KR20220121237A - 광학용 적층체 - Google Patents

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KR20220121237A
KR20220121237A KR1020227021296A KR20227021296A KR20220121237A KR 20220121237 A KR20220121237 A KR 20220121237A KR 1020227021296 A KR1020227021296 A KR 1020227021296A KR 20227021296 A KR20227021296 A KR 20227021296A KR 20220121237 A KR20220121237 A KR 20220121237A
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resin layer
peeling
gas barrier
protective film
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KR1020227021296A
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히로키 기노시타
다쿠미 후루야
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 들뜸이나 박리를 발생시키지 않고, 보호 필름 (β) 와 수지층 또는 수지층 상의 다른 층 사이에 적절하게 박리 기점을 형성할 수 있는 광학용 적층체를 제공한다. 당해 광학용 적층체는, 박리 시트 (α), 일방의 최표면에 위치하는 수지층을 포함하는 광학용 필름, 및 보호 필름 (β) 를 포함하고, 상기 수지층에 박리 시트 (α) 가 직접 적층되고, 상기 수지층에 광학용 필름의 타방의 최표면측으로부터 보호 필름 (β) 가 직접 또는 다른 층을 개재하여 적층되고, 상기 수지층은, 경화성 화합물을 포함하는 경화성 조성물의 경화물이고, 박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 과, 보호 필름 (β) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 가, A1 ＞ A2 의 관계에 있는, 광학용 적층체이다.

Description

광학용 적층체
본 발명은, 박리 시트, 광학용 필름, 및 보호 필름을 갖는 광학용 적층체에 관한 것이다.
최근, 가스 배리어 필름은, 기판 재료나 봉지 재료로서 널리 사용되고 있다. 가스 배리어 필름에는, 수증기나 산소 등의 투과를 억제할 수 있는 높은 가스 배리어성이 요구된다. 추가로, 예를 들어, 가스 배리어 필름이 첩부되는 전자 디바이스 등의 첩부 대상물의 시인성을 저해하지 않도록 투광성을 높여 광학용 필름으로서 이용할 수 있도록 하거나, 첩부 대상물의 경량성이 저해되지 않도록 하거나 할 것도 요구된다.
상기 관점에서, 경화성 화합물을 포함하는 경화성 조성물을 지지체 상에 도포하고, 얻어진 도포층에 포함되는 경화성 화합물을 경화시켜 얇은 수지층을 형성하고, 이 수지층 상에 직접 또는 다른 층을 개재하여 무기막 등으로 이루어지는 가스 배리어층을 형성하는 것이 알려져 있다. 이와 같은 제조 방법에 의해, 일방의 표면에 수지층이 위치하고, 타방의 표면에 가스 배리어층이 위치하는 가스 배리어 필름이 얻어진다 (특허문헌 1).
이하, 수증기나 산소의 투과를 억제하는 특성을「가스 배리어성」, 가스 배리어성을 갖는 필름을「가스 배리어 필름」, 가스 배리어성을 갖는 적층체를「가스 배리어성 적층체」라고 한다. 또, 광학 용도에 사용되는 필름을「광학용 필름」, 광학용 필름을 포함하는 적층체를「광학용 적층체」라고 한다. 상기 서술한 투광성을 갖는 가스 배리어 필름은 광학용 필름이기도 하고, 투광성을 갖는 가스 배리어 필름을 포함하는 가스 배리어성 적층체는 광학용 적층체이기도 하다.
가스 배리어 필름 등의 광학용 필름은, 공업적으로는, 장척의 것으로서 제조된 후 롤상으로 감겨져, 권회체로서 보관, 수송되는 경우가 많다. 예를 들어, 이와 같은 롤상의 가스 배리어 필름에 있어서는, 가스 배리어층을 보호하거나, 가스 배리어 필름의 핸들링성을 높이거나 하기 위해, 일방의 측의 최외층으로서 보호 필름을 형성하고, 타방의 측의 최외층으로서 박리 시트를 형성한 가스 배리어성 적층체의 양태를 취하는 경우가 있다.
예를 들어, 특허문헌 2 에는, 기재층, 가스 배리어층 및 보호 필름을 갖는 가스 배리어성 적층체가 기재되어 있고, 실시예에는, 보호 필름 2/수지로 이루어지는 기재층/가스 배리어층/보호 필름 1 이라는 구성을 구비하는 가스 배리어성 적층체가 기재되어 있다.
국제공개 제2013/018602호 국제공개 제2018/181004호
본 발명자는, 일방의 최표면에 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 수지층이 위치하고, 타방의 최표면에 가스 배리어층이 위치하는 가스 배리어 필름에 있어서는, 수지층에 직접 적층되는 박리 시트 (α) 를 형성함과 함께, 가스 배리어층에 직접 적층되는 보호 필름 (β) 를 형성하여, 가스 배리어성 적층체로 하는 것에 생각이 미쳤다.
상기 구성을 구비하는 가스 배리어성 적층체의 사용 형태로서, 예를 들어, 다음의 것이 상정된다. 먼저, 보호 필름 (β) 를 가스 배리어층으로부터 박리하고, 노출된 가스 배리어층의 표면에 접착제층을 형성하고, 이 접착제층에 의해 가스 배리어층을 피착체의 표면에 접착 고정시킨다. 그 후, 박리 시트 (α) 를 수지층으로부터 박리함으로써, 피착체 상에 가스 배리어 필름이 첩부된다.
그러나, 상기 구성을 갖는 가스 배리어성 적층체에서는, 보호 필름 (β) 를 가스 배리어층으로부터 박리할 때에, 보호 필름 (β) 와 가스 배리어층 사이에 잘 박리 기점을 형성할 수 없고, 수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 들뜸이나 박리가 발생할 우려가 있었다. 이와 같은 과제는, 가스 배리어성 적층체에 한정되지 않고, 광학용 필름이 수지층과 다른 층을 구비하고, 박리 시트 (α)/수지층/다른 층/보호 필름 (β) 의 구성을 갖는 광학용 적층체나, 광학용 필름이 수지층만으로 구성되고, 박리 시트 (α)/수지층/보호 필름 (β) 의 구성을 갖는 광학용 적층체에도 공통의 과제이다.
또한, 특허문헌 2 의 가스 배리어성 적층체는, 상기 구성의 가스 배리어성 적층체와 동일하게, 가스 배리어층 상에 보호 필름 1 이 형성되어 있고, 보호 필름 1 을 보호 필름 2 보다 먼저 박리하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 특허문헌 2 에 기재되는 가스 배리어성 적층체가 갖는 기재층은, 열가소성 수지로 이루어지는 것으로서, 경화성 조성물의 경화물이 아니고, 게다가, 보호 필름은 점착제를 갖는 것이기 때문에, 수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 있어서의 박리를 방지한다는, 상기 구성을 갖는 가스 배리어성 적층체나 광학용 적층체에 존재하는 바와 같은 과제는 존재하지 않았다.
본 발명은, 상기 문제를 감안하여, 수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 들뜸이나 박리를 발생시키지 않고, 보호 필름 (β) 와 수지층 또는 당해 수지층 상에 위치하는 다른 층 사이에 적절하게 박리 기점을 형성할 수 있는 광학용 적층체를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 박리 시트 (α) 와 보호 필름 (β) 를 소정 조건에서 박리할 때의 박리력 및 점착력을 소정의 관계로 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은, 이하의 [1] ∼ [9] 를 제공하는 것이다.
[1] 박리 시트 (α), 일방의 최표면에 위치하는 수지층을 포함하는 광학용 필름, 및 보호 필름 (β) 를 포함하고, 상기 수지층에 박리 시트 (α) 가 직접 적층되고, 상기 수지층에 광학용 필름의 타방의 최표면측으로부터 보호 필름 (β) 가 직접 또는 다른 층을 개재하여 적층되고,
상기 수지층은, 경화성 화합물을 포함하는 경화성 조성물의 경화물이고,
박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 과, 보호 필름 (β) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 가, A1 ＞ A2 의 관계에 있는, 광학용 적층체.
[2] 상기 박리력 A1 이, 500 mN/50 ㎜ 이하인, 상기 [1] 에 기재된 광학용 적층체.
[3] 보호 필름 (β) 는 점착제층을 갖고 있고, 그 점착제층에 의해 상기 수지층 또는 상기 다른 층에 대하여 박리 가능하게 부착되어 있는, 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 광학용 적층체.
[4] 상기 점착제층이, 폴리올레핀계 중합체 및 폴리올레핀계 공중합체 중 적어도 일방을 포함하는, 상기 [3] 에 기재된 광학용 적층체.
[5] 상기 수지층은, 중합체 성분 (A) 및 경화성 단량체 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물인 상기 [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 광학용 적층체.
[6] 중합체 성분 (A) 는, 유리 전이 온도 (Tg) 가 250 ℃ 이상인 상기 [5] 에 기재된 광학용 적층체.
[7] 상기 광학용 필름이, 상기 다른 층으로서, 상기 수지층이 위치하는 최표면과는 역측의 최표면에 위치하는 기능층을 포함하고, 상기 기능층이 무기막 또는 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 층이고, 상기 기능층에 보호 필름 (β) 가 직접 적층되어 있는, 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 광학용 적층체.
[8] 상기 광학용 필름이, 상기 다른 층으로서, 상기 수지층이 위치하는 최표면과는 역측의 최표면에 위치하는 가스 배리어층을 포함하고, 상기 가스 배리어층에 보호 필름 (β) 가 직접 적층되는, 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 광학용 적층체.
[9] 상기 광학용 필름이, 상기 다른 층으로서, 상기 수지층이 위치하는 최표면과는 역측의 최표면에 위치하는 도전층을 포함하고, 상기 도전층에 보호 필름 (β) 가 직접 적층되는, 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 광학용 적층체.
본 발명에 의하면, 수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 들뜸이나 박리를 발생시키지 않고, 보호 필름 (β) 와 수지층 또는 당해 수지층 상에 위치하는 다른 층 사이에 적절하게 박리 기점을 형성할 수 있는 광학용 적층체를 제공할 수 있다.
도 1 은, 가스 배리어성 적층체의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
도 2 는, 롤상의 가스 배리어성 적층체의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
도 3 은, 롤상의 가스 배리어성 적층체의 다른 예를 나타내는 단면 모식도이다.
도 4 는, 가스 배리어성 적층체의 제조 방법의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 5 는, 가스 배리어성 적층체의 사용 방법의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 6 은, 가스 배리어성 적층체 및 광학용 적층체의 박리력의 측정 및 외관 검사의 방법을 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태 (이하,「본 실시형태」라고 칭하는 경우가 있다) 에 관련된 광학용 적층체에 대해 설명한다.
1. 광학용 적층체
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체는, 박리 시트 (α), 일방의 최표면에 위치하는 수지층을 포함하는 광학용 필름, 및 보호 필름 (β) 를 포함하고, 상기 수지층에 박리 시트 (α) 가 직접 적층되고, 상기 수지층에 광학용 필름의 타방의 최표면측으로부터 보호 필름 (β) 가 직접 또는 다른 층을 개재하여 적층되고, 상기 수지층은, 경화성 화합물을 포함하는 경화성 조성물의 경화물이고, 박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 과, 보호 필름 (β) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 가, A1 ＞ A2 의 관계에 있다.
또한, 박리력 A1, 및 점착력 A2 는, 각각 폭 50 ㎜ 의 광학용 적층체의 보호 필름 (β) 또는 박리 시트 (α) 를, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해, 박리 각도 180°, 박리 속도 0.3 m/min 의 조건에서 박리하였을 때의 박리력, 및 점착력 (mN/50 ㎜) 이다. 또, 후술하는 박리력 B1, 및 점착력 B2 는, 각각 박리 속도를 20 m/min 으로 한 것 이외에는 상기 순서와 동일하게 하여 측정한 박리력, 및 점착력 (mN/50 ㎜) 이다.
이하, 박리 속도 0.3 m/min 을「저속 박리 조건」, 박리 속도 20 m/min 을「고속 박리 조건」이라고 하는 경우가 있다.
경화성 화합물을 포함하는 경화성 조성물의 경화물인 수지층이 일방의 최표면에 위치하는 광학용 필름의 수지층에 박리 시트 (α) 를 직접 적층하고, 보호 필름 (β) 를 상기 수지층에 광학용 필름의 타방의 최표면측으로부터 직접 또는 다른 층을 개재하여 적층한 적층체에 있어서, 보호 필름 (β) 를 저속 박리 조건에서 광학용 필름의 타방의 최표면 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 와, 박리 시트 (α) 를 저속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 이 상기 관계를 만족함으로써, 수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 들뜸이나 박리를 발생시키지 않고, 보호 필름 (β) 와 수지층 또는 상기 다른 층 사이에 박리의 기점이 되는 부분 (박리 기점) 을 용이하게 형성할 수 있고, 박리 시트 (α) 의 수지층에 대한 밀착 상태를 유지한 채로 보호 필름 (β) 만을 양호하게 박리할 수 있는 가스 배리어성 적층체를 제공할 수 있다.
저속 박리 조건에 있어서 상기 관계를 만족하고 있으면, 보호 필름 (β) 를 저속 박리 조건에서 수지층 또는 다른 층으로부터 박리하는 한, 수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 들뜸이나 박리를 발생시키지 않고, 보호 필름 (β) 와 수지층 또는 상기 다른 층 사이에 적절하게 박리 기점을 형성할 수 있다. 따라서, 박리 시트 (α) 의 수지층으로부터의 박리, 및 보호 필름 (β) 의 광학용 필름의 타방의 최표면 또는 상기 다른 층으로부터의 박리를 고속 박리 조건에서 실시하였을 때의 양자의 박리력의 관계에 상관없이 (예를 들어, 고속 박리 조건에서는 양자의 박리력의 관계가 역전되는 경우라도), 저속 박리 조건에서 보호 필름 (β) 의 박리 기점을 형성한 후, 보호 필름 (β) 및 박리 시트 (α) 를 고속 박리 조건에서 박리함으로써, 양자의 박리가 적절하게 실시되고, 또한 높은 생산성으로 광학용 필름을 목적 피착물에 첩부할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체 중 하나인 가스 배리어성 적층체의 구체적인 구성의 일례를 도 1 에 나타낸다.
도 1 의 모식적인 단면도에 나타내는 가스 배리어성 적층체 (10) 는, 가스 배리어 필름 (10a) 과, 박리 시트 (1) 와, 보호 필름 (4) 을 구비하고 있다.
가스 배리어 필름 (10a) 은, 일방의 최표면에 위치하는 수지층 (2) 과, 타방의 최표면에 위치하는 가스 배리어층 (3) 을 포함한다. 수지층 (2) 의 가스 배리어층 (3) 과는 반대측의 면에는 박리 시트 (1) 가 직접 적층되어 있다. 또, 가스 배리어층 (3) 의 수지층 (2) 과는 반대측의 면에는 보호 필름 (4) 이 직접 적층되어 있다. 바꿔 말하면, 광학용 필름 중 하나인 가스 배리어 필름 (10a) 의 일방의 최표면에 위치하는 수지층에, 당해 가스 배리어 필름 (10a) 의 타방의 최표면측으로부터 가스 배리어층 (3) 을 개재하여 보호 필름 (4) 이 적층되어 있다.
도 1 의 박리 시트 (1) 가 상기 서술한 박리 시트 (α) 에 상당하고, 도 1 의 보호 필름 (4) 이 상기 서술한 보호 필름 (β) 에 상당한다.
후술하는 바와 같이, 최종적으로, 보호 필름 (4) 및 박리 시트 (1) 가 박리 제거된 상태에서, 가스 배리어 필름 (10a) 에서 유래하는 층이 피착체에 형성된다.
광학용 적층체의 두께는, 목적으로 하는 전자 디바이스의 용도 등에 따라 적절하게 결정할 수 있다. 본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체의 실질적인 두께는, 취급성의 관점에서, 바람직하게는 0.3 ∼ 50 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 25 ㎛, 보다 바람직하게는 0.7 ∼ 12 ㎛ 이다.
또한,「실질적인 두께」란, 사용 상태에 있어서의 두께를 말한다. 즉, 상기 광학용 적층체는, 박리 시트 (α) 및 보호 필름 (β) 를 갖고 있지만, 사용시에 제거되는 부분 박리 시트 (α) 및 보호 필름 (β) 의 두께는,「실질적인 두께」에는 포함되지 않는다.
수지층은, 후술하는 바와 같이 도포법 등을 사용하여 얇게 형성할 수 있다. 광학용 적층체의 두께를 작게 함에 따라서, 피착체에 첩부한 후의 광학용 필름의 굴곡 내성을 보다 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체는, 일방의 최표면에 위치하는 수지층을 갖고 있고, 당해 수지층이나 다른 층의 재질이나 두께, 각 층의 형성 방법 등을 조정함으로써, 내열성 및 층간 밀착성이 우수하고, 게다가, 복굴절률이 낮아 광학 등방성이 우수한 것으로 할 수 있다. 상기 서술한 가스 배리어성 적층체와 같이 상기 수지층에 추가하여 가스 배리어층을 갖는 경우에는, 각 층의 재질이나 두께, 각 층의 형성 방법 등을 조정함으로써, 내열성, 층간 밀착성 및 가스 배리어성이 우수하고, 게다가, 복굴절률이 낮아 광학 등방성이 우수한 것으로 할 수 있다.
1-1. 보호 필름 (β) 의 점착력 및 박리 시트 (α) 의 박리력의 관계
상기 서술한 바와 같이, 보호 필름 (β) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 광학용 필름의 수지층 또는 당해 수지층 상에 위치하는 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 와, 박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 은, A1 ＞ A2 의 관계에 있다. 보호 필름 (β) 의 박리 기점을 보다 용이하게 형성할 수 있도록 하는 관점에서, 바람직하게는 A1 ≥ 1.2 × A2, 보다 바람직하게는 A1 ≥ 1.5 × A2, 더욱 바람직하게는 A1 ≥ 2.0 × A2 이고, 또, 생산성이 지나치게 저하되지 않도록 하는 관점에서, 바람직하게는 A1 ≤ 20 × A2, 보다 바람직하게는 A1 ≤ 10 × A2, 더욱 바람직하게는 A1 ≤ 5 × A2 이다.
광학용 적층체에 있어서의 A1 ＞ A2 의 관계는, 예를 들어, 후술하는 보호 필름 (β) 의, 광학용 필름의 타방의 최표면측의 표면에 형성하는 점착제층의 점착력을 적당히 약하게 함으로써, 혹은, 이것에 추가하여, 박리 시트 (α) 의 재질이나 표면 형상을 적절하게 선택하거나, 수지층의 재질이나 제조 방법을 적절하게 선택하거나 함으로써, 박리 시트 (α) 의 수지층에 대한 박리력을 높임으로써 실현할 수 있다.
보호 필름 (β) 를 20 m/min 의 고속 박리 조건에서 상기 수지층 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 B2 와, 박리 시트 (α) 를 20 m/min 의 고속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 B1 의 관계에 특별히 제한은 없으며, B1 ＞ B2 여도 되고, B1 ＝ B2 여도 되고, B1 ＜ B2 여도 된다.
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체는, 저속 박리 조건에서 보호 필름 (β) 를 적절하게 박리할 수 있으므로, 생산성을 높이기 위해 고속 박리 조건을 채용한 경우, 반드시 B1 ＞ B2 의 관계가 아니어도 상관없다. 요컨대, B1 ≤ B2 여도 상관없다. 단, 고속 박리시의 광학용 적층체의 단열을 방지하는 관점에서, 바람직하게는 10 × B1 ≥ B2 ≥ B1, 보다 바람직하게는 6.0 × B1 ≥ B2 ≥ B1, 더욱 바람직하게는 4.5 × B1 ≥ B2 ≥ B1 이다. 보호 필름 (β) 가 점착제층을 갖는 경우, B2 의 값은, A2 에 비해 커지는 경향이 있기 때문에, B1 ≤ B2 가 되기 쉬운 경향이 있다. 이 경우라도, 상기 서술한 바와 같이 A1 ＞ A2 의 관계가 유지되고 있으면, 보호 필름 (β) 를, 박리 기점에 있어서의 저속 박리와, 그 이후의 고속 박리 중 어느 쪽에 있어서도, 적절하게 박리할 수 있다.
1-2. 보호 필름 (β) 의 수지층 또는 다른 층에 대한 점착력
보호 필름 (β) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 광학용 필름의 수지층 또는 당해 수지층 상의 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 는, 보호 필름 (β) 의 박리 기점을 보다 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 100 mN/50 ㎜ 이하, 보다 바람직하게는 85 mN/50 ㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 70 mN/50 ㎜ 이하이고, 또, 광학용 적층체의 보관 중이나 수송 중에 있어서도 보호 필름 (β) 를 안정적으로 상기 수지층 또는 상기 다른 층에 밀착시키기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 15 mN/50 ㎜ 이상, 보다 바람직하게는 30 mN/50 ㎜ 이상이다.
보호 필름 (β) 를 20 m/min 의 고속 박리 조건에서 상기 수지층 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 B2 는, 고속 박리시의 광학용 적층체의 단열을 방지하는 관점에서, 바람직하게는 50 ∼ 2000 mN/50 ㎜, 보다 바람직하게는 100 ∼ 1000 mN/50 ㎜ 이다.
점착력 A2, B2 의 값을 상기 수치 범위 내로 하기 위해서는, 예를 들어, 후술하는 보호 필름 (β) 의, 광학용 필름의 타방의 최표면측의 표면에 형성하는 점착제층의 점착력을 적당히 약하게 함으로써 실현할 수 있다.
1-3. 박리 시트 (α) 의 수지층에 대한 박리력
박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 은, 박리 시트 (α) 의 박리시에 수지층에 과도한 응력이 가해지는 것을 회피하고, 가스 배리어층 등의 다른 층이 존재하는 경우, 이 다른 층에 크랙이 발생하기 어렵게 하는 관점에서, 바람직하게는 500 mN/50 ㎜ 이하, 보다 바람직하게는 300 mN/50 ㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 200 mN/50 ㎜ 이하이고, 또, 박리 시트 (α) 를 안정적으로 수지층에 밀착시키기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 40 mN/50 ㎜ 이상, 보다 바람직하게는 60 mN/50 ㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 80 mN/50 ㎜ 이상이다.
또, 박리 시트 (α) 를 20 m/min 의 고속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 B1 은, 생산성을 지나치게 저하시키지 않고 박리 시트 (α) 의 수지층에 대한 밀착성을 확보하기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 40 ∼ 500 mN/50 ㎜, 보다 바람직하게는 60 ∼ 300 mN/50 ㎜, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 200 mN/50 ㎜ 이다.
박리력 A1, B1 의 값을 상기 수치 범위 내로 하기 위해서는, 예를 들어, 박리 시트 (α) 의 재질이나 표면 형상을 적절하게 선택함으로써 실현할 수 있다.
1-4. 광학용 필름
광학용 필름은, 광학용 필름의 일방의 최표면에 위치하고 있는 수지층을 적어도 포함한다. 광학용 필름은, 수지층만으로 구성되어 있어도 되고, 수지층과 다른 층으로 구성되어 있어도 된다.
상기 다른 층은, 광학용 필름에 있어서, 상기 수지층이 위치하는 최표면과는 역측의 최표면에 위치하고, 당해 다른 층에 보호 필름 (β) 가 직접 적층된다.
상기 다른 층으로는, 예를 들어, (ⅰ) 무기막 또는 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 기능층, (ⅱ) 가스 배리어층, (ⅲ) 도전층을 들 수 있다. 광학용 필름이 수지층과 가스 배리어층으로 구성되는 경우, 광학용 필름은 가스 배리어 필름이 되고, 광학용 적층체는 가스 배리어성 적층체가 된다. 또, 광학용 필름이 수지층과 투명 도전층으로 구성되는 경우, 광학용 필름은 투명 도전 필름이 되고, 광학용 적층체는 투명 전극 형성용 적층체가 된다.
상기 다른 층과 수지층은 직접 적층되어 있어도 되고, 양자 간에 추가로 다른 층을 개재하여 적층되어 있어도 된다.
수지층과 상기 다른 층이 복수 세트 적층되어 있어도 된다. 이 경우의 복수 세트 중 적어도 어느 1 세트의 수지층과 상기 다른 층 사이에 추가로 별도의 층이 존재하고 있어도 된다.
광학용 필름이 가스 배리어 필름인 경우, 당해 가스 배리어 필름의 40 ℃, 상대 습도 90 ％ 분위기하에서의 수증기 투과율은, 통상적으로 1.0 × 10-2 g/㎡/day 이하, 바람직하게는 8.0 × 10-3 g/㎡/day 이하, 보다 바람직하게는 6.0 × 10-3 g/㎡/day 이하이다.
1-5. 수지층
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체에 포함되는 광학용 필름이 갖는 수지층은, 경화성 화합물을 포함하는 경화성 조성물의 경화물로 이루어지고, 바람직하게는, 중합체 성분 (A) 및 경화성 단량체 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어진다. 수지층은 단층이어도 되고, 적층된 복수의 층을 포함하고 있어도 된다.
〔중합체 성분 (A)〕
중합체 성분 (A) 는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 유리 전이 온도 (Tg) 가 250 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 290 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 320 ℃ 이상이다. Tg 가 250 ℃ 이상인 중합체 성분 (A) 를 사용함으로써, 내열성이 충분히 우수한 광학용 적층체를 얻기 쉬워진다.
여기서 Tg 는, 점탄성 측정 (주파수 11 ㎐, 승온 속도 3 ℃/분으로 0 ∼ 250 ℃ 의 범위에서 인장 모드에 의한 측정) 에 의해 얻어진 tanδ (손실 탄성률/저장 탄성률) 의 최대점의 온도를 말한다.
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체가 갖는 수지층을, Tg 가 250 ℃ 이상인 중합체 성분 (A) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물에 의해 구성함으로써, 수지층은, 매우 우수한 내열성을 나타내기 때문에, 내열성이 우수한 광학용 적층체로 할 수 있다.
수지층의 내열성이 높은 경우, 고온시에 있어서의 탄성률이 상승하거나, 수지층이 열수축되기 어려워지거나 하는 작용을 발생시킨다. 그 결과, 광학용 필름이 가스 배리어층 등의 다른 층을 갖는 경우에는, 당해 다른 층에 미세한 크랙을 발생시키는 것이 회피된다. 따라서, 예를 들어, 상기 다른 층이 가스 배리어층인 경우에는 그 가스 배리어성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또, 상기 다른 층이 도전층인 경우에는 그 도전성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 을 500 mN/50 ㎜ 이하로 한 경우에는, 내열성과 박리 시트 (α) 의 박리시에 있어서의 수지층의 변형 방지의 양방의 관점에서, 상기 다른 층의 크랙을 방지할 수 있어 바람직하다. 그 밖에, 상기 다른 층이 도전층인 경우에는, 수지층의 내열성이 높음으로써, 도전층을 형성할 때에, 어닐 처리 등의 가열에 의해 수지층이 영향을 받아 변형 등을 발생시키는 것을 방지하기 쉬워진다.
중합체 성분 (A) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 통상적으로 100,000 ∼ 3,000,000, 바람직하게는 200,000 ∼ 2,000,000, 보다 바람직하게는 500,000 ∼ 1,000,000 의 범위이다. 또, 분자량 분포 (Mw/Mn) 는, 바람직하게는 1.0 ∼ 5.0, 보다 바람직하게는 2.0 ∼ 4.5 의 범위이다. 중량 평균 분자량 (Mw) 및 분자량 분포 (Mw/Mn) 는, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 값이다. Mw 를 100,000 이상으로 함으로써, 수지층의 파단 신도를 크게 하기 쉬워진다.
중합체 성분 (A) 로는, 열가소성 수지가 바람직하고, 비정성 열가소성 수지가 보다 바람직하다. 비정성 열가소성 수지를 사용함으로써, 광학 등방성이 우수한 수지층을 얻기 쉬워지고, 또, 투명성이 우수한 광학용 적층체가 얻어지기 쉬워진다. 또, 비정성 열가소성 수지는 대체로 유기 용제에 용해되기 쉽기 때문에, 후술하는 바와 같이, 용액 캐스트법을 이용하여, 효율적으로 수지층을 형성할 수 있다.
여기서, 비정성 열가소성 수지란, 시차 주사 열량 측정에 있어서, 융점이 관측되지 않는 열가소성 수지를 말한다.
중합체 성분 (A) 는, 특히, 벤젠이나 메틸에틸케톤 (MEK) 등의 저비점의 범용의 유기 용제에 가용인 것이 바람직하다. 범용의 유기 용매에 가용이면, 도공에 의해 수지층을 형성하는 것이 용이해진다.
중합체 성분 (A) 로서, 특히 바람직한 것은, Tg 가 250 ℃ 이상인 비정질 열가소성 수지로서, 벤젠이나 MEK 등의 저비점의 범용의 유기 용제에 가용인 것이다.
또 중합체 성분 (A) 로는, 내열성의 관점에서, 방향족 고리 구조 또는 지환식 구조 등의 고리 구조를 갖는 열가소성 수지가 바람직하고, 방향족 고리 구조를 갖는 열가소성 수지가 보다 바람직하다.
중합체 성분 (A) 의 구체예로는, 폴리이미드 수지, 및 Tg 가 250 ℃ 이상인 폴리아릴레이트 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 대체로 내열성이 우수하고, 또, 비정질 열가소성 수지이기 때문에, 용액 캐스트법에 의한 도막 형성이 가능하다. 이것들 중에서도, Tg 가 높아 내열성이 우수하고, 또, 양호한 내열성을 나타내면서도 범용의 유기 용매에 가용인 것을 얻기 쉽다는 점에서 폴리이미드 수지가 바람직하다.
폴리이미드 수지로는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 방향족 폴리이미드 수지, 방향족 (카르복실산 성분)-고리형 지방족 (디아민 성분) 폴리이미드 수지, 고리형 지방족 (카르복실산 성분)-방향족 (디아민 성분) 폴리이미드 수지, 고리형 지방족 폴리이미드 수지, 및 불소화 방향족 폴리이미드 수지 등을 사용할 수 있다. 특히, 분자 내에 플루오로기를 갖는 폴리이미드 수지가 바람직하다.
폴리이미드 수지로는, 벤젠이나 메틸에틸케톤 등의 저비점의 유기 용제에 가용인 것이 바람직하다. 특히, 메틸에틸케톤에 가용인 것이 바람직하다. 메틸에틸케톤에 가용이면, 도포·건조에 의해 용이하게 경화성 수지 조성물의 층을 형성할 수 있다.
플루오로기를 포함하는 폴리이미드 수지는, 메틸에틸케톤 등의 비점이 낮은 범용의 유기 용제에 용해되기 쉬워져, 도포법으로 수지층을 형성하기 쉬워진다는 관점에서 특히 바람직하다. 플루오로기를 포함하는 폴리이미드 수지는, 플루오로기를 갖는 방향족 폴리이미드 수지인 것이 바람직하다.
플루오로기를 갖는 방향족 폴리이미드 수지로는, 분자 내에 이하의 화학식으로 나타내는 골격을 갖는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pct00001
상기 화학식으로 나타내는 골격을 갖는 폴리이미드 수지는, 상기 골격의 강직성이 높음으로써, 300 ℃ 를 초과하는 매우 높은 Tg 를 갖고 있다. 이 때문에, 수지층의 내열성을 크게 향상시킬 수 있다. 또, 상기 골격은 직선적이고 비교적 유연성이 높아, 수지층의 파단 신도를 높이기 쉬워진다. 또한, 상기 골격을 갖는 폴리이미드 수지는, 플루오로기를 가짐으로써, 메틸에틸케톤 등의 저비점의 범용 유기 용제에 용해될 수 있다. 따라서, 용액 캐스트법을 사용해서 도공을 실시하여, 도막으로서 수지층을 형성할 수 있고, 또, 건조에 의한 용제 제거도 용이하다. 상기 화학식으로 나타내는 골격을 갖는 폴리이미드 수지는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐과 4,4'-(1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판-2,2-디일)디프탈산 2 무수물을 사용하여, 상기 서술한 폴리아미드산의 중합 및 이미드화 반응에 의해 얻을 수 있다.
중합체 성분 (A) 는 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또, 중합체 성분 (A) 와 유리 전이 온도가 250 ℃ 미만인 중합체 성분 (A') 를 조합하여 사용해도 된다. 중합체 성분 (A') 로는, 예를 들어, 폴리아미드 수지, Tg 가 250 ℃ 미만인 폴리아릴레이트 수지를 들 수 있고, 폴리아미드 수지가 바람직하다.
〔경화성 단량체 (B)〕
경화성 단량체 (B) 는, 중합성 불포화 결합을 갖는 단량체로서, 중합 반응, 또는, 중합 반응 및 가교 반응에 관여할 수 있는 단량체이다. 또한, 본 명세서에 있어서,「경화」란, 이「단량체의 중합 반응」, 또는,「단량체의 중합 반응 및 계속되는 중합체의 가교 반응」을 포함시킨 넓은 개념을 의미한다. 경화성 단량체 (B) 를 사용함으로써, 내용제성이 우수한 광학용 적층체를 얻을 수 있다.
수지층을, 상기 서술한 중합체 성분 (A) 와 상기 경화성 단량체 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 층으로 함으로써, 내열성이 우수하고, 얇은 수지층을 형성하는 것이 용이해진다. 또, 이와 같은 재료를 사용하면, 광학용 적층체의 기재로서 일반적으로 사용되는 폴리에스테르계 필름과 같은, 이방성의 분자 배향을 갖는 재료에서 기인한 광학 상의 문제가 발생하기 어려워진다.
경화성 단량체 (B) 의 분자량은, 통상적으로 3000 이하, 바람직하게는 200 ∼ 2000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 1000 이다.
경화성 단량체 (B) 중의 중합성 불포화 결합의 수는 특별히 제한되지 않는다. 경화성 단량체 (B) 는, 중합성 불포화 결합을 1 개 갖는 단관능형의 단량체여도 되지만, 적어도 중합성 불포화 결합을 복수 갖는 2 관능형이나 3 관능형 등의 다관능형의 단량체의 1 종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 단관능형의 단량체로는, 단관능의 (메트)아크릴산 유도체를 들 수 있다.
단관능의 (메트)아크릴산 유도체는, 분자 내에 (메트)아크릴로일기를 1 개 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않고, 공지된 화합물을 사용할 수 있다.
상기 다관능형의 단량체로는, 다관능의 (메트)아크릴산 유도체를 들 수 있다.
다관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 분자 내에 (메트)아크릴로일기를 2 개 이상 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않고, 공지된 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 2 ∼ 6 관능의 (메트)아크릴산 유도체를 들 수 있다.
2 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 하기 식으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
식 중, R1 은, 상기 것과 동일한 의미를 나타내고, R2 는, 2 가의 유기기를 나타낸다. R2 로 나타내는 2 가의 유기기로는, 하기 식으로 나타내는 기를 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
(식 중, s 는 1 ∼ 20 의 정수 (整數) 를 나타내고, t 는, 1 ∼ 30 의 정수를 나타내고, u 와 v 는, 각각 독립적으로, 1 ∼ 30 의 정수를 나타내고, 양 말단의「-」는, 결합손을 나타낸다.)
상기 식으로 나타내는 2 관능의 (메트)아크릴산 유도체의 구체예로는, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로폭시화 에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 내열성 및 인성의 관점에서, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트 등의, 상기 식에 있어서, R7 로 나타내는 2 가의 유기기가 트리시클로데칸 골격을 갖는 것, 프로폭시화 에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트 등의, 상기 식에 있어서, R7 로 나타내는 2 가의 유기기가 비스페놀 골격을 갖는 것, 9,9-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌 등의, 상기 식에 있어서, R7 로 나타내는 2 가의 유기기가 9,9-비스페닐플루오렌 골격을 갖는 것이 바람직하다.
또, 이것들 이외의 2 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메트)아크릴레이트, 하이드록시피발산네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메트)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메트)아크릴레이트, 디(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 알릴화시클로헥실디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
3 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.
4 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
5 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
6 관능의 (메트)아크릴산 유도체로는, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
경화성 단량체 (B) 로서, 고리화 중합성 모노머를 사용해도 된다. 고리화 중합성 모노머란, 고리화되면서 라디칼 중합되는 성질을 갖는 모노머이다. 고리화 중합성 모노머로는, 비공액 디엔류를 들 수 있으며, 예를 들어, α-알릴옥시메틸아크릴산계 모노머를 사용할 수 있고, 2-알릴옥시메틸아크릴산의 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬에스테르, 2-(알릴옥시메틸)아크릴산시클로헥실이 바람직하고, 2-알릴옥시메틸아크릴산의 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬에스테르가 보다 바람직하고, 2-(알릴옥시메틸)아크릴산메틸이 더욱 바람직하다.
또, 디메틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디에틸-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(n-프로필)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(i-프로필)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(n-부틸)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디(n-헥실)-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트, 디시클로헥실-2,2'-[옥시비스(메틸렌)]비스-2-프로페노에이트 등의 고리화 중합성 모노머를 사용할 수도 있다.
경화성 단량체 (B) 는 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이것들 중에서도, 경화성 단량체 (B) 는, 내열성 및 내용제성이 보다 우수한 수지층이 얻어지는 점에서, 다관능형의 단량체가 바람직하다. 다관능의 단량체로는, 중합체 성분 (A) 와 혼합되기 쉽고, 또한 중합물의 경화 수축이 일어나기 어려워 경화물의 컬을 억제할 수 있다는 관점에서, 2 관능 (메트)아크릴산 유도체가 바람직하다.
경화성 단량체 (B) 로서, 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물과 고리화 중합성 모노머가 포함되는 것이 보다 바람직하다. 이것들을 병용함으로써, 수지층의 내열성을 적당히 조정하면서, 수지층의 파단 신도를 상기 서술한 범위로 조정하기 쉬워진다.
경화성 단량체 (B) 가 다관능형의 단량체를 포함하는 경우, 그 함유량은, 경화성 단량체 (B) 의 전체량 중, 40 질량％ 이상이 바람직하고, 50 ∼ 100 질량％ 가 보다 바람직하다.
〔경화성 수지 조성물〕
본 발명의 실시형태에 관련된 수지층을 형성하는 데에 사용하는 경화성 수지 조성물은, 중합체 성분 (A), 경화성 단량체 (B), 및 원하는 바에 따라, 후술하는 중합 개시제나 그 밖의 성분을 혼합하고, 적당한 용매에 용해 또는 분산시킴으로써 조제할 수 있다.
경화성 수지 조성물 중의 중합체 성분 (A) 와 경화성 단량체 (B) 의 합계 함유량은, 용매를 제외한 경화성 수지 조성물 전체의 질량에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 99.5 질량％, 보다 바람직하게는 60 ∼ 99 질량％, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 98 질량％ 이다.
경화성 수지 조성물 중의 중합체 성분 (A) 와 경화성 단량체 (B) 의 함유량은, 중합체 성분 (A) 와 경화성 단량체 (B) 의 질량비로, 바람직하게는 중합체 성분 (A) : 경화성 단량체 (B) ＝ 30 : 70 ∼ 90 : 10, 보다 바람직하게는 35 : 65 ∼ 80 : 20 이다.
경화성 수지 조성물에 있어서, 중합체 성분 (A) : 경화성 단량체 (B) 의 질량비가 이와 같은 범위에 있음으로써, 얻어지는 수지층의 유연성이 보다 향상되기 쉽고, 수지층의 내용제성도 유지되기 쉬운 경향이 있다.
또, 경화성 수지 조성물 중의 경화성 단량체 (B) 의 함유량이 상기 범위이면, 예를 들어, 수지층을 용액 캐스트법 등에 의해 얻는 경우, 효율적으로 용매를 제거할 수 있기 때문에, 건조 공정의 장시간화에 의한 컬이나 굴곡 등의 변형의 문제가 해소된다.
중합체 성분 (A) 로서, 상기 서술한 폴리이미드 수지와 폴리아미드 수지 혹은 폴리아릴레이트 수지의 조합 등의, 용제 가용성이 상이한 복수의 수지를 조합하여 사용하는 경우에는, 먼저, 각각에 적합한 용제에 수지를 용해시킨 후, 수지를 용해시킨 저비점의 유기 용제에, 다른 수지를 용해시킨 용액을 첨가하는 것이 바람직하다.
경화성 수지 조성물에는, 원하는 바에 따라 중합 개시제를 함유시킬 수 있다. 중합 개시제는, 경화 반응을 개시시키는 것이면, 특별히 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들어, 열중합 개시제나 광중합 개시제를 들 수 있다.
열중합 개시제로는, 유기 과산화물이나 아조계 화합물을 들 수 있다. 광중합 개시제로는, 알킬페논계 광중합 개시제, 인계 광중합 개시제, 티타노센계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제, 벤조페논계 광중합 개시제, 티오크산톤계 광중합 개시제 등을 들 수 있고, 인계 광중합 개시제가 바람직하다.
중합체 성분 (A) 가 방향족 고리를 갖는 열가소성 수지인 경우, 중합체 성분 (A) 가 자외선을 흡수하는 결과, 경화 반응이 일어나기 어려운 경우가 있다. 그러나, 상기 인계 광중합 개시제를 사용함으로써, 상기 중합체 성분 (A) 에 흡수되지 않는 파장의 광을 이용하여 경화 반응을 효율적으로 진행시킬 수 있다.
중합 개시제는 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
중합 개시제의 함유량은, 용매를 제외한 경화성 수지 조성물 전체의 질량에 대하여, 0.05 ∼ 15 질량％ 가 바람직하고, 0.05 ∼ 10 질량％ 가 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 5 질량％ 가 더욱 바람직하다.
또, 상기 경화성 수지 조성물은, 중합체 성분 (A), 경화성 단량체 (B), 및 중합 개시제에 추가하여, 트리이소프로판올아민이나, 4,4'-디에틸아미노벤조페논 등의 광중합 개시 보조제를 함유하고 있어도 된다.
경화성 수지 조성물의 조제에 사용하는 용매로는, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, n-헥산, n-헵탄 등의 지방족 탄화수소계 용매 ; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소계 용매 ; 디클로로메탄, 염화에틸렌, 클로로포름, 사염화탄소, 1,2-디클로로에탄, 모노클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소계 용매 ; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알코올계 용매 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜타논, 이소포론, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매 ; 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르계 용매 ; 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 ; 1,3-디옥솔란 등의 에테르계 용매 ; 등을 들 수 있다.
경화성 수지 조성물 중의 용매의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 중합체 성분 (A) 1 질량부에 대하여, 통상적으로 0.1 ∼ 1000 질량부, 바람직하게는 1 ∼ 100 질량부이다. 용매의 양을 적절하게 조절함으로써, 경화성 수지 조성물의 점도를 적절한 값으로 조절할 수 있다.
또, 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 목적, 효과를 저해하지 않는 범위 내에서, 가소제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 등의 공지된 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 된다.
경화성 수지 조성물을 경화시키는 방법은, 사용하는 중합 개시제나 경화성 단량체의 종류에 따라 적절하게 결정할 수 있다. 상세한 것은, 후술하는 광학용 적층체의 제조 방법의 항에서 설명한다.
〔수지층의 성상 등〕
수지층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 광학용 적층체의 목적에 맞춰 결정하면 된다. 수지층의 두께는, 통상적으로 0.1 ∼ 300 ㎛, 바람직하게는 0.1 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 10 ㎛, 특히 바람직하게는 0.2 ∼ 10 ㎛ 이다.
수지층을 예를 들어, 0.1 ∼ 10 ㎛ 정도의 두께로 하면, 광학용 적층체의 두께가 커지는 것을 방지할 수 있어, 박형의 광학용 적층체로 할 수 있다. 박형의 광학용 적층체이면, 박형화가 요구되는 유기 EL 디스플레이 등의 용도에 있어서, 광학용 적층체가 적용 디바이스 전체의 두께의 증대 요인이 되지 않기 때문에 바람직하다. 또, 박형의 광학용 적층체이면, 광학용 적층체의 실장 후의 플렉시블성 및 굴곡 내성을 향상시킬 수 있다.
상기 수지층은 내용제성이 우수하다. 내용제성이 우수한 점에서, 예를 들어, 수지층 표면에 다른 층을 형성할 때에 유기 용제를 사용하는 경우라도, 수지층 표면이 거의 용해되지 않는다. 따라서, 예를 들어, 수지층 표면에, 유기 용제를 포함하는 수지 용액을 사용하여 가스 배리어층이나 도전층 등의 다른 층을 형성하는 경우라도, 수지층의 성분이 이들 층에 혼입되기 어렵기 때문에, 가스 배리어성이나 도전성이 저하되기 어렵다.
수지층은, 가스 배리어층이나 도전층 등의 다른 층과의 층간 밀착성이 우수하다. 즉, 상기 수지층 상에 앵커코트층을 형성하지 않고, 상기 서술한 기능층, 가스 배리어층, 또는, 도전층을 형성할 수 있다.
수지층은, 무색 투명한 것이 바람직하다. 수지층이 무색 투명함으로써, 본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체를 광학 용도에 바람직하게 사용할 수 있다.
수지층은, 상기 서술한 바와 같이, 내열성, 내용제성, 층간 밀착성, 투명성을 갖는 것으로 할 수 있고, 또한, 복굴절률이 낮아 광학 등방성이 우수한 것으로 할 수 있다. 따라서, 후술하는 바와 같이, 이와 같은 특성을 갖는 수지층 상에, 예를 들어, 용액 캐스트법에 의해 가스 배리어층이나 도전층 등을 형성함으로써, 당해 기능층은, 우수한 가스 배리어성이나 우수한 도전성을 발현시키고, 게다가, 수지층의 내열성 및 내용제성 중 적어도 일방에서 기인하여, 열 및 용매 중 적어도 일방에 의해 가스 배리어성이나 도전성이 저해되는 것도 방지된다. 또, 얻어지는 광학용 적층체의 내열성, 층간 밀착성, 투명성이 우수한 것이 된다. 또한, 복굴절률이 낮아 광학 등방성이 우수한 광학용 적층체를 얻을 수 있다.
1-6. 가스 배리어층
본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어층은, 가스 배리어성을 갖고 있는 한, 재질 등은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 무기막으로 이루어지는 가스 배리어층, 가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층, 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 가스 배리어층 등을 들 수 있다.
이것들 중에서도, 얇고, 가스 배리어성 및 내용제성이 우수한 층을 효율적으로 형성할 수 있는 점에서, 가스 배리어층은, 무기막으로 이루어지는 가스 배리어층, 및 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 가스 배리어층이 바람직하다.
또한, 상기 무기막으로 이루어지는 가스 배리어층은, 바꿔 말하면, 가스 배리어성을 갖는 무기막으로 이루어지는 기능층이고, 상기 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 가스 배리어층은, 바꿔 말하면, 가스 배리어성을 갖는, 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 기능층이기도 하다. 광학용 적층체가 가스 배리어성을 필요로 하지 않거나 또는 필요성이 낮은 용도에 사용되는 경우, 상기 무기막으로 이루어지는 기능층이나 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 기능층은, 가스 배리어성이 부족한 것이어도 된다.
무기막으로는, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 무기 증착막을 들 수 있다.
무기 증착막으로는, 무기 화합물이나 금속의 증착막을 들 수 있다.
무기 화합물의 증착막의 원료로는, 산화규소, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 무기 산화물 ; 질화규소, 질화알루미늄, 질화티탄 등의 무기 질화물 ; 무기 탄화물 ; 무기 황화물 ; 산화질화규소 등의 무기 산화질화물 ; 무기 산화탄화물 ; 무기 질화탄화물 ; 무기 산화질화탄화물 등을 들 수 있다.
금속의 증착막의 원료로는, 알루미늄, 마그네슘, 아연, 및 주석 등을 들 수 있다.
이것들은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이것들 중에서는, 가스 배리어성의 관점에서, 무기 산화물, 무기 질화물 또는 금속을 원료로 하는 무기 증착막이 바람직하고, 또한, 투명성의 관점에서, 무기 산화물 또는 무기 질화물을 원료로 하는 무기 증착막이 바람직하다. 또, 무기 증착막은, 단층이어도 되고, 다층이어도 된다.
무기 증착막의 두께는, 가스 배리어성과 취급성의 관점에서, 바람직하게는 10 ∼ 2000 ㎚, 보다 바람직하게는 20 ∼ 1000 ㎚, 보다 바람직하게는 30 ∼ 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 200 ㎚ 의 범위이다.
무기 증착막을 형성하는 방법으로는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 PVD (물리적 증착) 법이나, 열 CVD (화학적 증착) 법, 플라즈마 CVD 법, 광 CVD 법 등의 CVD 법을 들 수 있다.
가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층에 있어서, 사용하는 가스 배리어성 수지로는, 폴리비닐알코올, 또는 그 부분 비누화물, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 등의 산소 등을 투과시키기 어려운 수지를 들 수 있다.
가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층의 두께는, 가스 배리어성의 관점에서, 바람직하게는 10 ∼ 2000 ㎚, 보다 바람직하게는 20 ∼ 1000 ㎚, 보다 바람직하게는 30 ∼ 500 ㎚, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 200 ㎚ 의 범위이다.
가스 배리어성 수지를 포함하는 가스 배리어층을 형성하는 방법으로는, 가스 배리어성 수지를 포함하는 용액을 수지층 상에 도포하고, 얻어진 도막을 적절하게 건조시키는 방법을 들 수 있다.
고분자 화합물을 포함하는 층 (이하,「고분자층」이라고 하는 경우가 있다) 에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 가스 배리어층에 있어서, 사용하는 고분자 화합물로는, 규소 함유 고분자 화합물, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤, 폴리에테르에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술파이드, 폴리아릴레이트, 아크릴계 수지, 시클로올레핀계 폴리머, 방향족계 중합체 등을 들 수 있다. 이들 고분자 화합물은 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이것들 중에서도, 고분자 화합물은 규소 함유 고분자 화합물이 바람직하다. 규소 함유 고분자 화합물로는, 폴리실라잔계 화합물 (일본 특허공보 소63-16325호, 일본 공개특허공보 소62-195024호, 일본 공개특허공보 소63-81122호, 일본 공개특허공보 평1-138108호, 일본 공개특허공보 평2-84437호, 일본 공개특허공보 평2-175726호, 일본 공개특허공보 평4-63833호, 일본 공개특허공보 평5-238827호, 일본 공개특허공보 평5-345826호, 일본 공개특허공보 2005-36089호, 일본 공개특허공보 평6-122852호, 일본 공개특허공보 평6-299118호, 일본 공개특허공보 평6-306329호, 일본 공개특허공보 평9-31333호, 일본 공개특허공보 평10-245436호, 일본 공표특허공보 2003-514822호, 국제공개 WO2011/107018호 등 참조), 폴리카르보실란계 화합물 (Journal of Materials Science, 2569-2576, Vol.13, 1978, Organometallics, 1336-1344, Vol.10, 1991, Journal of Organometallic Chemistry, 1-10, Vol.521, 1996, 일본 공개특허공보 소51-126300호, 일본 공개특허공보 2001-328991호, 일본 공개특허공보 2006-117917호, 일본 공개특허공보 2009-286891호, 일본 공개특허공보 2010-106100호 등 참조), 폴리실란계 화합물 (R. D. Miller, J. Michl ; Chemical Review, 제 89 권, 1359 페이지 (1989), N. Matsumoto ; Japanese Journal of Physics, 제 37 권, 5425 페이지 (1998), 일본 공개특허공보 2008-63586호, 일본 공개특허공보 2009-235358호 등 참조), 및 폴리오르가노실록산계 화합물 (일본 공개특허공보 2010-229445호, 일본 공개특허공보 2010-232569호, 일본 공개특허공보 2010-238736호 등 참조) 등을 들 수 있다.
이것들 중에서도, 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 관점에서, 폴리실라잔계 화합물이 바람직하다. 폴리실라잔계 화합물로는, 무기 폴리실라잔이나 유기 폴리실라잔을 들 수 있다. 무기 폴리실라잔으로는 퍼하이드로폴리실라잔 등을 들 수 있고, 유기 폴리실라잔으로는 퍼하이드로폴리실라잔의 수소의 일부 또는 전부가 알킬기 등의 유기기로 치환된 화합물 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 입수 용이성, 및 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 관점에서, 무기 폴리실라잔이 보다 바람직하다.
또, 폴리실라잔계 화합물은, 유리 코팅재 등으로서 시판되고 있는 시판품을 그대로 사용할 수도 있다.
폴리실라잔계 화합물은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
고분자층은, 상기 서술한 고분자 화합물 외에, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 다른 성분으로는, 경화제, 다른 고분자, 노화 방지제, 광 안정제, 난연제 등을 들 수 있다.
고분자층 중의 고분자 화합물의 함유량은, 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층을 형성할 수 있는 관점에서, 50 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 70 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.
고분자층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 고분자 화합물 중 적어도 1 종, 원하는 바에 따라 다른 성분, 및 용제 등을 함유하는 층 형성용 용액을, 공지된 방법에 의해 수지층 또는 원하는 바에 따라 수지층 상에 형성된 프라이머층 상에 도포하고, 얻어진 도막을 적당히 건조시켜 형성하는 방법을 들 수 있다.
층 형성용 용액을 도포할 때에는, 스핀 코터, 나이프 코터, 그라비어 코터 등의 공지된 장치를 사용할 수 있다.
얻어진 도막을 건조시키거나, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성을 향상시키기 위해, 도막을 가열하거나 하는 것이 바람직하다. 가열, 건조 방법으로는, 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등, 종래 공지된 건조 방법을 채용할 수 있다. 가열 온도는, 통상적으로 80 ∼ 150 ℃ 이고, 가열 시간은, 통상적으로 수십 초 내지 수십 분이다.
가스 배리어성 적층체의 가스 배리어층을 형성할 때에, 예를 들어, 상기 서술한 바와 같은 폴리실라잔계 화합물을 사용하는 경우에는, 도공 후의 가열에 의해 폴리실라잔의 전화 반응이 발생하여, 가스 배리어성이 우수한 도막이 된다.
그 한편, 이와 같은 도막을 형성할 때의 가열에 의해, 내열성이 낮은 수지층을 사용하고 있는 경우에는, 수지층에 변형을 발생시킬 우려가 있다. 수지층의 변형은, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어층의 가스 배리어성에 악영향을 줄 가능성이 있다. 그러나, 본 발명의 실시형태에 관련된 수지층에 있어서는, 내열성이 우수하기 때문에, 도공시 및 도공 후의 가열에 의해서도 변형을 발생시키기 어렵다. 따라서, 수지층의 변형에서 기인하는 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어성의 저하도 회피할 수 있다.
고분자층의 두께는, 통상적으로 20 ∼ 1000 ㎚, 바람직하게는 30 ∼ 800 ㎚, 보다 바람직하게는 40 ∼ 400 ㎚ 이다.
고분자층의 두께가 나노 오더라 하더라도, 후술하는 바와 같이 개질 처리를 실시함으로써, 충분한 가스 배리어 성능을 갖는 가스 배리어성 적층체를 얻을 수 있다.
개질 처리로는, 이온 주입, 진공 자외광 조사 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 높은 가스 배리어 성능이 얻어지는 점에서, 이온 주입이 바람직하다. 이온 주입에 있어서, 고분자층에 주입되는 이온의 주입량은, 형성하는 가스 배리어성 적층체의 사용 목적 (필요한 가스 배리어성, 투명성 등) 등에 맞춰 적절하게 결정하면 된다.
주입되는 이온으로는, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논 등의 희가스의 이온 ; 플루오로카본, 수소, 질소, 산소, 이산화탄소, 염소, 불소, 황 등의 이온 ;
메탄, 에탄, 프로판, 부탄, 펜탄, 헥산 등의 알칸계 가스류의 이온 ; 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 펜텐 등의 알켄계 가스류의 이온 ; 펜타디엔, 부타디엔 등의 알카디엔계 가스류의 이온 ; 아세틸렌, 메틸아세틸렌 등의 알킨계 가스류의 이온 ; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 인덴, 나프탈렌, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소계 가스류의 이온 ; 시클로프로판, 시클로헥산 등의 시클로알칸계 가스류의 이온 ; 시클로펜텐, 시클로헥센 등의 시클로알켄계 가스류의 이온 ;
금, 은, 구리, 백금, 니켈, 팔라듐, 크롬, 티탄, 몰리브덴, 니오브, 탄탈, 텅스텐, 알루미늄 등의 도전성의 금속의 이온 ;
실란 (SiH4) 또는 유기 규소 화합물의 이온 ; 등을 들 수 있다.
유기 규소 화합물로는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라 n-프로폭시실란, 테트라이소프로폭시실란, 테트라 n-부톡시실란, 테트라 t-부톡시실란 등의 테트라알콕시실란 ;
디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란 등의 무치환 혹은 치환기를 갖는 알킬알콕시실란 ;
디페닐디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 아릴알콕시실란 ;
헥사메틸디실록산 (HMDSO) 등의 디실록산 ;
비스(디메틸아미노)디메틸실란, 비스(디메틸아미노)메틸비닐실란, 비스(에틸아미노)디메틸실란, 디에틸아미노트리메틸실란, 디메틸아미노디메틸실란, 테트라키스디메틸아미노실란, 트리스(디메틸아미노)실란 등의 아미노실란 ;
헥사메틸디실라잔, 헥사메틸시클로트리실라잔, 헵타메틸디실라잔, 노나메틸트리실라잔, 옥타메틸시클로테트라실라잔, 테트라메틸디실라잔 등의 실라잔 ;
테트라이소시아네이트실란 등의 시아네이트실란 ;
트리에톡시플루오로실란 등의 할로게노실란 ;
디알릴디메틸실란, 알릴트리메틸실란 등의 알케닐실란 ;
디-t-부틸실란, 1,3-디실라부탄, 비스(트리메틸실릴)메탄, 테트라메틸실란, 트리스(트리메틸실릴)메탄, 트리스(트리메틸실릴)실란, 벤질트리메틸실란 등의 무치환 혹은 치환기를 갖는 알킬실란 ;
비스(트리메틸실릴)아세틸렌, 트리메틸실릴아세틸렌, 1-(트리메틸실릴)-1-프로핀 등의 실릴알킨 ;
1,4-비스트리메틸실릴-1,3-부타디인, 시클로펜타디에닐트리메틸실란 등의 실릴알켄 ;
페닐디메틸실란, 페닐트리메틸실란 등의 아릴알킬실란 ;
프로파르길트리메틸실란 등의 알키닐알킬실란 ;
비닐트리메틸실란 등의 알케닐알킬실란 ;
헥사메틸디실란 등의 디실란 ;
옥타메틸시클로테트라실록산, 테트라메틸시클로테트라실록산, 헥사메틸시클로테트라실록산 등의 실록산 ;
N,O-비스(트리메틸실릴)아세트아미드 ;
비스(트리메틸실릴)카르보디이미드 ;
등을 들 수 있다.
이들 이온은, 1 종 단독으로, 혹은 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
그 중에서도, 보다 간편하게 주입할 수 있고, 특히 우수한 가스 배리어성을 갖는 가스 배리어층이 얻어지는 점에서, 수소, 질소, 산소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크세논, 및 크립톤으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 이온이 바람직하다.
이온을 주입하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 전계에 의해 가속된 이온 (이온빔) 을 조사하는 방법, 플라즈마 중의 이온을 주입하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 간편하게 가스 배리어성의 필름이 얻어지는 점에서, 후자의 플라즈마 이온을 주입하는 방법이 바람직하다.
플라즈마 이온 주입법으로는, (Ⅰ) 외부 전계를 사용하여 발생시킨 플라즈마 중에 존재하는 이온을, 고분자층에 주입하는 방법, 또는 (Ⅱ) 외부 전계를 사용하지 않고, 상기 층에 인가하는 부 (負) 의 고전압 펄스에 의한 전계만으로 발생시킨 플라즈마 중에 존재하는 이온을, 고분자층에 주입하는 방법이 바람직하다.
상기 (Ⅰ) 의 방법에 있어서는, 이온 주입할 때의 압력 (플라즈마 이온 주입시의 압력) 을 0.01 ∼ 1 ㎩ 로 하는 것이 바람직하다. 플라즈마 이온 주입시의 압력이 이와 같은 범위에 있을 때에, 간편하게 또한 효율적으로 균일하게 이온을 주입할 수 있어, 목적으로 하는 가스 배리어층을 효율적으로 형성할 수 있다.
상기 (Ⅱ) 의 방법은, 감압도를 높게 할 필요가 없어, 처리 조작이 간편하고, 처리 시간도 대폭 단축시킬 수 있다. 또, 상기 층 전체에 걸쳐서 균일하게 처리할 수 있고, 부의 고전압 펄스 인가시에 플라즈마 중의 이온을 고에너지로 고분자층에 연속적으로 주입할 수 있다. 또한, radio frequency (고주파, 이하,「RF」로 약기한다.) 나, 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 특별한 다른 수단을 필요로 하지 않고, 층에 부의 고전압 펄스를 인가하는 것만으로, 고분자층에 양질의 이온을 균일하게 주입할 수 있다.
상기 (Ⅰ) 및 (Ⅱ) 의 어느 방법에 있어서도, 부의 고전압 펄스를 인가할 때, 즉 이온 주입할 때의 펄스폭은, 1 ∼ 15 μsec 인 것이 바람직하다. 펄스폭이 이와 같은 범위에 있을 때에, 보다 간편하게 또한 효율적으로, 균일하게 이온을 주입할 수 있다.
또, 플라즈마를 발생시킬 때의 인가 전압은, 바람직하게는 -1 ∼ -50 ㎸, 보다 바람직하게는 -1 ∼ -30 ㎸, 특히 바람직하게는 -5 ∼ -20 ㎸ 이다. 인가 전압이 -1 ㎸ 보다 큰 값으로 이온 주입을 실시하면, 이온 주입량 (도스량) 이 불충분해져, 원하는 성능이 얻어지지 않는다. 한편, -50 ㎸ 보다 작은 값으로 이온 주입을 실시하면, 이온 주입시에 필름이 대전되고, 또 필름에 대한 착색 등의 문제가 발생하여 바람직하지 않다.
플라즈마 이온 주입하는 이온종으로는, 상기 주입되는 이온으로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
고분자층에 플라즈마 중의 이온을 주입할 때에는, 플라즈마 이온 주입 장치를 사용한다.
플라즈마 이온 주입 장치로는, 구체적으로는, (ⅰ) 고분자층 (이하,「이온 주입하는 층」이라고 하는 경우가 있다.) 에 부의 고전압 펄스를 인가하는 피드스루에 고주파 전력을 중첩시켜 이온 주입하는 층의 주위를 균등하게 플라즈마로 둘러싸고, 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입, 충돌, 퇴적시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001-26887호), (ⅱ) 챔버 내에 안테나를 형성하고, 고주파 전력을 부여하여 플라즈마를 발생시켜 이온 주입하는 층 주위에 플라즈마가 도달 후, 이온 주입하는 층에 정 (正) 과 부의 펄스를 교대로 인가함으로써, 정의 펄스로 플라즈마 중의 전자를 유인 충돌시켜 이온 주입하는 층을 가열하고, 펄스 정수 (定數) 를 제어하여 온도 제어를 실시하면서, 부의 펄스를 인가하여 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입시키는 장치 (일본 공개특허공보 2001-156013호), (ⅲ) 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 외부 전계를 사용하여 플라즈마를 발생시키고, 고전압 펄스를 인가하여 플라즈마 중의 이온을 유인, 주입시키는 플라즈마 이온 주입 장치, (ⅳ) 외부 전계를 사용하지 않고 고전압 펄스의 인가에 의해 발생하는 전계만으로 발생하는 플라즈마 중의 이온을 주입하는 플라즈마 이온 주입 장치 등을 들 수 있다.
이것들 중에서도, 처리 조작이 간편하고, 처리 시간도 대폭 단축시킬 수 있고, 연속 사용에 적합한 점에서, (ⅲ) 또는 (ⅳ) 의 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 (ⅲ) 및 (ⅳ) 의 플라즈마 이온 주입 장치를 사용하는 방법에 대해서는, 국제공개 WO2010/021326호에 기재된 것을 들 수 있다.
상기 (ⅲ) 및 (ⅳ) 의 플라즈마 이온 주입 장치에서는, 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단을 고전압 펄스 전원에 의해 겸용하고 있기 때문에, RF 나 마이크로파 등의 고주파 전력원 등의 특별한 다른 수단을 필요로 하지 않고, 부의 고전압 펄스를 인가하는 것만으로, 플라즈마를 발생시키고, 고분자층에 연속적으로 플라즈마 중의 이온을 주입하여, 표면부에 이온 주입에 의해 개질된 부분을 갖는 고분자층, 즉 가스 배리어층이 형성된 가스 배리어성 적층체를 양산할 수 있다.
이온이 주입되는 부분의 두께는, 이온의 종류나 인가 전압, 처리 시간 등의 주입 조건에 의해 제어할 수 있고, 고분자층의 두께, 가스 배리어성 적층체의 사용 목적 등에 따라 결정하면 되는데, 통상적으로 5 ∼ 1000 ㎚ 이다.
이온이 주입된 것은, X 선 광 전자 분광 분석 (XPS) 을 사용하여 고분자층의 표면으로부터 10 ㎚ 부근의 원소 분석 측정을 실시함으로써 확인할 수 있다.
가스 배리어층이 가스 배리어성을 갖고 있는 것은, 가스 배리어층의 수증기 투과율이 작은 것으로부터 확인할 수 있다.
가스 배리어층의 40 ℃, 상대 습도 90 ％ 분위기하에 있어서의 수증기 투과율은, 통상적으로 1.0 g/㎡/day 이하이며, 바람직하게는 0.8 g/㎡/day 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5 g/㎡/day 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1 g/㎡/day 이하이다. 수증기 투과율은, 공지된 방법으로 측정할 수 있다.
1-7. 도전층
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체에 형성되는 도전층은, 도전성을 갖고 있는 한, 재질 등은 특별히 한정되지 않지만, 투명 도전층인 것이 바람직하다. 여기서,「투명」이란, 450 ㎚ 의 파장에 있어서의 광선 투과율이 80 ％ 이상인 것을 말한다.
투명 도전층을 구성하는 도전성 재료로는, 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물, 이것들의 혼합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 안티몬을 도프한 산화주석 (ATO) ; 불소를 도프한 산화주석 (FTO) ; 산화주석, 게르마늄을 도프한 산화아연 (GZO), 산화아연, 산화인듐, 산화인듐주석 (ITO), 산화아연인듐 (IZO) 등의 반도전성 금속 산화물 ; 금, 은, 크롬, 니켈 등의 금속 ; 이들 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물 ; 요오드화구리, 황화구리 등의 무기 도전성 물질 ; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기 도전성 재료 ; 등을 들 수 있다. 은 등의 금속은, 나노 필러, 나노 로드, 나노 파이버 등의 입자상의 상태의 것이 집합됨으로써, 투명 도전층을 구성하고 있어도 된다.
투명 도전층의 형성 방법에는 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 열 CVD 법, 플라즈마 CVD 법 등을 들 수 있다. 또, 예를 들어, 입자상의 금속을 포함하는 도포 재료를 투명 도전 필름용 적층체에 도포함으로써, 도막으로부터 투명 도전층을 얻어도 된다.
투명 도전층의 두께는 그 용도 등에 따라 적절하게 선택하면 된다. 통상적으로 10 ㎚ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 20 ㎚ 내지 20 ㎛ 이다.
1-8. 박리 시트 (α)
박리 시트 (α) 는, 광학용 적층체를 보존, 운반하거나 할 때에, 수지층을 보호하는 역할을 갖고, 소정의 공정에 있어서 박리되는 것이다.
박리 시트 (α) 는, 시트상 또는 필름상의 것이 바람직하다. 시트상 또는 필름상이란, 장척의 것에 한정되지 않고, 단척의 평판상의 것도 포함된다.
박리 시트 (α) 로는, 글라신지, 코트지, 상질지 등의 종이 기재 ; 이들 종이 기재에 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 열가소성 수지를 라미네이트한 라미네이트 종이 ; 상기 종이 기재에, 셀룰로오스, 전분, 폴리비닐알코올, 아크릴-스티렌 수지 등으로 눈먹임 처리를 실시한 것 ; 혹은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름이나 폴리에틸렌이나 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 필름 등의 플라스틱 필름 ; 유리 등을 들 수 있다.
또, 박리 시트 (α) 로는, 취급하기 쉬운 점에서, 종이 기재나, 플라스틱 필름 상에 박리제층을 형성한 것이어도 되는데, 박리 시트 (α) 상에 경화성 조성물을 도포하여 수지층을 형성하는 경우에는, 경화성 조성물이 박리 시트 (α) 상에 젖으며 확산되지 않아, 불균일한 도막이 되거나, 미도포부가 발생하거나 하는 것을 회피하는 관점에서, 박리제층이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 박리 시트 (α) 가 박리제층을 갖지 않고, 박리 시트 (α) 상에 직접 수지층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
박리제층을 형성하는 경우에는, 박리층은, 실리콘계 박리제, 불소계 박리제, 알키드계 박리제, 올레핀계 박리제 등, 종래 공지된 박리제를 사용하여 형성할 수 있다.
박리제층의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 0.02 ∼ 2.0 ㎛, 보다 바람직하게는 0.05 ∼ 1.5 ㎛ 이다.
또, 수지층은 통상적으로 유연성을 갖는 것이며, 박리 시트 (α) 가 점착제층을 갖는 경우에는, 점착제층과 수지층이 고착될 우려가 있기 때문에, 박리 시트 (α) 는, 점착제층도 갖지 않는 것이 바람직하다.
내열성의 유지, 박리 면적의 증대에 의한 박리력 상승의 회피, 및 권취시에 광학용 적층체에 발생하는 변형을 작게 하는 관점에서, 박리 시트 (α) 의 두께는, 25 ∼ 150 ㎛ 가 바람직하고, 40 ∼ 125 ㎛ 가 보다 바람직하다.
박리 시트 (α) 의 표면 조도 Ra (산술 평균 조도) 는, 10.0 ㎚ 이하가 바람직하고, 8.0 ㎚ 이하가 보다 바람직하다. 또, 표면 조도 Rt (최대 단면 높이) 는, 100 ㎚ 이하가 바람직하고, 50 ㎚ 이하가 보다 바람직하다.
표면 조도 Ra 및 Rt 가 각각 10.0 ㎚ 이하, 100 ㎚ 이하이면, 공정 필름과 접하는 층의 표면 조도가 과도하게 커지는 것이 회피된다. 이 때문에, 광학용 적층체가 상기 서술한 기능층, 가스 배리어층, 도전층 등을 갖는 경우, 그들 층에 원하는 기능을 발휘시키기 쉬워진다.
또한, 표면 조도 Ra 및 Rt 는, 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 측정 면적에서, 광 간섭법에 의해 얻어진 값이다.
1-9. 보호 필름 (β)
보호 필름 (β) 는, 광학용 적층체를 보존, 운반하거나 할 때에, 가스 배리어층이나 투명 도전층 등의 기능층을 보호하는 역할을 갖고, 소정의 공정에 있어서 박리되는 것이다.
보호 필름 (β) 는, 시트상 또는 필름상의 것이 바람직하다. 시트상 또는 필름상이란, 장척의 것에 한정되지 않고, 단척의 평판상의 것도 포함된다.
보호 필름 (β) 는, 통상적으로 광학용 필름에 포함되는 수지층 또는 수지층 상의 상기 다른 층이 형성된 후, 당해 수지층 또는 다른 층의 표면에 첩부되므로, 상기 수지층 또는 다른 층으로부터 보호 필름 (β) 가 의도치 않게 탈락되거나 하지 않도록 하는 관점에서, 기재 상에 점착제층을 형성한 구성인 것이 바람직하다. 이 경우, 보호 필름 (β) 의 광학용 필름측의 표면에 점착제층을 형성한다. 보호 필름 (β) 가 점착제층을 갖는 것임으로써, 보호 필름 (β) 가 상기 수지층 또는 다른 층에 대하여 박리 가능하게 부착되게 된다. 보호 필름 (β) 의 기재로는, 박리 시트 (α) 와 동일한 재질·두께의 것을 사용할 수 있다.
점착제층의 점착력은, 그 재료나 두께 등을 선택함으로써, 보호 필름 (β) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 광학용 필름의 수지층 또는 당해 수지층 상의 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 가, 박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 에 대하여, A1 ＞ A2 의 관계가 되도록 조정되어 있다.
점착제층을 구성하는 점착제로는, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 폴리올레핀계 중합체를 포함하는 점착제, 폴리올레핀계 공중합체를 포함하는 점착제를 포함하는 점착제 등을 들 수 있다. 이것들 중, A1 ＞ A2 의 관계를 실현하기 쉬운 점착력 A2 를 얻기 쉽게 하는 관점에서, 점착제층이, 폴리올레핀계 중합체 및 폴리올레핀계 공중합체 중 적어도 일방을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 폴리올레핀계 중합체로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등을 들 수 있고, 폴리올레핀계 공중합체로는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.
또, 보호 필름 (β) 로서 이용 가능한, 시판되는 폴리올레핀계 점착제를 포함하는 보호 필름으로는, 주식회사 선에이 화연 제조의 서니텍트 PAC-3-50THK, 서니텍트 PAC-2-70 등을 들 수 있다.
1-10. 광학용 적층체의 다른 구성예
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체는, 도 1 에 나타내는 것에 한정되지 않고, 수지층 및 상기 다른 층을 1 세트로 하여, 복수 세트가 적층된 것이어도 된다. 또, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 수지층과 상기 다른 층 사이에 추가로 별도의 층을 1 층 또는 2 층 이상 포함하는 것이어도 된다. 상기 수지층 및 가스 배리어층이 복수 세트 적층되어 있는 경우, 이웃하는 각 세트 사이의 적어도 하나에, 별도의 층이 1 층 또는 2 층 이상 포함되는 것이어도 된다.
상기 별도의 층으로는, 예를 들어, 도전체층, 충격 흡수층, 접착제층, 접합층, 공정 시트 등을 들 수 있다. 또, 상기 별도의 층의 배치 위치는 특별히 한정되지 않는다.
도전체층을 구성하는 재료로는, 금속, 합금, 금속 산화물, 전기 전도성 화합물, 이것들의 혼합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 안티몬을 도프한 산화주석 (ATO) ; 불소를 도프한 산화주석 (FTO) ; 산화주석, 게르마늄을 도프한 산화아연 (GZO), 산화아연, 산화인듐, 산화인듐주석 (ITO), 산화아연인듐 (IZO) 등의 반도전성 금속 산화물 ; 금, 은, 크롬, 니켈 등의 금속 ; 이들 금속과 도전성 금속 산화물의 혼합물 ; 요오드화구리, 황화구리 등의 무기 도전성 물질 ; 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 유기 도전성 재료 ; 등을 들 수 있다.
도전체층의 형성 방법으로는 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 열 CVD 법, 플라즈마 CVD 법 등을 들 수 있다.
도전체층의 두께는 그 용도 등에 따라 적절하게 선택하면 된다. 통상적으로 10 ㎚ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 20 ㎚ 내지 20 ㎛ 이다.
충격 흡수층은, 상기 서술한 기능층, 가스 배리어층, 도전층 등에 충격이 가해졌을 때에, 이들 층을 보호하기 위한 것이다. 충격 흡수층을 형성하는 소재로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 고무계 재료 등을 들 수 있다.
충격 흡수층의 형성 방법으로는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어, 상기 충격 흡수층을 형성하는 소재, 및 원하는 바에 따라, 용제 등의 다른 성분을 포함하는 충격 흡수층 형성 용액을, 적층해야 할 층 상에 도포하고, 얻어진 도막을 건조시키고, 필요에 따라 가열하거나 하여 형성하는 방법을 들 수 있다.
또, 별도로 박리 기재 상에 충격 흡수층을 성막하고, 얻어진 막을, 적층해야 할 층 상에 전사하여 적층해도 된다.
충격 흡수층의 두께는, 통상적으로 1 ∼ 100 ㎛, 바람직하게는 5 ∼ 50 ㎛ 이다.
접착제층은, 광학용 적층체를 피착체에 첩부하는 경우에 사용되는 층이다. 접착제층을 형성하는 재료로는, 특별히 한정되지 않고, 아크릴계, 실리콘계, 고무계 등의 공지된 접착제 또는 점착제, 히트 시일재 등을 사용할 수도 있다.
접합층은, 수지층 및 상기 다른 층을 1 세트로 하여, 복수의 세트를 첩합하여 광학용 적층체를 제조하는 경우 등에 사용되는 층이다. 접합층은, 이웃하는 각 세트에 포함되는 수지층과 상기 다른 층을 접합하여 적층 구조를 유지하기 위한 층이다. 접합층은, 단층이어도 되고, 복수 층이어도 된다. 접합층으로는, 접착제를 사용하여 형성된 단층 구조의 층으로 이루어지는 것이나, 지지층의 양면에 접착제를 사용하여 형성된 층이 형성되어 이루어지는 것을 들 수 있다.
접합층을 형성할 때에 사용하는 재료는, 수지층 및 상기 다른 층의 세트끼리를 접합하여, 적층 구조를 유지할 수 있는 것인 한, 특별히 제한되지 않고, 공지된 접착제를 사용할 수 있지만, 상온에서 수지층 및 상기 다른 층의 세트끼리를 접합할 수 있다는 점에서, 점착제인 것이 바람직하다.
접합층에 사용하는 점착제로는, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제 등을 들 수 있다. 이것들 중에서도, 점착력, 투명성 및 취급성의 점에서, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제가 바람직하다. 또, 후술하는 바와 같은 가교 구조를 형성할 수 있는 점착제가 바람직하다.
또, 점착제는, 용제형 점착제, 에멀션형 점착제, 핫 멜트형 점착제 등의 어느 형태의 것이어도 된다.
1-11. 롤상의 광학용 적층체
도 2 는, 롤상의 광학용 적층체인 롤상의 가스 배리어성 적층체의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
도 2 에 나타내는 롤상의 가스 배리어성 적층체 (10A) 는, 통상 (筒狀) 또는 봉상의 심재 (11) 에 권취된 롤상 부분 (10A1) 을 갖는다. 그리고, 롤상 부분 (10A1) 의 선단부를 인출함으로써, 인출 부분 (10A2) 이 형성된다.
도 2 에 나타내는 롤상의 가스 배리어성 적층체 (10A) 에 있어서는, 보호 필름 (4) 이 박리 시트 (1) 보다 외측에 위치하도록, 롤상 부분 (10A1) 이 형성되어 있다. 이 때문에, 롤상 부분 (10A1) 에 있어서, 보호 필름 (4) 에 스트레스를 가하기 어렵게 할 수 있다.
본 발명의 광학용 적층체는, 보호 필름 (β) 를, 박리 기점에 있어서의 저속 박리와, 그 이후의 고속 박리 중 어느 쪽에 있어서도, 적절하게 박리할 수 있다. 그 때문에, 롤상의 광학용 적층체로부터 연속적으로 보호 필름 (β) 를 박리하는 경우, 박리 기점에 있어서 적절하게 보호 필름 (β) 를 저속으로 박리할 수 있으면, 그 후의 롤·투·롤의 프로세스에 있어서의 고속 박리에 있어서, 적절하게 보호 필름 (β) 를 박리할 수 있다.
도 3 은, 롤상의 광학용 적층체인 롤상의 가스 배리어성 적층체의 다른 예를 나타내는 단면 모식도이다.
도 3 에 나타내는 롤상의 가스 배리어성 적층체 (10B) 는, 심재 (11) 에 권취된 롤상 부분 (10B1) 을 갖는다. 그리고, 롤상 부분 (10B1) 의 선단부를 인출함으로써, 인출 부분 (10B2) 이 형성된다.
도 3 에 나타내는 롤상의 가스 배리어성 적층체 (10B) 에 있어서는, 보호 필름 (4) 이 박리 시트 (1) 보다 내측에 위치하도록, 롤상 부분 (10B1) 이 형성되어 있다. 이 때문에, 가스 배리어성 적층체 (10B) 의 보관 중이나 수송 중에, 보호 필름 (4) 이 외부의 물체의 접촉 등에 의해 박리되거나 하는 것을 방지하기 쉬워진다.
1-12. 광학용 적층체의 사용 방법
광학용 적층체를 사용할 때에는, 광학용 적층체로부터 보호 필름 (β) 및 박리 시트 (α) 를 박리한다. 그리고, 디스플레이나 전자 디바이스 등의 목적으로 하는 피착물에 첩부된 상태에서 사용한다.
도 5 는, 도 1 에 나타내는 구성을 구비하는 가스 배리어성 적층체의 사용 방법의 일례를 나타내는 도면이다.
본 예의 사용 방법에 있어서는, 먼저, 도 5(a) ∼ 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 보호 필름 (4) 을 가스 배리어층 (3) 으로부터 박리한다. 여기서, 보호 필름 (4) 을 박리할 때에는, 박리 시트 (1) 가, 수지층 (2) 으로부터 들뜨거나 박리되거나 하지 않고, 수지층 (2) 에 밀착된 상태로 유지될 것이 요구된다. 보호 필름 (4) 의 박리 후에도 박리 시트 (1) 가 수지층 (2) 에 계속해서 밀착됨으로써, 이 후의 공정에 있어서도, 가스 배리어층의 보호를 계속할 수 있다.
다음으로, 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 노출된 가스 배리어층 (3) 의 표면에 접착제층 (5) 을 형성하고, 도 5(d) 에 나타내는 바와 같이, 접착제층 (5) 에 의해, 보호 필름 (4) 이 박리된 후의 가스 배리어성 적층체 (10) 의 가스 배리어층 (3) 을, 피착체 (20) 의 표면에 접착 고정시킨다. 접착제층 (5) 을 형성하는 재료는, 상기 서술한 접착제층에 사용할 수 있는 재료를 사용할 수 있다. 또한, 피착물이 접착제층을 갖는 경우에는, 접착제층 (5) 을 형성하는 공정을 생략할 수 있다.
그 후, 도 5(e) 에 나타내는 바와 같이, 박리 시트 (1) 를 수지층 (2) 으로부터 박리함으로써, 피착체 (20) 상에 가스 배리어 필름 (10a) 이 첩부된다.
1-13. 광학용 적층체의 제조 방법
본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체는 박리 시트 (α) 를 사용하여 제조된다. 박리 시트 (α) 를 사용함으로써, 광학용 적층체를 효율적으로, 또한 용이하게 제조할 수 있다. 특히, 이하의 공정 1 ∼ 4 를 갖는 방법이 바람직하다.
공정 1 : 박리 시트 (α) 상에, 중합체 성분 (A) 및 경화성 단량체 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 경화성 수지층을 형성하는 공정
공정 2 : 공정 1 에서 얻어진 경화성 수지층을 경화시켜, 경화 수지층으로 이루어지는 수지층을 형성하는 공정
공정 3 : 공정 2 에서 얻어진 수지층 상에, 기능층, 가스 배리어층, 도전층 등의 다른 층을 형성하는 공정
공정 4 : 공정 3 에서 얻어진 기능층, 가스 배리어층, 도전층 등의 다른 층 상에, 보호 필름 (β) 를 적층하는 공정
도 4 에, 본 발명의 실시형태에 관련된 광학용 적층체 중 하나인 가스 배리어성 적층체의 제조 공정의 일례를 나타낸다. 도 4(a) ∼ 도 4(b) 가 상기 공정 1 에, 도 4(c) ∼ 도 4(d) 가 상기 공정 2 에, 도 4(e) 가 상기 공정 3 에, 도 4(f) 가 상기 공정 4 에 각각 대응한다.
(공정 1)
먼저, 박리 시트 (α) (도 4(a) 의 부호 1 에 상당) 상에, 중합체 성분 (A) 및 경화성 단량체 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여, 경화 전의 수지층인 경화성 수지층 (도 4(b) 의 부호 2a 에 상당) 을 형성한다.
경화성 수지 조성물을 박리 시트 (α) 상에 도공하는 방법은, 특별히 제한되지 않고, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등의 공지된 도포 방법을 이용할 수 있다.
얻어진 도막을 건조시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 열풍 건조, 열롤 건조, 적외선 조사 등, 종래 공지된 건조 방법을 이용할 수 있다. 수지층을 형성하기 위해 사용하는 경화성 수지 조성물이 매우 높은 Tg 를 갖는 중합체 성분 (A) 를 함유하고 있어도, 경화성 단량체 (B) 를 함유함으로써, 용액 캐스트법을 사용하여 얻어진 도막을 건조시키는 경우, 용제를 효율적으로 제거할 수 있다.
도막의 건조 온도는, 통상적으로 30 ∼ 150 ℃, 바람직하게는, 50 ∼ 120 ℃ 이다. 건조 시간은, 통상적으로 1 ∼ 10 분, 보다 바람직하게는 2 ∼ 7 분이다.
건조 도막 (경화성 수지층) 의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 경화시킨 후의 두께와 거의 차는 없는 점에서, 상기 서술한 수지층의 두께와 동일하게 하면 된다.
(공정 2)
이어서, 공정 1 에서 얻어진 경화성 수지층을 경화시켜 경화 수지층을 형성한다. 이 경화 수지층이 수지층 (도 4(c) 의 부호 2) 이 된다.
경화성 수지층을 경화시키는 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 경화성 수지층이, 열중합 개시제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 것인 경우, 경화성 수지층을 가열함으로써 경화성 수지층을 경화시킬 수 있다. 가열 온도는, 통상적으로 30 ∼ 150 ℃, 바람직하게는 50 ∼ 100 ℃ 이다.
또, 경화성 수지층이, 광중합 개시제를 함유하는 경화성 수지 조성물을 사용하여 형성된 것인 경우, 경화성 수지층에 활성 에너지선으로서의 전자파를 조사함으로써 경화성 수지층을 경화시킬 수 있다. 전자파는, 고압 수은 램프, 무전극 램프, 크세논 램프 등을 사용하여 조사할 수 있다.
전자파의 파장은, 200 ∼ 400 ㎚ 의 자외광 영역이 바람직하고, 350 ∼ 400 ㎚ 가 보다 바람직하다. 조사량은, 통상적으로 조도 50 ∼ 1000 ㎽/㎠, 광량 50 ∼ 5000 mJ/㎠, 바람직하게는 200 ∼ 5000 mJ/㎠ 의 범위이다. 조사 시간은, 통상적으로 0.1 ∼ 1000 초, 바람직하게는 1 ∼ 500 초, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 100 초이다. 광 조사 공정의 열 부하를 고려하여 전술한 광량을 만족하기 위해, 복수 회 조사해도 상관없다.
이 경우, 전자파에 의한 중합체 성분 (A) 의 열화나, 수지층의 착색을 방지하기 위해, 경화 반응에 불필요한 파장의 광을 흡수하는 필터를 개재하여, 전자파를 경화성 수지 조성물에 조사해도 된다. 이 방법에 의하면, 경화 반응에 불필요하고, 또한 중합체 성분 (A) 를 열화시키는 파장의 광이 필터에 흡수되기 때문에, 중합체 성분 (A) 의 열화가 억제되고, 무색 투명의 수지층이 얻어지기 쉬워진다.
필터로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 수지 필름을 이용할 수 있다. 수지 필름을 사용하는 경우, 공정 1 과 공정 2 사이에, 경화성 수지층 상에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 수지 필름을 적층시키는 공정을 마련하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 필름은, 통상적으로는 공정 2 의 후에 박리된다.
또, 경화성 수지층에 활성 에너지선으로서의 전자선을 조사함으로써, 경화성 수지층을 경화시킬 수도 있다. 전자선을 조사하는 경우에는, 전자선 가속기 등을 사용할 수 있다. 조사량은, 통상적으로 10 ∼ 1000 krad 의 범위이다. 조사 시간은, 통상적으로 0.1 ∼ 1000 초, 바람직하게는 1 ∼ 500 초, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 100 초이다.
경화성 수지층의 경화는, 필요에 따라 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기하에서 실시해도 된다. 불활성 가스 분위기하에서 경화를 실시함으로써, 산소나 수분 등이 경화를 방해하는 것을 회피하기 쉬워진다.
상기 서술한 바와 같이, 도포, 건조, 경화의 순서로 형성되는 수지막은, 얇게 형성할 수 있기 때문에 유연성이 풍부하고, 또, 광학적 등방성을 갖는 것으로 할 수 있다. 또, 경화성 수지이기 때문에, 내열성이나 내용제성이 우수한 것으로 할 수 있다.
(공정 3)
그 후, 공정 2 에서 얻어진 수지층 상에, 상기 서술한 가스 배리어성 수지를 포함하는 용액 등을 사용하여, 가스 배리어층을 형성하기 위한 조성물의 층, 바꿔 말하면, 경화 전의 가스 배리어층 (도 4(d) 의 부호 3a) 을 형성하고, 이 조성물의 층을 경화시키거나 하여, 가스 배리어층 (도 4(e) 의 부호 3) 을 형성한다. 증착 등에 의해 무기막으로 이루어지는 가스 배리어층을 형성하는 경우에는, 도 4(c) 의 상태에서, 직접 도 4(e) 의 상태로 이행하게 된다.
가스 배리어층을 형성하는 방법으로는, 앞서 설명한 방법을 적절하게 채용할 수 있다.
예를 들어, 가스 배리어층이, 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 층인 경우, 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층을 수지층 상에 형성하는 공정과, 그 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하는 공정에 의해 가스 배리어층을 형성할 수 있다.
가스 배리어성 적층체에 포함되는 가스 배리어층은, 압출 성형법이나 도포법 등 다양한 방법으로 형성될 수 있지만, 가스 배리어층의 형성 방법에 따라서는, 가스 배리어성 적층체의 가스 배리어 성능이 저하되는 경우가 있다. 특히, 가열을 수반하는 형성 방법, 예를 들어, 도포·건조에 의해 가스 배리어층을 형성하는 경우, 수지층이 물리적 또는 화학적으로 영향을 받아, 가스 배리어성 등의 특성이 저하되어 버릴 우려가 있다.
규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층을 형성하는 방법이나 개질 처리를 실시하는 방법으로는, 앞서 설명한 것을 채용할 수 있다.
또, 개질 처리를 실시하는 방법으로는, 공정 2 에서 얻어진 수지층 상에, 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층이 형성된 장척상의 필름을, 일정 방향으로 반송하면서, 상기 규소 함유 고분자 화합물을 포함하는 층에, 개질 처리를 실시하여 가스 배리어성 적층체를 제조하는 것이 바람직하다.
이 제조 방법에 의하면, 예를 들어, 장척상의 가스 배리어성 적층체를 연속적으로 제조할 수 있다.
(공정 4)
공정 3 에서 얻어진 가스 배리어층 상에, 보호 필름 (β) 를 첩부함으로써, 가스 배리어성 적층체가 얻어진다. 이 공정은, 예를 들어, 보호 필름 (β) 의 점착제층의 형성면을 가스 배리어층을 향하여 배치하고, 기포를 유입하지 않도록 순차적으로 가압함으로써 실시된다.
이와 같이, 상기 공정 1 ∼ 4 를 갖는 제조 방법은, 박리 시트 (α) 를 이용하여 경화성 수지층을 형성하는 것이며, 본 발명의 실시형태에 관련된 가스 배리어성 적층체를 효율적으로, 연속적으로, 또한 용이하게 제조할 수 있다.
실시예
다음으로, 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하지만, 본 발명은, 이들 예에 의해 조금도 한정되는 것은 아니다. 후술하는 실시예 및 비교예에서 제조한 가스 배리어성 적층체 및 광학용 적층체에 있어서의 박리력 A1, B1, 및 점착력 A2, B2 의 측정, 보호 필름 (β) 를 박리하였을 때의 외관 평가, 및 각 가스 배리어성 적층체에 사용되는 가스 배리어 필름의 수증기 투과율은, 이하의 순서로 측정·산출하였다.
[박리력 및 점착력의 측정]
가스 배리어성 적층체 및 광학용 적층체 (모두 폭 50 ㎜) 의 보호 필름 또는 박리 시트를, 박리 각도 180°, 박리 속도 0.3 m/min 또는 20 m/min 의 조건에서 박리하고, 그 때의 박리력 및 점착력 (mN/50 ㎜) 을 측정하였다. 시험 환경은, 모두 23 ℃ 상대 습도 50 ％ 이고, 박리 속도 0.3 m/min 으로의 박리에는 저속 박리 시험기 (주식회사 에이·앤드·디 제조, 제품명 : 텐실론 만능 시험기 RTG-1225) 를 사용하고, 박리 속도 20 m/min 으로의 박리에는 고속 박리 인장 시험기 (테스터 산업 주식회사 제조, 제품명 : 고속 박리 시험기 TE-701) 를 사용하였다.
박리력 A1 의 측정에 있어서는, 가스 배리어성 적층체에 대해서는, 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 가스 배리어층 (3) 에 보호 필름 (β) 를 첩부하기 전의 가스 배리어 필름의 상태에서, 가스 배리어층 (3) 을 양면 점착 필름 (5) 에 의해 유리판 (30) 에 접착한 것을 측정용 샘플로서 준비하였다. 광학용 적층체에 대해서는, 보호 필름 (β) 를 첩부하기 전의 수지층을 양면 점착 필름에 의해 유리판에 접착한 것을 측정용 샘플로서 준비하였다. 그리고, 이들 측정용 샘플로부터 박리 시트 (α) 를 박리하여 박리력 A1 을 측정하였다.
또, 점착력 A2 의 측정에 있어서는, 가스 배리어성 적층체에 대해서는, 실시예 및 비교예의 가스 배리어 필름 대신에, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 기재 (40) 상에, 실시예 및 비교예와 동일한 순서로 가스 배리어층 (3) 을 형성하고, 그 가스 배리어층 상에 보호 필름 (β) 를 첩부하여, 상기 시험 환경에 24 시간 보관하였다. 그 후, PET 필름 기재 (40) 의 가스 배리어층 (3) 이 형성되어 있는 것과는 역측의 면을 양면 점착 필름 (5) 에 의해 유리판 (30) 에 고정시킨 것을 측정용 샘플로서 준비하였다. 광학용 적층체에 대해서는, 보호 필름 (β) 를 첩부하기 전의 수지층을 양면 점착 필름에 의해 유리판에 접착한 것을 측정용 샘플로서 준비하였다. 그리고, 이들 측정용 샘플로부터 보호 필름 (β) 를 박리함으로써 점착력 A2 를 측정하였다. 측정값의 산출은, JIS Z0237 : 2000 에 준거하여, 2 회 측정의 평균값을 각 박리력, 점착력으로 하였다.
또한, 실시예 및 비교예에서 얻은 최종적인 가스 배리어성 적층체 및 광학용 적층체에 대해, 박리력 A1 을 측정하는 경우에는 보호 필름 (β) 를 제거하고, 점착력 A2 를 측정하는 경우에는 박리 시트 (α) 를 제거한 후, 박리하는 박리 시트 (α) 또는 보호 필름 (β) 와 역측의 면을 유리판 (30) 에 고정시켜 측정해도, 상기 순서로 측정한 박리력 A1, 점착력 A2 와 동일한 값이 된다.
[외관 평가]
실시예 및 비교예에서 제조한 가스 배리어성 적층체의 박리 시트 (1) 의 노출된 표면을, 양면 점착 필름 (5) 에 의해 유리판 (30) 에 고정시켜, 평가용 샘플로 하였다. 그리고, 보호 필름 (4) 을, 박리 속도 0.3 m/min 또는 20 m/min 의 조건에서 박리하였을 때의 나머지 적층체의 외관을 육안으로 관찰하였다. 외관에 이상이 없고 수지층에 들뜸이나 박리도 발생하고 있지 않은 경우에는「G」, 수지층에 들뜸 및 박리 중 적어도 일방이 발생한 경우에는「F」로 평가하였다. 실시예에서 제조한 광학용 적층체에 대해서도 상기 순서와 동일하게 하여 외관 평가를 실시하였다.
＜실시예 1＞
(1) 수지층의 제조
중합체 성분으로서, 폴리이미드 수지 (PI) 의 펠릿 (카와무라 산업 주식회사 제조, KPI-MX300F, Tg ＝ 354 ℃, 중량 평균 분자량 28만) 100 질량부를, 메틸에틸케톤을 함유하는 용매에 용해시켜, PI 의 15 질량％ 용액을 조제하였다. 이어서, 이 용액에, 경화성 화합물로서 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트 (신나카무라 화학 공업 주식회사 제조, A-DCP) 122 질량부, 및 중합 개시제로서 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 (BASF 사 제조, Omnirad TPO) 5 질량부를 첨가, 혼합하여, 경화성 조성물 1 을 조제하였다. 또한, 본 실시예 및 다른 실험예에 있어서 사용한 경화성 화합물 및 중합 개시제는 용매를 포함하지 않고, 모두 고형분 100 ％ 의 원료이다.
다음으로, 박리 시트 (α) 로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름 (토요보 주식회사 제조, 코스모샤인 PET100A4100, 두께 100 ㎛) 을 준비하고, 접착 용이층면과는 반대의 면에 경화성 수지 조성물을 핸드 코트로 도포하고, 얻어진 도막을 100 ℃ 에서 3 분간 가열함으로써 도막을 건조시켰다.
또한, 이 건조된 도막 상에, 상기와 동일한 편면에 접착 용이층을 갖는 PET 필름 (토요보 주식회사 제조, 코스모샤인 PET50A4100, 두께 50 ㎛) 을, 접착 용이면과는 반대의 면이 대향하도록 적층하고, 벨트 컨베이어식 자외선 조사 장치 (아이그래픽스 주식회사 제조, 제품명 : ECS-401GX) 를 사용하여, 고압 수은 램프 (아이그래픽스 주식회사 제조, 제품명 : H04-L41) 로, 자외선 램프 높이 100 ㎜, 자외선 램프 출력 3 kw, 광선 파장 365 ㎚ 의 조도가 150 ㎽/㎠, 광량이 400 mJ/㎠ (주식회사 오크 제작소 제조, 자외선 광량계 UV-351 로 측정) 가 되는 조건에서 경화 반응을 실시하여, 두께 5 ㎛ 의 수지층을 형성하였다.
(2) 가스 배리어층의 적층
이어서, 나중에 도막에 적층된 PET 필름을 박리하여 수지층을 노출시키고, 수지층 상에 폴리실라잔 화합물 (퍼하이드로폴리실라잔 (PHPS)) 을 주성분으로 하는 코팅제 (머크 퍼포먼스 머티리얼즈 주식회사 제조, 아쿠아미카 NL-110-20, 용매 : 자일렌) 를 스핀 코트법에 의해 도포하고, 100 ℃ 에서 2 분간 가열 건조시킴으로써, 퍼하이드로폴리실라잔을 포함하는, 두께 200 ㎚ 의 고분자 화합물층 (폴리실라잔층) 을 형성하였다.
다음으로, 플라즈마 이온 주입 장치 (니혼 전자 주식회사 제조, RF 전원 :「RF」56000 ; 주식회사 쿠리타 제작소 제조, 고전압 펄스 전원 : PV-3-HSHV-0835) 를 사용하여, 가스 유량 100 sccm, Duty 비 0.5 ％, 인가 DC 전압 -6 ㎸, 주파수 1000 ㎐, 인가 RF 전력 1000 W, 챔버 내압 0.2 ㎩, DC 펄스폭 5 μsec, 처리 시간 200 초의 조건에서, 아르곤 가스 유래의 이온을 고분자 화합물층 (폴리실라잔층) 의 표면에 주입하여, 가스 배리어층을 형성하였다. 이와 같이, 수지층 상에 가스 배리어층을 적층함으로써, 박리 시트 (α) 상에 가스 배리어 필름을 제조하였다. 동일한 처리를 반복하여, 가스 배리어층 2 층의 박리 시트가 형성된 가스 배리어 필름을 얻었다.
(3) 보호 필름의 첩합
얻어진 가스 배리어 필름의 가스 배리어층측에, 보호 필름 (β-1) 로서 폴리올레핀계 보호 필름 (주식회사 선에이 화연 제조, 서니텍트 PAC-3-50THK, (저밀도 폴리에틸렌 기재, 올레핀계 점착제, 두께 50 ㎛)) 을 첩부함으로써, 가스 배리어성 적층체를 얻었다.
＜실시예 2＞
실시예 1 에 있어서, 보호 필름 (β-1) 대신에, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 (EVA) 계 보호 필름 (주식회사 선에이 화연 제조, 서니텍트 PAC-2-70 (저밀도 폴리에틸렌 기재, EVA 계 점착제, 두께 70 ㎛)) 을 보호 필름 (β-2) 로서 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 가스 배리어성 적층체를 얻었다.
＜비교예 1＞
아크릴레이트계 수지 (사이덴 화학 주식회사 제조, 사이비놀 LT-57) 100 질량부, 및 이소시아네이트계 가교제 (사이덴 화학 주식회사 제조, 코우카자이 K-315) 4 질량부를 혼합하여, 점착제 조성물 (1) 을 얻었다. 폴리에스테르계 필름 (닛신 화성 주식회사 제조, PET38-600E) 상에, 점착제 조성물 (1) 을 사용해서, 두께가 5 ㎛ 인 점착제층을 형성하여, 보호 필름 (β-3) 을 제조하였다. 그리고, 보호 필름 (β-1) 대신에 보호 필름 (β-3) 을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 가스 배리어성 적층체를 제조하였다.
＜비교예 2＞
아크릴레이트계 수지 (사이덴 화학 주식회사 제조, 사이비놀 LT-55) 100 질량부, 이소시아네이트계 가교제 (사이덴 화학 주식회사 제조, 코우카자이 K-200) 1.6 질량부, 및 이소시아네이트계 가교제 (사이덴 화학 주식회사 제조, 코우카자이 M-2) 2 질량부를 혼합하여, 점착제 조성물 (2) 를 얻었다. 폴리에스테르계 필름 (닛신 화성 주식회사 제조, PET38-T100G) 상에, 점착제 조성물 (2) 를 사용해서, 두께가 5 ㎛ 인 점착제층을 형성하여, 보호 필름 (β-4) 를 제조하였다. 그리고, 보호 필름 (β-1) 대신에 보호 필름 (β-4) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 가스 배리어성 적층체를 제조하였다.
＜실시예 3＞
실시예 1 에 있어서, 가스 배리어층의 적층을 실시하지 않고, 수지층에 직접 보호 필름을 첩부한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 순서로 광학용 적층체를 얻었다.
＜실시예 4＞
실시예 2 에 있어서, 가스 배리어층의 적층을 실시하지 않고, 수지층에 직접 보호 필름을 첩부한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 순서로 광학용 적층체를 얻었다.
각 실시예 및 비교예의 가스 배리어성 적층체 및 광학용 적층체의 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00004
표 1 의 결과로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1, 2 의 가스 배리어성 적층체 및 실시예 3, 4 의 광학용 적층체는, 모두 박리 시트 (α) 를 저속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 과, 보호 필름 (β) 를 저속 박리 조건에서 상기 가스 배리어층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 가, A1 ＞ A2 의 관계에 있고, 보호 필름 (β) 를 박리해도 양호한 외관을 나타내고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1, 2 의 가스 배리어성 적층체 및 실시예 3, 4 의 광학용 적층체는, 고속 박리 조건 박리 시트 (α) 를 저속 박리 조건에서 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 B1 과, 보호 필름 (β) 를 저속 박리 조건에서 상기 가스 배리어층으로부터 박리할 때의 점착력 B2 가, B2 ＞ B1 의 관계에 있지만, 실시예 1, 2 의 가스 배리어성 적층체 및 실시예 3, 4 의 광학용 적층체는, A1 ＞ A2 의 관계를 만족하고 있음으로써 박리 기점을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 고속 박리 조건에서도 보호 필름 (β) 의 박리를 실시할 수 있는 것을 알 수 있다.
이에 대하여, 비교예 1, 2 의 가스 배리어성 적층체는, 박리 시트 (α) 와 보호 필름 (β) 가 A1 ＜ A2 의 관계에 있기 때문에, 저속 박리 조건에 있어서 박리 기점을 용이하게 형성할 수 없고, 결과적으로, 보호 필름 (β) 를 박리하면, 박리 시트 (α) 상에 형성되어 있는 수지층에 들뜸이나 박리가 발생하는 것을 이해할 수 있다.
본 발명의 광학용 적층체에 의하면, 수지층과 박리 시트 (α) 의 계면에 들뜸이나 박리를 발생시키지 않고, 보호 필름 (β) 와 수지층 또는 다른 층 사이에 적절하게 박리 기점을 형성할 수 있는 점에서, 박리 속도가 저속에서 고속까지의 폭넓은 박리 조건에 있어서, 양호하게 박리를 실시할 수 있다. 이 때문에, 유기 EL 소자나 열전 변환 소자 등의 각종 전자 디바이스를 구성하는 소자용의 부재에 대하여, 다양한 제조 조건에 대응할 수 있는 광학용 적층체로 할 수 있다.
1 : 박리 시트 (α)
2 : 수지층
2a : 경화성 수지층
3 : 가스 배리어층 (다른 층)
3a : 경화 전의 가스 배리어층
4 : 보호 필름 (β)
5 : 접착제층
10, 10A, 10B : 가스 배리어성 적층체 (광학용 적층체)
10A1, 10B1 : 롤상 부분
10A2, 10B2 : 인출 부분
10a : 가스 배리어 필름
11 : 심재
20 : 피착체
30 : 유리판
40 : PET 필름 기재

Claims (9)

  1. 박리 시트 (α), 일방의 최표면에 위치하는 수지층을 포함하는 광학용 필름, 및 보호 필름 (β) 를 포함하고, 상기 수지층에 박리 시트 (α) 가 직접 적층되고, 상기 수지층에 광학용 필름의 타방의 최표면측으로부터 보호 필름 (β) 가 직접 또는 다른 층을 개재하여 적층되고,
    상기 수지층은, 경화성 화합물을 포함하는 경화성 조성물의 경화물이고,
    박리 시트 (α) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층으로부터 박리할 때의 박리력 A1 과, 보호 필름 (β) 를 0.3 m/min 의 저속 박리 조건에서 상기 수지층 또는 상기 다른 층으로부터 박리할 때의 점착력 A2 가, A1 ＞ A2 의 관계에 있는, 광학용 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박리력 A1 이, 500 mN/50 ㎜ 이하인, 광학용 적층체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    보호 필름 (β) 는 점착제층을 갖고 있고, 그 점착제층에 의해 상기 수지층 또는 상기 다른 층에 대하여 박리 가능하게 부착되어 있는, 광학용 적층체.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 점착제층이, 폴리올레핀계 중합체 및 폴리올레핀계 공중합체 중 적어도 일방을 포함하는, 광학용 적층체.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지층은, 중합체 성분 (A) 및 경화성 단량체 (B) 를 함유하는 경화성 수지 조성물의 경화물인 광학용 적층체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    중합체 성분 (A) 는, 유리 전이 온도 (Tg) 가 250 ℃ 이상인 광학용 적층체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학용 필름이, 상기 다른 층으로서, 상기 수지층이 위치하는 최표면과는 역측의 최표면에 위치하는 기능층을 포함하고, 상기 기능층이 무기막 또는 고분자 화합물을 포함하는 층에 개질 처리를 실시하여 얻어지는 층이고, 상기 기능층에 보호 필름 (β) 가 직접 적층되어 있는, 광학용 적층체.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학용 필름이, 상기 다른 층으로서, 상기 수지층이 위치하는 최표면과는 역측의 최표면에 위치하는 가스 배리어층을 포함하고, 상기 가스 배리어층에 보호 필름 (β) 가 직접 적층되는, 광학용 적층체.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학용 필름이, 상기 다른 층으로서, 상기 수지층이 위치하는 최표면과는 역측의 최표면에 위치하는 도전층을 포함하고, 상기 도전층에 보호 필름 (β) 가 직접 적층되는, 광학용 적층체.
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