JPH0756002A - ハードコート層およびその製造方法 - Google Patents
ハードコート層およびその製造方法Info
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- JPH0756002A JPH0756002A JP5217983A JP21798393A JPH0756002A JP H0756002 A JPH0756002 A JP H0756002A JP 5217983 A JP5217983 A JP 5217983A JP 21798393 A JP21798393 A JP 21798393A JP H0756002 A JPH0756002 A JP H0756002A
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- coat layer
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- plastic substrate
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 プラスチック基板上にハードコート層を形成
してプラスチック基板を強度的に保護するに際し、ハー
ドコート層のプラスチック基板と接触する部位での屈折
率をプラスチック基板の屈折率と略等しくし、かつハー
ドコート層の屈折率を厚さ方向で連続的ないしは段階的
に変化させてハードコート層を形成する。 【効果】 プラスチック基板の反射率を広範囲にわたっ
て均一に低下させることができる。
してプラスチック基板を強度的に保護するに際し、ハー
ドコート層のプラスチック基板と接触する部位での屈折
率をプラスチック基板の屈折率と略等しくし、かつハー
ドコート層の屈折率を厚さ方向で連続的ないしは段階的
に変化させてハードコート層を形成する。 【効果】 プラスチック基板の反射率を広範囲にわたっ
て均一に低下させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチック基板上に
形成されたハードコート層ならびにこの製造方法に関す
る。
形成されたハードコート層ならびにこの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光学部品、透明な外装、容器、フィルム
などにおいては、プラスチック基板が軽量性、安全性、
可撓性、低価格性などを理由として汎く用いられてい
る。また、プラスチック基板は硬度的に軟らかいことか
ら傷が付きやすいため、硬質のハードコート層を設ける
ことがある
などにおいては、プラスチック基板が軽量性、安全性、
可撓性、低価格性などを理由として汎く用いられてい
る。また、プラスチック基板は硬度的に軟らかいことか
ら傷が付きやすいため、硬質のハードコート層を設ける
ことがある
【０００３】しかしながら、ハードコート層を設けた場
合には、光の干渉により波長域によって反射率が大きく
異なるため強い干渉色（反射光の色相）が生じ、また、
全体的な反射防止効果も得られない。
合には、光の干渉により波長域によって反射率が大きく
異なるため強い干渉色（反射光の色相）が生じ、また、
全体的な反射防止効果も得られない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、プラスチッ
ク基板の反射率を広波長域にわたってほぼ均一に減少さ
せるハードコート層およびその製造方法を提供するもの
である。
ク基板の反射率を広波長域にわたってほぼ均一に減少さ
せるハードコート層およびその製造方法を提供するもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のハードコート層
は、プラスチック基板上に形成され、プラスチック基板
と接触する部位の屈折率がプラスチック基板の屈折率と
略等しく、厚さ方向に向かって屈折率が連続的ないしは
段階的に低下していることを特徴とする。
は、プラスチック基板上に形成され、プラスチック基板
と接触する部位の屈折率がプラスチック基板の屈折率と
略等しく、厚さ方向に向かって屈折率が連続的ないしは
段階的に低下していることを特徴とする。
【０００６】本発明のハードコート層の製造方法は、プ
ラスチック基板上にハードコート層を形成してプラスチ
ック基板を強度的に保護するに際し、ＣＶＤ法によって
屈折率が異なる２種以上の物質をプラスチック基板上に
堆積せしめ、これら物質の堆積量の割合を厚さ方向で変
化させて複合ハードコート層を形成することにより、ハ
ードコート層のプラスチック基板と接触する部位での屈
折率をプラスチック基板の屈折率と略等しくし、かつハ
ードコート層の屈折率を厚さ方向で連続的ないしは段階
的に低下させてハードコート層を形成することを特徴と
する。
ラスチック基板上にハードコート層を形成してプラスチ
ック基板を強度的に保護するに際し、ＣＶＤ法によって
屈折率が異なる２種以上の物質をプラスチック基板上に
堆積せしめ、これら物質の堆積量の割合を厚さ方向で変
化させて複合ハードコート層を形成することにより、ハ
ードコート層のプラスチック基板と接触する部位での屈
折率をプラスチック基板の屈折率と略等しくし、かつハ
ードコート層の屈折率を厚さ方向で連続的ないしは段階
的に低下させてハードコート層を形成することを特徴と
する。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明のハードコート層の層構成を
示す説明図であり、プラスチック基板１１上に、透明の
ハードコート層１３が設けられている。プラスチック基
板としては、ポリビスアリルカーボネート、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレー
ト、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リウレタン、ポリチオウレタン等いずれもが可能であ
り、特に透明ないしは半透明の基体に好適である。
示す説明図であり、プラスチック基板１１上に、透明の
ハードコート層１３が設けられている。プラスチック基
板としては、ポリビスアリルカーボネート、ポリカーボ
ネート、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレー
ト、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リウレタン、ポリチオウレタン等いずれもが可能であ
り、特に透明ないしは半透明の基体に好適である。
【０００８】図２は、本願発明のハードコート層におけ
る屈折率の関係を示す説明図である。ハードコート層１
３の屈折率は、プラスチック基板１１と接する部分でプ
ラスチック基板１１と略同一とし、表面に向かって徐々
に低下させる。この低下は、連続的に行なっても段階的
に行なってもよいが、段階的に行なう場合は本発明の効
果が損なわれないよう多段階に分割する必要がある。
る屈折率の関係を示す説明図である。ハードコート層１
３の屈折率は、プラスチック基板１１と接する部分でプ
ラスチック基板１１と略同一とし、表面に向かって徐々
に低下させる。この低下は、連続的に行なっても段階的
に行なってもよいが、段階的に行なう場合は本発明の効
果が損なわれないよう多段階に分割する必要がある。
【０００９】いま、プラスチック基板１１の屈折率を
１．６５とし、その上に１０段階に分けて徐々に屈折率
を低下させてハードコート層１３を形成し、１０段階目
のハードコート層１３の屈折率を１．４５とした場合の
構成を表１に示す。ハードコート層１３の合計の幾何学
的膜厚は約１μｍ（１０００ｎｍ）であり、分光反射特
性は図３および図４に示した通りである。
１．６５とし、その上に１０段階に分けて徐々に屈折率
を低下させてハードコート層１３を形成し、１０段階目
のハードコート層１３の屈折率を１．４５とした場合の
構成を表１に示す。ハードコート層１３の合計の幾何学
的膜厚は約１μｍ（１０００ｎｍ）であり、分光反射特
性は図３および図４に示した通りである。
【００１０】
【表１】
【００１１】図３は、可視域ないし近赤外領域での分光
反射特性であり、全域にわたってほぼ均等に反射率を低
下させることができる。ハードコート層なしのプラスチ
ック基板（屈折率１．６５）の場合は、片面の反射率が
約６．０％であるが、本発明のハードコート層によって
ハードコート層表面の屈折率を１．４５にすることによ
り、約３．３％まで反射率を低下させることができる。
反射特性であり、全域にわたってほぼ均等に反射率を低
下させることができる。ハードコート層なしのプラスチ
ック基板（屈折率１．６５）の場合は、片面の反射率が
約６．０％であるが、本発明のハードコート層によって
ハードコート層表面の屈折率を１．４５にすることによ
り、約３．３％まで反射率を低下させることができる。
【００１２】図４は、波長５００〜５０００ｎｍ（０．
５〜５μｍ）の分光反射特性であり、本発明のハードコ
ート層が著しい広帯域にわたって均一な反射低下効果を
