KR102621848B1 - Support unit and apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 지지 유닛을 제공한다. 기판을 지지하는 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전되는 척 스테이지; 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및 상기 내부 공간의 압력이 외부와 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지될 수 있도록 상기 내부 공간으로 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.The present invention provides a support unit. The support unit supporting the substrate includes a chuck stage coupled to the spin driver and rotated; a window disposed on an upper portion of the chuck stage and forming an internal space; a heating member disposed in the interior space; And it may include a gas supply line that supplies a protective gas to the inner space so that the pressure of the inner space can be maintained at a relatively positive pressure compared to the outside.

Figure R1020200178356
Figure R1020200178356

Description

지지 유닛 및 기판 처리 장치{SUPPORT UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Support unit and substrate processing device {SUPPORT UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit and substrate processing apparatus.

일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 글라스나 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.In general, processes for processing substrates such as glass or wafers in flat display device manufacturing or semiconductor manufacturing processes include photoresist coating process, developing process, etching process, and ashing process. ), etc., various processes are performed. Each process includes a wet cleaning process using chemicals or deionized water to remove various contaminants attached to the substrate, and a drying process to dry the chemical or deionized water remaining on the substrate surface. ) process is carried out.

최근에는 고온의 황산, 인산, IPA 등을 포함하는 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 공정(예컨대, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정)이 널리 이용되고 있다. 또한, 케미칼을 이용하는 기판 처리 장치에서는 기판에 대한 처리 효율을 높이기 위해 기판을 회전시키는 스핀 척 상부에 기판을 가열하는 열원을 위치시키고, 열원이 열 에너지를 발생시켜 기판을 가열한다. Recently, a process for treating a substrate using chemicals containing high temperature sulfuric acid, phosphoric acid, IPA, etc. (eg, an etching process to selectively remove a silicon nitride film and a silicon oxide film) has been widely used. Additionally, in a substrate processing device using chemicals, a heat source for heating the substrate is placed on top of a spin chuck that rotates the substrate to increase processing efficiency for the substrate, and the heat source generates heat energy to heat the substrate.

고온의 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 과정에서, 다량의 흄(Fume)이 발생된다. 이와 같이 발생되는 흄(Fume)은 폭발 가능성이 매우 높다. 예컨대, 고온의 IPA를 포함하는 케미칼을 이용하여 기판을 처리하는 공정에서는, IPA를 포함하는 케미칼은 그 온도가 80 ℃ 이상으로 가열된다. IPA의 인화점은 약 12 ℃이다. 그리고, 상술한 스핀 척 상부에 위치하는 열원은 석영을 포함하는 소재로 제공되는 커버에 의해 둘러싸여지는데, 그렇다 하더라도, 열원으로 상술한 흄(Fume)이 유입가능한 틈이 존재한다. 다시 말해, 인화점이 매우 낮은 케미칼에 의해 발생된 흄(Fume)이 열원과 인접한 영역으로 유입되는 경우, 흄(Fume)에 의해 열원은 폭발할 우려가 있다. In the process of processing a substrate using high-temperature chemicals, a large amount of fume is generated. The fume generated in this way has a very high possibility of explosion. For example, in the process of treating a substrate using a high temperature chemical containing IPA, the temperature of the chemical containing IPA is 80°C. Heated above ℃. The flash point of IPA is about 12 It is ℃. In addition, the heat source located on the upper part of the spin chuck described above is surrounded by a cover provided with a material containing quartz, but even so, there is a gap through which the fume described above can enter the heat source. In other words, if fume generated by a chemical with a very low flash point flows into an area adjacent to the heat source, there is a risk that the heat source will explode due to the fume.

본 발명은 기판 처리 장치의 안정성을 확보할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing device that can ensure the stability of the substrate processing device.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 동안 기판 처리 장치가 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing device that can effectively reduce the risk of the substrate processing device exploding while processing a substrate.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 동안 지지 유닛이 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing apparatus that can effectively reduce the risk of the support unit exploding during substrate processing.

또한, 본 발명은 가열 부재와 인접한 영역으로 기판을 처리하는 과정에서 발생되는 흄(Fume)이 유입되는 것을 최소화 할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing device that can minimize the inflow of fume generated in the process of processing a substrate into an area adjacent to a heating member.

또한, 본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing device that can efficiently process substrates.

또한, 본 발명은 처리 액을 이용하여 기판을 처리하는 동안 기판을 고온으로 가열할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing apparatus capable of heating a substrate to a high temperature while processing the substrate using a processing liquid.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재들로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명은 지지 유닛을 제공한다. 기판을 지지하는 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전되는 척 스테이지; 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및 상기 내부 공간의 압력이 외부와 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지될 수 있도록 상기 내부 공간으로 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.The present invention provides a support unit. The support unit supporting the substrate includes a chuck stage coupled to the spin driver and rotated; a window disposed on an upper portion of the chuck stage and forming an internal space; a heating member disposed in the interior space; And it may include a gas supply line that supplies a protective gas to the inner space so that the pressure of the inner space can be maintained at a relatively positive pressure compared to the outside.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit may further include a flow measurement member installed in the gas supply line and measuring a supply flow rate per unit time of the protective gas supplied to the internal space.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 내부 공간의 압력과 상기 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit may further include a differential pressure measuring member that measures a difference between the pressure of the internal space and the pressure outside the unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 윈도우는, 상기 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고, 상기 윈도우의 상기 측면에는, 상기 가스 공급 라인이 공급하는 상기 보호 가스가 유출되는 유출 홀이 형성될 수 있다.According to one embodiment, the window includes an upper surface facing the lower surface of the substrate supported on the unit, and a side surface extending downward from an edge area of the upper surface when viewed from the top, and the side surface of the window An outlet hole may be formed through which the protective gas supplied by the gas supply line flows out.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit is disposed between the heating member and the chuck stage and may further include a reflection plate that reflects heat energy generated by the heating member to the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우는 서로 결합되어 상기 스핀 구동부에 의해 함께 회전되고, 상기 가열 부재 또는 상기 반사 판은, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.According to one embodiment, the chuck stage and the window are coupled to each other and rotated together by the spin driver, and the heating member or the reflection plate may be positioned independently from the rotation of the chuck stage and the window. there is.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되며, 상기 내부 공간의 기밀성을 향상시키는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit may further include a sealing member that is disposed between the chuck stage and the window and improves airtightness of the internal space.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 상기 가열 부재가 설치되는 히트 싱크(Heat Sink)를 더 포함하고, 상기 실링 부재는, 상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the support unit is disposed on an upper part of the chuck stage and further includes a heat sink on which the heating member is installed, and the sealing member is located between the heat sink and the window. can be placed in

일 실시 예에 의하면, 상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우는, 상기 척 스테이지의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.According to one embodiment, the heat sink and the window may be positioned independently from the rotation of the chuck stage.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전 가능한 척 스테이지; 상기 척 스테이지 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및 상기 내부 공간을 양압으로 유지시키는 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.Additionally, the present invention provides a substrate processing apparatus. An apparatus for processing a substrate includes a chamber having a processing space; a support unit supporting a substrate in the processing space; and a liquid supply unit that supplies processing liquid to the substrate supported on the support unit, wherein the support unit includes: a chuck stage coupled to a spin driver and rotatable; a window disposed above the chuck stage and forming an internal space; a heating member disposed in the interior space; And it may include a gas supply line that supplies a protective gas that maintains the internal space at a positive pressure.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재; 및 상기 내부 공간의 압력과 상기 지지 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit includes a flow measurement member installed in the gas supply line and measuring a supply flow rate per unit time of the protective gas supplied to the interior space. And it may include a differential pressure measuring member that measures the difference between the pressure of the internal space and the pressure outside the support unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 차압 측정 부재는, 상기 내부 공간과 유체 연통하는 제1압력 측정 라인; 및 상기 제1압력 측정 라인과 연결되어, 상기 내부 공간의 압력 데이터를 산출하는 데이터 산출 부를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the differential pressure measuring member includes: a first pressure measuring line in fluid communication with the internal space; and a data calculation unit connected to the first pressure measurement line to calculate pressure data of the internal space.

일 실시 예에 의하면, 상기 차압 측정 부재는, 상기 처리 공간과 유체 연통하는 제2압력 측정 라인을 더 포함하고, 상기 데이터 산출 부는, 상기 제2압력 측정 라인과 연결되어, 상기 처리 공간의 압력 데이터를 산출하고, 상기 내부 공간의 압력 데이터와 상기 처리 공간의 압력 데이터를 통해 상기 내부 공간과 상기 처리 공간 사이의 압력 차이를 산출할 수 있다.According to one embodiment, the differential pressure measurement member further includes a second pressure measurement line in fluid communication with the processing space, and the data calculation unit is connected to the second pressure measurement line to provide pressure data of the processing space. and the pressure difference between the internal space and the processing space can be calculated through the pressure data of the internal space and the pressure data of the processing space.

일 실시 예에 의하면, 상기 윈도우는, 상기 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고, 상기 윈도우의 상기 측면에는, 상기 가스 공급 라인이 공급하는 상기 보호 가스가 유출되는 유출 홀이 형성될 수 있다.According to one embodiment, the window includes an upper surface facing the lower surface of the substrate supported on the unit, and a side surface extending downward from an edge area of the upper surface when viewed from the top, and the side surface of the window An outlet hole may be formed through which the protective gas supplied by the gas supply line flows out.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit is disposed between the heating member and the chuck stage and may further include a reflection plate that reflects heat energy generated by the heating member to the substrate.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치되며, 상기 내부 공간의 기밀성을 향상시키는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the support unit may further include a sealing member that is disposed between the chuck stage and the window and improves airtightness of the internal space.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 상기 가열 부재가 설치되는 히트 싱크(Heat Sink)를 더 포함하고, 상기 실링 부재는, 상기 히트 싱크, 그리고 상기 윈도우 사이에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the support unit is disposed on an upper part of the chuck stage and further includes a heat sink on which the heating member is installed, and the sealing member is located between the heat sink and the window. can be placed in

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지, 그리고 회전시키는 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛에 지지되어 회전하는 기판으로 처리 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 스핀 구동부와 결합되어 회전 가능한 척 스테이지; 상기 척 스테이지 상부에 배치되며, 내부 공간을 형상하는 석영 윈도우; 상기 내부 공간에 배치되어, 상기 지지 유닛에 지지되는 기판을 가열하는 가열 부재; 상기 내부 공간에 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인; 상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재; 및 상기 내부 공간의 압력과 상기 처리 공간 사이의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 포함할 수 있다.Additionally, the present invention provides a substrate processing apparatus. An apparatus for processing a substrate includes a chamber having a processing space; a support unit that supports and rotates the substrate in the processing space; and a liquid supply unit that supplies processing liquid to the substrate that is supported and rotated by the support unit, wherein the support unit includes: a chuck stage that is rotatable and coupled to a spin driver; a quartz window disposed above the chuck stage and forming an internal space; a heating member disposed in the interior space to heat the substrate supported on the support unit; a gas supply line supplying a protective gas to the internal space; a flow measurement member installed in the gas supply line and measuring a supply flow rate per unit time of the protective gas supplied to the interior space; and a differential pressure measuring member that measures a pressure difference between the pressure of the internal space and the processing space.

일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 차압 측정 부재가 측정하는 상기 압력 차이가 설정 압력 차보다 작은 경우 상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 라인과 연결되는 가스 공급 원을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the device further includes a controller, wherein the controller supplies the gas to supply the protective gas to the internal space when the pressure difference measured by the differential pressure measuring member is less than a set pressure difference. The gas supply source connected to the line can be controlled.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 설정 압력 차는, 50 Pa이고, 상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급한 이후에 상기 압력 차이가 상기 설정 압력 차 이상을 유지하는 경우 상기 액 공급 유닛이 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 상기 처리 액을 공급하도록 상기 액 공급 유닛, 그리고 상기 지지 유닛을 제어하고, 상기 내부 공간에 상기 보호 가스를 공급한 이후에 상기 압력 차이가 상기 설정 압력 차 이상을 유지하지 못하는 경우 인터락을 발생시키도록 상기 장치를 제어할 수 있다.According to one embodiment, the controller, the set pressure difference is 50 Pa, and if the pressure difference is maintained above the set pressure difference after supplying the protective gas to the internal space, the liquid supply unit is configured to The liquid supply unit and the support unit are controlled to supply the processing liquid to the substrate supported on the support unit, and the pressure difference is not maintained above the set pressure difference after supplying the protective gas to the internal space. If this is not possible, the device can be controlled to generate an interlock.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치의 안정성을 확보할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the stability of a substrate processing device can be secured.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 동안 기판 처리 장치가 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the risk of a substrate processing device exploding while processing a substrate can be effectively reduced.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 동안 지지 유닛이 폭발할 위험을 효과적으로 낮출 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the risk of the support unit exploding during substrate processing can be effectively reduced.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 가열 부재와 인접한 영역으로 기판을 처리하는 과정에서 발생되는 흄(Fume)이 유입되는 것을 최소화 할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the inflow of fume generated during the process of processing a substrate into an area adjacent to the heating member.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the substrate can be processed efficiently.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 액을 이용하여 기판을 처리하는 동안 기판을 고온으로 가열할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the substrate can be heated to a high temperature while processing the substrate using a processing liquid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 지지 유닛의 일 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 척 스테이지와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 차압 제어 및 인터락 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 8은 도 3의 지지 유닛의 다른 실시 예를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 히팅 싱크와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility provided with a substrate processing device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a top plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing one embodiment of the support unit of FIG. 3.
FIG. 5 is an enlarged view showing a portion of the support unit of FIG. 4.
FIG. 6 is a diagram showing the gas supply line of the support unit of FIG. 5 supplying gas to the internal space formed by the chuck stage and the quartz window.
Figure 7 is a flow chart showing a differential pressure control and interlock method according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the support unit of Figure 3.
FIG. 9 is an enlarged view showing a portion of the support unit of FIG. 8.
FIG. 10 is a diagram showing the gas supply line of the support unit of FIG. 9 supplying gas to the internal space formed by the heating sink and the quartz window.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. Additionally, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component does not mean excluding other components, but rather including other components, unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to include one or more other features or It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Additionally, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility provided with a substrate processing device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing equipment 1 includes an index module 1000 and a process processing module 2000. The index module 1000 includes a load port 1200 and a transfer frame 1400. The load port 1200, the transfer frame 1400, and the processing module 2000 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 1200, the transfer frame 1400, and the processing module 2000 are arranged is referred to as the first direction 12. And when viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is called the second direction 14, and the direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is called the third direction. It is called (16).

로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 1300 containing the substrate W is seated in the load port 1200. A plurality of load ports 1200 are provided, and they are arranged in a row along the second direction 14. Figure 1 shows that four load ports 1200 are provided. However, the number of load ports 1200 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 2000. A slot (not shown) provided to support the edge of the substrate W is formed in the carrier 1300. A plurality of slots are provided in the third direction (16). The substrates W are positioned in the carrier 1300 to be stacked in a spaced apart state along the third direction 16. A Front Opening Unified Pod (FOUP) may be used as the carrier 1300.

공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)을 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버들(2600)과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버들(2600)은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process processing module 2000 includes a buffer unit 2200, a transfer chamber 2400, and a process chamber 2600. The transfer chamber 2400 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 2600 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 2400 along the second direction 14, respectively. The process chambers 2600 located on one side of the transfer chamber 2400 and the process chambers 2600 located on the other side of the transfer chamber 2400 are provided to be symmetrical to each other with respect to the transfer chamber 2400. Some of the process chambers 2600 are arranged along the longitudinal direction of the transfer chamber 2400. Additionally, some of the process chambers 2600 are arranged to be stacked on top of each other. That is, on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in an arrangement of A Here, A is the number of process chambers 2600 provided in a row along the first direction 12, and B is the number of process chambers 2600 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 2600 are provided on one side of the transfer chamber 2400, the process chambers 2600 may be arranged in a 2 x 2 or 3 x 2 arrangement. The number of process chambers 2600 may increase or decrease. Unlike what was described above, the process chamber 2600 may be provided only on one side of the transfer chamber 2400. Additionally, unlike what was described above, the process chamber 2600 may be provided as a single layer on one and both sides of the transfer chamber 2400.

버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 2200 is disposed between the transfer frame 1400 and the transfer chamber 2400. The buffer unit 2200 provides a space for the substrate W to stay before it is transferred between the transfer chamber 2400 and the transfer frame 1400. The buffer unit 2200 is provided with slots (not shown) on which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. In the buffer unit 2200, the surface facing the transfer frame 1400 and the surface facing the transfer chamber 2400 are open.

이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 1400 transfers the substrate W between the carrier 1300 mounted on the load port 1200 and the buffer unit 2200. The transport frame 1400 is provided with an index rail 1420 and an index robot 1440. The index rail 1420 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 1440 is installed on the index rail 1420 and moves linearly in the second direction 14 along the index rail 1420. The index robot 1440 has a base 1441, a body 1442, and an index arm 1443. The base 1441 is installed to be movable along the index rail 1420. The body 1442 is coupled to the base 1441. The body 1442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 1441. Additionally, the body 1442 is provided to be rotatable on the base 1441. The index arm 1443 is coupled to the body 1442 and is provided to move forward and backward with respect to the body 1442. A plurality of index arms 1443 are provided to be individually driven. The index arms 1443 are arranged to be stacked and spaced apart from each other along the third direction 16. Some of the index arms 1443 are used to transfer the substrate W from the processing module 2000 to the carrier 1300, and other portions are used to transfer the substrate W from the carrier 1300 to the processing module 2000. Can be used when returning. This can prevent particles generated from the substrate W before processing from attaching to the substrate W after processing during the process of the index robot 1440 loading and unloading the substrate W.

이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란 하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동 되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 2400 transfers the substrate W between the buffer unit 2200 and the process chamber 2600, and between the process chambers 2600. The transfer chamber 2400 is provided with a guide rail 2420 and a main robot 2440. The guide rail 2420 is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The main robot 2440 is installed on the guide rail 2420 and moves linearly along the first direction 12 on the guide rail 2420. The main robot 2440 has a base 2441, a body 2442, and a main arm 2443. The base 2441 is installed to be movable along the guide rail 2420. The body 2442 is coupled to the base 2441. The body 2442 is provided to be movable along the third direction 16 on the base 2441. Additionally, the body 2442 is provided to be rotatable on the base 2441. The main arm 2443 is coupled to the body 2442, and is provided to move forward and backward relative to the body 2442. A plurality of main arms 2443 are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 2443 are arranged to be stacked and spaced apart from each other along the third direction 16. The main arm 2443 used to transfer the substrate W from the buffer unit 2200 to the process chamber 2600 and the main arm 2443 used to transfer the substrate W from the process chamber 2600 to the buffer unit 2200 The main arms 2443 may be different from each other.

공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 액 처리 공정(예컨대, 세정 공정, 식각 공정과 같은 막 제거 공정)을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(2600)이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(2600)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미칼의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. A substrate processing device 10 is provided within the process chamber 2600 to perform a liquid treatment process (eg, a cleaning process, a film removal process such as an etching process) on the substrate W. The substrate processing device 10 provided in each process chamber 2600 may have a different structure depending on the type of cleaning process being performed. Optionally, the substrate processing apparatus 10 within each process chamber 2600 may have the same structure. Optionally, the process chambers 2600 are divided into a plurality of groups, so that the substrate processing devices 10 provided to the process chambers 2600 belonging to the same group have the same structure, and are provided to the process chambers 2600 belonging to different groups. The substrate processing devices 10 may have different structures. For example, when the process chamber 2600 is divided into two groups, a first group of process chambers 2600 is provided on one side of the transfer chamber 2400, and a second group of process chambers is provided on the other side of the transfer chamber 2400. Process chambers 2600 may be provided. Optionally, on one side and the other side of the transfer chamber 2400, a first group of process chambers 2600 may be provided in the lower layer, and a second group of process chambers 2600 may be provided in the upper layer. The first group of process chambers 2600 and the second group of process chambers 2600 may be classified according to the type of chemical used or the type of cleaning method, respectively.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 고온의 인산, 알카리성 약액, 산성 약액, 린스액, 그리고 건조 가스와 같은 처리 유체들을 사용하여 기판(W)을 액 처리하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 회전하는 기판(W)으로 처리 액을 공급하여 액 처리 공정을 수행하는 다양한 기판 처리 장치에 모두 적용될 수 있다.In the following embodiment, an apparatus for liquid processing the substrate W using processing fluids such as high-temperature sulfuric acid, high-temperature phosphoric acid, alkaline chemical liquid, acidic chemical liquid, rinse liquid, and dry gas will be described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and can be applied to various substrate processing devices that perform a liquid treatment process by supplying a processing liquid to a rotating substrate W.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 바울(200), 지지 유닛(300), 액 공급 유닛(400), 배기 유닛(500), 승강 유닛(600), 그리고 제어기(700)를 포함할 수 있다. FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1. 2 and 3, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a bowl 200, a support unit 300, a liquid supply unit 400, an exhaust unit 500, and an elevation unit 600. , and may include a controller 700.

챔버(100)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 부재(110)가 설치된다. 기류 공급 부재(110)는 챔버(100) 내부에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 부재(110)는 고습도 외기를 필터링하여 챔버(100) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 부재(110)를 통과하여 챔버(100) 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 바울(200)의 회수통(210, 220, 230)들을 통해 배기 유닛(500)으로 배출시킨다.Chamber 100 provides a sealed internal space. An airflow supply member 110 is installed at the top. The airflow supply member 110 forms a downward airflow inside the chamber 100. The airflow supply member 110 filters high-humidity outdoor air and supplies it into the chamber 100. High-humidity outdoor air passes through the airflow supply member 110 and is supplied into the chamber 100, forming a descending airflow. The descending airflow provides a uniform airflow to the upper part of the substrate (W), and contaminants generated in the process of processing the surface of the substrate (W) by the processing fluid are discharged into the recovery bins (210, 220) of the bowl (200) along with the air. , 230) and discharged to the exhaust unit 500.

챔버(100)의 내부 공간은 수평 격벽(102)에 의해 공정 영역(120, 처리 공간의 일 예)과 유지보수 영역(130)으로 나뉜다. 공정 영역(120)에는 바울(200)과 지지 유닛(300)이 위치한다. 유지보수 영역(130)에는 바울(200)과 연결되는 회수 라인(241, 243, 245), 배기 라인(510) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동부와, 액 공급 유닛(300)의 구동부, 공급 라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(130)은 공정 영역(120)으로부터 격리된다.The internal space of the chamber 100 is divided into a process area 120 (an example of a processing space) and a maintenance area 130 by a horizontal partition 102. A bowl 200 and a support unit 300 are located in the process area 120. In the maintenance area 130, in addition to the recovery lines 241, 243, 245 and the exhaust line 510 connected to the bowl 200, the driving part of the lifting unit 600, the driving part of the liquid supply unit 300, and the supply line etc. are located. Maintenance area 130 is isolated from process area 120.

바울(200)은 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 가진다. 바울(200)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(300)이 위치된다. 지지 유닛(300)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다. The bowl 200 has a cylindrical shape with an open top and has a processing space for processing the substrate W. The open upper surface of the bowl 200 serves as a passage for loading and unloading the substrate W. A support unit 300 is located in the processing space. The support unit 300 rotates the substrate W while supporting the substrate W during the process.

바울(200)은 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기 덕트(290)가 연결된 하부 공간을 제공한다. 바울(200)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3 회수 통(230)이 다단으로 배치된다. The bowl 200 provides a lower space to which an exhaust duct 290 is connected to the lower end to enable forced exhaust. The bowl 200 includes a first recovery tank 210, a second recovery tank 220, and a third recovery tank 230 in multiple stages for inflowing and sucking the processing liquid and gas scattered on the rotating substrate W. It is placed.

환형의 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)은 하나의 공통된 환형 공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 그 바닥면으로부터 위 방향으로 연장되어 원통 형상을 가지는 측벽을 포함한다. 제2 회수통(220)은 제1회수통(210)을 둘러싸고, 제1회수통(210)로부터 이격된다. 제3회수통(230)은 제2회수통(220)을 둘러싸고, 제2회수통(220)로부터 이격된다.The annular first recovery container 210, the second recovery container 220, and the third recovery container 230 have exhaust ports (H) communicating with a common annular space. Specifically, the first to third recovery containers 210, 220, and 230 each include a bottom surface having an annular ring shape and a side wall extending upward from the bottom surface to have a cylindrical shape. The second recovery container 220 surrounds the first recovery container 210 and is spaced apart from the first recovery container 210. The third recovery container 230 surrounds the second recovery container 220 and is spaced apart from the second recovery container 220.

제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)은 기판(W)으로부터 비산된 처리 액 및 흄(Fume)이 포함된 기류가 유입되는 제1회수 공간(RS1), 제2회수 공간(RS2), 그리고 제3회수 공간(RS3)을 제공할 수 있다. 제1회수 공간(RS1)은 제1회수통(210)에 의해 정의되고, 제2회수 공간(RS2)은 제1회수통(210)과 제2회수통(220) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3회수 공간(RS3)은 제2회수통(220)과 제3회수통(230) 간의 이격 공간에 의해 정의된다. The first recovery container 210, the second recovery container 220, and the third recovery container 230 are first recovery spaces into which airflow containing processing liquid and fume scattered from the substrate W flows. (RS1), a second recovery space (RS2), and a third recovery space (RS3) may be provided. The first recovery space (RS1) is defined by the first recovery container (210), and the second recovery space (RS2) is defined by the separation space between the first recovery container (210) and the second recovery container (220). , the third recovery space RS3 is defined by the space between the second recovery container 220 and the third recovery container 230.

제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)은 연결된 측 벽으로부터 개방 부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 멀어지는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리 액은 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230)의 상면들을 따라 제1회수 공간(RS1), 제2회수 공간(RS2) 및/또는 제3회수 공간(RS3) 안으로 흘러간다. The central portion of each upper surface of the first recovery container 210, the second recovery container 220, and the third recovery container 230 is open. The first recovery bin 210, the second recovery bin 220, and the third recovery bin 230 are formed with an inclined surface in which the distance from the corresponding floor surface gradually increases from the connected side wall to the open portion. The processing liquid scattered from the substrate (W) flows into the first recovery space (RS1) and the second recovery space along the upper surfaces of the first recovery container (210), the second recovery container (220), and the third recovery container (230). (RS2) and/or flows into the third recovery space (RS3).

제1회수 공간(RS1)에 유입된 제1처리 액은 제1회수 라인(241)을 통해 외부로 배출된다. 제2회수 공간(RS2)에 유입된 제2처리 액은 제2회수 라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3회수 공간(RS3)에 유입된 제3처리 액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다. The first treatment liquid flowing into the first recovery space (RS1) is discharged to the outside through the first recovery line (241). The second treatment liquid flowing into the second recovery space (RS2) is discharged to the outside through the second recovery line (143). The third treatment liquid flowing into the third recovery space (RS3) is discharged to the outside through the third recovery line (145).

액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 처리 액을 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 가열된 처리 액을 공급할 수 있다. 처리 액은 기판(W) 표면을 처리할 수 있다. 처리 액은 기판(W) 상의 박막을 제거하는 것과 같이, 기판(W)을 식각 처리하기 위한 고온의 케미칼일 수 있다. 일 예로 케미칼은 이소프로필알코올(IPA), 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있다. 액 공급 유닛(400)은 액 노즐 부재(410), 그리고 공급부(420)를 포함할 수 있다.The liquid supply unit 400 may process the substrate W by supplying processing liquid to the substrate W. The liquid supply unit 400 may supply heated processing liquid to the substrate W. The treatment liquid can treat the surface of the substrate W. The treatment liquid may be a high-temperature chemical for etching the substrate W, such as removing a thin film on the substrate W. For example, the chemical may be isopropyl alcohol (IPA), sulfuric acid, phosphoric acid, or a mixture of sulfuric acid and phosphoric acid. The liquid supply unit 400 may include a liquid nozzle member 410 and a supply unit 420.

액 노즐 부재(410)는 노즐(411), 노즐 암(413), 지지 로드(415), 노즐 구동기(417)를 포함할 수 있다. 노즐(411)은 공급부(420)로부터 처리 액을 공급받을 수 있다. 노즐(411)은 처리 액을 기판(W) 표면으로 토출할 수 있다. 노즐 암(413)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 노즐(411)이 장착된다. 노즐 암(413)은 노즐(411)을 지지한다. 노즐 암(413)의 후단에는 지지 로드(415)가 장착된다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)의 하부에 위치한다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(415)를 회전시킨다. 지지 로드(415)의 회전으로 노즐 암(413)과 노즐(411)이 지지 로드(415)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(411)은 바울(200)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(411)은 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 사이 구간을 스윙 이동하며 처리 액을 토출할 수 있다.The liquid nozzle member 410 may include a nozzle 411, a nozzle arm 413, a support rod 415, and a nozzle driver 417. The nozzle 411 may receive treatment liquid from the supply unit 420. The nozzle 411 may discharge the processing liquid onto the surface of the substrate W. The nozzle arm 413 is an arm provided with a long length in one direction, and a nozzle 411 is mounted at the tip. The nozzle arm 413 supports the nozzle 411. A support rod 415 is mounted at the rear end of the nozzle arm 413. The support rod 415 is located at the lower part of the nozzle arm 413. The support rod 415 is disposed perpendicular to the nozzle arm 413. The nozzle driver 417 is provided at the lower end of the support rod 415. The nozzle driver 417 rotates the support rod 415 about the longitudinal axis of the support rod 415. As the support rod 415 rotates, the nozzle arm 413 and the nozzle 411 swing and move around the support rod 415. The nozzle 411 can swing between the outer and inner sides of the bowl 200. Additionally, the nozzle 411 may discharge the processing liquid while swinging between the central area and the edge area of the substrate W.

배기 유닛(500)은 바울(200)의 내부를 배기할 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(500)은 공정시 제1회수 통(210), 제2회수 통(220), 그리고 제3회수 통(230) 중 처리 액을 회수하는 회수 통에 배기 압력(흡입 압력)을 제공할 수 있다. 배기 유닛(500)은 배기 덕트(290)와 연결되는 배기 라인(510), 댐퍼(520)를 포함할 수 있다. 배기 라인(510)은 배기 펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다. The exhaust unit 500 can exhaust the interior of the bowl 200. As an example, the exhaust unit 500 applies exhaust pressure (suction pressure) to the first recovery tank 210, the second recovery tank 220, and the third recovery tank 230 for recovering the treatment liquid during the process. can be provided. The exhaust unit 500 may include an exhaust line 510 and a damper 520 connected to the exhaust duct 290. The exhaust line 510 receives exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line buried in the floor space of the semiconductor production line.

한편, 바울(200)은 바울(200)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 바울(200)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(200)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(300)에 대한 바울(200)의 상대 높이가 변경된다. Meanwhile, the bowl 200 is coupled with a lifting unit 600 that changes the vertical position of the bowl 200. The lifting unit 600 moves the bowl 200 straight up and down. As the bowl 200 moves up and down, the relative height of the bowl 200 with respect to the support unit 300 changes.

승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동 축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 바울(200)의 외벽에 고정 설치 된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동 축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(300)에 로딩 또는 언로딩될 때 지지 유닛(300)이 바울(200)의 상부로 돌출되도록 바울(200)은 하강한다. 또한, 공정이 진행 시에는 기판(W)에 공급된 처리 액의 종류에 따라 처리 액이 기 설정된 회수통(210, 220, 230)으로 유입될 수 있도록 바울(200)의 높이가 조절된다. 바울(200)은 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리 액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. The lifting unit 600 includes a bracket 612, a moving shaft 614, and an actuator 616. The bracket 612 is fixedly installed on the outer wall of the bowl 200. A moving shaft 614 that moves in the up and down direction by the driver 616 is fixedly coupled to the bracket 612. When the substrate W is loaded or unloaded into the support unit 300, the bow 200 descends so that the support unit 300 protrudes from the top of the bowl 200. Additionally, as the process progresses, the height of the bowl 200 is adjusted so that the processing liquid can flow into the preset recovery containers 210, 220, and 230 depending on the type of processing liquid supplied to the substrate W. Paul 200 can vary the types of treatment liquid and polluted gas recovered for each recovery space (RS1, RS2, RS3).

도 4는 도 3의 지지 유닛의 일 실시 예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다. 도 4, 그리고 도 5를 참조하면, 지지 유닛(300)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 기판(W)을 회전시킬 수 있다.FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the support unit of FIG. 3, and FIG. 5 is an enlarged view showing a portion of the support unit of FIG. 4. Referring to FIGS. 4 and 5 , the support unit 300 supports the substrate W during the process, and can rotate the substrate W while the process progresses.

지지 유닛(300)은 척(310), 스핀 구동부(320), 백 노즐부(330), 가열 부재(340), 반사 판(360), 그리고 가스 공급 모듈(370)을 포함할 수 있다.The support unit 300 may include a chuck 310, a spin driver 320, a back nozzle unit 330, a heating member 340, a reflector 360, and a gas supply module 370.

척(310)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)를 포함할 수 있다. 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)의 상부에 배치될 수 있다. Chuck 310 may include a chuck stage 312 and a quartz window 314 . Quartz window 314 may be placed on top of chuck stage 312.

석영 윈도우(314)는 후술하는 가열 부재(340)를 보호하기 위하여 제공될 수 있다. 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)는 서로 조합되어 내부 공간(317)을 형성할 수 있다. 예컨대, 척 스테이지(312)는 스핀 구동부(320)와 결합되어 회전 가능한 판 형상을 가질 수 있다. 또한, 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)를 덮는 커버 형상을 가질 수 있다. 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 서로 결합될 수 있다. 이에, 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. A quartz window 314 may be provided to protect the heating member 340, which will be described later. The chuck stage 312 and the quartz window 314 may be combined with each other to form the internal space 317. For example, the chuck stage 312 may be combined with the spin driver 320 to have a rotatable plate shape. Additionally, the quartz window 314 may have a cover shape that covers the chuck stage 312. The quartz window 314 may be coupled to the chuck stage 312. Accordingly, the quartz window 314 can be rotated together with the chuck stage 312.

석영 윈도우(314)는 후술하는 램프(342)가 발생시키는 광이 투과할 수 있도록, 투명한 소재로 제공될 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때, 척 스테이지(312)가 가지는 직경은 석영 윈도우(314)가 가지는 직경보다 클 수 있다. The quartz window 314 may be made of a transparent material so that light generated by a lamp 342, which will be described later, can pass through. Additionally, when viewed from the top, the diameter of the chuck stage 312 may be larger than the diameter of the quartz window 314.

또한, 석영 윈도우(314)는 상면, 그리고 측면을 포함할 수 있다. 석영 윈도우(314)의 상면은 지지 유닛(300)에 지지되는 기판(W)의 하면과 마주보도록 제공될 수 있다. 즉, 석영 윈도우(314)의 상면은 지지 유닛(300)에 지지되는 기판(W)의 하면과 서로 평행한 면일 수 있다. 또한, 석영 윈도우(314)의 측면은 석영 윈도우(314)의 가장자리 영역에서 상면으로부터 아래 방향으로 연장되어 형성될 수 있다. 석영 윈도우(314)의 측면에는 후술하는 비활성 가스가 유출되는 적어도 하나 이상의 유출 홀(314a)이 형성될 수 있다. 예컨대, 유출 홀(314a)은 후술하는 가스 공급 라인(373)이 공급하는 가스(G)가 유출되는 홀 일 수 있다. 유출 홀(314a)들은 석영 윈도우(314)의 측면에 형성되되, 서로 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.Additionally, the quartz window 314 may include a top surface and a side surface. The upper surface of the quartz window 314 may be provided to face the lower surface of the substrate W supported on the support unit 300. That is, the upper surface of the quartz window 314 may be parallel to the lower surface of the substrate W supported by the support unit 300. Additionally, the side surface of the quartz window 314 may be formed to extend downward from the upper surface at the edge area of the quartz window 314. At least one outflow hole 314a may be formed on the side of the quartz window 314 through which an inert gas, which will be described later, flows out. For example, the outlet hole 314a may be a hole through which the gas (G) supplied by the gas supply line 373, which will be described later, flows out. The outflow holes 314a may be formed on the side of the quartz window 314 and spaced apart from each other at equal intervals.

또한, 석영 윈도우(314)에는 지지 핀(318)들이 제공될 수 있다. 지지 핀(318)들은 석영 윈도우(314)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 배치된다. 지지 핀(318)은 석영 윈도우(314)로부터 상 측으로 돌출되도록 제공된다. 지지 핀(318)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 석영 윈도우(314)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다. Additionally, the quartz window 314 may be provided with support pins 318. The support pins 318 are disposed at a predetermined distance apart from the edge of the upper surface of the quartz window 314. The support pin 318 is provided to protrude upward from the quartz window 314. The support pins 318 support the lower surface of the substrate W so that the substrate W is supported while being spaced upward from the quartz window 314 .

척 스테이지(312)의 가장자리에는 척킹 핀(316)들이 설치될 수 있다. 척킹 핀(316)들은 석영 윈도우(314)를 관통해서 석영 윈도우(314) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 척킹 핀(316)들은 다수의 지지 핀(318)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬할 수 있다. 공정 진행시 척킹 핀(316)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. Chucking pins 316 may be installed at the edge of the chuck stage 312. The chucking pins 316 are provided to penetrate the quartz window 314 and protrude upward from the quartz window 314. The chucking pins 316 may align the substrate W supported by the plurality of support pins 318 so that the substrate W is positioned in the correct position. During the process, the chucking pins 316 come into contact with the sides of the substrate W to prevent the substrate W from being displaced from its original position.

척 스테이지(312)는 스핀 구동부(320)에 결합되어 회전될 수 있다. 스핀 구동부(320)는 중공 모터와 연결되고, 중공 공간(322)을 가지는 중공 회전 축으로 제공될 수 있다. 중공 공간(322)에는 노즐 몸체(334), 그리고 가스 공급 모듈(370)의 가스 공급 라인(373), 그리고 가스 공급 모듈(370)의 제1압력 측정 라인(376b)이 제공될 수 있다.The chuck stage 312 may be coupled to the spin driver 320 and rotated. The spin driver 320 is connected to a hollow motor and may be provided as a hollow rotation shaft having a hollow space 322. The hollow space 322 may be provided with a nozzle body 334, a gas supply line 373 of the gas supply module 370, and a first pressure measurement line 376b of the gas supply module 370.

상술한 바와 같이 척 스테이지(312)가 회전되는 경우, 척 스테이지(312)와 결합된 석영 윈도우(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 또한, 척(310) 내에 제공되는 구성들은 척(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다. 예컨대, 후술하는 가열 부재(340), 반사 판(360), 가스 공급 라인(373), 그리고 제1압력 측정 라인(376b)은 척(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다.When the chuck stage 312 is rotated as described above, the quartz window 314 coupled with the chuck stage 312 may rotate together with the chuck stage 312. Additionally, components provided within the chuck 310 can be positioned independently of the rotation of the chuck 310 . For example, the heating member 340, the reflection plate 360, the gas supply line 373, and the first pressure measurement line 376b, which will be described later, may be positioned independently from the rotation of the chuck 310.

백 노즐부(330)는 기판(W)의 배면에 약액을 분사하기 위해 제공된다. 백 노즐부(330)는 약액 분사부(332), 그리고 노즐 몸체(334)를 포함할 수 있다. 약액 분사부(332)는 노즐 몸체(334) 내에 배치되는 약액 공급부(미도시)로부터 약액을 전달 받아 기판(W)의 하면을 처리(예컨대, 식각 처리)하기 위한 약액을 분사할 수 있다. 기판(W)의 하면을 처리하기 위한 약액은 식각액일 수 있다. The back nozzle unit 330 is provided to spray a chemical solution on the back of the substrate W. The back nozzle unit 330 may include a chemical spray unit 332 and a nozzle body 334. The chemical spray unit 332 may receive the chemical liquid from a chemical liquid supply unit (not shown) disposed in the nozzle body 334 and spray the chemical liquid for treating (eg, etching) the lower surface of the substrate W. The chemical solution for treating the lower surface of the substrate W may be an etchant.

가열 부재(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 부재(340)는 척(310)의 내부 공간(317)에 배치될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(340)는 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)가 정의하는 척(310)의 내부 공간(317)에 배치될 수 있다. 가열 부재(340)는 램프(342), 그리고 온도 제어부(미도시), 그리고 전력 공급 단자(344)를 포함할 수 있다.The heating member 340 may heat the substrate W during the process. The heating member 340 may be disposed in the internal space 317 of the chuck 310. For example, the heating member 340 may be disposed on the chuck stage 312 and the internal space 317 of the chuck 310 defined by the quartz window 314. The heating member 340 may include a lamp 342, a temperature control unit (not shown), and a power supply terminal 344.

램프(342)는 척 스테이지(312)의 상부에 설치된다. 램프(342)는 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)을 가열하는 열 에너지를 발생시킬 수 있다. 램프(342)는 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다. 램프(342)는 복수 개로 제공될 수 있다. 램프(342)들 중 적어도 일부는, 링 형상을 가질 수 있다. 램프(342)는 대체로 링 형상으로 제공될 수 있다. 램프(342)들은 서로 상이한 직경으로 제공될 수 있다. 또한, 램프(342)들은 회전 중심이 동일한 동심원 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 램프(342)들은 척 스테이지(312)의 중심에 대해 서로 상이한 반경을 가지되 그 중심이 서로 일치하도록 이격되어 배열될 수 있다. 각 램프(342)에는 온도 제어부가 구성되어 있어 각각의 온도 제어가 가능할 수 있다. 또한, 램프(342)는 적외선 램프(IR Lamp)일 수 있다. 이에, 램프(342) 적외선 광을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다.The ramp 342 is installed on the upper part of the chuck stage 312. The lamp 342 may generate heat energy to heat the substrate W supported on the support unit 300. The lamp 342 may irradiate light to the substrate W supported on the support unit 300 to heat the substrate W. A plurality of lamps 342 may be provided. At least some of the lamps 342 may have a ring shape. The lamp 342 may be provided in a generally ring shape. The lamps 342 may be provided with different diameters. Additionally, the lamps 342 may be provided in a concentric circular shape with the same rotation center. Additionally, the lamps 342 may have different radii with respect to the center of the chuck stage 312 but may be arranged to be spaced apart so that their centers coincide with each other. Each lamp 342 is configured with a temperature control unit, so that individual temperature control may be possible. Additionally, the lamp 342 may be an infrared lamp (IR Lamp). Accordingly, the substrate W can be heated by irradiating infrared light from the lamp 342.

또한, 램프(342)가 발생시키는 열 에너지(예컨대, 램프(342)가 발생시키는 광의 출력)은 개별적으로 제어될 수 있다. 가열 부재(340)는 각각 기판(W)의 구역의 온도를 제어함으로써, 공정 진행 동안 기판(W)의 반경에 따라 온도를 연속적으로 증가 또는 감소하게 제어할 수 있다. 본 실시예에서는 6개의 램프(342)들이 도시되어 있지만, 이는 하나의 예에 불과하며 램프(342)들의 수는 원하는 온도 제어된 정도에 의존하여 가감될 수 있다.Additionally, the heat energy generated by the lamp 342 (eg, the output of light generated by the lamp 342) can be individually controlled. The heating member 340 can control the temperature of each zone of the substrate W to continuously increase or decrease the temperature according to the radius of the substrate W during the process. Although six lamps 342 are shown in this embodiment, this is only an example and the number of lamps 342 can be increased or decreased depending on the desired degree of temperature control.

반사 판(360)은 가열 부재(340)의 하부에 배치될 수 있다. 반사 판(360)은 가열 부재(340), 그리고 척 스테이지(312) 사이에 배치될 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)의 하부에 배치될 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)가 발생시키는 열 에너지를 기판(W)으로 반사시킬 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)가 발생시키는 열 에너지를 기판(W)의 가장자리 영역 및/또는 기판(W)의 중앙 영역으로 반사시킬 수 있다. 반사 판(360)은 가열 부재(340)가 발생시키는 열 에너지에 대한 반사 효율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 반사 판(360)은 램프(342)가 조사하는 광에 대한 반사 효율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 반사 판(360)은 금, 은, 구리, 및/또는 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 반사 판(360)은 쿼츠에 금, 은, 구리, 및/또는 알루미늄으로 코팅된 재질로 제공될 수 있다. 반사 판(360)은 쿼츠에 금, 은, 구리 및/또는 알루미늄을 물리적 기상 증착법(PVD) 방식으로 코팅한 재질로 제공될 수 있다.The reflecting plate 360 may be disposed below the heating member 340. The reflecting plate 360 may be disposed between the heating member 340 and the chuck stage 312. Reflector plate 360 may be disposed below the lamp 342. The reflection plate 360 may reflect heat energy generated by the lamp 342 to the substrate W. The reflection plate 360 may reflect the heat energy generated by the lamp 342 to the edge area of the substrate W and/or the central area of the substrate W. The reflection plate 360 may be made of a material with high reflection efficiency for heat energy generated by the heating member 340. The reflection plate 360 may be made of a material with high reflection efficiency for the light emitted by the lamp 342. For example, the reflector plate 360 may be made of a material containing gold, silver, copper, and/or aluminum. The reflective plate 360 may be made of quartz coated with gold, silver, copper, and/or aluminum. The reflection plate 360 may be made of quartz coated with gold, silver, copper, and/or aluminum using physical vapor deposition (PVD).

가스 공급 모듈(370)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)가 서로 조합되어 형성하는 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급할 수 있다. 보호 가스(G)는 비활성 가스일 수 있다. 예컨대, 보호 가스(G)는 질소, 아르곤 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 보호 가스(G)는 공지된 비활성 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 가스일 수 있다. 또한, 보호 가스(G)는 온도 및/또는 습도가 조절된 가스 일 수 있다. 예컨대, 보호 가스(G)는 CDA(Clean Dry Air)일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 보호 가스(G)는 가열 부재(340)와 접촉되더라도, 가열 부재(340)를 폭발시키지 않는 공지된 가스로 다양하게 변형될 수 있다.The gas supply module 370 may supply the protective gas (G) to the internal space 317 formed by combining the chuck stage 312 and the quartz window 314. The shielding gas (G) may be an inert gas. For example, the protective gas (G) may be a gas containing at least one of nitrogen and argon. However, it is not limited thereto, and the protective gas (G) may be a gas containing at least one of known inert gases. Additionally, the protective gas (G) may be a gas whose temperature and/or humidity is controlled. For example, the shielding gas (G) may be CDA (Clean Dry Air). However, it is not limited thereto, and the protective gas G may be variously modified into known gases that do not explode the heating member 340 even if it comes into contact with the heating member 340 .

가스 공급 모듈(370)은 가스 공급원(372), 가스 공급 라인(373), 유량 측정 부재(374), 유량 조절 부재(375), 그리고 차압 측정 부재(376)를 포함할 수 있다. The gas supply module 370 may include a gas source 372, a gas supply line 373, a flow rate measurement member 374, a flow rate adjustment member 375, and a differential pressure measurement member 376.

가스 공급원(372)은 상술한 보호 가스(G)를 저장하고, 보호 가스(G)를 가스 공급 라인(373)에 전달할 수 있다. 가스 공급 라인(373)의 일 단은 가스 공급원(372)과 연결되고, 가스 공급 라인(373)의 타 단은 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 서로 조합되어 형성하는 내부 공간(317)과 연결될 수 있다. 이에, 가스 공급원(372)이 공급하는 보호 가스(G)는 가스 공급 라인(373)을 통해 내부 공간(317)으로 공급될 수 있다. 즉, 가스 공급 라인(373)은 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급하여 내부 공간(317)의 압력이 외부(예컨대, 챔버(100)의 처리 공간)과 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지할 수 있게 한다.The gas source 372 may store the above-described protective gas (G) and transmit the protective gas (G) to the gas supply line 373. One end of the gas supply line 373 is connected to the gas source 372, and the other end of the gas supply line 373 is an internal space 317 formed by combining the chuck stage 312 and the quartz window 314. ) can be connected to. Accordingly, the protective gas (G) supplied by the gas source 372 may be supplied to the internal space 317 through the gas supply line 373. That is, the gas supply line 373 supplies the protective gas (G) to the internal space 317 so that the pressure of the internal space 317 is relatively positive compared to the outside (e.g., the processing space of the chamber 100). allows you to maintain.

가스 공급 라인(373)에는 유량 조절 부재(374), 그리고 유량 측정 부재(375)가 설치될 수 있다. 유량 조절 부재(375)는 유량 측정 부재(374)보다 상대적으로 상류에서 가스 공급 라인(373)에 설치될 수 있다. 유량 측정 부재(374)는 유량계 일 수 있다. 유량 측정 부재(374)는 가스 공급 라인(373)에 보호 가스(G)가 흐르는지 여부를 판단하거나, 가스 공급 라인(373)에 흐르는 보호 가스(G)의 유량을 측정하여, 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G)의 단위 시간당 공급 유량을 측정할 수 있다. 또한, 가스 공급 라인(373)에 흐르는 보호 가스(G)의 유량 측정 값에 근거하여, 후술하는 제어기(700)는 유량 조절 부재(375)를 제어할 수 있다. 유량 조절 부재(375)는 유량 조절 밸브 일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 유량 조절 부재(375)는 가스 공급 라인(373)에 흐르는 보호 가스(G)의 유량을 조절할 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 유량 측정 부재(374)가 측정하는 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G)의 단위 시간당 공급 유량 값에 대한 데이터는 실시간으로 제어기(700)로 전달될 수 있다.A flow rate adjustment member 374 and a flow rate measurement member 375 may be installed in the gas supply line 373. The flow rate adjustment member 375 may be installed in the gas supply line 373 relatively upstream from the flow rate measurement member 374. The flow measurement member 374 may be a flow meter. The flow measurement member 374 determines whether the protective gas (G) flows in the gas supply line 373 or measures the flow rate of the protective gas (G) flowing in the gas supply line 373, and measures the flow rate of the protective gas (G) flowing in the gas supply line 373. ) can measure the supply flow rate per unit time of the protective gas (G) supplied. In addition, based on the measured flow rate of the protective gas (G) flowing in the gas supply line 373, the controller 700, which will be described later, can control the flow rate adjustment member 375. The flow rate control member 375 may be a flow rate control valve. However, the flow control member 375 is not limited to this, and the flow rate control member 375 is a known device capable of controlling the flow rate of the protective gas (G) flowing in the gas supply line 373 and can be modified in various ways. Additionally, data on the supply flow rate value per unit time of the protective gas (G) supplied to the internal space 317 measured by the flow measurement member 374 may be transmitted to the controller 700 in real time.

차압 측정 부재(376)는 내부 공간(317)의 압력과 지지 유닛(300)의 외부(예컨대, 챔버(100)의 처리 공간) 사이의 압력 차이를 측정할 수 있다. 차압 측정 부재(376)는 차압계 일 수 있다. 차압 측정 부재(376)는 내부 공간(317)의 압력이 지지 유닛(300)의 외부(예컨대, 챔버(100)의 처리 공간)의 압력과 비교할 때 상대적으로 양압을 유지하는지 여부를 측정할 수 있다. 차압 측정 부재(376)는 데이터 산출 부(376a), 제1압력 측정 라인(376b), 그리고 제2압력 측정 라인(376c)을 포함할 수 있다.The differential pressure measuring member 376 may measure the pressure difference between the pressure of the internal space 317 and the outside of the support unit 300 (eg, the processing space of the chamber 100). The differential pressure measuring member 376 may be a differential pressure gauge. The differential pressure measurement member 376 may measure whether the pressure in the interior space 317 maintains a relatively positive pressure when compared to the pressure outside the support unit 300 (e.g., the processing space of the chamber 100). . The differential pressure measurement member 376 may include a data calculation unit 376a, a first pressure measurement line 376b, and a second pressure measurement line 376c.

데이터 산출 부(376a)는 제1압력 측정 라인(376b), 그리고 제2압력 측정 라인(376c)과 연결되어, 제1압력 측정 라인(376b), 그리고 제2압력 측정 라인(376c)이 측정하는 압력을 전달 받고, 전달 받은 압력에 근거하여 내부 공간(317) 및/또는 챔버(100)의 처리 공간에 대한 데이터를 산출할 수 있다.The data calculation unit 376a is connected to the first pressure measurement line 376b and the second pressure measurement line 376c, and the first pressure measurement line 376b and the second pressure measurement line 376c measure Pressure may be delivered, and data on the internal space 317 and/or the processing space of the chamber 100 may be calculated based on the received pressure.

예컨대, 제1압력 측정 라인(376b)의 일 단은 데이터 산출 부(376a)와 연결되고, 제1압력 측정 라인(376b)의 타 단은 내부 공간(317)에 연결될 수 있다. 제1압력 측정 라인(376b)은 관 형상을 가질 수 있다. 제1압력 측정 라인(376b)의 타 단은 내부 공간(317)과 유체 연통할 수 있다. 제1압력 측정 라인(376b)은 내부 공간(317)의 압력을 데이터 산출 부(376a)로 전달할 수 있다. 그리고, 데이터 산출 부(376a)는 제1압력 측정 라인(376b)으로부터 전달 받는 압력으로부터 내부 공간(317)의 압력 데이터를 산출할 수 있다.For example, one end of the first pressure measurement line 376b may be connected to the data calculation unit 376a, and the other end of the first pressure measurement line 376b may be connected to the internal space 317. The first pressure measurement line 376b may have a tubular shape. The other end of the first pressure measurement line 376b may be in fluid communication with the internal space 317. The first pressure measurement line 376b can transmit the pressure of the internal space 317 to the data calculation unit 376a. Additionally, the data calculation unit 376a may calculate pressure data of the internal space 317 from the pressure received from the first pressure measurement line 376b.

또한, 제2압력 측정 라인(376c)의 일 단은 데이터 산출 부(376a)와 연결되고, 제2압력 측정 라인(376c)의 타 단은 챔버(100)의 처리 공간에 연결될 수 있다. 제2압력 측정 라인(376c)은 관 형상을 가질 수 있다. 제2압력 측정 라인(376c)의 타 단은 챔버(100)의 처리 공간과 유체 연통할 수 있다. 제2압력 측정 라인(376c)은 챔버(100)의 처리 공간의 압력을 데이터 산출 부(376a)로 전달할 수 있다. 그리고, 데이터 산출 부(376a)는 제2압력 측정 라인(376c)으로부터 전달 받는 압력으로부터 챔버(100)의 처리 공간의 압력 데이터를 산출할 수 있다.Additionally, one end of the second pressure measurement line 376c may be connected to the data calculation unit 376a, and the other end of the second pressure measurement line 376c may be connected to the processing space of the chamber 100. The second pressure measurement line 376c may have a tubular shape. The other end of the second pressure measurement line 376c may be in fluid communication with the processing space of the chamber 100. The second pressure measurement line 376c may transmit the pressure of the processing space of the chamber 100 to the data calculation unit 376a. Additionally, the data calculation unit 376a may calculate pressure data of the processing space of the chamber 100 from the pressure received from the second pressure measurement line 376c.

그리고, 데이터 산출 부(376a)는 산출된 내부 공간(317)의 압력 데이터와 챔버(100)의 처리 공간의 압력 데이터를 통해, 내부 공간(317)과 챔버(100)의 처리 공간 사이의 압력 차이를 산출할 수 있다. 산출된 압력 차이에 대한 데이터는 후술하는 제어기(700)로 전달될 수 있다. 또한, 데이터 산출 부(376a)가 산출하는 내부 공간(317)과 챔버(100)의 처리 공간 사이의 압력 차이에 대한 데이터는 실시간으로 제어기(700)에 전달될 수 있다.And, the data calculation unit 376a determines the pressure difference between the internal space 317 and the processing space of the chamber 100 through the calculated pressure data of the internal space 317 and the pressure data of the processing space of the chamber 100. can be calculated. Data on the calculated pressure difference may be transmitted to the controller 700, which will be described later. Additionally, data on the pressure difference between the internal space 317 and the processing space of the chamber 100 calculated by the data calculation unit 376a may be transmitted to the controller 700 in real time.

도 6은 도 5의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 척 스테이지와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)의 가스 공급 라인(373)은 척 스테이지(312), 그리고 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급할 수 있다. 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G)는 반사 판(360)의 하부, 그리고 유입 홀(314a)이 형성되지 않는 석영 윈도우(314)의 측면과 충돌하여 반사 판(360)의 상부로 유입될 수 있다. 또한, 내부 공간(317)으로 공급되는 보호 가스(G) 중 일부는 유입 홀(314a)을 통해 내부 공간(317)으로부터 챔버(100)의 처리 공간을 향하는 방향으로 계속하여 흐를 수 있다.FIG. 6 is a diagram showing the gas supply line of the support unit of FIG. 5 supplying gas to the internal space formed by the chuck stage and the quartz window. Referring to FIG. 6, the gas supply line 373 of the support unit 300 according to an embodiment of the present invention supplies protective gas to the chuck stage 312 and the internal space 317 formed by the quartz window 314. (G) can be supplied. The protective gas (G) supplied to the internal space 317 collides with the lower part of the reflecting plate 360 and the side of the quartz window 314 where the inlet hole 314a is not formed, and flows to the upper part of the reflecting plate 360. may be introduced. Additionally, some of the protective gas (G) supplied to the internal space 317 may continue to flow from the internal space 317 toward the processing space of the chamber 100 through the inlet hole 314a.

폭발 위험 지역은 아래와 같이 구분될 수 있다.Explosion hazard areas can be divided as follows:

분위기atmosphere ZoneZone 폭발 위험 물질이 항상, 그리고 긴 시간 동안 존재하는 곳 (1,000h/Year)Where explosive substances are always present and for long periods of time (1,000h/Year) 00 폭발 위험 물질이 정상적인 작동 상태에서도 존재할 수 있는 곳 (10 ~ 1,000h/Year)Locations where explosive substances may exist even under normal operating conditions (10 to 1,000h/Year) 1One 폭발 위험 물질이 짧은 시간 동안 발생할 가능성이 있는 곳(0.1 ~ 10h/Year)Places where explosive substances are likely to occur for a short period of time (0.1 ~ 10h/Year) 22

이때, 챔버(100)의 처리 공간, 또는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)은 Zone 2에 해당할 수 있다.또한, 폭발 위험 지역에 따른 방폭 방법은 아래와 같다.At this time, the processing space of the chamber 100 or the internal space 317 formed by the chuck stage 312 and the quartz window 314 may correspond to Zone 2. In addition, the explosion prevention method according to the explosion risk area is as follows. same.

방폭 방법Explosion proof method 사용 가능 ZoneAvailable Zone 내압 방폭pressure explosion proof 1, 21, 2 압력 방폭pressure explosion proof 1, 21, 2 안전증 방폭Increased safety explosion proof 22 본질 안전 방폭Intrinsically safe explosion proof 0, 1, 20, 1, 2 유입 방폭explosion proof 1, 21, 2

즉, 챔버(100)의 처리 공간, 또는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)에 대한 방폭 방법으로 압력 방폭을 적용할 수 있다.일반적으로, 폭발이 발생하기 위한 3 요소는 산소, 발화원, 그리고 가연성 물질을 포함할 수 있다. 이 중 어느 하나의 요소라도 만족하지 않는다면 폭발은 발생되지 않는다. 상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)의 가스 공급 라인(373)은 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급한다. 내부 공간(317)으로 공급된 보호 가스(G)는 내부 공간(317)의 압력을 상대적으로 양압으로 유지시키고, 내부 공간(317)으로 공급된 보호 가스(G) 중 일부는 유출 홀(314a)을 통해 내부 공간(317)에서 챔버(100)의 처리 공간을 향하는 방향으로 계속하여 흐른다(Continuous Flow 방폭 방법). 이에, 액 공급 유닛(400)이 기판(W)으로 공급하는 처리 액, 또는 처리 액으로부터 발생되는 흄(Fume)이 내부 공간(317)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 상술한 폭발의 3 요소 중, 가연성 물질에 관한 요소를 만족하지 않으므로 지지 유닛(300)에서 폭발이 발생하는 위험을 효과적으로 낮출 수 있다. 또한, 지지 유닛(300)에서 폭발이 발생하는 위험을 낮출 수 있으므로, 가열 부재(340)는 보다 높은 출력으로 기판(W)을 가열할 수 있으며, 이에 기판(W)에 대한 처리 효율을 보다 높일 수 있는 이점이 있다. 또한, 반사 판(360)의 하부로 주입되는 보호 가스(G)는 그 자체로 냉각 유체로서 역할을 수행할 수 있어, 스핀 구동부(320)로 가열 부재(340)가 발생시키는 열, 또는 가열된 반사 판(360)의 열이 전달되는 것을 억제할 수 있다.That is, pressure explosion protection can be applied as an explosion-proof method to the processing space of the chamber 100 or the internal space 317 formed by the chuck stage 312 and the quartz window 314. In general, before an explosion occurs, The three elements may include oxygen, ignition sources, and combustible materials. If any one of these elements is not satisfied, an explosion will not occur. As described above, the gas supply line 373 of the support unit 300 according to an embodiment of the present invention supplies a protective gas (G) to the internal space 317 formed by the chuck stage 312 and the quartz window 314. supply. The protective gas (G) supplied to the internal space 317 maintains the pressure of the internal space 317 at a relatively positive pressure, and some of the protective gas (G) supplied to the internal space 317 flows through the outflow hole 314a. It continues to flow from the internal space 317 toward the processing space of the chamber 100 (Continuous Flow explosion-proof method). Accordingly, the processing liquid supplied to the substrate W by the liquid supply unit 400 or the fume generated from the processing liquid can be prevented from flowing into the internal space 317. Therefore, among the three elements of explosion described above, the element related to combustible materials is not satisfied, so the risk of an explosion occurring in the support unit 300 can be effectively reduced. In addition, since the risk of explosion occurring in the support unit 300 can be reduced, the heating member 340 can heat the substrate W with higher output, thereby increasing the processing efficiency for the substrate W. There are benefits to this. In addition, the protective gas (G) injected into the lower part of the reflecting plate 360 can itself serve as a cooling fluid, so that the heat generated by the heating member 340 by the spin driver 320, or the heated Transfer of heat from the reflection plate 360 can be suppressed.

또한, 방폭 방법을 적절히 수행하기 위해서는, 내부 공간(317)의 압력을 상대적으로 양압으로 유지하는 것이 매우 중요한데, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)은, 유량 측정 부재(374), 그리고 차압 측정 부재(376)를 가진다. 이에, 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)가 공급되고 있는지, 공급된다면 단위 시간당 공급 유량이 얼마나 되는지, 그리고 내부 공간(317)의 압력과 챔버(100)의 처리 공간의 압력 차이가 설정 압력 차(예컨대, 50pa) 이상을 유지하고 있는지를 실시간으로 체크할 수 있게 된다. In addition, in order to properly perform an explosion-proof method, it is very important to maintain the pressure of the internal space 317 at a relatively positive pressure. The support unit 300 according to an embodiment of the present invention includes a flow measurement member 374, And it has a differential pressure measuring member 376. Accordingly, whether the protective gas (G) is supplied to the internal space 317, and if so, what is the supply flow rate per unit time, and the difference between the pressure of the internal space 317 and the pressure of the processing space of the chamber 100 is the set pressure It is possible to check in real time whether the difference (e.g., 50pa) or more is maintained.

이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 차압 제어 및 인터락 방법에 대하여 설명한다. 이하에서 설명하는 차압 제어 및 인터락 방법을 수행하기 위해, 제어기(700)는 기판 처리 설비(1)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(700)는 이하에서 설명하는 차압 제어 및 인터락 방법을 수행하기 위해 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 이하에서 설명하는 차압 제어 및 인터락 방법을 수행하기 위해 제어기(700)는 지지 유닛(300), 그리고 액 공급 유닛(400) 중 적어도 하나 이상을 제어할 수 있다. 제어기(70)는 기판 처리 장치(10)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(10)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(10)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다. Below, a differential pressure control and interlock method according to an embodiment of the present invention will be described. To perform the differential pressure control and interlock method described below, the controller 700 can control the substrate processing facility 1. For example, the controller 700 may control the substrate processing apparatus 10 to perform the differential pressure control and interlock method described below. For example, the controller 700 may control at least one of the support unit 300 and the liquid supply unit 400 to perform the differential pressure control and interlock method described below. The controller 70 includes a process controller consisting of a microprocessor (computer) that controls the substrate processing device 10, a keyboard that allows an operator to input commands to manage the substrate processing device 10, and a substrate processing device. A user interface consisting of a display that visualizes and displays the operating status of the device 10, a control program for executing the processing performed in the substrate processing device 10 under the control of a process controller, and various data and processing conditions. Each component may be provided with a storage unit in which a program for executing processing, that is, a processing recipe, is stored. Additionally, the user interface and storage may be connected to the process controller. The processing recipe may be stored in a storage medium in the storage unit, and the storage medium may be a hard disk, a portable disk such as a CD-ROM or DVD, or a semiconductor memory such as a flash memory.

도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 차압 제어 및 인터락 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 7을 참조하면, 우선, 차압 측정 부재(376)는 척 스테이지(312)와 석영 윈도우(314)가 형성하는 내부 공간(317)의 압력과 챔버(100)의 처리 공간의 압력의 차이를 확인 할 수 있다(S10). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력 차(예컨대, 50pa) 이상인 경우, 제어기(700)는 액 공급 유닛(400), 그리고 지지 유닛(300)을 제어하여 기판(W)에 대한 액 처리 공정을 수행한다(S42). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력 차(예컨대, 50pa)보다 작은(예컨대, 50pa 미만) 경우, 제어기(700)는 가스 공급 라인(373)이 내부 공간(317)으로 보호 가스(G)를 공급하도록 가스 공급원(372)을 제어할 수 있다(S20). 내부 공간(317)에 보호 가스(G)가 보충된 이후, 차압 측정 부재(376)는 내부 공간(317)의 압력과 챔버(100)의 처리 공간의 압력의 차이를 확인한다(S30). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력 차 이상을 유지하는 경우, 제어기(700)는 액 공급 유닛(400), 그리고 지지 유닛(300)을 제어하여 기판(W)에 대한 액 처리 공정을 수행한다(S42). 만약, 확인된 압력 차이가 설정 압력차보다 작은 경우(확인된 압력 차이가 설정 압력 차 이상을 유지하지 못하는 경우), 제어기(700)는 기판 처리 장치(10)에서 폭발이 발생될 위험이 있는 것으로 판단하고, 기판 처리 장치(10)의 구동을 중단하는 인터락(Interlock)을 발생시킨다(S41).Figure 7 is a flow chart showing a differential pressure control and interlock method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, first, the differential pressure measuring member 376 checks the difference between the pressure of the internal space 317 formed by the chuck stage 312 and the quartz window 314 and the pressure of the processing space of the chamber 100. You can do it (S10). If the confirmed pressure difference is greater than the set pressure difference (e.g., 50pa), the controller 700 controls the liquid supply unit 400 and the support unit 300 to perform a liquid treatment process on the substrate W. Do it (S42). If the confirmed pressure difference is smaller (e.g., less than 50pa) than the set pressure difference (e.g., 50pa), the controller 700 supplies the protective gas (G) to the internal space 317 through the gas supply line 373. The gas source 372 can be controlled (S20). After the protective gas (G) is replenished in the internal space 317, the differential pressure measuring member 376 checks the difference between the pressure of the internal space 317 and the pressure of the processing space of the chamber 100 (S30). If the confirmed pressure difference remains more than the set pressure difference, the controller 700 controls the liquid supply unit 400 and the support unit 300 to perform a liquid treatment process on the substrate W ( S42). If the confirmed pressure difference is smaller than the set pressure difference (if the confirmed pressure difference does not maintain more than the set pressure difference), the controller 700 determines that there is a risk of an explosion occurring in the substrate processing device 10. The judgment is made, and an interlock is generated to stop the operation of the substrate processing device 10 (S41).

상술한 예에서는, 확인된 압력 차이가 설정 압력차보다 작은 경우, 인터락을 발생시키는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)는 위험을 사용자에게 알리는 알람 부재(미도시)를 더 포함할 수 있으며, 확인된 압력 차이가 설정 압력차보다 작은 경우, 제어기(700)는 기판 처리 장치(10)에서 폭발이 발생될 위험이 있는 것으로 판단하고, 알람 부재를 제어하여 사용자에게 폭발 위험이 존재함을 알릴 수 있다. 알람 부재는, 소리와 빛과 같이 사용자에게 위험을 알릴 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.In the above-described example, an interlock is generated when the confirmed pressure difference is smaller than the set pressure difference. However, this is not limited to this. For example, the substrate processing device 10 may further include an alarm member (not shown) that notifies the user of danger, and when the confirmed pressure difference is smaller than the set pressure difference, the controller 700 controls the substrate processing device 10 It is determined that there is a risk of explosion, and the absence of an alarm can be controlled to notify the user that there is a risk of explosion. The alarm member can be variously modified into known devices that can notify the user of danger, such as sound and light.

도 8은 도 3의 지지 유닛의 다른 실시 예를 보여주는 단면도이고, 도 9는 도 8의 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다. 도 8, 그리고 도 9에서 도시하고 있는 다른 실시 예에 따른 지지 유닛(800)이 가지는 구조, 그리고 기능은 상술한 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)의 구조, 그리고 기능과 동일 또는 유사할 수 있다. 이하에서는, 상술한 일 실시 예에 따른 지지 유닛(300)과 다른 실시 예에 따른 지지 유닛(800)의 차이점을 중심으로 설명한다.FIG. 8 is a cross-sectional view showing another embodiment of the support unit of FIG. 3, and FIG. 9 is an enlarged view showing a portion of the support unit of FIG. 8. The structure and function of the support unit 800 according to another embodiment shown in FIGS. 8 and 9 may be the same or similar to the structure and function of the support unit 300 according to the above-described embodiment. there is. Hereinafter, the description will focus on the differences between the support unit 300 according to one embodiment described above and the support unit 800 according to another embodiment.

본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛(800)은 척 스테이지(812), 척 핀(816), 지지 핀(818), 스핀 구동부(820), 히트 싱크(850), 석영 윈도우(814), 중공 관(830), 가열 부재(840), 그리고 가스 공급 모듈(870)을 포함할 수 있다.The support unit 800 according to another embodiment of the present invention includes a chuck stage 812, a chuck pin 816, a support pin 818, a spin driver 820, a heat sink 850, a quartz window 814, It may include a hollow tube 830, a heating member 840, and a gas supply module 870.

척 스테이지(812)는 스핀 구동부(820)와 결합되어, 스핀 구동부(820)가 전달하는 회전력에 의해 회전될 수 있다. 척 스테이지(812)에는 기판(W)의 측 부를 척킹하는 척킹 핀(816), 그리고 기판(W)의 하면을 지지하는 지지 핀(818)들이 설치될 수 있다. 척킹 핀(816), 그리고 지지 핀(818)들은 척 스테이지(812)에 의해 회전될 수 있다.The chuck stage 812 is coupled to the spin driver 820 and can be rotated by the rotational force transmitted by the spin driver 820. Chucking pins 816 for chucking the side of the substrate W and support pins 818 for supporting the lower surface of the substrate W may be installed on the chuck stage 812. The chucking pin 816 and the support pins 818 can be rotated by the chuck stage 812.

또한, 스핀 구동부(820)는 중공 공간(822)을 가질 수 있다. 중공 공간(822)에는 후술하는 히트 싱크(850)를 지지하는 중공 관(830)이 배치될 수 있다. 중공 관(830)은 내부에 관로 공간(832)을 가질 수 있고, 관로 공간(832)에는 가스 공급 모듈(870)의 가스 공급 라인(873), 그리고 제1압력 측정 라인(876b)이 제공될 수 있다. 또한, 중공 관(830)은 스핀 구동부(820), 그리고 척 스테이지(812)의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.Additionally, the spin driver 820 may have a hollow space 822. A hollow tube 830 supporting a heat sink 850, which will be described later, may be disposed in the hollow space 822. The hollow pipe 830 may have a pipe space 832 therein, and the pipe space 832 may be provided with a gas supply line 873 of the gas supply module 870 and a first pressure measurement line 876b. You can. Additionally, the hollow tube 830 can be positioned independently from the rotation of the spin driver 820 and the chuck stage 812.

또한, 히트 싱크(Heat Sink, 850)는 중공 관(830)에 의해 지지될 수 있다. 히트 싱크(850)는 상부에서 바라볼 때 대체로 판 형상을 가질 수 있다. 히트 싱크(850)는 척 스테이지(812)의 상부에 배치되며, 가열 부재(840)가 설치될 수 있다. 가열 부재(840)는 기판(W)을 가열하는 열 에너지를 발생시킬 수 있다. 가열 부재(840)는 기판(W)을 가열하는 광을 조사할 수 있다. 가열 부재(840)는 엘이디(LED)일 수 있다.Additionally, the heat sink 850 may be supported by the hollow tube 830. The heat sink 850 may have a generally plate shape when viewed from the top. The heat sink 850 is disposed on the chuck stage 812, and a heating member 840 may be installed. The heating member 840 may generate heat energy to heat the substrate W. The heating member 840 may radiate light that heats the substrate W. The heating member 840 may be an LED.

또한, 히트 싱크(850)의 상부에는 석영 윈도우(814)가 배치될 수 있다. 석영 윈도우(814)는 상술한 석영 윈도우(314)와 대체로 유사한 구조 및 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 석영 윈도우(814)는 투명한 소재로 제공될 수 있다. 석영 윈도우(814)는 히트 싱크(850)와 서로 조합되어 내부 공간(817)을 형성할 수 있다.Additionally, a quartz window 814 may be disposed on the heat sink 850. The quartz window 814 may be provided with a structure and material substantially similar to the quartz window 314 described above. For example, the quartz window 814 may be provided from a transparent material. The quartz window 814 may be combined with the heat sink 850 to form the internal space 817.

또한, 척 스테이지(812), 그리고 석영 윈도우(814) 사이에는 실링 부재(860)가 제공될 수 있다. 예컨대, 실링 부재(860)는 히트 싱크(850)와 석영 윈도우(814) 사이에 배치되어, 내부 공간(817)의 기밀성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실링 부재(860)는 오-링일 수 있다. 또한, 실링 부재(860)는 내식성, 그리고 내열성이 우수한 소재로 제공될 수 있다.Additionally, a sealing member 860 may be provided between the chuck stage 812 and the quartz window 814. For example, the sealing member 860 may be disposed between the heat sink 850 and the quartz window 814 to improve airtightness of the internal space 817. Additionally, the sealing member 860 may be an O-ring. Additionally, the sealing member 860 may be made of a material with excellent corrosion resistance and heat resistance.

또한, 히트 싱크(850), 실링 부재(860), 가열 부재(840), 그리고 석영 윈도우(814)는 스핀 구동부(820)의 회전으로부터 독립하게 위치하는 중공 관(830)에 의해 지지되므로, 척 스테이지(812)의 회전으로부터 독립되게 위치될 수 있다.In addition, the heat sink 850, the sealing member 860, the heating member 840, and the quartz window 814 are supported by the hollow tube 830 located independently from the rotation of the spin driver 820, so that the chuck It can be positioned independently of the rotation of the stage 812.

또한, 가스 공급 모듈(870)이 가지는 가스 공급원(872), 가스 공급 라인(873), 유량 측정 부재(874), 유량 조절 부재(875), 그리고 차압 측정 부재(876)는 상술한 가스 공급 모듈(370)과 동일 또는 유사하므로 반복되는 설명은 생략한다.In addition, the gas supply module 870 includes the gas supply source 872, the gas supply line 873, the flow rate measurement member 874, the flow rate adjustment member 875, and the differential pressure measurement member 876 as described above. Since it is the same or similar to (370), repeated descriptions are omitted.

도 10은 도 9의 지지 유닛의 가스 공급 라인이 히팅 싱크와 석영 윈도우가 형성하는 내부 공간으로 가스를 공급하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 가스 공급 라인(873)은 히트 싱크(850), 그리고 석영 윈도우(814)가 형성하는 내부 공간(817)으로 보호 가스(G)를 공급할 수 있다. 이때, 히트 싱크(850), 그리고 석영 윈도우(814)가 형성하는 내부 공간(817)은 실링 부재(860)에 의해 기밀성이 향상될 수 있다. 즉, 내부 공간(817)으로 공급되는 보호 가스(G)는 내부 공간(817)이 가지는 기밀성에 의해 상대적으로 양압을 유지할 수 있다(Leakage Compensation 방폭 방법). 즉, 실링 부재(860)에 의해 내부 공간(817)으로 처리 액 또는 흄(Fume)이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스 공급 라인(873)이 공급하는 보호 가스(G) 및 실링 부재(860)에 의해 내부 공간(817)이 가지는 기밀성으로 인하여, 내부 공간(817)이 상대적으로 양압으로 유지될 수 있어 내부 공간(817)으로 처리 액 또는 흄(Fume)이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 가열 부재(840)로 가연성 물질인 처리 액 또는 흄이 전달되는 것을 방지할 수 있어, 지지 유닛(800)이 폭발하는 위험을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 상술한 일 실시 예와 유사하게, 가스 공급 모듈(870)에 의해 내부 공간(817)과 챔버(100)의 처리 공간 사이의 압력 차이는 설정 압력 차(예컨대, 50Pa)로 유지될 수 있다.FIG. 10 is a diagram showing the gas supply line of the support unit of FIG. 9 supplying gas to the internal space formed by the heating sink and the quartz window. Referring to FIG. 10 , the gas supply line 873 may supply protective gas (G) to the heat sink 850 and the internal space 817 formed by the quartz window 814. At this time, the airtightness of the internal space 817 formed by the heat sink 850 and the quartz window 814 can be improved by the sealing member 860. That is, the protective gas (G) supplied to the internal space 817 can maintain a relatively positive pressure due to the airtightness of the internal space 817 (Leakage Compensation explosion-proof method). That is, the treatment liquid or fume can be prevented from flowing into the internal space 817 by the sealing member 860. In addition, due to the airtightness of the internal space 817 due to the protective gas (G) supplied by the gas supply line 873 and the sealing member 860, the internal space 817 can be maintained at a relatively positive pressure, so that the internal space 817 can be maintained at a relatively positive pressure. It is possible to prevent treatment liquid or fume from flowing into the space 817. Accordingly, it is possible to prevent combustible treatment liquid or fume from being transferred to the heating member 840, thereby effectively suppressing the risk of the support unit 800 exploding. Additionally, similar to the above-described embodiment, the pressure difference between the internal space 817 and the processing space of the chamber 100 may be maintained at a set pressure difference (e.g., 50 Pa) by the gas supply module 870. .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. Additionally, the foregoing is intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.

기판 처리 장치 : 10
챔버 : 100
지지 유닛 : 300
척 : 310
척 스테이지 : 312
석영 윈도우 : 314
내부 공간 : 317
스핀 구동부 : 320
중공 공간 : 322
백 노즐부 : 330
약액 분사부 : 332
노즐 몸체 : 334
가열 부재 : 340
반사 판 : 360
가스 공급 모듈 : 370
가스 공급원 : 372
가스 공급 라인 : 373
유량 측정 부재 : 374
유량 조절 부재 : 375
차압 측정 부재 : 376
데이터 수신부 : 376a
제1압력 측정 라인 : 376b
제2압력 측정 라인 : 376c
액 공급 유닛 : 400
제어기 : 700
지지 유닛 : 800
척 스테이지 : 812
석영 윈도우 : 814
내부 공간 : 817
스핀 구동부 : 820
중공 공간 : 822
중공 관 : 830
관로 공간 : 832
가열 부재 : 840
히트 싱크 : 850
실링 부재 : 860
가스 공급 모듈 : 870
가스 공급원 : 872
가스 공급 라인 : 873
유량 측정 부재 : 874
유량 조절 부재 : 875
차압 측정 부재 : 876
데이터 수신부 : 876a
제1압력 측정 라인 : 876b
제2압력 측정 라인 : 876cSubstrate processing units: 10
Chamber: 100
Support units: 300
Chuck: 310
Chuck stage: 312
Quartz Windows: 314
Internal space: 317
Spin driving unit: 320
Hollow space: 322
Back nozzle part: 330
Chemical spray section: 332
Nozzle body: 334
Heating member: 340
Reflector: 360
Gas supply module: 370
Gas Source: 372
Gas supply line: 373
Flow measurement member: 374
Flow control member: 375
Differential pressure measurement member: 376
Data receiving unit: 376a
First pressure measurement line: 376b
Second pressure measurement line: 376c
Liquid supply unit: 400
Controller: 700
Support units: 800
Chuck stage: 812
Quartz Windows: 814
Internal space: 817
Spin driving unit: 820
Hollow space: 822
Hollow tube: 830
Pipe space: 832
Heating element: 840
Heatsink: 850
Sealing member: 860
Gas supply module: 870
Gas Source: 872
Gas supply line: 873
Flow measurement member: 874
Flow control member: 875
Differential pressure measurement member: 876
Data receiver: 876a
First pressure measurement line: 876b
Second pressure measurement line: 876c

Claims (20)

기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
스핀 구동부와 결합되어 회전되는 척 스테이지;
상기 척 스테이지의 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우;
상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및
상기 내부 공간의 압력이 외부와 비교할 때, 상대적으로 양압을 유지될 수 있도록 상기 내부 공간으로 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 윈도우는,
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고,
상기 윈도우의 상기 측면에는,
상기 지지 유닛의 외부 환경과 상기 내부 공간을 연통시켜 상기 내부 공간에 공급된 상기 보호 가스를 상기 지지 유닛의 외부 환경으로 유출시키는 유출 홀이 형성되는 지지 유닛.In the support unit supporting the substrate,
A chuck stage coupled to the spin driver and rotated;
a window disposed on an upper portion of the chuck stage and forming an internal space;
a heating member disposed in the interior space; and
It includes a gas supply line that supplies a protective gas to the inner space so that the pressure of the inner space can be maintained at a relatively positive pressure compared to the outside,
The window is,
An upper surface facing the lower surface of the substrate supported on the support unit, and a side surface extending downward from an edge area of the upper surface when viewed from the top,
On the side of the window,
A support unit in which an outflow hole is formed to communicate the external environment of the support unit with the internal space and allow the protective gas supplied to the internal space to flow out to the external environment of the support unit. 제1항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재를 더 포함하는 지지 유닛.According to paragraph 1,
The support unit is,
The support unit further includes a flow measurement member installed in the gas supply line and measuring a supply flow rate per unit time of the protective gas supplied to the internal space. 제1항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 내부 공간의 압력과 상기 지지 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 더 포함하는 지지 유닛.According to paragraph 1,
The support unit is,
A support unit further comprising a differential pressure measuring member that measures a difference between the pressure of the internal space and the pressure outside the support unit. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함하는 지지 유닛.According to paragraph 1,
The support unit is,
A support unit disposed between the heating member and the chuck stage, further comprising a reflection plate that reflects heat energy generated by the heating member to the substrate. 제5항에 있어서,
상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우는 서로 결합되어 상기 스핀 구동부에 의해 함께 회전되고,
상기 가열 부재 또는 상기 반사 판은,
상기 척 스테이지, 그리고 상기 윈도우의 회전으로부터 독립되게 위치되는 지지 유닛.According to clause 5,
The chuck stage and the window are coupled to each other and rotated together by the spin driver,
The heating member or the reflecting plate,
A support unit positioned independently from the rotation of the chuck stage and the window. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판을 처리하는 장치에 있어서,
처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
상기 지지 유닛은,
스핀 구동부와 결합되어 회전 가능한 척 스테이지;
상기 척 스테이지 상부에 배치되며, 내부 공간을 형성하는 윈도우;
상기 내부 공간에 배치되는 가열 부재; 및
상기 내부 공간을 양압으로 유지시키는 보호 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 윈도우는,
상기 유닛에 지지된 기판의 하면과 마주하는 상면, 그리고 상부에서 바라볼 때 상기 상면의 가장자리 영역에서 아래 방향으로 연장되는 측면을 포함하고,
상기 윈도우의 상기 측면에는,
상기 처리 공간과 상기 내부 공간을 연통시켜 상기 내부 공간에 공급된 상기 보호 가스를 상기 처리 공간으로 유출시키는 유출 홀이 형성되는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
A chamber having a processing space;
a support unit supporting a substrate in the processing space; and
A liquid supply unit that supplies processing liquid to the substrate supported on the support unit,
The support unit is,
A chuck stage that is rotatable and combined with a spin drive unit;
a window disposed above the chuck stage and forming an internal space;
a heating member disposed in the interior space; and
It includes a gas supply line that supplies a protective gas that maintains the internal space at a positive pressure,
The window is,
An upper surface facing the lower surface of the substrate supported on the unit, and a side surface extending downward from an edge area of the upper surface when viewed from the top,
On the side of the window,
A substrate processing apparatus in which an outflow hole is formed to communicate between the processing space and the internal space and allow the protective gas supplied to the internal space to flow out into the processing space. 제10항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 가스 공급 라인에 설치되며, 상기 내부 공간으로 공급되는 상기 보호 가스의 단위 시간당 공급 유량을 측정하는 유량 측정 부재; 및
상기 내부 공간의 압력과 상기 지지 유닛 외부의 압력 차이를 측정하는 차압 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 10,
The support unit is,
a flow measurement member installed in the gas supply line and measuring a supply flow rate per unit time of the protective gas supplied to the interior space; and
A substrate processing apparatus including a differential pressure measuring member that measures a difference between the pressure of the internal space and the pressure outside the support unit. 제11항에 있어서,
상기 차압 측정 부재는,
상기 내부 공간과 유체 연통하는 제1압력 측정 라인; 및
상기 제1압력 측정 라인과 연결되어, 상기 내부 공간의 압력 데이터를 산출하는 데이터 산출 부를 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 11,
The differential pressure measuring member,
a first pressure measurement line in fluid communication with the internal space; and
A substrate processing device comprising a data calculation unit connected to the first pressure measurement line and calculating pressure data of the internal space. 제12항에 있어서,
상기 차압 측정 부재는,
상기 처리 공간과 유체 연통하는 제2압력 측정 라인을 더 포함하고,
상기 데이터 산출 부는,
상기 제2압력 측정 라인과 연결되어, 상기 처리 공간의 압력 데이터를 산출하고,
상기 내부 공간의 압력 데이터와 상기 처리 공간의 압력 데이터를 통해 상기 내부 공간과 상기 처리 공간 사이의 압력 차이를 산출하는 기판 처리 장치.According to clause 12,
The differential pressure measuring member,
Further comprising a second pressure measurement line in fluid communication with the processing space,
The data calculation department is,
Connected to the second pressure measurement line to calculate pressure data of the processing space,
A substrate processing device that calculates a pressure difference between the internal space and the processing space through pressure data of the internal space and pressure data of the processing space. 삭제delete 제10항에 있어서,
상기 지지 유닛은,
상기 가열 부재, 그리고 상기 척 스테이지 사이에 배치되며, 상기 가열 부재가 발생시키는 열 에너지를 기판으로 반사시키는 반사 판을 더 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 10,
The support unit is,
A substrate processing apparatus further comprising a reflection plate disposed between the heating member and the chuck stage and reflecting heat energy generated by the heating member to the substrate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4251887B2 (en) * 2003-02-26 2009-04-08 東京エレクトロン株式会社 Vacuum processing equipment
KR102224442B1 (en) * 2016-05-20 2021-03-09 주식회사 제우스 Substrate processing apparatus
KR102037908B1 (en) * 2017-09-29 2019-10-29 세메스 주식회사 Substrate heating unit and substrate processing apparatus using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101466816B1 (en) * 2013-09-23 2014-12-10 국제엘렉트릭코리아 주식회사 Heater member and substrate processing apparatus using sysceptor

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