KR20210129215A - 질소 함유 화합물, 전자 소자 및 전자 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 재료 기술 분야에 관한 것으로, 질소 함유 화합물, 전자 소자 및 전자 장치를 제공한다. 상기 질소 함유 화합물은 화학식 I-1로 표시되며, 본 발명의 질소 함유 화합물은 전자 소자의 작동 전압을 감소시키고 소자의 발광 효율을 향상시키며 장치의 수명을 연장시키는 특성을 갖는다.

Description

질소 함유 화합물, 전자 소자 및 전자 장치
본 발명은 유기 재료 분야에 관한 것으로, 특히 질소 함유 화합물, 전자 소자 및 전자 장치에 관한 것이다.
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2019년10월31일에 출원한 출원번호가 CN201911054880.X인 중국 특허 출원 및 2020년4월10일에 출원한 출원번호가 CN202010280898.8인 중국 특허 출원의 우선권을 주장하며, 상기 출원의 전체 내용을 참조로 본 출원에 원용한다.
최근에 반도체 기술의 발전과 더불어, 전자 소자가 널리 사용되고 있는데, 예를 들어, 유기 전계 발광 소자(OLED, Organic electroluminescent devices)가 차세대 디스플레이 장치로서 점차 사람들의 시야에 들어오고 있다. 일반적인 유기 전계 발광 소자는 애노드, 캐소드 및 캐소드와 애노드 사이에 배치된 유기층으로 구성된다. 캐소드와 애노드에 전압이 인가되면 두 전극은 전기장을 생성하며, 전기장의 작용에 의해 캐소드측의 전자와 애노드측의 정공이 동시에 발광층으로 이동하고, 발광층에서 여기자를 형성하며, 여기자는 여기 상태에서 외부로 에너지를 방출하고, 여기 상태에서 기저 상태로 전환되는 과정에 빛을 방출한다.
기존의 유기 전계 발광 소자는 주로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층으로 구성되지만, 층간 캐리어 수송 성능이 좋지 않아 소자의 작동 전압이 증가하고 발광 효율이 저하되며, 수명이 단축되고, 장치의 성능이 저하된다.
특허 문헌 KR1020170097242, 특허 문헌 KR1020170161944 및 특허 문헌 KR1020170048045와 같은 선행 기술 문서에서도 이에 대해 연구하였다.
상기 배경 기술 부분에서 개시된 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해를 강화하기 위해서만 사용되는 것으로, 당업자에게 공지된 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수 있다.
본 발명은 종래 기술에 존재하는 상기 기술적 문제를 극복하여 작동 전압을 감소시키고 발광 효율을 향상시키며 장치의 수명을 연장할 수 있는 질소 함유 화합물, 전자 소자 및 전자 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면은 일반 구조식이 하기 화학식 I-1로 표시되는 질소 함유 화합물을 제공하며,
Figure pct00001
상기 X 는 산소 또는 황이고;
R 은 1 내지 10 개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기, 5 내지 15 개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되며;
상기 R 은
Figure pct00002
이 아니며;
L 은 단일결합, 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 1 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되며;
Ra 및 Rb 는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 시아노기, 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기, 1 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 아릴기 및 3 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기로부터 선택되며; na 는 Ra의 수이고, nb 는 Rb 의 수이며;
na 는 0, 1, 2, 3 또는 4 에서 선택되고, na 가 1 보다 큰 경우, 임의의 두 Ra 는 동일하거나 상이하며;
nb 는 0, 1, 2 로부터 선택되고, nb 가 1 보다 큰 경우, 임의의 두 Rb 는 동일하거나 상이하며;
Ar1, Ar2 는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 6 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3 내지 30 개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되며;
상기 L, Ar1 및 Ar2 의 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 시아노기, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 2 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기, 3 내지 15 개의 탄소 원자를 갖는 알키닐기, 중수소, 불소, 시아노기, 메틸 및 tert-부틸로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 3, 4 또는 5개의 치환기에 의해 임의로 치환된 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기, 6 내지 24개의 탄소 원자를 갖는 아릴실릴기, 3 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 5 할로알킬기로부터 선택되며;
상기 R의 치환기는 중수소, 불소, 시아노기, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기로부터 선택된다.
본 발명의 일 측면은 전자 소자를 제공하며, 상기 전자 소자는 대향 설치된 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 설치된 10 기능층을 포함하며;
상기 기능층은 상기 임의의 하나의 화합물을 포함한다.
본 발명의 일 측면은 상기 임의의 하나의 전자 소자를 포함하는 전자 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 질소 함유 화합물, 전자 소자 및 전자 장치에 있어서, 15 질소 헤테로고리를 갖는 치환기를 2,4-이치환된 디벤조퓨란(또는 디벤조티오펜)기를 통해 통상적으로 사용되는 전자수송기인 1, 3, 5-트리아진에 결합함으로써, 한편으로는, 상기 분자가 트리아진과 디벤조퓨란(또는 디벤조티오펜)의 직접 결합에 의해 형성된 전자 결핍 대형 공액 평면 구조를 가지기 때문에, 전자의 전송 속도를 증가시켜 소자의 효율을 향상시키며; 다른 한편으로는, 디벤조퓨란(또는 디벤조티오펜)과 트리아진의 오르토 위치 구조에 질소 헤테로사이클을 도입함으로써, 재료의 전자 주입 능력을 효과적으로 향상시키고, 소자의 효율과 수명을 한층 더 향상시킬 수 있다.
상술한 일반적인 설명 및 이하의 상세한 설명은 예시적이고 설명적인 것이며, 본 발명을 제한하는 것으로 이해되어서는 안된다.
첨부도면은 명세서에 통합되어 명세서의 일부를 구성하고, 본 발명에 따른 실시예를 도시하고, 명세서와 함께 본 발명의 원리를 설명하기 위해 사용된다. 다음에 설명되는 첨부도면은 본 발명의 일부 실시예를 나타내며, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자는 창의적인 노동을 거치지 않고서도 이러한 첨부도면을 기초로 다른 첨부도면을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 구조도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 장치의 개략도이다.
이하에서는 첨부도면을 결부하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다. 다만, 예시적인 실시예는 다양한 형태로 구현될 수 있고, 여기에 설명된 예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안되며; 반면에, 이러한 실시예를 제공함으로써 15 본 발명을 보다 포괄적이고 완전하게 하며, 예시적인 실시예의 원리를 당업자에게 더욱 전면적으로 전달할 수 있다. 여기에 설명된 특징, 구조 또는 특성은 임의의 적절한 방식으로 하나 이상의 실시예에서 조합될 수 있다. 다음의 설명에서, 본 발명의 실시예에 대한 충분한 이해를 제공하기 위해 많은 특정 세부 사항들이 제공된다.
용어 "해당" 및 "상기"는 하나 이상의 요소/구성요소 등이 있음을 나타내며; 용어 "~을 포함" 및 "~을 갖는"은 개방형 포함을 의미하고, 나열된 요소/구성 요소/등 외에 다른 요소/구성 요소/등이 있을 수 있음을 의미한다.
본 발명의 실시예는 일반 구조식이 하기 화학식 I-1 로 표시되는 질소 함유 화합물을 제공하며,
Figure pct00003
상기 X는 산소 또는 황이고;
R은 1 내지 10개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로 시클로알킬기, 5 내지 15개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴기로부터 선택되고, 상기 R은
Figure pct00004
이 아니며;
L은 단일결합, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되며;
Ra 및 Rb는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 시아노기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기, 1 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 및 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기로부터 선택되며; na는 Ra의 수이고, nb는 Rb의 수이며;
na는 0, 1, 2, 3 또는 4에서 선택되고, na가 1보다 큰 경우, 임의의 두 Ra는 동일하거나 상이하며;
nb는 0, 1, 2로부터 선택되고, nb가 1보다 큰 경우, 임의의 두 Rb는 동일하거나 상이하며;
Ar1, Ar2는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되며;
상기 L, Ar1 및 Ar2의 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 시아노기, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기, 3 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 알키닐기, 중수소, 불소, 시아노기, 메틸 및 tert-부틸로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 3, 4 또는 5개의 치환기에 의해 임의로 치환된 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기, 6 내지 24개의 탄소 원자를 갖는 아릴실릴기, 3 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 할로알킬기로부터 선택되며;
상기 R의 치환기는 중수소, 불소, 시아노기, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기로부터 선택된다.
본 발명에서, "중수소, 불소, 시아노기, 메틸 및 tert-부틸로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 3, 4 또는 5개의 치환기에 의해 임의로 치환된 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴기"는 아릴기가 중수소, 불소, 시아노기, 메틸 중의 하나 이상에 의해 치환되거나 또는 중수소, 불소, 시아노기, 메틸에 의해 치환되지 않을 수 있다는 것을 의미하고, 아릴기 상의 치환기 수가 2보다 큰 경우, 치환기는 동일하거나 상이할 수 있다.
바람직하게는, na는 0으로부터 선택되고, nb는 0으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시예에서, 화학식 I-1로 표시되는 화합물은 화학식 I로 표시되는 화합물로부터 선택되며:
