KR20220079639A - 펠리클의 디마운팅 방법 및 펠리클의 디마운팅 전처리 장치 - Google Patents

펠리클의 디마운팅 방법 및 펠리클의 디마운팅 전처리 장치 Download PDF

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KR20220079639A
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아키라 이시카와
가즈오 고무라
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미쯔이가가꾸가부시끼가이샤
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Abstract

포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과, 적층체에 있어서의 펠리클막 상에, 점착층을 형성하는 공정과, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 적어도 펠리클막 및 점착층을 디마운팅하는 디마운팅 공정을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.

Description

펠리클의 디마운팅 방법 및 펠리클의 디마운팅 전처리 장치
본 개시는, 펠리클의 디마운팅 방법 및 펠리클의 디마운팅 전처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 고집적화 및 미세화는 해마다 가속되고 있다.
예를 들어, 현재는 엑시머 노광으로 선 폭 45nm 정도의 패턴이 형성되어 있지만, 근년에는, 반도체 디바이스의 더 한층의 미세화에 수반하여, 선 폭 32nm 이하의 패턴 형성이 요구되고 있다. 이러한 미세 가공은, 종래의 엑시머 노광으로는 대응이 어렵다. 그래서, 노광광을 보다 단파장의 EUV(Extreme Ultra Violet: 극단자외)광으로 바꾸는 것이 검토되고 있다.
EUV광은 모든 물질에 흡수되기 쉬운 특성을 갖는다. 노광광으로서 EUV광을 사용하는 포토리소그래피(이하, 「EUV 리소그래피」라고도 함)에서는, 반사 광학계를 사용하여 노광을 행한다. 구체적으로는, 노광 패턴이 반영된 포토마스크(예를 들어 레티클 등)에 의해 EUV광을 반사시키고, 반사광으로서의 EUV광에 의해 레지스트를 노광한다.
포토리소그래피 공정에 있어서, 포토마스크에 이물이 부착되어 있으면, EUV광이 이물에 흡수됨으로써, EUV광이 산란되기 때문에, 원하는 패턴으로 노광되지 않는 경우가 있다. 그 때문에, 포토마스크의 EUV광 조사면측에 펠리클을 마운팅(즉, 장착)시켜 포토마스크를 보호하고 있다.
상기 펠리클의 구성은, 포토마스크의 EUV광 조사면을 보호하기 위한 펠리클막과, 이 펠리클막을 지지하는 펠리클 프레임을 포함하는 구성으로 되어 있다.
포토마스크에 마운팅되어 있는 펠리클은, 진애 등에 의한 오염, 광에 의한 열화 등을 받는 경우가 있다. 이 경우, 펠리클의 새로 붙임을 행할 필요가 발생하는 경우가 있고, 그 때문에, 포토마스크에 마운팅되어 있는 펠리클을 디마운팅할(즉, 탈착할) 필요가 발생하는 경우가 있다.
포토마스크로부터 펠리클을 디마운팅하는 종래의 방법으로서, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법이 알려져 있다.
특허문헌 1에는, 포토마스크에 배치된 펠리클의 적어도 펠리클막을 시트와 밀착시켜, 상기 펠리클을 상기 포토마스크로부터 디마운팅하는, 펠리클의 디마운팅 방법이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2016-206527호 공보
본 개시의 일 실시 형태의 해결하고자 하는 과제는, 포토마스크의 오염의 억제가 우수한 펠리클의 디마운팅 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제의 해결 수단에는, 이하의 실시 형태가 포함된다.
<1> 포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과,
상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막 상에, 점착층을 형성하는 공정과,
상기 점착층이 형성된 상기 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터, 적어도 상기 펠리클막 및 상기 점착층을 디마운팅하는 디마운팅 공정
을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
<2> 상기 점착층을 형성하는 공정은, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법 또는 딥 코팅법에 의해, 상기 점착층을 형성하는, <1>에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<3> 상기 점착층을 형성하는 공정은, 스프레이 코팅법에 의해, 상기 점착층을 형성하는, <1>에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<4> 상기 점착층이, 실리콘계 점착제, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 올레핀계 점착제, 폴리부타디엔계 점착제, 고무계 점착제 및 스티렌계 점착제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 점착제를 포함하는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<5> 상기 적층체가, 상기 포토마스크와 상기 펠리클 프레임 사이에, 마스크 접착층을 더 구비하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<6> 상기 적층체를 제1 적층체로 한 경우에,
상기 디마운팅 공정이,
상기 점착층이 형성된 상기 제1 적층체에 있어서의 상기 포토마스크측에 상기 펠리클 프레임을 남긴 채, 상기 펠리클막 및 상기 점착층을 디마운팅함으로써, 상기 포토마스크, 상기 마스크 접착층 및 상기 펠리클 프레임을 포함하는 제2 적층체를 얻는 것과,
상기 제2 적층체를 열처리하는 것과,
상기 제2 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터 상기 펠리클 프레임을 디마운팅하는 것
을 포함하는,
<5>에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<7> 상기 디마운팅 공정 전에, 상기 적층체를 열처리하는 공정을 더 포함하는, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<8> 상기 펠리클 프레임의 외주면에, 오목부 및 절결의 적어도 한쪽이 마련되어 있는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<9> 상기 적층체에, 상기 펠리클막 및 상기 펠리클 프레임을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있는, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<10> 상기 점착층을 형성하는 공정 후이며 상기 디마운팅 공정 전에, 상기 점착층이 형성된 상기 적층체에 있어서의 상기 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 공정을 더 포함하고,
상기 디마운팅 공정은, 상기 보호 필름이 점착된 상기 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터, 적어도 상기 보호 필름, 점착층 및 상기 펠리클막을 디마운팅하는,
<1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.
<11> <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 상기 점착층을 형성하는 공정을 실시하기 위한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치이며,
상기 적층체가, 상기 펠리클막이 상측이 되며 상기 포토마스크가 하측이 되는 방향으로 적재되는 적재부와,
상기 적재부에 적재된 상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막 상에 점착제를 토출하기 위한 토출부
를 구비하는,
펠리클의 디마운팅 전처리 장치.
<12> 상기 토출부에 있어서의 토출 방식이 스프레이 방식이며,
스프레이 코팅법에 의해 상기 점착제를 도포하여 상기 점착층을 형성하는,
<11>에 기재된 펠리클의 디마운팅 전처리 장치.
<13> 상기 적재부가 회전 기능을 갖고,
스핀 코팅법에 의해 상기 점착제를 도포하여 상기 점착층을 형성하는,
<11>에 기재된 펠리클의 디마운팅 전처리 장치.
본 개시에 의하면, 포토마스크의 오염의 억제가 우수한 펠리클의 디마운팅 방법이 제공된다.
도 1은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2a는, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 점착층을 형성하는 공정에 의해, 적층체에 있어서의 펠리클막 상에, 점착층이 형성된 모습의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2b는, 도 2a에 나타내지는 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅한 모습의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 디마운팅 공정에 의해, 펠리클 프레임, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅한 모습의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 4a는, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있는 양태의 적층체의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 4b는, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있는 양태의 적층체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5a는, 외주면에 오목부가 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 5b는, 외주면에 오목부가 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5c는, 외주면에 절결이 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는, 본 개시의 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치의 일례를 개념적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 10은, 본 개시의 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치의 다른 일례를 개념적으로 나타내는 개략 단면도이다.
본 명세서에 있어서, 「내지」를 사용하여 표현되는 수치 범위는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치를 각각 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다. 본 명세서에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어떤 수치 범위에서 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또한, 본 명세서에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어떤 수치 범위에서 기재된 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타내어져 있는 값으로 치환해도 된다.
본 명세서에 있어서, 바람직한 양태의 조합은, 보다 바람직한 양태이다.
본 명세서에 있어서, 「공정」이라는 용어는, 독립된 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우라도 그 공정의 소기의 목적이 달성되면, 본 용어에 포함된다.
본 명세서에 있어서, EUV(Extreme Ultra Violet: 극단자외)광이란, 파장 5nm 내지 30nm의 광을 가리킨다. EUV광의 파장은 파장 5nm 내지 13.5nm가 바람직하다.
본 명세서에 있어서, EUV광 및 EUV광보다도 파장이 짧은 광을 총칭하여, 「EUV광 등」 이라고 하는 경우가 있다.
본 명세서에 있어서, 「펠리클」이란,
펠리클 프레임과,
펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에 지지된 펠리클막
을 포함하는 부재를 의미한다.
「펠리클」의 양태는,
펠리클막이 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에 직접(즉, 다른 요소를 통하지 않고) 지지되어 있는 양태(도 1 참조)여도 되고,
펠리클막이 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에, 다른 요소(예를 들어, 펠리클막 접착층, 펠리클막 지지 프레임, 지지 프레임 접착층 등)를 개재하여 지지되어 있는 양태여도 된다.
본 명세서에 있어서, 「펠리클의 디마운팅 방법」이란, 펠리클이 마운팅된 포토마스크로부터, 적어도 펠리클막을 디마운팅하는(즉, 탈착하는) 방법을 의미한다.
「펠리클의 디마운팅 방법」의 개념에는,
펠리클이 마운팅된 포토마스크에 펠리클 프레임을 남긴 채, 펠리클막을 디마운팅하는 방법과,
펠리클이 마운팅된 포토마스크로부터, 펠리클막 및 펠리클 프레임의 양쪽(즉, 펠리클 전체)을 디마운팅하는 방법
의 양쪽이 포함된다.
또한, 「펠리클의 디마운팅 방법」의 개념에는, 펠리클막만 또는 펠리클막 및 펠리클 프레임의 양쪽과, 기타 요소(예를 들어, 점착층, 보호 필름 등)를 디마운팅하는 방법도 포함된다.
또한, 「펠리클의 디마운팅 방법」의 개념에는, 펠리클을 파괴하면서 포토마스크로부터 탈착하는 방법도 포함된다.
[펠리클의 디마운팅 방법]
본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은,
포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과,
적층체에 있어서의 펠리클막 상에, 점착층을 형성하는 공정과,
점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 적어도 펠리클막 및 점착층을 디마운팅하는 디마운팅 공정
을 포함한다.
펠리클막은, 두께가 매우 얇은 막이다. 예를 들어, EUV 리소그래피에 있어서 사용되는 펠리클막은, 두께가 나노미터 오더의 값이 된다. 이 때문에, 포토마스크로부터 펠리클을 디마운팅할 때, 펠리클막의 파손(파괴의 개념을 포함한다. 이하 동일하다.)이 발생하기 쉽고, 펠리클막의 파손에 의해 발생한 펠리클막편에 의해, 포토마스크가 오염되는 경우가 있다. 특히, 펠리클막의 자립 부분(즉, 펠리클 프레임의 내주면에 의해 형성되는 개구부 상에 위치하고, 펠리클 프레임에 의해 지지되지 않은 부분)은 파손되기 쉽다.
이러한 문제에 관하여, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에서는, 포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클막을 디마운팅하기 전에, 적층체에 있어서의 펠리클막 상에 점착층을 형성하고, 이어서 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 적어도 펠리클막 및 점착층을 디마운팅한다. 이에 의해, 디마운팅 시에 펠리클막이 파손된 경우에 있어서도, 펠리클막의 파손에 의해 발생한 펠리클막편이 점착층에 점착됨으로써 결착되고, 이에 의해, 펠리클막편의 비산이 억제된다. 그 결과, 펠리클막편의 비산에서 기인하는, 포토마스크의 오염이 억제된다.
본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에서는, 디마운팅 전에, 미리 펠리클막 상에 점착층을 형성하는 점에서, 특허문헌 1에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법(즉, 포토마스크에 장착된 펠리클의 적어도 펠리클막을 시트와 밀착시켜, 상기 펠리클을 상기 포토마스크로부터 디마운팅하는 방법)과 상이하다. 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에서는, 상기 상이점에 의해, 특허문헌 1에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법과 비교하여, 펠리클막편의 비산 및 펠리클막편의 비산에서 기인하는 포토마스크의 오염을 억제할 수 있다.
이하, 본 개시의 일례에 대하여, 적절히 도면을 참조하면서 설명한다.
단, 본 개시는 이하의 도면 등의 구체예에 한정되지 않는다.
각 도면에 공통의 요소에 대하여는, 동일한 부호를 부여하고, 중복된 설명을 생략하는 경우가 있다.
또한, 도면에서는, 구조를 보기 쉽게 하기 위해서, 숨김선의 일부를 생략하는 경우가 있다.
도 1은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1에 나타나는 바와 같이, 본 일례에 관한 적층체는, 포토마스크(105)와, 펠리클 프레임(103)과, 펠리클막(102)을, 이 순의 배치로 구비한다.
본 일례에 관한 적층체는, 포토마스크(105)에 대하여, 펠리클막(102) 및 펠리클 프레임(103)을 포함하는 펠리클(101)을 마운팅함으로써 얻어진다.
펠리클 프레임(103)은, 그 두께 방향의 일단부면의 측에 펠리클막(102)을 지지하고 있다. 바꿔 말하면, 펠리클막(102) 중, 평면에서 보아 펠리클 프레임(103)에 겹치는 부분은, 펠리클 프레임(103)에 의해 지지되어 있다. 펠리클막(102) 중, 평면에서 보아, 펠리클 프레임(103)의 내주면에 의해 확정되는 개구부에 겹치는 부분은 지지되어 있지 않고, 자립 부분(즉, 막이 하지 상에 형성되어 있는 것은 아니고, 막 단독으로 존재하고 있는 부분)으로 되어 있다.
도 2a는, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 점착층을 형성하는 공정에 의해, 적층체에 있어서의 펠리클막 상에, 점착층이 형성된 모습의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2a에 나타내지는, 포토마스크(205), 펠리클 프레임(203) 및 펠리클막(202)의 각각은, 도 1에 나타내지는, 포토마스크(105), 펠리클 프레임(103) 및 펠리클막(102)의 각각과 실질적으로 동일하다.
도 2a에 나타나는 바와 같이, 점착층을 형성하는 공정에서는, 적층체의 펠리클막(202) 상에 점착층(200)이 형성된다.
도 2b는, 도 2a에 나타내지는 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅한 모습의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2b에 나타나는 바와 같이, 이 일례에 관한 디마운팅 공정에서는, 도 2a에 나타내지는 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크(205)로부터, 펠리클막(202) 및 점착층(200)이 디마운팅된다. 그 후, 필요에 따라서, 포토마스크(205)로부터 펠리클 프레임(203)도 디마운팅된다.
도 3은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 디마운팅 공정에 의해, 펠리클 프레임, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅한 모습의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 3에 나타내는 일례는, 도 2b에 나타내는 일례에 대한 변형예이다.
도 3에 나타내지는, 포토마스크(305), 펠리클 프레임(303) 및 펠리클막(302)의 각각은, 도 2b에 나타내지는, 포토마스크(205), 펠리클 프레임(203) 및 펠리클막(202)의 각각과 실질적으로 동일하다.
도 3에 도시된 바와 같이, 이 일례에 관한 디마운팅 공정에서는, 점착층(300)이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크(305)로부터, 펠리클 프레임(303), 펠리클막(302) 및 점착층(300)이 디마운팅된다.
이하, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 포함될 수 있는 각 공정에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.
<적층체를 준비하는 공정>
적층체를 준비하는 공정은, 포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정이다.
적층체를 준비하는 공정은, 상기 적층체를 제조하는 공정이어도 되고, 미리 제조된 상기 적층체를 단순히 준비하는 것만의 공정이어도 된다.
적층체는, 예를 들어 포토마스크 상에, 펠리클 프레임 및 펠리클막을 포함하는 펠리클(상세하게는, 펠리클 프레임과, 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에 지지된 펠리클막을 포함하는 펠리클)을 마운팅(즉, 장착)함으로써 제조할 수 있다.
(펠리클막)
본 공정에서 준비하는 적층체는, 펠리클막을 구비한다.
펠리클막으로서는, 공지된 펠리클막을 사용할 수 있다.
펠리클막에 포함되는 재료로서는 특별히 제한은 없고, 유기계 재료여도, 무기계 재료여도, 유기계 재료와 무기계 재료의 혼합 재료여도 된다.
유기계 재료로서는, 불소계 폴리머 등을 들 수 있다.
무기계 재료로서는, 결정 실리콘(예를 들어, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 등), 다이아몬드 라이크 카본(DLC), 그래파이트, 아몰퍼스 카본, 그래핀, 탄화규소, 질화규소, 질화알루미늄 등을 들 수 있다.
펠리클막은 상기 재료를 1종 단독으로 포함하고 있어도 되고, 2종 이상을 포함하고 있어도 된다.
펠리클막의 구성은 단층 구성이어도, 2층 이상을 포함하는 구성이어도 된다.
펠리클막의 두께(2층 이상을 포함하는 경우에는 총 두께)는 2nm 내지 200nm인 것이 바람직하고, 2nm 내지 100nm인 것이 보다 바람직하고, 2nm 내지 70nm인 것이 더욱 바람직하고, 2nm 내지 50nm인 것이 특히 바람직하다. 펠리클막의 두께의 하한은 5nm 또는 10nm여도 된다.
펠리클막의 구성에 대하여는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2014-021217호 공보, 국제 공개 제2015/174412호 등의 공지된 펠리클막의 구성을 적절히 참조할 수 있다.
(펠리클 프레임)
본 공정에서 준비하는 적층체는, 펠리클 프레임을 구비한다.
펠리클 프레임으로서는, 프레임 형상을 갖는 부재인 공지된 펠리클 프레임을 사용할 수 있다.
펠리클 프레임의 재질로서는, 펠리클 프레임에 사용되는 통상적인 재질을 적용할 수 있다.
펠리클 프레임의 재질로서, 구체적으로는 알루미늄, 알루미늄 합금(5000계, 6000계, 7000계 등), 스테인리스, 실리콘, 실리콘 합금, 철, 철계 합금, 탄소강, 공구강, 세라믹스, 금속-세라믹스 복합 재료, 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 경량이면서 강성의 면에서 보다 바람직하다.
또한, 펠리클 프레임은, 그 표면에 보호막을 갖고 있어도 된다.
보호막으로서는, 노광 분위기 중에 존재하는 수소 라디칼 및 EUV광에 대하여 내성을 갖는 보호막이 바람직하다.
보호막으로서는, 예를 들어 산화 피막을 들 수 있다. 산화 피막은 양극 산화 등의 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 산화 피막은 흑색계 염료에 의해 착색되어 있어도 된다. 펠리클 프레임이 흑색계 염료에 의해 착색된 산화 피막을 갖는 경우에는, 펠리클 프레임 상의 이물의 검출이 보다 용이해진다.
펠리클 프레임의 구성에 대하여는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2014-021217호 공보, 일본 특허 공개 제2010-146027호 공보 등의 공지된 펠리클 프레임의 구성을 적절히 참조할 수 있다.
펠리클 프레임의 외주면에는, 오목부 및 절결의 적어도 한쪽이 마련되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 보다 디마운팅하기 쉽다. 예를 들어, 오목부 또는 절결에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 용이하게 디마운팅할 수 있다.
펠리클 프레임의 외주면에 있어서의 오목부 또는 절결은, 각각 1개만 마련되어 있어도 되고, 복수 마련되어 있어도 된다. 오목부가 복수 마련되어 있을 경우, 복수의 오목부의 각각의 형상은 동일하여도 되고 달라도 된다(절결에 대해서도 마찬가지임).
도 5a는, 외주면에 오목부가 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 나타내는 개략 평면도이며, 도 5b는 이 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5a 및 도 5b에 나타나는 바와 같이, 이 일례에 관한 적층체는, 포토마스크(505)와, 펠리클 프레임(503) 및 펠리클막(502)을 포함하는 펠리클(501)을 구비한다. 이 적층체에서는, 포토마스크(505), 펠리클 프레임(503) 및 펠리클막(502)이, 이 순으로 배치되어 있다. 이 적층체에는, 또한 펠리클막(502) 상에 점착층(500)이 형성되어 있다.
펠리클 프레임(503)의 외주면 중, 펠리클 프레임(503)을 평면에서 보았을 경우의 네 코너의 각각의 근방에는, 오목부(509)가 마련되어 있다. 오목부(509)는, 펠리클 프레임의 외주면을 기점으로 하여, 펠리클막(502)의 면에 대하여 평행 방향으로 연장되어 있다.
이 일례에 있어서의 적층체에서는, 예를 들어 오목부(509)에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크(505)로부터 펠리클 프레임(503)을 용이하게 디마운팅할 수 있다.
도 5c는, 도 5b에 나타내지는 적층체의 변형예이며, 외주면에 절결이 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5c에 나타내는 적층체의 구조는, 오목부(509)가 절결(510)로 변경되어 있는 것 이외에는, 도 5b에 나타내는 적층체의 구조와 마찬가지이다.
이 일례에 있어서의 적층체에서는, 예를 들어 절결(510)에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크(505)로부터 펠리클 프레임(503)을 용이하게 디마운팅할 수 있다.
또한, 펠리클 프레임에는, 펠리클 프레임의 외주면으로부터 내주면까지를 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있어도 된다. 이 관통 구멍은, 예를 들어 적층체의 외부와, 적층체의 내부(즉, 펠리클 프레임의 내주면, 펠리클막 및 포토마스크에 의해 둘러싸인 공간)를 통기하는 통기구로서 기능한다.
또한, 펠리클 프레임에는, 펠리클 프레임의 두께 방향을 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있어도 된다. 이에 의해, 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 보다 디마운팅하기 쉽다. 예를 들어, 관통 구멍에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 용이하게 디마운팅할 수 있다.
또한, 적층체에는, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있어도 된다. 이에 의해, 포토마스크로부터 펠리클막 및 펠리클 프레임을 보다 디마운팅하기 쉽다. 예를 들어, 관통 구멍에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크로부터 펠리클막 및 펠리클 프레임을 용이하게 디마운팅할 수 있다.
도 4a는, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있는 양태의 적층체의 일례를 나타내는 개략 평면도이며, 도 4b는 이 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4a 및 도 4b에 나타내는 바와 같이, 이 일례에 관한 적층체는, 포토마스크(405)와, 펠리클 프레임(403) 및 펠리클막(402)을 포함하는 펠리클(401)을 구비한다. 이 적층체에서는, 포토마스크(405), 펠리클 프레임(403) 및 펠리클막(402)이, 이 순으로 배치되어 있다.
이 적층체에는, 펠리클막(402) 및 펠리클 프레임(403)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(409)이 마련되어 있다.
이 적층체에는, 또한 펠리클막(402) 상(상세하게는, 관통 구멍(409) 이외의 영역)에, 점착층(400)이 형성되어 있다.
(펠리클막 접착층)
본 공정에서 준비하는 적층체는, 펠리클막과 펠리클 프레임 사이에, 펠리클막 접착층을 더 구비해도 된다.
이러한 양태에 있어서의 적층체는, 예를 들어 펠리클막, 펠리클막 접착층 및 펠리클 프레임을 포함하는 펠리클을, 포토마스크에 마운팅함으로써 제작할 수 있다.
여기서, 펠리클막 접착층이란, 펠리클막과 펠리클 프레임 사이에 개재하여, 펠리클막과 펠리클 프레임을 접착시키기 위한 층을 의미한다.
펠리클막 접착층은 공지된 접착제를 포함할 수 있다.
펠리클막 접착층에 포함될 수 있는 접착제로서는, 예를 들어 아크릴 수지 접착제, 에폭시 수지 접착제, 실리콘 수지 접착제, 불소 함유 실리콘계 접착제, 불소 함유 에테르계 접착제 등을 들 수 있다.
(포토마스크)
본 공정에서 준비하는 적층체는, 포토마스크를 구비한다.
포토마스크로서는, 광이 조사되는 광 조사면을 갖는 것이면 특별히 제한은 없다.
포토마스크로서는, 예를 들어 지지 기판과, 이 지지 기판 상에 적층된 반사층과, 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하는 포토마스크를 사용할 수 있다.
포토마스크에서는, 반사층 및 흡수체층이 마련된 측의 면이, 광 조사면이 된다. 광 조사면에 대하여 EUV광 등의 광이 조사된 경우, 광 조사면에 있어서의 흡수체층이, 조사된 광의 적어도 일부를 흡수하고, 광의 잔부가 반사층에 의해 반사된다. 반사된 광이, 감응 기판(예를 들어, 포토레지스트막 구비 반도체 기판)에 조사된다. 이에 의해, 감응 기판 상에, 원하는 상이 형성된다.
반사층으로서는, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 다층막을 적합하게 들 수 있다.
흡수체층은, 크롬(Cr), 질화탄탈 등, EUV광 등의 흡수성이 높은 재료인 것이 바람직하다.
(마스크 접착층)
본 공정에서 준비하는 적층체는, 포토마스크와 펠리클 프레임 사이에, 마스크 접착층을 더 구비해도 된다.
이러한 양태의 적층체는, 예를 들어 펠리클막, 펠리클 프레임 및 마스크 접착층을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클을, 마스크 접착층과 포토마스크가 접하는 방향으로, 포토마스크에 마운팅함으로써 제작할 수 있다.
여기서, 마스크 접착층이란, 포토마스크와 펠리클 프레임 사이에 개재하여, 포토마스크와 펠리클 프레임을 접착시키기 위한 층을 의미한다.
마스크 접착층은 공지된 접착제를 포함할 수 있다.
마스크 접착층에 포함될 수 있는 접착제로서는, 예를 들어 양면 점착 테이프, 실리콘 수지계 접착제, 아크릴계 접착제, 고무계 접착제, 비닐계 접착제, 에폭시계 접착제 등을 들 수 있다.
본 공정에서 준비하는 적층체는, 상기 마스크 접착층과 상기 펠리클막 접착층을 양쪽 모두 구비하고 있어도 된다.
도 6은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 다른 일례(즉, 도 1에 나타낸 일례와는 다른 일례)를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 본 일례에 관한 적층체는, 포토마스크(605)와, 마스크 접착층(607)과, 펠리클 프레임(603)과, 펠리클막 접착층(606)과, 펠리클막(602)을, 이 순의 배치로 구비한다.
본 일례에 있어서의 적층체는, 예를 들어 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603), 펠리클막 접착층(606) 및 펠리클막(602)을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클(601)을 사용하여 제작할 수 있다.
도 7은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7에 나타내는 일례에 관한 적층체는, 펠리클막 접착층(606)과 펠리클 프레임(603) 사이에 펠리클막 지지 프레임(608) 및 지지 프레임 접착층(609)(여기서, 펠리클막 지지 프레임(608)은 펠리클막 접착층(606)에 접하고, 지지 프레임 접착층(609)은 펠리클 프레임(603)에 접함)이 개재되어 있는 것 이외에는, 도 6에 나타낸 일례에 관한 적층체의 구성과 마찬가지이다.
본 일례에 있어서의 적층체는, 예를 들어 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603), 지지 프레임 접착층(609), 펠리클막 지지 프레임(608), 펠리클막 접착층(606) 및 펠리클막(602)을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클(611)을 사용하여 제작할 수 있다.
도 8은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또 다른 일례를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 8에 나타내는 일례에 관한 적층체의 구성은, 펠리클막 접착층(606)이 존재하지 않는 것 이외에는, 도 7에 나타낸 일례에 관한 적층체의 구성과 마찬가지이다.
본 일례에 있어서의 적층체는, 예를 들어 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603), 지지 프레임 접착층(609), 펠리클막 지지 프레임(608) 및 펠리클막(602)을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클(612)을 사용하여 제작할 수 있다.
이상의 도 6 내지 도 8에 나타내는 바와 같이, 본 개시에 있어서의 펠리클의 범위에는,
펠리클막이 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에 직접(즉, 다른 요소를 통하지 않고) 지지되어 있는 양태(도 1 참조)뿐만 아니라,
펠리클막이 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에, 다른 요소(예를 들어, 펠리클막 접착층, 펠리클막 지지 프레임, 지지 프레임 접착층 등)를 개재하여 지지되어 있는 양태(도 6 내지 도 8)도 포함된다.
<점착층을 형성하는 공정>
점착층을 형성하는 공정은, 상기 적층체에 있어서의 펠리클막 상에, 점착층을 형성하는 공정이다.
점착층을 형성하는 공정은, 점착층의 형성 시에 펠리클막에 가해지는 부하를 보다 저감시키는 관점에서,
스프레이 코팅법, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법 또는 딥 코팅법에 의해, 점착층을 형성하는 공정인 것이 바람직하고,
스프레이 코팅법 또는 스핀 코팅법에 의해, 점착층을 형성하는 공정인 것이 보다 바람직하고,
스프레이 코팅법에 의해, 점착층을 형성하는 공정인 것이 특히 바람직하다.
스프레이 코팅법에 의한 점착층의 형성은, 공지된 스프레이 코팅 장치를 사용하여 행할 수 있다.
스프레이 코팅 장치로서는, 예를 들어 스프레이건, 초음파 스프레이 코팅 장치, 2유체 스프레이 코팅 장치, 1유체 스프레이 코팅 장치 등을 들 수 있다.
점착층은, 점착제를 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하다.
포토마스크의 오염의 억제성의 관점에서, 점착층은,
실리콘계 점착제, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 올레핀계 점착제, 폴리부타디엔계 점착제, 고무계 점착제 및 스티렌계 점착제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 점착제를 포함하는 것이 바람직하고,
아크릴계 점착제, 폴리부타디엔계 점착제 및 고무계 점착제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 점착제를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
점착제는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
실리콘계 점착제로서는, 실리콘 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 실리콘계 점착제로서는, 특별히 제한은 없고, 부가 반응형 실리콘계 점착제, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제, 축합형 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 펠리클막을 점착제로 유지하는 관점에서, 유지력이 큰 부가 경화형 실리콘계 점착제가 바람직하다.
본 개시에 있어서, 점착제의 주성분이란, 점착제의 전체 질량에 대하여, 50질량％ 이상을 차지하는 성분을 의미한다.
아크릴계 점착제는, 아크릴 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 아크릴계 점착제에 포함되는 아크릴 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 알킬(메트)아크릴레이트계 점착제, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 아크릴계 점착제는, 아크릴계 고무 수지를 주성분으로 하는 점착제여도 된다. 아크릴계 고무 수지로서는, 예를 들어 메타크릴산메틸과 아크릴산부틸의 블록 공중합체를 들 수 있다.
우레탄계 점착제로서는, 폴리우레탄 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 우레탄계 점착제에 포함되는 폴리우레탄으로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 폴리에스테르폴리우레탄, 폴리카르보네이트폴리우레탄 등을 들 수 있다
폴리아미드계 점착제는, 폴리아미드 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 폴리아미드계 점착제에 포함되는 폴리아미드 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 운데칸락탐을 개환 중축합한 폴리아미드(아미드 11), 라우릴 락탐을 개환 중축합한 폴리아미드(아미드 12) 등을 들 수 있다.
폴리에스테르계 점착제로서는, 폴리에스테르 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 폴리에스테르 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 다가 카르복실산과 다가 알코올의 축중합체를 들 수 있다.
상기 폴리에스테르의 구체예로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등을 들 수 있다.
올레핀계 점착제는, 올레핀 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 상기 올레핀으로서는, 특별히 제한은 없고, 올레핀을 단독 중합하여 이루어지는 중합체, 또는 올레핀과 다른 단량체를 중합하여 이루어지는 공중합체여도 된다. 올레핀으로서는, 탄소수가 2 내지 6인 올레핀이 바람직하고, 예를 들어 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메틸펜텐, 헥센을 들 수 있다. 공중합체에 사용하는 다른 단량체로서는, 예를 들어 아세트산비닐을 들 수 있다.
고무계 점착제는 고무를 주성분으로서 포함하는 점착제인 것이 바람직하고, 예를 들어 천연 고무계 점착제 및 합성 고무계 점착제를 적합하게 들 수 있다. 합성 고무계 점착제로서는, 예를 들어 스티렌-부타디엔 공중합체(SBR, SBS), 스티렌-이소프렌 공중합체(SIS), 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(NBR), 클로로프렌 중합체, 이소부틸렌-이소프렌 공중합체(부틸 고무) 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 고무계 점착제로서는, 점착층을 형성하기 쉽고, 또한 펠리클막을 유지하기 쉬운 관점에서, 합성 고무계 점착제인 것이 바람직하고, 스티렌-부타디엔 공중합체를 주성분으로 하는 점착제인 것이 보다 바람직하다.
폴리부타디엔계 점착제는, 상기 고무계 점착제 이외의 점착제이며, 폴리부타디엔을 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 폴리부타디엔으로서는, 부타디엔으로부터 형성되는 구조 단위를 포함하는 것이면, 특별히 제한은 없고, 호모 폴리머여도 되고, 부타디엔 이외의 단량체와의 공중합체여도 된다.
스티렌계 점착제는 상기 고무계 점착제 이외의 점착제이며, 폴리스티렌 수지를 주성분으로 하는 점착제이다. 폴리스티렌 수지로서는 특별히 제한은 없고, 스티렌계 단량체(예를 들어, 스티렌, 메틸스티렌, 에틸스티렌, 이소프로필스티렌, 디메틸스티렌, 파라메틸스티렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌, 비닐톨루엔, 비닐크실렌)의 단독 중합체, 및 스티렌계 단량체와, 스티렌계 단량체와 공중합 가능한 단량체의 공중합체를 들 수 있다.
스티렌계 단량체와 공중합 가능한 단량체로서는, 예를 들어 비닐 단량체(예를 들어, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴산, 메타크릴산, 메타크릴산메틸, 무수말레산, 부타디엔)를 들 수 있다.
포토마스크의 오염의 억제성의 관점에서, 점착제의 유리 전이 온도로서는, -60℃ 내지 -20℃인 것이 바람직하고, -60℃ 내지 -40℃인 것이 보다 바람직하다.
포토마스크의 오염의 억제성의 관점에서, 점착제의 베이스 폴리머의 중량 평균 분자량으로서는, 10,000 내지 1,500,000인 것이 바람직하고, 50,000 내지 1,000,000인 것이 보다 바람직하다. 또한, 중합 평균 분자량이 다른 베이스 폴리머를 혼합해도 된다.
펠리클막 상에 점착제를 부여하여 점착층을 형성할 때의 점착제의 부여량(예를 들어, 스프레이 코팅법에 의해 점착제를 도포할 때의 도포량)은, 건조 후의 부여량으로, 1g/m2 내지 1,000g/m2인 것이 바람직하고, 50g/m2 내지 1,000g/m2인 것이 보다 바람직하다.
점착층은, 펠리클막 상에, 점착제 및 용제를 포함하는 점착제 용액을 부여하여 형성해도 된다.
점착제 용액에 있어서의 용제로서는, 공지된 용제를 사용할 수 있다.
점착제 용액에 있어서의 용제로서, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤(2-부타논), 시클로헥산, 아세트산에틸, 에틸렌디클로라이드, 테트라히드로푸란, 톨루엔, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세틸아세톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메톡시-1-프로판올, 메톡시메톡시에탄올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로필아세테이트, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 락트산메틸, 락트산에틸 등을 들 수 있다.
점착제 용액에 있어서의 용제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.
점착제 용액 중의 고형분 농도(즉, 점착제 용액의 전체량에 대한 점착제의 함유량)는, 바람직하게는 1질량％ 내지 50질량％ 정도이다.
점착제 용액의 점도(25℃)로서는, 펠리클막과 점착제의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 1mPa·s 내지 1,000mPa·s인 것이 바람직하고, 100mPa·s 내지 800mPa·s인 것이 보다 바람직하다.
점착제 용액의 점도는 상기 용제의 종류 및/또는 양에 의해 적절히 조정할 수 있다.
점착층의 두께로서는, 1㎛ 이상 1mm 이하인 것이 보다 바람직하고, 50㎛ 이상 1mm 이하인 것이 더욱 바람직하다.
상기 점착층의 두께는 공지된 방법에 의해 조정할 수 있다.
예를 들어, 스프레이 코팅법에 의해 점착층을 형성하는 경우, 스프레이 코팅 장치(예를 들어 스프레이건)로부터 분사되는 점착제 용액의 분사량을 조정함으로써, 점착층의 두께를 조정할 수 있다.
점착층의 두께는, 적층체를 수직 방향으로 절단하고, 그 단면을 주사형 전자 현미경에 의해 확인함으로써 구해진다.
점착층은 격자 구조의 홈을 갖고 있어도 된다. 점착층이 격자 구조의 홈을 가짐으로써, 예를 들어 후술하는 보호 필름을 점착층 상에 적층시킨 경우, 펠리클막과 보호 필름을 접합할 때, 펠리클막과 보호 필름 사이에 들어간 기체가, 격자 구조에서 외부로 배출되기 쉬워져, 펠리클막의 파열을 방지할 수 있다.
점착층을 형성하는 공정을 실시하기 위한 장치(예를 들어, 후술하는 펠리클의 디마운팅 전처리 장치)는, 펠리클막 상에 토출된 점착제가 펠리클막 이외의 부분에 부착되는 것을 방지하기 위한 커버를 구비해도 된다.
<디마운팅 공정>
디마운팅 공정은, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 적어도 펠리클막 및 점착층을 디마운팅하는 공정이다.
펠리클막 및 점착층을 디마운팅하는 방법에는, 특별히 제한은 없다. 디마운팅은 파지구를 사용하여 행해도 되고, 후술하는 보호 필름을 사용하여 행해도 된다.
디마운팅 공정에서는, 펠리클막을 디마운팅할 때, 펠리클막이 파손되어도 된다. 펠리클막이 파손된 경우에 있어서도, 파손에 의해 발생한 펠리클막편이 점착층에 점착하여 결착되므로, 펠리클막편의 비산, 나아가서는 펠리클막편의 비산에서 기인하는 포토마스크의 오염이 억제된다.
디마운팅 공정에서는,
점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 펠리클 프레임, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅해도 되고,
펠리클 프레임을 포토마스크측에 남긴 채, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅해도 된다.
디마운팅 공정에 있어서, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 펠리클 프레임, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅하는 경우,
펠리클 프레임, 펠리클막 및 점착층을, 한번에 통합하여 디마운팅해도 되고,
먼저, 펠리클 프레임을 포토마스크측에 남긴 채 펠리클막 및 점착층을 디마운팅하고, 이어서 펠리클 프레임을 디마운팅해도 된다.
(디마운팅 공정 중의 열처리)
적층체가, 포토마스크와 펠리클 프레임 사이에, 마스크 접착층을 더 구비하는 경우에 있어서, 이 적층체(즉, 포토마스크와, 마스크 접착층과, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체)를 제1 적층체로 한 경우,
디마운팅 공정은,
점착층이 형성된 제1 적층체에 있어서의 포토마스크측에 펠리클 프레임을 남긴 채, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅함으로써, 포토마스크, 마스크 접착층 및 펠리클 프레임을 포함하는 제2 적층체를 얻는 것과,
제2 적층체를 열처리하는 것과,
제2 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 디마운팅하는 것
을 포함해도 된다.
이 양태에 의하면, 제2 적층체를 열처리함으로써, 마스크 접착층에 있어서의 접착력을 저하시킬 수 있으므로, 펠리클 프레임의 디마운팅을 보다 용이하게 행할 수 있다.
상기 열처리 시, 제2 적층체 전체를 열처리해도 되고, 제2 적층체의 일부(예를 들어 접착층을 포함하는 부분)를 열처리해도 된다.
열처리를 위한 장치에는, 특별히 제한은 없고, 히터, 핫 플레이트, 오븐 등을 사용할 수 있다.
열처리의 온도로서는, 예를 들어 50℃ 내지 140℃를 들 수 있다.
열처리의 시간으로서는, 예를 들어 10초 내지 300초를 들 수 있다.
<보호 필름을 점착시키는 공정>
본 개시의 1 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 방법은, 점착층을 형성하는 공정 후이며 디마운팅 공정 전에, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 공정을 더 포함해도 된다.
이 경우, 상기 디마운팅 공정은, 보호 필름이 점착된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 적어도 보호 필름, 점착층 및 펠리클막을 디마운팅하는 공정인 것이 바람직하다. 이 양태의 디마운팅 공정은, 보호 필름, 점착층, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 통합하여 디마운팅하는 공정이거나, 또는 먼저 보호 필름, 점착층 및 펠리클막을 디마운팅하고, 이어서 펠리클 프레임을 디마운팅하는 공정인 것이 보다 바람직하다.
펠리클의 디마운팅 방법이 보호 필름을 점착시키는 공정을 포함하는 경우에는, 펠리클막이 파손된 경우에 있어서도, 파손에 의해 발생한 펠리클막편이 점착층에 의해 결착되며, 또한 점착층을 개재하여 보호 필름에 유지된다. 이에 의해, 펠리클막편의 비산 및 펠리클막편의 비산에서 기인하는 포토마스크의 오염이 보다 억제된다.
본 공정에 있어서, 「점착층이 형성된 적층체에 있어서의 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는」이란, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 점착층과, 보호 필름을 점착시키는 것을 의미한다. 이 때, 점착층에 대하여 보호 필름을 압박하여 양자를 점착시켜도 되고, 보호 필름에 대하여 점착층을 압박하여 양자를 점착시켜도 되고, 점착층과 보호 필름을 서로 압박하여 양자를 점착시켜도 된다.
보호 필름으로서는, 특별히 제한은 없지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리카르보네이트(PC) 필름 등을 적합하게 들 수 있다.
보호 필름은, 투명 또는 반투명하면 점착층과 펠리클막간의 기포의 유무를 확인하면서 붙이기 쉬워지기 때문에, 투명 또는 반투명한 보호 필름인 것이 바람직하지만, 상기 보호 필름은 투명 또는 반투명한 보호 필름에 한정되는 것은 아니다.
보호 필름의 두께로서는, 특별히 제한은 없지만, 적당한 강도를 갖는 관점에서, 50㎛ 이상 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
보호 필름은, 점착제와 접합하였을 때에 들어간 기체를 외부로 배출하기 쉽게 하는 관점에서, 격자상의 오목 구조를 갖고 있어도 된다.
보호 필름을 점착시키는 공정은, 보호 필름과 기판을 포함하는 보호 필름 구비 기판을 사용하고, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 점착층 상에 보호 필름 구비 기판에 있어서의 보호 필름을 점착시키는 공정이어도 된다.
보호 필름 구비 기판에 있어서의 기판으로서는, 유리 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 등을 들 수 있다.
보호 필름을 점착시키는 공정에 있어서, 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 방법에는 특별히 제한은 없지만, 예를 들어;
보호 필름에 외력을 가하여 점착시키는 방법;
보호 필름에 외력을 가하지 않고, 자중, 분자간력, 정전기력 등의 인력에 의해 점착시키는 방법;
보호 필름과 점착층을 근접시킨 상태에서 감압 환경 하에 배치함으로써 점착시키는 방법;
적층체에 있어서의, 펠리클막, 펠리클 프레임의 내주면 및 포토마스크에 의해 둘러싸인 공간 내에 공기를 보내어 이 공간의 압력을 양압으로 하고, 이에 의해, 점착층 구비의 펠리클막을 보호 필름의 방향으로 부풀려 점착시키는 방법;
등을 들 수 있다.
점착층 구비의 펠리클막을 보호 필름의 방향으로 부풀려 점착시키는 경우, 점착층 구비의 펠리클막을 부풀림으로써, 펠리클막을 의도적으로 파손시켜도 된다. 펠리클막을 의도적으로 파손시킨 경우에 있어서도, 파손에 의해 발생한 펠리클막편은, 점착층에 의해 결착되고, 또한 점착층을 개재하여 보호 필름에 유지된다. 이 때문에, 펠리클막편의 비산 및 펠리클막편의 비산에서 기인하는 포토마스크의 오염이 보다 억제된다.
또한, 점착층, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있는 적층체(예를 들어, 전술한 도 4a 및 도 4b에 있어서의 적층체)에 있어서의 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 경우, 보호 필름 중, 상기 관통 구멍과 겹치는 위치에는, 보호 필름을 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있어도 된다. 이에 의해, 보호 필름이 점착된 적층체에 있어서, 보호 필름, 점착층, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 관통하는 관통 구멍(이하, 「관통 구멍 X」라고도 함)이 형성된다. 관통 구멍 X에 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 보호 필름이 점착된 적층체로부터, 보호 필름, 점착층, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 용이하게 디마운팅할 수 있다.
<적층체를 열처리하는 공정>
본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 디마운팅 공정 전(보다 바람직하게는, 적층체를 준비하는 공정이며 점착층을 형성하는 공정 전)에, 적층체(즉, 포토마스크, 펠리클 프레임 및 펠리클막을 포함하는 적층체)를 열처리하는 공정을 더 포함해도 된다.
적층체를 열처리하는 공정을 포함하는 양태는, 적층체가, 펠리클막 접착층 및 마스크 접착층의 적어도 한쪽을 포함하는 경우에 특히 효과적이다. 이 경우, 적층체를 열처리함으로써, 펠리클막 접착층 및 마스크 접착층의 적어도 한쪽에 의한 접착력을 저하시킬 수 있으므로, 펠리클막의 파손을 억제하면서, 디마운팅을 보다 용이하게 행할 수 있다.
상기 열처리 시, 적층체 전체를 열처리해도 되고, 적층체의 일부(예를 들어, 펠리클막 접착층 및 마스크 접착층의 적어도 한쪽을 포함하는 부분)를 열처리해도 된다.
열처리를 위한 장치에는, 특별히 제한은 없고, 히터, 핫 플레이트, 오븐 등을 사용할 수 있다.
열처리의 온도로서는, 예를 들어 50℃ 내지 140℃를 들 수 있다.
열처리의 시간으로서는, 예를 들어 10초 내지 300초를 들 수 있다.
본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 필요에 따라서 상술한 공정 이외의 기타 공정을 포함하고 있어도 된다.
이하, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법의 구체적인 실시 형태인 실시 형태 1 내지 3을 나타낸다. 단, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 이하의 실시 형태에 한정되지는 않는다.
<실시 형태 1>
실시 형태 1에 대하여, 도 6을 참조하면서 설명한다.
도 6에 대하여는 상술한 바와 같다.
실시 형태 1에서는, 먼저, 적층체를 준비하는 공정에 의해 도 6에 나타낸 적층체와 마찬가지의 구성을 갖는 적층체를 준비하고, 이 적층체에 대하여 점착층을 형성하는 공정을 실시하여 펠리클막(602) 상에 점착층을 형성하여, 점착층 구비의 적층체를 얻는다(도시하지 않음).
이어서, 점착층 구비의 적층체를 열처리하는 공정을 실시한다(도시하지 않음). 이에 의해, 적층체에 있어서의, 마스크 접착층 및 펠리클막 접착층에 있어서의 접착력을 저하시킨다.
이어서, 디마운팅 공정에 의해, 먼저, 열처리 후의 점착층 구비 적층체로부터 점착층(도시하지 않음) 및 펠리클막(602)를 디마운팅하고, 이어서 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603) 및 펠리클막 접착층(606)을 디마운팅한다.
실시 형태 1에 있어서, 점착층을 형성하는 공정과, 적층체를 열처리하는 공정의 순서는 상술한 순서에 대하여 역의 순서여도 된다.
<실시 형태 2>
실시 형태 2는, 이하의 점 이외에는 실시 형태 1과 마찬가지이다.
실시 형태 2는, 점착층을 형성하는 공정 후이며 디마운팅 공정 전에, 점착층 구비의 적층체에 있어서의 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 공정을 더 포함한다.
실시 형태 2에 있어서의 디마운팅 공정은, 보호 필름이 점착된 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 먼저, 보호 필름, 점착층 및 펠리클막을 디마운팅하고, 이어서 마스크 접착층, 펠리클 프레임 및 펠리클막 접착층을 디마운팅한다.
실시 형태 2에 있어서, 적층체를 열처리하는 공정은, 생략되어 있어도 된다.
<실시 형태 3>
실시 형태 3은, 이하의 점 이외에는 실시 형태 1과 마찬가지이다.
실시 형태 3에서는, 적층체를 열처리하는 공정은 실시하지 않고, 그 대신에, 후술하는 디마운팅 공정 중의 열처리를 실시한다.
실시 형태 3은, 점착층을 형성하는 공정 후이며 디마운팅 공정 전에, 점착층이 형성된 제1 적층체(즉, 포토마스크와, 마스크 접착층과, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 제1 적층체의 펠리클막 상에 점착층이 형성되어 이루어지는 적층체)에 있어서의 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 공정을 더 포함한다.
실시 형태 3에 있어서의 디마운팅 공정은,
먼저, 보호 필름이 점착된 제1 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 보호 필름, 점착층 및 펠리클막을 디마운팅하여, 포토마스크, 마스크 접착층, 펠리클 프레임 및 펠리클막 접착층을 포함하는 제2 적층체를 얻고,
이어서, 전술한 디마운팅 공정 중의 열처리를 실시하고(즉, 제2 적층체의 열처리를 실시하고),
이어서, 제2 적층체에 있어서의 포토마스크로부터, 마스크 접착층, 펠리클 프레임 및 펠리클막 접착층을 디마운팅한다.
[펠리클의 디마운팅 전처리 장치]
이어서, 상술한 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 점착층을 형성하는 공정을 실시하기 위해 적합한, 펠리클의 디마운팅 전처리 장치의 실시 형태에 대하여 설명한다.
여기서,
「펠리클의 디마운팅 전처리」란, 상술한 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 점착층을 형성하는 조작을 의미하고,
「펠리클의 디마운팅 전처리 장치」란, 상술한 「펠리클의 디마운팅 전처리」를 행하기 위한 장치를 의미한다.
본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치는,
본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 적층체(즉, 포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체)가, 펠리클막이 상측이 되며 포토마스크가 하측이 되는 방향으로 적재되는 적재부와,
적재부에 적재된 적층체에 있어서의 펠리클막 상에 점착제 용액을 토출하기 위한 토출부
를 구비한다.
본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치에 의해, 상술한 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 점착층을 형성하는 공정을 실시할 수 있다. 상세하게는, 펠리클막 상에 점착제 용액을 토출하여 도포함으로써, 점착층을 형성할 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치에 의하면, 상술한 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법과 마찬가지로, 펠리클막편에 의한 포토마스크의 오염을 억제할 수 있다는 효과가 발휘된다.
본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치에서는, 펠리클막이 상측이 되며 포토마스크가 하측이 되는 방향으로 적재된 적층체의 펠리클막 상에 점착제 용액을 토출하여 점착층을 형성하므로, 드리핑 등에서 기인하는 점착층의 불균일이 억제된다. 이러한 효과를 보다 효과적으로 얻는 관점에서, 적재부에는, 펠리클막의 막면이 수평으로 되게, 적층체가 적재되는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치는, 필요에 따라서 기타 요소를 구비하고 있어도 된다.
기타 요소로서는, 예를 들어 점착제 용액의 비산 방지용의 커버를 들 수 있다.
점착제 용액의 비산 방지용의 커버로서는, 예를 들어 펠리클막에 있어서의 펠리클 프레임 상의 부분을 덮고, 또한 펠리클막에 있어서의 자립 부분을 노출하는 형태의 커버를 사용할 수 있다. 이러한 형태의 커버에 의하면, 점착제 용액의 비산을 방지하면서, 펠리클막의 자립 부분에 점착층을 형성시킬 수 있다.
또한, 기타 요소로서, 펠리클의 디마운팅용 부재(예를 들어, 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구, 지레 등)도 들 수 있다. 이 경우, 본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치에 의해, 펠리클의 디마운팅 전처리(즉, 점착층의 형성)와, 펠리클의 디마운팅의 양쪽을 행할 수 있다.
이하, 본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치의 구체예를 2예 나타내지만, 본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치가 이하의 2예에 한정되지는 않는다.
도 9는, 본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치의 일례를 개념적으로 나타내는 개략 단면도이다.
상세하게는, 도 9에 나타내는 일례는, 스프레이 코팅법에 의해 점착제 용액을 도포하여 점착층을 형성하는 장치의 일례이다.
도 9에 나타나는 바와 같이, 본 일례에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치(800)는,
챔버(804) 중에,
전술한 적층체(101)(도 1 참조)가, 펠리클막이 상측(즉, 중력 방향 G와는 반대측)이 되며 포토마스크가 하측(즉, 중력 방향 G측)이 되는 방향으로 적재되는 적재부(802)와,
적재부에 적재된 적층체에 있어서의 펠리클막 상에 점착제 용액을 토출하기 위한 스프레이 노즐(806)(스프레이 방식의 토출부)
을 구비한다.
적재부(802)는, 적층체를 고정하기 위한 고정 기능(예를 들어, 진공척 등)을 갖고 있어도 된다.
이 일례에서는, 챔버(804) 외부의 점착제 공급원(도시하지 않음)으로부터 화살표 X1의 방향으로 점착제 용액이 공급되고, 챔버(804) 내에 도입된 스프레이 노즐(806)의 토출 구멍으로부터 점착제 용액이 스프레이 방식에 의해 토출된다. 토출된 점착제 용액이, 적재부(802)에 적재된 적층체에 있어서의 펠리클막 상에 도포된다(스프레이 코팅). 이에 의해, 펠리클막 상에 점착층이 형성된다.
이 일례에서는, 스프레이 노즐(806)로부터의 점착제 용액의 토출 방향이 수평 방향으로 되어 있다. 이렇게 토출 방향이 수평 방향이거나, 또는 수평 방향보다도 상향인 경우에는, 점착제 용액의 토출에 의한 펠리클막의 손상이 보다 억제된다.
도 10은, 본 실시 형태에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치의 다른 일례를 개념적으로 나타내는 개략 단면도이다.
상세하게는, 도 10에 나타내는 일례는, 스핀 코팅법에 의해 점착제 용액을 도포하여 점착층을 형성하는 장치의 일례이다.
도 10에 나타나는 바와 같이, 본 일례에 관한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치(900)는,
챔버(904) 중에,
전술한 적층체(101)(도 1 참조)가, 펠리클막이 상측(즉, 중력 방향 G와는 반대측)이 되며 포토마스크가 하측(즉, 중력 방향 G측)이 되는 방향으로 적재되는 적재부(902)와,
적재부에 적재된 적층체에 있어서의 펠리클막 상에 점착제 용액을 토출하기 위한 토출부(906)
를 구비한다.
적재부(902)는, 적층체를 고정하기 위한 고정 기능(예를 들어, 진공척 등)을 갖고 있어도 된다.
이 일례에서는, 적재부(902)가 회전 기능을 갖고 있다. 이 회전 기능에 의해, 적층체가 펠리클막의 막면에 대하여 수평한 평면에서 회전함으로써, 펠리클막 상에 토출된 점착제 용액이 펠리클막 상에 도포된다(스핀 코팅).
이 일례에 있어서의 토출부(906)의 토출 방향은, 하향으로 되어 있다. 토출부(906)의 토출 위치는, 펠리클막의 중앙 부근이 된다.
단, 토출부(906)의 토출 방향 및 토출 위치는, 이 일례에 한정되지는 않는다.
실시예
이하, 본 개시의 실시예를 나타내지만, 본 개시가 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
이하의 각 공정을 실시함으로써, 펠리클의 디마운팅을 행하였다. 이하, 상세를 나타낸다.
<적층체를 준비하는 공정>
SiN막 펠리클막과,
일단부면의 측에서 SiN막 펠리클막을 지지하는 펠리클 프레임과,
SiN막 펠리클막과 펠리클 프레임 사이에 개재하는 펠리클막 접착층과,
펠리클 프레임의, SiN막 펠리클막을 지지하고 있는 단부면과는 반대측의 단부면에 마련된 마스크 접착층
을 포함하는 펠리클을 준비하였다.
펠리클 프레임의 외주면에는, 오목부로서의 핸들링 구멍이 마련되어 있다. 이 핸들링 구멍은, 지레를 사용한 디마운팅 시의 작용점으로서 기능한다.
펠리클 프레임에는, 외주면으로부터 내주면까지를 관통하는, 통기용의 관통 구멍도 마련되어 있다.
상기 펠리클을, 차광막층을 포함하는 포토마스크의 차광막층측에, 포토마스크의 차광막층측과 펠리클에 있어서의 마스크 접착층이 접하는 방향에서, 98N의 하중으로 30초간 압박하였다. 이에 의해, 포토마스크에 펠리클을 마운팅시켜, 적층체를 얻었다.
<점착층을 형성하는 공정>
상기 적층체의 펠리클막의 자립 부분(즉, 펠리클 프레임의 내주면에 의해 둘러싸이는 개구부 상의 부분) 상에, 스티렌부타디엔 고무를 주성분으로 하는 고무계 점착제 용액(3M사제, 제품명: 3M 스프레이 풀 77)을 스프레이 코팅하고, 두께 약 100㎛의 점착층을 형성하여, 점착층 구비의 적층체를 얻었다.
점착층의 형성 시, 펠리클막의 자립 부분 이외에 점착제가 부착되지 않도록 하기 위해서, 펠리클막의 자립 부분과 거의 동일한 크기의 개구부를 갖는 PET 필름에 의해, 펠리클막의 자립 부분 이외를 마스킹하였다.
점착층의 형성 후, 마스킹용의 PET 필름을 제거하였다.
<보호 필름을 점착시키는 공정>
보호 필름으로서의 두께 100㎛의 투명 PET 필름을 유리 평판 상에 겹쳐서 고정하고, 보호 필름 구비 기판으로서의 PET 필름 구비 유리 평판을 준비하였다.
이어서, 점착층 구비의 적층체를, 점착층이 최상층이 되는 배치로, Z축 구동하는 정밀 스테이지(이하, 「Z 구동 스테이지」라고도 한다.) 상에 얹었다.
이어서, Z 구동 스테이지에 얹은 점착층 구비의 적층체의 상방(즉, 점착층의 더욱 상방)에 PET 필름 구비 유리 평판을, PET 필름 구비 유리 평판에 있어서의 PET 필름이 하측이 되게(즉, 점착층과 PET 필름이 대향하도록) 고정하였다. 이 때, 점착층과 PET 필름이 평행해지도록 조정하였다.
이어서, Z 구동 스테이지를 움직여서 점착층 구비의 적층체를 상방으로 수직 이동시키고, 점착층 구비의 적층체에 있어서의 점착층을, PET 필름 구비 유리 평판에 있어서의 PET 필름에 접촉시켰다. 이 때, PET 필름과 점착제층의 계면에 기포의 혼입이 없는 것을, PET 필름 구비 유리 평판의 유리 평판측에서 눈으로 보아 확인하였다.
이어서, 적층체에 있어서의 펠리클 프레임의 상기 관통 구멍(즉, 통기구)에, 질소 가스 도입용의 배관을 접속하였다. 이 배관을 통해, 펠리클 프레임의 내주면과 펠리클막과 포토마스크에 의해 둘러싸인 폐공간 내에, 질소 가스를 도입하고, 폐공간의 압력을 약 5kPa의 양압으로 하였다. 이에 의해, 점착층 구비의 적층체에 있어서의 펠리클막을 상방으로 부풀려, 이 펠리클막 상의 점착층과, PET 필름 구비 유리 평판에 있어서의 PET 필름을 점착시켰다.
<디마운팅 공정>
이어서, Z 구동 스테이지를 움직여서 점착층 구비의 적층체를 하방으로 수직 이동시켜, PET 필름 구비 유리 평판에 있어서의 PET 필름으로부터, 점착층 구비의 적층체에 있어서의 포토마스크측을 분리하고, 이에 의해, 점착층 구비의 적층체에 있어서의 펠리클막을 강제적으로 파막시켰다. 이 조작에 의해, 점착층 구비의 적층체로부터, 펠리클막 및 점착층을 디마운팅하였다.
이어서, 펠리클막 및 점착층의 디마운팅에 의해 남은 제2 적층체(즉, 포토마스크와 마스크 접착층과 펠리클 프레임을 포함하는 적층체)를 핫 플레이트 상에, 포토마스크와 핫 플레이트가 접촉하는 방향으로 적재하고, 제2 적층체를 약 70℃에서 5분간 가열하였다. 이에 의해, 마스크 접착층의 접착력을 저하시켰다.
이어서, 펠리클 프레임의 외주면에 마련된 핸들링 구멍을 작용점으로 하고, 지레를 사용하여, 제2 적층체로부터 펠리클 프레임을 디마운팅하였다.
이상에 의해, 점착층 구비의 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클(즉, 펠리클막 및 펠리클 프레임을 포함하는 펠리클)을 디마운팅하였다.
<포토마스크의 오염의 확인>
이어서, 펠리클이 디마운팅된 포토마스크의 표면을 눈으로 보아 관찰한 바, 이물의 부착(즉, 오염)은 확인되지 않았다.
[비교예 1]
실시예 1에 있어서의 적층체를 준비하는 공정과 마찬가지의 조작을 행하여, 실시예 1에 있어서의 적층체와 마찬가지의 적층체(즉, 포토마스크와, 마스크 접착층과, 펠리클 프레임과, 펠리클막 접착층과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 포함하는 적층체)를 준비하였다. 점착층을 형성하는 공정 및 보호 필름을 점착시키는 공정은 실시하지 않았다.
이어서, 상기 적층체를 핫 플레이트 상에, 포토마스크와 핫 플레이트가 접촉하는 방향으로 적재하여, 적층체를 약 70℃에서 5분간 가열하였다. 이에 의해, 마스크 접착층의 접착력을 저하시켰다.
이어서, 펠리클 프레임의 외주면에 마련된 핸들링 구멍을 작용점으로 하고, 지레를 사용하여, 적층체로부터 펠리클(즉, 펠리클 프레임 및 펠리클막을 포함하는 펠리클)을 디마운팅하였다. 이 디마운팅의 조작에 있어서, 펠리클막의 자립 부분이 파괴된 것이 확인되었다.
펠리클의 디마운팅 후의 포토마스크의 표면을 눈으로 보아 관찰한 바, 포토마스크의 표면에, 펠리클막의 파괴에 의해 펠리클막편이 부착되어 있는 것(즉, 포토마스크가 오염되어 있는 것)이 확인되었다.
2019년 12월 13일에 출원된 일본 특허 출원 제2019-225699호의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 도입된다.
본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허 출원 및 기술 규격은, 개개의 문헌, 특허 출원 및 기술 규격이 참조에 의해 도입되는 것이 구체적이면서 또한 개별적으로 기재된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 도입된다.

Claims (13)

  1. 포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을, 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과,
    상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막 상에, 점착층을 형성하는 공정과,
    상기 점착층이 형성된 상기 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터, 적어도 상기 펠리클막 및 상기 점착층을 디마운팅하는 디마운팅 공정
    을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 점착층을 형성하는 공정은, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법 또는 딥 코팅법에 의해, 상기 점착층을 형성하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 점착층을 형성하는 공정은, 스프레이 코팅법에 의해, 상기 점착층을 형성하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착층이, 실리콘계 점착제, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 올레핀계 점착제, 폴리부타디엔계 점착제, 고무계 점착제 및 스티렌계 점착제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 점착제를 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적층체가, 상기 포토마스크와 상기 펠리클 프레임 사이에, 마스크 접착층을 더 구비하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 적층체를 제1 적층체로 한 경우에,
    상기 디마운팅 공정이,
    상기 점착층이 형성된 상기 제1 적층체에 있어서의 상기 포토마스크측에 상기 펠리클 프레임을 남긴 채, 상기 펠리클막 및 상기 점착층을 디마운팅함으로써, 상기 포토마스크, 상기 마스크 접착층 및 상기 펠리클 프레임을 포함하는 제2 적층체를 얻는 것과,
    상기 제2 적층체를 열처리하는 것과,
    상기 제2 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터 상기 펠리클 프레임을 디마운팅하는 것
    을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 디마운팅 공정 전에, 상기 적층체를 열처리하는 공정을 더 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 펠리클 프레임의 외주면에, 오목부 및 절결의 적어도 한쪽이 마련되어 있는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적층체에, 상기 펠리클막 및 상기 펠리클 프레임을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있는, 펠리클의 디마운팅 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착층을 형성하는 공정 후이며 상기 디마운팅 공정 전에, 상기 점착층이 형성된 상기 적층체에 있어서의 상기 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 공정을 더 포함하고,
    상기 디마운팅 공정은, 상기 보호 필름이 점착된 상기 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터, 적어도 상기 보호 필름, 상기 점착층 및 상기 펠리클막을 디마운팅하는,
    펠리클의 디마운팅 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 상기 점착층을 형성하는 공정을 실시하기 위한 펠리클의 디마운팅 전처리 장치이며,
    상기 적층체가, 상기 펠리클막이 상측이 되고 상기 포토마스크가 하측이 되는 방향으로 적재되는 적재부와,
    상기 적재부에 적재된 상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막 상에, 점착제 용액을 토출하기 위한 토출부
    를 구비하는,
    펠리클의 디마운팅 전처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 토출부에 있어서의 토출 방식이 스프레이 방식이며,
    스프레이 코팅법에 의해 상기 점착제 용액을 도포하여 상기 점착층을 형성하는,
    펠리클의 디마운팅 전처리 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 적재부가, 적재된 상기 적층체를 회전시키는 회전 기능을 갖고,
    스핀 코팅법에 의해 상기 점착제 용액을 도포하여 상기 점착층을 형성하는,
    펠리클의 디마운팅 전처리 장치.
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