TW202226890A

TW202226890A - 有機el面板之製造方法及有機el面板

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Publication number: TW202226890A
Application number: TW110138821A
Authority: TW
Inventors: 里吉務; 藤永元毅; 佐藤晉也
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2020-10-29
Filing date: 2021-10-20
Publication date: 2022-07-01
Also published as: CN114430013A; KR102659137B1; KR20220057434A; JP2022072381A

Abstract

提供一種在顯示區域具有貫通孔的有機EL面板中來提昇對於該貫通孔內之水分的密封性能之技術。一種有機EL面板之製造方法，係在顯示區域內具有貫通孔的有機EL面板之製造方法，具有：(a)準備形成有電路層之基板的工序；(b)藉由第1有機膜而在形成該貫通孔的貫通孔形成區域來形成側面會傾斜之堤部的工序；(c)遍及該基板之整面來使第1無機膜沉積的工序；(d)將覆蓋該堤部之頂部的該第1無機膜去除以使該第1有機膜露出的工序；以及(e)將該第1有機膜去除以形成該第1無機膜所致之傾斜隔斷部的工序。

Description

有機EL面板之製造方法及有機EL面板

本揭露係關於一種有機EL面板之製造方法及有機EL面板。

近年來，作為智慧型手機等行動機器的顯示器，係使用有機EL(Electro-luminescence)面板。

已知有一種在有機EL面板之顯示區域具有會貫通面板的孔之有機EL面板(參照專利文獻1至專利文獻3)。

專利文獻1：日本特開2019-140097號公報專利文獻2：日本特開2020-004705號公報專利文獻3：日本特開2018-087863號公報

本揭露係提供一種在顯示區域具有貫通孔的有機EL面板中來提昇對於該貫通孔內之水分的密封性能之技術。

根據本揭露之一態樣，係提供一種在顯示區域內具有貫通孔的有機EL面板之製造方法，具有：(a)準備形成有電路層之基板的工序；(b)藉由第1有機膜而在形成該貫通孔的貫通孔形成區域來形成側面會傾斜之堤部的工序；(c)遍及該基板之整面來使第1無機膜沉積的工序；(d)將覆蓋該堤部之頂部的該第1無機膜去除以使該第1有機膜露出的工序；以及(e)將該第1有機膜去除以形成該第1無機膜所致之傾斜隔斷部的工序。

以下，參照圖式來說明用以實施本揭露之形態。此外，本說明書及圖式中會針對實質上相同的構成賦予相同符號以省略重複說明。此外，為了易於理解，圖式中各部位的比例尺會有和實際上不同的情形。平行、直角、正交、水平、垂直、上下、左右等方向可容許不會減損實施形態之效果的程度之偏差。角部的形狀並不限於直角，也可以帶有圓弧。平行、直角、正交、水平、垂直也可以包含大致平行、大致直角、大致正交、大致水平、大致垂直。

＜有機EL顯示器＞首先，一邊參照圖1一邊說明使用有有機EL面板之有機EL顯示器1整體構成的一例。圖1係本實施形態相關之有機EL顯示器1的前視圖。

本實施形態相關之有機EL顯示器1係具備有機EL面板10、框體20、及攝影機30。有機EL顯示器1係例如由智慧型手機等行動資訊終端所具備。

有機EL面板10會在畫面10a顯示影像或文字等。另外，有機EL面板10也可以作為觸控螢幕面板來發揮作用。有機EL面板10藉由作為觸控螢幕面板來發揮作用，便可利用作為輸入元件。有機EL面板10係使畫面10a的一部分具有會在厚度方向上貫通有機EL面板10的貫通孔10h。有機EL顯示器1係以會從有機EL面板10的貫通孔10h露出之方式來安裝有攝影機30。

框體20會收納有機EL面板10及攝影機30。另外，框體20係收納會使有機EL面板10及攝影機30分別運作之電路基板等零件。再者，框體20會收納例如用於控制有機EL顯示器1整體的電路基板或用於進行無線通訊的電路基板、序列通訊用連接器或記憶卡用連接器等的介面。

攝影機30係用於拍攝會操作有機EL顯示器1之人臉等的攝影機，即所謂的前置攝影機。攝影機30會從有機EL面板10上所設置之貫通孔10h露出。

＜有機EL面板＞＜整體構成＞接著，進一步詳細說明有機EL面板10。圖2係本實施形態相關之有機EL面板10的前視圖。有機EL面板10係主動陣列方式的顯示器面板。

有機EL面板10係具有會顯示影像或文字等的顯示區域10DA。另外，顯示區域10DA周圍係具有邊框區域10FA。邊框區域10FA係不會進行顯示的區域。有機EL面板10會使顯示區域10DA具有多個子像素10sp。子像素10sp會發出例如紅、綠及藍任一色的光。發出紅光的子像素、發出綠光的子像素、發出藍光的子像素會有統稱為像素的情形。子像素10sp係例如二維排列在行方向(圖2的橫向)與列方向(圖2的縱向)。

另外，有機EL面板10係具備接觸感應器。有機EL面板10會偵測使用者的手指等接觸到顯示區域10DA的情形。

有機EL面板10係以會與顯示區域10DA的一部分重疊之方式來具有貫通孔10h。本實施形態之有機EL面板10中，貫通孔10h係以貫通孔10h周圍會被多個子像素10sp所圍繞之方式來被加以設置。貫通孔10h係構成會使攝影機30露出於外部的攝影機孔。

另外，有機EL面板10係具備端子部10T。端子部10T係具備多個端子10t。有機EL面板10會透過端子部10T的端子10t來與有機EL面板10外部的機器進行通訊。另外，有機EL面板10會透過端子部10T的端子10t來被供給電力。

＜電路構成＞接著，說明有機EL面板10的電路構成。圖3係本實施形態相關之有機EL面板10的電路方塊圖。

有機EL面板10係具備多個像素電路11、掃描線驅動電路14、資料線驅動電路15、多條掃描線16、及多條資料線17。

有機EL面板10係會使子像素10sp分別具備像素電路11。而配合子像素10sp的排列來排列像素電路11。亦即，像素電路11係二維排列在行方向(圖3的橫向)與列方向(圖3的縱向)。

像素電路11會使每一行連接1條掃描線16。另外，像素電路11會使每一列連接1條資料線17。

像素電路11係具備像素驅動電路12及有機EL發光二極體13。

像素驅動電路12係具備寫入電晶體12T1、驅動電晶體12T2、及保持電容12C。寫入電晶體12T1及驅動電晶體12T2係藉由薄膜電晶體(TFT(Thin film transistor))所加以構成。

寫入電晶體12T1的源極端子係連接於資料線17。寫入電晶體12T1的閘極端子係連接於掃描線16。寫入電晶體12T1的汲極端子係連接於驅動電晶體12T2的閘極及保持電容12C的一側電極。

驅動電晶體12T2的源極端子係連接於電源線18。驅動電晶體12T2的汲極端子係連接於有機EL發光二極體13的陽極。保持電容12C的另一側電極係連接於電源線18。有機EL發光二極體13的陰極係連接於接地線19。

針對像素電路11的動作來進行說明。藉由掃描線驅動電路14來選擇一條掃描線16。閘極連接於所選擇的掃描線16之寫入電晶體12T1即被加以導通。寫入電晶體12T1被加以導通後，會根據從資料線驅動電路15透過資料線17而被供給的資料訊號來設定保持電容12C的保持電壓。

驅動電晶體12T2會將根據保持電容12C的保持電壓所決定的電流從電源線18供給至有機EL發光二極體13。有機EL發光二極體13會根據從驅動電晶體12T2被供給的電流來發光。

藉由以所有子像素10sp來進行上述動作，有機EL面板10便會在顯示區域10DA進行顯示。

＜像素電路11＞接著，說明像素電路11的構成。圖4係本實施形態相關之有機EL面板的像素電路11附近之剖面圖。此外，圖4中，針對像素驅動電路12係顯示保持電容12C及驅動電晶體12T2。

有機EL發光二極體13在藉由分隔壁13所圍繞之區域係具備陽極13A、發光部13EL、及陰極13C。藉由分隔壁13所圍繞之區域係對應於一個子像素10sp。此外，圖4中，係將發光部13EL與陰極13C合起來顯示為層13O。

陽極13A係藉由例如氧化銦錫(ITO(Indium Tin Oxide))來被加以形成。陽極13A係連接於驅動電晶體12T2。

發光部13EL從陽極13A側起係依序具備電洞注入層13HIL、電洞輸送層13HTL、發光層13EML、電子輸送層13ETL及電子注入層13EIL。

發光層13EML係藉由有機化合物所形成。作為發光層13EML係形成例如會發出紅色的紅色發光層、會發出綠色的綠色發光層或者會發出藍色的藍色發光層。電子注入層13EIL的上層係形成陰極13C。此外，陰極13C會越過分隔壁13B而在和其他子像素10sp之間一體地形成。亦即，陰極13C係會由其他子像素10sp所一起共有。陰極13C係藉由例如鎂與銀的合金來被加以形成。

若對陽極13A與陰極13C之間施予電壓，則電子會從陰極13C被注入至電子注入層13EIL，且電洞會從陽極13A被注入至電洞注入層13HIL。被注入至電子注入層13EIL的電子會藉由電子輸送層13ETL被輸送至發光層13EML。另外，被注入至電洞注入層13HIL的電洞則會藉由電洞輸送層13HTL被輸送至發光層13EML。

被輸送至發光層13EML的電洞與電子會在發光層13EL再次耦合。若電洞與電子再次耦合，則發光層13EML的發光材料會被激發而使發光層13EML發光。

此外，本實施形態中，雖然有機EL發光二極體13係具備電洞注入層13HIL、電洞輸送層13HTL、發光層13EML、電子輸送層13ETL及電子注入層13EIL，但只要至少具備發光層13EML即可。例如，也可以省略電洞注入層13HIL、電洞輸送層13HTL、電子輸送層13ETL及電子注入層13EIL的一部分或全部。

另外，電洞注入層13HIL、電洞輸送層13HTL、電子輸送層13ETL及電子注入層13EIL也可以分別在和其他子像素10sp之間所一起共有。本實施形態中，如後述，電子輸送層13ETL及電子注入層13EIL係與陰極13C相同地會由其他子像素10sp所一起共有。

＜有機EL面板之製造方法＞說明有機EL面板之製造方法。圖5及圖6係說明本實施形態之有機EL面板的製造方法之流程圖。另外，圖7至圖33係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖。此外，說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖的剖面圖會藉由上部的箭頭來表示該剖面是圖2中A-A剖面、B-B剖面、C-C剖面的哪一個剖面。

(步驟S10) 首先，說明準備形成有電路層之基板的工序。

準備玻璃基板100與絕緣基板110。玻璃基板100係在製造有機EL面板10時用來防止絕緣基板110變形的基板。

絕緣基板110係支撐有機EL面板10之構成要素的基板。本實施形態之有機EL面板10會在具有可撓性之絕緣基板110上形成像素電路11。絕緣基板110係具有樹脂層110a、無機層110b、及樹脂層110c。樹脂層110a及樹脂層110c係藉由例如聚醯亞胺來被加以形成。無機層110b係藉由氮化矽(SiN)來被加以形成。絕緣基板110係具有可撓性。

絕緣基板110係被黏貼在玻璃基板100上(圖7)。此外，本實施形態中，雖然是使用玻璃基板100，但已確保以絕緣基板110來製造時的所需強度之情形，也可以不使用玻璃基板100。

此外，會有將貼合有玻璃基板100與絕緣基板110的基板稱為處理基板40之情形。處理基板40係會使玻璃基板100一側載置在會處理基板之處理裝置中所設置的台座。是以，處理基板40係會使圖7上側，亦即絕緣基板110一側藉由處理裝置來被加以處理。以下說明中，係以相對於玻璃基板100時絕緣基板110所在一側為上側來加以說明。

接著，絕緣基板110上面整面會形成緩衝層120。緩衝層120係用於防止水分或氧等從絕緣基板110滲入之層。緩衝層120係藉由例如氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)及氮氧化矽(SiON)之任一者或該等的組合來被加以形成。

接著，會使半導體膜沉積在緩衝層120的上面整面。接著，藉由使沉積後的半導體膜圖案化來形成半導體層121,122,123及124等。半導體層121,122,123及124會構成薄膜電晶體的半導體層。半導體層121,122,123及124係藉由例如非晶矽、多晶矽或氧化物半導體等來被加以形成。

作為多晶矽可以使用例如低溫多晶矽(LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon))等。

另外，作為氧化物半導體，可使用例如含有銦、鎵及鋅的氧化銦鎵鋅(IGZO(InGaZnO))、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦錫(ITO)或者氧化銦(InO)等。

形成有半導體層121,122,123及124等之後，會使絕緣膜130a沉積在處理基板40的上面整面。絕緣膜130a係藉由例如氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)及氮氧化矽(SiON)之任一者或該等的組合來被加以形成。

接著，會使金屬膜沉積在絕緣膜130a的上面整面。藉由使沉積後的金屬膜圖案化來形成電極131a至電極137a等。

電極131a、電極133a、電極135a及電極137a係分別會成為薄膜電晶體的閘極。電極132a、電極134a及電極136a則會成為保持電容的一側電極。此外，絕緣膜130a會作為電晶體的閘極絕緣膜及保持電容的介電體層來發揮作用。

接著，形成有電極131a至電極137a等之後，會使絕緣膜130b沉積在處理基板40的上面整面。絕緣膜130b係藉由例如氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)及氮氧化矽(SiON)之任一者或該等的組合來被加以形成。

藉由使金屬膜圖案化來將電極131b、電極132b及電極133b等形成在絕緣膜130b上。

形成有電極131b、電極132b及電極133b等之後，會使絕緣膜130c沉積在處理基板40的上面整面。絕緣膜130c係藉由氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)及氮氧化矽(SiON)之任一者或該等的組合來被加以形成。

會有將藉由上述處理所形成而形成有半導體層121,122,123及124等、電極131a至電極137a等、電極131b、電極132b及電極133b等的絕緣膜130a,130b及130c稱為電路層55的情形。會將形成有電路層55的處理基板40稱為基板50(圖8)。

(步驟S20) 首先，說明形成堤部的工序。

基板50之絕緣膜130c的上面整面會形成光阻膜。藉由使所形成的光阻膜圖案化來形成光阻141及光阻142。會有將光阻141及光阻142稱為堤部的情形。

圖9及圖10係顯示形成有光阻141及光阻142的基板50。圖10係光阻141及光阻142周邊的俯視圖。

光阻141在俯視時係大致圓形。光阻141遠離絕緣基板110一側之面的上面141A相較於絕緣基板110一側之面的下面141B係會使面積較小。是以，光阻141之側面141C相對於與絕緣基板110之面垂直的方向便會往光阻141內側傾斜。

光阻142在俯視時係呈圍繞光阻141的環狀。光阻142遠離絕緣基板110一側之面的上面142A相較於絕緣基板110一側之面的下面142B係會使面積較小。是以，光阻142之側面142C相對於與絕緣基板110之面垂直的方向便會往光阻141的相反一側傾斜。光阻142之側面142D相對於與絕緣基板110之面垂直的方向則會往光阻141一側傾斜。

(步驟S30) 首先，說明形成無機膜的工序。

形成有光阻141及光阻142的基板50上會形成無機膜150(圖11)。

無機膜150係例如氮化矽(SiN)。無機膜150係藉由例如低溫CVD(Chemical Vapor Deposition)法來被加以形成。藉由以低溫CVD法來形成，便可防止光阻141及光阻142因熱而受損。換句話說，會以光阻141及光阻142不會因熱受損的溫度而藉由CVD法來形成無機膜150。

(步驟S40) 接著，說明將堤部之頂部的無機膜去除之工序。

將光阻141的上面141A及光阻142的上面142A上所形成的無機膜150加以去除(圖12)。亦即，將光阻141及光阻142之頂部的無機膜150加以去除。具體來說，係使光阻成膜在無機膜150的上面整面。接著，會使所成膜出的光阻圖案化來使光阻141的上面141A及光阻142的上面142A之部分露出。接著，會藉由蝕刻來將從光阻露出之光阻141的上面141A及光阻142的上面142A之部分的無機膜150加以去除。

光阻141的側面141C會形成藉由無機膜150的一部分來被形成而傾斜的隔斷部151。另外，光阻142的側面142C會形成藉由無機膜150的一部分來被形成而傾斜的隔斷部152。再者，光阻142的側面142D則會形成藉由無機膜150的一部分來被形成而傾斜的隔斷部153。

(步驟S50) 接著，說明將堤部去除的工序。

將光阻141及光阻142加以去除。圖13係將光阻141及光阻142去除後的剖面圖。圖14係將光阻141及光阻142去除後的俯視圖。將光阻141及光阻142藉由溶劑來加以去除(剝離)。藉由將光阻141及光阻142去除，隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153便會自行豎立地被加以形成。

此外，光阻141及光阻142係第1有機膜的一例。無機膜150係第1無機膜的一例。另外，隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153則分別係傾斜隔斷部的一例。

(步驟S60) 接著，說明形成像素電極與發光層的工序。

在形成有無機膜150的基板50上會形成將半導體層等要素連接的配線、通孔等。接著，形成有配線、通孔等的基板50會形成有機絕緣膜160a及有機絕緣膜160b。有機絕緣膜160a及有機絕緣膜160b係形成在隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153所形成區域以外的基板50整面上。在形成有機絕緣膜160a及有機絕緣膜160b時，會在有機絕緣膜160a及有機絕緣膜160b之間形成配線、通孔等。

接著，藉由使有機絕緣膜形成在整面後而圖案化，來將分隔壁部161c至165c形成在有機絕緣膜160b上。分隔壁部161c至分隔壁部165c會劃分出各像素的區域。另外，有機絕緣膜160b上會形成阻擋部168c及阻擋部169c。此外，分隔壁部161c至分隔壁部165c係相當於圖4的分隔壁13B。

接著，分隔壁部161c及分隔壁部162c所圍繞的區域(區劃)會形成像素電極171。另外，分隔壁部163c及分隔壁部164c所圍繞的區域會形成像素電極172。再者，分隔壁部164c及分隔壁部165c所圍繞的區域則會形成像素電極173。像素電極171、像素電極172及像素電極173係藉由例如氧化銦錫(ITO(Indium Tin Oxide))來被加以形成。

另外，雖然未圖示，但在像素電極171、像素電極172及像素電極173上會分別形成電洞注入層13HIL、電洞輸送層13HTL及發光層13EML。藉由形成電洞注入層13HIL、電洞輸送層13HTL及發光層13EML來形成各子像素的發光部。

以上述方式來將像素電極與發光部形成在各子像素(圖15)。

(步驟S70) 接著，說明形成共通電極的工序。

在形成有分隔壁部、阻擋部的基板50上會形成共通電極180(圖16)。此外，本實施形態中，在形成共通電極180，亦即陰極13C時會同時形成電子輸送層13ETL及電子注入層13EIL。

在形成共通電極180時，會在形成有分隔壁部、阻擋部的基板50之上部配置遮罩60。接著，從遮罩60上藉由蒸鍍來將共通電極180形成在該基板50。亦即，共通電極180係藉由蒸鍍法來被加以形成。共通電極180係藉由鎂與銀的合金來被加以形成。

(步驟S80) 接著，說明形成無機密封膜的工序。

形成有共通電極180的基板50上面整面會形成無機密封膜190(圖17)。無機密封膜190係藉由例如氮化矽(SiN)來被加以形成。亦即，無機密封膜190係氮化矽膜。無機密封膜190的厚度係例如為1μm。

無機密封膜190係藉由不使用遮罩的無遮罩CVD法而在形成有共通電極180之基板50上面整面被加以形成。藉由不使用遮罩，便可抑制產生異物等而提昇良率。另外，由於不需要替換遮罩等，故能夠縮短形成無機密封膜190所需的時間。

另外，無機密封膜190也可以藉由無氫CVD法，亦即以處理氣體中不會含氫之方式來形成膜的CVD法來加以形成。無氫CVD法係藉由含有鹵化矽氣體及含氮原子氣體而不含氫原子的處理氣體來進行成膜。鹵化矽氣體係例如四氯化矽(SiCl ₄)氣體、四氟化矽(SiF ₄)氣體等。例如，作為鹵化矽氣體也能夠以四氯化矽氣體及四氟化矽氣體的一者或兩者來加以構成。

藉由使用無氫CVD法，便可在半導體層係使用會含有銦、鎵及鋅的氧化銦鎵鋅(IGZO(InGaZnO))的情形，防止氫所致之半導體層的劣化。

藉由形成無機密封膜190來以無機密封膜190密封步驟S70所形成的共通電極180。

(步驟S90) 接著，說明形成有機密封膜的工序。

形成有無機密封膜190的基板50上部會形成有機密封膜200(圖18)。有機密封膜200係藉由以濕式成膜法，例如液滴噴出裝置即所謂噴墨裝置來將材料塗布在阻擋部168c及阻擋部169c之間，並使該材料硬化來加以形成。亦即，有機密封膜200係藉由噴墨法來被加以形成。有機密封膜200係藉由例如丙烯酸來被加以形成。有機密封膜200的厚度係例如為8μm至10μm。

