KR20210130652A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210130652A
KR20210130652A KR1020210051129A KR20210051129A KR20210130652A KR 20210130652 A KR20210130652 A KR 20210130652A KR 1020210051129 A KR1020210051129 A KR 1020210051129A KR 20210051129 A KR20210051129 A KR 20210051129A KR 20210130652 A KR20210130652 A KR 20210130652A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
substrate
inspection
processing unit
workpiece
Prior art date
Application number
KR1020210051129A
Other languages
English (en)
Inventor
타쿠야 모리
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20210130652A publication Critical patent/KR20210130652A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • B25J19/02—Sensing devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

처리 결과의 신뢰성 향상과 스루풋을 양립시킨다. 본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 정해진 처리를 실시하는 처리 유닛과, 기판을 유지하는 유지부를 가지고, 기판을 유지한 유지부를 변위시킴으로써 처리 유닛에 대한 기판의 반입반출을 행하는 반송 유닛과, 처리 유닛의 밖에 있어서, 유지부에 유지되어 있는 기판의 표면 상태를 나타내는 정보를 취득하는 기판 검사 유닛을 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 기판 상에 형성된 막의 막 두께를 측정하는 막 두께 측정 장치가 개시되어 있다. 이 막 두께 측정 장치는, 기판 표면을 촬상하는 촬상 장치와, 막 두께 측정 대상이 되는 기판의 촬상 화상의 화소값에 기초하여, 기판 상에 형성된 막의 막 두께를 산출하는 막 두께 산출부를 가지고 있다. 이 막 두께 측정 장치를 구비하는 기판 처리 시스템(기판 처리 장치)에서는, 촬상 화상에 기초하는 막 두께 측정에 의해 기판의 검사가 행해지고 있다.
일본특허공개공보 2015-215193호
본 개시는 처리 결과의 신뢰성 향상과 스루풋과의 양립에 유용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 정해진 처리를 실시하는 처리 유닛과, 기판을 유지하는 유지부를 가지고, 기판을 유지한 유지부를 변위시킴으로써 처리 유닛에 대한 기판의 반입반출을 행하는 반송 유닛과, 처리 유닛의 밖에 있어서, 유지부에 유지되어 있는 기판의 표면 상태를 나타내는 정보를 취득하는 기판 검사 유닛을 구비한다.
본 개시에 따르면, 처리 결과의 신뢰성 향상과 스루풋과의 양립에 유용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공된다.
도 1은 기판 처리 시스템의 일례를 나타내는 모식적인 사시도이다.
도 2는 도포 현상 장치의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3은 처리 모듈의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 4는 반송 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 5는 제어 장치의 기능 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 6은 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 7은 도포 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 8은 처리 유닛으로의 반입 시의 검사 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 9는 처리 유닛으로부터의 반출 시의 검사 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 10은 반송 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 11은 처리 유닛으로의 반입 시의 검사 처리의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 12의 (a)는 반송 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 12의 (b)는 반송 유닛의 일례를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
이하, 도면을 참조하여 일실시 형태에 대하여 설명한다. 설명에 있어서 동일 요소 또는 동일 기능을 가지는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.
[기판 처리 시스템]
도 1에 나타나는 기판 처리 시스템(1)은, 워크(W)에 대하여, 감광성 피막의 형성, 당해 감광성 피막의 노광, 및 당해 감광성 피막의 현상을 실시하는 시스템이다. 처리 대상의 워크(W)는, 예를 들면 기판, 혹은 정해진 처리가 실시됨으로써 막 또는 회로등이 형성된 상태의 기판이다. 워크(W)에 포함되는 기판은, 일례로서, 실리콘을 포함하는 웨이퍼이다. 워크(W)(기판)는 원형으로 형성되어 있어도 된다. 처리 대상인 워크(W)는 글라스 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 되고, 이들 기판 등에 정해진 처리가 실시되어 얻어지는 중간체여도 된다. 감광성 피막은, 예를 들면 레지스트막이다.
기판 처리 시스템(1)은, 도포·현상 장치(2)와 노광 장치(3)를 구비한다. 노광 장치(3)는, 워크(W)(기판)에 형성된 레지스트막(감광성 피막)을 노광하는 장치이다. 구체적으로, 노광 장치(3)는, 액침 노광 등의 방법에 의해 레지스트막의 노광 대상 부분에 에너지선을 조사한다. 도포·현상 장치(2)는, 노광 장치(3)에 의한 노광 처리 전에, 워크(W)의 표면에 레지스트(약액)를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 처리 후에 레지스트막의 현상 처리를 행한다.
<기판 처리 장치>
이하, 기판 처리 장치의 일례로서, 도포·현상 장치(2)의 구성을 설명한다. 도 1 및 도 2에 나타나는 바와 같이, 도포·현상 장치(2)는, 캐리어 블록(4)과 처리 블록(5)과 인터페이스 블록(6)과 제어 장치(100)를 구비한다.
캐리어 블록(4)은, 도포·현상 장치(2) 내로의 워크(W)의 도입 및 도포·현상 장치(2) 내로부터의 워크(W)의 도출을 행한다. 예를 들면 캐리어 블록(4)은, 워크(W)용의 복수의 캐리어(C)를 지지 가능하며, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A1)를 내장하고 있다. 캐리어(C)는, 예를 들면 원형의 복수 매의 워크(W)를 수용한다. 반송 장치(A1)는, 캐리어(C)로부터 워크(W)를 취출하여 처리 블록(5)으로 전달하고, 처리 블록(5)으로부터 워크(W)를 수취하여 캐리어(C) 내로 되돌린다. 처리 블록(5)은 처리 모듈(11, 12, 13, 14)을 가진다.
처리 모듈(11)은, 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(11)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 워크(W)의 표면 상에 하층막을 형성한다. 액 처리 유닛(U1)은, 하층막 형성용의 처리액을 워크(W) 상에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 하층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 처리 모듈(11)은, 검사 유닛(U3)(처리 유닛)을 더 가져도 된다. 검사 유닛(U3)은, 워크(W)의 상태를 취득하여 당해 워크(W)의 검사를 행한다. 검사 유닛(U3)은, 예를 들면, 하층막의 형성 전의 워크(W)에 있어서의 표면, 이면, 또는 주연부를 카메라에 의해 촬상하고, 카메라에 의한 촬상 화상을 제어 장치(100)에 출력한다.
처리 모듈(12)은, 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(12)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 하층막 상에 레지스트막을 형성한다. 액 처리 유닛(U1)은, 레지스트막 형성용의 처리액(레지스트)을 하층막 상에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 레지스트막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(13)은, 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(13)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해 레지스트막 상에 상층막을 형성한다. 액 처리 유닛(U1)은, 상층막 형성용의 처리액을 레지스트막 상에 도포한다. 열 처리 유닛(U2)은, 상층막의 형성에 수반하는 각종 열 처리를 행한다.
처리 모듈(14)은, 액 처리 유닛(U1)과, 열 처리 유닛(U2)과, 이들 유닛으로 워크(W)를 반송하는 반송 장치(A3)를 내장하고 있다. 처리 모듈(14)은, 액 처리 유닛(U1) 및 열 처리 유닛(U2)에 의해, 노광 처리가 실시된 레지스트막의 현상 처리 및 현상 처리에 수반하는 열 처리를 행한다. 액 처리 유닛(U1)은, 노광이 끝난 워크(W)의 표면 상에 현상액을 도포한 후, 이를 린스액에 의해 씻어냄으로써, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 열 처리 유닛(U2)은, 현상 처리에 수반하는 각종 열 처리를 행한다. 열 처리의 구체예로서는, 현상 처리 전의 가열 처리(PEB：Post Exposure Bake), 현상 처리 후의 가열 처리(PB：Post Bake) 등을 들 수 있다. 처리 모듈(14)은, 검사 유닛(U3)을 더 가져도 된다. 검사 유닛(U3)은, 예를 들면 현상 처리 후(PB 후)의 워크(W)의 표면, 이면 또는 주연부를 카메라에 의해 촬상하고, 카메라에 의한 촬상 화상을 제어 장치(100)에 출력한다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 캐리어 블록(4)측에는 선반 유닛(U10)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U10)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 암을 포함하는 반송 장치(A7)가 마련되어 있다. 반송 장치(A7)는 선반 유닛(U10)의 셀끼리의 사이에서 워크(W)를 승강시킨다.
처리 블록(5) 내에 있어서의 인터페이스 블록(6)측에는 선반 유닛(U11)이 마련되어 있다. 선반 유닛(U11)은, 상하 방향으로 배열되는 복수의 셀로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10, U11)은, 워크(W)에 다음의 처리를 행하기 위하여 당해 워크(W)를 대기시키므로(버퍼로서 기능하므로), 이들 선반 유닛(U10, U11)도 워크(W)에 대하여 처리를 실시하는 처리 유닛에 해당한다.
인터페이스 블록(6)은, 노광 장치(3)와의 사이에서 워크(W)의 전달을 행한다. 예를 들면 인터페이스 블록(6)은, 전달 암을 포함하는 반송 장치(A8)를 내장하고 있으며, 노광 장치(3)에 접속된다. 반송 장치(A8)는, 선반 유닛(U11)에 배치된 워크(W)를 노광 장치(3)로 전달한다. 반송 장치(A8)는, 노광 장치(3)로부터 워크(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 되돌린다.
<반송 장치>
이어서, 도 3 및 도 4를 참조하여, 처리 모듈(12)에 있어서의 반송 장치(A3)의 일례에 대하여 상세하게 설명한다. 반송 장치(A3)(반송 유닛)는, 처리 모듈(12) 내에 있어서, 워크(W)를 유지한 상태로 당해 워크(W)를 반송한다. 반송 장치(A3)는, 처리 모듈(12)에 포함되는 복수의 처리 유닛의 사이에서 워크(W)를 반송하기 위하여, 복수의 처리 유닛의 밖에 있어서 워크(W)를 반송한다. 처리 유닛의 밖이란, 처리 모듈(12) 중 복수의 처리 유닛의 내부 공간(예를 들면, 처리 유닛의 하우징으로 둘러싸인 공간) 이외의 영역이다. 도 3에 예시된 처리 모듈(12)에서는, 복수의 액 처리 유닛(U1)이, 수평인 일방향을 따라 나란히 배치되어 있다. 이하에서는, 복수의 액 처리 유닛(U1)이 배열되는 방향을 '방향(D1)'이라 하고, 방향(D1)에 수직인 방향을 '방향(D2)'이라 하여 설명한다. 반송 장치(A3)는, 적어도 방향(D1, D2)을 따라 워크(W)를 이동시키도록 구성되어 있다.
반송 장치(A3)는 유지 암(20)(유지부)을 가진다. 유지 암(20)은 워크(W)를 유지하도록 구성되어 있다. 유지 암(20)은 워크(W)의 일방의 주면(Wa)이 상방을 향하도록 유지한다. 주면(Wa)은, 액 처리 유닛(U1)에 있어서 레지스트의 도포막이 형성되는 면이다. 유지 암(20)은, 워크(W)의 주연을 둘러싸고, 워크(W)의 주면(Wa)과는 반대측의 주면(Wb)(이면)의 주연부를 지지하도록 형성되어 있어도 된다. 반송 장치(A3)는, 워크(W)를 유지한 유지 암(20)을 변위시킴으로써 액 처리 유닛(U1)에 대한 워크(W)의 반입반출을 행한다. 즉, 반송 장치(A3)는, 유지 암(20)을 변위시킴으로써 하나의 액 처리 유닛(U1)으로 워크(W)를 반입하고, 유지 암(20)을 변위시킴으로써 당해 액 처리 유닛(U1)으로부터 워크(W)를 반출한다. 반송 장치(A3)는, 복수의 액 처리 유닛(U1)에 대하여 복수의 워크(W)에 대한 반입반출을 각각 행해도 된다.
반송 장치(A3)는, 예를 들면 제 1 구동 유닛(30)(제 1 구동 유닛)과, 제 2 구동 유닛(50)(제 2 구동 유닛)을 더 가진다. 제 1 구동 유닛(30)은, 유지 암(20)을 적어도 방향(D2)(제 1 방향)을 따라 이동시키도록 구성되어 있다. 제 1 구동 유닛(30)은, 예를 들면 도 4에 나타나는 바와 같이, 구동부(32)와, 회전 구동부(46)와, 기대(48)를 가진다.
구동부(32)는, 모터 등의 동력원에 의해, 수평인 일방향을 따라 유지 암(20)을 왕복 이동시키도록 구성된 액츄에이터이다. 구동부(32)는, 적어도 방향(D2)을 따라 유지 암(20)을 이동시킨다(왕복 이동시킨다). 구동부(32)가 유지 암(20)을 방향(D2)으로 변위시킴으로써, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 방향(D2)을 따라 이동한다.
구동부(32)는, 예를 들면 도 4에 나타나는 바와 같이, 하우징(34)과, 슬라이드 부재(36)와, 풀리(38a, 38b)와, 벨트(42)와, 모터(44)를 포함한다. 하우징(34)은, 구동부(32)에 포함되는 각 요소를 수용한다. 하우징(34)의 상벽에는 개구(34a)가 마련되어 있다. 슬라이드 부재(36)는, 하우징(34)에 대하여 이동 가능하게 마련되어 있다. 슬라이드 부재(36)는, 예를 들면 연직 방향을 따라 연장되도록 형성되어 있다. 슬라이드 부재(36)의 하단부는, 하우징(34) 내에 있어서 벨트(42)에 접속되어 있다. 슬라이드 부재(36)의 상단부는, 개구(34a)를 통하여 하우징(34) 밖으로 돌출되어 있고, 슬라이드 부재(36)의 상단부에는 유지 암(20)의 기단부가 접속되어 있다. 풀리(38a, 38b)는 각각, 방향(D2)에 있어서의 하우징(34) 내의 각 단부에 배치되어 있다. 풀리(38a, 38b)는 각각, 방향(D1)을 따르는 회전축 둘레로 회전 가능하게 하우징(34) 내에 마련되어 있다.
벨트(42)는, 풀리(38a, 38b)에 걸쳐져 있다. 벨트(42)는, 예를 들면 타이밍 벨트이다. 모터(44)는, 회전 토크를 발생시키는 동력원이다. 모터(44)는, 예를 들면 서보 모터이다. 모터(44)에 의한 토크(구동력)가 풀리(38a)에 전달되면, 풀리(38a, 38b)에 걸쳐진 벨트(42)가, 방향(D2)을 따라 이동한다. 이에 의해, 슬라이드 부재(36)도 방향(D2)으로 이동한다(유지 암(20)이 방향(D2)으로 변위한다).
회전 구동부(46)는, 예를 들면 모터 등의 동력원에 의해, 구동부(32)를 연직인 회전축 둘레로 회전시키도록 구성된 회전 액츄에이터이다. 회전 구동부(46)는, 구동부(32)를 지지하고 있다. 회전 구동부(46)에 의해 구동부(32)가 회전함으로써, 구동부(32)에 의한 유지 암(20)의 이동 방향(방향(D2)에 대한 각도)이 변화한다. 기대(48)는, 회전 구동부(46) 및 구동부(32)를 지지하는 부재이다. 회전 구동부(46)는, 기대(48) 상에 마련되어 있고, 기대(48)는, 예를 들면 방향(D2)을 따라 연장되도록 형성되어 있다. 기대(48)의 방향(D2)에 있어서의 일단은, 제 2 구동 유닛(50)에 접속되어 있다.
이상 설명한 제 1 구동 유닛(30)(구동부(32))은, 하우징(34)에 대한 유지 암(20)의 상대 위치가 변화하도록, 유지 암(20)을 이동시킨다. 구동부(32)는, 예를 들면 방향(D2)에 있어서, 유지 암(20)의 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치와, 기대(48)의 외방에 있어서 유지 암(20)의 선단부와 기대(48)가 중첩되지 않는 위치와의 사이에서, 유지 암(20)을 이동시킨다.
도 3으로 돌아와, 제 2 구동 유닛(50)은, 모터 등의 동력원에 의해, 제 1 구동 유닛(30)을 수평인 일방향으로 왕복 이동시키도록 구성된 액츄에이터를 포함한다. 제 2 구동 유닛(50)은, 예를 들면 도 3에 나타나는 바와 같이, 제 1 구동 유닛(30)을 방향(D1)(제 2 방향)을 따라 이동시킨다. 이에 의해, 제 1 구동 유닛(30)에 마련되어 있는 유지 암(20)이 방향(D1)에 있어서 변위하여, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 방향(D1)으로 이동한다.
제 2 구동 유닛(50)은, 예를 들면, 하우징(52)과, 슬라이드 부재(54)와, 가이드 레일(56)과, 풀리(58a, 58b)와, 벨트(62)와, 모터(64)를 포함한다. 하우징(52)은, 제 2 구동 유닛(50)에 포함되는 각 요소를 수용한다. 하우징(52) 중 복수의 액 처리 유닛(U1)과 대향하는 벽에는, 개구(52a)가 마련되어 있다.
슬라이드 부재(54)는, 하우징(52)에 대하여 이동 가능하게 마련되어, 제 1 구동 유닛(30)(기대(48))을 지지하는 부재이다. 슬라이드 부재(54)는, 예를 들면, 방향(D2)을 따라 연장되도록 형성되어 있다. 슬라이드 부재(54)의 기단부는, 하우징(52) 내에 있어서 가이드 레일(56) 및 벨트(62)에 접속되어 있다. 슬라이드 부재(54)의 선단부는, 개구(52a)를 통하여 하우징(52) 밖으로 돌출되어 있다. 슬라이드 부재(54)의 선단부에는, 제 1 구동 유닛(30)의 기대(48)의 일단부가 접속되어 있다. 가이드 레일(56)은, 방향(D1)(하우징(52)의 폭방향)을 따라 직선 형상으로 연장되도록 하우징(52) 내에 마련되어 있다.
풀리(58a, 58b)는 각각, 방향(D1)에 있어서의 하우징(52)의 각 단부에 배치되어 있다. 풀리(58a, 58b)는 각각, 방향(D2)을 따르는 회전축 둘레로 회전 가능하게 하우징(52) 내에 마련되어 있다. 벨트(62)는, 풀리(58a, 58b)에 걸쳐져 있다. 벨트(62)는, 예를 들면 타이밍 벨트이다. 모터(64)는, 회전 토크를 발생시키는 동력원이다. 모터(64)는, 예를 들면 서보 모터이다. 모터(64)는, 풀리(58a)에 접속되어 있다. 모터(64)에 의한 토크(구동력)가 풀리(58a)에 전달되면, 풀리(58a, 58b)에 걸쳐진 벨트(62)가 방향(D1)을 따라 이동한다. 이에 의해, 슬라이드 부재(54)(제 1 구동 유닛(30))도, 방향(D1)을 따라 왕복 이동한다. 슬라이드 부재(54)(제 1 구동 유닛(30))가 방향(D1)을 따라 이동함으로써, 제 1 구동 유닛(30)도 방향(D1)을 따라 이동한다.
여기서, 복수의 액 처리 유닛(U1) 중 하나의 액 처리 유닛(U1)에 대한 워크(W)의 반입반출에 수반하는 반송 장치(A3)의 반송 동작에 대하여 설명한다. 반송 장치(A3)는, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 대상의 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로부터 수취하면, 회전 구동부(46)에 의해, 구동부(32)의 하우징(34)(벨트(42))이 연장되는 방향이 방향(D2)을 따르도록 구동부(32)를 회전시킨다. 그리고 반송 장치(A3)는, 제 2 구동 유닛(50)에 의해, 유지 암(20)(워크(W))이 액 처리 유닛(U1)과 방향(D2)에 있어서 대향하는 위치(방향(D2)에 있어서 배열되는 위치)까지 유지 암(20)을 이동시킨다. 이하, 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치에 위치한 상태의 유지 암(20)과 반송처의 액 처리 유닛(U1)이 방향(D2)에 있어서 대향하는 유지 암(20)(워크(W))의 위치를 '대향 위치'라 한다.
이 후, 반송 장치(A3)는, 제 1 구동 유닛(30)의 구동부(32)에 의해, 대향 위치로부터 액 처리 유닛(U1) 내까지 워크(W)를 반송하도록, 유지 암(20)을 방향(D2)을 따라 이동시킨다. 예를 들면 구동부(32)는, 방향(D2)을 따라, 유지 암(20)의 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치로부터, 당해 선단부가 기대(48)와 중첩되지 않는 위치까지 유지 암(20)을 이동시킨다. 반송 장치(A3)는, 액 처리 유닛(U1)으로 워크(W)를 전달한 후에, 구동부(32)에 의해, 워크(W)를 유지하고 있지 않은 유지 암(20)을 방향(D2)을 따라 대향 위치까지 이동시킨다.
반송 장치(A3)는, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 후의 워크(W)를 수취하기 위하여, 구동부(32)에 의해, 워크(W)를 유지하고 있지 않은 유지 암(20)을 대향 위치로부터 액 처리 유닛(U1) 내로 이동시킨다. 반송 장치(A3)는, 액 처리 유닛(U1)으로부터 워크(W)를 수취한 후에, 구동부(32)에 의해 유지 암(20)을 액 처리 유닛(U1) 내로부터 대향 위치까지 이동시킨다. 예를 들면, 구동부(32)는, 방향(D2)을 따라, 유지 암(20)의 선단부가 기대(48)와 중첩되지 않는 위치로부터, 당해 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치까지 유지 암(20)을 이동시킨다. 이 후, 반송 장치(A3)는, 회전 구동부(46)에 의해 구동부(32)를 회전시키는 것, 또는 제 2 구동 유닛(50)에 의해 제 1 구동 유닛(30)을 방향(D1)으로 이동시킴으로써, 대향 위치로부터 워크(W)를 다음의 처리(예를 들면, 열 처리 유닛(U2)에서의 열 처리)를 향해 반송한다.
<기판 검사 유닛>
처리 모듈(12)은, 도 3에 나타나는 바와 같이 기판 검사 유닛(70)을 더 구비한다. 기판 검사 유닛(70)은, 처리 모듈(11)의 검사 유닛(U3)에 의한 검사와, 처리 모듈(14)의 검사 유닛(U3)에 의한 검사와의 사이에 있어서, 도포 현상 처리의 도중 단계의 워크(W)의 검사에 이용된다. 기판 검사 유닛(70)은, 액 처리 유닛(U1) 등의 처리 유닛의 밖에 있어서, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 표면 상태를 나타내는 정보(이하, '표면 정보'라 함)를 취득한다. 기판 검사 유닛(70)은, 워크(W)의 표면 정보로서, 당해 워크(W)를 촬상하여 얻어지는 화상 정보를 취득해도 된다.
기판 검사 유닛(70)에 의한 검사 대상인 상기 표면 상태는, 워크(W)의 외표면 중 어느 영역의 상태여도 된다. 예를 들면, 표면 상태는, 워크(W)의 주면(Wa)의 적어도 일부의 상태여도 되고, 워크(W)의 주면(Wa)과 반대측의 주면(Wb)의 적어도 일부의 상태여도 되며, 워크(W)의 주면(Wa, Wb)을 접속하는 측면(Wc)의 적어도 일부의 상태여도 된다. 표면 상태는, 워크(W)의 주면(Wa, Wb) 및 측면(Wc) 중 2 개 이상을 포함하는 영역의 적어도 일부의 상태여도 된다. 일례로서, 기판 검사 유닛(70)은, 주면(Wa) 전역의 상태를 나타내는 표면 정보를 취득한다.
기판 검사 유닛(70)은, 반송 장치(A3)에 마련되어 있어도 된다. 기판 검사 유닛(70)은, 예를 들면 반송 장치(A3)의 제 1 구동 유닛(30)에 마련되어 있다. 기판 검사 유닛(70)은, 워크(W)의 표면을 촬상 가능한 센서(72)(카메라)를 가져도 된다. 센서(72)는, 반송 장치(A3)에 마련되어 있어도 된다. 일례로서, 센서(72)는, 고정 부재(74)를 개재하여 구동부(32)의 하우징(34)에 고정(접속)되어 있다. 센서(72)가 하우징(34)에 고정되어 있음으로써, 반송 장치(A3)의 제 2 구동 유닛(50)에 의한 유지 암(20)의 이동에 수반하여, 센서(72)도 방향(D1)을 따라 이동한다. 한편, 반송 장치(A3)의 제 1 구동 유닛(30)(구동부(32))에 의해 유지 암(20)이 이동해도 센서(72)는 이동하지 않는다. 즉, 구동부(32)에 의한 유지 암(20)의 이동에 수반하여, 센서(72)에 대한 유지 암(20)(유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W))의 상대 위치가 변화한다.
유지 암(20)의 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치에 배치된 상태에 있어서, 센서(72)는, 워크(W)(유지 암(20))와 액 처리 유닛(U1)과의 사이에 위치하도록 마련된다. 센서(72)는, 유지 암(20)이 유지하고 있는 워크(W)보다 위에 배치되어도 된다. 센서(72)는, 예를 들면 자신의 하방에 위치하는 영역을 촬상 가능한 시야를 가진다. 이하, 센서(72)의 촬상 가능한 영역을 '취득 영역(AR)'이라 칭한다. 즉, 취득 영역(AR)은, 기판 검사 유닛(70)에 의해 표면 정보가 취득 가능한 영역이다.
센서(72)는, 화소가 일차원 배열된 촬상 소자에 의해, 라인 형상의 취득 영역(AR)으로부터 정보(화상 정보)를 취득하는 라인 센서(라인 센서식의 카메라)여도 된다. 센서(72)에 의한 취득 영역(AR)은, 방향(D1)을 따라 연장되어 있어도 된다(촬상 소자가 방향(D1)으로 나란히 배열되어 있어도 된다). 일례로서, 취득 영역(AR)의 방향(D1)에 있어서의 폭은 워크(W)와 동일한 정도이거나, 워크(W)보다 커도 된다. 이 경우, 반송 장치(A3)의 제 1 구동 유닛(30)(구동부(32))에 의해 유지 암(20)이 방향(D2)으로 이동할 시에, 워크(W)의 주면(Wa)의 전역이 취득 영역(AR)을 통과하도록, 센서(72)가 배치되어 있어도 된다. 기판 검사 유닛(70)은, 취득 영역(AR)에 광을 조사 가능한 광원(라인 형상으로 배치된 복수의 광원)을 더 가지고 있어도 된다.
<환경 검사 유닛>
처리 모듈(12)은, 액 처리 유닛(U1) 등의 처리 유닛 내의 상태를 나타내는 정보(이하, '환경 정보'라 함)를 취득하는 환경 검사 유닛(80)을 더 구비해도 된다. 환경 검사 유닛(80)은, 예를 들면 상기 환경 정보를 취득하는 센서(82)를 가진다. 센서(82)가 취득하는 환경 정보에는, 처리 유닛에서의 워크(W)의 처리 결과에 영향을 미치는 정보가 포함된다. 예를 들면, 센서(82)에 의해 검출되는 환경 정보에는, 처리 유닛 내의 적외선(적외선의 방사 에너지), 온도, 습도, 기압, 유닛 내의 부재의 각도(자세), 진동, 또는 유닛 내의 열판의 온도 등이 포함된다. 센서(82)는, 기계 요소 부품, 센서 소자, 및 전자 회로 등을 집적화한 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 센서여도 된다. 유지 암(20)이 처리 유닛 내에 배치된 상태에 있어서 센서(82)도 처리 유닛 내에 위치하도록, 센서(82)는 유지 암(20)에 마련된다. 일례로서, 센서(82)는, 도 3에 나타나는 바와 같이, 유지 암(20)의 선단 근방에 마련된다.
<제어 장치>
이어서, 도 5 및 도 6을 참조하여 제어 장치(100)의 일례에 대하여 상세하게 설명한다. 제어 장치(100)는, 도포·현상 장치(2)를 제어한다. 제어 장치(100)는, 적어도, 유지 암(20)에 워크(W)를 유지시킨 상태에서 당해 유지 암(20)을 변위시켜, 액 처리 유닛(U1)에 대한 워크(W)의 반입반출을 행하도록 반송 장치(A3)를 제어하는 것과, 액 처리 유닛(U1)의 밖에 있어서, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 표면 정보를 취득하도록 기판 검사 유닛(70)을 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다. 제어 장치(100)는, 기능상의 구성(이하, '기능 모듈'이라 함)으로서, 예를 들면 변위 제어부(102)와, 검사 제어부(106, 108)와, 처리 제어부(112)를 구비한다.
변위 제어부(102)는, 반송 장치(A3)에 의해 유지 암(20)을 변위시킨다. 예를 들면 변위 제어부(102)는, 기판 검사 유닛(70)에 의한 표면 정보의 취득 영역(AR)을 워크(W)의 주면(Wa)이 통과하도록 반송 장치(A3)에 의해 유지 암(20)을 변위시킨다. 구체적으로, 변위 제어부(102)는, 액 처리 유닛(U1)과 유지 암(20)이 방향(D2)에 있어서 대향하는 대향 위치로, 유지 암(20)이 이동하도록 제 2 구동 유닛(50)을 제어한다.
변위 제어부(102)는, 대향 위치로부터 액 처리 유닛(U1)으로 유지 암(20)이 이동하도록 제 1 구동 유닛(30)(구동부(32))을 제어한다. 이에 의해, 취득 영역(AR)을 워크(W)가 통과한 다음, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 액 처리 유닛(U1)으로 반입된다. 변위 제어부(102)는, 액 처리 유닛(U1)으로부터 대향 위치로 유지 암(20)이 이동하도록 제 1 구동 유닛(30)(구동부(32))을 제어한다. 이에 의해, 취득 영역(AR)을 워크(W)가 통과한 다음, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 액 처리 유닛(U1)으로부터 반출된다.
도 3 및 도 4에 예시된 처리 모듈(12)에서는, 액 처리 유닛(U1)에 대한 반입 시 및 반출 시의 어느 경우에 있어서도, 취득 영역(AR)을 워크(W)가 통과할 시에, 유지 암(20)이 취득 영역(AR)과 교차하는 방향을 따라 변위한다. 변위 제어부(102)는, 액 처리 유닛(U1)으로의 워크(W)의 반입 종료 후, 당해 액 처리 유닛(U1)으로부터의 워크(W)의 반출 개시 전에, 다른 워크(W)를 다른 액 처리 유닛(U1)으로 반입하도록 유지 암(20)을 변위시켜도 된다.
검사 제어부(106)(기판 검사 제어부)는, 취득 영역(AR)을 통과하는 워크(W)의 표면 정보를 기판 검사 유닛(70)에 취득시킨다. 예를 들면, 검사 제어부(106)는, 액 처리 유닛(U1)으로의 워크(W)의 반입을 행할 시에, 취득 영역(AR)을 통과하는 워크(W)의 주면(Wa)의 표면 정보를 센서(72)에 취득시킨다. 검사 제어부(106)는, 액 처리 유닛(U1)으로부터의 워크(W)의 반출을 행할 시에, 취득 영역(AR)을 통과하는 워크(W)의 주면(Wa)의 표면 정보를 센서(72)에 취득시킨다. 이에 의해, 검사 제어부(106)는, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 전의 워크(W)의 표면 정보와, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 후의 워크(W)의 표면 정보를 센서(72)로부터 취득한다.
일례로서, 검사 제어부(106)는, 취득 영역(AR)을 통과하고 있는 워크(W)의 주면(Wa)을 센서(72)에 의해 스캔하도록, 워크(W)의 주면(Wa)의 표면 정보를 취득한다. 구체적으로, 검사 제어부(106)는, 워크(W)의 주면(Wa)이 취득 영역(AR)을 통과하고 있는 중에(워크(W)를 정지시키지 않고), 주면(Wa)에 있어서의 복수의 영역의 표면 상태를 각각 나타내는 복수의 표면 정보를 센서(72)에 취득시킨다. 이들 복수의 표면 정보를 합함으로써, 주면(Wa)의 표면 정보를 얻을 수 있다.
검사 제어부(108)(환경 검사 제어부)는, 액 처리 유닛(U1) 등의 처리 유닛 내의 환경 정보를 환경 검사 유닛(80)에 취득시킨다. 검사 제어부(108)는, 예를 들면, 복수의 액 처리 유닛(U1) 중 하나의 액 처리 유닛(U1)(제 1 처리 유닛) 내에 유지 암(20)이 위치하는 상태에서, 당해 하나의 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보를 센서(82)에 취득시킨다. 검사 제어부(108)는, 액 처리 유닛(U1) 중 다른 액 처리 유닛(U1)(제 2 처리 유닛) 내에 유지 암(20)이 위치하는 상태에서, 당해 다른 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보를 센서(82)에 취득시킨다. 검사 제어부(108)는, 어느 하나의 액 처리 유닛(U1)으로 워크(W)가 반입될 시와, 당해 액 처리 유닛(U1)으로부터 워크(W)가 반출될 시 중 적어도 일방에 있어서, 당해 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보를 센서(82)에 취득시킨다.
처리 제어부(112)는, 워크(W)에 정해진 처리가 실시되도록 액 처리 유닛(U1) 등의 처리 유닛을 제어한다. 예를 들면, 처리 제어부(112)는, 워크(W)가 반입된 후에 당해 워크(W)의 주면(Wa)에 레지스트의 도포막이 형성되도록 액 처리 유닛(U1)을 제어한다. 처리 제어부(112)는, 검사 제어부(106)가 취득한 처리 전의 워크(W)의 표면 정보와, 검사 제어부(108)가 취득한 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보 중 적어도 일방의 정보에 기초하여 액 처리 유닛(U1)을 제어해도 된다. 일례로서, 처리 제어부(112)는, 검사 제어부(108)가 취득한 환경 정보에 따라, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 조건(예를 들면, 레지스트 도포 시의 워크(W)의 회전수 등)을 설정해도 된다.
제어 장치(100)는, 하나 또는 복수의 제어용 컴퓨터에 의해 구성된다. 예를 들면 제어 장치(100)는, 도 6에 나타나는 회로(120)를 가진다. 회로(120)는, 1 개 또는 복수의 프로세서(122)와, 메모리(124)와, 스토리지(126)와, 입출력 포트(128)와, 타이머(132)를 가진다. 스토리지(126)는, 예를 들면 하드 디스크 등, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체를 가진다. 기억 매체는, 후술하는 기판 처리 방법을 제어 장치(100)에 실행시키기 위한 프로그램을 기억하고 있다. 기억 매체는, 불휘발성의 반도체 메모리, 자기 디스크 및 광디스크 등의 취출 가능한 매체여도 된다. 메모리(124)는, 스토리지(126)의 기억 매체로부터 로드한 프로그램 및 프로세서(122)에 의한 연산 결과를 일시적으로 기억한다.
프로세서(122)는, 메모리(124)와 협동하여 상기 프로그램을 실행한다. 입출력 포트(128)는, 프로세서(122)로부터의 지령에 따라, 제 1 구동 유닛(30), 제 2 구동 유닛(50), 기판 검사 유닛(70), 환경 검사 유닛(80) 및 액 처리 유닛(U1) 등과의 사이에서 전기 신호의 입출력을 행한다. 타이머(132)는, 예를 들면 일정 주기의 기준 펄스를 카운트함으로써 경과 시간을 계측한다. 또한, 제어 장치(100)의 하드웨어 구성은, 전용의 논리 회로 또는 이를 집적한 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)에 의해 구성되어 있어도 된다.
[기판 처리 방법]
이어서, 도 7을 참조하여, 기판 처리 방법의 일례로서 도포·현상 장치(2)에 있어서 실행되는 도포 현상 처리에 대하여 설명한다. 도 7은 도포 현상 처리의 일례를 나타내는 순서도이며, 1 개의 워크(W)에 대한 도포 현상 처리의 순서를 나타내고 있다. 먼저 제어 장치(100)는, 캐리어(C) 내의 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 반송하도록 반송 장치(A1)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(11)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(11) 내의 검사 유닛(U3)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 제어 장치(100)는, 도포·현상 장치(2)에 있어서의 도포 현상 처리 전의 워크(W)를 검사하도록 검사 유닛(U3)을 제어한다(단계(S01)).
이어서, 제어 장치(100)는, 워크(W)의 주면(Wa) 상에 하층막을 형성하도록 처리 모듈(11)을 제어한다(단계(S02)). 단계(S02)에 있어서, 예를 들면, 제어 장치(100)는, 액 처리 유닛(U1)으로 워크(W)를 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고 제어 장치(100)는, 워크(W)의 주면(Wa) 상에 하층막 형성용의 처리액의 도포막이 형성되도록 액 처리 유닛(U1)을 제어한다. 제어 장치(100)는, 도포막이 형성된 워크(W)를 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고 제어 장치(100)는, 워크(W)의 주면(Wa) 상에 하층막이 형성되도록 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 하층막이 형성된 후의 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(12)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 하층막이 형성된 후의 워크(W)의 주면(Wa) 상에 레지스트막을 형성하도록 처리 모듈(12)을 제어한다(단계(S03)). 단계(S03)에 있어서, 예를 들면, 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U10)의 워크(W)를 처리 모듈(12) 내의 어느 하나의 액 처리 유닛(U1)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고 제어 장치(100)(처리 제어부(112))는, 워크(W)의 주면(Wa) 상에 레지스트의 도포막이 형성되도록 액 처리 유닛(U1)을 제어한다. 제어 장치(100)는, 레지스트의 도포막이 형성된 워크(W)를 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고 제어 장치(100)는, 워크(W)의 주면(Wa) 상에 레지스트막이 형성되도록 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 레지스트막이 형성된 후의 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 처리 모듈(13)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A7)를 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 레지스트막이 형성된 후의 워크(W)의 주면(Wa) 상에 상층막을 형성하도록 처리 모듈(13)을 제어한다(단계(S04)). 단계(S04)에 있어서, 예를 들면, 제어 장치(100)는, 액 처리 유닛(U1)으로 워크(W)를 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 워크(W)의 주면(Wa) 상에 상층막 형성용의 처리액의 도포막이 형성되도록 액 처리 유닛(U1)을 제어한다. 제어 장치(100)는, 도포막이 형성된 워크(W)를 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 워크(W)의 주면(Wa) 상에 상층막이 형성되도록 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 상층막이 형성된 후의 워크(W)를 선반 유닛(U11)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 선반 유닛(U11)의 워크(W)를 노광 장치(3)로 보내도록 반송 장치(A8)를 제어한다. 이 후 제어 장치(100)는, 노광 처리가 실시된 워크(W)를 노광 장치(3)로부터 받아, 선반 유닛(U11)에 있어서의 처리 모듈(14)용의 셀에 배치하도록 반송 장치(A8)를 제어한다.
이어서 제어 장치(100)는, 노광 처리가 실시된 후의 워크(W)에 현상 처리를 실시하도록 처리 모듈(14)을 제어한다(단계(S05)). 단계(S05)에 있어서, 예를 들면, 제어 장치(100)는, 열 처리 유닛(U2)으로 워크(W)를 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한 후에, 이 워크(W)의 레지스트막에 현상 전의 열 처리를 실시하도록 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 그리고 제어 장치(100)는, 현상 전의 가열 처리가 실시된 워크(W)를 액 처리 유닛(U1)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한 후에, 이 워크(W)의 레지스트막에 현상 처리를 실시하도록 액 처리 유닛(U1)을 제어한다.
이 후, 제어 장치(100)는, 현상 처리가 실시된 워크(W)를 열 처리 유닛(U2)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한 후에, 이 워크(W)의 레지스트막에 현상 후의 열 처리를 실시하도록 열 처리 유닛(U2)을 제어한다. 제어 장치(100)는, 현상 후의 열 처리가 실시된 워크(W)를 검사 유닛(U3)으로 반송하도록 반송 장치(A3)를 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 현상에 수반하는 열 처리를 포함하는 현상 처리가 실시된 후의 워크(W)를 검사하도록 검사 유닛(U3)을 제어한다(단계(S06)). 이 후 제어 장치(100)는, 워크(W)를 선반 유닛(U10)으로 되돌리도록 반송 장치(A3)를 제어하고, 이 워크(W)를 캐리어(C) 내로 되돌리도록 반송 장치(A7) 및 반송 장치(A1)를 제어한다. 이상으로 1 개의 워크(W)에 대한 도포 현상 처리가 완료된다.
이상에 예시한 도포 현상 처리에 있어서, 제어 장치(100)는, 도포·현상 장치(2)에 의한 처리 개시 전과, 도포·현상 장치(2)에 의한 모든 처리 후에 검사 유닛(U3)에 의해 워크(W)의 검사를 행한다. 제어 장치(100)는, 검사 유닛(U3)에 의한 워크(W)의 검사에 더하여, 단계(S02) ~ 단계(S05)의 각각의 처리의 도중에 기판 검사 유닛(70)에 의해 워크(W)의 검사를 실행해도 된다. 도 8은 단계(S03)에 있어서, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 전의 워크(W)가 당해 액 처리 유닛(U1)으로 반입될 시에 실행되는 검사 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 이하에서는, 센서(72)가 라인 센서이며, 워크(W)의 주면(Wa) 전역의 상태를 나타내는 표면 정보를 취득하는 경우를 예시한다.
액 처리 유닛(U1)으로의 반입 시의 검사 처리에서는, 방향(D2)에 있어서 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치에 배치된 유지 암(20)이 워크(W)를 유지한 상태에서, 먼저 제어 장치(100)가, 단계(S21)를 실행한다. 단계(S21)에서는, 예를 들면, 변위 제어부(102)가, 반입처의 액 처리 유닛(U1)과의 대향 위치까지 유지 암(20)을 이동시키도록 제 2 구동 유닛(50)을 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S22)를 실행한다. 단계(S22)에서는, 예를 들면, 변위 제어부(102)가, 유지 암(20)의 방향(D2)으로의 이동을 구동부(32)에 개시시킨다. 이에 의해, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가, 대향 위치로부터 액 처리 유닛(U1)을 향해 이동하기 시작한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S23)를 실행한다. 단계(S23)에서는, 예를 들면, 검사 제어부(106)가, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 기판 검사 유닛(70)에 의한 표면 정보의 취득 영역(AR)에 도달할 때까지 대기한다. 일례로서, 검사 제어부(106)는, 구동부(32)의 모터(44)의 회전량 또는 구동부(32)에 의한 유지 암(20)의 이동 개시 시각으로부터의 경과 시간에 따라, 워크(W)의 적어도 일부가 취득 영역(AR)에 도달했는지 여부를 판정해도 된다. 단계(S23)에 있어서, 워크(W)가 취득 영역(AR)에 도달했다고 판정된 경우, 제어 장치(100)는 단계(S24)를 실행한다. 단계(S24)에서는, 예를 들면, 검사 제어부(106)가 표면 정보를 기판 검사 유닛(70)에 취득시킨다. 일례로서, 검사 제어부(106)는, 워크(W)의 주면(Wa) 중 취득 영역(AR)과 중첩되는 영역을 센서(72)에 촬상시킨다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S25)를 실행한다. 단계(S25)에서는, 예를 들면, 검사 제어부(106)가, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 표면 정보의 취득 영역(AR)을 통과할 때까지 대기한다. 일례로서, 검사 제어부(106)는, 구동부(32)의 모터(44)의 회전량 또는 구동부(32)에 의한 유지 암(20)의 이동 개시 시각으로부터의 경과 시간에 따라, 워크(W)(주면(Wa))의 전역이 취득 영역(AR)을 통과했는지 여부(취득 영역(AR)과 중첩되지 않는 위치까지 이동했는지 여부)를 판정해도 된다.
단계(S25)에 있어서, 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과하지 않았다(주면(Wa)의 적어도 일부가 취득 영역(AR)과 중첩되어 있다)고 판정된 경우, 검사 제어부(106)는, 단계(S24)를 재차 실행한다. 이상의 단계(S24, S25)가 반복됨으로써, 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과하고 있는 동안에 있어서, 기판 검사 유닛(70)은 워크(W)의 표면 정보의 취득을 계속한다. 구체적으로, 워크(W)의 주면(Wa)의 전역이 취득 영역(AR)을 통과하고 있는 동안에 있어서, 검사 제어부(106)는, 워크(W)의 주면(Wa)에 있어서의 복수의 영역을 센서(72)에 차례로 촬상시킴으로써, 주면(Wa)의 전역의 표면 정보(화상 정보)를 취득한다.
단계(S25)에 있어서, 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과했다고 판정된 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S26)를 실행한다. 단계(S26)에서는, 예를 들면, 변위 제어부(102)가, 유지 암(20)이 액 처리 유닛(U1) 내에 도달할 때까지 대기한다. 일례로서, 변위 제어부(102)는, 구동부(32)의 모터(44)의 회전량 또는 구동부(32)에 의한 유지 암(20)의 이동 개시 시각으로부터의 경과 시간에 따라, 유지 암(20)(워크(W))이 액 처리 유닛(U1) 내에 도달했는지 여부를 판정해도 된다. 단계(S26)에 있어서, 유지 암(20)이 액 처리 유닛(U1) 내에 도달했다고 판정된 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S27)를 실행한다. 단계(S27)에서는, 예를 들면, 변위 제어부(102)가, 유지 암(20)의 방향(D2)으로의 이동을 구동부(32)에 정지시킨다. 이에 의해, 대향 위치로부터 액 처리 유닛(U1)을 향하는 워크(W)의 이동이 종료된다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S28, S29, S30)를 실행한다. 단계(S28)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 유지 암(20)으로부터 액 처리 유닛(U1)으로 워크(W)를 인도하도록 반송 장치(A3) 및 액 처리 유닛(U1)을 제어한다. 단계(S29)에서는, 예를 들면, 유지 암(20)이 액 처리 유닛(U1)에 배치된 상태에서, 검사 제어부(106)가, 당해 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보를 환경 검사 유닛(80)(센서(82))에 취득시킨다. 단계(S30)에서는, 변위 제어부(102)가, 워크(W)를 유지하고 있지 않은 상태의 유지 암(20)을, 액 처리 유닛(U1)으로부터 대향 위치로 이동시키도록 구동부(32)를 제어한다. 이상에 의해, 하나의 액 처리 유닛(U1)으로의 워크(W)의 반입 시의 검사 처리가 종료된다.
도 9는 레지스트막의 형성 처리를 행하는 단계(S03)에 있어서, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 후의 워크(W)가 당해 액 처리 유닛(U1)으로부터 반출될 시에 실행되는 검사 처리의 일례를 나타내는 순서도이다. 액 처리 유닛(U1)으로부터의 반출 시의 검사 처리에서는, 방향(D2)에 있어서 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치에 배치되어 있는 유지 암(20)이 워크(W)를 유지하고 있지 않은 상태에서, 먼저 제어 장치(100)가 단계(S41, S42, S43)를 실행한다. 단계(S41)에서는, 예를 들면 변위 제어부(102)가, 대향 위치까지 유지 암(20)이 이동하도록 제 2 구동 유닛(50)을 제어한다. 단계(S42)에서는, 예를 들면 변위 제어부(102)가, 대향 위치로부터 액 처리 유닛(U1)으로 유지 암(20)을 이동시키도록 구동부(32)를 제어한다. 단계(S43)에서는, 예를 들면, 제어 장치(100)가, 유지 암(20)이 액 처리 유닛(U1)으로부터 처리 후의 워크(W)를 인수하도록 반송 장치(A3) 및 액 처리 유닛(U1)을 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S44)를 실행한다. 단계(S44)에서는, 예를 들면, 변위 제어부(102)가, 워크(W)를 인수한 후의 유지 암(20)의 방향(D2)으로의 이동을 구동부(32)에 개시시킨다. 이에 의해, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가, 액 처리 유닛(U1)으로부터 대향 위치를 향해 이동하기 시작한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S45)를 실행한다. 단계(S45)에서는, 예를 들면, 검사 제어부(106)가, 상술한 단계(S23)와 마찬가지로, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 기판 검사 유닛(70)에 의한 표면 정보의 취득 영역(AR)에 도달할 때까지 대기한다. 단계(S45)에 있어서, 워크(W)가 취득 영역(AR)에 도달했다고 판정된 경우, 제어 장치(100)는 단계(S46)를 실행한다. 단계(S46)에서는, 상술한 단계(S24)와 마찬가지로, 검사 제어부(106)가 워크(W)의 주면(Wa) 중 취득 영역(AR)과 중첩되는 영역의 표면 정보를 기판 검사 유닛(70)에 취득시킨다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S47)를 실행한다. 단계(S47)에서는, 예를 들면 검사 제어부(106)가, 상술한 단계(S25)와 마찬가지로, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과할 때까지 대기한다. 단계(S47)에 있어서, 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과하지 않았다고 판정된 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S46)를 재차 실행한다. 이상의 단계(S46, S47)가 반복됨으로써, 단계(S24, S25)와 마찬가지로, 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과하고 있는 동안에 있어서 기판 검사 유닛(70)이 워크(W)의 표면 정보의 취득을 계속하고, 그 결과, 검사 제어부(106)는 주면(Wa) 전역의 표면 정보를 취득한다.
단계(S47)에 있어서, 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과했다고 판정된 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S48)를 실행한다. 단계(S48)에서는, 예를 들면, 변위 제어부(102)가, 유지 암(20)이 대향 위치에 도달할 때까지 대기한다. 일례로서, 변위 제어부(102)는, 구동부(32)의 모터(44)의 회전량 또는 구동부(32)에 의한 유지 암(20)의 이동 개시 시각으로부터의 경과 시간에 따라, 유지 암(20)(워크(W))이 대향 위치에 도달했는지 여부를 판정해도 된다. 단계(S48)에 있어서, 유지 암(20)이 대향 위치에 도달했다고 판정된 경우, 제어 장치(100)는, 단계(S49)를 실행한다. 단계(S49)에서는, 예를 들면, 변위 제어부(102)가, 유지 암(20)의 방향(D2)으로의 이동을 구동부(32)에 정지시킨다. 이에 의해, 액 처리 유닛(U1)으로부터 대향 위치로 향하는 워크(W)의 이동이 종료된다. 이상에 의해, 하나의 액 처리 유닛(U1)으로부터의 워크(W)의 반출 시의 검사 처리가 종료된다.
액 처리 유닛(U1)으로 워크(W)가 반입되고 나서, 당해 액 처리 유닛(U1)으로부터 그 워크(W)가 반출될 때까지의 동안, 제어 장치(100)의 처리 제어부(112)는, 워크(W)의 주면(Wa)에 레지스트의 도포막을 형성하도록 액 처리 유닛(U1)을 제어한다. 액 처리 유닛(U1)에 있어서 액 처리가 실행되고 있는 동안, 제어 장치(100)는, 다른 워크(W)를 다른 액 처리 유닛(U1)으로 반입하도록 반송 장치(A3)를 제어해도 된다. 이 때, 제어 장치(100)는, 도 8에 예시한 검사 처리 순서와 동일한 처리를 실행해도 된다. 단계(S29)와 동일한 처리에서는, 검사 제어부(108)가, 유지 암(20)이 다른 액 처리 유닛(U1)에 배치된 상태에서, 다른 액 처리 유닛(U1)의 환경 정보를 환경 검사 유닛(80)(센서(82))에 취득시켜도 된다.
상술한 도포 현상 처리 및 검사 처리의 순서는 일례이며, 적절히 변경 가능하다. 예를 들면, 상술한 단계(처리)의 일부가 생략되어도 되고, 다른 순서로 각 단계가 실행되어도 된다. 또한, 상술한 단계 중 임의의 2 이상의 단계가 조합되어도 되고, 단계의 일부가 수정 또는 삭제되어도 된다. 혹은, 상기의 각 단계에 더하여 다른 단계가 실행되어도 된다. 예를 들면, 상술한 예에서는, 취득 영역(AR)으로의 도달 및 취득 영역(AR)의 통과가 판정된 다음 센서(72)에 의한 촬상 상태가 전환되지만, 방향(D2)으로의 이동 개시 및 이동 종료에 수반하여(예를 들면 단계(S22, S27)의 실행에 수반하여), 검사 제어부(106)는, 센서(72)에 의한 촬상 상태를 전환해도 된다. 예를 들면, 검사 제어부(106)는, 단계(S22)가 실행된 후, 단계(S27)가 종료될 때까지의 동안, 워크(W)의 촬상을 센서(72)에 계속시켜도 된다.
[변형예 1]
이상, 본 개시에 따른 실시 형태에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 개시의 요지의 범위 내에서 각종 변형을 상기의 실시 형태에 더해도 된다. 처리 모듈(12)은, 라인 센서를 가지는 기판 검사 유닛(70) 대신에, 에어리어 센서를 가지는 기판 검사 유닛을 구비해도 된다. 예를 들면, 도 10에 나타나는 바와 같이, 처리 모듈(12)은, 기판 검사 유닛(70) 대신에 기판 검사 유닛(70A)을 구비해도 된다. 기판 검사 유닛(70A)은, 센서(72) 대신에 센서(72A)를 가진다.
센서(72A)는, 화소가 이차원 배열된 촬상 소자에 의해, 이차원 영역을 촬상 가능한 에어리어 센서(에어리어 센서식의 카메라)이다. 센서(72A)에 의한 표면 정보의 취득 영역(AR)(시야)은, 워크(W)의 주면(Wa)의 전역과 동일한 정도이거나, 주면(Wa)의 전역보다 커도 된다. 이 경우, 센서(72A)는, 취득 영역(AR)에 워크(W)의 주면(Wa)이 위치하는 상태에서 주면(Wa) 전역의 표면 정보(화상 정보)를 취득 가능하다. 센서(72A)에 의한 취득 영역(AR)(시야)은, 방향(D1)을 따라 연장되는 이차원 영역이어도 된다.
기판 검사 유닛(70A)도, 기판 검사 유닛(70)과 마찬가지로 반송 장치(A3)에 마련되어도 된다. 예를 들면, 기판 검사 유닛(70A)(센서(72A))은, 제 1 구동 유닛(30)에 마련되어 있다. 일례로서, 센서(72A)는, 구동부(32)의 하우징(34)에 고정 부재(미도시)를 개재하여 고정되어 있어도 된다. 이 경우도, 제 2 구동 유닛(50)에 의한 유지 암(20)의 이동에 수반하여 센서(72A)의 위치(센서(72A)의 취득 영역(AR)의 위치)가 변화하고, 구동부(32)에 의한 유지 암(20)의 이동에 수반하여, 센서(72A)에 대한 유지 암(20)(워크(W))의 상대 위치가 변화한다. 유지 암(20)의 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치에 배치된 상태에서, 센서(72A)에 의한 취득 영역(AR)(센서(72A)의 촬상 범위)이 주면(Wa)의 전역을 포함하도록, 센서(72A)가 배치되어 있어도 된다.
도 11은 액 처리 유닛(U1)에서의 처리 전의 워크(W)가 당해 액 처리 유닛(U1)으로 반입될 시에 실행되는 검사 처리의 다른 예를 나타내는 순서도이다. 여기서는, 센서(72A)가, 워크(W)의 주면(Wa)의 전역을 촬상 가능한 시야를 가지는 경우를 예시한다. 이 검사 처리에서는, 예를 들면 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치에 배치된 유지 암(20)이 워크(W)를 유지한 상태에서, 제어 장치(100)가, 단계(S21)와 마찬가지로 단계(S61)를 실행한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S62, S63)를 실행한다. 단계(S62)에서는, 예를 들면, 검사 제어부(106)가 워크(W)의 표면 정보를 기판 검사 유닛(70A)에 취득시킨다. 일례로서, 검사 제어부(106)는, 워크(W)의 주면(Wa) 전역의 표면 정보(화상 정보)를 센서(72A)에 취득시킨다. 단계(S63)에서는, 예를 들면, 검사 제어부(106)가, 방향(D2)을 따라 유지 암(20)을 대향 위치로부터 액 처리 유닛(U1) 내로 이동하도록 구동부(32)를 제어한다.
이어서, 제어 장치(100)는, 단계(S28 ~ S30)와 마찬가지로, 단계(S64~S66)를 실행한다. 이상에 의해 액 처리 유닛(U1)으로의 워크(W)의 반입 시의 검사 처리가 종료된다. 이상에 예시된 검사 처리에서는, 유지 암(20)의 선단부가 기대(48)와 중첩되는 위치에 배치되어 있는 상태에서 센서(72A)에 의한 취득 영역(AR)(시야)은 주면(Wa) 전역을 포함하고 있으므로, 도 8에 예시된 검사 처리와 달리, 방향(D2)으로의 이동 중에 센서에 의한 촬상은 행해지지 않는다. 도 11에 예시된 검사 처리에서는, 유지 암(20)의 방향(D1)으로의 이동과 방향(D2)으로의 이동의 전환의 타이밍(단계(S61)와 단계(S63) 사이의 타이밍)에, 주면(Wa)의 표면 정보의 취득이 행해지고 있다.
또한, 센서(72A)에 의한 취득 영역(AR)이 대향 위치와 액 처리 유닛(U1)과의 사이에 위치하고 있어도 된다. 이 경우, 제어 장치(100)는, 방향(D2)으로의 이동의 도중에 유지 암(20)을 구동부(32)에 의해 일시 정지시킨 후에, 주면(Wa)의 표면 정보를 센서(72A)에 취득시켜도 된다. 제어 장치(100)는, 액 처리 유닛(U1)으로부터의 워크(W)의 반출 시에 있어서도 반입 시와 마찬가지로 검사 처리를 실행해도 된다. 반출 시의 검사 처리에 있어서도, 제어 장치(100)는, 액 처리 유닛(U1)으로부터 대향 위치까지 유지 암(20)을 구동부(32)에 의해 이동시켜, 대향 위치에 워크(W)를 정지시킨 상태에서 센서(72A)에 주면(Wa) 전역의 표면 정보를 취득시켜도 된다. 검사 제어부(106)는, 방향(D1)을 따라 유지 암(20)을 제 2 구동 유닛(50)에 의해 이동시키면서, 혹은 제 1 구동 유닛(30)에 의한 방향(D2)에서의 이동 중 또는 이동 개시 전에, 센서(72A)에 워크(W)의 표면 정보를 취득시켜도 된다.
[변형예 2]
도포·현상 장치(2)는, 방향(D1, D2)을 따라 워크(W)를 이동시키는 반송 장치(A3) 대신에, 다관절 암에 의해 액 처리 유닛(U1) 등의 처리 유닛에 대하여 워크(W)의 반입반출을 행해도 된다. 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 나타나는 다관절 암(90)(반송 유닛)은, 기부(92)와, 선회부(94)와, 제 1 암(96)과, 제 2 암(97)과, 유지 핸드(98)(유지부)를 가진다.
기부(92)는, 도포·현상 장치(2) 내의 저면 등에 마련되어 있다. 선회부(94)는, 기부(92) 상에 마련되어 있고, 연직인 축선(Ax1) 둘레로 회전 가능하다. 제 1 암(96)의 일단부는, 선회부(94)를 개재하여 기부(92)에 접속되어 있다. 선회부(94)가 축선(Ax1) 둘레로 선회함으로써, 제 1 암(96)이 축선(Ax1) 둘레로 선회한다. 제 1 암(96)의 타단부에는, 회전 구동부(96a)가 마련되어 있고, 제 2 암(97)의 일단부는 회전 구동부(96a)에 접속되어 있다. 회전 구동부(96a)는, 연직인 축선(Ax2) 둘레로 제 2 암(97)을 회전시킨다.
제 2 암(97)의 타단부에는, 회전 구동부(97a)가 마련되어 있고, 유지 핸드(98)의 하면은 회전 구동부(97a)에 접속되어 있다. 회전 구동부(97a)는, 연직인 축선(Ax3) 둘레로 유지 핸드(98)를 회전시킨다. 유지 핸드(98)는, 그 상면에 워크(W)가 배치되어, 예를 들면 흡착 등에 의해 워크(W)를 유지한다. 또한 다관절 암(90)은, 1 개 이상의 다른 암을 더 가져도 되고, 어느 하나의 암이 연직 방향에 교차하는 축선 둘레로 회전 가능하게 마련되어도 된다.
다관절 암(90)에 의해 처리 유닛에 대한 워크(W)의 반입반출이 행해지는 경우, 기판 검사 유닛(70)(센서(72))은, 다관절 암(90)에 마련되지 않고, 정위치에 고정되어 있어도 된다. 이 경우, 다관절 암(90)에 의한 유지 핸드(98)(워크(W))의 어느 이동에 의해서도, 기판 검사 유닛(70)의 위치는 변화하지 않는다. 제어 장치(100)는, 유지 핸드(98)에 유지되어 있는 워크(W)가, 정위치에 고정된 센서(72)에 의한 취득 영역(AR)을 통과하도록 다관절 암(90)(선회부(94) 및 회전 구동부(96a, 97a))을 제어해도 된다. 예를 들면, 워크(W)(워크(W) 중 표면 정보의 취득 대상의 영역)가 취득 영역(AR)을 통과하도록, 다관절 암(90)의 동작이 미리 정해져 있어도 된다. 센서(72)가 라인 센서인 경우, 제어 장치(100)(변위 제어부(102))는, 워크(W)가 취득 영역(AR)을 통과할 시에, 라인 센서에 의한 취득 영역(AR)과 교차하는 방향을 따라 유지 핸드(98)가 변위하도록 다관절 암(90)을 제어해도 된다. 다관절 암(90)에 의해 워크(W)의 반입반출이 행해지는 경우에, 기판 검사 유닛(70)(센서(72)) 대신에, 정위치에 고정된 기판 검사 유닛(70A)(센서(72A))이 이용되어도 된다.
[그 외의 변형예]
이상에 예시한 반송 장치(A3)는 1 개의 유지 암(20)을 구비하지만, 반송 장치(A3)는, 다른 유지 암(20)과, 다른 유지 암(20)을 방향(D2)으로 이동시키는 다른 제 1 구동 유닛(30)을 더 구비해도 된다. 제 1 구동 유닛(30)과 다른 제 1 구동 유닛(30)은, 연직 방향으로 나란히 배치되어도 된다. 이 경우, 기판 검사 유닛(70, 70A)은, 다른 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 표면 정보를 취득하는 다른 센서(72, 72A)를 더 가져도 된다. 다른 센서(72, 72A)는, 다른 제 1 구동 유닛(30)에 마련되어도 된다. 혹은, 기판 검사 유닛(70)에 포함되는 1 개의 센서(72, 72A)가, 유지 암(20)에 유지되는 워크(W)의 표면 정보와 다른 유지 암(20)에 유지되는 워크(W)의 표면 정보를 취득해도 된다. 제어 장치(100)는, 유지 암(20)에 유지된 워크(W)를 액 처리 유닛(U1)으로 반입하도록 제 1 구동 유닛(30)을 제어해도 되고, 다른 유지 암(20)에 의해 워크(W)를 액 처리 유닛(U1)으로부터 반출하도록 다른 제 1 구동 유닛(30)을 제어해도 된다.
이상에 예시한 기판 검사 유닛(70, 70A)은 1 개의 유지 암(20)에 대하여 1 개의 센서(72, 72A)를 가지지만, 기판 검사 유닛(70, 70A)은, 주면(Wa)과 반대측의 주면(Wb)의 표면 정보를 취득 가능한 다른 센서(72, 72A)를 더 가져도 된다. 다른 센서(72, 72A)도 제 1 구동 유닛(30)에 마련되어도 된다.
이상에 예시한 도포·현상 장치(2)에서는, 액 처리 유닛(U1)에 대한 워크(W)의 반입반출 시에 있어서 기판 검사 유닛(70)에 의해 검사 처리가 행해지지만, 검사 제어부(106)는, 열 처리 유닛(U2), 선반 유닛(U10, U11), 또는 그 외의 처리 유닛에 대한 워크(W)의 반입반출 시에 있어서 기판 검사 유닛(70)에 의해 검사 처리를 실행시켜도 된다. 처리 모듈(11, 13, 14) 중 어느 모듈도, 처리 모듈(12)과 마찬가지로, 기판 검사 유닛(70) 및 환경 검사 유닛(80)을 구비해도 된다.
검사 제어부(106)는, 처리 유닛으로의 반입 시에 있어서 처리 전의 워크(W)에 대한 검사 처리를 기판 검사 유닛(70)에 실행시키지 않고, 당해 처리 유닛으로부터의 반출 시에 있어서 처리 후의 워크(W)에 대한 검사 처리를 기판 검사 유닛(70)에 실행시켜도 된다. 검사 제어부(106)는, 처리 유닛으로부터의 반출 시에 있어서 처리 후의 워크(W)에 대한 검사 처리를 기판 검사 유닛(70)에 실행시키지 않고, 당해 처리 유닛으로의 반입 시에 있어서 처리 전의 워크(W)에 대한 검사 처리를 기판 검사 유닛(70)에 실행시켜도 된다.
기판 처리 시스템(1)은 상술한 일례에 한정되지 않고, 기판에 정해진 처리를 실시하는 처리 유닛과, 당해 처리 유닛에 대하여 워크(W)의 반입반출을 행하는 반송 유닛과, 반송 유닛의 유지부에 유지되어 있는 워크(W)의 표면 상태를 나타내는 정보를 취득하는 기판 검사 유닛을 구비하고 있으면, 어떻게 구성되어 있어도 된다.
[실시 형태의 효과]
이상에 설명한 바와 같이, 본 개시의 일측면에 따른 도포·현상 장치(2)는, 워크(W)에 정해진 처리를 실시하는 액 처리 유닛(U1)과, 워크(W)를 유지하는 유지 암(20)을 가지고, 워크(W)를 유지한 유지 암(20)을 변위시킴으로써 액 처리 유닛(U1)에 대한 워크(W)의 반입반출을 행하는 반송 장치(A3)와, 액 처리 유닛(U1)의 밖에 있어서, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 표면 상태를 나타내는 정보를 취득하는 기판 검사 유닛(70)을 구비한다.
본 개시의 일측면에 따른 기판 처리 방법은, 워크(W)를 유지하는 유지 암(20)에 워크(W)를 유지시킨 상태에서 당해 유지 암(20)을 변위시킴으로써, 워크(W)에 정해진 처리를 실시하는 액 처리 유닛(U1)에 대한 워크(W)의 반입반출을 행하는 것과, 액 처리 유닛(U1)의 밖에 있어서, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 표면 상태를 나타내는 정보를 취득하는 것을 포함한다.
도포·현상 장치(2)에 있어서 실행되는 처리마다 워크(W)의 검사를 행하면, 도포·현상 장치(2)에 있어서의 처리 결과의 신뢰성이 향상된다. 그러나, 처리마다 검사를 행하기 위하여, 각 처리의 전후에 있어서 검사 유닛으로 워크(W)를 반송하고, 검사 유닛에 있어서 워크(W)의 검사를 행하면, 도포·현상 장치(2)에 있어서의 스루풋이 저하된다. 이에 대하여, 본 개시에 따른 도포·현상 장치(2) 및 기판 처리 방법에서는, 유지 암(20)에 유지되어 있는 워크(W)의 표면 정보를 취득하므로, 처리 유닛의 밖에서의 워크(W)의 반송의 기회를 이용하여, 워크(W)의 검사 처리를 행할 수 있다. 즉, 액 처리 유닛(U1)에서 처리를 행하기 위해서는, 액 처리 유닛(U1)의 밖에 있어서의 워크(W)의 반송이 필요해지며, 도포·현상 장치(2) 및 상기 기판 처리 방법은, 이 반송의 기회를 유효하게 이용하고 있다. 따라서, 도포·현상 장치(2) 및 상기 기판 처리 방법은, 처리 결과의 신뢰성 향상과 스루풋과의 양립에 유용하다.
기판 검사 유닛(70)은, 반송 장치(A3)에 마련되어 있어도 된다. 이 경우, 기판 검사 유닛(70)에 의한 워크(W)의 표면 정보의 취득 영역(AR)이, 반송 장치(A3)의 이동에 수반하여 이동한다. 이 때문에, 액 처리 유닛(U1)에 대하여 가까운 위치에서 워크(W)의 검사를 행할 수 있다.
반송 장치(A3)는, 유지 암(20)을 방향(D2)을 따라 이동시키는 제 1 구동 유닛(30)과, 제 1 구동 유닛(30)을 방향(D1)을 따라 이동시키는 제 2 구동 유닛(50)을 더 가져도 된다. 기판 검사 유닛(70)은, 제 1 구동 유닛(30)에 마련되어 있어도 된다. 이 경우, 제 2 구동 유닛(50)에 의한 이동에 수반하여 취득 영역(AR)도 이동하므로, 액 처리 유닛(U1)에 대하여 보다 확실히 가까운 위치에서 워크(W)의 검사를 행할 수 있다.
도포·현상 장치(2)는, 기판 검사 유닛(70)에 의한 표면 정보의 취득 영역(AR)을 워크(W)의 주면(Wa)이 통과하도록 반송 장치(A3)에 의해 유지 암(20)을 변위시키는 변위 제어부(102)와, 액 처리 유닛(U1)에 대한 워크(W)의 반입과 반출을 행할 시의 각각에 있어서, 워크(W)의 표면 상태를 나타내는 표면 정보를 기판 검사 유닛(70)에 취득시키는 검사 제어부(106)를 더 구비해도 된다. 이 경우, 액 처리 유닛(U1)에서의 처리의 전후에 있어서 표면 상태를 검사할 수 있으므로 신뢰성이 보다 향상된다. 액 처리 유닛(U1)에서 처리를 행하기 위해서는, 액 처리 유닛(U1)으로의 반입을 위한 반송과, 액 처리 유닛(U1)으로부터의 반출을 위한 반송이 필요하다. 이 구성에서는, 이들 2 회의 반송 동작을 이용하여 검사 처리를 행하므로, 처리 결과의 신뢰성 향상과 스루풋의 양립에 더 유용하다.
도포·현상 장치(2)는, 기판 검사 유닛(70)에 의한 표면 정보의 취득 영역(AR)을 워크(W)의 주면(Wa)이 통과하도록 반송 장치(A3)에 의해 유지 암(20)을 변위시키는 변위 제어부(102)와, 워크(W)의 주면(Wa)이 취득 영역(AR)을 통과하고 있는 중간에, 워크(W)의 주면(Wa)에 있어서의 복수 영역의 표면 상태를 각각 나타내는 복수의 정보를 기판 검사 유닛(70)에 취득시키는 검사 제어부(106)를 더 구비해도 된다. 이 경우, 기판 검사 유닛(70)에 의한 취득 영역(AR)보다 큰 영역의 표면 정보를 취득할 수 있어, 기판 검사 유닛(70)의 간소화가 가능하다. 또한, 액 처리 유닛(U1)에 대한 반입반출에 수반하여, 기판 검사 유닛(70)에 대하여 워크(W)가 이동하므로, 기판 검사 유닛(70)에 의해 복수의 영역의 표면 정보를 취득하기 위해서만 워크(W)를 이동시킬 필요가 없다. 즉, 기판 검사 유닛(70)의 다른 장치를 복잡하게 하지 않고, 기판 검사 유닛(70)의 간소화를 도모할 수 있다.
기판 검사 유닛(70)은, 라인 형상의 취득 영역(AR)으로부터 표면 정보를 취득하는 라인 센서를 가져도 된다. 변위 제어부(102)는, 라인 센서에 의한 표면 정보의 취득 영역(AR)에 교차하는 방향을 따라 유지 암(20)을 변위시켜도 된다. 라인 센서는 일차원으로 배열된 촬상 소자를 가지므로, 이차원으로 배열된 촬상 소자를 가지는 에어리어 센서와 비교하여, 기판 검사 유닛(70)을 간소화할 수 있다. 혹은 에어리어 센서에 비해 화질을 높게 할 수 있으므로, 보다 상세한 정보를 가지는 표면 정보를 취득할 수 있다.
기판 검사 유닛(70)은, 평면 형상으로 넓어진 취득 영역(AR)으로부터 표면 정보를 취득하는 에어리어 센서를 가져도 된다. 이 경우, 라인 센서에 비해, 표면 정보를 취득하기 위한 시간을 단축할 수 있다.
도포·현상 장치(2)는, 유지 암(20)에 마련되어, 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보를 취득하는 환경 검사 유닛(80)을 더 구비해도 된다. 이 경우, 액 처리 유닛(U1) 내에 있어서 환경 정보를 취득하기 위한 센서를 줄일 수 있어, 액 처리 유닛(U1)을 간소화할 수 있다.
도포·현상 장치(2)는, 워크(W)에 정해진 처리를 실시하는 다른 액 처리 유닛(U1)과, 환경 검사 유닛(80)에 환경 정보를 취득시키는 검사 제어부(108)를 더 구비해도 된다. 반송 장치(A3)는, 다른 액 처리 유닛(U1)에 대한 다른 워크(W)의 반입반출을 더 행해도 된다. 검사 제어부(108)는, 유지 암(20)이 액 처리 유닛(U1) 내에 위치하는 상태에서 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보를 환경 검사 유닛(80)에 취득시키고, 유지 암(20)이 다른 액 처리 유닛(U1) 내에 위치하는 상태에서 다른 액 처리 유닛(U1) 내의 환경 정보를 환경 검사 유닛(80)에 취득시켜도 된다. 이 경우, 액 처리 유닛(U1)과 다른 액 처리 유닛(U1)과의 환경 정보를 동일한 센서(82)에 의해 취득할 수 있다. 이 때문에, 액 처리 유닛(U1)과 다른 액 처리 유닛(U1)에 있어서 개별로 가지는 센서로 측정을 행하는 경우에 비해, 센서의 측정값에 대한 장치간 오차를 저감시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판에 정해진 처리를 실시하는 처리 유닛과,
    상기 기판을 유지하는 유지부를 가지고, 상기 기판을 유지한 상기 유지부를 변위시킴으로써 상기 처리 유닛에 대한 상기 기판의 반입반출을 행하는 반송 유닛과,
    상기 처리 유닛의 밖에 있어서, 상기 유지부에 유지되어 있는 상기 기판의 표면 상태를 나타내는 정보를 취득하는 기판 검사 유닛을 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 검사 유닛은, 상기 반송 유닛에 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 유닛은, 상기 유지부를 제 1 방향을 따라 이동시키는 제 1 구동 유닛과, 상기 제 1 구동 유닛을 제 2 방향을 따라 이동시키는 제 2 구동 유닛을 더 가지고,
    상기 기판 검사 유닛은, 상기 제 1 구동 유닛에 마련되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 검사 유닛에 의한 상기 정보의 취득 영역을 상기 기판의 표면이 통과하도록 상기 반송 유닛에 의해 상기 유지부를 변위시키는 변위 제어부와,
    상기 처리 유닛에 대한 상기 기판의 반입과 반출을 행할 시의 각각에 있어서, 상기 기판의 표면 상태를 나타내는 상기 정보를 상기 기판 검사 유닛에 취득시키는 기판 검사 제어부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 검사 유닛에 의한 상기 정보의 취득 영역을 상기 기판의 표면이 통과하도록 상기 반송 유닛에 의해 상기 유지부를 변위시키는 변위 제어부와,
    상기 기판의 표면이 상기 취득 영역을 통과하고 있는 중간에, 상기 기판의 표면에 있어서의 복수 영역의 표면 상태를 각각 나타내는 복수의 정보를 상기 기판 검사 유닛에 취득시키는 기판 검사 제어부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 검사 유닛은, 라인 형상의 영역으로부터 상기 정보를 취득하는 라인 센서를 가지고,
    상기 변위 제어부는, 상기 라인 센서에 의한 상기 정보의 취득 영역에 교차하는 방향을 따라 상기 유지부를 변위시키는, 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 검사 유닛은, 평면 형상으로 넓어진 영역으로부터 상기 정보를 취득하는 에어리어 센서를 가지는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유지부에 마련되고, 상기 처리 유닛 내의 환경 정보를 취득하는 환경 검사 유닛을 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판에 정해진 처리를 실시하는 제 2 처리 유닛과, 상기 환경 검사 유닛에 상기 환경 정보를 취득시키는 환경 검사 제어부를 더 구비하고,
    상기 반송 유닛은, 상기 제 2 처리 유닛에 대한 상기 기판의 반입반출을 더 행하고,
    상기 환경 검사 제어부는,
    상기 유지부가 상기 처리 유닛 내에 위치하는 상태에서 상기 처리 유닛 내의 상기 환경 정보를 상기 환경 검사 유닛에 취득시키고,
    상기 유지부가 상기 제 2 처리 유닛 내에 위치하는 상태에서 상기 제 2 처리 유닛 내의 상기 환경 정보를 상기 환경 검사 유닛에 취득시키는, 기판 처리 장치.
  10. 기판을 유지하는 유지부에 상기 기판을 유지시킨 상태에서 상기 유지부를 변위시킴으로써, 상기 기판에 정해진 처리를 실시하는 처리 유닛에 대한 상기 기판의 반입반출을 행하는 것과,
    상기 처리 유닛의 밖에 있어서, 상기 유지부에 유지되어 있는 상기 기판의 표면 상태를 나타내는 정보를 취득하는 것을 포함하는 기판 처리 방법.
KR1020210051129A 2020-04-22 2021-04-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20210130652A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020076291A JP2021174833A (ja) 2020-04-22 2020-04-22 基板処理装置及び基板処理方法
JPJP-P-2020-076291 2020-04-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210130652A true KR20210130652A (ko) 2021-11-01

Family

ID=78124316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210051129A KR20210130652A (ko) 2020-04-22 2021-04-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210335636A1 (ko)
JP (1) JP2021174833A (ko)
KR (1) KR20210130652A (ko)
CN (1) CN113539912A (ko)
TW (1) TW202203340A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015215193A (ja) 2014-05-08 2015-12-03 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置、膜厚測定方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220004A (ja) * 1997-11-26 1999-08-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007212230A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Tokyo Electron Ltd 欠陥検査方法，欠陥検査システム及びコンピュータプログラム
JP2013131543A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP6853704B2 (ja) * 2017-03-22 2021-03-31 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
EP3705945A1 (en) * 2019-03-08 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for estimating substrate shape

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015215193A (ja) 2014-05-08 2015-12-03 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置、膜厚測定方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021174833A (ja) 2021-11-01
TW202203340A (zh) 2022-01-16
US20210335636A1 (en) 2021-10-28
CN113539912A (zh) 2021-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11287798B2 (en) Substrate processing capable of suppressing a decrease in throughput while reducing the impact on exposure treatment caused by warping of a substrate
TWI420095B (zh) A substrate inspection method, a substrate inspection apparatus, and a memory medium
KR20170098695A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JPH11150168A (ja) 半導体ツールおよび半導体ツールを用いて半導体ウエハを処理する方法
US20130005056A1 (en) Method and apparatus for processing wafer edge portion
TWI660167B (zh) 基板檢查裝置、基板處理裝置、基板檢查方法以及基板處理方法
WO2018062153A1 (ja) ロボット、ロボットの制御装置、及び、ロボットの位置教示方法
KR20080076713A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20160103927A (ko) 주변 노광 장치, 주변 노광 방법, 프로그램, 및 컴퓨터 기억 매체
JP2011145193A (ja) 欠陥検査装置
KR20210130652A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2007309718A (ja) 検査装置および検査方法
JP5575691B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
KR20130007392A (ko) 기판 가장자리 처리 방법 및 장치
JP2001168010A (ja) 基板の検査方法及び検査装置
JP5837150B2 (ja) 基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5293034B2 (ja) プローブ装置
KR20230109111A (ko) 기판 검사 장치, 기판 검사 방법, 및, 기억 매체
KR102228058B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 상태 검출 방법
JP7453823B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20130037360A (ko) 기판 정렬 방법
KR20230109566A (ko) 기판 검사 장치, 기판 검사 방법, 및, 기억 매체
WO2023210429A1 (ja) 基板搬送ロボットシステムおよび基板搬送ロボット
TW202411037A (zh) 基板搬送機器人系統及基板搬送機器人
KR20220007018A (ko) 검사 장치 및 기판 반송 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination