KR20210143324A - 일괄 이송헤드 및 이의 가공방법 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 68
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims description 2
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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Abstract
본 출원은 일괄 이송헤드 및 이의 가공방법을 제공한다. 상기 일괄 이송헤드는 탄성 기재 및 강성 흡착헤드 그룹을 포함하되, 상기 강성 흡착헤드 그룹은 복수의 강성 흡착헤드를 포함하고, 상기 강성 흡착헤드 그룹은 상기 탄성 기재 상에 배치되어, 상기 탄성 기재의 변형을 통해 상기 강성 흡착헤드 그룹에 포함된 각 강성 흡착헤드의 위치를 조절하여, 대응하는 이송대상 칩과 부착할 수 있도록 함으로써, 이송대상 칩의 가공 공정 편차로 인한 부실 부착 또는 미부착의 발생을 감소시키고, 강성 흡입헤드 그룹이 흡착할 수 있는 이송대상 칩의 수량을 증가시켜 이송 효율을 향상시킬 수 있다.
Description
관련 출원
본 출원은 2019년 4월 29일에 출원한, 출원번호가 201910354430.6이고, 명칭이 "일괄 이송헤드 및 이의 가공방법"인 중국특허출원의 우선권을 주장하며, 여기서 모든 내용은 참고용으로 원용된다.
기술 분야
본 출원은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 일괄 이송헤드 및 이의 가공방법에 관한 것이다.
Micro-LED는 현재의 디스플레이 기술에 비하여 긴 수명, 높은 신뢰성, 높은 휘도, 낮은 전력소모 등의 기술적 특징을 갖고 있어, 자동차, 웨어러블, 옥내외 초대형 스크린 등 분야에 폭넓게 적용될 것으로 기대되고 있으며, 현재 디스플레이 기술 발전에 있어서 핫이슈 및 최첨단으로 대두되고 있다. 현재, Micro-LED 디스플레이 패널의 LED 칩을 가공할 때, 일반적으로 하나의 캐리어보드 상에 일괄로 형성한 다음, 상기 캐리어보드 상의 LED 칩을 일괄로 이송한다. LED 칩의 이송 과정에서 LED 칩의 1회 이송수량은 LED 칩의 이송 효율과 디스플레이 패널의 가공 효율 및 비용에 매우 중요한 영향을 미친다.
일괄 이송하는 수량을 증가시키기 위해, 본 출원은 일괄(batch) 이송헤드 및 이의 가공방법을 제공한다.
본 출원의 실시예의 제1 측면에 따른 일괄 이송헤드는, 탄성 기재(substrate base) 및 강성 흡착헤드 그룹을 포함하되, 상기 강성 흡착헤드 그룹은 복수의 강성 흡착헤드를 포함하고, 상기 강성 흡착헤드 그룹은 상기 탄성 기재 상에 배치되어, 상기 탄성 기재의 변형에 의해 상기 강성 흡착헤드 그룹에 포함된 각 강성 흡착헤드의 위치가 조절된다.
본 출원의 실시예의 제2 측면에 따른 일괄 이송헤드의 가공방법은,
지지 기재을 획득하는 단계;
상기 지지 기재 상에 복수의 강성 흡착헤드를 포함하는 강성 흡착헤드 그룹을 형성하는 단계;
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 강성 흡착헤드 그룹의 일측에 탄성 기재을 형성하는 단계;
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 탄성 기재의 일측에 기판을 형성하는 단계; 및
상기 지지 기재을 제거하여 상기 일괄 이송헤드를 얻는 단계를 포함한다.
본 출원은 탄성 기재의 변형을 통해 강성 흡착헤드 그룹의 각 강성 흡착헤드의 위치를 조절하여, 대응하는 이송대상 칩과 부착할 수 있도록 함으로써, 이송대상 칩의 가공 공정 편차로 인한 부실 부착 또는 미부착의 발생을 감소시키고, 강성 흡입헤드 그룹이 흡착할 수 있는 이송대상 칩의 수량을 증가시켜 이송 효율을 향상시킬 수 있다.
도1은 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 구조를 제시하는 도면이다.
도2는 도1의 예시적인 실시예에 강화층이 추가된 다른 일괄 이송헤드의 구조를 제시하는 도면이다.
도3은 도1의 예시적인 실시예에 버퍼층이 추가된 또 다른 일괄 이송헤드의 구조를 제시하는 도면이다.
도4는 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 가공방법의 흐름도이다.
도5는 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제1 가공상태를 제시하는 도면이다.
도6은 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제2 가공상태를 제시하는 도면이다.
도7은 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제3 가공상태를 제시하는 도면이다.
도8은 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제4 가공상태를 제시하는 도면이다.
도9는 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제5 가공상태를 제시하는 도면이다.
도2는 도1의 예시적인 실시예에 강화층이 추가된 다른 일괄 이송헤드의 구조를 제시하는 도면이다.
도3은 도1의 예시적인 실시예에 버퍼층이 추가된 또 다른 일괄 이송헤드의 구조를 제시하는 도면이다.
도4는 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 가공방법의 흐름도이다.
도5는 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제1 가공상태를 제시하는 도면이다.
도6은 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제2 가공상태를 제시하는 도면이다.
도7은 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제3 가공상태를 제시하는 도면이다.
도8은 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제4 가공상태를 제시하는 도면이다.
도9는 본 출원의 예시적인 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드의 제5 가공상태를 제시하는 도면이다.
이하에서, 본 출원의 목적, 기술적 방안 및 장점을 보다 명확히 하기 위해, 실시예 및 첨부된 도면을 참조하여 본 출원에 대해 더 상세하게 설명하고자 한다. 본 명세서에 기술된 구체적인 실시예들은 단지 본 출원을 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 출원을 제한하는 것이 아님을 이해해야 한다.
종래에는 Micro-LED 디스플레이 패널의 LED 칩을 가공할 때, 일반적으로 LED 칩을 하나의 캐리어보드 상에 일괄로 형성한 다음, 상기 캐리어보드 상의 LED 칩을 일괄로 이송한다. 상기 LED 칩이 일괄로 하나의 케리어보드에 형성되지만, 케리어보드의 형성 시의 공정 영향 및 각 LED 칩의 형성 시의 공정 영향으로 인해 케리어보드에 형성된 LED 칩의 높이가 일정하지 않으며, 이에 따라 LED 칩을 일괄로 이송할 때 각 프로브와 대응하는 LED 칩 사이에 부실 부착 또는 미부착이 발생하여 LED 칩을 신속하고 효율적으로 이송할 수 없게 된다. 따라서, LED 칩의 높이 차이를 상쇄시키고, 이송헤드와 각 LED 칩 사이의 부착강도를 향상시키고, 이송 효율 및 품질을 향상시키 것은 시급히 해결해야 할 기술적 문제로 제기되고 있다.
이를 감안하여, 본 출원은 캐리어보드 상에 있는 이송대상 칩을 일괄로 이송할 수 있고, 이송대상 칩의 높이 차이로 인한 이송 실패 확률을 감소시킬 수 있는 일괄 이송헤드를 제공한다.
도1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 일괄 이송헤드(100)는 탄성 기재(110) 및 강성 흡착헤드 그룹(120)를 포함할 수 있다. 상기 강성 흡착헤드 그룹(120)은 복수의 강성 흡착헤드(121)를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 도1에 도시된 바와 같이 상기 강성 흡착헤드 그룹(120)은 2개의 강성 흡착헤드(121)를 포함할 수 있다. 상기 강성 흡착헤드 그룹(120)에 포함된 각 강성 흡착헤드(121)는 모두 상기 탄성 기재(110) 상에 배치되어, 상기 일괄 이송헤드(100)가 캐리어보드에 작용하여 캐리어보드 상에 있는 이송대상 칩을 부착시킬 때, 이송대상 칩의 높이에 차이가 있을 경우, 일괄 이송헤드(100)의 탄성 기재(110)는 상이한 정도로 변형하게 됨으로써, 상기 탄성 기재(110)의 변형을 통해 강성 흡착헤드 그룹(120)의 각 강성 흡착헤드(121)의 위치를 조절하여, 대응하는 이송대상 칩과 부착할 수 있도록 하여, 이송대상 칩의 가공 공정 편차로 인한 부실 부착 또는 미부착의 발생을 감소시키고, 강성 흡입헤드 그룹(120)이 흡착할 수 있는 이송대상 칩의 수량을 증가시켜 이송 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 탄성 기재(110)는 유기물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 실리콘 고무(silicone rubber), 폴리우레탄(polyurethane)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있고; 또한 상기 탄성 기재(110)는 변형가능한 다른 물질로 이루어질 수 있으며, 이에 대한 설명은 생략한다.
