KR20210143657A - 연접 처리 용기, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 - Google Patents

연접 처리 용기, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 연접되는 처리 용기에 대해서, 안정된 지지가 가능하고 또한 열팽창에 의한 기판의 반송 위치의 어긋남을 억제하는 것이다. 간극이 형성되도록 가로 방향으로 나란히 마련되고, 진공 처리를 행하기 위해서 기판을 각각 격납하는 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기와, 상기 간극을 걸쳐서 상기 제1 처리 용기와 상기 제2 처리 용기를 접속하도록 마련되고, 상기 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기의 적어도 한쪽에 대하여 상기 가로 방향으로 미끄럼 이동 가능한 접속부를 구비하도록 연접 처리 용기를 구성한다.

Description

연접 처리 용기, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법{COUPLED PROCESSING CONTAINERS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는, 연접 처리 용기, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)가 처리 용기에 격납되어, 가열을 수반하는 성막 처리나 에칭 처리 등이 행하여진다. 특허문헌 1에는, 웨이퍼(200)를 반송하는 로봇(170)을 구비하는 진공 반송실(140)과, 당해 진공 반송실(140)에 접속됨과 함께 가열과 처리 가스의 공급에 의해 웨이퍼(200)를 처리하는 다수의 챔버(202)를 구비하는 기판 처리 장치에 대해서 기재되어 있다. 다수의 챔버(202)에 대해서, 그 중 2개씩이 서로의 측벽이 공유되도록 연접되어 있고, 로봇(170)은 그렇게 측벽이 공유되는 2개의 챔버(202)에 대하여 일괄적으로 웨이퍼(200)를 주고 받는다.
일본 특허 공개 제2017-69314호 공보
본 개시는, 연접되는 처리 용기에 대해서, 안정된 지지가 가능하고 또한 열팽창에 의한 기판의 반송 위치의 어긋남을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 연접 처리 용기는, 간극이 형성되도록 가로 방향으로 나란히 마련되고, 진공 처리를 행하기 위해서 기판을 각각 격납하는 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기와, 상기 간극을 걸쳐서 상기 제1 처리 용기와 상기 제2 처리 용기를 접속하도록 마련되고, 상기 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기의 적어도 한쪽에 대하여 상기 가로 방향으로 미끄럼 이동 가능한 접속부를 구비한다.
본 개시에 의하면, 연접되는 처리 용기에 대해서, 안정된 지지가 가능하고 또한 열팽창에 의한 기판의 반송 위치의 어긋남을 억제할 수 있다.
도 1은 본 개시의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 시스템에 마련되는 연접 처리 용기의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 연접 처리 용기의 배면측 사시도이다.
도 4는 상기 연접 처리 용기를 이루는 각 처리 용기의 상면도이다.
도 5는 상기 처리 용기의 개략적인 종단 측면도이다.
도 6은 상기 처리 용기끼리의 거리가 변화하는 모습을 나타내는 종단면으로 보았을 때의 설명도이다.
도 7은 상기 처리 용기끼리의 거리가 변화하는 모습을 나타내는 평면으로 보았을 때의 설명도이다.
도 8은 본 개시의 제2 실시 형태에 따른 연접 처리 용기의 평면도이다.
도 9는 상기 처리 용기의 측면도이다.
도 10은 처리 용기끼리의 거리가 변화하는 모습을 나타내는 상기 연접 처리 용기의 종단 측면도이다.
도 11은 본 개시의 제3 실시 형태에 따른 연접 처리 용기의 종단 측면도이다.
도 12는 처리 용기끼리의 거리가 변화하는 모습을 나타내는 상기 연접 처리 용기의 종단면 측면도이다.
(제1 실시 형태)
본 개시의 제1 실시 형태에 따른 연접 처리 용기(5)가 적용된 기판 처리 시스템(1)에 대해서, 도 1의 평면도를 참조하면서 설명한다. 우선, 기판 처리 시스템(1)의 개요를 설명하면, 당해 기판 처리 시스템(1)은, 반출입 포트(11), 반출입 모듈(12), 진공 반송 모듈(13, 14), 접속 모듈(15) 및 성막 모듈(3)을 구비하고 있고, 원형의 기판인 웨이퍼(W)에 대하여 각 모듈간에서의 반송 및 성막 처리를 행한다. 상기 성막 모듈(3)은 4개 마련되어 있고, 각각 연접 처리 용기(5)를 구비하고 있다. 연접 처리 용기(5)는, 좌우 방향, 즉 가로 방향으로 나란히 마련됨과 함께, 서로 접속되는 처리 용기(31A, 31B)를 포함하고, 처리 용기(31A, 31B)는 웨이퍼(W)를 각각 1개 수납한다. 처리 용기(31A, 31B) 내는 진공 분위기로 되고, 성막 가스가 공급됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 예를 들어 TiN(질화티타늄)막이 성막된다.
그리고, 기판 처리 시스템(1)에 마련되는 반송 기구가, 서로 동일한 연접 처리 용기(5)를 구성하는 처리 용기(31A, 31B) 내에, 일괄적으로 웨이퍼(W)를 반송한다. 그렇게 처리 용기(31A, 31B) 내에 반송된 2개의 웨이퍼(W)에 대하여 동일한 처리 조건에서 일괄된 성막 처리가 행하여진다.
이하, 기판 처리 시스템(1)의 각 부에 대해서, 상세하게 설명한다. 반출입 포트(11)는, 4개, 가로 방향으로 직선형으로 나란히 마련되어 있고, 반출입 포트(11)의 측방에 마련되는 반출입 모듈(12)에 각각 접속되어 있다. 이하, 반출입 포트(11)와 반출입 모듈(12)의 접속 방향을 X 방향으로 하고, 반출입 포트(11)의 배열 방향을 Y 방향으로 한다. X 방향과 Y 방향은 서로 직교한다. 또한, 처리 용기(31A, 31B)가 배열되는 방향을 좌우 방향으로서 설명했지만, X 방향은 당해 좌우 방향에 일치한다.
X 방향을 따라, 반출입 포트(11), 반출입 모듈(12), 진공 반송 모듈(13), 접속 모듈(15), 진공 반송 모듈(14)이, 이 순서대로 서로 접속되어 마련되어 있다. 그리고, 진공 반송 모듈(13)을 Y 방향에 있어서 사이에 두도록, 성막 모듈(3)이 2개 배치되고, 당해 진공 반송 모듈(13)에 접속되어 있다. 또한, 진공 반송 모듈(14)을 Y 방향에 있어서 사이에 두도록, 나머지 2개의 성막 모듈(3)이 배치되고, 당해 진공 반송 모듈(14)에 각각 접속되어 있다.
상기 반출입 포트(11)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 반송 용기(10)가 적재되는 적재부를 구성한다. 그리고, 반출입 모듈(12)은, 반송 용기(10)에 대하여 웨이퍼(W)의 반출입을 행하는 모듈이며, 상압 반송실(12A)과, 로드 로크실(12B)을 구비하고 있다. 상압 반송실(12A)은, 대기 분위기로 되어 있고, 반송 용기(10)와 로드 로크실(12B)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해서, 승강 가능한 다관절 암인 반송 기구(21)를 구비하고 있다. 로드 로크실(12B)은, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기를 대기 분위기와 진공 분위기의 사이에서 전환 가능하게 구성됨과 함께, Y 방향으로 배열되는 2개의 적재부(22)를 구비한다. 상압 반송실(12A)의 반송 기구(21)는, 2개의 적재부(22)와 반송 용기(10)의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하고, 2개의 적재부(22)에 대해서는 1매씩 웨이퍼(W)를 주고 받도록 구성되어 있다.
진공 반송 모듈(13, 14)은 서로 마찬가지로 구성되어 있다. 대표해서 진공 반송 모듈(13)에 대해서 설명하면, 당해 진공 반송 모듈(13)은 진공 분위기가 형성되는 진공 반송실(23)을 구비하고 있고, 당해 진공 반송실(23)에는 반송 기구(24)가 마련되어 있다. 반송 기구(24)는 승강 가능한 다관절 암에 의해 구성되어 있고, 당해 다관절 암의 선단부를 이루는 엔드 이펙터(25)는, 서로 이격되어 형성된 2개의 보유 지지부(26)를 구비한다. 각 보유 지지부(26)에 웨이퍼(W)가 1매씩 보유 지지됨으로써, 반송 기구(24)는 2매의 웨이퍼(W)를, 가로 방향으로 소정의 간격을 두고 일괄적으로 반송할 수 있다. 또한, 엔드 이펙터(25)는, 예를 들어 상하로 이격되어 2개 마련되어, 한쪽 엔드 이펙터(25)로 모듈로부터의 웨이퍼(W)의 수취, 다른 쪽 엔드 이펙터(25)로 모듈에의 웨이퍼(W)의 송출이 각각 가능하게 되어 있다.
접속 모듈(15)에 대해서는, 진공 반송 모듈(13, 14) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해서 웨이퍼(W)를 적재하는 모듈이며, 내부는 진공 분위기로 된다. 당해 접속 모듈(15)에는, 로드 로크실(12B)과 마찬가지로 Y 방향으로 배열되는 2개의 적재부(22)가 마련되어 있다. 또한 로드 로크실(12B), 접속 모듈(15) 각각에서의 2개의 적재부(22)의 간격은, 반송 기구(24)에 의해 일괄된 전달이 가능하도록 당해 반송 기구(24)의 보유 지지부(26)의 간격에 대응하고 있다. 반송 기구(21, 24)의 승강 동작에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록, 적재부(22)는 예를 들어 웨이퍼(W)의 중심부로부터 벗어나고 또한 웨이퍼(W)의 둘레 방향으로 이격된 복수의 위치를 지지하는 핀 등의 기판 지지부를 구비하는 구성으로 된다.
상압 반송실(12A)과 로드 로크실(12B)의 사이, 로드 로크실(12B)과 진공 반송 모듈(13)의 사이, 성막 모듈(3)을 구성하는 처리 용기(31A, 31B)와 진공 반송 모듈(13, 14)의 사이에는, 각각 게이트 밸브(G)가 개재한다. 게이트 밸브(G)에 의해, 각 모듈에 마련되는 웨이퍼(W)의 반송구가 개폐되어, 각 모듈에서의 분위기가 앞서 서술한 분위기로 유지된다.
이상에 설명한 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 웨이퍼(W)는, 반송 용기(10)로부터 진공 반송 모듈(13) 또는 진공 반송 모듈(14)에 접속되는 성막 모듈(3)에 반송되어 처리된 후, 반송 용기(10)로 되돌려진다. 따라서 하나의 반송 경로로서는, 웨이퍼(W)가 반송 용기(10)→상압 반송실(12A)→로드 로크실(12B)→진공 반송 모듈(13)→성막 모듈(3)→진공 반송 모듈(13)→로드 로크실(12B)→상압 반송실(12A)→반송 용기(10)의 순으로 반송되는 경로이다. 그리고 다른 반송 경로로서는, 웨이퍼(W)가 반송 용기(10)→상압 반송실(12A)→로드 로크실(12B)→진공 반송 모듈(13)→접속 모듈(15)→진공 반송 모듈(14)→성막 모듈(3)의 순으로 반송된다. 그 후에 성막 모듈(3)로부터, 진공 반송 모듈(14)→접속 모듈(15)→진공 반송 모듈(13)→로드 로크실(12B)→상압 반송실(12A)→반송 용기(10)의 순으로 반송되는 경로이다.
상기 각 반송 경로에 대해서, 반송 기구(24)에 의한 반송이 행하여지는 구간에 대해서는 2개의 웨이퍼(W)가 일괄적으로 반송된다. 따라서, 처리 용기(31A, 31B)를 구비하는 성막 모듈(3)과, 진공 반송 모듈(13, 14)의 사이에서, 2개의 웨이퍼(W)가 일괄적으로 반송된다. 그 밖에, 로드 로크실(12B)과 진공 반송 모듈(13)의 사이, 진공 반송 모듈(13)과 접속 모듈(15)의 사이, 접속 모듈(15)과 진공 반송 모듈(14)의 사이에서도 2개의 웨이퍼(W)가 일괄적으로 반송된다.
성막 모듈(3)은, 처리 용기(31A, 31B)를 포함하는 연접 처리 용기(5), 가스 공급원(39), 배기 기구(40) 및 가스 공급 기기(42)를 포함한다. 이하, 처리 용기에 대해서 설명하는데, 처리 용기(31A, 31B)는 서로 마찬가지로 구성되어 있기 때문에, 대표해서 처리 용기(31A)에 대해서 도 2의 개략도를 사용해서 설명한다. 처리 용기(31A)는, 스테이지(32), 측벽 히터(33), 승강 핀(34), 승강 기구(35) 및 샤워 헤드(41)를 구비하고 있다.
상기 측벽 히터(33)는, 처리 용기(31A)의 측벽에 매설되어 있다. 또한, 상기 스테이지(32)는 원형이며, 그 가로 방향에서의 위치는 처리 용기(31A) 내에서 고정되어 있다. 당해 스테이지(32)에는, 웨이퍼(W)를 가열해서 처리하기 위한 스테이지 히터(36)가 매설되어 있다. 그리고 승강 기구(35)에 의해 스테이지(32)의 상면에서 돌출 함몰하도록, 승강 핀(34)이 3개(도면에서는 2개만 표시) 마련되어 있다. 이 승강 핀(34)의 승강 동작에 의해, 스테이지(32)와, 처리 용기(31A) 내에서의 미리 정해진 반송 위치로 이동한 이미 설명한 반송 기구(24)의 사이에서, 웨이퍼(W)가 전달된다. 도면 중의 P는 스테이지(32)의 중심을 나타내고 있으며, 후에 상세하게 설명하지만, 웨이퍼(W)의 중심이 당해 중심(P)에 정렬되도록, 당해 웨이퍼(W)는 스테이지(32)에 적재된다.
샤워 헤드(41)가 처리 용기(31A)의 천장부에 마련되고, 예를 들어 처리 용기(31A, 31B)에서 공통의 가스 공급원(39)으로부터, 밸브 등을 포함하는 가스 공급 기기(42)를 통해서, 당해 샤워 헤드(41)에 성막 가스가 공급된다. 또한, 처리 용기(31A)에는 배기관(38)의 일단이 접속되고, 배기관(38)의 타단은, 처리 용기(31A, 31B)에서 공통의 배기 기구(40)에 접속되어 있다. 배기 기구(40)는 예를 들어 진공 펌프 등을 포함한다.
기판 처리 시스템(1)의 가동 중, 배기 기구(40)이 의해 처리 용기(31A) 내가 미리 설정된 압력의 진공 분위기로 됨과 함께, 적재된 웨이퍼(W)를 임의의 처리 온도에서 처리하기 위해서, 스테이지 히터(36)에 의해 스테이지(32)가 당해 처리 온도로 되도록 가열된다. 또한, 처리 용기(31A) 내에 공급되는 성막 가스의 반응성이 담보되도록, 처리 용기(31A)의 측벽이 측벽 히터(33)에 의해, 그 처리 온도에 따른 온도로 가열된다. 그러한 진공 분위기의 형성과 각 히터에 의한 가열이 행하여진 상태에서, 스테이지(32)에 적재된 웨이퍼(W)에 대하여 샤워 헤드(41)로부터 성막 가스가 공급되어, TiN막이 성막된다.
도 1로 돌아가서, 기판 처리 시스템(1)에 마련되는 제어부(100)에 대해서 설명한다. 당해 제어부(100)는 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램을 구비하고 있다. 이 프로그램은, 기판 처리 시스템(1)의 각 부에 제어 신호를 출력함으로써, 당해 각 부의 동작이 제어되어 앞서 서술한 웨이퍼(W)의 반송 및 성막 처리가 행해지도록 스텝(명령)군이 짜여져 있다. 구체적으로는, 반송 기구(21, 24)에 의한 웨이퍼(W)의 반송, 각 게이트 밸브(G)의 개폐, 로드 로크실(12B)의 분위기의 전환, 성막 모듈(3)에서의 가스 공급 기기(42)에 의한 성막 가스의 급단이나 승강 기구(35)에 의한 승강 핀(34)의 승강 등의 동작이, 상기 제어 신호에 의해 제어된다. 앞서 서술한 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, DVD, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 있고, 당해 기억 매체로부터 컴퓨터에 인스톨된다.
계속해서, 연접 처리 용기(5)에 대해서 설명한다. 상기와 같이 연접 처리 용기(5)는, 처리 용기(31A, 31B)를 구비하고 있고, 이 처리 용기(31A, 31B) 이외에는, 처리 용기(31A, 31B)를 지지하는 지지부(50) 및 처리 용기(31A, 31B)를 서로 접속하기 위한 샤프트(축 부재)(63)를 포함한다. 이 연접 처리 용기(5)의 설명에 있어서, 도 3 내지 도 5를 참조함과 함께, 게이트 밸브(G)가 마련되는 측을 전방측이라고 칭하는 것으로 한다. 도 3은 연접 처리 용기(5)를 제1 진공 반송 모듈(13)을 향해서 본 배면측 사시도이고, 도 4는 연접 처리 용기(5)의 평면도이고, 도 5는 연접 처리 용기(5)의 종단 정면도이다. 또한, 이후의 설명에서의 좌측, 우측이란 후방으로부터 전방을 향해서 보았을 때의 좌측, 우측이며, 좌측에 처리 용기(31A), 우측에 처리 용기(31B)가 각각 위치한다. 또한, 도 4 등에서의 P1은, 각 처리 용기(31) 내의 스테이지(32)의 중심(P)간의 거리(스테이지(32)간의 피치)를 나타내고 있다.
연접 처리 용기(5)의 구성 요소인 처리 용기(31A, 31B)에 대해서, 더욱 상세하게 설명하면, 처리 용기(31A, 31B)는 각형으로 형성되어 있고, 서로의 측벽은 공유되지 않고 분리되어 있다. 그리고, 제1 처리 용기인 처리 용기(31A) 및 제2 처리 용기인 처리 용기(31B)는 서로 동일한 높이에 위치하고 있고, 처리 용기(31A)의 측벽과 처리 용기(31B)의 측벽이, 간극(30)을 사이에 두고 대향한다. 처리 용기(31A, 31B)의 각 전방측은 게이트 밸브(G)를 통해서, 진공 반송 모듈(13 혹은 14)에 고정되어 있다.
지지부(50)는, 기판 처리 시스템(1)이 설치되는 바닥에 마련되어, 처리 용기(31A, 31B)를 당해 바닥의 상방으로 지지한다. 지지부(50)는, 프레임(51)과, 지지부 본체(55)를 구비하고 있다. 프레임(51)은, 저부(52)와, 수평한 상판(53)과, 저부(52)와 상판(53)을 접속하는 수직인 4개의 지주(54)를 구비하고 있고, 저부(52)는 바닥의 바로 위에 마련되고, 상판(53)은 처리 용기(31A, 31B)의 상방에 마련된다. 4개의 지주(54) 중 2개의 지주가 처리 용기(31A)에 대하여 좌측에 서로 전후로 이격되어 마련되고, 다른 2개의 지주가 처리 용기(31B)에 대하여 우측에 서로 전후로 이격되어 마련되어 있다. 따라서, 처리 용기(31A, 31B)를 하나의 처리 용기의 조라 하면, 이 조를 둘러싸도록 지주(54)가 마련되어 있다. 각 지주(54)는, 처리 용기(31A, 31B)의 각 측벽으로부터 이격되어 있다.
지지부 본체(55)는, 브래킷(56), 긴 나사(57) 및 너트(58A 내지 58C)를 구비하고, 지주(54)와 처리 용기(31A, 31B)의 저부를 접속하여, 당해 처리 용기(31A, 31B)를 지주(54)에 대하여 지지한다. 브래킷(56)은, 각 지주(54)에 마련되고, 정면으로 보아 L자형으로 구성되어 있어, 수직부(56A)와 수평부(56B)를 구비한다. 수직부(56A)는, 프레임(51)의 저부(52)로부터 상방으로 이격된 위치에서 지주(54)를 따라 신장되도록 마련되어 있고, 당해 지주(54)에 있어서 프레임(51)의 좌우의 중앙측에 면하는 측면에 고정되어 있다. 수평부(56B)는, 수직부(56A)의 상부측으로부터 프레임(51)의 좌우의 중앙측을 향해서 중공이 수평하게 신장되어 있다. 더 자세하게 설명하면, 좌측의 지주(54)(제1 처리 용기쪽의 지주)에 마련된 브래킷(56)의 수평부(56B)는, 처리 용기(31A)의 좌측 단부의 하방으로 신장되고, 우측의 지주(54)(제2 처리 용기쪽의 지주)에 마련된 브래킷(56)의 수평부(56B)는, 처리 용기(31B)의 우측 단부의 하방으로 신장되어 있다. 각 수평부(56B)에는, 관통 구멍(56C)이 수직으로 천공되어 있다.
그리고, 처리 용기(31A)의 좌측 단부에서의 저면의 전방측, 후방측으로부터 각각 긴 나사(57)가 수직 하방으로 신장되도록 마련되어 있다. 또한, 처리 용기(31B)의 우측 단부에서의 저면의 전방측, 후방측으로부터 각각 긴 나사(57)가 수직 하방으로 신장되도록 마련되어 있다. 이들 긴 나사(57)에는, 상측으로부터 하측을 향해서 너트(58A, 58B, 58C)가 차례로 마련되어 있다. 각 긴 나사(57)는 브래킷(56)의 관통 구멍(56C)에 삽입 관통되어 있다. 그리고, 브래킷(56)의 수평부(56B)가 너트(58B, 58C)에 상하로부터 집혀 있음과 함께, 너트(58A) 상에 처리 용기(31)의 저면이 적재되어 있다. 따라서, 너트(58B)가 관통 구멍(56C)의 개구 테두리에 지지되어 있고, 그에 의해 너트(58A) 상에 처리 용기(31)가 지지된 구성으로 되어 있다. 더욱 상세하게 설명하면, 본 구성에 의해, 지지부 본체(55)로서는, 간극(30)이 마련되는 측에는 마련되어 있지 않고, 좌측의 처리 용기(31A)에 대해서는 좌측 단부만, 우측의 처리 용기(31B)에 대해서는 우측 단부만이, 각각 프레임(51)에 지지되어 있다. 즉 처리 용기(31A, 31B)에 대해서, 간극(30)이 마련되는 측과는 반대측만이 지지되어 있다.
그렇게 지지됨으로써, 너트(58A)에 접하는 부분을 제외하고 처리 용기(31A, 31B)의 저부는 허공에 떠 있다. 즉 처리 용기(31A, 31B)의 저부와 프레임(51)의 저부(52)의 사이에는 큰 스페이스가 형성되어 있다. 이 스페이스에는, 예를 들어 가스 공급원(39)으로부터 공급되는 성막 가스를 처리 용기(31A, 31B)에 분배하고, 도 2에서 설명한 가스 공급 기기(42)를 포함하는 설비(가스 박스)나, 각 성막 모듈(3)을 가동시키기 위한 전장품 등이 수납된다. 또한, 이들 가스 박스나 전장품에 대해서도 하중이 걸리지 않도록, 처리 용기(31A, 31B)의 저부는 떠 있다.
그런데, 제1 종축을 이루는 긴 나사(57)의 축 직경보다도, 브래킷(56)의 관통 구멍(56C)의 구멍 직경은 크다. 따라서, 긴 나사(57)의 외주면과 관통 구멍(56C)의 내주면의 사이에는 간극이 형성되어 있다. 이렇게 간극이 형성되는 이유는 후술한다. 이상에 설명한 지지부 본체(55)에 있어서, 긴 나사(57) 및 너트(58A 내지 58C)는, 처리 용기(31A, 31B)에 접속되는 지지용 접속부로서 구성되고, 브래킷(56)은 이 지지용 접속부를 지지하는 기초부에 상당한다. 그리고, 브래킷(56)에 접하는 너트(58B)는 제1 종축에 마련되는 제1 플랜지에 상당한다.
상기한 간극(30)을 향하는 처리 용기(31A)의 측벽, 처리 용기(31B)의 측벽에는, 각각 오목부(61A, 61B)가 형성되어 있고, 오목부(61A), 오목부(61B)는 각각 측벽의 전방측, 후방측에 마련되어 있다. 그리고 오목부(61A)와 오목부(61B)는 서로 대향하고 있다. 오목부(61A) 및 오목부(61B)의 각 주위벽은, 베어링인 부시(62)에 의해 구성되어 있다. 부시(62)는, 예를 들어 탄소강 강재에 질화 처리 등을 실시함으로써 후술하는 샤프트(63)에 대하여 비교적 낮은 마찰 계수를 갖는 기체나, 예를 들어 주철계·고체 윤활제 묻힘 베어링이어도 된다. 구체적인 일례를 들어 두면, 오일레스 고교 가부시키가이샤의 상품명: #500F-SL1과 같은 공지된 자기 윤활성 베어링을 부시(62)로서 사용할 수 있다.
그리고 간극(30)에는, 처리 용기(31A)의 측벽으로부터 처리 용기(31B)의 측벽에 걸쳐서 신장되는 샤프트(63)가 2개 마련되어 있고, 각 샤프트(63)의 일단부, 타단부는, 서로 대향하고 있는 오목부(61A), 오목부(61B)에 각각 묻혀 있다. 따라서 샤프트(63)는, 간극(30)을 걸쳐서 처리 용기(31A)와 처리 용기(31B)를 접속하고 있다. 접속부인 샤프트(63)는, 처리 용기(31A, 31B)의 측벽을 구성하고 있는 제1 오목부인 오목부(61A, 61B)에 대하여, 당해 샤프트(63)의 축방향인 좌우 방향으로 미끄럼 이동 가능하다. 부시(62)가 이미 설명한 바와 같이 구성됨으로써, 그 미끄럼 이동을 원활하게 행할 수 있고, 또한 급유의 필요를 없애거나 혹은 급유의 빈도의 저감을 도모할 수 있다.
이상과 같이 처리 용기(31A, 31B)의 측벽간의 간극(30), 오목부(61A, 61B) 및 샤프트(63)를 마련하는 이유에 대해서 설명한다. 가령, 처리 용기(31A, 31B)간에 간극(30)이 마련되지 않고, 처리 용기(31A, 31B)의 측벽끼리가 결합한 구성, 바꿔 말하면 특허문헌 1에 기재된 바와 같이 처리 용기간에서 측벽이 공유된 구성인 것으로 하자. 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)를 처리할 때 처리 용기(31A, 31B)는, 측벽 히터(33)에 의해 가열되고, 이 측벽 히터(33)에 의한 처리 용기(31A, 31B)의 측벽의 온도는, 웨이퍼(W)의 처리 온도에 따른 것이 된다. 그러나, 웨이퍼(W)의 처리 온도는 변경되는 경우가 있으며, 그 경우에는 당해 처리 온도의 변경에 맞춰서 처리 용기(31A, 31B)의 측벽의 온도도 변경된다. 일례로서, 당해 측벽의 온도는 50℃ 내지 170℃의 범위 내에서 변경된다. 그리고 당해 측벽은, 그 온도에 따라서 열팽창한다.
이미 설명한 바와 같이 처리 용기(31A, 31B)의 측벽이 결합되어 있다고 하면, 이 결합된 측벽의 열팽창량에 따라서 스테이지(32)의 피치(P1)가 변동한다. 즉, 처리 용기(31A, 31B)의 벽부의 온도가 높아질수록, 처리 용기가 크게 부풀어 오름으로써, 각 처리 용기(31A, 31B)에 고정된 스테이지(32)는 서로 이격되도록 이동하여, 피치(P1)가 커져버린다. 보기에 따라서는, 처리 용기(31A, 31B)의 측벽이 서로 결합하고 있음으로써 열팽창에 의해 이들 측벽이 서로 밀어냄으로써, 처리 용기(31A)의 좌우의 중심이 좌측, 처리 용기(31B)의 좌우의 중심이 우측으로 각각 어긋나게 되어, 피치(P1)가 커진다.
한편 진공 반송 모듈(13, 14)은, 실온으로 유지되고, 반송 기구(24)의 2개의 보유 지지부(26) 사이의 거리는 일정하다. 즉, 2매의 웨이퍼(W)는, 처리 용기(31A, 31B)의 측벽의 온도에 관계없이, 좌우로 일정 간격을 두고 처리 용기(31A, 31B)에 반송된다. 따라서, 처리 용기(31A, 31B)의 측벽의 온도 변경에 의해, 웨이퍼(W)의 중심과 스테이지(32)의 중심(P)의 사이에 좌우 방향의 어긋남이 생기도록 웨이퍼(W)가 스테이지(32)에 반송되게 되어버린다. 또한, 처리 용기(31A, 31B)의 전방측은 진공 반송 모듈(13)에 대하여 게이트 밸브(G)를 통해서 고정되어 있음으로써, 서로의 측벽이 결합하고 있으면 열팽창량이 큰 경우에 당해 처리 용기(31A, 31B)에 큰 스트레스가 가해진다. 그 결과로서, 처리 용기(31A, 31B)에 변형이 생겨버릴 우려가 있다. 또한, 앞서 서술한 특허문헌 1에 대해서는, 처리 용기의 열팽창에 관한 문제에 대한 기재는 없어, 당해 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다.
그래서 연접 처리 용기(5)에 있어서는, 상술한 바와 같이 처리 용기(31A, 31B)에 대해서는 서로의 측벽이 분리되어, 간극(30)이 마련되는 구성으로 하고 있다. 그에 의해, 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 변동해도 처리 용기(31A, 31B)의 서로 대향하는 각 측벽에 대해서, 그 좌우의 위치를 변이시킬 수 있다. 즉 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 커도, 각 측벽은 간극(30)에 있어서, 그 위치가 변이하기 때문에 측벽끼리 간섭하지 않는다. 따라서, 열팽창에 의한 피치(P1)의 변동이 억제된다. 그러나, 상기한 바와 같이 처리 용기(31A, 31B)의 하방에 스페이스가 형성되도록, 처리 용기(31A)의 좌우의 좌측 단부만, 처리 용기(31B)의 좌우의 우측 단부만이 각각 지지부(50)에 지지되어 있다. 따라서, 간극(30)을 마련함으로써, 처리 용기(31A)의 우측, 처리 용기(31B)의 좌측이 각각 아래로 처지게 처리 용기(31A, 31B)가 기울어지는 것을 생각할 수 있다.
그 때문에, 간극(30)과 함께 상기 샤프트(63) 및 오목부(61A, 61B)를 마련하고 있다. 샤프트(63)가 오목부(61A, 61B)에 미끄럼 이동 가능함으로써, 상기한 열팽창에 의한 처리 용기(31A, 31B)의 측벽의 위치의 변이가 가능하여, 피치(P1)의 변동이 억제된다. 그렇게 피치(P1)의 변동이 억제되면서, 당해 샤프트(63)에 의해 처리 용기(31A, 31B)가 서로 접속되어 있기 때문에, 상기한 기울어짐이 방지되어, 처리 용기(31A, 31B)가 안정되게 지지된다. 이렇게 샤프트(63)는, 앞서 서술한 지지부(50)와 함께 처리 용기(31A, 31B)를 지지하는 역할을 갖고 있다. 또한, 당해 샤프트(63)는, 처리 용기(31A, 31B)의 서로의 위치를 정하기 위한 가이드 역할도 하고 있다.
또한, 상기한 바와 같이 지지부 본체(55)를 각각 구성하는 브래킷(56)의 관통 구멍(56C)과, 처리 용기(31A)에 접속된 긴 나사(57)의 사이에는 간극이 형성되어 있다. 당해 간극이 마련됨으로써, 처리 용기(31A, 31B)가 열팽창 또는 열수축하는데 있어서, 긴 나사(57)에 마련한 너트(58B)의 하면이 관통 구멍(56C)의 개구 테두리를 미끄럼 이동 가능하다. 즉, 처리 용기(31A)의 좌측 단부, 처리 용기(31B)의 우측 단부는, 각각 지지부(50)의 프레임(51)에 대하여 좌우의 위치가 변이 가능하다. 가령 처리 용기(31A)의 좌측 단부, 처리 용기(31B)의 우측 단부의 좌우의 위치가 프레임(51)에 고정되어 있다고 하면, 처리 용기(31A)는 그렇게 고정된 좌측 단부를 기점으로 해서 우측으로 팽창하고, 처리 용기(31B)는 그렇게 고정된 우측 단부를 기점으로 해서 좌측으로 팽창해버린다. 그렇게 되면 피치(P1)가 작아져버리는데, 본 구성에서는 상기와 같이 처리 용기(31A)의 좌측 단부, 처리 용기(31B)의 우측 단부의 좌우의 위치가 프레임(51)에 고정되어 있지 않기 때문에, 그러한 피치(P1)의 축소화가 방지된다.
이렇게 간극(30), 오목부(61A, 61B) 및 샤프트(63)에 의해 처리 용기(31A)의 우측, 처리 용기(31B)의 좌측은 각각 좌우의 위치의 변이가 가능하고, 또한 지지부 본체(55)에 의해, 처리 용기(31A)의 좌측, 처리 용기(31B)의 우측은 각각 좌우의 위치의 변이가 가능하다. 따라서, 피치(P1)는 변동하지 않고 일정하게 유지된다. 또한, 간극(30)의 좌우의 폭으로서는, 예를 들어 처리 용기(31A, 31B)가 실온(20℃ 내지 25℃)일 때, 2mm 내지 6mm, 더욱 구체적으로는 4mm이다.
그런데 처리 용기(31A, 31B)는, 상술한 바와 같이, 그 전방측이 게이트 밸브(G)를 통해서 진공 반송 모듈(13, 14)에 고정되어 있기 때문에, 상기한 열팽창 혹은 열수축에 의해, 각 스테이지(32)의 중심(P)은 전후 방향으로 변이한다. 구체적으로 설명하면, 열팽창량이 클수록 중심(P)은 게이트 밸브(G)에 대하여 반대측(후방측)으로 이동한다. 또한, 그러한 중심(P)의 전후의 변이가 이루어지도록, 상기 긴 나사(57)는 관통 구멍(56C)과의 간극을 통해서 좌우 방향 이외에 전후 방향으로도 이동 가능하게 되어 있다.
그렇게 스테이지(32)의 중심(P)의 전후 이동은 발생하지만, 반송 기구(24)의 반송 위치(스테이지(32)의 승강 핀(34)의 승강 시의 위치)는 전후로 조정 가능하다. 따라서, 당해 반송 위치를 적정하게 설정함으로써, 스테이지(32)에 반송되는 웨이퍼(W)의 중심과 당해 스테이지(32)의 중심(P)에 대해서, 전후의 위치를 정렬시킬 수 있다. 그렇게 전후의 위치를 정렬시키기 위해서, 원하는 처리 레시피로 웨이퍼(W)에 처리를 행하기 전에 반송 기구(24)의 티칭을 행하여, 당해 처리 레시피로 처리를 행할 때의 반송 위치를 결정해 두도록 한다. 또한, 예를 들어 제어부(100)를 구성하는 메모리에 반송 기구(24)에 의한 반송 위치와 측벽 히터(33)의 출력의 대응 관계의 데이터를 기억시켜 두어, 처리 레시피가 변경되어 측벽 히터(33)의 출력에 대해서도 변경될 때, 그 데이터에 기초하여 반송 위치가 결정되도록 해도 된다.
도 6의 종단 측면도, 도 7의 평면도를 사용해서, 측벽 히터(33)의 출력이 변경되어, 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 변화할 때의 모습을 정리해서 설명한다. 도 6, 도 7은, 그 상측이 처리 용기(31A, 31B)의 온도가 낮은 상태, 하측이 처리 용기(31A, 31B)의 온도가 높은 상태를 각각 도시하고 있다. 이하에서는, 처리 용기(31A, 31B)의 온도가 상승해서 각각의 열팽창량이 커지는, 즉 각 도면의 상측에 나타내는 상태에서 하측에 나타내는 상태로 변화하는 모습을 설명한다.
처리 용기(31A, 31B)는, 게이트 밸브(G)에 접속되는 전방측을 기점으로 해서 열팽창한다. 즉, 게이트 밸브(G)에 접속되는 전단의 위치는 변화하지 않도록, 처리 용기(31A, 31B)가 열팽창한다. 그 열팽창에 의해, 처리 용기(31A)의 오목부(61A, 61B)가 서로 근접하도록 샤프트(63)에 대하여 미끄럼 이동하여, 간극(30)에 면하는 처리 용기(31A)의 측벽과 처리 용기(31B)의 측벽이 근접한다. 이렇게 샤프트(63)와 오목부(61A, 61B)가 미끄럼 이동하는 한편, 처리 용기(31A)에 접속되는 긴 나사(57)의 너트(58B)가 브래킷(56)에 대하여 미끄럼 이동해서 좌측 후방으로 이동함과 함께, 처리 용기(31B)에 접속되는 긴 나사(57)의 너트(58B)가 브래킷(56)에 대하여 미끄럼 이동해서 우측 후방으로 이동한다. 그렇게 각 부가 미끄럼 이동함으로써, 상술한 바와 같이 스테이지(32)의 피치(P1)는 열팽창량이 커지기 전과 비교해서 변화하지 않는다. 그리고 각 스테이지(32)의 중심(P)은, 열팽창량의 변화 전에 비하여 후방쪽으로 이동하기 때문에, 반송 기구(24)에 대해서는 게이트 밸브(G)로부터의 각 처리 용기(31A, 31B)로의 진입량이 커지도록 설정한 뒤에, 기판 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 작아지는(처리 용기(31A, 31B)가 열 수축하는) 경우에 대해서도 간단하게 설명해 두면, 오목부(61A, 61B)나 너트(58B) 등의 각 부는 열팽창량이 커지는 경우와 역방향으로 이동하여, 스테이지(32)의 피치(P1)는 변화하지 않는다. 그리고 각 스테이지(32)의 중심(P)은, 열팽창량의 변화 전에 비하여 전방쪽으로 이동하기 때문에, 반송 기구(24)에 대해서는 게이트 밸브(G)로부터의 각 처리 용기(31A, 31B)로의 진입량이 작아지도록 설정한 뒤에, 기판 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
이상에 설명한 바와 같이 연접 처리 용기(5)에 의하면, 스테이지(32)의 피치(P1)가 변화하지 않고, 이 피치(P1)는 반송 기구(24)의 2개의 보유 지지부(26)에 보유 지지되는 웨이퍼(W)의 중심간의 거리와 정렬된다. 따라서, 스테이지(32)의 중심(P)에 웨이퍼(W)의 중심이 정렬되도록 당해 웨이퍼(W)가 스테이지(32)에 적재되어, 성막 처리를 행할 수 있으므로, 웨이퍼(W)와 스테이지(32)의 위치 어긋남에 기인하는 TiN막의 막질이나 막 두께에 관한 문제의 발생이 방지된다.
또한, 연접 처리 용기(5)에 있어서는, 처리 용기(31A)의 우측 및 처리 용기(31B)의 좌측이 지지되지 않고, 처리 용기(31A)의 좌측 및 처리 용기(31B)의 우측만이, 하방으로부터 지지부 본체(55)에 의해 지지되어 있다. 따라서 상기한 바와 같이, 처리 용기(31A), 처리 용기(31B)의 하방에 큰 스페이스를 형성하여, 성막 모듈(3)을 구성하는 각 설비를 당해 스페이스에 설치할 수 있다. 그 때문에, 성막 모듈(3), 나아가 기판 처리 시스템(1)이 대형화하는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 기판 처리 시스템(1)에서는 2매 일괄해서 웨이퍼(W)를 처리하는데, 각 스테이지(32)의 중심(P)에 웨이퍼(W)의 중심이 정렬되도록 당해 웨이퍼(W)가 적재됨과 함께, 서로 분리된 처리 용기(31A, 31B)에서 처리가 행하여진다. 따라서, 1매씩 웨이퍼(W)에 성막 처리를 행하는 매엽형 성막 장치에서 사용하는 처리 레시피(처리 용기(31) 내의 압력, 가스 유량, 각 히터의 온도 등의 처리 조건)를 적용해서 처리를 행할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 시스템(1)용 처리 레시피를 새롭게 작성하거나 변경하거나 하는 수고에 대해서, 삭감 내지는 저감할 수 있기 때문에 유리하다.
(제2 실시 형태)
연접 처리 용기의 제2 실시 형태인 연접 처리 용기(7)에 대해서, 연접 처리 용기(5)와의 차이점을 중심으로 도 8의 평면도, 도 9의 종단 측면도를 참조하면서 설명한다. 이 제2 실시 형태에서는 이미 설명한 오목부(61A, 61B) 및 샤프트(63)가 마련되어 있지 않다. 그 대신에, 처리 용기(31B)에 있어서, 간극(30)에 면하는 측벽의 전단부 및 후단부가 절결됨으로써, 각형 오목부(71)가 2개 형성되어 있다. 그리고, 처리 용기(31A)의 간극(30)에 면하는 측벽의 전단부, 후단부는 우측 방향으로 돌출되는 각형 돌기(볼록부)(72)를 이루고, 당해 돌기(72)는, 제2 오목부인 오목부(71) 내에 묻혀 있다. 따라서, 돌기(72)는, 처리 용기(31A, 31B)를 접속하는 접속부로서 구성되어 있다.
상기 오목부(71)의 상측 벽면을 덮도록 플레이트(73)가 당해 벽면에 고정되어 마련되어 있다. 따라서, 플레이트(73)에 의해 오목부(71)의 상면이 구성되어 있다. 또한, 처리 용기(31B)에는 처리 용기(31B)의 저면과 오목부(71) 내를 접속하는 수직인 관통 구멍이 마련되어 있다. 이 관통 구멍에는 하방측으로부터 나사(74)가 삽입되어 있고, 나사(74)는 당해 관통 구멍의 둘레면에 마련된 나사와 나사 결합하여, 그 선단이 오목부(71) 내에 돌출되어 있다. 그리고, 오목부(71) 내에서, 나사(74)의 선단 상에 하부측 접촉부인 플레이트(75)가 수평하게 마련되어 있다. 따라서, 나사(74)에 의해 오목부(71) 내에서의 플레이트(75)의 높이는 변경 가능하고, 상기 돌기(72)는 플레이트(73, 75)에 상하로부터 집혀 체결되어 있다.
플레이트(73, 75)는, 그 형상이 원통체가 아니라 판상체로서 구성되는 것을 제외하고, 제1 실시 형태에서의 부시(62)와 마찬가지로 구성된 부재를 사용할 수 있다. 따라서, 상기한 질화 처리가 실시된 탄소강 강재나, 고체 윤활제가 묻힌 주철계의 금속 부재를 사용할 수 있다. 또한, 고체 윤활제가 묻히는 금속 부재로서는 주철계 재료인 것에 한정되지 않고, 예를 들어 구리나 황동이어도 된다. 제1 실시 형태에서도 마찬가지로, 고체 윤활제가 묻히는 금속 재료로서는 주철계 재료인 것에 한정되지는 않는다.
도 10은, 도 6과 마찬가지로 측벽 히터(33)의 출력이 변경되어, 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 변화할 때의 모습을 나타낸 것으로, 도면의 상측이 처리 용기(31A, 31B)의 온도가 낮은 상태, 하측이 처리 용기(31A, 31B)의 온도가 높은 상태를 각각 나타내고 있다. 이 도 10에 도시하는 바와 같이 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 변화함으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 간극(30)을 사이에 두고 대향하는 처리 용기(31A)의 측벽과 처리 용기(31B)의 측벽에 대해서는 간섭하지 않고 서로의 거리가 변화한다.
그리고, 그렇게 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 변화함에 있어서, 돌기(72)와, 처리 용기(31B)의 측벽에 마련되는 플레이트(73, 75)가 좌우 방향으로 미끄럼 이동한다. 한편, 제1 실시 형태와 마찬가지로 지지부 본체(55)에 대해서도 너트(58B)와 브래킷(56)이 미끄럼 이동한다. 이렇게 각 부에서 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량의 변화에 수반하는 미끄럼 이동이 일어남으로써, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 스테이지(32)의 피치(P1)가 일정하게 유지된다. 그리고, 돌기(72)와 오목부(71)를 통해서 처리 용기(31A, 31B)가 접속되어 있음으로써, 처리 용기(31A, 31B)의 기울어짐에 대해서도 제1 실시 형태와 마찬가지로 억제된다. 이렇게 제2 실시 형태의 연접 처리 용기(7)에 대해서도, 앞서 서술한 연접 처리 용기(5)와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 이 연접 처리 용기(7)에서는, 플레이트(75)에서의 오목부(71) 내의 높이 위치가 조정 가능하기 때문에, 플레이트(73, 75)를 돌기(72)에 확실하게 밀착시킬 수 있다. 그 때문에, 처리 용기(31A, 31B)의 기울어짐이 보다 확실하게 방지된다.
(제3 실시 형태)
도 11에 도시하는 제3 실시 형태는, 제1 실시 형태의 연접 처리 용기(5)에 있어서, 또한 저면 미끄럼 이동부(8)가 추가된 구성으로 되어 있다. 저면 미끄럼 이동부(8)는, 플레이트(81), 나사(82, 83)에 의해 구성되어 있다. 플레이트(81)는, 처리 용기(31A)의 저면의 우측 단부로부터 처리 용기(31B)의 저면의 좌측 단부를 향해서 신장되도록 마련되어 있다. 나사(82)에 의해 플레이트(81)의 일단부의 상면은, 처리 용기(31A)의 저면에 고정되어 있다.
그리고, 플레이트(81)의 타단부에는 관통 구멍(84)이 수직으로 마련되어, 처리 용기(31B)의 저면을 향해서 개구되어 있고, 당해 관통 구멍(84)에는 하방측으로부터 나사(83)가 삽입되어 있다. 나사(83)의 선단은 처리 용기(31B)의 저면에 고정되어 있고, 나사(83)의 헤드부와 처리 용기(31B)의 저면에 의해 플레이트(81)에서의 관통 구멍(84)의 구멍 테두리부가 집혀 있다. 따라서, 플레이트(81)는, 간극(30)을 걸쳐서 처리 용기(31A)의 저면과 처리 용기(31B)의 저면을 접속하는 접속부 본체로서 구성되어 있다. 관통 구멍(84)의 구멍 직경보다도 나사(83)의 직경은 작아, 나사(83)의 측 둘레면과 플레이트(81)의 사이에는 간극이 형성되어 있다. 따라서, 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 변화할 때, 플레이트(81)의 타단부는, 처리 용기(31B)의 저면 및 나사(83)의 헤드부에 대하여 전후 좌우로 미끄럼 이동 가능하게 되어 있다. 또한 나사(83)에 대해서, 헤드부는 제2 플랜지, 헤드부 이외의 개소는 제2 종축에 각각 상당한다.
이상에 설명한 구성의 저면 미끄럼 이동부(8)는, 제1 실시 형태에서 설명한 샤프트(63)와 마찬가지로, 처리 용기(31A, 31B)의 서로 대향하는 측벽의 위치에 대해서 변이 가능하게 처리 용기(31A, 31B)를 접속하고 있다. 도 12는, 도 6과 마찬가지로 처리 용기(31A, 31B)의 열팽창량이 변화하는 모습을 나타내고 있으며, 당해 열팽창량의 변화에 의해 앞서 서술한 플레이트(81)의 미끄럼 이동이 일어남으로써, 스테이지(32)의 피치(P1)가 유지되는 모습을 나타내고 있다. 이 제3 실시 형태의 연접 처리 용기(5)에서는, 이미 설명한 오목부(61A, 61B) 및 샤프트(63)에 더하여, 이렇게 처리 용기(31A, 31B)의 저면끼리를 접속하는 저면 미끄럼 이동부(8)가 마련됨으로써, 처리 용기(31A, 31B)의 기울어짐이 보다 확실하게 방지된다.
또한 이 제3 실시 형태에 있어서, 오목부(61A, 61B) 및 샤프트(63)가 마련되지 않고, 저면 미끄럼 이동부(8)만이 마련되어 있어도 제1 실시 형태에서 설명한 각 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 처리 용기(31A, 31B)를 접속하는 접속부로서는, 간극(30)에 마련되는 것에 한정되지는 않는다. 즉 간극(30)을 걸쳐서 접속부가 마련된다는 것은, 샤프트(63)와 같이 간극(30)에 접속부가 마련되는 것, 및 플레이트(81)와 같이 간극(30)으로부터 벗어난 위치에 접속부가 마련되는 것 양쪽을 포함한다.
이 제3 실시 형태의 플레이트(81)에 대해서는, 예를 들어 제2 실시 형태에서 설명한 플레이트(73, 75)와 마찬가지의 구성의 것을 사용함으로써, 미끄럼 이동을 원활하게 행하는 것 및 급유를 불필요 내지는 그 빈도를 저감시킬 수 있다. 또한, 예를 들어 각 실시 형태에 있어서, 예를 들어 브래킷(56)의 상면을 플레이트(73, 75)와 마찬가지로 구성하여, 너트(58B)가 원활하게 미끄럼 이동하도록 해도 된다. 이렇게 플레이트(73, 75) 및 부시(62)로 설명한 구성은, 미끄럼 이동이 행하여지는 각 개소에 적용해도 된다. 또한, 제3 실시 형태에 있어서, 플레이트(81)에 마련되는 나사(82)가 삽입 관통되는 관통 구멍에 대해서, 나사(82)의 직경보다도 크게 형성해도 된다. 즉, 플레이트(81)는, 처리 용기(31B)의 저면에 대하여 뿐만 아니라, 처리 용기(31A)의 저면에 대해서도 미끄럼 이동 가능하게 구성해도 된다.
또한, 이미 설명한 각 예에서는 지지부 본체(55)에 의해, 처리 용기(31A)의 좌측 단부, 처리 용기(31B)의 우측 단부를 각각 지지하고 있지만, 이들 단부보다도 처리 용기(31A, 31B)의 내측쪽의 위치가 지지되도록 해도 된다. 단, 각 처리 용기(31A, 31B)의 하방에 충분한 크기의 스페이스를 확보하기 위해서, 간극(30)이 마련되는 측과는 반대측이 지지되도록 하는 것이 바람직하다. 이 간극(30)이 마련되는 측의 반대측이란, 예를 들어 좌우 방향에 있어서 스테이지(32)의 중심(P)의 위치보다도 외측이다. 즉 처리 용기(31A)에 대해서는 당해 중심(P)의 위치보다도 좌측을 지지부 본체(55)에 의해 지지하고, 처리 용기(31B)에 대해서는 당해 중심(P)의 위치보다도 우측을 지지부 본체(55)에 의해 지지하는 것이 바람직하다. 또한 간극(30)이 마련되는 측이란, 예를 들어 좌우 방향에 있어서 스테이지(32)의 중심(P)의 위치보다도 내측의 위치(연접 처리 용기(5, 7)의 중심쪽의 위치)이며, 당해 내측의 위치에는 지지부 본체(55)를 마련하지 않는 것이 바람직하다.
그런데 연접 처리 용기(5, 7)로서는, 성막 모듈에 적용되는 것에 한정되지 않는다. 예를 들어 에칭 가스를 공급해서 웨이퍼(W)에 에칭을 행하는 에칭 모듈이나, 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하면서 웨이퍼(W)를 가열하는 어닐 모듈 등의 웨이퍼(W)에 대하여 진공 처리를 행하는 모듈에 적용할 수 있다. 또한, 예시한 성막 모듈(3)은, 플라스마 처리를 행하지 않는 모듈이지만, 플라스마 처리를 행하는 처리 모듈에 연접 처리 용기(5, 7)가 적용되어도 된다. 또한, 플라스마를 형성해서 처리를 행하는 경우에는, 예를 들어 그 플라스마에 대해서, 웨이퍼(W)의 면 내에서의 분포를 조정하거나 하여, 스테이지(32)와 웨이퍼(W)의 위치 어긋남이 보상되도록 처리를 행하는 것을 생각할 수 있다. 그러나 플라스마를 형성하지 않을 경우에는, 그러한 플라스마에 의한 조정을 행할 수 없으므로, 성막 모듈(3)과 같이 플라스마 처리가 행하여지지 않는 모듈에서는, 연접 처리 용기(5)가 갖는 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 억제한다는 효과가 특히 유효하다.
또한, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 다른 기판 처리 장치가 마련되어, 당해 기판 처리 장치를 열원으로 해서, 처리 용기(31A, 31B)가 가열되어 열팽창하는 것을 생각할 수 있다. 그 경우에도, 연접 처리 용기(5, 7)에 의하면 스테이지(32)에서의 웨이퍼(W)의 반송 위치의 어긋남을 방지할 수 있다. 즉, 가령 처리 용기(31A, 31B)에 히터가 마련되지 않는 구성이어도 앞서 서술한 효과를 얻을 수 있기 때문에, 처리 용기(31A, 31B)는 히터가 마련되지 않고, 상온에서 웨이퍼(W)를 진공 처리하는 것이어도 된다. 또한, 연접 처리 용기를 구성하는 처리 용기의 수로서는 2개에 한정되지 않고, 3개 이상의 처리 용기가 서로 접속되어 있어도 된다.
금회 개시된 실시 형태에 대해서는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 특허 청구 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경 또는 조합이 행하여져도 된다.

Claims (15)

  1. 간극이 형성되도록 가로 방향으로 나란히 마련되고, 진공 처리를 행하기 위해서 기판을 각각 격납하는 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기와,
    상기 간극을 걸쳐서 상기 제1 처리 용기와 상기 제2 처리 용기를 접속하도록 마련되고, 상기 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기의 적어도 한쪽에 대하여 상기 가로 방향으로 미끄럼 이동 가능한 접속부
    를 포함하는 연접 처리 용기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기 각각을, 상기 간극이 마련되는 측과 반대측에서 지지하는 지지부가 마련되는, 연접 처리 용기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 지지부는, 상기 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기 각각의 상기 간극이 마련되는 측과는 반대측에 하방으로부터 접속되어서 지지하는 지지부 본체를 포함하고,
    상기 지지부 본체는, 당해 간극이 마련되는 측에는 마련되지 않는, 연접 처리 용기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 지지부 본체는,
    상기 제1 처리 용기 및 상기 제2 처리 용기에 각각 접속되는 지지용 접속부와,
    상기 각 지지용 접속부를 전후 좌우로 미끄럼 이동 가능하게 지지하는 기초부를 포함하는, 연접 처리 용기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 지지용 접속부는, 제1 플랜지가 마련되는 제1 종축을 포함하고,
    상기 기초부는, 상기 제1 종축이 삽입됨과 함께 구멍 테두리부에서 상기 제1 플랜지를 지지하도록 개구된 구멍을 포함하고,
    상기 구멍 테두리부를 상기 제1 플랜지가 미끄럼 이동 가능하게, 상기 제1 종축의 직경보다도 상기 구멍의 직경이 큰, 연접 처리 용기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 지지부는, 상기 제1 처리 용기 및 상기 제2 처리 용기로 이루어지는 처리 용기의 조를 둘러싸는 복수의 지주를 포함하고,
    상기 복수의 지주 중, 상기 제1 처리 용기쪽의 지주로부터 상기 기초부가 당해 제1 처리 용기의 하방을 향해서 신장되고,
    상기 복수의 지주 중, 상기 제2 처리 용기쪽의 지주로부터 상기 기초부가 당해 제2 처리 용기의 하방을 향해서 신장되는, 연접 처리 용기.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 처리 용기의 측벽과 상기 제2 처리 용기의 측벽에 각각 제1 오목부가 마련되고,
    상기 접속부는, 각 제1 오목부에 묻힘과 함께 당해 각 제1 오목부에 대하여 미끄럼 이동 가능한, 연접 처리 용기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 접속부는 상기 가로 방향으로 신장되는 축 부재이며,
    상기 각 제1 오목부의 주위벽은, 고체 윤활제를 포함하는 베어링에 의해 구성되어 있는, 연접 처리 용기.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속부는, 상기 제1 처리 용기의 저면과, 상기 제2 처리 용기의 저면을 접속하고,
    당해 제1 처리 용기의 저면 및 제2 처리 용기의 저면 중 적어도 어느 한쪽의 저면에 대하여 미끄럼 이동 가능한 저면 미끄럼 이동부를 포함하는, 연접 처리 용기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 저면 접속부는, 상기 제1 처리 용기의 저면과, 상기 제2 처리 용기의 저면에 각각 접속되는 접속부 본체와,
    상기 제1 처리 용기의 저면 및 상기 제2 처리 용기의 저면 중 한쪽 저면에 개구되도록 상기 접속부 본체에 마련되는 관통 구멍과,
    상기 한쪽 저면에 고정됨과 함께 상기 관통 구멍에 삽입되어 마련되고, 당해 관통 구멍의 구멍 직경보다도 작은 축 직경을 갖는 제2 종축과,
    상기 제2 종축에 마련되고, 상기 관통 구멍의 구멍 테두리부를 지지하는 제2 플랜지를 포함하고,
    상기 접속부 본체가, 상기 한쪽 저면과 상기 플랜지에 각각 미끄럼 이동 가능한, 연접 처리 용기.
  11. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 처리 용기 및 상기 제2 처리 용기 중 한쪽 측벽에 제2 오목부가 마련되고,
    상기 접속부는, 상기 제1 처리 용기 및 상기 제2 처리 용기 중 다른 쪽 측벽으로부터 돌출되어 상기 제2 오목부에 묻힘과 함께, 당해 제2 오목부에 대하여 미끄럼 이동 가능한 볼록부인, 연접 처리 용기.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 오목부에는, 상기 볼록부에 하방측으로부터 접하고, 상기 제2 오목부 내에서의 높이가 조정 가능한 하부측 접촉부가 마련되고,
    상기 볼록부는 상기 제2 오목부의 상면 및 상기 하부측 접촉부에 대하여 미끄럼 이동 가능한, 연접 처리 용기.
  13. 제12항에 있어서, 상기 하부측 접촉부 및 상기 제2 오목부의 상면은, 고체 윤활제를 포함하는, 연접 처리 용기.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 연접 처리 용기와,
    상기 기판을 반송하고, 상기 연접 처리 용기가 접속되는 진공 분위기의 진공 반송실과,
    상기 제1 처리 용기 및 상기 제2 처리 용기에 일괄로 상기 기판을 반송하도록 상기 진공 반송실에 마련되는 반송 기구
    를 포함하는 기판 처리 시스템.
  15. 간극이 형성되도록 가로 방향으로 나란히 마련되는 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기에 일괄적으로 상기 기판을 반송해서 격납하여, 당해 각 기판을 진공 처리하는 공정과,
    상기 제1 처리 용기 및 상기 제2 처리 용기 각각의 열팽창에 의해, 상기 간극을 걸쳐서 상기 제1 처리 용기와 상기 제2 처리 용기를 접속하도록 마련되는 접속부를, 당해 제1 처리 용기 및 제2 처리 용기의 적어도 한쪽에 대하여 상기 가로 방향으로 미끄럼 이동시키는 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
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