KR20230061642A - 반도체 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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김성환
김근우
김완돈
황윤태
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Abstract

본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 활성 패턴을 포함하는 기판; 상기 활성 패턴 상의 채널 패턴 및 소스/드레인 패턴, 상기 채널 패턴은 상기 소스/드레인 패턴에 연결되고; 상기 채널 패턴 상의 게이트 전극; 및 상기 소스/드레인 패턴에 전기적으로 연결되는 활성 콘택을 포함한다. 상기 활성 콘택은, 제1 배리어 금속 및 상기 제1 배리어 금속 상의 제1 채움 금속을 포함하고, 상기 제1 배리어 금속은 금속 질화막을 포함하며, 상기 제1 채움 금속은 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트 및 바나듐 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제1 채움 금속은 체심입방구조(BCC)를 갖는 제1 결정 영역 및 면심입방구조(FCC)를 갖는 제2 결정 영역을 포함하며, 상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율은 60% 내지 99%이다.

Description

반도체 소자 및 그의 제조 방법{Semiconductor device and method for manufacturing the same}
본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 모스 전계 효과 트랜지스터들(MOS(Metal Oxide Semiconductor) FET)로 구성된 집적회로를 포함한다. 반도체 소자의 크기 및 디자인 룰(Design rule)이 점차 축소됨에 따라, 모스 전계 효과 트랜지스터들의 크기 축소(scale down)도 점점 가속화되고 있다. 모스 전계 효과 트랜지스터들의 크기 축소에 따라 반도체 소자의 동작 특성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 고집적화에 따른 한계를 극복하면서 보다 우수한 성능을 반도체 소자를 형성하기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전기적 특성이 향상된 반도체 소자를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 전기적 특성이 향상된 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 개념에 따른, 반도체 소자는, 활성 패턴을 포함하는 기판; 상기 활성 패턴 상의 채널 패턴 및 소스/드레인 패턴, 상기 채널 패턴은 상기 소스/드레인 패턴에 연결되고; 상기 채널 패턴 상의 게이트 전극; 및 상기 소스/드레인 패턴에 전기적으로 연결되는 활성 콘택을 포함할 수 있다. 상기 활성 콘택은, 제1 배리어 금속 및 상기 제1 배리어 금속 상의 제1 채움 금속을 포함하고, 상기 제1 배리어 금속은 금속 질화막을 포함하며, 상기 제1 채움 금속은 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트 및 바나듐 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제1 채움 금속은 체심입방구조(BCC)를 갖는 제1 결정 영역 및 면심입방구조(FCC)를 갖는 제2 결정 영역을 포함하며, 상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율은 60% 내지 99%일 수 있다.
본 발명의 다른 개념에 따른, 반도체 소자는, 활성 패턴을 포함하는 기판; 상기 활성 패턴 상의 채널 패턴 및 소스/드레인 패턴, 상기 채널 패턴은 상기 소스/드레인 패턴에 연결되고; 상기 채널 패턴 상의 게이트 전극; 상기 소스/드레인 패턴에 접속하는 활성 콘택; 및 상기 활성 콘택 상의 금속 층을 포함할 수 있다. 상기 금속 층 내의 배선은 상기 활성 콘택과 비아를 통해 서로 전기적으로 연결되며, 상기 활성 콘택은, 제1 배리어 금속 및 상기 제1 배리어 금속 상의 제1 채움 금속을 포함하고, 상기 비아는, 제2 배리어 금속 및 상기 제2 배리어 금속 상의 제2 채움 금속을 포함하며, 상기 제1 및 제2 배리어 금속들은 금속 질화막을 포함하고, 상기 제1 및 제2 채움 금속들은 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트 및 바나듐 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제1 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율은 상기 제2 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율보다 클 수 있다.
본 발명의 또 다른 개념에 따른, 반도체 소자는, PMOSFET 영역 및 NMOSFET 영역을 포함하는 기판; 상기 PMOSFET 영역 상의 제1 활성 패턴 및 상기 NMOSFET 영역 상의 제2 활성 패턴; 상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 제1 소스/드레인 패턴; 상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴 및 제2 소스/드레인 패턴; 상기 제1 및 제2 채널 패턴들을 가로지르며 상기 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 사이에 개재된 게이트 절연막; 상기 게이트 전극의 측벽 상의 게이트 스페이서; 상기 게이트 전극의 상면 상의 게이트 캐핑 패턴; 상기 게이트 전극을 관통하는 게이트 커팅 패턴; 상기 게이트 캐핑 패턴 및 상기 게이트 커팅 패턴 상의 층간 절연막; 상기 층간 절연막을 관통하여 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들에 전기적으로 연결되는 활성 콘택; 상기 활성 콘택과 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 사이에 각각 개재된 금속-반도체 화합물 층들; 상기 층간 절연막 및 상기 게이트 캐핑 패턴을 관통하여, 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 게이트 콘택; 상기 층간 절연막 상의 제1 금속 층, 상기 제1 금속 층은 상기 게이트 커팅 패턴과 수직적으로 중첩되는 파워 배선, 및 상기 활성 및 게이트 콘택들에 각각 전기적으로 연결되는 제1 배선들을 포함하고; 및 상기 제1 금속 층 상의 제2 금속 층을 포함할 수 있다. 상기 제2 금속 층은 상기 제1 금속 층과 전기적으로 연결되는 제2 배선들을 포함하며, 상기 활성 콘택은, 제1 배리어 금속 및 상기 제1 배리어 금속 상의 제1 채움 금속을 포함하고, 상기 게이트 콘택은, 제2 배리어 금속 및 상기 제2 배리어 금속 상의 제2 채움 금속을 포함하며, 상기 제1 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율은 상기 제2 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율보다 클 수 있다.
본 발명의 또 다른 개념에 따른, 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 활성 패턴을 형성하는 것; 상기 활성 패턴 상에 제1 방향으로 연장되는 희생 패턴을 형성하는 것; 상기 희생 패턴의 일 측 상에, 희생층을 포함하는 소스/드레인 패턴을 형성하는 것; 상기 희생 패턴 및 상기 소스/드레인 패턴을 덮는 층간 절연막을 형성하는 것; 상기 희생 패턴을 게이트 전극으로 교체하는 것; 상기 층간 절연막을 관통하여 상기 소스/드레인 패턴을 노출하는 콘택 트렌치를 형성하는 것; 및 상기 콘택 트렌치 내에 활성 콘택을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 활성 콘택을 형성하는 것은: 상기 콘택 트렌치 내에 배리어 금속막을 형성하는 것, 상기 배리어 금속막 상에 플라즈마를 이용한 이온 충격이 수행되고; 및 상기 배리어 금속막 상에 채움 금속막을 형성하는 것을 포함하고, 상기 채움 금속막 내에서 체심입방구조(BCC)의 비율은 60% 내지 99%일 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택의 채움 금속은 상대적으로 높은 비율의 체심입방구조(BCC)를 가질 수 있다. 콘택의 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율이 커질 경우 콘택의 비저항은 작아질 수 있다. 결과적으로 로직 회로를 구성하는 트랜지스터들과 그 위의 제1 금속 층간의 전기 저항이 감소될 수 있고, 이로써 본 발명에 따른 반도체 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있다.
도 1 내지 도 3는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 로직 셀들을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 각각 도 4의 A-A'선, B-B'선, C-C'선 및 D-D'선에 따른 단면도들이다.
도 6은 도 5a의 M 영역의 일 실시예를 나타낸 확대도이다.
도 7a 내지 도 14d는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 15 내지 도 17은 도 14a의 M 영역의 활성 콘택을 형성하는 방법을 설명하기 위한 확대도들이다.
도 18은 본 발명의 비교예에 따른 도 14a의 M 영역의 활성 콘택을 형성하는 방법을 설명하기 위한 확대도이다.
도 19a 내지 도 19d는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 것으로, 각각 도 4의 A-A'선, B-B'선, C-C'선 및 D-D'선에 따른 단면도들이다.
도 1 내지 도 3는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 로직 셀들을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 1을 참조하면, 싱글 하이트 셀(Single Height Cell, SHC)이 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(100) 상에 제1 파워 배선(M1_R1) 및 제2 파워 배선(M1_R2)이 제공될 수 있다. 제1 파워 배선(M1_R1)은 드레인 전압(VDD), 일 예로 파워 전압이 제공되는 통로일 수 있다. 제2 파워 배선(M1_R2)은 소스 전압(VSS), 일 예로 접지 전압이 제공되는 통로일 수 있다.
제1 파워 배선(M1_R1) 및 제2 파워 배선(M1_R2) 사이에 싱글 하이트 셀(SHC)이 정의될 수 있다. 싱글 하이트 셀(SHC)은 하나의 PMOSFET 영역(PR) 및 하나의 NMOSFET 영역(NR)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 싱글 하이트 셀(SHC)은 제1 파워 배선(M1_R1) 및 제2 파워 배선(M1_R2) 사이에 제공된 CMOS 구조를 가질 수 있다.
PMOSFET 영역(PR) 및 NMOSFET 영역(NR) 각각은 제1 방향(D1)으로 제1 폭(WI1)을 가질 수 있다. 싱글 하이트 셀(SHC)의 제1 방향(D1)으로의 길이는 제1 높이(HE1)로 정의될 수 있다. 제1 높이(HE1)는, 제1 파워 배선(M1_R1)과 제2 파워 배선(M1_R2) 사이의 거리(예를 들어, 피치)와 실질적으로 동일할 수 있다.
싱글 하이트 셀(SHC)은 하나의 로직 셀을 구성할 수 있다. 본 명세서에서 로직 셀은 특정 기능을 수행하는 논리 소자(예를 들어, AND, OR, XOR, XNOR, inverter 등)를 의미할 수 있다. 즉, 로직 셀은 논리 소자를 구성하기 위한 트랜지스터들 및 상기 트랜지스터들을 서로 연결하는 배선들을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 더블 하이트 셀(Double Height Cell, DHC)이 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(100) 상에 제1 파워 배선(M1_R1), 제2 파워 배선(M1_R2) 및 제3 파워 배선(M1_R3)이 제공될 수 있다. 제1 파워 배선(M1_R1)은, 제2 파워 배선(M1_R2)과 제3 파워 배선(M1_R3) 사이에 배치될 수 있다. 제3 파워 배선(M1_R3)은 드레인 전압(VDD)이 제공되는 통로일 수 있다.
제2 파워 배선(M1_R2)과 제3 파워 배선(M1_R3) 사이에 더블 하이트 셀(DHC)이 정의될 수 있다. 더블 하이트 셀(DHC)은 제1 PMOSFET 영역(PR1), 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2)을 포함할 수 있다.
제1 NMOSFET 영역(NR1)은 제2 파워 배선(M1_R2)에 인접할 수 있다. 제2 NMOSFET 영역(NR2)은 제3 파워 배선(M1_R3)에 인접할 수 있다. 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2)은 제1 파워 배선(M1_R1)에 인접할 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 파워 배선(M1_R1)은 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 사이에 배치될 수 있다.
더블 하이트 셀(DHC)의 제1 방향(D1)으로의 길이는 제2 높이(HE2)로 정의될 수 있다. 제2 높이(HE2)는 도 1의 제1 높이(HE1)의 약 두 배일 수 있다. 더블 하이트 셀(DHC)의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2)은 묶여서 하나의 PMOSFET 영역으로 동작할 수 있다.
따라서, 더블 하이트 셀(DHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기는, 앞서 도 1의 싱글 하이트 셀(SHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 더블 하이트 셀(DHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기는 싱글 하이트 셀(SHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기의 약 두 배일 수 있다. 결과적으로, 더블 하이트 셀(DHC)은 싱글 하이트 셀(SHC)에 비해 더 고속으로 동작할 수 있다. 본 발명에 있어서, 도 2에 나타난 더블 하이트 셀(DHC)은 멀티 하이트 셀로 정의될 수 있다. 도시되진 않았지만, 멀티 하이트 셀은, 셀 높이가 싱글 하이트 셀(SHC)의 약 세 배인 트리플 하이트 셀을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 기판(100) 상에 제1 싱글 하이트 셀(SHC1), 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 및 더블 하이트 셀(DHC)이 이차원 적으로 배치될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제1 및 제2 파워 배선들(M1_R1, M1_R2) 사이에 배치될 수 있다. 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)은 제1 및 제3 파워 배선들(M1_R1, M1_R3) 사이에 배치될 수 있다. 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)은 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)과 제1 방향(D1)으로 인접할 수 있다.
더블 하이트 셀(DHC)은 제2 및 제3 파워 배선들(M1_R2, M1_R3) 사이에 배치될 수 있다. 더블 하이트 셀(DHC)은 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2)과 제2 방향(D2)으로 인접할 수 있다.
제1 싱글 하이트 셀(SHC1)과 더블 하이트 셀(DHC) 사이, 및 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)과 더블 하이트 셀(DHC) 사이에 분리 구조체(DB)가 제공될 수 있다. 분리 구조체(DB)에 의해, 더블 하이트 셀(DHC)의 활성 영역은, 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 활성 영역으로부터 전기적으로 분리될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 평면도이다. 도 5a 내지 도 5d는 각각 도 4의 A-A'선, B-B'선, C-C'선 및 D-D'선에 따른 단면도들이다. 도 6은 도 5a의 M 영역의 일 실시예를 나타낸 확대도이다. 도 4 및 도 5a 내지 도 5d에 도시된 반도체 소자는, 도 3의 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2)을 보다 구체적으로 나타낸 일 예이다.
도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2)이 제공될 수 있다. 각각의 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 상에는 로직 회로를 구성하는 로직 트랜지스터들이 배치될 수 있다. 기판(100)은 실리콘, 저마늄, 실리콘-저마늄 등을 포함하는 반도체 기판이거나 화합물 반도체 기판일 수 있다. 일 예로, 기판(100)은 실리콘 기판일 수 있다.
기판(100)은 제1 PMOSFET 영역(PR1), 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2)을 가질 수 있다. 제1 PMOSFET 영역(PR1), 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2) 각각은, 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제1 PMOSFET 영역(PR1)을 포함할 수 있고, 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)은 제2 PMOSFET 영역(PR2) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2)을 포함할 수 있다.
기판(100)의 상부에 형성된 트렌치(TR)에 의해 제1 활성 패턴(AP1) 및 제2 활성 패턴(AP2)이 정의될 수 있다. 제1 활성 패턴(AP1)은 각각의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 상에 제공될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2)은 각각의 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 제공될 수 있다. 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2)은 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2)은 기판(100)의 일부로써, 수직하게 돌출된 부분들일 수 있다.
소자 분리막(ST)이 트렌치(TR)를 채울 수 있다. 소자 분리막(ST)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 소자 분리막(ST)은 후술할 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)을 덮지 않을 수 있다.
제1 활성 패턴(AP1) 상에 제1 채널 패턴(CH1)이 제공될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2) 상에 제2 채널 패턴(CH2)이 제공될 수 있다. 제1 채널 패턴(CH1) 및 제2 채널 패턴(CH2) 각각은, 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴(SP1), 제2 반도체 패턴(SP2) 및 제3 반도체 패턴(SP3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은 수직적 방향(즉, 제3 방향(D3))으로 서로 이격될 수 있다.
제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 또는 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각은 결정질 실리콘(crystalline silicon)을 포함할 수 있다.
제1 활성 패턴(AP1) 상에 복수개의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)이 제공될 수 있다. 제1 활성 패턴(AP1)의 상부에 복수개의 제1 리세스들(RS1)이 형성될 수 있다. 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)이 제1 리세스들(RS1) 내에 각각 제공될 수 있다. 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은 제1 도전형(예를 들어, p형)의 불순물 영역들일 수 있다. 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1) 사이에 제1 채널 패턴(CH1)이 개재될 수 있다. 다시 말하면, 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)을 서로 연결할 수 있다.
제2 활성 패턴(AP2) 상에 복수개의 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)이 제공될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2)의 상부에 복수개의 제2 리세스들(RS2)이 형성될 수 있다. 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)이 제2 리세스들(RS2) 내에 각각 제공될 수 있다. 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)은 제2 도전형(예를 들어, n형)의 불순물 영역들일 수 있다. 한 쌍의 제2 소스/드레인 패턴들(SD2) 사이에 제2 채널 패턴(CH2)이 개재될 수 있다. 다시 말하면, 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 한 쌍의 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)을 서로 연결할 수 있다.
제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)은 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정으로 형성된 에피택시얼 패턴들일 수 있다. 일 예로, 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2) 각각의 상면은, 제3 반도체 패턴(SP3)의 상면보다 높을 수 있다. 다른 예로, 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2) 중 적어도 하나의 상면은, 제3 반도체 패턴(SP3)의 상면과 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다.
제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은 기판(100)의 반도체 원소의 격자 상수보다 큰 격자 상수를 갖는 반도체 원소(예를 들어, SiGe)를 포함할 수 있다. 이로써, 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은, 그들 사이의 제1 채널 패턴(CH1)에 압축 응력(compressive stress)을 제공할 수 있다. 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)은 기판(100)과 동일한 반도체 원소(예를 들어, Si)를 포함할 수 있다.
각각의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은 버퍼층(BFL) 및 버퍼층(BFL) 상의 메인층(MAL)을 포함할 수 있다. 이하 도 5a를 참조하여, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 제2 방향(D2)으로의 단면의 형태를 설명한다.
버퍼층(BFL)은 제1 리세스(RS1)의 내측벽을 덮을 수 있다. 일 실시예로, 버퍼층(BFL)의 두께는, 그의 하부에서 그의 상부로 갈수록 얇아질 수 있다. 예를 들어, 제1 리세스(RS1)의 바닥 상의 버퍼층(BFL)의 제3 방향(D3)으로의 두께는, 제1 리세스(RS1)의 상부 상의 버퍼층(BFL)의 제2 방향(D2)으로의 두께보다 클 수 있다. 버퍼층(BFL)은, 제1 리세스(RS1)의 프로파일을 따라 U자 형태를 가질 수 있다.
메인층(MAL)은 버퍼층(BFL)을 제외한 제1 리세스(RS1)의 남은 영역의 대부분을 채울 수 있다. 메인층(MAL)의 부피는 버퍼층(BFL)의 부피보다 클 수 있다. 다시 말하면, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 전체 부피에 대한 메인층(MAL)의 부피의 비는, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 전체 부피에 대한 버퍼층(BFL)의 부피의 비보다 클 수 있다.
버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL) 각각은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 버퍼층(BFL)은 상대적으로 저농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예로, 버퍼층(BFL)은 저마늄(Ge)을 제외한 실리콘(Si)만을 함유할 수도 있다. 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 0 at% 내지 10 at%일 수 있다. 보다 구체적으로, 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 2 at% 내지 8 at%일 수 있다.
메인층(MAL)은 상대적으로 고농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 일 예로, 메인층(MAL)의 저마늄(Ge)의 농도는 30 at% 내지 70 at%일 수 있다. 메인층(MAL)의 저마늄(Ge)의 농도는 제3 방향(D3)으로 갈수록 증가할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)에 인접하는 메인층(MAL)은 약 40 at%의 저마늄(Ge) 농도를 갖지만, 메인층(MAL)의 상부는 약 60 at%의 저마늄(Ge) 농도를 가질 수 있다.
버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL) 각각은, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)이 p형을 갖도록 하는 불순물(예를 들어, 보론, 갈륨 또는 인듐)을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL) 각각의 상기 불순물 농도는 1E18 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3일 수 있다. 메인층(MAL)의 불순물의 농도는 버퍼층(BFL)의 불순물의 농도보다 클 수 있다.
버퍼층(BFL)은, 기판(100)(즉, 제1 활성 패턴(AP1))과 메인층(MAL) 사이, 및 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)과 메인층(MAL) 사이의 적층 결함(stacking fault)을 방지할 수 있다. 적층 결함이 발생할 경우, 채널 저항이 증가할 수 있다. 적층 결함은 제1 리세스(RS1)의 바닥에서 쉽게 발생될 수 있다. 따라서 적층 결함을 방지하기 위해서는, 제1 리세스(RS1)의 바닥에 인접하는 버퍼층(BFL)의 두께가 상대적으로 큼이 바람직할 수 있다.
버퍼층(BFL)은, 후술할 희생층들(SAL)을 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)로 교체하는 공정 동안, 메인층(MAL)을 보호할 수 있다. 다시 말하면, 버퍼층(BFL)은 희생층들(SAL)을 제거하는 식각 물질이 메인층(MAL)으로 침투하여 이를 식각하는 것을 방지할 수 있다.
도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 다시 참조하면, 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)을 가로지르며 제1 방향(D1)으로 연장되는 게이트 전극들(GE)이 제공될 수 있다. 게이트 전극들(GE)은 제1 피치에 따라 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 각각의 게이트 전극들(GE)은 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)과 수직적으로 중첩될 수 있다.
게이트 전극(GE)은, 활성 패턴(AP1 또는 AP2)과 제1 반도체 패턴(SP1) 사이에 개재된 제1 부분(PO1), 제1 반도체 패턴(SP1)과 제2 반도체 패턴(SP2) 사이에 개재된 제2 부분(PO2), 제2 반도체 패턴(SP2)과 제3 반도체 패턴(SP3) 사이에 개재된 제3 부분(PO3), 및 제3 반도체 패턴(SP3) 위의 제4 부분(PO4)을 포함할 수 있다.
도 5a를 다시 참조하면, PMOSFET 영역(PR) 상의 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)은 서로 다른 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 부분(PO3)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭은, 제2 부분(PO2)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭보다 클 수 있다. 제1 부분(PO1)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭은, 제3 부분(PO3)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭보다 클 수 있다.
도 5d를 다시 참조하면, 게이트 전극(GE)은 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각의 상면(TS), 바닥면(BS) 및 양 측벽들(SW) 상에 제공될 수 있다. 다시 말하면, 본 실시예에 따른 트랜지스터는, 게이트 전극(GE)이 채널을 3차원적으로 둘러싸는 3차원 전계 효과 트랜지스터(예를 들어, MBCFET 또는 GAAFET)일 수 있다.
도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 다시 참조하면, 대표적으로 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제2 방향(D2)으로 서로 대향하는 제1 경계(BD1) 및 제2 경계(BD2)를 가질 수 있다. 제1 및 제2 경계들(BD1, BD2)은 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제1 방향(D1)으로 서로 대향하는 제3 경계(BD3) 및 제4 경계(BD4)를 가질 수 있다. 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4)은 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다.
게이트 커팅 패턴들(CT)이 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 제2 방향(D2)으로의 경계 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 커팅 패턴들(CT)이 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상에 배치될 수 있다. 게이트 커팅 패턴들(CT)은 제3 경계(BD3)를 따라 상기 제1 피치로 배열될 수 있다. 게이트 커팅 패턴들(CT)은 제4 경계(BD4)를 따라 상기 제1 피치로 배열될 수 있다. 평면적 관점에서, 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상의 게이트 커팅 패턴들(CT)은 게이트 전극들(GE) 상에 각각 중첩되게 배치될 수 있다. 게이트 커팅 패턴들(CT)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 조합과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 게이트 전극(GE)은, 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 상의 게이트 전극(GE)과 게이트 커팅 패턴(CT)에 의해 서로 분리될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 게이트 전극(GE)과 그와 제1 방향(D1)으로 정렬된 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 상의 게이트 전극(GE) 사이에 게이트 커팅 패턴(CT)이 개재될 수 있다. 다시 말하면, 제1 방향(D1)으로 연장되는 게이트 전극(GE)이 게이트 커팅 패턴들(CT)에 의해 복수개의 게이트 전극들(GE)로 분리될 수 있다.
게이트 전극(GE)의 제4 부분(PO4)의 양 측벽들 상에 한 쌍의 게이트 스페이서들(GS)이 각각 배치될 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)은 게이트 전극(GE)을 따라 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)의 상면들은 게이트 전극(GE)의 상면보다 높을 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)의 상면들은 후술할 제1 층간 절연막(110)의 상면과 공면을 이룰 수 있다. 일 실시예로, 게이트 스페이서들(GS)은 SiCN, SiCON 및 SiN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 게이트 스페이서들(GS)은 SiCN, SiCON 및 SiN 중 적어도 두 개로 이루어진 다중 막(multi-layer)을 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE) 상에 게이트 캐핑 패턴(GP)이 제공될 수 있다. 게이트 캐핑 패턴(GP)은 게이트 전극(GE)을 따라 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 게이트 캐핑 패턴(GP)은 후술하는 제1 및 제2 층간 절연막들(110, 120)에 대하여 식각 선택성이 있는 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 게이트 캐핑 패턴(GP)은 SiON, SiCN, SiCON 및 SiN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE)과 제1 채널 패턴(CH1) 사이 및 게이트 전극(GE)과 제2 채널 패턴(CH2) 사이에 게이트 절연막(GI)이 개재될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각의 상면(TS), 바닥면(BS) 및 양 측벽들(SW)을 덮을 수 있다. 게이트 절연막(GI)은, 게이트 전극(GE) 아래의 소자 분리막(ST)의 상면을 덮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화막, 실리콘 산화질화막 및/또는 고유전막을 포함할 수 있다. 상기 고유전막은, 실리콘 산화막보다 유전상수가 높은 고유전율 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 고유전율 물질은 하프늄 산화물, 하프늄 실리콘 산화물, 하프늄 지르코늄 산화물, 하프늄 탄탈 산화물, 란탄 산화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 실리콘 산화물, 탄탈 산화물, 티타늄 산화물, 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 바륨 티타늄 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물, 리튬 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈 산화물, 및 납 아연 니오브산염 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 본 발명의 반도체 소자는 네거티브 커패시터(Negative Capacitor)를 이용한 NC(Negative Capacitance) FET을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(GI)은 강유전체 특성을 갖는 강유전체 물질막과, 상유전체 특성을 갖는 상유전체 물질막을 포함할 수 있다.
강유전체 물질막은 음의 커패시턴스를 가질 수 있고, 상유전체 물질막은 양의 커패시턴스를 가질 수 있다. 예를 들어, 두 개 이상의 커패시터가 직렬 연결되고, 각각의 커패시터의 커패시턴스가 양의 값을 가질 경우, 전체 커패시턴스는 각각의 개별 커패시터의 커패시턴스보다 감소하게 된다. 반면, 직렬 연결된 두 개 이상의 커패시터의 커패시턴스 중 적어도 하나가 음의 값을 가질 경우, 전체 커패시턴스는 양의 값을 가지면서 각각의 개별 커패시턴스의 절대값보다 클 수 있다.
음의 커패시턴스를 갖는 강유전체 물질막과, 양의 커패시턴스를 갖는 상유전체 물질막이 직렬로 연결될 경우, 직렬로 연결된 강유전체 물질막 및 상유전체 물질막의 전체적인 커패시턴스 값은 증가할 수 있다. 전체적인 커패시턴스 값이 증가하는 것을 이용하여, 강유전체 물질막을 포함하는 트랜지스터는 상온에서 60 mV/decade 미만의 문턱전압이하 스윙(subthreshold swing(SS))을 가질 수 있다.
강유전체 물질막은 강유전체 특성을 가질 수 있다. 강유전체 물질막은 예를 들어, 하프늄 산화물(hafnium oxide), 하프늄 지르코늄 산화물(hafnium zirconium oxide), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(barium strontium titanium oxide), 바륨 티타늄 산화물(barium titanium oxide) 및 납 지르코늄 티타늄 산화물(lead zirconium titanium oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기에서, 일 예로, 하프늄 지르코늄 산화물(hafnium zirconium oxide)은 하프늄 산화물(hafnium oxide)에 지르코늄(Zr)이 도핑된 물질일 수 있다. 다른 예로, 하프늄 지르코늄 산화물(hafnium zirconium oxide)은 하프늄(Hf)과 지르코늄(Zr)과 산소(O)의 화합물일 수도 있다.
강유전체 물질막은 도핑된 도펀트를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도펀트는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 란타넘(La), 이트륨(Y), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 가돌리늄(Gd), 저마늄(Ge), 스칸듐(Sc), 스트론튬(Sr) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 강유전체 물질막이 어떤 강유전체 물질을 포함하냐에 따라, 강유전체 물질막에 포함된 도펀트의 종류는 달라질 수 있다.
강유전체 물질막이 하프늄 산화물을 포함할 경우, 강유전체 물질막에 포함된 도펀트는 예를 들어, 가돌리늄(Gd), 실리콘(Si), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al) 및 이트륨(Y) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도펀트가 알루미늄(Al)일 경우, 강유전체 물질막은 3 내지 8 at%(atomic %)의 알루미늄을 포함할 수 있다. 여기에서, 도펀트의 비율은 하프늄 및 알루미늄의 합에 대한 알루미늄의 비율일 수 있다.
도펀트가 실리콘(Si)일 경우, 강유전체 물질막은 2 내지 10 at%의 실리콘을 포함할 수 있다. 도펀트가 이트륨(Y)일 경우, 강유전체 물질막은 2 내지 10 at%의 이트륨을 포함할 수 있다. 도펀트가 가돌리늄(Gd)일 경우, 강유전체 물질막은 1 내지 7 at%의 가돌리늄을 포함할 수 있다. 도펀트가 지르코늄(Zr)일 경우, 강유전체 물질막은 50 내지 80 at%의 지르코늄을 포함할 수 있다.
상유전체 물질막은 상유전체 특성을 가질 수 있다. 상유전체 물질막은 예를 들어, 실리콘 산화물(silicon oxide) 및 고유전율을 갖는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상유전체 물질막에 포함된 금속 산화물은 예를 들어, 하프늄 산화물(hafnium oxide), 지르코늄 산화물(zirconium oxide) 및 알루미늄 산화물(aluminum oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
강유전체 물질막 및 상유전체 물질막은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 강유전체 물질막은 강유전체 특성을 갖지만, 상유전체 물질막은 강유전체 특성을 갖지 않을 수 있다. 예를 들어, 강유전체 물질막 및 상유전체 물질막이 하프늄 산화물을 포함할 경우, 강유전체 물질막에 포함된 하프늄 산화물의 결정 구조는 상유전체 물질막에 포함된 하프늄 산화물의 결정 구조와 다르다.
강유전체 물질막은 강유전체 특성을 갖는 두께를 가질 수 있다. 강유전체 물질막의 두께는 예를 들어, 0.5 내지 10nm 일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 각각의 강유전체 물질마다 강유전체 특성을 나타내는 임계 두께가 달라질 수 있으므로, 강유전체 물질막의 두께는 강유전체 물질에 따라 달라질 수 있다.
일 예로, 게이트 절연막(GI)은 하나의 강유전체 물질막을 포함할 수 있다. 다른 예로, 게이트 절연막(GI)은 서로 간에 이격된 복수의 강유전체 물질막을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 복수의 강유전체 물질막과, 복수의 상유전체 물질막이 교대로 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다.
게이트 전극(GE)은, 제1 금속 패턴, 및 상기 제1 금속 패턴 상의 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다. 제1 금속 패턴은 게이트 절연막(GI) 상에 제공되어, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)에 인접할 수 있다. 제1 금속 패턴은 트랜지스터의 문턱 전압을 조절하는 일함수 금속을 포함할 수 있다. 제1 금속 패턴의 두께 및 조성을 조절하여, 트랜지스터의 목적하는 문턱 전압을 달성할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)은 일함수 금속인 제1 금속 패턴으로 구성될 수 있다.
제1 금속 패턴은 금속 질화막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 패턴은 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 및 질소(N)를 포함할 수 있다. 나아가, 제1 금속 패턴은 탄소(C)를 더 포함할 수도 있다. 제1 금속 패턴은, 적층된 복수개의 일함수 금속막들을 포함할 수 있다.
제2 금속 패턴은 제1 금속 패턴에 비해 저항이 낮은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 금속 패턴은 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)의 제4 부분(PO4)은 제1 금속 패턴 및 제1 금속 패턴 상의 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다.
도 5b를 다시 참조하면, 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 내측 스페이서들(IP)이 제공될 수 있다. 다시 말하면, 제2 활성 패턴(AP2) 상에 내측 스페이서들(IP)이 제공될 수 있다. 내측 스페이서들(IP)은, 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)과 제2 소스/드레인 패턴(SD2) 사이에 각각 개재될 수 있다. 내측 스페이서들(IP)은 제2 소스/드레인 패턴(SD2)과 직접 접촉할 수 있다. 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3) 각각은, 내측 스페이서(IP)에 의해 제2 소스/드레인 패턴(SD2)과 이격될 수 있다.
기판(100) 상에 제1 층간 절연막(110)이 제공될 수 있다. 제1 층간 절연막(110)은 게이트 스페이서들(GS) 및 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)을 덮을 수 있다. 제1 층간 절연막(110)의 상면은, 게이트 캐핑 패턴(GP)의 상면 및 게이트 스페이서(GS)의 상면과 실질적으로 공면을 이룰 수 있다. 제1 층간 절연막(110) 상에, 게이트 캐핑 패턴(GP)을 덮는 제2 층간 절연막(120)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연막(120) 상에 제3 층간 절연막(130)이 제공될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 상에 제4 층간 절연막(140)이 제공될 수 있다. 일 예로, 제1 내지 제4 층간 절연막들(110-140)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 양 측에 제2 방향(D2)으로 서로 대향하는 한 쌍의 분리 구조체들(DB)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 한 쌍의 분리 구조체들(DB)은 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제1 및 제2 경계들(BD1, BD2) 상에 각각 제공될 수 있다. 분리 구조체(DB)는 제1 방향(D1)으로 게이트 전극들(GE)과 평행하게 연장될 수 있다. 분리 구조체(DB)와 그에 인접하는 게이트 전극(GE)간의 피치는 상기 제1 피치와 동일할 수 있다.
분리 구조체(DB)는 제1 및 제2 층간 절연막들(110, 120)을 관통하여, 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 내부로 연장될 수 있다. 분리 구조체(DB)는 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 각각의 상부를 관통할 수 있다. 분리 구조체(DB)는, 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 활성 영역을 인접하는 다른 셀의 활성 영역으로부터 전기적으로 분리시킬 수 있다.
제1 및 제2 층간 절연막들(110, 120)을 관통하여 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)과 각각 전기적으로 연결되는 활성 콘택들(AC)이 제공될 수 있다. 한 쌍의 활성 콘택들(AC)이, 게이트 전극(GE)의 양 측에 각각 제공될 수 있다. 평면적 관점에서, 활성 콘택(AC)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 바 형태를 가질 수 있다.
활성 콘택(AC)은 자기 정렬된 콘택(self-aligned conatact)일 수 있다. 다시 말하면, 활성 콘택(AC)은 게이트 캐핑 패턴(GP) 및 게이트 스페이서(GS)를 이용하여 자기 정렬적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성 콘택(AC)은 게이트 스페이서(GS)의 측벽의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 도시되진 않았지만, 활성 콘택(AC)은, 게이트 캐핑 패턴(GP)의 상면의 일부를 덮을 수 있다.
활성 콘택(AC)과 제1 소스/드레인 패턴(SD1) 사이, 및 활성 콘택(AC)과 제2 소스/드레인 패턴(SD2) 사이 각각에 금속-반도체 화합물 층(SC), 예를 들어 실리사이드 층이 각각 개재될 수 있다. 활성 콘택(AC)은, 금속-반도체 화합물 층(SC)을 통해 소스/드레인 패턴(SD1, SD2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 금속-반도체 화합물 층(SC)은 티타늄-실리사이드, 탄탈륨-실리사이드, 텅스텐-실리사이드, 니켈-실리사이드, 및 코발트-실리사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 5c를 다시 참조하면, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 적어도 하나의 활성 콘택(AC)은, 제1 PMOSFET 영역(PR1)의 제1 소스/드레인 패턴(SD1)과 제1 NMOSFET 영역(NR1)의 제2 소스/드레인 패턴(SD2)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 활성 콘택(AC)은, 제1 NMOSFET 영역(NR1)의 제2 소스/드레인 패턴(SD2)으로부터 제1 PMOSFET 영역(PR1)의 제1 소스/드레인 패턴(SD1)까지 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
제2 층간 절연막(120) 및 게이트 캐핑 패턴(GP)을 관통하여 게이트 전극들(GE)과 각각 전기적으로 연결되는 게이트 콘택들(GC)이 제공될 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 두 개의 게이트 콘택들(GC)은 제1 PMOSFET 영역(PR1) 상에 중첩되게 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 두 개의 게이트 콘택들(GC)은 제1 활성 패턴(AP1) 상에 제공될 수 있다 (도 5a 참조). 평면적 관점에서, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 한 개의 게이트 콘택(GC)은 제1 NMOSFET 영역(NR1) 상에 중첩되게 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 한 개의 게이트 콘택(GC)은 제2 활성 패턴(AP2) 상에 제공될 수 있다 (도 5b 참조).
게이트 콘택(GC)은, 게이트 전극(GE) 상에서 위치의 제한 없이 자유롭게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 상의 게이트 콘택들(GC)은, 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제2 NMOSFET 영역(NR2) 및 트렌치(TR)를 채우는 소자 분리막(ST) 상에 각각 배치될 수 있다 (도 4 참조).
본 발명의 일 실시예로, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 게이트 콘택(GC)에 인접하는 활성 콘택(AC)의 상부는 상부 절연 패턴(UIP)으로 채워질 수 있다. 상부 절연 패턴(UIP)의 바닥면은 게이트 콘택(GC)의 바닥면보다 더 낮을 수 있다. 다시 말하면, 게이트 콘택(GC)에 인접하는 활성 콘택(AC)의 상면은, 상부 절연 패턴(UIP)에 의해 게이트 콘택(GC)의 바닥면보다 더 낮게 내려올 수 있다. 이로써, 게이트 콘택(GC)이 그와 인접하는 활성 콘택(AC)과 접촉하여 쇼트가 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
활성 콘택(AC) 및 게이트 콘택(GC) 각각은, 배리어 금속(BM) 및 배리어 금속(BM) 상의 채움 금속(fill metal, FM)을 포함할 수 있다. 배리어 금속(BM)은, 채움 금속(FM)의 상면을 제외한 나머지 표면을 감쌀 수 있다. 예를 들어, 채움 금속(FM)은 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트 및 바나듐 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 채움 금속(FM)은 몰리브덴을 포함할 수 있다. 배리어 금속(BM)은 금속 질화막을 포함할 수 있다. 상기 금속 질화막은 티타늄 질화막(TiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 텅스텐 질화막(WN), 니켈 질화막(NiN), 코발트 질화막(CoN) 및 백금 질화막(PtN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제3 층간 절연막(130) 내에 제1 금속 층(M1)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 층(M1)은 제1 파워 배선(M1_R1), 제2 파워 배선(M1_R2), 제3 파워 배선(M1_R3) 및 제1 배선들(M1_I)을 포함할 수 있다. 제1 금속 층(M1)의 배선들(M1_R1, M1_R2, M1_R3, M1_I) 각각은 제2 방향(D2)으로 서로 평행하게 연장될 수 있다.
구체적으로, 제1 및 제2 파워 배선들(M1_R1, M1_R2)은 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상에 각각 제공될 수 있다. 제1 파워 배선(M1_R1)은 제3 경계(BD3)를 따라 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 제2 파워 배선(M1_R2)은 제4 경계(BD4)를 따라 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다.
제1 금속 층(M1)의 제1 배선들(M1_I)은 제2 피치로 제1 방향(D1)을 따라 배열될 수 있다. 상기 제2 피치는 상기 제1 피치보다 작을 수 있다. 제1 배선들(M1_I) 각각의 선폭은, 제1 내지 제3 파워 배선들(M1_R1, M1_R2, M1_R3) 각각의 선폭보다 작을 수 있다.
제1 금속 층(M1)은, 제1 비아들(VI1)을 더 포함할 수 있다. 제1 비아들(VI1)은 제1 금속 층(M1)의 배선들(M1_R1, M1_R2, M1_R3, M1_I) 아래에 각각 제공될 수 있다. 제1 비아(VI1)를 통해 활성 콘택(AC)과 제1 금속 층(M1)의 배선이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 비아(VI1)를 통해 게이트 콘택(GC)과 제1 금속 층(M1)의 배선이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 비아(VI1)는 활성 및 게이트 콘택들(AC, GC)과 동일하게 배리어 금속(BM) 및 배리어 금속(BM) 상의 채움 금속(FM)을 포함할 수 있다. 제1 금속 층(M1)의 배선과 그 아래의 제1 비아(VI1)는 서로 각각 별도의 공정으로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제1 금속 층(M1)의 배선 및 제1 비아(VI1) 각각은 싱글 다마신 공정으로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 반도체 소자는, 20 nm 미만의 공정을 이용하여 형성된 것일 수 있다.
제4 층간 절연막(140) 내에 제2 금속 층(M2)이 제공될 수 있다. 제2 금속 층(M2)은 복수개의 제2 배선들(M2_I)을 포함할 수 있다. 제2 금속 층(M2)의 제2 배선들(M2_I) 각각은 제1 방향(D1)으로 연장되는 라인 형태 또는 바 형태를 가질 수 있다. 다시 말하면, 제2 배선들(M2_I)은 제1 방향(D1)으로 서로 평행하게 연장될 수 있다.
제2 금속 층(M2)은, 제2 배선들(M2_I) 아래에 각각 제공된 제2 비아들(VI2)을 더 포함할 수 있다. 제2 비아(VI2)를 통해 제1 금속 층(M1)의 배선과 제2 금속 층(M2)의 배선이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로, 제2 금속 층(M2)의 배선과 그 아래의 제2 비아(VI2)는 듀얼 다마신 공정으로 함께 형성될 수 있다.
제1 금속 층(M1)의 배선과 제2 금속 층(M2)의 배선은 서로 동일하거나 다른 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 층(M1)의 배선과 제2 금속 층(M2)의 배선은, 구리, 루테늄, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브데늄, 및 코발트 중에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 도시되진 않았지만, 제4 층간 절연막(140) 상에 적층된 금속 층들(예를 들어, M3, M4, M5...)이 추가로 배치될 수 있다. 상기 적층된 금속 층들 각각은 셀들간의 라우팅을 위한 배선들을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하여, 대표적으로 활성 콘택(AC)의 배리어 금속(BM) 및 채움 금속(FM)에 대해 상세히 설명한다. 제1 층간 절연막(110)의 콘택 트렌치(CNH)의 내측벽 상에 배리어 금속(BM)이 제공될 수 있다. 배리어 금속(BM)은 균일한 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 배리어 금속(BM)은 PECVD 공정으로 형성된 금속 질화막(예를 들어, TiN)을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예로, 배리어 금속(BM)은 증착 후 플라즈마 처리된 금속 질화막(예를 들어, TiN)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 배리어 금속(BM)은 그의 증착 공정 동안 또는 증착 공정 직후에 플라즈마를 이용한 이온 충격(ion bombardment) 처리가 된 금속 질화막일 수 있다.
배리어 금속(BM), 예를 들어 TiN은 이온 충격을 통해 단순히 CVD 공정으로 증착된 TiN과 비교하여 더 치밀할 수 있다. 배리어 금속(BM), 예를 들어 TiN은 이온 충격으로 치밀해짐으로 인해 압축 응력을 가질 수 있다.
채움 금속(FM)은, 배리어 금속(BM)이 형성된 이후 배리어 금속(BM) 상에 증착 공정(예를 들어, ALD)을 통해 형성될 수 있다. 채움 금속(FM)의 형성 시 그의 결정 구조는 배리어 금속(BM)에 의해 영향을 받을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 채움 금속(FM)인 몰리브덴은 제1 결정 영역(CRS1) 및 제2 결정 영역(CRS2)을 포함할 수 있다. 제1 결정 영역(CRS1)은 제1 결정 구조(예를 들어, 체심입방구조(BCC))를 가질 수 있다. 제2 결정 영역(CRS2)은 제2 결정 구조(예를 들어, 면심입방구조(FCC))를 가질 수 있다.
결정 영역들 사이에 그레인 경계(grain boundary, GRB)가 정의될 수 있다. 그레인 경계(GRB)는 서로 다른 결정 구조인 제1 결정 영역(CRS1)과 제2 결정 영역(CRS2) 사이에 존재할 수 있다. 또한 그레인 경계(GRB)는 서로 동일한 결정 구조인 서로 인접하는 제1 결정 영역들(CRS1) 사이에도 존재할 수 있다.
채움 금속(FM)의 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율은 60% 내지 99%일 수 있다. 다시 말하면, 채움 금속(FM)의 전체 부피에 대한 제1 결정 영역들(CRS1)의 부피의 비율은 60% 내지 99%일 수 있다. 또는 도 6에 나타난 이차원 단면 이미지에서 채움 금속(FM)의 전체 면적에 대한 제1 결정 영역들(CRS1)의 면적의 비율은 60% 내지 99%일 수 있다. 채움 금속(FM)은 60% 내지 99% 분율의 BCC 구조를 가질 수 있다. 제1 결정 영역들(CRS1)을 제외한 채움 금속(FM)의 나머지 영역은 제2 결정 영역(CRS2)이 차지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 채움 금속(FM)인 몰리브덴은 그의 결정 구조 중 60% 내지 99%가 BCC 구조일 수 있다. 보다 구체적으로, 채움 금속(FM)인 몰리브덴은 그의 결정 구조 중 80% 내지 99%가 BCC 구조일 수 있다.
채움 금속(FM)인 몰리브덴은 60% 내지 99%, 보다 구체적으로 80% 내지 99%의 BCC 구조를 가짐으로써, 비저항이 16 μΩcm 내지 18 μΩcm일 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 채움 금속(FM)은, 80% 이상의 BCC 구조를 가짐으로써 상대적으로 낮은 비저항을 가질 수 있다. 다시 말하면, 활성 콘택(AC)의 저항이 상대적으로 작아질 수 있고, 이는 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
이상 활성 콘택(AC)을 예시하여 본 발명의 실시예들에 따른 배리어 금속(BM) 및 채움 금속(FM)에 대해 설명하였다. 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1) 역시 배리어 금속(BM) 및 채움 금속(FM)을 동일하게 포함할 수 있고, 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1)를 구성하는 배리어 금속(BM) 및 채움 금속(FM)에 관한 설명은 위에서 설명한 활성 콘택(AC)의 경우와 실질적으로 동일할 수 있다.
결과적으로 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자는, 로직 회로를 구성하는 트랜지스터들과 그 위의 제1 금속 층(M1)의 배선들간의 전기 저항이 감소될 수 있고, 이로써 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 활성 콘택(AC)의 채움 금속(FM)의 체심입방구조(BCC)의 비율은, 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1) 각각의 채움 금속(FM)의 체심입방구조(BCC)의 비율보다 클 수 있다. 이로써, 활성 콘택(AC)의 채움 금속(FM)의 비저항은, 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1) 각각의 채움 금속(FM)의 비저항보다 작을 수 있다. 이는 활성 콘택(AC)은 상대적으로 넓은 트렌치 내에 채워지는 콘택 형태(도 5c 참조)임에 반해, 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1) 각각은 상대적으로 좁은 홀 내에 채워지는 콘택 형태(도 5d 참조)이기 때문이다.
도 7a 내지 도 14d는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 구체적으로, 도 7a, 도 8a, 도 9a, 도 10a, 도 11a, 도 12a, 도 13a 및 도 14a는 도 4의 A-A'선에 대응하는 단면도들이다. 도 9b, 도 10b, 도 11b, 도 12b, 도 13b 및 도 14b는 도 4의 B-B'선에 대응하는 단면도들이다. 도 9c, 도 10c, 도 11c, 도 12c, 도 13c 및 도 14c는 도 4의 C-C'선에 대응하는 단면도들이다. 도 7b, 도 8b, 도 9d, 도 10d, 도 11d, 도 12d, 도 13d 및 도 14d는 도 4의 D-D'선에 대응하는 단면도들이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 및 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2)을 포함하는 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100) 상에 서로 교번적으로 적층된 활성층들(ACL) 및 희생층들(SAL)이 형성될 수 있다. 활성층들(ACL)은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 및 실리콘-저마늄(SiGe) 중 하나를 포함할 수 있고, 희생층들(SAL)은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 및 실리콘-저마늄(SiGe) 중 다른 하나를 포함할 수 있다.
희생층(SAL)은 활성층(ACL)에 대해 식각 선택비를 가질 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 활성층들(ACL)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있고, 희생층들(SAL)은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 희생층들(SAL) 각각의 저마늄(Ge)의 농도는 10 at% 내지 30 at%일 수 있다.
기판(100)의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 및 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 마스크 패턴들이 각각 형성될 수 있다. 상기 마스크 패턴은 제2 방향(D2)으로 연장되는 라인 형태 또는 바(bar) 형태를 가질 수 있다.
상기 마스크 패턴들을 식각 마스크로 패터닝 공정을 수행하여, 제1 활성 패턴(AP1) 및 제2 활성 패턴(AP2)을 정의하는 트렌치(TR)가 형성될 수 있다. 제1 활성 패턴(AP1)은 각각의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 상에 형성될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2)은 각각의 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 형성될 수 있다.
각각의 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 상에 적층 패턴(STP)이 형성될 수 있다. 적층 패턴(STP)은 서로 교번적으로 적층된 활성층들(ACL) 및 희생층들(SAL)을 포함할 수 있다. 적층 패턴(STP)은 상기 패터닝 공정 동안 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2)과 함께 형성될 수 있다.
트렌치(TR)를 채우는 소자 분리막(ST)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판(100)의 전면 상에 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 및 적층 패턴들(STP)을 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 적층 패턴들(STP)이 노출될 때까지 상기 절연막을 리세스하여, 소자 분리막(ST)이 형성될 수 있다.
소자 분리막(ST)은, 실리콘 산화막 같은 절연 물질을 포함할 수 있다. 적층 패턴들(STP)은 소자 분리막(ST) 위로 노출될 수 있다. 다시 말하면, 적층 패턴들(STP)은 소자 분리막(ST) 위로 수직하게 돌출될 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 기판(100) 상에 적층 패턴들(STP)을 가로지르는 희생 패턴들(PP)이 형성될 수 있다. 각각의 희생 패턴들(PP)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 라인 형태(line shape) 또는 바 형태(bar shape)로 형성될 수 있다. 희생 패턴들(PP)은 제1 피치로 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
구체적으로 희생 패턴들(PP)을 형성하는 것은, 기판(100)의 전면 상에 희생막을 형성하는 것, 상기 희생막 상에 하드 마스크 패턴들(MP)을 형성하는 것, 및 하드 마스크 패턴들(MP)을 식각 마스크로 상기 희생막을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 희생막은 폴리실리콘을 포함할 수 있다.
희생 패턴들(PP) 각각의 양 측벽들 상에 한 쌍의 게이트 스페이서들(GS)이 형성될 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)을 형성하는 것은, 기판(100)의 전면 상에 게이트 스페이서막을 콘포멀하게 형성하는 것, 및 상기 게이트 스페이서막을 이방성 식각하는 것을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 게이트 스페이서(GS)는 적어도 두 개의 막들을 포함하는 다중 막(multi-layer)일 수 있다.
도 9a 내지 도 9d를 참조하면, 제1 활성 패턴(AP1) 상의 적층 패턴(STP) 내에 제1 리세스들(RS1)이 형성될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2) 상의 적층 패턴(STP) 내에 제2 리세스들(RS2)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 리세스들(RS1, RS2)을 형성하는 동안, 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 각각의 양 측 상의 소자 분리막(ST)이 더 리세스될 수 있다 (도 9c 참고).
구체적으로, 하드 마스크 패턴들(MA) 및 게이트 스페이서들(GS)을 식각 마스크로 제1 활성 패턴(AP1) 상의 적층 패턴(STP)을 식각하여, 제1 리세스들(RS1)이 형성될 수 있다. 제1 리세스(RS1)는, 한 쌍의 희생 패턴들(PP) 사이에 형성될 수 있다.
제2 활성 패턴(AP2) 상의 적층 패턴(STP) 내의 제2 리세스들(RS2)은, 제1 리세스들(RS1)을 형성하는 것과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 제2 리세스(RS2)를 형성하는 것은, 희생층(SAL)이 리세스된 영역 내에 내측 스페이서(IP)를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
활성층들(ACL)로부터, 서로 인접하는 제1 리세스들(RS1) 사이에 순차적으로 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 각각 형성될 수 있다. 활성층들(ACL)로부터, 서로 인접하는 제2 리세스들(RS2) 사이에 순차적으로 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 각각 형성될 수 있다. 서로 인접하는 제1 리세스들(RS1) 사이의 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은, 제1 채널 패턴(CH1)을 구성할 수 있다. 서로 인접하는 제2 리세스들(RS2) 사이의 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은, 제2 채널 패턴(CH2)을 구성할 수 있다.
도 10a 내지 도 10d를 참조하면, 제1 리세스들(RS1) 내에 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)이 각각 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 리세스(RS1)의 내측벽을 시드층(seed layer)으로 하는 제1 SEG 공정을 수행하여, 버퍼층(BFL)이 형성될 수 있다. 버퍼층(BFL)은, 제1 리세스(RS1)에 의해 노출된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 및 기판(100)을 시드로 하여 성장될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 SEG 공정은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정 또는 분자 빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy: MBE) 공정을 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL)은 기판(100)의 반도체 원소의 격자 상수보다 큰 격자 상수를 갖는 반도체 원소(예를 들어, SiGe)를 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 상대적으로 저농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예로, 버퍼층(BFL)은 저마늄(Ge)을 제외한 실리콘(Si)만을 함유할 수도 있다. 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 0 at% 내지 10 at%일 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 제2 SEG 공정을 수행하여, 메인층(MAL)이 형성될 수 있다. 메인층(MAL)은 제1 리세스(RS1)를 완전히 채우도록 형성될 수 있다. 메인층(MAL)은 상대적으로 고농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 일 예로, 메인층(MAL)의 저마늄(Ge)의 농도는 30 at% 내지 70 at%일 수 있다.
버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL)을 형성하는 동안, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)이 p형을 갖도록 하는 불순물(예를 들어, 보론, 갈륨 또는 인듐)이 인-시추(in-situ)로 주입될 수 있다. 다른 예로, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)이 형성된 후 제1 소스/드레인 패턴(SD1)에 불순물이 주입될 수 있다.
제2 리세스들(RS2) 내에 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)이 각각 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)은 제2 리세스(RS2)의 내측벽을 시드층으로 하는 제3 SEG 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)은 기판(100)과 동일한 반도체 원소(예를 들어, Si)를 포함할 수 있다.
제2 소스/드레인 패턴(SD2)이 형성되는 동안, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)이 n형을 갖도록 하는 불순물(예를 들어, 인, 비소 또는 안티모니)이 인-시추(in-situ)로 주입될 수 있다. 다른 예로, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)이 형성된 후 제2 소스/드레인 패턴(SD2)에 불순물이 주입될 수 있다.
도 11a 내지 도 11d를 참조하면, 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2), 하드 마스크 패턴들(MP) 및 게이트 스페이서들(GS)을 덮는 제1 층간 절연막(110)이 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 층간 절연막(110)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.
희생 패턴들(PP)의 상면들이 노출될 때까지 제1 층간 절연막(110)이 평탄화될 수 있다. 제1 층간 절연막(110)의 평탄화는 에치백(Etch Back) 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 상기 평탄화 공정 동안, 하드 마스크 패턴들(MP)은 모두 제거될 수 있다. 결과적으로, 제1 층간 절연막(110)의 상면은 희생 패턴들(PP)의 상면들 및 게이트 스페이서들(GS)의 상면들과 공면을 이룰 수 있다.
포토리소그래피를 이용하여, 희생 패턴(PP)의 일 영역을 선택적으로 오픈할 수 있다. 예를 들어, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상의 희생 패턴(PP)의 영역이 선택적으로 오픈될 수 있다. 오픈된 희생 패턴(PP)의 영역을 선택적으로 식각하여 제거할 수 있다. 희생 패턴(PP)이 제거된 공간에 절연 물질을 채워, 게이트 커팅 패턴(CT)이 형성될 수 있다.
도 12a 내지 도 12d를 참조하면, 노출된 희생 패턴들(PP)이 선택적으로 제거될 수 있다. 희생 패턴들(PP)이 제거됨으로써, 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)을 노출하는 외측 영역(ORG)이 형성될 수 있다 (도 12d 참조). 희생 패턴들(PP)을 제거하는 것은, 폴리실리콘을 선택적으로 식각하는 식각액을 이용한 습식 식각을 포함할 수 있다.
외측 영역(ORG)을 통해 노출된 희생층들(SAL)이 선택적으로 제거되어, 내측 영역들(IRG)이 형성될 수 있다 (도 12d 참조). 구체적으로, 희생층들(SAL)을 선택적으로 식각하는 식각 공정을 수행하여, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은 그대로 잔류시킨 채 희생층들(SAL)만을 제거할 수 있다. 상기 식각 공정은, 상대적으로 높은 저마늄 농도를 갖는 실리콘-저마늄에 대해 높은 식각률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 식각 공정은 저마늄 농도가 10 at%보다 큰 실리콘-저마늄에 대해 높은 식각률을 가질 수 있다.
상기 식각 공정 동안 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 및 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상의 희생층들(SAL)이 제거될 수 있다. 상기 식각 공정은 습식 식각일 수 있다. 상기 식각 공정에 사용되는 식각 물질은 상대적으로 높은 저마늄 농도를 갖는 희생층(SAL)을 빠르게 제거할 수 있다. 한편, 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 상의 제1 소스/드레인 패턴(SD1)은, 상대적으로 낮은 저마늄의 농도를 갖는 버퍼층(BFL)으로 인해 상기 식각 공정 동안 보호될 수 있다.
도 12d를 다시 참조하면, 희생층들(SAL)이 선택적으로 제거됨으로써, 각각의 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 상에는 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)만이 잔류할 수 있다. 희생층들(SAL)이 제거된 영역들을 통해 제1 내지 제3 내측 영역들(IRG1, IRG2, IRG3)이 각각 형성될 수 있다.
구체적으로, 활성 패턴(AP1 또는 AP2)과 제1 반도체 패턴(SP1) 사이에 제1 내측 영역(IRG1)이 형성되고, 제1 반도체 패턴(SP1)과 제2 반도체 패턴(SP2) 사이에 제2 내측 영역(IRG2)이 형성되며, 제2 반도체 패턴(SP2)과 제3 반도체 패턴(SP3) 사이에 제3 내측 영역(IRG3)이 형성될 수 있다.
도 13a 내지 도 13d를 참조하면, 노출된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 상에 게이트 절연막(GI)이 콘포멀하게 형성될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에 게이트 전극(GE)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(GE)은, 제1 내지 제3 내측 영역들(IRG1, IRG2, IRG3) 내에 각각 형성되는 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3) 및 외측 영역(ORG) 내에 형성되는 제4 부분(PO4)을 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE)이 리세스되어, 그 높이가 줄어들 수 있다. 게이트 전극(GE)이 리세스 되는 동안 제1 및 제2 게이트 커팅 패턴들(CT1, CT2)의 상부도 살짝 리세스될 수 있다. 리세스된 게이트 전극(GE) 상에 게이트 캐핑 패턴(GP)이 형성될 수 있다.
도 14a 내지 도 14d를 참조하면, 제1 층간 절연막(110) 상에 제2 층간 절연막(120)이 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(120)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 제2 층간 절연막(120) 및 제1 층간 절연막(110)을 관통하여 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)과 전기적으로 연결되는 활성 콘택들(AC)이 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(120) 및 게이트 캐핑 패턴(GP)을 관통하여 게이트 전극들(GE)과 각각 전기적으로 연결되는 게이트 콘택들(GC)이 형성될 수 있다.
각각의 활성 콘택(AC) 및 게이트 콘택(GC)을 형성하는 것은, 배리어 금속(BM)을 형성하는 것 및 배리어 금속(BM) 상에 채움 금속(FM)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 배리어 금속(BM)은 콘포멀하게 형성될 수 있으며, 금속막/금속 질화막을 포함할 수 있다. 채움 금속(FM)은 저저항 금속을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 양 측에 한 쌍의 분리 구조체들(DB)이 형성될 수 있다. 분리 구조체(DB)는, 제2 층간 절연막(120)으로부터 게이트 전극(GE)을 관통하여 활성 패턴(AP1 또는 AP2) 내부로 연장될 수 있다. 분리 구조체(DB)는 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 5a 내지 도 5d를 다시 참조하면, 활성 콘택들(AC) 및 게이트 콘택들(GC) 상에 제3 층간 절연막(130)이 형성될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 내에 제1 금속 층(M1)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 제3 층간 절연막(130)의 하부에 활성 및 게이트 콘택들(AC, GC)에 각각 연결되는 제1 비아들(VI1)이 형성될 수 있다. 각각의 제1 비아들(VI1)은 배리어 금속(BM) 및 채움 금속(FM)을 포함할 수 있다. 제3 층간 절연막(130)의 상부에 제1 비아들(VI1)과 접촉하는 배선들(M1_R1, M1_R2, M1_R3, M1_I)이 형성될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 상에 제4 층간 절연막(140)이 형성될 수 있다. 제4 층간 절연막(140) 내에 제2 금속 층(M2)이 형성될 수 있다.
도 15 내지 도 17은 도 14a의 M 영역의 활성 콘택을 형성하는 방법을 설명하기 위한 확대도들이다. 도 15를 참조하면, 제1 층간 절연막(110)을 관통하는 콘택 트렌치(CNH)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 콘택 트렌치(CNH)은 제1 소스/드레인 패턴(SD1)을 노출할 수 있다. 콘택 트렌치(CNH)의 바닥은 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 상면보다 낮을 수 있다.
콘택 트렌치(CNH)을 통해 노출된 제1 소스/드레인 패턴(SD1)에 실리사이드화 공정을 수행함으로써, 금속-반도체 화합물 층(SC)이 형성될 수 있다. 금속-반도체 화합물 층(SC)은, 콘택 트렌치(CNH)을 통해 노출된 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 반도체 물질이 콘택 트렌치(CNH)을 통해 공급되는 금속 물질과 반응하여 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 콘택 트렌치(CNH)의 내측벽 상에 배리어 금속막(BML)이 콘포멀하게 형성될 수 있다. 배리어 금속막(BML)은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 배리어 금속막(BML)은 금속 질화막(예를 들어, TiN)을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 배리어 금속막(BML)은, 플라즈마를 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예로, 배리어 금속막(BML)은 플라즈마 하에서 증착 공정이 진행될 수 있으며, 예를 들어 PECVD 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 다른 실시예로, 배리어 금속막(BML)의 증착 공정 이후에 배리어 금속막(BML) 상에 플라즈마 후처리 공정이 수행될 수 있다.
배리어 금속막(BML) 상에 플라즈마 처리가 수행되므로, 배리어 금속막(BML) 상에는 플라즈마에 의해 발생된 이온들(IN)에 의한 이온 충격(ion bombardment)이 가해질 수 있다. 이온들(IN)은, 불활성 기체인 질소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤 및 제논 중 적어도 하나를 상기 플라즈마 공정에 투입함으로써 발생될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 배리어 금속막(BML) 상에 충격되는 이온(IN)은 질소 이온을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예로, 배리어 금속막(BML) 상에 충격되는 이온(IN)은 아르곤 이온을 포함할 수 있다. 이 경우, 배리어 금속막(BML) 내에는 아르곤(Ar)이 불순물로 잔류할 수 있다. 다시 말하면, 배리어 금속막(BML) 내에 잔류하는 불순물은 플라즈마에 사용된 이온으로써, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤 및 제논 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 배리어 금속막(BML) 내의 불순물의 농도는 1E18 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm3일 수 있다.
배리어 금속막(BML) 상에 이온 충격이 가해짐으로써, 배리어 금속막(BML)은 플라즈마 처리가 이루어지지 않은 경우와 비교하여 더 치밀해질 수 있다. 배리어 금속막(BML)은 압축 응력을 가질 수 있다.
도 17을 참조하면, 배리어 금속막(BML) 상에 채움 금속막(FML)이 형성될 수 있다. 채움 금속막(FML)은 증착 공정(예를 들어, ALD)을 이용하여 형성될 수 있다. 채움 금속막(FML)은 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트 및 바나듐 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 채움 금속막(FML)은 몰리브덴을 포함할 수 있다.
채움 금속막(FML)은 제1 결정 구조(예를 들어, 체심입방구조(BCC))를 갖는 제1 결정 영역들(CRS1) 및 제2 결정 구조(예를 들어, 면심입방구조(FCC))를 갖는 제2 결정 영역들(CRS2)을 포함할 수 있다.
채움 금속막(FML)이 증착 공정으로 형성되는 동안, 그의 내부에 적어도 두 개의 결정 구조들이 형성될 수 있다. 채움 금속막(FML)이 증착 공정으로 형성되는 동안, 그의 내부에 특정 결정 구조를 갖는 결정 영역들이 서로 경계를 이루며 생성될 수 있다. 다시 말하면, 채움 금속막(FML)은 결정 영역들 사이에 정의되는 그레인 경계(GRB)를 포함할 수 있다.
채움 금속막(FML)의 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율은 60% 내지 99%일 수 있다. 바람직하기로, 채움 금속막(FML)의 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율은 80% 내지 99%일 수 있다. 예를 들어, 채움 금속막(FML)은 80% 이상의 BCC 구조를 갖는 몰리브덴을 포함할 수 있다. 채움 금속막(FML)은 이온 충격이 가해진 치밀한 배리어 금속막(BML) 상에 증착되면서, 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율이 60% 이상, 바람직하게는 80% 이상을 차지할 수 있다.
채움 금속막(FML)은 BCC 구조인 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율이 증가하면서 그의 비저항은 반비례하여 감소할 수 있다. 다시 말하면, 채움 금속막(FML)의 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율이 증가할수록 그의 비저항은 감소할 수 있다. 본 실시예에 따른 채움 금속막(FML)은 80% 이상의 BCC 구조를 갖는 몰리브덴을 포함함으로, 채움 금속막(FML)의 비저항은 16 μΩcm 내지 18 μΩcm으로 상대적으로 작아질 수 있다.
도 14a를 다시 참조하면, 이후 콘택 트렌치(CNH) 내의 채움 금속막(FML)과 배리어 금속막(BML)이 리세스되어, 채움 금속(FM) 및 배리어 금속(BM)이 각각 형성될 수 있다. 채움 금속(FM) 및 배리어 금속(BM)은 활성 콘택(AC)을 구성할 수 있다. 리세스된 활성 콘택(AC) 상에 상부 절연 패턴(UIP)이 채워질 수 있다.
별도로 도시하진 않았으나, 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1) 각각의 형성 방법은, 역시 도 15 내지 도 17을 참조하여 상술한 배리어 금속막(BML) 및 채움 금속막(FML)의 형성 방법을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 활성 콘택(AC)은 상대적으로 넓은 콘택 트렌치(CNH) 내에서 형성되므로, 배리어 금속막(BML) 상에 이온 충격이 보다 원활히 수행될 수 있다. 이로써, 활성 콘택(AC)의 배리어 금속막(BML)은 상대적으로 많이 치밀해질 수 있다. 반면 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1)는 상대적으로 좁은 홀 내에서 형성되므로, 배리어 금속막(BML) 상에 이온 충격이 다소 원활히 수행되지 못할 수 있다. 이로써 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1) 각각의 배리어 금속막(BML)은 활성 콘택(AC)의 배리어 금속막(BML)에 비해 덜 치밀할 수 있다.
활성 콘택(AC)의 배리어 금속막(BML)이 상대적으로 많이 치밀하므로, 그 위에 형성되는 채움 금속막(FML)의 체심입방구조(BCC)의 비율은 상대적으로 클 수 있다. 반면 게이트 콘택(GC) 및 제1 비아(VI1) 각각의 배리어 금속막(BML)은 상대적으로 덜 치밀하므로, 그 위에 형성되는 채움 금속막(FML)의 체심입방구조(BCC)의 비율은 상대적으로 작을 수 있다.
도 18은 본 발명의 비교예에 따른 도 14a의 M 영역의 활성 콘택을 형성하는 방법을 설명하기 위한 확대도이다. 도 18을 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 배리어 금속막(BML)은, 그의 형성 공정 동안 플라즈마가 생략될 수 있다. 예를 들어, 본 비교예에 따른 배리어 금속막(BML)은 단순 CVD 공정만으로 형성되고, 그 이후 플라즈마 후처리 역시 생략될 수 있다. 따라서 본 비교예에 따른 배리어 금속막(BML)은 앞서 도 16을 참조하여 설명한 이온 충돌된 배리어 금속막(BML)에 비해 치밀하지 못할 수 있다.
비교예에 따른 배리어 금속막(BML) 상에 증착되는 채움 금속막(FML)은, 상대적으로 작은 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율을 가질 수 있다. 예를 들어, 본 비교예에 따른 채움 금속막(FML)의 제1 결정 영역들(CRS1)의 비율은 60%보다 작을 수 있다. 다시 말하면, 채움 금속막(FML)의 제2 결정 영역들(CRS2)의 비율이 상대적으로 증가할 수 있다.
본 비교예에 따른 채움 금속막(FML)은, 상대적으로 작은 BCC 구조 비율을 가지므로, 그의 비저항이 상대적으로 높을 수 있다. 예를 들어, 본 비교예에 따른 채움 금속막(FML)의 비저항은 18 μΩcm보다 클 수 있다. 이는 채움 금속막(FML)의 결정 구조가 그의 증착 공정 동안 하부막(즉, 배리어 금속막(BML))의 특성에 의해 결정되기 때문이다.
도 19a 내지 도 19d는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 것으로, 각각 도 4의 A-A'선, B-B'선, C-C'선 및 D-D'선에 따른 단면도들이다. 후술할 본 발명의 실시예에서는, 도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명한 것과 중복되는 기술적 특징에 대한 상세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해 상세히 설명한다.
도 4 및 도 19a 내지 도 19d를 참조하면, 소자 분리막(ST)은 기판(100)의 상부에 제1 활성 패턴(AP1) 및 제2 활성 패턴(AP2)을 정의할 수 있다. 제1 활성 패턴(AP1)은 각각의 제1 PMOSFET 영역(PR1) 및 제2 PMOSFET 영역(PR2) 상에 정의될 수 있고, 제2 활성 패턴(AP2)은 각각의 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2) 상에 정의될 수 있다.
소자 분리막(ST)은 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 각각의 하부의 측벽을 덮을 수 있다. 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 각각의 상부는 소자 분리막(ST) 위로 돌출될 수 있다 (도 19d 참조).
제1 활성 패턴(AP1)은 그의 상부에 제1 소스/드레인 패턴들(SD1) 및 이들 사이의 제1 채널 패턴(CH1)을 포함할 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2)은 그의 상부에 제2 소스/드레인 패턴들(SD2) 및 이들 사이의 제2 채널 패턴(CH2)을 포함할 수 있다.
도 19d를 다시 참조하면, 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2) 각각은, 앞서 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명한 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)을 포함하지 않을 수 있다. 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2) 각각은 소자 분리막(ST) 위로 돌출된 하나의 반도체 기둥 형태를 가질 수 있다 (도 19d 참조).
게이트 전극(GE)은 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2) 각각의 상면(TS) 및 양 측벽들(SW) 상에 제공될 수 있다. 다시 말하면, 본 실시예에 따른 트랜지스터는, 게이트 전극(GE)이 채널을 3차원적으로 둘러싸는 3차원 전계 효과 트랜지스터(예를 들어, FinFET)일 수 있다.
기판(100)의 전면 상에 제1 층간 절연막(110) 및 제2 층간 절연막(120)이 제공될 수 있다. 제1 및 제2 층간 절연막들(110, 120)을 관통하여 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)에 각각 연결되는 활성 콘택들(AC)이 제공될 수 있다. 제2 층간 절연막(120) 및 게이트 캐핑 패턴(GP)을 관통하여 게이트 전극(GE)에 연결되는 게이트 콘택(GC)이 제공될 수 있다. 활성 콘택들(AC) 및 게이트 콘택들(GC)에 대한 상세한 설명은, 앞서 도 4, 도 5a 내지 도 5d 및 도 6을 참조하여 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
제2 층간 절연막(120) 상에 제3 층간 절연막(130)이 제공될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 상에 제4 층간 절연막(140)이 제공될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 내에 제1 금속 층(M1)이 제공될 수 있다. 제4 층간 절연막(140) 내에 제2 금속 층(M2)이 제공될 수 있다. 제1 금속 층(M1) 및 제2 금속 층(M2)에 대한 상세한 설명은, 앞서 도 4 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명은 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수도 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (20)

  1. 활성 패턴을 포함하는 기판;
    상기 활성 패턴 상의 채널 패턴 및 소스/드레인 패턴, 상기 채널 패턴은 상기 소스/드레인 패턴에 연결되고;
    상기 채널 패턴 상의 게이트 전극; 및
    상기 소스/드레인 패턴에 전기적으로 연결되는 활성 콘택을 포함하되,
    상기 활성 콘택은, 제1 배리어 금속 및 상기 제1 배리어 금속 상의 제1 채움 금속을 포함하고,
    상기 제1 배리어 금속은 금속 질화막을 포함하며,
    상기 제1 채움 금속은 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트 및 바나듐 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제1 채움 금속은 체심입방구조(BCC)를 갖는 제1 결정 영역 및 면심입방구조(FCC)를 갖는 제2 결정 영역을 포함하며,
    상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율은 60% 내지 99%인 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율은 상기 제2 결정 영역의 비율보다 큰 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배리어 금속은 티타늄 질화막을 포함하고,
    상기 제1 채움 금속은 몰리브덴을 포함하며,
    상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율은 80% 내지 99%인 반도체 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 채움 금속은, 상기 제1 결정 영역과 상기 제2 결정 영역 사이의 그레인 경계를 더 포함하는 반도체 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배리어 금속은 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤 및 제논 중 적어도 하나의 불순물을 포함하는 반도체 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 채움 금속의 비저항은 16 μΩcm 내지 18 μΩcm인 반도체 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 전극에 전기적으로 연결되는 게이트 콘택을 더 포함하되,
    상기 게이트 콘택은 제2 배리어 금속 및 상기 제2 배리어 금속 상의 제2 채움 금속을 포함하고,
    상기 제2 채움 금속은 체심입방구조(BCC)를 갖는 제3 결정 영역 및 면심입방구조(FCC)를 갖는 제4 결정 영역을 포함하며,
    상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율은, 상기 제2 채움 금속 내에서 상기 제2 결정 영역의 비율보다 큰 반도체 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 활성 콘택 상의 배선; 및
    상기 배선과 상기 활성 콘택 사이에 개재되어 이들을 전기적으로 연결하는 비아를 더 포함하되,
    상기 비아는 제2 배리어 금속 및 상기 제2 배리어 금속 상의 제2 채움 금속을 포함하고,
    상기 제2 채움 금속은 체심입방구조(BCC)를 갖는 제3 결정 영역 및 면심입방구조(FCC)를 갖는 제4 결정 영역을 포함하며,
    상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율은, 상기 제2 채움 금속 내에서 상기 제2 결정 영역의 비율보다 큰 반도체 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배리어 금속은, 상기 제1 채움 금속의 상면을 제외한 표면을 덮는 반도체 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 채움 금속 내에서 상기 제1 결정 영역의 비율이 증가할수록 상기 제1 채움 금속의 비저항은 감소하는 반도체 소자.
  11. 활성 패턴을 포함하는 기판;
    상기 활성 패턴 상의 채널 패턴 및 소스/드레인 패턴, 상기 채널 패턴은 상기 소스/드레인 패턴에 연결되고;
    상기 채널 패턴 상의 게이트 전극;
    상기 소스/드레인 패턴에 접속하는 활성 콘택; 및
    상기 활성 콘택 상의 금속 층을 포함하되,
    상기 금속 층 내의 배선은 상기 활성 콘택과 비아를 통해 서로 전기적으로 연결되며,
    상기 활성 콘택은, 제1 배리어 금속 및 상기 제1 배리어 금속 상의 제1 채움 금속을 포함하고,
    상기 비아는, 제2 배리어 금속 및 상기 제2 배리어 금속 상의 제2 채움 금속을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 배리어 금속들은 금속 질화막을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 채움 금속들은 몰리브덴, 텅스텐, 루테늄, 코발트 및 바나듐 중 적어도 하나를 포함하며,
    상기 제1 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율은 상기 제2 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율보다 큰 반도체 소자.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 채움 금속 및 상기 제2 채움 금속 각각의 체심입방구조(BCC)의 비율은 60% 내지 99%인 반도체 소자.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배리어 금속들 각각은 티타늄 질화막을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 채움 금속들 각각은 몰리브덴을 포함하는 반도체 소자.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 채움 금속의 비저항은 상기 제2 채움 금속의 비저항보다 작은 반도체 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 채움 금속들 각각의 비저항은 16 μΩcm 내지 18 μΩcm인 반도체 소자.
  16. PMOSFET 영역 및 NMOSFET 영역을 포함하는 기판;
    상기 PMOSFET 영역 상의 제1 활성 패턴 및 상기 NMOSFET 영역 상의 제2 활성 패턴;
    상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 제1 소스/드레인 패턴;
    상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴 및 제2 소스/드레인 패턴;
    상기 제1 및 제2 채널 패턴들을 가로지르며 상기 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극과 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 사이에 개재된 게이트 절연막;
    상기 게이트 전극의 측벽 상의 게이트 스페이서;
    상기 게이트 전극의 상면 상의 게이트 캐핑 패턴;
    상기 게이트 전극을 관통하는 게이트 커팅 패턴;
    상기 게이트 캐핑 패턴 및 상기 게이트 커팅 패턴 상의 층간 절연막;
    상기 층간 절연막을 관통하여 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들에 전기적으로 연결되는 활성 콘택;
    상기 활성 콘택과 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 사이에 각각 개재된 금속-반도체 화합물 층들;
    상기 층간 절연막 및 상기 게이트 캐핑 패턴을 관통하여, 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 게이트 콘택;
    상기 층간 절연막 상의 제1 금속 층, 상기 제1 금속 층은 상기 게이트 커팅 패턴과 수직적으로 중첩되는 파워 배선, 및 상기 활성 및 게이트 콘택들에 각각 전기적으로 연결되는 제1 배선들을 포함하고; 및
    상기 제1 금속 층 상의 제2 금속 층을 포함하되,
    상기 제2 금속 층은 상기 제1 금속 층과 전기적으로 연결되는 제2 배선들을 포함하며,
    상기 활성 콘택은, 제1 배리어 금속 및 상기 제1 배리어 금속 상의 제1 채움 금속을 포함하고,
    상기 게이트 콘택은, 제2 배리어 금속 및 상기 제2 배리어 금속 상의 제2 채움 금속을 포함하며,
    상기 제1 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율은 상기 제2 채움 금속의 체심입방구조(BCC)의 비율보다 큰 반도체 소자.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 배리어 금속들 각각은 티타늄 질화막을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 채움 금속들 각각은 몰리브덴을 포함하는 반도체 소자.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 채움 금속들 각각의 체심입방구조(BCC)의 비율은 60% 내지 99%인 반도체 소자.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 제1 채움 금속의 비저항은 상기 제2 채움 금속의 비저항보다 작은 반도체 소자.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 채움 금속들 각각의 비저항은 16 μΩcm 내지 18 μΩcm인 반도체 소자.
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