JP2018160328A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置の導体部を多層構造にした場合において、場合、上層がその下層と比較してエッチング耐性が高いため、上層の端部が下層に対して食み出る可能性が出てくる。この場合、上層の端部が折れて上層から分離しやすい。端部が分離することに起因して発光装置の歩留りが低下しないようにする。【解決手段】有機ＥＬ素子は基板１００の第１面に形成されている。導体部１６０は基板１００の第１面に形成されており、有機ＥＬ素子に電気的に接続している。導体部１６０は、第１導電層１６４、第２導電層１６６を有している。第２導電層１６６は第１導電層１６４上に形成されている。導体部１６０の外縁部は平面形状において複数の凹凸が形成されている。【選択図】図８

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、透明電極である第１電極と、第２電極とで挟んだ構成を有している。透明電極を形成する透明導電材料は、Ａｌなどの金属材料と比較して抵抗が高い。このため、例えば特許文献１に記載されているように、透明電極の上には、金属からなる導体部、例えば補助電極が形成されることが多い。特許文献１において、補助電極は、Ｍｏ又はＭｏ合金層からなる層、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、又はＡｇ合金からなる層、及びＭｏ又はＭｏ合金層からなる層を、この順に積層した構成を有している。

特開２００５−１０８４３７号公報

特許文献１に記載されているように補助電極などの導体部を多層構造にした場合、上層がその下層と比較してエッチング耐性が高い場合、上層の端部が下層に対して食み出る可能性が出てくる。この場合、上層の端部が折れて上層の本体から分離しやすくなり、その結果、上層の端部が分離することに起因して発光装置の歩留りが低下する可能性が出てくる。

本発明が解決しようとする課題としては、導体部を多層構造にした場合において、上層が下層に対して食み出た端部を除去し易くすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
基板と、
前記基板上に形成された発光素子と、
前記基板上に形成され、前記発光素子に電気的に接続する導体部と、
を備え、
前記導体部は、
第１導電層と、
前記第１導電層上に形成された第２導電層とを有し、
前記導体部の外縁部は平面形状において複数の凹凸を有することを特徴とする発光装置。である。

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図１から第２電極を取り除いた図である。 図２から有機層を取り除いた図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 図１のＢ−Ｂ断面図である。 図６は図３のＣ−Ｃ断面図である。 図３のＤ−Ｄ断面図である。 図３のＦ部の拡大図である。 発光装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。 実施例２に係る発光装置の平面図である。 図１１から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図１１のＧ−Ｇ断面図である。 図１１のＨ−Ｈ断面図である。 図１１のＩ−Ｉ断面図である。 本発明の変形例を模式的に示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、図１から第２電極１３０を取り除いた図である。図３は、図２から有機層１２０を取り除いた図である。図４は、図１のＡ−Ａ断面図である。図５は、図１のＢ−Ｂ断面図である。図６は、図３のＣ−Ｃ断面図である。なお、図３のＥ−Ｅ断面も、図３に示す断面と同様である。図７は、図３Ｄ−Ｄ断面図である。図８は、図３のＦ部を拡大した図である。

実施形態に係る発光装置１０は、図１〜図５に示すように、基板１００、有機ＥＬ素子１４０、及び導体部１６０を備えている。有機ＥＬ素子１４０は発光素子の一例であり、基板１００の第１面１０２に形成されている。導体部１６０は基板１００の第１面１０２に形成されており、有機ＥＬ素子１４０に電気的に接続している。導体部１６０は、図６に示すように、第１導電層１６４と第２導電層１６６を有している。第２導電層１６６は第１導電層１６４上に形成されている。導体部１６０は、図８に示すように、導体部１６０の外縁部は平面形状において複数の凹凸を有する。

また、発光装置１０は絶縁層１５０を有している。絶縁層１５０は、有機ＥＬ素子１４０の発光領域を画定している。導体部１６０は、絶縁層１５０と重なる領域を介して絶縁層１５０の外側に引き出されている。導体部１６０は、絶縁層１５０と重なる領域にも形成されている。本図に示す例において、発光装置１０は照明装置である。ただし、発光装置１０はディスプレイであってもよいし、セグメント型の表示装置であってもよい。以下、詳細に説明する。

まず、図１〜図５を用いて、発光装置１０の構成を説明する。

基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。

基板１００の第１面１０２には、有機ＥＬ素子１４０が形成されている。有機ＥＬ素子１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち有機ＥＬ素子１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。

