KR20220132490A - 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시장치 - Google Patents

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KR20220132490A
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Abstract

본 발명은 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시장치를 제공한다. 상기 표시 패널의 제조 방법은 지지 기판을 제공하는 스텝과, 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 복수의 bank 구조는 화소 요부를 구비하는 제1 bank 구조와 상기 제1 bank 구조 위에 위치하는 제2 bank 구조를 포함하고, 상기 제1 bank 구조와 상기 제2 bank 구조의 친수 소수특성은 서로 다르다. 예를 들면, 상기 제1 bank 구조는 친수특성을 가지고, 상기 제2 bank 구조는 소수특성을 가지고 있다. 이것에 의해 컬러 레지스트 재료를 화소 요부에 주입할 때 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 방지하고, 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura 현상의 발생을 더 저감할 수 있다.

Description

표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시장치 {MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY PANEL, AND DISPLAY PANEL AND DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 기술의 분야에 속하고, 구체적으로 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시장치에 관한 것이다.
평면형 표시장치는 두께가 얇고, 에너지 절약성이 좋고, 복사가 없는 이점 등을 가지고 있으므로 여러가지 분야에 폭넓게 응용되고 있다. 정보 기술의 발전에 따라 평면형 표시장치에 대한 사용자의 요구가 점점 높아지고 있다. 사용자의 요구를 만족하기 위하여 액정표시장치 (LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP, Plasma Display Panel), 유기 발광 다이오드 (OLED, Organic Light Emitting Diode)을 중심으로 하는 여러가지 평면형 표시장치가 신속히 발전하고 있다.
유기 발광 다이오드 표시장치는 자아 발광을 할 수 있고, 휘도가 높고, 화각이 넓고, 콘트라스트가 높고, 가요성을 가지고 있고, 에너지 절약성이 좋고, 백라이트를 설치할 필요가 없고, 대응 속도가 빠른 특징 등을 가지고 있으므로 사용자의 주목을 모으고, 차세대의 표시 방법으로서 종래의 액정표시장치를 대체할 수 있다. 유기 발광 다이오드는 차세대의 평면형 표시장치를 대표하는 신형 기술로서 휴대폰의 표시패널, 컴퓨터의 표시장치, 텔레비전 등의 분야에 폭넓게 응용되고 있다. 유기 발광 다이오드 표시장치는 종래의 액정표시장치와 다르고 백라이트를 설치할 필요가 없고, 유리 기판 위에 얇은 유기재료 도포층을 도포하는 것에 의해 제조할 수 있다. 유기재료 도포층에 전류를 인가할 때 유기재료 도포층은 발광을 할 수 있다.
유기 발광 다이오드 표시장치의 잉크제트 인쇄공정 (IJP, Ink-jet Print)을 실시할 때 화소 뱅크층 (Bank 구조)은 인쇄의 양품율과 후에 제조되는 박막의 균등성에 큰 영향을 준다. 잉크제트 인쇄공정을 실시할 때 잉크가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것에 의해 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura (휘도 불균등)이 발생할 우려가 있다.
종래 기술의 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 있어서 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시장치를 제공한다. 종래 기술의 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에서 아래와 같은 기술적 방법을 채용한다.
표시 패널의 제조 방법은 지지 기판을 제공하는 스텝과, 상기 지지 기판위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 복수의 bank 구조는 화소 요부를 구비하는 제1 bank 구조와 상기 제1 bank 구조위에 위치하는 제2 bank 구조를 포함하고, 상기 제1 bank 구조는 친수 특성을 가지고 있고, 상기 제2 bank 구조는 소수 특성을 가지고 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝은 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 bank 구조를 형성하는 스텝과, 상기 제1 bank 구조 위에 대응하는 제2 bank 구조를 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 제1 bank 구조는 친수 특성을 가지고 있고, 상기 제2 bank 구조는 소수 특성을 가지고 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1 bank 구조의 재료는 제1 포토레지스트 재료이며, 상기 제2 bank 구조의 재료는 제2 포토레지스트 재료이며, 상기 제1 포토레지스트 재료는 네거티브 포토레지스트 또는 포지티브 포토레지스트이며, 상기 제2 포토레지스트 재료는 네거티브 포토레지스트 또는 포지티브 포토레지스트다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 상기 제1 bank 구조를 형성하는 스텝은 상기 지지 기판 위에 한층의 제1 포토레지스트 재료를 도포하는 스텝과, 상기 제1 포토레지스트 재료 위에 제1 마스크층을 형성하는 스텝과, 상기 제1 마스크층과 상기 제1 포토레지스트 재료에 대하여 노광, 현상 및 에칭을 실시하는 것에 의해 화소 요부를 구비하는 상기 제1 bank 구조를 형성하는 스텝을 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제 1bank 구조 위에 대응하는 제2 bank 구조를 형성하는 스텝은 상기 제1 bank 구조 위에 한층의 제2 포토레지스트 재료를 도포하는 스텝과, 상기 제2 포토레지스트 재료 위에 제2 마스크층을 형성하는 스텝과, 상기 제2 마스크층과 상기 제2 포토레지스트 재료에 대하여 노광, 현상 및 에칭을 실시하는 것에 의해 상기 제2 bank 구조를 형성하는 스텝을 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 표시 패널의 제조 방법은 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝을 실시한 후, 컬러 레지스트 재료를 상기 화소 요부에 주입하는 것에 의해 컬러 레지스트층을 형성하는 스텝을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 표시 패널의 제조 방법은 컬러 레지스트 재료를 상기 화소 요부에 주입하는 것에 의해 컬러 레지스트층을 형성하는 스텝을 실시한 후, 드래그 리무버 (Drag remover)에 의해 상기 제2 bank 구조를 상기 제1 bank 구조에서부터 박리시키는 스텝을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝은 첫번째의 노광에 의해 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 스텝과, 상기 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최종의 포토레지스트층을 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 제1 포토레지스트층의 재료는 감광 재료가 혼합된 포토레지스트 재료를 포함하고, 상기 최종의 포토레지스트층은 여분 제1 포토레지스트층과 상기 여분 제1 포토레지스트층 위에 위치하는 제2 포토레지스트층을 포함하고, 상기 제1 포토레지스트층과 상기 제2 포토레지스트층을 상기 제1 bank 구조와 상기 제2 bank 구조로 하고, 상기 제1 포토레지스트층은 친수 특성을 가지고, 상기 제2 포토레지스트층은 소수 특성을 가지고 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 첫번째의 노광에 의해 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 스텝은 상기 지지 기판 위에 감광 재료가 혼합된 포토레지스트 재료를 도포하는 스텝과, 자외선으로 상기 감광 재료가 혼합된 포토레지스트 재료에 대하여 첫번째의 노광을 하는 것에 의해 최초의 포토레지스트층을 형성하는 스텝과, 상기 최초의 포토레지스트층에 대하여 현상과 에칭을 하는 것에 의해 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 스텝을 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 첫번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장은 355nm ∼ 375nm이다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최종의 포토레지스트층을 형성하는 스텝은 자외선에 의해 상기 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 상기 최종의 포토레지스트층을 형성하는 스텝을 포함한다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 두번째의 노광에 사용되는 상기 자외선의 파장은 244nm ∼ 264nm이다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 감광 재료의 제일단은 -NCO그룹, -SCO 그룹 중의 적어도 한가지이며, 상기 감광 재료의 제이단은 -NH2그룹, -OH그룹 및 -COOH그룹 중의 적어도 한가이다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 지지 기판은 TFT 기판이다.
본 발명의 실시예에 있어서 표시 패널을 더 제공하고, 상기 표시 패널은 상기 실시예 중의 임의의 하나에 기재된 제조 방법에 의해 제조된다.
본 발명의 실시예에 있어서 표시장치를 더 제공하고, 상기 표시장치는 상기 실시예 중의 임의의 하나에 기재된 표시 패널을 포함한다.
본 발명의 각 실시예에 의해 아래와 같은 하나 또는 복수의 발명 효과를 획득할 수 있다.
(i) 본 발명의 실시예에 의해 제조된 표시 패널의 제1 bank 구조는 소수특성을 가지고 있고, 제2 bank 구조는 소수 특성을 가지고 있으므로, 컬러 레지스트 재료를 화소 요부에 주입할 때 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 방지하고, 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura 현상의 발생을 더 저감할 수 있다.
(ii) 본 발명의 실시예에 관한 네거티브 포토레지스트 재료에는 감광 재료가 혼합되고, 두번째의 노광에 있어서 포토레지스트 재료의 상층이 접수하는 광선 에너지는 많고， 감광 재료 중의 활성 그룹은 자외선의 조사에 의해 반응하는 한편 그의 친수 소수특성도 변한다. 즉 친수 특성으로부터 소수 특성으로 변한다. 포토레지스트 재료의 하층이 접수하는 광선 에너지는 적고, 포토레지스트 재료의 하층 친수 특성은 변하지 않는다. 이것에 의해 포토레지스트 재료의 상층과 하층의 소수특성과 친수특성은 서로 다르게 되고, 포토레지스트 재료의 상층과 하층을 제1 bank 구조와 제2 bank 구조로 할 수 있다. 컬러 레지스트 재료를 화소 요부에 주입할 때 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 방지하고, 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura 현상의 발생을 더 저감할 수 있다.
본 발명의 실시예의 기술적 사항을 보다 상세하게 설명하기 위하여서 아래에서 본 발명의 실시예에 관한 도면을 간단히 설명한다. 주의 받고 싶은 것은 하기 도면은 본 발명의 일부분 실시예에밖에 지나지 않는 것이고, 본 기술분야의 기술자는 창조적인 연구를 하지 않아도 하기 도면를 참조하는 것에 의하여 다른 도면을 용이하게 도출할 수 있고, 이러한 것들이 있어도 본 발명에 포함되는 것은 물론이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 플로차트이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2b는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2c는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2d는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2e는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2f는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2g는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2h는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 2i는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 관한 다른 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 플로차트이다.
도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 6f는 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법의 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 관한 표시 패널을 나타내는 구조도이다.
아래에서 본 발명의 실시예에 관한 도면을 통하여 본 발명의 실시예의 기술적 사항을 보다 상세히 보다 충분히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명의 일부분 실시예에밖에 지나치지 않는 것이며, 모든 실시예를 나타내는 것은 아니다. 본 발명의 실시예를 참조할 경우 본 기술분야의 기술자는 창조적인 연구를 하지 않아도 다른 실시예를 도출할 수 있고, 이것한 것들이 있어도 본 발명에 포함되는 것은 물론이다.
구체적으로 본 발명의 실시예에 있어서 표시 패널의 제조 방법과 이것에 대응하는 표시 패널과 표시장치를 제공한다. 상기 표시 패널의 제조 방법은 (a) 지지 기판을 제공하는 스텝과, (b) 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝을 포함한다. 상기 복수의 bank 구조는 화소 요부를 구비하는 제 1bank 구조와 상기 제1 bank 구조 위에 위치하는 제2 bank 구조를 포함한다. 상기 제 1bank 구조와 제2 bank 구조는 서로 다른 친수 특성과 소수 특성을 가지고 있다. 예를 들면 상기 제1 bank 구조는 친수 특성을 가지고, 상기 제2 bank 구조는 소수 특성을 가질 수 있다. 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법과 이것에 대응하는 표시 패널과 표시장치를 보다 상세히 이해시키기 위하여, 아래에서 복수의 실시예를 예로 하여 본 발명을 상세히 설명한다.
(제1 실시예)
현재 상용하는 표시 기술은 LCD (액정표시장치)기술이며, OLED (유기 발광 다이오드 표시장치), QLED (양자점 발광 다이오드 표시장치)등과 같은 신형 표시장치는 자아 발광을 하고, 콘트라스트가 높고, 색영역 (colour gamut)이 넓고, 에너지 소모가 적고, 대응 시간이 짧고, 경량 박형인 이점 들을 가지고 있으므로 사용자의 주목을 모으고 있다.
현재, 삼성, LG 등과 같은 대형 표시장치 메이커에서는 대형 OLED 텔레비전과 곡면 패널 OLED 텔레비전을 개발했다. 대형 OLED 제품은 비용이 많이 드는 결점을 가지고 있으므로, 시판되고 있는 OLED 제품은 대부분이 사이즈가 작은 제품이고， 사이즈가 큰 제품은 적으므로 경쟁력이 심한 시장에서 높은 경쟁력을 획득할 수 없다. 사이즈가 큰 OLED 표시장치가 제한되는 주요한 원인은 OLED 표시 부품의 제조에 있다. 현재, OLED 표시 부품의 제조 방법으로서 통상 증착 공정을 사용하지만, 증착 공정은 양품율이 낮고, 비용이 많이 드는 결점을 가지고 있다. 잉크제트 인쇄기술 (IJP, Ink-jet Print)을 통하여 OLED 표시 패널을 제조할 경우, 증착 공정을 사용하는 경우보다 비용을 저감할 수 있다. 이것은 잉크제트 인쇄기술이 여러가지 이점을 가지고 있기 때문이다. 첫번째의 이점은 잉크제트 인쇄 기술의 제조 공정이 간단하고, OLED 재료의 이용율이 높고, 양산을 쉽게 할 수 있는 것이다. 두 번째의 이점은 잉크제트 인쇄기술에 의해 원료를 절약하고, 제조의 비용을 저감할 수 있는 것이다. 세 번째의 이점은 잉크제 인쇄 기술의 세밀도가 종래의 증착 기술보다 높고, 사이즈가 큰 패널을 용이하게 제조할 수 있는 것이다.
전형의 잉크제트 인쇄장치는 복수의 인쇄 두부를 구비하고, 각 인쇄 두부를 통하여 컬러가 틀리고 폴리머로 구성된 컬러 레지스트 재료를 인쇄할 수 있다. 각 인쇄 두부에 복수의 소형 노즐이 포함된 것에 의해 적색, 녹색, 청색의 컬러 레지스트 재료를 ITO (Indium Tin Oxide, 산화 인듐 주석) 유리 기판의 화소 요부 내에 정확하게 주입할 수 있다. 그 후, 용제를 휘발시키면 나노미터 수준의 박막 (두께가 100 나노미터)이 형성되고, 발광 화소를 형성할 수 있다.
잉크제트 인쇄기술은 증착 기술보다 우세를 가지고 좋은 미래도 가지고 있지만, 잉크제트 인쇄기술로 평면형 표시장치를 제조할 때 해결하여야 할 문제가 존재한다. 예를 들면, 화소 뱅크층 (Bank 구조)의 제조 공정의 최적화를 하는 것에 의해 인쇄 부품의 해상도를 향상시킬 필요가 있다. 잉크제트 인쇄를 진행할 때 Bank 구조는 인쇄의 양품율과 뒤에 제조되는 박막의 균등성에 큰 영향을 주고, 잉크제트 인쇄공정을 실시할 때 잉크가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것에 의해 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura 현상이 발생할 우려가 있다.
도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 플로차트이다. 종래 기술의 기술적 문제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에서 표시 패널의 제조 방법을 제공한다. 상기 표시 패널의 제조 방법은 아래와 같은 스텝을 포함할 수 있다.
제1 스텝에 있어서, 지지 기판을 제공한다.
제2 스텝에 있어서, 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 하층 bank 구조를 형성하고, 상기 하층 bank 구조는 친수 특성을 가지고 있다.
제3 스텝에 있어서, 상기 하층 bank 구조 위에 대응하는 상층 bank 구조를 형성하고, 상기 상층 bank 구조는 소수 특성을 가지고 있다.
구체적으로 본 발명의 실시예에 있어서, 적당한 지지 기판을 선택한 후, 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 하층 bank 구조 (제1 bank 구조에 대응)을 형성한다. 상기 하층 bank 구조는 친수 특성을 가지고 있다. 상기 화소 요부는 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료를 주입하기 위한 구조이다. 그 후, 하층 bank 구조 위에 대응하는 상층 bank 구조 (제2 bank 구조에 대응)을 형성한다. 상기 상층 bank 구조는 소수 특성을 가지고 있다. 하층 bank 구조와 상층 bank 구조에 의해 복수의 bank 구조가 형성되고, 이것들을 통하여 화소 구역 (즉 화소 요부)을 포위할 수 있다. 하층 bank 구조의 친수 특성과 상층 bank 구조의 친수 특성은 서로 다르다. 상층 bank 구조는 소수 특성을 가지고 있으므로, 잉크제트 인쇄수단을 통하여 화소 요부에 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료를 주입할 때, 상층 bank 구조의 상부 표면에 제트된 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 또는 청색 컬러 레지스트 재료는 상층 bank 구조의 상부 표면에 멈출 수 없다. 즉, 상층 bank 구조가 소수 특성을 가지고 있으므로, 컬러 레지스트 재료는 소정된 화소 요부에 유입되고, 상층 bank 구조의 상부 표면에 제트된 컬러 레지스트 재료가 상층 bank 구조의 상부 표면에 멈추어 있는 것을 방지하고, 컬러 레지스트 재료가 옆의 화소 요부에 유입되는 것에 의해 컬러 레지스트 재료가 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 하층 bank 구조는 상층 bank 구조의 하측에 위치하고 하층 bank 구조는 친수 특성을 가지고 있으므로 일반적으로 화소 구역에 전극을 형성한다. 상기 전극은 일반적으로 양극이며, 상기 전극은 통상 친수 특성을 가지는 전기 전도 재료 예를 들면 산화 인듐 주석 (Indium Tin Oxide, ITO)으로 제조된다. 따라서, 화소 요부에 유되되는 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료는 소정된 화소 요부에서 충분하고 균등하게 전개되고, 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 방지하고, 표시 패널에 컬러 레지스트 재료의 혼합이 용이하게 발생하는 것을 철저하게 방지할 수 있다. 또한, 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 충분하고 균등하게 전개될 수 있으므로, mura 현상의 발생을 더 저감할 수 있다.
주의 받고 싶은 것은, 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법에는 본 발명의 실시예에 관한 스텝 만이 기재되어 있다. 본 실시예의 표시 패널의 제조 방법은 상기 스텝을 실시하기 전, 실시한 후, 실시할 때에 실시하는 다른 스텝을 더 포함할 수 있다. 다른 스텝은 본 기술분야에서 상용하는 스텝이므로 본 실시예는 다른 스텝에 대하여 다시 설명하지 않는다.
(제2 실시예)
본 발명의 제1 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 보다 상세하게 설명하기 위하여, 상기 제1 실시예에 의하여 제2 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
도 2a ∼ 도 2i를 참조하면, 도 2a ∼ 도 2i는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 도면이다. 이 표시 패널의 제조 방법은 구체적으로 아래와 같은 스텝을 포함할 수 있다.
제1 스텝에 있어서, 지지 기판 10을 제공한다. 상기 지지 기판 10은 TFT 기판이며, TFT 기판은 강성의 TFT 기판이거나 또는 유연성의 TFT 기판일 수 있다. TFT 기판은 구체적으로 기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층, 복수의 화소 구역과 대응하도록 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함한다. TFT 어레이층은 구체적으로 복수개의 TFT (Thin Film Transistor, 박막형 트랜지스트), 주사 신호를 송신하는 주사 신호 라인 (게이트 라인), 화상신호를 송신하는 화상 신호 라인 (데이터 라인)을 포함한다. TFT는 게이트 라인과 데이터 라인에 각각 접속된다. TFT 기판은 TFT에 접속된 화소 전극, 게이트 라인을 덮는 것에 의해 게이트 라인을 절연 상태로 하는 게이트 절연층, TFT와 데이터 라인을 덮는 것에 의해 TFT와 데이터 라인을 절연 상태로 하는 보호층을 더 포함한다. 게이트 절연층과 보호층은 통상 질화 규소로 제조된다. TFT는 게이트 라인의 일부분인 게이트 전극, 채널을 형성하는 반도체층, 게이트 라인의 일부분인 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 절연층, 보호층 등을 포함한다. TFT는 스위치 부품이며, TFT는 액티브 매트릭스 구동형 유기 발광 다이오드에 있어서 중요한 구동 부품이다. TFT는 게이트 라인이 송신하는 주사 신호를 통하여 데이터 라인이 화상 신호를 송신 또는 중단하도록 제어한다. TFT는 저온 다결정 실리콘 (LTPS) TFT, 옥사이드 (Oxide) TFT, 고상 결정화 (SPC), OLED표 시장치에 상용되는 TFT일 수 있다.
TFT 기판이 강성의 TFT 기판일 경우, TFT 기판은 실리콘, 금속, 유리 등과 같은 강성 지지 기판 중의 일종일 수 있고, TFT 기판이 유연성의 TFT 기판일 경우, TFT 기판은 강성 지지 기판과 이 강성 지지 기판 위에 형성된 유연성막을 포함할 수 있다. 상기 유연성막으로서 PI, PET 또는 PEN 등과 같은 재료를 용할 수 있다.
제2 스텝에 있어서, 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 하층 bank 구조를 형성하고, 상기 하층 bank 구조는 친수 특성을 가지고 있다. 제2 스텝은 구체적으로 아래와 같은 스텝을 포함할 수 있다.
스텝 2.1에 있어서, 도 2b에 표시된 바와 같이, 하층 bank 구조의 재료가 예를 들면 네거티브 포토레지스트 재료일 경우, 먼저 지지 기판 10 위에 한층의 네거티브 포토레지스트 재료 20를 도포한다. 본 발명의 실시예는 지지 기판 10위에 네거티브 포토레지스트 재료 20를 도포하는 방법을 제한하지 않고, 본 기술분야에서 상용하는 도포 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 분착방법, 회전 도포 방법 또는 다른 도포 방법에 의해 지지 기판 10 위에 네거티브 포토레지스트 재료 20을 도포한 후, 네거티브 포토레지스트 재료 20에 대하여 진공건조, 사전 베이킹, 냉각 등과 같은 공정을 하는 것에 의해 지지 기판 10 위에 고정 형태의 네거티브 포토레지스트 재료 20르 형성할 수 있다.
스텝 2.2에 있어서, 네거티브 포토레지스트 재료에 대하여 노광, 현상 및 에칭 공정을 실시하는 것에 의해 화소 요부를 구비하는 하층 bank 구조를 형성한다.
도 2c와 도 2d에 표시된 바와 같이, 먼저 네거티브 포토레지스트 재료 20 위에 제1 마스크층 30을 형성한다. 제1 마스크층 30은 마스크 레티클이다. 그 후, 제1 마스크층 30의 광선 통과 구역을 하층 bank 구조와 대응하는 상부 위치에 위치시키는 것에 의해, 광선 통과 구역을 통과한 광선이 네거티브 포토레지스트 재료 20에 입사되도록 한다. 그 후, 제1 마스크층 30이 설치된 네거티브 포토레지스트 재료에 대하여 노광, 현상 및 에칭 등과 같은 스텝을 실시한다. 노광 구역에 대응하는 네거티브 포토레지스트 재료에 크로스 링크가 발생하므로, 현상 액체에 용해되기 어렵다. 노광 부분이 현상 액체에 용해되는 것에 의해 노광 부분이 제거된다. 그 후, 에칭을 통하여 노광 부분의 네거티브 포토레지스트 재료를 제거하는 것에 의해 지지 기판 10 위에 화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 40를 형성한다. 본 실시예의 화소 요부에 의해 화소 구역을 형성한다. 본 발명은 화소 요부의 형상에 대해서 구체적으로 한정하지 않는다. 화소 요부의 형상은 임의의 적당한 형상, 예를 들면 원형, 타원형 등일 수 있다.
본 실시예의 하층 bank 구조 40의 재료로서 네거티브 포토레지스트 재료를 사용할 수 있다. 네거티브 포토레지스트 재료는 친수 특성을 가지고 있으므로 컬러 레지스트 재료를 화소 요부 50에 주입할 때 컬러 레지스트 재료는 화소 요부 50에서 충분하고 균등하게 전개될 수 있다.
구체적으로, 본 실시예에서 틈새 도포 방법을 사용할 경우 압력은 10 ∼ 60Pa이며, 사전 베이킹의 온도는 100∼120℃이며, 사전 베이킹의 시간은 70∼90s이며, 노광의 에너지는 30∼50mJ/cm2이며, 마스크 레티클과 포토레지스트 사이의 틈새 gap는 200∼250μm이며, 현상 액체는 0.04%의 KOH이며, 현상의 시간은 50-60sec이며, 하드 베이크의 온도는 230℃이며, 하드 베이크의 시간은 20∼30min이다. 현상에 의해 형성된 화상을 하드베이크으로 베이킹하는 것에 의해 크로스 링크의 발생을 촉진한다.
제3 스텝에 있어서, 상기 하층 bank 구조 위에 대응하는 상층 bank 구조를 형성하고, 상기 상층 bank 구조는 소수 특성을 가지고 있다.
스텝 3.1에 있어서, 도 2e에 표시된 바와 같이, 상층 bank 구조의 재료가 예를 들면 포지티브 포토레지스트 재료일 경우, 먼저 하층 bank 구조 50 위에 한층의 포지티브 포토레지스트 재료 60를 도포한다. 본 발명의 실시예는 하층 bank 구조 50 위에 포지티브 포토레지스트 재료 60를 도포하는 방법을 제한하지 않고, 본 기술분야에서 상용하는 도포 방법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 분착 방법, 회전 도포 방법 또는 다른 도포 방법에 의해 하층 bank 구조 50 위에 포지티브 포토레지스트 재료 60를 도포한 후, 포지티브 포토레지스트 재료 60에 대하여 진공 건조, 사전 베이킹, 냉각 등과 같은 공정을 하는 것에 의해 하층 bank 구조 50 위에 고정 형태의 포지티브 포토레지스트 재료 60를 형성할 수 있다.
스텝 3.2에 있어서, 포지티브 포토레지스트 재료에 대하여 노광, 현상 및 에칭 공정을 실시하는 것에 의해 상기 상층 bank 구조를 형성한다.
도 2f와 도 2g에 표시된 바와 같이, 먼저 포지티브 포토레지스트 재료 60 위에 제2 마스크층 70을 형성한다. 제2 마스크층 70은 마스크 레티클이다. 그 후, 제2 마스크층 70의 광선 통과 구역을 상층 bank 구조와 대응하는 상부 위치에 위치시키는 것에 의해, 광선 통과 구역을 통과한 광선이 포지티브 포토레지스트 재료 60에 입사되도록 한다. 그 후, 제2 마스크층 70이 설치된 포지티브 포토레지스트 재료에 대하여 노광, 현상 및 에칭 등과 같은 스텝을 실시한다. 노광 구역에 대응하는 포지티브 포토레지스트 재료에 크로스 링크가 발생하므로, 현상 액체에 용해되기 어렵다. 노광 부분이 현상 액체에 용해되는 것에 의해 노광 부분이 제거된다. 그 후, 에칭 공정을 통하여 노광 부분의 포지티브 포토레지스트 재료를 제거하는 것에 의해, 하층 bank 구조 40 위에 화소 요부 50를 구비하는 상층 bank 구조 80를 형성한다. 본 발명의 실시예는 하층 bank 구조 40와 상층 bank 구조 80의 형상에 대해서 구체적으로 한정하지 않는다. 하층 bank 구조 40와 상층 bank 구조 80의 형상은 화소 요부 50의 형상에 의해 적당히 조절할 수 있다.
구체적으로, 본 실시예에서 틈새 도포 방법을 사용할 경우, 압력은 10∼60Pa이며, 사전 베이킹의 온도는 100∼120℃이며, 사전 베이킹의 시간은 70∼90s이며, 노광의 에너지는 30∼50mJ/cm2이며, 마스크 레티클과 포토레지스트 사이의 틈새 gap는 200∼250μm이며, 현상 액체는 0.38%의 TMAH이며, 현상의 시간은 50∼60sec이며, 하드 베이크의 온도는 230℃이며, 하드 베이크의 시간은 20∼30min이다.
본 실시예의 상층 bank 구조의 재료로서 포지티브 포토레지스트 재료를 선택할 수 있다. 잉크제트 인쇄기술에 의해 소정된 화소 요부에 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료를 주입할 때, 포지티브 포토레지스트 재료는 소수 특성을 가지고 있으므로, 상층 bank 구조의 상부 표면에 제트된 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 또는 청색 컬러 레지스트 재료는 상층 bank 구조의 상부 표면에 멈출 수 없다. 즉, 상층 bank 구조가 소수 특성을 가지고 있으므로, 컬러 레지스트 재료는 소정의 화소 요부에 유입되고, 상층 bank 구조의 상부 표면에 제트 되는 컬러 레지스트 재료가 상층 bank 구조의 상부 표면에 멈추는 것을 방지하고, 컬러 레지스트 재료가 옆의 화소 요부에 유입되는 것에 의해 컬러 레지스트 재료가 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 하층 bank 구조는 상층 bank 구조의 하측에 위치하고 하층 bank 구조는 친수 특성을 가지고 있으므로 화소 구역 내에 형성된 전극도 일반적으로 친수 특성을 가지고 있다. 하층 bank 구조와 전극의 친수 특성에 의해 화소 요부에 유입되는 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료는 소정된 화소 요부에서 충분하고 균등하게 전개되고,적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 방지하고, 표시 패널에 컬러 레지스트 재료의 혼합이 용이하게 발생하는 것을 철저하게 방지할 수 있다. 또한, 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 충분하고 균등하게 전개될 수 있으므로, mura 현상의 발생을 더 저감할 수 있다.
바람직하게는, 상층 bank 구조와 하층 bank 구조의 두께 비례는 2:5 ∼ 2:7이며, 하층 bank 구조의 두께는 컬러 레지스트층의 두께보다 두텁다. 상층 bank 구조와 하층 bank 구조의 친수 특성과 소수 특성이 다르고, 상층 bank 구조와 하층 bank 구조의 두께 비례가 2:5∼2:7일 때, 적량의 컬러 레지스트 잉크를 화소 요부 50에 주입하는 것에 의해 컬러 레지스트 잉크를 화소 요부 50내에 모을 수 있다. 상층 bank 구조의 두께가 지나치게 두터울 때 하층 bank 구조의 두께가 과도하게 얇게 되고 소수층이 과도 하게 두터워지므로, 화소 요부 내에 충분한 컬러 레지스트 액체를 주입할 수 없다. 예를 들면, 하층 bank 구조의 두께는 2.5∼3.5μm이며, 상층 bank 구조의 두께는 0.7∼1μm일 수 있다.
본 실시예의 표시 패널의 제조 방법은 새로운 공정과 스텝을 증가시킬 필요가 없고, 포지티브 포토레지스트를 제조하는 스텝 만을 증가하는 것에 의해 본 발명을 실시할 수 있다. 즉, 원래의 장치와 스텝에 의해 본 발명을 실시할 수 있으므로 비용의 증가가 적은 이점을 가지고 있다. 또한, 하층 bank 구조의 재료로서 포지티브 포토레지스트 재료를 선택하고, 상층 bank 구조의 재료로서 네거티브 포토레지스트 재료를 선택할 수도 있다. 하층 bank 구조의 재료와 상층 bank 구조의 재료는 모두 포지티브 포토레지스트 재료이거나 또는 모두 네거티브 포토레지스트 재료일 수도 있다.
제4 스텝에 있어서, 도 2h에 표시된 바와 같이, 컬러 레지스트 재료를 화소 요부 50에 주입하는 것에 의해 컬러 레지스트층 90을 형성한다.
잉크제트 인쇄수단을 통하여 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료를 소정된 화소 요부에 주입한 후, 화소 요부 내에 주입된 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료를 건조시키는 것에 의해, 소정된 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 형성한다. 적색 컬러 레지스트층은 적색 화소 유닛에 대응하고, 녹색 컬러 레지스트층은 녹색 화소 유닛에 대응하고, 청색 컬러 레지스트층은 청색 화소 유닛에 대응한다. 적색 화소 유닛, 녹색 화소 유닛 및 청색 화소 유닛은 어레이 형태로 배치되고, 인접하는 화소 유닛의 컬러는 서로 다르다. 본 실시예의 표시 패널은 적색 화소 유닛, 녹색 화소 유닛 및 청색 화소 유닛을 통하 컬러를 표시할 수 있다.
제5 스텝에 있어서, 도 2i에 표시된 바와 같, 드래그 리무버를 통하여 상층 bank 구조 80를 하층 bank 구조 40에서 박리시킨다.
본 실시예에 있어서, 상층 bank 구조 80를 하층 bank 구조 40에서 박리시킬 수 있지만, 상층 bank 구조 80를 박리시키지 않아도 좋다. 드래그 리무버를 통하여 상층 bank 구조 80를 하층 bank 구조 40에서 박리시킨 후, 컬러 레지스트층과 하층 bank 구조는 모두 친수 특성을 가지고 있으므로, 뒤의 평탄층 (PLN, Planarization)의 도포와 실장 구조의 제조를 용이하게 실시할 수 있다.
주의 받고 싶은 것은, 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법에는 본 발명의 실시예에 관한 스텝 만이 기재되어 있다. 본 실시예의 표시 패널의 제조 방법은 상기 스텝을 실시하기 전, 실시한 후, 실시할 때에 실시되는 다른 스텝을 더 포함할 수 있다. 다른 스텝은 본 기술분야에서 상용하는 스텝이므로 본 실시예는 다른 스텝에 대해서 다시 설명하지 않는다.
(제3 실시예)
본 발명의 제3 실시예에 있어서 상기 제1 실시예와 제2 실시예에 대응하는 표시 패널을 더 제공한다. 이 표시 패널은 상기 임의의 한 실시예에 기재된 제조 방법에 의해 제조된다. 도 3을 참조하면, 도 3은 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널을 나타내는 구조도이다. 상기 표시 패널은 구체적으로 지지 기판 10, 화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조(제1 bank 구조) 40, 상층 bank 구조(제2 bank 구조) 80 및 컬러 레지스트층 90을 포함할 수 있다.
지지 기판 10은 TFT 기판이며, TFT 기판은 구체적으로 유리 기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층 및 복수의 화소 구역과 대응하게 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함할 수 있다.
화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 40는 지지 기판 10 위에 위치하고 하층 bank 구조 40는 친수 특성을 가지고 있다. 구체적으로 하층 bank 구조 40의 재료는 네티브 포토레지스트 재료일 수 있다.
상층 bank 구조 80는 하층 bank 구조 40 위에 위치하고, 상층 bank 구조 80는 소수 특성을 가지고 있다. 구체적으로 상층 bank 구조 80의 재료는 포지티브 포토레지스트 재료일 수 있다.
컬러 레지스트층 90은 화소 요부 50 내에 위치하고, 컬러 레지스트층 90은 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 포함하고, 각 화소 요부 50 내에는 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층 중의 소정된 일종이 형성되고, 인접하는 두 화소 요부 50 내의 컬러 레지스트층의 컬러는 서로 다르다.
주의 받고 싶은 것은, 본 발명의 실시예의 표시 패널에는 본 발명에 관한 구조 만이 기재되어 있다. 본 발명의 실시예의 표시 패널은 다른 구조를 더 포함할 수 있지만 본 실시예는 다른 구조에 대해서 설명하지 않는다.
본 발명의 실시 예에 관한 표시 패널의 표시 원리와 기술적 효과는 상기 제1 실시예 또는 제2 실시예의 상기 표시 패널의 제조 방법과 유사하므로 여기에서 다시 설명하지 않는다.
(제4실시 예)
본 발명의 제4 실시예에 있어서 상기 제1 실시예와 제2 실시예에 대응하는 표시 패널을 더 제공한다. 이 표시 패널은 상기 임의의 한 실시예에 기재된 제조 방법에 의해 제조된다. 도 4를 참조하면, 도 4는 본 발명의 실시예에 관한 다른 표시 패널을 나타내는 구조도이다. 상기 표시 패널은 구체적으로 지지 기판 10, 화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 (제1 bank 구조) 40 및 컬러 레지스트층 90을 포함할 수 있다.
지지 기판 10은 TFT 기판이며, TFT 기판은 구체적으로 유리 기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층 및 복수의 화소구역에 대응하도록 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함할 수 있다.
화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 40는 지지 기판 10위에 위치하고, 하층 bank 구조 40는 친수 특성을 가지고 있다. 구체적으로 하층 bank 구조 40의 재료는 네거티브 포토레지스트 재료일 수 있다.
컬러 레지스트층 90은 화소 요부 50 내에 위치하고, 컬러 레지스트층 90은 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 포함하고, 각 화소 요부 50 내에는 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층 중의 소정된 일종이 형성되고, 인접하는 두 화소 요부 50 내의 컬러 레지스트층의 컬러는 서로 다르다.
주의 받고 싶은 것은, 본 발명의 실시예의 표시 패널에는 본 발명에 관한 구조 만이 기재되어 있다. 본 발명의 실시예의 표시 패널은 다른 구조를 더 포함할 수 있지만 본 실시예는 다른 구조에 대해서 설명하지 않는다.
본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 표시 원리와 기술적 효과는 상기 제1 실시예 또는 제2 실시예의 상기 표시 패널의 제조 방법과 유사하므로 여기에서 다시 설명하지 않는다.
(제5 실시예)
본 발명의 제5 실시예에 있어서 표시장치를 더 제공한다. 상기 표시장치는 상기 제3 실시예의 표시 패널을 포함한다. 상기 표시장치는 예를 들면 LTPO 표시장치, Micro LED 표시장치, 전자 페이퍼, OLED 패널, AMOLED 패널, 휴대폰, 태블릿, 텔레비전, 표시장치, 노트 PC, 디지털 포토 프레임 등과 같은 표시 기능을 가지고 있는 임의의 제품 또는 부품일 수 있다.
구체적으로, 도 3을 다시 참조하면, 상기 표시 패널은 구체적으로 지지 기판 10, 화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 40, 상층 bank 구조 80 및 컬러 레지스트층 90을 포함할 수 있다.
상기 지지 기판 10은 TFT 기판이며, TFT 기판은 구체적으로 유리기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층 및 복수의 화소구역과 대응하도록 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함할 수 있다.
화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 40는 지지 기판 10 위에 위치하고, 하층 bank 구조 40는 친수 특성을 가지고 있다. 구체적으로, 하층 bank 구조 40의 재료는 네거티브 포토레지스트 재료일 수 있다.
상기 상층 bank 구조 80는 하층 bank 구조 40 위에 위치하고, 상층 bank 구조 80는 소수 특성을 가지고 있다. 구체적으로, 상층 bank 구조 80의 재료는 포지티브 포토레지스트 재료일 수 있다.
상기 컬러 레지스트층 90은 화소 요부 50 내에 위치하고, 컬러 레지스트층 90은 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 포함하고, 각 화소 요부 50 내에는 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층 중의 소정된 일종이 형성되고, 인접하는 두 화소 요부 50 내의 컬러 레지스트층의 컬러는 서로 다르다.
본 발명의 실시예에 관한 표시장치의 표시 원리와 기술적 효과는 상기 제3 실시예의 상기 표시 패널과 유사하므로 여기에서 다시 설명하지 않는다.
(제6 실시예)
본 발명의 제6 실시예에 있어서 표시장치를 더 제공한다. 상기 표시장치는 상기 제4 실시예의 표시 패널을 포함한다. 상기 표시장치는 예를 들면 LTPO 표시장치, Micro LED 표시장치, 전자 페이퍼, OLED 패널, AMOLED 패널, 휴대폰, 태블릿, 텔레비전, 표시장치, 노트 PC, 디지털 포토 프레임 등과 같은 표시 기능을 가지고 있는 임의의 제품 또는 부품일 수 있다.
구체적으로, 도 4를 다시 참조하면, 상기 표시 패널은 구체적으로 지지 기판 10, 화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 40 및 컬러 레지스트층 90을 포함할 수 있다.
상기 지지 기판 10은 TFT 기판이며, TFT 기판은 구체적으로 유리기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층 및 복수의 화소구역과 대응하도록 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함할 수 있다.
화소 요부 50를 구비하는 하층 bank 구조 40는 지지 기판 10 위에 위치하고, 하층 bank 구조 40는 친수 특성을 가지고 있다. 구체적으로, 하층 bank 구조 40의 재료는 네거티브 포토레지스트 재료일 수 있다.
상기 컬러 레지스트층 90은 화소 요부 50 내에 위치하고, 컬러 레지스트층 90은 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 포함하고, 각 화소 요부 50 내에는 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층 중의 소정된 일종이 형성되고, 인접하는 두 화소 요부 50 내의 컬러 레지스트층의 컬러는 서로 다르다.
본 발명의 실시예에 관한 표시장치의 표시 원리와 기술적 효과는 상기 제4 실시예의 상기 표시 패널과 유사하므로 여기에서 다시 설명하지 않는다.
(제7 실시예)
도 5를 참조하면, 도 5는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 플로차트이다. 종래 기술의 기술적 문제를 해결하기 위하여서 본 발명의 실시예에 있어서 표시 패널의 제조 방법을 제공한다. 상기 표시 패널의 제조 방법은 아래와 같은 스텝을 포함할 수 있다.
제1 스텝에 있어서, 지지 기판을 제공한다.
제2 스텝에 있어서, 첫번째의 노광을 실시하는 것에 의하여 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트층은 감광 재료가 혼합된 네거티브 포토레지스트 재료를 포함한다.
제3 스텝에 있어서, 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최종의 포토레지스트층을 형성하고, 최종의 포토레지스트층은 여분 제1 포토레지스트층과 여분 제1 포토레지스트층 위에 위치하는 제2 포토레지스트층을 포함하고, 제1 포토레지스트층과 제2 포토레지스트층의 소수특성과 친수특성은 서로 다르다.
구체적으로 본 발명의 실시예에 있어서, 먼저 지지 기판을 선택한 후 첫번째의 노광과 현상에 의해 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하고, 이 제1 포토레지스트층을 최초의 bank 구조로 한다. 상기 화소 요부는 적색, 녹색 및 청색 발광 재료를 주입하기 위한 구조이며, 상기 제1 포토레지스트층은 네거티브 포토레지스트 재료이며, 상기 네거티브 포토레지스트 재료에는 감광 재료가 혼합되어 있고, 첫번째의 노광과 현상에 의해 형성된 제1 포토레지스트층은 친수특성을 가지고 있다. 그 후, 제1 포토레지스트층에 두번째의 노광을 실시한다. 두번째의 노광에 있어서, 제1 포토레지스트층의 상층에 입사된는 광선 에너지는 많고， 네거티브 포토레지스트 재료 중의 감광 재료는 파장이 245nm인 광선에 제일 민감하다. 두번째의 노광을 실시할 때 반응이 발생하는 것에 의해 제1 포토레지스트층의 상층의 친수특성은 변하고, 친수특성으로부터 소수특성으로 변한다. 변한 부분은 제2 포토레지스트층 (제2 bank 구조)으로 되고, 제2 포토레지스트층은 소수특성을 가지고 있다. 제1 포토레지스트층의 하층에 입사되는 광선 에너지는 적고, 광선에 의한 영향을 적게 받고, 제1 포토레지스트층의 하층 중의 감광 재료에 반응이 발생하지 않으므로, 제1 포토레지스트층의 하층의 친수특성은 변하지 않는다. 따라서, 제1 포토레지스트층의 하층은 여분 제1 포토레지스트층 (제1 bank 구조)로 되고, 여분 제1 포토레지스트층과 제2 포토레지스트층의 소수특성과 친수특성은 서로 다르다. 제2 포토레지스트층은 소수특성을 가지고 있으므로, 잉크제트 인쇄 수단에 의해 화소 요부에 컬러 레지스트 재료를 주입할 때, 제2 포토레지스트층의 상부표면에 제트된 컬러 레지스트 재료는 제2 포토레지스트층의 상부표면에 멈출 수 없다. 즉, 제2 포토레지스트층이 소수특성을 가지고 있으므로, 컬러 레지스트 재료는 소정된 화소 요부에 유입되고, 제2 포토레지스트층의 상부표면에 제트된 컬러 레지스트 재료가 상층 bank 구조의 상부표면에 멈추는 것을 방지하는 한편 컬러 레지스트 재료가 옆의 화소 요부에 유입되는 것에 의해 컬러 레지스트 재료가 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 제1 포토레지스트층의 하층은 여전히 친수특성을 가지고 있으므로 화소 요부에 유입되는 컬러 레지스트 재료는 화소 요부에서 충분하고 균등하게 전개되고, 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 방지하고, 컬러 레지스트 재료의 혼합을 철저히 방지하고, mura 현상의 발생을 더 저감할 수 있다. 또한, 본 실시예는 포토레지스트층의 원료의 조성을 개선하는 것에 의해 제2 포토레지스트층의 친수특성을 개선하고, 새로운 공정과 스텝을 증가시킬 필요가 없으므로, 비용이 낮은 이점을 가지고 있다.
주의 받고 싶은 것은 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법에는 본 발명의 실시예에 관한 스텝 만이 기재되어 있다. 본 실시예의 표시 패널의 제조 방법은 상기 스텝을 실시하기 전, 실시한 후, 실시할 때에 실시되는 다른 스텝을 더 포함할 수 있다. 다른 스텝은 본 기술분야에서 상용하는 스텝이므로 본 실시예는 다른 스텝에 대해서 다시 설명하지 않는다. 주의 받고 싶은 것은 상기 제1 포토레지스트층의 대신에 포지티브 포토레지스트 재료를 사용하고, 포지티브 포토레지스트 재료에는 감광 재료가 혼합될 수 있다.
(제8 실시예)
본 발명의 제7 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 보다 상세하게 설명하기 위하여, 상기 제7 실시예를 통하여 제8 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 보다 구체적으로 설명한다.
도 6a∼도 6f를 참조하면, 도 6a∼도 6f는 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 도면이다. 이 표시 패널의 제조 방법은 구체적으로 아래와 같은 스텝을 포함할 수 있다.
제1 스텝에 있어서, 지지 기판 410을 제공한다. 상기 지지 기판 410은 TFT 기판이며, TFT 기판은 구체적으로 유리기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층 및 복수의 화소구역과 대응하도록 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함한다. TFT 어레이층은 구체적으로 복수개의 TFT (Thin Film Transistor, 박막형 트랜지스트), 주사 신호를 송신하는 주사 신호 라인 (게이트 라인), 화상 신호를 송신하는 화상 신호 라인 (데이터 라인)을 포함한다. TFT는 게이트 라인과 데이터 라인에 각각 접속된다. TFT 기판은 TFT에 접속된 화소전극, 게이트 라인을 덮는 것에 의해 게이트 라인을 절연 상태로 하는 게이트 절연층, TFT와 데이터 라인을 덮는 것에 의해 TFT와 데이터 라인을 절연 상태로 하는 보호층을 더 포함한다. 게이트 절연층과 보호층은 통상 질화 규소로 제조된다. TFT는 게이트 라인의 일부분인 게이트 전극, 채널을 형성하는 반도체층, 게이트 라인의 일부분인 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 절연층, 보호층 등을 포함한다. TFT는 스위치 부품이며, TFT는 액티브 매트릭스 구동형 유기 발광 다이오드에 있어서 중요한 구동 부품이다. TFT는 게이트 라인이 송신하는 주사 신호에 의해 데이터 라인이 화상 신호를 송신 또는 중단하도록 제어한다. TFT는 저온 다결정 실리콘 (LTPS) TFT, 옥사이드 (Oxide) TFT, 고상결정화 (SPC), OLED 표시장치에 상용되는 TFT일 수 있다.
첫번째의 노광에 의해 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 제2 스텝은 구체적으로 아래와 같은 스텝을 포함할 수 있다.
스텝 2.1에 있어서, 도 6b에 표시된 바와 같이 감광 재료가 혼합된 네거티브 포토레지스트 재료 420를 지지 기판 410 위에 도포한다. 감광 재료의 표면이 낮으므로, 포토레지스트 재료의 상층에 자동적으로 모여질 수 있다.
예를 들면, 분착방법, 회전 도포 방법 또는 다른 도포 방법에 의해 지지 기판 410 위에 감광 재료가 혼합된 네거티브 포토레지스트 재료 420를 도포한 후, 감광 재료가 혼합된 네거티브 포토레지스트 재료 420에 대하여 진공건조, 사전 베이킹, 냉각 등과 같은 공정을 하는 것에 의해 지지 기판 410 위에 감광 재료가 혼합된 고정 형태의 네거티브 포토레지스트 재료 420를 형성할 수 있다.
바람직하게는, 감광 재료의 함량은 네거티브 포토레지스트 재료의 총량의 3∼6%이며, 네거티브 포토레지스트 재료 420의 두께는 4∼5μm이다. 네거티브 포토레지스트 재료 420의 두께는 RGB 컬러 레지스트가 주입되는 것에 의해 적당히 조절할 수 있다. 네거티브 포토레지스트 재료 420가 지나치게 얇으면 구역을 한정하는 작용을 연주할 수 없고, RGB 잉크를 주입할 때 이것이 밖으로 용이하게 유출할 수 있다. 네거티브 포토레지스트 재료 420가 지나치게 두터우면 재료의 낭비와 비용의 증가를 초래할 우려가 있다.
스텝 2.2에 있어서, 자외선으로 감광 재료가 혼합되어 있는 네거티브 포토레지스트 재료 420에 대하여 첫번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최초의 포토레지스트를 형성한다.
도 6c에 표시된 바와 같이, 먼저 감광 재료가 혼합되어 있는 네거티브 포토레지스트 재료 420의 상표면에 개구가 형성된 한층의 마스크층 430을 도포한다. 마스크층 430은 마스크 레티클이다. 그 후, 자외선을 사용하는 것에 의해 화소 요부를 형성하는 위치에 대하여 첫번째의 노광을 실시한다. 마지막으로, 첫번째의 노광을 통하여 감광 재료가 혼합된 네거티브 포토레지스트 재료 420를 최초의 포토레지스트로 한다. 최초의 포토레지스트는 친수 특성을 가지고 있다.
첫번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장은 예를 들면 355∼375nm일 수 있다. 자외선의 파장이 355∼375nm일 때 최초의 포토레지스트층의 친수 소수특성이 변하지 않는 것을 확보하고, 최초의 포토레지스트층의 친수특성을 유지하고, 후에서 실시되는 현상과 에칭 공정에 의해 화소 요부가 형성되는 것을 확보할 수 있다. 첫번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장이 지나치게 크면 최초의 포토레지스트층의 친수 소수특성에 영향을 주고, 자외선의 파장이 지나치게 작을 경우 형성된 화소 요부를 통하여 지지 기판을 노출시킬 수 없다.
바람직하게는, 첫번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장은 365nm이며 파장이 365nm인 자외선의 에너지는 작다. 파장이 365nm인 자외선은 네거티브 포토레지스트중의 모노머를 중합시킬 수 있다. 파장이 365nm인 자외선은 최초의 포토레지스트층의 친수 소수특성이 변하지 않는 것을 확보하고, 현상과 에칭에 의해 형성된 화소 요부가 지지 기판을 노출시키는 것을 확보할 수 있다.
스텝 2.3에 있어서 도 6d에 표시된 바와 같이 최초의 포토레지스트층에 대하여 현상과 에칭을 하는 것에 의해 화소 요부 450를 구비하는 제1 포토레지스트층 440을 형성한다. 현상과 에칭에 의해 형성되는 화소 요부 450는 지지 기판 410을 노출시키고, 화소 요부 450에 의해 적색 화소 구역, 녹색 화소 구역 및 청색 화소 구역이 각각 형성된다. 상기 화소 요부 450에 소정된 컬러를 형성하기 위하여, 적색 화소 구역, 녹색 화소 구역 및 청색 화소 구역에 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료를 각각 주입할 수 있는다.
제3 스텝에 있어서, 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최종의 포토레지스트층을 형성한다. 제3 스텝은 구체적으로 아래와 같은 스텝을 포함할 수 있다.
스텝 3.1에 있어서, 자외선에 의해 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최종의 포토레지스트층을 형성한다.
도 6e를 참조하면, 자외선에 의해 제1 포토레지스트층의 상부표면에 대하여 두번째의 노광을 실시한다. 자외선을 조사할 때 자외선은 제1 포토레지스트층의 상부표면에 조사된다. 제1 포토레지스트층의 상부표면이 접수하는 광선 에너지는 제일 많고 제1 포토레지스트층에 감광 재료가 혼합되어 있으므로, 감광 재료 중의 활성 그룹은 자외선의 조사에 의해 반응하고, 제1 포토레지스트층의 친수 소수특성은 변한다. 즉, 제1 포토레지스트층의 상층은 친수특성으로부터 소수특성으로 변하고, 친수특성으로부터 소수특성으로 변한 부분은 제2 포토레지스트층 460(제2 bank 구조)으로 된다. 자외선의 파장은 제1 포토레지스트층의 상층 만이 친수특성으로부터 소수특성으로 변하고, 제1 포토레지스트층의 하층이 친수 소수특성이 변하지 않는 것을 확보 할 필요가 있다. 즉 광선의 강도는 제1 포토레지스트층의 하층의 친수 소수특성이 변하지 않고, 제1 포토레지스트층의 상층의 친수 소수특성이 충분히 변하는 것을 확보하고, 제1 포토레지스트층의 하층 (제1 bank 구조)의 친수특성을 유지 할 필요가 있다. 제2 포토레지스트층은 소수특성을 가지고 있고, 컬러 레지스트 재료는 친수특성을 가지고 있으므로, 화소 요부 내에 컬러 레지스트 재료를 주입할 때 제2 포토레지스트층 위에 분사된 컬러 레지스트 재료는 제2 포토레지스트층의 상부표면에 멈출 수 없고, 제2 포토레지스트층이 소수특성을 가지고 있는 것에 의해 컬러 레지스트 재료는 소정된 화소 요부에 유입될 수 있다. 즉, 제2 포토레지스트층 위에 분사된 컬러 레지스트 재료가 옆의 화소 요부에 유입되는 것에 의해 컬러 레지스트 재료의 혼합이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 포토레지스트층은 친수특성을 가지고 있으므로, 화소 요부에 유입되는 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 충분하고 균등하게 전개하는 것을 확보하고, 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 더 방지하는 한편 컬러 레지스트 재료의 혼합이 발생하는 것을 철저히 방지할 수 있다. 또한, 화소 요부 중의 컬러 레지스트 재료가 충분하고 균등하게 전개되는 것에 의해 표시 패널에 mura 현상이 발생하는 것을 효율적으로 저감할 수 있다.
두번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장은 예를 들면 244∼264nm일 수 있다. 자외선의 파장이 244∼264nm일 경우, 제1 포토레지스트층의 상층의 친수특성이 소수특성으로 변하는 것을 확보하고, 제1 포토레지스트층의 하층의 친수 소수특성을 유지할 수 있다. 따라서 화소 요부에 컬러 레지스트 재료를 주입할 때 컬러 레지스트 재료가 혼합되는 것을 효율적으로 방지하는 한편 표시 패널에 mura 현상이 발생하는 것을 효율적으로 저감할 수 있는다. 두번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장이 지나치게 크면 제1 포토레지스트층의 하층의 친수 소수특성도 변할 우려가 있다. 자외선의 파장이 지나치게 클 경우 제1 포토레지스트층의 하층의 친수특성이 소수특성으로 변할 우려가 있으므로, 화소 요부에 주입된 컬러 레지스트 재료는 화소 요부에 유입될 수 없고, 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura 현상이 용이하게 발생하는 것을 효율적으로 방지할 수 없다. 자외선의 파장이 지나치게 작을 경우, 제1 포토레지스트층의 상층의 친수 소수특성을 변화시킬 수 없으므로, 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura 현상이 용이하게 발생하는 것을 효율적으로 방지할 수 없다.
바람직하게는, 두번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장은 254nm이며, 파장이 254nm인 자외선의 에너지는 크고, 감광 재료의 양단은 파장이 254nm인 자외선에 의해 반응하는 동시에 소수특성의 그룹으로 변하는 효과가 제일 좋다. 자외선의 파장이 254nm일 경우, 제1 포토레지스트층의 하층의 친수 소수특성을 변화시키지 않는 전제 하에서, 제1 포토레지스트층의 상층의 친수특성을 소수특성으로 변화시키는 것에 의해 컬러 레지스트 재료의 혼합과 mura 현상을 효율적으로 방지할 수 있다.
제1 포토레지스트층의 여분 부분 (제1 bank 구조)의 두께와 제2 포토레지스트층 (제1 bank 구조)의 두께의 비례는 제1 포토레지스트층의 여분 부분:제2 포토레지스트층 = 8:3∼10:3이다. 또한, 감광 재료의 함량을 네거티브 포토레지스트 재료의 총량의 3∼6%로 하고, 제1 포토레지스트층의 여분 부분과 제2 포토레지스트층의 총두께를 4∼5μm으로 한다. 이럴 경우 파장이 254nm인 광선으로 두번째의 노광을 할 때, 적량의 컬러 레지스트 잉크가 화소 요부에 주입되어서 화소 요부에 멈추어 있는 것을 확보하는 한편 소수층의 두께가 지나치게 두터운 것에 의해 화소 요부에 컬러 레지스트 액체를 충분히 주입할 수 없는 문제를 피할 수 있다.
감광 재료의 제일단은 -NCO 그룹, -SCO 그룹 중의 적어도 일종이며, 감광 재료의 제이단은 -NH2 그룹, -OH 그룹 및 -COOH 그룹 중의 적어도 일종일 수 있다. 네거티브 포토레지스트 재료 중의 감광 재료에 조사되는 자외선의 파장이 355∼375nm일 때 감광 재료의 제일단의 -NCO 그룹과 / 혹은 -SCO 그룹과 감광 재료의 제이단의 -NH2 그룹과 / 혹은 -OH 그룹과 / 혹은 -COOH 그룹이 변한다. -NH2 그룹, -OH 그룹 및 -COOH 그룹은 모두 친수 그룹에 속하고, 반응에 의해 이것들은 친수 그룹으로 변한다. 그룹의 친수 소수특성을 변화시키는 것에 의해 제1 포토레지스트층의 상층의 친수특성을 소수특성으로 변화시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서 제2 포토레지스트층의 친수특성을 소수특성으로 변화시키고, 원료의 조성을 개선하는 것에 의해 bank 구조의 조성을 개선한다. 따라서, 새로운 공정과 스텝을 증가시킬 필요가 없고 비용이 낮은 이점을 가지고 있다.
제4 스텝에 있어서, 도 6h에 표시된 바와 같이, 컬러 레지스트 재료를 화소 요부 450에 주입하는 것에 의해 컬러 레지스트층 470을 형성한다.
구체적으로, 잉크제트 인쇄수단에 의해 적색 컬러 레지스트 재료, 녹색 컬러 레지스트 재료 및 청색 컬러 레지스트 재료를 소정된 화소 요부에 주입하는 것에 의해, 소정된 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 형성한다.
주의 받고 싶은 것은, 본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 제조 방법에는 본 발명의 실시예에 관한 스텝 만이 기재되어 있다. 본 실시예의 표시 패널의 제조 방법은 상기 스텝을 실시하기 전, 실시한 후, 실시할 때에 실시되는 다른 스텝을 더 포함할 수 있고, 본 실시예는 다른 스텝에 대해서 다시 설명하지 않는다.
(제9 실시예)
본 발명의 제9 실시예에 있어서 상기 제7 실시예와 제8 실시예에 대응하는 표시 패널을 더 제공한다. 이 표시 패널은 상기 임의의 한 실시예의 제조 방법에 의해 제조된다. 도 7을 참조하면, 상기 표시 패널은 구체적으로 지지 기판 410, 화소 요부 450을 구비하는 최종의 포토레지스트층 및 컬러 레지스트층 470을 포함할 수 있다.
상기 지지 기판 410은 TFT 기판이며, TFT 기판은 구체적으로 유리기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층 및 복수의 화소구역과 대응하도록 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함할 수 있다.
최종의 포토레지스트층은 지지 기판 410 위에 위치하고, 최종의 포토레지스트층의 재료는 감광 재료가 혼합되어 있는 네거티브 포토레지스트 재료이며, 최종의 포토레지스트층은 제1 포토레지스트층 440 (제1 bank 구조)과 제1 포토레지스트층 440 위에 위치하는 제2 포토레지스트층 460 (제2 bank 구조)을 포함하고, 제1 포토레지스트층 440과 제2 포토레지스트층 460의 소수특성과 친수특성은 서로 다르고, 제1 포토레지스트층은 친수특성을 가지고, 제2 포토레지스트층은 소수특성을 가지고 있다. 제2 포토레지스트층이 제1 포토레지스트층 위에 형성되어 있으므로, 화소 요부 450 내에 컬러 레지스트 재료를 주입할 때 제2 포토레지스트층 위에 분사된 컬러 레지스트 재료는 제2 포토레지스트층의 상부표면에 멈출 수 없고, 제2 포토레지스트층이 소수특성을 가지고 있는 것에 의해 컬러 레지스트 재료는 소정된 화소 요부에 유입될 수 있다. 즉, 제2 포토레지스트층 위에 분사된 컬러 레지스트 재료가 옆의 화소 요부에 유입되는 것에 의해 컬러 레지스트 재료의 혼합이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 포토레지스트층은 친수특성을 가지고 있으므로 화소 요부에 유입되는 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 충분하고 균등하게 전개되는 것을 확보하고, 컬러 레지스트 재료가 화소 요부에서 밖으로 유출되는 것을 진일보 방지하는 한편 컬러 레지스트 재료의 혼합이 발생하는 것을 철저히 방지할 수 있다. 또한, 화소 요부 중의 컬러 레지스트 재료가 충분하고 균등하게 전개되는 것에 의해 표시 패널에 mura 현상이 발생하는 것을 효율적으로 저감할 수 있다.
감광 재료의 제일단은 -NCO 그룹, -SCO 그룹 중의 적어도 일종이며, 감광 재료의 제이단은 -NH2 그룹, -OH 그룹 및 -COOH 그룹 중의 적어도 일종일 수 있다.
상기 컬러 레지스트층 470은 화소 요부 450 내에 위치하고, 컬러 레지스트층 470은 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 포함하고, 각 화소 요부 450 내에는 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층 중의 소정된 일종이 형성된다.
주의 받고 싶은 것은, 본 발명의 실시예의 표시 패널에는 본 발명에 관한 구조 만이 기재되어 있다. 본 발명의 실시예의 표시 패널은 다른 구조를 더 포함할 수 있지만, 본 실시예는 다른 구조에 대해서 설명하지 않는다.
본 발명의 실시예에 관한 표시 패널의 표시 원리와 기술적 효과는 상기 제7 실시예 또는 제8 실시예의 상기 표시 패널의 제조 방법과 유사하므로 여기에서 다시 설명하지 않는다.
(제10 실시예)
본 발명의 제10 실시예에 있어서 표시장치를 더 제공한다. 상기 표시장치는 상기 제9 실시예의 상기 표시 패널을 포함한다. 상기 표시장치는 예를 들면 LTPO 표시장치, Micro LED 표시장치, 전자 페이퍼, OLED 패널, AMOLED 패널, 휴대폰, 태블릿, 텔레비전, 표시장치, 노트 PC, 디지털 포토 프레임 등과 같은 표시 기능을 가지고 있는 임의 제품 또는 부품일 수 있다.
구체적으로, 도 7을 다시 참조하면, 상기 표시 패널은 구체적으로 지지 기판 410, 화소 요부 450을 구비하는 최종의 포토레지스트층 및 컬러 레지스트층 470을 포함할 수 있다.
상기 지지 기판 410은 TFT 기판이며, TFT 기판은 구체적으로 유리기판, TFT 어레이층, TFT 어레이층을 덮는 평탄화층 및 복수의 화소구역과 대응하도록 평탄화층 위에 형성된 복수의 양극을 포함할 수 있다.
상기 최종의 포토레지스트층은 지지 기판 410 위에 위치하고, 최종의 포토레지스트층의 재료는 감광 재료가 혼합되어 있는 네거티브 포토레지스트 재료이며, 최종의 포토레지스트층은 제1 포토레지스트층 440 (제1 bank 구조)과 제1 포토레지스트층 440 위에 위치하는 제2 포토레지스트층 460 (제2 bank 구조)을 포함하고, 제1 포토레지스트층 440과 제2 포토레지스트층 460의 소수특성과 친수특성은 서로 다르고, 제1 포토레지스트층 440은 친수특성을 가지고, 제2 포토레지스트층 460은 소수특성을 가지고 있다.
감광 재료의 제일단은 -NCO 그룹, -SCO 그룹 중의 적어도 일종이며, 감광 재료의 제이단은 -NH2 그룹, -OH 그룹 및 -COOH 그룹 중의 적어도 일종일 수 있다.
상기 컬러 레지스트층 470은 화소 요부 450 내에 위치하고, 컬러 레지스트층 470은 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층을 포함하고, 각 화소 요부 450 내에는 적색 컬러 레지스트층, 녹색 컬러 레지스트층 및 청색 컬러 레지스트층 중의 소정된 일종이 형성된다.
본 발명의 실시예에 관한 표시장치의 표시 원리와 기술적 효과는 상기 제9 실시예의 상기 표시 패널과 유사하므로 여기에서 다시 설명하지 않는다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 지지 기판 위에 초기의 화소 요부를 구비하는 초기의 bank 구조를 형성하고, 상기 초기의 bank 구조의 상부 표면 (즉 상기 지지 기판에서 떨어져 있는 표면)과 상기 초기의 화소 요부 내에 친수특성의 감광 재료를 도포한 후, 포토 마스크를 상기 초기의 bank 구조의 상표면의 친수특성의 감광 재료에 위치시켜 노광을 하는 것에 의해 그의 친수특성을 소수특성으로 변환시키고, 상기 초기의 화소 요부 내의 친수특성의 감광 재료의 친수특성을 유지할 수 있다. 이럴 경우, 친수특성의 하층 bank 구조와 소수특성의 상층 bank 구조를 포함하는 복수의 bank 구조가 형성된다. 지지 기판 위에 초기의 화소 요부를 구비하는 초기의 bank 구조를 형성하고, 상기 초기의 bank 구조의 상부표면 (즉 상기 지지 기판에서 떨어져 있는 표면)과 상기 초기의 화소 요부 내에 소수특성의 감광 재료를 도포한 후, 포토 마스크를 상기 초기의 화소요부내의 소수특성의 감광 재료에 위치시켜 노광을 하는 것에 의해 그의 소수특성을 친수특성으로 변환시키고, 상기 초기의 bank 구조의 상기 상부표면의 소수특성의 감광 재료의 소수특성을 유지할 수도 있다. 이럴 경우, 친수특성의 하층 bank 구조와 소수특성의 상층 bank 구조를 포함하는 복수의 bank 구조가 형성된다.
주의 받고 싶은 것은, 상기 각 실시예는 본 발명의 예시에밖에 지나지 않는 것이며 각 실시예를 조합시켜도 기술적 특징의 충돌, 구조 상의 모순이 발생하지 않고 본 발명의 목적도 위반하지 않을 경우, 각 실시예의 기술적 특징을 자유롭게 조합, 결합시켜서 사용할 수 있다.
주의 받고 싶은 것은, 본 발명의 설명에서 사용하는 용어 「중심」, 「세로 방향」, 「가로 방향」, 「길이」, 「폭」, 「두께」, 「위」, 「아래」, 「앞」, 「뒤」, 「왼쪽」, 「오른쪽」, 「수직」, 「수평」, 「정부」, 「저부」, 「안」, 「밖」, 「클럭와이즈」, 「안티클록와이즈」등과 같은 방향 또는 위치 관계는 도면 중의 방향 또는 위치 관계를 가리키는 것이며, 본 발명의 설명을 간단하게 하기 위한 것이다. 이것들은 상기 장치 또는 부품이 소정된 위치에 위치하고, 소정된 방향의 구조를 가지거나 또는 조작해야 하는 것을 의미하는 것은 아니고, 본 발명을 한정하는 것도 아니다.
「제1」, 「제2」라고 하는 용어는 본 발명을 설명하기 위한 것이고, 본 발명의 기술적 특징의 중요성을 직접 또는 간접적으로 가리키거나 또는 기술적 특징의 수량을 나타내는 것은 아니다. 「제1」, 「제2」라고 하는 용어가 붙어 있는 기술적 특징은 이러한 기술적 특징이 한개 또는 복수개 포함되는 것을 직접 또는 간접적으로 나타낸다. 본 발명의 명세서에 있어서, 구체적인 한정이 없는 한 「복수」라고 하는 용어는 2개 또는 2개이상이 포함되는 것을 의미한다.
본 발명에 있어서, 특수한 설명이 없는 한, 제1 특징이 제2 특징의 「상부」 또는 「하부」에 위치한다고 하는 것은 제1와 제2 특징이 직접 접촉하거나 또는 두 특징 사이의 다른 특징에 의해 간접적으로 접촉할 수 있다. 제1특징이 제2 특징의 「위」, 「윗쪽」 또는 「위쪽」에 위치한다고 하는 것은 제1특징이 제2 특징의 상부 또는 경사된 상부 위에 위치하는 것을 의미하거나 또는 제1 특징의 수평 높이가 제2 특징의 수평 높이보다 높은 것을 의미한다. 제1 특징이 제2 특징의 「아래」, 「하측」 또는 「아래쪽」에 위치한다고 하는 것은 제1 특징이 제2 특징의 하부 또는 경사된 하부에 위치하는 것을 의미하거나 또는 제1 특징의 수평 높이가 제2 특징의 수평 높이보다 낮은 것을 의미한다.
본 발명의 설명에 있어서, 「한 실시예」, 「일부분의 실시예」, 「예시」, 「구체적인 실시예」, 「소정된 실시예」라고 하는 용어는 본 실시예 또는 예시 중의 구체적인 특징, 구조, 재료 또는 특색이 본 발명의 적어도 한 실시예 또는 예시에 포함되는 것을 의미한다. 이 명세서에 있어서, 상기 용어는 임의의 사항이 한 실시예 또는 예시에만 포함되는 것을 의미하는 것은 아니다. 본발명의 구체적인 특징, 구조, 재료 또는 특색은 적당한 방식으로 임의의 하나 또는 복수의 실시예 또는 예시에 포함될 수 있다. 본 발명의 기술자는 본 발명의 여러가지 실시예 또는 예시를 결합시키거나 또는 조합시킬 수 있다.
도면의 간소화를 실현하기 위하여, 각 도면에는 본 발명에 관련된 부분 만이 되시되어, 각 도면은 본 발명의 제품의 실제적인 구조를 나타내는 것은 아니다. 도면에 동일한 구조가 몇개 포함되어 있을 때 도면을 간단하게 하고 이해를 쉽게 하기 위하여 복수의 구조 중의 임의의 한개 만을 나타낼 수 있다. 이 명세서의 「1개」라고 하는 용어는 「1개 만이 포함된」 사항을 의미하거나 또는 「1개 이상이 포함된」 사항을 의미할 수 있다.
위에서 본 발명의 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 상술해 왔지만, 상기 실시예는 본 발명의 예시에밖에 지나지 않는 것이기 때문에 본 발명은 상기 실시예의 구성에만 한정되는 것은 아니다. 본 기술분야의 기술자는 본발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 본 발명의 기술적 사항을 변경 또는 개량할 수 있고, 이러한 것들이 있어도 본 발명에 포함되는 것은 물론이다.

Claims (8)

  1. 표시 패널의 제조 방법이며,
    지지 기판을 제공하는 스텝과,
    상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝을 포함하고,
    상기 복수의 bank 구조는 화소 요부를 구비하는 제1 bank 구조와 상기 제1 bank 구조 위에 위치하고 있는 제2 bank 구조를 포함하고, 상기 제1 bank 구조는 친수특성을 가지고, 상기 제2 bank 구조는 소수특성을 가지고 있고,
    상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 복수의 bank 구조를 형성하는 스텝은 첫번째의 노광에 의해 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 스텝과, 상기 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최종의 포토레지스트층을 형성하는 스텝을 포함하고,
    상기 제1 포토레지스트층의 재료는 감광 재료가 혼합된 포토레지스트 재료를 포함하고, 상기 최종의 포토레지스트층은 여분 제1 포토레지스트층과 상기 여분 제1 포토레지스트층 위에 위치하는 제2 포토레지스트층을 포함하고, 상기 제1 포토레지스트층과 상기 제2 포토레지스트층을 상기 제1 bank 구조와 상기 제2 bank 구조로 하고, 상기 제1 포토레지스트층은 친수특성을 가지고, 상기 제2 포토레지스트층은 소수특성을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    첫번째의 노광에 의해 상기 지지 기판 위에 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 스텝은,
    상기 지지 기판 위에 감광 재료가 혼합된 포토레지스트 재료를 도포하는 스텝과,
    자외선으로 상기 감광 재료가 혼합된 포토레지스트 재료에 대하여 첫번째의 노광을 하는 것에 의해 최초의 포토레지스트층을 형성하는 스텝과,
    상기 최초의 포토레지스트층에 대하여 현상과 에칭을 하는 것에 의해 화소 요부를 구비하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 첫번째의 노광에 사용되는 자외선의 파장은 355nm∼375nm인 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 최종의 포토레지스트층을 형성하는 스텝은 자외선에 의해 상기 제1 포토레지스트층에 대하여 두번째의 노광을 실시하는 것에 의해 상기 최종의 포토레지스트층을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 두번째의 노광에 사용되는 상기 자외선의 파장은 244nm∼264nm인 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광 재료의 제일단은 -NCO 그룹, -SCO 그룹 중의 적어도 일종이며, 상기 감광 재료의 제이단은 -NH2 그룹, -OH 그룹 및 -COOH 그룹 중의 적어도 일종인 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  7. 청구항 제1 ∼ 6항 중의 임의의 한항에 기재된 표시 패널의 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 청구항 제 7 항에 기재된 표시 패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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