KR20210113046A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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고지 마에다
신지 오리모토
모토이 야마가타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판 처리 장치를 구성하는 탑재대와 냉동 장치 사이의 열교환을 효율적으로 실행할 수 있는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 기판 처리 장치는 기판이 탑재되는 탑재대와, 타겟을 보지하는 타겟 홀더를 내부에 구비하고 있는 처리 용기와, 상기 탑재대의 하면과의 사이에 간극을 구비하여 배치되고, 냉동기와 상기 냉동기에 적층되는 냉동 열 매체를 구비하고 있는 냉동 장치와, 상기 탑재대를 회전시키는 회전 장치와, 상기 탑재대를 승강시키는 제 1 승강 장치와, 상기 냉동 장치의 내부에 마련되고, 상기 간극에 냉매를 공급하는 냉매 유로와, 상기 간극에 배치되어서, 상기 탑재대와 상기 냉동 열 매체의 쌍방에 열전도 가능하게 접하여 있는 냉열 전달재를 갖는다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 고정 배치된 냉동 전열체와, 냉동 전열체의 주위에 배치되어서 회전 가능한 외통과, 외통에 접속되어서 냉동 전열체의 상면에 대해서 간극을 갖고 배치된 탑재대를 갖는, 처리 장치를 구성하는 탑재대 구조가 개시되어 있다. 냉동 전열체는 냉동기 위에 고정 배치되고, 그 상부가 진공 용기 내에 배치되어 있고, 냉동 전열체의 내부에는, 간극과 연통하여, 냉각 가스를 통류 가능한 냉각 가스 공급부가 형성되어 있다.
특허 공개 제 2019-016771 호 공보
본 개시는 기판 처리 장치를 구성하는 탑재대와 냉동 장치 사이의 열교환을 효율적으로 실행할 수 있는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 기판 처리 장치는,
기판이 탑재되는 탑재대와, 타겟을 보지하는 타겟 홀더를 내부에 구비하고 있는 처리 용기와,
상기 탑재대의 하면과의 사이에 간극을 구비하여 배치되고, 냉동기와 상기 냉동기에 적층되는 냉동 열 매체를 구비하고 있는 냉동 장치와,
상기 탑재대를 회전시키는 회전 장치와,
상기 탑재대를 승강시키는 제 1 승강 장치와,
상기 냉동 장치의 내부에 마련되고, 상기 간극에 냉매를 공급하는 냉매 유로와,
상기 간극에 배치되어서, 상기 탑재대와 상기 냉동 열 매체의 쌍방에 열전도 가능하게 접하여 있는 냉열 전달재를 갖는다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치를 구성하는 탑재대와 냉동 장치 사이의 열교환을 효율적으로 실행할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시되는 종단면도이다.
도 2는 기판 처리 장치를 구성하는 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를, 주변 기기와 함께 도시되는 도면이다.
도 3은 도 1의 III부의 확대도이며, 탑재대의 하면과 냉동 열 매체의 상면 사이의 간극에 냉열 전달재의 일례가 배치되어 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 4는 도 1의 III부의 확대도이며, 탑재대의 하면과 냉동 열 매체의 상면 사이의 간극에 냉열 전달재의 다른 예가 배치되어 있는 상태를 도시하는 도면이다.
이하, 본 개시의 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 대해서, 첨부의 도면을 참조하면서 설명한다. 통상, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복한 설명을 생략하는 경우가 있다.
[실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법]
도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 개시의 실시형태에 따른 기판 처리 장치와 기판 처리 방법의 일례에 대해서 설명한다. 본 명세서에서, 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일례를 도시하는 종단면도이며, 도 2는 기판 처리 장치를 구성하는 제어 장치의 하드웨어 구성의 일례를, 주변 기기와 함께 도시하는 도면이다. 또한, 도 3 및 도 4는 각각, 도 1의 III부의 확대도이며, 탑재대의 하면과 냉동 열 매체의 상면 사이의 간극에 냉열 전달재의 일례 및 다른 예가 배치되어 있는 상태를 도시하는 도면이다.
도 1에 도시하는 기판 처리 장치(100)는 예를 들면, 초고진공 또한 극저온의 분위기를 형성하고, 처리 가스에 의한 기판 처리를 실행하는 처리 용기(10)의 내부에 있어서, 피처리체인 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)에 대해서 자성막 등을 형성하는 PVD(Physical Vaper Deposition) 장치이다. 본 명세서에서, 초고진공이란, 예를 들면, 10-5 Pa 이하의 압력 분위기를 의미하고 있고, 극저온이란, -30℃ 이하에서, 예를 들면, -200℃ 정도의 온도 분위기를 의미하고 있다. 기판(W)에 형성되는 자성막은 예를 들면, 터널 자기 저항(Tunneling Magneto Resistance : TMR) 소자에 이용된다.
기판 처리 장치(100)는 처리 용기(10)와, 처리 용기(10)의 내부에 있어서 기판(W)을 탑재하는 탑재대(20)와, 냉동 장치(30)와, 탑재대(20)를 회전시키는 회전 장치(40)와, 탑재대(20)를 승강시키는 제 1 승강 장치(77)와, 냉동 장치(30)를 승강시키는 제 2 승강 장치(78)를 갖는다. 기판 처리 장치(100)는 냉동 장치(30)나 제 1 승강 장치(77) 등의 각종 장치를 제어하는 제어 장치(80)를 더 갖는다. 통상, 도시 예의 기판 처리 장치(100)는 탑재대(20)를 승강시키는 제 1 승강 장치(77)와, 냉동 장치(30)를 승강시키는 제 2 승강 장치(78)의 2개의 승강 장치를 구비하고 있지만, 탑재대(20)와 냉동 장치(30)가 공통의 승강 장치에 의해서 승강되는 형태여도 좋다.
처리 용기(10)의 내부에 있어서, 하방에는 탑재대(20)가 있고, 탑재대(20)의 상방에는, 복수의 타겟 홀더(11)가 수평면에 대해서 소정의 경사각(θ)을 갖는 상태로 고정되어 있다. 그리고, 각 타겟 홀더(11)의 하면에는, 이종(異種)의 타겟(T)이 장착되어 있다.
또한, 처리 용기(10)는 진공 펌프 등의 배기 장치(도시되지 않음)를 작동하는 것에 의해, 그 내부가 초고진공으로 감압되도록 구성되어 있다. 게다가, 처리 용기(10)에는, 처리 가스 공급 장치에 연통하는 가스 공급관(모두 도시되지 않음)을 거쳐서, 스퍼터 성막에 필요한 처리 가스(예를 들면, 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 네온(Ne) 등의 희(希) 가스나 질소(N2) 가스)가 공급되도록 되어 있다.
타겟 홀더(11)에는, 플라즈마 발생용 전원(도시되지 않음)으로부터의 교류 전압 또는 직류 전압이 인가된다. 플라즈마 발생용 전원으로부터 타겟 홀더(11) 및 타겟(T)에 교류 전압이 인가되면, 처리 용기(10)의 내부에 있어서 플라즈마가 발생하고, 처리 용기(10)의 내부에 있는 희 가스 등이 이온화되고, 이온화된 희 가스 원소 등에 의해 타겟(T)이 스퍼터링된다. 스퍼터링된 타겟(T)의 원자 또는 분자는 타겟(T)에 대향하여 탑재대(20)에 보지되어 있는 기판(W)의 표면에 퇴적한다.
기판(W)에 대해서 타겟(T)이 경사져 있는 것에 의해, 타겟(T)으로부터 스퍼터링된 스퍼터 입자가 기판(W)에 입사하는 입사각을 조정할 수 있고, 기판(W)에 성막된 자성막 등의 막 두께의 면내 균일성을 높일 수 있다. 통상, 처리 용기(10)의 내부에 있어서, 각 타겟 홀더(11)가 동일한 경사각(θ)으로 설치되어 있는 경우여도, 탑재대(20)를 승강시켜서 타겟(T)과 기판(W) 사이의 거리(t1)를 변화시키는 것에 의해, 기판(W)에 대한 스퍼터 입자의 입사각을 변화시킬 수 있다. 따라서, 적용되는 타겟(T)마다, 각 타겟(T)에 바람직한 거리(t1)가 되도록 탑재대(20)가 승강 제어되도록 되어 있다.
타겟(T)의 수는 특별히 한정되지 않지만, 하나의 기판 처리 장치(100)에서 이종 재료에 의해 형성되는 이종막을 시퀀셜하게 성막할 수 있는 관점에서, 복수이며 이종의 타겟(T)이 처리 용기(10)의 내부에 존재하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성막(Ni, Fe, Co 등의 강자성체를 포함하는 막)을 퇴적하는 경우, 타겟(T)의 재료로서는, 예를 들면, CoFe, FeNi, NiFeCo를 이용할 수 있다. 또한, 타겟(T)의 재료로서, 이러한 재료에 다른 원소가 혼입된 재료를 적용할 수도 있다.
냉동기(31)와 냉동 열 매체(35)가 적층하는 것에 의해 구성되는, 냉동 장치(30)의 상방에, 탑재대(20)가 배치되어 있다. 보다 상세하게는, 냉동 열 매체(35)의 상면과의 사이에, 간극(G)을 구비한 상태로 탑재대(20)가 배치되어 있다. 통상, 냉동 열 매체(35)는 콜드 링크라고 칭할 수도 있다.
냉동기(31)는 냉동 열 매체(35)를 보지하고, 냉동 열 매체(35)의 상면을 극저온으로 냉각한다. 냉동기(31)에는, 냉각 능력의 관점에서, GM(Gifford-McMahon) 사이클을 이용하는 형태가 바람직하다.
냉동 열 매체(35)는 냉동기(31) 위에 고정되어 있고, 그 상부가 처리 용기(10)의 내부에 수용되어 있다. 냉동 열 매체(35)는 열전도성이 높은 구리(Cu) 등에 의해 형성되어 있고, 그 외형은 대략 원주 형상을 나타내고 있다. 냉동 열 매체(35)는 탑재대(20)의 중심축(CL)에 그 중심이 일치하도록 배치되어 있다.
냉동 열 매체(35)와 냉동기(31)의 내부에는, 냉동 열 매체(35)와 탑재대(20) 사이의 간극(G)에 냉매(냉각 가스)를 공급하는 냉매 공급 유로(51)(냉매 유로의 일례)와, 탑재대(20)로부터의 전열에 의해 승온한 냉매를 배출하는 냉매 배출 유로(52)(냉매 유로의 일례)가 배치되어 있다. 그리고, 냉매 공급 유로(51)와 냉매 배출 유로(52)는 각각, 냉동기(31)의 벽면에 있는 접속 고정부(31a, 31b)에 고정되어 있다. 접속 고정부(31a, 31b)에는 각각, 냉매 공급 장치에 연통하는 배관과 냉매 배출 장치에 연통하는 배관이 접속되어 있다(모두 도시되지 않음).
냉매 공급 장치로부터 공급된 냉매는 냉매 공급 유로(51)를 Y1 방향으로 유통하고, 간극(G)에 공급된다. 한편, 간극(G)으로부터 배출된 냉매는 냉매 배출 유로(52)를 Y3 방향으로 유통하고, 냉매 배출 장치에 배출된다. 통상, 냉매 공급 유로와 냉매 배출 유로가 동일한 유로에 의해 형성되어 있어도 좋다. 탑재대(20)를 냉각할 수 있도록 간극(G)에 공급되는 냉매로서는, 높은 열전도성을 갖는 헬륨(He) 가스가 바람직하게 이용된다. 냉매 공급 유로(51)를 거쳐서 간극(G)에 냉매가 공급되는 것에 의해, 탑재대(20)는 극저온으로 냉각될 수 있다. 통상, 냉매에는, 냉각 가스를 대신하여, 열전도성이 양호한 열전도 그리스가 적용되어도 좋다.
탑재대(20)는 기판(W)이 탑재되는 상방의 제 1 플레이트(21)와, 하방의 제 2 플레이트(22)가 적층한 구조를 갖고 있고, 어느 플레이트도 열전도성이 높은 구리(Cu)에 의해 형성되어 있다. 제 1 플레이트(21)는 정전 척을 포함하고, 정전 척은 유 전체막 내에 매설(埋設)된 척 전극(23)을 갖는다. 척 전극(23)에는, 배선(25)을 거쳐서 소정의 전위가 주어지도록 되어 있다. 본 구성에 의해, 기판(W)을 정전 척에 의해 흡착하고, 탑재대(20)의 상면에 기판(W)을 고정할 수 있다. 통상, 탑재대(20)는 제 1 플레이트(21)와 제 2 플레이트(22)의 적층체 이외에도, 하나의 플레이트에 의해서 전체가 형성되어 있는 형태여도 좋고, 소결 등에 의해 전체가 일체로 성형되어 있는 형태여도 좋다.
