KR20220040466A - 하전 입자선 장치 - Google Patents

Abstract

하전 입자선 장치(100)는, 하전 입자선을 시료 S에 대하여 조사하는 조사부(110)와, 하전 입자선의 시료 S에 대한 조사에 기인하는 신호를 출력하는 검출부(130)와, 복수의 조건 세트 중에서 1개의 조건 세트를 선택하기 위한 조건 선택 인터페이스를 출력하는 표시부(154)와, 착안 대상물에 관한 평가를 실행하는 제어부(151)를 구비한다. 조건 세트는, 복수의 학습 완료 모델 중에서, 1개의 학습 완료 모델을 특정하는 정보와, 조사 조건 및 검출 조건의 적어도 한쪽을 포함하는 복수의 탐색 조건 중에서, 1개의 탐색 조건을 특정하는 정보와, 조사부(110) 및 검출부(130)의 적어도 한쪽의 동작을 규정하는 복수의 해석 조건 중에서, 1개의 해석 조건을 특정하는 정보를 포함한다. 하전 입자선 장치(100)는, 조건 선택 인터페이스를 개재하여 조건 세트의 선택을 접수하고, 특정된 탐색 조건에 기초하여, 시료 S의 제1 영역에 대하여 하전 입자선을 조사하고, 당해 조사에 기인하는 제1 신호를 검출하고, 특정된 학습 완료 모델에, 제1 신호에 기초하는 정보를 전달하고, 특정된 학습 완료 모델로부터, 착안 대상물의 후보 위치를 포함하는 시료 S의 제2 영역을 나타내는 정보를 취득하고, 제2 영역은 제1 영역의 일부이며 제1 영역보다 작고, 특정된 해석 조건에 기초하여, 제2 영역에 대하여 하전 입자선을 조사하고, 당해 조사에 기인하는 제2 신호를 검출하고, 제2 신호에 기초하는 정보를 제어부(151)에 입력한다.

Description

하전 입자선 장치

본 발명은, 하전 입자선 장치에 관한 것이다.

시료에 있어서의 착안 대상물의 검출 및/또는 평가를 행하기 위해, 하전 입자선 장치가 사용된다. 하전 입자선 장치는 시료에 하전 입자선을 조사하고, 조사에 기인하는 신호를 이용하여 착안 대상물의 검출 및/또는 평가를 행한다. 이와 같은 하전 입자선 장치의 예는, 특허문헌 1에 개시된다.

일본 특허 공개 제2019-60741호 공보

그러나, 하전 입자선 장치를 사용한 검사 업무에서는, 하전 입자선 장치의 동작에 관한 각종 조건의 설정 작업이나, 해석 영역의 설정 작업을 인력으로 행하고 있어, 시간과 노동력이 든다고 하는 과제가 있었다.

또한, 착안 대상물은 다양한 반면, 하전 입자선 장치는 고액이므로, 다른 특성을 갖는 착안 대상물에 대하여 동일한 하전 입자선 장치를 유용하지 않을 수 없는 경우가 있다. 이와 같은 경우에 있어서도, 조건의 설정 작업이나, 해석 영역의 설정 작업에 시간과 노동력이 들었다.

본 발명은 이와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 동작에 관한 각종 조건의 설정 작업이나, 해석 영역의 설정 작업을 자동적으로 행하는 하전 입자선 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 하전 입자선 장치의 일례는,

하전 입자선을 시료에 대하여 조사하는 조사부와,

상기 하전 입자선의 상기 시료에 대한 조사에 기인하는 신호를 출력하는 검출부와,

복수의 조건 세트 중에서 1개의 조건 세트를 선택하기 위한 조건 선택 인터페이스를 출력하는 인터페이스 출력부와,

착안 대상물에 관한 평가를 실행하는 평가부

를 구비하고,

상기 조건 세트는,

복수의 학습 완료 모델 중에서, 1개의 학습 완료 모델을 특정하는 정보와,

조사 조건 및 검출 조건의 적어도 한쪽을 포함하는 복수의 탐색 조건 중에서, 1개의 탐색 조건을 특정하는 정보와,

상기 조사부 및 상기 검출부의 적어도 한쪽의 동작을 규정하는 복수의 해석 조건 중에서, 1개의 해석 조건을 특정하는 정보

를 포함하고,

상기 하전 입자선 장치는,

상기 조건 선택 인터페이스를 개재하여 상기 조건 세트의 선택을 접수하고,

특정된 상기 탐색 조건에 기초하여, 상기 시료의 제1 영역에 대하여 상기 하전 입자선을 조사하고, 당해 조사에 기인하는 제1 신호를 검출하고,

특정된 상기 학습 완료 모델에, 상기 제1 신호에 기초하는 정보를 전달하고,

특정된 상기 학습 완료 모델로부터, 상기 착안 대상물의 후보 위치를 포함하는 상기 시료의 제2 영역을 나타내는 정보를 취득하고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역의 일부이며 상기 제1 영역보다 작고,

특정된 상기 해석 조건에 기초하여, 상기 제2 영역에 대하여 상기 하전 입자선을 조사하고, 당해 조사에 기인하는 제2 신호를 검출하고,

상기 제2 신호에 기초하는 정보를 상기 평가부에 입력한다.

본 발명에 따른 하전 입자선 장치에 의하면, 각종 조건의 설정을 개별로 행할 필요가 없고, 또한 해석 영역의 설정을 자동적으로 행할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 관한 하전 입자선 장치를 개략적으로 나타낸 정면도.
도 2는 도 1의 하전 입자선 장치의 동작을 나타내는 흐름도.
도 3은 도 2의 처리에 있어서 출력되는 조건 선택 인터페이스의 일부를 구성하는 화면의 예.
도 4는 도 3의 내비게이션 화상의 다른 예.
도 5는 조건 세트의 설정을 행하기 위한 화면 예.
도 6은 제2 영역의 예.
도 7은 형상 해석에 관한 처리를 모식적으로 도시하는 도면.
도 8은 조성 해석에 관한 처리를 모식적으로 도시하는 도면.
도 9는 평가 결과의 예.
도 10은 평가 결과의 표시예.
도 11은 탐색 조건의 자동 조정에 관한 하전 입자선 장치의 동작을 나타내는 흐름도.
도 12는 변형예에 관한 평가 결과의 표시예.

이하, 본 발명의 실시 형태를 첨부 도면에 기초하여 설명한다.

실시 형태 1.

<하전 입자선 장치(100)의 구성에 대해서>

도 1은 실시 형태 1에 관한 하전 입자선 장치(100)를 개략적으로 나타낸 정면도이다. 이 하전 입자선 장치(100)는 주사형 전자 현미경이다. 단, 하전 입자선 장치는 투과형 전자 현미경, 이온빔 장치 등의 다른 하전 입자선 장치이어도 된다. 하전 입자선 장치(100)의 구성은 일례에 지나지 않는 것에 유의하기 바란다. 바꿔 말하면, 하전 입자선 장치(100)의 각 부의 구체적인 구성은 하전 입자선 장치(100)의 종류나 구조에 따라서 바뀔 수 있다.

하전 입자선 장치(100)는, 하전 입자선을 시료 S에 대하여 조사하는 조사부(110)를 갖는다. 이 예의 조사부(110)는 전자원(111)과, 경통(112)을 갖는다. 전자원(111)은 하전 입자선(이 예에서는 전자선)의 원(源)이 되는 전자를 방출한다. 경통(112)은 집속 렌즈, 주사 코일, 대물 렌즈 등을 갖고, 하전 입자선을 시료 S를 향하여 유도한다.

조사부(110)는 시료실(120)에 접속되어 있다. 전형적으로는, 시료실(120)은 도시하지 않은 진공 펌프 등에 의해 진공화되어 있다.

이 예에서는, 하전 입자선의 시료 S에 대한 조사에 기인하는 신호를 출력하는 검출부(130)가 시료실(120)에 마련되어 있다. 검출부(130)가 검출하는 대상은, 2차 전자, 반사 전자, X선, 오제 전자 등이어도 된다. 또한, 검출부(130)는 복수 마련되어 있어도 된다. 이 예에서는, 하전 입자선 장치(100)는 2차 전자를 검출하는 제1 검출부(130A)와, X선을 검출하는 제2 검출부(130B)를 갖는다. 검출부(130)는 시료실(120)에 마련되어 있다고는 할 수 없다. 일례로서, 1종의 주사형 전자 현미경에서는, 검출부(130)가 경통(112)의 내부에 마련되어 있다. 다른 예로서, 1종의 투과형 전자 현미경에서는, 검출부(130)는 시료 S를 투과한 전자선을 검출하도록 시료 S보다 전자선의 흐름의 하류에 마련되어 있다.

하전 입자선 장치(100)는 스테이지(140)를 구비한다. 스테이지(140)는 가동 스테이지이어도 된다. 전형적으로는, 스테이지(140)는 X 방향 및/또는 Y 방향(하전 입자선의 광축과 수직인 평면 내에 있어서의 일방향: 도 1의 화살표 방향)으로 가동이어도 된다. 또한, 스테이지(140)는 Z 방향(하전 입자선의 광축과 수직인 방향)으로 가동이어도 된다. 또한, 스테이지(140)는 회전(Z축 방향을 회전축으로 한 회전) 가능이어도 된다. 또한, 스테이지(140)는 경사(X 방향 또는 Y 방향을 회전축으로 한 회전) 가능이어도 된다. 스테이지(140)는 시료 홀더(141)를 지지하도록 구성되어 있어도 된다. 이 예에서는, 시료 S는 시료 홀더(141)에 적재된다.

하전 입자선 장치(100)는 제어부(151)와, 입력부(152)와, 기억부(153)와, 표시부(154)에 접속되어 있어도 된다. 제어부(151), 입력부(152), 기억부(153), 표시부(154)는 하전 입자선 장치(100)의 일부이어도 되고, 하전 입자선 장치(100)와 독립하고 있어도 된다. 각 부의 사이의 접속은 유선 접속이어도 무선 접속이어도 된다. 따라서, 도 1에 도시되는 접속선은 예시에 지나지 않는다. 추가 또는 대체로서, 인터넷 등의 통신 회선을 개재한 접속도 채용 가능하다. 예를 들어, 기억부(153)는 인트라넷, 인터넷 또는 클라우드 서비스 상의 기억부(153)이어도 된다. 하전 입자선 장치(100)가 복수 계층의 제어부(151) 또는 기억부(153)에 접속되어 있는 경우, 상위의 계층에 있는 제어부(151) 또는 기억부(153)를 상위 장치라고 칭하는 경우가 있다.

전형적인 하전 입자선 장치(100)에 있어서는, 검출부(130)로부터의 신호를 수취한 제어부(151)는 화상 혹은 스펙트럼의 생성이 가능하다. 또는, 제어부(151)는 시료 S에 있어서 하전 입자선이 조사되어 있는 영역의 평가가 가능하다. 따라서, 제어부(151)는 「평가부」라고도 불릴 수 있다.

또한, 본 명세서에 있어서 「영역」이란, 예를 들어 유한한 면적을 갖는 면을 말하지만, 유한의 크기를 갖는 체적이어도 되고, 유한한 길이와, 제로 또는 실질적으로 무시할 수 있는 폭을 갖는 선이어도 되고, 제로 또는 실질적으로 무시할 수 있는 크기를 갖는 점이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서 「평가」란, 예를 들어 영역 또는 그 일부에 기초하여, 그 영역 또는 그 일부에 관한 정보를 생성하는 것을 의미하고, 「분석」 또는 「판정」이라고 불리는 동작을 포함한다.

본 실시 형태에서는, 제어부(151)는 제1 검출부(130A)가 출력한 신호에 기초한 SEM상(여기서는 2차 전자상)을 생성할 수 있다. 마찬가지로, 제어부(151)는 제2 검출부(130B)가 출력한 신호에 기초한 X선 분석 화상 또는 스펙트럼을 생성할 수 있다. 제어부(151)는 이들의 화상 또는 신호에 기초하여, 예를 들어 시료 S의 표면 형상 또는 표면 원소의 평가를 할 수 있다.

하전 입자선 장치(100)로의 정보의 입력 또는 하전 입자선 장치(100)로부터의 정보의 출력은, UI(유저 인터페이스)를 개재하여 행해져도 된다. 이 예에서는, UI는 GUI(그래픽 유저 인터페이스)이며, 표시부(154)에 표시된다.

제어부(151)에 의한 하전 입자선 장치(100)의 제어, 화상 또는 스펙트럼의 생성 또는 시료 S의 평가는, 기억부(153)에 기억된 학습 완료 모델에 기초하여 실행되어도 된다.

제어부(151)는 하전 입자선 장치(100) 전체의 동작을 제어해도 된다. 제어부(151)는 프로그램을 실행함으로써 이 제어를 실현해도 된다. 이 프로그램은, 기억부(153)에 저장되어도 되고, 기억부(153)로부터 독립한 제어부(151) 내의 기억 수단에 저장되어도 된다.

하전 입자선 장치(100)는 또한, 내비게이션 화상 촬영기(160)를 구비해도 된다. 내비게이션 화상 촬영기(160)는 내비게이션 화상(305)(후술)을 촬영한다. 도 1의 예에서는 내비게이션 화상 촬영기(160)는 시료실(120)에 마련되어 있다. 도 1에서는, 스테이지(140)가 도 1의 화살표의 우측 단부에 위치하는 경우에, 내비게이션 화상 촬영기(160)는 시료 홀더(141)가 존재한다고 예상되는 부분의 적어도 일부를 촬영할 수 있다. 도 1의 예에서는 내비게이션 화상 촬영기(160)는 광학 카메라이며, 시료 홀더(141)가 존재한다고 예상되는 부분 모두를 촬영 가능하다. 또한, 내비게이션 화상 촬영기(160)를 위한 광원이 시료실(120)에 마련되어 있어도 된다.

도 1의 예와는 달리, 내비게이션 화상 촬영기(160)로서 광학 카메라 이외의 화상 취득 수단이 사용되어도 된다. 또한, 도 1의 예와는 달리, 하전 입자선 장치(100)와는 별개 독립된 내비게이션 화상 촬영기(160)가 사용되어도 된다. 예를 들어, 내비게이션 화상 촬영기(160)로서, 하전 입자선 장치(100)와는 별개 독립된 광학 현미경이며, 시료 홀더(141)를 일정한 위치 또한 일정한 방향으로 고정할 수 있는 광학 현미경이 사용되어도 된다. 또한, 내비게이션 화상 촬영기(160)도, 제어부(151)와, 입력부(152)와, 기억부(153)와, 표시부(154)에 접속되어 있어도 된다.

<하전 입자선 장치(100)의 동작에 대해서>

도 2는, 실시 형태 1에 관한 하전 입자선 장치(100)의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 2의 처리에 있어서, 먼저 하전 입자선 장치(100)는 모델을 선택한다(스텝 201). 이 스텝에 있어서, 하전 입자선 장치(100)는 복수의 조건 세트 중에서 1개의 조건 세트를 선택하기 위한 인터페이스(조건 선택 인터페이스)를 출력한다. 조건 세트는, 하전 입자선 장치(100)의 동작을 특정하는 조건의 조합을 포함한다.

도 3은, 스텝 201에 있어서 출력되는 조건 선택 인터페이스의 일부를 구성하는 화면의 예를 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 조건 선택 인터페이스는 GUI로서 구성된다. 이 화면(300)은 표시부(154)에 있어서의 화면 표시로서 출력된다. 즉, 본 실시 형태에서는, 표시부(154)가 이 조건 선택 인터페이스를 출력하는 인터페이스 출력부로서 기능한다.

도 3의 예에서는, 조건 선택 인터페이스는 명칭란(301)을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 복수의 조건 세트 중 1개를 선택하기 위해 이 명칭란(301)이 사용된다. 예를 들어, 조건 세트의 각각에 다른 명칭이 관련지어져 있고, 특정한 조건 세트에 대응하는 명칭이 입력되는 것에 따라서, 그 조건 세트가 선택된다.

조건 선택 인터페이스는 장치 종류란(302)을 포함한다. 장치 종류란(302)은, 사용되는 하전 입자선 장치의 종류를 특정하는 정보를 입력 또는 표시하기 위해 사용된다.

조건 선택 인터페이스는 신규 버튼(303) 및 편집 버튼(304)을 포함한다. 신규 버튼(303)은 새로운 조건 세트를 작성할 때에 조작되고, 편집 버튼(304)은 기존의 조건 세트의 내용을 변경할 때에 조작된다.

조건 선택 인터페이스는 내비게이션 화상(305)을 포함한다. 내비게이션 화상(305)은 유저에 의해 시료대(307)(예를 들어 도 1의 시료 홀더(141)에 대응함) 상에 적재된 시료 S에 있어서의 탐색 범위를 시각적으로 지정하기 위한 화상이며, 전형적으로는 내비게이션 화상 촬영기(160)에 의해 촬영된다. 단, 하전 입자선 장치(100)의 관찰 배율이 충분히 낮게 설정할 수 있는 것이면, SEM상 등의 화상이 내비게이션 화상(305)으로서 사용되어도 된다. 내비게이션 화상(305)은 시료에 관한 탐색 영역(306)을 표시한다. 도 3에서는 탐색 영역(306)을 해칭으로 나타낸다. 이 예에서는, 시료대(307) 상에 2개의 도전 테이프(308)가 적재되어 있고, 탐색 영역(306)은 이들의 도전 테이프(308)의 전체를 포함하고 있다.

도 4는, 내비게이션 화상(305)의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서는, 복수의 시료대(307)가 배치되어 있고, 각 시료대(307)에 있어서 각각 다른 탐색 영역이 지정되어 있다.

도 5는, 조건 세트의 설정(학습 완료 모델의 선택을 포함함)을 행하기 위한 화면예를 나타낸다. 이 화면(500)은 본 실시 형태에서는 조건 선택 인터페이스의 일부를 구성하지만, 변형예로서 조건 선택 인터페이스와는 다른 화면의 GUI로서 구성되어도 된다. 화면(500)은, 예를 들어 도 3의 신규 버튼(303) 또는 편집 버튼(304)이 조작되는 것에 따라서 출력된다.

도 5에 의하면, 조건 선택 인터페이스는, 탐색 조건, 학습 완료 AI(즉 기계 학습에 의해 생성된 학습 완료 모델), 해석 조건 및 수치화 항목에 관한 정보의 입력을 접수 또는 입력된 정보를 표시한다.

탐색 조건은, 조사 조건(주로 조사부(110)의 동작 조건이지만, 스테이지(140)의 위치, 경사(환언하면, 시료 S의 위치, 경사 등), 시료실(120)의 진공도 등의 조건 등도 포함함) 및 검출 조건(주로 검출부(130)의 동작 조건이지만, 검출부(130)의 전단 구조(교축 등)의 조건 등도 포함함)의 적어도 한쪽을 포함하는 조건이다. 조건 선택 인터페이스는 탐색 조건에 관해서, 배율을 특정하기 위한 배율 선택부(501)와, 스캔의 종류를 특정하기 위한 스캔 종류 선택부(502)와, 화상 사이즈를 특정하기 위한 화상 사이즈 선택부(503)와, 검출기를 특정하기 위한 검출기 선택부(504)와, 워킹 디스턴스를 특정하기 위한 WD 선택부(505)를 포함한다.

스캔의 종류로서는, 스캔 속도(속도가 0이 되는 경우를 포함함), 스캔의 경로(래스터 스캔, 스네이크 스캔 등), 동일 영역에 대한 스캔의 적산수, 스캔의 적산 방식(라인마다, 화상마다 등) 또는 이들의 조합이 선택 가능하다.

검출기로서는, 2차 전자 검출기, 반사 전자 검출기, X선 검출기, 오제 전자 검출기, 투과 전자 검출기(예를 들어 카메라), 결정 방위를 특정하는 검출기 등이 선택 가능하다.

또한, 조건 선택 인터페이스는, 학습 완료 모델란(506)과, 탐색 조건 조정 버튼(507)을 포함한다. 학습 완료 모델란(506)은 복수의 학습 완료 모델 중에서 1개의 학습 완료 모델을 특정하기 위해 사용된다. 탐색 조건 조정 버튼(507)에 대해서는 후술한다.

해석 조건은, 조사부(110) 및 검출부(130)의 적어도 한쪽의 동작을 규정하는 조건이다. 해석 조건은, 상기의 탐색 조건과 중복되는 항목을 포함해도 되고, 그렇지 않아도 된다. 조건 선택 인터페이스는 해석 조건에 관해서, 형상 해석을 실행할지 여부를 특정하기 위한 형상 해석 체크 박스(508)와, 조성 해석을 실행할지 여부를 특정하기 위한 조성 해석 체크 박스(509)를 포함한다.

조건 선택 인터페이스는 형상 해석에 관해서, 배율을 특정하기 위한 배율 선택부(510)와, 스캔의 종류를 특정하기 위한 스캔 종류 선택부(511)와, 화상 사이즈를 특정하기 위한 화상 사이즈 선택부(512)와, 검출기를 특정하기 위한 검출기 선택부(513)와, 워킹 디스턴스를 특정하기 위한 WD 선택부(514)를 포함한다.

조건 선택 인터페이스는 조성 해석에 관해서, 검출기를 특정하기 위한 검출기 선택부(515)와, 워킹 디스턴스를 특정하기 위한 WD 선택부(516)를 포함한다.

여기서, 하전 입자선 장치(100)의 사용자는, 탐색 조건 및 해석 조건에 대하여 각각 다른 조건을 적절히 지정함으로써, 처리를 효율화할 수 있다. 예를 들어, 시료 S의 전체를 커버하는데 60개의 시야가 필요해지고, 1시야당 40초의 스캔 속도에 의한 스캔이 필요해지는 경우를 생각한다. 단일의 조건(해석 조건)만을 사용하여 시료 S를 해석하는 경우의 일례로서, 40[초]×60[시야]=2400[초]=40[분]의 시간이 필요해진다.

이에 반해, 해석의 사전 처리로서, 엄밀한 해석이 필요해지는 영역을 특정하기 위한 탐색 처리를 행할 수 있다. 이 탐색에서는, 해석 정도 엄밀한 스캔은 요구되지 않으므로, 보다 고속으로 처리 가능한 조건을 사용할 수 있다. 예를 들어, 스캔 속도를 1시야당 1초로 하고, 배율을 해석 조건의 1/5로 하면(예를 들어 해석 조건에 있어서의 배율이 1500배이면, 탐색 조건에 있어서의 배율을 300배로 함), 탐색에 걸리는 시간은 1[초]×60[시야]/5=12[초]가 된다. 이 탐색의 결과, 3개의 영역에 대하여 해석이 필요해진 경우에는, 해석에 걸리는 시간은 40[초]×3[시야]=120[초]가 되고, 합계로 132[초] 즉 2분 12초로 탐색 및 해석을 완료할 수 있다.

또한, 이 탐색 조건 및 해석 조건의 결정 방법은 일례이다. 하전 입자선 장치(100)의 용도에 따라서는, 탐색을 해석보다 고속으로 완료시킬 필요는 없고, 또는 처리를 효율화할 필요는 없다.

도 5로 되돌아가, 수치화 항목은 평가부로서의 제어부(151)의 동작을 규정하는 조건이며, 즉 평가 조건이라고도 말할 수 있는 것이다. 조건 선택 인터페이스는, 형상 해석에 관한 수치화 항목에 관해서, 착안 대상물의 직경을 출력할지 여부를 특정하기 위한 직경 체크 박스(517)와, 착안 대상물의 면적을 출력할지 여부를 특정하기 위한 면적 체크 박스(518)와, 평가에 관련하여 사용되는 프로그램을 특정하기 위한 스크립트란(519)(복수이어도 됨)을 포함한다.

또한, 「착안 대상물」의 의미는 당업자가 적절히 해석 가능하지만, 예를 들어 입자 또는 이물을 말한다. 또한, 착안 대상물은 시료로부터 분리된 물체에 한정되지 않고, 시료 S에 있어서 다른 것과 구별 가능한 형상, 구조 또는 조성을 갖는 부분이어도 된다.

조건 선택 인터페이스는, 조성 해석에 관한 수치화 항목에 관해서, 착안 대상물에 있어서의 특정 성분의 함유량을 출력할지 여부를 특정하기 위한 함유량 체크 박스(520)와, 착안 대상물의 결정 방위 ID를 출력할지 여부를 특정하기 위한 결정 방위 ID 체크 박스(521)를 포함한다.

조건 선택 인터페이스는, 보존 버튼(522)을 포함한다. 하전 입자선 장치(100)는 보존 버튼(522)이 조작되는 것에 따라서, 그 시점에서 조건 선택 인터페이스 상에서 특정되어 있는 각 조건을 서로 관련지어서 조건 세트로 하고, 기억부(153)에 기억한다. 이때, 그 조건 세트를 특정하는 정보(예를 들어 도 3의 명칭란(301)에 표시되는 명칭)의 입력을 접수해도 되고, 이 정보를 조건 세트에 관련지어서 기억부(153)에 기억해도 된다.

조건 세트는 종료 조건을 포함해도 된다. 도 5의 예에서는, 조건 선택 인터페이스는, 종료 조건을 특정하기 위한 종료 조건 선택부(523)를 구비한다. 종료 조건은, 탐색 조건의 일부를 구성해도 된다. 종료 조건은, 탐색 영역을 모두 탐색하기 전에 탐색 처리를 중단하기 위한 조건을 나타내도 된다. 예를 들어, 탐색 처리 중에 특정한 착안 대상물이 소정수 이상 검출된 경우에 탐색 처리를 중단하도록 구성해도 된다. 이와 같은 종료 조건을 사용하면, 석면 검사의 모니터링 매뉴얼에 따라서, 소정수 이상 검출된 특정한 착안 대상물에 대하여 조성 해석을 행한다고 하는 바와 같이, 하전 입자선 장치(100)의 동작을 다양한 기준에 준거시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 탐색 처리가 중단되었던 경우에는, 도 2의 스텝 205 이후의 처리(후술)는 실행을 생략해도 된다.

이와 같은 조건 세트의 작성 및 변경은, 도 2의 처리가 개시되기 전에 행해져도 되고, 상술한 바와 같이 도 2의 스텝 201에 있어서 행해져도 된다. 어느 것으로 해도, 스텝 201에 있어서 표시부(154)는 조건 선택 인터페이스를 출력하고, 하전 입자선 장치(100)는 이 조건 선택 인터페이스를 개재하여 조건 세트의 선택을 접수한다.

상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 조건 세트는 다음 정보를 포함한다.

-복수의 학습 완료 모델 중에서, 1개의 학습 완료 모델을 특정하는 정보.

-조사부(110) 및 검출부(130)의 적어도 한쪽의 동작을 규정하는 복수의 탐색 조건 중에서, 1개의 탐색 조건을 특정하는 정보. 이 정보에 의해, 각 학습 완료 모델에 적합한 탐색 조건을 사용할 수 있다.

-조사부(110) 및 검출부(130)의 적어도 한쪽의 동작을 규정하는 복수의 해석 조건 중에서, 1개의 해석 조건을 특정하는 정보. 이 정보에 의해, 각 학습 완료 모델에 적합한 해석 조건을 사용할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 조건 세트는 다음 정보를 포함한다.

-평가부(제어부(151))의 동작을 규정하는 복수의 평가 조건 중에서, 1개의 평가 조건을 특정하는 정보. 이 정보에 의해, 각 학습 완료 모델에 적합한 평가 조건을 사용할 수 있다.

이 때문에, 하전 입자선 장치(100)의 사용자는, 조건 세트를 1개 선택하는 것만으로, 학습 완료 모델, 탐색 조건 및 해석 조건을 모두 결정할 수 있다. 이 때문에, 이들을 개별로 결정하는 데 필요한 시간 및 노동력이 절약된다.

이와 같이 하여 스텝 201이 실행된 후, 하전 입자선 장치(100)는 탐색 범위로서 탐색 영역(306)을 지정한다(스텝 202). 하전 입자선 장치(100)는 탐색 영역(306)을 자동적으로 결정해도 되고, 사용자로부터의 입력에 따라서 결정해도 된다.

자동적인 결정은, 예를 들어 화상 처리에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 내비게이션 화상(305)에 있어서 원판 상의 영역을 검출함으로써 시료대(307)를 검출해도 된다. 또한, 도 1의 예에서는 내비게이션 화상 촬영기(160)(광학 카메라)가 내비게이션 화상(305)을 촬영한다. 거기서 시료대(307) 상에 있어서, 주변의 색(즉 시료대(307) 그 자체의 색이라고 생각되는 색)과 다른 색을 포함하는 부분을, 탐색 영역(306)으로서 결정해도 된다. 2개의 색이 다른 것인지 여부의 판정은, 예를 들어 색 공간에 있어서의 식별선에 대하여 다른 측에 있는지 여부에 기초하여 행해도 된다. 또한, 색이 아닌, 화상 중의 특정 영역의 명암 등의 다른 신호에 기초하여 탐색 영역(306)이 결정되어도 된다. 색에 관한 정보를 사용하지 않는 것은, 내비게이션 화상(305)이 모노크롬 화상인 경우(내비게이션 화상 촬영기(160)가 모노크롬 카메라 등인 경우 또는 SEM상 등의 화상이 내비게이션 화상(305)으로서 사용되는 경우)에 적합하다. 또한, 하전 입자선 장치(100)는 조건 선택 인터페이스에 대한 조작(예를 들어 마우스 포인터를 이용한 조작)에 따라, 탐색 영역(306)을 결정 또는 변경해도 된다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 주목 구조를 탐색한다(스텝 203). 즉, 스텝 201에 있어서 특정된 탐색 조건에 기초하여, 조사부(110)를 개재하여 시료 S의 탐색 영역(306)(제1 영역)에 대하여 하전 입자선을 조사하고, 검출부(130)를 개재하여 당해 조사에 기인하는 신호(제1 신호)를 검출한다. 이 탐색에서는, 예를 들어 저배율 또한 고속의 스캔에 의한 촬영을 이용할 수 있다. 이 스텝 203은, 예를 들어 도 3의 스타트 버튼(309)이 조작되는 것에 따라서 개시되어도 된다.

「주목 구조」란, 예를 들어 착안 대상물의 후보를 의미한다. 제1 신호는, 예를 들어 시료 S에 하전 입자선이 조사되었을 때에 발생하는 전자에 기초하는 신호이어도 되고, 시료 S에 하전 입자선이 조사되었을 때에 발생하는 X선에 기초하는 신호이어도 된다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 학습 완료 모델을 사용하여 주목 구조를 검지한다(스텝 204). 예를 들어, 먼저, 스텝 201에 있어서 특정된 학습 완료 모델에, 스텝 203에 있어서 검출된 신호(제1 신호)에 기초하는 정보를 전달한다. 이 정보는 제1 신호 그 자체이어도 되고, 적절한 변환 또는 보정 등을 행한 것이어도 된다. 그리고, 그 학습 완료 모델로부터, 착안 대상물의 후보 위치를 포함하는 시료 S의 영역(제2 영역)을 나타내는 정보를 취득한다. 제2 영역은 탐색 영역(306)의 일부이며, 탐색 영역(306)보다 작은 영역이다.

예를 들어, 학습 완료 모델이, 화소마다 착안 대상물의 존재 확률을 나타내는 히트 맵을 출력하는 경우에는, 제2 영역은 이 히트 맵에 기초하여 결정할 수 있다. 히트 맵으로부터 제2 영역을 결정하기 위한 구체적인 처리는 특별히 설명하지 않지만, 당업자라면 주지 기술에 기초하여 적절히 설계할 수 있다. 예를 들어 적절한 역치를 사용한 2치화 처리를 포함해도 된다.

도 6은, 제2 영역의 예를 나타낸다. 도 6의 (a)에, 가로 3열×세로 2행의 시야(601)가 표시되어 있다. 각 시야(601)는 그 주변에 있어서, 인접하는 시야(601)와 겹치는 영역 즉 오버랩 영역(602)을 갖는다. 도전 테이프(308) 상에, 주목 구조(문자 「A」로 나타냄)와, 그 밖의 구조(문자 「B」로 나타냄)가 존재하고 있다.

학습 완료 모델은, 도 6의 (a)에 나타내는 정보(예를 들어 화상의 형식으로 나타낼 수 있음)에 기초하여, 도 6의 (c)에 나타내는 정보(예를 들어 좌표의 조의 형식으로 나타낼 수 있음)를 출력한다. 학습 완료 모델은, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이 다양한 주목 구조의 형상 등(다양한 폰트의 문자 「A」로 나타냄)을 학습하고 있고, 주목 구조를 검출할 수 있다. 또한, 이와 같은 기능을 갖는 학습 완료 모델의 구체예는 특별히 나타내지 않지만, 당업자라면 공지된 학습용 모델 및 적절한 교사 데이터를 사용하여 생성하는 것이 가능하다.

도 6의 (c)의 예에서는, 제2 영역은, 주목 구조의 위치(「+」 기호로 나타냄)에 의해 표시된다. 제2 영역은, 예를 들어 주목 구조의 위치(점)이어도 되고, 주목 구조의 위치를 중심으로 하여 소정의 2차원 치수를 갖는 직사각형 영역이어도 된다. 단 이 제2 영역은, 탐색 영역(306)(제1 영역)의 일부이며, 탐색 영역(306)으로부터 비어져 나오지 않는 범위에서 정의된다.

하전 입자선 장치(100)는 스텝 204의 후에, 고분해능화를 위한 축 조정을 행해도 된다. 또한, 하전 입자선 장치(100)가 주사 투과 전자 현미경인 경우에는, 스텝 204의 후에 방위 맞춤을 행해도 된다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 해석 조건에 기초하여, 형상 해석(스텝 205) 또는 조성 해석(스텝 206) 혹은 이들의 양쪽을 실행한다. 즉, 스텝 201에서 특정된 해석 조건에 기초하여, 조사부(110)를 개재하여 제2 영역에 대하여 하전 입자선을 조사하고, 검출부(130)를 개재하여 당해 조사에 기인하는 제2 신호를 검출한다. 제2 신호는, 예를 들어 시료 S에 하전 입자선이 조사되었을 때에 발생하는 전자에 기초하는 신호이어도 되고, 시료 S에 하전 입자선이 조사되었을 때에 발생하는 X선에 기초하는 신호이어도 된다. 특히, 제1 신호(탐색에 사용하는 신호)를 전자에 기초하는 신호로 하고, 제2 신호(해석에 사용하는 신호)를 X선에 기초하는 신호로 하면, 탐색을 효율적으로 실행하고, 해석을 고정밀도로 실행할 수 있다.

도 7은, 스텝 205의 형상 해석에 관한 처리를 모식적으로 도시한다. 해석 영역(701)(제2 영역)을 해칭으로 나타낸다. 이 예에서는, 3개의 주목 구조를 각각 포함하는 3개의 해석 영역(701)이 고분해능 또한 고신호 대 잡음비(고S/N비)로 촬영된다. 형상 해석에는, 예를 들어 고배율 또한 저속의 스캔에 의한 촬영을 이용할 수 있다.

도 8은, 스텝 206의 조성 해석에 관한 처리를 모식적으로 도시한다. 해석 영역(801)(제2 영역)은 주목 구조의 위치에 대응하는 점이다. 이 예에서는, 해석 영역(801)의 각각에 있어서 특성 X선에 의한 스펙트럼 해석이 행해진다. 조성 해석에는, 예를 들어 에너지 분산형 X선 분광(EDS) 또는 전자선 후방 산란 회절(EBSD)을 이용한 고배율의 촬영을 이용할 수 있다. 또한, 촬영에는, 고가속 또는 대전류의 하전 입자선을 사용해도 된다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 해석 결과를 수치화한다(스텝 207). 즉, 스텝 205 또는 스텝 206에 있어서 검출된 신호(제2 신호)에 기초하는 정보를 평가부(제어부(151))에 입력하고, 평가부로부터 출력되는 평가 결과를 취득한다. 여기서, 제2 신호에 기초하는 정보는, 제2 신호 그 자체이어도 되고, 적절한 변환 또는 보정 등을 행한 것이어도 된다.

또한, 스텝 207에 있어서, 평가부는 착안 대상물에 관한 평가를 실행하지만, 그 구체적인 처리 내용의 설명은 생략한다. 구체적인 처리 내용은, 당업자가 공지 기술 등에 기초하여 적절히 설계할 수 있다. 예를 들어, 스텝 205에 있어서 형상 해석의 결과로서 화상이 취득된 경우에는, 공지된 화상 처리 및 신호 처리 등에 의해, 착안 대상물의 후보 직경 또는 면적 등을 평가할 수 있다.

도 9는, 평가 결과의 예를 나타낸다. 도 9의 (a)는 스텝 205의 형상 해석에 대응한다. 해석된 주목 구조에 대해서, 그 높이 및 폭이 평가 결과로서 나타내어져 있다. 도 9의 (b)는 스텝 206의 조성 해석에 대응한다. 해석된 주목 구조에 대해서, 그 조성이 평가 결과로서 나타내어져 있다. 또한 도 9의 (b)에서는, 조성을 각 원소의 비율을 나타내는 원 그래프로서 모식적으로 도시하고 있다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 평가 결과를 표시한다. 표시는, 표 형식으로 행해져도 되고(스텝 208), 하전 입자선 장치(100)에 의해 촬상된 화상에 중첩하는 형식으로 행해져도 되고(스텝 209), 이들의 조합으로서 행해져도 된다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 평가 결과를 나타내는 데이터를 출력한다(스텝 210). 예를 들어, 이 데이터는, 다른 애플리케이션 프로그램을 처리할 수 있는 형식이어도 된다. 이 데이터는, 재촬상하기 위한 위치 정보, 화상 처리의 정밀도를 높이는 정보, 통계 데이터를 산출할 수 있는 정보 등을 포함해도 된다.

도 10은, 평가 결과의 표시예를 나타낸다. 이와 같은 표시는, 표시부(154)에 있어서 표시되는 화면(1000)으로서 실현할 수 있다. 화면(1000)은 조건 선택 인터페이스의 일부를 구성해도 된다. 화면(1000)은 표 형식부(1001)와, 중첩부(1002)를 포함한다.

표 형식부(1001)에서는, 평가 결과가 표 형식으로 표시된다. 도 10의 예에서는, 각 주목 구조에 대해서, 그 주목 구조가 포함되는 해석 영역에 대응하는 화상 번호(「Image」), 그 해석 영역에 포함되는 주목 구조 중 당해 주목 구조를 특정하는 번호(「No」), 그 주목 구조에 관한 평가 결과(「Score」), 그 주목 구조의 위치(「X」 및 「Y」), 그 주목 구조의 면적(「Area」)이 표시되어 있다.

중첩부(1002)에서는, 평가 결과가 화상에 중첩하여 표시된다. 이 예에서는, 중첩부(1002)에는 평가 결과를 나타내는 결과 화상(1003)이 복수 표시되어 있고, 각 결과 화상(1003)에 중첩하여, 주목 구조의 위치가 흑색 동그라미로 나타내어져 있다. 또한, 각 결과 화상(1003)에 대해서, 그 화상에 포함되는 주목 구조에 관한 평가 결과가 수치로서 표시되어 있다. 또한 결과 화상(1003)의 내용은 특별히 도시하고 있지 않지만, 예를 들어 해석 처리에 의해 취득된 화상이 표시된다.

이 예에서는 흑색 동그라미에 의해 주목 구조의 위치만을 나타내고 있지만, 주목 구조가 형상을 갖는 경우에는, 그 형상이 결과 화상(1003)에 중첩하여 표시되어도 된다. 예를 들어, 주목 구조를 구성하는 화소의 색을 특정한 색(예를 들어 적색 또는 녹색)으로 변경해도 된다.

화면(1000)은 맵부(1004)를 포함해도 된다. 맵부(1004)에는, 각 결과 화상(1003)에 대응하는 심볼(1005)이 표시된다. 심볼(1005)은 각각 대응하는 결과 화상(1003)에 관련되는 정보에 따라서 표시 양태가 변화된다. 표시 양태의 변화는, 형상, 색, 색조, 농담, 크기, 위치 등의 변화를 포함한다.

예를 들어, 심볼(1005)의 형상(이 예에서는 직사각형)은 결과 화상(1003)의 형상에 따라서 결정되어도 되고, 예를 들어 결과 화상(1003)의 형상과 동일해도 된다. 또한, 심볼(1005)의 색 또는 농담은, 결과 화상(1003)에 포함되는 주목 구조에 관한 평가 결과에 따라서 결정되어도 된다. 또한, 심볼(1005)의 크기는, 시료 S에 있어서의 결과 화상(1003)의 크기에 따라서 결정되어도 되고, 예를 들어 각 결과 화상(1003) 사이의 상대적인 크기에 따라서 각 심볼(1005) 사이의 상대적인 크기가 결정되어도 된다. 또한, 맵부(1004)에 있어서의 심볼(1005)의 위치는, 시료 S에 있어서의 결과 화상(1003)의 위치에 대응해도 된다.

또한, 화면(1000)은 내비게이션 화상(305)을 포함해도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 하전 입자선 장치(100)에 의하면, 하전 입자선 장치의 동작에 관한 조건 세트를 선택하는 것만으로, 탐색 조건 및 해석 조건이 자동적으로 결정된다. 또한, 이때 탐색에 사용하는 학습 완료 모델도 결정되므로, 이 모델을 사용하여 해석 영역이 자동적으로 결정된다. 이와 같이, 인력으로 행하는 작업이 생략되어, 시간과 노동력이 절약된다.

다음에, 도 5의 탐색 조건 조정 버튼(507)에 대하여 설명한다. 하전 입자선 장치(100)는 탐색 조건 조정 버튼(507)이 조작되는 것에 따라서, 탐색 조건을 자동적으로 조정해도 된다. 이와 같은 탐색 조건의 자동 조정은, 예를 들어 특정한 하전 입자선 장치 및 특정한 착안 대상물을 상정하여 설정된 탐색 조건을, 다른 하전 입자선 장치 또는 다른 착안 대상물에 대하여 최적화하기 위해 이용할 수 있다.

도 11은, 이와 같은 탐색 조건의 자동 조정에 관한 하전 입자선 장치(100)의 동작을 나타내는 흐름도이다. 도 11의 처리에 있어서, 먼저 하전 입자선 장치(100)는 검출하고자 하는 착안 대상물을 촬상의 시야에 배치한다(스텝 1101). 이것은 하전 입자선 장치(100)의 사용자에 의해 수동으로 행해져도 된다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 현재 지정되어 있는 조건 세트에 포함되는 탐색 조건(제1 탐색 조건)을 사용하여 탐색을 행한다(스텝 1102). 예를 들어, 제1 탐색 조건에 기초하여, 도 2의 스텝 203 및 204를 실행하고, 해석 영역(제2 영역)을 나타내는 정보를 취득한다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 착안 대상물(또는 적절한 주목 구조)이 적절하게 검출 가능한지 여부를 판정한다(스텝 1103). 이 판정의 구체적인 내용은, 검출된 해석 영역을 나타내는 정보에 관한 조건으로서, 당업자가 적절히 설계할 수 있다. 일례로서, 검출된 해석 영역의 수가 소정의 역치 이상인 경우에는, 착안 대상물이 적절하게 검출 가능하다고 판정되고, 검출된 해석 영역의 수가 소정의 역치 미만인 경우에는, 착안 대상물이 적절하게 검출 가능하지 않다고 판정된다.

착안 대상물이 적절하게 검출 가능한 경우(예를 들어, 해석 영역을 나타내는 정보가 소정의 조건을 충족하는 경우)에는, 하전 입자선 장치(100)는 처리를 종료한다. 이 경우에는, 현재의 조건 세트는 변경되지 않는다.

한편, 착안 대상물이 적절하게 검출 가능하지 않았던 경우(예를 들어, 해석 영역을 나타내는 정보가 소정의 조건을 충족하지 않는 경우)에는, 하전 입자선 장치(100)는 탐색 조건을 변경한다(스텝 1104). 본 실시 형태와 같이 탐색 조건이 복수의 조건의 조합으로 이루어지는 경우에는, 그 적어도 일부를 변경한다. 여기서, 탐색 조건의 변경은 랜덤하게 행해져도 되고, 하전 입자선 장치(100)의 기종에 따라서 행해져도 되고, 탐색에 사용되는 화상(예를 들어 스텝 203에 있어서 취득되는 것)의 화질에 따라서 행해져도 된다. 이와 같이 하여, 새로운 탐색 조건(제2 탐색 조건)이 생성된다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 제2 탐색 조건을 사용하여 탐색을 행한다(스텝 1105). 예를 들어, 제2 탐색 조건에 기초하여, 도 2의 스텝 203 및 204를 실행하고, 해석 영역(제2 영역)을 나타내는 정보를 취득한다.

다음에, 하전 입자선 장치(100)는 스텝 1103과 마찬가지로 하여, 착안 대상물(또는 적절한 주목 구조)이 적절하게 검출 가능한지 여부를 판정한다(스텝 1106).

착안 대상물이 적절하게 검출 가능한 경우(예를 들어, 해석 영역을 나타내는 정보가 소정의 조건을 충족하는 경우)에는, 하전 입자선 장치(100)는 제2 탐색 조건을 조건 세트의 일부로서 기억한다(스텝 1107). 예를 들어, 그때까지 선택되어 있었던 조건 세트의 탐색 조건을, 제2 탐색 조건과 일치하도록 변경한다. 이에 의해 생성된 새로운 조건 세트는, 변경 전의 조건 세트에 덮어쓰기하여 보존되어도 되고, 변경 전의 조건 세트와는 다른 조건 세트로 하여 보존되어도 된다.

한편, 착안 대상물이 적절하게 검출 가능하지 않았던 경우에는, 하전 입자선 장치(100)는 소정의 조건에 따라서 스텝 1104에 처리를 복귀시키고, 스텝 1104 내지 1106을 포함하는 루프를 실행한다. 이 소정의 조건은, 예를 들어 루프의 실행 횟수가 소정의 역치 이하인 것으로 할 수 있다. 이 소정의 조건이 충족되지 않은 경우(예를 들어 루프가 다수회 실행된 결과, 실행 횟수가 역치를 초과한 경우)에는, 하전 입자선 장치(100)는 도 11의 처리를 종료한다. 이 경우에는, 현재의 조건 세트는 변경되지 않는다.

이와 같은 탐색 조건의 자동 조정에 의하면, 어느 특정한 하전 입자선 장치 또는 특정한 착안 대상물에 대하여 반드시 최적화되어 있지 않은 탐색 조건을, 보다 좋게 최적화할 수 있다. 예를 들어, 하전 입자선 장치를 변경하지 않고, 어느 착안 대상물에 대한 탐색 조건에 기초하여, 다른 착안 대상물에 대한 탐색 조건을 생성할 수 있다. 이와 같이, 1개의 하전 입자선 장치를 활용하면서, 착안 대상물마다 구체적인 탐색 조건을 설정하는 시간 및 노동력을 절약할 수 있다.

또한, 동일한 하전 입자선 장치에 의해 동일한 착안 대상물을 검출하는 경우에서도, 하전 입자선 장치의 메인터넌스 등에 의해 성능이 변화되고, 탐색 조건과 정합하지 않게 되는 경우가 있다. 그와 같은 경우에서도, 탐색 조건의 자동 조정을 행함으로써, 다시 탐색 조건을 최적화할 수 있다.

실시 형태 1에 있어서, 이하와 같은 변형을 실시할 수 있다.

실시 형태 1에서는, 스텝 201 내지 204의 탐색 처리에 있어서 단일의 학습 완료 모델을 사용하였다. 변형예로서, 복수의 학습 완료 모델을 사용하여 탐색 처리를 행해도 된다. 예를 들어 복수의 조건 세트를 선택하고, 조건 세트마다 특정되는 학습 완료 모델을 사용하여 탐색을 행해도 된다. 그 경우에는, 해석 처리의 진행 방법은 적절히 설계 가능하다. 예를 들어, 각 학습 완료 모델의 탐색 결과에 기초하여 각각 해석 영역을 결정하고, 그들 모든 해석 영역에 대해서, 각각 대응하는 해석 조건에서 해석 처리를 행해도 된다. 또는, 복수의 학습 완료 모델에 의한 복수의 탐색 결과를 조합하고, 통합된 해석 영역에 대해서, 단일의 해석 조건을 사용하여 해석 처리를 행해도 된다. 그 경우의 해석 조건의 결정 방법은 적절히 설계 가능하다.

도 12는, 이와 같은 변형예에 관한 평가 결과의 표시예이다. 이 예의 화면(1200)에서는, 중첩부(1202)에 표시되는 결과 화상(1203)에 있어서, 다른 학습 완료 모델에 의해 검출된 주목 구조의 위치가 다른 양태로 표시되어 있다. 예를 들어, 제1 학습 완료 모델에 의한 것은 흑색 동그라미로 나타내어지고, 제2 학습 완료 모델에 의한 것은 회색 오각형으로 나타내어진다.

주목 구조의 위치를 나타내기 위한 표시 양태의 상이는 임의로 설계 가능하고, 예를 들어 학습 완료 모델에 따라서 다른 형상을 사용해도 되고, 학습 완료 모델에 따라서 다른 색 또는 색조를 사용해도 되고, 학습 완료 모델에 따라서 다른 도포 패턴(세로 줄무늬, 가로 줄무늬, 경사 줄무늬, 그라데이션 등)을 사용해도 되고, 학습 완료 모델에 따라서 점멸시킬지 여부를 다르게 해도 되고, 이들 중 복수를 조합해도 된다.

실시 형태 1에서는, 탐색 조건 및 해석 조건은 각각 복수의 항목을 포함하지만, 각각에 포함되는 항목의 수 및 내용은 임의로 변경할 수 있고, 예를 들어 단일의 항목으로 되어도 된다.

100: 하전 입자선 장치
110: 조사부
111: 전자원
112: 경통
120: 시료실
130: 검출부(130A: 제1 검출부, 130B: 제2 검출부)
140: 스테이지
141: 시료 홀더
151: 제어부(평가부)
152: 입력부
153: 기억부
154: 표시부(인터페이스 출력부)
160: 내비게이션 화상 촬영기
201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210: 스텝
300: 화면(조건 선택 인터페이스)
500: 화면(조건 선택 인터페이스)
601: 시야
602: 오버랩 영역
701, 801: 해석 영역
1000: 화면(조건 선택 인터페이스)
1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107: 스텝
1200: 화면(조건 선택 인터페이스)

Claims (4)

1. 하전 입자선 장치이며,
   하전 입자선을 시료에 대하여 조사하는 조사부와,
   상기 하전 입자선의 상기 시료에 대한 조사에 기인하는 신호를 출력하는 검출부와,
   복수의 조건 세트 중에서 1개의 조건 세트를 선택하기 위한 조건 선택 인터페이스를 출력하는 인터페이스 출력부와,
   착안 대상물에 관한 평가를 실행하는 평가부
   를 구비하고,
   상기 조건 세트는,
   복수의 학습 완료 모델 중에서, 1개의 학습 완료 모델을 특정하는 정보와,
   조사 조건 및 검출 조건의 적어도 한쪽을 포함하는 복수의 탐색 조건 중에서, 1개의 탐색 조건을 특정하는 정보와,
   상기 조사부 및 상기 검출부의 적어도 한쪽의 동작을 규정하는 복수의 해석 조건 중에서, 1개의 해석 조건을 특정하는 정보
   를 포함하고,
   상기 하전 입자선 장치는,
   상기 조건 선택 인터페이스를 개재하여 상기 조건 세트의 선택을 접수하고,
   특정된 상기 탐색 조건에 기초하여, 상기 시료의 제1 영역에 대하여 상기 하전 입자선을 조사하고, 당해 조사에 기인하는 제1 신호를 검출하고,
   특정된 상기 학습 완료 모델에, 상기 제1 신호에 기초하는 정보를 전달하고,
   특정된 상기 학습 완료 모델로부터, 상기 착안 대상물의 후보 위치를 포함하는 상기 시료의 제2 영역을 나타내는 정보를 취득하고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역의 일부이며 상기 제1 영역보다 작고,
   특정된 상기 해석 조건에 기초하여, 상기 제2 영역에 대하여 상기 하전 입자선을 조사하고, 당해 조사에 기인하는 제2 신호를 검출하고,
   상기 제2 신호에 기초하는 정보를 상기 평가부에 입력하는
   하전 입자선 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 신호는, 상기 시료에 상기 하전 입자선이 조사되었을 때에 발생하는 전자에 기초하는 신호이며,
   상기 제2 신호는, 상기 시료에 상기 하전 입자선이 조사되었을 때에 발생하는 X선에 기초하는 신호인 하전 입자선 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 조건 세트는, 상기 평가부의 동작을 규정하는 복수의 평가 조건 중에서, 1개의 평가 조건을 특정하는 정보를 더 포함하는 하전 입자선 장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 하전 입자선 장치는,
   제1 탐색 조건에 기초하여 상기 제2 영역을 나타내는 정보를 취득하고,
   상기 제1 탐색 조건에 관한 상기 제2 영역을 나타내는 정보가 소정의 조건을 충족하지 않는 경우에, 상기 제1 탐색 조건의 적어도 일부를 변경한 제2 탐색 조건에 기초하여 상기 제2 영역을 나타내는 정보를 취득하고,
   상기 제2 탐색 조건에 관한 상기 제2 영역을 나타내는 정보가 상기 소정의 조건을 충족하는 경우에, 상기 제2 탐색 조건을 상기 조건 세트의 일부로서 기억하는 하전 입자선 장치.

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