KR20220038281A - 표면층 부착 물품 - Google Patents

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KR20220038281A
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유스케 도미요리
다이키 호시노
에이이치로 안라쿠
겐지 이시제키
료지 아키야마
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에이지씨 가부시키가이샤
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Abstract

표면층의 지문 오염 제거성, 내마찰성 및 보호 필름과의 밀착성이 우수한 표면층 부착 물품의 제공.
기재와, 기재의 표면에 형성된 표면층을 갖고, 표면층이, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기를 포함하고, 불소 원자를 4.96 질량％ 포함하는 유리를 표준 샘플로 하고, 형광 X 선 분석 장치로, 표면층 중의 불소 원자 강도 및 표준 샘플 중의 불소 원자 강도를 각각 측정하고, 표면층 중의 불소 원자 강도를 표준 샘플 중의 불소 강도로 나누어, 얻어진 규격화 F 강도가, 0.38 ∼ 0.53 인 것을 특징으로 하는 표면층 부착 물품.

Description

표면층 부착 물품
본 발명은, 불소 원자를 포함하는 표면층을 기재의 표면에 형성한 표면층 부착 물품에 관한 것이다.
퍼플루오로폴리에테르 사슬과 가수 분해성 실릴기를 갖는 함불소 에테르 화합물은, 높은 윤활성, 발수 발유성 등을 나타내는 표면층을 기재의 표면에 형성할 수 있기 때문에, 표면 처리제에 바람직하게 사용된다. 함불소 에테르 화합물을 포함하는 표면 처리제는, 표면층이 손가락으로 반복하여 마찰되어도 발수 발유성이 저하되기 어려운 성능 (내마찰성) 및 닦아냄에 의해 표면층에 부착된 지문을 용이하게 제거할 수 있는 성능 (지문 오염 제거성) 이 장기간 유지될 것이 요구되는 용도, 예를 들어, 터치 패널의 손가락으로 접촉하는 면을 구성하는 부재, 안경 렌즈, 웨어러블 단말의 디스플레이의 표면 처리제로서 사용된다.
내마찰성 및 지문 오염 제거성이 우수한 표면층을 기재의 표면에 형성할 수 있는 함불소 에테르 화합물로는, 퍼플루오로폴리에테르 사슬과 복수의 가수 분해성 실릴기를 갖는 함불소 에테르 화합물이 제안되어 있다 (특허문헌 1, 2).
국제 공개 제2017/038832호 국제 공개 제2017/187775호
표면 처리제를 사용하여 기재의 표면에 표면층을 형성한 후, 표면층 부착 물품을 다음 공정에서 사용할 때까지의 동안, 표면층을 보호하기 위해, 박리 가능한 보호 필름을 표면층의 표면에 첩착하는 경우가 있다.
본 발명자들이, 함불소 에테르 화합물을 포함하는 표면 처리제를 사용하여 기재의 주표면 전체를 표면 처리하여 얻어진 표면층 부착 물품을 평가한 결과, 표면층과 보호 필름의 밀착성이 불충분한 것이 판명되었다. 예를 들어, 표면층 부착 물품의 보존시나 운반시에, 보호 필름이 표면층으로부터 박리되거나, 보호 필름과 표면층 사이에 생긴 간극에 먼지가 들어가거나 할 우려가 있다.
본 발명은, 표면층의 지문 오염 제거성, 내마찰성 및 보호 필름과의 밀착성이 우수한 표면층 부착 물품의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은, 하기 [1] ∼ [12] 의 구성을 갖는 표면층 부착 물품을 제공한다.
[1] 기재와, 상기 기재의 표면에 형성된 표면층을 갖고,
상기 표면층이, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기를 포함하고,
하기 방법으로 구한 상기 표면층 중의 규격화 F 강도가 0.38 ∼ 0.53 인 것을 특징으로 하는 표면층 부착 물품.
(규격화 F 강도의 구하는 방법)
불소 원자를 4.96 질량％ 포함하는 유리 (Bureau of Analysed Samples Ltd. 사 제조, IGS G4 Fluoride Opal Glass) 를 표준 샘플로서 준비한다. 형광 X 선 분석 장치로, 표면층 중의 불소 원자 강도 및 표준 샘플 중의 불소 원자 강도를 각각 측정한다. 표면층 중의 불소 원자 강도를 표준 샘플 중의 불소 강도로 나누어, 얻어진 값을 규격화 F 강도로 한다.
[2] 상기 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기의 분자량이 1500 ∼ 4000 인, [1] 의 표면층 부착 물품.
[3] 상기 표면층이, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기 및 반응성 실릴기를 갖는 함불소 에테르 화합물, 또는 상기 함불소 에테르 화합물을 포함하는 함불소 에테르 조성물로 형성된 표면층인, [1] 또는 [2] 의 표면층 부착 물품.
[4] 상기 함불소 에테르 화합물이 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물인, [3] 의 표면층 부착 물품.
[Rf-]aQ[-T]b (1)
단,
Rf 는, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기 (단, Q 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다) 이고, Rf 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Rf 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q 는, a ＋ b 가의 연결기이고,
T 는, -Si(R)3-c(L)c 이고, T 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 T 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
R 은, 알킬기이고,
L 은, 가수 분해성기 또는 수산기이고, T 에 있어서의 2 이상의 L 은 동일해도 되고 상이해도 되고,
a 는, 1 이상의 정수이고,
b 는, 1 이상의 정수이고,
c 는, 2 또는 3 이다.
[5] 상기 b 가 2 ∼ 20 의 정수인, [4] 의 표면층 부착 물품.
[6] 상기 a 가 1 ∼ 6 의 정수인, [4] 또는 [5] 의 표면층 부착 물품.
[7] 상기 Rf 가 하기 식 (g1) 로 나타내는 기인, [4] ∼ [6] 중 어느 하나의 표면층 부착 물품.
Rf1-(ORf2)m- (g1)
단,
Rf1 은, 탄소수 1 ∼ 6 의 플루오로알킬기이고,
Rf2 는, 탄소수 1 ∼ 6 의 플루오로알킬렌기 (단, Q 에 결합하는 Rf2 의 Q 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다) 이고,
m 은, 1 이상의 정수이고, m 이 2 이상인 경우, (ORf2)m 은 2 종 이상의 ORf2 로 이루어지는 것이어도 된다.
[8] 상기 Rf1 이 퍼플루오로알킬기인, [7] 의 표면층 부착 물품.
[9] 상기 m 이 4 ∼ 40 의 정수이고, 전체 Rf2 중 퍼플루오로알킬렌기의 비율이 60 ∼ 100 몰％ 인, [7] 또는 [8] 의 표면층 부착 물품.
[10] 상기 Q 가, 식 (g2-1) 로 나타내는 기 (단, a ＝ d1 ＋ d3 및 b ＝ d2 ＋ d4 이다), 식 (g2-2) 로 나타내는 기 (단, a ＝ e1 및 b ＝ e2 이다), 식 (g2-3) 으로 나타내는 기 (단, a ＝ 1 및 b ＝ 2 이다), 식 (g2-4) 로 나타내는 기 (단, a ＝ h1 및 b ＝ h2 이다), 식 (g2-5) 로 나타내는 기 (단, a ＝ i1 및 b ＝ i2 이다), 또는 식 (g2-6) 으로 나타내는 기 (단, a ＝ 1 및 b ＝ 1 이다) 인, [4] ∼ [9] 중 어느 하나의 표면층 부착 물품.
[화학식 1]
Figure pct00001
단,
식 (g2-1) ∼ 식 (g2-6) 에 있어서는, A 측이 Rf 에 접속하고, Q22, Q23, Q24, Q25 또는 Q26 측이 T 에 접속하고,
A 는, 단결합, -C(O)NR6-, -C(O)-, -O- 또는 -SO2NR6- 이고,
Q11 은, 단결합, -O-, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 또는 -O- 를 갖는 기이고,
Q12 는, 단결합, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q12 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q12 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q13 은, 단결합 (단, A 는 -C(O)- 에 한정한다), 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 알킬렌기의 N 측의 말단에 -C(O)- 를 갖는 기이고,
Q14 는, Q14 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 탄소 원자인 경우, Q12 이고, Q14 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 질소 원자인 경우, Q13 이고, Q 가 Q14 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q14 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q15 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q15 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q15 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q22 는, 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 알킬렌기의 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖고 또한 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q22 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q22 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q23 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, 2 개의 Q23 은 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q24 는, Q24 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 탄소 원자인 경우, Q22 이고, Q24 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 질소 원자인 경우, Q23 이고, Q 가 Q24 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q24 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q25 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q25 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q25 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
Q26 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고,
Z 는, Q14 가 직접 결합하는 탄소 원자 또는 질소 원자를 갖고 또한 Q24 가 직접 결합하는 탄소 원자 또는 질소 원자를 갖는 a ＋ b 가의 고리 구조를 갖는 기이고,
R1 은, 수소 원자 또는 알킬기이고, Q 가 R1 을 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 R1 은 동일해도 되고 상이해도 되고,
R2 는, 수소 원자, 수산기, 알킬기 또는 아실옥시기이고,
R3 은, 알킬기이고,
R6 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 페닐기이고,
d1 은, 0 ∼ 3 의 정수이고, d2 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, d1 ＋ d2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고,
d3 은, 0 ∼ 3 의 정수이고, d4 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, d3 ＋ d4 는, 1 ∼ 3 의 정수이고,
d1 ＋ d3 은, 1 ∼ 5 의 정수이고, d2 ＋ d4 는, 1 ∼ 5 의 정수이고,
e1 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, e2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, e1 ＋ e2 는, 3 또는 4 이고,
h1 은, 1 이상의 정수이고, h2 는, 1 이상의 정수이고,
i1 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, i2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, i1 ＋ i2 는, 3 또는 4 이다.
[11] 상기 L 이 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기인, [4] ∼ [10] 중 어느 하나의 표면층 부착 물품.
[12] 터치 패널의 손가락으로 접촉하는 면을 구성하는 부재인, [1] ∼ [11] 중 어느 하나의 표면층 부착 물품.
본 발명의 표면층 부착 물품은, 표면층의 지문 오염 제거성, 내마찰성 및 보호 필름과의 밀착성이 우수하다.
본 명세서에 있어서, 식 (1) 로 나타내는 화합물을 화합물 (1) 로 기재한다. 다른 식으로 나타내는 화합물도 동일하게 기재한다.
또, 식 (g1) 로 나타내는 기를 기 (g1) 로 기재한다. 다른 식으로 나타내는 기도 동일하게 기재한다.
옥시플루오로알킬렌 단위의 화학식은, 그 산소 원자를 플루오로알킬렌기의 좌측에 기재하여 나타내는 것으로 한다.
본 명세서에 있어서의 이하의 용어의 의미는, 이하와 같다.
「표면층」이란, 기재의 표면에 형성되는 층을 의미한다.
「반응성 실릴기」란, 가수 분해성 실릴기 및 실란올기 (Si-OH) 의 총칭이다. 반응성 실릴기는, 예를 들어 식 (1) 중의 T, 즉 -Si(R)3-c(L)c 이다.
「가수 분해성 실릴기」란, 가수 분해 반응하여 실란올기를 형성할 수 있는 기를 의미한다.
