KR20220111681A - 리프트 핀, 반도체 제조 장치 및 리프트 핀 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
[과제] 강도를 확보하고, 또한, 기판에 영향을 미치지 않는 리프트 핀, 반도체 제조 장치 및 리프트 핀 제조 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 반도체 제조 장치에 있어서 기판 W의 반송 시에 당해 기판을 들어 올리는 승강 기구에 설치되어, 기판 W를 지지하는 리프트 핀(10)이며, 기판 W를 들어 올릴 때 당해 기판과 맞닿는 제1 부재(11)와, 승강 기구와 접속되는 제2 부재(12)로 구성되고, 제1 부재(11)는 기판 W보다도 경도가 낮고, 제2 부재(12)는 제1 부재(11)보다도 강도가 높은 것을 특징으로 한다.
[해결 수단] 반도체 제조 장치에 있어서 기판 W의 반송 시에 당해 기판을 들어 올리는 승강 기구에 설치되어, 기판 W를 지지하는 리프트 핀(10)이며, 기판 W를 들어 올릴 때 당해 기판과 맞닿는 제1 부재(11)와, 승강 기구와 접속되는 제2 부재(12)로 구성되고, 제1 부재(11)는 기판 W보다도 경도가 낮고, 제2 부재(12)는 제1 부재(11)보다도 강도가 높은 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 기판을 지지하는 리프트 핀, 이 리프트 핀을 구비하는 반도체 제조 장치 및 이 리프트 핀의 제조 방법에 관한 것이다.
스테이지 상에 적재된 기판 상에 반도체 재료를 결정 성장시켜 성막하여, 반도체 디바이스를 제조하는 장치(이하, 단순히 「반도체 제조 장치」로서 참조함)가 개발되어 있다. 반도체 디바이스를 제조하는 프로세스에 있어서 반도체 제조 장치는, 고온, 고진공과 같은 환경 하에서 반응성 가스를 사용하는 등, 특수한 조건이 요구된다. 따라서, 반도체 디바이스의 수율을 향상시키기 위해, 반도체 제조 장치의 내부는, 높은 청정도가 요구된다.
그런데, 반도체 제조 장치에 있어서, 홀더 상의 기판을 반송하는 경우에는, 기판을 홀더로부터 들어 올려, 암을 사용하는 것이 일반적이다. 이때, 승강 기구와 연결된 지지체(이하, 「리프트 핀」으로서 참조함)에 의해, 기판의 이면의 적어도 3점을 지지하고, 리프트 핀을 상승시킴으로써, 기판을 들어 올릴 수 있다.
리프트 핀은 기판 이면을 지지한다는 점에서, 기판에 손상을 입히지 않도록 하기 위해, 유연한 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이 점에 대하여, 일본 특허 공개 제2016-225444호 공보(특허문헌 1)에서는, 리프트 핀의 적어도 그 표층 영역이, 기판을 적재하는 서셉터보다도 강도가 낮은 재료로 구성된 리프트 핀을 개시하고 있다.
그러나, 반도체 제조 장치의 내부 환경은, 상술한 바와 같이 특수한 것이고, 리프트 핀의 수명에 영향을 미칠 수 있다. 게다가, 리프트 핀은, 기판의 이면 중 리프트 핀과 접촉하는 부분을 오염시키지 않는 재료를 선택할 것이 요구된다. 이러한 리프트 핀의 내구 성능이나 기판의 오염 등에 대해서는, 특허문헌 1에서는 고려되어 있지 않아, 리프트 핀의 구성에 관하여, 가일층의 기술 개발이 요구되고 있었다.
본 발명은 상기 종래 기술에서의 과제에 비추어 이루어진 것으로, 강도를 확보하고, 또한, 기판에 영향을 미치지 않는 리프트 핀, 반도체 제조 장치 및 리프트 핀 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명에 따르면,
반도체 제조 장치에 있어서 기판의 반송 시에 상기 기판을 들어 올리는 승강 기구에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 리프트 핀이며,
상기 기판을 들어 올릴 때 당해 기판과 맞닿는 제1 부재와, 상기 승강 기구와 접속되는 제2 부재로 구성되고,
상기 제1 부재는 상기 기판보다도 경도가 낮고,
상기 제2 부재는 상기 제1 부재보다도 강도가 높은 것을 특징으로 하는,
리프트 핀이 제공된다.
본 발명에 따르면, 강도를 확보하고, 또한, 기판에 영향을 미치지 않는 리프트 핀, 반도체 제조 장치 및 리프트 핀 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 반도체 제조 장치의 내부 공간의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 본 실시 형태의 반도체 제조 장치에 있어서 기판을 반송할 때의 리프트 핀의 동작예를 도시하는 도면.
도 3은 본 실시 형태의 반도체 제조 장치에 있어서 기판을 반송할 때의 리프트 핀의 동작예를 도시하는 도면.
도 4는 본 실시 형태의 리프트 핀의 구조의 예를 도시하는 단면도.
도 5는 본 실시 형태의 리프트 핀을 제조하는 제1 제조 방법을 도시하는 도면.
도 6은 본 실시 형태의 리프트 핀을 제조하는 제2 제조 방법을 도시하는 도면.
도 2는 본 실시 형태의 반도체 제조 장치에 있어서 기판을 반송할 때의 리프트 핀의 동작예를 도시하는 도면.
도 3은 본 실시 형태의 반도체 제조 장치에 있어서 기판을 반송할 때의 리프트 핀의 동작예를 도시하는 도면.
도 4는 본 실시 형태의 리프트 핀의 구조의 예를 도시하는 단면도.
도 5는 본 실시 형태의 리프트 핀을 제조하는 제1 제조 방법을 도시하는 도면.
도 6은 본 실시 형태의 리프트 핀을 제조하는 제2 제조 방법을 도시하는 도면.
이하, 본 발명을, 실시 형태에 의해 설명하지만, 본 발명은 후술하는 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 참조하는 각 도면에서는, 공통되는 요소에 대하여 동일 부호를 사용하고, 적절히 그 설명을 생략하는 것으로 한다.
또한, 이하에 설명하는 실시 형태에서는, 반도체 제조 장치(1)는 기판 W와 가스상의 전구체 재료를 반응시켜서, 기판 W의 표면에 반도체 재료를 결정 성장시키는, CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 채용한 장치를 예로 설명하지만, 특별히 실시 형태를 한정하는 것은 아니다. 따라서, 스퍼터링법, ALD(Atomic Layer Deposition)법이나 MBE(Molecular Beam Epitaxy)법 등, 다양한 결정 성장을 행하는 반도체 제조 장치(1)에 대하여, 본 실시 형태를 적용할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태의 반도체 제조 장치(1)의 내부 공간의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 본 실시 형태의 반도체 제조 장치(1)는 내부의 공간의 소정의 위치에 있어서, 기판 W와 전구체 재료를 반응시켜서, 기판 W의 표면에 반도체 재료를 결정 성장시킨다. 그 때문에, 기판 W는 반도체 제조 장치(1) 내를 수시 반송되어, 홀더 등에 적재된다.
기판 W의 반송은 리프트 핀(10)에 의해 홀더로부터 들어 올려져, 후술하는 암 등에 의해 행해질 수 있다. 리프트 핀(10)은 기판 W를 이면측으로부터 지지하고, 승강 기구에 의해 상하 방향으로 이동하는 부품이다. 본 실시 형태의 반도체 제조 장치(1)는 기판 W를 안정적으로 지지하기 위해, 도 1에 도시하는 바와 같이, 적어도 3개의 리프트 핀(10a, 10b, 10c)을 구비한다.
다음으로, 기판 W의 반송에 대하여, 도 2 및 도 3에 의해 설명한다. 도 2 및 도 3은 본 실시 형태의 반도체 제조 장치(1)에 있어서 기판 W를 반송할 때의 리프트 핀(10)의 동작예를 도시하는 도면이다. 또한, 이하에 설명하는 실시 형태에서는, 리프트 핀(10)의 수가 3개인 반도체 제조 장치(1)를 예시하고 있지만, 특별히 실시 형태를 한정하는 것은 아니다.
먼저, 도 2에 대하여 설명한다. 도 2는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 동작예의 측면도이며, 도 2의 (a)는 기판 W가 홀더(20)에 적재된 상태를 도시하고, 도 2의 (b)는 기판 W가 홀더(20)로부터 들어 올려진 상태를 도시하고 있다.
도 2의 (a)에 도시하는 바와 같이, 홀더(20)는 리프트 핀(10a 내지 10c)이 빠져나가는 구멍이 마련되어 있고, 승강 기구에 의해 리프트 핀(10a 내지 10c)은 도면 중의 화살표 방향으로 이동한다. 리프트 핀(10a 내지 10c)이 상승하면, 각 리프트 핀(10)은 홀더(20)에 적재된 기판 W에 맞닿고, 더 상승함으로써, 기판 W가 홀더(20)로부터 들어 올려진다. 따라서, 기판 W는 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같은 상태로 되고, 그 후, 암 등에 의해 반송된다. 또한, 홀더(20)는 기판 W의 결정 성장 프로세스에 있어서 가열되는 경우가 있고, 열의 균일성의 관점에서, 리프트 핀(10)이 통과하는 구멍은 작은 편이 바람직하다. 그 때문에, 리프트 핀(10)의 형상도, 일반적으로 가느다란 것이 된다.
다음으로, 도 3에 대하여 설명한다. 도 3은 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 동작예의 사시도이며, 도 3의 (a)는 기판 W가 홀더(20)에 적재된 상태를 도시하고, 도 3의 (b)는 기판 W가 홀더(20)로부터 들어 올려진 상태를 도시하고 있다. 즉, 도 3의 (a)는 도 2의 (a)에 대응하고, 도 3의 (b)는 도 2의 (b)에 대응하고 있다. 또한, 도 3에서는, 도면을 보기 쉽게 하는 관점에서, 도 2에서의 홀더(20)가 생략되어 있는 점에 유의하기 바란다.
도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 리프트 핀(10a 내지 10c)이 도 3의 (a) 중의 화살표의 방향으로 상승함으로써, 기판 W에 맞닿아, 기판 W가 들어 올려진다. 이때, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이 기판 W는 암(30)에 지지되는 높이까지 들어 올려진다. 그 후, 암(30)은 도 3의 (b) 중의 화살표의 방향으로 이동하여, 기판 W의 하방에 삽입된다. 암(30)이 기판 W의 하방에 삽입된 후에, 리프트 핀(10a 내지 10c)이 하강하면, 기판 W가 암(30) 상에 적재되고, 암(30)이 이동함으로써, 기판 W가 반송된다.
그런데, 기판 W을 들어 올릴 때의 리프트 핀(10)과의 접촉에 의해 기판 W에 손상이 생기면, 반도체 디바이스의 수율이 저하된다. 따라서, 리프트 핀(10)의 선단 부분은 기판 W보다도 유연한 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 한편, 리프트 핀(10)은 가늘고 긴 형상을 하고 있다는 점에서, 반복되는 반송 프로세스에 견딜 수 있는 강도를 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 반도체 제조 장치(1)의 내부 공간의 청정성을 유지하기 위해, 리프트 핀(10)의 재료는, 고온, 고진공에 견디고, 또한, 전구체 재료에 대하여 내부식성을 갖고 있을 것이 요구된다. 그 때문에, 리프트 핀(10)은 이하에 설명하는 바와 같은 실시 형태의 구조로 하는 것이 바람직하다.
도 4는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 구조의 예를 도시하는 단면도이다. 본 실시 형태의 리프트 핀(10)은, 도 4의 (a) 내지 (f)에 도시하는 바와 같은 다양한 구조를 채용할 수 있다. 본 실시 형태의 리프트 핀(10)은 리프트 핀(10)의 선단 부분을 구성하는 제1 부재(11)와, 리프트 핀(10)의 하방의 승강 기구와 접속되는 제2 부재(12)로 구성된다. 리프트 핀(10)은 제2 부재(12)와 접속되는 승강 기구가 구동함으로써 수직 방향으로 이동할 수 있고, 제1 부재(11)는 기판 W을 들어 올릴 때, 기판 W의 이면과 맞닿는다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 각 구조예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)와 제2 부재(12)에서, 상이한 재료를 사용한다. 특히, 선단 부분을 구성하는 제1 부재(11)는 기판 W보다도 경도가 낮은 재료를 사용함으로써 반송 프로세스에 있어서 기판 W를 손상시키지 않고, 기판 W를 들어 올릴 수 있다. 일반적인 반도체 제조 프로세스에서는, 예를 들어 Si(실리콘) 기판, Ge(게르마늄) 기판, SiC(실리콘 카바이드) 기판, 사파이어 기판, GaN(질화갈륨) 기판, GaP(인화갈륨) 기판, GaAs(비소화갈륨) 기판, InP(인화인듐) 기판 등의 각종 재료의 기판이 사용된다. 따라서, 본 실시 형태에서의 제1 부재(11)의 재료는, 이들 기판 재료보다도 경도가 낮은 것을 선택할 수 있다. 제1 부재(11)의 재료에는, 예를 들어 폴리이미드 수지, 테플론(등록상표), 고무, 카본 그래파이트 등을 사용할 수 있지만, 특별히 실시 형태를 한정하는 것은 아니다.
한편, 리프트 핀(10)의 전체를 제1 부재(11)와 같이 유연한 재료로 구성하면, 반송 프로세스에서의 리프트 핀(10)의 강도가 충분히 확보되기 어려워진다. 그래서, 제2 부재(12)는 제1 부재(11)보다도 강도가 높은 재료를 사용함으로써 반복되는 반송 프로세스에 견딜 수 있다. 여기서, 본 실시 형태의 설명에 있어서 사용되는 「강도가 높은 재료」란, 리프트 핀(10)으로서의 충분한 강도를 확보할 수 있는 것, 즉 기판 W의 승강이나 반송에 견딜 수 있는 강도인 것, 또한, 결정 성장 프로세스에서의 가열에 견딜 수 있는 것을 의미한다. 제2 부재(12)의 재료에는, 예를 들어 텅스텐, 지르코니아, 각종 세라믹스 재료, 각종 금속 재료 등을 사용할 수 있지만, 특별히 실시 형태를 한정하는 것은 아니다.
이하에서는, 도 4의 (a) 내지 (f)에 도시하는 리프트 핀(10)의 각 구조의 상세에 대하여 설명한다.
먼저, 도 4의 (a)에 대하여 설명한다. 도 4의 (a)는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 구조의 제1 예를 도시하고 있다. 제1 예의 리프트 핀(10)은, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 부재(11)의 하부에 제2 부재(12)가 배치된 구조이다. 제1 예에 있어서, 제1 부재(11)와 제2 부재(12)는 접착제 등에 의해 고정할 수 있다. 제1 예의 리프트 핀은, 제1 부재(11)를 유연한 재료로 구성하고, 제2 부재(12)를 강도가 높은 재료로 구성하고 있다는 점에서, 기판 W에 대한 손상을 억제하면서, 리프트 핀(10)의 강도를 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 4의 (b)에 대하여 설명한다. 도 4의 (b)는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 구조의 제2 예를 도시하고 있다. 제2 예의 리프트 핀(10)은, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제2 부재(12)의 적어도 선단 부분이 제1 부재(11)로 덮인 구조이다. 즉, 제2 예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)의 오목부에 제2 부재(12)가 끼워 맞추어진 구조이다. 도 4의 (b)에 도시한 구조로 함으로써, 제2 예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)에 제2 부재(12)가 끼워 넣어지고, 또한, 각 부재가 접촉하는 면적을 크게 할 수 있기 때문에, 제1 예의 리프트 핀(10)보다도 강도를 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 4의 (c)에 대하여 설명한다. 도 4의 (c)는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 구조의 제3 예를 도시하고 있다. 제3 예의 리프트 핀(10)은, 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이, 원통 형상의 제2 부재(12)의 중공 부분에, 제1 부재(11)가 끼워 맞추어진 구조이다. 도 4의 (c)에 도시한 구조로 함으로써, 제3 예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)가 제2 부재(12)에 끼워 넣어지고, 또한, 각 부재가 접촉하는 면적을 크게 할 수 있기 때문에, 제1 예의 리프트 핀(10)보다도 강도를 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 4의 (d)에 대하여 설명한다. 도 4의 (d)는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 구조의 제4 예를 도시하고 있다. 제4 예의 리프트 핀(10)은, 도 4의 (d)에 도시하는 바와 같이, 제1 부재(11)가 오목 부분을 갖고 있고, 제2 부재(12)의 일부가 제1 부재(11)의 오목 부분에 끼워 맞추어진 구조이다. 또한, 제4 예의 리프트 핀(10)도, 도 4의 (c)에 도시한 제3 예의 리프트 핀(10)과 마찬가지로, 제2 부재(12)가 중공 부분을 갖는 형상으로 할 수 있다. 즉, 제4 예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)와 제2 부재(12)가 서로 끼워 맞추어져 있는 구조가 된다. 도 4의 (d)에 도시한 구조로 함으로써, 제4 예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)와 제2 부재(12)를 서로 끼워 넣어 고정할 수 있으며, 또한, 각 부재가 접촉하는 면적을 크게 할 수 있기 때문에, 제3 예의 리프트 핀(10)보다도 강도를 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 4의 (e)에 대하여 설명한다. 도 4의 (e)는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 구조의 제5 예를 도시하고 있다. 제5 예의 리프트 핀(10)은, 도 4의 (e)에 도시하는 바와 같이, 도 4의 (b)에 도시한 리프트 핀(10)의 구조에 있어서, 제1 부재(11)와 제2 부재(12)가 길이 방향에 있어서 접촉하는 면에 요철 형상을 가진 구조이다. 도 4의 (e)에 도시한 구조로 함으로써, 제5 예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)와 제2 부재(12)를 마찰에 의해 고정할 수 있기 때문에, 제2 예의 리프트 핀(10)보다도 강도를 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 4의 (f)에 대하여 설명한다. 도 4의 (f)는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)의 구조의 제6 예를 도시하고 있다. 제6 예의 리프트 핀(10)은, 도 4의 (f)에 도시하는 바와 같이, 도 4의 (c)에 도시한 리프트 핀(10)의 구조에 있어서, 제1 부재(11)와 제2 부재(12)가 길이 방향에 있어서 접촉하는 면에 요철 형상을 가진 구조이다. 도 4의 (f)에 도시한 구조로 함으로써, 제6 예의 리프트 핀(10)은 제1 부재(11)와 제2 부재(12)를 마찰에 의해 고정할 수 있기 때문에, 제3 예의 리프트 핀(10)보다도 강도를 향상시킬 수 있다.
도 4에 설명한 구조로 함으로써, 본 실시 형태의 리프트 핀(10)은 기판 W를 손상시키지 않고, 또한, 반송 프로세스의 반복에 견디는 강도를 가질 수 있다. 또한, 도 4의 (b) 내지 (f)의 리프트 핀(10)에 있어서도, 제1 부재(11)와 제2 부재(12)를 접착제 등으로 접착하여 고정할 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태의 리프트 핀(10)을 제조하는 각종 방법에 대하여, 도 5 및 도 6에 의해 설명한다. 또한, 본 실시 형태의 리프트 핀(10)은 도 5 및 도 6에 도시하는 이외의 방법에 의해서도 제조할 수 있고, 이하의 설명은, 특별히 실시 형태를 한정하는 것은 아니다.
도 5는 본 실시 형태의 리프트 핀(10)을 제조하는 제1 제조 방법을 도시하는 도면이다. 또한, 도 5에 도시하는 제1 제조 방법은, 특히 도 4의 (c)나 도 4의 (d)의 구조의 리프트 핀(10)을 제조하는 데에 적합하다.
제1 제조 방법에서는, 먼저 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제2 부재(12)를 원통 형상으로 가공하는 공정을 행한다. 또한, 제2 부재(12)는 가공된 것을 준비함으로써, 도 5의 (a)의 공정으로 해도 된다.
다음으로, 도 5의 (b)와 같이, 액상의 제1 부재(11)를 제2 부재(12)의 중공 부분에 주입하는 공정을 행한다. 그 후, 도 5의 (c)에서는, 주입된 제1 부재(11)를 경화시키는 공정을 행한다.
또한 그 후, 도 5의 (d)에 도시하는 바와 같이, 경화된 제1 부재(11)를 소정의 형상으로 형성하는 공정을 행한다. 이상의 도 5의 (a) 내지 (d)에 도시한 공정을 행함으로써, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같은 본 실시 형태의 리프트 핀(10)을 제조할 수 있다.
계속해서, 도 6에 대하여 설명한다. 도 6은 본 실시 형태의 리프트 핀(10)을 제조하는 제2 제조 방법을 도시하는 도면이다. 또한, 도 6에서는, 도 4의 (f)에 도시한 리프트 핀(10)을 제조하는 방법을 예로 설명하고 있지만 특별히 실시 형태를 한정하는 것은 아니고, 다른 구조의 리프트 핀(10)을 제조하는 경우에도 도 6의 제조 방법을 채용할 수 있다.
제2 제조 방법에서는, 먼저 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 부재(11)와 제2 부재(12)를 소정의 형상으로 가공하는 공정을 행한다. 도 6의 (a)의 예에서는, 제1 부재(11)를 볼록형 부분을 갖는 형상으로 가공하고, 제2 부재(12)를 오목형 부분을 갖는 형상으로 가공한다.
또한, 도 6의 (a)의 공정에서는, 제1 부재(11)의 볼록형 부분이나, 제2 부재(12)의 오목형 부분의 길이 방향의 면, 즉 쌍이 되는 부재와 접촉하는 면이 요철 형상이 되도록 가공해도 된다. 이렇게 하여, 볼록형 부분이나 오목형 부분의 측면을 요철 형상으로 가공함으로써, 도 4의 (f)에 도시한 바와 같은 리프트 핀(10)을 제조할 수 있다.
그 후, 제2 부재(12)의 오목형 부분에 제1 부재(11)를 끼워 맞추는 공정을 행함으로써, 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태의 리프트 핀(10)을 제조할 수 있다. 또한, 제2 제조 방법에서의 끼워 맞추는 공정에서는, 제1 부재(11)와 제2 부재(12)가 접촉하는 면에 접착제를 도포해도 되고, 이에 의해, 리프트 핀(10)의 강도를 더욱 향상시킬 수 있다.
이상, 설명한 본 발명의 실시 형태에 따르면, 강도를 확보하고, 또한, 기판에 영향을 미치지 않는 리프트 핀, 반도체 제조 장치 및 리프트 핀 제조 방법을 제공할 수 있다.
이상, 본 발명에 대하여 실시 형태에 의해 설명해 왔지만, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 당업자가 추고할 수 있는 실시 양태의 범위 내에 있어서, 본 발명의 작용·효과를 발휘하는 한, 본 발명의 범위에 포함되는 것이다.
1: 반도체 제조 장치
10: 리프트 핀
11: 제1 부재
12: 제2 부재
20: 홀더
30: 암
W: 기판
10: 리프트 핀
11: 제1 부재
12: 제2 부재
20: 홀더
30: 암
W: 기판
Claims (11)
- 반도체 제조 장치에 있어서 기판의 반송 시에 상기 기판을 들어 올리는 승강 기구에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 리프트 핀이며,
상기 기판을 들어 올릴 때 당해 기판과 맞닿는 선단 부분이 둥그스름한 모양을 갖는 제1 부재와, 상기 승강 기구와 접속되는 제2 부재로 구성되고,
상기 제1 부재는 상기 기판보다도 경도가 낮고, 또한, 당해 리프트 핀의 직경보다도 길이 방향의 치수가 크고,
상기 제2 부재는 상기 제1 부재보다도 강도가 높은 것을 특징으로 하는,
리프트 핀. - 제1항에 있어서,
상기 제2 부재의 선단 부분이 상기 제1 부재에 덮여 있는 것을 특징으로 하는, 리프트 핀. - 제1항에 있어서,
상기 제2 부재가 중공 형상이고, 상기 제1 부재의 일부는 상기 제2 부재의 중공 부분에 끼워 맞추어지는 것을 특징으로 하는, 리프트 핀. - 제3항에 있어서,
상기 제1 부재는 오목 부분을 갖고, 상기 제2 부재의 일부는 상기 오목 부분에 끼워 맞추어지는 것을 특징으로 하는, 리프트 핀. - 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 부재와 상기 제2 부재가 길이 방향으로 접촉하는 면에 요철을 갖는 것을 특징으로 하는, 리프트 핀. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 리프트 핀을 적어도 3개 구비하는, 반도체 제조 장치.
- 반도체 제조 장치에 있어서 기판의 반송 시에 상기 기판을 들어 올리는 승강 기구에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 리프트 핀의 제조 방법이며,
중공 형상의 부재에, 액상의 재료를 주입하는 공정과,
상기 재료를 경화시키는 공정과,
경화된 상기 재료를 선단 부분이 둥그스름한 모양을 갖고, 또한, 당해 리프트 핀의 직경보다도 길이 방향의 치수가 큰 형상으로 가공하는 공정
을 포함하는, 리프트 핀 제조 방법. - 반도체 제조 장치에 있어서 기판의 반송 시에 상기 기판을 들어 올리는 승강 기구에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 리프트 핀의 제조 방법이며,
상기 기판보다도 경도가 낮은 재료를, 볼록형 부분을 갖고, 상기 볼록형 부분의 반대측의 선단 부분이 둥그스름한 모양을 갖고, 또한, 당해 리프트 핀의 직경보다도 길이 방향의 치수가 큰 제1 부재로서 가공하는 제1 공정과,
상기 제1 부재보다도 강도가 높은 재료를, 오목형 부분을 갖는 제2 부재로서 가공하는 제2 공정과,
상기 제1 부재와 상기 제2 부재를 끼워 맞추는 공정
을 포함하는, 리프트 핀 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 제1 공정은, 상기 볼록형 부분의 길이 방향의 면을, 요철 형상으로 가공하고,
상기 제2 공정은, 상기 오목형 부분의 길이 방향의 면을, 요철 형상으로 가공하는,
리프트 핀 제조 방법. - 반도체 제조 장치에 있어서 기판의 반송 시에 상기 기판을 들어 올리는 승강 기구에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 리프트 핀의 제조 방법이며,
상기 기판보다도 경도가 낮은 재료를, 오목형 부분을 갖고, 상기 오목형 부분의 반대측의 선단 부분이 둥그스름한 모양을 갖고, 또한, 당해 리프트 핀의 직경보다도 길이 방향의 치수가 큰 제1 부재로서 가공하는 제1 공정과,
상기 제1 부재보다도 강도가 높은 재료를, 볼록형 부분을 갖는 제2 부재로서 가공하는 제2 공정과,
상기 제1 부재와 상기 제2 부재를 끼워 맞추는 공정
을 포함하는, 리프트 핀 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 제1 공정은, 상기 오목형 부분의 길이 방향의 면을, 요철 형상으로 가공하고,
상기 제2 공정은, 상기 볼록형 부분의 길이 방향의 면을, 요철 형상으로 가공하는,
리프트 핀 제조 방법.
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