KR20220049046A - Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto - Google Patents

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Abstract

수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물. 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도, 높은 반사율과 높은 차광성을 양립한 격벽을 형성하는 수지 조성물을 제공한다.A resin composition comprising a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum and palladium, a photoinitiator or a quinonediazide compound, and a solvent. The resin composition which forms the partition which made the high reflectance and high light-shielding property compatible also in the heating conditions of 250 degrees C or less is provided.

Description

수지 조성물, 차광막, 차광막의 제조 방법 및 격벽 구비 기판{RESIN COMPOSITION, LIGHT-BLOCKING FILM, METHOD FOR PRODUCING LIGHT-BLOCKING FILM, AND SUBSTRATE HAVING PARTITIONING WALL ATTACHED THERETO}A resin composition, a light-shielding film, a method for manufacturing a light-shielding film, and a substrate with barrier ribs TECHNICAL FIELD

본 발명은 수지 조성물과, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 차광막의 제조 방법, 및 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a light-shielding film formed of the resin composition, a method for manufacturing the light-shielding film, and a substrate with barrier ribs having a pattern-formed barrier rib.

화상 표시 장치의 일종인 액정 표시 장치는, 일반적으로 LED 등의 백색 광원과, 적색, 녹색 및 청색을 선택적으로 통과시키는 컬러 필터를 사용하여 컬러 표시를 행하고 있다. 그러나, 이러한 컬러 필터를 사용한 컬러 표시는 광 이용 효율이 나쁘고, 또한 색 재현성에 과제가 있었다.DESCRIPTION OF RELATED ART Generally, color display is performed using the liquid crystal display device which is a type of image display device using white light sources, such as LED, and the color filter which selectively passes red, green, and blue. However, color display using such a color filter has poor light utilization efficiency and has a problem in color reproducibility.

그래서, 광 이용 효율을 높게 한 컬러 표시 장치로서, 파장 변환용 형광체를 포함하는 파장 변환부와, 편광 분리 수단과 편광 변환 수단을 구비한 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 예를 들어, 청색 광원과, 액정 소자와, 청색광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 형광체, 청색광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 형광체, 및 청색광을 산란시키는 광산란층을 갖는 파장 변환부를 포함하는 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).Then, as a color display device with high light utilization efficiency, the color display device provided with the wavelength conversion part containing the fluorescent substance for wavelength conversion, and a polarization splitting means and a polarization conversion means is proposed (for example, patent document 1) reference). For example, a blue light source, a liquid crystal element, a phosphor that is excited by blue light to emit red fluorescence, a phosphor that is excited by blue light to emit green fluorescence, and a wavelength converter having a light scattering layer for scattering blue light. A color display device is proposed (for example, refer patent document 2).

그러나, 특허문헌 1, 2에 기재되는 바와 같은 색 변환 형광체를 포함하는 컬러 필터는, 형광이 모든 방향으로 발생하는 점에서, 광의 취출 효율이 낮고 휘도가 불충분하다. 특히, 4K, 8K로 일컬어지는 고정밀 표시 장치에 있어서는, 화소 사이즈가 작아지기 때문에, 휘도의 과제가 현저해지는 점에서 더 높은 휘도가 요구되고 있다.However, since the color filter containing the color conversion fluorescent substance as described in patent documents 1 and 2 generate|occur|produces fluorescence in all directions, the light extraction efficiency is low and the brightness|luminance is inadequate. In particular, in high-definition display devices called 4K and 8K, since the pixel size becomes small, the subject of luminance becomes remarkable, so that a higher luminance is calculated|required.

일본 특허 공개 제2000-131683호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2000-131683 일본 특허 공개 제2009-244383호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2009-244383 일본 특허 공개 제2000-347394호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2000-347394 일본 특허 공개 제2006-259421호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2006-259421

표시 장치의 휘도를 향상시키기 위해서는, 색 변환 형광체를 이격시키는 격벽의 반사율을 높게 하는 것이 유효하다. 또한, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생하지 않기 위해서는, 격벽의 차광성을 높게 할 필요가 있다. 이상으로부터 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽 재료가 요구되고 있다.In order to improve the luminance of the display device, it is effective to increase the reflectance of the barrier rib separating the color conversion phosphor. In addition, in order to prevent light mixing between adjacent pixels, it is necessary to increase the light-shielding property of the barrier ribs. As mentioned above, the barrier rib material which made high reflectance and light-shielding property compatible is calculated|required.

발명자들은 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 형성하기 위해, 우선, 고반사율의 백색 격벽 재료에 흑색 안료를 첨가한 재료를 사용하는 방법을 검토하였다. 그러나, 이 방법에서는 노광 시에 백색 안료와 흑색 안료에 의해 광이 흡수되어, 막의 저부까지 광이 도달하지 않아 패턴 가공성이 나쁘다고 하는 과제가 명확하게 되었다.The inventors first studied a method of using a material obtained by adding a black pigment to a white barrier rib material having a high reflectance to form a barrier rib having both high reflectance and light blocking properties. However, in this method, light is absorbed by a white pigment and a black pigment at the time of exposure, light does not reach the bottom of a film|membrane, and the subject that pattern workability is bad became clear.

한편, 특허문헌 3, 4에 기재되어 있는 바와 같이, 특정 금속 화합물을 첨가함으로써, 패턴 형성 후의 소성에 의해 흑색화하는 기술이 제안되어 있다. 그러나, 이들 흑색화 기술은 400℃ 이상의 소성이 필요하며, 250℃ 이하의 가열로는 차광성이 향상되지 않는다고 하는 과제가 있었다.On the other hand, as described in Patent Documents 3 and 4, a technique of blackening by baking after pattern formation is proposed by adding a specific metal compound. However, these blackening techniques required baking at 400 degreeC or more, and there existed a subject that light-shielding property did not improve by heating at 250 degrees C or less.

그래서, 본 발명은 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도, 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 형성 가능한 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, an object of this invention is to provide the resin composition which can form the partition which made the high reflectance and light-shielding property compatible also in heating conditions of 250 degrees C or less.

본 발명은 수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물이다.The present invention is a resin composition comprising a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum and palladium, a photoinitiator or a quinonediazide compound, and a solvent.

본 발명의 수지 조성물은 제막 후에 패턴 노광하는 공정 시에는 광을 통과시키지만, 노광한 막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열한 후에 차광성이 높아지기 때문에, 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도 높은 반사율과 높은 차광성을 갖는 미세 후막 격벽 패턴의 형성이 가능하다.Although the resin composition of the present invention allows light to pass in the process of pattern exposure after film formation, the light-shielding property increases after heating the exposed film to a temperature of 120° C. or more and 250° C. or less. Therefore, high reflectance even under heating conditions of 250° C. or less. It is possible to form a fine thick film barrier rib pattern with high light blocking properties.

도 1은 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 2는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 3은 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 4는 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 5는 저굴절률층 및 무기 보호층 II를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 6은 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 7은 컬러 필터와, 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 8은 컬러 필터와, 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 9는 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 10은 실시예에 있어서 혼색 평가에 사용한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows one aspect of the board|substrate with partitions of this invention which has a pattern-formed partition.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing one aspect of a substrate with barrier ribs of the present invention having a pattern-formed barrier rib and a pixel containing a color conversion luminescent material.
3 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a low refractive index layer.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer I.
Fig. 5 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer II.
6 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with partition walls of the present invention having a color filter.
7 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a color filter and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer.
Fig. 8 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a color filter and an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer.
Fig. 9 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a light-shielding barrier rib.
10 is a cross-sectional view showing the configuration of a display device used for color mixture evaluation in Examples.

이하, 본 발명에 관한 수지 조성물, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 차광막의 제조 방법, 및 격벽 구비 기판의 적합한 실시 형태를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 목적이나 용도에 따라 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, although the resin composition which concerns on this invention, the light-shielding film formed from the resin composition, the manufacturing method of a light-shielding film, and suitable embodiment of a board|substrate with a barrier rib are described concretely, this invention is not limited to the following embodiment, The objective and It can be changed and implemented in various ways depending on the use.

본 발명의 수지 조성물은 색 변환 형광체를 이격시키는 격벽을 형성하기 위한 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물(이하, 「유기 금속 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of this invention can be used suitably as a material for forming the partition which separates a color conversion phosphor. The resin composition of the present invention comprises a resin and an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum and palladium (hereinafter, sometimes referred to as "organometallic compound"); It is preferable to contain a photoinitiator or a quinonediazide compound, and a solvent.

수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 수지의 함유량은, 열처리에 있어서의 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 20중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 내광성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 수지의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 고형분이란, 수지 조성물에 포함되는 성분 중, 용매 등의 휘발성 성분을 제외한 전성분을 의미한다. 고형분의 양은, 수지 조성물을 가열하여 휘발성 성분을 증발시킨 잔분을 헤아림으로써 구할 수 있다.The resin has a function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. From a viewpoint of improving the crack resistance of the partition in heat processing, 10 weight% or more is preferable and, as for content of resin which occupies in solid content of a resin composition, 20 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving light resistance, 60 weight% or less is preferable and, as for content of resin which occupies in solid content of a resin composition, 50 weight% or less is more preferable. Here, solid content means all the components except volatile components, such as a solvent, among the components contained in a resin composition. The quantity of solid content can be calculated|required by counting the remainder which heated the resin composition and evaporated the volatile component.

수지로서는, 예를 들어 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조옥사졸 전구체, (메트)아크릴 폴리머 등을 들 수 있다. 여기서, (메트)아크릴 폴리머란, 메타크릴산에스테르 및/또는 아크릴산에스테르의 중합체를 의미한다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 투명성, 내열성 및 내광성이 우수한 점에서 폴리실록산이 바람직하다.As resin, polysiloxane, a polyimide, a polyimide precursor, polybenzoxazole, a polybenzoxazole precursor, a (meth)acrylic polymer etc. are mentioned, for example. Here, a (meth)acrylic polymer means the polymer of methacrylic acid ester and/or an acrylic acid ester. You may contain these 2 or more types. Among these, polysiloxane is preferable at the point excellent in transparency, heat resistance, and light resistance.

폴리실록산은 오르가노실란의 가수분해ㆍ탈수 축합물이다. 본 발명의 수지 조성물이 네가티브형 감광성을 갖는 경우, 폴리실록산은 적어도 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 추가로 다른 반복 단위를 포함해도 된다. 일반식 (2)로 표시되는 2관능 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 가열에 의한 폴리실록산의 과잉 열중합(축합)을 억제하고, 격벽의 크랙 내성을 향상시킬 수 있다. 폴리실록산에 있어서의 전체 반복 단위 중, 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 10 내지 80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 10몰% 이상 포함함으로써, 크랙 내성을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량은 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, 중합 시에 폴리실록산의 분자량을 충분히 높여 도포성을 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량은 70몰% 이하가 보다 바람직하다.Polysiloxane is a hydrolysis/dehydration condensate of organosilane. When the resin composition of this invention has negative photosensitivity, it is preferable that polysiloxane contains the repeating unit represented by following General formula (2) at least. In addition, you may include another repeating unit. By including the repeating unit derived from the bifunctional alkoxysilane compound represented by General formula (2), excessive thermal polymerization (condensation) of polysiloxane by heating can be suppressed and the crack resistance of a partition can be improved. It is preferable to contain 10-80 mol% of repeating units represented by General formula (2) in all the repeating units in polysiloxane. By including 10 mol% or more of the repeating unit represented by General formula (2), crack resistance can be improved more. 15 mol% or more is more preferable, and, as for content of the repeating unit represented by General formula (2), 20 mol% or more is still more preferable. On the other hand, by including 80 mol% or less of the repeating unit represented by the general formula (2), the molecular weight of the polysiloxane during polymerization can be sufficiently increased to improve the coating properties. As for content of the repeating unit represented by General formula (2), 70 mol% or less is more preferable.

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 일반식 (2) 중, R1 및 R2는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. R1 및 R2는 중합 시의 폴리실록산의 분자량 조정을 용이하게 하는 관점에서, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 및 탄소수 6 내지 12의 아릴기로부터 선택된 기가 바람직하다. 단, 알킬기 및 아릴기는, 그 수소의 적어도 일부가 라디칼 중합성기에 의해 치환되어 있어도 된다. 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 경화물 중에 있어서는, 라디칼 중합성기는 라디칼 중합되어 있어도 된다.In the said General formula (2), R< 1 > and R< 2 > may respectively be same or different, and represents a C1-C20 monovalent organic group. R 1 and R 2 are preferably a group selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and an aryl group having 6 to 12 carbon atoms from the viewpoint of facilitating adjustment of the molecular weight of the polysiloxane during polymerization. However, in an alkyl group and an aryl group, at least one part of the hydrogen may be substituted by the radically polymerizable group. In this case, in the hardened|cured material of the negative photosensitive resin composition, the radically polymerizable group may be radically polymerized.

본 발명의 수지 조성물이 네가티브형 감광성을 갖는 경우, 폴리실록산은 추가로 하기 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위로부터 선택된 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 일반식 (3) 또는 일반식 (4)로 표시되는, 불소 함유 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 폴리실록산의 굴절률을 저감하고, 후술하는 백색 안료를 함유하는 경우에, 백색 안료와의 굴절률차를 확대하여 계면 반사를 보다 향상시켜, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위 및 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위로부터 선택된 반복 단위를 폴리실록산 중에 합계 20 내지 80몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위를 합계 20몰% 이상 포함함으로써, 후술하는 백색 안료를 함유하는 경우에, 폴리실록산과 백색 안료의 계면 반사를 보다 향상시켜, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량은, 40몰% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위를 합계 80몰% 이하 포함함으로써, 폴리실록산의 과도한 소수화를 억제하고, 조성물 중의 다른 성분과의 상용성을 향상시키고, 해상도를 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량은 70몰% 이하가 보다 바람직하다. 추가로 다른 반복 단위를 포함해도 된다.When the resin composition of the present invention has negative photosensitivity, it is preferable that the polysiloxane further contains a repeating unit selected from a repeating unit represented by the following general formula (3) and a repeating unit represented by the following general formula (4). . The refractive index of polysiloxane is reduced by including the repeating unit derived from a fluorine-containing alkoxysilane compound represented by General formula (3) or General formula (4), When it contains the white pigment mentioned later, refractive index with a white pigment By expanding the difference, the interfacial reflection can be further improved, and the reflectance can be further improved. It is more preferable to contain in polysiloxane 20-80 mol% in total of the repeating unit selected from the repeating unit represented by General formula (3) and the repeating unit represented by General formula (4). By including 20 mol% or more in total of the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4), the interfacial reflection between the polysiloxane and the white pigment is further improved when a white pigment described later is contained. Thus, the reflectance can be further improved. As for the total content of the repeating unit represented by General formula (3) and the repeating unit represented by General formula (4), 40 mol% or more is more preferable. On the other hand, by including a total of 80 mol% or less of the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4), excessive hydrophobization of the polysiloxane is suppressed, and compatibility with other components in the composition is improved and improve the resolution. As for the total content of the repeating unit represented by General formula (3) and the repeating unit represented by General formula (4), 70 mol% or less is more preferable. In addition, you may include another repeating unit.

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 일반식 (3) 및 (4) 중, R3은 수소의 전부 또는 일부가 불소로 치환된, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아릴기 또는 아릴알킬기를 나타낸다. R4는 단결합, -O-, -CH2-CO-, -CO- 또는 -O-CO-를 나타낸다. R5는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. R3은 폴리실록산의 굴절률을 보다 저감시키는 관점에서, 수소의 전부 또는 일부가 불소로 치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하다. 또한, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광경화물 중에 있어서는 알케닐기는 라디칼 중합되어 있어도 된다.In the general formulas (3) and (4), R 3 represents an alkyl group, alkenyl group, aryl group or arylalkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine. R 4 represents a single bond, -O-, -CH 2 -CO-, -CO- or -O-CO-. R 5 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 3 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine from the viewpoint of further reducing the refractive index of polysiloxane. In addition, in the photocured material of the negative photosensitive resin composition, the alkenyl group may be radically superposed|polymerized.

상기 일반식 (2) 내지 (4)로 표시되는 반복 단위는, 각각 하기 일반식 (5) 내지 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물로부터 유래한다. 즉, 상기 일반식 (2) 내지 (4)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 폴리실록산은, 하기 일반식 (5) 내지 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물을 포함하는 알콕시실란 화합물을 가수분해 및 중축합함으로써 얻을 수 있다. 추가로 다른 알콕시실란 화합물을 사용해도 된다.The repeating units represented by the general formulas (2) to (4) are derived from the alkoxysilane compounds represented by the following general formulas (5) to (7), respectively. That is, the polysiloxane containing the repeating unit represented by the general formulas (2) to (4) is hydrolyzed and polycondensed by the alkoxysilane compound containing the alkoxysilane compound represented by the following general formulas (5) to (7). It can be obtained by summing Furthermore, you may use another alkoxysilane compound.

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 일반식 (5) 내지 (7) 중, R1 내지 R5는 각각 일반식 (2) 내지 (4)에 있어서의 R1 내지 R5와 동일한 기를 나타낸다. R6은 동일해도 되고 상이해도 되며, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타내고, 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하다.In the general formulas (5) to (7), R 1 to R 5 each represents the same group as R 1 to R 5 in the general formulas (2) to (4). R< 6 > may be same or different, and represents a C1-C20 monovalent organic group, and a C1-C6 alkyl group is preferable.

일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 에틸메틸디메톡시실란, 에틸메틸디메톡시실란, 메틸프로필디메톡시실란, 메틸프로필디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 시클로헥실메틸디메톡시실란, 시클로헥실메틸디에톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란, 알릴메틸디메톡시실란, 알릴메틸디에톡시실란, 스티릴메틸디메톡시실란, 스티릴메틸디에톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디에톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸에틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 3-디메틸메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-디메틸메톡시실릴프로피온산, 3-디메틸에톡시실릴프로피온산, 3-디메틸메톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 5-디메틸메톡시실릴발레르산, 5-디메틸에톡시실릴발레르산, 3-디메틸메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필프탈산 무수물, 4-디메틸메톡시실릴부티르산, 4-디메틸에톡시실릴부티르산 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by the general formula (5) include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, ethylmethyldimethoxysilane, ethylmethyldimethoxysilane, methylpropyldimethoxysilane, methylpropyldiethoxysilane, Diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, cyclohexylmethyldiethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, allylmethyldimethoxysilane, allylmethyldiethoxysilane, Styrylmethyldimethoxysilane, styrylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloylpropylmethyldiethoxysilane, γ-acryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ -Acryloylpropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethylmethyldimethoxysilane, 2 -(3,4-epoxycyclohexyl)ethylethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, 3-dimethylmethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3- Dimethylmethoxysilylpropionic acid, 3-dimethylethoxysilylpropionic acid, 3-dimethylmethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride, 5-dimethylmethoxysilyl Valeric acid, 5-dimethylethoxysilylvaleric acid, 3-dimethylmethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylmethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylphthalic anhydride Anhydride, 4-dimethylmethoxysilylbutyric acid, 4-dimethylethoxysilylbutyric acid, etc. are mentioned. You may use these 2 or more types.

일반식 (6)으로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 퍼플루오로펜틸트리메톡시실란, 퍼플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸트리이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by the general formula (6) include trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, perfluoropentyltrimethoxysilane, and perfluoropentyltriethoxy. Silane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, tridecafluorooctyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltripropoxysilane, tridecafluorooctyltriisopropoxysilane, heptadecafluorodecyl Trimethoxysilane, heptadecafluorodecyltriethoxysilane, etc. are mentioned. You may use these 2 or more types.

일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는 비스(트리플루오로메틸)디메톡시실란, 비스(트리플루오로프로필)디메톡시실란, 비스(트리플루오로프로필)디에톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. Examples of the alkoxysilane compound represented by the general formula (7) include bis(trifluoromethyl)dimethoxysilane, bis(trifluoropropyl)dimethoxysilane, bis(trifluoropropyl)diethoxysilane, and trifluoropropylmethyl. Dimethoxysilane, trifluoropropylmethyldiethoxysilane, trifluoropropylethyldimethoxysilane, trifluoropropylethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldimethoxysilane, etc. are mentioned. You may use these 2 or more types.

그 밖의 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 등의 3관능 알콕시실란 화합물; 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 실리케이트 51(테트라에톡시실란 올리고머) 등의 4관능 알콕시실란 화합물; 트리메틸메톡시실란, 트리페닐메톡시실란 등의 단관능 알콕시실란 화합물; 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-에틸-3-{[3-(트리메톡시실릴)프로폭시]메틸}옥세탄, 3-에틸-3-{[3-(트리에톡시실릴)프로폭시]메틸}옥세탄 등의 에폭시기 또는 옥세탄기 함유 알콕시실란 화합물: 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 1-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 톨릴트리메톡시실란, 톨릴트리에톡시실란, 1-페닐에틸트리메톡시실란, 1-페닐에틸트리에톡시실란, 2-페닐에틸트리메톡시실란, 2-페닐에틸트리에톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필프탈산 무수물 등의 방향환 함유 알콕시실란 화합물; 스티릴트리메톡시실란, 스티릴트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리에톡시실란 등의 라디칼 중합성기 함유 알콕시실란 화합물; 3-트리메톡시실릴프로피온산, 3-트리에톡시실릴프로피온산, 4-트리메톡시실릴부티르산, 4-트리에톡시실릴부티르산, 5-트리메톡시실릴발레르산, 5-트리에톡시실릴발레르산, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리에톡시시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필프탈산 무수물 등의 카르복실기 함유 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다.As another alkoxysilane compound, For example, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, isobutyl trime Toxysilane, isobutyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, trifunctional alkoxysilane compounds such as 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane and 3-ureidopropyltriethoxysilane; tetrafunctional alkoxysilane compounds such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and silicate 51 (tetraethoxysilane oligomer); monofunctional alkoxysilane compounds such as trimethylmethoxysilane and triphenylmethoxysilane; 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl) Ethyltriethoxysilane, 3-ethyl-3-{[3-(trimethoxysilyl)propoxy]methyl}oxetane, 3-ethyl-3-{[3-(triethoxysilyl)propoxy]methyl } Epoxy group or oxetane group-containing alkoxysilane compounds such as oxetane: phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 1-naphthyltrimethoxysilane, 2-naphthyltrimethoxysilane, 2-naphthyltrimethoxysilane , 2-naphthyltrimethoxysilane, tolyltrimethoxysilane, tolyltriethoxysilane, 1-phenylethyltrimethoxysilane, 1-phenylethyltriethoxysilane, 2-phenylethyltrimethoxysilane, 2- aromatic ring-containing alkoxysilane compounds such as phenylethyltriethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride, and 3-triethoxysilylpropylphthalic anhydride; Styryltrimethoxysilane, styryltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, γ-acryloylpropyltrimethoxysilane, γ - radically polymerizable group containing alkoxysilane compounds, such as acryloylpropyltriethoxysilane, (gamma)-methacryloylpropyltrimethoxysilane, and (gamma)-methacryloylpropyltriethoxysilane; 3-trimethoxysilylpropionic acid, 3-triethoxysilylpropionic acid, 4-trimethoxysilylbutyric acid, 4-triethoxysilylbutyric acid, 5-trimethoxysilylvaleric acid, 5-triethoxysilylvaleric acid, 3-trimethoxysilylpropyl succinic anhydride, 3-triethoxysilylpropyl succinic anhydride, 3-trimethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride, 3-triethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride and carboxyl group-containing alkoxysilane compounds such as , 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride and 3-triethoxysilylpropylphthalic anhydride.

폴리실록산의 원료가 되는 알콕시실란 화합물 중에 있어서의, 일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 함유량은, 폴리실록산의 전체 반복 단위 중의 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량을 전술한 범위로 하는 관점에서, 10몰% 이상이 바람직하고, 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 함유량은, 동일한 관점에서 80몰% 이하가 바람직하고, 70몰% 이하가 보다 바람직하다. 또한, 일반식 (6) 및 일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 합계 함유량에 대해서도, 일반식 (3) 및 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량을 전술한 범위로 하는 관점에서, 20몰% 이상이 바람직하고, 40몰% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 일반식 (6) 및 일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 합계 함유량은, 동일한 관점에서 80몰% 이하가 바람직하고, 70몰% 이하가 보다 바람직하다.The content of the alkoxysilane compound represented by the general formula (5) in the alkoxysilane compound used as the raw material of the polysiloxane is in the range described above with the content of the repeating unit represented by the general formula (2) in all the repeating units of the polysiloxane. From the viewpoint of On the other hand, 80 mol% or less is preferable from a similar viewpoint, and, as for content of the alkoxysilane compound represented by General formula (5), 70 mol% or less is more preferable. In addition, also with respect to the total content of the alkoxysilane compound represented by the general formulas (6) and (7), the total content of the repeating units represented by the general formulas (3) and (4) in the above-mentioned range From a viewpoint, 20 mol% or more is preferable, and 40 mol% or more is more preferable. On the other hand, 80 mol% or less is preferable from a similar viewpoint, and, as for total content of the alkoxysilane compound represented by General formula (6) and General formula (7), 70 mol% or less is more preferable.

폴리실록산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 도포성의 관점에서 1,000 이상이 바람직하고, 2,000 이상이 보다 바람직하다. 한편, 현상성의 관점에서 폴리실록산의 Mw는 50,000 이하가 바람직하고, 20,000 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 본 발명에 있어서의 폴리실록산의 Mw란, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산값을 말한다.From a viewpoint of applicability|paintability, 1,000 or more are preferable and, as for the weight average molecular weight (Mw) of polysiloxane, 2,000 or more are more preferable. On the other hand, 50,000 or less are preferable and, as for Mw of polysiloxane from a developable viewpoint, 20,000 or less are more preferable. Here, Mw of polysiloxane in this invention means the polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC).

폴리실록산은, 전술한 오르가노실란 화합물을 가수분해한 후, 해당 가수분해물을 용매의 존재 하 또는 무용매에서 탈수 축합 반응시킴으로써 얻을 수 있다.Polysiloxane can be obtained by hydrolyzing the above-mentioned organosilane compound, and then subjecting the hydrolyzate to a dehydration condensation reaction in the presence of a solvent or in the absence of a solvent.

가수분해에 있어서의 각종 조건은 반응 스케일, 반응 용기의 크기, 형상 등을 고려하여, 목적으로 하는 용도에 적합한 물성에 맞추어 설정할 수 있다. 각종 조건으로서는, 예를 들어 산 농도, 반응 온도, 반응 시간 등을 들 수 있다.Various conditions in the hydrolysis can be set according to physical properties suitable for the intended use in consideration of the reaction scale, the size and shape of the reaction vessel, and the like. As various conditions, an acid concentration, reaction temperature, reaction time etc. are mentioned, for example.

가수분해 반응에는 염산, 아세트산, 포름산, 질산, 옥살산, 염산, 황산, 인산, 폴리인산, 다가 카르복실산이나 그의 무수물, 이온 교환 수지 등의 산 촉매를 사용할 수 있다. 이들 중에서도 포름산, 아세트산 및 인산으로부터 선택된 산을 포함하는 산성 수용액이 바람직하다.For the hydrolysis reaction, an acid catalyst such as hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, nitric acid, oxalic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, polyhydric carboxylic acid or anhydride thereof, or an ion exchange resin can be used. Among these, an acidic aqueous solution containing an acid selected from formic acid, acetic acid and phosphoric acid is preferable.

가수분해 반응에 산 촉매를 사용하는 경우, 산 촉매의 첨가량은 가수분해를 보다 빠르게 진행시키는 관점에서, 가수분해 반응에 사용되는 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 0.05중량부 이상이 바람직하고, 0.1중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 가수분해 반응의 진행을 적절하게 조정하는 관점에서, 산 촉매의 첨가량은, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 20중량부 이하가 바람직하고, 10중량부 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 전체 알콕시실란 화합물량이란, 알콕시실란 화합물, 그의 가수분해물 및 그의 축합물 전부를 포함하는 양을 말한다. 이하 동일하게 한다.When an acid catalyst is used for the hydrolysis reaction, the amount of the acid catalyst added is preferably 0.05 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of all alkoxysilane compounds used in the hydrolysis reaction, from the viewpoint of making the hydrolysis proceed faster, and 0.1 A weight part or more is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of appropriately adjusting the progress of the hydrolysis reaction, the amount of the acid catalyst to be added is preferably 20 parts by weight or less, and more preferably 10 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of all alkoxysilane compounds. Here, the total amount of an alkoxysilane compound means the quantity containing all the alkoxysilane compound, its hydrolyzate, and its condensate. The same is applied below.

가수분해 반응은 용매 중에서 행할 수 있다. 용매는 수지 조성물의 안정성, 습윤성, 휘발성 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.The hydrolysis reaction can be carried out in a solvent. The solvent may be appropriately selected in consideration of stability, wettability, volatility, and the like of the resin composition.

가수분해 반응에 의해 용매가 생성되는 경우에는, 무용매에서 가수분해를 행하는 것도 가능하다. 수지 조성물에 사용하는 경우에는, 가수분해 반응 종료 후에, 추가로 용매를 첨가함으로써 수지 조성물을 적절한 농도로 조정하는 것도 바람직하다. 또한, 가수분해 후에 가열 및/또는 감압 하에 의해 생성 알코올 등의 전량 혹은 일부를 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가하는 것도 가능하다.When the solvent is produced by the hydrolysis reaction, it is also possible to perform the hydrolysis in the absence of a solvent. When using for a resin composition, it is also preferable to adjust a resin composition to an appropriate density|concentration by further adding a solvent after completion|finish of hydrolysis reaction. In addition, it is also possible to distill or remove all or part of the product alcohol or the like by heating and/or under reduced pressure after hydrolysis, and then adding a suitable solvent.

가수분해 반응에 용매를 사용하는 경우, 용매의 첨가량은, 겔의 생성을 억제하는 관점에서, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 50중량부 이상이 바람직하고, 80중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 용매의 첨가량은, 가수분해를 보다 빠르게 진행시키는 관점에서, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 500중량부 이하가 바람직하고, 200중량부 이하가 보다 바람직하다.When using a solvent for a hydrolysis reaction, 50 weight part or more is preferable with respect to 100 weight part of all alkoxysilane compounds from a viewpoint of suppressing the formation of a gel, and, as for the addition amount of a solvent, 80 weight part or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of advancing hydrolysis more quickly, 500 weight part or less is preferable with respect to 100 weight part of all alkoxysilane compounds, and, as for the addition amount of a solvent, 200 weight part or less is more preferable.