藉由液滴噴出裝置即所謂噴墨裝置來形成有機密封膜200後，阻擋部168c及阻擋部169c附近之有機密封膜200的端部便會具有傾斜。從有機密封膜200的末端朝向內側400μm左右的部分會傾斜。另外，傾斜角度則為大約1度。

本實施形態之有機EL面板10的製造方法中，覆蓋會構成顯示畫面之多個發光元件全部的發光區域EA係以有機密封膜200會成為平坦之方式來形成有機密封膜200。有機密封膜200係具有會覆蓋構成顯示畫面之多個發光元件全部的平坦部201。

另外，有機密封膜200係會使周邊區域SA具有連接於平坦部201的周緣部分之傾斜部202。再者，本實施形態之有機EL面板10的製造方法中，形成有隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153的貫通孔形成區域HA也會形成有機密封膜200。

接著，形成有有機密封膜200的基板50之有機密封膜200上會形成無機密封膜210(圖19)。無機密封膜210係藉由例如氮化矽(SiN)來被加以形成。亦即，無機密封膜210係氮化矽膜。無機密封膜210也可以藉由無氫CVD法來加以形成。

(步驟S100) 接著，說明將有機密封膜之一部分去除的工序。

使光阻成膜在形成有無機密封膜210之基板50的無機密封膜210上面整面。藉由使所形成的光阻圖案化來形成光阻221所致之遮罩層(圖20)。光阻221係形成在基板的發光區域EA。

接著，對形成有光阻221的基板50來去除從光阻221所露出之有機密封膜200及無機密封膜210(圖21)。

從光阻221所露出之有機密封膜200及無機密封膜210中，有機密封膜200及無機密封膜210被去除的部分係會使無機密封膜190露出。

接著，對有機密封膜200及無機密封膜210被去除的基板50來去除光阻221(圖22)。光阻221係藉由例如進行灰化來被加以去除。

(步驟S110) 接著，說明形成無機密封膜的工序。

光阻221被去除的基板50上面整面會形成無機密封膜230(圖23)。無機密封膜230係藉由例如氮化矽(SiN)來被加以形成。亦即，無機密封膜230係氮化矽膜。藉由無機密封膜230便能夠以無機密封膜230來密封步驟S100中所露出之有機密封膜200的側面。藉由以無機密封膜230來密封，便能夠防止有機密封膜200的吸濕等所致之劣化。無機密封膜230也可以藉由無氫CVD法來加以形成。無機密封膜230的厚度係例如為1μm。

另外，在周邊區域SA及貫通孔形成區域HA中能夠使無機密封膜190與無機密封膜230直接緊貼地來加以接合。藉由使無機密封膜190與無機密封膜230接合，便能夠強固地密封有機密封膜200。

無機密封膜230係藉由不使用遮罩的無遮罩CVD法來形成在基板50上面整面。另外，無機密封膜190也可以藉由無氫CVD法來加以形成。

此外，會有將無機密封膜190、有機密封膜200、無機密封膜210及無機密封膜230統稱為薄膜密封膜(TFE(Thin Film Encapsulation))的情形。

此外，無機密封膜190係第2無機膜的一例，無機密封膜230係第3無機膜的一例，有機密封膜200則係第2有機膜或有機膜層的一例。無機密封膜190及無機密封膜230係2層之氮化矽膜的一例。

(步驟S120) 接著，說明形成平坦化膜的工序。

針對形成有無機密封膜230的基板50，會在形成有隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153的區域形成保護膜241(圖24)。保護膜241係藉由例如丙烯酸樹脂來被加以形成。保護膜241係藉由填充在形成有隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153的區域之凹陷部分，便可藉由保護膜241來填埋隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153。隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153係藉由保護膜241來被加以保護，便可防止在以後的處理中受損。此外，保護膜241係第3有機膜的一例。

(步驟S130) 接著，說明觸控螢幕面板之功能相關的部分。本實施形態之觸控螢幕面板係所謂的On-Cell觸控面板。

形成有保護膜241的基板50上面整面會形成導電膜。接著，藉由使該導電膜圖案化來形成多個電極251(圖25)。接著，形成有電極251的基板上會形成絕緣膜260(圖26)。接著，將基板50端部上所形成的絕緣膜260加以去除。此時，也會將端子部10T上所形成的絕緣膜260加以去除。另外，藉由使會覆蓋形成有像素之部分的絕緣膜260圖案化來形成絕緣膜261，且形成通孔262至268等(圖27)。接著，藉由在基板50的上面整面形成導電膜270(圖28)並使其圖案化來形成觸控螢幕面板用的電極271及電極272、及用於與外部機器連接的端子273(圖29)。

圖30係觸控螢幕面板用的電極之上面。電極271係俯視時會使邊往圖30的傾斜45度方向延伸之矩形。另外，電極271係會在圖30的縱向及橫向上排列設置。縱向排列的電極271係會使一個電極271的角部分與另一個電極271的角部分藉由電極251來被加以連接。

電極272係俯視時會使邊往圖30的傾斜45度方向延伸之矩形。另外，電極272係會在圖30的縱向及橫向上排列設置在電極271之間。橫向排列的電極272係會使一個電極272的角部分與另一個電極272的角部分被加以連接。此外，每一個電極271及每一個電極272係形成為網眼狀。

接著，形成有觸控螢幕面板用電極的基板50上會藉由圖案化來形成披覆層281(圖31)。

(步驟S140) 接著，說明形成貫通孔的工序。

形成有披覆層281的基板50會形成貫通孔50h(圖32)。貫通孔50h係藉由雷射切割來從基板50表面被貫通形成至內面。以會圍繞貫通孔50h之方式來形成隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153。此外，貫通孔50h與貫通孔10h係相同的，貫通孔50h係顯示出從側面觀看的狀態，貫通孔10h則係顯示出從上面觀看的狀態。

(步驟S150) 最後，將玻璃基板100從絕緣基板110來加以剝離(圖33)。藉由以上工序來製作出有機EL面板10。

＜作用效果＞本實施形態之有機EL面板10會在顯示區域10DA中具備貫通孔10h。另外，以會圍繞貫通孔10h(貫通孔50h)之方式來具有隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153。隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153係傾斜設置。藉由具有隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153，在形成有貫通孔50h時也能夠藉由無機密封膜190而以高度可靠性來將共通電極180加以密封。

使用圖34來說明本實施形態之有機EL面板10的效果。圖34係說明本實施形態相關之有機EL面板10的密封構造之圖。此外，無機密封膜230係予以省略。

所蒸鍍出之共通電極180係以無機密封膜190來被加以密封。本實施形態之有機EL面板10係會使隔斷部155斜向傾斜地來被加以形成。藉由使隔斷部155斜向傾斜地來被加以形成，共通電極180便會藉由隔斷部155來被加以斷線。

使無機密封膜190成膜的材料會從隔斷部155上側來滲入。滲入後而使無機密封膜190成膜的材料會附著在隔斷部155未形成有共通電極180之一個面155A。接著，無機密封膜190會緊貼形成在面155A。是以，便能夠以無機密封膜190及無機膜150來夾住共通電極180斷線的端部而加以密封。此外，共通電極180係陰極層的一例。

藉由形成貫通孔50h來使各層的剖面曝露於大氣中。若大氣中的水分從剖面滲入而到達共通電極180，則水分雖然會有可能沿著共通電極180來滲入至元件內部，但藉由以無機密封膜190及無機膜150來密封共通電極180的端部，便能夠防止水分到達共通電極180。藉由防止水分到達共通電極180，便可防止共通電極180，進而是會與該共通電極180相連的有機EL發光二極體13劣化。

使用圖35來說明比較例的有機EL面板。圖35係說明比較例之有機EL面板的密封構造之圖。

比較例之有機EL面板係具有懸突構造的有機EL面板。比較例之有機EL面板係藉由將樹脂層110cx相較於緩衝層120x更廣地去除來形成懸突構造。以無機密封膜190來密封共通電極180x。由於圖35之區域D的部分相對於形成無機密封膜190的材料滲入至樹脂層110cx的方向係呈反向，因此會難以充分地緊貼附著。是以，大氣中的水分從區域D的部分滲入之可能性會變高。

另一方面，本實施形態之有機EL面板10係藉由具有隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153，便能夠緊貼地來將共通電極180加以密封。再者，藉由以會圍繞貫通孔10h(貫通孔50h)之方式來同心圓狀地具有隔斷部151、隔斷部152及隔斷部153，便能夠更確實地來將共通電極180加以密封。

應認為本次所揭露的本實施形態相關之有機EL面板在所有方面皆為範例而非用來加以限制。上述實施形態在不脫離申請專利範圍及其要旨的範圍內也能以各種形態來加以變形及改良。上述多個實施形態所記載的事項在不會矛盾的範圍內也能夠採用其他構成，且在不會矛盾的範圍內能夠加以組合。

1:有機EL顯示器 10:有機EL面板 10DA:顯示區域 10h:貫通孔 50h:貫通孔 55:電路層 150:無機膜 151,152,153,155:隔斷部 190:無機密封膜 200:有機密封膜 210:無機密封膜

圖1係本實施形態相關之有機EL顯示器的前視圖。圖2係本實施形態相關之有機EL面板的前視圖。圖3係本實施形態相關之有機EL面板的電路方塊圖。圖4係本實施形態相關之有機EL面板的像素電路附近之剖面圖。圖5係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之工序的流程圖(其1)。圖6係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之工序的流程圖(其2)。圖7係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其1)。圖8係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其2)。圖9係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其3)。圖10係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其4)。圖11係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其5)。圖12係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其6)。圖13係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其7)。圖14係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其8)。圖15係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其9)。圖16係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其10)。圖17係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其11)。圖18係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其12)。圖19係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其13)。圖20係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其14)。圖21係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其15)。圖22係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其16)。圖23係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其17)。圖24係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其18)。圖25係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其19)。圖26係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其20)。圖27係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其21)。圖28係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其22)。圖29係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其23)。圖30係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其24)。圖31係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其25)。圖32係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其26)。圖33係說明本實施形態相關之有機EL面板的製造方法之圖(其27)。圖34係說明本實施形態相關之有機EL面板的密封構造之圖。圖35係說明比較例之有機EL面板的密封構造之圖。

130a,130b,130c:絕緣膜

150:無機膜

155:隔斷部

155A:面

180:共通電極

190:無機密封膜

Claims

一種有機EL面板之製造方法，係在顯示區域內具有貫通孔的有機EL面板之製造方法，具有： (a)準備形成有電路層之基板的工序； (b)藉由第1有機膜而在形成該貫通孔的貫通孔形成區域來形成側面會傾斜之堤部的工序； (c)遍及該基板之整面來使第1無機膜沉積的工序； (d)將覆蓋該堤部之頂部的該第1無機膜去除以使該第1有機膜露出的工序；以及 (e)將該第1有機膜去除以形成該第1無機膜所致之傾斜隔斷部的工序。
如申請專利範圍第1項之有機EL面板之製造方法，其進一步具有： (f)在形成多個發光元件的區域上，於該多個發光元件每一個之多個區域來形成像素電極與發光層的工序； (g)遍及該基板之整面而藉由蒸鍍法來形成共通電極的工序；以及 (h)遍及該基板之整面而藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法來形成第2無機膜的工序。
如申請專利範圍第2項之有機EL面板之製造方法，其進一步具有(i)從該基板之表面貫通內面來形成該貫通孔的工序。
如申請專利範圍第3項之有機EL面板之製造方法，其具有： (g1)在該(g)之後，遍及該基板之整面而在該第2無機膜上來形成第2有機膜的工序； (g2)將該貫通孔形成區域上之該第2有機膜去除的工序；以及 (g3)遍及該基板之整面而藉由CVD法來形成第3無機膜，且在該貫通孔形成區域上來使該第2無機膜與該第3無機膜直接緊貼的工序。
如申請專利範圍第4項之有機EL面板之製造方法，其具有(g4)在該(g3)之後，使第3有機膜沉積在該貫通孔形成區域來填埋多個該傾斜隔斷部以達成平坦化的工序。
一種有機EL面板，係在顯示區域內具有貫通孔；在該顯示區域內係具有會包含該貫通孔的貫通孔形成區域及會形成多個發光元件的區域；在該貫通孔與任一該發光元件之間係具備會圍繞該貫通孔而傾斜之環狀的傾斜隔斷部；構成該發光元件之陰極層會藉由該傾斜隔斷部而被斷線，且該陰極層的端部會藉由無機密封膜來被加以密封。
如申請專利範圍第6項之有機EL面板，其中該無機密封膜係由至少2層的氮化矽膜來構成，且在形成該發光元件的區域上會在該2層的氮化矽膜之間具有有機膜層。
如申請專利範圍第6或7項之有機EL面板，其中該貫通孔會構成攝影機孔。