KR20210121445A - 양극산화막 구조체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양극산화막 재질로 구성되는 양극산화막 구조체에 관한 것으로서, 특히, 도체 주변 재료의 파손을 최소화하고, 상부에 존재하는 부재와의 박리 문제를 방지하는 양극산화막 구조체에 관한 것이다.

Description

양극산화막 구조체{ANODIC ALUMINUM OXIDE STRUCTURE}
본 발명은 양극산화막 재질로 구성되는 양극산화막 구조체에 관한 것이다.
종래의 다층 배선 기판은 세라믹 기판상의 복수의 수지 절연층과 박막 도체층으로 구성되는 박막 배선부를 포함하여 구성될 수 있다.
이러한 다층 배선 기판은 일 예로서 프로브 카드에 이용될 수 있다. 이 때 다층 배선 기판은 프로브와 PCB기판 간의 피치 간의 차이를 보상해주고, 반도체 소자에 대한 전기적인 검사가 수행되도록 할 수 있다.
다층 배선 기판은 도금층으로 구성되는 박막 도체층이 복수의 절연층의 층간에 구비되고, 비아도체가 절연층을 두께 방향으로 관통하여 구비될 수 있다. 이 경우, 박막 도체층은 비아도체의 일단에 접촉되도록 구비되어 상, 하로 인접하는 박막 도체층간이 전기적으로 연결될 수 있다.
종래의 다층 배선 기판을 구성하는 절연층은 소결 세라믹 또는 수지가 주로 이용된다.
소결 세라믹 절연층 및 수지 절연층은 레이저 또는 마이크로 드릴을 이용하여 비아홀을 형성하기 때문에 비아홀의 크기 및 형상에 제약이 있다.
특히, 수지 절연층으로 구성되는 다층 배선 기판은, 수지 절연층의 열팽창률과 비아도체의 열팽창률의 차이로 인해 층간 박리 문제가 발생할 수 있다.
예를 들어, 다층 배선 기판은 고온의 분위기의 공정 과정에서 온도가 상승할 수 있다. 이 때 동일한 고온의 분위기의 조건에서, 비아도체는 수지 절연층보다 크게 열팽창할 수 있다. 위와 같은 비아도체와 수지 절연층간의 팽창의 차이에 의해 각 층의 수지 절연층간에 박리 문제가 발생할 수 있다.
또한, 비아도체는 수평 방향으로도 열팽창하여 주변에 존재하는 수지 절연층을 파손시키는 문제를 발생시킬 수 있다.
일본등록특허 JP 6100617 B2
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 구조체에서 요구되는 최적의 특성을 가지는 수직 도전부의 형상 및 크기의 제약이 없이 수직 도전부를 구비하는 양극산화막 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 내부에 구비되는 도체의 열팽창으로 인한 주변 재료의 파손을 최소화하고, 상부에 존재하는 부재와의 박리 문제를 방지하는 양극산화막 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 우수한 전기 전도도를 갖는 양극산화막 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 특징에 따른 양극산화막 구조체는, 양극산화막 재질로 구성되고, 상기 양극산화막의 표면에 구비되는 표면 도전부와, 상기 표면 도전부에 연결되며 상기 양극산화막의 관통홀에 충진된 수직 도전부를 포함하고, 상기 수직 도전부는 복수개의 미세 도전부가 군집을 이루어 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 미세 도전부 중 적어도 하나의 미세 도전부는 각진 모서리를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 복수개의 미세 도전부의 상기 표면 도전부에 대한 투영 영역은 상기 표면 도전부의 내측에 위치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 복수개의 미세 도전부의 상기 표면 도전부에 대한 투영 면적은 상기 표면 도전부의 면적 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 수직 도전부는 상기 미세 도전부를 외측에서 둘러싸는 테두리 도전부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 미세 도전부의 적어도 2개는 그 단면적의 크기가 서로 다른 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 미세 도전부의 적어도 2개는 그 형성이 서로 다른 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따른 양극산화막 구조체는, 양극산화막 재질로 구성되고, 상기 양극산화막의 제1표면에 구비되는 제1표면 도전부와, 상기 양극산화막의 제2표면에 구비되는 제2표면 도전부와, 상기 제1, 2표면 도전부를 연결하도록 상기 양극산화막의 관통홀에 충진된 수직 도전부를 포함하고, 상기 수직 도전부는 각진 모서리를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양극산화막 구조체는 형상, 크기 및 구조에 대한 제약없이 관통홀을 구비함으로써 구조체에서 요구되는 최적의 특성을 가지는 수직 도전부를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명의 양극산화막 구조체는 층간 박리 문제를 방지하는 효과를 발휘할 수 있고, 전기 전도도를 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.
도 1은 본 발명의 배경 및 본 발명의 개념을 개략적으로 도시한 도.
도 2는 도 1의 'A-A'를 따라 종래의 배선 기판의 도체부 및 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 도전부를 절단한 면을 도시한 도.
도 3 및 도 4는 본 발명의 양극산화막 구조체의 관통홀의 다양한 실시 예들을 도시한 도.
도 5 내지 도 8은 수직 도전부가 구비된 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 관통홀을 도시한 도.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다.
본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 에칭에 의해 관통홀이 구비될 수 있다. 이러한 관통홀은 그 형상 및 구조에 대한 한정이 없다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 에칭에 의해 형상 및 구조에 대한 제약이 없이 관통홀을 형성하여 수직 도전부를 구비할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 일 예로서 프로브 카드를 구성하는 다층 배선 기판으로서 이용될 수 있다. 프로브 카드를 이용하는 반도체 분야에서는 각 층간의 박리 문제가 해결되고, 전기 전도도가 높은 다층 배선 기판에 대한 기술 개발이 요구된다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 양극산화막(AAO) 재질로 구성됨으로써 관통홀의 형상, 크기 및 구조에 대한 제약을 없앨 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 형상, 크기 및 구조의 구현에 대한 자유도가 높은 관통홀에 수직 도전부를 구비하여 층간 박리 문제가 해결되고 전기 전도도가 높은 구조를 구현할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 배경 및 개념을 개략적으로 도시한 도이다.
도 1(a)는 수지 절연층으로 구성되는 종래의 배선 기판에 기계적 홀 가공 방법을 이용하여 형성된 비아도체홀(VH)을 위에서 바라보고 도시한 도이고, 도 1(b)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체에 에칭을 이용하여 형성된 관통홀(H)을 위에서 바라보고 도시한 도이다.
도 1(a)에 도시된 바와 같이, 수지 절연층(1)으로 구성되는 배선 기판은 종래의 배선 기판일 수 있다.
수지 절연층(1)은 두께 방향으로 관통하는 비아도체홀(VH)을 형성하기 위해 레이저 또는 드릴을 이용하는 기계적 가공 방법이 이용될 수 있다. 기계적 가공 방법의 경우 레이저 또는 드릴을 이용한다는 점에서 홀의 형상, 크기 및 구조에 대한 제약이 따를 수 있다.
구체적으로, 기계적 가공 방법에 의해 형성되는 홀은 주로 원형 단면을 갖거나, 면과 면이 만나는 모서리를 포함하지 않는 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 기계적 가공 방법은 미소한 크기의 홀 형성이 어렵고, 기계적 오차를 고려하는 피치 간격(P)을 두고 형성해야 하므로 그 구조에 대한 한정이 있을 수 있다.
따라서, 종래의 배선 기판의 비아도체홀(VH)은 한정적인 홀의 형상, 크기 및 구조로만 구비될 수 있다.
도 1(a)에 도시된 비아도체홀(VH)은 기계적 가공 방법에 의해 형성된 홀로서, 일 예로 R1의 직경으로 원형 단면을 갖는 형상으로 형성될 수 있다.
한편, 도 1(b)에 도시된 관통홀(H)은 에칭 방법에 의해 형성된 홀로서 도 1(a)의 비아도체홀(VH)의 직경(R1)보다 작은 직경(R2)으로 복수개 형성될 수 있다. 이 때 관통홀(H)은 도 1(a)의 R1의 직경을 갖는 비아도체홀(VH)의 단면적에 대응하는 크기 내에 복수개 형성될 수 있다.
양극산화막(AAO)은 기공(P)을 포함하는 다공층(PL) 및 다공층(PL)의 일면에 구비되어 기공(P)이 포함되지 않은 배리어층(BL)을 포함하여 구성된다. 도 1(b)에서는 일 예로서 양극산화막(AAO)이, 배리어층(BL)이 제거된 다공층(PL)만을 포함하여 구성되고 이를 두께 방향으로 관통하는 관통홀(H)이 구비되는 것으로 도시한다. 따라서, 도 1(b)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)의 개구 주변에 다수의 개구된 기공(P)들이 존재할 수 있다.
이와는 달리, 양극산화막(AAO)은 다공층(PL) 및 다공층(PL)의 상부에 구비되는 배리어층(BL)으로 구성될 수 있다. 이러한 양극산화막(AAO)에 관통홀(H)이 구비될 경우, 양극산화막(AAO)의 일면은 배리어층(BL)에 의해 기공(P)의 개구가 밀폐된 형태로 존재할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 상술한 2가지 유형의 양극산화막(AAO)의 구조가 모두 포함될 수 있다.
양극산화막(AAO) 재질은 상면에 감광성 재료를 구비한 다음 포토레지스트 공정이 수행될 수 있다. 감광성 재료는 포토레지스트 공정에 의해 적어도 일부가 패터닝되어 제거될 수 있다. 양극산화막(AAO)은 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 영역을 통해 에칭 공정이 수행될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 이와 같은 과정에 의해 관통홀(H)을 구비할 수 있다.
이 때 양극산화막(AAO)은 상면에 구비되는 감광성 재료의 패터닝 과정에 의한 패턴에 따라 관통홀(H)이 구비될 수 있다. 감광성 재료는 패터닝되는 영역의 크기 및 형상에 한정이 없다. 따라서, 관통홀(H)은 감광성 재료를 패터닝하고, 패터닝 과정에 의해 제거된 영역을 통해 양극산화막(AAO)에 에칭 공정을 수행함으로써 형성되므로 그 크기 및 형상에 대한 한정이 없다.
도 1(b)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)은 R1의 직경을 갖는 단면적의 크기에 대응하는 면적에 미소한 직경(R2)으로 복수개 형성될 수 있다. 복수개의 관통홀(H)은 소정의 피치 간격(P)으로 형성될 수도 있고, 적어도 2개는 일정한 피치 간격(P)으로 형성될 수도 있다.
도 1(b)에 도시된 바와 같이, 양극산화막(AAO)에 대한 에칭은 홀의 형상, 크기 및 구조에 대한 제한이 없이 관통홀(H)을 형성할 수 있다. 양극산화막(AAO)을 에칭 용액으로 습식 에칭하면 수직한 내벽을 가지는 관통홀(H)이 형성되고, 감광성 재료의 개구 영역과 동일한 형상의 관통홀(H)이 형성되므로 홀의 형상, 크기 및 구조에 대한 제약이 없는 관통홀(H)을 구비할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 상술한 다층 배선 기판에 요구되는 목적에 따라 관통홀(H)의 형상, 크기 및 구조를 자유롭게 구비할 수 있다. 다층 배선 기판은 층간 박리 문제를 방지 및/또는 전기 전도도 향상의 목적이 주로 요구될 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 다층 배선 기판으로서 이용될 경우 층간 박리 문제를 방지하고 전기 전도도가 향상되는 목적을 달성할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 주된 목적에 따라 관통홀(H)의 형상, 크기 및 구조를 다르게 구비할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 층간 박리 문제를 방지하기 위한 측면에 주된 목적을 둘 경우, 관통홀(H)에 구비되는 수직 도전부(12)의 열팽창을 고려하여 관통홀(H)의 형상, 크기 및 구조를 적합하게 구비할 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 전기 전도도를 향상시키는 측면에 주된 목적을 둘 경우, 수직 도전부(12)를 구비하는 관통홀(H)이 전기 전도도를 향상시킬 수 있는 단면적으로 형성되도록 형상, 크기 및 구조가 고려되어 형성될 수 있다.
도 2(a)는 도 1(a)의 A-A를 따라 절단한 면의 상, 하에 박막 도체층(C)이 구비된 구조를 도시한 도이고, 도 2(b)는 도 1(b)의 A-A를 따라 절단한 면의 상, 하에 표면 도전부(S)가 구비된 구조를 도시한 도이다.
도 2(a)에 도시된 바와 같이, 종래의 배선 기판은 수지 절연층(1), 비아도체홀(VH), 비아도체홀(VH)에 구비되는 비아도체(V) 및 비아도체(V)와 연결되도록 수지 절연층(1)의 표면에 구비되는 박막 도체층(T)으로 구성되는 도체부(C)를 포함하여 구성될 수 있다.
종래의 배선 기판은 비아도체홀(VH)에 비아도체(V)를 구비함으로써 일 예로 다층 배선 기판으로서 기능할 수 있다.
종래의 배선 기판은 하나의 비아도체(V)와 하나의 박막 도체층(T)이 대응되는 구조로 구비될 수 있다.
구체적으로 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 수지 절연층(1)의 표면에는 박막 도체층(T)이 구비될 수 있다. 박막 도체층(T)은 수지 절연층(1)의 적어도 어느 한 표면에 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체에서는 하나의 예로서 수지 절연층(1)의 상, 하부 표면에 박막 도체층(T)이 구비되는 것으로 설명한다. 이 경우, 박막 도체층(T)은 수지 절연층(1)의 상부 표면에 구비되는 제1박막 도체층(T1) 및 수지 절연층(1)의 하부 표면에 구비되는 제2박막 도체층(T2)으로 구성될 수 있다.
도 2(a)에 도시된 바와 같이, 종래의 배선 기판은 하나의 박막 도체층(T)과 하나의 비아도체(V)가 연결되는 구조로 도체부(C)가 형성될 수 있다.
비아도체홀(VH)은 그 가공 방법에 의해 크기에 제약이 따를 수 있다. 예컨대, 비아도체홀(VH)이 R1의 직경으로 형성되고, R1의 직경이 기계적 가공 방법에 따라 형성될 수 있는 최대한 작은 직경일 경우, 비아도체홀(VH)은 R1 이하의 직경으로 형성되는데에 한계가 있다.
이로 인해 도체부(C)의 구조는 하나의 박막 도체층(T)과 연결되는 하나의 비아도체(V)로 한정될 수 있다.
하지만 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 하나의 표면 도전부(S)와 연결되도록 복수개의 미세 도전부(12a)로 구성되는 수직 도전부(12)를 구비할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 양극산화막(AAO) 재질로 구성되고, 양극산화막(AAO)의 표면에 구비되는 표면 도전부(S)와, 표면 도전부(S)에 연결되며 양극산화막(AAO)의 관통홀(H)에 충진된 수직 도전부(12)를 포함하여 구성되는 도전부(ES)를 포함하여 구성될 수 있다.
이 경우, 수직 도전부(12)는 복수개의 미세 도전부(12a)가 군집을 이루어 형성될 수 있다.
도 2(b)에 도시된 바와 같이, 도전부(ES)는 하나의 표면 도전부(S)와 연결되도록 복수개의 미세 도전부(12a)로 구성되는 수직 도전부(12)가 구비되는 구조로 형성될 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 도전부(ES)는 하나의 표면 도전부(S)에 복수개의 수직한 도전부(구체적으로 미세 도전부(12a))들이 연결되는 구조로 형성될 수 있다.
표면 도전부(S)는 양극산화막(AAO)의 적어도 어느 한 표면에 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체에서는 하나의 예로서, 표면 도전부(S)가 양극산화막(AAO)의 상, 하부 표면에 구비되는 것으로 설명한다.
이 경우, 표면 도전부(S)는 양극산화막(AAO)의 제1표면에 구비되는 제1표면 도전부(10) 및 양극산화막(AAO)의 제2표면에 구비되는 제2표면 도전부(11)로 구성될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 일 예로서 양극산화막(AAO)의 제1표면은 양극산화막(AAO)의 상부 표면일 수 있고, 제2표면은 양극산화막(AAO)의 하부 표면일 수 있다.
관통홀(H)에 충진된 수직 도전부(12)는 제1, 2표면 도전부(S)와 연결될 수 있다.
도 2(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 제1, 2표면 도전부(S) 사이에 복수개의 미세 도전부(12a)가 구비될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 미세 도전부(12a)를 구비하기 위한 관통홀(H)을 미소한 직경으로 형성할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 관통홀(H)의 형상, 크기 및 구조에 제약이 없다. 따라서, 관통홀(H)은 미세 도전부(12a)를 구비하기 위한 개수에 따라 복수개 형성될 수 있다.
일 예로서, 관통홀(H)은 도 2(a)의 비아도체홀(VH)의 직경 R1에 따른 단면적의 크기와 대응되는 크기 내에서 복수개 형성될 수 있다. 따라서, 관통홀(H)은 직경 R1보다 작은 직경으로 복수개 형성될 수 있다.
이로 인해 미세 도전부(12a)는 비아도체(V)의 직경보다 작은 직경으로 복수개 구비되어 하나의 표면 도전부(S)와 모두 연결되는 구조로 구비될 수 있다.
도 2(b)에 도시된 바와 같은 도전부(ES)의 구조는 양극산화막 구조체의 층간 박리 문제를 방지하는 측면에서 유리할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 도 2(a)의 비아도체홀(VH)과 도 2(b)의 관통홀(H)은 각각 다른 직경 및 동일한 높이(h)로 형성될 수 있다. 이로 인해 비아도체홀(VH)에 구비되는 비아도체(V) 및 관통홀(H)에 구비되는 미세 도전부(12a)는 각각 다른 직경 및 동일한 높이(h)로 구비될 수 있다.
비아도체(V) 및 미세 도전부(12a)는 높이(h)는 동일하나 직경이 다르게 형성되므로 그에 따른 부피가 서로 다르게 형성될 수 있다.
예를 들어, 직경이 R1인 비아도체(V)의 단면적이 'A1'이고, R1보다 작은 직경인 R2의 직경을 갖는 미세 도전부(12a)의 단면적이 'A2'일 경우, 비아도체(V)의 부피 'V1'은 미세 도전부(12a)의 부피 'V2'보다 크다.
이 때 V1의 부피를 갖는 비아도체(V)를 구비하는 도체부(C)와, 각각 V2의 부피를 갖는 복수개의 미세 도전부(12a)를 구비하는 도전부(ES)는 동일한 고온의 분위기에 노출되어 열팽창할 수 있다.
비아도체(V)와 그 주변에 존재하는 수지 절연층(1)은 열팽창 계수에 있어서 차이가 있다. 비아도체(V)의 열팽창 계수는 수지 재료로 구성되는 수지 절연층(1)의 열팽창 계수보다 클 수 있다. 따라서, 비아도체(V)와 수지 절연층(1)은 동일한 고온의 분위기에 노출될 경우, 열팽창률에 차이가 발생한다. 이 경우, 비아도체(V) 주변에 존재하는 수지 절연층(1)에는 비아도체(V)의 열팽창에 따른 응력이 발생하게 된다.
도 2(a)에 도시된 바와 같이, 박막 도체층(T)은 비아도체(V)의 단면적보다 큰 단면적으로 구비되어 비아도체(V)의 일단 및 타단에 연결될 수 있다. 이 경우, 박막 도체층(T)은 비아도체(V)와 접촉되지 않은 비접촉 영역이 수지 절연층(1)에 접합되도록 구비될 수 있다.
이와 같은 구조에서 비아도체(V)가 열팽창할 경우, 비아도체(V) 주변의 수지 절연층(1)으로 응력이 발생하고, 박막 도체층(T)과 수지 절연층(1)과의 접합 계면으로부터 박막 도체층(T)이 박리되는 문제가 발생할 수 있다.
하지만 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 작은 부피를 갖는 미세 도전부(12a)를 복수개 구비하여 수직 도전부(12)를 형성함으로써 수직 도전부(12)의 열팽창에 따른 전체적인 부피 팽창률을 감소시킬 수 있다. 이로 인해 양극산화막 구조체의 표면에 구비되는 박막 도체층(T)의 박리 문제가 해결될 수 있다.
구체적으로, 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 도 2(a)에 도시된 비아도체(V)의 부피보다 작은 부피를 갖는 복수개의 미세 도전부(12a)가 구비될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 상부 표면인 제1표면 및 하부 표면인 제2표면에 복수개의 미세 도전부(12a)와 연결되도록 표면 도전부(S)를 구비될 수 있다.
복수개의 미세 도전부(12a)는 표면 도전부(S)에 대한 투영 영역이 표면 도전부(S)의 내측에 위치하도록 구비되어 하나의 표면 도전부(S)와 모두 연결될 수 있다. 다시 말해, 복수개의 미세 도전부(12a)는 표면 도전부(S)에 대한 투영 면적이 표면 도전부(S)의 면적 이하이도록 구비될 수 있다. 이로 인해 도전부(ES)는 하나의 표면 도전부(S)와 복수개의 미세 도전부(12a)가 연결되는 구조로 형성될 수 있다.
표면 도전부(S)는 미세 도전부(12a)와 접촉되지 않은 비접촉 영역이 양극산화막(AAO)에 접합되도록 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 복수개의 미세 도전부(12a)의 일단 및 타단에 각각 하나의 표면 도전부(S)가 연결되는 구조로 도전부(ES)를 구비할 수 있다.
이와 같은 구조에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 도전부(ES)는 종래의 도체부(C)와 동일한 고온의 분위기에 노출될 수 있다. 이로 인해 미세 도전부(12a)는 열팽창할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 미소한 크기의 관통홀(H)을 구비할 수 있으므로 매우 미소한 부피를 갖는 미세 도전부(12a)를 구비할 수 있다. 따라서 고온의 분위기에서 온도에 의해 미세 도전부(12a)의 부피가 팽창하더라도 미소한 부피에 비례하여 미소한 크기로 팽창할 수 있다.
이로 인해 미세 도전부(12a)의 열팽창에 따라 미세 도전부(12a) 주변에 존재하는 양극산화막(AAO)이 받는 응력은 최소화될 수 있다. 그 결과 미세 도전부(12a)의 열팽창에 따른 주변 양극산화막(AAO)의 파손이 방지될 수 있다.
또한, 미세 도전부(12a)는 고온에 의해 복수개가 동시에 부피 팽창하나, 미소한 부피에 비례하여 열팽창에 따른 부피 팽창률이 작다. 따라서, 수직 도전부(12)의 열팽창에 따른 전체적인 부피 팽창률은 도 2(a)에 도시된 비아도체(V)의 부피 팽창률보다 작을 수 있다. 이로 인해 수직 도전부(12)와 연결되는 표면 도전부(S)로 발생하는 응력이 최소화될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 표면 도전부(S)가 양극산화막(AAO)의 표면으로부터 박리되는 문제가 해결될 수 있다.
다시 말해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 미세 도전부(12a)를 구비함으로써 수직 도전부(12)의 전체적인 부피 팽창률이 감소할 수 있다. 이에 따라 수직 도전부(12)의 부피 팽창에 의해 표면 도전부(S)로 발생하는 응력이 감소할 수 있다.
이로 인해 표면 도전부(S)가 양극산화막(AAO)과 표면 도전부(S)간의 접합 계면으로부터 박리되는 문제가 해결될 수 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 표면 도전부(S)의 상측으로 구비되는 다른 층의 양극산화막(AAO)과의 층간 박리 문제가 방지될 수 있다.
이처럼 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 크기의 제약없이 관통홀(H)을 구비할 수 있으므로, 수직 도전부(12)의 열팽창량을 최소화할 수 있는 구조가 형성될 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 층간 박리 문제를 해결하기 위한 측면에서 유리한 구조로 구현될 수 있다.
다시 말해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 형상, 크기 및 구조의 제약없이 관통홀(H)을 구비할 수 있다는 이점을 이용하여 복수개의 미세 도전부(12a)로 수직 도전부(12)를 구비할 수 있다.
수직 도전부(12)가 복수개의 미세 도전부(12a)로 구성될 경우, 온도에 의한 열팽창률에 따른 부피 팽창량이 전체적으로 감소할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 수직 도전부(12)의 상부에 구비되는 부재(예를 들어, 표면 도전부(S) 또는 감광성 재료 등)가 수직 도전부(12)의 열팽창에 따른 응력을 받아 접합 계면으로부터 박리되는 문제가 방지될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 크기 뿐만 아니라 형상 및 구조에 따른 제약없이 관통홀(H)을 구비할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 전기 전도도가 우수한 구조로 구현될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 관통홀(H)의 내부에 금속 재료 충진하여 수직 도전부(12)를 구비할 경우 관통홀(H)의 형상, 그에 따른 단면적의 크기 및 구조에 따라 전기 전도도가 달라질 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체에 구비되는 관통홀(H)의 다양한 실시 예들을 도시한 도이다.
도 3은 관통홀(H)의 형상 및 단면적의 크기에 따라 달라지는 전기 전도도를 설명하기 위해 종래의 기계적 가공 방법에 따른 비아도체홀(VH)과 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 에칭에 따른 관통홀(H)을 비교하여 도시한다.
도 3(a)는 종래의 기계적 가공 방법을 이용하여 형성된 비아도체홀(VH)을 위에서 바라보고 도시한 도이고, 도 3(b)는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 에칭을 이용하여 형성된 관통홀(H)을 위에서 바라보고 도시한 도이다.
도 3(a)에 도시된 비아도체홀(VH)에는 비아도체(V)가 구비될 수 있고, 도 3(b)에 도시된 관통홀(H)에는 각각 미세 도전부(12a)가 구비될 수 있고, 각진 모서리(13)를 포함하는 단일의 수직 도전부(12)가 구비될 수도 있다. 도 3에서는 일 예로서 각각의 관통홀(H)에 미세 도전부(12a)가 구비되고, 미세 도전부(12a)가 군집되어 형성됨으로써 양극산화막 구조체에 수직 도전부(12)가 구비되는 것으로 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 일 예로서 도 3(a)의 비아도체홀(VH) 및 도 3(b)의 관통홀(H)은 가로 폭(W), 세로 폭(L)이 동일하게 형성되고, 열방향 및 행방향 피치 간격(P)이 동일한 피치 간격(P)으로 형성될 수 있다.
이 경우, 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 비아도체홀(VH)은 원형 단면을 갖도록 형성되고, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)은 사각 단면을 갖도록 형성될 수 있다.
비아도체홀(VH)의 경우, 기계적 가공 방법의 형상의 제약에 따라 원형 단면을 갖도록 형성되거나, 면과 면이 만나는 모서리(13)를 포함하지 않는 형상으로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 비아도체홀(VH)의 경우, 원형 단면 또는 면과 면이 만나는 부분이 둥근면으로 형성되어, 둥근면에 의해 면과 면이 연속적으로 형성되는 단면 형상으로 형성될 수 있다. 도 3(a)에서는 일 예로서 원형 단면을 갖는 비아도체홀(VH)을 도시하여 설명한다.
하지만 관통홀(H)은 에칭에 의해 형성되어 형상의 제약이 없다. 따라서, 관통홀(H)은 비아도체홀(VH)과 동일한 가로 폭(W), 세로 폭(L)을 갖더라도 원형 단면이 아닌 다른 단면을 갖도록 형성될 수 있다.
하나의 예로서 관통홀(H)은 원형 단면을 갖는 비아도체홀(VH)보다 큰 단면적을 갖는 사각 단면을 갖도록 형성될 수 있다.
원형 단면의 비아도체홀(VH) 및 사각 단면의 관통홀(H) 각각은 동일한 가로 폭(W), 세로 폭(L)을 갖더라도 그 단면적의 크기가 다르게 형성될 수 있다. 도 3(b)에 도시된 사각 단면의 관통홀(H)과 도 3(a)에 도시된 원형 단면의 비아도체홀(VH)을 비교해 보면, 사각 단면의 관통홀(H)은 원형 단면의 비아도체홀(VH)보다 단면적의 크기가 더 크게 형성된다.
다층 배선 기판은 배선부를 구비하는 홀의 단면적의 크기가 클수록 수직 도전부(12)의 전기 전도도가 높을 수 있다. 따라서, 관통홀(H)에 미세 도전부(12a)를 구비하는 구조와, 비아도체홀(VH)에 비아도체(V)를 구비하는 구조를 비교해보면, 사각 단면의 관통홀(H)에서의 미세 도전부(12a)의 전기 전도도가 비아도체홀(VH)의 비아도체(V)의 전기 전도도보다 높을 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 관통홀(H)의 형상에 따른 제약이 없다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 수직 도전부(12)의 전기 전도도를 향상시킬 수 있는 단면적의 크기를 갖는 단면으로 관통홀(H)을 형성할 수 있다.
위와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 종래의 비아도체홀(VH)과 피치 간격(P)을 동일하게 형성하면서도 상대적으로 비아도체홀(VH)보다 단면적이 큰 관통홀(H)을 구비할 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 종래의 비아도체(V)보다 단면적이 큰 미세 도전부(12a)를 구비할 수 있다. 그 결과 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 우수한 전기 전도도를 갖는 구조로 구현될 수 있다.
상술한 도 3(b)의 사각 단면의 관통홀(H)은 일 예로서 도시된 것이므로 관통홀(H)의 형상, 크기 및 구조는 이에 한정되지 않는다. 우수한 전기 전도도를 형성함에 있어서, 관통홀(H)은 원형 단면 또는 면과 면이 만나는 모서리(13)를 포함하지 않는 형상의 단면을 갖는 비아도체홀(VH)보다 큰 단면적을 갖는 형상이라면 그 형상에 대한 한정은 없다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 관통홀(H)의 다른 실시 예를 도시한 도이다.
도 4(a)는 가로 폭(W), 세로 폭(L)이 동일한 사각 단면의 관통홀(H)을 위에서 바라보고 도시한 도이고, 도 4(b)는 도 4(a)의 관통홀(H)의 단면적의 크기에 대응하는 크기 내에 형성된 복수개의 미세 관통홀(TH)을 위에서 바라보고 도시한 도이다. 미세 관통홀(TH)은 관통홀(H)에 포함되는 구성으로서, 기존에 형성된 관통홀(H)의 단면적의 크기에 대응되는 크기 내에 기존에 형성된 관통홀(H)의 단면적의 크기보다 작은 단면적을 갖는 관통홀(H)일 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 관통홀(H)의 형상 및 크기가 한정되지 않으므로 사각 단면을 갖는 미소한 크기의 미세 관통홀(TH)을 구비할 수도 있다.
이 경우, 미세 관통홀(TH)은 미소한 크기에 비해 원형 단면 대비 큰 단면적을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 이와 같은 구조의 미세 관통홀(TH)을 구비할 경우, 미소한 크기로 인해 수직 도전부(12)의 열팽창률이 감소되어 층간 박리 현상이 최소화될 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 미세 관통홀(TH)로 인해 관통홀(H)의 크기는 미소하게 구비되나, 상대적으로 단면적이 큰 수직 도전부(12)를 구비할 수 있으므로 우수한 전기 전도도를 가질 수 있다.
도 4에서는 복수개의 미세 관통홀(TH)이 모두 사각 단면을 갖는 것으로 도시하였으나, 복수개의 미세 관통홀(TH) 중 적어도 하나는 사각 단면으로 구성되고, 나머지 미세 관통홀(TH)은 사각 단면이 아닌 다른 단면을 갖도록 형성될 수도 있다.
미세 관통홀(TH) 중 적어도 하나가 사각 단면으로 구성될 경우, 미세 관통홀(TH)에 구비되는 미세 도전부(12a) 중 적어도 하나의 미세 도전부(12a)는 각진 모서리(13)를 포함할 수 있다.
도 5 내지 도 8은 수직 도전부(12)가 구비된 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 또 다른 실시 예에 따른 관통홀(H)을 도시한 도이다. 도 5 내지 도 8에서는 일 예로서 양극산화막(AAO)이 배리어층(BL) 및 다공층(PL)을 포함하여 구성되어, 관통홀(H)의 개구 주변이 배리어층(BL)에 의해 밀폐된 형태로 도시된다. 다만 배리어층(BL)이 제거된 채로 양극산화막(AAO)을 구성할 수도 있다.
이 경우, 도 5 내지 도 8은 형상, 크기 및 구조의 제약없이 구비되는 관통홀(H)을 예시적으로 도시한 도이다. 따라서, 관통홀(H) 및 관통홀(H)에 구비되는 수직 도전부(12)의 형상, 크기 및 구조는 도 5 내지 도 8에 도시된 형상, 크기 및 구조에 한정되지 않는다.
도 5(a)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)은 면과 면이 만나는 모서리(13)가 복수개 구비되는 형상으로 형성될 수 있다. 이 경우, 도 5(a)에서는 관통홀(H)이 6개의 모서리(13)를 포함하여 각지게 형성되는 것으로 도시하였지만 모서리(13)의 개수 및 형상은 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 이와 같은 관통홀(H)에 수직 도전부(12)를 구비함으로써 각진 모서리(13)를 포함하는 수직 도전부(12)를 구비할 수 있다.
도 5(b)에는 도 5(a)에 도시된 6개의 모서리(13)를 포함하는 관통홀(H)의 단면적의 크기에 대응하는 크기 내에 구비된 복수개의 미세 관통홀(TH)이 도시된다.
복수개의 미세 관통홀(TH)은 군집을 이루는 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수개의 미세 관통홀(TH)은 소정의 피치 간격(P)으로 형성될 수 있고, 적어도 2개는 서로 다른 피치 간격(P)으로 형성될 수도 있다.
미세 관통홀(TH)은 내부에 미세 도전부(12a)를 구비하고, 미세 도전부(12a)는 군집을 이루어 형성되어 수직 도전부(12)를 구성할 수 있다.
수직 도전부(12)가 군집을 이루는 구조의 미세 도전부(12a)로 구성될 경우, 온도에 의한 수직 도전부(12)의 전체적인 부피 팽창량을 감소시킬 수 있다. 이는 양극산화막 구조체의 층간 박리 문제를 해결하는 측면에서 유리할 수 있다.
복수개의 미세 도전부(12a)로 구성되는 수직 도전부(12)는 하나의 표면 도전부(S)와 연결될 수 있다. 이 때, 복수개의 미세 도전부(12a)의 표면 도전부(S)에 대한 투영 영역은 표면 도전부(S)의 내측에 위치할 수 있다.
도 5(b)에서는 일 예로서 표면 도전부(S)가 복수개의 미세 도전부(12a)가 군집을 이루는 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것으로 도시하였으나, 표면 도전부(S)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 구체적으로, 표면 도전부(S)는 그 면적이 복수개의 미세 도전부(12a)의 표면 도전부(S)에 대한 투영 면적보다 크다면 그 형상에 및 구조에 대한 한정은 없다.
도 5(b)에서는 일 예로서 미세 관통홀(TH)이 원형 단면을 갖는 것으로 도시하였지만, 미세 관통홀(TH)의 단면의 형상은 이에 한정되지 않는다.
구체적으로, 관통홀(H)은 사각 단면을 갖는 미세 관통홀(TH) 및 사각 단면이 아닌 단면(예를 들어 원형 단면)을 갖는 미세 관통홀을 포함하여 구성되어 양극산화막 구조체에 구비될 수도 있다.
관통홀(H)에 구비되는 미세 도전부(12a)의 적어도 2개는 그 형상이 다르게 형성될 수 있다. 이에 따라, 관통홀(H)에 구비되는 미세 도전부(12a)의 적어도 2개는 단면적의 크기가 서로 다르게 형성될 수 있다.
도 6(a)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)은 모서리(13) 및 곡면을 포함하는 반원형의 띠의 단면을 갖는 형상으로 형성될 수도 있다.
이 경우, 관통홀(H)은 호의 길이가 서로 다른 2개의 곡면이 평행하게 구비되고, 각각의 곡면이 2개의 곡면을 하나로 연결하는 수직면과 만나 모서리(13)를 형성하는 반원형의 띠 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 관통홀(H)을 형성하는데 있어서 형상이 제약이 없다. 따라서, 도 6(a)에 도시된 바와 같이 관통홀(H)은 면과 면이 만나는 모서리(13) 및 면과 면이 만나는 모서리(13)를 포함하지 않는 형상(예를 들어, 곡면)을 포함하는 형상으로 형성될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 이와 같은 관통홀(H)에 수직 도전부(12)를 구비함으로써 각진 모서리(13) 및 모서리(13)를 포함하지 않는 형상을 포함하는 수직 도전부(12)를 구비할 수 있다.
도 6(b)에는 도 5(a)에 도시된 반원형 띠의 단면을 갖는 형상의 관통홀(H)의 단면적의 크기에 대응하는 크기 내에 구비된 복수개의 미세 관통홀(TH)이 도시된다.
복수개의 미세 관통홀(TH)은 반원형 띠의 단면을 갖는 형상의 관통홀(H)의 단면적의 크기 내에 군집을 이루는 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 미세 관통홀(TH)은 소정의 피치 간격(P)으로 형성될 수 있고, 적어도 2개는 서로 다른 피치 간격(P)으로 형성될 수도 있다.
미세 관통홀(TH)은 내부에 미세 도전부(12a)를 구비하고, 미세 도전부(12a)는 미세 관통홀(TH)의 군집 형태에 의해 군집을 이루어 형성될 수 있다. 미세 도전부(12a)는 군집을 이루어 수직 도전부(12)를 구성할 수 있다.
이러한 수직 도전부(12)는 하나의 표면 도전부(S)와 연결될 수 있다. 이 경우, 복수개의 미세 도전부(12a)의 표면 도전부(S)에 대한 투영 영역은 표면 도전부(S)의 내측에 위치할 수 있다.
표면 도전부(S)는 복수개의 미세 도전부(12a)가 군집을 이루는 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있고, 그 형상은 이에 한정되지 않는다. 표면 도전부(S)는 그 면적이 복수개의 미세 도전부(12a)의 표면 도전부(S)에 대한 투영 면적보다 크다면 그 형상 및 구조에 대한 한정은 없다.
도 6(b)에서는 미세 관통홀(TH)이 원형 단면을 갖는 것으로 도시하였지만, 미세 관통홀(TH)의 단면의 형상은 이에 한정되지 않는다.
관통홀(H)은 사각 단면을 갖는 미세 관통홀(TH) 및 사각 단면이 아닌 단면(예를 들어 원형 단면)을 갖는 미세 관통홀을 포함하여 구성되어 양극산화막 구조체에 구비될 수도 있다.
도 7(a)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)은 타원형 단면을 갖는 형상으로 형성될 수도 있다.
도 7(b)에는 도 7(a)에 도시된 타원형 단면을 갖는 관통홀(H)의 단면적의 크기에 대응하는 크기 내에 구비된 복수개의 미세 관통홀(TH)이 도시된다.
복수개의 미세 관통홀(TH)은 군집을 이루는 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수개의 미세 관통홀(TH)은 일정한 피치 간격(P)으로 형성될 수 있고, 적어도 2개는 서로 다른 피치 간격(P)으로 형성될 수도 있다.
미세 관통홀(TH)은 미세 도전부(12a)를 구비하고, 미세 도전부(12a)는 군집을 이루어 형성되어 수직 도전부(12)를 구성할 수 있다.
도 7(b)에 도시된 바와 같이, 미세 관통홀(TH)의 적어도 2개는 그 단면적의 크기가 서로 다르게 형성될 수 있다.
도 7(b)에서는 일 예로서 미세 관통홀(TH)이 원형 단면을 갖는 것으로 도시하였지만, 미세 관통홀(TH)의 단면의 형상은 이에 한정되지 않는다.
구체적으로, 관통홀(H)은 사각 단면을 갖는 미세 관통홀(TH) 및 사각 단면이 아닌 단면(예를 들어 원형 단면)을 갖는 미세 관통홀을 포함하여 구성되어 양극산화막 구조체에 구비될 수도 있다. 따라서, 관통홀(H)에 구비되는 미세 도전부(12a)의 적어도 2개는 그 형상이 다르게 형성될 수 있다.
도 8(a)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)은 12개의 모서리(13)를 포함하여 십자형의 단면을 갖는 형태로 형성될 수 있다. 이는 형상의 제약없이 형성되는 관통홀(H)을 예시적으로 도시한 도이므로, 관통홀(H)의 형상은 이에 한정되지 않는다.
도 8(a)에 도시된 바와 같이, 관통홀(H)은 12개의 수직면이 십자형을 이루도록 구비되어 각각의 수직면이 만나 12개의 모서리(13)를 형성하는 십자형의 형상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 이와 같은 관통홀(H)에 수직 도전부(12)를 구비함으로써 각진 모서리(13)를 포함하는 수직 도전부(12)를 구비할 수 있다.
도 8(b)에는 도 8(a)에 도시된 십자형 단면을 갖는 관통홀(H)의 단면적의 크기에 대응하는 크기 내에 구비된 복수개의 미세 관통홀(TH)이 도시된다.
복수개의 미세 관통홀(TH)은 도 8(a)에 도시된 십자형의 단면을 갖는 형상의 관통홀(H)의 단면적의 크기 내에 군집을 이루는 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 미세 관통홀(TH)은 일정한 피치 간격(P)으로 형성되거나, 적어도 2개는 서로 다른 피치 간격(P)으로 형성될 수 있다.
미세 관통홀(TH)은 내부에 미세 도전부(12a)를 구비할 수 있다. 미세 도전부(12a)는 군집을 이루어 수직 도전부(12)를 구성할 수 있다.
수직 도전부(12)는 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 미세 도전부(12a)를 외측에서 둘러싸는 테두리 도전부(12b)를 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 형상, 크기 및 구조의 제약없이 관통홀(H)을 구비할 수 있다. 따라서, 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 군집된 미세 도전부(12a)를 외측에서 둘러싸도록 테두리 관통홀(BH)이 형성될 수 있다.
테두리 관통홀(BH)은 미세 도전부(12a)의 십자형으로 군집된 형태에 따라 그 외측으로 형성되므로 십자형으로 형성될 수 있다.
테두리 관통홀(BH)은 내부에 테두리 도전부(12b)를 구비할 수 있다. 테두리 도전부(12b)는 십자형으로 형성된 테두리 관통홀(BH)에 의해 모서리(13)를 포함하도록 형성될 수 있다.
수직 도전부(12)는 군집된 미세 도전부(12a) 및 미세 도전부(12a)를 외측에서 둘러싸는 테두리 도전부(12b)를 포함하여 구성될 수 있다.
이 경우, 수직 도전부(12)와 연결되는 표면 도전부(S)는 그 면적이 미세 도전부(12a) 및 테두리 도전부(12b)의 표면 도전부(S)에 대한 투영 면적보다 클 수 있다.
위와 같이 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 형상, 크기 및 구조에 대한 제약없이 관통홀(H)을 구비함으로써 필요에 따라 층간 박리 문제를 방지하기에 효과적인 구조로 구현될 수 있고, 우수한 전기 전도도를 갖는 구조로 구현될 수도 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
AAO: 양극산화막
H: 관통홀 TH: 미세 관통홀
ES: 도전부
12: 수직 도전부
12a: 미세 도전부 12b: 테두리 도전부
S: 표면 도전부

Claims (8)

  1. 양극산화막 재질로 구성되고,
    상기 양극산화막의 표면에 구비되는 표면 도전부와, 상기 표면 도전부에 연결되며 상기 양극산화막의 관통홀에 충진된 수직 도전부를 포함하고,
    상기 수직 도전부는 복수개의 미세 도전부가 군집을 이루어 형성되는 양극산화막 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 미세 도전부 중 적어도 하나의 미세 도전부는 각진 모서리를 포함하는 양극산화막 구조체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 미세 도전부의 상기 표면 도전부에 대한 투영 영역은 상기 표면 도전부의 내측에 위치하는 양극산화막 구조체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 미세 도전부의 상기 표면 도전부에 대한 투영 면적은 상기 표면 도전부의 면적 이하인 양극산화막 구조체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 수직 도전부는 상기 미세 도전부를 외측에서 둘러싸는 테두리 도전부를 포함하는 양극산화막 구조체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 미세 도전부의 적어도 2개는 그 단면적의 크기가 서로 다른 양극산화막 구조체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 미세 도전부의 적어도 2개는 그 형상이 서로 다른 양극산화막 구조체.
  8. 양극산화막 재질로 구성되고, 상기 양극산화막의 제1표면에 구비되는 제1표면 도전부와, 상기 양극산화막의 제2표면에 구비되는 제2표면 도전부와, 상기 제1, 2표면 도전부를 연결하도록 상기 양극산화막의 관통홀에 충진된 수직 도전부를 포함하고,
    상기 수직 도전부는 각진 모서리를 포함하는 양극산화막 구조체.
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