KR20220025011A - 오정렬의 측정 및 개선을 위한 관심 영역의 선택 - Google Patents

오정렬의 측정 및 개선을 위한 관심 영역의 선택 Download PDF

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KR20220025011A
KR20220025011A KR1020227002803A KR20227002803A KR20220025011A KR 20220025011 A KR20220025011 A KR 20220025011A KR 1020227002803 A KR1020227002803 A KR 1020227002803A KR 20227002803 A KR20227002803 A KR 20227002803A KR 20220025011 A KR20220025011 A KR 20220025011A
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roi
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로이에 볼코비치
모란 자버칙
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케이엘에이 코포레이션
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Abstract

반도체 디바이스의 제조에서 웨이퍼 상의 적어도 2개의 층 사이의 오정렬을 측정하기 위한 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(misregistration measurement and region of interest selection system; MMRSS)은 오정렬 계측 툴의 세트를 포함하고, 오정렬 계측 툴의 세트는, 적어도 2개의 오정렬 계측 툴, 및 오정렬 분석 및 관심 영역 선택 엔진을 포함하고, 오정렬 분석 및 관심 영역 선택 엔진은, 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 적어도 부분적으로 생성된 웨이퍼 상의 적어도 하나의 측정 사이트의 관심 영역(regions of interest; ROI)의 세트와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 분석하고 - 데이터 세트 각각은 품질 메트릭의 세트와 연관됨 - ; ROI의 세트로부터 추천 관심 영역(ROI)을 식별하고; 오정렬 계측 툴의 세트 중 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴에 추천 ROI를 통신 - 제2 오정렬 계측 툴은 추천 ROI와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성하도록 동작함 - 하도록 동작한다.

Description

오정렬의 측정 및 개선을 위한 관심 영역의 선택
[관련 출원에 대한 참조]
2019년 6월 25일에 출원되고 발명의 명칭이 "REGION OF INTEREST(ROI) OPTIMIZATION FOR MATCHING"인 미국 가특허 출원 번호 62/866,185 및 2019년 8월 23일에 출원되고 발명의 명칭이 "MULTIPLE-TOOL PARAMETER SET CONFIGURATION AND MISRESTRATION MISUREMENT SYSTEM AND METHOD"인 PCT 출원 번호 PCT/US2019/047795의 내용이 여기에 참조로 통합되어 있고 이에 대한 우선권을 주장한다.
본원의 주제와 관련되고 그 내용이 여기에 참조로 통합된, 본 출원인의 이하의 특허 및 특허 출원도 참조한다:
발명의 명칭이 "OVERLAY METROLOGY AND CONTROL METHOD"인 미국 특허 7,804,994;
발명의 명칭이 "COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS"인 미국 특허 10,527,951;
발명의 명칭이 "APPARATUS AND METHODS FOR DETECTING OVERLAY ERRORS USING SCATTEROMETRY"인 유럽 특허 1,570,232;
발명의 명칭이 "MOIRE TARGET AND METHOD FOR USING THE SAME IN MEASURING MISREGISTRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES"이고, 2019년 4월 10일에 출원된 PCT 특허 출원 PCT/US2019/026686;
발명의 명칭이 "MISREGISTRATION MEASUREMENTS USING COMBINED OPTICAL AND ELECTRON BEAM TECHNOLOGY"이고, 2019년 6월 4일에 출원된 PCT 특허 출원 PCT/US2019/035282;
발명의 명칭이 "PERIODIC SEMICONDUCTOR DEVICE MISREGISTRATION METROLOGY SYSTEM AND METHOD"이고, 2019년 9월 16일에 출원된 PCT 특허 출원 PCT/US2019/051209; 및
발명의 명칭이 "SYSTEM AND METHOD FOR ANALYZING A SAMPLE WITH A DYNAMIC RECIPE BASED ON ITERATIVE EXPERIMENTATION AND FEEDBACK"이고, 2020년 1월 21일에 출원된 미국 특허 출원 16/747,734.
[기술분야]
본 발명은 일반적으로 반도체 디바이스의 제조에서의 오정렬(misregistration)의 측정에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에서의 오정렬의 측정을 위한 다수의 방법 및 시스템이 공지되어 있다.
본 발명은 반도체 디바이스의 제조에서 오정렬을 측정하기 위한 개선된 방법 및 시스템을 제공하고자 한다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른, 반도체 디바이스의 제조에서 웨이퍼 상에 형성된 적어도 2개의 층 사이의 오정렬을 측정하기 위한 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(misregistration measurement and region of interest selection system; MMRSS)이 제공되고, MMRSS는 오정렬 계측 툴의 세트를 포함하고, 오정렬 계측 툴의 세트는, 적어도 2개의 오정렬 계측 툴, 및 오정렬 분석 및 관심 영역 선택 엔진(misregistration analysis and region of interest selection engine; MARSE)을 포함하고, MARSE는, 오정렬 계측 툴의 세트 중 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 적어도 부분적으로 생성되고 웨이퍼 상의 적어도 하나의 측정 사이트의 관심 영역(regions of interest; ROI)의 세트와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 분석하고 - ROI의 세트는 적어도 2개의 ROI를 포함하고, ROI의 세트와 연관된 오정렬 측정 데이터 세트 각각은 품질 메트릭의 세트와 연관됨 - ; ROI의 세트로부터 추천 관심 영역(ROI)을 식별하고; 오정렬 계측 툴의 세트 중 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴에 추천 ROI를 통신 - 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴 및 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 개별 툴이고 제2 오정렬 계측 툴은 추천 ROI와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성하도록 동작함 - 하도록 동작한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 이미징 오정렬 계측 툴이다. 대안적으로, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 전자 빔 오정렬 계측 툴이다. 바람직하게는, 품질 메트릭의 세트는, 정확도 플래그(accuracy flag), TIS(tool induced shift), Qmerit, 포커스 감도, 처리량, 정밀도, ROI 배치에 대한 감도, 및 콘트라스트 정밀도, 중 적어도 하나를 포함한다.
대안적으로, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 산란계측 오정렬 계측 툴(scatterometry misregistration metrology tools)이다. 바람직하게는, 품질 메트릭의 세트는, 정확도 플래그(accuracy flag), TIS(tool induced shift), Qmerit, 포커스 감도, 처리량, 정밀도, ROI 배치에 대한 감도, 및 동공 3σ(pupil 3σ), 중 적어도 하나를 포함한다.
바람직하게는, 추천 ROI는 품질 메트릭의 세트에 기초하여 식별된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 오정렬 계측 툴의 세트 중 단일 오정렬 계측 툴을 포함한다. 대안적으로, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 오정렬 계측 툴의 세트 중 다수의 오정렬 계측 툴을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, ROI의 세트는 100개의 ROI를 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, ROI는 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 개별적으로 측정된다. 바람직하게는, ROI의 세트는 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 여러 번 측정된다. 대안적으로, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, ROI의 세트에서의 ROI는 단일 측정으로 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴 각각에 의해 측정된다. 바람직하게는, MARSE는 단일 측정에 의해 생성된 데이터로부터 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 식별하도록 동작한다.
바람직하게는, MARSE는 또한, 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 추천 ROI를 통신하도록 동작한다. 바람직하게는, MMARSS는, 자동 레시피 최적화(automatic recipe optimazation; ARO) 프로토콜의 세트, 독립형 최적화 프로토콜(standalone optimization protocol)의 세트, 및 자동 레시피 트레이닝 프로토콜(automatic recipe training protocol)의 세트 중 적어도 하나에 유용하도록 동작한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 반도체 디바이스의 제조에서 웨이퍼 상에 형성된 적어도 2개의 층 사이의 오정렬을 측정하기 위한 관심 영역 선택 방법(region of interest selection method; RSM)도 제공되고, RSM은, 오정렬 계측 툴의 세트 중 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴을 사용하여 웨이퍼 상의 적어도 하나의 계측 사이트의 관심 영역(ROI)의 세트와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 생성하는 단계 - ROI의 세트는 적어도 2개의 ROI를 포함하고, ROI의 세트와 연관된 오정렬 측정 데이터 세트 각각은 품질 메트릭의 세트와 연관됨 - ; ROI의 세트로부터 추천 ROI를 식별하는 단계; 오정렬 계측 툴의 세트 중 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴에 추천 ROI를 통신하는 단계 - 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴 및 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 개별 툴임 - ; 및 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴을 사용하여 추천 ROI와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 도면과 함께 취해진 다음의 상세한 설명으로부터 더 완전하게 인식되고 이해될 것이다.
도 1a는 본 발명의 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS)의 간략화된 개략적 도면이다.
도 1b, 1c, 1d, 1e, 1f, 1g, 1h, 및 1i는 각각, 도 1a의 MMRSS에 의해 선택될 수 있는 복수의 예시적 관심 영역을 가진 웨이퍼의 각각의 실시형태의 간략화된 상부 평면도를 나타낸, 도 1a의 확대원(B)에 대응하는 확대도이다.
도 2a 및 2b는 함께, 도 1a-1i의 MMRSS에 의한 사용을 위한 관심 영역 선택 방법을 예시한 간략화된 플로우차트이다.
도 1a-2b를 참조하여 이하 설명하는 시스템 및 방법은, 반도체 디바이스의 층들 사이의 오정렬을 측정하고 반도체 디바이스의 제조 프로세스의 일부를 형성하는데 사용된다. 도 1a-2b를 참조하여 이하 설명하는 시스템 및 방법에 의해 측정된 오정렬은, 제조되는 반도체 디바이스의 다수의 층들 사이의 오정렬을 개선하기 위해, 반도체 디바이스의 제조 중에, 리소그래피와 같은 제조 프로세스를 조정하는데 사용된다.
이제 본 발명의 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(misregistration measurement and region of interest selection system; MMRSS)(100)의 간략화된 개략적 예시인 도 1a를 참조한다.
추가적으로, 각각 도 1a의 MMRSS에 의해 선택될 수 있는 복수의 예시적 관심 영역을 가진 웨이퍼의 각각의 실시형태의 간략화된 상부 평면도를 나타낸, 도 1a의 확대원(B)에 대응하는 확대도인, 도 1b - 1i를 참조한다. 이해의 편의를 위해 도 1a - 1i는 축척에 맞게 도시되지 않았음이 인식된다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 도 1b - 1i에 도시된 피쳐들 중 적어도 일부는 웨이퍼의 개별 층들 상에 형성될 수 있고 통상적으로 형성되고, 도 1b - 1i에 도시된 적어도 일부의 피쳐들은 웨이퍼 상에도 형성된 다른 구조체들에 의해 커버될 수 있고, 통상적으로 커버된다.
MMRSS(100)는 하나 이상의 측정 사이트에서 반도체 디바이스 웨이퍼의 적어도 2개의 층들 사이에서 오정렬을 바람직하게 측정한다. MMRSS(100)가 바람직하게는 각 측정 사이트에서 추천 관심 영역(ROI)을 선택하는 것이 MMRSS(100)의 특징적 기능이다. 추천 ROI는 전체 측정 사이트 또는 그 특정 부분을 포함할 수 있다.
도 1a에 구체적으로 도시된 바와 같이, MMRSS(100)는 2개 이상의 오정렬 계측 툴(104)을 포함하는 오정렬 계측 툴의 세트(102)를 포함한다. 적어도 하나의 오정렬 계측 툴(104)은 도 1b-1i와 관련하여 이하에 설명되는 바와 같은 ROI의 세트(106)와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 생성한다.
오정렬 측정 데이터는 바람직하게는 다수의 측정 사이트(108)에서 웨이퍼(112) 상에 형성된 적어도 2개의 층들 사이에서의 오정렬을 MMRSS(100)에 의해 측정하여 생성된다. 웨이퍼(112)는 바람직하게는 복수의 반도체 디바이스를 포함하고 웨이퍼(120)의 배치(batch)로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시형태에서, 웨이퍼(120)의 배치에서의 각각의 웨이퍼(112)는 동일한 제조 단계들을 거치고 웨이퍼(120)의 배치에서의 다른 모든 웨이퍼(112) 상의 대응하는 반도체 디바이스와 동일하게 되는 것이 의도된 반도체 디바이스를 포함한다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 웨이퍼(120)의 배치에서의 적어도 하나의 웨이퍼(112)는, 통상적으로 웨이퍼(120)의 배치에서의 다른 웨이퍼(112)로부터 의도적으로 변경되는 파라미터를 사용하여 제조되는 DOE(design of experiment) 웨이퍼로서, 웨이퍼(120)의 배치에서의 다른 웨이퍼(112)와 의도적으로 상이하게 제조된다.
본 발명의 일 실시형태에서, 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 다수의 오정렬 계측 툴(104) 각각은 동일 웨이퍼(112) 상에 형성된 적어도 2개의 상이한 층들 사이의 오정렬을 측정한다. 본 발명의 다른 실시형태에서, 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 다수의 오정렬 계측 툴(104) 각각은 웨이퍼(120)의 배치로부터 선택된 2개의 상이한 웨이퍼(112) 상에 형성된 적어도 2개의 상이한 층들 사이의 오정렬을 측정한다.
오정렬 계측 툴의 세트(102)의 오정렬 계측 툴(104)은 임의의 적합한 오정렬 계측 툴일 수 있다. 바람직하게는, 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 모든 오정렬 계측 툴(104)은 오정렬 계측 툴의 단일 카테고리에 속한다. 오정렬 계측 툴의 카테고리의 예는 특히 산란계측 오정렬 계측 툴, 이미징 오정렬 계측 툴, 및 전자빔 오정렬 계측 툴을 포함한다.
오정렬 계측 툴(104)로서 유용한 전형적인 산란계측 오정렬 계측 툴은 미국 캘리포니아주 밀피타스의 KLA Corporation으로부터 상업적으로 입수가능한 ATL™ 100이다. 오정렬 계측 툴(104)로서 유용한 전형적인 이미징 오정렬 계측 툴은 미국 캘리포니아주 밀피타스의 KLA Corporation으로부터 상업적으로 입수가능한 Archer™ 750이다. 오정렬 계측 툴(104)로서 유용한 전형적인 전자빔 오정렬 계측 툴은 미국 캘리포니아주 밀피타스의 KLA Corporation으로부터 상업적으로 입수가능한 eDR7380™이다.
바람직하게는 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 모든 오정렬 계측 툴(104)은 오정렬 계측 툴의 단일 카테고리에 속하지만, 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 오정렬 계측 툴(104) 각각은 동일 모델의 오정렬 계측 툴일 필요가 없다.
예컨대, 오정렬 계측 툴(104)이 이미징 오정렬 계측 툴 카테고리에 속하는 실시형태에서, 하나의 오정렬 계측 툴(104)은 Archer™ 750일 수 있고, 다른 오정렬 계측 툴(104)은 Archer™ 600 또는 임의의 다른 적합한 이미징 오정렬 계측 툴일 수 있다.
마찬가지로, 오정렬 계측 툴(104)이 산란계측 오정렬 계측 툴 카테고리에 속하는 실시형태에서, 하나의 오정렬 계측 툴(104)은 ATL™ 100일 수 있고, 다른 오정렬 계측 툴(104)은 ATL™ 150 또는 임의의 다른 적합한 산란계측 오정렬 계측 툴일 수 있다.
마찬가지로, 오정렬 계측 툴(104)이 전자빔 오정렬 계측 툴 카테고리에 속하는 실시형태에서, 하나의 오정렬 계측 툴(104)은 eDR7380™일 수 있고, 다른 오정렬 계측 툴(104)은 eDR7280™ 또는 임의의 다른 적합한 전자빔 오정렬 계측 툴일 수 있다.
오정렬 계측 툴의 세트(102)는 2개보다 많은 오정렬 계측 툴(104)을 포함할 수 있는 것이 이해된다. 바람직하게는, 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 모든 오정렬 계측 툴(104)은 동일 카테고리, 예컨대 모두 산란계측 오정렬 계측 툴, 모두 이미징 오정렬 계측 툴, 또는 모두 전자빔 오정렬 계측 툴에 속한다.
