KR20220096192A

KR20220096192A - 박막증착방법

Info

Publication number: KR20220096192A
Application number: KR1020200188420A
Authority: KR
Inventors: 윤성연; 육지용; 이홍재; 심우필
Original assignee: 주식회사 테스
Priority date: 2020-12-30
Filing date: 2020-12-30
Publication date: 2022-07-07
Also published as: KR102483103B1

Abstract

본 발명은 박막증착방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 PECVD 방식을 이용하여 증착되며 가시광선 영역대 빛의 흡수율을 최대한 높일 수 있는 박막의 증착방법에 대한 것이다.

Description

박막증착방법 {Thin film deposition method}

최근 각종 산업의 발달로 인해 다양한 디스플레이가 사용되고 있다. 이러한 디스플레이는 가시광선 영역대 빛을 이용하여 사람이 인식하게 된다.

그런데, 상기 디스플레이 표면에서 가시광선의 투과율 또는 반사율이 높아지게 되면, 즉 가시광선의 흡수율이 낮아지게 되면 사용자가 디스플레이를 제대로 인식할 수 없게 된다.

예를 들어, 차량 등의 내부에 사용되는 각종 디스플레이의 경우 운전자에게 정확한 정보전달이 필수적이며, 운전자가 제대로 인식하지 못하는 경우 교통 사고 등의 위험이 발생할 수 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 가시광선 영역대 빛의 흡수율을 최대한 높일 수 있는 박막의 증착방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 본 발명의 목적은 기판의 제1 면에 그래핀옥사이드막을 증착하는 단계 및 상기 그래핀옥사이드막의 상부에 제1 헤이즈막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법에 의해 달성된다.

여기서, 상기 제1 면과 상기 그래핀옥사이드막 사이에 제2 헤이즈막을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.

나아가, 상기 제1 헤이즈막의 상부에 제1 SiOx막을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.

한편, 상기 제1 면과 상기 제2 헤이즈막 사이에 제2 SiOx막을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.

한편, 상기 제1 헤이즈막은 SiOx막을 증착하는 단계와 SiNx막을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하여 증착될 수 있다.

이 경우, 상기 제1 헤이즈막은 SiOx막을 증착하는 단계와 SiNx막을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하는 세트를 복수회 반복하여 증착될 수 있다.

한편, 상기 SiOx막을 증착하는 단계와 SiNx막을 증착하는 단계 사이에 챔버 내부를 배기하는 단계를 더 포함하고, 상기 배기단계에서 상기 챔버 내부의 압력을 미리 정해진 배기압력으로 유지할 수 있다. 예를 들어, 상기 배기압력은 3000 내지 5000mTorr로 결정될 수 있다.

나아가, 상기 그래핀옥사이드막을 증착하는 단계는 시클로헥사논(Cyclohexanone)과 그래핀옥사이드(Graphene Oxide)의 혼합물을 준비하는 단계와, 상기 혼합물을 기화시켜 챔버로 공급하는 단계와, RF 파워를 제공하여 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 증착하는 단계를 포함할 수 있다.

한편, 상기 혼합물은 상기 시클로헥사논이 90.0 내지 99.9 중량%, 상기 그래핀옥사이드가 0.1 내지 10.0중량% 혼합될 수 있다.

또한, 상기 기판의 제2 면에 알루미늄막을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.

전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 그래핀옥사이드를 원료가스로 공급하여 PECVD 방식에 의해 박막을 증착하는 경우 가시광선 영역대 빛의 흡수율을 최대한 높일 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착방법을 도시한 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 박막증착방법이 적용될 수 있는 화학기상증착장치의 구성을 도시한 측단면도,
도 3 및 도 4는 전술한 박막증착방법에 따라 증착된 다양한 형태의 흡수막을 도시한 측면도,
도 5는 제1 헤이즈막을 도시한 측면도,
도 6은 헤이즈막의 표면을 촬영한 SEM(Scanning electron microscopy) 사진,
도 7은 제1 비교예의 흡수율을 도시한 그래프,
도 8은 제2 비교예의 흡수율을 도시한 그래프,
도 9는 본 발명에 따른 실시예의 흡수율을 도시한 그래프이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 박막증착방법에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착방법을 도시한 순서도이다.

도 1을 참조하면, 상기 박막증착방법은 기판(S)(도 3 참조)의 제1 면(S1)에 그래핀옥사이드막(120) (도 3 참조)을 증착하는 단계(S110) 및 상기 그래핀옥사이드막(120)의 상부에 제1 헤이즈막(haze layer)(130)(도 3 참조)을 증착하는 단계(S130)를 포함한다. 본 발명에서는 기판(S)에 복수개의 막으로 구성된 흡수막(100)을 증착하여 가시광선 대역(400nm 내지 700nm)의 빛을 최대한 흡수하게 된다.

도 2는 본 발명에 따른 박막증착방법이 적용될 수 있는 화학기상증착장치(5)의 구성을 도시한 측단면도이다.

도 2를 참조하면, 상기 화학기상증착장치(5)는 챔버(10)와, 상기 챔버(10) 내부에 구비되는 제1 전극(20)과, 상기 제1 전극(20)과 마주보며 상기 챔버(10) 내부에 구비되는 제2 전극(30) 및 상기 제1 전극(20)에 연결되는 RF 제너레이터(RF generator)(70)를 구비할 수 있다.

상기 챔버(10)는 기판(S)이 수용되어 처리되는 공간을 제공한다. 상기 챔버(10)의 내부 상측에 상기 제1 전극(20)이 구비된다. 예를 들어, 상기 기판(S)에 대해 공정가스를 공급하는 가스공급부가 상기 제1 전극(20)의 역할을 할 수 있다.

또한, 상기 제1 전극(20)에는 플라즈마 발생을 위해 RF 파워를 공급하는 RF 제너레이터(70)가 연결될 수 있다. 상기 RF 제너레이터(70)는 RF 파워를 상기 제1 전극(20)으로 공급하는 역할을 하게 된다.

한편, 상기 챔버(10)의 내부 하측에 상기 제2 전극(30)이 구비된다. 상기 제2 전극(30)이 접지되어 상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 사이에 플라즈마가 발생하여 상기 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전극(30)은 상기 기판(S)을 가열하는 히터(미도시)가 내장된 기판지지부로 구성될 수 있다.

도면에 도시되지 않았지만 상기 제1 전극(20)이 접지되고, 상기 제2 전극(30)에 RF 파워가 공급되는 구성도 물론 가능하다.

도 3 및 도 4는 전술한 박막증착방법에 따라 증착된 다양한 형태의 흡수막(100, 200, 300, 400, 500, 600)을 도시한다.

도 3의 (A)를 참조하면, 상기 기판(S)의 제1 면(S1)에 상기 그래핀옥사이드막(120)이 증착되고, 상기 그래핀옥사이드막(120)의 상부에 제1 헤이즈막(haze layer)(130)이 증착된다.

여기서, 상기 그래핀옥사이드막(120)은 그래핀옥사이드(Graphene Oxide)를 주된 소스로 하여 증착된다.

예를 들어, 상기 그래핀옥사이드막(120)을 증착하는 단계는 시클로헥사논(Cyclohexanone)과 그래핀옥사이드(Graphene Oxide)의 혼합물을 준비하는 단계와, 상기 혼합물을 기화시켜 챔버(10)로 공급하는 단계 및 RF 파워를 제공하여 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 통해 박막을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.

먼저, 시클로헥사논(Cyclohexanone)과 그래핀옥사이드(Graphene Oxide)의 혼합물을 준비한다.

이 경우 상기 혼합물은 상기 시클로헥사논이 90.0 내지 99.9 중량%, 상기 그래핀옥사이드가 0.1 내지 10.0중량%로 혼합될 수 있으며, 기타 용매 또는 첨가제가 포함될 수 있다.

상기 혼합물은 상온에서 액상으로 존재하므로 챔버(10)에 공급하기 위해서는 기화시켜 공급하게 된다. 이 경우, 불활성가스와 같은 캐리어가스를 사용할 수 있다.

한편, 상기 혼합물을 기화시켜 챔버(10)로 공급하는 단계에 앞서서 또는 상기 혼합물을 기화시켜 챔버(10)로 공급하는 단계와 함께 상기 챔버(10) 내부의 공정조건을 조절할 수 있다.

상기 공정조건은 상기 RF 제너레이터(70)에서 공급하는 RF 파워, 상기 챔버(10) 내부의 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 사이의 갭(G), 상기 챔버(10) 내부의 온도 및 압력, 상기 그래핀옥사이드의 유량 중에 적어도 하나를 포함할 수 있다.

한편, 상기 챔버(10) 내부의 온도를 비교적 고온, 예를 들어 400℃ 이상의 온도로 하여 PECVD에 의해 박막을 증착하게 되면 상대적으로 더 낮은 두께와 높은 가시광선 흡수율을 가지는 박막을 증착할 수 있다. 하지만, 이러한 고온 공정은 선행하는 공정에 의해 상기 기판(S)의 표면에 이미 형성된 패턴 또는 박막을 손상시킬 수 있다.

따라서, 본 발명의 경우 상대적으로 저온 공정으로 PECVD에 의해 박막을 증착하게 된다. 여기서, 저온 공정이라 함은 예를 들어, 상기 챔버(10) 내부의 공정온도가 100℃ 내지 200℃에 해당하며, 나아가 140℃ 내지 160℃에 해당하는 공정에 해당한다.

한편, 상기 RF 제너레이터(70)에서 공급하는 RF 파워는 대략 600W 내지 1300W로 결정될 수 있다. 또한, 본 출원인의 실험에 따르면 전술한 RF 파워 대역에서 RF 파워가 높을수록 박막의 밀도가 증가하여 박막의 두께는 낮아지고 가시광선 대역의 흡수율이 증가하는 것을 확인하였다.

나아가, 상기 챔버(10) 내부의 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 사이의 갭(G)은 대략 10mm 내지 20mm로 결정될 수 있다.

본 출원인의 실험에 따르면 상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 사이의 갭(G)이 20mm인 경우에 증착된 박막의 경우 가시광선대역의 전파장에서 빛의 평균 흡수율이 73.03%에 해당한다.

또한, 상기 갭(G)이 12mm인 경우에 증착된 박막의 경우 가시광선대역의 전파장에서 빛의 평균 흡수율이 84.78%에 해당하며, 상기 갭(G)이 10mm인 경우에 증착된 박막의 경우 가시광선대역의 전파장에서 빛의 평균 흡수율이 85.60%에 해당하는 것을 알 수 있다.

즉, 전술한 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 사이의 갭(G) 대역에서 상기 갭(G)이 작을수록 박막의 밀도가 증가하여 가시광선 대역에서 빛의 흡수율이 높아지는 것을 확인할 수 있다.

한편, 상기 갭(G)이 10mm 이하로 낮아지는 경우 상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 접촉 또는 기판(S)의 손상 등의 가능성이 있으므로 상기 갭(G)은 최소 10mm로 유지하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 챔버(10) 내부의 압력은 750 내지 4000Torr, 상기 그래핀옥사이드의 유량은 65 내지 1500sccm로 결정될 수 있다. 본 출원인의 실험에 따르면 전술한 압력대역에서 압력이 낮을수록 가시광선 대역의 빛의 흡수율이 높아지는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 그래핀옥사이드의 유량은 상기 유량대역에서 대략 100sccm으로 공급되는 경우에 가시광선 대역의 빛의 흡수율이 높아지는 것을 확인할 수 있었다.

한편, 상기 챔버(10)에 N₂O를 더 공급할 수 있으며, 이 경우 박막의 색감이 짙은색으로 어두워지면서 가시광선 대역의 빛의 흡수율이 높아지는 것을 확인할 수 있었다.

한편, 상기 제1 헤이즈막(130)을 증착하는 단계는 PECVD 방식에 의해 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 PECVD 방식에 의해 SiNx막(134)을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하여 증착될 수 있다.

도 5는 상기 제1 헤이즈막(130)을 구성하는 단위막(1300)을 도시한 측면도이다. 즉, 도 5에 따른 단위막(1300)이 복수개 적층되어 전술한 제1 헤이즈막(130)을 형성하게 된다.

도 5를 참조하면, 상기 SiOx막(132)과 SiNx막(134)이 교번적으로 적층되어 상기 단위막(1300)을 구성하게 된다.

예를 들어, 상기 SiOx막(132)과 SiNx막(134)은 각각 대략 20nm의 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 단위막(1300)의 두께는 대략 100nm에 해당한다.

전술한 제1 헤이즈막(130)은 상기 단위막(1300)이 복수개 적층되어 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 헤이즈막(130)은 상기 단위막(1300)이 5개 적층되어 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 헤이즈막(130)의 두께는 대략 500nm (또는 0.5㎛)에 해당한다.

전술한 상기 SiOx막(132)의 굴절율은 대략 1.44 내지 1.46에 해당하며, 상기 SiNx막(134)의 굴절율은 대략 1.84 내지 1.90에 해당한다. 따라서, 굴절율이 상이한 상기 SiOx막(132)과 SiNx막(134)이 교번적으로 적층되어 구성되는 상기 제1 헤이즈막(130)은 빛의 반사 및 투과를 최대한 억제할 수 있다. 또한, 상기 제1 헤이즈막(130)은 표면에 요철 형상이 형성되어 빛의 산란을 유도하여 빛의 반사 및 투과를 억제할 수 있다.

도 6은 상기 헤이즈막의 표면을 촬영한 SEM(Scanning electron microscopy) 사진으로서, 헤이즈막의 표면에 수백 nm 크기의 거칠기를 가지는 요철 형상이 형성됨을 확인할 수 있다.

한편, 전술한 제1 헤이즈막(130)은 상기 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 SiNx막(134)을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하는 세트를 복수회 반복하여 증착될 수 있다.

예를 들어, 상기 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 SiNx막(134)을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하는 공정을 하나의 세트라고 할 때, 상기 세트에 의해 증착되는 막이 도 5의 단위막(1300)에 해당할 수 있다.

즉, 상기 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 SiNx막(134)을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하여 총 5개의 막을 증착하는 공정을 하나의 세트공정으로 할 수 있다. 전술한 제1 헤이즈막(130)은 상기 세트공정을 5회 반복하여, 총 25개의 막을 가질 수 있다.

한편, 상기 제1 헤이즈막(130)을 증착하는 경우, 상기 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 SiNx막(134)을 증착하는 단계 사이에 전술한 챔버(10) 내부를 배기하는 단계를 더 포함하고, 상기 배기단계에서 상기 챔버(10) 내부의 압력을 미리 정해진 배기압력으로 유지할 수 있다.

상기 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 SiNx막(134)을 증착하는 단계 사이에 챔버(10) 내부의 잔존가스를 완전히 배기하게 되면 상기 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 SiNx막(134)을 증착하는 단계를 반복하는 경우에 증착시간이 현저히 늘어나서 생산성이 떨어지게 된다. 또한, 본 발명에 따른 헤이즈막은 반사율 및 투과율을 낮추기 위하여 요철 형상을 구비하게 되는 바, 이러한 요철 형상을 형성하기 위하여 미리 정해진 배기압력까지만 배기하고 후속 증착단계를 수행하게 된다. 상기 배기압력은 예를 들어, 3000 내지 5000mTorr로 결정될 수 있다. 따라서, 상기 챔버(10) 내부의 잔존가스를 완전히 배기하지 않고 상기 SiOx막(132)을 증착하는 단계와 SiNx막(134)을 증착하는 단계를 반복하여 헤이즈막의 표면에 요철 형상을 형성하여 가시광선 대역의 빛의 흡수율을 높일 수 있다.

한편, 도 3의 (B)를 참조하면, 상기 박막증착방법은 상기 제1 면(S1)과 상기 그래핀옥사이드막(120) 사이에 제2 헤이즈막(140)을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.

따라서, 상기 흡수막(200)은 상기 기판(S)에서 상부를 향해 제2 헤이즈막(140), 그래핀옥사이드막(120) 및 제1 헤이즈막(130)이 순차적으로 적층된다.

상기 제2 헤이즈막(140)은 전술한 제1 헤이즈막(130)과 동일한 구성을 가지며 동일한 방법에 의해 증착되므로 반복적인 설명은 생략한다. 다만, 상기 제2 헤이즈막(140)은 상기 제1 헤이즈막(130)과 다른 두께를 가질 수 있다.

이 경우, 상기 그래핀옥사이드막(120)은 대략 0.5㎛ 내지 1.0㎛을 두께를 가질 수 있으며, 나아가 상기 제1 헤이즈막(130) 또는 상기 제1 헤이즈막(130)은 대략 0.5㎛ 내지 1.0㎛을 두께를 가질 수 있다.

한편, 도 3의 (C)와 도 3의 (D)를 참조하면, 상기 기판(S)의 제2 면(S2)에 알루미늄막(170)을 더 증착할 수 있다. 도 3의 (C)와 도 3의 (D)는 전술한 도 3의 (A)와 도 3의 (B)의 실시예에 알루미늄막(170)이 증착된 상태를 도시한다.

도 3의 (C)와 도 3의 (D)에 도시된 바와 같이, 상기 기판(S)의 제2 면(S2)에 알루미늄막(170)을 증착하게 되면 빛의 투과율을 낮출 수 있는 장점이 있다. 상기 알루미늄막(170)은 대략 0.2㎛의 두께를 가질 수 있다.

한편, 도 4의 (A)는 상기 제1 헤이즈막(130)의 상부에 제1 SiOx막(150)을 증착하여 제1 SiOx막(150)이 증착된 흡수막(500)을 도시한 측면도이다.

또한, 도 4의 (B)는 상기 기판(S)의 상기 제1 면(S1)과 전술한 제2 헤이즈막(140) 사이에 제2 SiOx막(160)을 증착한 흡수막(600)의 측면도이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 SiOx막(150) 또는 상기 제2 SiOx막(160)을 더 포함하게 되면, 가시광선 대역의 빛의 반사율을 줄일 수 있다.

예를 들어, 전술한 그래핀옥사이드막(120)의 굴절율은 대략 1.8에 해당하며, 상기 SiNx막(134)의 굴절율은 대략 1.84 내지 1.90에 해당하는 반면에 상기 SiOx막(132)의 굴절율은 대략 1.44 내지 1.46에 해당한다.

그런데, 굴절율이 낮은 매질에서 높은 매질로 빛이 진행하게 되면 투과율은 증가하며 반사율이 감소하게 된다. 따라서, 빛이 상기 제1 SiOx막(150)을 거쳐 제1 헤이즈막(130) 및 그래핀옥사이드막(120)으로 진행하게 되면 반사율을 줄일 수 있다. 한편, 빛이 상기 제1 SiOx막(150)을 거쳐 제1 헤이즈막(130) 및 그래핀옥사이드막(120)으로 진행하면서 증가된 투과율은 상기 그래핀옥사이드막(120)에서 빛을 흡수하여 상쇄시킬 수 있다.

한편, 전술한 상기 제1 SiOx막(150) 또는 상기 제2 SiOx막(160)은 굴절율이 상대적으로 낮은 막으로 대체할 수 있으며, 예를 들어 굴절율이 대략 1.35에 해당하는 MgF₂막 등으로 대체할 수 있다.

한편, 도 7 내지 도 9는 비교예 및 본 발명에 실시예에 따른 흡수막의 가시광선 대역의 빛의 흡수율을 비교한 그래프이다. 도 7은 기판의 제1 면에 전술한 그래핀옥사이드막만 증착된 제1 비교예의 그래프이며, 도 8은 상기 기판의 제1 면에 그래핀옥사이드막이 증착되고, 상기 기판의 제2 면에 알루미늄막이 증착된 제2 비교예의 그래프이며, 도 9는 상기 기판(S)의 제1 면(S1)에 그래핀옥사이드막(120) 및 제1 헤이즈막(130)이 증착되고 상기 기판(S)의 제2 면(S2)에 알루미늄막(170이 증착된 실시예(도 3의 (C) 참조)의 그래프이다. 도 7 내지 도 9에서 'A' 곡선은 흡수율을 도시하며, 'T' 곡선은 투과율을 도시하며, 'R' 곡선은 반사율을 도시한다. 또한, 도 7 내지 도 9에서 가로축은 가시광선 대역에서 빛의 파장(nm)을 도시하며 세로축은 흡수율, 투과율 및 반사율(%)을 도시한다.

도 7을 참조하면 제1 비교예의 경우 파장이 길어질수록 흡수율(A)이 떨어지는 것을 알 수 있으며, 가시광선 대역의 빛의 평균 흡수율은 대략 85.595%에 해당한다.

또한, 도 8을 참조하면 제2 비교예의 경우 가시광선 대역의 빛의 평균 흡수율은 대략 89.582%에 해당한다.

나아가, 도 9를 참조하면 실시예의 경우 가시광선 대역의 빛의 평균 흡수율은 대략 94.225%에 해당하며 비교예에 비해 현저히 빛의 흡수율이 상승한 것을 알 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.

5 : 화학기상증착장치
10 : 챔버
20 : 제1 전극
30 : 제2 전극
70 : RF 제너레이터
100 : 흡수막
120 : 그래핀옥사이드막
130 : 제1 헤이즈막
140 : 제2 헤이즈막
150 : 제1 SiOx막
160 : 제2 SiOx막
170 : 알루미늄막

Claims

기판의 제1 면에 그래핀옥사이드막을 증착하는 단계; 및
상기 그래핀옥사이드막의 상부에 제1 헤이즈막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제1항에 있어서,
상기 제1 면과 상기 그래핀옥사이드막 사이에
제2 헤이즈막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제2항에 있어서,
상기 제1 헤이즈막의 상부에
제1 SiOx막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제3항에 있어서,
상기 제1 면과 상기 제2 헤이즈막 사이에
제2 SiOx막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제1항에 있어서,
상기 제1 헤이즈막은
SiOx막을 증착하는 단계와 SiNx막을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하여 증착되는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제1항에 있어서,
상기 제1 헤이즈막은
SiOx막을 증착하는 단계와 SiNx막을 증착하는 단계를 교번적으로 반복하는 세트를 복수회 반복하여 증착되는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 SiOx막을 증착하는 단계와 SiNx막을 증착하는 단계 사이에
챔버 내부를 배기하는 단계를 더 포함하고, 상기 배기단계에서 상기 챔버 내부의 압력을 미리 정해진 배기압력으로 유지하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제7항에 있어서,
상기 배기압력은 3000 내지 5000mTorr인 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제1항에 있어서,
상기 그래핀옥사이드막을 증착하는 단계는
시클로헥사논(Cyclohexanone)과 그래핀옥사이드(Graphene Oxide)의 혼합물을 준비하는 단계;
상기 혼합물을 기화시켜 챔버로 공급하는 단계;
RF 파워를 제공하여 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제9항에 있어서,
상기 혼합물은
상기 시클로헥사논이 90.0 내지 99.9 중량%, 상기 그래핀옥사이드가 0.1 내지 10.0중량% 혼합되는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
제1항에 있어서,
상기 기판의 제2 면에 알루미늄막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.