KR20220080702A

KR20220080702A - 검사 장치의 제어 방법 및 검사 장치

Info

Publication number: KR20220080702A
Application number: KR1020210163878A
Authority: KR
Inventors: 히로아키 아가와; 마사히토 고바야시; 시게루 가사이
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2020-12-07
Filing date: 2021-11-25
Publication date: 2022-06-14
Also published as: CN114594809B; EP4009061A3; US11768236B2; US20220178994A1; TW202229900A; EP4009061A2; JP2022090538A; JP7534047B2; CN114594809A

Abstract

(과제) 피검사체의 온도 제어성을 향상하는 검사 장치의 검사 방법 및 검사 장치를 제공한다.
(해결 수단) 피검사체를 탑재하는 척과, 상기 피검사체에 전력을 공급하여 상기 피검사체를 검사하는 테스터와, 상기 척의 온도를 제어하는 제어부를 구비하는 검사 장치의 제어 방법으로, 상기 피검사체의 실제 온도의 피드백을 할 수 없는 경우, 상기 피검사체의 발열량에 근거하여, 상기 척의 온도와 상기 피검사체의 온도의 온도차를 추정하고, 상기 피검사체의 목표 온도와 상기 온도차에 근거하여, 상기 척의 목표 온도를 보정하고, 보정된 상기 척의 목표 온도와 상기 척의 실제 온도에 근거하여, 상기 척의 온도를 제어하는 검사 장치의 제어 방법.

Description

검사 장치의 제어 방법 및 검사 장치{TEST DEVICE CONTROL METHOD AND TEST DEVICE}

본 개시는, 검사 장치의 제어 방법 및 검사 장치에 관한 것이다.

전자 디바이스가 형성된 웨이퍼나 전자 디바이스가 배치된 캐리어를 탑재대에 탑재하여, 전자 디바이스에 대해, 테스터로부터 프로브 등을 통하여 전류를 공급하는 것으로, 전자 디바이스의 전기적 특성을 검사하는 검사 장치가 알려져 있다. 탑재대 내의 냉각 기구나 가열 기구에 의해서, 전자 디바이스의 온도가 제어된다.

특허 문헌 1에는, 피검사 칩에 있어서의 온도 측정용의 소자와 접속된 전극 패드에 프로브 침을 접촉시켜, 온도 측정용의 소자의 각 전극에 대응하는 전극 패드간의 전위차에 근거하여 피검사 칩의 온도를 검출하는 온도 검출부를 구비하는 프로버가 개시되어 있다.

(특허 문헌 1)일본 특개 2019－102645호 공보

그런데, 테스트 플로(test flow)를 고려해 볼 때 온도 측정용의 소자를 이용하여 전자 디바이스의 온도를 상시 검출하는 것은 곤란하다. 또, 전자 디바이스의 발열량이 큰 경우, 전자 디바이스와 탑재대의 온도차가 커져, 탑재대에 마련된 온도 센서로 전자 디바이스의 온도를 제어하는 것은 곤란하다.

하나의 측면에서는, 본 개시는, 피검사체의 온도 제어성을 향상하는 검사 장치의 제어 방법 및 검사 장치를 제공한다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 하나의 태양에 의하면, 피검사체를 탑재하는 척과, 상기 피검사체에 전력을 공급하여 상기 피검사체를 검사하는 테스터와, 상기 척의 온도를 제어하는 제어부를 구비하는 검사 장치의 제어 방법으로, 상기 피검사체의 실제 온도의 피드백을 할 수 없는 경우, 상기 피검사체의 발열량에 근거하여, 상기 척의 온도와 상기 피검사체의 온도의 온도차를 추정하고, 상기 피검사체의 목표 온도와 상기 온도차에 근거하여, 상기 척의 목표 온도를 보정하고, 보정된 상기 척의 목표 온도와 상기 척의 실제 온도에 근거하여, 상기 척의 온도를 제어하는 검사 장치의 제어 방법이 제공된다.

하나의 측면에 의하면, 피검사체의 온도의 균일성을 향상시키는 검사 장치 및 검사 장치의 제어 방법을 제공할 수가 있다.

도 1은 본 실시 형태에 따른 검사 장치의 구성을 설명하는 단면 모식도.
도 2는 척의 온도 제어를 설명하는 블록도의 일례.
도 3은 온도 추정부를 설명하는 블록도의 일례.
도 4는 파라미터의 조정 방법을 설명하는 그래프의 일례.
도 5는 파라미터의 조정 방법을 설명하는 도면의 일례.
도 6은 데드 타임(dead time) 보상부를 설명하는 블록도의 일례.
도 7은 전자 디바이스의 온도 및 척의 온도의 시간 변화를 나타내는 그래프의 일례.
도 8은 파라미터의 구성을 설명하는 블록도의 일례.
도 9는 전자 디바이스의 온도 및 척의 온도의 시간 변화를 나타내는 그래프의 다른 일례.

이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다. 각 도면에 있어서, 동일 구성 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복한 설명을 생략하는 경우가 있다.

＜검사 장치＞

본 실시 형태에 따른 검사 장치(10)에 대해, 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 검사 장치(10)의 구성을 설명하는 단면 모식도의 일례이다.

검사 장치(10)는, 웨이퍼(기판) W에 형성된 복수의 전자 디바이스(피검사체, DUT；Device Under Test)의 각각의 전기적 특성의 검사를 행하는 장치이다. 한편, 피검사체를 가지는 기판은, 웨이퍼 W에 한정되는 것은 아니고, 전자 디바이스가 배치된 캐리어, 유리 기판, 칩 단체(單體) 등을 포함한다. 검사 장치(10)는, 웨이퍼 W를 탑재하는 척(11)을 수용하는 수용실(12)과, 수용실(12)에 인접하여 배치되는 로더(13)와, 수용실(12)을 덮도록 배치되는 테스터(14)를 구비한다.

수용실(12)은, 내부가 공동인 하우징 형상을 가진다. 수용실(12)의 내부에는, 웨이퍼 W를 탑재하는 척(11)과, 척(11)에 대향하도록 배치되는 프로브 카드(15)가 수용된다. 프로브 카드(15)는, 웨이퍼 W의 각 전자 디바이스의 전극에 대응하여 마련된 전극 패드나 땜납 범프에 대응하여 배치된 다수의 침 형상의 프로브(접촉 단자)(16)를 가진다.

척(11)은, 웨이퍼 W를 척(11)에 고정하는 고정 기구(도시하지 않음)를 가진다. 이것에 의해, 척(11)에 대한 웨이퍼 W의 상대 위치의 위치 어긋남을 방지한다. 또, 수용실(12)에는, 척(11)을 수평 방향 및 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구(도시하지 않음)가 마련된다. 이것에 의해, 프로브 카드(15) 및 웨이퍼 W의 상대 위치를 조정하여 각 전자 디바이스의 전극에 대응해서 마련된 전극 패드나 땜납 범프를 프로브 카드(15)의 각 프로브(16)에 접촉시킨다. 또, 척(11)에는, 온도 센서(11c)가 마련되어 있다. 또, 척(11)은, 히터, 냉각기 등의 온도 제어기(11d)를 구비한다. 온도 센서(11c)에서 검출한 척(11)의 온도의 정보는, 제어부(20)에 송신된다. 온도 제어기(11d)는, 제어부(20)에 의해서 제어된다.

로더(13)은, 반송 용기인 FOUP(도시하지 않음)로부터 전자 디바이스가 배치된 웨이퍼 W를 취출하여 수용실(12)의 내부의 척(11)에 탑재하고, 또, 검사가 행해진 웨이퍼 W를 척(11)으로부터 제거하여 FOUP에 수용한다.

프로브 카드(15)는, 인터페이스(17)를 통하여 테스터(14)에 접속되고, 각 프로브(16)가 웨이퍼 W의 각 전자 디바이스의 전극에 대응하여 마련된 전극 패드나 땜납 범프에 접촉할 때, 각 프로브(16)는 테스터(14)로부터 인터페이스(17)를 통하여 전자 디바이스에 전력을 공급하고, 혹은, 전자 디바이스로부터의 신호를 인터페이스(17)를 통하여 테스터(14)에 전달한다.

테스터(14)는, 전자 디바이스가 탑재되는 머더 보드의 회로 구성의 일부를 재현하는 테스트 보드(도시하지 않는다)를 갖고, 테스트 보드는 전자 디바이스로부터의 신호에 근거하여 전자 디바이스의 양부를 판단하는 테스터 컴퓨터(18)에 접속된다. 테스터(14)에서는 테스트 보드를 바꾸는 것에 의해, 복수 종의 마더 보드의 회로 구성을 재현할 수가 있다.

테스터(14)는, 프로브(16)를 통하여 전자 디바이스에 전력을 공급하는 전력 공급부(14a)를 가진다. 테스터(14)는, 전자 디바이스에 공급하는 전력의 정보를 제어부(20)에 송신한다.

테스터(14)는, 전자 디바이스의 온도를 검출하는 온도 검출부(14b)를 가진다. 웨이퍼 W에는, 온도 측정용의 소자(14c)가 마련되어 있다. 온도 측정용의 소자(14c)는, 예를 들면 다이오드 등으로, 온도에 따라 전위차가 변위하는 소자이다. 온도 검출부(14b)는, 프로브(16)를 통하여 소자(14c)의 양 단자간의 전위차를 측정하고, 전위차에 근거하여 소자(14c)의 온도를 검출한다. 테스터(14)는, 소자(14c)에서 검출한 전자 디바이스의 온도의 정보를 제어부(20)에 송신한다.

제어부(20)는, 척(11)의 온도 제어기(11d)를 제어하는 것으로, 척(11)의 온도를 제어한다.

다음에, 제어부(20)에 대해 도 2를 이용하여 설명한다. 도 2는, 척(11)의 온도 제어를 설명하는 블록도의 일례이다.

제어부(20)는, 목표 온도 생성부(21)와, 온도차 추정부(22)와, 데드 타임 보상부(24)와, 셀렉터(25)와, 모델 추종 콘트롤러(27)를 가진다. 여기서, 제어부(20)에는, 온도 센서(11c)에서 검출한 척(11)의 실제 온도(척 온도 Tchuck)가 입력된다. 또, 제어부(20)에는, 온도 검출부(14b)에서 검출한 검사 대상의 전자 디바이스(DUT)의 실제 온도(DUT 온도 T_DUT)가 입력된다. 다만, DUT 온도 T_DUT는, 테스트 플로에 따라서는 취득 불능인 온도이다. 또, 제어부(20)에는, 전력 공급부(14a)로부터 검사 대상의 전자 디바이스에 공급한 전력에 관한 정보가 입력된다. 여기서, 공급한 전력에 근거하여, 검사 대상의 전자 디바이스의 발열량(DUT 발열량 H_DUT)을 추정할 수가 있다. 도 2의 예에서는, DUT 발열량 H_DUT가 제어부(20)에 입력되는 것으로 해서 설명한다.

제어부(20)에는, 전자 디바이스의 설정 온도가 입력된다. 예를 들면, 테스터 컴퓨터(18)로부터 제어부(20)에 설정 온도가 입력된다. 또, 제어부(20)에는, 전환 신호가 입력된다. 전환 신호는, DUT 온도 T_DUT를 취득할 수 있는 테스트 플로인지 여부를 나타내는 신호이다. 예를 들면, 테스터 컴퓨터(18)로부터 제어부(20)에 전환 신호가 입력된다.

목표 온도 생성부(디바이스 목표 온도 생성부)(21)는, 전자 디바이스의 목표 온도 T0를 생성한다. 구체적으로는, 목표 온도 생성부(21)에는, 테스터 컴퓨터(18)로부터 전자 디바이스의 설정 온도가 입력된다. 또, 목표 온도 생성부(21)는, 설정 온도와, 목표 온도 T0의 시간 변화를 대응지은 참조 모델을 가진다. 목표 온도 생성부(21)는, 입력되는 전자 디바이스의 설정 온도 및 참조 모델에 근거하여, 전자 디바이스의 목표 온도 T0를 생성한다.

온도차 추정부(22)는, 전자 디바이스와 척(11)의 온도차의 추정치(온도차 추정치 ΔT1)를 추정한다. 구체적으로는, 온도차 추정부(22)는, DUT 발열량 H_DUT에 근거하여, 전자 디바이스와 척(11)의 온도차 추정치 ΔT1을 추정한다.

도 3은, 온도차 추정부(22)를 설명하는 블록도의 일례이다. 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 온도차 추정부(22)는, DUT 발열량 H_DUT에 파라미터(정상 게인) K를 곱하는 것으로 온도차 추정치 ΔT1를 추정하는 구성이어도 좋다. 또, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 온도차 추정부(22)는, 일차 지연 함수에 의해 온도차 추정치 ΔT1를 추정하는 구성이어도 좋다. 즉, 파라미터는 정상 게인 K에 더해, 시정수 1/a도 지정한다. 일차 지연을 사용하는 것에 의해, 온도 변화의 동(動)특성을 고려한 제어를 할 수 있다.

도 4는, 파라미터의 조정 방법을 설명하는 그래프의 일례이다. 여기서, 정상 게인 K는, 척(11) 위의 전자 디바이스의 위치에 의존한다. 또, 도 4의 횡축은 전자 디바이스의 중심으로부터의 거리를 나타내고, 종축은 파라미터 K를 나타낸다.

여기서, 전자 디바이스가 발열하는 것에 의해 생기는 온도 변화는, 대체로 전자 디바이스의 중심으로부터의 거리에 반비례 한다. 따라서, 척(11) 내의 온도 센서(11c)의 위치와 검사 대상의 전자 디바이스의 중심의 거리를 r로 해서, 파라미터 K는,

K=a/r＋b

의 식으로 나타낼 수가 있다. 또한, a, b는 장치에 고유한 파라미터이다. 또, 거리 r이 작은 범위(r＜rc)에서는,

K=a/rc＋b

의 식으로 나타낼 수가 있다.

도 5는, 파라미터 K의 조정 방법을 설명하는 도면의 일례이다. 도 4에 나타내는 방법에서는, 정상 게인 K는 거리 r로 추정하는 것으로 해서 설명했지만, 도 5에 나타내는 바와 같이, 각 전자 디바이스의 위치마다, 파라미터 K1, K2, K3,…를 미리 설정해도 좋다. 이것에 의해, 온도차 추정부(22)에서 추정되는 온도차 추정치 ΔT1의 추정 정밀도를 향상시킬 수가 있다.

도 2로 돌아와, 감산기(실제 온도차 산출부)(23)는, 전자 디바이스와 척(11)의 온도차(온도차 실측치 ΔT2)를 산출한다. 구체적으로는, 감산기(23)는, 전자 디바이스의 실제 온도(DUT 온도 T_DUT)와, 척(11)의 실제 온도(척 온도 T_chuck)의 온도차 실측치 ΔT2를 산출한다.

데드 타임 보상부(24)는, 온도차 실측치 ΔT2에 대해서 데드 타임 보상을 행하는 것에 의해 전자 디바이스와 척(11)의 온도차(온도차 보상치 ΔT2a)를 추정한다.

도 6은, 데드 타임 보상부(24)를 설명하는 블록도의 일례이다. 도 6에 나타내는 데드 타임 보상부(24)는, 일반적인 스미스 보상기와 같다. 스미스 보상을 행하는 것으로, 외란이 입력되고 응답할 때까지의 동안의 온도차 ΔT를 추정치로 보상할 수가 있다.

데드 타임 보상부(24)는, 온도차 추정부(241)와, 지연 처리부(242)와, 감산기(243)와, 가산기(244)를 가진다. 온도차 추정부(241)는, DUT 발열량 H_DUT에 근거하여, 전자 디바이스와 척(11)의 온도차를 추정한다. 지연 처리부(242)는, 온도차 추정부(241)에서 추정된 전자 디바이스와 척(11)의 온도차를 n 스텝 늦게 출력한다. 감산기(243)는, 온도차 실측치 ΔT2와 지연 처리부(242)의 출력치의 차를 산출한다. 가산기(244)는, 온도차 추정부(241)의 출력치와 감산기(243)의 출력치의 합을 산출하고, 온도차 보상치 ΔT2a로서 출력한다.

이러한 구성에 의해, 전자 디바이스에 전원 공급을 개시하고 나서 n 스텝의 동안에 있어서는, 지연에 의해 온도차 실측치 ΔT2는 변화하지 않는다. 이 때문에, 데드 타임 보상부(24)는, 온도차 추정부(241)의 온도차 추정치를 온도차 보상치 ΔT2a로서 출력한다. 그리고, 전자 디바이스의 온도가 정상 상태가 되면, 감산기(243)에서 감산되는 지연 처리부(242)의 출력치와 가산기(244)에서 가산되는 온도차 추정부(241)의 출력치가 상쇄한다(cancel). 이 때문에, 데드 타임 보상부(24)는, 온도차 실측치 ΔT2를 온도차 보상치 ΔT2a로서 출력한다.

도 2로 돌아와, 셀렉터(25)는, 온도차 추정부(22)의 온도차 추정치 ΔT1와, 데드 타임 보상부(24)의 온도차 보상치 ΔT2a가 입력되고, 어느 한쪽의 값을 출력한다. 셀렉터(25)는, 전환 신호가 입력된다. 온도 검출부(14b)에서 DUT 온도를 검출할 수 있는 경우, 셀렉터(25)는, 데드 타임 보상부(24)의 온도차 보상치 ΔT2a를 출력한다. 한편, 온도 검출부(14b)에서 DUT 온도를 검출할 수 없는 경우, 셀렉터(25)는, 온도차 추정부(22)의 온도차 추정치 ΔT1를 출력한다.

도 2로 돌아와, 감산기(척 목표 온도 생성부)(26)는, 전자 디바이스의 목표 온도 T0로부터 전자 디바이스와 척(11)의 온도차(ΔT1 또는ΔT2a)를 감산하는 것에 의해, 척(11)의 목표 온도를 산출한다.

모델 추종 콘트롤러(27)는, 척(11)의 목표 온도(감산기(26)의 출력치)와 척(11)의 실제 온도(척 온도 T_chuck)에 근거하여, 척(11)의 온도 제어기(11d)를 모델 추종 제어한다.

다음에, 본 실시 형태에 따른 검사 장치(10)를 이용한 전자 디바이스의 온도 제어에 대해, 도 7을 이용하여 설명한다. 도 7은, 전자 디바이스의 온도 T_DUT 및 척(11)의 온도 T_chuck의 시간 변화를 나타내는 그래프의 일례이다. 또한, 도 7의 그래프에서, 전자 디바이스의 온도 T_DUT를 파선으로 나타내고, 척(11)의 온도 T_chuck를 실선으로 나타낸다.

우선, 척(11) 및 전자 디바이스는, 설정 온도까지 승온된다. 그 후, 전자 디바이스에 전력을 공급(S101~S103)하여 검사를 행한다.

스텝 S101은, 테스트 플로를 고려해 볼 때 온도 측정용의 소자(14c)를 이용하여 전자 디바이스의 온도를 검출하는 것이 곤란(피드백을 할 수 없다)한 검사이다. 이 경우, 제어부(20)는, 온도차 추정부(22)에서 DUT 발열량 H_DUT로부터 온도차 추정치 ΔT1를 추정하고, 온도차 추정치 ΔT1를 이용하여 척(11)의 온도를 제어한다. 또, 파라미터 K는 미리 설정된 값을 이용한다. 이 때문에, DUT 온도 T_DUT는 설정 온도에 대해, 약간의 차이가 생길 우려가 있다.

스텝 S102는, 테스트 플로를 고려해 볼 때 온도 측정용의 소자(14c)를 이용하여 전자 디바이스의 온도를 검출하는 것이 가능(피드백이 가능)한 검사이다. 이 경우, 제어부(20)는, 데드 타임 보상부(24)에 의해 온도차 실측치 ΔT2에 대해서 데드 타임 보상을 행하는 것에 의해 온도차 보상치 ΔT2a를 추정하고, 온도차 보상치 ΔT2a를 이용하여 척(11)의 온도를 제어한다. 여기에서는, 전자 디바이스의 실제 온도(DUT 온도 T_DUT)에 근거하여 척(11)의 온도를 제어하므로, 매우 적합하게 전자 디바이스의 온도를 제어할 수가 있다.

또, 스텝 S102일 때, 파라미터 K의 조정을 행한다. 도 8은, 파라미터 K의 조정을 설명하는 블록도의 일례이다. 제어부(20)는, 감산기(실제 온도차 산출부)(28)와, 파라미터 생성부(29)를 더 구비한다. 감산기(28)는, 전자 디바이스와 척(11)의 온도차를 산출한다. 구체적으로는, 감산기(28)는, 전자 디바이스의 실제 온도(DUT 온도 T_DUT)와, 척(11)의 실제 온도(척 온도 T_chuck)의 온도차 실측치 ΔT2를 산출한다. 파라미터 생성부(29)는, DUT 온도 T_DUT와 감산기(28)에서 산출한 온도차 실측치 ΔT2에 근거하여, 파라미터 K를 산출(조정)한다. 파라미터 생성부(29)에서 조정된 파라미터 K는, 온도차 추정부(22)(도 2 참조)에 출력된다. 온도차 추정부(22)의 파라미터 K가 갱신된다.

도 7로 돌아와, 스텝 S103은, 테스트 플로를 고려해 볼 때 온도 측정용의 소자(14c)를 이용하여 전자 디바이스의 온도를 검출하는 것이 곤란(피드백을 할 수 없다)한 검사이다. 이 경우, 제어부(20)는, 온도차 추정부(22)에서 DUT 발열량 H_DUT로부터 온도차 추정치 ΔT1를 추정하고, 척(11)의 온도를 제어한다. 또, 파라미터 K는 스텝 S102일 때에 파라미터 생성부(29)에 의해서 조정된 값을 이용한다. 이 때문에, 매우 적합하게 전자 디바이스의 온도를 제어할 수가 있다.

도 9는, 전자 디바이스의 온도 T_DUT 및 척(11)의 온도 T_chuck의 시간 변화를 나타내는 그래프의 다른 일례이다.

도 9(a)는, 척(11)의 온도를 일정하게 되도록 제어한 경우의 전자 디바이스의 온도 T_DUT와 척(11)의 온도 T_chuck를 나타내는 그래프이다. 검사 시에 전자 디바이스에 전력을 공급하는 것으로 전자 디바이스가 발열하고, 전자 디바이스의 온도 T_DUT가 상승한다.

이것에 대해, 도 9(b)는, 본 실시 형태의 제어를 한 경우의 전자 디바이스의 온도 T_DUT와 척(11)의 온도 T_chuck를 나타내는 그래프이다. 전자 디바이스의 DUT 발열량 H_DUT에 근거하여 척(11)의 온도를 내리는 것으로, 전자 디바이스의 온도 T_DUT를 일정하게 되도록 제어할 수가 있다.

이상, 검사 장치(10)에 대해 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태 등으로 한정되는 것은 아니고, 특허 청구의 범위에 기재된 본 개시의 요지의 범위 내에서, 여러 가지의 변형, 개량이 가능하다.

W 웨이퍼
10 검사 장치
11 척
11c 온도 센서
11d 온도 제어기
14 테스터
14a 전력 공급부
14b 온도 검출부
14c 소자
15 프로브 카드
16 프로브
17 인터페이스
18 테스터 컴퓨터
20 제어부
21 목표 온도 생성부(디바이스 목표 온도 생성부)
22 온도차 추정부
23 감산기(실제 온도차 산출부)
24 데드 타임 보상부
25 셀렉터
26 감산기(척 목표 온도 생성부)
27 모델 추종 콘트롤러
28 감산기(실제 온도차 산출부)
29 파라미터 생성부

Claims

피검사체를 탑재하는 척과,
상기 피검사체에 전력을 공급하여 상기 피검사체를 검사하는 테스터와,
상기 척의 온도를 제어하는 제어부를 구비하는 검사 장치의 제어 방법으로,
상기 피검사체의 실제 온도의 피드백을 할 수 없는 경우, 상기 피검사체의 발열량에 근거하여, 상기 척의 온도와 상기 피검사체의 온도의 온도차를 추정하고,
상기 피검사체의 목표 온도와 상기 온도차에 근거하여, 상기 척의 목표 온도를 보정하고,
보정된 상기 척의 목표 온도와 상기 척의 실제 온도에 근거하여, 상기 척의 온도를 제어하는
검사 장치의 제어 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 피검사체의 실제 온도의 피드백을 할 수 있는 경우, 상기 피검사체의 실제 온도와 상기 척의 실제 온도에 근거하여, 상기 척의 온도와 상기 피검사체의 온도의 온도차를 산출하고,
상기 피검사체의 목표 온도와 상기 온도차에 근거하여, 상기 척의 목표 온도를 보정하고,
보정된 상기 척의 목표 온도와 상기 척의 실제 온도에 근거하여, 상기 척의 온도를 제어하는
검사 장치의 제어 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 피검사체의 실제 온도의 피드백을 할 수 있는 경우, 상기 척의 실제 온도와 상기 피검사체의 실제 온도의 온도차와, 상기 피검사체의 발열량에 근거하여, 상기 발열량과 상기 온도차의 대응을 나타내는 파라미터를 갱신하는
검사 장치의 제어 방법.
제 3 항에 있어서,
상기 파라미터는, 상기 발열량과 상기 온도차의 게인 계수인 검사 장치의 제어 방법.
제 3 항에 있어서,
상기 파라미터는, 상기 발열량과 상기 온도차의 일차 지연 함수의 계수인 검사 장치의 제어 방법.
제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 파라미터는, 상기 척의 온도를 검출하는 센서와 상기 피검사체의 중심의 거리의 함수로 정의되는 검사 장치의 제어 방법.
제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 파라미터는, 상기 피검사체의 위치마다 정의되는 검사 장치의 제어 방법.
피검사체를 탑재하는 척과,
상기 피검사체에 전력을 공급하여 상기 피검사체를 검사하는 테스터와,
상기 척의 온도를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 피검사체의 실제 온도의 피드백을 할 수 없는 경우, 상기 피검사체의 발열량에 근거하여, 상기 척의 온도와 상기 피검사체의 온도의 온도차를 추정하고,
상기 피검사체의 목표 온도와 상기 온도차에 근거하여, 상기 척의 목표 온도를 보정하고,
보정된 상기 척의 목표 온도와 상기 척의 실제 온도에 근거하여, 상기 척의 온도를 제어하는
검사 장치.