KR20220057434A - 유기 el 패널의 제조 방법 및 유기 el 패널 - Google Patents

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Abstract

표시 영역에 관통 구멍을 갖는 유기 EL 패널의 당해 관통 구멍에 있어서의 수분에 대한 밀봉 성능을 향상시키는 기술을 제공한다.
표시 영역 내에 관통 구멍을 갖는 유기 EL 패널의 제조 방법이며, a) 회로층이 형성된 기판을 준비하는 공정과, b) 측면이 경사진 제방을 상기 관통 구멍이 형성되는 관통 구멍 형성 영역에 제1 유기막에 의해 형성하는 공정과, c) 상기 기판의 전체면에 걸쳐 제1 무기막을 퇴적시키는 공정과, d) 상기 제방의 정상부를 덮는 상기 제1 무기막을 제거하고, 상기 제1 유기막을 노출시키는 공정과, e) 상기 제1 유기막을 제거하고 상기 제1 무기막에 의한 경사 간막이부를 형성하는 공정을 갖는 유기 EL 패널의 제조 방법.

Description

유기 EL 패널의 제조 방법 및 유기 EL 패널 {ORGANIC EL PANEL MANUFACTURING METHOD AND ORGANIC EL PANEL}
본 개시는 유기 EL 패널의 제조 방법 및 유기 EL 패널에 관한 것이다.
근년, 스마트폰 등의 휴대용 기기의 디스플레이로서, 유기 EL(Electro-luminescence) 패널이 사용되고 있다.
유기 EL 패널의 표시 영역에 패널을 관통하는 구멍을 갖는 유기 EL 패널이 알려져 있다(특허문헌 1 내지 특허문헌 3을 참조).
일본 특허 공개 제2019-140097호 공보 일본 특허 공개 제2020-004705호 공보 일본 특허 공개 제2018-087863호 공보
본 개시는, 표시 영역에 관통 구멍을 갖는 유기 EL 패널의 당해 관통 구멍에 있어서의 수분에 대한 밀봉 성능을 향상시키는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 따르면, 표시 영역 내에 관통 구멍을 갖는 유기 EL 패널의 제조 방법이며, a) 회로층이 형성된 기판을 준비하는 공정과, b) 측면이 경사진 제방을 상기 관통 구멍이 형성되는 관통 구멍 형성 영역에 제1 유기막에 의해 형성하는 공정과, c) 상기 기판의 전체면에 걸쳐 제1 무기막을 퇴적시키는 공정과, d) 상기 제방의 정상부를 덮는 상기 제1 무기막을 제거하고, 상기 제1 유기막을 노출시키는 공정과, e) 상기 제1 유기막을 제거하고 상기 제1 무기막에 의한 경사 간막이부를 형성하는 공정을 갖는 유기 EL 패널의 제조 방법이 제공된다.
본 개시는, 표시 영역에 관통 구멍을 갖는 유기 EL 패널의 당해 관통 구멍에 있어서의 수분에 대한 밀봉 성능을 향상시키는 기술을 제공한다.
도 1은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 디스플레이의 정면도이다.
도 2는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 정면도이다.
도 3은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 회로 블록도이다.
도 4는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 화소 회로 부근의 단면도이다.
도 5는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법의 공정을 설명하는 흐름도(그의 1)이다.
도 6은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법의 공정을 설명하는 흐름도(그의 2)이다.
도 7은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 1)이다.
도 8은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 2)이다.
도 9는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 3)이다.
도 10은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 4)이다.
도 11은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 5)이다.
도 12는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 6)이다.
도 13은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 7)이다.
도 14는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그 8)이다.
도 15는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 9)이다.
도 16은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 10)이다.
도 17은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 11)이다.
도 18은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 12)이다.
도 19는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 13)이다.
도 20은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 14)이다.
도 21은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 15)이다.
도 22는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 16)이다.
도 23은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 17)이다.
도 24는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 18)이다.
도 25는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 19)이다.
도 26은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 20)이다.
도 27은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 21)이다.
도 28은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 22)이다.
도 29는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 23)이다.
도 30은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 24)이다.
도 31은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 25)이다.
도 32는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 26)이다.
도 33은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면(그의 27)이다.
도 34는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 밀봉 구조를 설명하는 도면이다.
도 35는, 비교예의 유기 EL 패널의 밀봉 구조를 설명하는 도면이다.
이하, 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다. 또한, 이해를 용이하게 하기 위해, 도면에 있어서의 각 부의 축척은 실제와는 다른 경우가 있다. 평행, 직각, 직교, 수평, 수직, 상하, 좌우 등의 방향에는, 실시 형태의 효과를 손상시키지 않을 정도의 어긋남이 허용된다. 모서리부의 형상은 직각에 한정되지 않고, 궁형으로 둥그스름해져도 된다. 평행, 직각, 직교, 수평, 수직에는, 대략 평행, 대략 직각, 대략 직교, 대략 수평, 대략 수직이 포함되어도 된다.
<유기 EL 디스플레이>
처음에, 도 1을 참조하면서 유기 EL 패널이 사용되는 유기 EL 디스플레이(1)의 전체 구성의 일례에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 디스플레이(1)의 정면도이다.
본 실시 형태에 관한 유기 EL 디스플레이(1)는, 유기 EL 패널(10)과, 하우징(20)과, 카메라(30)를 구비한다. 유기 EL 디스플레이(1)는, 예를 들어 스마트폰 등의 휴대 정보 단말기에 구비된다.
유기 EL 패널(10)은, 화면(10a)에 화상이나 문자 등을 표시한다. 또한, 유기 EL 패널(10)은 터치 스크린 패널로서도 기능한다. 유기 EL 패널(10)은, 터치 스크린 패널로서 기능함으로써, 입력 디바이스로서 이용할 수 있다. 유기 EL 패널(10)은, 화면(10a)의 일부에, 유기 EL 패널(10)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(10h)을 갖는다. 유기 EL 디스플레이(1)에는, 유기 EL 패널(10)의 관통 구멍(10h)으로부터 노출되도록, 카메라(30)가 설치된다.
