KR20220059269A - Liquid supplying unit and apparatus for treating substrate having the same - Google Patents

Liquid supplying unit and apparatus for treating substrate having the same Download PDF

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KR20220059269A
KR20220059269A KR1020200144650A KR20200144650A KR20220059269A KR 20220059269 A KR20220059269 A KR 20220059269A KR 1020200144650 A KR1020200144650 A KR 1020200144650A KR 20200144650 A KR20200144650 A KR 20200144650A KR 20220059269 A KR20220059269 A KR 20220059269A
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김대성
박은우
정우신
강동훈
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention provides a liquid supply unit. In one embodiment, the liquid supply unit includes: a nozzle unit having a nozzle tip from which a liquid is discharged; a liquid tank configured to store the liquid and having the nozzle tip inserted to suck the liquid; and a controller configured to control the nozzle unit, wherein the nozzle unit may include: a flow path connected to the nozzle tip; an ejector installed on the flow path to adjust a flow rate of the liquid sucked into or discharged to the flow path; a regulator configured to adjust a pressure applied to the ejector; a valve configured to adjust reduction of the pressure transferred from the regulator to the ejector; and a driver configured to move the nozzle tip between a suction position and a supply position, and wherein the controller may control the nozzle unit to discharge the liquid to a substrate at the supply position after the nozzle unit sucks the liquid from the liquid tank at the suction position by a preset amount required to treat the substrate. According to the present invention, a weight of the nozzle unit for applying the liquid onto the substrate can be reduced.

Description

액 공급 유닛 및 기판 처리 장치{LIQUID SUPPLYING UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE HAVING THE SAME}LIQUID SUPPLYING UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE HAVING THE SAME

본 발명은 기판을 액 처리하기 위한 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid supply unit for liquid processing a substrate and a substrate processing apparatus including the same.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photographic process sequentially performs application, exposure, and development steps. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. The developing process is a process of selectively developing an exposed region of the substrate.

일반적으로, 도포 공정은 기판 상에 감광액을 도포 처리하여 액막을 형성하는 공정이다. 도 1은 도포 공정을 수행하는 일반적인 액 공급 노즐(1)을 나타내는 도면이다. 액 공급 노즐(1)에는 노즐 바디(30)와, 노즐 바디(30)에 장착되는 복수개의 노즐팁들(10,20)을 포함한다. 복수 개의 노즐팁(10,20) 중, 가운데에 위치하는 제1노즐팁(1)은 기판 상으로 신너(Thinner)와 같은 프리 웨팅액을 공급하한다. 제1노즐팁(1) 양쪽에 위치하는 복수의 제2노즐팁(20)은 기판상으로 포토레지스트와 같은 감광액을 도포한다. 각각의 제2노즐팁(20)으로 공급되는 포토레지스트의 조성비는 상이하게 제공된다.In general, the coating process is a process of forming a liquid film by coating a photosensitive liquid on a substrate. 1 is a view showing a general liquid supply nozzle 1 for performing a coating process. The liquid supply nozzle 1 includes a nozzle body 30 and a plurality of nozzle tips 10 and 20 mounted on the nozzle body 30 . Among the plurality of nozzle tips 10 and 20 , the first nozzle tip 1 positioned in the center supplies a pre-wetting liquid such as thinner onto the substrate. A plurality of second nozzle tips 20 positioned on both sides of the first nozzle tip 1 apply a photoresist such as photoresist onto the substrate. The composition ratio of the photoresist supplied to each of the second nozzle tips 20 is provided differently.

제1노즐팁(10)과 제2노즐팁(20)으로 각각의 액을 공급하기 위해 별도의 액 공급 라인(15)이 필요하다. 또한, 각 액을 기 설정된 온도로 유지시키기 위한 항온수 라인(17)이 별도로 구비된다. 이에, 액 공급 노즐(1)의 무게가 무거워지고 액 공급 노즐(1) 내부의 설계 구조가 복잡해지는 문제가 있다.A separate liquid supply line 15 is required to supply each liquid to the first nozzle tip 10 and the second nozzle tip 20 . In addition, a constant temperature water line 17 for maintaining each liquid at a preset temperature is separately provided. Accordingly, there is a problem in that the weight of the liquid supply nozzle 1 becomes heavy and the design structure inside the liquid supply nozzle 1 becomes complicated.

또한, 제1노즐팁(10)과 제2노즐팁(20)에서 액을 공급하고 난 이후에 별도로 각 노즐팁(10,20)을 세정하기 위한 장치가 필요하고, 각 노즐팁(10,20)을 세정하기 위한 시간이 소요되어 공정 장치가 복잡해지고 공정 시간이 길어지는 문제가 있다.In addition, after supplying liquid from the first nozzle tip 10 and the second nozzle tip 20, a device for separately cleaning each nozzle tip 10, 20 is required, and each nozzle tip 10, 20 ), which takes time to clean, complicates the process equipment and increases the process time.

본 발명은 기판 상에 액을 도포하는 노즐 유닛의 무게를 줄일 수 있는 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a liquid supply unit and a substrate processing apparatus capable of reducing the weight of a nozzle unit for applying liquid on a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상에 액을 도포하는 노즐 유닛 내부의 구조를 단순화시킬 수 있는 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a liquid supply unit and a substrate processing apparatus capable of simplifying the structure inside a nozzle unit for applying liquid on a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상에 액을 도포하는 노즐 유닛에서 액이 누출되는 것을 방지할 수 있는 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a liquid supply unit and a substrate processing apparatus capable of preventing liquid from leaking from a nozzle unit for applying liquid on a substrate.

또한, 본 발명은 기판 상에 액을 도포하는 공정 시간을 단축할 수 있는 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a liquid supply unit and a substrate processing apparatus capable of shortening a process time for applying a liquid on a substrate.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은, 액 공급 유닛을 제공한다. 일 예에서, 액 공급 유닛은, 액이 토출되는 노즐팁을 가지는 노즐 유닛과; 내부에 액을 보관하며 노즐팁이 삽입되어 액을 흡입하도록 제공되는 액조와; 노즐 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 노즐 유닛은, 노즐팁에 연결되는 유로와; 유로에 설치되어 유로로 흡입 또는 배출되는 액의 유량을 조절하는 이젝터와; 이젝터에 제공되는 압력을 조절하는 레귤레이터와; 레귤레이터로부터 이젝터로 전달되는 감압 여부를 조절하는 밸브와; 노즐팁을 흡입 위치와 공급 위치 간에 이동시키는 구동기를 포함하고, 제어기는, 노즐 유닛이 흡입 위치에서 액조로부터 액을 기판을 처리하기 위한 필요한 기 설정량 만큼 흡입한 이후에 공급 위치에서 기판 상으로 토출하도록 노즐 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides a liquid supply unit. In one example, the liquid supply unit includes: a nozzle unit having a nozzle tip from which liquid is discharged; A liquid tank that stores the liquid therein and is provided with a nozzle tip inserted to suck the liquid; a controller for controlling the nozzle unit, the nozzle unit comprising: a flow path connected to the nozzle tip; an ejector installed in the flow path to control the flow rate of the liquid sucked or discharged into the flow path; a regulator for regulating the pressure provided to the ejector; a valve for controlling whether the pressure is reduced from the regulator to the ejector; a actuator for moving the nozzle tip between the suction position and the supply position, wherein the controller discharges the nozzle unit onto the substrate in the supply position after the nozzle unit sucks liquid from the bath at the suction position by a predetermined amount necessary for treating the substrate The nozzle unit can be controlled to do so.

일 예에서, 이젝터는 유로 상에 노즐팁과 인접하게 설치될 수 있다.In one example, the ejector may be installed adjacent to the nozzle tip on the flow path.

일 예에서, 이젝터와 레귤레이터는 유로 상에 서로 간에 인접하게 설치될 수 있다.In one example, the ejector and the regulator may be installed adjacent to each other on the flow path.

일 예에서, 노즐 유닛은, 노즐팁을 지지하는 지지암과; 지지암과 결합되며 구동기로부터 동력을 전달받아 승하강 및 회전 가능하게 제공되는 승강암을 포함할 수 있다.In one example, the nozzle unit includes a support arm for supporting the nozzle tip; It is coupled to the support arm and may include an elevating arm that is provided to be elevating and rotatable by receiving power from the actuator.

일 예에서, 노즐팁은 승강암을 중심으로 스윙 이동될 수 있다.In one example, the nozzle tip may swing about the lifting arm.

일 예에서, 액조는, 액이 담긴 복수 개의 보관 용기와; 보관 용기 내의 액을 순환시키는 순환 라인과; 보관 용기 내의 액을 드레인시키는 드레인 라인과; 보관 용기 내의 액의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함할 수 있다.In one example, the liquid tank, a plurality of storage containers containing the liquid; a circulation line for circulating the liquid in the storage container; a drain line for draining the liquid in the storage container; It may include a temperature control member for controlling the temperature of the liquid in the storage container.

일 예에서, 보관 용기는 노즐팁의 이동 경로 상에 위치할 수 있다.In one example, the storage container may be located on the movement path of the nozzle tip.

일 예에서, 각각의 보관 용기 내에 담긴 액은 조성비가 상이하게 제공될 수 있다.In one example, the liquid contained in each storage container may be provided with a different composition ratio.

일 예에서, 각각의 보관 용기 내에 담긴 액 중 적어도 어느 하나 이상은 다른 액으로 제공될 수 있다.In one example, at least any one or more of the liquid contained in each storage container may be provided as a different liquid.

일 예에서, 액은 포토레지스트와 신너(thinner)를 포함할 수 있다.In one example, the liquid may include a photoresist and a thinner.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고, 액 공급 유닛은, 액이 토출되는 노즐팁을 가지는 노즐 유닛과; 내부에 액을 보관하며 노즐팁이 삽입되어 액을 흡입하도록 제공되는 액조와; 노즐 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 노즐 유닛은, 노즐팁에 연결되는 유로와; 유로에 설치되어 유로로 흡입 또는 배출되는 액의 유량을 조절하는 이젝터와; 이젝터에 제공되는 압력을 조절하는 레귤레이터와; 레귤레이터로부터 이젝터로 전달되는 감압 여부를 조절하는 밸브와; 노즐팁을 흡입 위치와 공급 위치 간에 이동시키는 구동기를 포함하고, 제어기는, 노즐 유닛이 흡입 위치에서 액조로부터 액을 기판을 처리하기 위한 필요한 기 설정량 만큼 흡입한 이후에 공급 위치에서 기판 상으로 토출하도록 노즐 유닛을 제어할 수 있다.The present invention also provides a substrate processing apparatus. In one example, a substrate processing apparatus includes: a liquid supply unit for supplying a liquid onto a substrate; a support unit for supporting the substrate, the liquid supply unit comprising: a nozzle unit having a nozzle tip through which the liquid is discharged; A liquid tank that stores the liquid therein and is provided with a nozzle tip inserted to suck the liquid; a controller for controlling the nozzle unit, the nozzle unit comprising: a flow path connected to the nozzle tip; an ejector installed in the flow path to control the flow rate of the liquid sucked or discharged into the flow path; a regulator for regulating the pressure provided to the ejector; a valve for controlling whether the pressure is reduced from the regulator to the ejector; a actuator for moving the nozzle tip between the suction position and the supply position, wherein the controller discharges the nozzle unit onto the substrate in the supply position after the nozzle unit sucks liquid from the bath at the suction position by a predetermined amount necessary for treating the substrate The nozzle unit can be controlled to do so.

일 예에서, 이젝터는 유로 상에 노즐팁과 인접하게 설치될 수 있다.In one example, the ejector may be installed adjacent to the nozzle tip on the flow path.

일 예에서, 이젝터와 레귤레이터는 유로 상에 서로 간에 인접하게 설치될 수 있다.In one example, the ejector and the regulator may be installed adjacent to each other on the flow path.

일 예에서, 노즐 유닛은, 노즐팁을 지지하는 지지암과; 지지암과 결합되며 구동기로부터 동력을 전달받아 승하강 및 회전 가능하게 제공되는 승강암을 포함할 수 있다.In one example, the nozzle unit includes a support arm for supporting the nozzle tip; It is coupled to the support arm and may include an elevating arm that is provided to be elevating and rotatable by receiving power from the actuator.

일 예에서, 액조는, 액이 담긴 복수 개의 보관 용기와; 보관 용기 내의 액을 순환시키는 순환 라인과; 보관 용기 내의 액을 드레인시키는 드레인 라인과; 보관 용기 내의 액의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함할 수 있다.In one example, the liquid tank, a plurality of storage containers containing the liquid; a circulation line for circulating the liquid in the storage container; a drain line for draining the liquid in the storage container; It may include a temperature control member for controlling the temperature of the liquid in the storage container.

일 예에서, 보관 용기는 노즐팁의 이동 경로 상에 위치할 수 있다.In one example, the storage container may be located on the movement path of the nozzle tip.

일 예에서, 각각의 보관 용기 내에 담긴 액은 조성비가 상이하게 제공될 수 있다.In one example, the liquid contained in each storage container may be provided with a different composition ratio.

일 예에서, 각각의 보관 용기 내에 담긴 액 중 적어도 어느 하나 이상은 다른 액으로 제공될 수 있다.In one example, at least any one or more of the liquid contained in each storage container may be provided as a different liquid.

일 예에서, 액은 포토레지스트와 신너(thinner)를 포함할 수 있다.In one example, the liquid may include a photoresist and a thinner.

일 예에서, 지지 유닛은 복수 개 제공되며, 노즐팁은 지지 유닛의 중앙 영역에 대응되는 위치 간에 이동 가능하도록 제공될 수 있다.In one example, a plurality of support units may be provided, and the nozzle tip may be provided to be movable between positions corresponding to the central region of the support unit.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 액을 도포하는 노즐 유닛의 무게를 줄일 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to reduce the weight of the nozzle unit for applying the liquid on the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 액을 도포하는 노즐 유닛 내부의 구조를 단순화시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, it is possible to simplify the structure inside the nozzle unit for applying the liquid on the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 액을 도포하는 노즐 유닛에서 액이 누출되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, it is possible to prevent the liquid from leaking from the nozzle unit for applying the liquid on the substrate.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 액을 도포하는 공정 시간을 단축할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, it is possible to shorten the process time for applying the liquid on the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 일반적인 액 공급 노즐을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 액 공급 유닛을 확대해 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 6의 액조를 확대해서 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 6의 노즐팁이 흡입 위치에 놓인 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 7의 노즐팁이 공급 위치로 이동되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 7의 노즐팁이 기판 상으로 액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 7의 노즐팁이 대기 위치로 이동되는 모습을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a general liquid supply nozzle.
2 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction AA.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the CC direction.
6 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
7 is an enlarged perspective view of the liquid supply unit of FIG. 6 .
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the liquid tank of FIG. 6 .
9 is a view showing a state in which the nozzle tip of FIG. 6 is placed in the suction position.
Figure 10 is a view showing a state that the nozzle tip of Figure 7 is moved to the supply position.
11 is a view showing a state in which the nozzle tip of FIG. 7 supplies a liquid onto a substrate.
12 is a view showing a state in which the nozzle tip of FIG. 7 is moved to a standby position.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 1 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing facility of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 12 .

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.2 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the A-A direction, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the B-B direction, and FIG. 5 is the facility of FIG. is a view viewed from the C-C direction.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.1 to 5 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a first buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and a second buffer module 500 . ), a pre-exposure processing module 600 , and an interface module 700 . Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. 기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( A direction in which 700 is arranged is referred to as a first direction 12 , a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is referred to as a second direction 14 , and the first direction 12 and the second direction A direction each perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16 . The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓이는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2, four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is provided in the shape of a substantially hollow rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.The first buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a first buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of the 400). The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the first buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later apply the substrate W to the support 332 in the housing 331 . An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer than this in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Also, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350 .

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of the bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake chambers 420 , the resist application chambers 400 , the first buffer 320 of the first buffer module 300 , and the first of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 530 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 435 is coupled to support 436 so as to be movable linearly in third direction 16 along support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)에서 액 도포 공정이 수행된다.The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist application chamber 410 is provided as a substrate processing apparatus for applying a photoresist on the substrate W. A liquid application process is performed in the substrate processing apparatus 800 .

도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다.6 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2 . Referring to FIG. 6 , the substrate processing apparatus 800 includes a support unit 830 , a processing container 850 , a liquid supply unit 840 , and a controller (not shown).

지지 유닛(830)은 기판 처리 장치(800) 내에 제공된 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 일 예에 의하면, 지지 유닛(830)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 지지 유닛(830)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또는, 지지 유닛(830)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. 처리 용기(850)는 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 컵 형상으로 제공된다. 일 예에서, 지지 유닛(830)은 기판 처리 장치(800) 내에 복수 개 제공된다. 예컨대, 지지 유닛(830)은 기판 처리 장치(800) 내에 2 개가 제공될 수 있다.The support unit 830 supports the substrate W in a processing space provided in the substrate processing apparatus 800 . The support unit 830 rotates the substrate W. According to an example, the support unit 830 may chuck the substrate W by vacuum sucking the substrate W. Optionally, the support unit 830 may be provided as an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. Alternatively, the support unit 830 may chuck the substrate W by physical force. The processing container 850 is provided in a circular cup shape surrounding the support unit 830 . In one example, a plurality of support units 830 are provided in the substrate processing apparatus 800 . For example, two support units 830 may be provided in the substrate processing apparatus 800 .

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 액을 공급한다. 일 예에서, 액 공급 유닛(840)은 감광액 및 전처리액을 공급한다. 제어기(미도시)는 액 공급 유닛(840)을 제어한다. 도 7은 도 6의 액 공급 유닛을 확대해 보여주는 사시도이다. 도 6 내지 도 7을 참조하면, 액 공급 유닛(840)은 노즐 유닛(1200) 및 액조(1000)를 포함한다.The liquid supply unit 840 supplies a liquid on the substrate W. In one example, the liquid supply unit 840 supplies a photoresist and a pretreatment liquid. A controller (not shown) controls the liquid supply unit 840 . 7 is an enlarged perspective view of the liquid supply unit of FIG. 6 . 6 to 7 , the liquid supply unit 840 includes a nozzle unit 1200 and a liquid tank 1000 .

노즐 유닛(1200)은, 노즐팁(1210), 유로(1240) 그리고 이동부재를 가진다. 노즐팁(1210)은 기판(W) 상으로 액을 토출한다. 유로(1240)는 노즐팁(1210)에 연결되어 액이 흡입될 수 있는 공간을 제공한다. 유로(1240)에는 이젝터(1220), 레귤레이터(1250) 그리고 밸브(1230)가 설치된다. 이젝터(1220)는 유로(1240)에 설치되어 유로(1240)로 흡입 또는 배출되는 액의 유량을 조절한다. 레귤레이터(1250)는 이젝터(1220)에 제공되는 압력을 조절한다. 밸브(1230)는, 레귤레이터(1250)로부터 이젝터(1220)로 전달되는 감압 여부를 조절한다. 일 예에서, 이젝터(1220)는 유로(1240) 상에 노즐팁(1210)과 인접하게 설치될 수 있다. 일 예에서, 이젝터(1220)와 레귤레이터(1250)는 유로(1240) 상에 서로 간에 인접하게 설치될 수 있다.The nozzle unit 1200 has a nozzle tip 1210 , a flow path 1240 , and a moving member. The nozzle tip 1210 discharges the liquid onto the substrate (W). The flow path 1240 is connected to the nozzle tip 1210 to provide a space in which the liquid can be sucked. An ejector 1220 , a regulator 1250 , and a valve 1230 are installed in the flow path 1240 . The ejector 1220 is installed in the flow path 1240 to control the flow rate of the liquid sucked or discharged into the flow path 1240 . The regulator 1250 adjusts the pressure provided to the ejector 1220 . The valve 1230 controls whether the pressure is reduced from the regulator 1250 to the ejector 1220 . In an example, the ejector 1220 may be installed adjacent to the nozzle tip 1210 on the flow path 1240 . In one example, the ejector 1220 and the regulator 1250 may be installed adjacent to each other on the flow path 1240 .

이동 부재(840)는, 노즐팁(1210)을 대기 위치, 흡입 위치 그리고 공급 위치 간에 이동시킨다. 이동 부재(840)는, 지지암(844), 승강암(846) 그리고 구동기(842)를 포함한다. 공급 위치는, 노즐팁(1210)이 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)과 마주보는 위치이다. 일 예에서, 공급 위치에서 노즐팁(1210)은 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역과 마주보는 위치에 놓일 수 있다. 흡입 위치는, 노즐팁(1210)이 후술하는 액조(1000)의 보관 용기(1140) 내에 삽입되어 액을 유로(1240)로 흡입하는 위치이다. 대기 위치는, 노즐팁(1210)이 흡입 위치 또는 대기 위치에 놓이지 않은 위치이다. 일 예에서, 대기 위치는, 2 개의 지지 유닛(830) 사이에 노즐팁(1210)이 위치하는 위치이다.The moving member 840 moves the nozzle tip 1210 between the standby position, the suction position, and the supply position. The moving member 840 includes a support arm 844 , an elevating arm 846 , and a actuator 842 . The supply position is a position where the nozzle tip 1210 faces the substrate W supported by the support unit 830 . In one example, in the supply position, the nozzle tip 1210 may be placed at a position facing the central region of the substrate W supported by the support unit 830 . The suction position is a position where the nozzle tip 1210 is inserted into the storage container 1140 of the liquid tank 1000 to be described later to suck the liquid into the flow path 1240 . The standby position is a position where the nozzle tip 1210 is not placed in the suction position or the standby position. In one example, the standby position is a position where the nozzle tip 1210 is located between the two support units 830 .

지지암(844)은 노즐팁(1210)을 지지한다. 승강암(846)은 지지암(844)과 결합되며 구동기(842)로부터 동력을 전달받아 승하강 및 회전한다. 일 예에서, 노즐팁(1210)은 승강암(846)을 중심으로 스윙 이동될 수 있다. 예컨대, 노즐팁(1210)은 두 개의 지지 유닛(830)의 중앙 영역에 대응되는 위치 간에 이동 가능하도록 제공된다.The support arm 844 supports the nozzle tip 1210 . The lifting arm 846 is coupled to the support arm 844 and receives power from the actuator 842 to elevate and rotate. In one example, the nozzle tip 1210 may swing about the lifting arm 846 . For example, the nozzle tip 1210 is provided to be movable between positions corresponding to the central regions of the two support units 830 .

액조(1000)는 내부에 액을 보관하며 노즐팁(1210)이 삽입되어 액을 흡입하도록 제공된다. 도 8은 도 6의 액조(1000)를 확대해서 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 액조(1000)는, 보관 용기(1140), 순환 라인(1146), 드레인 라인(1148) 그리고 온도 조절 부재(1160)를 포함할 수 있다. 보관 용기(1140)에는 액이 담긴다. 일 예에서, 보관 용기(1140)는 복수 개 제공된다. 일 예에서, 보관 용기(1140)는 노즐팁(1210)의 이동 경로 상에 위치할 수 있다. 예컨대, 보관 용기(1140)는 스윙 이동되는 노즐팁(1210)의 하부에 노즐팁(1210)의 이동 경로를 따라 배치될 수 있다. 각 보관 용기(1140)의 상부에는 커버(1180)가 제공될 수 있다. 커버(1180)는 노즐팁(1210)이 흡입 위치에서 액을 흡입할 시에 개방되고, 노즐팁(1210)이 흡입 위치에 위치하지 않은 경우 폐쇄되어 액의 건조를 방지하고 이물질이 보관 용기(1140) 내로 유입되는 것을 방지한다.The liquid tank 1000 stores the liquid therein, and the nozzle tip 1210 is inserted to suck the liquid. FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of the liquid tank 1000 of FIG. 6 . Referring to FIG. 8 , the liquid tank 1000 may include a storage container 1140 , a circulation line 1146 , a drain line 1148 , and a temperature control member 1160 . The storage container 1140 contains a liquid. In one example, a plurality of storage containers 1140 are provided. In one example, the storage container 1140 may be located on the movement path of the nozzle tip (1210). For example, the storage container 1140 may be disposed along a movement path of the nozzle tip 1210 under the swinging nozzle tip 1210 . A cover 1180 may be provided on the upper portion of each storage container 1140 . The cover 1180 is opened when the nozzle tip 1210 sucks the liquid at the suction position, and is closed when the nozzle tip 1210 is not located at the suction position to prevent drying of the liquid and foreign substances to the storage container 1140 ) to prevent it from entering.

