KR20210136720A - 발광 장치 - Google Patents

발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210136720A
KR20210136720A KR1020200055376A KR20200055376A KR20210136720A KR 20210136720 A KR20210136720 A KR 20210136720A KR 1020200055376 A KR1020200055376 A KR 1020200055376A KR 20200055376 A KR20200055376 A KR 20200055376A KR 20210136720 A KR20210136720 A KR 20210136720A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
ink film
ink
ink layer
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020200055376A
Other languages
English (en)
Inventor
이동수
임석호
신창호
원종필
이상수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020200055376A priority Critical patent/KR20210136720A/ko
Priority to US17/077,302 priority patent/US11650458B2/en
Publication of KR20210136720A publication Critical patent/KR20210136720A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133611—Direct backlight including means for improving the brightness uniformity
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133609—Direct backlight including means for improving the color mixing, e.g. white
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133606—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members
    • G02F1/133607—Direct backlight including a specially adapted diffusing, scattering or light controlling members the light controlling member including light directing or refracting elements, e.g. prisms or lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/04—Materials and properties dye
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09909—Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 장치는, 발광 장치는 인쇄 회로 기판이 구비된다. 상기 인쇄 회로 기판을 덮고, 제1 굴절율을 갖는 제1 잉크막이 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에 발광 부재가 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에, 상기 발광 부재로부터 이격되게 배치되고 상기 제1 굴절율과 다른 제2 굴절율을 갖는 제2 잉크막이 구비된다. 상기 발광 장치는 균일한 휘도를 가질 수 있다.

Description

발광 장치{A LIGHT-GENERATING DEVICE}
본 발명은 발광 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 인쇄 회로 기판 상에 실장되는 복수의 발광 부재를 포함하는 발광 장치에 관한 것이다.
일반적으로 조명장치에 채용되는 발광 장치는 인쇄 회로 기판 상에 실장되는 복수의 발광 부재를 포함할 수 있다. 상기 발광 장치는 각 발광 부재들이 배치된 부위와 발광 부재들 사이의 발광 부재들이 없는 비 발광 부위에서 발광되는 광량이 다르므로, 상기 인쇄 회로 기판의 전체면에서 균일한 광이 발광되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 발광 장치가 균일한 휘도를 갖지 못할 수 있다.
본 발명의 과제는 균일한 휘도를 갖는 발광 장치를 제공하는 것이다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 인쇄 회로 기판이 구비된다. 상기 인쇄 회로 기판을 덮고, 제1 굴절율을 갖는 제1 잉크막이 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에 발광 부재가 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에, 상기 발광 부재로부터 이격되게 배치되고 상기 제1 굴절율과 다른 제2 굴절율을 갖는 제2 잉크막이 구비된다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 인쇄 회로 기판이 구비된다. 상기 인쇄 회로 기판을 덮고, 제1 굴절율 및 제1 반사율을 갖는 제1 잉크막이 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에 발광 부재가 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에, 상기 발광 부재로부터 이격되게 배치되어 상기 발광 부재를 덮고, 상부 및 하부 표면이 반 구형을 가지는 렌즈가 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에, 상기 렌즈의 측방으로 배치되는 적어도 1층의 잉크막을 포함된다. 상기 제1 잉크막 상부면과 직접 접촉하는 잉크막은 상기 제1 굴절율과 다른 제2 굴절율 및 상기 제1 반사율과 다른 제2 반사율을 갖는다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 인쇄 회로 기판이 구비된다. 상기 인쇄 회로 기판을 덮고, 제1 굴절율 및 제1 반사율을 갖는 제1 잉크막이 구비된다. 상기 제1 잉크막 상에 LED 패키지가 구비된다. 상기 LED 패키지로부터 이격되게 배치되는 상기 제1 잉크막의 상부면의 적어도 일부에, 상기 제1 굴절율과 다른 제2 굴절율 및 상기 제1 반사율보다 높은 제2 반사율을 갖는 제2 잉크막을 구비된다.
상기 발광 장치는 상기 발광 부재들 사이의 부위에서 반사를 통해 발광되는 광량이 크게 증가될 수 있다. 따라서, 상기 발광 장치는 균일한 휘도를 가질 수 있다.
도 1 및 도 2는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도 및 평면도이다.
도 3 및 도 4는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도 및 평면도이다.
도 5는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 각각 예시적인 실시예에 따른 발광 장치들의 단면도들 및 평면도이다.
도 10 및 도 11은 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도 및 평면도이다.
도 12 내지 도 14는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 15는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 플로챠트이다.
도 16은 예시적인 실시예에 따른 액정 표시 모듈을 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 1 및 도 2는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도 및 평면도이다. 도 1은 도 2의 A-A'부위의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 장치는 인쇄 회로 기판(100), 제1 잉크막(102), 제2 잉크막(104), 발광 부재(110) 및 렌즈(120)를 포함할 수 있다.
상기 인쇄 회로 기판(100) 상에는 예를들어, 구동 IC, 전원 접속기, 보호 소자 등의 전기 회로들이 포함될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 인쇄 회로 기판(100)은 알루미늄층에 절연된 상태로 동 박막이 적층된 구조로 이루어진 베이스 기판 상에 전기 회로 패턴들이 형성된 것일 수 있다.
상기 인쇄 회로 기판(100) 상에는 상기 제1 잉크막(102)이 구비될 수 있다. 상기 제1 잉크막(102)은 상기 인쇄 회로 기판(100)에 형성되는 전기 회로 패턴들을 서로 절연시키고 보호하기 위하여 제공될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 잉크막(102)은 상기 인쇄 회로 기판(100)에서 상기 발광 부재(110)와 전기적으로 접촉되는 전극 부위만이 노출되도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 잉크막(102)의 상부면에는 상기 발광 부재(110)가 배치될 수 있다.
상기 제1 잉크막(102)은 제1 굴절율 및 제1 반사율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 잉크막(102)은 약 10㎛ 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 제1 잉크막(102)이 10㎛보다 얇거나 40㎛보다 두꺼울 경우, 제조 비용이 증가되어 양산성이 떨어질 수 있다.
상기 제1 잉크막(102)은 에폭시 수지를 포함할 수 있으며, 경화제 및 안료 등이 더 포함될 수 있다. 상기 제1 잉크막(102)은 열경화성 또는 광경화성을 가질 수 있다. 상기 제1 잉크막(102)은 반사율을 높이기 위하여 흰색의 안료를 포함할 수 있으며, 예를들어, TiO2가 포함될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 제1 잉크막(102)은 감광성 열경화형 잉크(Photo Solder Resist Ink, PSR 잉크)를 사용할 수 있다.
또한, 이하에서 설명하는 각 잉크막들 및 잉크막 패턴들은 상기 에폭시 수지를 포함할 수 있으며, 경화제 및 안료 등이 더 포함될 수 있다. 예를들어, 상기 각 잉크막들 및 잉크막 패턴들은 감광성 열경화형 잉크를 사용할 수 있다.
상기 제1 잉크막(102) 상에는 제2 잉크막(104)이 구비될 수 있다. 상기 제2 잉크막(104)은 상기 제1 잉크막(102)과 다른 제2 굴절율을 가질 수 있다. 상기 제1 및 제2 잉크막(102, 104) 간의 굴절율의 차이, 즉, 상기 제1 및 제2 굴절율간의 차이는 0.1 이상일 수 있다.
또한, 상기 제2 잉크막(104)은 상기 제1 잉크막(102)과 다른 제2 반사율을 가질 수 있다. 일반적으로, 서로 다른 굴절율을 갖는 2개의 잉크막의 경우에, 상기 2개의 잉크막들의 반사율도 서로 다를 수 있다. 상기 제2 잉크막(104)은 약 10㎛ 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 제2 잉크막(104)이 10㎛보다 얇거나 40㎛보다 두꺼울 경우, 제조 비용이 증가되어 양산성이 떨어질 수 있다.상기 제2 잉크막(104)은 상기 발광 부재(110) 및 렌즈(120)가 실장되는 부위의 상기 제1 잉크막(102)의 상부면에 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 제2 잉크막(104)의 상부면에는 상기 발광 부재(110)가 배치되지 않을 수 있다. 즉, 상기 제2 잉크막(104)은 상기 렌즈(120)의 측방에 위치하는 상기 제1 잉크막(102)의 전면을 덮도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 잉크막(104)에서 상기 발광 부재(110) 및 렌즈(120)가 실장되는 부위에는 개구부가 포함될 수 있다.
이와 같이, 상기 인쇄 회로 기판(100) 상에는 적어도 2층의 잉크막들(102, 104)이 적층될 수 있다. 상기 잉크막들이 적층됨으로써, 상기 잉크막들로부터 광의 반사율을 높힐 수 있다.
본 발명에 의하면, 상기 적층되는 각각의 잉크막들은 약 10㎛ 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 잉크막들이 적층된 잉크막 구조물의 수직 방향 두께는 예를들어, 20㎛ 내지 120㎛일 수 있다. 상기 잉크막 구조물의 전체 두께가 120㎛보다 두꺼워지더라도 상기 광의 반사율이 더 증가되지 않을 수 있다.
또한, 상기 적층되는 잉크막들로부터 광의 반사율을 높이기 위하여 서로 접하는 잉크막들 간의 굴절율의 차이는 0.1 이상일 수 있다. 또한, 광의 입사면이 되는 최상부의 잉크막은 상기 적층되는 잉크막들 중에서 가장 높은 반사율을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 본 실시예의 경우 상기 제2 잉크막(104)이 최상부의 잉크막이므로, 상기 제2 반사율은 상기 제1 반사율보다 더 높을 수 있다.
상기 발광 부재(110)는 상기 제1 잉크막(102) 상에 형성되고, 인쇄 회로 기판(100) 상에 실장될 수 있다. 상기 발광 부재(110)는 상기 제2 잉크막(104)의 개구부 내에 위치하면서 상기 인쇄 회로 기판(100)의 전극 부위와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 부재(110)는 발광 다이오드(LED)칩을 포함하는 LED 패키지 일 수 있다. 상기 LED칩은 예를들어, 사파이어 등을 포함하는 기판의 표면 상에, n형 불순물이 첨가된 GaN 등을 포함하는 n형 반도체층, 발광층 및 p형 불순물이 첨가된 GaN 등을 포함하는 p형 반도체층이 순서대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 상기 발광 부재(110)의 상부면은 광의 출사면이 될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 발광 부재(110)는 상기 인쇄 회로 기판(100)상에 복수개가 구비되고, 예를들어, 매트릭스 형상으로 배치될 수 있다.
상기 렌즈(120)는 상기 제1 잉크막(102) 상에 구비되고, 상기 발광 부재(110)를 덮을 수 있다. 상기 렌즈(120)는 상기 개구부 내부에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 렌즈(120)의 상부 표면 및 하부 표면이 반 구형을 가질 수 있다. 상기 렌즈(120)는 상기 발광 부재(110)와 이격되게 배치될 수 있다. 따라서, 상기 렌즈(120)는 상기 발광 부재(110)와 직접 접촉되지 않을 수 있다.
상기 렌즈(120)는 상기 발광 부재(110)로부터 출사되는 광을 방사상으로 균일하게 광을 확산시키는 역할을 할 수 있다. 상기 렌즈(120)는 투명 실리콘 수지를 포함할 수 있다.
설명한 것과 같이, 상기 발광 장치는 COB(chip on board)구조를 가질 수 있다.
상기와 같이 발광 부재(110)들이 상기 인쇄 회로 기판(100) 상에 매트릭스 형상으로 배열되는 경우, 상기 발광 부재들(110) 저면의 아래에는 제1 잉크막(102)이 구비될 수 있다. 또한, 상기 발광 부재들(110)을 덮는 렌즈들(120) 사이에는 적층된 제1 및 제2 잉크막(102, 104)이 구비될 수 있다.
상기 발광 부재(110)들이 위치한 부위에서 광이 출사되고, 상기 발광 부재들(110) 사이 부위(이하, 비발광 부위)에서는 광이 출사되지 않으므로 상기 인쇄 회로 기판(100)의 각 위치별로 휘도의 차이가 발생될 수 있다. 그런데, 상기 발광 부재(110)에서 출사되는 광들 중에서 일부 광들은 후방으로 진행할 수 있다. 상기 후방으로 진행되는 광들을 최대한 반사시킴으로써 상기 비발광 부위에서 출사되는 광량을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 인쇄 회로 기판(100)의 각 위치별로 광량이 균일하게 되도록 함으로써 상기 발광 장치는 균일한 휘도(luminance)를 가질 수 있다.
상기 후방으로 진행되는 광은 상기 제2 잉크막(104) 표면에서 반사되거나 또는 제2 잉크막(104) 내로 투과될 수 있다. 또한, 상기 투과된 광은 상기 제2 잉크막(104)과 제1 잉크막(102) 사이의 계면에서 재반사 되거나 또는 제1 잉크막(102)으로 투과될 수 있다. 상기 제1 및 제2 잉크막들(102, 104)은 서로 굴절율 및/또는 반사율이 다르기 때문에 상기 제2 잉크막(104)과 제1 잉크막(102) 사이의 계면에서도 재반사가 충분히 이루어질 수 있다.
이와 같이, 상기 후방으로 진행되는 광이 제2 잉크막(104) 표면 및 상기 제2 잉크막(104)과 제1 잉크막(102) 사이의 계면에서 각각 반사되므로 반사되는 광량이 크게 증가될 수 있다. 따라서, 상기 발광 장치가 균일한 휘도(luminance)를 가질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 발광 장치는 디스플레이 장치의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있으며, 이 경우 상기 디스플레이 장치의 모아레 현상 및/또는 블러 현상이 감소될 수 있다.
도 3 및 도 4는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도 및 평면도이다. 도 3은 도 4의 B-B'부위의 단면도이다.
도 3 및 4에 도시된 발광 장치는 렌즈를 포함하지 않는 것을 제외하고는 도 1에 도시된 발광 장치와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 발광 장치는 인쇄 회로 기판(100), 제1 잉크막(102), 제2 잉크막(104) 및 발광 부재(110)를 포함할 수 있다.
상기 제2 잉크막(104)은 상기 발광 부재(110)가 실장되는 부위의 상기 제1 잉크막(102)의 상부면에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 상기 제2 잉크막(104)은 상기 발광 부재(110)의 측방에 위치하는 제1 잉크막(102)을 덮도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 잉크막(104)에서 상기 발광 부재가 실장되는 부위에는 개구부가 포함될 수 있다.
상기 발광 부재(110)는 발광 다이오드(LED)칩을 포함하는 LED 패키지 일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 LED 패키지는 칩 스케일 패키지(CSP) 일 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 LED 패키지는 LED칩을 덮는 봉지재(encapsulation)를 포함할 수 있다. 상기 봉지재는 투명 실리콘 수지를 포함할 수 있다. 상기 봉지재는 상부 표면이 반 구형을 가짐으로써 렌즈의 기능을 할 수도 있다.
이하에서 설명하는 각 실시예에 따른 발광장치는 모두 렌즈를 포함한다. 그러나, 이하에서 설명하는 각 실시예에 따른 발광 장치의 경우에서도 도 3 및 도 4에 도시된 것과 유사하게 렌즈를 포함하지 않을 수 있다.
도 5는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 5에 도시된 발광 장치는 상기 제2 잉크막 상에 추가적으로 잉크막이 더 구비되는 것을 제외하고는 도 1에 도시된 발광 장치와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 5를 참조하면, 발광 장치는 인쇄 회로 기판(100), 제1 잉크막(102), 제2 잉크막(104), 제3 잉크막(106), 발광 부재(110) 및 렌즈(120)를 포함할 수 있다.
상기 제3 잉크막(106)은 상기 제2 잉크막(104) 상에 구비될 수 있다. 상기 제3 잉크막(106)은 상기 제3 잉크막(106)의 하부면에 접촉하는 잉크막과 다른 굴절율 및 다른 반사율을 가질 수 있다. 즉, 상기 제3 잉크막(106)은 상기 제2 잉크막(104)과 다른 굴절율을 가질 수 있다. 또한, 상기 제3 잉크막(106)은 상기 제2 잉크막(104)과 다른 반사율을 가질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 제3 잉크막(106)은 상기 제1 잉크막(102)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제3 잉크막(106)은 상기 제1 잉크막(102)과 다른 굴절율 및/또는 반사율을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 예시적인 실시예에서, 상기 제3 잉크막(106)은 상기 제1 잉크막(102)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제3 잉크막(106)은 상기 제1 잉크막(102)과 동일한 굴절율 및 반사율을 가질 수도 있다.
상기 제3 잉크막(106)은 상기 발광 부재(110) 및 렌즈(120)가 실장되는 부위에는 형성되지 않을 수 있다. 즉, 상기 제2 및 제3 잉크막(104, 106)에는 상기 발광 부재 및 렌즈(120)가 실장되는 부위에 개구부가 포함될 수 있다. 상기 개구부는 상기 제2 및 제3 잉크막(104, 106)을 관통할 수 있다.
상기 적층되는 각각의 잉크막들은 약 10㎛ 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 잉크막들이 적층된 잉크막 구조물의 전체 두께는 예를들어, 20㎛ 내지 120㎛일 수 있다. 또한, 상기 적층되는 잉크막들로부터 광의 반사율을 높이기 위하여 서로 접하는 잉크막들 간의 굴절율의 차이는 0.1 이상일 수 있다.
상기 적층되는 잉크막들에 의해 광의 반사율을 높이기 위하여, 최상부에 적층되는 잉크막은 상기 적층되는 잉크막들 중에서 가장 높은 반사율을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 본 실시예의 경우 상기 제3 잉크막(106)이 최상부의 잉크막이므로, 상기 제3 잉크막(106)의 반사율은 상기 적층되는 잉크막들 중에서 가장 높은 반사율을 가질 수 있다.
일부 예시적인 실시예에서, 도시하지는 않았지만, 상기 제3 잉크막(106) 상에 추가적으로 적어도 한층의 잉크막이 더 형성될 수 있다. 상기 잉크막들은 바로 아래에 형성되는 잉크막과 굴절율이 다른 막으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 잉크막들은 바로 아래에 형성되는 잉크막과 반사율이 다른 막으로 형성될 수 있다.
일 예로, 상기 제3 잉크막(106) 상에 추가로 상기 제1 내지 제3 잉크막들과 다른 굴절율 및 반사율을 가지는 형성되는 잉크막들이 적층될 수 있다. 다른 예로, 상기 제3 잉크막(106) 상에 추가로 상기 제2 잉크막 및 제3 잉크막이 교대로 적층될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 제3 잉크막(106) 상에 추가로 제1 잉크막 및 제2 잉크막이 교대로 적층될 수도 있다.
도 6, 도 7 및 도 9는 각각 예시적인 실시예에 따른 발광 장치들의 단면도들이다. 도 8은 예시적인 실시예에 따른 발광 장치들의 평면도이다.
도 7은 도 8의 C-C' 부위의 단면도이다.
도 6 내지 도 9에 도시된 각각의 발광 장치들은 제1 잉크막(102) 상에 제2 잉크막 패턴들(104a)이 형성되는 것을 제외하고는 도 1에 도시된 발광 장치와 동일할 수 있다. 도 6 내지 도 9에 도시된 각각의 발광 장치들은 제2 잉크막 패턴들(104a)의 형상 및 배치를 제외하고는 동일하다.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 발광 장치는 인쇄 회로 기판(100), 제1 잉크막(102), 제2 잉크막 패턴들(104a), 발광 부재(110) 및 렌즈(120)를 포함할 수 있다.
상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상기 제1 잉크막(102) 상에 구비될 수 있다. 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상기 발광 부재(110)의 양 측과 이격되는 부위의 상기 제1 잉크막(102)의 상부면 일부에 형성될 수 있다.
상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상기 제1 잉크막(102)과 다른 제2 굴절율을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상기 제1 잉크막(102)과 다른 제2 반사율을 가질 수 있다. 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 약 10㎛ 내지 40㎛의 두께를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 제1 잉크막 및 제2 잉크막 패턴이 적층된 구조물의 수직 방향 두께는 예를들어, 20㎛ 내지 120㎛일 수 있다.
상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상기 발광 부재(110) 및 렌즈(120)가 실장되는 부위들 사이의 제1 잉크막(102) 상부면에 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상기 렌즈(120)의 측방에 위치하는 제1 잉크막(102) 상에 형성될 수 있다.
상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상기 발광 부재(110)와 가깝게 위치한 부위와 상기 발광 부재(110)와 멀게 위치하는 부위의 광량이 균일해지도록 배치될 수 있다.
도 6에 도시된 것과 같이, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 서로 동일한 크기를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 적어도 일 방향으로 서로 균일한 간격으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 위치에 따라 크기가 다르게 형성될 수 있다. 일 예로, 도 7 및 도 8에 도시된 것과 같이, 상기 발광 부재(110)와 가깝게 위치한 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 상대적으로 크기가 더 크고 발광 부재(110)와 멀어질수록 상기 제2 잉크막 패턴들의 크기가 감소될 수 있다. 다른 예로, 도시하지는 않았지만, 상기 발광 부재와 가깝게 위치한 상기 제2 잉크막 패턴들은 상대적으로 크기가 더 작고 상기 발광 부재와 멀어질수록 제2 잉크막 패턴들의 크기가 증가될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 위치에 따라 제2 잉크막 패턴들 사이의 간격이 다르게 형성될 수 있다. 일 예로, 도 9에 도시된 것과 같이, 상기 발광 부재(110)와 가깝게 위치한 상기 제2 잉크막 패턴들(104a) 간의 간격이 상대적으로 더 크고 발광 부재(110)와 멀어질수록 패턴 간의 상기 제2 잉크막 패턴들(104a) 간의 간격이 감소될 수 있다. 이 때, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)은 서로 동일한 크기를 갖거나 또는 서로 다른 크기를 가질 수 있다. 다른 예로, 도시하지는 않았지만, 상기 발광 부재(110)와 가깝게 위치한 상기 제2 잉크막 패턴들(104a) 간의 간격이 상대적으로 더 작고 발광 부재(110)와 멀어질수록 패턴 간의 상기 제2 잉크막 패턴들(104a) 간의 간격이 커질 수 있다.
그러나, 상기 제2 잉크막 패턴들(104a)의 크기 및 간격은 이에 한정되는 것이 아니고, 반사율이 증가되도록 다양하게 변형될 수 있다.
이와 같이, 상기 발광 부재(110)로부터 후방으로 진행되는 광의 일부는 제2 잉크막 패턴(104a)의 상부면 및 상기 제2 잉크막 패턴(104a)과 제1 잉크막(102) 사이의 계면에서 각각 반사될 수 있다. 또한, 상기 발광 부재(110)로부터 후방으로 진행되는 광의 일부는 제1 잉크막(102)에서 반사될 수 있다. 상기 제2 잉크막 패턴(104a)의 크기 및 배치를 변경함으로써, 후방으로 진행되는 광이 반사되는 광량을 조절할 수 있다. 따라서, 상기 발광 장치가 균일한 휘도(luminance)를 가질 수 있다.
일부 예시적인 실시예에서, 도시하지는 않았지만, 상기 제2 잉크막 패턴(104a) 상에 추가적으로 적층된 잉크막 패턴들이 더 구비될 수 있다. 상기 잉크막 패턴들은 바로 아래에 형성되는 잉크막 패턴과 굴절율 및/또는 반사율이 다른 패턴으로 형성될 수 있다.
도 10 및 도 11은 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 단면도 및 평면도이다. 도 10은 도 11의 D-D'부위의 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 발광 장치는 인쇄 회로 기판(100), 제1 잉크막(102), 발광 부재(110), 제2 잉크막(104), 제3 잉크막 패턴(106b) 및 렌즈(120)를 포함할 수 있다.
상기 제1 잉크막(102) 상에는 상기 제2 잉크막(104)이 구비될 수 있다. 상기 제1 잉크막(102) 및 제2 잉크막(104)은 각각 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 것과 동일할 수 있다.
상기 제3 잉크막 패턴(106b)은 상기 제2 잉크막(104)과 다른 제3 굴절율을 가질 수 있다. 또한, 상기 제3 잉크막 패턴(106b)은 상기 제2 잉크막(104)과 다른 제3 반사율을 가질 수 있다.
상기 제3 잉크막 패턴(106b)은 상기 제2 잉크막(104) 상부면의 일부분을 덮을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 제3 잉크막 패턴(106b)은 상기 렌즈(120)와 제1 간격만큼 이격되면서 상기 제2 잉크막(104)을 덮을 수 있다. 이 경우, 상기 제3 잉크막 패턴(106b)은 상기 제2 잉크막(102)의 개구부의 내부폭 보다 더 큰 내부 폭을 갖는 상부 개구부를 포함할 수 있다. 상기 상부 개구부 내부에 상기 개구부가 배치될 수 있다.
도시하지는 않았지만, 상기 제3 잉크막 패턴(106b) 상에 추가적으로 잉크막 패턴들이 더 적층될 수 있다. 이 때, 추가적으로 적층되는 잉크막 패턴은 상기 제3 잉크막 패턴(106b)의 상부면의 일부분을 덮을 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 제3 잉크막 패턴(106b) 상에 형성되는 제4 잉크막 패턴은 상기 렌즈(120)와 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격만큼 이격되면서 상기 제3 잉크막 패턴(106b)을 덮을 수 있다. 따라서, 상기 잉크막 패턴들의 적층 구조는 상기 발광 부재(110)의 측방으로 계단 형상을 가질 수 있다.
도 10에 도시된 것과 같이, 상기 렌즈(120)로부터 제1 간격만큼 이격되는 제1 부위에는 상기 제1 잉크막(102) 및 제2 잉크막(104)이 적층될 수 있다. 또한, 상기 제1 부위를 제외한 상기 렌즈들 사이의 부위에는 상기 제1 잉크막(102), 제2 잉크막(104) 및 제3 잉크막 패턴(106b)이 적층될 수 있다. 이와 같이, 상기 발광 부재(110)로부터 가까운 부위에는 상대적으로 잉크막 및/또는 잉크막 패턴의 적층 수가 작고, 상기 발광 부재(110)로부터 멀어질수록 잉크막 및/또는 잉크막 패턴의 적층 수가 증가될 수 있다.
그러나, 상기 잉크막 및/또는 잉크막 패턴의 적층 수는 위치에 따라다양하게 변형될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 잉크막 상에 굴절율 및/또는 반사율이 다른 복수의 잉크막들이 적층되고, 최상부 잉크막 상에 잉크막 패턴들이 구비될 수도 있다. 상기 잉크막 패턴들은 예를들어, 도 6 내지 도 9를 참조로 설명한 것 중 하나와 같은 배치 및 크기를 가질 수 있다.
설명한 것과 같이, 인쇄 회로 기판 상에 굴절율 및 반사율이 서로 다른 잉크막 및/또는 잉크막 패턴들이 구비됨으로써, 발광 장치가 균일한 휘도를 가질 수 있다.
도 12 내지 도 14는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 도 15는 예시적인 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 플로챠트이다.
도 12 및 도 15를 참조하면, 상기 인쇄 회로 기판(100)이 마련된다. (S10)
상기 인쇄 회로 기판(100) 상에 상기 제1 잉크막(102)을 형성한다.
예시적인 실시예에서, 상기 제1 잉크막(102)은 스크린 인쇄 방식으로 상기 인쇄 회로 기판(100) 상에 형성할 수 있다. 상기 제1 잉크막(102)은 상기 인쇄 회로 기판(100) 상부면을 덮을 수 있다. 도시하지는 않았지만, 상기 제1 잉크막(102)에 의해 상기 인쇄 회로 기판(100)에서 발광 부재와 전기적으로 연결되는 전극 부위가 외부로 노출될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 제1 잉크막(102)을 형성한 이 후에, 제1 잉크막(102)을 열 또는 광을 통해 경화시키는 공정이 더 포함될 수 있다.
도 13 및 도 15를 참조하면, 상기 제1 잉크막(102) 상에 제2 잉크막(104)을 형성한다. (S20)
상기 제2 잉크막(104)은 상기 발광 부재(110) 및 렌즈(120)가 실장되는 부위의 상기 제1 잉크막(102)의 상부면에는 형성되지 않을 수 있다. 상기 제2 잉크막(104)에서 상기 발광 부재(110) 및 렌즈(120)가 실장되는 부위에는 개구부(103)가 포함될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 제2 잉크막(104)은 스크린 인쇄 방식으로 상기 제1 잉크막 상에 형성할 수 있다. 일부 예시적인 공정에서, 상기 제2 잉크막(104)은 잉크를 도포한 후 사진 공정을 통해 일부분을 제거함으로써 상기 제1 잉크막(102) 상에 형성할 수도 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 제2 잉크막(104)을 형성한 이 후에, 상기 제2 잉크막(104)을 열 또는 광을 통해 경화시키는 공정이 더 포함될 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 개구부(103)에 의해 노출되는 상기 제1 잉크막(102) 상에 상기 발광 부재(110)를 실장할 수 있다. 상기 발광 부재(110)는 상기 인쇄 회로 기판(100)의 전극과 전기적으로 접속될 수 있다. (S30)
이 후, 도 1 및 도 15를 참조하면, 상기 개구부(103)에 의해 노출되는 상기 제1 잉크막(102) 상에 상기 렌즈(120)를 실장할 수 있다.(S40)
상기 공정을 수행하면, 도 1 및 도 2에 도시된 발광 장치를 형성할 수 있다.
일부 예시적인 실시예에서, 상기 렌즈를 실장하지 않는 경우에는 도 3 및 도 4에 도시된 발광 장치를 형성할 수 있다.
도 5 내지 도 11에 도시된 발광 장치들은 상기 설명한 것과 유사한 공정들을 수행함으로써 각각 형성될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 12 및 도 13을 참조로 설명한 것과 동일한 공정을 수행하고, 상기 제2 잉크막(104) 상에 추가적으로 제3 잉크막을 더 형성할 수 있다. 이 후, 도 14 및 15를 참조로 설명한 것과 후속 공정들을 동일하게 수행함으로써, 도 5에 도시된 발광 장치를 형성할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 12를 참조로 설명한 것과 동일한 공정을 수행하고, 상기 제1 잉크막(102) 상에 제2 잉크막 패턴을 형성할 수 있다. 이 후, 이 후, 도 14 및 15를 참조로 설명한 것과 후속 공정들을 동일하게 수행함으로써, 도 6 내지 도 9에 도시된 발광 장치 중 어느 하나를 형성할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 12 및 도 13을 참조로 설명한 것과 동일한 공정을 수행하고, 상기 제2 잉크막(104) 상에 제3 잉크막 패턴을 형성할 수 있다. 이 후, 도 14 및 15를 참조로 설명한 것과 후속 공정들을 동일하게 수행함으로써, 도 10 및 도 11에 도시된 발광 장치를 형성할 수 있다.
도 16은 예시적인 실시예에 따른 액정 표시 모듈을 나타내는 단면도이다.
상기 액정 표시 모듈은 액정 패널(240), 백라이트 유닛 및 하부 커버(200)를 구비한다.
상기 하부 커버(200)는 백라이트 유닛에 포함되는 발광 장치를 수납하고, 확산판(202), 다수의 광학 시트(230)를 지지한다.
상기 액정 패널(240)은 백라이트 유닛을 통해 출사된 광을 이용하여 화상을 구현한다. 이를 위해, 상기 액정 패널(240)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(242) 및 박막 트랜지스터 기판(244)을 구비한다.
상기 백라이트 유닛은 액정 패널(240)의 하부에 배치되며, 액정 패널(240)에 광을 제공한다. 이를 위해, 백라이트 유닛은 상기 발광 장치, 확산판(202) 및 다수의 광학 시트(230)를 구비한다.
상기 발광 장치는 예를들어, 도 1 내지 도 11에 도시된 발광 장치 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 발광 장치는 인쇄 회로 기판(100), 제1 잉크막(102), 제2 잉크막(104), 발광 부재(110) 및 렌즈(120)를 포함할 수 있다. 상기 발광 장치는 상기 발광 부재(110)에서 생성된 광을 상기 확산판(202)으로 조사할 수 있다. 상기 발광 부재(110)는 인쇄 회로 기판(100)에 실장되어 외부로부터 전원을 인가받아 구동되며 광을 생성할 수 있다.
상기 인쇄 회로 기판(100)은 상기 확산판(202)과 마주보도록 하부 커버(200)의 바닥면에 배치될 수 있다. 상기 인쇄 회로 기판(100)에는 외부로부터 구동 전원이 공급되는 구동 전원 라인이 형성된다. 상기 인쇄 회로 기판(100)은 구동 전원 라인을 통해 외부로부터 공급되는 구동 전원을 발광 부재(110) 각각에 공급함으로써 상기 발광 부재들(110)을 발광시킬 수 있다.
상기 인쇄 회로 기판(100) 상에는 형성되는 제1 및 제2 잉크막(102,104)은 서로 다른 굴절율 및/또는 반사율을 가짐으로써, 상기 발광 부재(110)로부터 하부 커버(200) 쪽으로 진행하는 광을 상기 액정 패널(240)쪽으로 반사시켜 광효율을 향상시킬 수 있다.
상기 확산판(202)은 발광 부재(110)에서 출사된 광이 균일한 분포를 가지도록 확산시켜 다수의 광학 시트(230)에 조사할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 상기 광학 시트(230)는 집광시트(132), 확산시트(134) 및 편광시트(136)를 포함할 수 있다. 상기 확산판(202)에서 출사된 광은 상기 광학 시트(230)에 의해 액정 패널(240)의 정면 방향으로 향하도록 액정 패널(240)에 조사될 수 있다.
상기 액정 표시 모듈에 포함되는 발광 장치는 균일한 휘도(luminance)를 가질 수 있다. 따라서, 액정 표시 모듈은 모아레 현상 및/또는 블러 현상이 감소될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 인쇄 회로 기판 102 : 제1 잉크막
104 : 제2 잉크막 104a : 제2 잉크막 패턴
106 : 제3 잉크막 106b : 제3 잉크막 패턴
110 : 발광 부재 120 : 렌즈
200 : 하부 커버 230 : 광학 시트
240 : 액정 패널

Claims (10)

  1. 인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판을 덮고, 제1 굴절율을 갖는 제1 잉크막;
    상기 제1 잉크막 상에 구비되는 발광 부재;
    상기 제1 잉크막 상에, 상기 발광 부재로부터 이격되게 배치되고 상기 제1 굴절율과 다른 제2 굴절율을 갖는 제2 잉크막을 포함하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 잉크막 상에, 상기 발광 부재로부터 이격되게 배치되어 상기 발광 부재를 덮고, 상부 및 하부 표면이 반 구형을 가지는 렌즈를 더 포함하는 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2 잉크막은 상기 렌즈의 측방에 위치하는 상기 제1 잉크막 상에 구비되는 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 잉크막은 제1 반사율을 갖고, 상기 제2 잉크막은 상기 제1 반사율과 다른 제2 반사율을 갖는 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 굴절율 및 제2 굴절율 간의 차이는 0.1 이상인 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 잉크막 및 제2 잉크막은 각각 1㎛ 내지 4㎛의 두께를 갖는 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 잉크막 상에 추가적으로 적층된 적어도 하나의 잉크막이 더 포함되고, 각 잉크막은 바로 아래에 위치하는 잉크막과 다른 굴절율을 갖는 발광 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 추가적으로 적층된 적어도 하나의 잉크막에서 최상부의 잉크막은 적층된 제1 잉크막, 제2 잉크막 및 추가 적층된 잉크막들 중에서 가장 높은 반사율을 갖는 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2 잉크막은 상기 발광 부재로부터 이격되는 부위의 상기 제1 잉크막의 전면 또는 일부면을 덮는 형상을 갖는 발광 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2 잉크막 상에 상기 제2 잉크막 상부면 일부를 덮고, 상기 제2 굴절율과 다른 제3 굴절율을 갖는 제3 잉크막 패턴들을 더 포함하는 발광 장치.
KR1020200055376A 2020-05-08 2020-05-08 발광 장치 KR20210136720A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200055376A KR20210136720A (ko) 2020-05-08 2020-05-08 발광 장치
US17/077,302 US11650458B2 (en) 2020-05-08 2020-10-22 Light emitting device with light emitting members on printed circuit board substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200055376A KR20210136720A (ko) 2020-05-08 2020-05-08 발광 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210136720A true KR20210136720A (ko) 2021-11-17

Family

ID=78413140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200055376A KR20210136720A (ko) 2020-05-08 2020-05-08 발광 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11650458B2 (ko)
KR (1) KR20210136720A (ko)

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4049186B2 (ja) 2006-01-26 2008-02-20 ソニー株式会社 光源装置
KR100861123B1 (ko) 2007-02-05 2008-09-30 (주)플렉스라인 비엘유용 연성 인쇄회로기판 및 비엘유
JP4107349B2 (ja) 2007-06-20 2008-06-25 ソニー株式会社 光源装置、表示装置
US8472118B2 (en) * 2008-05-13 2013-06-25 Franck Guigan Printed optical members
KR101700902B1 (ko) 2009-06-30 2017-01-31 서울반도체 주식회사 발광장치
US20120138874A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor
JP5496072B2 (ja) 2010-12-09 2014-05-21 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
EP2766656A4 (en) * 2011-10-14 2015-06-17 3M Innovative Properties Co LENS ARRANGEMENT FOR REMOTE PHOSPHORUS LED DEVICE
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
JPWO2013150882A1 (ja) * 2012-04-06 2015-12-17 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
JP6192987B2 (ja) 2012-06-12 2017-09-06 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置
KR101987339B1 (ko) 2012-12-17 2019-06-10 엘지이노텍 주식회사 후측방 경보모듈
US10252674B2 (en) 2012-12-17 2019-04-09 Lg Innotek Co., Ltd. Blind spot detection module
KR102127967B1 (ko) * 2013-05-08 2020-06-29 엘지이노텍 주식회사 백라이트 유닛
EP3499302B1 (en) 2014-12-03 2020-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device and display device using the same
KR102375229B1 (ko) * 2015-02-04 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6659993B2 (ja) * 2015-07-27 2020-03-04 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用のフレキシブル基板
CN105353555B (zh) * 2015-12-08 2018-08-14 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制作方法
JP6524904B2 (ja) 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20180020460A (ko) * 2016-08-18 2018-02-28 서울반도체 주식회사 발광 모듈 및 렌즈
CN106775076B (zh) * 2016-12-07 2019-09-13 Oppo广东移动通信有限公司 一种面板及移动终端
JP2018207048A (ja) 2017-06-08 2018-12-27 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用のフレキシブル基板
KR101794918B1 (ko) 2017-06-26 2017-11-07 주식회사 이에스테크 플립칩형 발광다이오드 기판의 반사층 형성 방법
CN207584473U (zh) * 2017-07-11 2018-07-06 深圳市兆码电子有限公司 一种应用于反射式灯条的pcb基板及反射式灯条
JP6956799B2 (ja) * 2017-11-02 2021-11-02 富士フイルム株式会社 インクセット
KR20200092195A (ko) * 2019-01-24 2020-08-03 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR102217458B1 (ko) 2019-04-24 2021-02-22 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
KR102130668B1 (ko) 2019-05-10 2020-07-06 엘지이노텍 주식회사 조명장치

Also Published As

Publication number Publication date
US11650458B2 (en) 2023-05-16
US20210351165A1 (en) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102339163B1 (ko) 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈
TWI546984B (zh) 發光元件模組
JP5797393B2 (ja) 発光素子パッケージ
EP2337072B1 (en) Light emitting device and light unit using the same
CN110794614B (zh) 发光模块
JP2020087889A (ja) 発光モジュール
KR20130022074A (ko) 발광 모듈 및 백라이트 유닛
TWI750476B (zh) 發光裝置及面發光光源
JP6703312B2 (ja) 発光モジュールおよび面発光光源
KR20140064393A (ko) 백라이트 유닛
KR20110084788A (ko) 라이트 유닛 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US11990499B2 (en) Display apparatus and method of fabricating the same
JP6928289B2 (ja) 発光モジュール
JP7460937B2 (ja) 面状光源及びその製造方法
WO2020116457A1 (ja) 面状発光装置
KR20140133765A (ko) 광원 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛
US11506933B2 (en) Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device
KR101323401B1 (ko) 광원소자, 그 제조방법, 이를 구비한 백라이트 유닛 및액정표시장치
KR20210136720A (ko) 발광 장치
KR20150086759A (ko) 광원 모듈과 이를 구비한 백라이트 유닛 및 조명 장치
JP7153850B2 (ja) 面発光光源
JP7451085B2 (ja) チップスケール線状発光装置
KR20120053412A (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR101824434B1 (ko) 발광소자 패키지, 이를 포함하는 조명시스템 및 영상표시장치
JP7068594B2 (ja) 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール