KR102624898B1 - Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto - Google Patents

Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto Download PDF

Info

Publication number
KR102624898B1
KR102624898B1 KR1020227011384A KR20227011384A KR102624898B1 KR 102624898 B1 KR102624898 B1 KR 102624898B1 KR 1020227011384 A KR1020227011384 A KR 1020227011384A KR 20227011384 A KR20227011384 A KR 20227011384A KR 102624898 B1 KR102624898 B1 KR 102624898B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
partition
substrate
light
weight
thickness
Prior art date
Application number
KR1020227011384A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20220049046A (en
Inventor
에이스케 이이즈카
미츠히토 스와
히데유키 고바야시
Original Assignee
도레이 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이 카부시키가이샤 filed Critical 도레이 카부시키가이샤
Publication of KR20220049046A publication Critical patent/KR20220049046A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102624898B1 publication Critical patent/KR102624898B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • G02F1/133516Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0042Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/105Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Abstract

수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물. 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도, 높은 반사율과 높은 차광성을 양립한 격벽을 형성하는 수지 조성물을 제공한다.A resin composition containing a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium, a photopolymerization initiator or a quinonediazide compound, and a solvent. A resin composition that forms a partition having both high reflectance and high light-shielding properties, even under heating conditions of 250°C or lower, is provided.

Description

수지 조성물, 차광막, 차광막의 제조 방법 및 격벽 구비 기판{RESIN COMPOSITION, LIGHT-BLOCKING FILM, METHOD FOR PRODUCING LIGHT-BLOCKING FILM, AND SUBSTRATE HAVING PARTITIONING WALL ATTACHED THERETO}Resin composition, light-shielding film, manufacturing method of light-shielding film, and barrier-equipped substrate

본 발명은 수지 조성물과, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 차광막의 제조 방법, 및 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a light-shielding film formed from the resin composition, a method of manufacturing the light-shielding film, and a barrier rib-equipped substrate having patterned barrier ribs.

화상 표시 장치의 일종인 액정 표시 장치는, 일반적으로 LED 등의 백색 광원과, 적색, 녹색 및 청색을 선택적으로 통과시키는 컬러 필터를 사용하여 컬러 표시를 행하고 있다. 그러나, 이러한 컬러 필터를 사용한 컬러 표시는 광 이용 효율이 나쁘고, 또한 색 재현성에 과제가 있었다.Liquid crystal displays, which are a type of image display device, generally display color using a white light source such as LED and a color filter that selectively passes red, green, and blue. However, color display using such color filters has poor light use efficiency and has problems with color reproducibility.

그래서, 광 이용 효율을 높게 한 컬러 표시 장치로서, 파장 변환용 형광체를 포함하는 파장 변환부와, 편광 분리 수단과 편광 변환 수단을 구비한 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 예를 들어, 청색 광원과, 액정 소자와, 청색광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 형광체, 청색광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 형광체, 및 청색광을 산란시키는 광산란층을 갖는 파장 변환부를 포함하는 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).Therefore, as a color display device with increased light utilization efficiency, a color display device including a wavelength conversion unit including a phosphor for wavelength conversion, a polarization separation unit, and a polarization conversion unit has been proposed (for example, Patent Document 1 reference). For example, a blue light source, a liquid crystal element, a phosphor that is excited by blue light and emits red fluorescence, a phosphor that is excited by blue light and emits green fluorescence, and a wavelength converter having a light scattering layer that scatters blue light. A color display device has been proposed (for example, see Patent Document 2).

그러나, 특허문헌 1, 2에 기재되는 바와 같은 색 변환 형광체를 포함하는 컬러 필터는, 형광이 모든 방향으로 발생하는 점에서, 광의 취출 효율이 낮고 휘도가 불충분하다. 특히, 4K, 8K로 일컬어지는 고정밀 표시 장치에 있어서는, 화소 사이즈가 작아지기 때문에, 휘도의 과제가 현저해지는 점에서 더 높은 휘도가 요구되고 있다.However, color filters containing color conversion phosphors as described in Patent Documents 1 and 2 have low light extraction efficiency and insufficient luminance because fluorescence is generated in all directions. In particular, in high-precision display devices called 4K and 8K, as the pixel size becomes smaller, the problem of luminance becomes more significant, and higher luminance is required.

일본 특허 공개 제2000-131683호 공보Japanese Patent Publication No. 2000-131683 일본 특허 공개 제2009-244383호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-244383 일본 특허 공개 제2000-347394호 공보Japanese Patent Publication No. 2000-347394 일본 특허 공개 제2006-259421호 공보Japanese Patent Publication No. 2006-259421

표시 장치의 휘도를 향상시키기 위해서는, 색 변환 형광체를 이격시키는 격벽의 반사율을 높게 하는 것이 유효하다. 또한, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생하지 않기 위해서는, 격벽의 차광성을 높게 할 필요가 있다. 이상으로부터 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽 재료가 요구되고 있다.In order to improve the luminance of a display device, it is effective to increase the reflectance of the partition separating the color conversion phosphors. Additionally, in order to prevent color mixing of light between adjacent pixels, it is necessary to increase the light-blocking properties of the partition. From the above, a barrier material that has both high reflectance and light-shielding properties is required.

발명자들은 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 형성하기 위해, 우선, 고반사율의 백색 격벽 재료에 흑색 안료를 첨가한 재료를 사용하는 방법을 검토하였다. 그러나, 이 방법에서는 노광 시에 백색 안료와 흑색 안료에 의해 광이 흡수되어, 막의 저부까지 광이 도달하지 않아 패턴 가공성이 나쁘다고 하는 과제가 명확하게 되었다.In order to form a partition having both high reflectivity and light-shielding properties, the inventors first examined a method of using a material in which black pigment was added to a white partition material with high reflectivity. However, in this method, light is absorbed by the white pigment and black pigment during exposure, and the problem that the pattern processability is poor because the light does not reach the bottom of the film became clear.

한편, 특허문헌 3, 4에 기재되어 있는 바와 같이, 특정 금속 화합물을 첨가함으로써, 패턴 형성 후의 소성에 의해 흑색화하는 기술이 제안되어 있다. 그러나, 이들 흑색화 기술은 400℃ 이상의 소성이 필요하며, 250℃ 이하의 가열로는 차광성이 향상되지 않는다고 하는 과제가 있었다.On the other hand, as described in Patent Documents 3 and 4, a technique for blackening by adding a specific metal compound and baking after pattern formation has been proposed. However, these blackening technologies require firing at 400°C or higher, and have the problem that light-shielding properties do not improve with heating at 250°C or lower.

그래서, 본 발명은 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도, 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 형성 가능한 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the purpose of the present invention is to provide a resin composition capable of forming a partition having both high reflectance and light-shielding properties even under heating conditions of 250°C or lower.

본 발명은 수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물이다.The present invention is a resin composition containing a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium, a photopolymerization initiator or a quinonediazide compound, and a solvent.

본 발명의 수지 조성물은 제막 후에 패턴 노광하는 공정 시에는 광을 통과시키지만, 노광한 막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열한 후에 차광성이 높아지기 때문에, 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도 높은 반사율과 높은 차광성을 갖는 미세 후막 격벽 패턴의 형성이 가능하다.The resin composition of the present invention allows light to pass through during the pattern exposure process after film formation, but its light-shielding properties increase after the exposed film is heated to a temperature of 120°C or higher and 250°C or lower, so it has a high reflectance even under heating conditions of 250°C or lower. It is possible to form a fine thick film barrier pattern with high light blocking properties.

도 1은 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 2는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 3은 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 4는 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 5는 저굴절률층 및 무기 보호층 II를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 6은 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 7은 컬러 필터와, 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 8은 컬러 필터와, 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 9는 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 10은 실시예에 있어서 혼색 평가에 사용한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having patterned barrier ribs.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has patterned barrier ribs and pixels containing a color conversion light-emitting material.
Figure 3 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing one aspect of the substrate with a barrier rib of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer I.
Fig. 5 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer II.
Fig. 6 is a cross-sectional view showing one aspect of the substrate with a partition of the present invention having a color filter.
Fig. 7 is a cross-sectional view showing one aspect of the substrate with a partition of the present invention having a color filter, an inorganic protective layer III, and/or a yellow organic protective layer.
Fig. 8 is a cross-sectional view showing one aspect of the substrate with a partition of the present invention having a color filter, an inorganic protective layer IV, and/or a yellow organic protective layer.
Fig. 9 is a cross-sectional view showing one aspect of the substrate with a barrier rib of the present invention having a light-shielding barrier rib.
Fig. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of a display device used for color mixing evaluation in the example.

이하, 본 발명에 관한 수지 조성물, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 차광막의 제조 방법, 및 격벽 구비 기판의 적합한 실시 형태를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 목적이나 용도에 따라 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the resin composition, the light-shielding film formed from the resin composition, the manufacturing method of the light-shielding film, and the substrate with partitions according to the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the purpose or It can be implemented in various ways depending on the purpose.

본 발명의 수지 조성물은 색 변환 형광체를 이격시키는 격벽을 형성하기 위한 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물(이하, 「유기 금속 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention can be suitably used as a material for forming a partition separating color conversion phosphors. The resin composition of the present invention includes a resin, an organometallic compound (hereinafter sometimes referred to as an "organometallic compound") containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium, It is preferable to contain a photopolymerization initiator or a quinonediazide compound and a solvent.

수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 수지의 함유량은, 열처리에 있어서의 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 20중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 내광성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 수지의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 고형분이란, 수지 조성물에 포함되는 성분 중, 용매 등의 휘발성 성분을 제외한 전성분을 의미한다. 고형분의 양은, 수지 조성물을 가열하여 휘발성 성분을 증발시킨 잔분을 헤아림으로써 구할 수 있다.The resin has the function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The content of the resin in the solid content of the resin composition is preferably 10% by weight or more, and more preferably 20% by weight or more, from the viewpoint of improving the crack resistance of the partition during heat treatment. On the other hand, from the viewpoint of improving light resistance, the content of the resin in the solid content of the resin composition is preferably 60% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less. Here, solid content means all components included in the resin composition excluding volatile components such as solvents. The amount of solid content can be determined by heating the resin composition and counting the remaining content after evaporating the volatile components.

수지로서는, 예를 들어 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조옥사졸 전구체, (메트)아크릴 폴리머 등을 들 수 있다. 여기서, (메트)아크릴 폴리머란, 메타크릴산에스테르 및/또는 아크릴산에스테르의 중합체를 의미한다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 투명성, 내열성 및 내광성이 우수한 점에서 폴리실록산이 바람직하다.Examples of the resin include polysiloxane, polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, (meth)acrylic polymer, etc. Here, (meth)acrylic polymer means a polymer of methacrylic acid ester and/or acrylic acid ester. You may contain two or more of these. Among these, polysiloxane is preferable because it is excellent in transparency, heat resistance, and light resistance.

폴리실록산은 오르가노실란의 가수분해ㆍ탈수 축합물이다. 본 발명의 수지 조성물이 네가티브형 감광성을 갖는 경우, 폴리실록산은 적어도 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 추가로 다른 반복 단위를 포함해도 된다. 일반식 (2)로 표시되는 2관능 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 가열에 의한 폴리실록산의 과잉 열중합(축합)을 억제하고, 격벽의 크랙 내성을 향상시킬 수 있다. 폴리실록산에 있어서의 전체 반복 단위 중, 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 10 내지 80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 10몰% 이상 포함함으로써, 크랙 내성을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량은 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, 중합 시에 폴리실록산의 분자량을 충분히 높여 도포성을 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량은 70몰% 이하가 보다 바람직하다.Polysiloxane is a hydrolyzed and dehydrated condensate of organosilane. When the resin composition of the present invention has negative photosensitivity, the polysiloxane preferably contains at least a repeating unit represented by the following general formula (2). Additionally, other repeating units may be included. By including a repeating unit derived from a bifunctional alkoxysilane compound represented by general formula (2), excessive thermal polymerization (condensation) of polysiloxane due to heating can be suppressed and crack resistance of the partition can be improved. Of all the repeating units in the polysiloxane, it is preferable to contain 10 to 80 mol% of the repeating unit represented by General Formula (2). By containing 10 mol% or more of the repeating unit represented by General Formula (2), crack resistance can be further improved. The content of the repeating unit represented by General Formula (2) is more preferably 15 mol% or more, and even more preferably 20 mol% or more. On the other hand, by including 80 mol% or less of the repeating unit represented by General Formula (2), the molecular weight of the polysiloxane can be sufficiently increased during polymerization to improve coatability. The content of the repeating unit represented by General Formula (2) is more preferably 70 mol% or less.

상기 일반식 (2) 중, R1 및 R2는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. R1 및 R2는 중합 시의 폴리실록산의 분자량 조정을 용이하게 하는 관점에서, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 및 탄소수 6 내지 12의 아릴기로부터 선택된 기가 바람직하다. 단, 알킬기 및 아릴기는, 그 수소의 적어도 일부가 라디칼 중합성기에 의해 치환되어 있어도 된다. 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 경화물 중에 있어서는, 라디칼 중합성기는 라디칼 중합되어 있어도 된다.In the general formula (2), R 1 and R 2 may be the same or different, and represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 1 and R 2 are preferably groups selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and an aryl group having 6 to 12 carbon atoms from the viewpoint of facilitating adjustment of the molecular weight of the polysiloxane during polymerization. However, in the alkyl group and the aryl group, at least part of the hydrogen may be substituted by a radical polymerizable group. In this case, in the cured product of the negative photosensitive resin composition, the radical polymerizable group may be radically polymerized.

본 발명의 수지 조성물이 네가티브형 감광성을 갖는 경우, 폴리실록산은 추가로 하기 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위로부터 선택된 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 일반식 (3) 또는 일반식 (4)로 표시되는, 불소 함유 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 폴리실록산의 굴절률을 저감하고, 후술하는 백색 안료를 함유하는 경우에, 백색 안료와의 굴절률차를 확대하여 계면 반사를 보다 향상시켜, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위 및 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위로부터 선택된 반복 단위를 폴리실록산 중에 합계 20 내지 80몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위를 합계 20몰% 이상 포함함으로써, 후술하는 백색 안료를 함유하는 경우에, 폴리실록산과 백색 안료의 계면 반사를 보다 향상시켜, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량은, 40몰% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위를 합계 80몰% 이하 포함함으로써, 폴리실록산의 과도한 소수화를 억제하고, 조성물 중의 다른 성분과의 상용성을 향상시키고, 해상도를 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량은 70몰% 이하가 보다 바람직하다. 추가로 다른 반복 단위를 포함해도 된다.When the resin composition of the present invention has negative photosensitivity, the polysiloxane preferably further contains a repeating unit selected from the repeating unit represented by the following general formula (3) and the repeating unit represented by the following general formula (4) . By including a repeating unit derived from a fluorine-containing alkoxysilane compound represented by General Formula (3) or General Formula (4), the refractive index of polysiloxane is reduced, and when it contains the white pigment described later, the refractive index with the white pigment is reduced. By enlarging the difference, the interface reflection can be further improved, and the reflectance can be further improved. It is more preferable to contain a total of 20 to 80 mol% of the repeating unit selected from the repeating unit represented by General Formula (3) and the repeating unit represented by General Formula (4) in the polysiloxane. By containing a total of 20 mol% or more of the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4), the reflection at the interface between the polysiloxane and the white pigment is further improved when the white pigment described later is contained. By doing so, the reflectance can be further improved. The total content of the repeating unit represented by General Formula (3) and the repeating unit represented by General Formula (4) is more preferably 40 mol% or more. On the other hand, by containing a total of 80 mol% or less of the repeating unit represented by general formula (3) and the repeating unit represented by general formula (4), excessive hydrophobization of polysiloxane is suppressed and compatibility with other components in the composition is improved. and the resolution can be improved. The total content of the repeating unit represented by General Formula (3) and the repeating unit represented by General Formula (4) is more preferably 70 mol% or less. Additionally, other repeating units may be included.

상기 일반식 (3) 및 (4) 중, R3은 수소의 전부 또는 일부가 불소로 치환된, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아릴기 또는 아릴알킬기를 나타낸다. R4는 단결합, -O-, -CH2-CO-, -CO- 또는 -O-CO-를 나타낸다. R5는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. R3은 폴리실록산의 굴절률을 보다 저감시키는 관점에서, 수소의 전부 또는 일부가 불소로 치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하다. 또한, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광경화물 중에 있어서는 알케닐기는 라디칼 중합되어 있어도 된다.In the general formulas (3) and (4), R 3 represents an alkyl group, alkenyl group, aryl group, or arylalkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which all or part of hydrogen is replaced with fluorine. R 4 represents a single bond, -O-, -CH 2 -CO-, -CO-, or -O-CO-. R 5 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 3 is preferably an alkyl group of 1 to 6 carbon atoms in which all or part of hydrogen is replaced with fluorine from the viewpoint of further reducing the refractive index of polysiloxane. Additionally, in the photocured product of the negative photosensitive resin composition, the alkenyl group may be radically polymerized.

상기 일반식 (2) 내지 (4)로 표시되는 반복 단위는, 각각 하기 일반식 (5) 내지 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물로부터 유래한다. 즉, 상기 일반식 (2) 내지 (4)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 폴리실록산은, 하기 일반식 (5) 내지 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물을 포함하는 알콕시실란 화합물을 가수분해 및 중축합함으로써 얻을 수 있다. 추가로 다른 알콕시실란 화합물을 사용해도 된다.The repeating units represented by the general formulas (2) to (4) are derived from alkoxysilane compounds represented by the following general formulas (5) to (7), respectively. That is, the polysiloxane containing repeating units represented by the general formulas (2) to (4) hydrolyzes and condenses the alkoxysilane compound containing the alkoxysilane compound represented by the general formulas (5) to (7) below. It can be obtained by combining. Additionally, other alkoxysilane compounds may be used.

상기 일반식 (5) 내지 (7) 중, R1 내지 R5는 각각 일반식 (2) 내지 (4)에 있어서의 R1 내지 R5와 동일한 기를 나타낸다. R6은 동일해도 되고 상이해도 되며, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타내고, 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하다.In the general formulas (5) to (7), R 1 to R 5 each represent the same group as R 1 to R 5 in the general formulas (2) to (4). R 6 may be the same or different, and represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable.

일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 에틸메틸디메톡시실란, 에틸메틸디메톡시실란, 메틸프로필디메톡시실란, 메틸프로필디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 시클로헥실메틸디메톡시실란, 시클로헥실메틸디에톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란, 알릴메틸디메톡시실란, 알릴메틸디에톡시실란, 스티릴메틸디메톡시실란, 스티릴메틸디에톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디에톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸에틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 3-디메틸메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-디메틸메톡시실릴프로피온산, 3-디메틸에톡시실릴프로피온산, 3-디메틸메톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 5-디메틸메톡시실릴발레르산, 5-디메틸에톡시실릴발레르산, 3-디메틸메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필프탈산 무수물, 4-디메틸메톡시실릴부티르산, 4-디메틸에톡시실릴부티르산 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by general formula (5) include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, ethylmethyldimethoxysilane, ethylmethyldimethoxysilane, methylpropyldimethoxysilane, methylpropyldiethoxysilane, Diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, cyclohexylmethyldiethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, allylmethyldimethoxysilane, allylmethyldiethoxysilane, Styrylmethyldimethoxysilane, styrylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloylpropylmethyldiethoxysilane, γ-acryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ -Acryloylpropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethylmethyldimethoxysilane, 2 -(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyl ethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, 3-dimethylmethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3- Dimethylmethoxysilylpropionic acid, 3-dimethylethoxysilylpropionic acid, 3-dimethylmethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride, 5-dimethylmethoxysilyl Valeric acid, 5-dimethylethoxysilylvaleric acid, 3-dimethylmethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylmethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylphthalic acid Examples include anhydride, 4-dimethylmethoxysilylbutyric acid, and 4-dimethylethoxysilylbutyric acid. You may use two or more of these.

일반식 (6)으로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 퍼플루오로펜틸트리메톡시실란, 퍼플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸트리이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by general formula (6) include trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, perfluoropentyltrimethoxysilane, and perfluoropentyltriethoxysilane. Silane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, tridecafluorooctyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltripropoxysilane, tridecafluorooctyltriisopropoxysilane, heptadecafluorodecyl Trimethoxysilane, heptadecafluorodecyltriethoxysilane, etc. are mentioned. You may use two or more of these.

일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는 비스(트리플루오로메틸)디메톡시실란, 비스(트리플루오로프로필)디메톡시실란, 비스(트리플루오로프로필)디에톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. Alkoxysilane compounds represented by general formula (7) include bis(trifluoromethyl)dimethoxysilane, bis(trifluoropropyl)dimethoxysilane, bis(trifluoropropyl)diethoxysilane, and trifluoropropylmethyl. Dimethoxysilane, trifluoropropylmethyldiethoxysilane, trifluoropropylethyldimethoxysilane, trifluoropropylethyldiethoxysilane, and heptadecafluorodecylmethyldimethoxysilane. You may use two or more of these.

그 밖의 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 등의 3관능 알콕시실란 화합물; 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 실리케이트 51(테트라에톡시실란 올리고머) 등의 4관능 알콕시실란 화합물; 트리메틸메톡시실란, 트리페닐메톡시실란 등의 단관능 알콕시실란 화합물; 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-에틸-3-{[3-(트리메톡시실릴)프로폭시]메틸}옥세탄, 3-에틸-3-{[3-(트리에톡시실릴)프로폭시]메틸}옥세탄 등의 에폭시기 또는 옥세탄기 함유 알콕시실란 화합물: 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 1-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 톨릴트리메톡시실란, 톨릴트리에톡시실란, 1-페닐에틸트리메톡시실란, 1-페닐에틸트리에톡시실란, 2-페닐에틸트리메톡시실란, 2-페닐에틸트리에톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필프탈산 무수물 등의 방향환 함유 알콕시실란 화합물; 스티릴트리메톡시실란, 스티릴트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리에톡시실란 등의 라디칼 중합성기 함유 알콕시실란 화합물; 3-트리메톡시실릴프로피온산, 3-트리에톡시실릴프로피온산, 4-트리메톡시실릴부티르산, 4-트리에톡시실릴부티르산, 5-트리메톡시실릴발레르산, 5-트리에톡시실릴발레르산, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리에톡시시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필프탈산 무수물 등의 카르복실기 함유 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다.Other alkoxysilane compounds include, for example, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, and isobutyltrime. Toxysilane, isobutyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, trifunctional alkoxysilane compounds such as 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, and 3-ureidopropyltriethoxysilane; tetrafunctional alkoxysilane compounds such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and silicate 51 (tetraethoxysilane oligomer); Monofunctional alkoxysilane compounds such as trimethylmethoxysilane and triphenylmethoxysilane; 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-Glycidoxypropyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl) Ethyltriethoxysilane, 3-ethyl-3-{[3-(triethoxysilyl)propoxy]methyl}oxetane, 3-ethyl-3-{[3-(triethoxysilyl)propoxy]methyl }Alkoxysilane compounds containing epoxy groups or oxetane groups such as oxetane: phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 1-naphthyltrimethoxysilane, 2-naphthyltrimethoxysilane, 2-naphthyltrimethoxysilane , 2-naphthyltrimethoxysilane, tolyltrimethoxysilane, tolyltriethoxysilane, 1-phenylethyltrimethoxysilane, 1-phenylethyltriethoxysilane, 2-phenylethyltrimethoxysilane, 2- aromatic ring-containing alkoxysilane compounds such as phenylethyltriethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride, and 3-triethoxysilylpropylphthalic anhydride; Styryltrimethoxysilane, styryltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, γ-acryloylpropyltrimethoxysilane, γ -Alkoxysilane compounds containing radical polymerizable groups such as acryloylpropyltriethoxysilane, γ-methacryloylpropyltrimethoxysilane, and γ-methacryloylpropyltriethoxysilane; 3-trimethoxysilylpropionic acid, 3-triethoxysilylpropionic acid, 4-trimethoxysilylbutyric acid, 4-triethoxysilylbutyric acid, 5-trimethoxysilylvaleric acid, 5-triethoxysilylvaleric acid, 3-Trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-triethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-trimethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride, 3-triethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic acid anhydride , carboxyl group-containing alkoxysilane compounds such as 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride and 3-triethoxysilylpropylphthalic anhydride.

폴리실록산의 원료가 되는 알콕시실란 화합물 중에 있어서의, 일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 함유량은, 폴리실록산의 전체 반복 단위 중의 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량을 전술한 범위로 하는 관점에서, 10몰% 이상이 바람직하고, 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 함유량은, 동일한 관점에서 80몰% 이하가 바람직하고, 70몰% 이하가 보다 바람직하다. 또한, 일반식 (6) 및 일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 합계 함유량에 대해서도, 일반식 (3) 및 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량을 전술한 범위로 하는 관점에서, 20몰% 이상이 바람직하고, 40몰% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 일반식 (6) 및 일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 합계 함유량은, 동일한 관점에서 80몰% 이하가 바람직하고, 70몰% 이하가 보다 바람직하다.The content of the alkoxysilane compound represented by the general formula (5) in the alkoxysilane compound serving as the raw material for polysiloxane is the content of the repeating unit represented by the general formula (2) in all repeating units of the polysiloxane within the range described above. From this viewpoint, 10 mol% or more is preferable, 15 mol% or more is more preferable, and 20 mol% or more is still more preferable. On the other hand, from the same viewpoint, the content of the alkoxysilane compound represented by the general formula (5) is preferably 80 mol% or less, and more preferably 70 mol% or less. In addition, regarding the total content of the alkoxysilane compounds represented by General Formula (6) and General Formula (7), the total content of repeating units represented by General Formula (3) and General Formula (4) is set to the above-mentioned range. From a viewpoint, 20 mol% or more is preferable, and 40 mol% or more is more preferable. On the other hand, from the same viewpoint, the total content of the alkoxysilane compounds represented by the general formulas (6) and (7) is preferably 80 mol% or less, and more preferably 70 mol% or less.

폴리실록산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 도포성의 관점에서 1,000 이상이 바람직하고, 2,000 이상이 보다 바람직하다. 한편, 현상성의 관점에서 폴리실록산의 Mw는 50,000 이하가 바람직하고, 20,000 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 본 발명에 있어서의 폴리실록산의 Mw란, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산값을 말한다.The weight average molecular weight (Mw) of polysiloxane is preferably 1,000 or more, and more preferably 2,000 or more from the viewpoint of coatability. On the other hand, from the viewpoint of developability, the Mw of polysiloxane is preferably 50,000 or less, and more preferably 20,000 or less. Here, the Mw of polysiloxane in the present invention refers to the polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC).

폴리실록산은, 전술한 오르가노실란 화합물을 가수분해한 후, 해당 가수분해물을 용매의 존재 하 또는 무용매에서 탈수 축합 반응시킴으로써 얻을 수 있다.Polysiloxane can be obtained by hydrolyzing the above-mentioned organosilane compound and then subjecting the hydrolyzate to a dehydration condensation reaction in the presence of a solvent or without a solvent.

가수분해에 있어서의 각종 조건은 반응 스케일, 반응 용기의 크기, 형상 등을 고려하여, 목적으로 하는 용도에 적합한 물성에 맞추어 설정할 수 있다. 각종 조건으로서는, 예를 들어 산 농도, 반응 온도, 반응 시간 등을 들 수 있다.Various conditions for hydrolysis can be set according to physical properties suitable for the intended use, taking into account the reaction scale, size and shape of the reaction vessel, etc. Examples of various conditions include acid concentration, reaction temperature, reaction time, etc.

가수분해 반응에는 염산, 아세트산, 포름산, 질산, 옥살산, 염산, 황산, 인산, 폴리인산, 다가 카르복실산이나 그의 무수물, 이온 교환 수지 등의 산 촉매를 사용할 수 있다. 이들 중에서도 포름산, 아세트산 및 인산으로부터 선택된 산을 포함하는 산성 수용액이 바람직하다.For the hydrolysis reaction, acid catalysts such as hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, nitric acid, oxalic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, polyhydric carboxylic acid or its anhydride, and ion exchange resin can be used. Among these, an acidic aqueous solution containing an acid selected from formic acid, acetic acid and phosphoric acid is preferable.

가수분해 반응에 산 촉매를 사용하는 경우, 산 촉매의 첨가량은 가수분해를 보다 빠르게 진행시키는 관점에서, 가수분해 반응에 사용되는 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 0.05중량부 이상이 바람직하고, 0.1중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 가수분해 반응의 진행을 적절하게 조정하는 관점에서, 산 촉매의 첨가량은, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 20중량부 이하가 바람직하고, 10중량부 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 전체 알콕시실란 화합물량이란, 알콕시실란 화합물, 그의 가수분해물 및 그의 축합물 전부를 포함하는 양을 말한다. 이하 동일하게 한다.When using an acid catalyst in the hydrolysis reaction, the amount of the acid catalyst added is preferably 0.05 parts by weight or more, and 0.1 part by weight based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compounds used in the hydrolysis reaction, from the viewpoint of making the hydrolysis progress more quickly. Parts by weight or more is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of appropriately controlling the progress of the hydrolysis reaction, the amount of acid catalyst added is preferably 20 parts by weight or less, and more preferably 10 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound. Here, the total amount of alkoxysilane compounds refers to the amount including all of the alkoxysilane compound, its hydrolyzate, and its condensate. The same applies below.

가수분해 반응은 용매 중에서 행할 수 있다. 용매는 수지 조성물의 안정성, 습윤성, 휘발성 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.The hydrolysis reaction can be performed in a solvent. The solvent can be appropriately selected considering the stability, wettability, volatility, etc. of the resin composition.

가수분해 반응에 의해 용매가 생성되는 경우에는, 무용매에서 가수분해를 행하는 것도 가능하다. 수지 조성물에 사용하는 경우에는, 가수분해 반응 종료 후에, 추가로 용매를 첨가함으로써 수지 조성물을 적절한 농도로 조정하는 것도 바람직하다. 또한, 가수분해 후에 가열 및/또는 감압 하에 의해 생성 알코올 등의 전량 혹은 일부를 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가하는 것도 가능하다.When a solvent is produced through a hydrolysis reaction, it is also possible to perform hydrolysis in the absence of a solvent. When used in a resin composition, it is also preferable to adjust the resin composition to an appropriate concentration by further adding a solvent after completion of the hydrolysis reaction. In addition, it is also possible to distill or remove all or part of the produced alcohol, etc., by heating and/or under reduced pressure after hydrolysis, and then add a suitable solvent.

가수분해 반응에 용매를 사용하는 경우, 용매의 첨가량은, 겔의 생성을 억제하는 관점에서, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 50중량부 이상이 바람직하고, 80중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 용매의 첨가량은, 가수분해를 보다 빠르게 진행시키는 관점에서, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 500중량부 이하가 바람직하고, 200중량부 이하가 보다 바람직하다.When a solvent is used in the hydrolysis reaction, the amount of solvent added is preferably 50 parts by weight or more, and more preferably 80 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound, from the viewpoint of suppressing gel formation. On the other hand, the amount of solvent added is preferably 500 parts by weight or less, and more preferably 200 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound, from the viewpoint of promoting hydrolysis more quickly.

또한, 가수분해 반응에 사용하는 물로서는 이온 교환수가 바람직하다. 물의 양은 임의로 설정할 수 있지만, 전체 알콕시실란 화합물 1몰에 대하여 1.0 내지 4.0몰이 바람직하다.Additionally, ion-exchanged water is preferable as water used in the hydrolysis reaction. The amount of water can be set arbitrarily, but is preferably 1.0 to 4.0 mol per mole of the total alkoxysilane compound.

탈수 축합 반응의 방법으로서는, 예를 들어 오르가노실란 화합물의 가수분해 반응에 의해 얻어진 실란올 화합물 용액을 그대로 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가열 온도는 50℃ 이상, 용매의 비점 이하가 바람직하고, 가열 시간은 1 내지 100시간이 바람직하다. 또한, 폴리실록산의 중합도를 높이기 위해 재가열 또는 염기 촉매의 첨가를 행해도 된다. 또한, 목적에 따라 탈수 축합 반응 후에, 생성 알코올 등의 적량을 가열 및/또는 감압 하에서 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가해도 된다.Examples of the dehydration condensation reaction include a method of heating the silanol compound solution obtained through the hydrolysis reaction of the organosilane compound as is. The heating temperature is preferably 50°C or higher and the boiling point or lower of the solvent, and the heating time is preferably 1 to 100 hours. Additionally, reheating or addition of a base catalyst may be performed to increase the degree of polymerization of polysiloxane. Additionally, depending on the purpose, after the dehydration condensation reaction, an appropriate amount of the resulting alcohol or the like may be distilled and removed under heating and/or reduced pressure, and then a suitable solvent may be added.

수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서, 가수분해, 탈수 축합 후의 실록산 수지 용액에는 상기 촉매가 포함되지 않는 것이 바람직하며, 필요에 따라 촉매의 제거를 행할 수 있다. 촉매 제거 방법으로서는, 조작의 간편함과 제거성의 관점에서, 물 세정, 이온 교환 수지에 의한 처리 등이 바람직하다. 물 세정이란, 폴리실록산 용액을 적당한 소수성 용매로 희석하고, 물로 수회 세정한 후, 얻어진 유기층을 증발기 등으로 농축하는 방법이다. 이온 교환 수지에 의한 처리란, 폴리실록산 용액을 적당한 이온 교환 수지에 접촉시키는 방법이다.From the viewpoint of storage stability of the resin composition, it is preferable that the siloxane resin solution after hydrolysis and dehydration condensation does not contain the catalyst, and the catalyst can be removed as necessary. As a catalyst removal method, water washing, treatment with an ion exchange resin, etc. are preferable from the viewpoint of simplicity of operation and removability. Water washing is a method of diluting a polysiloxane solution with an appropriate hydrophobic solvent, washing the solution several times with water, and then concentrating the obtained organic layer using an evaporator or the like. Treatment with an ion exchange resin is a method of bringing a polysiloxane solution into contact with an appropriate ion exchange resin.

유기 금속 화합물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성 시에, 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서, 분해ㆍ응집함으로써 흑색 입자 또는 황색 입자가 되고, 후술하는 격벽(A-1)의 OD값을 향상시키는 기능을 갖는다. 노광 전에는 OD값이 낮고, 패턴 형성 후에 OD값이 상승하는 점에서, 노광 공정에 있어서는 노광한 광을 저부까지 충분히 투과시켜 광경화 또는 광분해시킬 수 있다. 예를 들어, 네가티브형 감광성을 갖는 수지 조성물의 경우, OD값이 높은 격벽(A-1)을 형성하기 위해, 미리 흑색 안료를 다량으로 함유하는 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부에 있어서의 광경화가 불충분해지기 쉽다. 그 결과, 얻어진 격벽(A-1)의 형상이 역테이퍼형이 되기 쉬운 경향이 있다. 전술한 유기 금속 화합물을 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부까지 충분히 광경화하는 점에서, 테이퍼 각도를 용이하게 후술의 바람직한 범위로 할 수 있다.The organometallic compound decomposes and aggregates in the exposure process and/or the heating process when forming the pattern of the barrier rib (A-1) described later, thereby forming black particles or yellow particles, and forms the barrier rib (A-1) described later. It has the function of improving OD value. Since the OD value is low before exposure and the OD value increases after pattern formation, in the exposure process, the exposed light can be sufficiently transmitted to the bottom to cause photocuring or photodecomposition. For example, in the case of a resin composition having negative photosensitivity, if a pattern is formed using a resin composition containing a large amount of black pigment in advance to form a partition (A-1) with a high OD value, the Photocuring tends to be insufficient. As a result, the shape of the obtained partition wall A-1 tends to be inversely tapered. When a pattern is formed using the resin composition of the present invention containing the above-described organometallic compound, the taper angle can be easily set to the preferable range described later because the bottom portion is sufficiently photocured.

유기 금속 화합물로서는, 예를 들어 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물; 클로로(트리페닐포스핀)금, 테트라클로로금산 4수화물 등의 금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)백금, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금, 디클로로비스(벤조니트릴)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디벤질리덴아세톤팔라듐 등의 팔라듐을 함유하는 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the organometallic compound include silver-containing organometallic compounds such as silver neodecanoate, silver octylate, and silver salicylate; Organometallic compounds containing gold such as chloro(triphenylphosphine)gold and tetrachloroauric acid tetrahydrate; Organometallic compounds containing platinum, such as bis(acetylacetonato)platinum, dichlorobis(triphenylphosphine)platinum, and dichlorobis(benzonitrile)platinum; Organometallic compounds containing palladium, such as bis(acetylacetonato)palladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium, dichlorobis(benzonitrile)palladium, tetrakis(triphenylphosphine)palladium, and dibenzylideneacetonepalladium. etc. can be mentioned. You may contain two or more of these.

이들 중 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 흑색화하고, 그 후의 가열 공정에 있어서 추가로 분해ㆍ응집함으로써 황색화한다.Among these, neodecanoic acid, if it contains organometallic compounds containing silver such as silver octylate or silver salicylate, turns black by decomposing and agglomerating in the exposure process, and turns yellow by further decomposing and agglomerating in the subsequent heating process. do.

한편, 비스(아세틸아세토나토)백금, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금, 디클로로비스(벤조니트릴)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디벤질리덴아세톤팔라듐 등의 팔라듐으로부터 선택된 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 흑색화한다.On the other hand, organometallic compounds containing platinum such as bis(acetylacetonato)platinum, dichlorobis(triphenylphosphine)platinum, and dichlorobis(benzonitrile)platinum; Organometallic compounds selected from palladium, such as bis(acetylacetonato)palladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium, dichlorobis(benzonitrile)palladium, tetrakis(triphenylphosphine)palladium, and dibenzylideneacetonepalladium. If contained, it blackens by decomposing and agglomerating in the exposure process and/or heating process.

이들 중에서도 OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐으로부터 선택된 유기 금속 화합물이 바람직하다.Among these, from the viewpoint of further improving the OD value, organic metals selected from bis(acetylacetonato)palladium, dichlorobis(triphenylphosphine)palladium, dichlorobis(benzonitrile)palladium, and tetrakis(triphenylphosphine)palladium. Compounds are preferred.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 고형분 중에서 차지하는 유기 금속 화합물의 함유량은 0.2 내지 5중량%가 바람직하다. 유기 금속 화합물의 함유량을 0.2중량% 이상으로 함으로써, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 유기 금속 화합물의 함유량은 1.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 유기 금속 화합물의 함유량을 5중량% 이하로 함으로써, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다.In the resin composition of the present invention, the content of the organometallic compound in the solid content is preferably 0.2 to 5% by weight. By setting the content of the organometallic compound to 0.2% by weight or more, the OD value of the obtained partition can be further improved. The content of the organometallic compound is more preferably 1.5% by weight or more. On the other hand, the reflectance can be further improved by setting the content of the organometallic compound to 5% by weight or less.

본 발명의 수지 조성물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성에 사용되는 경우, 네가티브형 또는 포지티브형의 감광성을 갖는 것이 바람직하다. 네가티브형 감광성을 부여하는 경우에는 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하며, 고정밀의 패턴 형상의 격벽을 형성할 수 있다. 네가티브형 감광성 수지 조성물은, 추가로 광중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 한편, 포지티브형 감광성을 부여하는 경우에는 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.When the resin composition of the present invention is used to form a pattern of a partition (A-1) described later, it is preferable to have negative or positive photosensitivity. In the case of imparting negative photosensitivity, it is preferable to contain a photopolymerization initiator, and partition walls in a high-precision pattern can be formed. It is preferable that the negative photosensitive resin composition further contains a photopolymerizable compound. On the other hand, when providing positive photosensitivity, it is preferable to contain a quinonediazide compound.

광중합 개시제는 광(자외선, 전자선을 포함함)의 조사에 의해 분해 및/또는 반응하여, 라디칼을 발생시키는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 예를 들어, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등의 α-아미노알킬페논 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2,4,4-트리메틸펜틸)-포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1-페닐-1,2-부타디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질케탈 화합물; 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실-페닐케톤 등의 α-히드록시케톤 화합물; 벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-페닐벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 히드록시벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸-디페닐술파이드, 알킬화 벤조페논, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논 화합물; 2,2-디에톡시아세토페논, 2,3-디에톡시아세토페논, 4-t-부틸디클로로아세토페논, 벤잘아세토페논, 4-아지드벤잘아세토페논 등의 아세토페논 화합물; 2-페닐-2-옥시아세트산메틸 등의 방향족 케토에스테르 화합물; 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산(2-에틸)헥실, 4-디에틸아미노벤조산에틸, 2-벤조일벤조산메틸 등의 벤조산에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.The photopolymerization initiator may be any one as long as it decomposes and/or reacts upon irradiation of light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate radicals. For example, 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholine α-aminoalkylphenone compounds such as -4-yl-phenyl)-butan-1-one and 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1; 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl )-Acylphosphine oxide compounds such as phosphine oxide; 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], 1-phenyl-1,2-butadione-2-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, ethanone-1- Oxime ester compounds such as [9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime); Benzyl ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4-(2-hydroxy α-hydroxyketone compounds such as toxy)phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone and 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone; Benzophenone, 4,4-bis(dimethylamino)benzophenone, 4,4-bis(diethylamino)benzophenone, o-benzoylmethyl benzoate, 4-phenylbenzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, hydroxy Benzophenone compounds such as benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenyl sulfide, alkylated benzophenone, and 3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone; Acetophenone compounds such as 2,2-diethoxyacetophenone, 2,3-diethoxyacetophenone, 4-t-butyldichloroacetophenone, benzalacetophenone, and 4-azidebenzalacetophenone; aromatic keto ester compounds such as methyl 2-phenyl-2-oxyacetate; and benzoic acid ester compounds such as ethyl 4-dimethylaminobenzoate, (2-ethyl)hexyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-diethylaminobenzoate, and methyl 2-benzoylbenzoate. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중 0.01중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 잔류한 광중합 개시제의 용출 등을 억제하고, 황변을 보다 향상시키는 관점에서, 광중합 개시제의 함유량은 고형분 중 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of effectively advancing radical hardening, the content of the photopolymerization initiator in the resin composition of the present invention is preferably 0.01% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more based on the solid content. On the other hand, from the viewpoint of suppressing elution of the remaining photopolymerization initiator and further improving yellowing, the content of the photopolymerization initiator is preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less, based on the solid content.

본 발명에 있어서의 광중합성 화합물이란, 분자 중에 2개 이상의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 말한다. 라디칼 중합성의 용이성을 생각하면, 광중합성 화합물은 (메트)아크릴기를 갖는 것이 바람직하다.The photopolymerizable compound in the present invention refers to a compound having two or more ethylenically unsaturated double bonds in the molecule. Considering the ease of radical polymerization, it is preferable that the photopolymerizable compound has a (meth)acrylic group.

광중합성 화합물로서는, 예를 들어 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부탄디올디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 1,10-데칸디올디메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카아크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨운데카아크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨도데카아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타메타크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨운데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨도데카메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of photopolymerizable compounds include diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, and tetraethylene glycol dimethacrylate. Crylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate Rate, neopentyl glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1 , 10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, Dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tripentaerythritol heptaacrylate, tripentaerythritol octaacrylate, tetrapentaerythritol nonaacrylate, tetrapentaerythritol decaacrylate, pentapenta Erythritol undecaacrylate, pentapentaerythritol dodecaacrylate, tripentaerythritol heptamethacrylate, tripentaerythritol octamethacrylate, tetrapentaerythritol nonamethacrylate, tetrapentaerythritol decamethacrylate salt, pentapentaerythritol undecamethacrylate, pentapentaerythritol dodecamethacrylate, and dimethylol-tricyclodecane diacrylate. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광중합성 화합물의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중 1중량% 이상이 바람직하다. 한편, 라디칼의 과잉 반응을 억제하고 해상도를 향상시키는 관점에서, 광중합성 화합물의 함유량은 고형분 중 40중량% 이하가 바람직하다.The content of the photopolymerizable compound in the resin composition of the present invention is preferably 1% by weight or more based on the solid content from the viewpoint of effectively promoting radical hardening. On the other hand, from the viewpoint of suppressing excessive reaction of radicals and improving resolution, the content of the photopolymerizable compound is preferably 40% by weight or less based on the solid content.

퀴논디아지드 화합물로서는, 페놀성 수산기를 갖는 화합물에 나프토퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르로 결합한 화합물이 바람직하다. 여기서 사용되는 페놀성 수산기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 BIs-Z, TekP-4HBPA(테트라키스 P-DO-BPA), TrIsP-HAP, TrIsP-PA, BIsRS-2P, BIsRS-3P(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-F(이상, 상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), 4,4'-술포닐디페놀, BPFL(상품명, JFE 케미컬(주)제) 등을 들 수 있다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 이들 페놀성 수산기를 갖는 화합물에 4-나프토퀴논디아지드술폰산 또는 5-나프토퀴논디아지드술폰산을 에스테르 결합으로 도입한 것이 바람직하며, 예를 들어 THP-17, TDF-517(상품명, 도요 고세 고교(주)제), SBF-525(상품명, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈(주)제) 등을 들 수 있다.As the quinonediazide compound, a compound in which the sulfonic acid of naphthoquinonediazide is bonded as an ester to a compound having a phenolic hydroxyl group is preferable. Compounds having a phenolic hydroxyl group used here include, for example, BIs-Z, TekP-4HBPA (tetrakis P-DO-BPA), TrIsP-HAP, TrIsP-PA, BIsRS-2P, BIsRS-3P (above, brand names) , Honshu Kagaku Kogyo Co., Ltd.), BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-F (above, brand name, Asahi Yukizai Kogyo Co., Ltd.), 4,4'-sulfonyldiphenol, BPFL ( Brand name, product made by JFE Chemical Co., Ltd., etc. can be mentioned. As quinonediazide compounds, those having 4-naphthoquinonediazide sulfonic acid or 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid introduced through an ester bond into these compounds having a phenolic hydroxyl group are preferable, for example, THP-17, TDF- 517 (brand name, manufactured by Toyo Gose Kogyo Co., Ltd.), SBF-525 (brand name, manufactured by AZ Electronic Materials Co., Ltd.), etc.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 퀴논디아지드 화합물의 함유량은, 감도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중 0.5중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 퀴논디아지드 화합물의 함유량은, 해상도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중 25중량% 이하가 바람직하고, 20중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving sensitivity, the content of the quinonediazide compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.5% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more, based on the solid content. On the other hand, from the viewpoint of improving resolution, the content of the quinonediazide compound is preferably 25% by weight or less, and more preferably 20% by weight or less, based on the solid content.

용매는, 수지 조성물의 점도를 도포에 적합한 범위로 조정하고, 격벽의 균일성을 향상시키는 기능을 갖는다. 용매로서는, 대기압 하의 비점이 150℃ 초과 250℃ 이하인 용매와, 150℃ 이하인 용매를 조합하는 것이 바람직하다.The solvent has the function of adjusting the viscosity of the resin composition to a range suitable for application and improving the uniformity of the partition. As a solvent, it is preferable to combine a solvent with a boiling point of more than 150°C and 250°C or less under atmospheric pressure and a solvent with a boiling point of 150°C or less.

용매로서는, 예를 들어 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르류; 메틸에틸케톤, 아세틸아세톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디이소부틸케톤, 시클로펜타논 등의 케톤류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸 등의 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌, 헥산, 시클로헥산 등의 방향족 혹은 지방족 탄화수소, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 도포성의 관점에서, 대기압 하의 비점이 150℃ 초과 250℃ 이하인 용매로서 디아세톤알코올과, 150℃ 이하인 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 조합하는 것이 바람직하다.Examples of solvents include alcohols such as ethanol, propanol, isopropanol, and diacetone alcohol; Glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether; Ketones such as methyl ethyl ketone, acetylacetone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, and cyclopentanone; Amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide; Ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate. Acetates such as butyl lactate; Aromatic or aliphatic hydrocarbons such as toluene, xylene, hexane, and cyclohexane, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, and dimethyl sulfoxide can be mentioned. You may contain two or more of these. Among these, from the viewpoint of applicability, it is preferable to combine diacetone alcohol as a solvent with a boiling point of more than 150°C and 250°C or less under atmospheric pressure and propylene glycol monomethyl ether as a solvent with a boiling point of 150°C or less.

용매의 함유량은 도포 방법 등에 따라 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어, 스핀 코팅에 의해 막 형성을 행하는 경우에는, 용매의 함유량은 수지 조성물 중 50중량% 이상 95중량% 이하로 하는 것이 일반적이다.The content of the solvent can be arbitrarily set depending on the application method, etc. For example, when forming a film by spin coating, the solvent content is generally set to 50% by weight or more and 95% by weight or less of the resin composition.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 인 원자를 갖는 배위성 화합물(이하, 「배위성 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)을 함유하는 것이 바람직하다. 배위성 화합물은 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물에 배위하여, 유기 금속 화합물의 용매에 대한 용해성을 향상시켜 유기 금속 화합물의 분해를 촉진하고, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 배위성 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리-t-부틸포스핀, 트리메틸포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 테트라플루오로 붕산트리-t-부틸포스핀, 트리(2-푸릴)포스핀, 트리스(1-아다만틸)포스핀, 트리스(디에틸아미노)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(O-톨릴)포스핀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 배위성 화합물의 함유량은, 유기 금속 화합물에 대하여 0.5 내지 3.0몰 당량이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of the present invention further contains a coordination compound (hereinafter sometimes referred to as a “coordination compound”) having a phosphorus atom. The coordinating compound coordinates with the organometallic compound in the resin composition, improves the solubility of the organometallic compound in the solvent, promotes decomposition of the organometallic compound, and can further improve the OD value of the resulting barrier rib. Coordinating compounds include, for example, triphenylphosphine, tri-t-butylphosphine, trimethylphosphine, tricyclohexylphosphine, tri-t-butylphosphine tetrafluoroborate, and tri(2-furyl)phosphine. Examples include pin, tris(1-adamantyl)phosphine, tris(diethylamino)phosphine, tris(4-methoxyphenyl)phosphine, and tris(O-tolyl)phosphine. You may contain two or more of these. The content of the coordination compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.5 to 3.0 molar equivalents relative to the organometallic compound.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 백색 안료 및/또는 흑색 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 백색 안료는 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 흑색 안료는 OD값을 조정하는 기능을 갖는다.It is preferable that the resin composition of the present invention further contains a white pigment and/or a black pigment. The white pigment has the function of further improving the reflectance of the partition. Black pigment has the function of adjusting the OD value.

백색 안료로서는, 예를 들어 이산화티타늄, 산화지르코늄, 산화아연, 황산바륨, 이들의 복합 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 반사율이 높고 공업적 이용이 용이한 이산화티타늄이 바람직하다.Examples of white pigments include titanium dioxide, zirconium oxide, zinc oxide, barium sulfate, and complex compounds thereof. You may contain two or more of these. Among these, titanium dioxide is preferable because it has a high reflectivity and is easy to use industrially.

이산화티타늄의 결정 구조는 아나타아제형, 루틸형 및 브루카이트형으로 분류된다. 이들 중에서도 광촉매 활성이 낮은 점에서 루틸형 산화티타늄이 바람직하다.The crystal structure of titanium dioxide is classified into anatase type, rutile type, and brookite type. Among these, rutile-type titanium oxide is preferable because of its low photocatalytic activity.

백색 안료에는 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. Al, Si 및 Zr로부터 선택된 금속에 의한 표면 처리가 바람직하며, 형성한 격벽의 내광성 및 내열성을 향상시킬 수 있다.The white pigment may be subjected to surface treatment. Surface treatment with a metal selected from Al, Si and Zr is preferable and can improve the light resistance and heat resistance of the formed barrier rib.

백색 안료의 메디안 직경은, 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 관점에서 100 내지 500nm가 바람직하다. 여기서, 백색 안료의 메디안 직경은 입도 분포 측정 장치(N4-PLUS; 베크만ㆍ콜터(주)제) 등을 사용하여 레이저 회절법에 의해 측정된 입도 분포로부터 산출할 수 있다.The median diameter of the white pigment is preferably 100 to 500 nm from the viewpoint of further improving the reflectance of the partition. Here, the median diameter of the white pigment can be calculated from the particle size distribution measured by laser diffraction using a particle size distribution measuring device (N4-PLUS; manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd.) or the like.

백색 안료로서 바람직하게 사용되는 이산화티타늄 안료로서는, 예를 들어 R960; 듀퐁(주)제(루틸형, SiO2/Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 210nm), CR-97; 이시하라 산교(주)제(루틸형, Al2O3/ZrO2 처리, 평균 1차 입자경 250nm), JR-301; 테이카(주)제(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 300nm), JR-405; 테이카(주)제(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 210nm), JR-600A; 테이카(주)(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 250nm), JR-603; 테이카(주)(루틸형, Al2O3/ZrO2 처리, 평균 1차 입자경 280nm) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Titanium dioxide pigments preferably used as white pigments include, for example, R960; CR-97, manufactured by DuPont Co., Ltd. (rutile type, SiO 2 /Al 2 O 3 treated, average primary particle size 210 nm); JR-301, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 /ZrO 2 treated, average primary particle size 250 nm); JR-405, manufactured by Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 treated, average primary particle size 300 nm); JR-600A, manufactured by Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 treated, average primary particle size 210 nm); Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 treated, average primary particle size 250 nm), JR-603; Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 /ZrO 2 treatment, average primary particle diameter 280 nm), etc. are mentioned. You may contain two or more of these.

수지 조성물에 있어서의 백색 안료의 함유량은, 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 20중량% 이상이 바람직하고, 30중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 평활성을 향상시키는 관점에서, 백색 안료의 함유량은 고형분 중의 60중량% 이하가 바람직하고, 55중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of further improving the reflectance, the content of the white pigment in the resin composition is preferably 20% by weight or more in solid content, and more preferably 30% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of improving the surface smoothness of the partition, the content of the white pigment is preferably 60% by weight or less in the solid content, and more preferably 55% by weight or less.

흑색 안료로서는, 예를 들어 흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 흑색 무기 안료 등을 들 수 있다.Examples of black pigments include black organic pigments, mixed-color organic pigments, and black inorganic pigments.

흑색 유기 안료로서는, 예를 들어 카본 블랙, 페릴렌 블랙, 아닐린 블랙, 벤조푸라논계 안료 등을 들 수 있다. 이들은 수지로 피복되어 있어도 된다.Examples of black organic pigments include carbon black, perylene black, aniline black, and benzofuranone-based pigments. These may be coated with resin.

혼색 유기 안료로서는, 예를 들어 적, 청, 녹, 보라, 황색, 마젠타 및 시안 등으로부터 선택된 2종 이상의 안료를 혼합하여 의사 흑색화한 것을 들 수 있다. 이들 중에서도 적절하게 높은 OD값과 패턴 가공성을 양립하는 관점에서, 적색 안료와 청색 안료의 혼합 안료가 바람직하다. 혼합 안료에 있어서의 적색 안료와 청색 안료의 중량비는 20/80 내지 80/20이 바람직하고, 30/70 내지 70/30이 보다 바람직하다. 대표적인 안료의 구체예를 컬러 인덱스(CI) 넘버로 나타내면, 다음과 같은 것을 들 수 있다. 적색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 레드(이하 PR이라고 약칭함) 9, PR48, PR97, PR122, PR123, PR144, PR149, PR166, PR168, PR177, PR179, PR180, PR192, PR209, PR215, PR216, PR217, PR220, PR223, PR224, PR226, PR227, PR228, PR240, PR254 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 청색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 블루(이하 PB라고 약칭함) 15, PB15:3, PB15:4, PB15:6, PB22, PB60, PB64 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of mixed organic pigments include those obtained by mixing two or more pigments selected from red, blue, green, violet, yellow, magenta, cyan, etc. and making them pseudo-black. Among these, a mixed pigment of a red pigment and a blue pigment is preferable from the viewpoint of achieving both an appropriately high OD value and pattern processability. The weight ratio of the red pigment and blue pigment in the mixed pigment is preferably 20/80 to 80/20, and more preferably 30/70 to 70/30. Specific examples of representative pigments are expressed by color index (CI) numbers as follows. Red pigments include, for example, Pigment Red (hereinafter abbreviated as PR) 9, PR48, PR97, PR122, PR123, PR144, PR149, PR166, PR168, PR177, PR179, PR180, PR192, PR209, PR215, PR216, PR217. , PR220, PR223, PR224, PR226, PR227, PR228, PR240, PR254, etc. You may contain two or more of these. Examples of the blue pigment include Pigment Blue (hereinafter abbreviated as PB) 15, PB15:3, PB15:4, PB15:6, PB22, PB60, and PB64. You may contain two or more of these.

흑색 무기 안료로서는, 예를 들어 그래파이트; 티타늄, 구리, 철, 망간, 코발트, 크롬, 니켈, 아연, 칼슘, 은, 금, 백금, 팔라듐 등의 금속의 미립자; 금속 산화물; 금속 복합 산화물; 금속 황화물; 금속 질화물; 금속 산질화물; 금속 탄화물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the black inorganic pigment include graphite; Fine particles of metals such as titanium, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, zinc, calcium, silver, gold, platinum, and palladium; metal oxide; metal complex oxides; metal sulfides; metal nitride; metal oxynitride; Metal carbides, etc. can be mentioned. You may contain two or more of these.

이상의 흑색 안료 중에서도 높은 차광성을 갖는 점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료로부터 선택된 안료가 바람직하다. 또한, 격벽(A-1)의 테이퍼 각도를 후술의 바람직한 범위로 조정하기 쉬운 관점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료로부터 선택된 안료가 보다 바람직하다.Among the above black pigments, pigments selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, and mixed pigments with a weight ratio of red pigment and blue pigment of 20/80 to 80/20 are preferable because they have high light blocking properties. In addition, from the viewpoint of easy adjustment of the taper angle of the partition A-1 to a preferred range described later, a pigment selected from titanium nitride, zirconium nitride, and a mixed pigment with a weight ratio of red pigment and blue pigment of 20/80 to 80/20. is more preferable.

수지 조성물에 있어서의 흑색 안료의 함유량은, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하여 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하는 관점에서, 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.05중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하는 관점에서, 흑색 안료의 함유량은 고형분 중의 5중량% 이하가 바람직하고, 3중량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the black pigment in the resin composition is preferably 0.01% by weight or more, and 0.05% by weight or more in solid content from the viewpoint of adjusting the reflectance and OD to the above-mentioned range and further suppressing color mixing of light in adjacent pixels. It is more desirable. On the other hand, from the viewpoint of adjusting the reflectance and OD to the above-mentioned ranges, the content of the black pigment is preferably 5% by weight or less in the solid content, and more preferably 3% by weight or less.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 광염기 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 광염기 발생제를 함유함으로써, 노광 공정에 있어서 염기를 발생시켜, 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물의 분해ㆍ응집을 촉진하는 점에서, 유기 금속 화합물을 보다 효율적으로 흑색 입자 또는 황색 입자로 변환하고, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다.It is preferable that the resin composition of the present invention further contains a photobase generator. By containing a photobase generator, a base is generated in the exposure process to promote decomposition and aggregation of the organometallic compound in the resin composition, thereby converting the organometallic compound into black particles or yellow particles more efficiently, and the obtained The OD value of the partition can be further improved.

광염기 발생제는 광(자외선, 전자선을 포함함)의 조사에 의해 분해 및/또는 반응하여, 염기를 발생시키는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 예를 들어, 2-(9-옥소크산텐-2-일)프로피온산 1,5,7-트리아자시클로[4,4,0]데크-5-엔, N-시클로헥실카르밤산1-(안트라퀴논-2-일)에틸, N,N-디에틸카르밤산9-안트릴메틸, N-시클로헥실카르밤산9-안트릴메틸, 1-카르복실산9-안트릴메틸피페리딘, N,N-디시클로헥실카르밤산9-안트릴메틸, N,N-디시클로헥실카르밤산1-(안트라퀴논-2-일)에틸, 프로피온산시클로헥실암모늄2-(3-벤조일페닐), 부틸트리페닐보론산1,2-디시클로헥실-4,4,5,5,-테트라메틸비구아니디늄, 2-(3-벤조일페닐)프로피온산1,2-디이소프로필-3-[비스(디메틸아미노)메틸렌]구아니디늄, (2-니트로페닐)메틸4-히드록시피페리딘-1-카르복실산, 2-(3-벤조일페닐)프로피온산구아니디늄 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.The photobase generator may be any one as long as it decomposes and/or reacts with irradiation of light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate a base. For example, 2-(9-oxoxanthen-2-yl)propionic acid 1,5,7-triazacyclo[4,4,0]dec-5-ene, N-cyclohexylcarbamic acid 1-(anthra Quinone-2-yl)ethyl, N,N-diethylcarbamate 9-anthrylmethyl, N-cyclohexylcarbamate 9-anthrylmethyl, 1-carboxylic acid 9-anthrylmethylpiperidine, N, N-dicyclohexylcarbamate 9-anthrylmethyl, N,N-dicyclohexylcarbamate 1-(anthraquinon-2-yl)ethyl, cyclohexylammonium propionate 2-(3-benzoylphenyl), butyltriphenyl 1,2-dicyclohexyl-4,4,5,5,-tetramethylbiguanidinium boronic acid, 2-(3-benzoylphenyl)propionic acid 1,2-diisopropyl-3-[bis(dimethylamino) Examples include methylene]guanidinium, (2-nitrophenyl)methyl4-hydroxypiperidine-1-carboxylic acid, and 2-(3-benzoylphenyl)guanidinium propionate. You may use two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광염기 발생제의 함유량은, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.5중량% 이상이 바람직하다. 한편, 광염기 발생제의 함유량은, 해상도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 2.0중량% 이하가 바람직하다.The content of the photobase generator in the resin composition of the present invention is preferably 0.5% by weight or more based on the solid content from the viewpoint of further improving the OD value. On the other hand, the content of the photobase generator is preferably 2.0% by weight or less based on the solid content from the viewpoint of improving resolution.

본 발명의 수지 조성물은 발액 화합물을 함유해도 된다. 발액 화합물이란, 수지 조성물에 물이나 유기 용매를 튕기는 성질(발액 성능)을 부여하는 화합물이다. 이러한 성질을 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 플루오로알킬기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 발액 화합물을 함유함으로써, 격벽(A-1) 형성 후에 격벽의 정상부에 발액 성능을 부여할 수 있다. 그에 의해, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain a liquid-repellent compound. A liquid-repellent compound is a compound that imparts a property (liquid-repellent performance) to a resin composition to repel water or organic solvents. There is no particular limitation as long as the compound has these properties, but specifically, a compound having a fluoroalkyl group is preferably used. By containing a liquid-repelling compound, liquid-repellent performance can be imparted to the top of the partition wall (A-1) after formation. Thereby, for example, when forming a pixel containing the color conversion light emitting material (B) described later, color conversion light emitting materials with different compositions can be easily separately applied to each pixel.

발액 화합물로서는, 예를 들어 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸헥실에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사에틸렌글리콜(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 퍼플루오로도데실술폰산나트륨, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로도데칸, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로데칸, N-[3-(퍼플루오로옥탄술폰아미드)프로필]-N,N'-디메틸-N-카르복시메틸렌암모늄베타인, 퍼플루오로알킬술폰아미드프로필트리메틸암모늄염, 퍼플루오로알킬-N-에틸술포닐글리신염, 인산비스(N-퍼플루오로옥틸술포닐-N-에틸아미노에틸), 모노퍼플루오로알킬에틸인산에스테르 등의 말단, 주쇄 및/또는 측쇄에 플루오로알킬 또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되는 발액 화합물로서는 "메가펙"(등록 상표) F142D, F172, F173, F183, F444, F477(이상, 다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제), 에프톱 EF301, 303, 352(신아키타 가세이(주)제), 플루오라드 FC-430, FC-431(스미토모 쓰리엠(주)제)), "아사히가드"(등록 상표) AG710, "서플론"(등록 상표) S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106(아사히 가라스(주)제), BM-1000, BM-1100(유쇼(주)제), NBX-15, FTX-218, DFX-18((주)네오스제) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 반응성이 높고, 수지와 견고한 결합을 형성할 수 있는 점에서, 광중합성기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 불소 원자 및 광중합성기를 갖는 발액 화합물로서는, 예를 들어 "메가펙"(등록 상표) RS-76-E, RS-56, RS-72-k, RS-75, RS-76-E, RS-76-NS, RS-76, RS-90(이상, 상품명, DIC(주)제) 등을 들 수 있다. 또한, 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광경화물을 포함하는 격벽(A-1) 내에 있어서는, 광중합성기는 광중합되어 있어도 된다.Examples of liquid-repellent compounds include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether, Octaethylene glycol di(1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di(1, 1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di(1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorodecyl sulfonate, 1,1,2 ,2,8,8,9,9,10,10-decafluorodecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N-[3-(perfluorooctanesulfonamide) [Propyl]-N, N'-dimethyl-N-carboxymethylene ammonium betaine, perfluoroalkyl sulfonamide propyl trimethyl ammonium salt, perfluoroalkyl-N-ethyl sulfonyl glycine salt, bis phosphate (N-perfluoro oxide Compounds having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at the terminal, main chain, and/or side chain, such as thylsulfonyl-N-ethylaminoethyl) and monoperfluoroalkyl ethyl phosphate, can be mentioned. In addition, commercially available liquid-repellent compounds include "Megapec" (registered trademark) F142D, F172, F173, F183, F444, F477 (above, manufactured by Dainippon Ink Kagaku Kogyo Co., Ltd.), Ftop EF301, 303, 352 (new) Akita Kasei Co., Ltd.), Fluorad FC-430, FC-431 (Sumitomo 3M Co., Ltd.), “Asahi Guard” (registered trademark) AG710, “Suplon” (registered trademark) S-382, SC -101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (made by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, BM-1100 (made by Yusho Co., Ltd.), NBX-15 , FTX-218, DFX-18 (manufactured by Neos Co., Ltd.), etc. You may contain two or more of these. Among these, those having a photopolymerizable group are more preferable because they have high reactivity and can form a firm bond with the resin. Examples of the liquid-repellent compound having a fluorine atom and a photopolymerizable group include "Megapec" (registered trademark) RS-76-E, RS-56, RS-72-k, RS-75, RS-76-E, RS- 76-NS, RS-76, RS-90 (above, brand name, manufactured by DIC Corporation), etc. In addition, in this case, in the partition wall (A-1) containing the photocured product of the negative photosensitive resin composition, the photopolymerizable group may be photopolymerized.

격벽의 발액 성능을 향상시켜, 잉크젯 도포성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물에 있어서의 발액 화합물의 함유량은 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지나 백색 안료와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 발액 화합물의 함유량은 고형분 중의 10중량% 이하가 바람직하고, 5중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the liquid-repellent performance of the partition and improving inkjet applicability, the content of the liquid-repelling compound in the resin composition is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, based on the solid content. On the other hand, from the viewpoint of improving compatibility with resin or white pigment, the content of the liquid-repellent compound is preferably 10% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less, based on the solid content.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라 자외선 흡수제, 중합 금지제, 계면 활성제, 밀착성 개량제 등을 함유해도 된다.Additionally, the resin composition of the present invention may contain an ultraviolet absorber, a polymerization inhibitor, a surfactant, an adhesion improver, etc., as needed.

본 발명의 수지 조성물 중에 자외선 흡수제를 함유함으로써, 내광성을 향상시키고, 해상도를 보다 향상시킬 수 있다. 자외선 흡수제로서는 투명성 및 비착색성의 관점에서, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-tert-펜틸페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸페놀, 2-(2'-히드록시-5'-메타크릴옥시에틸페닐)-2H-벤조트리아졸 등의 벤조트리아졸계 화합물; 2-히드록시-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 2-(4,6-디페닐-1,3,5트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀 등의 트리아진계 화합물 등이 바람직하게 사용된다.By containing an ultraviolet absorber in the resin composition of the present invention, light resistance can be improved and resolution can be further improved. As an ultraviolet absorber, from the viewpoint of transparency and non-coloring, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-tert-pentylphenol, 2 -(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol, 2(2H-benzotriazol-2-yl)-6-dodecyl-4- Benzotriazole-based compounds such as methylphenol and 2-(2'-hydroxy-5'-methacryloxyethylphenyl)-2H-benzotriazole; Benzophenone-based compounds such as 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone; Triazine-based compounds such as 2-(4,6-diphenyl-1,3,5triazin-2-yl)-5-[(hexyl)oxy]-phenol, etc. are preferably used.

본 발명의 수지 조성물 중에 중합 금지제를 함유함으로써, 해상도를 보다 향상시킬 수 있다. 중합 금지제로서는, 예를 들어 디-t-부틸히드록시톨루엔, 부틸히드록시아니솔, 하이드로퀴논, 4-메톡시페놀, 1,4-벤조퀴논, t-부틸카테콜을 들 수 있다. 또한, 시판되는 중합 금지제로서는 "IRGANOX"(등록 상표) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425, 1520, 245, 259, 3114, 565, 295(이상, 상품명, BASF 재팬(주)제) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Resolution can be further improved by containing a polymerization inhibitor in the resin composition of the present invention. Examples of polymerization inhibitors include di-t-butylhydroxytoluene, butylhydroxyanisole, hydroquinone, 4-methoxyphenol, 1,4-benzoquinone, and t-butylcatechol. In addition, commercially available polymerization inhibitors include "IRGANOX" (registered trademark) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425, 1520, 245, 259, 3114, 565, 295 (above, product name, BASF Japan (above) Co., Ltd.), etc. may be mentioned. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 계면 활성제를 함유함으로써, 도포 시의 플로우성을 향상시킬 수 있다. 계면 활성제로서는, 예를 들어 "메가펙"(등록 상표) F142D, F172, F173, F183, F445, F470, F475, F477(이상, 상품명, 다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제), NBX-15, FTX-218(이상, 상품명, (주)네오스제) 등의 불소계 계면 활성제; "BYK"(등록 상표)-333, 301, 331, 345, 307(이상, 상품명, 빅 케미 재팬(주)제) 등의 실리콘계 계면 활성제; 폴리알킬렌옥시드계 계면 활성제; 폴리(메트)아크릴레이트계 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.By containing a surfactant in the resin composition of the present invention, flow properties during application can be improved. As a surfactant, for example, "Megapec" (registered trademark) F142D, F172, F173, F183, F445, F470, F475, F477 (above, brand name, Dainippon Ink Kagaku Kogyo Co., Ltd.), NBX-15 , fluorine-based surfactants such as FTX-218 (trade name, manufactured by Neos Co., Ltd.); Silicone-based surfactants such as "BYK" (registered trademark) -333, 301, 331, 345, 307 (above, brand name, manufactured by Big Chemi Japan Co., Ltd.); polyalkylene oxide-based surfactant; and poly(meth)acrylate-based surfactants. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 밀착성 개량제를 함유함으로써, 하지 기판과의 밀착성이 향상되고, 신뢰성이 높은 격벽을 얻을 수 있다. 밀착성 개량제로서는, 예를 들어 지환식 에폭시 화합물이나 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 지환식 에폭시 화합물은 내열성이 높은 점에서, 가열 후의 색 변화를 보다 억제할 수 있다.By containing an adhesion improving agent in the resin composition of the present invention, adhesion to the underlying substrate is improved, and a highly reliable partition can be obtained. Examples of adhesion improving agents include alicyclic epoxy compounds and silane coupling agents. Among these, alicyclic epoxy compounds have high heat resistance and can further suppress color change after heating.

지환식 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 3',4'-에폭시시클로헥시메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물, ε-카프로락톤 변성 3',4'-에폭시시클로헥실메틸3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산, 부탄테트라카르복실산테트라(3,4-에폭시시클로헥실메틸) 수식 ε-카프로락톤, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 E 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 비스(프로필렌글리콜글리시딜에테르)에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 비스(에틸렌글리콜글리시딜에테르)에테르, 1,4-시클로헥산디카르복실산디글리시딜, 1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of alicyclic epoxy compounds include 3',4'-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 1,2-bis(hydroxymethyl)-1-butanol, and 2,2-bis(hydroxymethyl)-1-butanol. -Epoxy-4-(2-oxiranyl)cyclohexane adduct, ε-caprolactone modified 3',4'-epoxycyclohexylmethyl 3',4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 1,2-epoxy- 4-vinylcyclohexane, butanetetracarboxylic acid tetra(3,4-epoxycyclohexylmethyl) formula ε-caprolactone, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, Hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol E diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A bis(propylene glycol glycidyl ether) ether, hydrogenated bisphenol A bis(ethylene glycol glycidyl ether) ether, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid diglycidyl, 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether, etc. You may contain two or more of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 밀착성 개량제의 함유량은, 하지 기판과의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.1중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 밀착성 개량제의 함유량은, 가열에 의한 색 변화를 보다 억제하는 관점에서, 고형분 중의 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the adhesion improving agent in the resin composition of the present invention is preferably 0.1% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more based on the solid content, from the viewpoint of further improving adhesion to the underlying substrate. On the other hand, the content of the adhesion improver is preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less, based on the solid content, from the viewpoint of further suppressing color change due to heating.

본 발명의 수지 조성물은, 예를 들어 상술한 수지, 유기 금속 화합물, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물, 용매 및 필요에 따라 기타 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다.The resin composition of the present invention can be produced, for example, by mixing the above-mentioned resin, an organometallic compound, a photopolymerization initiator or quinonediazide compound, a solvent, and other components as necessary.

다음에, 본 발명의 차광막에 대하여 설명한다. 본 발명의 차광막은, 전술한 본 발명의 수지 조성물을 경화하여 얻어진다. 본 발명의 차광막은, 후술하는 격벽(A-1) 외에, 커버 기재용 장식 패턴 등의 OGS 타입의 터치 패널에 있어서의 차광 패턴으로서 적합하게 사용할 수 있다. 차광막의 막 두께는 10㎛ 이상이 바람직하다.Next, the light-shielding film of the present invention will be described. The light-shielding film of the present invention is obtained by curing the resin composition of the present invention described above. The light-shielding film of the present invention can be suitably used as a light-shielding pattern in an OGS type touch panel, such as a decorative pattern for a cover base material, in addition to the partition A-1 described later. The thickness of the light-shielding film is preferably 10 μm or more.

다음에, 본 발명의 차광막의 제조 방법에 대하여, 예를 들어 설명한다. 본 발명의 차광막의 제조 방법은, 하지 기판 상에 본 발명의 수지 조성물을 도포하고, 건조하여 건조막을 얻는 제막 공정, 얻어진 건조막을 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 건조막을 가열함으로써 경화시키는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다.Next, the manufacturing method of the light-shielding film of this invention is demonstrated with an example. The method for producing a light-shielding film of the present invention includes a film forming step of applying the resin composition of the present invention onto a base substrate and drying it to obtain a dried film, an exposure step of exposing the obtained dried film to a pattern, and soluble in the developer in the dried film after exposure. It is desirable to have a development process to dissolve and remove the portion and a heating process to harden the dried film after development by heating it.

본 발명의 차광막의 제조 방법은, 상기 가열 공정에 있어서, 현상 후의 막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열함으로써, 막 두께 10㎛당 OD값을 0.3 이상 상승시키는 것을 특징으로 한다. 가열 공정 시의 가열 온도는, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 150℃ 이상이 바람직하고, 180℃ 이상이 보다 바람직하다. 가열 공정 시의 가열 온도는, 가열하는 막의 크랙 발생을 억제하는 관점에서, 250℃ 이하가 바람직하고, 240℃ 이하가 보다 바람직하다. 가열 시간은 15분간 내지 2시간이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물로 형성되는 막은 노광 시에는 OD값이 낮고, 또한 패턴 형성 후에 OD값이 상승하는 점에서, 노광 공정에 있어서는 저부까지 충분히 광경화시켜, 후술의 바람직한 테이퍼 각도를 갖는 격벽을 얻을 수 있다. 더불어, 패턴 형성 후의 OD값이 높은 점에서 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 얻을 수 있다.The method for producing a light-shielding film of the present invention is characterized in that, in the heating step, the OD value per 10 μm of film thickness is increased by 0.3 or more by heating the developed film to a temperature of 120°C or more and 250°C or less. From the viewpoint of further improving the OD value, the heating temperature during the heating process is preferably 150°C or higher, and more preferably 180°C or higher. The heating temperature during the heating process is preferably 250°C or lower, and more preferably 240°C or lower, from the viewpoint of suppressing cracks in the film being heated. The heating time is preferably 15 minutes to 2 hours. Since the film formed from the resin composition of the present invention has a low OD value during exposure and the OD value increases after pattern formation, it is sufficiently photocured to the bottom in the exposure process to obtain a partition having a preferable taper angle described later. You can. In addition, since the OD value after pattern formation is high, a partition that has both high reflectance and light blocking properties can be obtained.

상기 제막 공정에 있어서의 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 슬릿 코트법, 스핀 코트법 등을 들 수 있다. 건조 장치로서는, 예를 들어 열풍 오븐이나 핫 플레이트 등을 들 수 있다. 건조 시간은 80 내지 120℃가 바람직하고, 건조 시간은 1 내지 15분간이 바람직하다.Examples of the application method of the resin composition in the film forming process include the slit coating method and spin coating method. Examples of drying devices include hot air ovens and hot plates. The drying time is preferably 80 to 120°C, and the drying time is preferably 1 to 15 minutes.

노광 공정은, 노광에 의해 건조막의 필요한 부분을 광경화시켜, 또는 건조막의 불필요한 부분을 광분해시켜, 건조막의 임의의 부분을 현상액에 가용으로 하는 공정이다. 노광 공정에 있어서는, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재시켜 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다.The exposure process is a process in which necessary parts of the dried film are photocured by exposure, or unnecessary parts of the dried film are photodecomposed, and any part of the dried film is made soluble in a developer. In the exposure process, exposure may be carried out through a photomask having a predetermined opening, or an arbitrary pattern may be drawn directly using a laser beam or the like without using a photomask.

노광 장치로서는, 예를 들어 프록시미티 노광기를 들 수 있다. 노광 공정에 있어서 조사하는 활성 광선으로서는, 예를 들어 근적외선, 가시광선, 자외선을 들 수 있으며, 자외선이 바람직하다. 또한, 그 광원으로서는, 예를 들어 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프, 살균등 등을 들 수 있으며, 초고압 수은등이 바람직하다.As an exposure apparatus, a proximity exposure machine is mentioned, for example. Actinic rays irradiated in the exposure process include, for example, near infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays, with ultraviolet rays being preferred. In addition, examples of the light source include low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high pressure mercury lamps, halogen lamps, germicidal lamps, etc., and ultra-high pressure mercury lamps are preferable.

노광 조건은 노광하는 건조막의 두께에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 일반적으로 1 내지 100mW/㎠의 출력의 초고압 수은등을 사용하여, 1 내지 10,000mJ/㎠의 노광량으로 노광하는 것이 바람직하다.Exposure conditions can be appropriately selected depending on the thickness of the dry film to be exposed. In general, it is preferable to use an ultra-high pressure mercury lamp with an output of 1 to 100 mW/cm2 and expose at an exposure dose of 1 to 10,000 mJ/cm2.

현상 공정은, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 현상액으로 용해 제거하여, 현상액에 불용인 부분만이 잔존한, 임의의 패턴 형상으로 패턴 형성된 건조막(이하, 가열 전 패턴이라고 칭함)을 얻는 공정이다. 패턴 형상으로서는, 예를 들어 격자상, 스트라이프상 등의 형상을 들 수 있다.In the development process, the part soluble in the developer in the dried film after exposure is removed by dissolving it in the developer, and only the part insoluble in the developer remains, and the dried film is patterned in an arbitrary pattern shape (hereinafter referred to as the pattern before heating). ) is the process of obtaining. Examples of the pattern shape include shapes such as lattice shape and stripe shape.

현상 방법으로서는, 예를 들어 침지법, 스프레이법, 브러시법 등을 들 수 있다.Examples of the development method include an immersion method, a spray method, and a brush method.

현상액으로서는, 노광 후의 건조막에 있어서의 불필요한 부분을 용해하는 것이 가능한 용매를 적절하게 선택할 수 있으며, 물을 주성분으로 하는 수용액이 바람직하다. 예를 들어, 수지 조성물이 카르복실기를 갖는 폴리머를 함유하는 경우, 현상액으로서는 알칼리 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액으로서는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 수산화칼슘 등의 무기 알칼리 수용액; 테트라메틸암모늄히드록사이드, 트리메틸벤질암모늄히드록사이드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 유기 알칼리 수용액 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 해상도를 향상시키는 관점에서, 수산화칼륨 수용액 또는 수산화테트라메틸암모늄 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액의 농도는, 현상성을 향상시키는 관점에서, 0.05중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 알칼리 수용액의 농도는, 가열 전 패턴의 박리나 부식을 억제하는 관점에서, 5중량% 이하가 바람직하고, 1중량% 이하가 보다 바람직하다. 현상 온도는, 공정 관리를 용이하게 하기 위해 20 내지 50℃가 바람직하다.As a developing solution, a solvent capable of dissolving unnecessary parts in the dried film after exposure can be appropriately selected, and an aqueous solution containing water as a main component is preferable. For example, when the resin composition contains a polymer having a carboxyl group, an aqueous alkaline solution is preferable as the developer. Examples of the aqueous alkaline solution include inorganic aqueous alkali solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, and calcium hydroxide; and organic alkali aqueous solutions such as tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine, and diethanolamine. Among these, from the viewpoint of improving resolution, potassium hydroxide aqueous solution or tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is preferable. From the viewpoint of improving developability, the concentration of the aqueous alkaline solution is preferably 0.05% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more. On the other hand, the concentration of the aqueous alkaline solution is preferably 5% by weight or less, and more preferably 1% by weight or less from the viewpoint of suppressing peeling or corrosion of the pattern before heating. The development temperature is preferably 20 to 50°C to facilitate process management.

가열 공정은 현상 공정에서 형성된 가열 전 패턴을 가열 경화시키는 공정이다. 가열 장치로서는, 예를 들어 핫 플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 바람직한 가열 온도 및 가열 시간은 상술한 바와 같다.The heating process is a process of heating and hardening the pattern before heating formed in the developing process. Examples of heating devices include hot plates and ovens. The preferred heating temperature and heating time are as described above.

다음에, 본 발명의 격벽 구비 기판에 대하여 설명한다. 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판 상에 (A-1) 패턴 형성된 격벽(이하, 「격벽(A-1)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는다. 하지 기판은, 격벽 구비 기판에 있어서의 지지체로서의 기능을 갖는다. 격벽은, 후술하는 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우, 인접하는 화소간에 있어서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.Next, the substrate with partitions of the present invention will be described. The substrate with a barrier rib of the present invention has a barrier rib (hereinafter sometimes referred to as “partition wall (A-1)”) formed in the (A-1) pattern on an underlying substrate. The base substrate has a function as a support in the substrate with partitions. When the partition has a pixel containing a color-converting light-emitting material described later, it has a function of suppressing color mixing of light between adjacent pixels.

본 발명의 격벽 구비 기판에 있어서, 격벽(A-1)은, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20% 내지 60%, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 것을 특징으로 한다. 반사율을 20% 이상, OD값을 3.0 이하로 함으로써, (A-1) 격벽 측면에 있어서의 반사를 이용하여 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있다. 한편, 반사율을 60% 이하, OD값을 1.0 이상으로 함으로써, 격벽(A-1)을 투과하는 광을 억제하여 인접 화소간에 있어서의 광의 혼색을 억제할 수 있다.In the barrier-equipped substrate of the present invention, the barrier rib (A-1) is characterized by a reflectance of 20% to 60% per 10 μm thickness at a wavelength of 550 nm and an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm thickness. By setting the reflectance to 20% or more and the OD value to 3.0 or less, (A-1) the luminance of the display device can be improved using reflection on the side of the partition. On the other hand, by setting the reflectance to 60% or less and the OD value to 1.0 or more, light passing through the partition A-1 can be suppressed, and color mixing of light between adjacent pixels can be suppressed.

도 1에, 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)을 갖는다.Fig. 1 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having patterned barrier ribs. It has a partition wall (2) patterned on the base substrate (1).

<하지 기판><Substrate>

하지 기판으로서는, 예를 들어 유리판, 수지판, 수지 필름 등을 들 수 있다. 유리판의 재질로서는 무알칼리 유리가 바람직하다. 수지판 및 수지 필름의 재질로서는 폴리에스테르, (메트)아크릴 폴리머, 투명 폴리이미드, 폴리에테르술폰 등이 바람직하다. 유리판 및 수지판의 두께는 1mm 이하가 바람직하고, 0.8mm 이하가 바람직하다. 수지 필름의 두께는 100㎛ 이하가 바람직하다.Examples of the base substrate include a glass plate, a resin plate, and a resin film. As a material for the glass plate, alkali-free glass is preferable. Preferred materials for the resin plate and resin film include polyester, (meth)acrylic polymer, transparent polyimide, and polyethersulfone. The thickness of the glass plate and the resin plate is preferably 1 mm or less, and preferably 0.8 mm or less. The thickness of the resin film is preferably 100 μm or less.

<격벽(A-1)><Bulkhead (A-1)>

격벽(A-1)은, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20 내지 60%, OD값이 1.0 내지 3.0인 것을 특징으로 한다. 여기서, 격벽(A-1)의 두께란, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수직인 방향(높이 방향)의 길이를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 두께는 부호 H로 표시된다. 또한, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수평인 방향의 길이는 격벽(A-1)의 폭으로 한다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 폭은 부호 L로 표시된다.The partition A-1 is characterized by a reflectance of 20 to 60% per 10 μm thickness at a wavelength of 550 nm and an OD value of 1.0 to 3.0. Here, the thickness of the partition A-1 refers to the length of the partition A-1 in a direction perpendicular to the underlying substrate (height direction). In the case of the substrate with a barrier rib shown in FIG. 1, the thickness of the barrier rib 2 is indicated by symbol H. Additionally, the length of the partition A-1 in a direction parallel to the underlying substrate is taken as the width of the partition A-1. In the case of the barrier rib-equipped substrate shown in Fig. 1, the width of the barrier rib 2 is indicated by symbol L.

본 발명에 있어서는, 격벽 측면에 있어서의 반사율이 표시 장치의 휘도 향 상에, 격벽의 차광성이 혼색 억제에 각각 기여한다고 생각된다. 한편, 두께당 반사율 및 OD값은 두께 방향, 폭 방향에 구애되지 않고 동일하다고 생각되기 때문에, 본 발명에 있어서는 격벽의 두께당 반사율 및 OD값에 착안한다. 또한, 후술하는 바와 같이 격벽(A-1)의 두께는 0.5 내지 50㎛가 바람직하고, 폭은 5 내지 40㎛가 바람직하다. 그래서, 본 발명에 있어서는, 격벽(A-1)의 두께의 대푯값으로서 10㎛를 선택하고, 두께 10㎛당 반사율 및 OD값에 착안하였다.In the present invention, it is believed that the reflectance on the side of the partition contributes to improving the luminance of the display device, and the light-shielding property of the partition contributes to suppressing color mixing. On the other hand, since the reflectance and OD value per thickness are considered to be the same regardless of the thickness direction or the width direction, the present invention focuses on the reflectance and OD value per thickness of the partition. In addition, as will be described later, the thickness of the partition A-1 is preferably 0.5 to 50 μm, and the width is preferably 5 to 40 μm. Therefore, in the present invention, 10 ㎛ was selected as a representative value of the thickness of the partition A-1, and attention was paid to the reflectance and OD value per 10 ㎛ thickness.

두께 10㎛당 반사율이 20% 미만이면, 격벽 측면에 있어서의 반사가 작아져, 표시 장치의 휘도가 불충분해진다. 두께 10㎛당 반사율은 30% 이상이 바람직하고, 35% 이상이 보다 바람직하다. 반사율이 높을수록 격벽 측면에 있어서의 반사가 커지기 때문에, 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있지만, 반사율이 60%를 초과하면, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생한다. 두께 10㎛당 반사율은 44% 이하가 보다 바람직하다.If the reflectance per 10 μm of thickness is less than 20%, reflection on the side of the partition becomes small, and the luminance of the display device becomes insufficient. The reflectance per 10 μm thickness is preferably 30% or more, and more preferably 35% or more. The higher the reflectance, the greater the reflection on the side of the partition, so the luminance of the display device can be improved. However, if the reflectance exceeds 60%, color mixing of light occurs between adjacent pixels. The reflectance per 10㎛ thickness is more preferably 44% or less.

또한, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 미만이면, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생한다. 두께 10㎛당 OD값은 1.5 이상이 바람직하고, 2.0 이상이 보다 바람직하다. 한편, 두께 10㎛당 OD값이 3.0을 초과하면, 격벽 측면에 있어서의 반사가 작아져, 표시 장치의 휘도가 불충분해진다. 두께 10㎛당 OD값은 2.5 이하가 보다 바람직하다.Additionally, if the OD value per 10 μm of thickness is less than 1.0, color mixing of light occurs between adjacent pixels. The OD value per 10 ㎛ thickness is preferably 1.5 or more, and more preferably 2.0 or more. On the other hand, if the OD value per 10 μm of thickness exceeds 3.0, reflection on the side of the partition becomes small, and the luminance of the display device becomes insufficient. The OD value per 10㎛ thickness is more preferably 2.5 or less.

격벽(A-1)의 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대하여, 상면으로부터 분광 측색계(예를 들어, 코니카 미놀타(주)제 CM-2600d)를 사용하여, SCI 모드에 의해 측정할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에 있어서, 격벽(A-1)의 조성이 기지인 경우에는, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하고, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대하여 마찬가지로 반사율을 측정함으로써, 두께 10㎛당 반사율을 구해도 된다. 예를 들어, 격벽(A-1)을 형성한 재료를 사용하여 두께를 10㎛로 하고, 패턴 형성하지 않는 것 이외에는 격벽(A-1)의 형성과 동일한 가공 조건에 의해 솔리드막을 제작하고, 얻어진 솔리드막에 대하여, 상면으로부터 마찬가지로 반사율을 측정해도 된다.The reflectance per 10 μm thickness at a wavelength of 550 nm of the partition A-1 was measured from the upper surface of the partition A-1 with a thickness of 10 μm using a spectrophotometer (e.g., CM- manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.). 2600d) can be used to measure by SCI mode. However, in cases where a sufficient area for measurement cannot be secured or when a measurement sample with a thickness of 10 μm cannot be collected and the composition of the partition A-1 is known, the partition A-1 and The reflectance per 10 μm thickness may be obtained by producing a 10 μm thick solid film of the same composition and measuring the reflectance similarly for the solid film instead of the partition (A-1). For example, using the material from which the barrier rib (A-1) was formed, the thickness was set to 10 μm, and a solid film was produced under the same processing conditions as for forming the barrier rib (A-1) except that the pattern was not formed, and the resulting film was obtained. For a solid film, the reflectance may be similarly measured from the top surface.

