KR20220100551A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220100551A
KR20220100551A KR1020220078878A KR20220078878A KR20220100551A KR 20220100551 A KR20220100551 A KR 20220100551A KR 1020220078878 A KR1020220078878 A KR 1020220078878A KR 20220078878 A KR20220078878 A KR 20220078878A KR 20220100551 A KR20220100551 A KR 20220100551A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
emitting device
disposed
contact
Prior art date
Application number
KR1020220078878A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102620023B1 (ko
Inventor
우영걸
배철민
하헌식
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020220078878A priority Critical patent/KR102620023B1/ko
Publication of KR20220100551A publication Critical patent/KR20220100551A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102620023B1 publication Critical patent/KR102620023B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95101—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies in a liquid medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95121—Active alignment, i.e. by apparatus steering
    • H01L2224/95133—Active alignment, i.e. by apparatus steering by applying an electromagnetic field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

발광 장치는 기판, 상기 기판 상에 위치하며, 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 연결된 발광 소자, 상기 제1 전극 상에 위치하며, 상기 제1 전극 및 상기 발광 소자의 제1 부분과 접촉하는 제1 접촉부, 그리고 상기 제2 전극 상에 위치하며, 상기 제2 전극 및 상기 발광 소자의 제2 부분과 접촉하는 제2 접촉부를 포함한다.

Description

발광 장치 {LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}
본 기재는 발광 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 발광 소자(Light Emitting Diode, LED)는 양 단부에 연결된 전극을 통한 전기 신호에 대응하여 설정된 파장대의 빛을 발광하는 소자이다.
최근, 잉크젯 등의 분사 장치를 이용해 나노 사이즈(nano size)의 발광 소자들을 이웃하는 양 전극 상에 분사하고, 양 전극 사이에 전자기장을 형성하여 양 전극 상에 나노 사이즈의 발광 소자들을 정렬하는 발광 장치가 개발되었다.
일 실시예는, 발광 소자들이 정렬된 양 전극 사이가 의도치 않은 파티클(particle)에 의해 단락(short circuit)되는 것이 억제된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 양 전극 사이에 배치되는 발광 소자들의 개수가 향상된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 발광 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 페어 전극들, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 페어 전극 각각과 적어도 일부분이 중첩하며 서로 이격된 제1 벽 및 제2 벽을 포함하는 페어 벽, 상기 페어 전극들 상에 배치된 발광 소자, 및 상기 페어 전극들과 중첩하도록 배치되고, 서로 이격된 제1 연결 전극 및 제2 연결 전극을 포함하는 페어 연결 전극들을 포함하고, 상기 제1 연결 전극은 상기 발광 소자의 제1 단부와 접촉하며 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 연결 전극은 상기 발광 소자의 제2 단부와 접촉하며 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된다.
상기 페어 전극들의 적어도 일부분 상에 배치되는 제1 절연층을 더 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 제1 절연층 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 발광 소자 상에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하고, 상기 페어 연결 전극들의 적어도 일부분은 상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제2 절연층과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제2 절연층 중 상기 발광 소자 상에 배치된 부분의 폭은 상기 발광 소자의 길이보다 작고, 상기 페어 연결 전극들은 상기 발광 소자의 측면 및 상면과 접촉할 수 있다.
상기 제2 절연층 및 상기 페어 연결 전극들 중 적어도 어느 하나 상에 배치된 제3 절연층을 더 포함하고, 하나의 상기 페어 연결 전극은 상기 제3 절연층 하부에 배치되며, 다른 하나의 상기 페어 연결 전극의 적어도 일부분은 상기 제3 절연층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 연결 전극은 상기 제1 전극과 직접 접촉하고, 상기 제2 연결 전극은 상기 제2 전극과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제1 벽은 상기 제1 전극과 상기 기판 사이에 배치되고, 상기 제2 벽은 상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 배치되며, 상기 발광 소자는 상기 페어 벽들 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 연결 전극은 상기 제1 벽과 중첩하고, 상기 제2 연결 전극은 상기 제2 벽과 중첩할 수 있다.
상기 제1 벽과 상기 제2 벽 사이의 간격은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격보다 클 수 있다.
상기 발광 소자는 제1 반도체층 및 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층, 및 상기 제1 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 반도체층의 측면 중 적어도 일부를 둘러싸는 절연막을 포함할 수 있다.
상기 기판 상에 배치된 버퍼층을 더 포함하고, 상기 페어 벽들 및 상기 페어 전극들은 상기 버퍼층 상에 배치될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 발광 장치는 제1 방향으로 연장된 제1 전극, 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 전극과 제2 방향으로 각각 이격된 한 쌍의 제2 전극들, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극들 중 어느 하나 상에 배치된 복수의 발광 소자들, 상기 제1 전극 상에 배치되고 상기 발광 소자와 접촉하는 제1 연결 전극, 상기 제2 전극들 중 어느 하나 상에 배치되고 상기 발광 소자와 접촉하는 제2 연결 전극, 및 상기 제2 전극들 중 다른 하나 상에 배치되고 상기 발광 소자와 접촉하는 제3 연결 전극을 포함한다.
