CN113678235A - 将绝对z高度值用于工具之间的协同作用 - Google Patents

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Abstract

本公开揭示一种半导体复查工具，其接收半导体晶片的绝对Z高度值，例如具有斜角边缘的半导体晶片的绝对Z高度值。所述绝对Z高度值可由半导体检验工具确定。所述半导体复查工具在基于所述绝对Z高度值的Z高度内复查所述半导体晶片。可将焦点调整为在所述Z高度内。

Description

将绝对Z高度值用于工具之间的协同作用
相关申请案的交叉参考
本申请案主张2019年4月6日申请且让与第201941013944号印度临时申请案的印度专利申请案及2019年5月17日申请且让与第62/849,401号美国申请案的临时专利申请案的优先权，所述案的公开内容在此以引用的方式并入。
技术领域
本公开涉及半导体晶片的检验及复查。
背景技术
半导体制造产业的演进对良率管理及特定来说，对计量及检验系统提出更高要求。临界尺寸继续收缩，而产业需要减少用于实现高良率、高值生产的时间。最小化从检测良率问题到修正其的总时间确定半导体制造商的投资报酬。
制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以布置制造于被分成个别半导体装置的单个半导体晶片上。
在半导体制造期间的各个步骤使用检验工艺以检测晶片上的缺陷以促进制造工艺中的更高良率及因此更高利润。检验始终是制造半导体装置(例如集成电路(IC))的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于成功制造可接受的半导体装置变得更为重要，这是因为较小的缺陷可引起装置失效。例如，随着半导体装置的尺寸减小，检测具有减小的大小的缺陷已变得必要，这是因为即使相对小的缺陷也可引起半导体装置中的非所要像差。
然而，随着设计规则收缩，半导体制造工艺可更接近对工艺的性能能力的限制而操作。另外，随着设计规则收缩，较小缺陷可对装置的电参数具有影响，此驱动更灵敏的检验。随着设计规则收缩，通过检验检测的潜在良率相关缺陷的总数大幅增长，且通过检验检测的扰乱点缺陷的总数也大幅增加。因此，可在晶片上检测更多缺陷，且校正工艺以消除全部缺陷可为困难且昂贵的。确定哪些缺陷实际上对装置的电参数及良率具有影响可允许工艺控制方法集中于所述缺陷而大大地忽略其它缺陷。此外，在较小设计规则下，在一些情况中，工艺引发的失效趋于为系统性的。即，工艺引发的失效趋于在设计内通常重复许多次的预定设计图案下失效。消除空间系统性的、电相关的缺陷可对良率具有影响。
许多半导体晶片具有斜角边缘。晶片上的斜角边缘意味着顶表面并非完全平坦。斜角边缘可影响测量的准确度及速度。斜角边缘还可使检验及复查复杂化。
可执行具有斜角边缘的晶片的Z方向上的自动聚焦。Z方向是晶片的厚度，其受斜角影响。现存Z高度自动聚焦使用在SEMI标准下的可行斜角作为假定。如图1中展示，可行角度在从θmax到θmin的范围内。Z方向值的范围从晶片的中心沿着斜角径向向外移动增加。
在图1的实例中，Zn是高度传感器针对特定缺陷位点锁定于晶片前表面上的Z方向上的标称高度。在与半径(例如，145mm)处的缺陷相同的角度位置处测量Zn。Rd是缺陷的径向位置，其可来自数据文件，例如由KLA公司使用的KLARF。Rb是沿着内边缘的斜角圆的半径。针对大多数斜角缺陷，Rd大于Rb。按照SEMI标准，θmin及θmax分别是最小及最大斜角。例如，θmin可为25.5且θmax可为19.5。
并非始终在晶片边缘处的斜角之前的区域(例如，区1)中实施Z扫掠自动聚焦。如图2的表中展示，需要30μm的Z扫掠以使图像聚焦。随着Rd增加，Z扫掠范围将增加。
如图2中展示，针对斜角使用情况，θmin(ThMin)及θmax(ThMax)是最小及最大斜角。针对这些的SEMI标准分别是-25.5及-19.5。Zn是高度传感器针对特定缺陷位点锁定于晶片前表面上的标称Z高度。其是在与145mm的半径处的缺陷相同的角度位置处测量。为了此实例的简洁起见，假定在-500μm处。Rd是缺陷的径向位置(例如，来自如同KLARF的数据文件)。Rb是在内边缘处的斜角圆的半径。针对许多“真实”斜角缺陷，Rd大于Rb。考虑在149800μm的径向距离Rd及149700μm(或如在对准期间计算)的斜角内圆Rb的半径处的缺陷，Z高度扫掠范围将在-464.09μm与-439.45μm之间。Zs及Ze分别是Z高度扫掠下限及扫掠上限。总扫掠范围Zd将是Zs与Ze之间的差且针对上文的实例数字将得出24.65μm。为更佳聚焦稳定性留出一些空间，将需要30μm的Z高度扫掠以获得聚焦的149800μm的径向距离Rd处的缺陷。
图3说明典型晶片的边缘排除区。较旧半导体晶片复查工具不从边缘复查5000μm。较新半导体晶片复查工具不从边缘复查1500μm且包含从边缘复查40μm到50μm的斜角复查。最接近边缘的区域不像大多数晶片表面般平坦，使得可在不同径向距离处的点之间存在高度差。甚至对于相同径向距离，取决于极角，点之间的Z高度偏移可为不同的。
在斜角区域中需要Z高度自动聚焦以用于图像的最佳聚焦。此是缓慢过程。例如，基于斜角滚偏角θ的假定，每小时可仅使30个位点成像。在例子中，θ是晶片斜角在θmax与θmin之间的实际角度。此迫使半导体制造商执行广范围的Z高度的扫掠以使斜角区域的图像聚焦及/或清晰，这是因为滚偏角假定不准确。
除具有低处理能力之外，现存方法对于缺陷的实际Z高度是盲目的。因此，获得清晰缺陷信号是困难的。缺陷信号对于复查及检验是重要的。在不知道缺陷的实际Z高度的情况下，需要大自动聚焦范围。SEMI标准假定不提供对于下一代半导体制造处理能力所需的处理能力的足够导引。在径向向外移动时使缺陷聚焦的扫掠范围增加。然而，SEMI标准是指导原则。无法保证SEMI标准的准确度且半导体制造商不监测经处理晶片或全部检验层上的实际斜角表面参数。
因此，需要经改进检验系统及方法。
发明内容
在第一实施例中提供一种系统。所述系统包括：粒子束产生器，其产生粒子束；平台，其经配置以固持半导体晶片；检测器，其经配置以接收从所述半导体晶片反射的所述粒子束；及处理器，其与检测器电子通信。所述处理器经配置以接收所述半导体晶片的绝对Z高度值及发送使用所述粒子束在基于所述绝对Z高度值的Z高度内复查所述半导体晶片的指令。在例子中，所述半导体晶片具有斜角边缘。
所述处理器可接收方位角值及极角值与所述绝对Z高度值。
所述粒子束可为光子束或电子束。
所述处理器可进一步经配置以将焦点调整为在所述Z高度内。
所述处理器可进一步经配置以确定所述Z高度与同所述系统分开的半导体检验工具的Z高度值的相关性。可在方位角值及极角值处确定所述相关性。
在第二实施例中提供一种方法。所述方法包括在半导体复查工具处接收半导体晶片的绝对Z高度值。使用所述半导体复查工具复查所述半导体晶片。所述复查在所述绝对Z高度值处开始且包含在所述半导体晶片上扫掠Z高度。在例子中，所述半导体晶片具有斜角边缘。
所述半导体复查工具可接收方位角值及极角值与所述绝对Z高度值。
所述方法可进一步包含：使用半导体检验工具检验半导体晶片；及使用来自所述半导体检验工具的测量确定所述绝对Z高度值。
所述方法可进一步包含使用所述半导体检验工具确定来自所述第二半导体检验工具的Z高度值与所述Z高度之间的相关性。所述半导体复查工具可接收方位角值及极角值与所述绝对Z高度值。在所述方位角值及极角值处的位置处执行所述相关性。
在第三实施例中提供一种非暂时性计算机可读存储媒体。所述非暂时性计算机可读存储媒体包括用于在一或多个计算装置上执行以下步骤的一或多个程序。接收半导体晶片的绝对Z高度值。发送指令。所述指令是使用粒子束在基于所述绝对Z高度值的Z高度内复查所述半导体晶片。
所述步骤可包含将焦点调整为在所述Z高度内。
附图说明
为了更全面理解本公开的性质及目标，应参考结合随附图式进行的以下详细描述，其中：
图1说明现存自动聚焦方法；
图2是变量表；
图3说明典型晶片的边缘排除区；
图4是展示来自样本CIRCL KLARF的某些缺陷的绝对Z高度的表；
图5是根据本公开的方法的框图；及
图6是根据本公开的系统。
具体实施方式
虽然将依据特定实施例描述所主张的主题，但其它实施例(包含未提供本文中陈述的全部益处及特征的实施例)也在本公开的范围内。在不脱离本公开的范围的情况下，可做出各种结构、逻辑、工艺步骤及电子改变。因此，本公开的范围仅通过参考随附权利要求书定义。
本文中公开的实施例使用来自由KLA公司制造的CIRCL的绝对Z高度(Z-ABS)或其它半导体晶片检验工具。绝对Z高度可用作扫描电子显微镜工具上的基于z高度的自动聚焦的准确起始点。另外，晶片或晶片上的点(例如，缺陷)的方位角
Figure BDA0003289591360000041
及极角(θ)可用于复查工具的改进，例如基于极角及/或方位角的检验工具的Z高度与复查工具的Z高度的一次/多次校准或对准。虽然公开CIRCL及其它斜角检验工具，但本文中公开的实施例可与任何裸或未图案化晶片检验、复查或加工工具一起使用。
本文中公开的实施例创建半导体晶片检验与复查工具之间的管线以在复查工具中使用来自检验工具的绝对Z高度值、方位角值及极角值。代替依赖于SEMI标准以消除预期缺陷聚焦的Z高度的范围，使用来自检验工具(例如，CIRCL)的绝对Z高度值。当检验工具检验且报告缺陷位置时，其还报告绝对Z高度值连同例如方位角值及极角值的其它缺陷位置信息。绝对Z高度值可用作扫掠Z高度的起始点。
代替对于缺陷的实际Z高度是盲目的，使用来自先前测量的绝对Z高度值。相较于先前技术，可更一致地获得来自缺陷的聚焦信号。本文中公开的实施例提供处理能力改进，此降低用于斜角复查的拥有成本。代替广范围的Z扫掠以使缺陷聚焦，可确定基于绝对Z高度值的缺陷的Z高度。可获得绝对Z高度值与用于复查工具中的最佳聚焦的Z高度之间的相关性。
本文中公开的实施例还避免Z扫掠径向向外延伸，此增加使缺陷聚焦所需的时间量。此类扫掠对于大范围的聚焦是有限的。例如，可使用绝对Z高度值及数微米的扫掠到微调聚焦(如果需要)实现先前30μm扫掠。
图5是方法100的框图。在101处，半导体复查工具接收半导体晶片的绝对Z高度值。绝对Z高度是如在其它检验工具的斜角检验器中报告的存在于晶片上的缺陷的高度。绝对Z高度可为相对于参考。参考可为在实验或测量的上下文中不变动的任何事物。例如，参考可为工具站立所在的底板高度。此处，参考高度是从固定检验器工具组件开始。为了简洁起见，参考是晶片的顶部平坦部分。
可不需要处理来自KLARF的数据或其它数据文件。在KLARF中接收的高度是以标准单位(例如，μm或nm)为单位。其它数据文件可需要进一步处理。
斜角检验器已测量的高度是缺陷的高度。半导体晶片可具有斜角边缘。在102处，使用半导体复查工具在(若干)绝对Z高度值处开始复查半导体晶片。在例子中可使用一系列绝对Z高度值。半导体检验工具可在半导体晶片上(例如在绝对Z高度值处开始)扫掠Z高度。扫掠Z高度可在(例如)图2中展示的值的范围中。因此，可使用绝对Z高度值确定缺陷的Z高度。
半导体复查工具还可接收方位角值及极角值与绝对Z高度值。方位角值及极角值可用于使用半导体复查工具检验晶片。
方法100可进一步包含使用半导体检验工具(例如CIRCL)检验半导体晶片。使用来自半导体检验工具的测量，可确定绝对Z高度值。在检验缺陷时，可测量Z高度值。
可使用绝对Z高度值、方位角值及极角值以针对各种绝对Z高度值、方位角值及极角值形成绝对Z高度值与用于最佳聚焦的Z高度值之间的经验相关性图。为了相关，两个数字之间的差可为相同的。需要数个缺陷位置用于此经验相关性。例如，可使用三到五个缺陷位置。此可消除或限制扫掠广Z扫掠范围以使图像聚焦的需要。可在各种方位角值及极角值处确定在检验工具上报告的Z高度对用于最佳聚焦的Z高度。例如，可使用基于SEMI标准的Z高度扫掠的常规方法确定用于最佳聚焦的Z高度。可在不同方位角及极角处的一些缺陷位置的两者之间建立相关性。此校准可消除在建立相关性之后在复查工具上扫掠Z高度的需要。
在例子中，可确定来自半导体检验工具的Z高度值与使用半导体复查工具的Z高度之间的相关性。半导体复查工具可接收方位角值及极角值与绝对Z高度值。可在方位角值及极角值处的位置处执行相关性。
例如，先前方法可建议30μm扫掠范围，这是因为缺陷的Z高度可基于晶片处的滚偏角而在此范围中的任何处。代替消除，本文中公开的实施例使用来自检验工具的绝对Z高度值且在Z高度中扫掠数微米。
在实例中，针对某些缺陷使用来自CIRCL工具的数据突显绝对Z高度值。CIRCL工具可测量半导体晶片的从Z1到Z5的表面，如图3中说明，且可提供尺寸、角度及/或形态的映图。先前技术使用缺陷的X及Y位置以寻找Rd。基于来自SEMI标准的滚偏角估计广范围的Z扫掠。使用此Z扫掠以确定缺陷可聚焦的位置。代替地，使用绝对Z高度值及绝对Z高度值与复查工具中用于最佳聚焦的Z高度之间的相关性以获得缺陷的最佳聚焦Z高度。
可确定绝对Z高度值与复查工具上用于缺陷的最佳聚焦的Z高度之间的关系。此可通过选择若干缺陷且绘制绝对Z高度值对复查工具上用于最佳聚焦的Z高度并确定其之间的相关性而完成。
如果存在n个缺陷，那么可使用本文中公开的相关性及来自检验工具的绝对Z高度值以获得复查工具上的最佳聚焦Z高度。跨此范围的数微米扫掠可用于在复查中使图像聚焦。
扫掠范围可潜在地减少到1/7。例如，用于全扫掠的30μm可减小到4μm以用于聚焦微调，此增加斜角复查处理能力且降低斜角复查拥有成本。除增加处理能力之外，本文中公开的实施例可减少误报，这是因为使用窄扫掠范围。
在例子中，系统(例如，复查工具)包含产生粒子束的粒子束产生器。粒子束可为电子束或光子束。系统进一步包含：平台，其经配置以固持半导体晶片；检测器，其经配置以接收从半导体晶片反射的粒子束；及处理器，其与检测器电子通信。处理器经配置以接收半导体晶片的绝对Z高度值且发送使用粒子束在基于绝对Z高度值的Z高度内复查半导体晶片的指令。半导体晶片可具有斜角边缘。复查可包含使半导体晶片成像且对缺陷进行分级、分类或以其它方式进行分析。
处理器可接收方位角值及极角值与绝对Z高度值。
处理器可进一步经配置以将焦点调整为在Z高度内。
处理器还可进一步经配置以确定Z高度与同系统分开的半导体检验工具的Z高度值的相关性。可在方位角值及极角值处确定相关性。
图6是可实施本文中公开的实施例的系统200的实施例的框图。系统200包含经配置以产生晶片204的图像的晶片检验工具(其包含电子柱201)。
晶片检验工具包含输出获取子系统，所述输出获取子系统包含至少一能量源及检测器。输出获取子系统可为基于电子束的输出获取子系统。例如，在一个实施例中，经引导到晶片204的能量包含电子，且从晶片204检测的能量包含电子。以此方式，能量源可为电子束源。在图6中展示的一个此类实施例中，输出获取子系统包含电子柱201，所述电子柱201耦合到计算机子系统202。载物台210可固持晶片204。
还如图6中展示，电子柱201包含经配置以产生由一或多个元件205聚焦到晶片204的电子的电子束源203。电子束源203可包含(例如)阴极源或发射器尖端。一或多个元件205可包含(例如)枪透镜、阳极、限束孔、闸阀、束电流选择孔、物镜及扫描子系统，其全部可包含所属领域中已知的任何此类适合元件。
从晶片204返回的电子(例如，二次电子)可由一或多个元件206聚焦到检测器207。一或多个元件206可包含(例如)扫描子系统，所述扫描子系统可为包含于(若干)元件205中的相同扫描子系统。
电子柱201还可包含所属领域中已知的任何其它适合元件。
虽然在图6中将电子柱201展示为经配置使得电子按倾斜入射角引导到晶片204且按另一倾斜角从晶片204散射，但电子束可按任何适合角度引导到晶片204且从晶片204散射。另外，基于电子束的输出获取子系统可经配置以使用多个模式来产生晶片204的图像(例如，使用不同照明角、收集角等)。基于电子束的输出获取子系统的多个模式在输出获取子系统的任何图像产生参数方面可为不同的。
计算机子系统202可耦合到检测器207，如上文描述。检测器207可检测从晶片204的表面返回的电子，借此形成晶片204的电子束图像。所述电子束图像可包含任何适合电子束图像。计算机子系统202可经配置以使用检测器207的输出及/或电子束图像执行本文中描述的功能的任何者。计算机子系统202可经配置以执行本文中描述的(若干)任何额外步骤。可如本文中描述般进一步配置包含图6中展示的输出获取子系统的系统200。
应注意，在本文中提供图6以大体上说明可用于本文中描述的实施例中的基于电子束的输出获取子系统的配置。可更改本文中描述的基于电子束的输出获取子系统配置以如在设计商业输出获取系统时通常执行般优化输出获取子系统的性能。另外，可使用现存系统(例如，通过将本文中描述的功能性添加到现存系统)实施本文中描述的系统。对于一些此类系统，可将本文中描述的方法提供为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性之外)。替代地，本文中描述的系统可设计为全新系统。
虽然输出获取子系统在上文描述为是基于电子束的输出获取子系统，但输出获取子系统可为基于离子束的输出获取子系统。可如图6中展示般配置此输出获取子系统，例外之处是可使用所属领域中已知的任何适合离子束源替换电子束源。另外，输出获取子系统可为任何其它适合的基于离子束的输出获取子系统，例如包含于市售聚焦离子束(FIB)系统、氦离子显微镜(HIM)系统及二次离子质谱仪(SIMS)系统中的输出获取子系统。
计算机子系统202包含处理器208及电子数据存储单元209。处理器208可包含微处理器、微控制器或其它装置。
计算机子系统202可以任何适合方式(例如，经由一或多个传输媒体，所述一或多个传输媒体可包含有线及/或无线传输媒体)耦合到系统200的组件使得处理器208可接收输出。处理器208可经配置以使用输出执行数个功能。晶片检验工具可从处理器208接收指令或其它信息。处理器208及/或电子数据存储单元209任选地可与另一晶片检验工具、晶片计量工具或晶片复查工具(未说明)电子通信以接收额外信息或发送指令。
处理器208与晶片检验工具(例如检测器207)电子通信。处理器208可经配置以处理使用来自检测器207的测量产生的图像。例如，处理器可执行方法100或方法200的实施例。
本文中描述的计算机子系统202、(若干)其它系统或(若干)其它子系统可为各种系统的部分，包含个人计算机系统、图像计算机、主计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。(若干)子系统或(若干)系统还可包含所属领域中已知的任何适合处理器(例如并行处理器)。另外，所述子系统或系统可包含具有高速处理及软件的平台(作为独立或联网工具)。
处理器208及电子数据存储单元209可安置于系统200或另一装置中或另外为系统200或另一装置的部分。在实例中，处理器208及电子数据存储单元209可为独立控制单元的部分或在集中质量控制单元中。可使用多个处理器208或电子数据存储单元209。
实践上，处理器208可通过硬件、软件及固件的任何组合实施。而且，其如本文中描述的功能可由一个单元执行或在不同组件当中划分，所述不同组件中的每一者又可通过硬件、软件及固件的任何组合实施。供处理器208实施各种方法及功能的程序代码或指令可存储于可读存储媒体(例如电子数据存储单元209中的存储器或其它存储器)中。
如果系统200包含超过一个计算机子系统202，那么不同子系统可彼此耦合，使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。例如，一个子系统可通过可包含所属领域中已知的任何适合有线及/或无线传输媒体的任何适合传输媒体耦合到(若干)额外子系统。此类子系统中的两者或更多者还可通过共享计算机可读存储媒体(未展示)有效地耦合。
处理器208可经配置以使用系统200的输出或其它输出执行数个功能。例如，处理器208可经配置以将输出发送到电子数据存储单元209或另一存储媒体。可如本文中描述般进一步配置处理器208。
处理器208或计算机子系统202可为缺陷复查系统、检验系统、计量系统或某一其它类型的系统的部分。因此，本文中公开的实施例描述可以数个方式针对具有或多或少适合于不同应用的不同能力的系统定制的一些配置。
可根据本文中描述的任何实施例配置处理器208。处理器208还可经配置以使用系统200的输出或使用来自其它源的图像或数据执行其它功能或额外步骤。
处理器208可以所属领域中已知的任何方式通信地耦合到系统200的各种组件或子系统的任何者。此外，处理器208可经配置以通过可包含有线及/或无线部分的传输媒体从其它系统接收及/或获取数据或信息(例如，来自检验系统的检验结果或绝对Z高度值、包含设计数据的远程数据库及类似者)。以此方式，传输媒体可用作处理器208与系统200的其它子系统或系统200外部的系统之间的数据链路。
本文中公开的系统200及方法的各种步骤、功能及/或操作由以下一或多者实行：电子电路、逻辑门、多路复用器、可编程逻辑装置、ASIC、模拟或数字控制件/开关、微控制器或计算系统。实施如本文中描述的方法的方法的程序指令可经由载体媒体传输或存储于载体媒体上。载体媒体可包含存储媒体，例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、非易失性存储器、固态存储器、磁带及类似者。载体媒体可包含传输媒体，例如导线、电缆或无线传输链路。例如，贯穿本公开描述的各种步骤可通过单个处理器208(或计算机子系统202)或替代地多个处理器208(或多个计算机子系统202)实行。此外，系统200的不同子系统可包含一或多个计算或逻辑系统。因此，上文描述不应解译为对本公开的限制而仅为说明。
额外实施例涉及一种存储可在处理器上执行的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。特定来说，处理器(例如处理器208)可耦合到在具有包含可执行程序指令的非暂时性计算机可读媒体的电子数据存储媒体(例如电子数据存储媒体209)中的存储器。计算机实施方法可包含本文中描述的(若干)任何方法的(若干)任何步骤。例如，处理器208可经编程以执行方法100的步骤的一些或全部。电子数据存储媒体209中的存储器可为存储媒体，例如磁盘或光盘、磁带或所属领域中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体。
可以各种方式(包含基于过程的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术等等)的任何者实施程序指令。例如，可视需要使用ActiveX控件、C++对象、JavaBeans、微软基础类(MFC)、串流SIMD扩展(SSE)或其它技术或方法论实施程序指令。
在实施例中，一或多个程序包含于非暂时性计算机可读存储媒体(例如电子数据存储媒体209)上。一或多个程序用于在一或多个计算装置上执行步骤。例如，步骤可包含接收半导体晶片的绝对Z高度值且发送使用粒子束在基于绝对Z高度值的Z高度内复查半导体晶片的指令。可将焦点调整为在Z高度内。
虽然具体说明使用电子束的工具，但本文中公开的实施例可与使用电子束、检测器及经配置以固持晶片的平台的系统一起使用。
虽然已关于一或多个特定实施例描述本公开，但应理解，可在不脱离本公开的范围的情况下进行本公开的其它实施例。因此，将本公开视为仅由随附权利要求书及其合理解译限制。

Claims (16)

1.一种系统，其包括：
粒子束产生器，其产生粒子束；
平台，其经配置以固持半导体晶片；
检测器，其经配置以接收从所述半导体晶片反射的所述粒子束；及
处理器，其与检测器电子通信，其中所述处理器经配置以：
接收所述半导体晶片的绝对Z高度值；及
发送使用所述粒子束在基于所述绝对Z高度值的Z高度内复查所述半导体晶片的指令。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述半导体晶片具有斜角边缘。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理器接收方位角值及极角值与所述绝对Z高度值。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述粒子束是光子束。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述粒子束是电子束。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理器进一步经配置以将焦点调整为在所述Z高度内。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理器进一步经配置以确定所述Z高度与同所述系统分开的半导体检验工具的Z高度值的相关性。
8.根据权利要求7所述的系统，其中在方位角值及极角值处确定所述相关性。
9.一种方法，其包括：
在半导体复查工具处接收半导体晶片的绝对Z高度值；
使用所述半导体复查工具复查所述半导体晶片，其中所述复查在所述绝对Z高度值处开始，包含在所述半导体晶片上扫掠Z高度。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述半导体晶片具有斜角边缘。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述半导体复查工具接收方位角值及极角值与所述绝对Z高度值。
12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
使用半导体检验工具检验半导体晶片；及
使用来自所述半导体检验工具的测量确定所述绝对Z高度值。
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括确定来自所述第二半导体检验工具的Z高度值与使用所述半导体检验工具的所述Z高度之间的相关性。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述半导体复查工具接收方位角值及极角值与所述绝对Z高度值，且其中在所述方位角值及极角值处的位置处执行所述相关性。
15.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括用于在一或多个计算装置上执行以下步骤的一或多个程序：
接收半导体晶片的绝对Z高度值；及
发送使用粒子束在基于所述绝对Z高度值的Z高度内复查所述半导体晶片的指令。
16.根据权利要求15所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述步骤包含将焦点调整为在所述Z高度内。
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