KR20210148105A - A pressure-sensitive adhesive sheet, a method for manufacturing the pressure-sensitive adhesive sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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Abstract

기재(Y)와, 에너지선 중합성 성분의 중합체 및 팽창 개시 온도(t)가 50∼110℃인 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 가지는 점착 시트이며, 점착제층(X1)이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하여 이루어지는 층인, 점착 시트에 관한 것이다. It is an adhesive sheet which has a base material (Y), and the adhesive layer (X1) containing the polymer of an energy-beam polymeric component, and thermally expansible particle whose expansion initiation temperature (t) is 50-110 degreeC, The adhesive layer (X1), It is related with the adhesive sheet which is a layer formed by irradiating an energy-beam to the polymeric composition containing the said energy-beam polymeric component and the said thermally expansible particle, and forming the polymer of the said energy-beam polymeric component.

Description

점착 시트, 점착 시트의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법A pressure-sensitive adhesive sheet, a method for manufacturing the pressure-sensitive adhesive sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device

본 발명은, 점착 시트, 점착 시트의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an adhesive sheet, a method for manufacturing an adhesive sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.

점착 시트는, 부재를 반영구적으로 고정하는 용도뿐만이 아니라, 건재(建材), 내장재, 전자 부품 등을 가공하거나 검사할 때에, 가공이나 검사의 대상이 되는 부재(이하, 「피착체」라고도 함)를 가고정하기 위한 가고정용 시트로서 사용될 경우가 있다. 예를 들면, 반도체 장치의 제조 과정에서는, 반도체 웨이퍼를 가공할 때에 가고정용 시트가 이용되고 있다. The pressure-sensitive adhesive sheet is not only used for semi-permanently fixing a member, but also a member to be processed or inspected when processing or inspecting building materials, interior materials, electronic parts, etc. It may be used as a sheet for temporarily fixing for temporary fixing. For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, when processing a semiconductor wafer, the sheet|seat for temporarily fixing is used.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서, 반도체 웨이퍼는, 연삭에 의해 두께를 얇게 하는 연삭 공정, 절단 분리하여 개편화하는 개편화 공정 등을 거쳐, 반도체 칩으로 가공된다. 이때, 반도체 웨이퍼는, 가고정용 시트에 가고정된 상태에서 소정의 가공이 실시된다. 소정이 가공을 실시하여 얻어진 반도체 칩은, 가고정용 시트로부터 분리된 후, 필요에 따라, 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정, 간격을 넓힌 복수의 반도체 칩을 배열시키는 재배열 공정, 반도체 칩의 표리를 반전시키는 반전 공정 등이 적절히 실시된 후, 기판에 실장된다. 상기 각 공정에서도, 각각의 용도에 적합한 가고정용 시트를 사용할 수 있다. In the manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor wafer is processed into a semiconductor chip through the grinding process of thinning thickness by grinding, the slicing process of cutting and separating into pieces, etc. At this time, the semiconductor wafer is given a predetermined process in the state temporarily fixed to the sheet for temporarily fixing. After the semiconductor chip obtained by performing a predetermined processing is separated from the sheet for temporarily fixing, if necessary, an expand step of widening the gap between the semiconductor chips, a rearrangement step of arranging a plurality of semiconductor chips with a wider gap, a semiconductor chip After the inversion process of inverting the front and back of the , etc. are appropriately performed, it is mounted on the board|substrate. Also in each of the above steps, it is possible to use a sheet for temporarily fixing suitable for each use.

특허문헌 1에는, 기재의 적어도 편면에, 열팽창성 미소구(微小球)를 함유하는 열팽창성 점착층이 설치된, 전자 부품 절단 시의 가고정용 가열 박리형 점착 시트가 개시되어 있다. 동(同)문헌에는, 당해 가열 박리형 점착 시트는, 전자 부품 절단 시에는, 피착체에 대하여 소정의 크기의 접촉 면적을 확보할 수 있기 때문에, 칩 비산 등의 접착 결함을 방지할 수 있는 접착성을 발휘할 수 있는 한편, 사용 후에는, 가열하여 열팽창성 미소구를 팽창시키면, 피착체와의 접촉 면적을 감소시켜, 용이하게 박리할 수 있는 취지의 기재가 있다. Patent Document 1 discloses a thermally expansible adhesive layer containing thermally expansible microspheres on at least one side of a substrate, and a heat-peelable adhesive sheet for temporarily fixing at the time of cutting an electronic component is disclosed. In the same document, since the heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet can secure a contact area of a predetermined size with respect to an adherend at the time of cutting an electronic component, adhesion defects such as chip scattering can be prevented. On the other hand, there is a description to the effect that the contact area with the adherend can be reduced and peeling can be easily performed by heating to expand the thermally expansible microspheres after use.

일본 특허공보 제3594853호Japanese Patent Publication No. 3594853

그런데, 반도체 칩을 기판에 실장할 때에, 반도체 칩을 다이아 터치 필름(이하, 「DAF」라고도 함)이라고 칭해지는, 열경화성을 가지는 필름상 접착제를 개재하여 기판에 첩부하는 공정이 채용되고 있다. By the way, when mounting a semiconductor chip on a board|substrate, the process of sticking a semiconductor chip to a board|substrate via the film adhesive which has thermosetting which is called a diamond touch film (henceforth "DAF") is adopted.

DAF는, 반도체 웨이퍼 또는 개편화된 복수의 반도체 칩의 일방의 면에 첩부되고, 반도체 웨이퍼의 개편화와 동시에 또는 반도체 칩에 첩부된 후에 반도체 칩과 같은 형상으로 분할된다. 개편화되어 얻어진 DAF 부착 반도체 칩은, DAF측으로부터 기판에 첩부(다이아 터치)되고, 그 후, DAF를 열경화시킴으로써 반도체 칩과 기판이 고착된다. 이때, DAF는 기판에 첩부될 때까지는, 감압 또는 가열에 의해 접착하는 성질이 유지될 필요가 있다. The DAF is affixed to one surface of a semiconductor wafer or a plurality of divided semiconductor chips, and is divided into a shape similar to a semiconductor chip at the same time as the semiconductor wafer is divided into pieces or after being affixed to a semiconductor chip. The semiconductor chip with DAF obtained by separating into pieces is affixed (diamond touch) to a board|substrate from the DAF side, After that, a semiconductor chip and a board|substrate are fixed by thermosetting the DAF. At this time, the DAF needs to maintain the adhesion property by pressure reduction or heating until it is affixed to the substrate.

특허문헌 1에 개시되는 가열 박리형 점착 시트는, 열팽창성 미소구를 팽창시킴으로써 점착 표면에 요철을 형성시켜 피착체로부터 박리하는 것이다. 당해 점착 시트는, 요철의 형성에 의해, 점착제층과 반도체 칩과의 접촉 면적을 감소시킬 수 있기 때문에, 에너지선 조사에 의해 점착제층을 경화시켜 점착력을 저하시키는 가고정용 시트보다, 작은 힘으로 피착체로부터 박리할 수 있다는 이점을 가진다.The heat-peelable adhesive sheet disclosed by patent document 1 forms an unevenness|corrugation on the adhesive surface by expanding thermally expansible microsphere, and peels from a to-be-adhered body. Since the pressure-sensitive adhesive sheet can reduce the contact area between the pressure-sensitive adhesive layer and the semiconductor chip by the formation of irregularities, the pressure-sensitive adhesive layer is hardened by energy ray irradiation to lower the adhesive force than the sheet for temporarily fixing, which can be avoided with a small force. It has the advantage of being able to peel from a complex.

그러나, DAF 부착 반도체 칩을 가열 박리형 점착 시트의 피착체로 할 경우, 열팽창성 미소구를 팽창시킬 때의 가열에 의해, 다이아 터치 전에 DAF의 경화가 진행되어 버려, 기판에 대한 DAF의 접착력이 저하할 경우가 있다. DAF의 접착력의 저하는, 반도체 칩과 기판과의 접합 신뢰성의 저하를 초래하기 때문에, 억제되는 것이 바람직하다. However, when a semiconductor chip with a DAF is used as an adherend of a heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet, due to the heating at the time of expanding the thermally expansible microspheres, the curing of the DAF proceeds before the diamond is touched, and the adhesive force of the DAF to the substrate decreases. there is a case to do Since the fall of the adhesive force of DAF causes a fall of the bonding reliability of a semiconductor chip and a board|substrate, it is desirable to be suppressed.

한편, 다이아 터치 전에 있어서의 DAF의 경화의 진행을 억제하기 위해, 저온에서 가열 박리할 수 있도록, 가열 박리형 점착 시트의 열팽창성 미소구로서 팽창 개시 온도가 낮은 것을 이용하면, 점착 시트의 제조 과정에서, 의도하지 않게 열팽창성 미소구가 팽창되어 버리는 등의 문제가 생길 경우가 있다. 그 결과, 점착력의 저하, 첩부 시의 에어 물림(피착체와 점착 시트 사이에 공기가 들어가는 것)이 생기기 쉬워지는 등, 가고정용 시트로서의 성능이 손상될 경우가 있었다. On the other hand, in order to suppress the progress of curing of the DAF before the die touch, if the heat-expandable microspheres of the heat-peelable adhesive sheet have a low expansion start temperature, so that they can be peeled by heating at a low temperature, the manufacturing process of the adhesive sheet In this case, problems such as unintentionally expanding thermally expansible microspheres may occur. As a result, the performance as a sheet|seat for temporarily fixing may be impaired, such as becoming easy to produce the fall of adhesive force, and air biting at the time of sticking (air entering between a to-be-adhered body and an adhesive sheet).

본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로써, 가고정 시에는 충분한 점착력을 가지면서도, 저온에서 가열 박리할 수 있는 점착 시트, 당해 점착 시트의 제조 방법, 및 당해 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is made in view of the above problems, and while having sufficient adhesive force during temporary fixing, a pressure-sensitive adhesive sheet that can be peeled by heating at low temperature, a method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet, and manufacturing a semiconductor device using the pressure-sensitive adhesive sheet The purpose is to provide a method.

본 발명자들은, 기재와, 에너지선 중합성 성분의 중합체 및 팽창 개시 온도가 특정 범위의 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층을 갖고, 당해 점착제층이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하여 이루어지는 층인 점착 시트에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견했다.The present inventors have a base material, a pressure-sensitive adhesive layer containing the polymer of the energy-beam polymerizable component and thermally expansible particles having an expansion initiation temperature within a specific range, and the pressure-sensitive adhesive layer comprises the energy-beam polymerizable component and the thermally expansible particles. By irradiating an energy-beam to the polymeric composition to contain, and by the adhesive sheet which is a layer which forms the polymer of the said energy-beam polymerizable component, it discovered that the said subject could be solved.

즉, 본 발명은, 하기 [1] 내지 [15]에 관한 것이다.That is, the present invention relates to the following [1] to [15].

[1] 기재(Y)와, 에너지선 중합성 성분의 중합체 및 팽창 개시 온도(t)가 50∼110℃인 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 가지는 점착 시트이며,[1] A pressure-sensitive adhesive sheet having a base material (Y), an energy-beam polymerizable component, and a pressure-sensitive adhesive layer (X1) containing thermally expansible particles having an expansion initiation temperature (t) of 50 to 110°C,

점착제층(X1)이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하여 이루어지는 층인, 점착 시트.The pressure-sensitive adhesive layer (X1) is a layer formed by irradiating an energy ray to a polymerizable composition containing the energy ray polymerizable component and the thermally expansible particles to form a polymer of the energy ray polymerizable component.

[2] 상기 열팽창성 입자의 함유량이, 점착제층(X1)의 전질량(100질량%)에 대하여 1∼30질량%인, 상기 [1]에 기재된 점착 시트. [2] The pressure-sensitive adhesive sheet according to [1], wherein the content of the thermally expansible particles is 1 to 30 mass% with respect to the total mass (100 mass%) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1).

[3] 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께가 5∼150㎛인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 점착 시트. [3] The pressure-sensitive adhesive sheet according to [1] or [2], wherein the pressure-sensitive adhesive layer (X1) has a thickness at 23°C of 5-150 µm.

[4] 점착제층(X1)의 23℃에서의 점착력이, 0.1∼12.0N/25㎜인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트. [4] The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [3], wherein the pressure-sensitive adhesive layer (X1) has an adhesive force at 23°C of 0.1 to 12.0 N/25 mm.

[5] 상기 열팽창성 입자의 23℃에서의 평균 입자경이, 1∼30㎛인, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트. [5] The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [4], wherein the thermally expansible particles have an average particle diameter at 23°C of 1 to 30 µm.

[6] 기재(Y)와, 기재(Y)의 일방의 면측에 설치된 점착제층(X1)과, 기재(Y)의 타방의 면측에 설치된 점착제층(X2)을 가지는, 상기 [1] 내지 [5] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트. [6] The above [1] to [6] having a base material (Y), an adhesive layer (X1) provided on one face side of the base material (Y), and an adhesive layer (X2) provided on the other face side of the base material (Y) 5] The adhesive sheet as described in any one of.

[7] 점착제층(X2)이, 에너지선을 조사함으로써 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층인, 상기 [6]에 기재된 점착 시트. [7] The pressure-sensitive adhesive sheet according to [6], wherein the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is a pressure-sensitive adhesive layer that is cured by irradiating an energy ray to decrease adhesive strength.

[8] 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서,[8] A method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [7],

점착제층(X1)을 형성하는 방법이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하는 공정을 포함하는, 점착 시트의 제조 방법. The method of forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) includes a step of irradiating an energy ray to a polymerizable composition containing the energy ray polymerizable component and the thermally expansible particles to form a polymer of the energy ray polymerizable component , a method for manufacturing an adhesive sheet.

[9] 상기 점착제층(X1)을 형성하는 방법이, 하기 공정 Ⅰ 및 Ⅱ를 포함하는, 상기 [8]에 기재된 점착 시트의 제조 방법.[9] The method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet according to [8], wherein the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) includes the following steps I and II.

공정 Ⅰ: 기재(Y)의 일방의 면측에, 상기 중합성 조성물로 이루어지는 중합성 조성물층을 형성하는 공정Step I: Step of forming a polymerizable composition layer comprising the polymerizable composition on one surface side of the base material (Y)

공정 Ⅱ: 상기 중합성 조성물층에 에너지선을 조사함으로써, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하고, 당해 중합체와 상기 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 형성하는 공정Process II: The process of forming the polymer of the said energy-beam polymeric component by irradiating an energy-beam to the said polymeric composition layer, and forming the adhesive layer (X1) containing the said polymer and the said thermally expansible particle.

[10] 상기 중합성 조성물이 용제를 함유하지 않는 것인, 상기 [8] 또는 [9]에 기재된 점착 시트의 제조 방법. [10] The method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet according to [8] or [9], wherein the polymerizable composition does not contain a solvent.

[11] 상기 중합성 조성물을 가열하는 공정을 포함하지 않는, 상기 [8] 내지 [10] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트의 제조 방법. [11] The method for producing an adhesive sheet according to any one of [8] to [10], which does not include a step of heating the polymerizable composition.

[12] 상기 [1] 내지 [7] 중 어느 한쪽에 기재된 점착 시트에 가공 대상물을 첩부하고,[12] The object to be processed is affixed to the pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of [1] to [7],

상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하고,One or more treatments selected from grinding treatment and slicing treatment are performed on the object to be processed;

상기 처리를 실시한 후에, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여 점착제층(X1)을 팽창시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법. After performing the said process, the manufacturing method of a semiconductor device including the process of heating the said adhesive sheet to the said expansion start temperature (t) or more and 120 degrees C or less to expand the adhesive layer (X1).

[13] 하기 공정 1A∼5A를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.[13] A method for manufacturing a semiconductor device comprising the following steps 1A to 5A.

공정 1A: 상기 [6]에 기재된 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정Step 1A: Step of affixing the object to be processed to the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet according to the above [6], and attaching the support to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet

공정 2A: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정Step 2A: A step of performing one or more treatments selected from grinding treatment and shredding treatment on the object to be processed

공정 3A: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정Step 3A: Step of affixing a thermosetting film having thermosetting properties on the surface of the object to be processed on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X2)

공정 4A: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정Step 4A: A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the support by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to a temperature above the expansion start temperature (t) and below 120°C

공정 5A: 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정Step 5A: Step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X2) and the object to be processed

[14] 점착제층(X2)이, 에너지선을 조사함으로써 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층이며,[14] The pressure-sensitive adhesive layer (X2) is a pressure-sensitive adhesive layer that is cured by irradiating an energy ray to decrease the adhesive strength,

상기 공정 5A가, 점착제층(X2)에 에너지선을 조사함으로써 점착제층(X2)을 경화시켜, 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정인, 상기 [13]에 기재된 반도체 장치의 제조 방법. The manufacturing of the semiconductor device according to [13], wherein the step 5A is a step of curing the pressure-sensitive adhesive layer (X2) by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer (X2) with an energy ray to separate the pressure-sensitive adhesive layer (X2) from the object to be processed. Way.

[15] 하기 공정 1B∼4B를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법. [15] A method for manufacturing a semiconductor device comprising the following steps 1B to 4B.

공정 1B: 상기 [6]에 기재된 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 지지체를 첩부하는 공정Step 1B: Step of affixing the object to be processed to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet according to the above [6], and attaching the support to the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet

공정 2B: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정Step 2B: A step of performing one or more treatments selected from grinding treatment and shredding treatment on the object to be processed

공정 3B: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X1)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정Step 3B: Step of affixing a thermosetting film having thermosetting properties on the surface of the object to be processed on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X1)

공정 4B: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정Step 4B: A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the object to be processed by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to a temperature above the expansion start temperature (t) and below 120°C

본 발명에 의하면, 가고정 시에는 충분한 점착력을 가지면서도, 저온에서 가열 박리할 수 있는 점착 시트, 당해 점착 시트의 제조 방법, 및 당해 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while having sufficient adhesive force at the time of temporary fixing, the adhesive sheet which can heat-peel at low temperature, the manufacturing method of the said adhesive sheet, and the manufacturing method of a semiconductor device using the said adhesive sheet can be provided.

도 1은 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 점착 시트의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 공정의 일례를 설명하는 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows an example of the structure of the adhesive sheet of this invention.
It is sectional drawing which shows an example of the structure of the adhesive sheet of this invention.
It is sectional drawing explaining an example of the process of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.
It is sectional drawing explaining an example of the process of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.
It is sectional drawing explaining an example of the process of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.
6 is a cross-sectional view for explaining an example of the steps of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
7 is a cross-sectional view for explaining an example of the steps of the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
It is sectional drawing explaining an example of the process of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.
It is sectional drawing explaining an example of the process of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.

본 명세서에 있어서, 「유효 성분」이란, 대상이 되는 조성물에 함유되는 성분 중, 희석 용제를 제외한 성분을 가리킨다. In this specification, an "active ingredient" refers to the component except a dilution solvent among the components contained in the composition used as object.

또한, 본 명세서에 있어서, 질량 평균 분자량(Mw)은, 겔퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값이며, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의거하여 측정한 값이다. In addition, in this specification, the mass average molecular weight (Mw) is a standard polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, It is a value specifically measured based on the method described in the Example.

본 명세서에 있어서, 예를 들면, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」과 「메타크릴산」의 쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 마찬가지이다.In this specification, for example, "(meth)acrylic acid" represents both "acrylic acid" and "methacrylic acid", and other similar terms are also the same.

또한, 본 명세서에 있어서, 바람직한 수치 범위(예를 들면, 함유량 등의 범위)에 대해서, 단계적으로 기재된 하한치 및 상한치는, 각각 독립적으로 조합할 수 있다. 예를 들면, 「바람직하게는 10∼90, 보다 바람직하게는 30∼60」과 같은 기재로부터, 「바람직한 하한치(10)」와 「보다 바람직한 상한치(60)」를 조합하여, 「10∼60」으로 할 수도 있다. In addition, in this specification, with respect to a preferable numerical range (for example, the range of content, etc.), the lower limit and upper limit described in stages can be combined independently, respectively. For example, from a description such as "preferably 10 to 90, more preferably 30 to 60", "preferable lower limit (10)" and "more preferable upper limit (60)" are combined to "10 to 60" can also be done with

본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자(量子)를 가지는 것을 의미하고, 그 예로서, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은, 예를 들면, 자외선원으로서 무전극 램프, 고압 수은 램프, 메탈할라이드 램프, UV-LED 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은, 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다. In this specification, an "energy beam" means having an energy proton in an electromagnetic wave or a charged particle beam, and an ultraviolet-ray, a radiation, an electron beam, etc. are mentioned as the example. Ultraviolet rays can be irradiated by using an electrodeless lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, UV-LED etc. as an ultraviolet source, for example. The electron beam can irradiate what was generated by an electron beam accelerator etc.

본 명세서에 있어서, 「에너지선 중합성」이란, 에너지선을 조사함으로써 중합하는 성질을 의미한다. In this specification, "energy-beam polymerizability" means the property of superposing|polymerizing by irradiating an energy-beam.

본 명세서에 있어서, 「층」이 「비열팽창성층」인지 「열팽창성층」인지는, 이하와 같이 판단한다. In this specification, whether a "layer" is a "non-thermal expansible layer" or a "thermal expansible layer" is judged as follows.

판단의 대상이 되는 층이 열팽창성 입자를 함유할 경우, 당해 층을 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서, 3분간 가열 처리한다. 하기 식으로부터 산출되는 체적 변화율이 5% 미만일 경우, 당해 층은 「비열팽창성층」이라고 판단하고, 5% 이상일 경우, 당해 층은 「열팽창성층」이라고 판단한다. When the layer to be judged contains thermally expansible particles, the layer is heat-treated for 3 minutes at the expansion start temperature t of the thermally expansive particles. When the volume change rate calculated from the following formula is less than 5%, the layer is judged to be a "non-thermal expansible layer", and when it is 5% or more, the layer is judged to be a "thermal expansible layer".

·체적 변화율(%)={(가열 처리 후의 상기 층의 체적 - 가열 처리 전의 상기 층의 체적)/가열 처리 전의 상기 층의 체적}×100-Volume change rate (%) = a (volume of the layer after heat treatment - volume of the layer before heat treatment)/volume of the layer before heat treatment x 100

한편, 열팽창성 입자를 함유하지 않은 층은 「비열팽창성층」이라고 한다. In addition, the layer which does not contain thermally expansible particle|grains is called "non-thermal expansible layer."

본 명세서에 있어서, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 「표면」이란 회로가 형성된 면(이하, 「회로면」이라고도 함)을 가리키고, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 「이면」이란 회로가 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다. In this specification, the "surface" of a semiconductor wafer and a semiconductor chip refers to a surface on which a circuit is formed (hereinafter also referred to as a "circuit surface"), and the "rear surface" of a semiconductor wafer and a semiconductor chip refers to a surface on which a circuit is not formed. points to

[점착 시트][Adhesive sheet]

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 기재(Y)와, 에너지선 중합성 성분의 중합체 및 팽창 개시 온도(t)가 50∼110℃인 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 가지는 점착 시트이며, 점착제층(X1)이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하여 이루어지는 층인, 점착 시트이다. The adhesive sheet of one aspect of this invention has the adhesive layer (X1) containing a base material (Y), the polymer of an energy-beam polymeric component, and thermally expansible particle whose expansion initiation temperature (t) is 50-110 degreeC A sheet, wherein the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is a layer formed by irradiating an energy ray to a polymerizable composition containing the energy ray polymerizable component and the thermally expansible particles to form a polymer of the energy ray polymerizable component. am.

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 점착제층(X1)에 함유되는 열팽창성 입자를 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하여 팽창시킴으로써, 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 형성시켜, 피착체로부터 박리되는 것이다. 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 상기 요철의 형성에 의해, 점착제층(X1)과 피착체와의 접촉 면적을 감소시킬 수 있기 때문에, 점착 시트와 피착체와의 밀착성을 현저하게 저하시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 가열 박리 시에 박리하는 힘을 인가하지 않고, 점착 시트의 자중(自重) 또는 피착체의 자중에 의해 피착체로부터 박리시킬 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를 피착체로부터 가열 박리할 때에, 점착 시트측을 하측을 향해, 중력에 의해 점착 시트를 피착체로부터 낙하시킴으로써 박리시킬 수 있다.The pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention, by heating the thermally expansible particles contained in the pressure-sensitive adhesive layer (X1) to an expansion start temperature (t) or higher to expand, thereby forming irregularities on the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), It peels from a complex. In the pressure-sensitive adhesive sheet of one embodiment of the present invention, the contact area between the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the adherend can be reduced by the formation of the unevenness, so that the adhesion between the pressure-sensitive adhesive sheet and the adherend can be significantly reduced. have. Thereby, the adhesive sheet of one aspect of this invention can be peeled from a to-be-adhered body by the dead weight of an adhesive sheet or the to-be-adhered body weight, without applying a peeling force at the time of heat peeling. Specifically, for example, when heating and peeling the adhesive sheet of one aspect of the present invention from an adherend, it can be peeled by dropping the adhesive sheet from the adherend by gravity with the adhesive sheet side facing downward.

한편, 본 명세서에 있어서, 점착 시트를 박리하는 힘을 인가하지 않고, 점착 시트가 피착체로부터 벗겨져 있는 상태가 되거나, 벗겨져 떨어지는 것을 「자기 박리」라고 한다. 또한, 그러한 성질을 「자기 박리성」이라고 한다. In addition, in this specification, without applying the force which peels an adhesive sheet, the state in which the adhesive sheet is peeled from a to-be-adhered body, or peeling off is called "self peeling". In addition, such a property is called "self-peelability".

상기한 바와 같이, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 가열 박리 시에, 점착제층(X1)과 피착체와의 접촉 면적을 감소시키는 것이기 때문에, 에너지선 조사에 의해 점착제층을 경화시켜 점착력을 저하시키는 가고정용 시트보다, 자기 박리성이 우수하다. As described above, since the pressure-sensitive adhesive sheet of one embodiment of the present invention reduces the contact area between the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the adherend at the time of peeling by heating, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiation with energy rays to increase the adhesive strength. It is excellent in self-peelability than the sheet for temporarily fixing to reduce.

또한, 점착제층(X1)에 함유되는 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는 110℃ 이하로 저온이기 때문에, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는 저온에서의 가열 박리가 가능하다. 그 때문에, DAF 부착 반도체 칩 등의 열변화하기 쉬운 것을 피착체로 할 경우에, 가열 박리 시의 가열에 의한 열변화를 억제할 수 있다. 한편, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는 50℃ 이상임으로써, 피착체에 대하여 연삭을 행할 경우 등의 온도 상승에 의해 열팽창성 입자가 팽창되는 것을 억제할 수 있다. Moreover, since the expansion start temperature (t) of the thermally expansible particle contained in the adhesive layer (X1) is 110 degrees C or less and low temperature, the adhesive sheet of one aspect of this invention is heat-peelable at low temperature. Therefore, when an adherend is a semiconductor chip with DAF or the like that is subject to thermal change, it is possible to suppress thermal change due to heating during thermal peeling. On the other hand, when the expansion start temperature (t) of the thermally expansible particles is 50°C or higher, it is possible to suppress expansion of the thermally expansible particles due to a temperature rise, such as when grinding the adherend.

또한, 본 발명의 일 태양의 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)은, 에너지선 중합성 성분 및 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하여 이루어지는 층이다. 중합성 조성물은, 그 후의 에너지선 중합에 의해 고분자량화시키는 것이기 때문에, 층을 형성할 때에는, 저분자량의 에너지선 중합성 성분을 함유할 수 있다. 그 때문에 중합성 조성물은, 희석제 등의 용제를 사용하지 않아도 도포에 적합한 점도로 조정할 수 있다. 그 결과, 당해 중합성 조성물을 이용하여 점착제층(X1)을 형성할 때, 용제를 제거하기 위한 가열 건조를 생략할 수 있어, 가열 건조 시에 있어서의 열팽창성 입자의 의도하지 않은 팽창을 억제할 수 있다. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet of one embodiment of the present invention is irradiated with energy rays to a polymerizable composition containing an energy-beam polymerizable component and thermally expansible particles, and a polymer of the energy-beam polymerizable component is obtained. It is a layer formed by Since a polymerizable composition is made to have high molecular weight by subsequent energy-beam polymerization, when forming a layer, it can contain the energy-beam polymeric component of a low molecular weight. Therefore, a polymerizable composition can be adjusted to the viscosity suitable for application|coating, even if it does not use solvents, such as a diluent. As a result, when forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) using the polymerizable composition, heat drying for removing the solvent can be omitted, and unintended expansion of the thermally expansible particles during heat drying can be suppressed. can

본 발명의 일 태양의 점착 시트의 구성은, 기재(Y)와 점착제층(X1)을 가지는 것이면 되지만, 용도에 따라, 기재(Y) 및 점착제층(X1) 이외의 층을 가지는 것이어도 된다.Although the structure of the adhesive sheet of one aspect of this invention should just have a base material (Y) and an adhesive layer (X1), depending on a use, it may have layers other than the base material (Y) and an adhesive layer (X1).

예를 들면, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를 피착체의 가공에 이용할 경우, 피착체의 가공성을 향상시키는 관점에서, 기재(Y)와, 기재(Y)의 일방의 면측에 설치된 점착제층(X1)과, 기재(Y)의 타방의 면측에 설치된 점착제층(X2)을 가지는 구성(즉, 양면 점착 시트의 구성)을 가지는 것이 바람직하다. 당해 구성을 가짐으로써, 점착제층(X1) 또는 점착제층(X2) 중 어느 일방의 점착제층에 피착체를 첩부하고, 어느 타방의 점착제층에 지지체를 첩부할 수 있다. 피착체가 점착 시트를 개재하여 지지체에 고정됨으로써, 피착체에 대하여 가공 처리를 행할 때에, 피착체의 진동, 위치 어긋남, 취약한 가공 대상물의 파손 등을 억제해, 가공 정밀도 및 가공 속도를 향상시킬 수 있다. For example, when the pressure-sensitive adhesive sheet of one embodiment of the present invention is used for processing an adherend, from the viewpoint of improving the workability of the adherend, the substrate (Y) and the pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface side of the substrate (Y) ( It is preferable to have the structure (namely, structure of a double-sided adhesive sheet) which has X1) and the adhesive layer X2 provided in the other surface side of the base material Y. By having the said structure, a to-be-adhered body can be affixed to any one adhesive layer of adhesive layer (X1) or adhesive layer (X2), and a support body can be stuck to any other adhesive layer. By fixing the adherend to the support via the pressure-sensitive adhesive sheet, when processing is performed on the adherend, vibration of the adherend, misalignment, damage to a fragile object, etc. can be suppressed, and processing precision and processing speed can be improved. .

한편, 이하의 설명에 있어서, 특별히 언급하지 않는 한, 「양면 점착 시트」란, 기재(Y)와, 기재(Y)의 일방의 면측에 설치된 점착제층(X1)과, 기재(Y)의 타방의 면측에 설치된 점착제층(X2)을 가지는 점착 시트를 의미하는 것으로 한다. In addition, in the following description, unless otherwise indicated, "double-sided adhesive sheet" refers to the base material (Y), the pressure-sensitive adhesive layer (X1) provided on one surface side of the base material (Y), and the other of the base material (Y). It shall mean the adhesive sheet which has the adhesive layer (X2) provided in the surface side.

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 점착제층(X1)의 점착 표면 상에 박리재를 가지고 있어도 된다. 또한, 본 발명의 일 태양의 점착 시트가 양면 점착 시트의 구성을 가질 경우, 점착제층(X1)과 점착제층(X2)의 적어도 어느 일방의 점착 표면 상에 박리재를 가지고 있어도 된다. The adhesive sheet of one aspect of this invention may have a peeling material on the adhesive surface of adhesive layer (X1). Moreover, when the adhesive sheet of one aspect of this invention has the structure of a double-sided adhesive sheet, you may have a peeling material on the adhesive surface of at least any one of adhesive layer (X1) and adhesive layer (X2).

다음으로, 도면을 참조하면서, 본 발명의 일 태양의 점착 시트의 구성에 대해서, 보다 구체적으로 설명한다. Next, the structure of the adhesive sheet of one aspect of this invention is demonstrated more concretely, referring drawings.

〔점착 시트의 구성〕[Structure of the adhesive sheet]

본 발명의 일 태양의 점착 시트로서는, 도 1의 (a)에 나타내는, 기재(Y) 상에, 점착제층(X1)을 가지는 점착 시트(1a)를 들 수 있다. As an adhesive sheet of one aspect of this invention, the adhesive sheet 1a which has adhesive layer X1 on the base material Y shown to Fig.1 (a) is mentioned.

한편, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 도 1의 (b)에 나타내는 점착 시트(1b)와 같이, 점착제층(X1)의 점착 표면 상에, 박리재(10)를 더 가지는 구성으로 해도 된다. On the other hand, like the adhesive sheet 1b shown in FIG.1(b), the adhesive sheet of one aspect of this invention is set as the structure which further has the release material 10 on the adhesive surface of the adhesive layer X1. do.

본 발명의 다른 일 태양의 점착 시트로서는, 상기 양면 점착 시트의 구성을 가지는 것을 들 수 있다. As an adhesive sheet of another one aspect of this invention, what has the structure of the said double-sided adhesive sheet is mentioned.

이러한 구성을 가지는 점착 시트로서는, 예를 들면, 도 2의 (a)에 나타내는, 기재(Y)를 점착제층(X1) 및 점착제층(X2)에서 협지한 구성을 가지는, 양면 점착 시트(2a)를 들 수 있다. As an adhesive sheet with such a structure, for example, the double-sided adhesive sheet 2a which has the structure which pinched|interposed the base material Y shown in FIG.2(a) by the adhesive layer X1 and the adhesive layer X2. can be heard

또한, 도 2의 (b)에 나타내는 양면 점착 시트(2b)와 같이, 점착제층(X1)의 점착 표면 상에 박리재(10a)를 더 갖고, 점착제층(X2)의 점착 표면 상에 박리재(10b)를 더 가지는 구성으로 해도 된다. Moreover, like the double-sided adhesive sheet 2b shown in FIG.2(b), it further has the peeling material 10a on the adhesive surface of the adhesive layer X1, and it has a peeling material on the adhesive surface of the adhesive layer X2. It is good also as a structure which has (10b) further.

한편, 도 2의 (b)에 나타내는 양면 점착 시트(2b)에 있어서, 박리재(10a)를 점착제층(X1)으로부터 벗길 때의 박리력과, 박리재(10b)를 점착제층(X2)으로부터 벗길 때의 박리력이 같은 정도일 경우, 쌍방의 박리재를 외측으로 인장하여 벗기려고 하면, 점착제층이, 2개의 박리재에 수반하여 분단되어 인장된다는 현상이 생길 경우가 있다. 이러한 현상을 억제하는 관점에서, 2개의 박리재(10a, 10b)는, 서로 첩부되는 점착제층으로부터의 박리력이 다르게 설계된 2종의 박리재를 이용하는 것이 바람직하다. On the other hand, in the double-sided adhesive sheet 2b shown in FIG.2(b), the peeling force at the time of peeling the peeling material 10a from the adhesive layer X1, and the peeling material 10b from the adhesive layer X2 When the peeling force at the time of peeling is about the same, when it is going to pull and peel both peeling materials to the outside, the phenomenon that an adhesive layer is divided with two peeling materials and is tension|tensile|stretching may arise. From the viewpoint of suppressing such a phenomenon, it is preferable to use two kinds of release materials designed to have different peeling forces from the pressure-sensitive adhesive layers to be adhered to each other as the two release materials 10a and 10b.

그 외의 태양의 점착 시트로서는, 도 2의 (a)에 나타내는 양면 점착 시트(2a)에 있어서, 점착제층(X1) 및 점착제층(X2)의 일방의 점착 표면에, 양면에 박리 처리가 실시된 박리재가 적층된 것을, 롤상으로 감은 구성을 가지는 양면 점착 시트여도 된다. As an adhesive sheet of another aspect, in the double-sided adhesive sheet 2a shown to Fig.2 (a), on the adhesive surface of one of the adhesive layer (X1) and the adhesive layer (X2), the peeling process was given to both surfaces The double-sided adhesive sheet which has the structure wound in roll shape what the release material was laminated|stacked may be sufficient.

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 기재(Y)와 점착제층(X1) 사이에, 다른 층을 가지고 있어도 되고, 다른 층을 가지고 있지 않아도 된다. 또한, 본 발명의 일 태양의 점착 시트가 상기 양면 점착 시트일 경우, 상기에 더하여, 기재(Y)와 점착제층(X2) 사이에, 다른 층을 가지고 있어도 되고, 다른 층을 가지고 있지 않아도 된다. The adhesive sheet of one aspect of this invention may have another layer between the base material Y and the adhesive layer (X1), and does not need to have another layer. Moreover, when the adhesive sheet of one aspect of this invention is the said double-sided adhesive sheet, in addition to the above, you may have another layer between the base material Y and the adhesive layer (X2), and it is not necessary to have another layer.

단, 점착제층(X1)의 점착 표면과는 반대측의 면에는, 당해 면에 있어서의 팽창을 억제할 수 있는 층이 직접 적층되어 있는 것이 바람직하고, 기재(Y)가 직접 적층되어 있는 것이 보다 바람직하다. However, it is preferable that the layer which can suppress the expansion in the said surface is laminated|stacked directly on the surface opposite to the adhesion surface of the adhesive layer (X1), and it is more preferable that the base material Y is laminated|stacked directly. do.

<기재(Y)><Write (Y)>

기재(Y)의 형성 재료로서는, 예를 들면, 수지, 금속, 지재(紙材) 등을 들 수 있고, 본 발명의 일 태양의 점착 시트의 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. As a forming material of the base material Y, resin, a metal, a paper material etc. are mentioned, for example, According to the use of the adhesive sheet of one aspect of this invention, it can select suitably.

수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지; 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐알코올, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 등의 비닐계 수지; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리스티렌; 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체; 삼아세트산셀룰로오스; 폴리카보네이트; 폴리우레탄, 아크릴 변성 폴리우레탄 등의 우레탄 수지; 폴리메틸펜텐; 폴리설폰; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르설폰; 폴리페닐렌설파이드; 폴리에테르이미드, 폴리이미드 등의 폴리이미드계 수지; 폴리아미드계 수지; 아크릴 수지; 불소계 수지 등을 들 수 있다. As resin, For example, Polyolefin resin, such as polyethylene and a polypropylene; vinyl-based resins such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-vinyl alcohol copolymer; polyester-based resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polystyrene; acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer; Cellulose triacetate; polycarbonate; urethane resins such as polyurethane and acrylic modified polyurethane; polymethylpentene; polysulfone; polyether ether ketone; polyethersulfone; polyphenylene sulfide; polyimide-based resins such as polyetherimide and polyimide; polyamide-based resin; acrylic resin; A fluorine-type resin etc. are mentioned.

금속으로서는, 예를 들면, 알루미늄, 주석, 크롬, 티타늄 등을 들 수 있다.As a metal, aluminum, tin, chromium, titanium etc. are mentioned, for example.

지재로서는, 예를 들면, 박엽지(薄葉紙), 중질지, 상질지, 함침지, 코팅지, 아트지, 황산지, 글라신지 등을 들 수 있다. Examples of the paper material include thin leaf paper, medium paper, fine paper, impregnated paper, coated paper, art paper, sulfate paper, glassine paper, and the like.

이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지가 바람직하다. Among these, polyester-type resins, such as a polyethylene terephthalate, a polybutylene terephthalate, and a polyethylene naphthalate, are preferable.

이들 형성 재료는, 1종으로 구성되어 있어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. These forming materials may be comprised by 1 type, and may use 2 or more types together.

2종 이상의 형성 재료를 병용한 기재(Y)로서는, 지재를 폴리에틸렌 등의 열가소성 수지로 라미네이트한 것, 수지를 함유하는 수지 필름 또는 시트의 표면에 금속층을 형성한 것 등을 들 수 있다. Examples of the substrate (Y) using two or more types of forming materials in combination include those obtained by laminating a paper material with a thermoplastic resin such as polyethylene, and those in which a metal layer is formed on the surface of a resin film or sheet containing the resin.

금속층의 형성 방법으로서는, 예를 들면, 금속을 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 PVD법에 의해 증착하는 방법, 금속박을 일반적인 점착제를 이용하여 첩부하는 방법 등을 들 수 있다. As a formation method of a metal layer, the method of vapor-depositing metal by PVD methods, such as vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating, and the method of sticking metal foil using a general adhesive, etc. are mentioned, for example.

기재(Y)와 적층하는 다른 층과의 층간 밀착성을 향상시키는 관점에서, 기재(Y)의 표면에 대하여, 산화법, 요철화법 등에 의한 표면 처리, 이(易)접착 처리, 프라이머 처리 등을 실시해도 된다. From the viewpoint of improving the interlayer adhesion between the substrate (Y) and the other layer to be laminated, the surface of the substrate (Y) may be subjected to surface treatment such as oxidation method, unevenness method, etc., easy adhesion treatment, primer treatment, etc. do.

산화법으로서는, 예를 들면, 코로나 방전 처리, 플라스마 방전 처리, 크롬산처리(습식), 열풍 처리, 오존 조사 처리, 자외선 조사 처리 등을 들 수 있다. 또한, 요철화법으로서는, 예를 들면, 샌드 블라스트법, 용제 처리법 등을 들 수 있다. Examples of the oxidation method include corona discharge treatment, plasma discharge treatment, chromic acid treatment (wet), hot air treatment, ozone irradiation treatment, and ultraviolet irradiation treatment. Moreover, as an unevenness|corrugation reducing method, the sandblasting method, the solvent treatment method, etc. are mentioned, for example.

기재(Y)는, 상기 수지와 함께, 기재용 첨가제로서, 예를 들면, 자외선 흡수제, 광안정제, 산화 방지제, 대전 방지제, 슬립제, 안티 블로킹제, 착색제 등을 함유하고 있어도 된다. 이들 기재용 첨가제는, 각각 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. The base material (Y) may contain a ultraviolet absorber, a light stabilizer, an antioxidant, an antistatic agent, a slip agent, an anti-blocking agent, a coloring agent, etc. as an additive for base materials with the said resin, for example. These additives for base materials may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together.

기재(Y)가 상기 수지와 함께 기재용 첨가제를 함유할 경우, 각각의 기재용 첨가제의 함유량은, 상기 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.0001∼20질량부, 보다 바람직하게는 0.001∼10질량부이다. When the base material (Y) contains the additive for base material together with the resin, the content of each additive for base material is preferably 0.0001 to 20 parts by mass, more preferably 0.001 to 10 parts by mass relative to 100 parts by mass of the resin. is the mass part.

기재(Y)는, 비열팽창성층인 것이 바람직하다. It is preferable that the base material (Y) is a non-thermal expansible layer.

기재(Y)가 비열팽창성층일 경우, 상기 식으로부터 산출되는 기재(Y)의 체적 변화율(%)은, 5% 미만이며, 바람직하게는 2% 미만, 보다 바람직하게는 1% 미만, 더 바람직하게는 0.1% 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01% 미만이다. When the substrate (Y) is a non-thermal expandable layer, the volume change (%) of the substrate (Y) calculated from the above formula is less than 5%, preferably less than 2%, more preferably less than 1%, still more preferably is less than 0.1%, even more preferably less than 0.01%.

기재(Y)는, 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위에서, 열팽창성 입자를 함유하고 있어도 되지만, 열팽창성 입자를 함유하지 않는 것이 바람직하다.Although the base material (Y) may contain thermally expansible particle|grains in the range which is not contrary to the objective of this invention, it is preferable not to contain thermally expansible particle|grains.

기재(Y)가 열팽창성 입자를 함유할 경우, 그 함유량은 적을수록 바람직하고, 기재(Y)의 전질량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 3질량% 미만, 보다 바람직하게는 1질량% 미만, 더 바람직하게는 0.1질량% 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01질량% 미만, 보다 더 바람직하게는 0.001질량% 미만이다. When the substrate (Y) contains thermally expansible particles, the content is preferably as small as possible, with respect to the total mass (100% by mass) of the substrate (Y), preferably less than 3% by mass, more preferably 1% by mass %, more preferably less than 0.1 mass%, still more preferably less than 0.01 mass%, still more preferably less than 0.001 mass%.

(기재(Y)의 23℃에서의 저장 탄성률 E'(23))(Storage elastic modulus E' (23) at 23° C. of the substrate (Y))

기재(Y)의 23℃에서의 저장 탄성률 E'(23)는, 바람직하게는 5.0×107∼5.0×109㎩, 보다 바람직하게는 5.0×108∼4.5×109㎩, 더 바람직하게는 1.0×109∼4.0×109㎩이다. The storage modulus E' (23) of the substrate (Y) at 23°C is preferably 5.0×10 7 to 5.0×10 9 Pa, more preferably 5.0×10 8 to 4.5×10 9 Pa, still more preferably is 1.0×10 9 to 4.0×10 9 Pa.

기재(Y)의 저장 탄성률 E'(23)가 5.0×107㎩ 이상이면, 점착제층(X1)의 기재(Y)측의 면의 팽창을 효과적으로 억제할 수 있음과 함께, 점착 시트의 내변형성을 향상시킬 수 있다. 한편, 기재(Y)의 저장 탄성률 E'(23)가 5.0×109㎩ 이하이면, 점착 시트의 취급성을 향상시킬 수 있다. When the storage elastic modulus E' (23) of the base material (Y) is 5.0×10 7 Pa or more, the expansion of the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) at the base (Y) side can be effectively suppressed, and the deformation resistance of the pressure-sensitive adhesive sheet can improve On the other hand, when the storage elastic modulus E' (23) of the base material Y is 5.0x10 9 Pa or less, the handleability of an adhesive sheet can be improved.

한편, 본 명세서에 있어서, 기재(Y)의 저장 탄성률 E'(23)는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. In addition, in this specification, the storage modulus E' (23) of the base material (Y) means a value measured according to the method described in an Example.

(기재(Y)의 팽창 개시 온도(t)에서의 저장 탄성률 E'(t))(Storage elastic modulus E'(t) at the expansion initiation temperature (t) of the substrate (Y))

기재(Y)의 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서의 저장 탄성률 E'(t)는, 바람직하게는 5.0×106∼4.0×109㎩, 보다 바람직하게는 2.0×108∼3.0×109㎩, 더 바람직하게는 5.0×108∼2.5×109㎩이다. The storage elastic modulus E'(t) at the expansion start temperature (t) of the thermally expansible particles of the substrate (Y) is preferably 5.0×10 6 to 4.0×10 9 Pa, more preferably 2.0×10 8 to 3.0 ×10 9 Pa, more preferably 5.0 × 10 8 to 2.5 × 10 9 Pa.

기재(Y)의 저장 탄성률 E'(t)가 5.0×106㎩ 이상이면, 점착제층(X1)의 기재(Y)측의 면의 팽창을 효율적으로 억제할 수 있음과 함께, 점착 시트의 내변형성을 향상시킬 수 있다. 한편, 기재(Y)의 저장 탄성률 E'(t)가 4.0×109㎩ 이하이면, 점착 시트의 취급성을 향상시킬 수 있다. When the storage elastic modulus E'(t) of the base material Y is 5.0x10 6 Pa or more, while being able to suppress efficiently the expansion|swelling of the surface of the base material Y side of the adhesive layer X1, the inside of an adhesive sheet Deformability can be improved. On the other hand, when the storage elastic modulus E'(t) of the base material Y is 4.0x10 9 Pa or less, the handleability of an adhesive sheet can be improved.

한편, 본 명세서에 있어서, 기재(Y)의 저장 탄성률 E'(t)는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. Meanwhile, in the present specification, the storage modulus E'(t) of the substrate Y means a value measured according to the method described in Examples.

(기재(Y)의 두께)(Thickness of substrate (Y))

기재(Y)의 두께는, 바람직하게는 5∼500㎛, 보다 바람직하게는 15∼300㎛, 더 바람직하게는 20∼200㎛이다. 기재(Y)의 두께가 5㎛ 이상이면, 점착 시트의 내변형성을 향상시킬 수 있다. 한편, 기재(Y)의 두께가 500㎛ 이하이면, 점착 시트의 취급성을 향상시킬 수 있다. The thickness of the base material (Y) is preferably 5 to 500 µm, more preferably 15 to 300 µm, still more preferably 20 to 200 µm. When the thickness of the base material (Y) is 5 µm or more, the deformation resistance of the pressure-sensitive adhesive sheet can be improved. On the other hand, the handleability of an adhesive sheet can be improved as the thickness of the base material Y is 500 micrometers or less.

한편, 본 명세서에 있어서, 기재(Y)의 두께는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. In addition, in this specification, the thickness of the base material Y means the value measured according to the method described in an Example.

<점착제층(X1)><Adhesive layer (X1)>

점착제층(X1)은, 에너지선 중합성 성분의 중합체 및 열팽창성 입자를 함유한다. The adhesive layer (X1) contains the polymer of an energy-beam polymeric component, and thermally expansible particle|grains.

상기 중합체는, 상기 에너지선 중합성 성분으로서, 에너지선 중합성 관능기를 가지는 모노머(a1)(이하, 「(a1) 성분」이라고도 함) 및 에너지선 중합성 관능기를 가지는 프리폴리머(a2)(이하, 「(a2) 성분」이라고도 함)를 함유하는 중합성 조성물(이하, 「중합성 조성물(x-1)」이라고도 함)에 에너지선을 조사하여 이루어지는 중합체이다. The polymer is, as the energy ray polymerizable component, a monomer (a1) having an energy ray polymerizable functional group (hereinafter, also referred to as “component (a1)”) and a prepolymer (a2) having an energy ray polymerizable functional group (hereinafter, It is a polymer formed by irradiating an energy ray to the polymerizable composition (henceforth "polymerizable composition (x-1)") containing "(a2) component").

한편, 본 명세서에 있어서, 프리폴리머란, 모노머가 중합하여 이루어지는 화합물로서, 가일층의 중합을 행함으로써 폴리머를 구성하는 것이 가능한 화합물을 의미한다. In addition, in this specification, a prepolymer is a compound formed by superposing|polymerizing a monomer, Comprising: It means the compound which can comprise a polymer by superposing|polymerizing further.

(중합성 조성물(x-1))(Polymerizable composition (x-1))

중합성 조성물(x-1)이 함유하는 에너지선 중합성 성분은, 에너지선의 조사에 의해 중합하는 성분이며, 에너지선 중합성 관능기를 가지는 것이다. The energy-beam polymerizable component which polymerizable composition (x-1) contains is a component which superposes|polymerizes by irradiation of an energy-beam, and has an energy-beam polymerizable functional group.

에너지선 중합성 관능기로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등의 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 것을 들 수 있다. 한편, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴로일기, 알릴기 등과 같이, 그 일부에 비닐기 또는 치환 비닐기를 포함하는 관능기와, 비닐기 또는 치환 비닐기 그 자체를 「비닐기 함유기」라고 총칭할 경우가 있다. As an energy-beam polymerizable functional group, what has carbon-carbon double bonds, such as a (meth)acryloyl group, a vinyl group, and an allyl group, is mentioned, for example. On the other hand, in the present specification, a functional group including a vinyl group or a substituted vinyl group in a part thereof, such as a (meth)acryloyl group, an allyl group, etc., and the vinyl group or the substituted vinyl group itself are collectively referred to as a "vinyl group-containing group" there is a case to do

이하, 중합성 조성물(x-1)에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다. Hereinafter, each component contained in polymerizable composition (x-1) is demonstrated.

〔에너지선 중합성 관능기를 가지는 모노머(a1)〕[Monomer (a1) having an energy-beam polymerizable functional group]

에너지선 중합성 관능기를 가지는 모노머(a1)로서는, 에너지선 중합성 관능기를 가지는 모노머이면 되고, 에너지선 중합성 관능기 외에도, 탄화수소기, 에너지선 중합성 관능기 이외의 관능기 등을 가지고 있어도 된다. The monomer (a1) having an energy-beam polymerizable functional group may be a monomer having an energy-beam polymerizable functional group, and may have, in addition to the energy-beam polymerizable functional group, a hydrocarbon group, a functional group other than the energy-beam polymerizable functional group, and the like.

(a1) 성분이 가지는 탄화수소기로서는, 예를 들면, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 이들을 조합한 기 등을 들 수 있다. (a1) As a hydrocarbon group which a component has, an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, the group which combined these, etc. are mentioned, for example.

지방족 탄화수소기는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기여도 되고, 지환식 탄화수소기여도 된다. A linear or branched aliphatic hydrocarbon group may be sufficient as an aliphatic hydrocarbon group, and an alicyclic hydrocarbon group may be sufficient as it.

직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, 2-에틸헥실기, n-옥틸기, 이소옥틸기, n-데실기, n-도데실기, n-미리스틸기, n-팔미틸기, n-스테아릴기 등의 탄소수 1∼20의 지방족 탄화수소기를 들 수 있다. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, n- hexyl group, 2-ethylhexyl group, n-octyl group, isooctyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, n-myristyl group, n-palmityl group, n-stearyl group having 1 to 20 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon group.

지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 이소보르닐기 등의 탄소수 3∼20의 지환식 탄화수소기를 들 수 있다. As an alicyclic hydrocarbon group, a C3-C20 alicyclic hydrocarbon group, such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and isobornyl group, is mentioned, for example.

방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면, 페닐기를 들 수 있다. As an aromatic hydrocarbon group, a phenyl group is mentioned, for example.

지방족 탄화수소기와 방향족 탄화수소기를 조합한 기로서는, 예를 들면, 페녹시에틸기, 벤질기를 들 수 있다. Examples of the group combining an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group include a phenoxyethyl group and a benzyl group.

이들 중에서도, (a1) 성분은, 점착제층(X1)의 점착력을 보다 향상시키는 관점에서는, 에너지선 중합성 관능기와 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기를 가지는 모노머(a1-1)(이하, 「(a1-1) 성분」이라고도 함), 에너지선 중합성 관능기와 지환식 탄화수소기를 가지는 모노머(a1-2)(이하, 「(a1-2) 성분」이라고도 함) 등을 함유하는 것이 바람직하다. Among these, (a1) component is a monomer (a1-1) having an energy-beam polymerizable functional group and a linear or branched aliphatic hydrocarbon group (hereinafter, "( It is also called a1-1) component"), it is preferable to contain the monomer (a1-2) (henceforth "(a1-2) component") etc. which have an energy-beam polymerizable functional group and an alicyclic hydrocarbon group.

(a1) 성분이, (a1-1) 성분을 함유할 경우, 그 함유량은, (a1) 성분의 합계(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 20∼80질량%, 보다 바람직하게는 40∼70질량%, 더 바람직하게는 50∼60질량%이다. When (a1) component contains (a1-1) component, the content becomes like this with respect to the total (100 mass %) of (a1) component, Preferably it is 20-80 mass %, More preferably, 40-80 mass % 70 mass %, More preferably, it is 50-60 mass %.

(a1) 성분이, (a1-2) 성분을 함유할 경우, 그 함유량은, (a1) 성분의 합계(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 5∼60질량%, 보다 바람직하게는 10∼40질량%, 더 바람직하게는 20∼30질량%이다. When (a1) component contains (a1-2) component, the content becomes like this with respect to the total (100 mass %) of (a1) component, Preferably it is 5-60 mass %, More preferably, 10 - 40 mass %, More preferably, it is 20-30 mass %.

에너지선 중합성 관능기와, 에너지선 중합성 관능기 이외의 관능기를 가지는 모노머로서는, 에너지선 중합성 관능기 이외의 관능기로서, 예를 들면, 히드록시기, 카르복시기, 티올기, 1 또는 2급 아미노기 등을 가지는 모노머를 들 수 있다. 이들 중에서도, (a1) 성분은, 점착제층(X1)의 형성성을 보다 향상시키는 관점에서, 에너지선 중합성 관능기와 히드록시기를 가지는 모노머(a1-3)(이하, 「(a1-3) 성분」이라고도 함)를 함유하는 것이 바람직하다. As a monomer having an energy ray polymerizable functional group and a functional group other than the energy ray polymerizable functional group, as a functional group other than the energy ray polymerizable functional group, for example, a monomer having a hydroxyl group, a carboxy group, a thiol group, a primary or secondary amino group, etc. can be heard Among these, (a1) component is a monomer (a1-3) which has an energy-beam polymerizable functional group and a hydroxyl group from a viewpoint of more improving the formability of an adhesive layer (X1) (hereafter, "(a1-3) component") Also referred to as ) is preferred.

(a1) 성분이, (a1-3) 성분을 함유할 경우, 그 함유량은, (a1) 성분의 합계(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 1∼60질량%, 보다 바람직하게는 5∼30질량%, 더 바람직하게는 10∼20질량%이다. When (a1) component contains (a1-3) component, the content becomes like this with respect to the sum total (100 mass %) of (a1) component, Preferably it is 1-60 mass %, More preferably, 5 - 30 mass %, More preferably, it is 10-20 mass %.

(a1) 성분이 가지는 에너지선 중합성 관능기의 수는 1개여도 되고, 2개 이상이어도 된다. 또한, 점착제층(X1)의 자기 박리성을 보다 향상시키는 관점에서, (a1) 성분은, 에너지선 중합성 관능기를 3개 이상 가지는 모노머(a1-4)(이하, 「(a1-4) 성분」이라고도 함)를 함유하는 것이 바람직하다. (a1) The number of the energy-beam polymerizable functional groups which a component has may be one, and two or more may be sufficient as it. In addition, from the viewpoint of further improving the self-peelability of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), the component (a1) is a monomer (a1-4) having three or more energy-beam polymerizable functional groups (hereinafter “component (a1-4)”). It is also preferable to contain ").

(a1) 성분이, (a1-4) 성분을 함유할 경우, 그 함유량은, (a1) 성분의 합계(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 1∼20질량%, 보다 바람직하게는 2∼15질량%, 더 바람직하게는 3∼10질량%이다. When (a1) component contains (a1-4) component, the content becomes like this with respect to the total (100 mass %) of (a1) component, Preferably it is 1-20 mass %, More preferably, 2 - 15 mass %, More preferably, it is 3-10 mass %.

에너지선 중합성 관능기를 1개 가지는 모노머로서는, 1개의 비닐기 함유기를 가지는 모노머(이하, 「중합성 비닐 모노머」라고도 함)가 바람직하다. As a monomer which has one energy-beam polymerizable functional group, the monomer (henceforth a "polymerizable vinyl monomer") which has one vinyl group containing group is preferable.

에너지선 중합성 관능기를 2개 이상 가지는 모노머로서는, (메타)아크릴로일기를 2개 이상 가지는 모노머(이하, 「다관능 (메타)아크릴레이트 모노머」라고도 함)가 바람직하다. (a1) 성분이 상기 화합물을 함유함으로써, 이들을 중합하여 얻어지는 점착제의 응집력이 향상되어, 박리 후의 피착체 오염이 적은 점착제층(X1)을 형성할 수 있다. As a monomer which has two or more energy-beam polymerizable functional groups, the monomer (henceforth a "polyfunctional (meth)acrylate monomer") which has two or more (meth)acryloyl groups is preferable. When (a1) component contains the said compound, the cohesive force of the adhesive obtained by superposing|polymerizing these improves, and the adhesive layer (X1) with few to-be-adhered body contamination after peeling can be formed.

《중합성 비닐 모노머》《Polymerizable Vinyl Monomer》

중합성 비닐 모노머로서는, 비닐기 함유기를 가지는 것이면 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 적절히 사용할 수 있다. It will not specifically limit, if it has a vinyl group containing group as a polymerizable vinyl monomer, A conventionally well-known thing can be used suitably.

중합성 비닐 모노머는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. A polymerizable vinyl monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

중합성 비닐 모노머로서는, 예를 들면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 미리스틸(메타)아크릴레이트, 팔미틸(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트 등의 상기 (a1-1) 성분에 해당하는 화합물; 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트 등의 상기 (a1-2) 성분에 해당하는 화합물; 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 폴리옥시알킬렌 변성 (메타)아크릴레이트 등의 분자 내에 비닐기 함유기 이외의 관능기를 갖지 않는 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2-에틸헥실아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트가 바람직하다. Examples of the polymerizable vinyl monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylic Rate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, myristyl (meth) acrylate, palmityl (meth) acrylate , a compound corresponding to the component (a1-1), such as stearyl (meth) acrylate; Compounds corresponding to the component (a1-2), such as cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; (meth)acrylate which does not have functional groups other than a vinyl group containing group in molecules, such as phenoxyethyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, and polyoxyalkylene modified (meth)acrylate, etc. are mentioned. . Among these, 2-ethylhexyl acrylate and isobornyl acrylate are preferable.

중합성 비닐 모노머는, 분자 내에 비닐기 함유기 이외의 관능기를 더 가지는 것이어도 된다. 당해 관능기로서는, 예를 들면, 히드록시기, 카르복시기, 티올기, 1 또는 2급 아미노기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 상기 (a1-3) 성분에 해당하는 히드록시기를 가지는 중합성 비닐 모노머가 바람직하다. The polymerizable vinyl monomer may further have a functional group other than the vinyl group-containing group in the molecule. As said functional group, a hydroxyl group, a carboxy group, a thiol group, a primary or secondary amino group, etc. are mentioned, for example. Among these, the polymerizable vinyl monomer which has a hydroxyl group corresponding to the said (a1-3) component is preferable.

히드록시기를 가지는 중합성 비닐 모노머로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트; N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드 등의 히드록시기 함유 아크릴아미드류 등을 들 수 있다. 또한, 카르복시기를 가지는 중합성 비닐 모노머로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 카르복시산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트가 바람직하다. As a polymerizable vinyl monomer which has a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy hydroxyalkyl (meth)acrylates such as butyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Hydroxyl group-containing acrylamides, such as N-methylolacrylamide and N-methylol methacrylamide, etc. are mentioned. Examples of the polymerizable vinyl monomer having a carboxyl group include ethylenically unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, and citraconic acid. Among these, 2-hydroxyethyl acrylate and 4-hydroxybutyl acrylate are preferable.

또한, 그 외의 중합성 비닐 모노머로서는, 예를 들면, 아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 비닐에스테르류; 에틸렌, 프로필렌, 이소부틸렌 등의 올레핀류; 염화비닐, 비닐리덴클로리드 등의 할로겐화올레핀류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; 부타디엔, 이소프렌, 클로로프렌 등의 디엔계 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴계 단량체; 아크릴아미드, 메타크릴아미드, N-메틸아크릴아미드, N-메틸메타크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N,N-디에틸(메타)아크릴아미드, N-비닐피롤리돈 등의 아미드계 단량체; (메타)아크릴산N,N-디에틸아미노에틸, N-(메타)아크릴로일모르포린 등의 3급 아미노기 함유 단량체 등을 들 수 있다. Moreover, as another polymerizable vinyl monomer, For example, Vinyl esters, such as vinyl acetate and a vinyl propionate; olefins such as ethylene, propylene, and isobutylene; halogenated olefins such as vinyl chloride and vinylidene chloride; styrene-based monomers such as styrene and α-methylstyrene; diene-based monomers such as butadiene, isoprene and chloroprene; nitrile-based monomers such as acrylonitrile and methacrylonitrile; Acrylamide, methacrylamide, N-methylacrylamide, N-methylmethacrylamide, N,N-dimethyl (meth)acrylamide, N,N-diethyl (meth)acrylamide, N-vinylpyrrolidone, etc. of amide-based monomers; and tertiary amino group-containing monomers such as (meth)acrylic acid N,N-diethylaminoethyl and N-(meth)acryloylmorpholine.

《다관능 (메타)아크릴레이트 모노머》《Polyfunctional (meth)acrylate monomer》

다관능 (메타)아크릴레이트 모노머로서는, 1분자 중에 (메타)아크릴로일기를 2개 이상 가지는 모노머이면, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 적절히 사용할 수 있다. As a polyfunctional (meth)acrylate monomer, if it is a monomer which has two or more (meth)acryloyl groups in 1 molecule, it will not specifically limit, A conventionally well-known thing can be used suitably.

다관능 (메타)아크릴레이트 모노머는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. A polyfunctional (meth)acrylate monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

다관능 (메타)아크릴레이트 모노머로서는, 예를 들면, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메타)아크릴레이트, 디(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 알릴화시클로헥실디(메타)아크릴레이트, 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 디아크릴레이트 등의 2관능 (메타)아크릴레이트 모노머; 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 비스(아크릴옥시에틸)히드록시에틸이소시아누레이트, 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 디글리세린테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 상기 (a1-4) 성분에 해당하는 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머 등을 들 수 있다. Examples of the polyfunctional (meth)acrylate monomer include 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, polyethylene Glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol adipate di (meth) acrylate, hydroxypivalate neopentyl glycol di (meth) acrylate, dicyclopentanyl di (meth) acrylate, caprolactone-modified dicyclopent Nyldi(meth)acrylate, ethylene oxide-modified di(meth)acrylate, di(acryloxyethyl)isocyanurate, allylated cyclohexyldi(meth)acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide-modified diacrylate bifunctional (meth)acrylate monomers such as; Trimethylolpropane tri(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, propionic acid modified dipentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, propylene oxide modified trimethylolpropane Tri (meth) acrylate, tris (acryloxyethyl) isocyanurate, bis (acryloxyethyl) hydroxyethyl isocyanurate, isocyanuric acid ethylene oxide modified triacrylate, ε-caprolactone modified tris ( Acryloxyethyl) isocyanurate, diglycerin tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylic polyfunctional (meth)acrylate monomers corresponding to the above components (a1-4), such as rate and caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate; and the like.

《(a1) 성분의 함유량》<< content of (a1) component >>

중합성 조성물(x-1) 중에 있어서의, 중합성 비닐 모노머의 합계 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 10∼80질량%, 보다 바람직하게는 30∼75질량%, 더 바람직하게는 50∼70질량%이다. The total content of the polymerizable vinyl monomer in the polymerizable composition (x-1) is preferably 10-80 mass% with respect to the total amount (100 mass%) of the active ingredient of the polymerizable composition (x-1). , More preferably, it is 30-75 mass %, More preferably, it is 50-70 mass %.

중합성 조성물(x-1) 중에 있어서의 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머의 합계 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 0.5∼15질량%, 보다 바람직하게는 1∼10질량%, 더 바람직하게는 2∼5질량%이다. The total content of the polyfunctional (meth)acrylate monomer in the polymerizable composition (x-1) is preferably 0.5 to 15 mass %, More preferably, it is 1-10 mass %, More preferably, it is 2-5 mass %.

중합성 조성물(x-1) 중에 있어서의 (a1) 성분의 합계 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 15∼90질량%, 보다 바람직하게는 35∼80질량%, 더 바람직하게는 55∼75질량%이다. The total content of the component (a1) in the polymerizable composition (x-1) is preferably 15 to 90% by mass relative to the total amount (100% by mass) of the active ingredient of the polymerizable composition (x-1); More preferably, it is 35-80 mass %, More preferably, it is 55-75 mass %.

〔에너지선 중합성 관능기를 가지는 프리폴리머(a2)〕[Prepolymer (a2) having an energy-beam polymerizable functional group]

에너지선 중합성 관능기를 가지는 프리폴리머(a2)로서는, 에너지선 중합성 관능기를 1개 가지는 프리폴리머, 에너지선 중합성 관능기를 2개 이상 가지는 프리폴리머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, (a2) 성분은, 자기 박리성이 우수함과 함께 박리 후의 피착체 오염이 적은 점착제층을 형성하는 관점에서, 에너지선 중합성 관능기를 2개 이상 가지는 프리폴리머를 함유하는 것이 바람직하고, 에너지선 중합성 관능기를 2개 가지는 프리폴리머를 함유하는 것이 보다 바람직하고, 에너지선 중합성 관능기를 2개 갖고, 당해 에너지선 중합성 관능기를 양말단에 가지는 프리폴리머를 함유하는 것이 더 바람직하다. As a prepolymer (a2) which has an energy-beam polymerizable functional group, the prepolymer which has one energy-beam polymerizable functional group, the prepolymer which has two or more energy-beam polymerizable functional groups, etc. are mentioned. Among these, component (a2) preferably contains a prepolymer having two or more energy-beam polymerizable functional groups from the viewpoint of forming an adhesive layer having excellent self-peelability and less contamination of an adherend after peeling, It is more preferable to contain the prepolymer which has two ray-polymerizable functional groups, and it is more preferable to contain the prepolymer which has two energy ray-polymerizable functional groups and has the said energy ray-polymerizable functional group at both ends.

(a2) 성분으로서는, 에너지선 중합성 관능기로서 (메타)아크릴로일기를 2개 이상 가지는 프리폴리머(이하, 「다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머」라고도 함)를 함유하는 것이 바람직하다. (a2) 성분이 상기 화합물을 함유함으로써, 이들을 중합하여 얻어지는 점착제의 응집력이 향상되어, 자기 박리성이 우수함과 함께, 박리 후의 피착체 오염이 적은 점착제층(X1)을 형성할 수 있다. As (a2) component, it is preferable to contain the prepolymer (henceforth "polyfunctional (meth)acrylate prepolymer") which has two or more (meth)acryloyl groups as an energy-beam polymerizable functional group. When (a2) component contains the said compound, the cohesive force of the adhesive obtained by superposing|polymerizing these improves, while being excellent in self-peelability, the adhesive layer (X1) with few to-be-adhered body contamination after peeling can be formed.

《다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머》《Polyfunctional (meth)acrylate prepolymer》

다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머로서는, 1분자 중에 (메타)아크릴로일기를 2개 이상 가지는 프리폴리머이면, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 적절히 사용할 수 있다. As a polyfunctional (meth)acrylate prepolymer, if it is a prepolymer which has two or more (meth)acryloyl groups in 1 molecule, it will not specifically limit, A conventionally well-known thing can be used suitably.

다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. A polyfunctional (meth)acrylate prepolymer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머로서는, 예를 들면, 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머, 폴리에스테르아크릴레이트계 프리폴리머, 에폭시아크릴레이트계 프리폴리머, 폴리에테르아크릴레이트계 프리폴리머, 폴리부타디엔아크릴레이트계 프리폴리머, 실리콘아크릴레이트계 프리폴리머, 폴리아크릴아크릴레이트계 프리폴리머 등을 들 수 있다. Examples of the polyfunctional (meth)acrylate prepolymer include urethane acrylate prepolymer, polyester acrylate prepolymer, epoxy acrylate prepolymer, polyether acrylate prepolymer, polybutadiene acrylate prepolymer, silicone acrylate system prepolymer, polyacrylic acrylate type prepolymer, etc. are mentioned.

우레탄아크릴레이트계 프리폴리머는, 예를 들면, 폴리알킬렌폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 히드록시기 말단을 가지는 수첨(水添) 이소프렌, 히드록시기 말단을 가지는 수첨 부타디엔 등의 화합물과, 폴리이소시아네이트와의 반응에 의해 얻어지는 폴리우레탄 프리폴리머를, (메타)아크릴산 또는 (메타)아크릴산 유도체로 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. The urethane acrylate-based prepolymer is, for example, a compound of polyalkylene polyol, polyether polyol, polyester polyol, hydrogenated isoprene having a hydroxyl group terminal, or hydrogenated butadiene having a hydroxyl group terminal, and polyisocyanate; It can be obtained by esterifying the polyurethane prepolymer obtained by reaction with (meth)acrylic acid or a (meth)acrylic acid derivative.

우레탄아크릴레이트계 프리폴리머의 제조에 사용되는 폴리알킬렌폴리올로서는, 예를 들면, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 폴리헥실렌글리콜 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 폴리프로필렌글리콜이 바람직하다. 한편, 얻어지는 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머의 관능기 수를 3 이상으로 할 경우에는, 예를 들면, 글리세린, 트리메틸올프로판, 트리에탄올아민, 펜타에리트리톨, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 소르비톨, 스크로스 등을 적절히 조합하면 된다. As polyalkylene polyol used for manufacture of a urethane acrylate type prepolymer, polypropylene glycol, polyethylene glycol, polybutylene glycol, polyhexylene glycol etc. are mentioned, for example, Among these, polypropylene glycol is preferable. do. On the other hand, when the number of functional groups of the obtained urethane acrylate-based prepolymer is 3 or more, for example, glycerin, trimethylolpropane, triethanolamine, pentaerythritol, ethylenediamine, diethylenetriamine, sorbitol, cross, etc. You can combine them appropriately.

우레탄아크릴레이트계 프리폴리머의 제조에 사용되는 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트; 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 디페닐디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환식 디이소시아네이트 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 지방족 디이소시아네이트가 바람직하고, 헥사메틸렌디이소시아네이트가 보다 바람직하다. 한편, 폴리이소시아네이트는 2관능에 한하지 않고, 3관능 이상인 것도 이용할 수 있다. As polyisocyanate used for manufacture of a urethane acrylate type prepolymer, For example, Aliphatic diisocyanate, such as hexamethylene diisocyanate and trimethylene diisocyanate; aromatic diisocyanates such as tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate and diphenyl diisocyanate; Alicyclic diisocyanate, such as dicyclohexylmethane diisocyanate and isophorone diisocyanate, etc. are mentioned, Among these, aliphatic diisocyanate is preferable and hexamethylene diisocyanate is more preferable. In addition, polyisocyanate is not limited to bifunctionality, A thing more than trifunctional can also be used.

우레탄아크릴레이트계 프리폴리머의 제조에 사용되는 (메타)아크릴산 유도체로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트; 2-이소시아네이트에틸아크릴레이트, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트, 1,1-비스(아크릴옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 2-이소시아네이트에틸아크릴레이트가 바람직하다. As a (meth)acrylic acid derivative used for manufacture of a urethane acrylate type prepolymer, For example, Hydroxyalkyl (meth)acrylates, such as 2-hydroxyethyl acrylate and 4-hydroxybutyl acrylate; 2-isocyanate ethyl acrylate, 2-isocyanate ethyl methacrylate, 1, 1-bis (acryloxymethyl) ethyl isocyanate etc. are mentioned, Among these, 2-isocyanate ethyl acrylate is preferable.

우레탄아크릴레이트계 프리폴리머의 다른 제조 방법으로서, 폴리알킬렌폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 히드록시기 말단을 가지는 수첨 이소프렌, 히드록시기 말단을 가지는 수첨 부타디엔 등의 화합물이 가지는 히드록시기와, 이소시아네이트알킬(메타)아크릴레이트가 가지는 -N=C=O 부분을 반응시키는 방법을 들 수 있다. 이 경우, 당해 이소시아네이트알킬(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 상기한 2-이소시아네이트에틸아크릴레이트, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트, 1,1-비스(아크릴옥시메틸)에틸이소시아네이트 등을 사용할 수 있다. As another method for producing a urethane acrylate-based prepolymer, a hydroxyl group of a compound such as polyalkylene polyol, polyether polyol, polyester polyol, hydrogenated isoprene having a hydroxyl group terminal, or hydrogenated butadiene having a hydroxyl group terminal, and isocyanate alkyl (meth) A method of reacting the -N=C=O moiety of the acrylate is exemplified. In this case, as the said isocyanate alkyl (meth)acrylate, for example, the above-mentioned 2-isocyanate ethyl acrylate, 2-isocyanate ethyl methacrylate, 1, 1-bis (acryloxymethyl) ethyl isocyanate, etc. can be used. have.

폴리에스테르아크릴레이트계 프리폴리머는, 예를 들면, 다가 카르복시산과 다가 알코올과의 축합에 의해 얻어지는 양말단에 히드록시기를 가지는 폴리에스테르 프리폴리머의 히드록시기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 또한, 다가 카르복시산에 알킬렌옥사이드를 부가하여 얻어지는 프리폴리머의 말단의 히드록시기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해서도 얻을 수 있다. The polyester acrylate-based prepolymer can be obtained by, for example, esterifying a hydroxyl group of a polyester prepolymer having hydroxyl groups at both terminals obtained by condensation of a polyhydric carboxylic acid and a polyhydric alcohol with (meth)acrylic acid. Moreover, it can obtain also by esterifying the hydroxyl group at the terminal of the prepolymer obtained by adding alkylene oxide to polyhydric carboxylic acid with (meth)acrylic acid.

에폭시아크릴레이트계 프리폴리머는, 예를 들면, 비교적 저분자량의 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등의 옥실란환에, (메타)아크릴산을 반응시켜 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. 또한, 에폭시아크릴레이트계 프리폴리머를 부분적으로 이염기성 카르복시산무수물로 변성한 카르복시 변성형의 에폭시아크릴레이트계 프리폴리머를 이용할 수도 있다. The epoxy acrylate-based prepolymer can be obtained by, for example, reacting (meth)acrylic acid with an oxylan ring such as a bisphenol-type epoxy resin or a novolak-type epoxy resin having a relatively low molecular weight to esterify it. Further, a carboxy-modified epoxy acrylate-based prepolymer in which an epoxy acrylate-based prepolymer is partially modified with a dibasic carboxylic acid anhydride may be used.

폴리에테르아크릴레이트계 프리폴리머는, 예를 들면, 폴리에테르폴리올의 히드록시기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화함으로써 얻을 수 있다. A polyether acrylate type prepolymer can be obtained by esterifying the hydroxyl group of polyether polyol with (meth)acrylic acid, for example.

폴리아크릴아크릴레이트계 프리폴리머는, 측쇄에 아크릴로일기를 가지고 있어도 되고, 양말단 혹은 편말단에 아크릴로일기를 가지고 있어도 된다. 측쇄에 아크릴로일기를 가지는 폴리아크릴아크릴레이트계 프리폴리머는, 예를 들면, 폴리아크릴산의 카르복시기에 글리시딜메타크릴레이트를 부가시킴으로써 얻을 수 있다. 또한, 양말단에 아크릴로일기를 가지는 폴리아크릴아크릴레이트계 프리폴리머는, 예를 들면, ATRP(Atom Transfer Radical Polymerization)법에 따라 합성한 폴리아크릴레이트 프리폴리머의 중합 성장 말단 구조를 이용하여 양말단에 아크릴로일기를 도입함으로써 얻을 수 있다. The polyacrylate-based prepolymer may have an acryloyl group in a side chain, and may have an acryloyl group in both terminals or one terminal. The polyacrylate-based prepolymer having an acryloyl group in the side chain can be obtained, for example, by adding glycidyl methacrylate to the carboxy group of polyacrylic acid. In addition, the polyacrylic acrylate-based prepolymer having acryloyl groups at both ends is, for example, acrylic at both ends using the polymerization growth terminal structure of the polyacrylate prepolymer synthesized according to the ATRP (Atom   Transfer   Radical Polymerization) method. It can be obtained by introducing a royl group.

(a2) 성분의 질량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 10,000∼350,000, 보다 바람직하게는 15,000∼200,000, 더 바람직하게는 20,000∼50,000이다. (a2) The mass average molecular weight (Mw) of component becomes like this. Preferably it is 10,000-350,000, More preferably, it is 15,000-200,000, More preferably, it is 20,000-50,000.

《(a2) 성분의 함유량》<< content of (a2) component >>

중합성 조성물(x-1) 중에 있어서의 다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머의 합계 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 10∼60질량%, 보다 바람직하게는 15∼55질량%, 더 바람직하게는 20∼30질량%이다. The total content of the polyfunctional (meth)acrylate prepolymer in the polymerizable composition (x-1) is preferably 10 to 60 mass %, More preferably, it is 15-55 mass %, More preferably, it is 20-30 mass %.

중합성 조성물(x-1) 중에 있어서의 (a2) 성분의 합계 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 10∼60질량%, 보다 바람직하게는 15∼55질량%, 더 바람직하게는 20∼30질량%이다. The total content of the component (a2) in the polymerizable composition (x-1) is preferably 10 to 60 mass% with respect to the total amount (100 mass%) of the active ingredient of the polymerizable composition (x-1); More preferably, it is 15-55 mass %, More preferably, it is 20-30 mass %.

중합성 조성물(x-1) 중에 있어서의, (a2) 성분 및 (a1) 성분의 함유량비〔(a2)/(a1)〕는, 질량 기준으로, 바람직하게는 10/90∼70/30, 보다 바람직하게는 20/80∼50/50, 더 바람직하게는 25/75∼40/60이다. The content ratio [(a2)/(a1)] of the component (a2) and the component (a1) in the polymerizable composition (x-1) is preferably 10/90 to 70/30 by mass, More preferably, it is 20/80-50/50, More preferably, it is 25/75-40/60.

상기한 에너지선 중합성 성분 중에서도, 중합성 조성물(x-1)은, 중합성 비닐 모노머, 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머 및 다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머를 함유하는 것이 바람직하다. It is preferable that polymerizable composition (x-1) contains a polymerizable vinyl monomer, a polyfunctional (meth)acrylate monomer, and a polyfunctional (meth)acrylate prepolymer among said energy-beam polymeric components.

중합성 조성물(x-1)이 함유하는 에너지선 중합성 성분 중에 있어서의, 중합성 비닐 모노머, 다관능 (메타)아크릴레이트 모노머 및 다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머의 합계 함유량은, 에너지선 중합성 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 80질량% 이상, 보다 바람직하게는 90질량% 이상, 더 바람직하게는 95질량% 이상, 보다 더 바람직하게는 99질량% 이상이며, 100질량%여도 된다. The total content of the polymerizable vinyl monomer, the polyfunctional (meth)acrylate monomer, and the polyfunctional (meth)acrylate prepolymer in the energy-beam polymerizable component contained in the polymerizable composition (x-1) is energy-beam polymerization With respect to the total amount (100 mass %) of the sex component, preferably 80 mass % or more, more preferably 90 mass % or more, still more preferably 95 mass % or more, even more preferably 99 mass % or more, 100 It may be mass %.

중합성 조성물(x-1) 중에 있어서의 에너지선 중합성 성분의 합계 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 70∼98질량%, 보다 바람직하게는 75∼97질량%, 더 바람직하게는 80∼96질량%, 보다 더 바람직하게는 82∼95질량%이다. The total content of the energy-beam polymerizable component in the polymerizable composition (x-1) is preferably 70 to 98 mass% with respect to the total amount (100 mass%) of the active ingredient of the polymerizable composition (x-1). , More preferably, it is 75-97 mass %, More preferably, it is 80-96 mass %, More preferably, it is 82-95 mass %.

〔열팽창성 입자〕[Thermal Expansive Particles]

열팽창성 입자는, 팽창 개시 온도(t)가 50∼110℃로 조정된 입자이다. The thermally expansible particle|grains are the particle|grains whose expansion initiation temperature (t) was adjusted to 50-110 degreeC.

열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는, 점착 시트의 용도에 따라 상기 범위 내에서 적절히 조정하면 되고, 예를 들면, 피착체에 대하여 연삭을 행할 경우 등의 온도 상승에 따른 열팽창성 입자의 팽창을 억제하는 관점에서는, 바람직하게는 55℃ 이상, 보다 바람직하게는 60℃ 이상, 더 바람직하게는 70℃ 이상이며, 가열 박리할 때에 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 바람직하게는 105℃ 이하, 보다 바람직하게는 100℃ 이하, 더 바람직하게는 95℃ 이하이다. The expansion start temperature (t) of the thermally expansible particles may be appropriately adjusted within the above range according to the use of the adhesive sheet, for example, when grinding an adherend, etc. From the viewpoint of suppressing the Below, more preferably, it is 100 degrees C or less, More preferably, it is 95 degrees C or less.

한편, 본 명세서에 있어서, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는, 이하의 방법에 의거하여 측정된 값을 의미한다. In addition, in this specification, the expansion start temperature (t) of thermally expansible particle|grains means the value measured based on the following method.

[열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)의 측정법][Method for measuring the expansion start temperature (t) of thermally expandable particles]

직경 6.0㎜(내경 5.65㎜), 깊이 4.8㎜의 알루미늄 컵에, 측정 대상이 되는 열팽창성 입자 0.5㎎을 더하고, 그 위에 알루미늄 뚜껑(직경 5.6㎜, 두께 0.1㎜)을 올린 시료를 제작한다.To an aluminum cup having a diameter of 6.0 mm (inner diameter 5.65 mm) and a depth of 4.8 mm, 0.5 mg of thermally expansible particles to be measured are added, and a sample with an aluminum lid (5.6 mm in diameter, 0.1 mm in thickness) placed thereon is prepared.

동적 점탄성 측정 장치를 이용하여, 그 시료에 알루미늄 뚜껑 상부로부터, 가압자에 의해 0.01N의 힘을 가한 상태로, 시료의 높이를 측정한다. 그리고, 가압자에 의해 0.01N의 힘을 가한 상태로, 20℃에서 300℃까지 10℃/min의 승온 속도로 가열하고, 가압자의 수직 방향에 있어서의 변위량을 측정해, 정방향으로의 변위 개시 온도를 팽창 개시 온도(t)로 한다. Using a dynamic viscoelasticity measuring device, the height of the sample is measured in a state in which a force of 0.01 N is applied to the sample from the upper part of the aluminum lid by a pressurizer. Then, in a state in which a force of 0.01 N is applied by the pressurizer, it is heated from 20°C to 300°C at a temperature increase rate of 10°C/min, the displacement amount in the vertical direction of the presser is measured, and the displacement start temperature in the forward direction Let be the expansion initiation temperature (t).

열팽창성 입자로서는, 열가소성 수지로 구성된 외각(外殼)과, 당해 외각에 내포되며, 또한 소정의 온도까지 가열되면 기화하는 내포 성분으로 구성되는, 마이크로 캡슐화 발포제인 것이 바람직하다. The thermally expandable particle is preferably a microencapsulated foaming agent composed of an outer shell made of a thermoplastic resin and an inner shell component that is enclosed in the outer shell and vaporizes when heated to a predetermined temperature.

마이크로 캡슐화 발포제의 외각을 구성하는 열가소성 수지는 특별히 한정되지 않고, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)인 50∼110℃에서, 용융, 용해, 파열 등의 상태 변화를 일으킬 수 있는 재료 및 조성을 적절히 선택하면 된다. The thermoplastic resin constituting the outer shell of the microencapsulated foaming agent is not particularly limited, and the material and composition that can cause state changes such as melting, dissolution, and rupture at 50 to 110° C., which is the expansion start temperature (t) of thermally expandable particles, are appropriately selected. you just have to choose

상기 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리설폰 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. Examples of the thermoplastic resin include vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone. have. These thermoplastic resins may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

마이크로 캡슐화 발포제의 외각에 내포되는 성분인 내포 성분으로서는, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)인 50∼110℃에서 팽창되는 것이면 되고, 예를 들면, 프로판, 프로필렌, 부텐, n-부탄, 이소부탄, 이소펜탄, 네오펜탄, n-펜탄, n-헥산, 이소헥산, n-헵탄, n-옥탄, 시클로프로판, 시클로부탄, 석유 에테르 등의 저비점 액체를 들 수 있다. The encapsulation component, which is a component encapsulated in the outer shell of the microencapsulation foaming agent, may be any that expands at 50 to 110° C., which is the expansion start temperature (t) of the thermally expandable particles, for example, propane, propylene, butene, n-butane, iso and low boiling point liquids such as butane, isopentane, neopentane, n-pentane, n-hexane, isohexane, n-heptane, n-octane, cyclopropane, cyclobutane and petroleum ether.

이들 내포 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. These inclusion components may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)는, 내포 성분의 종류를 적절히 선택함으로써 조정 가능하다. The expansion start temperature t of the thermally expansible particles can be adjusted by appropriately selecting the type of the encapsulation component.

열팽창성 입자의 열팽창 전의 23℃에서의 평균 입자경은, 바람직하게는 1∼30㎛, 보다 바람직하게는 4∼25㎛, 더 바람직하게는 6∼20㎛, 보다 더 바람직하게는 10∼15㎛이다. The average particle diameter at 23°C before thermal expansion of the thermally expandable particles is preferably 1 to 30 µm, more preferably 4 to 25 µm, still more preferably 6 to 20 µm, still more preferably 10 to 15 µm. .

한편, 열팽창성 입자의 평균 입자경(D50)이란, 체적 중위 입자경(D50)이며, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예를 들면, Malvern사제, 제품명 「마스터 사이더 3000」)를 이용하여 측정한 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자 분포에 있어서, 입자경이 작은 쪽부터 계산한 누적 체적 빈도가 50%에 상당하는 입자경을 의미한다. On the other hand, the average particle diameter (D 50 ) of the thermally expandable particles is the volume median particle diameter (D 50 ), measured using a laser diffraction particle size distribution analyzer (eg, manufactured by Malvern, product name “Master Cider 3000”). In the particle distribution of thermally expansible particles before expansion, it means a particle diameter corresponding to 50% of the cumulative volume frequency calculated from the smaller particle diameter.

열팽창성 입자의 열팽창 전의 23℃에서의 90% 입자경(D90)은, 바람직하게는 2∼60㎛, 보다 바람직하게는 8∼50㎛, 더 바람직하게는 12∼40㎛, 보다 더 바람직하게는 20∼30㎛이다. The 90% particle diameter (D 90 ) of the thermally expandable particles at 23° C. before thermal expansion is preferably 2 to 60 µm, more preferably 8 to 50 µm, still more preferably 12 to 40 µm, still more preferably It is 20-30 μm.

한편, 열팽창성 입자의 90% 입자경(D90)이란, 상기 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정한 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자 분포에 있어서, 입자경이 작은 쪽부터 계산한 누적 체적 빈도가 90%에 상당하는 입자경을 의미한다. On the other hand, the 90% particle diameter (D 90 ) of the thermally expandable particles is the cumulative volume frequency calculated from the smaller particle diameter in the particle distribution of the thermally expandable particles before expansion measured using the laser diffraction particle size distribution measuring device. It means the particle diameter corresponded to 90%.

열팽창성 입자를 팽창 개시 온도(t) 이상의 온도까지 가열했을 때의 체적 최대 팽창률은, 바람직하게는 1.5∼200배, 보다 바람직하게는 2∼150배, 더 바람직하게는 2.5∼120배, 보다 더 바람직하게는 3∼100배이다. When the thermally expansible particles are heated to a temperature equal to or higher than the expansion initiation temperature (t), the volumetric maximum expansion rate is preferably 1.5 to 200 times, more preferably 2 to 150 times, still more preferably 2.5 to 120 times, further Preferably it is 3-100 times.

열팽창성 입자의 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%) 또는 점착제층(X1)의 전질량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 1∼30질량%, 보다 바람직하게는 2∼25질량%, 더 바람직하게는 3∼20질량%이다. To [ content of thermally expansible particle|grains / total mass (100 mass %) of the active ingredient of polymerizable composition (x-1)) or the total mass (100 mass %) of adhesive layer (X1), Preferably 1-30 mass % , More preferably, it is 2-25 mass %, More preferably, it is 3-20 mass %.

열팽창성 입자의 함유량이 1질량% 이상이면, 가열 박리 시의 박리성이 향상되는 경향이 있다. 또한, 열팽창성 입자의 함유량이 30질량% 이하이면, 점착제층(X1)의 점착력이 양호해짐과 함께, 가열 박리 시에 점착 시트가 컬하는 것을 억제하여, 취급성을 향상시킬 수 있는 경향이 있다. When content of thermally expansible particle|grains is 1 mass % or more, there exists a tendency for the peelability at the time of heat peeling to improve. Moreover, while content of thermally expansible particle|grains is 30 mass % or less, while the adhesive force of an adhesive layer (X1) becomes favorable, it suppresses curling of an adhesive sheet at the time of heat peeling, and there exists a tendency which can improve handleability. .

〔그 외의 성분〕[Other ingredients]

중합성 조성물(x-1)은, 에너지선 중합성 성분 및 열팽창성 입자 이외의 그 외의 성분을 함유하고 있어도 된다. Polymeric composition (x-1) may contain other components other than an energy-beam polymeric component and thermally expansible particle|grains.

상기 그 외의 성분으로서는, 광중합개시제, 점착 부여제, 상기 각 성분 이외의 일반적인 점착제에 사용되는 점착제용 첨가제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 중합성 조성물(x-1)은, 광중합개시제를 함유하는 것이 바람직하다. As said other component, the additive for adhesives used for a general adhesive other than a photoinitiator, a tackifier, and said each component, etc. are mentioned. Among these, it is preferable that polymerizable composition (x-1) contains a photoinitiator.

《광중합개시제》《Light polymerization initiator》

중합성 조성물(x-1)이 광중합개시제를 함유함으로써, 에너지선 중합성 성분의 중합을 보다 효율적으로 진행시킬 수 있다. When polymerizable composition (x-1) contains a photoinitiator, superposition|polymerization of an energy-beam polymeric component can advance more efficiently.

광중합개시제로서는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤, 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아미노벤조산에스테르, 올리고[2-히드록시-2-메틸-1[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판온], 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 광중합개시제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, acetophenone, dimethylaminoacetophenone, 2 ,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl Ketone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl-2-(hydroxy-2-propyl ) Ketone, benzophenone, p-phenylbenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, dichlorobenzophenone, 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 2-amino Anthraquinone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, acetophenone dimethyl ketal, p-dimethyl aminobenzoic acid ester, oligo[2-hydroxy-2-methyl-1[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone], 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, and the like. have. A photoinitiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

중합성 조성물(x-1)이 광중합개시제를 함유할 경우, 그 함유량은, 에너지선 중합성 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.2∼5질량부, 더 바람직하게는 0.3∼1질량부이다. When polymerizable composition (x-1) contains a photoinitiator, the content is with respect to 100 mass parts of energy-beam polymeric components, Preferably it is 0.1-10 mass parts, More preferably, 0.2-5 mass parts, More preferably, it is 0.3-1 mass part.

광중합개시제의 함유량이 0.1질량부 이상이면, 에너지선 중합성 성분의 중합을 보다 효율적으로 진행시킬 수 있다. 한편, 당해 함유량이 10질량부 이하이면, 미반응인 채 잔류하는 광중합개시제를 없애거나, 또는 줄이는 것이 가능해져, 얻어지는 점착제층(X1)을 원하는 물성으로 조정하기 쉬워진다. Superposition|polymerization of an energy-beam polymeric component can be advanced more efficiently that content of a photoinitiator is 0.1 mass part or more. On the other hand, when the said content is 10 mass parts or less, it becomes possible to remove or reduce the photoinitiator which remains unreacted, and it becomes easy to adjust the adhesive layer (X1) obtained to desired physical properties.

《점착 부여제》《Tackifier》

점착 부여제는, 점착력을 보다 향상시키는 것을 목적으로 하여, 필요에 따라 사용되는 성분이다. A tackifier is a component used as needed for the purpose of improving adhesive force more.

본 명세서에 있어서, 「점착 부여제」란, 질량 평균 분자량(Mw)이 1만 미만인 것을 가리키며, 후술하는 점착성 수지와는 구별되는 것이다. In this specification, a "tackifier" refers to a thing with a mass average molecular weight (Mw) of less than 10,000, and is distinguished from the adhesive resin mentioned later.

점착 부여제의 질량 평균 분자량(Mw)은 1만 미만이며, 바람직하게는 400∼9,000, 보다 바람직하게는 500∼8,000, 더 바람직하게는 800∼5,000이다. The mass average molecular weight (Mw) of a tackifier is less than 10,000, Preferably it is 400-9,000, More preferably, it is 500-8,000, More preferably, it is 800-5,000.

점착 부여제로서는, 예를 들면, 로진계 수지, 테르펜계 수지, 스티렌계 수지, 석유 나프타의 열분해로 생성되는 펜텐, 이소프렌, 피페린, 1,3-펜타디엔 등의 C5 유분을 공중합하여 얻어지는 C5계 석유 수지, 석유 나프타의 열분해로 생성되는 인덴, 비닐톨루엔 등의 C9 유분을 공중합하여 얻어지는 C9계 석유 수지, 및 이들을 수소화한 수소화 수지 등을 들 수 있다. As the tackifier, for example, C5 obtained by copolymerizing C5 fractions such as rosin-based resins, terpene-based resins, styrene-based resins, pentene produced by thermal decomposition of petroleum naphtha, isoprene, piperine, and 1,3-pentadiene. and C9 petroleum resins obtained by copolymerizing C9 fractions such as indene and vinyltoluene produced by thermal decomposition of petroleum naphtha, C9 petroleum resins, and hydrogenated resins obtained by hydrogenating them.

점착 부여제의 연화점은, 바람직하게는 60∼170℃, 보다 바람직하게는 65∼160℃, 더 바람직하게는 70∼150℃이다. The softening point of a tackifier becomes like this. Preferably it is 60-170 degreeC, More preferably, it is 65-160 degreeC, More preferably, it is 70-150 degreeC.

한편, 본 명세서에 있어서, 점착 부여제의 「연화점」은, JIS K 2531에 준거하여 측정한 값을 의미한다. In addition, in this specification, the "softening point" of a tackifier means the value measured based on JISK2531.

점착 부여제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 연화점, 구조 등이 다른 2종 이상을 병용해도 된다. 2종 이상의 점착 부여제를 이용할 경우, 그들 복수의 점착 부여제의 연화점의 가중 평균이, 상기 범위에 속하는 것이 바람직하다. A tackifier may be used individually by 1 type, and may use together 2 or more types from which a softening point, a structure, etc. differ. When using 2 or more types of tackifiers, it is preferable that the weighted average of the softening point of these some tackifier belongs to the said range.

중합성 조성물(x-1)이 점착 부여제를 함유할 경우, 그 함유량은, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 0.01∼65질량%, 보다 바람직하게는 0.1∼50질량%, 더 바람직하게는 1∼40질량%, 보다 더 바람직하게는 2∼30질량%이다. When polymerizable composition (x-1) contains a tackifier, the content becomes like this with respect to whole quantity (100 mass %) of the active ingredient of polymerizable composition (x-1), Preferably 0.01-65 mass %. , More preferably, it is 0.1-50 mass %, More preferably, it is 1-40 mass %, More preferably, it is 2-30 mass %.

《점착제용 첨가제》《Additives for Adhesives》

점착제용 첨가제로서는, 예를 들면, 실란 커플링제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 방청제, 안료, 염료, 지연제, 반응 촉진제(촉매), 자외선 흡수제 등을 들 수 있다. 이들 점착제용 첨가제는, 각각 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. As an additive for adhesives, a silane coupling agent, antioxidant, a softener (plasticizer), a rust preventive agent, a pigment, dye, a retarder, a reaction accelerator (catalyst), a ultraviolet absorber etc. are mentioned, for example. These additives for adhesives may be used independently, respectively, and may use 2 or more types together.

중합성 조성물(x-1)이 점착제용 첨가제를 함유할 경우, 각각의 점착제용 첨가제의 함유량은, 에너지선 중합성 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.0001∼20질량부, 보다 바람직하게는 0.001∼10질량부이다. When polymerizable composition (x-1) contains the additive for adhesives, content of each additive for adhesives is with respect to 100 mass parts of energy-beam polymeric components, Preferably it is 0.0001-20 mass parts, More preferably It is 0.001-10 mass parts.

한편, 중합성 조성물(x-1)은, 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위에서, 희석제 등의 용제를 함유하고 있어도 되지만, 용제를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 즉, 중합성 조성물(x-1)은, 무용제형 중합성 조성물인 것이 바람직하다. On the other hand, although polymerizable composition (x-1) may contain solvents, such as a diluent, in the range which is not contrary to the objective of this invention, it is preferable not to contain a solvent. That is, the polymerizable composition (x-1) is preferably a solvent-free polymerizable composition.

중합성 조성물(x-1)이 무용제형 중합성 조성물임으로써, 점착제층(X1)을 형성할 때에, 용제의 가열 건조를 생략할 수 있기 때문에, 가열 건조 시에 있어서의 열팽창성 입자의 팽창을 억제할 수 있다. 또한, 용제를 사용할 경우, 건조 시의 체적 감소에 수반하여 열팽창성 입자가 일방의 면측에 편재해, 기재(Y)와의 밀착성 또는 점착 표면의 점착력이 낮아질 경우가 있었다. 한편, 무용제형 중합성 조성물은, 에너지선 중합성 성분 중에 열팽창성 입자가 균일하게 분산된 채의 상태에서 중합이 진행되어 점착제층(X1)이 형성되기 때문에, 상기와 같은 문제가 생기기 어렵다. When the polymerizable composition (x-1) is a solvent-free polymerizable composition, when the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is formed, heat drying of the solvent can be omitted, so that the expansion of the thermally expansible particles during heat drying is reduced. can be suppressed Moreover, when using a solvent, thermally expansible particle|grains may be unevenly distributed on one surface side with the volume reduction at the time of drying, and the adhesiveness with the base material Y or the adhesive force of the adhesion surface may become low. On the other hand, in the solvent-free polymerizable composition, since polymerization proceeds in a state in which thermally expansible particles are uniformly dispersed in the energy-beam polymerizable component to form the pressure-sensitive adhesive layer (X1), the above-described problems are unlikely to occur.

중합성 조성물(x-1)이 용제를 함유할 경우, 그 함유량은 적을수록 바람직하고, 중합성 조성물(x-1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더 바람직하게는 0.1질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 0.01질량% 이하이다. When polymerizable composition (x-1) contains a solvent, it is so preferable that there is little content, With respect to whole quantity (100 mass %) of the active ingredient of polymerizable composition (x-1), Preferably 10 mass % Hereinafter, more preferably, it is 1 mass % or less, More preferably, it is 0.1 mass % or less, More preferably, it is 0.01 mass % or less.

중합성 조성물(x-1)은, 에너지선 중합성 성분, 열팽창성 입자, 및 필요에 따라 함유되는 그 외의 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 얻어지는 중합성 조성물(x-1)은, 그 후의 에너지선 중합에 의해 고분자량화시키는 것이기 때문에, 층을 형성할 때에는, 저분자량의 에너지선 중합성 성분에 의해 적당한 점도로 조정 가능하다. 그 때문에 중합성 조성물은, 희석제 등의 용제를 첨가하지 않고, 그대로 도포 용액으로서 점착제층(X1)의 형성에 사용할 수 있다. A polymerizable composition (x-1) can be manufactured by mixing an energy-beam polymeric component, thermally expansible particle|grains, and the other component contained as needed. Since the polymerizable composition (x-1) obtained is made to have a high molecular weight by subsequent energy-beam polymerization, when forming a layer, it can adjust to a suitable viscosity with a low molecular-weight energy-beam polymeric component. Therefore, a polymeric composition can be used for formation of adhesive layer (X1) as a coating solution as it is, without adding solvents, such as a diluent.

한편, 중합성 조성물(x-1)에 에너지선을 조사하여 형성되는 점착제층(X1)에는, 에너지선 중합성 성분이 중합하여 이루어지는 다종다양한 중합체와, 당해 중합체 중으로 분산되는 열팽창성 입자가 포함되지만, 이들을 구조 및 물성으로 직접 특정하는 것은, 불가능하거나, 또는 대체로 실제적이지 않다는 사정이 존재한다. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive layer (X1) formed by irradiating the polymerizable composition (x-1) with an energy ray includes a variety of polymers formed by polymerization of the energy ray polymerizable component and thermally expansible particles dispersed in the polymer. , circumstances exist where it is impossible, or largely impractical, to specify them directly by structure and physical properties.

(점착제층(X1)의 열팽창 전의 23℃에서의 점착력)(Adhesive force in 23 degreeC before thermal expansion of adhesive layer (X1))

점착제층(X1)의 열팽창 전의 23℃에서의 점착력은, 바람직하게는 0.1∼12.0N/25㎜, 보다 바람직하게는 0.5∼9.0N/25㎜, 더 바람직하게는 1.0∼8.0N/25㎜, 보다 더 바람직하게는 1.2∼7.5N/25㎜이다. The adhesive force in 23 degreeC before thermal expansion of the adhesive layer (X1) becomes like this. Preferably it is 0.1-12.0N/25mm, More preferably, it is 0.5-9.0N/25mm, More preferably, it is 1.0-8.0N/25mm, More preferably, it is 1.2-7.5 N/25 mm.

점착제층(X1)의 열팽창 전의 23℃에서의 점착력이 0.1N/25㎜ 이상이면, 가고정 시에 있어서의 피착체로부터의 의도하지 않은 박리, 피착체의 위치 어긋남 등을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 한편, 당해 점착력이 12.0N/25㎜ 이하이면, 가열 박리 시의 박리성을 보다 향상시킬 수 있다. If the adhesive force at 23 ° C. before thermal expansion of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is 0.1 N / 25 mm or more, unintentional peeling from the adherend at the time of temporarily fixing, displacement of the adherend, etc. can be more effectively suppressed . On the other hand, the peelability at the time of heat peeling can be improved more that the said adhesive force is 12.0 N/25 mm or less.

한편, 본 명세서에 있어서, 점착제층의 점착력은, 실리콘 미러 웨이퍼의 미러면에 대한 점착력을 의미한다. In addition, in this specification, the adhesive force of an adhesive layer means the adhesive force with respect to the mirror surface of a silicon mirror wafer.

또한, 본 명세서에 있어서, 점착제층(X1)의 열팽창 전의 23℃에서의 점착력은, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. In addition, in this specification, the adhesive force in 23 degreeC before thermal expansion of the adhesive layer (X1) means the value specifically measured according to the method described in the Example.

(점착제층(X1)의 열팽창 후의 23℃에서의 점착력)(Adhesive force in 23 degreeC after thermal expansion of adhesive layer (X1))

점착제층(X1)의 열팽창 후의 23℃에서의 점착력은, 바람직하게는 1.5N/25㎜ 이하, 보다 바람직하게는 0.05N/25㎜ 이하, 더 바람직하게는 0.01N/25㎜ 이하, 보다 더 바람직하게는 0N/25㎜이다. 한편, 점착력이 0N/25㎜라는 것은, 후술하는 열팽창 후의 23℃에서의 점착력의 측정 방법에 있어서 측정 한계 이하의 점착력을 의미하고, 측정을 위해 점착 시트를 고정할 때에 점착력이 너무 작아 의도하지 않게 박리하는 경우도 포함된다. The adhesive force in 23 degreeC after thermal expansion of the adhesive layer (X1) becomes like this. Preferably it is 1.5 N/25 mm or less, More preferably, it is 0.05 N/25 mm or less, More preferably, it is 0.01 N/25 mm or less, and still more preferable. Usually it is 0N/25mm. On the other hand, the adhesive force of 0N/25mm means the adhesive force below the measurement limit in the measuring method of the adhesive force at 23 degreeC after thermal expansion mentioned later, and when fixing an adhesive sheet for measurement, the adhesive force is too small and unintentionally The case of peeling is also included.

본 명세서에 있어서, 점착제층(X1)의 열팽창 후의 23℃에서의 점착력은, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. In this specification, the adhesive force at 23 degreeC after thermal expansion of the adhesive layer (X1) means the value specifically measured according to the method described in the Example.

(점착제층(X1)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23))(Shear storage modulus G' (23) at 23°C of the pressure-sensitive adhesive layer (X1))

점착제층(X1)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)는, 바람직하게는 1.0×104∼5.0×107㎩, 보다 바람직하게는 5.0×104∼1.0×107㎩, 더 바람직하게는 1.0×105∼5.0×106㎩이다. Shear storage modulus G' (23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) at 23° C. is preferably 1.0×10 4 to 5.0×10 7 Pa, more preferably 5.0×10 4 to 1.0×10 7 Pa, further Preferably, it is 1.0×10 5 to 5.0×10 6 Pa.

점착제층(X1)의 전단 저장 탄성률 G'(23)가 1.0×104㎩ 이상이면, 가고정 시에 있어서의 피착체의 위치 어긋남, 피착체의 점착제층(X1)으로의 과도한 가라앉음 등을 억제할 수 있다. 한편, 당해 전단 저장 탄성률 G'(23)가 5.0×107㎩ 이하이면, 열팽창성 입자의 팽창에 의해, 점착제층(X1)의 표면에 요철이 형성되기 쉬워져, 가열 박리 시의 박리성이 향상되는 경향이 있다. When the shear storage modulus G' (23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is 1.0 × 10 4 Pa or more, positional displacement of the adherend during temporary fixing, excessive sinking of the adherend to the pressure-sensitive adhesive layer (X1), etc. can be suppressed On the other hand, when the shear storage elastic modulus G' (23) is 5.0×10 7 Pa or less, the thermally expansible particles expand easily to form irregularities on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), and the peelability at the time of heat peeling tends to improve.

한편, 본 명세서에 있어서, 점착제층(X1)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. Meanwhile, in the present specification, the shear storage modulus G' (23) at 23° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) means a value measured according to the method described in Examples.

점착제층(X1)은 열팽창성 입자를 함유하는 층이며, 점착제층(X1)의 전단 저장 탄성률 G'는 열팽창성 입자의 영향을 받을 수 있다. 열팽창성 입자의 영향을 배제한 전단 저장 탄성률 G'를 측정하는 관점에서는, 열팽창성 입자를 함유하지 않는 것 이외는, 점착제층(X1)과 같은 구성을 가지는 점착제층(이하, 「비팽창성 점착제층(X1')」이라고도 함)을 조제해, 당해 점착제층의 전단 저장 탄성률 G'를 측정해도 된다. The pressure-sensitive adhesive layer (X1) is a layer containing thermally expansible particles, and the shear storage modulus G' of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) may be affected by the thermally expansible particles. From the viewpoint of measuring the shear storage modulus G' excluding the influence of thermally expansible particles, the adhesive layer having the same configuration as the adhesive layer (X1) except that it does not contain thermally expansible particles (hereinafter referred to as "non-expandable adhesive layer ( X1')") may be prepared, and the shear storage modulus G' of the pressure-sensitive adhesive layer may be measured.

(비팽창성 점착제층(X1')의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23))(Shear storage modulus G'(23) at 23°C of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1'))

비팽창성 점착제층(X1')의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)는, 바람직하게는 1.0×104∼5.0×107㎩, 보다 바람직하게는 5.0×104∼1.0×107㎩, 더 바람직하게는 1.0×105∼5.0×106㎩이다. The shear storage modulus G' (23) at 23°C of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') is preferably 1.0×10 4 to 5.0×10 7 Pa, more preferably 5.0×10 4 to 1.0×10 7 Pa, more preferably 1.0×10 5 to 5.0×10 6 Pa.

비팽창성 점착제층(X1')의 전단 저장 탄성률 G'(23)가 1.0×104㎩ 이상이면, 가고정 시에 있어서의 피착체의 위치 어긋남, 피착체의 점착제층(X1)으로의 과도한 가라앉음 등을 억제할 수 있다. 한편, 당해 전단 저장 탄성률 G'(23)가 5.0×107㎩ 이하이면, 열팽창성 입자의 팽창에 의해, 점착제층(X1)의 표면에 요철이 형성되기 쉬워져, 가열 박리 시의 박리성이 향상되는 경향이 있다. When the shear storage elastic modulus G' (23) of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') is 1.0 × 10 4 Pa or more, the position shift of the adherend at the time of temporarily fixing, excessive decrease of the adherend to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) Sitting can be suppressed. On the other hand, when the shear storage elastic modulus G' (23) is 5.0×10 7 Pa or less, the thermally expansible particles expand easily to form irregularities on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), and the peelability at the time of heat peeling tends to improve.

(비팽창성 점착제층(X1')의 팽창 개시 온도(t)에서의 전단 저장 탄성률 G'(t))(Shear storage modulus G'(t) at the expansion initiation temperature (t) of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1'))

비팽창성 점착제층(X1')의 상기 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서의 전단 저장 탄성률 G'(t)는, 바람직하게는 5.0×103∼1.0×107㎩, 보다 바람직하게는 1.0×104∼5.0×106㎩, 더 바람직하게는 5.0×104∼1.0×106㎩이다. The shear storage modulus G'(t) at the expansion start temperature (t) of the thermally expansible particles of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') is preferably 5.0×10 3 to 1.0×10 7 Pa, more preferably 1.0×10 4 to 5.0×10 6 Pa, more preferably 5.0×10 4 to 1.0×10 6 Pa.

비팽창성 점착제층(X1')의 전단 저장 탄성률 G'(t)가 5.0×103㎩ 이상이면, 가고정 시에 있어서의 피착체의 위치 어긋남, 피착체의 점착제층(X1)으로의 과도한 가라앉음 등을 억제할 수 있음과 함께, 가열 박리 시에 점착 시트가 컬하는 것을 억제해, 취급성을 향상시킬 수 있는 경향이 있다. 한편, 당해 전단 저장 탄성률 G'(t)가 1.0×107㎩ 이하이면, 열팽창성 입자의 팽창에 의해, 점착제층(X1)의 표면에 요철이 형성되기 쉬워져, 가열 박리 시의 박리성이 향상되는 경향이 있다. When the shear storage modulus G'(t) of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') is 5.0 × 10 3 Pa or more, the position shift of the adherend at the time of temporarily fixing, excessive decrease of the adherend to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) While sitting etc. can be suppressed, it exists in the tendency which can suppress that an adhesive sheet curls at the time of heat peeling, and can improve handleability. On the other hand, when the shear storage elastic modulus G'(t) is 1.0×10 7 Pa or less, irregularities are easily formed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) due to the expansion of the thermally expansible particles, and the peelability at the time of heat peeling tends to improve.

한편, 본 명세서에 있어서, 비팽창성 점착제층(X1')의 소정 온도에서의 전단 저장 탄성률 G'는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. Meanwhile, in the present specification, the shear storage modulus G' at a predetermined temperature of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') means a value measured according to the method described in Examples.

(점착제층(X1)의 23℃에서의 두께)(Thickness at 23°C of the pressure-sensitive adhesive layer (X1))

점착제층(X1)의 23℃에서의 두께는, 바람직하게는 5∼150㎛, 보다 바람직하게는 10∼100㎛, 더 바람직하게는 20∼80㎛이다. The thickness in 23 degreeC of adhesive layer (X1) becomes like this. Preferably it is 5-150 micrometers, More preferably, it is 10-100 micrometers, More preferably, it is 20-80 micrometers.

점착제층(X1)의 23℃에서의 두께가 5㎛ 이상이면, 충분한 점착력이 얻어지기 쉬워져, 가고정 시에 있어서의 피착체로부터의 의도하지 않은 박리, 피착체의 위치 어긋남 등을 억제할 수 있는 경향이 있다. 한편, 점착제층(X1)의 23℃에서의 두께가 150㎛ 이하이면, 가열 박리 시의 박리성이 향상됨과 함께, 가열 박리 시에 점착 시트가 컬하는 것을 억제해, 취급성을 향상시킬 수 있는 경향이 있다. If the thickness at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is 5 µm or more, sufficient adhesive force is easily obtained, and unintentional peeling from the adherend at the time of temporarily fixing, displacement of the adherend, etc. can be suppressed tends to be On the other hand, when the thickness at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is 150 µm or less, the peelability at the time of heat peeling improves, and it suppresses curling of the adhesive sheet at the time of heat peeling, and can improve handleability. tends to

한편, 본 명세서에 있어서, 점착제층의 두께는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다. 또한, 점착제층(X1)의 두께는, 열팽창성 입자의 팽창 전의 값이다. Meanwhile, in the present specification, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer means a value measured according to the method described in Examples. In addition, the thickness of adhesive layer X1 is a value before expansion|swelling of thermally expansible particle|grains.

<점착제층(X2)><Adhesive layer (X2)>

점착제층(X2)은, 기재(Y)의 타방의 면측에 임의로 설치되는 층이다.The pressure-sensitive adhesive layer (X2) is a layer arbitrarily provided on the other surface side of the base material (Y).

점착제층(X2)은, 열팽창성층이어도 되고, 비열팽창성층이어도 되지만, 비열팽창성층인 것이 바람직하다. 점착제층(X1)과 점착제층(X2)에서, 점착제층의 점착력을 저하시키는 작용 기구를 서로 다른 것으로 함으로써, 어느 일방의 점착제층의 점착력을 저하시키는 처리를 행할 때에, 의도하지 않게 타방의 점착제층의 점착력까지 저하시켜 버리는 것을 억제할 수 있다. Although a thermally expansible layer may be sufficient as adhesive layer (X2), or a nonthermal expansible layer may be sufficient as it, it is preferable that it is a nonthermal expansible layer. In the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2), by making the action mechanism for reducing the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer different from each other, when performing a process for reducing the adhesive strength of either one of the pressure-sensitive adhesive layers, the other pressure-sensitive adhesive layer is unintentionally It can suppress that the adhesive force of

점착제층(X2)이 비열팽창성층일 경우, 상기 식으로부터 산출되는 점착제층(X2)의 체적 변화율(%)은, 5% 미만이며, 바람직하게는 2% 미만, 보다 바람직하게는 1% 미만, 더 바람직하게는 0.1% 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01% 미만이다. When the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is a non-thermal expandable layer, the volume change rate (%) of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) calculated from the above formula is less than 5%, preferably less than 2%, more preferably less than 1%, more Preferably less than 0.1%, even more preferably less than 0.01%.

점착제층(X2)은, 열팽창성 입자를 함유하지 않는 것이 바람직하지만, 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위에서 열팽창성 입자를 함유하고 있어도 된다. Although it is preferable not to contain thermally expansible particle|grains, adhesive layer (X2) may contain thermally expansible particle|grains in the range which is not contrary to the objective of this invention.

점착제층(X2)이 열팽창성 입자를 함유할 경우, 그 함유량은 적을수록 바람직하고, 점착제층(X2)의 전질량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 3질량% 미만, 보다 바람직하게는 1질량% 미만, 더 바람직하게는 0.1질량% 미만, 보다 더 바람직하게는 0.01질량% 미만, 보다 더 바람직하게는 0.001질량% 미만이다. When the pressure-sensitive adhesive layer (X2) contains thermally expansible particles, the content is preferably as small as possible, with respect to the total mass (100 mass%) of the pressure-sensitive adhesive layer (X2), preferably less than 3 mass%, more preferably It is less than 1 mass %, More preferably, it is less than 0.1 mass %, More preferably, it is less than 0.01 mass %, More preferably, it is less than 0.001 mass %.

점착제층(X2)은, 점착성 수지를 함유하는 점착제 조성물(x-2)로 형성하는 것이 바람직하다. 이하, 점착제 조성물(x-2)에 함유되는 각 성분에 대해서 설명한다. It is preferable to form an adhesive layer (X2) from the adhesive composition (x-2) containing adhesive resin. Hereinafter, each component contained in an adhesive composition (x-2) is demonstrated.

(점착제 조성물(x-2))(Adhesive composition (x-2))

점착제 조성물(x-2)은, 점착성 수지를 함유하는 것이며, 필요에 따라, 가교제, 점착 부여제, 중합성 화합물, 중합개시제, 상기 각 성분 이외의 일반적인 점착제에 사용되는 점착제용 첨가제 등을 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (x-2) contains a pressure-sensitive adhesive resin, and, if necessary, a crosslinking agent, a tackifier, a polymerizable compound, a polymerization initiator, and additives for pressure-sensitive adhesives used in general pressure-sensitive adhesives other than each of the above components. there may be

〔점착성 수지〕[Adhesive resin]

점착성 수지로서는, 당해 수지 단독으로 점착성을 갖고, 질량 평균 분자량(Mw)이 1만 이상인 중합체이면 된다. As adhesive resin, the said resin independently has adhesiveness, and what is necessary is just a polymer whose mass average molecular weight (Mw) is 10,000 or more.

점착성 수지의 질량 평균 분자량(Mw)은, 점착제층(X2)의 점착력을 보다 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 1만∼200만, 보다 바람직하게는 2만∼150만, 더 바람직하게는 3만∼100만이다. From a viewpoint of the mass average molecular weight (Mw) of adhesive resin improving the adhesive force of adhesive layer (X2) more, Preferably it is 10,000-2 million, More preferably, it is 20,000-1,500,000, More preferably, 30,000 ~100 million.

점착성 수지로서는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이소부틸렌계 수지 등의 고무계 수지, 폴리에스테르계 수지, 올레핀계 수지, 실리콘계 수지, 폴리비닐에테르계 수지 등을 들 수 있다. Examples of the adhesive resin include rubber-based resins such as acrylic resins, urethane-based resins, and polyisobutylene-based resins, polyester-based resins, olefin-based resins, silicone-based resins, and polyvinyl ether-based resins.

이들 점착성 수지는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. These adhesive resins may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

또한, 이들 점착성 수지가, 2종 이상의 구성 단위를 가지는 공중합체일 경우, 당해 공중합체의 형태는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 및 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 된다. In addition, when these adhesive resins are a copolymer which has 2 or more types of structural units, any of a block copolymer, a random copolymer, and a graft copolymer may be sufficient as the form of the said copolymer.

점착성 수지를 함유하는 점착제 조성물(x-2)은, 점착제층(X1)과의 점착력 저하의 작용 기구를 다르게 하는 관점에서, 에너지선의 조사에 의해 경화하는 점착제 조성물인 것이 바람직하고, 점착성 수지는, 상기한 점착성 수지의 측쇄에 에너지선 중합성 관능기를 가지는 수지인 것이 보다 바람직하다. 당해 점착제 조성물로 형성함으로써, 점착제층(X2)을, 에너지선 조사에 의해 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층으로 할 수 있다. The pressure-sensitive adhesive composition (x-2) containing the pressure-sensitive adhesive resin is preferably a pressure-sensitive adhesive composition cured by irradiation with energy rays from the viewpoint of differentiating the mechanism of lowering the adhesive force with the pressure-sensitive adhesive layer (X1), the pressure-sensitive adhesive resin, It is more preferable that it is resin which has an energy-beam polymerizable functional group in the side chain of said adhesive resin. By forming from the said adhesive composition, adhesive layer (X2) can be hardened|cured by energy-beam irradiation, and it can be set as the adhesive layer in which adhesive force falls.

에너지선 중합성 관능기로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등의 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 것을 들 수 있다. As an energy-beam polymerizable functional group, what has carbon-carbon double bonds, such as a (meth)acryloyl group, a vinyl group, and an allyl group, is mentioned, for example.

에너지선으로서는, 상기한 것 중에서도, 취급이 용이한 자외선이 바람직하다. As an energy beam, the ultraviolet-ray with easy handling among the above-mentioned is preferable.

또한, 점착제 조성물(x-2)은, 에너지선 중합성 관능기를 가지는 점착성 수지와 함께, 또는 에너지선 중합성 관능기를 가지는 점착성 수지를 대신하여, 에너지선 중합성 관능기를 가지는 모노머 또는 프리폴리머를 함유하고 있어도 된다. In addition, the pressure-sensitive adhesive composition (x-2), together with the pressure-sensitive adhesive resin having an energy-beam polymerizable functional group, or instead of the pressure-sensitive adhesive resin having an energy-beam polymerizable functional group, contains a monomer or prepolymer having an energy-beam polymerizable functional group, there may be

에너지선 중합성 관능기를 가지는 모노머 또는 프리폴리머로서는, 상기한 중합성 조성물(x-1)에 함유되는 에너지선 중합성 성분과 같은 것을 들 수 있다. As a monomer or prepolymer which has an energy-beam polymerizable functional group, the thing similar to the energy-beam polymeric component contained in said polymerizable composition (x-1) is mentioned.

점착제 조성물(x-2)을 에너지선의 조사에 의해 경화하는 점착제 조성물로 할 경우, 당해 점착제 조성물은, 광중합개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다. When making an adhesive composition (x-2) into the adhesive composition hardened|cured by irradiation of an energy ray, it is preferable that the said adhesive composition contains a photoinitiator further.

광중합개시제를 함유함으로써, 에너지선 중합성 성분의 중합을 보다 효율적으로 진행시킬 수 있다. By containing a photoinitiator, superposition|polymerization of an energy-beam polymeric component can advance more efficiently.

광중합개시제로서는, 중합성 조성물(x-1)이 함유하고 있어도 되는 광중합개시제와 같은 것을 들 수 있다.As a photoinitiator, the thing similar to the photoinitiator which the polymerizable composition (x-1) may contain is mentioned.

광중합개시제의 함유량은, 에너지선 중합성 관능기를 가지는 점착성 수지, 모노머 및 프리폴리머의 총량 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.03∼5질량부, 더 바람직하게는 0.05∼2질량부이다. The content of the photoinitiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, still more preferably 0.01 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the adhesive resin having an energy ray polymerizable functional group, a monomer, and a prepolymer. It is 0.05-2 mass parts.

점착성 수지는, 우수한 점착력을 발현시키는 관점에서, 아크릴계 수지를 함유하는 것이 바람직하다. It is preferable that adhesive resin contains an acrylic resin from a viewpoint of expressing the outstanding adhesive force.

점착제 조성물(x-2) 중에 있어서의 아크릴계 수지의 함유량은, 점착제 조성물(x-2)에 함유되는 점착성 수지의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 30∼100질량%, 보다 바람직하게는 50∼100질량%, 더 바람직하게는 70∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 85∼100질량%이다. The content of the acrylic resin in the pressure-sensitive adhesive composition (x-2) is preferably 30 to 100 mass%, more preferably 30 to 100 mass% with respect to the total amount (100 mass%) of the pressure-sensitive adhesive resin contained in the pressure-sensitive adhesive composition (x-2). is 50-100 mass %, More preferably, it is 70-100 mass %, More preferably, it is 85-100 mass %.

점착제 조성물(x-2) 중에 있어서의 점착성 수지의 함유량은, 점착제 조성물(x-2)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대하여, 바람직하게는 35∼100질량%, 보다 바람직하게는 50∼100질량%, 더 바람직하게는 60∼98질량%, 보다 더 바람직하게는 70∼95질량%이다. To [ content of the adhesive resin in an adhesive composition (x-2) / whole quantity (100 mass %) of the active ingredient of an adhesive composition (x-2)), Preferably it is 35-100 mass %, More preferably, it is 50 -100 mass %, More preferably, it is 60-98 mass %, More preferably, it is 70-95 mass %.

〔가교제〕[crosslinking agent]

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-2)이 관능기를 가지는 점착성 수지를 함유할 경우, 점착제 조성물(x-2)은, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다. In one aspect of the present invention, when the pressure-sensitive adhesive composition (x-2) contains an adhesive resin having a functional group, the pressure-sensitive adhesive composition (x-2) preferably further contains a crosslinking agent.

당해 가교제는, 관능기를 가지는 점착성 수지와 반응하여, 당해 관능기를 가교 기점으로 해서, 점착성 수지끼리를 가교하는 것이다. The said crosslinking agent reacts with the adhesive resin which has a functional group, and uses the said functional group as a bridge|crosslinking origin to bridge|crosslink adhesive resins.

가교제로서는, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. As a crosslinking agent, an isocyanate type crosslinking agent, an epoxy type crosslinking agent, an aziridine type crosslinking agent, a metal chelate type crosslinking agent, etc. are mentioned, for example.

가교제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. A crosslinking agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

이들 가교제 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수하기 용이함 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다. Among these crosslinking agents, an isocyanate-type crosslinking agent is preferable from a viewpoint of raising cohesive force and improving adhesive force, and viewpoints, such as easiness of availability.

가교제의 함유량은, 점착성 수지가 가지는 관능기의 수에 따라 적절히 조정되는 것이지만, 관능기를 가지는 점착성 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.03∼7질량부, 더 바람직하게는 0.05∼5질량부이다. The content of the crosslinking agent is appropriately adjusted according to the number of functional groups in the adhesive resin, but with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin having a functional group, preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, further Preferably it is 0.05-5 mass parts.

〔점착 부여제〕[Tackifier]

본 발명의 일 태양에 있어서, 점착제 조성물(x-2)은, 점착력을 보다 향상시키는 관점에서, 점착 부여제를 더 함유하고 있어도 된다. One aspect of this invention WHEREIN: The adhesive composition (x-2) may contain the tackifier further from a viewpoint of improving adhesive force more.

점착제 조성물(x-2)이 함유하고 있어도 되는 점착 부여제로서는, 중합성 조성물(x-1)이 함유하고 있어도 되는 점착 부여제와 동등한 것을 사용할 수 있다. As a tackifier which adhesive composition (x-2) may contain, the thing equivalent to the tackifier which polymeric composition (x-1) may contain can be used.

〔점착제용 첨가제〕[Additives for Adhesives]

점착제용 첨가제로서는, 중합성 조성물(x-1)이 함유하고 있어도 되는 점착제용 첨가제와 같은 것을 들 수 있다. As an additive for adhesives, the same thing as the additive for adhesives which the polymerizable composition (x-1) may contain is mentioned.

한편, 점착제 조성물(x-2)이 열팽창성 입자를 함유하지 않을 경우, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상으로의 가열 건조를 피할 필요가 없기 때문에, 점착제 조성물(x-2)은, 필요에 따라 용제를 함유하고 있어도 된다. On the other hand, when the pressure-sensitive adhesive composition (x-2) does not contain thermally expansible particles, since there is no need to avoid heating and drying the thermally expansible particles to an expansion start temperature (t) or higher, the pressure-sensitive adhesive composition (x-2) is, You may contain a solvent as needed.

점착제 조성물(x-2)은, 점착성 수지, 필요에 따라 사용되는 가교제, 점착 부여제, 점착제용 첨가제 등을 혼합함으로써 제조할 수 있다. The adhesive composition (x-2) can be manufactured by mixing an adhesive resin, the crosslinking agent used as needed, a tackifier, the additive for adhesives, etc.

〔점착제층(X2)의 점착력〕[Adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer (X2)]

점착제층(X2)의 점착 표면에 있어서의 점착력은, 바람직하게는 0.1∼10.0N/25㎜, 보다 바람직하게는 0.2∼8.0N/25㎜, 더 바람직하게는 0.4∼6.0N/25㎜, 보다 더 바람직하게는 0.5∼4.0N/25㎜이다. The adhesive force on the adhesion surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is preferably 0.1 to 10.0 N/25 mm, more preferably 0.2 to 8.0 N/25 mm, still more preferably 0.4 to 6.0 N/25 mm, more More preferably, it is 0.5-4.0 N/25 mm.

점착제층(X2)의 점착 표면에 있어서의 점착력이 0.1N/25㎜ 이상이면, 가고정 시에 있어서의 피착체로부터의 의도하지 않은 박리, 피착체의 위치 어긋남 등을 보다 효과적으로 억제할 수 있다. 한편, 당해 점착력이 10.0N/25㎜ 이하이면, 피착체에 손상 등을 주지 않고 박리하기 쉬워진다. If the adhesive force on the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is 0.1 N/25 mm or more, unintentional peeling from the adherend at the time of temporarily fixing, position shift of the adherend, etc. can be more effectively suppressed. On the other hand, if the said adhesive force is 10.0 N/25 mm or less, it will become easy to peel, without giving damage etc. to a to-be-adhered body.

〔점착제층(X2)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)〕[Shear storage modulus G' (23) at 23°C of the pressure-sensitive adhesive layer (X2)]

점착제층(X2)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)는, 바람직하게는 5.0×103∼1.0×107㎩, 보다 바람직하게는 1.0×104∼5.0×106㎩, 더 바람직하게는 5.0×104∼1.0×106㎩이다. Shear storage modulus G' (23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) at 23° C. is preferably 5.0×10 3 to 1.0×10 7 Pa, more preferably 1.0×10 4 to 5.0×10 6 Pa, further Preferably it is 5.0×10 4 to 1.0×10 6 Pa.

점착제층(X2)의 전단 저장 탄성률 G'(23)가 5.0×103㎩ 이상이면, 가고정 시에 있어서의 피착체의 위치 어긋남, 피착체의 점착제층(X2)으로의 과도한 가라앉음 등을 억제할 수 있는 경향이 있다. 한편, 당해 전단 저장 탄성률 G'(23)가 1.0×107㎩ 이하이면, 피착체와의 밀착성이 향상되는 경향이 있다. When the shear storage modulus G' (23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is 5.0 × 10 3 Pa or more, positional shift of the adherend during temporary fixing, excessive sinking of the adherend to the pressure-sensitive adhesive layer (X2), etc. tend to be restrained. On the other hand, when the shear storage modulus G'(23) is 1.0×10 7 Pa or less, the adhesion to the adherend tends to improve.

한편, 본 명세서에 있어서, 점착제층(X2)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)는, 점착제층(X1)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'와 같은 방법에 따라 측정할 수 있다. On the other hand, in the present specification, the shear storage modulus G' (23) at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) can be measured according to the same method as the shear storage modulus G' at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (X1). have.

〔점착제층(X2)의 23℃에서의 두께〕[Thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) at 23°C]

점착제층(X2)의 23℃에서의 두께는, 바람직하게는 5∼150㎛, 보다 바람직하게는 8∼100㎛, 더 바람직하게는 12∼70㎛, 보다 더 바람직하게는 15∼50㎛이다.The thickness in 23 degreeC of adhesive layer (X2) becomes like this. Preferably it is 5-150 micrometers, More preferably, it is 8-100 micrometers, More preferably, it is 12-70 micrometers, More preferably, it is 15-50 micrometers.

점착제층(X2)의 23℃에서의 두께가 5㎛ 이상이면, 충분한 점착력이 얻어지기 쉬워져, 가고정 시에 있어서의 피착체로부터의 의도하지 않은 박리, 피착체의 위치 어긋남 등을 억제할 수 있는 경향이 있다. 한편, 점착제층(X2)의 23℃에서의 두께가 150㎛ 이하이면, 점착 시트의 취급이 용이해지는 경향이 있다. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) at 23 ° C. is 5 µm or more, sufficient adhesive force is easily obtained, and unintentional peeling from the adherend at the time of temporary fixing, displacement of the adherend, etc. can be suppressed tends to be On the other hand, there exists a tendency for handling of an adhesive sheet to become easy that the thickness in 23 degreeC of adhesive layer X2 is 150 micrometers or less.

<박리재><Leijae Lee>

박리재로서는, 양면 박리 처리된 박리 시트, 편면 박리 처리된 박리 시트 등이 이용되고, 박리재용의 기재 상에 박리재를 도포한 것 등을 들 수 있다.As a release material, the release sheet by which the double-sided peeling process was carried out, the release sheet by which the single-sided peeling process was carried out, etc. are used, The thing which apply|coated the release material on the base material for release materials, etc. are mentioned.

박리재용의 기재로서는, 예를 들면, 플라스틱 필름, 종이류 등을 들 수 있다. 플라스틱 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름; 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 올레핀 수지 필름 등을 들 수 있고, 종이류로서는, 예를 들면, 상질지, 글라신지, 크래프트지 등을 들 수 있다. As a base material for release materials, a plastic film, paper, etc. are mentioned, for example. As a plastic film, For example, Polyester resin films, such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin; Olefin resin films, such as a polypropylene resin and a polyethylene resin, etc. are mentioned, As paper, fine paper, glassine paper, kraft paper, etc. are mentioned, for example.

박리재로서는, 예를 들면, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머; 장쇄 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다. 박리재는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. As a release material, For example, rubber type elastomers, such as silicone type resin, an olefin type resin, an isoprene type resin, a butadiene type resin; Long-chain alkyl-type resin, alkyd-type resin, fluorine-type resin, etc. are mentioned. A release material may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

박리재의 두께는, 바람직하게는 10∼200㎛, 보다 바람직하게는 20∼150㎛, 더 바람직하게는 35∼80㎛이다. The thickness of a release material becomes like this. Preferably it is 10-200 micrometers, More preferably, it is 20-150 micrometers, More preferably, it is 35-80 micrometers.

[점착 시트의 제조 방법][Method for producing adhesive sheet]

본 발명의 일 태양의 점착 시트의 제조 방법은, 점착제층(X1)을 형성하는 방법이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물(x-1)에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하는 공정을 포함하는, 점착 시트의 제조 방법이다. In the method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention, the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is to apply an energy beam to the polymerizable composition (x-1) containing the energy-beam polymerizable component and the thermally expansible particles. It is a manufacturing method of an adhesive sheet including the process of irradiating and forming the polymer of the said energy-beam polymerizable component.

점착제층(X1)을 형성하는 방법은, 하기 공정 Ⅰ 및 Ⅱ를 포함하는 것이 바람직하다. The method of forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) preferably includes the following steps I and II.

공정 Ⅰ: 기재(Y)의 일방의 면측에, 중합성 조성물(x-1)로 이루어지는 중합성 조성물층을 형성하는 공정Step I: Step of forming a polymerizable composition layer made of the polymerizable composition (x-1) on one surface side of the base material (Y)

공정 Ⅱ: 상기 중합성 조성물층에 에너지선을 조사함으로써, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하고, 당해 중합체와 상기 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 형성하는 공정Process II: The process of forming the polymer of the said energy-beam polymeric component by irradiating an energy-beam to the said polymeric composition layer, and forming the adhesive layer (X1) containing the said polymer and the said thermally expansible particle.

<공정 Ⅰ><Process Ⅰ>

공정 Ⅰ은, 기재(Y)의 일방의 면측에 중합성 조성물층을 형성하는 공정이면 특별히 한정되지 않지만, 하기 공정 Ⅰ-1∼Ⅰ-3을 포함하는 것이 바람직하다. Although process I will not be specifically limited if it is a process of forming a polymeric composition layer in one surface side of a base material (Y), It is preferable to include the following processes I-1 - I-3.

공정 Ⅰ-1: 박리재의 박리 처리면 상에 중합성 조성물(x-1)을 도포하여 중합성 조성물층을 형성하는 공정Step I-1: A step of forming a polymerizable composition layer by coating the polymerizable composition (x-1) on the release treatment surface of the release material

공정 Ⅰ-2: 상기 중합성 조성물층에 대하여, 제1 에너지선 조사를 행해, 중합성 조성물층 중의 에너지선 중합성 성분을 예비 중합시키는 공정Step I-2: Step of irradiating the polymerizable composition layer with a first energy ray to prepolymerize the energy ray polymerizable component in the polymerizable composition layer

공정 Ⅰ-3: 제1 에너지선 조사 후의 중합성 조성물층에 기재(Y)를 첩부하는 공정Step I-3: Step of affixing the base material (Y) to the polymerizable composition layer after the first energy ray irradiation

(공정 Ⅰ-1)(Process Ⅰ-1)

공정 Ⅰ-1은, 박리재의 박리 처리면 상에 중합성 조성물(x-1)을 도포하여 중합성 조성물층을 형성하는 공정이다. Step I-1 is a step of forming a polymerizable composition layer by applying the polymerizable composition (x-1) on the release treatment surface of the release material.

공정 Ⅰ-1에서, 중합성 조성물(x-1)을 박리재에 도포하는 방법으로서는, 예를 들면, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다. In step I-1, as a method of applying the polymerizable composition (x-1) to the release material, for example, a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method , a die coating method, a gravure coating method, and the like.

중합성 조성물(x-1)은 상기한 바와 같이, 무용제형 중합성 조성물인 것이 바람직하다. 중합성 조성물(x-1)이 무용제형 중합성 조성물일 경우, 본 공정에서 용제의 가열 건조 공정을 실시하지 않아도 된다. 한편, 중합성 조성물(x-1)이 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위에서 용제를 함유할 경우, 중합성 조성물(x-1)을 도포한 후, 가열 건조를 행해도 되지만, 그 경우의 가열 온도는, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 미만으로 한다. The polymerizable composition (x-1) is preferably a solvent-free polymerizable composition as described above. When the polymerizable composition (x-1) is a solvent-free polymerizable composition, it is not necessary to perform the solvent heat drying step in this step. On the other hand, when polymerizable composition (x-1) contains a solvent in the range which does not go against the objective of this invention, after apply|coating polymeric composition (x-1), although heat-drying may be performed, in that case The heating temperature is set to be less than the expansion start temperature (t) of the thermally expansible particles.

(공정 Ⅰ-2)(Process Ⅰ-2)

공정 Ⅰ-2는, 공정 Ⅰ-1에서 형성한 중합성 조성물층에 대하여, 제1 에너지선 조사를 행해, 중합성 조성물층 중의 에너지선 중합성 성분을 예비 중합시키는 공정이다. Process I-2 is a process of performing 1st energy-beam irradiation with respect to the polymeric composition layer formed in process I-1, and prepolymerizing the energy-beam polymeric component in a polymeric composition layer.

제1 에너지선 조사는, 에너지선 중합성 성분을 예비 중합시킴으로써 중합성 조성물을 고점도화시켜, 중합성 조성물층의 형상 유지성을 향상시키는 목적으로 실시된다. 1st energy-beam irradiation is performed for the purpose of making a polymeric composition high viscosity by prepolymerizing an energy-beam polymeric component, and improving the shape retentivity of a polymeric composition layer.

제1 에너지선 조사에서는, 에너지선 중합성 성분을 완전하게는 중합시키지 않고, 예비 중합시키는데 그친다. 이에 따라 공정 Ⅰ-3에서의 중합성 조성물층과 기재(Y)와의 밀착성을 향상시킬 수 있다. In the first energy ray irradiation, the energy ray polymerizable component is not completely polymerized, but only prepolymerized. Thereby, the adhesiveness of the polymeric composition layer in process I-3 and the base material (Y) can be improved.

공정 Ⅰ-2의 제1 에너지선 조사에 이용하는 에너지선으로서는, 상기한 것 중에서도, 취급이 용이한 자외선이 바람직하다. As an energy ray used for 1st energy ray irradiation of process I-2, the ultraviolet-ray with which handling is easy among the above-mentioned is preferable.

제1 에너지선 조사에 있어서의 자외선의 조도는, 바람직하게는 70∼250mW/㎠, 보다 바람직하게는 100∼200mW/㎠, 더 바람직하게는 130∼170mW/㎠이다. 또한, 제1 에너지선 조사에 있어서의 자외선의 광량은, 바람직하게는 40∼200mJ/㎠, 보다 바람직하게는 60∼150mJ/㎠, 더 바람직하게는 80∼120mJ/㎠이다. The illuminance of the ultraviolet rays in the first energy ray irradiation is preferably 70 to 250 mW/cm 2 , more preferably 100 to 200 mW/cm 2 , and still more preferably 130 to 170 mW/cm 2 . Moreover, the light quantity of the ultraviolet-ray in 1st energy ray irradiation becomes like this. Preferably it is 40-200 mJ/cm<2>, More preferably, it is 60-150 mJ/cm<2>, More preferably, it is 80-120 mJ/cm<2>.

제1 에너지선 조사는 1회로 행해도 되고, 복수회로 나누어 행해도 된다. 또한, 중합열 등에 의한 중합성 조성물층의 온도 상승을 억제하기 위해, 중합성 조성물층을 냉각하면서 행해도 된다. 1st energy-beam irradiation may be performed once, and may be divided into multiple times and may be performed. Moreover, in order to suppress the temperature rise of the polymeric composition layer by polymerization heat etc., you may carry out, cooling a polymeric composition layer.

(공정 Ⅰ-3)(Process Ⅰ-3)

공정 Ⅰ-3은, 제1 에너지선 조사 후의 중합성 조성물층에 기재(Y)를 첩부하는 공정이다. Process I-3 is a process of affixing the base material (Y) to the polymeric composition layer after 1st energy-beam irradiation.

기재(Y)를 중합성 조성물층에 첩부하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 기재(Y)를 중합성 조성물층의 표출되어 있는 면에 라미네이트하는 방법을 들 수 있다. The method of affixing the base material (Y) to the polymeric composition layer is not specifically limited, For example, the method of laminating the base material (Y) on the surface of the polymerizable composition layer is mentioned.

라미네이트는 가열하면서 행해도 되고, 비가열로 행해도 되지만, 열팽창성 입자의 팽창을 억제하는 관점에서는 비가열로 행하는 것이 바람직하다. 이때, 제1 에너지선 조사에 의해 예비 중합된 중합성 조성물층은, 비가열이어도 기재(Y)에 대하여 양호한 밀착성을 가진다. Lamination may be performed while heating or may be performed without heating, but from the viewpoint of suppressing expansion of thermally expansible particles, it is preferable to perform lamination without heating. At this time, even if it is non-heating, the polymeric composition layer prepolymerized by 1st energy-beam irradiation has favorable adhesiveness with respect to the base material (Y).

<공정 Ⅱ><Process Ⅱ>

공정 Ⅱ는, 공정 Ⅰ에서 형성한 중합성 조성물층에 에너지선을 조사함으로써, 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하고, 당해 중합체와 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 형성하는 공정이다. Step II is a step of forming a polymer of an energy-beam polymerizable component by irradiating an energy ray to the polymerizable composition layer formed in step I, and forming a pressure-sensitive adhesive layer (X1) containing the polymer and thermally expansible particles. .

여기에서, 공정 Ⅰ에서 제1 에너지선 조사를 행할 경우, 공정 Ⅱ에서의 에너지선 조사는, 예비 중합 후의 중합성 조성물층에 대하여 행하는 제2 에너지선 조사가 된다.Here, when performing 1st energy-beam irradiation in process I, energy-beam irradiation in process II turns into 2nd energy-beam irradiation with respect to the polymeric composition layer after preliminary polymerization.

공정 Ⅱ의 에너지선 조사는, 제1 에너지선 조사와는 달리, 에너지선을 더 조사해도, 실질적으로 에너지선 중합성 성분의 중합이 진행되지 않을 정도까지 행하는 것이 바람직하다. Unlike 1st energy-beam irradiation, it is preferable to perform energy-beam irradiation of process II to the extent that superposition|polymerization of an energy-beam polymeric component does not progress substantially even if it irradiates an energy-beam further.

공정 Ⅱ의 에너지선 조사에 의해, 에너지선 중합성 성분의 중합이 진행되어, 점착제층(X1)을 구성하는 에너지선 중합성 성분의 중합체가 형성된다. By energy-beam irradiation of process II, superposition|polymerization of an energy-beam polymeric component advances, and the polymer of the energy-beam polymeric component which comprises the adhesive layer (X1) is formed.

공정 Ⅱ의 에너지선 조사에 이용하는 에너지선으로서는, 상기한 것 중에서도, 취급이 용이한 자외선이 바람직하다. As the energy ray used for the energy ray irradiation in step II, an easy-to-handle ultraviolet ray among those described above is preferable.

공정 Ⅱ의 에너지선 조사에 있어서의 자외선의 조도는, 바람직하게는 100∼350mW/㎠, 보다 바람직하게는 150∼300mW/㎠, 더 바람직하게는 180∼250mW/㎠이다. The illuminance of the ultraviolet rays in the energy ray irradiation in Step II is preferably 100 to 350 mW/cm 2 , more preferably 150 to 300 mW/cm 2 , and still more preferably 180 to 250 mW/cm 2 .

공정 Ⅱ의 에너지선 조사에 있어서의 자외선의 광량은, 바람직하게는 500∼4,000mJ/㎠, 보다 바람직하게는 1,000∼3,000mJ/㎠, 더 바람직하게는 1,500∼2,500mJ/㎠이다. The amount of ultraviolet light in the energy ray irradiation in Step II is preferably 500 to 4,000 mJ/cm 2 , more preferably 1,000 to 3,000 mJ/cm 2 , and still more preferably 1,500 to 2,500 mJ/cm 2 .

공정 Ⅱ의 에너지선 조사는 1회로 행해도 되고, 복수회로 나누어 행해도 된다. 또한, 중합열 등에 의한 중합성 조성물층의 온도 상승을 억제하기 위해, 중합성 조성물층을 냉각하면서 행해도 된다. The energy-beam irradiation of process II may be performed once, and may be divided into multiple times and may be performed. Moreover, in order to suppress the temperature rise of the polymeric composition layer by polymerization heat etc., you may carry out, cooling a polymeric composition layer.

한편, 공정 Ⅰ이, 상기 공정 Ⅰ-1∼Ⅰ-3을 포함할 경우, 중합성 조성물층은, 박리재, 중합성 조성물층 및 기재(Y)가 이 순으로 적층된 적층체의 중간층으로서 얻을 수 있다. 이때, 제2 에너지선 조사는, 당해 구성을 가지는 적층체에 대하여 행해도 된다. 그 경우, 적층체의 중간층으로서 존재하는 중합성 조성물층에 충분히 에너지선을 조사하는 것을 가능하게 하는 관점에서, 박리재 및 기재(Y)로부터 선택되는 1개 이상은, 에너지선 투과성을 가지는 것이 바람직하다. On the other hand, when Step I includes Steps I-1 to I-3, the polymerizable composition layer is obtained as an intermediate layer of a laminate in which a release material, a polymerizable composition layer, and a substrate (Y) are laminated in this order. can At this time, you may perform 2nd energy-beam irradiation with respect to the laminated body which has the said structure. In that case, it is preferable that at least one selected from the release material and the substrate (Y) has energy ray permeability from the viewpoint of making it possible to sufficiently irradiate an energy ray to the polymerizable composition layer present as an intermediate layer of the laminate. do.

상기한 공정 Ⅰ 및 Ⅱ에 포함되는 어느 공정에서도, 열팽창성 입자의 팽창을 억제하는 관점에서, 중합성 조성물을 가열하는 공정을 포함하지 않는 것이 바람직하다. It is preferable not to include the process of heating a polymeric composition from a viewpoint of suppressing expansion|swelling of thermally expansible particle also in any of the processes included in said process I and II.

한편, 여기에서의 「가열」이란, 예를 들면, 건조, 라미네이트 시 등에 있어서 의도적으로 가열하는 것을 의미하고, 에너지선 조사에 의해 중합성 조성물에 부여되는 열, 에너지선 중합성 조성물의 중합에 의해 발생하는 중합열 등에 의한 온도 상승은 포함하지 않는 것으로 한다. On the other hand, "heating" herein means, for example, intentionally heating during drying or lamination, etc., by heat imparted to the polymerizable composition by energy ray irradiation and polymerization of the energy ray polymerizable composition. It shall not include the temperature rise by the heat of polymerization etc. which generate|occur|produce.

필요에 따라 중합성 조성물을 가열하는 공정을 포함할 경우의 가열 온도는, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t)보다 낮은 온도」, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 5℃」 이하, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 10℃」 이하, 보다 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 15℃」 이하이다. 또한, 중합성 조성물의 온도가 의도하지 않게 상승할 경우에는, 중합성 조성물의 온도가 상기 온도 범위가 되도록 냉각하는 것이 바람직하다. The heating temperature in the case of including the step of heating the polymerizable composition as needed is preferably "a temperature lower than the expansion initiation temperature (t)", more preferably "expansion initiation temperature (t) - 5°C" or less , More preferably, it is "expansion start temperature (t) - 10 degreeC" or less, More preferably, it is "expansion initiation temperature (t) - 15 degreeC" or less. Moreover, when the temperature of a polymeric composition rises unintentionally, it is preferable to cool so that the temperature of a polymeric composition may become the said temperature range.

본 발명의 일 태양의 점착 시트가, 상기 양면 점착 시트의 구성을 가질 경우, 본 발명의 일 태양의 점착 시트의 제조 방법은, 하기 공정 Ⅲ을 더 포함하는 것이 바람직하다. When the adhesive sheet of one aspect of this invention has the structure of the said double-sided adhesive sheet, it is preferable that the manufacturing method of the adhesive sheet of one aspect of this invention further includes the following process III.

<공정 Ⅲ><Process Ⅲ>

공정 Ⅲ: 기재(Y)의 타방의 면측에 점착제층(X2)을 형성하는 공정Step III: Step of forming the pressure-sensitive adhesive layer (X2) on the other side of the substrate (Y)

점착제층(X2)을 형성하는 방법은, 점착제층(X2)을 구성하는 조성물의 종류에 따라 적절히 결정하면 된다. 예를 들면, 점착제층(X2)을 점착제 조성물(x-2)을 이용하여 형성할 경우, 공정 Ⅲ은, 하기 공정 Ⅲ-1 및 Ⅲ-2를 포함하는 것이 바람직하다. What is necessary is just to determine the method of forming adhesive layer (X2) suitably according to the kind of composition which comprises adhesive layer (X2). For example, when forming adhesive layer (X2) using adhesive composition (x-2), it is preferable that process III includes the following processes III-1 and III-2.

공정 Ⅲ-1: 박리재의 일방의 면에 점착제 조성물(x-2)을 도포하여 점착제층(X2)을 형성하는 공정Step III-1: A step of forming the pressure-sensitive adhesive layer (X2) by applying the pressure-sensitive adhesive composition (x-2) to one surface of the release material

공정 Ⅲ-2: 기재(Y)의 타방의 면측에, 공정 Ⅲ-1에서 형성한 점착제층(X2)을 첩부하는 공정Step III-2: Step of affixing the pressure-sensitive adhesive layer (X2) formed in Step III-1 to the other surface side of the substrate (Y)

공정 Ⅲ-1에서, 점착제 조성물(x-2)을 도포하는 방법으로서는, 공정 Ⅰ-1에서 중합성 조성물(x-1)을 도포하는 방법으로서 들어진 방법과 같은 방법을 들 수 있다. 또한, 점착제층(X2)이 용제를 함유할 경우에는, 점착제 조성물(x-2)을 도포한 후, 도막을 건조시키는 공정을 포함하고 있어도 된다. As a method of apply|coating the adhesive composition (x-2) in process III-1, the method similar to the method mentioned as a method of apply|coating polymeric composition (x-1) in process I-1 is mentioned. Moreover, when adhesive layer (X2) contains a solvent, after apply|coating adhesive composition (x-2), you may include the process of drying a coating film.

한편, 상기한 바와 같이, 공정 Ⅲ-1에서 사용하는 박리재와, 공정 Ⅰ-1에서 사용하는 박리재는, 점착제층이 2개의 박리재에 수반하여 분단되어 박리되는 현상을 억제하는 관점에서, 박리력이 서로 다르게 설계된 것으로 하는 것이 바람직하다. On the other hand, as described above, the release material used in step III-1 and the release material used in step I-1 are peeled from the viewpoint of suppressing the phenomenon in which the pressure-sensitive adhesive layer is divided and peeled with the two release materials. It is preferable that the forces are designed to be different from each other.

공정 Ⅲ-2에서, 기재(Y)에 점착제층(X2)을 첩부하는 방법으로서는, 공정 Ⅰ-3에서 중합성 조성물층에 기재(Y)를 첩부하는 방법과 같은 방법을 들 수 있고, 바람직한 태양도 마찬가지이다. In step III-2, as a method of affixing the pressure-sensitive adhesive layer (X2) to the substrate (Y), the same method as in the method of affixing the substrate (Y) to the polymerizable composition layer in the step 1-3 is mentioned, a preferred embodiment The same is also true.

[점착 시트의 용도 및 사용 방법][Applications and How to Use the Adhesive Sheet]

본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 가고정 시에는 충분한 점착력을 가지면서도, 저온에서 가열 박리할 수 있기 때문에, 다양한 용도에 적용 가능하다. 구체적으로는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 등의 피착체를 다이싱할 때에 이용되는 다이싱 시트, 피착체를 연삭하는 공정에 이용되는 백 그라인드 시트, 다이싱에 의해 개편화된 반도체 칩 등의 피착체끼리의 거리를 확대시키기 위해 이용되는 익스팬드 테이프, 반도체 칩 등의 피착체의 표리를 반전시키기 위해 이용되는 전사 테이프, 검사 대상물을 검사하기 위해 가고정하는데 이용되는 가고정용 시트 등에 호적(好適)하다. Since the adhesive sheet of one aspect of the present invention can be peeled by heating at a low temperature while having sufficient adhesive force at the time of temporarily fixing, it is applicable to various uses. Specifically, for example, a dicing sheet used when dicing an adherend such as a semiconductor wafer, a back grind sheet used in a process of grinding an adherend, and a semiconductor chip divided into pieces by dicing. An expand tape used to increase the distance between complexes, a transfer tape used to reverse the front and back of an adherend such as a semiconductor chip, a temporary fixing sheet used for temporarily fixing an inspection object, etc. do.

본 발명의 일 태양의 점착 시트의 피착체로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 화합물 반도체, 반도체 패키지, 전자 부품, 사파이어 기판, 디스플레이, 패널용 기판 등을 들 수 있다. 본 발명의 일 태양의 점착 시트는 저온에서의 가열 박리가 가능하므로, DAF 부착 반도체 칩 등의 열변화하기 쉬운 피착체를 가고정하는데 호적하다. Although it does not specifically limit as a to-be-adhered body of the adhesive sheet of one aspect of this invention, For example, a semiconductor chip, a semiconductor wafer, a compound semiconductor, a semiconductor package, an electronic component, a sapphire board|substrate, a display, board|substrate for panels, etc. are mentioned. . Since the pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention can be peeled by heating at a low temperature, it is suitable for temporarily fixing an adherend that is susceptible to thermal change such as a semiconductor chip with DAF.

본 발명의 일 태양의 점착 시트를 피착체로부터 가열 박리할 때의 가열 온도는, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상이며, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t)보다 높은 온도」, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 2℃」 이상, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 4℃」 이상, 보다 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 5℃」 이상이다. 또한, 에너지 절약성 및 가열 박리 시에 있어서의 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 50℃」 이하, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 40℃」 이하, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 20℃」 이하이다. The heating temperature at the time of heating and peeling the pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention from the adherend is equal to or higher than the expansion start temperature (t) of the thermally expandable particles, preferably “a temperature higher than the expansion start temperature (t)”, more Preferably, "expansion initiation temperature (t) + 2°C" or more, more preferably "expansion initiation temperature (t) + 4°C" or more, and still more preferably "expansion initiation temperature (t) + 5°C" or more. am. In addition, from the viewpoint of energy saving and suppressing the thermal change of the adherend at the time of peeling by heating, preferably "expansion start temperature (t) + 50 ° C." or less, more preferably "expansion start temperature (t)" +40°C” or less, more preferably “expansion start temperature (t)+20°C” or less.

또한, 가열 박리할 때의 가열 온도는, 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 팽창 개시 온도(t) 이상의 범위 내에 있어서, 바람직하게는 120℃ 이하, 보다 바람직하게는 115℃ 이하, 더 바람직하게는 110℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 105℃ 이하이다. In addition, the heating temperature at the time of heat peeling is, from a viewpoint of suppressing the thermal change of a to-be-adhered body, in the range of expansion initiation temperature (t) or more, Preferably it is 120 degrees C or less, More preferably, it is 115 degrees C or less, More preferably. Preferably, it is 110°C or less, and even more preferably, it is 105°C or less.

가열의 방식으로서는, 열팽창성 입자가 팽창되는 온도 이상으로 가열할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 전열 히터; 유전 가열; 자기 가열; 근적외선, 중적외선, 원적외선 등의 적외선 등의 전자파에 의한 가열 등을 적절히 사용할 수 있다. 한편, 가열 방식은, 가열 롤러, 가열 프레스 등의 접촉형 가열 방식, 및 분위기 가열 장치, 적외선 조사 등의 비접촉형 가열 방식 중 어느 가열 방식이어도 된다. It will not specifically limit if it can heat more than the temperature at which thermally expansible particle|grains expand as a method of heating, For example, Electrothermal heater; dielectric heating; self-heating; Heating by electromagnetic waves, such as infrared rays, such as near-infrared rays, mid-infrared rays, and far-infrared rays, etc. can be used suitably. In addition, the heating system may be any heating system of a contact heating system, such as a heating roller and a hot press, and a non-contact heating system, such as an atmospheric heating apparatus and infrared irradiation.

[반도체 장치의 제조 방법][Method for manufacturing semiconductor device]

본 발명은, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법도 제공한다. This invention also provides the manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive sheet of one aspect of this invention.

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일 태양으로서는, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를, 피착체를 가공하기 위한 가고정용 시트로서 사용하는 태양(이하, 「제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법」이라고도 함)을 들 수 있다. As one aspect of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention, the aspect using the adhesive sheet of one aspect of this invention as a sheet for temporarily fixing for processing a to-be-adhered body (henceforth "the manufacturing method of the semiconductor device of a 1st aspect") also referred to as ).

<제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법><The manufacturing method of the semiconductor device of 1st aspect>

제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법의 보다 구체적인 태양으로서는, 본 발명의 일 태양의 점착 시트에 가공 대상물을 첩부하고, 당해 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리(이하, 「가공 처리」라고도 함)를 실시하고, 당해 처리를 실시한 후에, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여 점착제층(X1)을 팽창시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법을 들 수 있다. As a more specific aspect of the manufacturing method of the semiconductor device of the first aspect, the object to be processed is affixed to the pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention, and the object to be processed is subjected to one or more treatments selected from grinding treatment and slicing treatment (hereinafter referred to as slicing treatment). , "processing treatment"), and after performing the treatment, heating the pressure-sensitive adhesive sheet to a temperature above the expansion start temperature (t) and below 120° C. to expand the pressure-sensitive adhesive layer (X1), The manufacturing method of a semiconductor device is mentioned.

한편, 본 명세서에 있어서, 「반도체 장치」란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리킨다. 예를 들면, 집적 회로를 구비하는 웨이퍼, 집적 회로를 구비하는 박화된 웨이퍼, 집적 회로를 구비하는 칩, 집적 회로를 구비하는 박화된 칩, 이들 칩을 포함하는 전자 부품, 및 당해 전자 부품을 구비하는 전자 기기류 등을 들 수 있다. In addition, in this specification, a "semiconductor device" refers to the general device which can function by using semiconductor characteristics. For example, a wafer with an integrated circuit, a thinned wafer with an integrated circuit, a chip with an integrated circuit, a thinned chip with an integrated circuit, an electronic component including the chip, and the electronic component and electronic devices.

제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 가공 대상물을 첩부하는 점착 시트의 점착제층은, 점착제층(X1)이어도 되고, 점착 시트가 양면 점착 시트일 경우에는, 점착제층(X2)이어도 된다. In the manufacturing method of the semiconductor device of a 1st aspect, adhesive layer (X1) may be sufficient as the adhesive layer of the adhesive sheet which affixes a processing object, and when an adhesive sheet is a double-sided adhesive sheet, the adhesive layer (X2) may be sufficient as it.

점착 시트가 양면 점착 시트일 경우, 일방의 점착제층에 가공 대상물을 첩부하고, 타방의 점착제층에 지지체를 첩부하는 것이 바람직하다. 가공 대상물이 점착 시트를 개재하여 지지체에 고정됨으로써, 가공 처리를 행할 때에, 가공 대상물의 진동, 위치 어긋남, 취약한 가공 대상물의 파손 등을 억제해, 가공 정밀도 및 가공 속도를 향상시킬 수 있다. 이때, 지지체가 점착제층(X1)에 첩부되고, 가공 대상물이 점착제층(X2)에 첩부되는 태양이어도 되고, 가공 대상물이 점착제층(X1)에 첩부되고, 지지체가 점착제층(X2)에 첩부되는 태양이어도 된다. When an adhesive sheet is a double-sided adhesive sheet, it is preferable to affix a process object to one adhesive layer, and to affix a support body to the other adhesive layer. By fixing the object to be processed to the support through the pressure-sensitive adhesive sheet, it is possible to suppress vibration of the object to be processed, misalignment, breakage of the fragile object, and the like during processing, thereby improving processing precision and processing speed. At this time, the support may be affixed to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the object to be processed may be attached to the pressure-sensitive adhesive layer (X2). It could be the sun.

지지체가 점착제층(X1)에 첩부되고, 가공 대상물이 점착제층(X2)에 첩부되는 태양인 경우, 지지체가 가열 처리 후의 박리성이 우수한 점착제층(X1)에 첩부됨으로써, 지지체가 경질인 재질로 구성되는 것이어도, 점착 시트 및 지지체를 굴곡시키지 않고 가열 박리할 수 있다. 또한, 점착제층(X2)은, 가공 대상물의 종류 등에 따라 적절히 조성을 선택하면 되고, 예를 들면, 점착제층(X2)을 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 점착제층으로 하면, 열팽창성 입자에 유래하는 잔사(殘渣) 등에 의해 가공 대상물을 오염시키지 않고 박리할 수 있다. In the case where the support is affixed to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the object to be processed is attached to the pressure-sensitive adhesive layer (X2), the support is attached to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) excellent in releasability after heat treatment, whereby the support is made of a hard material Even if it becomes a thing, it can peel by heating, without bending an adhesive sheet and a support body. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer (X2) may be appropriately selected in composition according to the type of object to be processed, for example, if the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is an pressure-sensitive adhesive layer in which adhesive strength is lowered by irradiation with energy rays, it is derived from thermally expandable particles. It can be peeled off without contaminating the object to be processed by the residue or the like.

한편, 가공 대상물이 점착제층(X1)에 첩부되고, 지지체가 점착제층(X2)에 첩부되는 태양인 경우, 가공 대상물이 가열 처리 후의 박리성이 우수한 점착제층(X1)에 첩부됨으로써, 가공 후에 가열 박리할 때, 가공 대상물을 자기 박리에 의해 점착 시트로부터 박리할 수 있기 때문에, 가공 대상물에의 대미지를 경감할 수 있다. On the other hand, in the case where the object to be processed is affixed to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the support is adhered to the pressure-sensitive adhesive layer (X2), the object to be processed is attached to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) excellent in releasability after heat treatment, whereby heat peeling after processing In this case, since the object to be processed can be peeled from the pressure-sensitive adhesive sheet by self peeling, damage to the object to be processed can be reduced.

본 발명의 일 태양의 점착 시트로서 양면 점착 시트를 이용할 경우, 제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법은, 하기 공정 1A∼5A를 포함하는 제조 방법(이하, 「제조 방법 A」라고도 함)인 것이 바람직하다. When a double-sided adhesive sheet is used as the adhesive sheet of one aspect of the present invention, the manufacturing method of the semiconductor device of the first aspect is a manufacturing method (hereinafter also referred to as "manufacturing method A") including the following steps 1A to 5A desirable.

공정 1A: 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정Process 1A: The process of affixing a processing object to the adhesive layer (X2) which an adhesive sheet has, and affixing a support body to adhesive layer (X1)

공정 2A: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정Step 2A: A step of performing one or more treatments selected from grinding treatment and shredding treatment on the object to be processed

공정 3A: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성 필름을 첩부하는 공정Step 3A: Step of affixing a thermosetting film on the surface of the object to be processed on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X2)

공정 4A: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정Step 4A: A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the support by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to a temperature above the expansion start temperature (t) and below 120°C

공정 5A: 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정Step 5A: Step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X2) and the object to be processed

이하, 공정 1A∼5A를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 한편, 이하의 설명에서는, 가공 대상물로서 반도체 웨이퍼를 이용하는 경우의 예를 주로 설명하지만, 다른 가공 대상물의 경우도 마찬가지이다. Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device including steps 1A to 5A will be described with reference to the drawings. In addition, in the following description, although the example in the case of using a semiconductor wafer as a processing object is mainly demonstrated, the case of another processing object is also the same.

(공정 1A)(Process 1A)

공정 1A는, 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정이다. Process 1A is a process of affixing a process object to the adhesive layer (X2) which an adhesive sheet has, and affixing a support body to adhesive layer (X1).

도 3에는, 점착 시트(2a)가 가지는 점착제층(X2)에 반도체 웨이퍼(W)를 첩부하고, 점착제층(X1)에 지지체(3)를 첩부하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다. 3, the sectional drawing explaining the process of affixing the semiconductor wafer W to the adhesive layer X2 which the adhesive sheet 2a has, and affixing the support body 3 to the adhesive layer X1 is shown.

반도체 웨이퍼(W)는, 회로면인 표면(W1)이 점착제층(X2)측이 되도록 첩부된다. The semiconductor wafer W is affixed so that the surface W1 which is a circuit surface may become the adhesive layer X2 side.

반도체 웨이퍼(W)는, 실리콘 웨이퍼여도 되고, 갈륨비소, 탄화규소, 사파이어, 탄탈럼산리튬, 니오븀산리튬, 질화갈륨, 인듐 인 등의 웨이퍼, 유리 웨이퍼여도 된다. A silicon wafer may be sufficient as the semiconductor wafer W, and wafers, such as gallium arsenide, silicon carbide, sapphire, lithium tantalumate, lithium niobate, gallium nitride, indium phosphorus, and a glass wafer may be sufficient as the semiconductor wafer W.

반도체 웨이퍼(W)의 연삭 전의 두께는, 통상은 500∼1000㎛이다. The thickness before grinding of the semiconductor wafer W is 500-1000 micrometers normally.

반도체 웨이퍼(W)의 표면(W1)이 가지는 회로는, 예를 들면, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 범용되고 있는 방법에 따라 형성할 수 있다. The circuit which the surface W1 of the semiconductor wafer W has can be formed according to conventionally general-purpose methods, such as an etching method and a lift-off method, for example.

지지체(3)의 재질은, 가공 대상물의 종류, 가공 내용 등에 따라, 기계 강도, 내열성 등의 요구되는 특성을 고려 후, 적절히 선택하면 된다.What is necessary is just to select the material of the support body 3 suitably after considering requested|required characteristics, such as mechanical strength and heat resistance, according to the kind of object to be processed, processing content, etc.

지지체(3)의 재질로서는, 예를 들면, SUS 등의 금속 재료; 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 비금속 무기 재료; 에폭시 수지, ABS 수지, 아크릴 수지, 엔지니어링 플라스틱, 슈퍼 엔지니어링 플라스틱, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지 등의 수지 재료; 유리 에폭시 수지 등의 복합 재료 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, SUS, 유리, 실리콘 웨이퍼가 바람직하다. As a material of the support body 3, For example, Metal materials, such as SUS; non-metallic inorganic materials such as glass and silicon wafers; resin materials such as epoxy resins, ABS resins, acrylic resins, engineering plastics, super engineering plastics, polyimide resins, and polyamideimide resins; Composite materials, such as a glass epoxy resin, etc. are mentioned, Among these, SUS, glass, and a silicon wafer are preferable.

상기 엔지니어링 플라스틱으로서는, 예를 들면, 나일론, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등을 들 수 있다. As said engineering plastics, nylon, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), etc. are mentioned, for example.

상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱으로서는, 예를 들면, 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등을 들 수 있다. As said super engineering plastics, polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PES), polyether ether ketone (PEEK) etc. are mentioned, for example.

지지체(3)는, 점착제층(X1)의 점착 표면의 전면(全面)에 첩부되는 것이 바람직하다. 그 때문에, 점착제층(X1)의 점착 표면에 첩부되는 측의 지지체(3)의 표면의 면적은, 점착제층(X1)의 점착 표면의 면적 이상인 것이 바람직하다. 또한, 점착제층(X1)의 점착 표면에 첩부되는 측의 지지체(3)의 면은 평면상인 것이 바람직하다. It is preferable that the support body 3 is affixed on the whole surface of the adhesion surface of the adhesive layer X1. Therefore, it is preferable that the area of the surface of the support body 3 on the side affixed to the adhesion surface of the adhesive layer X1 is more than the area of the adhesion surface of the adhesive layer X1. Moreover, it is preferable that the surface of the support body 3 on the side affixed to the adhesion surface of the adhesive layer X1 is flat.

지지체(3)의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 판상(板狀)인 것이 바람직하다. Although the shape of the support body 3 is not specifically limited, It is preferable that it is plate-shaped.

지지체(3)의 두께는, 요구되는 특성을 고려하여 적절히 선택하면 되지만, 바람직하게는 20㎛ 이상 50㎜ 이하, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상 20㎜ 이하이다. The thickness of the support body 3 may be appropriately selected in consideration of the required characteristics, but is preferably 20 µm or more and 50 mm or less, and more preferably 60 µm or more and 20 mm or less.

(공정 2A)(Process 2A)

공정 2A는, 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정이다. Step 2A is a step of performing one or more treatments selected from grinding treatment and shredding treatment on the object to be processed.

연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리로서는, 예를 들면, 그라인더 등을 이용하는 연삭 처리; 블레이드 다이싱법, 레이저 다이싱법, 스텔스 다이싱(등록상표)법, 블레이드 선다이싱법, 스텔스 선다이싱법 등에 의한 개편화 처리를 들 수 있다. As one or more processes selected from a grinding process and a shredding process, For example, grinding process using a grinder etc.; Segmentation processing by the blade dicing method, the laser dicing method, the stealth dicing (trademark) method, the blade sun dicing method, the stealth sun dicing method, etc. are mentioned.

이들 중에서도, 스텔스 다이싱법에 의한 개편화 처리, 블레이드 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리, 스텔스 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리가 호적하며, 블레이드 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리, 스텔스 선다이싱법에 의한 연삭 처리 및 개편화 처리가 보다 호적하다. Among these, fragmentation processing by the stealth dicing method, grinding processing and fragmentation processing by the blade sun dicing method, grinding processing and fragmentation processing by the stealth sun dicing method are suitable, and grinding processing by the blade sun dicing method and Piece processing, grinding processing by the stealth sun dicing method, and fragmentation processing are more suitable.

스텔스 다이싱법은, 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하고, 당해 개질 영역을 분할 기점으로 해서 반도체 웨이퍼를 개편화하는 방법이다. 반도체 웨이퍼에 형성된 개질 영역은 다광자 흡수에 의해 취질화된 부분이며, 반도체 웨이퍼가 익스팬드에 의해 웨이퍼면과 평행하며 또한 웨이퍼가 확장되는 방향으로 응력이 걸림으로써, 당해 개질 영역을 기점으로 해서, 반도체 웨이퍼의 표면 및 이면을 향하여 균열이 신전(伸展)함으로써 반도체 칩으로 개편화된다. 즉, 개질 영역은, 개편화될 때의 분할선을 따라 형성된다. The stealth dicing method is a method in which a modified region is formed inside a semiconductor wafer by irradiation of a laser beam, and the modified region is used as a division starting point to separate the semiconductor wafer into pieces. The modified region formed on the semiconductor wafer is a portion brittled by multiphoton absorption, and the semiconductor wafer is parallel to the wafer surface by expansion and stress is applied in the direction in which the wafer is expanded. As cracks extend toward the front and back surfaces of the semiconductor wafer, they are divided into semiconductor chips. That is, the modified region is formed along the dividing line at the time of segmentation.

개질 영역은, 반도체 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된다. 레이저광의 입사면은, 반도체 웨이퍼의 표면이어도 이면이어도 된다. 또한, 레이저광 입사면은, 점착 시트가 첩부된 면이어도 되고, 그 경우, 레이저광은 점착 시트를 개재하여 반도체 웨이퍼에 조사된다. A modified region is formed in the inside of a semiconductor wafer by irradiation of the laser beam which focused on the inside of a semiconductor wafer. The incident surface of the laser beam may be the front surface or the back surface of the semiconductor wafer. In addition, the surface on which the adhesive sheet was affixed may be sufficient as the laser beam incident surface, and in that case, a laser beam is irradiated to a semiconductor wafer through an adhesive sheet.

블레이드 선다이싱법은, DBG법(Dicing Before Grinding)이라고도 불린다. 블레이드 선다이싱법은, 분할 예정의 라인을 따라, 미리 반도체 웨이퍼에 그 두께보다 얕은 깊이로 홈을 형성한 후, 당해 반도체 웨이퍼를, 연삭면이 적어도 홈에 도달할 때까지 이면 연삭하여 박화시키면서 개편화하는 방법이다. 연삭면이 도달한 홈은, 반도체 웨이퍼를 관통하는 노치가 되고, 반도체 웨이퍼는 당해 노치에 의해 분할되어 반도체 칩으로 개편화된다. 미리 형성되는 홈은, 통상은 반도체 웨이퍼의 표면(회로면)에 설치되는 것이며, 예를 들면, 종래 공지의, 다이싱 블레이드를 구비하는 웨이퍼 다이싱 장치 등을 이용한 다이싱에 의해 형성할 수 있다. The blade sun dicing method is also called the DBG method (Dicing Before Grinding). In the blade sun dicing method, after forming a groove in the semiconductor wafer to a depth shallower than the thickness in advance along a line to be divided, the semiconductor wafer is subjected to back grinding until the grinding surface reaches at least the groove, and is thinned into pieces way to get angry. The groove to which the grinding surface reached becomes a notch penetrating a semiconductor wafer, and a semiconductor wafer is divided|segmented by the said notch, and is divided into semiconductor chips. The grooves formed in advance are usually provided on the surface (circuit surface) of a semiconductor wafer, and can be formed, for example, by dicing using a conventionally well-known wafer dicing apparatus equipped with a dicing blade. .

스텔스 선다이싱법은, SDBG법(Stealth Dicing Before Grinding)이라고도 불린다. 스텔스 선다이싱법은, 스텔스 다이싱법과 마찬가지로, 레이저광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하고, 당해 개질 영역을 분할 기점으로 해서 반도체 웨이퍼를 개편화하는 방법의 일종이지만, 연삭 처리를 행하여 반도체 웨이퍼를 박화시키면서 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화하는 점이 스텔스 다이싱법과는 다르다. 구체적으로는, 개질 영역을 가지는 반도체 웨이퍼를 이면 연삭하여 박화시키면서, 그때에 반도체 웨이퍼에 걸리는 압력에 의해 당해 개질 영역을 기점으로 해서 반도체 웨이퍼의 점착제층과의 첩부면을 향하여 균열을 신전시켜, 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 개편화된다. The stealth sun dicing method is also called the SDBG method (Stealth Dicing Before Grinding). Like the stealth dicing method, the stealth sun dicing method is a method of forming a modified region inside a semiconductor wafer by irradiation with laser light, and using the modified region as a division starting point to separate the semiconductor wafer into pieces. It differs from the stealth dicing method in that the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips while thinning the semiconductor wafer. Specifically, while the back surface of the semiconductor wafer having the modified region is ground and thinned, the crack is extended from the modified region as a starting point by the pressure applied to the semiconductor wafer toward the bonding surface with the pressure-sensitive adhesive layer of the semiconductor wafer, The wafer is divided into semiconductor chips.

한편, 개질 영역을 형성한 후의 연삭 두께는, 개질 영역에 이르는 두께여도 되지만, 엄밀하게 개질 영역에까지 이르지 않아도, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하여 연삭숫돌 등의 가공 압력으로 할단시켜도 된다. On the other hand, the grinding thickness after forming the modified region may be a thickness reaching the modified region, but it may be ground to a position close to the modified region and cut with a machining pressure such as a grinding wheel without strictly reaching the modified region.

반도체 웨이퍼(W)를 블레이드 선다이싱법에 따라 개편화할 경우, 공정 1A에서 점착제층(X2)에 첩부하는 반도체 웨이퍼(W)의 표면(W1)에는, 미리 홈을 형성해 두는 것이 바람직하다. When the semiconductor wafer W is divided into pieces according to the blade sun dicing method, it is preferable to form a groove in advance on the surface W1 of the semiconductor wafer W to be affixed to the pressure-sensitive adhesive layer X2 in step 1A.

한편, 반도체 웨이퍼(W)를 스텔스 선다이싱법에 따라 개편화할 경우에는, 공정 1A에서 점착제층(X2)에 첩부하는 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 레이저광을 조사해서 미리 개질 영역을 형성해 두어도 되고, 점착제층(X2)에 첩부되어 있는 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 레이저광을 조사해서 개질 영역을 형성해도 된다. On the other hand, when the semiconductor wafer W is divided into pieces according to the stealth sun dicing method, the semiconductor wafer W affixed to the pressure-sensitive adhesive layer X2 in step 1A may be irradiated with laser light to form a modified region in advance, You may irradiate a laser beam with respect to the semiconductor wafer W affixed on the adhesive layer X2, and you may form a modified area|region.

도 4에는, 점착제층(X2)에 첩부한 반도체 웨이퍼(W)에 대하여, 레이저광 조사 장치(4)를 이용해서 복수의 개질 영역(5)을 형성하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다. 4, sectional drawing explaining the process of forming the some modified region 5 using the laser beam irradiation apparatus 4 with respect to the semiconductor wafer W affixed to the adhesive layer X2 is shown.

레이저광은 반도체 웨이퍼(W)의 이면(W2)측으로부터 조사되고, 반도체 웨이퍼(W)의 내부에 복수의 개질 영역(5)이 대략 등간격으로 형성되어 있다. A laser beam is irradiated from the back surface W2 side of the semiconductor wafer W, and the some modified region 5 is formed in the inside of the semiconductor wafer W at substantially equal intervals.

도 5에는, 개질 영역(5)을 형성한 반도체 웨이퍼(W)의 이면(W2)을 그라인더(6)에 의해 연삭하여, 개질 영역(5)을 기점으로 하는 할단에 의해, 반도체 웨이퍼(W)를 박화시키면서 복수의 반도체 칩(CP)으로 개편화하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다. In Fig. 5, the back surface W2 of the semiconductor wafer W on which the modified region 5 is formed is ground with a grinder 6, and the semiconductor wafer W is cut with the modified region 5 as a starting point. A cross-sectional view is shown for explaining a process of dividing into pieces into a plurality of semiconductor chips CP while thinning them.

개질 영역(5)이 형성된 반도체 웨이퍼(W)는, 예를 들면, 당해 반도체 웨이퍼(W)를 지지하고 있는 지지체(3)를 척 테이블 등의 고정 테이블 상에 고정한 상태로, 그 이면(W2)이 연삭된다. The semiconductor wafer W on which the modified region 5 is formed is, for example, in a state in which the support 3 supporting the semiconductor wafer W is fixed on a fixing table such as a chuck table, and the rear surface W2 thereof This is grinding.

연삭 후의 반도체 칩(CP)의 두께는, 바람직하게는 5∼100㎛, 보다 바람직하게는 10∼45㎛이다. 또한, 스텔스 선다이싱법에 따라 연삭 처리 및 개편화 처리를 실시할 경우, 연삭되어 얻어진 반도체 칩(CP)의 두께를 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10∼45㎛로 하는 것이 용이해진다. The thickness of the semiconductor chip CP after grinding becomes like this. Preferably it is 5-100 micrometers, More preferably, it is 10-45 micrometers. Moreover, when performing a grinding process and a fragmentation process according to the stealth sun dicing method, it becomes easy to set the thickness of the semiconductor chip CP obtained by grinding to 50 micrometers or less, More preferably, it is 10-45 micrometers.

연삭 후의 반도체 칩(CP)의 평면에서 볼 때의 크기는, 바람직하게는 600㎟ 미만, 보다 바람직하게는 400㎟ 미만, 더 바람직하게는 300㎟ 미만이다. 한편, 평면에서 본다는 것은 두께 방향으로 보는 것을 말한다. The size of the semiconductor chip CP after grinding in a plan view is preferably less than 600 mm 2 , more preferably less than 400 mm 2 , still more preferably less than 300 mm 2 . On the other hand, to see in a plane means to see in the thickness direction.

개편화 후의 반도체 칩(CP)의 평면에서 볼 때의 형상은, 사각형이어도 되고, 직사각형 등의 가늘고 긴 형상이어도 된다. The planar shape of the semiconductor chip CP after segmentation may be a quadrangle, and elongate shapes, such as a rectangle, may be sufficient as it.

(공정 3A)(Process 3A)

공정 3A는, 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성 필름을 첩부하는 공정이다.Step 3A is a step of affixing a thermosetting film on the surface of the object to be processed on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X2).

도 6에는, 상기 처리를 실시하여 얻어진 복수의 반도체 칩(CP)의, 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 지지 시트(8)를 구비하는 열경화성 필름(7)을 첩부하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다. In FIG. 6, the process of affixing the thermosetting film 7 provided with the support sheet 8 on the surface on the opposite side to the adhesive layer X2 of several semiconductor chip CP obtained by giving the said process is demonstrated. A cross-sectional view is shown.

열경화성 필름(7)은, 적어도 열경화성 수지를 함유하는 수지 조성물을 제막하여 얻어지는 열경화성을 가지는 필름이며, 반도체 칩(CP)을 기판에 실장할 때의 접착제로서 이용된다. 열경화성 필름(7)은, 필요에 따라, 상기 열경화성 수지의 경화제, 열가소성 수지, 무기 충전재, 경화 촉진제 등을 함유하고 있어도 된다. The thermosetting film 7 is a film which has thermosetting property obtained by forming into a film the resin composition containing at least a thermosetting resin into a film, and is used as an adhesive agent at the time of mounting the semiconductor chip CP on a board|substrate. The thermosetting film 7 may contain the hardening|curing agent of the said thermosetting resin, a thermoplastic resin, an inorganic filler, a hardening accelerator, etc. as needed.

열경화성 필름(7)으로서는, 예를 들면, 다이본딩 필름, 다이아 터치 필름 등으로서 일반적으로 사용되고 있는 열경화성 필름을 사용할 수 있다. As the thermosetting film 7, the thermosetting film generally used as a die-bonding film, a die touch film, etc. can be used, for example.

열경화성 필름(7)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 통상은 1∼200㎛이며, 바람직하게는 3∼100㎛, 보다 바람직하게는 5∼50㎛이다. Although the thickness of the thermosetting film 7 is not specifically limited, Usually, it is 1-200 micrometers, Preferably it is 3-100 micrometers, More preferably, it is 5-50 micrometers.

지지 시트(8)는, 열경화성 필름(7)을 지지할 수 있는 것이면 되고, 예를 들면, 본 발명의 일 태양의 점착 시트가 가지는 기재(Y)로서 들어진 수지, 금속, 지재(紙材) 등을 들 수 있다. The support sheet 8 should just be what can support the thermosetting film 7, For example, resin, metal, and a paper material contained as the base material Y which the adhesive sheet of one aspect of this invention has. and the like.

열경화성 필름(7)을, 복수의 반도체 칩(CP)에 첩부하는 방법으로서는, 예를 들면, 라미네이트에 의한 방법을 들 수 있다. As a method of affixing the thermosetting film 7 to the some semiconductor chip CP, the method by lamination is mentioned, for example.

라미네이트는 가열하면서 행해도 되고, 비가열로 행해도 된다. 라미네이트를 가열하면서 행할 경우의 가열 온도는, 열팽창성 입자의 팽창을 억제하는 관점 및 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t)보다 낮은 온도」, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 5℃」 이하, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 10℃」 이하, 보다 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) - 15℃」 이하이다. A lamination may be performed, heating, and may be performed by non-heating. The heating temperature in the case of carrying out the lamination while heating, from the viewpoint of suppressing the expansion of the thermally expandable particles and from the viewpoint of suppressing the thermal change of the adherend, is preferably "a temperature lower than the expansion start temperature (t)", more preferably is "expansion start temperature (t) - 5 ° C." or less, more preferably "expansion initiation temperature (t) - 10 ° C." or less, and still more preferably "expansion initiation temperature (t) - 15 ° C." or less.

(공정 4A)(Process 4A)

공정 4A는, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정이다. Step 4A is a step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the support by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to the expansion initiation temperature (t) or higher and to 120°C or lower.

도 7에는, 점착 시트(2a)를 가열하여, 점착제층(X1)과 지지체(3)를 분리하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다. In FIG. 7, sectional drawing explaining the process of heating the adhesive sheet 2a and isolate|separating the adhesive layer X1 and the support body 3 is shown.

공정 4A에서의 가열 온도는, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상이며, 120℃ 이하의 범위에 있어서, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t)보다 높은 온도」, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 2℃」 이상, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 4℃」 이상, 보다 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 5℃」 이상이다. 또한, 공정 4A에서의 가열 온도는 에너지 절약성 및 가열 박리 시에 있어서의 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 120℃ 이하의 범위에 있어서, 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 50℃」 이하, 보다 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 40℃」 이하, 더 바람직하게는 「팽창 개시 온도(t) + 20℃」 이하이다. The heating temperature in step 4A is equal to or higher than the expansion initiation temperature (t) of the thermally expansible particles, and in the range of 120° C. or lower, preferably “a temperature higher than the expansion initiation temperature (t)”, more preferably “expansion initiation temperature (t)” Initiation temperature (t) + 2°C” or more, more preferably “expansion initiation temperature (t) + 4°C” or more, and still more preferably “expansion initiation temperature (t) + 5°C” or more. In addition, the heating temperature in step 4A is in the range of 120° C. or less, preferably “expansion start temperature (t) + 50” from the viewpoint of energy saving and suppressing thermal change of the adherend during heat peeling C" or less, More preferably, it is "expansion start temperature (t) + 40 degreeC" or less, More preferably, it is "expansion start temperature (t) + 20 degreeC" or less.

공정 4A에서의 가열 온도는, 피착체의 열변화를 억제하는 관점에서는, 팽창 개시 온도(t) 이상의 범위 내에 있어서, 바람직하게는 115℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하, 더 바람직하게는 105℃ 이하이다. The heating temperature in step 4A is preferably 115°C or less, more preferably 110°C or less, still more preferably 105°C or less, within the range of the expansion start temperature (t) or more, from the viewpoint of suppressing thermal change of the adherend. ℃ or less.

(공정 5A)(Process 5A)

공정 5A는, 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정이다. Step 5A is a step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X2) and the object to be processed.

도 8에는, 점착제층(X2)과 복수의 반도체 칩(CP)을 분리하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다. 8 is a cross-sectional view for explaining a step of separating the pressure-sensitive adhesive layer X2 and the plurality of semiconductor chips CP.

점착제층(X2)과 복수의 반도체 칩(CP)을 분리하는 방법은, 점착제층(X2)의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. 예를 들면, 점착제층(X2)이, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 점착제층일 경우에는, 점착제층(X2)에 대하여 에너지선 조사를 행해 점착력을 저하시키고 나서 분리하면 된다. What is necessary is just to select the method of isolate|separating the adhesive layer X2 and some semiconductor chip CP suitably according to the kind of adhesive layer X2. For example, in the case where the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is a pressure-sensitive adhesive layer in which the adhesive force is lowered by irradiation with an energy ray, the pressure-sensitive adhesive layer (X2) may be irradiated with an energy ray to reduce the adhesive force, and then isolate.

상기 공정 1A∼5A를 거쳐, 열경화성 필름(7) 상에 첩부된 복수의 반도체 칩(CP)을 얻을 수 있다. A plurality of semiconductor chips CP affixed on the thermosetting film 7 can be obtained through the steps 1A to 5A.

다음으로, 복수의 반도체 칩(CP)이 첩부되어 있는 열경화성 필름(7)을, 반도체 칩(CP)과 같은 형상으로 분할하여, 열경화성 필름(7) 부착 반도체 칩(CP)을 얻는 것이 바람직하다. 열경화성 필름(7)의 분할 방법으로서는, 예를 들면, 레이저광에 의한 레이저 다이싱, 익스팬드, 용단(溶斷) 등의 방법을 적용할 수 있다. Next, it is preferable to divide|segment the thermosetting film 7 by which the some semiconductor chip CP is affixed into the same shape as the semiconductor chip CP, and to obtain the semiconductor chip CP with the thermosetting film 7. As a division|segmentation method of the thermosetting film 7, methods, such as laser dicing by a laser beam, expand, and melting, are applicable, for example.

도 9에는, 반도체 칩(CP)과 같은 형상으로 분할된 열경화성 필름(7) 부착 반도체 칩(CP)이 나타나 있다. In FIG. 9, the semiconductor chip CP with the thermosetting film 7 divided|segmented into the same shape as the semiconductor chip CP is shown.

열경화성 필름(7) 부착 반도체 칩(CP)은, 또한, 필요에 따라, 반도체 칩(CP)끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정, 간격을 넓힌 복수의 반도체 칩(CP)을 배열시키는 재배열 공정, 복수의 반도체 칩(CP)의 표리를 반전시키는 반전 공정 등이 적절히 실시된 후, 열경화성 필름(7)측으로부터 기판에 첩부(다이아 터치)된다. 그 후, 열경화성 필름을 열경화시킴으로써 반도체 칩과 기판을 고착할 수 있다. The semiconductor chip CP with the thermosetting film 7 is further, if necessary, an expand step of widening the distance between the semiconductor chips CP, a rearrangement step of arranging a plurality of semiconductor chips CP with the spaced apart, After the inversion process etc. which reverse the front and back of some semiconductor chip CP are implemented suitably, it affixes (diamond touch) to a board|substrate from the thermosetting film 7 side. Then, a semiconductor chip and a board|substrate can be fixed by thermosetting a thermosetting film.

본 발명의 일 태양의 제조 방법은, 제조 방법 A에 있어서, 공정 3A를 포함하지 않는 것이어도 된다. 공정 3A를 포함하지 않을 경우에는, 공정 4A를 대신하여 하기 공정 4A'를 포함하는 것이어도 된다. The manufacturing method of one aspect of this invention may not include process 3A in manufacturing method A. When step 3A is not included, step 4A' may be included in place of step 4A.

공정 4A': 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정Step 4A': A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the support by heating the pressure-sensitive adhesive sheet above the expansion start temperature (t)

본 발명의 일 태양의 점착 시트로서 양면 점착 시트를 이용할 경우, 제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법은, 하기 공정 1B∼4B를 포함하는 제조 방법(이하, 「제조 방법 B」라고도 함)이어도 된다. When using a double-sided adhesive sheet as an adhesive sheet of one aspect of this invention, the manufacturing method of the semiconductor device of a 1st aspect may be a manufacturing method (hereinafter also referred to as "manufacturing method B") including the following steps 1B to 4B. .

공정 1B: 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 지지체를 첩부하는 공정Process 1B: The process of affixing a processing object to the adhesive layer (X1) which the adhesive sheet has, and affixing a support body to the adhesive layer (X2) which the said adhesive sheet has

공정 2B: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정Step 2B: A step of performing one or more treatments selected from grinding treatment and shredding treatment on the object to be processed

공정 3B: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X1)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정Step 3B: Step of affixing a thermosetting film having thermosetting properties on the surface of the object to be processed on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X1)

공정 4B: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정Step 4B: A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the object to be processed by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to a temperature above the expansion start temperature (t) and below 120°C

공정 1B∼3B는, 공정 1A∼3A의 설명에 있어서의 점착제층(X1)을 점착제층(X2)으로, 점착제층(X2)을 점착제층(X1)으로 바꿔 읽어 설명되는 것이다. Steps 1B to 3B are explained by changing the pressure-sensitive adhesive layer (X1) in the description of the steps 1A to 3A to the pressure-sensitive adhesive layer (X2), and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) to the pressure-sensitive adhesive layer (X1).

공정 4B는, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정이다. Step 4B is a step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the object to be processed by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to the expansion start temperature (t) or higher and to 120°C or lower.

공정 4B에서의 점착 시트의 가열 온도 등의 가열 조건은, 공정 4A에서의 설명과 같다. Heating conditions, such as heating temperature of the adhesive sheet in process 4B, are the same as description in process 4A.

공정 4B에 의해, 열경화성 필름 상에 첩부된 복수의 반도체 칩을 얻을 수 있다. 그 후, 상기한 제조 방법 A의 경우와 같이, 열경화성 필름을 분할하여, 열경화성 필름 부착 반도체 칩을 얻을 수 있다. A plurality of semiconductor chips affixed on the thermosetting film can be obtained by step 4B. Then, similarly to the case of manufacturing method A mentioned above, a thermosetting film can be divided|segmented and the semiconductor chip with a thermosetting film can be obtained.

제조 방법 B는, 공정 4B 후에, 점착제층(X2)과 상기 지지체를 분리하는 공정 5B를 가지고 있어도 된다. The manufacturing method B may have the process 5B of isolate|separating the adhesive layer (X2) and the said support body after process 4B.

점착제층(X2)과 지지체를 분리하는 방법은, 점착제층(X2)의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. 예를 들면, 점착제층(X2)이, 에너지선 조사에 의해 점착력이 저하하는 점착제층일 경우에는, 점착제층(X2)에 대하여 에너지선 조사를 행해 점착력을 저하시키고 나서 분리하면 된다. What is necessary is just to select the method of isolate|separating an adhesive layer (X2) and a support body suitably according to the kind of adhesive layer (X2). For example, in the case where the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is a pressure-sensitive adhesive layer in which the adhesive force is lowered by irradiation with an energy ray, the pressure-sensitive adhesive layer (X2) may be irradiated with an energy ray to reduce the adhesive force, and then isolate.

본 발명의 일 태양의 제조 방법은, 제조 방법 B에 있어서, 공정 3B를 포함하지 않는 것이어도 된다. 공정 3B를 포함하지 않을 경우에는, 공정 4B를 대신하여 하기 공정 4B'를 포함하는 것이어도 된다. In the manufacturing method B of the manufacturing method of one aspect of this invention, the thing which does not include the process 3B may be sufficient. When step 3B is not included, step 4B' may be included in place of step 4B.

공정 4B': 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정Step 4B': A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the object to be processed by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to the expansion start temperature (t) or higher

<다른 태양의 반도체 장치의 제조 방법><The manufacturing method of the semiconductor device of another aspect>

본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기한 제1 태양의 반도체 장치의 제조 방법으로 한정되는 것이 아니고, 제1 태양과는 다른 태양의 반도체 장치의 제조 방법이어도 된다. The manufacturing method of the semiconductor device of this invention is not limited to the manufacturing method of the semiconductor device of the above-mentioned 1st aspect, The manufacturing method of the semiconductor device of an aspect different from the 1st aspect may be sufficient.

다른 태양의 반도체 장치의 제조 방법의 일례로서는, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를, 제조 공정의 일환으로서 검사 대상물을 검사하기 위한 가고정용 시트로서 사용하는 방법을 들 수 있다. 검사 대상물에 대하여 행해지는 검사로서는, 예를 들면, 광학 현미경, 레이저를 이용한 결함 검사(예를 들면, 티끌 검사, 표면 흠집 검사, 배선 패턴 검사 등), 육안에 의한 표면 검사 등을 들 수 있다. As an example of the manufacturing method of the semiconductor device of another aspect, the method of using the adhesive sheet of one aspect of this invention as a sheet|seat for temporarily fixing for test|inspecting an inspection object as a part of a manufacturing process is mentioned. Examples of the inspection performed on the object to be inspected include a defect inspection using an optical microscope and a laser (eg, a dust inspection, a surface flaw inspection, a wiring pattern inspection, etc.), and a surface inspection by the naked eye.

검사 대상물로서는, 예를 들면, 반도체 칩, 반도체 웨이퍼, 화합물 반도체, 반도체 패키지, 전자 부품, LED 소자, 사파이어 기판, 디스플레이, 패널용 기판 등을 들 수 있다. Examples of the object to be inspected include semiconductor chips, semiconductor wafers, compound semiconductors, semiconductor packages, electronic components, LED elements, sapphire substrates, displays, and panel substrates.

본 발명의 일 태양의 점착 시트를, 검사 대상물을 검사하기 위한 가고정용 시트로서 사용할 경우, 점착 시트의 점착제층(X1)에 복수개의 검사 대상물을 첩부한 상태로 검사를 실시할 수 있다. 검사를 행한 후, 예를 들면, 상기 복수개의 검사 대상물이 첩부되어 있는 점착제층(X1)의 일부를 국소적으로 가열하여, 당해 부분에 첩부되어 있는 특정의 검사 대상물을 선택적으로 가열 박리할 수도 있다. 이때, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 저온에서의 가열 박리가 가능하기 때문에, 가열 박리 작업의 작업성 및 에너지 절약성이 우수함과 함께, 검사 대상물이 열변화하기 쉬운 것이어도, 가열 박리 시의 가열에 의한 검사 대상물의 열변화를 억제할 수 있다. When the adhesive sheet of one aspect of the present invention is used as a sheet for temporarily fixing for inspecting an inspection object, it can be inspected in a state in which a plurality of inspection objects are affixed to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the adhesive sheet. After the inspection, for example, a part of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) to which the plurality of inspection objects are affixed is locally heated, and the specific inspection object affixed to the part may be selectively heated and peeled. . At this time, since the pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention can be peeled by heating at a low temperature, it is excellent in workability and energy saving of the heating peeling operation, and even if the object to be inspected is easily changed by heat, when peeled by heating It is possible to suppress the thermal change of the inspection object due to the heating of the

다른 태양의 반도체 장치의 제조 방법의 다른 일례로서는, 다른 시트에 첩부되어 있는 가공 대상물을, 본 발명의 일 태양의 점착 시트를 이용하여, 당해 다른 시트로부터 분리시키는 방법을 들 수 있다. As another example of the manufacturing method of the semiconductor device of another aspect, the method of separating the object to be processed affixed to another sheet|seat from the said other sheet|seat using the adhesive sheet of one aspect of this invention is mentioned.

예를 들면, 익스팬드 테이프 상에서 간격을 넓힌 복수의 반도체 칩은, 익스팬드 테이프의 점착 표면에 첩부되어 있지만, 이들 칩을 1개씩 픽업하는 작업은 번잡하다. 본 발명의 일 태양의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 익스팬드 테이프 상에 첩부된 복수의 반도체 칩의 표출면에, 본 발명의 일 태양의 점착 시트의 점착제층(X1)을 첩부하고, 그 다음에, 복수의 반도체 칩으로부터 익스팬드 테이프를 박리함으로써, 익스팬드 테이프로부터 복수의 반도체 칩을 일괄적으로 분리할 수 있다. For example, a plurality of semiconductor chips with an increased interval on the expand tape are affixed to the adhesive surface of the expand tape, but the operation of picking up these chips one by one is complicated. According to the method for manufacturing a semiconductor device of one aspect of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention is adhered to the surface of the plurality of semiconductor chips affixed on the expand tape, and then Thus, by peeling the expanded tape from the plurality of semiconductor chips, it is possible to collectively separate the plurality of semiconductor chips from the expanded tape.

상기한 공정을 거쳐, 본 발명의 일 태양의 점착 시트 상에 첩부된 복수의 반도체 칩을 얻을 수 있다. 당해 복수의 반도체 칩은, 그 후, 점착제층(X1)을 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t) 이상으로 가열함으로써, 용이하게 분리할 수 있다. 이때, 본 발명의 일 태양의 점착 시트는, 저온에서의 가열 박리가 가능하기 때문에, 가열 박리 작업의 작업성 및 에너지 절약성이 우수함과 함께, 피착체가 열변화하기 쉬운 것이어도, 가열 박리 시의 가열에 의한 피착체의 열변화를 억제할 수 있다. A plurality of semiconductor chips affixed on the pressure-sensitive adhesive sheet of one embodiment of the present invention can be obtained through the above-described process. After that, the plurality of semiconductor chips can be easily separated by heating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) to the expansion start temperature (t) or higher of the thermally expansible particles. At this time, since the pressure-sensitive adhesive sheet of one aspect of the present invention can be peeled by heating at a low temperature, it is excellent in workability and energy saving of the heating peeling operation, and even if the adherend is easily changed by heat, it can be peeled by heating. The thermal change of the adherend due to heating can be suppressed.

분리된 복수의 반도체 칩은, 다른 점착 시트로 전사되어도 되고, 일단 분리한 후, 복수의 반도체 칩을 정렬시키는 재배열 공정에 제공되어도 된다. The separated plurality of semiconductor chips may be transferred to another adhesive sheet, or once separated, may be subjected to a rearrangement step of aligning the plurality of semiconductor chips.

(실시예)(Example)

본 발명에 대해서, 이하의 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.The present invention will be specifically described with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples.

한편, 이하의 설명에 있어서 「비팽창성 점착제층(X1')」이란, 열팽창성 입자를 함유하지 않은 점착제층을 의미하고, 후술하는 비교예에서 제작한 점착 시트가 가지는 점착제층과 전단 저장 탄성률 G'의 측정용으로 제작한 열팽창성 입자를 함유하지 않은 점착제층이, 비팽창성 점착제층(X1')에 해당한다. On the other hand, in the following description, "non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1')" means a pressure-sensitive adhesive layer that does not contain thermally expansible particles, and the pressure-sensitive adhesive layer and shear storage modulus G of the pressure-sensitive adhesive sheet produced in Comparative Examples to be described later. The adhesive layer which does not contain the thermally expansible particle produced for the measurement of ' corresponds to a non-expandable adhesive layer (X1').

이하의 합성예 및 실시예에 있어서의 물성치는, 이하의 방법에 따라 측정한 값이다. The physical property values in the following synthesis examples and Examples are values measured according to the following method.

[질량 평균 분자량(Mw)][Mass Average Molecular Weight (Mw)]

겔 침투 크로마토그래프 장치(도소 가부시키가이샤제, 제품명 「HLC-8020」)를 이용하여, 하기의 조건 하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정한 값을 이용했다. It measured under the following conditions using the gel permeation chromatography apparatus (The Tosoh Corporation make, product name "HLC-8020"), and the value measured by standard polystyrene conversion was used.

(측정 조건)(Measuring conditions)

·칼럼: 「TSK guard column HXL-L」 「TSK gel G2500HXL」 「TSK gel G2000HXL」 「TSK gel G1000HXL」(모두 도소 가부시키가이샤제)를 순차 연결한 것・Column: "TSK guard column HXL-L", "TSK gel G2500HXL", "TSK gel G2000HXL" and "TSK gel G1000HXL" (all manufactured by Tosoh Corporation) in sequence

·칼럼 온도: 40℃·Column temperature: 40℃

·전개 용매: 테트라히드로퓨란·Developing solvent: tetrahydrofuran

·유속: 1.0mL/min・Flow rate: 1.0 mL/min

[각 층의 두께][Thickness of each layer]

가부시키가이샤 테크로크제의 정압 두께 측정기(형번: 「PG-02J」, 표준 규격: JIS K6783, Z1702, Z1709에 준거)를 이용하여 측정했다. It measured using the static pressure thickness measuring machine (Model number: "PG-02J", standard specification: based on JIS K6783, Z1702, Z1709) manufactured by Techlock Corporation.

[열팽창성 입자의 평균 입자경(D50), 90% 입자경(D90)][Average particle diameter (D 50 ), 90% particle diameter (D 90 ) of thermally expandable particles]

레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예를 들면, Malvern사제, 제품명 「마스터 사이더 3000」)를 이용하여, 23℃에서의 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자 분포를 측정했다. The particle distribution of the thermally expansible particle|grains before expansion at 23 degreeC was measured using the laser diffraction type particle size distribution analyzer (For example, the Malvern company make, product name "Master Cider 3000").

그리고, 입자 분포의 입자경이 작은 쪽부터 계산한 누적 체적 빈도가 50% 및 90%에 상당하는 입자경을, 각각 「열팽창성 입자의 평균 입자경(D50)」 및 「열팽창성 입자의 90% 입자경(D90)」으로 했다. Then, the particle size of the cumulative volume frequency calculated from the side smaller in particle size distribution the particle diameter corresponding to 50% and 90%, respectively, "average particle diameter of the heat-expandable particles (D 50)" or the 90% particle diameter of the "heat-expandable particles ( D 90 )”.

[기재(Y)의 저장 탄성률 E'][Storage modulus E' of base material (Y)]

종 5㎜×횡 30㎜로 재단한 기재(Y)를 시험 샘플로 하고, 동적 점탄성 측정 장치(TA 인스트루먼트사제, 제품명 「DMAQ800」)를 이용하여, 시험 개시 온도 0℃, 시험 종료 온도 200℃, 승온 속도 3℃/분, 진동 수 1㎐, 진폭 20㎛의 조건으로, 소정의 온도에서의 저장 탄성률 E'를 측정했다. Using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (manufactured by TA Instruments, product name "DMAQ800") using the substrate Y cut to 5 mm in length x 30 mm in width as a test sample, a test start temperature of 0 ° C., a test end temperature of 200 ° C., The storage modulus E' at a predetermined temperature was measured under the conditions of a temperature increase rate of 3°C/min, a frequency of 1 Hz, and an amplitude of 20 µm.

[점착제층(X1)의 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)][Shear storage modulus G' (23) at 23° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (X1)]

점착제층(X1)을 직경 8㎜×두께 3㎜로 한 것을 시험 샘플로 하고, 점탄성 측정 장치(Anton ㎩ar사제, 장치명 「MCR300」)를 이용하여, 시험 개시 온도 0℃, 시험 종료 온도 300℃, 승온 속도 3℃/분, 진동 수 1㎐의 조건으로, 비틀림 전단법에 의해, 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)를 측정했다. The pressure-sensitive adhesive layer (X1) having a diameter of 8 mm x thickness of 3 mm was used as a test sample, and using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Anton Paar, device name “MCR300”), a test start temperature of 0° C. and a test end temperature of 300° C. , the shear storage modulus G'(23) at 23°C was measured by the torsional shear method under conditions of a temperature increase rate of 3°C/min and a frequency of 1 Hz.

[비팽창성 점착제층(X1')의 전단 저장 탄성률 G'][Shear storage modulus G' of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1')]

열팽창성 입자의 영향을 배제한 전단 저장 탄성률 G'를 측정하기 위해, 각 실시예에 있어서, 열팽창성 입자를 함유하지 않는 것 이외는, 점착제층(X1)과 같은 구성을 가지는 비팽창성 점착제층(X1')을, 각 실시예의 점착제층(X1)에 대응하는 전단 저장 탄성률 측정용 시료로서 제작하고, 그 전단 저장 탄성률 G'를 측정했다. In order to measure the shear storage modulus G' excluding the influence of thermally expansible particles, in each Example, a non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1) having the same configuration as the pressure-sensitive adhesive layer (X1) except that it does not contain thermally expandable particles. ') was prepared as a sample for measuring the shear storage modulus corresponding to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of each Example, and the shear storage modulus G' was measured.

또한, 비교예에서 제작한 비팽창성 점착제층(X1')의 전단 저장 탄성률 G'도, 본 평가 방법에 따라 측정했다. In addition, the shear storage modulus G' of the non-expandable adhesive layer (X1') produced by the comparative example was also measured according to this evaluation method.

비팽창성 점착제층(X1')을 직경 8㎜×두께 3㎜로 한 것을 시험 샘플로 하고, 점탄성 측정 장치(Anton ㎩ar사제, 장치명 「MCR300」)를 이용하여, 시험 개시 온도 0℃, 시험 종료 온도 300℃, 승온 속도 3℃/분, 진동 수 1㎐의 조건으로, 비틀림 전단법에 의해, 23℃에서의 전단 저장 탄성률 G'(23)와, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서의 전단 저장 탄성률 G'(t)를 측정했다. A non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') having a diameter of 8 mm x a thickness of 3 mm was used as a test sample, and using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Anton Paar, device name “MCR300”), the test start temperature was 0° C. and the test was completed. Under the conditions of a temperature of 300 ° C., a temperature increase rate of 3 ° C./min., and a frequency of 1 Hz, the shear storage modulus G' (23) at 23 ° C. and the expansion start temperature (t) of the thermally expandable particles by the torsional shear method The shear storage modulus G'(t) of was measured.

한편, 전단 저장 탄성률 측정용 시료인 비팽창성 점착제층(X1')의 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)란, 전단 저장 탄성률 측정용 시료에 대응하는 실시예의 점착제층(X1)에 함유되는 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)를 의미하고, 본 실시예에 있어서는, 후술하는 바와 같이 88℃를 의미한다. On the other hand, the expansion start temperature (t) of the thermally expansible particles of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1'), which is a sample for measuring shear storage modulus, is the thermal expansion contained in the adhesive layer (X1) of the embodiment corresponding to the sample for shear storage modulus measurement. It means the expansion initiation temperature (t) of the stellar particles, and in this Example, it means 88°C as will be described later.

또한, 비교예에서 제작한 점착 시트는 팽창 개시 온도(t)를 갖지 않기 때문에, 실시예와 같은 88℃에서의 전단 저장 탄성률 G'를 측정했다. In addition, since the adhesive sheet produced by the comparative example does not have an expansion initiation temperature (t), the shear storage modulus G' in 88 degreeC similar to an Example was measured.

합성예 1Synthesis Example 1

(우레탄아크릴레이트계 프리폴리머의 합성)(Synthesis of urethane acrylate-based prepolymer)

질량 평균 분자량(Mw) 3,000의 폴리프로필렌글리콜 100질량부(고형분 환산치; 이하 동일)와, 헥사메틸렌디이소시아네이트 4질량부와, 디옥틸주석디라우레이트 0.02질량부를 혼합하고, 80℃에서 6시간 교반함으로써 반응물을 얻었다. 얻어진 반응물에 대해서, 적외 분광법에 의해 IR 스펙트럼을 측정한 바, 이소시아네이트기가 거의 소실해 있는 것이 확인되었다.100 parts by mass of polypropylene glycol having a mass average molecular weight (Mw) of 3,000 (solid content conversion; the same hereinafter), 4 parts by mass of hexamethylene diisocyanate, and 0.02 parts by mass of dioctyltin dilaurate are mixed, and the mixture is heated at 80° C. for 6 hours. A reaction was obtained by stirring. About the obtained reaction material, when the IR spectrum was measured by infrared spectroscopy, it was confirmed that the isocyanate group has substantially lose|disappeared.

그 후, 얻어진 반응물의 전량에 대하여, 2-이소시아네이트에틸아크릴레이트 1질량부를 혼합하고, 80℃에서 3시간 교반함으로써, 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머를 얻었다. 얻어진 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머에 대해서, 적외 분광법에 의해 IR 스펙트럼을 측정한 바, 이소시아네이트기가 거의 소실해 있는 것이 확인되었다. 얻어진 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머의 질량 평균 분자량(Mw)은 25,000이었다. Then, 1 mass part of 2-isocyanate ethyl acrylate was mixed with respect to the whole quantity of the obtained reaction material, and the urethane acrylate type prepolymer was obtained by stirring at 80 degreeC for 3 hours. About the obtained urethane acrylate type prepolymer, when the IR spectrum was measured by infrared spectroscopy, it was confirmed that the isocyanate group has substantially lose|disappeared. The mass average molecular weight (Mw) of the obtained urethane acrylate type prepolymer was 25,000.

실시예 1∼22Examples 1-22

(중합성 조성물의 제조)(Preparation of polymerizable composition)

표 1에 기재된 각 성분을 표 1에 기재된 배합 조성으로 혼합하여 무용제형 중합성 조성물을 얻었다. Each component shown in Table 1 was mixed by the compounding composition shown in Table 1, and the solvent-free type|mold polymerizable composition was obtained.

한편, 표 1에 기재된 각 성분의 상세는 이하와 같다.In addition, the detail of each component described in Table 1 is as follows.

〔중합성 비닐 모노머〕[Polymerizable Vinyl Monomer]

2EHA: 2-에틸헥실아크릴레이트((a1-1) 성분)2EHA: 2-ethylhexyl acrylate (component (a1-1))

IBXA: 이소보르닐아크릴레이트((a1-2) 성분)IBXA: isobornyl acrylate (component (a1-2))

HEA: 2-히드록시에틸아크릴레이트((a1-3) 성분)HEA: 2-hydroxyethyl acrylate (component (a1-3))

4HBA: 4-히드록시부틸아크릴레이트((a1-3) 성분)4HBA: 4-hydroxybutyl acrylate (component (a1-3))

〔다관능 (메타)아크릴레이트 모노머〕[Polyfunctional (meth)acrylate monomer]

3관능 모노머: 이소시아누르산에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트((a1-4) 성분)Trifunctional monomer: isocyanuric acid ethylene oxide modified triacrylate (component (a1-4))

〔다관능 (메타)아크릴레이트 프리폴리머〕[Polyfunctional (meth)acrylate prepolymer]

우레탄아크릴레이트계 프리폴리머: 합성예 1에서 조제한 것((a2) 성분)Urethane acrylate-based prepolymer: prepared in Synthesis Example 1 (component (a2))

폴리아크릴아크릴레이트계 프리폴리머: 「KANEKA XMAP(등록상표) RC100C」(가부시키가이샤 가네카제, 양말단에 아크릴로일기를 가지는 폴리아크릴계 프리폴리머, 질량 평균 분자량(Mw): 21,500)((a2) 성분)Polyacrylate-based prepolymer: “KANEKA XMAP (registered trademark) RC100C” (manufactured by Kaneka, Ltd., polyacrylic prepolymer having acryloyl groups at both ends, mass average molecular weight (Mw): 21,500) (component (a2))

〔광중합개시제〕[Photoinitiator]

1-히드록시시클로헥실페닐케톤1-Hydroxycyclohexylphenylketone

〔열팽창성 입자〕[Thermal Expansive Particles]

AkzoNobel사제, 제품명 「Ex㎩ncel(등록상표) 031-40」(DU 타입), 팽창 개시 온도(t)=88℃, 평균 입자경(D50)=12.6㎛, 90% 입자경(D90)=26.2㎛AkzoNobel Co., Ltd. product name "ExPancel (registered trademark) 031-40" (DU type), expansion start temperature (t) = 88 ° C, average particle diameter (D 50 ) = 12.6 µm, 90% particle diameter (D 90 ) = 26.2 μm

한편, 표 1의 「점착제층(X1) 또는 비팽창성 점착제층(X1')의 조성」 중에 있어서의 「-」은 당해 성분을 배합하지 않았음을 의미한다. In addition, "-" in "composition of an adhesive layer (X1) or a non-expandable adhesive layer (X1')" of Table 1 means that the said component was not mix|blended.

(점착 시트의 제조)(Production of adhesive sheet)

상기에서 제조한 무용제형 중합성 조성물을 이용하여, 하기의 순서로 점착 시트를 제조했다. Using the solvent-free polymerizable composition prepared above, an adhesive sheet was prepared in the following procedure.

무용제형 중합성 조성물을, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)계 박리 필름(린텍 가부시키가이샤제, 제품명 「SP-PET381031」, 두께: 38㎛)의 박리 처리면 상에 도포하여 중합성 조성물층을 형성했다. 당해 중합성 조성물층에 대하여, 조도 150mW/㎠, 광량 100mJ/㎠의 조건으로 자외선을 조사하여 예비 중합을 행했다. 한편, 중합성 조성물층의 두께는, 얻어지는 점착제층(X1)의 두께가 표 1에 기재된 두께가 되도록 조정했다. A solvent-free polymerizable composition was applied onto the release-treated surface of a polyethylene terephthalate (PET) release film (manufactured by Lintec Corporation, product name "SP-PET381031", thickness: 38 µm) to form a polymerizable composition layer. . The polymerizable composition layer was subjected to preliminary polymerization by irradiating ultraviolet rays under the conditions of an illuminance of 150 mW/cm 2 and a light amount of 100 mJ/cm 2 . In addition, the thickness of the polymeric composition layer was adjusted so that the thickness of the adhesive layer (X1) obtained might become the thickness of Table 1.

그 다음에, 상기 중합성 조성물층의 표출되어 있는 면에, 기재(Y)로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요보 가부시키가이샤제, 코스모샤인(등록상표), 품번 「A4300」, 두께: 50㎛)을 첩부하여, 박리 필름, 중합성 조성물층, 기재(Y)가 이 순으로 적층된 적층체를 얻었다. 한편, 기재(Y)의 23℃에서의 저장 탄성률 E'(23)는, 3.0×109㎩, 기재(Y)의 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도(t)에서의 저장 탄성률 E'(t)는, 2.4×109㎩이다. Next, on the exposed surface of the polymerizable composition layer, a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toyobo Corporation, Cosmoshine (registered trademark), part number "A4300", thickness: 50 µm) as a substrate (Y) was affixed to obtain a laminate in which a release film, a polymerizable composition layer, and a substrate (Y) were laminated in this order. On the other hand, the storage elastic modulus E' (23) at 23° C. of the substrate (Y) is 3.0 × 10 9 Pa, and the storage elastic modulus E′ (t) at the expansion start temperature (t) of the thermally expandable particles of the substrate (Y) is 2.4×10 9 Pa.

상기에서 얻은 적층체에 대하여, 박리 필름측으로부터, 조도 200mW/㎠, 광량 2,000mJ/㎠(500mJ/㎠를 4회 조사)의 조건으로 자외선을 조사하여 점착제층(X1)을 형성하고, 박리 필름, 점착제층(X1) 및 기재(Y)가 이 순으로 적층된 점착 시트를 얻었다. The laminate obtained above is irradiated with ultraviolet rays from the release film side under the conditions of an illuminance of 200 mW/cm 2 and a light amount of 2,000 mJ/cm 2 (500 mJ/cm 2 is irradiated 4 times) to form a pressure-sensitive adhesive layer (X1), and a release film , an adhesive layer (X1) and a base material (Y) were laminated in this order to obtain an adhesive sheet.

한편, 자외선 조사 시의 상기한 조도 및 광량은, 조도·광량계(EIT사제, 제품명 「UV Power Puck Ⅱ」)를 이용하여 측정한 값이다. In addition, said illuminance and light quantity at the time of ultraviolet irradiation are the values measured using the illuminance and light quantity meter (The product made by EIT, product name "UV power Puck II").

비교예 1∼5Comparative Examples 1 to 5

실시예 1에 있어서의 점착제층(X1)의 조성을, 표 1에 기재된 조성으로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 박리 필름, 비팽창성 점착제층(X1') 및 기재(Y)가 이 순으로 적층된 점착 시트를 얻었다. Except having changed the composition of the adhesive layer (X1) in Example 1 to the composition shown in Table 1, it carried out similarly to Example 1, and a peeling film, a non-expandable adhesive layer (X1') and a base material (Y) An adhesive sheet laminated in this order was obtained.

다음으로 각 예에서 제작한 점착 시트에 대해서 하기의 평가를 행했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다. Next, the following evaluation was performed about the adhesive sheet produced in each example. Table 2 shows the evaluation results.

[점착제층(X1)의 열팽창 전의 23℃에서의 점착력의 측정][Measurement of the adhesive force at 23°C before thermal expansion of the pressure-sensitive adhesive layer (X1)]

25㎜×250㎜로 재단한 점착 시트의 점착제층(X1)으로부터 박리 필름을 제거하고, 표출된 점착제층(X1)의 표면을 실리콘 미러 웨이퍼의 미러면에 대해, JIS Z0237:2000에 의거하여 2㎏의 고무 롤러로 첩합하고, 그 직후부터 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서 20분간 정치했다. The release film is removed from the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet cut to 25 mm × 250 mm, and the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1) is applied to the mirror surface of the silicon mirror wafer 2 according to JIS Z0237:2000 It bonded together with a kg rubber roller, and was left still for 20 minutes in the environment of 23 degreeC and 50 %RH (relative humidity) immediately after that.

상기 조건으로 정치한 후, 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서, 인장 시험기(가부시키가이샤 에이·앤드·디제, 제품명 「텐시론(등록상표)」)를 이용하여, JIS Z0237:2000에 의거하여, 180℃ 박리법에 의해, 인장 속도 300㎜/분으로 점착력을 측정했다. After standing under the above conditions, under an environment of 23° C. and 50% RH (relative humidity), using a tensile tester (A&DJ, product name “Tensiron (registered trademark)”), JIS Z0237: Based on 2000, the adhesive force was measured by the 180 degreeC peeling method at the tensile rate of 300 mm/min.

[점착제층(X1)의 열팽창 후의 23℃에서의 점착력의 측정][Measurement of the adhesive force at 23°C after thermal expansion of the pressure-sensitive adhesive layer (X1)]

또한, 상기한 시험 샘플을, 실리콘 미러 웨이퍼가 핫플레이트와 접촉하는 측이 되고, 점착 시트측이 핫플레이트와 접촉하지 않는 측이 되도록 핫플레이트 상에 재치해, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도 이상인 100℃에서 1분간 가열하고, 표준 환경(23℃, 50%RH(상대습도))에서 60분간 정치한 후, JIS Z0237:2000에 의거하여, 180℃ 박리법에 의해, 인장 속도 300㎜/분으로 점착제층(X1)의 점착력을 측정했다. Further, the above-described test sample was placed on a hot plate such that the silicon mirror wafer was on the side in contact with the hot plate and the pressure-sensitive adhesive sheet side was on the side not in contact with the hot plate, and 100 or more than the expansion start temperature of the thermally expansible particles. After heating at °C for 1 minute and leaving it to stand for 60 minutes in a standard environment (23 °C, 50%RH (relative humidity)), according to JIS Z0237:2000, by the 180 °C peeling method, at a tensile rate of 300 mm/min. The adhesive force of the adhesive layer (X1) was measured.

한편, 측정을 위해 점착 시트를 고정할 때에 점착력이 너무 작아 의도하지 않게 박리해, 점착력의 측정이 곤란할 경우, 그 점착력은 0N/25㎜라고 했다. On the other hand, when fixing an adhesive sheet for a measurement, adhesive force was too small and it peeled unintentionally, and when the measurement of adhesive force was difficult, the adhesive force was 0 N/25 mm.

[자기 박리성의 평가][Evaluation of self-peelability]

50㎜×50㎜로 재단한 점착 시트의 점착제층(X1)으로부터 박리 필름을 제거하고, 표출된 점착제층(X1)의 표면을 실리콘 미러 웨이퍼의 미러면에 대해, JIS Z0237:2000에 의거하여 2㎏의 고무 롤러로 첩합하고, 그 직후부터 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서 20분간 정치한 것을 시험 샘플로 했다. 그 다음에, 당해 시험 샘플을, 실리콘 미러 웨이퍼가 핫플레이트와 접촉하는 측이 되고, 점착 시트측이 핫플레이트와 접촉하지 않는 측이 되도록 핫플레이트 상에 재치해, 열팽창성 입자의 팽창 개시 온도 이상인 100℃에서 최대 60초간 가열했다. 60초간 가열한 시점에 있어서의 점착 시트의 박리 면적의 비율(%)(박리 면적×100/점착 시트 전체의 면적)을 구해, 이하의 기준에 의거하여 평가했다. Remove the peeling film from the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet cut to 50 mm x 50 mm, and set the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1) to the mirror surface of the silicon mirror wafer, 2 according to JIS Z0237:2000 It bonded with a kg rubber roller, and what was left still for 20 minutes in 23 degreeC and 50 %RH (relative humidity) environment immediately after that was made into the test sample. Next, the test sample is placed on a hot plate such that the silicon mirror wafer is on the side that is in contact with the hot plate and the pressure-sensitive adhesive sheet side is on the side that does not come into contact with the hot plate, and is equal to or higher than the expansion start temperature of the thermally expandable particles. It was heated at 100°C for a maximum of 60 seconds. The ratio (%) of the peeling area of the adhesive sheet at the time of heating for 60 second (the area of peeling area *100/the whole adhesive sheet) was calculated|required, and it evaluated based on the following reference|standard.

A: 60초 이내에 점착 시트가 전면 박리한 것. A: What the adhesive sheet peeled all over within 60 seconds.

B: 60초 가열하여, 박리한 면적이 30% 이상, 100% 미만이었던 것. B: What heated for 60 seconds and peeled was 30 % or more and less than 100 %.

C: 60초 가열하여, 박리한 면적이 30% 미만이었던 것. C: What was heated for 60 second and the peeled area was less than 30 %.

또한, 평가 「A」인 것에 대해서는, 전면 박리까지에 필요로 한 시간(초)을 측정했다. In addition, about the thing of evaluation "A", the time (second) required until full surface peeling was measured.

[비팽창성 점착제층(X1')의 23℃에서의 점착력 및 자기 박리성의 측정 방법][Method for measuring adhesive strength and self-peelability of non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') at 23°C]

비교예 1∼5에서 제작한 비팽창성 점착제층(X1')의 23℃에서의 점착력 및 자기 박리성에 대해서는, 상기한 점착제층(X1)의 23℃에서의 점착력, 자기 박리성의 측정 방법의 설명에 있어서의 점착제층(X1)을 비팽창성 점착제층(X1')으로 치환한 방법에 따라 측정했다. Regarding the adhesive force and self-peelability at 23°C of the non-expandable pressure-sensitive adhesive layer (X1') prepared in Comparative Examples 1 to 5, in the description of the method for measuring the adhesive strength and self-peelability of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) at 23°C It measured according to the method which substituted the adhesive layer (X1) in the non-expandable adhesive layer (X1').

단, 표 2의 「비팽창성 점착제층(X1')의 23℃의 점착력」에 있어서의 「열팽창 전」 및 「열팽창 후」란, 비교예 1∼5에 있어서는, 「실시예의 열팽창 처리에 상당하는 가열 처리 전」 및 「실시예의 열팽창 처리에 상당하는 가열 처리 후」를 의미하는 것으로 하고, 「실시예의 열팽창 처리에 상당하는 가열 처리」란, [점착제층(X1)의 열팽창 후의 23℃에서의 점착력의 측정]에 기재된 가열 처리를 의미하는 것으로 한다. However, "before thermal expansion" and "after thermal expansion" in "Adhesive force at 23 ° C. of the non-expandable adhesive layer (X1') of Table 2" in Comparative Examples 1-5, It shall mean "before heat treatment" and "after heat treatment equivalent to the thermal expansion treatment of the Example", and "the heat treatment equivalent to the thermal expansion treatment of the Example" means [adhesive force at 23 ° C. after the thermal expansion of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) Measurement of] shall mean the heat treatment described in

[표 1][Table 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

[표 2][Table 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

 표 2에서, 실시예 1∼22의 점착 시트는, 모두 가열 박리 전에 있어서는 충분한 점착력을 가지면서도, 저온(100℃)에서 가열 박리할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 이들 점착 시트는, 중합성 조성물의 조성 및 점착제층(X1)의 두께 등을 조정함으로써, 점착력 및 자기 박리성을 조정할 수 있음을 알 수 있다. 한편, 비교예 1∼5의 점착 시트는, 모두 가열 박리할 수 없었다. Table 2 shows that the adhesive sheets of Examples 1-22 can heat-peel at low temperature (100 degreeC), all having sufficient adhesive force before heat peeling. Moreover, it turns out that these adhesive sheets can adjust adhesive force and self-peelability by adjusting the composition of a polymeric composition, the thickness of adhesive layer (X1), etc. On the other hand, all of the adhesive sheets of Comparative Examples 1-5 were not able to peel by heating.

1a, 1b, 2a, 2b: 점착 시트
10, 10a, 10b: 박리재
3: 지지체
4: 레이저광 조사 장치
5: 개질 영역
6: 그라인더
7: 열경화성 필름
8: 지지 시트
W: 반도체 웨이퍼
W1: 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 회로면
W2: 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩의 이면
CP: 반도체 칩
1a, 1b, 2a, 2b: adhesive sheet
10, 10a, 10b: release material
3: support
4: laser light irradiation device
5: Reform area
6: Grinder
7: thermosetting film
8: support sheet
W: semiconductor wafer
W1: Circuit surface of semiconductor wafer and semiconductor chip
W2: Back side of semiconductor wafer and semiconductor chip
CP: semiconductor chip

Claims (15)

기재(Y)와, 에너지선 중합성 성분의 중합체 및 팽창 개시 온도(t)가 50∼110℃인 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 가지는 점착 시트이며,
점착제층(X1)이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하여 이루어지는 층인, 점착 시트.
A pressure-sensitive adhesive sheet having a base material (Y), an energy-beam polymerizable component, and a pressure-sensitive adhesive layer (X1) containing thermally expansible particles having an expansion initiation temperature (t) of 50 to 110°C,
The pressure-sensitive adhesive layer (X1) is a layer formed by irradiating an energy ray to a polymerizable composition containing the energy ray polymerizable component and the thermally expansible particles to form a polymer of the energy ray polymerizable component.
제1항에 있어서,
상기 열팽창성 입자의 함유량이, 점착제층(X1)의 전질량(100질량%)에 대하여 1∼30질량%인, 점착 시트.
According to claim 1,
The adhesive sheet whose content of the said thermally expansible particle is 1-30 mass % with respect to the total mass (100 mass %) of the adhesive layer (X1).
제1항 또는 제2항에 있어서,
점착제층(X1)의 23℃에서의 두께가, 5∼150㎛인, 점착 시트.
3. The method of claim 1 or 2,
The adhesive sheet whose thickness in 23 degreeC of adhesive layer (X1) is 5-150 micrometers.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
점착제층(X1)의 23℃에서의 점착력이, 0.1∼12.0N/25㎜인, 점착 시트.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The adhesive sheet whose adhesive force in 23 degreeC of an adhesive layer (X1) is 0.1-12.0 N/25 mm.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 열팽창성 입자의 23℃에서의 평균 입자경이, 1∼30㎛인, 점착 시트.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The adhesive sheet whose average particle diameter in 23 degreeC of the said thermally expansible particle is 1-30 micrometers.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
기재(Y)와, 기재(Y)의 일방의 면측에 설치된 점착제층(X1)과, 기재(Y)의 타방의 면측에 설치된 점착제층(X2)을 가지는, 점착 시트.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The adhesive sheet which has the base material (Y), the adhesive layer (X1) provided in one surface side of the base material (Y), and the adhesive layer (X2) provided in the other surface side of the base material (Y).
제6항에 있어서,
점착제층(X2)이, 에너지선을 조사함으로써 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층인, 점착 시트.
7. The method of claim 6,
The adhesive sheet whose adhesive layer (X2) is an adhesive layer in which adhesive force falls by hardening|curing by irradiating an energy ray.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트를 제조하는 방법으로서,
점착제층(X1)을 형성하는 방법이, 상기 에너지선 중합성 성분 및 상기 열팽창성 입자를 함유하는 중합성 조성물에 에너지선을 조사하여, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하는 공정을 포함하는, 점착 시트의 제조 방법.
A method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 7, comprising:
The method of forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) includes a step of irradiating an energy ray to a polymerizable composition containing the energy ray polymerizable component and the thermally expansible particles to form a polymer of the energy ray polymerizable component , a method for manufacturing an adhesive sheet.
제8항에 있어서,
상기 점착제층(X1)을 형성하는 방법이, 하기 공정 Ⅰ 및 Ⅱ를 포함하는, 점착 시트의 제조 방법.
공정 Ⅰ: 기재(Y)의 일방의 면측에, 상기 중합성 조성물로 이루어지는 중합성 조성물층을 형성하는 공정
공정 Ⅱ: 상기 중합성 조성물층에 에너지선을 조사함으로써, 상기 에너지선 중합성 성분의 중합체를 형성하고, 상기 중합체와 상기 열팽창성 입자를 함유하는 점착제층(X1)을 형성하는 공정
9. The method of claim 8,
The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) includes the following steps I and II, the method for producing a pressure-sensitive adhesive sheet.
Step I: Step of forming a polymerizable composition layer comprising the polymerizable composition on one surface side of the base material (Y)
Process II: The process of forming the polymer of the said energy-beam polymeric component by irradiating an energy-beam to the said polymeric composition layer, and forming the adhesive layer (X1) containing the said polymer and the said thermally expansible particle.
제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 중합성 조성물이 용제를 함유하지 않는 것인, 점착 시트의 제조 방법.
10. The method according to claim 8 or 9,
The method for producing a pressure-sensitive adhesive sheet, wherein the polymerizable composition does not contain a solvent.
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합성 조성물을 가열하는 공정을 포함하지 않는, 점착 시트의 제조 방법.
11. The method according to any one of claims 8 to 10,
The manufacturing method of the adhesive sheet which does not include the process of heating the said polymerizable composition.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트에 가공 대상물을 첩부하고,
상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하고,
상기 처리를 실시한 후에, 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여 점착제층(X1)을 팽창시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
The object to be processed is affixed to the pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 7,
One or more treatments selected from grinding treatment and slicing treatment are performed on the object to be processed;
After performing the said process, the manufacturing method of a semiconductor device including the process of heating the said adhesive sheet to the said expansion start temperature (t) or more and 120 degrees C or less to expand the adhesive layer (X1).
하기 공정 1A∼5A를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
공정 1A: 제6항에 기재된 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 지지체를 첩부하는 공정
공정 2A: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정
공정 3A: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X2)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정
공정 4A: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 지지체를 분리하는 공정
공정 5A: 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정
A method for manufacturing a semiconductor device comprising the following steps 1A to 5A.
Process 1A: The process of affixing a processing object to the adhesive layer (X2) which the adhesive sheet has as described in Claim 6, and affixing a support body to the adhesive layer (X1) which the said adhesive sheet has
Step 2A: A step of performing one or more treatments selected from grinding treatment and shredding treatment on the object to be processed
Step 3A: Step of affixing a thermosetting film having thermosetting properties on the surface of the object to be processed on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X2)
Step 4A: A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the support by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to the expansion initiation temperature (t) or higher and to 120°C or lower
Step 5A: Step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X2) and the object to be processed
제13항에 있어서,
점착제층(X2)이, 에너지선을 조사함으로써 경화하여 점착력이 저하하는 점착제층이며,
상기 공정 5A가, 점착제층(X2)에 에너지선을 조사함으로써 점착제층(X2)을 경화시켜, 점착제층(X2)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정인, 반도체 장치의 제조 방법.
14. The method of claim 13,
The pressure-sensitive adhesive layer (X2) is a pressure-sensitive adhesive layer that is cured by irradiating an energy ray to decrease the adhesive strength,
The process 5A is a process of isolating the pressure-sensitive adhesive layer (X2) from the object to be processed by curing the pressure-sensitive adhesive layer (X2) by irradiating the pressure-sensitive adhesive layer (X2) with an energy ray.
하기 공정 1B∼4B를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
공정 1B: 제6항에 기재된 점착 시트가 가지는 점착제층(X1)에 가공 대상물을 첩부하고, 상기 점착 시트가 가지는 점착제층(X2)에 지지체를 첩부하는 공정
공정 2B: 상기 가공 대상물에 대하여, 연삭 처리 및 개편화 처리로부터 선택되는 1 이상의 처리를 실시하는 공정
공정 3B: 상기 처리를 실시한 가공 대상물의, 상기 점착제층(X1)과는 반대측의 면에, 열경화성을 가지는 열경화성 필름을 첩부하는 공정
공정 4B: 상기 점착 시트를 상기 팽창 개시 온도(t) 이상, 120℃ 이하로 가열하여, 점착제층(X1)과 상기 가공 대상물을 분리하는 공정
A method for manufacturing a semiconductor device comprising the following steps 1B to 4B.
Process 1B: The process of affixing an object to be processed to the adhesive layer (X1) which the adhesive sheet has as described in Claim 6, and affixing a support body to the adhesive layer (X2) which the said adhesive sheet has
Step 2B: A step of performing one or more treatments selected from grinding treatment and shredding treatment on the object to be processed
Step 3B: Step of affixing a thermosetting film having thermosetting properties on the surface of the object to be processed on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X1)
Step 4B: A step of separating the pressure-sensitive adhesive layer (X1) from the object to be processed by heating the pressure-sensitive adhesive sheet to a temperature above the expansion start temperature (t) and below 120°C
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