle discharging the rinsing liquid to the substrate A substrate processing method may be provided in which the rinsing liquid is supplied while moving along a moving path leading to a first position and a second position on the surface of the substrate.

또한, 상기 제1위치는 상기 기판의 회전 중심에서 제1간격으로 이격되는 위치이고, 상기 제2위치는 ㅈ상기 기판의 회전 중심에서 상기 제1간격으로 이격되되, 상기 제1위치와 대향하는 위치이며, 상기 이동 경로는 상기 제1위치와 상기 기판의 회전 중심 그리고 상기 제2위치를 적어도 1회 이상 왕복 이동할 수 있다.In addition, the first position is a position spaced apart from the rotation center of the substrate by a first distance, and the second position is spaced apart from the rotation center of the substrate by the first distance, but a position facing the first position And, the movement path may reciprocate between the first position, the center of rotation of the substrate, and the second position at least once.

또한, 상기 제1위치는 상기 기판의 회전 중심과 상기 기판의 가장자리 사이에 위치하고, 상기 제2위치는 상기 기판의 회전 중심과 상기 기판의 가장자리 사이에 위치할 수 있다.In addition, the first position may be located between the rotation center of the substrate and the edge of the substrate, and the second position may be located between the rotation center of the substrate and the edge of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate can be efficiently processed.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 파티클 생성을 최소화할 수 있다. In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to minimize the generation of particles on the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판이 처리되는 과정을 설명하기 위한 플로우챠트 및 도면이다.
도 6 및 도 7은 초기 린스 단계에서의 린스액 토출을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a plan view schematically illustrating a substrate processing facility provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
4 and 5 are flowcharts and diagrams for explaining a process of processing a substrate according to an embodiment of the present invention.
6 and 7 are diagrams for explaining the discharge of the rinse liquid in the initial rinse step.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless otherwise stated. Specifically, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features or It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, the second element may also be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when a component is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in this application, they are not interpreted in an ideal or excessively formal meaning. .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility 1 of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 1 , a substrate processing facility 1 includes an index module 1000 and a process processing module 2000 . The index module 1000 includes a load port 1200 and a transfer frame 1400. The load port 1200, the transfer frame 1400, and the process module 2000 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 1200, the transfer frame 1400, and the process module 2000 are arranged is referred to as the first direction 12. And when viewed from above, the direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction. (16).

로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 1300 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 1200 . A plurality of load ports 1200 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14 . 1 shows that four load ports 1200 are provided. However, the number of load ports 1200 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 2000 . A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier 1300 . A plurality of slots are provided in the third direction 16 . The substrates W are positioned in the carrier 1300 to be stacked spaced apart from each other along the third direction 16 . A front opening unified pod (FOUP) may be used as the carrier 1300 .

공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)을 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 2000 includes a buffer unit 2200, a transfer chamber 2400, and a process chamber 2600. The transfer chamber 2400 is disposed parallel to the first direction 12 in its longitudinal direction. Process chambers 2600 are respectively disposed on one side and the other side of the transfer chamber 2400 along the second direction 14 . The process chambers 2600 located on one side of the transfer chamber 2400 and the process chambers 2600 located on the other side of the transfer chamber 2400 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 2400 . Some of the process chambers 2600 are disposed along the length direction of the transfer chamber 2400 . Also, some of the process chambers 2600 are stacked with each other. That is, on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each a natural number of 1 or greater). Here, A is the number of process chambers 2600 provided in a line along the first direction 12, and B is the number of process chambers 2600 provided in a line along the third direction 16. When four or six process chambers 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in a 2x2 or 3x2 arrangement. The number of process chambers 2600 may increase or decrease. Unlike the above description, the process chamber 2600 may be provided on only one side of the transfer chamber 2400 . Also, unlike the above description, the process chamber 2600 may be provided on one side and both sides of the transfer chamber 2400 in a single layer.

버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 2200 is disposed between the transfer frame 1400 and the transfer chamber 2400 . The buffer unit 2200 provides a space where the substrate W stays between the transfer chamber 2400 and the transfer frame 1400 before the substrate W is transported. The buffer unit 2200 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . In the buffer unit 2200, a surface facing the transfer frame 1400 and a surface facing the transfer chamber 2400 are opened.

이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 1400 transfers the substrate W between the carrier 1300 seated on the load port 1200 and the buffer unit 2200 . An index rail 1420 and an index robot 1440 are provided on the transfer frame 1400 . The length direction of the index rail 1420 is parallel to the second direction 14 . The index robot 1440 is installed on the index rail 1420 and linearly moves in the second direction 14 along the index rail 1420 . The index robot 1440 has a base 1441, a body 1442, and an index arm 1443. The base 1441 is installed to be movable along the index rail 1420 . Body 1442 is coupled to base 1441. The body 1442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 1441 . In addition, the body 1442 is provided to be rotatable on the base 1441. The index arm 1443 is coupled to the body 1442 and is provided to be movable forward and backward with respect to the body 1442 . A plurality of index arms 1443 are provided to be individually driven. The index arms 1443 are stacked and spaced apart from each other along the third direction 16 . Some of the index arms 1443 are used to transport the substrate W from the process module 2000 to the carrier 1300, and some of the index arms 1443 transfer the substrate W from the carrier 1300 to the process module 2000. It can be used when transporting. This can prevent particles generated from the substrate W before processing from being attached to the substrate W after processing during the process of carrying in and unloading the substrate W by the index robot 1440 .

이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란 하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동 되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 2400 transfers the substrate W between the buffer unit 2200 and the process chamber 2600 and between the process chambers 2600 . A guide rail 2420 and a main robot 2440 are provided in the transfer chamber 2400 . The guide rail 2420 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The main robot 2440 is installed on the guide rail 2420 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 2420 . The main robot 2440 has a base 2441, a body 2442, and a main arm 2443. The base 2441 is installed to be movable along the guide rail 2420 . Body 2442 is coupled to base 2441. The body 2442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 2441 . In addition, the body 2442 is provided to be rotatable on the base 2441. The main arm 2443 is coupled to the body 2442, and is provided to be movable forward and backward relative to the body 2442. A plurality of main arms 2443 are provided to be individually driven. The main arms 2443 are stacked and spaced apart from each other along the third direction 16 . The main arm 2443 used to transfer the substrate W from the buffer unit 2200 to the process chamber 2600 and the main arm 2443 used to transfer the substrate W from the process chamber 2600 to the buffer unit 2200 The main arms 2443 may be different from each other.

공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미칼의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.In the process chamber 2600 , a substrate processing apparatus 10 performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 10 provided in each process chamber 2600 may have a different structure depending on the type of cleaning process to be performed. Optionally, the substrate processing apparatus 10 in each process chamber 2600 may have the same structure. Optionally, the process chambers 2600 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing apparatuses 10 provided to the process chambers 2600 belonging to the same group have the same structure and provided to the process chambers 2600 belonging to different groups. The substrate processing apparatuses 10 may have structures different from each other. For example, when the process chamber 2600 is divided into two groups, a first group of process chambers 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400, and a second group of process chambers 2600 are provided on the other side of the transfer chamber 2400. Process chambers 2600 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 2600 may be provided on a lower layer on one side and the other side of the transfer chamber 2400, and a second group of process chambers 2600 may be provided on an upper layer. The first group of process chambers 2600 and the second group of process chambers 2600 may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액, 산성 약액, 린스액, 그리고 건조 가스와 같은 처리 유체들을 사용하여 기판(W)을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판(W)을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.In the following embodiment, an apparatus for cleaning a substrate W using processing fluids such as high-temperature sulfuric acid, an alkaline chemical solution, an acidic chemical solution, a rinsing liquid, and a dry gas will be described as an example. However, the technical spirit of the present invention is not limited thereto, and may be applied to various types of devices that perform a process while rotating the substrate W, such as an etching process.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 바울(200), 지지 유닛(300), 처리액 공급 유닛(410), 린스액 공급 유닛(430), 배기 유닛(500), 승강 유닛(600), 센서부(700), 제어기(800)를 포함한다. FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 , and FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 . Referring to FIGS. 2 and 3 , the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a bowl 200, a support unit 300, a treatment liquid supply unit 410, a rinse liquid supply unit 430, and an exhaust unit. 500, a lifting unit 600, a sensor unit 700, and a controller 800.

챔버(100)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 부재(110)가 설치된다. 기류 공급 부재(110)은 챔버(100) 내부에 하강 기류를 형성한다.The chamber 100 provides a sealed inner space. An air flow supply member 110 is installed at the top. The air flow supply member 110 forms a descending air flow inside the chamber 100 .

기류 공급 부재(110)는 고습도 외기를 필터링하여 챔버(100) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 부재(110)를 통과하여 챔버(100) 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 바울(200)의 회수통들(210,220,230)을 통해 배기 유닛(500)으로 배출시킨다.The air flow supply member 110 filters high-humidity outdoor air and supplies it to the inside of the chamber 100 . The high-humidity outside air passes through the air flow supply member 110 and is supplied into the chamber 100 to form a descending air flow. The downdraft provides a uniform airflow to the top of the substrate (W), and the contaminants generated in the process of processing the surface of the substrate (W) by the treatment fluid are removed together with the air through the collection containers (210, 220, 230) of the bowl (200). through the exhaust unit 500.

챔버(100)는 수평 격벽(102)에 의해 공정 영역(120)과 유지보수 영역(130)으로 나뉜다. 공정 영역(120)에는 바울(200)과 지지 유닛(300)이 위치한다. 유지보수 영역(130)에는 바울(200)과 연결되는 회수 라인(241,243,245), 배기 라인(510) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동부과, 처리액 공급 유닛(410)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(130)은 공정 영역(120)으로부터 격리된다.The chamber 100 is divided into a process area 120 and a maintenance area 130 by a horizontal partition wall 102 . A bowl 200 and a support unit 300 are positioned in the process area 120 . In the maintenance area 130, in addition to recovery lines 241, 243, and 245 connected to the bowl 200 and the exhaust line 510, a drive unit of the lifting unit 600, a drive unit connected to the treatment liquid supply unit 410, a supply line, etc. is located Maintenance area 130 is isolated from process area 120 .

바울(200)은 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 가진다. 바울(200)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(300)이 위치된다. 지지 유닛(300)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다. The bowl 200 has a cylindrical shape with an open top and has a processing space for processing the substrate W. The open upper surface of the bowl 200 serves as a path for transporting and transporting the substrate W. A support unit 300 is positioned in the processing space. The support unit 300 rotates the substrate W while supporting the substrate W during the process.

바울(200)은 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기 덕트(290)가 연결된 하부공간을 제공한다. 바울(200)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3회수통(210, 220, 230)이 다단으로 배치된다. The bowl 200 provides a lower space to which the exhaust duct 290 is connected at the lower end so that forced exhaust is performed. In the bowl 200, first to third collection containers 210, 220, and 230 are arranged in multiple stages to introduce and suck the treatment liquid and gas scattered on the rotating substrate W.

환형의 제1 내지 제3회수통(210, 220, 230)은 하나의 공통된 환형 공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 구체적으로, 제1 내지 제3회수통(210, 220, 230)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 포함한다. 제2회수통(220)은 제1회수통(210)을 둘러싸고, 제1회수통(210)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(230)은 제2회수통(220)을 둘러싸고, 제2회수통(220)로부터 이격되어 위치한다.The annular first to third collection containers 210, 220, and 230 have exhaust ports H communicating with one common annular space. Specifically, the first to third collection containers 210, 220, and 230 each include a bottom surface having an annular ring shape and a side wall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second collection container 220 surrounds the first collection container 210 and is spaced apart from the first collection container 210 . The third collection container 230 surrounds the second collection container 220 and is spaced apart from the second collection container 220 .

제1 내지 제3회수통 (210, 220, 230)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1회수공간(RS1)은 제1회수통(110)에 의해 정의되고, 제2회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)과 제2회수통(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3회수공간(RS3)은 제2회수통(120)과 제3회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.The first to third collection containers 210, 220, and 230 provide first to third collection spaces RS1, RS2, and RS3 into which airflow containing the treatment liquid and fume scattered from the substrate W flows. . The first collection space RS1 is defined by the first collection container 110, and the second collection space RS2 is defined by a separation space between the first collection container 110 and the second collection container 120, , The third recovery space RS3 is defined by the separation space between the second recovery bottle 120 and the third recovery bottle 130.

제1 내지 제3회수통(210, 220, 230)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3회수통(210, 220, 230)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3회수통(210, 220, 230)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다.The upper surfaces of the first to third collection containers 210, 220, and 230 have central portions opened. The first to third collection containers 210, 220, and 230 are formed of inclined surfaces with a distance from the corresponding bottom surface gradually increasing from the connected sidewall toward the opening. The treatment liquid scattered from the substrate W flows into the recovery spaces RS1 , RS2 , and RS3 along the upper surfaces of the first to third recovery containers 210 , 220 , and 230 .

제1회수공간(RS1)에 유입된 제1처리액은 제1회수라인(241)을 통해 외부로 배출된다. 제2회수공간(RS2)에 유입된 제2처리액은 제2회수라인(243)을 통해 외부로 배출된다. 제3회수공간(RS3)에 유입된 제3처리액은 제3회수라인(245)을 통해 외부로 배출된다.The first treatment liquid introduced into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 241 . The second treatment liquid introduced into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 243 . The third treatment liquid introduced into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 245 .

지지 유닛(300)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 기판(W)을 회전시킬 수 있다.The support unit 300 supports the substrate W during the process and can rotate the substrate W during the process.

지지 유닛(300)은 지지판(310), 스핀 구동부(320), 백 노즐부(330), 그리고 가열 부재(340)를 포함한다. The support unit 300 includes a support plate 310 , a spin driving unit 320 , a bag nozzle unit 330 , and a heating member 340 .

지지판(310)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)를 포함한다. 척 스테이지(312)는 원형의 상부면을 가진다. 척 스테이지(312)는 스핀 구동부 (320)에 결합되어 회전된다. 척 스테이지(312)의 가장자리에는 척킹 핀(316)들이 설치된다. 척킹 핀(316)들은 석영 윈도우(314)를 관통해서 석영 윈도우(314) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 척킹 핀(316)들은 다수의 지지 핀(318)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(316)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The support plate 310 includes a chuck stage 312 and a quartz window 314 . The chuck stage 312 has a circular upper surface. The chuck stage 312 is coupled to the spin driving unit 320 and rotates. Chucking pins 316 are installed at the edges of the chuck stage 312 . The chucking pins 316 are provided to penetrate the quartz window 314 and protrude upward from the quartz window 314 . The chucking pins 316 align the substrate W so that the substrate W supported by the plurality of support pins 318 is placed in place. During the process, the chucking pins 316 come into contact with the side of the substrate (W) to prevent the substrate (W) from being separated from its original position.

석영 윈도우(314)는 기판(W)과 척 스테이지(210) 상부에 위치한다. 석영 윈도우(314)는 가열 부재(340)를 보호하기 위해 제공된다. 석영 윈도우(314)는 투명하게 제공될 수 있다. 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 석영 윈도우(314)는 지지 핀(318)들을 포함한다. 지지 핀(318)들은 석영 윈도우(314)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 배치된다. 지지 핀(318)은 석영 윈도우(314)로부터 상측으로 돌출되도록 제공된다. 지지 핀(318)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 석영 윈도우(314)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다.The quartz window 314 is positioned above the substrate W and the chuck stage 210 . A quartz window 314 is provided to protect the heating element 340 . The quartz window 314 may be provided transparent. The quartz window 314 can be rotated with the chuck stage 312 . Quartz window 314 includes support pins 318 . The support pins 318 are spaced apart from each other by a predetermined distance on the edge of the upper surface of the quartz window 314 . A support pin 318 is provided to protrude upward from the quartz window 314 . The support pins 318 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported while being spaced apart from the quartz window 314 in an upward direction.

스핀 구동부(320)는 중공형의 형상을 갖고, 척 스테이지(312)와 결합하여 척 스테이지(312)를 회전시킨다. 척 스테이지(312)가 회전되는 경우, 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 또한, 지지판(310) 내에 제공되는 구성들은 지지판(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다. 예컨대, 후술하는 가열 부재(340)는 지지판(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다.The spin driver 320 has a hollow shape and is coupled with the chuck stage 312 to rotate the chuck stage 312 . When the chuck stage 312 is rotated, the quartz window 314 can be rotated with the chuck stage 312 . Also, components provided within the support plate 310 may be positioned independently of rotation of the support plate 310 . For example, the heating member 340 to be described below may be positioned independently of rotation of the support plate 310 .

백노즐부(330)는 기판(W)의 배면에 린스액(DIW)을 분사하기 위해 제공된다. 백노즐부(330)는 노즐 몸체(332) 및 백노즐 분사부(334)를 포함한다. 백노즐 분사부(334)는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)의 중앙 상부에 위치된다. 노즐 몸체(332)는 중공형의 스핀 구동부(320) 내에 관통 축설되며, 노즐 몸체(332)의 내부에는 린스액 이동 라인, 가스 공급라인 및 퍼지 가스 공급 라인이 제공될 수 있다. The back nozzle unit 330 is provided to spray the rinse liquid DIW to the rear surface of the substrate W. The back nozzle part 330 includes a nozzle body 332 and a back nozzle spraying part 334 . The back nozzle injection unit 334 is located at the upper center of the chuck stage 312 and the quartz window 314 . The nozzle body 332 is installed through the hollow spin driving unit 320, and a rinse liquid moving line, a gas supply line, and a purge gas supply line may be provided inside the nozzle body 332.

가열 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 부재(340)는 지지판(310) 내에 배치된다. 가열 부재(340)는 램프(342)를 포함할 수 있다.The heating member 340 may heat the substrate W during the process. The heating element 340 is disposed within the support plate 310 . The heating member 340 may include a lamp 342 .

가열 부재(340)는 척 스테이지(312)의 상부에 설치된다. 가열 부재(340)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 가열 부재(340)는 복수 개로 제공될 수 있다. 가열 부재(340)는 서로 상이한 직경으로 제공될 수 있다. 각각의 가열 부재(340)의 온도는 개별적으로 제어될 수 있다. 가열 부재(340)는 광을 방사하는 램프(342)일 수 있다. 램프(342)는 적외선 영역의 파장을 가지는 광을 방사하는 램프(342)일 수 있다. 램프(342)는 적외선 램프(342)(IR Lamp)일 수 있다. 램프(342)는 적외선을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다.The heating member 340 is installed above the chuck stage 312 . The heating member 340 may be provided in a ring shape. A plurality of heating members 340 may be provided. The heating member 340 may be provided with different diameters. The temperature of each heating element 340 can be individually controlled. The heating member 340 may be a lamp 342 emitting light. The lamp 342 may be a lamp 342 emitting light having a wavelength in the infrared region. The lamp 342 may be an infrared lamp 342 (IR Lamp). The lamp 342 may heat the substrate W by radiating infrared rays.

가열 부재(340)는 동심의 다수의 구역들로 세분될 수 있다. 각각의 구역에는 각각의 구역을 개별적으로 가열시킬 수 있는 램프(342)들이 제공될 수 있다. 램프(342)들은 척 스테이지(312)의 중심에 대해 상이한 반경 거리에서 동심적으로 배열되는 링 형상으로 제공될 수 있다. 이때, 램프(342)들의 수는 원하는 온도 제어된 정도에 의존하여 가감될 수 있다. 가열 부재(340)는 각각의 개별적인 구역의 온도를 제어함으로써, 공정 진행 동안 기판(W)의 반경에 따라 온도를 연속적으로 증가 또는 감소하게 제어할 수 있다.The heating element 340 can be subdivided into a number of concentric zones. Each zone may be provided with lamps 342 capable of individually heating each zone. The ramps 342 may be provided in a ring shape concentrically arranged at different radial distances to the center of the chuck stage 312 . At this time, the number of lamps 342 may be increased or decreased depending on the desired degree of temperature control. The heating member 340 may continuously increase or decrease the temperature according to the radius of the substrate W during the process by controlling the temperature of each individual zone.

지지 유닛(300)은 냉각 부재(미도시), 단열판(미도시), 및 방열판(미도시)을 더 포함할 수 있다. 냉각 부재는 지지판(310) 내에 배치되어 지지판(310) 내에 냉각 유체를 공급할 수 있다. 예컨대, 냉각 부재는 방열판 내에 형성되는 유로에 냉각 유체를 공급할 수 있다.The support unit 300 may further include a cooling member (not shown), an insulation board (not shown), and a heat sink (not shown). The cooling member may be disposed in the support plate 310 to supply a cooling fluid to the support plate 310 . For example, the cooling member may supply cooling fluid to a flow path formed in the heat dissipation plate.

단열판은 지지판(310) 내에 배치될 수 있다. 또한, 단열판은 지지판(310) 내에서 가열 부재(340) 아래에 배치될 수 있다. 단열판은 투명한 재질로 제공될 수 있다. 단열판은 투명한 재질로 제공되어 가열 부재(340)가 방사하는 광이 단열판을 투과할 수 있다. 또한, 단열판은 열전도도가 낮은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 단열판은 방열판보다 열전도도가 낮은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 단열판은 글래스를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 단열판은 네오세럼(Neoceram)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 단열판은 글래스 세라믹(Glass ceramic)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 단열판은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수도 있다.An insulating plate may be disposed within the support plate 310 . In addition, the insulating plate may be disposed below the heating member 340 within the support plate 310 . The insulating board may be provided with a transparent material. The insulating plate is made of a transparent material so that light emitted from the heating member 340 can pass through the insulating plate. In addition, the insulation board may be provided with a material having low thermal conductivity. For example, the heat sink may be made of a material having lower thermal conductivity than the heat sink. For example, the insulating board may be provided with a material including glass. The insulating board may be provided with a material containing Neoceram. The insulating board may be provided with a material including glass ceramic. However, it is not limited thereto, and the insulating board may be provided with a material including ceramic.

반사판은 지지판(310) 내에 배치될 수 있다. 또한, 반사판은 지지판(310) 내에서 단열판 아래에 배치될 수 있다. 반사판은 가열 부재(340)가 방사하는 광을 반사하는 재질로 제공될 수 있다. 반사판은 적외선 영역의 파장을 가지는 광을 반사하는 재질로 제공될 수 있다. 반사판은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 반사판은 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 반사판은 표면이 은(Ag)으로 도금된 은 도금 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The reflector may be disposed within the support plate 310 . In addition, the reflector may be disposed below the insulating plate in the support plate 310 . The reflector may be made of a material that reflects light emitted from the heating member 340 . The reflector may be made of a material that reflects light having a wavelength in the infrared region. The reflector may be made of a material containing metal. The reflector may be provided with a material containing aluminum. The reflector may be provided with a material including silver-plated aluminum having a surface plated with silver (Ag).

방열판은 단열판에서 전달되는 열을 외부로 방출할 수 있다. 또한, 방열판 내에는 냉각 부재가 공급하는 냉각 유체가 흐르는 유로가 형성될 수 있다. 방열판은 지지판(310) 내에 배치될 수 있다. 또한, 방열판은 지지판 내에서 반사판 아래에 배치될 수 있다. 방열판은 열전도도가 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 방열판은 상술한 단열판보다 열전도도가 높은 재질로 제공될 수 있다. 방열판은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 방열판은 알루미늄 및/또는 은을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The heat dissipation plate may dissipate heat transferred from the insulator to the outside. In addition, a flow path through which a cooling fluid supplied by the cooling member flows may be formed in the heat dissipation plate. A heat spreader may be disposed within the support plate 310 . Also, the heat spreader may be disposed below the reflector in the support plate. The heat sink may be made of a material having high thermal conductivity. For example, the heat dissipation plate may be provided with a material having higher thermal conductivity than the aforementioned insulator plate. The heat sink may be made of a material including metal. The heat sink may be made of a material including aluminum and/or silver.

처리액 공급 유닛(410)은 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 처리액 공급 유닛(410)은 기판(W)에 가열된 처리액을 공급할 수 있다. 처리액은 기판(W) 표면을 식각하기 위한 고온의 케미칼일 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 처리액은 인산(H3PO4)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 의하면 처리액은 순인산 또는 인산(H3PO4)과 실리콘(Si)의 혼합액일 수 있다. 본 명세서에서 정의하는 순인산이란 아무것도 첨가되지 않은 인산 수용액을 의미할 수 있다. The treatment liquid supply unit 410 may process the substrate W by supplying the treatment liquid to the substrate W. The treatment liquid supply unit 410 may supply the heated treatment liquid to the substrate W. The treatment liquid may be a high-temperature chemical for etching the surface of the substrate W. According to one embodiment, the treatment liquid may include phosphoric acid (H 3 PO 4 ). According to an embodiment, the treatment liquid may be pure phosphoric acid or a mixture of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and silicon (Si). Pure phosphoric acid as defined herein may mean a phosphoric acid aqueous solution to which nothing is added.

처리액 공급 유닛(410)는 제1노즐(411), 노즐 암(413), 지지 로드(415), 노즐 구동기(417)를 포함할 수 있다. 제1노즐(411)은 공급부(420)를 통해 처리액을 공급받는다. 제1노즐(411)은 처리액을 기판(W) 표면으로 토출한다. 노즐 암(413)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 제1노즐(411)이 장착된다. 노즐 암(413)은 제1노즐(411)을 지지한다. 노즐 암(413)의 후단에는 지지 로드(415)가 장착된다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)의 하부에 위치한다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(415)를 회전시킨다. 지지 로드(415)의 회전으로 노즐 암(413)과 제1노즐(411)이 지지 로드(415)를 축으로 스윙 이동한다. 제1노즐(411)은 바울(200)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 제1노즐(411)은 기판(W)의 중심과 가장 자리 영역 사이 구간을 스윙 이동하며 처리액을 토출할 수 있다.The treatment liquid supply unit 410 may include a first nozzle 411 , a nozzle arm 413 , a support rod 415 , and a nozzle driver 417 . The first nozzle 411 receives the treatment liquid through the supply unit 420 . The first nozzle 411 discharges the treatment liquid to the surface of the substrate W. The nozzle arm 413 is an arm that is long in one direction, and a first nozzle 411 is mounted at the front end. The nozzle arm 413 supports the first nozzle 411 . A support rod 415 is mounted at the rear end of the nozzle arm 413 . The support rod 415 is located below the nozzle arm 413 . The support rod 415 is disposed perpendicular to the nozzle arm 413 . A nozzle driver 417 is provided at the lower end of the support rod 415 . The nozzle driver 417 rotates the support rod 415 about the longitudinal axis of the support rod 415 . As the support rod 415 rotates, the nozzle arm 413 and the first nozzle 411 swing about the support rod 415 . The first nozzle 411 may swing between the outside and the inside of the bowl 200 . Also, the first nozzle 411 may eject the treatment liquid while swinging a section between the center and the edge of the substrate W.

린스액 공급 유닛(430)는 제2노즐(431), 노즐 암(433), 지지 로드(435), 노즐 구동기(437)를 포함할 수 있다. 제2노즐(431)은 공급부(440)를 통해 린스액을 공급받는다. 제2노즐(431)은 린스액(DIW)을 기판(W) 표면으로 토출한다. 노즐 암(433)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 제노즐(431)이 장착된다. 노즐 암(433)은 제2노즐(431)을 지지한다. 노즐 암(433)의 후단에는 지지 로드(435)가 장착된다. 지지 로드(435)는 노즐 암(433)의 하부에 위치한다. 지지 로드(435)는 노즐 암(433)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(437)는 지지 로드(435)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(437)는 지지 로드(435)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(435)를 회전시킨다. 지지 로드(435)의 회전으로 노즐 암(433)과 제2노즐(431)이 지지 로드(435)를 축으로 스윙 이동한다. 제2노즐(431)은 바울(200)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. The rinse liquid supply unit 430 may include a second nozzle 431 , a nozzle arm 433 , a support rod 435 , and a nozzle driver 437 . The second nozzle 431 receives the rinse liquid through the supply unit 440 . The second nozzle 431 discharges the rinse liquid DIW to the surface of the substrate W. The nozzle arm 433 is an arm provided long in one direction, and a nozzle 431 is mounted at the front end. The nozzle arm 433 supports the second nozzle 431 . A support rod 435 is mounted at the rear end of the nozzle arm 433 . The support rod 435 is positioned below the nozzle arm 433 . The support rod 435 is disposed perpendicular to the nozzle arm 433 . A nozzle driver 437 is provided at the lower end of the support rod 435 . The nozzle driver 437 rotates the support rod 435 about the longitudinal axis of the support rod 435 . As the support rod 435 rotates, the nozzle arm 433 and the second nozzle 431 swing about the support rod 435 . The second nozzle 431 may swing between the outside and the inside of the bowl 200 .

도 6,7에 도시된 바와 같이, 제2노즐(411)은 특정 공정에서 기판의 회전 중심(C)에서 벗어난 제1지점(P1)부터 기판의 회전 중심(C)을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점(P2)으로 이어지는 이동 구간을 스윙 이동하며 린스액을 토출할 수 있다. 여기서 특정 공정은 처리액에 의한 기판 처리 공정이 완료된 후 최초 린스액을 공급하는 초기 린스 공정일 수 있다. As shown in FIGS. 6 and 7 , the second nozzle 411 extends from the first point P1 deviated from the rotation center C of the substrate through the rotation center C of the substrate in a specific process. The rinsing liquid may be discharged while swinging the moving section leading to the deviated second point P2. Here, the specific process may be an initial rinsing process of supplying an initial rinsing liquid after the substrate processing process using the processing liquid is completed.

배기 유닛(500)은 바울(100)의 내부를 배기할 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(500)은 공정시 제1 내지 제3회수통(210, 220, 230)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기 압력(흡입 압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기 유닛(500)은 배기 덕트(290)와 연결되는 배기 라인(510), 댐퍼(520)를 포함한다. 배기 라인(510)은 배기 펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.The exhaust unit 500 may exhaust the inside of the bowl 100 . For example, the exhaust unit 500 provides exhaust pressure (suction pressure) to the recovery cylinders for recovering the treatment liquid among the first to third recovery cylinders 210, 220, and 230 during the process. The exhaust unit 500 includes an exhaust line 510 connected to the exhaust duct 290 and a damper 520 . The exhaust line 510 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to a main exhaust line buried in a floor space of a semiconductor production line.

한편, 바울(200)은 바울(200)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 바울(200)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(200)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(300)에 대한 바울(200)의 상대 높이가 변경된다.Meanwhile, the bowl 200 is combined with the lifting unit 600 that changes the vertical position of the bowl 200 . The lifting unit 600 linearly moves the bowl 200 in the vertical direction. As the bowl 200 moves up and down, the height of the bowl 200 relative to the support unit 300 is changed.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정 설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(300)에 로딩 또는 언 로딩될 때 지지 유닛(300)이 바울(200)의 상부로 돌출되도록 바울(200)은 하강한다. 또한, 공정이 진행 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수통들(210, 220, 230)로 유입될 수 있도록 바울(200)의 높이가 조절된다. 바울(200)은 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.The lifting unit 600 includes a bracket 612, a moving shaft 614, and an actuator 616. The bracket 612 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 100 . The bracket 612 is fixedly coupled to a moving shaft 614 moved in a vertical direction by an actuator 616. When the substrate W is loaded or unloaded from the support unit 300, the support unit 300 protrudes upward from the support unit 300, and the support unit 200 descends. In addition, when the process is in progress, the height of the bowl 200 is adjusted so that the treatment liquid can flow into the collection containers 210, 220, and 230 set in advance according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. The bowl 200 may have different types of treatment liquid and pollutant gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

제어기(800)는 처리액 공급 유닛(410)이 처리액을 기판으로 먼저 공급한 후 린스액을 기판으로 공급하도록 처리액 공급 유닛(410)과 린스액 공급 유닛(430)을 제어할 수 있다. 제어기(800)는 린스액이 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점(P1)에서 기판의 회전 중심(C)을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점(P2)으로 이어지는 이동 경로를 따라 공급되도록 린스액 공급 유닛(430)을 제어할 수 있다. 제어기(800)는 린스액이 공급될 때의 기판의 회전 속도가 처리액이 공급될 때의 기판의 회전 속도보다 빠른 속도로 회전되도록 지지 유닛(300)을 제어할 수 있다. 일 예로, 린스액이 공급될 때의 기판의 회전 속도는 200~1800rpm일 수 있고, 처리액이 공급될 때의 기판의 회전 속도는 200rpm 이하 일 수 있다. 제어기(800)는 린스액이 제1지점(P1)과 제2지점(P2)을 적어도 1회 이상 스캔 이동하면서 공급되도록 린스액 공급 유닛(430)을 제어할 수 있다. The controller 800 may control the treatment liquid supply unit 410 and the rinse liquid supply unit 430 such that the treatment liquid supply unit 410 first supplies the treatment liquid to the substrate and then supplies the rinse liquid to the substrate. The controller 800 supplies the rinsing liquid along a moving path from the first point P1 deviated from the rotation center of the substrate through the rotation center C of the substrate to the second point P2 deviated from the rotation center of the substrate. The rinsing liquid supply unit 430 may be controlled. The controller 800 may control the support unit 300 so that the rotational speed of the substrate when the rinsing liquid is supplied is faster than the rotational speed of the substrate when the treatment liquid is supplied. For example, the rotation speed of the substrate when the rinsing liquid is supplied may be 200 to 1800 rpm, and the rotation speed of the substrate when the treatment liquid is supplied may be 200 rpm or less. The controller 800 may control the rinsing liquid supply unit 430 so that the rinsing liquid is supplied while scanning the first point P1 and the second point P2 at least once.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판이 처리되는 과정을 설명하기 위한 플로우챠트 및 도면이다. 도 4,5를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.4 and 5 are flowcharts and diagrams for explaining a process of processing a substrate according to an embodiment of the present invention. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5 .

기판에 대한 식각 공정에 앞서 프리 웨트 공정을 수행할 수 있다(S100). 프리 웨트 공정(S100)은 린스액 공급 유닛(430)과 백 노즐부(330)이 기판으로 순수(DIW)를 공급하여 수행될 수 있다. 순수(DIW)가 공급될 때, 제어기(800)는 기판이 설정 속력(100~200rpm)으로 회전되도록 지지 부재(340)를 제어할 수 있다.A pre-wet process may be performed prior to the etching process for the substrate (S100). The pre-wet process (S100) may be performed by supplying pure water (DIW) to the substrate through the rinse liquid supply unit 430 and the bag nozzle unit 330. When pure water (DIW) is supplied, the controller 800 may control the support member 340 to rotate the substrate at a set speed (100 to 200 rpm).

약액 처리 공정(식각 공정)(S200)은 처리액 공급 유닛(410)이 기판으로 처리액을 공급하여 수행될 수 있다. 기판(W)은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판은 V-nand 메모리를 제조하는 과정에 제공되어, 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 교대로 적층된 상태로 제공될 수 있다. 식각 공정에 의해 질화 실리콘층이 선택적으로 식각된다. 식각 공정(S200)에서는 기판(W)을 지지하는 지지 유닛(300)이 회전되는 상태에서 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 처리액은 고온(예컨대, 섭씨 160도 이상)으로 공급될 수 있다. 제1 노즐(411)은 고정 또는 스캔 방식으로 처리액을 기판(W)에 공급할 수 있다. 처리액은 인산(H3PO4)을 포함할 수 있다. 이때, 지지 유닛(300)는 10 내지 200rpm으로 회전될 수 있다.The chemical treatment process (etch process) ( S200 ) may be performed by supplying the treatment liquid to the substrate by the treatment liquid supply unit 410 . The substrate W may be provided in a state in which a silicon nitride layer and a silicon oxide layer are formed. For example, the substrate may be provided in a state in which a silicon nitride layer and a silicon oxide layer are alternately stacked in a process of manufacturing a V-nand memory. The silicon nitride layer is selectively etched by the etching process. In the etching process (S200), a processing liquid is supplied onto the substrate (W) while the support unit 300 supporting the substrate (W) is rotated. The treatment liquid may be supplied at a high temperature (eg, 160 degrees Celsius or higher). The first nozzle 411 may supply the treatment liquid to the substrate W in a fixed or scan manner. The treatment liquid may include phosphoric acid (H 3 PO 4 ). At this time, the support unit 300 may be rotated at 10 to 200 rpm.

기판에 대한 식각 공정이 완료되면 린스 공정이 수행될 수 있다(S300). 순수가 공급될 때, 제어기(800)는 기판이 설정 속력으로 회전되도록 지지 유닛(300)를 제어할 수 있다. When the etching process for the substrate is completed, a rinse process may be performed (S300). When pure water is supplied, the controller 800 may control the support unit 300 to rotate the substrate at a set speed.

린스 공정(S300)은 제2노즐(431)이 기판으로 순수를 공급하여 수행될 수 있다. 린스 공정은 초기 린스 공정(S310)과 바울 크리링 공정(S320) 그리고 최종 린스 공정(S330)을 포함할 수 있다. 여기서, 바울 크리링 공정은 선택적으로 진행할 수 있다. 도 5에서와 같이, 린스 공정은 린스-1, 린스-2 그리고 린스-3단계로 구분될 수 있고, 린스-1단계에서 기판 회전은 200-1200rpm일 수 있고, 린스-2,3단계에서 기판 회전은 10-1000rpm일 수 있다. The rinsing process ( S300 ) may be performed by supplying pure water to the substrate through the second nozzle 431 . The rinsing process may include an initial rinsing process (S310), a bowl cleaning process (S320), and a final rinsing process (S330). Here, the bowl creeling process may be selectively performed. As shown in FIG. 5, the rinse process may be divided into rinse-1, rinse-2, and rinse-3 steps, substrate rotation in the rinse-1 step may be 200-1200 rpm, and substrate rotation in the rinse-2 and 3 steps. Rotation can be 10-1000 rpm.

초기 린스 공정(S310)은 식각 공정에서 기판에 석출된 인산염과 Si부산물이 기판 표면에 흡착되기 전에 이를 빠르게 제거하기 위한 공정이다. 초기 린스 공정(S310)은 식각 공정(S200)보다 빠른 속도로 회전하는 기판에 순수를 공급하여 처리액을 기판 밖으로 빠르게 밀어내고 순수로 치환함으로써 파티클을 감소시킬 수 있다. The initial rinse process (S310) is a process for quickly removing phosphate and Si by-products precipitated on the substrate in the etching process before adsorbing them to the substrate surface. In the initial rinsing process ( S310 ), pure water is supplied to the substrate rotating at a faster speed than the etching process ( S200 ) to quickly push the processing liquid out of the substrate and replace it with pure water, thereby reducing particles.

도 6,7을 참조하면, 초기 린스 공정(S310)에서는 기판의 회전 중심(C)에서 벗어난 제1지점(P1)부터 기판의 회전 중심을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점(P2)으로 이어지는 이동 경로를 최소 1회 왕복하면서 린스액이 공급될 수 있다. 초기 린스 공정에서 기판은 식각 공정(S200)에서의 기판 회전 속도보다 빠른 속도로 회전될 수 있다. 일 예로, 초기 린스 공정(S310)에서의 기판의 회전 속도는 200~1200rpm일 수 있다. 예컨대, 초기 린스 공정(S310)에서 순수의 공급 위치는 인산염 발생을 최소화하기 위한 것이다. 즉, 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점 또는 제2저점에서의 처리액 온도는 기판의 회전 중심에서의 약액 온도보다 낮다(처리액은 기판의 회전 중심으로 공급되기 때문임). 이로 인해 순수를 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점에서 토출할 경우 기판에 있는 처리액과 기판으로 토출된 순수와의 온도차를 감소시켜 석출 가능성을 최소화시킬 수 있다. 6 and 7, in the initial rinse process (S310), from a first point P1 that is out of the center of rotation (C) of the substrate to a second point (P2) that is out of the center of rotation of the substrate through the center of rotation of the substrate. The rinsing liquid may be supplied while reciprocating at least once along the subsequent moving path. In the initial rinse process, the substrate may be rotated at a higher speed than the rotation speed of the substrate in the etching process (S200). For example, the rotation speed of the substrate in the initial rinse process (S310) may be 200 to 1200 rpm. For example, in the initial rinse process (S310), the supply position of pure water is to minimize generation of phosphate. That is, the temperature of the processing liquid at the first point or the second low point away from the rotation center of the substrate is lower than the temperature of the chemical liquid at the rotation center of the substrate (because the processing liquid is supplied to the rotation center of the substrate). Due to this, when pure water is discharged at a first point away from the rotation center of the substrate, the possibility of precipitation can be minimized by reducing the temperature difference between the treatment liquid in the substrate and the pure water discharged to the substrate.

초기 린스 공정 이후 바울 크리링 공정(S320)과 최종 린스 공정(S330)은 초기 린스 공정(S310)보다 느린 기판 회전 속도에서 진행될 수 있다. 또한, 순수의 공급 위치는 기판의 회전 중심일 수 있다. After the initial rinse process, the bowl cleaning process ( S320 ) and the final rinse process ( S330 ) may be performed at a slower substrate rotation speed than the initial rinse process ( S310 ). Also, the pure water supply position may be the rotation center of the substrate.

이 후, 기판(W)에는 건조 공정(S400)이 수행될 수 있다. 건조 공정은 스핀 드라이 또는, 초임계 건조 등이 적용될 수 있다.Thereafter, a drying process (S400) may be performed on the substrate W. As the drying process, spin drying or supercritical drying may be applied.

제어기(800)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(800)는 상술하는 바와 같이 기판을 설정 공정에 따라 처리되도록 공정 챔버의 구성 요소들을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(800)는 기판 처리 장치의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.The controller 800 may control the substrate processing apparatus. As described above, the controller 800 may control components of the process chamber to process the substrate according to the setting process. In addition, the controller 800 includes a process controller including a microprocessor (computer) that controls the substrate processing apparatus, a keyboard through which an operator inputs commands to manage the substrate processing apparatus, and the like, and operation conditions of the substrate processing apparatus. A user interface consisting of a display or the like that visualizes and displays, a control program for executing processes executed in the substrate processing apparatus under the control of a process controller, and a program for executing processes in each component unit in accordance with various data and process conditions. , that is, a storage unit in which a processing recipe is stored. Also, the user interface and storage may be connected to the process controller. The processing recipe may be stored in a storage medium of the storage unit, and the storage medium may be a hard disk, a portable disk such as a CD-ROM or a DVD, or a semiconductor memory such as a flash memory.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

100: 챔버
200: 바울
300: 지지 유닛
410: 처리액 공급 유닛
430 : 린스액 공급 유닛
500: 배기 유닛
800 : 제어기100: chamber
200: Paul
300: support unit
410: treatment liquid supply unit
430: rinse liquid supply unit
500: exhaust unit
800: controller

Claims (16)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지하며 회전 가능하게 제공되는 지지 유닛;
고온의 처리액을 상기 기판에 공급하는 처리액 공급 유닛;
기판으로 린스액을 공급하는 린스액 공급 유닛; 및
상기 처리액 공급 유닛이 상기 처리액을 상기 기판으로 먼저 공급한 후 상기 린스액을 상기 기판으로 공급하도록 상기 처리액 공급 유닛과 상기 린스액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되;
상기 제어기는
상기 린스액이 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점에서 기판의 회전 중심을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점으로 이어지는 이동 경로를 따라 공급되도록 상기 린스액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a support unit that supports the substrate and is rotatably provided;
a processing liquid supply unit supplying a high-temperature processing liquid to the substrate;
a rinsing liquid supply unit supplying rinsing liquid to the substrate; and
a controller controlling the treatment liquid supply unit and the rinsing liquid supply unit so that the treatment liquid supply unit first supplies the treatment liquid to the substrate and then supplies the rinsing liquid to the substrate;
The controller
and controlling the rinsing liquid supply unit so that the rinsing liquid is supplied along a moving path extending from a first point away from the rotation center of the substrate through the rotation center of the substrate to a second point away from the rotation center of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 제어기는
상기 린스액이 공급될 때의 기판의 회전 속도가 상기 처리액이 공급될 때의 기판의 회전 속도보다 빠른 속도로 회전되도록 상기 지지 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The controller
and controlling the support unit so that the rotational speed of the substrate when the rinsing liquid is supplied is faster than the rotational speed of the substrate when the processing liquid is supplied. 제2항에 있어서,
상기 린스액이 공급될 때의 기판의 회전 속도는 200~1800rpm이고,
상기 처리액이 공급될 때의 기판의 회전 속도는 200rpm 이하인 기판 처리 장치.According to claim 2,
The rotational speed of the substrate when the rinsing liquid is supplied is 200 to 1800 rpm,
A substrate processing apparatus wherein a rotational speed of the substrate when the processing liquid is supplied is 200 rpm or less. 제2항에 있어서,
상기 제어기는
상기 린스액이 상기 제1지점과 상기 제2지점을 적어도 1회 이상 스캔 이동하면서 공급되도록 상기 린스액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The controller
The substrate processing apparatus controlling the rinsing liquid supply unit so that the rinsing liquid is supplied while scanning the first point and the second point at least once. 제2항에 있어서,
상기 처리액은
인산을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The treatment liquid
A substrate processing apparatus containing phosphoric acid. 제2항에 있어서,
상기 기판은 질화 실리콘층 및 산화 실리콘층이 형성된 상태로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The substrate processing apparatus provided in a state in which a silicon nitride layer and a silicon oxide layer are formed. 제2항에 있어서,
상기 처리액 공급 유닛은
상기 처리액을 섭씨 160도 이상의 고온으로 가열한 상태로 기판으로 공급하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
The treatment liquid supply unit
A substrate processing apparatus for supplying the processing liquid to a substrate in a state in which the processing liquid is heated to a high temperature of 160 degrees Celsius or more. 기판을 처리하는 방법에 있어서:
기판이 회전되는 상태에서 고온의 처리액을 상기 기판으로 공급하여 기판에 대한 식각 공정을 수행하는 약액 처리 공정;
상기 약액 처리 공정에 앞서, 상기 기판이 회전되는 상태에서 상기 기판으로 순수를 설정 시간 공급하는 프리 웨트 공정; 및
상기 약액 처리 단계 이후에, 상기 기판에 대하여 린스액을 공급하는 린스 공정을 포함하되;
상기 린스 공정은
상기 기판의 회전 중심에서 벗어난 제1지점부터 기판의 회전 중심을 거쳐 기판의 회전 중심에서 벗어난 제2지점으로 이어지는 이동 경로를 따라 상기 린스액을 공급하는 기판 처리 방법.In the method of treating a substrate:
a chemical treatment process of performing an etching process on the substrate by supplying a high-temperature treatment liquid to the substrate while the substrate is being rotated;
Prior to the chemical treatment step, a pre-wet step of supplying pure water to the substrate for a set period of time while the substrate is being rotated; and
After the chemical treatment step, a rinsing process of supplying a rinsing liquid to the substrate;
The rinse process
The substrate processing method of supplying the rinsing liquid along a movement path extending from a first point away from the rotation center of the substrate through the rotation center of the substrate to a second point away from the rotation center of the substrate. 제8항에 있어서,
상기 린스 공정에서
기판은 상기 약액 처리 공정에서의 기판 회전 속도보다 빠른 속도로 회전되는 기판 처리 방법.According to claim 8,
In the rinsing process
A substrate processing method in which the substrate is rotated at a speed higher than the rotation speed of the substrate in the chemical treatment process. 제9항에 있어서,
상기 린스 공정에서의 상기 기판의 회전 속도는 200~1800rpm이고,
상기 약액 처리 공정에서의 상기 기판의 회전 속도는 200rpm 이하인 기판 처리 방법.According to claim 9,
The rotational speed of the substrate in the rinsing process is 200 to 1800 rpm,
The substrate processing method in which the rotational speed of the substrate in the chemical treatment step is 200 rpm or less. 제9항에 있어서,
상기 린스 공정은
상기 이동 경로를 적어도 1회 이상 왕복 이동하는 기판 처리 방법.According to claim 9,
The rinse process
A substrate processing method of reciprocating the movement path at least once. 제9항에 있어서,
상기 처리액은
인산을 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 9,
The treatment liquid
A substrate treatment method comprising phosphoric acid. 제9항에 있어서,
상기 약액 처리 공정에서
상기 처리액은 섭씨 160도 이상의 고온으로 가열된 상태로 기판으로 공급하는 기판 처리 방법.According to claim 9,
In the chemical treatment process
The substrate processing method of supplying the processing liquid to the substrate in a heated state of 160 degrees Celsius or more. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
제1속도로 회전하는 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계;
제2속도로 회전하는 기판으로 린스액을 공급하는 린스액 공급 단계를 포함하되,
상기 제2속도는 상기 제1속도보다 빠른 속도로 제공되고,
상기 린스액을 상기 기판으로 토출하는 린스액 노즐은 상기 기판 표면 상의 제1위치와 제2위치로 이어지는 이동 경로를 따라 이동하며 상기 린스액을 공급하는 기판 처리 방법. In the method of treating the substrate,
a processing liquid supply step of supplying a processing liquid to the substrate rotating at a first speed;
A rinsing liquid supply step of supplying the rinsing liquid to the substrate rotating at a second speed,
The second speed is provided at a speed higher than the first speed,
The substrate processing method of claim 1 , wherein a rinsing liquid nozzle discharging the rinsing liquid to the substrate supplies the rinsing liquid while moving along a moving path leading to a first position and a second position on the substrate surface. 제14항에 있어서,
상기 제1위치는
상기 기판의 회전 중심에서 제1간격으로 이격되는 위치이고,
상기 제2위치는
ㅈ상기 기판의 회전 중심에서 상기 제1간격으로 이격되되, 상기 제1위치와 대향하는 위치이며,
상기 이동 경로는
상기 제1위치와 상기 기판의 회전 중심 그리고 상기 제2위치를 적어도 1회 이상 왕복 이동하는 기판 처리 방법. According to claim 14,
The first position is
A position spaced apart from the rotation center of the substrate by a first interval,
The second position is
It is spaced apart from the rotation center of the substrate by the first interval and is a position facing the first position,
The travel route is
The substrate processing method of reciprocating the first position, the center of rotation of the substrate, and the second position at least once. 제15항에 있어서,
상기 제1위치는
상기 기판의 회전 중심과 상기 기판의 가장자리 사이에 위치하고,
상기 제2위치는
상기 기판의 회전 중심과 상기 기판의 가장자리 사이에 위치하는 기판 처리 방법.According to claim 15,
The first position is
located between the center of rotation of the substrate and the edge of the substrate;
The second position is
A substrate processing method located between the center of rotation of the substrate and the edge of the substrate.
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