하우징(20)은, 유기 EL 패널(10) 및 카메라(30)를 수납한다. 또한, 하우징(20)은, 유기 EL 패널(10) 및 카메라(30)의 각각을 동작시키는 회로 기판 등의 부품을 수납한다. 또한, 하우징(20)은, 예를 들어 유기 EL 디스플레이(1)의 전체를 제어하기 위한 회로 기판이나 무선 통신을 행하기 위한 회로 기판, 시리얼 통신용 커넥터나 메모리 카드용 커넥터 등의 인터페이스 등을 수납한다.
카메라(30)는, 유기 EL 디스플레이(1)를 조작하는 사람의 얼굴 등을 촬영하기 위한 카메라, 소위 인카메라이다. 카메라(30)는, 유기 EL 패널(10)에 마련된 관통 구멍(10h)으로부터 노출된다.
<유기 EL 패널>
<전체 구성>
다음에, 유기 EL 패널(10)에 대하여, 보다 상세하게 설명한다. 도 2는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널(10)의 정면도이다. 유기 EL 패널(10)은, 액티브 매트릭스 방식의 디스플레이 패널이다.
유기 EL 패널(10)은, 화상이나 문자 등을 표시하는 표시 영역(10DA)을 갖는다. 또한, 표시 영역(10DA)의 주위에 프레임 영역(10FA)을 갖는다. 프레임 영역(10FA)은, 표시가 행해지지 않는 영역이다. 유기 EL 패널(10)은, 표시 영역(10DA)에 복수의 서브 화소(10sp)를 갖는다. 서브 화소(10sp)는, 예를 들어 적색, 녹색 및 청색 중 어느 1색의 광을 발광한다. 적색의 광을 발광하는 서브 화소와, 녹색의 광을 발광하는 서브 화소와, 청색의 광을 발광하는 서브 화소를 합쳐서 화소라고 하는 경우가 있다. 서브 화소(10sp)는, 예를 들어 행방향(도 2의 횡방향)과 열방향(도 2의 종방향)의 2차원으로 배열된다.
또한, 유기 EL 패널(10)은 터치 센서를 구비한다. 유기 EL 패널(10)은, 표시 영역(10DA)에 유저의 손가락 등이 접촉하였음을 검지한다.
유기 EL 패널(10)은, 표시 영역(10DA)의 일부와 겹치도록 관통 구멍(10h)을 갖는다. 본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)에서는, 관통 구멍(10h)은, 관통 구멍(10h)의 둘레가 복수의 서브 화소(10sp)에 둘러싸여 마련된다. 관통 구멍(10h)은, 카메라(30)를 외부로 노출시키는 카메라 홀을 구성한다.
또한, 유기 EL 패널(10)은 단자부(10T)를 구비한다. 단자부(10T)에는 복수의 단자(10t)를 구비한다. 유기 EL 패널(10)은, 단자부(10T)의 단자(10t)를 통하여, 유기 EL 패널(10)의 외부의 기기와 통신한다. 또한, 유기 EL 패널(10)은, 단자부(10T)의 단자(10t)를 통하여 전력이 공급된다.
<회로 구성>
다음에, 유기 EL 패널(10)의 회로 구성에 대하여 설명한다. 도 3은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널(10)의 회로 블록도이다.
유기 EL 패널(10)은, 복수의 화소 회로(11)와, 주사선 구동 회로(14)와, 데이터선 구동 회로(15)와, 복수의 주사선(16)과, 복수의 데이터선(17)을 구비한다.
유기 EL 패널(10)은, 서브 화소(10sp)의 각각에 화소 회로(11)를 구비한다. 서브 화소(10sp)의 배열에 맞추어 화소 회로(11)가 배열된다. 즉, 화소 회로(11)는, 행방향(도 3의 횡방향)과 열방향(도 3의 종방향)의 2차원으로 배열된다.
화소 회로(11)는, 행마다 1개의 주사선(16)에 접속된다. 또한, 화소 회로(11)는, 열마다 1개의 데이터선(17)에 의해 접속된다.
화소 회로(11)는, 화소 구동 회로(12)와, 유기 EL 발광 다이오드(13)를 구비한다.
화소 구동 회로(12)는, 기입 트랜지스터(12T1)와, 구동 트랜지스터(12T2)와, 보유 용량(12C)을 구비한다. 기입 트랜지스터(12T1) 및 구동 트랜지스터(12T2)는 박막 트랜지스터(TFT(Thin film transistor))에 의해 구성된다.
기입 트랜지스터(12T1)의 소스 단자는 데이터선(17)에 접속된다. 기입 트랜지스터(12T1)의 게이트 단자는 주사선(16)에 접속된다. 기입 트랜지스터(12T1)의 드레인 단자는, 구동 트랜지스터(12T2)의 게이트 및 보유 용량(12C)의 한쪽의 전극에 접속된다.
구동 트랜지스터(12T2)의 소스 단자는 전원선(18)에 접속된다. 구동 트랜지스터(12T2)의 드레인 단자는, 유기 EL 발광 다이오드(13)의 양극에 접속된다. 보유 용량(12C)의 다른 쪽의 전극은 전원선(18)에 접속된다. 유기 EL 발광 다이오드(13)의 음극은 접지선(19)에 접속된다.
화소 회로(11)의 동작에 대하여 설명한다. 주사선 구동 회로(14)에 의해, 주사선(16) 중 1개가 선택된다. 선택된 주사선(16)에 게이트가 접속된 기입 트랜지스터(12T1)가 온된다. 기입 트랜지스터(12T1)가 온되면, 데이터선 구동 회로(15)로부터 데이터선(17)을 통하여 공급되는 데이터 신호에 기초하여, 보유 용량(12C)의 보유 전압이 설정된다.
구동 트랜지스터(12T2)는, 보유 용량(12C)의 보유 전압에 기초하여 정해지는 전류를, 전원선(18)으로부터 유기 EL 발광 다이오드(13)에 공급한다. 유기 EL 발광 다이오드(13)는, 구동 트랜지스터(12T2)로부터 공급되는 전류에 기초하여 발광한다.
상기의 동작이 모든 서브 화소(10sp)에서 행해짐으로써, 유기 EL 패널(10)은, 표시 영역(10DA)에 있어서 표시를 행한다.
<화소 회로(11)>
다음에, 화소 회로(11)의 구성에 대하여 설명한다. 도 4는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 화소 회로(11) 부근의 단면도이다. 또한, 도 4에서는, 화소 구동 회로(12)에 대해서는, 보유 용량(12C)과, 구동 트랜지스터(12T2)를 도시한다.
유기 EL 발광 다이오드(13)는, 격벽(13B)에 의해 둘러싸인 영역에, 양극(13A)과, 발광부(13EL)와, 음극(13C)을 구비한다. 격벽(13B)에 의해 둘러싸인 영역은, 1개의 서브 화소(10sp)에 대응한다. 또한, 도 4에서는, 발광부(13EL)와 음극(13C)을 통합하여 층(13O)으로서 도시한다.
양극(13A)은, 예를 들어 산화인듐주석(ITO(Indium Tin Oxide))에 의해 형성된다. 양극(13A)은 구동 트랜지스터(12T2)에 접속된다.
발광부(13EL)는, 양극(13A)측으로부터 차례로, 정공 주입층(13HIL), 정공 수송층(13HTL), 발광층(13EML), 전자 수송층(13ETL) 및 전자 주입층(13EIL)을 구비한다.
발광층(13EML)은 유기 화합물에 의해 형성된다. 발광층(13EML)으로서는, 예를 들어 적색으로 발광하는 적색 발광층, 녹색으로 발광하는 녹색 발광층 또는 청색으로 발광하는 청색 발광층이 형성된다. 전자 주입층(13EIL)의 상층에 음극(13C)이 형성된다. 또한, 음극(13C)은, 격벽(13B)을 넘어, 다른 서브 화소(10sp)와의 사이에서 일체로 형성된다. 즉, 음극(13C)은, 다른 서브 화소(10sp)와 공유된다. 음극(13C)은, 예를 들어 마그네슘과 은의 합금에 의해 형성된다.
양극(13A)과 음극(13C) 사이에 전압이 가해지면, 음극(13C)으로부터 전자 주입층(13EIL)에 전자가 주입됨과 함께, 양극(13A)으로부터 정공 주입층(13HIL)에 정공이 주입된다. 전자 주입층(13EIL)에 주입된 전자는, 전자 수송층(13ETL)에 의해 발광층(13EML)으로 수송된다. 또한, 정공 주입층(13HIL)에 주입된 정공은, 정공 수송층(13HTL)에 의해 발광층(13EML)으로 수송된다.
발광층(13EML)으로 수송된 정공과 전자는, 발광층(13EML)에 있어서 재결합한다. 정공과 전자가 재결합하면, 발광층(13EML)의 발광 재료가 여기되어, 발광층(13EML)이 발광한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 유기 EL 발광 다이오드(13)는, 정공 주입층(13HIL), 정공 수송층(13HTL), 발광층(13EML), 전자 수송층(13ETL) 및 전자 주입층(13EIL)을 구비하지만, 적어도 발광층(13EML)을 구비하고 있으면 된다. 예를 들어, 정공 주입층(13HIL), 정공 수송층(13HTL), 전자 수송층(13ETL) 및 전자 주입층(13EIL)의 일부 또는 전부를 생략해도 된다.
또한, 정공 주입층(13HIL), 정공 수송층(13HTL), 전자 수송층(13ETL) 및 전자 주입층(13EIL)의 각각은, 다른 서브 화소(10sp)와의 사이에서 공유되어도 된다. 본 실시 형태에서는, 후술하는 바와 같이, 전자 수송층(13ETL) 및 전자 주입층(13EIL)은, 음극(13C)과 마찬가지로 다른 서브 화소(10sp)와 공유된다.
<유기 EL 패널의 제조 방법>
유기 EL 패널의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 5 및 도 6은, 본 실시 형태의 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 흐름도이다. 또한, 도 7 내지 도 33은, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면이다. 또한, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널의 제조 방법을 설명하는 도면의 단면도에는, 상부의 화살표에 의해, 당해 단면이, 도 2에 있어서의 A-A 단면, B-B 단면, C-C 단면 중 어느 단면인가를 나타내고 있다.
(스텝 S10)
처음에, 회로층이 형성된 기판을 준비하는 공정에 대하여 설명한다.
유리 기판(100)과 절연 기판(110)을 준비한다. 유리 기판(100)은, 유기 EL 패널(10)을 제조할 때, 절연 기판(110)의 변형을 방지하기 위한 기판이다.
절연 기판(110)은, 유기 EL 패널(10)의 구성 요소를 지지하는 기판이다. 본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)은, 가요성을 갖는 절연 기판(110) 상에 화소 회로(11)가 형성된다. 절연 기판(110)은, 수지층(110a)과, 무기층(110b)과, 수지층(110c)을 갖는다. 수지층(110a) 및 수지층(110c)은, 예를 들어 폴리이미드에 의해 형성된다. 무기층(110b)은 질화실리콘(SiN)에 의해 형성된다. 절연 기판(110)은 가요성을 갖는다.
절연 기판(110)은 유리 기판(100) 상에 첩부된다(도 7). 또한, 본 실시 형태에서는, 유리 기판(100)을 사용하고 있지만, 절연 기판(110)으로 제조할 때 필요한 강도가 유지되는 경우에는, 유리 기판(100)을 사용하지 않아도 된다.
또한, 유리 기판(100)과 절연 기판(110)을 접합한 기판을 처리 기판(40)이라고 칭하는 경우가 있다. 처리 기판(40)은, 기판을 처리하는 처리 장치에 마련된 다이에, 유리 기판(100)측을 적재한다. 따라서, 처리 기판(40)은, 도 7의 상측, 즉 절연 기판(110)측이 처리 장치에 의해 처리된다. 이하의 설명에서는, 유리 기판(100)에 대하여, 절연 기판(110)이 있는 측을 상측으로서 설명한다.
다음에, 절연 기판(110)의 상면 전체면에 버퍼층(120)을 형성한다. 버퍼층(120)은, 절연 기판(110)으로부터의 수분이나 산소 등의 침입을 방지하기 위한 층이다. 버퍼층(120)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN), 산화실리콘(SiO) 및 산화질화실리콘(SiON) 중 어느 것 또는 그것들의 조합에 의해 형성된다.
그리고, 버퍼층(120)의 상면 전체면에 반도체막이 퇴적된다. 그리고, 퇴적된 반도체막을 패터닝함으로써, 반도체층(121, 122, 123 및 124) 등이 형성된다. 반도체층(121, 122, 123 및 124)은 박막 트랜지스터의 반도체층을 구성한다. 반도체층(121, 122, 123 및 124)은, 예를 들어 비결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 산화물 반도체 등에 의해 형성된다.
다결정 실리콘으로서는, 예를 들어 저온 다결정 실리콘(LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon)) 등을 사용해도 된다.
또한, 산화물 반도체로서, 예를 들어 인듐, 갈륨 및 아연을 포함하는 산화인듐갈륨아연(IGZO(InGaZnO)), 산화인듐주석아연(ITZO), 산화아연(ZnO), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐갈륨(IGO), 산화인듐주석(ITO) 또는 산화인듐(InO) 등을 사용해도 된다.
반도체층(121, 122, 123 및 124) 등이 형성된 후에, 처리 기판(40)의 상면 전체면에 절연막(130a)이 퇴적된다. 절연막(130a)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN), 산화실리콘(SiO) 및 산화질화실리콘(SiON) 중 어느 것 또는 그것들의 조합에 의해 형성된다.
그리고, 절연막(130a)의 상면 전체면에 금속막이 퇴적된다. 퇴적된 금속막을 패터닝함으로써, 전극(131a) 내지 전극(137a) 등이 형성된다.
전극(131a), 전극(133a), 전극(135a) 및 전극(137a)의 각각은, 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 된다. 전극(132a), 전극(134a) 및 전극(136a)은, 보유 용량의 한쪽의 전극으로 된다. 또한, 절연막(130a)은, 트랜지스터의 게이트 절연막 및 보유 용량의 유전체층으로서 작용한다.
다음에, 전극(131a) 내지 전극(137a) 등이 형성된 후에, 처리 기판(40)의 상면 전체면에 절연막(130b)이 퇴적된다. 절연막(130b)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN), 산화실리콘(SiO) 및 산화질화실리콘(SiON) 중 어느 것 또는 그것들의 조합에 의해 형성된다.
절연막(130b) 상에 금속막을 패터닝함으로써, 전극(131b), 전극(132b) 및 전극(133b) 등이 형성된다.
전극(131b), 전극(132b) 및 전극(133b) 등이 형성된 후에, 처리 기판(40)의 상면 전체면에 절연막(130c)이 퇴적된다. 절연막(130c)은, 질화실리콘(SiN), 산화실리콘(SiO) 및 산화질화실리콘(SiON) 중 어느 것 또는 그것들의 조합에 의해 형성된다.
상기 처리에 의해 형성된, 반도체층(121, 122, 123 및 124) 등과, 전극(131a) 내지 전극(137a) 등과, 전극(131b), 전극(132b) 및 전극(133b) 등이 형성된 절연막(130a, 130b 및 130c)을 회로층(55)이라고 하는 경우가 있다. 회로층(55)이 형성된 처리 기판(40)을 기판(50)이라고 한다(도 8).
(스텝 S20)
처음에, 제방을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
기판(50)의 절연막(130c)의 상면 전체면에 포토레지스트막을 형성한다. 형성한 포토레지스트막을 패터닝함으로써, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)를 형성한다. 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)를 제방이라고 하는 경우가 있다.
포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)가 형성된 기판(50)을 도 9 및 도 10에 도시한다. 도 10은, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)의 주변의 상면도이다.
포토레지스트(141)는, 상면으로 보아 대략 원형이다. 포토레지스트(141)의 절연 기판(110)으로부터 먼 측의 면인 상면(141A)은, 절연 기판(110)측의 면인 하면(141B)보다 면적이 작다. 따라서, 포토레지스트(141)의 측면(141C)은, 절연 기판(110)의 면에 수직인 방향에 대하여, 포토레지스트(141)의 내측으로 경사져 있다.
포토레지스트(142)는, 상면으로 보아, 포토레지스트(141)를 둘러싸는 환형이다. 포토레지스트(142)의 절연 기판(110)으로부터 먼 측의 면인 상면(142A)은, 절연 기판(110)측의 면인 하면(142B)보다 면적이 작다. 따라서, 포토레지스트(142)의 측면(142C)은, 절연 기판(110)의 면에 수직인 방향에 대하여, 포토레지스트(141)의 반대측으로 경사져 있다. 포토레지스트(142)의 측면(142D)은, 절연 기판(110)의 면에 수직인 방향에 대하여, 포토레지스트(141)측으로 경사져 있다.
(스텝 S30)
처음에, 무기막을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)가 형성된 기판(50) 상에 무기막(150)을 형성한다(도 11).
무기막(150)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN)이다. 무기막(150)은, 예를 들어 저온 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 형성된다. 저온 CVD법에 의해 형성함으로써, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)가 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)가 열에 의해 손상되지 않는 온도에서, CVD법에 의해 무기막(150)을 형성한다.
(스텝 S40)
다음에, 제방의 정상부의 무기막을 제거하는 공정에 대하여 설명한다.
포토레지스트(141)의 상면(141A) 및 포토레지스트(142)의 상면(142A)에 형성된 무기막(150)을 제거한다(도 12). 즉, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)의 정상부의 무기막(150)을 제거한다. 구체적으로는, 포토레지스트를 무기막(150)의 상면 전체면에 성막한다. 그리고, 성막한 포토레지스트를 패터닝하여, 포토레지스트(141)의 상면(141A) 및 포토레지스트(142)의 상면(142A)의 부분을 노출시킨다. 그리고, 포토레지스트로부터 노출된 포토레지스트(141)의 상면(141A) 및 포토레지스트(142)의 상면(142A)의 부분의 무기막(150)을 에칭에 의해 제거한다.
포토레지스트(141)의 측면(141C)에는, 무기막(150)의 일부에 의해 형성되는, 경사진 간막이부(151)가 형성된다. 또한, 포토레지스트(142)의 측면(142C)에는, 무기막(150)의 일부에 의해 형성되는, 경사진 간막이부(152)가 형성된다. 또한, 포토레지스트(142)의 측면(142D)에는, 무기막(150)의 일부에 의해 형성되는, 경사진 간막이부(153)가 형성된다.
(스텝 S50)
다음에, 제방을 제거하는 공정에 대하여 설명한다.
포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)를 제거한다. 도 13은, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)를 제거한 후의 단면도이다. 도 14는, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)를 제거한 후의 상면도이다. 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)를 용제 등에 의해 제거(박리)한다. 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)를 제거함으로써, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)가 자립하여 형성된다.
또한, 포토레지스트(141) 및 포토레지스트(142)는 제1 유기막의 일례이다. 무기막(150)은 제1 무기막의 일례이다. 또한, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)의 각각은, 경사 간막이부의 일례이다.
(스텝 S60)
다음에, 화소 전극과 발광층을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
무기막(150)이 형성된 기판(50)에, 반도체층 등의 요소를 접속하는 배선, 스루홀 등을 형성한다. 그리고, 배선, 스루홀 등을 형성한 기판(50)에, 유기 절연막(160a) 및 유기 절연막(160b)을 형성한다. 유기 절연막(160a) 및 유기 절연막(160b)은, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)가 형성된 영역을 제외한 기판(50)의 전체면에 형성된다. 유기 절연막(160a) 및 유기 절연막(160b)을 형성할 때에는, 유기 절연막(160a)과 유기 절연막(160b) 사이에 배선, 스루홀 등을 형성한다.
그리고, 유기 절연막(160b) 상에, 유기 절연막을 전체면에 형성한 후에 패터닝함으로써, 격벽부(161c 내지 165c)를 형성한다. 격벽부(161c) 내지 격벽부(165c)는, 각 화소의 영역을 획정한다. 또한, 유기 절연막(160b) 상에, 막음부(168c) 및 막음부(169c)를 형성한다. 또한, 격벽부(161c) 내지 격벽부(165c)는, 도 4의 격벽(13B)에 상당한다.
다음에, 격벽부(161c) 및 격벽부(162c)에 둘러싸이는 영역(구획)에, 화소 전극(171)을 형성한다. 또한, 격벽부(163c) 및 격벽부(164c)에 둘러싸이는 영역에, 화소 전극(172)을 형성한다. 또한, 격벽부(164c) 및 격벽부(165c)에 둘러싸이는 영역에, 화소 전극(173)을 형성한다. 화소 전극(171), 화소 전극(172) 및 화소 전극(173)은, 예를 들어 산화인듐주석(ITO(Indium Tin Oxide))에 의해 형성된다.
또한, 도시하지 않았지만, 화소 전극(171), 화소 전극(172) 및 화소 전극(173)의 각각의 위에, 정공 주입층(13HIL), 정공 수송층(13HTL) 및 발광층(13EML)을 형성한다. 정공 주입층(13HIL), 정공 수송층(13HTL) 및 발광층(13EML)을 형성함으로써, 각 서브 화소의 발광부를 형성한다.
상술한 바와 같이 하여, 각 서브 화소에 화소 전극과 발광부를 형성한다(도 15).
(스텝 S70)
다음에, 공통 전극을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
격벽부, 막음부를 형성한 기판(50)에, 공통 전극(180)을 형성한다(도 16). 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 공통 전극(180), 즉 음극(13C)을 형성할 때, 전자 수송층(13ETL) 및 전자 주입층(13EIL)을 동시에 형성한다.
공통 전극(180)을 형성할 때에는, 격벽부, 막음부를 형성한 기판(50)의 상부에, 마스크(60)를 배치한다. 그리고, 당해 기판(50)에, 마스크(60) 상에서, 증착에 의해 공통 전극(180)을 형성한다. 즉, 공통 전극(180)은 증착법에 의해 형성된다. 공통 전극(180)은, 마그네슘과 은의 합금에 의해 형성된다.
(스텝 S80)
다음에, 무기 밀봉막을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
공통 전극(180)을 형성한 기판(50)의 상면 전체면에, 무기 밀봉막(190)을 형성한다(도 17). 무기 밀봉막(190)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN)에 의해 형성된다. 즉, 무기 밀봉막(190)은 질화실리콘막이다. 무기 밀봉막(190)의 두께는, 예를 들어 1㎛이다.
무기 밀봉막(190)은, 마스크를 사용하지 않는 마스크리스 CVD법에 의해, 공통 전극(180)을 형성한 기판(50)의 상면 전체면에 형성한다. 마스크를 사용하지 않음으로써, 티끌의 발생 등을 억제하여 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 마스크의 교환 등이 불필요한 점에서, 무기 밀봉막(190)을 형성하는 데 걸리는 시간을 짧게 할 수 있다.
또한, 무기 밀봉막(190)은, 수소리스의 CVD법, 즉 처리 가스에 수소를 포함하지 않도록 막 형성하는 CVD법에 의해 형성해도 된다. 수소리스의 CVD법에서는, 할로겐화실리콘 가스와 질소 원자 함유 가스를 포함하고, 수소 원자를 포함하지 않는 처리 가스에 의해 성막을 행한다. 할로겐화실리콘 가스는, 예를 들어 사염화실리콘(SiCl4) 가스, 사불화실리콘(SiF4) 가스 등이다. 예를 들어, 할로겐화실리콘 가스로서는, 사염화실리콘 가스 및 사불화실리콘 가스 중 한쪽 또는 양쪽으로 구성해도 된다.
수소리스의 CVD법을 사용함으로써, 반도체층에 인듐, 갈륨 및 아연을 포함하는 산화인듐갈륨아연(IGZO(InGaZnO))을 사용한 경우에, 수소에 의한 반도체층의 열화를 방지할 수 있다.
무기 밀봉막(190)을 형성함으로써, 스텝 S70에서 형성한 공통 전극(180)을 무기 밀봉막(190)으로 밀봉한다.
(스텝 S90)
다음에, 유기 밀봉막을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
무기 밀봉막(190)을 형성한 기판(50)의 상부에, 유기 밀봉막(200)을 형성한다(도 18). 유기 밀봉막(200)은, 막음부(168c) 및 막음부(169c) 사이에, 습식 성막법, 예를 들어 액적 토출 장치, 소위 잉크젯 장치에 의해 재료를 도포하고, 당해 재료를 경화시킴으로써 형성된다. 즉, 유기 밀봉막(200)은, 잉크젯법에 의해 형성된다. 유기 밀봉막(200)은, 예를 들어 아크릴에 의해 형성된다. 유기 밀봉막(200)의 두께는, 예를 들어 8㎛ 내지 10㎛이다.
액적 토출 장치, 소위 잉크젯 장치에 의해 유기 밀봉막(200)을 형성하면, 막음부(168c) 및 막음부(169c) 부근의 유기 밀봉막(200)의 단부에서는 경사를 갖는다. 유기 밀봉막(200)의 말단으로부터 내측을 향하여 400㎛ 정도의 부분은 경사진다. 또한, 경사의 각도는 약 1도이다.
본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)의 제조 방법에서는, 표시 화면을 구성하는 복수의 발광 소자의 전부를 덮는 발광 영역(EA)에 있어서, 유기 밀봉막(200)이 평탄하게 되도록 유기 밀봉막(200)을 형성한다. 유기 밀봉막(200)이, 표시 화면을 구성하는 복수의 발광 소자의 전부를 덮는 평탄부(201)를 갖는다.
또한, 유기 밀봉막(200)은, 주변 영역(SA)에 평탄부(201)의 주연 부분에 접속된 경사부(202)를 갖는다. 또한, 본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)의 제조 방법에서는, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)가 형성된 관통 구멍 형성 영역(HA)에 있어서도, 유기 밀봉막(200)이 형성된다.
다음에, 유기 밀봉막(200)을 형성한 기판(50)의 유기 밀봉막(200) 상에, 무기 밀봉막(210)을 형성한다(도 19). 무기 밀봉막(210)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN)에 의해 형성된다. 즉, 무기 밀봉막(210)은 질화실리콘막이다. 무기 밀봉막(210)은, 수소리스의 CVD법에 의해 형성해도 된다.
(스텝 S100)
다음에, 유기 밀봉막의 일부를 제거하는 공정에 대하여 설명한다.
무기 밀봉막(210)을 형성한 기판(50)의 무기 밀봉막(210)의 상면 전체면에, 포토레지스트를 성막한다. 형성한 포토레지스트를 패터닝함으로써, 포토레지스트(221)에 의한 마스크층을 형성한다(도 20). 포토레지스트(221)는, 기판의 발광 영역(EA)에 형성된다.
다음에, 포토레지스트(221)가 형성된 기판(50)에 대하여, 포토레지스트(221)로부터 노출되는 유기 밀봉막(200) 및 무기 밀봉막(210)을 제거한다(도 21).
포토레지스트(221)로부터 노출되는 유기 밀봉막(200) 및 무기 밀봉막(210)은, 유기 밀봉막(200) 및 무기 밀봉막(210)이 제거된 부분은 무기 밀봉막(190)이 노출된다.
다음에, 유기 밀봉막(200) 및 무기 밀봉막(210)이 제거된 기판(50)에 대하여, 포토레지스트(221)를 제거한다(도 22). 포토레지스트(221)는, 예를 들어 애싱함으로써 제거된다.
(스텝 S110)
다음에, 무기 밀봉막을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
포토레지스트(221)가 제거된 기판(50)의 상면 전체면에, 무기 밀봉막(230)을 형성한다(도 23). 무기 밀봉막(230)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN)에 의해 형성된다. 즉, 무기 밀봉막(230)은 질화실리콘막이다. 무기 밀봉막(230)에 의해, 스텝 S100에서 노출된 유기 밀봉막(200)의 측면을 무기 밀봉막(230)으로 밀봉할 수 있다. 무기 밀봉막(230)으로 밀봉함으로써, 유기 밀봉막(200)의 흡습 등에 의한 열화를 방지할 수 있다. 무기 밀봉막(230)은, 수소리스의 CVD법에 의해 형성해도 된다. 무기 밀봉막(230)의 두께는, 예를 들어 1㎛이다.
또한, 주변 영역(SA) 및 관통 구멍 형성 영역(HA)에 있어서, 무기 밀봉막(190)과 무기 밀봉막(230)을 직접 밀착시켜 접합시킬 수 있다. 무기 밀봉막(190)과 무기 밀봉막(230)을 접합시킴으로써, 유기 밀봉막(200)을 견고하게 밀봉할 수 있다.
무기 밀봉막(230)은, 마스크를 사용하지 않는 마스크리스 CVD법에 의해, 기판(50)의 상면 전체면에 형성된다. 또한, 무기 밀봉막(190)은, 수소리스의 CVD법에 의해 형성해도 된다.
또한, 무기 밀봉막(190), 유기 밀봉막(200), 무기 밀봉막(210) 및 무기 밀봉막(230)을 통합하여 박막 밀봉막(TFE(Thin Film Encapsulation))이라고 하는 경우가 있다.
또한, 무기 밀봉막(190)은 제2 무기막의 일례, 무기 밀봉막(230)은 제3 무기막의 일례, 유기 밀봉막(200)은 제2 유기막 또는 유기막층의 일례이다. 무기 밀봉막(190) 및 무기 밀봉막(230)은 2층의 질화실리콘막의 일례이다.
(스텝 S120)
다음에, 평탄화막을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
무기 밀봉막(230)을 형성한 기판(50)에 대하여, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)가 형성된 영역에, 보호막(241)을 형성한다(도 24). 보호막(241)은, 예를 들어 아크릴 수지에 의해 형성된다. 보호막(241)은, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)가 형성된 영역의 파임 부분에 충전됨으로써, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)가 보호막(241)에 의해 매몰된다. 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)는, 보호막(241)에 의해 보호됨으로써, 이후의 처리에 있어서 파손을 방지할 수 있다. 또한, 보호막(241)이 제3 유기막의 일례이다.
(스텝 S130)
다음에, 터치 스크린 패널의 기능에 관련된 부분에 대하여 설명한다. 본 실시 형태의 터치 스크린 패널은, 소위 온셀 터치 패널이다.
보호막(241)이 형성된 기판(50)의 상면 전체면에 도전막을 형성한다. 그리고, 당해 도전막을 패터닝함으로써, 복수의 전극(251)이 형성된다(도 25). 다음에, 전극(251)이 형성된 기판 상에 절연막(260)을 형성한다(도 26). 그리고, 기판(50)의 단부에 형성된 절연막(260)을 제거한다. 이때, 단자부(10T)에 형성된 절연막(260)도 제거한다. 또한, 화소가 형성된 부분을 덮는 절연막(260)을 패터닝함으로써 절연막(261)을 형성함과 함께, 스루홀(262 내지 268) 등을 형성한다(도 27). 다음에, 기판(50)의 상면 전체면에 도전막(270)을 형성하고(도 28), 패터닝함으로써, 터치 스크린 패널용 전극(271) 및 전극(272)과, 외부 기기와 접속하기 위한 단자(273)를 형성한다(도 29).
도 30은, 터치 스크린 패널용 전극의 상면이다. 전극(271)은, 변이 도 30의 기울기 45도의 방향으로 연장되는 상면으로 보아 직사각 형상이다. 또한, 전극(271)은, 도 30의 종방향 및 횡방향으로 나란히 마련된다. 종방향으로 배열되는 전극(271)은, 한쪽의 전극(271)의 모서리 부분과, 다른 쪽의 전극(271)의 모서리 부분이, 전극(251)에 의해 접속된다.
전극(272)은, 변이 도 30의 기울기 45도의 방향으로 연장되는 상면으로 보아 직사각 형상이다. 또한, 전극(272)은, 전극(271) 사이에 도 30의 종방향 및 횡방향으로 나란히 마련된다. 횡방향으로 배열되는 전극(272)은, 한쪽의 전극(272)의 모서리 부분과, 다른 쪽의 전극(272)의 모서리 부분이 접속되어 있다. 또한, 전극(271)의 각각 및 전극(272)의 각각은, 메쉬형으로 형성되어 있다.
다음에, 터치 스크린 패널용 전극을 형성한 기판(50) 상에, 패터닝함으로써 피복층(281)을 형성한다(도 31).
(스텝 S140)
다음에, 관통 구멍을 형성하는 공정에 대하여 설명한다.
피복층(281)을 형성한 기판(50)에, 관통 구멍(50h)을 형성한다(도 32). 관통 구멍(50h)은, 레이저 커트함으로써 기판(50)의 표면으로부터 이면까지 관통하여 형성된다. 관통 구멍(50h)을 둘러싸도록, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)가 형성된다. 또한, 관통 구멍(50h)과 관통 구멍(10h)은 동일하며, 관통 구멍(50h)은 측방으로부터 본 상태를 나타내고, 관통 구멍(10h)은 상면으로부터 본 상태를 나타낸다.
(스텝 S150)
마지막에, 유리 기판(100)을 절연 기판(110)으로부터 박리한다(도 33). 이상의 공정에 의해, 유기 EL 패널(10)을 제작한다.
<작용ㆍ효과>
본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)은, 표시 영역(10DA) 내에 관통 구멍(10h)을 구비한다. 또한, 관통 구멍(10h)(관통 구멍(50h))을 둘러싸도록 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)를 갖는다. 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)는 경사져 마련된다. 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)를 가짐으로써, 관통 구멍(50h)을 형성하였을 때에도, 공통 전극(180)을 무기 밀봉막(190)에 의해 높은 신뢰성으로 밀봉할 수 있다.
본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)의 효과에 대하여 도 34를 사용하여 설명한다. 도 34는, 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널(10)의 밀봉 구조를 설명하는 도면이다. 또한, 무기 밀봉막(230)은 생략되어 있다.
증착된 공통 전극(180)은, 무기 밀봉막(190)으로 밀봉된다. 본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)에서는, 간막이부(155)는 비스듬하게 경사져 형성된다. 간막이부(155)가 비스듬하게 경사져 형성됨으로써, 공통 전극(180)은 간막이부(155)에 의해 단선된다.
간막이부(155)의 상측으로부터 무기 밀봉막(190)을 성막하는 재료가 상측으로부터 침입한다. 침입한 무기 밀봉막(190)을 성막하는 재료는, 간막이부(155)의 공통 전극(180)이 형성되어 있지 않은 면(155A)에 부착된다. 그리고, 면(155A)에 무기 밀봉막(190)이 밀착되어 형성된다. 따라서, 공통 전극(180)의 단선된 단부는, 무기 밀봉막(190) 및 무기막(150)으로 집어 밀봉할 수 있다. 또한, 공통 전극(180)은 캐소드층의 일례이다.
관통 구멍(50h)을 형성함으로써, 각 층의 단면이 대기에 노출된다. 대기 중의 수분이 단면으로부터 침입하여 공통 전극(180)에 도달하면, 수분이 공통 전극(180)을 통하여 소자 내부에 침입할 가능성이 있지만, 공통 전극(180)의 단부를 무기 밀봉막(190) 및 무기막(150)에 의해 밀봉함으로써, 공통 전극(180)에 수분이 도달하는 것을 방지할 수 있다. 공통 전극(180)에 수분이 도달하는 것을 방지함으로써, 공통 전극(180), 나아가 당해 공통 전극(180)과 연결되는 유기 EL 발광 다이오드(13)가 열화되는 것을 방지할 수 있다.
비교예의 유기 EL 패널에 대하여 도 35를 사용하여 설명한다. 도 35는, 비교예의 유기 EL 패널의 밀봉 구조를 설명하는 도면이다.
비교예의 유기 EL 패널은, 오버행 구조를 갖는 유기 EL 패널이다. 비교예의 유기 EL 패널은, 수지층(110cx)을 버퍼층(120x)보다 넓게 제거함으로써 오버행 구조를 형성한다. 공통 전극(180x)을 무기 밀봉막(190x)으로 밀봉한다. 도 35의 영역 D의 부분은, 무기 밀봉막(190)을 형성하는 재료가 수지층(110cx)에 침입하는 방향에 대하여, 역방향으로 되어 있는 점에서 보아, 충분히 밀착하여 부착되는 것이 곤란하다. 따라서, 영역 D의 부분으로부터, 대기 중의 수분이 침입할 가능성이 높아진다.
한편, 본 실시 형태의 유기 EL 패널(10)은, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)를 가짐으로써, 공통 전극(180)을 밀착시켜 밀봉할 수 있다. 또한, 관통 구멍(10h)(관통 구멍(50h))을 둘러싸도록, 간막이부(151), 간막이부(152) 및 간막이부(153)를 동심원형으로 가짐으로써, 보다 확실하게 공통 전극(180)을 밀봉할 수 있다.
금회 개시된 본 실시 형태에 관한 유기 EL 패널은, 모든 점에 있어서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부된 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시 형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있으며, 또한 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.

Claims (8)

  1. 표시 영역 내에 관통 구멍을 갖는 유기 EL 패널의 제조 방법이며,
    a) 회로층이 형성된 기판을 준비하는 공정과,
    b) 측면이 경사진 제방을 상기 관통 구멍이 형성되는 관통 구멍 형성 영역에 제1 유기막에 의해 형성하는 공정과,
    c) 상기 기판의 전체면에 걸쳐 제1 무기막을 퇴적시키는 공정과,
    d) 상기 제방의 정상부를 덮는 상기 제1 무기막을 제거하고, 상기 제1 유기막을 노출시키는 공정과,
    e) 상기 제1 유기막을 제거하고 상기 제1 무기막에 의한 경사 간막이부를 형성하는 공정을 갖는,
    유기 EL 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, f) 복수의 발광 소자가 형성되는 영역에, 상기 복수의 발광 소자마다의 복수의 구획에 화소 전극과 발광층을 형성하는 공정과,
    g) 상기 기판의 전체면에 걸쳐 공통 전극을 증착법에 의해 형성하는 공정과,
    h) 상기 기판의 전체면에 걸쳐 제2 무기막을 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 형성하는 공정을 더 갖는,
    유기 EL 패널의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, i) 상기 관통 구멍을 상기 기판의 표면으로부터 이면을 관통하여 형성하는 공정을 더 갖는,
    유기 EL 패널의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, g1) 상기 g) 후에, 상기 제2 무기막 상에, 상기 기판의 전체면에 걸쳐 제2 유기막을 형성하는 공정과,
    g2) 상기 관통 구멍 형성 영역 상의 상기 제2 유기막을 제거하는 공정과,
    g3) 상기 기판의 전체면에 걸쳐 제3 무기막을 CVD법에 의해 형성하고, 상기 관통 구멍 형성 영역에 있어서, 상기 제2 무기막과 상기 제3 무기막을 직접 밀착시키는 공정을 갖는,
    유기 EL 패널의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, g4) 상기 g3) 후에, 상기 관통 구멍 형성 영역에 제3 유기막을 퇴적하여 복수의 상기 경사 간막이부를 매몰시켜 평탄화하는 공정을 갖는,
    유기 EL 패널의 제조 방법.
  6. 표시 영역 내에 관통 구멍을 갖는 유기 EL 패널이며,
    상기 표시 영역 내에 상기 관통 구멍을 포함하는 관통 구멍 형성 영역과, 복수의 발광 소자가 형성되는 영역을 갖고,
    상기 관통 구멍과 상기 발광 소자 중 어느 것 사이에 있어서, 상기 관통 구멍을 둘러싸고, 경사지는 환형의 경사 간막이부를 구비하고,
    상기 발광 소자를 구성하는 캐소드층이, 상기 경사 간막이부에 의해 단선되고, 상기 캐소드층의 단부가 무기 밀봉막에 의해 밀봉되는,
    유기 EL 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 무기 밀봉막은, 적어도 2층의 질화실리콘막으로 구성되고, 상기 발광 소자가 형성되는 영역에 있어서 상기 2층의 질화실리콘막 사이에 유기막층을 갖는,
    유기 EL 패널.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 관통 구멍은 카메라 홀을 구성하는,
    유기 EL 패널.
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