KR102211817B1 - Liquid supply unit and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 기판을 지지하는 지지 유닛은, 내부 공간을 가지며, 기판이 놓이는 지지판과; 상기 지지판 내에 배치되며, 기판을 가열하는 가열 부재와; 상기 지지판 내에서 상기 가열 부재 아래에 배치되는 단열판과; 상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되고, 상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되는 방열판을 가질 수 있다.The present invention provides a support unit for supporting a substrate. The support unit for supporting the substrate includes: a support plate having an inner space and on which the substrate is placed; A heating member disposed in the support plate and heating the substrate; A heat insulating plate disposed under the heating member in the support plate; It is disposed below the heat insulating plate in the support plate, and may have a heat sink disposed below the heat insulating plate in the support plate.

Figure R1020180161683
Figure R1020180161683

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Liquid supply unit and substrate processing apparatus}A substrate processing apparatus and a substrate processing method TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판 처리 공정 중 기판을 가열하면서 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs a process while heating a substrate during a substrate processing process.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.In general, the process of processing a glass substrate or wafer in a flat panel display device manufacturing or semiconductor manufacturing process includes a photoresist coating process, a developing process, an etching process, an ashing process, etc. Various processes are carried out. In each process, a wet cleaning process using chemical or deionized water and a drying process to dry the chemical or pure water remaining on the substrate surface to remove various contaminants attached to the substrate ) The process is carried out.

최근에는 황산이나 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다. 고온의 케미칼을 이용한 기판 처리 장치에서는 식각률을 개선하기 위해 기판을 가열하는 기판 처리 장치가 이용되고 있다. 미국공개특허 2016-0013079에는 상술한 기판 처리 장치의 일 예가 개시된다. 위 특허에 의하면, 기판 처리 장치는 스핀 헤드 내에 기판을 가열하는 램프와 램프가 복사하는 열을 반사시키는 반사판을 가진다. 그러나, 위 특허의 장치를 장시간 사용하거나 램프에서 고온의 열을 가하는 경우 반사판은 변색된다. Recently, an etching process for selectively removing a silicon nitride film and a silicon oxide film using a chemical used at a high temperature such as sulfuric acid or phosphoric acid has been performed. In a substrate processing apparatus using a high-temperature chemical, a substrate processing apparatus that heats a substrate to improve an etch rate is used. US Patent Publication No. 2016-0013079 discloses an example of the substrate processing apparatus described above. According to the above patent, the substrate processing apparatus has a lamp that heats a substrate in a spin head and a reflector that reflects heat radiated by the lamp. However, when the device of the above patent is used for a long time or when high temperature heat is applied from the lamp, the reflector is discolored.

도 1은 종래의 기판 처리 장치에서 가열하는 기판의 온도 변화를 보여주는 도면이다. 기판은 스핀 헤드에 지지되어, 램프가 복사하는 열에 의해 가열된다. 기판의 온도가 목표 온도(T01)에 도달하게 되면, 램프는 설정된 시간(t01 ~ t02) 동안 기판의 온도가 목표 온도(T01)를 유지하도록 기판에 열을 가한다. 그러나, 반사판이 변색된 경우에는 반사판이 변색된 부분과 변색되지 않은 부분에서 열의 반사가 상이하다. 이에, 도 1의 t01 ~ t02 구간에 도시된 바와 같이, 기판의 온도가 목표 온도(T01)로 일정하게 유지되지 못하는 헌팅 현상이 발생한다. 이러한 헌팅 현상으로 기판의 처리가 균일하게 수행되지 못한다.1 is a diagram showing a temperature change of a substrate heated in a conventional substrate processing apparatus. The substrate is supported by the spin head and heated by the heat radiated by the lamp. When the temperature of the substrate reaches the target temperature T01, the lamp applies heat to the substrate so that the temperature of the substrate maintains the target temperature T01 for a set time period (t01 to t02). However, when the reflector is discolored, the reflection of heat is different in the discolored portion and the non-discolored portion of the reflector. Accordingly, as shown in the section t01 to t02 of FIG. 1, a hunting phenomenon occurs in which the temperature of the substrate is not constantly maintained at the target temperature T01. Due to the hunting phenomenon, the substrate cannot be uniformly processed.

또한, 설정된 시간(t01 ~ t02)이 지나면, 스핀 헤드의 온도를 식힌다. 이에, 기판은 일정 온도(T02)로 냉각된다. 종래의 장치는, 목표 온도(T01)에서 일정 온도(T02)로 낮아지는 폭이 커 이후에 기판을 가열하여 목표 온도(T01)로 도달하기까지의 시간(t03 ~ t04)이 증가한다. In addition, after the set time (t01 to t02) passes, the temperature of the spin head is cooled. Accordingly, the substrate is cooled to a certain temperature (T02). In the conventional apparatus, the width of lowering from the target temperature T01 to the constant temperature T02 is large, and the time (t03 to t04) until reaching the target temperature T01 by heating the substrate thereafter increases.

또한, 최근 기판의 상면에 형성되는 패턴의 선폭(CD : Critical Dimension)이 미세화 되면서, 기판에 대한 에칭 레이트(Etching Rate)의 개선이 요구된다. 이에, 목표 온도(T01)를 높이고, 목표 온도(T01)를 유지하는 시간(t01 ~ t02)을 증가시킬 필요가 있다.In addition, as the critical dimension (CD) of the pattern formed on the upper surface of the substrate has recently been refined, it is required to improve the etching rate for the substrate. Accordingly, it is necessary to increase the target temperature T01 and increase the time (t01 to t02) for maintaining the target temperature T01.

도 2는 종래의 기판 처리 장치에서 스핀 구동부의 온도 변화를 보여주는 도면이다. 종래의 기판 처리 장치에서, 목표 온도(T01)를 높이기 위하여 램프가 고온의 열을 복사하거나, 목표 온도(T01)를 유지하는 시간(t01 ~ t02)을 늘리는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 스핀 구동부의 온도가 급격히 상승한다. 스핀 구동부의 온도가 일정 온도(T03)보다 높아지게 되면, 스핀 구동부는 정상 구동이 어렵거나, 스핀 구동부가 고장날 빈도가 높다.2 is a diagram showing a temperature change of a spin driving unit in a conventional substrate processing apparatus. In a conventional substrate processing apparatus, when the lamp radiates high-temperature heat to increase the target temperature T01 or increases the time (t01 to t02) for maintaining the target temperature T01, as shown in FIG. The temperature of the spin drive unit rises rapidly. When the temperature of the spin driving unit becomes higher than the predetermined temperature T03, the normal driving of the spin driving unit is difficult or the frequency of the spin driving unit failure is high.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판에 대한 에칭 레이트를 개선할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of improving an etching rate for a substrate.

또한, 본 발명은 기판이 가열되는 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.In addition, another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of shortening the time for heating a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 회전시키는 스핀 구동부가 비정상 구동하거나, 고장날 빈도를 최소화 할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of minimizing the frequency of abnormal driving or failure of a spin driving unit that rotates a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 내부에 처리 공간을 가지는 바울과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은, 기판이 놓이는 지지판과; 상기 지지판 내에 배치되며, 기판을 가열하는 가열 부재와; 상기 지지판 내에서 상기 가열 부재 아래에 배치되는 단열판과; 상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되는 방열판을 가질 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a Paul having a processing space therein; A support unit supporting a substrate in the processing space; A liquid supply unit for supplying a processing liquid to a substrate supported by the support unit, the support unit comprising: a support plate on which the substrate is placed; A heating member disposed in the support plate and heating the substrate; A heat insulating plate disposed under the heating member in the support plate; It may have a heat sink disposed below the heat insulating plate in the support plate.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은 상기 단열판보다 열전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heat sink may be made of a material having a higher thermal conductivity than the heat insulating plate.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은 복수로 제공되고, 상기 복수의 방열판 중 적어도 하나의 방열판에는, 상부에서 바라 볼 때, 나선형 돌출부가 형성될 수 있다.According to an embodiment, a plurality of the heat sinks may be provided, and at least one of the plurality of heat sinks may have a spiral protrusion formed when viewed from above.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은 제1판, 제2판, 그리고 제3판을 포함하고, 상기 제1판, 상기 제2판, 그리고 상기 제3판은 위에서 아래 방향으로 순차적으로 배치되고, 상기 제2판과 상기 제3판에는 상기 나선형 돌출부가 형성되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 제2판과 상기 제3판의 상기 나선형 돌출부의 나선 방향은 서로 상이할 수 있다.According to an embodiment, the heat sink includes a first plate, a second plate, and a third plate, and the first plate, the second plate, and the third plate are sequentially disposed from top to bottom, The second plate and the third plate are provided with the helical protrusion, and when viewed from above, the helical direction of the helical protrusion of the second plate and the third plate may be different from each other.

일 실시예에 의하면, 상기 나선형 돌출부는 복수로 형성되고, 상기 나선형 돌출부들의 사이 공간은 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.According to an embodiment, a plurality of spiral protrusions may be formed, and a space between the spiral protrusions may be provided as a flow path through which a cooling fluid flows.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판 내에는 냉각 유체가 흐르는 유로가 형성될 수 있다.According to an embodiment, a flow path through which a cooling fluid flows may be formed in the heat sink.

일 실시예에 의하면, 상기 단열판은, 세라믹 또는 지르코니아를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heat insulating plate may be made of a material including ceramic or zirconia.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은, 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heat sink may be made of a material including metal.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은 알루미늄 및/또는 은을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heat sink may be made of a material including aluminum and/or silver.

일 실시예에 의하면, 상기 지지판은 회전 가능하게 제공되고, 상기 가열 부재, 상기 단열판, 그리고 상기 방열판은 상기 지지판의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.According to an embodiment, the support plate is rotatably provided, and the heating member, the heat insulating plate, and the heat dissipating plate may be positioned independently from rotation of the support plate.

일 실시예에 의하면, 상기 가열 부재는 램프를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the heating member may include a lamp.

일 실시예에 의하면, 상기 램프는 서로 상이한 반경의 동심의 링 형상으로 제공된 복수의 램프로 제공될 수 있따.According to an embodiment, the lamps may be provided with a plurality of lamps provided in the shape of concentric rings of different radii.

일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 유로에 냉각 유체를 공급하는 냉각 부재와; 상기 가열 부재와 상기 냉각 부재를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 기판의 온도를 기설정된 타겟 온도까지 상승시키고, 이후 상기 기판의 온도를 상기 타겟 온도로 설정 시간 동안 유지시키고, 상기 설정 시간이 지나면 상기 기판을 냉각시키도록 상기 가열 부재 및 상기 냉각 부재를 제어할 수 있다.According to an embodiment, the device includes: a cooling member supplying a cooling fluid to the flow path; And a controller for controlling the heating member and the cooling member, wherein the controller raises the temperature of the substrate to a preset target temperature, and then maintains the temperature of the substrate at the target temperature for a set time, and the setting The heating member and the cooling member may be controlled to cool the substrate over time.

또한, 본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 기판을 지지하는 지지 유닛은, 내부 공간을 가지며, 기판이 놓이는 지지판과; 상기 지지판 내에 배치되며, 기판을 가열하는 가열 부재와; 상기 지지판 내에서 상기 가열 부재 아래에 배치되는 단열판과; 상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되고, 상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되는 방열판을 가질 수 있다.Further, the present invention provides a support unit for supporting a substrate. The support unit for supporting the substrate includes: a support plate having an inner space and on which the substrate is placed; A heating member disposed in the support plate and heating the substrate; A heat insulating plate disposed under the heating member in the support plate; It is disposed below the heat insulating plate in the support plate, and may have a heat sink disposed below the heat insulating plate in the support plate.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판에 제공되는 유로로 냉각 유체를 공급하는 냉각 부재를 포함할 수 있다.According to an embodiment, a cooling member for supplying a cooling fluid to a flow path provided on the heat sink may be included.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은 복수로 제공되고, 상기 복수의 방열판 중 적어도 하나의 방열판에는, 상부에서 바라 볼 때, 나선형 돌출부가 형성될 수 있다.According to an embodiment, a plurality of the heat sinks may be provided, and at least one of the plurality of heat sinks may have a spiral protrusion formed when viewed from above.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은 제1판, 제2판, 그리고 제3판을 포함하고, 상기 제1판, 상기 제2판, 그리고 상기 제3판은 위에서 아래방향으로 순차적으로 배치되고, 상기 제2판과 상기 제3판에는 상기 나선형 돌출부가 형성되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 제2판과 상기 제3판의 상기 나선형 돌출부의 나선 방향은 서로 상이할 수 있다.According to an embodiment, the heat sink includes a first plate, a second plate, and a third plate, and the first plate, the second plate, and the third plate are sequentially disposed from top to bottom, The second plate and the third plate are provided with the helical protrusion, and when viewed from above, the helical direction of the helical protrusion of the second plate and the third plate may be different from each other.

일 실시예에 의하면, 상기 나선형 돌출부는 복수로 형성되고, 상기 나선형 돌출부들 사이 공간이 상기 유로로 제공될 수 있다.According to an embodiment, a plurality of the spiral protrusions may be formed, and a space between the spiral protrusions may be provided as the flow path.

일 실시예에 의하면, 상기 방열판은 상기 단열판보다 열전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heat sink may be made of a material having a higher thermal conductivity than the heat insulating plate.

일 실시예에 의하면, 상기 가열 부재는 램프를 포함하고, 상기 램프는 서로 상이한 반경의 동심의 링 형상으로 제공된 복수의 램프로 제공될 수 있다.According to an embodiment, the heating member may include a lamp, and the lamp may be provided as a plurality of lamps provided in a concentric ring shape having a different radius.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 처리액을 가열된 상태로 상기 기판에 공급하여 기판을 처리하되, 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 도중 상기 기판을 가열할 수 있다.Further, the present invention provides a substrate processing method. A method of processing a substrate may include processing the substrate by supplying the processing liquid to the substrate in a heated state, and heating the substrate while the processing liquid is supplied to the substrate.

일 실시예에 의하면, 상기 지지판에 지지된 기판을 기설정된 타겟 온도까지 상승시키는 가열 단계와; 상기 기판의 온도를 상기 타겟 온도로 설정 시간 동안 유지시키는 유지 단계와; 상기 설정 시간이 지나면 상기 기판을 냉각 시키는 냉각 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the heating step of raising the substrate supported on the support plate to a predetermined target temperature; A holding step of maintaining the temperature of the substrate at the target temperature for a set time; After the set time elapses, a cooling step of cooling the substrate may be included.

일 실시예에 의하면, 상기 처리액은 황산 또는 인산을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid may contain sulfuric acid or phosphoric acid.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 가열시 헌팅 현상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize occurrence of a hunting phenomenon when the substrate is heated.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 대한 에칭 레이트를 개선시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to improve an etching rate for a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 온도를 고온으로 유지하면서, 스핀 구동부의 온도가 높아지는 것을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize an increase in the temperature of the spin driving unit while maintaining the temperature of the substrate at a high temperature.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 종래의 기판 처리 장치에서 가열하는 기판의 온도 변화를 보여주는 도면이다.
도 2는 종래의 기판 처리 장치에서 스핀 구동부의 온도 변화를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5은 도 3의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 6는 도 4의 지지 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 7는 도 6의 지지 유닛의 일부분을 확대하여 보여주는 도면이다.
도 8은 도 6의 지지 유닛이 기판을 가열하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 6의 지지 유닛에서 유체가 흐르는 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 가열하는 기판의 온도 변화를 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 스핀 구동부의 온도 변화를 보여주는 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 13의 제2판의 모습을 보여주는 도면이다.
도 15는 도 13의 제3판의 모습을 보여주는 도면이다.
도 16은 도 13의 방열판의 모습을 보여주는 도면이다. 1 is a diagram showing a temperature change of a substrate heated in a conventional substrate processing apparatus.
2 is a diagram showing a temperature change of a spin driving unit in a conventional substrate processing apparatus.
3 is a schematic plan view of a substrate processing facility provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 3.
6 is a cross-sectional view showing an embodiment of the support unit of FIG. 4.
7 is a view showing an enlarged portion of the support unit of FIG. 6.
8 is a view showing a state in which the support unit of FIG. 6 heats a substrate.
9 is a view showing a state in which fluid flows in the support unit of FIG. 6.
10 is a flow chart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
11 is a diagram illustrating a temperature change of a substrate heated in a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
12 is a diagram illustrating a temperature change of a spin driver in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view showing a support unit according to another embodiment of the present invention.
14 is a view showing a state of the second plate of FIG. 13.
15 is a view showing a state of the third plate of FIG. 13.
16 is a view showing a state of the heat sink of FIG. 13.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, when it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for portions having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as "comprises" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features or It is to be understood that the presence or addition of numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of preliminary exclusion.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

도 3은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 3 is a plan view schematically showing the substrate processing equipment 1 of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 3, the substrate processing facility 1 includes an index module 1000 and a process processing module 2000. The index module 1000 includes a load port 1200 and a transfer frame 1400. The load port 1200, the transfer frame 1400, and the process processing module 2000 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the load port 1200, the transfer frame 1400, and the process processing module 2000 are arranged is referred to as a first direction 12. And when viewed from above, the direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction. It is called (16).

로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.A carrier 1300 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 1200. A plurality of load ports 1200 are provided, and they are arranged in a row along the second direction 14. In FIG. 1, it is shown that four load ports 1200 are provided. However, the number of load ports 1200 may increase or decrease according to conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 2000. A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier 1300. A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 1300 to be stacked in a state spaced apart from each other along the third direction 16. As the carrier 1300, a Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 2000 includes a buffer unit 2200, a transfer chamber 2400, and a process chamber 2600. The transfer chamber 2400 is disposed in a longitudinal direction parallel to the first direction 12. Process chambers 2600 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 2400 along the second direction 14, respectively. The process chambers 2600 located on one side of the transfer chamber 2400 and the process chambers 2600 located on the other side of the transfer chamber 2400 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 2400. Some of the process chambers 2600 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 2400. In addition, some of the process chambers 2600 are disposed to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in an arrangement of A X B (A and B are a natural number of 1 or more, respectively). Here, A is the number of process chambers 2600 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of process chambers 2600 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in an arrangement of 2×2 or 3×2. The number of process chambers 2600 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 2600 may be provided only on one side of the transfer chamber 2400. In addition, unlike the above, the process chamber 2600 may be provided in a single layer on one side and both sides of the transfer chamber 2400.

버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 2200 is disposed between the transfer frame 1400 and the transfer chamber 2400. The buffer unit 2200 provides a space in which the substrate W stays between the transfer chamber 2400 and the transfer frame 1400 before the substrate W is transferred. The buffer unit 2200 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided so as to be spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 2200, a surface facing the transfer frame 1400 and a surface facing the transfer chamber 2400 are each opened.

이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 1400 transfers the substrate W between the carrier 1300 seated on the load port 1200 and the buffer unit 2200. An index rail 1420 and an index robot 1440 are provided on the transfer frame 1400. The index rail 1420 is provided in a longitudinal direction parallel to the second direction 14. The index robot 1440 is installed on the index rail 1420 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 1420. The index robot 1440 has a base 1441, a body 1442, and an index arm 1443. The base 1441 is installed to be movable along the index rail 1420. The body 1442 is coupled to the base 1441. The body 1442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 1441. In addition, the body 1442 is provided to be rotatable on the base 1441. The index arm 1443 is coupled to the body 1442 and is provided to be moved forward and backward with respect to the body 1442. A plurality of index arms 1443 are provided to be individually driven. The index arms 1443 are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 1443 are used when transferring the substrate W from the process processing module 2000 to the carrier 1300, and others are used to transfer the substrate W from the carrier 1300 to the process processing module 2000. Can be used when returning. This may prevent particles generated from the substrate W before the process treatment from adhering to the substrate W after the process treatment during the process of the index robot 1440 carrying in and carrying out the substrate W.

이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란 하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동 되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 2400 transfers the substrate W between the buffer unit 2200 and the process chamber 2600 and between the process chambers 2600. A guide rail 2420 and a main robot 2440 are provided in the transfer chamber 2400. The guide rail 2420 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 2440 is installed on the guide rail 2420 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rail 2420. The main robot 2440 has a base 2441, a body 2442, and a main arm 2443. The base 2441 is installed to be movable along the guide rail 2420. The body 2442 is coupled to the base 2441. The body 2442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 2441. In addition, the body 2442 is provided to be rotatable on the base 2441. The main arm 2443 is coupled to the body 2442, which is provided to be movable forward and backward with respect to the body 2442. A plurality of main arms 2443 are provided to be individually driven. The main arms 2443 are disposed to be stacked apart from each other along the third direction 16. The main arm 2443 used when transferring the substrate W from the buffer unit 2200 to the process chamber 2600 and the substrate W used when transferring the substrate W from the process chamber 2600 to the buffer unit 2200 The main arms 2443 may be different from each other.

공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미칼의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. A substrate processing apparatus 10 that performs a cleaning process on the substrate W is provided in the process chamber 2600. The substrate processing apparatus 10 provided in each process chamber 2600 may have different structures depending on the type of cleaning process to be performed. Optionally, the substrate processing apparatus 10 in each process chamber 2600 may have the same structure. Optionally, the process chambers 2600 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 10 provided to the process chambers 2600 belonging to the same group have the same structure and provided to the process chambers 2600 belonging to different groups. The substrate processing apparatuses 10 may have different structures. For example, when the process chamber 2600 is divided into two groups, a first group of process chambers 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400, and a second group of process chambers 2600 is provided on the other side of the transfer chamber 2400. Process chambers 2600 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 2600 may be provided at a lower layer on one side and the other side of the transfer chamber 2400, and a second group of process chambers 2600 may be provided at an upper layer. The process chamber 2600 of the first group and the process chamber 2600 of the second group may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method, respectively.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액, 산성 약액, 린스액, 그리고 건조 가스와 같은 처리 유체들을 사용하여 기판(W)을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판(W)을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.In the following embodiments, an apparatus for cleaning the substrate W using processing fluids such as high-temperature sulfuric acid, an alkaline chemical solution, an acidic chemical solution, a rinse solution, and a drying gas will be described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and may be applied to various types of devices that perform processes while rotating the substrate W, such as an etching process.

도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 5은 도 3의 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 4와 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 바울(200), 지지 유닛(300), 액 공급 유닛(400), 배기 유닛(500), 그리고 승강 유닛(600)을 포함한다. 4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 3. 4 and 5, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a bowl 200, a support unit 300, a liquid supply unit 400, an exhaust unit 500, and an elevating unit 600. ).

챔버(100)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 부개(110)가 설치된다. 기류 공급 유닛(810)은 챔버(100) 내부에 하강 기류를 형성한다. The chamber 100 provides a sealed interior space. An airflow supply bracket 110 is installed at the top. The airflow supply unit 810 forms a downward airflow in the chamber 100.

기류 공급 부재(110)은 고습도 외기를 필터링하여 챔버(100) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 부재(110)을 통과하여 챔버(100) 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 바울(200)의 회수통들(210,220,230)을 통해 배기 유닛(500)으로 배출시킨다.The airflow supply member 110 filters high-humidity outdoor air and supplies it into the chamber 100. The high-humidity outdoor air passes through the airflow supply member 110 and is supplied into the chamber 100 to form a downward airflow. The descending airflow provides a uniform airflow on the upper portion of the substrate W, and contaminants generated in the process of treating the surface of the substrate W by the processing fluid are removed together with the air and the recovery bins 210, 220, 230 of the Paul 200 Through the exhaust unit 500 is discharged.

챔버(100)는 수평 격벽(102)에 의해 공정 영역(120)과 유지보수 영역(130)으로 나뉜다. 공정 영역(120)에는 바울(200)과 지지 유닛(300)이 위치한다. 유지보수 영역(130)에는 바울(200)과 연결되는 회수 라인(241,243,245), 배기 라인(510) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동부과, 처리액 공급 유닛(300)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(130)은 공정 영역(120)으로부터 격리된다.The chamber 100 is divided into a process area 120 and a maintenance area 130 by a horizontal partition wall 102. In the process area 120, the pole 200 and the support unit 300 are positioned. In the maintenance area 130, in addition to the recovery lines 241, 243, and 245 connected to the Paul 200, and the exhaust line 510, a driving unit of the lifting unit 600, a driving unit connected to the processing liquid supply unit 300, a supply line, etc. This is located. The maintenance area 130 is isolated from the process area 120.

바울(200)은 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 가진다. 바울(200)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(300)이 위치된다. 지지 유닛(300)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다. The Paul 200 has a cylindrical shape with an open top, and has a processing space for processing the substrate W. The open upper surface of the Paul 200 is provided as a passage for carrying out and carrying in the substrate W. The support unit 300 is located in the processing space. The support unit 300 rotates the substrate W while supporting the substrate W during the process.

바울(200)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기 덕트(290)가 연결된 하부공간을 제공한다. 바울(200)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)이 다단으로 배치된다. The Paul 200 provides a lower space to which the exhaust duct 290 is connected to the lower end so that forced exhaust is performed. The first to third collection vessels 210, 220, and 230 for introducing and inhaling the processing liquid and gas scattered on the rotating substrate W are arranged in multiple stages in the bowl 200.

환형의 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)은 하나의 공통된 환형 공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 포함한다. 제2 회수통(220)은 제1회수통(210)를 둘러싸고, 제1회수통(210)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(230)은 제2회수통(220)을 둘러싸고, 제2회수통(220)로부터 이격되어 위치한다.The first to third annular recovery bins 210, 220, 230 have exhaust ports H communicating with one common annular space. Specifically, the first to third collection cylinders 210, 220, and 230 each include a bottom surface having an annular ring shape and a side wall extending from the bottom surface and having a cylindrical shape. The second recovery container 220 surrounds the first recovery container 210 and is located spaced apart from the first recovery container 210. The third collection bottle 230 surrounds the second collection bottle 220 and is spaced apart from the second collection bottle 220.

제1 내지 제3 회수통 (210, 220, 230)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간(RS1, RS2, RS3)을 제공한다. 제1 회수공간(RS1)은 제1회수통(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간(RS2)은 제1 회수통(110)과 제2회수통(120) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간(RS3)은 제2회수통(120)과 제3회수통(130) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first to third recovery bins 210, 220, and 230 provide first to third recovery spaces RS1, RS2, and RS3 into which the treatment liquid scattered from the substrate W and the air flow including fume are introduced. . The first recovery space RS1 is defined by the first recovery container 110, and the second recovery space RS2 is defined by a space between the first recovery container 110 and the second recovery container 120. , The third collection space RS3 is defined by a space between the second collection tank 120 and the third collection tank 130.

제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)의 상면들을 따라 회수 공간들(RS1, RS2, RS3) 안으로 흘러간다. Each upper surface of the first to third collection bins 210, 220, 230 is opened with a central portion. The first to third collection bins 210, 220, and 230 are formed of inclined surfaces whose distance from the connected sidewall to the corresponding bottom surface gradually increases from the connected sidewall toward the opening. The treatment liquid scattered from the substrate W flows into the recovery spaces RS1, RS2, and RS3 along the upper surfaces of the first to third recovery containers 210, 220, and 230.

제1 회수공간(RS1)에 유입된 제1 처리액은 제1 회수라인(241)을 통해 외부로 배출된다. 제2 회수공간(RS2)에 유입된 제2 처리액은 제2 회수라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3 회수공간(RS3)에 유입된 제3 처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid introduced into the first recovery space RS1 is discharged to the outside through the first recovery line 241. The second treatment liquid introduced into the second recovery space RS2 is discharged to the outside through the second recovery line 143. The third treatment liquid introduced into the third recovery space RS3 is discharged to the outside through the third recovery line 145.

액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 가열된 처리액을 공급할 수 있다. 처리액은 기판(W) 표면을 식각하기 위한 고온의 케미칼일 수 있다. 일 예로 케미칼은 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있다.The liquid supply unit 400 may supply a processing liquid to the substrate W to process the substrate W. The liquid supply unit 400 may supply the heated processing liquid to the substrate W. The treatment liquid may be a high-temperature chemical for etching the surface of the substrate W. For example, the chemical may be sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture of sulfuric acid and phosphoric acid.

액 노즐 부재(410)는 노즐(411), 노즐 암(413), 지지 로드(415), 노즐 구동기(417)를 포함한다. 노즐(411)은 공급부(420)를 통해 처리액을 공급받는다. 노즐(411)은 처리액을 기판(W) 표면으로 토출한다. 노즐 암(413)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 노즐(411)이 장착된다. 노즐 암(413)은 노즐(411)을 지지한다. 노즐 암(413)의 후단에는 지지 로드(415)가 장착된다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)의 하부에 위치한다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(415)를 회전시킨다. 지지 로드(415)의 회전으로 노즐 암(413)과 노즐(411)이 지지 로드(415)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(411)은 바울(200)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(411)은 기판(W)의 중심과 가장 자리 영역 사이 구간을 스윙 이동하며 처리액을 토출할 수 있다.The liquid nozzle member 410 includes a nozzle 411, a nozzle arm 413, a support rod 415, and a nozzle driver 417. The nozzle 411 receives the treatment liquid through the supply unit 420. The nozzle 411 discharges the processing liquid to the surface of the substrate W. The nozzle arm 413 is an arm provided with a length in one direction, and a nozzle 411 is mounted at the tip. The nozzle arm 413 supports the nozzle 411. A support rod 415 is mounted at the rear end of the nozzle arm 413. The support rod 415 is located under the nozzle arm 413. The support rod 415 is disposed perpendicular to the nozzle arm 413. The nozzle driver 417 is provided at the lower end of the support rod 415. The nozzle driver 417 rotates the support rod 415 about the longitudinal axis of the support rod 415. The rotation of the support rod 415 causes the nozzle arm 413 and the nozzle 411 to swing the support rod 415 along the axis. The nozzle 411 may swing between the outside and the inside of the bowl 200. In addition, the nozzle 411 may swing a section between the center of the substrate W and the edge region and discharge the processing liquid.

배기 유닛(500)은 바울(100)의 내부를 배기할 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(500)은 공정시 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)중 처리액을 회수하는 회수통에 배기 압력(흡입 압력)을 제공하기 위한 것이다. 배기 유닛(500)은 배기 덕트(290)와 연결되는 배기 라인(510), 댐퍼(520)를 포함한다. 배기 라인(510)은 배기 펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다. The exhaust unit 500 may exhaust the inside of the bowl 100. For example, the exhaust unit 500 is for providing an exhaust pressure (suction pressure) to a recovery container for recovering a treatment liquid from among the first to third recovery bins 210, 220, and 230 during a process. The exhaust unit 500 includes an exhaust line 510 and a damper 520 connected to the exhaust duct 290. The exhaust line 510 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line buried in the bottom space of the semiconductor production line.

한편, 바울(200)은 바울(200)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 바울(200)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(200)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(300)에 대한 바울(200)의 상대 높이가 변경된다. On the other hand, the Paul 200 is combined with the lifting unit 600 to change the vertical position of the Paul 200. The lifting unit 600 linearly moves the Paul 200 in the vertical direction. As the Paul 200 moves up and down, the relative height of the Paul 200 with respect to the support unit 300 is changed.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정 설치 된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(300)에 로딩 또는 언로딩될 때 지지 유닛(300)이 바울(200)의 상부로 돌출되도록 바울(200)은 하강한다. 또한, 공정이 진행 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통들(210, 220, 230)로 유입될 수 있도록 바울(200)의 높이가 조절된다. 바울(200)은 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The lifting unit 600 includes a bracket 612, a moving shaft 614, and a driver 616. The bracket 612 is fixedly installed on the outer wall of the processing container 100. A moving shaft 614 that is moved in the vertical direction by a driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. When the substrate W is loaded or unloaded onto the support unit 300, the support unit 300 is lowered so that the support unit 300 protrudes upward from the support unit 300. In addition, when the process proceeds, the height of the bowl 200 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined collection bins 210, 220, 230 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W. The Paul 200 may have different types of treatment liquid and pollutant gas recovered for each of the recovery spaces RS1, RS2, and RS3.

도 6는 도 4의 지지 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 7는 도 6의 지지 유닛의 일부분을 확대하여 보여주는 도면이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 지지 유닛(300)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 기판(W)을 회전시킬 수 있다.6 is a cross-sectional view showing an embodiment of the support unit of FIG. 4, and FIG. 7 is an enlarged view of a part of the support unit of FIG. 6. 6 and 7, the support unit 300 supports the substrate W during a process and may rotate the substrate W during the process.

지지 유닛(300)은 지지판(310), 스핀 구동부(320), 백 노즐부(330), 가열부재(340), 냉각 부재(350), 단열판(360), 방열판(370), 그리고 제어기(380)를 포함한다. The support unit 300 includes a support plate 310, a spin drive unit 320, a bag nozzle unit 330, a heating member 340, a cooling member 350, a heat insulating plate 360, a heat sink 370, and a controller 380. ).

지지판(310)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)를 포함한다. 척 스테이지(312)는 원형의 상부면을 가진다. 척 스테이지(312)는 스핀 구동부 (320)에 결합되어 회전된다. 척 스테이지(312)의 가장자리에는 척킹 핀(316)들이 설치된다. 척킹 핀(316)들은 석영 윈도우(314)를 관통해서 석영 윈도우(314) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 척킹 핀(316)들은 다수의 지지 핀(318)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬한다. 공정 진행시 척킹 핀(316)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다.The support plate 310 includes a chuck stage 312 and a quartz window 314. The chuck stage 312 has a circular top surface. The chuck stage 312 is rotated by being coupled to the spin driving unit 320. Chucking pins 316 are installed at the edge of the chuck stage 312. The chucking pins 316 are provided to penetrate the quartz window 314 and protrude upward from the quartz window 314. The chucking pins 316 align the substrate W so that the substrate W supported by the plurality of support pins 318 is placed in a proper position. During the process, the chucking pins 316 are in contact with the side of the substrate W to prevent the substrate W from being separated from the original position.

석영 윈도우(314)는 기판(W)과 척 스테이지(210) 상부에 위치한다. 석영 윈도우(314)는 가열 부재(340)를 보호하기 위해 제공된다. 석영 윈도우(314)는 투명하게 제공될 수 있다. 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 석영 윈도우(314)는 지지 핀(318)들을 포함한다. 지지 핀(318)들은 석영 윈도우(314)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 배치된다. 지지 핀(318)은 석영 윈도우(314)로부터 상측으로 돌출되도록 제공된다. 지지 핀(318)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 석영 윈도우(314)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. The quartz window 314 is positioned above the substrate W and the chuck stage 210. The quartz window 314 is provided to protect the heating element 340. The quartz window 314 may be provided transparently. The quartz window 314 may be rotated together with the chuck stage 312. The quartz window 314 includes support pins 318. The support pins 318 are disposed to be spaced apart from each other by a predetermined distance at the edge of the upper surface of the quartz window 314. The support pin 318 is provided to protrude upwardly from the quartz window 314. The support pins 318 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported in a state spaced from the quartz window 314 in the upward direction.

스핀 구동부(320)는 중공형의 형상을 갖고, 척 스테이지(312)와 결합하여 척 스테이지(312)를 회전시킨다. 척 스테이지(312)가 회전되는 경우, 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 또한, 지지판(310) 내에 제공되는 구성들은 지지판(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다. 예컨대, 후술하는 가열 부재(340), 단열판(360), 방열판(370)은 지지판(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다.The spin driving unit 320 has a hollow shape, and is coupled to the chuck stage 312 to rotate the chuck stage 312. When the chuck stage 312 is rotated, the quartz window 314 may be rotated together with the chuck stage 312. In addition, components provided in the support plate 310 may be positioned independently from the rotation of the support plate 310. For example, the heating member 340, the heat insulating plate 360, and the heat radiating plate 370, which will be described later, may be positioned independently from the rotation of the support plate 310.

백노즐부(330)는 기판(W)의 배면에 약액을 분사하기 위해 제공된다. 백노즐부(330)는 노즐 몸체(332) 및 약액 분사부(334)를 포함한다. 약액 분사부(334)는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)의 중앙 상부에 위치된다. 노즐 몸체(332)는 중공형의 스핀 구동부(320) 내에 관통 축설되며, 노즐 몸체(332)의 내부에는 약액 이동 라인, 가스 공급라인 및 퍼지 가스 공급 라인이 제공될 수 있다. 약액 이동 라인은 기판(W) 배면의 식각 처리를 위한 식각액을 약액 분사부(334)에 공급하고, 가스 공급 라인은 기판(W)의 배면에 식각 균일도 조절을 위한 질소 가스를 공급하고, 퍼지 가스 공급 라인은 석영 윈도우(314)와 노즐 몸체(332) 사이로 식각액이 침투되는 것을 방지하도록 질소 퍼지가스를 공급한다.The back nozzle part 330 is provided to spray the chemical liquid onto the back surface of the substrate W. The back nozzle part 330 includes a nozzle body 332 and a chemical liquid injection part 334. The chemical injection part 334 is located at the center of the chuck stage 312 and the quartz window 314. The nozzle body 332 is formed through the hollow spin driving unit 320, and a chemical liquid movement line, a gas supply line, and a purge gas supply line may be provided inside the nozzle body 332. The chemical liquid transfer line supplies an etchant for etching treatment of the back surface of the substrate W to the chemical liquid injection unit 334, and the gas supply line supplies nitrogen gas to the back surface of the substrate W for etch uniformity control, and a purge gas The supply line supplies nitrogen purge gas to prevent penetration of the etchant between the quartz window 314 and the nozzle body 332.

가열 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 부재(340)는 지지판(310) 내에 배치된다. 가열 부재(340)는 램프(342), 그리고 온도 제어부(344)를 포함한다.The heating member 340 may heat the substrate W during the process. The heating member 340 is disposed in the support plate 310. The heating member 340 includes a lamp 342 and a temperature control unit 344.

램프(342)는 척 스테이지(312)의 상부에 설치된다. 램프(342)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 램프(342)는 복수 개로 제공될 수 있다. 램프(342)는 서로 상이한 직경으로 제공될 수 있다. 각 램프(342)에는 온도 제어부(344)가 구성되어 있어 각각 제어가 가능할 수 있다. 또한, 램프(342)는 적외선 램프(IR Lamp)일 수 있다. 램프(342)는 적외선을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다.The lamp 342 is installed on the chuck stage 312. The lamp 342 may be provided in a ring shape. A plurality of lamps 342 may be provided. Lamps 342 may be provided in different diameters from each other. Each lamp 342 is provided with a temperature control unit 344 so that each of the lamps 342 may be controlled. Also, the lamp 342 may be an infrared lamp. The lamp 342 may heat the substrate W by irradiating infrared rays.

가열 부재(340)는 동심의 다수의 구역들로 세분될 수 있다. 각각의 구역에는 각각의 구역을 개별적으로 가열시킬 수 있는 램프(342)들이 제공될 수 있다. 램프(342)들은 척 스테이지(312)의 중심에 대해 상이한 반경 거리에서 동심적으로 배열되는 링 형상으로 제공될 수 있다. 본 실시예에서는 6개의 램프(342)들이 도시되어 있지만, 이는 하나의 예에 불과하며 램프(342)들의 수는 원하는 온도 제어된 정도에 의존하여 가감될 수 있다. 가열 부재(340)는 각각의 개별적인 구역의 온도를 제어함으로써, 공정 진행 동안 기판(W)의 반경에 따라 온도를 연속적으로 증가 또는 감소하게 제어할 수 있다. The heating element 340 may be subdivided into a plurality of concentric zones. Each zone may be provided with lamps 342 capable of individually heating each zone. The lamps 342 may be provided in a ring shape arranged concentrically at different radial distances with respect to the center of the chuck stage 312. In this embodiment, six lamps 342 are shown, but this is only an example, and the number of lamps 342 may be added or subtracted depending on the degree of temperature control desired. The heating member 340 may control the temperature of each individual region to continuously increase or decrease the temperature according to the radius of the substrate W during the process.

냉각 부재(350)는 지지판(310) 내에 냉각 유체를 공급할 수 있다. 예컨대, 냉각 부재(350)는 후술하는 방열판(370) 내에 형성되는 유로(372)에 냉각 유체를 공급할 수 있다.The cooling member 350 may supply a cooling fluid into the support plate 310. For example, the cooling member 350 may supply a cooling fluid to the flow path 372 formed in the heat sink 370 to be described later.

단열판(360)은 지지판(310) 내에 배치된다. 또한, 단열판(360)은 지지판(310) 내에서 가열 부재(340) 아래에 배치된다. 단열판(360)은 열전도율이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 단열판(360)은 후술하는 방열판(370)보다 열전도율이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 또한 단열판(360)은 램프가 조사하는 적외선 또는 열에 의해 변색되지 않는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 단열판(360)은 세라믹 또는 지르코니아를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The heat insulating plate 360 is disposed in the support plate 310. In addition, the heat insulating plate 360 is disposed under the heating member 340 in the support plate 310. The insulating plate 360 may be made of a material having low thermal conductivity. For example, the heat insulating plate 360 may be made of a material having a lower thermal conductivity than the heat sink 370 to be described later. In addition, the heat insulating plate 360 may be made of a material that does not change color by infrared rays or heat irradiated by the lamp. For example, the insulating plate 360 may be made of a material including ceramic or zirconia.

방열판(370)은 단열판(360)에서 전달되는 열을 외부로 방출할 수 있다. 또한, 방열판(370) 내에는 냉각 부재(350)가 공급하는 냉각 유체가 흐르는 유로(372)가 형성될 수 있다. 방열판(370)은 지지판(310) 내에 배치된다. 또한, 방열판(370)은 지지판(310) 내에서 단열판(360) 아래에 배치된다. 방열판(370)은 열전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 방열판(370)은 상술한 단열판(360)보다 열전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 방열판(370)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 방열판(370)은 알루미늄 및/또는 은을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.The heat sink 370 may discharge heat transferred from the heat insulating plate 360 to the outside. In addition, a flow path 372 through which the cooling fluid supplied by the cooling member 350 flows may be formed in the heat sink 370. The heat sink 370 is disposed in the support plate 310. In addition, the heat dissipation plate 370 is disposed under the heat insulating plate 360 in the support plate 310. The heat sink 370 may be made of a material having high thermal conductivity. For example, the heat sink 370 may be made of a material having a higher thermal conductivity than the above-described heat insulating plate 360. The heat sink 370 may be made of a material including metal. The heat sink 370 may be made of a material including aluminum and/or silver.

제어기(380)는 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(380)는 지지 유닛(300), 그리고 액 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 제어기(380)는 후술하는 기판 처리 장치(10)의 동작과, 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 지지 유닛(300), 그리고 액 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다.The controller 380 may control the substrate processing apparatus 10. For example, the controller 380 may control the support unit 300 and the liquid supply unit 400. The controller 380 may control the support unit 300 and the liquid supply unit 400 to perform an operation of the substrate processing apparatus 10 and a substrate processing method to be described later.

도 8은 도 6의 지지 유닛이 기판을 가열하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 가열 부재(340)는 기판(W)을 가열할 수 있다. 예컨대, 가열 부재(340)의 램프(342)는 적외선을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 부재(340)가 기판(W)을 가열하는 열은 직접 복사열(H1), 간접 복사열(H2), 그리고 대류 복사열(H3)를 포함할 수 있다. 직접 복사열(H1)은 가열 부재(340)에서 조사하는 적외선에 의해 직접적으로 기판(W)에 전달하는 열을 의미한다. 간접 복사열(H2)은 가열 부재(340)에서 조사하는 적외선이 단열판(360)에서 반사되어 기판(W)에 전달되는 열을 의미한다. 대류 복사열(H3)은 가열된 단열판(360)에서 복사되어 기판(W)에 전달되는 열을 의미한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 직접 복사열(H1), 간접 복사열(H2), 그리고 대류 복사열(H3)이 기판(W)에 집열되어 기판(W)을 가열시키는 효율을 높이고, 기판(W)의 온도가 후술하는 타겟 온도까지 도달하는 시간을 단축시킨다. 이에, 기판(W) 처리의 효율을 향상시킬 수 있다.8 is a view showing a state in which the support unit of FIG. 6 heats a substrate. Referring to FIG. 8, the heating member 340 may heat the substrate W. For example, the lamp 342 of the heating member 340 may heat the substrate W by irradiating infrared rays. Heat that the heating member 340 heats the substrate W may include direct radiant heat H1, indirect radiant heat H2, and convective radiant heat H3. Direct radiant heat H1 refers to heat directly transferred to the substrate W by infrared rays irradiated from the heating member 340. The indirect radiant heat H2 refers to heat transmitted to the substrate W by reflecting infrared rays irradiated from the heating member 340 from the heat insulating plate 360. Convective radiant heat H3 means heat radiated from the heated insulating plate 360 and transferred to the substrate W. According to an embodiment of the present invention, direct radiant heat (H1), indirect radiant heat (H2), and convective radiant heat (H3) are collected on the substrate W to increase the efficiency of heating the substrate W, and the substrate W It shortens the time for the temperature to reach the target temperature to be described later. Accordingly, the efficiency of processing the substrate W can be improved.

도 9는 도 6의 지지 유닛에서 유체가 흐르는 모습을 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 냉각 부재(350)는 방열판(370) 내에 형성되는 유로(372)에 냉각 유체를 공급할 수 있다. 냉각 유체는 비활성 가스 또는 에어 일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스이고 에어는 외부의 기류일 수 있다. 방열판(370) 내에 공급된 냉각 유체는 방열판(370) 내부를 순환하면서 방열판(370)을 냉각시킨다. 방열판(370)이 냉각되면서 스핀 구동부(320)의 온도가 상승되는 것을 최소화 할 수 있다. 또한 방열판(370)은 단열판(360)의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다.9 is a view showing a state in which fluid flows in the support unit of FIG. 6. Referring to FIG. 9, the cooling member 350 may supply a cooling fluid to a flow path 372 formed in the heat sink 370. The cooling fluid can be an inert gas or air. The inert gas may be nitrogen gas and air may be an external air stream. The cooling fluid supplied into the heat sink 370 cools the heat sink 370 while circulating inside the heat sink 370. As the heat sink 370 is cooled, it is possible to minimize an increase in the temperature of the spin driving unit 320. In addition, the heat sink 370 may keep the temperature of the heat insulating plate 360 constant.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이고, 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 가열하는 기판의 온도 변화를 보여주는 도면이다. 도 10과 도 11을 참조하면, 기판 처리 방법은 처리액을 가열된 상태로 기판에 공급하여 기판을 처리할 수 있다. 또한, 기판 처리 방법은 가열 단계(S01), 유지 단계(S20), 그리고 냉각 단계(S03)를 포함할 수 있다.10 is a flow chart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a view showing a temperature change of a substrate heated by the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 10 and 11, in the substrate processing method, a processing liquid may be supplied to the substrate in a heated state to process the substrate. Further, the substrate processing method may include a heating step (S01), a holding step (S20), and a cooling step (S03).

가열 단계(S01)는 기판을 가열하는 단계이다. 가열 단계(S01)는 액 공급 유닛(400)이 기판에 처리액을 공급하는 도중 수행될 수 있다. 가열 단계(S01)에는 지지판(310)에 지지된 기판을 기설정된 타겟 온도(T11)까지 상승시킬 수 있다. The heating step (S01) is a step of heating the substrate. The heating step S01 may be performed while the liquid supply unit 400 supplies the processing liquid to the substrate. In the heating step S01, the substrate supported on the support plate 310 may be raised to a predetermined target temperature T11.

유지 단계(S02)는 가열된 기판의 온도를 타겟 온도(T11)로 설정 시간 동안(t11 ~ t12) 유지시키는 단계이다. 유지 단계(S02)는 가열 단계(S01) 이후에 수행될 수 있다. 유지 단계(S02)에서 설정 시간(t11 ~ t12)은 처리되는 기판의 종류 또는 기판에 요구되는 에칭 레이트(etching rate)에 따라 달라질 수 있다. The holding step S02 is a step of maintaining the temperature of the heated substrate at the target temperature T11 for a set time (t11 to t12). The maintaining step S02 may be performed after the heating step S01. The set times t11 to t12 in the sustain step S02 may vary depending on the type of substrate to be processed or an etching rate required for the substrate.

냉각 단계(S03)는 기판을 냉각시키는 단계이다. 냉각 단계(S03)는 가열 단계(S02) 이후에 수행될 수 있다. 냉각 단계(S03)에는 냉각 부재(350)가 방열판(370) 내에 형성되는 유로(372)에 냉각 유체를 공급할 수 있다. 상술한 유지 단계(S02)가 지속되는 경우 스핀 구동부(320)의 온도가 높아져 스핀 구동부(320)가 정상 구동하지 못할 수 있다. 이에, 냉각 단계(S03)에서 방열판(370)에 냉각 유체를 공급하여 스핀 구동부(320)의 온도가 과도하게 높아지는 것을 방지한다.The cooling step S03 is a step of cooling the substrate. The cooling step S03 may be performed after the heating step S02. In the cooling step S03, the cooling member 350 may supply the cooling fluid to the flow path 372 formed in the heat sink 370. When the above-described sustaining step S02 continues, the temperature of the spin driving unit 320 increases, so that the spin driving unit 320 may not be normally driven. Accordingly, the cooling fluid is supplied to the heat sink 370 in the cooling step S03 to prevent the temperature of the spin driving unit 320 from being excessively increased.

상술한 가열 단계(S01), 유지 단계(S02), 그리고 냉각 단계(S03)는 반복하여 수행될 수 있다. 또한, 가열 단계(S01), 유지 단계(S02), 그리고 냉각 단계(S03)는 하나의 기판에 대해 수행될 수 있다. 또한, 가열 단계(S01), 유지 단계(S02)가 수행된 기판이 냉각 단계(S03)에서 지지 유닛(300)에서 언로딩되고 미처리된 기판이 지지 유닛(300)에 로딩될 수 있다. 미처리된 기판이 지지 유닛(300)에 로딩되면 다시 가열 단계, 유지 단계, 냉각 단계를 수행할 수 있다.The above-described heating step (S01), holding step (S02), and cooling step (S03) may be repeatedly performed. In addition, the heating step (S01), the holding step (S02), and the cooling step (S03) may be performed on one substrate. In addition, the substrate on which the heating step (S01) and the holding step (S02) have been performed may be unloaded by the support unit 300 in the cooling step (S03), and an untreated substrate may be loaded into the support unit 300. When the untreated substrate is loaded into the support unit 300, a heating step, a holding step, and a cooling step may be performed again.

종래의 기판 처리 장치에서는, 가열 단계에서 기판의 온도가 목표한 온도까지 도달하는데 많은 시간이 걸렸다. 구체적으로, 종래에 기판을 가열하는 열은 램프가 기판에 직접 적외선을 조사하여 전달되는 직접 복사열과 적외선이 반사판에서 반사되어 기판에 전달되는 간접 복사열이 있었다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판에 전달되는 열은 직접 복사열(H1), 간접 복사열(H2), 그리고 대류 복사열(H3)이 기판에 전달된다. 즉, 기판에 직/간접 복사열(H1, H2) 뿐 아니라, 가열된 단열판(360)에서 복사되는 대류 복사열(H3)이 기판 전달된다. 기판에 직/간접 복사열(H1, H2), 그리고 대류 복사열(H3)이 기판에 집열되면서, 가열 단계(S01)의 효율을 크게 향상시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 가열 단계(S01)에서 타겟 온도(T11)까지 도달하는 시간(0 ~ t11)을 크게 단축시킬 수 있으며, 도달할 수 있는 타겟 온도(T11)를 더욱 높일 수 있다.In the conventional substrate processing apparatus, it took a long time for the temperature of the substrate to reach the target temperature in the heating step. Specifically, conventional heat for heating a substrate includes direct radiant heat transmitted by a lamp directly irradiating infrared rays onto the substrate and indirect radiant heat transmitted to the substrate by reflecting infrared rays from a reflector. However, according to an embodiment of the present invention, direct radiant heat H1, indirect radiant heat H2, and convective radiant heat H3 are transferred to the substrate as heat transferred to the substrate. That is, the direct/indirect radiant heat H1 and H2 as well as the convective radiant heat H3 radiated from the heated heat insulating plate 360 are transferred to the substrate. As the direct/indirect radiant heat H1 and H2 and the convective radiant heat H3 are collected on the substrate, the efficiency of the heating step S01 can be greatly improved. According to an embodiment of the present invention, the time (0 to t11) to reach the target temperature T11 in the heating step (S01) can be greatly shortened, and the target temperature T11 that can be reached can be further increased. .

또한, 종래의 기판 처리 장치에 제공되는 반사판은 장시간 사용하거나 램프가 고온의 열을 반사판에 인가하는 경우 변색이 되었다. 반사판의 변색에 의해 램프가 조사하는 적외선의 반사가 일정하게 이루어지지 않는다. 이에 유지 단계에서, 목표 온도를 일정하게 유지하지 못하는 헌팅 현상을 발생시켰다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 단열판(360)은 열 또는 적외선에 의하여 변색되지 않는 재질로 제공된다. 예컨대, 단열판(360)은 세라믹 또는 지르코니아를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 이에, 가열 부재(340)가 단열판(360)에 적외선을 조사하거나 고온의 열을 전달하여도 단열판(360)은 변색되지 않는다. 이에, 유지 단계(S02)에서 헌팅 현상이 발생하지 않고 기판의 온도를 타겟 온도(T11)로 일정하게 유지할 수 있다. In addition, a reflector provided in a conventional substrate processing apparatus becomes discolored when used for a long time or when a lamp applies high temperature heat to the reflector. Due to the discoloration of the reflector, the reflection of infrared rays irradiated by the lamp is not made uniformly. Therefore, in the maintenance step, a hunting phenomenon that does not keep the target temperature constant occurred. However, according to an embodiment of the present invention, the heat insulating plate 360 is provided with a material that is not discolored by heat or infrared rays. For example, the insulating plate 360 may be made of a material including ceramic or zirconia. Accordingly, even when the heating member 340 irradiates infrared rays to the heat insulating plate 360 or transmits high-temperature heat, the heat insulating plate 360 does not discolor. Accordingly, a hunting phenomenon does not occur in the holding step S02, and the temperature of the substrate may be kept constant at the target temperature T11.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 단열판(360)은 열전도율이 낮은 재질로 제공된다. 예컨대, 단열판(360)은 방열판(370)보다 열전도율이 낮은 재질로 제공될 수 있다. 단열판(360)은 열전도율이 낮기 때문에 단열판(360)의 온도 변동 폭이 작다. 이에 단열판(360)의 아래에 배치되는 방열판(370)을 이용하여 단열판(360)의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 단열판(360)의 온도가 일정하게 유지되면, 단열판(360)에서 기판으로 복사하는 대류 복사열(H3)의 온도가 일정하기 때문에 기판 처리의 균일성을 더욱 높일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the heat insulating plate 360 is provided with a material having low thermal conductivity. For example, the heat insulating plate 360 may be made of a material having a lower thermal conductivity than the heat sink 370. Since the heat insulating plate 360 has low thermal conductivity, the temperature fluctuation range of the heat insulating plate 360 is small. Accordingly, the temperature of the heat insulating plate 360 may be kept constant by using the heat sink 370 disposed under the heat insulating plate 360. When the temperature of the heat insulating plate 360 is kept constant, the temperature of the convective radiant heat H3 radiated from the heat insulating plate 360 to the substrate is constant, so that the uniformity of the substrate processing can be further improved.

또한, 단열판(360)의 열전도율이 낮은 재질로 제공되어 냉각 단계(S03)에서 단열판(360)의 온도가 낮아지는 폭 또한 작다. 이에 타겟 온도(T11)에서 기판이 냉각되는 온도(T12)로의 낮아지는 폭이 작다. 이에 냉각 단계(S03) 이후, 기판을 타겟 온도(T11)까지 가열하는 시간(t13 ~ t14)이 더욱 단축된다.In addition, since the heat insulating plate 360 is made of a material having low thermal conductivity, the width at which the temperature of the heat insulating plate 360 is lowered in the cooling step S03 is also small. Accordingly, the width of the decrease from the target temperature T11 to the temperature T12 at which the substrate is cooled is small. Accordingly, after the cooling step S03, the time (t13 to t14) for heating the substrate to the target temperature T11 is further shortened.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면 방열판(370)은 단열판(360)의 아래에 배치되고 열전도율이 높은 재질로 제공된다. 예컨대, 방열판(370)은 단열판(360)보다 열전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 방열판(370)이 열전도율이 높은 재질로 제공되어 단열판(360)이 스핀 구동부(320)에 전달할 수 있는 열을 더욱 빠르게 방열할 수 있다. Further, according to an embodiment of the present invention, the heat sink 370 is disposed under the heat insulating plate 360 and is made of a material having high thermal conductivity. For example, the heat sink 370 may be made of a material having a higher thermal conductivity than the heat insulating plate 360. Since the heat sink 370 is made of a material having high thermal conductivity, heat that can be transferred from the heat insulating plate 360 to the spin driving unit 320 may be radiated more quickly.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 스핀 구동부의 온도 변화를 보여주는 도면이다. 도 12를 참조하면, 본 발명의 실시예에서 방열판(370)이 효과적으로 열을 배출하기 때문에, 스핀 구동부(320)의 온도는 스핀 구동부(320)가 비정상으로 구동되는 기준 온도(T13)보다 낮은 온도(T14)로 유지될 수 있다. 이에, 스핀 구동부(320)가 비정상 구동하는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 스핀 구동부(320)가 고장 날 빈도를 최소화 할 수 있다. 또한, 유지 단계(S02)를 더욱 긴 시간 동안 수행할 수 있다. 12 is a diagram illustrating a temperature change of a spin driver in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 12, since the heat sink 370 effectively discharges heat in the embodiment of the present invention, the temperature of the spin driving unit 320 is lower than the reference temperature T13 at which the spin driving unit 320 is abnormally driven. (T14) can be maintained. Accordingly, it is possible to minimize the abnormal driving of the spin driving unit 320. In addition, it is possible to minimize the frequency of failure of the spin driving unit 320. Also, the maintenance step S02 may be performed for a longer time.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 13을 참조하면, 방열판(370)은 복수로 제공될 수 있다. 방열판(370)은 제1판(370a), 제2판(370b), 그리고 제3판(370c)을 포함할 수 있다. 제1판(370a), 제2판(370b), 그리고 제3판(370c)은 지지판(310) 내에서 위에서 아래 방향으로 순차적으로 배치될 수 있다.13 is a cross-sectional view showing a support unit according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 13, a plurality of heat sinks 370 may be provided. The heat sink 370 may include a first plate 370a, a second plate 370b, and a third plate 370c. The first plate 370a, the second plate 370b, and the third plate 370c may be sequentially disposed in the support plate 310 from top to bottom.

도 14는 도 13의 제2판의 모습을 보여주는 도면이고, 도 15는 도 13의 제3판의 모습을 보여주는 도면이다. 도 14와 도15를 참조하면, 복수의 방열판(370) 중 적어도 하나의 방열판에는, 상부에서 바라볼 때 나선형의 돌출부가 형성될 수 있다. 예컨대, 제1판(370a), 제2판(370b), 그리고 제3판(370c) 중 제2판(370b)과 제3판(370c)에는 각각 나선형 돌출부(374b, 374c)가 형성될 수 있다. 14 is a view showing the state of the second plate of FIG. 13, and FIG. 15 is a view showing the state of the third plate of FIG. Referring to FIGS. 14 and 15, at least one of the plurality of heat sinks 370 may have a spiral-shaped protrusion when viewed from above. For example, among the first plate 370a, the second plate 370b, and the third plate 370c, spiral protrusions 374b and 374c may be formed on the second plate 370b and the third plate 370c, respectively. have.

나선형 돌출부(374b, 374c)는 복수로 제공될 수 있다. 복수로 제공되는 나선형 돌출부(374b, 374c)들의 나선 방향은 시계 방향 또는 반시계 방향일 수 있다. 또한, 나선형 돌출부의 나선 방향은 인접하는 방열판과 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 제2판(370b)에서 나선형 돌출부(374b)의 나선 방향은 시계 방향일 수 있다. 또한, 제3판(370c)에서 나선형 돌출부(374c)의 나선 방향은 반시계 방향일 수 있다. The spiral protrusions 374b and 374c may be provided in plural. The spiral direction of the plurality of spiral protrusions 374b and 374c may be clockwise or counterclockwise. Further, the helical direction of the helical protrusion may be provided differently from the adjacent heat sink. For example, the spiral direction of the spiral protrusion 374b in the second plate 370b may be a clockwise direction. In addition, the spiral direction of the spiral protrusion 374c in the third plate 370c may be a counterclockwise direction.

도 16은 도 13의 방열판의 모습을 보여주는 도면이다. 도 16을 참조하면, 제1판(370a), 제2판(370b), 그리고 제3판(370c)은 위에서 아래방향으로 순차적으로 배치된다. 또한, 인접한 방열판 사이에 이격된 공간과 복수의 나선형 돌출부들의 사이 공간은 냉각 부재(350)가 공급하는 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공된다. 유로로 공급된 냉각 유체는 나선형 돌출부를 따라 유동하면서 방열판 내부 전체에 순환된다. 이에, 방열판(370)이 스핀 구동부(320)를 냉각하는 효율을 더욱 높일 수 있다.16 is a view showing a state of the heat sink of FIG. 13. Referring to FIG. 16, the first plate 370a, the second plate 370b, and the third plate 370c are sequentially disposed from top to bottom. In addition, a space spaced apart between adjacent heat sinks and a space between the plurality of spiral protrusions are provided as a passage through which the cooling fluid supplied by the cooling member 350 flows. The cooling fluid supplied to the flow path is circulated throughout the inside of the heat sink while flowing along the spiral protrusion. Accordingly, the efficiency of cooling the spin driving unit 320 by the heat sink 370 may be further increased.

상술한 예에서는, 냉각 부재(350)를 방열판(370) 내에 형성된 유로(372)에 냉각 유체를 공급하는 구성으로 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 냉각 부재(350)는 냉각 플레이트로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트로 제공된 냉각 부재(350)는 방열판(370)의 아래에 배치될 수 있다. 이외에도, 냉각 부재(350)는 방열판(370)을 냉각시킬 수 있는 다양한 구성으로 변형될 수 있다.In the above-described example, the cooling member 350 has been described as a configuration for supplying the cooling fluid to the flow path 372 formed in the heat sink 370, but is not limited thereto. For example, the cooling member 350 may be provided as a cooling plate. The cooling member 350 provided as a cooling plate may be disposed under the heat sink 370. In addition, the cooling member 350 may be modified into various configurations capable of cooling the heat sink 370.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The detailed description above is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the skill or knowledge of the art. The above-described embodiments describe the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application fields and uses of the present invention are possible. Therefore, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiment. In addition, the appended claims should be construed as including other embodiments.

300 : 지지 유닛
310 : 지지판
320 : 스핀 구동부
340 : 가열 부재
350 : 냉각 부재
360 : 단열판
370 : 방열판300: support unit
310: support plate
320: spin drive unit
340: heating member
350: cooling member
360: insulation plate
370: heat sink

Claims (23)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 바울과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 지지 유닛은,
기판이 놓이는 지지판과;
상기 지지판 내에 배치되며, 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 지지판 내에서 상기 가열 부재 아래에 배치되는 단열판과;
상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되는 방열판을 가지고,
상기 방열판은 상기 단열판보다 열전도율이 높은 재질로 제공되고,
상기 가열 부재는 램프를 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
Paul, who has a processing space inside;
A support unit supporting a substrate in the processing space;
Including a liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit,
The support unit,
A support plate on which a substrate is placed;
A heating member disposed in the support plate and heating the substrate;
A heat insulating plate disposed under the heating member in the support plate;
It has a heat sink disposed under the heat insulating plate in the support plate,
The heat sink is made of a material having a higher thermal conductivity than the heat insulating plate,
The heating member includes a lamp. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 방열판은 복수로 제공되고,
상기 복수의 방열판 중 적어도 하나의 방열판에는,
상부에서 바라 볼 때, 나선형 돌출부가 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The heat sink is provided in plurality,
At least one heat sink of the plurality of heat sinks,
When viewed from the top, a substrate processing apparatus in which a spiral protrusion is formed. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지는 바울과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 지지 유닛은,
기판이 놓이는 지지판과;
상기 지지판 내에 배치되며, 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 지지판 내에서 상기 가열 부재 아래에 배치되는 단열판과;
상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되는 방열판을 가지고,
상기 방열판은 복수로 제공되고,
상기 복수의 방열판 중 적어도 하나의 방열판에는,
상부에서 바라 볼 때, 나선형 돌출부가 형성되고,
상기 방열판은 제1판, 제2판, 그리고 제3판을 포함하고,
상기 제1판, 상기 제2판, 그리고 상기 제3판은 위에서 아래 방향으로 순차적으로 배치되고,
상기 제2판과 상기 제3판에는 상기 나선형 돌출부가 형성되고,
상부에서 바라볼 때, 상기 제2판과 상기 제3판의 상기 나선형 돌출부의 나선 방향은 서로 상이한 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
Paul, who has a processing space inside;
A support unit supporting a substrate in the processing space;
Including a liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate supported by the support unit,
The support unit,
A support plate on which a substrate is placed;
A heating member disposed in the support plate and heating the substrate;
A heat insulating plate disposed under the heating member in the support plate;
It has a heat sink disposed under the heat insulating plate in the support plate,
The heat sink is provided in plurality,
At least one heat sink of the plurality of heat sinks,
When viewed from the top, a spiral protrusion is formed,
The heat sink includes a first plate, a second plate, and a third plate,
The first plate, the second plate, and the third plate are sequentially arranged from top to bottom,
The second plate and the third plate are formed with the spiral protrusion,
When viewed from above, the spiral directions of the spiral protrusions of the second plate and the third plate are different from each other. 제4항에 있어서,
상기 나선형 돌출부는 복수로 형성되고, 상기 나선형 돌출부들의 사이 공간은 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The substrate processing apparatus is provided with a plurality of spiral protrusions, and a space between the spiral protrusions is provided as a passage through which a cooling fluid flows. 제1항에 있어서,
상기 방열판 내에는 냉각 유체가 흐르는 유로가 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A substrate processing apparatus in which a flow path through which a cooling fluid flows is formed in the heat sink. 제1항에 있어서,
상기 단열판은,
세라믹 또는 지르코니아를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The heat insulating plate,
Substrate processing apparatus provided with a material containing ceramic or zirconia. 제1항에 있어서,
상기 방열판은,
금속을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The heat sink,
Substrate processing apparatus provided with a material containing metal. 제8항에 있어서,
상기 방열판은 알루미늄 및/또는 은을 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The heat sink is a substrate processing apparatus provided with a material containing aluminum and/or silver. 제1항, 제3항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지판은 회전 가능하게 제공되고,
상기 가열 부재, 상기 단열판, 그리고 상기 방열판은 상기 지지판의 회전으로부터 독립되게 위치되는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1, 3 to 9,
The support plate is provided rotatably,
The heating member, the heat insulating plate, and the heat radiating plate are positioned independently from rotation of the support plate. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 램프는 서로 상이한 반경의 동심의 링 형상으로 제공된 복수의 램프로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The lamp is provided by a plurality of lamps provided in a concentric ring shape having a different radius from each other. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 장치는,
상기 유로에 냉각 유체를 공급하는 냉각 부재와;
상기 가열 부재와 상기 냉각 부재를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는,
상기 기판의 온도를 기설정된 타겟 온도까지 상승시키고,
이후 상기 기판의 온도를 상기 타겟 온도로 설정 시간 동안 유지시키고,
상기 설정 시간이 지나면 상기 기판을 냉각시키도록 상기 가열 부재 및 상기 냉각 부재를 제어하는 기판 처리 장치. The method of claim 5 or 6,
The device,
A cooling member supplying a cooling fluid to the flow path;
Including a controller for controlling the heating member and the cooling member,
The controller,
Raising the temperature of the substrate to a preset target temperature,
Thereafter, the temperature of the substrate is maintained at the target temperature for a set time,
A substrate processing apparatus configured to control the heating member and the cooling member to cool the substrate after the set time has elapsed. 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
내부 공간을 가지며, 기판이 놓이는 지지판과;
상기 지지판 내에 배치되며, 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 지지판 내에서 상기 가열 부재 아래에 배치되는 단열판과;
상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되는 방열판을 가지고,
상기 방열판은 상기 단열판보다 열전도율이 높은 재질로 제공되고,
상기 가열 부재는 램프를 포함하는 지지 유닛.In the support unit for supporting the substrate,
A support plate having an inner space and on which a substrate is placed;
A heating member disposed in the support plate and heating the substrate;
A heat insulating plate disposed under the heating member in the support plate;
It has a heat sink disposed under the heat insulating plate in the support plate,
The heat sink is made of a material having a higher thermal conductivity than the heat insulating plate,
The heating member is a support unit including a lamp. 제14항에 있어서,
상기 방열판에 제공되는 유로로 냉각 유체를 공급하는 냉각 부재를 포함하는 지지 유닛.The method of claim 14,
A support unit including a cooling member for supplying a cooling fluid to a flow path provided on the heat sink. 제15항에 있어서,
상기 방열판은 복수로 제공되고,
상기 복수의 방열판 중 적어도 하나의 방열판에는,
상부에서 바라 볼 때, 나선형 돌출부가 형성되는 지지 유닛.The method of claim 15,
The heat sink is provided in plurality,
At least one heat sink of the plurality of heat sinks,
When viewed from above, a support unit in which a helical protrusion is formed. 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
내부 공간을 가지며, 기판이 놓이는 지지판과;
상기 지지판 내에 배치되며, 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 지지판 내에서 상기 가열 부재 아래에 배치되는 단열판과;
상기 지지판 내에서 상기 단열판 아래에 배치되는 방열판을 가지고,
상기 방열판은 복수로 제공되고,
상기 복수의 방열판 중 적어도 하나의 방열판에는,
상부에서 바라 볼 때, 나선형 돌출부가 형성되고,
상기 방열판은 제1판, 제2판, 그리고 제3판을 포함하고,
상기 제1판, 상기 제2판, 그리고 상기 제3판은 위에서 아래방향으로 순차적으로 배치되고,
상기 제2판과 상기 제3판에는 상기 나선형 돌출부가 형성되고,
상부에서 바라볼 때, 상기 제2판과 상기 제3판의 상기 나선형 돌출부의 나선 방향은 서로 상이한 지지 유닛.In the support unit for supporting the substrate,
A support plate having an inner space and on which a substrate is placed;
A heating member disposed in the support plate and heating the substrate;
A heat insulating plate disposed under the heating member in the support plate;
It has a heat sink disposed under the heat insulating plate in the support plate,
The heat sink is provided in plurality,
At least one heat sink of the plurality of heat sinks,
When viewed from the top, a spiral protrusion is formed,
The heat sink includes a first plate, a second plate, and a third plate,
The first plate, the second plate, and the third plate are sequentially arranged from top to bottom,
The second plate and the third plate are formed with the spiral protrusion,
When viewed from above, the helical directions of the helical projections of the second plate and the third plate are different from each other. 제17항에 있어서,
상기 나선형 돌출부는 복수로 형성되고,
상기 나선형 돌출부들 사이 공간이 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공되는 지지 유닛.The method of claim 17,
The spiral protrusion is formed in plurality,
A support unit in which a space between the spiral protrusions is provided as a passage through which a cooling fluid flows. 제17항 또는 제18항에 있어서,
상기 가열 부재는 램프를 포함하는 지지 유닛.The method of claim 17 or 18,
The heating member is a support unit including a lamp. 제19항에 있어서,
상기 램프는 서로 상이한 반경의 동심의 링 형상으로 제공된 복수의 램프로 제공되는 지지 유닛.The method of claim 19,
The lamp is a support unit provided with a plurality of lamps provided in a concentric ring shape of different radii. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 처리액을 가열된 상태로 상기 기판에 공급하여 기판을 처리하되,
상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 도중 상기 기판을 가열하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
Processing the substrate by supplying the processing liquid to the substrate in a heated state,
A substrate processing method of heating the substrate while the processing liquid is supplied to the substrate. 제21항에 있어서,
상기 지지판에 지지된 기판을 기설정된 타겟 온도까지 상승시키는 가열 단계와;
상기 기판의 온도를 상기 타겟 온도로 설정시간동안 유지시키는 유지 단계와;
상기 설정 시간이 지나면 상기 기판을 냉각 시키는 냉각 단계를 포함하는 기판 처리 방법. The method of claim 21,
A heating step of raising the substrate supported on the support plate to a predetermined target temperature;
A holding step of maintaining the temperature of the substrate at the target temperature for a set time;
And a cooling step of cooling the substrate after the set time has elapsed. 제21항 또는 제22항에 있어서,
상기 처리액은 황산 또는 인산을 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 21 or 22,
The treatment liquid is a substrate treatment method containing sulfuric acid or phosphoric acid.
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