有することが判る。また、ハードコート層１３の表面の
屈折率を１．４５より低下させれば、さらに反射率を低
下させることができる。
５〜５μｍ）の分光反射特性であり、本発明のハードコ
ート層が著しい広帯域にわたって均一な反射低下効果を
有することが判る。また、ハードコート層１３の表面の
屈折率を１．４５より低下させれば、さらに反射率を低
下させることができる。
【００１３】同様に、プラスチック基板１１の屈折率が
１．６０の場合、図２、表１と同様にして幾何学的膜厚
１μｍのハードコート層１３を形成すると、可視域の波
長範囲で３．５％以下まで反射率が低下し、また、図
３，４と同様に広い波長領域にわたって均一な反射防止
効果が得られる。また、ハードコート層の光学的膜厚は
０．５〜１５μｍの範囲が好適であり、好ましくは０．
７〜４．７μｍである。
１．６０の場合、図２、表１と同様にして幾何学的膜厚
１μｍのハードコート層１３を形成すると、可視域の波
長範囲で３．５％以下まで反射率が低下し、また、図
３，４と同様に広い波長領域にわたって均一な反射防止
効果が得られる。また、ハードコート層の光学的膜厚は
０．５〜１５μｍの範囲が好適であり、好ましくは０．
７〜４．７μｍである。
【００１４】なお、図２では膜厚方向に一定の割合で連
続的にハードコート層の屈折率を低下させた実施例を示
し、また、表１では膜厚方向に一定の割合で段階的にハ
ードコート層の屈折率を低下させた実施例を示した。し
かしながら本発明はこれら実施例に限定されず、膜厚方
向での屈折率の低下の割合が一様でなくてもよい（図２
で説明すれば、ハードコート層の膜厚方向での屈折率の
低下を示す破線が折線あるいは曲線状になる）。
続的にハードコート層の屈折率を低下させた実施例を示
し、また、表１では膜厚方向に一定の割合で段階的にハ
ードコート層の屈折率を低下させた実施例を示した。し
かしながら本発明はこれら実施例に限定されず、膜厚方
向での屈折率の低下の割合が一様でなくてもよい（図２
で説明すれば、ハードコート層の膜厚方向での屈折率の
低下を示す破線が折線あるいは曲線状になる）。
【００１５】プラスチック基板１１上に、屈折率に傾斜
を有するハードコート層１３を形成する方法は、特に問
わず、液相法、気相法のいずれもが採用可能であるが、
化学気相成長法（ＣＶＤ）が好ましい。図５は、ＣＶＤ
法を利用した本発明の製造方法の実施例を示す説明図で
ある。
を有するハードコート層１３を形成する方法は、特に問
わず、液相法、気相法のいずれもが採用可能であるが、
化学気相成長法（ＣＶＤ）が好ましい。図５は、ＣＶＤ
法を利用した本発明の製造方法の実施例を示す説明図で
ある。
【００１６】堆積槽２１内の基板ホルダー２３には、眼
鏡レンズ等のプラスチック基板２５が保持され、モータ
２７で回転され、また、ヒータ（図示せず）により加熱
されている。堆積槽２１は、真空ポンプ２９により真空
度を調整されており、プラズマ発生用電源３３から放電
電極３１に電力が供給され、プラズマＣＶＤ処理がなさ
れる。
鏡レンズ等のプラスチック基板２５が保持され、モータ
２７で回転され、また、ヒータ（図示せず）により加熱
されている。堆積槽２１は、真空ポンプ２９により真空
度を調整されており、プラズマ発生用電源３３から放電
電極３１に電力が供給され、プラズマＣＶＤ処理がなさ
れる。
【００１７】第１気化器４５に低屈折率酸化物形成用の
低ＣＶＤ原料が入れられ、一方、第２気化器４７に高屈
折率酸化物形成用の高ＣＶＤ原料が充填され、同伴用ガ
スボンベ４１からの同伴ガスによりバブリングされて一
部が気化し、混合器４９を経て堆積槽２１に供給され
る。
低ＣＶＤ原料が入れられ、一方、第２気化器４７に高屈
折率酸化物形成用の高ＣＶＤ原料が充填され、同伴用ガ
スボンベ４１からの同伴ガスによりバブリングされて一
部が気化し、混合器４９を経て堆積槽２１に供給され
る。
【００１８】一方、反応用ガスボンベ４３からは、酸化
用のガスが混合器４９を経て堆積槽２１に供給され、Ｃ
ＶＤ原料蒸気との反応により酸化物がプラスチック基板
２５上に堆積する。気化器４５，４７およびその後の配
管系は加熱することが望ましい。このとき、第１および
第２気化器４５，４７からそれぞれ供給される低屈折率
酸化物形成用の低ＣＶＤ原料と、高屈折率酸化物形成用
の高ＣＶＤ原料との供給比を変化させることにより、形
成される膜の屈折率を制御することができる。例えば、
低ＣＶＤ原料としてＳｉ系化合物を用いてＳｉＯ2 を堆
積させ、一方、高ＣＶＤ原料としてＴｉ系化合物を用い
ＴｉＯ2を堆積させると、ＳｉＯ2とＴｉＯ2との複合膜
が形成される。ＳｉＯ2 の屈折率が１．４５、ＴｉＯ2
屈折率が２．３０程度であるので、供給比の変更により
１．４５〜２．３０間で屈折率を変更させることができ
る。なお実際には、基板がプラスチックであるため基板
の加熱温度に限界があるため、プラズマＣＶＤ反応を完
全に進行させて純枠の酸化物とすることが難しく、上記
の屈折率とは若干異なるが、再現性は高いので問題はな
い。また、一方において、有機物が膜中に微量存在する
と膜のストレスが緩和されて、クラックの発生防止等の
膜品質の向上につながる。
用のガスが混合器４９を経て堆積槽２１に供給され、Ｃ
ＶＤ原料蒸気との反応により酸化物がプラスチック基板
２５上に堆積する。気化器４５，４７およびその後の配
管系は加熱することが望ましい。このとき、第１および
第２気化器４５，４７からそれぞれ供給される低屈折率
酸化物形成用の低ＣＶＤ原料と、高屈折率酸化物形成用
の高ＣＶＤ原料との供給比を変化させることにより、形
成される膜の屈折率を制御することができる。例えば、
低ＣＶＤ原料としてＳｉ系化合物を用いてＳｉＯ2 を堆
積させ、一方、高ＣＶＤ原料としてＴｉ系化合物を用い
ＴｉＯ2を堆積させると、ＳｉＯ2とＴｉＯ2との複合膜
が形成される。ＳｉＯ2 の屈折率が１．４５、ＴｉＯ2
屈折率が２．３０程度であるので、供給比の変更により
１．４５〜２．３０間で屈折率を変更させることができ
る。なお実際には、基板がプラスチックであるため基板
の加熱温度に限界があるため、プラズマＣＶＤ反応を完
全に進行させて純枠の酸化物とすることが難しく、上記
の屈折率とは若干異なるが、再現性は高いので問題はな
い。また、一方において、有機物が膜中に微量存在する
と膜のストレスが緩和されて、クラックの発生防止等の
膜品質の向上につながる。
【００１９】ＳｉＯ2 を形成するための低ＣＶＤ原料と
しては、比較的低温（室温〜２５０℃）で気化させやす
い化合物が好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメ
トキシシラン等の珪素のアルコキシド、珪素の有機酸ア
ルコキシド、珪素のアミノアルコキシド、テトラメチル
シラン等のアルキルシラン、テトラメチルシクロシロキ
サン等のアルキルシロキサンなどが挙げられる。
しては、比較的低温（室温〜２５０℃）で気化させやす
い化合物が好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメ
トキシシラン等の珪素のアルコキシド、珪素の有機酸ア
ルコキシド、珪素のアミノアルコキシド、テトラメチル
シラン等のアルキルシラン、テトラメチルシクロシロキ
サン等のアルキルシロキサンなどが挙げられる。
【００２０】また、気体状の珪素化合物、例えば、モノ
シラン等の珪素の水素化物、珪素のハロゲン化物も使用
できる。この場合は、図４での同伴用ガスボンベ４１お
よび第１気化器４５に代えて、気体状珪素化合物の原料
ボンベを用いる。
シラン等の珪素の水素化物、珪素のハロゲン化物も使用
できる。この場合は、図４での同伴用ガスボンベ４１お
よび第１気化器４５に代えて、気体状珪素化合物の原料
ボンベを用いる。
【００２１】高ＣＶＤ原料としては、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2 ）、酸化ジルコニウム（ＺｉＯ2 ）、酸化タンタル
（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化イ
ットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）等
の高屈折率の誘電体を生成するものであればよく、比較
的低温（室温〜２５０℃）で気化させやすい化合物が望
ましく、また、気体状の化合物も利用できる。高ＣＶＤ
原料としては、テトラ−ｎ−ブトキシチタン等のチタ
ン、ジルコニウム、タンタル、アルミニウム、イットリ
ウム、インジウム等のアルコキシド、これら金属のアル
コラート、これら金属のアセチルアセトネート、これら
金属の塩化物などが挙げられる。
Ｏ2 ）、酸化ジルコニウム（ＺｉＯ2 ）、酸化タンタル
（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化イ
ットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）等
の高屈折率の誘電体を生成するものであればよく、比較
的低温（室温〜２５０℃）で気化させやすい化合物が望
ましく、また、気体状の化合物も利用できる。高ＣＶＤ
原料としては、テトラ−ｎ−ブトキシチタン等のチタ
ン、ジルコニウム、タンタル、アルミニウム、イットリ
ウム、インジウム等のアルコキシド、これら金属のアル
コラート、これら金属のアセチルアセトネート、これら
金属の塩化物などが挙げられる。
【００２２】なお、図５においては気化器４５，４７を
用い、同伴ガスによるバブリングによってＣＶＤ原料を
供給する場合を説明したが、本発明の原料供給系はこれ
に限定されない。例えば、容器に充填したＣＶＤ原料を
加熱して気化せしめる表面蒸発法によってもよい。この
場合は、同伴ガスは使用しても使用しなくともよい。
用い、同伴ガスによるバブリングによってＣＶＤ原料を
供給する場合を説明したが、本発明の原料供給系はこれ
に限定されない。例えば、容器に充填したＣＶＤ原料を
加熱して気化せしめる表面蒸発法によってもよい。この
場合は、同伴ガスは使用しても使用しなくともよい。
【００２３】同伴ガスとしては、窒素、アルゴン等の不
活性ガスが用いられる。酸化用ガスとしては、酸素、オ
ゾン、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ ）などを用いることができ
る。また、酸化用ガスボンベ４３からの酸素ガスをオゾ
ン発生器に導いてオゾンとしたのち、堆積槽２１に供給
することもできる。図６は、図５と同様の説明図であ
り、ＣＶＤ原料、反応用ガスの供給系を除いて図５と同
一である。
活性ガスが用いられる。酸化用ガスとしては、酸素、オ
ゾン、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ ）などを用いることができ
る。また、酸化用ガスボンベ４３からの酸素ガスをオゾ
ン発生器に導いてオゾンとしたのち、堆積槽２１に供給
することもできる。図６は、図５と同様の説明図であ
り、ＣＶＤ原料、反応用ガスの供給系を除いて図５と同
一である。
【００２４】第１気化器４５には、前述の如き珪素化合
物がＣＶＤ原料として充填されており、同伴ガスにより
混合器４９を経て堆積槽２１に供給される。一方、反応
用ガスボンベ４３ａからは酸素等の酸化用ガスが、反応
用ガスボンベ４３ｂからはアンモニアガス等の窒化用ガ
スが互いの比率を流量調整され、混合器４９を経て堆積
槽２１に供給される。
物がＣＶＤ原料として充填されており、同伴ガスにより
混合器４９を経て堆積槽２１に供給される。一方、反応
用ガスボンベ４３ａからは酸素等の酸化用ガスが、反応
用ガスボンベ４３ｂからはアンモニアガス等の窒化用ガ
スが互いの比率を流量調整され、混合器４９を経て堆積
槽２１に供給される。
【００２５】堆積槽２１内では、プラズマＣＶＤによ
り、珪素化合物と酸素ガスおよびアンモニアガスとが反
応し、酸化窒化珪素（ＳｉxＯyＮz：４x＝２y＋３z）が
形成される。屈折率は、ＳｉＯ2 が１．４５、Ｓｉ3Ｎ4
が２．００であり共に透明であるので、酸素ガスとアン
モニアガスとの比率を制御することにより、屈折率が
１．４５〜２．００の範囲で、膜の厚さ方向で徐々に屈
折率が低下する透明な複合ハードコート層を形成するこ
とができる。
り、珪素化合物と酸素ガスおよびアンモニアガスとが反
応し、酸化窒化珪素（ＳｉxＯyＮz：４x＝２y＋３z）が
形成される。屈折率は、ＳｉＯ2 が１．４５、Ｓｉ3Ｎ4
が２．００であり共に透明であるので、酸素ガスとアン
モニアガスとの比率を制御することにより、屈折率が
１．４５〜２．００の範囲で、膜の厚さ方向で徐々に屈
折率が低下する透明な複合ハードコート層を形成するこ
とができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、プラスチック基板上
に、屈折率が厚さ方向に向って連続的ないしは段階的に
低下するハードコート層を形成することにより、プラス
チック基板の反射率を広範囲にわたって均一に低下させ
ることができる。
に、屈折率が厚さ方向に向って連続的ないしは段階的に
低下するハードコート層を形成することにより、プラス
チック基板の反射率を広範囲にわたって均一に低下させ
ることができる。
【図１】本発明のハードコート層の層構成を示す説明図
である。
である。
【図２】本発明のハードコート層における屈折率の関係
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】本発明のハードコート層の分光反射特性を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】本発明のハードコート層の分光反射特性を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】本発明の製造方法の一例を示す説明図である。
【図６】本発明の製造方法の一例を示す説明図である。
１１ プラスチック基板 １３ ハードコート層 ２１ 堆積槽 ２３ 基板ホルダー ２５ プラスチック基板 ２７ モータ ２９ 真空ポンプ ３１ 放電電極 ３３ プラズマ発生用電源 ４１ 同伴用ガスボンベ ４３，４３ａ，４３ｂ 反応用ガスボンベ ４５ 第１気化器 ４７ 第２気化器 ４９ 混合器
Claims (5)
- 【請求項１】 プラスチック基板上に形成され、プラス
チック基板と接触する部位の屈折率がプラスチック基板
の屈折率と略等しく、厚さ方向に向かって屈折率が連続
的ないしは段階的に低下していることを特徴とするハー
ドコート層。 - 【請求項２】 プラスチック基板上にハードコート層を
形成してプラスチック基板を強度的に保護するに際し、 ＣＶＤ法によって屈折率が異なる２種以上の物質あるい
は組成比が異なる物質をプラスチック基板上に堆積せし
め、これら物質の堆積量の割合あるいは組成比を厚さ方
向で変化させて複合ハードコート層を形成することによ
り、 ハードコート層のプラスチック基板と接触する部位での
屈折率をプラスチック基板の屈折率と略等しくし、かつ
ハードコート層の屈折率を厚さ方向で連続的ないしは段
階的に変化させてハードコート層を形成することを特徴
とするハードコート層の製造方法。 - 【請求項３】 比較的低屈折率の堆積物を形成する低Ｃ
ＶＤ原料と、比較的高屈折率の堆積物を形成する高ＣＶ
Ｄ原料とをプラスチック基板に供給し、 これら低および高ＣＶＤ原料の供給比率を制御すること
により、屈折率が厚さ方向で低下する複合ハードコート
層を形成する請求項２に記載のハードコート層の製造方
法。 - 【請求項４】 低ＣＶＤ原料により主として酸化珪素が
堆積され、高ＣＶＤ原料により酸化アルミニウム、酸化
チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化インジ
ウム、酸化イットリウム等のより高屈折率の酸化物が主
として堆積して複合ハードコート層が形成される請求項
３に記載のハードコート層の製造方法。 - 【請求項５】 珪素を含むＣＶＤ原料と反応用ガスとし
て酸化用ガスおよび窒化用ガスとをプラスチック基板に
供給し、酸化用ガスと窒化用ガスとの供給比率を制御す
ることにより、堆積される酸化窒化珪素の酸素と窒素と
の組成比を調整して複合ハードコート層を形成する請求
項２に記載のハードコート層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217983A JPH0756002A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | ハードコート層およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217983A JPH0756002A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | ハードコート層およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756002A true JPH0756002A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16712789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5217983A Pending JPH0756002A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | ハードコート層およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756002A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000211948A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-08-02 | Saint Gobain Vitrage | 反射防止コ―ティングを備える透明基板 |
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