격벽(A-1)의 두께 10㎛당 OD값은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대하여, 상면으로부터 광학 농도계(예를 들어, X-rite사제 361T(visual))를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 하기 식 (1)에 의해 산출할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에 있어서, 격벽(A-1)의 조성이 기지인 경우에는, 반사율의 측정과 마찬가지로, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하고, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대하여 마찬가지로 OD값을 측정함으로써, 두께 10㎛당 OD값을 구해도 된다.The OD value per 10 ㎛ thickness of the barrier rib (A-1) is calculated by measuring the incident light from the upper surface using an optical densitometer (for example, 361T (visual) manufactured by X-rite) for the 10 µm thick barrier rib (A-1). And the intensity of transmitted light can be measured and calculated by the following formula (1). However, in cases where a sufficient area for measurement cannot be secured or when a measurement sample with a thickness of 10 ㎛ cannot be collected and the composition of the partition A-1 is known, as in the measurement of reflectance, the partition wall The OD value per 10 μm thickness may be obtained by producing a 10 μm thick solid film of the same composition as (A-1) and measuring the OD value similarly for the solid film instead of the partition (A-1).

OD값=log10(I0/I) … (1)OD value = log10(I 0 /I) … (One)

I0: 입사광 강도I 0 : Incident light intensity

I: 투과광 강도.I: Transmitted light intensity.

또한, 반사율 및 OD값을 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것 등을 들 수 있다.In addition, as a means for bringing the reflectance and OD value into the above range, for example, making the partition A-1 have a preferable composition described later, etc.

격벽(A-1)의 테이퍼 각도는 45°내지 110°가 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도란, 격벽 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 테이퍼 각도는 부호 θ로 표시된다. 테이퍼 각도를 45°이상으로 함으로써, 격벽(A-1)의 상부와 저부의 폭의 차가 작아져, 격벽(A-1)의 폭을 후술하는 바람직한 범위로 용이하게 형성할 수 있다. 테이퍼 각도는 70°이상이 보다 바람직하다. 한편, 테이퍼 각도를 110°이하로 함으로써, 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 잉크젯 도포에 의해 형성할 때, 잉크의 결괴를 억제하고, 잉크젯 도포성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 잉크의 결괴란, 잉크가 격벽을 넘어 인접의 화소 부분에 혼입하는 현상을 의미한다. 테이퍼 각도는 95°이하가 보다 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도는, 격벽(A-1)의 임의의 단면을, 광학 현미경(FE-SEM(예를 들어, (주)히다치 세이사쿠쇼제 S-4800))을 사용하여 가속 전압 3.0kV, 배율 2,500배로 관찰하여, 격벽(A-1)의 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 측정함으로써 구할 수 있다.The taper angle of the partition A-1 is preferably 45° to 110°. The taper angle of the partition wall (A-1) refers to the angle formed by the side and bottom sides of the partition wall cross section. In the case of the substrate with a barrier rib shown in Fig. 1, the taper angle of the barrier rib 2 is indicated by symbol θ. By setting the taper angle to 45 degrees or more, the difference between the widths of the top and bottom of the partition A-1 becomes small, and the width of the partition A-1 can be easily formed in a desirable range described later. The taper angle is more preferably 70° or more. On the other hand, by setting the taper angle to 110° or less, when forming a pixel containing the color conversion light emitting material (B) described later by inkjet application, ink agglomeration can be suppressed and inkjet coating properties can be improved. Here, ink agglomeration refers to a phenomenon in which ink crosses the partition and mixes into adjacent pixel portions. The taper angle is more preferably 95° or less. The taper angle of the partition A-1 is accelerated using an optical microscope (FE-SEM (e.g., S-4800 manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.)) in an arbitrary cross section of the partition A-1. It can be obtained by observing at a voltage of 3.0 kV and a magnification of 2,500 times, and measuring the angle formed by the side and bottom sides of the cross section of the partition A-1.

또한, 격벽(A-1)의 테이퍼 각도를 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것, 전술한 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성하는 것 등을 들 수 있다.In addition, as a means for adjusting the taper angle of the partition A-1 to the above range, for example, the partition A-1 is formed with a preferable composition described later, or formed using the resin composition of the present invention described above. Things can be mentioned.

격벽(A-1)의 두께는, 격벽 구비 기판이 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우에는, 그 화소의 두께보다 큰 것이 바람직하다. 구체적으로는, 격벽(A-1)의 두께는 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소 저부에 있어서의 발광을 보다 효율적으로 취출하는 관점에서, 격벽(A-1)의 두께는 50㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 격벽(A-1)의 폭은, 격벽 측면에 있어서의 광 반사를 이용하여 휘도를 보다 향상시키고, 광 누설에 의한 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하기 위해 충분한 것인 것이 바람직하다. 구체적으로는 격벽의 폭은 5㎛ 이상이 바람직하고, 15㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소의 발광 영역을 많이 확보하여 휘도를 보다 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 폭은 50㎛ 이하가 바람직하고, 40㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the partition A-1 is preferably larger than the thickness of the pixel when the partition-equipped substrate has a pixel containing the color conversion light emitting material (B) described later. Specifically, the thickness of the partition A-1 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 10 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of more efficiently extracting light emission from the bottom of the pixel, the thickness of the partition A-1 is preferably 50 μm or less, and more preferably 20 μm or less. In addition, the width of the partition A-1 is preferably sufficient to further improve luminance by utilizing light reflection on the side of the partition and to further suppress color mixing of light in adjacent pixels due to light leakage. . Specifically, the width of the partition is preferably 5 μm or more, and more preferably 15 μm or more. Meanwhile, from the viewpoint of further improving luminance by securing a large light-emitting area of the pixel, the width of the partition A-1 is preferably 50 μm or less, and more preferably 40 μm or less.

격벽(A-1)은, 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 소정 화소수분의 반복 패턴을 갖고 있다. 화상 표시 장치의 화소수로서는, 예를 들어 가로로 4000개, 세로로 2000개를 들 수 있다. 화소수는 표시되는 화상의 해상도(섬세하고 치밀함)에 영향을 미친다. 그 때문에, 요구되는 화상의 해상도와 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 수의 화소를 형성할 필요가 있으며, 그에 맞추어 격벽의 패턴 형성 치수를 결정하는 것이 바람직하다.The partition A-1 has a repeating pattern of a predetermined number of pixels according to the screen size of the image display device. The number of pixels in an image display device is, for example, 4000 horizontally and 2000 vertically. The number of pixels affects the resolution (detail and detail) of the displayed image. Therefore, it is necessary to form a number of pixels according to the required image resolution and the screen size of the image display device, and it is desirable to determine the pattern formation dimensions of the partition accordingly.

격벽(A-1)은 수지와, 백색 안료와, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금 및 은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자(이하, 「금속 산화물 입자 또는 금속 입자」라고 기재하는 경우가 있음)를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 백색 안료는 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 금속 산화물 입자 또는 금속 입자는 OD값을 조정하고, 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.The partition (A-1) is a resin, a white pigment, and particles containing at least one metal oxide or metal selected from the group consisting of palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold, and silver. (Hereinafter, it may be described as “metal oxide particles or metal particles”). The resin has the function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The white pigment has the function of further improving the reflectance of the partition. Metal oxide particles or metal particles have a function of adjusting the OD value and suppressing color mixing of light in adjacent pixels.

수지와 백색 안료는, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 바와 같다. 격벽(A-1) 중의 수지의 함유량은, 열처리에 있어서의 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 20중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 내광성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 수지의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다.The resin and white pigment are the materials constituting the resin composition and are as described above. The resin content in the partition (A-1) is preferably 10% by weight or more, and more preferably 20% by weight or more, from the viewpoint of improving the crack resistance of the partition during heat treatment. On the other hand, from the viewpoint of improving light resistance, the resin content in the partition (A-1) is preferably 60% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less.

격벽(A-1) 중의 백색 안료의 함유량은, 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 20중량% 이상이 바람직하고, 30중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 평활성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 백색 안료의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 55중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of further improving the reflectance, the content of the white pigment in the partition (A-1) is preferably 20% by weight or more, and more preferably 30% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of improving the surface smoothness of the partition, the content of the white pigment in the partition (A-1) is preferably 60% by weight or less, and more preferably 55% by weight or less.

금속 산화물 입자 또는 금속 입자는, 상술한 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물이 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서, 분해ㆍ응집함으로써 발생한 흑색 입자 또는 황색 입자를 가리킨다. 격벽(A-1) 중의 금속 산화물 입자 또는 금속 입자의 함유량은, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하여 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하는 관점에서, 0.2중량% 이상이 바람직하고, 0.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 금속 산화물 입자 또는 금속 입자의 함유량은 5중량% 이하가 바람직하고, 3중량% 이하가 보다 바람직하다.Metal oxide particles or metal particles refer to black particles or yellow particles generated by decomposition and aggregation of the organometallic compound in the above-mentioned resin composition during the exposure process and/or the heating process. The content of the metal oxide particles or metal particles in the partition A-1 is preferably 0.2% by weight or more, from the viewpoint of adjusting the reflectance and OD to the above-mentioned range and further suppressing color mixing of light in adjacent pixels, and is preferably 0.5% by weight or more. Weight% or more is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of adjusting the reflectance and OD to the above-mentioned range, the content of metal oxide particles or metal particles in the partition (A-1) is preferably 5% by weight or less, and more preferably 3% by weight or less.

격벽(A-1)은, 추가로 발액 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 발액 화합물을 함유함으로써, 격벽(A-1)에 발액 성능을 부여할 수 있고, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다. 발액 화합물은, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 상술한 바와 같다.It is preferable that the partition wall (A-1) further contains a liquid-repellent compound. By containing a liquid-repellent compound, liquid-repellent performance can be imparted to the partition A-1, and for example, when forming pixels containing the color-converting light-emitting material (B) described later, each pixel has a different color composition. Conversion light-emitting materials can be easily separated and applied. The liquid-repellent compound is as described above as a material constituting the resin composition.

격벽의 발액 성능을 향상시켜, 잉크젯 도포성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 발액 화합물의 함유량은 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지나 백색 안료와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 발액 화합물의 함유량은 10중량% 이하가 바람직하고, 5중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the liquid-repellent performance of the partition and improving inkjet applicability, the content of the liquid-repellent compound in the partition (A-1) is preferably 0.01% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of improving compatibility with the resin or white pigment, the content of the liquid-repellent compound in the partition (A-1) is preferably 10% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less.

격벽(A-1)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 대한 표면 접촉각은, 잉크젯 도포성을 향상시키고, 색 변환 발광 재료의 구분 도포를 용이하게 하는 관점에서, 10°이상이 바람직하고, 20°이상이 보다 바람직하고, 40°이상이 더욱 바람직하다. 한편, 격벽과 하지 기판의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은 70°이하가 바람직하고, 60°이하가 보다 바람직하다. 여기서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은, 격벽 상부에 대하여, JIS R3257(제정 년월일=1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거하여 측정할 수 있다. 또한, 격벽(A-1)의 표면 접촉각을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 예를 들어 전술한 발액 화합물을 사용하는 방법 등을 들 수 있다.The surface contact angle of the partition (A-1) with respect to propylene glycol monomethyl ether acetate is preferably 10° or more, and is 20° or more from the viewpoint of improving inkjet applicability and facilitating separate application of the color conversion light-emitting material. This is more preferable, and 40° or more is even more preferable. On the other hand, from the viewpoint of improving the adhesion between the partition and the underlying substrate, the surface contact angle of the partition A-1 is preferably 70° or less, and more preferably 60° or less. Here, the surface contact angle of the partition A-1 can be measured based on the wettability test method of the substrate glass surface specified in JIS R3257 (date of establishment = 1999/04/20) with respect to the upper part of the partition. Additionally, as a method of adjusting the surface contact angle of the partition A-1 to the above range, for example, a method using the above-described liquid-repellent compound can be used.

하지 기판 상에 격벽(A-1)을 패턴 형성하는 방법으로서는, 패턴 형상의 조정이 용이한 점에서, 감광성 페이스트법이 바람직하다. 감광성 페이스트법에 의해 격벽을 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 하지 기판 상에 전술한 수지 조성물을 도포하고, 건조하여 건조막을 얻는 도포 공정, 얻어진 건조막을 원하는 패턴 형상에 따라 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 격벽을 경화시키는 가열 공정을 갖는 방법이 바람직하다. 수지 조성물은 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성을 갖게 하는 것이 바람직하다. 패턴 노광은, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재시켜 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다. 또한, 격벽 구비 기판이 후술하는 차광 격벽(A-2)을 갖는 경우에는, 차광 격벽(A-2) 상에 마찬가지로 하여 격벽(A-1)을 패턴 형성할 수 있다. 각 공정에 대해서는 차광막의 제조 방법으로서 앞서 설명한 바와 같다.As a method of pattern forming the partition A-1 on the base substrate, the photosensitive paste method is preferable because the pattern shape can be easily adjusted. Methods for patterning partition walls by the photosensitive paste method include, for example, an application step of applying the above-mentioned resin composition onto a base substrate and drying it to obtain a dried film, an exposure step of exposing the obtained dried film to a pattern according to a desired pattern shape, A method comprising a development step of dissolving and removing the developer-soluble portion of the dried film after exposure and a heating step of curing the partition walls after development is preferable. The resin composition preferably has positive or negative photosensitivity. Pattern exposure may be performed through a photomask having a predetermined opening, or an arbitrary pattern may be drawn directly using a laser beam or the like without using a photomask. In addition, when the barrier-equipped substrate has a light-shielding barrier rib A-2, which will be described later, the barrier rib A-1 can be pattern-formed on the light-shielding barrier rib A-2 in the same manner. Each process is the same as previously described as a method of manufacturing a light-shielding film.

<차광 격벽(A-2)><Light-shading bulkhead (A-2)>

본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽 사이에, 추가로, 추가로 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 격벽(이하, 「차광 격벽(A-2)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 차광 격벽(A-2)을 가짐으로써, 차광성을 향상시켜 표시 장치에 있어서의 백라이트의 광 누설을 억제하고, 고콘트라스트이며 선명한 화상을 얻을 수 있다.The barrier rib-equipped substrate of the present invention further includes (A-2) a patterned barrier wall (hereinafter referred to as “A-2)” having an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm of thickness between the base substrate and the patterned barrier rib (A-1). It is preferable to have a light-shielding partition (A-2)”). By having the light-shielding partition A-2, light-shielding properties are improved, light leakage of the backlight in the display device is suppressed, and a clear image with high contrast can be obtained.

도 6에, 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 차광 격벽(7)을 갖고, 격벽(2) 및 차광 격벽(7)에 의해 이격된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다.Fig. 6 is a cross-sectional view showing one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a light-shielding barrier rib. It has a partition 2 and a light-shielding partition 7 patterned on a base substrate 1, and pixels 3 are arranged in areas spaced apart by the partition wall 2 and the light-shielding partition 7.

차광 격벽(A-2)은, 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상이다. 여기서, 차광 격벽(A-2)의 두께는, 후술하는 바와 같이 0.5 내지 10㎛가 바람직하다. 그래서, 본 발명에 있어서는 격벽(A-2)의 두께의 대푯값으로서 1.0㎛를 선택하고, 두께 1.0㎛당 OD값에 착안하였다. 두께 1.0㎛당 OD값을 0.5 이상으로 함으로써, 차광성을 보다 향상시키고, 보다 고콘트라스트이며 선명한 화상을 얻을 수 있다. 두께 1.0㎛당 OD값은 1.0 이상이 보다 바람직하다. 한편, 두께 1.0㎛당 OD값은 4.0 이하가 바람직하며, 패턴 가공성을 향상시킬 수 있다. 두께 1.0㎛당 OD값은 3.0 이하가 보다 바람직하다. 차광 격벽(A-2)의 OD값은, 전술한 격벽(A-1)의 OD값과 마찬가지로 측정할 수 있다. 또한, OD값을 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 차광 격벽(A-2)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것 등을 들 수 있다.The light-shielding partition (A-2) has an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm of thickness. Here, the thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 0.5 to 10 μm, as will be described later. Therefore, in the present invention, 1.0 ㎛ was selected as a representative value of the thickness of the partition A-2, and attention was paid to the OD value per 1.0 ㎛ thickness. By setting the OD value per 1.0 μm of thickness to 0.5 or more, light blocking properties can be further improved, and a clearer image with higher contrast can be obtained. The OD value per 1.0㎛ thickness is more preferably 1.0 or more. On the other hand, the OD value per 1.0㎛ thickness is preferably 4.0 or less, and pattern processability can be improved. The OD value per 1.0㎛ thickness is more preferably 3.0 or less. The OD value of the light-shielding partition A-2 can be measured similarly to the OD value of the partition A-1 described above. In addition, as a means for bringing the OD value into the above range, for example, setting the light-shielding partition A-2 to a preferable composition described later can be mentioned.

차광 격벽(A-2)의 두께는, 차광성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1.0㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 평탄성을 향상시키는 관점에서, 차광 격벽(A-2)의 두께는 10㎛ 이하가 바람직하고, 5㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 차광 격벽(A-2)의 폭은, 전술한 격벽(A-1)과 동일 정도가 바람직하다.From the viewpoint of improving light-shielding properties, the thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1.0 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of improving flatness, the thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 10 μm or less, and more preferably 5 μm or less. In addition, the width of the light-shielding partition A-2 is preferably approximately the same as that of the partition A-1 described above.

차광 격벽(A-2)은 수지 및 흑색 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 흑색 안료는 입사한 광을 흡수하고, 사출광을 저감하는 기능을 갖는다.The light-shielding partition (A-2) preferably contains resin and black pigment. The resin has the function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The black pigment has the function of absorbing incident light and reducing emitted light.

수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, (메트)아크릴 폴리머, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리올레핀, 폴리실록산 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 내열성 및 용매 내성이 우수한 점에서 폴리이미드가 바람직하다.Examples of the resin include epoxy resin, (meth)acrylic polymer, polyurethane, polyester, polyimide, polyolefin, and polysiloxane. You may contain two or more of these. Among these, polyimide is preferred because it has excellent heat resistance and solvent resistance.

흑색 안료로서는, 전술한 수지 조성물 중에 있어서의 흑색 안료로서 예시한 것이나, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은 등을 들 수 있다. 높은 차광성을 갖는 점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금 및 산화은으로부터 선택된 흑색 안료가 바람직하다.Examples of the black pigment include those exemplified as the black pigment in the resin composition described above, palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, and silver oxide. In view of having high light-shielding properties, black pigments selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, palladium oxide, platinum oxide, gold oxide and silver oxide are preferred.

하지 기판 상에 차광 격벽(A-2)을 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2015-1654호 공보에 기재된 감광성 재료를 사용하여, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.As a method of pattern forming the light-shielding barrier rib (A-2) on the base substrate, for example, using the photosensitive material described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-1654, a photosensitive paste is applied in the same manner as for the barrier rib (A-1) described above. A method of forming a pattern by law is preferable.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 추가로 상기 격벽(A-1)에 의해 이격되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(이하, 「화소(B)」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 화소(B)는, 입사광의 파장 영역의 적어도 일부를 변환하여, 입사광과는 다른 파장 영역의 출사광을 방출함으로써 컬러 표시를 가능하게 하는 기능을 갖는다.The substrate with a barrier rib of the present invention further includes a pixel (hereinafter sometimes referred to as “pixel (B)”) containing the color conversion light emitting material (B) arranged and spaced apart by the barrier rib (A-1). It is desirable to have. The pixel B has a function of enabling color display by converting at least a portion of the wavelength range of incident light and emitting emitted light of a different wavelength range from the incident light.

도 2에, 패턴 형성된 격벽(A-1)과 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)을 갖고, 격벽(2)에 의해 이격된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다.Fig. 2 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention, which has a patterned barrier rib (A-1) and a pixel (B) containing a color conversion light emitting material. It has partition walls 2 formed in a pattern on the base substrate 1, and pixels 3 are arranged in areas spaced apart by the partition walls 2.

색 변환 재료는, 무기 형광체 및 유기 형광체로부터 선택된 형광체를 함유하는 것이 바람직하다.The color conversion material preferably contains a phosphor selected from inorganic phosphors and organic phosphors.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 예를 들어 청색광을 발광하는 백라이트와 TFT 상에 형성된 액정과 화소(B)를 조합하여, 표시 장치로서 사용할 수 있다. 이 경우, 적색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 적색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 녹색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 녹색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 청색 화소에 대응하는 영역에는, 형광체를 함유하지 않는 것이 바람직하다.The substrate with a barrier rib of the present invention can be used as a display device, for example, by combining a backlight that emits blue light, a liquid crystal formed on a TFT, and a pixel (B). In this case, the area corresponding to the red pixel preferably contains a red phosphor that is excited by blue excitation light and emits red fluorescence. Similarly, the area corresponding to the green pixel preferably contains a green phosphor that is excited by blue excitation light and emits green fluorescence. It is preferable that the area corresponding to the blue pixel does not contain phosphor.

기판 상에 백색의 격벽에 의해 분리된, 각 화소에 대응한 청색 LED를 다수 배열한 청색 마이크로 LED를 백라이트로서 사용하는 방식의 표시 장치에도, 본 발명의 격벽 구비 기판을 사용할 수 있다. 각 화소의 ON/OFF는 청색 마이크로 LED의 ON/OFF에 의해 가능하게 되며, 액정은 필요없다. 본 발명의 격벽 구비 기판은, 각 화소를 분리하는 격벽과, 백라이트에 있어서 청색 마이크로 LED를 분리하는 격벽 어느 것에도 사용할 수 있다.The barrier-equipped substrate of the present invention can also be used in a display device using a blue micro LED as a backlight, in which a plurality of blue LEDs corresponding to each pixel are arranged on the substrate, separated by a white barrier. The ON/OFF of each pixel is made possible by the ON/OFF of the blue micro LED, and no liquid crystal is required. The substrate with a partition of the present invention can be used for either a partition separating each pixel or a partition separating blue micro LEDs in a backlight.

무기 형광체로서는, 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것, 즉 파장 400 내지 500nm의 여기광에 의해 여기되고, 발광 스펙트럼이 500 내지 700nm의 영역에 피크를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 무기 형광체로서는, 예를 들어 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 사이알론계 형광체, Mn4+ 활성화 불화물 착체 형광체, 양자 도트라고 칭해지는 무기 반도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. 이들 중에서도 양자 도트가 바람직하다. 양자 도트는 다른 형광체와 비교하여 평균 입자경이 작은 점에서, (B) 화소의 표면을 평활화하여 표면에 있어서의 광산란을 억제할 수 있기 때문에, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.Inorganic phosphors are preferably those that emit light in each color, such as green or red, with blue excitation light, that is, those that are excited with excitation light with a wavelength of 400 to 500 nm and have a peak in the emission spectrum in the region of 500 to 700 nm. . Examples of such inorganic phosphors include YAG-based phosphors, TAG-based phosphors, sialon-based phosphors, Mn 4+ activated fluoride complex phosphors, and inorganic semiconductors called quantum dots. You may use two or more of these. Among these, quantum dots are preferable. Since quantum dots have a smaller average particle diameter compared to other phosphors, (B) the surface of the pixel can be smoothed and light scattering on the surface can be suppressed, so the light extraction efficiency can be further improved and the luminance can be further improved. there is.

양자 도트로서는, 예를 들어 II-IV족, III-V족, IV-VI족, IV족의 반도체 등을 포함하는 입자를 들 수 있다. 이들 무기 반도체로서는, 예를 들어 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드를 포함함), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of quantum dots include particles containing semiconductors of group II-IV, group III-V, group IV-VI, and group IV. These inorganic semiconductors include, for example, Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (including diamond), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, Examples include SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si 3 N 4 , Ge 3 N 4 , and Al 2 O 3 . You may use two or more of these.

양자 도트는 p형 도펀트 또는 n형 도펀트를 함유해도 된다. 또한, 양자 도트는 코어 셸 구조를 가져도 된다. 코어 셸 구조에 있어서는, 셸의 주위에 목적에 따라 임의의 적절한 기능층(단일층 또는 복수층)이 형성되어 있어도 되고, 셸 표면에 표면 처리 및/또는 화학 수식이 이루어져 있어도 된다.The quantum dot may contain a p-type dopant or an n-type dopant. Additionally, quantum dots may have a core-shell structure. In the core-shell structure, any appropriate functional layer (single layer or multiple layers) may be formed around the shell depending on the purpose, and the shell surface may be subjected to surface treatment and/or chemical modification.

양자 도트의 형상으로서는, 예를 들어 구상, 주상, 인편상, 판상, 부정형 등을 들 수 있다. 양자 도트의 평균 입자경은, 원하는 발광 파장에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 1 내지 30nm가 바람직하다. 양자 도트의 평균 입자경이 1 내지 10nm이면, 청색, 녹색 및 적색의 각각에 있어서, 발광 스펙트럼에 있어서의 피크를 보다 샤프하게 할 수 있다. 양자 도트의 평균 입자경은 2nm 이상이 바람직하고, 8nm 이하가 바람직하다. 예를 들어, 양자 도트의 평균 입자경이 약 2nm인 경우에는 청색광을, 약 3nm인 경우에는 녹색광을, 약 6nm인 경우에는 적색광을 발광한다. 양자 도트의 평균 입자경은 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다. 평균 입자경의 측정 장치로서는 다이내믹 광산란 광도계 DLS-8000(오츠카 덴시(주)제) 등을 들 수 있다.The shape of the quantum dot includes, for example, spherical shape, columnar shape, flaky shape, plate shape, irregular shape, etc. The average particle diameter of the quantum dots can be arbitrarily selected depending on the desired emission wavelength, and is preferably 1 to 30 nm. If the average particle diameter of the quantum dots is 1 to 10 nm, the peaks in the emission spectrum can be made sharper in each of blue, green, and red. The average particle diameter of the quantum dots is preferably 2 nm or more, and is preferably 8 nm or less. For example, when the average particle diameter of a quantum dot is about 2 nm, it emits blue light, when it is about 3 nm, it emits green light, and when it is about 6 nm, it emits red light. The average particle diameter of quantum dots can be measured by a dynamic light scattering method. Examples of the average particle diameter measuring device include a dynamic light scattering photometer DLS-8000 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.).

유기 형광체로서는 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것이 바람직하다. 적색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (8)로 표시되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체, 녹색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (9)로 표시되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체 등을 들 수 있다. 그 밖에는 치환기의 선택에 따라 적색 또는 녹색의 형광을 발하는 페릴렌계 유도체, 포르피린계 유도체, 옥사진계 유도체, 피라진계 유도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 양자 수율이 높은 점에서 피로메텐 유도체가 바람직하다. 피로메텐 유도체는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2011-241160호 공보에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.As an organic phosphor, it is preferable to emit light of each color, such as green or red, by blue excitation light. As a phosphor emitting red fluorescence, a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (8), and a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (9) as a phosphor emitting green fluorescence, etc. You can. Other examples include perylene-based derivatives, porphyrin-based derivatives, oxazine-based derivatives, and pyrazine-based derivatives that emit red or green fluorescence depending on the selection of the substituent. You may contain two or more of these. Among these, pyromethene derivatives are preferable because of their high quantum yield. Pyromethene derivatives can be obtained, for example, by the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-241160.

유기 형광체는 용매에 가용이기 때문에, 원하는 두께의 화소(B)를 용이하게 형성할 수 있다.Since the organic phosphor is soluble in solvents, a pixel (B) of a desired thickness can be easily formed.

화소(B)의 두께는, 색 특성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소(B)의 두께는 표시 장치의 박형화나 곡면 가공성의 관점에서, 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving color characteristics, the thickness of the pixel B is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1 μm or more. On the other hand, the thickness of the pixel B is preferably 30 μm or less, and more preferably 20 μm or less, from the viewpoint of thinning of the display device and curved surface processability.

각 화소(B)의 크기는 20 내지 200㎛ 정도가 일반적이다.The size of each pixel (B) is generally about 20 to 200㎛.

화소(B)는, 격벽(A-1)에 의해 이격되어 배열되어 있는 것이 바람직하다. 화소와 화소 사이에 격벽을 마련함으로써, 발광한 광의 확산이나 혼색을 보다 억제할 수 있다.The pixels B are preferably arranged to be spaced apart by the partition A-1. By providing a partition between pixels, diffusion and color mixing of emitted light can be further suppressed.

화소(B)의 형성 방법으로서는, 예를 들어 색 변환 발광 재료를 함유하는 도액(이하, 색 변환 발광 재료 도액)을 격벽(A-1)에 의해 이격된 공간에 충전하는 방법을 들 수 있다. 색 변환 발광 재료 도액은, 추가로 수지나 용매를 함유해도 된다.As a method of forming the pixel B, for example, a method of filling the space separated by the partition A-1 with a coating liquid containing a color conversion light emitting material (hereinafter referred to as a color conversion light emitting material coating liquid) is included. The color conversion luminescent material coating solution may further contain a resin or a solvent.

색 변환 발광 재료 도액의 충전 방법으로서는, 각 화소에 종류가 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포하는 관점에서, 잉크젯 도포법 등이 바람직하다.As a method of filling the color-converting light-emitting material coating solution, an inkjet coating method or the like is preferable from the viewpoint of easily separately applying different types of color-converting light-emitting materials to each pixel.

얻어진 도포막을 감압 건조 및/또는 가열 건조해도 된다. 감압 건조하는 경우, 건조 용매가 감압 챔버 내벽에 재응축하는 것을 방지하기 위해, 감압 건조 온도는 80℃ 이하가 바람직하다. 감압 건조의 압력은, 도포막에 포함되는 용매의 증기압 이하가 바람직하고, 1 내지 1000Pa이 바람직하다. 감압 건조 시간은 10 내지 600초간이 바람직하다. 가열 건조하는 경우, 가열 건조 장치로서는, 예를 들어 오븐이나 핫 플레이트 등을 들 수 있다. 가열 건조 온도는 60 내지 200℃가 바람직하다. 가열 건조 시간은 1 내지 60분간이 바람직하다.The obtained coating film may be dried under reduced pressure and/or heated. In the case of reduced pressure drying, the reduced pressure drying temperature is preferably 80°C or lower to prevent the drying solvent from re-condensing on the inner wall of the reduced pressure chamber. The pressure of reduced pressure drying is preferably below the vapor pressure of the solvent contained in the coating film, and is preferably 1 to 1000 Pa. The reduced pressure drying time is preferably 10 to 600 seconds. In the case of heat drying, examples of the heat drying device include an oven and a hot plate. The heating drying temperature is preferably 60 to 200°C. The heat drying time is preferably 1 to 60 minutes.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 화소(B) 상에, 추가로 (C) 파장 550nm에 있어서의 굴절률이 1.20 내지 1.35인 저굴절률층(이하, 「저굴절률층(C)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 저굴절률층(C)을 가짐으로써, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.The barrier-equipped substrate of the present invention further comprises, on the pixel (B), (C) a low refractive index layer (hereinafter referred to as “low refractive index layer (C)”) having a refractive index of 1.20 to 1.35 at a wavelength of 550 nm. It is desirable to have). By having the low refractive index layer (C), light extraction efficiency can be further improved and the luminance of the display device can be further improved.

도 3에, 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 저굴절률층(4)을 갖는다.Fig. 3 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer. It has partitions 2 and pixels 3 patterned on a base substrate 1, and further has a low refractive index layer 4 thereon.

표시 장치에 있어서, 백라이트의 광의 반사를 적절하게 억제하여 화소(B)에 효율적으로 광을 입사시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 1.20 이상이 바람직하고, 1.23 이상이 보다 바람직하다. 한편, 휘도를 향상시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 1.35 이하가 바람직하고, 1.30 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 프리즘 커플러를 사용하여 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막면에 대하여 수직 방향으로부터 파장 550nm의 광을 조사하여 측정할 수 있다.In a display device, from the viewpoint of appropriately suppressing reflection of light from the backlight and efficiently entering light into the pixel B, the refractive index of the low refractive index layer C is preferably 1.20 or more, and more preferably 1.23 or more. Meanwhile, from the viewpoint of improving luminance, the refractive index of the low refractive index layer (C) is preferably 1.35 or less, and more preferably 1.30 or less. Here, the refractive index of the low refractive index layer (C) can be measured by irradiating light with a wavelength of 550 nm from the direction perpendicular to the cured film surface under atmospheric pressure and 20°C using a prism coupler.

저굴절률층(C)은 폴리실록산 및 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 폴리실록산은 실리카 입자 등의 무기 입자와의 상용성이 높고, 투명한 층을 형성할 수 있는 결합제로서 기능한다. 또한, 실리카 입자를 함유함으로써, 저굴절률층(C) 중에 미소한 공극을 효율적으로 형성하여 굴절률을 저감할 수 있고, 굴절률을 전술한 범위로 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자를 사용함으로써, 경화 수축 시의 크랙을 발생시키기 쉬운 중공 구조를 갖지 않기 때문에, 크랙을 억제할 수 있다. 또한, 저굴절률층(C)에 있어서, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자는 각각 독립적으로 함유되어 있어도 되고, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자가 결합한 상태로 함유되어 있어도 된다. 저굴절률층(C)의 균일성의 관점에서, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자가 결합한 상태로 함유되어 있는 것이 바람직하다.The low refractive index layer (C) preferably contains polysiloxane and silica particles without a hollow structure. Polysiloxane has high compatibility with inorganic particles such as silica particles and functions as a binder that can form a transparent layer. In addition, by containing silica particles, the refractive index can be reduced by efficiently forming minute voids in the low refractive index layer (C), and the refractive index can be easily adjusted to the above-mentioned range. Additionally, by using silica particles that do not have a hollow structure, cracks can be suppressed because they do not have a hollow structure that easily causes cracks to occur during curing shrinkage. In addition, in the low refractive index layer (C), the polysiloxane and the silica particles without a hollow structure may be contained independently, or the polysiloxane and the silica particles without a hollow structure may be contained in a bonded state. From the viewpoint of uniformity of the low refractive index layer (C), it is preferable that polysiloxane and silica particles without a hollow structure are contained in a combined state.

저굴절률층(C)에 포함되는 폴리실록산은 불소를 함유하는 것이 바람직하다. 불소를 함유함으로써, 저굴절률층(C)의 굴절률을 1.20 내지 1.35로 용이하게 조정할 수 있다. 불소 함유 폴리실록산은, 적어도 하기 일반식 (10)으로 표시되는 불소 함유 알콕시실란 화합물을 포함하는 복수의 알콕시실란 화합물을 가수분해 및 중축합함으로써 얻을 수 있다. 추가로 다른 알콕시실란 화합물을 사용해도 된다.The polysiloxane contained in the low refractive index layer (C) preferably contains fluorine. By containing fluorine, the refractive index of the low refractive index layer (C) can be easily adjusted to 1.20 to 1.35. Fluorine-containing polysiloxane can be obtained by hydrolyzing and polycondensing a plurality of alkoxysilane compounds containing at least a fluorine-containing alkoxysilane compound represented by the following general formula (10). Additionally, other alkoxysilane compounds may be used.

상기 일반식 (10) 중, R7은 불소수 3 내지 17의 플루오로알킬기를 나타낸다. R6은 일반식 (5) 내지 (7)에 있어서의 R6과 동일한 기를 나타낸다. m은 1 또는 2를 나타낸다. 4-m개의 R6 및 m개의 R7은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.In the general formula (10), R 7 represents a fluoroalkyl group having 3 to 17 fluorine atoms. R 6 represents the same group as R 6 in General Formulas (5) to (7). m represents 1 or 2. 4-m pieces of R 6 and m pieces of R 7 may each be the same or different.

일반식 (10)으로 표시되는 불소 함유 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 트리플루오로에틸트리메톡시실란, 트리플루오로에틸트리에톡시실란, 트리플루오로에틸트리이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리이소프로폭시실란, 트리플루오로에틸메틸디메톡시실란, 트리플루오로에틸메틸디에톡시실란, 트리플루오로에틸메틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디메톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로에틸에틸디메톡시실란, 트리플루오로에틸에틸디에톡시실란, 트리플루오로에틸에틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필에틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디메톡시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디이소프로폭시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the fluorine-containing alkoxysilane compound represented by general formula (10) include trifluoroethyltrimethoxysilane, trifluoroethyltriethoxysilane, trifluoroethyltriisopropoxysilane, and trifluoropropyl. Trimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, trifluoropropyltriisopropoxysilane, heptadecafluorodecyltrimethoxysilane, heptadecafluorodecyltriethoxysilane, heptadecafluorodecyltri Isopropoxysilane, tridecafluorooctyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, tridecafluorooctyltriisopropoxysilane, trifluoroethylmethyldimethoxysilane, trifluoroethyl Methyldiethoxysilane, trifluoroethylmethyldiisopropoxysilane, trifluoropropylmethyldimethoxysilane, trifluoropropylmethyldiethoxysilane, trifluoropropylmethyldiisopropoxysilane, heptadecafluorodecyl Methyldimethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldiisopropoxysilane, tridecafluorooctylmethyldimethoxysilane, tridecafluorooctylmethyldiethoxysilane, tridecafluoroethylene Lowoctylmethyldiisopropoxysilane, Trifluoroethylethyldimethoxysilane, Trifluoroethylethyldiethoxysilane, Trifluoroethylethyldiisopropoxysilane, Trifluoropropylethyldimethoxysilane, Trifluoro Propylethyldiethoxysilane, trifluoropropylethyldiisopropoxysilane, heptadecafluorodecylethyldimethoxysilane, heptadecafluorodecylethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylethyldiisopropoxysilane, tri Examples include decafluorooctyl ethyl diethoxysilane, tridecafluorooctyl ethyl dimethoxysilane, and tridecafluorooctyl ethyl diisopropoxysilane. You may use two or more of these.

저굴절률층(C)에 있어서의 폴리실록산의 함유량은, 크랙을 억제하는 관점에서 4중량% 이상이 바람직하다. 한편, 폴리실록산의 함유량은, 실리카 입자간의 네트워크에 의한 틱소트로픽성을 확보하고, 저굴절률층(C) 중에 적절하게 공기층을 유지하고, 굴절률을 보다 저감하는 관점에서 32중량% 이하가 바람직하다.The content of polysiloxane in the low refractive index layer (C) is preferably 4% by weight or more from the viewpoint of suppressing cracks. On the other hand, the content of polysiloxane is preferably 32% by weight or less from the viewpoint of ensuring thixotropic properties due to the network between silica particles, maintaining an appropriate air layer in the low refractive index layer (C), and further reducing the refractive index.

저굴절률층(C)에 있어서의 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자로서는, 예를 들어 닛산 가가쿠 고교(주)제 "스노우텍스"(등록 상표)나 "오르가노실리카졸"(등록 상표) 시리즈(이소프로필알코올 분산액, 에틸렌글리콜 분산액, 메틸에틸케톤 분산액, 디메틸아세트아미드 분산액, 메틸이소부틸케톤 분산액, 프로필렌글리콜모노메틸아세테이트 분산액, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 분산액, 메탄올 분산액, 아세트산에틸 분산액, 아세트산부틸 분산액, 크실렌-n-부탄올 분산액, 톨루엔 분산액 등. 품번 PGM-ST, PMA-ST, IPA-ST, IPA-ST-L, IPA-ST-ZL, IPA-ST-UP 등)를 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.As silica particles without a hollow structure in the low refractive index layer (C), for example, "Snowtex" (registered trademark) and "Organosilica Sol" (registered trademark) series manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. ( Isopropyl alcohol dispersion, ethylene glycol dispersion, methyl ethyl ketone dispersion, dimethyl acetamide dispersion, methyl isobutyl ketone dispersion, propylene glycol monomethyl acetate dispersion, propylene glycol monomethyl ether dispersion, methanol dispersion, ethyl acetate dispersion, butyl acetate dispersion, Xylene-n-butanol dispersion, toluene dispersion, etc. Product numbers PGM-ST, PMA-ST, IPA-ST, IPA-ST-L, IPA-ST-ZL, IPA-ST-UP, etc.). You may contain two or more of these.

저굴절률층(C) 중에 있어서의 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자의 함유량은, 실리카 입자간의 네트워크에 의한 틱소트로픽성을 확보하고, 저굴절률층(C) 중에 적절하게 공기층을 유지하고, 굴절률을 보다 저감하는 관점에서 68중량% 이상이 바람직하다. 한편, 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자의 함유량은, 크랙을 억제하는 관점에서 96중량% 이하가 바람직하다.The content of silica particles without a hollow structure in the low refractive index layer (C) ensures thixotropic properties due to the network between silica particles, maintains an appropriate air layer in the low refractive index layer (C), and maintains the refractive index. From the viewpoint of reduction, 68% by weight or more is preferable. On the other hand, the content of silica particles without a hollow structure is preferably 96% by weight or less from the viewpoint of suppressing cracks.

저굴절률층(C)의 두께는, 화소(B)의 단차를 커버하여 결함의 발생을 억제하는 관점에서, 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 저굴절률층(C)의 두께는, 저굴절률층(C)의 크랙의 원인이 되는 스트레스를 저감하는 관점에서, 20㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the low refractive index layer (C) is preferably 0.1 μm or more, and more preferably 0.5 μm or more, from the viewpoint of covering the level difference of the pixel (B) and suppressing the occurrence of defects. On the other hand, the thickness of the low refractive index layer (C) is preferably 20 μm or less, and more preferably 10 μm or less, from the viewpoint of reducing stress that causes cracks in the low refractive index layer (C).

저굴절률층(C)의 형성 방법으로서는, 형성 방법이 용이한 점에서 도포법이 바람직하다. 예를 들어, 폴리실록산과 실리카 입자를 함유하는 저굴절률용 수지 조성물을 화소(B) 상에 도포하고, 건조시킨 후, 가열함으로써 저굴절률층(C)을 형성할 수 있다.As a method of forming the low refractive index layer (C), the coating method is preferable because it is easy to form. For example, the low refractive index layer (C) can be formed by applying a resin composition for low refractive index containing polysiloxane and silica particles onto the pixel (B), drying it, and then heating it.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 저굴절률층(C) 상에 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 I을 가짐으로써, 대기 중의 수분이 저굴절률층(C)에 도달하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고 휘도 열화를 억제할 수 있다.In addition, the barrier rib-equipped substrate of the present invention preferably has an inorganic protective layer I with a thickness of 50 to 1,000 nm on the low refractive index layer (C). By having the inorganic protective layer I, it becomes difficult for moisture in the air to reach the low refractive index layer (C), thus suppressing refractive index fluctuations in the low refractive index layer (C) and suppressing luminance deterioration.

도 4에, 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 저굴절률층(4) 및 무기 보호층 I(5)을 갖는다.FIG. 4 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer I. It has partitions 2 and pixels 3 patterned on an underlying substrate 1, and further has a low refractive index layer 4 and an inorganic protective layer I(5) on these.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 화소(B)와 상기 저굴절률층(C)의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 II를 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 II를 가짐으로써, 화소(B)로부터 저굴절률층으로 화소(B)를 형성하는 원료가 이동하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고, 휘도 열화를 억제할 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has an inorganic protective layer II with a thickness of 50 to 1,000 nm between the pixel (B) and the low refractive index layer (C). By having the inorganic protective layer II, it becomes difficult for the raw materials forming the pixel (B) to move from the pixel (B) to the low refractive index layer, thereby suppressing the refractive index fluctuation of the low refractive index layer (C) and suppressing luminance deterioration. You can.

도 5에, 저굴절률층 및 무기 보호층 II를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 무기 보호층 II(6) 및 저굴절률층(4)을 갖는다.Fig. 5 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer II. It has partitions 2 and pixels 3 patterned on a base substrate 1, and further has an inorganic protective layer II 6 and a low refractive index layer 4 on these.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판과 상기 화소(B)의 사이에, 추가로 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터(이하, 「컬러 필터」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 컬러 필터는 특정 파장 영역의 가시광을 투과시켜 투과광을 원하는 색상으로 하는 기능을 갖는다. 컬러 필터를 가짐으로써, 표시 장치의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 컬러 필터의 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써 색 순도를 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 컬러 필터의 두께를 5㎛ 이하로 함으로써 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has a color filter (hereinafter sometimes referred to as “color filter”) with a thickness of 1 to 5 μm between the base substrate and the pixel B. do. A color filter has the function of transmitting visible light in a specific wavelength range and changing the transmitted light to a desired color. By having a color filter, the color purity of the display device can be improved. Color purity can be further improved by setting the thickness of the color filter to 1㎛ or more. On the other hand, luminance can be further improved by setting the thickness of the color filter to 5 μm or less.

도 6에, 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 컬러 필터(7) 상에 화소(3)를 갖는다.Fig. 6 shows a cross-sectional view of one aspect of the substrate with a partition of the present invention having a color filter. It has a partition 2 and a color filter 7 patterned on a base substrate 1, and has a pixel 3 on the color filter 7.

컬러 필터로서는, 예를 들어 액정 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 사용되는, 포토레지스트에 안료를 분산시킨 안료 분산형 재료를 사용한 컬러 필터 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 400nm 내지 550nm의 파장을 선택적으로 투과하는 청색 컬러 필터, 500nm 내지 600nm의 파장을 선택적으로 투과하는 녹색 컬러 필터, 500nm 이상의 파장을 선택적으로 투과하는 황색 컬러 필터, 600nm 이상의 파장을 선택적으로 투과하는 적색 컬러 필터 등을 들 수 있다. 또한, 컬러 필터는 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)로부터 이격하여 적층되어 있어도 되고, 일체화하여 적층되어 있어도 된다.Examples of color filters include color filters using pigment-dispersed materials in which pigments are dispersed in photoresists, which are used in flat panel displays such as liquid crystal displays. More specifically, a blue color filter that selectively transmits wavelengths of 400 nm to 550 nm, a green color filter that selectively transmits wavelengths of 500 nm to 600 nm, a yellow color filter that selectively transmits wavelengths of 500 nm or more, and a yellow color filter that selectively transmits wavelengths of 600 nm or more. A transmitting red color filter, etc. can be mentioned. Additionally, the color filters may be stacked separately from the pixel B containing the color conversion light emitting material, or may be stacked integrally.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 컬러 필터와 상기 화소(B)의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 III을 가짐으로써, 컬러 필터로부터 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)로 컬러 필터의 형성 원료가 도달하기 어려워지기 때문에, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)의 휘도 열화를 억제할 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층을 가짐으로써, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 전부 변환할 수 없었던 청색 누설광을 커트하고, 색 재현성을 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer with a thickness of 50 to 1,000 nm between the color filter and the pixel (B). By having the inorganic protective layer III, it becomes difficult for the forming material of the color filter to reach the pixel B containing the color conversion light emitting material from the color filter, thereby preventing luminance deterioration of the pixel B containing the color conversion light emitting material. It can be suppressed. Additionally, by having a yellow organic protective layer, blue leakage light that cannot be completely converted by the pixel B containing the color conversion light-emitting material can be cut, and color reproducibility can be improved.

도 7에, 컬러 필터 및 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 이들 위에 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층(8)을 갖고, 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층(8)으로 덮인 격벽(2)으로 이격되어 배열된 화소(3)를 갖는다.Fig. 7 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having a color filter and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer. It has a partition 2 and a color filter 7 patterned on a base substrate 1, and has an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer 8 thereon, and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer 8. It has pixels (3) arranged and spaced apart by a partition (2) covered with a protective layer (8).

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판 상에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층이 굴절률 조정층으로서 작용하여, 화소(B)로부터 나오는 광을 보다 효율적으로 취출하여, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층은, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 전부 변환할 수 없었던 청색 누설광을 커트하고, 색 재현성을 향상시킬 수 있다. 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층은, 하지 기판과 격벽(A) 및 화소(B) 사이에 마련되는 것이 보다 바람직하다.In addition, the substrate with a partition of the present invention preferably has an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer with a thickness of 50 to 1,000 nm on the base substrate. The inorganic protective layer IV and/or the yellow organic protective layer acts as a refractive index adjustment layer, allowing light emitted from the pixel B to be extracted more efficiently, thereby further improving the luminance of the display device. Additionally, the yellow organic protective layer can cut blue leakage light that could not be fully converted by the pixel B containing the color conversion light-emitting material and improve color reproducibility. It is more preferable that the inorganic protective layer IV and/or the yellow organic protective layer are provided between the base substrate and the partition A and the pixel B.

도 8에, 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층(9)을 갖고, 이들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 이들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖는다.FIG. 8 shows a cross-sectional view of one aspect of the barrier rib-equipped substrate of the present invention having an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer. It has an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer 9 on the base substrate 1, and has a partition 2 and a color filter 7 patterned thereon, and a partition 2 patterned thereon, and It has pixels (3).

무기 보호층 I 내지 IV를 구성하는 재료로서는, 예를 들어 산화규소, 산화인듐주석, 산화갈륨아연 등의 금속 산화물; 질화규소 등의 금속 질화물; 불화마그네슘 등의 불화물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 수증기 투과성이 낮고, 투과성이 높은 점에서 질화규소 또는 산화규소가 보다 바람직하다.Examples of the materials constituting the inorganic protective layers I to IV include metal oxides such as silicon oxide, indium tin oxide, and gallium zinc oxide; metal nitrides such as silicon nitride; Fluorides, such as magnesium fluoride, can be mentioned. You may contain two or more of these. Among these, silicon nitride or silicon oxide is more preferable because it has low water vapor permeability and high permeability.

무기 보호층 I 내지 IV의 두께는, 수증기 등의 물질 투과를 충분히 억제하는 관점에서, 50nm 이상이 바람직하고, 100nm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 투과율의 저하를 억제하는 관점에서, 무기 보호층 I 내지 IV의 두께는 800nm 이하가 바람직하고, 500nm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the inorganic protective layers I to IV is preferably 50 nm or more, and more preferably 100 nm or more, from the viewpoint of sufficiently suppressing the penetration of substances such as water vapor. On the other hand, from the viewpoint of suppressing a decrease in transmittance, the thickness of the inorganic protective layers I to IV is preferably 800 nm or less, and more preferably 500 nm or less.

무기 보호층 I 내지 IV의 두께는, 크로스 섹션 폴리셔 등의 연마 장치를 사용하여, 하지 기판에 대하여 수직인 단면을 노출시키고, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경을 사용하여 단면을 확대 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the inorganic protective layers I to IV is measured by exposing a cross section perpendicular to the base substrate using a polishing device such as a cross section polisher and observing the cross section enlarged using a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. can do.

무기 보호층 I 내지 IV의 형성 방법으로서는, 예를 들어 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 무기 보호층은 무색 투명 또는 황색 투명인 것이 바람직하다.Examples of methods for forming the inorganic protective layers I to IV include sputtering and the like. The inorganic protective layer is preferably colorless and transparent or yellow transparent.

황색 유기 보호층은, 예를 들어 유기 금속 화합물로서, 은을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 패턴 가공하여 얻어진다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물은, 상술한 바와 같이 패턴 형성 시에, 가열 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 황색 입자가 되어, 보호층을 황색화하는 기능을 갖는다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물로서는, 예를 들어 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 보다 황색화하는 관점에서 네오데칸산은이 바람직하다. 황색 유기 보호층용 수지 조성물에 있어서, 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량은 고형분 중의 0.2 내지 5중량%가 바람직하다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량을 0.2중량% 이상으로 함으로써, 보다 황색화할 수 있다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량은 고형분 중의 1.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량을 고형분 중의 5중량% 이하로 함으로써, 투과율을 보다 향상시킬 수 있다.The yellow organic protective layer is obtained, for example, by pattern processing the resin composition of the present invention containing an organometallic compound containing silver as an organometallic compound. As described above, the organometallic compound containing silver decomposes and aggregates in the heating process during pattern formation to form yellow particles, and has the function of yellowing the protective layer. Examples of organometallic compounds containing silver include silver neodecanoate, silver octylate, and silver salicylate. Among these, silver neodecanoate is preferable from the viewpoint of further yellowing. In the resin composition for a yellow organic protective layer, the content of the organometallic compound containing silver is preferably 0.2 to 5% by weight of the solid content. By setting the content of the organometallic compound containing silver to 0.2% by weight or more, more yellowing can be achieved. The content of the organometallic compound containing silver is more preferably 1.5% by weight or more in solid content. On the other hand, transmittance can be further improved by setting the content of the organometallic compound containing silver to 5% by weight or less in the solid content.

황색 유기 보호층을 형성하는 수지 조성물은 황색 안료를 함유해도 된다. 황색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 옐로우(이하 PY라고 약칭함) PY12, PY13, PY17, PY20, PY24, PY83, PY86, PY93, PY95, PY109, PY110, PY117, PY125, PY129, PY137, PY138, PY139, PY147, PY148, PY150, PY153, PY154, PY166, PY168, PY185 등을 들 수 있다. 그 중에서도 청색광을 선택적으로 차광하는 관점에서, PY139, PY147, PY148 및 PY150으로부터 선택된 황색 안료가 바람직하다.The resin composition that forms the yellow organic protective layer may contain a yellow pigment. As a yellow pigment, for example, pigment yellow (hereinafter abbreviated as PY) PY12, PY13, PY17, PY20, PY24, PY83, PY86, PY93, PY95, PY109, PY110, PY117, PY125, PY129, PY137, PY138, PY139. , PY147, PY148, PY150, PY153, PY154, PY166, PY168, PY185, etc. Among them, a yellow pigment selected from PY139, PY147, PY148 and PY150 is preferable from the viewpoint of selectively blocking blue light.

황색 유기 보호층을 패턴 형성하는 방법으로서는, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.As a method of forming a pattern of the yellow organic protective layer, a method of forming a pattern using a photosensitive paste method is preferable, similar to the above-mentioned partition (A-1).

도 7과 같이, 컬러 필터(7) 상에 황색 유기 보호층(8)을 형성하는 경우, 황색 유기 보호층(8)은 컬러 필터의 각 화소를 평탄화하는 오버코트층으로서의 역할을 갖도록 해도 된다.As shown in FIG. 7, when forming the yellow organic protective layer 8 on the color filter 7, the yellow organic protective layer 8 may serve as an overcoat layer that flattens each pixel of the color filter.

황색 유기 보호층의 두께는, 청색 누설광을 충분히 차광하는 관점에서, 100nm 이상이 바람직하고, 500nm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 광 취출 효율의 저하를 억제하는 관점에서, 황색 유기 보호층의 두께는 3000nm 이하가 바람직하고, 2000nm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the yellow organic protective layer is preferably 100 nm or more, and more preferably 500 nm or more, from the viewpoint of sufficiently blocking blue leakage light. On the other hand, from the viewpoint of suppressing a decrease in light extraction efficiency, the thickness of the yellow organic protective layer is preferably 3000 nm or less, and more preferably 2000 nm or less.

다음에, 본 발명의 표시 장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 표시 장치는 상기 격벽 구비 기판과 발광 광원을 갖는다. 발광 광원으로서는 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀로부터 선택된 발광 광원이 바람직하다. 발광 특성이 우수한 점에서, 발광 광원으로서는 유기 EL 셀이 보다 바람직하다. 여기서, 미니 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 내지 10mm 정도인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다. 마이크로 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 미만인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다.Next, the display device of the present invention will be described. The display device of the present invention has the above partition-equipped substrate and a light emitting light source. The luminescent light source is preferably a luminescent light source selected from liquid crystal cells, organic EL cells, mini LED cells, and micro LED cells. Since it has excellent luminescence properties, an organic EL cell is more preferable as a luminescent light source. Here, the mini LED cell refers to a cell in which a large number of LEDs having a vertical and horizontal length of approximately 100 μm to 10 mm are arranged. A micro LED cell refers to a cell in which a large number of LEDs with a vertical and horizontal length of less than 100 μm are arranged.

본 발명의 표시 장치의 제조 방법에 대하여, 본 발명의 격벽 구비 기판과 유기 EL 셀을 갖는 표시 장치의 일례를 들어 설명한다. 유리 기판 상에 감광성 폴리이미드 수지를 도포하고, 포토리소그래피법을 사용하여 개구부를 갖는 절연막을 형성한다. 그 위에 알루미늄을 스퍼터링한 후, 포토리소그래피법에 의해 알루미늄의 패터닝을 행하여, 절연막이 없는 개구부에 알루미늄으로 이루어지는 배면 전극층을 형성한다. 계속해서, 그 위에 전자 수송층으로서 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(이하, Alq3이라고 약칭함)을 진공 증착법에 의해 성막한 후, 발광층으로서 Alq3에 디시아노메틸렌피란, 퀴나크리돈 및 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐을 도핑한 백색 발광층을 형성한다. 다음에, 정공 수송층으로서 N,N'-디페닐-N,N'-비스(α-나프틸)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민을 진공 증착법으로 성막한다. 마지막에, 투명 전극으로서 ITO를 스퍼터링으로 성막하고, 백색 발광층을 갖는 유기 EL 셀을 제작한다. 전술한 격벽 구비 기판과, 이와 같이 하여 얻어진 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합함으로써, 표시 장치를 제작할 수 있다.The manufacturing method of the display device of the present invention will be explained by taking an example of a display device having the substrate with a partition of the present invention and an organic EL cell. A photosensitive polyimide resin is applied on a glass substrate, and an insulating film having an opening is formed using photolithography. After sputtering aluminum thereon, the aluminum is patterned by photolithography to form a back electrode layer made of aluminum in the opening without an insulating film. Subsequently, tris(8-quinolinolato)aluminum (hereinafter abbreviated as Alq3) was formed as an electron transport layer thereon by vacuum deposition, and then dicyanomethylene pyran, quinacridone and 4, were added to Alq3 as an emitting layer. A white light-emitting layer doped with 4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl is formed. Next, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(α-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine is formed into a film as a hole transport layer by vacuum deposition. Finally, ITO is deposited as a transparent electrode by sputtering, and an organic EL cell with a white light-emitting layer is produced. A display device can be produced by opposing the above-described barrier-equipped substrate and the organic EL cell obtained in this way and bonding them with a sealant.

실시예Example

이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 범위에 한정되지 않는다. 또한, 사용한 화합물 중 약어를 사용하고 있는 것에 대하여, 명칭을 이하에 나타낸다.The present invention will be described in more detail below using examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these scopes. In addition, among the compounds used, the names of those for which abbreviations are used are shown below.

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate

DAA: 디아세톤알코올DAA: diacetone alcohol

BHT: 디부틸히드록시톨루엔.BHT: Dibutylhydroxytoluene.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산 용액의 고형분 농도는, 이하의 방법에 의해 구하였다. 알루미늄 컵에 폴리실록산 용액을 1.5g 칭량하고, 핫 플레이트를 사용하여 250℃에서 30분간 가열하여 액분을 증발시켰다. 가열 후의 알루미늄 컵에 남은 고형분의 중량을 칭량하여, 가열 전의 중량에 대한 비율로부터 폴리실록산 용액의 고형분 농도를 구하였다.The solid content concentration of the polysiloxane solution in Synthesis Examples 1 to 4 was determined by the following method. Weighed 1.5 g of polysiloxane solution in an aluminum cup and heated it at 250°C for 30 minutes using a hot plate to evaporate the liquid. The weight of the solid content remaining in the aluminum cup after heating was measured, and the solid content concentration of the polysiloxane solution was determined from the ratio to the weight before heating.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산의 중량 평균 분자량은, 이하의 방법에 의해 구하였다. GPC 분석 장치(HLC-8220; 도소(주)제)를 사용하고, 이동상으로서 테트라히드로푸란을 사용하여, 「JIS K7252-3(제정 년월일=2008/03/20)」에 기초하여 GPC 분석을 행하여, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하였다.The weight average molecular weight of polysiloxane in Synthesis Examples 1 to 4 was determined by the following method. Using a GPC analysis device (HLC-8220; manufactured by Tosoh Corporation), GPC analysis was performed based on “JIS K7252-3 (date of establishment = 2008/03/20)” using tetrahydrofuran as the mobile phase. , the weight average molecular weight in terms of polystyrene was measured.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산 중의 각 반복 단위의 함유 비율은, 이하의 방법에 의해 구하였다. 폴리실록산 용액을 직경 10mm의 "테플론"(등록 상표)제 NMR 샘플관에 주입하여 29Si-NMR 측정을 행하고, 오르가노실란으로부터 유래하는 Si 전체의 적분값에 대한, 특정 오르가노실란으로부터 유래하는 Si의 적분값의 비율로부터 각 반복 단위의 함유 비율을 산출하였다. 29Si-NMR 측정 조건을 이하에 나타낸다.The content ratio of each repeating unit in polysiloxane in Synthesis Examples 1 to 4 was determined by the following method. The polysiloxane solution was injected into an NMR sample tube made of "Teflon" (registered trademark) with a diameter of 10 mm, and 29 Si-NMR measurement was performed, and the Si derived from a specific organosilane relative to the integrated value of the entire Si derived from the organosilane was measured. The content ratio of each repeating unit was calculated from the ratio of the integral values of . 29 Si-NMR measurement conditions are shown below.

