KR20220010202A - 디스플레이 장치, 발광 다이오드 모듈 - Google Patents

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김동환
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 모듈의 각 영역별로 영상 출력을 제어하여 고화질의 영상을 효율적으로 출력할 수 있는 디스플레이 장치, 발광 다이오드 모듈을 제공한다.
일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 유리 기판; 상기 유리 기판 상부에 형성되고, 수동 매트릭스(Passive matrix)회로로 연결된 복수의 전극을 포함하는 신호 배선층; 및 상기 복수의 전극과 연결되고 상기 유리 기판을 향하여 발광하도록 마련된 복수의 발광 다이오드 모듈;을 포함하고, 상기 신호 배선층은, 상기 발광 다이오드 모듈을 복수의 단위 영역으로 구분하는 경계 영역을 포함할 수 있다.

Description

디스플레이 장치, 발광 다이오드 모듈 {DISPLAY APPARATUS AND LIGHT EMITTING DIODE MODULE}
발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치, 발광 다이오드 모듈에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 전기적 정보를 시각적 정보로 변환하여 표시하는 장치이다. 디스플레이 장치는 텔레비전, 모니터 뿐만 아니라, 노트북 피씨, 스마트 폰, 태블릿 피씨 등의 휴대용 기기도 포함할 수 있다.
디스플레이 장치는 액정 디스플레이(LCD, Liquid Crystal Display)와 같은 수광 디스플레이 패널과, 데이터 신호에 대응되는 광을 생성하는 자발광 디스플레이 패널을 포함할 수 있다.
특히, 자발광 디스플레이 패널을 구현하기 위해 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기적 신호를 적외선, 가시광선 등의 빛의 형태로 변환시키는 소자로서, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 각종 자동화 기기 등에 사용될 뿐만 아니라, 소형의 핸드 헬드 전자 디바이스나 대형 표시장치까지 점차 그 사용 영역이 넓어지고 있다.
본 발명은 발광 다이오드 모듈의 각 영역별로 영상 출력을 제어하여 고화질의 영상을 효율적으로 출력할 수 있는 디스플레이 장치, 발광 다이오드 모듈을 제공한다.
일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 유리 기판; 상기 유리 기판 상부에 형성되고, 수동 매트릭스(Passive matrix)회로로 연결된 복수의 전극을 포함하는 신호 배선층; 및 상기 복수의 전극과 연결되고 상기 유리 기판을 향하여 발광하도록 마련된 복수의 발광 다이오드 모듈;을 포함하고, 상기 신호 배선층은, 상기 발광 다이오드 모듈을 복수의 단위 영역으로 구분하는 경계 영역을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 상기 복수의 단위 영역 각각에 대응되는 상기 신호 배선층은 전기적으로 개방되어 마련될 수 있다.
상기 신호 배선층은, 상기 경계 영역에 브릿지(Bridge) 형태의 배선 구조가 전기적으로 개방된 형태로 마련될 수 있다.
상기 발광 다이오드 모듈은, 활성화 영역 및 상기 활성화 영역를 제외한 비활성화 영역을 포함하고,
상기 발광 다이오드는, 상기 활성화 영역에 마련될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 상기 비활성화 영역에 마련되는 테스트 패드;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 상기 복수의 단위 영역과 대응되고 상기 유리 기판 상부의 절연층 상에 마련된 포그(FOG, film on glass) 전극;을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 복수의 층 구조를 갖는 발광 다이오드 모듈;
상기 발광 다이오드 모듈을 제어하는 적어도 하나의 프로세서;
상기 적어도 하나의 프로세서와 연결되어 상기 발광 다이오드에 신호를 전달하는 복수의 드라이버 IC;를 포함하고,
상기 발광 다이오드 모듈은,
유리 기판;
상기 유리 기판 상부에 형성되고, 수동 매트릭스(Passive matrix) 회로로 연결된 복수의 전극을 포함하는 신호 배선층; 및 상기 복수의 전극과 연결되고 상기 유리 기판을 향하여 발광하도록 마련된 복수의 발광 다이오드 모듈;을 포함하고,
상기 신호 배선층은, 상기 발광 다이오드 모듈을 복수의 단위 영역으로 구분하는 경계 영역을 포함할 수 있다.
상기 복수의 드라이버 IC 각각은,
상기 발광 다이오드 모듈의 복수의 단위 영역에 구동 신호를 전달할 수 있다.
상기 복수의 단위 영역 각각에 대응되는 상기 신호 배선층은 전기적으로 개방되어 마련될 수 있다.
상기 신호 배선층은, 상기 경계 영역에 브릿지(Bridge) 형태의 배선 구조가 전기적으로 개방된 형태로 마련될 수 있다.
상기 발광 다이오드 모듈은, 활성화 영역 및 상기 활성화 영역를 제외한 비활성화 영역을 포함하고,
상기 발광 다이오드는, 상기 활성화 마련될 수 있다.
일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 상기 비활성화 영역에 마련되는 테스트 패드;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 다른 디스플레이 장치는 상기 복수의 단위 영역과 대응되고 상기 기판 상부의 절연층 상에 마련된 포그(FOG, film on glass) 전극;을 더 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 모듈은,
상기 복수의 단위 영역과 대응되고 상기 기판층에 마련된 절연층 상에 마련된 포그(FOG, film on glass) 전극;을 더 포함하고,
상기 드라이버 IC는,
상기 적어도 하나의 프로세서와 상기 포그 전극을 연결할 수 있다.
상기 적어도 하나의 프로세서는,
상기 드라이버 IC와 연결되어 상기 복수의 단위 영역에 대응되는 상기 발광 다이오드 모듈을 제어할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 고화소를 출력하는 발광 다이오드 모듈에 있어서,
한 쌍의 평면과 상기 한 쌍이 평면을 둘러싸는 4개 측면을 갖는 사각형 형태의 유리 기판; 상기 유리 기판 상에 마련되고 PM(Passive Matrix)방식으로 구동되는 신호 배선층; 및 상기 신호 배선층 상에 마련되고, 상기 유리 기반을 향하여 발광하도록 마련된 복수의 발광 다이오드;을 포함하고,
상기 신호 배선층은, 전기적으로 개방된 경계 영역을 통하여 전기적으로 독립된 복수의 단위 영역으로 마련될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 발광 다이오드 모듈의 각 영역별로 영상 출력을 제어하여 고화질의 영상을 효율적으로 출력할 수 있다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 외관을 도시한 도면이다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3는 도 2의 발광 다이오드 모듈의 회로도를 예시한 도면이다.
도4는 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 평면도이다.
도5 내지 도7은 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도8는 일 실시예에 따른 복수의 단위 영역의 제어를 설명하기 위한 도면이다.
도9은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도10은 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.본 명세서가 실시예들의 모든 요소들을 설명하는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 일반적인 내용 또는 실시예들 간에 중복되는 내용은 생략한다. 명세서에서 사용되는 '부, 모듈, 부재, 블록'이라는 용어는 소프트웨어 또는 하드웨어로 구현될 수 있으며, 실시예들에 따라 복수의 '부, 모듈, 부재, 블록'이 하나의 구성요소로 구현되거나, 하나의 '부, 모듈, 부재, 블록'이 복수의 구성요소들을 포함하는 것도 가능하다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 간접적으로 연결되어 있는 경우를 포함하고, 간접적인 연결은 무선 통신망을 통해 연결되는 것을 포함한다.
또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
제1, 제 2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 전술된 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 예외가 있지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
각 단계들에 있어 식별부호는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 실시될 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참고하여 본 발명의 작용 원리 및 실시예들에 대해 설명한다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 외관을 도시한 도면이다.
도1에는 서로 수직한 X축, Y축, Z축 방향이 표시되어 있으며, X축 방향은 좌우 방향을 의미하고, Y축 방향은 상하 방향을 의미하며, Z축 방향은 전후 방향을 의미한다.
디스플레이 장치(1)는 정보, 자료, 데이터 등을 문자, 도형, 그래프, 영상 등으로 표시하여 주는 장치로서, 광고판, 전광판, 스크린, 텔레비전, 모니터 등이 디스플레이 장치(1)로 구현될 수 있다. 디스플레이 장치는 벽 또는 천장에 설치되거나, 스탠드(미도시)에 의해 실내 또는 실외 그라운드 위에 설치될 수 있다.
디스플레이 장치(1)는 화면을 표시하는 발광 다이오드 모듈(110)과, 발광 다이오드 모듈(110)을 지지하도록 발광 다이오드 모듈(110)의 후방에 결합되는 프레임(20)을 포함할 수 있다.
한편 발광 다이오드 모듈은 복수개의 단위 영역(111a 내지 111d, 112a 내지 112d)을 포함할 수 있다.
단위 영역(111a 내지 111d, 112a 내지 112d)은 발광 다이오드 모듈의 일부를 전기적으로 개방하여 형성한 블록을 의미할 수 있다. 단위 영역에 대한 상세한 설명은 아래에서 후술한다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2을 참조하면, 발광 다이오드 모듈(110)의 일면에는 열 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인(D1-Dm)과, 행 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인(S1-Sn)과, 데이터 라인(D1-Dm)과 스캔 라인(S1-Sn)의 교차 지점에 인접하게 마련되는 복수의 서브 화소 영역(SP)이 마련될 수 있다. 각각의 서브 화소 영역(SP)에는 서브 화소 회로가 마련될 수 있다. 복수의 서브 화소 영역(SP) 중에 서로 인접하는 적어도 세 개의 복수의 서브 화소 영역(SP)은 화소 영역(P)을 구성할 수 있다.
데이터 라인(D1-Dm)은 영상 신호를 나타내는 데이터 신호를 서브 화소 영역(SP) 내의 서브 화소 회로로 전달하며, 스캔 라인(S1-Sn)은 스캔 신호를 서브 화소 영역(SP) 내의 서브 화소 회로로 전달할 수 있다.
각각의 스캔 라인(S1-Sn)에는 주사 구동부(130)에 의해 스캔 신호가 순차적으로 인가되고, 각각의 데이터 라인(D1-Dm)에는 데이터 구동부(140)에 의해 영상 신호에 대응되는 데이터 전압(VDATA)이 인가될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 주사 구동부(130)와 데이터 구동부(140)는 발광 다이오드 모듈의 기판(111)의 상부에 장착될 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드 모듈(110)의 베젤(화소 영역을 감싸는 측 방향의 폭)이 최소화되거나, 아예 생략되어 발광 다이오드 모듈(110)의 전면 전체가 화소 영역이 될 수 있다.
한편 도2에서 제시하는 데이터 구동부(140) 및 주사 구동부(130)는 후술하는 드라이버 IC로 마련될 수 있다.
도2에서 제시하는 데이터 구동부(140) 및 주사 구동부(130)는 개념적인 구성을 나타낸 것이며 해당 위치에 반드시 데이터 구동부(140) 및 주사 구동부(130)가 마련되는 것은 아니다.
도 3는 도 2의 발광 다이오드 모듈의 회로도를 예시한 도면이다.
도 3는 도 2의 서브 화소 영역(SP) 내의 서브 화소 회로를 나타내는 등가 회로도이다. 구체적으로, 도 3는 첫 번째 스캔 라인(S1) 및 첫 번째 데이터 라인(D1)에 의해 구동되는 서브 화소 회로를 예시한다.
도 3을 참조하면, 서브 화소 회로는 발광 다이오드(LED), 2개의 트랜지스터(M1, M2) 를 포함할 수 있다.
복수의 트랜지스터(M1, M2)는 PMOS형 트랜지스터로 구현될 수 있다. 다만, 이러한 회로 구성은 서브 화소 회로의 일 실시 예에 불과하며, 도 3의 회로 구성에 한정되는 것은 아니다.
스위칭 트랜지스터(M2)는 게이트 전극이 스캔 라인(Sn)에 연결되고, 소스 전극이 데이터 라인(Dm)에 연결되고, 드레인 전극은 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 연결되며, 전원 전압(VDD)에 연결될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(M1)의 소스 전극이 전원 전압(VDD)에 연결되고, 드레인 전극은 발광 다이오드(LED)의 애노드(Anode, 310)에 연결되고, 발광 다이오드(LED)의 캐소드(Cathode, 320)는 기준 전압(VSS)에 연결되어, 구동 트랜지스터(M1)로부터 인가되는 전류에 기초하여 발광할 수 있다.
발광 다이오드(LED)의 캐소드(320)에 연결되는 기준 전압(VSS)은 전원 전압(VDD)보다 낮은 레벨의 전압으로서, 그라운드 전압 등이 사용될 수 있다.
구동 트랜지스터(M1)가 게이트-소스 전압(VGS)에 대응하는 전류(ILED)를 발광 다이오드(LED)의 애노드(310)에 인가함으로써 발광 다이오드(LED)를 발광시킬 수 있다.
이 때, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 높은 데이터 전압(VDATA)이 전달되면, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)이 낮아져 적은 량의 전류(ILED)가 발광 다이오드(LED)의 애노드(310)로 인가되어, 발광 다이오드(LED)가 적게 발광함으로써 낮은 계조를 표시할 수 있다. 반면, 낮은 데이터 전압(VDATA)이 전달되면 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)이 높아져, 다량의 전류(ILED)가 발광 다이오드(LED)의 애노드(310)로 인가되고, 발광 다이오드(LED)는 많이 발광함으로써 높은 계조를 표시할 수 있다. 이처럼, 서브 화소 회로 각각에 인가되는 데이터 전압(VDATA)의 레벨은 표시될 영상에 기초하여 결정될 수 있다.
한편 본 명세서에서 발광 다이오드 모듈은 수동형 매트릭스(Passive matrix)방식으로 구동될 수 있다.
도4는 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 평면도이다.
도4를 참고하면 발광 다이오드 모듈은 복수개의 단위 영역을 포함할 수 있다.
복수개의 단위 영역은 후술하는 바와 같이 각각 전기적으로 개방(open)되어 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면 대면적, 고해상도 마이크로 LED를 위한 구성으로 마련될 수 있다..
또한 일 실시예에 따르면 해당 단위 영역은 각각의 PM구동이 적용될 수 있다.
또한 일 실시예에 따르면 각 단위 영역은 미리 결정된 해상도를 출력하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면 각 단위 영역의 해상도는 240ⅹ135픽셀의 해상도로 마련될 수 있다.
또한 도4에서는 대면적 발광 다이오드 모듈 기판에 복수개의 단위 영역이 포함되어 있는 것을 제시하고 있는데 각 발광 다이오드 모듈에 포함되는 단위 영역의 개수도 실시에 따라 결정될 수 있다.
도4에서 제시한 발광 다이오드 모듈과 단위 영역의 관계는 본 발명의 일 실시예에 불과하며 각 모듈의 해상도, 크기 및 포함된 개수의 제한은 없다.
도5 내지 도7은 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(111)이 마련되고, 기판(111) 위에 광 흡수층(BM)을 마련될 수 있다.
기판(111)은 다양한 재질로 마련될 수 있다. 예를 들어, 기판(111)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다.
즉 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 COG (Chip On Glass)타입으로 형성될 수 있다. 또한 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 COF (Chip On Film)타입으로 형성될 수도 있다.
그러나, 기판(111)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 마련되어 가요성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 발광 다이오드 모듈(110)은 배면 발광형(Bottom Emission)으로서, 기판(111)은 투명한 재질로 마련될 수 있다.
기판(111)은 발광 다이오드(380)가 배치되어 빛이 발산되는 발광 영역과, 박막 트랜지스터(200) 등 회로 소자가 배치되며 빛이 발산되지 않는 비발광 영역를 포함할 수 있다. 기판(111)의 비발광 영역상에는 외광을 흡수하여 시인성을 향상하기 위한 광 흡수층이 마련될 수 있다.
한편 상술한 발광 다이오드는 무기 발광 다이오드로 마련될 수 있다.
구체적으로 발광 다이오드(380)는 10-100㎛ 크기의LED로서, Al, Ga, N, P, As In 등의 무기물재료를 사파이어기판 또는 실리콘기판 위에 복수개 박막성장 시킨 후, 상기 사파이어기판 또는 실리콘기판을 절단 분리함으로써 마련될 수 있다.
광 흡수층은 빛의 흡수가 잘되는 검은색 무기물, 검은색 유기물 또는 검은색 금속 등을 포함할 수 있다.
예를 들면, 광흡수 물질은 카본 블랙(carbon black), 폴리엔(polyene)계 안료, 아조(azo)계 안료, 아조메틴(azomethine)계 안료, 디이모늄(diimmonium)계 안료, 프탈로시아닌(phthalocyanine)계 안료, 퀴논(quinone)계 안료, 인디고(indigo)계 안료, 티오인디고(thioindigo)계 안료, 디옥사딘(dioxadin)계 안료, 퀴나크리돈(quinacridone)계 안료, 이소인도리논(isoindolinone)계 안료, 금속 산화물, 금속 착물, 그 밖에 방향족 탄화수소(aromatic hydrocarbos) 등의 재질로 마련될 수 있다.
도5에 도시된 바와 같이, 기판(111) 상에는 버퍼층(113)이 마련될 수 있다. 버퍼층(113)은 기판(111)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(111)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(113)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 마련될 수 있다.
도5를 참고하면, 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 신호 배선층을 포함할 수 있다.
신호 배선층(SL)은 TFT(Thin-film transistor) 기판으로서, 상면의 화소영역(P)에는 상기 발광 다이오드 소자(380)를 구동하기 위한 박막트랜지스터와 각종 배선들이 마련될 수 있다.
박막트랜지스터가 온(on)되면, 상기 배선을 통해 외부로부터 입력된 구동신호가 발광 다이오드 소자(380)에 인가되어 상기 발광 다이오드 소자(380)가 발광하게 되어 화상을 구현할 수 있다.
한편 게이트 전극, 데이터 전극과 발광 다이오드가 연결되는 신호 배선층(SL)은 제1절연층(117) 및 제2절연층(118)상에 마련될 수 있다.
한편 본 발명의 테스트 패드(TP)는 테스트 배선을 통하여 상술한 신호 배선층에 연결될 수 있다.
한편 테스트 배선은 배선 자체 외에 배선 보호막 등을 포함하는 구조로 마련될 수 있다.
한편 이러한 신호 배선층은 수동 매트릭스(Passive matrix) 회로로 연결된 복수의 전극을 포함할 수 있다.
즉 신호 배선층은 PM(Passive matrix)으로 구동되며, 해당 회로에 연결된 복수의 전극을 포함할 수 있다.
한편 상술한 바와 같이 마련된 테스트 패드(TP)를 기초로 사용자는 발광 다이오드의 오류를 검출할 수 있다.
또한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈(110)의 신호 배선층은 미리 결정된 지점에 대응되는 경계 영역(280)를 포함할 수 있다.
경계 영역(280)는 후술하는 바와 같이 각 단위 영역을 형성하기 위한 표시를 의미할 수 있다. 즉 각 단위 영역은 전기적인 개방을 통하여 형성되는데 발광 다이오드 모듈의 제작에 있어 전기적으로 개방할 지점을 경계 영역을 통하여 표시할 수 있다.
일 실시예 따르면 경계 영역(280)는 신호 배선층에 포함된 브릿지 형태의 배선 구조(280)로 마련될 수 있다.
도6를 참고하면, 버퍼층(113) 상에 박막 트랜지스터(200) 및 발광 다이오드(380)가 구비될 수 있다.
트랜지스터(200)는 반도체 활성층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 반도체 활성층은 반도체 물질을 포함할 수 있고, 소스 영역, 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 가질 수 있다. 게이트 전극은 채널 영역에 대응하게 활성층 상에 마련될 수 있다. 소스 전극 및 드레인 전극은 활성층의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
활성층과 게이트 전극 사이에는 게이트 절연층이 배치될 수 있다. 게이트 절연층은 무기 절연 물질로 마련될 수 있다.
게이트 전극과 소스 전극의 사이, 게이트 전극과 드레인 전극의 사이에는 층간 절연층(115)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(115)은 유기 절연 물질, 또는 무기 절연 물질로 마련될 수 있으며, 유기 절연 물질과 무기 절연 물질을 교번하여 마련할 수도 있다. 소스 전극과 드레인 전극 상에는 평탄화막으로서 제1 절연층(117)이 배치된다. 제1 절연층(117)은 유기 절연 물질, 또는 무기 절연 물질로 마련될 수 있으며, 유기 절연 물질과 무기 절연 물질을 교번하여 마련할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 박막 트랜지스터(200)는 게이트 전극(220)이 반도체 활성층의 상부에 배치된 탑 게이트 타입(Top Gate Type)으로 구현되는 경우를 예시하였지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 게이트 전극은 반도체 활성층의 하부에 배치될 수도 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1절연층(117)에 발광 다이오드(380)가 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드(380)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛ 의 크기를 가리킬 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 발광 다이오드에도 적용될 수 있다.
마이크로 LED는 개별적으로 또는 복수 개가 이송 기구에 의해 웨이퍼 상에서 픽업(pick up)되어 기판(111)에 전사(transfer)될 수 있다. 이러한 마이크로 LED는 무기물로 구성되므로, 유기 물질을 이용한 유기 발광 다이오드(OLED)에 비해 반응 속도가 빠르며, 낮은 전력, 높은 휘도를 지원할 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드는 수분과 산소 노출에 취약하여 봉지 공정이 필요하고 내구성이 좋지 않으나, 마이크로 LED는 봉지 공정 자체가 불필요하며 내구성이 뛰어나다.
발광 다이오드(380)는 자외광으로부터 가시광까지의 파장 단위 영역에 속하는 소정 파장의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(380)는 적색, 녹색, 청색, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다. 즉, 인접하는 서브 화소 영역(SP)에 각각 적색 LED, 녹색 LED , 청색 LED가 배치되고, 이 인접하는 세 개의 서브 화소 영역(SP)이 하나의 화소 영역(P)을 마련할 수 있다. 하나의 화소 영역(P)에서 발생되는 적색 광, 녹색 광, 청색 광을 혼합함으로써 하나의 색이 결정될 수 있다.
발광 다이오드(380)는 p-n 다이오드, 애노드(310) 및 캐소드(320)를 포함할 수 있다. 애노드(310) 및/또는 캐소드(320)는 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 마련될 수 있다. 애노드(310)는 신호 전극(510)과 전기적으로 연결되고, 캐소드(320)는 공통 접지 전극(530)과 전기적으로 연결될 수 있다. p-n 다이오드는 애노드(310) 측의 p-도핑부, 하나 이상의 양자 우물부 및 캐소드(320) 측의 n-도핑부를 포함할 수 있다. 이와는 달리, 캐소드(320) 측의 도핑부가 p-도핑부이고, 애노드(310) 측의 도핑부가 n-도핑부일 수도 있다.
이러한 애노드(310) 및 캐소드(320)는 발광 다이오드(380)의 상면에 위치할 수 있다. 반대로 발광 다이오드(380)의 발광면은 발광 다이오드(380)의 저면에 위치할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(380)의 발광면(380)이 제1절연층(117) 상에 접촉되고, 발광 다이오드(380)는 기판(111)을 향해 빛을 발산할 수 있다.
제1절연층(117)에는 게이트 전극, 데이터 전극이 마련될 수 있다. 한편 게이트 전극, 데이터 전극과 발광 다이오드가 연결되는 배선 구조는 제1절연층(117) 및 제2절연층(118)상에 마련될 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따르면 발광 다이오드(380)는 배면 발광형(Bottom Emission)일 수 있다. 발광 다이오드(380)가 배면 발광형이므로, 박막 트랜지스터(200) 등의 화소 회로 소자와 발광 다이오드(380)는 서로 상하 방향으로 중첩되지 않도록 배치된다. 이러한 발광 다이오드(380)는 점착제 코팅에 의해 제1절연층(117) 상에 고정될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(380)를 둘러싸도록 제1절연층(117) 상에는 제2절연층(118)이 마련될 수 있다. 제2절연층(118)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2절연층(118)은 아크릴, 폴리 메틸 메타크릴레이트(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 마련될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상부 전극(240s)은 발광 다이오드 모듈(110)을 구동하기 위한 각종 드라이버 IC(900)을 화소 회로에 연결시킬 수 있다.
예를 들면, 상부 전극(240s)은 전원 전압 전극(240), 데이터 신호 전극, 게이트 전극, 기준 전압(VSS)과 연결되어 마련될 수 있다.
상부 전극(240s)은 발광 다이오드(380)에 데이터 신호를 인가하도록 박막 트랜지스터(200)의 드레인 전극와 발광 다이오드(380)의 애노드를 연결하는 신호 전극과, 발광 다이오드(380)에 접지를 제공하도록 발광 다이오드(380)의 캐소드와 기준 전압(VSS)을 연결하는 공통 접지 전극을 포함할 수 있다.
발광 다이오드(380)가 배면 발광형이기 때문에, 전술한 제1절연층(117), 층간 절연층(115), 게이트 절연층(114), 버퍼층(113) 등은 모두 투명한 재질로 마련될 수 있다.
한편 도6에서는 발광 다이오드를 전사 하고 제2절연층을 마련한 것을 나타내고 있으나, 도6는 제2절연층을 마련하고 발광 다이오드를 전사한 형태를 나타내고 있다. 제2절연체와 발광 다이오드를 기판에 마련하는데 있어 그 순서는 달라질 수 있으며 순서에 따라서 배선 형태도 달라질 수 있다.
또한 발광 다이오드(380)는 신호 배선층과 연결되도록 마련될 수 있다.
또한 상술한 경계 영역(280-1)에 대응되는 신호 배선층은 전기적으로 개방될 수 있다.
한편 전기적으로 개방하는데 있어서Photo/Etch 및 레이저(Laser)가 사용될 수 있다.
Photo/Etch 방법의 경우, 전기적 개방에 있어서 제2절연층(118) 제거 후, 경계 영역(280-1) 제거가 진행될 수 있다.
다만 개방에 레이저(Laser)가 사용되는 경우 경계 영역(280-1) 제거만으로 전기적 개방을 실시할 수 있다. 전기적으로 개방된 경계 영역(280-1)는 단위 영역(111, 112)의 경계로 형성될 수 있다.
즉 경계 영역(280-1)를 기준으로 단위 영역(111, 112)이 구분 될 수 있다. 각 단위 영역은 전기적으로 독립적으로 동작할 수 있다.
한편 다른 실시예에 따르면 제1절연층(117)을 제거하고 제1절연층에 포함된 전극을 제거하는 동작을 통해서도 단위 영역을 생성할 수 있다.
한편 사용자는 발광 다이오드의 실장 후 테스트 패드(TP)로부터 획득한 테스트 전류에 대응되는 발광 다이오드의 발광을 기초로 발광 다이오드 모듈의 오류 발생 여부를 판단할 수 있다.
구체적으로 발광 다이오드 모듈에 전류가 인가되면 각 발광 다이오드(380)가 동작할 수 있다. 한편 발광 다이오드 모듈에서 불량이 발생한 경우에는 발광 다이오드(380)가 빛을 발산하지 않을 수 있다.
사용자는 발광 다이오드 모듈에 오류가 발생한 것으로 판단할 수 있다.
이 경우 발광 다이오드 전사 및 신호 배선층 마련한 후, 검사기를 통해 점등 평가가 진행될 수 있다.
이 후 발광 다이오드의 불량 화소에 대한 수리가 진행될 수 있다.
도7를 참고하면 상부 절연층(119)에는 상술한 상부 전극이 마련될 수 있으며, 상부 전극과 연결된 팬 아웃 배선(Vss-F)을 더 포함할 수 있다.
발광 다이오드 모듈에서 발광 다이오드가 실장되어 다이오드가 발광되는 부분은 활성화 영역(Active Area, AA)으로 정의될 수 있다.
활성화 영역(AA)은 다이오드 소자 이외에도 다이오드 소자의 구동에 필요한 배선층을 포함하는 영역을 의미할 수 있다.
한편 발광 다이오드 모듈은 활성화 영역(AA) 이외의 영역인 비활성화 영역(NAA)을 포함할 수 있다.
비활성화 영역(NAA)은 발광 다이오드에 마련된 활성화 영역을 제외한 영역을 의미할 수 있다.
한편 일 실시예에 따른 테스트 패드(TP)는 발광 다이오드 모듈의 비활성화 영역(NAA)에 마련될 수 있다.
또한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은 비활성화 영역을 절단하는 공정을 포함할 수 있다.
한편 상부 절연층(119)은 다이오드와 연결된 배선 구조와 팬 배선(Vss-F)을 다른 층 구조로 마련함과 동시에 발광 다이오드를 보호할 수 있도록 마련될 수 있다.
또한 상부 절연층(119)에는 팬 아웃 배선 마련을 위한, 각각의 상부 전극과 대응되는 비아 홀을 마련할 수 있다.
상부 절연층(119)상에는 제3절연층(120)이 마련되어 팬 아웃 배선과 캐핑 도체(capping metal, 400)을 통하여 포그 전극(800)과 연결될 수 있다. 한편 일 실시예에 따르면 캐핑 도체는 ITO(Indium Tin Oxide)로 마련될 수 있다.
한편 포그 전극(800)은 후술하는 바와 같이 각 단위 영역(111, 112)마다 형성되며, 형성된 포그 전극은 드라이버 IC에 연결될 수 있다.
캐핑 도체(400)는 ACF 본딩(600)을 통하여 포그 전극(800)에 연결될 수 있다.
ACF(Anisotropic Conductive Film)는 이방성 전도 필름을 의미할 수 있다.
발광 다이오드 모듈(110)을 구동하기 위한 각종 드라이버 IC칩, 예를 들면, 파워 라인, 데이터 IC, 게이트 IC, 터치 감지IC, 무선 제어기, 통신 IC 등은 포그 전극(800)과 연결될 수 있다.
포그 전극(800)은 ACF 본딩(600)에 의해 팬 아웃 배선(Vss-F)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기와 같은 구조에 따라, 드라이버 IC(900)은 기판(111)의 발광면의 뒷면 측에 배치될 수 있다.
한편 도5내지 도7에서 설명한 층에는 적어도 하나의 광 흡수층(black matrix, BM)가 마련되어 픽셀간 분리를 통한 화면 출력의 균일도과 색 분리를 향상 시킬 수 있다.
또한 사용자는 상술한 방법으로 발광 다이오드 모듈을 생산할 수 있고 발광 다이오드 모듈의 생산이 완성되면, 상술한 테스트 패드(TP)가 포함된 기판(S7)을 절단할 수 있다(C7).
구체적으로 기판(S8)을 절단하는데 있어서 휠 절단(Wheel cutting) 또는 레이저 절단(Laser cutting) 등으로 제품에 불필요한 부분을 절단할 수 있다. 한편 절단되는 부분은 테스트 패드(TP)와 더미 패드들을 더 포함할 수 있으며 이와 같이 기판의 일부를 절단하므로서 베젤리스(bezel-less)형태의 디스플레이를 구현할 수 있다.
한편 도5 내지 도8에서 설명한 실시예는 본 발명의 일 실시예에 불과하며, 발광 다이오드 모듈이 구현되는 형태는 플립 형태(Flip chip)와 수직 형태(Vertical chip)로 구현될 수 있고 발광 다이오드가 마련될 수 있는 형태의 제한은 없다.
도8는 일 실시예에 따른 단위 영역의 제어를 설명하기 위한 도면이다.
도8를 참고하면 발광 다이오드 모듈의 각 단위 영역(111a, 111b, 112a, 112b)은 드라이버 IC(900)에 연결될 수 있다.
한편 본 발명의 발광 다이오드 모듈은 PM(Passive Matrix)방식으로 구동되어, 고화소를 출력할 수 있다.
일 실시예에 따르면 발광 다이오드 모듈은 FHD(1,920 x 1,080)이상의 화소 즉, FHD, QHD(2560 x 1440) 및UHD(3840x2160)의 영상을 출력하도록 마련될 수 있다.
즉 발광 다이오드 모듈(110)은 상술한 동작을 기초로 구동 부분을 몇 개의 단위 영역으로 나눈 후, 각각의 블록에 대해 PM 구동 적용할 수 있다.
한편 전기적 개방으로 나뉜 복수의 단위 영역(111a, 111b, 112a, 112b)은 드라이버 IC(900)에 연결될 수 있다.
하나의 드라이버 IC(900)에 복수의 단위 영역(111a, 111b, 112a, 112b)이 연결될 수 있다. 즉 하나의 드라이버 IC로 복수의 단위 영역을 구동할 수 있다.
이러한 구성을 통하여 구동에 필요한 드라이버 IC의 개수를 저감할 수 있다. 또한 드라이버 IC에서 각 단위 영역으로 뻗어나가는 팬아웃(Fan-out) 배선을 형성하여 신호 전달이 가능하다.
도8에서는 하나의 드라이버IC(900)로 4개의 단위 영역(111a, 111b, 112a, 112b)의 제어가 구현되는 구성을 나타내고 있다. 즉 하나의 드라이버 IC로 4개의 단위 영역에 신호를 전달할 수 있다.한편 후술하는 바와 같이 드라이버 IC는 디스플레이 장치에 마련된 적어도 하나의 프로세서와 연결되어 각 단위 영역을 제어할 수 있다.
도9은 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도9를 참고하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)는 적어도 하나의 프로세서(700)와 드라이버 IC(900-1, 900-2, 900-3) 및 발광 다이오드 모듈(110)을 포함할 수 있다.발광 다이오드 모듈(110)은 상술한 바와 같이 복수의 단위 영역(111, 112, 113)로 구성될 수 있다.
구체적으로 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)는 발광 다이오드 모듈(110)을 복수의 단위 영역(111, 112, 113)으로 나눌 수 있다.
한편 각 단위 영역(111, 112, 113)은 전기적으로 개방하는 공정에 의하여 분할될 수 있다.
즉 발광 다이오드 모듈(110)은 미리 결정된 지점을 경계로 마련되는 복수의 단위 영역(111, 112, 113)을 포함할 수 있다.
힌편 발광 다이오드 모듈(110)은, 포그(FOG, film on glass) 전극을 더 포함하고, 포그 전극을 통하여 드라이버 IC(900-1, 900-2, 900-3)에 연결될 수 있다.
한편 드라이버 IC(900-1, 900-2, 900-3)는 발광 다이오드 모듈(110)에 마련된 단위 영역(111, 112, 113)과 일대일 대응으로 연결될 수 있고, 하나의 드라이버 IC는 복수의 단위 영역과 연결될 수 있다.
적어도 하나의 프로세서(700)는, 드라이버 IC(900-1, 900-2, 900-3)와 연결되어 복수의 단위 영역(111, 112,113)을 제어할 수 있다.
적어도 하나의 프로세서(700)는 타이밍 제어기(Timimg cotroller, T-con)로 마련될 수 있다.
또한 이러한 적어도 하나의 프로세서(700)는 발광 다이오드 모듈을 PM(Passive Matrix)방식으로 제어할 수 있다.
즉 각 단위 영역과 연결된 드라이버 IC는 적어도 하나의 프로세서(700)와 연결될 수 있다.
또한 적어도 하나의 프로세서(700)는 각 드라이버IC를 통하여 각 단위 영역에 신호를 전달할 수 있다.
특히 발광 다이오드 모듈(110)이 대형 기판으로 마련되는 경우 하나의 대형 기판에 배선층, 및 발광 다이오드를 형성할 수 있다.
또한 이렇게 형성된 발광 다이오드 모듈을 전기적으로 개방하여 각각의 단위 영역(111, 112, 113)을 형성할 수 있다.
이러한 구성을 기초로 적어도 하나의 프로세서(700)는 PM구동 방식으로 각 단위 영역의 싱크를 제어하여 고해상도의 화면을 출력할 수 있다.
도10은 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도10을 참고하면 사용자는 경계 영역을 포함하는 신호 배선층을 적층할 수 있다(1001). 상술한 바와 같이 경계 영역은 브릿지 형태의 배선구조로 마련될 수 있다.
이후 그 위층에 발광 다이오드가 실장될 수 있다(1002).
발광 다이오드가 실장되면 해당 경계 영역 부분 즉 미리 결정된 지점을 전기적으로 개방하여 단위 영역을 형성 할 수 있다(1003). 상술한 바와 같이 전기적으로 개방하는데 있어서 Photo/Etch 및 레이저(Laser) 방법이 사용될 수 있다.
또한 발광 다이오드 모듈에 마련된 테스트 패드를 통하여 각 단위 영역 및 각 발광 다이오드 모듈의 신호배선의 오류 발생 테스트를 진행할 수 있다(1004).
또한 테스트가 완료되면 테스트 패드가 포함된 더미 부분을 제거할 수 있다(1005).
한편, 개시된 실시예들은 컴퓨터에 의해 실행 가능한 명령어를 저장하는 기록매체의 형태로 구현될 수 있다. 명령어는 프로그램 코드의 형태로 저장될 수 있으며, 프로세서에 의해 실행되었을 때, 프로그램 모듈을 생성하여 개시된 실시예들의 동작을 수행할 수 있다. 기록매체는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체로 구현될 수 있다.
컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체로는 컴퓨터에 의하여 해독될 수 있는 명령어가 저장된 모든 종류의 기록 매체를 포함한다. 예를 들어, ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 자기 테이프, 자기 디스크, 플래쉬 메모리, 광 데이터 저장장치 등이 있을 수 있다.
이상에서와 같이 첨부된 도면을 참조하여 개시된 실시예들을 설명하였다.본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고도, 개시된 실시예들과 다른 형태로 본 발명이 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 개시된 실시예들은 예시적인 것이며, 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
1 : 디스플레이 장치
110 : 발광 다이오드 모듈
700 : 프로세서
900 : 드라이버 IC

Claims (16)

  1. 유리 기판;
    상기 유리 기판 상부에 형성되고, 수동 매트릭스(Passive matrix)회로로 연결된 복수의 전극을 포함하는 신호 배선층; 및
    상기 복수의 전극과 연결되고 상기 유리 기판을 향하여 발광하도록 마련된 복수의 발광 다이오드 모듈;을 포함하고,
    상기 신호 배선층은,
    상기 발광 다이오드 모듈을 복수의 단위 영역으로 구분하는 경계 영역을 포함하는 발광 다이오드 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 영역 각각에 대응되는 상기 신호 배선층은 전기적으로 개방되어 마련되는 발광 다이오드 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 신호 배선층은,
    상기 경계 영역에 브릿지(Bridge) 형태의 배선 구조가 전기적으로 개방된 형태로 마련되는 발광 다이오드 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 모듈은,
    활성화 영역 및 상기 활성화 영역를 제외한 비활성화 영역을 포함하고,
    상기 발광 다이오드는,
    상기 활성화 영역 마련되는 발광 다이오드 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비활성화 영역에 마련되는 테스트 패드;를 더 포함하는 다이오드 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단위 영역과 대응되고 상기 유리 기판 상부의 절연층 상에 마련된 포그(FOG, film on glass) 전극;을 더 포함하는 발광 다이오드 모듈.
  7. 복수의 층 구조를 갖는 발광 다이오드 모듈;
    상기 발광 다이오드 모듈을 제어하는 적어도 하나의 프로세서;
    상기 적어도 하나의 프로세서와 연결되어 상기 발광 다이오드에 신호를 전달하는 복수의 드라이버 IC;를 포함하고,
    상기 발광 다이오드 모듈은,
    유리 기판;
    상기 유리 기판 상부에 형성되고, 수동 매트릭스(Passive matrix) 회로로 연결된 복수의 전극을 포함하는 신호 배선층; 및
    상기 복수의 전극과 연결되고 상기 유리 기판을 향하여 발광하도록 마련된 복수의 발광 다이오드 모듈;을 포함하고,
    상기 신호 배선층은,
    상기 발광 다이오드 모듈을 복수의 단위 영역으로 구분하는 경계 영역을 포함하는 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 드라이버 IC 각각은,
    상기 발광 다이오드 모듈의 복수의 단위 영역에 구동 신호를 전달하는 디스플레이 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 단위 영역 각각에 대응되는 상기 신호 배선층은 전기적으로 개방되어 마련되는 디스플레이 장치
  10. 제7항에 있어서,
    상기 신호 배선층은,
    상기 경계 영역에 브릿지(Bridge) 형태의 배선 구조가 전기적으로 개방된 형태로 마련되는 디스플레이 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 모듈은,
    활성화 영역 및 상기 활성화 영역를 제외한 비활성화 영역을 포함하고,
    상기 발광 다이오드는,
    상기 활성화 마련되는 디스플레이 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 비활성화 영역에 마련되는 테스트 패드;를 더 포함하는 디스플레이 장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 단위 영역과 대응되고 상기 기판 상부의 절연층 상에 마련된 포그(FOG, film on glass) 전극;을 더 포함하는 디스플레이 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 모듈은,
    상기 복수의 단위 영역과 대응되고 상기 기판층에 마련된 절연층 상에 마련된 포그(FOG, film on glass) 전극;을 더 포함하고,
    상기 드라이버 IC는,
    상기 적어도 하나의 프로세서와 상기 포그 전극을 연결하는 디스플레이 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세서는,
    상기 드라이버 IC와 연결되어 상기 복수의 단위 영역에 대응되는 상기 발광 다이오드 모듈을 제어하는 디스플레이 장치.
  16. 고화소를 출력하는 발광 다이오드 모듈에 있어서,
    한 쌍의 평면과 상기 한 쌍이 평면을 둘러싸는 4개 측면을 갖는 사각형 형태의 유리 기판;
    상기 유리 기판 상에 마련되고 PM(Passive Matrix)방식으로 구동되는 신호 배선층; 및
    상기 신호 배선층 상에 마련되고, 상기 유리 기반을 향하여 발광하도록 마련된 복수의 발광 다이오드;을 포함하고,
    상기 신호 배선층은,
    전기적으로 개방된 경계 영역을 통하여 전기적으로 독립된 복수의 단위 영역으로 마련되는 발광 다이오드 모듈.
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