KR20230043122A - 복합 재료, 히트 스프레더 및 반도체 패키지 - Google Patents
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Abstract
복합 재료는 복수의 제1 층과 복수의 제2 층을 구비한다. 제1 층 및 제2 층의 수의 합계는 5 이상이다. 제1 층 및 제2 층은 제1 층이 제1 표면 및 제2 표면에 위치하도록 복합 재료의 두께 방향을 따라 교대로 적층되어 있다. 제1 층은 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있다. 제2 층은 몰리브덴판과 구리 필러를 갖고 있다. 몰리브덴판은, 두께 방향에 있어서의 단부면인 제1 면 및 제2 면과, 제1 면에서 제2 면으로 향하여 몰리브덴판을 관통하는 복수의 개구부를 포함하고 있다. 구리 필러는 개구부의 내부에 배치되어 있다. 제1 표면에 위치하는 제1 층의 두께는 0.025 mm 이상이며 또한 복합 재료의 두께의 30 퍼센트 이하이다. 제1 표면에 위치하는 제1 층에 접하는 제2 층의 두께는 0.05 mm 이상이며 또한 복합 재료의 두께의 35 퍼센트 이하이다.
Description
본 개시는 복합 재료, 히트 스프레더 및 반도체 패키지에 관한 것이다. 본 출원은 2020년 8월 6일에 출원한 일본 특허 출원인 특원 2020-133776호에 기초한 우선권을 주장한다. 상기 일본 특허 출원에 기재된 모든 기재 내용은 참조에 의해 본 명세서에 원용된다.
특허문헌 1(일본 특허공개 2018-18976호 공보)에는 방열 기판이 기재되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 방열 기판은 코어 기재와 제1 열전도 부재와 제2 열전도 부재를 갖고 있다. 코어 기재는 몰리브덴(Mo)으로 형성되어 있다. 제1 열전도 부재 및 제2 열전도 부재는 구리(Cu)로 형성되어 있다. 코어 기재는 제1 면과 제1 면의 반대면인 제2 면을 갖고 있다. 제1 열전도 부재 및 제2 열전도 부재는 각각 제1 면 및 제2 면 상에 배치되어 있다.
코어 기재는 제1 면에서 제2 면으로 향하는 방향을 따라 코어 기재를 관통하는 개구부를 갖고 있다. 개구부의 내부에는 삽입체가 배치되어 있다. 삽입체는 구리로 형성되어 있다.
본 개시의 복합 재료는 판상(板狀)이며, 제1 표면과 제1 표면의 반대면인 제2 표면을 갖는다. 복합 재료는 복수의 제1 층과 복수의 제2 층을 구비하고 있다. 제1 층의 수 및 제2 층의 수의 합계는 5 이상이다. 제1 층 및 제2 층은 제1 층이 제1 표면 및 제2 표면에 위치하도록 복합 재료의 두께 방향을 따라 교대로 적층되어 있다. 제1 층은 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있다. 제2 층은 몰리브덴판과 구리 필러를 갖고 있다. 몰리브덴판은, 두께 방향에 있어서의 단부면인 제1 면 및 제2 면과, 제1 면에서 제2 면으로 향해 몰리브덴판을 관통하는 복수의 개구부를 포함하고 있다. 구리 필러는 개구부의 내부에 배치되어 있다. 제1 표면에 위치하는 제1 층의 두께는 0.025 mm 이상이며 또한 복합 재료의 두께의 30 퍼센트 이하이다. 제1 표면에 위치하는 제1 층에 접하는 제2 층의 두께는 0.05 mm 이상이며 또한 복합 재료의 두께의 35 퍼센트 이하이다. 개구부의 수는 제1 표면의 면적 1 mm2 당 2 이상 12 이하이다. 개구부의 원 상당 직경의 최대치의 평균치와 제2 층의 두께의 비는 0.3 이상 5.0 이하이다.
도 1은 복합 재료(10)의 사시도이다.
도 2는 복합 재료(10)의 단면도이다.
도 3은 몰리브덴판(13)의 평면도이다.
도 4a는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제1 설명도이다.
도 4b는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제2 설명도이다.
도 4c는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제3 설명도이다.
도 5는 복합 재료(10)의 방열 성능 평가 방법의 설명도이다.
도 6은 제1 변형예에 따른 복합 재료(10)의 단면도이다.
도 7은 제2 변형예에 따른 복합 재료(10)의 단면도이다.
도 8은 복합 재료(10)의 제조 방법을 도시하는 공정도이다.
도 9는 반도체 패키지(100)의 분해 사시도이다.
도 2는 복합 재료(10)의 단면도이다.
도 3은 몰리브덴판(13)의 평면도이다.
도 4a는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제1 설명도이다.
도 4b는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제2 설명도이다.
도 4c는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제3 설명도이다.
도 5는 복합 재료(10)의 방열 성능 평가 방법의 설명도이다.
도 6은 제1 변형예에 따른 복합 재료(10)의 단면도이다.
도 7은 제2 변형예에 따른 복합 재료(10)의 단면도이다.
도 8은 복합 재료(10)의 제조 방법을 도시하는 공정도이다.
도 9는 반도체 패키지(100)의 분해 사시도이다.
[본 개시가 해결하고자 하는 과제]
특허문헌 1에 기재된 방열 기판은, 낮은 선 팽창 계수 및 높은 방열성의 양립에 개선의 여지가 있다.
본 개시는 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 감안하여 이루어진 것이다. 보다 구체적으로 본 개시는, 낮은 선 팽창 계수 및 높은 방열성을 양립할 수 있는 복합 재료를 제공하는 것이다.
[본 개시의 효과]
본 개시의 복합 재료에 의하면, 낮은 선 팽창 계수 및 높은 방열성을 양립할 수 있다.
[본 개시의 실시형태의 설명]
우선, 본 개시의 실시형태를 열기하여 설명한다.
(1) 일 실시형태에 따른 복합 재료는 판상이며, 제1 표면과 제1 표면의 반대면인 제2 표면을 갖는다 복합 재료는 복수의 제1 층과 복수의 제2 층을 구비하고 있다. 제1 층의 수 및 제2 층의 수의 합계는 5 이상이다. 제1 층 및 제2 층은 제1 층이 제1 표면 및 제2 표면에 위치하도록 복합 재료의 두께 방향을 따라 교대로 적층되어 있다. 제1 층은 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있다. 제2 층은 몰리브덴판과 구리 필러를 갖고 있다. 몰리브덴판은, 두께 방향에 있어서의 단부면인 제1 면 및 제2 면과, 제1 면에서 제2 면으로 향하여 몰리브덴판을 관통하는 복수의 개구부를 포함하고 있다. 구리 필러는 개구부 내부에 배치되어 있다. 제1 표면에 위치하는 제1 층의 두께는 0.025 mm 이상이며 또한 복합 재료의 두께의 30 퍼센트 이하이다. 제1 표면에 위치하는 제1 층에 접하는 제2 층의 두께는 0.05 mm 이상이며 또한 복합 재료의 두께의 35 퍼센트 이하이다. 개구부의 수는 제1 표면의 면적 1 mm2 당 2 이상 12 이하이다. 개구부의 원 상당 직경의 최대치의 평균치와 제2 층의 두께의 비는 0.3 이상 5.0 이하이다.
상기 (1)에 따른 복합 재료에 의하면, 낮은 선 팽창 계수 및 높은 방열성을 양립할 수 있다.
(2) 상기 (1)의 복합 재료에서는, 개구부의 원 상당 직경의 최대치의 평균치와 제2 층의 두께의 비가 1.6 이상 5.0 미만이라도 좋다.
(3) 상기 (1) 또는 (2)의 복합 재료에서는, 두께 방향의 열전도율이 실온에 있어서 290 W/m·K 이상이라도 좋다. 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 두께 방향에 직교하는 층내 방향의 선 팽창 계수가 9.0 ppm/K 이하라도 좋다.
(4) 상기 (3)의 복합 재료에서는 단부 온도차가 50℃ 이하라도 좋다.
(5) 상기 (1) 또는 (2)의 복합 재료에서는, 두께 방향의 열전도율이 실온에 있어서 300 W/m·K 이상이라도 좋다. 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 두께 방향에 직교하는 층내 방향의 선 팽창 계수가 8.5 ppm/K 이하라도 좋다.
(6) 상기 (5)의 복합 재료에서는 단부 온도차가 40℃ 이하라도 좋다.
(7) 상기 (1)부터 (6)의 복합 재료에서는, 제1 면에 있어서의 개구부의 원 상당 직경의 평균치 및 제2 면에 있어서의 개구부의 원 상당 직경의 평균치가 0.05 mm 이상 0.35 mm 이하라도 좋다.
(8) 상기 (1)부터 (7)의 복합 재료에서는, 개구부의 최소 개구 면적의 평균치는, 개구부의 최대 개구 면적의 평균치의 57 퍼센트 이상 100 퍼센트 이하라도 좋다.
(9) 상기 (1)부터 (8)의 복합 재료에서는, 제1 층의 수 및 제2 층의 수의 합계는 9 이하라도 좋다.
(10) 일 실시형태에 따른 히트 스프레더는 상기 (1)부터 (9)의 복합 재료를 구비한다. 복합 재료의 제1 표면은 발열원과의 접촉면으로 되어 있다.
(11) 일 실시형태에 따른 반도체 패키지는, 상기 (1)부터 (9)의 복합 재료와 복합 재료의 제1 표면 상에 배치되어 있는 반도체 소자를 구비한다.
(12) 상기 (11)의 반도체 패키지는 세라믹스 재료로 형성되어 있는 케이스 부재를 더 구비하고 있어도 좋다. 케이스 부재는 반도체 소자를 둘러싸도록 제1 표면 상에 배치되어 있다.
[본 개시의 실시형태의 상세]
이어서, 본 개시의 실시형태를 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 도면에서는, 동일하거나 또는 상당하는 부분에 동일한 참조 부호를 붙여, 중복되는 설명은 반복하지 않는 것으로 한다.
(실시형태에 따른 복합 재료의 구성)
이하에, 실시형태에 따른 복합 재료(이하, 「복합 재료(10)」라고 한다)의 구성을 설명한다.
도 1은 복합 재료(10)의 사시도이다. 도 1에 도시하는 것과 같이, 복합 재료(10)는 판상 형상을 갖고 있다. 복합 재료(10)는 제1 표면(10a)과 제2 표면(10b)을 갖고 있다. 제1 표면(10a) 및 제2 표면(10b)은 복합 재료(10)의 두께 방향에 있어서의 단부면이다. 즉, 제2 표면(10b)은 복합 재료(10)의 두께 방향에 있어서의 제1 표면(10a)의 반대면이다.
도 2는 복합 재료(10)의 단면도이다. 도 2에 도시하는 것과 같이, 복합 재료(10)는 복수의 제1 층(11)과 복수의 제2 층(12)을 갖고 있다. 도 2에 도시하는 예에서는, 제1 층(11)의 수는 4이고, 제2 층(12)의 수는 3이며, 제1 층(11)의 수 및 제2 층(12)의 합계수는 7이다.
제1 층(11)및 제2 층(12)은, 제1 층(11) 중 하나가 제1 표면(10a)에 위치하며 또한 제1 층(11) 중 다른 하나가 제2 표면(10b)에 위치하도록 복합 재료(10)의 두께 방향을 따라 교대로 적층되어 있다. 제2 층(12)은 복합 재료(10)의 두께 방향을 따라 2개의 제1 층(11) 사이에 끼워져 있다. 복합 재료(10)의 두께를 두께 T1로 한다.
제1 층(11)은 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있다. 여기서, 「구리를 주성분으로 하는 금속 재료」란, 구리의 함유량이 50 질량퍼센트 이상인 금속 재료를 말한다. 구리를 주성분으로 하는 금속 재료는 70 질량퍼센트 이상의 구리를 함유하고 있는 구리 합금인 것이 바람직하다. 제1 층(11)은 예컨대 순구리로 형성되어 있다. 여기서, 순구리는 구리와 잔부를 구성하고 있는 불가피 불순물로 이루어지는 금속 재료이다.
제1 층(11) 중, 제1 표면(10a)에 위치해 있는 것을, 제1 층(11a)으로 한다. 제1 층(11) 중, 제2 표면(10b)에 위치해 있는 것을, 제1 층(11b)으로 한다. 제1 층(11)의 두께를 두께 T2로 한다. 제1 층(11a)(제1 층(11b))의 두께(T2)는 0.025 mm 이상이며 또한 두께(T1)의 30 퍼센트 이하이다.
제2 층(12)은 몰리브덴판(13)과 구리 필러(14)를 갖고 있다. 몰리브덴판(13)은 몰리브덴을 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있다. 「몰리브덴을 주성분으로 하는 금속 재료」란, 몰리브덴의 함유량이 50 질량퍼센트 이상인 금속 재료이다. 몰리브덴을 주성분으로 하는 금속 재료는 70 질량퍼센트 이상의 몰리브덴을 함유하고 있는 것이 바람직하다. 몰리브덴판(13)은 예컨대 순몰리브덴으로 형성되어 있다. 순몰리브덴은 몰리브덴과 잔부를 구성하고 있는 불가피 불순물로 이루어지는 금속 재료이다. 구리 필러(14)는 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있다. 구리 필러(14)는 예컨대 순구리로 형성되어 있다. 구리 필러(14)는 바람직하게는 제1 층(11)과 동일한 재료로 형성되어 있다.
몰리브덴판(13)은 판상체이다. 몰리브덴판(13)은 제1 면(13a)과 제2 면(13b)을 갖고 있다. 제1 면(13a) 및 제2 면(13b)은 복합 재료(10)의 두께 방향에 있어서의 단부면이다. 즉, 제2 면(13b)은 복합 재료(10)의 두께 방향에 있어서의 제1 면(13a)의 반대면이다.
몰리브덴판(13)은 복수의 개구부(13c)를 갖고 있다. 개구부(13c)는 제1 면(13a)에서 제2 면(13b)으로 향하는 방향을 따라 몰리브덴판(13)을 관통한다. 제1 표면(10a)(제2 표면(10b))의 면적 1 mm2 당 개구부(13c)의 수(개구부(13c)의 총수를 제1 표면(10a)(제2 표면(10b))의 면적으로 나눈 값)는 2 이상 12 이하이다. 구리 필러(14)는 개구부(13c)의 내부에 배치되어 있다.
제2 층(12) 중, 제1 층(11a)에 접해 있는 것을, 제2 층(12a)으로 한다. 제2 층(12) 중, 제1 층(11b)에 접해 있는 것을, 제2 층(12b)으로 한다. 제2 층(12)의 두께를 두께 T3으로 한다. 제2 층(12a)(제2 층(12b))의 두께(T3)는 0.05 mm 이상이며 또한 두께(T1)의 35 퍼센트 이하이다.
도 3은 몰리브덴판(13)의 평면도이다. 도 3에 도시하는 것과 같이, 개구부(13c)는 평면에서 볼 때 원형 형상을 갖고 있다. 단, 평면에서 볼 때의 개구부(13c)의 형상은 원형 형상에 한정되지 않는다. 개구부(13c)는, 평면에서 볼 때, 예컨대 타원 형상, 다각형 형상 및 그 밖의 형상의 어느 것이라도 좋다. 평면에서 볼 때의 개구부(13c)의 원 상당 직경을 개구 직경(D)으로 한다. 개구 직경(D)은, 평면에서 볼 때의 개구부(13c)의 면적을 π/4로 나눈 값의 평방근을 계산함으로써 얻을 수 있다.
개구 직경(D)은 제1 면(13a)와 제2 면(13b) 사이에 걸쳐 일정하다. 개구 직경(D)은, 제1 면(13a)와 제2 면(13b) 사이에서 변화되고 있어도 좋고, 제1 면(13a)과 제2 면(13b) 사이에서 일정하지 않아도 좋다. 개구 직경(D)이 제1 면(13a)과 제2 면(13b) 사이에서 변화되고 있는 경우, 개구 직경(D)은 제1 면(13a) 및 제2 면(13b)의 한쪽에서부터 제1 면(13a) 및 제2 면(13b)의 다른 쪽으로 향함에 따라서 감소하고 있어도 좋다. 어느 하나의 개구부에 있어서, 두께 방향의 개구 직경(D)의 최대치를 개구 직경(Dmax)으로 한다.
개구 직경(Dmax)의 평균치(개구 직경(Dmax)을 모든 개구부(13c)에 관해서 합계하며 또한 상기 합계치를 개구부(13c)의 총수로 나눈 값)를 평균 원 상당 직경이라고 정의한다. 하나의 제2 층(12)에 관해서, 평균 원 상당 직경을 두께(T3)로 나눈 값, 즉, 평균 원 상당 직경과 두께(T3)의 비는 0.3 이상 5.0 이하이다. 평균 원 상당 직경과 두께(T3)의 비는 1.6 이상 5.0 미만인 것이 바람직하다.
제1 면(13a)에 있어서의 개구 직경(D)의 평균치(제1 면(13a)에 있어서의 개구 직경(D)을 모든 개구부(13c)에 관해서 합계하며 또한 상기 합계치를 개구부(13c)의 총수로 나눈 값) 및 제2 면(13b)에 있어서의 개구 직경(D)의 평균치(제2 면(13b)에 있어서의 개구 직경(D)을 모든 개구부(13c)에 관해서 합계하며 또한 상기 합계치를 개구부(13c)의 총수로 나눈 값)는 각각 0.05 mm 이상 0.35 mm 이하인 것이 바람직하다.
개구부(13c)의 개구 면적은 제1 면(13a)에 평행한 면에서 측정된다. 몰리브덴판(13)의 두께 방향을 따라 제1 면(13a)과 제2 면(13b) 사이에 걸쳐 측정했을 때의 개구부(13c)의 개구 면적의 최소치를, 개구부(13c)의 최소 개구 면적으로 한다. 몰리브덴판(13)의 두께 방향을 따라 제1 면(13a)과 제2 면(13b) 사이에 걸쳐 측정했을 때의 개구부(13c)의 개구 면적의 최대치를, 개구부(13c)의 최대 개구 면적으로 한다. 개구부(13c)의 최소 개구 면적의 평균치(개구부(13c)의 최소 개구 면적을 모든 개구부(13c)에 관해서 합계하며 또한 상기 합계치를 개구부(13c)의 총수로 나눈 값)는, 개구부(13c)의 최대 개구 면적의 평균치(개구부(13c)의 최대 개구 면적을 모든 개구부(13c)에 관해서 합계하며 또한 상기 합계치를 개구부(13c)의 총수로 나눈 값)의 57 퍼센트 이상 100 퍼센트 이하인 것이 더욱 바람직하다.
복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율은 실온에 있어서 290 W/m·K 이상인 것이 바람직하다. 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율은 실온에 있어서 300 W/m·K 이상인 것이 바람직하다. 여기서, 「실온」이란 27℃를 말한다.
복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율은 레이저 플래시법을 이용하여 측정된다. 레이저 플래시법에서는, LFA457MicroFlash(NETZSCH사 제조)를 이용하여 복합 재료(10)의 열 확산 계수가 측정됨과 더불어, 상기 열 확산 계수 및 복합 재료(10)의 각 구성 재료의 체적비 및 비열에 기초하여 복합 재료(10) 두께 방향의 열전도율이 산출된다. 상기한 열전도율을 산출함에 있어서, 각 구성 재료의 비열은 일본금속학회 편 「금속 데이터북 제4판」(2004년, 마루젠슛판)에 기초하여 결정된다. 또한, 복합 재료(10)의 열전도율 측정에 앞서서, 동일 형상의 순구리 시료의 열전도율을 동일 조건 하에서 측정하고, 그 결과를 기준으로 이용하여 측정 결과의 보정을 행한다.
도 4a는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제1 설명도이다. 도 4a에 도시하는 것과 같이, 측정 대상이 되는 복합 재료(10)로부터 박편(15)을 잘라낸다. 박편(15)의 두께, 길이 및 폭은 각각 t(mm), B(mm) 및 C(mm)이다.
2를 t로 나눈 값의 소수점 이하를 반올림한 수를 X로 한다. 10을 B로 나눈 값의 소수점 이하를 반올림한 수를 Y1로 한다. 10을 C로 나눈 값의 소수점 이하를 반올림한 수를 Y2로 한다. 측정 대상이 되는 복합 재료(10)로부터는 X, Y1 및 Y2의 곱과 같은 수의 박편(15)을 잘라낸다.
도 4b는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제2 설명도이다. 도 4b에 도시하는 것과 같이, X장의 박편(15)으로부터 블록(16)이 제작된다. 블록(16)의 두께, 길이 및 폭은 각각 약 2(mm), B(mm) 및 C(mm)이다. 블록(16)의 제작에 있어서는, 첫째로 X장의 박편(15)이 중첩된다. 이때는, 인접해 있는 박편(15) 사이에, 평균 입경이 4 ㎛인 순은에 의해 형성되어 있는 부정형 분말이 배치된다. 인접해 있는 박편(15) 사이에 배치되는 부정형 분말의 양은 100 mm2 당 0.2 g±30 퍼센트이다.
블록(16)의 제작에 있어서는, 둘째로 안목 치수가 B(mm)×C(mm)인 개구가 형성되어 있는 직사각형의 형(型)(도시하지 않음)이 준비되고, 상기 개구 내에 중첩된 박편(15)이 배치된다. 상기한 형은 흑연제이다. 블록(16)의 제작에 있어서는, 셋째로 중첩된 박편(15)은 하중(P)이 가해진 상태에서 열처리된다. 하중(P)은 4.9 N 이상 9.8 N 이하이다. 열처리는 불활성 가스 분위기에서 이루어진다. 열처리는 900℃의 유지 온도, 10분의 유지 시간으로 실시된다. 열처리에 의해, 부정형 분말이 연화 변형되어 인접하는 박편(15)이 접착됨으로써 블록(16)이 제작된다.
도 4c는 복합 재료(10)의 두께 방향의 열전도율 측정 시료를 작성하는 수순을 도시하는 제3 설명도이다. 도 4c에 도시하는 것과 같이, 블록(16)을 세로로 Y1개, 가로로 Y2개 늘어 놓음으로써, 높이 약 10 mm, 폭 약 10 mm, 두께 약 2 mm의 측정 시료(17)가 제작된다. 블록(16)을 세로로 Y1개, 가로로 Y2개 늘어 놓을 때, 인접하는 블록(16)은 접착 부재에 의해 서로 접착된다. 접착 부재에는, 은 브레이징 포일, 세라믹스 접착제 등의 800℃ 정도까지의 온도에 견딜 수 있는 것이 이용된다. 세로로 Y1개, 가로로 Y2개 늘어 놓은 블록(16)은, 그 외주에 스테인리스 와이어 등을 감음으로써 고정되어도 좋다.
실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 복합 재료(10)의 층내 방향(두께 방향에 직교하는 방향)의 선 팽창 계수는 9.0 ppm/K 이하인 것이 바람직하다. 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 복합 재료(10)의 층내 방향의 선 팽창 계수는 8.5 ppm/K 이하인 것이 더욱 바람직하다.
실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 복합 재료(10)의 층내 방향의 선 팽창 계수는, TDS5000SA(브루커AXS사 제조)를 이용하여 실온에서부터 800℃까지의 온도 범위에 있어서의 복합 재료(10)의 층내 방향의 팽창 변위를 측정함으로써 산출된다. 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 복합 재료(10)의 층내 방향의 선 팽창 계수를 산출할 때, 복합 재료(10)의 평면 형상은 3 mm×15 mm의 직사각형 형상으로 된다. 측정치는 3개의 시료에 관한 평균치가 된다.
복합 재료(10)의 단부 온도차는 50℃ 이하인 것이 바람직하다. 복합 재료(10)의 단부 온도차는 40℃ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 도 5는 복합 재료(10)의 방열 성능 평가 방법의 설명도이다. 도 5에는 복합 재료(10)의 한 측면에서 본 상태가 모식적으로 도시되어 있다. 복합 재료(10)는, 제1 표면(10a)에 수직인 방향에서 볼 때, 종횡이 10 mm인 직사각형으로 절단된다. 절단된 복합 재료(10)의 제1 표면(10a)의 중앙에는 발열체(70)가 접촉된다. 발열체(70)는, 제1 표면(10a)에 수직인 방향에서 볼 때, 종횡이 10 mm인 직사각형이다. 발열체(70)의 발열량은 50 W이다.
절단된 복합 재료(10)의 제2 표면(10b)에는 알루미늄 핀(80)이 실리콘 오일(신에츠가가쿠사 제조 G-751)을 이용하여 접착된다. 이 접착은, 절단된 복합 재료(10)의 제2 표면(10b)과 알루미늄 핀(80)의 사이에 실리콘 오일을 배치한 상태에서 9.8 N의 하중을 가함으로써 이루어진다.
절단된 복합 재료(10)의 제1 표면(10a)과 발열체(70)의 계면에 있어서의 온도를, 제1 온도로 한다. 절단된 복합 재료(10)의 제1 표면(10a)의 단부(코너부)에 있어서의 온도를, 제2 온도로 한다. 절단된 복합 재료(10)의 제2 표면(10b)과 알루미늄 핀(80)의 계면에 있어서의 온도를, 제3 온도로 한다. 제1 온도, 제2 온도 및 제3 온도는 도시하지 않는 열전대에 의해 측정된다. 알루미늄 핀(80)에 대한 공냉은 제3 온도가 25℃±3℃가 되도록 제어된다. 측정 환경으로서의 주위 온도는 25℃±5℃가 된다.
발열체(70)를 절단된 복합 재료(10)의 제1 표면(10a)에 접촉시킨 후에 30초 이상 경과하여, 온도가 정상 상태로 되었을 때의 제1 온도와 제2 온도의 차(제1 온도-제2 온도)가 복합 재료(10)의 단부 온도차이다. 이 단부 온도차는 10회 측정하여 그 평균치가 채용된다. 즉, 복합 재료(10)의 단부 온도차는, 제1 표면(10a)에 발열체(70)가 접촉되고, 제2 표면(10b)에 알루미늄 핀(80)이 접착되어 있는 상태에서의 발열체(70)가 접촉해 있는 제1 표면(10a) 부분에 있어서의 온도와 제1 표면(10a)의 단부(코너부)에 있어서의 온도의 차이다. 단부 온도차가 작을수록 복합 재료(10)의 층내 방향의 열전도가 양호하게 된다.
<변형예>
도 6은 제1 변형예에 따른 복합 재료(10)의 단면도이다. 도 7은 제2 변형예에 따른 복합 재료(10)의 단면도이다. 도 6에 도시하는 것과 같이, 제1 층(11)의 수 및 제2 층(12)의 수의 합계는 5라도 좋다. 도 7에 도시하는 것과 같이, 제1 층(11)의 수 및 제2 층(12)의 수의 합계는 9라도 좋다.
(실시형태에 따른 복합 재료의 제조 방법)
이하에 복합 재료(10)의 제조 방법을 설명한다.
도 8은 복합 재료(10)의 제조 방법을 도시하는 공정도이다. 복합 재료(10)의 제조 방법은, 도 8에 도시하는 것과 같이, 준비 공정 S1과 구멍뚫기 공정 S2와 접합 공정 S3을 갖고 있다.
준비 공정 S1에서는 제1 판재 및 제2 판재가 준비된다. 제1 판재는 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성된 판재이다. 제2 판재는 몰리브덴을 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있다.
구멍뚫기 공정 S2에서는 제2 판재에 대한 구멍뚫기 가공이 이루어진다. 구멍뚫기 가공에 의해, 제2 판재에는 제2 판재를 두께 방향으로 관통하는 개구부가 복수 형성된다. 그 결과, 제2 판재는 몰리브덴판(13)으로 된다. 제2 판재에 대한 구멍뚫기 가공은 예컨대 에칭 또는 레이저 조사에 의해 이루어진다.
접합 공정 S3에서는, 첫째로 제1 판재와 몰리브덴판(13)이 형 내에 교대로 적층된다(이하에서는 제1 판재와 몰리브덴판(13)이 교대로 적층된 것을 적층체라고 한다). 형은 예컨대 그래파이트로 형성되어 있다. 제1 판재 및 몰리브덴판(13)의 적층은 제1 판재가 적층체의 표면에 위치하도록 이루어진다.
접합 공정 S3에서는, 둘째로 적층체에 대한 가열 및 가압이 이루어진다. 가열 온도는 제1 판재의 융점 미만이며 또한 제1 판재가 충분히 연화되는 온도로 된다. 가열 온도는 예컨대 1000℃이다. 가압은 적층체의 두께 방향을 따라 이루어진다. 가압은 가열에 의해 연화된 제1 판재를 유동시키기 위해서 필요한 압력으로 이루어진다. 가압은 예컨대 50 MPa의 압력에 의해 이루어진다.
상기한 가열 및 가압에 의해 제1 판재가 유동하는 결과, 제1 판재가 몰리브덴판(13)의 개구부(13c)에 충전되어 구리 필러(14)로 된다. 또한, 개구부(13c)에 충전되지 않은 제1 판재의 잔부는 제1 층(11)으로 된다.
(실시형태에 따른 반도체 패키지의 구성)
이하에 실시형태에 따른 반도체 패키지(이하, 「반도체 패키지(100)」라고 한다)의 구성을 설명한다.
도 9는 반도체 패키지(100)의 분해 사시도이다. 반도체 패키지(100)는, 도 9에 도시하는 것과 같이, 복합 재료(10)와 반도체 소자(20)와 케이스 부재(30)와 덮개(40)와 단자(50a) 및 단자(50b)를 갖고 있다.
복합 재료(10)는 반도체 패키지(100)에 있어서 히트 스프레더로서 기능하고 있다. 반도체 소자(20)는 제1 표면(10a) 상에 배치되어 있다. 반도체 소자(20)와 제1 표면(10a)의 사이에는 전열 부재가 개재되어 있어도 좋다. 반도체 소자(20)는 동작 시에 발열원으로 된다.
케이스 부재(30)는 예컨대 세라믹스 재료로 형성되어 있다. 세라믹스 재료는 예컨대 알루미나(Al2O3)이다. 케이스 부재(30)는 반도체 소자(20)를 둘러싸도록 제1 표면(10a) 상에 배치되어 있다. 케이스 부재(30)의 하단(제1 표면(10a) 측의 끝)과 제1 표면(10a)의 사이는 예컨대 납땜에 의해 접합되어 있다. 덮개(40)는 예컨대 세라믹스 재료 또는 금속 재료로 형성되어 있다. 덮개(40)는 케이스 부재(30)의 상단 측을 폐색하고 있다.
단자(50a) 및 단자(50b)는 케이스 부재(30)에 삽입되어 있다. 그 결과, 단자(50a) 및 단자(50b)의 한쪽 끝은 제1 표면(10a), 케이스 부재(30) 및 덮개(40)에 의해 그려지는 공간 내에 위치해 있고, 단자(50a) 및 단자(50b)의 다른 쪽 끝은 상기 공간의 외부에 위치해 있다. 단자(50a) 및 단자(50a)는 예컨대 금속 재료로 형성되어 있다. 금속 재료는 예컨대 코발이다.
도시하지 않지만, 단자(50a) 및 단자(50b)의 한쪽 끝 측은 반도체 소자(20)에 전기적으로 접속되어 있다. 반도체 패키지(100)는, 단자(50a) 및 단자(50b)의 다른 쪽 단 측에 있어서, 반도체 패키지(100)와는 다른 장치 또는 회로와 전기적으로 접속된다.
제2 표면(10b)에는 방열 부재(60)가 부착된다. 방열 부재(60)는 예컨대 내부에 냉매가 흐르는 유로가 형성되어 있는 금속판이다. 단, 방열 부재(60)는 이것에 한정되는 것은 아니다. 방열 부재(60)는 예컨대 냉각 핀이라도 좋다. 방열 부재(60)와 제2 표면(10b)의 사이에는 전열 부재가 개재되어 있어도 좋다.
(실시형태에 따른 복합 재료의 효과)
이하에 복합 재료(10)의 효과를 설명한다.
발열원으로부터의 열을 제1 표면(10a)(제2 표면(10b))으로부터 효율적으로 방산시키기 위해서는, 제1 표면(10a)(제2 표면(10b)) 측에 있어서 열전도율을 높임으로써 발열원으로부터의 열을 층내 방향을 따라 확산시키는 것이 유효하다.
복합 재료(10)에서는, 열전도율이 상대적으로 높은 제1 층(11a)(제1 층(11b))의 두께(T2)가 0.025 mm 이상으로 확보되어 있다. 그 때문에, 복합 재료(10)에 의하면, 발열원으로부터의 열을 제1 표면(10a)(제2 표면(10b))으로부터 효율적으로 방산시킬 수 있다.
복합 재료(10)는 예컨대 케이스 부재(30)가 납땜될 때에 고온(예컨대 800℃ 정도)에 노출된다. 그 때문에, 복합 재료(10)에는, 고온에 노출되었을 때의 열 팽창이 작을 것이 요구된다. 복합 재료(10)에서는, 선 팽창 계수가 상대적으로 낮은 제2 층(12a)(제2 층(12b))의 두께(T3)가 0.05 mm 이상으로 확보되어 있다. 또한, 복합 재료(10)에서는, 제1 층(11a)(제1 층(11b))의 두께(T2)를 두께(T1)의 30 퍼센트 이하로 함으로써, 선 팽창 계수가 상대적으로 높은 제1 층(11a)(제1 층(11b))이 과도하게 두껍게 되지 않게 되어 있다. 그 때문에, 복합 재료(10)에 의하면, 고온에 노출되었을 때의 열팽창이 억제된다.
복합 재료(10)의 방열성을 개선하기 위해서는, 제1 표면(10a)(제2 표면(10b)) 측에 있어서의 열전도율뿐만 아니라, 복합 재료(10)의 전체적인 열전도율을 높일 것도 요구된다. 그러나, 복합 재료(10) 내에 있어서의 몰리브덴의 비율을 크게 하면, 복합 재료(10)의 전체적인 선 팽창 계수가 저하하는 한편, 복합 재료(10)의 전체적인 열전도율이 저하한다.
제1 표면(10a)(제2 표면(10b))의 면적 1 mm2 당 개구부(13c)의 수가 많아질수록 또는 개구부(13c)의 평균 원 상당 직경을 두께(T3)로 나눈 값이 커질수록 복합 재료(10) 내에 있어서의 몰리브덴 비율이 감소하여, 복합 재료(10) 전체의 열전도율이 저하한다. 아울러, 제2 층(12a)(제2 층(12b))의 두께(T3)을 크게 할수록 복합 재료(10) 내에 있어서의 몰리브덴 비율이 증가하여, 복합 재료(10)의 전체적인 열전도율이 저하한다.
복합 재료(10)에서는, 개구부(13c)의 수가 제1 표면(10a)(제2 표면(10b))의 면적 1 mm2 당 2 이상 12 이하로 되어 있으며 또한 개구부(13c)의 평균 원 상당 직경을 두께(T3)로 나눈 값이 0.3 이상 5.0 이하로 되어 있다. 또한, 복합 재료(10)에서는, 제2 층(12a)(제2 층(12b))의 두께(T3)가 두께(T1)의 35 퍼센트 이하로 되어, 제2 층(12a)(제2 층(12b))의 두께(T3)가 과도하게 두꺼워지지 않게 되어 있다. 그 때문에, 복합 재료(10)에 의하면, 복합 재료(10) 전체적으로 열전도율과 선 팽창 계수의 밸런스가 유지되고 있다.
이상에 의해, 복합 재료(10)에 의하면, 낮은 선 팽창 계수 및 높은 방열성을 양립할 수 있다.
(실험예)
복합 재료(10)의 효과를 확인하기 위해서 샘플 1∼샘플 48을 준비했다. 샘플 1∼샘플 48에 있어서, 제1 층(11)은 순구리로 형성되었다. 샘플 1∼샘플 48에 있어서, 몰리브덴판(13)은 순몰리브덴으로 형성되고, 구리 필러(14)는 순구리로 형성되었다.
표 1, 표 2 및 표 3에는, 샘플 1∼샘플 48에 있어서의 복합 재료(10)의 치수가 기재되어 있다. 제1 층(11a) 및 제1 층(11b) 이외의 두께(T2)는 복합 재료(10)의 두께(T1), 제1 층(11a) 및 제1 층(11b)의 두께(T2) 및 제2 층(12)의 두께(T3)로부터 정해지기 때문에, 표 1∼표 3에서는 기재를 생략했다. 또한, 샘플 27∼48에 있어서, 제2 층(12a) 및 제2 층(12b)의 두께(T3)는 제2 층(12a) 및 제2 층(12b) 이외의 제2 층(12)의 두께(T3)와 같다.
제1 층(11a)(제1 층(11b))의 두께(T1)가 0.025 mm 이상이며 또한 두께(T3)의 30 퍼센트 이하인 것을, 조건 A로 한다. 제2 층(12a)(제2 층(12b))의 두께(T2)가 0.05 mm 이상이며 또한 두께(T3)의 30 퍼센트 이하인 것을, 조건 B로 한다.
제1 표면(10a)(제2 표면(10b))의 면적 1 mm2 당 개구부(13c)의 수가 2 이상 12 이하인 것을, 조건 C로 한다. 개구부(13c)의 평균 원 상당 직경을 두께(T3)로 나눈 값이 0.3 이상 5.0 이하인 것을, 조건 D로 한다. 개구부(13c)의 평균 원 상당 직경을 두께(T3)로 나눈 값이 1.6 이상 5.0 미만인 것을, 조건 E로 한다.
샘플 1∼샘플 3, 샘플 8, 샘플 12, 샘플 15, 샘플 27, 샘플 32, 샘플 39 및 샘플 43에서는 조건 A∼조건 D 중 적어도 하나가 충족되지 않았다. 그 이외의 샘플에서는 조건 A∼조건 D 전부가 충족되어 있었다.
샘플 4∼샘플 7, 샘플 13, 샘플 14, 샘플 18∼샘플 22, 샘플 28∼샘플 31, 샘플 34, 샘플 36∼샘플 38, 샘플 40∼샘플 42 및 샘플 44∼샘플 48에서는 조건 E가 추가로 충족되어 있었다.
샘플 1∼샘플 48에 대해서는, 두께 방향의 열전도율, 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 층내 방향의 선 팽창 계수 및 단부 온도차가 측정되었다.
표 4, 표 5 및 표 6에는, 샘플 1∼샘플 48에 대한 두께 방향의 열전도율, 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 층내 방향의 선 팽창 계수 및 단부 온도차의 측정 결과가 나와 있다.
두께 방향의 열전도율이 290 W/m·K 이상인 것을, 조건 F로 한다. 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 층내 방향의 선 팽창 계수가 9.0 ppm/K 이하인 것을, 조건 G로 한다. 단부 온도차가 50℃ 이하인 것을, 조건 H로 한다.
샘플 1∼샘플 3, 샘플 8, 샘플 12, 샘플 15, 샘플 27, 샘플 32, 샘플 39 및 샘플 43에서는 조건 F∼조건 H 중 적어도 하나가 충족되지 않았다. 다른 한편, 그 이외의 샘플에서는 조건 F∼조건 H 전부가 충족되어 있었다. 이 비교로부터, 조건 A∼조건 D 전부가 충족됨으로써, 복합 재료(10)의 낮은 선 팽창 계수 및 높은 방열성이 양립되는 것이 실험적으로도 드러났다.
두께 방향의 열전도율이 300 W/m·K 이상인 것을, 조건 I로 한다. 실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 층내 방향의 선 팽창 계수가 8.5 ppm/K 이하인 것을, 조건 J로 한다. 단부 온도차가 40℃ 이하인 것을, 조건 K로 한다.
샘플 4∼샘플 7, 샘플 13, 샘플 14, 샘플 18∼샘플 22, 샘플 28∼샘플 31, 샘플 34, 샘플 36∼샘플 38, 샘플 40∼샘플 42 및 샘플 44∼샘플 48에서는 조건 I∼조건 K가 추가로 충족되어 있었다. 이 비교로부터, 조건 E가 추가로 충족됨으로써 복합 재료(10)의 낮은 선 팽창 계수 및 높은 방열성이 더욱 높은 수준으로 양립된다는 것이 실험적으로도 드러났다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이고, 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 실시형태가 아니라 청구범위에 의해서 나타내어지며, 청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
10: 복합 재료, 10a: 제1 표면, 10b: 제2 표면, 11, 11a, 11b: 제1 층, 12, 12a, 12b: 제2 층, 13: 몰리브덴판, 13a: 제1 면, 13b: 제2 면, 13c: 개구부, 14: 구리 필러, 15: 박편, 16: 블록, 17: 측정 시료, 20: 반도체 소자, 30: 케이스 부재, 40: 덮개, 50a, 50b: 단자, 60: 방열 부재, 70: 발열체, 80: 알루미늄 핀, 100: 반도체 패키지, D: 개구 직경, S1: 준비 공정, S2: 공정, S3: 접합 공정, T1, T2, T3: 두께.
Claims (13)
- 제1 표면과 상기 제1 표면의 반대면인 제2 표면을 갖는 판상의 복합 재료로서,
복수의 제1 층과 복수의 제2 층을 구비하고,
상기 제1 층의 수 및 상기 제2 층의 수의 합계는 5 이상이고,
상기 제1 층 및 상기 제2 층은 상기 복합 재료의 두께 방향을 따라 교대로 적층되어 있고,
상기 제1 표면 및 상기 제2 표면을 구성하는 층은 상기 제1 층이고,
상기 제1 층은 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있고,
상기 제2 층은 몰리브덴판과 구리 필러를 갖고 있고,
상기 몰리브덴판은 상기 몰리브덴판을 상기 두께 방향으로 관통하는 복수의 개구부를 갖고,
상기 구리 필러는 상기 개구부의 내부를 채우도록 배치되어 있고,
상기 제1 표면을 구성하는 상기 제1 층의 두께는 0.025 mm 이상이며 또한 상기 복합 재료의 두께의 30 퍼센트 이하이고,
상기 제1 표면을 구성하는 상기 제1 층에 접하는 상기 제2 층의 두께는 0.05 mm 이상이며 또한 상기 복합 재료의 두께의 35 퍼센트 이하이고,
어느 하나의 상기 제2 층에 있어서,
상기 개구부의 수는 상기 제1 표면의 면적 1 mm2 당 2 이상 12 이하이고,
상기 개구부의 평균 원 상당 직경을 상기 제2 층의 두께로 나눈 값은 0.3 이상 5.0 이하인 복합 재료. - 제1항에 있어서, 상기 개구부의 평균 원 상당 직경을 상기 제2 층의 두께로 나눈 값은 1.6 이상 5.0 미만인 복합 재료.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 두께 방향의 열전도율은 실온에 있어서 290 W/m·K 이상이고,
실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 상기 두께 방향에 직교하는 층내 방향의 선 팽창 계수는 9.0 ppm/K 이하인 복합 재료. - 제3항에 있어서, 단부 온도차는 50℃ 이하인 복합 재료.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 두께 방향의 열전도율은 실온에 있어서 300 W/m·K 이상이고,
실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 상기 두께 방향에 직교하는 층내 방향의 선 팽창 계수는 8.5 ppm/K 이하인 복합 재료. - 제5항에 있어서, 단부 온도차는 40℃ 이하인 복합 재료.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 몰리브덴판은 상기 두께 방향에 있어서의 단부면인 제1 면 및 제2 면을 갖고,
상기 제1 면에 있어서의 상기 개구부의 원 상당 직경의 평균치 및 상기 제2 면에 있어서의 상기 개구부의 원 상당 직경의 평균치는 0.05 mm 이상 0.35 mm 이하인 복합 재료. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 개구부의 최소 개구 면적의 평균치는 상기 개구부의 최대 개구 면적의 평균치의 57 퍼센트 이상 100 퍼센트 이하인 복합 재료.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층의 수 및 상기 제2 층의 수의 합계는 9 이하인 복합 재료.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재한 상기 복합 재료를 구비하고,
상기 제1 표면이 발열원과의 접촉면으로 되는 히트 스프레더. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재한 상기 복합 재료와,
상기 제1 표면 상에 배치되어 있는 반도체 소자를 구비하는 반도체 패키지. - 제11항에 있어서, 세라믹스 재료로 형성되어 있는 케이스 부재를 더 구비하고,
상기 케이스 부재는 상기 반도체 소자를 둘러싸도록 상기 제1 표면 상에 배치되어 있는 반도체 패키지. - 제1 표면과 상기 제1 표면의 반대면인 제2 표면을 갖는 판상의 복합 재료로서,
복수의 제1 층과 복수의 제2 층을 구비하고,
상기 제1 층의 수 및 상기 제2 층의 수의 합계는 5 이상 9 이하이고,
상기 제1 층 및 상기 제2 층은 상기 복합 재료의 두께 방향을 따라 교대로 적층되어 있고,
상기 제1 표면 및 상기 제2 표면을 구성하는 층은 상기 제1 층이고,
상기 제1 층은 구리를 주성분으로 하는 금속 재료로 형성되어 있고,
상기 제2 층은 몰리브덴판과 구리 필러를 갖고 있고,
상기 몰리브덴판은 상기 몰리브덴판을 상기 두께 방향으로 관통하는 복수의 개구부를 갖고,
상기 구리 필러는 상기 개구부의 내부를 채우도록 배치되어 있고,
상기 제1 표면을 구성하는 상기 제1 층의 두께는 0.025 mm 이상이며 또한 상기 복합 재료의 두께의 30 퍼센트 이하이고,
상기 제1 표면을 구성하는 상기 제1 층에 접하는 상기 제2 층의 두께는 0.05 mm 이상이며 또한 상기 복합 재료의 두께의 35 퍼센트 이하이고,
어느 하나의 상기 제2 층에 있어서,
상기 개구부의 수는 상기 제1 표면의 면적 1 mm2 당 2 이상 12 이하이고,
상기 개구부의 평균 원 상당 직경을 상기 제2 층의 두께로 나눈 값은 0.3 이상 5.0 이하이고,
상기 두께 방향의 열전도율은 실온에 있어서 290 W/m·K 이상이고,
실온에서부터 800℃까지 온도가 변화되었을 때의 상기 두께 방향에 직교하는 층내 방향의 선 팽창 계수는 9.0 ppm/K 이하이고,
상기 몰리브덴판은 상기 두께 방향에 있어서의 단부면인 제1 면 및 제2 면을 갖고,
상기 제1 면에 있어서의 상기 개구부의 원 상당 직경의 평균치 및 상기 제2 면에 있어서의 상기 개구부의 원 상당 직경의 평균치는 0.05 mm 이상 0.35 mm 이하이고,
상기 개구부의 최소 개구 면적의 평균치는 상기 개구부의 최대 개구 면적의 평균치의 57 퍼센트 이상 100 퍼센트 이하인 복합 재료.
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