KR20200086655A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Method for manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR20200086655A
KR20200086655A KR1020207006569A KR20207006569A KR20200086655A KR 20200086655 A KR20200086655 A KR 20200086655A KR 1020207006569 A KR1020207006569 A KR 1020207006569A KR 20207006569 A KR20207006569 A KR 20207006569A KR 20200086655 A KR20200086655 A KR 20200086655A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
sensitive adhesive
adhesive sheet
adhesive layer
resin
Prior art date
Application number
KR1020207006569A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102507691B1 (en
Inventor
나오야 오카모토
타카시 아쿠츠
타다토모 야마다
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20200086655A publication Critical patent/KR20200086655A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102507691B1 publication Critical patent/KR102507691B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

하기 공정(1) ~ (3)를 이 순서로 가지고, 공정(3) 후에 점착 시트(A)의 팽창성 입자를 팽창시켜 점착 시트(A)를 피착체로부터 분리하는, 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 　공정(1)：기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치된 복수의 반도체 칩끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히는 공정.　공정(2)：상기 복수의 반도체 칩의 점착제층(X2)와 접하는 면과는 반대측의 면에 점착 시트(A)의 점착제층(X1)을 첩부하는 공정.　공정(3)：점착 시트(A)에 첩부한 상기 복수의 반도체 칩과 점착 시트(B)를 분리하는 공정.A process for manufacturing a semiconductor device having the following steps (1) to (3) in this order and separating the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the adherend by expanding the expandable particles of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) after step (3). will be. Step (1): The gap between the plurality of semiconductor chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is increased by stretching the pressure-sensitive adhesive sheet (B) fair. Step (2): The step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the plurality of semiconductor chips. Step (3): The step of separating the plurality of semiconductor chips and the adhesive sheet (B) attached to the adhesive sheet (A).

Description

반도체 장치의 제조 방법Method for manufacturing semiconductor device

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

최근, 전자 기기의 소형화, 경량화 및 고기능화가 진행되고 있고, 이것에 수반하여, 전자 기기에 탑재되는 반도체 장치도, 소형화, 박형화 및 고밀도화가 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization, weight reduction, and high-functionality of electronic devices have been progressing, and as a result, semiconductor devices mounted on electronic devices are also required to be miniaturized, thinned, and high-density.

반도체 칩은, 그 사이즈에 가까운 패키지에 실장되는 경우가 있다. 이러한 패키지는, CSP(Chip　Scale　Package) 라고 칭해지기도 한다. CSP로는, 웨이퍼 사이즈로 패키지 최종 공정까지 처리해 완성시키는 WLP(Wafer　Leｖel　Package), 웨이퍼 사이즈보다도 큰 패널 사이즈로 패키지 최종 공정까지 처리해 완성시키는 PLP(Panel　Leｖel　Package) 등을 들 수 있다.The semiconductor chip may be mounted in a package close to its size. Such a package is also referred to as a CSP (Chip　Scale　Package). Examples of the CSP include WLP (Wafer　Leｖel　Package), which is processed by a wafer size to the final package stage, and PLP (Panel　Leｖel　Package), which is processed by a panel size larger than the wafer size to complete the package final stage.

WLP 및 PLP는, 팬 인(Fan-In) 형과 팬 아웃(Fan-Out) 형으로 분류된다. 팬 아웃형의 WLP(이하, 「FOWLP」라고도 한다) 및 PLP(이하, 「FOPLP」라고도 한다)에서는, 반도체 칩을, 칩 사이즈보다도 큰 영역이 되도록 봉지재로 덮어 반도체 칩의 봉지체를 형성하고, 재배선층 및 외부 전극을, 반도체 칩의 회로면뿐만이 아니라 봉지재의 표면 영역에도 형성한다.WLP and PLP are classified into a fan-in type and a fan-out type. In the fan-out type WLP (hereinafter also referred to as "FOWLP") and PLP (hereinafter also referred to as "FOPLP"), the semiconductor chip is covered with an encapsulant so as to be an area larger than the chip size, thereby forming an encapsulation body of the semiconductor chip. , The redistribution layer and the external electrode are formed not only on the circuit surface of the semiconductor chip, but also on the surface area of the encapsulant.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 반도체 웨이퍼로부터 개편화된 복수의 반도체 칩을, 그 회로 형성면을 남기고, 몰드 부재를 이용하여 주위를 둘러싸 확장 웨이퍼를 형성하고, 반도체 칩 외의 영역에 재배선 패턴을 연재시켜 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1에 기재된 제조 방법에서, 반도체 웨이퍼는 다이싱용의 웨이퍼 마운트 테이프(이하, 「다이싱테이프」라고도 한다)에 첩착된 상태에서 개편화되는 다이싱 공정이 행해진다. 상기 다이싱 공정에서 얻어진 복수의 반도체 칩은 익스팬드용의 웨이퍼 마운트 테이프(이하, 「익스팬드 테이프」라고도 한다)에 전사되어 상기 익스팬드 테이프를 전연(展延)해 복수의 반도체 칩끼리의 거리를 확대시키는 익스팬드 공정이 행해진다.For example, in Patent Document 1, a plurality of semiconductor chips separated from a semiconductor wafer, the circuit formation surface is left, and an expanded wafer is formed around the periphery using a mold member, and a redistribution pattern is formed in a region other than the semiconductor chip. Described is a method of manufacturing a semiconductor package formed by extending the. In the manufacturing method described in Patent Literature 1, a dicing step is performed in which the semiconductor wafer is divided into a state adhered to a wafer-mounted tape for dicing (hereinafter also referred to as "dicing tape"). The plurality of semiconductor chips obtained in the dicing step is transferred to an expandable wafer mount tape (hereinafter also referred to as an "expand tape"), and the expanded tape is rolled to show the distance between the plurality of semiconductor chips. An expand process is performed to enlarge.

익스팬드 테이프는, 반도체 장치의 제조 공정에서, 피가공물을 다이싱 개편화해 얻어진 칩끼리의 간격을 넓히기 위해서 이용되는 것이고, 상기의 반도체 칩 외에도, 예를 들면, LED(Light　Emitting　Diode), MEMS(Micro　Electro　Mechanical　Systems), 세라믹디바이스, 반도체 패키지, 복수의 디바이스를 가지는 반도체 장치 등을 다이싱하여 얻어지는 칩끼리의 간격을 넓히기 위해서도 사용될 수 있다. 어느 경우에도, 익스팬드 테이프 상에서 간격을 넓힌 복수의 칩은, 다음 공정에 제공하기 위해서, 익스팬드 테이프로부터 분리될 필요가 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 상기 익스팬드 공정에 제공된 반도체 칩은, 그 후, 봉지 수지에 의해 봉지되는 공정에 제공되지만, 통상, 봉지 수지는 열경화성 수지이기 때문에, 봉지 공정 중에서의 열변형 등을 억제하는 관점에서, 반도체 칩은 익스팬드 테이프보다도 내열성이 우수한 점착 시트(이하, 「가 고정용 시트」라고도 한다)로 이동시키는 것이 바람직하다.Expanded tape is used to widen the gap between chips obtained by dicing and dicing a workpiece in a manufacturing process of a semiconductor device, and in addition to the semiconductor chip described above, for example, LED (Light(Emitting　Diode), MEMS( It can also be used to widen the gaps between chips obtained by dicing micro devices (Electro-Mechanical Systems), ceramic devices, semiconductor packages, and semiconductor devices having multiple devices. In any case, a plurality of chips with a larger gap on the expanded tape needs to be separated from the expanded tape in order to provide for the next process. Specifically, for example, the semiconductor chip provided in the expand process is then provided in a process to be sealed by a sealing resin, but usually, since the sealing resin is a thermosetting resin, thermal deformation in the sealing process, etc. From the viewpoint of suppression, it is preferable to move the semiconductor chip to an adhesive sheet (hereinafter, also referred to as "a temporary fixing sheet") which is superior in heat resistance to the expanded tape.

칩을 가 고정용 시트 등의 다른 점착 시트로 이동시키는 방법으로는, 익스팬드 테이프로부터 직접 다른의 점착 시트에 전사하는 방법이어도 좋고, 익스팬드 테이프로부터, 칩을 일단 분리하여, 칩을 정렬시키는 재배열 공정에 제공한 후, 다른 점착 시트에 전사하는 방법이어도 좋다.As a method of moving the chip to another adhesive sheet such as a temporary fixing sheet, a method of transferring directly from the expanded tape to another adhesive sheet may be used, or the chip is once separated from the expanded tape to align the chips. After providing it to an alignment process, you may transfer to another adhesive sheet.

익스팬드 테이프는, 칩의 간격을 넓힌 후에 칩과 분리되는 것이기 때문에, 에너지선 조사에 의해 경화되어 점착력이 저하하는 에너지선 경화성 점착제 등이 사용된다.Since the expanded tape is separated from the chip after widening the gap between the chips, an energy ray-curable pressure sensitive adhesive or the like that is cured by energy ray irradiation and deteriorates in adhesive strength is used.

특허문헌 1　：　국제 공개 제2010/058646호Patent Literature 1　： 공개International Publication No. 2010/058646

에너지선 경화성 점착제를 사용한 익스팬드 테이프는, 에너지선 조사에 의해서 점착력을 저하시킬 수 있지만, 에너지선 조사 후에도 칩과 점착층이 접착면 전체에 접착되어 있기 때문에, 어느 정도의 접착력이 잔존한다. 이 때문에, 익스팬드 테이프로부터 칩을 분리할 때, 칩을 1 개씩 픽업하거나, 일괄적으로 점착 시트에 전사할 필요가 있다.The expanded tape using the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive can lower the adhesive strength by energy ray irradiation, but since the chip and the adhesive layer are adhered to the entire adhesive surface even after energy ray irradiation, some degree of adhesive strength remains. For this reason, when separating chips from the expand tape, it is necessary to pick up the chips one by one or transfer them to the adhesive sheet collectively.

예를 들면, 상기의 재배열 공정에 제공하는 경우는, 개편화된 칩을 일괄적으로 배열용 치구에 이동시키는 것이 곤란하기 때문에, 칩을 1 개씩 픽업할 필요가 생기지만, 이 작업은 번잡하고 생산성이 뒤떨어진다.For example, in the case of providing the above rearrangement step, it is difficult to move the fragmented chips to the jig for arrangement, so it is necessary to pick up the chips one by one, but this operation is complicated. Productivity is poor.

한편, 익스팬드 테이프로부터 다른 점착 시트에 전사하는 경우는, 복수의 칩을 일괄적으로 이동할 수 있지만, 다른 점착 시트가 에너지선 조사에 의해서 점착력을 저하시키는 타입의 종래의 점착 시트이면, 상기한 바와 같이 에너지선 조사 후에도 어느 정도의 접착력이 잔존하기 때문에, 다른 점착 시트와 칩을 분리할 때에 일정한 외력이 필요하기 때문에 복잡한 장치가 필요하거나 칩에 점착제 잔사 등이 생겨 청정성에 문제가 생기는 경우가 있다. 이 문제는, 다른 점착 시트로서 상기한 가 고정용 시트를 이용하는 경우도 마찬가지이고, 이 경우는, 가 고정용 시트 상에서 반도체 칩이 봉지 수지로 봉지되어 이루어지는 경화 봉지체와 가 고정용 시트를 분리할 때에, 상기한 복잡한 장치가 필요하거나 얻어지는 경화 봉지체의 청정성에 문제가 생기는 경우가 있다.On the other hand, when transferring from the expanded tape to another adhesive sheet, a plurality of chips can be moved collectively, but if the other adhesive sheet is a conventional adhesive sheet of the type that lowers the adhesive force by irradiation with energy rays, as described above Similarly, since a certain amount of adhesive force remains even after irradiation with energy rays, since a certain external force is required when separating the other adhesive sheet and the chip, a complicated device may be required, or there may be problems in cleanliness due to adhesive residue or the like on the chip. This problem is the same in the case of using the above-mentioned sheet for temporary fixing as another adhesive sheet, and in this case, separating the cured encapsulating body and the sheet for temporary fixing formed by sealing the semiconductor chip with a sealing resin on the sheet for temporary fixing. At times, there is a case where the above-mentioned complicated apparatus is required or a problem arises in the cleanliness of the obtained cured encapsulation body.

본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이고, 익스팬드 공정에 의해서 간격을 넓힌 칩을, 상기 간격을 유지한 채로, 일괄적으로 용이하게 익스팬드 테이프로부터 분리할 수 있고, 또한 분리한 칩을 용이하게 다음 공정에 제공할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made|formed in view of the said problem, and the chip which widened the space|interval by the expand process can be easily separated from the expand tape collectively, maintaining the said space|interval, and also it is easy to separate|separate the chip|tip. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be provided in the next step.

본 발명자들은, 팽창성 입자를 포함하는 기재 및 점착제층을 가지는 팽창성의 점착 시트를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 특정의 공정(1) ~ (3)를 이 순서로 가지고, 공정(3) 후에 점착 시트의 팽창성 입자를 팽창시켜 점착 시트를 피착체로부터 분리하는 제조 방법에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 찾아냈다.The present inventors, as a method of manufacturing a semiconductor device using an expandable pressure-sensitive adhesive sheet having a base material containing expandable particles and a pressure-sensitive adhesive layer, have specific steps (1) to (3) in this order, and adhere after step (3). It has been found that the above problem can be solved by a manufacturing method in which the expandable particles of the sheet are expanded to separate the adhesive sheet from the adherend.

즉, 본 발명은, 하기 [1] ~ [10]에 관한 것이다.That is, the present invention relates to the following [1] to [10].

[1]팽창성 입자를 포함하는 기재(Y1) 및 점착제층(X1)을 가지는 팽창성의 점착 시트(A)를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,[1] A method for manufacturing a semiconductor device using an expandable adhesive sheet (A) having a base material (Y1) and an adhesive layer (X1) containing expandable particles,

하기 공정(1) ~ (3)를 이 순서로 가지고, 공정(3) 후에 점착 시트(A)의 팽창성 입자를 팽창시켜 점착 시트(A)를 피착체로부터 분리하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device having the following steps (1) to (3) in this order, and after the step (3), expandable particles of the adhesive sheet (A) are expanded to separate the adhesive sheet (A) from the adherend.

공정(1)：기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치(載置)된 복수의 칩끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히는 공정.Step (1): The gap between the plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is the pressure-sensitive adhesive sheet (B). The process of stretching.

공정(2)：상기 복수의 칩의 점착제층(X2)와 접하는 면과는 반대측의 면에 점착 시트(A)의 점착제층(X1)을 첩부하는 공정.Step (2): The step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the plurality of chips.

공정(3)：점착 시트(A)에 첩부한 상기 복수의 칩과 점착 시트(B)를 분리하는 공정.Step (3): A step of separating the plurality of chips and the adhesive sheet (B) attached to the adhesive sheet (A).

[2]상기 팽창성 입자가, 팽창개시온도(t)가 60 ~ 270℃인 열팽창성 입자이고, 공정(3) 후에 상기 점착 시트(A)를 가열함으로써 열팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)를 피착체로부터 분리하는, 상기 [1]에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[2] The expandable particles are thermally expandable particles having an expansion initiation temperature (t) of 60 to 270°C, and after the process (3), the thermally expandable particles are expanded by heating the adhesive sheet (A), thereby causing the adhesive sheet (A ) Is separated from an adherend, the method for manufacturing the semiconductor device according to [1] above.

[3]상기 팽창성 입자를 팽창시키기 전의, 점착 시트(A)의 점착제층(X1)의 점착력이, 0.1 ~ 10.0N/25 mm인, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[3] The method for manufacturing a semiconductor device according to [1] or [2], wherein the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) before expanding the expandable particles is 0.1 to 10.0 N/25 mm. .

[4]점착 시트(A)가 가지는 기재(Y1)의 표면에서의 프로브 택 값이, 50 mN/5mmφ 미만인, 상기 [1] ~ [3] 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[4] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [3], wherein the probe tack value at the surface of the base material Y1 of the adhesive sheet A is less than 50 mN/5mmφ.

[5]상기 칩이, 반도체 칩인 상기 [1] ~ [4] 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[5] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [4], wherein the chip is a semiconductor chip.

[6]하기 공정(4A-1) ~ (4A-3)을 더 가지는, 상기 [5]에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[6] The method for manufacturing the semiconductor device according to [5], further comprising the following steps (4A-1) to (4A-3).

공정(4A-1)：상기 복수의 반도체 칩과 점착제층(X1)의 점착 표면 중 상기 복수의 반도체 칩의 주변부를 봉지재로 피복하고, 상기 봉지재를 경화시켜, 상기 복수의 반도체 칩이 경화 봉지재로 봉지되어 이루어지는 경화 봉지체를 얻는 공정.Step (4A-1): Of the plurality of semiconductor chips and the adhesive surfaces of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), the peripheral portions of the plurality of semiconductor chips are covered with an encapsulant, and the encapsulant is cured to cure the plurality of semiconductor chips. The process of obtaining the hardened sealing body which is sealed by the sealing material.

공정(4A-2)：상기 팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)와 상기 경화 봉지체를 분리하는 공정.Step (4A-2): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the cured encapsulation body.

공정(4A-3)：상기 점착 시트(A)를 분리한 경화 봉지체에, 재배선층을 형성하는 공정.Process (4A-3): The process of forming a redistribution layer in the hardened sealing body which isolate|separated the said adhesive sheet (A).

[7] 하기 공정(4B-1) 및 (4B-2)를 더 가지는, 상기 [5]에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[7] The method for manufacturing the semiconductor device according to [5] above, further comprising the following steps (4B-1) and (4B-2).

·공정(4B-1)：상기 팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)와 상기 복수의 반도체 칩을 분리하는 공정.Step (4B-1): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chips.

·공정(4B-2)：점착 시트(A)로부터 분리된 상기 복수의 반도체 칩을, 정렬시키는 공정.-Step (4B-2): A step of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the adhesive sheet (A).

[8] 상기 공정(4B-2)가, 점착 시트(A)로부터 분리된 상기 복수의 반도체 칩을, 상기 복수의 반도체 칩을 수용할 수 있는 수용부를 복수 구비하는 정렬 치구를 이용하여 정렬시키는 공정인, 상기 [7]에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[8] The step of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the pressure-sensitive adhesive sheet A by the step (4B-2) using an alignment jig having a plurality of receiving portions capable of accommodating the plurality of semiconductor chips. Phosphorus, the manufacturing method of the semiconductor device according to [7] above.

[9]점착 시트(B)가, 23℃에서의 MD 방향 및 CD 방향으로 측정되는 파단신도가 100% 이상인, 상기 [1] ~ [8] 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[9] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [8], wherein the adhesive sheet (B) has an elongation at break of 100% or more measured in the MD direction and the CD direction at 23°C.

[10]팬 아웃형의 반도체 장치의 제조 방법인, 상기 [1] ~ [9] 중 어느 하나에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.[10] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [1] to [9] above, which is a method for manufacturing a fan-out type semiconductor device.

본 발명에 따르면, 익스팬드 공정에 의해서 간격을 넓힌 칩을, 상기 간격을 유지한 채로, 일괄적으로 용이하게 익스팬드 테이프로부터 분리할 수 있고, 또한 분리한 칩을 용이하게 다음 공정에 제공할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, chips which have been widened by the expand process can be easily separated from the expand tape in bulk while maintaining the above gap, and the separated chips can be easily provided to the next process. It is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device.

도 1은 본 실시형태와 관련되는 양면 점착 시트의 구성의 일례를 나타내는, 양면 점착 시트의 단면도이다.
도 2는 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 3은 도 2에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 4는 도 3에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 5는 도 4에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 6은 도 5에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 7은 도 6에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 8은 도 7에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 9는 도 8에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 10은 도 9에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 11은 도 6에 이어 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 12는 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 13은 본 실시형태와 관련되는 제조 방법의 일례를 설명하는, 단면도이다.
도 14는 실시예에 사용된 2축연신 익스팬드 장치를 설명하는 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet showing an example of the configuration of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet according to the present embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment.
3 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 2.
4 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 3.
5 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 4.
6 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 5.
7 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 6.
8 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 7.
9 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 8.
10 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment following FIG. 9.
11 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to this embodiment following FIG. 6.
12 is a cross-sectional view illustrating an example of a manufacturing method according to the present embodiment.
It is sectional drawing explaining an example of the manufacturing method which concerns on this embodiment.
14 is a plan view illustrating a biaxially-stretched expansion device used in the embodiment.

본 명세서에서, 「유효 성분」이란, 대상이 되는 조성물에 포함되는 성분 중에 희석용매를 제외한 성분을 가리킨다.In the present specification, "active ingredient" refers to a component excluding a diluting solvent among components included in the target composition.

또한, 질량 평균분자량(Mw)은, 겔투과 크로마토그래피(GPC) 법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값이고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 기초하여 측정된 값이다.In addition, the mass average molecular weight (Mw) is a standard polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, and is specifically a value measured based on the method described in Examples.

본 명세서에서, 예를 들면, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」과 「메타크릴산」의 쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 마찬가지이다.In this specification, for example, "(meth)acrylic acid" refers to both "acrylic acid" and "methacrylic acid," and other similar terms are the same.

또한, 바람직한 수치 범위(예를 들면, 함유량 등의 범위)에 대해서, 단계적으로 기재된 하한치 및 상한치는, 각각 독립해 조합할 수 있다. 예를 들면, 「바람직하게는 10 ~ 90, 보다 바람직하게는 30 ~ 60」의 기재로부터, 「바람직한 하한치(10)」와「보다 바람직한 상한치(60)」를 조합하여 「10 ~ 60」라고 할 수도 있다.Moreover, with respect to a preferable numerical range (for example, the range of content etc.), the lower limit and the upper limit described in steps can be combined independently, respectively. For example, from the description of "preferably 10 to 90, more preferably 30 to 60", the combination of "preferably lower limit 10" and "more preferred upper limit 60" is referred to as "10 to 60". It might be.

본 명세서에서, 「칩의 전사」란, 한쪽의 점착 시트 상에 첩부되어 있는 칩의 표출되어 있는 면을, 다른 쪽의 점착 시트에 첩부한 후, 상기 한쪽의 점착 시트를 칩으로부터 분리하고, 칩을 한쪽의 점착 시트로부터 다른 쪽의 점착 시트로 이동시키는 조작을 말한다.In the present specification, "chip transfer" means that the exposed surface of a chip adhered to one adhesive sheet is adhered to the other adhesive sheet, and then the one adhesive sheet is separated from the chip, and the chip Refers to the operation of moving from one adhesive sheet to the other adhesive sheet.

본 실시형태와 관련되는 반도체 장치의 제조 방법은, 팽창성 입자를 포함하는 기재(Y1) 및 점착제층(X1)을 가지는 팽창성의 점착 시트(A)를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,The manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment is a manufacturing method of the semiconductor device using the expandable adhesive sheet (A) which has the base material (Y1) containing an expandable particle and the adhesive layer (X1),

하기 공정(1) ~ (3)를 이 순서로 가지고, 공정(3) 후에 점착 시트(A)의 팽창성 입자를 팽창시켜 점착 시트(A)를 피착체로부터 분리하는, 반도체 장치의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of a semiconductor device which has the following processes (1)-(3) in this order, and expands the expandable particle|grains of the adhesive sheet A after process (3), and isolates the adhesive sheet A from an adherend.

공정(1)：기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치된 복수의 칩끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히는 공정.Step (1): A step of stretching the gap between the plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) by stretching the pressure-sensitive adhesive sheet (B) .

공정(2)：상기 복수의 칩의 점착제층(X2)와 접하는 면과는 반대측의 면에 점착 시트(A)의 점착제층(X1)을 첩부하는 공정.Step (2): The step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the plurality of chips.

공정(3)：점착 시트(A)에 첩부한 상기 복수의 칩과 점착 시트(B)를 분리하는 공정.Step (3): A step of separating the plurality of chips and the adhesive sheet (B) attached to the adhesive sheet (A).

본 실시형태에 이용되는 「칩」이란, 피가공물을 개편화한 것을 의미하고, 본 실시형태에서의 피가공물이란, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, LED(Light　Emitting　Diode), MEMS(Micro　Electro　Mechanical　Systems), 세라믹디바이스, 반도체 패키지, 복수의 디바이스를 가지는 웨이퍼 등, 반도체 장치의 제조 공정에서 다이싱 가공되는 것을 의미한다.The term "chip" used in the present embodiment means that the workpiece is reorganized, and the workpiece in the present embodiment is, for example, a semiconductor wafer, LED (Light　Emitting　Diode), MEMS (Micro　Electro　Mechanical　Systems). ), a ceramic device, a semiconductor package, a wafer having a plurality of devices, and the like means dicing in a manufacturing process of a semiconductor device.

이하, 처음에 본 실시형태의 제조 방법에 이용되는 점착 시트(A)에 대해 설명하고, 그 후, 공정(1) ~ (3)를 포함하는 각 제조 공정에 대해 설명한다.Hereinafter, the adhesive sheet A used for the manufacturing method of this embodiment is demonstrated first, and after that, each manufacturing process including process (1)-(3) is demonstrated.

[점착 시트(A)][Adhesive sheet (A)]

점착 시트(A)는, 팽창성 입자를 포함하는 기재(Y1) 및 점착제층(X1)을 가지는 팽창성의 점착 시트이다.The adhesive sheet (A) is an expandable adhesive sheet having a base material (Y1) containing expandable particles and an adhesive layer (X1).

점착 시트(A)는, 팽창성 입자를 팽창시키기 전에서는, 점착제층(X1)의 점착성을 높게 유지할 수 있다. 이 때문에, 익스팬드 테이프 상의 복수의 칩의 표출면에, 점착제층(X1)을 첩부하는 것으로, 복수의 칩은 점착 시트(A)의 점착제층(X1) 상에 강고(强固)하게 유지된다. 이것에 의해, 익스팬드 테이프는 점착제층(X1) 상에 강고하게 유지된 칩으로부터, 칩의 탈락 등을 일으키지 않고, 일괄적으로 용이하게 분리할 수 있다. 한편, 점착 시트(A)와 칩을 분리할 때는, 팽창성 입자를 팽창시킴으로써 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 형성하고, 이것에 의해 점착제층(X1)의 점착 표면과 칩의 접촉 면적을 감소시켜, 점착력을 대폭 저하시킬 수 있다. 그 결과, 점착 시트(A)와 칩을 분리할 때, 칩에의 점착제 잔사 등도 없이, 그 청정성을 유지한 채로 용이하게 일괄적으로 분리할 수 있다.The adhesive sheet (A) can keep the adhesive property of the adhesive layer (X1) high before expanding the expandable particles. For this reason, by sticking the adhesive layer (X1) to the exposed surfaces of the multiple chips on the expanded tape, the multiple chips are held firmly on the adhesive layer (X1) of the adhesive sheet (A). Thereby, the expanded tape can be easily separated from the chip held firmly on the pressure-sensitive adhesive layer (X1), without causing chip detachment or the like. On the other hand, when separating the adhesive sheet (A) and the chip, unevenness is formed on the adhesive surface of the adhesive layer (X1) by expanding the expandable particles, whereby the contact area between the adhesive surface of the adhesive layer (X1) and the chip is reduced. By reducing, the adhesive force can be significantly reduced. As a result, when separating the adhesive sheet (A) from the chip, it can be easily and collectively separated without maintaining the cleanliness of the adhesive sheet or the like on the chip.

도 1(a) 및 (b)은, 점착 시트(A)의 한 종류인 점착 시트(1a), 점착 시트(1b)의 단면 모식도이다.1(a) and (b) are schematic cross-sectional views of the adhesive sheet 1a and the adhesive sheet 1b, which are one type of the adhesive sheet A.

도 1(a)에 나타내는 점착 시트(1a)는, 기재(Y1)의 한쪽의 면에 점착제층(X1)을 가진다. 점착 시트(1a)는, 점착제층(X1)을 익스팬드 테이프 상의 칩에 첩부하여, 칩을 점착제층(X1) 상에 유지하는 것으로, 익스팬드 테이프와 칩의 분리를 용이하게 하는 것이다. 점착 시트(1a)와 칩을 분리할 때, 기재(Y1) 중의 팽창성 입자를 팽창시킴으로써, 점착제층(X1)의 칩과 접하는 표면에 요철을 발생시켜, 점착제층(X1)과 칩의 계면에서의 분리를 용이하게 할 수 있다.The adhesive sheet 1a shown in FIG. 1(a) has an adhesive layer (X1) on one surface of the base material (Y1). The pressure-sensitive adhesive sheet 1a adheres the pressure-sensitive adhesive layer (X1) to the chip on the expanded tape, and holds the chip on the pressure-sensitive adhesive layer (X1) to facilitate separation of the expanded tape and the chip. When separating the adhesive sheet 1a from the chip, by expanding the expandable particles in the substrate Y1, unevenness is generated on the surface of the adhesive layer X1 in contact with the chip, at the interface between the adhesive layer X1 and the chip. Separation can be facilitated.

도 1(b)에 나타내는 점착 시트(1b)는, 기재(Y1)의 한쪽의 면에 점착제층(X1)을 가지고, 다른 쪽의 면에 비팽창성 기재(Y1＇)을 가진다. 점착 시트(1b)는, 점착 시트(1a)와 마찬가지로 사용되는 것이지만, 기재(Y1) 중의 팽창성 입자를 팽창시킨 경우에, 비팽창성 기재(Y1＇)이 존재하는 것에 의해, 기재(Y1)의 비팽창성 기재(Y1＇) 측의 표면에의 요철의 발생을 억제할 수 있고, 이것에 의해서 점착제층(X1) 측의 표면에의 요철을 보다 효율적으로 형성할 수 있다.The adhesive sheet 1b shown in Fig. 1(b) has an adhesive layer (X1) on one surface of the base material (Y1) and a non-expandable base material (Y1') on the other surface. The pressure-sensitive adhesive sheet 1b is used in the same manner as the pressure-sensitive adhesive sheet 1a, but when the expandable particles in the substrate Y1 are expanded, the ratio of the substrate Y1 is caused by the presence of a non-expandable substrate Y1'. The occurrence of irregularities on the surface of the expandable substrate (Y1') side can be suppressed, whereby the irregularities on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) side can be formed more efficiently.

점착 시트(A)의 구성은, 도 1(a) 및 (b)에 나타낸 구성에 한정되는 것이 아니라, 예를 들면, 기재(Y1)과 점착제층(X1)의 사이에, 다른 층을 가지는 구성이어도 좋다. 다만, 약한 힘으로 분리할 수 있는 점착 시트로 하는 관점에서, 기재(Y1)과 점착제층(X1)이 직접 적층한 구성을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 기재(Y1)의 점착제층(X1)과는 반대측의 면에 다른 점착제층을 가지는 구성이어도 좋다.The configuration of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is not limited to the configuration shown in Figs. 1(a) and (b), but has, for example, a structure having a different layer between the substrate (Y1) and the pressure-sensitive adhesive layer (X1). May be However, it is preferable to have a configuration in which the base material Y1 and the pressure-sensitive adhesive layer X1 are directly laminated from the viewpoint of a pressure-sensitive adhesive sheet that can be separated with a weak force. Moreover, the structure which has another adhesive layer on the surface opposite to the adhesive layer X1 of the base material Y1 may be sufficient.

또한, 점착 시트(A)는, 점착제층(X1) 상에 박리재를 가지고 있어도 좋다. 박리재는, 점착 시트(A)를 본 실시형태와 관련되는 제조 방법에 이용할 때에, 적절히 박리 제거되는 것이다.In addition, the adhesive sheet (A) may have a release material on the adhesive layer (X1). When the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is used in the production method according to the present embodiment, the release material is properly removed and removed.

점착 시트(A)의 형상은, 시트상, 테이프상, 라벨상 등, 모든 형상을 취할 수 있다.The shape of the pressure-sensitive adhesive sheet A can take any shape, such as a sheet, tape, or label.

(기재(Y1))(Substrate (Y1))

점착 시트(A)가 가지는 기재(Y1)는, 팽창성 입자를 포함하는 비점착성 기재이다.The base material Y1 of the adhesive sheet A is a non-adhesive base material containing expandable particles.

본 발명에서, 비점착성 기재인지 아닌지의 판단은, 대상이 되는 기재의 표면에 대해서, JIS　Z0237：1991에 준거해 측정된 프로브 택 값이 50 mN/5mmφ 미만이면, 상기 기재를 「비점착성 기재」라고 판단한다.In the present invention, the determination of whether or not a non-adhesive substrate is made is a non-adhesive substrate if the probe tack value measured in accordance with JIS #Z0237: 1991 is less than 50 mN/5 mmφ with respect to the surface of the target substrate. I judge it.

여기서, 본 실시형태에서 이용되는 기재(Y1)의 표면에서의 프로브 택 값은, 통상은 50 mN/5mmφ 미만이지만, 바람직하게는 30 mN/5mmφ 미만, 보다 바람직하게는 10 mN/5mmφ 미만, 더 바람직하게는 5 mN/5mmφ 미만이다.Here, the probe tack value at the surface of the substrate Y1 used in the present embodiment is usually less than 50 mN/5mmφ, but preferably less than 30 mN/5mmφ, more preferably less than 10 mN/5mmφ, and more It is preferably less than 5 mN/5 mmφ.

또한 본 명세서에서, 기재(Y1)의 표면에서의 프로브 택 값의 구체적인 측정 방법은, 실시예에 기재된 방법에 따른다.In addition, in this specification, the specific measuring method of the probe tack value on the surface of the base material Y1 follows the method described in the Examples.

점착 시트(A)는, 팽창성 입자가, 점착제층이 아니라, 탄성률이 높은 비점착성 수지에 포함되기 때문에, 칩을 재치하는 점착제층(X1)의 두께의 조정, 점착력, 점탄성률 등의 제어 등, 설계의 자유도가 향상한다. 이것에 의해서 칩의 위치 어긋남의 발생을 억제할 수 있다. 또한 점착 시트(A)를 이용하는 경우, 칩은, 점착제층(X1)의 점착 표면에 재치되기 때문에, 팽창성 입자를 포함하는 기재(Y1)과 칩이 직접적으로 접하는 것은 아니다. 이것에 의해서, 팽창성 입자로부터 유래하는 잔사 및 크게 변형한 점착제층의 일부가 칩에 부착하거나 팽창성 점착층에 형성된 요철 형상이 칩에 전사되는 것이 억제되어 청정성을 유지한 채로, 칩을 다음 공정에 제공할 수 있다.In the pressure-sensitive adhesive sheet (A), since the expandable particles are contained in a non-adhesive resin having a high modulus of elasticity, not an adhesive layer, adjustment of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) on which the chip is placed, control of adhesive strength, viscoelastic modulus, etc. Design freedom improves. This can suppress the occurrence of chip misalignment. In the case of using the adhesive sheet (A), the chip is placed on the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), so that the substrate (Y1) containing expandable particles does not come into direct contact with the chip. Thereby, the residue from the expandable particles and a part of the largely deformed pressure-sensitive adhesive layer are prevented from being transferred to the chip or the uneven shape formed in the expandable pressure-sensitive adhesive layer is transferred to the chip, and the chip is provided to the next step while maintaining cleanliness. can do.

기재(Y1)의 두께는, 바람직하게는 10 ~ 1000μm, 보다 바람직하게는 20 ~ 500μm, 더 바람직하게는 25 ~ 400μm, 더욱더 바람직하게는 30 ~ 300μm이다.The thickness of the base material Y1 is preferably 10 to 1000 μm, more preferably 20 to 500 μm, more preferably 25 to 400 μm, even more preferably 30 to 300 μm.

또한 본 명세서에서, 기재(Y1)의 두께는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다.In addition, in this specification, the thickness of the base material Y1 means a value measured according to the method described in Examples.

기재(Y1)는, 수지 조성물(y1)로 형성할 수 있다. 이하, 기재(Y1)의 형성 재료인 수지 조성물(y1)에 포함되는 각 성분에 대해서 설명한다.The base material Y1 can be formed of a resin composition (y1). Hereinafter, each component contained in the resin composition (y1) which is a material for forming the base material (Y1) will be described.

〔팽창성 입자〕〔Expandable particles〕

점착 시트(A)는, 기재(Y1)에 팽창성 입자를 포함하는 것이다.The adhesive sheet (A) contains expandable particles in the substrate (Y1).

팽창성 입자는, 외부 자극에 의해서, 그 자체가 팽창하여 점착제층(X1)의 점착 표면에 요철을 형성하고, 피착체와의 접착력을 저하시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.The expandable particle is not particularly limited as long as it expands itself by an external stimulus to form irregularities on the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), and can reduce the adhesive force with the adherend.

팽창성 입자로는, 예를 들면, 가열에 의해서 팽창하는 열팽창성 입자, 에너지선의 조사에 의해서 팽창하는 에너지선 팽창성 입자 등을 들 수 있지만, 범용성 및 취급성의 관점에서, 열팽창성 입자인 것이 바람직하다.Examples of the expandable particles include thermally expandable particles that expand by heating, energy ray expandable particles that expand by irradiation with energy rays, and the like, and are preferably thermally expandable particles from the viewpoint of versatility and handling.

열팽창성 입자의 팽창개시온도(t)는, 바람직하게는 60 ~ 270℃, 보다 바람직하게는 70 ~ 260℃, 더 바람직하게는 80 ~ 250℃이다.The expansion initiation temperature (t) of the thermally expandable particles is preferably 60 to 270°C, more preferably 70 to 260°C, and more preferably 80 to 250°C.

또한 본 명세서에서, 열팽창성 입자의 팽창개시온도(t)는, 이하의 방법에 기초해 측정된 값을 의미한다.In addition, in this specification, the expansion initiation temperature t of the thermally expandable particles means a value measured based on the following method.

[열팽창성 입자의 팽창개시온도(t)의 측정법][Measurement method of expansion initiation temperature (t) of thermally expandable particles]

직경 6.0 mm(내경 5.65 mm), 깊이 4.8 mm의 알루미늄 컵에, 측정 대상이 되는 열팽창성 입자 0.5 mg를 가하고, 그 위에 알루미늄 뚜껑(직경 5.6 mm, 두께 0.1 mm)를 배치한 시료를 제작한다.To a aluminum cup having a diameter of 6.0 mm (inner diameter 5.65 mm) and a depth of 4.8 mm, 0.5 mg of the thermally expandable particles to be measured were added, and a sample was prepared on which an aluminum lid (diameter 5.6 mm, thickness 0.1 mm) was placed.

동적점탄성 측정장치를 이용하여, 그 시료에 알루미늄 뚜껑 상부로부터, 가압자로 0.01 N의 힘을 가한 상태에서, 시료의 높이를 측정한다. 그리고, 가압자로 0.01 N의 힘을 가한 상태에서, 20℃에서 300℃까지 10℃／min의 승온 속도로 가열해, 가압자의 수직 방향으로의 변위량을 측정하고, 정방향에의 변위 개시 온도를 팽창개시온도(t)로 한다.Using a dynamic viscoelasticity measuring device, the height of the sample is measured in a state in which a force of 0.01 N is applied to the sample from the upper portion of the aluminum lid with a pressurizer. Then, with a force of 0.01 N applied to the pressurizer, heating was performed at a heating rate of 10°C/min from 20°C to 300°C, the displacement amount in the vertical direction of the pressurizer was measured, and the start of displacement in the forward direction was expanded. Let temperature t.

열팽창성 입자로는, 열가소성 수지로 구성된 외각과, 상기 외각에 내포되고 또한 소정의 온도까지 가열되면 기화하는 내포 성분으로 구성되는, 마이크로캡슐화 발포제인 것이 바람직하다.The thermally expandable particles are preferably microencapsulated foaming agents, which are composed of an outer shell made of a thermoplastic resin and an inner wrapper contained in the outer shell and vaporized when heated to a predetermined temperature.

마이크로캡슐화 발포제의 외각을 구성하는 열가소성 수지로는, 예를 들면, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 부티랄, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리설폰 등을 들 수 있다.As a thermoplastic resin constituting the outer shell of the microencapsulating foaming agent, for example, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinyl chloride And leadene, polysulfone, and the like.

외각에 내포된 내포 성분으로는, 예를 들면, 프로판, 부탄, 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 이소부탄, 이소펜탄, 이소헥산, 이소헵탄, 이소옥탄, 이소노난, 이소데칸, 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 네오펜탄, 도데칸, 이소도데칸, 시클로트리데칸, 헥실 시클로헥산, 트리데칸, 테트라데칸, 펜타데칸, 헥사데칸, 헵타데칸, 옥타데칸, 노나데칸, 이소트리데칸, 4-메틸 도데칸, 이소테트라데칸, 이소펜타데칸, 이소헥사데칸, 2,2,4,4,6,8,8-헵타메틸 노난, 이소헵타데칸, 이소옥타데칸, 이소노나데칸, 2,6,10,14-테트라메틸 펜타데칸, 시클로트리데칸, 헵틸 시클로헥산, n-옥틸 시클로헥산, 시클로펜타데칸, 노닐 시클로헥산, 데실시클로헥산, 펜타데실 시클로헥산, 헥사데실 시클로헥산, 헵타데실 시클로헥산, 옥타데실 시클로헥산 등을 들 수 있다. 이러한 내포 성분은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.As the inclusion component enclosed in the outer shell, for example, propane, butane, pentane, hexane, heptane, octane, nonane, decane, isobutane, isopentane, isohexane, isoheptane, isooctane, isononane, isodecane, cyclo Propane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, neopentane, dodecane, isododecane, cyclotridecane, hexyl cyclohexane, tridecane, tetradecane, pentadecane, hexadecane, heptadecan, Octadecane, nonadecane, isotridecane, 4-methyl dodecane, isotetradecane, isopentadecane, isohexadecane, 2,2,4,4,6,8,8-heptamethyl nonane, isoheptadecane, Isooctadecane, isononadecan, 2,6,10,14-tetramethyl pentadecane, cyclotridecane, heptyl cyclohexane, n-octyl cyclohexane, cyclopentadecane, nonyl cyclohexane, decylcyclohexane, pentadecyl And cyclohexane, hexadecyl cyclohexane, heptadecyl cyclohexane, and octadecyl cyclohexane. These inclusion components may be used alone or in combination of two or more.

열팽창성 입자의 팽창개시온도(t)는, 내포 성분의 종류를 적절히 선택하여 조정할 수 있다.The expansion initiation temperature t of the thermally expandable particles can be adjusted by appropriately selecting the type of the inclusion component.

열팽창성 입자의 열팽창개시온도(t) 이상의 온도까지 가열한 경우의 체적 최대 팽창율은, 바람직하게는 1.5 ~ 100배, 보다 바람직하게는 2 ~ 80배, 더 바람직하게는 2.5 ~ 60배, 더욱더 바람직하게는 3 ~ 40배이다.The maximum expansion rate of the volume when heated to a temperature above the thermal expansion initiation temperature (t) of the thermally expandable particles is preferably 1.5 to 100 times, more preferably 2 to 80 times, more preferably 2.5 to 60 times, even more preferably It is 3 to 40 times.

팽창 전의 23℃에서의 팽창성 입자의 평균 입자경은, 바람직하게는 3 ~ 100μm, 보다 바람직하게는 4 ~ 70μm, 더 바람직하게는 6 ~ 60μm, 더욱더 바람직하게는 10 ~ 50μm이다.The average particle diameter of the expandable particles at 23° C. before expansion is preferably 3 to 100 μm, more preferably 4 to 70 μm, more preferably 6 to 60 μm, even more preferably 10 to 50 μm.

또한 팽창성 입자의 팽창 전의 평균 입자경이란, 체적 중위 입자경(D50)이고, 레이저 회절식 입도 분포 측정장치(예를 들면, Malｖern 사 제, 제품명 「MASTERSIZER 3000」)를 이용하여 측정한, 팽창 전의 팽창성 입자의 입자 분포에서, 팽창 전의 팽창성 입자의 입자경이 작은 쪽에서 계산한 누적 체적 빈도가 50%에 상당하는 입자경을 의미한다.The average particle diameter before expansion of the expandable particles is a volume median particle diameter (D 50 ), and the expandability before expansion measured using a laser diffraction particle size distribution measuring device (for example, product name "MASTERSIZER 3000" manufactured by Malｖern). In the particle distribution of particles, the particle diameter of the cumulative volume frequency calculated by the smaller particle diameter of the expandable particle before expansion means 50%.

팽창 전의 23℃에서의 팽창성 입자의 90% 입자경(D90)으로는, 바람직하게는 10 ~ 150μm, 보다 바람직하게는 20 ~ 100μm, 더 바람직하게는 25 ~ 90μm, 더욱더 바람직하게는 30 ~ 80μm이다.The 90% particle diameter (D 90 ) of the expandable particles at 23° C. before expansion is preferably 10 to 150 μm, more preferably 20 to 100 μm, more preferably 25 to 90 μm, even more preferably 30 to 80 μm .

또한 팽창 전의 팽창성 입자의 90% 입자경(D90)이란, 레이저 회절식 입도 분포 측정장치(예를 들면, Malｖern 사 제, 제품명 「MASTERSIZER 3000」)를 이용하여 측정한, 팽창 전의 팽창성 입자의 입자 분포에서, 팽창 전의 팽창성 입자의 입자경의 입경이 작은 쪽에서 계산한 누적 체적 빈도가 90%에 상당하는 입경을 의미한다.In addition, the 90% particle diameter (D 90 ) of the expandable particles before expansion is a particle distribution of the expandable particles before expansion, measured using a laser diffraction-type particle size distribution measuring device (for example, product name "MASTERSIZER 3000" manufactured by Malｖern). In, it means a particle size whose cumulative volume frequency calculated by the smaller particle size of the particle size of the expandable particles before expansion corresponds to 90%.

팽창성 입자의 함유량은, 기재(Y1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 1 ~ 40질량%, 보다 바람직하게는 5 ~ 35질량%, 더 바람직하게는 10 ~ 30질량%, 더욱더 바람직하게는 15 ~ 25질량%이다.The content of the expandable particles is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 5 to 35% by mass, and even more preferably 10 to 30% by mass relative to the total amount (100% by mass) of the active ingredient of the base material (Y1). %, even more preferably 15 to 25% by mass.

〔수지〕〔Suzy〕

수지 조성물(y1)에 포함되는 수지로는, 기재(Y1)가 비점착성이 되는 수지이면 특별히 한정되지 않고, 비점착성 수지이어도 좋고, 점착성 수지이어도 좋다. 즉, 수지 조성물(y1)에 포함되는 수지가 점착성 수지이어도, 수지 조성물(y1)로부터 기재(Y1)를 형성하는 과정에서, 상기 점착성 수지가 중합성 화합물과 중합반응하여, 얻어지는 수지가 비점착성 수지가 되어, 상기 수지를 포함하는 기재(Y1)가 비점착성이 되면 좋다.The resin contained in the resin composition (y1) is not particularly limited as long as the base material Y1 is a resin that becomes non-tacky, and may be a non-tacky resin or an adhesive resin. That is, even if the resin contained in the resin composition (y1) is an adhesive resin, in the process of forming the base material (Y1) from the resin composition (y1), the adhesive resin is polymerized with a polymerizable compound to obtain a non-adhesive resin. It is good if the base material Y1 containing the said resin becomes non-adhesive.

수지 조성물(y1)에 포함되는 상기 수지의 질량 평균분자량(Mw)은, 바람직하게는 1,000 ~ 100만, 보다 바람직하게는 1,000 ~ 70만, 더 바람직하게는 1,000 ~ 50만이다.The mass average molecular weight (Mw) of the resin contained in the resin composition (y1) is preferably 10,000,000 to 1,000,000, more preferably 10,000 to 700,000, and even more preferably 10 to 50,000.

상기 수지가 2종 이상의 구성 단위를 가지는 공중합체인 경우, 상기 공중합체의 형태는, 특별히 한정되지 않고, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 하나이어도 좋다.When the resin is a copolymer having two or more types of structural units, the form of the copolymer is not particularly limited, and may be any of a block copolymer, a random copolymer, and a graft copolymer.

상기 수지의 함유량은, 수지 조성물(y1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 50 ~ 99질량%, 보다 바람직하게는 60 ~ 95질량%, 더 바람직하게는 65 ~ 90질량%, 더욱더 바람직하게는 70 ~ 85질량%이다.The content of the resin is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 95% by mass, more preferably 65 to 90% based on the total amount (100% by mass) of the active ingredient in the resin composition (y1). The mass percentage is even more preferably 70 to 85 mass%.

수지 조성물(y1)에 포함되는 상기 수지는, 아크릴 우레탄계 수지 및 올레핀계 수지로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 아크릴 우레탄계 수지로는, 우레탄 프리폴리머(UP)와 (메타)아크릴산 에스테르를 포함하는 비닐 화합물을 중합하여 이루어지는 아크릴 우레탄계 수지(U1)이 바람직하다.It is preferable that the said resin contained in resin composition (y1) contains 1 or more types chosen from acrylic urethane type resin and olefin type resin. As the acrylic urethane-based resin, an acrylic urethane-based resin (U1) formed by polymerizing a vinyl compound containing a urethane prepolymer (UP) and (meth)acrylic acid ester is preferable.

〔아크릴 우레탄계 수지(U1)〕(Acrylic Urethane Resin (U1))

아크릴 우레탄계 수지(U1)의 주쇄가 되는 우레탄 프리폴리머(UP)로는, 폴리올과 다가 이소시아네이트의 반응물을 들 수 있다.As a urethane prepolymer (UP) which becomes a main chain of an acrylic urethane-type resin (U1), the reaction material of polyol and polyvalent isocyanate is mentioned.

또한 우레탄 프리폴리머(UP)는, 쇄연장제를 이용한 쇄연장 반응을 실시하여 얻어진 것이 더 바람직하다.Further, the urethane prepolymer (UP) is more preferably obtained by performing a chain extension reaction using a chain extender.

우레탄 프리폴리머(UP)의 원료가 되는 폴리올로는, 예를 들면, 알킬렌형 폴리올, 에테르형 폴리올, 에스테르형 폴리올, 에스테르 아미드형 폴리올, 에스테르·에테르형 폴리올, 카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다.Examples of the polyol used as a raw material for the urethane prepolymer (UP) include alkylene-type polyols, ether-type polyols, ester-type polyols, ester-amide-type polyols, ester-ether-type polyols, and carbonate-type polyols.

이러한 폴리올은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These polyols may be used alone or in combination of two or more.

본 실시형태에서 이용되는 폴리올로는, 디올이 바람직하고, 에스테르형 디올, 알킬렌형 디올 및 카보네이트형 디올이 보다 바람직하고, 에스테르형 디올, 카보네이트형 디올이 더 바람직하다.As the polyol used in the present embodiment, diol is preferable, ester-type diol, alkylene-type diol and carbonate-type diol are more preferable, and ester-type diol and carbonate-type diol are more preferable.

에스테르형 디올로는, 예를 들면, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올 등의 알칸디올; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜; 등의 디올류로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상과 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 나프탈렌디카르복실산, 4,4＇-디페닐디카르복실산, 디페닐메탄-4,4＇-디카르복실산, 호박산, 아디핀산, 아젤라인산, 세바신산, 헤트산, 말레인산, 푸말산, 이타콘산, 시클로헥산-1,3-디카르복실산, 시클로헥산-1,4-디카르복실산, 헥사히드로프탈산, 헥사히드로이소프탈산, 헥사히드로테레프탈산, 메틸 헥사히드로프탈산 등의 디카르복실산 및 이들의 무수물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상과의 축중합체를 들 수 있다.Examples of the ester-type diol include alkanediols such as 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, neopentyl glycol, and 1,6-hexanediol; Alkylene glycols such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, and dipropylene glycol; 1 or 2 or more selected from diols such as phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, naphthalenedicarboxylic acid, 4,4'-diphenyldicarboxylic acid, diphenylmethane-4,4'-dicar Carboxylic acid, succinic acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, hetic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, cyclohexane-1,3-dicarboxylic acid, cyclohexane-1,4-dicarboxylic acid, hexa And condensation polymers with one or two or more kinds selected from dicarboxylic acids such as hydrophthalic acid, hexahydroisophthalic acid, hexahydroterephthalic acid and methyl hexahydrophthalic acid, and anhydrides thereof.

구체적으로는, 폴리에틸렌 아디페이트 디올, 폴리부틸렌 아디페이트 디올, 폴리헥사메틸렌 아디페이트 디올, 폴리헥사메틸렌 이소프탈레이트 디올, 폴리네오펜틸 아디페이트 디올, 폴리에틸렌 프로필렌 아디페이트 디올, 폴리에틸렌 부틸렌 아디페이트 디올, 폴리부틸렌 헥사메틸렌 아디페이트 디올, 폴리디에틸렌 아디페이트 디올, 폴리(폴리테트라메틸렌에테르) 아디페이트 디올, 폴리(3-메틸펜틸렌아디페이트) 디올, 폴리에틸렌 아제레이트 디올, 폴리에틸렌 세바케이트 디올, 폴리부틸렌 아제레이트 디올, 폴리부틸렌 세바케이트 디올, 폴리네오펜틸 테레프탈레이트 디올 등을 들 수 있다.Specifically, polyethylene adipate diol, polybutylene adipate diol, polyhexamethylene adipate diol, polyhexamethylene isophthalate diol, polyneopentyl adipate diol, polyethylene propylene adipate diol, polyethylene butylene adipate diol, Polybutylene hexamethylene adipate diol, polydiethylene adipate diol, poly(polytetramethylene ether) adipate diol, poly(3-methylpentylene adipate) diol, polyethylene azelate diol, polyethylene sebacate diol, poly And butylene azelate diol, polybutylene sebacate diol, polyneopentyl terephthalate diol, and the like.

알킬렌형 디올로는, 예를 들면, 1,3-프로판디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올 등의 알칸디올; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜; 폴리테트라메틸렌글리콜 등의 폴리옥시알킬렌글리콜; 등을 들 수 있다.Examples of the alkylene diol include alkanediols such as 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, neopentyl glycol, and 1,6-hexanediol; Alkylene glycols such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, and dipropylene glycol; Polyalkylene glycols such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polybutylene glycol; Polyoxyalkylene glycols such as polytetramethylene glycol; And the like.

카보네이트형 디올로는, 예를 들면, 1,4-테트라메틸렌 카보네이트 디올, 1,5-펜타메틸렌 카보네이트 디올, 1,6-헥사메틸렌 카보네이트 디올, 1,2-프로필렌 카보네이트 디올, 1,3-프로필렌 카보네이트 디올, 2,2-디메틸 프로필렌 카보네이트 디올, 1,7-헵타메틸렌 카보네이트 디올, 1,8-옥타메틸렌 카보네이트 디올, 1,4-시클로헥산 카보네이트 디올 등을 들 수 있다.As the carbonate-type diol, for example, 1,4-tetramethylene carbonate diol, 1,5-pentamethylene carbonate diol, 1,6-hexamethylene carbonate diol, 1,2-propylene carbonate diol, 1,3-propylene Carbonate diol, 2,2-dimethyl propylene carbonate diol, 1,7-heptamethylene carbonate diol, 1,8-octamethylene carbonate diol, 1,4-cyclohexane carbonate diol, and the like.

우레탄 프리폴리머(UP)의 원료가 되는 다가 이소시아네이트로는, 방향족 폴리이소시아네이트, 지방족 폴리이소시아네이트, 지환식 폴리이소시아네이트 등을 들 수 있다.Aromatic polyisocyanate, aliphatic polyisocyanate, alicyclic polyisocyanate etc. are mentioned as polyvalent isocyanate which becomes a raw material of urethane prepolymer (UP).

이러한 다가 이소시아네이트는, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These polyisocyanates may be used alone or in combination of two or more.

또한, 이러한 다가 이소시아네이트는, 트리메티롤프로판 어덕트형 변성체, 물과 반응시킨 뷰렛형 변성체, 이소시아누레이트 환을 함유시킨 이소시아누레이트형 변성체이어도 좋다.Further, the polyisocyanate may be a trimethyrolpropane adduct-type modified product, a burette-type modified product reacted with water, or an isocyanurate-type modified product containing an isocyanurate ring.

이들 중에서도, 본 실시형태에서 이용되는 다가 이소시아네이트로는, 디이소시아네이트가 바람직하고, 4,4＇-디페닐메탄 디이소시아네이트(MDI), 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트(2,4-TDI), 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트(2,6-TDI), 헥사메틸렌 디이소시아네이트(HMDI), 및 지환식 디이소시아네이트로부터 선택되는 1종 이상이 보다 바람직하다.Among these, as the polyvalent isocyanate used in the present embodiment, diisocyanate is preferable, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 2,4-tolylene diisocyanate (2,4-TDI), One or more types selected from 2,6-tolylene diisocyanate (2,6-TDI), hexamethylene diisocyanate (HMDI), and alicyclic diisocyanate are more preferable.

지환식 디이소시아네이트로는, 예를 들면, 3-이소시아네이토메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실 이소시아네이트(이소포론 디이소시아네이트, IPDI), 1,3-시클로펜탄 디이소시아네이트, 1,3-시클로헥산 디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산 디이소시아네이트, 메틸-2,4-시클로헥산 디이소시아네이트, 메틸-2,6-시클로헥산 디이소시아네이트 등을 들 수 있지만, 이소포론 디이소시아네이트(IPDI)가 바람직하다.As the alicyclic diisocyanate, for example, 3-isocyanatomethyl-3,5,5-trimethylcyclohexyl isocyanate (isophorone diisocyanate, IPDI), 1,3-cyclopentane diisocyanate, 1,3 -Cyclohexane diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, methyl-2,4-cyclohexane diisocyanate, methyl-2,6-cyclohexane diisocyanate, and the like, but isophorone diisocyanate (IPDI) desirable.

본 실시형태에서, 아크릴 우레탄계 수지(U1)의 주쇄가 되는 우레탄 프리폴리머(UP)로는, 디올과 디이소시아네이트의 반응물이고, 양쪽 말단에 에틸렌성 불포화 기를 가지는 직쇄 우레탄 프리폴리머가 바람직하다.In the present embodiment, the urethane prepolymer (UP) serving as the main chain of the acrylic urethane-based resin (U1) is a reactant of diol and diisocyanate, and a straight-chain urethane prepolymer having ethylenically unsaturated groups at both ends is preferable.

상기 직쇄 우레탄 프리폴리머의 양쪽 말단에 에틸렌성 불포화 기를 도입하는 방법으로는, 디올과 디이소시아네이트 화합물을 반응하여 이루어지는 직쇄 우레탄 프리폴리머의 말단의 NCO기와 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트를 반응시키는 방법을 들 수 있다.As a method of introducing an ethylenically unsaturated group at both ends of the linear urethane prepolymer, a method of reacting a hydroxyalkyl (meth)acrylate with an NCO group at the terminal of the linear urethane prepolymer formed by reacting a diol and a diisocyanate compound is mentioned. have.

히드록시알킬 (메타)아크릴레이트로는, 예를 들면, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As hydroxyalkyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2- And hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate.

아크릴 우레탄계 수지(U1)의 측쇄로 되는, 비닐 화합물로는, 적어도 (메타)아크릴산 에스테르를 포함한다.As a vinyl compound which becomes the side chain of acrylic urethane-type resin (U1), at least (meth)acrylic acid ester is included.

(메타)아크릴산 에스테르로는, 알킬 (메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 알킬 (메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트를 병용하는 것이 보다 바람직하다.As the (meth)acrylic acid ester, one or more selected from alkyl (meth)acrylates and hydroxyalkyl (meth)acrylates is preferable, and alkyl (meth)acrylate and hydroxyalkyl (meth)acrylate are used in combination. It is more preferable to do.

알킬 (메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트를 병용하는 경우, 알킬 (메타)아크릴레이트 100질량부에 대한, 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트의 배합 비율로는, 바람직하게는 0.1 ~ 100질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ~ 30질량부, 더 바람직하게는 1.0 ~ 20질량부, 더욱더 바람직하게는 1.5 ~ 10질량부이다.When the alkyl (meth)acrylate and hydroxyalkyl (meth)acrylate are used in combination, the mixing ratio of hydroxyalkyl (meth)acrylate to 100 parts by mass of the alkyl (meth)acrylate is preferably 0.1. It is -100 mass parts, More preferably, it is 0.5-30 mass parts, More preferably, it is 1.0-20 mass parts, More preferably, it is 1.5-10 mass parts.

알킬 (메타)아크릴레이트가 가지는 알킬기의 탄소수로는, 바람직하게는 1 ~ 24, 보다 바람직하게는 1 ~ 12, 더 바람직하게는 1 ~ 8, 더욱더 바람직하게는 1 ~ 3이다.The carbon number of the alkyl group of the alkyl (meth)acrylate is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 12, further preferably 1 to 8, and even more preferably 1 to 3.

히드록시알킬 (메타)아크릴레이트로는, 상술의 직쇄 우레탄 프리폴리머의 양쪽 말단에 에틸렌성 불포화 기를 도입하기 위해서 이용되는 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트와 같은 것을 들 수 있다.As hydroxyalkyl (meth)acrylate, the thing similar to the hydroxyalkyl (meth)acrylate used for introducing ethylenically unsaturated groups to both ends of the above-mentioned linear urethane prepolymer is mentioned.

(메타)아크릴산 에스테르 이외의 비닐 화합물로는, 예를 들면, 스티렌,α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 비닐 화합물; 메틸비닐 에테르, 에틸비닐 에테르 등의 비닐 에테르류; 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐, (메타)아크릴로니트릴, N-비닐 피롤리돈, (메타)아크릴산, 말레인산, 푸말산, 이타콘산, 메타(아크릴아미드) 등의 극성기 함유 모노머; 등을 들 수 있다.Examples of vinyl compounds other than the (meth)acrylic acid ester include aromatic hydrocarbon-based vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, and vinyl toluene; Vinyl ethers such as methyl vinyl ether and ethyl vinyl ether; Polar group-containing monomers such as vinyl acetate, vinyl propionate, (meth)acrylonitrile, N-vinyl pyrrolidone, (meth)acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, and meta(acrylamide); And the like.

이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These may be used alone or in combination of two or more.

비닐 화합물 중의 (메타)아크릴산 에스테르의 함유량으로는, 상기 비닐 화합물의 전량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 40 ~ 100질량%, 보다 바람직하게는 65 ~ 100질량%, 더 바람직하게는 80 ~ 100질량%, 더욱더 바람직하게는 90 ~ 100질량%이다.The content of the (meth)acrylic acid ester in the vinyl compound is preferably 40 to 100% by mass, more preferably 65 to 100% by mass, and more preferably 80 relative to the total amount (100% by mass) of the vinyl compound. ~100 mass%, even more preferably 90 to 100 mass%.

비닐 화합물 중의 알킬 (메타)아크릴레이트 및 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트의 합계 함유량으로는, 상기 비닐 화합물의 전량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 40 ~ 100질량%, 보다 바람직하게는 65 ~ 100질량%, 더 바람직하게는 80 ~ 100질량%, 더욱더 바람직하게는 90 ~ 100질량%이다.The total content of the alkyl (meth)acrylate and the hydroxyalkyl (meth)acrylate in the vinyl compound is preferably 40 to 100 mass%, more preferably about the total amount (100 mass%) of the vinyl compound. 65 to 100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass, even more preferably 90 to 100% by mass.

본 실시형태에서 이용되는 아크릴 우레탄계 수지(U1)은, 우레탄 프리폴리머(UP)와, (메타)아크릴산 에스테르를 포함하는 비닐 화합물을 혼합하고, 양쪽을 중합하여 얻어진다.The acrylic urethane-based resin (U1) used in the present embodiment is obtained by mixing a urethane prepolymer (UP) and a vinyl compound containing (meth)acrylic acid ester and polymerizing both.

상기 중합에서는, 라디칼개시제를 더 첨가하여 행하는 것이 바람직하다.In the polymerization, it is preferable to further perform a radical initiator.

본 실시형태에서 이용되는 아크릴 우레탄계 수지(U1)에서, 우레탄 프리폴리머(UP)로부터 유래하는 구성 단위(u11)과 비닐 화합물로부터 유래하는 구성 단위(u12)의 함유량비〔(u11)/(u12)〕로는, 질량비로, 바람직하게는 10/90 ~ 80/20, 보다 바람직하게는 20/80 ~ 70/30, 더 바람직하게는 30/70 ~ 60/40, 더욱더 바람직하게는 35/65 ~ 55/45이다.In the acrylic urethane resin (U1) used in the present embodiment, the content ratio of the structural unit (u11) derived from the urethane prepolymer (UP) and the structural unit (u12) derived from the vinyl compound ((u11)/(u12)] As the mass ratio, preferably 10/90 to 80/20, more preferably 20/80 to 70/30, more preferably 30/70 to 60/40, even more preferably 35/65 to 55/ 45.

〔올레핀계 수지〕[Olefin-based resin]

수지 조성물(y1)에 포함되는 수지로서 적합한, 올레핀계 수지로는, 올레핀 모노머로부터 유래하는 구성 단위를 적어도 가지는 중합체이다.As an olefin resin suitable as a resin contained in the resin composition (y1), it is a polymer having at least a structural unit derived from an olefin monomer.

상기 올레핀 모노머로는, 탄소수 2 ~ 8의 α-올레핀이 바람직하고, 구체적으로는, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 이소부틸렌, 1-헥센 등을 들 수 있다.As the olefin monomer, an α-olefin having 2 to 8 carbon atoms is preferable, and specific examples thereof include ethylene, propylene, butylene, isobutylene, and 1-hexene.

이들 중에서도, 에틸렌 및 프로필렌이 바람직하다.Among these, ethylene and propylene are preferred.

구체적인 올레핀계 수지로는, 예를 들면, 초저밀도 폴리에틸렌(VLDPE, 밀도：880kg/㎥ 이상 910 kg/㎥ 미만), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 밀도：910kg/㎥ 이상 915 kg/㎥ 미만), 중밀도 폴리에틸렌(MDPE, 밀도：915kg/㎥ 이상 942 kg/㎥ 미만), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE, 밀도：942kg/㎥ 이상), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌 등의 폴리에틸렌 수지; 폴리프로필렌 수지(PP); 폴리부텐 수지(PB); 에틸렌-프로필렌 공중합체; 올레핀계 엘라스토머(TPO); 폴리(4-메틸-1-펜텐)(PMP); 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA); 에틸렌-비닐 알코올 공중합체(EVOH); 에틸렌-프로필렌-(5-에틸리덴-2-노르보르넨) 등의 올레핀계 삼원공중합체; 등을 들 수 있다.As a specific olefin resin, for example, ultra low density polyethylene (VLDPE, density: 880 kg/m3 or more and less than 910 kg/m3), low density polyethylene (LDPE, density: 910 kg/m3 or more and less than 915 kg/m3), medium density Polyethylene resins such as polyethylene (MDPE, density: 915 kg/m 3 or more and less than 942 kg/m 3 ), high density polyethylene (HDPE, density: 942 kg/m 3 or more), and linear low density polyethylene; Polypropylene resin (PP); Polybutene resin (PB); Ethylene-propylene copolymers; Olefin-based elastomers (TPO); Poly(4-methyl-1-pentene) (PMP); Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA); Ethylene-vinyl alcohol copolymer (EVOH); Olefin terpolymers such as ethylene-propylene-(5-ethylidene-2-norbornene); And the like.

본 실시형태에서, 올레핀계 수지는, 산 변성, 수산기 변성, 및 아크릴 변성으로부터 선택되는 1종 이상의 변성을 더 실시한 변성 올레핀계 수지이어도 좋다.In the present embodiment, the olefin-based resin may be a modified olefin-based resin further subjected to one or more modifications selected from acid modification, hydroxyl modification, and acrylic modification.

예를 들면, 올레핀계 수지에 대해서 산 변성을 실시하여 이루어지는 산 변성 올레핀계 수지로는, 상술의 무변성의 올레핀계 수지에, 불포화 카르복실산 또는 그 무수물을, 그래프트중합시켜 이루어지는 변성 중합체를 들 수 있다.For example, examples of the acid-modified olefin-based resin that is acid-modified with respect to the olefin-based resin include a modified polymer obtained by graft-polymerizing an unsaturated carboxylic acid or anhydride thereof with the aforementioned non-modified olefin-based resin. have.

상기의 불포화 카르복실산 또는 그 무수물로는, 예를 들면, 말레인산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 글루타콘산, 테트라히드로프탈산, 아코니트산, (메타)아크릴산, 무수 말레인산, 무수 이타콘산, 무수 글루타콘산, 무수 시트라콘산, 무수 아코니트산, 노르보르넨디카르복실산 무수물, 테트라히드로프탈산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated carboxylic acid or anhydride thereof include, for example, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, glutaconic acid, tetrahydrophthalic acid, aconitic acid, (meth)acrylic acid, maleic anhydride, and itaric anhydride. Conic acid, glutaconic anhydride, citraconic anhydride, aconitic anhydride, norbornenedicarboxylic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, etc. are mentioned.

또한 불포화 카르복실산 또는 그 무수물은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Moreover, unsaturated carboxylic acid or its anhydride may be used independently and may use 2 or more types together.

올레핀계 수지에 대해서 아크릴 변성을 실시하여 이루어지는 아크릴 변성 올레핀계 수지로는, 주쇄인 상술의 무변성의 올레핀계 수지에, 측쇄로서 알킬 (메타)아크릴레이트를 그래프트중합시켜 이루어지는 변성 중합체를 들 수 있다.Examples of the acrylic-modified olefin-based resin obtained by subjecting the olefin-based resin to acrylic modification include a modified polymer obtained by graft polymerization of an alkyl (meth)acrylate as a side chain with the above-mentioned non-modified olefin-based resin.

상기의 알킬 (메타)아크릴레이트가 가지는 알킬기의 탄소수로는, 바람직하게는 1 ~ 20, 보다 바람직하게는 1 ~ 16, 더 바람직하게는 1 ~ 12이다.As carbon number of the alkyl group of the said alkyl (meth)acrylate, Preferably it is 1-20, More preferably, it is 1-16, More preferably, it is 1-12.

상기의 알킬 (메타)아크릴레이트로는, 예를 들면, 후술의 모노머(a1＇)으로서 선택할 수 있는 화합물과 같은 것을 들 수 있다.As said alkyl (meth)acrylate, the thing similar to the compound selectable as a monomer (a1') mentioned later is mentioned, for example.

올레핀계 수지에 대해서 수산기 변성을 실시하여 이루어지는 수산기 변성 올레핀계 수지로는, 주쇄인 상술의 무변성의 올레핀계 수지에, 수산기 함유 화합물을 그래프트중합시켜 이루어지는 변성 중합체를 들 수 있다.Examples of the hydroxyl-modified olefin-based resin obtained by subjecting the olefin-based resin to hydroxyl modification include a modified polymer obtained by graft-polymerizing a hydroxyl-containing compound with the above-mentioned non-modified olefin-based resin as a main chain.

상기의 수산기 함유 화합물로는, 예를 들면, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 3-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트류; 비닐 알코올, 알릴 알코올 등의 불포화알코올류 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; And unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol.

〔아크릴 우레탄계 수지 및 올레핀계 수지 이외의 수지〕(Resin other than acrylic urethane resin and olefin resin)

본 실시형태에서, 수지 조성물(y1)로는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 아크릴 우레탄계 수지 및 올레핀계 수지 이외의 수지를 함유해도 좋다.In the present embodiment, the resin composition (y1) may contain resins other than acrylic urethane-based resins and olefin-based resins within a range not impairing the effects of the present invention.

이러한 수지로는, 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐 알코올 등의 비닐계 수지; 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리스티렌; 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체; 3아세트산 셀룰로오스; 폴리카르보네이트; 아크릴 우레탄계 수지에는 해당하지 않는 폴리우레탄; 폴리설폰; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르설폰; 폴리페닐렌 설피드; 폴리에테르이미드, 폴리이미드 등의 폴리이미드계 수지; 폴리아미드계 수지; 아크릴 수지; 불소계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the resin include vinyl-based resins such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and polyvinyl alcohol; Polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polystyrene; Acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer; Cellulose triacetate; Polycarbonate; Polyurethanes that do not correspond to acrylic urethane resins; Polysulfone; Polyether ether ketone; Polyethersulfone; Polyphenylene sulfide; Polyimide-based resins such as polyetherimide and polyimide; Polyamide resins; Acrylic resin; And fluorine-based resins.

아크릴 우레탄계 수지 및 올레핀계 수지 이외의 수지의 함유 비율로는, 수지 조성물(y1) 중에 포함되는 수지의 전량 100질량부에 대해서, 바람직하게는 30질량부 미만, 보다 바람직하게는 20질량부 미만, 보다 바람직하게는 10질량부 미만, 더 바람직하게는 5질량부 미만, 더욱더 바람직하게는 1질량부 미만이다.The content ratio of the resin other than the acrylic urethane-based resin and the olefin-based resin is preferably less than 30 parts by mass, more preferably less than 20 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the total amount of the resin contained in the resin composition (y1), More preferably, it is less than 10 parts by mass, more preferably less than 5 parts by mass, even more preferably less than 1 part by mass.

〔기재용 첨가제〕〔Additives for substrates〕

수지 조성물(y1)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 일반적인 점착 시트가 가지는 기재에 포함되는 기재용 첨가제를 함유해도 좋다.The resin composition (y1) may contain an additive for a base material contained in a base material of a general adhesive sheet within a range that does not impair the effects of the present invention.

이러한 기재용 첨가제로는, 예를 들면, 자외선 흡수제, 광안정제, 산화방지제, 대전방지제, 슬립제, 안티블로킹제, 착색제 등을 들 수 있다.Examples of the additive for the base material include ultraviolet absorbers, light stabilizers, antioxidants, antistatic agents, slip agents, anti-blocking agents, and colorants.

또한 이러한 기재용 첨가제는, 각각 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.In addition, these additives for base materials may be used alone or in combination of two or more.

이러한 기재용 첨가제를 함유하는 경우, 각각의 기재용 첨가제의 함유량은, 수지 조성물(y1) 중의 상기 수지 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.0001 ~ 20질량부, 보다 바람직하게는 0.001 ~ 10질량부이다.When containing the additive for base materials, the content of each base additive is preferably 0.0001 to 20 parts by mass, more preferably 0.001 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the resin in the resin composition (y1). to be.

〔무용제형 수지 조성물(y1＇)〕[Solvent-free resin composition (y1')

본 실시형태에서 이용되는 수지 조성물(y1)의 한 형태로서 질량 평균분자량(Mw)이 50000 이하인 에틸렌성 불포화 기를 가지는 올리고머와 에너지선 중합성 모노머와 상술의 팽창성 입자를 배합하여 이루어지고, 용제를 배합하지 않는, 무용제형 수지 조성물(y1＇)을 들 수 있다.As a form of the resin composition (y1) used in the present embodiment, an oligomer having an ethylenically unsaturated group having a mass average molecular weight (Mw) of 50000 or less, an energy ray polymerizable monomer, and the above expandable particles are blended to form a solvent. And a solvent-free resin composition (y1') which is not used.

무용제형 수지 조성물(y1＇)에는, 용제를 배합하지 않지만, 에너지선 중합성 모노머가, 상기 올리고머의 가역성의 향상에 기여하는 것이다.Although a solvent is not mixed with the solvent-free resin composition (y1'), an energy ray polymerizable monomer contributes to the improvement of the reversibility of the oligomer.

무용제형 수지 조성물(y1＇)으로 형성된 도막에 대해서, 에너지선을 조사하여 기재(Y1)를 얻을 수 있다.For the coating film formed of the solvent-free resin composition (y1'), the energy ray can be irradiated to obtain the base material (Y1).

무용제형 수지 조성물(y1＇)에 배합되는 팽창성 입자의 종류, 형상, 배합량(함유량)에 대해서는, 상술한 바와 같다.The kind, shape, and compounding amount (content) of the expandable particles blended into the solvent-free resin composition (y1') are as described above.

무용제형 수지 조성물(y1＇)에 포함되는 상기 올리고머의 질량 평균분자량(Mw)은, 50000 이하이지만, 바람직하게는 1000 ~ 50000, 보다 바람직하게는 2000 ~ 40000, 더 바람직하게는 3000 ~ 35000, 더욱더 바람직하게는 4000 ~ 30000이다.The mass average molecular weight (Mw) of the oligomer contained in the solvent-free resin composition (y1') is 50000 or less, preferably 1000 to 50000, more preferably 2000 to 40000, more preferably 3000 to 35000, even more It is preferably 4000 to 30000.

또한, 상기 올리고머로는, 상술의 수지 조성물(y1)에 포함되는 수지 가운데, 질량 평균분자량(Mw)이 50000 이하인 에틸렌성 불포화 기를 가지는 것이면 좋지만, 상술의 우레탄 프리폴리머(UP)가 바람직하다.Further, as the oligomer, it is preferable to have an ethylenically unsaturated group having a mass average molecular weight (Mw) of 50000 or less among the resins contained in the resin composition (y1), but the urethane prepolymer (UP) described above is preferable.

또한 상기 올리고머로는, 에틸렌성 불포화 기를 가지는 변성 올레핀계 수지 등도 사용할 수 있다.Moreover, as said oligomer, the modified olefin resin which has an ethylenically unsaturated group etc. can also be used.

무용제형 수지 조성물(y1＇) 중에서의, 상기 올리고머 및 상기 에너지선 중합성 모노머의 합계 함유량은, 무용제형 수지 조성물(y1＇)의 전량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 50 ~ 99질량%, 보다 바람직하게는 60 ~ 95질량%, 더 바람직하게는 65 ~ 90질량%, 더욱더 바람직하게는 70 ~ 85질량%이다.The total content of the oligomer and the energy ray polymerizable monomer in the solvent-free resin composition (y1') is preferably 50 to 99 mass relative to the total amount (100 mass%) of the solvent-free resin composition (y1'). %, more preferably 60 to 95% by mass, more preferably 65 to 90% by mass, even more preferably 70 to 85% by mass.

에너지선 중합성 모노머로는, 예를 들면, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 아다만탄 (메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 아크릴레이트 등의 지환식 중합성 화합물; 페닐 히드록시프로필 아크릴레이트, 벤질 아크릴레이트, 페놀 에틸렌옥시드 변성 아크릴레이트 등의 방향족 중합성 화합물; 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트, 몰포린 아크릴레이트, N-비닐 피롤리돈, N-비닐 카프로락탐 등의 복소환식 중합성 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the energy ray polymerizable monomer include isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, and dicyclopentenyloxy (meth)acrylate, Alicyclic polymerizable compounds such as cyclohexyl (meth)acrylate, adamantane (meth)acrylate, and tricyclodecane acrylate; Aromatic polymerizable compounds such as phenyl hydroxypropyl acrylate, benzyl acrylate, and phenol ethylene oxide-modified acrylate; And heterocyclic polymerizable compounds such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate, morpholine acrylate, N-vinyl pyrrolidone, and N-vinyl caprolactam.

이러한 에너지선 중합성 모노머는, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These energy ray polymerizable monomers may be used alone or in combination of two or more.

무용제형 수지 조성물(y1＇) 중에서의, 상기 올리고머와 상기 에너지선 중합성 모노머의 함유량비(상기 올리고머/에너지선 중합성 모노머)는, 질량비로, 바람직하게는 20/80 ~ 90/10, 보다 바람직하게는 30/70 ~ 85/15, 더 바람직하게는 35/65 ~ 80/20이다.The content ratio (the oligomer/energy ray polymerizable monomer) of the oligomer and the energy ray polymerizable monomer in the solvent-free resin composition (y1′) is, in mass ratio, preferably 20/80 to 90/10, more It is preferably 30/70 to 85/15, more preferably 35/65 to 80/20.

본 실시형태에서, 무용제형 수지 조성물(y1＇)은, 광중합개시제를 더 배합하여 이루어지는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the solvent-free resin composition (y1') is preferably formed by further blending a photopolymerization initiator.

광중합개시제를 함유하는 것으로, 비교적 낮은 에너지의 에너지선의 조사에 의해서도, 충분히 경화 반응을 진행시킬 수 있다.By containing a photopolymerization initiator, the curing reaction can be sufficiently advanced even by irradiation of a relatively low energy energy ray.

광중합개시제로는, 예를 들면, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안스라퀴논 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin propyl ether, benzylphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, And azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, and the like.

이러한 광중합개시제는, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.

광중합개시제의 배합량은, 상기 올리고머 및 에너지선 중합성 모노머의 전량(100질량부)에 대해서, 바람직하게는 0.01 ~ 5질량부, 보다 바람직하게는 0.01 ~ 4질량부, 더 바람직하게는 0.02 ~ 3질량부이다.The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 5 parts by mass, more preferably 0.01 to 4 parts by mass, and even more preferably 0.02 to 3, based on the total amount (100 parts by mass) of the oligomer and the energy ray polymerizable monomer. It is the mass part.

기재(Y1)과 적층하는 다른 층의 층간 밀착성을 향상시키는 관점에서, 기재(Y1)의 표면에 대해서, 산화법, 요철화법 등에 의한 표면 처리, 프라이머 처리를 실시해도 좋다. 산화법으로는, 예를 들면, 코로나 방전 처리, 플라즈마 방전 처리, 크롬산 처리(습식), 열풍 처리, 오존, 자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 요철화법으로는, 예를 들면, 샌드블래스트법, 용제 처리법 등을 들 수 있다.From the viewpoint of improving the interlayer adhesion of the other layers laminated with the base material Y1, the surface of the base material Y1 may be subjected to surface treatment by an oxidation method, an unevenening method, or a primer treatment. Examples of the oxidation method include corona discharge treatment, plasma discharge treatment, chromic acid treatment (wet), hot air treatment, ozone, and ultraviolet irradiation treatment. Examples of the unevenness method include sand blasting method and solvent. And treatment methods.

〔기재(Y1)의 저장 탄성률〕〔Storage elastic modulus of base material Y1〕

기재(Y1)의 23℃에서의 저장 탄성률(E＇)(23)은, 바람직하게는 1.0×106 Pa 이상, 보다 바람직하게는 5.0×106 ~ 5.0×1012 Pa, 더 바람직하게는 1.0×107 ~ 1.0×1012 Pa, 더욱더 바람직하게는 5.0×107 ~ 1.0×1011 Pa, 더욱더 바람직하게는 1.0×108 ~ 1.0×1010 Pa이다. 저장 탄성률(E＇)(23)이 상기 범위 내인 기재(Y1)를 이용함으로써, 칩의 위치 어긋남을 방지할 수 있음과 동시에, 칩의 점착제층(X1)에의 침강을 방지할 수도 있다.The storage elastic modulus (E′) 23 at 23° C. of the substrate Y1 is preferably 1.0×10 6 Pa or more, more preferably 5.0×10 6 to 5.0×10 12 Pa, further preferably 1.0 X 10 7 to 1.0 x 10 12 Pa, even more preferably 5.0 x 10 7 to 1.0 x 10 11 Pa, even more preferably 1.0 x 10 8 to 1.0 x 10 10 Pa. By using the base material Y1 having the storage modulus (E') 23 within the above range, it is possible to prevent the chip from being displaced, and also to prevent the chip from settling into the pressure-sensitive adhesive layer (X1).

또한 본 명세서에서, 소정의 온도에서의 기재(Y1)의 저장 탄성률(E＇)은, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다.In addition, in this specification, the storage elastic modulus (E') of the base material Y1 at a predetermined temperature means a value measured according to the method described in Examples.

또한 기재(Y1)는, 그 저장 탄성률이 이하의 요건(1)을 만족하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the storage elastic modulus of the base material Y1 satisfies the following requirement (1).

·요건(1)：100℃에서의, 기재(Y1)의 저장 탄성률(E＇)(100)가, 2.0×105 Pa 이상이다.-Requirements (1): The storage elastic modulus (E') 100 of the base material Y1 at 100°C is 2.0 x 10 5 Pa or more.

요건(1)을 만족하는 기재(Y1)를 가지는 것으로, 점착 시트(A) 상에서 칩을 봉지하는 경우, FOWLP 및 FOPLP의 제조 과정에서 봉지 공정의 온도 환경에서도, 팽창성 입자의 유동을 적절히 억제할 수 있기 때문에, 기재(Y1) 상에 설치된 점착제층(X1)의 점착 표면이 변형하기 어려워진다. 그 결과, 칩의 위치 어긋남을 방지할 수 있음과 동시에, 칩의 점착제층(X1)에의 침강을 방지할 수도 있다.Having a substrate (Y1) that satisfies the requirements (1), when sealing the chip on the adhesive sheet (A), even in the temperature environment of the sealing process in the process of manufacturing FOWLP and FOPLP, it is possible to appropriately suppress the flow of expandable particles. Therefore, the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) provided on the base material (Y1) becomes difficult to deform. As a result, it is possible to prevent the chip from being displaced, and also to prevent the chip from settling into the pressure-sensitive adhesive layer (X1).

상기 관점에서, 기재(Y1)의 저장 탄성률(E＇)(100)는, 보다 바람직하게는 4.0×105 Pa 이상, 더 바람직하게는 6.0×105 Pa 이상, 더욱더 바람직하게는 8.0×105 Pa 이상, 더욱더 바람직하게는 1.0×106 Pa 이상이다.In view of the above, the storage elastic modulus (E＇) 100 of the base material Y1 is more preferably 4.0×10 5 Pa or more, more preferably 6.0×10 5 Pa or more, even more preferably 8.0×10 5 Pa or more, still more preferably 1.0×10 6 Pa or more.

또한, 봉지 공정에서, 칩의 위치 어긋남을 효과적으로 억제하는 관점에서, 기재(Y1)의 저장 탄성률(E＇)(100)는, 바람직하게는 1.0×1012 Pa 이하, 보다 바람직하게는 1.0×1011 Pa 이하, 더 바람직하게는 1.0×1010 Pa 이하, 더욱더 바람직하게는 1.0×109 Pa 이하이다.Further, in the sealing step, the storage elastic modulus (E′) 100 of the substrate Y1 is preferably 1.0×10 12 Pa or less, more preferably 1.0×10 from the viewpoint of effectively suppressing the positional displacement of the chip. 11 Pa or less, more preferably 1.0×10 10 Pa or less, even more preferably 1.0×10 9 Pa or less.

또한, 본 실시형태의 점착 시트가 가지는 기재(Y1)가 팽창성 입자로서 열팽창성 입자를 함유하는 경우, 그 저장 탄성률이 이하의 요건(2)를 만족하는 것이 바람직하다.Moreover, when the base material Y1 of the pressure-sensitive adhesive sheet of this embodiment contains thermally expandable particles as expandable particles, it is preferable that the storage elastic modulus satisfies the following requirement (2).

·요건(2)：상기 열팽창성 입자의 팽창개시온도(t)에서 기재(Y1)의 저장 탄성률(E＇)(t)이, 1.0×107 Pa 이하이다.Requirements (2): The storage elastic modulus (E＇)(t) of the base material Y1 at the expansion start temperature t of the thermally expandable particles is 1.0×10 7 Pa or less.

요건(2)를 만족하는 기재(Y1)를 가지는 것으로, 열팽창성 입자를 팽창시키는 온도에서, 기재(Y1)가 열팽창성 입자의 체적 팽창에 추종해 변형하기 쉬워져, 점착재층(X1)의 점착 표면에 요철을 형성하기 쉬워진다. 이것에 의해서, 작은 외력에 의해서 대상물로부터 분리할 수 있다.Having a substrate (Y1) that satisfies the requirements (2), at a temperature at which the thermally expandable particles expand, the substrate (Y1) follows the volumetric expansion of the thermally expandable particles, making it easy to deform, and the adhesion of the adhesive layer (X1) It becomes easy to form irregularities on the surface. Thereby, it can be separated from the object by a small external force.

상기 관점에서, 기재(Y1)의 저장 탄성률(E＇)(t)은, 보다 바람직하게는 9.0×106 Pa 이하, 더 바람직하게는 8.0×106 Pa 이하, 더욱더 바람직하게는 6.0×106 Pa 이하, 더욱더 바람직하게는 4.0×106 Pa 이하이다.From the above viewpoint, the storage elastic modulus (E＇)(t) of the substrate Y1 is more preferably 9.0×10 6 Pa or less, more preferably 8.0×10 6 Pa or less, even more preferably 6.0×10 6 Pa or less, and more preferably 4.0 x 10 6 Pa or less.

또한, 팽창한 열팽창성 입자의 유동을 억제하고, 점착제층(X1)의 점착 표면에 형성되는 요철의 형상 유지성을 향상시켜, 분리성을 보다 향상시키는 관점에서, 기재(Y1)의 저장 탄성률(E＇)(t)은, 바람직하게는 1.0×103 Pa 이상, 보다 바람직하게는 1.0×104 Pa 이상, 더 바람직하게는 1.0×105 Pa 이상이다.In addition, from the viewpoint of suppressing the flow of expanded thermally expandable particles and improving the shape retention of the unevenness formed on the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), further improving the separability, the storage elastic modulus (E) of the substrate (Y1) Iii) (t) is preferably 1.0×10 3 Pa or more, more preferably 1.0×10 4 Pa or more, and even more preferably 1.0×10 5 Pa or more.

(비팽창성 기재(Y1＇))(Non-expandable substrate (Y1＇))

점착 시트(A)는, 기재(Y1)의 한쪽의 면에 점착제층(X1)을 가지고, 다른 쪽의 면에 비팽창성 기재(Y1＇)을 가지고 있어도 좋다.The adhesive sheet (A) may have an adhesive layer (X1) on one surface of the base material (Y1) and a non-expandable base material (Y1') on the other surface.

본 명세서에서의 「비팽창성 기재」란, 점착 시트(A)에 포함되는 팽창성 입자가 팽창하는 조건에서 처리한 경우, 하기 식으로부터 산출되는 체적 변화율이 5 체적% 미만인 것으로 정의한다.The term "non-expandable base material" in the present specification is defined as a volume change rate calculated from the following formula when the expandable particles contained in the pressure-sensitive adhesive sheet (A) are expanded under a volume of less than 5% by volume.

체적 변화율(%)=(처리 후의 상기 층의 체적-처리 전의 상기 층의 체적)/처리 전의 상기 층의 체적×100Volume change rate (%)=(Volume of the layer after treatment-Volume of the layer before treatment)/Volume of the layer before treatment×100

상기 식으로부터 산출되는 비팽창성 기재(Y1＇)의 체적 변화율(%)은, 바람직하게는 2 체적% 미만, 보다 바람직하게는 1 체적% 미만, 더 바람직하게는 0.1 체적% 미만, 더욱더 바람직하게는 0.01 체적% 미만이다.The volume change rate (%) of the non-expandable substrate (Y1 ＇) calculated from the above formula is preferably less than 2% by volume, more preferably less than 1% by volume, more preferably less than 0.1% by volume, even more preferably Less than 0.01% by volume.

팽창성 입자가 팽창하는 조건은, 팽창성 입자가 열팽창성 입자인 경우는, 팽창개시온도(t)에서 3분간의 가열 처리를 실시하는 조건이다.The conditions for the expandable particles to expand are the conditions for performing heat treatment for 3 minutes at the initiation temperature t when the expandable particles are thermally expandable particles.

비팽창성 기재(Y1＇)은, 팽창성 입자를 함유해도 좋지만, 그 함유량은 적을수록 바람직하고, 비열팽창성 기재(Y1＇)의 전 질량(100질량%)에 대해서, 통상, 3질량% 미만, 바람직하게는 1질량% 미만, 보다 바람직하게는 0.1질량% 미만, 더 바람직하게는 0.01질량% 미만, 더욱더 바람직하게는 0.001질량% 미만이고, 팽창성 입자를 함유하지 않는 것이 가장 바람직하다.The non-expandable substrate (Y1') may contain expandable particles, but the smaller the content, the better. The total non-heat-expandable substrate (Y1') is preferably less than 3% by mass, relative to the total mass (100% by mass). Most preferably, it is less than 1% by mass, more preferably less than 0.1% by mass, more preferably less than 0.01% by mass, even more preferably less than 0.001% by mass, and does not contain expandable particles.

비팽창성 기재(Y1＇)의 형성 재료로는, 예를 들면, 종이재, 수지, 금속 등을 들 수 있다.Examples of the material for forming the non-expandable substrate (Y1') include paper materials, resins, and metals.

종이재로는, 예를 들면, 박엽지(薄葉紙), 중질지, 상질지, 함침지, 코트지, 아트지, 황산지, 글래신지 등을 들 수 있다.Examples of the paper material include thin paper, heavy paper, good quality paper, impregnated paper, coated paper, art paper, sulfuric acid paper, and glassine paper.

수지로는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀 수지; 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐 알코올, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-비닐 알코올 공중합체 등의 비닐계 수지; 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 폴리스티렌; 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체; 3 아세트산 셀룰로오스; 폴리카보네이트; 폴리우레탄, 아크릴 변성 폴리우레탄 등의 우레탄수지; 폴리메틸펜텐; 폴리설폰; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르설폰; 폴리페닐렌 설피드; 폴리에테르이미드, 폴리이미드 등의 폴리이미드계 수지; 폴리아미드계 수지; 아크릴 수지; 불소계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the resin include polyolefin resins such as polyethylene and polypropylene; Vinyl resins such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-vinyl alcohol copolymer; Polyester resins such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate; polystyrene; Acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer; 3 cellulose acetate; Polycarbonate; Urethane resins such as polyurethane and acrylic-modified polyurethane; Polymethylpentene; Polysulfone; Polyether ether ketone; Polyethersulfone; Polyphenylene sulfide; Polyimide-based resins such as polyetherimide and polyimide; Polyamide resins; Acrylic resin; And fluorine-based resins.

금속으로는, 예를 들면, 알루미늄, 주석, 크롬, 티탄 등을 들 수 있다.As a metal, aluminum, tin, chromium, titanium, etc. are mentioned, for example.

이러한 형성 재료는, 1종으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These forming materials may be composed of one type, or two or more types may be used in combination.

2종 이상의 형성 재료를 병용한 비팽창성 기재(Y1＇)으로는, 종이재를 폴리에틸렌 등의 열가소성 수지로 라미네이트 한 것, 수지를 포함하는 수지 필름 또는 시트의 표면에 금속막을 형성한 것 등을 들 수 있다.Examples of the non-expandable base material (Y1') in which two or more kinds of forming materials are used in combination include lamination of a paper material with a thermoplastic resin such as polyethylene, and a resin film containing a resin or a metal film formed on a sheet surface. Can.

또한 금속층의 형성 방법으로는, 예를 들면, 상기 금속을 진공증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 PVD법에 따라 증착하는 방법, 또는, 상기 금속으로 이루어지는 금속박을 일반적인 점착제를 이용하여 첩부하는 방법 등을 들 수 있다.Further, as a method of forming the metal layer, for example, a method of depositing the metal according to a PVD method such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, or a method of attaching a metal foil made of the metal using a general adhesive. Can be heard.

점착 시트(A)가, 비팽창성 기재(Y1＇)을 가지는 경우, 팽창성 입자를 팽창시키기 전에, 팽창성 기재(Y1)과 비팽창성 기재(Y1＇)의 두께 비〔(Y1)/(Y1＇)〕는, 바람직하게는 0.02 ~ 200, 보다 바람직하게는 0.03 ~ 150, 더 바람직하게는 0.05 ~ 100이다.When the adhesive sheet (A) has a non-expandable substrate (Y1'), before expanding the expandable particles, the thickness ratio of the expandable substrate (Y1) and the non-expandable substrate (Y1') (((Y1)/(Y1') ] Is preferably 0.02 to 200, more preferably 0.03 to 150, and even more preferably 0.05 to 100.

비팽창성 기재(Y1＇)와 적층하는 다른 층의 층간 밀착성을 향상시키는 관점에서, 비팽창성 기재(Y1＇)이 수지를 포함하는 경우, 비팽창성 기재(Y1＇)의 표면에 대해서도, 상술의 기재(Y1)과 마찬가지로, 산화법, 요철화법 등에 의한 표면 처리, 프라이머 처리를 실시해도 좋다.When the non-expandable substrate (Y1') contains a resin from the viewpoint of improving the interlayer adhesion of another layer to be laminated with the non-expandable substrate (Y1'), the surface of the non-expandable substrate (Y1') is also described above. Like (Y1), surface treatment and primer treatment by an oxidation method, an unevenness method, or the like may be performed.

비팽창성 기재(Y1＇)이 수지를 포함하는 경우, 상기 수지와 함께, 수지 조성물(y1)에도 함유될 수 있는, 상술의 기재용 첨가제를 함유해도 좋다.When the non-expandable base material (Y1') contains a resin, together with the above resin, the resin composition (y1) may contain the above-described additive for base material.

(점착제층(X1))(Adhesive layer (X1))

점착제층(X1)은, 점착성을 가지는 층이다. 점착제층(X1)은, 점착성 수지를 함유하고, 필요에 따라서, 가교제, 점착부여제, 중합성 화합물, 중합개시제 등의 점착제용 첨가제를 함유해도 좋다.The adhesive layer (X1) is a layer having adhesiveness. The pressure-sensitive adhesive layer (X1) contains a pressure-sensitive resin, and, if necessary, may contain additives for pressure-sensitive adhesives such as crosslinking agents, tackifiers, polymerizable compounds, and polymerization initiators.

점착제층(X1)의 점착 표면의 점착력은, 팽창성 입자가 팽창하기 전 23℃에서, 바람직하게는 0.1 ~ 10.0N/25 mm, 보다 바람직하게는 0.2 ~ 8.0N/25 mm, 더 바람직하게는 0.4 ~ 6.0N/25 mm, 더욱더 바람직하게는 0.5 ~ 4.0N/25 mm이다. 상기 점착력이 0.1N/25 mm 이상이면, 익스팬드 테이프 상의 칩과 강고하게 접착할 수 있기 때문에, 익스팬드 테이프와 칩의 분리를 용이하게 할 수 있다. 한편, 상기 점착력이 10.0N/25 mm 이하이면, 칩으로부터 분리할 때에, 약한 힘으로 용이하게 분리할 수 있다.The adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is at 23°C before the expandable particles expand, preferably 0.1 to 10.0 N/25 mm, more preferably 0.2 to 8.0 N/25 mm, more preferably 0.4 -6.0 N/25 mm, even more preferably 0.5-4.0 N/25 mm. When the adhesive force is 0.1 N/25 mm or more, the chip on the expand tape can be firmly adhered, so that the separation between the expand tape and the chip can be facilitated. On the other hand, if the adhesive force is 10.0 N/25 mm or less, when separating from the chip, it can be easily separated with a weak force.

또한 상기의 점착력은, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다.In addition, the said adhesive force means the value measured according to the method described in the Example.

점착제층(X1)의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)은, 23℃에서, 바람직하게는 1.0×104 ~ 1.0×108 Pa, 보다 바람직하게는 5.0×104 ~ 5.0×107 Pa, 더 바람직하게는 1.0×105 ~ 1.0×107 Pa이다. 점착제층(X1)의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)이 1.0×104 Pa 이상이면, 칩의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 한편, 점착제층(X1)의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)이 1.0×108 Pa 이하이면, 팽창한 팽창성 입자에 의한 요철이 점착 표면에 형성되기 쉽고, 약한 힘으로 용이하게 분리할 수 있다.The storage shear modulus (G＇) 23 of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is at 23° C., preferably 1.0×10 4 to 1.0×10 8 Pa, more preferably 5.0×10 4 to 5.0×10 7 Pa , More preferably 1.0×10 5 to 1.0×10 7 Pa. If the storage shear modulus (G′) 23 of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is 1.0×10 4 Pa or more, it is possible to prevent displacement of the chip. On the other hand, if the storage shear modulus (G＇) 23 of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is 1.0×10 8 Pa or less, irregularities caused by the expanded expandable particles are easily formed on the pressure-sensitive adhesive surface and can be easily separated with weak force. have.

점착 시트(A)가 복수의 점착제층을 가지는 점착 시트인 경우, 칩이 첩부되는 점착제층의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)이 상기 범위 내인 것이 바람직하고, 기재(Y1)보다도 칩이 첩부되는 측의 전체의 점착제층의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)이 상기 범위 내인 것이 바람직하다.When the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is a pressure-sensitive adhesive sheet having a plurality of pressure-sensitive adhesive layers, it is preferable that the storage shear modulus (G′) 23 of the pressure-sensitive adhesive layer to which the chip is adhered is within the above range, and the chip adheres to the substrate (Y1). It is preferable that the storage shear modulus (G') 23 of the entire pressure-sensitive adhesive layer on the side to be within the above range.

또한 본 명세서에서, 점착제층(X1)의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)은, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다.In addition, in this specification, the storage shear modulus (G′) 23 of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) means a value measured according to the method described in Examples.

점착제층(X1)의 두께는, 우수한 점착력을 발현시키는 관점, 및 가열 처리에 의한 팽창성 기재 중의 팽창성 입자의 팽창에 의해, 형성되는 점착제층의 표면에 요철을 형성하기 쉽게 하는 관점에서, 바람직하게는 1 ~ 60μm, 보다 바람직하게는 2 ~ 50μm, 더 바람직하게는 3 ~ 40μm, 더욱더 바람직하게는 5 ~ 30μm이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is preferably from the viewpoint of expressing excellent adhesion, and from the viewpoint of easily forming irregularities on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer formed by expansion of expandable particles in the expandable substrate by heat treatment, preferably 1 to 60 μm, more preferably 2 to 50 μm, more preferably 3 to 40 μm, even more preferably 5 to 30 μm.

점착제층(X1)의 두께에 대한 기재(Y1)의 두께의 비(기재(Y1)/점착제층(X1))은, 칩의 위치 어긋남을 방지하는 관점에서, 23℃에서, 바람직하게는 0.2 이상, 보다 바람직하게는 0.5 이상, 더 바람직하게는 1.0 이상, 더욱더 바람직하게는 5.0 이상이고, 또한, 분리할 때에, 약한 힘으로 용이하게 분리할 수 있는 점착 시트로 하는 관점에서, 바람직하게는 1000 이하, 보다 바람직하게는 200 이하, 더 바람직하게는 60 이하, 더욱더 바람직하게는 30 이하이다.The ratio of the thickness of the base material Y1 to the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) (substrate (Y1)/adhesive layer (X1)) is preferably 23 or more at 23° C. from the viewpoint of preventing misalignment of chips. , More preferably 0.5 or more, more preferably 1.0 or more, even more preferably 5.0 or more, and when separating, preferably from the viewpoint of a pressure-sensitive adhesive sheet that can be easily separated with a weak force, preferably 1,000 or less , More preferably 200 or less, still more preferably 60 or less, even more preferably 30 or less.

점착제층(X1)의 두께는, 실시예에 기재된 방법에 따라 측정된 값을 의미한다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) means a value measured according to the method described in Examples.

점착제층(X1)은, 점착성 수지를 포함하는 점착제 조성물(x1)로 형성할 수 있다. 이하, 점착제 조성물(x1)에 포함되는 각 성분에 대해서 설명한다.The pressure-sensitive adhesive layer (X1) can be formed of a pressure-sensitive adhesive composition (x1) containing an adhesive resin. Hereinafter, each component contained in the pressure-sensitive adhesive composition (x1) will be described.

〔점착성 수지〕[Adhesive resin]

점착제층(X1)의 형성 재료인 점착성 수지는, 상기 수지 단독으로 점착성을 가지고, 질량 평균분자량(Mw)이 1만 이상의 중합체인 것이 바람직하다. 점착성 수지의 질량 평균분자량(Mw)은, 점착력의 향상의 관점에서, 보다 바람직하게는 1만 ~ 200만, 더 바람직하게는 2만 ~ 150만, 더욱더 바람직하게는 3만 ~ 100만이다.It is preferable that the adhesive resin which is a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1) has a tackiness of the resin alone and is a polymer having a mass average molecular weight (Mw) of 10,000 or more. The mass average molecular weight (Mw) of the adhesive resin is more preferably 10,000 to 2 million, more preferably 20,000 to 1.5 million, even more preferably 30,000 to 1 million, from the viewpoint of improving the adhesive strength.

점착성 수지로는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 폴리이소부티렌계 수지 등의 고무계 수지, 폴리에스테르계 수지, 올레핀계 수지, 실리콘계 수지, 폴리비닐 에테르계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the adhesive resin include rubber-based resins such as acrylic resins, urethane-based resins, and polyisobutene-based resins, polyester-based resins, olefin-based resins, silicone-based resins, and polyvinyl ether-based resins.

이러한 점착성 수지는, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These adhesive resins may be used alone or in combination of two or more.

또한, 이러한 점착성 수지가, 2종 이상의 구성 단위를 가지는 공중합체인 경우, 상기 공중합체의 형태는, 특별히 한정되지 않고, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 및 그래프트 공중합체 중 어느 하나이어도 좋다.In addition, when such an adhesive resin is a copolymer which has two or more types of structural units, the form of the said copolymer is not specifically limited, Any one of a block copolymer, a random copolymer, and a graft copolymer may be sufficient.

점착성 수지는, 상기의 점착성 수지의 측쇄에 중합성 관능기를 도입한, 에너지선 경화형의 점착성 수지이어도 좋다.The adhesive resin may be an energy ray-curable adhesive resin in which a polymerizable functional group is introduced into the side chain of the adhesive resin.

상기 중합성 관능기로는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등을 들 수 있다.(Meth)acryloyl group, vinyl group, etc. are mentioned as said polymerizable functional group.

또한, 에너지선으로는, 자외선, 전자선 등을 들 수 있지만, 자외선이 바람직하다.Moreover, although an ultraviolet ray, an electron beam, etc. are mentioned as an energy ray, ultraviolet ray is preferable.

점착성 수지의 함유량은, 점착제 조성물(x1)의 유효 성분의 전량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 30 ~ 99.99질량%, 보다 바람직하게는 40 ~ 99.95질량%, 더 바람직하게는 50 ~ 99.90질량%, 더욱더 바람직하게는 55 ~ 99.80질량%, 더욱더 바람직하게는 60 ~ 99.50질량%이다.The content of the adhesive resin is preferably 30 to 99.99 mass%, more preferably 40 to 99.95 mass%, still more preferably 50 to 99.90 with respect to the total amount (100 mass%) of the active ingredient of the adhesive composition (x1). The mass percentage is even more preferably 55 to 99.80 mass%, even more preferably 60 to 99.50 mass%.

또한 본 명세서의 이하의 기재에서, 「점착제 조성물의 유효 성분의 전량에 대한 각 성분의 함유량」은, 「상기 점착제 조성물로 형성되는 점착제층 중의 각 성분의 함유량」과 동일한 의미이다.In addition, in the following description of this specification, "the content of each component with respect to the total amount of the active ingredient of an adhesive composition" has the same meaning as "the content of each component in the adhesive layer formed from the said adhesive composition".

점착성 수지는, 우수한 점착력을 발현시킴과 동시에, 분리할 때에, 점착 표면에 팽창성 입자의 팽창에 의한 요철을 형성하기 쉽게 하여 분리성을 향상시킨 점착 시트로 하는 관점에서, 아크릴계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.The adhesive resin preferably contains an acrylic resin from the viewpoint of exhibiting excellent adhesive strength and, when separating, to easily form irregularities due to expansion of expandable particles on the adhesive surface, thereby improving the separation property. Do.

점착성 수지 중의 아크릴계 수지의 함유 비율로는, 점착제 조성물(x1)에 포함되는 점착성 수지의 전량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 30 ~ 100질량%, 보다 바람직하게는 50 ~ 100질량%, 더 바람직하게는 70 ~ 100질량%, 더욱더 바람직하게는 85 ~ 100질량%이다.The content ratio of the acrylic resin in the adhesive resin is preferably 30 to 100 mass%, more preferably 50 to 100 mass%, with respect to the total amount (100 mass%) of the adhesive resin contained in the adhesive composition (x1), More preferably, it is 70 to 100 mass%, still more preferably 85 to 100 mass%.

〔아크릴계 수지〕(Acrylic resin)

점착성 수지로서 사용될 수 있는, 아크릴계 수지로는, 예를 들면, 직쇄 또는 분기쇄의 알킬기를 가지는 알킬 (메타)아크릴레이트로부터 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체, 환상구조를 가지는 (메타)아크릴레이트로부터 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체 등을 들 수 있고, 알킬 (메타)아크릴레이트(a1＇)(이하, 「모노머(a1＇)」라고도 한다)로부터 유래하는 구성 단위(a1) 및 관능기 함유 모노머(a2＇)(이하, 「모노머(a2＇)」라고도 한다)로부터 유래하는 구성 단위(a2)를 가지는 아크릴계 공중합체(A1)가 보다 바람직하다.Examples of the acrylic resin that can be used as the adhesive resin include, for example, a polymer containing a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate having a straight or branched alkyl group, and a (meth)acrylate having a cyclic structure. And a polymer containing a structural unit derived therefrom, and a structural unit (a1) derived from an alkyl (meth)acrylate (a1') (hereinafter also referred to as "monomer (a1')") and a functional group-containing monomer ( acrylic copolymer (A1) having a structural unit (a2) derived from a2') (hereinafter also referred to as "monomer (a2')") is more preferable.

모노머(a1＇)이 가지는 알킬기의 탄소수로는, 점착 특성의 향상의 관점에서, 바람직하게는 1 ~ 24, 보다 바람직하게는 1 ~ 12, 더 바람직하게는 2 ~ 10, 더욱더 바람직하게는 4 ~ 8이다.The carbon number of the alkyl group of the monomer (a1') is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 12, more preferably 2 to 10, and even more preferably 4 to 4, from the viewpoint of improving adhesion properties. It is 8.

또한 모노머(a1＇)이 가지는 알킬기는, 직쇄 알킬기이어도 좋고, 분기쇄 알킬기이어도 좋다.Moreover, the alkyl group which the monomer (a1') has may be a straight chain alkyl group or a branched chain alkyl group.

모노머(a1＇)으로는, 예를 들면, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a monomer (a1'), for example, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, Lauryl (meth)acrylate, tridecyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, and the like.

이러한 모노머(a1＇)은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These monomers (a1') may be used alone or in combination of two or more.

모노머(a1＇)으로는, 부틸 (메타)아크릴레이트 및 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트가 바람직하다.As the monomer (a1'), butyl (meth)acrylate and 2-ethylhexyl (meth)acrylate are preferable.

구성 단위(a1)의 함유량은, 아크릴계 공중합체(A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 50 ~ 99.9질량%, 보다 바람직하게는 60 ~ 99.0질량%, 더 바람직하게는 70 ~ 97.0질량%, 더욱더 바람직하게는 80 ~ 95.0질량%이다.The content of the structural unit (a1) is preferably 50 to 99.9 mass%, more preferably 60 to 99.0 mass%, and more preferably 50 to 9 mass% of the total structural unit (100 mass%) of the acrylic copolymer (A1). 70 to 97.0 mass%, even more preferably 80 to 95.0 mass%.

모노머(a2＇)이 가지는 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다.As a functional group which a monomer (a2') has, a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, an epoxy group etc. are mentioned, for example.

즉, 모노머(a2＇)으로는, 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복실기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다.That is, examples of the monomer (a2') include hydroxyl group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, amino group-containing monomers, and epoxy group-containing monomers.

이러한 모노머(a2＇)은, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These monomers (a2') may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도, 모노머(a2＇)으로는, 수산기 함유 모노머 및 카르복실기 함유 모노머가 바람직하다.Among these, as a monomer (a2'), a hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer are preferable.

수산기 함유 모노머로는, 예를 들면, 상술의 수산기 함유 화합물과 같은 것을 들 수 있다.As a hydroxyl group containing monomer, the thing similar to the above-mentioned hydroxyl group containing compound is mentioned, for example.

카르복실기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산; 푸말산, 이타콘산, 말레인산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그 무수물, 2-(아크릴로일옥시) 에틸석시네이트, 2-카르복시에틸 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; And ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid, and anhydrides thereof, 2-(acryloyloxy) ethyl succinate, 2-carboxyethyl (meth)acrylate, and the like. have.

구성 단위(a2)의 함유량은, 아크릴계 공중합체(A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 0.1 ~ 40질량%, 보다 바람직하게는 0.5 ~ 35질량%, 더 바람직하게는 1.0 ~ 30질량%, 더욱더 바람직하게는 3.0 ~ 25질량%이다.The content of the structural unit (a2) is preferably 0.1 to 40% by mass, more preferably 0.5 to 35% by mass, and more preferably, relative to the total structural unit (100% by mass) of the acrylic copolymer (A1). 1.0 to 30 mass%, even more preferably 3.0 to 25 mass%.

아크릴계 공중합체(A1)는, 모노머(a1＇) 및 (a2＇) 이외의 다른 모노머(a3＇)으로부터 유래하는 구성 단위(a3)를 더 가지고 있어도 좋다.The acrylic copolymer (A1) may further have a structural unit (a3) derived from monomers (a3') other than monomers (a1') and (a2').

또한 아크릴계 공중합체(A1)에서, 구성 단위(a1) 및 (a2)의 함유량은, 아크릴계 공중합체(A1)의 전체 구성 단위(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 70 ~ 100질량%, 보다 바람직하게는 80 ~ 100질량%, 더 바람직하게는 90 ~ 100질량%, 더욱더 바람직하게는 95 ~ 100질량%이다.In addition, in the acrylic copolymer (A1), the content of the structural units (a1) and (a2) is preferably 70 to 100 mass%, more preferably the total structural unit (100 mass%) of the acrylic copolymer (A1) It is preferably 80 to 100% by mass, more preferably 90 to 100% by mass, even more preferably 95 to 100% by mass.

모노머(a3＇)으로는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 이소부티렌 등의 올레핀류; 염화비닐, 비닐리덴 클로라이드 등의 할로겐화 올레핀류; 부타디엔, 이소프렌, 클로로프렌 등의 디엔계 모노머류; 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸 (메타)아크릴레이트, 이미드 (메타)아크릴레이트 등의 환상구조를 가지는 (메타)아크릴레이트; 스티렌,α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산 비닐, 아세트산 비닐, 아크릴로니트릴, (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴로니트릴, (메타)아크릴로일몰포린, N-비닐 피롤리돈 등을 들 수 있다.As a monomer (a3'), For example, olefins, such as ethylene, propylene, and isobutene; Halogenated olefins such as vinyl chloride and vinylidene chloride; Diene-based monomers such as butadiene, isoprene, and chloroprene; Cyclohexyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) ) (Meth)acrylate having an cyclic structure such as acrylate, imide (meth)acrylate; Styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, (meth)acrylamide, (meth)acrylonitrile, (meth)acryloylmorpholine, N-vinyl pyrrolidone, etc. Can be.

아크릴계 공중합체(A1)는, 측쇄에 중합성 관능기를 도입한, 에너지선 경화형 아크릴계 공중합체로 해도 좋다. 상기 중합성 관능기 및 상기 에너지선으로는, 상술한 바와 같다. 또한 중합성 관능기는, 상술의 구성 단위(a1) 및 (a2)를 가지는 아크릴계 공중합체와, 상기 아크릴계 공중합체의 구성 단위(a2)가 가지는 관능기와 결합할 수 있는 치환기와 중합성 관능기를 가지는 화합물을 반응시킴으로써 도입할 수 있다.The acrylic copolymer (A1) may be an energy ray-curable acrylic copolymer in which a polymerizable functional group is introduced into the side chain. The polymerizable functional group and the energy ray are as described above. In addition, the polymerizable functional group is a compound having an acrylic copolymer having the above-described structural units (a1) and (a2) and a substituent and a polymerizable functional group capable of bonding with the functional group of the structural unit (a2) of the acrylic copolymer. It can be introduced by reacting.

상기 화합물로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, (메타)아크릴로일 이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As said compound, (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, glycidyl (meth)acrylate, etc. are mentioned, for example.

아크릴계 수지의 질량 평균분자량(Mw)은, 바람직하게는 10만 ~ 150만, 보다 바람직하게는 20만 ~ 130만, 더 바람직하게는 35만 ~ 120만, 더욱더 바람직하게는 50만 ~ 110만이다.The mass average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 100,000 to 1.5 million, more preferably 200,000 to 1.3 million, more preferably 350,000 to 1.2 million, even more preferably 500,000 to 1.1 million. .

〔가교제〕〔Crosslinking system〕

점착제 조성물(x1)은, 상술의 아크릴계 공중합체(A1)과 같은 관능기를 함유하는 점착성 수지를 함유하는 경우, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다.When the adhesive composition (x1) contains an adhesive resin containing a functional group such as the acrylic copolymer (A1) described above, it is preferable to further contain a crosslinking agent.

상기 가교제는, 관능기를 가지는 점착성 수지와 반응하여, 상기 관능기를 가교 기점으로서 점착성 수지끼리 가교하는 것이다.The crosslinking agent is to react with an adhesive resin having a functional group, and crosslink the adhesive resins as the starting point of the functional group.

가교제로는, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 금속킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다.As a crosslinking agent, an isocyanate type crosslinking agent, an epoxy type crosslinking agent, an aziridine type crosslinking agent, a metal chelate type crosslinking agent, etc. are mentioned, for example.

이러한 가교제는, 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.

이러한 가교제 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수하기 쉬움 등의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.Among these crosslinking agents, an isocyanate-based crosslinking agent is preferred from the viewpoints of increasing cohesion and improving adhesion, and ease of availability.

가교제의 함유량은, 점착성 수지가 가지는 관능기의 수에 따라 적절히 조정되는 것이지만, 관능기를 가지는 점착성 수지 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.01 ~ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ~ 7질량부, 더 바람직하게는 0.05 ~ 5질량부이다.The content of the crosslinking agent is appropriately adjusted depending on the number of functional groups of the adhesive resin, but is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and more preferably 100 parts by mass of the adhesive resin having a functional group. It is preferably 0.05 to 5 parts by mass.

〔점착부여제〕(Adhesive agent)

점착제 조성물(x1)은, 점착력을 보다 향상시키는 관점에서, 점착부여제를 더 함유해도 좋다.The adhesive composition (x1) may further contain a tackifier from the viewpoint of further improving the adhesive strength.

본 명세서에서, 「점착부여제」란, 상술의 점착성 수지의 점착력을 보조적으로 향상시키는 성분으로서, 질량 평균분자량(Mw)이 1만 미만의 올리고머를 가리키고, 상술의 점착성 수지와는 구별되는 것이다.In the present specification, "adhesive agent" is a component that assists in improving the adhesive force of the above-mentioned adhesive resin, and refers to an oligomer having a mass average molecular weight (Mw) of less than 10,000, and is distinguished from the above-mentioned adhesive resin.

점착부여제의 질량 평균분자량(Mw)은, 바람직하게는 400 ~ 10000, 보다 바람직하게는 500 ~ 8000, 더 바람직하게는 800 ~ 5000이다.The mass average molecular weight (Mw) of the tackifier is preferably 400 to 10000, more preferably 500 to 8000, and even more preferably 800 to 5000.

점착부여제로는, 예를 들면, 로진계 수지, 테르펜계 수지, 스티렌계 수지, 석유 나프타의 열분해로 생성하는 펜텐, 이소프렌, 피페린, 1,3-펜타디엔 등의 C5유분을 공중합하여 얻어지는 C5계 석유 수지, 석유 나프타의 열분해로 생성하는 인덴, 비닐톨루엔 등의 C9 유분을 공중합하여 얻어지는 C9계 석유 수지, 및 이것들을 수소화한 수소화 수지 등을 들 수 있다.Examples of the tackifier include C5 obtained by copolymerizing C5 oils such as rosin-based resins, terpene-based resins, styrene-based resins, and pentene, isoprene, piperine, and 1,3-pentadiene produced by thermal decomposition of petroleum naphtha. Petroleum resins, C9 petroleum resins obtained by copolymerizing C9 oils such as indene and vinyl toluene produced by thermal decomposition of petroleum naphtha, and hydrogenated resins obtained by hydrogenating them.

점착부여제의 연화점은, 바람직하게는 60 ~ 170℃, 보다 바람직하게는 65 ~ 160℃, 더 바람직하게는 70 ~ 150℃이다.The softening point of the tackifier is preferably 60 to 170°C, more preferably 65 to 160°C, further preferably 70 to 150°C.

또한 본 명세서에서, 점착부여제의 「연화점」은, JIS　K　2531에 준거해 측정된 값을 의미한다.In addition, in this specification, the "softening point" of an tackifier means the value measured based on JIS_K#2531.

점착부여제는, 단독으로 이용해도 좋고, 연화점, 구조 등이 다른 2종 이상을 병용해도 좋다. 2종 이상의 복수의 점착부여제를 이용하는 경우, 이러한 복수의 점착부여제의 연화점의 가중평균이, 상기 범위에 속하는 것이 바람직하다.The tackifier may be used alone or in combination of two or more different softening points, structures, and the like. When using two or more types of tackifiers, it is preferable that the weighted average of the softening points of such a plurality of tackifiers falls within the above range.

점착부여제의 함유량은, 점착제 조성물(x1)의 유효 성분의 전체량(100질량%)에 대해서, 바람직하게는 0.01 ~ 65질량%, 보다 바람직하게는 0.05 ~ 55질량%, 더 바람직하게는 0.1 ~ 50질량%, 더욱더 바람직하게는 0.5 ~ 45질량%, 더욱더 바람직하게는 1.0 ~ 40질량%이다.The content of the tackifier is preferably 0.01 to 65% by mass, more preferably 0.05 to 55% by mass, and more preferably 0.1 with respect to the total amount (100% by mass) of the active ingredient of the adhesive composition (x1). ~ 50 mass%, more preferably 0.5 to 45 mass%, even more preferably 1.0 to 40 mass%.

〔광중합개시제〕(Photopolymerization initiator)

본 실시형태에서, 점착제 조성물(x1)이, 점착성 수지로서 에너지선 경화형의 점착성 수지를 포함하는 경우, 광중합개시제를 더 함유하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, when the pressure-sensitive adhesive composition (x1) contains an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin as the pressure-sensitive resin, it is preferable to further contain a photopolymerization initiator.

에너지선 경화형의 점착성 수지 및 광중합개시제를 함유하는 점착제 조성물로 함으로써, 상기 점착제 조성물로 형성되는 점착제층은, 비교적 낮은 에너지의 에너지선의 조사에 의해서도, 충분히 경화 반응을 진행시켜, 점착력을 소망한 범위로 조정할 수 있게 된다.By setting the pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin and a photopolymerization initiator, the pressure-sensitive adhesive layer formed of the pressure-sensitive adhesive composition sufficiently undergoes a curing reaction even by irradiation with a relatively low energy energy ray, so that the adhesive strength is within a desired range. You can adjust.

또한 광중합개시제로는, 상술의 무용제형 수지 조성물(y1)에 배합되는 것과 같은 것을 들 수 있다.Moreover, as a photoinitiator, the thing mix|blended with the solvent-free type resin composition (y1) mentioned above is mentioned.

광중합개시제의 함유량은, 에너지선 경화형의 점착성 수지 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.01 ~ 10질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ~ 5질량부, 더 바람직하게는 0.05 ~ 2질량부이다.The content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and even more preferably 0.05 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy ray-curable adhesive resin.

〔점착제용 첨가제〕〔Additives for adhesives〕

본 실시형태에서, 점착제층(X1)의 형성 재료인 점착제 조성물(x1)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 상술의 첨가제 이외에도, 일반적인 점착제에 사용되는 점착제용 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive composition (x1), which is the material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1), may contain additives for pressure-sensitive adhesives used in general pressure-sensitive adhesives, in addition to the additives described above, within a range not impairing the effects of the present invention. .

이러한 점착제용 첨가제로는, 예를 들면, 산화방지제, 연화제(가소제), 방청제, 안료, 염료, 지연제, 반응 촉진제(촉매), 자외선 흡수제 등을 들 수 있다.Examples of the additive for the pressure-sensitive adhesive include antioxidants, softeners (plasticizers), rust inhibitors, pigments, dyes, retarders, reaction accelerators (catalysts), and ultraviolet absorbers.

또한 이러한 점착제용 첨가제는, 각각 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.In addition, these additives for adhesives may be used alone or in combination of two or more.

이러한 점착제용 첨가제를 함유하는 경우, 각각의 점착제용 첨가제의 함유량은, 점착성 수지 100질량부에 대해서, 바람직하게는 0.0001 ~ 20질량부, 보다 바람직하게는 0.001 ~ 10질량부이다.When it contains such additive for adhesives, content of each adhesive additive is 0.0001-20 mass parts with respect to 100 mass parts of adhesive resin, More preferably, it is 0.001-10 mass parts.

점착제층(X1)은, 팽창성 입자를 함유하고 있어도 좋다. 그 함유량은, 점착성 수지 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5질량부 이하가 바람직하고, 2질량부 이하가 보다 바람직하고, 함유하지 않는 것이 가장 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive layer (X1) may contain expandable particles. The content is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass or less, and most preferably not contained, with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.

(박리재)(Peeling material)

임의로 이용되는 박리재로는, 양면 박리 처리된 박리 시트, 한 면 박리 처리된 박리 시트 등이 이용되어 박리재용의 기재 상에 박리제를 도포한 것 등을 들 수 있다.As a release material used arbitrarily, a release sheet with a double-sided release treatment, a release sheet with a single-sided release treatment, or the like is used, and a release agent on a substrate for a release material is mentioned.

박리재용의 기재로는, 예를 들면, 상질지, 글래신지, 크라프트지 등의 종이류; 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 폴리부티렌 테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌 나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지 필름, 폴리프로필렌 수지, 폴리에틸렌 수지 등의 올레핀 수지 필름 등의 플라스틱 필름; 등을 들 수 있다.Examples of the base material for the release material include papers such as quality paper, glassine paper, and kraft paper; Plastic films, such as polyester resin films, such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin, and olefin resin films, such as polypropylene resin and polyethylene resin; And the like.

박리제로는, 예를 들면, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머, 장쇄 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins, and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, and fluorine-based resins.

박리재의 두께는, 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 10 ~ 200μm, 보다 바람직하게는 25 ~ 170μm, 더 바람직하게는 35 ~ 80μm이다.The thickness of the release material is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 μm, more preferably 25 to 170 μm, and even more preferably 35 to 80 μm.

＜점착 시트(A)의 제조 방법＞<The manufacturing method of an adhesive sheet (A)>

점착 시트(A)의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 하기 공정(Ia) 및 (Ib)을 가지는 제조 방법(I)을 들 수 있다.There is no restriction|limiting in particular as a manufacturing method of an adhesive sheet (A), For example, the manufacturing method (I) which has the following processes (Ia) and (Ib) is mentioned.

공정(Ia)：박리재의 박리 처리면 상에, 기재(Y1)의 형성 재료인 수지 조성물(y1)을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 건조 또는 UV 경화하여, 기재(Y1)를 형성하는 공정.Step (Ia): On the peeling treatment surface of the peeling material, a resin composition (y1), which is a material for forming the substrate (Y1), is applied to form a coating film, and the coating film is dried or UV cured to form a substrate (Y1). fair.

공정(Ib)：형성한 기재(Y1)의 표면 상에, 점착제층(X1)의 형성 재료인 점착제 조성물(x1)을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 건조하여, 점착제층(X1)을 형성하는 공정.Step (Ib): On the surface of the formed substrate (Y1), a pressure-sensitive adhesive composition (x1), which is a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1), is applied to form a coating film, and the coating film is dried to obtain a pressure-sensitive adhesive layer (X1). Forming process.

점착 시트(A)의 다른 제조 방법으로는, 예를 들면, 하기 공정(IIa) ~ (IIc)를 가지는 제조 방법(II)을 들 수 있다.As another manufacturing method of an adhesive sheet (A), the manufacturing method (II) which has the following processes (IIa)-(IIc) is mentioned, for example.

공정(IIa)：박리재의 박리 처리면 상에, 기재(Y1)의 형성 재료인 수지 조성물(y1)을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 건조 또는 UV 경화해, 기재(Y1)를 형성하는 공정.Step (IIa): On the peeling treatment surface of the peeling material, a resin composition (y1), which is a material for forming the base material (Y1), is applied to form a coating film, and the coating film is dried or UV cured to form a base material (Y1). fair.

공정(IIb)：박리재의 박리 처리면 상에, 점착제층(X1)의 형성 재료인 점착제 조성물(x1)을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 건조하여 점착제층을 형성하는 공정.Step (IIb): A step of forming a coating film by applying a pressure-sensitive adhesive composition (x1), which is a material for forming the pressure-sensitive adhesive layer (X1), on a peeling treatment surface of the peeling material, and drying the coating film to form a pressure-sensitive adhesive layer.

공정(IIc)：공정(IIa)에서 형성된 기재(Y1)의 표면과 공정(IIb)에서 형성된 점착제층(X1) 표면을 첩합하는 공정.Step (IIc): The step of bonding the surface of the substrate (Y1) formed in step (IIa) to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) formed in step (IIb).

상기 제조 방법(I) 및 (II)에서, 수지 조성물(y1) 및 점착제 조성물(x1)은, 희석용매를 배합하여, 용액의 형태로 해도 좋다.In the above-mentioned production methods (I) and (II), the resin composition (y1) and the pressure-sensitive adhesive composition (x1) may be mixed with a diluting solvent to form a solution.

도포 방법으로는, 예를 들면, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이코트법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.Examples of the coating method include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating.

또한 제조 방법(I) 및 제조 방법(II)에서의 건조 또는 UV 조사는, 팽창성 입자가 팽창하지 않는 조건을 적절히 선택해 실시하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 열팽창성 입자를 함유하는 수지 조성물(y1)을 건조하여 기재(Y1)를 형성하는 경우는, 건조온도는 열팽창성 입자의 팽창개시온도(t) 미만으로 행하는 것이 바람직하다.In addition, drying or UV irradiation in the manufacturing method (I) and the manufacturing method (II) is preferably carried out by appropriately selecting the conditions under which the expandable particles do not expand. For example, when the resin composition (y1) containing the thermally expandable particles is dried to form the base material (Y1), the drying temperature is preferably performed below the expansion start temperature (t) of the thermally expandable particles.

또한, 점착 시트(A)가, 기재(Y1)과 비팽창성 기재(Y1＇)을 가지는 경우는, 상기 공정(Ia) 및 (IIa)에서, 수지 조성물(y1)은, 미리 형성된 비팽창성 기재(Y1＇) 상에 도포하면 좋다. 비팽창성 기재(Y1＇)은, 예를 들면, 비팽창성 기재(Y1＇)의 형성 재료인 수지 조성물을 이용하여, 상기 공정(Ia) 및 (IIa)와 마찬가지의 조작으로 형성할 수 있다.In addition, when the adhesive sheet (A) has a substrate (Y1) and a non-expandable substrate (Y1'), in the above steps (Ia) and (IIa), the resin composition (y1) is a previously formed non-expandable substrate ( Y1') may be applied. The non-expandable base material (Y1') can be formed in the same operation as the steps (Ia) and (IIa) using, for example, a resin composition that is a material for forming the non-expandable base (Y1').

[본 실시형태와 관련되는 반도체 장치의 각 제조 공정][Each manufacturing process of the semiconductor device according to this embodiment]

다음에, 본 실시형태와 관련되는 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정에 대해 설명한다.Next, each process of the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on this embodiment is demonstrated.

본 실시형태와 관련되는 반도체 장치의 제조 방법은, 하기 공정(1) ~ (3)를 이 순서로 가진다.The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment has the following steps (1) to (3) in this order.

공정(1)：기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치된 복수의 칩끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히는 공정.Step (1): A step of stretching the gap between the plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) by stretching the pressure-sensitive adhesive sheet (B) .

공정(2)：상기 복수의 칩의 점착제층(X2)와 접하는 면과는 반대측의 면에 점착 시트(A)의 점착제층(X1)을 첩부하는 공정.Step (2): The step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the plurality of chips.

공정(3)：점착 시트(A)에 첩부한 상기 복수의 칩과 점착 시트(B)를 분리하는 공정.Step (3): A step of separating the plurality of chips and the adhesive sheet (B) attached to the adhesive sheet (A).

이하, 칩으로서 반도체 칩을 사용하는 예에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.Hereinafter, an example of using a semiconductor chip as a chip will be described with reference to the drawings.

＜공정(1)＞<Process (1)>

공정(1)은, 기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치된 복수의 반도체 칩끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히는 공정이다. 또한 공정(1)의 전에 후술하는 다이싱 공정 및 반도체 칩의 반전(反轉) 공정을 실시해도 좋다.Step (1) stretches the pressure-sensitive adhesive sheet (B) between the plurality of semiconductor chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) It is a widening process. Moreover, you may perform the dicing process mentioned later before the process (1) and an inversion process of a semiconductor chip.

(점착 시트(B))(Adhesive sheet (B))

점착 시트(B)는, 반도체 칩 CP끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 테이프로서 이용되는 것이다.The pressure-sensitive adhesive sheet B is used as an expandable tape that widens the gaps between the semiconductor chips CP.

구체적으로는, 점착 시트(B)는, 기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지고, 점착제층(X2) 상에 재치된 복수의 반도체 칩 CP끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히기 위해서 이용된다.Specifically, the pressure-sensitive adhesive sheet (B) has a base material (Y2) and a pressure-sensitive adhesive layer (X2), and holds the pressure-sensitive adhesive sheet (B) between the plurality of semiconductor chips CP placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2). It is used to extend and expand.

기재(Y2)의 재질로는, 예를 들면, 폴리염화비닐 수지, 폴리에스테르 수지(폴리에틸렌 테레프탈레이트 등), 아크릴 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌 수지, 폴리이미드 수지, 폴리우레탄수지, 및 폴리스티렌 수지 등을 들 수 있다.As the material of the base material Y2, for example, polyvinyl chloride resin, polyester resin (polyethylene terephthalate, etc.), acrylic resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, acrylonitrile, butadiene And styrene resins, polyimide resins, polyurethane resins, and polystyrene resins.

기재(Y2)는 열가소성 엘라스토머, 고무계 재료 등을 함유하는 것이 바람직하고, 열가소성 엘라스토머를 함유하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the base material Y2 contains a thermoplastic elastomer, a rubber-based material, etc., and it is more preferable to contain a thermoplastic elastomer.

열가소성 엘라스토머로는, 우레탄계 엘라스토머, 올레핀계 엘라스토머, 염화비닐계 엘라스토머, 폴리에스테르계 엘라스토머, 스티렌계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머, 아미드계 엘라스토머 등을 들 수 있다.Examples of the thermoplastic elastomer include urethane-based elastomers, olefin-based elastomers, vinyl chloride-based elastomers, polyester-based elastomers, styrene-based elastomers, acrylic-based elastomers, and amide-based elastomers.

기재(Y2)는, 상기 재료로 이루어지는 필름이 복수층 적층된 것이어도 좋고, 상기 재료로 이루어지는 필름과 그 외의 필름이 적층된 것이어도 좋다.The base material Y2 may be formed by laminating a plurality of films made of the above materials, or may be formed by laminating films made of the above materials and other films.

기재(Y2)는, 상기의 수지계 재료를 주재료로 하는 필름 내에, 안료, 염료, 난연제, 가소제, 대전방지제, 윤활제, 필러 등의 각종 첨가제가 포함되어 있어도 좋다.The base material Y2 may contain various additives such as a pigment, a dye, a flame retardant, a plasticizer, an antistatic agent, a lubricant, and a filler in a film containing the above-mentioned resin-based material as a main material.

점착제층(X2)는, 비에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 좋고, 에너지선 경화성 점착제로 구성되어도 좋다.The pressure-sensitive adhesive layer (X2) may be composed of a non-energy ray-curable pressure sensitive adhesive, or may be constituted of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive.

비에너지선 경화성 점착제로는, 소망한 점착력 및 재박리성을 가지는 것이 바람직하고, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리비닐 에테르계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 점착 시트(B)를 연신한 경우에 반도체 칩 등의 탈락을 효과적으로 억제하는 관점에서, 아크릴계 점착제가 바람직하다.The non-energy ray curable pressure sensitive adhesive preferably has desired adhesive strength and removability, and examples thereof include acrylic pressure sensitive adhesives, rubber pressure sensitive adhesives, silicone pressure sensitive adhesives, urethane pressure sensitive adhesives, polyester pressure sensitive adhesives, and polyvinyl ether pressure sensitive adhesives. Can. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferred from the viewpoint of effectively suppressing dropping of semiconductor chips or the like when the pressure-sensitive adhesive sheet (B) is stretched.

에너지선 경화성 점착제는, 에너지선 조사에 의해 경화해 점착력이 저하하기 때문에, 반도체 칩과 점착 시트(B)를 분리시킬 때, 에너지선 조사함으로써, 용이하게 분리시킬 수 있다.Since the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is cured by irradiation with energy rays, and the adhesive strength decreases, when the semiconductor chip and the adhesive sheet (B) are separated, it can be easily separated by irradiation with energy rays.

점착제층(X2)를 구성하는 에너지선 경화성 점착제로는, 예를 들면, (a) 에너지선 경화성을 가지는 폴리머, 및 (b) 적어도 1개 이상의 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머로부터 선택되는 1종 이상을 함유하는 것을 들 수 있다.The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is, for example, selected from (a) polymers having energy ray-curability, and (b) monomers and/or oligomers having at least one energy ray-curable group. What contains 1 or more types is mentioned.

(a) 에너지선 경화성을 가지는 폴리머로는, 측쇄에 불포화기 등의 에너지선 경화성을 가지는 관능기(에너지선 경화성 기)가 도입된 (메타)아크릴산 에스테르(공)중합체가 바람직하다. 상기 아크릴산 에스테르 (공)중합체로는, 예를 들면, 알킬기의 탄소수가 1 ~ 18인 알킬 (메타)아크릴레이트와, 중합성의 이중 결합과, 히드록시기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 분자 내에 가지는 모노머를 공중합시킨 후, 또한 상기 관능기에 결합하는 관능기를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시켜 얻어지는 것을 들 수 있다.(a) As the polymer having energy ray curability, a (meth)acrylic acid ester (co)polymer in which a functional group (energy ray curable group) having an energy ray curability such as an unsaturated group is introduced in the side chain is introduced. Examples of the acrylic ester (co)polymer include, for example, alkyl (meth)acrylates having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group, polymerizable double bonds, functional groups such as hydroxy groups, carboxyl groups, amino groups, substituted amino groups, and epoxy groups. What is obtained by copolymerizing the monomer which has in a molecule|numerator, and also reacting the unsaturated group containing compound which has a functional group couple|bonded with the said functional group is mentioned.

(b) 적어도 1개 이상의 에너지선 경화성 기를 가지는 모노머 및/또는 올리고머로는, 다가알코올과 (메타)아크릴산의 에스테르를 들 수 있고, 구체적으로는, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트 등의 단관능성 아크릴산 에스테르류, 트리메티롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디메티롤트리시클로데칸 디(메타)아크릴레이트 등의 다관능성 아크릴산 에스테르류, 폴리에스테르 올리고(메타)아크릴레이트, 폴리우레탄 올리고(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.(b) Examples of the monomer and/or oligomer having at least one energy ray-curable group include polyalcohols and esters of (meth)acrylic acid, and specifically, cyclohexyl (meth)acrylate, isobornyl (meth) ) Monofunctional acrylic acid esters such as acrylates, trimethyrolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, Multifunctional acrylic acid such as 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, dimethyrol tricyclodecane di(meth)acrylate Esters, polyester oligo(meth)acrylates, polyurethane oligo(meth)acrylates, and the like.

에너지선 경화성 점착제에서는, 상기 성분 이외에도, 광중합개시제, 가교제 등을 적절히 배합해도 좋다.In the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, in addition to the above components, a photopolymerization initiator, a crosslinking agent, and the like may be appropriately blended.

기재(Y2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 20 ~ 250μm, 보다 바람직하게는 40 ~ 200μm이다.The thickness of the base material Y2 is not particularly limited, but is preferably 20 to 250 μm, more preferably 40 to 200 μm.

점착제층(X2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3 ~ 50μm, 보다 바람직하게는 5 ~ 40μm이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is not particularly limited, but is preferably 3 to 50 μm, more preferably 5 to 40 μm.

23℃에서 MD 방향 및 CD 방향에서 측정되는 점착 시트(B)의 파단신도는, 각각 100% 이상인 것이 바람직하다. 파단신도가 상기 범위인 것으로, 크게 연신할 수 있게 된다. 이 때문에, 팬 아웃형 패키지의 제조와 같은, 반도체 칩끼리를 충분히 이간시킬 필요가 있는 용도에 적합하게 사용할 수 있다.The elongation at break of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) measured at 23°C in the MD direction and the CD direction is preferably 100% or more, respectively. The elongation at break is within the above range, and it is possible to stretch significantly. For this reason, it can be used suitably for the application which needs to sufficiently separate the semiconductor chips, such as manufacture of a fan-out type package.

＜다이싱 공정, 반도체 칩의 반전 공정 및 전사 공정＞<Dicing process, semiconductor chip inversion process and transfer process>

점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 복수의 반도체 칩 CP를 재치하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 하기의 다이싱 공정, 반전 공정 및 전사 공정을 실시하는 방법을 들 수 있다.The method of placing the plurality of semiconductor chips CP on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) is not particularly limited, and examples thereof include a method of performing the following dicing step, inversion step, and transfer step. have.

다이싱 공정：기재(Y3)과 점착제층(X3)을 구비하는 점착 시트(C)의 점착제층(X3)에 반도체 웨이퍼 W를 첩부한 후, 반도체 웨이퍼 W를 다이싱하여, 점착제층(X3) 상에 개편화된 복수의 반도체 칩 CP를 얻는 공정Dicing process: After attaching the semiconductor wafer W to the adhesive layer (X3) of the adhesive sheet (C) comprising the base material (Y3) and the adhesive layer (X3), the semiconductor wafer W is diced and the adhesive layer (X3) Process for obtaining a plurality of semiconductor chips CP reorganized on the image

반도체 칩의 반전 공정：기재(Y4) 및 점착제층(X4)을 가지는 점착 시트(D)를 이용하여, 복수의 반도체 칩 CP의 점착제층(X3)과 접하는 면과는 반대측의 면에, 점착 시트(D)의 점착제층(X4)을 첩부하고, 복수의 반도체 칩 CP와 점착 시트(C)를 분리하는 공정.Inverting process of semiconductor chip: Using the pressure-sensitive adhesive sheet (D) having the base material (Y4) and the pressure-sensitive adhesive layer (X4), the pressure-sensitive adhesive sheet is on the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the plurality of semiconductor chips CP. The process of attaching the adhesive layer (X4) of (D) and separating a plurality of semiconductor chips CP and the adhesive sheet (C).

전사 공정：기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)를 이용하여, 복수의 반도체 칩 CP의 점착제층(X4)와 접하는 면과는 반대측의 면에, 점착 시트(B)의 점착제층(X2)를 첩부하여, 복수의 반도체 칩 CP와 점착 시트(D)를 분리하는 공정.Transfer process: Using the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2), the pressure-sensitive adhesive sheet (B) is on the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X4) of the plurality of semiconductor chips CP. Step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X2), and separating the plurality of semiconductor chips CP and the pressure-sensitive adhesive sheet (D).

(다이싱 공정)(Dicing process)

도 2(a) 및 (b)에는, 점착 시트(C)의 점착제층(X3)에 반도체 웨이퍼 W를 첩부한 후, 반도체 웨이퍼 W를 다이싱하여, 점착제층(X3) 상에 개편화된 복수의 반도체 칩 CP를 얻는 다이싱 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.2(a) and 2(b), after attaching the semiconductor wafer W to the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the pressure-sensitive adhesive sheet (C), the semiconductor wafer W is diced, and the plurality of pieces separated into the pressure-sensitive adhesive layer (X3) A sectional view illustrating a dicing process for obtaining the semiconductor chip CP of the present invention is shown.

점착 시트(C)는, 상기 목적을 달성할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없지만, 반도체 칩과의 첩부 및 분리 가능한 것이 필요하기 때문에, 점착 시트(A) 등의 팽창성 입자를 포함하는 점착 시트, 후술하는 익스팬드 테이프와 같이, 재박리성을 가지는 비에너지선 경화성 점착제로 구성되는 점착제층을 가지는 점착 시트, 에너지선 경화성 점착제로 구성되는 점착제층을 가지는 점착 시트 등이 적합하다.The pressure-sensitive adhesive sheet (C) is not particularly limited as long as it can achieve the above object, but since it needs to be attached to and detachable from a semiconductor chip, the pressure-sensitive adhesive sheet containing expandable particles such as the pressure-sensitive adhesive sheet (A) will be described later. As the expanded tape, a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer composed of a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive having removability, a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer composed of an energy-ray-curable pressure sensitive adhesive, and the like are suitable.

점착 시트(C)로서 점착 시트(A)를 사용하는 경우, 공정(3)에 사용되는 점착 시트(A)의 형태와 본 공정에 사용되는 점착 시트(A)의 형태는, 동일하거나 달라도 좋다.When the adhesive sheet (A) is used as the adhesive sheet (C), the shape of the adhesive sheet (A) used in the step (3) and the shape of the adhesive sheet (A) used in the present step may be the same or different.

반도체 웨이퍼 W는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼이어도 좋고, 갈륨, 비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼이어도 좋다.The semiconductor wafer W may be, for example, a silicon wafer, or a compound semiconductor wafer such as gallium or arsenic.

반도체 웨이퍼 W는, 그 회로면 W1에 회로 W2를 가진다. 회로 W2를 형성하는 방법으로는, 예를 들면, 에칭법, 리프트 오프법 등을 들 수 있다. 또한 본 명세서 중, 회로면 W1과 반대측의 면을 「칩 이면」이라고 칭하는 경우가 있다.The semiconductor wafer W has a circuit W2 on its circuit surface W1. As a method of forming the circuit W2, an etching method, a lift-off method, etc. are mentioned, for example. In addition, in this specification, the surface opposite to the circuit surface W1 may be referred to as a "chip back surface".

반도체 웨이퍼 W는, 미리 소정의 두께로 연삭하고, 칩 이면을 노출시켜 점착 시트(A)에 첩부되어 있다. 반도체 웨이퍼 W를 연삭하는 방법으로는, 예를 들면, 그라인더 등을 이용하는 공지의 방법을 들 수 있다.The semiconductor wafer W is previously ground to a predetermined thickness, and exposed to the back surface of the chip, and is attached to the adhesive sheet A. As a method of grinding the semiconductor wafer W, for example, a known method using a grinder or the like can be mentioned.

점착 시트(C)에는, 반도체 웨이퍼 W를 유지하는 목적으로 링 프레임을 첩부해도 좋다. 이 경우, 점착 시트(C)의 점착제층(X3) 상에, 링 프레임 및 반도체 웨이퍼 W를 재치하고, 이것들을 가볍게 가압해, 고정한다.A ring frame may be attached to the pressure-sensitive adhesive sheet C for the purpose of holding the semiconductor wafer W. In this case, the ring frame and the semiconductor wafer W are placed on the pressure-sensitive adhesive layer X3 of the pressure-sensitive adhesive sheet C, and these are lightly pressed and fixed.

그 다음에, 점착 시트(C)에 유지된 반도체 웨이퍼 W는, 다이싱에 의해 개편화되어 복수의 반도체 칩 CP가 형성된다. 다이싱에는, 예를 들면, 다이싱소(dicing saw), 레이저, 플라즈마 다이싱, 스텔스 다이싱 등의 절단 수단이 이용된다. 다이싱 시의 절단 깊이는, 반도체 웨이퍼의 두께를 고려해 적절히 설정하면 좋지만, 예를 들면, 점착제층(X3)의 표면으로부터 2μm 이내로 할 수 있다.Next, the semiconductor wafer W held on the pressure-sensitive adhesive sheet C is individualized by dicing to form a plurality of semiconductor chips CP. For dicing, cutting means such as a dicing saw, laser, plasma dicing, and stealth dicing are used, for example. The cutting depth at the time of dicing may be appropriately set in consideration of the thickness of the semiconductor wafer, but can be, for example, within 2 μm from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X3).

또한 본 공정을 후술하는 다른 다이싱 공정과 구별하기 위해 「제1의 다이싱 공정」이라고 칭하는 경우가 있다.Moreover, in order to distinguish this process from other dicing processes mentioned later, it may be called a "first dicing process."

공정(1)은, 반도체 웨이퍼 W를 다이싱한 후, 얻어진 복수의 반도체 칩 CP끼리의 간격을 넓히기 위해서, 점착 시트(C)를 잡아늘이는 처리를 포함하고 있어도 좋다.Step (1) may include a process of stretching the pressure-sensitive adhesive sheet C in order to widen the gap between the obtained plurality of semiconductor chips CP after dicing the semiconductor wafer W.

(반전 공정)(Inversion process)

도 3(a) 및 (b)에는, 기재(Y4) 및 점착제층(X4)을 가지는 점착 시트(D)를 이용하여, 복수의 반도체 칩 CP의 점착제층(X3)과 접하는 면과는 반대측의 면에, 점착 시트(D)의 점착제층(X4)을 첩부하고, 복수의 반도체 칩 CP와 점착 시트(C)를 분리하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.3(a) and (b), on the opposite side to the surface contacting the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the plurality of semiconductor chips CP, using the pressure-sensitive adhesive sheet (D) having the base material (Y4) and the pressure-sensitive adhesive layer (X4). A cross-sectional view illustrating a process of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X4) of the pressure-sensitive adhesive sheet (D) to the surface and separating the plurality of semiconductor chips CP and the pressure-sensitive adhesive sheet (C) is shown.

본 공정은, 그 후의 공정에 따라 실시되는 임의의 공정이고, 복수의 반도체 칩 CP의 표리(즉, 회로면 W1과 칩 이면)를 반전시킬 목적으로 실시된다.This process is an arbitrary process performed in accordance with the subsequent steps, and is performed for the purpose of inverting the front and rear surfaces of the plurality of semiconductor chips CP (that is, the circuit surface W1 and the chip back surface).

점착 시트(D)는, 상기 목적을 달성할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없지만, 반도체 칩과의 첩부 및 분리 가능한 것이 필요하기 때문에, 점착 시트(A) 등의 팽창성 입자를 포함하는 점착 시트, 후술하는 익스팬드 테이프와 같이, 재박리성을 가지는 비에너지선 경화성 점착제로 구성되는 점착제층을 가지는 점착 시트, 에너지선 경화성 점착제로 구성되는 점착제층을 가지는 점착 시트 등이 적합하다.The pressure-sensitive adhesive sheet (D) is not particularly limited as long as it can achieve the above object, but since it needs to be attached to and detachable from a semiconductor chip, the pressure-sensitive adhesive sheet containing expandable particles such as the pressure-sensitive adhesive sheet (A) will be described later. As the expanded tape, a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer composed of a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive having removability, a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer composed of an energy-ray-curable pressure sensitive adhesive, and the like are suitable.

복수의 반도체 칩 CP와 점착 시트(C)를 분리하는 방법은, 점착 시트(C)의 형태에 따라서 결정하면 좋고, 점착제층(X3)이, 비에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있는 경우는, 소정의 조건에서 재박리하면 좋고, 점착제층(X3)이, 에너지선 경화성 점착제로 구성되어 있는 경우는, 에너지선 조사에 의해 경화되어 점착력을 저하시키고 나서 분리하면 좋고, 점착 시트(C)가 점착 시트(A)와 같은 팽창성 입자를 포함하는 것이면, 팽창성 입자를 팽창시켜 점착력을 저하시키고 나서 분리하면 좋다. 분리할 때, 적어도 점착 시트(D)의 점착제층(X4)이, 점착 시트(C)의 점착제층(X3)보다도 높은 점착성이 유지되도록, 점착 시트(C) 및 점착 시트(D)의 종류 및 박리 방법을 선택한다.The method of separating the plurality of semiconductor chips CP and the adhesive sheet C may be determined according to the shape of the adhesive sheet C, and the pressure-sensitive adhesive layer X3 is composed of a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive. If the pressure-sensitive adhesive layer (X3) is composed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, it may be cured by irradiation with energy rays to lower the adhesive strength, and then separated, and the pressure-sensitive adhesive sheet (C) is a pressure-sensitive adhesive sheet. As long as it contains the expandable particles such as (A), the expandable particles may be expanded to lower the adhesive force, and then separated. When separating, at least the pressure-sensitive adhesive layer (X4) of the pressure-sensitive adhesive sheet (D), the pressure-sensitive adhesive layer (X3) higher than the pressure-sensitive adhesive layer (X3) of the pressure-sensitive adhesive sheet (C) and the type of pressure-sensitive adhesive sheet (D) and Choose a peeling method.

(전사 공정)(Transfer process)

도 4(a) 및 (b)에는, 기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)를 이용하여, 복수의 반도체 칩 CP의 점착제층(X4)와 접하는 면과는 반대측의 면에, 점착 시트(B)의 점착제층(X2)를 첩부하여, 복수의 반도체 칩 CP와 점착 시트(D)를 분리하는 전사 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.4(a) and 4(b), using the adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the adhesive layer (X2), the side opposite to the surface in contact with the adhesive layer (X4) of the plurality of semiconductor chips CP A cross-sectional view for explaining the transfer process of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) to the surface and separating the plurality of semiconductor chips CP and the pressure-sensitive adhesive sheet (D) is shown.

본 공정은, 반전 공정에 의해서 점착 시트(D) 상에 전사된 복수의 반도체 칩 CP를, 익스팬드 테이프인 점착 시트(B)에 전사하는 공정이다. 이것에 의해, 복수의 반도체 칩 CP의 표리는, 다이싱 공정시와는 반대로 된다.This step is a step of transferring a plurality of semiconductor chips CP transferred onto the pressure-sensitive adhesive sheet D by an inversion process to the pressure-sensitive adhesive sheet B which is an expanded tape. Thereby, the front and back of a some semiconductor chip CP are reversed at the time of a dicing process.

복수의 반도체 칩 CP와 점착 시트(D)를 분리하는 방법은, 점착 시트(C)의 경우와 같이, 점착 시트(D)의 형태에 따라서 결정하면 좋다.The method of separating the plurality of semiconductor chips CP and the adhesive sheet D may be determined according to the shape of the adhesive sheet D, as in the case of the adhesive sheet C.

＜익스팬드 공정＞<Expand process>

도 5(a) 및 (b)에는, 기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치된 복수의 반도체 칩 CP끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히는 공정(1)(익스팬드 공정)를 설명하는 단면도가 나타나 있다.5(a) and 5(b), the gap between the plurality of semiconductor chips CP placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) is the pressure-sensitive adhesive sheet. A cross-sectional view for explaining the step (1) (expand step) of stretching and expanding (B) is shown.

상기 전사 공정을 거쳐, 도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 복수의 반도체 칩 CP는, 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치된다.Through the transfer process, as shown in Fig. 5(a), a plurality of semiconductor chips CP are placed on the pressure-sensitive adhesive layer X2 of the pressure-sensitive adhesive sheet B.

그 다음에, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 점착 시트(B)를 잡아늘여, 복수의 반도체 칩 CP끼리의 간격을, 거리 D까지 넓힌다.Then, as shown in Fig. 5(b), the pressure-sensitive adhesive sheet B is stretched to increase the distance between the plurality of semiconductor chips CP to a distance D.

점착 시트(B)를 잡아늘이는 방법으로는, 환상 또는 원상의 익스팬더를 대고 점착 시트(B)를 잡아늘이는 방법, 파지 부재 등을 이용하여 점착 시트(B)의 외주부를 잡고 잡아늘이는 방법 등을 들 수 있다.Examples of the method of stretching the adhesive sheet (B) include a method of stretching the adhesive sheet (B) with an annular or circular expander, a method of holding the outer periphery of the adhesive sheet (B) using a gripping member, etc. Can.

익스팬드 후의 복수의 반도체 칩 CP간의 거리 D는, 소망하는 반도체 장치의 형태에 따라 적절히 결정하면 좋지만, 바람직하게는 50 ~ 6000μm이다.The distance D between the plurality of semiconductor chips CP after the expansion may be appropriately determined depending on the shape of the desired semiconductor device, but is preferably 50 to 6000 μm.

＜공정(2) 및 (3)＞<Process (2) and (3)>

도 6(a) 및 (b)에는, 기재(Y1) 및 점착제층(X1)을 가지는 점착 시트(A)를 이용하여, 익스팬드 테이프인 점착 시트(B) 상의 복수의 반도체 칩 CP의 점착제층(X2)와 접하는 면과는 반대측의 면에, 점착 시트(A)의 점착제층(X1)을 첩부하는 공정(2), 및 상기 복수의 반도체 칩 CP로부터 점착 시트(B)를 분리하는 공정(3)을 설명하는 단면도가 나타나 있다.6(a) and (b), a pressure-sensitive adhesive layer of a plurality of semiconductor chips CP on a pressure-sensitive adhesive sheet (B), which is an expanded tape, using a pressure-sensitive adhesive sheet (A) having a substrate (Y1) and a pressure-sensitive adhesive layer (X1) The step (2) of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface opposite to the surface in contact with (X2), and the step of separating the pressure-sensitive adhesive sheet (B) from the plurality of semiconductor chips CP ( A cross-sectional view illustrating 3) is shown.

본 공정에서, 점착 시트(B)와 복수의 반도체 칩 CP를 분리하는 방법은, 점착 시트(C)의 경우와 같이, 점착 시트(B)의 형태에 따라서 결정하면 좋다.In this step, the method of separating the pressure-sensitive adhesive sheet B and the plurality of semiconductor chips CP may be determined according to the shape of the pressure-sensitive adhesive sheet B, as in the case of the pressure-sensitive adhesive sheet C.

공정(1) ~ (3)를 거쳐, 도 7에 나타낸 바와 같이, 점착 시트(A)의 점착제층(X1) 상에, 서로의 간격을 넓힌 복수의 반도체 칩 CP가 얻어진다.Through the steps (1) to (3), as shown in FIG. 7, on the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A), a plurality of semiconductor chips CP having widened spaces therebetween are obtained.

점착 시트(A) 상의 복수의 반도체 칩 CP는, 그 후, 점착 시트(A) 상에서 봉지 수지에 의해 봉지하고 나서 재배선 형성 공정에 제공해도 좋고, 점착 시트(A)와 분리하여, 반도체 칩을 정렬시키는 공정에 제공하고 나서, 봉지 공정 및 재배선 형성 공정에 제공해도 좋다.The plurality of semiconductor chips CP on the pressure-sensitive adhesive sheet A may then be provided on the redistribution forming step after being sealed with a sealing resin on the pressure-sensitive adhesive sheet A, and separated from the pressure-sensitive adhesive sheet A to separate the semiconductor chip. After providing it to the process to align, you may provide to a sealing process and a redistribution formation process.

어느 경우에도, 점착 시트(A)와 복수의 반도체 칩 CP는, 팽창성 입자를, 그 종류에 따라, 열, 에너지선 등으로 팽창시켜 점착제층(X1)의 점착 표면(X1a)에 요철을 형성하고, 이것에 의해, 점착 표면(X1a)와 복수의 반도체 칩 CP의 점착력을 저하시켜, 점착 시트(A)와 복수의 반도체 칩 CP를 분리시킬 수 있다.In either case, the pressure-sensitive adhesive sheet A and the plurality of semiconductor chips CP expand the expandable particles with heat, energy rays, or the like depending on the type to form irregularities on the pressure-sensitive adhesive surface X1a of the pressure-sensitive adhesive layer X1. By this, the adhesive force between the adhesive surface X1a and the plurality of semiconductor chips CP is reduced, and the adhesive sheet A and the plurality of semiconductor chips CP can be separated.

팽창성 입자를 팽창시키는 방법은, 팽창성 입자의 종류에 따라 적절히 선택하면 좋고, 팽창성 입자가 열팽창성 입자인 경우는, 팽창개시온도(t) 이상의 온도로 가열하면 좋다. 여기서, 「팽창개시온도(t) 이상의 온도」로는, 「팽창개시온도(t)+10℃」이상 「팽창개시온도(t)+60℃」이하인 것이 바람직하고, 「팽창개시온도(t)+15℃」이상 「팽창개시온도(t)+40℃」이하인 것이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 그 열팽창성 입자의 종류에 따라, 예를 들면, 120 ~ 250℃의 범위로 가열해 팽창시키면 좋다.The method of expanding the expandable particles may be appropriately selected depending on the type of expandable particles, and when the expandable particles are thermally expandable particles, heating may be performed at a temperature equal to or greater than the expansion start temperature t. Here, as the "temperature above the initiation temperature (t)", it is preferable that it is not less than "expansion initiation temperature (t) + 10 °C" or "expansion initiation temperature (t) + 60 °C", and "expansion initiation temperature (t) + It is more preferable that it is 15 degreeC or more and less than "expansion start temperature (t) + 40 degreeC". Specifically, depending on the type of the thermally expandable particles, it may be expanded by heating, for example, in a range of 120 to 250°C.

팽창성 입자의 팽창은, 기재(Y1)의 점착제층(X1)과는 반대측의 면(Y1a)을 고정한 상태에서 실시하는 것이 바람직하다. 면(Y1a)이 고정되어 있는 것에 의해서, 면(Y1a)에 측에서 요철의 발생이 물리적으로 억제되어 점착제층(X1)의 점착 표면(X1a) 측에 효율적으로 요철을 형성할 수 있다. 상기 고정은 임의의 방법을 채용할 수 있고, 예를 들면, 상기한 비팽창성 기재(Y1＇)을 기재(Y1)의 면(Y1a) 측에 설치하는 방법, 고정 치구로서 복수의 흡인구멍을 가지는 흡인 테이블을 이용하여, 기재(Y1)의 면(Y1a)을 고정하는 방법, 임의의 점착제층, 양면 점착 시트 등을 통해 기재(Y1)의 면(Y1a)에 경질 지지체를 첩부하는 방법 등을 들 수 있다.It is preferable to expand the expandable particles in a state where the surface Y1a opposite to the pressure-sensitive adhesive layer X1 of the base material Y1 is fixed. When the surface Y1a is fixed, the occurrence of irregularities on the side of the surface Y1a is physically suppressed, so that the unevenness can be efficiently formed on the adhesive surface X1a side of the pressure-sensitive adhesive layer X1. Any method may be employed for the fixing, for example, a method of installing the above-described non-expandable substrate Y1' on the surface Y1a side of the substrate Y1, and having a plurality of suction holes as a fixing jig. The method of fixing the surface Y1a of the base material Y1 using a suction table, the method of attaching a hard support body to the surface Y1a of the base material Y1 through an arbitrary adhesive layer, double-sided adhesive sheet, etc. Can.

상기 흡인 테이블은, 진공 펌프 등의 감압 기구를 가지고, 상기 감압 기구에 의해서 복수의 흡인구멍으로부터 대상물을 흡인함으로써, 대상물을 흡인면에 고정하는 것이다.The suction table has a pressure reducing mechanism such as a vacuum pump, and the object is fixed to the suction surface by sucking the object from a plurality of suction holes by the pressure reducing mechanism.

상기 경질 지지체의 재질은, 기계적 강도, 내열성 등을 고려해 적절히 결정하면 좋고, 예를 들면, SUS 등의 금속재료; 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 비금속 무기 재료; 에폭시, ABS, 아크릴, 엔지니어링 플라스틱, 슈퍼 엔지니어링 플라스틱, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 등의 수지재료; 유리 에폭시 수지 등의 복합 재료 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, SUS, 유리, 및 실리콘 웨이퍼 등이 바람직하다. 엔지니어링 플라스틱으로는, 나일론, 폴리카르보네이트(PC), 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등을 들 수 있다. 슈퍼 엔지니어링 플라스틱으로는, 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리에테르 설폰(PES), 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 등을 들 수 있다.The material of the hard support may be appropriately determined in consideration of mechanical strength, heat resistance, and the like. For example, a metal material such as SUS; Non-metallic inorganic materials such as glass and silicon wafers; Resin materials such as epoxy, ABS, acrylic, engineering plastics, super engineering plastics, polyimide, and polyamideimide; And composite materials such as glass epoxy resin. Among these, SUS, glass, and silicon wafers are preferable. Examples of the engineering plastics include nylon, polycarbonate (PC), and polyethylene terephthalate (PET). Examples of super engineering plastics include polyphenylene sulfide (PPS), polyether sulfone (PES), and polyether ether ketone (PEEK).

다음에, 점착 시트(A) 상의 복수의 반도체 칩 CP를, 점착 시트(A) 상에서 봉지 수지에 의해 봉지하고 나서 재배선을 형성하는 공정(이하, 「공정(4A)」이라고도 한다)과 복수의 반도체 칩 CP를 점착 시트(A)와 분리하고, 복수의 반도체 칩 CP를 정렬시키는 공정을 실시하고 나서, 봉지 및 재배선을 형성하는 공정(이하, 「공정(4B)」이라고도 한다)에 대해 설명한다.Next, a process of forming a redistribution line (hereinafter, also referred to as "process (4A)") after sealing a plurality of semiconductor chips CP on the adhesive sheet A with a sealing resin on the adhesive sheet A and a plurality of After the process of separating the semiconductor chip CP from the pressure-sensitive adhesive sheet A and performing a process of aligning the plurality of semiconductor chip CPs, a process of forming an encapsulation and rewiring (hereinafter also referred to as "process (4B)") will be described. do.

＜공정(4A)＞<Process (4A)>

공정(4A)은, 점착 시트(A) 상의 복수의 반도체 칩 CP를, 점착 시트(A) 상에서 봉지 수지에 의해 봉지하고 나서 재배선을 형성하는 공정이고, 하기 공정(4A-1) ~ (4A ~ 3)를 가지는 것이 바람직하다.Step (4A) is a step of forming a rewiring after sealing a plurality of semiconductor chips CP on the adhesive sheet (A) with a sealing resin on the adhesive sheet (A), and the following steps (4A-1) to (4A) It is desirable to have ~ 3).

공정(4A-1)：복수의 반도체 칩 CP와, 점착 시트(A)의 점착제층(X1)의 점착 표면 중 복수의 반도체 칩 CP의 주변부를 봉지재로 피복하고, 상기 봉지재를 경화시켜, 상기 복수의 반도체 칩 CP가 경화 봉지재로 봉지되어 이루어지는 경화 봉지체를 얻는 공정Step (4A-1): The peripheral portion of the plurality of semiconductor chips CP and the adhesive surfaces of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is coated with a sealing material, and the sealing material is cured, A process for obtaining a cured encapsulation body formed by sealing the plurality of semiconductor chips CP with a cured encapsulant

공정(4A-2)：상기 팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)와 상기 경화 봉지체를 분리하는 공정.Step (4A-2): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the cured encapsulation body.

공정(4A-3)：점착 시트(A)를 분리한 경화 봉지체에, 재배선층을 형성하는 공정Step (4A-3): Step of forming a redistribution layer on the cured encapsulation body from which the adhesive sheet (A) is separated.

점착 시트(A)는, 공정(4A)와 같이, 반도체 칩을 봉지할 때의 가 고정용 시트로서도 적합하다. 점착 시트(A)는, 팽창성 입자가, 점착제층이 아니라, 탄성률이 높은 비점착성 수지에 포함되기 때문에, 반도체 칩을 재치하는 점착제층(X1)의 두께의 조정, 점착력, 점탄성률 등의 제어 등, 설계의 자유도가 향상한다. 이것에 의해서 반도체 칩의 위치 어긋남의 발생을 억제할 수 있는 동시에, 반도체 칩이 양면 점착 시트에 침강되는 것을 억제해, 평탄성이 우수한 재배선층 형성면을 형성할 수 있다. 또한 점착 시트(A)를 이용하는 경우, 반도체 칩은, 점착제층(X1)의 점착 표면에 재치되기 때문에, 팽창성 입자를 포함하는 기재(Y1)과 재배선층 형성면이 직접적으로 접하는 것이 아니다. 이것에 의해서, 팽창성 입자로부터 유래하는 잔사 및 크게 변형한 점착제층의 일부가 재배선층 형성면에 부착하거나 열팽창성 점착층에 형성된 요철 형상이 재배선층 형성면에 전사되어 평활성이 저하하는 것이 억제되어 청정성 및 평활성이 우수한 재배선층 형성면이 얻어진다.The adhesive sheet A is also suitable as a temporary fixing sheet for sealing a semiconductor chip as in the step 4A. In the pressure-sensitive adhesive sheet (A), since the expandable particles are contained in a non-adhesive resin having a high elastic modulus, rather than in an adhesive layer, adjustment of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) for mounting semiconductor chips, control of adhesive strength, viscoelasticity, etc. , The degree of freedom of design is improved. This can suppress the occurrence of misalignment of the semiconductor chip, suppress the sedimentation of the semiconductor chip on the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet, and form a redistribution layer forming surface excellent in flatness. In the case of using the adhesive sheet (A), the semiconductor chip is placed on the adhesive surface of the adhesive layer (X1), so that the substrate (Y1) containing the expandable particles and the redistribution layer forming surface are not in direct contact. Thereby, the residue derived from the expandable particles and a part of the highly deformed pressure-sensitive adhesive layer adhere to the redistribution layer forming surface, or the uneven shape formed in the heat-expandable adhesive layer is transferred to the redistribution layer forming surface, and the smoothness is suppressed from being reduced, resulting in cleanliness. And a redistribution layer forming surface excellent in smoothness is obtained.

〔공정(4A-1)〕[Process (4A-1)]

도 8(a) ~ (c)에는, 복수의 반도체 칩 CP와 점착제층(X1)의 점착 표면(X1a) 중 복수의 반도체 칩 CP의 주변부(45)를 봉지재(40)로 피복하고(이하, 상기 공정을 「피복 공정」이라고도 한다), 상기 봉지재(40)를 경화시켜(이하, 상기 공정을 「경화 공정」이라고도 한다), 복수의 반도체 칩 CP가 경화 봉지재(41)로 봉지되어 이루어지는 경화 봉지체(50)를 얻는 공정(4A-1)을 설명하는 단면도가 나타나 있다.8(a) to 8(c), the peripheral portion 45 of the plurality of semiconductor chips CP among the plurality of semiconductor chips CP and the adhesive surfaces X1a of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) is covered with an encapsulant 40 (below). , The above process is also referred to as a "coating process"), and the encapsulation material 40 is cured (hereinafter, the above process is also referred to as a "curing process"), and a plurality of semiconductor chips CP are sealed with a curing encapsulation material 41 A sectional view for explaining a step (4A-1) of obtaining a cured encapsulation body 50 is shown.

봉지재(40)는, 복수의 반도체 칩 CP 및 그에 따른 요소를 외부환경으로부터 보호하는 기능을 가지는 것이다. 봉지재(40)로는 특별히 제한은 없고, 종래, 반도체 봉지 재료로서 사용되고 있는 것 중에서, 임의의 것을 적절히 선택하여 이용할 수 있다.The encapsulant 40 has a function of protecting a plurality of semiconductor chips CP and elements thereof from the external environment. The encapsulant 40 is not particularly limited, and any of those conventionally used as a semiconductor encapsulating material can be appropriately selected and used.

봉지재(40)는, 기계적 강도, 내열성, 절연성 등의 관점에서, 경화성을 가지는 것이고, 예를 들면, 열경화성 수지 조성물, 에너지선 경화성 수지 조성물 등을 들 수 있다.The sealing material 40 has curability from the viewpoints of mechanical strength, heat resistance, and insulation, and examples thereof include a thermosetting resin composition and an energy ray-curable resin composition.

봉지재(40)인 열경화성 수지 조성물이 함유하는 열경화성 수지로는, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀 수지, 시아네이트 수지 등을 들 수 있지만, 기계적 강도, 내열성, 절연성, 성형성 등의 관점에서, 에폭시 수지가 바람직하다.Examples of the thermosetting resin contained in the thermosetting resin composition that is the encapsulation material 40 include epoxy resins, phenol resins, and cyanate resins, but from the viewpoints of mechanical strength, heat resistance, insulation, and moldability, Epoxy resins are preferred.

상기 열경화성 수지 조성물은, 상기 열경화성 수지 외에도, 필요에 따라서, 페놀 수지계 경화제, 아민계 경화제 등의 경화제, 경화 촉진제, 실리카 등의 무기 충전재, 엘라스토머 등의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.The thermosetting resin composition may contain, in addition to the thermosetting resin, additives such as curing agents such as phenolic resin curing agents and amine curing agents, curing accelerators, inorganic fillers such as silica, and elastomers.

봉지재(40)는, 실온에서 고형이거나 액상이어도 좋다. 또한, 실온에서 고형인 봉지재(40)의 형태는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 과립상, 시트상 등이어도 좋다.The encapsulant 40 may be solid or liquid at room temperature. Moreover, the form of the sealing material 40 which is solid at room temperature is not specifically limited, For example, it may be granular, sheet-like, etc.

본 실시형태에서는, 시트상의 봉지재(이하, 「시트상 봉지재」라고도 한다)를 이용하여 피복 공정 및 경화 공정을 실시하는 것이 바람직하다. 시트상 봉지재를 이용하는 방법에서는, 시트상 봉지재를 복수의 반도체 칩 CP 및 그 주변부(45)를 덮도록 재치하는 것으로, 복수의 반도체 칩 CP 및 그 주변부(45)를 봉지재(40)에 의해서 피복한다. 이 때, 복수의 반도체 칩 CP끼리의 간극에, 봉지재(40)가 충전되지 않는 부분이 생기지 않도록, 진공 라미네이트법 등에 의해서, 적절히 감압하면서, 가열 및 압착시키는 것이 바람직하다.In this embodiment, it is preferable to perform a coating process and a hardening process using a sheet-like sealing material (hereinafter also referred to as a "sheet-like sealing material"). In the method of using the sheet-like encapsulant, by placing the sheet-like encapsulant so as to cover the plurality of semiconductor chips CP and the peripheral portion 45, the plurality of semiconductor chips CP and the peripheral portion 45 are attached to the encapsulant 40. By coating. At this time, it is preferable that heating and compression are performed while appropriately reducing the pressure by a vacuum lamination method or the like so that the gap between the plurality of semiconductor chips CP does not occur in the portion where the encapsulant 40 is not filled.

봉지재(40)에 의해, 복수의 반도체 칩 CP 및 그 주변부(45)를 피복하는 방법으로는, 종래, 반도체 봉지 공정에 적용되고 있는 방법 중에서, 임의의 방법을 적절히 선택하여 적용할 수 있고, 예를 들면, 롤 라미네이트법, 진공프레스법, 진공 라미네이트법, 스핀 코트법, 다이코트법, 트랜스퍼 몰딩법, 압축 성형 몰드법 등을 적용할 수 있다.As a method of covering the plurality of semiconductor chips CP and the peripheral portion 45 with the encapsulant 40, any method can be appropriately selected and applied among methods conventionally applied to the semiconductor encapsulation process, For example, a roll lamination method, a vacuum press method, a vacuum lamination method, a spin coating method, a die coating method, a transfer molding method, a compression molding mold method and the like can be applied.

이러한 방법에서는, 통상, 봉지재(40)의 충전성을 높이기 위해서, 피복 시에 봉지재(40)를 가열해 유동성을 부여한다.In such a method, in order to increase the filling property of the encapsulant 40, the encapsulant 40 is heated during coating to impart fluidity.

상기 피복 공정에서 열경화성 수지 조성물을 가열하는 온도는, 봉지재(40)의 종류, 점착 시트(A)의 종류 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면, 30 ~ 180℃이고, 50 ~ 170℃가 바람직하고, 70 ~ 150℃가 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은, 예를 들면, 5초 ~ 60분간이고, 10초 ~ 45분간이 바람직하고, 15초 ~ 30분간이 보다 바람직하다.The temperature for heating the thermosetting resin composition in the coating step varies depending on the type of the encapsulant 40, the type of the adhesive sheet (A), and the like, for example, is 30 to 180°C, and preferably 50 to 170°C. , 70 ~ 150 ℃ is more preferable. Further, the heating time is, for example, 5 seconds to 60 minutes, preferably 10 seconds to 45 minutes, and more preferably 15 seconds to 30 minutes.

도 8(b)에 나타낸 바와 같이, 봉지재(40)는, 복수의 반도체 칩 CP의 표출되어 있는 면전체를 덮으면서, 복수의 반도체 칩 CP끼리의 간극에도 충전되어 있다.As shown in Fig. 8(b), the encapsulant 40 is also filled in the gaps between the plurality of semiconductor chips CP while covering the entire exposed surface of the plurality of semiconductor chips CP.

다음에, 도 8(c)에 나타낸 바와 같이, 피복 공정을 행한 후, 봉지재(40)를 경화시켜, 복수의 반도체 칩 CP가 경화 봉지재(41)로 봉지되어 이루어지는 경화 봉지체(50)를 얻는다.Next, as shown in Fig. 8(c), after performing the coating step, the encapsulation material 40 is cured, and a plurality of semiconductor chips CP are encapsulated by the encapsulation encapsulation material 41. Get

상기 경화 공정에서, 봉지재(40)를 경화시키는 온도는, 봉지재(40)의 종류, 점착 시트(A)의 종류 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면, 80 ~ 240℃이고, 90 ~ 200℃이 바람직하고, 100 ~ 170℃이 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은, 예를 들면, 10 ~ 180분간이고, 20 ~ 150분간이 바람직하고, 30 ~ 120분간이 보다 바람직하다.In the curing step, the temperature for curing the encapsulant 40 is different depending on the type of the encapsulant 40, the type of the adhesive sheet A, and the like, for example, 80 to 240°C, and 90 to 200°C. This is preferable, and 100 to 170°C is more preferable. Further, the heating time is, for example, 10 to 180 minutes, preferably 20 to 150 minutes, and more preferably 30 to 120 minutes.

공정(4A-1)에 의해, 소정 거리씩 이간한 복수의 반도체 칩 CP가 경화 봉지재(41)에 매립된 경화 봉지체(50)가 얻어진다.By the process (4A-1), a cured encapsulation body 50 in which a plurality of semiconductor chips CP spaced apart by a predetermined distance is embedded in the cured encapsulation material 41 is obtained.

〔공정(4A-2)〕[Process (4A-2)]

다음에, 도 8(d)에 나타낸 바와 같이, 점착 시트(A)를 경화 봉지체(50)로부터 분리한다.Next, as shown in Fig. 8(d), the pressure-sensitive adhesive sheet A is separated from the cured encapsulation body 50.

점착 시트(A)를 분리하는 방법은, 상기에서 설명한 바와 같다.The method of separating the adhesive sheet (A) is as described above.

또한 본 실시형태에서는, 복수의 반도체 칩 CP의 회로면 W1이, 점착 시트(A)의 점착제층(X1)과 접하는 상태에서 봉지 공정을 실시하는 예를 설명했지만, 회로면 W1이 표출한 상태(즉, 칩 이면이 점착제층(X1)과 접하는 상태)에서, 봉지 공정을 실시해도 좋다. 이 경우, 복수의 반도체 칩 CP의 회로면 W1은, 봉지 수지로 덮이게 되지만, 봉지 수지를 경화시킨 후, 적절히, 그라인더 등을 사용하여 경화 봉지재를 깎아, 다시 회로면 W1을 표출시키면 좋다.In addition, in the present embodiment, the circuit surface W1 of the plurality of semiconductor chips CP has been described as an example in which the sealing process is performed in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A), but the circuit surface W1 is exposed ( That is, the sealing process may be performed in the state where the chip back surface is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X1). In this case, the circuit surface W1 of the plurality of semiconductor chips CP is covered with the sealing resin, but after curing the sealing resin, the cured sealing material may be appropriately cut using a grinder or the like to expose the circuit surface W1 again.

〔공정(4A-3)：재배선층 형성 공정〕[Process (4A-3): Rewiring layer formation process]

도 9(a) ~ (c)에는, 점착 시트(A)를 분리한 경화 봉지체(50)에, 재배선층을 형성하는 공정(4A-3)을 설명하는 단면도가 나타나 있다.9(a) to 9(c), cross-sectional views illustrating a step (4A-3) of forming a redistribution layer on the cured encapsulation body 50 from which the pressure-sensitive adhesive sheet A is separated are shown.

도 9(b)에는, 반도체 칩 CP의 회로면 W1 및 경화 봉지체(50)의 면(50a)에 제1절연층(61)을 형성하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.9(b), a cross-sectional view illustrating a process of forming the first insulating layer 61 on the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP and the surface 50a of the cured encapsulation body 50 is shown.

절연성 수지를 포함하는 제1절연층(61)을, 회로면 W1 및 면(50a) 상에, 반도체 칩 CP의 회로 W2 또는 회로 W2의 내부 단자 전극 W3를 노출시키도록 형성한다. 절연성 수지로는, 폴리이미드 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 내부 단자 전극 W3의 재질은, 도전성 재료이면 한정되지 않고, 금, 은, 구리, 알루미늄 등의 금속, 이러한 금속을 포함하는 합금 등을 들 수 있다.The first insulating layer 61 including the insulating resin is formed on the circuit surfaces W1 and 50a to expose the circuit W2 of the semiconductor chip CP or the internal terminal electrode W3 of the circuit W2. Examples of the insulating resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, and silicone resin. The material of the internal terminal electrode W3 is not limited as long as it is a conductive material, and examples include metals such as gold, silver, copper, and aluminum, and alloys containing such metals.

도 9(c)에는, 경화 봉지체(50)에 봉지된 반도체 칩 CP와 전기적으로 접속하는 재배선(70)을 형성하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.9C shows a cross-sectional view illustrating a process of forming a redistribution line 70 that is electrically connected to the semiconductor chip CP encapsulated in the hardening encapsulation body 50.

본 실시형태에서는, 제1절연층(61)의 형성에 이어 재배선(70)을 형성한다. 재배선(70)의 재질은, 도전성 재료이면 한정되지 않고, 금, 은, 구리, 알루미늄 등의 금속, 이러한 금속을 포함하는 합금 등을 들 수 있다. 재배선(70)은, 서브트랙티브법, 세미 애더티브법 등의 공지의 방법에 따라 형성할 수 있다.In this embodiment, the redistribution line 70 is formed following the formation of the first insulating layer 61. The material of the redistribution line 70 is not limited as long as it is a conductive material, and examples include metals such as gold, silver, copper, and aluminum, and alloys containing such metals. The redistribution line 70 can be formed by a known method such as a subtractive method or a semi-additive method.

도 10(a)에는, 재배선(70)을 덮는 제2절연층(62)을 형성하는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.10(a), a cross-sectional view illustrating a process of forming the second insulating layer 62 covering the redistribution line 70 is shown.

재배선(70)은, 외부 단자 전극용의 외부 전극 패드(70A)를 가진다. 제2절연층(62)에는 개구 등을 설치하고, 외부 단자 전극용의 외부 전극 패드(70A)를 노출시킨다. 본 실시형태에서는, 외부 전극 패드(70A)는, 경화 봉지체(50)의 반도체 칩 CP의 영역(회로면 W1에 대응하는 영역) 내 및 영역 외(경화 봉지체(50) 상의면(50a)에 대응하는 영역)에 노출시키고 있다. 또한, 재배선(70)은, 외부 전극 패드(70A)가 어레이상으로 배치되도록, 경화 봉지체(50)의 면(50a)에 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 경화 봉지체(50)의 반도체 칩 CP의 영역 외에 외부 전극 패드(70A)를 노출시키는 구조를 가지므로, FOWLP 또는 FOPLP를 얻을 수 있다.The redistribution line 70 has an external electrode pad 70A for an external terminal electrode. An opening or the like is provided in the second insulating layer 62, and the external electrode pad 70A for an external terminal electrode is exposed. In the present embodiment, the external electrode pad 70A is inside and outside the region (the region corresponding to the circuit surface W1) of the semiconductor chip CP of the cured encapsulation body 50 (surface 50a on the curing encapsulation 50) (Corresponding to the area corresponding to). In addition, the redistribution line 70 is formed on the surface 50a of the curing encapsulation body 50 so that the external electrode pads 70A are arranged in an array. In this embodiment, since the structure of exposing the external electrode pad 70A outside the region of the semiconductor chip CP of the cured encapsulation body 50 is obtained, FOWLP or FOPLP can be obtained.

(외부 단자 전극과의 접속 공정)(Connection process with external terminal electrode)

다음에, 필요에 따라서, 외부 전극 패드(70A)에 외부 단자 전극(80)을 접속시켜도 좋다.Next, if necessary, the external terminal electrode 80 may be connected to the external electrode pad 70A.

도 10(b)에는, 외부 전극 패드(70A)에 외부 단자 전극(80)을 접속시키는 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.10(b), a cross-sectional view illustrating a process of connecting the external terminal electrode 80 to the external electrode pad 70A is shown.

제2절연층(62)으로부터 노출하는 외부 전극 패드(70A)에, 땜납 볼 등의 외부 단자 전극(80)을 재치하고, 땜납 접합 등에 의해, 외부 단자 전극(80)과 외부 전극 패드(70A)를 전기적으로 접속시킨다. 땜납 볼의 재질은, 특별히 한정되지 않고, 함연 땜납, 무연 땜납, 등을 들 수 있다.An external terminal electrode 80 such as a solder ball is placed on the external electrode pad 70A exposed from the second insulating layer 62, and the external terminal electrode 80 and the external electrode pad 70A are attached by solder bonding or the like. Is electrically connected. The material of the solder ball is not particularly limited, and examples thereof include leaded solder, lead-free solder, and the like.

(제2의 다이싱 공정)(Second dicing process)

도 10(c)은, 외부 단자 전극(80)이 접속된 경화 봉지체(50)를 개편화시키는 제2의 다이싱 공정을 설명하는 단면도가 나타나 있다.Fig. 10(c) is a sectional view illustrating a second dicing process in which the cured encapsulation body 50 to which the external terminal electrode 80 is connected is individualized.

본 공정에서는, 경화 봉지체(50)를 반도체 칩 CP 단위로 개편화한다. 경화 봉지체(50)를 개편화시키는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 다이싱소 등의 절단 수단 등에 의해서 실시할 수 있다.In this step, the cured encapsulation body 50 is divided into semiconductor chip CP units. The method for individualizing the cured encapsulation body 50 is not particularly limited, and can be performed by cutting means such as a dicing saw.

경화 봉지체(50)를 개편화하는 것으로, 반도체 칩 CP단위의 반도체 장치(100)가 제조된다. 상술한 바와 같이 반도체 칩 CP의 영역 외에 팬 아웃 시킨 외부 전극 패드(70A)에 외부 단자 전극(80)을 접속시킨 반도체 장치(100)는, FOWLP, FOPLP 등으로서 제조된다.The cured encapsulation body 50 is reorganized, and the semiconductor device 100 of the semiconductor chip CP unit is manufactured. As described above, the semiconductor device 100 in which the external terminal electrode 80 is connected to the external electrode pad 70A fanned out outside the area of the semiconductor chip CP is manufactured as FOWLP, FOPLP, or the like.

(실장 공정)(Mounting process)

본 실시형태에서는, 개편화된 반도체 장치(100)를, 프린트 배선 기판 등에 실장하는 공정을 포함하는 것도 바람직하다.In the present embodiment, it is also preferable to include a step of mounting the individualized semiconductor device 100 on a printed wiring board or the like.

＜공정(4B)＞<Process (4B)>

다음에, 공정(3) 후에, 복수의 반도체 칩 CP를 점착 시트(A)와 분리하여, 반도체 칩을 정렬시키는 재배열을 실시하고 나서, 봉지 및 재배선을 형성하는 공정(4B)에 대해 설명한다. 공정(4B)은, 하기 공정(4B-1) 및 (4B-2)를 가지는 것이 바람직하다.Next, after the step (3), the process (4B) of separating the plurality of semiconductor chips CP from the pressure-sensitive adhesive sheet (A), rearranging the semiconductor chips, and then forming the encapsulation and rewiring are described. do. It is preferable that the process (4B) has the following processes (4B-1) and (4B-2).

공정(4B-1)：상기 팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)와 복수의 반도체 칩 CP를 분리하는 공정.Step (4B-1): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chips CP.

공정(4B-2)：점착 시트(A)로부터 분리된 상기 복수의 반도체 칩 CP를, 정렬시키는 공정.Step (4B-2): A step of aligning the plurality of semiconductor chips CP separated from the adhesive sheet (A).

상기 공정(4B-2)는, 점착 시트(A)로부터 분리된 복수의 반도체 칩 CP를, 복수의 반도체 칩 CP를 수용할 수 있는 수용부를 복수 구비하는 정렬 치구를 이용하여 정렬시키는 공정인 것이 바람직하다.The step (4B-2) is preferably a step of aligning the plurality of semiconductor chips CP separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A) using an alignment jig provided with a plurality of receiving portions capable of accommodating the plurality of semiconductor chips CP. Do.

〔공정(4B-1)〕[Process (4B-1)]

도 11(a) 및 (b)에는, 점착 시트(A) 중의 팽창성 입자를 팽창시킴으로써, 점착 시트(A)와 복수의 반도체 칩 CP를 분리하여, 분리한 복수의 반도체 칩 CP를, 유지 부재(20) 상에 재치되어 있는 정렬 치구(10)로 이동하는 공정(4B-1)을 설명하는 단면도가 나타나 있다. 정렬 치구(10)는, 반도체 칩 CP를 수용할 수 있는 수용부(11)를 복수 구비하는 것이다.11(a) and 11(b), by expanding the expandable particles in the adhesive sheet (A), the adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chips CP are separated, and the separated plurality of semiconductor chips CP are retained members ( 20) A sectional view for explaining the step 4B-1 of moving to the alignment jig 10 placed on the top is shown. The alignment jig 10 is provided with a plurality of accommodating portions 11 capable of accommodating the semiconductor chip CP.

점착 시트(A)와 복수의 반도체 칩 CP를 분리하는 조건은, 상기에서 설명한 바와 같다.The conditions for separating the pressure-sensitive adhesive sheet A from the plurality of semiconductor chips CP are as described above.

도 11(b)에 나타낸 바와 같이, 유지 부재(20)는 그 유지면(21) 상에, 정렬 치구(10)가 재치되고 있어 정렬 치구(10)의 개구부인 수용부(11) 내에, 반도체 칩 CP가 수용되어 있다.As shown in Fig. 11(b), the retaining member 20 is mounted on its holding surface 21, in which the alignment jig 10 is placed, in the receiving portion 11 which is an opening of the alignment jig 10, a semiconductor Chip CP is accommodated.

유지 부재(20)는, 도시하지 않는 감압 수단에 의해서 반도체 칩 CP를 흡착 유지하고 있어도 좋다.The holding member 20 may adsorb and hold the semiconductor chip CP by a pressure-reducing means (not shown).

도 12는, 정렬 치구(10)의 평면도를 나타내고, 정렬 치구(10)는, 틀상의 본체부(12)와 반도체 칩 CP를 수용할 수 있는 수용부(11)를 구비하고 있다. 정렬 치구(10)는, 평면시에 대략 정방형상으로 개구하는 수용부(11)가 정방격자상으로 배열되어 있다.Fig. 12 shows a plan view of the alignment jig 10, and the alignment jig 10 includes a frame-shaped main body 12 and a receiving portion 11 capable of accommodating the semiconductor chip CP. As for the alignment jig 10, the accommodating part 11 which opens in a substantially square shape in planar view is arrange|positioned in the square grid shape.

〔공정(4B-2)〕[Process (4B-2)]

도 13(a) 및 (b)에는, 점착 시트(A)로부터 분리된 복수의 반도체 칩 CP를, 정렬시키는 공정(4B-2)를 설명하는 단면도가 나타나 있다.13A and 13B are cross-sectional views illustrating a process 4B-2 of aligning a plurality of semiconductor chips CP separated from the pressure-sensitive adhesive sheet A.

도 13(a)에 나타낸 바와 같이, 점착 시트(A)로부터 분리된 복수의 반도체 칩 CP는, 복수의 반도체 칩 CP를 수용할 수 있는 수용부(11)를 복수 구비하는 정렬 치구(10)의 수용부(11) 내에 재치된다.As shown in Fig. 13(a), the plurality of semiconductor chips CP separated from the pressure-sensitive adhesive sheet A is provided with an alignment jig 10 having a plurality of receiving portions 11 capable of accommodating the plurality of semiconductor chips CP. It is placed in the receiving portion 11.

다음에, 도 13(b)에 나타낸 바와 같이, 유지 부재(20) 상의 정렬 치구(10)를, X 방향 및 Y 방향으로 이동시켜, 정렬 치구(10)의 벽부(11a)와 반도체 칩 CP의 측면 CPa를 당접시킨다. 이 때, 유지 부재(20) 자체, 또는 유지 부재(20)와 정렬 치구(10)의 양쪽 모두를 이동시켜, 정렬 치구(10)의 벽부(11a)와 반도체 칩 CP의 측면 CPa를 당접시켜도 좋다.Next, as shown in Fig. 13(b), the alignment jig 10 on the holding member 20 is moved in the X direction and the Y direction, so that the wall portion 11a of the alignment jig 10 and the semiconductor chip CP The side CPa is abutted. At this time, the retaining member 20 itself, or both of the retaining member 20 and the alignment jig 10 may be moved to abut the wall portion 11a of the alignment jig 10 and the side CPa of the semiconductor chip CP. .

이것에 의해서, 도 13(b)에 나타낸 바와 같이, 정렬된 복수의 반도체 칩 CP가 얻어진다.As a result, as shown in Fig. 13B, a plurality of aligned semiconductor chips CP are obtained.

공정(4B)에서 정렬된 복수의 반도체 칩 CP는, 그 후, 필요에 따라서, 상기 반전 공정 및 전사 공정 등을 행한 후, 다시, 점착 시트(A) 등의 가 고정용 시트상에 전사되어 상기 공정(4A)와 마찬가지의 봉지 공정, 재배선 형성 공정을 거쳐, FOWLP, FOPLP를 제조할 수 있다.The plurality of semiconductor chips CP aligned in the step (4B) is then transferred to the fixing sheet (such as the adhesive sheet (A)) again after performing the inversion step and the transfer step, if necessary. FOWLP and FOPLP can be manufactured through the sealing process similar to the process (4A), and a rewiring formation process.

실시예Example

본 발명에 대해서, 이하의 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한 이하의 제조예 및 실시예에서의 물성 값은, 이하의 방법에 따라 측정한 값이다.The present invention will be specifically described by the following examples, but the present invention is not limited to the following examples. In addition, the physical property values in the following Production Examples and Examples are values measured according to the following methods.

＜질량 평균분자량(Mw)＞<Mass average molecular weight (Mw)>

겔침투 크로마토그래피 장치(TOSOH CORPORATION 제, 제품명 「HLC-8020」)를 이용하여, 하기의 조건 하에서 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 측정된 값을 이용했다.The gel permeation chromatography apparatus (manufactured by TOSOH CORPORATION, product name "HLC-8020") was measured under the following conditions, and the value measured in terms of standard polystyrene was used.

(측정 조건)(Measuring conditions)

·칼럼：「TSK　guard　column　HXL-L」 「TSK　gel　G2500HXL」 「TSK　gel　G2000HXL」 「TSK　gel　G1000HXL」(모두 TOSOH CORPORATION 제)을 순차 연결한 것·Column: Sequentially connecting "TSK　guard　column　HXL-L" "TSK　gel　G2500HXL" "TSK　gel　G2000HXL" "TSK　gel　G1000HXL" (all manufactured by TOSOH CORPORATION)

·칼럼온도：40℃·Column temperature: 40℃

·전개 용매：테트라히드로푸란·Development solvent: Tetrahydrofuran

·유속：1.0mL/min·Flow rate: 1.0mL/min

＜각층의 두께의 측정＞<Measurement of thickness of each layer>

주식회사 TECLOCK 제의 정압 두께측정기(제품번호：「PG-02J」, 표준 규격：JIS　K6783, Z1702, Z1709에 준거)를 이용하여 측정했다.It was measured using a constant pressure thickness gauge (model number: "PG-02J", standard: JIS JIS K6783, Z1702, Z1709) manufactured by TECLOCK Co., Ltd.

＜열팽창성 입자의 평균 입자경(D50), 90% 입자경(D90)＞<Average particle diameter of thermally expandable particles (D 50 ), 90% particle diameter (D 90 )>

레이저 회절식 입도 분포 측정장치(예를 들면, Malｖern 사 제, 제품명 「MASTERSIZER 3000」)를 이용하여, 23℃에서의 팽창 전의 열팽창성 입자의 입자 분포를 측정했다.The particle distribution of the thermally expandable particles before expansion at 23°C was measured using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus (for example, a product name "MASTERSIZER 3000" manufactured by Malnern Corporation).

그리고, 입자 분포의 입자경이 작은 쪽에서 계산한 누적 체적 빈도가 50% 및 90%에 상당하는 입자경을, 각각 「열팽창성 입자의 평균 입자경(D50)」 및 「열팽창성 입자의 90% 입자경(D90)」으로 했다.In addition, the particle diameters corresponding to 50% and 90% of the cumulative volume frequency calculated by the smaller particle diameter of the particle distribution are "average particle diameter (D 50 ) of thermally expandable particles" and "90% particle diameter (D) of thermally expandable particles, respectively. 90 )”.

＜팽창성 기재의 저장 탄성률(E＇)＞<Storage elastic modulus of expandable substrate (E＇)>

측정 대상이 비점착성의 팽창성 기재인 경우, 상기 팽창성 기재를 종 5 mm×횡 30 mm×두께 200μm의 크기로 하고, 박리재를 제거한 것을 시험 샘플로 했다.When the measurement object was a non-tacky expandable substrate, the expandable substrate was set to a size of 5 mm long x 30 mm wide x 200 μm thick, and the release material was removed as a test sample.

동적점탄성 측정장치(TA Instruments 사 제, 제품명 「DMAQ800」)를 이용하여, 시험 개시 온도 0℃, 시험 종료 온도 300℃, 승온 속도 3℃／분, 진동수 1 Hz, 진폭 20μm의 조건에서, 소정의 온도에서의, 상기 시험 샘플의 저장 탄성률(E＇)을 측정했다.Using a dynamic viscoelasticity measuring device (manufactured by TA Instruments, product name ``DMAQ800''), the test start temperature is 0°C, the test end temperature is 300°C, the heating rate is 3°C/min, the frequency is 1 Hz, and the amplitude is 20 μm. The storage elastic modulus (E') of the test sample at temperature was measured.

＜점착제층의 저장 전단 탄성률(G＇)＞<Storage shear modulus of adhesive layer (G＇)>

측정 대상이 점착성을 가지는 점착제층인 경우, 상기 점착제층을 직경 8 mm×두께 3 mm로 하고, 박리재를 제거한 것을 시험 샘플로 했다.When the measurement object is a pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer was 8 mm in diameter x 3 mm in thickness, and a peeling material was removed as a test sample.

점탄성 측정장치(Anton　Paar 사 제, 장치 이름 「MCR300」)을 이용하여, 시험 개시 온도 0℃, 시험 종료 온도 300℃, 승온 속도 3℃／분, 진동수 1 Hz의 조건에서, 비틀림 전단법에 따라서, 소정의 온도에서의, 시험 샘플의 저장 전단 탄성률(G＇)을 측정했다. 그리고, 저장 탄성률(E＇)의 값은, 측정한 저장 전단 탄성률(G＇)의 값을 기초로, 근사식 「E＇=3 G＇」로부터 산출했다.Using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Anton Paar, apparatus name "MCR300"), in accordance with the torsional shearing method under conditions of a test start temperature of 0°C, a test end temperature of 300°C, a heating rate of 3°C/min and a frequency of 1 Hz. , The storage shear modulus (G') of the test sample at a predetermined temperature was measured. And the value of storage elastic modulus (E') was calculated from the approximate formula "E' = 3 G'" based on the measured value of storage shear modulus (G').

＜프로브 택 값＞<probe tag value>

측정 대상이 되는 팽창성 기재 또는 점착제층을 한 변 10 mm의 정방형으로 절단한 후, 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서 24시간 정치하고, 경박리 필름을 제거한 것을 시험 샘플로 했다.A test sample was obtained by cutting the expandable substrate or pressure-sensitive adhesive layer to be measured into squares of 10 mm on one side, and then standing at 23° C. for 50% RH (relative humidity) for 24 hours, and removing the light peeling film.

상기 시험 샘플을, 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서, 택킹 시험기기(NIPPON TOKUSHU SOKKI CO., LTD 제, 제품명 「NTS-4800」)를 이용하여, 경박리 필름을 제거해 표출한, 상기 시험 샘플의 표면에서의 프로브 택 값을, JIS　Z0237：1991에 준거해 측정했다.The test sample was exposed by removing the light peeling film using a tacking tester (product name "NTS-4800" manufactured by NIPPON TOKUSHU SOKKI CO., LTD.) under 23°C and 50%RH (relative humidity). , The probe tack value on the surface of the test sample was measured in accordance with JIS #Z0237: 1991.

구체적으로는, 직경 5 mm의 스텐레스 제의 프로브를, 1초간, 접촉하중 0.98N/㎠로 시험 샘플의 표면에 접촉시킨 후, 상기 프로브를 10 mm/초의 속도로, 시험 샘플의 표면으로부터 떼어 내는데 필요한 힘을 측정했다. 그리고, 그 측정한 값을, 그 시험 샘플의 프로브 택 값으로 했다.Specifically, a stainless steel probe having a diameter of 5 mm was brought into contact with the surface of the test sample at a contact load of 0.98 N/cm 2 for 1 second, and then the probe was removed from the surface of the test sample at a rate of 10 mm/sec. The required force was measured. And the measured value was used as the probe tack value of the test sample.

이하의 제조예에서의 각층의 형성에 사용된 점착성 수지, 첨가제, 열팽창성 입자, 및 박리재의 상세는 이하와 같다.The details of the adhesive resin, additives, thermally expandable particles, and release material used for the formation of each layer in the following Production Examples are as follows.

＜점착성 수지＞<Adhesive resin>

·아크릴계 공중합체(i)：2-에틸헥실 아크릴레이트(2EHA)/2-히드록시에틸 아크릴레이트(HEA)=80.0/20.0(질량비)로 이루어지는 원료 모노머로부터 유래하는 구성 단위를 가지는, Mw 60만의 아크릴계 공중합체를 포함하는 용액. 희석용매：아세트산에틸, 고형분 농도：40질량%.-Acrylic copolymer (i): 2-ethylhexyl acrylate (2EHA)/2-hydroxyethyl acrylate (HEA) = 80.0/20.0 (mass ratio) having a structural unit derived from a monomer, only Mw 60,000 A solution containing an acrylic copolymer. Dilution solvent: ethyl acetate, solid content concentration: 40 mass%.

·아크릴계 공중합체(ii)：n-부틸아크릴레이트(BA)/메틸 메타크릴레이트(MMA)/2-히드록시에틸 아크릴레이트(HEA)/아크릴산=86.0/8.0/5.0/1.0(질량비)로 이루어지는 원료 모노머로부터 유래하는 구성 단위를 가지는, Mw 60만의 아크릴계 공중합체를 포함하는 용액. 희석용매：아세트산에틸, 고형분 농도：40질량%.・Acrylic copolymer (ii): consisting of n-butyl acrylate (BA)/methyl methacrylate (MMA)/2-hydroxyethyl acrylate (HEA)/acrylic acid=86.0/8.0/5.0/1.0 (mass ratio) A solution containing an acrylic copolymer of Mw 600,000 having a structural unit derived from a raw material monomer. Dilution solvent: ethyl acetate, solid content concentration: 40 mass%.

＜첨가제＞<additive>

·이소시아네이트 가교제(i)：TOSOH CORPORATION 제, 제품명 「Coronate L」, 고형분 농도：75질량%.-Isocyanate crosslinking agent (i): TOSOH CORPORATION, product name "Coronate L", solid content concentration: 75 mass%.

·광중합개시제(i)：BASF 사 제, 제품명 「IRGACURE 184」, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤.-Photopolymerization initiator (i): manufactured by BASF, product name "IRGACURE 184", 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone.

＜열팽창성 입자＞<thermal expandable particles>

·열팽창성 입자(i)：KUREHA CORPORATION, 제품명 「S2640」, 팽창개시온도(t)=208℃, 평균 입자경(D50)=24μm, 90% 입자경(D90)=49μm.· Thermally expandable particles (i): KUREHA CORPORATION, product name “S2640”, expansion start temperature (t)=208°C, average particle diameter (D 50 )=24 μm, 90% particle diameter (D 90 )=49 μm.

＜박리재＞<Peeling material>

·중박리 필름：LINTEC Corporation 제, 제품명 「SP-PET382150」, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름의 한 면에, 실리콘계 박리제로 형성된 박리제층을 설치한 것, 두께：38μm.-Medium peeling film: manufactured by LINTEC Corporation, product name "SP-PET382150", a polyethylene terephthalate (PET) film formed on one side of a release agent layer formed of a silicone-based release agent, thickness: 38μm.

·경박리 필름：LINTEC Corporation 제, 제품명 「SP-PET381031」, PET 필름의 한 면에, 실리콘계 박리제로 형성된 박리제층을 설치한 것, 두께：38μm.-Light peeling film: Product made by LINTEC Corporation, product name "SP-PET381031", the thing which provided the release agent layer formed from the silicone type release agent on one side of a PET film, thickness: 38 micrometers.

제조예 1Preparation Example 1

(점착제층(X1)의 형성)(Formation of adhesive layer (X1))

점착성 수지인, 상기 아크릴계 공중합체(i)의 용액의 고형분 100질량부에, 상기 이소시아네이트계 가교제(i) 5.0질량부(고형분 비)를 배합하고, 톨루엔으로 희석하고, 균일하게 교반하여 고형분 농도(유효 성분 농도) 25질량%의 점착제 조성물(x1)을 조제했다.100 parts by weight of the solid content of the solution of the acrylic copolymer (i), which is an adhesive resin, is mixed with 5.0 parts by weight of the isocyanate-based crosslinking agent (i) (solid content ratio), diluted with toluene, and uniformly stirred to obtain a solid content concentration ( Active ingredient concentration) A 25% by mass pressure-sensitive adhesive composition (x1) was prepared.

그리고, 상기 중박리 필름의 박리제층의 표면 상에, 조제한 점착제 조성물(x1)을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 100℃에서 60초간 건조하여, 두께 10μm의 점착제층(X1)을 형성했다. 또한 23℃에서 점착제층(X1)의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)은, 2.5×105 Pa이었다.Then, on the surface of the release layer of the medium peeling film, the prepared pressure-sensitive adhesive composition (x1) was applied to form a coating film, and the coating film was dried at 100°C for 60 seconds to form a pressure-sensitive adhesive layer (X1) having a thickness of 10 μm. . In addition, the storage shear modulus (G′) 23 of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) at 23° C. was 2.5×10 5 Pa.

제조예 2Preparation Example 2

(점착제층(X1＇)의 형성)(Formation of adhesive layer (X1'))

점착성 수지인, 상기 아크릴계 공중합체(ii)의 용액의 고형분 100질량부에, 상기 이소시아네이트계 가교제(i) 0.8질량부(고형분 비)를 배합하고, 톨루엔으로 희석하고, 균일하게 교반하여 고형분 농도(유효 성분 농도) 25질량%의 점착제 조성물(x1＇)을 조제했다. 그리고, 상기 경박리 필름의 박리제층의 표면 상에, 조제한 점착제 조성물(x1＇)을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 100℃에서 60초간 건조하여, 두께 10μm의 점착제층(X1＇)을 형성했다. 또한 23℃에서 점착제층(X1＇)의 저장 전단 탄성률(G＇)(23)은, 9.0×103 Pa이었다.100 parts by mass of the solid content of the solution of the acrylic copolymer (ii), which is an adhesive resin, is mixed with 0.8 parts by mass of the isocyanate-based crosslinking agent (i) (solid content ratio), diluted with toluene, and uniformly stirred to obtain a solid content concentration ( Active ingredient concentration) A 25% by mass pressure-sensitive adhesive composition (x1 mm 2) was prepared. Then, on the surface of the release layer of the light peeling film, a prepared pressure-sensitive adhesive composition (x1＇) was applied to form a coating film, and the coating film was dried at 100° C. for 60 seconds to obtain a 10 μm thick pressure-sensitive adhesive layer (X1＇). Formed. In addition, the storage shear modulus (G′) 23 of the pressure-sensitive adhesive layer (X1′) at 23° C. was 9.0×10 3 Pa.

제조예 3Preparation Example 3

(팽창성 기재(Y1-1)의 형성)(Formation of expandable substrate (Y1-1))

에스테르형 디올과 이소포론 디이소시아네이트(IPDI)를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머에, 2-히드록시에틸 아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균분자량(Mw) 5000의 2관능의 아크릴 우레탄계 올리고머를 얻었다.2-hydroxyethyl acrylate was reacted with the terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the ester-type diol with isophorone diisocyanate (IPDI) to obtain a bifunctional acrylic urethane oligomer having a mass average molecular weight (Mw) of 5000.

그리고, 상기에서 합성된 아크릴 우레탄계 올리고머 40질량%(고형분 비)에, 에너지선 중합성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트(IBXA) 40질량%(고형분 비), 및 페닐 히드록시프로필 아크릴레이트(HPPA) 20질량%(고형분 비)를 배합하고, 아크릴 우레탄계 올리고머 및 에너지선 중합성 모노머의 전량 100질량부에 대해서, 광중합개시제(i) 2.0질량부(고형분 비), 및 첨가제로서 프탈로시아닌계 안료 0.2질량부(고형분 비)를 더 배합하고, 에너지선 경화성 조성물을 조제했다. 상기 에너지선 경화성 조성물에, 상기 열팽창성 입자(i)를 배합하고, 용매를 함유하지 않는, 무용제형의 수지 조성물(y1)을 조제했다. 또한 수지 조성물(y1)의 전량(100질량%)에 대한, 열팽창성 입자(i)의 함유량은 20질량%이었다.Then, 40% by mass of the acrylic urethane-based oligomer synthesized above (solid content ratio), 40% by mass of isobornyl acrylate (IBXA) as an energy ray polymerizable monomer (solid content ratio), and phenyl hydroxypropyl acrylate (HPPA) 20 Mixing% by weight (solids ratio), and with respect to 100 parts by mass of the total amount of the acrylic urethane-based oligomer and energy ray polymerizable monomer, photopolymerization initiator (i) 2.0 parts by mass (solids ratio), and 0.2 parts by mass of phthalocyanine pigment as an additive ( Solid content ratio) was further mix|blended, and the energy ray curable composition was prepared. The said thermally expandable particle|grain (i) was mix|blended with the said energy ray curable composition, and the solvent-free resin composition (y1) which does not contain a solvent was prepared. In addition, the content of the thermally expandable particles (i) with respect to the total amount (100 mass%) of the resin composition (y1) was 20 mass%.

그 다음에, 상기 경박리 필름의 박리제층의 표면 상에, 조제된 수지 조성물(y1)을 도포하여 도막을 형성했다. 그리고, 자외선 조사장치(EYE GRAPHICS., Ltd. 제, 제품명 「ECS-401 GX」) 및 고압 수은 램프(EYE GRAPHICS., Ltd. 제, 제품명 「H04-L41」)를 이용하여, 조도 160 mW/㎠, 광량 500 mJ/㎠의 조건에서 자외선을 조사하고, 상기 도막을 경화시켜, 두께 50μm의 팽창성 기재(Y1-1)를 형성했다. 또한 자외선 조사시의 상기의 조도 및 광량은, 조도·광량계(EIT 사 제, 제품명 「UV　Power　Puck　II」)을 이용하여 측정된 값이다.Then, the prepared resin composition (y1) was applied on the surface of the release agent layer of the light peeling film to form a coating film. And, using an ultraviolet irradiation device (EYE GRAPHICS., Ltd., product name "ECS-401 GX") and a high pressure mercury lamp (EYE GRAPHICS., Ltd., product name "H04-L41"), the illuminance is 160 mW/ Ultraviolet rays were irradiated under conditions of cm 2 and light amount of 500 mJ/cm 2, and the coating film was cured to form an expandable substrate (Y1-1) having a thickness of 50 μm. In addition, the said illuminance and light quantity at the time of ultraviolet irradiation are the values measured using the illuminance and photometer (product name "UV_Power_Puck_II" manufactured by EIT).

또한 상기에서 얻어진 팽창성 기재(Y1-1)의 23℃에서의 저장 탄성률(E＇)은, 5.0×108 Pa, 100℃에서의 저장 탄성률(E＇)은, 4.0×106 Pa, 208℃에서의 저장 탄성률(E＇)은, 4.0×106 Pa이었다. 또한, 팽창성 기재(Y1-1)의 프로브 택 값은, 2 mN/5mmφ이었다.In addition, the storage elastic modulus (E′) at 23° C. of the expandable substrate (Y1-1) obtained above is 5.0×10 8 Pa, and the storage elastic modulus (E′) at 100° C. is 4.0×10 6 Pa, 208° C. The storage modulus (E′) at was 4.0×10 6 Pa. In addition, the probe tack value of the expandable substrate (Y1-1) was 2 mN/5mmφ.

제조예 4Preparation Example 4

(점착 시트(A)의 제작)(Production of the adhesive sheet (A))

제조예 1에서 형성된 점착제층(X1)과 제조예 3에서 형성된 팽창성 기재(Y1-1)의 표면끼리 첩합하고, 팽창성 기재(Y1-1) 측의 경박리 필름을 제거해, 표출한 팽창성 기재(Y1-1)의 표면 상에, 제조예 2에서 형성된 점착제층(X1＇)을 첩합했다. 이것에 의해, 경박리 필름/점착제층(X1＇)/팽창성 기재(Y1-1)/점착제층(X1)/중박리 필름을 이 순서로 적층한 점착 시트(A)를 제작했다.The pressure-sensitive adhesive layer (X1) formed in Production Example 1 and the surface of the expandable base material (Y1-1) formed in Production Example 3 are bonded to each other, and the light peeling film on the side of the expandable base material (Y1-1) is removed to express the expanded base material (Y1). On the surface of -1), the pressure-sensitive adhesive layer (X1') formed in Production Example 2 was pasted. Thereby, the adhesive sheet (A) which laminated|stacked the light peeling film/adhesive layer (X1')/expandable base material (Y1-1)/adhesive layer (X1)/middle peeling film in this order was produced.

제조예 5Preparation Example 5

(점착 시트(B)(익스팬드 테이프)의 제작)(Production of adhesive sheet (B) (expand tape))

부틸아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트=85/15(질량비)를 반응시켜 얻어진 아크릴계 공중합체와 그 2-히드록시에틸 아크릴레이트에 대해서 80몰%의 메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI)를 반응시켜 에너지선 경화형 중합체를 얻었다. 이 에너지선 경화형 중합체의 질량 평균분자량(Mw)은, 60만이었다. 얻어진 에너지선 경화형 중합체 100질량부와 광중합개시제로서의 1-히드록시시클로페닐 케톤(BASF 사 제, 제품명 「IRGACURE 184」) 3질량부와 가교제로서의 톨릴렌 디이소시아네이트계 가교제(TOSOH CORPORATION 제, 제품명 「Coronate L」) 0.45질량부를 용매 중에서 혼합해, 점착성 조성물을 얻었다.80% by mole of methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) with respect to the acrylic copolymer obtained by reacting butyl acrylate/2-hydroxyethyl acrylate=85/15 (mass ratio) and the 2-hydroxyethyl acrylate. Was reacted to obtain an energy ray-curable polymer. The mass average molecular weight (Mw) of this energy ray-curable polymer was 600,000. 100 parts by mass of the obtained energy ray-curable polymer and 3 parts by mass of 1-hydroxycyclophenyl ketone (manufactured by BASF, product name "IRGACURE 184") as a photopolymerization initiator and tolylene diisocyanate-based crosslinking agent (manufactured by TOSOH CORPORATION, product name "Coronate") L″) 0.45 parts by mass was mixed in a solvent to obtain an adhesive composition.

다음에, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름의 한 면에 실리콘계의 박리제층이 형성되어 이루어지는 박리 필름(LINTEC Corporation 제, 제품명 「SP-PET3811」)의 박리제층의 표리면에 대해서, 상기 점착성 조성물을 도포하고, 가열에 의해 건조시켜, 박리 필름 상에, 두께 10μm의 점착제층(X2)를 형성했다. 그 후, 이 점착제층의 노출면에, 기재(Y2)로서 폴리에스테르계 폴리우레탄 엘라스토머 시트(Sheedom Co., Ltd. 제, 제품명 「Higress DUS202」, 두께 50μm)의 한 면을 첩합하여, 점착제층에 박리 필름이 첩부된 상태에서 점착 시트(B)(익스팬드 테이프)를 얻었다.Next, the above-mentioned adhesive composition is applied to the front and back surfaces of the release agent layer of the release film (product name "SP-PET3811" manufactured by LINTEC Corporation), on which a silicone-based release agent layer is formed on one side of a polyethylene terephthalate (PET) film. Then, it was dried by heating to form an adhesive layer (X2) having a thickness of 10 μm on a release film. Then, one surface of a polyester-based polyurethane elastomer sheet (manufactured by Sheet Co., Ltd., product name "Higress DUS202", thickness 50 µm) was bonded to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer as a base material (Y2), and the pressure-sensitive adhesive layer The adhesive sheet (B) (expanded tape) was obtained in the state in which the release film was stuck on.

[반도체 장치의 제조][Production of semiconductor devices]

실시예 1Example 1

상기에서 얻어진 점착 시트(A) 및 점착 시트(B)를 사용하여, 이하의 방법에 따라, 반도체 장치를 제조했다.Using the adhesive sheet (A) and the adhesive sheet (B) obtained above, a semiconductor device was manufactured according to the following method.

＜공정(1)＞<Process (1)>

제조예 5에서 얻어진 점착 시트(B)를 210 mm×210 mm의 크기로 재단했다. 이 때, 재단 후의 시트의 각 변이, 점착 시트(B)의 기재(Y2)의 MD 방향과 평행 또는 수직이 되도록 재단했다. 다음에, 점착 시트(B)로부터 박리 시트를 박리하고, 반도체 웨이퍼(직경：150 mm, 두께：350μm)를 다이싱하여 얻어진 복수의 반도체 칩(1800개)을, 회로 형성면 W1가, 점착제층(X2)와는 반대 측이 되도록, 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 첩부했다. 이 때, 반도체 칩의 한 무리가, 점착 시트(B)의 중앙부에 위치하도록 전사했다. 또한, 반도체 웨이퍼를 개편화한 경우의 다이싱 라인이, 점착 시트(B)의 각 변과 평행 또는 수직이 되도록 전사했다.The adhesive sheet (B) obtained in Production Example 5 was cut to a size of 210 mm×210 mm. At this time, each side of the sheet after cutting was cut so as to be parallel or perpendicular to the MD direction of the base material Y2 of the adhesive sheet B. Next, a plurality of semiconductor chips (1800 pieces) obtained by peeling a release sheet from the pressure-sensitive adhesive sheet (B) and dicing a semiconductor wafer (diameter: 150 mm, thickness: 350 μm), a circuit-forming surface W1, and an adhesive layer (X2) was affixed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) so as to be on the opposite side. At this time, a group of semiconductor chips was transferred so as to be located in the central portion of the adhesive sheet (B). Moreover, the dicing line in the case of individualizing a semiconductor wafer was transferred so that it may become parallel or perpendicular to each side of the adhesive sheet B.

계속해서, 복수의 반도체 칩이 첩부되어 있는 점착 시트(B)를, 2축연신할 수 있는 익스팬드 장치에 설치했다. 익스팬드 장치는, 도 14에 나타낸 바와 같이, 서로 직교하는 X축 방향(양의 방향을 +X축 방향, 음의 방향을 -X축 방향으로 한다.)과 Y축 방향(양의 방향을 +Y축 방향, 음의 방향을 -Y축 방향으로 한다.)을 가지고, 각 방향(즉, +X축 방향, -X축 방향, +Y축 방향, -Y축 방향)으로 연신하기 위한 유지 수단을 가진다. 점착 시트(B)의 MD 방향을, X축 또는 Y축 방향에 맞춰, 익스팬드 장치에 설치하고, 상기 유지 수단에 의해서, 점착 시트(B)의 각 변을 파지시키고 나서, 하기의 조건에서, 점착 시트(B)를 잡아늘여, 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 첩부되어 있는 복수의 반도체 칩끼리의 간격을 넓혔다.Subsequently, the pressure-sensitive adhesive sheet B on which a plurality of semiconductor chips were attached was installed in an expandable device capable of biaxial stretching. As shown in Fig. 14, the expand apparatus has X-axis directions orthogonal to each other (positive direction +X-axis direction, negative direction -X-axis direction) and Y-axis direction (positive direction + Holding means for stretching in the Y-axis direction and the negative direction in the -Y-axis direction, in each direction (i.e., +X-axis direction, -X-axis direction, +Y-axis direction, -Y-axis direction) Have The MD direction of the pressure-sensitive adhesive sheet B is aligned with the X-axis or Y-axis direction on an expander, and after holding each side of the pressure-sensitive adhesive sheet B by the holding means, under the following conditions: The pressure-sensitive adhesive sheet (B) was stretched to increase the spacing between the plurality of semiconductor chips attached to the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B).

·유지 수단의 개수：한 변당, 5개·Number of maintenance means: 5 per side

·연신 속도：5mm/sec·Stretching speed: 5mm/sec

·연신 거리：각 변을 60 mm씩 연신했다.-Stretching distance: Each side was stretched by 60 mm.

＜공정(2)＞<Process (2)>

다음에, 제조예 4에서 얻어진 점착 시트(A)를 230 mm×230 mm의 크기로 재단했다.Next, the adhesive sheet (A) obtained in Production Example 4 was cut to a size of 230 mm×230 mm.

재단 후의 점착 시트(A)로부터 중박리 필름과 경박리 필름을 박리하고, 표출한 점착제층(X1)을, 상기 복수의 반도체 칩의 점착제층(X2)와 접하는 면과는 반대측의 면에 첩부하고, 표출한 점착제층(X1＇)의 표면에 지지체(SUS판, 두께 1 mm, 사이즈：200mmφ)를 첩부했다.The medium peeling film and the light peeling film are peeled from the adhesive sheet (A) after cutting, and the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1) is affixed to the surface opposite to the surface contacting the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the plurality of semiconductor chips. , A support (SUS plate, thickness 1 mm, size: 200 mmφ) was attached to the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1').

＜공정(3)＞<Process (3)>

그 다음에, 점착 시트(B)의 기재 측의 면으로부터, 자외선을 조도 230 mW/㎠, 광량 190 mJ/㎠ 조사하고, 점착제층을 경화시켜, 점착 시트(A)에 첩부한 상기 복수의 반도체 칩과 점착 시트(B)를 분리했다.Then, from the surface of the base material side of the adhesive sheet B, ultraviolet light is irradiated with an illuminance of 230 mW/cm 2 and a light amount of 190 mJ/cm 2, the adhesive layer is cured, and the plurality of semiconductors adhered to the adhesive sheet A The chip and the adhesive sheet (B) were separated.

이것에 의해서, 점착 시트(A)의 점착제층(X1) 상에, 일정한 간격을 두고 재치된 복수의 반도체 칩을 얻었다.Thus, a plurality of semiconductor chips placed at regular intervals on the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) was obtained.

＜공정(4A-1)＞<Process (4A-1)>

그 다음에, 봉지용 수지 필름(봉지재)을, 점착 표면(X1) 및 복수의 반도체 칩의 상에 적층하고, 진공 가열 가압 라미네이터(ROHM　and　HAAS 사 제의 「7024 HP5」)을 이용하여, 점착제층(X1)의 점착 표면 및 반도체 칩을 봉지재로 피복하는 동시에, 봉지재를 경화시켜 경화 봉지체를 제작했다. 또한 봉지 조건은, 하기이다.Subsequently, a resin film (sealing material) for sealing is laminated on an adhesive surface (X1) and a plurality of semiconductor chips, and using a vacuum heating press laminator ("7024 HP5" manufactured by ROHMHand　HAAS), The adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) and the semiconductor chip were coated with a sealing material, and at the same time, the sealing material was cured to produce a cured sealing body. In addition, the sealing conditions are as follows.

·예열 온도：테이블 및 다이어그램 모두 100℃·Preheating temperature: 100℃ for both table and diagram

·진공：60초간·Vacuum: 60 seconds

·다이나믹 프레스 모드：30초간·Dynamic press mode: 30 seconds

·스태틱 프레스 모드：10초간·Static press mode: 10 seconds

·봉지 온도：180℃ (열팽창성 입자의 팽창개시온도인 208℃보다도 낮은 온도)·Encapsulation temperature: 180℃ (Temperature lower than 208℃, which is the expansion start temperature of thermally expandable particles)

·봉지 시간：60분간·Packing time: 60 minutes

＜공정(4A-2)＞<Process (4A-2)>

봉지 후, 점착 시트(A)를 열팽창성 입자의 팽창개시온도(208℃) 이상이 되는 240℃에서 3분간 가열해 점착 시트(A)로부터 경화 봉지체를 분리했다. 또한 점착 시트(A)를 분리할 때, 점착 시트(A)를 굴곡시키지 않고 평면상으로 유지한 채로, 일괄적으로 분리할 수 있었다.After sealing, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) was heated at 240°C for at least the expansion start temperature (208°C) of the thermally expandable particles for 3 minutes to separate the cured sealing material from the pressure-sensitive adhesive sheet (A). In addition, when separating the pressure-sensitive adhesive sheet A, the pressure-sensitive adhesive sheet A could be separated in a batch without being bent, while being kept flat.

상기의 결과로부터, 본 실시형태의 제조 방법에 따르면, 익스팬드 공정에 의해서 간격을 넓힌 칩을, 상기 간격을 유지한 채로, 일괄적으로 용이하게 익스팬드 테이프로부터 분리할 수 있고 분리한 칩을 용이하게 다음 공정(봉지 공정)에 제공할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한 점착 시트(A)는, 팽창성 입자를 팽창시킴으로써, 점착력을 현저하게 작게 할 수 있기 때문에, 봉지 공정 후, 용이하게 점착 시트(A)를 분리할 수 있었다.From the above results, according to the manufacturing method of the present embodiment, chips that have been widened by the expanding process can be easily separated from the expanding tape in bulk while maintaining the above gaps, and the separated chips are easy. It can be seen that it can be provided in the next step (encapsulation step). Moreover, since the adhesive force can be made remarkably small by expanding the expandable particle|grains, the adhesive sheet (A) was able to remove the adhesive sheet (A) easily after a sealing process.

다음에, 본 실시형태에 이용하는 점착 시트(A)의 분리성을 하기 시험에 의해 평가했다.Next, the separability of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) used in this embodiment was evaluated by the following test.

[점착 시트의 점착력의 측정] [Measurement of adhesive strength of adhesive sheet]

(점착 시트(A)의 가열 전후의 점착력 측정)(Adhesive force measurement before and after heating of the adhesive sheet (A))

제작한 점착 시트(A)의 경박리 필름을 제거하고, 표출한 점착제층(X1＇)의 점착 표면 상에, 두께 50μm의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름(TOYOBO CO., LTD. 제, 제품명 「Cosmo Shine A4100」)을 적층하고, 기재를 가지는 점착 시트로 했다. 다음에, 점착 시트(A)의 중박리 필름도 제거하고, 표출한 점착제층(X1)의 점착 표면을, 피착체인 스텐레스 강판(SUS304　360번 연마)에 첩부하고, 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서, 24시간 정치한 것을 시험 샘플로 했다.A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm (manufactured by TOYOBO CO., LTD.), product name on the adhesive surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1'), by removing the light peeling film of the produced pressure-sensitive adhesive sheet (A) Cosmo Shine A4100”) was laminated to prepare an adhesive sheet having a substrate. Next, the medium peeling film of the adhesive sheet (A) was also removed, and the adhesive surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (X1) was affixed to a stainless steel plate (SUS304#360 polished) to be adhered, and 23°C, 50%RH (relative) Humidity) was allowed to stand for 24 hours as a test sample.

상기의 시험 샘플을 이용하여, 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서, JIS　Z0237：2000에 기초해, 180° 박리법에 따라, 인장 속도 300 mm/분으로, 23℃에서의 점착력을 측정했다.Using the test sample described above, under an environment of 23°C and 50%RH (relative humidity), the adhesion at 23°C at a tensile rate of 300 mm/min, according to the JIS°Z0237:2000, according to the 180° peeling method Was measured.

또한, 상기의 시험 샘플을, 핫 플레이트 상에서, 열팽창성 입자의 팽창개시온도(208℃) 이상이 되는 240℃에서 3분간 가열하고, 표준 환경(23℃, 50%RH(상대습도))에서 60분간 정치한 후, 상기와 같은 조건에서, 팽창개시온도 이상으로 가열한 후에 점착력도 측정했다.In addition, the test sample was heated on a hot plate for 3 minutes at 240° C., which is the expansion start temperature (208° C.) or higher of the thermally expandable particles, and 60 in a standard environment (23° C., 50% RH (relative humidity)). After standing for a minute, the adhesive force was also measured after heating above the expansion start temperature under the above conditions.

(비교용 점착 시트의 자외선 조사 전후의 점착력 측정)(Measurement of adhesive strength before and after UV irradiation of the adhesive sheet for comparison)

비교용 점착 시트(LINTEC Corporation 제, 상품명 「D-820」)의 점착 표면을, 피착체인 스텐레스 강판(SUS304　360번 연마)에 첩부하고, 23℃, 50%RH(상대습도)의 환경 하에서, 24시간 정치한 것을 시험 샘플로 하고, 점착 시트(A)와 마찬가지의 조건에서, 자외선 조사 전에 23℃에서의 점착력을 측정했다.The adhesive surface of the comparative adhesive sheet (manufactured by LINTEC Corporation, trade name ``D-820'') was affixed to a stainless steel plate (SUS304#360 polished) as an adherend, and in an environment of 23° C., 50%RH (relative humidity), 24 The timed one was used as a test sample, and under the same conditions as the pressure-sensitive adhesive sheet (A), the adhesive strength at 23°C was measured before ultraviolet irradiation.

다음에, 비교용 점착 시트의 기재 측으로부터, 자외선을 조도 230 mW/㎠, 광량 190 mJ/㎠ 조사한 후, 상기와 같은 조건에서, 자외선 조사 후의 23℃에서의 점착력을 측정했다.Next, from the base material side of the comparative adhesive sheet, ultraviolet rays were irradiated with an illuminance of 230 mW/cm 2 and a light amount of 190 mJ/cm 2, and then the adhesive force at 23° C. after ultraviolet irradiation was measured under the above conditions.

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1로부터, 본 실시형태에 이용되는 점착 시트(A)는, 팽창성 입자의 팽창 후에는, 자외선 조사 후의 비교용 점착 시트보다도 점착력이 작고, 우수한 분리성을 가지는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 실시형태의 제조 방법에 따르면, 예를 들면, 다음 공정으로서 재배열 공정을 실시하는 경우에도, 종래의 자외선 조사형의 점착 시트보다도 용이하게 반도체 칩을 분리하여, 재배열 공정에 제공할 수 있다.From Table 1, it can be seen that the pressure-sensitive adhesive sheet A used in the present embodiment has a smaller adhesive force than the comparative pressure-sensitive adhesive sheet after ultraviolet irradiation after expansion of the expandable particles and has excellent separation properties. Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, even when, for example, a rearrangement step is performed as the next step, the semiconductor chip is separated and provided to the rearrangement step more easily than a conventional ultraviolet irradiation type adhesive sheet. Can.

1a　점착 시트(a)
1b　점착 시트(a)
10　정렬 치구
11　수용부
11a　정렬 치구의 벽부
12　틀상의 본체부
20　유지 부재
40　봉지재
41　경화 봉지재
45　반도체 칩 CP의 주변부
50　경화 봉지체
50a　면
61　제1절연층
62　제2절연층
70　재배선
70A　외부 전극 패드
80　외부 단자 전극
100　반도체 장치
200　익스팬드 장치
210　유지 수단
CP　반도체 칩
CPa　반도체 칩의 측면
W1　회로면
W2　회로
W3　내부 단자 전극1a adhesive sheet (a)
1b adhesive sheet (a)
10 alignment fixture
11 accommodation
11a Alignment fixture wall
12 Body parts on the frame
20 retaining member
40 encapsulant
41 Hardened encapsulant
45 Peripheral part of semiconductor chip CP
50 hardened encapsulation
50a cotton
61 1st insulation layer
62 The second insulating layer
70 rewiring
70A external electrode pad
80 external terminal electrode
100 semiconductor devices
200 expander
210 maintenance means
CP semiconductor chip
Side of CPa semiconductor chip
W1 circuit plane
W2 circuit
W3 internal terminal electrode

Claims (10)

팽창성 입자를 포함하는 기재(Y1) 및 점착제층(X1)을 가지는 팽창성의 점착 시트(A)를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
하기 공정(1) ~ (3)를 이 순서로 가지고, 공정(3) 후에 점착 시트(A)의 팽창성 입자를 팽창시켜 점착 시트(A)를 피착체로부터 분리하는, 반도체 장치의 제조 방법.
공정(1)：기재(Y2) 및 점착제층(X2)를 가지는 점착 시트(B)의 점착제층(X2) 상에 재치된 복수의 칩끼리의 간격을, 점착 시트(B)를 잡아늘여 넓히는 공정.
공정(2)：상기 복수의 칩의 점착제층(X2)와 접하는 면과는 반대측의 면에 점착 시트(A)의 점착제층(X1)을 첩부하는 공정.
공정(3)：점착 시트(A)에 첩부한 상기 복수의 칩과 점착 시트(B)를 분리하는 공정.A method for manufacturing a semiconductor device using an expandable adhesive sheet (A) having a base material (Y1) and an adhesive layer (X1) containing expandable particles,
A method of manufacturing a semiconductor device having the following steps (1) to (3) in this order, and after the step (3), expandable particles of the adhesive sheet (A) are expanded to separate the adhesive sheet (A) from the adherend.
Step (1): A step of stretching the gap between the plurality of chips placed on the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the pressure-sensitive adhesive sheet (B) having the base material (Y2) and the pressure-sensitive adhesive layer (X2) by stretching the pressure-sensitive adhesive sheet (B) .
Step (2): The step of attaching the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) to the surface opposite to the surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer (X2) of the plurality of chips.
Step (3): A step of separating the plurality of chips and the adhesive sheet (B) attached to the adhesive sheet (A). 제1항에 있어서,
상기 팽창성 입자는, 팽창개시온도(t)가 60 ~ 270℃인 열팽창성 입자이고, 공정(3) 후에 상기 점착 시트(A)를 가열함으로써 열팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)를 피착체로부터 분리하는, 반도체 장치의 제조 방법.According to claim 1,
The expandable particles are thermally expandable particles having an initiation temperature (t) of 60 to 270° C., and expand the thermally expandable particles by heating the adhesive sheet (A) after step (3) to avoid the adhesive sheet (A). A method for manufacturing a semiconductor device, which is separated from a complex. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 팽창성 입자를 팽창시키기 전에 점착 시트(A)의 점착제층(X1)의 점착력은 0.1 ~ 10.0N/25 mm인, 반도체 장치의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
Before expanding the expandable particles, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer (X1) of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is 0.1 to 10.0 N/25 mm, a method of manufacturing a semiconductor device. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
점착 시트(A)가 가지는 기재(Y1)의 표면에서의 프로브 택 값은 50 mN/5mmφ 미만인, 반도체 장치의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the probe tack value on the surface of the base material Y1 of the adhesive sheet A is less than 50 mN/5mmφ. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 칩은 반도체 칩인, 반도체 장치의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The chip is a semiconductor chip, a method of manufacturing a semiconductor device. 제5항에 있어서,
하기 공정(4A-1) ~ (4A-3)을 더 가지는, 반도체 장치의 제조 방법.
공정(4A-1)：상기 복수의 반도체 칩과 점착제층(X1)의 점착 표면 중 상기 복수의 반도체 칩의 주변부를 봉지재로 피복하고, 상기 봉지재를 경화시켜, 상기 복수의 반도체 칩이 경화 봉지재로 봉지되어 이루어지는 경화 봉지체를 얻는 공정.
공정(4A-2)：상기 팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)와 상기 경화 봉지체를 분리하는 공정.
공정(4A-3)：상기 점착 시트(A)를 분리한 경화 봉지체에, 재배선층을 형성하는 공정.The method of claim 5,
A method for manufacturing a semiconductor device further comprising the following steps (4A-1) to (4A-3).
Step (4A-1): Of the plurality of semiconductor chips and the adhesive surfaces of the pressure-sensitive adhesive layer (X1), the peripheral portions of the plurality of semiconductor chips are covered with an encapsulant, and the encapsulant is cured to cure the plurality of semiconductor chips. The process of obtaining the hardened sealing body which is sealed by the sealing material.
Step (4A-2): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) from the cured encapsulation body.
Process (4A-3): The process of forming a redistribution layer in the hardened sealing body which isolate|separated the said adhesive sheet (A). 제5항에 있어서,
하기 공정(4B-1) 및 (4B-2)를 더 가지는, 반도체 장치의 제조 방법.
·공정(4B-1)：상기 팽창성 입자를 팽창시켜, 점착 시트(A)와 상기 복수의 반도체 칩을 분리하는 공정.
·공정(4B-2)：점착 시트(A)로부터 분리된 상기 복수의 반도체 칩을, 정렬시키는 공정.The method of claim 5,
The manufacturing method of a semiconductor device which further has the following processes (4B-1) and (4B-2).
Step (4B-1): A step of expanding the expandable particles to separate the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the plurality of semiconductor chips.
-Step (4B-2): A step of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the adhesive sheet (A). 제7항에 있어서,
상기 공정(4B-2)는, 점착 시트(A)로부터 분리된 상기 복수의 반도체 칩을, 상기 복수의 반도체 칩을 수용할 수 있는 수용부를 복수 구비하는 정렬 치구를 이용하여 정렬시키는 공정인, 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 7,
The process (4B-2) is a process of aligning the plurality of semiconductor chips separated from the pressure-sensitive adhesive sheet (A) by using an alignment jig provided with a plurality of receiving portions capable of accommodating the plurality of semiconductor chips. Method of manufacture of the device. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
점착 시트(B)는, 23℃에서의 MD 방향 및 CD 방향으로 측정되는 파단신도가 100% 이상인, 반도체 장치의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 8,
The adhesive sheet (B) has a elongation at break of 100% or more measured in the MD direction and the CD direction at 23° C., and a method for manufacturing the semiconductor device. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
팬 아웃형의 반도체 장치의 제조 방법인, 반도체 장치의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 9,
A method for manufacturing a semiconductor device, which is a method for manufacturing a fan-out type semiconductor device.
KR1020207006569A 2017-11-16 2018-11-07 Manufacturing method of semiconductor device KR102507691B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017220809 2017-11-16
JPJP-P-2017-220809 2017-11-16
PCT/JP2018/041296 WO2019098101A1 (en) 2017-11-16 2018-11-07 Production method for semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200086655A true KR20200086655A (en) 2020-07-17
KR102507691B1 KR102507691B1 (en) 2023-03-09

Family

ID=66538997

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207006569A KR102507691B1 (en) 2017-11-16 2018-11-07 Manufacturing method of semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7185637B2 (en)
KR (1) KR102507691B1 (en)
CN (1) CN111295739B (en)
TW (1) TWI821214B (en)
WO (1) WO2019098101A1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010082644A (en) * 2000-02-16 2001-08-30 가마이 고로 Radiation-curable heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and process for producing cut pieces with the same
KR20060065530A (en) * 2004-12-09 2006-06-14 닛토덴코 가부시키가이샤 Method of thermal adherend release and apparatus for thermal adherend release
KR20100058646A (en) 2007-10-30 2010-06-03 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 Image encoding method and decoding method, their device, their program, and recording medium with the program recorded thereon
JP2016008289A (en) * 2014-06-26 2016-01-18 Dic株式会社 Double-sided adhesive tape and article
JP2016127115A (en) * 2014-12-26 2016-07-11 リンテック株式会社 Semiconductor device manufacturing method
JP2017076748A (en) * 2015-10-16 2017-04-20 リンテック株式会社 Adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6673734B2 (en) * 2016-03-29 2020-03-25 リンテック株式会社 Pressure-sensitive adhesive sheet for glass dicing and method for producing the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010082644A (en) * 2000-02-16 2001-08-30 가마이 고로 Radiation-curable heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and process for producing cut pieces with the same
KR20060065530A (en) * 2004-12-09 2006-06-14 닛토덴코 가부시키가이샤 Method of thermal adherend release and apparatus for thermal adherend release
KR20100058646A (en) 2007-10-30 2010-06-03 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 Image encoding method and decoding method, their device, their program, and recording medium with the program recorded thereon
JP2016008289A (en) * 2014-06-26 2016-01-18 Dic株式会社 Double-sided adhesive tape and article
JP2016127115A (en) * 2014-12-26 2016-07-11 リンテック株式会社 Semiconductor device manufacturing method
JP2017076748A (en) * 2015-10-16 2017-04-20 リンテック株式会社 Adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP7185637B2 (en) 2022-12-07
TW201929157A (en) 2019-07-16
KR102507691B1 (en) 2023-03-09
CN111295739B (en) 2023-08-25
CN111295739A (en) 2020-06-16
TWI821214B (en) 2023-11-11
WO2019098101A1 (en) 2019-05-23
JPWO2019098101A1 (en) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102515684B1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR102526158B1 (en) Heating and peeling method of processing inspection object
KR102454056B1 (en) Semiconductor device manufacturing method and double-sided adhesive sheet
JPWO2018181765A1 (en) Adhesive sheet
CN114829529A (en) Adhesive sheet and method for manufacturing semiconductor device
TWI791719B (en) Adhesive laminate, method of manufacturing object to be processed with resin film, and method of manufacturing hardened package with cured resin film
KR102453451B1 (en) Semiconductor device manufacturing method and adhesive sheet
KR20200133209A (en) Processed product manufacturing method and adhesive laminate
CN112203840B (en) Adhesive laminate, method for using adhesive laminate, and method for manufacturing semiconductor device
JP7267272B2 (en) Method for manufacturing cured encapsulant
KR102507691B1 (en) Manufacturing method of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right