또한, 가수분해 반응에 사용하는 물로서는 이온 교환수가 바람직하다. 물의 양은 임의로 설정할 수 있지만, 전체 알콕시실란 화합물 1몰에 대하여 1.0 내지 4.0몰이 바람직하다.Moreover, as water used for a hydrolysis reaction, ion-exchange water is preferable. Although the amount of water can be set arbitrarily, 1.0-4.0 mol is preferable with respect to 1 mol of all alkoxysilane compounds.

탈수 축합 반응의 방법으로서는, 예를 들어 오르가노실란 화합물의 가수분해 반응에 의해 얻어진 실란올 화합물 용액을 그대로 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가열 온도는 50℃ 이상, 용매의 비점 이하가 바람직하고, 가열 시간은 1 내지 100시간이 바람직하다. 또한, 폴리실록산의 중합도를 높이기 위해 재가열 또는 염기 촉매의 첨가를 행해도 된다. 또한, 목적에 따라 탈수 축합 반응 후에, 생성 알코올 등의 적량을 가열 및/또는 감압 하에서 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가해도 된다.As a method of a dehydration condensation reaction, the method of heating the silanol compound solution obtained by the hydrolysis reaction of an organosilane compound as it is, etc. are mentioned, for example. The heating temperature is preferably 50°C or higher and the solvent boiling point or lower, and the heating time is preferably 1 to 100 hours. Moreover, in order to raise the polymerization degree of polysiloxane, you may perform reheating or addition of a base catalyst. In addition, according to the purpose, after the dehydration condensation reaction, an appropriate amount of the product alcohol or the like may be distilled out and removed under heating and/or reduced pressure, and then a suitable solvent may be added.

수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서, 가수분해, 탈수 축합 후의 실록산 수지 용액에는 상기 촉매가 포함되지 않는 것이 바람직하며, 필요에 따라 촉매의 제거를 행할 수 있다. 촉매 제거 방법으로서는, 조작의 간편함과 제거성의 관점에서, 물 세정, 이온 교환 수지에 의한 처리 등이 바람직하다. 물 세정이란, 폴리실록산 용액을 적당한 소수성 용매로 희석하고, 물로 수회 세정한 후, 얻어진 유기층을 증발기 등으로 농축하는 방법이다. 이온 교환 수지에 의한 처리란, 폴리실록산 용액을 적당한 이온 교환 수지에 접촉시키는 방법이다.It is preferable that the said catalyst is not contained in the siloxane resin solution after hydrolysis and dehydration condensation from a viewpoint of storage stability of a resin composition, and the catalyst can be removed as needed. As a catalyst removal method, water washing, treatment with an ion exchange resin, etc. are preferable from a viewpoint of simplification of operation and removability. Water washing is a method of diluting a polysiloxane solution with an appropriate hydrophobic solvent, washing with water several times, and then concentrating the obtained organic layer with an evaporator or the like. The treatment with an ion exchange resin is a method in which a polysiloxane solution is brought into contact with an appropriate ion exchange resin.

유기 금속 화합물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성 시에, 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서, 분해ㆍ응집함으로써 흑색 입자 또는 황색 입자가 되고, 후술하는 격벽(A-1)의 OD값을 향상시키는 기능을 갖는다. 노광 전에는 OD값이 낮고, 패턴 형성 후에 OD값이 상승하는 점에서, 노광 공정에 있어서는 노광한 광을 저부까지 충분히 투과시켜 광경화 또는 광분해시킬 수 있다. 예를 들어, 네가티브형 감광성을 갖는 수지 조성물의 경우, OD값이 높은 격벽(A-1)을 형성하기 위해, 미리 흑색 안료를 다량으로 함유하는 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부에 있어서의 광경화가 불충분해지기 쉽다. 그 결과, 얻어진 격벽(A-1)의 형상이 역테이퍼형이 되기 쉬운 경향이 있다. 전술한 유기 금속 화합물을 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부까지 충분히 광경화하는 점에서, 테이퍼 각도를 용이하게 후술의 바람직한 범위로 할 수 있다.The organometallic compound becomes black particles or yellow particles by decomposition and aggregation in the exposure step and/or heating step during pattern formation of the partition wall A-1 to be described later, and It has a function of improving an OD value. Since the OD value is low before exposure and the OD value rises after pattern formation, in the exposure step, the exposed light can be sufficiently transmitted to the bottom to be photocured or photodecomposed. For example, in the case of a resin composition having negative photosensitivity, in order to form a partition wall (A-1) having a high OD value, if a pattern is formed in advance using a resin composition containing a large amount of black pigment, The photocuring tends to be insufficient. As a result, the shape of the obtained partition wall A-1 tends to become an inverted taper type. When pattern formation is carried out using the resin composition of this invention containing the above-mentioned organometallic compound, since it fully photocures to a bottom part, a taper angle can be easily made into the preferable range mentioned later.

유기 금속 화합물로서는, 예를 들어 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물; 클로로(트리페닐포스핀)금, 테트라클로로금산 4수화물 등의 금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)백금, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금, 디클로로비스(벤조니트릴)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디벤질리덴아세톤팔라듐 등의 팔라듐을 함유하는 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the organometallic compound include organometallic compounds containing silver such as silver neodecanoate, silver octylate, and silver salicylate; organometallic compounds containing gold such as chloro(triphenylphosphine)gold and tetrachloroauric acid tetrahydrate; organometallic compounds containing platinum, such as bis(acetylacetonato)platinum, dichlorobis(triphenylphosphine)platinum, and dichlorobis(benzonitrile)platinum; Organometallic compounds containing palladium, such as bis(acetylacetonato)palladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium, dichlorobis(benzonitrile)palladium, tetrakis(triphenylphosphine)palladium, and dibenzylideneacetonepalladium and the like. You may contain these 2 or more types.

이들 중 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 흑색화하고, 그 후의 가열 공정에 있어서 추가로 분해ㆍ응집함으로써 황색화한다.Among these, when silver neodecanoate contains an organometallic compound containing silver such as silver octylate or silver salicylate, it becomes black by decomposition and agglomeration in the exposure step, and becomes yellow by further decomposition and agglomeration in the subsequent heating step. do.

한편, 비스(아세틸아세토나토)백금, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금, 디클로로비스(벤조니트릴)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디벤질리덴아세톤팔라듐 등의 팔라듐으로부터 선택된 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 흑색화한다.On the other hand, platinum-containing organometallic compounds such as bis(acetylacetonato)platinum, dichlorobis(triphenylphosphine)platinum, and dichlorobis(benzonitrile)platinum; an organometallic compound selected from palladium such as bis(acetylacetonato)palladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium, dichlorobis(benzonitrile)palladium, tetrakis(triphenylphosphine)palladium, and dibenzylideneacetonepalladium; When it contains, it will blacken by decomposing|disassembling and aggregating in an exposure process and/or a heating process.

이들 중에서도 OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐으로부터 선택된 유기 금속 화합물이 바람직하다.Among these, organic metals selected from bis(acetylacetonato)palladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium, dichlorobis(benzonitrile)palladium and tetrakis(triphenylphosphine)palladium from the viewpoint of further improving the OD value. compounds are preferred.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 고형분 중에서 차지하는 유기 금속 화합물의 함유량은 0.2 내지 5중량%가 바람직하다. 유기 금속 화합물의 함유량을 0.2중량% 이상으로 함으로써, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 유기 금속 화합물의 함유량은 1.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 유기 금속 화합물의 함유량을 5중량% 이하로 함으로써, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다.The resin composition of this invention WHEREIN: As for content of the organometallic compound which occupies in solid content, 0.2 to 5 weight% is preferable. By making content of an organometallic compound into 0.2 weight% or more, the OD value of the partition obtained can be improved more. As for content of an organometallic compound, 1.5 weight% or more is more preferable. On the other hand, when content of an organometallic compound shall be 5 weight% or less, a reflectance can be improved more.

본 발명의 수지 조성물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성에 사용되는 경우, 네가티브형 또는 포지티브형의 감광성을 갖는 것이 바람직하다. 네가티브형 감광성을 부여하는 경우에는 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하며, 고정밀의 패턴 형상의 격벽을 형성할 수 있다. 네가티브형 감광성 수지 조성물은, 추가로 광중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 한편, 포지티브형 감광성을 부여하는 경우에는 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.When the resin composition of this invention is used for pattern formation of the partition (A-1) mentioned later, it is preferable to have negative-type or positive-type photosensitivity. When providing negative photosensitivity, it is preferable to contain a photoinitiator, and a high-definition patterned partition can be formed. It is preferable that the negative photosensitive resin composition further contains a photopolymerizable compound. On the other hand, when providing positive photosensitivity, it is preferable to contain a quinonediazide compound.

광중합 개시제는 광(자외선, 전자선을 포함함)의 조사에 의해 분해 및/또는 반응하여, 라디칼을 발생시키는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 예를 들어, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등의 α-아미노알킬페논 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2,4,4-트리메틸펜틸)-포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1-페닐-1,2-부타디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질케탈 화합물; 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실-페닐케톤 등의 α-히드록시케톤 화합물; 벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-페닐벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 히드록시벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸-디페닐술파이드, 알킬화 벤조페논, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논 화합물; 2,2-디에톡시아세토페논, 2,3-디에톡시아세토페논, 4-t-부틸디클로로아세토페논, 벤잘아세토페논, 4-아지드벤잘아세토페논 등의 아세토페논 화합물; 2-페닐-2-옥시아세트산메틸 등의 방향족 케토에스테르 화합물; 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산(2-에틸)헥실, 4-디에틸아미노벤조산에틸, 2-벤조일벤조산메틸 등의 벤조산에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.The photoinitiator may be any as long as it decomposes and/or reacts with irradiation of light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate radicals. For example, 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholine α-aminoalkylphenone compounds such as -4-yl-phenyl)-butan-1-one and 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1; 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl) )-Acyl phosphine oxide compounds such as phosphine oxide; 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], 1-phenyl-1,2-butadione-2-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, ethanone-1- oxime ester compounds such as [9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime); benzyl ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4-(2-hydroxye ?-hydroxyketone compounds such as oxy)phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone and 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone; Benzophenone, 4,4-bis(dimethylamino)benzophenone, 4,4-bis(diethylamino)benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, hydroxy benzophenone compounds such as benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenylsulfide, alkylated benzophenone, and 3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone; acetophenone compounds such as 2,2-diethoxyacetophenone, 2,3-diethoxyacetophenone, 4-t-butyldichloroacetophenone, benzalacetophenone, and 4-azidebenzalacetophenone; aromatic keto ester compounds such as 2-phenyl-2-oxymethyl acetate; Benzoic acid ester compounds, such as 4-dimethylamino benzoate ethyl, 4-dimethylamino benzoic acid (2-ethyl) hexyl, 4-diethyl amino benzoate ethyl, and 2-benzoyl methyl benzoate, etc. are mentioned. You may contain these 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중 0.01중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 잔류한 광중합 개시제의 용출 등을 억제하고, 황변을 보다 향상시키는 관점에서, 광중합 개시제의 함유량은 고형분 중 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of advancing radical hardening effectively, 0.01 weight% or more is preferable in solid content, and, as for content of the photoinitiator in the resin composition of this invention, 1 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of suppressing the elution etc. of the remaining photoinitiator and improving yellowing more, 20 weight% or less is preferable in solid content, and, as for content of a photoinitiator, 10 weight% or less is more preferable.

본 발명에 있어서의 광중합성 화합물이란, 분자 중에 2개 이상의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 말한다. 라디칼 중합성의 용이성을 생각하면, 광중합성 화합물은 (메트)아크릴기를 갖는 것이 바람직하다.The photopolymerizable compound in this invention means the compound which has two or more ethylenically unsaturated double bonds in a molecule|numerator. Considering the easiness of radical polymerization, it is preferable that a photopolymerizable compound has a (meth)acryl group.

광중합성 화합물로서는, 예를 들어 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부탄디올디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 1,10-데칸디올디메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카아크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨운데카아크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨도데카아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타메타크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨운데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨도데카메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the photopolymerizable compound include diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, and tetraethylene glycol dimethacrylate. Krylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylic rate, neopentyl glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1 , 10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, Dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tripentaerythritol heptaacrylate, tripentaerythritol octaacrylate, tetrapentaerythritol nonaacrylate, tetrapentaerythritol decaacrylate, pentapenta Erythritol undecaacrylate, pentapentaerythritol dodecaacrylate, tripentaerythritol heptamethacrylate, tripentaerythritol octamethacrylate, tetrapentaerythritol nona methacrylate, tetrapentaerythritol decamethacrylate rate, pentapentaerythritol undecamethacrylate, pentapentaerythritol dodecamethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, and the like. You may contain these 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광중합성 화합물의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중 1중량% 이상이 바람직하다. 한편, 라디칼의 과잉 반응을 억제하고 해상도를 향상시키는 관점에서, 광중합성 화합물의 함유량은 고형분 중 40중량% 이하가 바람직하다.As for content of the photopolymerizable compound in the resin composition of this invention, 1 weight% or more is preferable in solid content from a viewpoint of advancing radical hardening effectively. On the other hand, as for content of a photopolymerizable compound from a viewpoint of suppressing the excessive reaction of radicals and improving resolution, 40 weight% or less in solid content is preferable.

퀴논디아지드 화합물로서는, 페놀성 수산기를 갖는 화합물에 나프토퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르로 결합한 화합물이 바람직하다. 여기서 사용되는 페놀성 수산기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 BIs-Z, TekP-4HBPA(테트라키스 P-DO-BPA), TrIsP-HAP, TrIsP-PA, BIsRS-2P, BIsRS-3P(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-F(이상, 상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), 4,4'-술포닐디페놀, BPFL(상품명, JFE 케미컬(주)제) 등을 들 수 있다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 이들 페놀성 수산기를 갖는 화합물에 4-나프토퀴논디아지드술폰산 또는 5-나프토퀴논디아지드술폰산을 에스테르 결합으로 도입한 것이 바람직하며, 예를 들어 THP-17, TDF-517(상품명, 도요 고세 고교(주)제), SBF-525(상품명, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈(주)제) 등을 들 수 있다.As a quinonediazide compound, the compound which the sulfonic acid of naphthoquinonediazide couple|bonded with the compound which has a phenolic hydroxyl group by ester is preferable. Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group used herein include BIs-Z, TekP-4HBPA (tetrakis P-DO-BPA), TrIsP-HAP, TrIsP-PA, BIsRS-2P, BIsRS-3P (above, trade names). , Honshu Chemical Co., Ltd.), BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-F (above, trade name, manufactured by Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd.), 4,4'-sulfonyldiphenol, BPFL ( A brand name, JFE Chemical Co., Ltd. product) etc. are mentioned. As a quinonediazide compound, what introduce|transduced 4-naphthoquinonediazidesulfonic acid or 5-naphthoquinonediazidesulfonic acid by ester bond to these compounds which have a phenolic hydroxyl group is preferable, for example, THP-17, TDF- 517 (trade name, Toyo Kosei Kogyo Co., Ltd. product), SBF-525 (trade name, AZ Electronic Materials Co., Ltd. product) etc. are mentioned.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 퀴논디아지드 화합물의 함유량은, 감도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중 0.5중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 퀴논디아지드 화합물의 함유량은, 해상도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중 25중량% 이하가 바람직하고, 20중량% 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of improving a sensitivity, 0.5 weight% or more is preferable in solid content, and, as for content of the quinonediazide compound in the resin composition of this invention, 1 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving a resolution, 25 weight% or less is preferable in solid content, and, as for content of a quinonediazide compound, 20 weight% or less is more preferable.

용매는, 수지 조성물의 점도를 도포에 적합한 범위로 조정하고, 격벽의 균일성을 향상시키는 기능을 갖는다. 용매로서는, 대기압 하의 비점이 150℃ 초과 250℃ 이하인 용매와, 150℃ 이하인 용매를 조합하는 것이 바람직하다.A solvent adjusts the viscosity of a resin composition to the range suitable for application|coating, and has a function which improves the uniformity of a partition. As a solvent, it is preferable to combine the solvent whose boiling point under atmospheric pressure is more than 150 degreeC and 250 degrees C or less, and the solvent which is 150 degrees C or less.

용매로서는, 예를 들어 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르류; 메틸에틸케톤, 아세틸아세톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디이소부틸케톤, 시클로펜타논 등의 케톤류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸 등의 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌, 헥산, 시클로헥산 등의 방향족 혹은 지방족 탄화수소, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 도포성의 관점에서, 대기압 하의 비점이 150℃ 초과 250℃ 이하인 용매로서 디아세톤알코올과, 150℃ 이하인 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 조합하는 것이 바람직하다.Examples of the solvent include alcohols such as ethanol, propanol, isopropanol, and diacetone alcohol; glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether; ketones such as methyl ethyl ketone, acetyl acetone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, and cyclopentanone; amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide; Ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate , acetates such as butyl lactate; Aromatic or aliphatic hydrocarbons, such as toluene, xylene, hexane, and cyclohexane, (gamma)-butyrolactone, N-methyl- 2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, etc. are mentioned. You may contain these 2 or more types. Among these, it is preferable to combine diacetone alcohol as a solvent whose boiling point under atmospheric pressure exceeds 150 degreeC and 250 degrees C or less from a viewpoint of applicability|paintability, and propylene glycol monomethyl ether as a solvent which is 150 degrees C or less.

용매의 함유량은 도포 방법 등에 따라 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어, 스핀 코팅에 의해 막 형성을 행하는 경우에는, 용매의 함유량은 수지 조성물 중 50중량% 이상 95중량% 이하로 하는 것이 일반적이다.The content of the solvent can be arbitrarily set according to the application method or the like. For example, when film-forming by spin coating, it is common to make content of a solvent into 50 weight% or more and 95 weight% or less in a resin composition.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 인 원자를 갖는 배위성 화합물(이하, 「배위성 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)을 함유하는 것이 바람직하다. 배위성 화합물은 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물에 배위하여, 유기 금속 화합물의 용매에 대한 용해성을 향상시켜 유기 금속 화합물의 분해를 촉진하고, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 배위성 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리-t-부틸포스핀, 트리메틸포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 테트라플루오로 붕산트리-t-부틸포스핀, 트리(2-푸릴)포스핀, 트리스(1-아다만틸)포스핀, 트리스(디에틸아미노)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(O-톨릴)포스핀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 배위성 화합물의 함유량은, 유기 금속 화합물에 대하여 0.5 내지 3.0몰 당량이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of this invention further contains the coordination compound (Hereinafter, it may describe as "coordination compound") which has a phosphorus atom. The coordination compound can coordinate with the organometallic compound in the resin composition, improve the solubility of the organometallic compound in a solvent, promote decomposition of the organometallic compound, and further improve the OD value of the obtained partition wall. Examples of the coordination compound include triphenylphosphine, tri-t-butylphosphine, trimethylphosphine, tricyclohexylphosphine, tri-t-butylphosphine tetrafluoroborate, and tri(2-furyl)phosphine. phine, tris(1-adamantyl)phosphine, tris(diethylamino)phosphine, tris(4-methoxyphenyl)phosphine, tris(O-tolyl)phosphine, and the like. You may contain these 2 or more types. As for content of the coordination compound in the resin composition of this invention, 0.5-3.0 molar equivalent is preferable with respect to an organometallic compound.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 백색 안료 및/또는 흑색 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 백색 안료는 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 흑색 안료는 OD값을 조정하는 기능을 갖는다.It is preferable that the resin composition of this invention contains a white pigment and/or a black pigment further. The white pigment has a function of further improving the reflectance of the barrier rib. The black pigment has a function of adjusting the OD value.

백색 안료로서는, 예를 들어 이산화티타늄, 산화지르코늄, 산화아연, 황산바륨, 이들의 복합 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 반사율이 높고 공업적 이용이 용이한 이산화티타늄이 바람직하다.As a white pigment, titanium dioxide, zirconium oxide, zinc oxide, barium sulfate, these complex compounds, etc. are mentioned, for example. You may contain these 2 or more types. Among these, titanium dioxide with high reflectance and easy industrial use is preferable.

이산화티타늄의 결정 구조는 아나타아제형, 루틸형 및 브루카이트형으로 분류된다. 이들 중에서도 광촉매 활성이 낮은 점에서 루틸형 산화티타늄이 바람직하다.The crystal structure of titanium dioxide is classified into anatase type, rutile type and brookite type. Among these, a rutile-type titanium oxide is preferable at the point with low photocatalytic activity.

백색 안료에는 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. Al, Si 및 Zr로부터 선택된 금속에 의한 표면 처리가 바람직하며, 형성한 격벽의 내광성 및 내열성을 향상시킬 수 있다.The white pigment may be surface-treated. Surface treatment with a metal selected from Al, Si and Zr is preferable, and the light resistance and heat resistance of the formed partition wall can be improved.

백색 안료의 메디안 직경은, 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 관점에서 100 내지 500nm가 바람직하다. 여기서, 백색 안료의 메디안 직경은 입도 분포 측정 장치(N4-PLUS; 베크만ㆍ콜터(주)제) 등을 사용하여 레이저 회절법에 의해 측정된 입도 분포로부터 산출할 수 있다.As for the median diameter of a white pigment, 100-500 nm is preferable from a viewpoint of improving the reflectance of a partition more. Here, the median diameter of the white pigment can be calculated from the particle size distribution measured by the laser diffraction method using a particle size distribution analyzer (N4-PLUS; manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd.) or the like.

백색 안료로서 바람직하게 사용되는 이산화티타늄 안료로서는, 예를 들어 R960; 듀퐁(주)제(루틸형, SiO2/Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 210nm), CR-97; 이시하라 산교(주)제(루틸형, Al2O3/ZrO2 처리, 평균 1차 입자경 250nm), JR-301; 테이카(주)제(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 300nm), JR-405; 테이카(주)제(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 210nm), JR-600A; 테이카(주)(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 250nm), JR-603; 테이카(주)(루틸형, Al2O3/ZrO2 처리, 평균 1차 입자경 280nm) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.As a titanium dioxide pigment preferably used as a white pigment, For example, R960; DuPont Co., Ltd. (rutile type, SiO 2 /Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter 210 nm), CR-97; Ishihara Sangyo Co., Ltd. product (rutile type, Al 2 O 3 /ZrO 2 treatment, average primary particle diameter of 250 nm), JR-301; Teika Co., Ltd. product (rutile type, Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter 300 nm), JR-405; Teika Co., Ltd. product (rutile type, Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter of 210 nm), JR-600A; Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter of 250 nm), JR-603; Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 /ZrO 2 treatment, average primary particle diameter of 280 nm), etc. are mentioned. You may contain these 2 or more types.

수지 조성물에 있어서의 백색 안료의 함유량은, 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 20중량% 이상이 바람직하고, 30중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 평활성을 향상시키는 관점에서, 백색 안료의 함유량은 고형분 중의 60중량% 이하가 바람직하고, 55중량% 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of improving a reflectance more, 20 weight% or more in solid content is preferable, and, as for content of the white pigment in a resin composition, 30 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving the surface smoothness of a partition, 60 weight% or less in solid content is preferable and, as for content of a white pigment, 55 weight% or less is more preferable.

흑색 안료로서는, 예를 들어 흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 흑색 무기 안료 등을 들 수 있다.As a black pigment, a black organic pigment, a mixed color organic pigment, a black inorganic pigment, etc. are mentioned, for example.

흑색 유기 안료로서는, 예를 들어 카본 블랙, 페릴렌 블랙, 아닐린 블랙, 벤조푸라논계 안료 등을 들 수 있다. 이들은 수지로 피복되어 있어도 된다.As a black organic pigment, carbon black, perylene black, aniline black, a benzofuranone type pigment etc. are mentioned, for example. These may be coat|covered with resin.

혼색 유기 안료로서는, 예를 들어 적, 청, 녹, 보라, 황색, 마젠타 및 시안 등으로부터 선택된 2종 이상의 안료를 혼합하여 의사 흑색화한 것을 들 수 있다. 이들 중에서도 적절하게 높은 OD값과 패턴 가공성을 양립하는 관점에서, 적색 안료와 청색 안료의 혼합 안료가 바람직하다. 혼합 안료에 있어서의 적색 안료와 청색 안료의 중량비는 20/80 내지 80/20이 바람직하고, 30/70 내지 70/30이 보다 바람직하다. 대표적인 안료의 구체예를 컬러 인덱스(CI) 넘버로 나타내면, 다음과 같은 것을 들 수 있다. 적색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 레드(이하 PR이라고 약칭함) 9, PR48, PR97, PR122, PR123, PR144, PR149, PR166, PR168, PR177, PR179, PR180, PR192, PR209, PR215, PR216, PR217, PR220, PR223, PR224, PR226, PR227, PR228, PR240, PR254 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 청색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 블루(이하 PB라고 약칭함) 15, PB15:3, PB15:4, PB15:6, PB22, PB60, PB64 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the mixed color organic pigment include those obtained by mixing two or more types of pigments selected from red, blue, green, purple, yellow, magenta, and cyan, and the like, followed by pseudo blackening. Among these, the mixed pigment of a red pigment and a blue pigment is preferable from a viewpoint of making compatible high OD value and pattern workability suitably among these. 20/80-80/20 are preferable and, as for the weight ratio of the red pigment and blue pigment in a mixed pigment, 30/70-70/30 are more preferable. If the specific example of a typical pigment is represented by a color index (CI) number, the following will be mentioned. As a red pigment, it is pigment red (it abbreviates to PR hereafter) 9, PR48, PR97, PR122, PR123, PR144, PR149, PR166, PR168, PR177, PR179, PR180, PR192, PR209, PR215, PR216, PR217, for example. , PR220, PR223, PR224, PR226, PR227, PR228, PR240, PR254, and the like. You may contain these 2 or more types. As a blue pigment, Pigment Blue (it abbreviates to PB hereafter) 15, PB15:3, PB15:4, PB15:6, PB22, PB60, PB64 etc. are mentioned, for example. You may contain these 2 or more types.

흑색 무기 안료로서는, 예를 들어 그래파이트; 티타늄, 구리, 철, 망간, 코발트, 크롬, 니켈, 아연, 칼슘, 은, 금, 백금, 팔라듐 등의 금속의 미립자; 금속 산화물; 금속 복합 산화물; 금속 황화물; 금속 질화물; 금속 산질화물; 금속 탄화물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the black inorganic pigment include graphite; fine particles of metals such as titanium, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, zinc, calcium, silver, gold, platinum, and palladium; metal oxides; metal complex oxide; metal sulfides; metal nitride; metal oxynitrides; metal carbides and the like. You may contain these 2 or more types.

이상의 흑색 안료 중에서도 높은 차광성을 갖는 점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료로부터 선택된 안료가 바람직하다. 또한, 격벽(A-1)의 테이퍼 각도를 후술의 바람직한 범위로 조정하기 쉬운 관점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료로부터 선택된 안료가 보다 바람직하다.Among the above black pigments, a pigment selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, and mixed pigments having a weight ratio of 20/80 to 80/20 of a red pigment and a blue pigment is preferable from the viewpoint of having high light-shielding properties. In addition, from the viewpoint of easy adjustment of the taper angle of the partition wall (A-1) to a preferable range described later, a pigment selected from titanium nitride, zirconium nitride, and mixed pigments having a weight ratio of red pigment and blue pigment of 20/80 to 80/20 is more preferable.

수지 조성물에 있어서의 흑색 안료의 함유량은, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하여 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하는 관점에서, 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.05중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하는 관점에서, 흑색 안료의 함유량은 고형분 중의 5중량% 이하가 바람직하고, 3중량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the black pigment in the resin composition adjusts the reflectance and OD to the above-mentioned ranges, and from the viewpoint of further suppressing the color mixture of light in the adjacent pixel, 0.01% by weight or more in solid content is preferable, and 0.05% by weight or more more preferably. On the other hand, from a viewpoint of adjusting a reflectance and OD to the above-mentioned range, 5 weight% or less in solid content is preferable and, as for content of a black pigment, 3 weight% or less is more preferable.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 광염기 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 광염기 발생제를 함유함으로써, 노광 공정에 있어서 염기를 발생시켜, 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물의 분해ㆍ응집을 촉진하는 점에서, 유기 금속 화합물을 보다 효율적으로 흑색 입자 또는 황색 입자로 변환하고, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다.It is preferable that the resin composition of this invention contains a photobase generator further. By containing a photobase generator, a base is generated in the exposure step, and from the viewpoint of promoting decomposition and aggregation of the organometallic compound in the resin composition, the organometallic compound is more efficiently converted into black particles or yellow particles, obtained by The OD value of the barrier rib can be further improved.

광염기 발생제는 광(자외선, 전자선을 포함함)의 조사에 의해 분해 및/또는 반응하여, 염기를 발생시키는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 예를 들어, 2-(9-옥소크산텐-2-일)프로피온산 1,5,7-트리아자시클로[4,4,0]데크-5-엔, N-시클로헥실카르밤산1-(안트라퀴논-2-일)에틸, N,N-디에틸카르밤산9-안트릴메틸, N-시클로헥실카르밤산9-안트릴메틸, 1-카르복실산9-안트릴메틸피페리딘, N,N-디시클로헥실카르밤산9-안트릴메틸, N,N-디시클로헥실카르밤산1-(안트라퀴논-2-일)에틸, 프로피온산시클로헥실암모늄2-(3-벤조일페닐), 부틸트리페닐보론산1,2-디시클로헥실-4,4,5,5,-테트라메틸비구아니디늄, 2-(3-벤조일페닐)프로피온산1,2-디이소프로필-3-[비스(디메틸아미노)메틸렌]구아니디늄, (2-니트로페닐)메틸4-히드록시피페리딘-1-카르복실산, 2-(3-벤조일페닐)프로피온산구아니디늄 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.The photobase generator may be any as long as it decomposes and/or reacts with irradiation of light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate a base. For example, 2-(9-oxoxanthen-2-yl)propionic acid 1,5,7-triazacyclo[4,4,0]dec-5-ene, N-cyclohexylcarbamic acid 1-(anthra) Quinon-2-yl)ethyl, N,N-diethylcarbamic acid 9-anthrylmethyl, N-cyclohexylcarbamic acid 9-anthrylmethyl, 1-carboxylic acid 9-anthrylmethylpiperidine, N; N-dicyclohexylcarbamic acid 9-anthrylmethyl, N,N-dicyclohexylcarbamic acid 1-(anthraquinon-2-yl)ethyl, cyclohexylammonium propionate 2-(3-benzoylphenyl), butyltriphenyl Boronic acid 1,2-dicyclohexyl-4,4,5,5,-tetramethylbiguanidinium, 2-(3-benzoylphenyl)propionic acid 1,2-diisopropyl-3-[bis(dimethylamino) Methylene] guanidinium, (2-nitrophenyl) methyl 4-hydroxypiperidine-1-carboxylic acid, 2-(3-benzoylphenyl) guanidinium propionate, etc. are mentioned. You may use these 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광염기 발생제의 함유량은, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.5중량% 이상이 바람직하다. 한편, 광염기 발생제의 함유량은, 해상도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 2.0중량% 이하가 바람직하다.As for content of the photobase generator in the resin composition of this invention, 0.5 weight% or more in solid content is preferable from a viewpoint of improving OD value more. On the other hand, as for content of a photobase generator, 2.0 weight% or less in solid content is preferable from a viewpoint of improving a resolution.

본 발명의 수지 조성물은 발액 화합물을 함유해도 된다. 발액 화합물이란, 수지 조성물에 물이나 유기 용매를 튕기는 성질(발액 성능)을 부여하는 화합물이다. 이러한 성질을 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 플루오로알킬기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 발액 화합물을 함유함으로써, 격벽(A-1) 형성 후에 격벽의 정상부에 발액 성능을 부여할 수 있다. 그에 의해, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain a liquid-repellent compound. A liquid-repellent compound is a compound which provides the property (liquid-repellent performance) of repelling water and an organic solvent to a resin composition. Although it will not specifically limit if it is a compound which has such a property, Specifically, the compound which has a fluoroalkyl group is used preferably. By containing a liquid-repellent compound, liquid-repellent performance can be provided to the top part of a partition after the partition A-1 is formed. Thereby, for example, when forming the pixel containing the (B) color conversion light emitting material mentioned later, the color conversion light emitting material from which a composition differs can be separately applied to each pixel easily.

발액 화합물로서는, 예를 들어 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸헥실에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사에틸렌글리콜(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 퍼플루오로도데실술폰산나트륨, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로도데칸, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로데칸, N-[3-(퍼플루오로옥탄술폰아미드)프로필]-N,N'-디메틸-N-카르복시메틸렌암모늄베타인, 퍼플루오로알킬술폰아미드프로필트리메틸암모늄염, 퍼플루오로알킬-N-에틸술포닐글리신염, 인산비스(N-퍼플루오로옥틸술포닐-N-에틸아미노에틸), 모노퍼플루오로알킬에틸인산에스테르 등의 말단, 주쇄 및/또는 측쇄에 플루오로알킬 또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되는 발액 화합물로서는 "메가펙"(등록 상표) F142D, F172, F173, F183, F444, F477(이상, 다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제), 에프톱 EF301, 303, 352(신아키타 가세이(주)제), 플루오라드 FC-430, FC-431(스미토모 쓰리엠(주)제)), "아사히가드"(등록 상표) AG710, "서플론"(등록 상표) S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106(아사히 가라스(주)제), BM-1000, BM-1100(유쇼(주)제), NBX-15, FTX-218, DFX-18((주)네오스제) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 반응성이 높고, 수지와 견고한 결합을 형성할 수 있는 점에서, 광중합성기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 불소 원자 및 광중합성기를 갖는 발액 화합물로서는, 예를 들어 "메가펙"(등록 상표) RS-76-E, RS-56, RS-72-k, RS-75, RS-76-E, RS-76-NS, RS-76, RS-90(이상, 상품명, DIC(주)제) 등을 들 수 있다. 또한, 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광경화물을 포함하는 격벽(A-1) 내에 있어서는, 광중합성기는 광중합되어 있어도 된다.Examples of the liquid-repellent compound include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether, Octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1, 1,2,2-tetrafluorobutyl)ether, hexapropylene glycol di(1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl)ether, sodium perfluorododecylsulfonate, 1,1,2 ,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N-[3-(perfluorooctanesulfonamide) Propyl]-N,N'-dimethyl-N-carboxymethyleneammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamide propyltrimethylammonium salt, perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bisphosphate (N-perfluoroox) tylsulfonyl-N-ethylaminoethyl), a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group in the terminal, main chain, and/or side chain, such as monoperfluoroalkylethyl phosphate ester, etc. are mentioned. In addition, as a commercially available liquid repellent compound, "Megapec" (registered trademark) F142D, F172, F173, F183, F444, F477 (above, Dainippon Ink Chemicals Co., Ltd.), Ftop EF301, 303, 352 (Shin) Akita Kasei Co., Ltd.), Fluorad FC-430, FC-431 (Sumitomo 3M Co., Ltd.)), "AsahiGuard" (registered trademark) AG710, "Sufflon" (registered trademark) S-382, SC -101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Corporation), BM-1000, BM-1100 (manufactured by Yusho Corporation), NBX-15 , FTX-218, DFX-18 (manufactured by Neos Corporation), and the like. You may contain these 2 or more types. Among these, it is more preferable to have a photopolymerizable group from a point which has high reactivity and can form a firm bond with resin. As a liquid-repellent compound which has a fluorine atom and a photopolymerizable group, "Megapec" (trademark) RS-76-E, RS-56, RS-72-k, RS-75, RS-76-E, RS- 76-NS, RS-76, RS-90 (above, a brand name, DIC Co., Ltd. product) etc. are mentioned. In addition, in this case, in the partition (A-1) containing the photocured material of the negative photosensitive resin composition, the photopolymerizable group may be photopolymerized.

격벽의 발액 성능을 향상시켜, 잉크젯 도포성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물에 있어서의 발액 화합물의 함유량은 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지나 백색 안료와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 발액 화합물의 함유량은 고형분 중의 10중량% 이하가 바람직하고, 5중량% 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of improving the liquid-repellent performance of a partition and improving inkjet applicability|paintability, 0.01 weight% or more in solid content is preferable and, as for content of the liquid-repellent compound in a resin composition, 0.1 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving compatibility with resin and a white pigment, 10 weight% or less in solid content is preferable and, as for content of a liquid repellent compound, 5 weight% or less is more preferable.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라 자외선 흡수제, 중합 금지제, 계면 활성제, 밀착성 개량제 등을 함유해도 된다.Moreover, the resin composition of this invention may contain a ultraviolet absorber, a polymerization inhibitor, surfactant, an adhesive improving agent, etc. as needed.

본 발명의 수지 조성물 중에 자외선 흡수제를 함유함으로써, 내광성을 향상시키고, 해상도를 보다 향상시킬 수 있다. 자외선 흡수제로서는 투명성 및 비착색성의 관점에서, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-tert-펜틸페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸페놀, 2-(2'-히드록시-5'-메타크릴옥시에틸페닐)-2H-벤조트리아졸 등의 벤조트리아졸계 화합물; 2-히드록시-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 2-(4,6-디페닐-1,3,5트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀 등의 트리아진계 화합물 등이 바람직하게 사용된다.By containing a ultraviolet absorber in the resin composition of this invention, light resistance can be improved and resolution can be improved more. As the ultraviolet absorber, from the viewpoint of transparency and non-coloring properties, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-tert-pentylphenol, 2 -(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol, 2(2H-benzotriazol-2-yl)-6-dodecyl-4- benzotriazole compounds such as methylphenol and 2-(2'-hydroxy-5'-methacryloxyethylphenyl)-2H-benzotriazole; benzophenone compounds such as 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone; A triazine-based compound such as 2-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-5-[(hexyl)oxy]-phenol is preferably used.

본 발명의 수지 조성물 중에 중합 금지제를 함유함으로써, 해상도를 보다 향상시킬 수 있다. 중합 금지제로서는, 예를 들어 디-t-부틸히드록시톨루엔, 부틸히드록시아니솔, 하이드로퀴논, 4-메톡시페놀, 1,4-벤조퀴논, t-부틸카테콜을 들 수 있다. 또한, 시판되는 중합 금지제로서는 "IRGANOX"(등록 상표) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425, 1520, 245, 259, 3114, 565, 295(이상, 상품명, BASF 재팬(주)제) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.By containing a polymerization inhibitor in the resin composition of this invention, resolution can be improved more. Examples of the polymerization inhibitor include di-t-butylhydroxytoluene, butylhydroxyanisole, hydroquinone, 4-methoxyphenol, 1,4-benzoquinone, and t-butylcatechol. In addition, as a commercially available polymerization inhibitor, "IRGANOX" (registered trademark) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425, 1520, 245, 259, 3114, 565, 295 (above, trade name, BASF Japan ( Note) and the like. You may contain these 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물 중에 계면 활성제를 함유함으로써, 도포 시의 플로우성을 향상시킬 수 있다. 계면 활성제로서는, 예를 들어 "메가펙"(등록 상표) F142D, F172, F173, F183, F445, F470, F475, F477(이상, 상품명, 다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제), NBX-15, FTX-218(이상, 상품명, (주)네오스제) 등의 불소계 계면 활성제; "BYK"(등록 상표)-333, 301, 331, 345, 307(이상, 상품명, 빅 케미 재팬(주)제) 등의 실리콘계 계면 활성제; 폴리알킬렌옥시드계 계면 활성제; 폴리(메트)아크릴레이트계 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.By containing surfactant in the resin composition of this invention, the flow property at the time of application|coating can be improved. Examples of the surfactant include "Megapec" (registered trademark) F142D, F172, F173, F183, F445, F470, F475, F477 (above, trade names, manufactured by Dainippon Ink Chemicals Co., Ltd.), NBX-15 , fluorine-based surfactants such as FTX-218 (above, trade name, manufactured by Neos Corporation); Silicone-based surfactants, such as "BYK" (registered trademark)-333, 301, 331, 345, 307 (above, a brand name, Big Chemie Japan Co., Ltd. product); polyalkylene oxide-based surfactants; Poly(meth)acrylate type surfactant etc. are mentioned. You may contain these 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물 중에 밀착성 개량제를 함유함으로써, 하지 기판과의 밀착성이 향상되고, 신뢰성이 높은 격벽을 얻을 수 있다. 밀착성 개량제로서는, 예를 들어 지환식 에폭시 화합물이나 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 지환식 에폭시 화합물은 내열성이 높은 점에서, 가열 후의 색 변화를 보다 억제할 수 있다.By containing an adhesive improving agent in the resin composition of this invention, adhesiveness with a base board improves and a reliable partition can be obtained. As an adhesive improving agent, an alicyclic epoxy compound, a silane coupling agent, etc. are mentioned, for example. Among these, since an alicyclic epoxy compound has high heat resistance, the color change after a heating can be suppressed more.

지환식 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 3',4'-에폭시시클로헥시메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물, ε-카프로락톤 변성 3',4'-에폭시시클로헥실메틸3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산, 부탄테트라카르복실산테트라(3,4-에폭시시클로헥실메틸) 수식 ε-카프로락톤, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 E 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 비스(프로필렌글리콜글리시딜에테르)에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 비스(에틸렌글리콜글리시딜에테르)에테르, 1,4-시클로헥산디카르복실산디글리시딜, 1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the alicyclic epoxy compound include 3',4'-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 1,2 of 2,2-bis(hydroxymethyl)-1-butanol -Epoxy-4-(2-oxiranyl)cyclohexane adduct, ε-caprolactone-modified 3',4'-epoxycyclohexylmethyl 3',4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 1,2-epoxy- 4-vinylcyclohexane, butanetetracarboxylic acid tetra(3,4-epoxycyclohexylmethyl) modified ε-caprolactone, 3,4-epoxycyclohexylmethylmethacrylate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether; Hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol E diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A bis(propylene glycol glycidyl ether) ether, hydrogenated bisphenol A bis(ethylene glycol glycidyl ether) ether; 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid diglycidyl, 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether, etc. are mentioned. You may contain these 2 or more types.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 밀착성 개량제의 함유량은, 하지 기판과의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.1중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 밀착성 개량제의 함유량은, 가열에 의한 색 변화를 보다 억제하는 관점에서, 고형분 중의 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of improving more adhesiveness with a base board|substrate, 0.1 weight% or more in solid content is preferable, and, as for content of the adhesiveness improving agent in the resin composition of this invention, 1 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of suppressing the color change by heating more, 20 weight% or less in solid content is preferable, and, as for content of an adhesiveness improving agent, 10 weight% or less is more preferable.

본 발명의 수지 조성물은, 예를 들어 상술한 수지, 유기 금속 화합물, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물, 용매 및 필요에 따라 기타 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다.The resin composition of the present invention can be produced, for example, by mixing the above-mentioned resin, an organometallic compound, a photoinitiator or a quinonediazide compound, a solvent, and other components as needed.

다음에, 본 발명의 차광막에 대하여 설명한다. 본 발명의 차광막은, 전술한 본 발명의 수지 조성물을 경화하여 얻어진다. 본 발명의 차광막은, 후술하는 격벽(A-1) 외에, 커버 기재용 장식 패턴 등의 OGS 타입의 터치 패널에 있어서의 차광 패턴으로서 적합하게 사용할 수 있다. 차광막의 막 두께는 10㎛ 이상이 바람직하다.Next, the light-shielding film of the present invention will be described. The light-shielding film of this invention is obtained by hardening|curing the resin composition of this invention mentioned above. The light-shielding film of this invention can be used suitably as a light-shielding pattern in OGS type touch panels, such as a decorative pattern for cover base materials, other than the partition A-1 mentioned later. As for the film thickness of a light shielding film, 10 micrometers or more are preferable.

다음에, 본 발명의 차광막의 제조 방법에 대하여, 예를 들어 설명한다. 본 발명의 차광막의 제조 방법은, 하지 기판 상에 본 발명의 수지 조성물을 도포하고, 건조하여 건조막을 얻는 제막 공정, 얻어진 건조막을 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 건조막을 가열함으로써 경화시키는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다.Next, the manufacturing method of the light shielding film of this invention is demonstrated with an example. The method for producing a light-shielding film of the present invention is a film forming step of applying the resin composition of the present invention on a base substrate and drying it to obtain a dried film, an exposure step of pattern exposure of the obtained dried film, and a developer solution in the dried film after exposure. It is preferable to have the developing process of dissolving and removing a part, and the heating process of hardening by heating the dried film after image development.

본 발명의 차광막의 제조 방법은, 상기 가열 공정에 있어서, 현상 후의 막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열함으로써, 막 두께 10㎛당 OD값을 0.3 이상 상승시키는 것을 특징으로 한다. 가열 공정 시의 가열 온도는, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 150℃ 이상이 바람직하고, 180℃ 이상이 보다 바람직하다. 가열 공정 시의 가열 온도는, 가열하는 막의 크랙 발생을 억제하는 관점에서, 250℃ 이하가 바람직하고, 240℃ 이하가 보다 바람직하다. 가열 시간은 15분간 내지 2시간이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물로 형성되는 막은 노광 시에는 OD값이 낮고, 또한 패턴 형성 후에 OD값이 상승하는 점에서, 노광 공정에 있어서는 저부까지 충분히 광경화시켜, 후술의 바람직한 테이퍼 각도를 갖는 격벽을 얻을 수 있다. 더불어, 패턴 형성 후의 OD값이 높은 점에서 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 얻을 수 있다.The method for producing a light-shielding film of the present invention is characterized in that, in the heating step, the OD value per 10 µm of the film thickness is increased by 0.3 or more by heating the developed film to a temperature of 120°C or higher and 250°C or lower. From a viewpoint of improving an OD value more, 150 degreeC or more is preferable and, as for the heating temperature at the time of a heating process, 180 degreeC or more is more preferable. From a viewpoint of suppressing the crack generation of the film|membrane to be heated, 250 degrees C or less is preferable, and, as for the heating temperature at the time of a heating process, 240 degrees C or less is more preferable. The heating time is preferably 15 minutes to 2 hours. The film formed from the resin composition of the present invention has a low OD value during exposure and an increase in OD value after pattern formation. can Furthermore, since the OD value after pattern formation is high, the barrier rib which made high reflectance and light-shielding property compatible can be obtained.

상기 제막 공정에 있어서의 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 슬릿 코트법, 스핀 코트법 등을 들 수 있다. 건조 장치로서는, 예를 들어 열풍 오븐이나 핫 플레이트 등을 들 수 있다. 건조 시간은 80 내지 120℃가 바람직하고, 건조 시간은 1 내지 15분간이 바람직하다.As a coating method of the resin composition in the said film forming process, the slit coating method, the spin coating method, etc. are mentioned, for example. As a drying apparatus, a hot air oven, a hot plate, etc. are mentioned, for example. The drying time is preferably 80 to 120°C, and the drying time is preferably 1 to 15 minutes.

노광 공정은, 노광에 의해 건조막의 필요한 부분을 광경화시켜, 또는 건조막의 불필요한 부분을 광분해시켜, 건조막의 임의의 부분을 현상액에 가용으로 하는 공정이다. 노광 공정에 있어서는, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재시켜 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다.The exposure step is a step in which a necessary portion of the dried film is photocured by exposure or an unnecessary portion of the dried film is photolyzed to make an arbitrary portion of the dried film soluble in a developer. In an exposure process, you may expose through the photomask which has a predetermined opening part, and arbitrary patterns may be drawn directly using a laser beam etc. without using a photomask.

노광 장치로서는, 예를 들어 프록시미티 노광기를 들 수 있다. 노광 공정에 있어서 조사하는 활성 광선으로서는, 예를 들어 근적외선, 가시광선, 자외선을 들 수 있으며, 자외선이 바람직하다. 또한, 그 광원으로서는, 예를 들어 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프, 살균등 등을 들 수 있으며, 초고압 수은등이 바람직하다.As an exposure apparatus, a proximity exposure machine is mentioned, for example. As an actinic light irradiated in an exposure process, a near-infrared light, a visible light, and an ultraviolet-ray are mentioned, for example, An ultraviolet-ray is preferable. Moreover, as the light source, a low-pressure mercury-vapor lamp, a high-pressure mercury-vapor lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a halogen lamp, a sterilization lamp, etc. are mentioned, for example, An ultra-high pressure mercury lamp is preferable.

노광 조건은 노광하는 건조막의 두께에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 일반적으로 1 내지 100mW/㎠의 출력의 초고압 수은등을 사용하여, 1 내지 10,000mJ/㎠의 노광량으로 노광하는 것이 바람직하다.The exposure conditions can be appropriately selected according to the thickness of the dry film to be exposed. In general, it is preferable to use an ultra-high pressure mercury lamp with an output of 1 to 100 mW/cm 2 , and to expose at an exposure amount of 1 to 10,000 mJ/cm 2 .

현상 공정은, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 현상액으로 용해 제거하여, 현상액에 불용인 부분만이 잔존한, 임의의 패턴 형상으로 패턴 형성된 건조막(이하, 가열 전 패턴이라고 칭함)을 얻는 공정이다. 패턴 형상으로서는, 예를 들어 격자상, 스트라이프상 등의 형상을 들 수 있다.In the developing step, the developing solution dissolves and removes the developer-soluble portion of the dry film after exposure, and only the portion insoluble in the developer remains, and a dry film patterned in an arbitrary pattern shape (hereinafter referred to as a pattern before heating) ) is the process of obtaining As a pattern shape, shapes, such as a grid|lattice shape and stripe shape, are mentioned, for example.

현상 방법으로서는, 예를 들어 침지법, 스프레이법, 브러시법 등을 들 수 있다.As a developing method, the immersion method, the spray method, the brush method etc. are mentioned, for example.

현상액으로서는, 노광 후의 건조막에 있어서의 불필요한 부분을 용해하는 것이 가능한 용매를 적절하게 선택할 수 있으며, 물을 주성분으로 하는 수용액이 바람직하다. 예를 들어, 수지 조성물이 카르복실기를 갖는 폴리머를 함유하는 경우, 현상액으로서는 알칼리 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액으로서는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 수산화칼슘 등의 무기 알칼리 수용액; 테트라메틸암모늄히드록사이드, 트리메틸벤질암모늄히드록사이드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 유기 알칼리 수용액 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 해상도를 향상시키는 관점에서, 수산화칼륨 수용액 또는 수산화테트라메틸암모늄 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액의 농도는, 현상성을 향상시키는 관점에서, 0.05중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 알칼리 수용액의 농도는, 가열 전 패턴의 박리나 부식을 억제하는 관점에서, 5중량% 이하가 바람직하고, 1중량% 이하가 보다 바람직하다. 현상 온도는, 공정 관리를 용이하게 하기 위해 20 내지 50℃가 바람직하다.As a developing solution, the solvent which can melt|dissolve the unnecessary part in the dry film|membrane after exposure can be selected suitably, and the aqueous solution which has water as a main component is preferable. For example, when a resin composition contains the polymer which has a carboxyl group, aqueous alkali solution is preferable as a developing solution. As aqueous alkali solution, For example, inorganic aqueous alkali solutions, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, calcium hydroxide; and organic aqueous alkali solutions such as tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine and diethanolamine. Among these, an aqueous solution of potassium hydroxide or an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide is preferable from the viewpoint of improving the resolution. From a viewpoint of improving developability, 0.05 weight% or more is preferable and, as for the density|concentration of aqueous alkali solution, 0.1 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of suppressing peeling and corrosion of a pattern before heating, 5 weight% or less is preferable, and, as for the density|concentration of aqueous alkali solution, 1 weight% or less is more preferable. As for the developing temperature, 20-50 degreeC is preferable in order to make process control easy.

가열 공정은 현상 공정에서 형성된 가열 전 패턴을 가열 경화시키는 공정이다. 가열 장치로서는, 예를 들어 핫 플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 바람직한 가열 온도 및 가열 시간은 상술한 바와 같다.The heating process is a process of heat-hardening the pattern before heating formed in the developing process. As a heating apparatus, a hot plate, oven, etc. are mentioned, for example. Preferred heating temperature and heating time are as described above.

다음에, 본 발명의 격벽 구비 기판에 대하여 설명한다. 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판 상에 (A-1) 패턴 형성된 격벽(이하, 「격벽(A-1)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는다. 하지 기판은, 격벽 구비 기판에 있어서의 지지체로서의 기능을 갖는다. 격벽은, 후술하는 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우, 인접하는 화소간에 있어서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.Next, the board|substrate with a partition wall of this invention is demonstrated. The barrier rib substrate of the present invention has barrier ribs (hereinafter, referred to as "partition walls (A-1)" in some cases) in which the (A-1) pattern was formed on the underlying substrate. A base substrate has a function as a support body in a board|substrate with a partition wall. The barrier rib has a function of suppressing color mixing of light between adjacent pixels when it has a pixel containing a color conversion luminescent material described later.

본 발명의 격벽 구비 기판에 있어서, 격벽(A-1)은, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20% 내지 60%, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 것을 특징으로 한다. 반사율을 20% 이상, OD값을 3.0 이하로 함으로써, (A-1) 격벽 측면에 있어서의 반사를 이용하여 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있다. 한편, 반사율을 60% 이하, OD값을 1.0 이상으로 함으로써, 격벽(A-1)을 투과하는 광을 억제하여 인접 화소간에 있어서의 광의 혼색을 억제할 수 있다.The barrier rib substrate of the present invention is characterized in that the barrier rib A-1 has a reflectance of 20% to 60% per 10 µm in thickness at a wavelength of 550 nm and an OD value per 10 µm in thickness of 1.0 to 3.0. When the reflectance is 20% or more and the OD value is 3.0 or less, the luminance of the display device can be improved by utilizing the reflection on the side of the barrier rib (A-1). On the other hand, when the reflectance is 60% or less and the OD value is 1.0 or more, the light passing through the barrier rib A-1 can be suppressed, and color mixing of light between adjacent pixels can be suppressed.

도 1에, 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)을 갖는다.In Fig. 1, a cross-sectional view of an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a pattern-formed barrier rib is shown. It has a barrier rib 2 pattern-formed on the underlying substrate 1 .

<하지 기판><Lower substrate>

하지 기판으로서는, 예를 들어 유리판, 수지판, 수지 필름 등을 들 수 있다. 유리판의 재질로서는 무알칼리 유리가 바람직하다. 수지판 및 수지 필름의 재질로서는 폴리에스테르, (메트)아크릴 폴리머, 투명 폴리이미드, 폴리에테르술폰 등이 바람직하다. 유리판 및 수지판의 두께는 1mm 이하가 바람직하고, 0.8mm 이하가 바람직하다. 수지 필름의 두께는 100㎛ 이하가 바람직하다.As a base board|substrate, a glass plate, a resin board, a resin film, etc. are mentioned, for example. As a material of a glass plate, an alkali free glass is preferable. As a material of a resin plate and a resin film, polyester, a (meth)acrylic polymer, a transparent polyimide, polyether sulfone, etc. are preferable. 1 mm or less is preferable and, as for the thickness of a glass plate and a resin plate, 0.8 mm or less is preferable. As for the thickness of a resin film, 100 micrometers or less are preferable.

<격벽(A-1)><Bulkhead (A-1)>

격벽(A-1)은, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20 내지 60%, OD값이 1.0 내지 3.0인 것을 특징으로 한다. 여기서, 격벽(A-1)의 두께란, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수직인 방향(높이 방향)의 길이를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 두께는 부호 H로 표시된다. 또한, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수평인 방향의 길이는 격벽(A-1)의 폭으로 한다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 폭은 부호 L로 표시된다.The barrier rib A-1 has a reflectance of 20 to 60% and an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 µm in thickness at a wavelength of 550 nm. Here, the thickness of the partition wall A-1 refers to the length of the partition wall A-1 in a direction perpendicular to the underlying substrate (height direction). In the case of the board|substrate with a partition wall shown in FIG. 1, the thickness of the partition 2 is represented by the code|symbol H. In addition, the length of the partition wall A-1 in the horizontal direction to the base substrate is made into the width|variety of the partition wall A-1. In the case of the board|substrate with a partition wall shown in FIG. 1, the width|variety of the partition 2 is represented by the code|symbol L.

본 발명에 있어서는, 격벽 측면에 있어서의 반사율이 표시 장치의 휘도 향 상에, 격벽의 차광성이 혼색 억제에 각각 기여한다고 생각된다. 한편, 두께당 반사율 및 OD값은 두께 방향, 폭 방향에 구애되지 않고 동일하다고 생각되기 때문에, 본 발명에 있어서는 격벽의 두께당 반사율 및 OD값에 착안한다. 또한, 후술하는 바와 같이 격벽(A-1)의 두께는 0.5 내지 50㎛가 바람직하고, 폭은 5 내지 40㎛가 바람직하다. 그래서, 본 발명에 있어서는, 격벽(A-1)의 두께의 대푯값으로서 10㎛를 선택하고, 두께 10㎛당 반사율 및 OD값에 착안하였다.In this invention, it is thought that the reflectance in the side surface of a partition contributes to brightness improvement of a display device, and the light-shielding property of a partition contributes to color mixing suppression, respectively. On the other hand, since the reflectance per thickness and the OD value are considered to be the same regardless of the thickness direction and the width direction, in the present invention, attention is paid to the reflectance per thickness and the OD value of the barrier rib. In addition, as will be described later, the thickness of the partition wall A-1 is preferably 0.5 to 50 µm, and the width is preferably 5 to 40 µm. Then, in this invention, 10 micrometers was selected as a representative value of the thickness of the partition A-1, and attention was paid to the reflectance per 10 micrometers in thickness, and OD value.

두께 10㎛당 반사율이 20% 미만이면, 격벽 측면에 있어서의 반사가 작아져, 표시 장치의 휘도가 불충분해진다. 두께 10㎛당 반사율은 30% 이상이 바람직하고, 35% 이상이 보다 바람직하다. 반사율이 높을수록 격벽 측면에 있어서의 반사가 커지기 때문에, 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있지만, 반사율이 60%를 초과하면, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생한다. 두께 10㎛당 반사율은 44% 이하가 보다 바람직하다.When the reflectance per 10 µm in thickness is less than 20%, the reflection on the side surface of the barrier rib becomes small and the luminance of the display device becomes insufficient. 30 % or more is preferable and, as for the reflectance per 10 micrometers in thickness, 35 % or more is more preferable. The higher the reflectance, the greater the reflection at the side of the barrier rib, and thus the luminance of the display device can be improved. As for the reflectance per 10 micrometers in thickness, 44 % or less is more preferable.

또한, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 미만이면, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생한다. 두께 10㎛당 OD값은 1.5 이상이 바람직하고, 2.0 이상이 보다 바람직하다. 한편, 두께 10㎛당 OD값이 3.0을 초과하면, 격벽 측면에 있어서의 반사가 작아져, 표시 장치의 휘도가 불충분해진다. 두께 10㎛당 OD값은 2.5 이하가 보다 바람직하다.In addition, when the OD value per 10 µm in thickness is less than 1.0, color mixture of light occurs between adjacent pixels. 1.5 or more are preferable and, as for the OD value per 10 micrometers in thickness, 2.0 or more are more preferable. On the other hand, when the OD value per 10 µm in thickness exceeds 3.0, the reflection at the side of the barrier rib becomes small and the luminance of the display device becomes insufficient. As for the OD value per 10 micrometers in thickness, 2.5 or less are more preferable.

격벽(A-1)의 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대하여, 상면으로부터 분광 측색계(예를 들어, 코니카 미놀타(주)제 CM-2600d)를 사용하여, SCI 모드에 의해 측정할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에 있어서, 격벽(A-1)의 조성이 기지인 경우에는, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하고, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대하여 마찬가지로 반사율을 측정함으로써, 두께 10㎛당 반사율을 구해도 된다. 예를 들어, 격벽(A-1)을 형성한 재료를 사용하여 두께를 10㎛로 하고, 패턴 형성하지 않는 것 이외에는 격벽(A-1)의 형성과 동일한 가공 조건에 의해 솔리드막을 제작하고, 얻어진 솔리드막에 대하여, 상면으로부터 마찬가지로 반사율을 측정해도 된다.The reflectance per 10 µm in thickness of the barrier rib A-1 at a wavelength of 550 nm is determined from the upper surface of the barrier rib A-1 having a thickness of 10 µm using a spectrophotometer (eg, Konica Minolta Co., Ltd. CM- 2600d), can be measured by SCI mode. However, when a sufficient area for measurement cannot be ensured, or when a measurement sample with a thickness of 10 µm cannot be taken, and the composition of the partition wall A-1 is known, the partition wall A-1 and You may obtain the reflectance per 10 micrometers in thickness by producing a solid film with a thickness of 10 micrometers of the same composition, and measuring a reflectance similarly with respect to a solid film instead of the partition A-1. For example, a solid film is produced under the same processing conditions as the formation of the partition wall A-1 except that the thickness is 10 µm using the material from which the partition wall A-1 is formed, and no pattern formation is performed. With respect to the solid film, the reflectance may be similarly measured from the upper surface.

격벽(A-1)의 두께 10㎛당 OD값은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대하여, 상면으로부터 광학 농도계(예를 들어, X-rite사제 361T(visual))를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 하기 식 (1)에 의해 산출할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에 있어서, 격벽(A-1)의 조성이 기지인 경우에는, 반사율의 측정과 마찬가지로, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하고, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대하여 마찬가지로 OD값을 측정함으로써, 두께 10㎛당 OD값을 구해도 된다.The OD value per 10 µm of the thickness of the barrier rib A-1 is determined using an optical densitometer (for example, 361T (visual) manufactured by X-rite) from the upper surface for the 10 µm thick barrier rib A-1. And by measuring the intensity of transmitted light, it can calculate by following formula (1). However, when a sufficient area for measurement cannot be ensured, or when a measurement sample with a thickness of 10 µm cannot be obtained, and the composition of the partition wall A-1 is known, similarly to the measurement of reflectance, the partition wall You may obtain the OD value per 10 micrometers in thickness by producing a 10 micrometer-thick solid film of the same composition as (A-1), and measuring the OD value similarly with respect to the solid film instead of the partition (A-1).

OD값=log10(I0/I) … (1)OD value=log10(I 0 /I) … (One)

I0: 입사광 강도I 0 : incident light intensity

I: 투과광 강도.I: transmitted light intensity.

또한, 반사율 및 OD값을 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것 등을 들 수 있다.Moreover, as a means for making the reflectance and OD value into the said range, making the partition A-1 into the preferable composition mentioned later is mentioned, for example.

격벽(A-1)의 테이퍼 각도는 45°내지 110°가 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도란, 격벽 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 테이퍼 각도는 부호 θ로 표시된다. 테이퍼 각도를 45°이상으로 함으로써, 격벽(A-1)의 상부와 저부의 폭의 차가 작아져, 격벽(A-1)의 폭을 후술하는 바람직한 범위로 용이하게 형성할 수 있다. 테이퍼 각도는 70°이상이 보다 바람직하다. 한편, 테이퍼 각도를 110°이하로 함으로써, 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 잉크젯 도포에 의해 형성할 때, 잉크의 결괴를 억제하고, 잉크젯 도포성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 잉크의 결괴란, 잉크가 격벽을 넘어 인접의 화소 부분에 혼입하는 현상을 의미한다. 테이퍼 각도는 95°이하가 보다 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도는, 격벽(A-1)의 임의의 단면을, 광학 현미경(FE-SEM(예를 들어, (주)히다치 세이사쿠쇼제 S-4800))을 사용하여 가속 전압 3.0kV, 배율 2,500배로 관찰하여, 격벽(A-1)의 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 측정함으로써 구할 수 있다.The taper angle of the partition wall A-1 is preferably 45° to 110°. The taper angle of the barrier rib A-1 refers to an angle between the side and the bottom of the cross section of the barrier rib. In the case of the board|substrate with a partition wall shown in FIG. 1, the taper angle of the partition 2 is represented by the code|symbol θ. By setting the taper angle to 45° or more, the difference between the widths of the upper portion and the bottom portion of the partition wall A-1 becomes small, and the width of the partition wall A-1 can be easily formed in a preferable range to be described later. As for the taper angle, 70 degrees or more are more preferable. On the other hand, when the pixel containing the (B) color conversion luminescent material mentioned later is formed by inkjet coating by making the taper angle into 110 degrees or less, the defect of ink can be suppressed and inkjet applicability|paintability can be improved. Here, the ink agglomeration means a phenomenon in which the ink crosses the barrier rib and mixes in adjacent pixel portions. As for the taper angle, 95 degrees or less are more preferable. The taper angle of the partition wall A-1 accelerates the arbitrary cross section of the partition wall A-1 using an optical microscope (FE-SEM (For example, S-4800 made by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.)) It can be obtained by observing at a voltage of 3.0 kV and a magnification of 2,500 times, and measuring the angle between the side and the bottom of the cross section of the partition wall A-1.

또한, 격벽(A-1)의 테이퍼 각도를 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것, 전술한 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성하는 것 등을 들 수 있다.In addition, as a means for making the taper angle of the partition wall A-1 into the said range, for example, making the partition wall A-1 into the preferable composition mentioned later, forming using the resin composition of this invention mentioned above things and the like.

격벽(A-1)의 두께는, 격벽 구비 기판이 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우에는, 그 화소의 두께보다 큰 것이 바람직하다. 구체적으로는, 격벽(A-1)의 두께는 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소 저부에 있어서의 발광을 보다 효율적으로 취출하는 관점에서, 격벽(A-1)의 두께는 50㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 격벽(A-1)의 폭은, 격벽 측면에 있어서의 광 반사를 이용하여 휘도를 보다 향상시키고, 광 누설에 의한 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하기 위해 충분한 것인 것이 바람직하다. 구체적으로는 격벽의 폭은 5㎛ 이상이 바람직하고, 15㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소의 발광 영역을 많이 확보하여 휘도를 보다 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 폭은 50㎛ 이하가 바람직하고, 40㎛ 이하가 보다 바람직하다.It is preferable that the thickness of the partition wall A-1 is larger than the thickness of the pixel, when a board|substrate with a partition has a pixel containing the (B) color conversion luminescent material mentioned later. Specifically, 0.5 micrometer or more is preferable and, as for the thickness of the partition A-1, 10 micrometers or more are more preferable. On the other hand, from a viewpoint of extracting the light emission in a pixel bottom more efficiently, 50 micrometers or less are preferable and, as for the thickness of the partition A-1, 20 micrometers or less are more preferable. In addition, it is preferable that the width of the barrier rib A-1 is sufficient to further improve the luminance by using light reflection on the side surface of the barrier rib and further suppress the color mixing of light in adjacent pixels due to light leakage. . 5 micrometers or more are specifically, preferable and, as for the width|variety of a partition, 15 micrometers or more are more preferable. On the other hand, the width of the partition wall A-1 is preferably 50 µm or less, and more preferably 40 µm or less, from the viewpoint of further improving the luminance by securing a large amount of the light emitting area of the pixel.

격벽(A-1)은, 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 소정 화소수분의 반복 패턴을 갖고 있다. 화상 표시 장치의 화소수로서는, 예를 들어 가로로 4000개, 세로로 2000개를 들 수 있다. 화소수는 표시되는 화상의 해상도(섬세하고 치밀함)에 영향을 미친다. 그 때문에, 요구되는 화상의 해상도와 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 수의 화소를 형성할 필요가 있으며, 그에 맞추어 격벽의 패턴 형성 치수를 결정하는 것이 바람직하다.The partition wall A-1 has a repeating pattern corresponding to a predetermined number of pixels according to the screen size of the image display device. As the number of pixels of an image display apparatus, 4000 pieces horizontally and 2000 pieces are mentioned vertically, for example. The number of pixels affects the resolution (delicate and dense) of the displayed image. Therefore, it is necessary to form the number of pixels according to the required image resolution and the screen size of the image display apparatus, and it is preferable to determine the pattern formation dimension of the partition wall accordingly.

격벽(A-1)은 수지와, 백색 안료와, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금 및 은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자(이하, 「금속 산화물 입자 또는 금속 입자」라고 기재하는 경우가 있음)를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 백색 안료는 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 금속 산화물 입자 또는 금속 입자는 OD값을 조정하고, 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.The partition wall (A-1) is a resin, a white pigment, and particles containing at least one metal oxide or metal selected from the group consisting of palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold and silver. It is preferable to contain (Hereinafter, it may describe as "metal oxide particle or metal particle"). The resin has a function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The white pigment has a function of further improving the reflectance of the barrier rib. A metal oxide particle or a metal particle has a function which adjusts an OD value and suppresses the color mixing of the light in an adjacent pixel.

수지와 백색 안료는, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 바와 같다. 격벽(A-1) 중의 수지의 함유량은, 열처리에 있어서의 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 20중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 내광성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 수지의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다.The resin and the white pigment are as described above as materials constituting the resin composition. From a viewpoint of improving the crack resistance of the partition in heat processing, 10 weight% or more is preferable, and, as for content of resin in partition (A-1), 20 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving light resistance, 60 weight% or less is preferable and, as for content of resin in partition (A-1), 50 weight% or less is more preferable.

격벽(A-1) 중의 백색 안료의 함유량은, 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 20중량% 이상이 바람직하고, 30중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 평활성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 백색 안료의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 55중량% 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of improving a reflectance more, 20 weight% or more is preferable and, as for content of the white pigment in partition (A-1), 30 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving the surface smoothness of a partition, 60 weight% or less is preferable and, as for content of the white pigment in partition (A-1), 55 weight% or less is more preferable.

금속 산화물 입자 또는 금속 입자는, 상술한 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물이 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서, 분해ㆍ응집함으로써 발생한 흑색 입자 또는 황색 입자를 가리킨다. 격벽(A-1) 중의 금속 산화물 입자 또는 금속 입자의 함유량은, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하여 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하는 관점에서, 0.2중량% 이상이 바람직하고, 0.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 금속 산화물 입자 또는 금속 입자의 함유량은 5중량% 이하가 바람직하고, 3중량% 이하가 보다 바람직하다.Metal oxide particles or metal particles refer to black particles or yellow particles generated when the organometallic compound in the above-described resin composition decomposes and aggregates in an exposure step and/or a heating step. The content of the metal oxide particles or metal particles in the partition wall A-1 is preferably 0.2% by weight or more, and 0.5% by weight or more, from the viewpoint of further suppressing color mixing of light in adjacent pixels by adjusting the reflectance and OD to the above-mentioned ranges. Weight % or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of adjusting reflectance and OD to the above-mentioned range, 5 weight% or less is preferable and, as for content of the metal oxide particle or metal particle in partition A-1, 3 weight% or less is more preferable.

격벽(A-1)은, 추가로 발액 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 발액 화합물을 함유함으로써, 격벽(A-1)에 발액 성능을 부여할 수 있고, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다. 발액 화합물은, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 상술한 바와 같다.It is preferable that the partition wall (A-1) further contains a liquid repellent compound. By containing the liquid-repellent compound, liquid-repellent performance can be imparted to the partition wall (A-1), and for example, when forming a pixel containing the (B) color conversion light-emitting material described later, a color having a different composition in each pixel The conversion light-emitting material can be easily applied separately. The liquid repellent compound is as described above as a material constituting the resin composition.

격벽의 발액 성능을 향상시켜, 잉크젯 도포성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 발액 화합물의 함유량은 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지나 백색 안료와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 발액 화합물의 함유량은 10중량% 이하가 바람직하고, 5중량% 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of improving the liquid-repellent performance of a partition and improving inkjet applicability, 0.01 weight% or more is preferable and, as for content of the liquid-repellent compound in partition (A-1), 0.1 weight% or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving compatibility with resin and a white pigment, 10 weight% or less is preferable and, as for content of the liquid repellent compound in partition (A-1), 5 weight% or less is more preferable.

격벽(A-1)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 대한 표면 접촉각은, 잉크젯 도포성을 향상시키고, 색 변환 발광 재료의 구분 도포를 용이하게 하는 관점에서, 10°이상이 바람직하고, 20°이상이 보다 바람직하고, 40°이상이 더욱 바람직하다. 한편, 격벽과 하지 기판의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은 70°이하가 바람직하고, 60°이하가 보다 바람직하다. 여기서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은, 격벽 상부에 대하여, JIS R3257(제정 년월일=1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거하여 측정할 수 있다. 또한, 격벽(A-1)의 표면 접촉각을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 예를 들어 전술한 발액 화합물을 사용하는 방법 등을 들 수 있다.The surface contact angle of the barrier rib (A-1) with respect to propylene glycol monomethyl ether acetate is preferably 10° or more, and 20° or more from the viewpoint of improving inkjet applicability and facilitating separate application of the color conversion luminescent material. This is more preferable, and 40 degrees or more is still more preferable. On the other hand, from the viewpoint of improving the adhesion between the barrier rib and the underlying substrate, the surface contact angle of the barrier rib A-1 is preferably 70° or less, more preferably 60° or less. Here, the surface contact angle of the partition wall A-1 can be measured with respect to the partition wall upper part based on the wettability test method of the substrate glass surface prescribed|regulated to JIS R3257 (enactment date=1999/04/20). Moreover, as a method of making the surface contact angle of the partition A-1 into the said range, the method of using the liquid repellent compound mentioned above, etc. are mentioned, for example.

하지 기판 상에 격벽(A-1)을 패턴 형성하는 방법으로서는, 패턴 형상의 조정이 용이한 점에서, 감광성 페이스트법이 바람직하다. 감광성 페이스트법에 의해 격벽을 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 하지 기판 상에 전술한 수지 조성물을 도포하고, 건조하여 건조막을 얻는 도포 공정, 얻어진 건조막을 원하는 패턴 형상에 따라 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 격벽을 경화시키는 가열 공정을 갖는 방법이 바람직하다. 수지 조성물은 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성을 갖게 하는 것이 바람직하다. 패턴 노광은, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재시켜 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다. 또한, 격벽 구비 기판이 후술하는 차광 격벽(A-2)을 갖는 경우에는, 차광 격벽(A-2) 상에 마찬가지로 하여 격벽(A-1)을 패턴 형성할 수 있다. 각 공정에 대해서는 차광막의 제조 방법으로서 앞서 설명한 바와 같다.As a method of pattern-forming the partition wall A-1 on a base board|substrate, the photosensitive paste method is preferable at the point which adjustment of a pattern shape is easy. As a method of patterning the barrier ribs by the photosensitive paste method, for example, an application step of applying the above-mentioned resin composition on a base substrate and drying it to obtain a dried film, an exposure step of pattern exposing the obtained dried film according to a desired pattern shape; The method which has the developing process of dissolving and removing the part soluble in the developing solution in the dry film after exposure, and the heating process of hardening the partition after image development is preferable. It is preferable that the resin composition has positive-type or negative-type photosensitivity. Pattern exposure may expose through the photomask which has a predetermined|prescribed opening part, and may draw arbitrary patterns directly using a laser beam etc. without using a photomask. In addition, when the board|substrate with a barrier rib has the light-shielding barrier rib A-2 mentioned later, on the light-shielding barrier rib A-2, the barrier rib A-1 can be pattern-formed similarly. Each process is as described above as a manufacturing method of the light-shielding film.

<차광 격벽(A-2)><Light-shielding bulkhead (A-2)>

본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽 사이에, 추가로, 추가로 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 격벽(이하, 「차광 격벽(A-2)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 차광 격벽(A-2)을 가짐으로써, 차광성을 향상시켜 표시 장치에 있어서의 백라이트의 광 누설을 억제하고, 고콘트라스트이며 선명한 화상을 얻을 수 있다.The barrier rib substrate of the present invention further comprises (A-2) patterned barrier ribs (hereinafter referred to as " It is preferable to have a light-shielding partition (A-2)" in some cases. By having the light-shielding partition wall A-2, light-shielding property is improved, the light leakage of the backlight in a display apparatus is suppressed, and a high-contrast and clear image can be obtained.

도 6에, 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 차광 격벽(7)을 갖고, 격벽(2) 및 차광 격벽(7)에 의해 이격된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다.Fig. 6 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a light-shielding barrier rib. It has the barrier ribs 2 and the light-shielding barrier rib 7 patterned on the underlying substrate 1, and the pixels 3 are arranged in a region spaced apart by the barrier rib 2 and the light-shielding barrier rib 7 .

차광 격벽(A-2)은, 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상이다. 여기서, 차광 격벽(A-2)의 두께는, 후술하는 바와 같이 0.5 내지 10㎛가 바람직하다. 그래서, 본 발명에 있어서는 격벽(A-2)의 두께의 대푯값으로서 1.0㎛를 선택하고, 두께 1.0㎛당 OD값에 착안하였다. 두께 1.0㎛당 OD값을 0.5 이상으로 함으로써, 차광성을 보다 향상시키고, 보다 고콘트라스트이며 선명한 화상을 얻을 수 있다. 두께 1.0㎛당 OD값은 1.0 이상이 보다 바람직하다. 한편, 두께 1.0㎛당 OD값은 4.0 이하가 바람직하며, 패턴 가공성을 향상시킬 수 있다. 두께 1.0㎛당 OD값은 3.0 이하가 보다 바람직하다. 차광 격벽(A-2)의 OD값은, 전술한 격벽(A-1)의 OD값과 마찬가지로 측정할 수 있다. 또한, OD값을 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 차광 격벽(A-2)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것 등을 들 수 있다.The light-shielding barrier rib A-2 has an OD value of 0.5 or more per 1.0 µm in thickness. Here, as for the thickness of the light-shielding partition A-2, 0.5-10 micrometers is preferable so that it may mention later. Then, in this invention, 1.0 micrometer was selected as a representative value of the thickness of the partition A-2, and attention was paid to the OD value per 1.0 micrometer of thickness. By setting the OD value per 1.0 µm in thickness to 0.5 or more, the light-shielding property is further improved, and a clearer image with higher contrast can be obtained. As for the OD value per 1.0 micrometer of thickness, 1.0 or more are more preferable. On the other hand, the OD value per 1.0 μm thickness is preferably 4.0 or less, and pattern workability can be improved. As for the OD value per 1.0 micrometer in thickness, 3.0 or less are more preferable. The OD value of the light-shielding barrier rib A-2 can be measured similarly to the OD value of the above-described barrier rib A-1. Moreover, as a means for making OD value into the said range, making light-shielding partition A-2 into the preferable composition mentioned later is mentioned, for example.

차광 격벽(A-2)의 두께는, 차광성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1.0㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 평탄성을 향상시키는 관점에서, 차광 격벽(A-2)의 두께는 10㎛ 이하가 바람직하고, 5㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 차광 격벽(A-2)의 폭은, 전술한 격벽(A-1)과 동일 정도가 바람직하다.From a viewpoint of improving light-shielding property, 0.5 micrometer or more is preferable, and, as for the thickness of light-shielding partition A-2, 1.0 micrometer or more is more preferable. On the other hand, from a viewpoint of improving flatness, 10 micrometers or less are preferable and, as for the thickness of light-shielding partition A-2, 5 micrometers or less are more preferable. Moreover, it is preferable that the width|variety of the light-shielding barrier rib A-2 is about the same as that of the above-mentioned barrier rib A-1.

차광 격벽(A-2)은 수지 및 흑색 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 흑색 안료는 입사한 광을 흡수하고, 사출광을 저감하는 기능을 갖는다.It is preferable that the light-shielding barrier rib A-2 contains resin and a black pigment. The resin has a function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The black pigment has a function of absorbing the incident light and reducing the emitted light.

수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, (메트)아크릴 폴리머, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리올레핀, 폴리실록산 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 내열성 및 용매 내성이 우수한 점에서 폴리이미드가 바람직하다.As resin, an epoxy resin, a (meth)acrylic polymer, a polyurethane, polyester, a polyimide, polyolefin, polysiloxane, etc. are mentioned, for example. You may contain these 2 or more types. Among these, a polyimide is preferable at the point excellent in heat resistance and solvent resistance.

흑색 안료로서는, 전술한 수지 조성물 중에 있어서의 흑색 안료로서 예시한 것이나, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은 등을 들 수 있다. 높은 차광성을 갖는 점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금 및 산화은으로부터 선택된 흑색 안료가 바람직하다.As a black pigment, what was illustrated as a black pigment in the resin composition mentioned above, palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, etc. are mentioned. A black pigment selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, palladium oxide, platinum oxide, gold oxide and silver oxide is preferable at the point of having high light-shielding property.

하지 기판 상에 차광 격벽(A-2)을 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2015-1654호 공보에 기재된 감광성 재료를 사용하여, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.As a method of pattern-forming the light-shielding barrier rib A-2 on the base substrate, for example, using the photosensitive material described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-1654, similarly to the above-mentioned barrier rib A-1, a photosensitive paste. A method of forming a pattern by a method is preferable.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 추가로 상기 격벽(A-1)에 의해 이격되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(이하, 「화소(B)」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 화소(B)는, 입사광의 파장 영역의 적어도 일부를 변환하여, 입사광과는 다른 파장 영역의 출사광을 방출함으로써 컬러 표시를 가능하게 하는 기능을 갖는다.In the barrier rib substrate of the present invention, pixels containing (B) color conversion luminescent material are further arranged to be spaced apart by the barrier ribs (A-1) (hereinafter referred to as “pixel (B)” in some cases) It is preferable to have The pixel B has a function of enabling color display by converting at least a part of the wavelength region of the incident light to emit outgoing light having a wavelength region different from that of the incident light.

도 2에, 패턴 형성된 격벽(A-1)과 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)을 갖고, 격벽(2)에 의해 이격된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다.Fig. 2 is a cross-sectional view of one embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a pattern-formed barrier rib A-1 and a pixel B containing a color conversion luminescent material. It has a partition wall 2 pattern-formed on the base substrate 1, and the pixel 3 is arrange|positioned in the area|region spaced apart by the partition wall 2. As shown in FIG.

색 변환 재료는, 무기 형광체 및 유기 형광체로부터 선택된 형광체를 함유하는 것이 바람직하다.The color conversion material preferably contains a phosphor selected from an inorganic phosphor and an organic phosphor.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 예를 들어 청색광을 발광하는 백라이트와 TFT 상에 형성된 액정과 화소(B)를 조합하여, 표시 장치로서 사용할 수 있다. 이 경우, 적색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 적색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 녹색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 녹색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 청색 화소에 대응하는 영역에는, 형광체를 함유하지 않는 것이 바람직하다.The barrier rib board|substrate of this invention can be used as a display device combining the liquid crystal and pixel (B) formed on the backlight which emits blue light, and TFT, for example. In this case, it is preferable to contain a red phosphor which is excited by blue excitation light and emits red fluorescence in the region corresponding to the red pixel. Similarly, it is preferable to contain a green fluorescent substance which is excited by blue excitation light and emits green fluorescence in the region corresponding to the green pixel. It is preferable not to contain a phosphor in the area|region corresponding to a blue pixel.

기판 상에 백색의 격벽에 의해 분리된, 각 화소에 대응한 청색 LED를 다수 배열한 청색 마이크로 LED를 백라이트로서 사용하는 방식의 표시 장치에도, 본 발명의 격벽 구비 기판을 사용할 수 있다. 각 화소의 ON/OFF는 청색 마이크로 LED의 ON/OFF에 의해 가능하게 되며, 액정은 필요없다. 본 발명의 격벽 구비 기판은, 각 화소를 분리하는 격벽과, 백라이트에 있어서 청색 마이크로 LED를 분리하는 격벽 어느 것에도 사용할 수 있다.The substrate with barrier ribs of the present invention can also be used in a display device of a method in which blue microLEDs in which a plurality of blue LEDs corresponding to each pixel are arranged on a substrate by white barrier ribs are used as backlights. ON/OFF of each pixel is made possible by ON/OFF of blue micro LED, and liquid crystal is not required. The barrier rib substrate of the present invention can be used for both the barrier ribs separating each pixel and the barrier ribs separating the blue microLED in the backlight.

무기 형광체로서는, 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것, 즉 파장 400 내지 500nm의 여기광에 의해 여기되고, 발광 스펙트럼이 500 내지 700nm의 영역에 피크를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 무기 형광체로서는, 예를 들어 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 사이알론계 형광체, Mn4+ 활성화 불화물 착체 형광체, 양자 도트라고 칭해지는 무기 반도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. 이들 중에서도 양자 도트가 바람직하다. 양자 도트는 다른 형광체와 비교하여 평균 입자경이 작은 점에서, (B) 화소의 표면을 평활화하여 표면에 있어서의 광산란을 억제할 수 있기 때문에, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.As the inorganic phosphor, it is preferable to emit light of each color such as green or red by blue excitation light, that is, one that is excited by excitation light having a wavelength of 400 to 500 nm and has a peak in the region of 500 to 700 nm of emission spectrum. . Examples of such inorganic phosphors include YAG-based phosphors, TAG-based phosphors, sialon-based phosphors, Mn 4+ activated fluoride complex phosphors, and inorganic semiconductors called quantum dots. You may use these 2 or more types. Among these, quantum dots are preferable. Quantum dots have a smaller average particle diameter compared to other phosphors. (B) Since the surface of the pixel can be smoothed to suppress light scattering on the surface, the light extraction efficiency can be further improved, and the luminance can be further improved there is.

양자 도트로서는, 예를 들어 II-IV족, III-V족, IV-VI족, IV족의 반도체 등을 포함하는 입자를 들 수 있다. 이들 무기 반도체로서는, 예를 들어 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드를 포함함), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.As a quantum dot, the particle|grains containing, for example, group II-IV, group III-V, group IV-VI, group IV semiconductor, etc. are mentioned. Examples of these inorganic semiconductors include Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (including diamond), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si 3 N 4 , Ge 3 N 4 , Al 2 O 3 and the like. You may use these 2 or more types.

양자 도트는 p형 도펀트 또는 n형 도펀트를 함유해도 된다. 또한, 양자 도트는 코어 셸 구조를 가져도 된다. 코어 셸 구조에 있어서는, 셸의 주위에 목적에 따라 임의의 적절한 기능층(단일층 또는 복수층)이 형성되어 있어도 되고, 셸 표면에 표면 처리 및/또는 화학 수식이 이루어져 있어도 된다.The quantum dot may contain a p-type dopant or an n-type dopant. Moreover, a quantum dot may have a core-shell structure. In the core-shell structure, any appropriate functional layer (single layer or multiple layers) may be formed around the shell according to the purpose, and the shell surface may be surface treated and/or chemically modified.

양자 도트의 형상으로서는, 예를 들어 구상, 주상, 인편상, 판상, 부정형 등을 들 수 있다. 양자 도트의 평균 입자경은, 원하는 발광 파장에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 1 내지 30nm가 바람직하다. 양자 도트의 평균 입자경이 1 내지 10nm이면, 청색, 녹색 및 적색의 각각에 있어서, 발광 스펙트럼에 있어서의 피크를 보다 샤프하게 할 수 있다. 양자 도트의 평균 입자경은 2nm 이상이 바람직하고, 8nm 이하가 바람직하다. 예를 들어, 양자 도트의 평균 입자경이 약 2nm인 경우에는 청색광을, 약 3nm인 경우에는 녹색광을, 약 6nm인 경우에는 적색광을 발광한다. 양자 도트의 평균 입자경은 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다. 평균 입자경의 측정 장치로서는 다이내믹 광산란 광도계 DLS-8000(오츠카 덴시(주)제) 등을 들 수 있다.As a shape of a quantum dot, a spherical shape, a columnar shape, a scale shape, a plate shape, an irregular shape etc. are mentioned, for example. The average particle diameter of a quantum dot can be arbitrarily selected according to the desired light emission wavelength, and 1-30 nm is preferable. If the average particle diameter of a quantum dot is 1-10 nm, in each of blue, green, and red, the peak in an emission spectrum can be made sharper. 2 nm or more is preferable and, as for the average particle diameter of a quantum dot, 8 nm or less is preferable. For example, when the average particle diameter of the quantum dots is about 2 nm, blue light is emitted, when the average particle diameter is about 3 nm, green light is emitted, and when the average particle diameter is about 6 nm, red light is emitted. The average particle diameter of a quantum dot can be measured by the dynamic light scattering method. A dynamic light scattering photometer DLS-8000 (made by Otsuka Electronics Co., Ltd.) etc. is mentioned as a measuring apparatus of an average particle diameter.

유기 형광체로서는 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것이 바람직하다. 적색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (8)로 표시되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체, 녹색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (9)로 표시되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체 등을 들 수 있다. 그 밖에는 치환기의 선택에 따라 적색 또는 녹색의 형광을 발하는 페릴렌계 유도체, 포르피린계 유도체, 옥사진계 유도체, 피라진계 유도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 양자 수율이 높은 점에서 피로메텐 유도체가 바람직하다. 피로메텐 유도체는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2011-241160호 공보에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.As an organic fluorescent substance, it is preferable to light-emit each color, such as green and red, with blue excitation light. Examples of the phosphor emitting red fluorescence include a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (8), and a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (9) as a green fluorescence phosphor, etc. can Other examples include perylene-based derivatives, porphyrin-based derivatives, oxazine-based derivatives, and pyrazine-based derivatives that emit red or green fluorescence depending on the selection of a substituent. You may contain these 2 or more types. Among these, a pyromethene derivative is preferable from a point with a high quantum yield. A pyromethene derivative can be obtained by the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-241160, for example.

Figure pat00004
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유기 형광체는 용매에 가용이기 때문에, 원하는 두께의 화소(B)를 용이하게 형성할 수 있다.Since the organic phosphor is soluble in a solvent, the pixel B having a desired thickness can be easily formed.

화소(B)의 두께는, 색 특성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소(B)의 두께는 표시 장치의 박형화나 곡면 가공성의 관점에서, 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다.From a viewpoint of improving a color characteristic, 0.5 micrometer or more is preferable, and, as for the thickness of the pixel B, 1 micrometer or more is more preferable. On the other hand, the thickness of the pixel B is preferably 30 µm or less, and more preferably 20 µm or less, from the viewpoints of reduction in thickness of the display device and curved surface workability.

각 화소(B)의 크기는 20 내지 200㎛ 정도가 일반적이다.The size of each pixel B is generally about 20 to 200 μm.

화소(B)는, 격벽(A-1)에 의해 이격되어 배열되어 있는 것이 바람직하다. 화소와 화소 사이에 격벽을 마련함으로써, 발광한 광의 확산이나 혼색을 보다 억제할 수 있다.It is preferable that the pixels B are arranged to be spaced apart by the partition wall A-1. By providing a barrier rib between a pixel and a pixel, the diffusion and color mixing of the emitted light can be suppressed more.

화소(B)의 형성 방법으로서는, 예를 들어 색 변환 발광 재료를 함유하는 도액(이하, 색 변환 발광 재료 도액)을 격벽(A-1)에 의해 이격된 공간에 충전하는 방법을 들 수 있다. 색 변환 발광 재료 도액은, 추가로 수지나 용매를 함유해도 된다.As a method of forming the pixel B, for example, a method of filling a space separated by the partition wall A-1 with a coating liquid containing a color conversion luminescent material (hereinafter, a color conversion luminescent material coating liquid) is mentioned. The color conversion light-emitting material coating liquid may further contain a resin or a solvent.

색 변환 발광 재료 도액의 충전 방법으로서는, 각 화소에 종류가 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포하는 관점에서, 잉크젯 도포법 등이 바람직하다.As a method of filling the color conversion luminescent material coating liquid, an inkjet coating method or the like is preferable from the viewpoint of easily dividing and applying different color conversion luminescent materials to each pixel.

얻어진 도포막을 감압 건조 및/또는 가열 건조해도 된다. 감압 건조하는 경우, 건조 용매가 감압 챔버 내벽에 재응축하는 것을 방지하기 위해, 감압 건조 온도는 80℃ 이하가 바람직하다. 감압 건조의 압력은, 도포막에 포함되는 용매의 증기압 이하가 바람직하고, 1 내지 1000Pa이 바람직하다. 감압 건조 시간은 10 내지 600초간이 바람직하다. 가열 건조하는 경우, 가열 건조 장치로서는, 예를 들어 오븐이나 핫 플레이트 등을 들 수 있다. 가열 건조 온도는 60 내지 200℃가 바람직하다. 가열 건조 시간은 1 내지 60분간이 바람직하다.You may dry the obtained coating film under reduced pressure and/or heat-dry. In the case of drying under reduced pressure, in order to prevent the drying solvent from re-condensing on the inner wall of the reduced pressure chamber, the reduced pressure drying temperature is preferably 80° C. or less. The pressure of drying under reduced pressure is preferably equal to or less than the vapor pressure of the solvent contained in the coating film, and preferably 1 to 1000 Pa. The drying time under reduced pressure is preferably 10 to 600 seconds. When heat-drying, an oven, a hot plate, etc. are mentioned as a heat-drying apparatus, for example. As for the heat-drying temperature, 60-200 degreeC is preferable. As for heat-drying time, 1 to 60 minutes are preferable.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 화소(B) 상에, 추가로 (C) 파장 550nm에 있어서의 굴절률이 1.20 내지 1.35인 저굴절률층(이하, 「저굴절률층(C)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 저굴절률층(C)을 가짐으로써, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.The substrate with barrier ribs of the present invention may further include (C) a low-refractive-index layer having a refractive index of 1.20 to 1.35 at a wavelength of 550 nm (hereinafter referred to as a “low-refractive-index layer (C)” on the pixel (B)) present) is preferred. By having the low-refractive-index layer (C), the light extraction efficiency can be further improved, and the luminance of the display device can be further improved.

도 3에, 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 저굴절률층(4)을 갖는다.Fig. 3 shows a cross-sectional view of an embodiment of the substrate with barrier ribs of the present invention having a low refractive index layer. It has the partition wall 2 and the pixel 3 pattern-formed on the base substrate 1, and also has the low-refractive-index layer 4 on these.

표시 장치에 있어서, 백라이트의 광의 반사를 적절하게 억제하여 화소(B)에 효율적으로 광을 입사시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 1.20 이상이 바람직하고, 1.23 이상이 보다 바람직하다. 한편, 휘도를 향상시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 1.35 이하가 바람직하고, 1.30 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 프리즘 커플러를 사용하여 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막면에 대하여 수직 방향으로부터 파장 550nm의 광을 조사하여 측정할 수 있다.In the display device, the refractive index of the low-refractive-index layer (C) is preferably 1.20 or more, and more preferably 1.23 or more, from the viewpoint of appropriately suppressing the reflection of light from the backlight and efficiently injecting light into the pixel (B). On the other hand, from a viewpoint of improving a brightness|luminance, 1.35 or less are preferable and, as for the refractive index of a low-refractive-index layer (C), 1.30 or less are more preferable. Here, the refractive index of the low-refractive-index layer (C) can be measured by irradiating light with a wavelength of 550 nm from a direction perpendicular to the cured film surface under atmospheric pressure at 20° C. using a prism coupler.

저굴절률층(C)은 폴리실록산 및 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 폴리실록산은 실리카 입자 등의 무기 입자와의 상용성이 높고, 투명한 층을 형성할 수 있는 결합제로서 기능한다. 또한, 실리카 입자를 함유함으로써, 저굴절률층(C) 중에 미소한 공극을 효율적으로 형성하여 굴절률을 저감할 수 있고, 굴절률을 전술한 범위로 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자를 사용함으로써, 경화 수축 시의 크랙을 발생시키기 쉬운 중공 구조를 갖지 않기 때문에, 크랙을 억제할 수 있다. 또한, 저굴절률층(C)에 있어서, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자는 각각 독립적으로 함유되어 있어도 되고, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자가 결합한 상태로 함유되어 있어도 된다. 저굴절률층(C)의 균일성의 관점에서, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자가 결합한 상태로 함유되어 있는 것이 바람직하다.The low-refractive-index layer (C) preferably contains polysiloxane and silica particles having no hollow structure. Polysiloxane has high compatibility with inorganic particles such as silica particles and functions as a binder capable of forming a transparent layer. In addition, by containing silica particles, minute voids can be efficiently formed in the low-refractive-index layer (C), the refractive index can be reduced, and the refractive index can be easily adjusted to the above-mentioned range. Moreover, since it does not have a hollow structure which tends to generate|occur|produce the crack at the time of cure shrinkage by using the silica particle which does not have a hollow structure, a crack can be suppressed. In addition, in the low refractive index layer (C), polysiloxane and the silica particle which do not have a hollow structure may contain each independently, and the polysiloxane and the silica particle which do not have a hollow structure may be contained in the couple|bonded state. From the viewpoint of the uniformity of the low-refractive-index layer (C), it is preferable that polysiloxane and silica particles having no hollow structure are contained in a bonded state.

저굴절률층(C)에 포함되는 폴리실록산은 불소를 함유하는 것이 바람직하다. 불소를 함유함으로써, 저굴절률층(C)의 굴절률을 1.20 내지 1.35로 용이하게 조정할 수 있다. 불소 함유 폴리실록산은, 적어도 하기 일반식 (10)으로 표시되는 불소 함유 알콕시실란 화합물을 포함하는 복수의 알콕시실란 화합물을 가수분해 및 중축합함으로써 얻을 수 있다. 추가로 다른 알콕시실란 화합물을 사용해도 된다.The polysiloxane contained in the low-refractive-index layer (C) preferably contains fluorine. By containing fluorine, the refractive index of the low-refractive-index layer (C) can be easily adjusted to 1.20 to 1.35. The fluorine-containing polysiloxane can be obtained by hydrolyzing and polycondensing a plurality of alkoxysilane compounds containing at least a fluorine-containing alkoxysilane compound represented by the following general formula (10). Furthermore, you may use another alkoxysilane compound.

Figure pat00005
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상기 일반식 (10) 중, R7은 불소수 3 내지 17의 플루오로알킬기를 나타낸다. R6은 일반식 (5) 내지 (7)에 있어서의 R6과 동일한 기를 나타낸다. m은 1 또는 2를 나타낸다. 4-m개의 R6 및 m개의 R7은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.In the general formula (10), R 7 represents a fluoroalkyl group having 3 to 17 fluorines. R 6 represents the same group as R 6 in the general formulas (5) to (7). m represents 1 or 2. 4-m pieces of R 6 and m pieces of R 7 may be the same or different, respectively.

일반식 (10)으로 표시되는 불소 함유 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 트리플루오로에틸트리메톡시실란, 트리플루오로에틸트리에톡시실란, 트리플루오로에틸트리이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리이소프로폭시실란, 트리플루오로에틸메틸디메톡시실란, 트리플루오로에틸메틸디에톡시실란, 트리플루오로에틸메틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디메톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로에틸에틸디메톡시실란, 트리플루오로에틸에틸디에톡시실란, 트리플루오로에틸에틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필에틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디메톡시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디이소프로폭시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the fluorine-containing alkoxysilane compound represented by the general formula (10) include trifluoroethyltrimethoxysilane, trifluoroethyltriethoxysilane, trifluoroethyltriisopropoxysilane, trifluoropropyl Trimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, trifluoropropyltriisopropoxysilane, heptadecafluorodecyltrimethoxysilane, heptadecafluorodecyltriethoxysilane, heptadecafluorodecyltri Isopropoxysilane, tridecafluorooctyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, tridecafluorooctyltriisopropoxysilane, trifluoroethylmethyldimethoxysilane, trifluoroethyl Methyldiethoxysilane, trifluoroethylmethyldiisopropoxysilane, trifluoropropylmethyldimethoxysilane, trifluoropropylmethyldiethoxysilane, trifluoropropylmethyldiisopropoxysilane, heptadecafluorodecyl Methyldimethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldiisopropoxysilane, tridecafluorooctylmethyldimethoxysilane, tridecafluorooctylmethyldiethoxysilane, tridecafluoro Looctylmethyldiisopropoxysilane, trifluoroethylethyldimethoxysilane, trifluoroethylethyldiethoxysilane, trifluoroethylethyldiisopropoxysilane, trifluoropropylethyldimethoxysilane, trifluoro Propylethyldiethoxysilane, trifluoropropylethyldiisopropoxysilane, heptadecafluorodecylethyldimethoxysilane, heptadecafluorodecylethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylethyldiisopropoxysilane, tri and decafluorooctylethyldiethoxysilane, tridecafluorooctylethyldimethoxysilane, and tridecafluorooctylethyldiisopropoxysilane. You may use these 2 or more types.

저굴절률층(C)에 있어서의 폴리실록산의 함유량은, 크랙을 억제하는 관점에서 4중량% 이상이 바람직하다. 한편, 폴리실록산의 함유량은, 실리카 입자간의 네트워크에 의한 틱소트로픽성을 확보하고, 저굴절률층(C) 중에 적절하게 공기층을 유지하고, 굴절률을 보다 저감하는 관점에서 32중량% 이하가 바람직하다.As for content of polysiloxane in a low-refractive-index layer (C), 4 weight% or more is preferable from a viewpoint of suppressing a crack. On the other hand, as for content of polysiloxane, 32 weight% or less is preferable from a viewpoint of ensuring the thixotropic property by the network between silica particles, maintaining an air layer suitably in the low-refractive-index layer (C), and reducing refractive index more.

저굴절률층(C)에 있어서의 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자로서는, 예를 들어 닛산 가가쿠 고교(주)제 "스노우텍스"(등록 상표)나 "오르가노실리카졸"(등록 상표) 시리즈(이소프로필알코올 분산액, 에틸렌글리콜 분산액, 메틸에틸케톤 분산액, 디메틸아세트아미드 분산액, 메틸이소부틸케톤 분산액, 프로필렌글리콜모노메틸아세테이트 분산액, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 분산액, 메탄올 분산액, 아세트산에틸 분산액, 아세트산부틸 분산액, 크실렌-n-부탄올 분산액, 톨루엔 분산액 등. 품번 PGM-ST, PMA-ST, IPA-ST, IPA-ST-L, IPA-ST-ZL, IPA-ST-UP 등)를 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.As silica particles having no hollow structure in the low refractive index layer (C), for example, "Snowtex" (registered trademark) manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd. and "organosilicasol" (registered trademark) series ( isopropyl alcohol dispersion, ethylene glycol dispersion, methyl ethyl ketone dispersion, dimethyl acetamide dispersion, methyl isobutyl ketone dispersion, propylene glycol monomethyl acetate dispersion, propylene glycol monomethyl ether dispersion, methanol dispersion, ethyl acetate dispersion, butyl acetate dispersion, xylene-n-butanol dispersion, toluene dispersion, etc. Part numbers PGM-ST, PMA-ST, IPA-ST, IPA-ST-L, IPA-ST-ZL, IPA-ST-UP, etc.) are mentioned. You may contain these 2 or more types.

저굴절률층(C) 중에 있어서의 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자의 함유량은, 실리카 입자간의 네트워크에 의한 틱소트로픽성을 확보하고, 저굴절률층(C) 중에 적절하게 공기층을 유지하고, 굴절률을 보다 저감하는 관점에서 68중량% 이상이 바람직하다. 한편, 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자의 함유량은, 크랙을 억제하는 관점에서 96중량% 이하가 바람직하다.The content of silica particles having no hollow structure in the low-refractive-index layer (C) ensures thixotropic properties due to the network between silica particles, appropriately maintains an air layer in the low-refractive-index layer (C), and increases the refractive index. From a viewpoint of reducing, 68 weight% or more is preferable. On the other hand, as for content of the silica particle which does not have a hollow structure, 96 weight% or less is preferable from a viewpoint of suppressing a crack.

저굴절률층(C)의 두께는, 화소(B)의 단차를 커버하여 결함의 발생을 억제하는 관점에서, 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 저굴절률층(C)의 두께는, 저굴절률층(C)의 크랙의 원인이 되는 스트레스를 저감하는 관점에서, 20㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the low-refractive-index layer (C) is preferably 0.1 µm or more, and more preferably 0.5 µm or more, from the viewpoint of covering the step difference of the pixel (B) and suppressing the occurrence of defects. On the other hand, the thickness of the low-refractive-index layer (C) is preferably 20 µm or less, more preferably 10 µm or less, from the viewpoint of reducing the stress that causes cracks in the low-refractive-index layer (C).

저굴절률층(C)의 형성 방법으로서는, 형성 방법이 용이한 점에서 도포법이 바람직하다. 예를 들어, 폴리실록산과 실리카 입자를 함유하는 저굴절률용 수지 조성물을 화소(B) 상에 도포하고, 건조시킨 후, 가열함으로써 저굴절률층(C)을 형성할 수 있다.As a formation method of a low-refractive-index layer (C), the point of a formation method is easy, and the application|coating method is preferable. For example, the low-refractive-index layer (C) can be formed by apply|coating the resin composition for low refractive index containing polysiloxane and a silica particle on the pixel (B), drying it, and heating.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 저굴절률층(C) 상에 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 I을 가짐으로써, 대기 중의 수분이 저굴절률층(C)에 도달하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고 휘도 열화를 억제할 수 있다.Moreover, it is preferable that the board|substrate with a barrier rib of this invention has the inorganic protective layer I with a thickness of 50-1,000 nm further on the said low-refractive-index layer (C). By having the inorganic protective layer I, it becomes difficult for moisture in the air to reach the low-refractive-index layer (C), so it is possible to suppress fluctuations in refractive index of the low-refractive-index layer (C) and suppress luminance deterioration.

도 4에, 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 저굴절률층(4) 및 무기 보호층 I(5)을 갖는다.Fig. 4 shows a cross-sectional view of one embodiment of the substrate with barrier ribs of the present invention having the low refractive index layer and the inorganic protective layer I. It has the partition wall 2 and the pixel 3 which were pattern-formed on the base board|substrate 1, and also has the low-refractive-index layer 4 and the inorganic protective layer I(5) on these.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 화소(B)와 상기 저굴절률층(C)의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 II를 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 II를 가짐으로써, 화소(B)로부터 저굴절률층으로 화소(B)를 형성하는 원료가 이동하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고, 휘도 열화를 억제할 수 있다.Moreover, it is preferable that the board|substrate with a partition wall of this invention has the inorganic protective layer II of 50-1,000 nm in thickness further between the said pixel (B) and the said low-refractive-index layer (C). By having the inorganic protective layer II, the raw material forming the pixel B from the pixel B to the low-refractive-index layer becomes difficult to move. can

도 5에, 저굴절률층 및 무기 보호층 II를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 무기 보호층 II(6) 및 저굴절률층(4)을 갖는다.Fig. 5 shows a cross-sectional view of an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer II. It has the partition wall 2 and the pixel 3 which were pattern-formed on the base board|substrate 1, and also has the inorganic protective layer II(6) and the low-refractive-index layer 4 on these.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판과 상기 화소(B)의 사이에, 추가로 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터(이하, 「컬러 필터」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 컬러 필터는 특정 파장 영역의 가시광을 투과시켜 투과광을 원하는 색상으로 하는 기능을 갖는다. 컬러 필터를 가짐으로써, 표시 장치의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 컬러 필터의 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써 색 순도를 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 컬러 필터의 두께를 5㎛ 이하로 함으로써 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.Moreover, it is preferable that the board|substrate with a partition of this invention has a 1-5 micrometers-thick color filter (Hereinafter, it may describe as a "color filter") between the base substrate and the said pixel (B). Do. The color filter has a function of transmitting visible light in a specific wavelength region to make the transmitted light a desired color. By having a color filter, the color purity of a display device can be improved. Color purity can be further improved by making the thickness of a color filter into 1 micrometer or more. On the other hand, by making the thickness of a color filter into 5 micrometers or less, a brightness|luminance can be improved more.

도 6에, 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 컬러 필터(7) 상에 화소(3)를 갖는다.In FIG. 6, the cross-sectional view of one aspect of the board|substrate with a partition of this invention which has a color filter is shown. It has the partition 2 and the color filter 7 pattern-formed on the base board|substrate 1, and has the pixel 3 on the color filter 7. As shown in FIG.

컬러 필터로서는, 예를 들어 액정 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 사용되는, 포토레지스트에 안료를 분산시킨 안료 분산형 재료를 사용한 컬러 필터 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 400nm 내지 550nm의 파장을 선택적으로 투과하는 청색 컬러 필터, 500nm 내지 600nm의 파장을 선택적으로 투과하는 녹색 컬러 필터, 500nm 이상의 파장을 선택적으로 투과하는 황색 컬러 필터, 600nm 이상의 파장을 선택적으로 투과하는 적색 컬러 필터 등을 들 수 있다. 또한, 컬러 필터는 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)로부터 이격하여 적층되어 있어도 되고, 일체화하여 적층되어 있어도 된다.As a color filter, the color filter etc. using the pigment dispersion type material which disperse|distributed the pigment to the photoresist used for flat panel displays, such as a liquid crystal display, are mentioned, for example. More specifically, a blue color filter selectively transmitting a wavelength of 400 nm to 550 nm, a green color filter selectively transmitting a wavelength of 500 nm to 600 nm, a yellow color filter selectively transmitting a wavelength of 500 nm or more, and selectively transmitting a wavelength of 600 nm or more Transmissive red color filter, etc. are mentioned. In addition, the color filter may be laminated|separated from the pixel B containing a color conversion luminescent material, and may be laminated|stacked integrally and may be laminated|stacked.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 컬러 필터와 상기 화소(B)의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 III을 가짐으로써, 컬러 필터로부터 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)로 컬러 필터의 형성 원료가 도달하기 어려워지기 때문에, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)의 휘도 열화를 억제할 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층을 가짐으로써, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 전부 변환할 수 없었던 청색 누설광을 커트하고, 색 재현성을 향상시킬 수 있다.Moreover, it is preferable that the board|substrate with a barrier rib of this invention has inorganic protective layer III and/or yellow organic protective layer of 50-1,000 nm in thickness further between a color filter and the said pixel (B). By having the inorganic protective layer III, the raw material for forming the color filter becomes difficult to reach from the color filter to the pixel (B) containing the color conversion luminescent material, so that the luminance deterioration of the pixel (B) containing the color conversion luminescent material is reduced. can be suppressed Moreover, by having a yellow organic protective layer, the blue leakage light which could not be fully converted by the pixel B containing a color conversion light emitting material can be cut, and color reproducibility can be improved.

도 7에, 컬러 필터 및 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 이들 위에 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층(8)을 갖고, 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층(8)으로 덮인 격벽(2)으로 이격되어 배열된 화소(3)를 갖는다.Fig. 7 shows a cross-sectional view of an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having a color filter and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer. It has partition walls 2 and a color filter 7 patterned on a base substrate 1, has an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer 8 thereon, and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer It has pixels 3 spaced apart from each other by partition walls 2 covered with a protective layer 8 .

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판 상에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층이 굴절률 조정층으로서 작용하여, 화소(B)로부터 나오는 광을 보다 효율적으로 취출하여, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층은, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 전부 변환할 수 없었던 청색 누설광을 커트하고, 색 재현성을 향상시킬 수 있다. 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층은, 하지 기판과 격벽(A) 및 화소(B) 사이에 마련되는 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is preferable that the board|substrate with a barrier rib of this invention has an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer with a thickness of 50-1,000 nm further on the said base board|substrate. The inorganic protective layer IV and/or the yellow organic protective layer act as a refractive index adjusting layer, so that light emitted from the pixel B can be extracted more efficiently, and the luminance of the display device can be further improved. Moreover, the yellow organic protective layer can cut off the blue leakage light which could not be completely converted by the pixel (B) containing a color conversion light emitting material, and can improve color reproducibility. It is more preferable that the inorganic protective layer IV and/or the yellow organic protective layer be provided between the underlying substrate and the partition wall (A) and the pixel (B).

도 8에, 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층(9)을 갖고, 이들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 이들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖는다.Fig. 8 shows a cross-sectional view of an embodiment of a substrate with barrier ribs of the present invention having an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer. having an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer 9 on a base substrate 1, having partition walls 2 and a color filter 7 patterned thereon, and partition walls 2 patterned thereon; and It has a pixel (3).

무기 보호층 I 내지 IV를 구성하는 재료로서는, 예를 들어 산화규소, 산화인듐주석, 산화갈륨아연 등의 금속 산화물; 질화규소 등의 금속 질화물; 불화마그네슘 등의 불화물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 수증기 투과성이 낮고, 투과성이 높은 점에서 질화규소 또는 산화규소가 보다 바람직하다.Examples of the material constituting the inorganic protective layers I to IV include metal oxides such as silicon oxide, indium tin oxide, and gallium zinc oxide; metal nitrides such as silicon nitride; Fluorides, such as magnesium fluoride, etc. are mentioned. You may contain these 2 or more types. Among these, silicon nitride or silicon oxide is more preferable at a point with low water vapor permeability and high permeability.

무기 보호층 I 내지 IV의 두께는, 수증기 등의 물질 투과를 충분히 억제하는 관점에서, 50nm 이상이 바람직하고, 100nm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 투과율의 저하를 억제하는 관점에서, 무기 보호층 I 내지 IV의 두께는 800nm 이하가 바람직하고, 500nm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the inorganic protective layers I to IV is preferably 50 nm or more, and more preferably 100 nm or more, from the viewpoint of sufficiently suppressing permeation of substances such as water vapor. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the decrease in transmittance, the thickness of the inorganic protective layers I to IV is preferably 800 nm or less, more preferably 500 nm or less.

무기 보호층 I 내지 IV의 두께는, 크로스 섹션 폴리셔 등의 연마 장치를 사용하여, 하지 기판에 대하여 수직인 단면을 노출시키고, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경을 사용하여 단면을 확대 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the inorganic protective layers I to IV is measured by exposing a cross section perpendicular to the underlying substrate using a polishing apparatus such as a cross section polisher, and magnifying the cross section using a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. can do.

무기 보호층 I 내지 IV의 형성 방법으로서는, 예를 들어 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 무기 보호층은 무색 투명 또는 황색 투명인 것이 바람직하다.Examples of the method for forming the inorganic protective layers I to IV include sputtering. The inorganic protective layer is preferably colorless and transparent or yellow transparent.

황색 유기 보호층은, 예를 들어 유기 금속 화합물로서, 은을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 패턴 가공하여 얻어진다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물은, 상술한 바와 같이 패턴 형성 시에, 가열 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 황색 입자가 되어, 보호층을 황색화하는 기능을 갖는다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물로서는, 예를 들어 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 보다 황색화하는 관점에서 네오데칸산은이 바람직하다. 황색 유기 보호층용 수지 조성물에 있어서, 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량은 고형분 중의 0.2 내지 5중량%가 바람직하다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량을 0.2중량% 이상으로 함으로써, 보다 황색화할 수 있다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량은 고형분 중의 1.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량을 고형분 중의 5중량% 이하로 함으로써, 투과율을 보다 향상시킬 수 있다.A yellow organic protective layer is obtained by pattern-processing the resin composition of this invention containing the organometallic compound containing silver as an organometallic compound, for example. As mentioned above, the organometallic compound containing silver becomes yellow particle|grains by decomposing|decomposing and aggregating in a heating process in the case of pattern formation, and has a function of yellowing a protective layer. As an organometallic compound containing silver, silver neodecanoate, silver octylate, silver salicylate, etc. are mentioned, for example. Among these, silver neodecanoate is preferable from a viewpoint of yellowing more. The yellow resin composition for organic protective layers WHEREIN: As for content of the organometallic compound containing silver, 0.2 to 5 weight% of solid content is preferable. By making content of the organometallic compound containing silver into 0.2 weight% or more, it can yellow more. As for content of the organometallic compound containing silver, 1.5 weight% or more in solid content is more preferable. On the other hand, when content of the organometallic compound containing silver shall be 5 weight% or less in solid content, the transmittance|permeability can be improved more.

황색 유기 보호층을 형성하는 수지 조성물은 황색 안료를 함유해도 된다. 황색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 옐로우(이하 PY라고 약칭함) PY12, PY13, PY17, PY20, PY24, PY83, PY86, PY93, PY95, PY109, PY110, PY117, PY125, PY129, PY137, PY138, PY139, PY147, PY148, PY150, PY153, PY154, PY166, PY168, PY185 등을 들 수 있다. 그 중에서도 청색광을 선택적으로 차광하는 관점에서, PY139, PY147, PY148 및 PY150으로부터 선택된 황색 안료가 바람직하다.The resin composition forming the yellow organic protective layer may contain a yellow pigment. Examples of the yellow pigment include Pigment Yellow (hereinafter abbreviated as PY) PY12, PY13, PY17, PY20, PY24, PY83, PY86, PY93, PY95, PY109, PY110, PY117, PY125, PY129, PY137, PY138, PY139. , PY147, PY148, PY150, PY153, PY154, PY166, PY168, PY185, and the like. Among them, from the viewpoint of selectively blocking blue light, a yellow pigment selected from PY139, PY147, PY148 and PY150 is preferable.

황색 유기 보호층을 패턴 형성하는 방법으로서는, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.As a method of pattern-forming a yellow organic protective layer, the method of pattern-forming by the photosensitive paste method similarly to the above-mentioned partition (A-1) is preferable.

도 7과 같이, 컬러 필터(7) 상에 황색 유기 보호층(8)을 형성하는 경우, 황색 유기 보호층(8)은 컬러 필터의 각 화소를 평탄화하는 오버코트층으로서의 역할을 갖도록 해도 된다.As shown in Fig. 7, when forming the yellow organic protective layer 8 on the color filter 7, the yellow organic protective layer 8 may serve as an overcoat layer for planarizing each pixel of the color filter.

황색 유기 보호층의 두께는, 청색 누설광을 충분히 차광하는 관점에서, 100nm 이상이 바람직하고, 500nm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 광 취출 효율의 저하를 억제하는 관점에서, 황색 유기 보호층의 두께는 3000nm 이하가 바람직하고, 2000nm 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of sufficiently blocking blue leakage light, the thickness of the yellow organic protective layer is preferably 100 nm or more, and more preferably 500 nm or more. On the other hand, from a viewpoint of suppressing the fall of light extraction efficiency, 3000 nm or less is preferable and, as for the thickness of a yellow organic protective layer, 2000 nm or less is more preferable.

다음에, 본 발명의 표시 장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 표시 장치는 상기 격벽 구비 기판과 발광 광원을 갖는다. 발광 광원으로서는 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀로부터 선택된 발광 광원이 바람직하다. 발광 특성이 우수한 점에서, 발광 광원으로서는 유기 EL 셀이 보다 바람직하다. 여기서, 미니 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 내지 10mm 정도인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다. 마이크로 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 미만인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다.Next, the display device of the present invention will be described. The display device of the present invention includes the above-mentioned barrier rib-bearing substrate and a light emitting light source. As the luminescent light source, a luminescent light source selected from a liquid crystal cell, an organic EL cell, a mini LED cell and a micro LED cell is preferable. An organic EL cell is more preferable as the light emitting light source from the viewpoint of excellent light emitting characteristics. Here, the mini LED cell refers to a cell in which a plurality of LEDs having a length of about 100 µm to 10 mm in length and width are arranged. The microLED cell refers to a cell in which a large number of LEDs having a length of less than 100 µm in length and width are arranged.

본 발명의 표시 장치의 제조 방법에 대하여, 본 발명의 격벽 구비 기판과 유기 EL 셀을 갖는 표시 장치의 일례를 들어 설명한다. 유리 기판 상에 감광성 폴리이미드 수지를 도포하고, 포토리소그래피법을 사용하여 개구부를 갖는 절연막을 형성한다. 그 위에 알루미늄을 스퍼터링한 후, 포토리소그래피법에 의해 알루미늄의 패터닝을 행하여, 절연막이 없는 개구부에 알루미늄으로 이루어지는 배면 전극층을 형성한다. 계속해서, 그 위에 전자 수송층으로서 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(이하, Alq3이라고 약칭함)을 진공 증착법에 의해 성막한 후, 발광층으로서 Alq3에 디시아노메틸렌피란, 퀴나크리돈 및 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐을 도핑한 백색 발광층을 형성한다. 다음에, 정공 수송층으로서 N,N'-디페닐-N,N'-비스(α-나프틸)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민을 진공 증착법으로 성막한다. 마지막에, 투명 전극으로서 ITO를 스퍼터링으로 성막하고, 백색 발광층을 갖는 유기 EL 셀을 제작한다. 전술한 격벽 구비 기판과, 이와 같이 하여 얻어진 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합함으로써, 표시 장치를 제작할 수 있다.An example of the display apparatus which has the board|substrate with barrier ribs of this invention, and organic electroluminescent cell is given and demonstrated about the manufacturing method of the display device of this invention. A photosensitive polyimide resin is applied on a glass substrate, and an insulating film having an opening is formed using a photolithography method. After sputtering aluminum thereon, aluminum is patterned by a photolithography method to form a rear electrode layer made of aluminum in an opening without an insulating film. Subsequently, tris(8-quinolinolato)aluminum (hereinafter, abbreviated as Alq3) as an electron transporting layer was formed thereon by vacuum deposition, and then dicyanomethylenepyran, quinacridone and 4 were added to Alq3 as a light emitting layer, A white light emitting layer doped with 4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl is formed. Next, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(?-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine as a hole transport layer is formed by vacuum deposition. Finally, as a transparent electrode, ITO is formed into a film by sputtering, and the organic electroluminescent cell which has a white light emitting layer is produced. A display device is producible by making the board|substrate with a barrier rib mentioned above and the organic EL cell obtained in this way oppose and bonding with a sealing agent.

실시예Example

이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 범위에 한정되지 않는다. 또한, 사용한 화합물 중 약어를 사용하고 있는 것에 대하여, 명칭을 이하에 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these scopes. In addition, the name is shown below about the thing using the abbreviation among the used compounds.

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate

DAA: 디아세톤알코올DAA: diacetone alcohol

BHT: 디부틸히드록시톨루엔.BHT: dibutylhydroxytoluene.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산 용액의 고형분 농도는, 이하의 방법에 의해 구하였다. 알루미늄 컵에 폴리실록산 용액을 1.5g 칭량하고, 핫 플레이트를 사용하여 250℃에서 30분간 가열하여 액분을 증발시켰다. 가열 후의 알루미늄 컵에 남은 고형분의 중량을 칭량하여, 가열 전의 중량에 대한 비율로부터 폴리실록산 용액의 고형분 농도를 구하였다.The solid content concentration of the polysiloxane solution in Synthesis Examples 1-4 was calculated|required with the following method. 1.5 g of the polysiloxane solution was weighed in an aluminum cup, and heated at 250° C. for 30 minutes using a hot plate to evaporate the liquid. The weight of the solid content remaining in the aluminum cup after heating was measured, and the solid content concentration of the polysiloxane solution was calculated|required from the ratio with respect to the weight before heating.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산의 중량 평균 분자량은, 이하의 방법에 의해 구하였다. GPC 분석 장치(HLC-8220; 도소(주)제)를 사용하고, 이동상으로서 테트라히드로푸란을 사용하여, 「JIS K7252-3(제정 년월일=2008/03/20)」에 기초하여 GPC 분석을 행하여, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하였다.The weight average molecular weight of the polysiloxane in Synthesis Examples 1-4 was calculated|required with the following method. GPC analysis was performed based on "JIS K7252-3 (establishment date = 2008/03/20)" using a GPC analysis apparatus (HLC-8220; manufactured by Tosoh Corporation), using tetrahydrofuran as a mobile phase, , the weight average molecular weight in terms of polystyrene was measured.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산 중의 각 반복 단위의 함유 비율은, 이하의 방법에 의해 구하였다. 폴리실록산 용액을 직경 10mm의 "테플론"(등록 상표)제 NMR 샘플관에 주입하여 29Si-NMR 측정을 행하고, 오르가노실란으로부터 유래하는 Si 전체의 적분값에 대한, 특정 오르가노실란으로부터 유래하는 Si의 적분값의 비율로부터 각 반복 단위의 함유 비율을 산출하였다. 29Si-NMR 측정 조건을 이하에 나타낸다.The content rate of each repeating unit in the polysiloxane in Synthesis Examples 1-4 was calculated|required with the following method. The polysiloxane solution was poured into a "Teflon" (registered trademark) NMR sample tube with a diameter of 10 mm, 29 Si-NMR measurement was performed, and Si derived from a specific organosilane with respect to the integral value of all Si derived from the organosilane. The content ratio of each repeating unit was calculated from the ratio of the integral value of . 29 Si-NMR measurement conditions are shown below.

장치: 핵자기 공명 장치(JNM-GX270; 니혼 덴시(주)제)Apparatus: nuclear magnetic resonance apparatus (JNM-GX270; manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.)

측정법: 게이티드 디커플링법Measurement method: Gated decoupling method

측정 핵 주파수: 53.6693MHz(29Si핵)Measured nuclear frequency: 53.6693MHz ( 29 Si nucleus)

스펙트럼 폭: 20000HzSpectral Width: 20000Hz

펄스 폭: 12μs(45° 펄스)Pulse width: 12 μs (45° pulse)

펄스 반복 시간: 30.0초Pulse repetition time: 30.0 seconds

용매: 아세톤-d6Solvent: acetone-d6

기준 물질: 테트라메틸실란Reference substance: tetramethylsilane

측정 온도: 23℃Measuring temperature: 23℃

시료 회전수: 0.0Hz.Sample rotation rate: 0.0 Hz.

합성예 1 폴리실록산(PSL-1) 용액Synthesis Example 1 Polysiloxane (PSL-1) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 147.32g(0.675mol), 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란을 40.66g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.808g 및 PGMEA를 171.62g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 52.65g에 인산 2.265g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가 90분간 교반한 후, 오일 배스를 30분간에 걸쳐 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내온)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반하여(내온은 100 내지 110℃) 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분류하였다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 131.35g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-1) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-1)의 중량 평균 분자량은 4,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-1)에 있어서의 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 67.5mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000 ml three-necked flask, 147.32 g (0.675 mol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, 40.66 g (0.175 mol) of 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropyl succinic anhydride 26.23g (0.10mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, 0.808g of BHT, and 171.62g of PGMEA were added, and 52.65 of water while stirring at room temperature An aqueous solution of phosphoric acid in which 2.265 g of phosphoric acid (1.0 wt% with respect to the input monomer) was dissolved in g was added over 30 minutes. After that, the flask was immersed in a 70°C oil bath and stirred for 90 minutes, and then the oil bath was heated to 115°C over 30 minutes. The solution temperature (internal temperature) reached 100 degreeC 1 hour after the start of temperature increase, and it heat-stirred from there for 2 hours (internal temperature is 100-110 degreeC), and obtained the polysiloxane solution. Moreover, 0.05 liter/classification of the mixed gas of 95 volume% nitrogen and 5 volume% of oxygen was carried out during temperature rise and heating stirring. A total of 131.35 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that solid content concentration might be 40 weight%, and the polysiloxane (PSL-1) solution was obtained. In addition, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-1) was 4,000. In addition, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride and 3-(3,4-epoxycyclo) in polysiloxane (PSL-1) The molar ratios of each repeating unit derived from hexyl)propyltrimethoxysilane were 67.5 mol%, 17.5 mol%, 10 mol% and 5 mol%, respectively.

합성예 2 폴리실록산(PSL-2) 용액Synthesis Example 2 Polysiloxane (PSL-2) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 디페닐디메톡시실란을 116.07g(0.475mol), 디메틸디메톡시실란(0.20mol), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 43.46g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.843g 및 PGMEA를 176.26g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 43.65g에 인산 2.221g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 136.90g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-2) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-2)의 중량 평균 분자량은 2,800이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-2)에 있어서의 디페닐디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 47.5mol%, 20mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000ml 3-neck flask, 116.07g (0.475mol) of diphenyldimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane (0.20mol), 43.46g (0.175mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-tri 26.23 g (0.10 mol) of methoxysilylpropyl succinic anhydride, 12.32 g (0.05 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl) propyltrimethoxysilane, 0.843 g of BHT and 176.26 g of PGMEA were added, While stirring at room temperature, an aqueous solution of phosphoric acid in which 2.221 g of phosphoric acid (1.0 wt% with respect to the input monomer) was dissolved in 43.65 g of water was added over 30 minutes. Then, it carried out similarly to the synthesis example 1, and obtained the polysiloxane solution. A total of 136.90 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that solid content concentration might be set to 40 weight%, and the polysiloxane (PSL-2) solution was obtained. Moreover, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-2) was 2,800. Further, diphenyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyl in polysiloxane (PSL-2) The molar ratios of each repeating unit derived from trimethoxysilane were 47.5 mol%, 20 mol%, 17.5 mol%, 10 mol% and 5 mol%, respectively.

합성예 3 폴리실록산(PSL-3) 용액Synthesis Example 3 Polysiloxane (PSL-3) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 147.32g(0.675mol), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시시실란을 43.46g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.810g 및 PGMEA를 172.59g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 54.45g에 인산 2.293g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 140.05g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-3) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-3)의 중량 평균 분자량은 4,100이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-3)에 있어서의 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 67.5mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000 ml three-necked flask, 147.32 g (0.675 mol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, 43.46 g (0.175 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropyl succinic acid 26.23 g (0.10 mol) of anhydride, 12.32 g (0.05 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl) propyltrimethoxysilane, 0.810 g of BHT and 172.59 g of PGMEA were added, and water was stirred at room temperature while stirring. An aqueous solution of phosphoric acid in which 2.293 g of phosphoric acid (1.0% by weight relative to the input monomer) was dissolved in 54.45 g was added over 30 minutes. Then, it carried out similarly to the synthesis example 1, and obtained the polysiloxane solution. A total of 140.05 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that solid content concentration might be set to 40 weight%, and the polysiloxane (PSL-3) solution was obtained. Moreover, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-3) was 4,100. In addition, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride and 3-(3,4-epoxycyclo) in polysiloxane (PSL-3) The molar ratios of each repeating unit derived from hexyl)propyltrimethoxysilane were 67.5 mol%, 17.5 mol%, 10 mol% and 5 mol%, respectively.

합성예 4 폴리실록산(PSL-4) 용액Synthesis Example 4 Polysiloxane (PSL-4) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 메틸트리메톡시실란을 34.05g(0.250mol), 페닐트리메톡시실란을 99.15g(0.500mol), 테트라에톡시실란을 31.25g(0.150mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 24.64g(0.100mol) 및 PGMEA를 174.95g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 56.70g에 인산 0.945g(투입 모노머에 대하여 0.50중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 129.15g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-4) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-4)의 중량 평균 분자량은 4,200이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-4)에 있어서의 메틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 테트라에톡시실란 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 25mol%, 50mol%, 15mol% 및 10mol%였다.In a 1000ml 3-neck flask, 34.05g (0.250mol) of methyltrimethoxysilane, 99.15g (0.500mol) of phenyltrimethoxysilane, 31.25g (0.150mol) of tetraethoxysilane, 3-(3, 24.64 g (0.100 mol) of 4-epoxycyclohexyl) propyltrimethoxysilane and 174.95 g of PGMEA were added, and an aqueous solution of phosphoric acid in which 0.945 g of phosphoric acid (0.50 wt % with respect to the input monomer) was dissolved in 56.70 g of water while stirring at room temperature. was added over 30 minutes. Then, it carried out similarly to the synthesis example 1, and obtained the polysiloxane solution. A total of 129.15 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that solid content concentration might be set to 40 weight%, and the polysiloxane (PSL-4) solution was obtained. Moreover, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-4) was 4,200. In addition, each repeating unit derived from methyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, tetraethoxysilane and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane in polysiloxane (PSL-4) The molar ratios of were 25 mol%, 50 mol%, 15 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 1 내지 4의 조성을 통합하여 표 1에 나타낸다.The compositions of Synthesis Examples 1 to 4 are collectively shown in Table 1.

Figure pat00006
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합성예 5 녹색 유기 형광체Synthesis Example 5 Green organic phosphor

3,5-디브로모벤즈알데히드(3.0g), 4-t-부틸페닐보론산(5.3g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.4g) 및 탄산칼륨(2.0g)을 플라스크에 넣고, 질소 치환하였다. 여기에 탈기한 톨루엔(30mL) 및 탈기한 물(10mL)을 첨가하고, 4시간 환류하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고 분액한 후에, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(3.5g)의 백색 고체를 얻었다. 다음에, 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(1.5g)와 2,4-디메틸피롤(0.7g)을 플라스크에 넣고, 탈수 디클로로메탄(200mL) 및 트리플루오로아세트산(1방울)을 첨가하여, 질소 분위기 하, 4시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(0.85g)의 탈수 디클로로메탄 용액을 첨가하고, 추가로 1시간 교반하였다. 반응 종료 후, 3불화붕소디에틸에테르 착체(7.0mL) 및 디이소프로필에틸아민(7.0mL)을 첨가하여 4시간 교반한 후, 추가로 물(100mL)을 첨가하여 교반하고, 유기층을 분액하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 녹색 분말 0.4g을 얻었다(수율 17%). 얻어진 녹색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같으며, 상기에서 얻어진 녹색 분말이 하기 구조식으로 표시되는 [G-1]인 것이 확인되었다.3,5-dibromobenzaldehyde (3.0 g), 4-t-butylphenylboronic acid (5.3 g), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0.4 g) and potassium carbonate (2.0 g) It was placed in a flask and purged with nitrogen. Degassed toluene (30 mL) and degassed water (10 mL) were added thereto, and the mixture was refluxed for 4 hours. After the reaction solution was cooled to room temperature and liquid-separated, the organic layer was washed with saturated brine. The organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain a white solid of 3,5-bis(4-t-butylphenyl)benzaldehyde (3.5 g). Next, 3,5-bis(4-t-butylphenyl)benzaldehyde (1.5 g) and 2,4-dimethylpyrrole (0.7 g) were placed in a flask, dehydrated dichloromethane (200 mL) and trifluoroacetic acid (1 drop) and stirred for 4 hours under a nitrogen atmosphere. To the reaction mixture was added a dehydrated dichloromethane solution of 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (0.85 g), followed by stirring for an additional 1 hour. After completion of the reaction, boron trifluoride diethyl ether complex (7.0 mL) and diisopropylethylamine (7.0 mL) were added and stirred for 4 hours, then water (100 mL) was added and stirred, and the organic layer was separated. . The organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain 0.4 g of a green powder (yield: 17%). 1 H-NMR analysis results of the obtained green powder were as follows, and it was confirmed that the green powder obtained above was [G-1] represented by the following structural formula.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.95(s, 1H), 7.63-7.48(m, 10H), 6.00(s, 2H), 2.58(s, 6H), 1.50(s, 6H), 1.37(s, 18H). 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 7.95(s, 1H), 7.63-7.48(m, 10H), 6.00(s, 2H), 2.58(s, 6H), 1.50(s, 6H) , 1.37 (s, 18H).

Figure pat00007
Figure pat00007

합성예 6 적색 유기 형광체Synthesis Example 6 Red organic phosphor

4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 300mg, 2-메톡시벤조일 클로라이드 201mg 및 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 120℃에서 6시간 가열하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 증발시켰다. 얻어진 잔류물을 에탄올 20ml로 세정하고, 진공 건조함으로써 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg을 얻었다. 다음에, 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg, 4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 180mg, 메탄술폰산 무수물 206mg 및 탈기한 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 125℃에서 7시간 가열하였다. 이 반응 혼합물을 실온으로 냉각 후, 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정한 후, 증발시키고 진공 건조함으로써 잔류물로서 피로메텐체를 얻었다. 다음에, 얻어진 피로메텐체와 톨루엔 10ml의 혼합 용액에, 질소 기류 하, 디이소프로필에틸아민 305mg 및 3불화붕소디에틸에테르 착체 670mg을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정하고, 황산마그네슘으로 건조 후 증발시켰다. 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 진공 건조한 후, 적자색 분말 0.27g을 얻었다(수율 70%). 얻어진 적자색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같으며, 상기에서 얻어진 적자색 분말이 하기 구조식으로 표시되는 [R-1]인 것이 확인되었다.A mixed solution of 300 mg of 4-(4-t-butylphenyl)-2-(4-methoxyphenyl)pyrrole, 201 mg of 2-methoxybenzoyl chloride, and 10 ml of toluene was heated at 120° C. under a nitrogen stream for 6 hours. After cooling to room temperature, the solvent was evaporated. The obtained residue was washed with 20 ml of ethanol and vacuum dried to obtain 260 mg of 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole. Next, 260 mg of 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole, 4-(4-t-butylphenyl)-2-( A mixed solution of 180 mg of 4-methoxyphenyl)pyrrole, 206 mg of methanesulfonic anhydride, and 10 ml of degassed toluene was heated at 125°C for 7 hours under a nitrogen stream. After the reaction mixture was cooled to room temperature, 20 ml of water was added, and the mixture was extracted with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, then evaporated and dried in vacuo to obtain a pyromethene compound as a residue. Next, 305 mg of diisopropylethylamine and 670 mg of boron trifluoride diethyl ether complex were added to the obtained mixed solution of pyromethene compound and 10 ml of toluene under a nitrogen stream, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. 20 ml of water was added to the reaction mixture, and the mixture was extracted with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, dried over magnesium sulfate, and then evaporated. After purification by silica gel column chromatography and vacuum drying, 0.27 g of red-purple powder was obtained (yield: 70%). 1 H-NMR analysis results of the obtained red-purple powder are as follows, and it was confirmed that the obtained red-violet powder was [R-1] represented by the following structural formula.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 1.19(s, 18H), 3.42(s, 3H), 3.85(s, 6H), 5.72(d, 1H), 6.20(t, 1H), 6.42-6.97(m, 16H), 7.89(d, 4H). 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 1.19(s, 18H), 3.42(s, 3H), 3.85(s, 6H), 5.72(d, 1H), 6.20(t, 1H), 6.42 -6.97 (m, 16H), 7.89 (d, 4H).

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Figure pat00008

합성예 7 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)Synthesis Example 7 Polysiloxane solution containing silica particles (LS-1)

500ml의 3구 플라스크에, 메틸트리메톡시실란을 0.05g(0.4mmol), 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 0.66g(3.0mmol), 트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 0.10g(0.4mmol), γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 7.97g(34mmol) 및 15.6중량%의 실리카 입자의 이소프로필알코올 분산액(IPA-ST-UP: 닛산 가가쿠 고교(주)제)을 224.37g 넣고, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르 163.93g을 첨가하였다. 실온에서 교반하면서, 물 4.09g에 인산 0.088g을 녹인 인산 수용액을 3분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 40℃의 오일 배스에 담구어 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분간에 걸쳐 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액의 내온이 100℃에 도달하고, 그로부터 추가로 2시간 가열 교반함으로써(내온은 100 내지 110℃), 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중 질소를 0.05l(리터)/분류하였다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 194.01g 유출되었다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)의 고형분 농도는 24.3중량%, 고형분 중의 폴리실록산과 실리카 입자의 함유량은 각각 15중량% 및 85중량%였다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산(LS-1)에 있어서의 폴리실록산의 메틸트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 1.0mol%, 8.0mol%, 1.0mol% 및 90.0mol%였다.In a 500 ml three-neck flask, 0.05 g (0.4 mmol) of methyltrimethoxysilane, 0.66 g (3.0 mmol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, and 0.10 g (0.4 mmol) of trimethoxysilylpropyl succinic anhydride , 7.97 g (34 mmol) of γ-acryloxypropyltrimethoxysilane and 224.37 g of isopropyl alcohol dispersion (IPA-ST-UP: manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd.) of 15.6 wt% silica particles, ethylene 163.93 g of glycol mono-t-butyl ether was added. While stirring at room temperature, an aqueous solution of phosphoric acid in which 0.088 g of phosphoric acid was dissolved in 4.09 g of water was added over 3 minutes. Thereafter, the flask was immersed in a 40°C oil bath and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 115°C over 30 minutes. The inner temperature of the solution reached 100° C. 1 hour after the start of the temperature increase, and then heated and stirred for an additional 2 hours (internal temperature was 100 to 110° C.) to obtain a silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1). In addition, 0.05 l (liter)/classified nitrogen during the heating and stirring of the temperature. A total of 194.01 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. The solid content concentration of the obtained silica particle containing polysiloxane solution (LS-1) was 24.3 weight%, and content of the polysiloxane and silica particle in solid content was 15 weight% and 85 weight%, respectively. From methyltrimethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride and γ-acryloxypropyltrimethoxysilane of polysiloxane in the obtained silica particle-containing polysiloxane (LS-1) The molar ratios of each derived repeating unit were 1.0 mol%, 8.0 mol%, 1.0 mol%, and 90.0 mol%, respectively.

실시예 1 격벽용 수지 조성물(P-1)Example 1 Resin composition for partition walls (P-1)

백색 안료로서, 이산화티타늄 안료(R-960; BASF 재팬(주)제(이하 「R-960」)) 5.00g에, 수지로서 합성예 1에 의해 얻어진 폴리실록산(PSL-1) 용액 5.00g을 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산하여 안료 분산액(MW-1)을 얻었다. 또한, 유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐을 1.00g과, 인 원자를 갖는 배위성 화합물로서 트리페닐포스핀을 0.861g(유기 금속 화합물에 대하여 등몰량)을 DAA 8.139g에 용해하여, 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 얻었다.As a white pigment, 5.00 g of a titanium dioxide pigment (R-960; manufactured by BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter "R-960"))) was mixed with 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution obtained in Synthesis Example 1 as a resin. and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-1). Further, 1.00 g of bis (acetylacetonato) palladium as an organometallic compound and 0.861 g (equimolar amount relative to the organometallic compound) of triphenylphosphine as a coordination compound having a phosphorus atom were dissolved in 8.139 g of DAA, An organometallic compound solution (OM-1) was obtained.

다음에, 상기 안료 분산액(MW-1) 9.98g, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 1.86g, 폴리실록산(PSL-1) 용액 0.98g, 광중합 개시제로서 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심)("이르가큐어"(등록 상표) OXE-02, BASF 재팬(주)제(이하 「OXE-02」)) 0.050g, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드("이르가큐어" 819, BASF 재팬(주)제(이하 「IC-819」)) 0.400g, 광염기 발생제로서 2-(3-벤조일페닐)프로피온산1,2-디이소프로필-3-[비스(디메틸아미노)메틸렌]구아니디늄(WPBG-266(상품명), 후지 필름 와코 쥰야쿠(주)제(이하 「WPBG-266」)) 0.100g, 광중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트("KAYARAD"(등록 상표) DPHA, 신닛본 약교우(주)제(이하 「DPHA」)) 1.20g, 발액 화합물로서 광중합성 불소 함유 화합물("메가펙"(등록 상표) RS-76-E, DIC(주)제(이하 「RS-76-E」))의 40중량% PGMEA 희석 용액 1.00g, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트("셀록사이드"(등록 상표) 2021P, 다이셀(주)제(이하 「셀록사이드(등록 상표) 2021P」)) 0.100g, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트]("이르가녹스"(등록 상표) 1010, BASF 재팬(주)제(이하 「IRGANOX(등록 상표) 1010」)) 0.030g 및 아크릴계 계면 활성제("BYK"(등록 상표) 352, 빅 케미 재팬(주)제(이하 「BYK-352」))의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.100g(농도 500ppm에 상당)을 용매 PGMEA 4.20g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-1)을 얻었다.Next, 9.98 g of the pigment dispersion (MW-1), 1.86 g of the organometallic compound solution (OM-1), 0.98 g of a polysiloxane (PSL-1) solution, ethanone as a photopolymerization initiator, 1-[9-ethyl- 6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(O-acetyloxime) (“Irgacure” (registered trademark) OXE-02, manufactured by BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter) "OXE-02")) 0.050 g, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide ("Irgacure" 819, manufactured by BASF Japan (hereinafter "IC-819")) 0.400 g, 2-(3-benzoylphenyl)propionic acid 1,2-diisopropyl-3-[bis(dimethylamino)methylene]guanidinium as photobase generator (WPBG-266 (trade name), FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Co., Ltd. (hereinafter “WPBG-266”)) 0.100 g, dipentaerythritol hexaacrylate as a photopolymerizable compound (“KAYARAD” (registered trademark) DPHA, manufactured by New Nippon Pharmaceutical Co., Ltd. (hereinafter “DPHA”) )) 1.20 g, 40 wt% PGMEA dilution of a photopolymerizable fluorine-containing compound (“Megapec” (registered trademark) RS-76-E, manufactured by DIC Corporation (hereinafter “RS-76-E”)) as a liquid repellent compound Solution 1.00 g, 3',4'-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate (“Celoxide” (registered trademark) 2021P, manufactured by Daicel Co., Ltd. (hereinafter “Celoxide (registered trademark)”) ) 2021P")) 0.100 g, ethylenebis(oxyethylene)bis[3-(5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl)propionate] ("IRganox" (registered trademark) 1010, BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter “IRGANOX (registered trademark) 1010”)) 0.030 g and acrylic surfactant (“BYK” (registered trademark) 352, manufactured by Big Chemie Japan (hereinafter “BYK-352”))) 0.100 g of a 10 wt% dilution solution of PGMEA (corresponding to a concentration of 500 ppm) was dissolved in 4.20 g of a solvent PGMEA and stirred. The obtained mixture was filtered with a 5.0-micrometer filter, and the resin composition for partitions (P-1) was obtained.

실시예 2 내지 3 격벽용 수지 조성물(P-2) 내지 (P-3)Examples 2 to 3 Resin compositions for partition walls (P-2) to (P-3)

폴리실록산(PSL-1) 용액 대신에 각각 상기 폴리실록산(PSL-2) 또는 (PSL-3) 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-2) 및 (P-3)을 얻었다.Resin compositions for partition walls (P-2) and (P-3) in the same manner as in Example 1 except that the polysiloxane (PSL-2) or (PSL-3) solution was used instead of the polysiloxane (PSL-1) solution. got

실시예 4 격벽용 수지 조성물(P-4)Example 4 Resin composition for bulkheads (P-4)

RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액 대신에 "메가펙"(등록 상표) F477(다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제) 40중량% PGMEA 희석 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-4)을 얻었다.In Example 1, except that a 40 wt% PGMEA dilution solution of "Megapec" (registered trademark) F477 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd. product) was used instead of the 40 wt% PGMEA dilution solution of RS-76-E. Similarly, the resin composition for partitions (P-4) was obtained.

실시예 5 격벽용 수지 조성물(P-5)Example 5 Resin composition for partition walls (P-5)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-4) 용액을 5.00g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-4)을 얻었다. 상기 안료 분산액(MW-4)을 9.98g, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 1.86g, 상기 폴리실록산(PSL-4) 용액을 1.16g, 광염기 발생제로서 WPBG-266을 0.10g, 발액 화합물로서 F477의 40중량% PGMEA 희석 용액을 1.00g, 셀록사이드(등록 상표) 2021P를 0.100g, 퀴논디아지드 화합물로서 THP-17(상품명, 도요 고세 고교(주)제)을 1.60g, 계면 활성제 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액을 0.100g 및 PGMEA를 4.10g 혼합하여 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-5)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment and 5.00 g of a polysiloxane (PSL-4) solution as a resin were mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-4). 9.98 g of the pigment dispersion (MW-4), 1.86 g of the organometallic compound solution (OM-1), 1.16 g of the polysiloxane (PSL-4) solution, 0.10 g of WPBG-266 as a photobase generator, 1.00 g of a 40 wt% PGMEA diluted solution of F477 as a liquid repellent compound, 0.100 g of Celoxide (registered trademark) 2021P, 1.60 g of THP-17 (trade name, manufactured by Toyo Kosei Co., Ltd.) as a quinonediazide compound, interface 0.100 g of a 10 wt% dilution solution of PGMEA of the activator BYK-352 and 4.10 g of PGMEA were mixed and stirred. The obtained mixture was filtered with a 5.0-micrometer filter, and the resin composition for partitions (P-5) was obtained.

실시예 6 격벽용 수지 조성물(P-6)Example 6 Resin composition for partition walls (P-6)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 네오데칸산은을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-6)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-2) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that silver neodecanoate was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. Except having used the organometallic compound solution (OM-2) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition (P-6) for partitions.

실시예 7 격벽용 수지 조성물(P-7)Example 7 Resin composition for partition walls (P-7)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 클로로트리페닐포스핀금을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-3)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-7)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-3) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that chlorotriphenylphosphine gold was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. Except having used the organometallic compound solution (OM-3) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partitions (P-7).

실시예 8 격벽용 수지 조성물(P-8)Example 8 Resin composition for bulkheads (P-8)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 비스(아세틸아세토나토)백금을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-4)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-4)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-8)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-4) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that bis(acetylacetonato)platinum was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . Except having used the organometallic compound solution (OM-4) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partitions (P-8).

실시예 9 격벽용 수지 조성물(P-9)Example 9 Resin composition for partition walls (P-9)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 0.929g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.41g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.70g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-9)을 얻었다. Except for changing the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) to 0.929 g and the polysiloxane (PSL-1) solution to 1.41 g, and changing the PGMEA 4.20 g to PGMEA 4.70 g as a solvent, Example 1 and Similarly, the resin composition for partitions (P-9) was obtained.

실시예 10 격벽용 수지 조성물(P-10)Example 10 Resin composition for bulkheads (P-10)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 0.400g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.940g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 6.27g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-10)을 얻었다.Except for changing the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) to 0.400 g, the polysiloxane (PSL-1) solution to 1.940 g, and PGMEA 4.20 g as a solvent to 6.27 g PGMEA, Example 1 and Similarly, the resin composition for partitions (P-10) was obtained.

실시예 11 격벽용 수지 조성물(P-11)Example 11 Resin composition for partition walls (P-11)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 4.595g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 0.010g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 2.92g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-11)을 얻었다.Example 1, except that the amount of the organometallic compound solution (OM-1) added was 4.595 g and the polysiloxane (PSL-1) solution was 0.010 g, and PGMEA 4.20 g was changed to PGMEA 2.92 g as a solvent. Similarly, the resin composition for partitions (P-11) was obtained.

실시예 12 격벽용 수지 조성물(P-12)Example 12 Resin composition for bulkheads (P-12)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g, 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.01g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-2)을 얻었다. 안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-2)을 9.99g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.38g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.72g을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-12)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.01 g of titanium nitride as a black pigment were mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to disperse the pigment dispersion (MW -2) was obtained. Example except that 9.99 g of pigment dispersion (MW-2) was added instead of pigment dispersion (MW-1), the addition amount of polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.38 g, and 4.72 g of PGMEA was used as a solvent It carried out similarly to 9, and obtained the resin composition for partitions (P-12).

실시예 13 격벽용 수지 조성물(P-13) Example 13 Resin composition for partition walls (P-13)

수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 10.0g, 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.15g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-3)을 얻었다. 안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-3)을 9.99g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 15.16g으로 변경하고, PGMEA의 첨가량을 4.20g으로부터 0.11g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-13)을 얻었다.10.0 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin and 0.15 g of titanium nitride as a black pigment were mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-3). 9.99 g of the pigment dispersion (MW-3) was added instead of the pigment dispersion (MW-1), the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 15.16 g, and the addition amount of PGMEA was changed from 4.20 g to 0.11 g Except that, it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition (P-13) for partitions.

실시예 14 격벽용 수지 조성물(P-14)Example 14 Resin composition for bulkheads (P-14)

유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐의 10% DAA 용액을 1.85g 사용하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.34g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 3.85g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-14)을 얻었다.1.85 g of a 10% DAA solution of bis(acetylacetonato)palladium was used as an organometallic compound instead of the organometallic compound solution (OM-1), the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.34g, and the solvent was Except having changed PGMEA 4.20g into PGMEA 3.85g as a slab, it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition (P-14) for partitions.

실시예 15 격벽용 수지 조성물(P-15)Example 15 Resin composition for bulkheads (P-15)

광염기 발생제 WPBG-266을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.21g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.07g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-15)을 얻었다.The partition wall in the same manner as in Example 1, except that the photobase generator WPBG-266 was not added, the amount of polysiloxane (PSL-1) solution added was changed to 1.21 g, and PGMEA 4.20 g was changed to PGMEA 4.07 g as a solvent. A resin composition (P-15) for use was obtained.

실시예 16 격벽용 수지 조성물(P-16)Example 16 Resin composition for bulkheads (P-16)

발액 화합물 RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 2.01g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.17g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-16)을 얻었다.Without adding a 40 wt% PGMEA dilution solution of the liquid repellent compound RS-76-E, the amount of polysiloxane (PSL-1) solution added was changed to 2.01 g, and 4.20 g of PGMEA as a solvent was changed to 4.17 g of PGMEA, It carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition (P-16) for partitions.

비교예 1 격벽용 수지 조성물(P-17)Comparative Example 1 Resin composition for partition walls (P-17)

유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 인 원자를 갖는 배위성 화합물로서 트리페닐포스핀을 1.861g, DAA를 8.139g 사용하여 얻은 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 0.867g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.41g으로 변경하고, PGMEA의 첨가량을 4.20g으로부터 4.76g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-17)을 얻었다.Instead of the organometallic compound solution (OM-1), 0.867 g of an organometallic compound solution (OM-5) obtained by using 1.861 g of triphenylphosphine and 8.139 g of DAA as a coordinating compound having a phosphorus atom was added, and polysiloxane (PSL-1) Except having changed the addition amount of the solution into 1.41 g and having changed the addition amount of PGMEA into 4.76 g from 4.20 g, it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition (P-17) for partitions.

비교예 2 격벽용 수지 조성물(P-18)Comparative Example 2 Resin composition for partition walls (P-18)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.10g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-4)을 얻었다. 다음에, 상기 안료 분산액(MW-4)을 10.02g, 상기 폴리실록산(PSL-1) 용액을 1.73g, 광중합 개시제로서 OXE-02를 0.050g, IC-819를 0.400g, 광염기 발생제로서 WPBG-266을 0.10g, 광중합성 화합물로서 DPHA를 1.20g, 발액 화합물로서 RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액을 1.00g, 셀록사이드(등록 상표) 2021P를 0.100g, IRGANOX(등록 상표) 1010을 0.030g, 계면 활성제로서 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액을 0.100g 및 용매로서 PGMEA를 5.31g 혼합하여 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-18)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.10 g of titanium nitride as a black pigment were mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to disperse the pigment dispersion (MW -4) was obtained. Next, 10.02 g of the pigment dispersion (MW-4), 1.73 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, 0.050 g of OXE-02 as a photopolymerization initiator, 0.400 g of IC-819, and WPBG as a photobase generator 0.10 g of -266, 1.20 g of DPHA as a photopolymerizable compound, 1.00 g of a 40 wt% PGMEA diluted solution of RS-76-E as a liquid repellent compound, 0.100 g of Celoxide (registered trademark) 2021P, IRGANOX (registered trademark) 0.030 g of 1010, 0.100 g of a 10 wt% dilution solution of BYK-352 of BYK-352 as a surfactant, and 5.31 g of PGMEA as a solvent were mixed and stirred. The obtained mixture was filtered with a filter of 5.0 micrometers, and the resin composition for partitions (P-18) was obtained.

비교예 3 격벽용 수지 조성물(P-19)Comparative Example 3 Resin composition for partition walls (P-19)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 질화지르코늄을 0.10g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-5)을 얻었다. 안료 분산액(MW-4) 대신에 안료 분산액(MW-5)을 사용한 것 이외에는, 비교예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-19)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.10 g of zirconium nitride as a black pigment were mixed, and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to disperse the pigment dispersion (MW -5) was obtained. Except having used the pigment dispersion liquid (MW-5) instead of the pigment dispersion liquid (MW-4), it carried out similarly to the comparative example 2, and obtained the resin composition for partitions (P-19).

비교예 4 격벽용 수지 조성물(P-20)Comparative Example 4 Resin composition for partition walls (P-20)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 적색 안료 PR254와 청색 안료 PB64의 중량비 60/40의 혼합 안료를 0.05g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-6)을 얻었다. 안료 분산액(MW-4) 대신에 안료 분산액(MW-6)을 사용한 것 이외에는, 비교예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-20)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.05 g of a mixed pigment of 60/40 weight ratio of red pigment PR254 and blue pigment PB64 as a black pigment were mixed, and zirconia beads were It was dispersed using a packed mill-type disperser to obtain a pigment dispersion (MW-6). Except having used the pigment dispersion liquid (MW-6) instead of the pigment dispersion liquid (MW-4), it carried out similarly to the comparative example 2, and obtained the resin composition for partitions (P-20).

비교예 5 격벽용 수지 조성물(P-21)Comparative Example 5 Resin composition for partition walls (P-21)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 트리스(아세틸아세토나토)철을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-21)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-5) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that tris(acetylacetonato)iron was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . Except having used the organometallic compound solution (OM-5) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partitions (P-21).

비교예 6 격벽용 수지 조성물(P-22)Comparative Example 6 Resin composition for partition walls (P-22)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 비스(아세틸아세토나토)니켈을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-6)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-22)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-5) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that bis(acetylacetonato)nickel was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . Except having used the organometallic compound solution (OM-6) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partitions (P-22).

실시예 1 내지 16 및 비교예 1 내지 6의 조성을 통합하여 표 2 내지 표 3에 나타낸다.The compositions of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 6 are collectively shown in Tables 2 to 3.

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

조제예 1 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)Preparation Example 1 Color conversion light emitting material composition (CL-1)

녹색 양자 도트 재료(Lumidot 640 CdSe/ZnS, 평균 입자경 6.3nm: 알드리치사제)의 0.5중량% 톨루엔 용액을 20중량부, DPHA를 45중량부, "이르가큐어"(등록 상표) 907(BASF 재팬(주)제)를 5중량부, 아크릴 수지(SPCR-18(상품명), 쇼와 덴코(주)제)의 30중량% PGMEA 용액을 166중량부 및 톨루엔을 97중량부 혼합하여 교반하고, 균일하게 용해하였다. 얻어진 혼합물을 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)을 조제하였다20 parts by weight of a 0.5% by weight toluene solution of a green quantum dot material (Lumidot 640 CdSe/ZnS, average particle diameter 6.3 nm: manufactured by Aldrich), 45 parts by weight of DPHA, "Irgacure" (registered trademark) 907 (BASF Japan) Co., Ltd.), 166 parts by weight of a 30% by weight PGMEA solution of an acrylic resin (SPCR-18 (trade name), manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) and 97 parts by weight of toluene were mixed and stirred, uniformly dissolved. The obtained mixture was filtered with a syringe filter of 0.45 µm to prepare a color conversion luminescent material composition (CL-1)

조제예 2 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)Preparation Example 2 Color Conversion Light-Emitting Material Composition (CL-2)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 5에 의해 얻어진 녹색 형광체 G-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 조제하였다A color conversion luminescent material composition (CL-) was carried out in the same manner as in Preparation Example 1, except that 0.4 parts by weight of the green phosphor G-1 obtained in Synthesis Example 5 was used instead of the green quantum dot material, and the amount of toluene was changed to 117 parts by weight. 2) was prepared

조제예 3 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)Preparation Example 3 Color Conversion Light-emitting Material Composition (CL-3)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 6에 의해 얻어진 적색 형광체 R-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 조제하였다The color conversion luminescent material composition (CL-) was carried out in the same manner as in Preparation Example 1, except that 0.4 parts by weight of the red phosphor R-1 obtained in Synthesis Example 6 was used instead of the green quantum dot material, and the amount of toluene was changed to 117 parts by weight. 3) was prepared

조제예 4 컬러 필터 형성 재료(CF-1)Preparation Example 4 Color filter forming material (CF-1)

C.I.피그먼트 그린 59를 90g, C.I.피그먼트 옐로우 150을 60g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-6919」))를 75g, 결합제 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명) (주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 피그먼트 그린 59 분산액(GD-1)을 제작하였다.90 g of C.I. Pigment Green 59, 60 g of C.I. Pigment Yellow 150, 75 g of a polymer dispersant (“BYK” (registered trademark)-6919 (trade name), manufactured by Big Chemi (hereinafter referred to as “BYK-6919”))), a binder resin (" 100 g of Adeka Arcles (registered trademark) WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd.) and 675 g of PGMEA were mixed to prepare a slurry. The beaker into which the slurry was placed was connected with a dyno mill and a tube, and using zirconia beads having a diameter of 0.5 mm as a medium, dispersion treatment was performed at a circumferential speed of 14 m/s for 8 hours to prepare a Pigment Green 59 dispersion (GD-1).

피그먼트 그린 59 분산액(GD-1) 56.54g, 아크릴 수지("사이클로머"(등록 상표) P(ACA)Z250(상품명) 다이셀ㆍ올넥스(주)제(이하 「P(ACA)Z250」))를 3.14g, DPHA를 2.64g, 광중합 개시제("옵토마"(등록 상표) NCI-831(상품명) (주)ADEKA제(이하 「NCI-831」)) 0.330g, 계면 활성제("BYK"(등록 상표)-333(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-333」))를 0.04g, 중합 금지제로서 BHT를 0.01g 및 용매로서 PGMEA를 37.30g 혼합하여, 컬러 필터 형성 재료(CF-1)를 제작하였다.Pigment Green 59 dispersion (GD-1) 56.54 g, acrylic resin ("Cyclomer" (registered trademark) P(ACA)Z250 (trade name) Daicel Allnex Co., Ltd. (hereinafter "P(ACA)Z250") )) 3.14 g, DPHA 2.64 g, photopolymerization initiator (“Optoma” (registered trademark) NCI-831 (trade name) manufactured by ADEKA Corporation (hereinafter “NCI-831”)) 0.330 g, surfactant (“BYK”) (registered trademark)-333 (trade name) BYK-333 (hereinafter referred to as “BYK-333”)) was mixed with 0.04 g, BHT as a polymerization inhibitor, and 37.30 g of PGMEA as a solvent were mixed, and a color filter forming material (CF- 1) was prepared.

조제예 5 차광 격벽용 수지 조성물Preparation Example 5 Resin composition for light-shielding barrier ribs

카본 블랙(MA100(상품명) 미츠비시 가가쿠(주)제) 150g, 고분자 분산제 BYK-6919를 75g, P(ACA)Z250을 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 안료 분산액(MB-1)을 제작하였다.A slurry was prepared by mixing 150 g of carbon black (MA100 (trade name) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), 75 g of a polymer dispersant BYK-6919, 100 g of P(ACA)Z250, and 675 g of PGMEA. The beaker into which the slurry was placed was connected with a dyno mill and a tube, and using zirconia beads having a diameter of 0.5 mm as a medium, dispersion treatment was performed at a peripheral speed of 14 m/s for 8 hours to prepare a pigment dispersion (MB-1).

안료 분산액(MB-1) 56.54g, P(ACA)Z250을 3.14g, DPHA를 2.64g, NCI-831을 0.330g, BYK-333을 0.04g, 중합 금지제로서 터셔리부틸카테콜 0.01g 및 PGMEA 37.30g을 혼합하여, 차광 격벽용 수지 조성물을 제작하였다.56.54 g of pigment dispersion (MB-1), 3.14 g of P(ACA)Z250, 2.64 g of DPHA, 0.330 g of NCI-831, 0.04 g of BYK-333, 0.01 g of tert-butylcatechol as a polymerization inhibitor, and 37.30 g of PGMEA was mixed to prepare a resin composition for light-shielding barrier ribs.

조제예 6 저굴절률층 형성 재료Preparation Example 6 Low-refractive-index layer-forming material

합성예 6에 의해 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 5.350g, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르를 1.170g 및 DAA를 3.48g 혼합한 후, 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여 저굴절률층 형성 재료를 조제하였다.After mixing 5.350 g of silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1) obtained in Synthesis Example 6, 1.170 g of ethylene glycol mono-t-butyl ether, and 3.48 g of DAA, filtration with a syringe filter of 0.45 μm and low refractive index A layer-forming material was prepared.

조제예 7 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)Preparation Example 7 Yellow organic protective layer forming material (YL-1)

C.I.피그먼트 옐로우 150을 150g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-6919」))를 75g, 결합제 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명) (주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1)을 제작하였다. 150 g of C.I. Pigment Yellow, 75 g of a polymer dispersant (“BYK” (registered trademark)-6919 (trade name), manufactured by Big Chemi (hereinafter “BYK-6919”))), and 75 g of binder resin (“Adeca Arcles” (registered trademark) ) WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. (100 g) and PGMEA (675 g) were mixed to prepare a slurry. The beaker into which the slurry was placed was connected with a dyno mill and a tube, and using zirconia beads having a diameter of 0.5 mm as a medium, dispersion treatment was performed at a peripheral speed of 14 m/s for 8 hours to prepare a Pigment Yellow 150 dispersion (YD-1).

피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1) 3.09g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 23.54g, 광중합성 화합물로서 DPHA를 6.02g, 유기 금속 화합물로서 네오데칸산은을 사용하여 조제한 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 6.02g, 광중합 개시제로서 OXE-02를 0.20g, IC-819를 0.40g, IRGANOX(등록 상표) 1010을 0.060g 및 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.050g(농도 500ppm에 상당)을 용매 PGMEA 61.15g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 얻었다.An organometallic compound solution prepared using 3.09 g of Pigment Yellow 150 dispersion (YD-1), 23.54 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, 6.02 g of DPHA as a photopolymerizable compound, and silver neodecanoate as an organometallic compound. (OM-2) 6.02 g, OXE-02 as a photoinitiator 0.20 g, IC-819 0.40 g, IRGANOX (registered trademark) 1010 0.060 g, and BYK-352 PGMEA 10% by weight diluted solution 0.050 g (concentration) 500 ppm) was dissolved in 61.15 g of solvent PGMEA and stirred. The resulting mixture was filtered through a 5.0 µm filter to obtain a yellow organic protective layer forming material (YL-1).

(실시예 17 내지 20, 실시예 22 내지 28, 실시예 38 내지 45, 비교예 7 내지 9)(Examples 17 to 20, Examples 22 to 28, Examples 38 to 45, Comparative Examples 7 to 9)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 표 4 내지 표 5에 나타내는 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하고, 유리 기판 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 격벽을 형성하였다.A square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness of 0.7 mm) was used as the base substrate. The resin compositions for partition walls shown in Tables 4 to 5 were spin-coated thereon, and dried at a temperature of 90° C. for 2 minutes using a hot plate (trade name SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seijo Co., Ltd.) to produce a dry film. did The prepared dry film was exposed using a parallel light mask aligner (trade name: PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source and an exposure amount of 200 mJ/cm 2 (i-line) through a photomask. Thereafter, using an automatic developing device (“AD-2000 (trade name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was performed for 100 seconds using a 0.045 wt% aqueous potassium hydroxide solution, and then 30 seconds using water. Rinse for a second. In addition, using an oven (trade name IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), heated at an air temperature of 230 ° C. for 30 minutes, and on a glass substrate, a barrier rib having a height of 10 µm and a width of 20 µm is 30 µm on the short side, The barrier ribs formed in a grid pattern with a pitch interval of 150 μm on the long side were formed.

얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 표 4 내지 표 5에 나타내는 색 변환 발광 재료 조성물을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 2에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color conversion luminescent material compositions shown in Tables 4 to 5 were applied to a region separated by the barrier ribs of the obtained barrier rib substrate under a nitrogen atmosphere using an inkjet method, and dried at 100° C. for 30 minutes to form a 5.0 μm-thick pixel formed, and a substrate with barrier ribs having the configuration shown in FIG. 2 was obtained.

(실시예 21)(Example 21)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 표 4에 나타내는 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 2.38중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액으로 90초간 샤워 현상하고, 다음에 물로 30초간 린스하였다. 그 후, 앞서와 마찬가지로 포토마스크를 개재시키지 않고 노광량 500mJ/㎠(i선)로 노광하여 블리치를 행하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 격벽을 형성하였다.A square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness of 0.7 mm) was used as the base substrate. The resin composition for barrier ribs shown in Table 4 was spin-coated thereon, and dried at a temperature of 90°C for 2 minutes using a hot plate (trade name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screenseijo Co., Ltd.) to prepare a dry film. The prepared dry film was exposed using a parallel light mask aligner (trade name: PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source and an exposure amount of 200 mJ/cm 2 (i-line) through a photomask. Thereafter, using an automatic developing device (“AD-2000 (trade name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was carried out for 90 seconds with a 2.38 wt% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution, followed by rinsing with water for 30 seconds. . Then, it bleached by exposing at an exposure amount of 500 mJ/cm<2> (i line|wire) without interposing a photomask similarly to the previous one. In addition, using an oven (trade name IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), heated for 30 minutes at an air temperature of 230 ° C. The barrier ribs formed in a grid pattern with a pitch interval of 150 μm on the long side were formed.

얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여, 표 4 내지 표 5에 나타내는 색 변환 발광 재료 조성물을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 2에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color conversion luminescent material compositions shown in Tables 4 to 5 were applied to a region separated by the barrier ribs of the obtained barrier rib substrate under a nitrogen atmosphere by an inkjet method, dried at 100° C. for 30 minutes, and a pixel having a thickness of 5.0 μm was formed to obtain a substrate with barrier ribs having the configuration shown in FIG. 2 .

(실시예 29)(Example 29)

실시예 18과 마찬가지의 방법에 의해 화소를 형성한 후의 격벽 구비 기판에 저굴절률층 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 90℃에서 30분간 가열하여 저굴절률층을 형성하고, 도 3에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A low-refractive-index layer-forming material was spin-coated on the barrier rib-bearing substrate after pixel formation in the same manner as in Example 18, and a hot plate (trade name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screenseijo Co., Ltd.) was used to heat the temperature. A dry film was prepared by drying at 90° C. for 2 minutes. Further, using an oven (trade name: IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), the low-refractive-index layer was formed by heating at an air temperature of 90°C for 30 minutes to obtain a substrate with barrier ribs having the configuration shown in FIG. 3 .

(실시예 30)(Example 30)

실시예 29에 의해 얻어진 저굴절률층을 갖는 격벽 구비 기판의 저굴절률층 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하고, 도 4에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A film corresponding to the inorganic protective layer I having a thickness of 50 to 1,000 nm using a plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samco Corporation) on the low refractive index layer of the barrier rib-bearing substrate having the low refractive index layer obtained in Example 29 A 300 nm-thick silicon nitride film was formed to obtain a substrate with barrier ribs having the configuration shown in FIG. 4 .

(실시예 31)(Example 31)

실시예 18에 의해 얻어진 격벽 구비 기판 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 II에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 화소 상층에 형성하였다. 그 후, 무기 보호층 II 상에, 조제예 6에 의해 얻어진 저율층 형성 재료를 사용하여 실시예 29와 마찬가지의 방법에 의해 두께 1.0㎛의 저굴절률층을 형성하고, 도 5에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.On the substrate with barrier ribs obtained in Example 18, using a plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samco Corporation), a 300 nm thick silicon nitride film, equivalent to 50 to 1,000 nm thick inorganic protective layer II, is formed on the upper pixel layer did Thereafter, on the inorganic protective layer II, a low refractive index layer having a thickness of 1.0 µm was formed in the same manner as in Example 29 using the low-index layer-forming material obtained in Preparation Example 6, and having the configuration shown in FIG. A substrate with barrier ribs was obtained.

(실시예 32)(Example 32)

실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 경화 후의 막 두께가 2.5㎛가 되도록, 조제예 4에 의해 얻어진 컬러 필터 형성 재료(CF-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부의 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여 격벽으로 이격된 영역에 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터를 형성하였다. 그 후, 컬러 필터 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 6에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color filter forming material (CF-1) obtained by the preparation example 4 so that the film thickness after hardening might be set to 2.5 micrometers in the area|region spaced apart by the partition of the board|substrate with partitions before pixel formation obtained by the method similar to Example 17. was applied and vacuum dried. A photomask designed to be exposed in the region of the opening of the substrate with barrier ribs was interposed and exposed at an exposure dose of 40 mJ/cm 2 (i-line). After development was performed for 50 seconds in a 0.3 wt% tetramethylammonium aqueous solution, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes to form a color filter having a thickness of 2.5 µm and a width of 50 µm in an area separated by a partition wall. Thereafter, the color conversion luminescent material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied on the color filter by an inkjet method in a nitrogen atmosphere under a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to obtain a pixel having a thickness of 5.0 μm. It formed and obtained the board|substrate with a partition wall of the structure shown in FIG.

(실시예 33)(Example 33)

실시예 32와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터가 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 III에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 또한, 무기 보호층 III 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 7에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samco Corporation) was used on the color filter of the barrier rib substrate before pixel formation, on which the color filter having a thickness of 2.5 μm and a width of 50 μm was formed by the method similar to Example 32, and the thickness was applied. A silicon nitride film having a thickness of 300 nm, which corresponds to the inorganic protective layer III of 50 to 1,000 nm, was formed. Further, on the inorganic protective layer III, the color conversion luminescent material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied using an inkjet method in a nitrogen atmosphere, dried at 100°C for 30 minutes, and a pixel having a thickness of 5.0 µm was formed to obtain a substrate with barrier ribs having the configuration shown in FIG. 7 .

(실시예 34)(Example 34)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 IV에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 상기 기판을 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외에는, 실시예 31과 마찬가지의 방법에 의해 도 8에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness of 0.7 mm) was used as the base substrate. A silicon nitride film having a thickness of 300 nm was formed thereon using a plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samco Corporation), which corresponds to the inorganic protective layer IV having a thickness of 50 to 1,000 nm. A partition-walled substrate having the configuration shown in Fig. 8 was obtained in the same manner as in Example 31 except that the substrate was used in place of the 10 cm square alkali-free glass substrate.

(실시예 35)(Example 35)

실시예 32와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터가 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부의 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여 두께 1.0㎛, 50㎛ 폭의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 또한, 황색 유기 보호층 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 7에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The yellow organic protective layer forming material obtained in Preparation Example 7 (YL- 1) was applied and vacuum dried. A photomask designed to be exposed in the region of the opening of the substrate with barrier ribs was interposed and exposed at an exposure dose of 40 mJ/cm 2 (i-line). After developing for 50 seconds with a 0.3 wt% tetramethylammonium aqueous solution, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes to form a yellow organic protective layer having a thickness of 1.0 µm and a width of 50 µm. Further, on the yellow organic protective layer, the color conversion luminescent material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied using the inkjet method in a nitrogen atmosphere, dried at 100°C for 30 minutes, and a pixel having a thickness of 5.0 µm was formed to obtain a substrate with barrier ribs having the configuration shown in FIG. 7 .

(실시예 36)(Example 36)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 건조막을 포토마스크를 개재시키지 않고, 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광한 후, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행함으로써 두께 1.0㎛의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 상기 기판을 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외에는, 실시예 31과 마찬가지의 방법에 의해 도 8에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness of 0.7 mm) was used as the base substrate. On it, the yellow organic protective layer forming material (YL-1) obtained by Preparation Example 7 was apply|coated, and it vacuum-dried. After exposing the dry film to an exposure dose of 40 mJ/cm 2 (i-line) without interposing a photomask, development was performed for 50 seconds with a 0.3 wt% tetramethylammonium aqueous solution, followed by heat curing at 230° C. for 30 minutes to achieve a thickness of 1.0 μm. A yellow organic protective layer of A partition-walled substrate having the configuration shown in Fig. 8 was obtained in the same manner as in Example 31 except that the substrate was used in place of the 10 cm square alkali-free glass substrate.

(실시예 37)(Example 37)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 5에 의해 얻어진 차광 격벽 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하고, 유리 기판 상에 높이 2.0㎛, 폭 20㎛, 두께 1.0㎛당 OD값이 2.0인 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 차광 격벽 구비 기판을 얻었다. 그 후, 실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해, 차광 격벽 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 차광 격벽과 마찬가지의 격자상 패턴으로 형성된 격벽 구비 기판을 얻었다. 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 22에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 9에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness of 0.7 mm) was used as the base substrate. The light-shielding barrier rib forming material obtained in Preparation Example 5 was spin-coated thereon, and dried at a temperature of 90° C. for 2 minutes using a hot plate (trade name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seijo Co., Ltd.) to prepare a dry film. . Using a parallel light mask aligner (trade name: PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), the prepared dry film was exposed to an ultra-high pressure mercury lamp as a light source and an exposure amount of 40 mJ/cm 2 (i-line) through a photomask. Thereafter, using an automatic developing device (“AD-2000 (trade name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), development was performed for 50 seconds with a 0.3 wt% tetramethylammonium aqueous solution, and then 30 seconds using water. Rinse for a second. In addition, using an oven (trade name: IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), heated at an air temperature of 230°C for 30 minutes, and on a glass substrate, the OD value per 2.0 µm in height, 20 µm in width, and 1.0 µm in thickness was obtained. A substrate with light-shielding barrier ribs was obtained in which the barrier ribs of 2.0 were formed in a grid pattern with a pitch interval of 30 µm on the short side and 150 µm on the long side. Thereafter, in the same manner as in Example 17, the barrier ribs having a height of 10 µm and a width of 20 µm were formed in the same grid pattern as the light-shielding barrier ribs having a pitch interval of 30 µm on the short side and 150 µm on the long side on the light-shielding barrier ribs. A substrate with barrier ribs was obtained. The color conversion luminescent material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 22 was applied to a region separated by the barrier ribs of the obtained barrier rib substrate using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to have a thickness of 5.0 A micrometer pixel was formed, and the board|substrate with a partition wall of the structure shown in FIG. 9 was obtained.

각 실시예 및 비교예의 구성을 표 4 내지 표 5에 나타낸다.The structures of each Example and Comparative Example are shown in Tables 4 to 5.

Figure pat00011
Figure pat00011

Figure pat00012
Figure pat00012

각 실시예 및 비교예에 있어서의 평가 방법을 이하에 나타낸다.The evaluation method in each Example and a comparative example is shown below.

<백색 안료의 굴절률><Refractive index of white pigment>

각 실시예 및 비교예에 사용한 백색 안료에 대하여, JIS K7142-2014(제정 년월일=2014/04/20)에 규정되는 플라스틱의 굴절률 측정 방법 중 B법(현미경을 사용하는 액침법(베케선법))에 의해 굴절률을 측정하였다. 측정 파장은 550nm로 하였다. 단, JIS K7142-2014에서 사용되는 침지액 대신에 (주)시마즈 디바이스 세이조우제 「접촉액」을 사용하고, 침지액 온도: 20℃의 조건에서 측정하였다. 현미경으로서 편광 현미경 「옵티포토」((주)니콘제)를 사용하였다. 백색 안료의 샘플을 각 30개 준비하여 각각의 굴절률을 측정하고, 그의 평균값을 굴절률로 하였다.With respect to the white pigment used in each Example and Comparative Example, method B (immersion method using a microscope (Bekesson method)) The refractive index was measured by The measurement wavelength was 550 nm. However, instead of the immersion liquid used in JIS K7142-2014, "contact liquid" manufactured by Shimadzu Device Seijo Co., Ltd. was used, and the measurement was performed under conditions of immersion liquid temperature: 20°C. A polarizing microscope "Optiphoto" (manufactured by Nikon Corporation) was used as a microscope. 30 samples of the white pigment were prepared, each refractive index was measured, and the average value was made into the refractive index.

<폴리실록산 및 저굴절률층의 굴절률><Refractive index of polysiloxane and low refractive index layer>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물의 원료인 폴리실록산 및 조제예 26에 의해 얻어진 저굴절률층 형성 재료를, 각각 실리콘 웨이퍼 상에 스피너에 의해 도포하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하였다. 그 후, 오븐(IHPS-222; 에스펙(주)제)을 사용하여 공기 중 230℃에서 30분간 가열하여 경화막을 제작하였다. 프리즘 커플러(PC-2000(Metricon(주)제))를 사용하여, 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막면에 대하여 수직 방향으로부터 파장 550nm의 광을 조사하여 굴절률을 측정하고, 소수점 이하 셋째자리를 반올림하였다.Polysiloxane, which is a raw material of the barrier rib-forming resin composition used in Examples and Comparative Examples, and the low-refractive-index layer-forming material obtained in Preparation Example 26 were respectively coated on a silicon wafer with a spinner, and a hot plate (trade name: SCW-636, It dried for 2 minutes at the temperature of 90 degreeC using Dainippon Screen Seijo Co., Ltd. product). Then, using an oven (IHPS-222; manufactured by SPEC Co., Ltd.), it heated at 230 degreeC in air for 30 minutes, and produced the cured film. Using a prism coupler (PC-2000 (manufactured by Metricon Co., Ltd.)), the refractive index is measured by irradiating light with a wavelength of 550 nm from a direction perpendicular to the cured film surface under atmospheric pressure at 20° C., and the third decimal place was rounded off.

<해상도><Resolution>

스핀 코터(상품명 1H-360S, 미카사(주)제)를 사용하여, 각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽용 수지 조성물을, 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 상에, 가열 후의 막 두께가 10㎛가 되도록 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 막 두께 10㎛의 건조막을 제작하였다.Using a spin coater (trade name: 1H-360S, manufactured by Mikasa Co., Ltd.), the resin composition for barrier ribs used in Examples and Comparative Examples was applied to a 10 cm square alkali-free glass substrate on a heated film It spin-coated so that it might become 10 micrometers in thickness, and it dried for 2 minutes at 90 degreeC using the hotplate (trade name SCW-636, Dainippon Screen Seijo Co., Ltd. product), and the 10 micrometers-thick dried film was produced.

제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 100㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, 30㎛ 및 20㎛의 각 폭의 라인 & 스페이스 패턴을 갖는 마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 100㎛의 갭으로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다.Using a parallel light mask aligner (trade name: PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), the prepared dry film was made using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and 100 µm, 80 µm, 60 µm, 50 µm, 40 µm, 30 µm and Exposure was carried out with a gap of 100 µm at an exposure amount of 200 mJ/cm 2 (i-line) through a mask having a line & space pattern of each width of 20 µm. Thereafter, using an automatic developing device (“AD-2000 (trade name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was performed for 100 seconds using a 0.045 wt% aqueous potassium hydroxide solution, and then 30 seconds using water. Rinse for a second.

배율 100배로 조정한 현미경을 사용하여 현상 후의 패턴을 확대 관찰하여, 미노광부에 잔사가 보이지 않는 패턴 중 가장 좁은 선폭을 해상도로 하였다. 단, 100㎛ 폭의 패턴 부근의 미노광부에도 잔사가 있는 경우에는 「>100㎛」로 하였다.The pattern after development was magnified and observed using a microscope adjusted to a magnification of 100 times, and the narrowest line width among the patterns in which no residue was seen in the unexposed part was used as the resolution. However, it was set as ">100 micrometers" when there was a residue also in the unexposed part near the pattern of 100 micrometers width.

<반사율><Reflectance>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 노광 시에 포토마스크를 개재시키지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일 조건에서 가공하여, 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽의 모델로 하여, 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 분광 측색계(상품명 CM-2600d, 코니카 미놀타(주)제)를 사용하여 솔리드막측으로부터 SCI 모드에서 파장 550nm에 있어서의 반사율을 측정하였다. 단, 솔리드막에 크랙이 발생한 경우에는 균열 등이 원인으로 정확한 값을 얻을 수 없기 때문에, 반사율의 측정은 실시하지 않았다.The partition-forming resin composition used in each Example and Comparative Example was processed under the same conditions as in each Example and Comparative Example except that the whole was exposed without interposing a photomask at the time of exposure, and a solid film on a glass substrate produced. Using the obtained solid film as a model for the barrier ribs of the barrier rib substrates obtained in each Example and Comparative Example, the glass substrate having the solid film was solid using a spectrophotometer (trade name: CM-2600d, manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.). The reflectance in wavelength 550nm was measured in SCI mode from the film|membrane side. However, when cracks occurred in the solid film, since an accurate value could not be obtained due to cracks or the like, the reflectance was not measured.

<크랙 내성><crack resistance>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 가열 후의 막 두께가 각각 5㎛, 10㎛, 15㎛ 및 20㎛가 되도록 스핀 코트하였다. 그 후의 공정에 대해서는 노광 시에 포토마스크를 개재시키지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일 조건에서 가공하여 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽 모델로 하여, 솔리드막을 갖는 유리 기판을 목시 관찰하고 솔리드막의 크랙 유무를 평가하였다. 하나라도 크랙이 확인된 경우에는, 그 막 두께에 있어서의 크랙 내성은 없다고 판단하였다. 예를 들어, 막 두께 15㎛에서는 크랙이 없고, 막 두께 20㎛에서는 크랙이 있는 경우에는, 내크랙 막 두께를 「≥15㎛」로 판정하였다. 또한, 20㎛에서도 크랙이 없는 경우의 내크랙 막 두께를 「≥20㎛」, 5㎛에서도 크랙이 있는 경우의 내크랙 막 두께를 「<5㎛」로 각각 판정하여 크랙 내성으로 하였다.The barrier rib formation resin composition used in each Example and Comparative Example was spin-coated so that the film thickness after heating might be set to 5 micrometers, 10 micrometers, 15 micrometers, and 20 micrometers, respectively. About the subsequent process, except having exposed the whole without interposing a photomask at the time of exposure, it processed under the same conditions as each Example and a comparative example, and produced the solid film on the glass substrate. The obtained solid film was made into the barrier rib model of the board|substrate with barrier ribs obtained by each Example and the comparative example, the glass substrate with a solid film was visually observed, and the presence or absence of the crack of the solid film was evaluated. When even one crack was confirmed, it was judged that there is no crack resistance in the film thickness. For example, when there was no crack in the film thickness of 15 micrometers and there was a crack in the film thickness of 20 micrometers, the crack-resistant film thickness was determined as "≥15 micrometers". In addition, the crack resistance in the case of no crack even at 20 μm was determined as “≥ 20 μm”, and the crack resistance film thickness in the case of cracking even at 5 μm was determined as “<5 μm”, respectively, and the crack resistance was determined.

<OD값><OD value>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽의 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 광학 농도계(361T(visual); X-rite사제)를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 상술한 식 (1)에 의해 OD값을 산출하였다. 또한, OD값에 대해서는, 가열 공정 전의 솔리드막과, 가열 공정 후의 OD값을 각각 측정하고, 그 차를 포함시켜 표 6 내지 표 7에 기재하였다.As a model of the partition of the board|substrate with a partition obtained by each Example and the comparative example, the solid film was produced on the glass substrate similarly to evaluation of a reflectance. With respect to the obtained glass substrate having a solid film, the intensity of the incident light and transmitted light was measured using an optical densitometer (361T (visual); manufactured by X-rite), and the OD value was calculated by the above formula (1). In addition, about the OD value, the solid film before a heating process and OD value after a heating process were measured, respectively, the difference was included and it described in Tables 6-7.

또한, 실시예 37에 대하여, 차광 격벽(A-2)의 모델로서, 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 광학 농도계(361T(visual); X-rite사제)를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 상술한 식 (1)에 의해 산출하였다.Moreover, with respect to Example 37, the solid film was similarly produced on the glass substrate as a model of the light-shielding barrier rib A-2. With respect to the obtained glass substrate having a solid film, the intensity of the incident light and transmitted light was measured using an optical densitometer (361T (visual); manufactured by X-rite), and it was calculated by the above formula (1).

<테이퍼 각도><Taper angle>

각 실시예 및 비교예에 있어서, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 임의의 단면을 광학 현미경(FE-SEM(S-4800); (주)히다치 세이사쿠쇼제)을 사용하여 가속 전압 3.0kV에서 관측하여, 테이퍼 각도를 측정하였다.In each Example and Comparative Example, an arbitrary cross section of the substrate with barrier ribs before pixel formation was observed using an optical microscope (FE-SEM (S-4800); manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.) at an acceleration voltage of 3.0 kV. , the taper angle was measured.

<표면 접촉각><Surface contact angle>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에 있어서의 격벽의 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막의 표면에 대하여, 교와 가이멘 가가쿠(주)제 DM-700, 마이크로시린지: 교와 가이멘 가가쿠(주)제 접촉각계용 테플론(등록 상표) 코트 바늘 22G를 사용하여, 25℃, 대기 중에 있어서, JIS R3257(제정 년월일=1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거하여 표면 접촉각을 측정하였다. 단, 물 대신에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 사용하여, 솔리드막의 표면과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 접촉각을 측정하였다.As a model of the partition wall in the board|substrate with a partition wall obtained by each Example and the comparative example, the solid film was produced on the glass substrate similarly to evaluation of a reflectance. With respect to the surface of the obtained solid film, DM-700 manufactured by Kyowa Chemical Co., Ltd., micro-syringe: Teflon (registered trademark) coating needle 22G made by Kyowa Chemical Co., Ltd. for contact angle meter was used, 25 The surface contact angle was measured based on the wettability test method of the substrate glass surface prescribed|regulated to JIS R3257 (enactment date = 1999/04/20) in the air|atmosphere in degreeC and air|atmosphere. However, using propylene glycol monomethyl ether acetate instead of water, the contact angle between the surface of the solid film and propylene glycol monomethyl ether acetate was measured.

<잉크젯 도포성><Inkjet applicability>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분에 대하여, PGMEA를 잉크로 하고, 잉크젯 도포 장치(InkjetLabo, 클러스터 테크놀로지(주)제)를 사용하여 잉크젯 도포를 행하였다. 1개의 격자상 패턴당 160pL의 PGMEA를 도포하여 결괴(잉크가 격벽을 타고 넘어 인접 화소 부분에 혼입되는 현상)의 유무를 관찰하고, 하기 기준에 의해 잉크젯 도포성을 평가하였다. 결괴가 적을수록 발액 성능이 높고, 잉크젯 도포성이 우수한 것을 나타낸다.In the partition wall-bearing substrate obtained by each Example and the comparative example before forming a pixel, PGMEA was used as an ink with respect to the pixel part surrounded by the grid-like partition wall, and an inkjet coating device (InkjetLabo, Cluster Technology Co., Ltd. product) was used for inkjet coating. 160pL of PGMEA per one grid pattern was applied, and the presence or absence of defects (a phenomenon in which ink crosses over the partition wall and mixes into adjacent pixel portions) was observed, and inkjet applicability was evaluated according to the following criteria. It shows that liquid repellency performance is so high that there are few defects, and it is excellent in inkjet applicability|paintability.

A: 잉크가 화소 내에서 넘치지 않았다.A: Ink did not overflow in the pixel.

B: 일부분에 있어서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘쳐나왔다.B: In one part, the ink overflowed from the inside of the pixel to the upper surface of the partition wall.

C: 전체면에 있어서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘쳐나왔다.C: Ink overflowed from the inside of the pixel to the upper surface of the partition in the entire surface.

<두께><thickness>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에 대하여, 서프콤 촉침식 막 두께 측정 장치를 사용하여, 화소(B) 형성 전후의 구조체의 높이를 측정하고, 그 차분을 산출함으로써 화소(B)의 두께를 측정하였다. 실시예 29 내지 31에 대해서는 추가로 저굴절률층(C)의 막 두께를, 실시예 32 내지 36에 대해서는 추가로 컬러 필터의 막 두께를, 실시예 37에 대해서는 추가로 차광 격벽의 두께(높이)를 각각 마찬가지로 측정하였다.For the barrier rib-bearing substrates obtained in each Example and Comparative Example, the height of the structure before and after the formation of the pixel B was measured using a surfcom stylus film thickness measuring device, and the difference was calculated for the pixel (B) was measured. About Examples 29-31, the film thickness of the low-refractive-index layer (C) was further, About Examples 32-36, the film thickness of a color filter further, About Example 37, the thickness (height) of a light-shielding partition further. were measured in the same way, respectively.

또한, 실시예 30 내지 31 및 33 내지 34에 대해서는, 크로스 섹션 폴리셔 등의 연마 장치를 사용하여 하지 기판에 대하여 수직인 단면을 노출시키고, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경으로 단면을 확대 관찰함으로써, 각각 무기 보호층 I 내지 IV의 두께를 측정하였다.Further, in Examples 30 to 31 and 33 to 34, by using a polishing apparatus such as a cross section polisher to expose a cross section perpendicular to the underlying substrate, and by magnifying and observing the cross section with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. , the thickness of the inorganic protective layers I to IV were measured, respectively.

<휘도><Brightness>

시판 중인 LED 백라이트(피크 파장 465nm)를 탑재한 면상 발광 장치를 광원으로 하여, 화소부가 광원측이 되도록 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을 설치하였다. 이 면상 발광 장치에 30mA의 전류를 흘려 LED 소자를 점등시키고, 분광 방사 휘도계(CS-1000, 코니카 미놀타사제)를 사용하여 CIE1931 규격에 기초하는 휘도(단위: cd/㎡)를 측정하고, 초기 휘도로 하였다. 단, 휘도의 평가는 실시예 45의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다.A commercially available area light-emitting device equipped with a LED backlight (peak wavelength 465 nm) was used as a light source, and the barrier rib-bearing substrates obtained in Examples and Comparative Examples were provided so that the pixel portion was on the light source side. A current of 30 mA was passed through the area light emitting device to light the LED element, and the luminance (unit: cd/m 2 ) based on the CIE1931 standard was measured using a spectroradiometer (CS-1000, manufactured by Konica Minolta), and the initial was made with luminance. However, evaluation of luminance was performed by the relative value which makes the initial luminance of Example 45 the standard 100.

또한, 실온(23℃)에서 LED 소자를 48시간 점등한 후, 마찬가지로 휘도를 측정하고, 휘도의 경시 변화를 평가하였다. 단, 휘도의 평가는 실시예 45의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다.Moreover, after lighting the LED element at room temperature (23 degreeC) for 48 hours, the brightness|luminance was similarly measured and the time-dependent change of brightness|luminance was evaluated. However, evaluation of luminance was performed by the relative value which makes the initial luminance of Example 45 the standard 100.

<색 특성><Color Characteristics>

시판 중인 백색 반사판 상에, 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을, 화소가 백색 반사판측에 배치되도록 설치하였다. 분광 측색계(CM-2600d, 코니카 미놀타사제, 측정 직경 φ8mm)를 사용하여 격벽 구비 기판의 하지 기판측으로부터 광을 조사하고, 정반사광이 들어간 스펙트럼을 측정하였다.On a commercially available white reflecting plate, the board|substrate with a partition obtained by each Example and the comparative example was installed so that a pixel might be arrange|positioned on the white reflecting plate side. Using a spectrophotometer (CM-2600d, Konica Minolta Co., Ltd. make, measurement diameter (phi) 8 mm), light was irradiated from the base substrate side of the board|substrate with a barrier rib, and the spectrum into which the specular reflection light entered was measured.

자연계 색을 거의 재현할 수 있는 색 규격 BT.2020이 정하는 색 영역은, 색도도에 나타나는 스펙트럼 궤적 상의 적, 녹 및 청을 삼원색으로서 규정하고 있고, 적, 녹 및 청의 파장은 각각 630nm, 532nm 및 467nm에 상당한다. 얻어진 반사 스펙트럼의 470nm, 530nm 및 630nm의 3개의 파장의 반사율(R)로부터, 화소의 발광색에 대하여 이하의 기준에 의해 평가하였다.The color gamut determined by the color standard BT.2020, which can reproduce almost natural colors, defines red, green, and blue as three primary colors on the spectral locus shown in the chromaticity diagram, and the wavelengths of red, green, and blue are 630 nm, 532 nm, and It is equivalent to 467 nm. From the reflectance (R) of the three wavelengths of 470 nm, 530 nm and 630 nm of the obtained reflection spectrum, the emission color of the pixel was evaluated according to the following criteria.

A: R530/(R630+R530+R470)≥0.55A: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )≥0.55

B: R530/(R630+R530+R470)<0.55.B: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )<0.55.

<표시 특성><display characteristics>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판과 유기 EL 소자를 조합하여 제작한 표시 장치의 표시 특성을, 이하의 기준에 기초하여 평가하였다.The display characteristics of the display apparatus produced by combining the board|substrate with a partition obtained by each Example and the comparative example, and organic electroluminescent element were evaluated based on the following reference|standard.

A: 녹색 표시가 매우 색이 또렷하며, 선명하고 콘트라스트가 우수한 표시 장치이다.A: A green display is a display device with very vivid colors and excellent contrast.

B: 색채에 약간 부자연스러움이 보이기는 하지만, 문제가 없는 표시 장치이다.B: Although the colors are slightly unnatural, it is a display device without a problem.

<혼색><mix color>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분의 일부에 잉크젯법을 사용하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다. 그 후, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포한 영역의 인접 영역에 잉크젯법을 사용하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다.In the barrier rib-bearing substrate obtained by each Example and Comparative Example before forming the pixel, the color conversion luminescent material composition (CL-2) is applied to a part of the pixel portion surrounded by the grid-like barrier ribs using an inkjet method, It was dried at 100° C. for 30 minutes to form a pixel having a thickness of 5.0 μm. Thereafter, the color conversion luminescent material composition (CL-3) is applied to a region adjacent to the region to which the color conversion light emitting material composition (CL-2) is applied among the pixel portions surrounded by the grid-like partition walls using an inkjet method, and 100 It was dried at ℃ for 30 minutes to form a pixel having a thickness of 5.0 μm.

한편, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분과 동일한 폭을 갖는 청색 유기 EL 셀을 제작하고, 전술한 격벽 구비 기판과 청색 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합하여, 도 10에 도시하는 구성의 표시 장치를 얻었다.On the other hand, a blue organic EL cell having the same width as the pixel portion surrounded by the grid-like barrier ribs is produced, the above-described barrier rib-bearing substrate is opposed to the blue organic EL cell, and the blue organic EL cell is bonded with a sealing agent to display the configuration shown in FIG. got the device.

도 10에 있어서의 청색 유기 EL 셀(11) 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소(3)(CL-2)의 바로 밑에 접합한 청색 유기 EL 셀만을 점등시킨 상태에서, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)로 형성된 화소(3)(CL-3) 부분에 대하여, 현미 분광 광도계 LVmicro-V(람다 비전(주)제)를 사용하여 파장 630nm에 있어서의 흡광 강도 A(630nm)를 측정하였다. 흡광 강도 A(630nm)의 값이 작을수록 혼색을 일으키기 어려움을 나타내고 있다. 하기의 판정 기준에 의해 혼색을 판정하였다.Among the blue organic EL cells 11 in Fig. 10, only the blue organic EL cells bonded directly under the pixel 3 (CL-2) formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-2) are turned on, About the pixel 3 (CL-3) part formed with the color conversion luminescent material composition (CL-3), the light absorption intensity A in wavelength 630nm using the microspectrophotometer LVmicro-V (Lambda Vision Co., Ltd. product) (630 nm) was measured. The smaller the value of the absorption intensity A (630 nm), the more difficult it is to cause color mixture. Color mixture was judged according to the following criteria.

A: A(630nm)<0.01A: A(630nm)<0.01

B: 0.01≤A(630nm)≤0.5B: 0.01≤A(630nm)≤0.5

C: 0.5<A(630nm).C: 0.5<A (630 nm).

각 실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 6 내지 표 7에 나타낸다.The evaluation results of each Example and Comparative Example are shown in Tables 6 to 7.

Figure pat00013
Figure pat00013

Figure pat00014
Figure pat00014

1: 하지 기판
2: 격벽
3: 화소
3(CL-2): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소
3(CL-3): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)로 형성된 화소
4: 저굴절률층
5: 무기 보호층 I
6: 무기 보호층 II
7: 컬러 필터
8: 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층
9: 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층
10: 차광 격벽
11: 청색 유기 EL 셀
H: 격벽의 두께
L: 격벽의 폭
θ: 테이퍼 각도
1: not substrate
2: bulkhead
3: Pixel
3 (CL-2): a pixel formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-2)
3 (CL-3): a pixel formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-3)
4: low refractive index layer
5: Inorganic protective layer I
6: Inorganic Protection Layer II
7: color filter
8: inorganic protective layer III and/or yellow organic protective layer
9: Inorganic protective layer IV and/or yellow organic protective layer
10: light-shielding bulkhead
11: Blue organic EL cell
H: thickness of bulkhead
L: width of bulkhead
θ: taper angle

Claims (11)

하지 기판 상에 (A-1) 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판이며, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20% 내지 60%, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 격벽 구비 기판.(A-1) A barrier rib substrate having barrier ribs patterned on a base substrate, wherein the reflectance per 10 µm in a wavelength of 550 nm is 20% to 60% and an OD value per 10 µm in thickness is 1.0 to 3.0. . 제1항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이, 수지와, 백색 안료와, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금 및 은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자를 함유하는 격벽 구비 기판.The partition wall according to claim 1, wherein the (A-1) patterned barrier rib is at least one selected from the group consisting of a resin, a white pigment, palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold, and silver. A barrier rib-bearing substrate containing particles containing a metal oxide or metal of a species. 제1항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이 추가로 발액 화합물을 함유하고, (A-1) 패턴 형성된 격벽 중의 발액 화합물의 함유량이 0.01중량% 내지 10중량%인 격벽 구비 기판.The barrier rib-attached substrate according to claim 1, wherein the (A-1) patterned barrier rib further contains a liquid repellent compound, and (A-1) the content of the liquid repellent compound in the patterned barrier rib is 0.01 wt% to 10 wt%. 제1항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽의, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 대한 표면 접촉각이 10°내지 70°인 격벽 구비 기판.The substrate with barrier ribs according to claim 1, wherein the surface contact angle of the patterned barrier ribs with respect to propylene glycol monomethyl ether acetate (A-1) is 10° to 70°. 제1항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 테이퍼 각도가 45°내지 110°인 격벽 구비 기판.The barrier rib-bearing substrate according to claim 1, wherein the (A-1) pattern-formed barrier rib has a taper angle of 45° to 110°. 제1항에 있어서, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 사이에, 추가로 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 차광 격벽을 갖는 격벽 구비 기판.The substrate with a barrier rib having a patterned light-shielding barrier rib according to claim 1, wherein the OD value per 1.0 µm in thickness is 0.5 or more between the base substrate and (A-1) the patterned barrier rib further (A-2). 제1항에 있어서, 추가로 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽에 의해 이격되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 격벽 구비 기판.The barrier rib-bearing substrate according to claim 1, further comprising (B) pixels containing the color conversion light emitting material arranged to be spaced apart by the (A-1) patterned barrier ribs. 제7항에 있어서, 상기 색 변환 발광 재료가 양자 도트 및 피로메텐 유도체로부터 선택된 형광체를 함유하는 격벽 구비 기판.The substrate with barrier ribs according to claim 7, wherein the color conversion luminescent material contains a phosphor selected from quantum dots and pyromethene derivatives. 제7항에 있어서, 상기 하지 기판과 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소의 사이에, 추가로 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터를 갖는 격벽 구비 기판.The barrier rib-bearing substrate according to claim 7, further comprising a color filter having a thickness of 1 to 5 m between the base substrate and (B) the pixel containing the color conversion light emitting material. 제9항에 있어서, 상기 하지 기판 상, 또는 상기 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터와 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소층의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 격벽 구비 기판.10. The method according to claim 9, further comprising: an inorganic protective layer with a thickness of 50 to 1,000 nm on the base substrate or between the color filter having a thickness of 1 to 5 μm and (B) a pixel layer containing a color conversion light emitting material; / or a substrate with barrier ribs having a yellow organic protective layer. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 격벽 구비 기판과, 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀로부터 선택된 발광 광원을 갖는 표시 장치.A display device comprising: the substrate with barrier ribs according to any one of claims 1 to 10; and a light emitting light source selected from a liquid crystal cell, an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11294284B2 (en) * 2018-07-17 2022-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and pattern forming process
KR102285669B1 (en) * 2018-08-27 2021-08-04 동우 화인켐 주식회사 A color filter, a method of making thereof, and an image display device comprising thereof
CN110034166B (en) 2019-03-26 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
JP2021110896A (en) * 2020-01-15 2021-08-02 太陽インキ製造株式会社 Display partition
KR20220137867A (en) * 2020-02-13 2022-10-12 도레이 카부시키가이샤 Method for manufacturing wavelength conversion substrate, wavelength conversion substrate, and display
CN115151865A (en) * 2020-03-04 2022-10-04 Agc株式会社 Positive photosensitive resin composition
CN111205646B (en) * 2020-03-20 2022-09-09 株洲时代华鑫新材料技术有限公司 Black matte polyimide film and preparation method thereof
CN111403335A (en) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display device and manufacturing method thereof
KR20220161259A (en) 2020-03-30 2022-12-06 도레이 카부시키가이샤 Resin composition, light shielding film, and substrate on which barrier ribs are formed
CN115175972A (en) * 2020-04-08 2022-10-11 伊英克加利福尼亚有限责任公司 Quantum dot film
TW202244161A (en) * 2021-02-18 2022-11-16 日商三菱化學股份有限公司 Photosensitive colored composition, cured object, banks, organic electroluminescent element, and image display device
JPWO2022181350A1 (en) * 2021-02-24 2022-09-01
TWI779832B (en) * 2021-09-14 2022-10-01 立勇發科技股份有限公司 Backlight module and display device used in quantum dot display field
JPWO2023048016A1 (en) 2021-09-24 2023-03-30
WO2023054046A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-06 東レ株式会社 Method for manufacturing cured-film-coated substrate, cured-film-coated substrate, and element comprising cured-film-coated substrate
CN114038984B (en) * 2021-12-02 2023-03-31 业成科技(成都)有限公司 Micro light emitting diode display and forming method thereof
WO2023223833A1 (en) * 2022-05-17 2023-11-23 凸版印刷株式会社 Black matrix substrate and display device
WO2024042106A1 (en) 2022-08-26 2024-02-29 Merck Patent Gmbh Composition
WO2024042107A1 (en) 2022-08-26 2024-02-29 Merck Patent Gmbh Composition
KR20240063546A (en) 2022-11-03 2024-05-10 동우 화인켐 주식회사 A black photosensitive resin composition, a partition wall structure prepared using the composition, and a display device comprising the partition wall structure

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131683A (en) 1998-10-29 2000-05-12 Hitachi Ltd Color display device
JP2000347394A (en) 1999-06-07 2000-12-15 Toray Ind Inc Photosensitive paste, member for display and display
KR20030051415A (en) * 2000-03-14 2003-06-25 로베르트 보쉬 게엠베하 Photostructured paste
JP2004295116A (en) * 2003-03-10 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd Dye-containing hardening composition, color filter, and its manufacturing method
KR20060048614A (en) * 2004-06-28 2006-05-18 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 Substrate with light shielding image, method of manufacturing light shielding image, photosensitive resin composition, transfer material, color filter and display device
JP2006259421A (en) 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photocurable resin composition for black matrix formation, photosensitive film using the same, black matrix forming method, black matrix and plasma display panel having the black matrix
JP2009244383A (en) 2008-03-28 2009-10-22 Fujifilm Corp Liquid crystal display device
JP2011505589A (en) * 2007-11-20 2011-02-24 イーストマン コダック カンパニー Method of using a colored mask in combination with selective area deposition
KR20120022903A (en) * 2009-05-20 2012-03-12 아사히 가라스 가부시키가이샤 Method for manufacturing optical elements
KR20130030211A (en) * 2011-09-16 2013-03-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Method for manufacturing cured thin film using photocurable silicone resin composition
KR20130074753A (en) * 2011-12-26 2013-07-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Colored curable resin composition
JP2014052606A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Sharp Corp Phosphor substrate, light-emitting device, display device and luminaire
KR20190026569A (en) * 2017-09-05 2019-03-13 제이에스알 가부시끼가이샤 Photosensitive composition for forming display device, cured film and display device

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001051266A (en) * 1999-06-01 2001-02-23 Toray Ind Inc Color filter and liquid crystal display device
JP4639530B2 (en) 2000-06-01 2011-02-23 パナソニック株式会社 Photosensitive paste and plasma display
JP2002250803A (en) * 2001-02-23 2002-09-06 Sumitomo Chem Co Ltd Light scattering resin and liquid crystal display device using the same
JP2003177229A (en) * 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd Method for forming circuit board attached with color filter and circuit board attached with color filter
JP2004059683A (en) * 2002-07-26 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd Colored composition, inkjet recording ink, inkjet recording method, thermal recording material, color toner, color filter
JP2007206345A (en) * 2006-02-01 2007-08-16 Fujifilm Corp Color filter, method for manufacturing color filter, and display device
TWI561312B (en) * 2006-03-31 2016-12-11 Toray Industries Coating method, coating device and manufacturing method and manufacturing device for components of a display
JP4963951B2 (en) * 2006-05-24 2012-06-27 富士フイルム株式会社 Green photosensitive resin composition, photosensitive resin transfer material, color filter, and display device
KR20070115803A (en) * 2006-06-02 2007-12-06 후지필름 가부시키가이샤 Organic pigment nanoparticle dispersion, producing method thereof, inkjet ink including the same, colored photosensitive resin composition, photosensitive resin transfer material, color filter using the same, liquid crystal display, and ccd device
JP5046731B2 (en) * 2007-04-26 2012-10-10 富士フイルム株式会社 Color filter, manufacturing method thereof, and display device
CN101349865B (en) * 2007-07-17 2012-10-03 富士胶片株式会社 Photosensitive compositions, curable compositions, color filters, and method for manufacturing the same
JP2009079121A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Fujifilm Corp Pigment dispersion composition, photocurable composition, color filter and method for producing color filter
CN101440236A (en) * 2007-11-22 2009-05-27 富士胶片株式会社 Print ink for ink jet, color filter, manufacturing method thereof, liquid display device using the color filter and image display element
JP2009204816A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Fujifilm Corp Colored curable composition, color filter and liquid crystal display
JP2010092785A (en) * 2008-10-10 2010-04-22 Toray Ind Inc Photosensitive paste, manufacturing method of plasma display member using the same, and plasma display
JP2010256887A (en) * 2009-03-31 2010-11-11 Fujifilm Corp Photosensitive color composition, color filter, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device
JP5498051B2 (en) * 2009-04-24 2014-05-21 新日鉄住金化学株式会社 Bulkhead and color filter
JP5593662B2 (en) * 2009-09-29 2014-09-24 東レ株式会社 Photosensitive paste, insulating pattern forming method, and flat panel display manufacturing method
WO2011155412A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 日立化成工業株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element comprising the composition, method for formation of septum for image display device, process for production of image display device, and image display device
JP5796432B2 (en) * 2010-09-22 2015-10-21 東レ株式会社 Molded body and electronic equipment
JP2013196919A (en) * 2012-03-21 2013-09-30 Sony Corp Organic el display device, organic el display device manufacturing method, and color filter substrate
CN102707484B (en) * 2012-04-24 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 Semi-transmission and semi-reflection color-film substrate and manufacturing method thereof as well as liquid crystal display device
WO2014091811A1 (en) * 2012-12-11 2014-06-19 東レ株式会社 Heat-curable coloring composition, cured film, touch panel provided with said cured film, and method for producing touch panel using said heat-curable coloring composition
WO2014136738A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-12 東レ株式会社 Black matrix substrate
JP2015001654A (en) 2013-06-17 2015-01-05 東レ株式会社 Method for manufacturing laminate resin black matrix substrate
KR102082722B1 (en) * 2013-07-25 2020-02-28 도레이 카부시키가이샤 Negative-type photosensitive white composition for touch panel, touch panel, and production method for touch panel
WO2015083823A1 (en) * 2013-12-06 2015-06-11 シャープ株式会社 Illuminator substrate, solar cell, display device, illumination device, electronic apparatus, organic el element, and illuminator substrate manufacturing method
CN105807351B (en) * 2014-12-31 2019-03-19 上海仪电显示材料有限公司 Production method, colour filter and the liquid crystal display device of colour filter
JP6544634B2 (en) 2015-07-27 2019-07-17 大日本印刷株式会社 Color filter and display device
SG11201802076PA (en) * 2015-09-30 2018-04-27 Toray Industries Negative photosensitive resin composition, cured film, element and display device each provided with cured film, and method for manufacturing display device
JP6713746B2 (en) * 2015-10-08 2020-06-24 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Photosensitive resin composition for light-shielding film having spacer function, light-shielding film, liquid crystal display device, method for producing photosensitive resin composition for light-shielding film having spacer function, method for producing light-shielding film, and production of liquid crystal display device Method
JP6700710B2 (en) * 2015-10-16 2020-05-27 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, liquid crystal display device, method for producing photosensitive resin composition for black column spacer, method for producing black column spacer, and method for producing liquid crystal display device
KR102247840B1 (en) * 2016-03-18 2021-05-03 제이에스알 가부시끼가이샤 Substrate for display device, manufacturing method of the substrate for display device, and display device
US10889755B2 (en) * 2016-11-22 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, complex, laminated structure and display device, and electronic device including the same
CN106793732A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 哈尔滨工业大学 Geometric center type infrared band dual band pass optical window electromagnetic armouring structure

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131683A (en) 1998-10-29 2000-05-12 Hitachi Ltd Color display device
JP2000347394A (en) 1999-06-07 2000-12-15 Toray Ind Inc Photosensitive paste, member for display and display
KR20030051415A (en) * 2000-03-14 2003-06-25 로베르트 보쉬 게엠베하 Photostructured paste
JP2004295116A (en) * 2003-03-10 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd Dye-containing hardening composition, color filter, and its manufacturing method
KR20060048614A (en) * 2004-06-28 2006-05-18 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 Substrate with light shielding image, method of manufacturing light shielding image, photosensitive resin composition, transfer material, color filter and display device
JP2006259421A (en) 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photocurable resin composition for black matrix formation, photosensitive film using the same, black matrix forming method, black matrix and plasma display panel having the black matrix
JP2011505589A (en) * 2007-11-20 2011-02-24 イーストマン コダック カンパニー Method of using a colored mask in combination with selective area deposition
JP2009244383A (en) 2008-03-28 2009-10-22 Fujifilm Corp Liquid crystal display device
KR20120022903A (en) * 2009-05-20 2012-03-12 아사히 가라스 가부시키가이샤 Method for manufacturing optical elements
KR20130030211A (en) * 2011-09-16 2013-03-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Method for manufacturing cured thin film using photocurable silicone resin composition
KR20130074753A (en) * 2011-12-26 2013-07-04 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Colored curable resin composition
JP2014052606A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Sharp Corp Phosphor substrate, light-emitting device, display device and luminaire
KR20190026569A (en) * 2017-09-05 2019-03-13 제이에스알 가부시끼가이샤 Photosensitive composition for forming display device, cured film and display device

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KR102624898B1 (en) 2024-01-16
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CN112368611A (en) 2021-02-12

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