또한, 탑재대(20)에는, 제 1 플레이트(21)와 제 2 플레이트(22)를 상하로 관통하는 관통 구멍(26)이 형성되어 있다. 관통 구멍(26)은 탑재대(20)의 하방에 있는 간극(G)에 연통하여 있고, 간극(G)에 공급된 냉매는 관통 구멍(26)을 거쳐서 탑재대(20)(정전 척)의 상면과 기판(W)의 하면 사이로 Y2 방향으로 공급되도록 되어 있다. 이에 의해, 냉매나 냉동 열 매체(35)가 갖는 냉열을, 효율적으로 기판(W)에 전달하는 것이 가능하게 된다. 통상, 도시 예는 냉매 공급 유로(51)를 유통한 냉매가 관통 구멍(26)을 거쳐서 기판(W)의 하면에 공급되고, 관통 구멍(26)을 거쳐서 배출된 냉매가 냉매 배출 유로(52)를 유통하여 배출되는 형태를 나타내고 있지만, 그 외의 냉매의 공급 및 배출 형태여도 좋다. 예를 들어, 관통 구멍(26)에 대해서 냉매 공급 유로(51)나 냉매 배출 유로(52)와는 상이한 독립한 냉매 유로를 마련하고, 이 독립한 냉매 유로를 거쳐서, 관통 구멍(26)을 거친 냉매의 공급이나 배출이 실행되어도 좋다.
탑재대(20)를 구성하는 제 2 플레이트(22)의 하면에는, 냉동 열 매체(35)측을 향해 돌출하는 볼록부(24)가 형성되어 있다. 도시 예의 볼록부(24)는 탑재대(20)의 중심축(CL)을 둘러싸는 원환 형상의 볼록부이다. 볼록부(24)의 높이는 예를 들면, 40㎜ 내지 50㎜로 설정할 수 있고, 볼록부(24)의 폭은 예를 들면, 6㎜ 내지 7㎜로 설정할 수 있다. 통상, 볼록부(24)의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 냉동 열 매체(35)와의 사이의 열교환 효율을 높인다고 하는 관점에서, 표면적이 커지게 되는 형상인 것이 바람직하다. 예를 들어, 볼록부(24)는 그 외면이 주름진 형상이어도 좋고, 볼록부(24)의 외면에 블라스트 처리 등에 의해서 요철 가공이 실시되어 있어도 좋다. 모두, 볼록부(24)의 표면적을 크게 할 수 있고, 냉동 열 매체(35)와의 사이의 열교환 효율을 높일 수 있다.
냉동 열 매체(35)의 상면, 즉, 탑재대(20)가 갖는 볼록부(24)와 대향하는 면에는, 볼록부(24)가 헐거운 끼워맞춤되는 오목부(37)가 형성되어 있다. 도시 예의 오목부(37)는 탑재대(20)의 중심축(CL)을 둘러싸는 원환 형상을 갖고 있다. 오목부(37)의 높이는 볼록부(24)의 높이와 동일해도 좋고, 예를 들면, 40㎜ 내지 50㎜로 할 수 있다. 또한, 오목부(37)의 폭은 예를 들면, 볼록부(24)의 폭보다 약간 넓은 폭으로 할 수 있고, 예를 들면, 7㎜ 내지 9㎜인 것이 바람직하다. 통상, 오목부(37)의 형상은 볼록부(24)의 형상과 대응하도록 설정되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 볼록부(24)의 외면이 주름진 형상인 경우, 오목부(37)의 내면도 대응한 주름진 형상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 오목부(37)의 내면에 있어서도, 블라스트 처리 등에 의해 요철 가공이 실시되어 있는 것이 바람직하고, 이러한 요철 가공에 의해, 오목부(37)의 표면적이 커지게 되고, 탑재대(20)와의 사이의 열교환 효율을 높일 수 있다.
오목부(37)에 볼록부(24)가 헐거운 끼워맞춤된 상태에 있어서, 오목부(37)와 볼록부(24) 사이에는, 간극(G)이 형성된다. 도 3에 도시되는 바와 같이, 간극(G)은 탑재대(20)의 제 2 플레이트(22)의 평탄한 하면과 냉동 열 매체(35)의 평탄한 상면 사이의 상방 간극(G1)과, 오목부(37)와 볼록부(24) 사이의 하방 간극(G2)을 갖는다. 그리고, 하방 간극(G2)에 냉열 전달재(90)가 배치되어 있다. 냉열 전달재(90)의 상세나, 간극(G)의 일부에 냉열 전달재(90)가 배치되는 것에 의한 작용에 대해서는, 이하에서 상세 설명한다.
도 1로 돌아와서, 탑재대(20)는 외통(63)에 의해 지지되어 있다. 외통(63)은 냉동 열 매체(35)의 상부의 외주면을 덮도록 배치되어 있고, 그 상부가 처리 용기(10)의 내부에 진입하고, 처리 용기(10)의 내부에 있어서 탑재대(20)를 지지한다. 외통(63)은 냉동 열 매체(35)의 외경보다 약간 큰 내경을 갖는 원통부(61)와, 원통부(61)의 하면에 있어서 외경 방향으로 연장되는 플랜지부(62)를 갖고, 원통부(61)가 탑재대(20)를 직접 지지한다. 원통부(61)와 플랜지부(62)는 예를 들면, 스테인리스 등의 금속에 의해 형성되어 있다.
플랜지부(62)의 하면에는, 단열 부재(64)가 접속되어 있다. 단열 부재(64)는 플랜지부(62)와 동축으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고, 플랜지부(62)의 하면에 고정되어 있다. 단열 부재(64)는 알루미나 등의 세라믹스에 의해 형성되어 있다. 단열 부재(64)의 하면에는, 자성 유체 시일부(69)가 마련되어 있다.
자성 유체 시일부(69)는 회전부(65)와, 내측 고정부(66)와, 외측 고정부(67)와, 가열부(68)를 갖는다. 회전부(65)는 단열 부재(64)와 동축으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고, 단열 부재(64)의 하면에 고정되어 있다. 바꿔말하면, 회전부(65)는 단열 부재(64)를 거쳐서 외통(63)에 접속되어 있다. 본 구성에 의해, 외통(63)이 갖는 냉열의 회전부(65)로의 전열이 단열 부재(64)에 의해서 차단되게 되어, 자성 유체 시일부(69)의 자성 유체의 온도가 저하하여 시일 성능이 악화되거나, 결로가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
내측 고정부(66)는 냉동 열 매체(35)와 회전부(65) 사이에 있어서, 자성 유체를 거쳐서 마련되어 있다. 내측 고정부(66)는 그 내경이 냉동 열 매체(35)의 외경보다 크고, 그 외경이 회전부(65)의 내경보다 작은 대략 원통 형상을 갖는다. 외측 고정부(67)는 회전부(65)의 외측에 있어서, 자성 유체를 거쳐서 마련되어 있다. 외측 고정부(67)는 그 내경이 회전부(65)의 외경보다 큰 대략 원통 형상을 갖는다. 가열부(68)는 내측 고정부(66)의 내부에 매립되어 있고, 자성 유체 시일부(69)의 전체를 가열한다. 본 구성에 의해, 자성 유체 시일부(69)의 자성 유체의 온도가 저하하여 시일 성능이 악화되거나, 결로가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 자성 유체 시일부(69)에서는, 회전부(65)가 내측 고정부(66)와 외측 고정부(67)에 대해서 기밀 상태로 회전 가능하게 되어 있다. 즉, 외통(63)은 자성 유체 시일부(69)를 거쳐서 회전 가능하게 지지되어 있다.
외측 고정부(67)의 상면과 처리 용기(10)의 하면 사이에는, 대략 원통 형상의 벨로우즈(75)가 마련되어 있다. 벨로우즈(75)는 상하 방향으로 신축 가능한 금속제의 주름 상자 구조체이다. 벨로우즈(75)는 냉동 열 매체(35)의 상부, 외통(63)의 하부, 및 단열 부재(64)를 포위하고, 감압 가능한 처리 용기(10)의 내부 공간과 처리 용기(10)의 외부 공간을 분리한다.
자성 유체 시일부(69)의 하방에는, 슬립 링(73)이 마련되어 있다. 슬립 링(73)은 금속 링을 포함하는 회전체(71)와, 브러쉬를 포함하는 고정체(72)를 갖는다. 회전체(71)는 자성 유체 시일부(69)의 회전부(65)와 동축으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고, 회전부(65)의 하면에 고정되어 있다. 고정체(72)는 그 내경이 회전체(71)의 외경보다 약간 큰 대략 원통 형상을 갖는다. 슬립 링(73)은 직류 전원(도시되지 않음)과 전기적으로 접속되어 있고, 직류 전원으로부터 공급되는 전력을, 고정체(72)의 브러쉬와 회전체(71)의 금속 링을 거쳐서, 배선(25)에 공급한다. 본 구성에 의해, 배선(25)에 뒤틀림 등을 발생시키는 일 없이, 직류 전원으로부터 척 전극에 전위를 줄 수 있다. 슬립 링(73)을 구성하는 회전체(71)는 회전 장치(40)에 장착되어 있다. 통상, 슬립 링은 브러쉬 구조 이외의 구조여도 좋고, 예를 들면, 비접촉 급전 구조나, 무(無)수은이나 도전성 액체를 갖는 구조 등이어도 좋다.
회전 장치(40)는 로터(41)와, 스테이터(45)를 갖는, 다이렉트 드라이브 모터이다. 로터(41)는 슬립 링(73)이 갖는 회전체(71)와 동축으로 연장되는 대략 원통 형상을 갖고, 회전체(71)에 고정되어 있다. 스테이터(45)는 그 내경이 로터(41)의 외경보다 큰 대략 원통 형상을 갖는다. 이상의 구성에 의해, 로터(41)가 회전하면, 회전체(71), 회전부(65), 외통(63), 및 탑재대(20)가 냉동 열 매체(35)에 대해서 상대적으로 X3 방향으로 회전한다. 통상, 회전 장치는 다이렉트 드라이브 모터 이외의 형태여도 좋고, 서보모터와 전달 벨트를 구비하고 있는 형태 등이어도 좋다.
또한, 냉동기(31)와 냉동 열 매체(35)의 주위에는, 진공 단열 이중 구조를 갖는 단열체(74)가 마련되어 있다. 도시 예에서는, 단열체(74)는 냉동기(31)와 로터(41) 사이, 및 냉동 열 매체(35)의 하부와 로터(41) 사이에 마련되어 있다. 본 구성에 의해, 냉동기(31)와 냉동 열 매체(35)의 냉열이 로터(41)에 전열되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 냉동기(31)는 제 2 승강 장치(78)에 대해서 승강 가능하게 장착되어 있는 제 1 지지대(70A)의 상면에 고정되어 있다. 한편, 회전 장치(40)나 단열체(74)는 제 1 승강 장치(77)에 대해서 승강 가능하게 장착되어 있는 제 2 지지대(70B)의 상면에 고정되어 있다. 그리고, 제 1 지지대(70A)의 상면과 제 2 지지대(70B)의 하면 사이에는, 냉동기(31)를 포위하는 대략 원통 형상의 벨로우즈(76)가 마련되어 있다. 벨로우즈(76)도 벨로우즈(75)와 마찬가지로, 상하 방향으로 신축 가능한 금속제의 주름 상자 구조체이다.
또한, 냉동기(31)와 냉동 열 매체(35)의 주위에는, 냉매 공급 유로(51)를 유통하는 냉각 가스(예를 들면, 제 1 냉각 가스)와는 상이한 냉각 가스(예를 들면, 제 2 냉각 가스)를 공급하는 제 2 냉각 가스 공급부(도시되지 않음)가 마련되어도 좋다. 본 제 2 냉각 가스 공급부는 냉동 열 매체(35)와 외통(63) 사이의 공간에 제 2 냉각 가스를 공급한다. 본 제 2 냉각 가스는 냉매 공급 유로(51)를 유통하는 제 1 냉각 가스와 열전도율이 상이한 가스이며, 바람직하게는 열전도율이 상대적으로 낮은 가스인 것에 의해, 제 2 냉각 가스의 온도를, 냉매 공급 유로(51)를 유통하는 제 1 냉각 가스의 온도보다 상대적으로 높게 할 수 있다. 이에 의해, 간극(G)으로부터 측방의 공간에 누출되는 제 1 냉각 가스가 자성 유체 시일부(69)에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 바꿔말하면, 제 2 냉각 가스는 간극(G)으로부터 누출되는 제 1 냉각 가스에 대한 카운터 플로우로서 기능한다. 본 구성에 의해, 자성 유체 시일부(69)의 자성 유체의 온도가 저하하여 시일 성능이 악화되거나, 결로가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 카운터 플로우로서의 기능을 높인다고 하는 관점에서, 제 2 냉각 가스 공급부로부터 공급되는 제 2 냉각 가스의 공급 압력은, 냉매 공급 유로(51)를 유통하는 제 1 냉각 가스의 공급 압력과 대략 동일, 또는 약간 높은 압력인 것이 바람직하다. 통상, 제 2 냉각 가스로서는, 아르곤 가스나 네온 등의 저비점 가스를 이용할 수 있다.
냉동 열 매체(35)의 상부에는, 간극(G) 등의 온도를 검출하기 위한 온도 센서(82)와, 간극(G) 등의 압력을 검출하는 압력 센서(83)가 마련되어 있다. 온도 센서(82)로서는, 예를 들면, 실리콘 다이오드 온도 센서나, 백금 저항 온도 센서 등의 저온용 온도 센서를 이용할 수 있다. 온도 센서(82)와 압력 센서(83)로 계측된 계측 데이터는 제어 장치(80)에 수시 송신되도록 되어 있다.
또한, 기판 처리 장치(100)의 구성요소 중, 냉동 장치(30)는 제 2 승강 장치(78)에 의해 X2 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있고, 냉동 장치(30)와 처리 용기(10) 이외의 다른 구성요소는 제 1 승강 장치(77)에 의해 X1 방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다.
제 2 승강 장치(78)로 냉동 장치(30)를 승강하는 것에 의해, 탑재대(20)와 냉동 열 매체(35) 사이의 간극(G)이 변화하는 것을 해소할 수 있다. 구체적으로는, 냉동 열 매체(35)는 그 냉열에 의해서 수 ㎜ 정도 수축하고, 본 열수축에 의해, 간극(G)의 높이(또는 폭)가 변화할 수 있다. 성막 처리를 할 때, 소정의 높이로 고정되어 있는 탑재대(20)에 대해서, 냉동 열 매체(35)가 열수축하여 간극(G)이 변화할 때에, 제 2 승강 장치(78)로 냉동 장치(30)를 정밀하게 승강 제어한다. 본 제어에 의해, 간극(G)의 변화를 해소하고, 초기의 간극(G)을 유지하면서 성막 처리를 계속하는 것이 가능하게 된다.
한편, 제 1 승강 장치(77)로, 예를 들면, 탑재대(20)가 처리 용기(10)의 내부에서 승강하는 것에 의해, 타겟(T)과 기판(W) 사이의 거리(t1)를 조정할 수 있다. 본 거리(t1)의 조정은, 적용되는 타겟(T)의 종류에 따라 적절하게 변경된다. 탑재대(20)를 승강시켜서 거리(t1)를 조정할 때에는, 제어 장치(80)에 의해, 제 1 승강 장치(77)와 제 2 승강 장치(78)의 동기 제어가 실행된다. 본 제어 장치(80)에 의한 제 1 승강 장치(77)와 제 2 승강 장치(78)의 동기 제어에 의해, 탑재대(20)와 냉동 장치(30)가 초기의 간극(G)을 유지한 상태로, 쌍방의 승강을 제어할 수 있다..
제어 장치(80)는 컴퓨터에 의해 구성된다. 도 2에 도시되는 바와 같이, 제어 장치(80)는 접속 버스에 의해 서로 접속되어 있는 CPU(Central Processing Unit)(80a), 주 기억 장치(80b), 보조 기억 장치(80c), 입출력 인터페이스(80d), 및 통신 인터페이스(80e)를 구비하고 있다. 주 기억 장치(80b)와 보조 기억 장치(80c)는 컴퓨터가 판독 가능한 기록 매체이다. 통상, 상기의 구성요소는 각각 개별적으로 마련되어도 좋고, 일부의 구성요소를 마련하지 않도록 해도 좋다.
CPU(80a)는 MPU(Microprocessor)나 프로세서라고도 칭하고, 단일의 프로세서여도 좋고, 멀티 프로세서여도 좋다. CPU(80a)는 제어 장치(80)의 전체의 제어를 실행하는 중앙 연산 처리 장치이다. CPU(80a)는 예를 들면, 보조 기억 장치(80c)에 기억된 프로그램을 주 기억 장치(80b)의 작업 영역에서 실행 가능하게 전개하고, 프로그램의 실행을 통해서 주변 기기의 제어를 실행하는 것에 의해, 소정의 목적에 합치(合致)한 기능을 제공한다. 주 기억 장치(80b)는 CPU(80a)가 실행하는 컴퓨터 프로그램이나, CPU(80a)가 처리하는 데이터 등을 기억한다. 주 기억 장치(80b)는 예를 들면, 플러시 메모리, RAM(Random Access Memory)나 ROM(Read Only Memory)을 포함한다. 보조 기억 장치(80c)는 각종의 프로그램 및 각종의 데이터를 판독 가능하게 기록 매체에 격납하고, 외부 기억 장치라고도 칭해진다. 보조 기억 장치(80c)에는, 예를 들면, OS(Operating System), 각종 프로그램, 각종 테이블 등이 격납되고, OS는 예를 들면, 통신 인터페이스(80e)를 거쳐서 접속되는 외부 장치 등과의 데이터의 주고받음을 실행하는 통신 인터페이스 프로그램을 포함한다. 보조 기억 장치(80c)는 예를 들면, 주 기억 장치(80b)를 보조하는 기억 영역으로서 사용되고, CPU(80a)가 실행하는 컴퓨터 프로그램이나, CPU(80a)가 처리하는 데이터 등을 기억한다. 보조 기억 장치(80c)는 비휘발성 반도체 메모리(플러시 메모리, EPROM(Erasable Progra㎜able ROM))을 포함하는 실리콘 디스크, 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive: HDD) 장치, 솔리드 스테이트 드라이브 장치 등이다. 또한, 보조 기억 장치(80c)로서, CD 드라이브 장치, DVD 드라이브 장치, BD 드라이브 장치라고 하는 착탈 가능한 기록 매체의 구동 장치가 예시된다. 본 착탈 가능한 기록 매체로서, CD, DVD, BD, USB(Universal Serial Bus) 메모리, SD(Secure Digital) 메모리 카드 등이 예시된다. 통신 인터페이스(80e)는 제어 장치(80)에 접속하는 네트워크와의 인터페이스이다. 입출력 인터페이스(80d)는 제어 장치(80)에 접속하는 기기와의 사이에서 데이터의 입출력을 실행하는 인터페이스이다. 입출력 인터페이스(80d)에는, 예를 들면, 키보드, 터치 패널이나 마우스 등의 포인팅 디바이스, 마이크로폰 등의 입력 디바이스 등이 접속한다. 제어 장치(80)는 입출력 인터페이스(80d)를 거쳐서, 입력 디바이스를 조작하는 조작자로부터의 조작 지시 등을 받아들인다. 또한, 입출력 인터페이스(80d)에는, 예를 들면, 액정 패널(LCD: Liquid Crystal Display)이나 유기 EL 패널(EL: Electroluminescence) 등의 표시 디바이스, 프린터, 스피커 등의 출력 디바이스가 접속한다. 제어 장치(80)는 입출력 인터페이스(80d)를 거쳐서, CPU(80a)에 의해 처리되는 데이터나 정보, 주 기억 장치(80b), 보조 기억 장치(80c)에 기억되는 데이터나 정보를 출력한다. 통상, 온도 센서(82)나 압력 센서(83)는 유선으로 입출력 인터페이스(80d)에 접속되어도 좋고, 네트워크를 거쳐서 통신 인터페이스(80e)에 접속되어도 좋다.
제어 장치(80)는 각종의 주변 기기의 동작을 제어한다. 본 주변 기기에는, 냉매 공급 장치(86), 냉매 배기 장치(87), 냉동 장치(30), 회전 장치(40), 제 1 승강 장치(77), 제 2 승강 장치(78), 온도 센서(82), 압력 센서(83), 배기 장치(88), 및 처리 가스 공급 장치(89) 등이 포함된다. CPU(80a)는 ROM 등의 기억 영역에 격납된 레시피에 따라, 소정의 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 기판 처리 장치(100)의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보에는, 예를 들면, 가스 유량이나 처리 용기(10) 내의 압력, 처리 용기(10) 내의 온도나 탑재대(20)의 온도, 간극(G)에 공급되는 냉매의 온도, 간극(G)의 높이나 폭, 각종의 프로세스 시간 등이 포함된다.
제어 장치(80)는 온도 센서(82)와 압력 센서(83)에 의한 계측 데이터(모니터 정보)에 근거하여, 간극(G)이 초기의 온도와 압력을 유지하도록, 냉매 공급 장치(86), 냉매 배기 장치(87), 및 냉동 장치(30)를 제어한다.
제어 장치(80)는 제 2 승강 장치(78)를 승강 제어하는 것에 의해, 냉동 열 매체(35)의 열수축에 기인하여 간극(G)의 높이(또는 폭)가 변화할 때에, 본 간극(G)의 변화를 해소하도록 냉동 장치(30)를 정밀하게 승강시킨다. 본 냉동 열 매체(35)의 열수축은 냉동 열 매체(35)에 대해서 냉동기(31)로부터 냉열이 전열되는 것이나, 냉매 공급 유로(51)를 냉매가 유통하는 것에 의해 초래된다. 제어 장치(80)에 의해서 초기의 간극(G)이 유지되는 것에 의해, 기판(W)을 소망 온도로 제어하면서, 성막 처리를 계속하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이하에서 상세 설명하는 바와 같이, 간극(G)에 배치되는 냉열 전달재(90)와, 볼록부(24) 및 오목부(37)의 양호한 밀착성을 유지하는 것이 가능하게 된다.
게다가, 제어 장치(80)는 제 1 승강 장치(77)와 제 2 승강 장치(78)를 동기 제어한다. 본 동기 제어에 의해, 초기의 간극(G)을 유지하면서, 탑재대(20)(및 냉동 장치(30)의 상부)를 처리 용기(10)의 내부에서 승강시키고, 적용되는 타겟(T)에 바람직한 타겟(T)과 기판(W) 사이의 거리(t1)의 조정을 실행한다..
다음에, 도 3 및 도 4를 참조하여, 간극(G)에 배치되는 냉열 전달재(90, 95)에 대해서 상세 설명한다.
도 3에 도시되는 바와 같이, 간극(G)은 탑재대(20)의 제 2 플레이트(22)의 평탄한 하면과 냉동 열 매체(35)의 평탄한 상면 사이의 상방 간극(G1)과, 오목부(37)와 볼록부(24) 사이의 하방 간극(G2)을 갖는다. 그리고, 하방 간극(G2)에, 냉열 전달재(90)가 배치되어 있다. 통상, 상방 간극(G1)의 외주단에는, 회전하지 않는 냉동 열 매체(35)에 대해서 탑재대(20)가 회전할 때에, 본 탑재대(20)의 회전을 저해하지 않는 구조의 시일 부재(도시되지 않음)가 마련되어 있어도 좋다.
냉열 전달재(90)는 분체(粉體)에 의해 형성되어 있고, 이 분체는 분말상의 구리나 분말상의 은, 또는 분말상의 탄소계 소재 중 어느 일종을 주성분으로 한 재료에 의해 형성되어 있다.
또한, 냉열 전달재(90)는 상기하는 주성분에 대해서, 대전(帶電) 방지 소재가 첨가된 분체이면 좋다. 대전 방지 소재가 첨가되어 있는 것에 의해, 정전기 부유에 의한 열전도 저해를 억제할 수 있다. 또한, 냉열 전달재(90)는 코어 볼과 같이 쿠션성이 있는 변형 가능한 분체여도 좋다. 게다가, 냉열 전달재(90)를 다공질의 분체로 형성해도 좋고, 이 분체에 의하면, 다공질로 분체의 표면적을 넓게 할 수 있어서, 냉매의 트랩성(가스 트랩성)이 양호하게 된다.
간극(G) 중, 하방 간극(G)에 다수의 분체로 이루어지는 냉열 전달재(90)가 배치되는 것에 의해, 냉열 전달재(90)는 상방 간극(G1)으로부터 측방에 넘쳐흐르는 일 없이, 간극(G) 내에 수용된 상태를 유지할 수 있다.
또한, 냉열 전달재(90)가 분체인 것에 의해, 성막 프로세스에 있어서 탑재대(20)가 X3 방향으로 회전할 때에, 냉열 전달재(90)와, 냉열 전달재(90)와 접촉하면서 회전하는 볼록부(24) 사이의 전단 저항을 억제할 수 있다. 이에 의해, 전단 저항에 의해서 볼록부(24)가 승온하고, 탑재대(20)가 승온하는 것을 억제하는 것이 가능하게 된다. 게다가, 전단 저항의 억제에 의해, 회전 장치(40)에 작용하는 부하 토크의 상승도 억제할 수 있다.
도 3에 도시되는 바와 같이, 냉매 공급 유로(51)를 거쳐서 간극(G)(상방 간극(G1))으로 Y1 방향으로 공급된 냉매에 의해, 탑재대(20)가 갖는 열은 상방 간극(G1)으로 Y4 방향으로 열 이동한다. 또한, 탑재대(20)가 갖는 열은 볼록부(24)를 거쳐서, 간극(G2)에 수용되어 있는 냉열 전달재(90)를 거쳐서 Y5 방향으로 열 이동한다. 게다가, 탑재대(20)가 갖는 열은 볼록부(24)를 거쳐서, 냉열 전달재(90)를 거쳐서, 유통하는 냉매에 의해서 냉각된 냉동 열 매체(35)의 오목부(37)를 거쳐서 열 이동한다.
이와 같이, 하방 간극(G2)에 냉열 전달재(90)가 수용되어 있으므로, 상방 간극(G1)에 제공된 냉매의 냉열이나 냉동 열 매체(35)가 갖는 냉열에 의해, 복수의 전열 루트를 거쳐서 탑재대(20)가 갖는 열이 열 이동된다. 종래의 Y4 방향의 전열 루트 외에, 탑재대(20)의 볼록부(24)와 물리적으로 접촉하는 냉열 전달재(90)를 거친 Y5 방향 및 Y6 방향의 전열 루트가 더해지는 것에 의해, 탑재대(20)와 냉동 장치(30) 사이의 열교환이 현격히 효율적이 된다.
통상, 냉동 장치(30)를 상온으로 복귀시킬 때에는, 탑재대(20)에 비해 냉동 장치(30)가 상대적으로 고온이 되므로, 열 이동의 방향은 Y4 방향 내지 Y6 방향과 역방향이 되지만, 이러한 복수의 전열 루트를 갖는 것에 의해, 상온 복귀할 때에도, 탑재대(20)와 냉동 장치(30) 사이의 열교환이 현격히 효율적이 된다.
이상으로부터, 간극(G)의 내부에 있는 냉매와 탑재대(20) 사이의 열전도성이 높아져서, 열교환 효율이 높아진다. 이와 같이, 탑재대(20)의 냉각 성능이 향상하는 것에 의해, 탑재대(20)에 있어서의 냉각 효율이 높아져서, 탑재대(20)의 냉각에 필요로 하는 냉매(냉각 가스)의 소비량을 가급적으로 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 본 탑재대(20)의 냉각 효율의 향상에 의해, 탑재대(20)의 냉각 시간의 단축이 도모되는 동시에, 냉각한 탑재대(20)를 상온으로 되돌리는 복귀 시간의 단축도 도모된다. 그 결과, 가급적으로 낮은 러닝 코스트로, 또한 높은 스루풋 하에서, 기판(W)의 처리를 실행하는 것이 가능하게 된다.
한편, 도 4에 도시되는 냉열 전달재(95)는 그리스(액상 윤활유)에 의해 형성되어 있고, 본 그리스는 나노 사이즈의 은이나 나노 사이즈의 실리콘 중 어느 일종을 주성분으로 한 저비점 페이스트 재료에 의해 형성되어 있다.
냉열 전달재(95)가 그리스이며, 그리스가 하방 간극(G2)에 수용되는 것에 의해, 냉열 전달재(95)는 상방 간극(G1)으로부터 측방에 넘쳐흐르는 일 없이, 간극(G) 내에 수용된 상태를 유지할 수 있다. 또한, 냉열 전달재(95)가 그리스인 것에 의해, 성막 프로세스에 있어서 탑재대(20)가 X3 방향으로 회전할 때에, 냉열 전달재(95)와, 냉열 전달재(95)와 접촉하면서 회전하는 볼록부(24) 사이의 전단 저항을 억제할 수 있다. 이에 의해, 전단 저항에 의해서 볼록부(24)가 승온하고, 탑재대(20)가 승온하는 것을 억제할 수 있게 된다. 게다가, 전단 저항의 억제에 의해, 회전 장치(40)에 작용하는 부하 토크의 상승도 억제할 수 있다.
게다가, 제 2 간극(G2)에 그리스로 이루어지는 냉열 전달재(95)가 수용되는 것에 의해, 분체로 이루어지는 냉열 전달재(90)가 적용되는 경우와 마찬가지로, 복수의 전열 루트(Y4, Y5, Y6) 및 이들의 역방향의 전열 루트가 얻어진다. 그 결과, 탑재대(20)와 냉동 장치(30) 사이의 열교환이 현격히 효율적이 되고, 가급적으로 낮은 러닝 코스트로, 또한 높은 스루풋 하에서, 기판(W)의 처리를 실행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 방법을 설명하면, 이하의 같이 된다. 우선, 도 1에 도시되는 기판 처리 장치(100)를 준비한다(기판 처리 장치를 준비하는 공정). 그 다음에, 탑재대(20)에 기판(W)을 탑재하여 X3 방향으로 회전시키고, 냉동 장치(30)에서 냉각된 냉매를 간극(G)에 공급하는 동시에, 냉열 전달재(90, 95)를 거쳐서 냉매(냉각 가스)의 냉열을 탑재대(20)에 전열한다. 이 상태로, 처리 용기(10)의 내부에 처리 가스를 공급하고, PVD법을 이용하여 기판(W)에 대해서 성막 처리를 실행한다(기판을 처리하는 공정).
실시형태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판(W)이 탑재되는 탑재대(20)가 회전하는 것에 의해, 기판(W)의 전역과, 적용되는 타겟(T)의 거리(t1)를 일정하게 유지할 수 있기 때문에, 양호한 면내 균일성과 높은 자기 저항비를 갖는 자기 저항 소자(자성막)를 제조할 수 있다. 또한, 냉동 열 매체(35)와 탑재대(20) 사이의 간극(G)의 내부에 있는 냉매와 탑재대(20) 사이의 전열 루트에 더하여, 간극(G)의 내부에 있는 냉열 전달재(90, 95)를 거친 냉매와 탑재대(20) 사이의 전열 루트가 더해지는 것에 의해, 냉매와 탑재대(20) 사이의 열교환 효율이 현격히 높아진다. 그 결과, 가급적으로 낮은 러닝 코스트로, 또한 높은 스루풋 하에서, 기판 처리를 실행하는 것이 가능하게 된다.
상기 실시형태로 예를 든 구성 등에 대해서, 그 외의 구성요소가 조합되는 등을 한 다른 실시형태여도 좋고, 또한, 본 개시는 본 명세서에서 나타낸 구성에 하등 한정되는 것은 아니다. 이 점에 관해서는, 본 개시의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 변경하는 것이 가능하고, 그 응용 형태에 따라 적절히 정할 수 있다.
예를 들어, 상기의 실시형태에서는, 기판 처리 장치(100)가 성막 장치인 경우를 예로 들어 설명했지만, 기판 처리 장치(100)가 예를 들면, 에칭 장치 등이어도 좋다.
10 : 처리 용기
11 : 타겟 홀더
20 : 탑재대
30 : 냉동 장치
31 : 냉동기
35 : 냉동 열 매체
40 : 회전 장치
51 : 냉매 공급 유로(냉매 유로)
90 : 냉열 전달재(분체)
95 : 냉열 전달재(그리스)
100 : 기판 처리 장치
W : 기판
T : 타겟
G : 간극

Claims (13)

  1. 기판이 탑재되는 탑재대와, 타겟을 보지하는 타겟 홀더를 내부에 구비하고 있는 처리 용기와,
    상기 탑재대의 하면과의 사이에 간극을 구비하여 배치되고, 냉동기와 상기 냉동기에 적층되는 냉동 열 매체를 구비하고 있는 냉동 장치와,
    상기 탑재대를 회전시키는 회전 장치와,
    상기 탑재대를 승강시키는 제 1 승강 장치와,
    상기 냉동 장치의 내부에 마련되고, 상기 간극에 냉매를 공급하는 냉매 유로와,
    상기 간극에 배치되어서, 상기 탑재대와 상기 냉동 열 매체의 쌍방에 열전도 가능하게 접하여 있는 냉열 전달재를 갖는
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉열 전달재가 분체에 의해 형성되어 있는
    기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 분체가 분말상의 구리, 분말상의 은, 또는 분말상의 탄소계 소재 중 어느 일종을 주성분으로 한 재료에 의해 형성되어 있는
    기판 처리 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 냉열 전달재에 대전(帶電) 방지 소재가 더 첨가되어 있는
    기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉열 전달재가 그리스에 의해 형성되어 있는
    기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 그리스가 나노 사이즈의 은, 또는 나노 사이즈의 실리콘 중 어느 일종을 주성분으로 한 저비점 페이스트 재료에 의해 형성되어 있는
    기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탑재대의 상기 하면에는, 상기 탑재대의 회전 중심축에 동축의 원환 형상의 볼록부가 마련되고,
    상기 냉동 열 매체의 상면에는, 상기 볼록부와 동축의 원환 형상의 오목부가 마련되고,
    상기 오목부에 상기 볼록부가 헐거운 끼워맞춤되고, 상기 오목부와 상기 볼록부 사이에 상기 간극이 형성되어 있는
    기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉동 장치를 승강시키는 제 2 승강 장치를 더 갖고 있는
    기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    제어 장치를 더 갖고,
    상기 제어 장치는 상기 제 2 승강 장치만의 승강 제어와, 상기 제 1 승강 장치와 상기 제 2 승강 장치의 동기 제어를 실행하는
    기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 간극의 압력과 온도를 각각 측정하는 압력 센서 및 온도 센서를 더 갖고,
    상기 압력 센서와 상기 온도 센서에 의한 측정 데이터가 상기 제어 장치에 송신되는
    기판 처리 장치.
  11. 기판을 탑재하는 탑재대와, 타겟을 보지하는 타겟 홀더를 내부에 구비하고 있는 처리 용기와,
    상기 탑재대의 하면과의 사이에 간극을 구비하여 배치되고, 냉동기와 상기 냉동기에 적층되는 냉동 열 매체를 구비하고 있는 냉동 장치와,
    상기 간극에 배치되어서, 상기 탑재대와 상기 냉동 열 매체의 쌍방에 열전도 가능하게 접하여 있는 냉열 전달재를 갖는, 기판 처리 장치를 준비하는 공정과,
    상기 탑재대에 상기 기판을 탑재하여 회전시키고, 상기 냉동 장치에서 냉각된 냉매를 상기 간극에 공급하는 동시에, 상기 냉열 전달재를 거쳐서 상기 냉매의 냉열을 상기 탑재대에 전열하고, 상기 처리 용기의 내부에 처리 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하는 공정을 갖는
    기판 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 탑재대를 고정한 상태로, 상기 냉동 장치를 승강시키는 것에 의해, 상기 간극을 조정하는
    기판 처리 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 탑재대와 상기 냉동 장치의 쌍방을 동기하여 승강시키는 것에 의해, 상기 간극을 유지한 상태로 상기 탑재대와 상기 타겟 홀더의 거리를 조정하는
    기판 처리 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220065727A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Kla Corporation Coolant Microleak Sensor for a Vacuum System

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100022423A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Lu Hung-Tu Nanodiamond thermal grease
US20110297321A1 (en) * 2009-01-26 2011-12-08 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Substrate support stage of plasma processing apparatus
JP2019016771A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
KR20190016771A (ko) 2017-08-09 2019-02-19 구근모 건강벨트

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7033443B2 (en) * 2003-03-28 2006-04-25 Axcelis Technologies, Inc. Gas-cooled clamp for RTP
JP5222442B2 (ja) * 2008-02-06 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び被処理基板の温度制御方法
WO2010101191A1 (ja) * 2009-03-03 2010-09-10 東京エレクトロン株式会社 載置台構造、成膜装置、及び、原料回収方法
JP5542280B2 (ja) 2010-11-24 2014-07-09 トヨタ自動車株式会社 放熱グリース組成物
US9140421B2 (en) * 2011-08-12 2015-09-22 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Lighting device for direct and indirect lighting
JP6041823B2 (ja) * 2013-03-16 2016-12-14 ファイザー・インク トファシチニブの経口持続放出剤形
JP6296787B2 (ja) * 2013-12-25 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2016135841A (ja) 2015-01-15 2016-07-28 大日精化工業株式会社 熱伝導性複合酸化物、熱伝導性樹脂組成物及び塗工液
WO2017221631A1 (ja) 2016-06-23 2017-12-28 株式会社アルバック 保持装置
US11201078B2 (en) * 2017-02-14 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Substrate position calibration for substrate supports in substrate processing systems
WO2019009118A1 (ja) * 2017-07-07 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100022423A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Lu Hung-Tu Nanodiamond thermal grease
US20110297321A1 (en) * 2009-01-26 2011-12-08 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Substrate support stage of plasma processing apparatus
JP2019016771A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
KR20190016771A (ko) 2017-08-09 2019-02-19 구근모 건강벨트

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