함불소 에테르 화합물이, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기 (Rf) 의 사슬 길이가 상이한 복수의 함불소 에테르 화합물의 혼합물인 경우, Rf 의「분자량」은, 1H-NMR 및 19F-NMR 에 의해, 말단기를 기준으로 하여 옥시플루오로알킬렌 단위의 수 (평균값) 를 구하여 산출되는 수평균 분자량이다. 말단기는, 예를 들어 식 (g1a) 중의 Rf1 또는 식 (1) 중의 T 이다.
함불소 에테르 화합물이, Rf 의 사슬 길이가 단일인 함불소 에테르 화합물인 경우, Rf 의「분자량」은, 1H-NMR 및 19F-NMR 에 의해 Rf 의 구조를 결정하여 산출되는 분자량이다.
[표면층 부착 물품]
본 발명의 표면층 부착 물품은, 기재와, 기재의 표면에 형성된 표면층을 갖는다.
표면층은, 기재의 표면의 일부에 형성되어도 되고, 기재의 모든 표면에 형성되어도 된다. 표면층은, 기재의 표면에 막상으로 펼쳐져도 되고, 도트상으로 점재해도 된다.
기재로는, 발수 발유성의 부여가 요구되고 있는 기재를 들 수 있다. 예를 들어, 다른 물품 (예를 들어 스타일러스) 이나 사람의 손가락을 접촉시켜 사용하는 경우가 있는 기재, 조작시에 사람의 손가락으로 잡는 경우가 있는 기재, 다른 물품 (예를 들어 재치대) 위에 두는 경우가 있는 기재를 들 수 있다.
기재의 재료로는, 예를 들어, 금속, 수지, 유리, 사파이어, 세라믹, 돌, 이들의 복합 재료를 들 수 있다. 유리는 화학 강화되어 있어도 된다. 기재의 표면에는 SiO2 막 등의 하지막이 형성되어 있어도 된다.
하지막은 적어도 규소를 포함하는 산화물을 함유하는 층인 것이 바람직하고, 추가로 다른 원소를 갖고 있어도 된다. 하지막이 산화규소를 함유함으로써, 후술하는 함불소 에테르 화합물 A 의 반응성 실릴기가 탈수 축합되고, 하지막과의 사이에서 Si-O-Si 결합이 형성되어 마모 내구성이 우수한 표면층이 형성된다.
하지막 중의 산화규소의 함유량은, 65 질량％ 이상이면 되고, 80 질량％ 이상이 바람직하고, 85 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 90 질량％ 이상이 더욱 바람직하다. 산화규소의 함유량이 상기 범위의 하한값 이상이면, 하지막에 있어서 Si-O-Si 결합이 충분히 형성되고, 하지막의 기계 특성이 충분히 확보된다. 산화규소의 함유량은, 다른 원소의 합계의 함유량 (산화물인 경우에는 산화물 환산한 양) 의 합계를 하지막의 질량에서 뺀 잔부이다.
표면층의 내구성의 점에서, 하지막 중의 산화물은, 추가로, 알칼리 금속 원소, 알칼리 토금속 원소, 백금족 원소, 붕소, 알루미늄, 인, 티탄, 지르코늄, 철, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 및 텅스텐에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 것이 바람직하다. 이들 원소를 함유함으로써, 하지막과 상기 본 화합물의 결합이 강해져 내마모성이 향상된다.
하지막이, 철, 니켈 및 크롬에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 경우, 이들의 합계의 함유량은, 산화규소에 대한 비율로 10 ∼ 1100 질량ppm 이 바람직하고, 50 ∼ 1100 질량ppm 이 보다 바람직하고, 50 ∼ 500 질량ppm 이 더욱 바람직하고, 50 ∼ 250 질량ppm 이 특히 바람직하다.
하지막이, 알루미늄 및 지르코늄에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 경우, 이들의 합계의 함유량은, 10 ∼ 2500 질량ppm 이 바람직하고, 15 ∼ 2000 질량ppm 이 보다 바람직하고, 20 ∼ 1000 질량ppm 이 더욱 바람직하다.
하지막이, 알칼리 금속 원소를 포함하는 경우, 이들의 합계의 함유량은, 0.05 ∼ 15 질량％ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 13 질량％ 가 보다 바람직하고, 1.0 ∼ 10 질량％ 가 더욱 바람직하다. 또한, 알칼리 금속 원소로는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐 및 세슘을 들 수 있다.
하지막이, 백금족 원소를 포함하는 경우, 이들의 합계의 함유량은, 0.02 질량ppm 이상 800 질량ppm 이하가 바람직하고, 0.04 질량ppm 이상 600 질량ppm 이하가 보다 바람직하고, 0.7 질량ppm 이상 200 질량ppm 이하가 더욱 바람직하다. 또한 백금족 원소로는, 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐을 들 수 있다.
하지막이, 붕소 및 인에서 선택되는 1 종 이상을 포함하는 경우, 이들의 합계의 함유량은, 표면층의 내마모성의 점에서, 규소의 몰 농도에 대한, 붕소 및 인의 합계의 몰 농도의 비로서 0.003 ∼ 9 가 바람직하고, 0.003 ∼ 2 가 바람직하고, 0.003 ∼ 0.5 가 더욱 바람직하다.
하지막이, 알칼리 토금속 원소를 포함하는 경우, 이들의 합계의 함유량은, 표면층의 내마모성의 점에서, 규소의 몰 농도에 대한, 알칼리 토금속 원소의 합계의 몰 농도의 비로서 0.005 ∼ 5 가 바람직하고, 0.005 ∼ 2 가 바람직하고, 0.007 ∼ 2 가 더욱 바람직하다. 또한, 알칼리 토금속 원소로는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐 및 세슘을 들 수 있다.
함불소 에테르 화합물 A 의 접착성을 향상시키고, 물품의 발수 발유성 및 내마모성의 향상의 점에서, 하지막은, 알칼리 금속 원자를 포함하는 산화규소층인 것이 바람직하다. 그 중에서도 당해 산화규소층에 있어서, 상기 표면층과 접하는 면으로부터의 깊이가 0.1 ∼ 0.3 ㎚ 인 영역에 있어서의 알칼리 금속 원자의 농도의 평균값이, 2.0 × 1019 atoms/㎤ 이상인 것이 바람직하다. 한편, 산화규소층의 기계 특성을 충분히 확보하는 점에서, 상기 알칼리 금속 원자의 농도의 평균값은, 4.0 × 1022 atoms/㎤ 이하인 것이 바람직하다.
하지막의 두께는, 1 ∼ 200 ㎚ 가 바람직하고, 2 ∼ 20 ㎚ 가 특히 바람직하다. 하지막의 두께가 상기 범위의 하한값 이상이면, 하지막에 의한 접착성의 향상 효과가 충분히 얻어지기 쉽다. 하지막의 두께가 상기 범위의 상한값 이하이면, 하지막 자체의 내마모성이 높아진다. 하지막의 두께를 측정하는 방법으로는, 전자 현미경 (SEM, TEM 등) 에 의한 하지막의 단면 관찰에 의한 방법이나, 광 간섭 막 두께계, 분광 엘립소미터, 단차계 등을 사용하는 방법을 들 수 있다.
기재로는, 터치 패널용 기재, 디스플레이용 기재, 또는 안경 렌즈가 바람직하고, 터치 패널용 기재가 특히 바람직하다. 터치 패널용 기재의 재료로는, 유리 또는 투명 수지가 바람직하다.
또, 기재로는, 휴대 전화 (예를 들어 스마트 폰), 휴대 정보 단말 (예를 들어 태블릿 단말), 게임기, 리모콘 등의 기기에 있어서의 외장 부분 (표시부를 제외한다) 에 사용하는, 유리 또는 수지 필름도 바람직하다.
표면층은, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기 (이하, Rf 로도 기재한다) 를 포함한다. 즉 Rf 는, 에테르성 산소 원자 (-O-) 를 갖는 1 가의 플루오로알킬기이고, 그 탄소수는 2 이상이다.
Rf 로는, 표면층의 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 탄소-탄소 원자 사이의 -O- 를 복수 갖는 플루오로폴리에테르 사슬이 바람직하고, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 퍼플루오로폴리에테르 사슬이 보다 바람직하다.
표면층은, 표면층의 지문 오염 제거성 및 내마찰성이 더욱 우수한 점에서, 후술하는 함불소 에테르 화합물 A, 또는 함불소 에테르 화합물 A 를 포함하는 함불소 에테르 조성물로 형성된 것인 것이 바람직하다. 이 경우의 표면층은, Rf 를 갖는 함불소 에테르 화합물 A 를, 함불소 에테르 화합물 A 의 가수 분해성 실릴기의 일부 또는 전부가 가수 분해 반응하고, 또한 실란올기가 탈수 축합 반응한 상태에서 포함한다.
표면층 중의 규격화 F 강도는 0.38 ∼ 0.53 이고, 0.38 ∼ 0.51 이 바람직하고, 0.40 ∼ 0.50 이 보다 바람직하고, 0.42 ∼ 0.48 이 특히 바람직하다. 표면층 중의 규격화 F 강도가 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면층의 지문 오염 제거성 및 내마찰성이 우수하다. 표면층 중의 규격화 F 강도가 상기 범위의 상한값 이하이면, 표면층의 보호 필름과의 밀착성이 우수하다.
표면층 중의 규격화 F 강도는, 이하의 방법에 의해 측정된다. 불소 원자를 소정 농도 포함하는 유리를 표준 샘플로 한다. 형광 X 선 분석 장치를 사용하여, 표면층 중의 불소 원자 강도 및 표준 샘플 중의 불소 원자 강도를 각각 측정한다. 표면층 중의 불소 원자 강도를 표준 샘플 중의 불소 강도로 나누어 표면층 중에 있어서의 규격화 F 강도를 산출한다. 표준 샘플로는, 불소 원자를 4.96 질량％ 포함하는 유리 (Bureau of Analysed Samples Ltd. 사 제조, IGS G4 Fluoride Opal Glass) 를 사용한다. 측정 조건은 예를 들어, 형광 X 선 분석 장치 (리가쿠사 제조, ZSX100e) 를 사용하여, 측정 직경 : 30 ㎜, 측정선 : F-Kα, 필터 : OUT, 슬릿 : 표준, 분광 결정 : RX35 (리가쿠사 제조), 검출기 : PC, PHA : 100-300, 피크 각도 : 38.794 deg. (20 sec), B.G. 각도 : 43.000 deg. (10 sec) 로 한다.
표면층 중의 규격화 F 강도는, 예를 들어, Rf 의 분자량을 낮게 하면 작아지는 경향이 있고, Rf 의 분자량을 높게 하면 커지는 경향이 있다.
또, 표면층 중의 규격화 F 강도는, 예를 들어, Rf 에 있어서의 불소 원자의 비율을 줄이고 수소 원자의 비율을 늘리면 작아지는 경향이 있고, Rf 에 있어서의 불소 원자의 비율을 늘리고 수소 원자의 비율을 줄이면 커지는 경향이 있다.
또, 표면층 중의 규격화 F 강도는, 예를 들어, 후술하는 함불소 에테르 화합물 A 에 있어서 Rf 에 대한 반응성 실릴기 (T) 의 비율 (예를 들어 화합물 (1) 에 있어서의 b/a 의 비율) 을 작게 하여 Rf 의 비율을 늘리면 커지는 경향이 있고, Rf 에 대한 반응성 실릴기 (T) 의 비율을 크게 하여 Rf 의 비율을 줄이면 작아지는 경향이 있다.
Rf 의 분자량은, 1500 ∼ 4000 이 바람직하고, 1500 ∼ 3500 이 보다 바람직하고, 2000 ∼ 3500 이 특히 바람직하다. Rf 의 분자량이 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면층의 지문 오염 제거성 및 내마찰성이 우수하다. Rf 의 분자량이 상기 범위의 상한값 이하이면, 표면층의 보호 필름과의 밀착성이 우수하다.
표면층의 두께는, 1 ∼ 100 ㎚ 가 바람직하고, 1 ∼ 50 ㎚ 가 특히 바람직하다. 표면층의 두께가 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면 처리에 의한 효과가 충분히 얻어지기 쉽다. 표면층의 두께가 상기 범위의 상한값 이하이면, 이용 효율이 높다. 표면층의 두께는, 박막 해석용 X 선 회절계 (RIGAKU 사 제조, ATX-G) 를 사용하여, X 선 반사율법에 의해 반사 X 선의 간섭 패턴을 얻어, 간섭 패턴의 진동 주기로부터 산출할 수 있다.
본 조성물을 사용하여 형성되는 표면층은, 보호 필름과의 밀착성이 우수하다. 이 이유로는, 표면층에 있어서의 옥시플루오로알킬렌 사슬의 밀도가 적음으로써, 표면 장력이 증대되고, 보호 필름이 갖는 점착제와의 박리성이 저하됐기 때문인 것으로 생각된다. 보호 필름으로는, 점착제 부착 수지 필름을 들 수 있다. 점착제로는, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제 및 실리콘계 점착제를 들 수 있고, 박리하기 쉬운 관점에서 아크릴계 점착제가 바람직하다. 수지 필름으로는, 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리에스테르 필름 및 폴리우레탄 필름을 들 수 있고, 박리하기 쉬운 관점에서 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌 필름 및 폴리프로필렌 필름이 바람직하다.
본 발명의 표면층 부착 물품은, 예를 들어, 하기의 방법으로 제조할 수 있다.
·후술하는 함불소 에테르 화합물 A, 함불소 에테르 화합물 A 를 포함하는 함불소 에테르 조성물, 또는 함불소 에테르 화합물 A 혹은 함불소 에테르 조성물을 포함하는 코팅액을 사용한 (바람직하게는, 함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 화합물 A 를 포함하는 함불소 에테르 조성물을 사용한) 드라이 코팅법에 의해 기재의 표면을 처리하여, 함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 조성물로 형성된 표면층을 기재의 표면에 형성하는 방법.
·함불소 에테르 화합물 A, 함불소 에테르 화합물 A 를 포함하는 함불소 에테르 조성물, 또는 함불소 에테르 화합물 A 혹은 함불소 에테르 조성물을 포함하는 코팅액을 사용한 (바람직하게는, 함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 조성물을 포함하는 코팅액을 사용한) 웨트 코팅법에 의해, 함불소 에테르 화합물 A 등을 기재의 표면에 도포하고, 건조시켜, 함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 조성물로 형성된 표면층을 기재의 표면에 형성하는 방법.
드라이 코팅법으로는, 진공 증착, CVD, 스퍼터링 등의 수법을 들 수 있다. 드라이 코팅법으로는, 함불소 에테르 화합물 A 의 분해를 억제하는 점, 및 장치의 간편함의 점에서, 진공 증착법이 바람직하다. 진공 증착시에는, 철, 강 등의 금속 다공체에 함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 조성물을 함침시킨 펠릿상 물질을 사용해도 된다. 코팅액을 철, 강 등의 금속 다공체에 함침시키고, 액상 매체를 건조시켜, 함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 조성물이 함침된 펠릿상 물질을 사용해도 된다.
웨트 코팅법으로는, 스핀 코트법, 와이프 코트법, 스프레이 코트법, 스퀴지 코트법, 딥 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 플로 코트법, 롤 코트법, 캐스트법, 랑뮤어·블로제트법, 그라비어 코트법 등을 들 수 있다.
(함불소 에테르 화합물 A)
함불소 에테르 화합물 A 는, Rf 및 반응성 실릴기를 갖는 화합물이다.
함불소 에테르 화합물 A 는, 말단에 Rf 를 갖는다. Rf 를 갖는 함불소 에테르 화합물 A 는, 지문 오염 제거성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
함불소 에테르 화합물 A 는, 말단에 반응성 실릴기를 갖는다. 말단에 반응성 실릴기를 갖는 함불소 에테르 화합물 A 는, 기재와 강고하게 화학 결합하기 때문에, 내마찰성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
Rf 로는, 표면층의 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 탄소-탄소 원자 사이의 -O- 를 복수 갖는 플루오로폴리에테르 사슬이 바람직하고, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 퍼플루오로폴리에테르 사슬이 보다 바람직하다.
반응성 실릴기로는, 가수 분해성기 및 수산기 중 어느 일방 또는 양방이 규소 원자에 결합한 기이다. 반응성 실릴기로는, 예를 들어, 후술하는 식 (1) 중의 T, 즉 -Si(R)3-c(L)c 를 들 수 있다.
함불소 에테르 화합물 A 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 화합물 (1) 이 바람직하다.
[Rf-]aQ[-T]b (1)
단, Rf 는, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기 (단, Q 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다) 이고, Rf 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Rf 는 동일해도 되고 상이해도 되고, Q 는, a ＋ b 가의 연결기이고, T 는, -Si(R)3-c(L)c 이고, T 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 T 는 동일해도 되고 상이해도 되고, R 은, 알킬기이고, L 은, 가수 분해성기 또는 수산기이고, T 에 있어서의 2 이상의 L 은 동일해도 되고 상이해도 되고, a 는, 1 이상의 정수이고, b 는, 1 이상의 정수이고, c 는, 2 또는 3 이다.
화합물 (1) 은, 말단에 Rf 를 갖는다. 말단에 Rf 를 갖는 화합물 (1) 은, 지문 오염 제거성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
화합물 (1) 은, 말단에 반응성 실릴기를 갖는다. 말단에 반응성 실릴기를 갖는 화합물 (1) 은, 기재와 강고하게 화학 결합하기 때문에, 내마찰성이 우수한 표면층을 형성할 수 있다.
a 는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점, 및 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 1 또는 2 인 것이 특히 바람직하다.
b 는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점, 그리고 표면층의 내마찰성, 지문 오염 제거성 및 보호 필름과의 밀착성의 밸런스가 우수한 점에서, 2 ∼ 20 이 바람직하고, 3 ∼ 10 이 보다 바람직하고, 4 ∼ 8 이 특히 바람직하다.
표면층 중의 규격화 F 강도를 작게 하여 표면층의 보호 필름과의 밀착성을 향상시키면, 표면층의 내마찰성이 저하되지만, b 의 수, 즉 반응성 실릴기의 수를 많게 함으로써 표면층의 내마찰성을 유지하기 쉽다.
Rf 로는, 표면층의 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 기 (g1) 가 바람직하다.
Rf1-(ORf2)m- (g1)
단, Rf1 은, 탄소수 1 ∼ 6 의 플루오로알킬기이고, Rf2 는, 탄소수 1 ∼ 6 의 플루오로알킬렌기 (단, Q 에 결합하는 Rf2 의 Q 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다) 이고, m 은, 1 이상의 정수이고, m 이 2 이상인 경우, (ORf2)m 은 2 종 이상의 ORf2 로 이루어지는 것이어도 된다.
Rf1 의 탄소수가 1 ∼ 6 이면, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수하다. Rf1 의 플루오로알킬기의 탄소수는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 4 가 바람직하고, 1 ∼ 3 이 특히 바람직하다.
Rf1 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 퍼플루오로알킬기가 바람직하다. Rf1 이 퍼플루오로알킬기인 화합물 (1) 은, 말단이 CF3- 가 된다. 말단이 CF3- 인 화합물 (1) 에 의하면, 저표면 에너지의 표면층을 형성할 수 있기 때문에, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수하다.
Rf1 로는, CF3-, CF3CF2-, CF3CF2CF2-, CF3CF2CF2CF2-, CF3CF2CF2CF2CF2-, CF3CF2CF2CF2CF2CF2-, CF3CF(CF3)- 등을 들 수 있다.
Rf2 의 탄소수가 1 ∼ 6 이면, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수하다.
Rf2 로는, 직사슬형, 분기형 및 고리형 중 어느 것이어도 된다. Rf2 는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 직사슬의 플루오로알킬렌기가 바람직하다.
Rf2 로는, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 퍼플루오로알킬렌기가 바람직하다.
전체 Rf2 중 퍼플루오로알킬렌기의 비율은, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 60 ∼ 100 몰％ 가 바람직하고, 80 ∼ 100 몰％ 가 보다 바람직하고, 100 몰％ 가 특히 바람직하다.
m 은, 1 ∼ 50 의 정수가 바람직하고, 4 ∼ 40 의 정수가 보다 바람직하고, 5 ∼ 30 의 정수가 특히 바람직하다. m 이 상기 범위의 하한값 이상이면, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수하다. m 이 상기 범위의 상한값 이하이면, 표면층의 보호 필름과의 밀착성이 더욱 우수하다.
ORf2, 즉 옥시플루오로알킬렌 단위로는, OCHF, OCF2CHF, OCHFCF2, OCF2CH2, OCH2CF2, OCF2CF2CHF, OCHFCF2CF2, OCF2CF2CH2, OCH2CF2CF2, OCF2CF2CF2CH2, OCH2CF2CF2CF2, OCF2CF2CF2CF2CH2, OCH2CF2CF2CF2CF2, OCF2CF2CF2CF2CF2CH2, OCH2CF2CF2CF2CF2CF2, OCF2, OCF2CF2, OCF2CF2CF2, OCF(CF3)CF2, OCF2CF2CF2CF2, OCF(CF3)CF2CF2, OCF2CF2CF2CF2CF2, OCF2CF2CF2CF2CF2CF2, -O-cycloC4F6-, -O-cycloC5F8-, -O-cycloC6F10- 등을 들 수 있다.
여기서, -cycloC4F6- 는, 퍼플루오로시클로부탄디일기를 의미하고, 그 구체예로는, 퍼플루오로시클로부탄-1,2-디일기를 들 수 있다. -cycloC5F8- 는, 퍼플루오로시클로펜탄디일기를 의미하고, 그 구체예로는, 퍼플루오로시클로펜탄-1,3-디일기를 들 수 있다. -cycloC6F10- 는, 퍼플루오로시클로헥산디일기를 의미하고, 그 구체예로는, 퍼플루오로시클로헥산-1,4-디일기를 들 수 있다.
(ORf2)m 에 있어서, 2 종 이상의 ORf2 가 존재하는 경우, 각 ORf2 의 결합 순서는 한정되지 않는다. 예를 들어, OCF2 와 OCF2CF2 가 존재하는 경우, OCF2 와 OCF2CF2 가 랜덤, 교호, 블록으로 배치되어도 된다.
