KR20210029764A - Resin composition, light shielding film, manufacturing method of light shielding film, and substrate with partition walls - Google Patents

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KR20210029764A
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Abstract

수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물. 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도, 높은 반사율과 높은 차광성을 양립한 격벽을 형성하는 수지 조성물을 제공한다.A resin composition containing a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium, a photoinitiator or a quinonediazide compound, and a solvent. Even under heating conditions of 250°C or less, a resin composition for forming a partition wall in which high reflectance and high light-shielding properties are compatible is provided.

Description

수지 조성물, 차광막, 차광막의 제조 방법 및 격벽 구비 기판Resin composition, light shielding film, manufacturing method of light shielding film, and substrate with partition walls

본 발명은 수지 조성물과, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 차광막의 제조 방법, 및 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition, a light-shielding film formed of the resin composition, a method of manufacturing the light-shielding film, and a substrate with partition walls having a patterned partition wall.

화상 표시 장치의 일종인 액정 표시 장치는, 일반적으로 LED 등의 백색 광원과, 적색, 녹색 및 청색을 선택적으로 통과시키는 컬러 필터를 사용하여 컬러 표시를 행하고 있다. 그러나, 이러한 컬러 필터를 사용한 컬러 표시는 광 이용 효율이 나쁘고, 또한 색 재현성에 과제가 있었다.A liquid crystal display device, which is a kind of image display device, generally performs color display using a white light source such as an LED and a color filter that selectively passes red, green, and blue colors. However, color display using such a color filter has poor light utilization efficiency, and has a problem in color reproducibility.

그래서, 광 이용 효율을 높게 한 컬러 표시 장치로서, 파장 변환용 형광체를 포함하는 파장 변환부와, 편광 분리 수단과 편광 변환 수단을 구비한 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 예를 들어, 청색 광원과, 액정 소자와, 청색광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 형광체, 청색광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 형광체, 및 청색광을 산란시키는 광산란층을 갖는 파장 변환부를 포함하는 컬러 표시 장치가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).Therefore, as a color display device with high light utilization efficiency, a color display device including a wavelength conversion unit including a wavelength conversion phosphor, a polarization separation unit and a polarization conversion unit has been proposed (for example, Patent Document 1 Reference). For example, comprising a blue light source, a liquid crystal element, a phosphor excited by blue light to emit red fluorescence, a phosphor excited by blue light to emit green fluorescence, and a wavelength converter having a light scattering layer to scatter blue light A color display device has been proposed (see, for example, Patent Document 2).

그러나, 특허문헌 1, 2에 기재되는 바와 같은 색 변환 형광체를 포함하는 컬러 필터는, 형광이 모든 방향으로 발생하는 점에서, 광의 취출 효율이 낮고 휘도가 불충분하다. 특히, 4K, 8K로 일컬어지는 고정밀 표시 장치에 있어서는, 화소 사이즈가 작아지기 때문에, 휘도의 과제가 현저해지는 점에서 더 높은 휘도가 요구되고 있다.However, a color filter including a color conversion phosphor as described in Patent Documents 1 and 2 has low light extraction efficiency and insufficient luminance since fluorescence is generated in all directions. In particular, in high-precision display devices referred to as 4K and 8K, since the pixel size becomes small, the problem of luminance becomes remarkable, and thus higher luminance is required.

일본 특허 공개 제2000-131683호 공보Japanese Patent Publication No. 2000-131683 일본 특허 공개 제2009-244383호 공보Japanese Patent Publication No. 2009-244383 일본 특허 공개 제2000-347394호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2000-347394 일본 특허 공개 제2006-259421호 공보Japanese Patent Publication No. 2006-259421

표시 장치의 휘도를 향상시키기 위해서는, 색 변환 형광체를 이격시키는 격벽의 반사율을 높게 하는 것이 유효하다. 또한, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생하지 않기 위해서는, 격벽의 차광성을 높게 할 필요가 있다. 이상으로부터 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽 재료가 요구되고 있다.In order to improve the luminance of the display device, it is effective to increase the reflectance of the partition walls separating the color conversion phosphors. In addition, in order not to cause light mixing between adjacent pixels, it is necessary to increase the light-shielding property of the partition walls. From the above, there is a demand for a material for a partition wall in which a high reflectance and light shielding properties are compatible.

발명자들은 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 형성하기 위해, 우선, 고반사율의 백색 격벽 재료에 흑색 안료를 첨가한 재료를 사용하는 방법을 검토하였다. 그러나, 이 방법에서는 노광 시에 백색 안료와 흑색 안료에 의해 광이 흡수되어, 막의 저부까지 광이 도달하지 않아 패턴 가공성이 나쁘다고 하는 과제가 명확하게 되었다.In order to form a partition wall in which high reflectance and light-shielding properties are compatible, the inventors first studied a method of using a material obtained by adding a black pigment to a white partition wall material having a high reflectance. However, in this method, the problem of poor pattern processability has become apparent because light is absorbed by the white pigment and the black pigment during exposure, and the light does not reach the bottom of the film.

한편, 특허문헌 3, 4에 기재되어 있는 바와 같이, 특정 금속 화합물을 첨가함으로써, 패턴 형성 후의 소성에 의해 흑색화하는 기술이 제안되어 있다. 그러나, 이들 흑색화 기술은 400℃ 이상의 소성이 필요하며, 250℃ 이하의 가열로는 차광성이 향상되지 않는다고 하는 과제가 있었다.On the other hand, as described in Patent Documents 3 and 4, a technique of blackening by firing after pattern formation by adding a specific metal compound has been proposed. However, these blackening techniques require firing at 400° C. or higher, and there is a problem that the light-shielding property is not improved by heating at 250° C. or lower.

그래서, 본 발명은 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도, 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 형성 가능한 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a resin composition capable of forming a partition wall in which both high reflectance and light-shielding properties are compatible even under heating conditions of 250°C or less.

본 발명은 수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물이다.The present invention is a resin composition containing a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium, a photoinitiator or a quinonediazide compound, and a solvent.

본 발명의 수지 조성물은 제막 후에 패턴 노광하는 공정 시에는 광을 통과시키지만, 노광한 막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열한 후에 차광성이 높아지기 때문에, 250℃ 이하의 가열 조건에 있어서도 높은 반사율과 높은 차광성을 갖는 미세 후막 격벽 패턴의 형성이 가능하다.The resin composition of the present invention allows light to pass through the process of pattern exposure after film formation, but since the light-shielding property increases after heating the exposed film to a temperature of 120°C or more and 250°C or less, high reflectivity even under heating conditions of 250°C or less It is possible to form a fine thick-film partition wall pattern having a high light-shielding property.

도 1은 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 2는 패턴 형성된 격벽과 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 3은 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 4는 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 5는 저굴절률층 및 무기 보호층 II를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 6은 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 7은 컬러 필터와, 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 8은 컬러 필터와, 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 9는 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도이다.
도 10은 실시예에 있어서 혼색 평가에 사용한 표시 장치의 구성을 도시하는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing an aspect of a substrate with partition walls of the present invention having a patterned partition wall.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing an aspect of a substrate with partition walls of the present invention having a patterned partition wall and a pixel containing a color conversion light emitting material.
3 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a low refractive index layer.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer I.
5 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer II.
6 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a color filter.
7 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a color filter and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer.
Fig. 8 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a color filter and an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer.
9 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a light-shielding partition wall.
10 is a cross-sectional view showing a configuration of a display device used for color mixture evaluation in an example.

이하, 본 발명에 관한 수지 조성물, 수지 조성물로 형성되는 차광막, 차광막의 제조 방법, 및 격벽 구비 기판의 적합한 실시 형태를 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 목적이나 용도에 따라 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the resin composition according to the present invention, the light-shielding film formed from the resin composition, the method of manufacturing the light-shielding film, and the substrate with partition walls will be described in detail, but the present invention is not limited to the following embodiments, It can be implemented in various ways depending on the purpose.

본 발명의 수지 조성물은 색 변환 형광체를 이격시키는 격벽을 형성하기 위한 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 수지 조성물은 수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물(이하, 「유기 금속 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 것이 바람직하다.The resin composition of the present invention can be suitably used as a material for forming a partition wall separating the color conversion phosphor. The resin composition of the present invention comprises a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium (hereinafter sometimes referred to as an ``organometallic compound''), It is preferable to contain a photoinitiator or a quinone diazide compound and a solvent.

수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 수지의 함유량은, 열처리에 있어서의 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 20중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 내광성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물의 고형분 중에서 차지하는 수지의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 고형분이란, 수지 조성물에 포함되는 성분 중, 용매 등의 휘발성 성분을 제외한 전성분을 의미한다. 고형분의 양은, 수지 조성물을 가열하여 휘발성 성분을 증발시킨 잔분을 헤아림으로써 구할 수 있다.The resin has a function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The content of the resin occupied in the solid content of the resin composition is preferably 10% by weight or more, and more preferably 20% by weight or more, from the viewpoint of improving the crack resistance of the partition wall in heat treatment. On the other hand, from the viewpoint of improving light resistance, the content of the resin occupied in the solid content of the resin composition is preferably 60% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less. Here, the solid content means all components excluding volatile components such as a solvent among components contained in the resin composition. The amount of solid content can be calculated|required by heating a resin composition and counting the residue obtained by evaporating a volatile component.

수지로서는, 예를 들어 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조옥사졸 전구체, (메트)아크릴 폴리머 등을 들 수 있다. 여기서, (메트)아크릴 폴리머란, 메타크릴산에스테르 및/또는 아크릴산에스테르의 중합체를 의미한다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 투명성, 내열성 및 내광성이 우수한 점에서 폴리실록산이 바람직하다.Examples of the resin include polysiloxane, polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, and (meth)acrylic polymer. Here, the (meth)acrylic polymer means a polymer of methacrylic acid ester and/or acrylic acid ester. You may contain 2 or more types of these. Among these, polysiloxane is preferable from the viewpoint of excellent transparency, heat resistance and light resistance.

폴리실록산은 오르가노실란의 가수분해ㆍ탈수 축합물이다. 본 발명의 수지 조성물이 네가티브형 감광성을 갖는 경우, 폴리실록산은 적어도 하기 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 추가로 다른 반복 단위를 포함해도 된다. 일반식 (2)로 표시되는 2관능 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 가열에 의한 폴리실록산의 과잉 열중합(축합)을 억제하고, 격벽의 크랙 내성을 향상시킬 수 있다. 폴리실록산에 있어서의 전체 반복 단위 중, 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 10 내지 80몰% 함유하는 것이 바람직하다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 10몰% 이상 포함함으로써, 크랙 내성을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량은 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위를 80몰% 이하 포함함으로써, 중합 시에 폴리실록산의 분자량을 충분히 높여 도포성을 향상시킬 수 있다. 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량은 70몰% 이하가 보다 바람직하다.Polysiloxane is a hydrolysis/dehydration condensation product of organosilane. When the resin composition of the present invention has negative photosensitivity, it is preferable that the polysiloxane contains at least a repeating unit represented by the following general formula (2). In addition, other repeating units may be included. By including the repeating unit derived from the bifunctional alkoxysilane compound represented by the general formula (2), excessive thermal polymerization (condensation) of the polysiloxane by heating can be suppressed, and crack resistance of the partition wall can be improved. It is preferable to contain 10 to 80 mol% of the repeating unit represented by general formula (2) among all the repeating units in a polysiloxane. Crack resistance can be further improved by containing 10 mol% or more of the repeating units represented by general formula (2). The content of the repeating unit represented by the general formula (2) is more preferably 15 mol% or more, and still more preferably 20 mol% or more. On the other hand, by including 80 mol% or less of the repeating unit represented by the general formula (2), the molecular weight of the polysiloxane can be sufficiently increased during polymerization to improve the coating properties. The content of the repeating unit represented by General Formula (2) is more preferably 70 mol% or less.

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 일반식 (2) 중, R1 및 R2는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. R1 및 R2는 중합 시의 폴리실록산의 분자량 조정을 용이하게 하는 관점에서, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 및 탄소수 6 내지 12의 아릴기로부터 선택된 기가 바람직하다. 단, 알킬기 및 아릴기는, 그 수소의 적어도 일부가 라디칼 중합성기에 의해 치환되어 있어도 된다. 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 경화물 중에 있어서는, 라디칼 중합성기는 라디칼 중합되어 있어도 된다.In the general formula (2), R 1 and R 2 may be the same or different, respectively, and represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 1 and R 2 are preferably a group selected from a C 1 to C 6 alkyl group and a C 6 to C 12 aryl group from the viewpoint of facilitating the adjustment of the molecular weight of the polysiloxane during polymerization. However, in the alkyl group and the aryl group, at least a part of the hydrogen may be substituted with a radical polymerizable group. In this case, in the cured product of the negative photosensitive resin composition, the radical polymerizable group may be radically polymerized.

본 발명의 수지 조성물이 네가티브형 감광성을 갖는 경우, 폴리실록산은 추가로 하기 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위 및 하기 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위로부터 선택된 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 일반식 (3) 또는 일반식 (4)로 표시되는, 불소 함유 알콕시실란 화합물 유래의 반복 단위를 포함함으로써, 폴리실록산의 굴절률을 저감하고, 후술하는 백색 안료를 함유하는 경우에, 백색 안료와의 굴절률차를 확대하여 계면 반사를 보다 향상시켜, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위 및 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위로부터 선택된 반복 단위를 폴리실록산 중에 합계 20 내지 80몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위를 합계 20몰% 이상 포함함으로써, 후술하는 백색 안료를 함유하는 경우에, 폴리실록산과 백색 안료의 계면 반사를 보다 향상시켜, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량은, 40몰% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위를 합계 80몰% 이하 포함함으로써, 폴리실록산의 과도한 소수화를 억제하고, 조성물 중의 다른 성분과의 상용성을 향상시키고, 해상도를 향상시킬 수 있다. 일반식 (3)으로 표시되는 반복 단위와 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량은 70몰% 이하가 보다 바람직하다. 추가로 다른 반복 단위를 포함해도 된다.When the resin composition of the present invention has negative photosensitivity, it is preferable that the polysiloxane further contains a repeating unit selected from a repeating unit represented by the following general formula (3) and a repeating unit represented by the following general formula (4). . By including the repeating unit derived from the fluorine-containing alkoxysilane compound represented by the general formula (3) or (4), the refractive index of the polysiloxane is reduced, and when a white pigment described later is contained, the refractive index with the white pigment By expanding the difference, the interfacial reflection can be further improved, and the reflectance can be further improved. It is more preferable to contain a total of 20 to 80 mol% of a repeating unit selected from the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4) in the polysiloxane. By including 20 mol% or more in total of the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4), when the white pigment described later is contained, the interfacial reflection between the polysiloxane and the white pigment is further improved. By doing this, the reflectance can be improved more. The total content of the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4) is more preferably 40 mol% or more. On the other hand, by including a total of 80 mol% or less of the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4), excessive hydrophobicization of the polysiloxane is suppressed, and compatibility with other components in the composition is improved. And improve the resolution. The total content of the repeating unit represented by the general formula (3) and the repeating unit represented by the general formula (4) is more preferably 70 mol% or less. In addition, other repeating units may be included.

Figure pct00002
Figure pct00002

상기 일반식 (3) 및 (4) 중, R3은 수소의 전부 또는 일부가 불소로 치환된, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알케닐기, 아릴기 또는 아릴알킬기를 나타낸다. R4는 단결합, -O-, -CH2-CO-, -CO- 또는 -O-CO-를 나타낸다. R5는 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타낸다. R3은 폴리실록산의 굴절률을 보다 저감시키는 관점에서, 수소의 전부 또는 일부가 불소로 치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하다. 또한, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광경화물 중에 있어서는 알케닐기는 라디칼 중합되어 있어도 된다.In the general formulas (3) and (4), R 3 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group, an aryl group, or an arylalkyl group in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine. R 4 represents a single bond, -O-, -CH 2 -CO-, -CO-, or -O-CO-. R 5 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R 3 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine from the viewpoint of further reducing the refractive index of the polysiloxane. In addition, in the photocured product of the negative photosensitive resin composition, the alkenyl group may be radically polymerized.

상기 일반식 (2) 내지 (4)로 표시되는 반복 단위는, 각각 하기 일반식 (5) 내지 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물로부터 유래한다. 즉, 상기 일반식 (2) 내지 (4)로 표시되는 반복 단위를 포함하는 폴리실록산은, 하기 일반식 (5) 내지 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물을 포함하는 알콕시실란 화합물을 가수분해 및 중축합함으로써 얻을 수 있다. 추가로 다른 알콕시실란 화합물을 사용해도 된다.The repeating units represented by the general formulas (2) to (4) are derived from alkoxysilane compounds represented by the following general formulas (5) to (7), respectively. That is, the polysiloxane containing the repeating unit represented by the general formulas (2) to (4) is hydrolyzed and polycondensed by an alkoxysilane compound containing an alkoxysilane compound represented by the following general formulas (5) to (7). It can be obtained by combining. Further, other alkoxysilane compounds may be used.

Figure pct00003
Figure pct00003

상기 일반식 (5) 내지 (7) 중, R1 내지 R5는 각각 일반식 (2) 내지 (4)에 있어서의 R1 내지 R5와 동일한 기를 나타낸다. R6은 동일해도 되고 상이해도 되며, 탄소수 1 내지 20의 1가의 유기기를 나타내고, 탄소수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하다.The formula (5) to (7), R 1 to R 5 are the same and represents a group R 1 to R 5 in the formula (2) to (4), respectively. R 6 may be the same or different, represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable.

일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 에틸메틸디메톡시실란, 에틸메틸디메톡시실란, 메틸프로필디메톡시실란, 메틸프로필디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 시클로헥실메틸디메톡시실란, 시클로헥실메틸디에톡시실란, 비닐메틸디메톡시실란, 비닐메틸디에톡시실란, 알릴메틸디메톡시실란, 알릴메틸디에톡시실란, 스티릴메틸디메톡시실란, 스티릴메틸디에톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필메틸디에톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디메톡시실란, γ-아크릴로일프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸에틸디메톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 3-디메틸메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-디메틸메톡시실릴프로피온산, 3-디메틸에톡시실릴프로피온산, 3-디메틸메톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 5-디메틸메톡시실릴발레르산, 5-디메틸에톡시실릴발레르산, 3-디메틸메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-디메틸에톡시실릴프로필프탈산 무수물, 4-디메틸메톡시실릴부티르산, 4-디메틸에톡시실릴부티르산 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the alkoxysilane compound represented by the general formula (5) include dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, ethylmethyldimethoxysilane, ethylmethyldimethoxysilane, methylpropyldimethoxysilane, methylpropyldiethoxysilane, Diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, cyclohexylmethyldiethoxysilane, vinylmethyldimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, allylmethyldimethoxysilane, allylmethyldiethoxysilane, Styrylmethyldimethoxysilane, styrylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ-methacryloylpropylmethyldiethoxysilane, γ-acryloylpropylmethyldimethoxysilane, γ -Acryloylpropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethylmethyldimethoxysilane, 2 -(3,4-epoxycyclohexyl)ethylethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, 3-dimethylmethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3- Dimethylmethoxysilylpropionic acid, 3-dimethylethoxysilylpropionic acid, 3-dimethylmethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic anhydride, 5-dimethylmethoxysilyl Valeric acid, 5-dimethylethoxysilyl valeric acid, 3-dimethylmethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylmethoxysilylpropylphthalic anhydride, 3-dimethylethoxysilylpropylphthalic acid Anhydride, 4-dimethylmethoxysilylbutyric acid, 4-dimethylethoxysilylbutyric acid, and the like. You may use 2 or more types of these.

일반식 (6)으로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 퍼플루오로펜틸트리메톡시실란, 퍼플루오로펜틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸트리이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.As the alkoxysilane compound represented by the general formula (6), for example, trifluoropropyltrimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, perfluoropentyltrimethoxysilane, perfluoropentyltriethoxy Silane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, tridecafluorooctyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltripropoxysilane, tridecafluorooctyltriisopropoxysilane, heptadecafluorodecyl Trimethoxysilane, heptadecafluorodecyl triethoxysilane, etc. are mentioned. You may use 2 or more types of these.

일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물로서는 비스(트리플루오로메틸)디메톡시실란, 비스(트리플루오로프로필)디메톡시실란, 비스(트리플루오로프로필)디에톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. As the alkoxysilane compound represented by the general formula (7), bis(trifluoromethyl)dimethoxysilane, bis(trifluoropropyl)dimethoxysilane, bis(trifluoropropyl)diethoxysilane, trifluoropropylmethyl Dimethoxysilane, trifluoropropylmethyldiethoxysilane, trifluoropropylethyldimethoxysilane, trifluoropropylethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldimethoxysilane, and the like. You may use 2 or more types of these.

그 밖의 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 이소부틸트리메톡시실란, 이소부틸트리에톡시실란, 시클로헥실트리메톡시실란, 시클로헥실트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 등의 3관능 알콕시실란 화합물; 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 실리케이트 51(테트라에톡시실란 올리고머) 등의 4관능 알콕시실란 화합물; 트리메틸메톡시실란, 트리페닐메톡시실란 등의 단관능 알콕시실란 화합물; 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란, 3-에틸-3-{[3-(트리메톡시실릴)프로폭시]메틸}옥세탄, 3-에틸-3-{[3-(트리에톡시실릴)프로폭시]메틸}옥세탄 등의 에폭시기 또는 옥세탄기 함유 알콕시실란 화합물: 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 1-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 2-나프틸트리메톡시실란, 톨릴트리메톡시실란, 톨릴트리에톡시실란, 1-페닐에틸트리메톡시실란, 1-페닐에틸트리에톡시실란, 2-페닐에틸트리메톡시실란, 2-페닐에틸트리에톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필프탈산 무수물 등의 방향환 함유 알콕시실란 화합물; 스티릴트리메톡시실란, 스티릴트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-아크릴로일프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴로일프로필트리에톡시실란 등의 라디칼 중합성기 함유 알콕시실란 화합물; 3-트리메톡시실릴프로피온산, 3-트리에톡시실릴프로피온산, 4-트리메톡시실릴부티르산, 4-트리에톡시실릴부티르산, 5-트리메톡시실릴발레르산, 5-트리에톡시실릴발레르산, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리에톡시시실릴프로필숙신산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필시클로헥실디카르복실산 무수물, 3-트리메톡시실릴프로필프탈산 무수물, 3-트리에톡시실릴프로필프탈산 무수물 등의 카르복실기 함유 알콕시실란 화합물 등을 들 수 있다.Examples of other alkoxysilane compounds include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, propyltrimethoxysilane, propyltriethoxysilane, and isobutyltrimethylan. Oxysilane, isobutyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, Trifunctional alkoxysilane compounds such as 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, and 3-ureidopropyltriethoxysilane; Tetrafunctional alkoxysilane compounds such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and silicate 51 (tetraethoxysilane oligomer); Monofunctional alkoxysilane compounds such as trimethylmethoxysilane and triphenylmethoxysilane; 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl) Ethyltriethoxysilane, 3-ethyl-3-{[3-(trimethoxysilyl)propoxy]methyl}oxetane, 3-ethyl-3-{[3-(triethoxysilyl)propoxy]methyl } Epoxy groups such as oxetane or alkoxysilane compounds containing oxetane groups: phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 1-naphthyltrimethoxysilane, 2-naphthyltrimethoxysilane, and 2-naphthyltrimethoxysilane , 2-naphthyltrimethoxysilane, tolyltrimethoxysilane, tolyltriethoxysilane, 1-phenylethyltrimethoxysilane, 1-phenylethyltriethoxysilane, 2-phenylethyltrimethoxysilane, 2- Aromatic ring-containing alkoxysilane compounds such as phenylethyltriethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride, and 3-triethoxysilylpropylphthalic anhydride; Styryltrimethoxysilane, styryltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, γ-acryloylpropyltrimethoxysilane, γ -Alkoxysilane compounds containing radically polymerizable groups such as acryloylpropyltriethoxysilane, γ-methacryloylpropyltrimethoxysilane, and γ-methacryloylpropyltriethoxysilane; 3-trimethoxysilylpropionic acid, 3-triethoxysilylpropionic acid, 4-trimethoxysilylbutyric acid, 4-triethoxysilylbutyric acid, 5-trimethoxysilylvaleric acid, 5-triethoxysilylvaleric acid, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-triethoxysilylpropylsuccinic anhydride, 3-trimethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic anhydride, 3-triethoxysilylpropylcyclohexyldicarboxylic anhydride And carboxyl group-containing alkoxysilane compounds such as 3-trimethoxysilylpropylphthalic anhydride and 3-triethoxysilylpropylphthalic anhydride.

폴리실록산의 원료가 되는 알콕시실란 화합물 중에 있어서의, 일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 함유량은, 폴리실록산의 전체 반복 단위 중의 일반식 (2)로 표시되는 반복 단위의 함유량을 전술한 범위로 하는 관점에서, 10몰% 이상이 바람직하고, 15몰% 이상이 보다 바람직하고, 20몰% 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 일반식 (5)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 함유량은, 동일한 관점에서 80몰% 이하가 바람직하고, 70몰% 이하가 보다 바람직하다. 또한, 일반식 (6) 및 일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 합계 함유량에 대해서도, 일반식 (3) 및 일반식 (4)로 표시되는 반복 단위의 합계 함유량을 전술한 범위로 하는 관점에서, 20몰% 이상이 바람직하고, 40몰% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 일반식 (6) 및 일반식 (7)로 표시되는 알콕시실란 화합물의 합계 함유량은, 동일한 관점에서 80몰% 이하가 바람직하고, 70몰% 이하가 보다 바람직하다.The content of the alkoxysilane compound represented by the general formula (5) in the alkoxysilane compound used as the raw material of the polysiloxane is the content of the repeating unit represented by the general formula (2) in all repeating units of the polysiloxane within the above-described range. From the viewpoint of doing so, 10 mol% or more is preferable, 15 mol% or more is more preferable, and 20 mol% or more is still more preferable. On the other hand, the content of the alkoxysilane compound represented by the general formula (5) is preferably 80 mol% or less, and more preferably 70 mol% or less from the same viewpoint. In addition, with respect to the total content of the alkoxysilane compound represented by the general formula (6) and the general formula (7), the total content of the repeating unit represented by the general formula (3) and the general formula (4) is set as the above-described range. From a viewpoint, 20 mol% or more is preferable, and 40 mol% or more is more preferable. On the other hand, the total content of the alkoxysilane compound represented by the general formula (6) and the general formula (7) is preferably 80 mol% or less, and more preferably 70 mol% or less from the same viewpoint.

폴리실록산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 도포성의 관점에서 1,000 이상이 바람직하고, 2,000 이상이 보다 바람직하다. 한편, 현상성의 관점에서 폴리실록산의 Mw는 50,000 이하가 바람직하고, 20,000 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 본 발명에 있어서의 폴리실록산의 Mw란, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)로 측정되는 폴리스티렌 환산값을 말한다.From the viewpoint of coatability, the weight average molecular weight (Mw) of the polysiloxane is preferably 1,000 or more, and more preferably 2,000 or more. On the other hand, from the viewpoint of developability, Mw of the polysiloxane is preferably 50,000 or less, and more preferably 20,000 or less. Here, Mw of the polysiloxane in the present invention refers to a polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC).

폴리실록산은, 전술한 오르가노실란 화합물을 가수분해한 후, 해당 가수분해물을 용매의 존재 하 또는 무용매에서 탈수 축합 반응시킴으로써 얻을 수 있다.Polysiloxane can be obtained by hydrolyzing the organosilane compound described above, and then subjecting the hydrolyzate to dehydration and condensation reaction in the presence of a solvent or without a solvent.

가수분해에 있어서의 각종 조건은 반응 스케일, 반응 용기의 크기, 형상 등을 고려하여, 목적으로 하는 용도에 적합한 물성에 맞추어 설정할 수 있다. 각종 조건으로서는, 예를 들어 산 농도, 반응 온도, 반응 시간 등을 들 수 있다.Various conditions for hydrolysis can be set according to physical properties suitable for the intended use, taking into account the reaction scale, the size and shape of the reaction vessel, and the like. As various conditions, an acid concentration, reaction temperature, reaction time, etc. are mentioned, for example.

가수분해 반응에는 염산, 아세트산, 포름산, 질산, 옥살산, 염산, 황산, 인산, 폴리인산, 다가 카르복실산이나 그의 무수물, 이온 교환 수지 등의 산 촉매를 사용할 수 있다. 이들 중에서도 포름산, 아세트산 및 인산으로부터 선택된 산을 포함하는 산성 수용액이 바람직하다.In the hydrolysis reaction, an acid catalyst such as hydrochloric acid, acetic acid, formic acid, nitric acid, oxalic acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, polyhydric carboxylic acid, anhydride thereof, and ion exchange resin can be used. Among these, an acidic aqueous solution containing an acid selected from formic acid, acetic acid and phosphoric acid is preferable.

가수분해 반응에 산 촉매를 사용하는 경우, 산 촉매의 첨가량은 가수분해를 보다 빠르게 진행시키는 관점에서, 가수분해 반응에 사용되는 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 0.05중량부 이상이 바람직하고, 0.1중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 가수분해 반응의 진행을 적절하게 조정하는 관점에서, 산 촉매의 첨가량은, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 20중량부 이하가 바람직하고, 10중량부 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 전체 알콕시실란 화합물량이란, 알콕시실란 화합물, 그의 가수분해물 및 그의 축합물 전부를 포함하는 양을 말한다. 이하 동일하게 한다.When an acid catalyst is used for the hydrolysis reaction, the amount of the acid catalyst added is preferably 0.05 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound used in the hydrolysis reaction, from the viewpoint of promoting hydrolysis more rapidly. More preferably, it is more than one part by weight. On the other hand, from the viewpoint of appropriately adjusting the progress of the hydrolysis reaction, the amount of the acid catalyst added is preferably 20 parts by weight or less, and more preferably 10 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound. Here, the total amount of the alkoxysilane compound refers to the amount including all of the alkoxysilane compound, its hydrolyzate, and its condensate. It is the same as below.

가수분해 반응은 용매 중에서 행할 수 있다. 용매는 수지 조성물의 안정성, 습윤성, 휘발성 등을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.The hydrolysis reaction can be carried out in a solvent. The solvent can be appropriately selected in consideration of stability, wettability, volatility, and the like of the resin composition.

가수분해 반응에 의해 용매가 생성되는 경우에는, 무용매에서 가수분해를 행하는 것도 가능하다. 수지 조성물에 사용하는 경우에는, 가수분해 반응 종료 후에, 추가로 용매를 첨가함으로써 수지 조성물을 적절한 농도로 조정하는 것도 바람직하다. 또한, 가수분해 후에 가열 및/또는 감압 하에 의해 생성 알코올 등의 전량 혹은 일부를 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가하는 것도 가능하다.When a solvent is generated by a hydrolysis reaction, it is also possible to perform hydrolysis in a solvent-free. When using for a resin composition, it is also preferable to adjust the resin composition to an appropriate concentration by adding a solvent further after completion of the hydrolysis reaction. Further, it is also possible to distill out and remove all or a part of the produced alcohol or the like by heating and/or under reduced pressure after hydrolysis, and then adding a suitable solvent.

가수분해 반응에 용매를 사용하는 경우, 용매의 첨가량은, 겔의 생성을 억제하는 관점에서, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 50중량부 이상이 바람직하고, 80중량부 이상이 보다 바람직하다. 한편, 용매의 첨가량은, 가수분해를 보다 빠르게 진행시키는 관점에서, 전체 알콕시실란 화합물 100중량부에 대하여 500중량부 이하가 바람직하고, 200중량부 이하가 보다 바람직하다.In the case of using a solvent for the hydrolysis reaction, the amount of the solvent added is preferably 50 parts by weight or more, and more preferably 80 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound, from the viewpoint of suppressing gel formation. On the other hand, the addition amount of the solvent is preferably 500 parts by weight or less, and more preferably 200 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total alkoxysilane compound, from the viewpoint of accelerating the hydrolysis.

또한, 가수분해 반응에 사용하는 물로서는 이온 교환수가 바람직하다. 물의 양은 임의로 설정할 수 있지만, 전체 알콕시실란 화합물 1몰에 대하여 1.0 내지 4.0몰이 바람직하다.In addition, ion-exchanged water is preferable as water used in the hydrolysis reaction. Although the amount of water can be set arbitrarily, 1.0 to 4.0 mol is preferable with respect to 1 mol of all the alkoxysilane compounds.

탈수 축합 반응의 방법으로서는, 예를 들어 오르가노실란 화합물의 가수분해 반응에 의해 얻어진 실란올 화합물 용액을 그대로 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가열 온도는 50℃ 이상, 용매의 비점 이하가 바람직하고, 가열 시간은 1 내지 100시간이 바람직하다. 또한, 폴리실록산의 중합도를 높이기 위해 재가열 또는 염기 촉매의 첨가를 행해도 된다. 또한, 목적에 따라 탈수 축합 반응 후에, 생성 알코올 등의 적량을 가열 및/또는 감압 하에서 유출, 제거하고, 그 후 적합한 용매를 첨가해도 된다.As a method of the dehydration condensation reaction, a method of heating the silanol compound solution obtained by the hydrolysis reaction of an organosilane compound as it is, etc. are mentioned. The heating temperature is preferably 50° C. or higher and lower than the boiling point of the solvent, and the heating time is preferably 1 to 100 hours. Further, in order to increase the degree of polymerization of the polysiloxane, reheating or addition of a base catalyst may be performed. Further, depending on the purpose, after the dehydration and condensation reaction, an appropriate amount of the resulting alcohol or the like may be distilled off and removed under heating and/or reduced pressure, and then a suitable solvent may be added.

수지 조성물의 보존 안정성의 관점에서, 가수분해, 탈수 축합 후의 실록산 수지 용액에는 상기 촉매가 포함되지 않는 것이 바람직하며, 필요에 따라 촉매의 제거를 행할 수 있다. 촉매 제거 방법으로서는, 조작의 간편함과 제거성의 관점에서, 물 세정, 이온 교환 수지에 의한 처리 등이 바람직하다. 물 세정이란, 폴리실록산 용액을 적당한 소수성 용매로 희석하고, 물로 수회 세정한 후, 얻어진 유기층을 증발기 등으로 농축하는 방법이다. 이온 교환 수지에 의한 처리란, 폴리실록산 용액을 적당한 이온 교환 수지에 접촉시키는 방법이다.From the viewpoint of storage stability of the resin composition, it is preferable that the catalyst is not contained in the siloxane resin solution after hydrolysis and dehydration condensation, and the catalyst can be removed if necessary. As the catalyst removal method, water washing, treatment with an ion exchange resin, and the like are preferable from the viewpoints of simplicity of operation and removability. Water washing is a method of diluting a polysiloxane solution with an appropriate hydrophobic solvent, washing several times with water, and then concentrating the obtained organic layer with an evaporator or the like. Treatment with an ion exchange resin is a method of bringing a polysiloxane solution into contact with an appropriate ion exchange resin.

유기 금속 화합물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성 시에, 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서, 분해ㆍ응집함으로써 흑색 입자 또는 황색 입자가 되고, 후술하는 격벽(A-1)의 OD값을 향상시키는 기능을 갖는다. 노광 전에는 OD값이 낮고, 패턴 형성 후에 OD값이 상승하는 점에서, 노광 공정에 있어서는 노광한 광을 저부까지 충분히 투과시켜 광경화 또는 광분해시킬 수 있다. 예를 들어, 네가티브형 감광성을 갖는 수지 조성물의 경우, OD값이 높은 격벽(A-1)을 형성하기 위해, 미리 흑색 안료를 다량으로 함유하는 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부에 있어서의 광경화가 불충분해지기 쉽다. 그 결과, 얻어진 격벽(A-1)의 형상이 역테이퍼형이 되기 쉬운 경향이 있다. 전술한 유기 금속 화합물을 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 패턴 형성하면, 저부까지 충분히 광경화하는 점에서, 테이퍼 각도를 용이하게 후술의 바람직한 범위로 할 수 있다.The organometallic compound becomes black particles or yellow particles by decomposition and agglomeration in an exposure step and/or a heating step at the time of pattern formation of the partition wall (A-1) to be described later, and the partition wall (A-1) to be described later It has a function of improving the OD value. Since the OD value is low before exposure and the OD value rises after pattern formation, in the exposure step, the exposed light can be sufficiently transmitted to the bottom to be photocured or photodecomposed. For example, in the case of a resin composition having negative photosensitivity, in order to form a partition wall (A-1) having a high OD value, if a pattern is formed using a resin composition containing a large amount of black pigment in advance, Photocuring is liable to be insufficient. As a result, the shape of the obtained partition wall A-1 tends to become an inverted tapered shape. When patterning is formed using the resin composition of the present invention containing the above-described organometallic compound, the taper angle can be easily set to a preferable range described later from the viewpoint of sufficiently photocuring to the bottom.

유기 금속 화합물로서는, 예를 들어 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물; 클로로(트리페닐포스핀)금, 테트라클로로금산 4수화물 등의 금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)백금, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금, 디클로로비스(벤조니트릴)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디벤질리덴아세톤팔라듐 등의 팔라듐을 함유하는 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the organometallic compound include organometallic compounds containing silver such as silver neodecanoic acid, silver octylic acid, and silver salicylate; Organometallic compounds containing gold such as chloro (triphenylphosphine) gold and tetrachloroamic acid tetrahydrate; Organometallic compounds containing platinum such as bis(acetylacetonato)platinum, dichlorobis(triphenylphosphine)platinum, and dichlorobis(benzonitrile)platinum; Organometallic compounds containing palladium such as bis (acetylacetonato) palladium, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (benzonitrile) palladium, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, and dibenzylideneacetone palladium And the like. You may contain 2 or more types of these.

이들 중 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등의 은을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 흑색화하고, 그 후의 가열 공정에 있어서 추가로 분해ㆍ응집함으로써 황색화한다.Among these, if an organometallic compound containing silver, such as silver neodecanoic acid, silver octylic acid, or silver salicylate, is blackened by decomposition and agglomeration in the exposure step, it becomes yellow by further decomposition and agglomeration in the subsequent heating step. do.

한편, 비스(아세틸아세토나토)백금, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금, 디클로로비스(벤조니트릴)백금 등의 백금을 함유하는 유기 금속 화합물; 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디벤질리덴아세톤팔라듐 등의 팔라듐으로부터 선택된 유기 금속 화합물을 함유하면, 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 흑색화한다.On the other hand, organometallic compounds containing platinum, such as bis(acetylacetonato)platinum, dichlorobis(triphenylphosphine)platinum, and dichlorobis(benzonitrile)platinum; Organometallic compounds selected from palladium such as bis (acetylacetonato) palladium, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (benzonitrile) palladium, tetrakis (triphenylphosphine) palladium, dibenzylideneacetone palladium, etc. When contained, it is blackened by decomposition and agglomeration in the exposure process and/or the heating process.

이들 중에서도 OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 비스(아세틸아세토나토)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(벤조니트릴)팔라듐 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐으로부터 선택된 유기 금속 화합물이 바람직하다.Among these, from the viewpoint of further improving the OD value, an organic metal selected from bis (acetylacetonato) palladium, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (benzonitrile) palladium, and tetrakis (triphenylphosphine) palladium Compounds are preferred.

본 발명의 수지 조성물에 있어서, 고형분 중에서 차지하는 유기 금속 화합물의 함유량은 0.2 내지 5중량%가 바람직하다. 유기 금속 화합물의 함유량을 0.2중량% 이상으로 함으로써, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 유기 금속 화합물의 함유량은 1.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 유기 금속 화합물의 함유량을 5중량% 이하로 함으로써, 반사율을 보다 향상시킬 수 있다.In the resin composition of the present invention, the content of the organometallic compound in the solid content is preferably 0.2 to 5% by weight. By making the content of the organometallic compound into 0.2% by weight or more, the OD value of the obtained partition wall can be further improved. The content of the organometallic compound is more preferably 1.5% by weight or more. On the other hand, by making the content of the organometallic compound 5% by weight or less, the reflectance can be further improved.

본 발명의 수지 조성물은, 후술하는 격벽(A-1)의 패턴 형성에 사용되는 경우, 네가티브형 또는 포지티브형의 감광성을 갖는 것이 바람직하다. 네가티브형 감광성을 부여하는 경우에는 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하며, 고정밀의 패턴 형상의 격벽을 형성할 수 있다. 네가티브형 감광성 수지 조성물은, 추가로 광중합성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 한편, 포지티브형 감광성을 부여하는 경우에는 퀴논디아지드 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.When the resin composition of the present invention is used for pattern formation of the partition wall (A-1) to be described later, it is preferable to have negative or positive photosensitivity. In the case of imparting negative photosensitivity, it is preferable to contain a photoinitiator, and a high-precision pattern-shaped partition wall can be formed. It is preferable that the negative photosensitive resin composition further contains a photopolymerizable compound. On the other hand, in the case of imparting positive photosensitivity, it is preferable to contain a quinone diazide compound.

광중합 개시제는 광(자외선, 전자선을 포함함)의 조사에 의해 분해 및/또는 반응하여, 라디칼을 발생시키는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 예를 들어, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 등의 α-아미노알킬페논 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-(2,4,4-트리메틸펜틸)-포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1-페닐-1,2-부타디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1,3-디페닐프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질케탈 화합물; 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실-페닐케톤 등의 α-히드록시케톤 화합물; 벤조페논, 4,4-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-페닐벤조페논, 4,4-디클로로벤조페논, 히드록시벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸-디페닐술파이드, 알킬화 벤조페논, 3,3',4,4'-테트라(t-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 등의 벤조페논 화합물; 2,2-디에톡시아세토페논, 2,3-디에톡시아세토페논, 4-t-부틸디클로로아세토페논, 벤잘아세토페논, 4-아지드벤잘아세토페논 등의 아세토페논 화합물; 2-페닐-2-옥시아세트산메틸 등의 방향족 케토에스테르 화합물; 4-디메틸아미노벤조산에틸, 4-디메틸아미노벤조산(2-에틸)헥실, 4-디에틸아미노벤조산에틸, 2-벤조일벤조산메틸 등의 벤조산에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.The photoinitiator may be any one that decomposes and/or reacts by irradiation with light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate radicals. For example, 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholine Α-aminoalkylphenone compounds such as -4-yl-phenyl)-butan-1-one and 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1; 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl )-Acylphosphine oxide compounds such as phosphine oxide; 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, 1,2-octanedione-1-[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], 1-phenyl-1,2-butadione-2-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, ethanone-1- Oxime ester compounds such as [9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime); Benzyl ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4-(2-hydroxye Α-hydroxyketone compounds such as oxy)phenyl-(2-hydroxy-2-propyl)ketone and 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone; Benzophenone, 4,4-bis(dimethylamino)benzophenone, 4,4-bis(diethylamino)benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, hydroxy Benzophenone compounds such as benzophenone, 4-benzoyl-4'-methyl-diphenyl sulfide, alkylated benzophenone, and 3,3',4,4'-tetra(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone; Acetophenone compounds such as 2,2-diethoxyacetophenone, 2,3-diethoxyacetophenone, 4-t-butyldichloroacetophenone, benzalacetophenone, and 4-azidebenzalacetophenone; Aromatic ketoester compounds such as 2-phenyl-2-oxymethyl acetate; Benzoic acid ester compounds such as ethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylaminobenzoic acid (2-ethyl)hexyl, ethyl 4-diethylaminobenzoate, and methyl 2-benzoylbenzoate. You may contain 2 or more types of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중 0.01중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 잔류한 광중합 개시제의 용출 등을 억제하고, 황변을 보다 향상시키는 관점에서, 광중합 개시제의 함유량은 고형분 중 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the photoinitiator in the resin composition of the present invention is preferably 0.01% by weight or more, and more preferably 1% by weight or more in the solid content, from the viewpoint of effectively promoting radical curing. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the elution of the remaining photopolymerization initiator and further improving yellowing, the content of the photopolymerization initiator is preferably 20% by weight or less, and more preferably 10% by weight or less in the solid content.

본 발명에 있어서의 광중합성 화합물이란, 분자 중에 2개 이상의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 말한다. 라디칼 중합성의 용이성을 생각하면, 광중합성 화합물은 (메트)아크릴기를 갖는 것이 바람직하다.The photopolymerizable compound in the present invention refers to a compound having two or more ethylenically unsaturated double bonds in a molecule. Considering the easiness of radical polymerization, it is preferable that the photopolymerizable compound has a (meth)acrylic group.

광중합성 화합물로서는, 예를 들어 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판디메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 1,3-부탄디올디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 1,10-데칸디올디메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나아크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카아크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨운데카아크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨도데카아크릴레이트, 트리펜타에리트리톨헵타메타크릴레이트, 트리펜타에리트리톨옥타메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨노나메타크릴레이트, 테트라펜타에리트리톨데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨운데카메타크릴레이트, 펜타펜타에리트리톨도데카메타크릴레이트, 디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.As a photopolymerizable compound, for example, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate Acrylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, 1,3-butanediol dimethacryl Rate, neopentyl glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1 ,10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, Dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tripentaerythritol heptaacrylate, tripentaerythritol octaacrylate, tetrapentaerythritol octaacrylate, tetrapentaerythritol decaacrylate, pentapenta Erythritol undecaacrylate, pentapentaerythritol dodecaacrylate, tripentaerythritolheptamethacrylate, tripentaerythritol octamethacrylate, tetrapentaerythritol nonamethacrylate, tetrapentaerythritol decamethacrylate Rate, pentapentaerythritol undecamethacrylate, pentapentaerythritol dodecamethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, and the like. You may contain 2 or more types of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광중합성 화합물의 함유량은, 라디칼 경화를 효과적으로 진행시키는 관점에서, 고형분 중 1중량% 이상이 바람직하다. 한편, 라디칼의 과잉 반응을 억제하고 해상도를 향상시키는 관점에서, 광중합성 화합물의 함유량은 고형분 중 40중량% 이하가 바람직하다.The content of the photopolymerizable compound in the resin composition of the present invention is preferably 1% by weight or more in the solid content from the viewpoint of effectively advancing radical curing. On the other hand, from the viewpoint of suppressing excessive reaction of radicals and improving resolution, the content of the photopolymerizable compound is preferably 40% by weight or less in the solid content.

퀴논디아지드 화합물로서는, 페놀성 수산기를 갖는 화합물에 나프토퀴논디아지드의 술폰산이 에스테르로 결합한 화합물이 바람직하다. 여기서 사용되는 페놀성 수산기를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 BIs-Z, TekP-4HBPA(테트라키스 P-DO-BPA), TrIsP-HAP, TrIsP-PA, BIsRS-2P, BIsRS-3P(이상, 상품명, 혼슈 가가쿠 고교(주)제), BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-F(이상, 상품명, 아사히 유키자이 고교(주)제), 4,4'-술포닐디페놀, BPFL(상품명, JFE 케미컬(주)제) 등을 들 수 있다. 퀴논디아지드 화합물로서는, 이들 페놀성 수산기를 갖는 화합물에 4-나프토퀴논디아지드술폰산 또는 5-나프토퀴논디아지드술폰산을 에스테르 결합으로 도입한 것이 바람직하며, 예를 들어 THP-17, TDF-517(상품명, 도요 고세 고교(주)제), SBF-525(상품명, AZ 일렉트로닉 머티리얼즈(주)제) 등을 들 수 있다.As the quinone diazide compound, a compound in which a sulfonic acid of naphthoquinone diazide is bonded to a compound having a phenolic hydroxyl group by an ester is preferable. As a compound having a phenolic hydroxyl group used herein, for example, BIs-Z, TekP-4HBPA (Tetrakis P-DO-BPA), TrIsP-HAP, TrIsP-PA, BIsRS-2P, BIsRS-3P (above, brand name , Honshu Chemical Industry Co., Ltd. product), BIR-PC, BIR-PTBP, BIR-BIPC-F (above, brand name, Asahi Yukizai Co., Ltd. product), 4,4'-sulfonyldiphenol, BPFL ( A brand name, JFE Chemical Co., Ltd. product), etc. are mentioned. As the quinone diazide compound, it is preferable that 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid or 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid is introduced through an ester bond to these compounds having a phenolic hydroxyl group. For example, THP-17, TDF- 517 (brand name, Toyo Kose High School Co., Ltd. product), SBF-525 (brand name, AZ Electronic Materials Co., Ltd. product), etc. are mentioned.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 퀴논디아지드 화합물의 함유량은, 감도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중 0.5중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 퀴논디아지드 화합물의 함유량은, 해상도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중 25중량% 이하가 바람직하고, 20중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the sensitivity, the content of the quinone diazide compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.5% by weight or more and more preferably 1% by weight or more in the solid content. On the other hand, from the viewpoint of improving the resolution, the content of the quinone diazide compound is preferably 25% by weight or less, and more preferably 20% by weight or less in the solid content.

용매는, 수지 조성물의 점도를 도포에 적합한 범위로 조정하고, 격벽의 균일성을 향상시키는 기능을 갖는다. 용매로서는, 대기압 하의 비점이 150℃ 초과 250℃ 이하인 용매와, 150℃ 이하인 용매를 조합하는 것이 바람직하다.The solvent has a function of adjusting the viscosity of the resin composition to a range suitable for application and improving the uniformity of the partition wall. As the solvent, it is preferable to combine a solvent having a boiling point of more than 150°C and not more than 250°C and a solvent having a temperature of 150°C or less under atmospheric pressure.

용매로서는, 예를 들어 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 에테르류; 메틸에틸케톤, 아세틸아세톤, 메틸프로필케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디이소부틸케톤, 시클로펜타논 등의 케톤류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등의 아미드류; 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산부틸 등의 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌, 헥산, 시클로헥산 등의 방향족 혹은 지방족 탄화수소, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 도포성의 관점에서, 대기압 하의 비점이 150℃ 초과 250℃ 이하인 용매로서 디아세톤알코올과, 150℃ 이하인 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 조합하는 것이 바람직하다.Examples of the solvent include alcohols such as ethanol, propanol, isopropanol, and diacetone alcohol; Glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; Ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether; Ketones such as methyl ethyl ketone, acetyl acetone, methyl propyl ketone, methyl butyl ketone, methyl isobutyl ketone, diisobutyl ketone, and cyclopentanone; Amides such as dimethylformamide and dimethylacetamide; Ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate And acetates such as butyl lactate; Aromatic or aliphatic hydrocarbons such as toluene, xylene, hexane, and cyclohexane, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, and dimethyl sulfoxide. You may contain 2 or more types of these. Among these, from the viewpoint of coating properties, it is preferable to combine diacetone alcohol as a solvent having a boiling point of more than 150°C and not more than 250°C under atmospheric pressure and propylene glycol monomethyl ether as a solvent having a temperature of 150°C or less.

용매의 함유량은 도포 방법 등에 따라 임의로 설정할 수 있다. 예를 들어, 스핀 코팅에 의해 막 형성을 행하는 경우에는, 용매의 함유량은 수지 조성물 중 50중량% 이상 95중량% 이하로 하는 것이 일반적이다.The content of the solvent can be arbitrarily set depending on the application method or the like. For example, in the case of forming a film by spin coating, the content of the solvent is generally 50% by weight or more and 95% by weight or less in the resin composition.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 인 원자를 갖는 배위성 화합물(이하, 「배위성 화합물」이라고 기재하는 경우가 있음)을 함유하는 것이 바람직하다. 배위성 화합물은 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물에 배위하여, 유기 금속 화합물의 용매에 대한 용해성을 향상시켜 유기 금속 화합물의 분해를 촉진하고, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다. 배위성 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리-t-부틸포스핀, 트리메틸포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 테트라플루오로 붕산트리-t-부틸포스핀, 트리(2-푸릴)포스핀, 트리스(1-아다만틸)포스핀, 트리스(디에틸아미노)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(O-톨릴)포스핀 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 배위성 화합물의 함유량은, 유기 금속 화합물에 대하여 0.5 내지 3.0몰 당량이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of the present invention further contains a coordinating compound having a phosphorus atom (hereinafter, it may be described as a "coordinating compound"). The coordinating compound is coordinated with the organometallic compound in the resin composition to improve the solubility of the organometallic compound in a solvent, thereby promoting decomposition of the organometallic compound, and further improving the OD value of the resulting partition wall. As a coordination compound, for example, triphenylphosphine, tri-t-butylphosphine, trimethylphosphine, tricyclohexylphosphine, tetrafluoroborate tri-t-butylphosphine, tri(2-furyl)phosphine Pin, tris(1-adamantyl)phosphine, tris(diethylamino)phosphine, tris(4-methoxyphenyl)phosphine, tris(O-tolyl)phosphine, and the like. You may contain 2 or more types of these. The content of the coordination compound in the resin composition of the present invention is preferably 0.5 to 3.0 molar equivalents based on the organometallic compound.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 백색 안료 및/또는 흑색 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 백색 안료는 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 흑색 안료는 OD값을 조정하는 기능을 갖는다.It is preferable that the resin composition of this invention further contains a white pigment and/or a black pigment. The white pigment has a function of further improving the reflectance of the partition wall. The black pigment has a function of adjusting the OD value.

백색 안료로서는, 예를 들어 이산화티타늄, 산화지르코늄, 산화아연, 황산바륨, 이들의 복합 화합물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 반사율이 높고 공업적 이용이 용이한 이산화티타늄이 바람직하다.Examples of the white pigment include titanium dioxide, zirconium oxide, zinc oxide, barium sulfate, and complex compounds thereof. You may contain 2 or more types of these. Among these, titanium dioxide having high reflectivity and easy industrial use is preferred.

이산화티타늄의 결정 구조는 아나타아제형, 루틸형 및 브루카이트형으로 분류된다. 이들 중에서도 광촉매 활성이 낮은 점에서 루틸형 산화티타늄이 바람직하다.The crystal structure of titanium dioxide is classified into anatase type, rutile type and bruchite type. Among these, rutile-type titanium oxide is preferred because of its low photocatalytic activity.

백색 안료에는 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. Al, Si 및 Zr로부터 선택된 금속에 의한 표면 처리가 바람직하며, 형성한 격벽의 내광성 및 내열성을 향상시킬 수 있다.The white pigment may be subjected to surface treatment. Surface treatment with a metal selected from Al, Si and Zr is preferable, and light resistance and heat resistance of the formed partition wall can be improved.

백색 안료의 메디안 직경은, 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 관점에서 100 내지 500nm가 바람직하다. 여기서, 백색 안료의 메디안 직경은 입도 분포 측정 장치(N4-PLUS; 베크만ㆍ콜터(주)제) 등을 사용하여 레이저 회절법에 의해 측정된 입도 분포로부터 산출할 수 있다.The median diameter of the white pigment is preferably 100 to 500 nm from the viewpoint of further improving the reflectance of the partition wall. Here, the median diameter of the white pigment can be calculated from the particle size distribution measured by a laser diffraction method using a particle size distribution measuring device (N4-PLUS; manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd.) or the like.

백색 안료로서 바람직하게 사용되는 이산화티타늄 안료로서는, 예를 들어 R960; 듀퐁(주)제(루틸형, SiO2/Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 210nm), CR-97; 이시하라 산교(주)제(루틸형, Al2O3/ZrO2 처리, 평균 1차 입자경 250nm), JR-301; 테이카(주)제(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 300nm), JR-405; 테이카(주)제(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 210nm), JR-600A; 테이카(주)(루틸형, Al2O3 처리, 평균 1차 입자경 250nm), JR-603; 테이카(주)(루틸형, Al2O3/ZrO2 처리, 평균 1차 입자경 280nm) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of titanium dioxide pigments preferably used as white pigments include R960; DuPont Corporation (rutile type, SiO 2 /Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter 210 nm), CR-97; Ishihara Sangyo Co., Ltd. product (rutile type, Al 2 O 3 /ZrO 2 treatment, average primary particle diameter 250 nm), JR-301; Teika Corporation (rutile type, Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter 300 nm), JR-405; Teika Corporation (rutile type, Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter 210 nm), JR-600A; Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 treatment, average primary particle diameter 250 nm), JR-603; Teika Co., Ltd. (rutile type, Al 2 O 3 /ZrO 2 treatment, average primary particle diameter 280 nm), etc. are mentioned. You may contain 2 or more types of these.

수지 조성물에 있어서의 백색 안료의 함유량은, 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 20중량% 이상이 바람직하고, 30중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 평활성을 향상시키는 관점에서, 백색 안료의 함유량은 고형분 중의 60중량% 이하가 바람직하고, 55중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of further improving the reflectance, the content of the white pigment in the resin composition is preferably 20% by weight or more in the solid content, and more preferably 30% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of improving the surface smoothness of the partition wall, the content of the white pigment is preferably 60% by weight or less in the solid content, and more preferably 55% by weight or less.

흑색 안료로서는, 예를 들어 흑색 유기 안료, 혼색 유기 안료, 흑색 무기 안료 등을 들 수 있다.As a black pigment, a black organic pigment, a mixed color organic pigment, a black inorganic pigment, etc. are mentioned, for example.

흑색 유기 안료로서는, 예를 들어 카본 블랙, 페릴렌 블랙, 아닐린 블랙, 벤조푸라논계 안료 등을 들 수 있다. 이들은 수지로 피복되어 있어도 된다.Examples of the black organic pigment include carbon black, perylene black, aniline black, and benzofuranone pigments. These may be coated with resin.

혼색 유기 안료로서는, 예를 들어 적, 청, 녹, 보라, 황색, 마젠타 및 시안 등으로부터 선택된 2종 이상의 안료를 혼합하여 의사 흑색화한 것을 들 수 있다. 이들 중에서도 적절하게 높은 OD값과 패턴 가공성을 양립하는 관점에서, 적색 안료와 청색 안료의 혼합 안료가 바람직하다. 혼합 안료에 있어서의 적색 안료와 청색 안료의 중량비는 20/80 내지 80/20이 바람직하고, 30/70 내지 70/30이 보다 바람직하다. 대표적인 안료의 구체예를 컬러 인덱스(CI) 넘버로 나타내면, 다음과 같은 것을 들 수 있다. 적색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 레드(이하 PR이라고 약칭함) 9, PR48, PR97, PR122, PR123, PR144, PR149, PR166, PR168, PR177, PR179, PR180, PR192, PR209, PR215, PR216, PR217, PR220, PR223, PR224, PR226, PR227, PR228, PR240, PR254 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 청색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 블루(이하 PB라고 약칭함) 15, PB15:3, PB15:4, PB15:6, PB22, PB60, PB64 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the mixed color organic pigments include those obtained by mixing two or more kinds of pigments selected from red, blue, green, violet, yellow, magenta, cyan, and the like to make them pseudo black. Among these, a mixed pigment of a red pigment and a blue pigment is preferable from the viewpoint of achieving both an appropriately high OD value and pattern processability. 20/80 to 80/20 are preferable and, as for the weight ratio of a red pigment and a blue pigment in a mixed pigment, 30/70 to 70/30 are more preferable. When a specific example of a typical pigment is represented by a color index (CI) number, the following are mentioned. As a red pigment, for example, Pigment Red (hereinafter abbreviated as PR) 9, PR48, PR97, PR122, PR123, PR144, PR149, PR166, PR168, PR177, PR179, PR180, PR192, PR209, PR215, PR216, PR217 , PR220, PR223, PR224, PR226, PR227, PR228, PR240, PR254, and the like. You may contain 2 or more types of these. Examples of the blue pigment include Pigment Blue (hereinafter abbreviated as PB) 15, PB15:3, PB15:4, PB15:6, PB22, PB60, PB64, and the like. You may contain 2 or more types of these.

흑색 무기 안료로서는, 예를 들어 그래파이트; 티타늄, 구리, 철, 망간, 코발트, 크롬, 니켈, 아연, 칼슘, 은, 금, 백금, 팔라듐 등의 금속의 미립자; 금속 산화물; 금속 복합 산화물; 금속 황화물; 금속 질화물; 금속 산질화물; 금속 탄화물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of the black inorganic pigment include graphite; Fine particles of metals such as titanium, copper, iron, manganese, cobalt, chromium, nickel, zinc, calcium, silver, gold, platinum, and palladium; Metal oxides; Metal complex oxide; Metal sulfide; Metal nitride; Metal oxynitrides; And metal carbides. You may contain 2 or more types of these.

이상의 흑색 안료 중에서도 높은 차광성을 갖는 점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료로부터 선택된 안료가 바람직하다. 또한, 격벽(A-1)의 테이퍼 각도를 후술의 바람직한 범위로 조정하기 쉬운 관점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료로부터 선택된 안료가 보다 바람직하다.Among the above black pigments, a pigment selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, and a mixed pigment having a weight ratio of 20/80 to 80/20 of a red pigment and a blue pigment is preferable from the viewpoint of having a high light-shielding property. In addition, from the viewpoint of easy adjustment of the taper angle of the partition wall (A-1) to a preferable range described below, a pigment selected from titanium nitride, zirconium nitride, and a mixed pigment having a weight ratio of 20/80 to 80/20 of a red pigment and a blue pigment Is more preferable.

수지 조성물에 있어서의 흑색 안료의 함유량은, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하여 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하는 관점에서, 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.05중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하는 관점에서, 흑색 안료의 함유량은 고형분 중의 5중량% 이하가 바람직하고, 3중량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the black pigment in the resin composition is preferably 0.01% by weight or more in the solid content, and 0.05% by weight or more, from the viewpoint of further suppressing the color mixing of light in adjacent pixels by adjusting the reflectance and OD in the above-described ranges. It is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of adjusting the reflectance and OD to the above-described range, the content of the black pigment is preferably 5% by weight or less in the solid content, and more preferably 3% by weight or less.

본 발명의 수지 조성물은, 추가로 광염기 발생제를 함유하는 것이 바람직하다. 광염기 발생제를 함유함으로써, 노광 공정에 있어서 염기를 발생시켜, 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물의 분해ㆍ응집을 촉진하는 점에서, 유기 금속 화합물을 보다 효율적으로 흑색 입자 또는 황색 입자로 변환하고, 얻어지는 격벽의 OD값을 보다 향상시킬 수 있다.It is preferable that the resin composition of this invention further contains a photobase generator. By containing a photobase generator, since it generates a base in the exposure process and promotes decomposition and aggregation of the organometallic compound in the resin composition, the organometallic compound is more efficiently converted into black particles or yellow particles, and is obtained. The OD value of the partition wall can be further improved.

광염기 발생제는 광(자외선, 전자선을 포함함)의 조사에 의해 분해 및/또는 반응하여, 염기를 발생시키는 것이면 어떠한 것이어도 된다. 예를 들어, 2-(9-옥소크산텐-2-일)프로피온산 1,5,7-트리아자시클로[4,4,0]데크-5-엔, N-시클로헥실카르밤산1-(안트라퀴논-2-일)에틸, N,N-디에틸카르밤산9-안트릴메틸, N-시클로헥실카르밤산9-안트릴메틸, 1-카르복실산9-안트릴메틸피페리딘, N,N-디시클로헥실카르밤산9-안트릴메틸, N,N-디시클로헥실카르밤산1-(안트라퀴논-2-일)에틸, 프로피온산시클로헥실암모늄2-(3-벤조일페닐), 부틸트리페닐보론산1,2-디시클로헥실-4,4,5,5,-테트라메틸비구아니디늄, 2-(3-벤조일페닐)프로피온산1,2-디이소프로필-3-[비스(디메틸아미노)메틸렌]구아니디늄, (2-니트로페닐)메틸4-히드록시피페리딘-1-카르복실산, 2-(3-벤조일페닐)프로피온산구아니디늄 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.The photobase generator may be any one that decomposes and/or reacts by irradiation with light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate a base. For example, 2-(9-oxoxanthen-2-yl)propionic acid 1,5,7-triazacyclo[4,4,0]dec-5-ene, N-cyclohexylcarbamic acid 1-(anthra Quinon-2-yl) ethyl, N,N-diethylcarbamic acid 9-anthrylmethyl, N-cyclohexylcarbamic acid 9-anthrylmethyl, 1-carboxylic acid 9-anthrylmethylpiperidine, N, N-dicyclohexylcarbamic acid 9-anthrylmethyl, N,N-dicyclohexylcarbamic acid 1-(anthraquinon-2-yl)ethyl, cyclohexylammonium propionate 2-(3-benzoylphenyl), butyltriphenyl Boronic acid 1,2-dicyclohexyl-4,4,5,5,-tetramethylbiguanidinium, 2-(3-benzoylphenyl)propionic acid 1,2-diisopropyl-3-[bis(dimethylamino) Methylene]guanidinium, (2-nitrophenyl)methyl4-hydroxypiperidine-1-carboxylic acid, 2-(3-benzoylphenyl)guanidinium propionate, and the like. You may use 2 or more types of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 광염기 발생제의 함유량은, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.5중량% 이상이 바람직하다. 한편, 광염기 발생제의 함유량은, 해상도를 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 2.0중량% 이하가 바람직하다.From the viewpoint of further improving the OD value, the content of the photobase generator in the resin composition of the present invention is preferably 0.5% by weight or more in the solid content. On the other hand, the content of the photobase generator is preferably 2.0% by weight or less in the solid content from the viewpoint of improving the resolution.

본 발명의 수지 조성물은 발액 화합물을 함유해도 된다. 발액 화합물이란, 수지 조성물에 물이나 유기 용매를 튕기는 성질(발액 성능)을 부여하는 화합물이다. 이러한 성질을 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는 플루오로알킬기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 발액 화합물을 함유함으로써, 격벽(A-1) 형성 후에 격벽의 정상부에 발액 성능을 부여할 수 있다. 그에 의해, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다.The resin composition of the present invention may contain a liquid-repellent compound. The liquid-repellent compound is a compound that gives the resin composition a property of repelling water or an organic solvent (liquid-repellent performance). Although it does not specifically limit as long as it is a compound having such a property, specifically, a compound having a fluoroalkyl group is preferably used. By containing the liquid-repellent compound, the liquid-repellent performance can be imparted to the top of the partition wall after formation of the partition wall (A-1). Thereby, for example, when forming a pixel containing a color conversion light-emitting material (B) to be described later, a color conversion light-emitting material having a different composition can be easily and separately applied to each pixel.

발액 화합물로서는, 예를 들어 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로옥틸헥실에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사에틸렌글리콜(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 퍼플루오로도데실술폰산나트륨, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로도데칸, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로데칸, N-[3-(퍼플루오로옥탄술폰아미드)프로필]-N,N'-디메틸-N-카르복시메틸렌암모늄베타인, 퍼플루오로알킬술폰아미드프로필트리메틸암모늄염, 퍼플루오로알킬-N-에틸술포닐글리신염, 인산비스(N-퍼플루오로옥틸술포닐-N-에틸아미노에틸), 모노퍼플루오로알킬에틸인산에스테르 등의 말단, 주쇄 및/또는 측쇄에 플루오로알킬 또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 시판되는 발액 화합물로서는 "메가펙"(등록 상표) F142D, F172, F173, F183, F444, F477(이상, 다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제), 에프톱 EF301, 303, 352(신아키타 가세이(주)제), 플루오라드 FC-430, FC-431(스미토모 쓰리엠(주)제)), "아사히가드"(등록 상표) AG710, "서플론"(등록 상표) S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106(아사히 가라스(주)제), BM-1000, BM-1100(유쇼(주)제), NBX-15, FTX-218, DFX-18((주)네오스제) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 반응성이 높고, 수지와 견고한 결합을 형성할 수 있는 점에서, 광중합성기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 불소 원자 및 광중합성기를 갖는 발액 화합물로서는, 예를 들어 "메가펙"(등록 상표) RS-76-E, RS-56, RS-72-k, RS-75, RS-76-E, RS-76-NS, RS-76, RS-90(이상, 상품명, DIC(주)제) 등을 들 수 있다. 또한, 이 경우, 네가티브형 감광성 수지 조성물의 광경화물을 포함하는 격벽(A-1) 내에 있어서는, 광중합성기는 광중합되어 있어도 된다.Examples of the liquid repellent compound include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctylhexyl ether, Octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1, 1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorododecylsulfonate, 1,1,2 ,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N-[3-(perfluorooctanesulfonamide) Propyl]-N,N'-dimethyl-N-carboxymethylene ammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamide propyltrimethylammonium salt, perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, phosphate bis(N-perfluorooxy) And compounds having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group in the terminal, main chain and/or side chain such as tylsulfonyl-N-ethylaminoethyl) and monoperfluoroalkylethylphosphate. In addition, as a commercially available liquid repellent compound, "Megapec" (registered trademark) F142D, F172, F173, F183, F444, F477 (above, manufactured by Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), Ftop EF301, 303, 352 (new Akita Kasei Co., Ltd.), Fluorad FC-430, FC-431 (Sumitomo 3M Co., Ltd.)), "Asahi Guard" (registered trademark) AG710, "Suflon" (registered trademark) S-382, SC -101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15 , FTX-218, DFX-18 (manufactured by Neos Co., Ltd.), and the like. You may contain 2 or more types of these. Among these, it is more preferable to have a photopolymerizable group because it has high reactivity and can form a strong bond with a resin. As a liquid repellent compound having a fluorine atom and a photopolymerizable group, for example, "Megapec" (registered trademark) RS-76-E, RS-56, RS-72-k, RS-75, RS-76-E, RS- 76-NS, RS-76, RS-90 (above, brand name, DIC Corporation make), etc. are mentioned. In this case, the photopolymerizable group may be photopolymerized in the partition wall (A-1) containing the photocured product of the negative photosensitive resin composition.

격벽의 발액 성능을 향상시켜, 잉크젯 도포성을 향상시키는 관점에서, 수지 조성물에 있어서의 발액 화합물의 함유량은 고형분 중의 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지나 백색 안료와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 발액 화합물의 함유량은 고형분 중의 10중량% 이하가 바람직하고, 5중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the liquid-repellent performance of the partition wall and improving the inkjet coatability, the content of the liquid-repellent compound in the resin composition is preferably 0.01% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more in the solid content. On the other hand, from the viewpoint of improving compatibility with a resin or a white pigment, the content of the liquid-repellent compound is preferably 10% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less in the solid content.

또한, 본 발명의 수지 조성물은, 필요에 따라 자외선 흡수제, 중합 금지제, 계면 활성제, 밀착성 개량제 등을 함유해도 된다.In addition, the resin composition of the present invention may contain an ultraviolet absorber, a polymerization inhibitor, a surfactant, an adhesion improving agent, and the like, if necessary.

본 발명의 수지 조성물 중에 자외선 흡수제를 함유함으로써, 내광성을 향상시키고, 해상도를 보다 향상시킬 수 있다. 자외선 흡수제로서는 투명성 및 비착색성의 관점에서, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-tert-펜틸페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸페놀, 2-(2'-히드록시-5'-메타크릴옥시에틸페닐)-2H-벤조트리아졸 등의 벤조트리아졸계 화합물; 2-히드록시-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 2-(4,6-디페닐-1,3,5트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀 등의 트리아진계 화합물 등이 바람직하게 사용된다.By containing an ultraviolet absorber in the resin composition of the present invention, light resistance can be improved and resolution can be further improved. As an ultraviolet absorber, from the viewpoint of transparency and non-coloring, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4,6-tert-pentylphenol, 2 -(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol, 2(2H-benzotriazol-2-yl)-6-dodecyl-4- Benzotriazole-based compounds such as methylphenol and 2-(2'-hydroxy-5'-methacryloxyethylphenyl)-2H-benzotriazole; Benzophenone compounds such as 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone; Triazine compounds, such as 2-(4,6-diphenyl-1,3,5 triazine-2-yl)-5-[(hexyl)oxy]-phenol, etc. are preferably used.

본 발명의 수지 조성물 중에 중합 금지제를 함유함으로써, 해상도를 보다 향상시킬 수 있다. 중합 금지제로서는, 예를 들어 디-t-부틸히드록시톨루엔, 부틸히드록시아니솔, 하이드로퀴논, 4-메톡시페놀, 1,4-벤조퀴논, t-부틸카테콜을 들 수 있다. 또한, 시판되는 중합 금지제로서는 "IRGANOX"(등록 상표) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425, 1520, 245, 259, 3114, 565, 295(이상, 상품명, BASF 재팬(주)제) 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.By containing a polymerization inhibitor in the resin composition of the present invention, the resolution can be further improved. Examples of the polymerization inhibitor include di-t-butylhydroxytoluene, butylhydroxyanisole, hydroquinone, 4-methoxyphenol, 1,4-benzoquinone, and t-butylcatechol. In addition, as a commercially available polymerization inhibitor, "IRGANOX" (registered trademark) 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425, 1520, 245, 259, 3114, 565, 295 (above, brand name, BASF Japan ( Note) agent), etc. are mentioned. You may contain 2 or more types of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 계면 활성제를 함유함으로써, 도포 시의 플로우성을 향상시킬 수 있다. 계면 활성제로서는, 예를 들어 "메가펙"(등록 상표) F142D, F172, F173, F183, F445, F470, F475, F477(이상, 상품명, 다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제), NBX-15, FTX-218(이상, 상품명, (주)네오스제) 등의 불소계 계면 활성제; "BYK"(등록 상표)-333, 301, 331, 345, 307(이상, 상품명, 빅 케미 재팬(주)제) 등의 실리콘계 계면 활성제; 폴리알킬렌옥시드계 계면 활성제; 폴리(메트)아크릴레이트계 계면 활성제 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.By containing a surfactant in the resin composition of the present invention, the flowability at the time of application can be improved. As a surfactant, for example, "Megapec" (registered trademark) F142D, F172, F173, F183, F445, F470, F475, F477 (above, brand name, manufactured by Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), NBX-15 Fluorine-based surfactants such as FTX-218 (above, brand name, manufactured by Neos Co., Ltd.); Silicone-based surfactants such as "BYK" (registered trademark)-333, 301, 331, 345, 307 (above, brand name, manufactured by Big Chem Japan Co., Ltd.); Polyalkylene oxide surfactants; And poly(meth)acrylate-based surfactants. You may contain 2 or more types of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 밀착성 개량제를 함유함으로써, 하지 기판과의 밀착성이 향상되고, 신뢰성이 높은 격벽을 얻을 수 있다. 밀착성 개량제로서는, 예를 들어 지환식 에폭시 화합물이나 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 지환식 에폭시 화합물은 내열성이 높은 점에서, 가열 후의 색 변화를 보다 억제할 수 있다.By containing the adhesive improving agent in the resin composition of the present invention, the adhesiveness to the base substrate is improved, and a highly reliable partition wall can be obtained. As an adhesive improving agent, an alicyclic epoxy compound, a silane coupling agent, etc. are mentioned, for example. Among these, since the alicyclic epoxy compound has high heat resistance, the color change after heating can be more suppressed.

지환식 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 3',4'-에폭시시클로헥시메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물, ε-카프로락톤 변성 3',4'-에폭시시클로헥실메틸3',4'-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 1,2-에폭시-4-비닐시클로헥산, 부탄테트라카르복실산테트라(3,4-에폭시시클로헥실메틸) 수식 ε-카프로락톤, 3,4-에폭시시클로헥실메틸메타크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 E 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 비스(프로필렌글리콜글리시딜에테르)에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 비스(에틸렌글리콜글리시딜에테르)에테르, 1,4-시클로헥산디카르복실산디글리시딜, 1,4-시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.As an alicyclic epoxy compound, for example, 1, 2 of 3',4'-epoxycyclohexymethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, 2,2-bis(hydroxymethyl)-1-butanol -Epoxy-4-(2-oxyranyl)cyclohexane adduct, ε-caprolactone modified 3',4'-epoxycyclohexylmethyl3',4'-epoxycyclohexanecarboxylate, 1,2-epoxy- 4-vinylcyclohexane, butanetetracarboxylic acid tetra (3,4-epoxycyclohexylmethyl) formula ε-caprolactone, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, Hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol E diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A bis (propylene glycol glycidyl ether) ether, hydrogenated bisphenol A bis (ethylene glycol glycidyl ether) ether, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid diglycidyl, 1,4-cyclohexane dimethanol diglycidyl ether, etc. are mentioned. You may contain 2 or more types of these.

본 발명의 수지 조성물 중에 있어서의 밀착성 개량제의 함유량은, 하지 기판과의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 고형분 중의 0.1중량% 이상이 바람직하고, 1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 밀착성 개량제의 함유량은, 가열에 의한 색 변화를 보다 억제하는 관점에서, 고형분 중의 20중량% 이하가 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하다.The content of the adhesion improving agent in the resin composition of the present invention is preferably 0.1% by weight or more in the solid content, and more preferably 1% by weight or more, from the viewpoint of further improving the adhesion to the base substrate. On the other hand, the content of the adhesion improving agent is preferably 20% by weight or less in the solid content, and more preferably 10% by weight or less, from the viewpoint of more suppressing color change due to heating.

본 발명의 수지 조성물은, 예를 들어 상술한 수지, 유기 금속 화합물, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물, 용매 및 필요에 따라 기타 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다.The resin composition of the present invention can be produced, for example, by mixing the above-described resin, an organometallic compound, a photoinitiator or a quinonediazide compound, a solvent, and other components as necessary.

다음에, 본 발명의 차광막에 대하여 설명한다. 본 발명의 차광막은, 전술한 본 발명의 수지 조성물을 경화하여 얻어진다. 본 발명의 차광막은, 후술하는 격벽(A-1) 외에, 커버 기재용 장식 패턴 등의 OGS 타입의 터치 패널에 있어서의 차광 패턴으로서 적합하게 사용할 수 있다. 차광막의 막 두께는 10㎛ 이상이 바람직하다.Next, the light shielding film of the present invention will be described. The light shielding film of the present invention is obtained by curing the resin composition of the present invention described above. The light-shielding film of the present invention can be suitably used as a light-shielding pattern in an OGS-type touch panel such as a decorative pattern for a cover substrate, in addition to the partition wall (A-1) described later. The thickness of the light-shielding film is preferably 10 µm or more.

다음에, 본 발명의 차광막의 제조 방법에 대하여, 예를 들어 설명한다. 본 발명의 차광막의 제조 방법은, 하지 기판 상에 본 발명의 수지 조성물을 도포하고, 건조하여 건조막을 얻는 제막 공정, 얻어진 건조막을 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 건조막을 가열함으로써 경화시키는 가열 공정을 갖는 것이 바람직하다.Next, the manufacturing method of the light shielding film of the present invention will be described by way of example. The manufacturing method of the light shielding film of the present invention is soluble in a film forming step of applying the resin composition of the present invention on a base substrate and drying to obtain a dried film, an exposure step of exposing the obtained dried film to a pattern, and a developer in a dried film after exposure. It is preferable to have a developing step of dissolving and removing portions and a heating step of curing by heating the dried film after development.

본 발명의 차광막의 제조 방법은, 상기 가열 공정에 있어서, 현상 후의 막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열함으로써, 막 두께 10㎛당 OD값을 0.3 이상 상승시키는 것을 특징으로 한다. 가열 공정 시의 가열 온도는, OD값을 보다 향상시키는 관점에서, 150℃ 이상이 바람직하고, 180℃ 이상이 보다 바람직하다. 가열 공정 시의 가열 온도는, 가열하는 막의 크랙 발생을 억제하는 관점에서, 250℃ 이하가 바람직하고, 240℃ 이하가 보다 바람직하다. 가열 시간은 15분간 내지 2시간이 바람직하다. 본 발명의 수지 조성물로 형성되는 막은 노광 시에는 OD값이 낮고, 또한 패턴 형성 후에 OD값이 상승하는 점에서, 노광 공정에 있어서는 저부까지 충분히 광경화시켜, 후술의 바람직한 테이퍼 각도를 갖는 격벽을 얻을 수 있다. 더불어, 패턴 형성 후의 OD값이 높은 점에서 높은 반사율과 차광성을 양립한 격벽을 얻을 수 있다.The manufacturing method of the light-shielding film of the present invention is characterized in that in the heating step, the OD value per 10 µm of the film thickness is increased by 0.3 or more by heating the film after development at a temperature of 120°C or more and 250°C or less. From the viewpoint of further improving the OD value, the heating temperature during the heating step is preferably 150°C or higher, and more preferably 180°C or higher. The heating temperature in the heating step is preferably 250° C. or less, and more preferably 240° C. or less, from the viewpoint of suppressing the occurrence of cracks in the film to be heated. The heating time is preferably 15 minutes to 2 hours. Since the film formed from the resin composition of the present invention has a low OD value during exposure and an OD value increases after pattern formation, it is sufficiently photocured to the bottom in the exposure process to obtain a partition wall having a preferred taper angle described later. I can. In addition, since the OD value after pattern formation is high, it is possible to obtain a partition wall in which both high reflectance and light-shielding properties are compatible.

상기 제막 공정에 있어서의 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 슬릿 코트법, 스핀 코트법 등을 들 수 있다. 건조 장치로서는, 예를 들어 열풍 오븐이나 핫 플레이트 등을 들 수 있다. 건조 시간은 80 내지 120℃가 바람직하고, 건조 시간은 1 내지 15분간이 바람직하다.Examples of the method of applying the resin composition in the film forming step include a slit coating method and a spin coating method. As a drying device, a hot air oven, a hot plate, etc. are mentioned, for example. The drying time is preferably 80 to 120°C, and the drying time is preferably 1 to 15 minutes.

노광 공정은, 노광에 의해 건조막의 필요한 부분을 광경화시켜, 또는 건조막의 불필요한 부분을 광분해시켜, 건조막의 임의의 부분을 현상액에 가용으로 하는 공정이다. 노광 공정에 있어서는, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재시켜 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다.The exposure step is a step of photocuring a necessary portion of the dried film by exposure, or photodecomposing an unnecessary portion of the dried film, so that an arbitrary portion of the dried film is soluble in a developer. In the exposure step, exposure may be performed through a photomask having a predetermined opening, or an arbitrary pattern may be directly drawn using laser light or the like without using a photomask.

노광 장치로서는, 예를 들어 프록시미티 노광기를 들 수 있다. 노광 공정에 있어서 조사하는 활성 광선으로서는, 예를 들어 근적외선, 가시광선, 자외선을 들 수 있으며, 자외선이 바람직하다. 또한, 그 광원으로서는, 예를 들어 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프, 살균등 등을 들 수 있으며, 초고압 수은등이 바람직하다.As an exposure apparatus, a proximity exposure machine is mentioned, for example. Examples of the active light to be irradiated in the exposure step include near-infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays, and ultraviolet rays are preferable. Further, examples of the light source include a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, a sterilization lamp, and the like, and an ultra-high pressure mercury lamp is preferable.

노광 조건은 노광하는 건조막의 두께에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 일반적으로 1 내지 100mW/㎠의 출력의 초고압 수은등을 사용하여, 1 내지 10,000mJ/㎠의 노광량으로 노광하는 것이 바람직하다.The exposure conditions can be appropriately selected according to the thickness of the dried film to be exposed. In general, it is preferable to use an ultra-high pressure mercury lamp having an output of 1 to 100 mW/cm 2 to expose at an exposure amount of 1 to 10,000 mJ/cm 2.

현상 공정은, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 현상액으로 용해 제거하여, 현상액에 불용인 부분만이 잔존한, 임의의 패턴 형상으로 패턴 형성된 건조막(이하, 가열 전 패턴이라고 칭함)을 얻는 공정이다. 패턴 형상으로서는, 예를 들어 격자상, 스트라이프상 등의 형상을 들 수 있다.In the developing process, a portion soluble in the developer in the dried film after exposure is dissolved and removed with a developer, and a dried film patterned in an arbitrary pattern shape, in which only the insoluble portion remains in the developer (hereinafter referred to as a pattern before heating). ). As a pattern shape, shapes, such as a lattice shape and a stripe shape, are mentioned, for example.

현상 방법으로서는, 예를 들어 침지법, 스프레이법, 브러시법 등을 들 수 있다.As a developing method, an immersion method, a spray method, a brush method, etc. are mentioned, for example.

현상액으로서는, 노광 후의 건조막에 있어서의 불필요한 부분을 용해하는 것이 가능한 용매를 적절하게 선택할 수 있으며, 물을 주성분으로 하는 수용액이 바람직하다. 예를 들어, 수지 조성물이 카르복실기를 갖는 폴리머를 함유하는 경우, 현상액으로서는 알칼리 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액으로서는, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 수산화칼슘 등의 무기 알칼리 수용액; 테트라메틸암모늄히드록사이드, 트리메틸벤질암모늄히드록사이드, 모노에탄올아민, 디에탄올아민 등의 유기 알칼리 수용액 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 해상도를 향상시키는 관점에서, 수산화칼륨 수용액 또는 수산화테트라메틸암모늄 수용액이 바람직하다. 알칼리 수용액의 농도는, 현상성을 향상시키는 관점에서, 0.05중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 알칼리 수용액의 농도는, 가열 전 패턴의 박리나 부식을 억제하는 관점에서, 5중량% 이하가 바람직하고, 1중량% 이하가 보다 바람직하다. 현상 온도는, 공정 관리를 용이하게 하기 위해 20 내지 50℃가 바람직하다.As the developer, a solvent capable of dissolving unnecessary portions in the dried film after exposure can be appropriately selected, and an aqueous solution containing water as a main component is preferable. For example, when the resin composition contains a polymer having a carboxyl group, an aqueous alkali solution is preferable as a developer. Examples of the aqueous alkali solution include aqueous solutions of inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate and calcium hydroxide; And organic alkali aqueous solutions such as tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzyl ammonium hydroxide, monoethanolamine and diethanolamine. Among these, from the viewpoint of improving the resolution, an aqueous potassium hydroxide solution or an aqueous tetramethylammonium hydroxide solution is preferable. From the viewpoint of improving developability, the concentration of the aqueous alkali solution is preferably 0.05% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more. On the other hand, the concentration of the aqueous alkali solution is preferably 5% by weight or less, and more preferably 1% by weight or less from the viewpoint of suppressing peeling or corrosion of the pattern before heating. The developing temperature is preferably 20 to 50°C in order to facilitate process management.

가열 공정은 현상 공정에서 형성된 가열 전 패턴을 가열 경화시키는 공정이다. 가열 장치로서는, 예를 들어 핫 플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 바람직한 가열 온도 및 가열 시간은 상술한 바와 같다.The heating process is a process of heat-hardening the pattern before heating formed in the developing process. As a heating device, a hot plate, an oven, etc. are mentioned, for example. Preferred heating temperature and heating time are as described above.

다음에, 본 발명의 격벽 구비 기판에 대하여 설명한다. 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판 상에 (A-1) 패턴 형성된 격벽(이하, 「격벽(A-1)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는다. 하지 기판은, 격벽 구비 기판에 있어서의 지지체로서의 기능을 갖는다. 격벽은, 후술하는 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우, 인접하는 화소간에 있어서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.Next, the substrate with partition walls of the present invention will be described. The board|substrate with partition wall of this invention has the partition wall (A-1) patterned on the base board|substrate (hereinafter, it may be described as "partition wall (A-1)" in some cases). The base substrate has a function as a support in a substrate with a partition wall. When the partition wall has a pixel containing a color conversion light-emitting material to be described later, it has a function of suppressing the mixing of light between adjacent pixels.

본 발명의 격벽 구비 기판에 있어서, 격벽(A-1)은, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20% 내지 60%, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 것을 특징으로 한다. 반사율을 20% 이상, OD값을 3.0 이하로 함으로써, (A-1) 격벽 측면에 있어서의 반사를 이용하여 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있다. 한편, 반사율을 60% 이하, OD값을 1.0 이상으로 함으로써, 격벽(A-1)을 투과하는 광을 억제하여 인접 화소간에 있어서의 광의 혼색을 억제할 수 있다.In the substrate with partition walls of the present invention, the partition wall A-1 has a reflectance of 20% to 60% per 10 μm in thickness at a wavelength of 550 nm and an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm in thickness. By setting the reflectance to 20% or more and the OD value to 3.0 or less, (A-1) the luminance of the display device can be improved by utilizing the reflection on the side of the partition wall. On the other hand, by setting the reflectance to 60% or less and the OD value to 1.0 or more, it is possible to suppress the light passing through the partition A-1 and to suppress the mixing of light between adjacent pixels.

도 1에, 패턴 형성된 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)을 갖는다.Fig. 1 shows a cross-sectional view of an aspect of a substrate with partition walls of the present invention having a patterned partition wall. It has a partition wall 2 patterned on the base substrate 1.

<하지 기판><substrate>

하지 기판으로서는, 예를 들어 유리판, 수지판, 수지 필름 등을 들 수 있다. 유리판의 재질로서는 무알칼리 유리가 바람직하다. 수지판 및 수지 필름의 재질로서는 폴리에스테르, (메트)아크릴 폴리머, 투명 폴리이미드, 폴리에테르술폰 등이 바람직하다. 유리판 및 수지판의 두께는 1mm 이하가 바람직하고, 0.8mm 이하가 바람직하다. 수지 필름의 두께는 100㎛ 이하가 바람직하다.As a base substrate, a glass plate, a resin plate, a resin film, etc. are mentioned, for example. As the material of the glass plate, alkali-free glass is preferable. As the material of the resin plate and the resin film, polyester, (meth)acrylic polymer, transparent polyimide, polyethersulfone, and the like are preferable. The thickness of the glass plate and the resin plate is preferably 1 mm or less, and preferably 0.8 mm or less. The thickness of the resin film is preferably 100 µm or less.

<격벽(A-1)><Bulkhead (A-1)>

격벽(A-1)은, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20 내지 60%, OD값이 1.0 내지 3.0인 것을 특징으로 한다. 여기서, 격벽(A-1)의 두께란, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수직인 방향(높이 방향)의 길이를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 두께는 부호 H로 표시된다. 또한, 격벽(A-1)의 하지 기판과 수평인 방향의 길이는 격벽(A-1)의 폭으로 한다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 폭은 부호 L로 표시된다.The partition wall A-1 is characterized in that the reflectance per 10 µm in thickness at a wavelength of 550 nm is 20 to 60% and an OD value of 1.0 to 3.0. Here, the thickness of the partition wall A-1 refers to the length of the partition wall A-1 in a direction perpendicular to the underlying substrate (height direction). In the case of the board|substrate with partition wall shown in FIG. 1, the thickness of the partition wall 2 is denoted by the symbol H. In addition, the length of the partition wall A-1 in the direction horizontal to the underlying substrate is the width of the partition wall A-1. In the case of the board|substrate with partition wall shown in FIG. 1, the width of the partition wall 2 is denoted by the symbol L.

본 발명에 있어서는, 격벽 측면에 있어서의 반사율이 표시 장치의 휘도 향 상에, 격벽의 차광성이 혼색 억제에 각각 기여한다고 생각된다. 한편, 두께당 반사율 및 OD값은 두께 방향, 폭 방향에 구애되지 않고 동일하다고 생각되기 때문에, 본 발명에 있어서는 격벽의 두께당 반사율 및 OD값에 착안한다. 또한, 후술하는 바와 같이 격벽(A-1)의 두께는 0.5 내지 50㎛가 바람직하고, 폭은 5 내지 40㎛가 바람직하다. 그래서, 본 발명에 있어서는, 격벽(A-1)의 두께의 대푯값으로서 10㎛를 선택하고, 두께 10㎛당 반사율 및 OD값에 착안하였다.In the present invention, it is considered that the reflectance on the side of the partition wall contributes to the improvement of the luminance of the display device, and the light shielding property of the partition wall contributes to suppression of color mixing. On the other hand, since the reflectance per thickness and the OD value are considered to be the same regardless of the thickness direction and the width direction, in the present invention, attention is paid to the reflectance per thickness of the partition wall and the OD value. Further, as will be described later, the thickness of the partition wall A-1 is preferably 0.5 to 50 µm, and the width is preferably 5 to 40 µm. Therefore, in the present invention, 10 µm was selected as a representative value of the thickness of the partition wall A-1, and attention was paid to the reflectance and OD value per 10 µm in thickness.

두께 10㎛당 반사율이 20% 미만이면, 격벽 측면에 있어서의 반사가 작아져, 표시 장치의 휘도가 불충분해진다. 두께 10㎛당 반사율은 30% 이상이 바람직하고, 35% 이상이 보다 바람직하다. 반사율이 높을수록 격벽 측면에 있어서의 반사가 커지기 때문에, 표시 장치의 휘도를 향상시킬 수 있지만, 반사율이 60%를 초과하면, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생한다. 두께 10㎛당 반사율은 44% 이하가 보다 바람직하다.If the reflectance per 10 µm in thickness is less than 20%, reflection on the side surface of the partition wall becomes small, and the luminance of the display device becomes insufficient. The reflectance per 10 µm in thickness is preferably 30% or more, and more preferably 35% or more. The higher the reflectivity, the greater the reflection on the side of the partition wall, so that the luminance of the display device can be improved. However, when the reflectance exceeds 60%, light mixing occurs between adjacent pixels. The reflectance per 10 µm in thickness is more preferably 44% or less.

또한, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 미만이면, 인접 화소간에 있어서 광의 혼색이 발생한다. 두께 10㎛당 OD값은 1.5 이상이 바람직하고, 2.0 이상이 보다 바람직하다. 한편, 두께 10㎛당 OD값이 3.0을 초과하면, 격벽 측면에 있어서의 반사가 작아져, 표시 장치의 휘도가 불충분해진다. 두께 10㎛당 OD값은 2.5 이하가 보다 바람직하다.In addition, when the OD value per 10 µm in thickness is less than 1.0, light mixing occurs between adjacent pixels. 1.5 or more are preferable and, as for the OD value per 10 micrometers of thickness, 2.0 or more are more preferable. On the other hand, when the OD value per 10 µm in thickness exceeds 3.0, reflection on the side of the partition wall becomes small, and the luminance of the display device becomes insufficient. The OD value per 10 μm in thickness is more preferably 2.5 or less.

격벽(A-1)의 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대하여, 상면으로부터 분광 측색계(예를 들어, 코니카 미놀타(주)제 CM-2600d)를 사용하여, SCI 모드에 의해 측정할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에 있어서, 격벽(A-1)의 조성이 기지인 경우에는, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하고, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대하여 마찬가지로 반사율을 측정함으로써, 두께 10㎛당 반사율을 구해도 된다. 예를 들어, 격벽(A-1)을 형성한 재료를 사용하여 두께를 10㎛로 하고, 패턴 형성하지 않는 것 이외에는 격벽(A-1)의 형성과 동일한 가공 조건에 의해 솔리드막을 제작하고, 얻어진 솔리드막에 대하여, 상면으로부터 마찬가지로 반사율을 측정해도 된다.The reflectance per 10 μm of thickness at a wavelength of 550 nm of the partition wall (A-1) is, for the partition wall (A-1) having a thickness of 10 μm, from the top surface to a spectrophotometric (for example, Konica Minolta Corporation CM- 2600d) can be used to measure by SCI mode. However, when a sufficient area for measurement cannot be secured, or when a measurement sample having a thickness of 10 μm cannot be collected, and the composition of the barrier rib (A-1) is known, the barrier rib (A-1) and A solid film having the same composition and having a thickness of 10 µm may be prepared, and the reflectance per 10 µm may be obtained by measuring the reflectance similarly to the solid film instead of the partition wall (A-1). For example, a solid film was produced under the same processing conditions as for the formation of the partition wall (A-1) except that the thickness was set to 10 µm using the material in which the partition wall (A-1) was formed, and the pattern was not formed. With respect to the solid film, the reflectance may be similarly measured from the upper surface.

격벽(A-1)의 두께 10㎛당 OD값은, 두께 10㎛의 격벽(A-1)에 대하여, 상면으로부터 광학 농도계(예를 들어, X-rite사제 361T(visual))를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 하기 식 (1)에 의해 산출할 수 있다. 단, 측정에 충분한 면적을 확보할 수 없는 경우나, 두께 10㎛의 측정 샘플을 채취할 수 없는 경우에 있어서, 격벽(A-1)의 조성이 기지인 경우에는, 반사율의 측정과 마찬가지로, 격벽(A-1)과 동일 조성의 두께 10㎛의 솔리드막을 제작하고, 격벽(A-1) 대신에 솔리드막에 대하여 마찬가지로 OD값을 측정함으로써, 두께 10㎛당 OD값을 구해도 된다.The OD value per 10 μm of the thickness of the partition A-1 is the incident light using an optical densitometer (for example, 361T (visual) manufactured by X-rite) from the upper surface of the partition A-1 having a thickness of 10 μm. And the intensity of transmitted light can be measured, and calculated by the following formula (1). However, when a sufficient area for measurement cannot be secured, or when a measurement sample having a thickness of 10 μm cannot be collected, and when the composition of the partition wall (A-1) is known, the partition wall is similar to the measurement of reflectance. A 10 µm-thick solid film having the same composition as (A-1) is prepared, and the OD value per 10 µm in thickness may be obtained by similarly measuring the OD value for the solid film instead of the partition wall (A-1).

OD값=log10(I0/I) … (1)OD value=log10(I 0 /I)… (One)

I0: 입사광 강도I 0 : Incident light intensity

I: 투과광 강도.I: transmitted light intensity.

또한, 반사율 및 OD값을 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것 등을 들 수 있다.Moreover, as a means for making the reflectance and the OD value into the said range, for example, making the partition wall (A-1) into the preferable composition mentioned later, etc. are mentioned.

격벽(A-1)의 테이퍼 각도는 45°내지 110°가 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도란, 격벽 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 가리킨다. 도 1에 도시하는 격벽 구비 기판의 경우, 격벽(2)의 테이퍼 각도는 부호 θ로 표시된다. 테이퍼 각도를 45°이상으로 함으로써, 격벽(A-1)의 상부와 저부의 폭의 차가 작아져, 격벽(A-1)의 폭을 후술하는 바람직한 범위로 용이하게 형성할 수 있다. 테이퍼 각도는 70°이상이 보다 바람직하다. 한편, 테이퍼 각도를 110°이하로 함으로써, 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 잉크젯 도포에 의해 형성할 때, 잉크의 결괴를 억제하고, 잉크젯 도포성을 향상시킬 수 있다. 여기서, 잉크의 결괴란, 잉크가 격벽을 넘어 인접의 화소 부분에 혼입하는 현상을 의미한다. 테이퍼 각도는 95°이하가 보다 바람직하다. 격벽(A-1)의 테이퍼 각도는, 격벽(A-1)의 임의의 단면을, 광학 현미경(FE-SEM(예를 들어, (주)히다치 세이사쿠쇼제 S-4800))을 사용하여 가속 전압 3.0kV, 배율 2,500배로 관찰하여, 격벽(A-1)의 단면의 측변과 저변이 이루는 각도를 측정함으로써 구할 수 있다.The taper angle of the partition wall A-1 is preferably 45° to 110°. The taper angle of the partition wall A-1 refers to the angle formed by the side and the bottom side of the cross section of the partition wall. In the case of the board|substrate with partition wall shown in FIG. 1, the taper angle of the partition wall 2 is denoted by the symbol θ. By setting the taper angle to 45° or more, the difference between the widths of the upper portion and the bottom portion of the partition wall A-1 becomes small, and the width of the partition wall A-1 can be easily formed within a preferable range to be described later. The taper angle is more preferably 70° or more. On the other hand, when the taper angle is set to 110° or less, when a pixel containing the (B) color conversion luminescent material described later is formed by ink jet coating, it is possible to suppress agglomeration of ink and improve ink jet coatability. Here, the defect of ink means a phenomenon in which ink crosses the barrier rib and is mixed into adjacent pixel portions. The taper angle is more preferably 95° or less. The taper angle of the partition wall A-1 accelerates an arbitrary cross section of the partition wall A-1 using an optical microscope (FE-SEM (for example, Hitachi Seisakusho S-4800)). It can be obtained by observing with a voltage of 3.0 kV and a magnification of 2,500 times, and measuring the angle between the side and the bottom of the cross section of the partition wall A-1.

또한, 격벽(A-1)의 테이퍼 각도를 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 격벽(A-1)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것, 전술한 본 발명의 수지 조성물을 사용하여 형성하는 것 등을 들 수 있다.In addition, as a means for making the taper angle of the partition wall (A-1) into the above range, for example, making the partition wall (A-1) a preferable composition to be described later, formed by using the resin composition of the present invention described above. Things, etc. can be mentioned.

격벽(A-1)의 두께는, 격벽 구비 기판이 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 경우에는, 그 화소의 두께보다 큰 것이 바람직하다. 구체적으로는, 격벽(A-1)의 두께는 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소 저부에 있어서의 발광을 보다 효율적으로 취출하는 관점에서, 격벽(A-1)의 두께는 50㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 격벽(A-1)의 폭은, 격벽 측면에 있어서의 광 반사를 이용하여 휘도를 보다 향상시키고, 광 누설에 의한 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하기 위해 충분한 것인 것이 바람직하다. 구체적으로는 격벽의 폭은 5㎛ 이상이 바람직하고, 15㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소의 발광 영역을 많이 확보하여 휘도를 보다 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 폭은 50㎛ 이하가 바람직하고, 40㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the partition wall A-1 is preferably larger than the thickness of the pixel when the partition wall-equipped substrate has a pixel containing a color conversion light emitting material (B) described later. Specifically, the thickness of the partition wall A-1 is preferably 0.5 µm or more, and more preferably 10 µm or more. On the other hand, from the viewpoint of more efficient extraction of light emission at the bottom of the pixel, the thickness of the partition wall A-1 is preferably 50 µm or less, and more preferably 20 µm or less. In addition, it is preferable that the width of the partition wall A-1 is sufficient to further improve the luminance by utilizing light reflection on the side of the partition wall, and to further suppress the color mixture of light in adjacent pixels due to light leakage. . Specifically, the width of the partition wall is preferably 5 µm or more, and more preferably 15 µm or more. On the other hand, from the viewpoint of securing a large number of light emitting regions of the pixel to further improve the luminance, the width of the partition wall A-1 is preferably 50 µm or less, and more preferably 40 µm or less.

격벽(A-1)은, 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 소정 화소수분의 반복 패턴을 갖고 있다. 화상 표시 장치의 화소수로서는, 예를 들어 가로로 4000개, 세로로 2000개를 들 수 있다. 화소수는 표시되는 화상의 해상도(섬세하고 치밀함)에 영향을 미친다. 그 때문에, 요구되는 화상의 해상도와 화상 표시 장치의 화면 사이즈에 따른 수의 화소를 형성할 필요가 있으며, 그에 맞추어 격벽의 패턴 형성 치수를 결정하는 것이 바람직하다.The partition wall A-1 has a repeating pattern for a predetermined number of pixels according to the screen size of the image display device. As the number of pixels of the image display device, for example, 4,000 horizontally and 2000 vertically. The number of pixels affects the resolution (delicate and dense) of the displayed image. Therefore, it is necessary to form the number of pixels according to the required image resolution and the screen size of the image display device, and it is desirable to determine the pattern formation dimension of the partition wall accordingly.

격벽(A-1)은 수지와, 백색 안료와, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금 및 은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자(이하, 「금속 산화물 입자 또는 금속 입자」라고 기재하는 경우가 있음)를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 백색 안료는 격벽의 반사율을 보다 향상시키는 기능을 갖는다. 금속 산화물 입자 또는 금속 입자는 OD값을 조정하고, 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 억제하는 기능을 갖는다.The partition wall (A-1) is a resin, a white pigment, and particles containing at least one metal oxide or metal selected from the group consisting of palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold, and silver. (Hereinafter, it may be described as "metal oxide particles or metal particles"). The resin has a function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The white pigment has a function of further improving the reflectance of the partition wall. The metal oxide particles or metal particles have a function of adjusting the OD value and suppressing the color mixture of light in adjacent pixels.

수지와 백색 안료는, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 앞서 설명한 바와 같다. 격벽(A-1) 중의 수지의 함유량은, 열처리에 있어서의 격벽의 크랙 내성을 향상시키는 관점에서, 10중량% 이상이 바람직하고, 20중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 내광성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 수지의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 50중량% 이하가 보다 바람직하다.The resin and the white pigment are as described above as materials constituting the resin composition. The content of the resin in the partition wall (A-1) is preferably 10% by weight or more, and more preferably 20% by weight or more, from the viewpoint of improving the crack resistance of the partition wall in heat treatment. On the other hand, from the viewpoint of improving light resistance, the content of the resin in the partition wall (A-1) is preferably 60% by weight or less, and more preferably 50% by weight or less.

격벽(A-1) 중의 백색 안료의 함유량은, 반사율을 보다 향상시키는 관점에서, 20중량% 이상이 바람직하고, 30중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 격벽의 표면 평활성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 백색 안료의 함유량은 60중량% 이하가 바람직하고, 55중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of further improving the reflectance, the content of the white pigment in the partition wall (A-1) is preferably 20% by weight or more, and more preferably 30% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of improving the surface smoothness of the partition wall, the content of the white pigment in the partition wall (A-1) is preferably 60% by weight or less, and more preferably 55% by weight or less.

금속 산화물 입자 또는 금속 입자는, 상술한 수지 조성물 중의 유기 금속 화합물이 노광 공정 및/또는 가열 공정에 있어서, 분해ㆍ응집함으로써 발생한 흑색 입자 또는 황색 입자를 가리킨다. 격벽(A-1) 중의 금속 산화물 입자 또는 금속 입자의 함유량은, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하여 인접 화소에 있어서의 광의 혼색을 보다 억제하는 관점에서, 0.2중량% 이상이 바람직하고, 0.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 반사율 및 OD를 전술한 범위로 조정하는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 금속 산화물 입자 또는 금속 입자의 함유량은 5중량% 이하가 바람직하고, 3중량% 이하가 보다 바람직하다.Metal oxide particles or metal particles refer to black particles or yellow particles generated by decomposition and aggregation of the organometallic compound in the above-described resin composition in an exposure step and/or a heating step. The content of the metal oxide particles or metal particles in the partition wall (A-1) is preferably 0.2% by weight or more, and 0.5% by weight, from the viewpoint of further suppressing the color mixing of light in adjacent pixels by adjusting the reflectance and OD within the above-described range. It is more preferably at least% by weight. On the other hand, from the viewpoint of adjusting the reflectance and OD to the above-described ranges, the content of the metal oxide particles or metal particles in the partition wall (A-1) is preferably 5% by weight or less, and more preferably 3% by weight or less.

격벽(A-1)은, 추가로 발액 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 발액 화합물을 함유함으로써, 격벽(A-1)에 발액 성능을 부여할 수 있고, 예를 들어 후술하는 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 형성할 때, 각각의 화소에 조성이 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포할 수 있다. 발액 화합물은, 수지 조성물을 구성하는 재료로서 상술한 바와 같다.It is preferable that the partition wall (A-1) further contains a liquid-repellent compound. By containing the liquid-repellent compound, it is possible to impart liquid-repellent performance to the partition wall (A-1). For example, when forming a pixel containing a color conversion light-emitting material (B) described later, each pixel has a different color composition. The conversion light-emitting material can be easily divided and coated. The liquid-repellent compound is as described above as a material constituting the resin composition.

격벽의 발액 성능을 향상시켜, 잉크젯 도포성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 발액 화합물의 함유량은 0.01중량% 이상이 바람직하고, 0.1중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 수지나 백색 안료와의 상용성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1) 중의 발액 화합물의 함유량은 10중량% 이하가 바람직하고, 5중량% 이하가 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the liquid-repellent performance of the partition wall and improving the inkjet coatability, the content of the liquid-repellent compound in the partition wall (A-1) is preferably 0.01% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more. On the other hand, from the viewpoint of improving compatibility with a resin or a white pigment, the content of the liquid-repellent compound in the partition wall (A-1) is preferably 10% by weight or less, and more preferably 5% by weight or less.

격벽(A-1)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 대한 표면 접촉각은, 잉크젯 도포성을 향상시키고, 색 변환 발광 재료의 구분 도포를 용이하게 하는 관점에서, 10°이상이 바람직하고, 20°이상이 보다 바람직하고, 40°이상이 더욱 바람직하다. 한편, 격벽과 하지 기판의 밀착성을 향상시키는 관점에서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은 70°이하가 바람직하고, 60°이하가 보다 바람직하다. 여기서, 격벽(A-1)의 표면 접촉각은, 격벽 상부에 대하여, JIS R3257(제정 년월일=1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거하여 측정할 수 있다. 또한, 격벽(A-1)의 표면 접촉각을 상기 범위로 하는 방법으로서는, 예를 들어 전술한 발액 화합물을 사용하는 방법 등을 들 수 있다.The surface contact angle of the partition wall (A-1) with respect to propylene glycol monomethyl ether acetate is preferably 10° or more, and 20° or more, from the viewpoint of improving inkjet coating properties and facilitating the divisional coating of the color conversion luminescent material. This is more preferable, and 40 degrees or more is still more preferable. On the other hand, from the viewpoint of improving the adhesion between the partition wall and the underlying substrate, the surface contact angle of the partition wall A-1 is preferably 70° or less, and more preferably 60° or less. Here, the surface contact angle of the partition wall (A-1) can be measured in accordance with the wettability test method of the substrate glass surface specified in JIS R3257 (establishment date = 1999/04/20) with respect to the partition wall upper part. Moreover, as a method of making the surface contact angle of the partition wall (A-1) into the said range, the method of using the liquid-repellent compound mentioned above, etc. are mentioned, for example.

하지 기판 상에 격벽(A-1)을 패턴 형성하는 방법으로서는, 패턴 형상의 조정이 용이한 점에서, 감광성 페이스트법이 바람직하다. 감광성 페이스트법에 의해 격벽을 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 하지 기판 상에 전술한 수지 조성물을 도포하고, 건조하여 건조막을 얻는 도포 공정, 얻어진 건조막을 원하는 패턴 형상에 따라 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 격벽을 경화시키는 가열 공정을 갖는 방법이 바람직하다. 수지 조성물은 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성을 갖게 하는 것이 바람직하다. 패턴 노광은, 소정의 개구부를 갖는 포토마스크를 개재시켜 노광해도 되고, 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저광 등을 사용하여 임의의 패턴을 직접 묘화해도 된다. 또한, 격벽 구비 기판이 후술하는 차광 격벽(A-2)을 갖는 경우에는, 차광 격벽(A-2) 상에 마찬가지로 하여 격벽(A-1)을 패턴 형성할 수 있다. 각 공정에 대해서는 차광막의 제조 방법으로서 앞서 설명한 바와 같다.As a method of forming a pattern of the partition wall A-1 on the base substrate, a photosensitive paste method is preferable from the viewpoint of easy adjustment of the pattern shape. As a method of patterning the partition wall by the photosensitive paste method, for example, a coating process in which the above-described resin composition is applied on a base substrate and dried to obtain a dried film, an exposure process in which the obtained dried film is pattern exposed according to a desired pattern shape, A method having a developing step of dissolving and removing a portion soluble in a developer in the dried film after exposure and a heating step of curing the partition wall after development is preferable. It is preferable to give the resin composition a positive type or negative type photosensitivity. Pattern exposure may be performed through a photomask having a predetermined opening, or an arbitrary pattern may be directly drawn using laser light or the like without using a photomask. In addition, when the board|substrate with partition wall has the light-shielding partition wall A-2 mentioned later, the partition wall A-1 can be patterned similarly on the light-shielding partition wall A-2. Each step is the same as described above as a manufacturing method of the light-shielding film.

<차광 격벽(A-2)><Light-shielding bulkhead (A-2)>

본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽 사이에, 추가로, 추가로 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 격벽(이하, 「차광 격벽(A-2)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 차광 격벽(A-2)을 가짐으로써, 차광성을 향상시켜 표시 장치에 있어서의 백라이트의 광 누설을 억제하고, 고콘트라스트이며 선명한 화상을 얻을 수 있다.The barrier rib-equipped substrate of the present invention further includes (A-2) a patterned barrier rib having an OD value of 0.5 or more per 1.0 μm in thickness (hereinafter, “ It is preferable to have a light-shielding partition wall (A-2)"). By having the light-shielding partition A-2, light-shielding property is improved, light leakage of the backlight in the display device is suppressed, and a high-contrast and clear image can be obtained.

도 6에, 차광 격벽을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태를 도시하는 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 차광 격벽(7)을 갖고, 격벽(2) 및 차광 격벽(7)에 의해 이격된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다.6 is a cross-sectional view showing an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a light-shielding partition wall. Pixels 3 are arranged in a region spaced apart by the partition wall 2 and the light blocking partition 7 having a partition wall 2 and a light blocking partition 7 patterned on the base substrate 1.

차광 격벽(A-2)은, 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상이다. 여기서, 차광 격벽(A-2)의 두께는, 후술하는 바와 같이 0.5 내지 10㎛가 바람직하다. 그래서, 본 발명에 있어서는 격벽(A-2)의 두께의 대푯값으로서 1.0㎛를 선택하고, 두께 1.0㎛당 OD값에 착안하였다. 두께 1.0㎛당 OD값을 0.5 이상으로 함으로써, 차광성을 보다 향상시키고, 보다 고콘트라스트이며 선명한 화상을 얻을 수 있다. 두께 1.0㎛당 OD값은 1.0 이상이 보다 바람직하다. 한편, 두께 1.0㎛당 OD값은 4.0 이하가 바람직하며, 패턴 가공성을 향상시킬 수 있다. 두께 1.0㎛당 OD값은 3.0 이하가 보다 바람직하다. 차광 격벽(A-2)의 OD값은, 전술한 격벽(A-1)의 OD값과 마찬가지로 측정할 수 있다. 또한, OD값을 상기 범위로 하기 위한 수단으로서는, 예를 들어 차광 격벽(A-2)을 후술하는 바람직한 조성으로 하는 것 등을 들 수 있다.The light-shielding partition A-2 has an OD value of 0.5 or more per 1.0 µm in thickness. Here, the thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 0.5 to 10 µm, as described later. Therefore, in the present invention, 1.0 µm was selected as a representative value of the thickness of the partition wall A-2, and attention was paid to the OD value per 1.0 µm in thickness. When the OD value per 1.0 µm in thickness is 0.5 or more, the light-shielding property is further improved, and a higher contrast and clearer image can be obtained. The OD value per 1.0 μm of thickness is more preferably 1.0 or more. On the other hand, the OD value per 1.0 μm in thickness is preferably 4.0 or less, and pattern processability can be improved. The OD value per 1.0 mu m of thickness is more preferably 3.0 or less. The OD value of the light-shielding partition A-2 can be measured similarly to the OD value of the aforementioned partition A-1. In addition, as a means for making the OD value into the above range, for example, the light-shielding partition wall (A-2) may be made into a preferable composition to be described later, and the like.

차광 격벽(A-2)의 두께는, 차광성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1.0㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 평탄성을 향상시키는 관점에서, 차광 격벽(A-2)의 두께는 10㎛ 이하가 바람직하고, 5㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또한, 차광 격벽(A-2)의 폭은, 전술한 격벽(A-1)과 동일 정도가 바람직하다.The thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 0.5 µm or more, and more preferably 1.0 µm or more, from the viewpoint of improving the light-shielding property. On the other hand, from the viewpoint of improving the flatness, the thickness of the light-shielding partition A-2 is preferably 10 µm or less, and more preferably 5 µm or less. In addition, the width of the light-shielding partition A-2 is preferably about the same as that of the aforementioned partition A-1.

차광 격벽(A-2)은 수지 및 흑색 안료를 함유하는 것이 바람직하다. 수지는 격벽의 크랙 내성 및 내광성을 향상시키는 기능을 갖는다. 흑색 안료는 입사한 광을 흡수하고, 사출광을 저감하는 기능을 갖는다.It is preferable that the light-shielding partition wall (A-2) contains a resin and a black pigment. The resin has a function of improving the crack resistance and light resistance of the partition wall. The black pigment has a function of absorbing incident light and reducing emitted light.

수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, (메트)아크릴 폴리머, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리올레핀, 폴리실록산 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 내열성 및 용매 내성이 우수한 점에서 폴리이미드가 바람직하다.Examples of the resin include epoxy resin, (meth)acrylic polymer, polyurethane, polyester, polyimide, polyolefin, and polysiloxane. You may contain 2 or more types of these. Among these, polyimide is preferable from the viewpoint of excellent heat resistance and solvent resistance.

흑색 안료로서는, 전술한 수지 조성물 중에 있어서의 흑색 안료로서 예시한 것이나, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은 등을 들 수 있다. 높은 차광성을 갖는 점에서, 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금 및 산화은으로부터 선택된 흑색 안료가 바람직하다.Examples of the black pigment include those exemplified as black pigments in the resin composition described above, and palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, and the like. From the viewpoint of having a high light-shielding property, a black pigment selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, palladium oxide, platinum oxide, gold oxide and silver oxide is preferable.

하지 기판 상에 차광 격벽(A-2)을 패턴 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2015-1654호 공보에 기재된 감광성 재료를 사용하여, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.As a method of patterning the light-shielding partition wall (A-2) on the base substrate, for example, a photosensitive material described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2015-1654 is used, and similarly to the partition wall (A-1) described above, a photosensitive paste A method of forming a pattern by a method is preferable.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 추가로 상기 격벽(A-1)에 의해 이격되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(이하, 「화소(B)」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 화소(B)는, 입사광의 파장 영역의 적어도 일부를 변환하여, 입사광과는 다른 파장 영역의 출사광을 방출함으로써 컬러 표시를 가능하게 하는 기능을 갖는다.In the substrate with partition walls of the present invention, a pixel containing the (B) color conversion light emitting material arranged to be spaced apart by the partition wall (A-1) (hereinafter, referred to as ``pixel (B)'' may be referred to as hereinafter) It is preferable to have. The pixel B has a function of enabling color display by converting at least a part of a wavelength region of incident light and emitting outgoing light in a wavelength region different from that of incident light.

도 2에, 패턴 형성된 격벽(A-1)과 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2)을 갖고, 격벽(2)에 의해 이격된 영역에 화소(3)가 배열되어 있다.Fig. 2 shows a cross-sectional view of an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a patterned partition wall A-1 and a pixel B containing a color conversion light-emitting material. Pixels 3 are arranged in a region spaced apart by the partition wall 2 with the partition wall 2 patterned on the base substrate 1.

색 변환 재료는, 무기 형광체 및 유기 형광체로부터 선택된 형광체를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the color conversion material contains a phosphor selected from inorganic phosphors and organic phosphors.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 예를 들어 청색광을 발광하는 백라이트와 TFT 상에 형성된 액정과 화소(B)를 조합하여, 표시 장치로서 사용할 수 있다. 이 경우, 적색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 적색의 형광을 발하는 적색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 녹색 화소에 대응하는 영역에는, 청색의 여기광에 의해 여기되어 녹색의 형광을 발하는 녹색용 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 청색 화소에 대응하는 영역에는, 형광체를 함유하지 않는 것이 바람직하다.The substrate with partition walls of the present invention can be used as a display device by combining, for example, a backlight emitting blue light, a liquid crystal formed on a TFT, and a pixel (B). In this case, it is preferable to contain a red phosphor that is excited by blue excitation light and emits red fluorescence in a region corresponding to a red pixel. Similarly, it is preferable to contain a green phosphor that is excited by blue excitation light and emits green fluorescence in a region corresponding to a green pixel. It is preferable that no phosphor is contained in the region corresponding to the blue pixel.

기판 상에 백색의 격벽에 의해 분리된, 각 화소에 대응한 청색 LED를 다수 배열한 청색 마이크로 LED를 백라이트로서 사용하는 방식의 표시 장치에도, 본 발명의 격벽 구비 기판을 사용할 수 있다. 각 화소의 ON/OFF는 청색 마이크로 LED의 ON/OFF에 의해 가능하게 되며, 액정은 필요없다. 본 발명의 격벽 구비 기판은, 각 화소를 분리하는 격벽과, 백라이트에 있어서 청색 마이크로 LED를 분리하는 격벽 어느 것에도 사용할 수 있다.The substrate with partition walls of the present invention can also be used for a display device in which a blue micro LED in which a plurality of blue LEDs corresponding to each pixel is arranged on a substrate separated by a white partition wall is used as a backlight. Each pixel can be turned on/off by turning on/off the blue micro LED, and no liquid crystal is required. The board|substrate with partition wall of this invention can be used for either a partition wall separating each pixel, and a partition wall separating a blue micro LED in a backlight.

무기 형광체로서는, 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것, 즉 파장 400 내지 500nm의 여기광에 의해 여기되고, 발광 스펙트럼이 500 내지 700nm의 영역에 피크를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 무기 형광체로서는, 예를 들어 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 사이알론계 형광체, Mn4+ 활성화 불화물 착체 형광체, 양자 도트라고 칭해지는 무기 반도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다. 이들 중에서도 양자 도트가 바람직하다. 양자 도트는 다른 형광체와 비교하여 평균 입자경이 작은 점에서, (B) 화소의 표면을 평활화하여 표면에 있어서의 광산란을 억제할 수 있기 때문에, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.As the inorganic phosphor, it is preferable that each color such as green or red is emitted by blue excitation light, that is, excitation by excitation light having a wavelength of 400 to 500 nm, and an emission spectrum having a peak in a region of 500 to 700 nm. . Examples of such inorganic phosphors include YAG-based phosphors, TAG-based phosphors, sialon-based phosphors, Mn 4+ activated fluoride complex phosphors, and inorganic semiconductors called quantum dots. You may use 2 or more types of these. Among these, quantum dots are preferable. Since quantum dots have a smaller average particle diameter compared to other phosphors, (B) the surface of the pixel can be smoothed to suppress light scattering on the surface, thereby further improving the light extraction efficiency and further improving the luminance. have.

양자 도트로서는, 예를 들어 II-IV족, III-V족, IV-VI족, IV족의 반도체 등을 포함하는 입자를 들 수 있다. 이들 무기 반도체로서는, 예를 들어 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드를 포함함), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of quantum dots include particles containing semiconductors of group II-IV, III-V, IV-VI, and IV. Examples of these inorganic semiconductors include Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (including diamonds), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si 3 N 4 , Ge 3 N 4 , Al 2 O 3 and the like. You may use 2 or more types of these.

양자 도트는 p형 도펀트 또는 n형 도펀트를 함유해도 된다. 또한, 양자 도트는 코어 셸 구조를 가져도 된다. 코어 셸 구조에 있어서는, 셸의 주위에 목적에 따라 임의의 적절한 기능층(단일층 또는 복수층)이 형성되어 있어도 되고, 셸 표면에 표면 처리 및/또는 화학 수식이 이루어져 있어도 된다.The quantum dot may contain a p-type dopant or an n-type dopant. Further, the quantum dot may have a core shell structure. In the core-shell structure, an arbitrary suitable functional layer (single layer or multiple layers) may be formed around the shell according to the purpose, and surface treatment and/or chemical modification may be performed on the surface of the shell.

양자 도트의 형상으로서는, 예를 들어 구상, 주상, 인편상, 판상, 부정형 등을 들 수 있다. 양자 도트의 평균 입자경은, 원하는 발광 파장에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 1 내지 30nm가 바람직하다. 양자 도트의 평균 입자경이 1 내지 10nm이면, 청색, 녹색 및 적색의 각각에 있어서, 발광 스펙트럼에 있어서의 피크를 보다 샤프하게 할 수 있다. 양자 도트의 평균 입자경은 2nm 이상이 바람직하고, 8nm 이하가 바람직하다. 예를 들어, 양자 도트의 평균 입자경이 약 2nm인 경우에는 청색광을, 약 3nm인 경우에는 녹색광을, 약 6nm인 경우에는 적색광을 발광한다. 양자 도트의 평균 입자경은 동적 광산란법에 의해 측정할 수 있다. 평균 입자경의 측정 장치로서는 다이내믹 광산란 광도계 DLS-8000(오츠카 덴시(주)제) 등을 들 수 있다.As a shape of a quantum dot, a spherical shape, a column shape, a scale shape, a plate shape, an irregular shape, etc. are mentioned, for example. The average particle diameter of the quantum dots can be arbitrarily selected depending on the desired emission wavelength, and is preferably 1 to 30 nm. When the average particle diameter of the quantum dots is 1 to 10 nm, in each of blue, green, and red, the peak in the emission spectrum can be made sharper. The average particle diameter of the quantum dots is preferably 2 nm or more, and preferably 8 nm or less. For example, when the average particle diameter of the quantum dots is about 2 nm, blue light, when about 3 nm, green light, and when about 6 nm, red light is emitted. The average particle diameter of a quantum dot can be measured by a dynamic light scattering method. As a measuring device for the average particle diameter, a dynamic light scattering photometer DLS-8000 (manufactured by Otsuka Electric Corporation), etc. are mentioned.

유기 형광체로서는 청색의 여기광에 의해 녹색이나 적색 등의 각 색을 발광하는 것이 바람직하다. 적색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (8)로 표시되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체, 녹색의 형광을 발하는 형광체로서, 하기 구조식 (9)로 표시되는 기본 골격을 갖는 피로메텐 유도체 등을 들 수 있다. 그 밖에는 치환기의 선택에 따라 적색 또는 녹색의 형광을 발하는 페릴렌계 유도체, 포르피린계 유도체, 옥사진계 유도체, 피라진계 유도체 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 양자 수율이 높은 점에서 피로메텐 유도체가 바람직하다. 피로메텐 유도체는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2011-241160호 공보에 기재된 방법에 의해 얻을 수 있다.As the organic phosphor, it is preferable to emit light in each color such as green or red by blue excitation light. As a phosphor emitting red fluorescence, a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (8), and a phosphor emitting green fluorescence, a pyromethene derivative having a basic skeleton represented by the following structural formula (9), etc. I can. Other examples include perylene-based derivatives, porphyrin-based derivatives, oxazine-based derivatives, and pyrazine-based derivatives that emit red or green fluorescence depending on the selection of the substituent. You may contain 2 or more types of these. Among these, pyromethane derivatives are preferred because of their high quantum yield. The pyromethene derivative can be obtained, for example, by the method described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-241160.

Figure pct00004
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유기 형광체는 용매에 가용이기 때문에, 원하는 두께의 화소(B)를 용이하게 형성할 수 있다.Since the organic phosphor is soluble in a solvent, the pixel B having a desired thickness can be easily formed.

화소(B)의 두께는, 색 특성을 향상시키는 관점에서, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 1㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 화소(B)의 두께는 표시 장치의 박형화나 곡면 가공성의 관점에서, 30㎛ 이하가 바람직하고, 20㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the pixel B is preferably 0.5 µm or more, and more preferably 1 µm or more, from the viewpoint of improving color characteristics. On the other hand, the thickness of the pixel B is preferably 30 µm or less, and more preferably 20 µm or less, from the viewpoint of thinning of the display device and curved surface workability.

각 화소(B)의 크기는 20 내지 200㎛ 정도가 일반적이다.The size of each pixel B is generally about 20 to 200 μm.

화소(B)는, 격벽(A-1)에 의해 이격되어 배열되어 있는 것이 바람직하다. 화소와 화소 사이에 격벽을 마련함으로써, 발광한 광의 확산이나 혼색을 보다 억제할 수 있다.It is preferable that the pixels B are arranged to be spaced apart by the partition walls A-1. By providing a partition wall between the pixel and the pixel, diffusion or color mixing of the emitted light can be further suppressed.

화소(B)의 형성 방법으로서는, 예를 들어 색 변환 발광 재료를 함유하는 도액(이하, 색 변환 발광 재료 도액)을 격벽(A-1)에 의해 이격된 공간에 충전하는 방법을 들 수 있다. 색 변환 발광 재료 도액은, 추가로 수지나 용매를 함유해도 된다.As a method of forming the pixel B, for example, a method of filling a space separated by a partition wall A-1 with a coating solution containing a color conversion luminescent material (hereinafter, a color conversion luminescent material coating solution) is exemplified. The color conversion light-emitting material coating liquid may further contain a resin or a solvent.

색 변환 발광 재료 도액의 충전 방법으로서는, 각 화소에 종류가 다른 색 변환 발광 재료를 용이하게 구분 도포하는 관점에서, 잉크젯 도포법 등이 바람직하다.As a method of filling the color conversion light-emitting material coating liquid, an inkjet coating method or the like is preferable from the viewpoint of easily applying different types of color conversion light-emitting materials to each pixel.

얻어진 도포막을 감압 건조 및/또는 가열 건조해도 된다. 감압 건조하는 경우, 건조 용매가 감압 챔버 내벽에 재응축하는 것을 방지하기 위해, 감압 건조 온도는 80℃ 이하가 바람직하다. 감압 건조의 압력은, 도포막에 포함되는 용매의 증기압 이하가 바람직하고, 1 내지 1000Pa이 바람직하다. 감압 건조 시간은 10 내지 600초간이 바람직하다. 가열 건조하는 경우, 가열 건조 장치로서는, 예를 들어 오븐이나 핫 플레이트 등을 들 수 있다. 가열 건조 온도는 60 내지 200℃가 바람직하다. 가열 건조 시간은 1 내지 60분간이 바람직하다.You may dry the obtained coating film under reduced pressure and/or heat-dry. In the case of drying under reduced pressure, in order to prevent the drying solvent from recondensing on the inner wall of the vacuum chamber, the drying temperature under reduced pressure is preferably 80° C. or lower. The pressure for drying under reduced pressure is preferably not more than the vapor pressure of the solvent contained in the coating film, and is preferably 1 to 1000 Pa. The drying time under reduced pressure is preferably 10 to 600 seconds. In the case of heating and drying, examples of the heating drying device include an oven and a hot plate. The heating drying temperature is preferably 60 to 200°C. The heating drying time is preferably 1 to 60 minutes.

본 발명의 격벽 구비 기판은, 화소(B) 상에, 추가로 (C) 파장 550nm에 있어서의 굴절률이 1.20 내지 1.35인 저굴절률층(이하, 「저굴절률층(C)」이라고 기재하는 경우가 있음)을 갖는 것이 바람직하다. 저굴절률층(C)을 가짐으로써, 광의 취출 효율을 보다 향상시키고, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.In the substrate with partition walls of the present invention, on the pixel (B), (C) a low refractive index layer having a refractive index of 1.20 to 1.35 at a wavelength of 550 nm (hereinafter, it may be described as a ``low refractive index layer (C)''). It is preferable to have). By having the low refractive index layer C, the light extraction efficiency can be further improved, and the luminance of the display device can be further improved.

도 3에, 저굴절률층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 저굴절률층(4)을 갖는다.3 shows a cross-sectional view of an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a low refractive index layer. A partition wall 2 and a pixel 3 patterned on the base substrate 1 are provided, and a low refractive index layer 4 is further provided thereon.

표시 장치에 있어서, 백라이트의 광의 반사를 적절하게 억제하여 화소(B)에 효율적으로 광을 입사시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 1.20 이상이 바람직하고, 1.23 이상이 보다 바람직하다. 한편, 휘도를 향상시키는 관점에서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 1.35 이하가 바람직하고, 1.30 이하가 보다 바람직하다. 여기서, 저굴절률층(C)의 굴절률은 프리즘 커플러를 사용하여 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막면에 대하여 수직 방향으로부터 파장 550nm의 광을 조사하여 측정할 수 있다.In a display device, from the viewpoint of appropriately suppressing the reflection of light from the backlight and allowing light to be efficiently incident on the pixel B, the refractive index of the low refractive index layer C is preferably 1.20 or more, and more preferably 1.23 or more. On the other hand, from the viewpoint of improving luminance, the refractive index of the low refractive index layer (C) is preferably 1.35 or less, and more preferably 1.30 or less. Here, the refractive index of the low refractive index layer (C) can be measured by irradiating light having a wavelength of 550 nm from a direction perpendicular to the cured film surface under atmospheric pressure and at 20°C using a prism coupler.

저굴절률층(C)은 폴리실록산 및 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 폴리실록산은 실리카 입자 등의 무기 입자와의 상용성이 높고, 투명한 층을 형성할 수 있는 결합제로서 기능한다. 또한, 실리카 입자를 함유함으로써, 저굴절률층(C) 중에 미소한 공극을 효율적으로 형성하여 굴절률을 저감할 수 있고, 굴절률을 전술한 범위로 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자를 사용함으로써, 경화 수축 시의 크랙을 발생시키기 쉬운 중공 구조를 갖지 않기 때문에, 크랙을 억제할 수 있다. 또한, 저굴절률층(C)에 있어서, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자는 각각 독립적으로 함유되어 있어도 되고, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자가 결합한 상태로 함유되어 있어도 된다. 저굴절률층(C)의 균일성의 관점에서, 폴리실록산과 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자가 결합한 상태로 함유되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the low refractive index layer (C) contains polysiloxane and silica particles not having a hollow structure. Polysiloxane has high compatibility with inorganic particles such as silica particles and functions as a binder capable of forming a transparent layer. In addition, by containing silica particles, minute voids can be efficiently formed in the low refractive index layer (C) to reduce the refractive index, and the refractive index can be easily adjusted within the above-described range. Further, by using silica particles that do not have a hollow structure, cracks can be suppressed because they do not have a hollow structure that is liable to generate cracks during cure shrinkage. In addition, in the low refractive index layer (C), the polysiloxane and the silica particles having no hollow structure may each be contained independently, or the polysiloxane and the silica particles having no hollow structure may be contained in a bonded state. From the viewpoint of the uniformity of the low refractive index layer (C), it is preferable that polysiloxane and silica particles having no hollow structure are contained in a bonded state.

저굴절률층(C)에 포함되는 폴리실록산은 불소를 함유하는 것이 바람직하다. 불소를 함유함으로써, 저굴절률층(C)의 굴절률을 1.20 내지 1.35로 용이하게 조정할 수 있다. 불소 함유 폴리실록산은, 적어도 하기 일반식 (10)으로 표시되는 불소 함유 알콕시실란 화합물을 포함하는 복수의 알콕시실란 화합물을 가수분해 및 중축합함으로써 얻을 수 있다. 추가로 다른 알콕시실란 화합물을 사용해도 된다.It is preferable that the polysiloxane contained in the low refractive index layer (C) contains fluorine. By containing fluorine, the refractive index of the low refractive index layer (C) can be easily adjusted to 1.20 to 1.35. The fluorine-containing polysiloxane can be obtained by hydrolysis and polycondensation of a plurality of alkoxysilane compounds containing at least a fluorine-containing alkoxysilane compound represented by the following general formula (10). Further, other alkoxysilane compounds may be used.

Figure pct00005
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상기 일반식 (10) 중, R7은 불소수 3 내지 17의 플루오로알킬기를 나타낸다. R6은 일반식 (5) 내지 (7)에 있어서의 R6과 동일한 기를 나타낸다. m은 1 또는 2를 나타낸다. 4-m개의 R6 및 m개의 R7은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.In the general formula (10), R 7 represents a fluoroalkyl group having 3 to 17 fluorine atoms. R 6 represents the same groups as R 6 in the formula (5) to (7). m represents 1 or 2. 4-m R 6 and m R 7 may be the same or different, respectively.

일반식 (10)으로 표시되는 불소 함유 알콕시실란 화합물로서는, 예를 들어 트리플루오로에틸트리메톡시실란, 트리플루오로에틸트리에톡시실란, 트리플루오로에틸트리이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리에톡시실란, 트리플루오로프로필트리이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리에톡시실란, 헵타데카플루오로데실트리이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸트리이소프로폭시실란, 트리플루오로에틸메틸디메톡시실란, 트리플루오로에틸메틸디에톡시실란, 트리플루오로에틸메틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필메틸디이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디메톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실메틸디이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸메틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로에틸에틸디메톡시실란, 트리플루오로에틸에틸디에톡시실란, 트리플루오로에틸에틸디이소프로폭시실란, 트리플루오로프로필에틸디메톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디에톡시실란, 트리플루오로프로필에틸디이소프로폭시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디메톡시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디에톡시실란, 헵타데카플루오로데실에틸디이소프로폭시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디에톡시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디메톡시실란, 트리데카플루오로옥틸에틸디이소프로폭시실란 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.Examples of the fluorine-containing alkoxysilane compound represented by the general formula (10) include trifluoroethyltrimethoxysilane, trifluoroethyltriethoxysilane, trifluoroethyltriisopropoxysilane, and trifluoropropyl Trimethoxysilane, trifluoropropyltriethoxysilane, trifluoropropyltriisopropoxysilane, heptadecafluorodecyltrimethoxysilane, heptadecafluorodecyltriethoxysilane, heptadecafluorodecyltri Isopropoxysilane, tridecafluorooctyltriethoxysilane, tridecafluorooctyltrimethoxysilane, tridecafluorooctyltriisopropoxysilane, trifluoroethylmethyldimethoxysilane, trifluoroethyl Methyldiethoxysilane, trifluoroethylmethyldiisopropoxysilane, trifluoropropylmethyldimethoxysilane, trifluoropropylmethyldiethoxysilane, trifluoropropylmethyldiisopropoxysilane, heptadecafluorodecyl Methyldimethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylmethyldiisopropoxysilane, tridecafluorooctylmethyldimethoxysilane, tridecafluorooctylmethyldiethoxysilane, tridecafluoro Rooctylmethyldiisopropoxysilane, trifluoroethylethyldimethoxysilane, trifluoroethylethyldiethoxysilane, trifluoroethylethyldiisopropoxysilane, trifluoropropylethyldimethoxysilane, trifluoro Propylethyldiethoxysilane, trifluoropropylethyldiisopropoxysilane, heptadecafluorodecylethyldimethoxysilane, heptadecafluorodecylethyldiethoxysilane, heptadecafluorodecylethyldiisopropoxysilane, tri Decafluorooctylethyldiethoxysilane, tridecafluorooctylethyldimethoxysilane, tridecafluorooctylethyldiisopropoxysilane, and the like. You may use 2 or more types of these.

저굴절률층(C)에 있어서의 폴리실록산의 함유량은, 크랙을 억제하는 관점에서 4중량% 이상이 바람직하다. 한편, 폴리실록산의 함유량은, 실리카 입자간의 네트워크에 의한 틱소트로픽성을 확보하고, 저굴절률층(C) 중에 적절하게 공기층을 유지하고, 굴절률을 보다 저감하는 관점에서 32중량% 이하가 바람직하다.The content of the polysiloxane in the low refractive index layer (C) is preferably 4% by weight or more from the viewpoint of suppressing cracks. On the other hand, the content of the polysiloxane is preferably 32% by weight or less from the viewpoint of securing thixotropic properties due to a network between silica particles, appropriately holding an air layer in the low refractive index layer (C), and further reducing the refractive index.

저굴절률층(C)에 있어서의 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자로서는, 예를 들어 닛산 가가쿠 고교(주)제 "스노우텍스"(등록 상표)나 "오르가노실리카졸"(등록 상표) 시리즈(이소프로필알코올 분산액, 에틸렌글리콜 분산액, 메틸에틸케톤 분산액, 디메틸아세트아미드 분산액, 메틸이소부틸케톤 분산액, 프로필렌글리콜모노메틸아세테이트 분산액, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 분산액, 메탄올 분산액, 아세트산에틸 분산액, 아세트산부틸 분산액, 크실렌-n-부탄올 분산액, 톨루엔 분산액 등. 품번 PGM-ST, PMA-ST, IPA-ST, IPA-ST-L, IPA-ST-ZL, IPA-ST-UP 등)를 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.Examples of silica particles that do not have a hollow structure in the low refractive index layer (C) include "Snowtex" (registered trademark) and "organo silica sol" (registered trademark) series (registered trademark) manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd. Isopropyl alcohol dispersion, ethylene glycol dispersion, methyl ethyl ketone dispersion, dimethylacetamide dispersion, methyl isobutyl ketone dispersion, propylene glycol monomethyl acetate dispersion, propylene glycol monomethyl ether dispersion, methanol dispersion, ethyl acetate dispersion, butyl acetate dispersion, Xylene-n-butanol dispersion, toluene dispersion, etc. Part numbers PGM-ST, PMA-ST, IPA-ST, IPA-ST-L, IPA-ST-ZL, IPA-ST-UP, etc.) are mentioned. You may contain 2 or more types of these.

저굴절률층(C) 중에 있어서의 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자의 함유량은, 실리카 입자간의 네트워크에 의한 틱소트로픽성을 확보하고, 저굴절률층(C) 중에 적절하게 공기층을 유지하고, 굴절률을 보다 저감하는 관점에서 68중량% 이상이 바람직하다. 한편, 중공 구조를 갖지 않는 실리카 입자의 함유량은, 크랙을 억제하는 관점에서 96중량% 이하가 바람직하다.The content of the silica particles not having a hollow structure in the low refractive index layer (C) ensures thixotropic properties due to the network between the silica particles, appropriately maintains the air layer in the low refractive index layer (C), and improves the refractive index. From the viewpoint of reducing, it is preferably 68% by weight or more. On the other hand, the content of the silica particles not having a hollow structure is preferably 96% by weight or less from the viewpoint of suppressing cracks.

저굴절률층(C)의 두께는, 화소(B)의 단차를 커버하여 결함의 발생을 억제하는 관점에서, 0.1㎛ 이상이 바람직하고, 0.5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 저굴절률층(C)의 두께는, 저굴절률층(C)의 크랙의 원인이 되는 스트레스를 저감하는 관점에서, 20㎛ 이하가 바람직하고, 10㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the low refractive index layer C is preferably 0.1 µm or more, and more preferably 0.5 µm or more, from the viewpoint of suppressing the occurrence of defects by covering the step difference of the pixel B. On the other hand, the thickness of the low refractive index layer (C) is preferably 20 µm or less, and more preferably 10 µm or less from the viewpoint of reducing stress that causes cracks in the low refractive index layer (C).

저굴절률층(C)의 형성 방법으로서는, 형성 방법이 용이한 점에서 도포법이 바람직하다. 예를 들어, 폴리실록산과 실리카 입자를 함유하는 저굴절률용 수지 조성물을 화소(B) 상에 도포하고, 건조시킨 후, 가열함으로써 저굴절률층(C)을 형성할 수 있다.As a method of forming the low refractive index layer (C), a coating method is preferable because the method is easy to form. For example, the low refractive index layer (C) can be formed by applying a resin composition for low refractive index containing polysiloxane and silica particles on the pixel (B), drying, and then heating.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 저굴절률층(C) 상에 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 I을 가짐으로써, 대기 중의 수분이 저굴절률층(C)에 도달하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고 휘도 열화를 억제할 수 있다.In addition, it is preferable that the substrate with partition walls of the present invention further includes an inorganic protective layer I having a thickness of 50 to 1,000 nm on the low refractive index layer (C). By having the inorganic protective layer I, since moisture in the atmosphere becomes difficult to reach the low refractive index layer C, it is possible to suppress the variation of the refractive index of the low refractive index layer C and suppress the luminance deterioration.

도 4에, 저굴절률층 및 무기 보호층 I을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 저굴절률층(4) 및 무기 보호층 I(5)을 갖는다.Fig. 4 shows a cross-sectional view of an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer I. It has a partition wall 2 and a pixel 3 patterned on the base substrate 1, and further has a low refractive index layer 4 and an inorganic protective layer I(5) on these.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 화소(B)와 상기 저굴절률층(C)의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 II를 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 II를 가짐으로써, 화소(B)로부터 저굴절률층으로 화소(B)를 형성하는 원료가 이동하기 어려워지기 때문에, 저굴절률층(C)의 굴절률 변동을 억제하고, 휘도 열화를 억제할 수 있다.In addition, it is preferable that the substrate with partition walls of the present invention further includes an inorganic protective layer II having a thickness of 50 to 1,000 nm between the pixel (B) and the low refractive index layer (C). By having the inorganic protective layer II, the raw material forming the pixel (B) from the pixel (B) to the low refractive index layer becomes difficult to move, so the refractive index fluctuation of the low refractive index layer (C) can be suppressed and luminance deterioration can be suppressed. I can.

도 5에, 저굴절률층 및 무기 보호층 II를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖고, 이들 위에 추가로 무기 보호층 II(6) 및 저굴절률층(4)을 갖는다.5 shows a cross-sectional view of an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a low refractive index layer and an inorganic protective layer II. It has a partition wall 2 and a pixel 3 patterned on the base substrate 1, and further has an inorganic protective layer II 6 and a low refractive index layer 4 on these.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 하지 기판과 상기 화소(B)의 사이에, 추가로 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터(이하, 「컬러 필터」라고 기재하는 경우가 있음)를 갖는 것이 바람직하다. 컬러 필터는 특정 파장 영역의 가시광을 투과시켜 투과광을 원하는 색상으로 하는 기능을 갖는다. 컬러 필터를 가짐으로써, 표시 장치의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 컬러 필터의 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써 색 순도를 보다 향상시킬 수 있다. 한편, 컬러 필터의 두께를 5㎛ 이하로 함으로써 휘도를 보다 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate with partition walls of the present invention preferably has a color filter having a thickness of 1 to 5 μm (hereinafter, sometimes referred to as “color filter”) between the base substrate and the pixel (B). Do. The color filter has a function of making the transmitted light a desired color by transmitting visible light in a specific wavelength range. By having a color filter, the color purity of the display device can be improved. Color purity can be further improved by making the thickness of a color filter 1 micrometer or more. On the other hand, brightness can be further improved by setting the thickness of the color filter to 5 µm or less.

도 6에, 컬러 필터를 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 컬러 필터(7) 상에 화소(3)를 갖는다.6 is a cross-sectional view of an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having a color filter. A partition wall 2 and a color filter 7 patterned on the base substrate 1 are provided, and a pixel 3 is provided on the color filter 7.

컬러 필터로서는, 예를 들어 액정 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이에 사용되는, 포토레지스트에 안료를 분산시킨 안료 분산형 재료를 사용한 컬러 필터 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는 400nm 내지 550nm의 파장을 선택적으로 투과하는 청색 컬러 필터, 500nm 내지 600nm의 파장을 선택적으로 투과하는 녹색 컬러 필터, 500nm 이상의 파장을 선택적으로 투과하는 황색 컬러 필터, 600nm 이상의 파장을 선택적으로 투과하는 적색 컬러 필터 등을 들 수 있다. 또한, 컬러 필터는 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)로부터 이격하여 적층되어 있어도 되고, 일체화하여 적층되어 있어도 된다.Examples of the color filter include a color filter using a pigment-dispersed material in which a pigment is dispersed in a photoresist, which is used for a flat panel display such as a liquid crystal display. More specifically, a blue color filter that selectively transmits a wavelength of 400 nm to 550 nm, a green color filter that selectively transmits a wavelength of 500 nm to 600 nm, a yellow color filter that selectively transmits a wavelength of 500 nm or more, and a wavelength of 600 nm or more are selectively selected. A transmissive red color filter and the like. In addition, the color filters may be stacked apart from the pixel B containing the color conversion light-emitting material, or may be integrated and stacked.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 컬러 필터와 상기 화소(B)의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 III을 가짐으로써, 컬러 필터로부터 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)로 컬러 필터의 형성 원료가 도달하기 어려워지기 때문에, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)의 휘도 열화를 억제할 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층을 가짐으로써, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 전부 변환할 수 없었던 청색 누설광을 커트하고, 색 재현성을 향상시킬 수 있다.Further, it is preferable that the substrate with partition walls of the present invention further has an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer having a thickness of 50 to 1,000 nm between the color filter and the pixel (B). Having the inorganic protective layer III makes it difficult for the raw material for forming the color filter to reach the pixel B containing the color conversion light-emitting material from the color filter, so that the luminance deterioration of the pixel B containing the color conversion light-emitting material is prevented. Can be suppressed. In addition, by having a yellow organic protective layer, blue leakage light that could not be completely converted by the pixel B containing the color conversion light-emitting material can be cut, and color reproducibility can be improved.

도 7에, 컬러 필터 및 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 이들 위에 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층(8)을 갖고, 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층(8)으로 덮인 격벽(2)으로 이격되어 배열된 화소(3)를 갖는다.7 shows a cross-sectional view of an aspect of a substrate with partition walls of the present invention having a color filter and an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer. It has a partition wall 2 and a color filter 7 patterned on the base substrate 1, and has an inorganic protective layer III and/or a yellow organic protective layer 8 on them, and an inorganic protective layer III and/or yellow organic The pixels 3 are spaced apart and arranged by a partition wall 2 covered with a protective layer 8.

또한, 본 발명의 격벽 구비 기판은, 상기 하지 기판 상에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 것이 바람직하다. 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층이 굴절률 조정층으로서 작용하여, 화소(B)로부터 나오는 광을 보다 효율적으로 취출하여, 표시 장치의 휘도를 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 황색 유기 보호층은, 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소(B)에 의해 전부 변환할 수 없었던 청색 누설광을 커트하고, 색 재현성을 향상시킬 수 있다. 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층은, 하지 기판과 격벽(A) 및 화소(B) 사이에 마련되는 것이 보다 바람직하다.In addition, it is preferable that the substrate with partition walls of the present invention further includes an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer having a thickness of 50 to 1,000 nm on the base substrate. The inorganic protective layer IV and/or the yellow organic protective layer acts as a refractive index adjusting layer, so that light emitted from the pixel B can be more efficiently extracted and the luminance of the display device can be further improved. In addition, the yellow organic protective layer cuts out blue leakage light that could not be completely converted by the pixel B containing the color conversion luminescent material, and can improve color reproducibility. It is more preferable that the inorganic protective layer IV and/or the yellow organic protective layer is provided between the base substrate and the partition wall (A) and the pixel (B).

도 8에, 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 본 발명의 격벽 구비 기판의 일 양태의 단면도를 도시한다. 하지 기판(1) 상에 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층(9)을 갖고, 이들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 컬러 필터(7)를 갖고, 이들 위에 패턴 형성된 격벽(2) 및 화소(3)를 갖는다.8 shows a cross-sectional view of an aspect of the substrate with partition walls of the present invention having an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer. It has an inorganic protective layer IV and/or a yellow organic protective layer 9 on the base substrate 1, has a partition wall 2 and a color filter 7 patterned thereon, and a partition wall 2 patterned thereon, and It has a pixel 3.

무기 보호층 I 내지 IV를 구성하는 재료로서는, 예를 들어 산화규소, 산화인듐주석, 산화갈륨아연 등의 금속 산화물; 질화규소 등의 금속 질화물; 불화마그네슘 등의 불화물 등을 들 수 있다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 이들 중에서도 수증기 투과성이 낮고, 투과성이 높은 점에서 질화규소 또는 산화규소가 보다 바람직하다.Examples of the material constituting the inorganic protective layers I to IV include metal oxides such as silicon oxide, indium tin oxide, and gallium zinc oxide; Metal nitrides such as silicon nitride; And fluorides such as magnesium fluoride. You may contain 2 or more types of these. Among these, silicon nitride or silicon oxide is more preferable from the viewpoint of low water vapor permeability and high permeability.

무기 보호층 I 내지 IV의 두께는, 수증기 등의 물질 투과를 충분히 억제하는 관점에서, 50nm 이상이 바람직하고, 100nm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 투과율의 저하를 억제하는 관점에서, 무기 보호층 I 내지 IV의 두께는 800nm 이하가 바람직하고, 500nm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the inorganic protective layers I to IV is preferably 50 nm or more, and more preferably 100 nm or more, from the viewpoint of sufficiently suppressing transmission of substances such as water vapor. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the decrease in transmittance, the thickness of the inorganic protective layers I to IV is preferably 800 nm or less, and more preferably 500 nm or less.

무기 보호층 I 내지 IV의 두께는, 크로스 섹션 폴리셔 등의 연마 장치를 사용하여, 하지 기판에 대하여 수직인 단면을 노출시키고, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경을 사용하여 단면을 확대 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the inorganic protective layers I to IV is measured by exposing a cross section perpendicular to the base substrate using a polishing device such as a cross section polisher, and magnifying the cross section using a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. can do.

무기 보호층 I 내지 IV의 형성 방법으로서는, 예를 들어 스퍼터링법 등을 들 수 있다. 무기 보호층은 무색 투명 또는 황색 투명인 것이 바람직하다.As a method of forming the inorganic protective layers I to IV, for example, a sputtering method or the like can be mentioned. It is preferable that the inorganic protective layer is colorless transparent or yellow transparent.

황색 유기 보호층은, 예를 들어 유기 금속 화합물로서, 은을 함유하는 유기 금속 화합물을 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 패턴 가공하여 얻어진다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물은, 상술한 바와 같이 패턴 형성 시에, 가열 공정에 있어서 분해ㆍ응집함으로써 황색 입자가 되어, 보호층을 황색화하는 기능을 갖는다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물로서는, 예를 들어 네오데칸산은, 옥틸산은, 살리실산은 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 보다 황색화하는 관점에서 네오데칸산은이 바람직하다. 황색 유기 보호층용 수지 조성물에 있어서, 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량은 고형분 중의 0.2 내지 5중량%가 바람직하다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량을 0.2중량% 이상으로 함으로써, 보다 황색화할 수 있다. 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량은 고형분 중의 1.5중량% 이상이 보다 바람직하다. 한편, 은을 함유하는 유기 금속 화합물의 함유량을 고형분 중의 5중량% 이하로 함으로써, 투과율을 보다 향상시킬 수 있다.The yellow organic protective layer is obtained, for example, by patterning the resin composition of the present invention containing an organometallic compound containing silver as an organometallic compound. As described above, the organometallic compound containing silver becomes yellow particles by decomposition and agglomeration in the heating step at the time of pattern formation as described above, and has a function of yellowing the protective layer. As an organometallic compound containing silver, silver neodecanoic acid, silver octylic acid, silver salicylate, etc. are mentioned, for example. Among these, silver neodecanoic acid is preferable from the viewpoint of yellowing more. In the resin composition for yellow organic protective layers, the content of the organometallic compound containing silver is preferably 0.2 to 5% by weight in solid content. Yellowing can be further achieved by making the content of the organometallic compound containing silver into 0.2% by weight or more. The content of the organometallic compound containing silver is more preferably 1.5% by weight or more in the solid content. On the other hand, by setting the content of the organometallic compound containing silver to 5% by weight or less in the solid content, the transmittance can be further improved.

황색 유기 보호층을 형성하는 수지 조성물은 황색 안료를 함유해도 된다. 황색 안료로서는, 예를 들어 피그먼트 옐로우(이하 PY라고 약칭함) PY12, PY13, PY17, PY20, PY24, PY83, PY86, PY93, PY95, PY109, PY110, PY117, PY125, PY129, PY137, PY138, PY139, PY147, PY148, PY150, PY153, PY154, PY166, PY168, PY185 등을 들 수 있다. 그 중에서도 청색광을 선택적으로 차광하는 관점에서, PY139, PY147, PY148 및 PY150으로부터 선택된 황색 안료가 바람직하다.The resin composition for forming the yellow organic protective layer may contain a yellow pigment. As a yellow pigment, for example, pigment yellow (hereinafter abbreviated as PY) PY12, PY13, PY17, PY20, PY24, PY83, PY86, PY93, PY95, PY109, PY110, PY117, PY125, PY129, PY137, PY138, PY139 , PY147, PY148, PY150, PY153, PY154, PY166, PY168, PY185, and the like. Among them, a yellow pigment selected from PY139, PY147, PY148 and PY150 is preferable from the viewpoint of selectively shielding blue light.

황색 유기 보호층을 패턴 형성하는 방법으로서는, 상술한 격벽(A-1)과 마찬가지로 감광성 페이스트법에 의해 패턴 형성하는 방법이 바람직하다.As a method of forming a pattern of the yellow organic protective layer, a method of forming a pattern by a photosensitive paste method, similarly to the partition wall (A-1) described above, is preferable.

도 7과 같이, 컬러 필터(7) 상에 황색 유기 보호층(8)을 형성하는 경우, 황색 유기 보호층(8)은 컬러 필터의 각 화소를 평탄화하는 오버코트층으로서의 역할을 갖도록 해도 된다.As shown in FIG. 7, when the yellow organic protective layer 8 is formed on the color filter 7, the yellow organic protective layer 8 may serve as an overcoat layer for flattening each pixel of the color filter.

황색 유기 보호층의 두께는, 청색 누설광을 충분히 차광하는 관점에서, 100nm 이상이 바람직하고, 500nm 이상이 보다 바람직하다. 한편, 광 취출 효율의 저하를 억제하는 관점에서, 황색 유기 보호층의 두께는 3000nm 이하가 바람직하고, 2000nm 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the yellow organic protective layer is preferably 100 nm or more, and more preferably 500 nm or more, from the viewpoint of sufficiently shielding blue leakage light. On the other hand, from the viewpoint of suppressing a decrease in light extraction efficiency, the thickness of the yellow organic protective layer is preferably 3000 nm or less, and more preferably 2000 nm or less.

다음에, 본 발명의 표시 장치에 대하여 설명한다. 본 발명의 표시 장치는 상기 격벽 구비 기판과 발광 광원을 갖는다. 발광 광원으로서는 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀로부터 선택된 발광 광원이 바람직하다. 발광 특성이 우수한 점에서, 발광 광원으로서는 유기 EL 셀이 보다 바람직하다. 여기서, 미니 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 내지 10mm 정도인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다. 마이크로 LED 셀이란, 종횡의 길이가 100㎛ 미만인 LED를 다수 배열한 셀을 가리킨다.Next, the display device of the present invention will be described. The display device of the present invention includes the substrate with the partition wall and a light emitting light source. As the light-emitting light source, a light-emitting light source selected from a liquid crystal cell, an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell is preferable. An organic EL cell is more preferable as a light-emitting light source from the viewpoint of excellent luminescence characteristics. Here, the mini-LED cell refers to a cell in which a large number of LEDs having a length of about 100 µm to 10 mm are arranged. The micro LED cell refers to a cell in which a large number of LEDs having a vertical and horizontal length of less than 100 μm are arranged.

본 발명의 표시 장치의 제조 방법에 대하여, 본 발명의 격벽 구비 기판과 유기 EL 셀을 갖는 표시 장치의 일례를 들어 설명한다. 유리 기판 상에 감광성 폴리이미드 수지를 도포하고, 포토리소그래피법을 사용하여 개구부를 갖는 절연막을 형성한다. 그 위에 알루미늄을 스퍼터링한 후, 포토리소그래피법에 의해 알루미늄의 패터닝을 행하여, 절연막이 없는 개구부에 알루미늄으로 이루어지는 배면 전극층을 형성한다. 계속해서, 그 위에 전자 수송층으로서 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(이하, Alq3이라고 약칭함)을 진공 증착법에 의해 성막한 후, 발광층으로서 Alq3에 디시아노메틸렌피란, 퀴나크리돈 및 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐을 도핑한 백색 발광층을 형성한다. 다음에, 정공 수송층으로서 N,N'-디페닐-N,N'-비스(α-나프틸)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민을 진공 증착법으로 성막한다. 마지막에, 투명 전극으로서 ITO를 스퍼터링으로 성막하고, 백색 발광층을 갖는 유기 EL 셀을 제작한다. 전술한 격벽 구비 기판과, 이와 같이 하여 얻어진 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합함으로써, 표시 장치를 제작할 수 있다.A method of manufacturing a display device according to the present invention will be described with reference to an example of a display device including a substrate with partition walls and an organic EL cell according to the present invention. A photosensitive polyimide resin is applied on a glass substrate, and an insulating film having an opening is formed using a photolithography method. After sputtering aluminum thereon, aluminum is patterned by a photolithography method to form a rear electrode layer made of aluminum in an opening without an insulating film. Subsequently, tris(8-quinolinolato)aluminum (hereinafter abbreviated as Alq3) as an electron transport layer was deposited thereon by vacuum evaporation, and then dicyanomethylenepyran, quinacridone, and 4, on Alq3 as a light emitting layer. A white light-emitting layer doped with 4'-bis(2,2-diphenylvinyl)biphenyl is formed. Next, as a hole transport layer, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(?-naphthyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine is deposited by vacuum evaporation. Finally, ITO is formed into a film as a transparent electrode by sputtering, and an organic EL cell having a white light emitting layer is produced. A display device can be manufactured by facing the above-described substrate with partition walls and the organic EL cells thus obtained and bonding them with a sealing agent.

실시예Example

이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 범위에 한정되지 않는다. 또한, 사용한 화합물 중 약어를 사용하고 있는 것에 대하여, 명칭을 이하에 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these ranges. In addition, the names of the abbreviations used among the compounds used are shown below.

PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate

DAA: 디아세톤알코올DAA: diacetone alcohol

BHT: 디부틸히드록시톨루엔.BHT: dibutylhydroxytoluene.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산 용액의 고형분 농도는, 이하의 방법에 의해 구하였다. 알루미늄 컵에 폴리실록산 용액을 1.5g 칭량하고, 핫 플레이트를 사용하여 250℃에서 30분간 가열하여 액분을 증발시켰다. 가열 후의 알루미늄 컵에 남은 고형분의 중량을 칭량하여, 가열 전의 중량에 대한 비율로부터 폴리실록산 용액의 고형분 농도를 구하였다.The solid content concentration of the polysiloxane solution in Synthesis Examples 1 to 4 was determined by the following method. 1.5 g of the polysiloxane solution was weighed in an aluminum cup, and the liquid was evaporated by heating at 250° C. for 30 minutes using a hot plate. The weight of the solid content remaining in the aluminum cup after heating was weighed, and the solid content concentration of the polysiloxane solution was determined from the ratio to the weight before heating.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산의 중량 평균 분자량은, 이하의 방법에 의해 구하였다. GPC 분석 장치(HLC-8220; 도소(주)제)를 사용하고, 이동상으로서 테트라히드로푸란을 사용하여, 「JIS K7252-3(제정 년월일=2008/03/20)」에 기초하여 GPC 분석을 행하여, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하였다.The weight average molecular weight of the polysiloxane in Synthesis Examples 1 to 4 was determined by the following method. Using a GPC analyzer (HLC-8220; manufactured by Tosoh Corporation) and using tetrahydrofuran as a mobile phase, GPC analysis was performed based on ``JIS K7252-3 (Establishment Date = 2008/03/20)'' , The weight average molecular weight in terms of polystyrene was measured.

합성예 1 내지 4에 있어서의 폴리실록산 중의 각 반복 단위의 함유 비율은, 이하의 방법에 의해 구하였다. 폴리실록산 용액을 직경 10mm의 "테플론"(등록 상표)제 NMR 샘플관에 주입하여 29Si-NMR 측정을 행하고, 오르가노실란으로부터 유래하는 Si 전체의 적분값에 대한, 특정 오르가노실란으로부터 유래하는 Si의 적분값의 비율로부터 각 반복 단위의 함유 비율을 산출하였다. 29Si-NMR 측정 조건을 이하에 나타낸다.The content ratio of each repeating unit in the polysiloxane in Synthesis Examples 1 to 4 was determined by the following method. A polysiloxane solution was injected into an NMR sample tube made of "Teflon" (registered trademark) having a diameter of 10 mm, and 29 Si-NMR measurement was performed, and Si derived from a specific organosilane relative to the integral value of the entire Si derived from organosilane The content ratio of each repeating unit was calculated from the ratio of the integral value of. 29 Si-NMR measurement conditions are shown below.

장치: 핵자기 공명 장치(JNM-GX270; 니혼 덴시(주)제)Apparatus: Nuclear magnetic resonance apparatus (JNM-GX270; manufactured by Nihon Denshi Co., Ltd.)

측정법: 게이티드 디커플링법Measurement method: gated decoupling method

측정 핵 주파수: 53.6693MHz(29Si핵)Measurement nucleus frequency: 53.6693MHz ( 29 Si nuclei)

스펙트럼 폭: 20000HzSpectral Width: 20000Hz

펄스 폭: 12μs(45° 펄스)Pulse width: 12 μs (45° pulse)

펄스 반복 시간: 30.0초Pulse repetition time: 30.0 seconds

용매: 아세톤-d6Solvent: acetone-d6

기준 물질: 테트라메틸실란Reference Substance: Tetramethylsilane

측정 온도: 23℃Measurement temperature: 23℃

시료 회전수: 0.0Hz.Sample rotation speed: 0.0Hz.

합성예 1 폴리실록산(PSL-1) 용액Synthesis Example 1 Polysiloxane (PSL-1) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 147.32g(0.675mol), 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란을 40.66g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.808g 및 PGMEA를 171.62g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 52.65g에 인산 2.265g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 70℃의 오일 배스에 담가 90분간 교반한 후, 오일 배스를 30분간에 걸쳐 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액 온도(내온)가 100℃에 도달하고, 그로부터 2시간 가열 교반하여(내온은 100 내지 110℃) 폴리실록산 용액을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중, 질소 95체적%, 산소 5체적%의 혼합 기체를 0.05리터/분류하였다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 131.35g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-1) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-1)의 중량 평균 분자량은 4,000이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-1)에 있어서의 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 67.5mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000 ml three necked flask, trifluoropropyltrimethoxysilane was added to 147.32g (0.675mol), 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane was added to 40.66g (0.175mol), and 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride To 26.23 g (0.10 mol), 3-(3,4-epoxycyclohexyl) propyltrimethoxysilane 12.32 g (0.05 mol), BHT 0.808 g, and PGMEA 171.62 g, water 52.65 while stirring at room temperature. A phosphoric acid aqueous solution in which 2.265 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the charged monomer) was dissolved in g was added over 30 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 70°C and stirred for 90 minutes, and then the oil bath was heated to 115°C over 30 minutes. One hour after the start of temperature increase, the solution temperature (internal temperature) reached 100° C., and heated and stirred therefrom for 2 hours (internal temperature was 100 to 110° C.) to obtain a polysiloxane solution. Further, 0.05 liters/sort of a mixed gas of 95% by volume of nitrogen and 5% by volume of oxygen during heating and stirring was performed. A total of 131.35 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that the solid content concentration was 40% by weight to obtain a polysiloxane (PSL-1) solution. In addition, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-1) was 4,000. In addition, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride and 3-(3,4-epoxycyclo) in polysiloxane (PSL-1) The molar ratios of each repeating unit derived from hexyl)propyltrimethoxysilane were 67.5 mol%, 17.5 mol%, 10 mol%, and 5 mol%, respectively.

합성예 2 폴리실록산(PSL-2) 용액Synthesis Example 2 Polysiloxane (PSL-2) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 디페닐디메톡시실란을 116.07g(0.475mol), 디메틸디메톡시실란(0.20mol), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 43.46g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.843g 및 PGMEA를 176.26g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 43.65g에 인산 2.221g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 136.90g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-2) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-2)의 중량 평균 분자량은 2,800이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-2)에 있어서의 디페닐디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 47.5mol%, 20mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.To a 1000 ml three-necked flask, 116.07 g (0.475 mol) of diphenyldimethoxysilane, 43.46 g (0.175 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 3-trimethoxysilane (0.20 mol), dimethyldimethoxysilane (0.20 mol), and 3-trimethoxysilane 26.23 g (0.10 mol) of methoxysilylpropylsuccinic anhydride, 12.32 g (0.05 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, 0.843 g of BHT and 176.26 g of PGMEA were added, and While stirring at room temperature, an aqueous phosphoric acid solution in which 2.221 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the charged monomer) was dissolved in 43.65 g of water was added over 30 minutes. Then, it carried out similarly to Synthesis Example 1, and obtained the polysiloxane solution. A total of 136.90 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that solid content concentration might be 40 weight%, and the polysiloxane (PSL-2) solution was obtained. Moreover, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-2) was 2,800. In addition, diphenyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyl in polysiloxane (PSL-2) The molar ratios of each repeating unit derived from trimethoxysilane were 47.5 mol%, 20 mol%, 17.5 mol%, 10 mol%, and 5 mol%, respectively.

합성예 3 폴리실록산(PSL-3) 용액Synthesis Example 3 Polysiloxane (PSL-3) solution

1000ml의 3구 플라스크에, 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 147.32g(0.675mol), 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시시실란을 43.46g(0.175mol), 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 26.23g(0.10mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 12.32g(0.05mol), BHT를 0.810g 및 PGMEA를 172.59g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 54.45g에 인산 2.293g(투입 모노머에 대하여 1.0중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 140.05g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-3) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-3)의 중량 평균 분자량은 4,100이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-3)에 있어서의 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 67.5mol%, 17.5mol%, 10mol% 및 5mol%였다.In a 1000 ml three necked flask, 147.32 g (0.675 mol) of trifluoropropyltrimethoxysilane, 43.46 g (0.175 mol) of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 3-trimethoxysilylpropylsuccinic acid 26.23 g (0.10 mol) of anhydride, 12.32 g (0.05 mol) of 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane, 0.810 g of BHT, and 172.59 g of PGMEA were added, and water was stirred at room temperature while stirring. A phosphoric acid aqueous solution in which 2.293 g of phosphoric acid (1.0% by weight based on the charged monomer) was dissolved in 54.45 g was added over 30 minutes. Then, it carried out similarly to Synthesis Example 1, and obtained the polysiloxane solution. During the reaction, a total of 140.05 g of methanol and water as by-products flowed out. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that solid content concentration might be 40 weight%, and the polysiloxane (PSL-3) solution was obtained. Moreover, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-3) was 4,100. In addition, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride and 3-(3,4-epoxycyclo) in polysiloxane (PSL-3) The molar ratios of each repeating unit derived from hexyl)propyltrimethoxysilane were 67.5 mol%, 17.5 mol%, 10 mol%, and 5 mol%, respectively.

합성예 4 폴리실록산(PSL-4) 용액Synthesis Example 4 Polysiloxane (PSL-4) Solution

1000ml의 3구 플라스크에, 메틸트리메톡시실란을 34.05g(0.250mol), 페닐트리메톡시실란을 99.15g(0.500mol), 테트라에톡시실란을 31.25g(0.150mol), 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란을 24.64g(0.100mol) 및 PGMEA를 174.95g 투입하고, 실온에서 교반하면서 물 56.70g에 인산 0.945g(투입 모노머에 대하여 0.50중량%)을 녹인 인산 수용액을 30분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 합성예 1과 마찬가지로 하여 폴리실록산 용액을 얻었다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 129.15g 유출되었다. 얻어진 폴리실록산 용액에, 고형분 농도가 40중량%가 되도록 PGMEA를 추가하여 폴리실록산(PSL-4) 용액을 얻었다. 또한, 얻어진 폴리실록산(PSL-4)의 중량 평균 분자량은 4,200이었다. 또한, 폴리실록산(PSL-4)에 있어서의 메틸트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 테트라에톡시실란 및 3-(3,4-에폭시시클로헥실)프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 25mol%, 50mol%, 15mol% 및 10mol%였다.In a 1000 ml three-necked flask, 34.05 g (0.250 mol) of methyltrimethoxysilane, 99.15 g (0.500 mol) of phenyltrimethoxysilane, 31.25 g (0.150 mol) of tetraethoxysilane, 3-(3, 24.64 g (0.100 mol) of 4-epoxycyclohexyl) propyltrimethoxysilane and 174.95 g of PGMEA were added, and an aqueous phosphoric acid solution obtained by dissolving 0.945 g of phosphoric acid (0.50% by weight based on the charged monomer) in 56.70 g of water while stirring at room temperature. Was added over 30 minutes. Then, it carried out similarly to Synthesis Example 1, and obtained the polysiloxane solution. A total of 129.15 g of methanol and water as by-products flowed out during the reaction. PGMEA was added to the obtained polysiloxane solution so that solid content concentration might be 40 weight%, and the polysiloxane (PSL-4) solution was obtained. Moreover, the weight average molecular weight of the obtained polysiloxane (PSL-4) was 4,200. In addition, each repeating unit derived from methyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, tetraethoxysilane and 3-(3,4-epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane in polysiloxane (PSL-4) The molar ratios of were 25 mol%, 50 mol%, 15 mol% and 10 mol%, respectively.

합성예 1 내지 4의 조성을 통합하여 표 1에 나타낸다.The compositions of Synthesis Examples 1 to 4 are combined and shown in Table 1.

Figure pct00006
Figure pct00006

합성예 5 녹색 유기 형광체Synthesis Example 5 Green Organic Phosphor

3,5-디브로모벤즈알데히드(3.0g), 4-t-부틸페닐보론산(5.3g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.4g) 및 탄산칼륨(2.0g)을 플라스크에 넣고, 질소 치환하였다. 여기에 탈기한 톨루엔(30mL) 및 탈기한 물(10mL)을 첨가하고, 4시간 환류하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고 분액한 후에, 유기층을 포화 식염수로 세정하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(3.5g)의 백색 고체를 얻었다. 다음에, 3,5-비스(4-t-부틸페닐)벤즈알데히드(1.5g)와 2,4-디메틸피롤(0.7g)을 플라스크에 넣고, 탈수 디클로로메탄(200mL) 및 트리플루오로아세트산(1방울)을 첨가하여, 질소 분위기 하, 4시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(0.85g)의 탈수 디클로로메탄 용액을 첨가하고, 추가로 1시간 교반하였다. 반응 종료 후, 3불화붕소디에틸에테르 착체(7.0mL) 및 디이소프로필에틸아민(7.0mL)을 첨가하여 4시간 교반한 후, 추가로 물(100mL)을 첨가하여 교반하고, 유기층을 분액하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조시키고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 녹색 분말 0.4g을 얻었다(수율 17%). 얻어진 녹색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같으며, 상기에서 얻어진 녹색 분말이 하기 구조식으로 표시되는 [G-1]인 것이 확인되었다.3,5-dibromobenzaldehyde (3.0 g), 4-t-butylphenylboronic acid (5.3 g), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (0.4 g) and potassium carbonate (2.0 g) Put in a flask, and replaced with nitrogen. Degassed toluene (30 mL) and degassed water (10 mL) were added thereto, followed by refluxing for 4 hours. After the reaction solution was cooled to room temperature and liquid-separated, the organic layer was washed with saturated brine. The organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain a white solid of 3,5-bis(4-t-butylphenyl)benzaldehyde (3.5 g). Next, 3,5-bis (4-t-butylphenyl) benzaldehyde (1.5 g) and 2,4-dimethylpyrrole (0.7 g) were added to the flask, and dehydrated dichloromethane (200 mL) and trifluoroacetic acid (1 Drop) was added, and the mixture was stirred for 4 hours under a nitrogen atmosphere. A dehydrated dichloromethane solution of 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (0.85 g) was added to the reaction mixture, followed by stirring for an additional hour. After completion of the reaction, boron trifluoride diethyl ether complex (7.0 mL) and diisopropylethylamine (7.0 mL) were added and stirred for 4 hours, then water (100 mL) was further added and stirred, and the organic layer was separated. . This organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel column chromatography to obtain 0.4 g of green powder (yield 17%). The 1 H-NMR analysis results of the obtained green powder are as follows, and it was confirmed that the green powder obtained above was [G-1] represented by the following structural formula.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.95(s, 1H), 7.63-7.48(m, 10H), 6.00(s, 2H), 2.58(s, 6H), 1.50(s, 6H), 1.37(s, 18H). 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 7.95 (s, 1H), 7.63-7.48 (m, 10H), 6.00 (s, 2H), 2.58 (s, 6H), 1.50 (s, 6H) , 1.37 (s, 18H).

Figure pct00007
Figure pct00007

합성예 6 적색 유기 형광체Synthesis Example 6 Red Organic Phosphor

4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 300mg, 2-메톡시벤조일 클로라이드 201mg 및 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 120℃에서 6시간 가열하였다. 실온으로 냉각 후, 용매를 증발시켰다. 얻어진 잔류물을 에탄올 20ml로 세정하고, 진공 건조함으로써 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg을 얻었다. 다음에, 2-(2-메톡시벤조일)-3-(4-t-부틸페닐)-5-(4-메톡시페닐)피롤 260mg, 4-(4-t-부틸페닐)-2-(4-메톡시페닐)피롤 180mg, 메탄술폰산 무수물 206mg 및 탈기한 톨루엔 10ml의 혼합 용액을, 질소 기류 하, 125℃에서 7시간 가열하였다. 이 반응 혼합물을 실온으로 냉각 후, 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정한 후, 증발시키고 진공 건조함으로써 잔류물로서 피로메텐체를 얻었다. 다음에, 얻어진 피로메텐체와 톨루엔 10ml의 혼합 용액에, 질소 기류 하, 디이소프로필에틸아민 305mg 및 3불화붕소디에틸에테르 착체 670mg을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반하였다. 이 반응 혼합물에 물 20ml를 주입하고, 디클로로메탄 30ml로 추출하였다. 유기층을 물 20ml로 2회 세정하고, 황산마그네슘으로 건조 후 증발시켰다. 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 진공 건조한 후, 적자색 분말 0.27g을 얻었다(수율 70%). 얻어진 적자색 분말의 1H-NMR 분석 결과는 다음과 같으며, 상기에서 얻어진 적자색 분말이 하기 구조식으로 표시되는 [R-1]인 것이 확인되었다.A mixed solution of 300 mg of 4-(4-t-butylphenyl)-2-(4-methoxyphenyl)pyrrole, 201 mg of 2-methoxybenzoyl chloride, and 10 ml of toluene was heated at 120°C for 6 hours under a nitrogen stream. After cooling to room temperature, the solvent was evaporated. The obtained residue was washed with 20 ml of ethanol and dried in vacuo to obtain 260 mg of 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole. Next, 2-(2-methoxybenzoyl)-3-(4-t-butylphenyl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrrole 260mg, 4-(4-t-butylphenyl)-2-( A mixed solution of 180 mg of 4-methoxyphenyl)pyrrole, 206 mg of methanesulfonic anhydride, and 10 ml of degassed toluene was heated at 125°C for 7 hours under a nitrogen stream. After cooling the reaction mixture to room temperature, 20 ml of water was added, followed by extraction with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, and then evaporated and dried in vacuo to obtain a pyromethene body as a residue. Next, 305 mg of diisopropylethylamine and 670 mg of boron trifluoride diethyl ether complex were added to the obtained mixed solution of pyromethane and 10 ml of toluene, and stirred at room temperature for 3 hours. 20 ml of water was added to the reaction mixture, followed by extraction with 30 ml of dichloromethane. The organic layer was washed twice with 20 ml of water, dried over magnesium sulfate, and evaporated. After purification by silica gel column chromatography and drying in vacuo, 0.27 g of red-violet powder was obtained (yield 70%). The 1 H-NMR analysis result of the obtained red-purple powder is as follows, and it was confirmed that the obtained red-purple powder was [R-1] represented by the following structural formula.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 1.19(s, 18H), 3.42(s, 3H), 3.85(s, 6H), 5.72(d, 1H), 6.20(t, 1H), 6.42-6.97(m, 16H), 7.89(d, 4H). 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 1.19 (s, 18H), 3.42 (s, 3H), 3.85 (s, 6H), 5.72 (d, 1H), 6.20 (t, 1H), 6.42 -6.97 (m, 16H), 7.89 (d, 4H).

Figure pct00008
Figure pct00008

합성예 7 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)Synthesis Example 7 Silica Particle-Containing Polysiloxane Solution (LS-1)

500ml의 3구 플라스크에, 메틸트리메톡시실란을 0.05g(0.4mmol), 트리플루오로프로필트리메톡시실란을 0.66g(3.0mmol), 트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물을 0.10g(0.4mmol), γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란을 7.97g(34mmol) 및 15.6중량%의 실리카 입자의 이소프로필알코올 분산액(IPA-ST-UP: 닛산 가가쿠 고교(주)제)을 224.37g 넣고, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르 163.93g을 첨가하였다. 실온에서 교반하면서, 물 4.09g에 인산 0.088g을 녹인 인산 수용액을 3분간에 걸쳐 첨가하였다. 그 후, 플라스크를 40℃의 오일 배스에 담구어 60분간 교반한 후, 오일 배스를 30분간에 걸쳐 115℃까지 승온하였다. 승온 개시 1시간 후에 용액의 내온이 100℃에 도달하고, 그로부터 추가로 2시간 가열 교반함으로써(내온은 100 내지 110℃), 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 얻었다. 또한, 승온 및 가열 교반 중 질소를 0.05l(리터)/분류하였다. 반응 중에 부생성물인 메탄올 및 물이 합계 194.01g 유출되었다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)의 고형분 농도는 24.3중량%, 고형분 중의 폴리실록산과 실리카 입자의 함유량은 각각 15중량% 및 85중량%였다. 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산(LS-1)에 있어서의 폴리실록산의 메틸트리메톡시실란, 트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3-트리메톡시실릴프로필숙신산 무수물 및 γ-아크릴옥시프로필트리메톡시실란으로부터 유래하는 각 반복 단위의 몰비는 각각 1.0mol%, 8.0mol%, 1.0mol% 및 90.0mol%였다.In a 500 ml three-necked flask, methyltrimethoxysilane was 0.05g (0.4mmol), trifluoropropyltrimethoxysilane was 0.66g (3.0mmol), and trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride was 0.10g (0.4mmol). , 7.97 g (34 mmol) of γ-acryloxypropyltrimethoxysilane and 224.37 g of an isopropyl alcohol dispersion (IPA-ST-UP: manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd.) of silica particles of 15.6% by weight were added, and ethylene was added thereto. 163.93 g of glycol mono-t-butyl ether was added. While stirring at room temperature, an aqueous phosphoric acid solution in which 0.088 g of phosphoric acid was dissolved in 4.09 g of water was added over 3 minutes. Thereafter, the flask was immersed in an oil bath at 40°C and stirred for 60 minutes, and then the oil bath was heated to 115°C over 30 minutes. One hour after the start of the temperature increase, the inner temperature of the solution reached 100° C., from which the solution was heated and stirred for an additional 2 hours (the inner temperature was 100 to 110° C.) to obtain a silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1). In addition, 0.05 L (liter)/sort of nitrogen during heating and stirring was carried out. A total of 194.01 g of methanol and water, which are by-products, flowed out during the reaction. The solid content concentration of the obtained silica particle-containing polysiloxane solution (LS-1) was 24.3% by weight, and the contents of the polysiloxane and silica particles in the solid content were 15% by weight and 85% by weight, respectively. From methyltrimethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-trimethoxysilylpropylsuccinic anhydride, and γ-acryloxypropyltrimethoxysilane of the polysiloxane in the obtained silica particle-containing polysiloxane (LS-1) The molar ratios of each derived repeating unit were 1.0 mol%, 8.0 mol%, 1.0 mol%, and 90.0 mol%, respectively.

실시예 1 격벽용 수지 조성물(P-1)Example 1 Resin composition for partition walls (P-1)

백색 안료로서, 이산화티타늄 안료(R-960; BASF 재팬(주)제(이하 「R-960」)) 5.00g에, 수지로서 합성예 1에 의해 얻어진 폴리실록산(PSL-1) 용액 5.00g을 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산하여 안료 분산액(MW-1)을 얻었다. 또한, 유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐을 1.00g과, 인 원자를 갖는 배위성 화합물로서 트리페닐포스핀을 0.861g(유기 금속 화합물에 대하여 등몰량)을 DAA 8.139g에 용해하여, 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 얻었다.As a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution obtained by Synthesis Example 1 as a resin was mixed with 5.00 g of a titanium dioxide pigment (R-960; manufactured by BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter “R-960”)). Then, a pigment dispersion (MW-1) was obtained by dispersing using a mill-type disperser filled with zirconia beads. In addition, 1.00 g of bis (acetylacetonato) palladium as an organometallic compound and 0.861 g of triphenylphosphine as a coordination compound having a phosphorus atom (equal molar amount relative to the organometallic compound) were dissolved in 8.139 g of DAA, An organometallic compound solution (OM-1) was obtained.

다음에, 상기 안료 분산액(MW-1) 9.98g, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 1.86g, 폴리실록산(PSL-1) 용액 0.98g, 광중합 개시제로서 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심)("이르가큐어"(등록 상표) OXE-02, BASF 재팬(주)제(이하 「OXE-02」)) 0.050g, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드("이르가큐어" 819, BASF 재팬(주)제(이하 「IC-819」)) 0.400g, 광염기 발생제로서 2-(3-벤조일페닐)프로피온산1,2-디이소프로필-3-[비스(디메틸아미노)메틸렌]구아니디늄(WPBG-266(상품명), 후지 필름 와코 쥰야쿠(주)제(이하 「WPBG-266」)) 0.100g, 광중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트("KAYARAD"(등록 상표) DPHA, 신닛본 약교우(주)제(이하 「DPHA」)) 1.20g, 발액 화합물로서 광중합성 불소 함유 화합물("메가펙"(등록 상표) RS-76-E, DIC(주)제(이하 「RS-76-E」))의 40중량% PGMEA 희석 용액 1.00g, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸-3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트("셀록사이드"(등록 상표) 2021P, 다이셀(주)제(이하 「셀록사이드(등록 상표) 2021P」)) 0.100g, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트]("이르가녹스"(등록 상표) 1010, BASF 재팬(주)제(이하 「IRGANOX(등록 상표) 1010」)) 0.030g 및 아크릴계 계면 활성제("BYK"(등록 상표) 352, 빅 케미 재팬(주)제(이하 「BYK-352」))의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.100g(농도 500ppm에 상당)을 용매 PGMEA 4.20g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-1)을 얻었다.Next, 9.98 g of the pigment dispersion (MW-1), 1.86 g of the organometallic compound solution (OM-1), 0.98 g of a polysiloxane (PSL-1) solution, ethanol as a photopolymerization initiator, 1-[9-ethyl- 6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-, 1-(O-acetyloxime) ("Irgacure" (registered trademark) OXE-02, manufactured by BASF Japan Corporation (hereinafter) 「OXE-02」)) 0.050g, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide ("Irgacure" 819, manufactured by BASF Japan (hereinafter "IC-819")) 0.400 g, 2-(3-benzoylphenyl)propionic acid 1,2-diisopropyl-3-[bis(dimethylamino)methylene]guanidinium (WPBG-266 (trade name)) as a photobase generator, Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd. (hereinafter "WPBG-266")) 0.100 g, as a photopolymerizable compound dipentaerythritol hexaacrylate ("KAYARAD" (registered trademark) DPHA, Shinnippon Pharmaceutical Co., Ltd. product (hereinafter "DPHA") )) 1.20 g, 40% by weight of PGMEA dilution of a photopolymerizable fluorine-containing compound ("Megapec" (registered trademark) RS-76-E, manufactured by DIC Corporation (hereinafter "RS-76-E")) as a liquid-repellent compound Solution 1.00 g, 3',4'-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate ("Celoxide" (registered trademark) 2021P, manufactured by Daicel Corporation (hereinafter referred to as "Celoxide (registered trademark)) ) 2021P")) 0.100g, ethylenebis(oxyethylene)bis[3-(5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl)propionate] ("Irganox" (registered trademark) 1010, BASF Japan Co., Ltd. (hereinafter "IRGANOX (registered trademark) 1010")) 0.030 g and acrylic surfactant ("BYK" (registered trademark) 352, Big Chemie Japan Co., Ltd. product (hereinafter "BYK-352"))) 0.100 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA (corresponding to a concentration of 500 ppm) was dissolved in 4.20 g of a solvent PGMEA and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 µm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-1).

실시예 2 내지 3 격벽용 수지 조성물(P-2) 내지 (P-3)Examples 2 to 3 Resin compositions for partition walls (P-2) to (P-3)

폴리실록산(PSL-1) 용액 대신에 각각 상기 폴리실록산(PSL-2) 또는 (PSL-3) 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-2) 및 (P-3)을 얻었다.Resin compositions for partition walls (P-2) and (P-3) in the same manner as in Example 1, except that the polysiloxane (PSL-2) or (PSL-3) solution was used instead of the polysiloxane (PSL-1) solution, respectively. Got it.

실시예 4 격벽용 수지 조성물(P-4)Example 4 Resin composition for partition walls (P-4)

RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액 대신에 "메가펙"(등록 상표) F477(다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제) 40중량% PGMEA 희석 용액을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-4)을 얻었다.In place of the 40% by weight PGMEA diluted solution of RS-76-E, "Megapec" (registered trademark) F477 (manufactured by Dai Nippon Ink Chemical Co., Ltd.) 40% by weight PGMEA diluted solution was used. Similarly, the resin composition for partition walls (P-4) was obtained.

실시예 5 격벽용 수지 조성물(P-5)Example 5 Resin composition for partition walls (P-5)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-4) 용액을 5.00g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-4)을 얻었다. 상기 안료 분산액(MW-4)을 9.98g, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)을 1.86g, 상기 폴리실록산(PSL-4) 용액을 1.16g, 광염기 발생제로서 WPBG-266을 0.10g, 발액 화합물로서 F477의 40중량% PGMEA 희석 용액을 1.00g, 셀록사이드(등록 상표) 2021P를 0.100g, 퀴논디아지드 화합물로서 THP-17(상품명, 도요 고세 고교(주)제)을 1.60g, 계면 활성제 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액을 0.100g 및 PGMEA를 4.10g 혼합하여 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-5)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment and 5.00 g of a polysiloxane (PSL-4) solution as a resin were mixed, and dispersed using a mill type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-4). 9.98 g of the pigment dispersion (MW-4), 1.86 g of the organometallic compound solution (OM-1), 1.16 g of the polysiloxane (PSL-4) solution, 0.10 g of WPBG-266 as a photobase generator, 1.00 g of 40% by weight PGMEA diluted solution of F477 as a liquid repellent compound, 0.100 g of Celoxide (registered trademark) 2021P, 1.60 g of THP-17 (trade name, manufactured by Toyo Kosei Kogyo Co., Ltd.) as a quinone diazide compound, interface 0.100 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352 activator and 4.10 g of PGMEA were mixed and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 µm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-5).

실시예 6 격벽용 수지 조성물(P-6)Example 6 Resin composition for partition walls (P-6)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 네오데칸산은을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-6)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-2) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that silver neodecanoate was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. Except having used the organometallic compound solution (OM-2) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-6).

실시예 7 격벽용 수지 조성물(P-7)Example 7 Resin composition for partition walls (P-7)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 클로로트리페닐포스핀금을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-3)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-7)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-3) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that chlorotriphenylphosphine gold was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. Except having used the organometallic compound solution (OM-3) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-7).

실시예 8 격벽용 수지 조성물(P-8)Example 8 Resin composition for partition walls (P-8)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 비스(아세틸아세토나토)백금을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-4)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-4)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-8)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-4) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that bis(acetylacetonato)platinum was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . Except having used the organometallic compound solution (OM-4) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-8).

실시예 9 격벽용 수지 조성물(P-9)Example 9 Resin composition for partition walls (P-9)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 0.929g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.41g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.70g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-9)을 얻었다. Except that the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) was changed to 0.929 g, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.41 g, and PGMEA 4.20 g as a solvent was changed to PGMEA 4.70 g, as in Example 1 Similarly, the resin composition for partition walls (P-9) was obtained.

실시예 10 격벽용 수지 조성물(P-10)Example 10 Resin composition for partition walls (P-10)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 0.400g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.940g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 6.27g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-10)을 얻었다.Except that the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) was changed to 0.400 g, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.940 g, and PGMEA 4.20 g as a solvent was changed to PGMEA 6.27 g, as in Example 1 Similarly, the resin composition for partition walls (P-10) was obtained.

실시예 11 격벽용 수지 조성물(P-11)Example 11 Resin composition for partition walls (P-11)

유기 금속 화합물 용액(OM-1)의 첨가량을 4.595g, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 0.010g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 2.92g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-11)을 얻었다.Except that the addition amount of the organometallic compound solution (OM-1) was changed to 4.595 g, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 0.010 g, and PGMEA 4.20 g as a solvent was changed to PGMEA 2.92 g, as in Example 1 Similarly, the resin composition for partition walls (P-11) was obtained.

실시예 12 격벽용 수지 조성물(P-12)Example 12 Resin composition for partition walls (P-12)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g, 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.01g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-2)을 얻었다. 안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-2)을 9.99g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.38g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.72g을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-12)을 얻었다.Mix 5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.01 g of titanium nitride as a black pigment, and disperse using a mill-type disperser filled with zirconia beads to disperse the pigment dispersion (MW -2) was obtained. Examples except that 9.99 g of the pigment dispersion (MW-2) was added instead of the pigment dispersion (MW-1), the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.38 g, and 4.72 g of PGMEA was used as the solvent. It carried out similarly to 9, and obtained the resin composition for partition walls (P-12).

실시예 13 격벽용 수지 조성물(P-13) Example 13 Resin composition for partition walls (P-13)

수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 10.0g, 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.15g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-3)을 얻었다. 안료 분산액(MW-1) 대신에 안료 분산액(MW-3)을 9.99g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 15.16g으로 변경하고, PGMEA의 첨가량을 4.20g으로부터 0.11g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-13)을 얻었다.10.0 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin and 0.15 g of titanium nitride as a black pigment were mixed, and dispersed using a mill-type disperser filled with zirconia beads to obtain a pigment dispersion (MW-3). Instead of the pigment dispersion (MW-1), 9.99 g of the pigment dispersion (MW-3) was added, the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 15.16 g, and the amount of PGMEA was changed from 4.20 g to 0.11 g. Except that, it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-13).

실시예 14 격벽용 수지 조성물(P-14)Example 14 Resin composition for partition walls (P-14)

유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐의 10% DAA 용액을 1.85g 사용하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.34g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 3.85g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-14)을 얻었다.Instead of the organometallic compound solution (OM-1), a 10% DAA solution of bis(acetylacetonato)palladium as an organometallic compound was used 1.85g, and the amount of polysiloxane (PSL-1) solution added was changed to 1.34g, and the solvent As an example, except having changed PGMEA 4.20 g to PGMEA 3.85 g, it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-14).

실시예 15 격벽용 수지 조성물(P-15)Example 15 Resin composition for partition walls (P-15)

광염기 발생제 WPBG-266을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.21g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.07g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-15)을 얻었다.The partition wall was carried out in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution was changed to 1.21 g and PGMEA 4.20 g as the solvent was changed to PGMEA 4.07 g without adding the photobase generator WPBG-266. The resin composition (P-15) for was obtained.

실시예 16 격벽용 수지 조성물(P-16)Example 16 Resin composition for partition walls (P-16)

발액 화합물 RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액을 첨가하지 않고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 2.01g으로 변경하고, 용매로서 PGMEA 4.20g을 PGMEA 4.17g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-16)을 얻었다.Except having changed the addition amount of the polysiloxane (PSL-1) solution to 2.01 g, and changed the PGMEA 4.20 g to PGMEA 4.17 g as a solvent without adding the 40 weight% PGMEA diluted solution of the liquid repellent compound RS-76-E, It carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-16).

비교예 1 격벽용 수지 조성물(P-17)Comparative Example 1 Resin composition for partition walls (P-17)

유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 인 원자를 갖는 배위성 화합물로서 트리페닐포스핀을 1.861g, DAA를 8.139g 사용하여 얻은 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 0.867g 첨가하고, 폴리실록산(PSL-1) 용액의 첨가량을 1.41g으로 변경하고, PGMEA의 첨가량을 4.20g으로부터 4.76g으로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-17)을 얻었다.In place of the organometallic compound solution (OM-1), 0.867g of an organometallic compound solution (OM-5) obtained using 1.861g of triphenylphosphine and 8.139g of DAA as a coordinating compound having a phosphorus atom was added, and polysiloxane (PSL-1) A resin composition for partition walls (P-17) was obtained in the same manner as in Example 1, except that the addition amount of the solution was changed to 1.41 g and the addition amount of PGMEA was changed from 4.20 g to 4.76 g.

비교예 2 격벽용 수지 조성물(P-18)Comparative Example 2 Resin composition for partition walls (P-18)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 질화티타늄을 0.10g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-4)을 얻었다. 다음에, 상기 안료 분산액(MW-4)을 10.02g, 상기 폴리실록산(PSL-1) 용액을 1.73g, 광중합 개시제로서 OXE-02를 0.050g, IC-819를 0.400g, 광염기 발생제로서 WPBG-266을 0.10g, 광중합성 화합물로서 DPHA를 1.20g, 발액 화합물로서 RS-76-E의 40중량% PGMEA 희석 용액을 1.00g, 셀록사이드(등록 상표) 2021P를 0.100g, IRGANOX(등록 상표) 1010을 0.030g, 계면 활성제로서 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액을 0.100g 및 용매로서 PGMEA를 5.31g 혼합하여 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 격벽용 수지 조성물(P-18)을 얻었다.Mix 5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.10 g of titanium nitride as a black pigment, and disperse using a mill-type disperser filled with zirconia beads to disperse the pigment dispersion (MW -4) was obtained. Next, 10.02 g of the pigment dispersion (MW-4), 1.73 g of the polysiloxane (PSL-1) solution, 0.050 g of OXE-02 as a photoinitiator, 0.400 g of IC-819, and WPBG as a photobase generator. 0.10 g of -266, 1.20 g of DPHA as a photopolymerizable compound, 1.00 g of 40 wt% PGMEA diluted solution of RS-76-E as a liquid repellent compound, 0.100 g of Celoxide (registered trademark) 2021P, IRGANOX (registered trademark) 0.030 g of 1010, 0.100 g of a 10% by weight diluted solution of PGMEA of BYK-352 as a surfactant, and 5.31 g of PGMEA as a solvent were mixed and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 µm filter to obtain a resin composition for partition walls (P-18).

비교예 3 격벽용 수지 조성물(P-19)Comparative Example 3 Resin composition for partition walls (P-19)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 질화지르코늄을 0.10g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-5)을 얻었다. 안료 분산액(MW-4) 대신에 안료 분산액(MW-5)을 사용한 것 이외에는, 비교예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-19)을 얻었다.Mix 5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.10 g of zirconium nitride as a black pigment, and disperse using a mill-type disperser filled with zirconia beads to disperse a pigment dispersion (MW -5) was obtained. Except having used the pigment dispersion liquid (MW-5) instead of the pigment dispersion liquid (MW-4), it carried out similarly to Comparative Example 2, and obtained the resin composition for partition walls (P-19).

비교예 4 격벽용 수지 조성물(P-20)Comparative Example 4 Resin composition for partition walls (P-20)

백색 안료로서 R-960을 5.00g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 5.00g 및 흑색 안료로서 적색 안료 PR254와 청색 안료 PB64의 중량비 60/40의 혼합 안료를 0.05g 혼합하고, 지르코니아 비즈가 충전된 밀형 분산기를 사용하여 분산시켜 안료 분산액(MW-6)을 얻었다. 안료 분산액(MW-4) 대신에 안료 분산액(MW-6)을 사용한 것 이외에는, 비교예 2와 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-20)을 얻었다.5.00 g of R-960 as a white pigment, 5.00 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, and 0.05 g of a mixed pigment having a weight ratio of 60/40 of the red pigment PR254 and the blue pigment PB64 as a black pigment were mixed, and the zirconia beads were Disperse was performed using a filled mill type disperser to obtain a pigment dispersion (MW-6). Except having used the pigment dispersion liquid (MW-6) instead of the pigment dispersion liquid (MW-4), it carried out similarly to Comparative Example 2, and obtained the resin composition for partition walls (P-20).

비교예 5 격벽용 수지 조성물(P-21)Comparative Example 5 Resin composition for partition walls (P-21)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 트리스(아세틸아세토나토)철을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-21)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-5) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that tris(acetylacetonato)iron was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . Except having used the organometallic compound solution (OM-5) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-21).

비교예 6 격벽용 수지 조성물(P-22)Comparative Example 6 Resin composition for partition walls (P-22)

유기 금속 화합물로서 비스(아세틸아세토나토)팔라듐 대신에 비스(아세틸아세토나토)니켈을 사용한 것 이외에는, 상기 유기 금속 화합물 용액(OM-1)과 마찬가지로 하여 유기 금속 화합물 용액(OM-5)을 조제하였다. 유기 금속 화합물 용액(OM-1) 대신에 유기 금속 화합물 용액(OM-6)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 격벽용 수지 조성물(P-22)을 얻었다.An organometallic compound solution (OM-5) was prepared in the same manner as the organometallic compound solution (OM-1), except that bis(acetylacetonato)nickel was used instead of bis(acetylacetonato)palladium as the organometallic compound. . Except having used the organometallic compound solution (OM-6) instead of the organometallic compound solution (OM-1), it carried out similarly to Example 1, and obtained the resin composition for partition walls (P-22).

실시예 1 내지 16 및 비교예 1 내지 6의 조성을 통합하여 표 2 내지 표 3에 나타낸다.The compositions of Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 6 are combined and shown in Tables 2 to 3.

Figure pct00009
Figure pct00009

Figure pct00010
Figure pct00010

조제예 1 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)Preparation Example 1 Color Conversion Light-Emitting Material Composition (CL-1)

녹색 양자 도트 재료(Lumidot 640 CdSe/ZnS, 평균 입자경 6.3nm: 알드리치사제)의 0.5중량% 톨루엔 용액을 20중량부, DPHA를 45중량부, "이르가큐어"(등록 상표) 907(BASF 재팬(주)제)를 5중량부, 아크릴 수지(SPCR-18(상품명), 쇼와 덴코(주)제)의 30중량% PGMEA 용액을 166중량부 및 톨루엔을 97중량부 혼합하여 교반하고, 균일하게 용해하였다. 얻어진 혼합물을 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-1)을 조제하였다20 parts by weight of a 0.5% by weight toluene solution of a green quantum dot material (Lumidot 640 CdSe/ZnS, average particle diameter 6.3 nm: manufactured by Aldrich), 45 parts by weight of DPHA, and "Irgacure" (registered trademark) 907 (BASF Japan ( Note) 5 parts by weight, 30 parts by weight of PGMEA solution of acrylic resin (SPCR-18 (trade name), manufactured by Showa Denko Co., Ltd.), 166 parts by weight and 97 parts by weight of toluene were mixed and stirred, and uniformly Dissolved. The obtained mixture was filtered through a 0.45 μm syringe filter to prepare a color conversion luminescent material composition (CL-1).

조제예 2 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)Preparation Example 2 Color Conversion Light-Emitting Material Composition (CL-2)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 5에 의해 얻어진 녹색 형광체 G-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 조제하였다In the same manner as in Preparation Example 1, except that 0.4 parts by weight of the green phosphor G-1 obtained in Synthesis Example 5 was used instead of the green quantum dot material, and the addition amount of toluene was changed to 117 parts by weight, the color conversion luminescent material composition (CL- 2) was prepared

조제예 3 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)Preparation Example 3 Color Conversion Light-Emitting Material Composition (CL-3)

녹색 양자 도트 재료 대신에 합성예 6에 의해 얻어진 적색 형광체 R-1을 0.4중량부 사용하고, 톨루엔의 첨가량을 117중량부로 변경한 것 이외에는, 조제예 1과 마찬가지로 하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 조제하였다In the same manner as in Preparation Example 1, except that 0.4 parts by weight of the red phosphor R-1 obtained in Synthesis Example 6 was used instead of the green quantum dot material, and the addition amount of toluene was changed to 117 parts by weight, the color conversion luminescent material composition (CL- 3) was prepared

조제예 4 컬러 필터 형성 재료(CF-1)Preparation Example 4 Color Filter Forming Material (CF-1)

C.I.피그먼트 그린 59를 90g, C.I.피그먼트 옐로우 150을 60g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-6919」))를 75g, 결합제 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명) (주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 피그먼트 그린 59 분산액(GD-1)을 제작하였다.90 g of CI pigment green 59, 60 g of CI pigment yellow 150, 75 g of a polymer dispersant ("BYK" (registered trademark)-6919 (trade name) manufactured by Vic Chemie (hereinafter "BYK-6919"))), and a binder resin (" 100 g of Adeka Arcles" (registered trademark) WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. and 675 g of PGMEA were mixed to prepare a slurry. The beaker containing the slurry was connected to a dino mill and a tube, and dispersion treatment was performed for 8 hours at a circumferential speed of 14 m/s using 0.5 mm diameter zirconia beads as a medium to prepare Pigment Green 59 dispersion (GD-1).

피그먼트 그린 59 분산액(GD-1) 56.54g, 아크릴 수지("사이클로머"(등록 상표) P(ACA)Z250(상품명) 다이셀ㆍ올넥스(주)제(이하 「P(ACA)Z250」))를 3.14g, DPHA를 2.64g, 광중합 개시제("옵토마"(등록 상표) NCI-831(상품명) (주)ADEKA제(이하 「NCI-831」)) 0.330g, 계면 활성제("BYK"(등록 상표)-333(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-333」))를 0.04g, 중합 금지제로서 BHT를 0.01g 및 용매로서 PGMEA를 37.30g 혼합하여, 컬러 필터 형성 재료(CF-1)를 제작하였다.Pigment Green 59 dispersion (GD-1) 56.54 g, acrylic resin ("Cyclomer" (registered trademark) P(ACA)Z250 (brand name)) manufactured by Daicel Allnex Corporation (hereinafter "P(ACA)Z250") )) 3.14 g, DPHA 2.64 g, photopolymerization initiator ("Optoma" (registered trademark) NCI-831 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. (hereinafter "NCI-831")) 0.330 g, surfactant ("BYK") (Registered trademark) -333 (brand name) 0.04 g manufactured by Big Chemie (hereinafter referred to as "BYK-333")), 0.01 g of BHT as a polymerization inhibitor, and 37.30 g of PGMEA as a solvent were mixed, and a color filter-forming material (CF-) 1) was produced.

조제예 5 차광 격벽용 수지 조성물Preparation Example 5 Resin composition for light-shielding partition walls

카본 블랙(MA100(상품명) 미츠비시 가가쿠(주)제) 150g, 고분자 분산제 BYK-6919를 75g, P(ACA)Z250을 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 안료 분산액(MB-1)을 제작하였다.A slurry was prepared by mixing 150 g of carbon black (MA100 (trade name) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), 75 g of a polymer dispersant BYK-6919, 100 g of P(ACA)Z250, and 675 g of PGMEA. The beaker into which the slurry was placed was connected to a dino mill and a tube, and a dispersion treatment was performed for 8 hours at a circumferential speed of 14 m/s using 0.5 mm diameter zirconia beads as a medium to prepare a pigment dispersion (MB-1).

안료 분산액(MB-1) 56.54g, P(ACA)Z250을 3.14g, DPHA를 2.64g, NCI-831을 0.330g, BYK-333을 0.04g, 중합 금지제로서 터셔리부틸카테콜 0.01g 및 PGMEA 37.30g을 혼합하여, 차광 격벽용 수지 조성물을 제작하였다.Pigment dispersion (MB-1) 56.54g, P(ACA)Z250 3.14g, DPHA 2.64g, NCI-831 0.330g, BYK-333 0.04g, tertiary butylcatechol 0.01g as polymerization inhibitor and 37.30 g of PGMEA was mixed, and the resin composition for light-shielding partition walls was produced.

조제예 6 저굴절률층 형성 재료Preparation Example 6 Low refractive index layer-forming material

합성예 6에 의해 얻어진 실리카 입자 함유 폴리실록산 용액(LS-1)을 5.350g, 에틸렌글리콜모노-t-부틸에테르를 1.170g 및 DAA를 3.48g 혼합한 후, 0.45㎛의 시린지 필터로 여과하여 저굴절률층 형성 재료를 조제하였다.5.350 g of a polysiloxane solution (LS-1) containing silica particles obtained by Synthesis Example 6, 1.170 g of ethylene glycol mono-t-butyl ether and 3.48 g of DAA were mixed, and then filtered through a 0.45 μm syringe filter to have a low refractive index. A layer forming material was prepared.

조제예 7 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)Preparation Example 7 Yellow Organic Protective Layer Forming Material (YL-1)

C.I.피그먼트 옐로우 150을 150g, 고분자 분산제("BYK"(등록 상표)-6919(상품명) 빅 케미사제(이하 「BYK-6919」))를 75g, 결합제 수지("아데카 아클즈"(등록 상표) WR301(상품명) (주)ADEKA제)를 100g 및 PGMEA를 675g 혼합하여 슬러리를 제작하였다. 슬러리를 넣은 비이커를 다이노 밀과 튜브로 연결하고, 미디어로서 직경 0.5mm의 지르코니아 비즈를 사용하여, 주속 14m/s로 8시간의 분산 처리를 행하여 피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1)을 제작하였다. 150 g of CI pigment yellow 150, 75 g of a polymer dispersant ("BYK" (registered trademark)-6919 (brand name) manufactured by Big Chemie (hereinafter "BYK-6919"))), and 75 g of a binder resin ("Adeka Arcles" (registered trademark)) ) 100 g of WR301 (trade name) manufactured by ADEKA Co., Ltd. and 675 g of PGMEA were mixed to prepare a slurry. The beaker into which the slurry was put was connected to a dino mill and a tube, and a dispersion treatment was performed for 8 hours at a circumferential speed of 14 m/s using zirconia beads having a diameter of 0.5 mm as a medium to prepare a pigment yellow 150 dispersion (YD-1).

피그먼트 옐로우 150 분산액(YD-1) 3.09g, 수지로서 폴리실록산(PSL-1) 용액을 23.54g, 광중합성 화합물로서 DPHA를 6.02g, 유기 금속 화합물로서 네오데칸산은을 사용하여 조제한 유기 금속 화합물 용액(OM-2)을 6.02g, 광중합 개시제로서 OXE-02를 0.20g, IC-819를 0.40g, IRGANOX(등록 상표) 1010을 0.060g 및 BYK-352의 PGMEA 10중량% 희석 용액 0.050g(농도 500ppm에 상당)을 용매 PGMEA 61.15g에 용해시켜 교반하였다. 얻어진 혼합물을 5.0㎛의 필터로 여과하여 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 얻었다.An organometallic compound solution prepared using 3.09 g of pigment yellow 150 dispersion (YD-1), 23.54 g of a polysiloxane (PSL-1) solution as a resin, 6.02 g of DPHA as a photopolymerizable compound, and silver neodecanoate as an organometallic compound 6.02 g of (OM-2), 0.20 g of OXE-02 as a photopolymerization initiator, 0.40 g of IC-819, 0.060 g of IRGANOX (registered trademark) 1010, and 0.050 g of a 10% by weight diluted solution of BYK-352 PGMEA (concentration 500 ppm) was dissolved in 61.15 g of a solvent PGMEA and stirred. The obtained mixture was filtered through a 5.0 µm filter to obtain a yellow organic protective layer-forming material (YL-1).

(실시예 17 내지 20, 실시예 22 내지 28, 실시예 38 내지 45, 비교예 7 내지 9)(Examples 17 to 20, Examples 22 to 28, Examples 38 to 45, Comparative Examples 7 to 9)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 표 4 내지 표 5에 나타내는 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하고, 유리 기판 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 격벽을 형성하였다.As the base substrate, a square non-alkali glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) having a side of 10 cm was used. The resin composition for partition walls shown in Tables 4 to 5 was spin-coated thereon, and dried at a temperature of 90° C. for 2 minutes using a hot plate (brand name SCW-636, manufactured by Dai Nippon Screen Seizou Co., Ltd.) to form a dried film. I did. The prepared dried film was exposed using a parallel light mask aligner (trade name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and an exposure amount of 200 mJ/cm 2 (i-line) through a photomask. Thereafter, using an automatic developing device ("AD-2000 (trade name)" manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), a 0.045% by weight aqueous solution of potassium hydroxide was used for 100 seconds of shower development, and then water was used for 30 Rinse for seconds. In addition, using an oven (trade name IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), it was heated for 30 minutes at a temperature of 230°C in air, and the partition wall having a height of 10 µm and a width of 20 µm on a glass substrate was 30 µm on the short side, A partition wall formed in a lattice pattern with a pitch interval of 150 μm on the long side was formed.

얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 표 4 내지 표 5에 나타내는 색 변환 발광 재료 조성물을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 2에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color conversion luminescent material composition shown in Tables 4 to 5 was applied to the area separated by the barrier ribs of the obtained barrier ribbed substrate using an ink jet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to obtain a pixel having a thickness of 5.0 μm. It formed and obtained the board|substrate with partition walls of the structure shown in FIG.

(실시예 21)(Example 21)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 표 4에 나타내는 격벽용 수지 조성물을 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 2.38중량% 수산화테트라메틸암모늄 수용액으로 90초간 샤워 현상하고, 다음에 물로 30초간 린스하였다. 그 후, 앞서와 마찬가지로 포토마스크를 개재시키지 않고 노광량 500mJ/㎠(i선)로 노광하여 블리치를 행하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하여, 유리 기판 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 격벽을 형성하였다.As the base substrate, a square non-alkali glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) having a side of 10 cm was used. On that, the resin composition for partition walls shown in Table 4 was spin-coated, and dried at a temperature of 90° C. for 2 minutes using a hot plate (trade name SCW-636, manufactured by Dai Nippon Screen Seizou Co., Ltd.) to prepare a dried film. The prepared dried film was exposed using a parallel light mask aligner (trade name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and an exposure amount of 200 mJ/cm 2 (i-line) through a photomask. Then, using an automatic developing device ("AD-2000 (trade name)" manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), it was developed by showering with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 90 seconds, and then rinsed with water for 30 seconds. . Thereafter, as before, bleaching was performed by exposing at an exposure dose of 500 mJ/cm 2 (i-line) without interposing a photomask. In addition, using an oven (trade name IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), heated for 30 minutes at a temperature of 230°C in the air, and the partition wall having a height of 10 µm and a width of 20 µm on a glass substrate is 30 µm on the short side, A partition wall formed in a lattice pattern with a pitch interval of 150 μm on the long side was formed.

얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여, 표 4 내지 표 5에 나타내는 색 변환 발광 재료 조성물을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 2에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.The color conversion luminescent material composition shown in Tables 4 to 5 was applied to the area separated by the barrier ribs of the obtained barrier ribbed substrate using an ink jet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to obtain a pixel having a thickness of 5.0 μm. Was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 2 was obtained.

(실시예 29)(Example 29)

실시예 18과 마찬가지의 방법에 의해 화소를 형성한 후의 격벽 구비 기판에 저굴절률층 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 90℃에서 30분간 가열하여 저굴절률층을 형성하고, 도 3에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A low-refractive-index layer-forming material was spin-coated on a substrate with a partition wall after forming a pixel by the same method as in Example 18, and a hot plate (trade name SCW-636, manufactured by Dai Nippon Screen Seizou Co., Ltd.) was used. It dried at 90° C. for 2 minutes to prepare a dried film. Further, using an oven (trade name IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), it was heated at 90°C in air for 30 minutes to form a low refractive index layer, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 3 was obtained.

(실시예 30)(Example 30)

실시예 29에 의해 얻어진 저굴절률층을 갖는 격벽 구비 기판의 저굴절률층 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 I에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하고, 도 4에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A film corresponding to an inorganic protective layer I having a thickness of 50 to 1,000 nm using a plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samko Corporation) on the low refractive index layer of the substrate with the partition wall having the low refractive index layer obtained in Example 29 A silicon nitride film having a thickness of 300 nm was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 4 was obtained.

(실시예 31)(Example 31)

실시예 18에 의해 얻어진 격벽 구비 기판 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 II에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 화소 상층에 형성하였다. 그 후, 무기 보호층 II 상에, 조제예 6에 의해 얻어진 저율층 형성 재료를 사용하여 실시예 29와 마찬가지의 방법에 의해 두께 1.0㎛의 저굴절률층을 형성하고, 도 5에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.On the substrate with partition walls obtained in Example 18, a silicon nitride film having a thickness of 300 nm corresponding to the inorganic protective layer II having a thickness of 50 to 1,000 nm was formed on the upper layer of the pixel using a plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samko Corporation). I did. Thereafter, on the inorganic protective layer II, a low refractive index layer having a thickness of 1.0 μm was formed by the same method as in Example 29 using the low refractive index layer-forming material obtained by Preparation Example 6, and the configuration shown in FIG. A substrate with partition walls was obtained.

(실시예 32)(Example 32)

실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해 얻어진, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 경화 후의 막 두께가 2.5㎛가 되도록, 조제예 4에 의해 얻어진 컬러 필터 형성 재료(CF-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부의 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여 격벽으로 이격된 영역에 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터를 형성하였다. 그 후, 컬러 필터 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 6에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.Color filter-forming material (CF-1) obtained by Preparation Example 4 so that the film thickness after curing became 2.5 µm in a region separated by a partition wall of a substrate with partition walls before pixel formation, obtained by the same method as in Example 17 Was applied and vacuum dried. A photomask designed to be exposed to the region of the opening of the substrate with the partition wall was interposed, and exposure was performed at an exposure amount of 40 mJ/cm 2 (i-line). After developing for 50 seconds with a 0.3% by weight aqueous solution of tetramethylammonium, heat curing was performed at 230° C. for 30 minutes to form a color filter having a thickness of 2.5 µm and a width of 50 µm in a region separated by a partition wall. Thereafter, the color conversion luminescent material composition (CL-2) obtained by Preparation Example 2 was applied on the color filter under a nitrogen atmosphere by using an inkjet method, and dried at 100° C. for 30 minutes to obtain a pixel having a thickness of 5.0 μm. It formed and obtained the board|substrate with partition walls of the structure shown in FIG.

(실시예 33)(Example 33)

실시예 32와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터가 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 III에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 또한, 무기 보호층 III 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 7에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.On the color filter of the substrate with partition walls before pixel formation, in which a color filter having a thickness of 2.5 µm and a width of 50 µm obtained by the same method as in Example 32 was formed, a plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samko Corporation) was used. A silicon nitride film having a thickness of 300 nm corresponding to the inorganic protective layer III of 50 to 1,000 nm was formed. Further, on the inorganic protective layer III, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained by Preparation Example 2 was applied using an inkjet method in a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to obtain a pixel having a thickness of 5.0 μm. Was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 7 was obtained.

(실시예 34)(Example 34)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 플라스마 CVD 장치(PD-220NL, 삼코사제)를 사용하여 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 IV에 상당하는, 막 두께 300nm의 질화규소막을 형성하였다. 상기 기판을 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외에는, 실시예 31과 마찬가지의 방법에 의해 도 8에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As the base substrate, a square non-alkali glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) having a side of 10 cm was used. A silicon nitride film having a thickness of 300 nm was formed thereon, corresponding to the inorganic protective layer IV having a thickness of 50 to 1,000 nm, using a plasma CVD apparatus (PD-220NL, manufactured by Samko Corporation). A substrate with partition walls having the configuration shown in Fig. 8 was obtained by the same method as in Example 31 except that the substrate was used in place of a square, alkali-free glass substrate having a side of 10 cm.

(실시예 35)(Example 35)

실시예 32와 마찬가지의 방법에 의해 얻어진 두께 2.5㎛, 50㎛ 폭의 컬러 필터가 형성된, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 컬러 필터 상에, 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 격벽 구비 기판의 개구부의 영역에 노광되도록 설계한 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행한 후, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행하여 두께 1.0㎛, 50㎛ 폭의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 또한, 황색 유기 보호층 상에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 2에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 7에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.A yellow organic protective layer forming material (YL-) obtained in Preparation Example 7 on the color filter of a substrate with partition walls before pixel formation, in which a color filter having a thickness of 2.5 µm and a width of 50 µm obtained by the same method as in Example 32 was formed was formed. 1) was applied and vacuum dried. A photomask designed to be exposed to the region of the opening of the substrate with the partition wall was interposed, and exposure was performed at an exposure amount of 40 mJ/cm 2 (i-line). After developing for 50 seconds with a 0.3% by weight aqueous solution of tetramethylammonium, heat curing was performed at 230°C for 30 minutes to form a yellow organic protective layer having a thickness of 1.0 µm and a width of 50 µm. Further, on the yellow organic protective layer, the color conversion light-emitting material composition (CL-2) obtained in Preparation Example 2 was applied using an inkjet method in a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to obtain a pixel having a thickness of 5.0 μm. Was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 7 was obtained.

(실시예 36)(Example 36)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 7에 의해 얻어진 황색 유기 보호층 형성 재료(YL-1)를 도포하고 진공 건조하였다. 건조막을 포토마스크를 개재시키지 않고, 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광한 후, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 230℃에서 30분간 가열 경화를 행함으로써 두께 1.0㎛의 황색 유기 보호층을 형성하였다. 상기 기판을 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 대신에 사용하는 것 이외에는, 실시예 31과 마찬가지의 방법에 의해 도 8에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As the base substrate, a square non-alkali glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) having a side of 10 cm was used. The yellow organic protective layer forming material (YL-1) obtained in Preparation Example 7 was applied thereon, followed by vacuum drying. The dried film was exposed to light at an exposure amount of 40 mJ/cm 2 (i-line) without a photomask, and then developed for 50 seconds with a 0.3% by weight aqueous tetramethylammonium solution, followed by heat curing at 230°C for 30 minutes to a thickness of 1.0 μm. A yellow organic protective layer was formed. A substrate with partition walls having the configuration shown in Fig. 8 was obtained by the same method as in Example 31 except that the substrate was used in place of a square, alkali-free glass substrate having a side of 10 cm.

(실시예 37)(Example 37)

하지 기판으로서 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판(AGC 테크노 글라스(주)제, 두께 0.7mm)을 사용하였다. 그 위에 조제예 5에 의해 얻어진 차광 격벽 형성 재료를 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 건조막을 제작하였다. 제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 포토마스크를 개재시켜 노광량 40mJ/㎠(i선)로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.3중량% 테트라메틸암모늄 수용액에 의해 50초간 현상을 행하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다. 또한, 오븐(상품명 IHPS-222, 에스펙(주)제)을 사용하여, 공기 중 온도 230℃에서 30분간 가열하고, 유리 기판 상에 높이 2.0㎛, 폭 20㎛, 두께 1.0㎛당 OD값이 2.0인 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 격자상 패턴으로 형성된 차광 격벽 구비 기판을 얻었다. 그 후, 실시예 17과 마찬가지의 방법에 의해, 차광 격벽 상에 높이 10㎛, 폭 20㎛의 격벽이 짧은 변 30㎛, 긴 변 150㎛의 피치 간격의 차광 격벽과 마찬가지의 격자상 패턴으로 형성된 격벽 구비 기판을 얻었다. 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽으로 이격된 영역에, 질소 분위기 하, 잉크젯법을 사용하여 조제예 22에 의해 얻어진 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하고, 도 9에 도시하는 구성의 격벽 구비 기판을 얻었다.As the base substrate, a square non-alkali glass substrate (manufactured by AGC Techno Glass Co., Ltd., thickness 0.7 mm) having a side of 10 cm was used. On that, the light-shielding barrier rib-forming material obtained in Preparation Example 5 was spin-coated, and dried at a temperature of 90° C. for 2 minutes using a hot plate (trade name SCW-636, manufactured by Dai Nippon Screen Seizou Co., Ltd.) to prepare a dried film. . The prepared dried film was exposed with a parallel light mask aligner (trade name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and an exposure amount of 40 mJ/cm 2 (i-line) through a photomask. Then, using an automatic developing device ("AD-2000 (trade name)" manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), development was performed for 50 seconds with a 0.3% by weight aqueous solution of tetramethylammonium, and then 30 with water. Rinse for seconds. In addition, using an oven (brand name IHPS-222, manufactured by SPEC Co., Ltd.), it was heated for 30 minutes at a temperature of 230° C. in air, and the OD value per 2.0 μm in height, 20 μm in width, and 1.0 μm in thickness on a glass substrate was A substrate with light-shielding barrier ribs formed in a grid pattern having a pitch spacing of 2.0 µm on the short side and 150 µm on the long side was obtained. Thereafter, by the same method as in Example 17, the barrier ribs having a height of 10 µm and a width of 20 µm were formed in the same grid pattern as the light blocking partitions having a pitch interval of 30 µm on the short side and 150 µm on the long side by the same method as in Example 17. A substrate with partition walls was obtained. The color conversion luminescent material composition (CL-2) obtained by Preparation Example 22 was applied to the area separated by the barrier ribs of the obtained barrier ribbed substrate using an ink jet method under a nitrogen atmosphere, and dried at 100° C. for 30 minutes to give a thickness of 5.0. A µm pixel was formed, and a substrate with partition walls having the configuration shown in FIG. 9 was obtained.

각 실시예 및 비교예의 구성을 표 4 내지 표 5에 나타낸다.The configurations of each Example and Comparative Example are shown in Tables 4 to 5.

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
Figure pct00012

각 실시예 및 비교예에 있어서의 평가 방법을 이하에 나타낸다.The evaluation method in each Example and a comparative example is shown below.

<백색 안료의 굴절률><Refractive index of white pigment>

각 실시예 및 비교예에 사용한 백색 안료에 대하여, JIS K7142-2014(제정 년월일=2014/04/20)에 규정되는 플라스틱의 굴절률 측정 방법 중 B법(현미경을 사용하는 액침법(베케선법))에 의해 굴절률을 측정하였다. 측정 파장은 550nm로 하였다. 단, JIS K7142-2014에서 사용되는 침지액 대신에 (주)시마즈 디바이스 세이조우제 「접촉액」을 사용하고, 침지액 온도: 20℃의 조건에서 측정하였다. 현미경으로서 편광 현미경 「옵티포토」((주)니콘제)를 사용하였다. 백색 안료의 샘플을 각 30개 준비하여 각각의 굴절률을 측정하고, 그의 평균값을 굴절률로 하였다.For the white pigment used in each of the Examples and Comparative Examples, the method B of the method of measuring the refractive index of plastics specified in JIS K7142-2014 (date of establishment = 2014/04/20) (liquid immersion method using a microscope (Beckesian method)) The refractive index was measured by. The measurement wavelength was set to 550 nm. However, instead of the immersion liquid used in JIS K7142-2014, a "contact liquid" manufactured by Shimadzu Device Seizou was used, and the measurement was performed under the conditions of the immersion liquid temperature: 20°C. As a microscope, a polarization microscope "Optiphoto" (manufactured by Nikon Corporation) was used. Each 30 samples of white pigment were prepared, each refractive index was measured, and the average value was made into the refractive index.

<폴리실록산 및 저굴절률층의 굴절률><Refractive index of polysiloxane and low refractive index layer>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물의 원료인 폴리실록산 및 조제예 26에 의해 얻어진 저굴절률층 형성 재료를, 각각 실리콘 웨이퍼 상에 스피너에 의해 도포하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하였다. 그 후, 오븐(IHPS-222; 에스펙(주)제)을 사용하여 공기 중 230℃에서 30분간 가열하여 경화막을 제작하였다. 프리즘 커플러(PC-2000(Metricon(주)제))를 사용하여, 대기압 하, 20℃의 조건에서, 경화막면에 대하여 수직 방향으로부터 파장 550nm의 광을 조사하여 굴절률을 측정하고, 소수점 이하 셋째자리를 반올림하였다.Polysiloxane as a raw material for the barrier rib-forming resin composition used in each of the Examples and Comparative Examples and the low-refractive-index layer-forming material obtained in Preparation Example 26 were applied on a silicon wafer by spinners, respectively, and a hot plate (trade name SCW-636, It dried for 2 minutes at a temperature of 90 degreeC using Dai-Nippon Screen Seizou Co., Ltd. product. Then, using an oven (IHPS-222; manufactured by SPEC Co., Ltd.), it was heated in air at 230°C for 30 minutes to prepare a cured film. Using a prism coupler (PC-2000 (manufactured by Metricon Co., Ltd.)), under atmospheric pressure, under the condition of 20°C, irradiate light with a wavelength of 550 nm from the vertical direction to the cured film surface to measure the refractive index and measure the refractive index, and the third digit after the decimal point. Is rounded up.

<해상도><Resolution>

스핀 코터(상품명 1H-360S, 미카사(주)제)를 사용하여, 각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽용 수지 조성물을, 한 변이 10㎝인 정사각형의 무알칼리 유리 기판 상에, 가열 후의 막 두께가 10㎛가 되도록 스핀 코트하고, 핫 플레이트(상품명 SCW-636, 다이닛폰 스크린 세이조우(주)제)를 사용하여 온도 90℃에서 2분간 건조하여 막 두께 10㎛의 건조막을 제작하였다.Using a spin coater (trade name 1H-360S, manufactured by Mikasa Co., Ltd.), the resin composition for partition walls used in each of the Examples and Comparative Examples was formed on a square alkali-free glass substrate having a side of 10 cm, after heating. It spin-coated so that the thickness might become 10 micrometers, and it dried at 90 degreeC for 2 minutes using a hot plate (trade name SCW-636, Dai Nippon Screen Seizou Co., Ltd. product), and a 10 micrometers-thick dry film was produced.

제작한 건조막을 패럴렐 라이트 마스크 얼라이너(상품명 PLA-501F, 캐논(주)제)를 사용하여, 초고압 수은등을 광원으로 하고, 100㎛, 80㎛, 60㎛, 50㎛, 40㎛, 30㎛ 및 20㎛의 각 폭의 라인 & 스페이스 패턴을 갖는 마스크를 개재시켜 노광량 200mJ/㎠(i선)로 100㎛의 갭으로 노광하였다. 그 후, 자동 현상 장치(다키자와 산교(주)제 「AD-2000(상품명)」)를 사용하여, 0.045중량% 수산화칼륨 수용액을 사용하여 100초간 샤워 현상하고, 다음에 물을 사용하여 30초간 린스하였다.The prepared dried film was prepared using a parallel light mask aligner (trade name PLA-501F, manufactured by Canon Co., Ltd.), using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source, and 100 µm, 80 µm, 60 µm, 50 µm, 40 µm, 30 µm and A mask having a line & space pattern having each width of 20 µm was interposed therebetween, and exposure was performed with a gap of 100 µm at an exposure amount of 200 mJ/cm 2 (i-line). Thereafter, using an automatic developing device ("AD-2000 (trade name)" manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), a 0.045% by weight aqueous solution of potassium hydroxide was used for 100 seconds of shower development, and then water was used for 30 Rinse for seconds.

배율 100배로 조정한 현미경을 사용하여 현상 후의 패턴을 확대 관찰하여, 미노광부에 잔사가 보이지 않는 패턴 중 가장 좁은 선폭을 해상도로 하였다. 단, 100㎛ 폭의 패턴 부근의 미노광부에도 잔사가 있는 경우에는 「>100㎛」로 하였다.The pattern after development was magnified and observed using a microscope adjusted to a magnification of 100 times, and the narrowest line width among patterns in which no residue was visible in the unexposed portion was used as the resolution. However, when there is a residue also in the unexposed part near the pattern of 100 micrometers width, it was set as ">100 micrometers".

<반사율><Reflectance>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 노광 시에 포토마스크를 개재시키지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일 조건에서 가공하여, 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽의 모델로 하여, 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 분광 측색계(상품명 CM-2600d, 코니카 미놀타(주)제)를 사용하여 솔리드막측으로부터 SCI 모드에서 파장 550nm에 있어서의 반사율을 측정하였다. 단, 솔리드막에 크랙이 발생한 경우에는 균열 등이 원인으로 정확한 값을 얻을 수 없기 때문에, 반사율의 측정은 실시하지 않았다.The partition wall-forming resin composition used in each of the Examples and Comparative Examples was processed under the same conditions as each of the Examples and Comparative Examples, except that the whole was exposed without interposing a photomask at the time of exposure, and a solid film was formed on a glass substrate. Was produced. Using the obtained solid film as a model of the partition wall of the partition wall-equipped substrate obtained by each of the Examples and Comparative Examples, for the glass substrate having the solid film, using a spectrophotometer (trade name CM-2600d, manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) The reflectance at a wavelength of 550 nm was measured in the SCI mode from the film side. However, when a crack occurred in the solid film, the reflectance was not measured because an accurate value could not be obtained due to a crack or the like.

<크랙 내성><Crack resistance>

각 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 격벽 형성 수지 조성물을, 가열 후의 막 두께가 각각 5㎛, 10㎛, 15㎛ 및 20㎛가 되도록 스핀 코트하였다. 그 후의 공정에 대해서는 노광 시에 포토마스크를 개재시키지 않고 전체를 노광한 것 이외에는, 각 실시예 및 비교예와 동일 조건에서 가공하여 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽 모델로 하여, 솔리드막을 갖는 유리 기판을 목시 관찰하고 솔리드막의 크랙 유무를 평가하였다. 하나라도 크랙이 확인된 경우에는, 그 막 두께에 있어서의 크랙 내성은 없다고 판단하였다. 예를 들어, 막 두께 15㎛에서는 크랙이 없고, 막 두께 20㎛에서는 크랙이 있는 경우에는, 내크랙 막 두께를 「≥15㎛」로 판정하였다. 또한, 20㎛에서도 크랙이 없는 경우의 내크랙 막 두께를 「≥20㎛」, 5㎛에서도 크랙이 있는 경우의 내크랙 막 두께를 「<5㎛」로 각각 판정하여 크랙 내성으로 하였다.The partition wall-forming resin composition used in each of the Examples and Comparative Examples was spin-coated so that the film thickness after heating became 5 µm, 10 µm, 15 µm, and 20 µm, respectively. For the subsequent process, except for exposing the whole without interposing a photomask at the time of exposure, it processed under the same conditions as each Example and the comparative example, and produced a solid film on a glass substrate. The obtained solid film was used as a partition wall model of the partition wall-equipped substrate obtained by each of the Examples and Comparative Examples, and the glass substrate having the solid film was visually observed, and the presence or absence of cracks in the solid film was evaluated. When any crack was confirmed, it was judged that there was no crack resistance in the film thickness. For example, when there is no crack at a film thickness of 15 µm, and a crack is present at a film thickness of 20 µm, the crack-resistant film thickness was determined to be "≥15 µm". In addition, the crack resistance film thickness when there is no crack even at 20 µm was determined to be "≥20 µm" and the crack resistance film thickness when there was crack at 5 µm was determined to be "<5 µm", respectively, and the crack resistance was determined.

<OD값><OD value>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판의 격벽의 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 광학 농도계(361T(visual); X-rite사제)를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 상술한 식 (1)에 의해 OD값을 산출하였다. 또한, OD값에 대해서는, 가열 공정 전의 솔리드막과, 가열 공정 후의 OD값을 각각 측정하고, 그 차를 포함시켜 표 6 내지 표 7에 기재하였다.As a model of the barrier ribs of the substrate with barrier ribs obtained by each of the Examples and Comparative Examples, a solid film was formed on the glass substrate in the same manner as in the evaluation of reflectance. For the glass substrate having the obtained solid film, the intensity of incident light and transmitted light was measured using an optical densitometer (361T (visual); manufactured by X-rite), and the OD value was calculated by the above-described equation (1). In addition, about the OD value, the solid film before a heating process and the OD value after a heating process were respectively measured, and the difference was included in Tables 6-7.

또한, 실시예 37에 대하여, 차광 격벽(A-2)의 모델로서, 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막을 갖는 유리 기판에 대하여, 광학 농도계(361T(visual); X-rite사제)를 사용하여 입사광 및 투과광의 강도를 측정하고, 상술한 식 (1)에 의해 산출하였다.In addition, in Example 37, as a model of the light-shielding partition wall (A-2), a solid film was similarly formed on a glass substrate. For the glass substrate having the obtained solid film, the intensities of incident light and transmitted light were measured using an optical densitometer (361T (visual); manufactured by X-rite), and were calculated by the above-described formula (1).

<테이퍼 각도><Taper angle>

각 실시예 및 비교예에 있어서, 화소 형성 전의 격벽 구비 기판의 임의의 단면을 광학 현미경(FE-SEM(S-4800); (주)히다치 세이사쿠쇼제)을 사용하여 가속 전압 3.0kV에서 관측하여, 테이퍼 각도를 측정하였다.In each of the Examples and Comparative Examples, an arbitrary cross section of the substrate with partition walls before pixel formation was observed at an acceleration voltage of 3.0 kV using an optical microscope (FE-SEM (S-4800); manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.). , The taper angle was measured.

<표면 접촉각><Surface contact angle>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에 있어서의 격벽의 모델로서, 반사율의 평가와 마찬가지로 유리 기판 상에 솔리드막을 제작하였다. 얻어진 솔리드막의 표면에 대하여, 교와 가이멘 가가쿠(주)제 DM-700, 마이크로시린지: 교와 가이멘 가가쿠(주)제 접촉각계용 테플론(등록 상표) 코트 바늘 22G를 사용하여, 25℃, 대기 중에 있어서, JIS R3257(제정 년월일=1999/04/20)에 규정되는 기판 유리 표면의 습윤성 시험 방법에 준거하여 표면 접촉각을 측정하였다. 단, 물 대신에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 사용하여, 솔리드막의 표면과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 접촉각을 측정하였다.As a model of a partition wall in a substrate with partition walls obtained by each of the Examples and Comparative Examples, a solid film was produced on a glass substrate in the same manner as in the evaluation of reflectance. For the surface of the obtained solid film, using Kyowa Gaimen Chemical Co., Ltd. DM-700, micro syringe: Kyowa Gaimen Chemical Co., Ltd. Teflon for contact angle meter (registered trademark) coat needle 22G, 25 In the air at °C, the surface contact angle was measured in accordance with the wettability test method on the surface of the substrate glass specified in JIS R3257 (Establishment Date = 1999/04/20). However, using propylene glycol monomethyl ether acetate instead of water, the contact angle between the surface of the solid film and propylene glycol monomethyl ether acetate was measured.

<잉크젯 도포성><Inkjet applicability>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분에 대하여, PGMEA를 잉크로 하고, 잉크젯 도포 장치(InkjetLabo, 클러스터 테크놀로지(주)제)를 사용하여 잉크젯 도포를 행하였다. 1개의 격자상 패턴당 160pL의 PGMEA를 도포하여 결괴(잉크가 격벽을 타고 넘어 인접 화소 부분에 혼입되는 현상)의 유무를 관찰하고, 하기 기준에 의해 잉크젯 도포성을 평가하였다. 결괴가 적을수록 발액 성능이 높고, 잉크젯 도포성이 우수한 것을 나타낸다.In the substrate with partition walls obtained by each of the Examples and Comparative Examples before forming a pixel, PGMEA is used as ink for a pixel portion surrounded by a grid-like partition wall, and an inkjet coating device (InkjetLabo, manufactured by Cluster Technology Co., Ltd.) Inkjet coating was performed using. 160 pL of PGMEA was applied per one grid pattern to observe the presence or absence of a lump (a phenomenon in which ink crosses the barrier and enters the adjacent pixel portion), and the inkjet coatability was evaluated according to the following criteria. The smaller the number of lumps, the higher the liquid-repellent performance and the better the inkjet coating properties.

A: 잉크가 화소 내에서 넘치지 않았다.A: Ink did not overflow within the pixel.

B: 일부분에 있어서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘쳐나왔다.B: In a part, ink overflowed from the inside of the pixel to the upper surface of the partition wall.

C: 전체면에 있어서 잉크가 화소 내로부터 격벽의 상면으로 넘쳐나왔다.C: In the entire surface, ink overflowed from the inside of the pixel to the upper surface of the partition wall.

<두께><Thickness>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판에 대하여, 서프콤 촉침식 막 두께 측정 장치를 사용하여, 화소(B) 형성 전후의 구조체의 높이를 측정하고, 그 차분을 산출함으로써 화소(B)의 두께를 측정하였다. 실시예 29 내지 31에 대해서는 추가로 저굴절률층(C)의 막 두께를, 실시예 32 내지 36에 대해서는 추가로 컬러 필터의 막 두께를, 실시예 37에 대해서는 추가로 차광 격벽의 두께(높이)를 각각 마찬가지로 측정하였다.For the substrates with partition walls obtained by each of the Examples and Comparative Examples, the height of the structure before and after formation of the pixel B is measured using a surfcom stylus type film thickness measuring device, and the difference is calculated to calculate the pixel (B). The thickness of was measured. In Examples 29 to 31, the thickness of the low refractive index layer (C) was additionally, in Examples 32 to 36, the thickness of the color filter was further determined, and in Example 37, the thickness (height) of the light-shielding partition wall. Were measured in the same manner, respectively.

또한, 실시예 30 내지 31 및 33 내지 34에 대해서는, 크로스 섹션 폴리셔 등의 연마 장치를 사용하여 하지 기판에 대하여 수직인 단면을 노출시키고, 주사형 전자 현미경 또는 투과형 전자 현미경으로 단면을 확대 관찰함으로써, 각각 무기 보호층 I 내지 IV의 두께를 측정하였다.In addition, for Examples 30 to 31 and 33 to 34, by exposing a cross section perpendicular to the base substrate using a polishing apparatus such as a cross section polisher, and magnifying the cross section with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. , The thickness of each of the inorganic protective layers I to IV was measured.

<휘도><luminance>

시판 중인 LED 백라이트(피크 파장 465nm)를 탑재한 면상 발광 장치를 광원으로 하여, 화소부가 광원측이 되도록 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을 설치하였다. 이 면상 발광 장치에 30mA의 전류를 흘려 LED 소자를 점등시키고, 분광 방사 휘도계(CS-1000, 코니카 미놀타사제)를 사용하여 CIE1931 규격에 기초하는 휘도(단위: cd/㎡)를 측정하고, 초기 휘도로 하였다. 단, 휘도의 평가는 실시예 45의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다.A substrate with partition walls obtained in each of the Examples and Comparative Examples was provided so that the pixel portion was on the light source side using an area light emitting device equipped with a commercially available LED backlight (peak wavelength of 465 nm) as a light source. The LED element was turned on by passing a current of 30 mA through this area light emitting device, and the luminance (unit: cd/m2) based on the CIE1931 standard was measured using a spectroscopic radiation luminance meter (CS-1000, manufactured by Konica Minolta). It was taken as luminance. However, the evaluation of the luminance was performed by a relative value using the initial luminance of Example 45 as the standard 100.

또한, 실온(23℃)에서 LED 소자를 48시간 점등한 후, 마찬가지로 휘도를 측정하고, 휘도의 경시 변화를 평가하였다. 단, 휘도의 평가는 실시예 45의 초기 휘도를 표준인 100으로 하는 상대값에 의해 행하였다.Further, after the LED element was turned on at room temperature (23°C) for 48 hours, the luminance was similarly measured, and the change in luminance over time was evaluated. However, the evaluation of the luminance was performed by a relative value using the initial luminance of Example 45 as the standard 100.

<색 특성><Color characteristics>

시판 중인 백색 반사판 상에, 각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판을, 화소가 백색 반사판측에 배치되도록 설치하였다. 분광 측색계(CM-2600d, 코니카 미놀타사제, 측정 직경 φ8mm)를 사용하여 격벽 구비 기판의 하지 기판측으로부터 광을 조사하고, 정반사광이 들어간 스펙트럼을 측정하였다.On a commercially available white reflecting plate, the substrates with partition walls obtained by each of the Examples and Comparative Examples were installed so that the pixels were disposed on the white reflecting plate side. Using a spectrophotometer (CM-2600d, manufactured by Konica Minolta, measuring diameter φ 8 mm), light was irradiated from the base substrate side of the substrate with a partition wall, and the spectrum into which the regular reflected light entered was measured.

자연계 색을 거의 재현할 수 있는 색 규격 BT.2020이 정하는 색 영역은, 색도도에 나타나는 스펙트럼 궤적 상의 적, 녹 및 청을 삼원색으로서 규정하고 있고, 적, 녹 및 청의 파장은 각각 630nm, 532nm 및 467nm에 상당한다. 얻어진 반사 스펙트럼의 470nm, 530nm 및 630nm의 3개의 파장의 반사율(R)로부터, 화소의 발광색에 대하여 이하의 기준에 의해 평가하였다.The color gamut defined by BT.2020, a color standard that can almost reproduce natural colors, defines red, green, and blue as the three primary colors on the spectral trajectory shown in the chromaticity diagram, and the wavelengths of red, green, and blue are 630nm, 532nm, and respectively. It corresponds to 467nm. From the reflectance (R) of three wavelengths of 470 nm, 530 nm and 630 nm of the obtained reflection spectrum, the emission color of the pixel was evaluated according to the following criteria.

A: R530/(R630+R530+R470)≥0.55A: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )≥0.55

B: R530/(R630+R530+R470)<0.55.B: R 530 /(R 630 +R 530 +R 470 )<0.55.

<표시 특성><Display characteristics>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 격벽 구비 기판과 유기 EL 소자를 조합하여 제작한 표시 장치의 표시 특성을, 이하의 기준에 기초하여 평가하였다.The display characteristics of the display device manufactured by combining the substrate with partition walls obtained by each of the Examples and Comparative Examples and an organic EL element were evaluated based on the following criteria.

A: 녹색 표시가 매우 색이 또렷하며, 선명하고 콘트라스트가 우수한 표시 장치이다.A: The green display is a display device with very clear color, clear, and excellent contrast.

B: 색채에 약간 부자연스러움이 보이기는 하지만, 문제가 없는 표시 장치이다.B: Although the color is slightly unnatural, it is a display device with no problem.

<혼색><Mixed color>

각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진, 화소를 형성하기 전의 격벽 구비 기판에 있어서, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분의 일부에 잉크젯법을 사용하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다. 그 후, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)을 도포한 영역의 인접 영역에 잉크젯법을 사용하여 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)을 도포하고, 100℃에서 30분간 건조하여 두께 5.0㎛의 화소를 형성하였다.In the substrate with partition walls obtained by each of the Examples and Comparative Examples before forming a pixel, a color conversion light emitting material composition (CL-2) was applied to a part of the pixel portion surrounded by the grid-shaped partition wall by using an inkjet method, It dried at 100° C. for 30 minutes to form a pixel having a thickness of 5.0 μm. Thereafter, the color conversion light-emitting material composition (CL-3) was applied to a region adjacent to the area to which the color conversion light-emitting material composition (CL-2) was applied among the pixel portions surrounded by the grid-like partition walls by using an inkjet method, and 100 It dried at °C for 30 minutes to form a pixel having a thickness of 5.0 µm.

한편, 격자상의 격벽으로 둘러싸인 화소 부분과 동일한 폭을 갖는 청색 유기 EL 셀을 제작하고, 전술한 격벽 구비 기판과 청색 유기 EL 셀을 대향시켜 밀봉제에 의해 접합하여, 도 10에 도시하는 구성의 표시 장치를 얻었다.On the other hand, a blue organic EL cell having the same width as the pixel portion surrounded by the grid-like barrier ribs was fabricated, and the above-described substrate with barrier ribs and the blue organic EL cell were opposed to each other and bonded with a sealing agent to display the configuration shown in FIG. Got the device.

도 10에 있어서의 청색 유기 EL 셀(11) 중, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소(3)(CL-2)의 바로 밑에 접합한 청색 유기 EL 셀만을 점등시킨 상태에서, 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)로 형성된 화소(3)(CL-3) 부분에 대하여, 현미 분광 광도계 LVmicro-V(람다 비전(주)제)를 사용하여 파장 630nm에 있어서의 흡광 강도 A(630nm)를 측정하였다. 흡광 강도 A(630nm)의 값이 작을수록 혼색을 일으키기 어려움을 나타내고 있다. 하기의 판정 기준에 의해 혼색을 판정하였다.Of the blue organic EL cells 11 in Fig. 10, in a state in which only the blue organic EL cells bonded directly under the pixel 3 (CL-2) formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-2) are lit, For the portion of the pixel 3 (CL-3) formed of the color conversion light-emitting material composition (CL-3), the absorption intensity A at a wavelength of 630 nm using a microscopic spectrophotometer LVmicro-V (manufactured by Lambda Vision Co., Ltd.) (630nm) was measured. The smaller the value of the absorption intensity A (630 nm) is, the more difficult it is to cause color mixing. The color mixture was judged according to the following criteria.

A: A(630nm)<0.01A: A(630nm)<0.01

B: 0.01≤A(630nm)≤0.5B: 0.01≤A(630nm)≤0.5

C: 0.5<A(630nm).C: 0.5<A (630nm).

각 실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 6 내지 표 7에 나타낸다.The evaluation results of each Example and Comparative Example are shown in Tables 6 to 7.

Figure pct00013
Figure pct00013

Figure pct00014
Figure pct00014

1: 하지 기판
2: 격벽
3: 화소
3(CL-2): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-2)로 형성된 화소
3(CL-3): 색 변환 발광 재료 조성물(CL-3)로 형성된 화소
4: 저굴절률층
5: 무기 보호층 I
6: 무기 보호층 II
7: 컬러 필터
8: 무기 보호층 III 및/또는 황색 유기 보호층
9: 무기 보호층 IV 및/또는 황색 유기 보호층
10: 차광 격벽
11: 청색 유기 EL 셀
H: 격벽의 두께
L: 격벽의 폭
θ: 테이퍼 각도
1: not substrate
2: bulkhead
3: pixel
3 (CL-2): A pixel formed of a color conversion light emitting material composition (CL-2)
3 (CL-3): A pixel formed of a color conversion light emitting material composition (CL-3)
4: low refractive index layer
5: inorganic protective layer I
6: inorganic protective layer II
7: color filter
8: inorganic protective layer III and/or yellow organic protective layer
9: Inorganic protective layer IV and/or yellow organic protective layer
10: shading bulkhead
11: Blue organic EL cell
H: thickness of the bulkhead
L: the width of the bulkhead
θ: taper angle

Claims (21)

수지와, 은, 금, 백금 및 팔라듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 유기 금속 화합물과, 광중합 개시제 또는 퀴논디아지드 화합물과, 용매를 함유하는 수지 조성물.A resin composition containing a resin, an organometallic compound containing at least one metal selected from the group consisting of silver, gold, platinum, and palladium, a photoinitiator or a quinonediazide compound, and a solvent. 제1항에 있어서, 추가로 인 원자를 갖는 배위성 화합물을 함유하는 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, further comprising a coordinating compound having a phosphorus atom. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수지가 폴리실록산, 폴리이미드, 폴리이미드 전구체, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조옥사졸 전구체 및 (메트)아크릴 폴리머로부터 선택된 수지인 수지 조성물.The resin composition according to claim 1 or 2, wherein the resin is a resin selected from polysiloxane, polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, and (meth)acrylic polymer. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지가 폴리실록산인 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin is polysiloxane. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 백색 안료 및/또는 흑색 안료를 함유하는 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising a white pigment and/or a black pigment. 제5항에 있어서, 백색 안료를 함유하고, 상기 백색 안료가 이산화티타늄, 산화지르코늄, 산화아연, 황산바륨 및 이들의 복합 화합물로부터 선택된 안료인 수지 조성물.The resin composition according to claim 5, which contains a white pigment, wherein the white pigment is a pigment selected from titanium dioxide, zirconium oxide, zinc oxide, barium sulfate, and complex compounds thereof. 제5항 또는 제6항에 있어서, 흑색 안료를 함유하고, 상기 흑색 안료가 질화티타늄, 질화지르코늄, 카본 블랙, 및 적색 안료와 청색 안료의 중량비 20/80 내지 80/20의 혼합 안료로부터 선택된 안료인 수지 조성물.The pigment according to claim 5 or 6, which contains a black pigment, wherein the black pigment is selected from titanium nitride, zirconium nitride, carbon black, and a mixed pigment having a weight ratio of 20/80 to 80/20 of a red pigment and a blue pigment. Phosphorus resin composition. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 광염기 발생제를 함유하는 수지 조성물.The resin composition according to any one of claims 1 to 7, further comprising a photobase generator. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 경화시켜 이루어지는 차광막.A light shielding film obtained by curing the resin composition according to any one of claims 1 to 8. 하지 기판 상에 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 도포하고, 건조하여 건조막을 얻는 제막 공정, 얻어진 건조막을 패턴 노광하는 노광 공정, 노광 후의 건조막에 있어서의 현상액에 가용인 부분을 용해 제거하는 현상 공정 및 현상 후의 건조막을 가열함으로써 경화시키는 가열 공정을 갖는 차광막의 제조 방법이며, 상기 가열 공정에 있어서, 현상 후의 건조막을 120℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 가열함으로써, 막 두께 10㎛당 OD값을 0.3 이상 상승시키는 차광막의 제조 방법.A film forming step of applying the resin composition according to any one of claims 1 to 8 on a base substrate and drying to obtain a dried film, an exposure step of exposing the obtained dried film to a pattern, and soluble in a developer in a dried film after exposure. It is a manufacturing method of a light-shielding film having a developing step of dissolving and removing a phosphorus portion and a heating step of curing by heating a dried film after development, wherein in the heating step, the dried film after development is heated to a temperature of 120° C. or more and 250° C. or less. A method of manufacturing a light-shielding film in which an OD value per 10 μm in thickness is increased by 0.3 or more. 하지 기판 상에 (A-1) 패턴 형성된 격벽을 갖는 격벽 구비 기판이며, 파장 550nm에 있어서의 두께 10㎛당 반사율이 20% 내지 60%, 두께 10㎛당 OD값이 1.0 내지 3.0인 격벽 구비 기판.A substrate with partition walls having partition walls (A-1) patterned on the base substrate, and having a reflectance of 20% to 60% per 10 μm in thickness at a wavelength of 550 nm and an OD value of 1.0 to 3.0 per 10 μm in thickness. . 제11항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이, 수지와, 백색 안료와, 산화팔라듐, 산화백금, 산화금, 산화은, 팔라듐, 백금, 금 및 은으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 산화물 또는 금속을 포함하는 입자를 함유하는 격벽 구비 기판.The method according to claim 11, wherein the (A-1) patterned partition wall is at least one selected from the group consisting of resin, white pigment, palladium oxide, platinum oxide, gold oxide, silver oxide, palladium, platinum, gold, and silver. A substrate with partition walls containing particles of a type of metal oxide or metal. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽이 추가로 발액 화합물을 함유하고, (A-1) 패턴 형성된 격벽 중의 발액 화합물의 함유량이 0.01중량% 내지 10중량%인 격벽 구비 기판.The liquid-repellent compound according to claim 11 or 12, wherein the (A-1) patterned partition further contains a liquid-repellent compound, and (A-1) the content of the liquid-repellent compound in the patterned partition is 0.01% to 10% by weight. Substrate with partition walls. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽의, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 대한 표면 접촉각이 10°내지 70°인 격벽 구비 기판.The substrate with partition walls according to any one of claims 11 to 13, wherein the (A-1) patterned partition wall has a surface contact angle of 10° to 70° with respect to propylene glycol monomethyl ether acetate. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 테이퍼 각도가 45°내지 110°인 격벽 구비 기판.The substrate with partition walls according to any one of claims 11 to 14, wherein the (A-1) patterned partition wall has a taper angle of 45° to 110°. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하지 기판과 (A-1) 패턴 형성된 격벽의 사이에, 추가로 (A-2) 두께 1.0㎛당 OD값이 0.5 이상인, 패턴 형성된 차광 격벽을 갖는 격벽 구비 기판.The patterned shading according to any one of claims 11 to 15, wherein an OD value per 1.0 µm in thickness (A-2) is additionally 0.5 or more between the base substrate and the patterned partition wall (A-1). A substrate with a partition wall having a partition wall. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 상기 (A-1) 패턴 형성된 격벽에 의해 이격되어 배열된 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소를 갖는 격벽 구비 기판.The substrate with partition walls according to any one of claims 11 to 16, further comprising a pixel containing (B) a color conversion light emitting material arranged to be spaced apart by the (A-1) patterned partition walls. 제17항에 있어서, 상기 색 변환 발광 재료가 양자 도트 및 피로메텐 유도체로부터 선택된 형광체를 함유하는 격벽 구비 기판.The substrate with partition walls according to claim 17, wherein the color conversion light emitting material contains a phosphor selected from quantum dots and pyromethene derivatives. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 하지 기판과 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소의 사이에, 추가로 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터를 갖는 격벽 구비 기판.The substrate with partition walls according to claim 17 or 18, further comprising a color filter having a thickness of 1 to 5 µm between the base substrate and (B) a pixel containing a color conversion light-emitting material. 제19항에 있어서, 상기 하지 기판 상, 또는 상기 두께 1 내지 5㎛의 컬러 필터와 (B) 색 변환 발광 재료를 함유하는 화소층의 사이에, 추가로 두께 50 내지 1,000nm의 무기 보호층 및/또는 황색 유기 보호층을 갖는 격벽 구비 기판.The inorganic protective layer according to claim 19, further comprising an inorganic protective layer having a thickness of 50 to 1,000 nm on the base substrate or between the color filter having a thickness of 1 to 5 µm and a pixel layer containing a color conversion light emitting material. / Or a substrate having a partition wall having a yellow organic protective layer. 제11항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 격벽 구비 기판과, 액정 셀, 유기 EL 셀, 미니 LED 셀 및 마이크로 LED 셀로부터 선택된 발광 광원을 갖는 표시 장치.A display device comprising the substrate with barrier ribs according to any one of claims 11 to 20, and a light emitting light source selected from a liquid crystal cell, an organic EL cell, a mini LED cell, and a micro LED cell.
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