また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。

第１端子１１２には、ボンディングワイヤ、又はリード端子などの導電部材（電子部品の一例）を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。ただし第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一方には、半導体パッケージなどの回路素子が直接接続されてもよい。また第１端子１１２及び第２端子１３２は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を介して制御回路に接続されていてもよい。この場合、第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば異方性導電性樹脂を介してＦＰＣと接続する。

また、第１電極１１０の上には、複数の線状の導体部１６０が形成されている。導体部１６０は補助電極であり、第１電極１１０よりも抵抗が低い材料によって形成されている。導体部１６０が形成されることにより、第１電極１１０の見かけ上の抵抗は低くなる。本図に示す例において、導体部１６０は、絶縁層１５０と重なる領域を介して、第１端子１１２、すなわち絶縁層１５０の外側の領域に引き出されている。

次に、図６、図７、及び図８を用いて、導体部１６０について詳細に説明する。図６は、上記したように図３のＣ−Ｃ断面図である。図７は図３のＤ−Ｄ断面図である。なお、図３のＥ−Ｅ断面も、図６に示した断面と同様になっている。図８は、図３のＦ部を拡大した図である。これらの図に示すように、導体部１６０は、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６をこの順に重ねた構成を有している。導体部１６０は、さらに第３導電層１６２を有している。第３導電層１６２は第１導電層１６４の下に位置している。

第１導電層１６４は、例えばＡｌ又はＡｌ合金などの金属で形成されている。第３導電層１６２に含まれる物質及び第２導電層１６６に含まれる物質は、第１導電層１６４に含まれる物質よりもエッチングレートが低い（例えば耐酸性が第１導電層１６４よりも高い）導電材料、例えばＭｏ又はＭｏ合金で形成されている。また、第１導電層１６４を形成する導電材料は、第３導電層１６２及び第２導電層１６６よりも低抵抗である。第１導電層１６４がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第３導電層１６２及び第２導電層１６６は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。第１導電層１６４の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。第３導電層１６２及び第２導電層１６６の厚さは、例えば４０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

第３導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６は、後述するように、これらを形成するための膜を積層させたのち、マスクパターンを用いたエッチングを行うことにより、所定のパターンに形成される。一方、上記したように、第３導電層１６２に含まれる物質及び第２導電層１６６に含まれる物質は、第１導電層１６４に含まれる物質よりもエッチングレートが低い。このため、第３導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６を形成する際、第１導電層１６４の側面は、第３導電層１６２及び第２導電層１６６よりもエッチングされる。この結果、第１導電層１６４の幅は、第３導電層１６２の幅及び第２導電層１６６の幅よりも狭くなる。そして第２導電層１６６の端部は、第１導電層１６４から飛び出た状態になる。

導体部１６０の外縁部は、平面形状において複数の凹凸を有している。具体的には、第１導電層１６４及び第２導電層１６６のそれぞれが、平面形状において複数の凹凸を有している。第１導電層１６４の凹凸は第２導電層１６６の凹凸とある程度の相関があるが、後述するように第２導電層１６６の端部は除去されているため、必ずしも相似形ではない。第２導電層１６６の凹凸の間隔、例えばある凹部の最深部と、その次の凹部の最深部のｎ間隔は、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。そして、後述の洗浄工程（ステップＳ３０）において、第２導電層１６６の端部が、凹凸の存在により除去されやすくなっている。また、凹部の最深部と、その隣の凸部の頂部との間隔は、隣接する導体部１６０の間隔より狭いことが望ましい。このことより、第２導電層１６６の端部が折れることによって異物が生成されたとしても、この異物が隣り合う導体部１６０を短絡することを抑制できる。

第２導電層１６６の端部が除去されると、第１導電層１６４と第２導電層１６６の断面形状は、図６に記載のようになる。すなわち、第２導電層１６６の幅は第１導電層１６４の幅とほぼ同じになる。または、第２導電層１６６の幅は第１導電層１６４の幅よりも小さくなる。この結果、後述の洗浄工程（ステップＳ３０）以降の工程において第２導電層１６６の端部が分離する可能性が低くなるため、この分離に起因して発光装置の歩留りが低下することを抑制できる。なお、第３導電層１６２の幅は第１導電層よりも大きいままである。

導体部１６０の凹凸は、導体部１６０を所定のパターンにエッチングする際に形成される。このようにするためには、エッチングの際に用いられるマスクパターンの外縁部に複数の凹凸を設ければよい。このため、図８に示すように導体部１６０の外縁部も平面形状において複数の凹凸を有する。例えばマスクパターンの外縁部の凹凸が正弦波に沿った形状を有している場合、導体部１６０の外縁部が有する複数の凹凸も正弦波の波形状またはそれに近い形状になる。また、マスクパターンの外縁部の凹凸が円弧に沿った形状（例えば半円に沿った形状）を有している場合、導体部１６０の外縁部が有する複数の凹凸も正弦波の波形状またはそれに近い形状になる。

また、発光装置１０は、さらに封止部材を有していてもよい。封止部材は、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されており、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして有機ＥＬ素子１４０は、この封止された空間の中に位置している。なお、封止部材はＡＬＤ法で形成された膜又はＣＶＤ法で形成された無機膜であってもよい。また、封止部材は、アルミニウム膜などの水分を透過しない膜及び接着層であってもよい。この場合、封止部材は、さらに上記した無機膜を有していてもよいし、接着層に乾燥剤が含まれていてもよい。

また、発光装置１０は、さらに乾燥剤を有していてもよい。乾燥剤は、例えば封止部材によって封止された空間内、例えば封止部材のうち基板１００に対向する面に配置されている。

図９は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。まず基板１００に第１電極１１０となる導電膜を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成される（ステップＳ１０）。

次いで、第１電極１１０及び第１端子１１２上に、第３導電層１６２となる膜、第１導電層１６４となる膜、及び第２導電層１６６となる膜を、この順に形成する。次いで、第２導電層１６６となる膜の上に、マスクパターンを用いることによりレジストパターンを形成する。これにより、レジストパターンの外縁部には、上記した凹凸が形成される。そして、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行う。この時のエッチング液は酸性（例えばリン酸、硝酸、酢酸、及び水の混合液）である。これにより、第３導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６の積層膜が形成される。この工程において、第２導電層１６６に含まれる物質及び第３導電層１６２に含まれる物質は、第１導電層１６４に含まれる物質よりも耐酸性が高く、エッチングされにくい。このため、第３導電層１６２及び第２導電層１６６の幅は、第１導電層１６４の幅よりも広くなる。また、レジストパターンの外縁部は複数の凹凸を有する。このため、図９に示すように導体部１６０の外縁部も平面形状において複数の凹凸を有する。（ステップＳ２０）。その後、レジストパターンを除去する。

次いで、基板１００の第１面１０２に高い圧力で洗浄液を吹きかけて洗浄する（洗浄工程１）。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。この洗浄工程１において第２導電層１６６のうち第１導電層１６４よりも外側に位置する部分（外縁部）の少なくとも一部は、洗浄液から受ける圧力により、除去される。ここで、上記したように第２導電層１６６の外縁部は複数の凹凸を有するため、外縁部に凹凸が無い場合と比較して導体部１６０の第２導電層１６６の端部は除去され易い。洗浄液が第２導電層１６６の端部にかかる応力は、凹部や凸部で集中するため、第２導電層１６６の端部は除去し易い（ステップＳ３０）。第２導電層１６６の端部が除去されると、図６に記載のような第１導電層１６４と第２導電層１６６に記載の断面形状となる。

その後、基板１００の第１面１０２を、洗浄液及びブラシを用いて洗浄する（洗浄工程２）。この洗浄工程２において、洗浄液にはアルカリ性の洗浄液が用いられる（ステップＳ４０）。なお、洗浄工程１と洗浄工程２は上述した逆の順番でも構わない。

次いで、基板１００上及び第１電極１１０上に、絶縁層１５０となる絶縁膜を、例えば塗布法を用いて形成する（ステップＳ５０）。この絶縁膜は、感光性を有している。次いで、この絶縁膜を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。なお、現像液はアルカリ性である（ステップＳ６０）。

次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて有機ＥＬ素子１４０を封止する。

以上、本実施形態によれば、導体部１６０は、第３導電層１６２、第１導電層１６４、及び第２導電層１６６をこの順に重ねた構成を有している。導体部１６０の外縁部は平面形状において複数の凹凸を有する。このため、図９のステップＳ３０に示した洗浄工程１において、第２導電層１６６のうち第１導電層１６４から食み出ている部分は分離されやすくなっている。すなわち、ステップＳ３０に示した洗浄工程１において、第２導電層１６６のうち第１導電層１６４から食み出ている部分は除去されやすい。従って、ステップＳ３０以降の工程において第２導電層１６６に起因した異物が生成し難くなる。このためこの異物に起因する発光装置１０の不具合を抑制できる。

上記実施形態において、導体部１６０の外縁部の複数の凹凸は、正弦波の波形状ではある。ただし、本発明はこれに限定されない。凹部と凸部が交互に連続していれば、洗浄工程１において第２導電層１６６の端部が除去し易くなる。具体的には図１６（ａ）のように、三角波の波形状であっても良いし、図１６（ｂ）のように矩形波の波形状であっても良い。また、ランダムな周期で連続する波形状であっても構わない。このように導体部１６０の外縁部の形状を周期的にすることにより、有機ＥＬ素子１４０の製造工程の一部（洗浄工程Ｓ３０）を利用して、図６に記載のような第１導電層１６４と第２導電層１６６の断面形状となる。

（実施例１）
図１０は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図であり、実施形態における図３に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２のほぼ全面にも導体部１６０が形成されている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

本実施例に係る発光装置１０の製造方法は、実施形態に係る発光装置１０の製造方法と同様である。このため、本実施例によっても、第２導電層１６６のうち第１導電層１６４から食み出ている部分（端部）は、図９のステップＳ３０に示した洗浄工程１において除去される。従って、第２導電層１６６の端部が折れて異物となることを抑制できる。さらに本実施例では、第１端子１１２及び第２端子１３２の上にも導体部１６０が形成されている。従って、第１端子１１２及び第２端子１３２の抵抗を低くすることができる。

（実施例２）
図１１は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１２は、図１１から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１３は図１１のＦ−Ｆ断面図であり、図１４は図１１のＧ−Ｇ断面図であり、図１５は図１１のＨ−Ｈ断面図である。

本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、有機ＥＬ素子１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。

第１電極１１０は、第１方向（図１１におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。

引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導体部１６０が形成されている。導体部１６０の構成は、実施形態と同様である。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。

絶縁層１５０は、図１１、及び図１３〜図１５に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１１におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１１におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１１におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１１におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。

引出配線１３４は、第２電極１３０と第２端子１３２とを電気的に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導体部１６０が形成されている。導体部１６０の構成は、実施形態と同様である。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子輸送層は第２電極１３０に接している。このため、有機ＥＬ素子１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。

なお、図１３及び図１４に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１１に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１５に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。

第２電極１３０は、図１１、図１３〜図１５に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１１におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上に、導体部１６０を形成する。導体部１６０の形成方法は実施形態に示したとおりであるため、導体部１６０の外縁部には、実施形態と同様に、平面形状において複数の凹凸が形成される。一組の凹凸と、その隣に位置する凹凸は、互いに同じ形状（例えば波形状である場合は、波長と振幅が同じ）であるのが好ましい。また、複数の導体部１６０が互いに平行に延在している領域において、１６０が延在する方向において、隣接する導体部１６０の凹部と凸部の位置が互いに一致することが好ましい。このようにすると、隣接する導体部１６０の間隔が一定になる。また、導体部１６０の幅が一定になる。このため、導体部１６０をエッチングするときにエッチング量のばらつきやエッチングの不具合によって隣接する導体部１６０の間の短絡や導体部１６０の開放等の不具合を抑制することができる。また、基板１００上に導体部１６０を効率良く設けることができるため、発光エリアをより広く設けることがきる。

次いで、絶縁層１５０上に隔壁１７０を形成し、さらに有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

本実施例によれば、有機ＥＬ素子１４０を用いたディスプレイにおいて、第２導電層１６６の端部が折れて異物となることを抑制できる。また、第１端子１１２及び第２端子１３２の抵抗を低くすることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１１０ 第１電極
１１２ 第１端子
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１３２ 第２端子
１４０ 有機ＥＬ素子
１５０ 絶縁層
１６０ 導体部
１６２ 第３導電層
１６４ 第１導電層
１６６ 第２導電層

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板上に位置する発光素子と、
   前記基板上に位置し、前記発光素子に電気的に接続する導体部と、
   を備え、
   前記導体部は、
   第１導電層と、
   前記第１導電層上に位置する第２導電層とを有し、
   前記導体部の外縁部は平面形状において複数の凹凸を有することを特徴とする発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記複数の凹凸は正弦波の波形状であることを特徴とする発光装置。
3. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記複数の凹凸は三角波の波形状であることを特徴とする発光装置。
4. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記複数の凹凸は矩形波の波形状であることを特徴とする発光装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記第２導電層の幅は前記第１導電層の幅よりも小さいことを特徴とする発光装置。
6. 請求項５に記載の発光装置において、
   前記導体部は、第３導電層を有し、
   前記第２導電層は前記第３導電層上に位置し、
   前記第３導電層の幅は前記第１導電層の幅よりも大きいことを特徴とする発光装置。
7. 請求項５又は６に記載の発光装置において、
   前記第２導電層に含まれる物質は、前記第１導電層に含まれる物質よりも耐酸性が高い発光装置。
8. 請求項６に記載の発光装置において、
   前記第３導電層に含まれる物質は、前記第１導電層に含まれる物質よりも耐酸性が高い発光装置。

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