CN115210859A - 升降销、半导体制造装置及升降销制造方法 - Google Patents

升降销、半导体制造装置及升降销制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115210859A
CN115210859A CN202180005646.7A CN202180005646A CN115210859A CN 115210859 A CN115210859 A CN 115210859A CN 202180005646 A CN202180005646 A CN 202180005646A CN 115210859 A CN115210859 A CN 115210859A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
pin
lift
lift pin
semiconductor manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180005646.7A
Other languages
English (en)
Inventor
松本宗之
福井宏和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tiangu Production Co ltd
Original Assignee
Tiangu Production Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tiangu Production Co ltd filed Critical Tiangu Production Co ltd
Publication of CN115210859A publication Critical patent/CN115210859A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供能够确保强度且不对基板造成影响的升降销、半导体制造装置及升降销制造方法。本发明是安装于半导体制造装置中在基板（W）的搬运时抬起该基板的升降机构来支承基板（W）的升降销（10），其特征在于，由基板（W）的抬起时与该基板抵接的第1部件（11）、与升降机构连接的第2部件（12）构成，第1部件（11）比基板（W）硬度低，第2部件（12）比第1部件（11）强度高。

Description

升降销、半导体制造装置及升降销制造方法
技术领域
本发明涉及支承基板的升降销、具备该升降销的半导体制造装置及该升降销的制造方法。
背景技术
已开发出在载置于平台上的基板上使半导体材料结晶成长来成膜从而制造半导体元件的装置(以下，简单地作为“半导体制造装置”参照)。制造半导体元件的工艺中半导体制造装置需要在高温、高真空的环境下使用反应性气体等的特殊的条件。因此，为了提高半导体元件的成品率，半导体制造装置的内部要求高清洁度。
但是，半导体制造装置中，搬运架上的基板的情况下，一般使用臂将基板从架抬起。此时，借助与升降机构连结的支承体(以下，作为“升降销”参照)，支承基板的背面的至少三点，使升降销上升，由此能够抬起基板。
升降销支承基板背面，所以为了不使基板损伤，优选地借助柔软的材料构成。关于这点，在日本特开2016-225444号公报(专利文献1)中，公开了升降销的至少其表层区域由强度比载置基板的基座低的材料构成的升降销。
然而，半导体制造装置的内部环境如上所述较特殊，会对升降销的寿命造成影响。并且，升降销需要选择不使基板的背面的与升降销接触的部分污染的材料。关于这样的升降销的耐久性能、基板的污染等，专利文献1中未考虑，关于升降销的结构，需要进一步的技术开发。
发明内容
本发明是鉴于上述现有技术中的问题而作出的，目的在于提供确保强度且不对基板造成影响的升降销、半导体制造装置及升降销制造方法。
即，根据本发明，提供一种升降销，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，由前述基板的抬起时与该基板抵接的第1部件、与前述升降机构连接的第2部件构成，前述第1部件比前述基板硬度低，前述第2部件比前述第1部件强度高。
发明效果
根据本发明，能够提供确保强度且不对基板造成影响的升降销、半导体制造装置及升降销制造方法。
附图说明
图1是表示本实施方式的半导体制造装置的内部空间的概略结构的图。
图2是表示在本实施方式的半导体制造装置中搬运基板时的升降销的动作例的图。
图3是表示在本实施方式的半导体制造装置中搬运基板时的升降销的动作例的图。
图4是表示本实施方式的升降销的构造的例子的剖视图。
