KR20230100786A - 반도체 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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KR20230100786A
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semiconductor
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이상길
김석훈
박판귀
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Abstract

본 발명은 센터 영역 및 엣지 영역을 포함하는 기판, 상기 센터 영역 상의 제1 활성 패턴 및 상기 엣지 영역 상의 제2 활성 패턴, 상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴, 상기 제1 채널 패턴에 연결된 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 채널 패턴에 연결된 제2 소스/드레인 패턴 및 상기 제1 채널 패턴 상의 제1 게이트 전극 및 상기 제2 채널 패턴 상의 제2 게이트 전극을 포함하되, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각은, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 중 그에 대응하는 것과 접촉하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상의 메인층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각의 상기 메인층은 제1 반도체 층 및 상기 제1 반도체 층 상의 제2 반도체 층을 포함하고, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 저마늄을 함유하고, 상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 크고, 상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 작은 반도체 소자를 제공한다.

Description

반도체 소자 및 그의 제조 방법{Semiconductor device and method for manufacturing the same}
본 발명은 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 모스 전계 효과 트랜지스터들(MOS(Metal Oxide Semiconductor) FET)로 구성된 집적회로를 포함한다. 반도체 소자의 크기 및 디자인 룰(Design rule)이 점차 축소됨에 따라, 모스 전계 효과 트랜지스터들의 크기 축소(scale down)도 점점 가속화되고 있다. 모스 전계 효과 트랜지스터들의 크기 축소에 따라 반도체 소자의 동작 특성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자의 고집적화에 따른 한계를 극복하면서 보다 우수한 성능을 반도체 소자를 형성하기 위한 다양한 방법이 연구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전기적 특성이 향상된 반도체 소자를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 전기적 특성이 향상된 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 반도체 소자는 센터 영역 및 엣지 영역을 포함하는 기판, 상기 센터 영역 상의 제1 활성 패턴 및 상기 엣지 영역 상의 제2 활성 패턴, 상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴, 상기 제1 채널 패턴에 연결된 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 채널 패턴에 연결된 제2 소스/드레인 패턴 및 상기 제1 채널 패턴 상의 제1 게이트 전극 및 상기 제2 채널 패턴 상의 제2 게이트 전극을 포함하되, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각은, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 중 그에 대응하는 것과 접촉하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상의 메인층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각의 상기 메인층은 제1 반도체 층 및 상기 제1 반도체 층 상의 제2 반도체 층을 포함하고, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 저마늄을 함유하고, 상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 크고, 상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 작을 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 반도체 소자는 센터 영역 및 엣지 영역을 포함하는 기판, 상기 센터 영역 상의 제1 활성 패턴 및 상기 엣지 영역 상의 제2 활성 패턴, 상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 각각은 서로 이격된 수직적으로 적층된 복수개의 반도체 패턴들을 포함하고, 상기 제1 활성 패턴의 상기 복수개의 반도체 패턴들에 연결된 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 활성 패턴의 상기 복수개의 반도체 패턴들에 연결된 제2 소스/드레인 패턴 및 상기 복수개의 반도체 패턴들 상의 게이트 전극을 포함하되, 상기 게이트 전극은 상기 복수개의 반도체 패턴들 사이에 각각 제공된 복수개의 부분들을 포함하고, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각은, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 중 그에 대응하는 것과 접촉하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상의 메인층을 포함하며, 상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각의 상기 메인층은 제1 반도체 층 및 상기 제1 반도체 층 상의 제2 반도체 층을 포함하고, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 저마늄을 함유하고, 상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 작고, 상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 클 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은 센터 영역 및 엣지 영역을 포함하는 기판 상에 적층 패턴을 형성하는 것, 상기 적층 패턴은 서로 교번적으로 적층된 활성층들 및 희생층들을 포함하고, 상기 적층 패턴 상에 희생 패턴을 형성하는 것. 상기 희생 패턴의 일 측에 인접하는 상기 적층 패턴을 식각하여, 리세스를 형성하는 것, 상기 리세스 내에 소스/드레인 패턴을 형성하는 것, 및 상기 희생 패턴 및 상기 희생층들을 게이트 전극으로 교체하는 것을 포함하되, 상기 소스/드레인 패턴을 형성하는 것은 상기 리세스의 내측벽 상에 버퍼층을 형성하는 것, 상기 버퍼층 상에 제1 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 제1 반도체 층을 형성하는 것 및 상기 제1 반도체 층 상에 제2 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 제2 반도체 층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 제1 선택적 에피택시얼 성장 공정에 의해 형성된 상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 크고, 상기 제2 선택적 에피택시얼 성장 공정에 의해 형성된 상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 작을 수 있다.
본 발명은 기판의 센터 영역에서 엣지 영역까지 배치되는 소스/드레인 패턴의 메인층의 저마늄 및 불순물의 평균 농도를 일정하게 유지시켜 반도체 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 해달 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 기판 상에 배열된 반도체 칩들을 나타낸 평면도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 로직 셀들을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 칩들 각각에 포함되는 반도체 소자를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 각각 도 5의 A-A'선, B-B'선, C-C'선 및 D-D'선에 따른 단면도들이다.
도 7a, 도 8a, 및 도 9a는 각각 제1 반도체 칩, 제2 반도체 칩 및 제3 반도체 칩의 로직 셀에서 도 6a의 M 영역에 대응되는 실시예를 나타낸 확대도들이다.
도 7b, 도 8b 및 도 9b는 각각 도 7a, 도 8a, 및 도 9a에서 II-II’선을 따라 제3 방향으로 갈수록 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 저마늄 및 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프들이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에서, 도 1에서 I-I’선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 저마늄의 농도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 10b는 본 발명의 일 실시예에서, 도 1에서 I-I’선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 11a 내지 도 17d는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 18, 도 19A, 도 19B, 도 20A, 도 20B 및 21은 도 14a의 M 영역의 제1 소스/드레인 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 확대도들이다.
도 22는 본 발명의 비교예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 것으로, 도 6a의 M 영역의 확대도에 대응한다.
도 23은 본 발명의 일 비교예에서 도 1에서 I-I’ 선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 메인층에서의 저마늄 및 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 24a 내지 도 27b는 본 발명의 일 실시예를 설명하기 위한 도면들이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 기판 상에 배열된 반도체 칩들을 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면 기판(100)은 실리콘, 저마늄(Ge), 실리콘-저마늄(Ge) 등을 포함하는 반도체 기판(100)이거나 화합물 반도체 기판(100)일 수 있다. 일 예로, 기판(100)은 원형 형태를 가질 수 있다. 원형 기판(100)의 지름은 50 mm 내지 300 mm 일 수 있다.
기판(100) 상에 센터 영역(CR), 미들 영역(MR) 및 엣지 영역(ER)이 정의될 수 있다. 센터 영역(CR)은 기판(100)의 중심부에 위치할 수 있다. 센터 영역(CR)은 원형일 수 있고, 센터 영역(CR)의 중심은 기판(100)의 중심과 수직적으로 중첩될 수 있다. 엣지 영역(ER)은 기판(100)의 외각부에 위치할 수 있다. 엣지 영역(ER)은 도넛 형태를 가질 수 있고, 엣지 영역(ER)의 가장자리는 기판(100)의 가장자리와 수직적으로 중첩될 수 있다. 미들 영역(MR)은 센터 영역(CR)과 엣지 영역(ER) 사이에 배치될 수 있다. 미들 영역(MR)은 도넛 형태를 가질 수 있고, 기판(100) 상에서 센터 영역(CR)과 엣지 영역(ER)을 제외한 영역일 수 있다.
반도체 칩들은 제1 내지 제3 반도체 칩들(A, B, C)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 칩들(A)은 기판(100)의 센터 영역(CR) 상에 제공될 수 있다. 제2 반도체 칩들(B)은 기판(100)의 미들 영역(MR) 상에 제공될 수 있다. 제3 반도체 칩들(C)은 기판(100)의 엣지 영역(ER) 상에 제공될 수 있다. 제1 내지 제3 반도체 칩들(A, B, C)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)은 서로 교차할 수 있다.
제1 내지 제3 반도체 칩들(A, B, C) 각각은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 로직 셀들을 포함할 수 있다. 이하, 본 발명의 반도체 소자의 로직 셀들에 대해 설명한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 로직 셀들을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 2를 참조하면, 싱글 하이트 셀(Single Height Cell, SHC)이 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(100) 상에 제1 파워 배선(M1_R1) 및 제2 파워 배선(M1_R2)이 제공될 수 있다. 제1 파워 배선(M1_R1)은 드레인 전압(VDD), 일 예로 파워 전압이 제공되는 통로일 수 있다. 제2 파워 배선(M1_R2)은 소스 전압(VSS), 일 예로 접지 전압이 제공되는 통로일 수 있다.
제1 파워 배선(M1_R1) 및 제2 파워 배선(M1_R2) 사이에 싱글 하이트 셀(SHC)이 정의될 수 있다. 싱글 하이트 셀(SHC)은 하나의 PMOSFET 영역(PR) 및 하나의 NMOSFET 영역(NR)을 포함할 수 있다. 다시 말하면, 싱글 하이트 셀(SHC)은 제1 파워 배선(M1_R1) 및 제2 파워 배선(M1_R2) 사이에 제공된 CMOS 구조를 가질 수 있다.
PMOSFET 영역(PR) 및 NMOSFET 영역(NR) 각각은 제1 방향(D1)으로 제1 폭(WI1)을 가질 수 있다. 싱글 하이트 셀(SHC)의 제1 방향(D1)으로의 길이는 제1 높이(HE1)로 정의될 수 있다. 제1 높이(HE1)는, 제1 파워 배선(M1_R1)과 제2 파워 배선(M1_R2) 사이의 거리(예를 들어, 피치)와 실질적으로 동일할 수 있다.
싱글 하이트 셀(SHC)은 하나의 로직 셀을 구성할 수 있다. 본 명세서에서 로직 셀은 특정 기능을 수행하는 논리 소자(예를 들어, AND, OR, XOR, XNOR, inverter 등)를 의미할 수 있다. 즉, 로직 셀은 논리 소자를 구성하기 위한 트랜지스터들 및 상기 트랜지스터들을 서로 연결하는 배선들을 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 더블 하이트 셀(Double Height Cell, DHC)이 제공될 수 있다. 구체적으로, 기판(100) 상에 제1 파워 배선(M1_R1), 제2 파워 배선(M1_R2) 및 제3 파워 배선(M1_R3)이 제공될 수 있다. 제1 파워 배선(M1_R1)은, 제2 파워 배선(M1_R2)과 제3 파워 배선(M1_R3) 사이에 배치될 수 있다. 제3 파워 배선(M1_R3)은 드레인 전압(VDD)이 제공되는 통로일 수 있다.
제2 파워 배선(M1_R2)과 제3 파워 배선(M1_R3) 사이에 더블 하이트 셀(DHC)이 정의될 수 있다. 더블 하이트 셀(DHC)은 제1 PMOSFET 영역(PR1), 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2)을 포함할 수 있다.
제1 NMOSFET 영역(NR1)은 제2 파워 배선(M1_R2)에 인접할 수 있다. 제2 NMOSFET 영역(NR2)은 제3 파워 배선(M1_R3)에 인접할 수 있다. 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2)은 제1 파워 배선(M1_R1)에 인접할 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 파워 배선(M1_R1)은 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 사이에 배치될 수 있다.
더블 하이트 셀(DHC)의 제1 방향(D1)으로의 길이는 제2 높이(HE2)로 정의될 수 있다. 제2 높이(HE2)는 도 2의 제1 높이(HE1)의 약 두 배일 수 있다. 더블 하이트 셀(DHC)의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2)은 묶여서 하나의 PMOSFET 영역으로 동작할 수 있다.
따라서, 더블 하이트 셀(DHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기는, 앞서 도 2의 싱글 하이트 셀(SHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 더블 하이트 셀(DHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기는 싱글 하이트 셀(SHC)의 PMOS 트랜지스터의 채널의 크기의 약 두 배일 수 있다. 결과적으로, 더블 하이트 셀(DHC)은 싱글 하이트 셀(SHC)에 비해 더 고속으로 동작할 수 있다. 본 발명에 있어서, 도 3에 나타난 더블 하이트 셀(DHC)은 멀티 하이트 셀로 정의될 수 있다. 도시되진 않았지만, 멀티 하이트 셀은, 셀 높이가 싱글 하이트 셀(SHC)의 약 세 배인 트리플 하이트 셀을 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 싱글 하이트 셀(SHC1), 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 및 더블 하이트 셀(DHC)이 이차원 적으로 배치될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제1 및 제2 파워 배선들(M1_R1, M1_R2) 사이에 배치될 수 있다. 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)은 제1 및 제3 파워 배선들(M1_R1, M1_R3) 사이에 배치될 수 있다. 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)은 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)과 제1 방향(D1)으로 인접할 수 있다.
더블 하이트 셀(DHC)은 제2 및 제3 파워 배선들(M1_R2, M1_R3) 사이에 배치될 수 있다. 더블 하이트 셀(DHC)은 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2)과 제2 방향(D2)으로 인접할 수 있다.
제1 싱글 하이트 셀(SHC1)과 더블 하이트 셀(DHC) 사이, 및 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)과 더블 하이트 셀(DHC) 사이에 분리 구조체(DB)가 제공될 수 있다. 분리 구조체(DB)에 의해, 더블 하이트 셀(DHC)의 활성 영역은, 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 활성 영역으로부터 전기적으로 분리될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 칩들 각각에 포함되는 반도체 소자를 설명하기 위한 평면도이다. 도 6a 내지 도 6d는 각각 도 5의 A-A'선, B-B'선, C-C'선 및 D-D'선에 따른 단면도들이다.
도 5 및 도 6a 내지 도 6d를 참조하면, 기판(100) 상에 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2)이 제공될 수 있다. 각각의 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 상에는 로직 회로를 구성하는 로직 트랜지스터들이 배치될 수 있다. 기판(100)은 실리콘, 저마늄(Ge), 실리콘-저마늄(Ge) 등을 포함하는 반도체 기판(100)이거나 화합물 반도체 기판(100)일 수 있다. 일 예로, 기판(100)은 실리콘 기판(100)일 수 있다.
기판(100)은 제1 PMOSFET 영역(PR1), 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2)을 가질 수 있다. 제1 PMOSFET 영역(PR1), 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2) 각각은, 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제1 NMOSFET 영역(NR1) 및 제1 PMOSFET 영역(PR1)을 포함할 수 있고, 제2 싱글 하이트 셀(SHC2)은 제2 PMOSFET 영역(PR2) 및 제2 NMOSFET 영역(NR2)을 포함할 수 있다.
기판(100)의 상부에 형성된 트렌치(TR)에 의해 제1 활성 패턴(AP1) 및 제2 활성 패턴(AP2)이 정의될 수 있다. 제1 활성 패턴(AP1)은 각각의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 상에 제공될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2)은 각각의 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 제공될 수 있다. 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2)은 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2)은 기판(100)의 일부로써, 수직하게 돌출된 부분들일 수 있다.
소자 분리막(ST)이 트렌치(TR)를 채울 수 있다. 소자 분리막(ST)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 소자 분리막(ST)은 후술할 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)을 덮지 않을 수 있다.
제1 활성 패턴(AP1) 상에 제1 채널 패턴(CH1)이 제공될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2) 상에 제2 채널 패턴(CH2)이 제공될 수 있다. 제1 채널 패턴(CH1) 및 제2 채널 패턴(CH2) 각각은, 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴(SP1), 제2 반도체 패턴(SP2) 및 제3 반도체 패턴(SP3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은 수직적 방향(즉, 제3 방향(D3))으로 서로 이격될 수 있다.
제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 또는 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각은 결정질 실리콘(crystalline silicon)을 포함할 수 있다.
제1 활성 패턴(AP1) 상에 복수개의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)이 제공될 수 있다. 제1 활성 패턴(AP1)의 상부에 복수개의 제1 리세스들(RS1)이 형성될 수 있다. 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)이 제1 리세스들(RS1) 내에 각각 제공될 수 있다. 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은 제1 도전형(예를 들어, p형)의 불순물 영역들일 수 있다. 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1) 사이에 제1 채널 패턴(CH1)이 개재될 수 있다. 다시 말하면, 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)을 서로 연결할 수 있다.
제2 활성 패턴(AP2) 상에 복수개의 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)이 제공될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2)의 상부에 복수개의 제2 리세스들(RS2)이 형성될 수 있다. 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)이 제2 리세스들(RS2) 내에 각각 제공될 수 있다. 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)은 제2 도전형(예를 들어, n형)의 불순물 영역들일 수 있다. 한 쌍의 제2 소스/드레인 패턴들(SD2) 사이에 제2 채널 패턴(CH2)이 개재될 수 있다. 다시 말하면, 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 한 쌍의 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)을 서로 연결할 수 있다.
제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)은 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정으로 형성된 에피택시얼 패턴들일 수 있다. 일 예로, 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2) 각각의 상면은, 제3 반도체 패턴(SP3)의 상면보다 높을 수 있다. 다른 예로, 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2) 중 적어도 하나의 상면은, 제3 반도체 패턴(SP3)의 상면과 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다.
제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은 기판(100)의 반도체 원소의 격자 상수보다 큰 격자 상수를 갖는 반도체 원소(예를 들어, SiGe)를 포함할 수 있다. 이로써, 한 쌍의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은, 그들 사이의 제1 채널 패턴(CH1)에 압축 응력(compressive stress)을 제공할 수 있다. 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)은 기판(100)과 동일한 반도체 원소(예를 들어, Si)를 포함할 수 있다.
각각의 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)은 버퍼층(BFL) 및 버퍼층(BFL) 상의 메인층(MAL)을 포함할 수 있다. 이하 도 6a를 참조하여, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 제2 방향(D2)으로의 단면의 형태를 설명한다.
버퍼층(BFL)은 제1 리세스(RS1)의 내측벽을 덮을 수 있다. 일 실시예로, 버퍼층(BFL)의 두께는, 그의 하부에서 그의 상부로 갈수록 얇아질 수 있다. 예를 들어, 제1 리세스(RS1)의 바닥 상의 버퍼층(BFL)의 제3 방향(D3)으로의 두께는, 제1 리세스(RS1)의 상부 상의 버퍼층(BFL)의 제2 방향(D2)으로의 두께보다 클 수 있다. 버퍼층(BFL)은, 제1 리세스(RS1)의 프로파일을 따라 U자 형태를 가질 수 있다.
버퍼층(BFL)의 측벽은 울퉁불퉁한 엠보싱 형태를 가질 수 있다. 다시 말하면, 버퍼층(BFL)의 측벽은 물결 모양의 프로파일을 가질 수 있다. 버퍼층(BFL)의 측벽은 후술할 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)을 향해 돌출됨으로써, 물결 모양의 프로파일을 가질 수 있다.
메인층(MAL)은 버퍼층(BFL)을 제외한 제1 리세스(RS1)의 남은 영역의 대부분을 채울 수 있다. 메인층(MAL)의 부피는 버퍼층(BFL)의 부피보다 클 수 있다. 다시 말하면, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 전체 부피에 대한 메인층(MAL)의 부피의 비는, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 전체 부피에 대한 버퍼층(BFL)의 부피의 비보다 클 수 있다.
버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL) 각각은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 버퍼층(BFL)은 상대적으로 저농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예로, 버퍼층(BFL)은 저마늄(Ge)을 제외한 실리콘(Si)만을 함유할 수도 있다. 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 0 at% 내지 10 at%일 수 있다. 보다 구체적으로, 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 2 at% 내지 8 at%일 수 있다.
메인층(MAL)은 상대적으로 고농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 일 예로, 메인층(MAL)의 저마늄(Ge)의 농도는 30 at% 내지 70 at%일 수 있다. 메인층(MAL)에서의 저마늄(Ge)의 구체적인 농도 분포는 도 7b를 참조하여 후술한다.
버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL) 각각은, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)이 p형을 갖도록 하는 불순물을 포함할 수 있다. 불순물은, 예를 들어, 보론, 갈륨 또는 인듐을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL) 각각의 상기 불순물 농도는 1E18 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3일 수 있다. 메인층(MAL)의 불순물의 농도는 버퍼층(BFL)의 불순물의 농도보다 클 수 있다. 메인층(MAL)에서의 저마늄 및 불순물의 구체적인 농도 분포는 도 7b, 도 8b, 및 도 9b를 참조하여 후술한다.
버퍼층(BFL)은, 기판(100)(즉, 제1 활성 패턴(AP1))과 메인층(MAL) 사이, 및 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)과 메인층(MAL) 사이의 적층 결함(stacking fault)을 방지할 수 있다. 적층 결함이 발생할 경우, 채널 저항이 증가할 수 있다. 적층 결함은 제1 리세스(RS1)의 바닥에서 쉽게 발생될 수 있다. 따라서 적층 결함을 방지하기 위해서는, 제1 리세스(RS1)의 바닥에 인접하는 버퍼층(BFL)의 두께가 상대적으로 큼이 바람직할 수 있다.
버퍼층(BFL)은, 후술할 희생층들(SAL)을 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)로 교체하는 공정 동안, 메인층(MAL)을 보호할 수 있다. 다시 말하면, 버퍼층(BFL)은 희생층들(SAL)을 제거하는 식각 물질이 메인층(MAL)으로 침투하여 이를 식각하는 것을 방지할 수 있다.
도 5 및 도 6a 내지 도 6d를 다시 참조하면, 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)을 가로지르며 제1 방향(D1)으로 연장되는 게이트 전극들(GE)이 제공될 수 있다. 게이트 전극들(GE)은 제1 피치에 따라 제2 방향(D2)으로 배열될 수 있다. 각각의 게이트 전극들(GE)은 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)과 수직적으로 중첩될 수 있다.
게이트 전극(GE)은, 활성 패턴(AP1 또는 AP2)과 제1 반도체 패턴(SP1) 사이에 개재된 제1 부분(PO1), 제1 반도체 패턴(SP1)과 제2 반도체 패턴(SP2) 사이에 개재된 제2 부분(PO2), 제2 반도체 패턴(SP2)과 제3 반도체 패턴(SP3) 사이에 개재된 제3 부분(PO3), 및 제3 반도체 패턴(SP3) 위의 제4 부분(PO4)을 포함할 수 있다.
도 6a를 다시 참조하면, PMOSFET 영역(PR) 상의 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3) 각각은 오목한 측벽을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3) 각각의 오목한 측벽은, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 돌출된 측벽에 대응할 수 있다. PMOSFET 영역(PR) 상의 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)은 서로 다른 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 부분(PO3)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭은, 제2 부분(PO2)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭보다 클 수 있다. 제1 부분(PO1)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭은, 제3 부분(PO3)의 제2 방향(D2)으로의 최대폭보다 클 수 있다.
도 6d를 다시 참조하면, 게이트 전극(GE)은 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각의 상면(TS), 바닥면(BS) 및 양 측벽들(SW) 상에 제공될 수 있다. 다시 말하면, 본 실시예에 따른 트랜지스터는, 게이트 전극(GE)이 채널을 3차원적으로 둘러싸는 3차원 전계 효과 트랜지스터(예를 들어, MBCFET 또는 GAAFET)일 수 있다.
도 5 및 도 6a 내지 도 6d를 다시 참조하면, 대표적으로 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제2 방향(D2)으로 서로 대향하는 제1 경계(BD1) 및 제2 경계(BD2)를 가질 수 있다. 제1 및 제2 경계들(BD1, BD2)은 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)은 제1 방향(D1)으로 서로 대향하는 제3 경계(BD3) 및 제4 경계(BD4)를 가질 수 있다. 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4)은 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다.
게이트 커팅 패턴들(CT)이 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 제2 방향(D2)으로의 경계 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 게이트 커팅 패턴들(CT)이 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상에 배치될 수 있다. 게이트 커팅 패턴들(CT)은 제3 경계(BD3)를 따라 상기 제1 피치로 배열될 수 있다. 게이트 커팅 패턴들(CT)은 제4 경계(BD4)를 따라 상기 제1 피치로 배열될 수 있다. 평면적 관점에서, 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상의 게이트 커팅 패턴들(CT)은 게이트 전극들(GE) 상에 각각 중첩되게 배치될 수 있다. 게이트 커팅 패턴들(CT)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 조합과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다.
제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 게이트 전극(GE)은, 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 상의 게이트 전극(GE)과 게이트 커팅 패턴(CT)에 의해 서로 분리될 수 있다. 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 게이트 전극(GE)과 그와 제1 방향(D1)으로 정렬된 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 상의 게이트 전극(GE) 사이에 게이트 커팅 패턴(CT)이 개재될 수 있다. 다시 말하면, 제1 방향(D1)으로 연장되는 게이트 전극(GE)이 게이트 커팅 패턴들(CT)에 의해 복수개의 게이트 전극들(GE)로 분리될 수 있다.
게이트 전극(GE)의 제4 부분(PO4)의 양 측벽들 상에 한 쌍의 게이트 스페이서들(GS)이 각각 배치될 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)은 게이트 전극(GE)을 따라 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)의 상면들은 게이트 전극(GE)의 상면보다 높을 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)의 상면들은 후술할 제1 층간 절연막(110)의 상면과 공면을 이룰 수 있다. 일 실시예로, 게이트 스페이서들(GS)은 SiCN, SiCON 및 SiN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 게이트 스페이서들(GS)은 SiCN, SiCON 및 SiN 중 적어도 두 개로 이루어진 다중 막(multi-layer)을 포함할 수 있다. 예를 들어 도 7a에 나타난 바와 같이, 게이트 스페이서(GS)는 제1 스페이서(GS1) 및 제2 스페이서(GS2)를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE) 상에 게이트 캐핑 패턴(GP)이 제공될 수 있다. 게이트 캐핑 패턴(GP)은 게이트 전극(GE)을 따라 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 게이트 캐핑 패턴(GP)은 후술하는 제1 및 제2 층간 절연막들(110, 120)에 대하여 식각 선택성이 있는 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 게이트 캐핑 패턴(GP)은 SiON, SiCN, SiCON 및 SiN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE)과 제1 채널 패턴(CH1) 사이 및 게이트 전극(GE)과 제2 채널 패턴(CH2) 사이에 게이트 절연막(GI)이 개재될 수 있다. 게이트 절연막(GI)은, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각의 상면(TS), 바닥면(BS) 및 양 측벽들(SW)을 덮을 수 있다. 게이트 절연막(GI)은, 게이트 전극(GE) 아래의 소자 분리막(ST)의 상면을 덮을 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 게이트 절연막(GI)은 실리콘 산화막, 실리콘 산화질화막 및/또는 고유전막을 포함할 수 있다. 상기 고유전막은, 실리콘 산화막보다 유전상수가 높은 고유전율 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 고유전율 물질은 하프늄 산화물, 하프늄 실리콘 산화물, 하프늄 지르코늄 산화물, 하프늄 탄탈 산화물, 란탄 산화물, 지르코늄 산화물, 지르코늄 실리콘 산화물, 탄탈 산화물, 티타늄 산화물, 바륨 스트론튬 티타늄 산화물, 바륨 티타늄 산화물, 스트론튬 티타늄 산화물, 리튬 산화물, 알루미늄 산화물, 납 스칸듐 탄탈 산화물, 및 납 아연 니오브산염 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 본 발명의 반도체 소자는 네거티브 커패시터(Negative Capacitor)를 이용한 NC(Negative Capacitance) FET을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(GI)은 강유전체 특성을 갖는 강유전체 물질막과, 상유전체 특성을 갖는 상유전체 물질막을 포함할 수 있다.
강유전체 물질막은 음의 커패시턴스를 가질 수 있고, 상유전체 물질막은 양의 커패시턴스를 가질 수 있다. 예를 들어, 두 개 이상의 커패시터가 직렬 연결되고, 각각의 커패시터의 커패시턴스가 양의 값을 가질 경우, 전체 커패시턴스는 각각의 개별 커패시터의 커패시턴스보다 감소하게 된다. 반면, 직렬 연결된 두 개 이상의 커패시터의 커패시턴스 중 적어도 하나가 음의 값을 가질 경우, 전체 커패시턴스는 양의 값을 가지면서 각각의 개별 커패시턴스의 절대값보다 클 수 있다.
음의 커패시턴스를 갖는 강유전체 물질막과, 양의 커패시턴스를 갖는 상유전체 물질막이 직렬로 연결될 경우, 직렬로 연결된 강유전체 물질막 및 상유전체 물질막의 전체적인 커패시턴스 값은 증가할 수 있다. 전체적인 커패시턴스 값이 증가하는 것을 이용하여, 강유전체 물질막을 포함하는 트랜지스터는 상온에서 60 mV/decade 미만의 문턱전압이하 스윙(subthreshold swing(SS))을 가질 수 있다.
강유전체 물질막은 강유전체 특성을 가질 수 있다. 강유전체 물질막은 예를 들어, 하프늄 산화물(hafnium oxide), 하프늄 지르코늄 산화물(hafnium zirconium oxide), 바륨 스트론튬 티타늄 산화물(barium strontium titanium oxide), 바륨 티타늄 산화물(barium titanium oxide) 및 납 지르코늄 티타늄 산화물(lead zirconium titanium oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기에서, 일 예로, 하프늄 지르코늄 산화물(hafnium zirconium oxide)은 하프늄 산화물(hafnium oxide)에 지르코늄(Zr)이 도핑된 물질일 수 있다. 다른 예로, 하프늄 지르코늄 산화물(hafnium zirconium oxide)은 하프늄(Hf)과 지르코늄(Zr)과 산소(O)의 화합물일 수도 있다.
강유전체 물질막은 도핑된 도펀트를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도펀트는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 란타넘(La), 이트륨(Y), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 칼슘(Ca), 세륨(Ce), 디스프로슘(Dy), 어븀(Er), 가돌리늄(Gd), 저마늄(Ge), 스칸듐(Sc), 스트론튬(Sr) 및 주석(Sn) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 강유전체 물질막이 어떤 강유전체 물질을 포함하냐에 따라, 강유전체 물질막에 포함된 도펀트의 종류는 달라질 수 있다.
강유전체 물질막이 하프늄 산화물을 포함할 경우, 강유전체 물질막에 포함된 도펀트는 예를 들어, 가돌리늄(Gd), 실리콘(Si), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al) 및 이트륨(Y) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도펀트가 알루미늄(Al)일 경우, 강유전체 물질막은 3 내지 8 at%(atomic %)의 알루미늄을 포함할 수 있다. 여기에서, 도펀트의 비율은 하프늄 및 알루미늄의 합에 대한 알루미늄의 비율일 수 있다.
도펀트가 실리콘(Si)일 경우, 강유전체 물질막은 2 내지 10 at%의 실리콘을 포함할 수 있다. 도펀트가 이트륨(Y)일 경우, 강유전체 물질막은 2 내지 10 at%의 이트륨을 포함할 수 있다. 도펀트가 가돌리늄(Gd)일 경우, 강유전체 물질막은 1 내지 7 at%의 가돌리늄을 포함할 수 있다. 도펀트가 지르코늄(Zr)일 경우, 강유전체 물질막은 50 내지 80 at%의 지르코늄을 포함할 수 있다.
상유전체 물질막은 상유전체 특성을 가질 수 있다. 상유전체 물질막은 예를 들어, 실리콘 산화물(silicon oxide) 및 고유전율을 갖는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상유전체 물질막에 포함된 금속 산화물은 예를 들어, 하프늄 산화물(hafnium oxide), 지르코늄 산화물(zirconium oxide) 및 알루미늄 산화물(aluminum oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
강유전체 물질막 및 상유전체 물질막은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 강유전체 물질막은 강유전체 특성을 갖지만, 상유전체 물질막은 강유전체 특성을 갖지 않을 수 있다. 예를 들어, 강유전체 물질막 및 상유전체 물질막이 하프늄 산화물을 포함할 경우, 강유전체 물질막에 포함된 하프늄 산화물의 결정 구조는 상유전체 물질막에 포함된 하프늄 산화물의 결정 구조와 다르다.
강유전체 물질막은 강유전체 특성을 갖는 두께를 가질 수 있다. 강유전체 물질막의 두께는 예를 들어, 0.5 내지 10nm 일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 각각의 강유전체 물질마다 강유전체 특성을 나타내는 임계 두께가 달라질 수 있으므로, 강유전체 물질막의 두께는 강유전체 물질에 따라 달라질 수 있다.
일 예로, 게이트 절연막(GI)은 하나의 강유전체 물질막을 포함할 수 있다. 다른 예로, 게이트 절연막(GI)은 서로 간에 이격된 복수의 강유전체 물질막을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 복수의 강유전체 물질막과, 복수의 상유전체 물질막이 교대로 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다.
게이트 전극(GE)은, 제1 금속 패턴, 및 상기 제1 금속 패턴 상의 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다. 제1 금속 패턴은 게이트 절연막(GI) 상에 제공되어, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)에 인접할 수 있다. 제1 금속 패턴은 트랜지스터의 문턱 전압을 조절하는 일함수 금속을 포함할 수 있다. 제1 금속 패턴의 두께 및 조성을 조절하여, 트랜지스터의 목적하는 문턱 전압을 달성할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)은 일함수 금속인 제1 금속 패턴으로 구성될 수 있다.
제1 금속 패턴은 금속 질화막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 패턴은 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 알루미늄(Al), 텅스텐(W) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 및 질소(N)를 포함할 수 있다. 나아가, 제1 금속 패턴은 탄소(C)를 더 포함할 수도 있다. 제1 금속 패턴은, 적층된 복수개의 일함수 금속막들을 포함할 수 있다.
제2 금속 패턴은 제1 금속 패턴에 비해 저항이 낮은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 금속 패턴은 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 탄탈(Ta)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)의 제4 부분(PO4)은 제1 금속 패턴 및 제1 금속 패턴 상의 제2 금속 패턴을 포함할 수 있다.
도 6b를 다시 참조하면, 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 내측 스페이서들(IP)이 제공될 수 있다. 다시 말하면, 제2 활성 패턴(AP2) 상에 내측 스페이서들(IP)이 제공될 수 있다. 내측 스페이서들(IP)은, 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3)과 제2 소스/드레인 패턴(SD2) 사이에 각각 개재될 수 있다. 내측 스페이서들(IP)은 제2 소스/드레인 패턴(SD2)과 직접 접촉할 수 있다. 게이트 전극(GE)의 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3) 각각은, 내측 스페이서(IP)에 의해 제2 소스/드레인 패턴(SD2)과 이격될 수 있다.
기판(100) 상에 제1 층간 절연막(110)이 제공될 수 있다. 제1 층간 절연막(110)은 게이트 스페이서들(GS) 및 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)을 덮을 수 있다. 제1 층간 절연막(110)의 상면은, 게이트 캐핑 패턴(GP)의 상면 및 게이트 스페이서(GS)의 상면과 실질적으로 공면을 이룰 수 있다. 제1 층간 절연막(110) 상에, 게이트 캐핑 패턴(GP)을 덮는 제2 층간 절연막(120)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연막(120) 상에 제3 층간 절연막(130)이 제공될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 상에 제4 층간 절연막(140)이 제공될 수 있다. 일 예로, 제1 내지 제4 층간 절연막들(110-140)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 양 측에 제2 방향(D2)으로 서로 대향하는 한 쌍의 분리 구조체들(DB)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 한 쌍의 분리 구조체들(DB)은 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제1 및 제2 경계들(BD1, BD2) 상에 각각 제공될 수 있다. 분리 구조체(DB)는 제1 방향(D1)으로 게이트 전극들(GE)과 평행하게 연장될 수 있다. 분리 구조체(DB)와 그에 인접하는 게이트 전극(GE)간의 피치는 상기 제1 피치와 동일할 수 있다.
분리 구조체(DB)는 제1 및 제2 층간 절연막들(110, 120)을 관통하여, 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 내부로 연장될 수 있다. 분리 구조체(DB)는 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 각각의 상부를 관통할 수 있다. 분리 구조체(DB)는, 제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 활성 영역을 인접하는 다른 셀의 활성 영역으로부터 전기적으로 분리시킬 수 있다.
제1 및 제2 층간 절연막들(110, 120)을 관통하여 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)과 각각 전기적으로 연결되는 활성 콘택들(AC)이 제공될 수 있다. 한 쌍의 활성 콘택들(AC)이, 게이트 전극(GE)의 양 측에 각각 제공될 수 있다. 평면적 관점에서, 활성 콘택(AC)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 바 형태를 가질 수 있다.
활성 콘택(AC)은 자기 정렬된 콘택(self-aligned conatact)일 수 있다. 다시 말하면, 활성 콘택(AC)은 게이트 캐핑 패턴(GP) 및 게이트 스페이서(GS)를 이용하여 자기 정렬적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성 콘택(AC)은 게이트 스페이서(GS)의 측벽의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 도시되진 않았지만, 활성 콘택(AC)은, 게이트 캐핑 패턴(GP)의 상면의 일부를 덮을 수 있다.
활성 콘택(AC)과 제1 소스/드레인 패턴(SD1) 사이, 및 활성 콘택(AC)과 제2 소스/드레인 패턴(SD2) 사이 각각에 금속-반도체 화합물 층(SC), 예를 들어 실리사이드 층이 각각 개재될 수 있다. 활성 콘택(AC)은, 금속-반도체 화합물 층(SC)을 통해 소스/드레인 패턴(SD1, SD2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 금속-반도체 화합물 층(SC)은 티타늄-실리사이드, 탄탈륨-실리사이드, 텅스텐-실리사이드, 니켈-실리사이드, 및 코발트-실리사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 6c를 다시 참조하면, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 적어도 하나의 활성 콘택(AC)은, 제1 PMOSFET 영역(PR1)의 제1 소스/드레인 패턴(SD1)과 제1 NMOSFET 영역(NR1)의 제2 소스/드레인 패턴(SD2)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 활성 콘택(AC)은, 제1 NMOSFET 영역(NR1)의 제2 소스/드레인 패턴(SD2)으로부터 제1 PMOSFET 영역(PR1)의 제1 소스/드레인 패턴(SD1)까지 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
제2 층간 절연막(120) 및 게이트 캐핑 패턴(GP)을 관통하여 게이트 전극들(GE)과 각각 전기적으로 연결되는 게이트 콘택들(GC)이 제공될 수 있다. 평면적 관점에서, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 두 개의 게이트 콘택들(GC)은 제1 PMOSFET 영역(PR1) 상에 중첩되게 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 두 개의 게이트 콘택들(GC)은 제1 활성 패턴(AP1) 상에 제공될 수 있다 (도 6a 참조). 평면적 관점에서, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 한 개의 게이트 콘택(GC)은 제1 NMOSFET 영역(NR1) 상에 중첩되게 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1) 상의 한 개의 게이트 콘택(GC)은 제2 활성 패턴(AP2) 상에 제공될 수 있다 (도 6b 참조).
게이트 콘택(GC)은, 게이트 전극(GE) 상에서 위치의 제한 없이 자유롭게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 싱글 하이트 셀(SHC2) 상의 게이트 콘택들(GC)은, 제2 PMOSFET 영역(PR2), 제2 NMOSFET 영역(NR2) 및 트렌치(TR)를 채우는 소자 분리막(ST) 상에 각각 배치될 수 있다 (도 5 참조).
본 발명의 일 실시예로, 도 6a 및 도 6c를 참조하면, 게이트 콘택(GC)에 인접하는 활성 콘택(AC)의 상부는 상부 절연 패턴(UIP)으로 채워질 수 있다. 상부 절연 패턴(UIP)의 바닥면은 게이트 콘택(GC)의 바닥면보다 더 낮을 수 있다. 다시 말하면, 게이트 콘택(GC)에 인접하는 활성 콘택(AC)의 상면은, 상부 절연 패턴(UIP)에 의해 게이트 콘택(GC)의 바닥면보다 더 낮게 내려올 수 있다. 이로써, 게이트 콘택(GC)이 그와 인접하는 활성 콘택(AC)과 접촉하여 쇼트가 발생하는 문제를 방지할 수 있다.
활성 콘택(AC) 및 게이트 콘택(GC) 각각은, 도전 패턴(FM) 및 도전 패턴(FM)을 감싸는 배리어 패턴(BM)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(FM)은 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브데늄 및 코발트 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 배리어 패턴(BM)은 도전 패턴(FM)의 측벽들 및 바닥면을 덮을 수 있다. 배리어 패턴(BM)은 금속막/금속 질화막을 포함할 수 있다. 상기 금속막은 티타늄, 탄탈륨, 텅스텐, 니켈, 코발트 및 백금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 질화막은 티타늄 질화막(TiN), 탄탈륨 질화막(TaN), 텅스텐 질화막(WN), 니켈 질화막(NiN), 코발트 질화막(CoN) 및 백금 질화막(PtN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제3 층간 절연막(130) 내에 제1 금속 층(M1)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 층(M1)은 제1 파워 배선(M1_R1), 제2 파워 배선(M1_R2), 제3 파워 배선(M1_R3) 및 제1 배선들(M1_I)을 포함할 수 있다. 제1 금속 층(M1)의 배선들(M1_R1, M1_R2, M1_R3, M1_I) 각각은 제2 방향(D2)으로 서로 평행하게 연장될 수 있다.
구체적으로, 제1 및 제2 파워 배선들(M1_R1, M1_R2)은 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상에 각각 제공될 수 있다. 제1 파워 배선(M1_R1)은 제3 경계(BD3)를 따라 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 제2 파워 배선(M1_R2)은 제4 경계(BD4)를 따라 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다.
제1 금속 층(M1)의 제1 배선들(M1_I)은 제2 피치로 제1 방향(D1)을 따라 배열될 수 있다. 상기 제2 피치는 상기 제1 피치보다 작을 수 있다. 제1 배선들(M1_I) 각각의 선폭은, 제1 내지 제3 파워 배선들(M1_R1, M1_R2, M1_R3) 각각의 선폭보다 작을 수 있다.
제1 금속 층(M1)은, 제1 비아들(VI1)을 더 포함할 수 있다. 제1 비아들(VI1)은 제1 금속 층(M1)의 배선들(M1_R1, M1_R2, M1_R3, M1_I) 아래에 각각 제공될 수 있다. 제1 비아(VI1)를 통해 활성 콘택(AC)과 제1 금속 층(M1)의 배선이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 비아(VI1)를 통해 게이트 콘택(GC)과 제1 금속 층(M1)의 배선이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 금속 층(M1)의 배선과 그 아래의 제1 비아(VI1)는 서로 각각 별도의 공정으로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 제1 금속 층(M1)의 배선 및 제1 비아(VI1) 각각은 싱글 다마신 공정으로 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 반도체 소자는, 20 nm 미만의 공정을 이용하여 형성된 것일 수 있다.
제4 층간 절연막(140) 내에 제2 금속 층(M2)이 제공될 수 있다. 제2 금속 층(M2)은 복수개의 제2 배선들(M2_I)을 포함할 수 있다. 제2 금속 층(M2)의 제2 배선들(M2_I) 각각은 제1 방향(D1)으로 연장되는 라인 형태 또는 바 형태를 가질 수 있다. 다시 말하면, 제2 배선들(M2_I)은 제1 방향(D1)으로 서로 평행하게 연장될 수 있다.
제2 금속 층(M2)은, 제2 배선들(M2_I) 아래에 각각 제공된 제2 비아들(VI2)을 더 포함할 수 있다. 제2 비아(VI2)를 통해 제1 금속 층(M1)의 배선과 제2 금속 층(M2)의 배선이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예로, 제2 금속 층(M2)의 배선과 그 아래의 제2 비아(VI2)는 듀얼 다마신 공정으로 함께 형성될 수 있다.
제1 금속 층(M1)의 배선과 제2 금속 층(M2)의 배선은 서로 동일하거나 다른 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 금속 층(M1)의 배선과 제2 금속 층(M2)의 배선은, 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브데늄, 루테늄 및 코발트 중에서 선택된 적어도 하나의 금속 물질을 포함할 수 있다. 도시되진 않았지만, 제4 층간 절연막(140) 상에 적층된 금속 층들(예를 들어, M3, M4, M5...)이 추가로 배치될 수 있다. 상기 적층된 금속 층들 각각은 셀들간의 라우팅을 위한 배선들을 포함할 수 있다.
도 7a, 도 8a, 및 도 9a는 각각 제1 반도체 칩, 제2 반도체 칩 및 제3 반도체 칩의 로직 셀에서 도 6a의 M 영역에 대응되는 실시예를 나타낸 확대도들이다. 도 7b, 도 8b 및 도 9b는 각각 도 7a, 도 8a, 및 도 9a에서 II-II’선을 따라 제3 방향으로 갈수록 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 저마늄 및 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프들이다. 도 10a는 본 발명의 일 실시예에서, 도 1에서 I-I’선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 저마늄의 농도 분포를 나타낸 그래프이다. 도 10b는 본 발명의 일 실시예에서, 도 1에서 I-I’선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 7a를 참조하여, 제1 내지 제3 반도체 칩들(A, B, C)을 대표하여 제1 반도체 칩(A)에서의 제1 소스/드레인 패턴(SD1)에 대해 보다 상세히 설명한다. 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 버퍼층(BFL)은, 제1 반도체 층(SEL1), 및 제2 반도체 층(SEL2)을 포함할 수 있다.
제1 반도체 층(SEL1)은 제1 리세스(RS1)의 내측벽과 직접 접촉할 수 있다. 제2 반도체 층(SEL2)은 제1 반도체 층(SEL1)과 후술할 제3 반도체 층(SEL3) 사이에 개재될 수 있다.
버퍼층(BFL)의 제1 반도체 층(SEL1), 및 제2 반도체 층(SEL2)은 모두 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 그러나 이들의 저마늄(Ge)의 농도는 서로 다를 수 있다. 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 0 at% 내지 10 at%일 수 있다. 보다 구체적으로, 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 2 at% 내지 8 at%일 수 있다.
제1 반도체 층(SEL1)의 저마늄(Ge)의 농도는 4 at% 내지 8 at%일 수 있다. 제2 반도체 층(SEL2)의 저마늄(Ge)의 농도는 제1 반도체 층(SEL1)의 저마늄(Ge)의 농도와 동일할 수 있다.
제1 반도체 층(SEL1)의 평균 두께는 약 3nm일 수 있다. 제2 반도체 층(SEL2)의 평균 두께는 제1 반도체 층(SEL1)의 평균 두께와 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 제1 반도체 층(SEL1)과 제2 반도체 층(SEL2)은 실질적으로 동일한 물질로 구성되어 구분되지 않을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로, 제2 반도체 층(SEL2)의 저마늄(Ge)의 농도는 제1 반도체 층(SEL1)의 저마늄(Ge)의 농도와 다를 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체 층(SEL2)의 저마늄(Ge)의 농도(8 at%)는 제1 반도체 층(SEL1)의 저마늄(Ge)의 농도(5 at%)보다 클 수 있다.
메인층(MAL)은 제2 반도체 층(SEL2) 상의 제3 반도체 층(SEL3), 제3 반도체 층(SEL3) 상의 제4 반도체 층(SEL4) 및 제4 반도체 층(SEL4)의 표면을 콘포멀하게 덮는 제5 반도체 층(SEL5)을 포함할 수 있다.
메인층(MAL)의 제3 반도체 층(SEL3), 및 제4 반도체 층(SEL4)은 모두 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 그러나 이들의 저마늄(Ge)의 농도는 서로 다를 수 있다.
제5 반도체 층(SEL5)은 제4 반도체 층(SEL4)의 노출된 표면을 덮으며 이를 보호하는 캐핑층일 수 있다. 제5 반도체 층(SEL5)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 제5 반도체 층(SEL5)은 제4 반도체 층(SEL4)으로부터 확산된 미량의 저마늄(Ge)을 함유할 수도 있다. 제5 반도체 층(SEL5)의 실리콘(Si)의 농도는 98 at% 내지 100 at%일 수 있다.
제2 반도체 칩(B) 및 제3 반도체 칩들(C)에 포함된 제1 소스/드레인 패턴(SD1)의 구조 및 구성은 제3 및 제4 반도체 층(SEL4)들의 농도 분포를 제외하고는 제1 반도체 칩(A)과 실질적으로 동일할 수 있다(도 8a 및 도 9a 참조). 이하, 도 7b, 도 8b, 및 도 9b를 참조하여, 제1 내지 제3 반도체 칩들(A, B, C) 각각에서 저마늄(Ge)과 불순물의 농도 분포에 대해 상세히 설명한다.
도 1 및 도 7b를 참조하면, 제1 반도체 칩(A)의 메인층(MAL)에서 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 서로 다를 수 있다. 제1 반도체 칩(A)의 메인층(MAL)에서 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도도 서로 다를 수 있다. 제3 반도체 층(SEL3)은 제1 저마늄 농도(Ge1)와 제1 불순물 농도(B1)를 가질 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)은 제2 저마늄 농도(Ge2)와 제2 불순물 농도(B2)를 가질 수 있다.
제1 저마늄 농도(Ge1)는 제2 저마늄 농도(Ge2)보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 제1 저마늄 농도(Ge1)는 40 at% 내지 70 at%이고, 제2 저마늄 농도(Ge2)는 30 at% 내지 60 at%일 수 있다.
제1 불순물 농도(B1)는 제2 불순물 농도(B2)보다 더 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 불순물 농도(B1)는 1E18 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm3이고, 제2 불순물 농도(B2)는 1E21 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3일 수 있다.
기판(100)의 센터 영역(CR)에 배치되는 제1 반도체 칩들(A)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도보다 더 클 수 있고, 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도보다 더 작을 수 있다.
일 예로, 제3 반도체 층(SEL3) 내부에서 제3 방향(D3)으로 가면서 제1 저마늄 농도(Ge1)가 일정할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4) 내부에서 제3 방향(D3)으로 가면서 제2 저마늄 농도(Ge2)가 일정할 수 있다. 다른 예로, 제3 반도체 층(SEL3) 내부에서 제3 방향(D3)으로 갈수록 제1 저마늄 농도(Ge1)가 미세하게 증가할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4) 내부에서 제3 방향(D3)으로 가면서 제2 저마늄 농도(Ge2)가 미세하게 증가할 수도 있다.
제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 경계면(ITF)에서 저마늄(Ge)과 불순물의 농도가 급격하게 변할 수 있다. 예를 들어, 상기 경계면(ITF)에서 제3 방향(D3)으로 갈수록 제1 저마늄 농도(Ge1)에서 제2 저마늄 농도(Ge2)로 저마늄(Ge) 농도가 급격하게 감소할 수 있다. 예를 들어, 상기 경계면(ITF)에서 제3 방향(D3)으로 갈수록 제1 불순물 농도(B1)에서 제2 불순물 농도(B2)로 불순물 농도가 급격하게 증가할 수 있다. 상기 경계면(ITF)에서의 저마늄(Ge) 및 불순물의 농도 분포는 제3 및 제4 반도체 층(SEL4)들 사이의 경계면(ITF)에서의 저마늄(Ge) 및 불순물의 확산에 의한 것으로, 연속적인 분포를 가질 수 있다.
제1 반도체 칩(A)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)은 제1 평균 저마늄 농도(EGe1) 및 제1 평균 불순물 농도(EB1)를 가질 수 있다. 일 예로, 제1 평균 저마늄 농도(EGe1)는 제1 저마늄 농도(Ge1)와 제2 저마늄 농도(Ge2)의 평균값일 수 있다. 일 예로, 제1 평균 불순물 농도(EB1)는 제1 불순물 농도(B1)와 제2 불순물 농도(B2)의 평균값일 수 있다.
도 1, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 제2 반도체 칩(B)의 메인층(MAL)에서 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 서로 동일할 수 있다. 제2 반도체 칩(B)의 메인층(MAL)에서 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도는 서로 동일할 수 있다.
예를 들어, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 40 at% 내지 60 at%일 수 있다. 예를 들어, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도는 1E20 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm3일 수 있다.
기판(100)의 미들 영역(MR)에 배치되는 제2 반도체 칩들(B)의 경우, 메인층(MAL)에서 II-II’선을 따라 제3 방향(D3)으로 가면서 저마늄(Ge) 농도와 불순물 농도가 일정하게 유지될 수 있다.
제2 반도체 칩(B)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)은 제2 평균 저마늄 농도(EGe2) 및 제2 평균 불순물 농도(EB2)를 가질 수 있다. 제2 평균 저마늄 농도(EGe2)는 제1 평균 저마늄 농도(EGe1)와 동일할 수 있다. 제2 평균 불순물 농도(EB2)는 제1 평균 불순물 농도(EB1)와 동일할 수 있다. 본 명세서에서 동일하다는 것은 제조 과정에서 발생할 수 있는 미세한 차이를 포함한다.
도 1, 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 제3 반도체 칩(C)의 메인층(MAL)에서 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 서로 다를 수 있다. 제3 반도체 층(SEL3)은 제3 저마늄 농도(Ge3)와 제3 불순물 농도(B3)를 가질 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)은 제4 저마늄 농도(Ge4)와 제4 불순물 농도(B4)를 가질 수 있다.
제3 저마늄 농도(Ge3)는 제4 저마늄 농도(Ge4)보다 더 작을 수 있다. 예를 들어, 제3 저마늄 농도(Ge3)는 30 at% 내지 60 at%이고, 제4 저마늄 농도(Ge4)는 40 at% 내지 70 at%일 수 있다.
제3 불순물 농도(B3)는 제4 불순물 농도(B4)보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 제3 불순물 농도(B3)는 1E21 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3이고, 제4 불순물 농도(B4)는 1E18 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm3 일 수 있다.
기판(100)의 엣지 영역(ER)에 배치되는 제3 반도체 칩들(C)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도보다 더 작을 수 있고, 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도보다 더 클 수 있다.
일 예로, 제3 반도체 층(SEL3) 내부에서 제3 방향(D3)으로 가면서 제3 저마늄 농도(Ge3)가 일정할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4) 내부에서 제3 방향(D3)으로 가면서 제4 저마늄 농도(Ge4)가 일정할 수 있다. 다른 예로, 제3 반도체 층(SEL3) 내부에서 제3 방향(D3)으로 갈수록 제3 저마늄 농도(Ge3)가 미세하게 증가할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4) 내부에서 제3 방향(D3)으로 가면서 제4 저마늄 농도(Ge4)가 미세하게 증가할 수도 있다.
제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 경계면(ITF)에서 저마늄(Ge)과 불순물의 농도가 급격하게 변할 수 있다. 예를 들어, 상기 경계면(ITF)에서 제3 방향(D3)으로 갈수록 제3 저마늄 농도(Ge3)에서 제4 저마늄 농도(Ge4)로 저마늄(Ge) 농도가 급격하게 증가할 수 있다. 예를 들어, 상기 경계면(ITF)에서 제3 방향(D3)으로 갈수록 제3 불순물 농도(B3)에서 제4 불순물 농도(B4)로 불순물 농도가 급격하게 감소할 수 있다.
제3 반도체 칩(C)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)은 제3 평균 저마늄 농도(EGe3) 및 제3 평균 불순물 농도(EB3)를 가질 수 있다. 제3 평균 저마늄 농도(EGe3)는 제3 저마늄 농도(Ge3)와 제4 저마늄 농도(Ge4)의 평균값일 수 있다. 제3 평균 불순물 농도(EB3)는 제3 불순물 농도(B3)와 제4 불순물 농도(B4)의 평균값일 수 있다. 제3 평균 저마늄 농도(EGe3)는 제1 평균 저마늄 농도(EGe1) 및 제2 평균 저마늄 농도(EGe2)와 동일할 수 있다. 제3 평균 불순물 농도(EB3)는 제1 평균 불순물 농도(EB1) 및 제2 평균 불순물 농도(EB2)와 동일할 수 있다.
도 1 및 도 10a를 참조하면, 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄 농도(SEG3Ge)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최대값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최소값을 가질 수 있다. 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄 농도(SEG3Ge)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 감소할 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 반도체 칩을 구성하는 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄 농도(SEG3Ge)가 연속적으로 감소할 수 있다.
제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄 농도(SEG4Ge)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최소값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최대값을 가질 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄 농도(SEG4Ge)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 증가할 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 반도체 칩을 구성하는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄 농도(SEG4Ge)가 연속적으로 증가할 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3) 및 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 저마늄 농도(MALGe)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 가면서 일정하게 유지될 수 있다. 다시 말해, 센터 영역(CR)에서의 제1 평균 저마늄 농도(EGe1), 미들 영역(MR)에서의 제2 평균 저마늄 농도(EGe2) 및 엣지 영역(ER)에서의 제3 평균 저마늄 농도(EGe3)는 모두 동일할 수 있다.
도 1 및 도 10b를 참조하면, 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도(SEG3B)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최소값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최대값을 가질 수 있다. 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도(SEG3B)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 증가할 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 반도체 칩을 구성하는 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도(SEG3B)가 연속적으로 증가할 수 있다.
제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도(SEG4B)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최대값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최소값을 가질 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도(SEG4B)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 감소할 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 반도체 칩을 구성하는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도(SEG4B)가 연속적으로 감소할 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3) 및 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 불순물 농도(MALB)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 가면서 일정하게 유지될 수 있다. 다시 말해, 센터 영역(CR)에서의 제1 평균 불순물 농도(EB1), 미들 영역(MR)에서의 제2 평균 불순물 농도(EB2) 및 엣지 영역(ER)에서의 제3 평균 불순물 농도(EB3)는 모두 동일할 수 있다.
도 22는 본 발명의 비교예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 것으로, 도 6a의 M 영역의 확대도에 대응한다. 도 23은 본 발명의 일 비교예에서 도 1에서 I-I’ 선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 메인층에서의 저마늄 및 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프이다. 이하, 도 1 내지 도 6을 통해 설명한 것과 실질적으로 동일한 부분을 제외하고 차이점에 대해 구체적으로 설명한다.
도 1, 도 22 및 도 23을 참조하면, 본 발명의 일 비교예에서는 메인층(MAL)에 제4 반도체 층(SEL4)이 제공되지 않을 수 있다. 즉, 일 비교예에서, 메인층(MAL)은 제3 반도체 층(SEL3) 및 제5 반도체 층으로 구성될 수 있다.
일 비교예에서, 메인층(MAL)의 저마늄 농도(MALGe)는 센터 영역(CR)과 엣지 영역(ER)에서 서로 다를 수 있다. 메인층(MAL)의 불순물 농도(MALB)도 센터 영역(CR)과 엣지 영역(ER)에서 서로 다를 수 있다.
일 예로, 메인층(MAL)의 저마늄 농도(MALGe)는 센터 영역(CR)에서 최대값을 갖고, 엣지 영역(ER)에서 최소값을 가질 수 있다. 이 경우, 메인층(MAL)의 불순물 농도(MALB)는 센터 영역(CR)에서 최소값을 갖고, 엣지 영역(ER)에서 최대값을 가질 수 있다.
다른 예로, 도면에 도시된 바와 달리, 메인층(MAL)의 저마늄 농도(MALGe)는 센터 영역(CR)에서 최소값을 갖고, 엣지 영역(ER)에서 최대값을 가질 수 있다. 이 경우, 메인층(MAL)의 불순물 농도(MALB)는 센터 영역(CR)에서 최대값을 갖고, 엣지 영역(ER)에서 최소값을 가질 수 있다.
이에 따라, 비교예의 경우 기판(100)의 센터 영역(CR)에서 형성되는 반도체 소자와 기판(100)의 엣지 영역(ER)에서 형성되는 반도체 소자의 전기적 성능이 서로 다를 수 있고, 센터 영역(CR) 또는 엣지 영역(ER) 중 어느 한 영역에 배치된 반도체 소자의 전기적 특성이 저하될 수 있다.
반면, 본 발명의 실시예에 따르면, 비교예와 달리 제3 반도체 층(SEL3) 상에 제4 반도체 층(SEL4)이 제공될 수 있다. 센터 영역(CR), 미들 영역(MR), 및 엣지 영역(ER)에서의 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 및 불순물의 농도 분포는 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 및 불순물의 농도 분포와 경향성이 다를 수 있다. 본 발명의 실시예의 경우 메인층의 평균 저마늄(Ge) 농도와 평균 불순물 농도는 센터 영역(CR), 미들 영역(MR), 및 엣지 영역(ER)에서 동일하게 유지될 수 있다.
이에 따라, 기판(100)의 센터 영역(CR)에서 엣지 영역(ER)까지 기판(100) 상의 모든 영역 상에 형성되는 반도체 소자들의 전기적 성능을 일정하게 유지할 수 있고, 기판(100) 상에 형성되는 반도체 소자들의 전기적 특성이 향상될 수 있다.
도 11a 내지 도 17d는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 구체적으로, 도 11a, 도 12a, 도 13a, 도 14a, 도 15a, 도 16a 및 도 17a는 도 5의 A-A'선에 대응하는 단면도들이다. 도 13b, 도 14b, 도 15b, 도 16b, 및 도 17b는 도 5의 B-B'선에 대응하는 단면도들이다. 도 13c, 도 14c, 15c, 도 16c, 및 도 17c는 도 5의 C-C'선에 대응하는 단면도들이다. 도 13d, 도 14d, 도 15d, 도 16d, 및 도 17d는 도 5의 D-D'선에 대응하는 단면도들이다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 및 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2)을 포함하는 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100) 상에 서로 교번적으로 적층된 활성층들(ACL) 및 희생층들(SAL)이 형성될 수 있다. 활성층들(ACL)은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 및 실리콘-저마늄(SiGe) 중 하나를 포함할 수 있고, 희생층들(SAL)은 실리콘(Si), 저마늄(Ge) 및 실리콘-저마늄(SiGe) 중 다른 하나를 포함할 수 있다.
희생층(SAL)은 활성층(ACL)에 대해 식각 선택비를 가질 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 활성층들(ACL)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있고, 희생층들(SAL)은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 희생층들(SAL) 각각의 저마늄(Ge)의 농도는 10 at% 내지 30 at%일 수 있다.
기판(100)의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 및 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 마스크 패턴들이 각각 형성될 수 있다. 상기 마스크 패턴은 제2 방향(D2)으로 연장되는 라인 형태 또는 바(bar) 형태를 가질 수 있다.
상기 마스크 패턴들을 식각 마스크로 패터닝 공정을 수행하여, 제1 활성 패턴(AP1) 및 제2 활성 패턴(AP2)을 정의하는 트렌치(TR)가 형성될 수 있다. 제1 활성 패턴(AP1)은 각각의 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 상에 형성될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2)은 각각의 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상에 형성될 수 있다.
각각의 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 상에 적층 패턴(STP)이 형성될 수 있다. 적층 패턴(STP)은 서로 교번적으로 적층된 활성층들(ACL) 및 희생층들(SAL)을 포함할 수 있다. 적층 패턴(STP)은 상기 패터닝 공정 동안 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2)과 함께 형성될 수 있다.
트렌치(TR)를 채우는 소자 분리막(ST)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판(100)의 전면 상에 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 및 적층 패턴들(STP)을 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 적층 패턴들(STP)이 노출될 때까지 상기 절연막을 리세스하여, 소자 분리막(ST)이 형성될 수 있다.
소자 분리막(ST)은, 실리콘 산화막 같은 절연 물질을 포함할 수 있다. 적층 패턴들(STP)은 소자 분리막(ST) 위로 노출될 수 있다. 다시 말하면, 적층 패턴들(STP)은 소자 분리막(ST) 위로 수직하게 돌출될 수 있다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 기판(100) 상에 적층 패턴들(STP)을 가로지르는 희생 패턴들(PP)이 형성될 수 있다. 각각의 희생 패턴들(PP)은 제1 방향(D1)으로 연장되는 라인 형태(line shape) 또는 바 형태(bar shape)로 형성될 수 있다. 희생 패턴들(PP)은 제1 피치로 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
구체적으로 희생 패턴들(PP)을 형성하는 것은, 기판(100)의 전면 상에 희생막을 형성하는 것, 상기 희생막 상에 하드 마스크 패턴들(MP)을 형성하는 것, 및 하드 마스크 패턴들(MP)을 식각 마스크로 상기 희생막을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 상기 희생막은 폴리실리콘을 포함할 수 있다.
희생 패턴들(PP) 각각의 양 측벽들 상에 한 쌍의 게이트 스페이서들(GS)이 형성될 수 있다. 게이트 스페이서들(GS)을 형성하는 것은, 기판(100)의 전면 상에 게이트 스페이서막을 콘포멀하게 형성하는 것, 및 상기 게이트 스페이서막을 이방성 식각하는 것을 포함할 수 있다. 앞서 도 7a을 참조하여 설명한 바와 같이, 게이트 스페이서(GS)는 제1 스페이서(GS1) 및 제2 스페이서(GS2)를 포함하는 다중 막(multi-layer)일 수 있다.
도 13a 내지 도 13d를 참조하면, 제1 활성 패턴(AP1) 상의 적층 패턴(STP) 내에 제1 리세스들(RS1)이 형성될 수 있다. 제2 활성 패턴(AP2) 상의 적층 패턴(STP) 내에 제2 리세스들(RS2)이 형성될 수 있다. 제1 및 제2 리세스들(RS1, RS2)을 형성하는 동안, 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 각각의 양 측 상의 소자 분리막(ST)이 더 리세스될 수 있다 (도 13c 참고).
구체적으로, 하드 마스크 패턴들(MA) 및 게이트 스페이서들(GS)을 식각 마스크로 제1 활성 패턴(AP1) 상의 적층 패턴(STP)을 식각하여, 제1 리세스들(RS1)이 형성될 수 있다. 제1 리세스(RS1)는, 한 쌍의 희생 패턴들(PP) 사이에 형성될 수 있다. 제1 리세스(RS1)를 형성하는 것은, 노출된 희생층들(SAL)에 대한 선택적 식각 공정을 추가로 수행하는 것을 포함할 수 있다. 이로써 제1 리세스(RS1)는 물결 모양의 내측벽을 가질 수 있다.
제2 활성 패턴(AP2) 상의 적층 패턴(STP) 내의 제2 리세스들(RS2)은, 제1 리세스들(RS1)을 형성하는 것과 동일한 방법으로 형성될 수 있다. 단, 제2 리세스(RS2)를 형성하는 것은, 희생층(SAL)이 리세스된 영역 내에 내측 스페이서(IP)를 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 결과적으로 제2 리세스(RS2)의 내측벽은, 제1 리세스(RS1)의 내측벽과 같이 물결 모양을 갖지 않을 수 있다.
활성층들(ACL)로부터, 서로 인접하는 제1 리세스들(RS1) 사이에 순차적으로 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 각각 형성될 수 있다. 활성층들(ACL)로부터, 서로 인접하는 제2 리세스들(RS2) 사이에 순차적으로 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)이 각각 형성될 수 있다. 서로 인접하는 제1 리세스들(RS1) 사이의 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은, 제1 채널 패턴(CH1)을 구성할 수 있다. 서로 인접하는 제2 리세스들(RS2) 사이의 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은, 제2 채널 패턴(CH2)을 구성할 수 있다.
도 14a 내지 도 14d를 참조하면, 제1 리세스들(RS1) 내에 제1 소스/드레인 패턴들(SD1)이 각각 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 리세스(RS1)의 내측벽을 시드층(seed layer)으로 하는 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 버퍼층(BFL)이 형성될 수 있다. 버퍼층(BFL)은, 제1 리세스(RS1)에 의해 노출된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 및 기판(100)을 시드로 하여 성장될 수 있다. 일 예로, 상기 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정 또는 분자 빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy: MBE) 공정을 포함할 수 있다.
버퍼층(BFL)은 기판(100)의 반도체 원소의 격자 상수보다 큰 격자 상수를 갖는 반도체 원소(예를 들어, SiGe)를 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 상대적으로 저농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예로, 버퍼층(BFL)은 저마늄(Ge)을 제외한 실리콘(Si)만을 함유할 수도 있다. 버퍼층(BFL)의 저마늄(Ge)의 농도는 0 at% 내지 10 at%일 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 메인층(MAL)이 형성될 수 있다. 메인층(MAL)은 제1 리세스(RS1)를 완전히 채우도록 형성될 수 있다. 메인층(MAL)은 상대적으로 고농도의 저마늄(Ge)을 함유할 수 있다. 일 예로, 메인층(MAL)의 저마늄(Ge)의 농도는 30 at% 내지 70 at%일 수 있다.
버퍼층(BFL) 및 메인층(MAL)을 형성하는 동안, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)이 p형을 갖도록 하는 불순물(예를 들어, 보론, 갈륨 또는 인듐)이 인-시추(in-situ)로 주입될 수 있다. 다른 예로, 제1 소스/드레인 패턴(SD1)이 형성된 후 제1 소스/드레인 패턴(SD1)에 불순물이 주입될 수 있다.
제2 리세스들(RS2) 내에 제2 소스/드레인 패턴들(SD2)이 각각 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)은 제2 리세스(RS2)의 내측벽을 시드층으로 하는 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)은 기판(100)과 동일한 반도체 원소(예를 들어, Si)를 포함할 수 있다.
제2 소스/드레인 패턴(SD2)이 형성되는 동안, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)이 n형을 갖도록 하는 불순물(예를 들어, 인, 비소 또는 안티모니)이 인-시추(in-situ)로 주입될 수 있다. 다른 예로, 제2 소스/드레인 패턴(SD2)이 형성된 후 제2 소스/드레인 패턴(SD2)에 불순물이 주입될 수 있다.
도 15a 내지 도 15d를 참조하면, 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2), 하드 마스크 패턴들(MP) 및 게이트 스페이서들(GS)을 덮는 제1 층간 절연막(110)이 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 층간 절연막(110)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.
희생 패턴들(PP)의 상면들이 노출될 때까지 제1 층간 절연막(110)이 평탄화될 수 있다. 제1 층간 절연막(110)의 평탄화는 에치백(Etch Back) 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 상기 평탄화 공정 동안, 하드 마스크 패턴들(MP)은 모두 제거될 수 있다. 결과적으로, 제1 층간 절연막(110)의 상면은 희생 패턴들(PP)의 상면들 및 게이트 스페이서들(GS)의 상면들과 공면을 이룰 수 있다.
포토리소그래피를 이용하여, 희생 패턴(PP)의 일 영역을 선택적으로 오픈할 수 있다. 예를 들어, 제1 싱글 하이트 셀(SHC1)의 제3 및 제4 경계들(BD3, BD4) 상의 희생 패턴(PP)의 영역이 선택적으로 오픈될 수 있다. 오픈된 희생 패턴(PP)의 영역을 선택적으로 식각하여 제거할 수 있다. 희생 패턴(PP)이 제거된 공간에 절연 물질을 채워, 게이트 커팅 패턴(CT)이 형성될 수 있다.
도 16a 내지 도 16d를 참조하면, 노출된 희생 패턴들(PP)이 선택적으로 제거될 수 있다. 희생 패턴들(PP)이 제거됨으로써, 제1 및 제2 채널 패턴들(CH1, CH2)을 노출하는 외측 영역(ORG)이 형성될 수 있다 (도 16d 참조). 희생 패턴들(PP)을 제거하는 것은, 폴리실리콘을 선택적으로 식각하는 식각액을 이용한 습식 식각을 포함할 수 있다.
외측 영역(ORG)을 통해 노출된 희생층들(SAL)이 선택적으로 제거되어, 내측 영역들(IRG)이 형성될 수 있다 (도 16d 참조). 구체적으로, 희생층들(SAL)을 선택적으로 식각하는 식각 공정을 수행하여, 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)은 그대로 잔류시킨 채 희생층들(SAL)만을 제거할 수 있다. 상기 식각 공정은, 상대적으로 높은 저마늄(Ge) 농도를 갖는 실리콘-저마늄(Ge)에 대해 높은 식각률을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 식각 공정은 저마늄(Ge) 농도가 10 at%보다 큰 실리콘-저마늄(Ge)에 대해 높은 식각률을 가질 수 있다.
상기 식각 공정 동안 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 및 제1 및 제2 NMOSFET 영역들(NR1, NR2) 상의 희생층들(SAL)이 제거될 수 있다. 상기 식각 공정은 습식 식각일 수 있다. 상기 식각 공정에 사용되는 식각 물질은 상대적으로 높은 저마늄(Ge) 농도를 갖는 희생층(SAL)을 빠르게 제거할 수 있다. 한편, 제1 및 제2 PMOSFET 영역들(PR1, PR2) 상의 제1 소스/드레인 패턴(SD1)은, 상대적으로 낮은 저마늄(Ge)의 농도를 갖는 버퍼층(BFL)으로 인해 상기 식각 공정 동안 보호될 수 있다.
도 16d를 다시 참조하면, 희생층들(SAL)이 선택적으로 제거됨으로써, 각각의 제1 및 제2 활성 패턴들(AP1, AP2) 상에는 적층된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3)만이 잔류할 수 있다. 희생층들(SAL)이 제거된 영역들을 통해 제1 내지 제3 내측 영역들(IRG1, IRG2, IRG3)이 각각 형성될 수 있다.
구체적으로, 활성 패턴(AP1 또는 AP2)과 제1 반도체 패턴(SP1) 사이에 제1 내측 영역(IRG1)이 형성되고, 제1 반도체 패턴(SP1)과 제2 반도체 패턴(SP2) 사이에 제2 내측 영역(IRG2)이 형성되며, 제2 반도체 패턴(SP2)과 제3 반도체 패턴(SP3) 사이에 제3 내측 영역(IRG3)이 형성될 수 있다.
도 17a 내지 도 17d를 참조하면, 노출된 제1 내지 제3 반도체 패턴들(SP1, SP2, SP3) 상에 게이트 절연막(GI)이 콘포멀하게 형성될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에 게이트 전극(GE)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(GE)은, 제1 내지 제3 내측 영역들(IRG1, IRG2, IRG3) 내에 각각 형성되는 제1 내지 제3 부분들(PO1, PO2, PO3) 및 외측 영역(ORG) 내에 형성되는 제4 부분(PO4)을 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE)이 리세스되어, 그 높이가 줄어들 수 있다. 게이트 전극(GE)이 리세스 되는 동안 제1 및 제2 게이트 커팅 패턴들(CT1, CT2)의 상부도 살짝 리세스될 수 있다. 리세스된 게이트 전극(GE) 상에 게이트 캐핑 패턴(GP)이 형성될 수 있다.
도 5 및 도 6a 내지 도 6d를 다시 참조하면, 제1 층간 절연막(110) 상에 제2 층간 절연막(120)이 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(120)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다. 제2 층간 절연막(120) 및 제1 층간 절연막(110)을 관통하여 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들(SD1, SD2)과 전기적으로 연결되는 활성 콘택들(AC)이 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(120) 및 게이트 캐핑 패턴(GP)을 관통하여 게이트 전극(GE)과 전기적으로 연결되는 게이트 콘택(GC)이 형성될 수 있다.
각각의 활성 콘택(AC) 및 게이트 콘택(GC)을 형성하는 것은, 배리어 패턴(BM)을 형성하는 것 및 배리어 패턴(BM) 상에 도전 패턴(FM)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 배리어 패턴(BM)은 콘포멀하게 형성될 수 있으며, 금속막/금속 질화막을 포함할 수 있다. 도전 패턴(FM)은 저저항 금속을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 싱글 하이트 셀들(SHC1, SHC2) 각각의 양 측에 한 쌍의 분리 구조체들(DB)이 형성될 수 있다. 분리 구조체(DB)는, 제2 층간 절연막(120)으로부터 게이트 전극(GE)을 관통하여 활성 패턴(AP1 또는 AP2) 내부로 연장될 수 있다. 분리 구조체(DB)는 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다.
활성 콘택들(AC) 및 게이트 콘택들(GC) 상에 제3 층간 절연막(130)이 형성될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 내에 제1 금속 층(M1)이 형성될 수 있다. 제3 층간 절연막(130) 상에 제4 층간 절연막(140)이 형성될 수 있다. 제4 층간 절연막(140) 내에 제2 금속 층(M2)이 형성될 수 있다.
도 18, 도 19A, 도 19B, 도 20A, 도 20B 및 21은 도 14a의 M 영역의 제1 소스/드레인 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 확대도들이다. 도 19A, 및 도 20A는 도 1에서 기판의 센터 영역 상에 형성되는 반도체 소자에 대응하고, 도 19B, 도 20B는 도 1에서 기판의 엣지 영역 상에 형성되는 반도체 소자에 대응한다.
도 18을 참조하면, 적층 패턴(STP)을 관통하는 제1 리세스(RS1)가 형성될 수 있다. 제1 리세스(RS1)는 서로 인접하는 한 쌍의 희생 패턴들(PP) 사이에 형성될 수 있다. 제1 리세스(RS1)는 서로 인접하는 한 쌍의 게이트 스페이서들(GS)을 식각 마스크로 하여 형성될 수 있다.
제1 리세스(RS1)에 의해 노출된 희생층들(SAL)이 더 리세스되어, 제1 리세스(RS1)는 물결 모양의 내측벽을 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 리세스(RS1)의 내측벽은, 희생층(SAL)을 향해 돌출된 제1 측벽(SIW1), 희생층(SAL)을 향해 돌출된 제2 측벽(SIW2), 및 제1 측벽(SIW1)과 제2 측벽(SIW2) 사이의 오목한 제3 측벽(SIW3)을 포함할 수 있다.
제1 리세스(RS1)의 내측벽 상에 제1 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 제1 반도체 층(SEL1)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 층(SEL1)은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 층(SEL1)은 4 at% 내지 8 at%의 저마늄(Ge) 농도를 갖도록 형성될 수 있다. 제1 반도체 층(SEL1)은 제1 리세스(RS1)의 내측벽의 프로파일을 따라 물결 모양의 프로파일을 가질 수 있다.
제1 반도체 층(SEL1) 상에 제2 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 제2 반도체 층(SEL2)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체 층(SEL2)은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 제2 반도체 층(SEL2)은 4 at% 내지 10 at%의 저마늄(Ge) 농도를 갖도록 형성될 수 있다.
일 실시예로, 제2 반도체 층(SEL2)의 저마늄(Ge) 농도는 제1 반도체 층(SEL1)의 저마늄(Ge) 농도와 동일하게 형성될 수 있다. 다른 실시예로, 제2 반도체 층(SEL2)의 저마늄(Ge) 농도는 제1 반도체 층(SEL1)의 저마늄(Ge) 농도보다 크게 형성될 수 있다.
제1 반도체 층(SEL1)과 제2 반도체 층(SEL2)은 버퍼층(RFL)을 구성할 수 있다. 도면에 도시된 바와 달리, 버퍼층(RFL)의 제1 반도체 층(SEL1)과 제2 반도체 층(SEL2)은 구분되지 않을 수 있다.
도 1, 도 19A, 및 도 19B를 참조하면, 버퍼층(RFL) 상에 제3 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 제3 반도체 층(SEL3)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3 반도체 층(SEL3)은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 제3 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 제3 반도체 층(SEL3)은 30 at% 내지 70 at%의 저마늄(Ge)의 농도를 갖도록 형성될 수 있다.
제3 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 센터 영역(CR)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 제3 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 엣지 영역(ER)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 40 at% 내지 70 at%의 농도를 가질 수 있고(도 19A 참조), 엣지 영역(ER)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 30 at% 내지 60 at%의 농도를 가질 수 있다(도 19B 참조).
제3 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 센터 영역(CR)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 제3 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 엣지 영역(ER)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도보다 더 작을 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 1E18 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm3이고(도 19A 참조), 엣지 영역(ER)에 형성되는 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 1E21 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3일 수 있다(도 19B 참조).
도 1, 도 20A, 및 도 20B를 참조하면, 제3 반도체 층(SEL3) 상에 제4 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 제4 반도체 층(SEL4)이 형성될 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)은 제1 리세스(RS1)를 완전히 채우도록 형성될 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)의 상면은 제3 반도체 패턴(SP3)의 상면보다 더 높게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제4 반도체 층(SEL4)은 실리콘-저마늄(SiGe)을 포함할 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)은 30 at% 내지 70 at%의 저마늄(Ge)의 농도를 갖도록 형성될 수 있다.
제4 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 센터 영역(CR)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 제4 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 엣지 영역(ER)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도보다 더 작을 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 30 at% 내지 60 at%의 농도를 가질 수 있고(도 20A 참조), 엣지 영역(ER)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 40 at% 내지 70 at%의 농도를 가질 수 있다(도 20B 참조).
제4 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 센터 영역(CR)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도는 제4 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정에 의해 기판(100)의 엣지 영역(ER)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 센터 영역(CR)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도는 1E21 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3이고(도 20A 참조), 엣지 영역(ER)에 형성되는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도는 1E18 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm31E21 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3일 수 있다(도 20B 참조).
도 21을 참조하면, 제4 반도체 층(SEL4) 상에 제5 선택적 에피택시얼 성장(SEG) 공정을 수행하여, 제5 반도체 층(SEL5)이 형성될 수 있다. 제5 반도체 층(SEL5)은 메인층(MAL)의 노출된 표면을 콘포멀하게 덮도록 형성될 수 있다. 제5 반도체 층(SEL5)은 실리콘(Si)을 포함할 수 있고, 제5 반도체 층(SEL5)의 실리콘(Si)의 농도는 98 at% 내지 100 at%일 수 있다.
이하 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명한다. 후술할 본 발명의 실시예들에서는, 도 2 내지 도 6d를 참조하여 설명한 것과 중복되는 기술적 특징에 대한 상세한 설명은 생략하고, 차이점에 대해 상세히 설명한다.
도 24a 내지 도 27b는 본 발명의 일 실시예를 설명하기 위한 도면들이다. 도 24a, 도 25a, 및 도 26a는 각각 도 1의 제1 반도체 칩, 제2 반도체 칩 및 제3 반도체 칩의 로직 셀에서 도 6a의 M 영역에 대응되는 실시예를 나타낸 확대도들이다. 도 24b, 도 25b 및 도 26b는 각각 도 24a, 도 25a, 및 도 26a에서 II-II’선을 따라 제3 방향으로 갈수록 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 저마늄 및 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프들이다. 도 27a는 본 발명의 일 실시예에서, 도 1에서 I-I’선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 저마늄의 농도 분포를 나타낸 그래프이다. 도 27b는 본 발명의 일 실시예에서, 도 1에서 I-I’선을 따라 제2 방향으로 갈수록 반도체 칩들에 포함된 제3 반도체 층 및 제4 반도체 층에서의 불순물의 농도 분포를 나타낸 그래프이다.
도 1, 도 24a 및 도 24b를 참조하면, 기판(100)의 센터 영역(CR)에 배치되는 제1 반도체 칩들(A)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도보다 더 작을 수 있고, 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도보다 더 클 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 도 7b에서의 제2 저마늄 농도(Ge2)와 동일할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 도 7b에서의 제1 저마늄 농도(Ge1)와 동일할 수 있다. 제1 반도체 칩(A)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 저마늄(Ge) 농도는 도 7b에서의 제1 평균 저마늄 농도(EGe1)와 동일할 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 도 7b에서의 제2 불순물 농도(B2)와 동일할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 도 7b에서의 제1 불순물 농도(B1)와 동일할 수 있다. 제1 반도체 칩(A)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL) 의 평균 불순물 농도는 도 7b에서의 제1 평균 불순물 농도(EB1)와 동일할 수 있다.
도 1, 도 25a 및 도 25b를 참조하면, 기판(100)의 미들 영역(MR)에 배치되는 제2 반도체 칩들(B)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 서로 동일할 수 있다.
제2 반도체 칩(B)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 저마늄(Ge) 농도는 도 8b에서의 제2 평균 저마늄 농도(EGe2)와 동일할 수 있다.
제2 반도체 칩(B)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL) 의 평균 불순물 농도는 도 8b에서의 제2 평균 불순물 농도(EB2)와 동일할 수 있다.
도 1, 도 26a 및 도 26b를 참조하면, 기판(100)의 엣지 영역(ER)에 배치되는 제3 반도체 칩들(C)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도보다 더 클 수 있고, 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도보다 더 작을 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄(Ge) 농도는 도 9b에서의 제4 저마늄 농도(Ge4)와 동일할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 도 9b에서의 제3 저마늄 농도(Ge3)와 동일할 수 있다. 제3 반도체 칩(C)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 저마늄(Ge) 농도는 도 9b에서의 제3 평균 저마늄 농도(EGe3)와 동일할 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도는 도 9b에서의 제4 불순물 농도(B4)와 동일할 수 있고, 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄(Ge) 농도는 도 9b에서의 제3 불순물 농도(B3)와 동일할 수 있다. 제3 반도체 칩(C)의 경우, 제3 반도체 층(SEL3)과 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 불순물 농도는 도 9b에서의 제3 평균 불순물 농도(EB3)와 동일할 수 있다.
도 1, 도 27a를 참조하면, 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄 농도(SEG3Ge)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최소값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최대값을 가질 수 있다. 제3 반도체 층(SEL3)의 저마늄 농도(SEG3Ge)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 증가할 수 있다.
제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄 농도(SEG4Ge)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최대값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최소값을 가질 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)의 저마늄 농도(SEG4Ge)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 감소할 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3) 및 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 저마늄 농도(MALGe)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 가면서 일정하게 유지될 수 있다. 다시 말해, 센터 영역(CR)에서의 제1 평균 저마늄 농도(EGe1), 미들 영역(MR)에서의 제2 평균 저마늄 농도(EGe2) 및 엣지 영역(ER)에서의 제3 평균 저마늄 농도(EGe3)는 서로 동일할 수 있다.
도 1 및 도 27b를 참조하면, 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도(SEG3B)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최대값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최소값을 가질 수 있다. 제3 반도체 층(SEL3)의 불순물 농도(SEG3B)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 감소할 수 있다.
제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도(SEG4B)는 센터 영역(CR) 중심부에서 최소값을 가질 수 있고, 엣지 영역(ER) 가장자리에서 최대값을 가질 수 있다. 제4 반도체 층(SEL4)의 불순물 농도(SEG4B)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 갈수록 증가할 수 있다.
제3 반도체 층(SEL3) 및 제4 반도체 층(SEL4)을 포함하는 메인층(MAL)의 평균 불순물 농도(MALB)는 센터 영역(CR)의 중심부에서 엣지 영역(ER)의 가장자리로 가면서 일정하게 유지될 수 있다. 다시 말해, 센터 영역(CR)에서의 제1 평균 불순물 농도(EB1), 미들 영역(MR)에서의 제2 평균 불순물 농도(EB2) 및 엣지 영역(ER)에서의 제3 평균 불순물 농도(EB3)는 서로 동일할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 센터 영역 및 엣지 영역을 포함하는 기판;
    상기 센터 영역 상의 제1 활성 패턴 및 상기 엣지 영역 상의 제2 활성 패턴;
    상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴;
    상기 제1 채널 패턴에 연결된 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 채널 패턴에 연결된 제2 소스/드레인 패턴; 및
    상기 제1 채널 패턴 상의 제1 게이트 전극 및 상기 제2 채널 패턴 상의 제2 게이트 전극을 포함하되,
    상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각은, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 중 그에 대응하는 것과 접촉하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상의 메인층을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각의 상기 메인층은 제1 반도체 층 및 상기 제1 반도체 층 상의 제2 반도체 층을 포함하고,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 저마늄을 함유하고,
    상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 크고,
    상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 작은 반도체 소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 40 at% 내지 70 at%이고,
    상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 30 at% 내지 60 at%인 반도체 소자.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 30 at% 내지 60 at%이고,
    상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 40 at% 내지 70 at%인 반도체 소자.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 센터 영역 상의 상기 메인층은 제1 평균 저마늄 농도를 갖고,
    상기 엣지 영역 상의 상기 메인층은 제2 평균 저마늄 농도를 가지며,
    상기 제1 평균 저마늄 농도와 상기 제2 평균 저마늄 농도는 서로 동일한 반도체 소자.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 불순물을 함유하고,
    상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 불순물의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 불순물의 농도보다 더 작고,
    상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 불순물의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 불순물의 농도보다 더 큰 반도체 소자.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 불순물의 농도는 1E18 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm3이고,
    상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 불순물의 농도는 1E21 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3인 반도체 소자.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 불순물의 농도는 1E21 atom/cm3 내지 5E22 atom/cm3이고,
    상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 불순물의 농도는 1E18 atom/cm3 내지 1E21 atom/cm3인 반도체 소자.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 센터 영역 상의 상기 메인층은 제1 평균 불순물 농도를 갖고,
    상기 엣지 영역 상의 상기 메인층은 제2 평균 불순물 농도를 가지며,
    상기 제1 평균 불순물 농도와 상기 제2 평균 불순물 농도는 서로 동일한 반도체 소자.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 불순물은 보론, 갈륨 또는 인듐을 포함하는 반도체 소자.
  10. 센터 영역 및 엣지 영역을 포함하는 기판;
    상기 센터 영역 상의 제1 활성 패턴 및 상기 엣지 영역 상의 제2 활성 패턴;
    상기 제1 활성 패턴 상의 제1 채널 패턴 및 상기 제2 활성 패턴 상의 제2 채널 패턴, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 각각은 서로 이격된 수직적으로 적층된 복수개의 반도체 패턴들을 포함하고;
    상기 제1 활성 패턴의 상기 복수개의 반도체 패턴들에 연결된 제1 소스/드레인 패턴 및 상기 제2 활성 패턴의 상기 복수개의 반도체 패턴들에 연결된 제2 소스/드레인 패턴; 및
    상기 복수개의 반도체 패턴들 상의 게이트 전극을 포함하되,
    상기 게이트 전극은 상기 복수개의 반도체 패턴들 사이에 각각 제공된 복수개의 부분들을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각은, 상기 제1 및 제2 채널 패턴들 중 그에 대응하는 것과 접촉하는 버퍼층 및 상기 버퍼층 상의 메인층을 포함하며,
    상기 제1 및 제2 소스/드레인 패턴들 각각의 상기 메인층은 제1 반도체 층 및 상기 제1 반도체 층 상의 제2 반도체 층을 포함하고,
    상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 저마늄을 함유하고,
    상기 센터 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제1 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 작고,
    상기 센터 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도는 상기 엣지 영역 상의 상기 제2 반도체 층의 상기 저마늄의 농도보다 더 큰 반도체 소자.
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