도 1b - 1i에 구체적으로 도시된 바와 같이, 웨이퍼(112)는 바람직하게는 다수의 측정 사이트(108)를 포함한다. 다수의 측정 사이트(108) 각각은 임의의 적합한 사이즈 또는 형상일 수 있다. 그러나, 본 발명에서의 유용한 측정 사이트(108)는 전형적으로 0.1 μm2 - 1000 μm2이고, 더욱 전형적으로는 1 μm2 - 100 μm2이다. 마찬가지로, 측정 사이트(108)는 스크라이브 라인(scribe line) 내 또는 다이(die) 내와 같은 웨이퍼(112) 상의 임의의 적합한 위치에 위치될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 측정 사이트(108) 각각은 오정렬 계측 툴(104)에 의해 웨이퍼(112) 상의 관심 층들 사이의 오정렬 측정을 위해 구체적으로 디자인된다.
예를 들어, 오정렬 계측 툴(104)이 이미징 오정렬 계측 툴인 경우, 측정 사이트(108) 각각은 바람직하게는 이미징 오정렬 계측 툴에 의한 측정 시 웨이퍼(112) 상에 형성된 적어도 2개의 층 사이의 오정렬의 표시를 제공하는 이미징 타겟을 함께 형성하는 피쳐의 분류를 포함한다. 이러한 타겟은 특히, 2019년 4월 10일에 출원되고 발명의 명칭이 MOIRE TARGET AND METHOD FOR USING THE SAME IN MEASURING MISREGISTRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES인 PCT Patent Application No. PCT/US2019/026686에 개시된 타겟과 유사한 도 1b에 도시된 타겟과 같은 Moire 타겟; 발명의 명칭이 COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS인 미국 특허 제10,527,951호에 기술된 타겟과 유사한 도 1c에 도시된 타겟과 같은 AIM(advanced imaging metrology) 타겟; 제목이 OVERLAY METROLOGY AND CONTROL METHOD인 U.S. Patent No. 7,804,994에 개시된 타겟과 유사한 도 1d에 도시된 타겟과 같은 박스-인-박스 타겟(box-in-box target); 발명의 명칭이 COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS인 U.S. Patent No. 10,527,951에 개시된 타겟과 유사한 도 1e에 도시된 타겟과 같은 AIM 인-디바이스(AIM in-device ; AIMid) 타겟; 또는 C. P. Ausschnitt, J. Morningstar, W. Muth, J. Schneider, R. J. Yerdon, L. A. Binns, N. P. Smith, "Multilayer overlay metrology," Proc. SPIE 6152, 계측, 검사, 및 Process Control for Microlithography XX, 615210 (24 March 2006)에 개시된 타겟과 유사한 도 1f에 도시된 타겟과 같은 마이크로-블로솜 타겟(micro-blossom target)과 같이 구현될 수 있다.
마찬가지로, 오정렬 계측 툴(104)이 산란계측 오정렬 계측 툴인 경우, 측정 사이트(108) 각각은 바람직하게는 산란계측 오정렬 계측 툴에 의한 측정 시 웨이퍼(112) 상에 형성된 적어도 2개의 층 사이의 오정렬의 표시를 제공하는 산란계측 타겟을 함께 형성하는 피쳐의 분류를 포함한다. 이러한 타겟은 특히, 발명의 명칭이 APPARATUS AND METHODS FOR DETECTING OVERLAY ERRORS USING SCATTEROMETRY인 European Patent No. 1,570,232에 개시된 타겟과 유사한 도 1g에 도시된 것과 같은 타겟으로서 구현될 수 있다.
마찬가지로, 오정렬 계측 툴(104)이 전자빔 오정렬 계측 툴인 경우, 측정 사이트(108) 각각은 바람직하게는 전자빔 오정렬 계측 툴에 의한 이미징 시 웨이퍼(112) 상에 형성된 적어도 2개의 층 사이의 오정렬의 표시를 제공하는 전자빔 타겟을 함께 형성하는 피쳐의 분류를 포함한다. 이러한 타겟은 특히, 발명의 명칭이 MISREGISTRATION MEASUREMENTS USING COMBINED OPTICAL AND ELECTRON BEAM TECHNOLOGY이고 2019년 6월 4일에 출원된 PCT Application No. PCT/US2019/035282에 개시된 타겟과 유사한 도 1h에 도시된 것과 같은 타겟으로서 구현될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에서, 측정 사이트(108) 각각은 바람직하게는, 오정렬 계측 툴(104)에 의해 오정렬이 직접 측정되는 완전한 또는 부분적인 반도체 디바이스를 포함한다. 오직 예시로서, 오정렬 계측 툴(104)은, 발명의 명칭이 PERIODIC SEMICONDUCTOR DEVICE MISREGISTRATION METROLOGY SYSTEM AND METHOD이고 2019년 9월 16일에 출원된 PCT Patent Application No. PCT/US2019/051209에 개시된 것과 유사한 도 1i에 도시된 바와 같은 반도체 디바이스를 직접 측정할 수 있다.
본 발명의 모든 실시형태에서, 적합한 분류의 피쳐들이 선택되는 한, 웨이퍼(112) 상에 형성된 임의의 수의 층들 사이에서 오정렬이 측정될 수 있다는 것이 이해된다. 측정 사이트(108)에 포함된 피쳐들은 모든 측정 사이트(108) 또는 그 임의의 부분에 존재할 수 있다는 것이 추가로 이해된다.
본 발명의 모든 실시형태에서, 도 1b - 1i에 도시된 바와 같이, 측정 사이트(108)는 ROI의 세트(106)를 포함한다. ROI의 세트(106)는 적어도 하나의 ROI(122), 더 바람직하게는 복수의 ROI(122, 124, 126, 및 128)를 포함한다. 단순함을 위해, 본 발명이 도 1b 내지 도 1i에 도시된 4개의 ROI(122, 124, 126, 및 128)로 설명되지만, ROI의 세트(106)는 바람직하게는 2 내지 100개의 ROI를 포함하고, ROI(122, 124, 126, 및 128)는 이하에서 참조되지만, 의도는 ROI 세트(106)에 포함된 각각의 ROI를 참조하는 것이다.
각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 MMRSS(100)로 측정 사이트(108)를 측정하거나 분석할 때 고려되는 측정 사이트(108)의 영역이다. 이해의 편의를 위해, 각 ROI(122, 124, 126, 및 128)의 경계를 나타내기 위해 실선이 도 1b - 1i에서 사용되었고; 그러나 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 일반적으로 이러한 물리적 표시를 포함하지 않는다는 것이 이해된다.
임의의 ROI(122, 124, 126, 또는 128)의 영역은 측정 사이트(108)에 포함된 피쳐의 영역보다 작거나 크거나 동일한 사이즈일 수 있다는 것이 이해된다. 마찬가지로, 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 측정 사이트(108)의 중심 또는 측정 사이트(108)의 에지에 더 가까운 것 등의 측정 사이트(108) 내의 임의의 적합한 위치에 위치될 수 있다.
추가로, 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)는, 구체적으로 도 1b, 1h, 및 1i에서 볼 수 있는 바와 같이 인접할 수 있고, 또는 구체적으로 도 1c, 1d, 1e, 1f, 및 1g에서 볼 수 있는 바와 같이 인접하지 않을 수 있다. 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)가 인접한지 또는 인접하지 않은지와 무관하게, 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 측정 사이트(108)에 대해 또는 측정 사이트(108) 내의 피쳐에 대해 자체적으로 대칭 또는 비대칭일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, ROI의 세트(106)에서의 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 단일 오정렬 계측 툴(104)에 의해 개별적으로 측정된다. 본 발명의 다른 실시형태에서, ROI의 세트(106)에서의 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 상이한 오정렬 계측 툴(104)에 의해 개별적으로 측정된다. 본 발명의 또 다른 실시형태에서, 하나 이상의 오정렬 계측 툴(104)은 각 측정에서 전체 측정 사이트(108)를 측정하고, 측정 사이트(108)의 측정에 후속하여 개별 ROI(122, 124, 126, 및 128)가 분석을 위해 선택된다.
적어도 하나의 오정렬 계측 툴(104)에 의핸 ROI의 세트(106)의 측정시, 오정렬 측정 데이터 세트는 ROI의 세트(106)에서의 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)에 대해 생성된다. 따라서, ROI의 세트(106)는 하나 이상의 오정렬 계측 툴(104)에 의해 생성된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트와 연관된다.
도 1a에 도시된 바와 같이, MMRSS(100)는 오정렬 분석 및 ROI 선택 엔진(misregistration analysis and ROI selection engine; MARSE)(132)을 더 포함한다. 바람직하게는, 하나 이상의 오정렬 계측 툴(104)이 전체 측정 사이트(108)를 측정하는 본 발명의 실시형태에서, 측정 사이트(108)의 측정에 후속하여 개별 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 MARSE(132)에 의한 분석을 위해 선택된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, MARSE(132)는 오정렬 계측 툴 또는 툴들(104)에 의해 생성된 오정렬 측정 데이터 세트와 연관된 품질 메트릭의 세트를 평가한다. 품질 메트릭의 세트는, 특히, 정확도 플래그, TIS(tool induced shift), Qmerit, 포커스 감도, 처리량, 정밀도, 및 ROI 배치에 대한 감도를 포함할 수 있다. ROI 배치에 대한 감도 품질 메트릭은 ROI의 세트(106)의 ROI(122, 124, 126, 및 128) 중 상이한 ROI에 대하여 오정렬의 품질 메트릭 및 오정렬 측정 데이터가 어떻게 변경되는지의 표시를 제공한다.
오정렬 계측 툴(104)이 이미징 오정렬 계측 툴 또는 전자빔 오정렬 계측 툴로서 구현되는 경우, 품질 메트릭의 세트는 또한 예컨대 콘트라스트 정밀도를 포함할 수 있다. 오정렬 계측 툴(104)이 산란계측 오정렬 계측 툴로서 구현되는 경우, 품질 메트릭의 세트는 또한 예컨대 동공 3σ 및 임의의 추가적인 적합한 동공 데이터 품질 메트릭을 포함할 수 있다. 각각의 오정렬 측정 데이터 세트의 품질 메트릭은 서로 비교되고, 구체적으로 원하는 품질 메트릭의 세트와 연관된 오정렬 측정 데이터 세트와 연관된 임의의 ROI(122, 124, 126, 또는 128)는 추천 ROI로서 MARSE(132)에 의해 식별된다.
바람직하게는, MARSE(132)는, 추천 ROI를 선택하기 위해 MARSE(132)에 의해 사용되는 오정렬 측정 데이터를 생성한 오정렬 계측 툴(104)에 추천 ROI를 통신한다. 바람직하게는, MARSE(132)는 또한, 추천 ROI를 선택하기 위해 MARSE(132)에 의해 사용되는 오정렬 측정 데이터를 생성한 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 적어도 하나의 추가적인 오정렬 계측 툴(104)에 추천 ROI를 통신한다.
이제 MMRSS(100)로 사용하기 위한 ROI 선택 방법(ROI selection method; RSM)(200)을 예시한 간략화된 플로우차트인 도 2a-2b를 참조한다. 제1 단계(210)에 표시된 바와 같이, 웨이퍼(112) 상의 측정 사이트(108)에서의 적어도 하나의 ROI(12, 124, 126, 또는 128)는 오정렬 계측 툴(104)에 의해 측정되고, 이에 따라 적어도 하나의 ROI(12, 124, 126, 또는 128)와 연관된 오정렬 측정 데이터가 생성된다. 본 발명의 일부 실시형태에서, 단계(210)는 측정 사이트(108) 각각에 대해 다수회, 적어도 한번 수행되고, 이에 따라 복수의 측정 사이트(108)에서 적어도 하나의 ROI(122, 124, 126, 또는 128)와 연관된 오정렬 측정 데이터가 생성된다.
일 실시형태의 단계(210)에서, 단계(212)에서 보는 바와 같이, 오정렬 계측 툴(104)은 전체 측정 사이트(108)를 측정하여 이와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성한다. 바람직하게는, 이러한 실시형태에서, ROI의 세트(106)에서의 ROI(122, 124, 126, 및 128)는 단일 측정에서 오정렬 계측 툴(104)에 의해 측정된다. 그 후에, MARSE(132)는, 단계(212)에서 측정된 측정 사이트(108) 내에 포함된 ROI의 세트(106)에 포함된 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성한다. 따라서, ROI의 세트(106)와 연관된 측정 사이트(108)에 대한 복수의 오정렬 측정 데이터 세트가 생성된다. 단계(212)는 전체 측정 사이트(108)를 1회(single time) 측정하는 것을 바람직하게 포함하지만, 단계(212)는 전체 측정 사이트(108)를 다수회(multiple times) 측정하는 것을 포함할 수 있다. 유리하게는, 단계(212)는 단일 측정에서 ROI의 세트(106)와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 생성한다.
대체 실시형태의 단계(210)에서, 단계(214)에서 보이는 바와 같이, 오정렬 계측 툴(104)은 측정 사이트(108)의 다수의 섹션의 오정렬을 측정한다. 바람직하게는, 단계(214)에서 측정된 각각의 섹션은 ROI(122, 124, 126, 및 128) 중 하나 이상을 포함한다. 그 후에, MARSE(132)는, 단계(214)에서 측정된 섹션 내에 포함된 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성한다. 따라서, ROI의 세트(106)와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트가 생성된다. 유리하게는, 단계(214)는 ROI의 세트(106)에서의 ROI의 수보다 적은 측정에서 ROI의 세트(106)와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 생성한다.
단계(216)에서 보이는 바와 같이, 또 다른 대체 실시형태의 단계(210)에서, 오정렬 계측 툴(104)은 ROI의 세트(106)에서의 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)의 오정렬을 개별적으로 측정한다. 본 발명의 일 실시형태에서, 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)에 대하여, 단계(216)가 다수회 반복되고 이에 따라 ROI 배치에 대한 오정렬 측정 데이터의 감도를 표시하는 품질 메트릭을 포함하는 오정렬 측정 데이터 세트가 생성된다. ROI 배치에 대한 오정렬 측정 데이터의 감도를 표시하는 품질 메트릭은 각각의 ROI(122, 124, 126, 및 128)와 연관된 오정렬 측정 데이터의 정밀도에 대한 정보를 제공한다. 따라서, ROI의 세트(106)와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트가 생성된다. 유리하게는, 단계(216)는 ROI의 세트(106)와 연관된 일반적으로 고도로 반복 가능한 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 생성한다.
단계(218)에서 보이는 바와 같이, ROI 세트(106) 중 적어도 하나의 ROI와 연관된 오정렬 측정 데이터를 생성하기 위해 오정렬 계측 툴 세트(102)의 추가 오정렬 계측 툴(104)을 사용할지 여부가 결정된다. 추가의 오정렬 계측 툴(104)이 사용되어야 한다면, RSM(200)은 단계(210)로 돌아가고, 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 추가적인 오정렬 계측 툴(104)은 ROI의 세트(106)의 적어도 하나의 ROI와 연관된 오정렬 측정 데이터를 생성한다. 통상적으로, 다수의 오정렬 계측 툴(104)이 단계(210)에서 사용되는 경우, 특히 적합한 ROI는 MMRSS(100)에 의해 식별될 수 있다. 추가의 오정렬 계측 툴(104)이 사용되지 않아야 한다면, RSM(200)은 다음 단계(220)로 진행된다. RSM(200)의 실행 회수는 단계(210)가 수행되는 오정렬 계측 툴(104)의 수의 함수이기 때문에, 추가의 오정렬 계측 툴(104)로 단계(210)를 반복하기 위한 횟수는 통상적으로 오퍼레이터에 의해 결정된다는 것이 이해된다.
단계(220)에서, MARSE(132)는 단계(210)에서 적어도 하나의 오정렬 계측 툴(104)에 의해 생성된 ROI의 세트(106)와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 분석한다. 단계(220)의 일부로서, MARSE(132)는 단계(210)에서 생성된 오정렬 측정 데이터 세트와 연관된 품질 메트릭 세트를 평가한다. 품질 메트릭의 세트는, 특히, 정확도 플래그, TIS, Qmerit, 포커스 감도, 처리량, 정밀도, 및 ROI 배치에 대한 감도를 포함할 수 있다. ROI 배치에 대한 감도 품질 메트릭은 ROI의 세트(106)의 ROI(122, 124, 126, 및 128) 중 상이한 ROI에 대하여 오정렬의 품질 메트릭 및 오정렬 측정 데이터가 어떻게 변경되는지의 표시를 제공한다.
오정렬 계측 툴(104)이 이미징 또는 전자빔 오정렬 계측 툴로서 구현되는 경우, 품질 메트릭의 세트는 또한 예를 들어 콘트라스트 정밀도를 포함할 수 있다. 오정렬 계측 툴(104)이 산란계측 오정렬 계측 툴로서 구현되는 경우, 품질 메트릭의 세트는 또한 예컨대 동공 3σ 및 임의의 추가적인 적합한 동공 데이터 품질 메트릭을 포함할 수 있다.
다음 단계(230)에서, MARSE(132)는 적어도 하나의 ROI(122, 124, 126, 또는 128)가 미리 결정된 허용 오차 내의 품질 메트릭을 가진 오정렬 데이터 세트와 연관되는지를 결정한다. ROI(122, 124, 126, 또는 128) 중 미리 결정된 허용 오차 내의 품질 메트릭을 가진 오정렬 데이터 세트와 연관된 것이 없는 경우, RSM(200)은 다음 단계(232)에서 종료되고 추천 ROI가 발견되지 않은 것을 나타내는 출력을 제공한다.
적어도 하나의 ROI(122, 124, 126, 또는 128)가 미리 결정된 허용 오차 내의 품질 메트릭을 가진 오정렬 데이터 세트와 연관된 경우, RSM(200)은 다음 단계(240)로 진행되고, MARSE(12)는 하나 이상의 추천 ROI를 식별한다. 단계(240)의 일부로서, 각각의 오정렬 측정 데이터 세트의 단계(220)로부터의 품질 메트릭이 서로 비교되고, 가장 바람직한 품질 메트릭과 연관된 오정렬 데이터 세트와 연관된 적어도 하나의 ROI(122, 124, 126, 또는 128)가 적어도 하나의 추천 ROI로서 식별된다. 바람직하게는, 단계(216)를 포함하는 본 발명의 실시형태에서, 단계(240)에서 MARSE(132)는 특히 ROI 배치에 대한 감도 품질 메트릭을 고려한다.
바람직하게, 다음 단계(250)에서, MARSE(132)는 단계(210)에서 오정렬 측정 데이터를 생성한 오정렬 계측 툴(104)에, 단계(240)에서 식별된 적어도 하나의 추천 ROI를 통신한다. 또한, 단계(250)에서, MARSE(132)는 바람직하게는, 단계(210)에서의 ROI의 세트(106)와 연관된 오정렬 측정 데이터 세트를 생성한 오정렬 계측 툴(104)이 아닌 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 적어도 하나의 추가적인 오정렬 계측 툴(104)에 적어도 하나의 추천 ROI를 통신한다.
다음 단계(260)에서, 단계(210)에서 사용된 오정렬 계측 툴(104)이 아닌 오정렬 계측 툴의 세트(102)의 오정렬 계측 툴(104)은 단계(240)에서 식별된 하나 이상의 추천 ROI로부터 선택된 적어도 하나의 추천 ROI를 사용하여 웨이퍼(112)의 적어도 2개의 층 사이의 오정렬을 측정한다. 단계(260)에서 측정된 웨이퍼(112)는, 단계(210)에서 측정된 웨이퍼(112)와 동일 웨이퍼(112)일 수 있고, 또는 웨이퍼(120)의 배치로부터 선택된 상이한 웨이퍼(112)일 수 있다.
본 발명의 일부 실시형태에서, MMRSS(100) 및 RSM(200)은, 2020년 1월 21일에 출원되고 발명의 명칭이 "SYSTEM AND METHOD FOR ANALYZING A SAMPLE WITH A DYNAMIC RECIPE BASED ON ITERATIVE EXPERIMENTATION AND FEEDBACK"인 U.S. Patent Application No. 16/747,734에 개시된 프로토콜과 마찬가지로, 자동 레시피 트레이닝 프로토콜의 세트, 독립형 최적화 프로토콜의 세트, 또는 자동 레시피 최적화(automatic recipe optimization; ARO) 프로토콜의 세트에 포함된다.
본 발명이 위에서 설명하고 구체적으로 도시한 것에 한정되지 않는다는 것을 통상의 기술자는 이해할 것이다. 본 발명의 범위는 전술한 다양한 특징의 조합 및 하위 조합뿐만 아니라 이들의 변형을 모두 포함하며, 이들 모두는 선행 기술에 없다.

Claims (32)

  1. 반도체 디바이스의 제조에서 웨이퍼 상에 형성된 적어도 2개의 층들 사이의 오정렬을 측정하기 위한 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(misregistration measurement and region of interest selection system; MMRSS)으로서,
    적어도 2개의 오정렬 계측 툴을 포함하는 오정렬 계측 툴의 세트; 및
    오정렬 분석 및 관심 영역 선택 엔진(misregistration analysis and region of interest selection engine; MARSE)
    를 포함하고,
    상기 오정렬 분석 및 관심 영역 선택 엔진(MARSE)은,
    상기 웨이퍼 상의 적어도 하나의 측정 사이트(site)의 관심 영역(region of interest; ROI)의 세트와 연관되고 상기 오정렬 계측 툴의 세트의 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 생성된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 분석하고 - 상기 ROI의 세트는 적어도 2개의 ROI를 포함하고, 상기 ROI의 세트와 연관된 상기 오정렬 측정 데이터 세트의 각각은 품질 메트릭(quality metric)의 세트와 연관됨 - ;
    상기 ROI의 세트로부터 추천 관심 영역(recommended ROI)를 식별하고;
    상기 오정렬 계측 툴의 세트의 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴에 상기 추천 ROI를 통신 - 상기 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴 및 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 별도의 툴이고, 상기 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴은 상기 추천 ROI와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성하도록 동작함 - 하도록
    동작하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 이미징 오정렬 계측 툴인 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 전자빔 오정렬 계측 툴인 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 품질 메트릭의 세트는,
    정확도 플래그(accuracy flag);
    TIS(tool induced shift);
    Qmerit;
    포커스 감도;
    처리량;
    정밀도;
    ROI 배치에 대한 감도; 및
    콘트라스트 정밀도
    중 적어도 하나를 포함하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  5. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 산란계측 오정렬 계측 툴(scatterometry misregistration metrology tool)인 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  6. 제5항에 있어서,
    상기 품질 메트릭의 세트는,
    정확도 플래그;
    TIS(tool induced shift);
    Qmerit;
    포커스 감도;
    처리량;
    정밀도;
    ROI 배치에 대한 감도; 및
    동공 3σ(pupil 3σ)
    중 적어도 하나를 포함하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추천 ROI는 상기 품질 메트릭의 세트에 기초하여 식별되는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 상기 오정렬 계측 툴의 세트의 단일 오정렬 계측 툴을 포함하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 상기 오정렬 계측 툴의 세트의 다수의 오정렬 계측 툴을 포함하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ROI의 세트는 100개의 ROI를 포함하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ROI는 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 개별적으로 측정되는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  12. 제11항에 있어서,
    상기 ROI의 세트는 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 다수회 측정되는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  13. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ROI의 세트에서의 상기 ROI는 단일 측정으로 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴 각각에 의해 측정되는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  14. 제13항에 있어서,
    상기 MARSE는 상기 단일 측정에 의해 생성된 데이터로부터 상기 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 식별하도록 동작하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 MARSE는 또한, 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 상기 추천 ROI를 통신하도록 동작하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 MMRSS는,
    자동 레시피 최적화(automatic recipe optimization; ARO) 프로토콜의 세트;
    독립형 최적화 프로토콜(standalone optimization protocol)의 세트; 및
    자동 레시피 트레이닝 프로토콜(automatic recipe training protocol)의 세트
    중 적어도 하나에 유용하도록 동작하는 것인, 오정렬 측정 및 관심 영역 선택 시스템(MMRSS).
  17. 반도체 디바이스의 제조에서 웨이퍼 상에 형성된 적어도 2개의 층들 사이의 오정렬을 측정하기 위한 관심 영역 선택 방법(region of interest selection method; RSM)으로서,
    오정렬 계측 툴의 세트의 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴을 사용하여 상기 웨이퍼 상의 적어도 하나의 측정 사이트의 관심 영역(regions of interest; ROI)의 세트와 연관된 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 생성하는 단계 - 상기 ROI의 세트는 적어도 2개의 ROI를 포함하고, 상기 ROI의 세트와 연관된 상기 오정렬 측정 데이터 세트 각각은 품질 메트릭의 세트와 연관됨 - ;
    상기 ROI의 세트로부터 추천 관심 영역(recommended ROI)을 식별하는 단계;
    상기 오정렬 계측 툴의 세트의 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴에 상기 추천 ROI를 통신하는 단계; 및
    상기 적어도 하나의 제2 오정렬 계측 툴을 사용하여 상기 추천 ROI와 연관된 오정렬 계측 데이터를 생성하는 단계
    를 포함하는, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  18. 제17항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 이미징 오정렬 계측 툴인 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  19. 제17항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 전자빔 오정렬 계측 툴인 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서,
    상기 품질 메트릭의 세트는,
    정확도 플래그(accuracy flag);
    TIS(tool induced shift);
    Qmerit;
    포커스 감도;
    처리량;
    정밀도;
    ROI 배치에 대한 감도; 및
    콘트라스트 정밀도
    중 적어도 하나를 포함하는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  21. 제17항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 오정렬 계측 툴은 산란계측 오정렬 계측 툴(scatterometry misregistration metrology tool)인 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  22. 제21항에 있어서,
    상기 품질 메트릭의 세트는,
    정확도 플래그;
    TIS(tool induced shift);
    Qmerit;
    포커스 감도;
    처리량;
    정밀도;
    ROI 배치에 대한 감도; 및
    동공 3σ(pupil 3σ)
    중 적어도 하나를 포함하는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  23. 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추천 ROI는 상기 품질 메트릭의 세트에 기초하여 식별되는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  24. 제17항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 상기 오정렬 계측 툴의 세트의 단일 오정렬 계측 툴을 포함하는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  25. 제17항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴은 상기 오정렬 계측 툴의 세트의 다수의 오정렬 계측 툴을 포함하는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  26. 제17항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ROI의 세트는 100개의 ROI를 포함하는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  27. 제17항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ROI는 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 개별적으로 측정되는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  28. 제27항에 있어서,
    상기 ROI의 세트는 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 의해 다수회 측정되는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  29. 제17항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ROI의 세트에서의 상기 ROI는 단일 측정으로 상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴 각각에 의해 측정되는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  30. 제29항에 있어서,
    상기 단일 측정에 의해 생성된 데이터로부터 상기 복수의 오정렬 측정 데이터 세트를 식별하는 단계를 더 포함하는, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  31. 제17항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 제1 오정렬 계측 툴에 상기 추천 ROI를 통신하는 단계를 더 포함하는, 관심 영역 선택 방법(RSM).
  32. 제17항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 관심 영역 선택 방법(RSM)은,
    자동 레시피 최적화(automatic recipe optimization; ARO) 프로토콜의 세트;
    독립형 최적화 프로토콜(standalone optimization protocol)의 세트; 및
    자동 레시피 트레이닝 프로토콜(automatic recipe training protocol)의 세트
    중 적어도 하나의 일부로서 사용되는 것인, 관심 영역 선택 방법(RSM).
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