각각의 보관 용기(1140)에는 순환 라인(1146), 드레인 라인(1148)이 제공된다. 순환 라인(1146)은 보관 용기(1140) 내의 액을 순환시킨다. 이에, 액이 보관 용기(1140) 내에서 굳는 현상을 방지한다. 순환 라인(1146)은 공급 라인(1144)와 연결된다. 공급 라인(1144)은 액 공급원(1142)으로부터 보관 용기(1140)에 액을 공급한다. 드레인 라인(1148)은, 보관 용기(1140) 내의 액을 드레인시킨다. 온도 조절 부재(1160)는 보관 용기(1140) 내의 액이 기 설정 온도로 유지되도록 한다. 일 예에서, 온도 조절 부재(1160)는 히터로 제공될 수 있다.Each storage vessel 1140 is provided with a circulation line 1146 and a drain line 1148 . The circulation line 1146 circulates the liquid in the storage container 1140 . Accordingly, a phenomenon in which the liquid is hardened in the storage container 1140 is prevented. The circulation line 1146 is connected to the supply line 1144 . The supply line 1144 supplies the liquid from the liquid source 1142 to the storage container 1140 . The drain line 1148 drains the liquid in the storage container 1140 . The temperature control member 1160 maintains the liquid in the storage container 1140 at a preset temperature. In one example, the temperature control member 1160 may serve as a heater.

일 예에서, 각각의 보관 용기(1140) 내에 담긴 액은 조성비가 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 보관 용기(1140) 내에 담긴 액은 포토레지스트이고, 각 보관 용기(1140)마다 포토레지스트의 조성비가 상이하게 제공될 수 있다. 일 예에서, 각각의 보관 용기(1140) 내에 담긴 액 중 적어도 어느 하나 이상은 다른 액으로 제공될 수 있다. 예컨대, 보관 용기(1140) 내에 담긴 액 중 일부는 포토레지스트이고, 나머지는 신너(thinner)일 수 있다. 일 예에서, 1개의 보관 용기(1140)에 신너가 제공되고 나머지 보관 용기(1140)에는 조성비가 상이한 포토레지스트가 제공될 수 있다.In one example, the liquid contained in each storage container 1140 may be provided with a different composition ratio. For example, the liquid contained in the storage container 1140 may be a photoresist, and a composition ratio of the photoresist may be provided differently for each storage container 1140 . In one example, at least any one or more of the liquid contained in each storage container 1140 may be provided as a different liquid. For example, some of the liquid contained in the storage container 1140 may be photoresist, and the rest may be thinner. In one example, a thinner may be provided to one storage container 1140 and photoresists having different composition ratios may be provided to the other storage container 1140 .

이하, 도 9 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 노즐 유닛(1200)이 기판(W) 상으로 액을 공급하는 과정에 대해 자세히 설명한다. 도 9는 도 6의 노즐팁(1210)이 흡입 위치에 놓인 모습을 보여주는 도면이고, 도 10은 도 7의 노즐팁(1210)이 공급 위치로 이동되는 모습을 보여주는 도면이고, 도 11은 도 7의 노즐팁(1210)이 기판(W) 상으로 액을 공급하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 12는 도 7의 노즐팁(1210)이 대기 위치로 이동되는 모습을 보여주는 도면이다.Hereinafter, a process in which the nozzle unit 1200 of the present invention supplies a liquid onto the substrate W will be described in detail with reference to FIGS. 9 to 12 . 9 is a view showing a state in which the nozzle tip 1210 of FIG. 6 is placed in a suction position, FIG. 10 is a view showing a state in which the nozzle tip 1210 of FIG. 7 is moved to a supply position, and FIG. 11 is FIG. of the nozzle tip 1210 is a view showing a state of supplying a liquid onto the substrate (W), FIG. 12 is a view showing a state that the nozzle tip 1210 of FIG. 7 is moved to the standby position.

제어기는, 본 발명의 노즐 유닛(1200)이 흡입 위치, 대기 위치 그리고 공급 위치 간으로 이동되며 기판(W) 상에 액을 공급하기 위해 노즐 유닛(1200)을 제어한다.The controller controls the nozzle unit 1200 to supply the liquid onto the substrate W while the nozzle unit 1200 of the present invention is moved between the suction position, the standby position and the supply position.

도 9에 도시된 바와 같이, 노즐은 흡입 위치에서 액조(1000)로부터 액을 흡입한다. 노즐 유닛(1200)은 흡입 위치에서 액조(1000)로부터 액을 기판(W)을 처리하기 위한 필요한 기 설정량 만큼 흡입한다. 제어기는, 노즐 유닛(1200)이 필요한 액량만큼 액을 흡입하도록 레귤레이터(1250)와 이젝터(1220)를 제어한다.As shown in FIG. 9 , the nozzle sucks the liquid from the liquid tank 1000 at the suction position. The nozzle unit 1200 sucks the liquid from the liquid tank 1000 at the suction position by a preset amount necessary for processing the substrate W. The controller controls the regulator 1250 and the ejector 1220 so that the nozzle unit 1200 sucks the required amount of liquid.

이후 노즐팁(1210)은 도 10에 도시된 바와 같이 공급 위치로 이동한다. 공급 위치로 이동된 노즐팁(1210)은 기판(W) 상으로 액을 토출한다. 노즐 유닛(1200)은 필요한 액량만큼만 액을 흡입하였는 바, 액을 토출하고 나면 도 11에 도시된 바와 같이 유로(1240)에는 잔여액이 없는 상태가 된다. 액 토출을 마친 노즐팁(1210)은 도 12에 도시된 바와 같이 공급 위치에서 대기 위치로 복귀한다.Thereafter, the nozzle tip 1210 moves to the supply position as shown in FIG. 10 . The nozzle tip 1210 moved to the supply position discharges the liquid onto the substrate (W). The nozzle unit 1200 sucks only the required amount of liquid, and after discharging the liquid, there is no residual liquid in the flow path 1240 as shown in FIG. 11 . After discharging the liquid, the nozzle tip 1210 returns from the supply position to the standby position as shown in FIG. 12 .

본 발명에 따르면, 액조(1000)에 성분비가 상이한 액 또는 종류가 상이한 액을 보관하는 바 노즐팁(1210)을 복수 개 제공하지 않아도 되는 이점이 있다. 또한, 이에 따라 지지암(844) 내부에 복수의 액 공급 라인을 구비하지 않아도 되는 바 액 공급 유닛의 무게를 줄이고, 노즐팁(1210) 주변에서 액이 누출되는 문제를 방지할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage in that it is not necessary to provide a plurality of bar nozzle tips 1210 for storing liquids having different composition ratios or liquids having different types in the liquid tank 1000 . In addition, there is an advantage in that it is possible to reduce the weight of the bar liquid supply unit, which does not need to include a plurality of liquid supply lines inside the support arm 844 , and to prevent the problem of liquid leaking around the nozzle tip 1210 . .

또한, 본 발명에 따르면, 액조(1000)에서 액의 온도를 유지하는 바 지지암(844)에 액의 온도를 유지하기 위한 항온수 라인을 별도로 구비하지 않아도 되는 이점이 있다.In addition, according to the present invention, there is an advantage that it is not necessary to separately provide a constant-temperature water line for maintaining the temperature of the liquid in the bar support arm 844 for maintaining the temperature of the liquid in the liquid tank 1000 .

또한, 본 발명에 따르면, 노즐팁(1210)이 액조(1000)에서 액을 필요한만큼만 흡입하고 기판(W) 상에서 이를 전량 토출하는 바, 노즐팁(1210)을 별도로 세정할 필요가 없는 이점이 있다.In addition, according to the present invention, the nozzle tip 1210 sucks only as much liquid as necessary from the liquid tank 1000 and discharges the entire amount on the substrate W, there is an advantage that there is no need to separately clean the nozzle tip 1210. .

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.Referring back to FIGS. 2 to 5 , the bake chamber 420 heats the substrate W. As shown in FIG. For example, the bake chambers 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W or apply the photoresist to the substrate ( A soft bake process, etc. performed after coating on W) is performed, and a cooling process of cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with heating means 424 such as a hot wire or thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421 , and other portions may include only the heating plate 422 .

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for removing a part of the photoresist by supplying a developer to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 460 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The development chamber 460 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 460 are provided, and a plurality of development chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470 , the developing chambers 460 , the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 , and the second buffer module 500 . The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540 of the The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to move linearly in the first direction 12 . The developing unit robot 482 has a hand 484 , an arm 485 , a support 486 , and a pedestal 487 . The hand 484 is fixedly installed on the arm 485 . The arm 485 is provided in a telescoping structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 485 is coupled to support 486 to be linearly movable in third direction 16 along support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the support 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.The development chambers 460 all have the same structure. However, the type of developer used in each of the developing chambers 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes a region irradiated with light from the photoresist on the substrate W. At this time, the region irradiated with light among the protective film is also removed. Only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed according to the type of the selectively used photoresist.

현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.The developing chamber 460 has a container 461 , a support plate 462 , and a nozzle 463 . The container 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned in the container 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developer to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is additionally supplied may be further provided in the developing chamber 460 .

베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 470 heats the substrate W. For example, the bake chambers 470 include a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process of cooling the processed substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 , and some may include only a heating plate 472 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.As described above, in the application and development module 400 , the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from above, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)는 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600 . In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510 , a buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 . have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , the second cooling chamber 540 , the edge exposure chamber 550 , and the second buffer robot 560 are positioned in the frame 510 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401 . The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401 . The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)와 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the substrate W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes edges of the substrates W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W before the substrates W that have been processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pre-processing module 601 to be described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W, which have been processed in the post-processing module 602 to be described later, before being transferred to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the substrates W that have been processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film protecting the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. In addition, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of treating the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of treating the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The pre-processing module 601 has a protective film application chamber 610 , a bake chamber 620 , and a transfer chamber 630 . The passivation layer application chamber 610 , the transfer chamber 630 , and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the passivation layer application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of passivation film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of passivation film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 620 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A pre-processing robot 632 is located in the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is installed between the protective film application chambers 610 , the bake chambers 620 , the buffer 520 of the second buffer module 500 , and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The pretreatment robot 632 has a hand 633 , an arm 634 , and a support 635 . The hand 633 is fixedly installed on the arm 634 . The arm 634 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.The passivation film application chamber 610 applies a passivation film for protecting the resist film on the substrate W during immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is positioned in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film on the substrate W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 has a circular tubular shape, and may supply the protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid comprises a foaming material. As the protective liquid, a material having a low affinity for photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612 .

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.The bake chamber 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only a heating plate 622 , and some may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660 , a post-exposure bake chamber 670 , and a transfer chamber 680 . The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 may be provided and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes the cleaning chambers 660 , the post-exposure bake chambers 670 , the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 , and the second of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is positioned in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning solution onto the substrate W placed on the support plate 662 . As the cleaning solution, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662 . Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using deep ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. Post exposure bake chamber 670 has heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with heating means 674 such as a hot wire or thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600 , the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the passivation layer application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)을 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.The interface module 700 transfers the substrate W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . The first buffer 720 , the second buffer 730 , and the interface robot 740 are positioned in the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is the post-processing module 602 . The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transfers the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W, which have been processed in the pre-processing module 601 , before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 includes the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 in the direction and pre-processing robot ( 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W.

다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing the process using the above-described substrate processing facility 1 will be described.

기판들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다.The cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed on the mounting table 120 of the load port 100 . The door of the cassette 20 is opened by the door opener. The index robot 220 takes out the substrate W from the cassette 20 and transfers it to the second buffer 330 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 기판(W)을 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 기판(W)을 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 기판(W)을 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 기판(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 기판(W)을 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 기판(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.The first buffer robot 360 transfers the substrate W stored in the second buffer 330 to the first buffer 320 . The applicator robot 432 takes out the substrate W from the first buffer 320 and transports it to the bake chamber 420 of the applicator module 401 . The bake chamber 420 sequentially performs pre-baking and cooling processes. The applicator robot 432 takes out the substrate W from the bake chamber 420 and transports it to the resist coating chamber 410 . The resist coating chamber 410 applies photoresist on the substrate W. After that, when a photoresist is applied on the substrate W, the applicator robot 432 transfers the substrate W from the resist application chamber 410 to the bake chamber 420 . The bake chamber 420 performs a soft bake process on the substrate W.

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 기판(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 기판(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The applicator robot 432 removes the substrate W from the bake chamber 420 and transports it to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 . A cooling process is performed on the substrate W in the first cooling chamber 530 . The substrate W, which has been processed in the first cooling chamber 530 , is transferred to the edge exposure chamber 550 by the second buffer robot 560 . The edge exposure chamber 550 performs a process of exposing an edge region of the substrate W. The substrate W that has been processed in the edge exposure chamber 550 is transferred to the buffer 520 by the second buffer robot 560 .

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 기판(W)을 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 기판(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 기판(W)을 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 기판(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다.The pre-processing robot 632 takes out the substrate W from the buffer 520 and transports it to the protective film application chamber 610 of the pre-processing module 601 . The passivation film application chamber 610 applies a passivation film on the substrate W. Thereafter, the pre-processing robot 632 transfers the substrate W from the passivation film application chamber 610 to the bake chamber 620 . The bake chamber 620 performs heat treatment such as heating and cooling on the substrate W.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 기판(W)을 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 기판(W)을 운반된다. 노광 장치(900)는 기판(W)의 처리면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 기판(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 기판(W)을 제 2 버퍼(730)로 운반한다.The pre-processing robot 632 removes the substrate W from the bake chamber 620 and transfers it to the first buffer 720 of the interface module 700 . The interface robot 740 transfers the substrate W from the first buffer 720 to the exposure apparatus 900 . The exposure apparatus 900 performs an exposure process, for example, an immersion exposure process, on the treated surface of the substrate W. When the exposure process for the substrate W is completed in the exposure apparatus 900 , the interface robot 740 transfers the substrate W from the exposure apparatus 900 to the second buffer 730 .

후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 기판(W)을 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 기판(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 기판(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 기판(W)을 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 기판(W)을 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 기판(W)의 가열에 의해 기판(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 기판(W)을 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 기판(W)의 냉각이 수행된다.The post-processing robot 682 removes the substrate W from the second buffer 730 and transports it to the cleaning chamber 660 of the post-processing module 602 . The cleaning chamber 660 performs a cleaning process by supplying a cleaning solution to the surface of the substrate W. When the cleaning of the substrate W using the cleaning solution is completed, the post-processing robot 682 immediately takes the substrate W out of the cleaning chamber 660 and transports the substrate W to the bake chamber 670 after exposure. After exposure, the cleaning solution attached to the substrate W is removed by heating the substrate W in the heating plate 672 of the bake chamber 670, and at the same time, the acid generated in the photoresist is amplified to amplify the photoresist. The change in the properties of the resist is completed. The post-processing robot 682 transports the substrate W from the post-exposure bake chamber 670 to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 . Cooling of the substrate W is performed in the second cooling chamber 540 .

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 기판(W)을 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 기판(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.The developing unit robot 482 takes out the substrate W from the second cooling chamber 540 and transfers it to the bake chamber 470 of the developing module 402 . The bake chamber 470 sequentially performs post-baking and cooling processes. The developing unit robot 482 takes out the substrate W from the bake chamber 470 and transfers it to the developing chamber 460 . The developing chamber 460 supplies a developer onto the substrate W to perform a developing process. Thereafter, the developing unit robot 482 transfers the substrate W from the developing chamber 460 to the bake chamber 470 . The bake chamber 470 performs a hard bake process on the substrate W.

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 기판(W)을 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 기판(W)을 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.The developing unit robot 482 removes the substrate W from the bake chamber 470 and transports it to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The cooling chamber 350 performs a process of cooling the substrate W. The index robot 360 transfers the substrate W from the cooling chamber 350 to the cassette 20 . On the other hand, the developing unit robot 482 takes out the substrate W from the bake chamber 470 and transports it to the second buffer 330 of the first buffer module 300, and thereafter, the cassette (W) by the index robot 360. 20) can be transported.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The above-described embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

Claims (20)

기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛에 있어서,
상기 액이 토출되는 노즐팁을 가지는 노즐 유닛과;
내부에 상기 액을 보관하며 상기 노즐팁이 삽입되어 상기 액을 흡입하도록 제공되는 액조와;
상기 노즐 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 노즐 유닛은,
상기 노즐팁에 연결되는 유로와;
상기 유로에 설치되어 상기 유로로 흡입 또는 배출되는 상기 액의 유량을 조절하는 이젝터와;
상기 이젝터에 제공되는 압력을 조절하는 레귤레이터와;
상기 레귤레이터로부터 상기 이젝터로 전달되는 감압 여부를 조절하는 밸브와;
상기 노즐팁을 흡입 위치와 공급 위치 간에 이동시키는 구동기를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 노즐 유닛이 흡입 위치에서 상기 액조로부터 상기 액을 상기 기판을 처리하기 위한 필요한 기 설정량 만큼 흡입한 이후에 상기 공급 위치에서 상기 기판 상으로 토출하도록 상기 노즐 유닛을 제어하는 액 공급 유닛.A liquid supply unit for supplying a liquid onto a substrate, the liquid supply unit comprising:
a nozzle unit having a nozzle tip from which the liquid is discharged;
a liquid tank storing the liquid therein and having the nozzle tip inserted therein to suck the liquid;
A controller for controlling the nozzle unit,
The nozzle unit is
a flow path connected to the nozzle tip;
an ejector installed in the flow path to control the flow rate of the liquid sucked or discharged into the flow path;
a regulator for regulating the pressure provided to the ejector;
a valve for controlling whether the pressure is reduced from the regulator to the ejector;
a actuator for moving the nozzle tip between a suction position and a supply position;
The controller is
A liquid supply unit controlling the nozzle unit to discharge onto the substrate at the supply position after the nozzle unit sucks the liquid from the liquid tank in the suction position by a preset amount necessary for processing the substrate. 제1항에 있어서,
상기 이젝터는 상기 유로 상에 상기 노즐팁과 인접하게 설치되는 액 공급 유닛.According to claim 1,
The ejector is a liquid supply unit installed adjacent to the nozzle tip on the flow path. 제1항에 있어서,
상기 이젝터와 상기 레귤레이터는 상기 유로 상에 서로 간에 인접하게 설치되는 액 공급 유닛.According to claim 1,
The ejector and the regulator are installed adjacent to each other on the flow path liquid supply unit. 제1항에 있어서,
상기 노즐 유닛은,
상기 노즐팁을 지지하는 지지암과;
상기 지지암과 결합되며 상기 구동기로부터 동력을 전달받아 승하강 및 회전 가능하게 제공되는 승강암을 포함하는 액 공급 유닛.According to claim 1,
The nozzle unit is
a support arm for supporting the nozzle tip;
and a lifting arm coupled to the support arm and rotatably provided to receive power from the actuator to move up and down. 제4항에 있어서,
상기 노즐팁은 상기 승강암을 중심으로 스윙 이동되는 액 공급 유닛.5. The method of claim 4,
The nozzle tip is a liquid supply unit swinging about the lifting arm. 제1항에 있어서,
상기 액조는,
상기 액이 담긴 복수 개의 보관 용기와;
상기 보관 용기 내의 액을 순환시키는 순환 라인과;
상기 보관 용기 내의 액을 드레인시키는 드레인 라인과;
상기 보관 용기 내의 액의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하는 액 공급 유닛.According to claim 1,
The liquid tank is
a plurality of storage containers containing the liquid;
a circulation line for circulating the liquid in the storage container;
a drain line for draining the liquid in the storage container;
and a temperature control member for regulating the temperature of the liquid in the storage container. 제6항에 있어서,
상기 보관 용기는
상기 노즐팁의 이동 경로 상에 위치하는 액 공급 유닛.7. The method of claim 6,
The storage container is
A liquid supply unit located on the movement path of the nozzle tip. 제6항에 있어서,
각각의 상기 보관 용기 내에 담긴 상기 액은 조성비가 상이하게 제공되는 액 공급 유닛.7. The method of claim 6,
A liquid supply unit in which the liquid contained in each of the storage containers is provided with a different composition ratio. 제6항에 있어서,
각각의 상기 보관 용기 내에 담긴 상기 액 중 적어도 어느 하나 이상은 다른 액으로 제공되는 액 공급 유닛.7. The method of claim 6,
A liquid supply unit in which at least one of the liquids contained in each of the storage containers is provided as a different liquid. 제9항에 있어서,
상기 액은 포토레지스트와 신너(thinner)를 포함하는 액 공급 유닛.10. The method of claim 9,
The liquid is a liquid supply unit including a photoresist and a thinner (thinner). 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하고,
상기 액 공급 유닛은,
상기 액이 토출되는 노즐팁을 가지는 노즐 유닛과;
내부에 상기 액을 보관하며 상기 노즐팁이 삽입되어 상기 액을 흡입하도록 제공되는 액조와;
상기 노즐 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 노즐 유닛은,
상기 노즐팁에 연결되는 유로와;
상기 유로에 설치되어 상기 유로로 흡입 또는 배출되는 상기 액의 유량을 조절하는 이젝터와;
상기 이젝터에 제공되는 압력을 조절하는 레귤레이터와;
상기 레귤레이터로부터 상기 이젝터로 전달되는 감압 여부를 조절하는 밸브와;
상기 노즐팁을 흡입 위치와 공급 위치 간에 이동시키는 구동기를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 노즐 유닛이 흡입 위치에서 상기 액조로부터 상기 액을 상기 기판을 처리하기 위한 필요한 기 설정량 만큼 흡입한 이후에 상기 공급 위치에서 상기 기판 상으로 토출하도록 상기 노즐 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate, the substrate processing apparatus comprising:
a liquid supply unit for supplying a liquid onto the substrate;
a support unit for supporting the substrate;
The liquid supply unit,
a nozzle unit having a nozzle tip from which the liquid is discharged;
a liquid tank storing the liquid therein and having the nozzle tip inserted therein to suck the liquid;
A controller for controlling the nozzle unit,
The nozzle unit is
a flow path connected to the nozzle tip;
an ejector installed in the flow path to adjust the flow rate of the liquid sucked or discharged into the flow path;
a regulator for regulating the pressure provided to the ejector;
a valve for controlling whether the pressure is reduced from the regulator to the ejector;
a actuator for moving the nozzle tip between a suction position and a supply position;
The controller is
and controlling the nozzle unit to discharge onto the substrate in the supply position after the nozzle unit sucks in the liquid from the liquid bath in the suction position by a preset amount necessary for processing the substrate. 제11항에 있어서,
상기 이젝터는 상기 유로 상에 상기 노즐팁과 인접하게 설치되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The ejector is a substrate processing apparatus installed adjacent to the nozzle tip on the flow path. 제11항에 있어서,
상기 이젝터와 상기 레귤레이터는 상기 유로 상에 서로 간에 인접하게 설치되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The ejector and the regulator are installed adjacent to each other on the flow path. 제11항에 있어서,
상기 노즐 유닛은,
상기 노즐팁을 지지하는 지지암과;
상기 지지암과 결합되며 상기 구동기로부터 동력을 전달받아 승하강 및 회전 가능하게 제공되는 승강암을 포함하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The nozzle unit is
a support arm for supporting the nozzle tip;
and an elevating arm coupled to the support arm and rotatably provided to elevate and lower by receiving power from the actuator. 제11항에 있어서,
상기 액조는,
상기 액이 담긴 복수 개의 보관 용기와;
상기 보관 용기 내의 액을 순환시키는 순환 라인과;
상기 보관 용기 내의 액을 드레인시키는 드레인 라인과;
상기 보관 용기 내의 액의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The liquid tank is
a plurality of storage containers containing the liquid;
a circulation line for circulating the liquid in the storage container;
a drain line for draining the liquid in the storage container;
and a temperature control member for controlling a temperature of the liquid in the storage container. 제15항에 있어서,
상기 보관 용기는
상기 노즐팁의 이동 경로 상에 위치하는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
The storage container is
A substrate processing apparatus positioned on a movement path of the nozzle tip. 제15항에 있어서,
각각의 상기 보관 용기 내에 담긴 상기 액은 조성비가 상이하게 제공되는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
A substrate processing apparatus in which the liquid contained in each of the storage containers is provided with a different composition ratio. 제15항에 있어서,
각각의 상기 보관 용기 내에 담긴 상기 액 중 적어도 어느 하나 이상은 다른 액으로 제공되는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
At least any one or more of the liquid contained in each of the storage containers is provided as a different liquid. 제18항에 있어서,
상기 액은 포토레지스트와 신너(thinner)를 포함하는 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
The liquid is a substrate processing apparatus comprising a photoresist and a thinner (thinner). 제11 항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 유닛은 복수 개 제공되며,
상기 노즐팁은 상기 지지 유닛의 중앙 영역에 대응되는 위치 간에 이동 가능하도록 제공되는 기판 처리 장치.

20. The method according to any one of claims 11 to 19,
The support unit is provided in plurality,
The nozzle tip is provided to be movable between positions corresponding to the central region of the support unit.
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