2 종 이상의 ORf2 가 존재한다란, 탄소수가 상이한 2 종 이상의 ORf2 가 존재하는 것, 수소 원자수가 상이한 2 종 이상의 ORf2 가 존재하는 것, 수소 원자의 위치가 상이한 2 종 이상의 ORf2 가 존재하는 것, 및, 탄소수가 동일해도 측사슬의 유무나 측사슬의 종류 (측사슬의 수나 측사슬의 탄소수 등) 가 상이한 2 종 이상의 ORf2 가 존재하는 것을 말한다.
2 종 이상의 ORf2 의 배치에 대해서는, 예를 들어, {(OCF2)m1(OCF2CF2)m2} 로 나타내는 구조는, m1 개의 (OCF2) 와 m2 개의 (OCF2CF2) 가 랜덤하게 배치되어 있는 것을 나타낸다. 또, (OCF2CF2-OCF2CF2CF2CF2)m5 로 나타내는 구조는, m5 개의 (OCF2CF2) 와 m5 개의 (OCF2CF2CF2CF2) 가 교대로 배치되어 있는 것을 나타낸다.
(ORf2)m 으로는, 적어도 그 일부에 하기의 구조를 갖는 것이 바람직하다.
Figure pct00002
단, m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7, m8, m9 및 m10 은, 1 이상의 정수이다. m1, m2, m3, m4, m5, m6, m7, m8, m9 및 m10 의 상한값은, m 의 상한값에 맞추어 조정된다.
(ORf2)m 으로는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 하기의 것이 바람직하다.
Figure pct00003
특히 {(CF2O)m1(CF2CF2O)m2} 에 있어서, m2/m1 은, 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 0.1 ∼ 10 이 바람직하고, 0.2 ∼ 5.0 이 보다 바람직하고, 0.2 ∼ 2.0 이 더욱 바람직하고, 0.2 ∼ 1.5 가 특히 바람직하고, 0.2 ∼ 0.85 가 가장 바람직하다.
Q 는, a ＋ b 가의 직사슬형 또는 분기형의 연결기이다. Q 는, 불소 원자를 갖지 않는 것이 바람직하다.
Q 는, a ＋ b 가 3 이상일 때, C, N, Si, 고리 구조 및 a ＋ b 가의 오르가노폴리실록산 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 분기점 (이하,「분기점 P」로 기재한다) 을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 또한, 분기점 P 에는, Rf 또는 T 를 사슬 내에 갖는 사슬이 결합한다.
고리 구조로는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점, 및 표면층의 내마찰성, 내광성 및 내약품성이 더욱 우수한 점에서, 3 ∼ 8 원 고리의 지방족 고리, 3 ∼ 8 원 고리의 방향족 고리, 3 ∼ 8 원 고리의 헤테로 고리, 및 이들 고리 중 2 개 이상으로 이루어지는 축합 고리로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종이 바람직하고, 하기 식에 예시되는 고리 구조가 특히 바람직하다. 고리 구조는, 할로겐 원자, 알킬기 (탄소-탄소 원자 사이에 에테르성 산소 원자를 포함하고 있어도 된다), 시클로알킬기, 알케닐기, 알릴기, 알콕시기, 옥소기 (=O) 등의 치환기를 가져도 된다.
[화학식 2]
Figure pct00004
a ＋ b 가의 오르가노폴리실록산 잔기로는, 예를 들어, 하기 식의 기를 들 수 있다. 단, 하기 식에 있어서의 R5 는, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 또는 페닐기이다. R5 의 알킬기 및 알콕시기의 탄소수는, 1 ∼ 10 이 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pct00005
Q 는, -C(O)NR6-, -NR6C(O)-, -C(O)O-, -OC(O)-, -C(O)-, -O-, -NR6-, -S-, -NHC(O)O-, -OC(O)-NH-, -NHC(O)NR6-, -NR6C(O)NH-, -SO2NR6-, -NR6SO2-, -Si(R6)2-, -OSi(R6)2-, -Si(CH3)2-Ph-Si(CH3)2- 및 2 가의 오르가노폴리실록산 잔기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 결합 (이하,「결합 B」로 기재한다) 을 추가로 갖고 있어도 된다. 단, R6 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 페닐기이고, Ph 는, 페닐렌기이다. R6 의 알킬기의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 1 ∼ 3 이 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.
2 가의 오르가노폴리실록산 잔기로는, 예를 들어, 하기 식의 기를 들 수 있다. 단, 하기 식에 있어서의 R7 은, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 또는 페닐기이다. R7 의 알킬기 및 알콕시기의 탄소수는, 1 ∼ 10 이 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다.
[화학식 4]
Figure pct00006
결합 B 로는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 및 -O- 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 결합이 바람직하고, 표면층의 내광성 및 내약품성이 더욱 우수한 점에서, -C(O)NR6- 또는 -C(O)- 가 특히 바람직하다.
Q 로는, 2 개 이상의 2 가의 탄화수소기와 1 개 이상의 분기점 P 의 조합, 또는 2 개 이상의 2 가의 탄화수소기와 1 개 이상의 분기점 P 와 1 개 이상의 결합 B 의 조합을 들 수 있다.
2 가의 탄화수소기는 수산기, 알콕시기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 2 가의 탄화수소기로는, 2 가의 지방족 탄화수소기 (알킬렌기, 시클로알킬렌기 등), 2 가의 방향족 탄화수소기 (페닐렌기 등) 등을 들 수 있다. 2 가의 탄화수소기의 탄소수는, 1 ∼ 10 이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 특히 바람직하다.
상기 조합의 Q 로는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 기 (g2-1) (단, a ＝ d1 ＋ d3 및 b ＝ d2 ＋ d4 이다), 기 (g2-2) (단, a ＝ e1 및 b ＝ e2 이다), 기 (g2-3) (단, a ＝ 1 및 b ＝ 2 이다), 기 (g2-4) (단, a ＝ h1 및 b ＝ h2 이다), 기 (g2-5) (단, a ＝ i1 및 b ＝ i2 이다), 및 기 (g2-6) (단, a ＝ 1 및 b ＝ 1 이다) 이 바람직하다.
[화학식 5]
Figure pct00007
단, 식 (g2-1) ∼ 식 (g2-6) 에 있어서는, A 측이 Rf 에 접속하고, Q22, Q23, Q24, Q25 또는 Q26 측이 T 에 접속하고, A 는, 단결합, -C(O)NR6-, -C(O)-, -O- 또는 -SO2NR6- 이고, Q11 은, 단결합, -O-, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q12 는, 단결합, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q12 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q12 는 동일해도 되고 상이해도 되고, Q13 은, 단결합 (단, A 는 -C(O)- 에 한정한다), 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 알킬렌기의 N 측의 말단에 -C(O)- 를 갖는 기이고, Q14 는, Q14 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 탄소 원자인 경우, Q12 이고, Q14 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 질소 원자인 경우, Q13 이고, Q 가 Q14 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q14 는 동일해도 되고 상이해도 되고, Q15 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q15 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q15 는 동일해도 되고 상이해도 되고, Q22 는, 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 알킬렌기의 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖고 또한 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q22 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q22 는 동일해도 되고 상이해도 되고, Q23 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, 2 개의 Q23 은 동일해도 되고 상이해도 되고, Q24 는, Q24 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 탄소 원자인 경우, Q22 이고, Q24 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 질소 원자인 경우, Q23 이고, Q 가 Q24 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q24 는 동일해도 되고 상이해도 되고, Q25 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q25 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q25 는 동일해도 되고 상이해도 되고, Q26 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Z 는, Q14 가 직접 결합하는 탄소 원자 또는 질소 원자를 갖고 또한 Q24 가 직접 결합하는 탄소 원자 또는 질소 원자를 갖는 a ＋ b 가의 고리 구조를 갖는 기이고, R1 은, 수소 원자 또는 알킬기이고, Q 가 R1 을 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 R1 은 동일해도 되고 상이해도 되고, R2 는, 수소 원자, 수산기, 알킬기 또는 아실옥시기이고, R3 은, 알킬기이고, R6 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 페닐기이고, d1 은, 0 ∼ 3 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, d2 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, d1 ＋ d2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, d3 은, 0 ∼ 3 의 정수이고, 0 또는 1 이 바람직하고, d4 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 2 또는 3 이 바람직하고, d3 ＋ d4 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, d1 ＋ d3 은, 1 ∼ 5 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, d2 ＋ d4 는, 1 ∼ 5 의 정수이고, 3 ∼ 5 의 정수가 바람직하고, e1 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, e2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, 2 또는 3 이 바람직하고, e1 ＋ e2 는, 3 또는 4 이고, h1 은, 1 이상의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, h2 는, 1 이상의 정수이고, 2 또는 3 이 바람직하고, i1 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, i2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, 2 또는 3 이 바람직하고, i1 ＋ i2 는, 3 또는 4 이다.
Q11, Q12, Q13, Q14, Q15, Q22, Q23, Q24, Q25 및 Q26 의 알킬렌기의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점, 및 표면층의 내마찰성, 내광성 및 내약품성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 10 이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 특히 바람직하다. 단, 탄소-탄소 원자 사이에 특정한 결합을 갖는 경우의 알킬렌기의 탄소수의 하한값은 2 이다.
Z 에 있어서의 고리 구조로는, 상기 서술한 고리 구조를 들 수 있고, 바람직한 형태도 동일하다. 또한, Z 에 있어서의 고리 구조에는 Q14 및 Q24 가 직접 결합하기 때문에, 고리 구조에 예를 들어 알킬렌기가 연결되고, 그 알킬렌기에 Q14 또는 Q24 가 연결되지는 않는다.
R1, R2 및 R3 의 알킬기의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.
R2 의 아실옥시기의 알킬기 부분의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.
h1 은, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점, 및 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하고, 1 이 특히 바람직하다.
h2 는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점, 및 표면층의 내마찰성 및 지문 오염 제거성이 더욱 우수한 점에서, 2 ∼ 6 이 바람직하고, 2 ∼ 4 가 보다 바람직하고, 2 또는 3 이 특히 바람직하다.
Q 의 다른 형태로는, 기 (g2-7) (단, a ＝ d1 ＋ d3 및 b ＝ k 의 총합이다), 기 (g2-8) (단, a ＝ e1 및 b ＝ e2 이다), 기 (g2-9) (단, a ＝ 1 및 b ＝ k 의 총합이다), 기 (g2-10) (단, a ＝ h1 및 b ＝ k 의 총합이다), 기 (g2-11) (단, a ＝ i1 및 b ＝ k 의 총합이다), 및 기 (g2-12) (단, a ＝ 1 및 b ＝ k 이다) 를 들 수 있다.
[화학식 6]
Figure pct00008
단, 식 (g2-7) ∼ 식 (g2-12) 에 있어서는, A 측이 Rf 에 접속하고, G 측이 T 에 접속하고, G 는, 기 (g3) 이고, Q 가 갖는 2 이상의 G 는 동일해도 되고 상이해도 되고, G 이외의 부호는, 식 (g2-1) ∼ 식 (g2-6) 에 있어서의 부호와 동일하다.
-Si(R8)3-k(-Q3-)k (g3)
단, 식 (g3) 에 있어서는, Si 측이 Q22, Q23, Q24, Q25 또는 Q26 에 접속하고, Q3 측이 T 에 접속하고, R8 은, 알킬기이고, Q3 은, 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 -(OSi(R9)2)p-O- 이고, 2 이상의 Q3 은 동일해도 되고 상이해도 되고, k 는, 2 또는 3 이고, R6 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 페닐기이고, R9 는, 알킬기, 페닐기 또는 알콕시기이고, 2 개의 R9 는 동일해도 되고 상이해도 되고, p 는, 0 ∼ 5 의 정수이고, p 가 2 이상인 경우, 2 이상의 (OSi(R9)2) 는 동일해도 되고 상이해도 된다.
Q3 의 알킬렌기의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점, 그리고 표면층의 내마찰성, 내광성 및 내약품성이 더욱 우수한 점에서, 1 ∼ 10 이 바람직하고, 1 ∼ 6 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 4 가 특히 바람직하다. 단, 탄소-탄소 원자 사이에 특정한 결합을 갖는 경우의 알킬렌기의 탄소수의 하한값은 2 이다.
R8 의 알킬기의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.
R9 의 알킬기의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.
R9 의 알콕시기의 탄소수는, 화합물 (1) 의 보존 안정성이 우수한 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.
p 는, 0 또는 1 이 바람직하다.
T 는, -Si(R)3-c(L)c 이고, 반응성 실릴기이다.
R 의 알킬기의 탄소수는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 1 ∼ 6 이 바람직하고, 1 ∼ 3 이 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 특히 바람직하다.
L 의 가수 분해성기는, 가수 분해 반응에 의해 수산기가 되는 기이다. 즉, 가수 분해성 실릴기는, 가수 분해 반응에 의해 실란올기 (Si-OH) 가 된다. 실란올기는, 추가로 분자 사이에서 탈수 축합 반응하여 Si-O-Si 결합을 형성한다. 또, 실란올기는, 기재의 표면의 수산기 (기재-OH) 와 탈수 축합 반응하여, 화학 결합 (기재-O-Si) 을 형성한다.
가수 분해성기로는, 예를 들어, 알콕시기, 아릴옥시기, 할로겐 원자, 아실기, 아실옥시기, 이소시아네이트기를 들 수 있다. 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 알콕시기가 바람직하다. 할로겐 원자로는, 염소 원자가 바람직하다. 아실기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아실기가 바람직하다. 아실옥시기로는, 탄소수 1 ∼ 6 의 아실옥시기가 바람직하다.
L 로는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 알콕시기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하다. L 로는, 도포시의 아웃 가스가 적고, 화합물 (1) 의 보존 안정성이 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기가 바람직하고, 화합물 (1) 의 장기의 보존 안정성이 필요한 경우에는 에톡시기가 특히 바람직하고, 코팅 후의 반응 시간을 단시간으로 하는 경우에는 메톡시기가 특히 바람직하다.
c 는, 표면층과 기재의 밀착성이 보다 강고해지는 점에서, 3 이 특히 바람직하다.
화합물 (1) 중의 복수의 T 는, 동일해도 되고 상이해도 된다. 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 동일한 기인 것이 바람직하다.
화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다. 하기 식의 화합물은, 공업적으로 제조하기 쉽고, 취급하기 쉽고, 표면층의 발수 발유성, 내마찰성, 지문 오염 제거성, 내약품성, 내광성 및 내약품성이 더욱 우수하고, 그 중에서도 내광성이 특히 우수한 점에서 바람직하다. 하기 식의 화합물에 있어서의 Rf 는, 상기 서술한 식 (1) 에 있어서의 Rf 와 동일하고, 바람직한 형태도 동일하다.
Q 가 기 (g2-1) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 7]
Figure pct00009
Q 가 기 (g2-2) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 8]
Figure pct00010
[화학식 9]
Figure pct00011
[화학식 10]
Figure pct00012
Q 가 기 (g2-3) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 11]
Figure pct00013
Q 가 기 (g2-4) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 12]
Figure pct00014
Q 가 기 (g2-5) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 13]
Figure pct00015
Q 가 기 (g2-6) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 14]
Figure pct00016
Q 가 기 (g2-7) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 15]
Figure pct00017
Q 가 기 (g2-8) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 16]
Figure pct00018
Q 가 기 (g2-9) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 17]
Figure pct00019
Q 가 기 (g2-10) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 18]
Figure pct00020
Q 가 기 (g2-11) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 19]
Figure pct00021
Q 가 기 (g2-12) 인 화합물 (1) 로는, 예를 들어, 하기 식의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 20]
Figure pct00022
화합물 (1) 은, 예를 들어, 화합물 (2) 와, 화합물 (3a) 또는 화합물 (3b) 를 하이드로실릴화 반응시키는 방법에 의해 제조할 수 있다.
[Rf-]aQ1[-CH=CH2]b (2)
단, 식 (2) 에 있어서, Q1 은, a ＋ b 가의 연결기이고, Q1 이외의 부호는, 식 (1) 에 있어서의 부호와 동일하다.
Q1[-CH=CH2]b 는, 하이드로실릴화 후에 화합물 (1) 에 있어서의 Q 가 된다. Q1 로는, Q 와 동일한 기를 들 수 있고, 바람직한 형태도 동일하다.
HSi(R)3-c(L)c (3a)
HSi(R8)3-k[-(OSi(R9)2)p-O-Si(R)3-c(L)c]k (3b)
단, 식 (3a) 및 식 (3b) 에 있어서의 부호는, 식 (1) 및 식 (g3) 에 있어서의 부호와 동일하다. 화합물 (3b) 는, 예를 들어, 일본 특허출원 2018-085493호의 명세서에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
Q1[-CH=CH2]b 로는, 화합물 (1) 을 제조하기 쉬운 점에서, 기 (g4-1) (단, a ＝ d1 ＋ d3 및 b ＝ d2 ＋ d4 이다), 기 (g4-2) (단, a ＝ e1 및 b ＝ e2 이다), 기 (g4-3) (단, a ＝ 1 및 b ＝ 2 이다), 기 (g4-4) (단, a ＝ h1 및 b ＝ h2 이다), 기 (g4-5) (단, a ＝ i1 및 b ＝ i2 이다), 또는 기 (g4-6) (단, a ＝ 1 및 b ＝ 1 이다) 이 바람직하다.
[화학식 21]
Figure pct00023
단, Q220 은, 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 알킬렌기의 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖고 또한 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q1 이 Q220 을 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q220 은 동일해도 되고 상이해도 되고, Q230 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, 2 개의 Q230 은 동일해도 되고 상이해도 되고, Q240 은, Q240 이 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 탄소 원자인 경우, Q220 이고, Q240 이 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 질소 원자인 경우, Q230 이고, Q1 이 Q240 을 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q240 은 동일해도 되고 상이해도 되고, Q250 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q1 이 Q250 을 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q250 은 동일해도 되고 상이해도 되고, Q260 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q220, Q230, Q240, Q250 및 Q260 이외의 부호는, 식 (g2-1) ∼ 식 (g2-6) 에 있어서의 부호와 동일하다.
Q220-CH=CH2 는, 하이드로실릴화 후에 화합물 (1) 에 있어서의 Q22 가 된다. Q220 으로는, Q22 와 동일한 기를 들 수 있고, 바람직한 형태도 동일하다.
Q230-CH=CH2 는, 하이드로실릴화 후에 화합물 (1) 에 있어서의 Q23 이 된다. Q230 으로는, Q23 과 동일한 기를 들 수 있고, 바람직한 형태도 동일하다.
Q240-CH=CH2 는, 하이드로실릴화 후에 화합물 (1) 에 있어서의 Q24 가 된다. Q240 으로는, Q24 와 동일한 기를 들 수 있고, 바람직한 형태도 동일하다.
Q250-CH=CH2 는, 하이드로실릴화 후에 화합물 (1) 에 있어서의 Q25 가 된다. Q250 으로는, Q25 와 동일한 기를 들 수 있고, 바람직한 형태도 동일하다.
Q260-CH=CH2 는, 하이드로실릴화 후에 화합물 (1) 에 있어서의 Q26 이 된다. Q260 으로는, Q26 과 동일한 기를 들 수 있고, 바람직한 형태도 동일하다.
Q1[-CH=CH2]b 의 다른 형태로는, 기 (g4-7) (단, a ＝ d1 ＋ d3 및 b ＝ k 의 총합이다), 기 (g4-8) (단, a ＝ e1 및 b ＝ k 의 총합이다), 기 (g4-9) (단, a ＝ 1 및 b ＝ k 의 총합이다), 기 (g4-10) (단, a ＝ h1 및 b ＝ k 의 총합이다), 기 (g4-11) (단, a ＝ i1 및 b ＝ k 의 총합이다), 또는 기 (g4-12) (단, a ＝ 1 및 b ＝ k 이다) 를 들 수 있다.
[화학식 22]
Figure pct00024
단, G1 은, 기 (g5) 이고, Q1[-CH=CH2]b 가 갖는 2 이상의 G1 은 동일해도 되고 상이해도 되고, G1 이외의 부호는, 식 (g2-1) ∼ 식 (g2-6) 에 있어서의 부호와 동일하다.
-Si(R8)3-k(-Q30-CH=CH2)k (g5)
단, Q30 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 또는 -O- 를 갖는 기이고, 2 이상의 Q30 은 동일해도 되고 상이해도 되고, Q30 이외의 부호는, 식 (g3) 에 있어서의 부호와 동일하다.
Q30-CH=CH2 는, 하이드로실릴화 후에 기 (g3) 에 있어서의 Q3 이 된다. Q30 으로는, Q3 과 동일한 기를 들 수 있고 (단, -(OSi(R9)2)p-O- 를 제외한다), 바람직한 형태도 동일하다.
Q1[-CH=CH2]b 가 기 (g4-1) 인 화합물 (2) 는, 예를 들어, 특허문헌 2 에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
Q1[-CH=CH2]b 가 기 (g4-2) 인 화합물 (2) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2015-199906호에 기재된 방법, 일본 공개특허공보 2016-037541호에 기재된 방법, 일본 공개특허공보 2016-204656호에 기재된 방법, 일본 공개특허공보 2016-222859호에 기재된 방법, 국제 공개 제2017/038830호에 기재된 방법, 특허문헌 2 에 기재된 방법, 일본 특허출원 2017-159696호의 명세서에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
Q1[-CH=CH2]b 가 기 (g4-3) 인 화합물 (2) 는, 예를 들어, 특허문헌 1 에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
Q1[-CH=CH2]b 가 기 (g4-4) 인 화합물 (2) 는, 예를 들어, 일본 특허출원 2017-159698호의 명세서에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
Q1[-CH=CH2]b 가 기 (g4-5) 인 화합물 (2) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2016-037541호에 기재된 방법, 국제 공개 제2016/121211호에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
Q1[-CH=CH2]b 가 기 (g4-6) 인 화합물 (2) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2012-072272호, 국제 공개 제2013/121984호에 기재된 방법, 국제 공개 제2013/121986호에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
Q1[-CH=CH2]b 가 기 (g4-7) ∼ 기 (g4-12) 인 화합물 (2) 는, 예를 들어, 일본 특허출원 2017-251611호의 명세서에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다.
(함불소 에테르 조성물)
함불소 에테르 조성물은, 함불소 에테르 화합물 A 의 1 종 이상과, 다른 함불소 화합물을 포함한다.
다른 함불소 화합물로는, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기의 양단에 연결기를 개재하여 반응성 실릴기가 결합한 함불소 에테르 화합물, 함불소 에테르 화합물 A 의 제조 공정에서 부생되는 함불소 에테르 화합물 (이하,「부생 함불소 에테르 화합물」로도 기재한다), 함불소 에테르 화합물 A 와 동일한 용도로 사용되는 공지된 함불소 화합물 등을 들 수 있다.
다른 함불소 화합물로는, 함불소 에테르 화합물 A 의 특성을 저하시킬 우려가 적은 화합물이 바람직하다.
부생 함불소 에테르 화합물로는, 미반응의 화합물 (2), 화합물 (1) 의 제조에 있어서의 하이드로실릴화시에 알릴기의 일부가 이너 올레핀으로 이성화된 함불소 에테르 화합물 등을 들 수 있다.
공지된 함불소 화합물로는, 표면 처리제로서 시판되고 있는 함불소 화합물 등을 들 수 있다. 함불소 에테르 조성물이 공지된 함불소 화합물을 포함하는 경우, 함불소 에테르 화합물 A 의 특성을 보충하는 등의 새로운 작용 효과가 발휘되는 경우가 있다.
함불소 에테르 화합물 A 의 함유량은, 함불소 에테르 조성물 중, 60 질량％ 이상 100 질량％ 미만이 바람직하고, 70 질량％ 이상 100 질량％ 미만이 보다 바람직하고, 80 질량％ 이상 100 질량％ 미만이 특히 바람직하다.
다른 함불소 화합물의 함유량은, 함불소 에테르 조성물 중, 0 질량％ 초과 40 질량％ 이하가 바람직하고, 0 질량％ 초과 30 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 0 질량％ 초과 20 질량％ 이하가 특히 바람직하다.
함불소 에테르 화합물 A 의 함유량 및 다른 함불소 화합물의 함유량의 합계는, 함불소 에테르 조성물 중, 80 ∼ 100 질량％ 가 바람직하고, 85 ∼ 100 질량％ 가 특히 바람직하다.
함불소 에테르 화합물 A 의 함유량 및 다른 함불소 화합물의 함유량이 상기 범위 내이면, 표면층의 내마찰성, 지문 오염 제거성, 내광성 및 내약품성이 더욱 우수하다.
함불소 에테르 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 함불소 에테르 화합물 A 및 다른 함불소 화합물 이외의 성분을 포함하고 있어도 된다.
다른 성분으로는, 함불소 에테르 화합물 A 의 제조 공정에서 생성된 부생물 (단, 부생 함불소 에테르 화합물을 제외한다), 미반응의 원료 등의 제조상 불가피한 화합물을 들 수 있다.
또, 다른 성분으로는, 가수 분해성 실릴기의 가수 분해와 축합 반응을 촉진시키는 산 촉매나 염기성 촉매 등의 첨가제를 들 수 있다. 산 촉매로는, 염산, 질산, 아세트산, 황산, 인산, 술폰산, 메탄술폰산, p-톨루엔술폰산 등을 들 수 있다. 염기성 촉매로는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아 등을 들 수 있다.
다른 성분의 함유량은, 함불소 에테르 조성물 중, 0 ∼ 9.999 질량％ 가 바람직하고, 0 ∼ 0.99 질량％ 가 특히 바람직하다.
(코팅액)
코팅액은, 함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 조성물과 액상 매체를 포함한다. 코팅액은, 용액이어도 되고 분산액이어도 된다.
액상 매체로는, 유기 용매가 바람직하다. 유기 용매는, 함불소 유기 용매여도 되고 비불소 유기 용매여도 되며, 양 용매를 포함해도 된다.
함불소 유기 용매로는, 불소화알칸, 불소화 방향족 화합물, 플루오로알킬에테르, 불소화알킬아민, 플루오로알코올 등을 들 수 있다.
불소화알칸으로는, 탄소수 4 ∼ 8 의 화합물이 바람직하다. 시판품으로는, C6F13H (AGC 사 제조, 아사히클린 (등록상표) AC-2000), C6F13C2H5 (AGC 사 제조, 아사히클린 (등록상표) AC-6000), C2F5CHFCHFCF3 (케무어스사 제조, 버트렐 (등록상표) XF) 등을 들 수 있다.
불소화 방향족 화합물로는, 헥사플루오로벤젠, 트리플루오로메틸벤젠, 퍼플루오로톨루엔, 비스(트리플루오로메틸)벤젠 등을 들 수 있다.
플루오로알킬에테르로는, 탄소수 4 ∼ 12 의 화합물이 바람직하다. 시판품으로는, CF3CH2OCF2CF2H (AGC 사 제조, 아사히클린 (등록상표) AE-3000), C4F9OCH3 (3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7100), C4F9OC2H5 (3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7200), C2F5CF(OCH3)C3F7 (3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7300) 등을 들 수 있다.
불소화알킬아민으로는, 퍼플루오로트리프로필아민, 퍼플루오로트리부틸아민 등을 들 수 있다.
플루오로알코올로는, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올, 2,2,2-트리플루오로에탄올, 헥사플루오로이소프로판올 등을 들 수 있다.
비불소 유기 용매로는, 수소 원자 및 탄소 원자만으로 이루어지는 화합물과, 수소 원자, 탄소 원자 및 산소 원자만으로 이루어지는 화합물이 바람직하고, 탄화수소, 알코올, 케톤, 에테르, 에스테르를 들 수 있다.
액상 매체는, 2 종 이상을 혼합한 혼합 매체여도 된다.
함불소 에테르 화합물 A 또는 함불소 에테르 조성물의 함유량은, 코팅액 중, 0.001 ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 0.01 ∼ 1 질량％ 가 특히 바람직하다.
액상 매체의 함유량은, 코팅액 중, 90 ∼ 99.999 질량％ 가 바람직하고, 99 ∼ 99.99 질량％ 가 특히 바람직하다.
실시예
이하에 실시예를 사용하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하에 있어서「％」는 특별히 언급이 없는 한「질량％」이다. 또한, 예 1 ∼ 4, 9 ∼ 12 는 실시예이고, 예 5 ∼ 8, 13 ∼ 16 은 비교예이다.
[예 1]
국제 공개 제2013/121984호의 실시예의 예 7 에 기재된 방법을 참고로 하여, 화합물 (4-1) 을 얻었다. x 의 평균값은 6 이다.
CF3-(OCF2CF2-OCF2CF2CF2CF2)xOCF2CF2-OCF2CF2CF2-CH2-OH (4-1)
특허문헌 2 의 예 1 에 있어서의 Rf-CH2-OH 를 화합물 (4-1) 로 변경한 것 이외에는, 특허문헌 2 의 예 1 과 동일하게 하여 화합물 (1-1) 을 얻었다. x 의 평균값은 6 이다. Rf 의 분자량은 2400 이다.
[화학식 23]
Figure pct00025
[예 2]
국제 공개 제2013/121984호의 실시예의 예 7 에 기재된 방법을 참고로 하여, 화합물 (4-2) 를 얻었다. x 의 평균값은 9 이다.
CF3-(OCF2CF2-OCF2CF2CF2CF2)xOCF2CF2-OCF2CF2CF2-CH2-OH (4-2)
특허문헌 2 의 예 1 에 있어서의 Rf-CH2-OH 를 화합물 (4-2) 로 변경한 것 이외에는, 특허문헌 2 의 예 1 과 동일하게 하여 화합물 (1-2) 를 얻었다. x 의 평균값은 9 이다. Rf 의 분자량은 3400 이다.
[화학식 24]
Figure pct00026
[예 3]
국제 공개 제2013/121984호의 실시예 11 에 기재된 방법을 참고로 하여, 화합물 (4-3) 을 얻었다. x1 의 평균값은 7 이고, x2 의 평균값은 8 이다.
CF3CF2CF2-{(OCF2)x1(OCF2CF2)x2}OCF2-CH2-OH (4-3)
특허문헌 2 의 예 1 에 있어서의 Rf-CH2-OH 를 화합물 (4-3) 으로 변경한 것 이외에는, 특허문헌 2 의 예 1 과 동일하게 하여 화합물 (1-3) 을 얻었다. x1 의 평균값은 7 이고, x2 의 평균값은 8 이다. Rf 의 분자량은 1900 이다.
[화학식 25]
Figure pct00027
[예 4]
국제 공개 제2018/043166호의 실시예 9 에 기재된 방법을 참고로 하여, 화합물 (4-4) 를 얻었다. x 의 평균값은 15 이다.
CF3CF2CF2-{OCF(CF3)CF2}xOCF(CF3)-CH2-OH (4-4)
특허문헌 2 의 예 1 에 있어서의 Rf-CH2-OH 를 화합물 (4-4) 로 변경한 것 이외에는, 특허문헌 2 의 예 1 과 동일하게 하여 화합물 (1-4) 를 얻었다. x 의 평균값은 15 이다. Rf 의 분자량은 2900 이다.
[화학식 26]
Figure pct00028
[예 5]
특허문헌 1 의 실시예의 예 3 에 기재된 방법에 따라, 화합물 (1-5) 를 얻었다. x 의 평균값은 13 이다. Rf 의 분자량은 4700 이다.
[화학식 27]
Figure pct00029
[예 6]
국제 공개 제2013/121984호의 실시예의 예 7 에 기재된 방법을 참고로 하여, 화합물 (4-6) 을 얻었다. x 의 평균값은 13 이다.
CF3-(OCF2CF2-OCF2CF2CF2CF2)xOCF2CF2-OCF2CF2CF2-CH2-OH (4-6)
특허문헌 2 의 예 1 에 있어서의 Rf-CH2-OH 를 화합물 (4-6) 으로 변경한 것 이외에는, 특허문헌 2 의 예 1 과 동일하게 하여 화합물 (1-6) 을 얻었다. x 의 평균값은 13 이다. Rf 의 분자량은 4700 이다.
[화학식 28]
Figure pct00030
[예 7]
국제 공개 제2013/121984호의 실시예의 예 7 에 기재된 방법을 참고로 하여, 화합물 (4-7) 을 얻었다. x 의 평균값은 3 이다.
CF3-(OCF2CF2-OCF2CF2CF2CF2)xOCF2CF2-OCF2CF2CF2-CH2-OH (4-7)
특허문헌 2 의 예 1 에 있어서의 Rf-CH2-OH 를 화합물 (4-7) 로 변경한 것 이외에는, 특허문헌 2 의 예 1 과 동일하게 하여 화합물 (1-7) 을 얻었다. x 의 평균값은 3 이다. Rf 의 분자량은 1400 이다.
[화학식 29]
Figure pct00031
[예 8]
국제 공개 제2013/121984호의 실시예의 예 6-1 에 기재된 방법을 참고로 하여, 화합물 (4-8) 을 얻었다. x 의 평균값은 13 이다.
CH3-(OCF2CFH-OCF2CF2CF2CH2)xOCF2CFH-OCF2CF2CF2-CH2-OH (4-8)
50 ㎖ 의 가지형 플라스크에, 화합물 (4-8) 의 8.0 g, 브롬화알릴의 0.34 g, 테트라부틸암모늄브로마이드의 0.08 g 및 48 질량％ 수산화칼륨 수용액의 0.60 g 을 넣고, 혼합물을 80 ℃ 에서 5 시간 교반하였다. 혼합물을 23 ℃ 까지 냉각시키고, AC-6000 의 10 g 을 넣고, 2 회 수세하였다. 얻어진 조액 (粗液) 을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 화합물 (2-8) 의 7.9 g 을 얻었다. x 의 평균값은 13 이다.
CH3-(OCF2CFH-OCF2CF2CF2CH2)xOCF2CFH-OCF2CF2CF2-CH2-OCH2CH=CH2 (2-8)
10 ㎖ 의 유리제 샘플병에, 화합물 (2-8) 의 6.0 g, 백금/1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물의 자일렌 용액 (백금 함유량 : 2 질량％) 의 0.06 g, HSi(OCH3)3 의 1.01 g, 아닐린의 0.02 g, 1,3-비스(트리플루오로메틸)벤젠 (도쿄 화성 공업사 제조) 의 1.0 g 을 넣고, 혼합물을 40 ℃ 에서 8 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 용매 등을 감압 증류 제거하고, 1.0 ㎛ 공경의 멤브레인 필터로 여과시켜, 화합물 (1-8) 의 6.5 g 을 얻었다. x 의 평균값은 13 이다. Rf 의 분자량은 4000 이다.
[화학식 30]
Figure pct00032
[예 9]
(합성예 9-0)
국제 공개 제2013/121984호의 실시예의 예 2 에 기재된 방법 (구체적으로는 예 2-3) 에 따라 화합물 (9-0) 을 얻었다.
CF3(OCF2CF2OCF2CF2CF2CF2)mOCF2CF2OCF2CF2CF2-C(=O)OCH3 (9-0)
m 의 평균값 : 13
(합성예 9-1)
100 ㎖ 의 가지형 플라스크에 화합물 (9-0) 을 50 g, AC2000 을 50 g, H2NCH2(C=O)CH(CH2CH=CH2)2 를 1.5 g 넣고, 40 ℃ 에서 6 시간 교반하였다. 그 후, 반응 조액을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하여 목적으로 하는 화합물 (9-1) 을 26 g 얻었다.
CF3(OCF2CF2OCF2CF2CF2CF2)mOCF2CF2OCF2CF2CF2-CH2NHCH2(C=O)CH(CH2CH=CH2)2 (9-1)
화합물 (9-1) 의 NMR 스펙트럼 :
Figure pct00033
(합성예 9-2)
짐로트 냉각기를 구비한 300 ㎖ 의 3 구 플라스크에 건조 질소 분위기하, 화합물 (9-1) 을 26 g, 1,3-비스트리플루오로메틸벤젠을 46 g 첨가하고, 빙욕하에서 교반하였다. 그 후, 2.5 M 수소화리튬알루미늄-테트라하이드로푸란 용액을 7 ㎖ 천천히 첨가하고, 실온에서 30 분 교반한 후, 100 ℃ 에서 5 시간 교반하였다. 그 후 황산나트륨 10수화물을 발포가 없어질 때까지 첨가하고, 고체를 셀라이트 여과로 제거하였다. 얻어진 여과액을 농축시켜, 목적으로 하는 화합물 (9-2) 를 25 g 으로 얻었다.
CF3(OCF2CF2OCF2CF2CF2CF2)mOCF2CF2OCF2CF2CF2-CH2NHCH2CH2CH(CH2CH=CH2)2 (9-2)
화합물 (9-2) 의 NMR 스펙트럼 :
Figure pct00034
(합성예 9-3)
50 ㎖ 의 3 구 플라스크에 건조 질소 분위기하, 화합물 (9-2) 를 10 g, 트리에틸아민 1.1 g, 1,3-비스트리플루오로메틸벤젠을 10 g 첨가하고, 실온에서 교반하면서 Cl(C=O)CH(CH2CH=CH2)2 를 1.0 g 첨가하였다. 실온에서 24 시간 교반하였다. 그 후, 반응 조액을 실리카 겔 크로마토그래피로 정제하여 목적으로 하는 화합물 (9-3) 을 2.7 g 얻었다.
CF3(OCF2CF2OCF2CF2CF2CF2)mOCF2CF2OCF2CF2CF2-CH2N[CH2CH2CH(CH2CH=CH2)2](C=O)CH(CH2CH=CH2)2 (9-3)
화합물 (9-3) 의 NMR 스펙트럼 :
Figure pct00035
(합성예 9-4)
질소 치환한 10 ㎖ 의 가지형 플라스크에 화합물 (9-3) 의 1.0 g, 백금/1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물의 자일렌 용액 (백금 함유량 : 3 질량％) 의 0.004 g, 아닐린의 0.009 g, AC-6000 의 1.0 g 을 첨가한 후, 트리메톡시실란의 0.14 g 을 첨가하고 40 ℃ 에서 4 시간 교반하였다. 그 후, 용매를 증류 제거하여, 화합물 (1-9) 의 1.1 g 을 얻었다.
CF3(OCF2CF2OCF2CF2CF2CF2)mOCF2CF2OCF2CF2CF2-CH2N[CH2CH(CH2CH2CH2Si(OCH3)3)2](C=O)CH[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]2 (1-9)
화합물 (1-9) 의 NMR 스펙트럼 :
Figure pct00036
m 의 평균은 13 이었다.
[예 11 ∼ 19 : 표면층 부착 물품의 제조 및 평가]
예 1 ∼ 9 에서 얻은 각 화합물을 사용하여 기재를 표면 처리하여, 예 11 ∼ 19 의 표면층 부착 물품을 얻었다. 표면 처리 방법으로서, 각 예에 대해 하기의 드라이 코팅법 및 웨트 코팅법을 사용하였다. 기재로는 화학 강화 유리를 사용하였다. 얻어진 물품에 대해, 하기의 방법으로 평가하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
(드라이 코팅법)
드라이 코팅은, 진공 증착 장치 (ULVAC 사 제조, VTR350M) 를 사용하여 실시하였다 (진공 증착법). 예 1 ∼ 8 에서 얻은 각 화합물의 0.5 g 을 진공 증착 장치 내의 몰리브덴제 보트에 충전하고, 진공 증착 장치 내를 1 × 10-3 Pa 이하로 배기하였다. 화합물을 배치한 보트를 승온 속도 10 ℃/분 이하의 속도로 가열하고, 수정 발진식 막 두께계에 의한 증착 속도가 1 ㎚/초를 초과한 시점에서 셔터를 열어 기재의 표면에 대한 제막을 개시시켰다. 막 두께가 약 50 ㎚ 가 된 시점에서 셔터를 닫아 기재의 표면에 대한 제막을 종료시켰다. 화합물이 퇴적된 기재를, 200 ℃ 에서 30 분간 가열 처리하고, 디클로로펜타플루오로프로판 (AGC 사 제조, AK-225) 으로 세정하여 기재의 표면에 표면층을 갖는 물품을 얻었다.
(웨트 코팅법)
예 1 ∼ 8 에서 얻은 각 화합물과, 매체로서의 C4F9OC2H5 (3M 사 제조, 노벡 (등록상표) 7200) 를 혼합하여, 고형분 농도 0.05 ％ 의 코팅액을 조제하였다. 코팅액에 기재를 디핑하고, 30 분간 방치 후, 기재를 끌어 올렸다 (딥 코트법). 도막을 200 ℃ 에서 30 분간 건조시키고, AK-225 로 세정하여, 기재의 표면에 표면층을 갖는 물품을 얻었다.
(평가 방법)
＜규격화 F 강도의 구하는 방법＞
불소 원자를 4.96 질량％ 포함하는 유리 (Bureau of Analysed Samples Ltd. 사 제조, IGS G4 Fluoride Opal Glass) 를 표준 샘플로 하였다. 형광 X 선 분석 장치 (리가쿠사 제조, ZSX100e) 를 사용하여, 측정 직경 : 30 ㎜, 측정선 : F-Kα, 필터 : OUT, 슬릿 : 표준, 분광 결정 : RX35 (리가쿠사 제조), 검출기 : PC, PHA : 100-300, 피크 각도 : 38.794 deg. (20 sec), B.G. 각도 : 43.000 deg. (10 sec) 의 조건에서, 표면층 중의 불소 원자 강도 및 표준 샘플 중의 불소 원자 강도를 각각 측정하였다. 표면층 중의 불소 원자 강도를 표준 샘플 중의 불소 강도로 나누어 기재 표면층 중에 있어서의 규격화 F 강도를 산출하였다. 또한, 표준 샘플은 측정 전에 AGC 사 제조, 아사히클린 (등록상표) AE-3000 으로 세정하고, 충분히 건조시킨 것을 사용하였다.
＜지문 오염 제거성＞
인공 지문액 (올레산과 스쿠알렌으로 이루어지는 액) 을, 실리콘 고무 마개의 평탄면에 부착시킨 후, 여분의 유분을 부직포 (아사히 화성사 제조, 벰코트 (등록상표) M-3) 로 닦아내어, 지문의 스탬프를 준비하였다. 지문 스탬프를 표면층 상에 올리고, 하중 : 9.8 N 으로 10 초간 눌렀다. 지문이 부착된 지점의 헤이즈를 헤이즈미터로 측정하여, 초기값으로 하였다. 지문이 부착된 지점에 대해, 티슈페이퍼를 장착한 왕복식 트래버스 시험기 (케이엔티사 제조) 를 사용하여, 하중 : 4.9 N 으로 닦아냈다. 닦아냄 왕복시마다 헤이즈의 값을 측정하고, 헤이즈가 초기값으로부터 10 ％ 이하가 되는 닦아냄 횟수를 측정하였다. 닦아냄 횟수가 적을수록 지문 오염을 용이하게 제거할 수 있고, 지문 오염 닦아냄성이 우수하다. 평가 기준은 하기와 같다.
◎ (우) : 닦아냄 횟수가 3 회 이하.
○ (양) : 닦아냄 횟수가 4 ∼ 5 회.
△ (가) : 닦아냄 횟수가 6 ∼ 8 회.
× (불가) : 닦아냄 횟수가 9 회 이상.
＜내마찰성＞
표면층에 대해, JIS L0849 : 2013 (ISO 105-X12 : 2001) 에 준거하여 왕복식 트래버스 시험기 (케이엔티사 제조) 를 사용하여, 펠트 (JIS L 3201 : 2002 R33W) 를 하중 : 9.8 N, 마찰 길이 : 4 ㎝, 속도 : 40 rpm 으로 1 만 5 천회 왕복시킨 후, 내마찰성을 평가하였다. 내마찰성은 상기 마찰 후의 샘플에 대해, 상기 지문 제거성의 평가 시험을 실시하여, 동일한 평가 기준으로 지문 제거성을 평가하였다. 내마찰 시험 후의 지문 제거성이 우수할수록, 마찰에 의한 성능의 저하가 작고, 내마찰성이 우수하다.
＜밀착성＞
아크릴계 점착층을 갖는 폴리염화비닐 필름 (닛토 전공사 제조, 엘렙 마스킹 N-380, 테이프폭 : 50 ㎜) 의 아크릴계 점착층을 표면층에 첩부하고, JIS K6854-1 : 1999 (ISO 8510-1 : 1990) 에 준거하여, 90 도 박리 시험기 (닛신 과학사 제조) 를 사용하여, 23 ℃ 의 조건하, 100 ㎜/분의 박리 속도로 폴리염화비닐 필름을 박리했을 때의 90 도 박리력을 측정하였다. 평가 기준은 하기와 같다. 박리력이 클수록 밀착성이 우수하다.
◎ (우) : 박리력이 550 mN/50 ㎜ 이상.
○ (양) : 박리력이 370 mN/50 ㎜ 이상 550 mN/50 ㎜ 미만.
△ (가) : 박리력이 250 mN/50 ㎜ 이상 370 mN/50 ㎜ 미만.
× (불가) : 박리력이 250 mN/50 ㎜ 미만.
Figure pct00037
표면층 중의 규격화 F 강도가 0.38 ∼ 0.53 인 예 11 ∼ 14, 19 는, 지문 오염 제거성, 내마찰성 및 보호 필름과의 밀착성이 우수한 것을 확인하였다.
산업상 이용가능성
본 발명의 표면층 부착 물품은, 발수 발유성의 부여가 요구되고 있는 각종 물품으로서 사용할 수 있다. 표면층으로서, 예를 들어, 터치 패널 등의 표시 입력 장치의 표면 보호 코트, 투명한 유리제 또는 투명한 플라스틱제 부재의 표면 보호 코트, 키친용 방오 코트, 전자 기기, 열교환기, 전지 등의 발수 방습 코트나 방오 코트, 토일리트리용 방오 코트, 도통하면서 발액이 필요한 부재에 대한 코트, 열교환기의 발수·방수·활수 코트, 진동체나 실린더 내부 등의 표면 저마찰 코트 등을 들 수 있다. 보다 구체적인 사용예로는, 디스플레이의 전면 보호판, 반사 방지판, 편광판, 안티글레어판, 혹은 그것들의 표면에 반사 방지막 처리를 실시한 것, 휴대 전화, 휴대 정보 단말 등의 기기의 터치 패널 시트나 터치 패널 디스플레이 등, 사람의 손가락 혹은 손바닥으로 화면 상의 조작을 실시하는 표시 입력 장치를 갖는 각종 기기의 표면 보호 코트, 화장실, 욕실, 세면소, 키친 등의 물을 사용하는 장소의 장식 건재, 배선판용 방수 코트, 열교환기의 발수·방수 코트, 태양 전지의 발수 코트, 프린트 배선판의 방수·발수 코트, 전자 기기 케이싱이나 전자 부품용의 방수·발수 코트, 송전선의 절연성 향상 코트, 각종 필터의 방수·발수 코트, 전파 흡수재나 흡음재의 방수성 코트, 욕실, 주방 기기, 토일리트리용 방오 코트, 열교환기의 발수·방수·활수 코트, 진동체나 실린더 내부 등의 표면 저마찰 코트, 기계 부품, 진공 기기 부품, 베어링 부품, 자동차 부품, 공구 등의 표면 보호 코트를 들 수 있다.
또한, 2019년 07월 18일에 출원된 일본 특허출원 2019-133052호의 명세서, 특허 청구의 범위 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.

Claims (12)

  1. 기재와, 상기 기재의 표면에 형성된 표면층을 갖고,
    상기 표면층이, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기를 포함하고,
    하기 방법으로 구한 상기 표면층 중의 규격화 F 강도가 0.38 ∼ 0.53 인 것을 특징으로 하는 표면층 부착 물품.
    (규격화 F 강도의 구하는 방법)
    불소 원자를 4.96 질량％ 포함하는 유리 (Bureau of Analysed Samples Ltd. 사 제조, IGS G4 Fluoride Opal Glass) 를 표준 샘플로서 준비한다. 형광 X 선 분석 장치로, 표면층 중의 불소 원자 강도 및 표준 샘플 중의 불소 원자 강도를 각각 측정한다. 표면층 중의 불소 원자 강도를 표준 샘플 중의 불소 강도로 나누어, 얻어진 값을 규격화 F 강도로 한다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기의 분자량이 1500 ∼ 4000 인, 표면층 부착 물품.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 표면층이, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기 및 반응성 실릴기를 갖는 함불소 에테르 화합물, 또는 상기 함불소 에테르 화합물을 포함하는 함불소 에테르 조성물로 형성된 표면층인, 표면층 부착 물품.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 함불소 에테르 화합물이 하기 식 (1) 로 나타내는 화합물인, 표면층 부착 물품.
    [Rf-]aQ[-T]b (1)
    단,
    Rf 는, 탄소수 2 이상의 플루오로알킬기의 탄소-탄소 원자 사이에 -O- 를 갖는 기 (단, Q 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다) 이고, Rf 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Rf 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q 는, a ＋ b 가의 연결기이고,
    T 는, -Si(R)3-c(L)c 이고, T 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 T 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    R 은, 알킬기이고,
    L 은, 가수 분해성기 또는 수산기이고, T 에 있어서의 2 이상의 L 은 동일해도 되고 상이해도 되고,
    a 는, 1 이상의 정수이고,
    b 는, 1 이상의 정수이고,
    c 는, 2 또는 3 이다.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 b 가 2 ∼ 20 의 정수인, 표면층 부착 물품.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 a 가 1 ∼ 6 의 정수인, 표면층 부착 물품.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Rf 가 하기 식 (g1) 로 나타내는 기인, 표면층 부착 물품.
    Rf1-(ORf2)m- (g1)
    단,
    Rf1 은, 탄소수 1 ∼ 6 의 플루오로알킬기이고,
    Rf2 는, 탄소수 1 ∼ 6 의 플루오로알킬렌기 (단, Q 에 결합하는 Rf2 의 Q 측의 말단의 탄소 원자에는 적어도 1 개의 불소 원자가 결합한다) 이고,
    m 은, 1 이상의 정수이고, m 이 2 이상인 경우, (ORf2)m 은 2 종 이상의 ORf2 로 이루어지는 것이어도 된다.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 Rf1 이 퍼플루오로알킬기인, 표면층 부착 물품.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 m 이 4 ∼ 40 의 정수이고, 전체 Rf2 중 퍼플루오로알킬렌기의 비율이 60 ∼ 100 몰％ 인, 표면층 부착 물품.
  10. 제 4 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Q 가, 식 (g2-1) 로 나타내는 기 (단, a ＝ d1 ＋ d3 및 b ＝ d2 ＋ d4 이다), 식 (g2-2) 로 나타내는 기 (단, a ＝ e1 및 b ＝ e2 이다), 식 (g2-3) 으로 나타내는 기 (단, a ＝ 1 및 b ＝ 2 이다), 식 (g2-4) 로 나타내는 기 (단, a ＝ h1 및 b ＝ h2 이다), 식 (g2-5) 로 나타내는 기 (단, a ＝ i1 및 b ＝ i2 이다), 또는 식 (g2-6) 으로 나타내는 기 (단, a ＝ 1 및 b ＝ 1 이다) 인, 표면층 부착 물품.
    Figure pct00038

    단,
    식 (g2-1) ∼ 식 (g2-6) 에 있어서는, A 측이 Rf 에 접속하고, Q22, Q23, Q24, Q25 또는 Q26 측이 T 에 접속하고,
    A 는, 단결합, -C(O)NR6-, -C(O)-, -O- 또는 -SO2NR6- 이고,
    Q11 은, 단결합, -O-, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 또는 -O- 를 갖는 기이고,
    Q12 는, 단결합, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q12 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q12 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q13 은, 단결합 (단, A 는 -C(O)- 에 한정한다), 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 알킬렌기의 N 측의 말단에 -C(O)- 를 갖는 기이고,
    Q14 는, Q14 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 탄소 원자인 경우, Q12 이고, Q14 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 질소 원자인 경우, Q13 이고, Q 가 Q14 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q14 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q15 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q15 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q15 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q22 는, 알킬렌기, 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 알킬렌기의 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖고 또한 Si 에 접속하지 않는 측의 말단에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q22 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q22 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q23 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, 2 개의 Q23 은 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q24 는, Q24 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 탄소 원자인 경우, Q22 이고, Q24 가 결합하는 Z 에 있어서의 원자가 질소 원자인 경우, Q23 이고, Q 가 Q24 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q24 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q25 는, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고, Q 가 Q25 를 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 Q25 는 동일해도 되고 상이해도 되고,
    Q26 은, 알킬렌기, 또는 탄소수 2 이상의 알킬렌기의 탄소-탄소 원자 사이에 -C(O)NR6-, -C(O)-, -NR6- 혹은 -O- 를 갖는 기이고,
    Z 는, Q14 가 직접 결합하는 탄소 원자 또는 질소 원자를 갖고 또한 Q24 가 직접 결합하는 탄소 원자 또는 질소 원자를 갖는 a ＋ b 가의 고리 구조를 갖는 기이고,
    R1 은, 수소 원자 또는 알킬기이고, Q 가 R1 을 2 이상 갖는 경우, 2 이상의 R1 은 동일해도 되고 상이해도 되고,
    R2 는, 수소 원자, 수산기, 알킬기 또는 아실옥시기이고,
    R3 은, 알킬기이고,
    R6 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 페닐기이고,
    d1 은, 0 ∼ 3 의 정수이고, d2 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, d1 ＋ d2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고,
    d3 은, 0 ∼ 3 의 정수이고, d4 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, d3 ＋ d4 는, 1 ∼ 3 의 정수이고,
    d1 ＋ d3 은, 1 ∼ 5 의 정수이고, d2 ＋ d4 는, 1 ∼ 5 의 정수이고,
    e1 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, e2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, e1 ＋ e2 는, 3 또는 4 이고,
    h1 은, 1 이상의 정수이고, h2 는, 1 이상의 정수이고,
    i1 은, 1 ∼ 3 의 정수이고, i2 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, i1 ＋ i2 는, 3 또는 4 이다.
  11. 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L 이 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기인, 표면층 부착 물품.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    터치 패널의 손가락으로 접촉하는 면을 구성하는 부재인, 표면층 부착 물품.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017038832A1 (ja) 2015-09-01 2017-03-09 旭硝子株式会社 含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液および物品
WO2017187775A1 (ja) 2016-04-25 2017-11-02 旭硝子株式会社 含フッ素エーテル化合物、コーティング液、物品および新規化合物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4412450B2 (ja) * 2001-10-05 2010-02-10 信越化学工業株式会社 反射防止フィルター
JP2012157856A (ja) * 2011-01-13 2012-08-23 Central Glass Co Ltd 防汚性物品及びその製造方法
JP5760679B2 (ja) * 2011-05-18 2015-08-12 王子ホールディングス株式会社 ハードコートフィルム及び積層体
KR102511340B1 (ko) * 2015-12-03 2023-03-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 코팅제 조성물
WO2018151055A1 (ja) * 2017-02-14 2018-08-23 Ａｇｃ株式会社 含フッ素エーテル組成物、コーティング液および物品
CN110997752B (zh) * 2017-08-18 2022-05-27 Ａｇｃ株式会社 组合物及物品
JP7056462B2 (ja) * 2017-08-31 2022-04-19 Ａｇｃ株式会社 含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品およびその製造方法
JP2021181158A (ja) * 2018-08-20 2021-11-25 Ａｇｃ株式会社 膜付き基材の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017038832A1 (ja) 2015-09-01 2017-03-09 旭硝子株式会社 含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液および物品
WO2017187775A1 (ja) 2016-04-25 2017-11-02 旭硝子株式会社 含フッ素エーテル化合物、コーティング液、物品および新規化合物

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