图5是表示制造本实施方式的升降销的第1制造方法的图。
图6是表示制造本实施方式的升降销的第2制造方法的图。
具体实施方式
以下，根据实施方式说明本发明，但本发明不限于后述的实施方式。另外，以下参照的各图中，关于共通的要素使用相同的附图标记，适当省略其说明。
另外，以下说明的实施方式中，以半导体制造装置1为、使基板W和气态的前驱体材料反应而在基板W的表面使半导体材料结晶成长的、采用CVD(Chemical VaporDeposition)法的装置为例，但不特别地限定实施方式。因此，相对于进行溅射环法、ALD(Atomic Layer Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等进行各种结晶成长的半导体制造装置1能够应用本实施方式。
图1是表示本实施方式的半导体制造装置1的内部空间的概略结构的图。本实施方式的半导体制造装置1在内部的空间的既定的位置，使基板W和前驱体材料反应，在基板W的表面使半导体材料结晶成长。因此，基板W在半导体制造装置1内被随时搬运，被载置于架等。
基板W的搬运能够通过被升降销10从架抬起而借助后述的臂等进行。升降销10是从背面侧支承基板W而借助升降机构在上下方向上移动的零件。本实施方式的半导体制造装置1为了将基板W稳定地支承，如图1所示，至少具备3个升降销10a、10b、10c。
接着，根据图2及图3对基板W的搬运进行说明。图2及图3是表示在本实施方式的半导体制造装置1中搬运基板W时的升降销10的动作例的图。另外，以下说明的实施方式中，例示了升降销10的数量为3个的半导体制造装置1，但不特别地限定实施方式。
首先，对图2进行说明。图2是本实施方式的升降销10的动作例的侧视图，图2的(a)表示基板W载置于架20的状态，图2的(b)表示基板W被从架20抬起的状态。
如图2的(a)所示，架20设置有供升降销10a~10c穿过的孔，升降销10a~10c借助升降机构在图中的箭头的方向上移动。升降销10a~10c上升时，各升降销10与载置于架20的基板W抵接，进而上升，由此，基板W被从架20抬起。因此，基板W呈如图2的(b)所示那样的状态，之后，被臂等搬运。另外，有架20在基板W的结晶成长工艺中被加热的情况，从热的均匀性的观点出发，优选为升降销10穿过的孔较小。因此，升降销10的形状一般也较细。
接着，对图3进行说明。图3是本实施方式的升降销10的动作例的立体图，图3的(a)表示基板W载置于架20的状态，图3的(b)表示基板W被从架20抬起的状态。即，图3的(a)与图2的(a)对应，图3的(b)与图2的(b)对应。另外，请注意，图3中，从容易观察附图的观点出发，图2中的架20被省略。
如图3的(a)所示，升降销10a~10c沿图3的(a)中的箭头的方向上升，由此，与基板W抵接，基板W被抬起。此时，如图3的(b)所示，基板W被抬起至被臂30支承的高度。之后，臂30沿图3的(b)中的箭头的方向移动，被插入基板W的下方。臂30被插入基板W的下方后，若升降销10a~10c下降，则基板W被载置于臂30上，臂30移动，由此，基板W被搬运。
但是，若由于基板W的抬起时与升降销10的接触而基板W损伤，则半导体元件的成品率下降。因此，升降销10的末端部分优选地由比基板W柔软的材料构成。另一方面，升降销10为细长的形状，所以优选地具有能够耐受重复的搬运工艺的强度。此外，为了维持半导体制造装置1的内部空间的清洁性，升降销10的材料需要耐受高温、高真空，且相对于前驱体材料需要具有耐腐蚀性。因此，升降销10优选为以下说明那样的实施方式的构造。
图4是表示本实施方式的升降销10的构造的例子的剖视图。本实施方式的升降销10能够采用图4的(a)~(f)所示那样的各种构造。本实施方式的升降销10由构成升降销10的末端部分的第1部件11、与升降销10的下方的升降机构连接的第2部件12构成。升降销10能够通过与第2部件12连接的升降机构进行驱动而在垂直方向上移动，第1部件11在基板W的抬起时与基板W的背面抵接。
如图4所示，在本实施方式的各构造例的升降销10的第1部件11和第2部件12使用不同的材料。特别地，构成末端部分的第1部件11使用比基板W硬度低的材料，由此，能够在搬运工艺中不使基板W损伤的情况下抬起基板W。一般的半导体制造工艺中，例如使用Si(硅)基板、Ge(锗)基板、SiC(碳化硅)基板、蓝宝石基板、GaN(氮化镓)基板、GaP(磷化镓)基板、GaAs(砷化镓)基板、InP(磷化铟)基板等的各种材料的基板。因此，本实施方式中的第1部件11的材料能够选择比这些基板材料硬度低的材料。第1部件11的材料例如能够使用聚酰亚胺树脂、特氟龙(注册商标)、橡胶、石墨碳等，但不特别地限定实施方式。
另一方面，若将升降销10的整体以像第1部件11那样柔软的材料构成，则搬运工艺中的升降销10的强度难以被充分地确保。因此，第2部件12通过使用比第1部件11强度高的材料而能够耐受重复的搬运工艺。这里，本实施方式的说明中使用的“强度高的材料”意味着，能够确保作为升降销10的充分的强度、即能够耐受基板W的升降、搬运的强度、此外能够耐受结晶成长工艺中的加热。第2部件12的材料中，例如能够使用钨、氧化锆、各种陶瓷材料、各种金属材料等，但不特别地限定实施方式。
以下，对图4的(a)~(f)所示的升降销10的各构造的详细情况进行说明。
首先，对图4的(a)进行说明。图4的(a)表示本实施方式的升降销10的构造的第1例。第1例的升降销10如图4的(a)所示，是在第1部件11的下部配置有第2部件12的构造。第1例中，第1部件11和第2部件12能够借助粘接剂等固定。第1例的升降销将第1部件11用柔软的材料构成，将第2部件12用强度高的材料构成，所以，能够抑制对基板W的损伤且能够提高升降销10的强度。
接着，对图4的(b)进行说明。图4的(b)表示本实施方式的升降销10的构造的第2例。第2例的升降销10如图4(b)所示，是第2部件12的至少末端部分被第1部件11覆盖的构造。即，第2例的升降销10是第2部件12嵌合于第1部件11的凹部的构造。通过设为图4的(b)所示的构造，第2例的升降销10的第2部件12嵌入第1部件11且各部件接触的面积变大，所以与第1例的升降销10相比能够提高强度。
接着，对图4的(c)进行说明。图4的(c)表示本实施方式的升降销10的构造的第3例。第3例的升降销10如图4的(c)所示，是第1部件11嵌合于圆筒形状的第2部件12的中空部分的构造。通过设为图4的(c)所示的构造，第3例的升降销10的第1部件11嵌入第2部件12且各部件接触的面积变大，所以与第1例的升降销10相比能够提高强度。
接着，对图4的(d)进行说明。图4的(d)表示本实施方式的升降销10的构造的第4例。第4例的升降销10如图4的(d)所示，是第1部件11具有凹陷部分而第2部件12的一部分嵌合于第1部件11的凹陷部分的构造。另外，第4例的升降销10也与图4的(c)所示的第3例的升降销10同样地，能够设为第2部件12具有中空部分的形状。即，第4例的升降销10为第1部件11和第2部件12相互嵌合的构造。通过设为图4的(d)所示的构造，第4例的升降销10能够将第1部件11和第2部件12相互嵌入来固定，且能够使各部件接触的面积变大，所以与第3例的升降销10相比能够提高强度。
接着，对图4的(e)进行说明。图4的(e)表示本实施方式的升降销10的构造的第5例。第5例的升降销10如图4的(e)所示，为在图4的(b)所示的升降销10的构造中、在第1部件11和第2部件12在长边方向上接触的面具有凹凸形状的构造。通过设为图4的(e)所示的构造，第5例的升降销10能够将第1部件11和第2部件12通过摩擦来固定，所以与第2例的升降销10相比能够提高强度。
接着，对图4的(f)进行说明。图4的(f)表示本实施方式的升降销10的构造的第6例。第6例的升降销10如图4的(f)所示，为在图4的(c)所示的升降销10的构造中、在第1部件11和第2部件12在长边方向上接触的面具有凹凸形状的构造。通过设为图4的(f)所示的构造，第6例的升降销10能够将第1部件11和第2部件12通过摩擦固定，所以与第3例的升降销10相比能够提高强度。
通过设为图4中说明的构造，本实施方式的升降销10能够不损伤基板W且具有耐受搬运工艺的重复的强度。另外，图4的(b)~(f)的升降销10中，也能够将第1部件11和第2部件12借助粘接剂等粘接来固定。
接着，根据图5及图6，说明制造本实施方式的升降销10的各种方法。另外，本实施方式的升降销10也能够根据图5及图6所示的以外的方法制造，以下的说明不特别地限定实施方式。
图5是表示制造本实施方式的升降销10的第1造方法的图。另外，图5所示的第1制造方法特别适合制造图4的(c)、图4的(d)的构造的升降销10。
第1制造方法中，首先如图5的(a)所示，进行将第2部件12加工成圆筒形状的工序。另外，也可以将准备被加工成第2部件12的部件作为图5的(a)的工序。
接着，如图5的(b)所示，进行将液态的第1部件11注入第2部件12的中空部分的工序。之后，图5的(c)中，进行使被注入的第1部件11硬化的工序。
再之后，如图5的(d)所示，进行将已硬化的第1部件11形成为既定的形状的工序。通过进行以上的图5的(a)~(d)所示的工序，能够制造图4的(b)所示那样的本实施方式的升降销10。
接着，对图6进行说明。图6是表示制造本实施方式的升降销10的第2制造方法的图。另外，图6中以制造图4的(f)所示的升降销10的方法为例进行了说明，但不特别地限定实施方式，制造其他构造的升降销10的情况下也能够采用图6的制造方法。
第2制造方法中，首先如图6的(a)所示，进行将第1部件11、第2部件12加工成既定的形状的工序。图6的(a)的例子中，将第1部件11加工成具有凸型部分的形状，将第2部件12加工成具有凹型部分的形状。
此外，图6的(a)的工序中，也可以加工成第1部件11的凸型部分、第2部件12的凹型部分的长边方向的面、即与成对的部件接触的面为凹凸形状。这样，将凸型部分、凹型部分的侧面加工成凹凸形状，由此，能够制造图4的(f)所示那样的升降销10。
之后，通过进行使第1部件11嵌合于第2部件12的凹型部分的工序，能够制造图6的(b)所示那样的本实施方式的升降销10。另外，第2制造方法的使其嵌合的工序中，也可以在第1部件11和第2部件12接触的面涂覆粘接剂，由此，能够进一步提高升降销10的强度。
以上，根据已说明的本发明的实施方式，能够提供确保强度且不对基板造成影响的升降销、半导体制造装置及升降销制造方法。
以上，根据实施方式对本发明进行了说明，但本发明不限于上述实施方式，只要在本领域技术人员能够推测的实施方式的范围内能够实现本发明的作用・效果，就也被包含于本发明的范围。
附图标记说明
1…半导体制造装置、
10…升降销、
11…第1部件、
12…第2部件、
20…架、
30…臂、
W…基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-225444号公报。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.（修改后）一种升降销，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
由前述基板的抬起时与该基板抵接的末端部分具有圆度的第1部件、与前述升降机构连接的第2部件构成，
前述第1部件比前述基板硬度低，且与该升降销的直径相比长边方向的尺寸大，
前述第2部件比前述第1部件强度高。
2.如权利要求1所述的升降销，其特征在于，
前述第2部件的末端部分被前述第1部件覆盖。
3.如权利要求1所述的升降销，其特征在于，
前述第2部件为中空形状，前述第1部件的一部分嵌合于前述第2部件的中空部分。
4.如权利要求3所述的升降销，其特征在于，
前述第1部件具有凹陷部分，前述第2部件的一部分嵌合于前述凹陷部分。
5.如权利要求2至4中任一项所述的升降销，其特征在于，
在前述第1部件和前述第2部件在长边方向上接触的面具有凹凸。
6.一种半导体制造装置，其特征在于，
至少具备三个权利要求1至5中任一项所述的升降销。
7.（修改后）一种升降销制造方法，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
包括将液态的材料注入中空形状的部件的工序、
使前述材料硬化的工序、
将已硬化的前述材料加工成末端部分具有圆度且与该升降销的直径相比长边方向的尺寸大的形状的工序。
8.（修改后）一种升降销制造方法，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
包括将比前述基板硬度低的材料加工成第1部件的第1工序、
将比前述第1部件硬度高的材料加工成具有凹型部分的第2部件的第2工序、
将前述第1部件和前述第2部件嵌合的工序，
前述第1部件具有凸型部分，前述凸型部分的相反侧的末端部分具有圆度，且与该升降销的直径相比长边方向的尺寸大。
9.如权利要求8所述的升降销制造方法，其特征在于，
前述第1工序将前述凸型部分的长边方向的面加工成凹凸形状，
前述第2工序将前述凹型部分的长边方向的面加工成凹凸形状。
10. （修改后）一种升降销制造方法，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
包括将比前述基板硬度低的材料加工成第1部件的第1工序、
将比前述第1部件硬度高的材料加工成具有凸型部分的第2部件的第2工序、
将前述第1部件和前述第2部件嵌合的工序，
前述第1部件具有凹型部分，前述凹型部分的相反侧的末端部分具有圆度，且与该升降销的直径相比长边方向的尺寸大。
11.如权利要求10所述的升降销制造方法，其特征在于，
前述第1工序将前述凹型部分的长边方向的面加工成凹凸形状，
前述第2工序将前述凸型部分的长边方向的面加工成凹凸形状。

Claims (11)

1.一种升降销，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
由前述基板的抬起时与该基板抵接的第1部件、与前述升降机构连接的第2部件构成，
前述第1部件比前述基板硬度低，
前述第2部件比前述第1部件强度高。
2.如权利要求1所述的升降销，其特征在于，
前述第2部件的末端部分被前述第1部件覆盖。
3.如权利要求1所述的升降销，其特征在于，
前述第2部件为中空形状，前述第1部件的一部分嵌合于前述第2部件的中空部分。
4.如权利要求3所述的升降销，其特征在于，
前述第1部件具有凹陷部分，前述第2部件的一部分嵌合于前述凹陷部分。
5.如权利要求2至4中任一项所述的升降销，其特征在于，
在前述第1部件和前述第2部件在长边方向上接触的面具有凹凸。
6.一种半导体制造装置，其特征在于，
至少具备三个权利要求1至5中任一项所述的升降销。
7.一种升降销制造方法，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
包括将液态的材料注入中空形状的部件的工序、
使前述材料硬化的工序、
将已硬化的前述材料加工成既定形状的工序。
8.一种升降销制造方法，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
包括将比前述基板硬度低的材料加工成具有凸型部分的第1部件的第1工序、
将比前述第1部件硬度高的材料加工成具有凹型部分的第2部件的第2工序、
将前述第1部件和前述第2部件嵌合的工序。
9.如权利要求8所述的升降销制造方法，其特征在于，
前述第1工序将前述凸型部分的长边方向的面加工成凹凸形状，
前述第2工序将前述凹型部分的长边方向的面加工成凹凸形状。
10.一种升降销制造方法，前述升降销安装于半导体制造装置中在基板的搬运时抬起前述基板的升降机构，支承前述基板，其特征在于，
包括将比前述基板硬度低的材料加工成具有凹型部分的第1部件的第1工序、
将比前述第1部件硬度高的材料加工成具有凸型部分的第2部件的第2工序、
将前述第1部件和前述第2部件嵌合的工序。
11.如权利要求10所述的升降销制造方法，其特征在于，
前述第1工序将前述凹型部分的长边方向的面加工成凹凸形状，
前述第2工序将前述凸型部分的长边方向的面加工成凹凸形状。
CN202180005646.7A 2021-02-01 2021-02-01 升降销、半导体制造装置及升降销制造方法 Pending CN115210859A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/003466 WO2022162928A1 (ja) 2021-02-01 2021-02-01 リフトピン、半導体製造装置およびリフトピン製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115210859A true CN115210859A (zh) 2022-10-18

Family

ID=82653236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180005646.7A Pending CN115210859A (zh) 2021-02-01 2021-02-01 升降销、半导体制造装置及升降销制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7333675B2 (zh)
KR (2) KR102651374B1 (zh)
CN (1) CN115210859A (zh)
WO (1) WO2022162928A1 (zh)

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2584997Y2 (ja) * 1992-02-04 1998-11-11 株式会社東京精密 プロービング装置用半導体ウエハステージ
JP3935303B2 (ja) 2000-03-17 2007-06-20 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
KR100714200B1 (ko) * 2000-11-04 2007-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 건식식각 장치
JP2003218003A (ja) 2002-01-21 2003-07-31 Toray Ind Inc 基板加熱装置
JP4783762B2 (ja) * 2007-08-31 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
KR20090130786A (ko) * 2008-06-16 2009-12-24 주식회사 아이피에스 진공처리장치의 리프트장치 및 그 제어방법
KR20130051686A (ko) * 2011-11-10 2013-05-21 엘지디스플레이 주식회사 기판 착탈 장치
CN203434136U (zh) * 2013-07-16 2014-02-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 升针机构和升举装置
JP6435992B2 (ja) 2015-05-29 2018-12-12 株式会社Sumco エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン
JP6766893B2 (ja) 2017-02-02 2020-10-14 株式会社Sumco リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
US10755955B2 (en) * 2018-02-12 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240042203A (ko) 2024-04-01
JP7333675B2 (ja) 2023-08-25
JPWO2022162928A1 (zh) 2022-08-04
KR20220111681A (ko) 2022-08-09
KR102651374B1 (ko) 2024-03-26
WO2022162928A1 (ja) 2022-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100386847C (zh) 晶片保持架
KR102283740B1 (ko) 에피택시 반응기에서의 반도체 웨이퍼를 취급하는 장치 및 에피택셜 층을 갖는 반도체 웨이퍼를 제조하는 방법
US20070087299A1 (en) Heat treatment jig for semiconductor silicon substrate
TWI407529B (zh) 基板支持機構
CN108604539B (zh) 外延生长装置和保持部件
CN115210859A (zh) 升降销、半导体制造装置及升降销制造方法
CN110970343A (zh) 气相生长装置及外延晶片的制造方法
US6771482B2 (en) Perimeter seal for backside cooling of substrates
JPWO2002097872A1 (ja) 半導体ウェーハの製造方法及びそれに用いられるサセプタ
KR100814655B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 제조 방법
KR101553709B1 (ko) 반도체 소자 제조용 로드락 챔버와 이를 이용한 반도체 소자의 제조장치
KR20160121425A (ko) 기상 성장 방법
KR101704305B1 (ko) 기상 성장 방법
WO2001031700A1 (fr) Porte-plaquette et dispositif de croissance epitaxiale
WO2021210354A1 (ja) 気相成長用のシリコン単結晶基板、気相成長基板及びこれらの製造方法
US20160115622A1 (en) Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method
TWI750532B (zh) 晶圓傳送裝置、氣相成長裝置、晶圓傳送方法及磊晶矽晶圓的製造方法
KR20230075393A (ko) 기상 성장 장치 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
JP2002265295A (ja) 気相成長用サセプタ及びこれを用いた気相成長方法
FR3091020B1 (fr) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR CO-DOPE n
JP2018022724A (ja) サセプタサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置
TW202025248A (zh) 氣相沈積裝置及磊晶矽晶圓的製造方法
KR100778394B1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조용 장비
JP2005235906A (ja) ウェーハ保持具及び気相成長装置
JPH0382016A (ja) 被処理体ボート及びそれを用いた縦型熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination