KR20230025395A - 적층판, 프린트 배선판, 반도체 패키지 및 적층판의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유하는 적층판이며, 상기 2층 이상의 복합층이, 1층 이상의 복합층 (X)와, 1층 이상의 복합층 (Y)를 함유하고, 복합층 (X)가, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 층이고, 복합층 (Y)가, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 층이고, 상기 제1 유리 섬유가, 상기 제2 유리 섬유보다도 25℃에서의 인장 탄성률이 높은 것인 적층판, 해당 적층판을 사용한 프린트 배선판, 반도체 패키지 및 적층판의 제조 방법.

Description

적층판, 프린트 배선판, 반도체 패키지 및 적층판의 제조 방법

본 실시 형태는, 적층판, 프린트 배선판, 반도체 패키지 및 적층판의 제조 방법에 관한 것이다.

근년, 전자 기기의 소형화 및 고성능화에 의해, 프린트 배선판의 배선 밀도의 고도화 및 고집적화가 진전되고 있고, 이에 수반하여 프린트 배선판에 대한 신뢰성 향상의 요구가 강해지고 있다. 특히, 반도체 패키지에서는, 소형화 및 박형화에 수반하여, 부품 실장 시 및 패키지 조립 시에서의 휨의 발생이 큰 과제로 되어 있다.

반도체 패키지가 휘는 요인의 하나로서, 반도체 소자와 해당 반도체 소자를 탑재하는 프린트 배선판의 열팽창률의 차를 들 수 있다. 일반적으로 프린트 배선판의 열팽창률은, 반도체 소자의 열팽창률보다도 크기 때문에, 반도체 소자를 실장할 때의 가열 등의 열 이력을 받은 패키지에는, 상기 열팽창률차에 기인하는 휨 응력이 발생한다. 그 때문에, 반도체 패키지의 휨을 억제하는 방법으로서는, 프린트 배선판의 열팽창률을 작게 하여 반도체 소자의 열팽창률과의 차를 작게 하는 방법, 프린트 배선판을 고탄성률화하여 강성을 높이는 방법 등이 유효하다.

프린트 배선판의 적층판으로서는, 열경화성 수지 조성물을 유리 클로스 등의 섬유 기재에 함침 또는 도공하여 얻어지는 프리프레그를, 적층하여 가열 경화한 것이 일반적으로 사용되고 있다. 프리프레그에 함유되는 수지 성분은, 프리프레그를 구성하는 재료 중에서도 열팽창률이 높고 탄성률이 낮기 때문에, 실리카 등의 무기 충전재를 고충전화함으로써, 고탄성률화 및 저열팽창화를 도모하고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).

그러나, 무기 충전재의 고충전화는, 절연 신뢰성, 구리박과의 접착성, 프레스 가공성 등을 저하시킬 우려가 있기 때문에, 이들의 성능을 담보한다는 관점에서, 무기 충전재의 고충전화만에 의한 적층판의 고탄성률화 및 저열팽창화에는 한계가 있다.

일본 특허 공개 평5-148343호 공보

적층판을 고탄성률화 및 저열팽창화하는 다른 방법으로서, 섬유 기재의 재질을, 보다 열팽창률이 낮고 탄성률이 높은 것으로 하는 방법이 생각된다.

그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 섬유 기재의 열팽창률을 낮게 함과 함께, 탄성률을 높게 하면, 얻어지는 적층판은, 접속 신뢰성이 나빠지는 경향이 있음이 판명되고 있다.

따라서, 단순하게 섬유 기재의 열팽창률 및 탄성률을 조정하는 것만으로는, 접속 신뢰성을 양호하게 유지한 채, 적층판을 고탄성률화 및 저열팽창화할 수는 없다.

본 실시 형태는, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 고탄성률 및 저열팽창성을 가지면서도 접속 신뢰성이 우수한 적층판, 해당 적층판을 사용한 프린트 배선판 및 반도체 패키지, 그리고 적층판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 하기의 본 실시 형태에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아내었다.

즉, 본 실시 형태는, 하기 [1] 내지 [14]에 관한 것이다.

[1] 섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유하는 적층판이며,

상기 2층 이상의 복합층이, 1층 이상의 복합층 (X)와, 1층 이상의 복합층 (Y)를 함유하고,

복합층 (X)가, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 층이고,

복합층 (Y)가, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 층이고,

상기 제1 유리 섬유가, 상기 제2 유리 섬유보다도 25℃에서의 인장 탄성률이 높은 것인, 적층판.

[2] 상기 제1 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성률이 80GPa 이상이고,

상기 제2 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성률이 80GPa 미만인, [1]에 기재된 적층판.

[3] 상기 제1 유리 섬유와 상기 제2 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성률의 차가 10GPa 이상인, [1] 또는 [2]에 기재된 적층판.

[4] 섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유하는 적층판이며,

상기 2층 이상의 복합층이, 1층 이상의 복합층 (X)와, 1층 이상의 복합층 (Y)를 함유하고,

복합층 (X)가, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 층이고,

복합층 (Y)가, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 층이고,

상기 제1 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이, 상기 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량보다도 높은 것인, 적층판.

[5] 상기 제1 유리 섬유가 S 유리인, [1] 내지 [4] 중 어느 한 항에 기재된 적층판.

[6] 상기 제2 유리 섬유가 E 유리인, [1] 내지 [5] 중 어느 한 항에 기재된 적층판.

[7] 상기 복합층 (X)의 층수가, 상기 복합층 (Y)의 층수보다도 많은, [1] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재된 적층판.

[8] 상기 복합층 (X)를 1층 이상, 상기 복합층 (Y)를 2층 이상 함유하는 적층판이며,

적어도 1층의 복합층 (X)가, 2층의 복합층 (Y)의 사이에 배치되어 이루어지는, [1] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재된 적층판.

[9] 상기 복합층 (X)를 1층 이상, 상기 복합층 (Y)를 2층 이상 함유하는 적층판이며,

해당 적층판의 양면의 최표층이 상기 복합층 (Y)인, [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 적층판.

[10] 상기 복합층 (X)를 1층 이상, 상기 복합층 (Y)를 2층 함유하는 적층판이고, 해당 적층판의 양면의 최표층이 상기 복합층 (Y)인, [9]에 기재된 적층판.

[11] 상기 복합층 (X)를 2층 이상 함유하는, [9] 또는 [10]에 기재된 적층판.

[12] [1] 내지 [11] 중 어느 한 항에 기재된 적층판을 함유하여 이루어지는 프린트 배선판.

[13] [12]에 기재된 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 반도체 패키지.

[14] [1] 내지 [11] 중 어느 한 항에 기재된 적층판을 제조하는 방법이며,

상기 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재에 열경화성 수지 조성물이 함침되어 이루어지는 프리프레그 (a)와,

상기 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재에 열경화성 수지 조성물이 함침되어 이루어지는 프리프레그 (b)

를 적층 성형하는, 적층판의 제조 방법.

본 실시 형태에 의하면, 고탄성률 및 저열팽창성을 가지면서도 접속 신뢰성이 우수한 적층판, 해당 적층판을 사용한 프린트 배선판 및 반도체 패키지, 그리고 적층판의 제조 방법을 제공할 수 있다.

도 1은 복합층의 단면을 나타내는 모식도이다.
도 2는 샌드위치 적층부의 예를 나타내는 모식도이다.
도 3은 샌드위치 적층부의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 4는 본 실시 형태의 적층판의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 5는 본 실시 형태의 적층판의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 6은 본 실시 형태의 적층판의 다른 예를 나타내는 모식도이다.
도 7은 본 실시 형태의 적층판의 다른 예를 나타내는 모식도이다.

본 명세서 중에 기재되어 있는 「내지」를 사용하여 나타내어진 수치 범위는, 「내지」 앞에 기재되는 수치를 최솟값, 「내지」 뒤에 기재되는 수치를 최댓값으로서 포함하는 수치 범위를 나타낸다. 예를 들어, 수치 범위 「X 내지 Y」(X, Y는 실수)라고 하는 표기는, X 이상 Y 이하인 수치 범위를 의미한다. 그리고, 본 명세서에서의 「X 이상」이라고 하는 기재는, X 및 X를 초과하는 수치를 의미한다. 또한, 본 명세서에서의 「Y 이하」라고 하는 기재는, Y 및 Y 미만의 수치를 의미한다.

본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타내어져 있는 값으로 치환해도 된다. 또한, 수치 범위의 하한값 및 상한값은, 각각 다른 수치 범위의 하한값 또는 상한값과 임의로 조합된다.

또한, 본 명세서에 예시하는 각 성분 및 재료는, 특별히 언급하지 않는 한, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 본 명세서에 있어서, 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 존재하는 경우, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 당해 복수의 물질의 합계량을 의미한다.

본 명세서에서의 기재 사항을 임의로 조합한 양태도 본 실시 형태에 포함된다.

본 명세서에 기재되어 있는 작용기서는 추측이며, 본 실시 형태에 따른 수지 조성물의 효과를 발휘하는 기서를 한정하는 것은 아니다.

[적층판]

본 실시 형태는, 하기 〔1〕에 나타내는 제1 실시 형태의 적층판(이하, 「적층판 (1)」이라고도 함), 및 하기 〔2〕에 나타내는 제2 실시 형태에 따른 적층판(이하, 「적층판 (2)」라고도 함)을 제공한다.

〔1〕섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유하는 적층판이며,

상기 2층 이상의 복합층이, 1층 이상의 복합층 (X)와, 1층 이상의 복합층 (Y)를 함유하고,

복합층 (X)가, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 층이고,

복합층 (Y)가, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 층이고,

상기 제1 유리 섬유가, 상기 제2 유리 섬유보다도 25℃에서의 인장 탄성률이 높은 것인, 적층판.

〔2〕섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유하는 적층판이며,

상기 2층 이상의 복합층이, 1층 이상의 복합층 (X)와, 1층 이상의 복합층 (Y)를 함유하고,

복합층 (X)가, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 층이고,

복합층 (Y)가, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 층이고,

상기 제1 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이, 상기 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량보다도 높은 것인, 적층판.

또한, 이하의 설명은, 특별히 언급하지 않는 한, 본 실시 형태의 적층판 (1) 및 적층판 (2)에 공통되는 설명이며, 단순히 「적층판」이라고 칭하는 경우, 본 실시 형태의 적층판 (1) 및 적층판 (2)의 양자를 가리키는 것으로 한다.

본 실시 형태의 적층판이, 고탄성률 및 저열팽창성을 가지면서도 접속 신뢰성이 우수한 적층판인 이유는 분명치는 않지만, 다음과 같이 추측된다.

유리 섬유의 탄성률 또는 SiO₂ 및 Al₂O₃의 함유량은, 해당 유리 섬유가 구성하는 섬유 기재의 탄성률 및 열팽창률을 결정하는 인자의 하나이다. 구체적으로는, 탄성률이 낮거나 또는 SiO₂의 함유량이 낮은 제2 유리 섬유로 구성되는 섬유 기재는, 저탄성률을 갖는 복합층 (Y)를 부여한다. 적층판을 사용한 패키지의 머더보드와의 접속 신뢰성에 대해서는, 저탄성률을 갖는 복합층 (Y)의 영향이 크고, 복합층 (Y)의 적용에 의해, 복합층 (X)만의 경우로부터, 적층판은 효과적으로 접속 신뢰성이 향상된다.

한편, 적층판의 경화 시의 휨은, 고탄성률 및/또는 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이 높은 복합층 (X)의 층수에 따라서 양호해진다. 그 결과, 복합층 (X) 및 복합층 (Y)를 함유하는 적층판은, 접속 신뢰성이 복합층 (Y)에 가깝고, 또한 탄성률 및 열팽창률은 복합층 (X)의 층수에 따라서 양호한 것이 된다고 생각된다.

이하, 본 실시 형태의 적층판이 갖는 각 부재에 대하여 설명한다.

<복합층>

본 실시 형태의 적층판은, 섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유한다.

또한, 본 실시 형태에서의 복합층의 수는 정수값이다. 따라서, 예를 들어 2층 이상 16층 이하의 복합층은, 2 내지 16의 수치 범위에 포함되는 정수값이며, 이 경우, 복합층의 수의 하한값 및 상한값은, 수치 범위에 포함되는 정수값을 사용하여 임의로 조합할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서의 1층의 복합층이란, 1층의 섬유 기재와 해당 섬유 기재 중에 함유되는 열경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 복합층을 의미한다.

또한, 1층의 섬유 기재란, 열경화성 수지 조성물과 복합화하기 전에 1매의 시트로서 취급할 수 있는 것이며, 섬유끼리의 얽힘, 섬유용 결합제 등에 의해, 섬유가 일체로 된, 간극을 갖는 시트상의 기재이다.

본 실시 형태의 적층판 (1)은, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 복합층 (X)와, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 복합층 (Y)를 함유한다. 본 실시 형태의 적층판 (1)에 있어서, 상기 제1 유리 섬유가, 상기 제2 유리 섬유보다도 25℃에서의 인장 탄성률이 높은 것이다.

본 실시 형태의 적층판 (2)는, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 복합층 (X)와, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 복합층 (Y)를 함유한다. 본 실시 형태의 적층판 (2)에 있어서, 상기 제1 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이, 상기 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량보다도 높은 것이다.

도 1에는, 본 실시 형태의 적층판이 함유하는 복합층의 일례의 단면 모식도가 도시되어 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 복합층(1)은, 섬유 기재(2)와, 열경화성 수지 조성물의 경화물(3)을 함유하는 것이다.

복합층(1)에 있어서, 섬유 기재(2)는, 단섬유인 유리 섬유를 집속하여 이루어지는 스트랜드에 꼬임을 가한 얀을, 경사(2a)와 위사(2b)로서 교직하여 이루어지는 유리 클로스이다.

섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 적합한 양태는 후술하는 바와 같다.

<적층판의 구성>

본 실시 형태의 적층판이 함유하는 복합층의 합계층 수는, 적층판의 용도에 따라서 적절히 조정하면 되지만, 적층판의 기계 강도를 양호하게 한다는 관점에서는, 3층 이상이 바람직하고, 4층 이상이 보다 바람직하며, 5층 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 복합층의 합계층 수는, 프린트 배선판의 소형화 및 적층판의 가공성 등의 관점에서는, 20층 이하가 바람직하고, 18층 이하가 보다 바람직하며, 16층 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판이 함유하는 복합층 (X)의 층수는, 특별히 한정되지는 않지만, 휨을 양호하게 한다는 관점에서는, 2층 이상이 바람직하다. 또한, 복합층 (X)의 층수는, 프린트 배선판의 소형화 및 적층판의 가공성 등의 관점에서는, 16층 이하가 바람직하고, 15층 이하가 보다 바람직하며, 14층 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판 중에서 차지하는 복합층 (X)의 체적 비율은, 특별히 한정되지는 않지만, 휨을 양호하게 한다는 관점에서는, 50체적％ 이상이 바람직하고, 55체적％ 이상이 보다 바람직하며, 60체적％ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 복합층 (X)의 체적 비율은, 프린트 배선판의 소형화 및 적층판의 가공성 등의 관점에서는, 95체적％ 이하가 바람직하고, 90체적％ 이하가 보다 바람직하며, 88체적％ 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판이 함유하는 복합층 (Y)의 층수는, 특별히 한정되지는 않지만, 접속 신뢰성의 관점에서는, 1층 이상이 바람직하고, 2층 이상이 보다 바람직하다. 또한, 복합층 (Y)의 층수는, 적층판의 고탄성률화 및 저열팽창화의 관점에서는, 6층 이하가 바람직하고, 5층 이하가 보다 바람직하며, 4층 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판 중에 차지하는 복합층 (Y)의 체적 비율은, 특별히 한정되지는 않지만, 적층판의 접속 신뢰성의 관점에서는, 5체적％ 이상이 바람직하고, 10체적％ 이상이 보다 바람직하며, 12체적％ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 복합층 (Y)의 체적 비율은, 휨을 양호하게 한다는 관점에서는, 50체적％ 이하가 바람직하고, 45체적％ 이하가 보다 바람직하며, 40체적％ 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판이 함유하는 복합층 (X)의 층수는, 휨을 양호하게 한다는 관점에서는, 복합층 (Y)의 층수보다도 많은 것이 바람직하다.

복합층 (X)의 층수와, 복합층 (Y)의 층수의 차〔복합층 (X)-복합층 (Y)〕는, 특별히 한정되지는 않지만, 휨을 양호하게 한다는 관점에서는, 1층 이상이 바람직하고, 2층 이상이 보다 바람직하며, 3층 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 층수의 차는, 프린트 배선판의 소형화 및 적층판의 가공성 등의 관점에서는, 15층 이하가 바람직하고, 14층 이하가 보다 바람직하며, 13층 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판이 함유하는 복합층의 1층당 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 절연 신뢰성, 가공성 등의 관점에서는, 0.01㎜ 이상이 바람직하고, 0.02㎜ 이상이 보다 바람직하며, 0.025㎜ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 복합층의 1층당 두께는, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서는, 0.5㎜ 이하가 바람직하고, 0.3㎜ 이하가 보다 바람직하며, 0.2㎜ 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판의 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 적층판의 기계 강도, 가공성 등의 관점에서는, 0.3㎜ 이상이 바람직하고, 0.4㎜ 이상이 보다 바람직하며, 0.5㎜ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 적층판의 두께는, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서는, 5㎜ 이하가 바람직하고, 3㎜ 이하가 보다 바람직하고, 2㎜ 이하가 더욱 바람직하며, 1.6㎜ 이하가 특히 바람직하다.

또한, 상기 적층판의 두께에는, 후술하는 임의로 마련해도 되는 외층의 금속박 등의 두께는 포함하지 않는 것으로 한다.

본 실시 형태의 적층판은, 복합층 (X)를 1층 이상, 복합층 (Y)를 2층 이상 함유하고, 적어도 1층의 복합층 (X)가, 2층의 복합층 (Y) 사이에 배치되어 이루어지는 적층부(이하, 「샌드위치 적층부」라고도 함)를 적어도 일부에 갖는 것이 바람직하다.

도 2 및 도 3에, 샌드위치 적층부의 일례를 나타낸다.

도 2에 도시한 샌드위치 적층부(4A)는, 2층의 복합층 (Y) 사이에 1층의 복합층 (X)가 배치된 구성을 갖는다.

도 3에 도시한 샌드위치 적층부(4B)는, 2층의 복합층 (Y) 사이에 10층의 복합층 (X)가 배치된 구성을 갖는다.

샌드위치 적층부에 있어서, 양측 2층의 복합층 (Y) 사이에 배치되는 복합층 (X)의 층수는, 특별히 한정되지는 않지만, 휨을 양호하게 한다는 관점에서는, 2층 이상이 바람직하고, 3층 이상이 보다 바람직하며, 4층 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 양측 2층의 복합층 (Y)의 사이에 배치되는 복합층 (X)의 층수는, 특별히 한정되지는 않지만, 프린트 배선판의 소형화 및 적층판의 가공성 등의 관점에서는, 16층 이하가 바람직하고, 15층 이하가 보다 바람직하며, 14층 이하가 더욱 바람직하다.

본 실시 형태의 적층판은, 샌드위치 적층부를, 적층판의 적어도 일부에 갖는 것이 바람직하고, 샌드위치 적층부만으로 구성되는 것이어도 된다.

샌드위치 적층부를, 적층판 중 적어도 일부에 갖는 것의 예로서는, 예를 들어 샌드위치 적층부를 구성하는 양측 또는 편측의 복합층 (Y)보다도, 외측에 복합층 (X) 및 복합층 (Y)로 이루어지는 군에서 선택되는 1층 이상을 갖는 것을 들 수 있다.

도 4 및 도 5에, 샌드위치 적층부를 적층판의 일부에 갖는 것의 일례를 나타낸다.

도 4에는, 샌드위치 적층부(4B)를 구성하는 양측의 복합층 (Y)보다도 외측에 1층씩의 복합층 (Y)를 갖는 적층판(10)이 도시되어 있다.

도 5에는, 샌드위치 적층부(4B)를 구성하는 양측의 복합층 (Y)보다도 외측에 1층씩의 복합층 (X)를 갖는 적층판(11)이 도시되어 있다.

샌드위치 적층부만으로 구성되는 것의 예로서는, 예를 들어 도 2 및 도 3에 도시된 샌드위치 적층부(4A 또는 4B)만으로 구성되는 적층판 등을 들 수 있다.

본 실시 형태의 적층판은, 복합층 (Y)를 2층 이상 함유하는 적층판이고, 해당 적층판의 양면의 최표층이 복합층 (Y)인 것이 바람직하다.

이때, 양측의 최표층 복합층 (Y) 사이에 배치되는 복합층은, 적어도 1층의 복합층 (X)를 함유하는 것이면 되고, 1층 이상의 복합층 (X)와 1층 이상의 복합층 (Y)의 조합이어도 되지만, 1층 이상의 복합층 (X)만인 것이 바람직하다.

즉, 본 실시 형태의 적층판은, 복합층 (X)를 1층 이상, 복합층 (Y)를 2층만 함유하는 적층판이고, 해당 적층판의 양측의 최표층이 복합층 (Y)인 것이 바람직하다(이하, 당해 양태를 「샌드위치 적층판」이라고도 칭한다. 샌드위치 적층판은, 상기한 샌드위치 적층부만으로 구성되는 적층판에 상당하는 것이다).

샌드위치 적층판에 있어서, 양측 2층의 복합층 (Y) 사이에 배치되는 복합층 (X)의 층수는, 상기한 샌드위치 적층부에서의 바람직한 범위와 동일하다.

또한, 최표층의 복합층 (Y) 1층이, 본 실시 형태의 적층판 중에 차지하는 체적 비율은, 특별히 한정되지는 않지만, 접속 신뢰성의 관점에서는, 3체적％ 이상이 바람직하고, 5체적％ 이상이 보다 바람직하며, 6체적％ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 최표층의 복합층 (Y) 1층이, 본 실시 형태의 적층판 중에 차지하는 체적 비율은, 특별히 한정되지는 않지만, 휨을 양호하게 한다는 관점에서는, 25체적％ 이하가 바람직하다.

도 6에, 샌드위치 적층판의 일례를 나타낸다.

도 6에 도시한 샌드위치 적층판(12)은, 양측 2층의 복합층 (Y) 사이에 12층의 복합층 (X)가 배치된 구성을 갖는다.

본 실시 형태의 적층판에 있어서, 복합층 (X)를 2층 이상 함유하는 경우, 2층 이상의 복합층 (X)끼리는 동일한 것이어도, 다른 것이어도 된다.

또한, 본 실시 형태의 적층판에 있어서, 복합층 (Y)를 2층 이상 함유하는 경우, 2층 이상의 복합층 (Y)끼리는 동일한 것이어도, 다른 것이어도 된다.

예를 들어, 도 3에 도시한 샌드위치 적층부(4A) 및 도 6에 도시한 샌드위치 적층판(12)의 경우, 양측 2층의 복합층 (Y)끼리는, 두께 등의 구조, 탄성률 등의 물성, 조성 등이 서로 동일해도 되고 달라도 된다. 마찬가지로, 양측 2층의 복합층 (Y)의 사이에 배치된 2층 이상의 복합층 (X)끼리는, 두께 등의 구조, 탄성률 등의 물성, 조성 등이 서로 동일해도 되고 달라도 된다.

이상의 적층판의 구성은 본 실시 형태의 적층판의 일례이며, 본 실시 형태는 이들 구성을 갖는 적층판에 한정되는 것은 아니다.

다음으로, 본 실시 형태의 복합층을 구성하는 재료의 적합한 양태에 대하여 설명한다.

<섬유 기재>

섬유 기재의 형상으로서는, 각종 전기 절연 재료용 적층판에 사용되고 있는 주지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어 경사와 위사가 교직되어 이루어지는 직포(즉, 유리 클로스), 부직포, 로우 빙크, 촙드 스트랜드 매트, 서피싱 매트 등의 형상을 들 수 있다. 이들 중에서도, 섬유 기재는 유리 클로스인 것이 바람직하다.

섬유 기재는, 실란 커플링제 등으로 표면 처리한 것 또는 기계적으로 개섬 처리를 실시한 것이, 내열성, 내습성, 가공성 등의 면에서 적합하다.

섬유 기재의 두께는, 특별히 한정되지는 않지만, 절연 신뢰성, 가공성 등의 관점에서는, 0.01㎜ 이상이 바람직하고, 0.02㎜ 이상이 보다 바람직하며, 0.025㎜ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 섬유 기재의 두께는, 프린트 배선판의 박형화의 관점에서는, 0.5㎜ 이하가 바람직하고, 0.3㎜ 이하가 보다 바람직하며, 0.2㎜ 이하가 더욱 바람직하다.

<유리 섬유>

다음으로, 섬유 기재를 구성하는 유리 섬유에 대하여 설명한다.

또한, 이하의 설명은, 특별히 언급하지 않는 한, 제1 유리 섬유 및 제2 유리 섬유에 공통되는 설명이며, 단순히 「유리 섬유」라고 칭하는 경우, 제1 유리 섬유 및 제2 유리 섬유 양자를 가리키는 것으로 한다.

유리 섬유는, 특별히 한정되는 것은 아니지만 , 예를 들어 수 10 내지 수 100개가 집속된 스트랜드 또는 스트랜드에 꼬임을 가한 얀으로서 사용되는 것이 바람직하고, 본 실시 형태에 사용하는 섬유 기재는, 상기 얀을 경사와 위사로서 교직하여 이루어지는 유리 클로스인 것이 바람직하다.

유리 섬유의 단섬유 직경은, 특별히 한정되지는 않지만, 2 내지 12㎛가 바람직하고, 3 내지 11㎛가 보다 바람직하며, 4 내지 10㎛가 더욱 바람직하다.

유리 섬유의 집속 개수는, 특별히 한정되지는 않지만, 40 내지 1000개가 바람직하고, 45 내지 700개가 보다 바람직하며, 50 내지 400개가 더욱 바람직하다.

(유리 섬유의 인장 탄성률)

본 실시 형태의 적층판 (1)에 있어서는, 제1 유리 섬유는, 제2 유리 섬유보다도 25℃에서의 인장 탄성률(이하, 단순히 「인장 탄성률」이라고 기재하는 경우는, 25℃에서의 인장 탄성률을 나타냄)이 높은 것이며, 본 실시 형태의 적층판 (2)에 있어서도, 제1 유리 섬유는, 제2 유리 섬유보다도 인장 탄성률이 높은 것이 바람직하다.

유리 섬유의 인장 탄성률은, 특별히 한정되지는 않지만, 제1 유리 섬유의 인장 탄성률은, 80GPa 이상이 바람직하고, 제2 유리 섬유의 인장 탄성률은, 80GPa 미만이 바람직하다. 제1 및 제2 유리 섬유 인장 탄성률이 상기 범위이면, 얻어지는 적층판은, 보다 더 발명의 효과가 우수한 것으로 된다.

상기와 마찬가지의 관점에서, 제1 유리 섬유의 인장 탄성률은, 82GPa 이상이 보다 바람직하고, 84GPa 이상이 더욱 바람직하며, 85GPa 이상이 특히 바람직하다. 또한, 제1 유리 섬유의 인장 탄성률은, 드릴 가공성 및 절연 신뢰성을 양호하게 유지한다는 관점에서는, 110GPa 이하가 바람직하고, 100GPa 이하가 보다 바람직하며, 90GPa 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 상기와 마찬가지의 관점에서, 제2 유리 섬유의 인장 탄성률은, 79GPa 미만이 보다 바람직하고, 78GPa 미만이 더욱 바람직하며, 75GPa 미만이 특히 바람직하다. 또한, 제2 유리 섬유의 인장 탄성률은, 드릴 가공성 및 절연 신뢰성을 양호하게 유지한다는 관점에서는, 53GPa 이상이 바람직하고, 69GPa 이상이 보다 바람직하며, 70GPa 이상이 더욱 바람직하다.

또한, 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성률은, 예를 들어 모노 필라멘트를 측정 대상으로 하여 텐실론을 사용하여 공지된 인장 탄성률의 측정 방법에 의해 측정할 수 있다.

상기와 마찬가지의 관점에서, 상기 제1 유리 섬유와 상기 제2 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성률의 차는, 10GPa 이상이 바람직하고, 11GPa 이상이 보다 바람직하며, 12GPa 이상이 더욱 바람직하다.

(유리 섬유의 조성)

제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂의 함유량에 대한 Al₂O₃의 함유량 비〔Al₂O₃의 함유량/SiO₂의 함유량〕(질량 기준)은, 0.35 이하인 것이 바람직하고, 0.32 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.30 이하인 것이 더욱 바람직하다. SiO₂의 함유량에 대한 Al₂O₃의 함유량 비가 이 범위라면, 보다 접속 신뢰성이 우수한 적층판이 얻어진다.

제1 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량은, 특별히 한정되지는 않지만, 80질량％ 이상이 바람직하고, 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량은, 특별히 한정되지는 않지만, 80질량％ 미만이 바람직하다. 제1 및 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이 상기 범위이면, 얻어지는 적층판은, 보다 더 접속 신뢰성 및 휨이 우수한 것으로 된다.

상기와 마찬가지의 관점에서, 제1 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량은, 81질량％ 이상이 보다 바람직하고, 82질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 제1 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량은, 드릴 가공성 및 절연 신뢰성을 양호하게 유지한다는 관점에서는, 96질량％ 이하가 바람직하고, 94질량％ 이하가 보다 바람직하고, 92질량％ 이하가 더욱 바람직하며, 90질량％ 이하가 특히 바람직하다.

또한, 상기와 마찬가지의 관점에서, 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량은, 78질량％ 미만이 보다 바람직하고, 76질량％ 미만이 더욱 바람직하며, 74질량％ 미만이 특히 바람직하다. 또한, 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량은, 적층판을 고탄성률화 및 저열팽창화한다는 관점에서는, 50질량％ 이상이 바람직하고, 55질량％ 이상이 보다 바람직하며, 60질량％ 이상이 더욱 바람직하다.

제1 유리 섬유는, 상기 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량을 충족하는 것이며, 또한, Al₂O₃의 함유량은, 20질량％ 이상이 바람직하고, 20 내지 30질량％가 보다 바람직하며, 20 내지 25 질량％가 더욱 바람직하다.

제2 유리 섬유는, 상기 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량을 충족하는 것이며, 또한, Al₂O₃의 함유량은, 24질량％ 미만이 바람직하고, 22질량％ 미만이 보다 바람직하며, 20질량％ 미만이 더욱 바람직하다.

유리 섬유는, SiO₂ 및 Al₂O₃ 이외에도, Fe₂O₃, B₂O₃, CaO, MgO, Na₂O, K₂O, Li₂O, TiO₂, ZnO, ZrO₂, F₂ 등의 기타 성분을 함유하고 있어도 된다. 유리 섬유가 함유하는 SiO₂ 및 Al₂O₃ 이외의 성분은, 상기 기타 성분 중 1종 이상인 것이 바람직하다.

이들 중에서도, 제1 유리 섬유는, 상기 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량을 충족하는 것이며, 또한, MgO의 함유량은, 8질량％ 이상이 바람직하고, 9질량％ 이상이 보다 바람직하며, 10질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 제2 유리 섬유는, 상기 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량을 충족하는 것이며, 또한, MgO의 함유량은, 8질량％ 미만이 바람직하고, 7질량％ 미만이 보다 바람직하다.

(유리 섬유의 열팽창률)

유리 섬유의 열팽창률은, 특별히 한정되지는 않지만, 제1 유리 섬유의 열팽창률은, 4.0ppm/℃ 미만인 것이 바람직하다. 제1 유리 섬유의 열팽창률이 상기 범위이면, 얻어지는 적층판은, 보다 더 저열팽창성 및 고탄성률을 갖는다. 마찬가지의 관점에서, 제1 유리 섬유의 열팽창률은, 3.8ppm/℃ 미만이 바람직하고, 3.5ppm/℃ 미만이 보다 바람직하며, 3.0ppm/℃ 미만이 더욱 바람직하다. 또한, 제1 유리 섬유의 열팽창률은, 다른 물성과의 밸런스를 고려하여, 2.0ppm/℃ 이상이어도 되고, 2.3ppm/℃ 이상이어도 되며, 2.5ppm/℃ 이상이어도 된다.

제2 유리 섬유의 열팽창률도, 적층판의 열팽창률을 낮게 한다는 관점에서 작을수록 바람직하다. 마찬가지의 관점에서, 제2 유리 섬유의 열팽창률은, 6.5ppm/℃ 미만이 바람직하고, 6.0ppm/℃ 미만이 보다 바람직하며, 5.7ppm/℃ 미만이 더욱 바람직하다. 한편, 제2 유리 섬유의 열팽창률은, 그 조성, 다른 물성과의 밸런스를 고려하면, 제1 유리 섬유의 열팽창률보다도 커지는 경향이 있다. 그러한 관점에서는, 제2 유리 섬유의 열팽창률은, 4.0ppm/℃ 이상이어도 되고, 4.5ppm/℃ 이상이어도 되고, 5.0ppm/℃ 이상이어도 되며, 5.3ppm/℃ 이상이어도 된다.

(유리 섬유의 종류)

섬유 기재를 구성하는 유리 섬유로서는, E 유리, S 유리, C 유리, D 유리, T 유리, NE 유리, A 유리, H 유리, 석영 유리 등을 들 수 있으며, 이들 중에서 상기한 제1 유리 섬유, 제2 유리 섬유로서 바람직한 물성, 조성 등을 고려하여, 적절히 선택하면 된다.

또한, E 유리, S 유리, C 유리, D 유리, T 유리, NE 유리의 대표적인 조성은 다음과 같다.

E 유리: SiO₂(52 내지 56질량％), Al₂O₃(12 내지 16질량％), Fe₂O₃(0 내지 0.8질량％), B₂O₃(5 내지 10질량％), CaO(16 내지 25질량％), MgO(0 내지 6질량％), Na₂O+K₂O(0 내지 2질량％), TiO₂(0 내지 1.5질량％), F₂(0 내지 1질량％)

S 유리: SiO₂(62 내지 65질량％), Al₂O₃(20 내지 25질량％), CaO(0 내지 0.01질량％), MgO(10 내지 15질량％), B₂O₃(0 내지 0.01질량％), Na₂O 및 K₂O(0 내지 1질량％)

C 유리: SiO₂(65질량％), Al₂O₃(4질량％), B₂O₃(5질량％), CaO(7질량％), MgO(3질량％), Na₂O(11질량％), K₂O(1질량％), Li₂O(0.5질량％), ZnO(3.5질량％)

D 유리: SiO₂(74질량％), Al₂O₃(0.5질량％), B₂O₃(22질량％), CaO(0.5질량％), Na₂O(1질량％), K₂O(1.5질량％), Li₂O(0.5질량％),

T 유리: SiO₂(64 내지 66질량％), Al₂O₃(24 내지 26질량％), MgO(9 내지 11질량％)

NE 유리: SiO₂(52 내지 56질량％), CaO(0 내지 10질량％), Al₂O₃(10 내지 15질량％), B₂O₃(15 내지 20질량％), MgO(0 내지 5질량％), Na₂O+K₂O(0 내지 1질량％), TiO₂(0.5 내지 5질량％)

이들 재질을 갖는 유리 섬유 중에서도, 제1 유리 섬유는, S 유리인 것이 바람직하고, 제2 유리 섬유는, E 유리인 것이 바람직하다.

즉, 본 실시 형태의 적층판에 사용하는 제1 섬유 기재는, S 유리 섬유로 구성되는 섬유 기재인 것이 바람직하고, 제2 섬유 기재는, E 유리 섬유로 구성되는 섬유 기재인 것이 바람직하다.

또한, 제1 섬유 기재는, S 유리 섬유로 구성되는 유리 클로스(이하, 「S 유리 클로스」라고도 함)인 것이 보다 바람직하고, 제2 섬유 기재는, E 유리 섬유로 구성되는 유리 클로스(이하, 「E 유리 클로스」라고도 함)인 것이 보다 바람직하다.

S 유리 클로스 및 E 유리 클로스는, 각각, S 유리 섬유 및 E 유리 섬유 이외의 유리 섬유를 함유하고 있어도 되지만, 그 함유량은, 10질량％ 이하가 바람직하고, 5질량％ 이하가 보다 바람직하고, 1질량％ 이하가 더욱 바람직하며, 함유하지 않은 것이 특히 바람직하다.

<열경화성 수지 조성물>

복합층의 형성에 사용되는 열경화성 수지 조성물로서는, 열경화성 수지를 함유하는 것이면 특별히 제한되지 않고, 필요에 따라서, 경화제, 경화 촉진제, 무기 충전재 등을 함유하고 있어도 된다. 이하, 열경화성 수지 조성물에 함유되는 각 성분에 대하여 설명한다.

(열경화성 수지)

열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지, 불포화 이미드 수지, 시아네이트 수지, 이소시아네이트 수지, 벤조옥사진 수지, 옥세탄 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알릴 수지, 디시클로펜타디엔 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 트리아진 수지, 멜라민 수지, 요소 수지, 푸란 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지가 바람직하다.

열경화성 수지는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

〔변성 실리콘 수지〕

변성 실리콘 수지는, 제1급 아미노기를 갖는 실록산 화합물 (A)(이하, 「실록산 화합물 (A)」라고도 함)와, 1분자 중에 적어도 2개의 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물 (B)(이하, 「말레이미드 화합물 (B)」라고도 함)를 반응시켜 이루어지는 것이 바람직하고, 또한, 산성 치환기를 갖는 아민 화합물 (C) 및 1분자 중에 적어도 2개의 제1급 아미노기를 갖는 아민 화합물 (D)(이하, 「아민 화합물 (D)」라고도 함)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 반응시켜 이루어지는 것이 보다 바람직하다.

-실록산 화합물 (A)-

실록산 화합물 (A)는, 제1급 아미노기를 갖는 실록산 화합물이며, 하기 일반식 (A-1)로 표시되는 화합물이 바람직하다.

(식 중, R¹ 내지 R⁴는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 페닐기 또는 치환 페닐기를 나타내고, X¹ 및 X²는, 각각 독립적으로, 2가의 유기기를 나타낸다. n은, 2 내지 100의 정수를 나타냄)

상기 일반식 (A-1) 중, R¹ 내지 R⁴가 나타내는 탄소수 1 내지 5의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기가 바람직하다.

R¹ 내지 R⁴가 나타내는 치환 페닐기의 치환기로서는, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 수산기, 아미노기, 비닐기, 카르복시기 등을 들 수 있다.

X¹ 및 X²가 나타내는 2가의 유기기로서는, 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 등을 들 수 있다. 해당 알킬렌기로서는, 메틸렌기, 1,2-디메틸렌기, 1,3-트리메틸렌기, 1,4-테트라메틸렌기, 1,5-펜타메틸렌기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1,3-트리메틸렌기가 바람직하다.

실록산 화합물 (A)의 아민 당량은, 500 내지 3,000g/mol이 바람직하고, 600 내지 2,000g/mol이 보다 바람직하며, 700 내지 1 500g/mol이 더욱 바람직하다.

-말레이미드 화합물 (B)-

말레이미드 화합물 (B)는, 1분자 중에 적어도 2개의 N-치환 말레이미드기를 갖는 말레이미드 화합물이며, 하기 일반식 (B-1) 내지 (B-4) 중 어느 것으로 표시되는 화합물이 바람직하다.

(식 중, R¹¹ 내지 R¹³은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 5의 지방족 탄화수소기를 나타낸다. X¹¹은, 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 5의 알킬리덴기, -O- 또는 술포닐기를 나타낸다. p, q 및 r은, 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이다. m은, 0 내지 10의 정수임)

상기 일반식 (B-1) 내지 (B-4) 중, R¹¹ 내지 R¹³이 나타내는 탄소수 1 내지 5의 지방족 탄화수소기로서는, 상기 일반식 (A-1) 중의 R¹과 동일한 것을 들 수 있다.

X¹¹이 나타내는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기로서는, 상기 일반식 (A-1) 중의 X¹과 동일한 것을 들 수 있다.

X¹¹이 나타내는 탄소수 2 내지 5의 알킬리덴기로서는, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 이소프로필리덴기, 부틸리덴기, 이소부틸리덴기, 펜틸리덴기, 이소펜틸리덴기 등을 들 수 있다.

말레이미드 화합물 (B)로서는, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 폴리페닐메탄 말레이미드, 비스(4-말레이미드페닐)에테르, 비스(4-말레이미드페닐)술폰, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, m-페닐렌비스말레이미드, 2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비스(4-말레이미드 페닐)메탄이 바람직하다.

-산성 치환기를 갖는 아민 화합물 (C)-

산성 치환기를 갖는 아민 화합물 (C)로서는, 하기 일반식 (C-1)로 표시되는 아민 화합물이 바람직하다.

(식 중, R²¹은, 각각 독립적으로, 수산기, 카르복시기 또는 술폰산기를 나타낸다. R²²는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. x는 1 내지 5의 정수, y는 0 내지 4의 정수이며, 또한, 1≤x+y≤5를 충족함)

상기 일반식 (C-1) 중, R²¹이 나타내는 탄소수 1 내지 5의 알킬기로서는, 상기 일반식 (A-1) 중의 R¹과 동일한 것을 들 수 있다. 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.

산성 치환기를 갖는 아민 화합물 (C)로서는, o-아미노페놀, m-아미노페놀, p-아미노페놀, o-아미노벤조산, m-아미노벤조산, p-아미노벤조산, o-아미노벤젠술폰산, m-아미노벤젠술폰산, p-아미노벤젠술폰산, 3,5-디히드록시아닐린, 3,5-디카르복시아닐린 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 용해성 및 반응성의 관점에서, m-아미노페놀, p-아미노페놀이 바람직하다.

-아민 화합물 (D)-

아민 화합물 (D)는, 1분자 중에 적어도 2개의 제1급 아미노기를 갖는 아민 화합물 (D)이며, 하기 일반식 (D-1) 내지 (D-3) 중 어느 것으로 표시되는 화합물이 바람직하다.

(식 중, X¹³은, 단결합, 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 5의 알킬리덴기, -O-, 술포닐기, 케토기, 플루오렌 디일기 또는 페닐렌디옥시기를 나타낸다. R¹⁴ 및 R¹⁵는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 5의 지방족 탄화수소기, 메톡시기 또는 수산기를 나타낸다. s 및 t는, 각각 독립적으로, 0 내지 4의 정수이다. X¹⁴ 내지 X¹⁶은, 각각 독립적으로, 단결합, 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기, 탄소수 2 내지 5의 알킬리덴기, -O- 또는 술포닐기를 나타냄)

X¹³ 내지 X¹⁶이 나타내는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기 및 탄소수 2 내지 5의 알킬리덴기로서는, 상기 일반식 (B-2)의 X¹¹과 동일한 것을 들 수 있다.

R¹⁴ 및 R¹⁵가 나타내는 탄소수 1 내지 5의 지방족 탄화수소기로서는, 상기 일반식 (A-1) 중의 R¹과 동일한 것을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기가 바람직하다.

아민 화합물 (D)로서는, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 벤지딘, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 4,4'-디아미노-3,3'-비페닐 디올, 벤조구아나민 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄이 바람직하다.

변성 실리콘 수지는, 상기 (A) 내지 (D) 성분을, 예를 들어 70 내지 150℃에서 반응시킴으로써 조제할 수 있는, 상기 반응 시에는, 필요에 따라 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 시클로헥사논 등의 유기 용매; 반응 촉매 등을 사용해도 된다.

(각 성분의 사용량)

(A) 내지 (D) 성분의 반응에서의 각 성분의 사용량은, (A) 성분, (C) 성분 및 (D) 성분이 갖는 제1급 아미노기의 총합과, (B) 성분의 말레이미드기 중의 탄소-탄소 이중 결합기의 총합의 당량비〔C=C기/NH₂기〕는, 0.1 내지 10이 바람직하고, 1 내지 9가 보다 바람직하며, 2 내지 5가 더욱 바람직하다. 당량비가 0.1 이상이면 겔화 및 내열성의 저하를 억제할 수 있고, 10 이하이면, 유기 용매에의 용해성 및 내열성의 저하를 억제할 수 있다.

(D) 성분의 사용량은, 상기 관계식을 충족하면서, (A) 성분 100질량부에 대하여, 20 내지 500질량부가 바람직하고, 30 내지 200질량부가 보다 바람직하며, 40 내지 100질량부가 더욱 바람직하다.

(C) 성분의 사용량은, 상기 관계식을 충족하면서, (A) 성분 100질량부에 대하여, 1 내지 500질량부가 바람직하고, 4 내지 200질량부가 보다 바람직하고, 7 내지 100질량부가 더욱 바람직하며, 10 내지 50질량부가 특히 바람직하다.

열경화성 수지 조성물 중에서의 변성 실리콘 수지의 함유량은, 내열성, 저흡수성 및 열팽창률의 관점에서, 열경화성 수지 조성물의 고형분 100질량부 중, 5 내지 80질량부가 바람직하고, 10 내지 60질량부가 보다 바람직하며, 20 내지 40질량부가 더욱 바람직하다.

또한, 본 명세서에 있어서, 「고형분」이란, 용매 등의 휘발하는 물질을 제외한 불휘발분이며, 수지 조성물을 건조시킬 때, 휘발하지 않고 남는 성분을 나타내고, 실온에서 액상, 물엿상 및 왁스상의 것도 포함한다. 여기서, 본 명세서에 있어서 실온은 25℃를 나타낸다.

〔에폭시 수지〕

에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 크실릴렌형 에폭시 수지, 비페닐 아르알킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 다관능 페놀류 및 안트라센 등의 다환 방향족류의 디글리시딜에테르 화합물 및 이들에 인 화합물을 도입한 인 함유 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성, 난연성의 관점에서, 비페닐 아르알킬형 에폭시 수지가 바람직하다.

열경화성 수지 조성물이 에폭시 수지를 함유하는 경우, 그 함유량은, 내열성, 저흡수성 및 열팽창률의 관점에서, 열경화성 수지 조성물의 고형분 100질량부 중, 2 내지 60질량부가 바람직하고, 5 내지 40질량부가 보다 바람직하며, 8 내지 20질량부가 더욱 바람직하다.

〔아크릴 폴리머〕

열경화성 수지 조성물은, 아크릴 폴리머와 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물이어도 된다. 그 경우, 열경화성 수지 조성물은, 아크릴 폴리머를 포함하는 제1 상과, 열경화성 수지를 포함하는 제2 상의 상분리 구조를 형성하고 있는 수지 조성물이어도 된다.

아크릴 폴리머는, 통상, (메트)아크릴산에스테르를 모노머로 하는 중합체이다.

아크릴 폴리머는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

아크릴 폴리머는, 하기 일반식 (1)로 표시되는 (메트)아크릴산에스테르 유래의 구성 단위를 포함하는 아크릴 폴리머인 것이 바람직하다.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 「(메트)아크릴산」이란, 「아크릴산」과 「메타크릴산」의 양쪽을 나타내고, 다른 유사 용어도 마찬가지이다.

(식 (1) 중, R³²는 알킬기, 시클로알킬기, 시클로알킬알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기를 나타낸다. R³¹은 수소 원자 또는 메틸기를 나타냄)

R³²로 나타낸 알킬기의 탄소수는, 1 내지 20이 바람직하고, 1 내지 15가 보다 바람직하며, 2 내지 10이 더욱 바람직하다. 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기 등을 들 수 있다. 이들의 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 알킬기의 치환기로서는, 예를 들어 지환식 탄화수소기, 수산기, 할로겐, 산소 함유 탄화수소기, 질소 함유 환상기 등을 들 수 있다.

R³²로 나타낸 시클로알킬기의 탄소수는, 6 내지 13이 바람직하고, 6 내지 12가 보다 바람직하며, 7 내지 10이 더욱 바람직하다. 시클로알킬기로서는, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 트리시클로데카닐기, 이소보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 노르보르닐기, 트리시클로데카닐기, 이소보르닐기가 바람직하다.

R³²로 나타낸 시클로알킬알킬기의 탄소수는, 6 내지 13이 바람직하고, 6 내지 12가 보다 바람직하며, 7 내지 10이 더욱 바람직하다. 시클로알킬알킬기로서는, 노르보르닐메틸기, 트리시클로데실에틸기 등을 들 수 있다.

R³²로 나타낸 아릴기의 탄소수는, 6 내지 13이 바람직하고, 6 내지 12이 보다 바람직하며, 6 내지 10이 더욱 바람직하다. 아릴기로서는, 페닐기, 노닐페닐기 등을 들 수 있다.

R³²로 나타낸 아르알킬기의 탄소수는, 7 내지 15가 바람직하고, 7 내지 13이 보다 바람직하며, 7 내지 11이 더욱 바람직하다. 아르알킬기로서는, 벤질기, 4-메틸벤질기 등을 들 수 있다.

(메트)아크릴산에스테르로서는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산에틸렌글리콜메틸에테르, (메트)아크릴산시클로헥실, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산이소보르닐, (메트)아크릴산 트리시클로[5.2.1,0(2,6)]데크-8일, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산라우릴, (메트)아크릴산알릴, (메트)아크릴산노르보르닐메틸, (메트)아크릴산트리시클로데실에틸, (메트)아크릴산페닐, (메트)아크릴산노닐페닐, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산-4-메틸벤질 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

(무기 충전재)

무기 충전재로서는, 실리카, 알루미나, 탈크, 마이카, 카올린, 수산화알루미늄, 베마이트, 수산화마그네슘, 붕산아연, 주석산아연, 산화아연, 산화티타늄, 질화붕소, 탄산칼슘, 황산바륨, 붕산알루미늄, 티타늄산칼륨, 유리 단섬유, 유리 미분말, 중공 유리 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성 및 난연성의 관점에서, 실리카가 바람직하고, 용융 구상 실리카 등의 용융 실리카가 보다 바람직하다.

무기 충전재의 평균 입자경은, 0.1 내지 10㎛가 바람직하고, 0.1 내지 5㎛가 보다 바람직하며, 0.2 내지 1㎛가 더욱 바람직하다. 평균 입자경이 0.1㎛ 이상이면 유동성을 양호하게 유지할 수 있고, 또한 10㎛ 이하이면, 조대 입자에 기인하는 불량의 발생을 억제할 수 있다. 여기서, 평균 입자경이란, 입자의 전체 체적을 100％로 하여 입자경에 의한 누적 도수 분포 곡선을 구했을 때, 체적 50％에 상당하는 점의 입자경이며, 레이저 회절 산란법을 사용한 입도 분포 측정 장치 등으로 측정할 수 있다.

무기 충전재는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

열경화성 수지 조성물이 무기 충전재를 함유하는 경우, 그 함유량은, 열팽창률을 저감시킴과 함께, 탄성률을 높인다는 관점에서, 열경화성 수지 조성물의 고형분 100질량부 중, 10 내지 80질량부가 바람직하고, 30 내지 75질량부가 보다 바람직하며, 50 내지 70질량부가 더욱 바람직하다.

(경화 촉진제)

경화 촉진제로서는, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 옥틸산 주석, 옥틸산 코발트, 비스 아세틸아세토나토코발트(Ⅱ), 트리스 아세틸아세토나토코발트(Ⅲ) 등의 유기 금속염; 이미다졸 화합물 및 그의 유도체; 유기 인계 화합물; 제2급 아민, 제3급 아민 및 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 내열성 및 난연성의 관점에서, 이미다졸 화합물 및 그의 유도체가 바람직하다.

경화 촉진제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

열경화성 수지 조성물이 경화 촉진제를 함유하는 경우, 그 함유량은, 내열성 및 난연성의 관점에서, 열경화성 수지 조성물의 고형분 100질량부 중, 0.01질량부 이상이 바람직하고, 0.05질량부 이상이 보다 바람직하고, 0.1질량부 이상이 더욱 바람직하고, 또한, 5질량부 이하가 바람직하고, 3질량부 이하가 보다 바람직하며, 1질량부 이하가 더욱 바람직하다.

열경화성 수지 조성물은, 필요에 따라 난연제, 기능성 수지, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 광중합 개시제, 형광 증백제, 밀착성 향상제 및 유기 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하고 있어도 되고, 함유하지 않아도 된다.

열경화성 수지 조성물은, 프리프레그 등의 제조에 사용하기 쉽게 하기 위해서, 각 성분이 유기 용매 중에 용해 또는 분산된 바니시의 상태여도 된다.

해당 유기 용매로서는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알코올계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 아세트산 부틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트 등의 에스테르계 용매; 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 등의 방향족계 용매; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 질소 원자 함유 용매; 디메틸술폭시드 등의 황 원자 함유 용매 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

바니시의 고형분 농도는, 40 내지 90질량％가 바람직하고, 45 내지 85 질량％가 보다 바람직하며, 50 내지 80 질량％가 더욱 바람직하다. 바니시의 고형분 농도가 상기 범위 내이면, 도공성을 양호하게 유지하고, 열경화성 수지 조성물의 함유량이 적절한 프리프레그를 얻을 수 있다.

[적층판의 제조 방법]

본 실시 형태의 적층판의 제조 방법은,

제1 유리 섬유로 구성되는 섬유 기재에 열경화성 수지 조성물이 함침되어 이루어지는 프리프레그 (a)와,

제2 유리 섬유로 구성되는 섬유 기재에 열경화성 수지 조성물이 함침되어 이루어지는 프리프레그 (b)

를 적층 성형하는, 적층판의 제조 방법이다.

본 실시 형태의 적층판의 제조 방법에 사용하는 유리 섬유, 섬유 기재, 열경화성 수지 조성물 등의 양태는, 상기한 바와 같다.

본 실시 형태의 제조 방법에 사용하는 프리프레그 (a) 및 (b)는, 열경화성 수지 조성물을 섬유 기재에 함침시켜 이루어지는 것이며, 예를 들어 바니시상의 열경화성 수지 조성물을 섬유 기재에 함침한 후, 100 내지 200℃의 온도에서 1 내지 30분 가열 건조시킴으로써 반경화(B 스테이지화)시켜 제조할 수 있다.

프리프레그 (a) 및 (b) 중에서의 열경화성 수지 조성물 유래의 고형분 함유량은, 20 내지 90질량％가 바람직하고, 30 내지 70질량％가 보다 바람직하며, 40 내지 60질량％가 더욱 바람직하다.

다음으로, 얻어진 프리프레그 (a)와 프리프레그 (b)를 원하는 적층판의 구성이 되도록 적절히 겹치고, 필요에 따라 편면 또는 양면에, 구리, 알루미늄 등의 금속박을 배치한 구성으로 적층 성형함으로써, 본 실시 형태의 적층판을 제조할 수 있다. 금속박은, 전기 절연 재료용 적층판의 용도로 사용되는 것이면 특별히 제한되지는 않는다. 또한, 본 실시 형태의 적층판의 편면 또는 양면에 금속박을 배치한 것을 금속 피복 적층판이라고 칭하고, 그 중에서도, 구리박을 배치한 것을 동장 적층판이라고 칭한다.

적층판을 제조할 때의 성형 조건은, 전기 절연 재료용 적층판 및 다층판의 방법을 적용할 수 있고, 다단 프레스, 다단 진공 프레스, 연속 성형, 오토클레이브 성형기 등을 사용하고, 예를 들어 온도 100 내지 250℃, 압력 0.2 내지 10MPa, 가열 시간 0.1 내지 5시간의 조건으로 할 수 있다.

[프린트 배선판]

본 실시 형태의 프린트 배선판은, 본 실시 형태의 적층판을 함유하여 이루어지는 프린트 배선판이다.

본 실시 형태의 프린트 배선판은, 예를 들어 본 실시 형태의 적층판의 표면에 회로를 형성하여 제조할 수 있다. 또한, 본 실시 형태의 적층판의 도체층을 통상의 에칭법에 의해 배선 가공하고 나서, 해당 배선 가공한 적층판끼리를, 프리프레그를 사이에 배치하면서 복수 적층한 후, 가열 프레스 가공함으로써 일괄하여 다층화할 수도 있다. 그 후, 드릴 가공 또는 레이저 가공에 의한 스루홀 또는 블라인드 비아 홀의 형성과, 도금 또는 도전성 페이스트에 의한 층간 배선의 형성을 거쳐서 프린트 배선판을 제조할 수 있다.

[반도체 패키지]

본 실시 형태의 반도체 패키지는, 본 실시 형태의 프린트 배선판에 반도체를 탑재하여 이루어지는 것이다. 본 실시 형태의 반도체 패키지는, 본 실시 형태의 프린트 배선판에 반도체 칩, 메모리 등을 탑재하여 제조할 수 있다.

실시예

다음으로, 하기의 실시예에 의해 본 실시 형태를 더욱 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 본 실시 형태를 제한하는 것은 아니다.

각 예에서 얻어진 프리프레그 및 동장 적층판은, 이하의 방법으로 성능을 측정 및 평가하였다.

[평가 방법]

(1) 열팽창률

각 예에서 얻은 동장 적층판을 구리 에칭액에 침지함으로써 구리박을 제거하고, 세로(X 방향) 5㎜×가로(Y 방향) 5㎜의 평가 기판을 제작하였다. 해당 평가 기판을 측정 대상으로 하여, TMA 시험 장치(듀퐁사제, 상품명: TMA2940)를 사용하여 압축법으로 열 기계 분석을 하였다. 평가 기판을 상기 장치에 X 방향으로 장착 후, 하중 5g, 승온 속도 10℃/분의 측정 조건에서 연속하여 2회 측정하였다. 2회째의 측정에서의 30℃로부터 100℃까지의 평균 열팽창률을 산출하고, 이것을 열팽창률의 값으로 하였다.

(2) 굽힘 탄성률

각 예에서 얻은 동장 적층판을 구리 에칭액에 침지함으로써 구리박을 제거한 50㎜×25㎜의 평가 기판을 제작하였다. 해당 평가 기판을 측정 대상으로 하여, 오리엔테크사제의 5톤 텐실론을 사용하고, 클로스헤드 속도 1㎜/분, 스팬 간 거리 20㎜로 굽힘 탄성률을 측정하였다.

(3) 접속 신뢰성

각 예에서 얻은 동장 적층판을 사용하여, 머더보드와의 접속 신뢰성을 평가하기 위해서 회로 형성한 패키지 기판과 머더보드 기판을 제작한 후, 이 패키지 기판과 머더보드 기판을 땜납 볼을 사용하여 전기적으로 접속하였다. 이어서, 이것을 온도 사이클 시험기(-55 내지 125℃)에 투입하고 나서, 접속 저항값을 소정 사이클 수마다 계측하였다. 저항값이 20％ 이상 변동했을 때를 땜납 볼 파단 사이클 수로 하고, 와이불 플롯에 의한 20％ 누적 고장율 시의 사이클 수로부터 접속 신뢰성을 평가하였다.

<동장 적층판의 제조>

[실시예 1]

(동장 적층판 1: 도 6에 도시한 적층판의 양면에 구리박을 배치한 동장 적층판)

(1) 바니시의 제작

온도계, 교반 장치 및 환류 냉각관을 구비한 가열 및 냉각 가능한 용적 1리터의 반응 용기에, 실록산 디아민(도레이·다우코닝사제, 상품명: X-22-161A, 아미노기의 관능기 당량: 800g/mol)을 19.4g, 3,3'-디에틸-4,4'-디아미노디페닐메탄을 13.0g, N,N'-(4,4'-디페닐메탄)비스말레이미드를 122.9g, p-아미노페놀을 4.7g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 240.0g 투입하였다. 이들을 115℃에서 반응시킨 후, 수지 농도가 60질량％가 될 때까지 상압 농축을 행하고, 추가로 90℃에서 시클로헥사논을 53.3g 첨가하여 30분간 교반함으로써, 중간체 바니시를 얻었다.

이 중간체 바니시 303.5g과, 실리카의 메틸이소부틸케톤 용액(평균 입자경 0.25㎛의 구상 실리카 700g을, 7g의 3-아미노프로필트리메톡시실란을 첨가한 300g의 메틸이소부틸케톤 용액에 교반하면서 첨가하여 제작한 것) 601.0g과, 경화 촉진제(시코쿠 가세이 고교사제, 상품명: C17Z) 1.2g과, 비페닐아르알킬노볼락형 에폭시 수지(닛폰 가야쿠사제, 상품명: NC-3000-H) 65.6g을 혼합하였다. 또한, 희석 용매로서 메틸에틸케톤을 추가함으로써, 고형분 농도 65질량％의 균일한 바니시를 얻었다.

(2) 프리프레그의 제작

다음으로, 상기 바니시를, 0.1㎜의 S 유리 클로스(25℃에서의 인장 탄성률이 85.3GPa, SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이 82 내지 90질량％, 열팽창률이 2.9ppm/℃)와, 0.1㎜의 E 유리(25℃에서의 인장 탄성률이 73GPa, SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이 64 내지 72질량％, SiO₂의 함유량에 대한 Al₂O₃의 함유량 비(질량 기준)가 0.28, 열팽창률이 5.5ppm/℃)에, 각각 함침 도공한 후, 130℃에서 3분간 가열 건조하였다. 이에 의해 열경화성 수지 조성물 유래의 고형분 함유량이 48질량％인, S 유리 클로스를 함유하는 프리프레그와, E 유리 클로스를 함유하는 프리프레그를 각각 얻었다. 또한, 마찬가지의 수순으로 후술하는 적층판의 제작에 필요한 매수의 프리프레그를 제작하였다.

(3) 적층판의 제작

다음에 상기에서 제작한 프리프레그를, 양측의 최표층 1층씩이 E 유리 클로스를 함유하는 프리프레그, 내측 12층이 S 유리 클로스를 함유하는 프리프레그로 되는 구성으로 적층하였다. 또한, 그 양측에, 두께 12㎛의 전해 구리박을 배치하고 나서, 압력 2.5MPa, 온도 240℃에서 60분간 프레스를 행하고, 동장 적층판 1을 얻었다.

[실시예 2]

(동장 적층판 2: 도 4에 도시한 적층판의 양면에 구리박을 배치한 동장 적층판)

실시예 1에 있어서, 프리프레그의 적층 구성을, 양측의 최표층 2층씩이 E 유리 클로스를 함유하는 프리프레그, 내측 10층이 S 유리 클로스를 함유하는 프리프레그로 되는 구성으로 적층한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 동장 적층판 2를 얻었다.

[실시예 3]

(동장 적층판 3: 도 7에 도시한 적층판의 양면에 구리박을 배치한 동장 적층판)

실시예 1에 있어서, 프리프레그의 적층 구성을, S 유리 클로스를 함유하는 프리프레그 6층, E 유리 클로스를 함유하는 프리프레그 2층, S 유리 클로스를 함유하는 프리프레그 6층의 순서가 되는 구성으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 동장 적층판 3을 얻었다.

[비교예 1]

(동장 적층판 4: 섬유 기재로서 S 유리 클로스만을 함유하는 동장 적층판)

실시예 1에 있어서, 프리프레그의 적층 구성을, S 유리 클로스를 함유하는 프리프레그 14층으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 동장 적층판 4를 얻었다.

[비교예 2]

(동장 적층판 5: 섬유 기재로서 E 유리 클로스만을 함유하는 동장 적층판)

실시예 1에 있어서, 프리프레그의 적층 구성을, E 유리 클로스를 함유하는 프리프레그 14층으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 동장 적층판(5)을 얻었다.

상기에서 제작한 적층판의 평가 결과를 표 1에 나타낸다.

표 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태의 실시예 1 내지 3의 적층판은, 고탄성률 및 저열팽창성을 가지면서도 접속 신뢰성이 우수한 것이 확인되었다.

(X): 복합층 (X)
(Y): 복합층 (Y)
1: 복합층
2: 섬유 기재
2a: 경사
2b: 위사
3: 열경화성 수지 조성물의 경화물
4A, 4B: 샌드위치 적층부
10 내지 13: 적층판

Claims (14)

1. 섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유하는 적층판이며,
   상기 2층 이상의 복합층이, 1층 이상의 복합층 (X)와 1층 이상의 복합층 (Y)를 함유하고,
   복합층 (X)가, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 층이고,
   복합층 (Y)가, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 층이고,
   상기 제1 유리 섬유가, 상기 제2 유리 섬유보다도 25℃에서의 인장 탄성율이 높은 것인, 적층판.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성율이 80GPa 이상이고,
   상기 제2 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성율이 80GPa 미만인, 적층판.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 제1 유리 섬유와 상기 제2 유리 섬유의 25℃에서의 인장 탄성율의 차가 10GPa 이상인, 적층판.
4. 섬유 기재와 열경화성 수지 조성물의 경화물을 함유하는 복합층을 2층 이상 함유하는 적층판이며,
   상기 2층 이상의 복합층이, 1층 이상의 복합층 (X)와 1층 이상의 복합층 (Y)를 함유하고,
   복합층 (X)가, 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재를 함유하는 층이고,
   복합층 (Y)가, 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재를 함유하는 층이고,
   상기 제1 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량이, 상기 제2 유리 섬유 중에서의 SiO₂ 및 Al₂O₃의 합계 함유량보다도 높은 것인, 적층판.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제1 유리 섬유가 S 유리인, 적층판.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 제2 유리 섬유가 E 유리인, 적층판.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 복합층 (X)의 층수가, 상기 복합층 (Y)의 층수보다도 많은, 적층판.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 복합층 (X)를 1층 이상, 상기 복합층 (Y)를 2층 이상 함유하는 적층판이고,
   적어도 1층의 복합층 (X)가, 2층의 복합층 (Y)의 사이에 배치되어 이루어지는, 적층판.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 복합층 (X)를 1층 이상, 상기 복합층 (Y)를 2층 이상 함유하는 적층판이고,
   해당 적층판의 양면의 최표층이 상기 복합층 (Y)인, 적층판.
10. 제9항에 있어서,
    상기 복합층 (X)를 1층 이상, 상기 복합층 (Y)를 2층 함유하는 적층판이고,
    해당 적층판의 양면의 최표층이 상기 복합층 (Y)인, 적층판.
11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 복합층 (X)를 2층 이상 함유하는, 적층판.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 적층판을 함유하여 이루어지는 프린트 배선판.
13. 제12항에 기재된 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하여 이루어지는 반도체 패키지.
14. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 적층판을 제조하는 방법이며,
    상기 제1 유리 섬유로 구성되는 제1 섬유 기재에 열경화성 수지 조성물이 함침되어 이루어지는 프리프레그 (a)와,
    상기 제2 유리 섬유로 구성되는 제2 섬유 기재에 열경화성 수지 조성물이 함침되어 이루어지는 프리프레그 (b)
    를 적층 형성하는, 적층판의 제조 방법.

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