장치: 핵자기 공명 장치(JNM-GX270; 니혼 덴시(주)제)Device: Nuclear magnetic resonance device (JNM-GX270; manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.)

측정법: 게이티드 디커플링법Measurement method: gated decoupling method

측정 핵 주파수: 53.6693MHz(29Si핵)Measured nuclear frequency: 53.6693MHz ( 29 Si nuclei)

스펙트럼 폭: 20000HzSpectral Width: 20000Hz

펄스 폭: 12μs(45° 펄스)Pulse Width: 12μs (45° pulse)

펄스 반복 시간: 30.0초Pulse repetition time: 30.0 seconds

용매: 아세톤-d6Solvent: Acetone-d6

기준 물질: 테트라메틸실란Reference substance: tetramethylsilane

측정 온도: 23℃Measurement temperature: 23℃

시료 회전수: 0.0Hz.Sample rotation speed: 0.0Hz.

합성예 1 폴리실록산(PSL-1) 용액Synthesis Example 1 Polysiloxane (PSL-1) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 147.32g(0.675mol), 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란을 40.66g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.808g 및 PGMEA를 171.62g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 52.65g에 인산 2.265g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가 90분간 교반한 후, 오일 배스를 30분간에 걸쳐 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내온)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반하여(내온은 100 내지 110℃) 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분류하였다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 131.35g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-1) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-1)의 중량 평균 분자량은 4,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-1)에 있어서의 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 67.5mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000 ml three-necked flask, 147.32 g (0.675 mol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, 40.66 g (0.175 mol) of 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, and 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride. Add 26.23 g (0.10 mol), 12.32 g (0.05 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, 0.808 g of BHT, and 171.62 g of PGMEA, and add 52.65 g of water while stirring at room temperature. An aqueous phosphoric acid solution containing 2.265 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the monomer input) dissolved in g was added over 30 minutes. After that, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 90 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. One hour after the start of the temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100°C, and the solution was heated and stirred for 2 hours (internal temperature was 100 to 110°C) to obtain a polysiloxane solution. Additionally, during the temperature increase and heating and stirring, a mixed gas containing 95 volume% nitrogen and 5 volume% oxygen was fractionated at 0.05 liter/liter. During the reaction, a total of 131.35 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, thereby obtaining a polysiloxane (PSL-1) solution. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-1) was 4,000. In addition, in polysiloxane (PSL-1), trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, and 3-(3,4-epoxycyclo The molar ratios of each repeating unit derived from hexyl)propyltrimethoxysilane were 67.5 mol%, 17.5 mol%, 10 mol%, and 5 mol%, respectively.

합성예 2 폴리실록산(PSL-2) 용액Synthesis Example 2 Polysiloxane (PSL-2) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 디페닐디메톡시실란을 116.07g(0.475mol), 디메틸디메톡시실란(0.20mol), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 43.46g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.843g 및 PGMEA를 176.26g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 43.65g에 인산 2.221g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 136.90g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-2) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-2)의 중량 평균 분자량은 2,800이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-2)에 있어서의 디페닐디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 47.5mol%, 20mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000 ml three-neck flask, 116.07 g (0.475 mol) of diphenyldimethoxysilane, 0.20 mol of dimethyldimethoxysilane, 43.46 g (0.175 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 3-tri 26.23g (0.10mol) of methoxysilylpropylsuccinic anhydride, 12.32g (0.05mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, 0.843g of BHT, and 176.26g of PGMEA were added, While stirring at room temperature, an aqueous phosphoric acid solution containing 2.221 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the input monomer) dissolved in 43.65 g of water was added over 30 minutes. After that, a polysiloxane solution was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. During the reaction, a total of 136.90 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-2) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-2) was 2,800. In addition, diphenyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyl in polysiloxane (PSL-2) The molar ratios of each repeating unit derived from trimethoxysilane were 47.5 mol%, 20 mol%, 17.5 mol%, 10 mol%, and 5 mol%, respectively.

합성예 3 폴리실록산(PSL-3) 용액Synthesis Example 3 Polysiloxane (PSL-3) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 147.32g(0.675mol), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시시실란을 43.46g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.810g 및 PGMEA를 172.59g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 54.45g에 인산 2.293g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 140.05g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-3) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-3)의 중량 평균 분자량은 4,100이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-3)에 있어서의 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 67.5mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000 ml three-neck flask, 147.32 g (0.675 mol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, 43.46 g (0.175 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 3-trimethoxysilylpropylsuccinic acid. Add 26.23 g (0.10 mol) of anhydride, 12.32 g (0.05 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, 0.810 g of BHT, and 172.59 g of PGMEA, and add water while stirring at room temperature. An aqueous phosphoric acid solution containing 2.293 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the input monomer) dissolved in 54.45 g was added over 30 minutes. After that, a polysiloxane solution was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. During the reaction, a total of 140.05 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-3) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-3) was 4,100. In addition, in polysiloxane (PSL-3), trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, and 3-(3,4-epoxycyclo The molar ratios of each repeating unit derived from hexyl)propyltrimethoxysilane were 67.5 mol%, 17.5 mol%, 10 mol%, and 5 mol%, respectively.

합성예 4 폴리실록산(PSL-4) 용액Synthesis Example 4 Polysiloxane (PSL-4) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 메틸트리메톡시실란을 34.05g(0.250mol), 페닐트리메톡시실란을 99.15g(0.500mol), 테트라에톡시실란을 31.25g(0.150mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 24.64g(0.100mol) 및 PGMEA를 174.95g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 56.70g에 인산 0.945g(투입 모노머에 대하여 0.50중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 129.15g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-4) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-4)의 중량 평균 분자량은 4,200이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-4)에 있어서의 메틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 테트라에톡시실란 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 25mol%, 50mol%, 15mol% 및 10mol%였다.In a 1000 ml three-necked flask, 34.05 g (0.250 mol) of methyltrimethoxysilane, 99.15 g (0.500 mol) of phenyltrimethoxysilane, 31.25 g (0.150 mol) of tetraethoxysilane, 3-(3, 24.64 g (0.100 mol) of 4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane and 174.95 g of PGMEA were added, and 0.945 g of phosphoric acid (0.50% by weight based on the added monomer) was dissolved in 56.70 g of water while stirring at room temperature to create an aqueous phosphoric acid solution. was added over 30 minutes. After that, a polysiloxane solution was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1. During the reaction, a total of 129.15 g of by-products, methanol and water, flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight, and a polysiloxane (PSL-4) solution was obtained. Additionally, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-4) was 4,200. In addition, each repeating unit derived from methyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, tetraethoxysilane, and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane in polysiloxane (PSL-4) The molar ratios were 25 mol%, 50 mol%, 15 mol%, and 10 mol%, respectively.

합성예 1 내지 4의 조성을 통합하여 표 1에 나타낸다.The compositions of Synthesis Examples 1 to 4 are combined and shown in Table 1.

합성예 5 녹색 유기 형광체Synthesis Example 5 Green organic phosphor

3,5-디브로모벤즈알데히드(3.0g), 4-t-부틸페닐보론산(5.3g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.4g) 및 탄산칼륨(2.0g)을 플라스크에 넣고, 질소 치환하였다. 여기에 탈기한 톨루엔(30mL) 및 탈기한 물(10mL)을 첨가하고, 4시간 환류하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고 분액한 후에, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(3.5g)의 백색 고체를 얻었다. 다음에, 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(1.5g)와 2,4-디메틸피롤(0.7g)을 플라스크에 넣고, 탈수 디클로로메탄(200mL) 및 트리플루오로아세트산(1방울)을 첨가하여, 질소 분위기 하, 4시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(0.85g)의 탈수 디클로로메탄 용액을 첨가하고, 추가로 1시간 교반하였다. 반응 종료 후, 3불화붕소디에틸에테르 착체(7.0mL) 및 디이소프로필에틸아민(7.0mL)을 첨가하여 4시간 교반한 후, 추가로 물(100mL)을 첨가하여 교반하고, 유기층을 분액하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 녹색 분말 0.4g을 얻었다(수율 17%). 얻어진 녹색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같으며, 상기에서 얻어진 녹색 분말이 하기 구조식으로 표시되는 [G-1]인 것이 확인되었다.3,5-dibromobenzaldehyde (3.0g), 4-t-butylphenylboronic acid (5.3g), tetrakis(triphenylphosphine)palladium (0) (0.4g) and potassium carbonate (2.0g) It was placed in a flask and purged with nitrogen. Degassed toluene (30 mL) and degassed water (10 mL) were added thereto, and the mixture was refluxed for 4 hours. After the reaction solution was cooled to room temperature and separated, the organic layer was washed with saturated saline solution. This organic layer was dried with magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain 3,5-bis(4-t-butylphenyl)benzaldehyde (3.5 g) as a white solid. Next, 3,5-bis(4-t-butylphenyl)benzaldehyde (1.5 g) and 2,4-dimethylpyrrole (0.7 g) were added to the flask, and dehydrated dichloromethane (200 mL) and trifluoroacetic acid (1 drop) was added and stirred for 4 hours under a nitrogen atmosphere. A dehydrated dichloromethane solution of 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (0.85 g) was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred for an additional 1 hour. After completion of the reaction, boron trifluoride diethyl ether complex (7.0 mL) and diisopropylethylamine (7.0 mL) were added and stirred for 4 hours, then water (100 mL) was added and stirred, and the organic layer was separated. . This organic layer was dried with magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain 0.4 g of green powder (yield 17%). The results of 1 H-NMR analysis of the obtained green powder are as follows, and it was confirmed that the green powder obtained above was [G-1] represented by the following structural formula.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.95(s, 1H), 7.63-7.48(m, 10H), 6.00(s, 2H), 2.58(s, 6H), 1.50(s, 6H), 1.37(s, 18H). 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 7.95 (s, 1H), 7.63-7.48 (m, 10H), 6.00 (s, 2H), 2.58 (s, 6H), 1.50 (s, 6H) , 1.37(s, 18H).

합성예 6 적색 유기 형광체Synthesis Example 6 Red organic phosphor

4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 300mg, 2-메톡시벤조일 클로라이드 201mg 및 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 120℃에서 6시간 가열하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 증발시켰다. 얻어진 잔류물을 에탄올 20ml로 세정하고, 진공 건조함으로써 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg을 얻었다. 다음에, 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg, 4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 180mg, 메탄술폰산 무수물 206mg 및 탈기한 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 125℃에서 7시간 가열하였다. 이 반응 혼합물을 실온으로 냉각 후, 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정한 후, 증발시키고 진공 건조함으로써 잔류물로서 피로메텐체를 얻었다. 다음에, 얻어진 피로메텐체와 톨루엔 10ml의 혼합 용액에, 질소 기류 하, 디이소프로필에틸아민 305mg 및 3불화붕소디에틸에테르 착체 670mg을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정하고, 황산마그네슘으로 건조 후 증발시켰다. 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 진공 건조한 후, 적자색 분말 0.27g을 얻었다(수율 70%). 얻어진 적자색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같으며, 상기에서 얻어진 적자색 분말이 하기 구조식으로 표시되는 [R-1]인 것이 확인되었다.A mixed solution of 300 mg of 4-(4-t-butylphenyl)-2-(4-methoxyphenyl)pyrrole, 201 mg of 2-methoxybenzoyl chloride, and 10 ml of toluene was heated at 120°C for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, the solvent was evaporated. The obtained residue was washed with 20 ml of ethanol and dried under vacuum to obtain 260 mg of 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole. Next, 260 mg of 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole, 4-(4-t-butylphenyl)-2-( A mixed solution of 180 mg of 4-methoxyphenyl)pyrrole, 206 mg of methanesulfonic anhydride, and 10 ml of degassed toluene was heated at 125°C for 7 hours under a nitrogen stream. After cooling the reaction mixture to room temperature, 20 ml of water was added and extracted with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, evaporated, and dried under vacuum to obtain a pyromethene body as a residue. Next, 305 mg of diisopropylethylamine and 670 mg of boron trifluoride diethyl ether complex were added to the obtained mixed solution of pyromethene body and 10 ml of toluene under a nitrogen stream, and stirred at room temperature for 3 hours. 20 ml of water was added to this reaction mixture, and the mixture was extracted with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, dried over magnesium sulfate, and then evaporated. After purification by silica gel column chromatography and vacuum drying, 0.27 g of red-purple powder was obtained (yield 70%). The results of 1 H-NMR analysis of the obtained red-purple powder are as follows, and it was confirmed that the red-purple powder obtained above was [R-1] represented by the following structural formula.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 1.19(s, 18H), 3.42(s, 3H), 3.85(s, 6H), 5.72(d, 1H), 6.20(t, 1H), 6.42-6.97(m, 16H), 7.89(d, 4H). 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 1.19(s, 18H), 3.42(s, 3H), 3.85(s, 6H), 5.72(d, 1H), 6.20(t, 1H), 6.42 -6.97(m, 16H), 7.89(d, 4H).

합성예 7 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)Synthesis Example 7 Polysiloxane solution containing silica particles (LS-1)

500ml의 3구 플라스크에, 메틸트리메톡시실란을 0.05g(0.4mmol), 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 0.66g(3.0mmol), 트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 0.10g(0.4mmol), γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 7.97g(34mmol) 및 15.6중량%의 실리카 입자의 이소프로필알코올 분산액(IPA-ST-UP: 닛산 가가쿠 고교(주)제)을 224.37g 넣고, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르 163.93g을 첨가하였다. 실온에서 교반하면서, 물 4.09g에 인산 0.088g을 녹인 인산 수용액을 3분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 40℃의 오일 배스에 담구어 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분간에 걸쳐 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액의 내온이 100℃에 도달하고, 그로부터 추가로 2시간 가열 교반함으로써(내온은 100 내지 110℃), 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중 질소를 0.05l(리터)/분류하였다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 194.01g 유출되었다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)의 고형분 농도는 24.3중량%, 고형분 중의 폴리실록산과 실리카 입자의 함유량은 각각 15중량% 및 85중량%였다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산(LS-1)에 있어서의 폴리실록산의 메틸트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 1.0mol%, 8.0mol%, 1.0mol% 및 90.0mol%였다.In a 500ml three-necked flask, 0.05g (0.4mmol) of methyltrimethoxysilane, 0.66g (3.0mmol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, and 0.10g (0.4mmol) of trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride. , 7.97 g (34 mmol) of γ-acryloxypropyltrimethoxysilane and 224.37 g of an isopropyl alcohol dispersion of 15.6% by weight silica particles (IPA-ST-UP: manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) were added, and ethylene was added. 163.93 g of glycol mono-t-butyl ether was added. While stirring at room temperature, an aqueous phosphoric acid solution containing 0.088 g of phosphoric acid dissolved in 4.09 g of water was added over 3 minutes. After that, the flask was immersed in an oil bath at 40°C and stirred for 60 minutes, and then the temperature of the oil bath was raised to 115°C over 30 minutes. 1 hour after the start of the temperature increase, the internal temperature of the solution reached 100°C, and by heating and stirring for an additional 2 hours (internal temperature 100 to 110°C), a polysiloxane solution containing silica particles (LS-1) was obtained. In addition, nitrogen was classified at 0.05 l (liter)/during the temperature increase and heating and stirring. During the reaction, a total of 194.01 g of by-products, methanol and water, flowed out. The solid content concentration of the obtained silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1) was 24.3% by weight, and the contents of polysiloxane and silica particles in the solid content were 15% by weight and 85% by weight, respectively. From methyltrimethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, and γ-acryloxypropyltrimethoxysilane of the polysiloxane in the obtained silica particle-containing polysiloxane (LS-1). The molar ratios of each derived repeating unit were 1.0 mol%, 8.0 mol%, 1.0 mol%, and 90.0 mol%, respectively.

실시예 1 격벽용 수지 조성물(P-1)Example 1 Resin composition for partition (P-1)

백색 안료로서, 이산화티타늄 안료(R-960; BASF 재팬(주)제(이하 「R-960」)) 5.00g에, 수지로서 합성예 1에 의해 얻어진 폴리실록산(PSL-1) 용액 5.00g을 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산하여 안료 분산액(MW-1)을 얻었다. 또한, 유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐을 1.00g과, 인 원자를 갖는 배위성 화합물로서 트리페닐포스핀을 0.861g(유기 금속 화합물에 대하여 등몰량)을 DAA 8.139g에 용해하여, 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 얻었다.As a white pigment, 5.00 g of titanium dioxide pigment (R-960; manufactured by BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter “R-960”)) was mixed with 5.00 g of the polysiloxane (PSL-1) solution obtained in Synthesis Example 1 as a resin. and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-1). Additionally, 1.00 g of bis(acetylacetonato)palladium as an organometallic compound and 0.861 g of triphenylphosphine as a coordination compound having a phosphorus atom (equimolar amount relative to the organometallic compound) were dissolved in 8.139 g of DAA, An organometallic compound solution (OM-1) was obtained.

다음에, 상기 안료 분산액(MW-1) 9.98g, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 1.86g, 폴리실록산(PSL-1) 용액 0.98g, 광중합 개시제로서 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심)("이르가큐어"(등록 상표) OXE-02, BASF 재팬(주)제(이하 「OXE-02」)) 0.050g, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드("이르가큐어" 819, BASF 재팬(주)제(이하 「IC-819」)) 0.400g, 광염기 발생제로서 2-(3-벤조일페닐)프로피온산1,2-디이소프로필-3-[비스(디메틸아미노)메틸렌]구아니디늄(WPBG-266(상품명), 후지 필름 와코 쥰야쿠(주)제(이하 「WPBG-266」)) 0.100g, 광중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트("KAYARAD"(등록 상표) DPHA, 신닛본 약교우(주)제(이하 「DPHA」)) 1.20g, 발액 화합물로서 광중합성 불소 함유 화합물("메가펙"(등록 상표) RS-76-E, DIC(주)제(이하 「RS-76-E」))의 40중량% PGMEA 희석 용액 1.00g, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트("셀록사이드"(등록 상표) 2021P, 다이셀(주)제(이하 「셀록사이드(등록 상표) 2021P」)) 0.100g, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트]("이르가녹스"(등록 상표) 1010, BASF 재팬(주)제(이하 「IRGANOX(등록 상표) 1010」)) 0.030g 및 아크릴계 계면 활성제("BYK"(등록 상표) 352, 빅 케미 재팬(주)제(이하 「BYK-352」))의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.100g(농도 500ppm에 상당)을 용매 PGMEA 4.20g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-1)을 얻었다.Next, 9.98 g of the pigment dispersion (MW-1), 1.86 g of the organometallic compound solution (OM-1), 0.98 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, ethanone as a photopolymerization initiator, and 1-[9-ethyl- 6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(O-acetyloxime) (“Irgacure” (registered trademark) OXE-02, manufactured by BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter referred to as “OXE-02”)) 0.050 g, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide (“Irgacure” 819, manufactured by BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter “IC-819”)) 0.400 g, 1,2-diisopropyl-3-[bis(dimethylamino)methylene]guanidinium 2-(3-benzoylphenyl)propionic acid as a photobase generator (WPBG-266 (trade name), Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 0.100 g of dipentaerythritol hexaacrylate ("KAYARAD" (registered trademark) DPHA, manufactured by Shin Nippon Yakyo Co., Ltd. (hereinafter referred to as "DPHA") as a photopolymerizable compound (hereinafter referred to as "WPBG-266") )) 1.20 g, 40% by weight PGMEA dilution of a photopolymerizable fluorine-containing compound (“Megapec” (registered trademark) RS-76-E, manufactured by DIC Corporation (hereinafter “RS-76-E”)) as a liquid-repellent compound. Solution 1.00 g, 3',4'-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate ("Celoxide" (registered trademark) 2021P, manufactured by Daicel Co., Ltd. (hereinafter referred to as "Celoxide" (registered trademark) ) 2021P')) 0.100 g, ethylenebis(oxyethylene)bis[3-(5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl)propionate] ("Irganox" (registered trademark) 1010, 0.030 g of BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter “IRGANOX (registered trademark) 1010”)) and an acrylic surfactant (“BYK” (registered trademark) 352, manufactured by Big Chemi Japan Co., Ltd. (hereinafter “BYK-352”)) 0.100 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA (corresponding to a concentration of 500 ppm) was dissolved in 4.20 g of PGMEA as a solvent and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-1).

실시예 2 내지 3 격벽용 수지 조성물(P-2) 내지 (P-3)Examples 2 to 3 Resin compositions for partition walls (P-2) to (P-3)

폴리실록산(PSL-1) 용액 대신에 각각 상기 폴리실록산(PSL-2) 또는 (PSL-3) 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-2) 및 (P-3)을 얻었다.Resin compositions for partition walls (P-2) and (P-3) were prepared in the same manner as in Example 1, except that the polysiloxane (PSL-2) or (PSL-3) solution was used instead of the polysiloxane (PSL-1) solution, respectively. got it

실시예 4 격벽용 수지 조성물(P-4)Example 4 Resin composition for partition (P-4)

RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액 대신에 "메가펙"(등록 상표) F477(다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제) 40중량% PGMEA 희석 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-4)을 얻었다.Example 1, except that "Megapec" (registered trademark) F477 (Dainippon Ink Kagaku Kogyo Co., Ltd.) 40% by weight PGMEA diluted solution was used instead of the 40% by weight PGMEA diluted solution of RS-76-E. Similarly, the resin composition for partition walls (P-4) was obtained.

실시예 5 격벽용 수지 조성물(P-5)Example 5 Resin composition for partition (P-5)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-4) 용액을 5.00g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-4)을 얻었다. 상기 안료 분산액(MW-4)을 9.98g, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 1.86g, 상기 폴리실록산(PSL-4) 용액을 1.16g, 광염기 발생제로서 WPBG-266을 0.10g, 발액 화합물로서 F477의 40중량% PGMEA 희석 용액을 1.00g, 셀록사이드(등록 상표) 2021P를 0.100g, 퀴논디아지드 화합물로서 THP-17(상품명, 도요 고세 고교(주)제)을 1.60g, 계면 활성제 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액을 0.100g 및 PGMEA를 4.10g 혼합하여 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-5)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment and 5.00 g of polysiloxane (PSL-4) solution as a resin were mixed, and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-4). 9.98 g of the pigment dispersion (MW-4), 1.86 g of the organometallic compound solution (OM-1), 1.16 g of the polysiloxane (PSL-4) solution, 0.10 g of WPBG-266 as a photobase generator, As a liquid-repellent compound, 1.00 g of a 40% by weight PGMEA diluted solution of F477, 0.100 g of Celoxide (registered trademark) 2021P, and 1.60 g of THP-17 (brand name, manufactured by Toyokose Kogyo Co., Ltd.) as a quinonediazide compound, the interface 0.100 g of PGMEA 10% by weight diluted solution of activator BYK-352 and 4.10 g of PGMEA were mixed and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-5).

실시예 6 격벽용 수지 조성물(P-6)Example 6 Resin composition for partition (P-6)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 네오데칸산은을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-6)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-2) was prepared in the same manner as the above-mentioned organometallic compound solution (OM-1), except that silver neodecanoate was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. A resin composition for partitions (P-6) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the organometallic compound solution (OM-2) was used instead of the organometallic compound solution (OM-1).

실시예 7 격벽용 수지 조성물(P-7)Example 7 Resin composition for partition (P-7)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 클로로트리페닐포스핀금을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-3)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-7)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-3) was prepared in the same manner as the above-mentioned organometallic compound solution (OM-1), except that gold chlorotriphenylphosphine was used as the organometallic compound instead of bis(acetylacetonato)palladium. A resin composition for partition walls (P-7) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the organometallic compound solution (OM-3) was used instead of the organometallic compound solution (OM-1).

실시예 8 격벽용 수지 조성물(P-8)Example 8 Resin composition for partition (P-8)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 비스(아세틸아세토나토)백금을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-4)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-4)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-8)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-4) was prepared in the same manner as the above organometallic compound solution (OM-1), except that bis(acetylacetonato)platinum was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . A resin composition for partition walls (P-8) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the organometallic compound solution (OM-4) was used instead of the organometallic compound solution (OM-1).

실시예 9 격벽용 수지 조성물(P-9)Example 9 Resin composition for partition (P-9)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 0.929g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.41g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.70g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-9)을 얻었다. Except that the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) was changed to 0.929 g, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.41 g, and 4.20 g of PGMEA as the solvent was changed to 4.70 g of PGMEA, as in Example 1. In the same manner, a resin composition for partition walls (P-9) was obtained.

실시예 10 격벽용 수지 조성물(P-10)Example 10 Resin composition for partition (P-10)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 0.400g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.940g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 6.27g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-10)을 얻었다.Example 1 and 1, except that the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) was changed to 0.400 g, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.940 g, and 4.20 g of PGMEA as the solvent was changed to 6.27 g of PGMEA. Similarly, a resin composition for partition walls (P-10) was obtained.

실시예 11 격벽용 수지 조성물(P-11)Example 11 Resin composition for partition (P-11)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 4.595g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 0.010g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 2.92g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-11)을 얻었다.Example 1 and 1, except that the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) was changed to 4.595 g, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 0.010 g, and 4.20 g of PGMEA as the solvent was changed to 2.92 g of PGMEA. Similarly, a resin composition for partition walls (P-11) was obtained.

실시예 12 격벽용 수지 조성물(P-12)Example 12 Resin composition for partition (P-12)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g, 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.01g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-2)을 얻었다. 안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-2)을 9.99g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.38g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.72g을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-12)을 얻었다.Mix 5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.01 g of titanium nitride as a black pigment, and disperse them using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW). -2) was obtained. Example except that 9.99 g of pigment dispersion (MW-2) was added instead of pigment dispersion (MW-1), the addition amount of polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.38 g, and 4.72 g of PGMEA was used as a solvent. In the same manner as in 9, a resin composition for partition walls (P-12) was obtained.

실시예 13 격벽용 수지 조성물(P-13) Example 13 Resin composition for partition (P-13)

수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 10.0g, 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.15g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-3)을 얻었다. 안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-3)을 9.99g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 15.16g으로 변경하고, PGMEA의 첨가량을 4.20g으로부터 0.11g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-13)을 얻었다.10.0 g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin and 0.15 g of titanium nitride as a black pigment were mixed and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-3). 9.99 g of pigment dispersion (MW-3) was added instead of pigment dispersion (MW-1), the amount of polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 15.16 g, and the amount of PGMEA was changed from 4.20 g to 0.11 g. Except this, the resin composition for partition walls (P-13) was obtained in the same manner as in Example 1.

실시예 14 격벽용 수지 조성물(P-14)Example 14 Resin composition for partition (P-14)

유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐의 10% DAA 용액을 1.85g 사용하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.34g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 3.85g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-14)을 얻었다.Instead of the organometallic compound solution (OM-1), 1.85 g of a 10% DAA solution of bis(acetylacetonato)palladium was used as the organometallic compound, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.34 g, and the solvent A resin composition for a partition (P-14) was obtained in the same manner as in Example 1, except that 4.20 g of PGMEA was changed to 3.85 g of PGMEA.

실시예 15 격벽용 수지 조성물(P-15)Example 15 Resin composition for partition (P-15)

광염기 발생제 WPBG-266을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.21g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.07g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-15)을 얻었다.A partition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the photobase generator WPBG-266 was not added, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.21 g, and PGMEA 4.20 g was changed to PGMEA 4.07 g as the solvent. A resin composition (P-15) was obtained.

실시예 16 격벽용 수지 조성물(P-16)Example 16 Resin composition for partition (P-16)

발액 화합물 RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 2.01g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.17g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-16)을 얻었다.Except that the 40% by weight PGMEA diluted solution of the liquid-repellent compound RS-76-E was not added, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 2.01 g, and PGMEA 4.20 g was changed to PGMEA 4.17 g as the solvent. In the same manner as in Example 1, a resin composition for partition walls (P-16) was obtained.

비교예 1 격벽용 수지 조성물(P-17)Comparative Example 1 Resin composition for partition (P-17)

유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 인 원자를 갖는 배위성 화합물로서 트리페닐포스핀을 1.861g, DAA를 8.139g 사용하여 얻은 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 0.867g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.41g으로 변경하고, PGMEA의 첨가량을 4.20g으로부터 4.76g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-17)을 얻었다.Instead of the organometallic compound solution (OM-1), 0.867g of an organometallic compound solution (OM-5) obtained using 1.861g of triphenylphosphine and 8.139g of DAA as a coordination compound having a phosphorus atom was added, and polysiloxane was added. (PSL-1) Except that the addition amount of the solution was changed to 1.41 g and the addition amount of PGMEA was changed from 4.20 g to 4.76 g, a resin composition for a partition (P-17) was obtained in the same manner as in Example 1.

비교예 2 격벽용 수지 조성물(P-18)Comparative Example 2 Resin composition for partition (P-18)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.10g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-4)을 얻었다. 다음에, 상기 안료 분산액(MW-4)을 10.02g, 상기 폴리실록산(PSL-1) 용액을 1.73g, 광중합 개시제로서 OXE-02를 0.050g, IC-819를 0.400g, 광염기 발생제로서 WPBG-266을 0.10g, 광중합성 화합물로서 DPHA를 1.20g, 발액 화합물로서 RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액을 1.00g, 셀록사이드(등록 상표) 2021P를 0.100g, IRGANOX(등록 상표) 1010을 0.030g, 계면 활성제로서 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액을 0.100g 및 용매로서 PGMEA를 5.31g 혼합하여 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-18)을 얻었다.Mix 5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.10 g of titanium nitride as a black pigment, and disperse them using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW). -4) was obtained. Next, 10.02 g of the pigment dispersion (MW-4), 1.73 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, 0.050 g of OXE-02 as a photopolymerization initiator, 0.400 g of IC-819, and WPBG as a photobase generator. 0.10 g of -266, 1.20 g of DPHA as a photopolymerizable compound, 1.00 g of 40% by weight PGMEA diluted solution of RS-76-E as a liquid-repellent compound, 0.100 g of Celoxide (registered trademark) 2021P, IRGANOX (registered trademark) 0.030 g of 1010, 0.100 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352 as a surfactant, and 5.31 g of PGMEA as a solvent were mixed and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-18).

비교예 3 격벽용 수지 조성물(P-19)Comparative Example 3 Resin composition for partition (P-19)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 질화지르코늄을 0.10g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-5)을 얻었다. 안료 분산액(MW-4) 대신에 안료 분산액(MW-5)을 사용한 것 이외에는, 비교예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-19)을 얻었다.Mix 5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.10 g of zirconium nitride as a black pigment, and disperse them using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW). -5) was obtained. A resin composition for partitions (P-19) was obtained in the same manner as in Comparative Example 2, except that the pigment dispersion liquid (MW-5) was used instead of the pigment dispersion liquid (MW-4).

비교예 4 격벽용 수지 조성물(P-20)Comparative Example 4 Resin composition for partition (P-20)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 적색 안료 PR254와 청색 안료 PB64의 중량비 60/40의 혼합 안료를 0.05g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-6)을 얻었다. 안료 분산액(MW-4) 대신에 안료 분산액(MW-6)을 사용한 것 이외에는, 비교예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-20)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.05 g of a mixed pigment of red pigment PR254 and blue pigment PB64 in a weight ratio of 60/40 as a black pigment were mixed, and zirconia beads were mixed. Pigment dispersion (MW-6) was obtained by dispersing using a charged mill-type disperser. A resin composition for partition walls (P-20) was obtained in the same manner as in Comparative Example 2, except that the pigment dispersion liquid (MW-6) was used instead of the pigment dispersion liquid (MW-4).

비교예 5 격벽용 수지 조성물(P-21)Comparative Example 5 Resin composition for partition (P-21)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 트리스(아세틸아세토나토)철을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-21)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-5) was prepared in the same manner as the above-mentioned organometallic compound solution (OM-1), except that tris(acetylacetonato)iron was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . A resin composition for partitions (P-21) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the organometallic compound solution (OM-5) was used instead of the organometallic compound solution (OM-1).

비교예 6 격벽용 수지 조성물(P-22)Comparative Example 6 Resin composition for partition (P-22)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 비스(아세틸아세토나토)니켈을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-6)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-22)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-5) was prepared in the same manner as the above organometallic compound solution (OM-1), except that bis(acetylacetonato)nickel was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . A resin composition for partitions (P-22) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the organometallic compound solution (OM-6) was used instead of the organometallic compound solution (OM-1).

실시예 1 내지 16 및 비교예 1 내지 6의 조성을 통합하여 표 2 내지 표 3에 나타낸다.The compositions of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 6 are combined and shown in Tables 2 and 3.

조제예 1 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)Preparation Example 1 Color conversion luminescent material composition (CL-1)

녹색 양자 도트 재료(Lumidot 640 CdSe/ZnS, 평균 입자경 6.3nm: 알드리치사제)의 0.5중량% 톨루엔 용액을 20중량부, DPHA를 45중량부, "이르가큐어"(등록 상표) 907(BASF 재팬(주)제)를 5중량부, 아크릴 수지(SPCR-18(상품명), 쇼와 덴코(주)제)의 30중량% PGMEA 용액을 166중량부 및 톨루엔을 97중량부 혼합하여 교반하고, 균일하게 용해하였다. 얻어진 혼합물을 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)을 조제하였다Green quantum dot material (Lumidot 640 CdSe/ZnS, average particle diameter: 6.3 nm: manufactured by Aldrich) containing 20 parts by weight of a 0.5% by weight toluene solution, 45 parts by weight of DPHA, and "Irgacure" (registered trademark) 907 (BASF Japan (BASF Japan) 5 parts by weight of (product name), 166 parts by weight of PGMEA solution of acrylic resin (SPCR-18 (trade name), manufactured by Showa Denko Co., Ltd.) and 97 parts by weight of toluene were mixed and stirred evenly. dissolved. The obtained mixture was filtered through a 0.45㎛ syringe filter to prepare a color conversion light-emitting material composition (CL-1).

조제예 2 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)Preparation Example 2 Color conversion luminescent material composition (CL-2)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 5에 의해 얻어진 녹색 형광체 G-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 조제하였다A color conversion light-emitting material composition (CL- 2) was prepared.

조제예 3 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)Preparation example 3 color conversion luminescent material composition (CL-3)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 6에 의해 얻어진 적색 형광체 R-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 조제하였다A color conversion light-emitting material composition (CL- 3) was prepared.

조제예 4 컬러 필터 형성 재료(CF-1)Preparation Example 4 Color filter forming material (CF-1)

C.I.피그먼트 그린 59를 90g, C.I.피그먼트 옐로우 150을 60g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-6919」))를 75g, 결합제 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명) (주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 피그먼트 그린 59 분산액(GD-1)을 제작하였다.90 g of C.I. Pigment Green 59, 60 g of C.I. Pigment Yellow 150, 75 g of polymer dispersant ("BYK" (registered trademark)-6919 (brand name) manufactured by Big Chemistry (hereinafter referred to as "BYK-6919")), binder resin ("BYK" A slurry was prepared by mixing 100 g of “Adeka Ackles” (registered trademark) WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. and 675 g of PGMEA. The beaker containing the slurry was connected to a dyno mill and a tube, and using zirconia beads with a diameter of 0.5 mm as a medium, dispersion treatment was performed for 8 hours at a peripheral speed of 14 m/s to produce Pigment Green 59 dispersion (GD-1).

피그먼트 그린 59 분산액(GD-1) 56.54g, 아크릴 수지("사이클로머"(등록 상표) P(ACA)Z250(상품명) 다이셀ㆍ올넥스(주)제(이하 「P(ACA)Z250」))를 3.14g, DPHA를 2.64g, 광중합 개시제("옵토마"(등록 상표) NCI-831(상품명) (주)ADEKA제(이하 「NCI-831」)) 0.330g, 계면 활성제("BYK"(등록 상표)-333(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-333」))를 0.04g, 중합 금지제로서 BHT를 0.01g 및 용매로서 PGMEA를 37.30g 혼합하여, 컬러 필터 형성 재료(CF-1)를 제작하였다.Pigment Green 59 dispersion (GD-1) 56.54 g, acrylic resin ("Cyclomer" (registered trademark) P(ACA)Z250 (brand name) manufactured by Daicel and Allnex Co., Ltd. (hereinafter referred to as "P(ACA)Z250") )) 3.14 g, DPHA 2.64 g, photopolymerization initiator ("Optoma" (registered trademark) NCI-831 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. (hereinafter "NCI-831")) 0.330 g, surfactant ("BYK") (Registered trademark) -333 (brand name) 0.04 g of Big Chemistry Co., Ltd. (hereinafter referred to as “BYK-333”), 0.01 g of BHT as a polymerization inhibitor, and 37.30 g of PGMEA as a solvent were mixed to form a color filter forming material (CF- 1) was produced.

조제예 5 차광 격벽용 수지 조성물Preparation Example 5 Resin composition for light-shielding partition

카본 블랙(MA100(상품명) 미츠비시 가가쿠(주)제) 150g, 고분자 분산제 BYK-6919를 75g, P(ACA)Z250을 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 안료 분산액(MB-1)을 제작하였다.A slurry was prepared by mixing 150 g of carbon black (MA100 (trade name) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 75 g of polymer dispersant BYK-6919, 100 g of P(ACA)Z250, and 675 g of PGMEA. The beaker containing the slurry was connected to a dyno mill and a tube, and dispersion treatment was performed for 8 hours at a peripheral speed of 14 m/s using zirconia beads with a diameter of 0.5 mm as a medium to produce a pigment dispersion (MB-1).

안료 분산액(MB-1) 56.54g, P(ACA)Z250을 3.14g, DPHA를 2.64g, NCI-831을 0.330g, BYK-333을 0.04g, 중합 금지제로서 터셔리부틸카테콜 0.01g 및 PGMEA 37.30g을 혼합하여, 차광 격벽용 수지 조성물을 제작하였다.56.54 g of pigment dispersion (MB-1), 3.14 g of P(ACA)Z250, 2.64 g of DPHA, 0.330 g of NCI-831, 0.04 g of BYK-333, 0.01 g of tertiary butylcatechol as a polymerization inhibitor, and 37.30 g of PGMEA was mixed to produce a resin composition for a light-shielding partition.

조제예 6 저굴절률층 형성 재료Preparation Example 6 Low refractive index layer forming material

합성예 6에 의해 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 5.350g, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르를 1.170g 및 DAA를 3.48g 혼합한 후, 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여 저굴절률층 형성 재료를 조제하였다.5.350 g of the silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1) obtained in Synthesis Example 6, 1.170 g of ethylene glycol mono-t-butyl ether, and 3.48 g of DAA were mixed, and then filtered through a 0.45㎛ syringe filter to obtain a low refractive index. Layer forming materials were prepared.

조제예 7 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)Preparation Example 7 Yellow organic protective layer forming material (YL-1)

C.I.피그먼트 옐로우 150을 150g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-6919」))를 75g, 결합제 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명) (주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1)을 제작하였다. 150 g of C.I. Pigment Yellow 150, 75 g of polymer dispersant ("BYK" (registered trademark)-6919 (product name) manufactured by Big Chemistry (hereinafter referred to as "BYK-6919")), binder resin ("Adeka Arkles" (registered trademark) ) A slurry was prepared by mixing 100 g of WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. and 675 g of PGMEA. The beaker containing the slurry was connected to a dyno mill and a tube, and using zirconia beads with a diameter of 0.5 mm as a medium, dispersion treatment was performed for 8 hours at a peripheral speed of 14 m/s to produce Pigment Yellow 150 dispersion (YD-1).

피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1) 3.09g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 23.54g, 광중합성 화합물로서 DPHA를 6.02g, 유기 금속 화합물로서 네오데칸산은을 사용하여 조제한 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 6.02g, 광중합 개시제로서 OXE-02를 0.20g, IC-819를 0.40g, IRGANOX(등록 상표) 1010을 0.060g 및 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.050g(농도 500ppm에 상당)을 용매 PGMEA 61.15g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 얻었다.An organometallic compound solution prepared using 3.09g of Pigment Yellow 150 dispersion (YD-1), 23.54g of polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, 6.02g of DPHA as a photopolymerizable compound, and silver neodecanoate as an organometallic compound. 6.02 g of (OM-2), 0.20 g of OXE-02 as a photopolymerization initiator, 0.40 g of IC-819, 0.060 g of IRGANOX (registered trademark) 1010, and 0.050 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352 (concentration (equivalent to 500 ppm) was dissolved in 61.15 g of solvent PGMEA and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 μm filter to obtain a yellow organic protective layer forming material (YL-1).

(실시예 17 내지 20, 실시예 22 내지 28, 실시예 38 내지 45, 비교예 7 내지 9)(Examples 17 to 20, Examples 22 to 28, Examples 38 to 45, Comparative Examples 7 to 9)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 표 4 내지 표 5에 나타내는 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하고, 유리 기판 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 격벽을 형성하였다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The resin composition for partitions shown in Tables 4 to 5 was spin-coated thereon, and dried at a temperature of 90°C for 2 minutes using a hot plate (product name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.) to produce a dried film. did. The produced dried film was exposed to light at an exposure dose of 200 mJ/cm2 (i-line) using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source and through a photomask. Afterwards, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was performed for 100 seconds using a 0.045% by weight potassium hydroxide aqueous solution, followed by 30 seconds using water. Rinse for seconds. In addition, using an oven (brand name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), heating was performed at a temperature of 230°C in the air for 30 minutes, and a partition wall with a height of 10 μm and a width of 20 μm was formed on a glass substrate with a short side of 30 μm, Barrier walls were formed in a lattice pattern with a pitch of 150 μm on the long side.

얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 표 4 내지 표 5에 나타내는 색 변환 발광 재료 조성물을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 2에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color conversion light-emitting material composition shown in Tables 4 and 5 was applied to the area separated by the barrier of the obtained barrier-equipped substrate using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm. was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 2 was obtained.

(실시예 21)(Example 21)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 표 4에 나타내는 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 2.38중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액으로 90초간 샤워 현상하고, 다음에 물로 30초간 린스하였다. 그 후, 앞서와 마찬가지로 포토마스크를 개재시키지 않고 노광량 500mJ/㎠(i선)로 노광하여 블리치를 행하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 격벽을 형성하였다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The resin composition for partitions shown in Table 4 was spin-coated thereon, and dried at a temperature of 90°C for 2 minutes using a hot plate (brand name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.) to produce a dried film. The produced dried film was exposed to light at an exposure dose of 200 mJ/cm2 (i-line) using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source and through a photomask. Afterwards, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sankyo Co., Ltd.), shower development was performed for 90 seconds with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, and then rinsed with water for 30 seconds. . After that, as before, bleaching was performed by exposure to an exposure dose of 500 mJ/cm2 (i line) without a photomask. In addition, using an oven (product name IHPS-222, manufactured by E-Spec Co., Ltd.), heating was performed in the air at a temperature of 230°C for 30 minutes, and a partition wall with a height of 10 μm and a width of 20 μm, with a short side of 30 μm, was formed on the glass substrate. Barrier walls were formed in a lattice pattern with a pitch of 150 μm on the long side.

얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여, 표 4 내지 표 5에 나타내는 색 변환 발광 재료 조성물을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 2에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color conversion light-emitting material composition shown in Tables 4 and 5 was applied to the area separated by the barrier of the obtained barrier-equipped substrate using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm. was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 2 was obtained.

(실시예 29)(Example 29)

실시예 18과 마찬가지의 방법에 의해 화소를 형성한 후의 격벽 구비 기판에 저굴절률층 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 90℃에서 30분간 가열하여 저굴절률층을 형성하고, 도 3에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A low-refractive-index layer forming material was spin-coated on a substrate with partitions after forming pixels in the same manner as in Example 18, and the temperature was adjusted using a hot plate (product name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.). A dried membrane was produced by drying at 90°C for 2 minutes. Additionally, using an oven (brand name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), the low refractive index layer was formed by heating in air at a temperature of 90° C. for 30 minutes, thereby obtaining a substrate with partitions having the structure shown in FIG. 3 .

(실시예 30)(Example 30)

실시예 29에 의해 얻어진 저굴절률층을 갖는 격벽 구비 기판의 저굴절률층 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하고, 도 4에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.On the low refractive index layer of the barrier rib-equipped substrate having the low refractive index layer obtained in Example 29, a film corresponding to the inorganic protective layer I with a thickness of 50 to 1,000 nm was formed using a plasma CVD device (PD-220NL, manufactured by Samco Corporation). A silicon nitride film with a thickness of 300 nm was formed, and a substrate with partitions having the structure shown in FIG. 4 was obtained.

(실시예 31)(Example 31)

실시예 18에 의해 얻어진 격벽 구비 기판 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 II에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 화소 상층에 형성하였다. 그 후, 무기 보호층 II 상에, 조제예 6에 의해 얻어진 저율층 형성 재료를 사용하여 실시예 29와 마찬가지의 방법에 의해 두께 1.0㎛의 저굴절률층을 형성하고, 도 5에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.On the substrate with partitions obtained in Example 18, a silicon nitride film with a thickness of 300 nm, corresponding to an inorganic protective layer II with a thickness of 50 to 1,000 nm, was formed on the pixel upper layer using a plasma CVD device (PD-220NL, manufactured by Samco). did. Thereafter, on the inorganic protective layer II, a low refractive index layer with a thickness of 1.0 μm was formed by the same method as Example 29 using the low index layer forming material obtained in Preparation Example 6, and a low refractive index layer of the structure shown in FIG. 5 was formed. A board with a partition was obtained.

(실시예 32)(Example 32)

실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 경화 후의 막 두께가 2.5㎛가 되도록, 조제예 4에 의해 얻어진 컬러 필터 형성 재료(CF-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부의 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여 격벽으로 이격된 영역에 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터를 형성하였다. 그 후, 컬러 필터 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 6에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.Color filter forming material (CF-1) obtained by Preparation Example 4, obtained by the same method as Example 17, so that the film thickness after curing is 2.5 μm in the area separated by the partition of the substrate with partition before pixel formation. was applied and dried in vacuum. The area of the opening of the substrate with a partition was exposed to light at an exposure dose of 40 mJ/cm2 (i-line) through a photomask designed to be exposed. After developing with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution for 50 seconds, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes to form a color filter with a thickness of 2.5 μm and a width of 50 μm in the area separated by the partition. Thereafter, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied on the color filter using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm. was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 6 was obtained.

(실시예 33)(Example 33)

실시예 32와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터가 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 III에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 또한, 무기 보호층 III 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 7에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A plasma CVD device (PD-220NL, manufactured by Samco) was used on the color filter of the substrate with partitions before pixel formation, on which a color filter with a thickness of 2.5 μm and a width of 50 μm was formed by the same method as in Example 32. A silicon nitride film with a thickness of 300 nm, corresponding to the inorganic protective layer III of 50 to 1,000 nm, was formed. Additionally, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied onto the inorganic protective layer III using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm. was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 7 was obtained.

(실시예 34)(Example 34)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 IV에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 상기 기판을 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외에는, 실시예 31과 마찬가지의 방법에 의해 도 8에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. A silicon nitride film with a thickness of 300 nm, corresponding to the inorganic protective layer IV with a thickness of 50 to 1,000 nm, was formed thereon using a plasma CVD device (PD-220NL, manufactured by Samco). A substrate with partitions having the configuration shown in FIG. 8 was obtained in the same manner as in Example 31, except that the above substrate was used instead of a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm.

(실시예 35)(Example 35)

실시예 32와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터가 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부의 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여 두께 1.0㎛, 50㎛ 폭의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 또한, 황색 유기 보호층 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 7에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A yellow organic protective layer forming material (YL-) obtained in Preparation Example 7 was placed on a color filter of a substrate with a partition before pixel formation, on which a color filter with a thickness of 2.5 μm and a width of 50 μm was formed by the same method as in Example 32. 1) was applied and dried in vacuum. The area of the opening of the substrate with a partition was exposed to light at an exposure dose of 40 mJ/cm2 (i-line) through a photomask designed to be exposed. After developing with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution for 50 seconds, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes to form a yellow organic protective layer with a thickness of 1.0 μm and a width of 50 μm. Additionally, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied onto the yellow organic protective layer using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0 μm. was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 7 was obtained.

(실시예 36)(Example 36)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 건조막을 포토마스크를 개재시키지 않고, 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광한 후, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행함으로써 두께 1.0㎛의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 상기 기판을 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외에는, 실시예 31과 마찬가지의 방법에 의해 도 8에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The yellow organic protective layer forming material (YL-1) obtained in Preparation Example 7 was applied thereon and dried in vacuum. The dried film was exposed to light at an exposure dose of 40 mJ/cm2 (i line) without a photomask, developed for 50 seconds with a 0.3 wt% tetramethylammonium aqueous solution, and heat-cured at 230°C for 30 minutes to obtain a thickness of 1.0 μm. A yellow organic protective layer was formed. A substrate with partitions having the configuration shown in FIG. 8 was obtained in the same manner as in Example 31, except that the above substrate was used instead of a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm.

(실시예 37)(Example 37)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 5에 의해 얻어진 차광 격벽 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하고, 유리 기판 상에 높이 2.0㎛, 폭 20㎛, 두께 1.0㎛당 OD값이 2.0인 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 차광 격벽 구비 기판을 얻었다. 그 후, 실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해, 차광 격벽 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 차광 격벽과 마찬가지의 격자상 패턴으로 형성된 격벽 구비 기판을 얻었다. 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 22에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 9에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As a base substrate, a square alkali-free glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) with a side of 10 cm was used. The light-shielding barrier forming material obtained in Preparation Example 5 was spin-coated thereon, and dried at a temperature of 90° C. for 2 minutes using a hot plate (product name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.) to produce a dried film. . The produced dried film was exposed to light at an exposure dose of 40 mJ/cm2 (i-line) using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.) using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source and a photomask interposed. Afterwards, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), development was performed for 50 seconds with a 0.3% by weight tetramethylammonium aqueous solution, followed by 30 seconds using water. Rinse for seconds. In addition, using an oven (product name IHPS-222, manufactured by Espec Co., Ltd.), heating was performed in air at a temperature of 230°C for 30 minutes, and OD values per 2.0 μm in height, 20 μm in width, and 1.0 μm in thickness were recorded on a glass substrate. A substrate with light-shielding barrier ribs was obtained in which the barrier ribs of 2.0 were formed in a lattice pattern with a pitch interval of 30 μm on the short side and 150 μm on the long side. Thereafter, by the same method as in Example 17, partitions with a height of 10 μm and a width of 20 μm were formed on the light-shielding barrier ribs in the same grid pattern as the light-shielding barrier ribs with a pitch interval of 30 μm on the short side and 150 μm on the long side. A board with a partition was obtained. The color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 22 was applied to the area separated by the partition of the obtained barrier-equipped substrate using an inkjet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to obtain a thickness of 5.0. A ㎛ pixel was formed, and a substrate with a partition having the structure shown in FIG. 9 was obtained.

각 실시예 및 비교예의 구성을 표 4 내지 표 5에 나타낸다.The composition of each example and comparative example is shown in Tables 4 to 5.

각 실시예 및 비교예에 있어서의 평가 방법을 이하에 나타낸다.The evaluation method for each Example and Comparative Example is shown below.

<백색 안료의 굴절률><Refractive index of white pigment>

각 실시예 및 비교예에 사용한 백색 안료에 대하여, JIS K7142-2014(제정 년월일=2014/04/20)에 규정되는 플라스틱의 굴절률 측정 방법 중 B법(현미경을 사용하는 액침법(베케선법))에 의해 굴절률을 측정하였다. 측정 파장은 550nm로 하였다. 단, JIS K7142-2014에서 사용되는 침지액 대신에 (주)시마즈 디바이스 세이조우제 「접촉액」을 사용하고, 침지액 온도: 20℃의 조건에서 측정하였다. 현미경으로서 편광 현미경 「옵티포토」((주)니콘제)를 사용하였다. 백색 안료의 샘플을 각 30개 준비하여 각각의 굴절률을 측정하고, 그의 평균값을 굴절률로 하였다.For the white pigment used in each example and comparative example, method B (liquid immersion method using a microscope (Beckett method)) among the refractive index measurement methods for plastics specified in JIS K7142-2014 (date of establishment = 2014/04/20) The refractive index was measured by . The measurement wavelength was 550 nm. However, instead of the immersion liquid used in JIS K7142-2014, “contact liquid” manufactured by Shimadzu Device Seizo Co., Ltd. was used, and the measurement was performed under the conditions of immersion liquid temperature: 20°C. As a microscope, a polarizing microscope “Opti Photo” (manufactured by Nikon Corporation) was used. Thirty samples of each white pigment were prepared, their respective refractive indices were measured, and the average value was taken as the refractive index.

<폴리실록산 및 저굴절률층의 굴절률><Refractive index of polysiloxane and low refractive index layer>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물의 원료인 폴리실록산 및 조제예 26에 의해 얻어진 저굴절률층 형성 재료를, 각각 실리콘 웨이퍼 상에 스피너에 의해 도포하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하였다. 그 후, 오븐(IHPS-222; 에스펙(주)제)을 사용하여 공기 중 230℃에서 30분간 가열하여 경화막을 제작하였다. 프리즘 커플러(PC-2000(Metricon(주)제))를 사용하여, 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막면에 대하여 수직 방향으로부터 파장 550nm의 광을 조사하여 굴절률을 측정하고, 소수점 이하 셋째자리를 반올림하였다.Polysiloxane, which is a raw material of the barrier rib forming resin composition used in each Example and Comparative Example, and the low refractive index layer forming material obtained in Preparation Example 26 were applied on a silicon wafer with a spinner, respectively, and placed on a hot plate (product name SCW-636, It was dried at a temperature of 90°C for 2 minutes using Dainippon Screen (manufactured by Seizou Co., Ltd.). Afterwards, a cured film was produced by heating at 230°C in air for 30 minutes using an oven (IHPS-222; manufactured by Espec Co., Ltd.). Using a prism coupler (PC-2000 (manufactured by Metricon Co., Ltd.)), under atmospheric pressure and 20°C, light with a wavelength of 550 nm is irradiated from a direction perpendicular to the cured film surface to measure the refractive index, expressed as 3 decimal places. has been rounded.

<해상도><Resolution>

스핀 코터(상품명 1H-360S, 미카사(주)제)를 사용하여, 각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽용 수지 조성물을, 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 상에, 가열 후의 막 두께가 10㎛가 되도록 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 막 두께 10㎛의 건조막을 제작하였다.Using a spin coater (brand name 1H-360S, manufactured by Mikasa Co., Ltd.), the resin composition for partitions used in each Example and Comparative Example was applied to a heated film on a square alkali-free glass substrate with a side of 10 cm. It was spin-coated to a thickness of 10 μm, and dried at 90°C for 2 minutes using a hot plate (trade name: SCW-636, manufactured by Dainippon Screen Seizo Co., Ltd.) to produce a dried film with a thickness of 10 μm.

제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 100㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, 30㎛ 및 20㎛의 각 폭의 라인 & 스페이스 패턴을 갖는 마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 100㎛의 갭으로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다.The produced dry film was aligned using a parallel light mask aligner (product name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and measuring 100㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, 30㎛ and It was exposed with a gap of 100 ㎛ at an exposure dose of 200 mJ/cm 2 (i line) through a mask having a line & space pattern each having a width of 20 ㎛. Afterwards, using an automatic developing device (“AD-2000 (brand name)” manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development was performed for 100 seconds using a 0.045% by weight potassium hydroxide aqueous solution, followed by 30 seconds using water. Rinse for seconds.

배율 100배로 조정한 현미경을 사용하여 현상 후의 패턴을 확대 관찰하여, 미노광부에 잔사가 보이지 않는 패턴 중 가장 좁은 선폭을 해상도로 하였다. 단, 100㎛ 폭의 패턴 부근의 미노광부에도 잔사가 있는 경우에는 「>100㎛」로 하였다.The pattern after development was observed enlarged using a microscope with magnification adjusted to 100x, and the narrowest line width among the patterns in which no residue was visible in the unexposed area was set as the resolution. However, if there was residue even in the unexposed area near the 100 ㎛ wide pattern, it was set as “>100 ㎛”.

<반사율><Reflectance>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 노광 시에 포토마스크를 개재시키지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일 조건에서 가공하여, 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽의 모델로 하여, 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 분광 측색계(상품명 CM-2600d, 코니카 미놀타(주)제)를 사용하여 솔리드막측으로부터 SCI 모드에서 파장 550nm에 있어서의 반사율을 측정하였다. 단, 솔리드막에 크랙이 발생한 경우에는 균열 등이 원인으로 정확한 값을 얻을 수 없기 때문에, 반사율의 측정은 실시하지 않았다.The partition forming resin composition used in each Example and Comparative Example was processed under the same conditions as each Example and Comparative Example, except that the entirety was exposed without a photomask during exposure, to form a solid film on a glass substrate. Produced. The obtained solid film was used as a model for the partition of the partition-equipped substrate obtained in each example and comparative example, and a solid film was measured using a spectrophotometer (product name: CM-2600d, manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) on a glass substrate with a solid film. The reflectance at a wavelength of 550 nm was measured in SCI mode from the membrane side. However, when cracks occur in the solid film, accurate values cannot be obtained due to cracks, etc., so the reflectance was not measured.

<크랙 내성><Crack resistance>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 가열 후의 막 두께가 각각 5㎛, 10㎛, 15㎛ 및 20㎛가 되도록 스핀 코트하였다. 그 후의 공정에 대해서는 노광 시에 포토마스크를 개재시키지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일 조건에서 가공하여 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽 모델로 하여, 솔리드막을 갖는 유리 기판을 목시 관찰하고 솔리드막의 크랙 유무를 평가하였다. 하나라도 크랙이 확인된 경우에는, 그 막 두께에 있어서의 크랙 내성은 없다고 판단하였다. 예를 들어, 막 두께 15㎛에서는 크랙이 없고, 막 두께 20㎛에서는 크랙이 있는 경우에는, 내크랙 막 두께를 「≥15㎛」로 판정하였다. 또한, 20㎛에서도 크랙이 없는 경우의 내크랙 막 두께를 「≥20㎛」, 5㎛에서도 크랙이 있는 경우의 내크랙 막 두께를 「<5㎛」로 각각 판정하여 크랙 내성으로 하였다.The partition forming resin compositions used in each Example and Comparative Example were spin-coated so that the film thicknesses after heating were 5 μm, 10 μm, 15 μm, and 20 μm, respectively. For the subsequent process, a solid film was produced on a glass substrate by processing under the same conditions as each example and comparative example, except that the entire surface was exposed without a photomask during exposure. Using the obtained solid film as a barrier model for the barrier rib-equipped substrates obtained in each Example and Comparative Example, the glass substrate with the solid film was visually observed and the presence or absence of cracks in the solid film was evaluated. When even one crack was confirmed, it was judged that there was no crack resistance in that film thickness. For example, in a case where there were no cracks at a film thickness of 15 μm and cracks at a film thickness of 20 μm, the crack-resistant film thickness was determined to be “≥15 μm.” In addition, the crack-resistant film thickness when there were no cracks even at 20 ㎛ was determined as “≥20 ㎛” and the crack-resistant film thickness when there were cracks at 5 ㎛ was determined as “<5 ㎛”, respectively, to determine crack resistance.

<OD값><OD value>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽의 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 광학 농도계(361T(visual); X-rite사제)를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 상술한 식 (1)에 의해 OD값을 산출하였다. 또한, OD값에 대해서는, 가열 공정 전의 솔리드막과, 가열 공정 후의 OD값을 각각 측정하고, 그 차를 포함시켜 표 6 내지 표 7에 기재하였다.As a model of the partition of the partition-equipped substrate obtained in each Example and Comparative Example, a solid film was produced on a glass substrate in the same manner as the evaluation of the reflectance. For the obtained glass substrate with a solid film, the intensity of incident light and transmitted light was measured using an optical densitometer (361T (visual); manufactured by X-rite), and the OD value was calculated using the above-mentioned equation (1). In addition, regarding the OD value, the OD value of the solid film before the heating process and the OD value after the heating process were measured, and the differences are included and listed in Tables 6 and 7.

또한, 실시예 37에 대하여, 차광 격벽(A-2)의 모델로서, 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 광학 농도계(361T(visual); X-rite사제)를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 상술한 식 (1)에 의해 산출하였다.Additionally, for Example 37, a solid film was similarly produced on a glass substrate as a model of the light-shielding partition (A-2). For the obtained glass substrate with a solid film, the intensity of incident light and transmitted light was measured using an optical densitometer (361T (visual); manufactured by X-rite), and calculated using the above-mentioned formula (1).

<테이퍼 각도><Taper angle>

각 실시예 및 비교예에 있어서, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 임의의 단면을 광학 현미경(FE-SEM(S-4800); (주)히다치 세이사쿠쇼제)을 사용하여 가속 전압 3.0kV에서 관측하여, 테이퍼 각도를 측정하였다.In each Example and Comparative Example, an arbitrary cross section of the substrate with a partition before pixel formation was observed at an acceleration voltage of 3.0 kV using an optical microscope (FE-SEM (S-4800); manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.). , the taper angle was measured.

<표면 접촉각><Surface contact angle>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에 있어서의 격벽의 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막의 표면에 대하여, 교와 가이멘 가가쿠(주)제 DM-700, 마이크로시린지: 교와 가이멘 가가쿠(주)제 접촉각계용 테플론(등록 상표) 코트 바늘 22G를 사용하여, 25℃, 대기 중에 있어서, JIS R3257(제정 년월일=1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거하여 표면 접촉각을 측정하였다. 단, 물 대신에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 사용하여, 솔리드막의 표면과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 접촉각을 측정하였다.As a model of the barrier ribs in the barrier rib-equipped substrates obtained in each of the examples and comparative examples, a solid film was produced on a glass substrate in the same manner as the evaluation of the reflectance. For the surface of the obtained solid film, DM-700 manufactured by Kyowa Kaimen Chemical Co., Ltd., microsyringe: Teflon (registered trademark) coat needle for contact angle meter 22G manufactured by Kyowa Kaimen Chemical Co., Ltd., 25 The surface contact angle was measured at ℃ in air, based on the wettability test method for the substrate glass surface specified in JIS R3257 (date of establishment = 1999/04/20). However, propylene glycol monomethyl ether acetate was used instead of water, and the contact angle between the surface of the solid film and propylene glycol monomethyl ether acetate was measured.

<잉크젯 도포성><Inkjet applicability>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분에 대하여, PGMEA를 잉크로 하고, 잉크젯 도포 장치(InkjetLabo, 클러스터 테크놀로지(주)제)를 사용하여 잉크젯 도포를 행하였다. 1개의 격자상 패턴당 160pL의 PGMEA를 도포하여 결괴(잉크가 격벽을 타고 넘어 인접 화소 부분에 혼입되는 현상)의 유무를 관찰하고, 하기 기준에 의해 잉크젯 도포성을 평가하였다. 결괴가 적을수록 발액 성능이 높고, 잉크젯 도포성이 우수한 것을 나타낸다.In the substrate with partitions before forming pixels obtained in each of the examples and comparative examples, PGMEA was used as ink for the pixel portion surrounded by the grid-like partitions, and an inkjet coating device (InkjetLabo, manufactured by Cluster Technology Co., Ltd.) was used. Inkjet application was performed using . 160 pL of PGMEA was applied per grid pattern, the presence or absence of nodules (a phenomenon in which ink passes over the partition wall and mixes into adjacent pixel parts) was observed, and inkjet applicability was evaluated according to the following criteria. The smaller the number of lumps, the higher the liquid repellency and the superior inkjet applicability.

A: 잉크가 화소 내에서 넘치지 않았다.A: The ink did not overflow within the pixel.

B: 일부분에 있어서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘쳐나왔다.B: In some parts, ink overflowed from within the pixel onto the upper surface of the partition.

C: 전체면에 있어서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘쳐나왔다.C: Ink overflowed from within the pixel to the upper surface of the partition in the entire surface.

<두께><Thickness>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에 대하여, 서프콤 촉침식 막 두께 측정 장치를 사용하여, 화소(B) 형성 전후의 구조체의 높이를 측정하고, 그 차분을 산출함으로써 화소(B)의 두께를 측정하였다. 실시예 29 내지 31에 대해서는 추가로 저굴절률층(C)의 막 두께를, 실시예 32 내지 36에 대해서는 추가로 컬러 필터의 막 두께를, 실시예 37에 대해서는 추가로 차광 격벽의 두께(높이)를 각각 마찬가지로 측정하였다.For the substrates with partitions obtained in each of the examples and comparative examples, the height of the structure before and after forming the pixel B was measured using a Surfcom stylus film thickness measuring device, and the difference was calculated to determine the pixel B. The thickness was measured. For Examples 29 to 31, the film thickness of the low refractive index layer (C) was added, for Examples 32 to 36, the film thickness of the color filter was added, and for Example 37, the thickness (height) of the light-shielding partition was added. were measured similarly.

또한, 실시예 30 내지 31 및 33 내지 34에 대해서는, 크로스 섹션 폴리셔 등의 연마 장치를 사용하여 하지 기판에 대하여 수직인 단면을 노출시키고, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경으로 단면을 확대 관찰함으로써, 각각 무기 보호층 I 내지 IV의 두께를 측정하였다.Additionally, for Examples 30 to 31 and 33 to 34, a cross section perpendicular to the base substrate was exposed using a polishing device such as a cross section polisher, and the cross section was observed enlarged with a scanning electron microscope or transmission electron microscope. , the thickness of the inorganic protective layers I to IV were measured, respectively.

<휘도><Luminance>

시판 중인 LED 백라이트(피크 파장 465nm)를 탑재한 면상 발광 장치를 광원으로 하여, 화소부가 광원측이 되도록 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을 설치하였다. 이 면상 발광 장치에 30mA의 전류를 흘려 LED 소자를 점등시키고, 분광 방사 휘도계(CS-1000, 코니카 미놀타사제)를 사용하여 CIE1931 규격에 기초하는 휘도(단위: cd/㎡)를 측정하고, 초기 휘도로 하였다. 단, 휘도의 평가는 실시예 45의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다.An area light emitting device equipped with a commercially available LED backlight (peak wavelength 465 nm) was used as a light source, and the substrates with partitions obtained in each Example and Comparative Example were installed so that the pixel portion was on the light source side. A current of 30 mA is passed through this area light emitting device to light up the LED element, and the luminance (unit: cd/m2) based on the CIE1931 standard is measured using a spectroradiometer (CS-1000, manufactured by Konica Minolta), and the initial It was done by luminance. However, the evaluation of luminance was performed using relative values using the initial luminance of Example 45 as 100, which is the standard.

또한, 실온(23℃)에서 LED 소자를 48시간 점등한 후, 마찬가지로 휘도를 측정하고, 휘도의 경시 변화를 평가하였다. 단, 휘도의 평가는 실시예 45의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다.Additionally, after lighting the LED element at room temperature (23°C) for 48 hours, the luminance was similarly measured and the change in luminance over time was evaluated. However, the evaluation of luminance was performed using relative values using the initial luminance of Example 45 as 100, which is the standard.

<색 특성><Color characteristics>

시판 중인 백색 반사판 상에, 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을, 화소가 백색 반사판측에 배치되도록 설치하였다. 분광 측색계(CM-2600d, 코니카 미놀타사제, 측정 직경 φ8mm)를 사용하여 격벽 구비 기판의 하지 기판측으로부터 광을 조사하고, 정반사광이 들어간 스펙트럼을 측정하였다.On a commercially available white reflector, the substrates with partitions obtained in each Example and Comparative Example were installed so that pixels were arranged on the white reflector side. Light was irradiated from the base substrate side of the partition-equipped substrate using a spectroscopic colorimeter (CM-2600d, manufactured by Konica Minolta, measurement diameter ϕ8 mm), and the spectrum containing regular reflected light was measured.

자연계 색을 거의 재현할 수 있는 색 규격 BT.2020이 정하는 색 영역은, 색도도에 나타나는 스펙트럼 궤적 상의 적, 녹 및 청을 삼원색으로서 규정하고 있고, 적, 녹 및 청의 파장은 각각 630nm, 532nm 및 467nm에 상당한다. 얻어진 반사 스펙트럼의 470nm, 530nm 및 630nm의 3개의 파장의 반사율(R)로부터, 화소의 발광색에 대하여 이하의 기준에 의해 평가하였다.The color gamut defined by BT.2020, a color standard that can almost reproduce natural colors, defines red, green, and blue as the three primary colors on the spectral locus shown in the chromaticity diagram, and the wavelengths of red, green, and blue are 630 nm, 532 nm, and 630 nm, respectively. Equivalent to 467nm. From the reflectance (R) of the obtained reflection spectrum at three wavelengths of 470 nm, 530 nm, and 630 nm, the emission color of the pixel was evaluated according to the following criteria.

A: R530/(R630+R530+R470)≥0.55A: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )≥0.55

B: R530/(R630+R530+R470)<0.55.B: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )<0.55.

<표시 특성><Display characteristics>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판과 유기 EL 소자를 조합하여 제작한 표시 장치의 표시 특성을, 이하의 기준에 기초하여 평가하였다.The display characteristics of the display device produced by combining the organic EL element and the barrier-walled substrate obtained in each Example and Comparative Example were evaluated based on the following criteria.

A: 녹색 표시가 매우 색이 또렷하며, 선명하고 콘트라스트가 우수한 표시 장치이다.A: The green display has very clear colors and is a display device that is clear and has excellent contrast.

B: 색채에 약간 부자연스러움이 보이기는 하지만, 문제가 없는 표시 장치이다.B: Although the colors appear slightly unnatural, this is a display device with no problems.

<혼색><Color Mix>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분의 일부에 잉크젯법을 사용하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다. 그 후, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포한 영역의 인접 영역에 잉크젯법을 사용하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다.In the substrates with partitions obtained in each Example and Comparative Example before forming pixels, a color conversion light-emitting material composition (CL-2) is applied to a portion of the pixel portion surrounded by the grid-like partitions using an inkjet method, It was dried at 100°C for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0㎛. Thereafter, among the pixel portions surrounded by grid-like partitions, the color conversion light emitting material composition (CL-3) is applied to an area adjacent to the area to which the color conversion light emitting material composition (CL-2) has been applied using an inkjet method, and 100 It was dried at ℃ for 30 minutes to form a pixel with a thickness of 5.0㎛.

한편, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분과 동일한 폭을 갖는 청색 유기 EL 셀을 제작하고, 전술한 격벽 구비 기판과 청색 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합하여, 도 10에 도시하는 구성의 표시 장치를 얻었다.On the other hand, a blue organic EL cell having the same width as the pixel portion surrounded by lattice-like partitions was fabricated, the above-described barrier-equipped substrate and the blue organic EL cell were opposed to each other and bonded with a sealant, resulting in a display of the configuration shown in FIG. 10. Got the device.

도 10에 있어서의 청색 유기 EL 셀(11) 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소(3)(CL-2)의 바로 밑에 접합한 청색 유기 EL 셀만을 점등시킨 상태에서, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)로 형성된 화소(3)(CL-3) 부분에 대하여, 현미 분광 광도계 LVmicro-V(람다 비전(주)제)를 사용하여 파장 630nm에 있어서의 흡광 강도 A(630nm)를 측정하였다. 흡광 강도 A(630nm)의 값이 작을수록 혼색을 일으키기 어려움을 나타내고 있다. 하기의 판정 기준에 의해 혼색을 판정하였다.Among the blue organic EL cells 11 in FIG. 10, only the blue organic EL cell bonded immediately below the pixel 3 (CL-2) formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-2) is turned on, For the pixel 3 (CL-3) portion formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-3), the absorption intensity A at a wavelength of 630 nm was measured using a microspectrophotometer LVmicro-V (manufactured by Lambda Vision Co., Ltd.) (630nm) was measured. The smaller the value of light absorption intensity A (630 nm), the more difficult it is to cause color mixing. Color mixing was determined based on the following criteria.

A: A(630nm)<0.01A: A(630nm)<0.01

B: 0.01≤A(630nm)≤0.5B: 0.01≤A(630nm)≤0.5

C: 0.5<A(630nm).C: 0.5<A(630nm).

각 실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 6 내지 표 7에 나타낸다.The evaluation results of each Example and Comparative Example are shown in Tables 6 to 7.

1: 하지 기판
2: 격벽
3: 화소
3(CL-2): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소
3(CL-3): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)로 형성된 화소
4: 저굴절률층
5: 무기 보호층 I
6: 무기 보호층 II
7: 컬러 필터
8: 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층
9: 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층
10: 차광 격벽
11: 청색 유기 EL 셀
H: 격벽의 두께
L: 격벽의 폭
θ: 테이퍼 각도
1: not substrate
2: Bulkhead
3: Pixel
3 (CL-2): Pixel formed from color conversion light-emitting material composition (CL-2)
3 (CL-3): Pixel formed from color conversion light-emitting material composition (CL-3)
4: Low refractive index layer
5: Inorganic protective layer I
6: Inorganic protection layer II
7: Color filter
8: Inorganic protective layer III and/or yellow organic protective layer
9: Inorganic protective layer IV and/or yellow organic protective layer
10: Light-shading bulkhead
11: Blue organic EL cell
H: Thickness of bulkhead
L: Width of bulkhead
θ: Taper angle

Claims (12)

하지 기판 상에 (A-1) 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판이며, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이 수지와, 백색 안료와, 흑색 입자 또는 황색 입자를 함유하고, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20% 내지 60%, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 격벽 구비 기판.A barrier rib-equipped substrate having (A-1) patterned barrier ribs on an underlying substrate, wherein the patterned barrier ribs (A-1) contain a resin, a white pigment, and black particles or yellow particles, and at a wavelength of 550 nm. A substrate with a partition having a reflectance of 20% to 60% per 10 μm of thickness and an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm of thickness. 제1항에 있어서, 격벽(A-1) 중의 수지의 함유량이 10중량% 이상 60중량% 이하, 백색 안료의 함유량이 20중량% 이상 60중량% 이하, 흑색 입자 또는 황색 입자의 함유량이 0.2중량% 이상 5중량% 이하인, 격벽 구비 기판.The method according to claim 1, wherein the resin content in the partition (A-1) is 10% by weight or more and 60% by weight or less, the white pigment content is 20% by weight or more and 60% by weight or less, and the content of black particles or yellow particles is 0.2% by weight. A substrate with a partition wall containing not less than % but not more than 5% by weight. 제1항에 있어서, 상기 흑색 입자 또는 황색 입자가, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금 및 은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자인, 격벽 구비 기판.The particle according to claim 1, wherein the black particles or yellow particles contain at least one metal oxide or metal selected from the group consisting of palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold and silver. , a substrate with a partition wall. 제1항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이 추가로 발액 화합물을 함유하고, (A-1) 패턴 형성된 격벽 중의 발액 화합물의 함유량이 0.01중량% 내지 10중량%인, 격벽 구비 기판.The barrier rib-equipped substrate according to claim 1, wherein the patterned barrier ribs (A-1) further contain a liquid-repellent compound, and the content of the liquid-repellent compound in the patterned barrier ribs (A-1) is 0.01% to 10% by weight. . 제1항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽의, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 대한 표면 접촉각이 10°내지 70°인, 격벽 구비 기판.The substrate with a barrier rib according to claim 1, wherein the patterned barrier rib (A-1) has a surface contact angle with respect to propylene glycol monomethyl ether acetate of 10° to 70°. 제1항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 테이퍼 각도가 45°내지 110°인, 격벽 구비 기판.The substrate with a barrier rib according to claim 1, wherein the (A-1) patterned barrier rib has a taper angle of 45° to 110°. 제1항에 있어서, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 사이에, 추가로 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 차광 격벽을 갖는, 격벽 구비 기판.The substrate with a barrier rib according to claim 1, further comprising (A-2) a patterned light-shielding barrier having an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm of thickness between the base substrate and the patterned barrier rib (A-1). 제1항에 있어서, 추가로 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽에 의해 이격되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 격벽 구비 기판.The substrate with a barrier rib according to claim 1, further comprising pixels containing the color conversion light emitting material (B) arranged to be spaced apart by the barrier ribs formed in the pattern (A-1). 제8항에 있어서, 상기 색 변환 발광 재료가 양자 도트 및 피로메텐 유도체로부터 선택된 형광체를 함유하는, 격벽 구비 기판.The substrate with a barrier rib according to claim 8, wherein the color conversion luminescent material contains a phosphor selected from quantum dots and pyromethene derivatives. 제8항에 있어서, 상기 하지 기판과 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소의 사이에, 추가로 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터를 갖는 격벽 구비 기판.The substrate with a partition according to claim 8, further comprising a color filter with a thickness of 1 to 5 μm between the base substrate and the pixel containing the color conversion light emitting material (B). 제10항에 있어서, 상기 하지 기판 상, 또는 상기 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터와 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소층의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 격벽 구비 기판.11. The method of claim 10, further comprising an inorganic protective layer having a thickness of 50 to 1,000 nm on the base substrate or between the color filter having a thickness of 1 to 5 μm and the pixel layer containing the color conversion light emitting material (B); /or a barrier rib-equipped substrate having a yellow organic protective layer. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 격벽 구비 기판과, 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀로부터 선택된 발광 광원을 갖는 표시 장치.A display device comprising the barrier rib-equipped substrate according to any one of claims 1 to 11, and a light emission source selected from a liquid crystal cell, an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.
KR1020227011384A 2018-07-05 2019-06-26 Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto KR102624898B1 (en)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-128004 2018-07-05
JP2018128004 2018-07-05
JPJP-P-2019-043434 2019-03-11
JP2019043434 2019-03-11
KR1020217000149A KR102432033B1 (en) 2018-07-05 2019-06-26 Resin composition, light-shielding film, manufacturing method of light-shielding film, and substrate with barrier ribs
PCT/JP2019/025291 WO2020008969A1 (en) 2018-07-05 2019-06-26 Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217000149A Division KR102432033B1 (en) 2018-07-05 2019-06-26 Resin composition, light-shielding film, manufacturing method of light-shielding film, and substrate with barrier ribs

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220049046A KR20220049046A (en) 2022-04-20
KR102624898B1 true KR102624898B1 (en) 2024-01-16

Family

ID=69059606

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227011384A KR102624898B1 (en) 2018-07-05 2019-06-26 Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto
KR1020217000149A KR102432033B1 (en) 2018-07-05 2019-06-26 Resin composition, light-shielding film, manufacturing method of light-shielding film, and substrate with barrier ribs

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217000149A KR102432033B1 (en) 2018-07-05 2019-06-26 Resin composition, light-shielding film, manufacturing method of light-shielding film, and substrate with barrier ribs

Country Status (5)

Country Link
JP (3) JP6908116B2 (en)
KR (2) KR102624898B1 (en)
CN (2) CN115356873A (en)
TW (2) TWI783160B (en)
WO (1) WO2020008969A1 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11294284B2 (en) * 2018-07-17 2022-04-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and pattern forming process
KR102285669B1 (en) 2018-08-27 2021-08-04 동우 화인켐 주식회사 A color filter, a method of making thereof, and an image display device comprising thereof
CN110034166B (en) * 2019-03-26 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
JP2021110896A (en) * 2020-01-15 2021-08-02 太陽インキ製造株式会社 Display partition
JPWO2021162024A1 (en) * 2020-02-13 2021-08-19
KR20220149672A (en) * 2020-03-04 2022-11-08 에이지씨 가부시키가이샤 Positive photosensitive resin composition
CN111205646B (en) * 2020-03-20 2022-09-09 株洲时代华鑫新材料技术有限公司 Black matte polyimide film and preparation method thereof
CN115427514B (en) * 2020-03-30 2024-01-02 东丽株式会社 Resin composition, light-shielding film, and substrate with partition wall
JP2023520928A (en) * 2020-04-08 2023-05-22 イー インク カリフォルニア, エルエルシー quantum dot film
TW202244161A (en) * 2021-02-18 2022-11-16 日商三菱化學股份有限公司 Photosensitive colored composition, cured object, banks, organic electroluminescent element, and image display device
WO2022181350A1 (en) * 2021-02-24 2022-09-01 東レ株式会社 Photosensitive resin composition, cured object, layered product, display device, and method for producing display device
TWI779832B (en) * 2021-09-14 2022-10-01 立勇發科技股份有限公司 Backlight module and display device used in quantum dot display field
WO2023054046A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-06 東レ株式会社 Method for manufacturing cured-film-coated substrate, cured-film-coated substrate, and element comprising cured-film-coated substrate
CN114038984B (en) * 2021-12-02 2023-03-31 业成科技(成都)有限公司 Micro light emitting diode display and forming method thereof
JP2023169580A (en) * 2022-05-17 2023-11-30 Toppanホールディングス株式会社 Black matrix substrate and display device
WO2024042106A1 (en) 2022-08-26 2024-02-29 Merck Patent Gmbh Composition
WO2024042107A1 (en) 2022-08-26 2024-02-29 Merck Patent Gmbh Composition

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004295116A (en) 2003-03-10 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd Dye-containing hardening composition, color filter, and its manufacturing method
JP2011505589A (en) 2007-11-20 2011-02-24 イーストマン コダック カンパニー Method of using a colored mask in combination with selective area deposition
JP2014052606A (en) 2012-09-10 2014-03-20 Sharp Corp Phosphor substrate, light-emitting device, display device and luminaire

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000131683A (en) 1998-10-29 2000-05-12 Hitachi Ltd Color display device
JP2001051266A (en) * 1999-06-01 2001-02-23 Toray Ind Inc Color filter and liquid crystal display device
JP4352509B2 (en) 1999-06-07 2009-10-28 東レ株式会社 Photosensitive paste and display member manufacturing method
DE10015502A1 (en) * 2000-03-14 2001-09-27 Bosch Gmbh Robert Photostructurizable paste, for producing structurized resistance film or wiring trace on green ceramic substrate, contains platinum (compound) powder and optionally ceramic (precursor) as filler in light-sensitive organic binder
JP4639530B2 (en) 2000-06-01 2011-02-23 パナソニック株式会社 Photosensitive paste and plasma display
JP2002250803A (en) * 2001-02-23 2002-09-06 Sumitomo Chem Co Ltd Light scattering resin and liquid crystal display device using the same
JP2003177229A (en) * 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd Method for forming circuit board attached with color filter and circuit board attached with color filter
JP2004059683A (en) * 2002-07-26 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd Colored composition, inkjet recording ink, inkjet recording method, thermal recording material, color toner, color filter
JP4694157B2 (en) * 2004-06-28 2011-06-08 富士フイルム株式会社 Substrate with light-shielding image, method for producing light-shielding image, transfer material, color filter, and display device
JP4197177B2 (en) 2005-03-18 2008-12-17 東京応化工業株式会社 Photo-curable resin composition for forming black matrix, photosensitive film using the same, method for forming black matrix, black matrix and plasma display panel having the black matrix
JP2007206345A (en) * 2006-02-01 2007-08-16 Fujifilm Corp Color filter, method for manufacturing color filter, and display device
TWI396593B (en) * 2006-03-31 2013-05-21 Toray Industries Coating method, coating device and manufacturing method and manufacturing device for components of a display
JP4963951B2 (en) * 2006-05-24 2012-06-27 富士フイルム株式会社 Green photosensitive resin composition, photosensitive resin transfer material, color filter, and display device
TW200811249A (en) * 2006-06-02 2008-03-01 Fujifilm Corp Organic pigment nano-particle dispersion, its producing method, and ink-jet ink, colored photosensitive resin composition, photosensitive resin transcription material containing it, and color filter, liquid crystal display device, CCD device using it
JP5046731B2 (en) * 2007-04-26 2012-10-10 富士フイルム株式会社 Color filter, manufacturing method thereof, and display device
CN101349865B (en) * 2007-07-17 2012-10-03 富士胶片株式会社 Photosensitive compositions, curable compositions, color filters, and method for manufacturing the same
JP2009079121A (en) * 2007-09-26 2009-04-16 Fujifilm Corp Pigment dispersion composition, photocurable composition, color filter and method for producing color filter
CN101440236A (en) * 2007-11-22 2009-05-27 富士胶片株式会社 Print ink for ink jet, color filter, manufacturing method thereof, liquid display device using the color filter and image display element
JP2009204816A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Fujifilm Corp Colored curable composition, color filter and liquid crystal display
JP2009244383A (en) 2008-03-28 2009-10-22 Fujifilm Corp Liquid crystal display device
JP2010092785A (en) * 2008-10-10 2010-04-22 Toray Ind Inc Photosensitive paste, manufacturing method of plasma display member using the same, and plasma display
JP2010256887A (en) * 2009-03-31 2010-11-11 Fujifilm Corp Photosensitive color composition, color filter, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device
JP5498051B2 (en) * 2009-04-24 2014-05-21 新日鉄住金化学株式会社 Bulkhead and color filter
CN102428395A (en) * 2009-05-20 2012-04-25 旭硝子株式会社 Method For Manufacturing Optical Elements
JP5593662B2 (en) * 2009-09-29 2014-09-24 東レ株式会社 Photosensitive paste, insulating pattern forming method, and flat panel display manufacturing method
CN102859438B (en) * 2010-06-07 2016-06-08 日立化成株式会社 The formation method of the partition wall of photosensitive polymer combination, the photosensitive element that has used it, image display device, manufacture method and the image display device of image display device
JP5796432B2 (en) * 2010-09-22 2015-10-21 東レ株式会社 Molded body and electronic equipment
JP5472241B2 (en) * 2011-09-16 2014-04-16 信越化学工業株式会社 Method for producing cured thin film using photocurable silicone resin composition
JP5938895B2 (en) * 2011-12-26 2016-06-22 住友化学株式会社 Colored curable resin composition
JP2013196919A (en) * 2012-03-21 2013-09-30 Sony Corp Organic el display device, organic el display device manufacturing method, and color filter substrate
CN102707484B (en) * 2012-04-24 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 Semi-transmission and semi-reflection color-film substrate and manufacturing method thereof as well as liquid crystal display device
WO2014091811A1 (en) * 2012-12-11 2014-06-19 東レ株式会社 Heat-curable coloring composition, cured film, touch panel provided with said cured film, and method for producing touch panel using said heat-curable coloring composition
WO2014136738A1 (en) 2013-03-07 2014-09-12 東レ株式会社 Black matrix substrate
JP2015001654A (en) 2013-06-17 2015-01-05 東レ株式会社 Method for manufacturing laminate resin black matrix substrate
US9690197B2 (en) * 2013-07-25 2017-06-27 Toray Industries, Inc. Negative-type photosensitive white composition for touch panel, touch panel and touch panel production method
US9698204B2 (en) 2013-12-06 2017-07-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting substrate, photovoltaic cell, display device, lighting device, electronic device, organic light-emitting diode, and method of manufacturing light-emitting substrate
CN105807351B (en) * 2014-12-31 2019-03-19 上海仪电显示材料有限公司 Production method, colour filter and the liquid crystal display device of colour filter
JP6544634B2 (en) 2015-07-27 2019-07-17 大日本印刷株式会社 Color filter and display device
WO2017057281A1 (en) * 2015-09-30 2017-04-06 東レ株式会社 Negative photosensitive resin composition, cured film, element and display device each provided with cured film, and method for manufacturing display device
JP6713746B2 (en) * 2015-10-08 2020-06-24 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Photosensitive resin composition for light-shielding film having spacer function, light-shielding film, liquid crystal display device, method for producing photosensitive resin composition for light-shielding film having spacer function, method for producing light-shielding film, and production of liquid crystal display device Method
JP6700710B2 (en) * 2015-10-16 2020-05-27 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 Photosensitive resin composition for black column spacer, black column spacer, liquid crystal display device, method for producing photosensitive resin composition for black column spacer, method for producing black column spacer, and method for producing liquid crystal display device
KR102247840B1 (en) * 2016-03-18 2021-05-03 제이에스알 가부시끼가이샤 Substrate for display device, manufacturing method of the substrate for display device, and display device
US10889755B2 (en) * 2016-11-22 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, complex, laminated structure and display device, and electronic device including the same
CN106793732A (en) * 2017-01-03 2017-05-31 哈尔滨工业大学 Geometric center type infrared band dual band pass optical window electromagnetic armouring structure
JP7047642B2 (en) 2017-09-05 2022-04-05 Jsr株式会社 Photosensitive composition for partition wall formation, partition wall and display element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004295116A (en) 2003-03-10 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd Dye-containing hardening composition, color filter, and its manufacturing method
JP2011505589A (en) 2007-11-20 2011-02-24 イーストマン コダック カンパニー Method of using a colored mask in combination with selective area deposition
JP2014052606A (en) 2012-09-10 2014-03-20 Sharp Corp Phosphor substrate, light-emitting device, display device and luminaire

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022033154A (en) 2022-02-28
JP2021113977A (en) 2021-08-05
TWI783160B (en) 2022-11-11
CN112368611A (en) 2021-02-12
CN112368611B (en) 2022-11-22
KR102432033B1 (en) 2022-08-12
KR20220049046A (en) 2022-04-20
JP7044187B2 (en) 2022-03-30
CN115356873A (en) 2022-11-18
JPWO2020008969A1 (en) 2021-05-13
WO2020008969A1 (en) 2020-01-09
TWI816371B (en) 2023-09-21
KR20210029764A (en) 2021-03-16
TW202229443A (en) 2022-08-01
TW202006045A (en) 2020-02-01
JP7201062B2 (en) 2023-01-10
JP6908116B2 (en) 2021-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102624898B1 (en) Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, and substrate having partitioning wall attached thereto
KR102617582B1 (en) Negative photosensitive coloring composition, cured film, touch panel using the same
CN106415393B (en) Negative photosensitive resin composition, cured film obtained by curing the same, method for producing the same, optical device having the same, and back-illuminated CMOS image sensor
KR20140018319A (en) Negative photosensitive resin composition, cured film, partition wall, black matrix, method for producing partition wall, method for producing black matrix, color filter, and organic el element
JP2021161401A (en) Resin composition, light blocking film, method for producing light blocking film, and substrate with partition
JP2021005083A (en) Yellow color filter and substrate with the same
JP7115635B2 (en) Resin composition, light-shielding film, and substrate with partition
JP2021162860A (en) Negative type photosensitive coloring composition, cured film, method for producing cured film, substrate with partition wall, and image display device
KR20190067484A (en) Color conversion panel and manufacturing method thereof
JP2022150305A (en) Resin composition, ultraviolet absorption layer, and substrate with ultraviolet absorption layer
WO2023048016A1 (en) Resin composition, light-shielding film, and substrate with partitioning wall
WO2023157713A1 (en) Resin composition, light-blocking film, method for producing light-blocking film, substrate having partitioning wall attached thereto, and display device
JP2023031448A (en) Substrate with partition wall, wavelength conversion substrate and method of manufacturing wavelength conversion substrate, and display device
JP2023119574A (en) Resin composition, light-shielding film, method for manufacturing light-shielding film, substrate with partition wall and display device
KR20220137867A (en) Method for manufacturing wavelength conversion substrate, wavelength conversion substrate, and display
KR20230157944A (en) Organic EL display device
KR20200141325A (en) Color conversion panel

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant