JPWO2019098101A1 - Manufacturing method of semiconductor devices - Google Patents

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Abstract

下記工程(1)〜(3)をこの順で有し、工程(3)の後に粘着シート(A)の膨張性粒子を膨張させて粘着シート(A)を被着体から分離する、半導体装置の製造方法に関する。工程(1):基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置された複数の半導体チップ同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げる工程。工程(2):前記複数の半導体チップの粘着剤層(X2)と接する面とは反対側の面に粘着シート(A)の粘着剤層(X1)を貼付する工程。工程(3):粘着シート(A)に貼付した前記複数の半導体チップと粘着シート(B)とを分離する工程。A semiconductor device having the following steps (1) to (3) in this order, and after the step (3), the expansive particles of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) are expanded to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the adherend. Regarding the manufacturing method of. Step (1): The distance between the plurality of semiconductor chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is set by the pressure-sensitive adhesive sheet (B). ) Is stretched and expanded. Step (2): A step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface of the plurality of semiconductor chips opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X2). Step (3): A step of separating the plurality of semiconductor chips attached to the adhesive sheet (A) from the adhesive sheet (B).

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

近年、電子機器の小型化、軽量化及び高機能化が進んでおり、これに伴って、電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化及び高密度化が求められている。
半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、CSP(Chip Scale Package)と称されることもある。CSPとしては、ウエハサイズでパッケージ最終工程まで処理して完成させるWLP(Wafer Level Package)、ウエハサイズよりも大きいパネルサイズでパッケージ最終工程まで処理して完成させるPLP(Panel Level Package)等が挙げられる。
In recent years, electronic devices have become smaller, lighter, and more sophisticated, and along with this, semiconductor devices mounted on electronic devices are also required to be smaller, thinner, and higher in density.
Semiconductor chips may be mounted in packages close to their size. Such a package is sometimes called a CSP (Chip Scale Package). Examples of the CSP include WLP (Wafer Level Package), which processes and completes the final package process with a wafer size, and PLP (Panel Level Package), which processes and completes the package final process with a panel size larger than the wafer size. ..

WLP及びPLPは、ファンイン(Fan-In)型とファンアウト(Fan-Out)型に分類される。ファンアウト型のWLP(以下、「FOWLP」ともいう)及びPLP(以下、「FOPLP」ともいう)においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止材で覆って半導体チップの封止体を形成し、再配線層及び外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止材の表面領域においても形成する。
例えば、特許文献1には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献1に記載の製造方法において、半導体ウエハはダイシング用のウエハマウントテープ(以下、「ダイシングテープ」ともいう)に貼着された状態で個片化されるダイシング工程を施される。該ダイシング工程で得られた複数の半導体チップはエキスパンド用のウエハマウントテープ(以下、「エキスパンドテープ」ともいう)に転写され、該エキスパンドテープを展延して複数の半導体チップ同士の距離を拡大させるエキスパンド工程を施される。
WLP and PLP are classified into fan-in type and fan-out type. In fan-out type WLP (hereinafter, also referred to as “FOWLP”) and PLP (hereinafter, also referred to as “FOPLP”), the semiconductor chip is covered with a sealing material so as to have a region larger than the chip size. The encapsulant is formed, and the rewiring layer and the external electrode are formed not only on the circuit surface of the semiconductor chip but also on the surface region of the encapsulant.
For example, in Patent Document 1, a plurality of semiconductor chips separated from a semiconductor wafer are surrounded by a mold member to form an expansion wafer, leaving the circuit forming surface thereof, and in a region outside the semiconductor chip. A method for manufacturing a semiconductor package formed by extending a rewiring pattern is described. In the manufacturing method described in Patent Document 1, the semiconductor wafer is subjected to a dicing step in which the semiconductor wafer is individualized while being attached to a wafer mount tape for dicing (hereinafter, also referred to as “dicing tape”). The plurality of semiconductor chips obtained in the dicing step are transferred to a wafer mount tape for expanding (hereinafter, also referred to as "expanding tape"), and the expanding tape is spread to increase the distance between the plurality of semiconductor chips. It is subjected to an expanding process.

エキスパンドテープは、半導体装置の製造工程において、被加工物をダイシング個片化して得られたチップ同士の間隔を広げるために用いられるものであり、上記の半導体チップの他にも、例えば、LED(Light Emitting Diode)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、セラミックデバイス、半導体パッケージ、複数のデバイスを有する半導体装置等をダイシングして得られるチップ同士の間隔を広げるためにも使用され得る。いずれの場合においても、エキスパンドテープ上で間隔を広げられた複数のチップは、次工程に供するために、エキスパンドテープから分離される必要がある。具体的には、例えば、前記エキスパンド工程に供された半導体チップは、その後、封止樹脂により封止される工程に供されるが、通常、封止樹脂は熱硬化性樹脂であるため、封止工程中における熱変形等を抑制する観点から、半導体チップはエキスパンドテープよりも耐熱性に優れる粘着シート(以下、「仮固定用シート」ともいう)に移動させることが好ましい。
チップを仮固定用シート等の別の粘着シートに移動させる方法としては、エキスパンドテープから直接別の粘着シートに転写する方法であってもよく、エキスパンドテープから、チップを一旦分離して、チップを整列させる再配列工程に供した後、別の粘着シートに転写する方法であってもよい。
エキスパンドテープは、チップの間隔を広げた後にチップと分離されるものであるため、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下するエネルギー線硬化性粘着剤等が使用される。
The expanding tape is used in the manufacturing process of a semiconductor device to widen the distance between chips obtained by dicing individual pieces of a workpiece, and in addition to the above-mentioned semiconductor chips, for example, an LED ( It can also be used to widen the distance between chips obtained by dicing Light Emitting Diode), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), ceramic devices, semiconductor packages, semiconductor devices having a plurality of devices, and the like. In either case, the plurality of chips spaced apart on the expanding tape need to be separated from the expanding tape for use in the next step. Specifically, for example, the semiconductor chip subjected to the expanding step is then subjected to a step of being sealed with a sealing resin, but since the sealing resin is usually a thermosetting resin, it is sealed. From the viewpoint of suppressing thermal deformation during the stopping process, it is preferable to move the semiconductor chip to an adhesive sheet (hereinafter, also referred to as “temporary fixing sheet”) having higher heat resistance than the expanding tape.
As a method of moving the chip to another adhesive sheet such as a temporary fixing sheet, a method of transferring the chip directly from the expanding tape to another adhesive sheet may be used, and the chip is once separated from the expanding tape and the chip is separated. It may be a method of transferring to another pressure-sensitive adhesive sheet after being subjected to the rearrangement step of aligning.
Since the expanding tape is separated from the chips after widening the space between the chips, an energy ray-curable adhesive or the like that is cured by energy ray irradiation and the adhesive strength is lowered is used.

国際公開第2010/058646号International Publication No. 2010/058646

エネルギー線硬化性粘着剤を使用したエキスパンドテープは、エネルギー線照射によって粘着力を低下させることができるものの、エネルギー線照射後においてもチップと粘着層とが接着面全体で接着しているため、ある程度の接着力が残存する。そのため、エキスパンドテープからチップを分離する際には、チップを1個ずつピックアップするか、一括して粘着シートに転写する必要がある。
例えば、上記の再配列工程に供する場合は、個片化したチップを一括して配列用治具に移動させることが困難であるため、チップを1個ずつピックアップする必要が生じるが、この作業は煩雑であり生産性に劣る。
一方、エキスパンドテープから別の粘着シートに転写する場合は、複数のチップを一括して移動できるものの、別の粘着シートがエネルギー線照射によって粘着力を低下させるタイプの従来の粘着シートであると、前記したようにエネルギー線照射後においてもある程度の接着力が残存するため、別の粘着シートとチップとを分離する際に一定の外力が必要となるため複雑な装置が必要となったり、チップに糊残り等が生じて清浄性に問題が生じる場合がある。この問題は、別の粘着シートとして、上記した仮固定用シートを用いる場合も同様であり、その場合は、仮固定用シート上で半導体チップが封止樹脂に封止されてなる硬化封止体と、仮固定用シートとを分離する際に、上記した複雑な装置が必要となったり、得られる硬化封止体の清浄性に問題が生じる場合がある。
Expanded tapes that use an energy ray-curable adhesive can reduce the adhesive strength by irradiation with energy rays, but the chip and the adhesive layer are adhered to the entire adhesive surface even after irradiation with energy rays, so to some extent. Adhesive strength remains. Therefore, when separating the chips from the expanding tape, it is necessary to pick up the chips one by one or transfer them to the adhesive sheet all at once.
For example, when the chips are subjected to the above rearrangement step, it is difficult to move the individualized chips to the arrangement jig all at once, so that it is necessary to pick up the chips one by one. It is complicated and inferior in productivity.
On the other hand, when transferring from an expanding tape to another adhesive sheet, although a plurality of chips can be moved at once, another adhesive sheet is a conventional adhesive sheet of a type that reduces the adhesive force by irradiation with energy rays. As described above, since a certain amount of adhesive force remains even after irradiation with energy rays, a certain external force is required when separating another adhesive sheet from the chip, which requires a complicated device or the chip. There may be a problem with cleanliness due to adhesive residue. This problem is the same when the above-mentioned temporary fixing sheet is used as another adhesive sheet. In that case, a cured sealant in which the semiconductor chip is sealed with a sealing resin on the temporary fixing sheet. And, when separating the temporary fixing sheet, the above-mentioned complicated device may be required, or a problem may occur in the cleanliness of the obtained cured sealant.

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、エキスパンド工程によって間隔を広げたチップを、当該間隔を保持したまま、一括して容易にエキスパンドテープから分離することができ、かつ分離したチップを容易に次工程に供することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and the chips whose intervals have been widened by the expanding step can be easily separated from the expanding tape all at once while maintaining the intervals, and can be separated. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of easily using the chip to be used in the next process.

本発明者らは、膨張性粒子を含む基材及び粘着剤層を有する膨張性の粘着シートを用いる半導体装置の製造方法であって、特定の工程(1)〜(3)をこの順で有し、工程(3)の後に粘着シートの膨張性粒子を膨張させて粘着シートを被着体から分離する製造方法によって、上記課題を解決し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、下記[1]〜[10]に関する。
[1]膨張性粒子を含む基材(Y1)及び粘着剤層(X1)を有する膨張性の粘着シート(A)を用いる半導体装置の製造方法であって、
下記工程(1)〜(3)をこの順で有し、工程(3)の後に粘着シート(A)の膨張性粒子を膨張させて粘着シート(A)を被着体から分離する、半導体装置の製造方法。
工程(1):基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置された複数のチップ同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げる工程。
工程(2):前記複数のチップの粘着剤層(X2)と接する面とは反対側の面に粘着シート(A)の粘着剤層(X1)を貼付する工程。
工程(3):粘着シート(A)に貼付した前記複数のチップと粘着シート(B)とを分離する工程。
[2]前記膨張性粒子が、膨張開始温度(t)が60〜270℃の熱膨張性粒子であり、工程(3)の後に前記粘着シート(A)を加熱することにより熱膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)を被着体から分離する、上記[1]に記載の半導体装置の製造方法。
[3]前記膨張性粒子を膨張させる前の、粘着シート(A)の粘着剤層(X1)の粘着力が、0.1〜10.0N/25mmである、上記[1]又は[2]に記載の半導体装置の製造方法。
[4]粘着シート(A)が有する基材(Y1)の表面におけるプローブタック値が、50mN/5mmφ未満である、上記[1]〜[3]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[5]前記チップが、半導体チップである上記[1]〜[4]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[6]更に、下記工程(4A−1)〜(4A−3)を有する、上記[5]に記載の半導体装置の製造方法。
工程(4A−1):前記複数の半導体チップと、粘着剤層(X1)の粘着表面のうち前記複数の半導体チップの周辺部と、を封止材で被覆し、該封止材を硬化させて、前記複数の半導体チップが硬化封止材に封止されてなる硬化封止体を得る工程。
工程(4A−2):前記膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)と前記硬化封止体とを分離する工程。
工程(4A−3):前記粘着シート(A)を分離した硬化封止体に、再配線層を形成する工程。
[7]さらに、下記工程(4B−1)及び(4B−2)を有する、上記[5]に記載の半導体装置の製造方法。
・工程(4B−1):前記膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)と前記複数の半導体チップとを分離する工程。
・工程(4B−2):粘着シート(A)から分離した前記複数の半導体チップを、整列させる工程。
[8]前記工程(4B−2)が、粘着シート(A)から分離した前記複数の半導体チップを、前記複数の半導体チップを収容可能な収容部を複数備える整列治具を用いて整列させる工程である、上記[7]に記載の半導体装置の製造方法。
[9]粘着シート(B)が、23℃におけるMD方向及びCD方向に測定される破断伸度が100%以上である、上記[1]〜[8]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
[10]ファンアウト型の半導体装置の製造方法である、上記[1]〜[9]のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
The present inventors are a method for manufacturing a semiconductor device using an expandable pressure-sensitive adhesive sheet having a base material containing expandable particles and a pressure-sensitive adhesive layer, and have specific steps (1) to (3) in this order. Then, it has been found that the above-mentioned problems can be solved by a manufacturing method in which the expansive particles of the pressure-sensitive adhesive sheet are expanded after the step (3) to separate the pressure-sensitive adhesive sheet from the adherend.
That is, the present invention relates to the following [1] to [10].
[1] A method for manufacturing a semiconductor device using an expandable pressure-sensitive adhesive sheet (A) having a base material (Y1) containing expandable particles and a pressure-sensitive adhesive layer (X1).
A semiconductor device having the following steps (1) to (3) in this order, and after the step (3), the expansive particles of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) are expanded to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the adherend. Manufacturing method.
Step (1): The distance between a plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is set by the pressure-sensitive adhesive sheet (B). The process of stretching and spreading.
Step (2): A step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface of the plurality of chips opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X2).
Step (3): A step of separating the plurality of chips attached to the adhesive sheet (A) from the adhesive sheet (B).
[2] The expandable particles are thermally expandable particles having an expansion start temperature (t) of 60 to 270 ° C., and the heat-expandable particles are formed by heating the pressure-sensitive adhesive sheet (A) after the step (3). The method for manufacturing a semiconductor device according to the above [1], wherein the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is separated from an adherend by expanding it.
[3] The above [1] or [2], wherein the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) before expanding the expandable particles is 0.1 to 10.0 N / 25 mm. The method for manufacturing a semiconductor device according to.
[4] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [3] above, wherein the probe tack value on the surface of the base material (Y1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is less than 50 mN / 5 mmφ.
[5] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of the above [1] to [4], wherein the chip is a semiconductor chip.
[6] The method for manufacturing a semiconductor device according to the above [5], further comprising the following steps (4A-1) to (4A-3).
Step (4A-1): The plurality of semiconductor chips and the peripheral portion of the plurality of semiconductor chips on the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) are covered with a sealing material, and the sealing material is cured. A step of obtaining a cured sealant obtained by sealing the plurality of semiconductor chips with a cured sealant.
Step (4A-2): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the cured sealant.
Step (4A-3): A step of forming a rewiring layer on the cured seal body from which the adhesive sheet (A) has been separated.
[7] The method for manufacturing a semiconductor device according to the above [5], further comprising the following steps (4B-1) and (4B-2).
Step (4B-1): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the plurality of semiconductor chips.
-Step (4B-2): A step of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the adhesive sheet (A).
[8] The step (4B-2) is a step of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A) by using an alignment jig provided with a plurality of accommodating portions capable of accommodating the plurality of semiconductor chips. The method for manufacturing a semiconductor device according to the above [7].
[9] The manufacture of the semiconductor device according to any one of [1] to [8] above, wherein the pressure-sensitive adhesive sheet (B) has a breaking elongation of 100% or more measured in the MD direction and the CD direction at 23 ° C. Method.
[10] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of the above [1] to [9], which is a method for manufacturing a fan-out type semiconductor device.

本発明によると、エキスパンド工程によって間隔を広げたチップを、当該間隔を保持したまま、一括して容易にエキスパンドテープから分離することができ、かつ分離したチップを容易に次工程に供することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, chips whose intervals have been widened by the expanding step can be easily separated from the expanding tape all at once while maintaining the intervals, and the separated chips can be easily used in the next step. A method for manufacturing a semiconductor device can be provided.

本実施形態に係る両面粘着シートの構成の一例を示す、両面粘着シートの断面図である。It is sectional drawing of the double-sided adhesive sheet which shows an example of the structure of the double-sided adhesive sheet which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。It is sectional drawing explaining an example of the manufacturing method which concerns on this Embodiment. 図2に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。It is sectional drawing which describes an example of the manufacturing method which concerns on this Embodiment following FIG. 図3に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 図4に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 図5に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。5 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 図6に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 図7に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 7. 図8に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 図9に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 図6に続いて本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an example of the manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。It is sectional drawing explaining an example of the manufacturing method which concerns on this Embodiment. 本実施形態に係る製造方法の一例を説明する、断面図である。It is sectional drawing explaining an example of the manufacturing method which concerns on this Embodiment. 実施例で使用した2軸延伸エキスパンド装置を説明する平面図である。It is a top view explaining the biaxial stretching expanding apparatus used in an Example.

本明細書において、「有効成分」とは、対象となる組成物に含まれる成分のうち、希釈溶媒を除いた成分を指す。
また、質量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定される標準ポリスチレン換算の値であり、具体的には実施例に記載の方法に基づいて測定した値である。
As used herein, the term "active ingredient" refers to a component contained in a target composition excluding a diluting solvent.
The mass average molecular weight (Mw) is a value in terms of standard polystyrene measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, and specifically, a value measured based on the method described in Examples.

本明細書において、例えば、「(メタ)アクリル酸」とは、「アクリル酸」と「メタクリル酸」の双方を示し、他の類似用語も同様である。
また、好ましい数値範囲(例えば、含有量等の範囲)について、段階的に記載された下限値及び上限値は、それぞれ独立して組み合わせることができる。例えば、「好ましくは10〜90、より好ましくは30〜60」という記載から、「好ましい下限値(10)」と「より好ましい上限値(60)」とを組み合わせて、「10〜60」とすることもできる。
In the present specification, for example, "(meth) acrylic acid" means both "acrylic acid" and "methacrylic acid", and other similar terms are also used.
Further, with respect to a preferable numerical range (for example, a range such as content), the lower limit value and the upper limit value described stepwise can be combined independently. For example, from the description of "preferably 10 to 90, more preferably 30 to 60", the "preferable lower limit value (10)" and the "more preferable upper limit value (60)" are combined to obtain "10 to 60". You can also do it.

本明細書において、「チップの転写」とは、一方の粘着シート上に貼付されているチップの表出している面を、他方の粘着シートに貼付した後、前記一方の粘着シートをチップから分離して、チップを一方の粘着シートから他方の粘着シートに移動させる操作をいう。 In the present specification, "transfer of a chip" means that the exposed surface of the chip attached to one of the adhesive sheets is attached to the other adhesive sheet, and then the one adhesive sheet is separated from the chip. Then, the operation of moving the chip from one adhesive sheet to the other adhesive sheet is referred to.

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、膨張性粒子を含む基材(Y1)及び粘着剤層(X1)を有する膨張性の粘着シート(A)を用いる半導体装置の製造方法であって、
下記工程(1)〜(3)をこの順で有し、工程(3)の後に粘着シート(A)の膨張性粒子を膨張させて粘着シート(A)を被着体から分離する、半導体装置の製造方法である。
工程(1):基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置された複数のチップ同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げる工程。
工程(2):前記複数のチップの粘着剤層(X2)と接する面とは反対側の面に粘着シート(A)の粘着剤層(X1)を貼付する工程。
工程(3):粘着シート(A)に貼付した前記複数のチップと粘着シート(B)とを分離する工程。
本実施形態に用いられる「チップ」とは、被加工物を個片化されたものを意味し、本実施形態における被加工物とは、例えば、半導体ウエハ、LED(Light Emitting Diode)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、セラミックデバイス、半導体パッケージ、複数のデバイスを有するウエハース等、半導体装置の製造工程においてダイシング加工されるものを意味する。
以下、初めに本実施形態の製造方法に用いられる粘着シート(A)について説明し、その後、工程(1)〜(3)を含む各製造工程について説明する。
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment is a method for manufacturing a semiconductor device using an expandable pressure-sensitive adhesive sheet (A) having a base material (Y1) containing expandable particles and an adhesive layer (X1).
A semiconductor device having the following steps (1) to (3) in this order, and after the step (3), the expansive particles of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) are expanded to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the adherend. It is a manufacturing method of.
Step (1): The distance between a plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is set by the pressure-sensitive adhesive sheet (B). The process of stretching and spreading.
Step (2): A step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface of the plurality of chips opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X2).
Step (3): A step of separating the plurality of chips attached to the adhesive sheet (A) from the adhesive sheet (B).
The "chip" used in the present embodiment means an individualized work piece, and the work piece in the present embodiment is, for example, a semiconductor wafer, an LED (Light Emitting Diode), or a MEMS (MEMS). Micro Electro Mechanical Systems), ceramic devices, semiconductor packages, wafers with multiple devices, etc., which are diced in the manufacturing process of semiconductor devices.
Hereinafter, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) used in the manufacturing method of the present embodiment will be described first, and then each manufacturing process including the steps (1) to (3) will be described.

[粘着シート(A)]
粘着シート(A)は、膨張性粒子を含む基材(Y1)及び粘着剤層(X1)を有する膨張性の粘着シートである。
粘着シート(A)は、膨張性粒子を膨張させる前においては、粘着剤層(X1)の粘着性を高く保つことができる。そのため、エキスパンドテープ上の複数のチップの表出面に、粘着剤層(X1)を貼付することで、複数のチップは粘着シート(A)の粘着剤層(X1)上に強固に保持される。これにより、エキスパンドテープは粘着剤層(X1)上に強固に保持されたチップから、チップの脱落等を生じさせることなく、一括して容易に分離することができる。一方、粘着シート(A)とチップとを分離する際は、膨張性粒子を膨張させることにより粘着剤層(X1)の粘着表面に凹凸を形成し、これにより粘着剤層(X1)の粘着表面とチップとの接触面積を減少させ、粘着力を大幅に低下させることができる。その結果、粘着シート(A)とチップとを分離する際には、チップへの糊残り等もなく、その清浄性を保ったまま容易に一括で分離することができる。
[Adhesive sheet (A)]
The pressure-sensitive adhesive sheet (A) is an expandable pressure-sensitive adhesive sheet having a base material (Y1) containing expandable particles and a pressure-sensitive adhesive layer (X1).
The pressure-sensitive adhesive sheet (A) can maintain high adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) before expanding the expandable particles. Therefore, by attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) to the exposed surfaces of the plurality of chips on the expanding tape, the plurality of chips are firmly held on the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A). As a result, the expanding tape can be easily separated from the chips firmly held on the pressure-sensitive adhesive layer (X1) all at once without causing the chips to fall off. On the other hand, when the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the chip are separated, the pressure-sensitive particles are expanded to form irregularities on the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1). The contact area between the particle and the chip can be reduced, and the adhesive strength can be significantly reduced. As a result, when the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the chip are separated, there is no adhesive residue on the chip, and the adhesive sheet (A) can be easily separated at once while maintaining its cleanliness.

図1(a)及び(b)は、粘着シート(A)の一態様である粘着シート1a、粘着シート1bの断面模式図である。 1 (a) and 1 (b) are schematic cross-sectional views of the pressure-sensitive adhesive sheet 1a and the pressure-sensitive adhesive sheet 1b, which are one aspect of the pressure-sensitive adhesive sheet (A).

図1(a)に示す粘着シート1aは、基材(Y1)の一方の面に粘着剤層(X1)を有する。粘着シート1aは、粘着剤層(X1)をエキスパンドテープ上のチップに貼付し、チップを粘着剤層(X1)上に保持することで、エキスパンドテープとチップとの分離を容易にするものである。粘着シート1aとチップとを分離する際には、基材(Y1)中の膨張性粒子を膨張させることにより、粘着剤層(X1)のチップと接する表面に凹凸を発生させ、粘着剤層(X1)とチップとの界面における分離を容易にすることができる。 The pressure-sensitive adhesive sheet 1a shown in FIG. 1A has a pressure-sensitive adhesive layer (X1) on one surface of the base material (Y1). The pressure-sensitive adhesive sheet 1a facilitates separation between the expanding tape and the chip by attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) to the chip on the expanding tape and holding the chip on the pressure-sensitive adhesive layer (X1). .. When the pressure-sensitive adhesive sheet 1a and the chip are separated, the expansive particles in the base material (Y1) are expanded to generate irregularities on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) in contact with the chip, and the pressure-sensitive adhesive layer (Y1) is separated. Separation at the interface between X1) and the chip can be facilitated.

図1(b)に示す粘着シート1bは、基材(Y1)の一方の面に粘着剤層(X1)を有し、他方の面に非膨張性基材(Y1’)を有する。粘着シート1bは、粘着シート1aと同様に使用されるものであるが、基材(Y1)中の膨張性粒子を膨張させた場合に、非膨張性基材(Y1’)が存在することで、基材(Y1)の非膨張性基材(Y1’)側の表面への凹凸の発生を抑制することができ、これによって粘着剤層(X1)側の表面への凹凸をより効率的に形成することができる。 The pressure-sensitive adhesive sheet 1b shown in FIG. 1B has a pressure-sensitive adhesive layer (X1) on one surface of the base material (Y1) and a non-expandable base material (Y1') on the other side. The pressure-sensitive adhesive sheet 1b is used in the same manner as the pressure-sensitive adhesive sheet 1a, but when the expandable particles in the base material (Y1) are expanded, the non-expandable base material (Y1') is present. , It is possible to suppress the occurrence of unevenness on the surface of the base material (Y1) on the non-expandable base material (Y1') side, thereby making the unevenness on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) side more efficient. Can be formed.

粘着シート(A)の構成は、図1(a)及び(b)に示した構成に限られるものではなく、例えば、基材(Y1)と粘着剤層(X1)との間に、他の層を有する構成であってもよい。ただし、わずかな力で分離可能な粘着シートとする観点から、基材(Y1)と粘着剤層(X1)とが直接積層した構成を有することが好ましい。また、基材(Y1)の粘着剤層(X1)とは反対側の面に他の粘着剤層を有する構成であってもよい。
また、粘着シート(A)は、粘着剤層(X1)上に剥離材を有していてもよい。剥離材は、粘着シート(A)を本実施形態に係る製造方法に用いる際に、適宜剥離除去されるものである。
粘着シート(A)の形状は、シート状、テープ状、ラベル状等、あらゆる形状を取り得る。
The structure of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is not limited to the structure shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), and for example, another structure is provided between the base material (Y1) and the pressure-sensitive adhesive layer (X1). It may have a structure having layers. However, from the viewpoint of forming a pressure-sensitive adhesive sheet that can be separated with a slight force, it is preferable to have a structure in which the base material (Y1) and the pressure-sensitive adhesive layer (X1) are directly laminated. Further, the base material (Y1) may have another pressure-sensitive adhesive layer on the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer (X1).
Further, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) may have a release material on the pressure-sensitive adhesive layer (X1). The release material is appropriately peeled off when the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is used in the manufacturing method according to the present embodiment.
The shape of the adhesive sheet (A) can be any shape such as a sheet shape, a tape shape, and a label shape.

(基材(Y1))
粘着シート(A)が有する基材(Y1)は、膨張性粒子を含む非粘着性の基材である。
本発明において、非粘着性の基材か否かの判断は、対象となる基材の表面に対して、JIS Z0237:1991に準拠して測定したプローブタック値が50mN/5mmφ未満であれば、該基材を「非粘着性の基材」と判断する。
ここで、本実施形態で用いる基材(Y1)の表面におけるプローブタック値は、通常は50mN/5mmφ未満であるが、好ましくは30mN/5mmφ未満、より好ましくは10mN/5mmφ未満、更に好ましくは5mN/5mmφ未満である。
なお、本明細書において、基材(Y1)の表面におけるプローブタック値の具体的な測定方法は、実施例に記載の方法による。
(Base material (Y1))
The base material (Y1) contained in the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is a non-sticky base material containing expansive particles.
In the present invention, whether or not the substrate is a non-adhesive substrate is determined if the probe tack value measured in accordance with JIS Z0237: 1991 with respect to the surface of the substrate of interest is less than 50 mN / 5 mmφ. The base material is judged to be a "non-adhesive base material".
Here, the probe tack value on the surface of the base material (Y1) used in the present embodiment is usually less than 50 mN / 5 mmφ, but preferably less than 30 mN / 5 mmφ, more preferably less than 10 mN / 5 mmφ, still more preferably 5 mN. It is less than / 5 mmφ.
In this specification, the specific method for measuring the probe tack value on the surface of the base material (Y1) is the method described in Examples.

粘着シート(A)は、膨張性粒子が、粘着剤層ではなく、弾性率が高い非粘着性樹脂に含まれるため、チップを載置する粘着剤層(X1)の厚さの調整、粘着力、粘弾性率等の制御等、設計の自由度が向上する。これによってチップの位置ズレの発生を抑制できる。さらに、粘着シート(A)を用いる場合、チップは、粘着剤層(X1)の粘着表面に載置されるため、膨張性粒子を含む基材(Y1)とチップとが直に接することがない。これによって、膨張性粒子に由来する残渣及び大きく変形した粘着剤層の一部がチップに付着したり、膨張性粘着層に形成された凹凸形状がチップに転写されることが抑制され清浄性を保ったまま、チップを次工程に供することができる。 In the pressure-sensitive adhesive sheet (A), since the expandable particles are contained not in the pressure-sensitive adhesive layer but in the non-adhesive resin having a high elastic modulus, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) on which the chips are placed can be adjusted and the adhesive strength can be adjusted. , Control of viscoelasticity, etc., improves the degree of freedom in design. As a result, the occurrence of chip misalignment can be suppressed. Further, when the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is used, the chip is placed on the pressure-sensitive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), so that the base material (Y1) containing the expandable particles does not come into direct contact with the chip. .. As a result, the residue derived from the expandable particles and a part of the greatly deformed pressure-sensitive adhesive layer are prevented from adhering to the chip, and the uneven shape formed on the expandable pressure-sensitive adhesive layer is suppressed from being transferred to the chip, thereby improving the cleanliness. The chip can be used for the next step while being maintained.

基材(Y1)の厚さは、好ましくは10〜1000μm、より好ましくは20〜500μm、更に好ましくは25〜400μm、より更に好ましくは30〜300μmである。
なお、本明細書において、基材(Y1)の厚さは、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
The thickness of the base material (Y1) is preferably 10 to 1000 μm, more preferably 20 to 500 μm, still more preferably 25 to 400 μm, and even more preferably 30 to 300 μm.
In this specification, the thickness of the base material (Y1) means a value measured by the method described in Examples.

基材(Y1)は、樹脂組成物(y1)から形成することができる。以下、基材(Y1)の形成材料である樹脂組成物(y1)に含まれる各成分について説明する。 The base material (Y1) can be formed from the resin composition (y1). Hereinafter, each component contained in the resin composition (y1), which is a material for forming the base material (Y1), will be described.

〔膨張性粒子〕
粘着シート(A)は、基材(Y1)に膨張性粒子を含むものである。
膨張性粒子は、外部刺激によって、それ自体が膨張することで粘着剤層(X1)の粘着表面に凹凸を形成し、被着体との接着力を低下させることができるものであれば特に限定されない。
膨張性粒子としては、例えば、加熱によって膨張する熱膨張性粒子、エネルギー線の照射によって膨張するエネルギー線膨張性粒子等が挙げられるが、汎用性及び取り扱い性の観点から、熱膨張性粒子であることが好ましい。
[Expandable particles]
The pressure-sensitive adhesive sheet (A) contains expansive particles in the base material (Y1).
The expandable particles are particularly limited as long as they can expand themselves by an external stimulus to form irregularities on the adhesive surface of the adhesive layer (X1) and reduce the adhesive force with the adherend. Not done.
Examples of the expandable particles include thermal-expandable particles that expand by heating, energy-ray-expandable particles that expand by irradiation with energy rays, and the like. Is preferable.

熱膨張性粒子の膨張開始温度(t)は、好ましくは60〜270℃、より好ましくは70〜260℃、さらに好ましくは80〜250℃である。
なお、本明細書において、熱膨張性粒子の膨張開始温度(t)は、以下の方法に基づき測定された値を意味する。
[熱膨張性粒子の膨張開始温度(t)の測定法]
直径6.0mm(内径5.65mm)、深さ4.8mmのアルミカップに、測定対象となる熱膨張性粒子0.5mgを加え、その上からアルミ蓋(直径5.6mm、厚さ0.1mm)をのせた試料を作製する。
動的粘弾性測定装置を用いて、その試料にアルミ蓋上部から、加圧子により0.01Nの力を加えた状態で、試料の高さを測定する。そして。加圧子により0.01Nの力を加えた状態で、20℃から300℃まで10℃/minの昇温速度で加熱し、加圧子の垂直方向における変位量を測定し、正方向への変位開始温度を膨張開始温度(t)とする。
The expansion start temperature (t) of the heat-expandable particles is preferably 60 to 270 ° C, more preferably 70 to 260 ° C, and even more preferably 80 to 250 ° C.
In addition, in this specification, the expansion start temperature (t) of a heat-expandable particle means a value measured based on the following method.
[Measurement method of expansion start temperature (t) of thermally expandable particles]
To an aluminum cup with a diameter of 6.0 mm (inner diameter 5.65 mm) and a depth of 4.8 mm, 0.5 mg of the heat-expandable particles to be measured were added, and an aluminum lid (diameter 5.6 mm, thickness 0. A sample on which 1 mm) is placed is prepared.
Using a dynamic viscoelasticity measuring device, the height of the sample is measured with a force of 0.01 N applied by a pressurizer from the upper part of the aluminum lid to the sample. And. With a force of 0.01 N applied by the pressurizer, it is heated from 20 ° C. to 300 ° C. at a heating rate of 10 ° C./min, the amount of displacement of the pressurizer in the vertical direction is measured, and displacement in the positive direction is started. Let the temperature be the expansion start temperature (t).

熱膨張性粒子としては、熱可塑性樹脂から構成された外殻と、該外殻に内包され、且つ所定の温度まで加熱されると気化する内包成分とから構成される、マイクロカプセル化発泡剤であることが好ましい。
マイクロカプセル化発泡剤の外殻を構成する熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。
The heat-expandable particles are microencapsulated foaming agents composed of an outer shell made of a thermoplastic resin and an contained component contained in the outer shell and vaporized when heated to a predetermined temperature. It is preferable to have.
Examples of the thermoplastic resin constituting the outer shell of the microencapsulating foaming agent include vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethylmethacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, polysulfone and the like.

外殻に内包された内包成分としては、例えば、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、イソブタン、イソペンタン、イソヘキサン、イソヘプタン、イソオクタン、イソノナン、イソデカン、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ネオペンタン、ドデカン、イソドデカン、シクロトリデカン、ヘキシルシクロヘキサン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、オクタデカン、ナノデカン、イソトリデカン、4−メチルドデカン、イソテトラデカン、イソペンタデカン、イソヘキサデカン、2,2,4,4,6,8,8−ヘプタメチルノナン、イソヘプタデカン、イソオクタデカン、イソナノデカン、2,6,10,14−テトラメチルペンタデカン、シクロトリデカン、ヘプチルシクロヘキサン、n−オクチルシクロヘキサン、シクロペンタデカン、ノニルシクロヘキサン、デシルシクロヘキサン、ペンタデシルシクロヘキサン、ヘキサデシルシクロヘキサン、ヘプタデシルシクロヘキサン、オクタデシルシクロヘキサン等が挙げられる。これらの内包成分は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
熱膨張性粒子の膨張開始温度(t)は、内包成分の種類を適宜選択することで調整可能である。
Examples of the contained components contained in the outer shell include propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, isobutane, isopentane, isohexane, isoheptan, isooctane, isononan, isodecane, cyclopropane, cyclobutane, and cyclopentane. , Cyclohexane, cycloheptan, cyclooctane, neopentane, dodecane, isododecane, cyclotridecane, hexylcyclohexane, tridecane, tetradecane, pentadecane, hexadecane, heptadecane, octadecane, nanodecane, isotoridecan, 4-methyldodecane, isotetradecane, isopentadecane, iso Hexadecane, 2,2,4,4,6,8,8-heptamethylnonane, isoheptadecane, isooctadecane, isonanodecane, 2,6,10,14-tetramethylpentadecane, cyclotridecane, heptylcyclohexane, n-octylcyclohexane , Cyclopentadecane, nonylcyclohexane, decylcyclohexane, pentadecylcyclohexane, hexadecylcyclohexane, heptadecylcyclohexane, octadecylcyclohexane and the like. These inclusion components may be used alone or in combination of two or more.
The expansion start temperature (t) of the thermally expandable particles can be adjusted by appropriately selecting the type of the inclusion component.

熱膨張性粒子の熱膨張開始温度(t)以上の温度まで加熱した際の体積最大膨張率は、好ましくは1.5〜100倍、より好ましくは2〜80倍、更に好ましくは2.5〜60倍、より更に好ましくは3〜40倍である。 The maximum volume expansion coefficient when the thermally expandable particles are heated to a temperature equal to or higher than the thermal expansion start temperature (t) is preferably 1.5 to 100 times, more preferably 2 to 80 times, still more preferably 2.5 to. It is 60 times, more preferably 3 to 40 times.

膨張前の23℃における膨張性粒子の平均粒子径は、好ましくは3〜100μm、より好ましくは4〜70μm、更に好ましくは6〜60μm、より更に好ましくは10〜50μmである。
なお、膨張性粒子の膨張前の平均粒子径とは、体積中位粒子径(D50)であり、レーザ回折式粒度分布測定装置(例えば、Malvern社製、製品名「マスターサイザー3000」)を用いて測定した、膨張前の膨張性粒子の粒子分布において、膨張前の膨張性粒子の粒子径の小さい方から計算した累積体積頻度が50%に相当する粒子径を意味する。
The average particle size of the expandable particles at 23 ° C. before expansion is preferably 3 to 100 μm, more preferably 4 to 70 μm, still more preferably 6 to 60 μm, and even more preferably 10 to 50 μm.
The average particle size of the expandable particles before expansion is the volume medium particle size (D 50 ), and a laser diffraction type particle size distribution measuring device (for example, manufactured by Malvern, product name “Mastersizer 3000”) is used. It means the particle diameter corresponding to 50% of the cumulative volume frequency calculated from the smaller particle diameter of the expandable particles before expansion in the particle distribution of the expandable particles before expansion measured by using.

膨張前の23℃における膨張性粒子の90%粒子径(D90)としては、好ましくは10〜150μm、より好ましくは20〜100μm、更に好ましくは25〜90μm、より更に好ましくは30〜80μmである。
なお、膨張前の膨張性粒子の90%粒子径(D90)とは、レーザ回折式粒度分布測定装置(例えば、Malvern社製、製品名「マスターサイザー3000」)を用いて測定した、膨張前の膨張性粒子の粒子分布において、膨張前の膨張性粒子の粒子径の粒径の小さい方から計算した累積体積頻度が90%に相当する粒径を意味する。
The 90% particle diameter (D 90 ) of the expandable particles at 23 ° C. before expansion is preferably 10 to 150 μm, more preferably 20 to 100 μm, still more preferably 25 to 90 μm, still more preferably 30 to 80 μm. ..
The 90% particle size (D 90 ) of the expandable particles before expansion is measured using a laser diffraction type particle size distribution measuring device (for example, manufactured by Malvern, product name “Mastersizer 3000”), and is measured before expansion. In the particle distribution of the expansive particles of the above, it means the particle size in which the cumulative volume frequency calculated from the smaller particle size of the particle size of the expansive particles before expansion corresponds to 90%.

膨張性粒子の含有量は、基材(Y1)の有効成分の全量(100質量%)に対して、好ましくは1〜40質量%、より好ましくは5〜35質量%、更に好ましくは10〜30質量%、より更に好ましくは15〜25質量%である。 The content of the expandable particles is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 5 to 35% by mass, still more preferably 10 to 30% with respect to the total amount (100% by mass) of the active ingredient of the base material (Y1). It is by mass, more preferably 15 to 25% by mass.

〔樹脂〕
樹脂組成物(y1)に含まれる樹脂としては、基材(Y1)が非粘着性となる樹脂であれば特に限定されず、非粘着性樹脂であってもよく、粘着性樹脂であってもよい。つまり、樹脂組成物(y1)に含まれる樹脂が粘着性樹脂であっても、樹脂組成物(y1)から基材(Y1)を形成する過程において、該粘着性樹脂が重合性化合物と重合反応し、得られる樹脂が非粘着性樹脂となり、該樹脂を含む基材(Y1)が非粘着性となればよい。
〔resin〕
The resin contained in the resin composition (y1) is not particularly limited as long as the base material (Y1) is a non-adhesive resin, and may be a non-adhesive resin or an adhesive resin. Good. That is, even if the resin contained in the resin composition (y1) is an adhesive resin, the adhesive resin reacts with the polymerizable compound in the process of forming the base material (Y1) from the resin composition (y1). The obtained resin may be a non-adhesive resin, and the base material (Y1) containing the resin may be non-adhesive.

樹脂組成物(y1)に含まれる前記樹脂の質量平均分子量(Mw)は、好ましくは1,000〜100万、より好ましくは1,000〜70万、更に好ましくは1,000〜50万である。
該樹脂が2種以上の構成単位を有する共重合体である場合、該共重合体の形態は、特に限定されず、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよい。
The mass average molecular weight (Mw) of the resin contained in the resin composition (y1) is preferably 1,000 to 1,000,000, more preferably 1,000 to 700,000, and even more preferably 1,000 to 500,000. ..
When the resin is a copolymer having two or more kinds of structural units, the form of the copolymer is not particularly limited, and it may be a block copolymer, a random copolymer, or a graft copolymer. May be good.

前記樹脂の含有量は、樹脂組成物(y1)の有効成分の全量(100質量%)に対して、好ましくは50〜99質量%、より好ましくは60〜95質量%、更に好ましくは65〜90質量%、より更に好ましくは70〜85質量%である。 The content of the resin is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 95% by mass, still more preferably 65 to 90% with respect to the total amount (100% by mass) of the active ingredient of the resin composition (y1). It is by mass, more preferably 70 to 85% by mass.

樹脂組成物(y1)に含まれる前記樹脂は、アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂から選ばれる1種以上を含むことが好ましい。アクリルウレタン系樹脂としては、ウレタンプレポリマー(UP)と、(メタ)アクリル酸エステルを含むビニル化合物とを重合してなるアクリルウレタン系樹脂(U1)が好ましい。 The resin contained in the resin composition (y1) preferably contains one or more selected from acrylic urethane-based resins and olefin-based resins. As the acrylic urethane resin, an acrylic urethane resin (U1) obtained by polymerizing a urethane prepolymer (UP) and a vinyl compound containing a (meth) acrylic acid ester is preferable.

〔アクリルウレタン系樹脂(U1)〕
アクリルウレタン系樹脂(U1)の主鎖となるウレタンプレポリマー(UP)としては、ポリオールと多価イソシアネートとの反応物が挙げられる。
なお、ウレタンプレポリマー(UP)は、更に鎖延長剤を用いた鎖延長反応を施して得られたものであることが好ましい。
[Acrylic urethane resin (U1)]
Examples of the urethane prepolymer (UP) that serves as the main chain of the acrylic urethane resin (U1) include a reaction product of a polyol and a multivalent isocyanate.
The urethane prepolymer (UP) is preferably obtained by further performing a chain extension reaction using a chain extender.

ウレタンプレポリマー(UP)の原料となるポリオールとしては、例えば、アルキレン型ポリオール、エーテル型ポリオール、エステル型ポリオール、エステルアミド型ポリオール、エステル・エーテル型ポリオール、カーボネート型ポリオール等が挙げられる。
これらのポリオールは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態で用いるポリオールとしては、ジオールが好ましく、エステル型ジオール、アルキレン型ジオール及びカーボネート型ジオールがより好ましく、エステル型ジオール、カーボネート型ジオールが更に好ましい。
Examples of the polyol which is a raw material of the urethane prepolymer (UP) include an alkylene type polyol, an ether type polyol, an ester type polyol, an ester amide type polyol, an ester ether type polyol, and a carbonate type polyol.
These polyols may be used alone or in combination of two or more.
As the polyol used in the present embodiment, a diol is preferable, an ester type diol, an alkylene type diol and a carbonate type diol are more preferable, and an ester type diol and a carbonate type diol are further preferable.

エステル型ジオールとしては、例えば、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,6−ヘキサンジオール等のアルカンジオール;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール等のアルキレングリコール;等のジオール類から選択される1種又は2種以上と、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、4,4’−ジフェニルジカルボン酸、ジフェニルメタン−4,4’−ジカルボン酸、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘット酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シクロヘキサン−1,3−ジカルボン酸、シクロヘキサン−1,4−ジカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸等のジカルボン酸及びこれらの無水物から選択される1種又は2種以上と、の縮重合体が挙げられる。
具体的には、ポリエチレンアジペートジオール、ポリブチレンアジペートジオール、ポリヘキサメチレンアジペートジオール、ポリヘキサメチレンイソフタレートジオール、ポリネオペンチルアジペートジオール、ポリエチレンプロピレンアジペートジオール、ポリエチレンブチレンアジペートジオール、ポリブチレンヘキサメチレンアジペートジオール、ポリジエチレンアジペートジオール、ポリ(ポリテトラメチレンエーテル)アジペートジオール、ポリ(3−メチルペンチレンアジペート)ジオール、ポリエチレンアゼレートジオール、ポリエチレンセバケートジオール、ポリブチレンアゼレートジオール、ポリブチレンセバケートジオール、ポリネオペンチルテレフタレートジオール等が挙げられる。
Examples of the ester-type diol include alkanediols such as 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, neopentyl glycol, and 1,6-hexanediol; ethylene glycol, propylene glycol, and the like. One or more selected from diols such as diethylene glycol, alkylene glycol such as dipropylene glycol; and phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-diphenyldicarboxylic acid, diphenylmethane- 4,4'-Dicarboxylic acid, succinic acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, hetic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid, cyclohexane-1,4-dicarboxylic acid, Examples thereof include dicarboxylic acids such as hexahydrophthalic acid, hexahydroisophthalic acid, hexahydroterephthalic acid, and methylhexahydrophthalic acid, and one or more selected from these anhydrides.
Specifically, polyethylene adipatediol, polybutylene adipatediol, polyhexamethylene adipatediol, polyhexamethyleneisophthalatediol, polyneopentyl adipatediol, polyethylenepropylene adipatediol, polyethylenebutylene adipatediol, polybutylenehexamethylene adipatediol, Polydiethylene adipate diol, poly (polytetramethylene ether) adipate diol, poly (3-methylpentylene adipate) diol, polyethylene azelate diol, polyethylene sebacate diol, polybutylene azelate diol, polybutylene sebacate diol, polyneo Examples thereof include pentyl terephthalate diol.

アルキレン型ジオールとしては、例えば、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、ネオペンチルグリコール、1,6−ヘキサンジオール等のアルカンジオール;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール等のアルキレングリコール;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコール等のポリアルキレングリコール;ポリテトラメチレングリコール等のポリオキシアルキレングリコール;等が挙げられる。 Examples of the alkylene-type diol include alkanediols such as 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, neopentyl glycol, and 1,6-hexanediol; ethylene glycol, propylene glycol, and the like. Examples thereof include alkylene glycols such as diethylene glycol and dipropylene glycol; polyalkylene glycols such as polyethylene glycol, polypropylene glycol and polybutylene glycol; and polyoxyalkylene glycols such as polytetramethylene glycol.

カーボネート型ジオールとしては、例えば、1,4−テトラメチレンカーボネートジオール、1,5−ペンタメチレンカーボネートジオール、1,6−ヘキサメチレンカーボネートジオール、1,2−プロピレンカーボネートジオール、1,3−プロピレンカーボネートジオール、2,2−ジメチルプロピレンカーボネートジオール、1,7−ヘプタメチレンカーボネートジオール、1,8−オクタメチレンカーボネートジオール、1,4−シクロヘキサンカーボネートジオール等が挙げられる。 Examples of the carbonate type diol include 1,4-tetramethylene carbonate diol, 1,5-pentamethylene carbonate diol, 1,6-hexamethylene carbonate diol, 1,2-propylene carbonate diol, and 1,3-propylene carbonate diol. , 2,2-Dimethylpropylene carbonate diol, 1,7-heptamethylene carbonate diol, 1,8-octamethylene carbonate diol, 1,4-cyclohexane carbonate diol and the like.

ウレタンプレポリマー(UP)の原料となる多価イソシアネートとしては、芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート、脂環式ポリイソシアネート等が挙げられる。
これらの多価イソシアネートは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、これらの多価イソシアネートは、トリメチロールプロパンアダクト型変性体、水と反応させたビュウレット型変性体、イソシアヌレート環を含有させたイソシアヌレート型変性体であってもよい。
これらの中でも、本実施形態で用いる多価イソシアネートとしては、ジイソシアネートが好ましく、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、2,4−トリレンジイソシアネート(2,4−TDI)、2,6−トリレンジイソシアネート(2,6−TDI)、ヘキサメチレンジイソシアネート(HMDI)、及び脂環式ジイソシアネートから選ばれる1種以上がより好ましい。
Examples of the polyisocyanate used as a raw material for the urethane prepolymer (UP) include aromatic polyisocyanates, aliphatic polyisocyanates, and alicyclic polyisocyanates.
These multivalent isocyanates may be used alone or in combination of two or more.
Further, these polyvalent isocyanates may be a trimethylolpropane adduct-type modified product, a biuret-type modified product reacted with water, or an isocyanurate-type modified product containing an isocyanurate ring.
Among these, diisocyanate is preferable as the polyvalent isocyanate used in the present embodiment, and 4,4'-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 2,4-tolylene diisocyanate (2,4-TDI), and 2,6-triisocyanate are preferable. More preferably, one or more selected from range isocyanate (2,6-TDI), hexamethylene diisocyanate (HMDI), and alicyclic diisocyanate.

脂環式ジイソシアネートとしては、例えば、3−イソシアネートメチル−3,5,5−トリメチルシクロヘキシルイソシアネート(イソホロンジイソシアネート、IPDI)、1,3−シクロペンタンジイソシアネート、1,3−シクロヘキサンジイソシアネート、1,4−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−2,4−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−2,6−シクロヘキサンジイソシアネート等が挙げられるが、イソホロンジイソシアネート(IPDI)が好ましい。 Examples of the alicyclic diisocyanate include 3-isocyanate methyl-3,5,5-trimethylcyclohexylisocyanate (isophorone diisocyanate, IPDI), 1,3-cyclopentane diisocyanate, 1,3-cyclohexanediisocyanate, and 1,4-cyclohexane. Examples thereof include diisocyanate, methyl-2,4-cyclohexanediisocyanate and methyl-2,6-cyclohexanediisocyanate, but isophorone diisocyanate (IPDI) is preferable.

本実施形態において、アクリルウレタン系樹脂(U1)の主鎖となるウレタンプレポリマー(UP)としては、ジオールとジイソシアネートとの反応物であり、両末端にエチレン性不飽和基を有する直鎖ウレタンプレポリマーが好ましい。
該直鎖ウレタンプレポリマーの両末端にエチレン性不飽和基を導入する方法としては、ジオールとジイソシアネート化合物とを反応してなる直鎖ウレタンプレポリマーの末端のNCO基と、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとを反応させる方法が挙げられる。
ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
In the present embodiment, the urethane prepolymer (UP) serving as the main chain of the acrylic urethane resin (U1) is a reaction product of a diol and a diisocyanate, and is a linear urethane prepolymer having ethylenically unsaturated groups at both ends. Polymers are preferred.
As a method of introducing an ethylenically unsaturated group into both ends of the linear urethane prepolymer, an NCO group at the terminal of the linear urethane prepolymer formed by reacting a diol and a diisocyanate compound and a hydroxyalkyl (meth) acrylate There is a method of reacting with.
Examples of the hydroxyalkyl (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxy. Examples thereof include butyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate.

アクリルウレタン系樹脂(U1)の側鎖となる、ビニル化合物としては、少なくとも(メタ)アクリル酸エステルを含む。
(メタ)アクリル酸エステルとしては、アルキル(メタ)アクリレート及びヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートから選ばれる1種以上が好ましく、アルキル(メタ)アクリレート及びヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートを併用することがより好ましい。
アルキル(メタ)アクリレート及びヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートを併用する場合、アルキル(メタ)アクリレート100質量部に対する、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートの配合割合としては、好ましくは0.1〜100質量部、より好ましくは0.5〜30質量部、更に好ましくは1.0〜20質量部、より更に好ましくは1.5〜10質量部である。
The vinyl compound that forms the side chain of the acrylic urethane resin (U1) contains at least (meth) acrylic acid ester.
As the (meth) acrylic acid ester, one or more selected from alkyl (meth) acrylate and hydroxyalkyl (meth) acrylate is preferable, and alkyl (meth) acrylate and hydroxyalkyl (meth) acrylate are more preferably used in combination.
When alkyl (meth) acrylate and hydroxyalkyl (meth) acrylate are used in combination, the blending ratio of hydroxyalkyl (meth) acrylate to 100 parts by mass of alkyl (meth) acrylate is preferably 0.1 to 100 parts by mass. It is preferably 0.5 to 30 parts by mass, more preferably 1.0 to 20 parts by mass, and even more preferably 1.5 to 10 parts by mass.

アルキル(メタ)アクリレートが有するアルキル基の炭素数としては、好ましくは1〜24、より好ましくは1〜12、更に好ましくは1〜8、より更に好ましくは1〜3である。
ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとしては、上述の直鎖ウレタンプレポリマーの両末端にエチレン性不飽和基を導入するために用いられるヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートと同じものが挙げられる。
The number of carbon atoms of the alkyl group contained in the alkyl (meth) acrylate is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 12, still more preferably 1 to 8, and even more preferably 1 to 3.
Examples of the hydroxyalkyl (meth) acrylate include the same hydroxyalkyl (meth) acrylates used for introducing ethylenically unsaturated groups at both ends of the above-mentioned linear urethane prepolymer.

(メタ)アクリル酸エステル以外のビニル化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン等の芳香族炭化水素系ビニル化合物;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、(メタ)アクリロニトリル、N−ビニルピロリドン、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、メタ(アクリルアミド)等の極性基含有モノマー;等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of vinyl compounds other than (meth) acrylic acid ester include aromatic hydrocarbon-based vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene and vinyltoluene; vinyl ethers such as methyl vinyl ether and ethyl vinyl ether; vinyl acetate and vinyl propionate. , (Meta) acrylonitrile, N-vinylpyrrolidone, (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, polar group-containing monomers such as meta (acrylamide); and the like.
These may be used alone or in combination of two or more.

ビニル化合物中の(メタ)アクリル酸エステルの含有量としては、該ビニル化合物の全量(100質量%)に対して、好ましくは40〜100質量%、より好ましくは65〜100質量%、更に好ましくは80〜100質量%、より更に好ましくは90〜100質量%である。
ビニル化合物中のアルキル(メタ)アクリレート及びヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートの合計含有量としては、該ビニル化合物の全量(100質量%)に対して、好ましくは40〜100質量%、より好ましくは65〜100質量%、更に好ましくは80〜100質量%、より更に好ましくは90〜100質量%である。
The content of the (meth) acrylic acid ester in the vinyl compound is preferably 40 to 100% by mass, more preferably 65 to 100% by mass, still more preferably, based on the total amount (100% by mass) of the vinyl compound. It is 80 to 100% by mass, more preferably 90 to 100% by mass.
The total content of the alkyl (meth) acrylate and the hydroxyalkyl (meth) acrylate in the vinyl compound is preferably 40 to 100% by mass, more preferably 65 to 100% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the vinyl compound. It is 100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass, and even more preferably 90 to 100% by mass.

本実施形態で用いるアクリルウレタン系樹脂(U1)は、ウレタンプレポリマー(UP)と、(メタ)アクリル酸エステルを含むビニル化合物とを混合し、両者を重合することで得られる。
当該重合においては、さらにラジカル開始剤を加えて行うことが好ましい。
The acrylic urethane resin (U1) used in the present embodiment is obtained by mixing a urethane prepolymer (UP) and a vinyl compound containing a (meth) acrylic acid ester and polymerizing both.
In the polymerization, it is preferable to further add a radical initiator.

本実施形態で用いるアクリルウレタン系樹脂(U1)において、ウレタンプレポリマー(UP)に由来の構成単位(u11)と、ビニル化合物に由来する構成単位(u12)との含有量比〔(u11)/(u12)〕としては、質量比で、好ましくは10/90〜80/20、より好ましくは20/80〜70/30、更に好ましくは30/70〜60/40、より更に好ましくは35/65〜55/45である。 In the acrylic urethane resin (U1) used in the present embodiment, the content ratio of the structural unit (u11) derived from the urethane prepolymer (UP) and the structural unit (u12) derived from the vinyl compound [(u11) / (U12)] is preferably 10/90 to 80/20, more preferably 20/80 to 70/30, still more preferably 30/70 to 60/40, and even more preferably 35/65 in terms of mass ratio. ~ 55/45.

〔オレフィン系樹脂〕
樹脂組成物(y1)に含まれる樹脂として好適な、オレフィン系樹脂としては、オレフィンモノマーに由来の構成単位を少なくとも有する重合体である。
上記オレフィンモノマーとしては、炭素数2〜8のα−オレフィンが好ましく、具体的には、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、1−ヘキセン等が挙げられる。
これらの中でも、エチレン及びプロピレンが好ましい。
[Olefin resin]
The olefin-based resin suitable as the resin contained in the resin composition (y1) is a polymer having at least a structural unit derived from an olefin monomer.
The olefin monomer is preferably an α-olefin having 2 to 8 carbon atoms, and specific examples thereof include ethylene, propylene, butylene, isobutylene, and 1-hexene.
Among these, ethylene and propylene are preferable.

具体的なオレフィン系樹脂としては、例えば、超低密度ポリエチレン(VLDPE、密度:880kg/m以上910kg/m未満)、低密度ポリエチレン(LDPE、密度:910kg/m以上915kg/m未満)、中密度ポリエチレン(MDPE、密度:915kg/m以上942kg/m未満)、高密度ポリエチレン(HDPE、密度:942kg/m以上)、直鎖状低密度ポリエチレン等のポリエチレン樹脂;ポリプロピレン樹脂(PP);ポリブテン樹脂(PB);エチレン−プロピレン共重合体;オレフィン系エラストマー(TPO);ポリ(4−メチル−1−ペンテン)(PMP);エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA);エチレン−ビニルアルコール共重合体(EVOH);エチレン−プロピレン−(5−エチリデン−2−ノルボルネン)等のオレフィン系三元共重合体;等が挙げられる。Specific olefinic resins, for example, ultra low density polyethylene (VLDPE, density: 880 kg / m 3 or more 910 kg / m less than 3), low density polyethylene (LDPE, density: 910 kg / m 3 or more 915 kg / m less than 3 ), Medium density polyethylene (MDPE, density: 915 kg / m 3 or more and less than 942 kg / m 3 ), high density polyethylene (HDPE, density: 942 kg / m 3 or more), linear low density polyethylene and other polyethylene resins; polypropylene resin (PP); Polybutene resin (PB); Ethylene-propylene copolymer; Olefin-based elastomer (TPO); Poly (4-methyl-1-pentene) (PMP); Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA); Ethylene -Vinyl alcohol copolymer (EVOH); olefin-based ternary copolymer such as ethylene-propylene- (5-ethylidene-2-norbornene); and the like.

本実施形態において、オレフィン系樹脂は、さらに酸変性、水酸基変性、及びアクリル変性から選ばれる1種以上の変性を施した変性オレフィン系樹脂であってもよい。 In the present embodiment, the olefin resin may be a modified olefin resin further subjected to one or more modifications selected from acid modification, hydroxyl group modification, and acrylic modification.

例えば、オレフィン系樹脂に対して酸変性を施してなる酸変性オレフィン系樹脂としては、上述の無変性のオレフィン系樹脂に、不飽和カルボン酸又はその無水物を、グラフト重合させてなる変性重合体が挙げられる。
上記の不飽和カルボン酸又はその無水物としては、例えば、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、グルタコン酸、テトラヒドロフタル酸、アコニット酸、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水グルタコン酸、無水シトラコン酸、無水アコニット酸、ノルボルネンジカルボン酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物等が挙げられる。
なお、不飽和カルボン酸又はその無水物は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
For example, the acid-modified olefin-based resin obtained by acid-modifying an olefin-based resin is a modified polymer obtained by graft-polymerizing an unsaturated carboxylic acid or an anhydride thereof with the above-mentioned non-modified olefin-based resin. Can be mentioned.
Examples of the unsaturated carboxylic acid or its anhydride include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, glutaconic acid, tetrahydrophthalic acid, aconitic acid, (meth) acrylic acid, maleic anhydride, and itaconic anhydride. , Glutaconic anhydride, citraconic anhydride, aconitic anhydride, norbornendicarboxylic acid anhydride, tetrahydrophthalic anhydride and the like.
The unsaturated carboxylic acid or its anhydride may be used alone or in combination of two or more.

オレフィン系樹脂に対してアクリル変性を施してなるアクリル変性オレフィン系樹脂としては、主鎖である上述の無変性のオレフィン系樹脂に、側鎖として、アルキル(メタ)アクリレートをグラフト重合させてなる変性重合体が挙げられる。
上記のアルキル(メタ)アクリレートが有するアルキル基の炭素数としては、好ましくは1〜20、より好ましくは1〜16、更に好ましくは1〜12である。
上記のアルキル(メタ)アクリレートとしては、例えば、後述のモノマー(a1’)として選択可能な化合物と同じものが挙げられる。
The acrylic-modified olefin-based resin obtained by subjecting the olefin-based resin to acrylic modification is a modification obtained by graft-polymerizing an alkyl (meth) acrylate as a side chain to the above-mentioned non-modified olefin-based resin which is the main chain. Polymers can be mentioned.
The alkyl group of the above alkyl (meth) acrylate has preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 16 carbon atoms, and further preferably 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the above-mentioned alkyl (meth) acrylate include the same compounds as those that can be selected as the monomer (a1') described later.

オレフィン系樹脂に対して水酸基変性を施してなる水酸基変性オレフィン系樹脂としては、主鎖である上述の無変性のオレフィン系樹脂に、水酸基含有化合物をグラフト重合させてなる変性重合体が挙げられる。
上記の水酸基含有化合物としては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート類;ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール類等が挙げられる。
Examples of the hydroxyl group-modified olefin resin obtained by subjecting the olefin resin to hydroxyl group modification include a modified polymer obtained by graft-polymerizing a hydroxyl group-containing compound on the above-mentioned non-modified olefin resin which is the main chain.
Examples of the above-mentioned hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxybutyl. Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol can be mentioned.

〔アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂以外の樹脂〕
本実施形態において、樹脂組成物(y1)には、本発明の効果を損なわない範囲で、アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂以外の樹脂を含有してもよい。
そのような樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール等のビニル系樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂;ポリスチレン;アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体;三酢酸セルロース;ポリカーボネート;アクリルウレタン系樹脂には該当しないポリウレタン;ポリスルホン;ポリエーテルエーテルケトン;ポリエーテルスルホン;ポリフェニレンスルフィド;ポリエーテルイミド、ポリイミド等のポリイミド系樹脂;ポリアミド系樹脂;アクリル樹脂;フッ素系樹脂等が挙げられる。
アクリルウレタン系樹脂及びオレフィン系樹脂以外の樹脂の含有割合としては、樹脂組成物(y1)中に含まれる樹脂の全量100質量部に対して、好ましくは30質量部未満、より好ましくは20質量部未満、より好ましくは10質量部未満、更に好ましくは5質量部未満、より更に好ましくは1質量部未満である。
[Resin other than acrylic urethane resin and olefin resin]
In the present embodiment, the resin composition (y1) may contain a resin other than the acrylic urethane resin and the olefin resin as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of such resins include vinyl resins such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and polyvinyl alcohol; polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polystyrene; acrylonitrile-butadiene-styrene co-weight. Combined; cellulose triacetate; polycarbonate; polyurethane not applicable to acrylic urethane resin; polysulfone; polyether ether ketone; polyether sulfone; polyphenylene sulfide; polyimide resin such as polyetherimide and polyimide; polyamide resin; acrylic resin; Fluorine-based resin and the like can be mentioned.
The content ratio of the resin other than the acrylic urethane resin and the olefin resin is preferably less than 30 parts by mass, more preferably 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the resin contained in the resin composition (y1). Less than, more preferably less than 10 parts by mass, still more preferably less than 5 parts by mass, still more preferably less than 1 part by mass.

〔基材用添加剤〕
樹脂組成物(y1)は、本発明の効果を損なわない範囲で、一般的な粘着シートが有する基材に含まれる基材用添加剤を含有してもよい。
そのような基材用添加剤としては、例えば、紫外線吸収剤、光安定剤、酸化防止剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、着色剤等が挙げられる。
なお、これらの基材用添加剤は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらの基材用添加剤を含有する場合、それぞれの基材用添加剤の含有量は、樹脂組成物(y1)中の前記樹脂100質量部に対して、好ましくは0.0001〜20質量部、より好ましくは0.001〜10質量部である。
[Additives for base material]
The resin composition (y1) may contain an additive for a base material contained in a base material of a general pressure-sensitive adhesive sheet as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of such base material additives include ultraviolet absorbers, light stabilizers, antioxidants, antistatic agents, slip agents, antiblocking agents, colorants and the like.
These base material additives may be used alone or in combination of two or more.
When these base material additives are contained, the content of each base material additive is preferably 0.0001 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin in the resin composition (y1). , More preferably 0.001 to 10 parts by mass.

〔無溶剤型樹脂組成物(y1’)〕
本実施形態で用いる樹脂組成物(y1)の一態様として、質量平均分子量(Mw)が50000以下のエチレン性不飽和基を有するオリゴマーと、エネルギー線重合性モノマーと、上述の膨張性粒子を配合してなり、溶剤を配合しない、無溶剤型樹脂組成物(y1’)が挙げられる。
無溶剤型樹脂組成物(y1’)では、溶剤を配合しないが、エネルギー線重合性モノマーが、前記オリゴマーの可塑性の向上に寄与するものである。
無溶剤型樹脂組成物(y1’)から形成した塗膜に対して、エネルギー線を照射することで、基材(Y1)を得ることができる。
無溶剤型樹脂組成物(y1’)に配合される膨張性粒子の種類、形状、配合量(含有量)については、上述のとおりである。
[Solvent-free resin composition (y1')]
As one aspect of the resin composition (y1) used in the present embodiment, an oligomer having an ethylenically unsaturated group having a mass average molecular weight (Mw) of 50,000 or less, an energy ray-polymerizable monomer, and the above-mentioned expandable particles are blended. Therefore, a solvent-free resin composition (y1') that does not contain a solvent can be mentioned.
In the solvent-free resin composition (y1'), no solvent is blended, but the energy ray-polymerizable monomer contributes to the improvement of the plasticity of the oligomer.
The base material (Y1) can be obtained by irradiating the coating film formed from the solvent-free resin composition (y1') with energy rays.
The types, shapes, and blending amounts (contents) of the expandable particles blended in the solvent-free resin composition (y1') are as described above.

無溶剤型樹脂組成物(y1’)に含まれる前記オリゴマーの質量平均分子量(Mw)は、50000以下であるが、好ましくは1000〜50000、より好ましくは2000〜40000、更に好ましくは3000〜35000、より更に好ましくは4000〜30000である。 The mass average molecular weight (Mw) of the oligomer contained in the solvent-free resin composition (y1') is 50,000 or less, preferably 1000 to 50,000, more preferably 2000 to 40,000, still more preferably 3000 to 35,000. Even more preferably, it is 4000 to 30000.

また、前記オリゴマーとしては、上述の樹脂組成物(y1)に含まれる樹脂のうち、質量平均分子量(Mw)が50000以下のエチレン性不飽和基を有するものであればよいが、上述のウレタンプレポリマー(UP)が好ましい。
なお、該オリゴマーとしては、エチレン性不飽和基を有する変性オレフィン系樹脂等も使用し得る。
The oligomer may be any resin contained in the above-mentioned resin composition (y1) having an ethylenically unsaturated group having a mass average molecular weight (Mw) of 50,000 or less. Polymer (UP) is preferred.
As the oligomer, a modified olefin resin having an ethylenically unsaturated group or the like can also be used.

無溶剤型樹脂組成物(y1’)中における、前記オリゴマー及び前記エネルギー線重合性モノマーの合計含有量は、無溶剤型樹脂組成物(y1’)の全量(100質量%)に対して、好ましくは50〜99質量%、より好ましくは60〜95質量%、更に好ましくは65〜90質量%、より更に好ましくは70〜85質量%である。 The total content of the oligomer and the energy ray-polymerizable monomer in the solvent-free resin composition (y1') is preferably relative to the total amount (100% by mass) of the solvent-free resin composition (y1'). Is 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 95% by mass, still more preferably 65 to 90% by mass, and even more preferably 70 to 85% by mass.

エネルギー線重合性モノマーとしては、例えば、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレート、トリシクロデカンアクリレート等の脂環式重合性化合物;フェニルヒドロキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェノールエチレンオキシド変性アクリレート等の芳香族重合性化合物;テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、モルホリンアクリレート、N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタム等の複素環式重合性化合物等が挙げられる。
これらのエネルギー線重合性モノマーは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the energy ray-polymerizable monomer include isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and adamantan (). Alicyclic polymerizable compounds such as meta) acrylates and tricyclodecane acrylates; aromatic polymerizable compounds such as phenylhydroxypropyl acrylates, benzyl acrylates and phenolethylene oxide modified acrylates; tetrahydrofurfuryl (meth) acrylates, morpholine acrylates, N- Examples thereof include heterocyclic polymerizable compounds such as vinylpyrrolidone and N-vinylcaprolactam.
These energy ray-polymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.

無溶剤型樹脂組成物(y1’)中における、前記オリゴマーと前記エネルギー線重合性モノマーとの含有量比(前記オリゴマー/エネルギー線重合性モノマー)は、質量比で、好ましくは20/80〜90/10、より好ましくは30/70〜85/15、更に好ましくは35/65〜80/20である。 The content ratio (the oligomer / energy ray-polymerizable monomer) of the oligomer to the energy ray-polymerizable monomer in the solvent-free resin composition (y1') is a mass ratio, preferably 20/80 to 90. It is / 10, more preferably 30/70 to 85/15, and even more preferably 35/65 to 80/20.

本実施形態において、無溶剤型樹脂組成物(y1’)は、さらに光重合開始剤を配合してなることが好ましい。
光重合開始剤を含有することで、比較的低エネルギーのエネルギー線の照射によっても、十分に硬化反応を進行させることができる。
In the present embodiment, the solvent-free resin composition (y1') is preferably further blended with a photopolymerization initiator.
By containing the photopolymerization initiator, the curing reaction can be sufficiently advanced even by irradiation with relatively low energy energy rays.

光重合開始剤としては、例えば、1−ヒドロキシ−シクロへキシル−フェニル−ケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、8−クロールアンスラキノン等が挙げられる。
これらの光重合開始剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the photopolymerization initiator include 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin propyl ether, benzylphenyl sulfide, tetramethylthium monosulfide, and azobisisobutyrol. Examples thereof include nitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloranthraquinone and the like.
These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

光重合開始剤の配合量は、前記オリゴマー及びエネルギー線重合性モノマーの全量(100質量部)に対して、好ましくは0.01〜5質量部、より好ましくは0.01〜4質量部、更に好ましくは0.02〜3質量部である。 The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 5 parts by mass, more preferably 0.01 to 4 parts by mass, and further, based on the total amount (100 parts by mass) of the oligomer and the energy ray-polymerizable monomer. It is preferably 0.02 to 3 parts by mass.

基材(Y1)と積層する他の層との層間密着性を向上させる観点から、基材(Y1)の表面に対して、酸化法、凹凸化法等による表面処理、プライマー処理を施してもよい。酸化法としては、例えば、コロナ放電処理、プラズマ放電処理、クロム酸処理(湿式)、熱風処理、オゾン、紫外線照射処理等が挙げられ、凹凸化法としては、例えば、サンドブラスト法、溶剤処理法等が挙げられる。 From the viewpoint of improving the interlayer adhesion between the base material (Y1) and other layers to be laminated, the surface of the base material (Y1) may be subjected to surface treatment or primer treatment by an oxidation method, an unevenness method, or the like. Good. Examples of the oxidation method include corona discharge treatment, plasma discharge treatment, chromic acid treatment (wet), hot air treatment, ozone, ultraviolet irradiation treatment and the like, and examples of the unevenness method include sandblasting method and solvent treatment method. Can be mentioned.

〔基材(Y1)の貯蔵弾性率〕
基材(Y1)の23℃における貯蔵弾性率E’(23)は、好ましくは1.0×10Pa以上、より好ましくは5.0×10〜5.0×1012Pa、更に好ましくは1.0×10〜1.0×1012Pa、より更に好ましくは5.0×10〜1.0×1011Pa、更になお好ましくは1.0×10〜1.0×1010Paである。貯蔵弾性率E’(23)が上記範囲内である基材(Y1)を用いることで、チップの位置ズレを防止することができると共に、チップの粘着剤層(X1)への沈み込みを防止することもできる。
なお、本明細書において、所定の温度における基材(Y1)の貯蔵弾性率E’は、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
[Storage modulus of substrate (Y1)]
The storage elastic modulus E'(23) of the base material (Y1) at 23 ° C. is preferably 1.0 × 10 6 Pa or more, more preferably 5.0 × 10 6 to 5.0 × 10 12 Pa, still more preferably. Is 1.0 × 10 7 to 1.0 × 10 12 Pa, more preferably 5.0 × 10 7 to 1.0 × 10 11 Pa, and even more preferably 1.0 × 10 8 to 1.0 ×. It is 10 10 Pa. By using the base material (Y1) having a storage elastic modulus E'(23) within the above range, it is possible to prevent the chip from being displaced and to prevent the chip from sinking into the adhesive layer (X1). You can also do it.
In the present specification, the storage elastic modulus E'of the base material (Y1) at a predetermined temperature means a value measured by the method described in the examples.

さらに、基材(Y1)は、その貯蔵弾性率が以下の要件(1)を満たすことが好ましい。
・要件(1):100℃における、基材(Y1)の貯蔵弾性率E’(100)が、2.0×10Pa以上である。
要件(1)を満たす基材(Y1)を有することで、粘着シート(A)上でチップを封止する場合、FOWLP及びFOPLPの製造過程における封止工程の温度環境においても、膨張性粒子の流動を程よく抑制し得るため、基材(Y1)上に設けた粘着剤層(X1)の粘着表面が変形し難くなる。その結果、チップの位置ズレを防止することができると共に、チップの粘着剤層(X1)への沈み込みを防止することもできる。
Further, it is preferable that the storage elastic modulus of the base material (Y1) satisfies the following requirement (1).
- Requirement (1): at 100 ° C., the storage modulus E of the substrate (Y1) '(100) is 2.0 × 10 5 Pa or more.
When the chip is sealed on the pressure-sensitive adhesive sheet (A) by having the base material (Y1) satisfying the requirement (1), the expandable particles can be used even in the temperature environment of the sealing step in the manufacturing process of FOWLP and FOPLP. Since the flow can be moderately suppressed, the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) provided on the base material (Y1) is less likely to be deformed. As a result, it is possible to prevent the chip from being displaced and also to prevent the chip from sinking into the pressure-sensitive adhesive layer (X1).

上記観点から、基材(Y1)の貯蔵弾性率E’(100)は、より好ましくは4.0×10Pa以上、更に好ましくは6.0×10Pa以上、より更に好ましくは8.0×10Pa以上、更になお好ましくは1.0×10Pa以上である。
また、封止工程において、チップの位置ズレを効果的に抑制する観点から、基材(Y1)の貯蔵弾性率E’(100)は、好ましくは1.0×1012Pa以下、より好ましくは1.0×1011Pa以下、更に好ましくは1.0×1010Pa以下、より更に好ましくは1.0×10Pa以下である。
From the above viewpoint, the storage elastic modulus E'(100) of the base material (Y1) is more preferably 4.0 × 10 5 Pa or more, further preferably 6.0 × 10 5 Pa or more, still more preferably 8. It is 0 × 10 5 Pa or more, more preferably 1.0 × 10 6 Pa or more.
Further, from the viewpoint of effectively suppressing the misalignment of the chips in the sealing step, the storage elastic modulus E'(100) of the base material (Y1) is preferably 1.0 × 10 12 Pa or less, more preferably. It is 1.0 × 10 11 Pa or less, more preferably 1.0 × 10 10 Pa or less, and even more preferably 1.0 × 10 9 Pa or less.

また、本実施形態の粘着シートが有する基材(Y1)が膨張性粒子として熱膨張性粒子を含有する場合、その貯蔵弾性率が以下の要件(2)を満たすことが好ましい。
・要件(2):前記熱膨張性粒子の膨張開始温度(t)における、基材(Y1)の貯蔵弾性率E’(t)が、1.0×10Pa以下である。
要件(2)を満たす基材(Y1)を有することで、熱膨張性粒子を膨張させる温度において、基材(Y1)が熱膨張性粒子の体積膨張に追随して変形し易くなり、粘着材層(X1)の粘着表面に凹凸を形成し易くなる。これによって、小さい外力によって対象物から分離することができる。
Further, when the base material (Y1) contained in the pressure-sensitive adhesive sheet of the present embodiment contains thermally expandable particles as expandable particles, it is preferable that the storage elastic modulus satisfies the following requirement (2).
· Requirement (2): in the expansion starting temperature (t) of the heat expandable particles, the base material (Y1) storage modulus E of the '(t), is 1.0 × 10 7 Pa or less.
By having the base material (Y1) satisfying the requirement (2), the base material (Y1) is easily deformed according to the volume expansion of the heat-expandable particles at the temperature at which the heat-expandable particles are expanded, and the adhesive material. It becomes easy to form irregularities on the adhesive surface of the layer (X1). As a result, it can be separated from the object by a small external force.

上記観点から、基材(Y1)の貯蔵弾性率E’(t)は、より好ましくは9.0×10Pa以下、更に好ましくは8.0×10Pa以下、より更に好ましくは6.0×10Pa以下、更になお好ましくは4.0×10Pa以下である。
また、膨張した熱膨張性粒子の流動を抑制し、粘着剤層(X1)の粘着表面に形成される凹凸の形状維持性を向上させ、分離性をより向上させる観点から、基材(Y1)の貯蔵弾性率E’(t)は、好ましくは1.0×10Pa以上、より好ましくは1.0×10Pa以上、更に好ましくは1.0×10Pa以上である。
From the above viewpoint, the storage elastic modulus E'(t) of the base material (Y1) is more preferably 9.0 × 10 6 Pa or less, still more preferably 8.0 × 10 6 Pa or less, still more preferably 6. It is 0 × 10 6 Pa or less, more preferably 4.0 × 10 6 Pa or less.
Further, from the viewpoint of suppressing the flow of expanded heat-expandable particles, improving the shape-retaining property of the unevenness formed on the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), and further improving the separability, the base material (Y1) The storage elastic modulus E'(t) of is preferably 1.0 × 10 3 Pa or more, more preferably 1.0 × 10 4 Pa or more, and further preferably 1.0 × 10 5 Pa or more.

(非膨張性基材(Y1’))
粘着シート(A)は、基材(Y1)の一方の面に粘着剤層(X1)を有し、他方の面に非膨張性基材(Y1’)を有していてもよい。
本明細書における「非膨張性基材」とは、粘着シート(A)に含まれる膨張性粒子が膨張する条件で処理した際、下記式から算出される体積変化率が5体積%未満であるものと定義する。
体積変化率(%)=(処理後の前記層の体積−処理前の前記層の体積)/処理前の前記層の体積×100
上記式から算出される非膨張性基材(Y1’)の体積変化率(%)は、好ましくは2体積%未満、より好ましくは1体積%未満、更に好ましくは0.1体積%未満、より更に好ましくは0.01体積%未満である。
膨張性粒子が膨張する条件は、膨張性粒子が熱膨張性粒子である場合は、膨張開始温度(t)で3分間の加熱処理を施す条件である。
非膨張性基材(Y1’)は、膨張性粒子を含有してもよいが、その含有量は少ないほど好ましく、非熱膨張性基材(Y1’)の全質量(100質量%)に対して、通常、3質量%未満、好ましくは1質量%未満、より好ましくは0.1質量%未満、更に好ましくは0.01質量%未満、より更に好ましくは0.001質量%未満であり、膨張性粒子を含有しないことが最も好ましい。
(Non-expandable base material (Y1'))
The pressure-sensitive adhesive sheet (A) may have a pressure-sensitive adhesive layer (X1) on one surface of the base material (Y1) and a non-expandable base material (Y1') on the other side.
The "non-expandable substrate" in the present specification means that the volume change rate calculated from the following formula is less than 5% by volume when treated under the condition that the expandable particles contained in the pressure-sensitive adhesive sheet (A) expand. Defined as a thing.
Volume change rate (%) = (volume of the layer after treatment-volume of the layer before treatment) / volume of the layer before treatment × 100
The volume change rate (%) of the non-expandable base material (Y1') calculated from the above formula is preferably less than 2% by volume, more preferably less than 1% by volume, still more preferably less than 0.1% by volume, and more. More preferably, it is less than 0.01% by volume.
When the expandable particles are thermally expandable particles, the condition for the expandable particles to expand is a condition in which heat treatment is performed for 3 minutes at the expansion start temperature (t).
The non-expandable base material (Y1') may contain expandable particles, but the smaller the content, the more preferable, and the total mass (100% by mass) of the non-expandable base material (Y1') is preferable. Usually, it is less than 3% by mass, preferably less than 1% by mass, more preferably less than 0.1% by mass, still more preferably less than 0.01% by mass, still more preferably less than 0.001% by mass, and expand. Most preferably, it does not contain sex particles.

非膨張性基材(Y1’)の形成材料としては、例えば、紙材、樹脂、金属等が挙げられる。
紙材としては、例えば、薄葉紙、中質紙、上質紙、含浸紙、コート紙、アート紙、硫酸紙、グラシン紙等が挙げられる。
樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体等のビニル系樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂;ポリスチレン;アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体;三酢酸セルロース;ポリカーボネート;ポリウレタン、アクリル変性ポリウレタン等のウレタン樹脂;ポリメチルペンテン;ポリスルホン;ポリエーテルエーテルケトン;ポリエーテルスルホン;ポリフェニレンスルフィド;ポリエーテルイミド、ポリイミド等のポリイミド系樹脂;ポリアミド系樹脂;アクリル樹脂;フッ素系樹脂等が挙げられる。
金属としては、例えば、アルミニウム、スズ、クロム、チタン等が挙げられる。
これらの形成材料は、1種から構成されていてもよく、2種以上を併用してもよい。
2種以上の形成材料を併用した非膨張性基材(Y1’)としては、紙材をポリエチレン等の熱可塑性樹脂でラミネートしたもの、樹脂を含む樹脂フィルム又はシートの表面に金属膜を形成したもの等が挙げられる。
なお、金属層の形成方法としては、例えば、上記金属を真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD法により蒸着する方法、又は、上記金属からなる金属箔を一般的な粘着剤を用いて貼付する方法等が挙げられる。
Examples of the material for forming the non-expandable base material (Y1') include paper materials, resins, metals and the like.
Examples of the paper material include thin leaf paper, medium-quality paper, high-quality paper, impregnated paper, coated paper, art paper, parchment paper, and glassin paper.
Examples of the resin include polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene; vinyl resins such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-vinyl alcohol copolymer; polyethylene terephthalate and poly. Polyimide-based resins such as butylene terephthalate and polyethylene naphthalate; polystyrene; acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer; cellulose triacetate; polycarbonate; urethane resins such as polyurethane and acrylic-modified polyurethane; polymethylpentene; polysulfone; polyether ether ketone; Polyether sulfone; polyphenylene sulfide; polyimide resin such as polyetherimide and polyimide; polyamide resin; acrylic resin; fluorine resin and the like can be mentioned.
Examples of the metal include aluminum, tin, chromium, titanium and the like.
These forming materials may be composed of one kind, or two or more kinds may be used in combination.
As the non-expandable base material (Y1') in which two or more kinds of forming materials are used in combination, a paper material laminated with a thermoplastic resin such as polyethylene, a resin film containing the resin, or a metal film formed on the surface of the sheet. Things etc. can be mentioned.
As a method for forming the metal layer, for example, a method of vapor-depositing the metal by a PVD method such as vacuum vapor deposition, sputtering, or ion plating, or a method of attaching a metal foil made of the metal by using a general adhesive. The method of doing this can be mentioned.

粘着シート(A)が、非膨張性基材(Y1’)を有する場合、膨張性粒子を膨張させる前における、膨張性基材(Y1)と非膨張性基材(Y1’)との厚さ比〔(Y1)/(Y1’)〕は、好ましくは0.02〜200、より好ましくは0.03〜150、更に好ましくは0.05〜100である。 When the pressure-sensitive adhesive sheet (A) has a non-expandable base material (Y1'), the thickness of the expandable base material (Y1) and the non-expandable base material (Y1') before expanding the expandable particles. The ratio [(Y1) / (Y1')] is preferably 0.02 to 200, more preferably 0.03 to 150, and even more preferably 0.05 to 100.

非膨張性基材(Y1’)と積層する他の層との層間密着性を向上させる観点から、非膨張性基材(Y1’)が樹脂を含む場合、非膨張性基材(Y1’)の表面に対しても、上述の基材(Y1)と同様に、酸化法、凹凸化法等による表面処理、プライマー処理を施してもよい。
非膨張性基材(Y1’)が樹脂を含む場合、該樹脂と共に、樹脂組成物(y1)にも含有し得る、上述の基材用添加剤を含有してもよい。
When the non-expandable base material (Y1') contains a resin, the non-expandable base material (Y1') is used from the viewpoint of improving the interlayer adhesion between the non-expandable base material (Y1') and other layers to be laminated. The surface of the above-mentioned base material (Y1) may also be subjected to surface treatment or primer treatment by an oxidation method, an unevenness method or the like.
When the non-expandable base material (Y1') contains a resin, the above-mentioned base material additive which can be contained in the resin composition (y1) may be contained together with the resin.

(粘着剤層(X1))
粘着剤層(X1)は、粘着性を有する層である。粘着剤層(X1)は、粘着性樹脂を含有し、必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、重合性化合物、重合開始剤等の粘着剤用添加剤を含有してもよい。
(Adhesive layer (X1))
The pressure-sensitive adhesive layer (X1) is a layer having adhesiveness. The pressure-sensitive adhesive layer (X1) contains a pressure-sensitive adhesive resin, and may contain a pressure-sensitive adhesive additive such as a cross-linking agent, a pressure-sensitive adhesive, a polymerizable compound, and a polymerization initiator, if necessary.

粘着剤層(X1)の粘着表面の粘着力は、膨張性粒子が膨張する前の23℃において、好ましくは0.1〜10.0N/25mm、より好ましくは0.2〜8.0N/25mm、更に好ましくは0.4〜6.0N/25mm、より更に好ましくは0.5〜4.0N/25mmである。前記粘着力が0.1N/25mm以上であれば、エキスパンドテープ上のチップと強固に接着することができため、エキスパンドテープとチップとの分離を容易にすることができる。一方、該粘着力が10.0N/25mm以下であれば、チップから分離する際に、わずかな力で容易に分離することができる。
なお、上記の粘着力は、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
The adhesive strength of the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is preferably 0.1 to 10.0 N / 25 mm, more preferably 0.2 to 8.0 N / 25 mm at 23 ° C. before the expandable particles expand. , More preferably 0.4 to 6.0 N / 25 mm, and even more preferably 0.5 to 4.0 N / 25 mm. When the adhesive strength is 0.1 N / 25 mm or more, it can be firmly adhered to the chip on the expanding tape, so that the expanding tape and the chip can be easily separated. On the other hand, if the adhesive strength is 10.0 N / 25 mm or less, the chip can be easily separated with a slight force.
The above-mentioned adhesive strength means a value measured by the method described in Examples.

粘着剤層(X1)の貯蔵せん断弾性率G’(23)は、23℃において、好ましくは1.0×10〜1.0×10Pa、より好ましくは5.0×10〜5.0×10Pa、更に好ましくは1.0×10〜1.0×10Paである。粘着剤層(X1)の貯蔵せん断弾性率G’(23)が1.0×10Pa以上であれば、チップの位置ズレを防止することができる。一方、粘着剤層(X1)の貯蔵せん断弾性率G’(23)が1.0×10Pa以下であれば、膨張した膨張性粒子による凹凸が粘着表面に形成され易く、わずかな力で容易に分離することができる。
粘着シート(A)が複数の粘着剤層を有する粘着シートである場合、チップが貼付される粘着剤層の貯蔵せん断弾性率G’(23)が上記範囲内であることが好ましく、基材(Y1)よりもチップが貼付される側の総ての粘着剤層の貯蔵せん断弾性率G’(23)が上記範囲内であることが好ましい。
なお、本明細書において、粘着剤層(X1)の貯蔵せん断弾性率G’(23)は、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
The storage shear modulus G'(23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is preferably 1.0 × 10 4 to 1.0 × 10 8 Pa, more preferably 5.0 × 10 4 to 5 at 23 ° C. It is 0.0 × 10 7 Pa, more preferably 1.0 × 10 5 to 1.0 × 10 7 Pa. When the storage shear elastic modulus G'(23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is 1.0 × 10 4 Pa or more, the misalignment of the chips can be prevented. On the other hand, if the storage shear modulus G '(23) is less than 1.0 × 10 8 Pa pressure-sensitive adhesive layer (X1), easily irregularities by expanded expandable particles are formed on the adhesive surface with little force It can be easily separated.
When the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is a pressure-sensitive adhesive sheet having a plurality of pressure-sensitive adhesive layers, the storage shear elastic modulus G'(23) of the pressure-sensitive adhesive layer to which the chips are attached is preferably within the above range, and the base material ( It is preferable that the storage shear elastic modulus G'(23) of all the pressure-sensitive adhesive layers on the side to which the chip is attached is within the above range than Y1).
In addition, in this specification, the storage shear elastic modulus G'(23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) means the value measured by the method described in Example.

粘着剤層(X1)の厚さは、優れた粘着力を発現させる観点、及び、加熱処理による膨張性基材中の膨張性粒子の膨張により、形成される粘着剤層の表面に凹凸を形成し易くする観点から、好ましくは1〜60μm、より好ましくは2〜50μm、更に好ましくは3〜40μm、より更に好ましくは5〜30μmである。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) forms irregularities on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer formed by the viewpoint of exhibiting excellent adhesive strength and the expansion of expandable particles in the expandable base material by heat treatment. From the viewpoint of facilitation, it is preferably 1 to 60 μm, more preferably 2 to 50 μm, still more preferably 3 to 40 μm, still more preferably 5 to 30 μm.

粘着剤層(X1)の厚さに対する基材(Y1)の厚さの比(基材(Y1)/粘着剤層(X1))は、チップの位置ズレを防止する観点から、23℃において、好ましくは0.2以上、より好ましくは0.5以上、更に好ましくは1.0以上、より更に好ましくは5.0以上であり、また、分離する際に、わずかな力で容易に分離し得る粘着シートとする観点から、好ましくは1000以下、より好ましくは200以下、更に好ましくは60以下、より更に好ましくは30以下である。
粘着剤層(X1)の厚さは、実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
The ratio of the thickness of the base material (Y1) to the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) (base material (Y1) / pressure-sensitive adhesive layer (X1)) is set at 23 ° C. from the viewpoint of preventing the misalignment of the chips. It is preferably 0.2 or more, more preferably 0.5 or more, still more preferably 1.0 or more, still more preferably 5.0 or more, and can be easily separated with a slight force when separated. From the viewpoint of forming an adhesive sheet, it is preferably 1000 or less, more preferably 200 or less, still more preferably 60 or less, still more preferably 30 or less.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) means a value measured by the method described in Examples.

粘着剤層(X1)は、粘着性樹脂を含む粘着剤組成物(x1)から形成することができる。以下、粘着剤組成物(x1)に含まれる各成分について説明する。 The pressure-sensitive adhesive layer (X1) can be formed from the pressure-sensitive adhesive composition (x1) containing a pressure-sensitive adhesive resin. Hereinafter, each component contained in the pressure-sensitive adhesive composition (x1) will be described.

〔粘着性樹脂〕
粘着剤層(X1)の形成材料である粘着性樹脂は、該樹脂単独で粘着性を有し、質量平均分子量(Mw)が1万以上の重合体であることが好ましい。粘着性樹脂の質量平均分子量(Mw)は、粘着力の向上の観点から、より好ましくは1万〜200万、更に好ましくは2万〜150万、より更に好ましくは3万〜100万である。
[Adhesive resin]
The adhesive resin that is the material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is preferably a polymer that has adhesiveness by itself and has a mass average molecular weight (Mw) of 10,000 or more. The mass average molecular weight (Mw) of the adhesive resin is more preferably 10,000 to 2 million, still more preferably 20,000 to 1.5 million, and even more preferably 30,000 to 1,000,000 from the viewpoint of improving the adhesive strength.

粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイソブチレン系樹脂等のゴム系樹脂、ポリエステル系樹脂、オレフィン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリビニルエーテル系樹脂等が挙げられる。
これらの粘着性樹脂は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、これらの粘着性樹脂が、2種以上の構成単位を有する共重合体である場合、該共重合体の形態は、特に限定されず、ブロック共重合体、ランダム共重合体、及びグラフト共重合体のいずれであってもよい。
Examples of the adhesive resin include rubber-based resins such as acrylic resins, urethane-based resins, and polyisobutylene-based resins, polyester-based resins, olefin-based resins, silicone-based resins, and polyvinyl ether-based resins.
These adhesive resins may be used alone or in combination of two or more.
When these adhesive resins are copolymers having two or more kinds of structural units, the form of the copolymer is not particularly limited, and block copolymers, random copolymers, and graft copolymers are used. It may be any of the polymers.

粘着性樹脂は、上記の粘着性樹脂の側鎖に重合性官能基を導入した、エネルギー線硬化型の粘着性樹脂であってもよい。
前記重合性官能基としては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基等が挙げられる。
また、エネルギー線としては、紫外線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ましい。
The adhesive resin may be an energy ray-curable adhesive resin in which a polymerizable functional group is introduced into the side chain of the adhesive resin.
Examples of the polymerizable functional group include a (meth) acryloyl group and a vinyl group.
Examples of the energy ray include ultraviolet rays and electron beams, but ultraviolet rays are preferable.

粘着性樹脂の含有量は、粘着剤組成物(x1)の有効成分の全量(100質量%)に対して、好ましくは30〜99.99質量%、より好ましくは40〜99.95質量%、更に好ましくは50〜99.90質量%、より更に好ましくは55〜99.80質量%、更になお好ましくは60〜99.50質量%である。
なお、本明細書の以下の記載において、「粘着剤組成物の有効成分の全量に対する各成分の含有量」は、「該粘着剤組成物から形成される粘着剤層中の各成分の含有量」と同義である。
The content of the adhesive resin is preferably 30 to 99.99% by mass, more preferably 40 to 99.95% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the active ingredient of the pressure-sensitive adhesive composition (x1). It is still more preferably 50 to 99.90% by mass, even more preferably 55 to 99.80% by mass, and even more preferably 60 to 99.50% by mass.
In the following description of the present specification, "the content of each component with respect to the total amount of the active ingredient of the pressure-sensitive adhesive composition" is "the content of each component in the pressure-sensitive adhesive layer formed from the pressure-sensitive adhesive composition". Is synonymous with.

粘着性樹脂は、優れた粘着力を発現させると共に、分離する際に、粘着表面に膨張性粒子の膨張による凹凸を形成し易くして分離性を向上させた粘着シートとする観点から、アクリル系樹脂を含むことが好ましい。
粘着性樹脂中のアクリル系樹脂の含有割合としては、粘着剤組成物(x1)に含まれる粘着性樹脂の全量(100質量%)に対して、好ましくは30〜100質量%、より好ましくは50〜100質量%、更に好ましくは70〜100質量%、より更に好ましくは85〜100質量%である。
The adhesive resin is acrylic-based from the viewpoint of exhibiting excellent adhesive strength and making it easy to form irregularities on the adhesive surface due to expansion of expansive particles to improve separability when separated. It preferably contains a resin.
The content ratio of the acrylic resin in the adhesive resin is preferably 30 to 100% by mass, more preferably 50, based on the total amount (100% by mass) of the adhesive resin contained in the pressure-sensitive adhesive composition (x1). It is ~ 100% by mass, more preferably 70 to 100% by mass, and even more preferably 85 to 100% by mass.

〔アクリル系樹脂〕
粘着性樹脂として使用し得る、アクリル系樹脂としては、例えば、直鎖又は分岐鎖のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含む重合体、環状構造を有する(メタ)アクリレートに由来する構成単位を含む重合体等が挙げられ、アルキル(メタ)アクリレート(a1’)(以下、「モノマー(a1’)」ともいう)に由来する構成単位(a1)及び官能基含有モノマー(a2’)(以下、「モノマー(a2’)」ともいう)に由来する構成単位(a2)を有するアクリル系共重合体(A1)がより好ましい。
[Acrylic resin]
Acrylic resins that can be used as adhesive resins include, for example, polymers containing structural units derived from alkyl (meth) acrylates having linear or branched alkyl groups, and (meth) acrylates having a cyclic structure. Examples include polymers containing the derived structural unit, and the structural unit (a1) and the functional group-containing monomer (a2) derived from the alkyl (meth) acrylate (a1') (hereinafter, also referred to as “monomer (a1')”). An acrylic copolymer (A1) having a structural unit (a2) derived from') (hereinafter, also referred to as "monomer (a2')") is more preferable.

モノマー(a1’)が有するアルキル基の炭素数としては、粘着特性の向上の観点から、好ましくは1〜24、より好ましくは1〜12、更に好ましくは2〜10、より更に好ましくは4〜8である。
なお、モノマー(a1’)が有するアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。
モノマー(a1’)としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
これらのモノマー(a1’)は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
モノマー(a1’)としては、ブチル(メタ)アクリレート及び2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートが好ましい。
構成単位(a1)の含有量は、アクリル系共重合体(A1)の全構成単位(100質量%)に対して、好ましくは50〜99.9質量%、より好ましくは60〜99.0質量%、更に好ましくは70〜97.0質量%、より更に好ましくは80〜95.0質量%である。
The number of carbon atoms of the alkyl group contained in the monomer (a1') is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 12, still more preferably 2 to 10, and even more preferably 4 to 8 from the viewpoint of improving adhesive properties. Is.
The alkyl group contained in the monomer (a1') may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group.
Examples of the monomer (a1') include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, and tridecyl (). Examples thereof include meta) acrylate and stearyl (meth) acrylate.
These monomers (a1') may be used alone or in combination of two or more.
As the monomer (a1'), butyl (meth) acrylate and 2-ethylhexyl (meth) acrylate are preferable.
The content of the structural unit (a1) is preferably 50 to 99.9% by mass, more preferably 60 to 99.0% by mass, based on the total structural unit (100% by mass) of the acrylic copolymer (A1). %, More preferably 70 to 97.0% by mass, still more preferably 80 to 95.0% by mass.

モノマー(a2’)が有する官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。
つまり、モノマー(a2’)としては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。
これらのモノマー(a2’)は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらの中でも、モノマー(a2’)としては、水酸基含有モノマー及びカルボキシ基含有モノマーが好ましい。
水酸基含有モノマーとしては、例えば、上述の水酸基含有化合物と同じものが挙げられる。
カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸;フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、2−(アクリロイルオキシ)エチルサクシネート、2−カルボキシエチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
構成単位(a2)の含有量は、アクリル系共重合体(A1)の全構成単位(100質量%)に対して、好ましくは0.1〜40質量%、より好ましくは0.5〜35質量%、更に好ましくは1.0〜30質量%、より更に好ましくは3.0〜25質量%である。
Examples of the functional group contained in the monomer (a2') include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, an epoxy group and the like.
That is, examples of the monomer (a2') include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer.
These monomers (a2') may be used alone or in combination of two or more.
Among these, as the monomer (a2'), a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer are preferable.
Examples of the hydroxyl group-containing monomer include the same hydroxyl group-containing compounds as described above.
Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid, and their anhydrides. , 2- (Acryloyloxy) ethyl succinate, 2-carboxyethyl (meth) acrylate and the like.
The content of the structural unit (a2) is preferably 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.5 to 35% by mass, based on the total structural unit (100% by mass) of the acrylic copolymer (A1). %, More preferably 1.0 to 30% by mass, and even more preferably 3.0 to 25% by mass.

アクリル系共重合体(A1)は、さらにモノマー(a1’)及び(a2’)以外の他のモノマー(a3’)に由来の構成単位(a3)を有していてもよい。
なお、アクリル系共重合体(A1)において、構成単位(a1)及び(a2)の含有量は、アクリル系共重合体(A1)の全構成単位(100質量%)に対して、好ましくは70〜100質量%、より好ましくは80〜100質量%、更に好ましくは90〜100質量%、より更に好ましくは95〜100質量%である。
The acrylic copolymer (A1) may further have a structural unit (a3) derived from a monomer (a3') other than the monomers (a1') and (a2').
In the acrylic copolymer (A1), the content of the structural units (a1) and (a2) is preferably 70 with respect to the total structural units (100% by mass) of the acrylic copolymer (A1). It is -100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass, still more preferably 90 to 100% by mass, and even more preferably 95 to 100% by mass.

モノマー(a3’)としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレン等のオレフィン類;塩化ビニル、ビニリデンクロリド等のハロゲン化オレフィン類;ブタジエン、イソプレン、クロロプレン等のジエン系モノマー類;シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イミド(メタ)アクリレート等の環状構造を有する(メタ)アクリレート;スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ギ酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリロイルモルホリン、N−ビニルピロリドン等が挙げられる。 Examples of the monomer (a3') include olefins such as ethylene, propylene and isobutylene; halogenated olefins such as vinyl chloride and vinylidene chloride; diene monomers such as butadiene, isoprene and chloroprene; cyclohexyl (meth) acrylates, It has a cyclic structure such as benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, and imide (meth) acrylate. (Meta) Acrylate; Examples thereof include styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, (meth) acrylamide, (meth) acrylonitrile, (meth) acryloylmorpholine, and N-vinylpyrrolidone.

アクリル系共重合体(A1)は、側鎖に重合性官能基を導入した、エネルギー線硬化型のアクリル系共重合体としてもよい。該重合性官能基及び該エネルギー線としては、上述のとおりである。なお、重合性官能基は、上述の構成単位(a1)及び(a2)を有するアクリル系共重合体と、該アクリル系共重合体の構成単位(a2)が有する官能基と結合可能な置換基と重合性官能基とを有する化合物とを反応させることで導入することができる。
前記化合物としては、例えば、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
The acrylic copolymer (A1) may be an energy ray-curable acrylic copolymer in which a polymerizable functional group is introduced into the side chain. The polymerizable functional group and the energy ray are as described above. The polymerizable functional group is a substituent capable of binding to an acrylic copolymer having the above-mentioned structural units (a1) and (a2) and a functional group having the structural unit (a2) of the acrylic copolymer. It can be introduced by reacting with a compound having a polymerizable functional group.
Examples of the compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth) acrylate.

アクリル系樹脂の質量平均分子量(Mw)は、好ましくは10万〜150万、より好ましくは20万〜130万、更に好ましくは35万〜120万、より更に好ましくは50万〜110万である。 The mass average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 100,000 to 1,500,000, more preferably 200,000 to 1,300,000, still more preferably 350,000 to 1,200,000, and even more preferably 500,000 to 1,100,000.

〔架橋剤〕
粘着剤組成物(x1)は、上述のアクリル系共重合体(A1)のような官能基を含有する粘着性樹脂を含有する場合、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
該架橋剤は、官能基を有する粘着性樹脂と反応して、該官能基を架橋起点として、粘着性樹脂同士を架橋するものである。
架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。
これらの架橋剤は、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらの架橋剤の中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
架橋剤の含有量は、粘着性樹脂が有する官能基の数により適宜調整されるものであるが、官能基を有する粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部、より好ましくは0.03〜7質量部、更に好ましくは0.05〜5質量部である。
[Crosslinking agent]
When the pressure-sensitive adhesive composition (x1) contains a pressure-sensitive adhesive resin containing a functional group such as the above-mentioned acrylic copolymer (A1), it is preferable that the pressure-sensitive adhesive composition (x1) further contains a cross-linking agent.
The cross-linking agent reacts with a tacky resin having a functional group and cross-links the tacky resins with the functional group as a cross-linking starting point.
Examples of the cross-linking agent include isocyanate-based cross-linking agents, epoxy-based cross-linking agents, aziridine-based cross-linking agents, and metal chelate-based cross-linking agents.
These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.
Among these cross-linking agents, isocyanate-based cross-linking agents are preferable from the viewpoint of increasing the cohesive force to improve the adhesive force and the availability.
The content of the cross-linking agent is appropriately adjusted according to the number of functional groups of the adhesive resin, and is preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin having functional groups. It is more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and further preferably 0.05 to 5 parts by mass.

〔粘着付与剤〕
粘着剤組成物(x1)は、粘着力をより向上させる観点から、さらに粘着付与剤を含有してもよい。
本明細書において、「粘着付与剤」とは、上述の粘着性樹脂の粘着力を補助的に向上させる成分であって、質量平均分子量(Mw)が1万未満のオリゴマーを指し、上述の粘着性樹脂とは区別されるものである。
粘着付与剤の質量平均分子量(Mw)は、好ましくは400〜10000、より好ましくは500〜8000、更に好ましくは800〜5000である。
[Adhesive imparting agent]
The pressure-sensitive adhesive composition (x1) may further contain a pressure-sensitive adhesive from the viewpoint of further improving the adhesive strength.
In the present specification, the "tackiness-imparting agent" refers to an oligomer having a mass average molecular weight (Mw) of less than 10,000, which is a component that supplementarily improves the adhesive strength of the above-mentioned adhesive resin, and refers to the above-mentioned adhesion. It is distinguished from the sex resin.
The mass average molecular weight (Mw) of the tackifier is preferably 400 to 10000, more preferably 500 to 8000, and even more preferably 800 to 5000.

粘着付与剤としては、例えば、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、スチレン系樹脂、石油ナフサの熱分解で生成するペンテン、イソプレン、ピペリン、1,3−ペンタジエン等のC5留分を共重合して得られるC5系石油樹脂、石油ナフサの熱分解で生成するインデン、ビニルトルエン等のC9留分を共重合して得られるC9系石油樹脂、及びこれらを水素化した水素化樹脂等が挙げられる。 As the tackifier, for example, it is obtained by copolymerizing a C5 distillate such as rosin resin, terpene resin, styrene resin, penten, isoprene, piperin, 1,3-pentadiene produced by thermal decomposition of petroleum naphtha. Examples thereof include C5-based petroleum resins, C9-based petroleum resins obtained by copolymerizing C9 distillates such as inden and vinyl toluene produced by thermal decomposition of petroleum naphtha, and hydrides obtained by hydrogenating these.

粘着付与剤の軟化点は、好ましくは60〜170℃、より好ましくは65〜160℃、更に好ましくは70〜150℃である。
なお、本明細書において、粘着付与剤の「軟化点」は、JIS K 2531に準拠して測定した値を意味する。
粘着付与剤は、単独で用いてもよく、軟化点、構造等が異なる2種以上を併用してもよい。2種以上の複数の粘着付与剤を用いる場合、それら複数の粘着付与剤の軟化点の加重平均が、上記範囲に属することが好ましい。
The softening point of the tackifier is preferably 60 to 170 ° C, more preferably 65 to 160 ° C, and even more preferably 70 to 150 ° C.
In the present specification, the "softening point" of the tackifier means a value measured in accordance with JIS K 2531.
The tackifier may be used alone, or two or more kinds having different softening points, structures, etc. may be used in combination. When two or more kinds of tackifiers are used, it is preferable that the weighted average of the softening points of the plurality of tackifiers belongs to the above range.

粘着付与剤の含有量は、粘着剤組成物(x1)の有効成分の全量(100質量%)に対して、好ましくは0.01〜65質量%、より好ましくは0.05〜55質量%、更に好ましくは0.1〜50質量%、より更に好ましくは0.5〜45質量%、更になお好ましくは1.0〜40質量%である。 The content of the tackifier is preferably 0.01 to 65% by mass, more preferably 0.05 to 55% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the active ingredient of the pressure-sensitive adhesive composition (x1). It is still more preferably 0.1 to 50% by mass, even more preferably 0.5 to 45% by mass, and even more preferably 1.0 to 40% by mass.

〔光重合開始剤〕
本実施形態において、粘着剤組成物(x1)が、粘着性樹脂として、エネルギー線硬化型の粘着性樹脂を含む場合、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
エネルギー線硬化型の粘着性樹脂及び光重合開始剤を含有する粘着剤組成物とすることで、当該粘着剤組成物から形成される粘着剤層は、比較的低エネルギーのエネルギー線の照射によっても、十分に硬化反応を進行させ、粘着力を所望の範囲に調整することが可能となる。
なお、光重合開始剤としては、上述の無溶剤型樹脂組成物(y1)に配合されるものと同じものが挙げられる。
光重合開始剤の含有量は、エネルギー線硬化型の粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部、より好ましくは0.03〜5質量部、更に好ましくは0.05〜2質量部である。
[Photopolymerization initiator]
In the present embodiment, when the pressure-sensitive adhesive composition (x1) contains an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin as the pressure-sensitive adhesive resin, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive composition (x1) further contains a photopolymerization initiator.
By preparing a pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin and a photopolymerization initiator, the pressure-sensitive adhesive layer formed from the pressure-sensitive adhesive composition can be subjected to irradiation with relatively low-energy energy rays. The curing reaction can be sufficiently advanced, and the adhesive strength can be adjusted to a desired range.
Examples of the photopolymerization initiator include the same ones that are blended in the solvent-free resin composition (y1) described above.
The content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and even more preferably 0, with respect to 100 parts by mass of the energy ray-curable adhesive resin. It is 05 to 2 parts by mass.

〔粘着剤用添加剤〕
本実施形態において、粘着剤層(X1)の形成材料である粘着剤組成物(x1)は、本発明の効果を損なわない範囲で、上述の添加剤以外にも、一般的な粘着剤に使用される粘着剤用添加剤を含有していてもよい。
このような粘着剤用添加剤としては、例えば、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、防錆剤、顔料、染料、遅延剤、反応促進剤(触媒)、紫外線吸収剤等が挙げられる。
なお、これらの粘着剤用添加剤は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらの粘着剤用添加剤を含有する場合、それぞれの粘着剤用添加剤の含有量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.0001〜20質量部、より好ましくは0.001〜10質量部である。
粘着剤層(X1)は、膨張性粒子を含有していてもよい。その含有量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは5質量部以下が好ましく、2質量部以下がより好ましく、含有しないことが最も好ましい。
[Additives for adhesives]
In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive composition (x1), which is a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1), is used for general pressure-sensitive adhesives in addition to the above-mentioned additives as long as the effects of the present invention are not impaired. It may contain an additive for a pressure-sensitive adhesive.
Examples of such additives for adhesives include antioxidants, softeners (plasticizers), rust inhibitors, pigments, dyes, retarders, reaction accelerators (catalysts), ultraviolet absorbers and the like.
These adhesive additives may be used alone or in combination of two or more.
When these additives for adhesives are contained, the content of each additive for adhesives is preferably 0.0001 to 20 parts by mass, more preferably 0.001 with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. It is 10 parts by mass.
The pressure-sensitive adhesive layer (X1) may contain expansive particles. The content thereof is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass or less, and most preferably not contained with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.

(剥離材)
任意で用いられる剥離材としては、両面剥離処理をされた剥離シート、片面剥離処理された剥離シート等が用いられ、剥離材用の基材上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
剥離材用の基材としては、例えば、上質紙、グラシン紙、クラフト紙等の紙類;ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のオレフィン樹脂フィルム等のプラスチックフィルム;等が挙げられる。
剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
剥離材の厚さは、特に制限はないが、好ましくは10〜200μm、より好ましくは25〜170μm、更に好ましくは35〜80μmである。
(Release material)
Examples of the release material arbitrarily used include a release sheet subjected to double-sided release treatment, a release sheet subjected to single-sided release treatment, and a material obtained by applying a release agent on a base material for the release material.
Examples of the base material for the release material include papers such as high-quality paper, glassin paper, and kraft paper; polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, and polyethylene resin. Plastic films such as olefin resin films; and the like.
Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.
The thickness of the release material is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 μm, more preferably 25 to 170 μm, and even more preferably 35 to 80 μm.

<粘着シート(A)の製造方法>
粘着シート(A)の製造方法としては、特に制限はなく、例えば、下記工程(Ia)及び(Ib)を有する製造方法(I)が挙げられる。
工程(Ia):剥離材の剥離処理面上に、基材(Y1)の形成材料である樹脂組成物(y1)を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を乾燥又はUV硬化し、基材(Y1)を形成する工程。
工程(Ib):形成した基材(Y1)の表面上に、粘着剤層(X1)の形成材料である粘着剤組成物(x1)を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を乾燥し、粘着剤層(X1)を形成する工程。
<Manufacturing method of adhesive sheet (A)>
The method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is not particularly limited, and examples thereof include a production method (I) having the following steps (Ia) and (Ib).
Step (Ia): A resin composition (y1), which is a material for forming a base material (Y1), is applied onto the peeling surface of the release material to form a coating film, and the coating film is dried or UV-cured. A step of forming a base material (Y1).
Step (Ib): A pressure-sensitive adhesive composition (x1), which is a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1), is applied onto the surface of the formed base material (Y1) to form a coating film, and the coating film is dried. The step of forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1).

粘着シート(A)の別の製造方法としては、例えば、下記工程(IIa)〜(IIc)を有する製造方法(II)が挙げられる。
工程(IIa):剥離材の剥離処理面上に、基材(Y1)の形成材料である樹脂組成物(y1)を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を乾燥又はUV硬化し、基材(Y1)を形成する工程。
工程(IIb):剥離材の剥離処理面上に、粘着剤層(X1)の形成材料である粘着剤組成物(x1)を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を乾燥し、粘着剤層を形成する工程。
工程(IIc):工程(IIa)で形成した基材(Y1)の表面と、工程(IIb)で形成した粘着剤層(X1)の表面とを貼り合せる工程。
As another manufacturing method of the pressure-sensitive adhesive sheet (A), for example, a manufacturing method (II) having the following steps (IIa) to (IIc) can be mentioned.
Step (IIa): A resin composition (y1), which is a material for forming a base material (Y1), is applied onto the peeling surface of the release material to form a coating film, and the coating film is dried or UV-cured. A step of forming a base material (Y1).
Step (IIb): A pressure-sensitive adhesive composition (x1), which is a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1), is applied onto the peel-processed surface of the release material to form a coating film, and the coating film is dried and adhered. The process of forming the agent layer.
Step (IIc): A step of bonding the surface of the base material (Y1) formed in the step (IIa) and the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) formed in the step (IIb).

上記製造方法(I)及び(II)において、樹脂組成物(y1)及び粘着剤組成物(x1)は、希釈溶媒を配合し、溶液の形態としてもよい。
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。
In the above-mentioned production methods (I) and (II), the resin composition (y1) and the pressure-sensitive adhesive composition (x1) may be in the form of a solution by blending a diluting solvent.
Examples of the coating method include a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a knife coating method, a roll coating method, a blade coating method, a die coating method, and a gravure coating method.

なお、製造方法(I)及び製造方法(II)における乾燥又はUV照射は、膨張性粒子が膨張しない条件を適宜選択して実施することが好ましい。例えば、熱膨張性粒子を含有する樹脂組成物(y1)を乾燥して基材(Y1)を形成する場合は、乾燥温度は熱膨張性粒子の膨張開始温度(t)未満で行うことが好ましい。
また、粘着シート(A)が、基材(Y1)と非膨張性基材(Y1’)とを有する場合は、前記工程(Ia)及び(IIa)において、樹脂組成物(y1)は、予め形成した非膨張性基材(Y1’)の上に塗布すればよい。非膨張性基材(Y1’)は、例えば、非膨張性基材(Y1’)の形成材料である樹脂組成物を用いて、前記工程(Ia)及び(IIa)と同様の操作で形成することができる。
It is preferable that the drying or UV irradiation in the production method (I) and the production method (II) is carried out by appropriately selecting the conditions under which the expanding particles do not expand. For example, when the resin composition (y1) containing the heat-expandable particles is dried to form the base material (Y1), the drying temperature is preferably lower than the expansion start temperature (t) of the heat-expandable particles. ..
When the pressure-sensitive adhesive sheet (A) has a base material (Y1) and a non-expandable base material (Y1'), the resin composition (y1) is previously prepared in the steps (Ia) and (IIa). It may be applied on the formed non-expandable base material (Y1'). The non-expandable base material (Y1') is formed by, for example, using a resin composition which is a material for forming the non-expandable base material (Y1') by the same operation as in steps (Ia) and (IIa). be able to.

[本実施形態に係る半導体装置の各製造工程]
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程について説明する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、下記工程(1)〜(3)をこの順で有する。
工程(1):基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置された複数のチップ同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げる工程。
工程(2):前記複数のチップの粘着剤層(X2)と接する面とは反対側の面に粘着シート(A)の粘着剤層(X1)を貼付する工程。
工程(3):粘着シート(A)に貼付した前記複数のチップと粘着シート(B)とを分離する工程。
以下、チップとして半導体チップを使用する例について、図面を参照しながら説明する。
[Each manufacturing process of the semiconductor device according to this embodiment]
Next, each step of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment will be described.
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes the following steps (1) to (3) in this order.
Step (1): The distance between a plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is set by the pressure-sensitive adhesive sheet (B). The process of stretching and spreading.
Step (2): A step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface of the plurality of chips opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X2).
Step (3): A step of separating the plurality of chips attached to the adhesive sheet (A) from the adhesive sheet (B).
Hereinafter, an example in which a semiconductor chip is used as the chip will be described with reference to the drawings.

<工程(1)>
工程(1)は、基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置された複数の半導体チップ同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げる工程である。なお、工程(1)の前に後述するダイシング工程及び半導体チップの反転工程を実施してもよい。
<Process (1)>
In the step (1), the distance between the plurality of semiconductor chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is set by the pressure-sensitive adhesive sheet (1). B) is a process of stretching and expanding. Before the step (1), a dicing step and a semiconductor chip reversing step described later may be performed.

(粘着シート(B))
粘着シート(B)は、半導体チップCP同士の間隔を広げるエキスパンドテープとして用いられるものである。
具体的には、粘着シート(B)は、基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有し、粘着剤層(X2)上に載置された複数の半導体チップCP同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げるために用いられる。
(Adhesive sheet (B))
The adhesive sheet (B) is used as an expanding tape that widens the distance between the semiconductor chip CPs.
Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet (B) has a base material (Y2) and a pressure-sensitive adhesive layer (X2), and the distance between a plurality of semiconductor chip CPs placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is set. It is used to stretch and spread the adhesive sheet (B).

基材(Y2)の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂(ポリエチレンテレフタレート等)、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂等が挙げられる。
基材(Y2)は熱可塑性エラストマー、ゴム系材料等を含有することが好ましく、熱可塑性エラストマーを含有することがより好ましい。
熱可塑性エラストマーとしては、ウレタン系エラストマー、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等が挙げられる。
Examples of the material of the base material (Y2) include polyvinyl chloride resin, polyester resin (polyethylene terephthalate, etc.), acrylic resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, acrylonitrile, butadiene, styrene resin, polyimide resin, and polyurethane resin. And polystyrene resin and the like.
The base material (Y2) preferably contains a thermoplastic elastomer, a rubber-based material, or the like, and more preferably contains a thermoplastic elastomer.
Examples of the thermoplastic elastomer include urethane-based elastomers, olefin-based elastomers, vinyl chloride-based elastomers, polyester-based elastomers, styrene-based elastomers, acrylic-based elastomers, and amide-based elastomers.

基材(Y2)は、上記材料からなるフィルムが複数層積層されたものであってもよく、上記材料からなるフィルムと、その他のフィルムとが積層されたものであってもよい。
基材(Y2)は、上記の樹脂系材料を主材料とするフィルム内に、顔料、染料、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、フィラー等の各種添加剤が含まれていてもよい。
The base material (Y2) may be a film obtained by laminating a plurality of layers of the film made of the above material, or may be a film obtained by laminating a film made of the above material and another film.
The base material (Y2) may contain various additives such as pigments, dyes, flame retardants, plasticizers, antistatic agents, lubricants, fillers, etc. in the film mainly made of the above resin-based material. ..

粘着剤層(X2)は、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。
非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力及び再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、粘着シート(B)を延伸した際に半導体チップ等の脱落を効果的に抑制する観点から、アクリル系粘着剤が好ましい。
The pressure-sensitive adhesive layer (X2) may be composed of a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive or an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive.
The non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive preferably has desired adhesive strength and removability. For example, acrylic pressure-sensitive adhesive, rubber-based pressure-sensitive adhesive, silicone-based pressure-sensitive adhesive, urethane-based pressure-sensitive adhesive, and polyester-based pressure-sensitive adhesive. , Polyvinyl ether adhesive and the like. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable from the viewpoint of effectively suppressing the semiconductor chips and the like from falling off when the pressure-sensitive adhesive sheet (B) is stretched.

エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線照射により硬化して粘着力が低下するため、半導体チップと粘着シート(B)とを分離させる際、エネルギー線照射することにより、容易に分離させることができる。
粘着剤層(X2)を構成するエネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、(a)エネルギー線硬化性を有するポリマー、並びに(b)少なくとも1つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマー及び/又はオリゴマーから選ばれる1種以上を含有するものが挙げられる。
(a)エネルギー線硬化性を有するポリマーとしては、側鎖に不飽和基等のエネルギー線硬化性を有する官能基(エネルギー線硬化性基)が導入された(メタ)アクリル酸エステル(共)重合体が好ましい。該アクリル酸エステル(共)重合体としては、例えば、アルキル基の炭素数が1〜18であるアルキル(メタ)アクリレートと、重合性の二重結合と、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基とを分子内に有するモノマーとを共重合させた後、さらに、該官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物を反応させて得られるものが挙げられる。
(b)少なくとも1つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマー及び/又はオリゴマーとしては、多価アルコールと(メタ)アクリル酸とのエステルが挙げられ、具体的には、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等の単官能性アクリル酸エステル類、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート等の多官能性アクリル酸エステル類、ポリエステルオリゴ(メタ)アクリレート、ポリウレタンオリゴ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
エネルギー線硬化性粘着剤においては、上記成分以外にも、光重合開始剤、架橋剤等を適宜配合してもよい。
Since the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is cured by energy ray irradiation and its adhesive strength is lowered, it can be easily separated by irradiating the energy ray when separating the semiconductor chip and the pressure-sensitive adhesive sheet (B). ..
Examples of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (X2) include (a) a polymer having energy ray-curability, and (b) a monomer having at least one energy ray-curable group and /. Alternatively, those containing one or more selected from oligomers can be mentioned.
(A) As the polymer having energy ray curability, a (meth) acrylic acid ester (co) weight in which a functional group (energy ray curable group) having energy ray curability such as an unsaturated group is introduced into the side chain. Coalescence is preferred. Examples of the acrylic acid ester (co) polymer include an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a polymerizable double bond, a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, and a substituent. Examples thereof are those obtained by copolymerizing with a monomer having a functional group such as an amino group or an epoxy group in the molecule, and then further reacting with an unsaturated group-containing compound having a functional group bonded to the functional group. Be done.
(B) Examples of the monomer and / or oligomer having at least one or more energy ray-curable groups include esters of polyhydric alcohol and (meth) acrylic acid, and specifically, cyclohexyl (meth) acrylate. Monofunctional acrylic acid esters such as isobornyl (meth) acrylate, trimethylolpropantri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1 , 4-Butandiol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, dimethylol tricyclodecanedi (meth) acrylate and other polyfunctional acrylic acid esters. , Polyester oligo (meth) acrylate, polyurethane oligo (meth) acrylate and the like.
In the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the above components, a photopolymerization initiator, a cross-linking agent and the like may be appropriately added.

基材(Y2)の厚さは、特に限定されないが、好ましくは20〜250μm、より好ましくは40〜200μmである。
粘着剤層(X2)の厚さは、特に限定されないが、好ましくは3〜50μm、より好ましくは5〜40μmである。
The thickness of the base material (Y2) is not particularly limited, but is preferably 20 to 250 μm, more preferably 40 to 200 μm.
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is not particularly limited, but is preferably 3 to 50 μm, more preferably 5 to 40 μm.

23℃においてMD方向及びCD方向に測定される粘着シート(B)の破断伸度は、それぞれ100%以上であることが好ましい。破断伸度が上記範囲であることで、大きく延伸することが可能となる。そのため、ファンアウト型パッケージの製造といった、半導体チップ同士を十分に離間させる必要がある用途に好適に使用することができる。 The breaking elongation of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) measured in the MD direction and the CD direction at 23 ° C. is preferably 100% or more, respectively. When the elongation at break is within the above range, it is possible to significantly stretch. Therefore, it can be suitably used for applications such as manufacturing a fan-out type package in which semiconductor chips need to be sufficiently separated from each other.

<ダイシング工程、半導体チップの反転工程及び転写工程>
粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に複数の半導体チップCPを載置する方法は特に限定されないが、例えば、下記のダイシング工程、反転工程及び転写工程を実施する方法が挙げられる。
ダイシング工程:基材(Y3)と粘着剤層(X3)とを備える粘着シート(C)の粘着剤層(X3)に半導体ウエハWを貼付した後、半導体ウエハWをダイシングし、粘着剤層(X3)の上に個片化した複数の半導体チップCPを得る工程
半導体チップの反転工程:基材(Y4)及び粘着剤層(X4)を有する粘着シート(D)を用いて、複数の半導体チップCPの粘着剤層(X3)と接する面とは反対側の面に、粘着シート(D)の粘着剤層(X4)を貼付し、複数の半導体チップCPと粘着シート(C)とを分離する工程。
転写工程:基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)を用いて、複数の半導体チップCPの粘着剤層(X4)と接する面とは反対側の面に、粘着シート(B)の粘着剤層(X2)を貼付し、複数の半導体チップCPと粘着シート(D)とを分離する工程。
<Dicing process, semiconductor chip inversion process and transfer process>
The method of mounting the plurality of semiconductor chip CPs on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) is not particularly limited, and examples thereof include a method of carrying out the following dicing step, inversion step, and transfer step.
Dicing step: After the semiconductor wafer W is attached to the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the pressure-sensitive adhesive sheet (C) including the base material (Y3) and the pressure-sensitive adhesive layer (X3), the semiconductor wafer W is diced and the pressure-sensitive adhesive layer (X3) Step of obtaining a plurality of semiconductor chip CPs separated on X3) Semiconductor chip inversion step: A plurality of semiconductor chips using an adhesive sheet (D) having a base material (Y4) and an adhesive layer (X4). The pressure-sensitive adhesive layer (X4) of the pressure-sensitive adhesive sheet (D) is attached to the surface of the CP opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X3), and the plurality of semiconductor chip CPs and the pressure-sensitive adhesive sheet (C) are separated. Process.
Transfer step: Using the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2), the surface of the plurality of semiconductor chips CP is adhered to the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X4). A step of attaching the adhesive layer (X2) of the sheet (B) and separating the plurality of semiconductor chip CPs and the adhesive sheet (D).

(ダイシング工程)
図2(a)及び(b)には、粘着シート(C)の粘着剤層(X3)に半導体ウエハWを貼付した後、半導体ウエハWをダイシングし、粘着剤層(X3)の上に個片化した複数の半導体チップCPを得るダイシング工程を説明する断面図が示されている。
粘着シート(C)は、上記目的を達成できるものであれば特に制限はないが、半導体チップとの貼付及び分離可能であることが必要であるため、粘着シート(A)等の膨張性粒子を含む粘着シート、後述するエキスパンドテープのように、再剥離性を有する非エネルギー線硬化性粘着剤から構成される粘着剤層を有する粘着シート、エネルギー線硬化性粘着剤から構成される粘着剤層を有する粘着シート等が好適である。
粘着シート(C)として粘着シート(A)を使用する場合、工程(3)で使用する粘着シート(A)の態様と、本工程で使用する粘着シート(A)の態様とは、同一であっても異なっていてもよい。
(Dicing process)
In FIGS. 2A and 2B, after the semiconductor wafer W is attached to the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the pressure-sensitive adhesive sheet (C), the semiconductor wafer W is diced and individually placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X3). A cross-sectional view illustrating a dicing process for obtaining a plurality of separated semiconductor chip CPs is shown.
The adhesive sheet (C) is not particularly limited as long as it can achieve the above object, but since it is necessary that the adhesive sheet (C) can be attached and separated from the semiconductor chip, expandable particles such as the adhesive sheet (A) can be used. An adhesive sheet containing an adhesive sheet, an adhesive sheet having an adhesive layer composed of a non-energy ray-curable adhesive having removability, and an adhesive layer composed of an energy ray-curable adhesive, such as an expanding tape described later. An adhesive sheet or the like to have is suitable.
When the adhesive sheet (A) is used as the adhesive sheet (C), the aspect of the adhesive sheet (A) used in the step (3) and the aspect of the adhesive sheet (A) used in this step are the same. May be different.

半導体ウエハWは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム、砒素等の化合物半導体ウエハであってもよい。
半導体ウエハWは、その回路面W1に回路W2を有する。回路W2を形成する方法としては、例えば、エッチング法、リフトオフ法等が挙げられる。なお、本明細書中、回路面W1と反対側の面を「チップ裏面」と称することがある。
半導体ウエハWは、予め所定の厚さに研削して、チップ裏面を露出させて粘着シート(A)に貼付されている。半導体ウエハWを研削する方法としては、例えば、グラインダー等を用いる公知の方法が挙げられる。
粘着シート(C)には、半導体ウエハWを保持する目的でリングフレームを貼付してもよい。この場合、粘着シート(C)の粘着剤層(X3)の上に、リングフレーム及び半導体ウエハWを載置し、これらを軽く押圧し、固定する。
次いで、粘着シート(C)に保持された半導体ウエハWは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップCPが形成される。ダイシングには、例えば、ダイシングソー、レーザー、プラズマダイシング、ステルスダイシング等の切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハの厚さを考慮して適宜設定すればよいが、例えば、粘着剤層(X3)の上面から2μm以内とすることができる。
なお、本工程を後述する別のダイシング工程と区別するため「第一のダイシング工程」と称する場合がある。
工程(1)は、半導体ウエハWをダイシングした後、得られた複数の半導体チップCP同士の間隔を広げるために、粘着シート(C)を引き伸ばす処理を含んでいてもよい。
The semiconductor wafer W may be, for example, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium or arsenide.
The semiconductor wafer W has a circuit W2 on its circuit surface W1. Examples of the method for forming the circuit W2 include an etching method and a lift-off method. In the present specification, the surface opposite to the circuit surface W1 may be referred to as "chip back surface".
The semiconductor wafer W is ground to a predetermined thickness in advance to expose the back surface of the chip and attached to the adhesive sheet (A). Examples of the method for grinding the semiconductor wafer W include a known method using a grinder or the like.
A ring frame may be attached to the pressure-sensitive adhesive sheet (C) for the purpose of holding the semiconductor wafer W. In this case, the ring frame and the semiconductor wafer W are placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the pressure-sensitive adhesive sheet (C), and these are lightly pressed and fixed.
Next, the semiconductor wafer W held on the pressure-sensitive adhesive sheet (C) is individualized by dicing to form a plurality of semiconductor chip CPs. For dicing, for example, a cutting means such as a dicing saw, a laser, plasma dicing, or stealth dicing is used. The cutting depth at the time of dicing may be appropriately set in consideration of the thickness of the semiconductor wafer, and may be, for example, within 2 μm from the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X3).
In addition, this step may be referred to as a "first dicing step" in order to distinguish it from another dicing step described later.
The step (1) may include a process of dicing the semiconductor wafer W and then stretching the pressure-sensitive adhesive sheet (C) in order to widen the distance between the obtained plurality of semiconductor chip CPs.

(反転工程)
図3(a)及び(b)には、基材(Y4)及び粘着剤層(X4)を有する粘着シート(D)を用いて、複数の半導体チップCPの粘着剤層(X3)と接する面とは反対側の面に、粘着シート(D)の粘着剤層(X4)を貼付し、複数の半導体チップCPと粘着シート(C)とを分離する工程を説明する断面図が示されている。
本工程は、その後の工程に応じて実施される任意の工程であり、複数の半導体チップCPの表裏(すなわち、回路面W1とチップ裏面)を反転させる目的で実施される。
粘着シート(D)は、上記目的を達成できるものであれば特に制限はないが、半導体チップとの貼付及び分離可能であることが必要であるため、粘着シート(A)等の膨張性粒子を含む粘着シート、後述するエキスパンドテープのように、再剥離性を有する非エネルギー線硬化性粘着剤から構成される粘着剤層を有する粘着シート、エネルギー線硬化性粘着剤から構成される粘着剤層を有する粘着シート等が好適である。
複数の半導体チップCPと粘着シート(C)とを分離する方法は、粘着シート(C)の態様に応じて決定すればよく、粘着剤層(X3)が、非エネルギー線硬化性粘着剤から構成されている場合は、所定の条件で再剥離すればよく、粘着剤層(X3)が、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されている場合は、エネルギー線照射により硬化して粘着力を低下させてから分離すればよく、粘着シート(C)が粘着シート(A)のような膨張性粒子を含むものであれば、膨張性粒子を膨張させて粘着力を低下させてから分離すればよい。分離する際には、少なくとも粘着シート(D)の粘着剤層(X4)が、粘着シート(C)の粘着剤層(X3)よりも高い粘着性が保たれるように、粘着シート(C)及び粘着シート(D)の種類及び剥離方法を選択する。
(Reversal process)
In FIGS. 3A and 3B, a pressure-sensitive adhesive sheet (D) having a base material (Y4) and a pressure-sensitive adhesive layer (X4) is used, and surfaces in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X3) of a plurality of semiconductor chip CPs. A cross-sectional view illustrating a step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X4) of the pressure-sensitive adhesive sheet (D) and separating the plurality of semiconductor chips CP and the pressure-sensitive adhesive sheet (C) is shown on the surface opposite to the surface. ..
This step is an arbitrary step carried out according to the subsequent steps, and is carried out for the purpose of inverting the front and back surfaces (that is, the circuit surface W1 and the chip back surface) of the plurality of semiconductor chip CPs.
The adhesive sheet (D) is not particularly limited as long as it can achieve the above object, but since it is necessary that the adhesive sheet (D) can be attached and separated from the semiconductor chip, expandable particles such as the adhesive sheet (A) can be used. An adhesive sheet containing, an adhesive sheet having an adhesive layer composed of a non-energy ray-curable adhesive having removability, and an adhesive layer composed of an energy ray-curable adhesive, such as an expanding tape described later. An adhesive sheet or the like to have is suitable.
The method for separating the plurality of semiconductor chip CPs and the pressure-sensitive adhesive sheet (C) may be determined according to the aspect of the pressure-sensitive adhesive sheet (C), and the pressure-sensitive adhesive layer (X3) is composed of a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. If it is, it may be peeled off again under predetermined conditions, and if the pressure-sensitive adhesive layer (X3) is composed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, it is cured by energy ray irradiation to reduce the adhesive strength. If the pressure-sensitive adhesive sheet (C) contains expandable particles such as the pressure-sensitive adhesive sheet (A), the expandable particles may be expanded to reduce the adhesive force before separation. At the time of separation, the pressure-sensitive adhesive sheet (C) is maintained so that at least the pressure-sensitive adhesive layer (X4) of the pressure-sensitive adhesive sheet (D) is more adhesive than the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the pressure-sensitive adhesive sheet (C). And the type of adhesive sheet (D) and the peeling method are selected.

(転写工程)
図4(a)及び(b)には、基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)を用いて、複数の半導体チップCPの粘着剤層(X4)と接する面とは反対側の面に、粘着シート(B)の粘着剤層(X2)を貼付し、複数の半導体チップCPと粘着シート(D)とを分離する転写工程を説明する断面図が示されている。
本工程は、反転工程によって粘着シート(D)上に転写された複数の半導体チップCPを、エキスパンドテープである粘着シート(B)に転写する工程である。これにより、複数の半導体チップCPの表裏は、ダイシング工程時とは逆になる。
複数の半導体チップCPと粘着シート(D)とを分離する方法は、粘着シート(C)の場合と同じように、粘着シート(D)の態様に応じて決定すればよい。
(Transfer process)
In FIGS. 4A and 4B, a pressure-sensitive adhesive sheet (B) having a base material (Y2) and a pressure-sensitive adhesive layer (X2) is used, and surfaces in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X4) of a plurality of semiconductor chip CPs. A cross-sectional view illustrating a transfer process in which the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) is attached to the surface opposite to the surface and the plurality of semiconductor chips CP and the pressure-sensitive adhesive sheet (D) are separated is shown. There is.
This step is a step of transferring a plurality of semiconductor chip CPs transferred onto the pressure-sensitive adhesive sheet (D) by the inversion step to the pressure-sensitive adhesive sheet (B) which is an expanding tape. As a result, the front and back sides of the plurality of semiconductor chip CPs are opposite to those in the dicing process.
The method for separating the plurality of semiconductor chip CPs and the pressure-sensitive adhesive sheet (D) may be determined according to the mode of the pressure-sensitive adhesive sheet (D), as in the case of the pressure-sensitive adhesive sheet (C).

<エキスパンド工程>
図5(a)及び(b)には、基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置された複数の半導体チップCP同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げる工程(1)(エキスパンド工程)を説明する断面図が示されている。
前記転写工程を経て、図5(a)に示すように、複数の半導体チップCPは、粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置される。
次いで、図5(b)に示すように、粘着シート(B)を引き伸ばして、複数の半導体チップCP同士の間隔を、距離Dまで広げる。
粘着シート(B)を引き延ばす方法としては、環状又は円状のエキスパンダを押し当てて粘着シート(B)を引き延ばす方法、把持部材等を用いて粘着シート(B)の外周部を掴んで引き延ばす方法等が挙げられる。
エキスパンド後の複数の半導体チップCP間の距離Dは、所望する半導体装置の形態に応じて適宜決定すればよいが、好ましくは50〜6000μmである。
<Expanding process>
In FIGS. 5A and 5B, a plurality of semiconductor chip CPs placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) are shown. A cross-sectional view illustrating a step (1) (expanding step) of stretching and expanding the adhesive sheet (B) is shown.
Through the transfer step, as shown in FIG. 5A, the plurality of semiconductor chip CPs are placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B).
Next, as shown in FIG. 5B, the adhesive sheet (B) is stretched to widen the distance between the plurality of semiconductor chip CPs to a distance D.
As a method of stretching the adhesive sheet (B), a method of pressing an annular or circular expander to stretch the adhesive sheet (B), a method of grasping and stretching the outer peripheral portion of the adhesive sheet (B) using a gripping member or the like. And so on.
The distance D between the plurality of semiconductor chip CPs after expansion may be appropriately determined according to the desired form of the semiconductor device, but is preferably 50 to 6000 μm.

<工程(2)及び(3)>
図6(a)及び(b)には、基材(Y1)及び粘着剤層(X1)を有する粘着シート(A)を用いて、エキスパンドテープである粘着シート(B)上の複数の半導体チップCPの粘着剤層(X2)と接する面とは反対側の面に、粘着シート(A)の粘着剤層(X1)を貼付する工程(2)、及び該複数の半導体チップCPから粘着シート(B)を分離する工程(3)を説明する断面図が示されている。
本工程において、粘着シート(B)と複数の半導体チップCPとを分離する方法は、粘着シート(C)の場合と同じように、粘着シート(B)の態様に応じて決定すればよい。
<Steps (2) and (3)>
In FIGS. 6A and 6B, a plurality of semiconductor chips on the adhesive sheet (B) which is an expanding tape are used by using the adhesive sheet (A) having the base material (Y1) and the adhesive layer (X1). The step (2) of attaching the adhesive layer (X1) of the adhesive sheet (A) to the surface of the CP opposite to the surface in contact with the adhesive layer (X2), and the adhesive sheet (2) from the plurality of semiconductor chip CPs. A cross-sectional view illustrating the step (3) of separating B) is shown.
In this step, the method for separating the pressure-sensitive adhesive sheet (B) and the plurality of semiconductor chip CPs may be determined according to the aspect of the pressure-sensitive adhesive sheet (B), as in the case of the pressure-sensitive adhesive sheet (C).

工程(1)〜(3)を経て、図7に示されるように、粘着シート(A)の粘着剤層(X1)上に、互いの間隔を広げられた複数の半導体チップCPが得られる。
粘着シート(A)上の複数の半導体チップCPは、その後、粘着シート(A)上で封止樹脂により封止してから再配線形成工程に供してもよいし、粘着シート(A)と分離して、半導体チップを整列させる工程に供してから、封止工程及び再配線形成工程に供してもよい。
いずれの場合においても、粘着シート(A)と複数の半導体チップCPとは、膨張性粒子を、その種類に応じて、熱、エネルギー線等によって膨張させることにより、粘着剤層(X1)の粘着表面(X1a)に凹凸を形成し、これにより、粘着表面(X1a)と複数の半導体チップCPとの粘着力を低下させ、粘着シート(A)と複数の半導体チップCPとを分離させることができる。
Through the steps (1) to (3), as shown in FIG. 7, a plurality of semiconductor chip CPs having wide distances from each other are obtained on the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A).
The plurality of semiconductor chip CPs on the pressure-sensitive adhesive sheet (A) may then be sealed on the pressure-sensitive adhesive sheet (A) with a sealing resin and then subjected to a rewiring forming step, or separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A). Then, it may be subjected to the step of aligning the semiconductor chips and then subjected to the sealing step and the rewiring forming step.
In any case, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chip CPs adhere to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) by expanding the expandable particles with heat, energy rays, or the like according to their types. By forming irregularities on the surface (X1a), the adhesive strength between the adhesive surface (X1a) and the plurality of semiconductor chip CPs can be reduced, and the adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chip CPs can be separated. ..

膨張性粒子を膨張させる方法は、膨張性粒子の種類に応じて適宜選択すればよく、膨張性粒子が熱膨張性粒子である場合は、膨張開始温度(t)以上の温度に加熱すればよい。ここで、「膨張開始温度(t)以上の温度」としては、「膨張開始温度(t)+10℃」以上「膨張開始温度(t)+60℃」以下であることが好ましく、「膨張開始温度(t)+15℃」以上「膨張開始温度(t)+40℃」以下であることがより好ましい。具体的には、その熱膨張性粒子の種類に応じて、例えば、120〜250℃の範囲に加熱して膨張させればよい。 The method for expanding the expandable particles may be appropriately selected according to the type of the expandable particles, and when the expandable particles are thermally expandable particles, they may be heated to a temperature equal to or higher than the expansion start temperature (t). .. Here, the "expansion start temperature (t) or higher" is preferably "expansion start temperature (t) + 10 ° C." or higher and "expansion start temperature (t) + 60 ° C." or lower, and "expansion start temperature (t) + 60 ° C." More preferably, it is "t) + 15 ° C." or higher and "expansion start temperature (t) + 40 ° C." or lower. Specifically, depending on the type of the heat-expandable particles, for example, it may be heated to the range of 120 to 250 ° C. and expanded.

膨張性粒子の膨張は、基材(Y1)の粘着剤層(X1)とは反対側の面(Y1a)を固定した状態で実施することが好ましい。面(Y1a)が固定されていることによって、面(Y1a)に側における凹凸の発生が物理的に抑制され、粘着剤層(X1)の粘着表面(X1a)側に効率的に凹凸を形成することができる。前記固定は任意の方法を採用することができ、例えば、上記した非膨張性基材(Y1’)を基材(Y1)の面(Y1a)側に設ける方法、固定治具として複数の吸引孔を有する吸引テーブルを用いて、基材(Y1)の面(Y1a)を固定する方法、任意の粘着剤層、両面粘着シート等を介して基材(Y1)の面(Y1a)に硬質支持体を貼付する方法等が挙げられる。
前記吸引テーブルは、真空ポンプ等の減圧機構を有し、該減圧機構によって複数の吸引孔から対象物を吸引することによって、対象物を吸引面に固定するものである。
前記硬質支持体の材質は、機械的強度、耐熱性等を考慮して適宜決定すればよく、例えば、SUS等の金属材料;ガラス、シリコンウエハ等の非金属無機材料;エポキシ、ABS、アクリル、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック、ポリイミド、ポリアミドイミド等の樹脂材料;ガラスエポキシ樹脂等の複合材料等が挙げられ、これらの中でも、SUS、ガラス、及びシリコンウエハ等が好ましい。エンジニアリングプラスチックとしては、ナイロン、ポリカーボネート(PC)、及びポリエチレンテレフタレート(PET)等が挙げられる。スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、ポリフェニレンスルファイド(PPS)、ポリエーテルサルフォン(PES)、及びポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等が挙げられる。
The expansion of the expandable particles is preferably carried out in a state where the surface (Y1a) of the base material (Y1) opposite to the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is fixed. By fixing the surface (Y1a), the generation of unevenness on the side of the surface (Y1a) is physically suppressed, and the unevenness is efficiently formed on the adhesive surface (X1a) side of the adhesive layer (X1). be able to. Any method can be adopted for the fixing, for example, a method of providing the non-expandable base material (Y1') on the surface (Y1a) side of the base material (Y1), and a plurality of suction holes as a fixing jig. A method of fixing the surface (Y1a) of the base material (Y1) using a suction table having the above, a hard support on the surface (Y1a) of the base material (Y1) via an arbitrary adhesive layer, a double-sided adhesive sheet, or the like. There is a method of pasting.
The suction table has a decompression mechanism such as a vacuum pump, and the object is fixed to the suction surface by sucking the object from a plurality of suction holes by the decompression mechanism.
The material of the hard support may be appropriately determined in consideration of mechanical strength, heat resistance, etc. For example, a metal material such as SUS; a non-metallic inorganic material such as glass or silicon wafer; epoxy, ABS, acrylic, etc. Resin materials such as engineering plastics, super engineering plastics, polyimides and polyamideimides; composite materials such as glass epoxy resins are mentioned, and among these, SUS, glass, silicon wafers and the like are preferable. Examples of engineering plastics include nylon, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), and the like. Examples of super engineering plastics include polyphenylene sulfide (PPS), polyethersulfone (PES), and polyetheretherketone (PEEK).

次に、粘着シート(A)上の複数の半導体チップCPを、粘着シート(A)上で封止樹脂により封止してから再配線を形成する工程(以下、「工程(4A)」ともいう)と、複数の半導体チップCPを粘着シート(A)と分離して、複数の半導体チップCPを整列させる工程を実施してから、封止及び再配線を形成する工程(以下、「工程(4B)」ともいう)について説明する。 Next, a step of sealing the plurality of semiconductor chip CPs on the pressure-sensitive adhesive sheet (A) with a sealing resin on the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and then forming rewiring (hereinafter, also referred to as “step (4A)”). ) And the step of separating the plurality of semiconductor chip CPs from the adhesive sheet (A) and aligning the plurality of semiconductor chip CPs, and then forming the sealing and rewiring (hereinafter, "step (4B)". ) ”) Will be explained.

<工程(4A)>
工程(4A)は、粘着シート(A)上の複数の半導体チップCPを、粘着シート(A)上で封止樹脂により封止してから再配線を形成する工程であり、下記工程(4A−1)〜(4A〜3)を有することが好ましい。
工程(4A−1):複数の半導体チップCPと、粘着シート(A)の粘着剤層(X1)の粘着表面のうち複数の半導体チップCPの周辺部と、を封止材で被覆し、該封止材を硬化させて、前記複数の半導体チップCPが硬化封止材に封止されてなる硬化封止体を得る工程
工程(4A−2):前記膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)と前記硬化封止体とを分離する工程。
工程(4A−3):粘着シート(A)を分離した硬化封止体に、再配線層を形成する工程
粘着シート(A)は、工程(4A)のように、半導体チップを封止する際の仮固定用シートとしても好適である。粘着シート(A)は、膨張性粒子が、粘着剤層ではなく、弾性率が高い非粘着性樹脂に含まれるため、半導体チップを載置する粘着剤層(X1)の厚さの調整、粘着力、粘弾性率等の制御等、設計の自由度が向上する。これによって半導体チップの位置ズレの発生を抑制できると共に、半導体チップが両面粘着シートに沈み込むことを抑制し、平坦性に優れる再配線層形成面を形成することができる。さらに、粘着シート(A)を用いる場合、半導体チップは、粘着剤層(X1)の粘着表面に載置されるため、膨張性粒子を含む基材(Y1)と再配線層形成面とが直に接することがない。これによって、膨張性粒子に由来する残渣及び大きく変形した粘着剤層の一部が再配線層形成面に付着したり、熱膨張性粘着層に形成された凹凸形状が再配線層形成面に転写されてしまい平滑性が低下することが抑制され、清浄性及び平滑性に優れた再配線層形成面が得られる。
<Process (4A)>
The step (4A) is a step of sealing a plurality of semiconductor chip CPs on the pressure-sensitive adhesive sheet (A) with a sealing resin on the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and then forming rewiring, and is a step of forming rewiring. It is preferable to have 1) to (4A to 3).
Step (4A-1): The plurality of semiconductor chip CPs and the peripheral portion of the plurality of semiconductor chip CPs on the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) are coated with a sealing material. Step of curing the encapsulant to obtain a cured encapsulant obtained by encapsulating the plurality of semiconductor chip CPs in the cured encapsulant (4A-2): Expanding the expandable particles to obtain an adhesive sheet A step of separating (A) from the cured sealant.
Step (4A-3): A step of forming a rewiring layer on a cured seal body from which the adhesive sheet (A) is separated. The adhesive sheet (A) is used when sealing a semiconductor chip as in the step (4A). It is also suitable as a temporary fixing sheet. In the pressure-sensitive adhesive sheet (A), since the expandable particles are contained not in the pressure-sensitive adhesive layer but in the non-adhesive resin having a high elastic modulus, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) on which the semiconductor chip is placed can be adjusted and adhered. The degree of freedom in design, such as control of force and viscoelasticity, is improved. As a result, it is possible to suppress the occurrence of misalignment of the semiconductor chip, suppress the semiconductor chip from sinking into the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, and form a rewiring layer forming surface having excellent flatness. Further, when the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is used, since the semiconductor chip is placed on the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), the base material (Y1) containing the expandable particles and the rewiring layer forming surface are directly connected to each other. Never come in contact with. As a result, the residue derived from the expandable particles and a part of the greatly deformed pressure-sensitive adhesive layer adhere to the rewiring layer forming surface, and the uneven shape formed on the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer is transferred to the rewiring layer forming surface. It is suppressed that the smoothness is deteriorated, and a rewiring layer forming surface having excellent cleanliness and smoothness can be obtained.

〔工程(4A−1)〕
図8(a)〜(c)には、複数の半導体チップCPと、粘着剤層(X1)の粘着表面(X1a)のうち複数の半導体チップCPの周辺部45と、を封止材40で被覆し(以下、該工程を「被覆工程」ともいう)、該封止材40を硬化させて(以下、該工程を「硬化工程」ともいう)、複数の半導体チップCPが硬化封止材41に封止されてなる硬化封止体50を得る工程(4A−1)を説明する断面図が示されている。
[Step (4A-1)]
8 (a) to 8 (c) show a plurality of semiconductor chip CPs and peripheral portions 45 of the plurality of semiconductor chip CPs on the adhesive surface (X1a) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) with a sealing material 40. The sealing material 40 is cured (hereinafter, the process is also referred to as a “curing step”) by coating (hereinafter, the step is also referred to as a “coating step”), and a plurality of semiconductor chip CPs are cured and the sealing material 41 is formed. A cross-sectional view illustrating the step (4A-1) of obtaining the cured sealed body 50 sealed in is shown.

封止材40は、複数の半導体チップCP及びそれに付随する要素を外部環境から保護する機能を有するものである。封止材40としては特に制限はなく、従来、半導体封止材料として使用されているものの中から、任意のものを適宜選択して用いることができる。
封止材40は、機械的強度、耐熱性、絶縁性等の観点から、硬化性を有するものであり、例えば、熱硬化性樹脂組成物、エネルギー線硬化性樹脂組成物等が挙げられる。
封止材40である熱硬化性樹脂組成物が含有する熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等が挙げられるが、機械的強度、耐熱性、絶縁性、成形性等の観点から、エポキシ樹脂が好ましい。
前記熱硬化性樹脂組成物は、前記熱硬化性樹脂の他にも、必要に応じて、フェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤等の硬化剤、硬化促進剤、シリカ等の無機充填材、エラストマー等の添加剤を含有していてもよい。
封止材40は、室温で固形であっても、液状であってもよい。また、室温で固形である封止材40の形態は、特に限定されず、例えば、顆粒状、シート状等であってもよい。
本実施形態においては、シート状の封止材(以下、「シート状封止材」ともいう)を用いて被覆工程及び硬化工程を実施することが好ましい。シート状封止材を用いる方法では、シート状封止材を複数の半導体チップCP及びその周辺部45を覆うように載置することで、複数の半導体チップCP及びその周辺部45を封止材40によって被覆する。その際、複数の半導体チップCP同士の間隙に、封止材40が充填されない部分が生じないように、真空ラミネート法等によって、適宜減圧しながら、加熱及び圧着させることが好ましい。
The encapsulant 40 has a function of protecting a plurality of semiconductor chip CPs and elements associated therewith from the external environment. The sealing material 40 is not particularly limited, and any material that has been conventionally used as a semiconductor sealing material can be appropriately selected and used.
The sealing material 40 has curability from the viewpoint of mechanical strength, heat resistance, insulating property, and the like, and examples thereof include a thermosetting resin composition and an energy ray-curable resin composition.
Examples of the thermosetting resin contained in the thermosetting resin composition which is the sealing material 40 include epoxy resin, phenol resin, cyanate resin, etc., and include mechanical strength, heat resistance, insulating property, and moldability. Epoxy resin is preferable from the viewpoint of the above.
In addition to the thermosetting resin, the thermosetting resin composition includes, if necessary, a curing agent such as a phenol resin-based curing agent and an amine-based curing agent, a curing accelerator, and an inorganic filler such as silica. It may contain an additive such as an elastomer.
The sealing material 40 may be solid or liquid at room temperature. The form of the encapsulant 40, which is solid at room temperature, is not particularly limited, and may be, for example, granular or sheet-like.
In the present embodiment, it is preferable to carry out the coating step and the curing step using a sheet-shaped sealing material (hereinafter, also referred to as “sheet-shaped sealing material”). In the method using the sheet-shaped sealing material, the sheet-shaped sealing material is placed so as to cover the plurality of semiconductor chip CPs and their peripheral portions 45, so that the plurality of semiconductor chip CPs and their peripheral portions 45 are covered with the sealing material. Cover with 40. At that time, it is preferable to heat and crimp while appropriately reducing the pressure by a vacuum laminating method or the like so that a portion where the sealing material 40 is not filled does not occur in the gap between the plurality of semiconductor chip CPs.

封止材40により、複数の半導体チップCP及びその周辺部45を被覆する方法としては、従来、半導体封止工程に適用されている方法の中から、任意の方法を適宜選択して適用することができ、例えば、ロールラミネート法、真空プレス法、真空ラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、トランスファーモールディング法、圧縮成形モールド法等を適用することができる。
これらの方法においては、通常、封止材40の充填性を高めるために、被覆時に封止材40を加熱して流動性を付与する。
前記被覆工程において熱硬化性樹脂組成物を加熱する温度は、封止材40の種類、粘着シート(A)の種類等によっても異なるが、例えば、30〜180℃であり、50〜170℃が好ましく、70〜150℃がより好ましい。また、加熱時間は、例えば、5秒〜60分間であり、10秒〜45分間が好ましく、15秒〜30分間がより好ましい。
As a method of coating the plurality of semiconductor chip CPs and the peripheral portion 45 thereof with the sealing material 40, an arbitrary method is appropriately selected and applied from the methods conventionally applied to the semiconductor sealing step. For example, a roll laminating method, a vacuum pressing method, a vacuum laminating method, a spin coating method, a die coating method, a transfer molding method, a compression molding molding method, or the like can be applied.
In these methods, in order to improve the filling property of the sealing material 40, the sealing material 40 is usually heated at the time of coating to impart fluidity.
The temperature at which the thermosetting resin composition is heated in the coating step varies depending on the type of the sealing material 40, the type of the pressure-sensitive adhesive sheet (A), and the like, but is, for example, 30 to 180 ° C, and 50 to 170 ° C. Preferably, 70 to 150 ° C. is more preferable. The heating time is, for example, 5 seconds to 60 minutes, preferably 10 seconds to 45 minutes, and more preferably 15 seconds to 30 minutes.

図8(b)に示すように、封止材40は、複数の半導体チップCPの表出している面全体を覆いつつ、複数の半導体チップCP同士の間隙にも充填されている。 As shown in FIG. 8B, the sealing material 40 covers the entire exposed surface of the plurality of semiconductor chip CPs and is also filled in the gaps between the plurality of semiconductor chip CPs.

次に、図8(c)に示すように、被覆工程を行った後、封止材40を硬化させて、複数の半導体チップCPが硬化封止材41に封止されてなる硬化封止体50を得る。
前記硬化工程において、封止材40を硬化させる温度は、封止材40の種類、粘着シート(A)の種類等によっても異なるが、例えば、80〜240℃であり、90〜200℃が好ましく、100〜170℃がより好ましい。また、加熱時間は、例えば、10〜180分間であり、20〜150分間が好ましく、30〜120分間がより好ましい。
工程(4A−1)により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップCPが硬化封止材41に埋め込まれた硬化封止体50が得られる。
Next, as shown in FIG. 8C, after performing the coating step, the sealing material 40 is cured, and a plurality of semiconductor chip CPs are sealed in the curing sealing material 41. Get 50.
In the curing step, the temperature at which the sealing material 40 is cured varies depending on the type of the sealing material 40, the type of the adhesive sheet (A), and the like, but is, for example, 80 to 240 ° C., preferably 90 to 200 ° C. , 100-170 ° C. is more preferable. The heating time is, for example, 10 to 180 minutes, preferably 20 to 150 minutes, and more preferably 30 to 120 minutes.
By the step (4A-1), a cured sealing body 50 in which a plurality of semiconductor chip CPs separated by a predetermined distance are embedded in the curing sealing material 41 is obtained.

〔工程(4A−2)〕
次に、図8(d)に示すように、粘着シート(A)を硬化封止体50から分離する。
粘着シート(A)を分離する方法は、上記で説明した通りである。
なお、本実施形態では、複数の半導体チップCPの回路面W1が、粘着シート(A)の粘着剤層(X1)と接する状態で封止工程を実施する例を説明したが、回路面W1が表出した状態(すなわち、チップ裏面が粘着剤層(X1)と接する状態)で、封止工程を実施してもよい。この場合、複数の半導体チップCPの回路面W1は、封止樹脂に覆われることになるが、封止樹脂を硬化させた後、適宜、グラインダー等を使用して硬化封止材を削り、再度回路面W1を表出させればよい。
[Step (4A-2)]
Next, as shown in FIG. 8D, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is separated from the cured sealant 50.
The method for separating the adhesive sheet (A) is as described above.
In the present embodiment, an example in which the sealing step is performed in a state where the circuit surface W1 of the plurality of semiconductor chip CPs is in contact with the adhesive layer (X1) of the adhesive sheet (A) has been described, but the circuit surface W1 is The sealing step may be carried out in an exposed state (that is, a state in which the back surface of the chip is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X1)). In this case, the circuit surface W1 of the plurality of semiconductor chip CPs is covered with the sealing resin, but after the sealing resin is cured, the cured sealing material is appropriately scraped off using a grinder or the like, and the cured sealing material is scraped again. The circuit surface W1 may be exposed.

〔工程(4A−3):再配線層形成工程〕
図9(a)〜(c)には、粘着シート(A)を分離した硬化封止体50に、再配線層を形成する工程(4A−3)を説明する断面図が示されている。
図9(b)には、半導体チップCPの回路面W1及び硬化封止体50の面50aに第1絶縁層61を形成する工程を説明する断面図が示されている。
絶縁性樹脂を含む第1絶縁層61を、回路面W1及び面50aの上に、半導体チップCPの回路W2又は回路W2の内部端子電極W3を露出させるように形成する。絶縁性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。内部端子電極W3の材質は、導電性材料であれば限定されず、金、銀、銅、アルミニウム等の金属、これらの金属を含む合金等が挙げられる。
[Step (4A-3): Rewiring layer forming step]
9 (a) to 9 (c) are cross-sectional views illustrating a step (4A-3) of forming a rewiring layer on the cured sealing body 50 from which the adhesive sheet (A) is separated.
FIG. 9B shows a cross-sectional view illustrating a step of forming the first insulating layer 61 on the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP and the surface 50a of the cured sealant 50.
The first insulating layer 61 containing an insulating resin is formed on the circuit surface W1 and the surface 50a so as to expose the circuit W2 of the semiconductor chip CP or the internal terminal electrode W3 of the circuit W2. Examples of the insulating resin include a polyimide resin, a polybenzoxazole resin, and a silicone resin. The material of the internal terminal electrode W3 is not limited as long as it is a conductive material, and examples thereof include metals such as gold, silver, copper, and aluminum, and alloys containing these metals.

図9(c)には、硬化封止体50に封止された半導体チップCPと電気的に接続する再配線70を形成する工程を説明する断面図が示されている。
本実施形態では、第1絶縁層61の形成に続いて再配線70を形成する。再配線70の材質は、導電性材料であれば限定されず、金、銀、銅、アルミニウム等の金属、これらの金属を含む合金等が挙げられる。再配線70は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法等の公知の方法により形成できる。
FIG. 9C shows a cross-sectional view illustrating a step of forming the rewiring 70 that is electrically connected to the semiconductor chip CP sealed in the cured sealing body 50.
In the present embodiment, the rewiring 70 is formed following the formation of the first insulating layer 61. The material of the rewiring 70 is not limited as long as it is a conductive material, and examples thereof include metals such as gold, silver, copper, and aluminum, and alloys containing these metals. The rewiring 70 can be formed by a known method such as a subtractive method or a semi-additive method.

図10(a)には、再配線70を覆う第2絶縁層62を形成する工程を説明する断面図が示されている。
再配線70は、外部端子電極用の外部電極パッド70Aを有する。第2絶縁層62には開口等を設けて、外部端子電極用の外部電極パッド70Aを露出させる。本実施形態では、外部電極パッド70Aは、硬化封止体50の半導体チップCPの領域(回路面W1に対応する領域)内及び領域外(硬化封止体50上の面50aに対応する領域)に露出させている。また、再配線70は、外部電極パッド70Aがアレイ状に配置されるように、硬化封止体50の面50aに形成されている。本実施形態では、硬化封止体50の半導体チップCPの領域外に外部電極パッド70Aを露出させる構造を有するので、FOWLP又はFOPLPを得ることができる。
FIG. 10A shows a cross-sectional view illustrating a step of forming the second insulating layer 62 that covers the rewiring 70.
The rewiring 70 has an external electrode pad 70A for the external terminal electrode. An opening or the like is provided in the second insulating layer 62 to expose the external electrode pad 70A for the external terminal electrode. In the present embodiment, the external electrode pad 70A is inside and outside the region (region corresponding to the circuit surface W1) of the semiconductor chip CP of the cured sealant 50 (region corresponding to the surface 50a on the cured sealant 50). It is exposed to. Further, the rewiring 70 is formed on the surface 50a of the curing sealant 50 so that the external electrode pads 70A are arranged in an array. In the present embodiment, since the external electrode pad 70A is exposed outside the region of the semiconductor chip CP of the cured sealant 50, FOWLP or FOPLP can be obtained.

(外部端子電極との接続工程)
次に、必要に応じて、外部電極パッド70Aに外部端子電極80を接続させてもよい。
図10(b)には、外部電極パッド70Aに外部端子電極80を接続させる工程を説明する断面図が示されている。
第2絶縁層62から露出する外部電極パッド70Aに、はんだボール等の外部端子電極80を載置し、はんだ接合等により、外部端子電極80と外部電極パッド70Aとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、含鉛はんだ、無鉛はんだ等が挙げられる。
(Connection process with external terminal electrodes)
Next, the external terminal electrode 80 may be connected to the external electrode pad 70A, if necessary.
FIG. 10B shows a cross-sectional view illustrating a step of connecting the external terminal electrode 80 to the external electrode pad 70A.
An external terminal electrode 80 such as a solder ball is placed on the external electrode pad 70A exposed from the second insulating layer 62, and the external terminal electrode 80 and the external electrode pad 70A are electrically connected by solder joining or the like. The material of the solder ball is not particularly limited, and examples thereof include lead-containing solder and lead-free solder.

(第二のダイシング工程)
図10(c)は、外部端子電極80が接続された硬化封止体50を個片化させる第二のダイシング工程を説明する断面図が示されている。
本工程では、硬化封止体50を半導体チップCP単位で個片化する。硬化封止体50を個片化させる方法は、特に限定されず、ダイシングソー等の切断手段等によって実施することができる。
硬化封止体50を個片化することで、半導体チップCP単位の半導体装置100が製造される。上述のように半導体チップCPの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド70Aに外部端子電極80を接続させた半導体装置100は、FOWLP、FOPLP等として製造される。
(Second dicing process)
FIG. 10C shows a cross-sectional view illustrating a second dicing step of individualizing the cured sealant 50 to which the external terminal electrode 80 is connected.
In this step, the cured sealant 50 is individualized in units of semiconductor chip CP. The method for individualizing the cured sealant 50 is not particularly limited, and can be carried out by a cutting means such as a dicing saw.
By individualizing the cured sealant 50, the semiconductor device 100 of the semiconductor chip CP unit is manufactured. The semiconductor device 100 in which the external terminal electrode 80 is connected to the external electrode pad 70A fan-outed outside the region of the semiconductor chip CP as described above is manufactured as FOWLP, FOPLP, or the like.

(実装工程)
本実施形態では、個片化された半導体装置100を、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。
(Mounting process)
In the present embodiment, it is also preferable to include a step of mounting the fragmented semiconductor device 100 on a printed wiring board or the like.

<工程(4B)>
次に、工程(3)の後に、複数の半導体チップCPを粘着シート(A)と分離して、半導体チップを整列させる再配列を実施してから、封止及び再配線を形成する工程(4B)について説明する。工程(4B)は、下記工程(4B−1)及び(4B−2)を有することが好ましい。
工程(4B−1):前記膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)と複数の半導体チップCPとを分離する工程。
工程(4B−2):粘着シート(A)から分離した前記複数の半導体チップCPを、整列させる工程。
前記工程(4B−2)は、粘着シート(A)から分離した複数の半導体チップCPを、複数の半導体チップCPを収容可能な収容部を複数備える整列治具を用いて整列させる工程であることが好ましい。
<Process (4B)>
Next, after the step (3), a plurality of semiconductor chip CPs are separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A), rearrangement for aligning the semiconductor chips is performed, and then sealing and rewiring are formed (4B). ) Will be explained. The step (4B) preferably includes the following steps (4B-1) and (4B-2).
Step (4B-1): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the plurality of semiconductor chip CPs.
Step (4B-2): A step of aligning the plurality of semiconductor chip CPs separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A).
The step (4B-2) is a step of aligning a plurality of semiconductor chip CPs separated from the adhesive sheet (A) by using an alignment jig provided with a plurality of accommodating portions capable of accommodating the plurality of semiconductor chip CPs. Is preferable.

〔工程(4B−1)〕
図11(a)及び(b)には、粘着シート(A)中の膨張性粒子を膨張させることにより、粘着シート(A)と複数の半導体チップCPとを分離して、分離した複数の半導体チップCPを、保持部材20上に載置されている整列治具10に移動する工程(4B−1)を説明する断面図が示されている。整列治具10は、半導体チップCPを収容可能な収容部11を複数備えるものである。
粘着シート(A)と複数の半導体チップCPとを分離する条件は、上記で説明した通りである。
図11(b)に示すとおり、保持部材20はその保持面21上に、整列治具10が載置されており、整列治具10の開口部である収容部11内に、半導体チップCPが収容されている。
保持部材20は、図示しない減圧手段によって半導体チップCPを吸着保持していてもよい。
図12は、整列治具10の平面図を表しており、整列治具10は、枠状の本体部12と、半導体チップCPを収容可能な収容部11とを備えている。整列治具10は、平面視で略正方形状に開口する収容部11が正方格子状に配列されている。
[Step (4B-1)]
In FIGS. 11A and 11B, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chip CPs are separated by expanding the expandable particles in the pressure-sensitive adhesive sheet (A), and the plurality of separated semiconductors are shown. A cross-sectional view illustrating a step (4B-1) of moving the chip CP to the alignment jig 10 mounted on the holding member 20 is shown. The alignment jig 10 includes a plurality of accommodating portions 11 capable of accommodating the semiconductor chip CP.
The conditions for separating the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chip CPs are as described above.
As shown in FIG. 11B, the holding member 20 has the alignment jig 10 mounted on the holding surface 21, and the semiconductor chip CP is placed in the accommodating portion 11 which is the opening of the alignment jig 10. It is contained.
The holding member 20 may adsorb and hold the semiconductor chip CP by a decompression means (not shown).
FIG. 12 shows a plan view of the alignment jig 10, and the alignment jig 10 includes a frame-shaped main body portion 12 and an accommodating portion 11 capable of accommodating the semiconductor chip CP. In the alignment jig 10, the accommodating portions 11 that open in a substantially square shape in a plan view are arranged in a square grid pattern.

〔工程(4B−2)〕
図13(a)及び(b)には、粘着シート(A)から分離した複数の半導体チップCPを、整列させる工程(4B−2)を説明する断面図が示されている。
図13(a)に示すように、粘着シート(A)から分離した複数の半導体チップCPは、複数の半導体チップCPを収容可能な収容部11を複数備える整列治具10の収容部11内に載置される。
次に、図13(b)に示すように、保持部材20上の整列治具10を、X方向及びY方向に移動させて、整列治具10の壁部11aと半導体チップCPの側面CPaとを当接させる。このとき、保持部材20自体、又は保持部材20と整列治具10の両方を移動させて、整列治具10の壁部11aと半導体チップCPの側面CPaとを当接させてもよい。
これによって、図13(b)に示すように、整列された複数の半導体チップCPが得られる。
[Step (4B-2)]
13 (a) and 13 (b) are cross-sectional views illustrating a step (4B-2) of aligning a plurality of semiconductor chip CPs separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A).
As shown in FIG. 13A, the plurality of semiconductor chip CPs separated from the adhesive sheet (A) are housed in the accommodating portion 11 of the alignment jig 10 including the plurality of accommodating portions 11 capable of accommodating the plurality of semiconductor chip CPs. It will be placed.
Next, as shown in FIG. 13B, the alignment jig 10 on the holding member 20 is moved in the X and Y directions to move the wall portion 11a of the alignment jig 10 and the side surface CPa of the semiconductor chip CP. To abut. At this time, the holding member 20 itself or both the holding member 20 and the alignment jig 10 may be moved so that the wall portion 11a of the alignment jig 10 and the side surface CPa of the semiconductor chip CP are brought into contact with each other.
As a result, as shown in FIG. 13B, a plurality of aligned semiconductor chip CPs are obtained.

工程(4B)で整列された複数の半導体チップCPは、その後、必要に応じて、前記反転工程及び転写工程等を行った後、再度、粘着シート(A)等の仮固定用シート上に転写され、前記工程(4A)と同様の封止工程、再配線形成工程を経て、FOWLP、FOPLPを製造することができる。 The plurality of semiconductor chip CPs aligned in the step (4B) are then transferred to the temporary fixing sheet such as the adhesive sheet (A) again after performing the inversion step and the transfer step as necessary. Then, FOWLP and FOPLP can be produced through the same sealing step and rewiring forming step as in the step (4A).

本発明について、以下の実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下の製造例及び実施例における物性値は、以下の方法により測定した値である。 The present invention will be specifically described with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples. The physical property values in the following production examples and examples are values measured by the following methods.

<質量平均分子量(Mw)>
ゲル浸透クロマトグラフ装置(東ソー株式会社製、製品名「HLC−8020」)を用いて、下記の条件下で測定し、標準ポリスチレン換算にて測定した値を用いた。
(測定条件)
・カラム:「TSK guard column HXL−L」「TSK gel G2500HXL」「TSK gel G2000HXL」「TSK gel G1000HXL」(いずれも東ソー株式会社製)を順次連結したもの
・カラム温度:40℃
・展開溶媒:テトラヒドロフラン
・流速:1.0mL/min
<Mass average molecular weight (Mw)>
It was measured under the following conditions using a gel permeation chromatograph device (manufactured by Tosoh Corporation, product name "HLC-8020"), and the value measured in terms of standard polystyrene was used.
(Measurement condition)
-Column: "TSK guard volume HXL-L""TSK gel G2500HXL""TSK gel G2000HXL""TSK gel G1000HXL" (all manufactured by Tosoh Corporation) are connected in sequence.-Column temperature: 40 ° C.
-Development solvent: tetrahydrofuran-Flow velocity: 1.0 mL / min

<各層の厚さの測定>
株式会社テクロック製の定圧厚さ測定器(型番:「PG−02J」、標準規格:JIS K6783、Z1702、Z1709に準拠)を用いて測定した。
<Measurement of thickness of each layer>
The measurement was performed using a constant pressure thickness measuring instrument (model number: "PG-02J", standard: JIS K6783, Z1702, Z1709 compliant) manufactured by Teclock Co., Ltd.

<熱膨張性粒子の平均粒子径(D50)、90%粒子径(D90)>
レーザ回折式粒度分布測定装置(例えば、Malvern社製、製品名「マスターサイザー3000」)を用いて、23℃における膨張前の熱膨張性粒子の粒子分布を測定した。
そして、粒子分布の粒子径の小さい方から計算した累積体積頻度が50%及び90%に相当する粒子径を、それぞれ「熱膨張性粒子の平均粒子径(D50)」及び「熱膨張性粒子の90%粒子径(D90)とした。
<Average particle size of thermally expandable particles (D 50 ), 90% particle size (D 90 )>
Using a laser diffraction type particle size distribution measuring device (for example, manufactured by Malvern, product name “Master Sizar 3000”), the particle distribution of the thermally expandable particles before expansion at 23 ° C. was measured.
Then, the particle diameters corresponding to the cumulative volume frequencies of 50% and 90% calculated from the smaller particle diameter of the particle distribution are set to "average particle diameter of thermally expandable particles (D 50 )" and "thermally expandable particles", respectively. 90% particle size (D 90 ).

<膨張性基材の貯蔵弾性率E’>
測定対象が非粘着性の膨張性基材である場合、当該膨張性基材を縦5mm×横30mm×厚さ200μmの大きさとし、剥離材を除去したものを試験サンプルとした。
動的粘弾性測定装置(TAインスツルメント社製、製品名「DMAQ800」)を用いて、試験開始温度0℃、試験終了温度300℃、昇温速度3℃/分、振動数1Hz、振幅20μmの条件で、所定の温度における、当該試験サンプルの貯蔵弾性率E’を測定した。
<Storage modulus E'of expansive substrate>
When the measurement target was a non-adhesive expandable base material, the expandable base material had a size of 5 mm in length × 30 mm in width × 200 μm in thickness, and the one from which the release material was removed was used as a test sample.
Using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by TA Instruments, product name "DMAQ800"), the test start temperature is 0 ° C, the test end temperature is 300 ° C, the temperature rise rate is 3 ° C / min, the frequency is 1 Hz, and the amplitude is 20 μm. The storage elastic modulus E'of the test sample at a predetermined temperature was measured under the conditions of.

<粘着剤層の貯蔵せん断弾性率G’>
測定対象が粘着性を有する粘着剤層である場合、当該粘着剤層を直径8mm×厚さ3mmとし、剥離材を除去したものを試験サンプルとした。
粘弾性測定装置(Anton Paar社製、装置名「MCR300」)を用いて、試験開始温度0℃、試験終了温度300℃、昇温速度3℃/分、振動数1Hzの条件で、ねじりせん断法によって、所定の温度における、試験サンプルの貯蔵せん断弾性率G’を測定した。そして、貯蔵弾性率E’の値は、測定した貯蔵せん断弾性率G’の値を基に、近似式「E’=3G’」から算出した。
<Storage shear modulus G'of the adhesive layer>
When the object to be measured was an adhesive layer having adhesiveness, the adhesive layer had a diameter of 8 mm and a thickness of 3 mm, and the one from which the release material was removed was used as a test sample.
Torsional shearing method using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Antonio Par, device name "MCR300") under the conditions of test start temperature 0 ° C, test end temperature 300 ° C, temperature rise rate 3 ° C / min, and frequency 1 Hz. The stored shear viscoelasticity G'of the test sample at a predetermined temperature was measured. Then, the value of the storage elastic modulus E'was calculated from the approximate formula "E'= 3G'" based on the measured value of the storage shear elastic modulus G'.

<プローブタック値>
測定対象となる膨張性基材又は粘着剤層を一辺10mmの正方形に切断した後、23℃、50%RH(相対湿度)の環境下で24時間静置し、軽剥離フィルムを除去したものを試験サンプルとした。
前記試験サンプルを、23℃、50%RH(相対湿度)の環境下で、タッキング試験機(日本特殊測器株式会社製、製品名「NTS−4800」)を用いて、軽剥離フィルムを除去して表出した、前記試験サンプルの表面におけるプローブタック値を、JIS Z0237:1991に準拠して測定した。
具体的には、直径5mmのステンレス鋼製のプローブを、1秒間、接触荷重0.98N/cmで試験サンプルの表面に接触させた後、当該プローブを10mm/秒の速度で、試験サンプルの表面から離すのに必要な力を測定した。そして、その測定した値を、その試験サンプルのプローブタック値とした。
<Probe tack value>
The expansive substrate or adhesive layer to be measured was cut into squares with a side of 10 mm and then allowed to stand in an environment of 23 ° C. and 50% RH (relative humidity) for 24 hours to remove the light release film. It was used as a test sample.
The light release film was removed from the test sample using a tacking tester (manufactured by Japanese Industrial Standards Co., Ltd., product name "NTS-4800") in an environment of 23 ° C. and 50% RH (relative humidity). The probe tack value on the surface of the test sample expressed as described above was measured according to JIS Z0237: 1991.
Specifically, a stainless steel probe having a diameter of 5 mm is brought into contact with the surface of the test sample for 1 second with a contact load of 0.98 N / cm 2 , and then the probe is brought into contact with the surface of the test sample at a speed of 10 mm / sec. The force required to separate it from the surface was measured. Then, the measured value was used as the probe tack value of the test sample.

以下の製造例での各層の形成で使用した粘着性樹脂、添加剤、熱膨張性粒子、及び剥離材の詳細は以下のとおりである。
<粘着性樹脂>
・アクリル系共重合体(i):2−エチルヘキシルアクリレート(2EHA)/2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)=80.0/20.0(質量比)からなる原料モノマーに由来の構成単位を有する、Mw60万のアクリル系共重合体を含む溶液。希釈溶媒:酢酸エチル、固形分濃度:40質量%。
・アクリル系共重合体(ii):n−ブチルアクリレート(BA)/メチルメタクリレート(MMA)/2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)/アクリル酸=86.0/8.0/5.0/1.0(質量比)からなる原料モノマーに由来の構成単位を有する、Mw60万のアクリル系共重合体を含む溶液。希釈溶媒:酢酸エチル、固形分濃度:40質量%。
<添加剤>
・イソシアネート架橋剤(i):東ソー株式会社製、製品名「コロネートL」、固形分濃度:75質量%。
・光重合開始剤(i):BASF社製、製品名「イルガキュア184」、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン。
<熱膨張性粒子>
・熱膨張性粒子(i):株式会社クレハ製、製品名「S2640」、膨張開始温度(t)=208℃、平均粒子径(D50)=24μm、90%粒子径(D90)=49μm。
<剥離材>
・重剥離フィルム:リンテック株式会社製、製品名「SP−PET382150」、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの片面に、シリコーン系剥離剤から形成した剥離剤層を設けたもの、厚さ:38μm。
・軽剥離フィルム:リンテック株式会社製、製品名「SP−PET381031」、PETフィルムの片面に、シリコーン系剥離剤から形成した剥離剤層を設けたもの、厚さ:38μm。
Details of the adhesive resin, additives, heat-expandable particles, and release material used in the formation of each layer in the following production examples are as follows.
<Adhesive resin>
Acrylic copolymer (i): has a structural unit derived from a raw material monomer composed of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) / 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) = 80.0 / 20.0 (mass ratio). A solution containing an acrylic copolymer of Mw 600,000. Diluting solvent: ethyl acetate, solid content concentration: 40% by mass.
-Acrylic copolymer (ii): n-butyl acrylate (BA) / methyl methacrylate (MMA) / 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) / acrylic acid = 86.0 / 8.0 / 5.0 / 1. A solution containing an acrylic copolymer of Mw 600,000, which has a structural unit derived from a raw material monomer consisting of 0 (mass ratio). Diluting solvent: ethyl acetate, solid content concentration: 40% by mass.
<Additives>
-Isocyanate cross-linking agent (i): manufactured by Tosoh Corporation, product name "Coronate L", solid content concentration: 75% by mass.
-Photopolymerization initiator (i): manufactured by BASF, product name "Irgacure 184", 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone.
<Thermal expandable particles>
-Thermal expandable particles (i): manufactured by Kureha Co., Ltd., product name "S2640", expansion start temperature (t) = 208 ° C., average particle diameter (D 50 ) = 24 μm, 90% particle diameter (D 90 ) = 49 μm. ..
<Release material>
-Heavy release film: manufactured by Lintec Corporation, product name "SP-PET382150", polyethylene terephthalate (PET) film provided with a release agent layer formed from a silicone-based release agent on one side, thickness: 38 μm.
-Light release film: manufactured by Lintec Corporation, product name "SP-PET381031", PET film provided with a release agent layer formed from a silicone-based release agent on one side, thickness: 38 μm.

製造例1
(粘着剤層(X1)の形成)
粘着性樹脂である、上記アクリル系共重合体(i)の溶液の固形分100質量部に、上記イソシアネート系架橋剤(i)5.0質量部(固形分比)を配合し、トルエンで希釈し、均一に撹拌して、固形分濃度(有効成分濃度)25質量%の粘着剤組成物(x1)を調製した。
そして、上記重剥離フィルムの剥離剤層の表面上に、調製した粘着剤組成物(x1)を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を100℃で60秒間乾燥して、厚さ10μmの粘着剤層(X1)を形成した。なお、23℃における、粘着剤層(X1)の貯蔵せん断弾性率G’(23)は、2.5×10Paであった。
Manufacturing example 1
(Formation of adhesive layer (X1))
5.0 parts by mass (solid content ratio) of the isocyanate-based cross-linking agent (i) is added to 100 parts by mass of the solid content of the solution of the acrylic copolymer (i), which is an adhesive resin, and diluted with toluene. Then, the mixture was uniformly stirred to prepare a pressure-sensitive adhesive composition (x1) having a solid content concentration (active ingredient concentration) of 25% by mass.
Then, the prepared pressure-sensitive adhesive composition (x1) is applied onto the surface of the release agent layer of the heavy-release film to form a coating film, and the coating film is dried at 100 ° C. for 60 seconds to have a thickness of 10 μm. Adhesive layer (X1) was formed. Incidentally, at 23 ° C., the storage shear modulus G of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) '(23) was 2.5 × 10 5 Pa.

製造例2
(粘着剤層(X1’)の形成)
粘着性樹脂である、上記アクリル系共重合体(ii)の溶液の固形分100質量部に、上記イソシアネート系架橋剤(i)0.8質量部(固形分比)を配合し、トルエンで希釈し、均一に撹拌して、固形分濃度(有効成分濃度)25質量%の粘着剤組成物(x1’)を調製した。そして、上記軽剥離フィルムの剥離剤層の表面上に、調製した粘着剤組成物(x1’)を塗布して塗膜を形成し、当該塗膜を100℃で60秒間乾燥して、厚さ10μmの粘着剤層(X1’)を形成した。なお、23℃における、粘着剤層(X1’)の貯蔵せん断弾性率G’(23)は、9.0×10Paであった。
Manufacturing example 2
(Formation of adhesive layer (X1'))
0.8 parts by mass (solid content ratio) of the isocyanate-based cross-linking agent (i) is added to 100 parts by mass of the solid content of the solution of the acrylic copolymer (ii), which is an adhesive resin, and diluted with toluene. Then, the mixture was uniformly stirred to prepare a pressure-sensitive adhesive composition (x1') having a solid content concentration (active ingredient concentration) of 25% by mass. Then, the prepared pressure-sensitive adhesive composition (x1') is applied onto the surface of the release agent layer of the light release film to form a coating film, and the coating film is dried at 100 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness. A 10 μm pressure-sensitive adhesive layer (X1') was formed. The storage shear elastic modulus G'(23) of the pressure-sensitive adhesive layer (X1') at 23 ° C. was 9.0 × 10 3 Pa.

製造例3
(膨張性基材(Y1−1)の形成)
エステル型ジオールと、イソホロンジイソシアネート(IPDI)を反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、2−ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、質量平均分子量(Mw)5000の2官能のアクリルウレタン系オリゴマーを得た。
そして、上記で合成したアクリルウレタン系オリゴマー40質量%(固形分比)に、エネルギー線重合性モノマーとして、イソボルニルアクリレート(IBXA)40質量%(固形分比)、及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート(HPPA)20質量%(固形分比)を配合し、アクリルウレタン系オリゴマー及びエネルギー線重合性モノマーの全量100質量部に対して、さらに光重合開始剤(i)2.0質量部(固形分比)、及び、添加剤として、フタロシアニン系顔料0.2質量部(固形分比)を配合し、エネルギー線硬化性組成物を調製した。該エネルギー線硬化性組成物に、上記熱膨張性粒子(i)を配合し、溶媒を含有しない、無溶剤型の樹脂組成物(y1)を調製した。なお、樹脂組成物(y1)の全量(100質量%)に対する、熱膨張性粒子(i)の含有量は20質量%であった。
次いで、上記軽剥離フィルムの剥離剤層の表面上に、調製した樹脂組成物(y1)を塗布して塗膜を形成した。そして、紫外線照射装置(アイグラフィクス社製、製品名「ECS−401GX」)及び高圧水銀ランプ(アイグラフィクス社製、製品名「H04−L41」)を用いて、照度160mW/cm、光量500mJ/cmの条件で紫外線を照射し、当該塗膜を硬化させ、厚さ50μmの膨張性基材(Y1−1)を形成した。なお、紫外線照射時の上記の照度及び光量は、照度・光量計(EIT社製、製品名「UV Power Puck II」)を用いて測定した値である。
なお、上記で得られた膨張性基材(Y1−1)の23℃における貯蔵弾性率E’は、5.0×10Pa、100℃における貯蔵弾性率E’は、4.0×10Pa、208℃における貯蔵弾性率E’は、4.0×10Paであった。また、膨張性基材(Y1−1)のプローブタック値は、2mN/5mmφであった。
Manufacturing example 3
(Formation of expandable base material (Y1-1))
2-Hydroxyethyl acrylate is reacted with the terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the ester-type diol with isophorone diisocyanate (IPDI) to obtain a bifunctional acrylic urethane-based oligomer having a mass average molecular weight (Mw) of 5000. Obtained.
Then, 40% by mass (solid content ratio) of the acrylic urethane-based oligomer synthesized above, 40% by mass (solid content ratio) of isobornyl acrylate (IBXA) and phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA) as energy ray-polymerizable monomers. ) 20 parts by mass (solid content ratio) is blended, and 2.0 parts by mass (solid content ratio) of the photopolymerization initiator (i) is further added to 100 parts by mass of the total amount of the acrylic urethane-based oligomer and the energy ray-polymerizable monomer. , And 0.2 parts by mass (solid content ratio) of the phthalocyanine-based pigment was blended as an additive to prepare an energy ray-curable composition. The heat-expandable particles (i) were blended with the energy ray-curable composition to prepare a solvent-free resin composition (y1) containing no solvent. The content of the heat-expandable particles (i) was 20% by mass with respect to the total amount (100% by mass) of the resin composition (y1).
Next, the prepared resin composition (y1) was applied onto the surface of the release agent layer of the light release film to form a coating film. Then, using an ultraviolet irradiation device (manufactured by Eye Graphics, product name "ECS-401GX") and a high-pressure mercury lamp (manufactured by Eye Graphics, product name "H04-L41"), the illuminance is 160 mW / cm 2 , and the light intensity is 500 mJ /. The coating film was cured by irradiating with ultraviolet rays under the condition of cm 2 , and an expandable base material (Y1-1) having a thickness of 50 μm was formed. The above-mentioned illuminance and amount of light during ultraviolet irradiation are values measured using an illuminance / light intensity meter (manufactured by EIT, product name "UV Power Pack II").
Incidentally, the obtained storage elastic modulus E at 23 ° C. of expandable substrate (Y1-1) 'is the storage modulus E at 5.0 × 10 8 Pa, 100 ℃ ' above is 4.0 × 10 The storage elastic modulus E'at 6 Pa and 208 ° C. was 4.0 × 10 6 Pa. The probe tack value of the expandable base material (Y1-1) was 2 mN / 5 mmφ.

製造例4
(粘着シート(A)の作製)
製造例1で形成した粘着剤層(X1)と、製造例3で形成した膨張性基材(Y1−1)との表面同士を貼り合わせ、膨張性基材(Y1−1)側の軽剥離フィルムを除去し、表出した膨張性基材(Y1−1)の表面上に、製造例2で形成した粘着剤層(X1’)を貼り合わせた。これにより、軽剥離フィルム/粘着剤層(X1’)/膨張性基材(Y1−1)/粘着剤層(X1)/重剥離フィルムをこの順で積層した粘着シート(A)を作製した。
Manufacturing example 4
(Preparation of adhesive sheet (A))
The surfaces of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) formed in Production Example 1 and the expandable base material (Y1-1) formed in Production Example 3 are bonded to each other, and lightly peeled off on the expandable base material (Y1-1) side. The film was removed, and the pressure-sensitive adhesive layer (X1') formed in Production Example 2 was laminated on the surface of the exposed expandable base material (Y1-1). As a result, a pressure-sensitive adhesive sheet (A) in which a light release film / pressure-sensitive adhesive layer (X1') / expandable base material (Y1-1) / pressure-sensitive adhesive layer (X1) / heavy-release film was laminated in this order was produced.

製造例5
(粘着シート(B)(エキスパンドテープ)の作製)
ブチルアクリレート/2−ヒドロキシエチルアクリレート=85/15(質量比)を反応させて得られたアクリル系共重合体と、その2−ヒドロキシエチルアクリレートに対して80モル%のメタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)とを反応させて、エネルギー線硬化型重合体を得た。このエネルギー線硬化型重合体の質量平均分子量(Mw)は、60万であった。得られたエネルギー線硬化型重合体100質量部と、光重合開始剤としての1−ヒドロキシシクロフェニルケトン(BASF社製、製品名「イルガキュア184」)3質量部と、架橋剤としてのトリレンジイソシアネート系架橋剤(東ソー社製、製品名「コロネートL」)0.45質量部とを溶媒中で混合し、粘着性組成物を得た。
次に、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離フィルム(リンテック株式会社製、製品名「SP−PET3811」)の剥剤層の表離面に対して、上記粘着性組成物を塗布し、加熱により乾燥させることで、剥離フィルム上に、厚さ10μmの粘着剤層(X2)を形成した。その後、この粘着剤層の露出面に、基材(Y2)として、ポリエステル系ポリウレタンエラストマーシート(シーダム社製、製品名「ハイグレスDUS202」、厚さ50μm)の片面を貼り合わせることで、粘着剤層に剥離フィルムが貼付された状態で粘着シート(B)(エキスパンドテープ)を得た。
Production example 5
(Preparation of adhesive sheet (B) (expanded tape))
An acrylic copolymer obtained by reacting butyl acrylate / 2-hydroxyethyl acrylate = 85/15 (mass ratio) and 80 mol% of methacryloxyethyl isocyanate (MOI) with respect to the 2-hydroxyethyl acrylate. And were reacted to obtain an energy ray-curable polymer. The mass average molecular weight (Mw) of this energy ray-curable polymer was 600,000. 100 parts by mass of the obtained energy ray-curable polymer, 3 parts by mass of 1-hydroxycyclophenylketone (manufactured by BASF, product name "Irgacure 184") as a photopolymerization initiator, and tolylene diisocyanate as a cross-linking agent. 0.45 parts by mass of a system cross-linking agent (manufactured by Tosoh Corporation, product name "Coronate L") was mixed in a solvent to obtain an adhesive composition.
Next, with respect to the surface separation surface of the release film (manufactured by Lintec Corporation, product name "SP-PET3811") in which a silicone-based release agent layer is formed on one side of the polyethylene terephthalate (PET) film. The pressure-sensitive adhesive composition was applied and dried by heating to form a pressure-sensitive adhesive layer (X2) having a thickness of 10 μm on the release film. Then, one side of a polyester-based polyurethane elastomer sheet (manufactured by Seadam, product name "Higres DUS202", thickness 50 μm) is bonded to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer as a base material (Y2) to form a pressure-sensitive adhesive layer. An adhesive sheet (B) (expanded tape) was obtained with the release film attached to the surface.

[半導体装置の製造]
実施例1
上記で得られた粘着シート(A)及び粘着シート(B)を使用して、以下の方法により、半導体装置を製造した。
<工程(1)>
製造例5で得られた粘着シート(B)を210mm×210mmの大きさに裁断した。このとき、裁断後のシートの各辺が、粘着シート(B)の基材(Y2)のMD方向と平行又は垂直となるように裁断した。次に、粘着シート(B)から剥離シートを剥離し、半導体ウエハ(直径:150mm、厚さ:350μm)をダイシングして得られた複数の半導体チップ(1800個)を、回路形成面W1が、粘着剤層(X2)とは反対側となるように、粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に貼付した。このとき、半導体チップの一群が、粘着シート(B)の中央部に位置するように転写した。また、半導体ウエハを個片化したときのダイシングラインが、粘着シート(B)の各辺と平行又は垂直となるように転写した。
[Manufacturing of semiconductor devices]
Example 1
Using the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the pressure-sensitive adhesive sheet (B) obtained above, a semiconductor device was manufactured by the following method.
<Process (1)>
The adhesive sheet (B) obtained in Production Example 5 was cut into a size of 210 mm × 210 mm. At this time, each side of the sheet after cutting was cut so as to be parallel or perpendicular to the MD direction of the base material (Y2) of the adhesive sheet (B). Next, a plurality of semiconductor chips (1800 pieces) obtained by peeling the release sheet from the adhesive sheet (B) and dicing a semiconductor wafer (diameter: 150 mm, thickness: 350 μm) are formed by the circuit forming surface W1. It was attached on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) so as to be on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer (X2). At this time, a group of semiconductor chips were transferred so as to be located at the center of the pressure-sensitive adhesive sheet (B). Further, the dicing line when the semiconductor wafer was separated was transferred so as to be parallel or perpendicular to each side of the pressure-sensitive adhesive sheet (B).

続いて、複数の半導体チップが貼付されている粘着シート(B)を、2軸延伸可能なエキスパンド装置に設置した。エキスパンド装置は、図14に示すように、互いに直交するX軸方向(正の方向を+X軸方向、負の方向を−X軸方向とする。)とY軸方向(正の方向を+Y軸方向、負の方向を−Y軸方向とする。)を有し、各方向(すなわち、+X軸方向、−X軸方向、+Y軸方向、−Y軸方向)に延伸するための保持手段を有する。粘着シート(B)のMD方向を、X軸又はY軸方向と合わせて、エキスパンド装置に設置し、前記保持手段によって、粘着シート(B)の各辺を把持させてから、下記の条件にて、粘着シート(B)を引き伸ばし、粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に貼付されている複数の半導体チップ同士の間隔を広げた。
・保持手段の個数:一辺辺り、5個
・延伸速度:5mm/sec
・延伸距離:各辺を60mmずつ延伸した。
Subsequently, the pressure-sensitive adhesive sheet (B) to which the plurality of semiconductor chips were attached was installed in the biaxially stretchable expanding device. As shown in FIG. 14, the expanding device has an X-axis direction (a positive direction is a + X-axis direction and a negative direction is a -X-axis direction) and a Y-axis direction (a positive direction is a + Y-axis direction) that are orthogonal to each other. , The negative direction is the −Y axis direction), and has a holding means for extending in each direction (that is, + X axis direction, −X axis direction, + Y axis direction, −Y axis direction). The MD direction of the adhesive sheet (B) is aligned with the X-axis or Y-axis direction, the adhesive sheet (B) is installed in the expanding device, and each side of the adhesive sheet (B) is gripped by the holding means, and then under the following conditions. , The pressure-sensitive adhesive sheet (B) was stretched to widen the distance between the plurality of semiconductor chips attached on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B).
・ Number of holding means: 5 per side ・ Stretching speed: 5 mm / sec
-Stretching distance: Each side was stretched by 60 mm.

<工程(2)>
次に、製造例4で得られた粘着シート(A)を230mm×230mmの大きさに裁断した。
裁断後の粘着シート(A)から重剥離フィルムと軽剥離フィルムを剥離して、表出した粘着剤層(X1)を、前記複数の半導体チップの粘着剤層(X2)と接する面とは反対側の面に貼付し、表出した粘着剤層(X1’)の表面に支持体(SUS板、厚さ1mm、サイズ:200mmφ)を貼付した。
<Process (2)>
Next, the adhesive sheet (A) obtained in Production Example 4 was cut into a size of 230 mm × 230 mm.
The heavy-release film and the light-release film are peeled off from the adhesive sheet (A) after cutting, and the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1) is opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X2) of the plurality of semiconductor chips. A support (SUS plate, thickness 1 mm, size: 200 mmφ) was attached to the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1') after being attached to the side surface.

<工程(3)>
次いで、粘着シート(B)の基材側の面から、紫外線を照度230mW/cm、光量190mJ/cm照射し、粘着剤層を硬化させて、粘着シート(A)に貼付した前記複数の半導体チップと粘着シート(B)とを分離した。
これによって、粘着シート(A)の粘着剤層(X1)上に、一定の間隔を空けて載置された複数の半導体チップを得た。
<Process (3)>
Next, ultraviolet rays were irradiated from the surface of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) on the substrate side to an illuminance of 230 mW / cm 2 and a light intensity of 190 mJ / cm 2 to cure the pressure-sensitive adhesive layer, and the plurality of the pressure-sensitive adhesive sheets were attached to the pressure-sensitive adhesive sheet (A). The semiconductor chip and the adhesive sheet (B) were separated.
As a result, a plurality of semiconductor chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) at regular intervals were obtained.

<工程(4A−1)>
次いで、封止用樹脂フィルム(封止材)を、粘着表面(X1)及び複数の半導体チップの上に積層し、真空加熱加圧ラミネーター(ROHM and HAAS社製の「7024HP5」)を用いて、粘着剤層(X1)の粘着表面及び半導体チップを封止材で被覆すると共に、封止材を硬化させて硬化封止体を作製した。なお、封止条件は、下記の通りである。
・予熱温度:テーブル及びダイアフラムとも100℃
・真空引き:60秒間
・ダイナミックプレスモード:30秒間
・スタティックプレスモード:10秒間
・封止温度:180℃(熱膨張性粒子の膨張開始温度である208℃よりも低い温度)
・封止時間:60分間
<Process (4A-1)>
Next, a sealing resin film (sealing material) is laminated on the adhesive surface (X1) and a plurality of semiconductor chips, and a vacuum heating and pressurizing laminator (“7024HP5” manufactured by ROHM and HAAS) is used. The adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the semiconductor chip were covered with a sealing material, and the sealing material was cured to prepare a cured sealant. The sealing conditions are as follows.
・ Preheating temperature: 100 ° C for both table and diaphragm
・ Vacuuming: 60 seconds ・ Dynamic press mode: 30 seconds ・ Static press mode: 10 seconds ・ Sealing temperature: 180 ° C (temperature lower than 208 ° C, which is the expansion start temperature of thermally expandable particles)
・ Sealing time: 60 minutes

<工程(4A−2)>
封止後、粘着シート(A)を熱膨張性粒子の膨張開始温度(208℃)以上となる240℃で3分間加熱して粘着シート(A)から硬化封止体を分離した。なお、粘着シート(A)を分離する際には、粘着シート(A)を屈曲させることなく平面状に保ったまま、一括して分離することができた。
<Process (4A-2)>
After sealing, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) was heated at 240 ° C., which is equal to or higher than the expansion start temperature (208 ° C.) of the heat-expandable particles, for 3 minutes to separate the cured sealant from the pressure-sensitive adhesive sheet (A). When the pressure-sensitive adhesive sheet (A) was separated, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) could be separated all at once while being kept flat without bending.

上記の結果から、本実施形態の製造方法によると、エキスパンド工程によって間隔を広げたチップを、当該間隔を保持したまま、一括して容易にエキスパンドテープから分離することができ、かつ分離したチップを容易に次工程(封止工程)に供することができることが分かる。さらに、粘着シート(A)は、膨張性粒子を膨張させることで、粘着力を顕著に小さくできるため、封止工程後、容易に粘着シート(A)を分離することができた。 From the above results, according to the manufacturing method of the present embodiment, the chips whose intervals have been widened by the expanding step can be easily separated from the expanding tape all at once while maintaining the intervals, and the separated chips can be obtained. It can be seen that it can be easily applied to the next step (sealing step). Further, since the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) can be remarkably reduced by expanding the expandable particles, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) can be easily separated after the sealing step.

次に、本実施形態に用いる粘着シート(A)の分離性を下記試験により評価した。 Next, the separability of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) used in this embodiment was evaluated by the following test.

[粘着シートの粘着力の測定]
(粘着シート(A)の加熱前後の粘着力測定)
作製した粘着シート(A)の軽剥離フィルムを除去し、表出した粘着剤層(X1’)の粘着表面上に、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東洋紡株式会社製、製品名「コスモシャインA4100」)を積層し、基材付き粘着シートとした。次に、粘着シート(A)の重剥離フィルムも除去し、表出した粘着剤層(X1)の粘着表面を、被着体であるステンレス鋼板(SUS304 360番研磨)に貼付し、23℃、50%RH(相対湿度)の環境下で、24時間静置したものを試験サンプルとした。
上記の試験サンプルを用いて、23℃、50%RH(相対湿度)の環境下で、JIS Z0237:2000に基づき、180°引き剥がし法により、引っ張り速度300mm/分にて、23℃における粘着力を測定した。
また、上記の試験サンプルを、ホットプレート上にて、熱膨張性粒子の膨張開始温度(208℃)以上となる240℃で3分間加熱し、標準環境(23℃、50%RH(相対湿度))にて60分間静置した後、上記と同じ条件で、膨張開始温度以上での加熱後の粘着力も測定した。
[Measurement of adhesive strength of adhesive sheet]
(Measurement of adhesive strength before and after heating of adhesive sheet (A))
The light release film of the produced adhesive sheet (A) was removed, and a polyethylene terephthalate (PET) film with a thickness of 50 μm (manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name " Cosmo Shine A4100 ") was laminated to form an adhesive sheet with a base material. Next, the heavy release film of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) was also removed, and the pressure-sensitive adhesive surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1) was attached to a stainless steel plate (SUS304 No. 360 polishing) as an adherend at 23 ° C. The test sample was left to stand for 24 hours in an environment of 50% RH (relative humidity).
Adhesive strength at 23 ° C. at a tensile speed of 300 mm / min by 180 ° peeling method based on JIS Z0237: 2000 in an environment of 23 ° C. and 50% RH (relative humidity) using the above test sample. Was measured.
Further, the above test sample is heated on a hot plate at 240 ° C., which is equal to or higher than the expansion start temperature (208 ° C.) of the heat-expandable particles, for 3 minutes in a standard environment (23 ° C., 50% RH (relative humidity)). ) For 60 minutes, the adhesive strength after heating at the expansion start temperature or higher was also measured under the same conditions as above.

(比較用粘着シートの紫外線照射前後の粘着力測定)
比較用粘着シート(リンテック株式会社製、商品名「D−820」)の粘着表面を、被着体であるステンレス鋼板(SUS304 360番研磨)に貼付し、23℃、50%RH(相対湿度)の環境下で、24時間静置したものを試験サンプルとし、粘着シート(A)と同様の条件で、紫外線照射前の23℃における粘着力を測定した。
次に、比較用粘着シートの基材側から、紫外線を照度230mW/cm、光量190mJ/cm照射した後、上記と同じ条件で、紫外線照射後の23℃における粘着力を測定した。
(Measurement of adhesive strength of comparative adhesive sheet before and after UV irradiation)
The adhesive surface of the comparative adhesive sheet (manufactured by Lintec Corporation, trade name "D-820") is attached to a stainless steel plate (SUS304 360 polishing) as an adherend, and 23 ° C., 50% RH (relative humidity). The test sample was left to stand for 24 hours in the above environment, and the adhesive strength at 23 ° C. before irradiation with ultraviolet rays was measured under the same conditions as the adhesive sheet (A).
Then, from the substrate side of comparative pressure-sensitive adhesive sheet, illumination with ultraviolet light 230 mW / cm 2, it was irradiated with light quantity 190 mJ / cm 2, under the same conditions as above, were measured adhesion at 23 ° C. after ultraviolet irradiation.

Figure 2019098101
Figure 2019098101

表1から、本実施形態に用いられる粘着シート(A)は、膨張性粒子の膨張後においては、紫外線照射後の比較用粘着シートよりも粘着力が小さく、優れた分離性を有することが分かる。したがって、本実施形態の製造方法によると、例えば、次工程として再配列工程を実施する場合においても、従来の紫外線照射型の粘着シートよりも容易に半導体チップを分離して、再配列工程に供することが可能である。 From Table 1, it can be seen that the adhesive sheet (A) used in the present embodiment has a smaller adhesive force after the expansion of the expandable particles than the comparative adhesive sheet after irradiation with ultraviolet rays, and has excellent separability. .. Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, for example, even when the rearrangement step is carried out as the next step, the semiconductor chip is separated more easily than the conventional ultraviolet irradiation type pressure-sensitive adhesive sheet and subjected to the rearrangement step. It is possible.

1a 粘着シート(a)
1b 粘着シート(a)
10 整列治具
11 収容部
11a 整列治具の壁部
12 枠状の本体部
20 保持部材
40 封止材
41 硬化封止材
45 半導体チップCPの周辺部
50 硬化封止体
50a 面
61 第1絶縁層
62 第2絶縁層
70 再配線
70A 外部電極パッド
80 外部端子電極
100 半導体装置
200 エキスパンド装置
210 保持手段
CP 半導体チップ
CPa 半導体チップの側面
W1 回路面
W2 回路
W3 内部端子電極
1a Adhesive sheet (a)
1b Adhesive sheet (a)
10 Alignment jig 11 Containment part 11a Wall part of alignment jig 12 Frame-shaped main body part 20 Holding member 40 Encapsulant 41 Curing encapsulant 45 Peripheral part of semiconductor chip CP 50 Curing encapsulant 50a Surface 61 First insulation Layer 62 Second insulating layer 70 Rewiring 70A External electrode pad 80 External terminal electrode 100 Semiconductor device 200 Expanding device 210 Holding means CP Semiconductor chip CPa Semiconductor chip side surface W1 Circuit surface W2 circuit W3 Internal terminal electrode

Claims (10)

膨張性粒子を含む基材(Y1)及び粘着剤層(X1)を有する膨張性の粘着シート(A)を用いる半導体装置の製造方法であって、
下記工程(1)〜(3)をこの順で有し、工程(3)の後に粘着シート(A)の膨張性粒子を膨張させて粘着シート(A)を被着体から分離する、半導体装置の製造方法。
工程(1):基材(Y2)及び粘着剤層(X2)を有する粘着シート(B)の粘着剤層(X2)上に載置された複数のチップ同士の間隔を、粘着シート(B)を引き伸ばして広げる工程。
工程(2):前記複数のチップの粘着剤層(X2)と接する面とは反対側の面に粘着シート(A)の粘着剤層(X1)を貼付する工程。
工程(3):粘着シート(A)に貼付した前記複数のチップと粘着シート(B)とを分離する工程。
A method for manufacturing a semiconductor device using an expandable pressure-sensitive adhesive sheet (A) having a base material (Y1) containing expandable particles and an adhesive layer (X1).
A semiconductor device having the following steps (1) to (3) in this order, and after the step (3), the expansive particles of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) are expanded to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the adherend. Manufacturing method.
Step (1): The distance between a plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is set by the pressure-sensitive adhesive sheet (B). The process of stretching and spreading.
Step (2): A step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface of the plurality of chips opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layers (X2).
Step (3): A step of separating the plurality of chips attached to the adhesive sheet (A) from the adhesive sheet (B).
前記膨張性粒子が、膨張開始温度(t)が60〜270℃の熱膨張性粒子であり、工程(3)の後に前記粘着シート(A)を加熱することにより熱膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)を被着体から分離する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 The expandable particles are thermally expandable particles having an expansion start temperature (t) of 60 to 270 ° C., and the heat-expandable particles are expanded by heating the adhesive sheet (A) after the step (3). The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the adhesive sheet (A) is separated from an adherend. 前記膨張性粒子を膨張させる前の、粘着シート(A)の粘着剤層(X1)の粘着力が、0.1〜10.0N/25mmである、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 The semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) before expanding the expandable particles is 0.1 to 10.0 N / 25 mm. Production method. 粘着シート(A)が有する基材(Y1)の表面におけるプローブタック値が、50mN/5mmφ未満である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the probe tack value on the surface of the base material (Y1) contained in the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is less than 50 mN / 5 mmφ. 前記チップが、半導体チップである請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the chip is a semiconductor chip. 更に、下記工程(4A−1)〜(4A−3)を有する、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
工程(4A−1):前記複数の半導体チップと、粘着剤層(X1)の粘着表面のうち前記複数の半導体チップの周辺部と、を封止材で被覆し、該封止材を硬化させて、前記複数の半導体チップが硬化封止材に封止されてなる硬化封止体を得る工程。
工程(4A−2):前記膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)と前記硬化封止体とを分離する工程。
工程(4A−3):前記粘着シート(A)を分離した硬化封止体に、再配線層を形成する工程。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, further comprising the following steps (4A-1) to (4A-3).
Step (4A-1): The plurality of semiconductor chips and the peripheral portion of the plurality of semiconductor chips on the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) are covered with a sealing material, and the sealing material is cured. A step of obtaining a cured sealant obtained by sealing the plurality of semiconductor chips with a cured sealant.
Step (4A-2): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the cured sealant.
Step (4A-3): A step of forming a rewiring layer on the cured seal body from which the adhesive sheet (A) has been separated.
さらに、下記工程(4B−1)及び(4B−2)を有する、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
・工程(4B−1):前記膨張性粒子を膨張させて、粘着シート(A)と前記複数の半導体チップとを分離する工程。
・工程(4B−2):粘着シート(A)から分離した前記複数の半導体チップを、整列させる工程。
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, further comprising the following steps (4B-1) and (4B-2).
Step (4B-1): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the plurality of semiconductor chips.
-Step (4B-2): A step of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the adhesive sheet (A).
前記工程(4B−2)が、粘着シート(A)から分離した前記複数の半導体チップを、前記複数の半導体チップを収容可能な収容部を複数備える整列治具を用いて整列させる工程である、請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 The step (4B-2) is a step of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A) by using an aligning jig provided with a plurality of accommodating portions capable of accommodating the plurality of semiconductor chips. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 7. 粘着シート(B)が、23℃におけるMD方向及びCD方向に測定される破断伸度が100%以上である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 8, wherein the pressure-sensitive adhesive sheet (B) has a breaking elongation of 100% or more measured in the MD direction and the CD direction at 23 ° C. ファンアウト型の半導体装置の製造方法である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 9, which is a method for manufacturing a fan-out type semiconductor device.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001226650A (en) * 2000-02-16 2001-08-21 Nitto Denko Corp Radiation-curable and heat-releasable self-adhesive sheet and method of producing cut fragment by using the same
JP2006160935A (en) * 2004-12-09 2006-06-22 Nitto Denko Corp Heat-peeling method of adherend and heat-peeling apparatus of adherend
JP2016127115A (en) * 2014-12-26 2016-07-11 リンテック株式会社 Semiconductor device manufacturing method
JP2017076748A (en) * 2015-10-16 2017-04-20 リンテック株式会社 Adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI433545B (en) 2007-10-30 2014-04-01 Nippon Telegraph & Telephone Image encoding apparatuses and decoding apparatuses
JP6326589B2 (en) 2014-06-26 2018-05-23 Dic株式会社 Double-sided adhesive tape and articles
JP6673734B2 (en) * 2016-03-29 2020-03-25 リンテック株式会社 Pressure-sensitive adhesive sheet for glass dicing and method for producing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001226650A (en) * 2000-02-16 2001-08-21 Nitto Denko Corp Radiation-curable and heat-releasable self-adhesive sheet and method of producing cut fragment by using the same
JP2006160935A (en) * 2004-12-09 2006-06-22 Nitto Denko Corp Heat-peeling method of adherend and heat-peeling apparatus of adherend
JP2016127115A (en) * 2014-12-26 2016-07-11 リンテック株式会社 Semiconductor device manufacturing method
JP2017076748A (en) * 2015-10-16 2017-04-20 リンテック株式会社 Adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device

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