Figure pct00005
상기 X는 산소 또는 황이고;
R은 1 내지 10개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기, 4 내지 20개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되며;
L은 단일결합, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되며;
상기 R의 치환기는 중수소, 니트로기, 하이드록실기, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 헤테로시클로알킬기, 알콕시기, 아릴실릴기, 알킬실릴기로부터 선택되며;
상기 L의 치환기는 중수소, 니트로기, 하이드록실기, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 헤테로시클로알킬기, 알콕시기, 아릴실릴기, 알킬실릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시예에서, Ar1 및 Ar2는 동시에 페닐기가 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, L은 단일결합, 6 내지 25개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 5 내지 25개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되며;
바람직하게는, L은 단일결합, 6 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 5 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택된다.
더 바람직하게는, L의 치환기는 중수소, 할로겐기, 시아노기, 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기로부터 선택된다.
구체적으로, L의 치환기는 중수소, 불소, 시아노기, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 페닐 등을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에서, L은 단일결합, 페닐렌기, 나프틸렌기, 비페닐렌기, 디메틸렌 플루오레닐, 나프틸렌기, 터페닐릴렌기로부터 선택된다.
본 발명의 다른 실시예에서, L은 단일결합, 페난트릴렌기, 안트릴렌기, 피리딜렌기, 피리미디닐렌기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐렌기로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시예에서, L은 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
Figure pct00006
,
상기 *는 상기 기가 화학식 I 중의
Figure pct00007
기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내며;
**는 상기 기가 화학식 I 중의 R기와 결합하기 위해 사용됨을 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에서, L은 단일결합 또는 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
Figure pct00008
Figure pct00009
,
상기 *는 상기 기가 화학식 I-1 중의
Figure pct00010
, 화학식 I 중의
Figure pct00011
의 기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내며;
**는 상기 기가 화학식 I-1, 화학식 I 중의 R기와 결합하기 위해 사용됨을 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에서, R은 1 내지 10개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기, 5 내지 20개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다.
바람직하게는, R은 3 내지 5개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기로부터 선택된다. 예를 들어, 상기 고리 형성 탄소 원자는 3개, 4개 또는 5개일 수 있으며, 물론, 상기 고리 형성 탄소 원자는 다른 수량일 수도 있으며, 여기서는 이를 제한하지 않는다.
선택적으로, R은 5 내지 18개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다.
바람직하게는, R은 5 내지 15개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다.
바람직하게는, R은 5 내지 13개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다.
바람직하게는, R은 5 내지 12개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다.
더 바람직하게는, R은 5 내지 11개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다.
더 바람직하게는, R은 5 내지 10개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다.
더 바람직하게는, R은 12개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 질소 함유 헤테로아릴기로부터 선택된다.
더 바람직하게는, R은 13개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택된다. 예를 들어, 상기 고리 형성 탄소 원자는 5개, 8개, 9개, 10개, 12개, 13개 또는 15개일 수 있으며, 물론, 탄소원자가 다른 수량일 수 있지만, 여기서는 일일이 열거하지 않는다.
예를 들어, R은 티에닐, 푸라닐, 피롤리디닐, 이미다졸릴, 옥사졸릴, 트리아졸릴, 피리딜, 비피리딜, 아크리디닐, 피리다지닐, 퀴놀리닐, 퀴나졸리닐, 벤조이미다졸릴, 벤조티에닐, 벤조카르바졸릴, 벤조옥사졸릴, 페난트롤리닐, 이소옥사졸릴, 페노티아지닐, 벤조퀴놀리닐, 벤조퀴녹살리닐, 피리도퀴놀리닐, 나프티리디닐 등으로부터 선택된다.
바람직하게는, R은 다음의 치환 또는 비치환기, 즉: N-피롤리디닐, 피리디닐, 비피리딜, 퀴놀리닐, 퀴녹살리닐, 퀴나졸리닐, 나프티리디닐, 벤조퀴놀리닐, 페난트롤리닐, 벤조퀴녹살리닐, 피리딘 퀴놀리닐로부터 선택될 수 있다.
바람직하게는, R의 치환기는 중수소, 불소, 시아노기、1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 3 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기로부터 선택된다.
구체적으로, R의 치환기는 중수소, 불소, 시아노기, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, N-피롤리디닐을 포함하지만, 이에 제한되지 않으며;
본 발명의 실시예에서, L, Ar1 및 Ar2의 탄소원자수는 L, Ar1 및 Ar2의 모든 탄소원자수(치환기 포함)를 의미한다. 예를 들어, L이 12개의 탄소 원자를 갖는 치환된 아릴렌기인 경우, 아릴렌기 및 그 치환기의 모든 탄소 원자수는 12이다. 예를 들어, Ar1이
Figure pct00012
인 경우, 그 탄소 원자수는 7이고; L이
Figure pct00013
인 경우, 그 탄소 원자수는 12이다.
본 발명에서 R이 가리키는 고리 형성 탄소 원자의 수는 고리를 형성하기 위해 R에 의해 사용된 탄소 원자의 수(치환기 제외)를 의미하며, 예를 들어,
Figure pct00014
의 경우, 해당 기는 치환된 피리딜기이고, 5개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환된 헤테로아릴기이다.
“시클로알킬기”는 분자 구조에 하나 이상의 고리가 포함된 포화탄화수소기를 의미한다. 본 발명에서, 시클로알킬기는 단환 및 축합 고리 구조를 포함하는 지환식 구조를 포함하는 포화탄화수소를 지칭한다. 시클로알킬기는 3 내지 20의 고리 형성 탄소 원자를 가질 수 있으며, "3 내지 20"과 같은 숫자 범위는 주어진 범위의 각 정수를 나타내는데, 예를 들어, "3 내지 20의 탄소 원자"는 탄소 원자 3개, 탄소 원자 4개, 탄소 원자 5개, 탄소 원자 6개, 탄소 원자 7개, 탄소 원자 8개, 탄소 원자 9개, 탄소 원자 10개, 탄소 원자 11개, 탄소 원자 12개, 탄소 원자 13개, 탄소 원자 14개, 탄소 원자 15개 , 탄소 원자 16개, 탄소 원자 17개, 탄소 원자 18개, 탄소 원자 19개 또는 탄소 원자 20개를 포함할 수 있는 시클로알킬기이다. 시클로알킬기는 탄소 원자 3 내지 20의 작은 고리, 보통 고리 또는 큰 고리를 가질 수 있다. 시클로알킬기는 또한 모노사이클릭-단 하나의 고리, 바이사이클릭-2개의 고리 또는 폴리사이클릭-3개 이상의 고리로 구분될 수 있다. 시클로알킬기는 또한 2개의 고리가 1개의 탄소 원자를 공유하는 스피로 고리, 2개의 고리가 2개의 탄소 원자를 공유하는 융합된 고리 및 2개의 고리가 2개 이상의 탄소 원자를 공유하는 브리지된 고리로 구분될 수 있다. 또한, 시클로알킬기는 치환 또는 비치환될 수 있다.
바람직하게는, 시클로알킬기는 3 내지 10개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기로부터 선택되며, 구체적인 예로 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로펜탄, 시클로헥산 및 아다만탄을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
“헤테로시클로알킬기”는 시클로알킬기 중의 하나 이상의 탄소 원자가 헤테로원자 N, O, P, S 또는 Si로 대체된 기를 가리킨다. 헤테로시클로알킬기에서 고리 형성에 사용되는 탄소 원자의 수는 1 내지 10개일 수 있으며, 3개, 4개, 5개 또는 10개일 수 있다. 물론, 다른 수량일 수도 있으며, 이를 제한하지 않는다.
“아릴기”는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 지칭하고, 단환식 아릴기 및 다환식 아릴기를 포함할 수 있으며, 즉 아릴기는 단환식 아릴기, 축합고리 아릴기, 탄소-탄소 결합을 통해 공액된 2개 이상의 단환식 아릴기, 탄소-탄소 결합을 통해 공액된 단환식 아릴기 및 축합고리 아릴기, 탄소-탄소 결합에 의해 공액된 2개 이상의 축합고리 아릴기일 수 있다. 즉, 탄소-탄소 결합을 통해 공액된 두개 이상의 방향족기도 본 발명에서 아릴기로 간주될 수 있다. 상기 아릴기에는 B, N, O, S 또는 P 등 헤테로원자가 포함되지 않는다. 아릴기 중의 탄소 원자수는 6 내지 30개일 수 있고, 6개, 10개, 12개, 14개, 15개, 20개, 25개 또는 30개일 수도 있고, 물론, 다른 수량일 수도 있으며, 본 발명은 이를 제한하지 않는다. 예를 들어, 아릴기는 페닐, 비페닐, 터페닐, 나프틸, 안트라세닐, 플루오레닐, 디메틸플루오레닐, 9,9-디페닐플루오레닐, 스피로비플루오레닐, 페난트릴 등 일 수 있다.
본 발명에서, 치환된 아릴기는 아릴기 중의 하나 이상의 수소원자가 다른 기에 의해 치환되는 것을 가리킨다. 예를 들어, 하나 이상의 수소 원자가 중소수 원자, 분지형 알킬기, 직쇄 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 다른 기에 의해 치환될 수 있다. 상기 18개의 탄소 원자를 갖는 치환된 아릴기는 아릴기 및 아릴기 상의 치환기의 탄소원자수가 모두 18개임을 가리킨다. 예를 들어, 9,9-디페닐플루오레닐기의 탄소 원자수는 25이다.
본 발명에서, 6 내지 25개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 아릴기는 아릴기 중의 방향족 고리의 탄소 원자의 수가 6 내지 25임을 나타내며, 아릴기 상의 치환기 중의 탄소 원자의 수는 계산되지 않는다. 아릴기 중의 고리 형성 탄소 원자는 6 내지 25개, 6 내지 20개, 6 내지 18개, 6 내지 15개, 6 내지 14개 또는 6 내지 10개일 수 있지만, 이를 제한하지 않는다.
본 발명에서, 치환기로서의 아릴기의 구체적인 예는 페닐, 나프틸, 비페닐, 디메틸플루오레닐, 페난트릴, 안트릴, 터페닐 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
“헤테로아릴기”는 아릴기 상의 하나 이상의 탄소 원자가 헤테로원자 N, O, P, S 또는 Si로 대체된 기를 지칭한다. 헤테로아릴기는 단일 고리 헤테로아릴기 또는 다중 고리 헤테로아릴기일 수 있으며, 다시 말하면, 헤테로아릴기는 단일 방향족 고리 시스템 또는 탄소-탄소 결합을 통해 공액된 다중 방향족 고리 시스템일 수 있으며, 모든 방향족 고리 시스템은 하나의 방향족 단일 고리 또는 하나의 방향족 융합 고리이다. 헤테로아릴기의 탄소 원자수는 1 내지 30개일 수 있고, 2개, 5개, 12개, 13개, 14개, 20개, 25개 또는 30개일 수도 있고, 물론, 다른 수량일 수도 있으며, 이를 제한하지 않는다. 헤테로아릴기가 단환기인 경우, 헤테로아릴기는 2개 이상의 질소 원자를 함유하지 않는다.
본 발명에서, 5 내지 15개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기는 헤테로아릴기에서 헤테로방향족 고리 상의 탄소 원자의 수가 4 내지 20임을 가리키며, 헤테로아릴기 상의 치환기의 탄소 원자의 수는 계산되지 않는다. 헤테로아릴기 중의 고리 형성 탄소 원자는 4 내지 20개, 5 내지 15개, 5 내지 14개, 5 내지 13개, 5 내지 12개, 5 내지 11개, 5 내지 10개, 5 내지 9개, 5 내지 8개, 5 내지 7개, 5 내지 6개일 수 있지만, 이를 제한하지 않는다.
바람직하게는, 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소 원자는 4 내지 20개이다. 예를 들어, 헤테로아릴기는 피리딜, 비피리딜, 티에닐, 푸라닐, 피롤릴, 이미다졸릴, 옥사졸릴, 트리아졸릴, 피리딜, 비피리딜, 아크리디닐, 피리다지닐, 퀴놀리닐, 퀴나졸리닐, 벤조이미다졸릴, 벤조티에닐, 벤조옥사졸릴, 페난트롤린, 이속사졸릴, 페노티아지닐, 벤조퀴놀리닐, 벤조퀴녹살리닐, 피리도퀴놀리닐, 나프티리디닐 등 일 수 있다.
본 발명에서, 치환기로서 헤테로아릴기의 구체적인 예는 피리딜, 페난트롤리닐, 메틸 치환된 피리딜, 비피리딜, 퀴놀리닐, 퀴나졸리닐 및 벤조이미다졸기, 벤조퀴놀리닐, 벤조퀴녹살리닐, 피리도퀴놀리닐, 나프티리디닐 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는다.
본 발명에서, 아릴기에 대한 해석이 아릴렌기에 적용될 수 있고, 헤테로아릴기에 대한 해석도 헤테로아릴렌기에 적용될 수 있다.
본 발명에서 할로겐은 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 가리킬 수 있다.
또한, 치환은 하나 이상의 수소 원자가 치환기에 의해 치환되는 것을 가리킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, R은 치환 또는 비치환기V로부터 선택되고, 비치환기V는 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
Figure pct00015
상기
Figure pct00016
는 화학결합을 나타내고; 치환된 V는 하나 이상의 치환기를 가지며, 상기 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 불소, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 페닐기, 피리딜, 시클로펜틸, 시클로헥실, 피롤리디닐로부터 선택되며; V의 치환기 수가 1보다 큰 경우, 각 치환기는 동일하거나 상이하다.
선택적으로, R은 하기 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
Figure pct00017
,
상기 *는 상기 기가 화학식 I 중의
Figure pct00018
기와 결합하기 위해 사용됨을 나타낸다.
선택적으로, R은 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
Figure pct00019
Figure pct00020
상기 *는 상기 기가 화학식 I-1 중의
Figure pct00021
, 화학식 I 중의
Figure pct00022
기와 결합하기 위해 사용됨을 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 Ar1, Ar2는 각각 독립적으로 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 5 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되며;
바람직하게는, 상기 Ar1, Ar2의 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 불소, 시아노기, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 페닐, 피리딜로부터 선택된다.
본 발명의 다른 실시예에서, Ar1, Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환기W로부터 선택되고, 비치환기W는 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
Figure pct00023
Figure pct00024
;
상기
Figure pct00025
는 화학결합을 나타내고; 치환된 W는 하나 이상의 치환기를 가지며, 상기 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 불소, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 페닐기, 피리딜로부터 선택되며; W의 치환기 수가 1보다 큰 경우, 각 치환기는 동일하거나 상이하다.
선택적으로, 상기 Ar1, Ar2는 각각 독립적으로 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
Figure pct00026
본 발명의 일 실시예에서, 본 발명실시예에 따른 질소 함유 화합물은 다음 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
상기 질소 함유 화합물은 예시에 불과하며, 여기에 나열되지 않은 다른 질소 함유 화합물도 포함할 수 있지만, 여기서는 일일히 나열하지 않는다.
이하, 실시예를 참조하여, 본 발명의 질소 함유 화합물의 합성 과정에 대해 상세히 설명한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 예시에 불과하며, 본 발명을 한정하는 것이 아니다.
화합물1의 합성:
Figure pct00035
SM1(50g, 362.50mmol), SM2(109.07g, 362.50mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(20.95g, 18.16mmol), 탄산칼륨(100.20g, 725.00mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(5.03g,18.12mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-A-1(87.13g, 수율 90%)을 얻는다.
Figure pct00036
중간체IM-I-A-1(87.13g, 326.20mmol), 수산화 나트륨(26.09g, 652.42mmol), NMP(N-메틸피롤리돈)(1054.18g, 10634.36mmol)을 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 3시간 동안 가열, 환류 및 교반하며, 반응 용액을 실온으로 냉각하고 디클로로메탄(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 디클로로메탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제하고, 컬럼을 농축 및 건조하여 중간체IM-I-A(60.45g, 수율 75%)를 얻는다.
Figure pct00037
SM3(5.00g, 21.35mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-B(2.76g, 수율 65%)를 얻는다.
Figure pct00038
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-B(2.41g, 12.14mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-C-1(3.49g, 수율 90%)을 얻는다.
Figure pct00039
중간체IM-I-C-1(3.49g, 10.86mmol)을 DCM(디클로로메탄)(30ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(5.79g, 32.57mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-C-2(3.5g, 수율 90%)를 얻는다.
Figure pct00040
중간체IM-I-C-2(3.5g, 10.86mmol)를 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-C(2.97g, 수율 65%)를 얻는다.
Figure pct00041
중간체IM-I-C(2.97g, 8.13mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 1(3.95g, 수율 88%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=552.6[M+H]+.
중간체IM-I-C의 합성 방법을 참조하여 하기 중간체를 합성한다.
Figure pct00042
화합물2의 합성:
Figure pct00043
SM5(10.00g, 40.30mmol)를 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-D-1(5.0g, 수율 58%)을 얻는다.
Figure pct00044
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-D-1(3.45g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-D-2(4.66g, 수율 86%)를 얻는다.
Figure pct00045
중간체IM-I-D-2(4.0g, 11.9mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)가 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-D-3(3.5g, 수율 94%)을 얻는다.
Figure pct00046
중간체IM-I-D-3(4.66g, 13.89mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-D(2.63g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00047
중간체IM-I-D(2.63g, 6.93mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 2(3.45g, 수율 88%)를 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=566.7[M+H]+.
화합물3의 합성:
Figure pct00048
SM6(10.00g, 40.30mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-E-1(5.0g, 수율 58%)을 얻는다.
Figure pct00049
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-E-1(3.45g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-E-2(4.66g, 수율 86%)를 얻는다.
Figure pct00050
중간체IM-I-E-2(4.0g, 11.9mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)가 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-E-3(3.5g, 수율 94%)을 얻는다.
Figure pct00051
중간체IM-I-E-3(4.66g, 13.89mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-E(2.63g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00052
중간체IM-I-E(2.63g, 6.93mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 3(3.45g, 수율 88%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=566.7[M+H]+.
화합물4의 합성:
Figure pct00053
SM7(5.00g, 21.35mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-F-1(2.76g, 수율 65%)을 얻는다.
Figure pct00054
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체I-F-1(2.41g, 12.14mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-F-2(3.49g, 수율 90%)를 얻는다.
Figure pct00055
중간체IM-I-F-2(3.3g, 10.26mmol)를 DCM(디클로로메탄)(30ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(5.48g, 30.80mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-F-3(3.5g, 수율 85%)을 얻는다.
Figure pct00056
중간체IM-I-F-3(3.49g, 10.86mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-F(2.97g, 수율 65%)를 얻는다.
Figure pct00057
중간체IM-I-F(2.97g, 8.13mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 4(3.99g, 수율 89%)를 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=552.6[M+H]+.
Figure pct00058
화합물 4의 화합물 합성 방법을 참조하며, Q-1로 SM4를 대체하여 화합물113(수율 85%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=643.2.
화합물 4의 합성 방법을 참조하며, 중간체-X로 중간체IM-I-F를 대체하고, 중간체-Y로 SM4를 대체하여, 하기 표 2에 나타낸 화합물을 합성한다.
Figure pct00059
화합물5의 합성:
Figure pct00060
SM8(10.00g, 32.13mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-G-1(5.0g, 수율 56%)을 얻는다.
Figure pct00061
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-G-1(4.46g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-G-2(5.42g, 수율 84%)를 얻는다.
Figure pct00062
중간체IM-I-G-2(5.42g, 13.6mmol)를 DCM(디클로로메탄)(30ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(5.79g, 32.57mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-G-3(5.69g, 수율 88%)을 얻는다.
Figure pct00063
중간체IM-I-G-3(5.40g, 18.30mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-G(4.04g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00064
중간체IM-I-G(4.04g, 9.13mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 5(5.00g, 수율 85%)를 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=529.7[M+H]+.
화합물6의 합성:
Figure pct00065
SM9(10.00g, 32.13mmol)를 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-H-1(5.0g, 수율 56%)을 얻는다.
Figure pct00066
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-H-1(4.46g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-H-2(5.42g, 수율 84%)를 얻는다.
Figure pct00067
중간체IM-I-H-2(5.4g, 13.5mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-H-3(5.8g, 수율 90%)을 얻는다.
Figure pct00068
중간체IM-I-H-3(5.4g, 18.30mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-H(4.04g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00069
중간체IM-I-H(4.04g, 9.13mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 6(4.94g, 수율 84%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=529.7[M+H]+.
화합물7의 합성:
Figure pct00070
SM10(10.00g, 63.29mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-I-1(4.90g, 수율 56%)을 얻는다.
Figure pct00071
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-I-1(1.98g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-I-2(3.29g, 수율 83%)를 얻는다.
Figure pct00072
중간체IM-I-I-2(3.29g, 13.4mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-I-3(3.87g, 수율 89%)을 얻는다.
Figure pct00073
중간체IM-I-I-3(3.3g, 13.14mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-I(1.95g, 수율 49%)를 얻는다.
Figure pct00074
중간체IM-I-I(1.95g, 6.74mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 7(2.66g, 수율 83%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=476.5[M+H]+.
화합물 7의 NMR 데이터: 1HNMR(400MHz, CDCl3): 9.23 (s,1H), 8.85-8.79(m,6H),8.73(s,1H), 8.08(d,1H), 7.82-7.76(m,3H),7.53(t,1H), 7.49-7.44(m,5H), 7.39-7.33(m,2H).
화합물8의 합성:
Figure pct00075
SM11(10.00g, 58.12mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-J-1(4.45g, 수율 56%)을 얻는다.
Figure pct00076
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-J-1(2.21g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-J-2(3.48g, 수율 83%)를 얻는다.
Figure pct00077
중간체IM-I-J-2(3.48g, 13.4mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-J-3(4.08g, 수율 90%)을 얻는다.
Figure pct00078
중간체IM-I-J-3(3.50g, 13.42mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-J(2.04g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00079
중간체IM-I-J(2.04g, 6.73mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 8(2.81g, 수율 86%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=495.6[M+H]+.
화합물9의 합성:
Figure pct00080
SM12(10.00g, 58.12mmol)를 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-K-1(4.45g, 수율 56%)을 얻는다.
Figure pct00081
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-K-1(2.21g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-K-2(3.48g, 수율 83%)를 얻는다.
Figure pct00082
중간체IM-I-K-2(3.48g, 13.4mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-K-3(4.08g, 수율 90%)을 얻는다.
Figure pct00083
중간체IM-I-K-3(3.5g, 13.42mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-K(2.04g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00084
중간체IM-I-K(2.04g, 6.73mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 9(2.81g, 수율 86%)를 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=495.6[M+H]+.
화합물10의 합성:
Figure pct00085
SM13(10.00g, 53.75mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-L-1(4.29g, 수율 53%)을 얻는다.
Figure pct00086
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-L-1(2.44g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-L-2(3.67g, 수율 83%)를 얻는다.
Figure pct00087
중간체IM-I-L-2(3.67g, 13.4mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-L-3(4.20g, 수율 90%)을 얻는다.
Figure pct00088
중간체IM-I-L-3(3.7g, 13.42mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-L(2.08g, 수율 49%)을 얻는다.
Figure pct00089
중간체IM-I-L(2.08g, 6.55mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 10(2.78g, 수율 84%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=504.6[M+H]+.
화합물11의 합성:
Figure pct00090
SM14(10.00g, 53.75mmol)를 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-M-1(4.29g, 수율 53%)을 얻는다.
Figure pct00091
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-M-1(2.44g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-M-2(3.67g, 수율 83%)를 얻는다.
Figure pct00092
중간체IM-I-M-2(3.67g, 13.4mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-M-3(4.20g, 수율 90%)을 얻는다.
Figure pct00093
중간체IM-I-M-3(3.7g, 13.42mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-M(2.08g, 수율 49%)을 얻는다.
Figure pct00094
중간체IM-I-M(2.08g, 6.55mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 11(2.78g, 수율 84%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=504.6[M+H]+.
화합물12의 합성:
Figure pct00095
SM15(10.00g, 48.06mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-N-1(4.40g, 수율 53%)을 얻는다.
Figure pct00096
중간체I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체I-N-1(2.80g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-N-2(4.06g, 수율 85%)를 얻는다.
Figure pct00097
중간체IM-I-N-2(4.06g, 13.4mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-N-3(4.57g, 수율 89%)을 얻는다.
Figure pct00098
중간체IM-I-N-3(4.00g, 13.75mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-N(2.28g, 수율 49%)을 얻는다.
Figure pct00099
중간체IM-I-N(2.28g, 6.72mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 12(2.97g, 수율 84%)를 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=526.6[M+H]+.
화합물13의 합성:
Figure pct00100
SM16(10.00g, 47.83mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-O-1(4.41g, 수율 53%)을 얻는다.
Figure pct00101
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-O-1(2.81g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-O-2(4.02g, 수율 84%)를 얻는다.
Figure pct00102
중간체IM-I-O-2(4.02g, 13.5mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-O-3(4.53g, 수율 89%)을 얻는다.
Figure pct00103
중간체IM-I-O-3(4.00g, 13.56mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-O(2.31g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00104
중간체IM-I-O(2.31g, 6.79mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 13(3.01g, 수율 84%)을 얻는다. 질량 스펙트럼:m/z=527.6 [M+H]+.
화합물14의 합성:
Figure pct00105
SM17(10.00g, 44.03mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-P-1(4.45g, 수율 53%)을 얻는다.
Figure pct00106
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-P-1(3.11g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-P-2(4.22g, 수율 83%)를 얻는다.
Figure pct00107
중간체IM-I-P-2(4.22g, 13.4mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-P-3(4.69g, 수율 89%)을 얻는다.
Figure pct00108
중간체IM-I-P-3(4.20g, 13.42mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-P(2.4g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00109
중간체IM-I-P(2.40g, 6.70mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 14(3.01g, 수율 84%)를 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=545.6[M+H]+.
화합물15의 합성:
Figure pct00110
SM18(10.00g, 51.00mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(50ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(1.44g, 22.42mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(3.33g, 32.03mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체I-Q-1(3.92g, 수율 51%)을 얻는다.
Figure pct00111
중간체IM-I-A(3.0g, 12.14mmol), 중간체IM-I-Q-1(2.44g, 16.18mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.70g, 0.61mmol), 탄산칼륨(3.36g, 24.28mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.61mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-I-Q-2(3.75g, 수율 85%)를 얻는다.
Figure pct00112
중간체IM-I-Q-2(3.75g, 13.7mmol)를 DCM(디클로로메탄)(40ml)이 담겨 있는 플라스크에 첨가하고, NBS(N-숙신이미드)(6.36g, 35.7mmol)를 첨가하여 실온에서 밤새 교반하며, 반응 완료 후, 여과하여 백색의 조생성물을 얻고, N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-Q-3(4.25g, 수율 88%)을 얻는다.
Figure pct00113
중간체IM-I-Q-3(3.8g, 13.72mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(0.73g, 11.40mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(1.69g, 16.29mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-I-Q(2.18g, 수율 50%)를 얻는다.
Figure pct00114
중간체IM-I-Q(2.18g, 6.87mmol), SM4(2.54g, 8.13mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.47g, 0.41mmol), 탄산칼륨(2.25g, 16.26mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.11g, 0.41mmol), 톨루엔(30mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 15(2.87g, 수율 83%)를 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=504.6[M+H]+.
화합물88의 합성:
Figure pct00115
SMA-1(10g, 29.24mmol), SMB-1(4.0g, 29.23mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(1.68g, 1.46mmol), 탄산칼륨(12.1g, 87.7mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.4g, 1.46mmol), 톨루엔(100mL), 에탄올(40mL) 및 탈이온수(20mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 중간체IM-AA-1(8.18g, 수율 79%)을 얻는다.
Figure pct00116
중간체IM-AA-1(8.0g, 22.5mmol)을 THF(테트라 하이드로 퓨란)(30ml)이 담겨 있는 250ml 3구 플라스크에 첨가하고 -78°C에서 n-부틸리튬(2.17g, 33.8mmol)을 적가하며, 적가 완료 후 1시간 동안 보온하고 트리메틸보레이트(7.04g, 67.75mmol)를 적가하고, 계속하여 1시간 동안 보온하고 실온으로 온도를 상승시킨 후 밤새 교반한다. 염산(2mol/L)을 첨가하여 PH를 중성으로 조절한 후, 여과하여 백색 조생성물을 얻고, 이를 N-헵탄으로 비팅(beating)하여 백색의 고체 중간체IM-AA-2(4.54g, 수율 63%)를 얻는다.
Figure pct00117
중간체IM-A-2(4.0g, 12.57mmol), SM4(3.92g, 12.57mmol), 테트라(트리페닐 포스핀)팔라듐(0.72g, 0.63mmol), 탄산칼륨(5.20g, 37.71mmol), 테트라부틸암모늄 클로라이드(0.17g, 0.62mmol), 톨루엔(32mL), 에탄올(16mL) 및 탈이온수(8mL)를 둥근 바닥 플라스크에 첨가하고, 질소 보호하에서 78℃로 온도를 상승시켜 10시간 동안 교반하며; 반응 용액을 실온으로 냉각하고 톨루엔(200mL)을 첨가하여 추출하며, 유기상을 합하고 무수 황산 마그네슘을 사용하여 건조 및 여과하고 감압하에 용매를 제거하며; 얻어진 조생성물을 이동상으로 n-헵탄을 사용하는 실리카겔 컬럼 크로마토 그래피로 정제한 후, 디클로로메탄/에틸아세테이트 시스템을 사용하여 재결정화하고 정제하여 화합물 88(4.96g, 수율 78%)을 얻는다. 질량 스펙트럼: m/z=493.1[M+H]+.
화합물88의 NMR 데이터: 1HNMR(400MHz, CDCl3): 9.30(s,1H), 8.84-8.80(m,6H), 8.72(s,1H),8.42(d,1H), 8.05(d,1H), 7.75(d,2H), 7.57-7.50(m,2H), 7.48-7.45(m,4H), 7.38-7.34(m,2H).
본 발명에 의해 제공되는 질소 함유 화합물의 합성 방법은 특별한 제한이 없으며, 당업자는 본 발명의 질소 함유 화합물의 합성예에서 제공된 제조 방법을 결부하여 적절한 합성 방법을 결정할 수 있다. 즉, 본 발명의 합성예 부분에서 질소 함유 화합물의 제조 방법을 예시적으로 제공하며, 사용되는 원료는 상업적으로 구매하거나 또는 당업계에 공지된 방법에 따라 입수할 수 있다. 당업자는 이러한 예시적인 제조 방법에 따라 본 발명에 의해 제공되는 모든 질소 함유 화합물을 얻을 수 있으며, 여기서 질소 함유 화합물을 제조하기 위한 모든 구체적인 제조 방법은 상세하게 설명되지 않지만, 당업자는 본 발명에 대해 제한하는 것으로 해석해서는 안된다.
본 발명의 제2 측면은 전자 소자를 제공하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 전자 소자는 대향 설치된 애노드(1), 캐소드(5) 및 애노드(1)와 캐소드(5) 사이에 설치된 기능층(3)을 포함하며, 상기 기능층(3)은 상기 임의의 실시예에 따른 질소 함유 화합물을 포함한다.
애노드(1)는 기능층(3)으로 정공 주입을 용이하게 하는 재료, 예컨대 애노드(1) 재료는 금속, 합금 또는 금속 산화물 등 일 수 있고, 예를 들어, 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금 또는 이들의 합금, 또는 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO) 및 인듐 아연 산화물(IZO)일 수 있으며; 물론, 애노드(1) 재료는 또한 예컨대 ZnO: Al, SnO2: Sb, 전도성 폴리머(폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린) 등과 같은 조합물일 수 있고, 애노드(1) 재료는 이에 한정되지 않으며, 여기에 나열되지 않은 다른 재료일 수도 있다. 바람직하게는, 애노드(1) 재료는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)일 수 있는데, 기능층(3)의 애노드(1)로부터 멀리 떨어진 표면을 피복하는 필름일 수 있고, 그 두께는 80Å 내지 200Å, 예를 들어 80Å, 120Å, 160Å 또는 200Å일 수 있으며, 물론 다른 두께일 수도 있지만, 여기서 일일히 나열하지 않는다.
캐소드(5)는 기능층(3)으로 전자 주입을 용이하게 하는 재료, 예를 들어, 캐소드(5) 재료는 금속, 또는 합금재료일 수 있고, 예컨대 캐소드(5) 재료는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납 또는 이들의 합금일 수 있고, LiF/Al, Liq/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca와 같은 다층 재료일 수도 있으며, 물론, 캐소드(5) 재료는 다른 재료일 수도 있지만, 여기서는 일일히 나열하지 않는다. 바람직하게는, 캐소드(5) 재료는 알루미늄일 수 있다. 캐소드(5)의 두께는 100Å, 150Å, 200Å, 250Å 또는 300Å일 수 있고, 다른 두께일 수도 있으며, 이를 제한하지 않는다.
일 실시예에서, 기능층(3)은 상기 임의의 하나의 질소 함유 화합물을 포함하는 전자 수송층(34)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송층(34)은 전자의 수송을 위한 한층의 필름일 수 있고, 두께는 200Å 내지 400Å, 예를 들어, 200Å, 250Å, 300Å, 350Å 또는 400Å일 수 있으며, 물론 다른 두께일 수도 있지만, 여기서는 일일히 나열하지 않는다.
기능층(3)은 또한 발광층(33), 전자 차단층(32) 및 정공 수송층(31)을 포함할 수 있고, 상기 발광층(33)은 캐소드(5)에서 멀리 떨어진 전자 수송층(34)의 일측에 설치되어 전자와 정공의 재결합 또는 분리를 위한 장소를 제공하며, 전자와 정공은 발광층(33)에서 재결합되어 여기자를 생성함으로써 발광 효과를 구현한다. 전자 차단층(32)은 전자 수송층(34)에서 멀리 떨어진 발광층(33)의 일측에 설치되어 전자가 애노드(1)로 수송되는 것을 차단한다. 정공 수송층(31)은 발광층(33)에서 멀리 떨어진 전자 차단층(32)의 일측에 설치되어 정공의 수송에 사용될 수 있다. 전자 소자는 적층 설치된 애노드(1), 정공 수송층(31), 발광층(33), 전자 수송층(34) 및 캐소드(5)를 포함할 수 있다.
동시에, 본 발명의 실시예에 따른 전자 소자는 정공 주입층(2) 및 전자 주입층(4)을 더 포함할 수 있으며, 상기 정공 주입층(2)은 기능층(3)과 애노드(1) 사이에 설치될 수 있고; 전자 주입층(4)은 기능층(3)과 캐소드(5) 사이에 설치될 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 소자는 유기 전계 발광 소자일 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 전자 소자는 또한 태양 전지일 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 유기 태양 전지일 수 있다. 주로 캐소드(400), 애노드(200) 및 기능층(300)을 포함하되, 상기 기능층(300)은 캐소드(400)와 애노드(200) 사이에 설치되고, 상기 기능층(300)은 본 발명의 임의의 실시예에 따른 질소 함유 화합물을 포함할 수 있으며, 여기자의 전송 속도를 향상시키기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 기능층(300)은 전자 수송층(303), 정공 수송층(301) 및 감광 활성층(302)을 포함할 수 있고, 기판(100) 상에 애노드(200)를 형성할 수 있으며, 상기 애노드(200)는 기판(100) 상에 부착된 필름일 수 있고, 기판(100)과 멀리 떨어진 애노드(200)의 표면에 정공 수송층(301)이 형성될 수 있고, 애노드(200)와 멀리 떨어진 정공 수송층(301)의 표면에 감광 활성층(302)이 형성될 수 있고, 정공 수송층(301)과 멀리 떨어진 감광 활성층(302)의 표면에 전자 수송층(303)이 형성될 수 있으며, 상기 전자 수송층(303)은 본 발명의 임의의 실시예에 따른 질소 함유 화합물을 포함할 수 있고, 감광 활성층(302)과 멀리 떨어진 전자 수송층(303)의 표면에 캐소드(400)가 형성될 수 있다. 태양전지에 태양광이 조사되면, 감광 활성층(302)의 전자는 에너지를 얻어 전이되며 여기자를 생성하고, 전자수송층(303)과 정공 수송층(301)의 도움으로 전자는 캐소드(400)로 이동하고 정공은 애노드(200)로 이동함으로써, 태양전지의 캐소드(400)와 애노드(200) 사이에 전위차가 발생하여 발전 기능을 구현할 수 있다.
이하, 유기 전계 발광 소자를 예로 들어, 실시예를 통해 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 대해 상세히 설명하고자 한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명의 예시에 불과하며, 본 발명을 한정하는 것이 아니다.
상기 전자 소자는 다양한 전자 장치에 적용될 수 있으며, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 전자 장치는 디스플레이 장치, 조명 장치, 광통신 장치 또는 기타 형태의 전자 장치일 수 있는데, 예를 들어, 컴퓨터, 휴대폰(500), 텔레비전, 전자 종이, 비상 조명, 광학 모듈 등이 포함될 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
유기 전계 발광 소자의 제조 및 평가 실시예
실시예 1: 유기 전계 발광 소자의 제조
다음 공정을 통해 애노드(1)를 제조한다. 즉: ITO 두께 1500Å 의 ITO 기판(코닝사)을 40mm(길이) × 40mm(폭) ×0.7mm(두께)의 크기로 절단하고, 포토리소그래피 공정을 통해 캐소드(5), 애노드(1) 및 절연층 패턴을 갖는 실험 기판으로 제조하고, 자외선, 오존 및 O2:N2 플라즈마를 사용하여 표면 처리를 수행하여 애노드(1)의 일함수를 증가시키고 유기 용매를 사용하여 ITO 기판 표면을 청소하여 ITO 기판 표면의 불순물과 오일을 제거하며, 예를 들어, 에탄올, 아세톤 또는 이소프로판올과 같은 유기 용매를 사용하여 ITO 기판을 초음파로 세척하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다. ITO 기판은 또한 실제 수요에 따라 다른 크기로 절단될 수 있으며, 본 발명의 명세서에서는 ITO 기판의 크기에 대해 특별히 제한하지 않는다.
실험 기판(애노드1)에 HAT-CN(구조식은 후술되는 내용 참조)을 진공 증착하여 100Å 두께의 정공 주입층(2)(HIL)을 형성하고, 정공 주입층(2)(HIL)에 NPB(구조식은 후술되는 내용 참조)를 진공 증착하여 850Å 두께의 정공 수송층(31)(HTL)을 형성한다.
정공 수송층(31)(HTL) 위에 화합물 TCTA(구조식은 후술되는 내용 참조)를 증착하여 100Å 두께의 전자 차단층(32)(EBL)을 형성한다. 물론, 전자 차단층(32)(EBL)은 다른 두께일 수도 있으며, 여기서 특별히 한정하지 않는다.
전자 차단층(32)(EBL) 위에 화합물 α,β-ADN(구조식은 후술되는 내용 참조)을 본체로 동시에 BD-1(구조식은 후술되는 내용 참조)이 도핑된 혼합물을 증착하고, 본체와 도펀트를 20:1의 막 두께 비율로 도핑하여 220Å의 두께를 갖는 발광층(33)(EML)을 형성한다. 본 발명의 일 실시예에서, 막 두께 비율은 증착 속도에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 화합물 α,β-ADN 및 화합물 BD-1을 동시에 증착하여 발광층을 형성할 수 있으며, 상기 화합물 α,β-ADN의 증착 속도는 화합물 BD-1의 침적 속도의 20배이다.
발광층(33)(EML) 위에 2:1의 막 두께 비율에 따라 화합물 1과 LiQ(구조식은 후술되는 내용 참조)를 증착하여 전자 수송층(34)(ETL)으로 사용하며, 상기 전자 수송층(34)의 두께는 350Å일 수 있고, 물론, 전자 수송층(34)(ETL)은 다른 두께일 수도 있으며, 여기서는 특별히 제한되지 않는다.
전자 수송층(34)(ETL) 위에 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 10:1의 막 두께 비율로 증착하여 150Å 두께의 캐소드(5)를 형성한다.
또한, 상기 캐소드(5)에 두께 650Å로 화합물CP-1(구조식은 후술되는 내용 참조)을 증착하여 커버층(CPL)을 형성함으로써, 유기 발광 소자의 제조가 완료된다.
Figure pct00118
실시예 2 내지 실시예 19
전자 수송층(ETL) 형성 시, 화합물 1 대신에 표 2에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하며, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 전계 발광 소자를 제조한다. 제조된 각 소자의 성능은 표 3를 참조할 수 있다.
비교예 1 내지 비교예 8
비교예 1 내지 비교예 8에서, 화합물 A 내지 화합물 H로 화합물 1을 각각 대체하여 전자 수송층(ETL)으로 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방식으로 유기 전계 발광 소자를 제조한다. 상기 화합물 A 내지 화합물 H의 화학식은 각각 다음에 표시한 바와 같다. 즉:
Figure pct00119
즉, 비교예 1에서는 화합물 A를 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제조하고; 비교예 2에서는 화합물 B를 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제조하고; 비교예 3에서는 화합물 C를 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제조하고; 비교예 4에서는 화합물 D를 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제조하고; 비교예 5에서는 화합물 E를 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제조하고; 비교예 6에서는 화합물 F를 사용하여 유기 전계 발광 소자를 제조한다.
제조된 각 소자의 성능은 표 2를 참조할 수 있다. 상기 IVL(전류, 전압, 휘도) 데이터는 10mA/cm2에서 테스트한 결과이고, T95 수명은 15mA/cm2에서 전류밀도에서 테스트한 결과이다.
표 3 실시예 1 내지 19와 비교예 1 내지 비교예 6의 소자의 성능
Figure pct00120
표 3으로부터 알수 있다 시피, 전자 수송층(ETL)의 실시예 1 내지 실시예 19의 화합물을 공지의 화합물 A, 화합물 B, 화합물 C, 화합물 D, 화합물 E 및 화합물 F가 사용된 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3, 비교예 4, 비교예 5 및 비교예 6과 비교하면, 본 발명에 사용되는 전자 수송층(ETL)으로 제조된 전술한 유기 전계 발광 소자의 수명이 적어도 25% 증가된다.
또한, 본 발명은 전술한 임의의 실시예의 전자 소자를 포함할 수 있는 전자 장치를 제공하며, 그 유익한 효과 및 구체적인 내용은 전술한 전자 소자를 참조할 수 있으며, 여기서는 반복하여 설명하지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 장치는 디스플레이 장치, 조명 장치, 광통신 장치 또는 다른 장치일 수 있는데, 예를 들어, 컴퓨터, 휴대폰(500), 텔레비전, 전자 종이, 비상 조명, 및 광학 모듈 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자는 명세서를 참조하고 여기에 개시된 발명을 기반으로 본 발명의 다른 실시예를 쉽게 도출할 수 있다. 본 발명은 본 발명에 대한 임의의 변형, 용도 또는 적응적 변경을 포괄하도록 의도되며, 이러한 변형, 용도 또는 적응적 변경은 본 발명의 일반적인 원리를 기반으로 하며, 본 발명의 기술 분야의 상식 또는 통상적인 기술적 수단을 포함한다. 명세서 및 실시예는 단지 예시적인 것으로 간주되어야 하며, 본 발명의 진정한 범위 및 사상은 다음의 청구 범위에 의해 지정된다.
1, 애노드; 2, 정공 주입층;
3, 기능층; 31, 정공 수송층;
32, 전자 차단층; 33, 발광층;
34, 전자 수송층; 4, 전자 주입층;
5, 캐소드; 100, 기판;
200, 애노드; 300, 기능층;
301, 정공 수송층; 302, 감광 활성층;
303, 전자 수송층; 400, 캐소드;
500, 스크린.

Claims (23)

  1. 질소 함유 화합물에 있어서,
    상기 질소 함유 화합물의 일반 구조식은 하기 화학식 I-1로 표시되며,
    Figure pct00121

    상기 X는 산소 또는 황이고;
    R은 1 내지 10개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기, 5 내지 20개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되고, 상기 R은
    Figure pct00122
    이 아니며;
    L은 단일결합, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되며;
    Ra 및 Rb는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 시아노기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기, 1 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 알킬기 및 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기로부터 선택되며; na는 Ra의 수이고, nb는 Rb의 수이며;
    na는 0, 1, 2, 3 또는 4에서 선택되고, na가 1보다 큰 경우, 임의의 두 Ra는 동일하거나 상이하며;
    nb는 0, 1, 2로부터 선택되고, nb가 1보다 큰 경우, 임의의 두 Rb는 동일하거나 상이하며;
    Ar1, Ar2는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되며;
    상기 L, Ar1 및 Ar2의 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 시아노기, 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기, 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 알케닐기, 3 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 알키닐기, 중수소, 불소, 시아노기, 메틸 및 tert-부틸로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 3, 4 또는 5개의 치환기에 의해 임의로 치환된 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴기, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 헤테로아릴기, 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 헤테로시클로알킬기, 6 내지 24개의 탄소 원자를 갖는 아릴실릴기, 3 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬실릴기, 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 할로알킬기로부터 선택되며;
    상기 R의 치환기는 중수소, 불소, 시아노기, 1 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 알킬기, 3 내지 5개의 탄소 원자를 갖는 시클로알킬기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  2. 질소 함유 화합물로서, 화학식 I로 표시되는 화합물로부터 선택되며:
    Figure pct00123

    상기 X는 산소 또는 황이고;
    R은 1 내지 10개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기, 4 내지 20개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되며;
    L은 단일결합, 6 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 1 내지 30개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되며;
    상기 R의 치환기는 중수소, 니트로기, 하이드록실기, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 헤테로시클로알킬기, 알콕시기, 아릴실릴기, 알킬실릴기로부터 선택되며;
    상기 L의 치환기는 중수소, 니트로기, 하이드록실기, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 헤테로시클로알킬기, 알콕시기, 아릴실릴기, 알킬실릴기, 아릴옥시기, 아릴티오기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 동시에 페닐기가 아닌 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 R은 3 내지 5개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기, 5 내지 15개의 고리 형성 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L은 단일결합, 6 내지 25개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 5 내지 25개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L은 단일결합, 6 내지 15개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 5 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L은 단일결합, 페닐렌기, 디메틸렌 플루오레닐, 비페닐렌기, 나프틸렌기 또는 터페닐릴렌기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L은 단일결합, 페난트릴렌기, 안트릴렌기, 피리딜렌기, 피리미디닐렌기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐렌기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L은 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    Figure pct00124
    ,
    상기 *는 상기 기가 화학식 I 중의
    Figure pct00125
    기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내며;
    **는 상기 기가 화학식 I 중의 R기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 L은 단일결합 또는 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    Figure pct00126

    Figure pct00127
    ,
    상기 *는 상기 기가 화학식 I -1 중의
    Figure pct00128
    , 화학식 I 중의
    Figure pct00129
    의 기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내며;
    **는 상기 기가 화학식 I-1, 화학식 I 기 중의 R기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 R은 치환 또는 비치환기V로부터 선택되고, 상기 비치환기V는 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    Figure pct00130

    상기
    Figure pct00131
    는 화학결합을 나타내고; 치환된 V는 하나 이상의 치환기를 가지며, 상기 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 불소, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 페닐기, 피리딜, 시클로펜틸, 시클로헥실, 피롤리디닐로부터 선택되며; V의 치환기 수가 1보다 큰 경우, 각 치환기는 동일하거나 상이한 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  12. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 R은 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    Figure pct00132
    ,
    상기 *는 상기 기가 화학식 I 중의
    Figure pct00133
    의 기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 R은 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    Figure pct00134

    Figure pct00135

    상기 *는 상기 기가 화학식 I-1 중의
    Figure pct00136
    , 화학식 I 중의
    Figure pct00137
    의 기와 결합하기 위해 사용됨을 나타내는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  14. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 Ar1, Ar2는 각각 독립적으로 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 5 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  15. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 Ar1, Ar2의 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 불소, 시아노기, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 페닐, 피리딜로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  16. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 Ar1, Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환기W로부터 선택되고, 비치환기W는 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되며;
    Figure pct00138

    Figure pct00139
    ;
    상기
    Figure pct00140
    는 화학결합을 나타내고; 치환된 W는 하나 이상의 치환기를 가지며, 상기 치환기는 각각 독립적으로 중수소, 시아노기, 불소, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, tert-부틸, 페닐기, 피리딜로부터 선택되며; W의 치환기 수가 1보다 큰 경우, 각 치환기는 동일하거나 상이한 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  17. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 Ar1, Ar2는 각각 독립적으로 다음 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
    Figure pct00141
    .
  18. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    na, nb는 각각 독립적으로 0으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
  19. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 질소 함유 화합물은 다음 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 질소 함유 화합물.
    Figure pct00142

    Figure pct00143

    Figure pct00144

    Figure pct00145

    Figure pct00146

    Figure pct00147

    Figure pct00148

    Figure pct00149
  20. 전자 소자로서,
    대향 설치된 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 설치된 기능층을 포함하며;
    상기 기능층은 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항의 질소 함유 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 기능층은 상기 질소 함유 화합물을 포함하는 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 전자 소자는 유기 전계 발광 소자 또는 태양 전지인 것을 특징으로 하는 전자 소자.
  23. 전자 장치로서,
    제20항 내지 제22항 중 어느 한 항의 전자 소자를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
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