상기 제1 전극과 중첩하는 제1 벽, 및 한 쌍의 상기 제2 전극들과 각각 중첩하는 한 쌍의 제2 벽들을 더 포함하고, 상기 복수의 발광 소자들은 상기 제1 벽 및 하나의 상기 제2 벽 사이에 배치된 제1 발광 소자, 및 상기 제1 벽 및 다른 하나의 상기 제2 벽 사이에 배치된 제2 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 제1 연결 전극은 상기 제1 벽과 중첩하고, 상기 제2 연결 전극은 어느 하나의 상기 제2 벽과 중첩하며, 상기 제3 연결 전극은 다른 하나의 상기 제2 벽과 중첩하고, 상기 제1 발광 소자의 제1 단부는 상기 제1 연결 전극과 접촉하고, 상기 제1 발광 소자의 제2 단부는 상기 제2 연결 전극과 접촉하며, 상기 제2 발광 소자의 제1 단부는 상기 제3 연결 전극과 접촉하고, 상기 제2 발광 소자의 제2 단부는 상기 제1 연결 전극과 접촉할 수 있다.
상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 제4 전극, 및 상기 제2 방향으로 연장되고 한 쌍의 상기 제2 전극들과 각각 전기적으로 연결된 제5 전극을 더 포함하고, 상기 제4 전극 및 상기 제5 전극은 서로 상기 제1 방향으로 이격되고, 상기 복수의 발광 소자들은 상기 제4 전극과 상기 제5 전극 사이에 배치될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따르면, 발광 소자들이 정렬된 양 전극 사이가 의도치 않은 파티클(particle)에 의해 단락(short circuit)되는 것이 억제된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
또한, 양 전극 사이에 배치되는 발광 소자들의 개수가 향상된 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 따른 발광 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 11은 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 따른 발광 장치를 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광 장치(1000)는 실질적으로 나노 사이즈(nano size)를 가지는 복수의 발광 소자들을 이용해 발광하는 장치이다.
발광 장치(1000)는 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 복수의 발광 소자들(300), 제1 돌출부(500), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 절연 패턴(800)을 포함한다.
기판(100)은 유리, 유기 재료, 무기 재료, 금속 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 기판(100)은 플렉서블(flexible), 폴더블(foldable), 또는 벤더블(bendable)한 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 기판 본체부(110) 및 기판 본체부(110) 상에 위치하는 버퍼층(120)을 포함한다. 기판 본체부(110)는 상술한 유리, 유기 재료, 무기 재료, 금속 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 버퍼층(120)은 기판 본체부(110) 전체 표면에 위치할 수 있다. 버퍼층(120)은 유리, 유기 재료, 무기 재료 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 전극(201)은 기판(100) 상에 위치하며, 제1 방향(X)으로 연장되어 제1 방향(X)과 교차하는 제2 방향(Y)으로 복수번 분기되어 연장된다.
제2 전극(202)은 기판(100) 상에 위치하며, 제1 전극(201)과 이격되어 있다. 제2 전극(202)은 제1 방향(X)으로 연장되어 제2 방향(Y)으로 복수번 분기되어 연장된다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 제1 방향(X)으로 교번하여 배치된다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 직선 형상을 가지나, 이에 한정되지 않고 곡선 형상을 가질 수 있다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 기판(100) 상에서 동일한 평면 상에 위치하나, 이에 한정되지 않고, 기판(100) 상에서 서로 다른 평면 상에 위치할 수 있다.
제1 전극(201)과 제2 전극(202)은 한 번의 공정에 의해 동시에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 서로 다른 공정에 의해 순차적으로 형성될 수 있다.
복수의 발광 소자들(300)을 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 복수의 발광 소자들(300)은 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다.
복수의 발광 소자들(300)은 실질적으로 나노 사이즈(nano size)를 가지고 있다.
복수의 발광 소자들(300)은 발광 장치(1000)에 포함되는 발광 소자라면 공지된 다양한 발광 소자가 이용될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 발광 장치에 포함되는 발광 소자라면 공지된 다양한 발광 소자가 이용될 수 있다.
복수의 발광 소자들(300) 각각은 원기둥, 삼각 기둥, 사각 기둥, 다각 기둥, 원뿔 형상 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.
복수의 발광 소자들(300)은 용액의 형태로 잉크젯 등의 도포 장치에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 상에 도포된 후, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 형성되는 전자기장에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 정렬될 수 있다.
여기서, 용액은 복수의 발광 소자들(300)이 용매에 혼합된 잉크 또는 페이스트 상태일 수 있다.
복수의 발광 소자들(300) 각각은 종횡비를 가지고 있으며, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에서 다양한 방향으로 정렬된다.
복수의 발광 소자들(300)은 제1 발광 소자(301) 및 제2 발광 소자(302)를 포함한다.
제1 발광 소자(301)는 일 단부 및 타 단부 중 적어도 하나의 단부가 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나의 전극 상에서 적어도 하나의 전극과 접촉한다. 구체적으로, 제1 발광 소자(301)는 양 단부 중 적어도 하나가 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나 상에 위치하며, 제1 발광 소자(301)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나와 중첩한다.
제2 발광 소자(302)는 일 단부 및 타 단부가 기판(100) 상에서 기판(100)과 접촉한다. 구체적으로, 제2 발광 소자(302)는 양 단부가 기판(100)과 접촉하며, 제2 발광 소자(302)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 비중첩한다.
제1 돌출부(500)는 기판(100)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 제1 돌출부(500)는 기판(100)의 표면으로부터 상측 방향으로 돌출되어 있다. 제1 돌출부(500)의 표면에는 제1 돌출부(500)에 의해 상측 방향으로 돌출된 제2 전극(202)이 위치한다.
복수의 발광 소자들(300)로부터 발광되어 제1 돌출부(500) 방향으로 조사된 빛은 제1 돌출부(500)에 의해 돌출된 제2 전극(202)에 의해 상측 방향으로 반사될 수 있다. 이로 인해, 복수의 발광 소자들(300)로부터 발광된 빛의 효율이 향상된다.
제1 접촉부(600)는 제1 전극(201) 상에 위치하며, 제1 전극(201) 및 복수의 발광 소자들(300)의 제1 부분과 접촉한다. 제1 접촉부(600)는 투명 도전성 재료를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 여기서, 발광 소자(300)의 제1 부분은 발광 소자(300)의 일 단부일 수 있다.
제1 접촉부(600)의 모든 부분은 제1 전극(201) 또는 발광 소자(300)와 접촉한다.
제2 접촉부(700)는 제2 전극(202) 상에 위치하며, 제2 전극(202) 및 복수의 발광 소자들(300)의 제2 부분과 접촉한다. 제2 접촉부(700)는 투명 도전성 재료를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 여기서, 발광 소자(300)의 제2 부분은 발광 소자(300)의 타 단부일 수 있다.
제1 접촉부(600)의 일부와 제2 접촉부(700)의 일부는 복수의 발광 소자들(300) 상에서 중첩한다.
제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700)에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치하는 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다.
구체적으로, 복수의 발광 소자들(300) 중 제1 발광 소자(301)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 접촉되어 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 직접 연결된 상태이나, 제2 발광 소자(302)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 이격되어 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 직접 연결되지 않은 상태이다. 그러나, 제1 접촉부(600)가 제2 전극(202) 및 제2 발광 소자(302)의 제1 부분과 접촉하고, 제2 접촉부(700)가 제1 전극(201) 및 제2 발광 소자(302)의 제2 부분과 접촉함으로써, 제2 발광 소자(302)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 연결될 수도 있다.
이와 같이, 제1 접촉부(600) 및 제2 접촉부(700)에 의해 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결됨으로써, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 이격되어 정렬되어도, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다. 이로 인해, 제조 공정 중 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 또는 제2 전극(202)과 이격되더라도, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 전부가 발광한다.
제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700) 사이에는 하나의 절연 패턴(800)이 위치한다.
절연 패턴(800)은 복수의 발광 소자들(300) 상에 위치하며, 제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700) 사이에 위치한다.
절연 패턴(800)은 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 그리고 발광 소자들(300)과 접촉한다. 절연 패턴(800)은 제1 접촉부(600)와 제2 접촉부(700) 간의 단락을 방지한다.
절연 패턴(800)은 단일층(single layer)이며, 제1 전극(201)을 완전히 커버한다.
절연 패턴(800)은 유기 재료 및 무기 재료 중 선택된 재료를 포함한다.
이상과 같은 일 실시예에 따른 발광 장치(1000)는 제1 접촉부(600)가 제1 전극(201)과 발광 소자들(300) 사이를 직접 연결함으로써, 제조 공정 중 발광 소자들(300)이 기판(100)으로부터 분리되는 것이 억제된다.
즉, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이로부터 분리되는 것이 억제됨으로써, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300)의 개수가 향상된 발광 장치(1000)가 제공된다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 장치(1000)는 복수의 발광 소자들(300)로부터 발광되어 제1 돌출부(500) 방향으로 조사된 빛이 제1 돌출부(500)에 의해 돌출된 제2 전극(202)에 의해 상측 방향으로 반사됨으로써, 복수의 발광 소자들(300)로부터 발광된 빛의 효율이 향상된다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 장치(1000)는 제1 접촉부(600) 및 제2 접촉부(700)에 의해 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결됨으로써, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)과 이격되어 정렬되어도, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202)에 연결된다.
즉, 제조 공정 중 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 중 일부의 발광 소자들이 제1 전극(201) 또는 제2 전극(202)과 이격되더라도, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300) 전부가 발광하는 발광 장치(1000)가 제공된다.
또한, 일 실시예에 따른 발광 장치(1000)는, 제1 접촉부(600)를 형성하는 공정에 의해, 발광 소자들(300)이 정렬된 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이가 의도치 않은 파티클(particle)에 의해 단락(short circuit)되는 것이 억제된다.
이를 이하의 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 이용해 보다 구체적으로 설명한다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명한다. 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 이용해 상술한 일 실시예에 따른 발광 장치를 제조할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4 내지 도 7은 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선, 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(100)의 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 복수의 발광 소자들(300)을 도포한다(S100).
구체적으로, 기판(100) 상에 서로 이격되어 일 방향으로 연장된 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 복수의 발광 소자들(300)을 도포한다.
버퍼층(120)이 형성된 기판 본체부(110) 상에 포토리소그래피 공정을 이용해 제1 돌출부(500)를 형성하고, 포토리소그래피 공정을 이용해 제1 전극(201)과 제2 전극(202)을 형성한다. 이때, 제2 전극(202)은 제1 돌출부(500)와 중첩하며, 제1 전극(201)은 이웃하는 제2 전극(202) 사이에 위치한다.
복수의 발광 소자들(300)은 용매에 혼합된 잉크 또는 페이스트 상태의 용액의 형태로 잉크젯 등의 도포 장치에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 상에 도포된다. 그리고 용매를 증발시키면 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 상에 복수의 발광 소자들(300)이 배치된다. 이때, 의도치 않게 용매에 혼합되었거나, 제조 공정 중 유입된 파티클(particle)(10)이 복수의 발광 소자들(300), 제1 전극(201), 및 제2 전극(202) 중 적어도 하나의 상부에 위치된다.
다음, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 복수의 발광 소자들(300)을 정렬한다(S200).
구체적으로, 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)에 전원을 인가하여 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 전자기장을 형성한다. 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 형성된 전자기장에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 복수의 발광 소자들(300)이 정렬된다.
다음, 도 5를 참조하면, 제1 전극(201), 제2 전극(202), 그리고 복수의 발광 소자들(300)을 커버하는 제1 접촉층(601)을 형성한다(S300).
구체적으로, 기판(100) 전체에 걸쳐서 증착 공정 또는 도포 공정을 이용해 기판(100) 상에 제1 접촉층(601)을 형성한다. 제1 접촉층(601)은 제1 전극(201), 제2 전극(202), 그리고 복수의 발광 소자들(300)을 커버한다.
이때, 제1 접촉층(601)은 제1 전극(201), 제2 전극(202), 복수의 발광 소자들(300), 그리고 파티클(10)과 접촉하며, 파티클(10)은 제1 접촉층(601)의 내부에 위치될 수 있다.
다음, 도 6을 참조하면, 제1 접촉층(601)을 식각하여 제1 접촉부(600)를 형성한다(S400).
구체적으로, 제1 접촉층(601)을 포토 마스크(30)를 이용해 식각하여 제1 전극(201) 및 발광 소자(300)의 제1 부분과 접촉하는 제1 접촉부(600)를 형성한다.
제1 접촉층(601) 상에 포토레지스트층을 형성하고, 노광 마스크를 이용해 포토 레지스트층을 노광 및 현상하여 제1 접촉층(601) 상에 제1 전극(201) 및 발광 소자(300)의 제1 부분과 중첩하는 포토 마스크(30)를 형성한 후, 포토 마스크(30)를 이용해 제1 접촉층(601)을 건식 식각 또는 습식 식각하여 제1 전극(201) 및 발광 소자(300)의 제1 부분과 접촉하는 제1 접촉부(600)를 형성한다.
이때, 제1 접촉층(601)이 식각되면서, 제1 접촉층(601)과 접촉된 기판(100) 상의 파티클(10)이 제거된다.
또한, 기판(100)을 세척할 수 있다. 기판(100)의 세척에 의해 기판(100) 상의 파티클(10)이 제거될 수 있다.
기판(100)을 세척할 때, 제1 접촉부(600)가 제1 전극(201) 및 복수의 발광 소자들(300)과 접촉되어 있기 때문에, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이로부터 분리되는 것이 억제된다.
또한, 기판(100) 상의 파티클(10)이 제거됨으로써, 파티클(10)에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이가 단락(short circuit)되는 것이 억제된다.
다음, 도 7을 참조하면, 제1 접촉부(600)를 커버하는 절연 패턴(800)을 형성한다(S500).
구체적으로, 제1 접촉부(600) 상에 절연층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 이용해 절연층을 식각하여 절연 패턴(800)을 형성할 수 있다.
다음, 절연 패턴(800) 상에 제2 접촉부(700)를 형성한다(S600).
구체적으로, 절연 패턴(800) 상에 도전층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 이용해 도전층을 식각하여 제2 접촉부(700)를 형성할 수 있다.
이상과 같이, 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은 기판(100)을 세척할 때, 제1 접촉부(600)가 제1 전극(201) 및 복수의 발광 소자들(300)과 접촉함으로써, 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에서 분리되는 것을 억제할 수 있다.
즉, 제조 공정 중 복수의 발광 소자들(300)이 제1 전극(201) 및 제2 전극(202) 사이로부터 분리되는 것이 억제됨으로써, 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 배치되는 발광 소자들(300)의 개수가 향상된 발광 장치의 제조 방법이 제공된다.
또한, 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은 제1 접촉부(600)를 형성하는 것으로 기판(100) 상에 위치하는 파티클(10)을 제거함으로써, 파티클(10)에 의해 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이가 단락(short circuit)되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 다른 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법은 제1 돌출부(500)를 형성하는 포토리소그래피 공정에 이용되는 제1 마스크, 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)을 형성하는 포토리소그래피 공정에 이용되는 제2 마스크, 제1 접촉부(600)를 형성하는 포토리소그래피 공정에 이용되는 제3 마스크, 절연 패턴(800)을 형성하는 포토리소그래피 공정에 이용되는 제4 마스크, 제2 접촉부(700)를 형성하는 포토리소그래피 공정에 이용되는 제5 마스크만을 사용함으로써, 전체적으로 5개의 마스크를 이용해 발광 장치를 제조할 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 12을 참조하여 다른 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다.
이하, 다른 실시예에 따른 발광 장치는 상술한 일 실시예에 따른 발광 장치와 다른 부분에 대해서 설명한다.
도 8은 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8을 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광 장치(1002)는 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자(300), 제1 돌출부(500), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 절연 패턴(800)을 포함한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 발광 소자(300)의 일 단부는 제1 전극(201) 상에 위치하며, 타 단부는 제2 전극(202) 상에 위치한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)에 의해 지지된다. 발광 소자(300)는 기판(100)으로부터 이격되어 있으며, 기판(100)의 전면(全面)으로부터 플로팅(floating)된다.
도 9는 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 9을 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광 장치(1003)는 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자(300), 제1 돌출부(500), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 절연 패턴(800), 제2 돌출부(900)를 포함한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 발광 소자(300)는 기판(100)과 접촉한다. 발광 소자(300)는 제1 접촉부(600)에 접촉되어 제1 전극(201)과 연결되며, 제2 접촉부(700)에 연결되어 제2 전극(202)에 접촉된다.
제2 돌출부(900)는 기판(100)과 제1 전극(201) 사이에 위치한다. 제2 돌출부(900)에 의해 제1 전극(201)이 기판(100)의 상측으로 돌출된다.
발광 소자(300)로부터 발광되어 제1 돌출부(500) 및 제2 돌출부(900) 방향으로 조사된 빛은 제1 돌출부(500)에 의해 돌출된 제2 전극(202) 및 제2 돌출부(900)에 의해 돌출된 제1 전극(201)에 의해 상측 방향으로 반사될 수 있다. 이로 인해, 발광 소자(300)로부터 발광된 빛의 효율이 향상된다.
절연 패턴(800)은 발광 소자(300)로부터 제1 접촉부(600)를 지나 제1 전극(201)으로 연장된다.
절연 패턴(800)은 제1 접촉부(600) 및 제1 전극(201)을 완전히 커버한다.
도 10은 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 10을 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광 장치(1004)는 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자(300), 제1 돌출부(500), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 절연 패턴(800), 제2 돌출부(900)를 포함한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 발광 소자(300)는 기판(100)과 접촉한다. 발광 소자(300)는 제1 접촉부(600)에 접촉되어 제1 전극(201)과 연결되며, 제2 접촉부(700)에 연결되어 제2 전극(202)에 접촉된다.
제2 돌출부(900)는 기판(100)과 제1 전극(201) 사이에 위치한다. 제2 돌출부(900)에 의해 제1 전극(201)이 기판(100)의 상측으로 돌출된다.
절연 패턴(800)은 발광 소자(300)로부터 제1 접촉부(600)의 일부로 연장된다.
절연 패턴(800)은 제1 접촉부(600)의 일부 및 제1 전극(201)의 일부만 커버한다.
도 11은 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 11을 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광 장치(1005)는 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자(300), 제1 돌출부(500), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 절연 패턴(800), 제2 돌출부(900)를 포함한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 발광 소자(300)는 기판(100)과 접촉한다. 발광 소자(300)는 제1 접촉부(600)에 접촉되어 제1 전극(201)과 연결되며, 제2 접촉부(700)에 연결되어 제2 전극(202)에 접촉된다.
제2 돌출부(900)는 기판(100)과 제1 전극(201) 사이에 위치한다. 제2 돌출부(900)에 의해 제1 전극(201)이 기판(100)의 상측으로 돌출된다.
절연 패턴(800)은 발광 소자(300)로부터 제1 접촉부(600)를 지나 제1 전극(201)으로 연장된다.
절연 패턴(800)은 제1 접촉부(600) 및 제1 전극(201)을 완전히 커버한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 발광 소자(300)의 일 단부는 제1 전극(201) 상에 위치하며, 타 단부는 제2 전극(202) 상에 위치한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)에 의해 지지된다. 발광 소자(300)는 기판(100)으로부터 이격되어 있으며, 기판(100)의 전면으로부터 플로팅(floating)된다.
도 12는 다른 실시예에 따른 발광 장치를 나타낸 단면도이다.
도 12를 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광 장치(1006)는 기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자(300), 제1 돌출부(500), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700), 절연 패턴(800), 제2 돌출부(900)를 포함한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 발광 소자(300)는 기판(100)과 접촉한다. 발광 소자(300)는 제1 접촉부(600)에 접촉되어 제1 전극(201)과 연결되며, 제2 접촉부(700)에 연결되어 제2 전극(202)에 접촉된다.
제2 돌출부(900)는 기판(100)과 제1 전극(201) 사이에 위치한다. 제2 돌출부(900)에 의해 제1 전극(201)이 기판(100)의 상측으로 돌출된다.
절연 패턴(800)은 발광 소자(300)로부터 제1 접촉부(600)의 일부로 연장된다.
절연 패턴(800)은 제1 접촉부(600)의 일부 및 제1 전극(201)의 일부만 커버한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201)과 제2 전극(202) 사이에 위치한다. 발광 소자(300)의 일 단부는 제1 전극(201) 상에 위치하며, 타 단부는 제2 전극(202) 상에 위치한다.
발광 소자(300)는 제1 전극(201) 및 제2 전극(202)에 의해 지지된다. 발광 소자(300)는 기판(100)으로부터 이격되어 있으며, 기판(100)의 전면으로부터 플로팅(floating)된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
기판(100), 제1 전극(201), 제2 전극(202), 발광 소자(300), 제1 접촉부(600), 제2 접촉부(700)

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 페어 전극들;
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 페어 전극 각각과 적어도 일부분이 중첩하며 서로 이격된 제1 벽 및 제2 벽을 포함하는 페어 벽;
    상기 페어 전극들 상에 배치된 발광 소자; 및
    상기 페어 전극들과 중첩하도록 배치되고, 서로 이격된 제1 연결 전극 및 제2 연결 전극을 포함하는 페어 연결 전극들을 포함하고,
    상기 제1 연결 전극은 상기 발광 소자의 제1 단부와 접촉하며 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 연결 전극은 상기 발광 소자의 제2 단부와 접촉하며 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 페어 전극들의 적어도 일부분 상에 배치되는 제1 절연층을 더 포함하고,
    상기 발광 소자는 상기 제1 절연층 상에 직접 배치된 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 발광 소자 상에 배치되는 제2 절연층을 더 포함하고,
    상기 페어 연결 전극들의 적어도 일부분은 상기 제2 절연층 상에 배치되며 상기 제2 절연층과 직접 접촉하는 발광 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 절연층 중 상기 발광 소자 상에 배치된 부분의 폭은 상기 발광 소자의 길이보다 작고,
    상기 페어 연결 전극들은 상기 발광 소자의 측면 및 상면과 접촉하는 발광 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 절연층 및 상기 페어 연결 전극들 중 적어도 어느 하나 상에 배치된 제3 절연층을 더 포함하고,
    하나의 상기 페어 연결 전극은 상기 제3 절연층 하부에 배치되며,
    다른 하나의 상기 페어 연결 전극의 적어도 일부분은 상기 제3 절연층 상에 배치된 발광 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 연결 전극은 상기 제1 전극과 직접 접촉하고,
    상기 제2 연결 전극은 상기 제2 전극과 직접 접촉하는 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 벽은 상기 제1 전극과 상기 기판 사이에 배치되고,
    상기 제2 벽은 상기 제2 전극과 상기 기판 사이에 배치되며,
    상기 발광 소자는 상기 페어 벽들 사이에 배치된 발광 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 연결 전극은 상기 제1 벽과 중첩하고,
    상기 제2 연결 전극은 상기 제2 벽과 중첩하는 발광 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 벽과 상기 제2 벽 사이의 간격은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간격보다 큰 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 제1 반도체층 및 제2 반도체층;
    상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 활성층; 및
    상기 제1 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 반도체층의 측면 중 적어도 일부를 둘러싸는 절연막을 포함하는 발광 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 버퍼층을 더 포함하고,
    상기 페어 벽들 및 상기 페어 전극들은 상기 버퍼층 상에 배치된 발광 장치.
  12. 제1 방향으로 연장된 제1 전극;
    상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 전극과 제2 방향으로 각각 이격된 한 쌍의 제2 전극들;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극들 중 어느 하나 상에 배치된 복수의 발광 소자들;
    상기 제1 전극 상에 배치되고 상기 발광 소자와 접촉하는 제1 연결 전극;
    상기 제2 전극들 중 어느 하나 상에 배치되고 상기 발광 소자와 접촉하는 제2 연결 전극; 및
    상기 제2 전극들 중 다른 하나 상에 배치되고 상기 발광 소자와 접촉하는 제3 연결 전극을 포함하는 발광 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 전극과 중첩하는 제1 벽; 및
    한 쌍의 상기 제2 전극들과 각각 중첩하는 한 쌍의 제2 벽들을 더 포함하고,
    상기 복수의 발광 소자들은 상기 제1 벽 및 하나의 상기 제2 벽 사이에 배치된 제1 발광 소자, 및 상기 제1 벽 및 다른 하나의 상기 제2 벽 사이에 배치된 제2 발광 소자를 포함하는 발광 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 연결 전극은 상기 제1 벽과 중첩하고,
    상기 제2 연결 전극은 어느 하나의 상기 제2 벽과 중첩하며,
    상기 제3 연결 전극은 다른 하나의 상기 제2 벽과 중첩하고,
    상기 제1 발광 소자의 제1 단부는 상기 제1 연결 전극과 접촉하고, 상기 제1 발광 소자의 제2 단부는 상기 제2 연결 전극과 접촉하며,
    상기 제2 발광 소자의 제1 단부는 상기 제3 연결 전극과 접촉하고, 상기 제2 발광 소자의 제2 단부는 상기 제1 연결 전극과 접촉하는 발광 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 제4 전극; 및
    상기 제2 방향으로 연장되고 한 쌍의 상기 제2 전극들과 각각 전기적으로 연결된 제5 전극을 더 포함하고,
    상기 제4 전극 및 상기 제5 전극은 서로 상기 제1 방향으로 이격되고,
    상기 복수의 발광 소자들은 상기 제4 전극과 상기 제5 전극 사이에 배치된 발광 장치.
KR1020220078878A 2017-09-22 2022-06-28 발광 장치 KR102620023B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220078878A KR102620023B1 (ko) 2017-09-22 2022-06-28 발광 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170122625A KR102415812B1 (ko) 2017-09-22 2017-09-22 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR1020220078878A KR102620023B1 (ko) 2017-09-22 2022-06-28 발광 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170122625A Division KR102415812B1 (ko) 2017-09-22 2017-09-22 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220100551A true KR20220100551A (ko) 2022-07-15
KR102620023B1 KR102620023B1 (ko) 2024-01-02

Family

ID=65808388

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170122625A KR102415812B1 (ko) 2017-09-22 2017-09-22 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR1020220078878A KR102620023B1 (ko) 2017-09-22 2022-06-28 발광 장치

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170122625A KR102415812B1 (ko) 2017-09-22 2017-09-22 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (3) US10607968B2 (ko)
KR (2) KR102415812B1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102608419B1 (ko) 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102415812B1 (ko) * 2017-09-22 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR102513267B1 (ko) * 2017-10-13 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102540894B1 (ko) * 2018-07-05 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102604659B1 (ko) * 2018-07-13 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR102579915B1 (ko) * 2018-11-22 2023-09-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20200121438A (ko) * 2019-04-15 2020-10-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200129244A (ko) * 2019-05-07 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200130606A (ko) * 2019-05-10 2020-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200138479A (ko) * 2019-05-29 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200145951A (ko) * 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102670809B1 (ko) * 2019-09-05 2024-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20220310883A1 (en) * 2019-10-31 2022-09-29 Uldtec Co., Ltd. Semiconductor chip integrated device manufacturing method, semiconductor chip integrated device, semiconductor chip integrated device assembly, semiconductor chip ink, and semiconductor chip ink ejection device
KR20210055831A (ko) * 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220049102A (ko) 2020-10-13 2022-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함하는 표시 시스템
KR20220069186A (ko) * 2020-11-19 2022-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080029780A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid state device
JP2011205060A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Sharp Corp 発光装置の製造方法
US20120012881A1 (en) * 2011-05-04 2012-01-19 Lee Gun Kyo Light emitting device module and lighting system including the same
KR101436123B1 (ko) * 2013-07-09 2014-11-03 피에스아이 주식회사 초소형 led를 포함하는 디스플레이 및 이의 제조방법
KR101711187B1 (ko) * 2017-01-20 2017-03-06 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
KR101730927B1 (ko) * 2016-07-21 2017-04-27 피에스아이 주식회사 휘도가 향상된 초소형 led 전극어셈블리 및 그 제조방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4083866B2 (ja) * 1998-04-28 2008-04-30 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
US7719099B2 (en) * 2005-10-21 2010-05-18 Advanced Optoelectronic Technology Inc. Package structure for solid-state lighting devices and method of fabricating the same
KR100753088B1 (ko) * 2006-02-20 2007-08-31 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
KR100862343B1 (ko) * 2007-05-29 2008-10-13 삼성전기주식회사 조명용 ｌｅｄ 모듈 및 그 제조방법
KR101476421B1 (ko) * 2008-03-31 2014-12-26 서울반도체 주식회사 백라이트 유닛
JP5343831B2 (ja) * 2009-04-16 2013-11-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4914929B2 (ja) 2009-10-15 2012-04-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5659519B2 (ja) * 2009-11-19 2015-01-28 豊田合成株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置
KR20150098246A (ko) * 2010-09-01 2015-08-27 샤프 가부시키가이샤 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법, 조명 장치, 백라이트, 표시 장치 및 다이오드
KR20120092000A (ko) * 2011-02-09 2012-08-20 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 소자
TWI508332B (zh) * 2011-11-09 2015-11-11 Au Optronics Corp 發光光源及其顯示面板
KR101905535B1 (ko) * 2011-11-16 2018-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
US9334573B2 (en) * 2012-01-16 2016-05-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Layered silicate silver surface treatment agent, sulfidation prevention film and light-emitting device with treated silver layer
KR20130124856A (ko) * 2012-05-07 2013-11-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지
JP2015144147A (ja) * 2012-05-11 2015-08-06 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
TWI501377B (zh) * 2012-11-30 2015-09-21 Unistars 半導體結構、半導體單元及其製造方法
CN104124318A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP6209949B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR101628345B1 (ko) 2014-07-08 2016-06-09 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리의 제조방법
CN104993041B (zh) * 2015-06-04 2019-06-11 陈建伟 一种led倒装芯片固晶导电粘接结构及其安装方法
KR101873501B1 (ko) 2015-12-17 2018-07-02 서울바이오시스 주식회사 소형 발광 다이오드 칩, 이를 포함하는 발광 장치 및 전자 장치
KR101730977B1 (ko) 2016-01-14 2017-04-28 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
KR101987196B1 (ko) * 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
KR102415812B1 (ko) * 2017-09-22 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080029780A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Solid state device
JP2011205060A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Sharp Corp 発光装置の製造方法
US20120012881A1 (en) * 2011-05-04 2012-01-19 Lee Gun Kyo Light emitting device module and lighting system including the same
KR101436123B1 (ko) * 2013-07-09 2014-11-03 피에스아이 주식회사 초소형 led를 포함하는 디스플레이 및 이의 제조방법
KR101730927B1 (ko) * 2016-07-21 2017-04-27 피에스아이 주식회사 휘도가 향상된 초소형 led 전극어셈블리 및 그 제조방법
KR101711187B1 (ko) * 2017-01-20 2017-03-06 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리

Also Published As

Publication number Publication date
US20200227392A1 (en) 2020-07-16
US11094678B2 (en) 2021-08-17
KR102620023B1 (ko) 2024-01-02
US20190096858A1 (en) 2019-03-28
KR20190034379A (ko) 2019-04-02
US10607968B2 (en) 2020-03-31
US11756938B2 (en) 2023-09-12
US20210375836A1 (en) 2021-12-02
KR102415812B1 (ko) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102620023B1 (ko) 발광 장치
KR102441566B1 (ko) 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
WO2015173965A1 (ja) 発光装置
US20170278897A1 (en) Package substrate and manufacturing method thereof, and oled display device and manufacturing method thereof
JP2005031645A5 (ko)
KR20060118840A (ko) 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
JP2007142382A5 (ko)
JP2007035439A (ja) マスク、有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌプリンタ
JP2011181642A5 (ko)
JP5001760B2 (ja) 半導体素子の製造方法
TW201603227A (zh) 微間距圖案之佈線結構
WO2007052396A1 (ja) 多層配線基板及び多層配線基板の製造方法
JP2022088567A5 (ko)
US20160170295A1 (en) Photomask and method of forming fine pattern using the same
KR20200097465A (ko) 초음파 코터 및 이를 이용한 박막 형성 방법
JP6164982B2 (ja) 発光装置
JP2014203525A (ja) 接合構造および発光装置
TWM493841U (zh) 微間距圖案之佈線結構
JP5908036B2 (ja) 液晶表示装置
US20180235089A1 (en) Wiring board and manufacturing method of wiring board
WO2014162387A1 (ja) ワイヤの接続構造及び電気機器
JP2018160328A (ja) 発光装置
KR20060033128A (ko) 유기전계 발광소자
JP2015230882A (ja) 発光装置
US20080106179A1 (en) Flat light module and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant