KR20210114475A - 광학 효과층을 생성하기 위한 공정 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위조 및 불법 복제에 대해 유가 문서 및 유가 상품을 보호하는 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하고 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하는 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정을 제공하며, 상기 모티프는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 조사에 의해 수행되는 선택적 경화를 사용함으로써 얻어진다.

Description

광학 효과층을 생성하기 위한 공정
본 발명은 위조 및 불법 복제로부터 유가 문서 및 유가 상품을 보호하는 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고 화학 방사선 공급원을 이용한 조사에 의해 수행된 선택적 경화를 사용한 자기적으로 배향된 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 광학 효과층(optical effect layer)(OEL)을 생성하기 위한 공정에 관한 것이다.
예를 들어, 지폐와 같은 보안 문서의 분야에서 보안 특징으로도 알려진 보안 요소의 생성을 위해 자성 또는 자화성 입자 또는 안료를 함유하는 방사선 경화성 잉크, 조성물 또는 층을 사용하는 것이 당업계에 알려져 있다.
예를 들어, 보안 문서에 대한 보안 특징은 "은폐(covert)" 및 "노출(overt)" 보안 특징으로 분류될 수 있다. 은폐 보안 특징에 의해 제공되는 보호는 이러한 특징이 인간 감각에 대해 감추어지고, 통상적으로 이들의 탐지를 위해 특수한 장비 및 지식을 요구하는 원리에 의존하는 반면, "노출" 보안 특징은 비보조(unaided) 인간 감각으로 용이하게 탐지할 수 있으며, 예를 들어 이러한 특징은 가시적이고/이거나 촉각으로 탐지할 수 있으면서도, 여전히 생성 및/또는 복사하기 어려울 수 있다. 노출 보안 특징의 유효성은 보안 특징으로서 쉽게 인식될 수 있는 점에 매우 의존하는데, 이는 사용자들이 보안 특징의 존재 및 특성에 대해 알고 있는 경우에만 이러한 보안 특징을 기초로 보안 점검을 실제로 수행할 것이기 때문이다.
코팅 내의 자성 또는 자화성 입자는 대응하는 자기장의 인가를 통해 강화되지 않은(unhardened) 코팅 내의 자성 또는 자화성 입자의 국부적 배향을 야기하고, 이어서 후자를 경화하여 자기적으로 유도된 이미지, 디자인 및/또는 패턴을 생성시킨다. 이는 특정한 광학 효과, 즉 고정된 자기적으로 배향된 이미지, 디자인 또는 패턴을 야기하며, 이는 위조 방지에 매우 강하다. 배향된 자성 또는 자화성 입자에 기반한 보안 요소는, 자성 또는 자화성 입자 또는 상기 입자를 포함하는 대응하는 잉크 또는 코팅 조성물, 상기 잉크 또는 조성물을 도포하고 도포된 잉크 또는 코팅 조성물 내의 상기 안료 입자를 배향하는 데 사용된 특정한 기술, 및 상기 입자를 포함하는 상기 조성물을 경화된 상태로 경화하여, 자성 또는 자화성 입자를 이들의 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 방법에 대해 접근할 수 있을 때에만 생성될 수 있다.
OEL을 생성하기 위한 일반 공정에서, 상기 OEL은 단일 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고, i) 기재 상에 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 UV 경화성 잉크 또는 코팅 조성물을 도포하여, 코팅층을 형성하되, 상기 코팅층이 제1 상태인 단계; ii) 코팅층을 자기장-발생 장치의 자기장에 노출시켜, 안료 입자를 배향하는 단계; iii) 코팅층의 하나 이상의 제1 영역을 제2 상태로 경화시켜, 자성 또는 자화성 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 단계로서, 상기 경화가 방사선 공급원을 이용해 코팅층을 선택적으로 조사함으로써 수행되는 단계; iv) 코팅층을 자기장-발생 장치의 자기장에 노출시켜, 단계 iii)의 선택적 경화로 인해 여전히 제1 상태 이후인 코팅층 내에 포함된 자성 또는 자화성 입자를 배향하는 단계 및 v) 코팅층을 경화시켜, 자성 또는 자화성 입자를 이의 새로운 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 단계를 포함한다.
OEL을 생성하기 위한 방법으로서, 상기 OEL은 단일 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고, 고정된 기재에 의해 보유되는 코팅층 상에 이미지의 일부로서 형성될 패턴에 대응하는 하나 이상의 공극을 포함하는 고정된 포토마스크를 사용하는 것인, 방법이 예를 들어, US 2011/221431호에 개시되어 있다. US 2011/221431호는 고정된 포토마스크가 이미지의 일부로서 형성될 패턴에 대응하는 하나 이상의 개구를 포함하는 방법을 개시한다. 자기적으로 배향된 코팅층은 상기 포토마스크를 통해 UV-공급원에 의해 조사되어, 포토마스크의 개구 하부의 선택적 경화를 달성한다. 그러나, 개시된 공정은 a) 포토마스크가 아직 경화되지 않은 잉크층을 접촉하지 않을 수 있지만, 이로부터 특정 거리에 배치되어야 하고, b) UV-공급원이 반드시 연장된 광원이라는 제약으로 인해 코팅층 상에 음영 효과의 잠재적 생성을 야기할 수 있다. 이는 저해상도 이미지를 야기하고 노출 시간 동안 기재, 포토마스크, 및 UV-공급원을 고정된 배열로 유지할 필요성으로 인해 낮은 인쇄 속도에서의 작동을 요구한다.
고정된 포토마스크를 사용하여 OEL을 생성하는 방법으로서, 코팅층이 이동하는 기재에 의해 운반되는 것인, 방법이 WO 2017/178651 A1호, WO 2016/015973 A1호, WO 2002/090002 A2호, US 2010/021658호에 개시되어 있다. 그러나, 개시된 공정은 또한 인쇄 동안 다양한 이미지 정보를 실행할 임의의 가능성 없이, 조사에 대한 노출 동안 산업적 속도에서의 기재 이동으로 인한 코팅층 상의 음영 효과 및/또는 이미지 흐림의 생성을 야기할 수 있다.
이동하는 포토마스크 및 이동하는 기재를 사용하여 OEL을 생성하기 위한 방법이 또한 예를 들어, WO 2016/193252 A1호, WO 2016/083259 A1호, EP 3 178 569 A1호, EP 1 407 897 A1호로부터 당업계에 알려져 있다. 그러나, 개시된 공정은 또한 코팅층 상의 음영 효과의 생성을 야기하여, 저해상도 이미지를 야기할 수 있다.
예를 들어, WO 2016/015973호는 기재 상에 단일 강화 코팅층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하는 OEL을 생성하기 위한 공정을 개시한다. 공정은 복수의 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하는 코팅층을 자기장 발생 장치에 노출시키는 단계 및 코팅층을 제2 상태로 동시에 또는 부분적으로 동시에 강화시켜, 자성 또는 자화성 안료 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 단계를 포함하고, 상기 강화는 기재의 측면 상에 위치한 UV-Vis 방사선 공급원을 이용한 조사에 의해 기재를 통해 수행되고, 상기 기재는 조사 공급원에 의해 방출되는 하나 이상의 화학선 파장에 대해 투과성이다. 일 실시양태에서, 조사 공급원은 포토마스크가 장착되어, 코팅층을 보유한 하나 이상의 기재 영역은 UV-Vis 방사선에 노출되지 않는다. 그러나, 개시된 공정은 또한 시스템의 광학적 기하학으로부터 발생한 부분적으로 노출된 영역의 결과로서 코팅층 상에 음영 효과 및 흐림의 생성을 야기할 수 있다.
WO 02/090002 A2호는 코팅된 물품 상에 이미지를 생성하기 위한 방법을 개시한다. 방법은 i) 복수의 자성 비-구형 입자 또는 플레이크를 함유하는 자화성 안료 코팅으로 기재 상에 액체 형태의 자화성 안료 코팅의 층을 도포하는 단계, ii) 코팅을 자기장에 노출시키는 단계 및 iii) 전자기 방사선에 대한 노출에 의해 코팅을 응고시키는 단계를 포함한다. 응고 단계 동안, 공극을 갖는 외부 포토마스크는 안료 코팅과 전자기 방사선 공급원 사이에 위치할 수 있다. WO 02/090002 A2호에 개시된 포토마스크는 포토마스크의 공극을 대면하는 코팅의 영역만을 응고시켜, 플레이크의 배향이 상기 영역에서만 고정/동결되도록 한다. 안료 코팅의 비-노출된 부분에 분산된 플레이크는 제2 자기장을 사용하는 후속 단계에서 재-배향될 수 있다. 포토마스크의 도움을 이용한 선택적 응고에 의해 형성된 패턴은 패턴화된 자기장의 사용에 의해 얻어질 수 있는 것에 비해 고해상도 이미지를 허용하거나 단순 자기장으로 달성될 수 없는 패턴을 허용한다. 이 공정에서, 응고 단계 동안 코팅된 기재, 포토마스크 및 조사 공급원의 상대적 위치를 동일한 구성으로 유지하는 것이 의무적이다. 결과로서, 코팅된 기재는 고정된 포토마스크 및 전자기 방사선 공급원의 전방에서 연속 변형 이동으로 이동될 수 없다.
UV 방사선 공급원의 도움으로 코팅 또는 잉크 조성물을 경화하는 업계에서, UV 조사 공급원의 특징 및 구축 및 UV 방사선 공급원에 대한 코팅 또는 잉크 조성물의 정확한 노출 조건이 고-해상도 이미지를 얻고 조성물을 신속하게 경화시키기 위해 중대하다는 것이 알려져 있다.
US 2012/0162344호는 이동하는 코팅된 기재를 가로질러 스캔하는 스캐닝 레이저 빔의 도움으로 자성 플레이크의 코팅의 선택적 경화를 위한 시스템 및 방법을 개시한다. 선택적 경화는 자기장에서 수행되므로, 자기적으로 정렬된 플레이크의 이미지가 코팅의 선택된 영역의 배향 및 위치에 형성 및 고정되게 한다. 따라서, 이미지는 경화된 정렬된 플레이크의 영역 및 아직 경화되지 않고 제2 자기장을 사용하여 재-배향되고 제2 조사의 도움으로 경화될 수 있는 영역을 갖는다. 스캐닝 레이저 빔은 이동하는 기재의 경로를 가로지르는 복수의 위치로 이동되어, 어드레스된(addressed) 영역에서 자기적으로 정렬된 플레이크의 코팅을 경화시킨다.
WO 2017/021504 A1호는 기재 상에 배치된 코팅층의 UV 경화를 위한 발광 다이오드(light-emitting diodes)(LEDs)의 배열을 포함하는 UV 방사선 유닛의 용도를 개시한다. 배열은 LED 줄로 형성되고, 각각의 LED 줄은 대규모 작업 폭을 구현하기 위해 기재 상에 UV 방사선 공급원의 확대된 이미지를 생성하는 콜리메이터(collimator) 렌즈에 의해 덮인다. 따라서, 이러한 콜리메이터 렌즈의 사용은 UV 방사선 공급원의 크기를 감소시키는 한편, 대규모의 이동하는 웹의 전체 폭을 경화시킨다. 그러나, 이는 긴 경화 시간을 야기하는 UV 방사선 밀도 감소를 야기한다.
논문 "Printing anisotropic appearance with magnetic flakes" (Thiago Pereira et al., ACM Transactions on Graphics, Vol. 36 (4), article 123, July 2017)는 기재 상에 위치한 코팅층에서 자기적으로 배향된 자성 안료 플레이크를 선택적으로 경화시키기 위해 컬러 LED 중 하나가 고출력 385 nm UV LED로 교체된 디지털 광원 처리(digital light processing)(DLP) 유닛 및 전자석의 용도를 개시한다. 상기 LED는 800 mA의 전류로 작동된다. 자기장은 소규모 영역에서만 균일하기 때문에, 이미지 또한 소규모 영역에서 투사될 필요가 있으므로, SLR 렌즈가 반대로 사용되어, 표적 상에 프로젝터를 집중시킨다. 인쇄 공정 동안, 각각의 이미지는 20 초 동안 기재 상에 투사되어, 수지를 부분적으로 경화시키고 플레이크가 자기장에서 재정렬되는 것을 정지시킨다. 이 공정의 결점은 DLP에서 광 강도의 손실이며, 이는 다소 느린 경화 공정을 야기하고, 이는 결국 산업적 속도로 공정을 진행시키지 않는다. 또한, DLP 유닛에 의해 생성된 이미지는 예를 들어, 인쇄 실린더와 같은 곡면에 적용될 수 없을 뿐 아니라, 이동하는 기재에 대해서도 허용하지 않는다.
대안적으로, LED 발광 다이오드(LED) 인쇄 및 LED-프린터가 개발되었고, 예를 들어 US 6,137,518호에 개시되어 있으며, 이는 하나의 배열로 배열되고 이미지 데이터에 따라 빛을 제어가능하게 방출하도록 구성된 다수의 LED를 갖는 LED(발광 다이오드) 배열을 포함하는 기구를 개시한다. LED-프린터에서, 감광성 드럼은 SELFOC 렌즈 배열과 같은 렌즈 배열을 통해 어드레서블(addressable) LED 배열에 의해 선택적으로 노출된다. 그 다음에, 노출된 드럼은 레이저 프린터와 매우 동일한 방식으로 기재 상에 토너를 인쇄하기 위해 사용된다. LED-프린터에 사용된 LED 배열은 개별 어드레서블 LED 및 통합 어드레스 전자장치를 갖는 고-밀도(적어도 600 dpi), 완전 통합된 선형 LED 배열이다. 그러나, 본 맥락에서 LED-프린터 배열의 주요 결점은 i) 이들이 저강도 방사선에만 의존한다는 것, 및 ii) 이들의 개별 에미터의 방출 강도가 타당한 산업 속도로 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하는 코팅층을 경화시키기에는 너무 낮다는 것이다.
단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하는 광학 효과층(OEL)의 산업적 생성을 가능하게 하고, 조사 공급원을 사용하는 한편, 긴 경화시간을 야기하고 인쇄 성능을 저하시키는 광 밀도의 불필요한 손실을 회피하는 개선된 공정에 대한 필요성이 남아있다. 또한, 공정은 다양하고 맞춤 가능한 정보에 의해 정의될 선택적 조사에 의한 적어도 2 개 영역을 갖는 OEL을 생성하게 해야 하며, 상기 정보는 인쇄 시간에 수행된다.
따라서, 상기 논의된 바와 같은 선행 기술의 결함을 극복하는 것이 본 발명의 목적이다.
제1 양태에서, 본 발명은
기재(x10) 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정으로서, OEL이 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고, 공정이
a) 바람직하게는 인쇄 공정에 의해, 기재(x10) 상에 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 코팅층(x20)을 형성하되, 코팅층이 제1 상태이고, 상기 제1 상태가 액체 상태인 단계;
b) b1) 코팅층(x20)을 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하는 단계;
b2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 제2 상태로 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하되, 경화가 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 수행되어, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 경화시키고, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역이 조사에 노출되지 않고,
단계 b2)가 단계 b1)과 부분적으로 동시에 또는 그 후에, 바람직하게는 부분적으로 동시에 수행되는 단계; 및
c) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 하나 이상의 제2 영역에서 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하되, 경화가 방사선 공급원에 의해 수행되는 단계
를 포함하고,
화학 방사선 LED 공급원(x41)이 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열, 바람직하게는 선형 배열 또는 2 차원 배열을 포함하고,
화학 방사선이 코팅층(x20) 상에 투사되어, 하나 이상의 투사된 이미지를 형성하는 것인,
공정을 제공한다.
바람직하게는, 본원에 기재된 단계 c)는 다음의 2개의 단계: c1) 코팅층(x20)을 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하는 단계; 및 c2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 하나 이상의 제2 영역에서 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하되, 경화가 방사선 공급원에 의해 수행되는 단계로 구성되고, 상기 단계 c2)가 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에 또는 그 후에, 바람직하게는 부분적으로 동시에 수행된다.
또한, 본원은 본원에 기재된 공정에 의해 생성된 광학 효과층(OEL)뿐 아니라, 위조 또는 사기에 대한 보안 문서 또는 보안 물품의 보호를 위한 상기 광학 효과층의 용도뿐 아니라, 장식 응용을 위한 용도를 기재한다.
또한, 본원은 본원에 기재된 하나 이상의 광학 효과층(OEL)을 포함하는 보안 문서, 보안 물품 및 장식 요소 또는 물체를 기재한다.
또한, 본원은 본원에 기재된 기재(x10) 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 장치로서, 상기 OEL이 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고, 상기 장치가:
i) 기재(x10) 상에 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 코팅층(x20)을 형성하기 위한 인쇄 유닛,
ii) 코팅층(x20)의 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하기 위한 적어도 제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적으로 제2 자기장-발생 장치(x32),
iii) 코팅층(x20)의 하나 이상의 영역의 선택적 경화를 위한 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열, 바람직하게는 선형 배열 또는 2 차원 배열을 포함하는 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41), 및
iv) 선택적으로, 2-축 배향을 수행하기 위한 하나 이상의 자성 장치; 및
v) 선택적으로, 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 부근에서 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)를 운반하기 위한 운반 수단, 및
vi) 선택적으로, 제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적 제2 자기장-발생 장치(x32)에 수반하여 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)를 이동시키기 위한 전달 장치
를 포함하는,
장치를 기재한다.
본원에 기재된 공정은 단일층으로 이루어지고, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하는 방사선 경화된 코팅 조성물로 이루어진 2 이상의 영역을 포함하되, 상기 2 이상의 영역이 고해상도로 상이한 배향 패턴에 따라 배향된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하는 광학 효과층(OEL)을 생성하게 한다. 유리하게는, 본원에 기재된 공정은 해상도, 열 방산, 경화 속도 및 OEL을 생성하기 위해 요구되는 장비의 크기의 측면에서 개선을 갖는 하나 이상의 제1 영역을 선택적으로 경화하기 위한 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형(1 차원) 배열 또는 2 차원 배열일 수 있는 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 사용한다. 또한, 기계적 저하 또는 손상이 쉬운 이동 부품이 없다.
화학 방사선 LED 공급원(x41)의 조사는 코팅층(x20) 상에 직접적으로(즉, 포토마스크의 필요 없이) 이미지화되므로, 코팅층(x20)에 최대의 조사 강도를 제공하고 높은 생성 속도를 지원한다. 이는 인쇄기 상의 단일 통과에서 하나의 유일한 인쇄된 광학 효과층(OEL) 내에 2 이상의 상이한 자성 배향 이미지 또는 패턴을 조합하게 하여, 추가 인쇄 통과 및 이와 연관된 인쇄 잉크뿐 아니라, 인적 자원 및 기계 시간의 손실을 회피한다. 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터로 인해, 이렇게 얻어진 선택적 경화는 광학 효과층에 다양한 정보를 선택적으로 전사하게 하여, 개별화 또는 연속화하게 한다.
도 1a-d는 화학 방사선 LED 공급원(x11)의 조사에 노출되는 코팅층(120)을 보유하는 기재(110)를 개략적으로 도시하며, 상기 공급원(141)은 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형(1 차원, 1D) 배열을 포함한다.
도 2a-e는 화학 방사선 LED 공급원(241)의 조사에 노출되는 코팅층(220)을 보유하는 기재(x20)를 개략적으로 도시하며, 상기 공급원(241)은 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원(2D) 배열을 포함한다.
도 3은 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(341)을 갖는 코팅층(320)의 선택적 경화가 투사 수단(350)에 의해 수행되는 실시양태를 개략적으로 도시한다.
도 4aa-b 내지 도 6aa-ab는 본원에 기재된 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정을 개략적으로 도시하며, 상기 공정은 a) 기재(x10)(그 우측에 별을 갖는 기재는 동작 중인 기재에 대응함) 상에 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하는 단계; b) b1) 코팅층(x20)을 본원에 기재된 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장에 노출시키는 단계, b2) 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계로 구성된 단계; 및 c) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 단계를 포함한다.
도 7aa-b 내지 도 12aa-ab는 본원에 기재된 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정을 개략적으로 도시하며, 상기 공정은 a) 기재(x10)(그 우측에 별을 갖는 기재는 동작 중인 기재에 대응함) 상에 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하는 단계; b) b1) 코팅층(x20)을 본원에 기재된 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장에 노출시키는 단계, b2) 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계로 구성된 단계; 및 c) c1) 코팅층(x20)을 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 자기장에 노출시키는 단계 및 c2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 단계로 구성된 단계를 포함한다.
도 7ac 내지 도 12ac는 본원에 기재된 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정을 개략적으로 도시하며, 상기 공정은 a) 기재(x10)(그 우측에 별을 갖는 기재는 동작 중인 기재에 대응함) 상에 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하는 단계; b) b1) 코팅층(x20)을 본원에 기재된 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장에 노출시키는 단계, b2) 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 경화시키는 단계로 구성된 단계; c) c1) 코팅층(x20)을 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 자기장에 노출시키는 단계 및 c2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 단계로 구성된 단계; 및 선택적으로 d) d1) 코팅층(x20)을 제n 자기장-발생 장치(x33)의 자기장 또는 제1 자기장 발생 장치(x31)의 제n 영역에 노출시키는 단계 및 d2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제n 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하는 단계로 구성된 단계를 포함한다.
도 13은 어떻게 구동 논리 칩이 칩-온-보드 기술에 의해 16 개 UV-LED의 선형 배열에 연결될 수 있는지를 개략적으로 도시한다.
도 14는 128-픽셀 선형 배열을 구축하기 위한 도 13의 조합된 구동 논리 칩 / UV-LED의 제1(도 14a) 및 제2(도 14b) 선택적 배열을 개략적으로 도시한다.
도 15는 시리얼 데이터 흐름에 의해 구동 논리 칩을 어드레스하는 하나의 선택적 방식을 개략적으로 도시한다.
정의
다음 정의는 본 명세서에서 논의되고 청구범위에서 인용된 용어의 의미를 설명하기 위해 사용되는 것이다.
본원에 사용된 바와 같이, 부정 관사 "a"는 하나뿐 아니라 하나 초과를 나타내고, 이의 지시대명사를 단수형으로 필수적으로 제한하지 않는다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "약"은 해당 양 또는 값이 지정된 특정 값 또는 그 근처의 일부 다른 값일 수 있음을 의미한다. 일반적으로, 특정 값을 표시하는 용어 "약"은 그 값의 ± 5% 이내의 범위를 나타내려는 것이다. 일 예로서, 어구 "약 100" 은 100 ± 5의 범위, 즉, 95 내지 105의 범위를 나타낸다. 일반적으로, 용어 "약"이 사용될 때, 본 발명에 따라 유사한 결과 또는 효과를 지정된 값의 ± 5%의 범위 이내에서 얻을 수 있을 것이 예측될 수 있다.
용어 "실질적으로 직교"는 수직/직교 정렬로부터 10° 이하로 벗어나는 것을 지칭한다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 상기 그룹의 요소 전부 또는 단지 하나만이 존재할 수 있다는 것을 의미한다. 예를 들어, "A 및/또는 B"는 "A만, 또는 B만, 또는 A와 B 둘 다"를 의미할 것이다. "A만"의 경우에, 상기 용어는 또한 B가 없는 가능성, 즉 "B가 없고 A만"을 커버한다.
본원에 사용된 바와 같은 용어 "포함하는(comprising)"은 비-배타적이며 확장 가능(open-ended)인 것으로 의도된다. 따라서, 예를 들어, 화합물 A를 포함하는 조성물은 A 외의 다른 화합물을 포함할 수 있다. 그러나, 용어 "포함하는"은 또한 이의 특별한 실시양태로서, 더 제한적 의미인 "본질적으로 구성된(consisting essentially of)" 및 "구성된(consisting of)"을 커버하여, 예를 들어, "A, B 및 선택적으로 C를 포함하는 조성물"은 또한 (본질적으로) A 및 B로 구성되거나, 또는 (본질적으로) A, B 및 C로 구성될 수 있다.
용어 "코팅 조성물"은 고체 기재 상에 본 발명의 광학 효과층(OEL)을 형성할 수 있으며, 바람직하지만 비배타적으로, 인쇄 방법에 의해 도포될 수 있는 임의의 조성물을 지칭한다. 코팅 조성물은 자성 또는 자화성 안료 입자 및 바인더를 포함한다.
본원에 사용된 바와 같은 용어 "광학 효과층(OEL)"은 자성 또는 자화성 안료 입자 및 바인더를 포함하는 층을 나타내며, 자성 또는 자화성 안료 입자의 배향은 바인더 내에서 고정 또는 동결(고정/동결)된다.
용어 "경화(curing)"는 코팅 조성물의 점도를 증가시켜, 자성 또는 자화성 안료 입자가 이의 현재 위치 및 배향에서 고정/동결되고 더 이상 이동하거나 회전할 수 없는 상태, 즉 강화된 상태 또는 고체 상태로 이를 변환하는 공정을 나타내는 데 사용될 수 있다.
본 명세서가 "바람직한" 실시양태/특징을 지칭하는 경우, 이들 "바람직한" 실시양태/특징의 조합은 또한 "바람직한" 실시양태/특징의 이 조합이 기술적으로 의미있는 한 개시된 것으로 여겨져야 한다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "적어도"는 하나 또는 하나 초과, 예를 들어 하나 또는 둘 또는 셋을 정의한다는 것을 의미한다.
용어 "보안 문서"는 보통 적어도 하나의 보안 특징에 의해 위조 또는 사기에 대해 보호되는 문서를 지칭한다. 보안 문서의 예는, 비제한적으로, 유가 문서 및 유가 상품을 포함한다.
용어 "보안 특징"은 인증 목적을 위해 사용될 수 있는 이미지, 패턴 또는 그래픽 요소를 나타내기 위해 사용된다.
본 발명은 기재(x10) 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정을 제공하며, 상기 OEL은 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고, 적어도 2 개 영역은 자성 또는 자화성 안료 입자의 상이한 배향 패턴을 갖는다. 제1 실시양태에서, 상기 상이한 배향 패턴은 본원에 기재된 단계 b2) 이후에 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 부분적 비배향에 의해 얻어지고, 상기 적어도 부분적 비배향은 본원에 기재된 단계 b1) 동안 조사에 노출되지 않은 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역에서 발생한다. 제2 실시양태에서, 상기 상이한 배향 패턴은 단계 c1) 동안 본원에 기재된 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 자기장에 코팅층(x20)을 노출시키는 추가 단계에 의해 얻어진다. 본 발명은 또한 상기 공정으로부터 얻어진 OEL을 제공한다. 모티프의 적어도 2 개 영역은 인접하거나, 멀리 공간을 두고 있거나 뒤얽혀 있을 수 있으며, 바람직하게는 모티프의 적어도 2 개 영역은 인접하거나 뒤얽혀 있다. 적어도 2 개 영역은 연속적이거나 비연속적일 수 있다.
본원에 기재된 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정은 a) 바람직하게는 본원에 기재된 것과 같은 인쇄 공정에 의해, 기재(x10) 상에 본원에 기재된 것과 같은 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 코팅층(x20)을 형성하는 단계; b) b1) 코팅층(x20)을 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하는 단계; 및 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에 또는 그 후에, 바람직하게는 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 경화시키되, 상기 경화가 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41), 바람직하게는 화학선 LED UV-Vis 방사선 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 수행되어, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 경화시키고, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역이 조사에 노출되지 않는 단계를 포함하는 단계를 포함한다. 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41), 바람직하게는 화학선 LED UV-Vis 방사선 공급원(x41)을 사용함으로써, 코팅층(x20)은 코팅층(x20)의 하나 이상의 특정 선택된 위치에서 조사되어, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 형성한다. 코팅층(x20)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역을 가진 후, 본원에 기재된 공정은 c) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 하나 이상의 제2 영역에서 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하되, 경화가 방사선 공급원에 의해 수행되는 단계를 추가로 포함한다. 바람직하게는, 본원에 기재된 단계 c)는 c1) 코팅층(x20)을 본원에 기재된 제1 자기장-발생 장치(x31)의 제2 영역(상기 제2 영역은 단계 b1) 동안 사용된 제1 자기장-발생 장치의 영역과 상이한 자기장선의 패턴을 가짐) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 제2 영역의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하는 단계; 및 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에 또는 그 후에, 바람직하게는 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시키되, 상기 경화가 본원에 기재된 방사선 공급원에 의해 수행되는 단계로 구성된다. "부분적으로 동시에"에 대해, 이는 양측 단계가 부분적으로 동시에 수행되는 것, 즉 각각의 단계를 수행하는 시간이 부분적으로 중첩된다는 것을 의미한다. 본원에 기재된 맥락에서, 경화 b2)/c2)가 배향 단계 b1)/c1)과 부분적으로 동시에 수행될 때, 안료 입자가 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1/제2 영역의 완전 또는 부분 경화 전에 배향되도록 경화는 배향 후가 효과적으로 된다는 것을 이해해야 한다.
본원에 기재된 단일 도포 및 경화층은 본원에 기재된 기재(x10) 상에 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 제1 상태인 코팅층(x20)을 형성하는 단계(단계 a)) 및 단계 b2) 동안 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)으로 및 단계 c2) 동안 방사선 공급원으로 상기 방사선 경화성 코팅 조성물을 제2 상태로 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정/동결하되, 상기 방사선 공급원은 본원에 기재된 것과 같은 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원일 수 있거나 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(x60), 예컨대 비 어드레서블 탄소 아크 램프, 제논 아크 램프, 중-, 고- 및 저-압력 수은 램프, 적절한 경우 금속 할라이드로 도핑된 것(금속 할라이드 램프), 마이크로파-여기된 금속 증기 램프, 엑시머 램프, 초악티늄족 형광 튜브, 형광 램프, 아르곤 백열 램프, 섬광 램프, 사진 투광 및 발광 다이오드일 수 있는 단계(단계 b2) 및 c2))에 의해 얻어진다. 본원에 기재된 제1 및 제2 상태는 조사에 대한 노출에 대한 반응에서 점도의 충분한 증가를 나타내는 바인더 재료를 사용함으로써 제공될 수 있다. 즉, 코팅층이 적어도 부분적으로 경화될 때, 상기 층은 제2 상태, 즉 고도의 점성 또는 강화 또는 고체 상태로 변환되고, 여기서 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자는 이의 현재 위치 및 배향으로 실질적으로 고정/동결되고 층 내에서 더 이상 눈에 띄게 이동하거나 회전할 수 없다. 따라서, 방사선 경화성 코팅 조성물은 방사선 경화성 코팅 조성물이 충분히 습윤 또는 연성이어서, 자기장에 노출시 방사선 경화성 코팅 조성물 내에 분산된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자가 자유롭게 이동, 회전 및/또는 배향될 수 있는 제1 상태, 즉 액체 또는 페이스트 상태 및 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자가 이의 각각의 위치 및 배향에서 고정되거나 동결되는 제2 경화(예를 들어, 고체) 상태를 뚜렷이 가져야 한다.
본원에 기재된 공정은 a) 본원에 기재된 기재(x10) 표면 상에 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 코팅층(x20)을 형성하되, 상기 코팅 조성물이 층으로서 이의 도포를 허용하고 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자가 바인더 재료 내에서 이동 및 회전할 수 있는 아직 경화/강화되지 않은(즉, 습윤) 상태인 제1 물리적 상태인 단계를 포함한다. 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물은 기재(x10) 표면 상에 제공될 것이기 때문에, 방사선 경화성 코팅 조성물은 적어도 본원에 기재된 것과 같은 바인더 재료 및 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하고, 상기 방사선 경화성 코팅 조성물은 소망하는 인쇄 또는 코팅 장비 상에서 이의 가공을 허용하는 형태이다. 바람직하게는, 본원에 기재된 기재(x10) 상에 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하는 것으로 구성된 단계는 바람직하게는 스크린 인쇄, 로토그라비어 인쇄 및 플렉소그라피 인쇄로 이루어진 군으로부터 선택되는 인쇄 공정에 의해 수행된다.
본원에 기재된 기재 표면 상에 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물의 도포(단계 a)) 후에, 이와 부분적으로 동시에 또는 동시에, 바람직하게는 그 후에, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부는 방사선 경화성 코팅 조성물을 본원에 기재된 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 자기장-발생 장치(x31)에 의해 생성된 자기장선을 따라 정렬시킴으로써 배향된다(단계 b1)). 본원에 기재된 자기장을 인가함으로써 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 배향/정렬시키는 단계(단계 b1)) 후에 또는 이와 부분적으로 동시에, 바람직하게는 부분적으로 동시에, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부의 배향은 고정되거나 동결된다(단계 b2)). 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역의 적어도 부분적 경화(단계 b2)) 후에, 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 하나 이상의 제2 영역의 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부는 바람직하게는 코팅층(x20)을 본원에 기재된 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 상기 자기장-발생 장치(x31, x32)에 의해 생성된 자기장선을 따라 정렬시킴(단계 c1))으로써 배향되고(단계 c1)), 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 자기장선의 패턴은 제1 배향 단계(단계 b1)) 동안 제1 자기장-발생 장치(x31)의 것과 상이하다. 상기 제2 배향 단계(단계 c1)) 후에 또는 이와 부분적으로 동시에, 바람직하게는 부분적으로 동시에, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역은 적어도 부분적으로 경화된다(단계 c2)).
단계 c1)이 본원에 기재된 바와 같이 수행될 때, 단계 c) 동안 또는 단계 c2) 동안 사용된 화학 방사선 LED 공급원(x41)은 코팅층(x20)의 전체 표면을 적어도 부분적으로 경화시키지 않아 코팅층(x20)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역은 조사에 노출되지 않고 적어도 부분적으로 경화되지 않는다면, 본원에 기재된 공정은 d1) 코팅층(x20)을 제n(제3, 제4 등) 자기장-발생 장치(x33)의 자기장에 또는 제1 자기장 발생 장치(x31)의 제n(제3, 제4 등) 영역에 노출시키는 단계의 n 개 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제n 배향 단계(단계 d1)) 후에 또는 이와 부분적으로 동시에, 바람직하게는 부분적으로 동시에, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제n 영역은 적어도 부분적으로 경화된다(단계 d2)). 본원에 기재된 공정은 하나 이상의 추가 단계 d)를 추가로 포함하되, 상기 하나 이상의 추가 단계 d)는 단계 c) 후에 수행되는 단계 d1) 및 d2)를 포함할 수 있고, 단계 d1)은 코팅층(x20)을 자기장-발생 장치의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향시키는 단계를 포함하고, 자기장-발생 장치는 단계 b1) 및/또는 c1) 동안 사용된 것과 동일하지만 자기장-발생 장치(x31)의 제1 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 상이한 영역의 자기장-발생 장치일 수 있거나 상이한 자기장-발생 장치일 수 있다.
본원에 기재된 공정은 하나 이상의 추가 단계 b-비스)를 추가로 포함하되, 상기 하나 이상의 추가 단계 b-비스)는 단계 b1-비스) 및 b2-비스)를 포함할 수 있고 단계 b) 후에 수행될 수 있으며, 단계 b1-비스)는 코팅층(x20)을 자기장-발생 장치의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향시키는 단계를 포함하고, 자기장-발생 장치는 단계 b1) 동안 사용된 것과 동일하지만 자기장-발생 장치(x31)의 제1 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 상이한 영역의 자기장-발생 장치일 수 있거나 상이한 자기장-발생 장치일 수 있다.
방사선, 바람직하게는 UV-Vis 광 방사선 경화가 사용되며, 이는 이들 기술이 매우 신속한 경화 공정을 유리하게 야기하므로, 본원에 기재된 OEL을 포함하는 임의의 물품의 준비 시간을 급격하게 감소시키기 때문이다. 또한, 방사선, 바람직하게는 UV-Vis 광 방사선 경화는 조사에 대한 노출 후 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물의 점도에서의 거의 즉각적인 증가를 생성하므로, 입자의 임의의 추가 이동을 최소화한다는 이점을 갖는다. 결과적으로, 자기 배향 단계 후의 배향의 임의의 손실은 본질적으로 회피될 수 있다. 따라서, UV-가시 방사선 경화성 코팅 조성물로 구성된 군으로부터 선택되는 방사선 경화성 코팅 조성물이 특히 바람직하다. 바람직하게는, 적어도 부분적 경화 단계 b2) 및/또는 적어도 부분적 경화 단계 c2)는 UV-가시광을 이용한 조사에 의해 독립적으로 수행된다(즉, UV-Vis 광 방사선 경화). 따라서, 본 발명을 위해 적합한 코팅 조성물은 UV-가시광 방사선에 의해 경화될 수 있는 방사선 경화성 조성물(이하에서 UV-Vis 경화성으로 지칭됨)을 포함한다. 본 발명의 하나의 특히 바람직한 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물은 UV-Vis 경화성 코팅 조성물이다. 전자기 스펙트럼의 UV 또는 청색 부분(통상적으로 200 nm 내지 650 nm; 더욱 바람직하게는 300 nm 내지 450 nm, 더욱 더 바람직하게는 350 nm 내지 420 nm)의 파장 성분을 갖는 화학선 조사의 영향 하에서 광중합에 의한 방사선-경화가 특히 바람직하다. UV-Vis 경화는 매우 신속한 경화 공정을 유리하게 허용하므로, 본원에 기재된 OEL, 문서 및 물품 및 상기 OEL을 포함하는 문서의 준비 시간을 급격하게 감소시킨다.
바람직하게는, 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물은 라디칼 경화성 화합물 및 양이온 경화성 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함한다. 본원에 기재된 UV-Vis 경화성 코팅 조성물은 하이브리드 시스템일 수 있고 하나 이상의 양이온 경화성 화합물 및 하나 이상의 라디칼 경화성 화합물의 혼합물을 포함할 수 있다. 양이온 경화성 화합물은 통상적으로 양이온 종, 예컨대 산을 방출하고, 이는 결국 경화를 개시하여 단량체 및/또는 올리고머를 반응 및/또는 가교하여 코팅 조성물을 강화하는 하나 이상의 광개시제의 방사선에 의한 활성화를 포함하는 양이온 메커니즘에 의해 경화된다. 라디칼 경화성 화합물은 통상적으로 라디칼을 생성하고 이는 결국 중합을 개시하여 코팅 조성물을 강화하는 하나 이상의 광개시제의 방사선에 의한 활성화를 포함하는 자유 라디칼 메커니즘에 의해 경화된다. 본원에 기재된 UV-Vis 경화성 코팅 조성물 내에 포함된 바인더를 준비하기 위해 사용되는 단량체, 올리고머 또는 예비중합체(prepolymer)에 따라, 상이한 광개시제가 사용될 수 있다. 자유 라디칼 광개시제의 적합한 예는 통상의 기술자에게 알려져 있으며, 비제한적으로, 아세토페논, 벤조페논, 벤질디메틸 케탈, 알파-아미노케톤, 알파-하이드록시케톤, 포스핀 옥사이드 및 포스핀 옥사이드 유도체뿐 아니라, 이의 2 이상의 혼합물을 포함한다. 양이온 광개시제의 적합한 예는 통상의 기술자에게 알려져 있으며, 비제한적으로, 오늄 염, 예컨대 유기 요오도늄 염(예를 들어, 디아릴 요오도늄 염), 옥소늄(예를 들어, 트리아릴옥소늄 염) 및 설포늄 염(예를 들어, 트리아릴설포늄 염)뿐 아니라, 이의 2 이상의 혼합물을 포함한다. 유용한 광개시제의 다른 예는 표준 교과서에서 찾아볼 수 있다. 또한, 효율적인 경화를 달성하기 위해 하나 이상의 광개시제와 함께 증감제(sensitizer)를 포함하는 것이 유리할 수 있다. 적합한 광증감제의 통상적인 예는, 비제한적으로, 이소프로필-티오크산톤(ITX), 1-클로로-2-프로폭시-티오크산톤(CPTX), 2-클로로-티오크산톤(CTX) 및 2,4-디에틸-티오크산톤(DETX)과 이의 2 이상의 혼합물을 포함한다. UV-Vis 경화성 코팅 조성물 내에 포함된 하나 이상의 광개시제는 바람직하게는, 약 0.1 중량% 내지 약 20 중량%, 더욱 바람직하게는 약 1 중량% 내지 약 15 중량%의 총량으로 존재하며, 중량%는 UV-Vis 경화성 코팅 조성물의 총 중량을 기준으로 한다.
본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물, 바람직하게는 본원에 기재된 UV-Vis 경화성 코팅 조성물뿐 아니라, 본원에 기재된 코팅층(x20)은 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함한다. 바람직하게는, 본원에 기재된 자성 또는 자화성 안료 입자는 약 5 중량% 내지 약 40 중량%, 더욱 바람직하게는 약 10 중량% 내지 약 30 중량%의 양으로 존재하며, 중량%는 방사선 경화성 코팅 조성물의 총 중량을 기준으로 한다. 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자는 바람직하게는 장형 또는 편평 타원체-형상, 판상체-형상 또는 바늘-형상 입자 또는 이의 2 이상의 혼합물이고 더욱 바람직하게는 판상체-형상 입자이다.
본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자는 이의 비-구형 형상으로 인해 강화된/경화된 바인더 재료가 적어도 부분적으로 투과성인 입사 전자기 방사선에 대해 비-등방성 반사율(non-isotropic reflectivity)을 갖는다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 "비-등방성 반사율"은 제1 각으로부터의 입사 방사선이 입자에 의해 특정 (시야) 방향(제2 각)으로 반사되는 비율이 입자의 배향의 함수이며, 즉 제1 각에 대한 입자 배향의 변화가 시야 방향으로의 상이한 규모의 반사량을 야기할 수 있다는 것을 나타낸다.
본원에 기재된 OEL에서, 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자는 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 배향을 고정하는 적어도 부분적으로 경화된 바인더 재료를 포함하는 코팅층(x20) 내에 분산되어 있다. 바인더 재료는 적어도 이의 경화된 또는 고체 상태(본원에서 제2 상태로도 지칭됨)에서, 200 nm 내지 2500 nm에 포함되는 파장 범위, 즉 통상적으로 "광학 스펙트럼"으로 지칭되며 전자기 스펙트럼의 적외선, 가시광 및 UV 부분을 포함하는 파장 범위 내의 전자기 방사선에 적어도 부분적으로 투과성이다. 따라서, 이의 강화된 또는 고체 상태에서 바인더 재료 내에 함유된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자 및 이의 배향-의존 반사율은 이의 범위 내의 일부 파장에서 바인더 재료를 통해 인식될 수 있다. 바람직하게는, 경화된 바인더 재료는 200 nm 내지 800 nm에 포함되는, 더욱 바람직하게는 400 nm 내지 700 nm에 포함되는 파장 범위의 전자기 방사선에 적어도 부분적으로 투과성이다. 본원에서, 용어 "투과성"은 OEL 내에 존재하는 (판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하지 않지만, 이러한 구성요소가 존재하는 경우에는 OEL의 모든 다른 선택적인 구성요소를 포함하는) 경화된 바인더 재료의 20 μm의 층을 통한 전자기 방사선의 투과율이 고려되는 파장(들)에서 적어도 50%, 더욱 바람직하게는 적어도 60%, 더욱 더 바람직하게는 적어도 70%인 것을 의미한다. 이는 예를 들어, 잘 정립된 시험 방법, 예를 들어 DIN 5036-3(1979-11)에 따라 (판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하지 않는) 강화된 바인더 재료의 시편의 투과율을 측정함으로써 결정될 수 있다. OEL이 기계 판독 가능한 보안 특징으로서 제공되는 경우, OEL에 의해 생성되는 (완전한) 광학 효과를 검출하기 위해서는 선택된 비-가시 파장을 포함하는 각 조명 조건 하에서 통상적인 기술적 수단이 필수적이며; 상기 검출은 입사 방사선 파장이 가시 범위 외, 예를 들어 UV 범위 근처로 선택될 것을 요구할 것이다.
본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적합한 예는, 비제한적으로, 코발트(Co), 철(Fe), 가돌리늄(Gd) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 자성 금속; 철, 망간, 코발트, 니켈 및 이의 2 이상의 혼합물의 자성 합금; 크롬, 망간, 코발트, 철, 니켈 및 이의 2 이상의 혼합물의 자성 옥사이드; 및 이의 2 이상의 혼합물을 포함한 안료 입자를 포함한다. 금속, 합금 및 옥사이드에 대해 용어 "자성"은 강자성(ferromagnetic) 또는 페리자성(ferrimagnetic) 금속, 합금 및 옥사이드에 관한 것이다. 크롬, 망간, 코발트, 철, 니켈 또는 이의 2 이상의 혼합물의 자성 옥사이드는 순수하거나 혼합된 옥사이드일 수 있다. 자성 옥사이드의 예는, 비제한적으로, 철 옥사이드, 예컨대 적철석(hematite)(Fe2O3), 자철석(Fe3O4), 이산화크롬(CrO2), 자성 페라이트(MFe2O4), 자성 스피넬(MR2O4), 자성 헥사페라이트(hexaferrite)(MFe12O19), 자성 오르토페라이트(RFeO3), 자성 석류석(garnet) M3R2(AO4)3을 포함하며, M은 2가 금속을 나타내고, R은 3가 금속을 나타내고, A는 4가 금속을 나타낸다.
본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 예는, 비제한적으로, 코발트(Co), 철(Fe), 가돌리늄(Gd) 또는 니켈(Ni)과 같은 자성 금속; 및 철, 코발트 또는 니켈의 자성 합금 중 하나 이상으로 이루어진 자성층 M을 포함하는 안료 입자를 포함하며, 상기 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자는 하나 이상의 추가 층을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 바람직하게는, 하나 이상의 추가층은 금속 플루오라이드, 예컨대 불화마그네슘(MgF2), 산화규소(SiO), 이산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 황화아연(ZnS) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료로, 더욱 바람직하게는 이산화규소(SiO2)로 독립적으로 이루어진 층 A; 또는 금속 및 금속 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된, 바람직하게는 반사성 금속 및 반사성 금속 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된, 및 더욱 바람직하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료, 및 더욱 더 바람직하게는 알루미늄(Al)으로 독립적으로 이루어진 층 B; 또는 상기 기재된 것과 같은 하나 이상의 층 A 및 상기 기재된 것과 같은 하나 이상의 층 B의 조합이다. 상기 기재된 다층 구조인 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자의 통상적인 예는, 비제한적으로, A/M 다층 구조, A/M/A 다층 구조, A/M/B 다층 구조, A/B/M/A 다층 구조, A/B/M/B 다층 구조, A/B/M/B/A 다층 구조, B/M 다층 구조, B/M/B 다층 구조, B/A/M/A 다층 구조, B/A/M/B 다층 구조, B/A/M/B/A/다층 구조를 포함하며, 층 A, 자성층 M 및 층 B는 상기 기재된 것으로부터 선택된다.
본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부는 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자 및/또는 광학 가변 특성을 갖지 않는 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자에 의해 구성될 수 있다. 바람직하게는, 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부가 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자에 의해 구성된다. 본원에 기재된 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하는 잉크, 방사선 경화성 코팅 조성물, 코팅 또는 층을 갖는 물품 또는 보안 문서를 비보조 인간 감각을 사용하여 이의 가능한 위조를 용이하게 검출, 인식 및/또는 구별하게 하는 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자의 색전이 특성에 의해 제공되는 노출 보안과 함께, 판상체-형상 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자의 광학 특성이 또한 OEL 인식을 위한 기계 판독 가능한 도구로서 사용될 수 있다. 따라서, 안료 입자의 광학(예를 들어, 스펙트럼) 특성이 분석되는 인증 공정에서 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자의 광학 특성이 동시에 은폐 또는 반-은폐 광학 보안 특징으로서 사용될 수 있다. OEL 생성을 위한 방사선 경화성 코팅 조성물 내의 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자의 사용은 이러한 재료(즉, 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자)가 보안 문서 인쇄 산업에 확보되어 있지만 공중에게는 상업적으로 이용 가능하지 않으므로 보안 문서 응용 내의 보안 특징으로서의 OEL의 중요성을 향상시킨다.
또한, 이의 자기 특징으로 인해, 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자는 기계 판독 가능하며, 따라서 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물로 제조되고 상기 안료 입자를 포함하는 코팅 또는 층은 예를 들어 특정 자기 검출기로 검출될 수 있다. 따라서, 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물은 보안 문서용 은폐 또는 반-은폐 보안 요소(인증 도구)로 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 바람직하게는 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부는 비-구형 광학 가변 자성 또는 자화성 안료 입자로 구성된다. 이들은 더욱 바람직하게는 비-구형 자성 박막 간섭 안료 입자, 비-구형 자성 콜레스테릭 액정 안료 입자, 자성 재료를 포함하는 비-구형 간섭 코팅 안료 입자 및 이의 2 이상의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
자성 박막 간섭 안료 입자는 통상의 기술자에게 알려져 있으며, 예를 들어 US 4,838,648호; WO 2002/073250 A2호; EP 0 686 675 B1호; WO 2003/000801 A2호; US 6,838,166호; WO 2007/131833 A1호; EP 2 402 401 A1호 및 본원에서 원용된 문서 내에 개시되어 있다. 바람직하게는, 자성 박막 간섭 안료 입자는 5 층 파브리-페로(Fabry-Perot) 다층 구조를 갖는 안료 입자 및/또는 6 층 파브리-페로 다층 구조를 갖는 안료 입자 및/또는 7 층 파브리-페로 다층 구조를 갖는 안료 입자를 포함한다.
바람직한 5 층 파브리-페로 다층 구조는 흡수층/유전층/반사층/유전층/흡수층의 다층 구조로 구성되며, 반사층 및/또는 흡수층은 또한 자성층이고, 바람직하게는 반사층 및/또는 흡수층은 니켈, 철 및/또는 코발트, 및/또는 니켈, 철 및/또는 코발트를 포함하는 자성 합금, 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 옥사이드를 포함하는 자성층이다.
바람직한 6 층 파브리-페로 다층 구조는 흡수층/유전층/반사층/자성층/유전층/흡수층의 다층 구조로 구성된다.
바람직한 7 층 파브리 페로 다층 구조는 US 4,838,648호에 개시된 것과 같은 흡수층/유전층/반사층/자성층/반사층/유전층/흡수층의 다층 구조로 구성된다.
바람직하게는, 본원에 기재된 반사층은 독립적으로 금속 및 금속 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 바람직하게는 반사성 금속 및 반사성 금속 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 더욱 바람직하게는 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 니오븀(Nb), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 및 이의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 더욱 더 바람직하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 및 이의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료, 더욱 더 바람직하게는 알루미늄(Al)으로 이루어진다. 바람직하게는, 유전층은 독립적으로 불화마그네슘(MgF2), 불화알루미늄(AlF3), 불화세륨(CeF3), 불화란탄(LaF3), 불화나트륨알루미늄(예를 들어, Na3AlF6), 불화네오디뮴(NdF3), 불화사마륨(SmF3), 불화바륨(BaF2), 불화칼슘(CaF2), 불화리튬(LiF)과 같은 금속 플루오라이드, 및 산화규소(SiO), 이산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3)과 같은 금속 옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되고, 더욱 바람직하게는 불화마그네슘(MgF2) 및 이산화규소(SiO2)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료, 더욱 더 바람직하게는 불화마그네슘(MgF2)으로 이루어진다. 바람직하게는, 흡수층은 독립적으로 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 철(Fe), 주석(Sn), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 니오븀(Nb), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 이의 금속 옥사이드, 이의 금속 설파이드(sulfide), 이의 금속 카바이드(carbide), 및 이의 금속 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 더욱 바람직하게는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 이의 금속 옥사이드, 및 이의 금속 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 더욱 더 바람직하게는 크롬(Cr), 니켈(Ni), 및 이의 금속 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 재료로 이루어진다. 바람직하게, 자성층은 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co); 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 합금; 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 옥사이드를 포함한다. 7 층 파브리-페로 구조를 포함하는 자성 박막 간섭 안료 입자가 바람직할 때, 자성 박막 간섭 안료 입자가 Cr/MgF2/Al/M/Al/MgF2/Cr 다층 구조로 구성된 7 층 파브리-페로 흡수층/유전층/반사층/자성층/반사층/유전층/흡수층의 다층 구조를 포함하는 것이 특히 바람직하며, M은 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co); 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe) 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 합금; 및/또는 니켈(Ni), 철(Fe), 및/또는 코발트(Co)를 포함하는 자성 옥사이드를 포함하는 자성층이다.
본원에 기재된 자성 박막 간섭 안료 입자는 인체 건강 및 환경에 안전한 것으로 간주되고, 예를 들어 5 층 파브리-페로 다층 구조, 6 층 파브리-페로 다층 구조 및 7 층 파브리-페로 다층 구조 기반인 다층 구조 안료 입자일 수 있으며, 상기 안료 입자는 약 40 중량% 내지 약 90 중량% 철, 약 10 중량% 내지 약 50 중량% 크롬 및 약 0 중량% 내지 약 30 중량% 알루미늄을 포함하는 실질적으로 니켈이 없는 조성물을 갖는 자성 합금을 포함하는 하나 이상의 자성층을 포함한다. 인체 건강 및 환경에 안전한 것으로 간주되는 다층 안료 입자의 통상적인 예는 EP 2 402 401 A1호에서 찾을 수 있으며, 이는 그 전체가 본원에 참고로 포함된다.
본원에 기재된 자성 박막 간섭 안료 입자는 웹 상으로 상이한 필요한 층을 위해 종래의 증착 기술에 의해 통상적으로 제조된다. 소망하는 수의 층을, 예를 들어 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 또는 전기분해 증착에 의해 증착한 후에, 적합한 용매 내에서 이형층을 용해시키거나, 웹으로부터 재료를 벗김으로써 층의 스택이 웹으로부터 제거된다. 이와 같이 얻어진 재료는 이어서 판상체-형상 안료 입자로 부수어지고, 이는 그라인딩, 밀링(예를 들어, 제트 밀링 공정) 또는 임의의 적합한 방법에 의해 추가로 가공되어, 원하는 크기의 안료 입자를 얻는다. 얻어진 생성물은 부서진 가장자리, 불규칙한 형상 및 상이한 종횡비를 갖는 납작한 판상체-형상 안료 입자로 구성된다. 적합한 판상체-형상 자성 박막 간섭 안료 입자의 준비에 대한 추가 정보는, 예를 들어 EP 1 710 756 A1호 및 EP 1 666 546 A1호에서 찾아볼 수 있으며, 이는 본원에 참고로 포함된다.
광학 가변 특징을 나타내는 적합한 자성 콜레스테릭 액정 안료 입자는, 비제한적으로, 자성 단층 콜레스테릭 액정 안료 입자 및 자성 다층 콜레스테릭 액정 안료 입자를 포함한다. 이러한 안료 입자는 예를 들어, WO 2006/063926 A1호, US 6,582,781호 및 US 6,531,221호에 개시되어 있다. WO 2006/063926 A1호는 단층 및 이로부터 얻어진 고휘도 및 색전이 특성과 자기화성(magnetizability)과 같은 추가의 특별한 특성을 갖는 안료 입자를 개시한다. 개시된 단층 및 상기 단층을 분쇄함으로써 이로부터 얻어진 안료 입자는 3-차원 가교된 콜레스테릭 액정 혼합물 및 자성 나노입자를 포함한다. US 6,582,781호 및 US 6,410,130호는 시퀀스 A1/B/A2를 포함하며, A1 및 A2가 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 적어도 하나의 콜레스테릭 층을 포함하며, B가 중간층으로서 층 A1 및 A2에 의해 전달되는 광의 전부 또는 일부를 흡수하고, 자성 특성을 상기 중간층에 부여하는 콜레스테릭 다층 안료 입자를 개시하고 있다. US 6,531,221호는 시퀀스 A/B 및 선택적으로 C를 포함하며, A 및 C가 자성 특성을 부여하는 안료 입자를 포함하는 흡수층이며, B가 콜레스테릭 층인 판상체-형상 콜레스테릭 다층 안료 입자를 개시하고 있다.
하나 이상의 자성 재료를 포함하는 적합한 간섭 코팅 안료는, 비제한적으로, 하나 이상의 층으로 코팅된 코어로 구성된 군으로부터 선택된 기재로 구성된 구조를 포함하며, 코어 또는 하나 이상의 층 중 적어도 하나는 자성 특성을 갖는다. 예를 들어, 적합한 간섭 코팅 안료는 상기 기재된 것과 같은 자성 재료로 이루어진 코어를 포함하며, 상기 코어는 하나 이상의 금속 옥사이드로 이루어진 하나 이상의 층으로 코팅되거나, 이들은 합성 또는 천연 운모, 층상 실리케이트(예를 들어, 활석, 카올린(kaolin) 및 견운모(sericite)), 유리(예를 들면, 보로실리케이트), 이산화규소(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 흑연 및 이의 2 이상의 혼합물로 이루어진 코어로 구성된 구조를 갖는다. 또한, 착색층과 같은 하나 이상의 추가 층이 존재할 수 있다.
본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자는 표면 처리되어 방사선 경화성 코팅 조성물 내에서 발생할 수 있는 임의의 열화에 대해 이를 보호하고/하거나 방사선 경화성 코팅 조성물 내의 이의 혼입이 용이할 수 있으며; 통상적으로 부식 억제 재료 및/또는 습윤제가 사용될 수 있다.
본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물, 바람직하게는 본원에 기재된 UV-Vis 경화성 코팅 조성물은 유기 안료 입자, 무기 안료 입자, 및 유기 염료, 및/또는 하나 이상의 첨가제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 착색 구성요소를 추가로 포함할 수 있다. 후자는, 비제한적으로, 점도(예를 들어, 용매, 증점제 및 계면활성제), 조밀도(예를 들어, 침전방지제, 필러 및 가소제), 발포 특성(예를 들어, 소포제), 윤활 특성(왁스, 오일), UV 반응성 및 안정성(광증감제 및 광안정화제), 접착 특성, 대전 방지성, 저장 안정성(중합 억제제) 등과 같은 코팅 조성물의 물리적, 유동학적 및 화학적 파라미터를 조절하기 위해 사용되는 화합물 및 재료를 포함한다. 본원에 기재된 첨가제는 첨가제의 치수 중 적어도 하나가 1 내지 1,000 nm 범위 내인 소위 나노-재료를 포함하여 당업계에 알려진 양 및 형태로 본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물, 바람직하게는 본원에 기재된 UV-Vis 경화성 코팅 조성물 내에 존재할 수 있다.
본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물, 바람직하게는 본원에 기재된 UV-Vis 경화성 코팅 조성물은 하나 이상의 마커 물질 또는 타간트(taggant) 및/또는 (본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자와 상이한) 자성 재료, 발광성 재료, 전기전도성 재료 및 적외선 흡수 재료로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기계 판독 가능한 재료를 추가로 포함할 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 "기계 판독 가능한 재료"는 장치 또는 기계에 의해 검출할 수 있는 적어도 하나의 뚜렷한 특성을 나타내며, 코팅에 포함되어, 이의 검출 및/또는 인증을 위한 특정 장비의 사용에 의해 상기 코팅 또는 상기 코팅을 포함하는 물품을 인증하는 방식을 부여할 수 있는 재료를 지칭한다.
본원에 기재된 방사선 경화성 코팅 조성물, 바람직하게는 본원에 기재된 UV-Vis 경화성 코팅 조성물은 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자 및 존재할 때, 본원에 기재된 바인더 재료의 존재 하에 하나 이상의 첨가제를 분산 또는 혼합하여, 액체 조성물을 형성함으로써 준비될 수 있다. 존재할 때, 하나 이상의 광개시제가 모든 다른 성분을 분산 또는 혼합하는 단계 동안 조성물에 첨가될 수 있거나 차후 단계에, 즉 액체 코팅 조성물의 형성 후에 첨가될 수 있다.
본원에 기재된 공정은 자기 배향 단계(단계 b1)) 및 적어도 부분적 비배향에 의해 또는 바람직하게는 적어도 2 개의 자기 배향 단계(단계 b1) 및 c1)) 및 적어도 2 개의 적어도 부분적 경화 단계에 의해 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역을 갖는 OEL이 생성되게 하며, 선택적 조사는 적어도 단계 b2) 동안 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 사용함으로써 얻어진다. 최종 경화 단계는 본원에 기재된 선택적 경화를 위한 본원에 기재된 것과 같은 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41) 또는 본원에 기재된 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(x60)인 방사선 공급원을 사용함으로써 수행될 수 있다. 선택적 경화는 하나 이상의 픽셀의 서브세트를 경화함으로써 얻어지며, 상기 선택적 경화는 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 에미터를 선택적으로 어드레스함으로써 얻어지고, 바람직하게는 적어도 부분적으로 경화될 이미지 픽셀의 하나 이상의 비트맵 패턴에 따라 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 에미터를 선택적으로 어드레스함으로써 얻어진다. 특히, 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 하나 이상의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 스위치 온되는 한편, 다른 하나 이상의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 동적 및 선택적 방식으로 스위치 오프된다. 대안적으로, 일부 실시양태에서, 이미지 픽셀에 대응하는 에미터는 한번에 전부 어드레스될 수 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 조사에 노출되고, 상기 공급원(x41)은 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형(1 차원, 1D) 배열(도 1a-d 참고) 또는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원(2D) 배열(도 2a-e 참고)을 포함하고, 화학 방사선은 코팅층(x20) 상에 투사되어, 본원에 기재된 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역으로 구성된 하나 이상의 투사된 이미지를 형성한다. "어드레서블"에 대해, 이는 화학선 LED 공급원의 방사선 에미터가 개별적으로 또는 프로세서에 의한 별도 서브세트로서 스위치 온 및 오프될 수 있다는 것을 의미한다. 어드레서블 화학 방사선 에미터는 광학 효과층(OEL)의 최종 설계에 따라 프로세서에 의해 동적으로 스위치 온 및 오프될 수 있다. 도 1b에 나타낸 바와 같이, 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 어드레서블 화학 방사선 에미터 중 하나 이상은 스위치 오프되어(도 1b의 제5 에미터), 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 선택적으로 적어도 부분적으로 경화시키며, 도 1b에서 코팅층(x20)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역 중 하나는 짙은 회색 영역(A1)으로서 도시되어 있고 코팅층(x20)의 하나 이상의 아직 경화되지 않은 영역 중 하나는 밝은 회색 영역(A2)으로서 도시되어 있다. 도 1 및 2에 나타낸 바와 같이, 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 또는 2 차원 배열의 폭은 코팅층(x20)의 폭에 비해 클 수 있으며 화학 방사선은 바람직하게는 투사 수단(나타내지 않음)에 의해 코팅층(x20) 상에 투사된다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열의 표면은 코팅층(x20)의 표면에 비해 클 수 있으며 화학 방사선은 바람직하게는 투사 수단(나타내지 않음)에 의해 코팅층(x20) 상에 투사된다.
단계 b1) 및 b2)는 자기적으로 배향된 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 갖는 하나 이상의 제1 영역을 제공하며, 자기 배향 패턴은 본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 수행된 선택적 경화에 의해 상기 하나 이상의 제1 영역에 고정/동결되어 있고, 상기 하나 이상의 제1 영역은 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 선택적으로 및 개별적으로 어드레스된 화학 방사선 에미터에 의해, 즉 바람직하게는 하나 이상의 비트맵 패턴에 따른 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 스위치 온 및 오프에 의해 정의된 형상을 갖는다.
본원에 기재된 바람직한 공정에서 수행되는 본원에 기재된 단계 c) 또는 단계 c1) 및 c2)는 자기적으로 배향된 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 갖는 하나 이상의 제2 영역을 제공하며, 자기 배향 패턴은 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(x60)을 이용한 경화(즉, 경화는 코팅층(x20)의 전체 표면 상에서 비-선택적으로 수행됨)에 의해 상기 하나 이상의 제2 영역에서 고정/동결되었고, 상기 하나 이상의 제2 영역은 단계 b2)의 선택적 경화에 의해 또는 본원에 기재된 것과 같은 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 수행된 추가 선택적 경화에 의해 정의된 하나 이상의 제1 영역의 음성 형상을 갖고, 상기 하나 이상의 제2 영역은 선택적으로 및 개별적으로 어드레스된 화학 방사선 에미터에 의해, 즉 바람직하게는 하나 이상의 비트맵 패턴에 따른 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 스위치 온 및 오프에 의해 정의된 형상을 갖는다.
본원에 기재된 것과 같은 화학 방사선 LED 공급원(x41)이 단계 c) 또는 단계 c2) 동안 사용되어, 하나 이상의 제n(예를 들어, 제3, 제4 등) 영역이 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 선택적 조사에 대해 노출되지 않는 경우, 하나 이상의 아직 경화되지 않은 제n(예를 들어, 제3, 제4 등) 영역에서 구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부는 코팅층(x20)을 제n(예를 들어, 제3, 제4 등) 자기장-발생 장치의 자기장에 노출시키는 후속 단계 d1) 동안 자기적으로 배향될 수 있으며, 상기 제n(예를 들어, 제3, 제4 등) 자기장-발생 장치는 단계 b1) 및/또는 c1) 동안 사용된 자기장-발생 장치와 상이한 자기장-발생 장치일 수 있거나 동일하지만, 단계 b1) 동안 사용된 자기장-발생 장치의 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 다른 상이한 영역의 자기장-발생 장치일 수 있다. 상기 단계 d1) 후에 또는 이와 부분적으로 동시에, 바람직하게는 부분적으로 동시에, 단계 d2)는 코팅층(x20)의 하나 이상의 제n 영역을 제2 상태로 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 제n 자기장-발생 장치의 자기장선의 패턴에 따라 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정시키고; 경화는 본원에 기재된 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(x60) 또는 본원에 기재된 것과 같은 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 수행된다.
바람직하게는, 본원에 기재된 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역 및/또는 하나 이상의 제2 영역 및/또는 하나 이상의 제n(예를 들어, 제3, 제4 등) 영역은 독립적으로 인디시움(indicium)의 형태 또는 형상을 갖는다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 <<인디시움>> 및 "인디시아"는, 비제한적으로, 부호, 영숫자 부호, 모티프, 문자, 단어, 수, 로고 및 그림을 포함하는 임의의 형태를 의미할 것이다. 본원에 기재된 바와 같이, 하나 이상의 제1 영역, 선택적으로 하나 이상의 제2 영역 및 선택적으로 하나 이상의 제n 영역은, 바람직하게는 하나 이상의 비트맵 패턴에 따라 화학 방사선 LED 공급원(x41, x41-1, x41-2 등)의 선택적으로 및 개별적으로 어드레스된 화학 방사선 에미터에 의해 정의된 형상을 갖는다. 특히, 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 에미터는 적어도 부분적으로 경화될 이미지 픽셀의 하나 이상의 비트맵 패턴에 따라 어드레스되고, 상기 하나 이상의 비트맵 패턴은 모든 생산된 광학 효과층(OEL)에 대해 동일할 수 있거나, 예를 들어 코드, 일련 번호, 로고, 그림 또는 명칭(다양한 인디시아)과 같은 다양한 정보(개별화 또는 일련화)를 나타낼 수 있다.
본원에 기재된 공정의 단계 b1) 동안, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 제1 자기장-발생 장치(x31)에 대해 움직이고 있을 수 있거나 정지되어 있을 수 있다. 기재(x10)가 움직이고 있는 경우, 상기 기재는 평평한 경로 또는 굽은 경로를 따를 수 있다. 본원에 기재된 공정의 단계 b2) 동안, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 개별 어드레서블 화학 방사선 LED의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 움직이고 있을 수 있거나 정지되어 있을 수 있다. 본원에 기재된 공정의 단계 c1) 동안, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)에 대해 각각 독립적으로 움직이고 있을 수 있거나 정지되어 있을 수 있다. 본원에 기재된 공정의 단계 c) 또는 단계 c2) 동안, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 선택적으로 본원에 기재된 것과 같은 개별 어드레서블 화학 방사선 LED의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)인 방사선 공급원에 대해 또는 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(x60)에 대해 움직이고 있을 수 있거나 정지되어 있을 수 있다. 본원에 기재된 모든 실시양태에서, 화학 방사선 LED 공급원(x41) 및 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(x60)은 정지 및 고정되고, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10) 및 자기장-발생 장치(들)(x31, x32)에 대해 기준 프레임으로서 제공된다.
단계 b2) 동안 및 선택적으로 단계 c) 또는 단계 c2) 동안 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 움직이고 있는 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)를 이용한 공정 동안, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 광축에 대해 실질적으로 직교하는 평면에서 운반된다.
화학 방사선 LED 공급원(x41)의 부근에서 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)의 움직임은 브러시, 롤러, 블레이드, 스프링, 흡인 장치, 클램프, 벨트 및 실린더와 같은 종래의 운반 수단으로 수행될 수 있다. 운반 수단은 통상의 기술자에게 알려진 인쇄 공정의 유형에 맞추어질 수 있다.
일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 단계 b2) 동안 및 선택적으로 단계 c) 또는 단계 c2) 동안 상기 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 조사에 노출되었을 때, 움직인다. 코팅층(x20)이 움직이고 있는 공정 동안(도 1 및 2의 화살표 참고), 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 선택적 조사는 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 움직이는 동안 적어도 부분적 경화가 연속으로 수행되는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열(도 1a 참고), 또는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터가 각각의 배열에 대해 개별적으로 스위치 온 및 오프될 수 있는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열(도 2b 참고)을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)으로 수행된다.
본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 사용하는 이 실시양태의 공정 동안(도 1a 참고), 선택적 조사는 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 움직이는 동안 시간-의존 방식으로 에미터를 개별적으로 스위치 온 및 오프시킴으로써 수행된다. 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 사용하는 이 실시양태의 공정 동안(도 2b 참고), 선택적 조사는 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 움직이는 동안 시간-의존 방식으로 에미터를 개별적으로 스위치 온 및 오프시킴으로써 수행되거나, 매우 짧은 시간 동안 한번에 이미지 픽셀에 대응하는 개별 에미터 전부를 스위치 온시킴으로써 수행된다(플래시 경화). 유리하게는, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 이동하는 실시양태에서, 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 투사된 이미지가 이동하는 기재(x10)를 동시에 따르는 방식으로 스위치 온 및 오프될 수 있으므로, 조사 시간을 증가시키고 경화 효율을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 도 1b는 9 개 개별 어드레서블 에미터(명확성 이유를 위해 선택된 수)의 선형 배열을 도시하며, 8 개 에미터는 주어진 시간에 스위치 온되는 반면, 하나의 에미터(좌측으로부터 5번째)는 스위치 오프된다. 8 개의 스위치 온된 에미터에 의해 조사되는 코팅층(x20)의 영역은 회색 영역으로서 도시되어 있으며 단계 b2)에서 적어도 부분적으로 경화되는 적어도 하나의 제1 영역에 대응하는 반면, 5번째 스위치-오프된 에미터 하의 영역은 선택적으로 또는 단계 c2)에서 표준 경화 수단(x60)을 사용하여 차후에 경화될, 아직 경화되지 않은 영역에 대응한다. 도 1b에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)은 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)의 움직임에 대해 실질적으로 직교 방향으로 배치될 수 있다.
도 1c에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)은 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)의 움직임에 대해 비스듬한 배열로, 바람직하게는 약 5° 내지 약 45°의 각으로 배치될 수 있다. 대안적으로, 장비의 공간을 감소시키기 위해, 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 함께 비스듬한 배치의 선형 배열을 형성하는 다중 세그먼트로 배열될 수 있으며(도 1d), 각각의 세그먼트는 바람직하게는 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)의 움직임에 대해 약 5° 내지 약 45°의 각을 갖는다. 유리하게는, 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 배치는 장비의 공간을 최적화하여, 광학 효과층(OEL)을 생산하고/하거나 그렇게 얻어진 OEL의 해상도를 개선하고/하거나 열 방산을 돕고/돕거나 경화 효율을 향상시키도록 선택된다.
도 2b에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)은 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)의 움직임에 대해 실질적으로 직교 방향으로 배치될 수 있다.
본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 구축하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 모든 배열은 공간 제약 및/또는 열 방산 필요조건 및/또는 소망하는 해상도 및/또는 경화 효율에 따라, 실질적으로 정렬될 수 있거나(도 2c), 오프셋 배열로 배치될 수 있거나(도 2d) 엇갈린 배열로 배치될 수 있다(도 2e).
다른 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 단계 b2) 동안 및 선택적으로 단계 c2) 동안 상기 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 조사에 노출되었을 때, 움직이지 않으며, 즉 정지되어 있다. 코팅층(x20)이 정지되어 있는 공정 동안(도 2a 및 도 2c-e 참고), 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 선택적 조사는 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)으로, 비트맵 패턴에 따라 상기 개별 어드레서블 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행된다(도 2a 참고). 이 경우에, 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 모든 배열은 바람직하게는 실질적으로 정렬되거나(도 2c) 엇갈린 배열로 배치된다(도 2e).
본원에 기재된 바와 같이, 본원에 기재된 공정의 단계 b1) 및 단계 b2)는 바람직하게는 부분적으로 동시에 수행되고, 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역의 조사는 바람직하게는 기재(x10) 표면에 대해 실질적으로 직교하고, 상기 조사는 코팅층(x20) 상에 투사되어, 하나 이상의 투사된 이미지(도 3의 β)를 형성한다.
바람직하게는 도 3에 나타낸 바와 같이, 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(341)을 이용한 코팅층(320)의 선택적 경화는 예를 들어, 투사 렌즈(350)와 같은 투사 수단(350)의 수단에 의해 수행되고, 투사 수단(350)의 광축(α)은 바람직하게는 기재(310) 표면에 대해 실질적으로 직교한다.
코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 움직이는 공정 동안, 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 바람직하게는 단계 b2) 동안 및 선택적으로 c) 또는 단계 c2) 동안 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열 및 투사 수단(x50)의 광축 둘 다에 대해 실질적으로 직교하는 방향으로 운반된다. 바람직하게는 도3에 나타낸 바와 같이, 투사 수단(350), 바람직하게는 초점 렌즈(f)의 렌즈(350)는 화학 방사선 LED 공급원(341)과 화학 방사선 LED 공급원(341)으로부터 대상 거리(OD) 및 코팅층(320)으로부터 상거리(ID)의 코팅층(320) 사이에 배치되어, 코팅층(320) 상에 대한 화학 방사선 LED 공급원(341)을 이용한 조사가 상기 화학 방사선 LED 공급원(341)의 하나 이상의 투사된 이미지의 크기 감소 하에 수행된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 코팅층(320) 상에 대한 화학 방사선 LED 공급원(341)을 이용한 조사가 크기 감소 하에 수행될 때, 화학 방사선 LED 공급원(341)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열의 폭은 코팅층(320)의 폭에 비해 클 수 있고 조사는 투사된 이미지의 해상도 및/또는 상기 조사의 국소 강도 및/또는 화학 방사선 LED 공급원(341)의 유리한 열 방산을 증가시키기 위해 투사 수단(350), 바람직하게는 렌즈(350)에 의해 코팅층(320) 상에 집중된다.
유리하게는 단계 b2) 동안 및 선택적으로 c) 또는 단계 2) 동안 크기 감소 하에 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 코팅층(x20)의 조사를 위한 본원에 기재된 투사 수단(x50)의 사용은 경화된 이미지의 해상도를 개선하고/하거나 경화 효율을 개선하고/하거나 열 방산을 개선하기 위해 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 큰 배열(들)을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 사용하게 한다. 투사 수단(x50)의 통상적인 예는, 비제한적으로, 종래의 구면 볼록렌즈, 비구면 렌즈, 프레넬 렌즈(Fresnel lens), 자유형 렌즈, 굴절률 가변 렌즈, 구면 거울, 비구면 거울, 다중 렌즈(대물렌즈); 프리즘, 거울 및 렌즈 시스템의 조합; 액체 조절 렌즈뿐 아니라, 평평하지 않은 코팅층에 맞추어지도록 프로파일이 변하는 표면을 갖는 렌즈를 포함한다.
일 실시양태에 따르면 본원에 기재된 바와 같이, 본원에 기재된 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 단계 b2) 동안 및 선택적으로 단계 c) 또는 단계 c2) 동안 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 조사에 노출되었을 때, 움직이지 않으며, 즉 정지되어 있다. 코팅층(x20)의 선택적 조사는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)으로 수행되고, 상기 에미터는 상기 화학 방사선 LED 공급원(x41)으로 적어도 부분적으로 경화될 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역과 동일한 형상을 갖는 하나 이상의 제1 패턴, 바람직하게는 하나 이상의 비트맵 패턴에 따라 스위치 온되고; 이는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)이 단계 c) 또는 단계 c2) 동안 사용될 때 하나 이상의 제2 영역에 대해 적용된다. 이 실시양태의 공정의 예는 도 4, 7 및 8에 도시되어 있다.
도 4aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 정지 방식으로 수행되고, 코팅층(420)을 보유한 기재(410)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c) 동안 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 방사선 공급원(441, 460)은 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 4aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 i) b1) 코팅층(420)을 본원에 기재된 것과 같은 제1 정지 자기장-발생 장치(431)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(420)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(441)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 바람직하게는 비트맵 패턴에 따라 코팅층(420)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(420)의 하나 이상의 제2 영역(A2)이 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 ii) c) 코팅층(420)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(460)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(441)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 제1 패턴에 따라 스위치 온된다.
도 4ab에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 정지 방식으로 수행되고, 코팅층(420)을 보유한 기재(410)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c) 동안 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 화학 방사선 공급원(441)은 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 4ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 i) b1) 코팅층(420)을 본원에 기재된 것과 같은 제1 정지 자기장-발생 장치(431)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(420)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(441)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 바람직하게는 비트맵 패턴에 따라 코팅층(420)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(420)의 하나 이상의 제2 영역(A2)이 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 ii) c) 코팅층(420)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 단계 b2) 동안 사용된 것과 동일한 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(441)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(441)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 제1 패턴에 따라 및 단계 c2) 동안 제2 패턴에 따라 스위치 온되고, 상기 제1 및 제2 패턴은 서로 상이하고, 단계 c2)에서 사용된 제2 패턴은 단계 b2)에서 사용된 제1 패턴의 음성에 대응한다. 대안적으로, 단계 c)는 동시에 화학 방사선 LED 공급원(441)의 모든 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행되어, 하나 이상의 제2 영역(A2)을 경화시키고 전체 코팅층(420)을 경화시킬 수 있다.
도 7aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 정지 방식으로 수행되고, 코팅층(720)을 보유한 기재(710)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 방사선 공급원(741, 760)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고) 단계 b1) 동안 사용된 제1 자기장-발생 장치(731)는 단계 c1) 동안 제2 제1 자기장-발생 장치(732)로 교체된다. 도 7aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 i) b1) 코팅층(720)을 본원에 기재된 것과 같은 제1 정지 자기장-발생 장치(731)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(720)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(741)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 바람직하게는 비트맵 패턴에 따라 코팅층(720)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(720)의 하나 이상의 제2 영역(A2)이 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않는 단계; 및 제1 자기장-발생 장치(731)가 제1 자기장-발생 장치의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 본원에 기재된 것과 같은 제2 자기장-발생 장치(732)로 교체된 후, ii) c1) 코팅층(720)을 제2 정지 자기장-발생 장치(732)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 화학 방사선 LED 공급원(741)이 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(760)으로 교체된 후, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(720)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(760)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(741)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 제1 패턴에 따라 스위치 온된다.
도 7ab-c에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 정지 방식으로 수행되고, 코팅층(720)을 보유한 기재(710)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 화학 방사선 공급원(741)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고) 단계 b1) 동안 사용된 제1 자기장-발생 장치(731)는 단계 c1) 동안 제2 제1 자기장-발생 장치(732)로 교체된다. 도 7ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 i) b1) 코팅층(720)을 본원에 기재된 것과 같은 제1 정지 자기장-발생 장치(731)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(720)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(741)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 바람직하게는 비트맵 패턴에 따라 코팅층(720)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(720)의 하나 이상의 제2 영역(A2)이 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않는 단계; 및 제1 자기장-발생 장치(731)가 본원에 기재된 것과 같은 제1 자기장-발생 장치(731)의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 제2 자기장-발생 장치(732)로 교체된 후, ii) c1) 코팅층(720)을 제2 정지 자기장-발생 장치(732)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(720)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 단계 b2) 동안 사용된 것과 동일한 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(741)로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(741)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 제1 패턴에 따라 및 단계 c2) 동안 제2 패턴에 따라 스위치 온되고, 상기 제1 및 제2 패턴은 서로 상이하고, 단계 c2)에서 사용된 제2 패턴은 단계 b2)에서 사용된 제1 패턴의 음성에 대응한다. 대안적으로, 단계 c2)는 동시에 화학 방사선 LED 공급원(741)의 모든 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행되어, 하나 이상의 제2 영역(A2)을 경화시키고 전체 코팅층(720)을 경화시킬 수 있다.
도 7ac에 나타낸 바와 같이, 단계 c2) 동안 사용된 화학 방사선 LED 공급원(741)은 코팅층(720)의 전체 표면을 적어도 부분적으로 경화시키지 않아, 코팅층(720)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)이 조사에 노출되지 않고 적어도 부분적으로 경화되지 않는다면, 본원에 기재된 공정은 d1) 코팅층(720)을 제n(제3, 제4 등) 정지 자기장-발생 장치(733)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 d1)과 부분적으로 동시에, d2) 코팅층(720)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 단계 b2) 및 c2) 동안 사용된 것과 동일한 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(741)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계의 n 개 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 화학 방사선 LED 공급원(741)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 제1 패턴, 단계 c2) 동안 제2 패턴, 및 단계 d2) 동안 제n(제3, 제4 등) 패턴에 따라 스위치 온되고, 상기 제1, 제2 및 제n 패턴은 서로 상이하거나(도 7ac 좌측 참고) 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(760)과 상이하다(도 7ac 우측 참고). 대안적으로, 단계 d2)는 동시에 화학 방사선 LED 공급원(741)의 모든 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행되어, 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 경화시키고 전체 코팅층(720)을 경화시킬 수 있다.
도 8aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 정지 방식으로 수행되고, 코팅층(820)을 보유한 기재(810)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 방사선 공급원(841, 860)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 단일 정지 자기장-발생 장치(831)가 단계 b1) 및 c1) 동안 사용되고, 코팅층(820)을 보유한 기재(810)는 상이한 제1 및 제2 자기장-발생 장치를 사용하는 대신에 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 자기장-발생 장치(831)의 상이한 영역으로 이동된다. 도 8aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 i) b1) 코팅층(820)을 본원에 기재된 것과 같은 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제1 영역의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(820)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(841)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(820)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(820)의 하나 이상의 제2 영역(A2)이 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않는 단계; 및 코팅층(820)을 보유한 기재(810)가 자기장-발생 장치(831)의 제1 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제2 영역으로 이동된 후, ii) c1) 코팅층(820)을 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제2 영역의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(820)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(860)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(841)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 하나 이상의 제1 패턴에 따라 스위치 온된다.
도 8ab-c에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 정지 방식으로 수행되고, 코팅층(820)을 보유한 기재(810)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 방사선 공급원(841-1, 841-2)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 단일 정지 자기장-발생 장치(831)가 단계 b1) 및 c1) 동안 사용되고, 코팅층(820)을 보유한 기재(810)는 상이한 제1 및 제2 자기장-발생 장치를 사용하는 대신에 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 상이한 영역으로 이동된다. 도 8ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 i) b1) 코팅층(820)을 본원에 기재된 것과 같은 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제1 영역의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(841-1)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(820)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(820)의 하나 이상의 제2 영역(A2)이 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않는 단계; 및 코팅층(820)을 보유한 기재(810)가 자기장-발생 장치(831)의 제1 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제2 영역으로 이동된 후, ii) c1) 코팅층(820)을 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제2 영역의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(820)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 제2 화학 방사선 LED 공급원(841-2)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(841-1)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 제1 패턴에 따라 스위치 온되고 화학 방사선 LED 공급원(841-2)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 c2) 동안 제2 패턴에 따라 스위치 온되고, 상기 제1 및 제2 패턴은 상이하다. 2 개의 화학 방사선 LED 공급원(841-1, 841-2)을 사용하는 대신에, 단일 화학 방사선 LED 공급원이 사용될 수 있으며, 단 상기 단일 화학 방사선 LED 공급원은 충분한 폭을 갖는다. 대안적으로, 단계 c2)는 동시에 화학 방사선 LED 공급원(841)의 모든 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행되어, 제2 영역(A2)을 경화시키고 전체 코팅층(820)을 경화시킬 수 있다.
도 8ac에 나타낸 바와 같이, 단계 c2) 동안 사용된 제2 화학 방사선 LED 공급원(841-2)은 코팅층(820)의 전체 표면을 적어도 부분적으로 경화시키지 않아, 코팅층(820)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)이 조사에 노출되지 않고 적어도 부분적으로 경화되지 않는다면, 본원에 기재된 공정은 코팅층(820)을 보유한 기재(810)가 자기장-발생 장치(831)의 제1 및 제2 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제n(제3, 제4 등) 영역으로 이동된 후, d1) 코팅층(820)을 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제n(제3, 제4 등) 영역의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 d1)과 부분적으로 동시에, d2) 코팅층(820)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 제n(제3, 제4 등) 화학 방사선 LED 공급원(841-3)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계의 n 개 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 제1 화학 방사선 LED 공급원(841-1)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 b2) 동안 제1 패턴에 따라 스위치 온되고, 제2 화학 방사선 LED 공급원(841-2)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 c2) 동안 제2 패턴에 따라 스위치 온되고 제n(제3, 제4 등) 화학 방사선 LED 공급원(841-3)의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 단계 d2) 동안 제n(제3, 제4 등) 패턴에 따라 스위치 온되고, 상기 제1, 제2 및 제n 패턴은 상이하거나(도 8ac 좌측 참고) 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(860)과 상이하다(도 8ac 우측 참고). 대안적으로, 단계 d2)는 동시에 화학 방사선 LED 공급원(841-3)의 모든 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행되어, 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 경화시키고 전체 코팅층(820)을 경화시킬 수 있다. 코팅층(820)을 단일 정지 자기장-발생 장치(831)의 제n(제3, 제4 등) 영역의 자기장에 노출시키는 대신에, 상기 코팅층(820)은 단일 정지 자기장-발생 장치(831)와 상이한 자기장-발생 장치에 노출될 수 있다.
다른 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 바와 같이, 본원에 기재된 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)는 단계 b2) 동안 및 선택적으로 단계 c2) 동안 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 조사에 노출될 때, 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 움직인다. 선택적 조사는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열 또는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)으로 수행된다.
개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 사용하는 공정 동안, 상기 에미터는 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 이동하는 동안 상기 LED 공급원(x41)으로 적어도 부분적으로 경화될 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역과 동일한 형상을 갖는 하나 이상의 제1 패턴, 바람직하게는 하나 이상의 비트맵 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프된다.
개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 사용하는 공정 동안, 상기 에미터는 상기 LED 공급원(x41)으로 적어도 부분적으로 경화될 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역과 동일한 형상을 갖는 하나 이상의 제1 패턴, 바람직하게는 하나 이상의 비트맵 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프될 수 있다. 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 사용하고 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 이동하는 일부 실시양태에서, 화학 방사선은 하나 이상의 투사된 이미지가 이동하는 기재(x10)를 동시에 따르는 방식으로 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10) 상에 투사되고 있다. 다시 말해, 하나 이상의 패턴, 바람직하게는 하나 이상의 비트맵 패턴에 대응하는 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 투사된 이미지가 이동하는 기재(x10)를 동시에 따르는 방식으로 스위치 온 및 오프될 수 있으므로, 조사 시간을 증가시키고 경화 효율을 향상시킬 수 있다. 대안적으로, 상기 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온될 수 있다(플래시 경화).
자기장-발생 장치(x31, x32)가 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 움직이지 않는, 즉 정지되어 있는 이 실시양태의 공정의 예는 도 5, 9 및 10에 나타나 있다. 자기장-발생 장치(x31, x32)가 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 움직이는 이 실시양태의 공정의 예는 도 6, 11 및 12에 나타나 있으며, 상기 자기장-발생 장치(x31, x32)는 바람직하게는 회전하는 실린더 또는 벨트와 같은 전사 장치 상에 장착되어 있다. 도 5, 6, 9, 10, 11 및 12에서, 코팅층(x20)을 보유하고 움직이는 기재(x10)는 그 우측에 별로 나타나 있다.
도 5aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(520)을 보유한 기재(510)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c) 동안 연속으로 움직이고, 방사선 공급원(541, 560)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고) 제1 자기장-발생 장치(531)는 화학 방사선 LED 공급원(541)에 대해 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 5aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(520)을 보유한 기재(510)가 제1 정지 자기장-발생 장치(531)의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(520)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 정지 자기장-발생 장치(531)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(520)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(541)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(520)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(520)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 c) 코팅층(520)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(560)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(541)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(520)을 보유한 기재(510)가 제1 자기장-발생 장치(531)를 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(541)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(520)을 보유한 기재(510)가 제1 자기장-발생 장치(531)를 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(541)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 5ab에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(520)을 보유한 기재(510)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 동안 연속으로 움직이고, 2 개의 화학 방사선 LED 공급원(541-1, 541-2)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 자기장-발생 장치(531)는 화학 방사선 LED 공급원(541)에 대해 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 5ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(520)을 보유한 기재(510)가 제1 정지 자기장-발생 장치(531)의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(520)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 정지 자기장-발생 장치(531)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(520)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(541-1)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(520)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(520)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 c) 코팅층(520)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(541-2)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(541-1)의 선형 배열 또는 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(520)을 보유한 기재(510)가 제1 자기장-발생 장치(531)를 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(541-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 제1 패턴을 따라 한번에 전부 스위치 온되고(플래시 경화), 화학 방사선 LED 공급원(541-2)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(520)을 보유한 기재(510)가 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제2 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(541-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 9aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(920)을 보유한 기재(910)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 방사선 공급원(941, 960)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 및 제2 자기장-발생 장치(931, 932)는 화학 방사선 LED 공급원(941)에 대해 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 9aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제1 정지 자기장-발생 장치(931)의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(920)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 정지 자기장-발생 장치(931)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(920)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(941)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(920)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(920)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 본원에 기재된 것과 같고 제1 자기장-발생 장치(931)의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 제2 정지 자기장-발생 장치(932)의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, ii) c1) 상기 코팅층(920)을 상기 제2 정지 자기장-발생 장치(932)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(920)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(960)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(941)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제1 자기장-발생 장치(931)를 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(941)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제1 자기장-발생 장치(931)를 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(941)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 9ab-c에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(920)을 보유한 기재(910)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 2 개의 화학 방사선 LED 공급원(941-1, 941-2)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 및 제2 자기장-발생 장치(931, 932)는 화학 방사선 LED 공급원에 대해 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 9ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제1 정지 자기장-발생 장치(931)의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(920)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 정지 자기장-발생 장치(931)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(920)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(941-1)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(920)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(920)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 본원에 기재된 것과 같고 제1 자기장-발생 장치(931)의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 제2 정지 자기장-발생 장치(932)의 부근에서, 특히 그 상부에서 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 이동된 후, ii) c1) 상기 코팅층(920)을 상기 제2 정지 자기장-발생 장치(932)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(920)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(941-2)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(941-1)의 선형 배열 또는 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제1 자기장-발생 장치(931)를 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(941-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제1 자기장-발생 장치(931)를 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치되고, 화학 방사선 LED 공급원(941-2)의 선형 배열 또는 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제2 자기장-발생 장치(932)를 따라 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(941-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 제2 자기장-발생 장치(932)를 따라 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다.
도 9ac에 나타낸 바와 같이, 단계 c2) 동안 사용된 화학 방사선 LED 공급원(941-2)은 코팅층(920)의 전체 표면을 적어도 부분적으로 경화시키지 않아, 코팅층(920)의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)이 조사에 노출되지 않고 적어도 부분적으로 경화되지 않는다면, 본원에 기재된 공정은 코팅층(920)을 보유한 기재(910)가 본원에 기재된 것과 같은 제n(제3, 제4 등) 정지 자기장-발생 장치(933) 상에서 이동된 후, d1) 코팅층(920)을 제n 정지 자기장-발생 장치(933)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 d1)과 부분적으로 동시에, d2) 코팅층(920)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(941-3)으로 또는 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(960)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계의 n 개 단계를 추가로 포함할 수 있다. 대안적으로, 단계 d2)는 동시에 화학 방사선 LED 공급원(941-3)의 모든 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행되어, 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 경화시키고 전체 코팅층(920)을 경화시킬 수 있다.
도 10aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 방사선 공급원(1041, 1060)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)는 단계 b1) 및 c1) 동안 사용되고, 상기 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)는 화학 방사선 LED 공급원(1041)에 대해 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고) 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)는 상이한 제1 및 제2 자기장-발생 장치를 사용하는 대신에 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 상이한 영역의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동한다. 도 10aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(1020)을 본원에 기재된 것과 같은 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 상기 제1 영역의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(1020)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1041)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(1020)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(1020)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제2 영역의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, ii) c1) 코팅층(1020)을 상기 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(1020)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(1060)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(1041)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역을 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1041)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역을 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1041)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 10ab-c에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 2 개의 화학 방사선 LED 공급원(1041-1, 1041-2)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)는 단계 b1) 및 c1) 동안 사용되고, 상기 자기장-발생 장치(1031)는 화학 방사선 LED 공급원에 대해 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고) 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)는 상이한 제1 및 제2 자기장-발생 장치를 사용하는 대신에 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 상이한 영역의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동한다. 도 10ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(1020)을 본원에 기재된 것과 같은 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 상기 제1 영역의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(1020)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1041-1)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(1020)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(1020)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제2 영역의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, ii) c1) 코팅층(1020)을 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제2 영역의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(1020)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1041-2)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(1041-1)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역을 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1041-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제1 영역을 따라 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1041-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온되고(플래시 경화), 화학 방사선 LED 공급원(1041-2)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 자기장-발생 장치(1032)의 제2 영역을 따라 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1041-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 자기장-발생 장치(1032)의 제2 영역을 따라 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제2 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1041-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 10ac에 나타낸 바와 같이, 단계 c2) 동안 사용된 화학 방사선 LED 공급원(1041-2)은 코팅층(1020)의 전체 표면을 적어도 부분적으로 경화시키지 않아, 코팅층(1020)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)이 조사에 노출되지 않고 적어도 부분적으로 경화되지 않는다면, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1020)을 보유한 기재(1010)가 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제n(제3, 제4 등) 영역의 부근에서, 특히 그 상부에서 이동하는 동안, i) d1) 코팅층(1020)을 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제n(제3, 제4 등) 영역의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 d1)과 부분적으로 동시에, d2) 코팅층(1020)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1041-3)으로 또는 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(1060)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계의 n 개 단계를 추가로 포함할 수 있다. 대안적으로, 단계 d2)는 동시에 화학 방사선 LED 공급원(1041-3)의 모든 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터를 스위치 온시킴으로써 수행되어, 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 경화시키고 전체 코팅층(1020)을 경화시킬 수 있다. 코팅층(1020)을 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)의 제n(제3, 제4 등) 영역의 자기장에 노출시키는 대신에, 상기 코팅층(1020)은 단일 정지 자기장-발생 장치(1031)와 상이한 자기장-발생 장치에 노출될 수 있다.
도 6aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(620)을 보유한 기재(610)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c) 동안 연속으로 움직이고, 방사선 공급원(641, 660)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 자기장-발생 장치(631)는 바람직하게는 코팅층(620)과 동일한 속도로 움직인다. 도 6aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(620)을 보유한 기재(610)가 제1 자기장-발생 장치(631)에 수반하여 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(620)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 자기장-발생 장치(631)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(620)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(641)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(620)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(620)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 c) 코팅층(620)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(660)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(641)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(620)을 보유한 기재(610)가 제1 자기장-발생 장치(631)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(641)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(620)을 보유한 기재(610)가 제1 자기장-발생 장치(631)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(641)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 6ab에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(620)을 보유한 기재(610)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c) 동안 연속으로 움직이고, 2 개의 화학 방사선 LED 공급원(641-1, 641-2)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 자기장-발생 장치(631)는 바람직하게는 코팅층(620)과 동일한 속도로 움직인다. 도 6ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(620)을 보유한 기재(610)가 제1 자기장-발생 장치(631)에 수반하여 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(620)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 자기장-발생 장치(631)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(620)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(641-1)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(620)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(620)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 c) 코팅층(620)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(641-2)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(641-1)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(620)을 보유한 기재(610)가 제1 자기장-발생 장치(631)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(641-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(620)을 보유한 기재(610)가 제1 자기장-발생 장치(631)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(641-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온되고(플래시 경화), 화학 방사선 LED 공급원(641-2)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(620)을 보유한 기재(610)가 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제2 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(641-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 11aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 방사선 공급원(1141, 1160)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 자기장-발생 장치(831)는 바람직하게는 코팅층(1120)과 동일한 속도로 움직이고 제2 자기장-발생 장치(1132)는 방사선 공급원(1160)에 대해 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 11aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제1 자기장-발생 장치(1131)에 수반하여 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(1120)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 자기장-발생 장치(1131)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(1120)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1141)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(1120)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(1120)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 본원에 기재된 것과 같은 제2 정지 자기장-발생 장치(1132)의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, ii) c1) 상기 코팅층(1120)을 상기 제2 자기장-발생 장치(1132)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(1120)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(1160)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(1141)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제1 자기장-발생 장치(1131)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1141)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제1 자기장-발생 장치(1131)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1141)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화). 도 11aa-ac에 나타낸 바와 같은 방사선 공급원(1160)에 대해 움직이는 제1 자기장-발생 장치(1131) 및 움직이지 않는(즉, 정지되어 있는) 제2 자기장-발생 장치(1132)를 사용하는 대신에, 본원에 기재된 공정은 방사선 공급원에 대해 움직이지 않는(즉, 정지되어 있는) 제1 자기장-발생 장치(1131) 및 움직이는 제2 자기장-발생 장치(1132)를 사용할 수 있다(도 11aa-c에 나타내지 않음).
도 11ab-c에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 부분적으로 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 2 개의 화학 방사선 LED 공급원(1141-1, 1141-2)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 자기장-발생 장치(1131)는 바람직하게는 코팅층(1120)과 동일한 속도로 움직이고 제2 자기장-발생 장치(1132)는 방사선 공급원(1141-2)에 대해 움직이지 않는다(즉, 정지되어 있음). 도 11ab에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제1 자기장-발생 장치(1131)에 수반하여 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(1120)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 자기장-발생 장치(1131)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(1120)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1141-1)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(1120)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(1120)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 본원에 기재된 것과 같은 제2 정지 자기장-발생 장치(1132)의 부근에서, 특히 그 상부에서 연속으로 이동하는 동안, ii) c1) 상기 코팅층(1120)을 상기 제2 자기장-발생 장치(1132)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(1120)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1141-2)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(1141-1)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제1 자기장-발생 장치(1131)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1141-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제1 자기장-발생 장치(1131)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1141-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 제1 패턴에 대응하여 스위치되고(플래시 경화), 화학 방사선 LED 공급원(1141-2)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제2 자기장-발생 장치(1132)의 부근에서, 특히 그 상부에서 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1141-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제2 자기장-발생 장치(1132)의 부근에서, 특히 그 상부에서 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제2 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1141-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 11ac에 나타낸 바와 같이, 단계 c2) 동안 사용된 화학 방사선 LED 공급원(1141-2)은 코팅층(1120)의 전체 표면을 적어도 부분적으로 경화시키지 않아, 코팅층(1120)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)이 조사에 노출되지 않고 적어도 부분적으로 경화되지 않는다면, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1120)을 보유한 기재(1110)가 제n(제3, 제4 등) 자기장-발생 장치(1133)의 부근에서, 특히 그 상부에서 이동하는 동안, i) d1) 코팅층(1120)을 제n 자기장-발생 장치(1133)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 d1)과 부분적으로 동시에, d2) 코팅층(1120)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1141-3)으로 또는 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(1160)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계의 n 개 단계를 추가로 포함할 수 있다.
도 12aa에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 방사선 공급원(1241, 1260)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 및 제2 자기장-발생 장치(1231, 1232)는 바람직하게는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)와 동일한 속도로 움직인다. 도 12aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제1 자기장-발생 장치(1231)에 수반하여 이동하는 동안, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제1 자기장-발생 장치(1231)에 수반하여 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(1220)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 자기장-발생 장치(1231)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(1220)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1241)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(1220)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(1220)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 본원에 기재된 것과 같은 제2 자기장-발생 장치(1232)에 수반하여 이동하는 동안, ii) c1) 상기 코팅층(1220)을 제1 자기장-발생 장치(1231)의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 상기 제2 자기장-발생 장치(1232)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(1220)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(1260)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(1241)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제1 자기장-발생 장치(1231)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1241)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제1 자기장-발생 장치(1231)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1241)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화).
도 12ab-c에 나타낸 일 실시양태에 따르면, 본원에 기재된 공정의 단계 b) 및 c)는 동적 방식으로 수행되며, 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)는 단계 b1) 및 b2) 및 단계 c1) 및 c2) 동안 연속으로 움직이고, 화학 방사선 LED 공급원(1241-1, 1241-2)은 움직이지 않고(즉, 정지되어 있고), 제1 및 제2 자기장-발생 장치(1231, 1232)는 바람직하게는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)와 동일한 속도로 움직인다. 도 12aa에 나타낸 바와 같이, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제1 자기장-발생 장치(1231)에 수반하여 이동하는 동안, i) b1) 상기 코팅층(1220)을 본원에 기재된 것과 같은 상기 제1 자기장-발생 장치(1231)의 자기장에 노출시키는 단계, 및 바람직하게는 상기 단계 b1)과 부분적으로 동시에, b2) 코팅층(1220)의 하나 이상의 제1 영역(A1)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1241-1)으로 적어도 부분적으로 경화시켜, 코팅층(1220)의 적어도 부분적으로 경화된 하나 이상의 제1 영역(A1)을 형성하는 한편, 코팅층(1220)의 하나 이상의 제2 영역(A2)은 아직 적어도 부분적으로 경화되지 않은 단계; 및 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 본원에 기재된 것과 같고 제1 자기장-발생 장치(1231)의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 제2 정지 자기장-발생 장치(1232)에 수반하여 이동하는 동안, ii) c1) 상기 코팅층(1220)을 상기 제2 자기장-발생 장치(1232)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에, c2) 코팅층(1220)의 하나 이상의 제2 영역(A2)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1241-2)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계를 포함하며, 화학 방사선 LED 공급원(1241-1)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제1 자기장-발생 장치(1231)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1241-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제1 자기장-발생 장치(1231)에 수반하여 이동하는 동안 제1 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제1 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1241-1)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온되고(플래시 경화), 화학 방사선 LED 공급원(1241-2)의 선형 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제2 자기장-발생 장치(1232)에 수반하여 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 화학 방사선 LED 공급원(1241-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제2 자기장-발생 장치(1232)에 수반하여 이동하는 동안 제2 패턴에 따라 시간-의존 방식으로 스위치 온 및 오프되거나, 제2 패턴에 대응하는 화학 방사선 LED 공급원(1241-2)의 2 차원 배열의 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터는 매우 짧은 기간 동안 한번에 전부 스위치 온된다(플래시 경화). 도 12ac에 나타낸 바와 같이, 단계 c2) 동안 사용된 화학 방사선 LED 공급원(1241-2)은 코팅층(1220)의 전체 표면을 적어도 부분적으로 경화시키지 않아, 코팅층(1220)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)이 조사에 노출되지 않고 적어도 부분적으로 경화되지 않는다면,, 본원에 기재된 공정은 코팅층(1220)을 보유한 기재(1210)가 제n(제3, 제4 등) 자기장-발생 장치(1233)에 수반하여 이동하는 동안, i) d1) 코팅층(1220)을 상기 제n(제3, 제4 등) 자기장-발생 장치(1233)의 자기장에 노출시키는 단계 및, 바람직하게는 상기 단계 d1)과 부분적으로 동시에, d2) 코팅층(1220)의 하나 이상의 제n(제3, 제4 등) 영역(A3)을 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열을 포함하거나 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(1241-3)으로 또는 비-어드레서블인 표준 방사선 공급원(1260)으로 적어도 부분적으로 경화시키는 단계의 n 개 단계를 추가로 포함할 수 있다.
본원에 기재된 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정은 코팅층(x10)을 장치의 동적 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자, 바람직하게는 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부를 2-축 배향시키는 단계를 추가로 포함할 수 있으며, 상기 단계는 단계 b1) 전에 또는 이와 동시에 및 단계 b2) 전에 및/또는 단계 c1) 전에 또는 이와 동시에 및 단계 c2) 전에 일어날 수 있다. 조성물을 자성 장치의 동적 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자의 적어도 일부를 2-축 배향시키는 이러한 단계를 포함하는 공정은 WO 2015/ 086257 A1호에 개시되어 있다. 2-축 배향을 수행하는 것은 자성 또는 자화성 안료 입자가 이의 2 개 주요 축이 구속되는 방식으로 배향되게 한다는 것을 의미한다. 즉, 각각의 비-구형 자성 또는 자화성 안료 입자, 바람직하게는 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자는 안료 입자의 평면 내에 장축 및 안료 입자의 평면 내에 직교 단축을 갖는 것으로 고려될 수 있다. 자성 또는 자화성 안료 입자의 장축 및 단축은 각각 동적 자기장에 따라 배향되도록 야기된다. 효과적으로, 이는 공간에서 서로 근접하여, 서로 본질적으로 평행한 인접한 자성 안료 입자를 야기한다. 2-축 배향을 수행하기 위해, 비-구형, 바람직하게는 판상체-형상 자성 안료 입자는 강한 시간-의존성, 방향-가변성 외부 자기장을 거쳐야 한다.
비-구형, 바람직하게는 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자를 2-축 배향하기 위한 특히 바람직한 장치는 EP 2 157 141 A1호에 개시되어 있다. EP 2 157 141 A1호에 개시된 장치는 자성 또는 자화성 안료 입자가 양측 주요 축, X-축 및 Y-축이 기재 표면에 대해 실질적으로 평행하게 될 때까지 급속히 진동하도록, 즉 자성 또는 자화성 안료 입자가 기재 표면에 대해 실질적으로 평행인 X 및 Y 축을 갖는 안정적인 시트-유사 형상이 되고 상기 2 차원으로 평면화될 때까지 회전하도록 이의 방향을 변화시키는 동적 자기장을 제공한다. 비-구형, 바람직하게는 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자를 2-축 배향하기 위한 다른 특히 바람직한 장치는 선형 영구 자석 할박(Halbach) 배열, 즉 상이한 자화 방향을 갖는 복수의 자석을 포함하는 어셈블리를 포함한다. 할박 영구 자석의 상세한 설명은 Z.Q. Zhu and D. Howe(Halbach permanent magnet machines and applications: a review, IEE. Proc. Electric Power Appl., 2001, 148, p. 299-308)에 의해 주어졌다. 이러한 할박 배열에 의해 생성된 자기장은 배열의 일측 상에 집중되는 한편, 타측 상에 거의 0으로 약화되는 특성을 갖는다. WO 2016/083259 A1호는 자성 또는 자화성 안료 입자를 2-축으로 배향하기 위한 적합한 장치를 개시하며, 상기 장치는 할박 실린더 어셈블리를 포함한다. 비-구형, 바람직하게는 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자를 2-축으로 배향하기 위한 다른 특히 바람직한 장치는 스피닝 자석이며, 상기 자석은 본질적으로 이의 직경을 따라 자화되는 원반-형상 스피닝 자석 또는 자석 어셈블리를 포함한다. 적합한 스피닝 자석 또는 자석 어셈블리는 US 2007/0172261 A1호에 기재되어 있으며, 상기 스피닝 자석 또는 자석 어셈블리는 방사상으로 대칭인 시간-가변성 자기장을 생성하여, 아직 경화되거나 강화되지 않은 코팅 조성물의 자성 또는 자화성 안료 입자를 2-배향한다. 이들 자석 또는 자석 어셈블리는 외부 모터에 연결된 샤프트(또는 스핀들)에 의해 구동된다. CN 102529326 B호는 자성 또는 자화성 안료 입자를 2-축으로 배향하기에 적합할 수 있는 스피닝 자석을 포함하는 장치의 예를 개시하고 있다. 바람직한 실시양태에서, 비-구형, 바람직하게는 판상체-형상 자성 또는 자화성 안료 입자를 2-축으로 배향하기에 적합한 장치는 비-자성, 바람직하게는 비-전도성 재료로 이루어진 하우징 내에 구속된 샤프트 없는 원반-형상 스피닝 자석 또는 자석 어셈블리이고 이는 하우징 주위에 감긴 하나 이상의 자석-와이어 코일에 의해 구동된다. 이러한 샤프트 없는 원반-형상 스피닝 자석 또는 자석 어셈블리의 예는 WO 2015/082344 A1호, WO 2016/026896 A1호 및 WO 2018/141547 A1호에 개시되어 있다.
본원에 기재된 화학 방사선 LED 공급원(x41)은 절연 금속 기재(IMS) 상에 조사, 바람직하게는 UV-Vis 에미터, 특히 칩의 배열, 특히 선형 또는 2 차원 배열을 포함하며, 상기 공급원은 요구되는 양의 방사선, 특히 요구되는 양의 UV 방사선을 생성하기에 충분히 큰 표면을 갖는다. 작은 크기의 고출력 UV-LED 칩, 예를 들어 EPISTAR로부터의 ES-EESVF11M, 11 x 11 밀(mil)(280 x 280 □m) 측정, 395 내지 415 nm의 방출 파장; 20 mA에서 28 mW의 방사속; 효율 냉각 하에서 50 mA에서 67 mW의 최대 정격이 이용가능하다. 이들 칩은 절연 금속 기재(IMS), 예를 들어, 구리-절연체-알루미늄 플레이트 상에 칩-온-보드(CoB) 기술로 선형 배열의 형태로 조립될 수 있다. IMS는 매우 효율적인 열 방산을 제공하는 이점을 갖는다. 반도체 칩은 로봇에 의해 기재에 접착되거나 직접 납땜되거나, 바람직하게는 직접 납땜된 다음에, 기재 상에 사전-수립된 도체 패턴에 동일한 로봇에 의해 와이어-결합된다. CoB 기술은 최고 구성요소 밀도가 달성되게 하며, 이는 베어-칩(bare-chip)이 임의의 패키징 부담 없이 사용되기 때문이다. 와이어-결합은 중합체, 특히 UV-투과성 및 내광성 실리콘 중합체 내에 내장함으로써 기계적 손상에 대해 보호될 수 있다.
코팅층(320) 상에 대한 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사가 크기 감소 하에 수행되는 실시양태에 대해, 약 75 mm(3 인치) 길이이고 저-손실 석영 투사 광학계의 대물 평면에 배치된 ES-EESVF11M 칩의 선형 256-픽셀 배열이 적합하다. 바람직하게는, 픽셀 배열의 이미지는 이의 원래 선형 크기의 약 절반인 것으로 선택된다. 예를 들어, 선택적 경화 영역(들) 측정치 38 x 0.14 mm의 크기는 4 배 발광 밀도에서 170 dpi(dots per inch)의 해상도를 산출한다. 이미지를 감소시킴으로써, 더 높은 dpi 해상도 및 더 높은 조사 밀도가 유리하게 얻어진다.
배열에서 에미터 각각을 개별적으로 스위치 온 및 오프시키기 위한 어드레스/구동 논리는 예를 들어, Texas Instrument로부터 이용가능하다(TLC5925, TLC5926, 또는 TLC5927 시리얼-입력 16-채널 정전류 LED 싱크 드라이버(Sink Drivers) 참고). 이들 칩은 적절한 값의 저항을 통한 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 소망하는 작동 전류를 설정하게 한다. 드라이버는 바람직하게는 베어-칩 버전에서 사용되어, 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 배열 내로의 어드레스 논리의 통합은 와이어-결합에 의해 또한 CoB 기술로 이루어질 수 있다. 256 픽셀은 총 16 개의 이들 드라이버 회로 + 드라이버 회로의 "인에이블(enable)" 라인에 연결된 4-비트-대-16 라인 어드레스 디코더 칩을 필요로 한다.
화학 방사선 LED 공급원(x41)의 에미터의 드라이버는 시리얼 데이터 스트림에 의해 어드레스된다. 도 14는 시리얼 데이터의 판독을 위한 논리 다이어그램을 나타낸다. 데이터는 최상위 비트(Most Significant Bit)(Out15)로 시작하고, 최하위 비트(Least Significant Bit)(Out0)로 종료되는 30 MHz의 속도에서 클럭인된다(clocked in)(CLK). 데이터가 판독된 후, 래치 인에이블(Latch Enable)(LE)이 클럭되고, 이는 칩에 최종 16 비트를 저장할 것이다. 출력 인에이블을 낮게 설정시, 저장된 데이터가 표시되고, 즉 대응하는 다이오드가 스위치 온된다. 나타낸 예에서, 다이오드 번호 0,3,4,5,10,13,15가 스위치 온된다. 다중 디코더 유닛의 어드레스는 래치 인에이블 라인을 통해 이루어지고, 이는 시리얼 데이터 스트림이 해당 디코더에 의해 표시되도록 데이터에 대응하는 위치에 도달할 때 각각의 디코더에 대해 개별적으로 클럭된다. 도 13은 어떻게 어드레스/구동 논리 칩이 칩에 연결되는지 개략적인 개요를 제공하며 도 14는 어떻게 16 개 에미터의 개별 유닛이 함께 조립될 수 있는지 2 개의 옵션을 개략적으로 나타낸다.
에미터 드라이버는 시리얼 데이터 스트림에 의해 어드레스된다. 도 15는 시리얼 데이터의 판독을 위한 논리 다이어그램을 나타내고, 데이터는 최상위 비트(Out15)로 시작하고, 최하위 비트(Out0)로 종료되는 30 MHz의 속도에서 클럭인된다(CLK). 데이터가 판독된 후, 래치 인에이블(LE)이 클럭되고, 이는 칩에 최종 16 비트를 저장할 것이다. 출력 인에이블(OE)을 낮게 설정시, 저장된 데이터가 표시되고, 즉 대응하는 에미터가 스위치 온된다. 나타낸 예에서, 에미터 번호 0,3,4,5,10,13,15가 스위치 온된다. 다중 디코더 유닛의 어드레스는 래치 인에이블 라인을 통해 이루어지고, 이는 시리얼 데이터 스트림이 해당 디코더에 의해 표시되도록 데이터에 대응하는 위치에 도달할 때 각각의 디코더에 대해 개별적으로 클럭된다.
화학 방사선 LED 공급원(x41)은 비트맵 패턴 또는 다른 공급된 데이터를 드라이버 에미터(드라이버 칩)에 공급하기 위한 처리 수단, 예를 들어 급속 마이크로프로세서를 추가로 포함한다. 이들 시리얼 연결은 급속, 30 MHz = 클럭 사이클 당 33 nsec여서, 256 픽셀의 라인이 10 마이크로초 미만으로 에미터(칩)에 공급될 수 있다. 따라서, 최대 표시 속도는 초 당 100'000 라인이고, 이는 3 m/초의 기재 속도에서 33 라인/mm의 라인 밀도에 대응한다. 프로세서는 바람직하게는 또한 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)이 작동되는 장치의 속도로 비트맵 또는 다른 데이터의 출력을 조정하는 것을 담당한다.
본원에 언급된 바와 같이, 본 발명은 본원에 기재된 것과 같은 기재(x10) 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 공정을 제공한다. 본원에 기재된 기재(x10)는 바람직하게는 종이 또는 다른 섬유상 재료(직포 및 부직포 섬유상 재료를 포함함), 예컨대, 셀룰로오스, 종이-함유 재료, 유리, 금속, 세라믹, 플라스틱 및 중합체, 금속화된 플라스틱 또는 중합체, 복합 재료 및 이의 2 이상의 혼합 및 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 통상적인 종이, 종이와 유사한 또는 다른 섬유상 재료는, 비제한적으로, 마닐라삼(abaca), 면, 린넨, 목재 펄프 및 이의 혼합물을 포함하는 다양한 섬유로부터 제조된다. 통상의 기술자에게 알려진 바와 같이, 면 및 면/린넨 혼합물이 지폐에 적합한 한편, 목재 펄프는 비-지폐 보안 문서에 일반적으로 사용된다. 플라스틱 및 중합체의 통상적인 예는 폴리올레핀, 예컨대 폴리에틸렌(PE) 및 2축으로 배향된 폴리프로필렌(BOPP)을 포함한 폴리프로필렌(PP), 폴리아미드, 폴리에스테르, 예컨대 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET), 폴리(1,4-부틸렌 테레프탈레이트)(PBT), 폴리(에틸렌 2,6-나프토에이트)(PEN) 및 폴리비닐클로라이드(PVC)를 포함한다. 상표명 Tyvek® 하에 시판되는 것과 같은 스펀본드(spunbond) 올레핀 섬유가 또한 기재로서 사용될 수 있다. 금속화된 플라스틱 또는 중합체의 통상적인 예는 그 표면에 연속적으로 또는 불연속적으로 배치된 금속을 갖는 상기 기재된 플라스틱 또는 중합체 재료를 포함한다. 금속의 통상적인 예는, 비제한적으로, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 이의 합금 및 상술한 금속 중 2 이상의 조합을 포함한다. 상기 기재된 플라스틱 또는 중합체 재료의 금속화는 전기증착 공정, 고진공 코팅 공정에 의해 또는 스퍼터링 공정에 의해 수행될 수 있다. 복합체 재료의 통상적인 예는, 비제한적으로, 종이 및 상기 기재된 것과 같은 적어도 하나의 플라스틱 또는 중합체 재료의 다층 구조물 또는 적층물뿐 아니라, 상기 기재된 것과 같은 종이와 유사한 또는 섬유상 재료에 혼입된 플라스틱 및/또는 중합체 섬유를 포함한다. 물론, 기재는 필러, 사이징제(sizing agents), 표백제, 가공 보조제, 보강 또는 습윤 강화제 등과 같은 통상의 기술자에게 알려진 추가의 첨가제를 포함할 수 있다. 본 발명에 따라 생성된 OEL이 예를 들어, 손톱 라커를 포함한 장식 또는 화장 목적을 위해 사용될 때, 상기 OEL은 동물 또는 인간의 손톱, 인공 손톱 또는 다른 부분을 포함한 다른 유형의 기재 상에 생성될 수 있다.
본 발명에 따라 생성된 OEL이 보안 문서 상에 있는 경우, 상기 보안 문서의 위조 및 불법 복제에 대한 보안 수준 및 저항을 추가로 증가시키려는 목적으로, 기재는 인쇄, 코팅, 또는 레이저 표시 또는 레이저 천공된 인디시아, 워터마크, 보안 스레드, 섬유, 플랑쉐트(planchette), 발광 화합물, 윈도우, 박(foil), 데칼 및 이의 2 이상의 조합을 포함할 수 있다. 보안 문서의 위조 및 불법 복제에 대한 보안 수준 및 저항을 추가로 증가시키려는 동일한 목적으로, 기재는 하나 이상의 마커 물질 또는 타간트 및/또는 기계 판독 가능 물질(예를 들어, 발광성 물질, UV/가시광선/IR 흡수 물질, 자성 물질 및 이의 조합)을 포함할 수 있다.
소망하는 경우, 프라이머층이 단계 a) 전에 기재에 적용될 수 있다. 이는 본원에 기재된 광학 효과층(OEL)의 품질을 향상시키거나 접착을 촉진할 수 있다. 이러한 프라이머층의 예는 WO 2010/058026 A2호에서 찾아볼 수 있다.
본원에 기재된 공정에 의해 얻어진 광학 효과층(OEL)을 포함하는 물품, 보안 문서 또는 장식 요소 또는 물체의 오염 또는 화학적 저항성을 통한 내구성 및 청결 및 이에 따른 순환 수명을 증가시킬 목적으로, 또는 이의 미적 외관(예를 들어, 광학적 광택)을 변형시킬 목적으로, 하나 이상의 보호층이 광학 효과층(OEL)의 상단에 도포될 수 있다. 존재할 때, 하나 이상의 보호층은 통상적으로 보호 바니시로 이루어진다. 이들은 투과성이거나 약간 착색되거나 염색될 수 있으며 더욱 또는 덜 윤기 있을 수 있다. 보호 바니시는 방사선 경화성 조성물, 열 건조 조성물 또는 이의 임의의 조합일 수 있다. 바람직하게는, 하나 이상의 보호층은 방사선 경화성 조성물, 더욱 바람직하게는 UV-Vis 경화성 조성물이다. 보호층은 통상적으로 광학 효과층(OEL)의 형성 후에 도포된다.
본 발명은 본원에 기재된 공정에 의해 생성된 광학 효과층(OEL)을 추가로 제공한다.
본원에 기재된 광학 효과층(OEL)은 영구 잔류되어야 하는 기재(예컨대, 지폐 응용(banknote application)) 상에 직접 제공될 수 있다. 대안적으로, 광학 효과층(OEL)은 생성 목적을 위해 일시적 기재 상에 또한 제공될 수 있으며, 이로부터 OEL은 나중에 제거된다. 이는 예를 들어, 특히 바인더 재료가 여전히 이의 유체 상태인 동안 광학 효과층(OEL)의 생성을 용이하게 할 수 있다. 그 후에, 광학 효과층(OEL)의 생성을 위해 코팅 조성물을 강화시킨 후, 일시적 기재가 OEL로부터 제거될 수 있다.
대안적으로, 다른 실시양태에서, 접착층이 광학 효과층(OEL) 상에 존재할 수 있거나 OEL을 포함하는 기재 상에 존재할 수 있으며, 상기 접착층은 기재의 OEL이 제공되는 측과 반대측 상에 또는 OEL과 동일한 측 상에 및 OEL 상단에 있을 수 있다. 따라서, 접착층은 광학 효과층(OEL) 또는 기재에 도포될 수 있으며, 상기 접착층은 경화 단계가 완료된 후에 도포될 수 있다. 이러한 물품은 기계 및 다소 높은 노력을 수반하는 인쇄 또는 기타 공정 없이 모든 종류의 문서 또는 기타 물품 또는 품목에 부착될 수 있다. 대안적으로, 본원에 기재된 광학 효과층(OEL)을 포함하는 본원에 기재된 기재는 별도의 전사 단계에서 문서 또는 물품에 도포될 수 있는 전사 박의 형태일 수 있다. 이러한 목적을 위해, 본원에 기재된 바와 같이 광학 효과층(OEL)이 생성된 이형 코팅이 기재에 제공된다. 하나 이상의 접착층이 이와 같이 생성된 광학 효과층(OEL) 상에 도포될 수 있다.
본원에 기재된 공정에 의해 얻어진 하나를 초과하는, 즉 2, 3, 4 개 등의 광학 효과층(OEL)을 포함하는 기재가 또한 본원에 기재된다.
본 발명에 따라 생성된 광학 효과층(OEL)을 포함하는 물품, 특히 보안 문서, 장식 요소 또는 물체가 또한 본원에 기재된다. 물품, 특히 보안 문서, 장식 요소 또는 물체는 하나를 초과하는(예를 들어, 2, 3 개 등의) 본 발명에 따라 생성된 OEL을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 생성된 광학 효과층(OEL)은 장식용 목적뿐 아니라 보안 문서의 보호 및 인증을 위해 사용될 수 있다.
장식 요소 또는 물체의 통상적인 예는, 비제한적으로, 사치품, 화장품 패키징, 자동차 부품, 전자/전기 가전용품, 가구 및 손톱 제품을 포함한다.
보안 문서는, 비제한적으로, 유가 문서 및 유가 상품을 포함한다. 유가 문서의 통상적인 예는, 비제한적으로, 지폐, 증서, 티켓, 수표, 바우처, 수입 인지(fiscal stamp) 및 택스 라벨(tax label), 계약서 등, 신원 증명 서류, 예컨대 여권, 신분증, 비자, 운전면허증, 은행 카드, 신용 카드, 트랜잭션 카드(transactions card), 액세스 문서(access document) 또는 카드, 입장권, 대중 교통 티켓 또는 타이틀(title) 등, 바람직하게는 지폐, 신원 증명 서류, 권리 확인 문서, 운전면허증 및 신용카드를 포함한다. 용어 "유가 상품"은 패키징 재료, 특히 화장품, 기능성 식품, 약품, 술, 담배 제품, 음료 또는 식품, 전기/전자 제품, 의류 또는 보석류, 즉 진품 의약품과 같이, 패키징의 내용물을 보증하기 위해 위조 및/또는 불법 복제에 대해 보호해야 할 물품을 지칭한다. 이들 패키징 재료의 예는, 비제한적으로, 라벨, 예컨대 인증 브랜드 라벨(authentication brand label), 개봉 흔적 표시 라벨(tamper evidence label) 및 실(seal)을 포함한다. 개시된 기재, 유가 문서 및 유가 상품은 전적으로 예시적인 목적으로만 제시된 것이며 발명의 범위를 한정하지 않는 점을 지적한다.
대안적으로, 광학 효과층(OEL)은, 예를 들어, 보안 스레드, 보안 줄무늬, 박, 데칼, 윈도우 또는 라벨과 같은 보조 기재 상에 생성된 후에 별개의 단계로 보안 문서에 전사될 수 있다.
본 발명은 본원에 기재된 기재 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 장치를 추가로 제공하며, 상기 장치는
i) 기재(x10) 상에 본원에 기재된 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 본원에 기재된 코팅층(x20)을 형성하기 위한 인쇄 유닛, 바람직하게는 스크린 인쇄, 로토그라비어 인쇄 또는 플렉소그라피 인쇄 유닛,
ii) 코팅층(x20)의 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하기 위한 본원에 기재된 것과 같은 적어도 제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적으로 본원에 기재된 것과 같은 제2 자기장-발생 장치(x32),
iii) 코팅층(x20)의 하나 이상의 영역의 선택적 경화를 위한 본원에 기재된 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터, 바람직하게는 UV 발광 다이오드의 배열, 바람직하게는 선형 배열 또는 2 차원 배열을 포함하는 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41)
을 포함한다.
본원에 기재된 기재 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 장치는 본원에 기재된 2-축 배향을 수행하기 위한 하나 이상의 자성 장치를 추가로 포함할 수 있다.
본원에 기재된 장치는 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 부근에서 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)를 운반하기 위한 본원에 기재된 것과 같은 운반 수단을 추가로 포함할 수 있다.
본원에 기재된 장치는 본원에 기재된 것과 같은 전사 장치를 추가로 포함할 수 있으며, 제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적 제2 자기장-발생 장치(x32)가 상기 본원에 기재된 전사 장치 상에 장착되고, 상기 전사 장치는 바람직하게는 회전 실린더 또는 벨트이며, 상기 전사 장치는 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적 제2 자기장-발생 장치(x32)에 수반하여 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 부근에서 이동하게 한다.
제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적 제2 자기장-발생 장치(x32)가 회전 실린더 또는 벨트 상에 장착되어 있는 실시양태에서, 생성된 자성 회전 자성 실린더 또는 생성된 자성 벨트는 바람직하게는 연속 방식으로 높은 인쇄 속도에서 작동하는 회전식, 시트-공급 또는 웹-공급 산업 인쇄 프레스의 일부이다. 바람직하게는, 본원에 기재된 장치는 본원에 기재된 투사 수단(x50)을 추가로 포함하는 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 포함하고, 상기 적어도 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41) 및 상기 투사 수단(x50)은 화학 방사선이 본원에 기재된 바와 같은 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 하나 이상의 투사된 이미지의 크기 감소 하에 코팅층(x20) 상에 투사되도록 배열된다.

Claims (15)

  1. 기재(x10) 상에 광학 효과층(optical effect layer)(OEL)을 생성하기 위한 공정으로서, OEL이 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고, 공정이
    a) 바람직하게는 인쇄 공정에 의해, 기재(x10) 상에 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 코팅층(x20)을 형성하되, 코팅층이 제1 상태이고, 상기 제1 상태가 액체 상태인 단계;
    b) b1) 코팅층(x20)을 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하는 단계;
    b2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 제2 상태로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하되, 적어도 부분적 경화가 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 조사에 의해 수행되어, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역을 적어도 부분적으로 경화시키고, 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역이 조사에 노출되지 않고, 단계 b2)가 단계 b1)과 부분적으로 동시에 또는 그 후에, 바람직하게는 부분적으로 동시에 수행되는 단계; 및
    c) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 하나 이상의 제2 영역에서 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하되, 경화가 방사선 공급원에 의해 수행되고, 단계 c)가 단계 b2) 후에 수행되는 단계
    를 포함하고,
    단계 c)가
    c1) 코팅층(x20)을 제1 자기장-발생 장치(x31) 또는 제2 자기장-발생 장치(x32)의 자기장에 노출시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하는 단계; 및
    c2) 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역을 적어도 부분적으로 경화시켜, 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 하나 이상의 제2 영역에서 이의 채택된 위치 및 배향으로 고정하되, 경화가 방사선 공급원에 의해 수행되는 단계
    의 2 개 단계로 구성되고,
    상기 단계 c2)가 상기 단계 c1)과 부분적으로 동시에 또는 그 후에, 바람직하게는 부분적으로 동시에 수행되고,
    화학 방사선 LED 공급원(x41)이 개별 어드레서블(addressable) 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하고,
    화학 방사선이 코팅층(x20) 상에 투사되어, 하나 이상의 투사된 이미지를 형성하고,
    화학 방사선 LED 공급원(x41)의 화학 방사선이 화학 방사선 공급원(x41)의 하나 이상의 투사된 이미지의 크기 감소 하에 코팅층(x20) 상에 투사 수단(x50)에 의해 투사되는 것인,
    공정.
  2. 제1항에 있어서,
    개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열이 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열 또는 2 차원 배열인 공정.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    화학 LED 방사선 공급원(x41)이 UV-Vis 방사선 공급원인 공정.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 c) 또는 c2)가 단계 b2)에서와 같은 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41-1) 또는 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 다른 화학 방사선 LED 공급원(x41-2)을 이용한 조사에 의해 수행되는 것인 공정.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    화학 방사선 LED 공급원(x41)의 화학 방사선이 화학 방사선 공급원(x41)의 하나 이상의 투사된 이미지의 크기 감소 하에 코팅층(x20) 상에 투사 수단(x50)에 의해 투사되는 것인 공정.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    개별 어드레서블 화학 방사선 에미터가 하나 이상의 비트맵 패턴에 따라 어드레스되는 것인 공정.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 화학 방사선 LED 공급원(x41)을 이용한 화학 방사선이 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10) 상에 투사되고, 상기 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)가 화학 방사선 LED 공급원(x41)에 대해 움직이는 것인 공정.
  8. 제7항에 있어서,
    화학 방사선 LED 공급원(x41)이 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 2 차원 배열인 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하고, 하나 이상의 투사된 이미지가 기재(x10)의 이동을 동시에 따르는 방식으로 화학 방사선이 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10) 상에 투사되는 것인 공정.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계 b1)이 제1 자기장-발생 장치(x31)로 수행되고 단계 c1)이 제2 자기장-발생 장치(x32)로 수행되고, 상기 제2 자기장-발생 장치(x32)가 제1 자기장-발생 장치(x31)의 자기장선의 패턴과 상이한 자기장선의 패턴을 갖거나,
    단계 b1)이 제1 자기장-발생 장치(x31)로 수행되고 단계 c1)이 동일한 제1 자기장-발생 장치(x31)로 수행되고, 상기 단계 b1) 및 c1)이 상기 제1 자기장-발생 장치(x31)의 2 개의 상이한 영역에서 수행되고, 상기 2 개의 영역이 상이한 자기장선의 패턴을 갖는 것인 공정.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    코팅층(x20)의 하나 이상의 제1 영역이 독립적으로 인디시움(indicium)의 형태를 갖고/갖거나 코팅층(x20)의 하나 이상의 제2 영역이 독립적으로 인디시움의 형태를 갖는 것인 공정.
  11. 기재(x10) 상에 광학 효과층(OEL)을 생성하기 위한 장치로서, 상기 OEL이 단일 도포 및 경화층으로 이루어진 적어도 2 개 영역으로 이루어진 모티프를 포함하고, 상기 장치가
    i) 기재(x10) 상에 비-구형 자성 또는 자화성 입자를 포함하는 방사선 경화성 코팅 조성물을 도포하여, 코팅층(x20)을 형성하기 위한 인쇄 유닛,
    ii) 코팅층(x20)의 비-구형 자성 또는 자화성 입자의 적어도 일부를 배향하기 위한 적어도 제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적으로 제2 자기장-발생 장치(x32), 및
    iii) 코팅층(x20)의 하나 이상의 영역의 선택적 경화를 위한 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열을 포함하는 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41)
    을 포함하고,
    하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41)이 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41)으로부터 코팅층(x20) 상에 화학 방사선을 투사하기 위한 투사 수단(x50)을 포함하고, 상기 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41) 및 상기 투사 수단(x50)은 화학 방사선이 하나 이상의 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 하나 이상의 투사된 이미지의 크기 감소 하에 코팅층(x20) 상에 투사되도록 배열되는,
    장치.
  12. 제11항에 있어서,
    개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 배열이 개별 어드레서블 화학 방사선 에미터의 선형 배열 또는 2 차원 배열인 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    iv) 2-축 배향을 수행하기 위한 하나 이상의 자성 장치
    를 추가로 포함하는 장치.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    v) 화학 방사선 LED 공급원(x41)의 부근에서 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)를 운반하기 위한 운반 수단
    을 추가로 포함하는 장치.
  15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    vi) 제1 자기장-발생 장치(x31) 및 선택적 제2 자기장-발생 장치(x32)에 수반하여 코팅층(x20)을 보유한 기재(x10)를 이동시키기 위한 전달 장치
    를 추가로 포함하는 장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220134794A1 (en) * 2019-02-08 2022-05-05 Sicpa Holding Sa Magnetic assemblies and processes for producing optical effect layers comprising oriented non-spherical oblate magnetic or magnetizable pigment particles
EP4063956A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-28 Esko-Graphics Imaging GmbH Uv exposure apparatus for flexographic printing plates comprising multiple uv light sources
TW202239482A (zh) 2021-03-31 2022-10-16 瑞士商西克帕控股有限公司 用於產生包含磁性或可磁化顏料粒子且展現一或更多個標記的光學效應層之方法
KR20240019318A (ko) 2021-06-11 2024-02-14 시크파 홀딩 에스에이 자성 또는 자화성 안료 입자를 포함하는 광학 효과층 및 상기 광학 효과층의 제조 방법
WO2023161464A1 (en) 2022-02-28 2023-08-31 Sicpa Holding Sa Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles and exhibiting one or more indicia
CN114558765A (zh) * 2022-03-08 2022-05-31 盛源创科(烟台)包装股份有限公司 一种立体花纹防伪酒盖用铝板的生产工艺
DE102022115535A1 (de) 2022-06-22 2023-12-28 Koenig & Bauer Ag Druckeinheit mit zwei Basismodulen und Non Impact Druckstelle
DE102022115533A1 (de) 2022-06-22 2023-12-28 Koenig & Bauer Ag Druckeinheit mit Ausrichteinrichtung, Non Impact Druckstelle sowie Aushärteeinrichtung
DE102022115536A1 (de) 2022-06-22 2023-12-28 Koenig & Bauer Ag Druckeinheit mit Ausrichteinrichtung, Non Impact Druckstelle sowie Aushärteeinrichtung
DE102022115537A1 (de) 2022-06-22 2023-12-28 Koenig & Bauer Ag Inspektionseinheit mit Rotationstransportkörper
WO2024028408A1 (en) 2022-08-05 2024-02-08 Sicpa Holding Sa Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles and exhibiting one or more indicia

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4838648A (en) 1988-05-03 1989-06-13 Optical Coating Laboratory, Inc. Thin film structure having magnetic and color shifting properties
DE4419173A1 (de) 1994-06-01 1995-12-07 Basf Ag Magnetisierbare mehrfach beschichtete metallische Glanzpigmente
EP1009776B1 (de) 1997-09-02 2003-12-10 Basf Aktiengesellschaft Mehrschichtige cholesterische pigmente
US6410130B1 (en) 1997-09-02 2002-06-25 Basf Aktiengesellschaft Coatings with a cholesteric effect and method for the production thereof
JPH11115238A (ja) 1997-10-09 1999-04-27 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
DE19820225A1 (de) 1998-05-06 1999-11-11 Basf Ag Mehrschichtige cholesterische Pigmente
US7047883B2 (en) 2002-07-15 2006-05-23 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for orienting magnetic flakes
AU6208200A (en) 1999-09-03 2001-04-10 Flex Products, Inc. Methods and apparatus for producing enhanced interference pigments
EP1239307A1 (en) 2001-03-09 2002-09-11 Sicpa Holding S.A. Magnetic thin film interference device
US20020160194A1 (en) 2001-04-27 2002-10-31 Flex Products, Inc. Multi-layered magnetic pigments and foils
US6808806B2 (en) 2001-05-07 2004-10-26 Flex Products, Inc. Methods for producing imaged coated articles by using magnetic pigments
WO2003054797A2 (en) * 2001-12-19 2003-07-03 Actuality Systems, Inc. A radiation conditioning system
US7934451B2 (en) 2002-07-15 2011-05-03 Jds Uniphase Corporation Apparatus for orienting magnetic flakes
DE10247011A1 (de) 2002-10-09 2004-04-29 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Mehrschichtfolie mit UV-Lackschicht
BRPI0519529B1 (pt) 2004-12-16 2016-09-13 Sicpa Holding Sa monocamada de cristal líquido seus usos e seu processo de produção, misturas de cristal líquido, pigmentos de monocamada de cristal líquido e seu processo de produção
CA2541568C (en) 2005-04-06 2014-05-13 Jds Uniphase Corporation Dynamic appearance-changing optical devices (dacod) printed in a shaped magnetic field including printable fresnel structures
US7878644B2 (en) * 2005-11-16 2011-02-01 Gerber Scientific International, Inc. Light cure of cationic ink on acidic substrates
EP1854852A1 (en) 2006-05-12 2007-11-14 Sicpa Holding S.A. Coating composition for producing magnetically induced images
EP2157141B1 (en) 2008-08-18 2015-10-07 JDS Uniphase Corporation Two-axial alignment of magnetic platelets
TWI487628B (zh) 2008-11-24 2015-06-11 Sicpa Holding Sa 於底塗層上磁性配向之印墨
US9482726B2 (en) 2010-03-03 2016-11-01 Snu R&Db Foundation Fabricating method of magnetic axis controlled structure
US20120001116A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Jds Uniphase Corporation Magnetic multilayer pigment flake and coating composition
EP3170566B1 (en) 2010-12-27 2019-10-09 Viavi Solutions Inc. Method and apparatus for forming an image on a substrate
EP2484455B1 (en) 2011-02-07 2014-12-24 Sicpa Holding Sa Device displaying a dynamic visual motion effect and method for producing same
CN102529326B (zh) 2011-12-02 2014-08-06 惠州市华阳光学技术有限公司 磁性颜料印刷品的磁定向装置、制造装置及制造方法
ES2755151T3 (es) 2013-12-04 2020-04-21 Sicpa Holding Sa Dispositivos para producir capas de efecto óptico
PL3079836T3 (pl) 2013-12-13 2020-04-30 Sicpa Holding Sa Sposoby wytwarzania warstw z efektem optycznym
TW201605655A (zh) * 2014-07-29 2016-02-16 西克帕控股有限公司 用於由磁場產生裝置產生凹形磁力線所製成之光學效果層之場內硬化之方法
AU2015306179A1 (en) 2014-08-22 2016-12-22 Sicpa Holding Sa Apparatus and method for producing optical effect layers
WO2016083259A1 (en) 2014-11-27 2016-06-02 Sicpa Holding Sa Devices and methods for orienting platelet-shaped magnetic or magnetizable pigment particles
DE102015205066A1 (de) 2015-03-20 2016-09-22 Koenig & Bauer Ag Trocknereinrichtung für eine Druckmaschine, Druckmaschine sowie Verfahren zum Betrieb einer Trocknereinrichtung
TW201703879A (zh) 2015-06-02 2017-02-01 西克帕控股有限公司 用於生產光學效應層之製程
DE102015214885A1 (de) 2015-08-04 2017-02-09 Ist Metz Gmbh UV-Bestrahlungsaggregat zur Strahlungshärtung
BR112018013443A2 (pt) * 2015-12-29 2018-12-04 3M Innovative Properties Co métodos contínuos de fabricação de aditivo
DE102016204547A1 (de) * 2016-03-18 2017-09-21 Koenig & Bauer Ag Verfahren zur Konfigurierung einer Trocknereinrichtung in einer Druckmaschine und eine Druckmaschine
DE102016107001A1 (de) 2016-04-15 2017-10-19 Ist Metz Gmbh Vorrichtung zur Belichtung eines Substrats
EP3178569A1 (en) 2016-06-29 2017-06-14 Sicpa Holding Sa Processes and devices for producing optical effect layers using a photomask
PT3490722T (pt) * 2016-07-29 2021-07-01 Sicpa Holding Sa Processos para produção de camadas de efeitos
CN109862970B (zh) * 2016-08-31 2022-11-01 唯亚威通讯技术有限公司 对磁性可定向薄片进行定向
PL3576888T3 (pl) 2017-01-31 2021-10-25 Sicpa Holding Sa Przyrządy i sposoby do wytwarzania warstw z efektem optycznym

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