탄성 기재(110)의 두께는 동일 평면에 배치된 일괄 이송대상인 복수의 소자 간의 높이 차이에 따라 설정될 수 있다. 예를 들어, 상기 탄성 기재(110)의 두께는 동일 평면에 배치된 일괄 이송대상인 복수의 소자 간의 높이 차이보다 클 수 있고, 또는 상기 탄성 기재(110)의 두께 방향에서의 탄성변형량은 동일 평면에 배치된 일괄 이송대상인 복수의 소자 간의 높이 차이보다 클 수 있다. 상기 복수의 소자는 하나의 케리어보드 상에 형성된 복수의 LED 칩일 수 있다.
상기 일괄 이송헤드(100)는 기판(130)을 더 포함할 수 있고, 탄성 기재(110)는 상기 기판(130) 상에 배치될 수 있으며, 탄성 기재(110)는 기판(130)과 강성 흡착헤드 그룹(120) 사이에 위치하여, 상기 기판(130)으로 탄성 기재(110)를 지지함으로써, 탄성 기재(110)가 변형될 때 강성 흡착헤드 그룹(120)으로부터 멀어지는 일측을 향해 확장되어 상이한 높이의 이송대상 칩과 매칭되지 못하는 것을 피한다. 상기 기판(130)은 강성 기판일 수 있으며, 예를 들어 유리 기판, 무기 물질로 이루어진 기판, 또는 금속 물질로 이루어진 기판을 포함할 수 있다.
강성 흡착헤드 그룹(120)에 포함된 각 강성 흡착헤드(121)는 서로 이격된 제1 전극(1211) 및 제2 전극(1212)을 포함할 수 있고, 상기 제1 전극(1211) 및 제2 전극(1212)은 이송대상 칩을 흡착하도록 상호 작용하여 전하를 생성할 수 있다.
일괄 이송헤드(100)는 절연층(140)을 더 포함할 수 있고, 상기 절연층(140)은 제1 전극(1211) 및 제2 전극(1212)을 덮을 수 있고, 상기 제1 전극(1211) 및 제2 전극(1212)은 절연층(140)과 탄성 기재(110) 사이에 위치한다.
제1 전극(1211)과 제2 전극(1212) 사이에는 간극이 있어, 제1 전극(1211)과 제2 전극(1212) 중 어느 하나에 양전압을 인가하고 다른 하나에 음전압을 인가하면, 제1 전극(1211)과 제2 전극(1212) 사이 및 절연층(140) 상에는 전하가 유도 생성되어 대응하는 이송대상 칩을 흡착할 수 있다. 제1 전극(1211) 및 제2 전극(1212)을 형성하는 방법은, 전체 금속층을 미리 증착한 후, 금속층을 패터닝하여 각 강성 흡착헤드(121)에 포함된 제1 전극(1211) 및 제2 전극(1212)을 얻는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 절연층(140)은 전면(全面)에 배치될 수 있고, 즉, 강성 흡착헤드 그룹(120) 상의 복수 또는 전부의 강성 흡착헤드(121)는 하나의 절연층(140)을 공유함으로써, 절연층(140)에 대한 성형 공정 단계를 줄여 생산효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 다른 실시예에서, 일괄 이송헤드(100)는 복수의 절연층을 포함할 수 있으며, 상기 복수의 절연층은 강성 흡착헤드 그룹(120)에 포함된 복수의 강성 흡착헤드(121)와 일대일 대응되고, 예를 들어, 복수의 절연층은 병렬로 이격 배치되며 각 절연층의 위치는 대응하는 강성 흡착헤드의 위치와 매칭됨으로써, 재료를 절약하고 생산 비용을 절감할 수 있다. 상기 절연층은 무기 절연물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 바람직하게는 질화규소 및 산화규소 중 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 질화규소 및 산화규소는 성능이 안정적이고 저렴하며 쉽게 얻을 수 있다. 물론 다른 실시예에서, 다른 물질로 이루어질 수도 있다.
도2를 참조하면, 일괄 이송헤드(100)는 강화층(150)을 더 포함할 수 있고, 상기 강화층(150)은 강성 흡착헤드 그룹(120)에 포함된 각 강성 흡착헤드(121)에 대응하여 배치되며, 상기 강화층(150)은 탄성 기재(110)와 대응하는 강성 흡착헤드(121) 사이에 위치한다. 탄성 기재(110)가 강성 흡착헤드(121)에 직접 접촉하는 기술 방안에 비해, 강성 흡착헤드(121)에 직접 작용하는 힘은 강화층(150)에 의해 일부 완충될 수 있어, 강성 흡착헤드(121)에 포함된 금속 전극이 휘어지거나 파단될 확률을 감소시킨다. 여기서, 상기 강화층(150)은 포토레지스트, 산화규소 및 액상유리(spin-on glass, SOG)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 포토레지스트로 이루어지고, 포토레지스트는 종류가 다양하며 선택의 폭이 넓고 성능이 우수하다.
도3을 참조하면, 일괄 이송헤드(100)는 탄성 기재(110)로부터 떨어져 있는 절연층(140)의 일측에 배치되는 버퍼층(170)을 더 포함할 수 있다. 일괄 이송헤드(100)는 상기 탄성 기재(110)의 변형을 통해 강성 흡착헤드 그룹(120)에 포함된 각 강성 흡착헤드(121)의 위치를 조절하여 대응하는 이송대상 칩에 부착할 수 있도록 하므로, 탄성 기재(110)가 압축될 때 칩은 흡착헤드로부터 압력을 받게 되는데, 버퍼층(170)은 압력의 영향으로부터 칩을 보호한다. 버퍼층은 탄성 물질로 이루어질 수 있다. 버퍼층(170)은 전면(全面)에 배치될 수 있고, 즉, 강성 흡착헤드 그룹(120) 상의 복수 또는 전부의 강성 흡착헤드(121)는 하나의 버퍼층(140)을 공유할 수 있다. 다른 실시예에서, 일괄 이송헤드(100)는 또한 복수의 버퍼층을 포함할 수 있으며, 상기 복수의 버퍼층은 강성 흡착헤드 그룹(120)에 포함된 복수의 강성 흡착헤드(121)와 일대일 대응될 수 있다.
본 출원은 또한 일괄 이송헤드의 가공방법을 제공하며, 도4를 참조하면, 상기 가공방법은 301 단계 내지 305 단계를 포함할 수 있다.
301 단계에서, 지지 기재(160)를 획득한다.
도5를 참조하면, 상기 지지 기재(160)는 캐리어(예를 들어, 유리 캐리어)(161), 캐리어(161) 상에 위치한 기재층(162), 및 기재층(162) 상에 형성된 포토레지스트 패턴층(163)을 포함할 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴층(163)은, 강성 흡착헤드 그룹(120)의 복수의 강성 흡착헤드(121)에 대한 배열 방식을 사전에 계획하도록, 패터닝 공정에 의해 형성된 복수의 요함(凹陷)영역(1631)을 구비할 수 있다. 그 다음, 상기 요함영역(1631) 내에 강성 흡착헤드(121)가 배치될 수 있다. 상기 기재층(162)은 폴리이미드로 이루어질 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴층(163)은 기재층(162) 상에 도포된 포토레지스트를 패터닝하여 형성된 것일 수 있고, 포토레지스트 패턴층(163)은 예를 들어 건식 또는 습식 세정을 통해 제거될 수 있다.
302 단계에서, 지지 기재(160) 상에 강성 흡착헤드 그룹(120)을 형성한다.
강성 흡착헤드 그룹(120)을 형성하기 전에, 도6에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴층(163) 상에 먼저 절연층(140)을 형성할 수 있고, 상기 절연층(140)은 무기 물질을 이용하여 증착 공정을 통해 포토레지스트 패턴층(163) 상에 형성할 수 있다. 절연층(140)의 가공이 완료된 후, 지지 기재(160)로부터 떨어져 있는 절연층(140)의 일측에 금속층을 증착하고, 금속층을 패터닝하여 복수의 강성 흡착헤드(121)를 포함하는 강성 흡착헤드 그룹(120)을 얻을 수 있다.
303 단계에서, 지지 기재(160)로부터 떨어져 있는 강성 흡착헤드 그룹(120)의 일측에 탄성 기재(110)를 형성한다.
도7을 참조하면, 탄성 기재(110)를 형성하기 전에, 강성 흡착헤드 그룹(120)을 기준으로 각 강성 흡착헤드(121)에 대응하는 강화층(150)을 형성할 수 있다. 상기 강화층(150)은 포토레지스트, 산화규소 및 액상유리(spin-on glass, SOG)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 또한, 도7을 참조하면, 보강층(150)의 공정이 완료된 후, 보강층(150)을 기준으로 폴리디메틸실록산, 실리콘 고무 및 폴리우레탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 도포하여 탄성 기재(110)를 형성할 수 있다.
304 단계에서, 상기 지지 기재(160)로부터 떨어져 있는 상기 탄성 기재(110)의 일측에 기판(130)을 형성한다.
도8을 참조하면, 탄성 기재(110)를 형성한 후, 지지 기재(160)로부터 떨어져 있는 탄성 기재(110)의 일측에 기판(130)을 형성할 수 있다.
305 단계에서, 도9를 참조하면, 지지 기재(160)를 제거하여 일괄 이송헤드(100)를 얻는다.
캐리어(161)는 레이저로 박리될 수 있고, 기재층(162)은 기계식 박리나 건식 또는 습식으로 제거될 수 있고, 포토레지스트 패턴층(163)은 건식 또는 습식으로 제거될 수 있고, 이에 따라 도9에 도시된 바와 같은 일괄 이송헤드(100)를 얻는다.
본 출원은 절연층(140), 강성 흡착헤드 그룹(120), 강화층(150), 탄성 기재(110) 및 기판(130)의 가공순서를 통해, 절연층(140), 강성 흡착헤드 그룹(120) 및 강화층(150)을 가공할 때 탄성 기재(110)에 대한 공정 온도 및 환경의 영향을 피할 수 있다.
이상에서 설명된 실시예의 각 기술적 특징은 임의로 조합될 수 있고, 설명의 간략화를 위해, 상기 실시예에서 각 기술적 특징의 모든 가능한 조합은 서술되지 않았지만, 이들의 기술적 특징의 조합 간에 모순이 없는 한, 본 명세서의 기재 범위에 속하는 것으로 간주되어야 한다.
전술한 상기 실시예는 단지 본 출원의 특정 실시예를 나타내며, 그에 대한 설명은 구체적이고 상세하지만, 본 출원의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 당업자는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정을 행할 수 있으며, 이들은 모두 본 발명의 청구범위에 속한다. 따라서, 본 출원의 범위는 첨부된 특허청구의 범위에 의해 결정된다.
Claims (18)
- 탄성 기재; 및
복수의 강성 흡착헤드를 포함하는 강성 흡착헤드 그룹으로서, 상기 탄성 기재 상에 배치되어, 상기 탄성 기재의 변형에 의해 상기 강성 흡착헤드 그룹 내의 각 강성 흡착헤드의 위치가 조절되는 강성 흡착헤드 그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제1항에 있어서,
기판을 더 포함하되,
상기 탄성 기재는 상기 기판 상에 배치되며, 상기 탄성 기재는 상기 기판과 상기 강성 흡착헤드 그룹 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 기판은 강성 기판인 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 강성 흡착헤드는 서로 분리되어 있는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
각 상기 강성 흡착헤드의 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 이송대상 소자를 흡착하도록 상호 작용하여 전하를 생성할 수 있는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제4항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 덮는 절연층을 더 포함하고,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 절연층과 상기 탄성 기재 사이에 위치하며,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나에 양전압을 인가하고 다른 하나에 음전압을 인가하면, 상기 절연층 표면에 전하가 유도 생성되어 상기 이송대상 소자를 흡착하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제5항에 있어서,
상기 강성 흡착헤드 그룹 내의 전부의 강성 흡착헤드는 하나의 절연층을 공유하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제5항에 있어서,
상기 절연층은 질화규소 및 산화규소 중 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제5항에 있어서,
상기 탄성 기재로부터 떨어져 있는 상기 절연층의 일측에 배치되는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 강성 흡착헤드 그룹의 각 상기 강성 흡착헤드에 대응하여 배치되며, 상기 탄성 기재와 대응하는 상기 강성 흡착헤드 사이에 위치하는 강화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제9항에 있어서,
상기 강화층은 포토레지스트, 산화규소 및 액상유리로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄성 기재는 폴리디메틸실록산, 실리콘 고무 및 폴리우레탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 탄성 기재의 두께는 동일 평면에 배치된 일괄 이송대상인 복수의 소자 간의 높이 차이보다 큰 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제1항에 있어서,
상기 탄성 기재의 두께 방향에서의 탄성변형량은 동일 평면에 배치된 일괄 이송대상인 복수의 소자 간의 높이 차이보다 큰 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 일괄 이송대상인 복수의 소자는 복수의 LED 칩인 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드.
- 지지 기재을 획득하는 단계;
상기 지지 기재 상에 복수의 강성 흡착헤드를 포함하는 강성 흡착헤드 그룹을 형성하는 단계;
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 강성 흡착헤드 그룹의 일측에 탄성 기재을 형성하는 단계;
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 탄성 기재의 일측에 기판을 형성하는 단계; 및
상기 지지 기재을 제거하여 상기 일괄 이송헤드를 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드의 가공방법.
- 제15항에 있어서,
상기 지지 기재 상에 강성 흡착헤드 그룹을 형성하는 단계는,
상기 지지 기재 상에 절연층을 형성하는 단계; 및
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 절연층의 일측에 상기 강성 흡착헤드 그룹을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드의 가공방법.
- 제16항에 있어서,
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 절연층의 일측에 상기 강성 흡착헤드 그룹을 형성하는 단계는,
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 절연층의 일측에 금속층을 증착하고, 상기 금속층을 패터닝하여 상기 강성 흡착헤드 그룹을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드의 가공방법.
- 제15항에 있어서,
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 강성 흡착헤드 그룹의 일측에 탄성 기재을 형성하는 단계 전에,
상기 지지 기재로부터 떨어져 있는 상기 강성 흡착헤드 그룹의 일측에 각 강성 흡착헤드에 대응하는 강화층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 일괄 이송헤드의 가공방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910354430.6A CN111863690B (zh) | 2019-04-29 | 2019-04-29 | 批量转移头及其加工方法 |
| CN201910354430.6 | 2019-04-29 | ||
| PCT/CN2019/111746 WO2020220599A1 (zh) | 2019-04-29 | 2019-10-17 | 批量转移头及其加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210143324A true KR20210143324A (ko) | 2021-11-26 |
Family
ID=72965372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217036599A KR20210143324A (ko) | 2019-04-29 | 2019-10-17 | 일괄 이송헤드 및 이의 가공방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20210143324A (ko) |
| CN (1) | CN111863690B (ko) |
| WO (1) | WO2020220599A1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112133667B (zh) * | 2020-11-25 | 2021-03-16 | 武汉大学 | 一种微型器件转移装置及转移方法 |
| CN112589419A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-02 | 宁波三星智能电气有限公司 | 一种电能表绝缘片安装设备 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1076439A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-24 | Sony Corp | 薄板保持装置 |
| TWI283906B (en) * | 2001-12-21 | 2007-07-11 | Esec Trading Sa | Pick-up tool for mounting semiconductor chips |
| JP2008103493A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Lintec Corp | チップのピックアップ方法及びピックアップ装置 |
| JP5774968B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2015-09-09 | ヤマハ発動機株式会社 | 部品移載装置および部品移載装置における吸着位置調整方法 |
| US9105492B2 (en) * | 2012-05-08 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Compliant micro device transfer head |
| JP2014048533A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | 撮像機器および電子機器 |
| JP6356458B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-07-11 | 日東電工株式会社 | ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| US10026882B2 (en) * | 2014-10-07 | 2018-07-17 | Epistar Corporation | Using MEMS fabrication incorporating into LED device mounting and assembly |
| US10950583B2 (en) * | 2015-08-26 | 2021-03-16 | Lg Electronics Inc. | Transfer head and transfer system for semiconductor light-emitting device and method for transferring semiconductor light-emitting device |
| GB2545155B (en) * | 2015-09-02 | 2020-04-01 | Facebook Tech Llc | Assembly of semiconductor devices |
| KR101896800B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2018-09-07 | 세메스 주식회사 | 반도체 패키지 픽업 장치 |
| CN107799455B (zh) * | 2017-10-24 | 2020-06-19 | 上海天马微电子有限公司 | 转运头及其制作方法、转印方法及显示面板的制作方法 |
| TWI654465B (zh) * | 2017-11-13 | 2019-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 轉置頭及轉置裝置 |
| CN109411392B (zh) * | 2018-10-16 | 2019-06-25 | 广东工业大学 | 一种Micro-LED的巨量转移装置及转移方法 |
| CN109545731B (zh) * | 2018-11-20 | 2021-12-28 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 转移头及其制备方法、转移方法、转移装置 |
| CN109599354A (zh) * | 2018-12-07 | 2019-04-09 | 广东工业大学 | 一种Micro-LED巨量转移的结构及方法 |
| CN109671651B (zh) * | 2018-12-20 | 2019-11-05 | 广东工业大学 | 一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法 |
-
2019
- 2019-04-29 CN CN201910354430.6A patent/CN111863690B/zh active Active
- 2019-10-17 KR KR1020217036599A patent/KR20210143324A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-10-17 WO PCT/CN2019/111746 patent/WO2020220599A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020220599A1 (zh) | 2020-11-05 |
| CN111863690A (zh) | 2020-10-30 |
| CN111863690B (zh) | 2023-10-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |