KR20220057545A - Method for manufacturing release film and semiconductor package - Google Patents

Method for manufacturing release film and semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
KR20220057545A
KR20220057545A KR1020227007429A KR20227007429A KR20220057545A KR 20220057545 A KR20220057545 A KR 20220057545A KR 1020227007429 A KR1020227007429 A KR 1020227007429A KR 20227007429 A KR20227007429 A KR 20227007429A KR 20220057545 A KR20220057545 A KR 20220057545A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
release film
layer
adhesive layer
electronic component
semiconductor package
Prior art date
Application number
KR1020227007429A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
야스히로 세리
Original Assignee
쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 filed Critical 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Publication of KR20220057545A publication Critical patent/KR20220057545A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255Polyesters
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/68Release sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/50Adhesives in the form of films or foils characterised by a primer layer between the carrier and the adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Abstract

기재층(基材層)과, 점착층과, 상기 기재층과 상기 점착층 사이에 배치되는 도전층을 구비하며, 하기의 (1) 또는 (2) 중 적어도 한쪽을 만족하는 이형(離型) 필름. (1) 기재층이 부틸렌 구조와 알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 폴리에스테르 공중합체를 포함함. (2) 150℃에서의 신장률이 1000% 이상임.A mold release that satisfies at least one of the following (1) or (2), comprising a base layer, an adhesive layer, and a conductive layer disposed between the base layer and the adhesive layer. film. (1) The base layer contains a polyester copolymer including a butylene structure and an alkylene oxide structure. (2) The elongation at 150°C is 1000% or more.

Description

이형 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법Method for manufacturing release film and semiconductor package

[0001] 본 발명은, 이형(離型) 필름 및 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a release film and a method for manufacturing a semiconductor package.

[0002] 최근, 전자기기, 특히 휴대전화의 박형화(薄型化)가 진행됨에 따라, 반도체 소자 등의 전자부품을 내장하는 반도체 패키지에 대해서도 한층 더 박형화가 요구되고 있다. 또한, 방열성(放熱性) 향상의 관점에서도, 전자부품 전체를 시일(seal, 封止) 수지로 덮는 오버 몰딩 성형(Over Molding) 대신에, 전자부품의 표면 일부를 노출시키는 노출 성형(Exposed Die Molding)이 채용되는 케이스가 증가하고 있다.[0002] In recent years, as thinning of electronic devices, particularly mobile phones, progresses, further thinning is required for semiconductor packages in which electronic components such as semiconductor devices are embedded. In addition, from the viewpoint of improving heat dissipation, instead of over molding in which the entire electronic component is covered with a seal resin, exposed die molding that exposes a part of the surface of the electronic component (Exposed Die Molding) ) is increasingly being employed.

[0003] 전자부품의 일부가 노출된 상태가 되도록 전자부품을 시일할 때는, 전자부품의 노출부에 대한 시일재(材)의 누설(플래시/버(burr))을 방지할 필요가 있다. 따라서, 전자부품의 노출시키는 부분에 이형성을 갖는 필름(이형 필름)을 붙인 상태로 시일을 행하고, 그 후에 이형 필름을 박리하여 전자부품의 표면을 노출시키는 것이 행해지고 있다. 이러한 이형 필름으로서 예컨대, 특허문헌 1에는 연신(延伸) 폴리에스테르 수지 필름으로 이루어진 기재 필름의 적어도 한쪽 면(片面)에 불소 수지로 이루어진 필름이 적층되어 이루어지는 적층 필름이 기재되어 있다.[0003] When sealing the electronic component so that a part of the electronic component is in an exposed state, it is necessary to prevent leakage (flash/burr) of the sealing material to the exposed portion of the electronic component. Therefore, sealing is performed in the state which stuck the film (release film) which has release property to the part to be exposed of an electronic component, and peeling a release film after that and exposing the surface of an electronic component is performed. As such a release film, for example, Patent Document 1 describes a laminated film in which a film made of a fluororesin is laminated on at least one surface of a base film made of a stretched polyester resin film.

일본 특허출원 제2005-186740호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2005-186740

[0005] 상술한 바와 같이 이형 필름은 시일 공정 후에 전자부품의 표면으로부터 박리된다. 이때, 이형 필름이 대전(帶電)되어 있으면 박리 시에 방전이 생겨, 전자부품의 정전 파괴(靜電破壞: 정전기에 의한 파괴)가 발생할 우려가 있다.[0005] As described above, the release film is peeled off from the surface of the electronic component after the sealing process. At this time, if the release film is charged, discharge is generated at the time of peeling, and there is a fear that electrostatic destruction of electronic components may occur.

또한, 복수의 패키지를 기판에 실장(實裝; mounting)한 후에 일괄적으로 시일하는 기술이 최근 검토되고 있으며, 단자의 노출을 위해 이형 필름의 사용이 검토되고 있다. 이 경우, 기판 상에는 다양한 종류의 패키지가 존재하기 때문에, 이형 필름에 우수한 신장성(금형 추종성)이 요구된다. 또한 패키지의 종류에 따라서는 열에 약한 경우도 있기 때문에, 저온(예컨대, 150℃ 이하)에서도 우수한 신장성을 나타낼 것이 요구되고 있다.In addition, a technique of collectively sealing a plurality of packages after mounting on a board has been recently studied, and the use of a release film for exposing terminals has been studied. In this case, since various types of packages exist on the substrate, excellent extensibility (mold followability) is required for the release film. In addition, since there are cases where the package is weak to heat depending on the type of package, it is required to exhibit excellent extensibility even at low temperatures (eg, 150° C. or less).

[0006] 상기의 사정을 감안하여, 본 발명의 하나의 양태는, 전자부품의 정전 파괴가 억제되고, 또한 저온에서의 신장성이 우수한 이형 필름을 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명의 다른 하나의 양태는, 상기 이형 필름을 이용한 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.[0006] In view of the above circumstances, one aspect of the present invention has an object to provide a release film in which electrostatic breakdown of electronic components is suppressed and excellent in extensibility at low temperatures. Another aspect of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor package using the release film.

[0007] 상기의 과제를 해결하기 위한 수단에는, 이하의 실시양태가 포함된다.[0007] Means for solving the above problems include the following embodiments.

<1> 기재층(基材層)과, 점착층과, 상기 기재층과 상기 점착층 사이에 배치되는 도전층을 구비하며, 상기 기재층은 부틸렌 구조와 알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 폴리에스테르 공중합체를 포함하는, 이형 필름.<1> A polyester comprising a substrate layer, an adhesive layer, and a conductive layer disposed between the substrate layer and the adhesive layer, wherein the substrate layer includes a butylene structure and an alkylene oxide structure A release film comprising a copolymer.

<2> 기재층과, 점착층과, 상기 기재층과 상기 점착층 사이에 배치되는 도전층을 구비하며, 150℃에서의 신장률이 1000% 이상인, 이형 필름.<2> A release film comprising a substrate layer, an adhesive layer, and a conductive layer disposed between the substrate layer and the adhesive layer, and having an elongation at 150°C of 1000% or more.

<3> 노출 성형에 의한 반도체 패키지의 제조에 이용하기 위한, <1> 또는 <2>에 기재된 이형 필름.The release film as described in <1> or <2> for using for manufacture of the semiconductor package by <3> exposure molding.

<4> <1>∼<3> 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름의 상기 점착층이 전자부품의 표면의 적어도 일부에 접촉된 상태로 상기 전자부품의 주위를 시일하는 공정과, 상기 이형 필름을 상기 전자부품으로부터 박리하는 공정을 구비하는 반도체 패키지의 제조 방법.<4> The step of sealing the periphery of the electronic component in a state in which the adhesive layer of the release film according to any one of <1> to <3> is in contact with at least a part of the surface of the electronic component; A method of manufacturing a semiconductor package comprising the step of peeling from the electronic component.

[0008] 본 발명의 하나의 양태에 의하면, 전자부품의 정전 파괴가 억제되고, 또한 저온에서의 신장성이 우수한 이형 필름이 제공된다. 본 발명의 다른 하나의 양태에 의하면, 상기 이형 필름을 이용한 반도체 패키지의 제조 방법이 제공된다.[0008] According to one aspect of the present invention, there is provided a release film that suppresses electrostatic breakdown of electronic components and has excellent extensibility at low temperatures. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor package using the release film.

[0009] 도 1은, 이형 필름의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는, 이형 필름의 신장률 및 탄성률의 측정에 이용하는 시험편(片)의 형상을 나타낸 도면이다.
1 is a view schematically showing the configuration of a release film.
It is a figure which showed the shape of the test piece used for the measurement of the elongation rate and elastic modulus of a release film.

[0010] 이하에서는, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시형태에 있어서, 그 구성 요소(요소 스텝 등도 포함함)는, 특별히 명시한 경우를 제외하고는, 필수적인 것은 아니다. 수치 및 그 범위에 대해서도 마찬가지이며, 본 발명을 제한하는 것은 아니다.Hereinafter, the form for carrying out the present invention will be described in detail. However, this invention is not limited to the following embodiment. In the following embodiments, the constituent elements (including element steps and the like) are not essential except as otherwise specified. The same applies to numerical values and ranges, and the present invention is not limited.

[0011] 본 명세서에 있어서 「공정」이라는 말에는, 다른 공정으로부터 독립된 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우라 하더라도 그 공정의 목적이 달성된다면, 해당 공정도 포함된다.[0011] In the present specification, the term "process" includes not only a process independent from other processes, but also a corresponding process as long as the purpose of the process is achieved even if it cannot be clearly distinguished from other processes.

본 명세서에 있어서 「∼」를 이용하여 나타내어진 수치 범위에는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치가 각각 최소치 및 최대치로서 포함된다.In the present specification, in the numerical range indicated using "-", the numerical values described before and after "-" are included as a minimum value and a maximum value, respectively.

본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위로 기재된 상한치 또는 하한치는, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한치 또는 하한치로 치환해도 된다. 또한, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한치 또는 하한치는, 실시예에 기재되어 있는 값으로 치환해도 된다.In the numerical range described step by step in this specification, the upper limit or lower limit described in one numerical range may be substituted with the upper limit or lower limit of the numerical range described in another stepwise range. In addition, in the numerical range described in this specification, you may substitute the upper limit or lower limit of the numerical range with the value described in the Example.

본 명세서에 있어서 조성물 중의 각 성분의 함유율 또는 함유량은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 물질이 복수 종(種) 존재하는 경우, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 해당 복수 종의 물질의 합계의 함유율 또는 함유량을 의미한다.In the present specification, the content rate or content of each component in the composition is the sum of the plurality of substances present in the composition, unless otherwise specified, when a plurality of types of substances corresponding to each component exist in the composition. It means the content rate or content.

본 명세서에 있어서 조성물 중의 각 성분의 입자직경은, 조성물 중에 각 성분에 해당하는 입자가 복수 종 존재하는 경우, 특별히 언급하지 않는 한, 조성물 중에 존재하는 해당 복수 종의 입자의 혼합물에 대한 값을 의미한다.In the present specification, the particle diameter of each component in the composition means a value for a mixture of the plurality of types of particles present in the composition, unless otherwise specified, when a plurality of types of particles corresponding to each component exist in the composition do.

본 명세서에 있어서 「층」이라는 말에는, 해당 층이 존재하는 영역을 관찰하였을 때, 해당 영역의 전체에 형성되어 있는 경우뿐만 아니라, 해당 영역의 일부에만 형성되어 있는 경우도 포함된다.In the present specification, the term "layer" includes not only the case where the entire region is formed, but also the case where the region is formed only in a part of the region when the region in which the layer exists is observed.

본 명세서에 있어서 이형 필름 또는 이형 필름을 구성하는 각 층의 두께는, 공지된 방법으로 측정할 수 있다. 예컨대, 다이얼 게이지(dial gauge) 등을 이용하여 측정해도 되고, 이형 필름의 단면(斷面) 화상으로부터 측정해도 된다. 혹은, 층을 구성하는 재료를 용제 등을 이용하여 제거하고, 제거 전후의 질량, 재료의 밀도, 층의 면적 등으로부터 산출해도 된다. 층의 두께가 일정하지 않은 경우에는, 임의의 5점(點)에서 측정한 값의 산술 평균치를 층의 두께로 한다.In this specification, the thickness of each layer which comprises a release film or a release film can be measured by a well-known method. For example, you may measure using a dial gauge etc., and you may measure from the cross-sectional image of a release film. Alternatively, the material constituting the layer may be removed using a solvent or the like, and may be calculated from the mass before and after removal, the density of the material, the area of the layer, and the like. When the thickness of a layer is not constant, let the arithmetic mean of the values measured at arbitrary five points|pieces be the thickness of a layer.

본 명세서에 있어서 「(메타)아크릴」은 아크릴 및 메타크릴 중 적어도 하나(一方) 또는 둘 다(兩方)를 의미하고, 「(메타)아크릴레이트」는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트 중 적어도 하나 또는 둘 다를 의미한다.In the present specification, "(meth)acryl" means at least one or both of acryl and methacryl, and "(meth)acrylate" means at least one of acrylate and methacrylate or means both.

[0012] <이형 필름>[0012] <Release film>

본 개시의 이형 필름은, 기재층과, 점착층과, 상기 기재층과 상기 점착층 사이에 배치되는 도전층을 구비하며, 하기의 (1) 또는 (2) 중 적어도 한쪽을 만족하는 이형 필름이다.The release film of the present disclosure includes a substrate layer, an adhesive layer, and a conductive layer disposed between the substrate layer and the adhesive layer, and is a release film satisfying at least one of the following (1) or (2). .

(1) 기재층이 부틸렌 구조와 알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 폴리에스테르 공중합체(이하, 간단히 폴리에스테르 공중합체라고도 함)를 포함함.(1) The base layer contains a polyester copolymer (hereinafter simply referred to as a polyester copolymer) including a butylene structure and an alkylene oxide structure.

(2) 150℃에서의 신장률이 1000% 이상임.(2) The elongation at 150°C is 1000% or more.

[0013] 상기 이형 필름에 의하면, 전자부품의 정전 파괴가 억제된다. 그 이유는 반드시 분명하지는 않지만, 도전층을 설치함으로써 이형 필름의 대전이 억제되어, 이형 필름을 전자부품으로부터 박리할 때 방전이 발생되기 어렵기 때문으로 생각된다.[0013] According to the release film, electrostatic destruction of electronic components is suppressed. Although the reason is not necessarily clear, charging of a release film is suppressed by providing a conductive layer, and it is thought that it is because discharge is hard to generate|occur|produce when peeling a release film from an electronic component.

[0014] 도 1에는, 이형 필름의 구성이 개략적으로 도시되어 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 이형 필름(40)은 기재층(10)과, 점착층(20)과, 기재층(10)과 점착층(20) 사이에 배치되는 도전층(30)을 구비하고 있다.1, the configuration of the release film is schematically shown. As shown in FIG. 1 , the release film 40 includes a substrate layer 10 , an adhesive layer 20 , and a conductive layer 30 disposed between the substrate layer 10 and the adhesive layer 20 , there is.

[0015] 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 개시의 이형 필름에서는 도전층(30)이 이형 필름(40)의 표면이 아니라, 기재층(10)과 점착층(20) 사이에 배치되어 있다(점착층(20)이 이형 필름의 표면에 배치되어 있음). 이 때문에, 전자부품의 표면에 점착층을 통해 이형 필름을 충분히 밀착시킬 수 있어, 시일재의 침입을 효과적으로 방지할 수 있다.As shown in FIG. 1, in the release film of the present disclosure, the conductive layer 30 is disposed between the base layer 10 and the adhesive layer 20, not the surface of the release film 40 (adhesive). layer 20 is disposed on the surface of the release film). For this reason, the release film can fully be closely_contact|adhered to the surface of an electronic component through an adhesive layer, and penetration of a sealing material can be prevented effectively.

[0016] 나아가, 상기 이형 필름은 상기 (1) 또는 (2) 중 적어도 한쪽을 만족하기 때문에, 저온에서의 신장성이 우수하다.[0016] Furthermore, since the release film satisfies at least one of (1) or (2) above, it is excellent in extensibility at low temperature.

[0017] 본 개시의 이형 필름은, 점착층측을 전자부품 등의 피착체(被着體)의 표면에 붙인 상태로 시일 공정 등의 처리를 실시한 후에 박리된다. 본 개시의 이형 필름은, 피착체로부터 박리할 때 방전이 발생되기 어렵다. 이 때문에, 예컨대, 노출 성형에 의한 반도체 패키지의 제조에 적합하게 이용된다.[0017] The release film of the present disclosure is peeled off after performing a treatment such as a sealing process in a state in which the adhesive layer side is adhered to the surface of an adherend such as an electronic component. When the release film of this indication peels from a to-be-adhered body, discharge is hard to generate|occur|produce. For this reason, it is used suitably for manufacture of the semiconductor package by exposure molding, for example.

[0018] 본 개시에 있어서 이형 필름의 150℃에서의 신장률(%)은, 하기와 같이 하여 측정된다.[0018] In the present disclosure, the elongation (%) at 150° C. of the release film is measured as follows.

우선, 이형 필름을 이용하여 도 2에 나타낸 바와 같은 형상의 시험편을 제작한다. 이 시험편의 양단(兩端)을 시험기로 잡고 인장(引張) 시험을 실시한다. 측정은 150℃의 조건하에서 실시하며, 인장 속도는 500mm/분으로 한다. 시험 전의 샘플의 표점(標點) 간 거리 A(도 2에 나타낸 시험편의 폭이 10mm인 부분의 길이:40mm)와, 샘플이 절단되었을 때의 표점 간 거리 B로부터, 하기의 식에 의해 신장률을 산출한다.First, a test piece having a shape as shown in Fig. 2 is produced using a release film. A tensile test is performed while holding both ends of this test piece with a testing machine. The measurement is carried out under the conditions of 150°C, and the tensile speed is set to 500 mm/min. From the distance A between the gage points of the sample before the test (the length of the portion having a width of 10 mm in the test piece shown in Fig. 2: 40 mm) and the distance B between the gage points when the sample is cut, the elongation rate is calculated by the following formula do.

[0019][0019]

Figure pct00001
Figure pct00001

[0020] 이형 필름의 신장률의 측정에는, 예컨대, 가부시키가이샤 오리엔텍(ORIENTEC CO., LTD.)제(製)의 「텐실론(TENSILON) 인장 시험기 RTA-100형」 또는 이와 유사한 시험기로서, 집는 도구 및 180도 박리 장치를 갖는 것을 사용한다.For the measurement of the elongation of the release film, for example, "TENSILON Tensile Tester RTA-100 Type" manufactured by Orientec Co., Ltd. (ORIENTEC CO., LTD.) or a similar tester, Use a gripper and one with a 180 degree peeling device.

[0021] 이형 필름은, 150℃에서의 신장률이 1200% 이상인 것이 바람직하고, 1400% 이상인 것이 보다 바람직하다. 이형 필름의 150℃에서의 신장률은, 예컨대, 기재층이 폴리에스테르 공중합체를 포함하는 경우는, 폴리에스테르 공중합체에 있어서의 부틸렌 구조와 알킬렌옥사이드 구조 간의 조성비에 의해 조정할 수 있다. [0021] The release film preferably has an elongation at 150°C of 1200% or more, and more preferably 1400% or more. The elongation rate in 150 degreeC of a release film can be adjusted with the composition ratio between the butylene structure and alkylene oxide structure in a polyester copolymer, when a base material layer contains a polyester copolymer, for example.

[0022] 이형 필름은, 150℃에서의 탄성률이 10MPa∼50Mpa인 것이 바람직하고, 20MPa∼40Mpa인 것이 보다 바람직하다. 150℃에서의 탄성률이 10MPa 이상이면, 양호한 금형 추종성이 얻어지는 경향이 있고, 50MPa 이하이면, 양호한 신장성이 얻어지는 경향이 있다.[0022] The release film preferably has an elastic modulus at 150° C. of 10 MPa to 50 Mpa, more preferably 20 MPa to 40 Mpa. When the elastic modulus at 150°C is 10 MPa or more, good mold followability tends to be obtained, and when it is 50 MPa or less, good extensibility tends to be obtained.

이형 필름의 150℃에서의 탄성률은, 예컨대, 기재층이 폴리에스테르 공중합체를 포함하는 경우는, 폴리에스테르 공중합체에 있어서의 부틸렌 구조와 알킬렌옥사이드 구조 간의 조성비에 의해 조정할 수 있다.The elastic modulus in 150 degreeC of a release film can be adjusted with the composition ratio between the butylene structure and alkylene oxide structure in a polyester copolymer, when a base material layer contains a polyester copolymer, for example.

[0023] (150℃에서의 탄성률)[0023] (modulus of elasticity at 150 ℃)

이형 필름의 150℃에서의 탄성률(MPa)은, 150℃에서의 신장률의 측정과 동일하게 하여 시험편을 잡아당기고, 응력변형선도(stress-strain diagram)에 있어서의 접선의 기울기로부터 산출한다. 시험편에 작용하고 있는 단위 단면적(mm2)당 힘(MPa), 시험 전의 표점 간 거리 L0(40mm), 및 표점 간 거리 L로부터, 하기의 식에 의해 산출한다.The elastic modulus (MPa) at 150°C of the release film is calculated from the inclination of the tangent line in the stress-strain diagram by pulling the test piece in the same manner as in the measurement of the elongation at 150°C. It is calculated by the following formula from the force (MPa) per unit cross-sectional area (mm 2 ) acting on the test piece, the distance between the gage points L0 (40 mm) before the test, and the distance L between the gage points.

[0024][0024]

Figure pct00002
Figure pct00002

[0025] (기재층)[0025] (substrate layer)

저온에서의 신장성의 관점에서 보면, 기재층은, 부틸렌 구조와 알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 폴리에스테르 공중합체를 포함하는 것이 바람직하다.From a viewpoint of extensibility at low temperature, it is preferable that a base material layer contains the polyester copolymer containing a butylene structure and an alkylene oxide structure.

폴리에스테르 공중합체에 포함되는 알킬렌옥사이드 구조는 알킬렌기와 산소 원자가 결합한 구조이며, 알킬렌기의 탄소수는 바람직하게는 1∼6, 보다 바람직하게는 4이다.The alkylene oxide structure contained in the polyester copolymer is the structure in which the alkylene group and the oxygen atom couple|bonded, Preferably carbon number of the alkylene group is 1-6, More preferably, it is 4.

[0026] 폴리에스테르 공중합체는, 예컨대, 테레프탈산 등의 방향족 디카르복실산 또는 그 유도체, 1,4-부탄디올, 및 폴리(알킬렌옥사이드)글리콜을 공중합시킴으로써 합성할 수 있다.[0026] The polyester copolymer can be synthesized, for example, by copolymerizing an aromatic dicarboxylic acid such as terephthalic acid or a derivative thereof, 1,4-butanediol, and poly(alkylene oxide) glycol.

[0027] 폴리에스테르 공중합체로서 바람직하게는, 하기의 식 (1)로 나타내어지는 구조 단위와 하기의 식 (2)로 나타내어지는 구조 단위를 포함하는 공중합체를 들 수 있다. 이 공중합체는, 식 (1)로 나타내어지는 구조 단위가 하드 세그먼트(PBT), 식 (2)로 나타내어지는 구조 단위가 소프트 세그먼트(PTMG)를 각각 구성하는 엘라스토머(elastomer)이다.[0027] The polyester copolymer is preferably a copolymer including a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2). In this copolymer, the structural unit represented by Formula (1) is an elastomer which comprises a hard segment (PBT), and the structural unit represented by Formula (2) comprises a soft segment (PTMG), respectively.

[0028][0028]

Figure pct00003
Figure pct00003

[0029][0029]

Figure pct00004
Figure pct00004

[0030] 상기 공중합체를 구성하는 하드 세그먼트(PBT)와 소프트 세그먼트(PTMG)의 질량비(PBT:PTMG)는, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 1:9∼9:1의 범위로부터 선택해도 되고, 2:8∼8:2의 범위로부터 선택해도 되고, 3:7∼7:3의 범위로부터 선택해도 된다.The mass ratio (PBT:PTMG) of the hard segment (PBT) and the soft segment (PTMG) constituting the copolymer is not particularly limited. For example, you may select from the range of 1:9-9:1, you may select from the range of 2:8-8:2, You may select from the range of 3:7-7:3.

[0031] 기재층은, 폴리에스테르 공중합체 이외의 성분을 포함해도 된다. 예컨대, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르에테르, 폴리아미드이미드, 불소 함유 수지 등을 들 수 있다. 기재층이 폴리에스테르 공중합체 이외의 성분을 포함하는 경우, 폴리에스테르 공중합체의 비율이 기재층 전체의 50질량% 이상인 것이 바람직하고, 70질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 80질량% 이상인 것이 더욱 바람직하다.[0031] The base layer may contain components other than the polyester copolymer. For example, polyester, such as polyethylene terephthalate (PET) and polybutylene terephthalate (PBT), polyimide, polyamide, polyester ether, polyamideimide, a fluorine-containing resin, etc. are mentioned. When the base layer contains components other than the polyester copolymer, the proportion of the polyester copolymer is preferably 50 mass % or more of the entire base layer, more preferably 70 mass % or more, still more preferably 80 mass % or more Do.

[0032] 기재층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 10㎛∼300㎛인 것이 바람직하고, 20㎛∼100㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재층의 두께가 10㎛ 이상이면, 이형 시트가 쉽게 깨지지 않아, 취급성이 우수하다. 기재층의 두께가 300㎛ 이하이면, 금형에 대한 추종성이 우수하기 때문에, 성형된 반도체 패키지의 주름 등으로 인한 외관 불량의 발생이 억제되는 경향이 있다.The thickness of the base layer is not particularly limited, and it is preferably 10 μm to 300 μm, and more preferably 20 μm to 100 μm. When the thickness of the base layer is 10 μm or more, the release sheet is not easily broken, and thus the handleability is excellent. When the thickness of the base layer is 300 μm or less, since the followability to the mold is excellent, the occurrence of poor appearance due to wrinkles or the like of the molded semiconductor package tends to be suppressed.

[0033] 기재층은, 1층만으로 구성되어도 되고, 2층 이상으로 구성되어도 된다. 2층 이상으로 구성되는 기재층을 얻는 방법으로서는, 각 층의 재료를 동시압출법(co-extrusion method)으로 압출하여 제작하는 방법, 2장 이상의 필름을 적층(laminate)하는 방법 등을 들 수 있다.[0033] The base layer may be composed of only one layer, or may be composed of two or more layers. As a method of obtaining a base layer composed of two or more layers, a method of extruding the material of each layer by a co-extrusion method to produce it, a method of laminating two or more films, and the like. .

[0034] 필요에 따라, 기재층의 도전층이 설치되는 측의 면에, 도전층에 대한 밀착력을 향상시키기 위한 처리가 실시되어 있어도 된다. 처리 방법으로서는, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등의 표면 처리, 언더코팅제(프라이머)의 도포 등을 들 수 있다.[0034] If necessary, the surface of the base layer on the side on which the conductive layer is provided may be subjected to a treatment for improving the adhesion to the conductive layer. As a treatment method, surface treatment, such as corona treatment and plasma treatment, application|coating of an undercoat agent (primer), etc. are mentioned.

[0035] 필요에 따라, 기재층의 배면(背面; 도전층이 배치되는 측과는 반대되는 면)에, 이형 필름의 롤(roll)로부터의 풀림(unwinding)성을 조절하기 위한 배면 처리제가 부여되어 있어도 된다. 배면 처리제로서는, 실리콘 수지, 불소 함유 수지, 폴리비닐알코올, 알킬기를 갖는 수지 등을 들 수 있다. 필요에 따라, 이들 배면 처리제는 변성 처리되어도 된다. 배면 처리제는, 1종만을 이용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.[0035] If necessary, on the back surface of the base layer (the surface opposite to the side on which the conductive layer is disposed), a back treatment agent for controlling unwinding properties from a roll of the release film is provided it may be As a back surface treatment agent, a silicone resin, fluorine-containing resin, polyvinyl alcohol, resin which has an alkyl group, etc. are mentioned. If necessary, these backside treatment agents may be subjected to a denaturation treatment. Only 1 type may be used for a back surface treatment agent, and may use 2 or more types together.

[0036] (점착층)[0036] (adhesive layer)

점착층은, 전자부품의 표면에 대한 밀착성의 관점에서 보면, 점착제를 포함하는 것이 바람직하다. 점착제의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 점착성, 이형성, 내열성 등을 고려하여 선택할 수 있다. 구체적으로는, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 및 우레탄계 점착제가 바람직하며, 아크릴계 점착제가 보다 바람직하다. 점착층에 포함되는 점착제는, 1종뿐이어도 되고 2종 이상이어도 된다.It is preferable that an adhesive layer contains an adhesive from a viewpoint of the adhesiveness with respect to the surface of an electronic component. The type of the pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, and may be selected in consideration of adhesiveness, releasability, heat resistance, and the like. Specifically, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a silicone pressure-sensitive adhesive, and a urethane pressure-sensitive adhesive are preferable, and an acrylic pressure-sensitive adhesive is more preferable. One type may be sufficient as the adhesive contained in an adhesion layer, and 2 or more types may be sufficient as it.

[0037] 아크릴계 점착제는, 주(主)모노머로서의 아크릴산부틸, 아크릴산에틸, 2-에틸헥실아크릴레이트 등의 유리 전이 온도(Tg)가 낮은(예컨대, -20℃ 이하) 모노머와, (메타)아크릴산, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴로니트릴 등의 관능기를 갖는 모노머를 공중합시켜 얻어지는 공중합체(이하, 아크릴 공중합체라고도 함)인 것이 바람직하다. 상기 「유리 전이 온도」는, 해당하는 모노머를 이용하여 얻어지는 호모폴리머의 유리 전이 온도이다.[0037] The acrylic pressure-sensitive adhesive includes a monomer having a low glass transition temperature (Tg) such as butyl acrylate, ethyl acrylate, and 2-ethylhexyl acrylate as main monomers (eg, -20°C or less), and (meth)acrylic acid , hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylamide, a copolymer obtained by copolymerizing a monomer having a functional group such as (meth) acrylonitrile (hereinafter also referred to as an acrylic copolymer) ) is preferable. The "glass transition temperature" is the glass transition temperature of a homopolymer obtained using the corresponding monomer.

[0038] 아크릴 공중합체는, 가교형(架橋型) 아크릴 공중합체여도 된다. 가교형 아크릴 공중합체는, 아크릴 공중합체의 원료가 되는 모노머를, 가교제를 사용하여 가교시킴으로써 합성할 수 있다. 가교형 아크릴 공중합체의 합성에 사용되는 가교제로서는, 이소시아네이트 화합물, 멜라민 화합물, 에폭시 화합물 등의 공지된 가교제를 들 수 있다. 또한, 아크릴계 점착제 중에 느슨하게 퍼진 그물코 형상의 구조를 형성하기 위해, 가교제는 3관능, 4관능 등의 다관능 가교제인 것이 보다 바람직하다.[0038] The acrylic copolymer may be a crosslinked (架橋型) acrylic copolymer. A crosslinkable acrylic copolymer can be synthesize|combined by crosslinking the monomer used as a raw material of an acrylic copolymer using a crosslinking agent. As a crosslinking agent used for the synthesis|combination of a crosslinkable acrylic copolymer, well-known crosslinking agents, such as an isocyanate compound, a melamine compound, and an epoxy compound, are mentioned. Moreover, in order to form the network-like structure which spread loosely in the acrylic adhesive, it is more preferable that a crosslinking agent is a polyfunctional crosslinking agent, such as trifunctionality and tetrafunctionality.

[0039] 점착층은, 필요에 따라서, 앵커링(anchoring) 향상제, 가교 촉진제, 필러, 착색제 등을 포함하고 있어도 된다. 예컨대, 점착층이 필러를 포함함에 따라, 점착층의 외표면(도전층과는 반대되는 면)이 조화(粗化)되어 전자부품으로부터의 박리성이 향상되는 등의 효과가 얻어진다.[0039] The pressure-sensitive adhesive layer may contain an anchoring enhancer, a crosslinking accelerator, a filler, a colorant, and the like, if necessary. For example, as the pressure-sensitive adhesive layer contains a filler, the external surface (the surface opposite to the conductive layer) of the pressure-sensitive adhesive layer is roughened, and effects such as improved releasability from electronic components are obtained.

[0040] 필러의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 수지 등의 유기물질이어도 되고, 금속, 금속산화물 등의 무기물질이어도 되고, 유기물질과 무기물질의 조합이어도 된다. 또한, 점착층에 포함되는 필러는 1종뿐이어도 되고 2종 이상이어도 된다. 필러의 체적 평균 입자직경은, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 1㎛∼20㎛의 범위로부터 선택할 수 있다. 본 명세서에 있어서 필러의 체적 평균 입자직경은, 레이저 회절법에 의해 측정되는 체적 기준의 입도 분포에 있어서 소직경(小徑)측으로부터의 누적이 50%가 될 때의 입자직경(D50)이다.The material of the filler is not particularly limited, and may be an organic material such as a resin, an inorganic material such as a metal or a metal oxide, or a combination of an organic material and an inorganic material. In addition, the number of fillers contained in an adhesion layer may be one, and 2 or more types may be sufficient as it. The volume average particle diameter of a filler in particular is not restrict|limited. For example, it can select from the range of 1 micrometer - 20 micrometers. In the present specification, the volume average particle diameter of the filler is the particle diameter (D50) when the accumulation from the small diameter side in the volume-based particle size distribution measured by the laser diffraction method becomes 50%.

[0041] 점착층에 포함되는 점착제와의 친화성의 관점에서 보면, 필러는 수지 입자인 것이 바람직하다. 수지 입자를 구성하는 수지로서는, 아크릴 수지, 올레핀 수지, 스티렌 수지, 아크릴로니트릴 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 성형 후의 반도체 패키지 표면에 대한 잔여물을 억제하는 관점에서 보면, 아크릴 수지가 바람직하다.From the viewpoint of affinity with the pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer, the filler is preferably a resin particle. As resin which comprises resin particle, an acrylic resin, an olefin resin, a styrene resin, an acrylonitrile resin, a silicone resin, etc. are mentioned. From the viewpoint of suppressing the residue on the surface of the semiconductor package after molding, an acrylic resin is preferable.

[0042] 점착층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 0.1㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 1㎛∼100㎛인 것이 보다 바람직하다. 점착층의 두께가 0.1㎛ 이상이면, 전자부품에 대한 점착력이 충분히 얻어져, 시일재의 침입이 효과적으로 억제된다. 점착층의 두께가 100㎛ 이하이면, 점착층 표면의 도전층으로부터의 거리가 너무 멀지 않아 표면 저항률이 낮게 유지되어, 전자부품의 정전 파괴가 효과적으로 억제된다. 또한, 점착층의 열경화 시의 열수축 응력이 생기기 어려워, 이형 필름의 평탄성이 유지되기 쉽다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, and is preferably 0.1 μm to 100 μm, and more preferably 1 μm to 100 μm. When the thickness of the adhesive layer is 0.1 µm or more, the adhesive force to the electronic component is sufficiently obtained, and penetration of the sealing material is effectively suppressed. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 100 μm or less, the distance from the conductive layer on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is not too far and the surface resistivity is kept low, so that electrostatic breakdown of electronic components is effectively suppressed. Moreover, it is hard to produce the thermal contraction stress at the time of thermosetting of an adhesive layer, and the flatness of a release film is easy to maintain.

점착층의 형성 용이성(도포성 등), 점착력의 확보, 대전 방지 기능의 확보 등을 종합적으로 고려하면, 점착층의 두께는 3㎛∼50㎛인 것이 더욱 바람직하다.In consideration of the ease of formation of the adhesive layer (applicability, etc.), securing of adhesive force, securing of antistatic function, etc., it is more preferable that the thickness of the adhesive layer is 3 µm to 50 µm.

[0043] (도전층)[0043] (conductive layer)

도전층은, 이형 필름의 도전성을 높여 대전을 억제할 수 있는 것이면 그 구성은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 대전 방지제, 도전성 고분자 재료, 금속 등의 도전성 재료를 포함하는 층이어도 된다.The structure in particular of a conductive layer will not be restrict|limited, as long as it improves the electroconductivity of a release film and can suppress charging. For example, a layer containing a conductive material such as an antistatic agent, a conductive polymer material, or a metal may be used.

[0044] 도전층에 포함되는 대전 방지제로서는, 제4급 암모늄염, 피리듐염, 제1∼3급 아미노기 등의 양이온성기를 갖는 양이온성 대전 방지제, 설폰산염기, 황산에스테르염기, 인산에스테르염기 등의 음이온성기를 갖는 음이온계 대전 방지제, 아미노산계, 아미노산황산에스테르계 등의 양쪽성(兩性) 대전 방지제, 아미노알코올계, 글리세린계, 폴리에틸렌글리콜계 등의 비이온성기를 갖는 비이온계 대전 방지제, 이들 대전 방지제를 고분자량화한 고분자형 대전 방지제 등을 들 수 있다. 대전 방지제는, 주제(主劑)와 조제(助劑)(경화제 등)의 조합이어도 된다.Examples of the antistatic agent contained in the conductive layer include a quaternary ammonium salt, a pyridium salt, a cationic antistatic agent having a cationic group such as a primary to tertiary amino group, a sulfonate group, a sulfate group, a phosphate ester group, and the like. Anionic antistatic agents having an anionic group of, amphoteric antistatic agents such as amino acids and amino acid sulfate esters, nonionic antistatic agents having nonionic groups such as aminoalcohol, glycerin, polyethylene glycol, The polymer-type antistatic agent etc. which made these antistatic agents high molecular weight are mentioned. The combination of a main agent and an adjuvant (curing agent etc.) may be sufficient as an antistatic agent.

도전층에 포함되는 도전성 고분자 재료로서는, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리아세틸렌 등을 골격에 갖는 고분자 화합물을 들 수 있다.Examples of the conductive polymer material contained in the conductive layer include a polymer compound having polythiophene, polyaniline, polypyrrole, polyacetylene or the like in its skeleton.

금속으로서는 알루미늄, 구리, 금, 크롬, 주석 등을 들 수 있으며, 입수성의 관점에서 보면 알루미늄이 바람직하다.Aluminum, copper, gold|metal|money, chromium, tin etc. are mentioned as a metal, From a viewpoint of availability, aluminum is preferable.

[0045] 도전층을 형성하는 방법은, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 기재층이 되는 필름의 한쪽 면에 금속박(箔) 등을 적층하는 방법, 기재층이 되는 필름의 한쪽 면에 도전층의 재료를 도포, 증착 등에 의해 부여하는 방법 등을 들 수 있다.[0045] A method of forming the conductive layer is not particularly limited. For example, a method of laminating a metal foil or the like on one side of the film serving as the substrate layer, and a method of applying a material for a conductive layer to one surface of the film serving as the substrate layer by coating, vapor deposition, or the like are mentioned.

[0046] 도전층의 두께는, 이형 필름의 대전 방지 효과를 충분히 얻을 수 있다면 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 0.01㎛∼1㎛의 범위 내여도 된다.The thickness of the conductive layer is not particularly limited as long as the antistatic effect of the release film can be sufficiently obtained. For example, it may exist in the range of 0.01 micrometer - 1 micrometer.

[0047] <반도체 패키지의 제조 방법>[0047] <Method for manufacturing semiconductor package>

본 개시의 반도체 패키지의 제조 방법은, 상술한 이형 필름의 점착층이 전자부품의 표면의 적어도 일부에 접촉된 상태로 전자부품의 주위를 시일하는 공정과, 이형 필름을 전자부품으로부터 박리하는 공정을 구비하는 반도체 패키지의 제조 방법이다.The manufacturing method of the semiconductor package of the present disclosure includes a step of sealing the periphery of an electronic component while the adhesive layer of the above-described release film is in contact with at least a part of the surface of the electronic component, and a step of peeling the release film from the electronic component. It is a manufacturing method of the semiconductor package provided with.

[0048] 상술한 바와 같이, 본 개시의 이형 필름은 박리할 때 방전이 생기기 어려워, 전자부품의 정전 파괴가 억제된다. 따라서 상기 방법에 의하면, 신뢰성이 우수한 반도체 패키지를 제조할 수 있다.[0048] As described above, the release film of the present disclosure is less likely to generate discharge when peeled, and electrostatic breakdown of electronic components is suppressed. Therefore, according to the method, a semiconductor package having excellent reliability can be manufactured.

나아가, 본 개시의 이형 필름은 전자부품에 대한 밀착성이 우수하다. 따라서, 이형 필름을 전자부품으로부터 박리한 후에 노출된 부분에 대한 시일재의 침입이 발생되기 어렵다.Furthermore, the release film of the present disclosure has excellent adhesion to electronic components. Therefore, penetration of the sealing material into the part exposed after peeling a release film from an electronic component is hard to generate|occur|produce.

[0049] 상기의 방법에 있어서 사용되는 전자부품의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 반도체 소자, 콘덴서, 단자 등을 들 수 있다.[0049] The type of electronic component used in the above method is not particularly limited. For example, a semiconductor element, a capacitor|condenser, a terminal, etc. are mentioned.

상기 방법에 있어서 전자부품의 주위를 시일하는 재료(시일재)의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 포함하는 수지 조성물을 들 수 있다.In the method, the type of the material (sealing material) for sealing the periphery of the electronic component is not particularly limited. For example, the resin composition containing an epoxy resin, an acrylic resin, etc. is mentioned.

실시예Example

[0050] 이하에서는, 본 개시의 이형 필름에 대해, 실시예에 근거하여 설명한다. 단, 본 개시는 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the release film of the present disclosure will be described based on Examples. However, the present disclosure is not limited to the following examples.

[0051] <실시예 1>[0051] <Example 1>

기재층의 재료로서, 일반식 (1)로 나타내어지는 구조의 하드 세그먼트(PBT) 및 일반식 (2)로 나타내어지는 구조의 소프트 세그먼트(PTMG)의 질량비(PBT:PTMG)가 3:7인 폴리에스테르 공중합체를 이용하여, 두께가 100㎛인 기재 필름을 제작하고, 한쪽 면에 코로나 처리를 실시하였다.As a material of the base material layer, the mass ratio (PBT:PTMG) of the hard segment (PBT) having the structure represented by the general formula (1) and the soft segment (PTMG) having the structure represented by the general formula (2) is 3:7 poly A base film having a thickness of 100 µm was produced using the ester copolymer, and corona treatment was performed on one surface.

기재 필름의 코로나 처리면에, 대전 방지제를 용제로 2.5질량%로 희석한 것을 도포하고, 100℃에서 1분 간 가열하여 도전층(두께 0.3㎛)을 형성하였다. 용제로서는 물과 이소프로필알코올의 혼합물(질량비 1:1)을 사용하였다.What diluted the antistatic agent to 2.5 mass % with a solvent was apply|coated to the corona-treated surface of a base film, and it heated at 100 degreeC for 1 minute, and formed the conductive layer (0.3 micrometers in thickness). As a solvent, the mixture (mass ratio 1:1) of water and isopropyl alcohol was used.

점착층의 재료로서, 점착제(100질량부)와, 가교제(20질량부)와, 톨루엔:메틸에틸케톤의 질량비가 8:2인 혼합 용제(34질량부)와, 필러(5질량부)를 혼합하여 점착층 형성용 조성물을 조제하였다. 이 점착층 형성용 조성물을 도전층 상에, 점착층의 두께가 5㎛가 되도록 도포하고, 100℃에서 1분 간 가열하여 점착층을 형성함으로써, 이형 필름을 제작하였다.As a material for the adhesive layer, an adhesive (100 parts by mass), a crosslinking agent (20 parts by mass), a mixed solvent (34 parts by mass) of a mass ratio of toluene:methyl ethyl ketone of 8:2, and a filler (5 parts by mass) By mixing, a composition for forming an adhesive layer was prepared. This composition for forming an adhesion layer was applied on the conductive layer so that the thickness of the adhesion layer was set to 5 µm, and heated at 100°C for 1 minute to form the adhesion layer, thereby producing a release film.

[0052] <실시예 2>[0052] <Example 2>

폴리에스테르 공중합체의 하드 세그먼트(PBT) 및 소프트 세그먼트(PTMG)의 질량비(PBT:PTMG)를 5:5로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 이형 필름을 제작하였다.A release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the mass ratio (PBT:PTMG) of the hard segment (PBT) and the soft segment (PTMG) of the polyester copolymer was 5:5.

[0053] <실시예 3>[0053] <Example 3>

폴리에스테르 공중합체의 하드 세그먼트(PBT) 및 소프트 세그먼트(PTMG)의 질량비(PBT:PTMG)를 7:3으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 이형 필름을 제작하였다.A release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the mass ratio (PBT:PTMG) of the hard segment (PBT) and the soft segment (PTMG) of the polyester copolymer was 7:3.

[0054] <실시예 4>[0054] <Example 4>

폴리에스테르 공중합체의 하드 세그먼트(PBT) 및 소프트 세그먼트(PTMG)의 질량비(PBT:PTMG)를 8:2로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 이형 필름을 제작하였다.A release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the mass ratio (PBT:PTMG) of the hard segment (PBT) and the soft segment (PTMG) of the polyester copolymer was 8:2.

[0055] <실시예 5>[0055] <Example 5>

폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어진 층 A와, 하드 세그먼트(PBT) 및 소프트 세그먼트(PTMG)의 질량비(PBT:PTMG)가 2:8인 폴리에스테르 공중합체로 이루어진 층 B가 적층된 기재 필름(두께 100㎛)을, 동시압출에 의해 제작하였다. 층 A 및 층 B의 두께비는 1:1로 하였다.A base film (thickness 100) in which a layer A made of polybutylene terephthalate and a layer B made of a polyester copolymer having a mass ratio of hard segment (PBT) and soft segment (PTMG) (PBT:PTMG) of 2:8 are laminated μm) was prepared by co-extrusion. The thickness ratio of the layer A and the layer B was 1:1.

얻어진 기재 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 이형 필름을 제작하였다.Except having used the obtained base film, it carried out similarly to Example 1, and produced the release film.

[0056] <비교예 1>[0056] <Comparative Example 1>

기재 필름으로서, 한쪽 면에 코로나 처리가 된 두께 100㎛의 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 이형 필름을 제작하였다.As a base film, it carried out similarly to Example 1 except having used the 100-micrometer-thick polybutylene terephthalate film which corona-treated on one side, and produced the release film.

[0057] <비교예 2>[0057] <Comparative Example 2>

기재 필름 상에 도전층을 형성하지 않고 점착층을 형성한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여, 이형 필름을 제작하였다.A release film was produced in the same manner as in Example 3 except that an adhesive layer was formed without forming a conductive layer on the base film.

[0058] 이형 필름의 제작에 사용한 각 재료의 상세는, 하기와 같다.[0058] Details of each material used in the production of the release film are as follows.

대전 방지제: 하기의 성분 A(100질량부) 및 성분 B(25질량부)의 혼합물Antistatic agent: A mixture of the following component A (100 parts by mass) and component B (25 parts by mass)

성분 A: 제4급 암모늄염을 갖는 아크릴 공중합체인 양이온성 대전 방지제, 상품명 「BONDEIP PA-100 주제」, 코니시 가부시키가이샤(Konishi Co., Ltd.)Component A: Cationic antistatic agent which is an acrylic copolymer having a quaternary ammonium salt, trade name "BONDEIP PA-100 main ingredient", Konishi Co., Ltd.

성분 B: 에폭시 수지, 상품명 「BONDEIP PA-100 경화제」, 코니시 가부시키가이샤Component B: Epoxy resin, trade name "BONDEIP PA-100 hardener", Konishi Corporation

[0059] 점착제: 아크릴계 점착제, 상품명 「FS-1208」, 라이온 스페셜티 케미칼즈 가부시키가이샤(LION SPECIALTY CHEMICALS CO., LTD.), 메타크릴산에스테르의 복수 종의 혼합 모노머로 구성[0059] Adhesive: Composed of multiple types of mixed monomers of acrylic adhesive, trade name "FS-1208", LION SPECIALTY CHEMICALS CO., LTD., and methacrylic acid ester

가교제: 폴리이소시아네이트계 가교제(헥사메틸렌디이소시아네이트 가교제(HMDI)), 상품명 「DURANATE E405-80T」, 아사히 가세이 케미칼즈 가부시키가이샤(Asahi Kasei Chemicals Corporation)Crosslinking agent: polyisocyanate type crosslinking agent (hexamethylene diisocyanate crosslinking agent (HMDI)), trade name "DURANATE E405-80T", Asahi Kasei Chemicals Corporation

필러: 가교 아크릴 입자, 상품명 「MX-500」, 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드(Soken Chemical & Engineering Co., Ltd.), 체적 평균 입자직경 5㎛Filler: crosslinked acrylic particles, trade name "MX-500", Soken Chemical & Engineering Co., Ltd., volume average particle diameter 5 mu m

[0060] <평가 시험>[0060] <Evaluation test>

제작한 이형 필름을 이용하여, 이하의 평가 시험을 실시하였다.The following evaluation tests were performed using the produced release film.

[0061] (150℃에서의 신장률 및 탄성률)[0061] (elongation and modulus at 150 °C)

상술한 방법에 의해, 이형 필름의 150℃에서의 신장률 및 탄성률을 측정하였다. 측정에는 가부시키가이샤 오리엔텍제의 「텐실론 인장 시험기 RTA-100형」을 사용하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.By the above-described method, the elongation and elastic modulus at 150° C. of the release film were measured. For the measurement, "Tensilon Tensile Tester RTA-100 Type" manufactured by Orientec Co., Ltd. was used. A result is shown in Table 1.

[0062] (금형 추종성·성형품 외관)[0062] (Mold followability, molded product appearance)

깊이가 3mm인 트랜스퍼 몰딩(transfer molding) 금형의 상부 몰드(上型)에 이형 필름을 장착하여, 진공으로 고정시킨 후, 몰드 클램핑하고, 시일재로 트랜스퍼 몰딩하였다. 금형 온도는 150℃, 성형 압력 6.86MPa(70kgf/cm2), 성형 시간 300초로 하였다.A release film was mounted on the upper mold of a transfer molding mold having a depth of 3 mm, fixed in a vacuum, mold clamped, and transfer molded with a sealing material. The mold temperature was 150°C, the molding pressure was 6.86 MPa (70 kgf/cm 2 ), and the molding time was 300 seconds.

금형 추종성은, 깨짐 등이 발생하는 일 없이 이형 시트가 금형에 추종되어 있으면 ○, 깨짐 등이 근소하게 발생하였지만 실용상 문제가 없는 경우는 △, 깨짐 등이 발생한 경우는 ×로서 평가하였다.The mold followability was evaluated as ○ if the release sheet followed the mold without cracks, etc., △ when cracks occurred slightly but no practical problems, and × when cracks occurred.

성형품 외관은, 이형 필름의 주름, 플로 마크(flow mark) 등이 발생되어 있지 않고 외관이 양호한 경우는 ○, 이형 필름의 주름, 플로 마크 등이 근소하게 발생하였지만 실용상 문제가 없는 경우는 △, 이형 필름의 주름, 플로 마크 등이 발생하여 외관에 불량이 발생되어 있는 경우는 ×로서 평가하였다.As for the appearance of the molded product, if the release film has no wrinkles, flow marks, etc. and the appearance is good, ○, if the release film has slight wrinkles, flow marks, etc., but there is no practical problem △, When wrinkles, flow marks, etc. of a release film generate|occur|produce and defect generate|occur|produces in an external appearance, it evaluated as x.

[0063] (전자부품의 정전 파괴 시험)[0063] (Electrostatic breakdown test of electronic components)

전자부품(반도체 소자)이 탑재된 회로 기판 상에 이형 필름의 점착층측을 붙이고, 온도가 23±2℃, 습도가 60±10%RH인 분위기하에서 60초 간 방치하였다. 이후, 이형 필름을 힘차게 박리하였다. 이 작업을 5회 반복한 후의 회로 기판을 V-I(전압 전류 특성) 측정으로 확인하여, 통전(通電)이 되는 경우는 「0」, 통전이 되지 않게 된 경우는 「×」로서 평가하였다.The adhesive layer side of the release film was pasted on the circuit board on which the electronic component (semiconductor element) was mounted, and it was left to stand for 60 seconds in an atmosphere where the temperature was 23±2°C and the humidity was 60±10%RH. Then, the release film was peeled vigorously. The circuit board after repeating this operation 5 times was confirmed by V-I (voltage-current characteristic) measurement, and when it became energized, it was evaluated as "0", and when it ceased to be energized, it was evaluated as "x".

[0064] [표 1][0064] [Table 1]

Figure pct00005
Figure pct00005

[0065] 표 1의 결과에 나타낸 바와 같이, 기재층이 폴리에스테르 공중합체를 포함하며, 150℃에서의 신장률이 1000% 이상인 실시예의 이형 필름은, 기재층이 폴리에스테르 공중합체를 포함하지 않고, 150℃에서의 신장률이 1000% 미만인 비교예 1의 이형 필름에 비해 저온에서의 신장성이 우수하고, 금형 추종성 및 성형품 외관의 평가도 양호하였다.As shown in the results of Table 1, in the release film of the embodiment in which the base layer contains the polyester copolymer, and the elongation at 150 ° C. is 1000% or more, the base layer does not contain the polyester copolymer, Compared with the release film of Comparative Example 1 having an elongation at 150° C. of less than 1000%, the extensibility at low temperature was excellent, and the evaluation of mold followability and molded article appearance was also good.

나아가, 기재층과 점착층 사이에 도전층을 형성한 실시예의 이형 필름은, 정전 파괴 시험에 있어서 전자부품의 정전 파괴가 발생하지 않았다.Furthermore, in the release film of Examples in which the conductive layer was formed between the base layer and the adhesive layer, electrostatic breakdown of electronic components did not occur in the electrostatic breakdown test.

[0066] 10: 기재층
20: 점착층
30: 도전층
40: 이형 필름
[0066] 10: base layer
20: adhesive layer
30: conductive layer
40: release film

Claims (4)

기재층(基材層)과, 점착층과, 상기 기재층과 상기 점착층 사이에 배치되는 도전층을 구비하며, 상기 기재층은 부틸렌 구조와 알킬렌옥사이드 구조를 포함하는 폴리에스테르 공중합체를 포함하는, 이형(離型) 필름.A substrate layer (基材層), an adhesive layer, and a conductive layer disposed between the substrate layer and the adhesive layer, wherein the substrate layer is a polyester copolymer comprising a butylene structure and an alkylene oxide structure Including, release (離型) film. 기재층과, 점착층과, 상기 기재층과 상기 점착층 사이에 배치되는 도전층을 구비하며, 150℃에서의 신장률이 1000% 이상인, 이형 필름.A release film comprising a substrate layer, an adhesive layer, and a conductive layer disposed between the substrate layer and the adhesive layer, and having an elongation at 150°C of 1000% or more. 제1항 또는 제2항에 있어서,
노출 성형에 의한 반도체 패키지의 제조에 이용하기 위한, 이형 필름.
3. The method of claim 1 or 2,
The release film for using for manufacture of the semiconductor package by exposure molding.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름의 상기 점착층이 전자부품의 표면의 적어도 일부에 접촉된 상태로 상기 전자부품의 주위를 시일(seal, 封止)하는 공정과, 상기 이형 필름을 상기 전자부품으로부터 박리하는 공정을 구비하는 반도체 패키지의 제조 방법.
A step of sealing the periphery of the electronic component in a state in which the pressure-sensitive adhesive layer of the release film according to any one of claims 1 to 3 is in contact with at least a part of the surface of the electronic component; A method of manufacturing a semiconductor package comprising the step of peeling a release film from the electronic component.
KR1020227007429A 2019-09-05 2019-09-05 Method for manufacturing release film and semiconductor package KR20220057545A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2019/035010 WO2021044589A1 (en) 2019-09-05 2019-09-05 Mold-release film and method for manufacturing semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220057545A true KR20220057545A (en) 2022-05-09

Family

ID=74853319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227007429A KR20220057545A (en) 2019-09-05 2019-09-05 Method for manufacturing release film and semiconductor package

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP7363905B2 (en)
KR (1) KR20220057545A (en)
CN (1) CN114342051A (en)
WO (1) WO2021044589A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022180998A1 (en) * 2021-02-25 2022-09-01 Agc株式会社 Film, method for manufacturing same, and method for manufacturing semiconductor package

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005186740A (en) 2003-12-25 2005-07-14 Aisin Seiki Co Ltd Shift control device for vehicle

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6126368B2 (en) 2012-12-06 2017-05-10 三井化学東セロ株式会社 Mold release film for LED encapsulant and method for producing LED encapsulant using the same
SG11201607469SA (en) * 2014-03-07 2016-10-28 Asahi Glass Co Ltd Mold release film and process for producing sealed body
WO2016125796A1 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 旭硝子株式会社 Film, method for producing same, and method for producing semiconductor element using film

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005186740A (en) 2003-12-25 2005-07-14 Aisin Seiki Co Ltd Shift control device for vehicle

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021044589A1 (en) 2021-03-11
JP7363905B2 (en) 2023-10-18
TW202116951A (en) 2021-05-01
CN114342051A (en) 2022-04-12
JPWO2021044589A1 (en) 2021-03-11
JP2023174688A (en) 2023-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101471921B1 (en) Surface-protective adhesive film for transparent conductive film, and transparent conductive film using the same
JP4916175B2 (en) Adhesive and coating film for electrical material using the same
JP2006028416A (en) Pressure sensitive adhesive tape
CN110291655A (en) Oled panel bottom protective film and organic light-emitting display device including it
JP2013141793A (en) Release polyester film for molding
JP2020019953A (en) Pressure sensitive adhesive sheet for display, and display including the same
JP5415833B2 (en) Adhesive tape for fixing semiconductor and method for manufacturing the same
WO2019117258A1 (en) Manufacturing method of mounting structure, and sheet used therein
JP2023174688A (en) Mold-release film and method for manufacturing semiconductor package
CN112352027A (en) Adhesive sheet
JP5482357B2 (en) Flat cable covering material and flat cable
KR20160140780A (en) Double-sided adhesive sheet and double-sided adhesive sheet manufacturing method
JP5540815B2 (en) Flexible printed circuit board and reinforced flexible printed circuit board
TW202101550A (en) Work processing sheet
JPWO2020095919A1 (en) Electromagnetic wave shield film, method of manufacturing electromagnetic wave shield film and method of manufacturing shield printed wiring board
TWI833987B (en) Release film and method of producing semiconductor package
KR20230052946A (en) Manufacturing method of release film and electronic component device
KR101803884B1 (en) Non-substrate type transparent conductive films using detach manner and method for manufacturing the same
KR20230124929A (en) Manufacturing method of release film and electronic component device
JP2004307787A (en) Adhesive tape for electronic instrument
JP2010225625A (en) Adhesive sheet and dicing-die bonding tape
KR20210089191A (en) Temporary protective film for semiconductor device manufacturing, reel body, and method for manufacturing semiconductor device
CN218465739U (en) Low-shrinkage high-temperature-resistant adhesive carrier film
KR20240057353A (en) Release film for semiconductor molding and method of producing semiconductor package
CN117922126A (en) Release film for semiconductor molding and method for manufacturing semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal