KR20210112377A - 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소 - Google Patents

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하이코 펠드만
발렌틴 볼징거
윌리암 페이터 판 드렌트
요제프 페이트루스 헨리쿠스 벤쇼프
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칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
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Abstract

광학 회절 구성 요소(60)는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하는 역할을 한다. 광학 회절 구성 요소(60)는 적어도 3 개의 회절 구조 레벨(N1, N2, N3, N4)을 갖는다. 회절 구조 레벨(N1, N2, N3, N4)은 적어도 2 개의 회절 구조 그룹에 할당될 수 있다. 제1 회절 구조 그룹(35)은 제1 목표 파장(λ1)을 억제하는 역할을 한다. 제2 회절 구조 그룹은 제2 목표 파장(λ2)을 억제하는 역할을 한다. 두 목표 파장(λ1 및 λ2)에 대해 다음이 유효하다 :(λ1 -λ2)2/(λ1 + λ2)2 < 20 %. 회절 구조 레벨(N1 내지 N4)의 지형은 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹의 중첩으로 설명될 수 있다. 각각의 바이너리 회절 구조 그룹의 인접한 표면 섹션 사이의 경계 영역(N3 / N1, N2 / N4, N4 / N3, N1 / N2)은 선형 코스를 가지며, 최대한으로 선형 코스의 섹션을 따라 서로 중첩된다. 광학 회절 구성 요소의 하나의 변형에서, 회절 구조의 배열은 적외선 파장 범위의 제1 목표 파장(λ1) - 제1 목표 파장은 상기 주기적 격자 구조 프로파일에 의해 회절됨 - 주위의 파장 범위가 서로 상쇄적으로 간섭하는 적어도 3개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 갖도록 한다. 회절 구조 레벨은 중성 회절 구조 레벨, 양성 회절 구조 레벨 및 음성 회절 구조 레벨을 갖는다. 그 결과, 특히 미광 억제를 위해 사용 가능성이 연장된 광학 회절 부품이 된다.

Description

상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소
본 특허 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2018 220 629.5 및 DE 10 2019 210 450.9 의 우선권을 주장하며, 그 내용은 여기에 참조로 포함된다.
본 발명은 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 광학 회절 구성 요소를 포함하는 투영 노광 장치의 EUV 컬렉터, 그러한 EUV 컬렉터를 포함하는 조명 시스템, 이러한 조명 시스템을 포함하는 광학 시스템, 이러한 광학 시스템을 포함하는 투영 노광 장치, 및 이러한 투영 노광 장치의 도움으로 구조화 구성 요소를 제조하는 방법 및 이러한 방식으로 제조된 구조화 구성 요소에 관한 것이다.
광학 격자 형태의 광학 회절 구성 요소를 포함하는 EUV 컬렉터는 WO 2017/207401 A1 및 WO 2014/114405 A2에 공지되어 있다. EUV 투영 노광 장치에서 IR 파장을 억제하기 위한 광학 격자의 실시예는 공개물 "IR 억제 격자가 통합된 다층 EUV 광학", T. Feigl et al., 2016 EUVL Workshop, Berkeley, June 13-16, 2016에 공지되어 있다. EP 1 540 423 B1은 EUV 리소그래피 시스템에서 사용된 대역 외부의 복사를 억제하기 위한 격자 기반 스펙트럼 필터를 설명한다. US 2014/0131586 A1은 마스크 검사 시스템을 위한 위상 격자를 설명한다. DE 10 2009 044 462 A1은 EUV 조명 시스템 내에서 적외선을 회절시키기 위한 격자 구조를 포함하는 광학 필터 요소를 설명한다. M. Oliva et al., Optics Express, Vol.에 의해 기술 문서 "공명 도메인의 다중 레벨 블레이즈 격자 : 고전적인 제조 접근 방식의 대안", Vol. 19, No. 15, 2011, 페이지 1473 ~ 1475 및 M. Oliva 등의 기술 문서 "공명 영역에서 고효율 3 레벨 블레이즈 격자", OPTICS LETTERS Vol. 35, No. 16, 2010, 페이지 2774-2776은 블레이즈 격자의 다양한 변형을 설명한다. V. Kettunen et al., Journal of Modern Optics 51, 14, 2111-2123, 2004 의 기술 문서 "표면 깊이 오류로 인해 원치 않는 0 차를 억제하도록 설계된 회절 요소"는 프로파일 깊이 오류로 인한 원치 않는 0 차 회절을 억제하기 위한 회절 요소를 공개한다.
DE 195 16 741 A1은 회절 광학적으로 효과적인 구조 배열을 개시한다. DE 100 54 503 A1은 광 회절 바이너리 격자 구조를 개시한다. WO 2007/031 992 A1은 공간적으로 변화하는 듀티 사이클을 갖는 회절 격자를 개시한다.
광학 격자는 사용 광에서 벗어난 파장의 미광(stray light)을 억제하기 위해 사용될 수 있다. 미광은 광학 격자에 의해 광 트랩(빔 덤프)쪽으로 회절될 수 있는 반면, 사용 광은 다른 경로를 사용한다.
본 발명의 목적은 특히 미광 억제를 위해 그 사용 가능성이 연장되는 방식으로 도입부에 언급된 유형의 광학 회절 구성 요소를 개발하는 것이다.
이 목적은 광학 회절 구성 요소에 의해 본 발명에 따른 제1 측면에 따라 달성되며,
- 3 개의 회절 구조 레벨을 갖는 회절 구조를 포함하는 주기적 격자 구조 프로파일을 포함하고,
- 이들은 기준면에 대한 다른 구조 깊이를 미리 규정하며,
- 회절 구조의 배열은 적외선 파장 범위의 제1 목표 파장(λ1) - 제1 목표 파장은 격자 구조 프로파일에 의해 회절됨 - 주변의 파장 범위가 제1 목표 파장(λ1)의 회절의 적어도 0차 및/또는 +/- 제1 차(들)에서 서로 상쇄적으로 간섭하는 적어도 3개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 갖도록 하며,
- 회절 구조 레벨은 주기 진행 방향을 따라 규칙적으로 반복되는 격자 구조 프로파일의 격자 주기의 지형을 미리 규정하고,
- 여기서 상기 회절 구조 레벨은:
-- 기준 높이 0에 해당하는 중성 회절 구조 레벨,
-- 중성 회절 구조 레벨에 비해 λ1/4 +/-20%의 광학 경로 길이만큼 더 높게 배열되는 양성 회절 구조 레벨, 및
-- 중성 회절 구조 레벨에 비해 λ1/4 +/-20 %의 광 경로 길이만큼 더 낮게 배열되는 음성 회절 구조 레벨을 포함한다.
목표 파장(λ1) 주위로 억제될 범위는 억제될 복수의 파장, 예를 들면 EUV 플라즈마 광원의 프리펄스 및 메인 펄스의 상이한 파장을 포함하도록 선택될 수 있다.
제1 측면에 따른 광학 회절 구성 요소의 경우, 첫째로 양성 회절 구조 레벨 및 둘째로 음성 회절 구조 레벨은 중성 회절 구조 레벨에 비해 λ1/4의 광 경로 길이 차이 주위의 최대 20%의 허용 오차 범위로 구현된다. 경로 길이 차이 λ1/4와 비교할때 이 허용 오차는 +/- 20 % 미만일 수 있으며 예를 들어 +/- 10 %, +/- 5 %, +/- 3 %, +/- 2, 또는 심지어 +/- 1 %일 수 있다.
제1 측면에 따른 광학 회절 구성 요소의 경우, 격자 구조 프로파일의 격자 주기는 회절 구조 레벨의 4 개의 주기 섹션으로 세분될 수 있다. 4 개의 주기 섹션 중 2 개는 중성 회절 구조 레벨을 갖는 중성 회절 구조 섹션으로 구현될 수 있다. 4 개의 주기 섹션 중 하나는 양성 회절 구조 레벨을 갖는 양성 회절 구조 섹션으로 구현될 수 있다. 4 개의 주기 섹션 중 하나는 음성 회절 구조 레벨을 갖는 음성 회절 구조 섹션으로 구현될 수 있다. 광학 회절 구성 요소의 이러한 실시예의 경우, 2 개의 중성 회절 구조 레벨은 양성 회절 구조 레벨 또는 음성 회절 구조 레벨에 의해 서로 분리된 방식으로 격자 주기에 배열될 수 있다. 2 개의 중성 회절 구조 레벨을 서로 분리하면 주기 실행 방향에서 동일한 수의 하강 에지 또는 측벽(구조 깊이 증가, 에지 " 계곡 방향 ") 및 상승 에지 또는 측벽(구조 깊이가 다시 감소, 에지 " 첨두 방향") - 각각의 경우에 상호 비교 가능한 구조 높이 차이를 가짐 - 이 존재하는 일련의 회절 구조 레벨을 가능하게 한다. 첫째 하강 에지와 두 번째 상승 에지는 가능한 위상 오류에 관한 한 서로를 각각 보상하며, 그 결과 원치 않는 에지 구조화 및/또는 원치 않는 에지 위치에서 기인할 수 있는 전체 위상 오류는 감소하거나 완전히 회피된다.
대안적으로, 2 개의 중성 회절 구조 레벨은 또한 이중 길이의 중성 회절 구조 레벨로서 격자 주기에 직접 연속적으로 배열될 수 있다.
격자 구조 프로파일의 격자 주기가 세분화될 수 있는 4 개의 주기 섹션은 주기 진행 방향을 따라 동일한 길이를 가질 수 있으며, 길이가 +/- 20 % 미만으로 서로 다를 경우 동일한 길이가 존재한다. 이러한 광학 회절 구성 요소는 목표 파장에 대해 특히 우수한 상쇄 간섭 억제 효과를 발생시킨다. 4 개의 주기 섹션의 길이는 서로 20 % 미만, 예를 들어 15 % 미만, 10 % 미만, 5 % 미만, 2 % 미만 또는 심지어 1 % 미만까지 편차가 있을 수 있다. 4 개의 주기 섹션의 길이도 정확히 동일할 수 있다.
격자 구조 프로파일의 격자 주기가 세분화될 수 있는 4 개의 주기 섹션은 다음 순서를 가질 수 있다: 양성 회절 구조 레벨, 중성 회절 구조 레벨, 음성 회절 구조 레벨, 중성 회절 구조. 이러한 일련의 주기 섹션이 특히 적합한 것으로 밝혀졌다. 상응하는 서열은 상기 표시된 서열을 순환적으로 교환함으로써 달성될 수 있으며, 따라서 다음과 같은 순서가 초래된다: 예를 들어, 중성 회절 구조 레벨, 양성 회절 구조 레벨, 중성 회절 구조 레벨, 음성 회절 구조 레벨.
네 가지 주기 섹션의 이하 순서도 가능하다. 음성 회절 구조 레벨, 중성 회절 구조 레벨, 양성 회절 구조 레벨, 중성 회절 구조 레벨. 이 변형의 경우 순환 교환(cyclic interchange)도 가능하다.
다음은 4 개의 주기 섹션 순서의 추가 변형으로 사용될 수 있다: 중성 회절 구조 레벨, 중성 회절 구조 레벨; 양성 회절 구조 레벨, 음성 회절 구조 레벨. 따라서, 여기서, 2 개의 중성 회절 구조 레벨은 특히 이중 길이의 공통 중성 회절 구조 레벨로서 서로 바로 옆에 존재한다. 예를 들어, 이 변형의 경우에도 순환 교환이 가능하다.
제1 측면에 따른 광학 회절 구성 요소의 경우, 회절 구조의 배열은 격자 구조 프로파일에 의해 회절되는, 적외선 파장 범위에 있는, 목표 파장을 포함하는 목표 파장 범위가 적어도 제1 목표 파장의 회절의 0차 및/또는 +/- 제1 차(들)에서 서로 상쇄 간섭하는 적어도 3 개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 가지도록 될 수 있으며, 여기서 목표 파장 범위는 또한 제1 목표 파장(λ1) 이외에도 그와 다른 제2 목표 파장(λ2)을 포함하며, 회절 구조의 배열은 격자 구조 프로파일에 의해 회절되는, 적외선 파장 범위에 있는, 제2 목표 파장 주위의 파장 범위가 또한 적어도 제1 목표 파장의 회절의 0차 및/또는 +/- 제1 차(들)에서 서로 상쇄 간섭하는 적어도 3 개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 가지도록 될 수 있으며, 여기서 목표 파장 범위는 또한 제1 목표 파장 이외에도 그와 다른 목표 파장을 포함하며, 회절 구조의 배열은 격자 구조 프로파일에 의해 회절되는, 적외선 파장 범위에 있는, 제2 목표 파장 주위의 파장 범위가 적어도 제2 목표 파장의 회절의 0차 및/또는 +/- 제1 차(들)에서 서로 상쇄 간섭하는 적어도 3 개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 가지도록 될 수 있으며, 여기서 2개의 목표 파장(λ1 및 λ2)에 대해 (λ1-λ2)2/(λ1+λ2)2 < 20%가 유효하다. 이러한 광학 회절 구성 요소의 장점은 이미 위에서 설명한 것과 일치한다.
두 목표 파장 간의 차이를 특성화하는 상한값에 대해, 다음이 유효하다 (λ1-λ2)2/(λ1+λ2)2 <10 %, <5 %, <2 %, <1 %, <0.5 %, <0.2 %, <0.1 % 또는 심지어 <0.05 %. 예를 들어 상한값은 0.037 %가 될 수 있다. 상한값은 0.0002 %와 같이 훨씬 더 작을 수도 있다. 광학 회절 구성 요소의 2 개 이상의 회절 구조 그룹에 의해 억제되는 2 개의 목표 파장은 정확히 동일할 수 있다. 두 목표 파장 간의 차이를 특징으로 하는 편차 (λ1-λ2)2/(λ1+λ2)2 는 0.0001 %보다 클 수 있고, 0.001 %보다 클 수 있으며, 0.01 %보다 클 수 있으며, 0.1 % 보다 클 수 있고, 0.2 % 보다 클 수 있으며, 0.5 % 보다 클 수 있으며, 0.7 % 보다 클 수 있으며, 또한 더 클 수도 있다.
목표 파장은 IR 파장 범위, 예를 들어 10.6 μm의 CO2 레이저 방출 파장의 범위 내에 있을 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, NIR 파장 범위, 가시 파장 범위, UV 파장 범위 또는 DUV 파장 범위의 파장은 억제될 목표 파장을 구성할 수 있다. 두 목표 파장 중 하나는 10.2 μm 가 될 수 있고 두 목표 파장 중 다른 하나는 10.6 μm 가 될 수 있다. 목표 파장은 EUV 플라즈마 광원의 프리펄스 및 메인 펄스의 파장에 적응될 수 있다.
2 개의 상이한 목표 파장을 억제하기 위한 적어도 2 개의 회절 구조 그룹의 설계는 억제 설계 대역폭이라고도 지칭될 수 있는 미리 규정된 파장 대역폭 내의 파장 억제를 초래한다. 이 억제 설계 대역폭 내에 있는, 즉 광학 회절 구성 요소에 의해 효과적으로 억제될 수 있는 파장은 목표 파장에 대응할 수 있고/있거나 목표 파장 사이에 있을 수 있고/있거나 목표 파장 사이의 파장 범위 밖에 있을 수 있다. 10.2 μm 의 파장을 억제하기 위해, 예를 들어, 제1 회절 구조 그룹이 설계된 제1 목표 파장은 10.25 μm일 수 있고, 제2 회절 구조 그룹이 설계된 제2 목표 파장은 10.55 μm일 수 있다. 목표 파장의 선택은 선택적으로 복수의 상이한 파장 또는 파장 대역폭을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 요구 사항에 따라 발생한다. 이 경우, 목표 파장 외에 추가로 최소의 상쇄 간섭의 위치도 고려될 수 있거나 어떤 파장이 의도적으로 억제되지 않도록 의도되었는지 고려하는 것이 가능하다.
광학 회절 구성 요소와 관련하여 위에서 이미 논의된 것은 여기서 목표 파장(λ1 및 λ2)의 선택에 대해 유효할 수 있다.
상기 목적은 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소에 의해 본 발명에 따른 제2 측면에 따라 달성되며,
- 기준면에 대한 서로 다른 구조 깊이를 미리 규정하는 적어도 3 개의 회절 구조 레벨을 포함하고,
- 3 개의 회절 구조 레벨은 적어도 2 개의 회절 구조 그룹에 할당될 수 있으며,
- 제1 회절 구조 그룹은 0 차 회절에서 제1 목표 파장(λ1)을 억제하기 위해 구현되고,
- 제2 회절 구조 그룹은 0 차 회절에서 제2 목표 파장(λ2)를 억제하기 위해 구현되며,
- 2 개의 목표 파장(λ1 및 λ2)에 대해 이하가 유효하다:
- 회절 구조 레벨의 지형은 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹의 중첩으로 설명될 수 있으며,
- 각각의 바이너리 회절 구조 그룹은
- 제1 구조 깊이를 갖는 제1 표면 섹션;
- 진행 방향을 따라 제1 표면 섹션과 교호하는, 제2 구조 깊이를 갖는 제2 표면 섹션을 가지며,
- 여기서 각각의 바이너리 회절 구조 그룹의 인접한 표면 섹션 사이의 경계 영역은 선형 코스를 가지며, 여기서
- 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹 중 첫 번째의 제1 경계 영역 및
- 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹 중 두 번째의 제2 경계 영역
- 은 최대한으로 선형 코스의 섹션을 따라 서로 중첩된다.
서로 너무 멀지 않은 각각의 목표 파장을 억제하는 역할을 하는 적어도 2 개의 회절 구조 그룹에 차례로 할당 가능한 적어도 3 개의 회절 구조 레벨을 포함하는 광학 회절 구성 요소의 사용은 놀랍게도 개별 회절 구조 그룹의 억제 효과를 분명히 넘어서는 목표 파장의 억제의 개선을 초래한다. 종래 기술의 광학 회절 구성 요소와 비교하여, 이는 광학 회절 구성 요소의 사용 가능성의 유연성을 향상시키는 데 사용될 수 있는 설계 자유도를 초래한다. 상이한 회절 구조 그룹은 광학 회절 구성 요소의 동일한 광학적으로 사용되는 영역을 차지할 수 있으며, 즉 상기 광학적으로 사용되는 영역 상의 서로 분리된 섹션에 배열될 필요가 없다. 광학 회절 구성 요소는, 특히 2 개의 회절 구조 그룹이 동일한 목표 파장 또는 미광 파장을 억제하도록 설계되도록, 설계될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 광학 회절 구성 요소는 회절 구조 그룹의 적절한 설계로 복수의 목표 파장을 억제하도록 설계될 수 있다. 복수의 회절 구조를 포함하는 이러한 광학 회절 구성 요소의 경우, 정확히 하나의 회절 구조를 포함하는 광학 회절 구성 요소에 비해 회절 효과가 개선되는 것을 발견하였다. 복수의 회절 구조 그룹을 포함하는 광학 회절 구성 요소를 사용하면, 동일한 억제 효과가 종래 기술과 비교하여 완화된 제조 공차로 달성될 수 있다.
회절 구조 그룹은 정확히 하나의 목표 파장을 억제하기 위해 배열되고 형성된 적어도 2 개의 회절 구조 레벨의 배열이다. 회절 구조 그룹의 한 예는 광학 격자이다. 적어도 3 개의 회절 구조 레벨을 적어도 2 개의 회절 구조 그룹에 할당하는 것은 적어도 하나의 회절 구조 레벨이 복수의 회절 구조 그룹에 할당되도록 규칙적으로 한다.
처음에 논의된 제1 측면에 따른 광학 회절 구성 요소는 또한 이러한 유형의 적어도 1 개 또는 아니면 적어도 2 개의 회절 구조 그룹을 포함할 수 있다.
두 목표 파장 간의 최대 차이에 대한 장점은 이미 위에서 설명한 것과 일치한다. 제1 측면에 따른 광학 회절 구성 요소와 관련하여 위에서 이미 논의된 것은 목표 파장(λ1 및 λ2)의 선택을 위해 여기서 주장될 수 있다.
제2 목표 파장(λ2)의 경우에도, 광학 회절 구성 요소의 회절 구조의 적절한 설계로 인해 이것이 상쇄 간섭에 의해 감쇠되거나 억제된다는 것이 유효하다.
광학 회절 구성 요소는 정확히 3 개의 회절 구조 레벨을 포함할 수 있고 정확히 2 개의 회절 구조 그룹을 포함할 수 있다. 대안적으로, 광학 회절 구성 요소는 또한 3 개 보다 많은 회절 구조 레벨, 예를 들어 4 개, 5 개, 6 개 또는 심지어 더 많은 회절 구조 레벨, 및 상응하게 또한 2 개 보다 많은 회절 구조 그룹을 포함할 수 있다.
바이너리 구조는 포지티브 구조("피크") 및 네거티브 구조("밸리")를 포함하는 구조이며, 포지티브 구조의 총 면적은 미리 규정된 공차 내에서 네거티브 구조의 전체 면적에 상응한다. 첫 번째의 포지티브 구조의 총 면적과 두 번째의 네거티브 구조의 차이는 20 % 미만일 수 있고, 10 % 미만일 수 있으며, 5 % 미만일 수 있으며, 2 % 미만일 수 있으며, 또한 1% 미만일 수 있다. 전체 면적은 또한 정확히 동일할 수 있다.
제1 및 제2 바이너리 구조의 경계 영역이 최대로 경계 영역의 선형 코스의 섹션을 따라 서로 중첩된다는 사실은 비교적 단순한 형태의 리소그래피 마스크 구조의 도움으로 광학 회절 구성 요소를 생성할 수 있는 가능성을 제공한다. 이것은 먼저 회절 구조 레벨 영역에 대해 및 구조 깊이에 대해 좁은 공차를 준수하여 광학 회절 구성 요소를 정밀하게 생산할 수 있는 가능성을 제공한다. 특히, 바람직하게는 크고 바람직하게는 경계 영역의 정확한 측벽 경사도를 갖는 회절 구조 그룹을 생성할 수 있다.
광학 회절 구성 요소는 상승 경계 영역, 즉 상승 레벨 측벽에 동일한 구조 깊이, 즉 동일한 구조 높이 차이를 갖는 하강 경계 영역이 할당되도록 형성될 수 있다.
제2 측면에 따른 광학 회절 구성 요소는 추가로, 선행하는 청구항에 따른 광학 회절 구성 요소와 관련하여 위에서 논의된 특징을 가질 수 있다.
광학 회절 구성 요소의 경우, 2개의 바이너리 회절 구조 그룹 중 첫 번째의 제1 경계 영역과 2개의 바이너리 회절 구조 그룹 중 두 번째의 제2 경계 영역은 서로 완전히 분리될 수 있다. 경계 영역의 이러한 완전히 분리된 코스는 특히 광학 회절 구성 요소의 리소그래피 생산을 더욱 단순화시킨다.
제1 회절 구조 그룹은 격자 표면 상에 배열된 제1 회절 격자로서 구현될 수 있다. 상기 제1 회절 격자는 제1 격자 주기 및 각각이 이러한 제1 구조들을 둘러싸는 격자 표면의 표면 섹션에 수직인, 제1 회절 포지티브 구조와 제1 회절 네거티브 구조 사이의 광 경로 차이로서 측정된 제1 구조 깊이를 가질 수 있다. 제2 회절 구조 그룹은 격자 표면에 배열된 제2 회절 격자로 구현될 수 있다. 이러한 제2 회절 격자는 제2 격자 주기 및 각각 이러한 제2 구조를 둘러싸는 격자 표면의 표면 섹션에 수직인, 제2 회절 포지티브 구조와 제2 회절 네거티브 구조 사이의 광 경로 차이로 측정된 제2 구조 깊이를 가질 수 있다. 이러한 실시예와 관련하여, 서로 근본적으로 독립적인 격자 주기 및 서로 근본적으로 독립적인 구조 깊이를 갖는 적어도 2 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자의 사용 - 여기서 구조 깊이는 적어도 하나의 회절 격자의 경우에 격자에 비해 작음 - 은 종래 기술의 광학 격자와 비교하여, 광학 격자의 사용 가능성의 유연성을 향상시키기 위해 사용될 수 있는 설계 자유도를 초래한다. 2 개의 회절 격자는 동일한 격자 표면을 차지할 수 있다, 즉 격자 표면의 별도 섹션에 배치되지 않는다. 2 개의 회절 격자는 격자 표면에서 서로 겹쳐지는 방식으로 존재한다. 광학 격자는 2 개의 회절 격자가 동일한 미광 파장을 억제하도록 설계되는 덕분에 미광 억제가 개선되도록 설계될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 광학 격자는 복수의 미광 파장이 억제될 수 있도록 설계될 수 있다. 또한, 놀랍게도, 복수의 회절 격자를 포함하는 이러한 광학 격자를 사용하면 회절 효과, 특히 0 차 회절에서 상쇄 간섭의 결과로 인한 억제 효과가 정확히 하나의 회절 격자를 포함하는 광학 격자와 비교할때 개선된다는 것이 발견되었다. 따라서 동일한 억제 효과는 복수의 회절 격자를 포함하는 광학 격자를 사용하여 완화된 제조 공차로 달성될 수 있다.
광학 격자는 반사 격자로 구현될 수 있지만, 대안적으로 전송 격자로, 예를 들어 위상 격자로 구현될 수도 있다.
격자 표면은 평면 또는 곡선 예를 들어 볼록하거나 오목으로 구현될 수 있다. 격자 표면은 예를 들어 빔 컬렉터 또는 거울과 같은 일부 다른 광학 기능을 추가로 갖는 광학 구성 요소의 광학 표면의 일부일 수 있다. 제1 회절 격자 및/또는 제2 회절 격자는 포지티브 구조의 표면적이 네거티브 구조의 표면적과 동일한 바이너리 격자로 구현될 수 있다. 가장 간단한 경우 구조 깊이는 각 회절 포지티브 구조와 관련 회절 네거티브 구조 사이의 높이 차이가 될 수 있다.
광학 격자는 특히 광학 격자 및/또는 고 반사성 층을 보호하기 위해 고 반사성 층 및 선택적으로 보조 층을 추가로 보유할 수 있다. 반사율이 높은 층은 다층으로 구현될 수 있다. 고 반사층은 특히 5nm 와 30nm 사이의 파장 범위에서 EUV 광에 대해 구현될 수 있다.
광학 회절 구성 요소는 상응하게 배열된 회절 구조 레벨을 갖는 다중 레벨 회절 격자로서 구현될 수 있다.
이 경우 구조 깊이는 목표 파장의 6 분의 1이될 수 있다. 다중 레벨 격자가 그에 따라 형성되면, 구조 깊이도 목표 파장의 1/4이 될 수 있다.
서로 다른 회절 구조 레벨의 수 m에 따라, 목표 파장(λN) 에 따른 구조 깊이는 다음과 같을 수 있다. b = λN/(2m).
격자 주기는 밀리미터 범위 일 수 있으며, 예를 들어 1mm 또는 2mm 일 수 있다.
회절 구조 레벨은 평면 표면으로 구현될 수 있다.
다른 회절 격자의 격자 주기는 서로 적분 비율(integral ratio)일 수 있다. 격자 주기는 서로에 대해 규정된 위상 오프셋을 가질 수 있다.
격자 주기의 비율은 1 : 2가 될 수 있다. 3 개의 회절 격자를 사용하면, 격자 주기의 비율은 1 : 2 : 4 또는 1 : 2 : 2 일 수 있다.
제1 회절 포지티브 구조의 표면적에 대한 제1 회절 네가티브 구조의 표면적의 표면적 비는 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있다. 제2 회절 포지티브 구조의 표면적에 대한 제2 회절 네가티브 구조의 표면적의 표면적 비율은 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있다. 이에 상응하는 정확한 바이너리 회절 구조 그룹이 생성된다.
제1 격자 주기와 제1 구조 깊이 사이의 비율은 10보다 클 수 있다. 제2 격자 주기와 제2 구조 깊이 사이의 비율은 10보다 클 수 있다.
그에 따라 다른 목표 파장이 억제된다. 2 개의 목표 파장(λ1 및 λ2) 외에, 더 크게 벗어나는 목표 파장 또한 억제될 수 있다. 예를 들어, 적외선 파장 범위에서 다른 목표 파장과 자외선 파장 범위에서 추가 목표 파장을 동시에 억제하는 것이 가능하다.
제1 격자 주기 대 제2 격자 주기의 주기 비율은 0.9와 1.1 사이의 범위에있을 수 있다.
이러한 주기 비율을 갖는 광학 회절 구성 요소를 잘 제조할 수 있다. 제1 및 제2 회절 격자의 격자 주기는 정확히 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다.
이러한 광학 회절 구성 요소의 장점은 특히 EUV 파장에 대한 양호한 반사 조건과 함께 제2 회절 격자의 경우를 포함하여 더 높은 파장의 양호한 미광 억제를 가능하게 한다.
제2 회절 격자의 구조 깊이에 대한 제1 회절 격자의 구조 깊이의 구조 깊이 비율은 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있다. 제1 및 제2 회절 격자의 구조 깊이는 서로 다를 수 있지만 동일할 수도 있다. 1.1과 20 사이의 범위에서 2 개의 회절 격자 사이에 훨씬 더 큰 구조 깊이 비율, 예를 들어 10의 영역의 구조 깊이 비율도 가능하다.
격자 표면에 배열된 2 개의 회절 격자를 포함하는 광학 회절 구성 요소의 경우, 제1 격자 주기는 제1 회절 격자의 제1 주기 진행 방향을 따라 진행될 수 있고, 제2 격자 주기는 제2 회절 격자의 제2 주기 진행 방향을 따라 진행될 수 있으며, 여기서 2 개의 주기 진행 방향은 서로 평행할 수 없다. 제1 및 제2 회절 격자의 주기 진행 방향이 서로 평행하게 진행되지 않는 이러한 광학 회절 구성 요소는 가치가 있는 것으로 입증되었다. 주기 진행 방향 사이의 가장 작은 각도는 90 ° 일 수 있으며, 2개의 주기 진행 방향은 서로 수직이다. 예를 들어 60 °, 55 °, 45 ° 또는 30 ° 영역에서 더 작은 최소 각도도 가능하다.
대안적으로, 적어도 2 개의 회절 구조 그룹의 2 개의 주기 진행 방향이 서로 평행하게 진행되는 광학 회절 구성 요소의 실시예가 또한 가능하다.
격자 표면 상에 배열된 2 개의 회절 격자를 포함하는 광학 회절 구성 요소는 격자 표면 상에 배열된 적어도 하나의 추가 회절 격자를 포함할 수 있다. 상기 추가 회절 격자는 추가 회절 포지티브 구조 및 추가 회절 네거티브 구조를 포함할 수 있으며, 여기서 추가 회절 포지티브 구조의 표면적 대 추가 회절 네거티브 구조의 표면적의 표면적 비율은 0.9와 1.1 사이의 범위이다. 상기 추가 회절 격자는 추가 격자 주기 및 이들 추가 구조를 각각 둘러싸는 격자 표면의 표면 섹션에 수직인, 추가 회절 포지티브 구조와 추가 회절 네거티브 구조 사이의 광 경로 차이로 측정되는 추가 구조 깊이를 갖는다. 적어도 하나의 추가 회절 격자를 포함하는 이러한 광학 회절 구성 요소는 이용 가능한 설계 자유도의 상응하는 추가 증가를 초래한다. 적어도 3 개의 회절 격자의 주기 진행 방향 중 적어도 2 개는 서로 다른 방향을 가질 수 있다. 대안적으로, 적어도 3 개의 회절 격자의 모든 주기 진행 방향이 서로 평행하게 진행될 수도 있다.
제1 회절 격자, 제2 회절 격자 및 추가 회절 격자가 모두 격자 표면에 배열된 광학 회절 구성 요소의 경우, 추가 격자 주기와 추가 구조 깊이 사이의 비율은 10보다 클 수 있다. 추가 격자 주기에 대한 첫 번째 격자 주기의 비율은 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있다. 제1 격자 주기는 제1 회절 격자의 제1 주기 진행 방향을 따라 진행될 수 있고, 추가 격자 주기는 추가 회절 격자의 추가 주기 진행 방향을 따라 진행될 수 있으며, 여기서 2 개의 주기 진행 방향은 서로 평행하게 진행되지 않는다.
이러한 광학 회절 구성 요소의 장점은 이미 위에서 설명한 것과 일치한다. 제1 회절 격자 및 추가 회절 격자의 격자 주기는 동일할 수 있지만 상이할 수도 있다. 0.9와 1.1 사이의 범위의 상응하는 주기 비율 또는 동일한 격자 주기가 또한 제2 회절 격자와 적어도 하나의 추가 회절 격자 사이에 존재할 수 있다.
추가 회절 격자에 대한 제1 회절 격자의 구조 깊이 비율은 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있으며; 제1 회절 격자 및 추가 회절 격자의 구조 깊이는 서로 다를 수 있지만 동일할 수도 있다. 0.9와 1.1 사이의 범위의 대응하는 구조 깊이 비율 또는 동일한 구조 깊이가 또한 제2 회절 격자와 적어도 하나의 추가 회절 격자 사이에 존재할 수 있다. 추가 회절 격자의 구조 깊이와 1.1 내지 20 범위, 예를 들어 10의 영역에서 제1 및/또는 제2 회절 격자 사이의 훨씬 더 큰 구조 깊이 비율이 또한 가능하다.
제1 회절 격자와 추가 회절 격자의 주기 진행 방향들 사이의 최소 각도는 20 °와 25 ° 사이의 범위에 있을 수 있다. 예를 들어 10 °에서 80 ° 사이의 다른 가장 작은 각도도 가능하다. 상응하는 진행 방향 각도는 또한 제2 회절 격자의 주기 진행 방향과 적어도 하나의 추가 회절 격자의 주기 진행 방향 사이에 존재할 수 있다.
다양한 회절 구조 그룹의 회절 포지티브 구조 및 회절 네거티브 구조의 표면적은 전체 격자 표면에 동일한 기여를 할 수 있다. 이러한 동일한 표면적 기여는 특히 광학 회절 구성 요소의 상이한 회절 구조 그룹에 대한 바이너리 격자를 생성한다. 이것은 광학 회절 구성 요소의 적절한 설계의 경우에 0 차 회절 영역에서 높은 미광 억제를 보장한다.
두 가지 측면의 광학 회절 구성 요소의 위에서 논의된 특징은 또한 서로 결합될 수 있다.
위에서 논의된 두 가지 측면 중 적어도 하나의 유형의 광학 회절 구성 요소는 적어도 하나의 마스크 구조가 사용되는 마스크 에칭 방법에 의해 생성될 수 있다. 마스크 영역 및/또는 마스크 갭의 위치가 다른 복수의 마스크 구조가 또한 사용될 수 있다. 그 다음, 기판은 이들 상이한 마스크를 순차적으로 사용하거나 적어도 2 개의 순차적 에칭 단계에서 하나의 동일한 마스크 구조의 변위에 의해 에칭될 수 있다. 3 개 이상의 상이한 마스크 구조가 또한 광학 회절 구성 요소를 생성하기 위한 이러한 마스크 에칭 방법에 사용될 수 있다.
프로젝션 노광 장치, 특히 EUV 프로젝션 노광 장치에서 사용될 수 있고 위에서 설명한 특성을 갖는 광학 회절 구성 요소를 갖는 컬렉터 또는 컬렉터 미러의 장점은 광학 회절 구성 요소를 참조하여 이미 위에서 설명한 것과 일치한다. 이러한 장점은 특히 레이저 유도 방전에 의해 플라즈마가 생성되는 EUV 광원과 함께 사용하는 경우에 분명한다. 컬렉터 또는 컬렉터 미러는 특히 5 nm와 30 nm 사이의 파장 범위에 대해 EUV 컬렉터/컬렉터 미러일 수 있고 및/또한 특히 150 nm와 250 nm 사이의 파장 범위에 대해 DUV(Deep UltraViolet) 컬렉터/컬렉터 미러 즉 컬렉터 미러일 수 있다.
이것은 특히 컬렉터 미러가 초점 영역을 향해 EUV 방사선을 안내하는 방식으로 구현된 EUV 컬렉터 미러에 적용되며, 여기서 광학 회절 구성 요소는 초점 영역에서 멀어지게 적어도 하나의 목표 파장의 방사선을 안내하는 방식으로 구현된다. 적어도 하나의 목표 파장의 방사선은 미광이라고도 한다.
조명 시스템은 컬렉터 특히 EUV 컬렉터, 및 이미징될 대상물이 배열 가능한 오브젝트 필드를 조명하는 조명 광학 유닛을 포함할 수 있다. DUV 또는 EUV 사용 광은 조명 광으로서 사용할 수 있다. 이러한 조명 시스템의 장점은 본 발명에 따른 컬렉터를 참조하여 위에서 이미 설명된 것들에 대응한다. 사용 광은 광학 회절 구성 요소에 의해 정확하게 억제되지 않는다 즉, 억제될 미광과 다른 파장을 가지고 있다.
조명 시스템은 미광 제거 위치 영역 및 예를 들어 이러한 목적을 위해 제공된 빔 덤프(beam dumps) 영역에서 미광의 균일한 분포를 초래하도록 전술한 바와 같이 구현된 광학 회절 구성 요소로 형성될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 특히 조명 시스템의 조명 빔 경로의 특정 섹션, 예를 들어 동공 평면의 영역에서 사용 광의 미리 규정된 분포 함수를 보장하는 것이 가능하다.
광학 시스템은 이러한 조명 시스템 및 오브젝트 필드를 이미지 필드로 이미징하기 위한 투영 광학 유닛을 포함할 수 있으며, 여기서 기판은 이미지 필드에 배열될 수 있으며, 이미징될 물체의 섹션이 기판에 이미징될 수 있다. 투영 노광 장치는 그러한 광학 시스템 및 광원, 특히 EUV 광원을 포함할 수 있다. 구조화된 부품을 생산하기 위해, 레티클과 웨이퍼가 제공될 수 있다. 레티클 상의 구조는 그러한 투영 노광 장치의 도움으로 웨이퍼의 감광층 상에 투영될 수 있다. 이를 통해 웨이퍼 상에 미세 구조 및/또는 나노 구조를 생성할 수 있다. 이러한 광학 시스템의, 이러한 투영 노광 장치의, 이러한 제조 방법의 및 이러한 미세 구조의 및/또는 나노 구조 구성 요소의 장점은 본 발명에 따른 컬렉터를 참조로 이미 전술한 것들과 상응한다.
EUV 광원이 사용되는 한, EUV 파장을 생성하는 플라즈마를 생성하기 위한 펌프 광원을 포함할 수 있다. 펌프 광원은 프리펄스 광 파장을 갖는 프리펄스를 생성하고 주 펄스 광원을 갖는 주 펄스를 생성하기 위하여 구현될 수 있다. 프리펄스 광 파장은 주 펄스 파장과 다를 수 있다. 프로젝션 노광 장치의 EUV 광원의 펌프 광원의 경우 프리펄스 광의 첫 번째 파장과 주 펄스 광의 두 번째 파장 간의 대응하는 차이는 목표 파장(λ1 및 λ2)과 관련하여 이미 위에서 설명한 상한 및/또는 하한 값을 가질 수 있다.
특히, 투영 노광 장치를 사용하여 반도체 부품, 예를 들어 메모리 칩을 제조할 수 있다.
특히, 구조화된 구성 요소의 제조 동안, 광의 파장 범위는 제1 파장(λ1)을 갖는 광이 컬렉터의 초점 영역으로부터 멀리 회절되도록 컬렉터에 충돌할 수 있다. 제1 파장(λ1)은 파장 범위 내에 있을 수 있고, 적외선 파장 영역에 있을 수 있다. 이러한 파장 범위는 회절의 적어도 하나의 차수에서 서로 상쇄 간섭하는 적어도 3 개의 상이한 위상을 포함하는 방사 성분을 포함할 수 있다. 그러한 회절의 적어도 하나의 차수는 제1 파장(λ1)의 0 차 회절, 제1 파장(λ1)의 플러스 제1 차 회절 또는 제1 파장(λ1)의 마이너스 제1 차 회절일 수 있다. 파장 범위는 제2 파장(λ2)을 포함할 수 있으며, 상기 방법은 컬렉터의 초점 영역으로부터 멀어지는 제2 파장(λ2)을 갖는 회절 광을 더 포함할 수 있다. 제2 파장(λ2)은 제1 파장(λ1)과는 상이할 수 있으며, 적외선 파장 범위 내에 있을 수 있다.
파장 범위는 제2 파장(λ2)의 0차 회절, 제2 파장(λ2)의 플러스 제1 차 회절 및 제2 파장(λ2)의 마이너스 제1 차 회절일 수 있는 적어도 하나의 회절 차수에서 서로 상쇄 간섭하는 적어도 3개의 추가의 상이한 위상을 포함하는 방사 성분을 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면을 참조하여 아래에서 더 상세히 설명된다. 도면에서:
도 1은 EUV 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치를 개략적으로 도시한다;
도 2는 EUV 사용 광을 플라즈마 소스 영역으로부터 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 필드 패싯 미러로 안내하기 위한 EUV 컬렉터의 환경에서 투영 노광 장치의 광원의 상세를 도시하되, 여기서 EUV 컬렉터는 자오 섹션에 도시되어 있다;
도 3은 도 3과 비교하여 보다 추상적인 예시로, EUV 컬렉터에서 반사/회절의 경우의 첫 번째로 EUV 사용 광과 두 번째로 파장-다른 미광 성분의 안내를 도시한다;
도 4는 상호 수직 주기 진행 방향들 및 동일한 격자 주기를 갖는 회절 구조 그룹으로서 2 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자의 격자 표면의 단면의 평면도를 도시하며, 여기서 도 4에서 정사각형인 회절 구조의 3 개의 회절 구조 레벨을 미리 규정하는 구조 깊이는 상이한 유형의 해칭에 의해 예시되며, 여기서 광학 격자는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 일 실시예를 구성한다;
도 5는 계산된 이상적인 경우에 대한 및 추가의 계산된 더 현실적인 경우에 대한 및 본 발명에 따르지 않는 기준 격자에 대한, 도 4에 따른 광학 격자의 파장 의존적 반사율 R을 다이어그램으로 도시하되, 광학 격자의 2 개의 회절 격자는 2 개의 상이한 파장을 억제하기 위해 구현된다;
도 6은 도 5와 유사한 다이어그램에서, 도 4에 따른 광학 격자의 경우의 관계를 나타내며, 여기서 2 개의 회절 격자는 동일한 구조 깊이를 가져서, 광학 격자는 정확히 하나의 파장을 억제하도록 구현된다;
도 7은 도 4와 유사한 예시에서, 서로에 대해 45 °의 각도를 가정하는 주기 진행 방향을 갖는 회절 구조 그룹으로서 2 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자의 추가 실시예를 도시하며, 여기서 광학 격자는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 일 실시예를 구성한다;
도 8은 도 4 및 도 7와 유사한 예시에서, 회절 구조 그룹으로서 3 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자의 추가 실시예를 도시하며, 그 중 2 개는 서로 수직인 주기 진행 방향을 가지며, 그 중 세번째 회절 격자는 그에 대해 대각선 주기 진행 방향을 가지며, 여기서 광학 격자는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 일 실시예를 구성한다;
도 9는 도 5 및 도 6과 유사한 다이어그램에서, 3 개의 회절 격자가 모두 하나의 동일한 파장을 억제하도록 구현된, 도 8에 따른 광학 격자의 경우의 반사 관계를 도시한다;
도 10은 도 9와 유사한 다이어그램에서, 도 8과 같은 유형의 광학 격자의 경우의 반사 관계를 도시하며, 여기서 3 개의 회절 격자는 서로 다른 구조 깊이를 가지므로 광학 격자는 다른 파장을 억제하도록 구현된다;
도 11은 도 8과 유사한 예시에서, 0과 다른 각도를 쌍으로 가정하는 각각의주기 진행 방향을 갖는 회절 구조 그룹으로서 3 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자의 추가 실시예를 도시하며, 여기서 광학 격자는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 실시예를 구성한다;
도 12 및 도 13은 도 11과 유사한 예시에서, 도 11에 따른 실시예의 것에 대응하는 주기 진행 방향을 갖는 회절 구조 그룹으로서 각각 3 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자의 추가 실시예를 도시하며, 여기서 도 12 및 도 13에 따른 실시예의 회절 구조는 서로에 대해 오프세된 방식으로 그리고 각각의 주기 진행 방향에서 도 11에 따른 실시예와 관련하여 배치되며, 여기서 광학 격자는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 구성한다;
도 14는 제1 격자 주기 및 제1 구조 깊이를 갖는 바이너리 격자로 구현된, 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예에 속하는 제1 회절 구조 그룹을 측면도로 도시한다;
도 15는 도 14와 유사한 예시에서 광학 회절 구성 요소의 일부로서 추가 회절 구조 그룹을 도시하며, 여기서 추가 회절 구조 그룹은 격자 주기 및 구조 깊이를 갖는 바이너리 격자로 차례로 구현되고, 여기서 이 회절 구조 그룹의 생성 동안 가능한 오버레이 에러는 점선 방식으로 추가로 표시된다;
도 16은 도 14 및 도 15 에 따른 2 개의 회절 구조 그룹의 중첩으로서 발생하는 광학 회절 구성 요소를 도시한다;
도 17 내지 도 19는 도 14 내지 도 16과 유사한 예시에서 2 개의 회절 구조 그룹과 중첩의 결과로서 그로부터 발생하는 추가 광학 회절 광학 요소를 도시한다;
도 20 내지 도 22는 도 14 내지 도 16과 유사한 예시에서 2 개의 회절 구조 그룹과 중첩의 결과로서 그로부터 발생하는 추가 광학 회절 구성 요소를 도시한다;
도 23은 도 16, 19 또는 22로부터의 유형의 광학 회절 구성 요소의 반사율을 다이어그램으로 나타내며, 여기서 각각의 제1 회절 구조 그룹의 구조 높이는 목표 파장을 억제하기 위한 값으로 고정되고, 반사율은 다른 회절 구조 그룹의 구조 높이의 함수로 표시된다;
도 24는 다시 한번 제1 회절 구조 그룹의 고정된 구조 깊이로, 두 회절 구조 그룹의 구조 깊이들 사이의 차이의 함수로 플로팅되고 제1 회절 구조 그룹의 구조 깊이에 정규화된, 광학 회절 구성 요소의 반사율을 다시 한번 다이어그램으로 도시한다;
도 25는 도 14와 유사한 예시에서 상쇄 간섭에 의한 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예의 일부로서 격자 주기 및 구조 깊이를 갖는 바이너리 격자로 구현된 회절 구조 그룹을 도시하되, 상기 추가 실시예는 3 개의 회절 구조 그룹의 중첩의 결과로 발생한다;
도 26은 광학 회절 구성 요소의 이러한 변형의 실시예에 대해 다시 한번 바이너리 격자로 구현된 추가 회절 구조 그룹을 도시한다;
도 27은 광학 회절 구성 요소의 이러한 변형의 실시예에 대해 다시 한 번 바이너리 격자로 구현된 추가 회절 구조 그룹을 도시한다;
도 28은 도 25 내지 27 에 따른 3 개의 회절 구조 그룹의 중첩으로서 형성된 광학 회절 구성 요소를 도시한다;
도 29 내지 도 32는 도 25 내지 도 28과 유사한 예시에서 상쇄 간섭에 의한 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예의 일부로서 각각의 경우에 격자 주기 및 구조 깊이를 갖는 바이너리 격자로 구현된 3개의 회절 구조 그룹을 도시하되, 상기 추가 실시예는 중첩의 결과로서 이로부터 발생한다;
도 33은 도 9 및 도 10과 유사한 다이어그램에서, 도 8, 11 내지 13, 28 또는 32 중 어느 하나에 따른 유형의 광학 회절 구성 요소의 경우에 파장 의존적 반사 관계를 도시하며, 여기서 회절 구조 그룹은 구조 깊이가 다르기 때문에 광학 격자는 다른 파장을 억제하기 위해 구현되지만, 이들은 도 10에 따른 변형과 비교할 때 서로 더 가깝다;
도 34는 도 4와 유사한 예시에서, 회절 구조 그룹으로서 3 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자의 격자 표면의 단면을 도시하며, 격자 중 2 개는 평행한 주기 진행 방향을 가지며 제3 격자는 이에 수직인 주기 진행 방향을 가지며, 동일한 주기 진행 방향을 갖는 회절 구조 그룹은 도 16, 19 또는 22에 따른 실시예의 방식에서 중첩되며, 도 34에서 직사각형인 회절 구조의 구조 깊이는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예로서 상이한 유형의 해칭을 이용하여 도시된다;
도 35는 정확히 하나의 목표 파장을 억제하기 위해 구현된 3 레벨 격자로 구현된, 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 또 다른 실시예를 개략적인 측면도에서 도시한다;
도 36은 도 35와 유사한 예시에서, 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시하며, 다시 한번 2 개의 회절 구조 그룹에 할당될 수 있는 3 개의 회절 구조 레벨로 형성되고, 적어도 하나의 목표 파장의 억제 효율의 계산에 대한 이론적 설명을 위해 묘사되는 변수가 묘사된다;
도 37은 도 35 및 36과 유사한 예시에서, 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시하며, 대응하는 복수의 회절 구조 그룹에 할당 가능한 4 개의 회절 구조 레벨로 구현된다;
도 38 및 도 39는 도 37과 유사한 예시에서 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 2 개의 추가 실시예를 도시하고, 다시 한번 4 개의 회절 구조 레벨로 구현된다;
도 40은 예를 들어 도 4, 7, 16, 19, 22, 35, 36에 따른 실시예의 유형의 2 개의 회절 구조 그룹을 포함하는 광학 회절 구성 요소의 파장 의존적 반사율을 다이어그램으로 도시하며, 여기서 2 개의 회절 구조 그룹은 2 개의 DUV 파장을 억제하기 위한 구조 깊이로 구현된다;
도 41은, 도 40과 유사한 예시에서, 총 5 개의 회절 구조 레벨을 포함하는 광학 회절 구성 요소에 대한 파장 의존적 반사율을 도시하며, 여기에 상이한 구조 깊이를 갖는 4 개의 회절 구조 그룹이 할당될 수 있으며, 여기서 10 μm 이상의 IR 범위에 있는 2 개의 목표 파장 및 도 40에 따른 목표 파장에 필적하는 DUV 범위의 2 개의 목표 파장은 억제된다;
도 42는 0.1 μm와 0.4 μm 사이의 DUV 범위에 있는 도 41로부터의 확대된 상세도를 도시한다;
도 43은 회절 구조 그룹의 상이한 측벽 경사도 허용 오차를 갖는 다양한 광학 회절 구성 요소에 대해 10.0 μm와 11.0 μm 사이의 파장 의존적 반사율을 다이어그램으로 다시 도시한다.
도 44는 광학 회절 구성 요소의 바이너리 구조 - 상기 바이너리 구조는 서로 중첩됨 - 의 인접한 표면 섹션들 사이의 경계 영역을 미리 규정하기 위한 광학 회절 구성 요소의 생산에 사용될 수 있는 2 개의 리소그래피 마스크 구조와 함께 도 16에 따른 광학 회절 구성 요소를 도시한다;
도 45는, 도 44와 유사한 예시에서, 2 개의 리소그래피 마스크 구조와 함께 도 19에 따른 광학 회절 구성 요소를 도시하며, 이는 다시 한번 회절 구조 그룹의 표면 섹션 사이의 경계 영역을 미리 규정하기 위한 광학 회절 구성 요소의 생산에 사용될 수 있다;
도 46은 상쇄 간섭에 의해 목표 파장이 억제되는 방식으로 배열된 3 개의 회절 구조 레벨을 갖는 회절 구조를 포함하는 주기적 격자 구조 프로파일을 포함하는, 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시한다;
도 47은 도 46에 따른 광학 회절 구성 요소를 도시하며, 여기서 3 개의 회절 구조 레벨은 0 차 회절에서 목표 파장의 완벽한 상쇄 간섭을 초래하는 서로에 대한 높이 또는 레벨 차이를 가진다;
도 48은, 도 47과 유사한 예시에서, 도 46에 따른 광학 회절 구성 요소의 변형을 도시하며, 여기서 첫째로 양성 회절 구조 레벨 및 둘째로 음성 회절 구조 레벨은 그러한 높이 오차의 경우에 발생하는 회절 보상 효과를 설명하기 위해 중성 회절 구조 레벨에 비해 다소 높은 차이로 구현된다;
도 49는, 도 46과 유사한 예시에서, 도 46에 따른 실시예와 비교하여 상이한 순서로 3 개의 회절 구조 레벨을 포함하는 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시한다;
도 50은 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시하며, 여기서 실질적으로 하나의 격자 주기가 예시되고 광학 회절 구성 요소의 주기적 격자 구조 프로파일이 4 개의 회절 구조 레벨을 갖는 회절 구조를 포함한다;
도 51은, 도 50과 유사한 예시에서, 하나의 격자 주기 내에 5 개의 회절 구조 레벨을 포함하는 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시한다;
도 52는 도 5와 유사한 다이어그램에서, 2 개의 회절 구조 그룹에 할당할 수 있는 3 개의 회절 구조 레벨을 갖는 도 19, 36, 45 및 46의 방식으로 형성된 광학 격자 형태의 광학 회절 구성 요소의 파장 의존적 반사율 R을 도시하며, 여기서 각 경우에 λ/4인 회절 구조 레벨 사이에 구조 깊이 차이가 있으며, 여기서 λ는 각 경우에 억제되는 목표 파장이다.
도 53은 도 44 및 도 45와 유사한 예시에서, 도 19, 36, 45 및 46으로부터의 유형의 광학 회절 구성 요소와 함께 회절 구조 그룹의 회절 구조 레벨들 또는 표면 섹션들 사이의 경계 영역을 다시 한번 미리 규정하기 위한 광학 회절 구성 요소의 제조에 사용될 수 있는 2 개의 리소그래피 마스크 구조의 추가 실시예를 도시한다;
도 54는 도 44 및 도 45와 유사한 예시에서, 도 19, 36, 45 및 46으로부터의 유형의 광학 회절 구성 요소와 함께 회절 구조 그룹의 회절 구조 레벨들 또는 표면 섹션들 사이의 경계 영역을 다시 한번 미리 규정하기 위한 광학 회절 구성 요소의 제조에 사용될 수 있는 2 개의 리소그래피 마스크 구조의 추가 실시예를 도시한다;
도 55는 도 44 및 도 45와 유사한 예시에서, 도 19, 36, 45 및 46으로부터의 유형의 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예와 함께 회절 구조 그룹의 회절 구조 레벨들 또는 표면 섹션들 사이의 경계 영역을 다시 한번 미리 규정하기 위한 광학 회절 구성 요소의 제조에 사용될 수 있는 2 개의 리소그래피 마스크 구조의 추가 실시예를 도시한다;
도 54는 도 44 및 도 45와 유사한 예시에서, 도 19, 36, 45 및 46으로부터의 유형의 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예와 함께 회절 구조 그룹의 회절 구조 레벨들 또는 표면 섹션들 사이의 경계 영역을 다시 한번 미리 규정하기 위한 광학 회절 구성 요소의 제조에 사용될 수 있는 2 개의 리소그래피 마스크 구조의 추가 실시예를 도시한다;
마이크로리소그래피용 투영 노광 장치(1)는 조명 광 또는 이미징 광(3)을 위한 광원(2)을 포함하는데, 이는 아래에서 더 상세히 설명될 것이다. 광원(2)은 예를 들어 5nm 내지 30nm, 특히 5nm 내지 15nm의 파장 범위에서 광을 생성하는 EUV 광원이다. 조명광 또는 이미징 광(3)은 이하에서 EUV 사용 광이라고도 한다.
특히, 광원(2)은 파장 13.5nm의 광원 또는 파장 6.9nm의 광원일 수 있다. 다른 EUV 파장 또는 150nm와 250nm 사이의 DUV 범위, 예를 들어, 193nm, 의 파장 도 가능하다. 조명광(3)의 빔 경로는 도 1에 매우 개략적으로 도시되어 있다.
조명 광학 유닛(6)은 광원(2)으로부터 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)로 조명광(3)을 안내하는 역할을 한다. 상기 조명 광학 유닛은 도 1에 매우 개략적으로 도시된 필드 패싯 미러(FF) 및 조명광(3)의 빔 경로의 하류에 배치되고 마찬가지로 매우 개략적으로 도시되어 있는 동공 패싯 미러(PF)를 포함한다. 그레이징 입사(GI 미러; 그레이징 입사 미러)를 위한 필드 형성 미러(6b)는 조명 광학 유닛의 동공면(6a)에 배치된 동공 패싯 미러(PF)와 오브젝트 필드(4) 사이에서 조명광(3)의 빔 경로에 배치된다. 그러한 GI 미러(6b)는 필수가 아니다.
동공 패싯 미러(PF)의 동공 패싯(더 이상 상세하게 도시되지 않음)은 서로 중첩되는 방식으로 필드 패싯 미러(FF)의 필드 패싯(마찬가지로 도시되지 않음)을 오브젝트 필드(4)로 전송하고 특히 이미징하는 전송 광학 유닛의 일부이다. 한편으로는 필드 패싯 미러(FF) 및 다른 한편으로는 동공 패싯 미러(PF)에 대해 종래 기술로부터 알려진 실시예가 사용될 수 있다. 예로서, 이러한 조명 광학 유닛은 DE 10 2009 045 096 A1에 알려져 있다.
투영 광학 유닛 또는 이미징 광학 유닛(7)을 사용하여, 오브젝트 필드(4)는 미리 결정된 축소 스케일로 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8)로 이미지화된다. 이를 위해 사용될 수 있는 투영 광학 유닛은 예를 들어 DE 10 2012 202 675 A1에 알려져 있다.
투영 노광 장치(1) 및 투영 광학 유닛(7)의 다양한 실시예의 설명을 용이하게 하기 위해, 도면에 데카르트 xyz- 좌표계가 표시되어 있으며, 이 시스템으로부터 도면에 도시된 구성 요소의 각각의 위치 관계는 분명하다. 도 1에서, x 방향은 도면의 평면에 수직으로 평면 안으로 진행한다. y 방향은 도 1에서 왼쪽으로 연장되고, z 방향은 도 1에서 위쪽으로 연장된다. 오브젝트 평면(5)은 xy 평면에 평행하게 진행한다.
오브젝트 필드(4) 및 이미지 필드(8)는 직사각형이다. 대안적으로, 오브젝트 필드(4) 및 이미지 필드(8)가 구부러 지거나 만곡된 실시예, 즉 부분적인 링 형상을 갖는 것도 가능하다. 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8)는 x/y 종횡비가 1보다 크다. 따라서 오브젝트 필드(4)는 x 방향으로 더 긴 오브젝트 필드 치수를 가지며 y 방향으로 더 짧은 오브젝트 필드 치수를 갖는다. 이러한 오브젝트 필드 치수는 필드 좌표 x 및 y를 따라 연장된다.
종래 기술에 공지된 예시적인 실시예들 중 하나는 투영 광학 유닛(7)을 위해 이용될 수 있다. 이 경우에 이미징되는 것은 오브젝트 필드(4)과 일치하는 레티클이라고도 칭하는 반사 마스크(10)의 일부이다. 레티클(10)은 레티클 홀더(10a)에 의해 운반된다. 레티클 홀더(10a)는 레티클 변위 드라이브(10b)에 의해 변위된다.
투영 광학 유닛(7)에 의한 이미징은 기판 홀더(12)에 의해 운반되는 웨이퍼의 형태로 기판(11)의 표면 상에 구현된다. 기판 홀더(12)는 웨이퍼 또는 기판 변위 드라이브(12a)에 의해 변위된다.
도 1은 레티클(10)과 투영 광학 유닛(7) 사이에서 상기 투영 광학 유닛에 입사하는 조명광(3)의 광선 빔(13) 및 투영 광학 유닛(7)과 기판(11) 사이에서 투영 광학 유닛(7)으로부터 나오는 조명광(3)의 광선 빔(14)을 개략적으로 도시한다. 투영 광학 유닛(7)의 이미지 필드 측 개구 수(NA)는 도 1에서 축척에 맞게 재현되지 않는다.
투영 노광 장치(1)는 스캐너 타입이다. 양 레티클(10)과 기판(11)은 투영 노광 장치(1)의 동작 동안 y-방향으로 스캔된다. 레티클(10)과 기판(11)의 y 방향의 단계적 변위가 기판(11)의 개별 노광 사이에서 구현되는 스테퍼형 투영 노광 장치(1)도 가능하다. 이러한 변위는 변위 드라이브(10b 및 12a)의 적절한 작동에 의해 서로 동기식으로 영향을 받는다.
도 2는 광원(2)의 세부 사항을 도시한다.
광원(2)은 LPP(레이저 생성 플라즈마) 광원이다. 플라즈마 생성을 위해, 주석 액적(15)은 주석 액적 생성기(16)에 의해 연속 액적 순서로 생성된다. 주석 액적(15)의 궤적은 EUV 사용 광(3)의 주 광선 방향(17)까지 가로로 연장된다. 여기서 주석은 액적(15)은 주석 액적 생성기(16)와 주석 포획 장치(18) 사이에서 자유롭게 드롭되며, 상기 액적은 플라즈마 소스 영역(19)을 통과한다. EUV 사용 광(3)은 플라즈마 소스 영역(19)에 의해 방출된다. 주석 액적(15)이 플라즈마 소스 영역(19)에 도달하는 경우, 펌프 광원(21)으로부터의 펌프 광(20)에 의해 거기에 충돌한다. 펌프 광원(21)은 예를 들어 CO2 레이저 형태의 적외선 레이저 소스 일 수 있다. 일부 다른 IR 레이저 소스, 특히 고체 레이저, 예를 들어 Nd : YAG 레이저도 가능하다. 펌프 광원(21)은 광 프리펄스를 생성하기 위한 광원 유닛 및 메인 광 펄스를 생성하기 위한 광원 유닛을 포함할 수 있다. 한편의 광 프리펄스와 다른 한편의 메인 광 펄스는 상이한 광 파장을 가질 수 있다.
펌프 광(20)은 제어된 방식으로 틸팅가능한 거울일 수 있는 거울(22) 및 초점 렌즈 요소(23)를 통해 플라즈마 소스 영역(19)으로 전달된다. EUV 사용 광(3)을 방출하는 플라즈마는 플라즈마 소스 영역(19)에 도달하는 주석 액적(15)으로부터의 펌프 광 충돌에 의해 생성된다. EUV 사용 광(3)의 빔 경로는 플라즈마 소스 영역(19)과 필드 패싯 미러(FF) 사이에서 EUV 사용 광이 아래에서 EUV 컬렉터(24)로도 칭하는 필드 패싯 미러(24)에 의해 반사되는 정도까지로 도 2에 도시되어 있다. EUV 컬렉터(24)는 포커싱 렌즈 요소(23)를 통해 플라즈마 소스 영역(19)을 향해 초점을 맞춘 펌프 광(20)을 위한 중앙 통로 개구(25)를 포함한다. 컬렉터(24)는 타원 거울로서 구현되고, 하나의 타원체 초점에 배열된 플라즈마 소스 영역(19)에 의해 방출된 EUV 사용 광(3)을 컬렉터(24)의 다른 타원체 초점에 배열된 EUV 사용 광(3)의 중간 초점(26)에 전달한다
필드 패싯 미러(FF)는 EUV 사용 광(3)의 영역에 있는 EUV 사용 광(3)의 빔 경로 내의 중간 초점(26)의 하류에 배치된다.
EUV 컬렉터(24) 및 주석 액적 생성기(16), 주석 포착 장치(18) 및 초점 렌즈 요소(23) 일 수 있는 광원(2)의 추가 구성 요소는 진공 하우징(27)에 배열된다. 진공 하우징(27)은 중간 초점(26)의 영역 내에 통로 개구(28)를 갖는다. 진공 하우징(27)으로의 펌프 광(20)의 입구의 영역에서, 진공 하우징은 광 프리펄스 및 주 광 펄스를 위한 펌프 광 입구 윈도우(29)를 포함한다.
도 3은 먼저 EUV 사용 광, 즉 조명광(3) 및 두 번째로 미광(30), 특히 더 긴 파장의 방사선, 예를 들어 광원(2)의 플라즈마 소스 영역(19)과 중간 초점(26)이 배열된 중간 초점 평면(26a) 사이의 광 프리펄스 및/또는 주 광 펄스의 파장을 갖는 IR 방사선의 매우 추상적 안내를 도시한다. 동시에, 도 3은 플라즈마 소스 영역(19)으로의 펌프 광(20)의 측면 안내의 변형, 즉 EUV 컬렉터(24)에서 통로 개구(25) 유형의 통로 개구를 필요로 하지 않는 안내를 도시한다. 사용 광(3) 및 미광(30)은 모두 플라즈마 소스 영역(19)으로부터 방출된다. 사용 광(3) 및 미광(30)은 모두 EUV 컬렉터(24)의 전체 충돌 표면(33)의 표면 섹션(31, 32)에 입사된다. 표면 섹션(31, 32)은 EUV 컬렉터(24)의 격자 표면(도면에서 33으로 표시됨)의 섹션이며, 미광 복사(30)를 회절적으로 덤핑하기 위한 광학 격자는 상기 격자 표면 상에 배열된다. 광학 격자의 실시예가 아래에 설명된다. 격자 표면은 미광(30)이 충돌하는 표면 섹션(31, 32)의 위치에 배타적으로 배열될 수 있거나, 대안적으로 충돌 표면(33)의 더 큰 섹션을 덮을 수 있고, 추가 변형에서 전체 충돌 표면(33)을 덮을 수 있다.
도 4는 광학 격자(34)의 일 실시예를 갖는 격자 표면(33)의 단면을 도시한다. 광학 격자(34)는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소를 구성한다.
광학 격자(34)의 격자 표면은 평면으로 구현되거나 또는 곡선으로 구현될 수 있으며, 예를 들어 도 2 및 도 3 에 따른 컬렉터 미러(24)의 경우에서의 충돌 표면(33)과 같이 오목하거나 또는 볼록하게 형성될 수 있다.
광학 격자(34)는 회절 구조 그룹으로서 격자 표면(33) 상에 배열된 2 개의 회절 격자(35, 36)를 갖는다. 회절 격자(35)는 이하에서 제1 회절 격자라고도 한다. 회절 격자(36)는 이하 제2 회절 격자라고도 한다.
회절 격자(35)의 경우, 회절 포지티브 구조(37) 및 회절 네거티브 구조(38)는 도 4에서 각각 수평으로 교대로 진행한다. 이 제1 회절 격자(35)의 주기 진행 방향(39)은 수직으로 진행한다. 회절 구조(37, 38)의 이러한 수평 코스에 대해, 주기 진행 방향(39)은 따라서 도 4에서 세로로 진행한다.
도 4에서, 제2 회절 격자(36)는 세로로 진행되는 회절 포지티브 구조(40) 및 회절 네거티브 구조(41)를 각각 교호로 갖는다. 제2 회절 격자(36)의 주기 진행 방향(42)은 다시 한번 회절 구조(40, 41)에 수직으로, 즉 도 4에서 수평으로 진행된다.
광학 격자(34)의 2 개의 회절 격자(35, 36)의 회절 구조(37, 38 및 40, 41)는 4 개의 회절 구조 유형 또는 회절 구조 레벨에 의해 실현되며, 이는 구조 깊이가 다르며 도 4에 다른 해칭 유형으로 도시되고 각각의 회절 구조에 숫자 1, 2, 3, 4가 적용된다. 회절 구조 유형 "1"은 구조 깊이 0을 갖는다. 회절 구조 유형 "2"는 구조 깊이 "dv"를 갖는다. 따라서 각각의 회절 구조 유형 "2"가 차지하는 격자 표면의 표면 섹션은 도 4에서 도면의 평면에 수직인 구조 깊이 dv만큼 회절 구조 유형 "1"보다 깊은 위치에 있다.
각각의 구조 깊이는 기준면에 대한 깊이 값이 할당될 수 있으며, 일반적으로 선택된 기준면은 재료가 제거되지 않은 평면이다(구조 깊이 = 0).
회절 구조 유형 "1"에서 "4"의 각 영역은 각 경우에 정사각형이다. 격자 표면을 완전히 덮게 되는 회절 구조 유형의 다른 경계 모양도 가능하다.
회절 구조 유형 "3"은 구조 깊이 dh를 가지며, 다시 한 번 회절 구조 유형 "1"에 대한 도 4 에서 도면의 평면에 수직으로 측정된다. 회절 구조 유형 "4"는 상응하게 측정된 구조 깊이(dv + dh)를 가진다.
광학 격자(34)의 경우, 4 개의 회절 구조 유형 "1" 내지 "4"가 각각 2 x 2 어레이로 배열되고, 여기서 회절 구조 유형 "1"이 왼쪽 상단에 배치되고, 회절 구조 유형 "2"는 오른쪽 상단에 배치되고 회절 구조 유형 "3"은 왼쪽 하단에 배치되고 회절 구조 유형 "4"는 오른쪽 하단에 배치된다. 각각의 경우에 4 개의 회절 구조 유형의 이러한 그룹의 이러한 2 x 2 어레이는 차례로 도 4에 따른 실시예에서 3 x 3 어레이의 형태로 상부 구조(superstructure)로 배열된다. 일반적으로, 격자 표면(33) 상의 광학 격자(34)는 물론 4 개의 회절 구조 유형 "1" 내지 "4"의 추가 대응하는 2 x 2 어레이의 부착에 의해 임의의 원하는 방식으로 수평 및 수직으로 연장될 수 있다.
회절 포지티브 구조(37) 및 이에 비해 구조 깊이 dh만큼 더 깊은 위치에 위치한 회절 네거티브 구조(38)는 제1 회절 격자(35)의 주기 진행 방향(39)에서 서로 이어진다. 제2 회절 격자(36)의 경우, 회절 포지티브 구조(40)의 각각은 주기 진행 방향(42)에서 구조 깊이 dv 만큼 더 깊은 위치에 위치된 회절 네거티브 구조(41)에 의해 각각 이어진다. 서로 중첩되고 각각의 구조 깊이 dh 및 dv를 갖는 2 개의 회절 격자(35, 36)가 따라서 광학 격자(34)에 구현된다.
도 4에 따른 실시예의 경우, 구조 깊이는 각각의 회절 포지티브 구조와 연관된 회절 네거티브 구조 사이의 높이 차이이다. 보다 일반적으로, 구조 깊이는 회절 포지티브 구조와 연관된 회절 네거티브 구조 사이의 광 경로 차이로 이해될 수 있다.
회절 포지티브 구조(37, 40) 및 회절 네거티브 구조(38, 41)에서, 전체 영역에 걸쳐 광학 격자(34) 및 선택적으로 보조 층에 고 반사 코팅을 적용하는 것이 가능하다.
고 반사 코팅 아래에 배열된 보조층은 광학 격자(34)의 수명을 증가시키는 층일 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 고 반사 코팅의 손상에 대한 보호를 위해 고 반사 코팅에 보조층이 도포될 수 있다.
고 반사 코팅은 특히 EUV 파장을 갖는 방사선의 고효율 반사에 대해 알려진 바와 같이 다층일 수 있다.
광학 격자(34)의 회절 격자(35, 36)는 각각의 경우 바이너리 격자로 구현된다. 여기서 회절 포지티브 구조의 표면적은 회절 네가티브 구조의 표면적과 같다.
회절 격자(35)의 격자 주기는 0.5mm 와 5mm 사이의 범위, 예를 들어 2mm 일 수 있다. 회절 격자(36)의 격자 주기는 0.5mm 와 5mm 사이의 범위, 예를 들어 2mm 일 수 있다. 이러한 격자 주기는 도 4 에서 제2 회절 격자(36)에 대해 P로 지정된다. 각각의 회절 구조(37, 38, 40, 41)의 구조 측벽은 각각의 회절 구조의 연장에 수직으로 즉 각각의 주기 진행 방향(39 내지 42)에서 측정된 1 μm 내지 10 μm 범위 예를 들어, 5 μm 영역의 규모를 가질 수 있다. 이러한 측벽 규모 또는 측벽 연장은 도 4의 제2 회절 격자(36)에 대해 크게 과장된 크기로 F로 표시된다.
도 5는 설계 파라미터 dv = 2.65 μm 및 dh = 2.55 μm에 대한 광학 격자(34)의 파장 의존적 반사율 계산 결과를 다이어그램으로 도시한다. 광학 격자(34)의 반사율은 43에 나타내었으며, 상기 반사율은 측벽 연장(F)이 0이라고 추가로 가정하는 계산의 결과, 즉 광학 격자(34)가 회절 구조 사이에서 이상적으로 가파른 측벽을 갖는 경우의 결과로서 발생한다. 대응하는 미광 파장에 대한 억제 설계 파장 10.2 μm 및 10.6 μm(목표 파장이라고 함)의 경우, 결과는 반사율 곡선 43의 이상적인 경우에서 광학 격자(34)의 반사율 억제가 10-8 보다 우수하다. 이 두 파장은 펌프 광원(21)의 프리펄스 및 메인 펄스의 파장에 대응한다.
2 개의 목표 파장 10.2 μm(λ1) 및 10.6 μm(λ2)에 대해 다음 사항이 적용된다.
Figure pct00001
이 정규화된 목표 파장 비율의 경우 다음 사항이 적용된다.
Figure pct00002
이 정규화된 목표 파장 비율은 20 % 미만일 수도 있다.
먼저 구조 깊이 dv 및 dh의 생산 정확도와 또한 측벽 경사도에 관한 한 특정 공차를 고려한 반사율 곡선 R(λ)은 도 5에서 44로 표시된다. 목표 파장 10.2 μm 및 10.6 μm의 경우, 그 결과로 반사율 억제는 10-6 보다 우수하다.
참조 반사율 곡선(45)은 또한 비교 목적을 위해 도 5에 입력되며, 상기 참조 반사율 곡선은 정확히 하나의 회절 격자, 즉 수평 회절 구조를 갖는 회절 격자(35) 또는 수직 회절 구조를 갖는 회절 격자(36)를 포함하는 광학 기준 격자에 대한 억제 결과를 나타낸다. 반사율 곡선(44)의 경우에서와 같이 구조 깊이 생성 및 측벽 경사도에 대한 동일한 공차가 여기서 고려된다. 동일한 공차에도 불구하고, 기준 반사율 곡선(45)은 10-4 영역에서 상당히 낮은 최적 반사율 억제를 나타낸다는 것이 명백하다. 기준 반사율 곡선(45)이 계산된 기준 격자가 하나 이상의 회절 격자를 포함하기 때문에, 여기서 정확히 하나의 파장, 즉 10.6μm 만이 억제된다.
2 개의 회절 격자(35, 36)는 격자 주기(2mm)와 구조 깊이(2.6μm 영역) 사이의 비율을 가지며, 이는 10보다 상당히 크고 실제로 500보다 크고 1000 영역에 있다.
바이너리 격자로서 2 개의 회절 격자(35, 36)의 실시예 때문에, 회절 포지티브 구조(37, 40)의 표면적 대 회절 네거티브 구조(38, 41)의 표면적의 표면적 비율은 1이다. 광학 격자(34)의 실시예에 따라, 상기 표면적 비율은 또한 1에서 벗어날 수 있고, 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있다.
2 개의 회절 격자(35, 36)는 동일한 격자 주기 p를 가지며, 따라서 두 격자 주기의 주기 비율은 1 이다. 광학 격자(34)의 실시예에 따라, 주기 비율은 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있다. 두 격자 주기 간의 차이는 예를 들어 1 : 2 또는 1 : 5 결과의 주기 비율과 같이 훨씬 더 클 수 있다.
광학 격자(34)는 회절 구조 유형 1 내지 4에 대응하는 적어도 3 개의 회절 구조 레벨을 포함하는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장(λ1, λ2)를 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소를 구성한다. 상기 회절 구조 레벨(N1 내지 N4)은 기준 평면에 대해 상이한 구조 깊이(di)를 미리 규정한다. 회절 구조 레벨(N1 내지 N4)은 2 개의 회절 격자, 즉 2 개의 회절 구조 그룹(35, 36)에 할당될 수 있으며, 이는 차례로 2 개의 목표 파장(λ1, λ2) 중 하나를 각각 억제하는 역할을 한다. 상기 회절 격자 그룹의 첫번째 즉, 회절 격자(35)는 회절의 0 차에서 제1 목표 파장(λ1)을 억제하는 역할을 하고, 회절 격자 그룹의 두번째 즉, 회절 격자(36)는 회절의 0차에서 제2 목표 파장(λ2)을 억제하는 역할을 한다.
회절 구조 레벨(N1 내지 N4)의 지형은 2개의 바이너리 회절 구조 그룹(35 및 36)의 중첩으로 설명될 수 있다. 이 2개의 바이너리 회절 구조 그룹 각각은 제1 구조 깊이를 갖는 제1 표면 섹션과 제2 구조 깊이를 갖는, 각각의 회절 구조 그룹(35, 36)의 진행 방향을 따라 제1 표면 섹션과 교호하는, 제2 표면 섹션을 갖는다. 각각의 바이너리 회절 구조 그룹의 이들 인접한 표면 섹션 사이의 경계 영역은 선형 코스를 갖는다. 광학 격자(34)의 실시예에 따라, 상기 선형 코스는 도 4 의 바둑판과 유사한 회절 구조 유형 배열의 행 및 열에 대응한다. 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹(35) 중 제1 경계 영역, 즉, 도 4의 행 라인과 2개의 바이너리 회절 구조 그룹(36) 중 두 번째의 제2 경계 영역, 즉 도 4의 열 라인은 최대 선형 코스의 섹션을 따라 즉, 도 4에 따른 도시에서 행과 열 라인 사이의 교차 지점의 영역에서 서로 중첩된다.
회절 격자(35)는 제1 격자 주기 및 각각 이러한 제1 구조들을 둘러싸는 격자 표면(33)의 표면 섹션에 수직인, 제1 회절 포지티브 구조(37)와 제1 회절 네거티브 구조(38) 사이의 광 경로 차이로서 측정된 제1 구조 깊이를 가질 수 있다. 제2 회절 격자(36)는 제2 격자 주기 및 제2 구조 깊이를 가지며, 이는 차례로
각각 이러한 제2 구조들을 둘러싸는 격자 표면(33)의 표면 섹션에 수직인, 제2 회절 포지티브 구조(40)와 제2 회절 네거티브 구조(41) 사이의 광 경로 차이로 구현된다. 이들 격자(35, 36)의 2 개의 격자 주기가 진행되는 2 개의 주기 진행 방향은 서로 수직이며, 즉 서로 평행하게 진행되지 않는다.
광학 격자(34) 때문에, EUV 컬렉터(24)의 컬렉터 미러는 EUV 방사선(3)을 초점 영역(26)을 향해 안내하도록 구현되며, 여기서 격자(34)는 광학 회절 구성 요소가 적어도 하나의 목표 파장의 방사선(30), 즉 미광을 초점 영역(26)으로부터 멀어지게 안내하도록 광학 회절 구성 요소로서 구현된다.
도 6은 도 5 와 유사한 예시에서, 구조 깊이 dv, dh 가 크기가 동일하고 2.65μm 의 절대값을 갖는 광학 격자(34)의 변형에서의 반사율 관계를 도시한다. 두 회절 격자(35, 36)는 10.6 μm의 미광 파장을 억제하는데 기여한다. 따라서, 이상적인 반사율 곡선(43)의 경우 및 설계 공차를 갖도록 계산된 반사율 곡선(44)의 경우에 다시 한 번 더 나은 억제 관계가 발생한다.
도 7은 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소으로서 도 4 에 따른 광학 격자(34) 대신에 사용될 수 있는 광학 격자의 변형을 도 4와 유사한 예시에서 도시한다. 도 4를 참조하여 위에서 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다.
도 7에 따른 광학 격자(46)는 제1 회절 격자(35)의 주기 진행 방향(39)이 수직으로 진행되는 것이 아니라 수평에 대해 45 °의 각도로 진행된다는 점에서 도 4 와 다르다. 따라서, 회절 구조 유형 "1" 내지 "4"이 마름모형 영역으로 발생한다.
도 8은 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소으로서 대안으로서 또는 전술한 광학 격자에 추가하여 사용될 수 있는 광학 격자(47)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 내지 도 7을 참조하여, 특히 도 4 내지 도 7 을 참조하여 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다.
광학 격자(47)는 회절 구조 그룹으로서 총 3 개의 회절 격자를 가지며, 이들 3 개의 회절 격자 중 2 개는 도 4에 따른 실시예의 회절 격자(35 및 36)에 대응한다. 도 8에서, 회절 격자(35)의 격자 주기는 ph 로 도시되고, 회절 격자(36)의 격자 주기는 pv로 도시된다.
광학 격자(47)의 제3 회절 격자(48)는 처음 2 개의 회절 격자(35, 36)의 회절 구조(37, 38 및 40, 41)에 대해 대각선으로 진행되는 회절 포지티브 구조(49) 및 회절 네거티브 구조(50)를 갖는다. 회절 포지티브 구조(49)와 비교하여, 회절 네거티브 구조(50)는 도 8에서 dd로 도시된 구조 깊이를 갖는다.
광학 격자(47)의 격자 표면의 전체 예시된 섹션에 대한 전체 높이 프로파일은 회절 격자(35)의 수평으로 진행되는 회절 구조(37, 38) 및 회절 격자(36)의 수직으로 진행되는 회절 구조(40, 41)의 경계에 의해 미리 규정된 2 x 4 어레이의 형태로 기본 섹션의 병치로 이해될 수 있다. 이 2 x 4 어레이 상의 회절 구조 유형 또는 회절 구조 레벨은 "000", "001", "010", " 011 ", "100 ", "101 ","110 " 및 "111"(도 8의 왼쪽 상단에 배열된 2 x 4 어레이)에 의해 지정된다.
아래 표는 이러한 회절 구조 유형의 구조 깊이와 격자 주기 ph, pv 단위의 표면적 비율을 나타낸다.
회절 구조 유형 구조 깊이 표면적 비율
000 0 (ph + pv)/4
001 dd (ph + pv)/4
010 dv (ph + pv)/4
011 dv + dd (ph + pv)/4
100 dh (ph + pv)/4
101 dh + dd (ph + pv)/4
110 dh + dv (ph + pv)/4
111 dh + dv + dd (ph + pv)/4
모든 회절 구조 유형 "000" 내지 "111"은 광학 격자(47)의 총 표면적의 동일한 표면적 비율(ph + pv)/4를 갖는다. 이것은 광학 격자(47)의 전체 3 개의 회절 격자(35, 36 및 48)가 바이너리 격자를 구성하고, 그의 회절 포지티브 구조(37, 40, 49)는 그 회절 네거티브 구조(38, 41, 50)에 대해 각각 1의 표면적 비율을 갖는 것을 보장한다.
제3 회절 격자(48)의 주기 진행 방향(51)은 회절 격자(35)의 주기 진행 방향(39)에 대해 대략 23 °의 각도로 격자 주기(pd)를 따라 진행된다. 이 주기 진행 방향(51)은 제3 회절 격자(48)의 회절 구조(49, 50) 사이의 경계가 서로 교차하는 첫 번째로 회절 구조(37, 38)와 두 번째로 회절 구조(40, 41)에 의해 형성되는 서로 옆으로 수평으로 높인 2개의 구조 구역의 대각선을 따라 진행하도록 제3 회절 격자(48)의 회절 구조(49, 50) 배열의 오프셋과 함께 선택된다. 도 8 에서 양방향 화살표(52)로 표시된 바와 같이, 제3 회절 격자(48)의 주기 진행 방향(51)을 따라 회절 구조(49, 50)의 이러한 배열의 오프셋 변화가 가능하다.
제3 회절 격자(48)의 격자 주기(pd)는 격자 주기(ph, pv)의 크기 정도이고 광학 격자(47)의 경우 약 1.7mm 이다.
도 9는 도 5 및 6과 유사한 예시에서 구조 깊이(dh, dv 및 dd)가 각각 크기가 같고 설명된 예에서 값이 2.65μm 인 경우에 대한 파장 의존적 반사율(R)에 관한 데이터를 보여준다.
회절 격자(35, 36 및 48)에 대한 바람직하게는 가파른 측벽(측벽 연장 0)의 이상적인 경우에 대한 반사율이 도 9에서 53으로 도시된다. 10.6 ㎛의 목표 파장의 반사율 억제는 그 크기가 10-10 규모 보다 더 우수하다.
54는 파장 의존적 반사율의 계산된 결과를 나타내며, 여기서 다시 한번 현실적인 허용 오차는 회절 구조(37, 38, 40, 41, 49, 50)의 구조 깊이 및 측벽 연장에 대해 가정된다. 3 개의 회절 격자(35, 36, 48)를 포함하는 광학 격자(47)에 대한 결과는 반사율 억제가 이상적인 경우보다 낮지만 여전히 10-10 보다 뚜렷하게 우수하는 것이다.
참조 값으로서, 도 9는 또한 먼저 2 개의 회절 격자(35, 36)를 포함하는 광학 격자(34) 및 정확히 하나의 회절 격자를 포함하는 종래의 광학 격자에 대한 도 6에 따른 반사율 곡선(44 및 45)을 도시한다.
도 10은 다음의 구조 깊이를 갖는 광학 격자(47)의 실시예의 반사율 관계를 파장 의존적 다이어그램으로 다시 한 번 보여준다:
dh = 2.55 μm, dv = 2.65 μm 및 dd = 0.26 μm.
따라서 대각선으로 진행되는 회절 구조(49, 50)의 구조 깊이(dd)는 광학 격자(47)의 회절 격자(35, 36)의 회절 구조(37, 38, 40, 41)의 구조 깊이보다 약 10 배 더 작다.
다시 한번 측벽 연장이 0 인 광학 격자(47)의 이상적인 설계에 대한 반사율은 도 10 에서 55로 도시되어 있다. 약 10.2 μm(λ1) 및 약 10.59 μm(λ2) 에 있는 2 개의 억제 파장에 대해 또한 1.05μm 영역에 있는 추가 파장에 대해 광학 격자의 반사율 억제는 각 경우에 10-8의 영역 또는 그 이상이다.
광학 격자(47)에 의해 목표 파장으로 억제되는 2 개의 IR 파장(λ1, λ2)의 경우, 도 4 에 따른 광학 격자(34)와 관련하여 위에 주어진 설명은 목표 파장의 정규화된 차이에 대해 차례로 유효하다.
1차로 구조 깊이에 대한 및 2차로 측벽 연장에 대한 미리 규정된 공차를 갖는 반사율 곡선은 차례로 도 10 에서 56에서 계산된다.
광학 격자(47)의 경우, 추가 격자 주기(pd) 및 추가 구조 깊이(dd)를 갖는 회절 격자(48)가 존재하고, 상기 구조 깊이는 이들 두 구조(49, 50)를 각각 둘러싸는 격자 표면(33)의 표면 섹션에 수직인, 회절 포지티브 구조(49)와 회절 네거티브 구조(50) 사이의 광 경로 차이로서 측정된다. 회절 격자(48)의 격자 주기(pd)와 회절 격자(48)의 구조 깊이(dd) 사이의 비율 pd/dd는 10보다 크다. 대안적으로 또는 추가적으로, 주기 비율 ph/pd 는 0.9와 1.1 사이의 범위에 있을 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제1 격자 주기(ph)는 제1 회절 격자(35)의 제1 주기 진행 방향(39)을 따라 진행될 수 있고, 추가 격자 주기(pd)는 추가 회절 격자(48)의 추가 주기 진행 방향(51)을 따라 진행할 수 있으며, 2 개의 주기 진행 방향(39, 51)은 서로 평행하게 진행한다.
다양한 회절 구조 그룹(35, 46, 48)의 회절 포지티브 구조(37, 40, 49) 및 회절 네거티브 구조(38, 41, 50)의 표면적은 전체 격자 표면(33)에 동일한 기여를한다.
다시 한번 3 개의 회절 격자(35, 36, 48)를 포함하는 광학 격자(57)의 추가 실시예가 도 11 을 참조하여 아래에 설명된다. 도 1 내지 도 10 특히 도 8을 참조하여 이미 위에서 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 설명하지 않을 것이다.
광학 격자(57)는 주로 서로 위에 배치된 3 개의 회절 격자(35, 36 및 48)의 3 개의 주기 진행 방향(39, 42 및 51)의 배향에서 광학 격자(47)와 다르다. 제1 회절 격자(35)의 주기 진행 방향(39)은 도 11 에서 수직에 대해 약 23 °의 각도로 진행한다. 제2 회절 격자(36)의 주기 진행 방향(42)은 수평으로 진행한다.
제3 회절 격자(48)의 주기 진행 방향(51)은 수직에 대해 약 23 °의 각도로 차례로 진행되고, 여기서 첫 번째로 제1 회절 격자(35)의 및 두 번째로 세 3 회절 격자(48)의 2개의 주기 진행 방향(39 및 51)은 서로에 대해 약 46 °의 각도를 가정한다.
도 11은 회절 구조 유형 "000" 내지 "111"을 갖는 광학 격자(47)의 2 x 4 어레이에 대응하는 광학 격자(57)의 마름모 기본 섹션을 다시 강조한다. 광학 격자(57)의 이러한 회절 구조 유형 "000" 내지 "111"의 경우의 구조 깊이 및 표면적 비율의 할당은 도 8 과 관련하여 표 1에 표시된 것과 같다.
광학 격자(57)의 경우, 주기 진행 방향(51)을 따른 제3 회절 격자(48)의 구조 경계의 오프셋은 제1 회절 격자(35)의 회절 구조(37, 38) 사이의, 제2 회절 격자(36)의 회절 구조(40, 41) 사이의, 및 제3 회절 격자(48)의 회절 구조(49, 50) 사이의 구조 경계가 각각의 경우에 도 11에 도시된 기본 섹션의 중심에 있는 지점(P)에서 교차하도록 하는 것이다.
광학 격자(57)의 경우, 격자 주기(ph)는 약 3.25mm이고, 격자 주기(pv)는 2mm이고, 격자 주기(pd)는 격자 주기(ph)와 정확히 동일한 크기이다.
도 12 및 도 13은 주기 진행 방향(51)을 따라 회절 구조(49, 50) 사이의 구조 경계 배열의 오프셋 크기가 단지 광학 격자(57)와 다른 광학 격자(58, 59)의 추가 실시예를 도시한다. 도 12 에 따른 광학 격자(58)의 경우, 상기 오프셋은 다양한 회절 격자(35, 36, 48)의 구조 경계가 각각의 기본 섹션의 한 지점에서 교차하지 않도록 하는 것이다. 도 13에 따른 광학 격자(59)의 경우, 오프셋은 3 개의 회절 격자(35, 36, 48)의 구조 경계가 도 11에 따른 실시예와 비교하여 각각의 기본 섹션 내에서 다른 위치에서 교차하도록 한다. 따라서 회절 구조 유형 "000"에서 "111"까지 다른 분포가 발생한다.
도 12 및 도 13에서 강조 표시된 단위 셀 내에 표시된 회절 구조 유형 "000" 내지 "111"의 구조 깊이 및 표면적 비율의 할당은 다시 한 번 도 8과 관련된 표 1에 표시된 것과 같다.
상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소로서 광학 격자(60)의 추가 실시예는 도 14 내지 도 16을 참조하여 아래에 설명된다. 도 1 내지 도 13을 참조하여 이미 위에서 설명된 구성 요소 및 기능에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호로 표시되며 다시 자세히 설명하지 않는다.
광학 격자(60)는 도 14(회절 격자(61)) 및 도 15(회절 격자(62))에 개별적으로 도시된 2 개의 회절 격자(61, 62)의 중첩으로서 구현된다. 회절 격자(61, 62)는 각각의 목표 파장을 억제하기 위한 회절 구조 그룹을 구성한다.
회절 격자(61)는 구조 깊이(d1) 및 격자 주기(p1)를 갖는다. 회절 격자(62)는 구조 깊이(d2) 및 격자 주기(p2)를 갖는다. 2 개의 회절 격자(61, 62)는 각각 바이너리 격자로서 구현된다.
2 개의 회절 격자(61, 62)의 중첩으로 인한 광학 격자(60)는 구조 깊이 0(회절 구조 레벨 N1), 구조 깊이 d2(회절 구조 레벨 N2), 구조 깊이 d1(회절 구조 레벨 N3) 및 구조 깊이 d1 + d2(회절 구조 레벨 N4)를 갖는 총 3 개의 회절 구조 레벨 또는 회절 구조 유형을 갖는다.
격자 주기(p1 및 p2)는 광학 격자(60)의 경우 동일하다. 구조 깊이(d1, d2)는 광학 격자(60)의 경우에 다르다. 회절 격자(61 및 62)의 공통 주기 진행 방향 x와 관련하여, 이들 두 회절 격자들(61, 62)은 서로에 대해 공통 주기의 1/4 만큼, 즉 서로에 대해 p1/4=p2/4 만큼 위상 시프트된다.
주기 진행 방향(x)을 따른 오버레이 에러(63)는 도 15 및 도 16 에 점선 방식으로 도시되어 있다. 이러한 오버레이 에러(63)는 주기 진행 방향을 따른 2 개의 회절 격자(61, 62)의 중첩의 위상 오류로 이해될 수 있고, 주기 진행 방향 픽셀(x)을 따른 다양한 회절 구조 레벨(N1, N2, N3, N4)의 연장의 변화로 이어진다.
광학 격자(60)의 대안적인 실시예에서 2 개의 구조 깊이(d1 및 d2)가 동일한 경우, 2 개의 회절 구조 레벨 (N2, N3)은 공통 구조 레벨로 축퇴되고, 그 결과 동일한 구조 깊이를 갖는 2 개의 회절 격자로 구성된 이러한 광학 격자가 정확히 3 개의 회절 구조 레벨을 갖는다.
광학 격자(60)의 경우, 회절 구조 그룹의 표면 섹션(61)은 61P 및 61N로 지정된다. 광학 격자(60)의 2개의 바이너리 회절 구조 그룹(61, 62) 중 첫 번째(61)의 경계 영역, 즉 회절 구조 그룹(61)의 레벨들(Ni) 사이의 측벽과 2개의 바이너리 회절 구조 그룹(61, 62) 중 두 번째(62)의 경계 영역, 즉 도 15 의 레벨 측벽들(Ni/Nj)은 서로 완전히 분리되어 진행한다.
상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소로서의 광학 격자(60)의 추가 실시예는 도 17 내지 도 19를 참조하여 아래에 설명된다. 도 1 내지 도 16, 특히 도 14 내지 16을 참조하여 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의하지 않을 것이다.
도 19는 다시 한번 회절 격자(65)(도 17) 및 66(도 18)의 형태로 2 개의 회절 구조 그룹의 중첩으로 생성되는 광학 격자(64)를 도시한다. 광학 격자(64)는 광학 회절 구성 요소의 예이다.
회절 격자(65, 66)의 경우 다음 사항이 유효하다.
p1 = p2 및 d1 = d2.
주기 진행 방향(X)을 따라 서로에 대한 두 회절 격자(65, 66)의 위상 오프셋은 p1 / 4 = p2 / 4 이다.
먼저 회절 격자(65, 66)의 회절 포지티브 구조(67, 68)와 두 번째로 연관된 회절 네거티브 구조(69, 70) 사이의 연장 비율은 서로에 대해 정확히 반전되며, 그 결과 회절 포지티브 구조(67)는 회절 격자(66)의 회절 네거티브 구조(70)와 주기 진행 방향 x를 따라 동일한 연장을 가지며, 회절 격자(65)의 회절 네거티브 구조(69)는 회절 격자(66)의 회절 포지티브 구조(68)와 주기 진행 방향 x를 따라 동일한 연장을 갖는다. 첫 번째로 회절 포지티브 구조(67, 68) 및 두 번째로 회절 네거티브 구조(69, 70)의 연장은 각각의 회절 격자(65, 66)에서 동일하지 않으며, 따라서 이러한 의미에서 두 회절 격자(65, 66)는 바이너리 격자가 아니다. 연장 비율은 1 : 1에서 매우 크게 벗어날 수 있으며 회절 격자(65, 66)의 경우에는 대략 1 : 3 이다. 10 : 1 내지 1:10 범위의 각각의 회절 격자(65, 66)의 첫 번째로 먼저 회절 포지티브 구조(67, 68)와 두번째로 회절 네가티브 구조(69, 70) 사이의 다른 연장 비율이 또한 가능하다,
오버레이 에러(63)는 도 18 및 도 19에 다시 한번 표시된다. 광학 격자(60)의 경우와 달리, 광학 격자(64)의 경우의 오버레이 에러(63)는 주기 진행 방향 x를 따른 3 개의 회절 구조 레벨 N1(구조 깊이 0), N2(구조 깊이 d1 = d2) 및 N3(구조 깊이 d1 + d2) 사이의 표면적 비율의 변화로 이어지지 않는다.
따라서, 광학 격자(64)는 기준면에 대한 상이한 구조 깊이(di)를 미리 규정하는 3 개의 회절 구조 레벨(N1 내지 N3)을 갖는 회절 구조를 포함하는 주기적 격자 구조 프로파일을 포함하는 광학 회절 구성 요소를 구성한다.
광학 격자(64)의 경우, 회절 구조의 구성은 제1 목표 파장이 격자 구조 프로파일에 의해 회절되는 적외선 파장 범위 내의 제1 목표 파장(λ1) 주변의 파장 범위는 제1 목표 파장(λ1)의 회절의 적어도 0 및/또는 +/- 제1 차에서 서로 상쇄적으로 간섭하는 적어도 3개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 갖도록 한다.
회절 구조 레벨(N1 내지 N3)은 주기 진행 방향 x를 따라 규칙적으로 반복되는 격자 구조 프로파일의 격자 주기의 지형을 미리 규정한다. 회절 구조 레벨(N1 내지 N3)은 기준 높이가 0 인 중성 회절 구조 레벨(N2), 중성 회절 구조 레벨(N2)에 비해 λ1/4의 광 경로 길이만큼 더 높게 배열된 양성 회절 구조 레벨(N1) - 여기서 상기 광학 경로 길이에 대해 +/- 20%의 공차가 가능함 - , 및 중성 회절 구조 레벨(N2)에 비해 λ1/4 +/- 20 % 의 광학 경로 길이 만큼 낮게 배치된 음성 회절 구조 레벨(N3)을 포함한다.
광학 격자(64)의 격자 구조 프로파일의 격자 주기는 회절 구조 레벨(N1 내지 N3)의 4 개의 주기 섹션으로 세분되며, 여기서 4 개의 주기 섹션 중 2 개, 즉 회절 구조 레벨(N2)를 갖는 2 개의 섹션은 중성 회절 구조 섹션으로 구현되며, 4 개의 주기 섹션 중 하나, 즉 회절 구조 레벨(N1)을 갖는 주기 섹션은 양성 회절 구조 섹션으로 구현되고, 4 개의 주기 섹션 중 하나, 즉 회절 구조 레벨(N3)을 갖는 주기 섹션은 음성 회절 구조 섹션으로 구현된다.
이러한 4 개의 주기 섹션(순서 예 :N2, N1, N2, N3)은 각 경우에 주기 진행 방향 x를 따라 동일한 길이를 가지며, 여기서도 +/- 20 %의 허용 오차 범위가 가능하다.
상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소로서 광학 격자(60)의 추가 실시예가 도 20 내지 도 22를 참조하여 아래에서 설명된다. 도 1 내지 도 19 특히 도 14 내지 도 19를 참조하여 이미 설명된 구성 요소 및 기능에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의하지 않을 것이다.
도 22는 2 개의 회절 격자(72(도 20) 및 73(도 21))의 중첩으로 생성되는 광학 격자(71)를 도시한다.
회절 격자(72)는 구조 깊이(d1) 및 격자 주기(p1)을 갖는다. 회절 격자(73)는 구조 깊이(d2) 및 격자 주기(p2 = 2p1)를 갖는다. 여기서 : d 1 ≠ d 2.
두 회절 격자(72, 73)는 주기 진행 방향 x를 따라 회절 포지티브 구조 및 회절 네거티브 구조의 동일한 연장을 갖는 바이너리 격자로서 구현된다.
광학 격자(71)는 4 개의 회절 구조 레벨, 즉 N1 (구조 깊이 0), N2 (구조 깊이 d2), N3 (구조 깊이 d1) 및 N4 (구조 깊이 d1 + d2)를 갖는다.
도 21 및 도 22는 주기 진행 방향 x를 따른 2 개의 회절 격자(72, 73)의 위상 오프셋으로 인한 오버레이 에러(63)를 점선 방식으로 다시 한번 도시한다. 2 개의 회절 격자(72, 73)의 치수 비율로 인해, 회절 구조 레벨(N 및 N2)의 상대 연장이 관련된 한, 어버레이 에러(63)는 실제로 두드러져서, 광학 격자(71)의 주기(p2)에 걸쳐 각 경우에서 볼때, 회절 구조 레벨(N1 및 N2)의 연장 비율은 오버레이 에러(63)의 크기에 대해 무관하게 변화하지 않는다.
2 개의 회절 격자(72, 73)의 치수 비율로 인해, 회절 격자(72)의 하나의 회절 구조 유형에 대해, 이 경우에는 회절 포지티브 구조에 대해, 각각 회절 격자(73)에 의해 야기되는 레벨 변화가 발생한다. 주기 진행 방향 x를 따른 2 개의 회절 격자(72, 73) 사이의 위상 관계는 회절 격자(72, 73)의 측벽(F)이 주기 진행 방향 x를 따라 동일한 위치에 중첩되지 않도록 한다.
도 23은 도 14 내지 22 를 참조하여 전술한 광학 격자(60, 64 또는 71)의 유형의 광학 격자에 대해, 이러한 광학 격자가 구성되는 각각의 제2 회절 격자의 구조 깊이(d2)에 대한 광학 격자의 반사율(R)의 의존성 - 구조 깊이(d1)을 갖는 각각의 제1 회절 격자는 상쇄 간섭에 의해 10.6㎛의 목표 파장을 억제하도록 설계됨 - 을 도시한다. 목표 파장의 최대 억제(10-8 미만의 반사율)는 2.65μm 의 구조 깊이(d2) 즉, 목표 파장의 약 1/4에서 발생한다.
구조 깊이 및/또는 측벽 경사도의 공차는 관련 반사율 곡선(74)에서 고려된다.
제2 구조 깊이(d2)가 2.65 μm의 고정된 제1 구조 깊이(d1)에 더 가깝게 갈수록, 목표 파장의 억제는 더 우수하다. 구조의 깊이(d1)를 갖는 제1 회절 격자에 의해 달성된 억제 효과의 향상은 0과 구조 깊이(d1)의 대략 2배 사이 즉, 도 23에서 대략 0.2㎛와 5㎛ 사이의 범위의 구조 깊이(d2)의 범위에서 이미 명백하다. 두 구조 깊이(d1, d2)의 설계를 위해, 두 구조 깊이의 서로에 대한 일정 근접성으로부터 시작해서, 구조 깊이(d1, d2)를 갖는 두 회절 격자의 억제 효과는 상호 강화된다는 점은 명백하다. 억제 효과를 상호 강화하기 위해 두 목표 파장 λ1(제1 회절 격자의 경우)과 λ2(제2 회절 격자의 경우) 사이의 분리에 대한 조건으로, 다음과 같은 관계가 발견된다.
Figure pct00003
두 목표 파장이 서로 너무 크게 다르지 않다고 가정하면, 이 조건은 첫 번째 파장(λ1) 또는 두 번째 파장(λ2)과 관련이 있는지 여부와 관계없이 그리고 절대 값없이 다음과 같이 작성할 수 있다:
Figure pct00004
지금까지 두 회절 격자 즉 광학 회절 구성 요소의 두 회절 구조 그룹으로 억제되려는 두 목표 파장(λ1, λ2)에 대한 이러한 조건이 충족되는 한, 두 목표 파장(λ1, λ2)의 경우에 억제는 상호 강화된다.
이는 -1.0과 1.0 사이의 값 범위에서의 제1 구조 깊이에 정규화된 구조 깊이 차이 (d2 - d1) / (d1) 에 대한 반사도의 의존성으로서 도 24에 도시된다. 이러한 정규화된 구조 깊이 차이에 대한 -0.5와 0.5의 값들 사이에서, 대응하는 반사율 곡선(75)은 큰 구조 깊이 차이에 대한 점근 반사율 값 보다 현저히 아래에 있다.
상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소으로서의 광학 격자(60)의 추가 실시예가 도 25 내지 28을 참조하여 아래에 설명된다. 도 1 내지 도 24, 특히 도 14 내지 도 22를 참조하여 이미 설명된 것에 대응하는 구성 요소 및 기능이 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세하게 설명되지 않을 것이다.
도 28은 3 개의 회절 격자(77)(도 25), 78(도 26) 및 79(도 27)의 중첩으로 생성되는 광학 격자(76)를 도시한다. 이러한 3 개의 회절 격자(77 내지 79)의 구조 깊이(d 1, d 2, d 3)의 경우 다음 사항이 유효하다.
d 1 > d 2 > d 3.
3 개의 회절 격자(77 내지 79)는 각각의 경우에 바이너리 격자로 구현된다.
3 개의 회절 격자(77 내지 79)의 격자 주기(p 1, p 2 및 p 3)의 비율에 대해 다음과 같은 사항이 유효하다.
p1:p2:p3 = 1:2:4.
결과는 원칙적으로 상쇄 간섭에 의해 3 개의 서로 다른 목표 파장을 억제할 수 있고 3 개의 회절 격자(77 내지 79)를 갖는 3 개의 회절 구조 그룹을 포함하는 광학 회절 구성 요소이다. 이 주기 비율로 인해, 광학 격자(76)는 즉, 주기 진행 방향 x를 따라 3 개의 회절 격자(77 내지 79)의 회절 구조의 가능한 위상 오프셋과 관련하여 오버레이 에러에 민감하지 않다.
광학 격자(76)는 다음의 8 개의 회절 구조 레벨을 갖는다 : N 1(구조 깊이 0), N 2(구조 깊이 d 3), N 3(구조 깊이 d 2), N 4(구조 깊이 d 1), N 5(구조 깊이 d 2 + d 3), N 6(구조 깊이 d 3 + d 1), N 7(구조 깊이 d 1 + d 2) 및 N 8(구조 깊이 d 1 + d 2 + d 3). 이들 회절 구조 레벨은 3 개의 회절 격자(77 내지 79)의 3 개의 회절 구조 그룹에 할당될 수 있다.
상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소으로서의 광학 격자(60)의 추가 실시예가 도 29 내지 32 를 참조하여 아래에서 설명된다. 도 1 내지 도 28, 특히 도 25 내지 도 28을 참조하여 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능이 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세하게 설명되지 않을 것이다.
도 32는 3 개의 바이너리 회절 격자(81)(도 29), 82(도 30) 및 83(도 31)의 중첩으로부터 생성되는 광학 격자(80)를 도시한다. 3 개의 회절 격자(81 내지 83) 의 구조 깊이(d1, d2, d3)의 경우 d1 > d2 > d3이 유효하다. 회절 격자(81 내지 83) 의 격자 주기 p 1, p 2 및 p 3 에 대해, 다음과 같은 사실이 유효하다.
p1:p2:p3= 2:2:1
도 14 내지 도 22 및 도 25 내지 도 28에 따른 실시예에 관하여 위에서 설명된 것과 일치하여, 주기 진행 방향 x를 따른 3개의 회절 격자(81 내지 83)의 회절 구조 사이의 위상 관계의 오버레이 에러는 회절 격자(81 및 82)가 동일한 격자 주기를 가지므로 회절 격자(81 및 82) 사이의 비율과 관련하여 일부만 담당한다.
광학 격자(80)는 또한 3 개의 회절 격자(81 내지 83)의 3 개의 회절 구조 그룹에 할당될 수 있는 상응하는 8 개의 상이한 회절 구조 레벨을 갖는다.
도 33은 도 5 및 도 10과 유사한 예시에서, 예를 들어, 3 개의 상이한 목표 파장을 억제하기 위한 3 개의 회절 구조 그룹을 포함하는, 도 28 및 도 32에 따른 실시예 유형의 광학 격자의 억제 효과를 도시한다.
주기 진행 방향 x를 따른 0의 측벽 연장(F) 즉, 관련 회절 격자의 회절 구조의 이상적으로 급격한 코스를 가정하면, 반사도 곡선(84)은 구조 깊이 d1 = 2.65 μm, d2 = 2.55 μm 및 d3 = 2.60　μm에 대한 파장 의존형 억제 즉, 목표 파장 10.2 μm, 10.40 μm 및 10.6 μm을 억제하기 위해 구현된 것을 도시한다. 3 개의 목표 파장에 대해 10-11 보다 우수한 억제 결과가 나타난다.
차례로 구조의 깊이 및/또는 측벽 기울기 공차를 고려한 반사율이 도 33에서 85로 도시된다. 반사율 곡선(85)의 경우에, 경계 목표 파장 10.2 μm 및 10.6 μm에 대해 억제는 10-9 보다 우수하고, 중앙 목표 파장 10.40 μm에 대해 억제는 10-10의 영역에 있다.
정확히 2 개의 회절 격자를 포함하는 광학 격자 및 정확히 하나의 회절 격자를 포함하는 광학 격자(도 5 참조)에 대한 반사율 곡선(44 및 45)은 도 33 에서 참조로 도시된다.
도 34는 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소으로서의 광학 격자(86)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 내지 도 33, 특히 도 4 내지 도 8을 참조하여 이미 위에서 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지고 다시 상세하게 설명되지 않을 것이다.
광학 격자(86)는 총 3 개의 회절 격자(87, 88, 89)의 중첩으로 생성된다. 이들 회절 격자 중 2 개, 즉 회절 격자(87 및 88)는 도 34 에서 수평으로 진행되는주기 진행 방향 x를 갖는다. 제3 회절 격자(89)는 도 34 에서 수직으로 진행되는주기 진행 방향 y를 갖는다. 도 4 및 도 7과 유사한 방식으로, 광학 격자(86)의 경우, 회절 구조 유형, 즉 다른 회절 구조 레벨은 다른 해칭으로 강조 표시된다. 3 개의 회절 격자(87 내지 89)가 3 개의 다른 구조 깊이(d1, d2 및 d3)를 갖는 경우 결과는 다시 한 번 8 개의 다른 유형의 헤칭에 해당하는 8 개의 다른 회절 구조 레벨이다. 회절 격자(87 내지 89)의 3 개의 구조 깊이(d1, d2 및 d3) 중 2 개 또는 3 개의 구조 깊이가 모두 동일한 경우, 결과는 상응하는 더 적은 수의 상이한 회절 구조 레벨이 된다.
광학 격자(86)에 따른 실시예의 경우, 각각의 목표 파장의 억제는 오버레이 에러와 무관하다.
회절 구조 레벨의 수에 관한 한, 광학 격자, 도 28에 따른 76 및 도 32에 따른 80의 실시예와 관련된 상기 설명을 참조 한다.
도 35 에 도시된 바와 같이 3 개의 회절 구조 레벨을 포함하는 광학 회절 구성 요소(91)의 예에 기초하여, 이러한 회절 구성 요소의 기본 특성이 또한 아래에서 설명될 것이다. 도 1 내지 도 34를 참조하여 앞서 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다. 회절 구조 레벨은 도 35 에서 N1, N2 및 N3 으로 표시된다.
억제될 목표 파장은 λN 의 파장을 갖는다.
회절 구조 레벨 N 1 은 0의 구조 깊이를 갖는다. 회절 구조 레벨 N 2 은 λ N/6의 구조 깊이 d를 갖는다. 가장 깊은 회절 구조 레벨 N 3 은 2d(= λ N/3)의 구조 깊이를 갖는다.
구조 깊이 d 1, d 2, … d n을 갖는 총 n 개의 회절 격자의 중첩은 총 n 개의 목표 파장 λ 1, λ 2,… λ n 을 억제하는 데 적합하다. 이 경우, 회절 구조 가능한 레벨의 수는 2n 이다. 그러므로 위에서 설명된 것처럼 3개의 구조 깊이(d1, d2, d3)가 주어지면, 8개의 회절 구조 레벨(N1 내지 N8)이 초래된다. 바람직하게는, 다양한 회절 구조 레벨 N i 은 모든 회절 구조 레벨 N i 이 회절 구성 요소(91)의 전체 표면적의 동일한 표면적 비율을 점유하도록 배치된다.
광학 회절 구성 요소(91)는 이 경우에 3 개의 레벨을 갖는 소위 m 레벨 격자를 변형으로서 구성한다. 이러한 m 레벨 격자는 m 개의 서로 다른 회절 구조 레벨로 구성되며, 각각은 동일한 표면적을 차지하고 서로에 대해 각 경우 d = λ N /(2m) 의 구조 높이 차이를 갖는다. 목표 파장 λ N을 다시 한번 잘 억제 하면 파장 감도가 낮아진다.
도 35에 따른 3 레벨 격자에는 격자 주기 p가 할당되며, 이에 따라 3 개의 회절 구조 레벨 N 1, N 2, N 3 의 순서가 동일하게 반복된다.
도 36은 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소(92)의 추가 실시예를 도시한다. 도면은 가장 깊은 회절 구조 레벨 N n 주위의 영역에서 회절 구조 레벨 N i, 즉 회절 구조 레벨 N n-2, N n-1, N n, N n + 1, N n + 2를 도시한다.
회절의 0 차에서 반사 광의 강도는 아래와 같이 작성될 수 있다, 회절된 원거리 필드에 대한 Fraunhofer 근사로부터 N 레벨의 주기적 위상 격자에 대해 단순화된 방식으로 진행되여;
Figure pct00005
이 경우, I(0)은 회절 0 차의 강도, 즉 회절된 원거리 필드의 필드 진폭 절대 값의 제곱 이다.
N은 위상 격자의 레벨 수이다. L n 은 각 격자 레벨에 할당된 위상 항(term)이다. 주기 진행 방향 x를 따라 각각의 회절 구조 레벨 N i 의 연장에 대응하는 이러한 위상 항 L n 은 도 36에 예시되어 있다. h n 은 각 회절 구조 레벨의 구조 깊이 측정 값이다(도 36 참조). λ는 회절 광의 파장이다.
상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소(93)의 추가 실시예가 도 37 을 참조하여 아래에 설명된다. 도 1 내지 도 36, 특히 도 36을 참조하여 이미 위에서 설명된 것들에 대응하는 성분 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 자세히 설명하지 않는다.
도 37은 여기에서 h 0 으로 지정된 다양한 격자 레벨의 동일한 구조 깊이 및 이 경우 R로 지정된 주기 진행 방향을 따른 회절 구조 레벨 N 1, N 2, N 3 및 N 4의 동일한 길이를 갖는 계단형 격자의 추가 실시예를 보여준다. 주기 진행 방향(R)은 또한 동심 회절 구조의 반경일 수 있으며, 이 회절 구조의 중심은 컬렉터 미러(24)의 중심과 일치할 수 있다.
따라서 회절 구성 요소(93)는 총 4 개의 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 4 를 가지며, 그 구조 깊이는 각 경우에 h 0 만큼 다르다. 여기서 h 0 = λ N/4 라는 것이 유효하며, 여기서 λ N 은 억제할 목표 파장이다.
주기 진행 방향 R에서 회절 구성 요소의 하나의 완전한 주기 p는 먼저 4 개의 내림차순 회절 구조 레벨 N 1 ~ N 4를 포함하고, 이어서 2 개의 연속하는 재오름차순(reascending) 회절 구조 레벨 N 5, N 6 을 포함하며, 여기서 회절 구조 레벨 N 5 의 구조 깊이는 회절 구조 레벨 N 3 의 것에 대응하며, 회절 구조 레벨 N 6의 구조 깊이는 회절 구조의 레벨 N 2의 것에 대응한다.
상쇄 간섭에 의해 상기 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소(94, 95)의 또 다른 실시예가 도 38 및 도 39를 참조로 이하에 설명된다. 도 1 내지 도 37을 참조로, 특히 도 36 및 도 37을 참조로 이미 전술한 것데 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 설명하지 않을 것이다.
도 38에 따른 회절 구성 요소(94)는, 하나의 격자 주기(p) 내에서 주기 진행 방향(R)을 따라 서로 연속하여, 구조 깊이 0을 갖는 N 1, 구조 깊이 h 1을 갖는 N 2, 구조 깊이 h 1 + h 2를 갖는 N 3, 및 구조 깊이 h 2 를 갖는 N 4 의 회절 구조 레벨들을 갖는다. 이하가 유효하다: h1 < h2.
도 39에 따른 회절 구성 요소(95)의 경우에, 하나의 주기(p) 내의 주기 진행 방향(R)을 따라 이하가 서로 연속한다: 구조 깊이 0을 갖는 회절 구조 레벨 N 1, 구조 깊이 h 1을 갖는 회절 구조 레벨 N 2, 구조 깊이 h 2 를 갖는 회절 구조 레벨 N 3, 및 구조 깊이 h 1 + h 2를 갖는 회절 구조 레벨 N 4. 이하가 또한 유효하다: h1 < h2.
도 36 과 관련하여 위에서 설명한 수식을 진행하면, 회절의 0 차의 강도를 다음과 같이 규정할 수 있다.
Figure pct00006
이 경우, λ 1 및 λ 2 는 각각 회절 구성 요소(94 및 95)에 의해 상쇄 간섭에 의해 억제되도록 의도된 2 개의 목표 파장이다. 이하가 유효하다 : h 1 = λ 1 / 4 및 h 2 = λ 2 /4.
λ = λ 1 및 λ = λ 2 의 경우, I(0) = 0 이다. 따라서, 이 두 파장은 최적으로 억제된다.
도 35 내지 도 39의 실시예의 격자 유형의 이러한 다중 레벨 격자는 상쇄 간섭에 의한 n 개의 목표 파장의 억제를 위해 일반화될 수 있다. n 개의 파장을 억제하기 위해서는, 다음과 같은 높이를 갖는 2n 개의 다른 회절 구조 레벨 N i 가 필요하다 : h1, h2, ... hn, 0, h1 + h2, h1 + h3, ..., h1 + hn, 여기서 다른 구조 깊이 h 1 내지 h n 은 다음 관계를 충족한다.
h1 < hi < hi +1 < 2h1
전술한 광학 회절 구성 요소를 사용하여, 대안으로서 또는 적외선 파장 범위에서 억제된 목표 파장에 추가하여, 예를 들어, 다른 파장 범위의 파장, 예를 들어 DUV 파장 범위에서도 억제될 수 있다.
도 40은 2 개의 구조 깊이 d 1 및 d 2를 갖는 광학 회절 구성 요소 변형의 파장 의존적 반사율 R, 예를 들어 도 16, 도 19 및 도 22에 따른 광학 격자(60, 64 또는 71)의 유형을 도시한 것이다. 이 경우 존재하는 구조 깊이는 다음과 같다: d 1 = 45 nm 및 d 2 = 52 nm. 결과는 도 40 에서 실선으로 표시된 반사율 곡선 96 이다. 또한 점선으로 표시된 것은 구조 깊이 d 1(반사율 곡선 97) 및 d 2(반사율 곡선 98)으로 설계된 정확히 하나의 회절 격자를 포함하는 해당 광학 격자에 대한 반사율 곡선(97 및 98) 이다.
반사율 곡선(96)은 2 개의 목표 파장 λ 1
Figure pct00007
180 nm 및 λ 2
Figure pct00008
210 nm에 대한 억제를 도시한다.
이 두 목표 파장 λ 1, λ 2 의 차이 측정을 위해, 다음이 유효하다.
Figure pct00009
여기서, 이 두 DUV 파장에서의 억제는 10-5 보다 우수하다.
도 41은 도 14 내지 도 22 또는 도 25 내지 도 32의 유형의 광학 회절 구성 요소의 실시예의 반사율 R을 도시하며, 이 경우에는 상이한 구조 깊이(d 1 내지 d 4)를 갖는 총 4 개의 회절 격자의 중첩으로 형성된다. 이하가 유효하다: d1 = 45 nm, d2 = 2 nm, d3 = 2.55 μm 및 d4 = 2.65 μm.
도 41 에 도시된 파장 의존적 반사율 곡선 97 은 구조 깊이 d 3 및 d 4에 대응하여 λ 3 = 10.2 μm 및 λ 4 = 10.6 μm 에서 10 -6 보다 더 우수한 억제를 갖는 2 개의 반사율 최소값을 보여준다.
또한, 도 42 의 DUV 범위에서 확대된 상세로 도시된 것처럼, 두 구조 깊이 d 1 및 d 2 에 대응하여, 반사율 곡선 97을 갖는 격자는 또한 10-6 보다 더 우수한 억제로 2 개의 DUV 파장 λ 1
Figure pct00010
180 nm 및 λ 2
Figure pct00011
210 nm를 억제한다.
도 43은 복수개의 회절 구조 그룹으로 구성된 광학 회절 구성 요소의 사용으로, 회절 구조 그룹의 수가 증가함에 따라, 구조 깊이 및/또는 측벽 경사도 공차에 대한 요구 사항이 이완됨을 도표로 도시한다. 도면은 반사율을 10.0과 11.0㎛ 사이의 범위에 있는 파장의 함수로서 다시 한번 도시한다. 이 경우에, 10.6㎛의 영역에 있는 목표 파장은 10-4 보다 우수한 억제로 억제되도록 의도된다.
정확히 하나의 회절 구조 그룹을 포함하는, 즉 정확히 하나의 회절 격자를 포함하는 광학 회절 구성 요소에 대한 반사율 곡선은 도 43 에서 98로 표시되며, 구조 깊이 d에 대해 값 2.65㎛ 이 가정되고, 이는 허용 대역폭 0.5 % 내에서 변동이 허용된다.
99 는 회절 구조 그룹으로서 2개의 회절 격자를 포함하는 광학 회절 구성 요소에 대한 반사율 곡선을 나타내며, 각각의 경우에 2.65㎛의 동일한 구조 깊이 d 1 = d 2를 가지며, 10배의 허용 대역폭 5%가 허용된다. 목표 파장 영역에서, 반사율 곡선(99)의 경우, 허용 대역폭이 10 배 더 높음에도 불구하고 반사율 곡선(98)의 경우보다 더 우수한 억제가 발생한다.
도 43에서, 100은 회절 구조 그룹으로서 2 개의 회절 격자를 포함하는 광학 회절 구성 요소에 대한 반사율 곡선을 나타내며, 그 구조 깊이는 상이(d1 = 2.65 μm, d2 = 2.55 μm)하며, 각각의 경우에 허용 대역폭은 3.5%가 허용된다. 반사율 곡선(99)의 억제에 대응하는 억제는 목표 파장 10.6㎛에서 발생한다.
도 43에서, 101은 2.65 μm의 동일한 구조 깊이 d1 = d2 = d3 및 구조 깊이에 대한 12%의 허용 대역폭을 갖는 3 개의 회절 격자 형태로 3 개의 회절 구조 그룹을 포함하는 광학 회절 구성 요소에 대한 반사율 곡선을 나타낸다.
목표 파장 영역에서 3 개의 회절 격자의 억제 효과를 상호 강화함으로 인해, 이 매우 높은 허용 대역폭은 "10 -4 보다 우수한 억제" 요구 사항에 해당하는 매우 우수한 억제 결과를 가져온다.
도 44는 특히 도 14 내지 16 을 참조하여 위에서 이미 설명된 바와 같이 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 4 를 포함하는 광학 격자(60)를 다시 도시한다. 도 44는 광학 격자(60)의 리소그래피 생산 중에 사용될 수 있는 2 개의 리소그래피 마스크 구조(105, 106)를 추가로 도시한다.
도 44 에서 광학 격자(60)에 가장 근접한 것으로 도시된 리소그래피 마스크 구조(105)는 에칭 매체에 대해 불투과성인 마스크 영역(107) 및 에칭 매체에 대해 투과성인 중간 마스크 갭(108)을 갖는다. 마스크 구조(105)의 주기성은 도 15에 따른 회절 격자(62)의 주기성에 대응한다. 마스크 구조(105)는 먼저 회절 구조 레벨 N 4 및 N 3 사이의 레벨 측벽 N 4/N 3을 규정하고, 다음으로 회절 구조 레벨 N 1 및 N 2 사이의 레벨 측벽 N 1/N 2을 규정한다.
광학 격자(60)의 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 4 의 지형은 2 개의 바이너리 구조, 즉 리소그래피 마스크 구조(105, 106)의 도움으로 생산 가능한 회절 구조 그룹(61, 62)의 중첩으로 설명될 수 있다(또한 도 14 및 15 참조). 이러한 바이너리 구조(61, 62)의 각각은 제1 구조 깊이를 갖는 제1 표면 섹션, 즉 구조 그룹(61, 62)의 포지티브 구조(61P, 62P) 및 제2 구조 깊이를 갖는 제2 표면 섹션, 즉 주기 진행 방향 x를 따라 제1 표면 섹션(61P, 62P)과 교호하는 네가티브 구조(61N, 62N)를 갖는다. 이들 인접한 표면 섹션 먼저 61P / 61N, 와 다음으로 62P / 62N, 사이의 경계 영역 즉, 바이너리 구조(61, 62) 각각의 상술한 레벨 측벽 Ni / Nj 은 주기 진행 방향에 수직이며 도 14 내지 도 16 및 도 44의 도면의 평면에 수직인 선형 코스를 갖는다. 제1 바이너리 구조(61)의 이들 경계 영역(N3 / N1, N2 / N4) 및 제2 바이너리 구조(62)의 경계 영역(N4 / N3, N1 / N2)은 서로로부터 완전히 분리되어 진행되며, 즉 주기 진행 방향 x에 수직인 코스에서 서로 중첩되지 않는다.
광학 격자(60)의 또 다른 특징은 주기 진행 방향 x를 따라 볼 때 각 상승 레벨 측벽, 즉 먼저 N3 / N1, 및 다음으로 N4 / N3 에는 각각이 동일한 구조 깊이의 하강 레벨 측벽이 할당된다는 점이다. 이 경우, 상승 레벨 측벽 N 3/N 1 에는 하강 레벨 측벽 N 2/N 4 이 할당된다. 상승 레벨 측벽 N 4/N 3 에는 하강 레벨 측벽 N 1/N 2 이 할당된다. 이 경우에 처음으로 할당된 레벨 측벽 N 3/N 1 및 N 2/N 4 는 구조 깊이 d 1을 갖는다. 마찬가지로 서로 할당된 레벨 측벽 N 4/N 3 및 N 1/N 2 는 구조 깊이 d 2를 갖는다.
광학 격자(60)의 제조 동안, 먼저 2 개의 마스크 구조(105, 106) 중 하나, 예를 들어 마스크 구조(105)가 사용되며, 마스크 갭(108)의 영역에서 대응하는 소스에 의해 제공되는, 에칭 영역을 사용하는 제1 에칭 단계에서, 소정의 제1 에칭 깊이(d 2)와 마스크 갭(108)의 폭을 갖는 네가티브 구조가 기판에서 제조된다. 그 후, 마스크 구조(105)가 제거되고, 마스크 구조(106)가 사용되며, 추가 에칭 단계에서, 도 44의 바닥에 도시된 것에 대응하는 회절 구조 레벨(N1 내지 H4)이 상승될 때까지, 기판은 깊이 d 1로 더욱 에칭된다. 따라서, 광학 격자(60)의 마스크 생산은 먼저 기판을 리소그래피 에칭을 위한 제1 마스크 구조를 사용한 다음 마스크 영역 및 마스크 갭의 위치와 관련하여 상이한 제2 마스크 구조를 사용하는 것을 포함한다. 마스크 영역/마스크 갭의 위치의 이러한 차이는 제1 마스크 구조를 추가 마스크 구조로 교환하고 및/또는 진행 방향 x를 따라 마스크 구조를 변위시킴으로써 달성될 수 있다.
생산 방법은 또한 2 개 이상의 에칭 단계를 포함할 수 있으며, 2 개 이상의 상이한 마스크 구조 및/또는 2 개 이상의 에칭 단계를 사용하는 것도 가능하다.
도 45는 광학 격자(64)의 리소그래피 생산 동안의 관계를 도시한다(또한 도 17 내지 19 참조). 도 1 내지 도 44, 특히 도 14 내지 도 19 및 도 44를 참조하여 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다.
도 45에서, 2 개의 리소그래피 마스크 구조(111, 112)가 광학 격자(64)에 대해 도시되어 있으며, 상기 마스크 구조는 다시 한번 주기적으로 연속적인 마스크 영역 및 마스크 갭을 갖는다. 이 경우, 리소그래피 마스크 구조(111)는 마스크 영역(113) 및 마스크 갭(114)을 갖고, 리소그래피 마스크 구조(112)는 마스크 영역(115) 및 마스크 갭(116)을 갖는다.
광학 격자(64)의 리소그래피 생산 동안, 리소그래피 마스크 구조(111)는 먼저 레벨 측벽 N 3/N 2, 다음으로 N 2/N 3을 규정하고, 추가 리소그래피 마스크 구조(112)는 먼저 레벨 측벽 N 2/N 1, 다음으로 N 1/N 2을 규정한다. 여기에서도 광학 격자(64)는 2 개의 바이너리 구조(65, 66)(도 17 및 18 참조)의 중첩으로 생성되며, 그 경계 영역, 즉 주기 진행 방향 x에 수직이고 도 17 내지 도 18 및 도 45의 도면의 평면에 수직인 레벨 측벽 N i/N j 은 완전히 개별적으로 진행, 즉 서로 중첩되지 않는다.
여기서 또한 주기 진행 방향 x를 따라 볼 때 각 상승 레벨 측벽, 즉 측벽 N 2/N 1 및 N 3/N 2 에 다시 한 번 동일한 구조 깊이의 하강 레벨 측벽이 할당된다 즉, 상승 레벨 측벽 N 2/N 1 에 하강 레벨 측벽 N 1/N 2 이 할당되고 또한 상승 레벨 측벽 N 3/N 2 에 하강 레벨 측벽 N 2/N 3이 할당되는 것이 유효하다.
특히 도 20 내지 도 22, 도 25 내지 도 28 및 도 29 내지 도 32를 참조하여 위에서 설명된 광학 격자(71, 76, 80)는 또한 광학 격자(60 및 64)를 참조로 상술한 것처럼, 표면 섹션들 사이의 경계 영역 즉 레벨 측벽 N i / N j이 서로 중첩되지 않는 바이너리 구조의 대응하는 중첩으로서 설명될 수 있다. 광학 격자(76 및 80)의 경우, 이들은 경계 영역 즉, 레벨 측벽 N i, N j 가 서로 중첩되지 않는 3 개의 바이너리 구조의 중첩으로 설명될 수 있다. 이러한 격자(71, 76, 80)에 대해서도,주기 진행 방향 x를 따라 볼 때 각 상승 레벨 측벽에는 동일한 구조 깊이의 하강 레벨 측벽이 할당되는 것이 유효하다.
서로 평행하지 않은 회절 구조 그룹의 주기 진행 방향을 갖는 전술한 광학 회절 구성 요소의 경우, 이는 레벨 측벽의 교차, 즉 회절 구조의 서로 다른 표면 섹션들 사이의 경계 영역의 교차를 초래한다. 이 경우에도, 상기 경계 영역은 지점에서만, 즉 최대로 레벨 측벽의 선형 코스 섹션을 따라, 즉 레벨 측벽의 선형 코스 섹션이 교차하는 부분에서만 서로 중첩된다.
상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 격자 형태의 광학 회절 구성 요소(117)의 추가 실시예가 도 46 을 참조하여 아래에 설명된다. 도 1 내지 도 45를 참조로 이미 설명된 구성 요소 및 기능에 대응하는 구성 요소 및 기능이 동일한 참조 부호로 표시되며 다시 상세히 설명하지 않는다.
광학 격자(117)는 3 개의 회절 구조 레벨 N 1, N 2, N 3을 갖는 회절 구조를 포함하는, 주기 진행 방향 x를 따라 주기적인, 격자 구조 프로파일로서 구현된다.
중간 회절 구조 레벨 N 2 는 기준 높이 0 (d = 0)을 미리 규정하고, 따라서 중성 회절 구조 레벨이라고도 한다. 추가 회절 구조 레벨 N 1 은 기준 높이에 대해 측정된 d = + λ/4의 구조 깊이를 가지며, 따라서 양성 회절 구조 레벨이라고도 한다. 제3 회절 구조 레벨 N 3 은 기준 높이에 대해 측정된 d =-λ/4의 구조 깊이를 가지며, 따라서 음성 회절 구조 레벨이라고도 한다.
따라서 3 개의 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 3 은 기준면 d = 0에 대한 서로 다른 구조 깊이를 미리 규정한다.
광학 격자(117)의 격자 구조 프로파일의 격자 주기 p는 회절 구조 레벨(N 1 내지 N 3)의 총 4 개의 주기 섹션으로 세분된다. 이러한 4 개의 주기 섹션 중 두개는 중성 회절 구조 레벨 N 2로 구현되고, 4개의 주기 섹션 중 하나는 양성 회절 구조 레벨 N 1으로 구현되고, 4개의 주기 섹션 중 4번째는 음성 회절 구조 레벨 N 3로 구현된다. 도 46 에서 선택된 단위 셀을 따른 주기 진행 방향 x의 순서 - 상기 단위 셀은 점선으로 경계가 정해짐 - 는 N2, N1, N2, N3 이다.
주기 진행 방향 x를 따라, 하나의 격자 주기 p 내의 4 개의 주기 섹션은 동일한 구조 길이 x N를 갖는다.
대안적으로, 주기 섹션의 길이, 즉 각각의 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 3 의 x- 연장이 쌍으로 서로 다른 것도 가능하다. 다음은 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 3 의 주기 섹션의 길이 x Ni 에 대한 제약으로 충족되어야 한다.
Figure pct00012
따라서 중성 회절 구조 레벨에서 벗어난 레벨의 연장의 합은 중성 회절 구조 레벨의 연장의 두 배와 동일한 근사치여야 한다.
회절 구조 레벨(N 1 내지 N 3)의 상술한 구성 즉, 주기 진행 방향 x를 따른 구조 깊이 및 길이는 격자 구조 프로파일에 의해 회절되는 적외선 파장 범위에 있는 제1 목표 파장(λ1)이 제1 폭표 파장(λ1)의 회절의 0 차에서 서로 상쇄적으로 간섭하는 3개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 갖도록 한다. 따라서, 특히 도 1 내지 도 45에 따른 다른 광학 회절 구성 요소와 관련하여 상술한 것과 같은 억제 효과가 초래된다. 이론적 고려에 의해 밝혀진 바와 같이, 이 억제 효과는 단일 바이너리 격자(미도시)의 억제와 비교하여 제곱이 되고, 결과적으로 예를 들어 음성 회절 구조 레벨 N 3 대신에 양성 회절 구조 레벨 N 1 이 차례로 배열된 바이너리 격자가 10 -2 의 억제를 갖는다면, 광 격자(117)는 10 -4 의 억제 효과를 갖는다.
목표 파장이 다시 10 ㎛ 와 11 ㎛ 사이의 범위에 있을 수 있다.
구조 깊이 오차가 회절 효율에 미치는 영향은 도 47 및 도 48을 참조하여 아래에 설명되어 있다. 여기서는 도 47 및 도 48에서 억제될 파장 λ를 갖는 광이 수직 입사로 위에서부터 광학 격자(117)에 입사된다고 가정한다. 이 가정 "수직 입사(normal incidence)"는 다음 고려 사항에 대한 모델 가정의 역할을 한다. 실제로는 광의 입사각은 수직 입사로부터 규칙적으로 벗어난다. 따라서, 여기에 설명된 광학 회절 구성 요소의 구조 깊이는 각각의 입사각에 맞게 조정된다. 이러한 디자인 적응을 수행하는 방법은 당업자에게 알려져있다. 실제로, 광의 입사각은 억제될 파장에 따라 달라지며, 광학 회절 구성 요소의 구조 깊이도 EUV 컬렉터에 따라 달라진다. 회전 대칭 설계를 갖는 EUV 컬렉터(24)의 경우, 회절 구조 그룹 의 구조 깊이는 EUV 컬렉터(24)의 중심으로부터 EUV 컬렉터(24)의 에지를 향해 연속적으로 변할 수 있다.
반사 광의 파형의 동일한 위상(P 0)의 영역들이 도 47 및 도 48에 채워진 점으로 도시된다. 먼저 회절 구조 레벨 N 1 다음으로 N 3가 각각의 경우에 λ/4의 광학 경로 길이 만큼 중성 회절 구조 레벨 N 2 에 대해 오프셋되므로, 도 47에 도시된 광학 격자(117)의 격자 주기의 총 4개의 주기 섹션에 대해, 각각의 경우에 위상(P 0)이 파장의 절반만큼, 즉 λ/2 만큼 정확하게 오프셋되는 방식으로, 도 47에서는 완벽한 λ/4 구조 깊이인, 2개의 추가 영역에 대해 반사되는 반사 광의 두 영역은 입사광의 완벽한 억제 즉, 반사 광의 상쇄 간섭으로 이어지는 것이 명백하다.
도 47은 양성 회절 구조 레벨 N 1 이 λ/4 보다 큰 구조 깊이를 갖고, 음성 회절 구조 레벨 N 3 이 양성 회절 구조 레벨 N 1 의 구조 깊이와 동일한 절대 값을 갖는 즉, 대응적으로 유사하게 절대 항목에서 λ/4 보다 큰, 구조 깊이를 갖는 경우를 보여준다. 따라서 도 47 에 따른 격자의 경우 높이 오차가 존재한다.
먼저 양성 회절 구조 레벨 N 1에 의해 및 다음으로 음성 회절 구조 레벨 N 3에 의해 반사된 광의 동일한 위상 P 0, d의 영역은 도 48에서 열린 원으로 도시된다.
레벨 N 1 및 N 3 에 의해 각각 반사되는 이 두 위상 P 0, d 의 반사광의 빔 방향에서의 위치와 도 47 에 따른 완벽한 억제 상황의 경우의 대응하는 위상 위치 P 0 의 비교에 의해 알 수 있듯이, 도 48 에 따른 상황의 경우, 이 두 위상 P 0, d 는 각각 동일한 거리만큼 위아래로 시프트하는 방식으로 정확한 위상 위치 주위에 존재하고, 결과로서 2 개의 시프트된 위상 P 0, d 의 평균값이 다시 한번 도 47에 따라 완벽한 위상 위치의 위치에 위치하게 된다. 이 평균화는 회절 구조 레벨 N 1 및 N 2에 대응하는 단지 2개의 회절 구조 레벨 및 대응하는 높이 에러를 갖는 바이너리 격자에 비교하여 3개의 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 3를 갖는 격자의 경우에 있어 억제의 개선을 가져온다.
도 49는 다시 한번 3 개의 회절 구조 레벨 N 1, N 2 및 N 3을 갖는 회절 구조를 포함하는 광학 격자(118)의 형태로 다시 한번 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 변형을 도시한다. 도 1 내지 48을 참조하여, 특히 도 46 내지 48을 참조하여 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다.
도 49는 하나의 주기 p에 걸쳐 주기 진행 방향 x를 따라 연장되는 단위 셀을 다시 점선으로 도시한다. 주기 진행 방향 x에서 이 단위 셀에 처음으로 존재하는 중성 회절 구조 레벨 N 2 은 다른 2 개의 회절 구조 레벨에 비해 두배의 길이(2x N) 이다. 따라서 도시된 단위 셀 내의 주기 진행 방향에서 회절 구조 레벨의 순서는 다음과 같다 : 두배의 길이 2x N 의 중성 회절 구조 레벨 N 2, 단일 길이 x N을 갖는 양성 회절 구조 레벨 N 1, 단일 길이 x N을 갖는 음성 회절 구조 레벨. 따라서 광학 격자(118)의 경우, 단위 셀 내에서 양성 회절 구조 레벨 N 1 다음에 바로 음성 회절 구조 레벨 N 3 이 와서, 중간 레벨 측벽은 λ/2 의 구조 깊이를 갖는다.
도 50은 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시하고, 상기 광학 회절 구성 요소는 광학 격자(120)로서 형성되고, 다시 한번 4 개의 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 4 를 갖는 회절 구조를 포함한다. 도 1 내지 도 49를 참조하여, 특히 도 46 내지 도 49를 참조하여 앞서 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다. 주기 진행 방향을 따라, 광학 격자(120)는 회절 구조 레벨의 다음 순서 갖는다: 구조 깊이 + λ/4를 갖는 양성 회절 구조 레벨 N 1, 중성 회절 구조 레벨 N 2. 구조 깊이 -λ/4를 갖는 음성 회절 구조 레벨 N 3, 구조 깊이-λ/2을 갖는 이중 음성 회절 구조 레벨 N 4, 음성 회절 구조 레벨 N 3, 및 중성 회절 구조 레벨 N 2. 따라서 광학 격자(120)의 단위 셀은 회절 구조 레벨 순서 N1, N2, N3, N4, N3, N2 또는 상응하는 순환 교환을 포함한다.
도 51은 적어도 하나의 목표 파장을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소의 추가 실시예를 도시하며, 상기 광학 회절 구성 요소는 광학 격자(121)로서 형성되며, 다시 한번 5 개의 회절 구조 레벨 N 1 내지 N 5 를 갖는 회절 구조를 포함한다. 도 1 내지 도 50을 참조하여, 특히 도 46 내지 도 50을 참조하여 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다. 주기 진행 방향을 따라, 광학 격자(121)는 회절 구조 레벨의 다음 순서 갖는다: 구조 깊이 + λ/4를 갖는 양성 회절 구조 레벨 N 1, 중성 회절 구조 레벨 N 2, 구조 깊이 - λ/4를 갖는 음성 회절 구조 레벨 N 3, 구조 깊이 -λ/2 를 갖는 이중 음성 회절 구조 레벨 N 4, 구조 깊이 -3λ/4를 갖는 3중 음성 회절 구조 레벨 N 5, 구조 깊이 -λ/2를 갖는 이중 음성 회절 구조 레벨 N 4, 구조 깊이 -λ/4 를 갖는 음성 회절 구조 레벨 N 3, 및 중성 회절 구조 레벨 N 2. 따라서, 광학 격자(120)의 단위 셀은 회절 구조 레벨 순서 N1, N2, N3, N4, N5, N4, N3, N2 또는 상응하는 순환 교환을 포함한다.
광학 격자(120)의 경우의 추가 회절 구조 레벨 N 4 및 광학 격자(121)의 경우의 N 4, N 5 는 회절 효과의 추가 강화, 즉 목표 파장 λ의 상쇄 간섭의 추가 강화를 초래한다.
도 52는 각각의 경우 λ/4(d
Figure pct00013
2.6 ㎛)의 의 구조 깊이 d를 갖는 회절 구조 레벨 N 1, N 2 및 N 3 의 순서를 가지며 주기 진행 방향 x에서 회절 구조 레벨 N 1, N 2 및 N 3 의 동일한 구조 길이 x N (즉, xN1 = xN2 = xN3)를 갖는 도 46의 유형의 광학 격자의 반사율 곡선(125)을 도시한다. 결과로서 파장 λ = 10.4 μm 주변의 1·10 -6 에서 최소인 넓은 반사율을 갖는 반사율 곡선(125)을 갖는다. 10.2 μm에서 10.6 μm 사이에서 반사율은 2 · 10 -6 미만 이다. 10.1 μm에서 10.7 μm 사이에서 반사율은 3 · 10 -6 미만 이다. 10.0 μm에서 10.8 μm 사이에서 반사율은 5 · 10 -6 미만 이다. 이는 표시된 파장 범위에서 방해 파장을 매우 잘 억제한다.
도 53은 도 44 및 45의 방식으로 주기 p = 4x N 을 갖는 광학 격자(64)(또한도 17 내지 19 참조)의 리소그래피 생산 동안의 관계를 도시한다.
도 1 내지 도 52를 참조하여, 특히 도 14 내지 도 19, 도 44 및 도 45를 참조하여 이미 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 상세히 논의되지 않을 것이다.
광학 격자(64)에 대해, 도 53은 광학 격자(64)의 리소그래피 생산 동안 사용되며 다시 한번 주기적으로 연속적인 마스크 영역 및 마스크 갭을 갖는 리소그래피 마스크 구조(126, 127)의 추가 실시예를 도시한다. 이 경우, 리소그래피 마스크 구조(126)는 연속적인 마스크 영역(128 및 129) 및 개재(intervening) 마스크 갭(130 및 131)을 가지며, 마스크 구조(127)는 연속적인 마스크 영역(132 및 133) 및 개재 마스크 갭(134 및 135)을 갖는다.
광학 격자(64)의 리소그래피 생산 동안, 마스크 구조(126)의 마스크 영역(128)은 먼저 레벨 측벽들 N 3/N 2를 규정하고, 두 번째로 N 1/N 2 를 규정한다. 마스크 구조(126)의 추가 마스크 영역(129)은 주기 진행 방향 x로 이어오는 광학 격자(64)의 회절 구조 레벨의 다음 순서에 대해 레벨 측벽 N 2/N 1 및 N 2/N 3을 규정한다. 추가 리소그래피 마스크 구조(127)는 마스크 영역(132)을 이용하여 주기 진행 방향 x로 이어지는 회절 구조 레벨 N i의 레벨 측벽 N 2/N 1 및 N 2/N 3을 규정하고, 마스크 구조(127)의 마스크 영역(133)은 회절 구조 레벨 N i의 다음 주기의 레벨 측벽 N3/N2 및 N1/N2 을 규정한다. 이에 상응하여 광학 격자(64)는 주기 진행 방향 x(도 53 의 도면의 평면에 수직)에 수직인 경계 영역이 완전히 개별적으로 진행되는, 즉 서로 중첩되지 않는 2개의 바이너리 구조의 중첩으로 생성된다.
마스크 구조(먼저 128, 129 및 둘째로 132, 133)는 각각의 경우에 동일한 x- 연장, 즉 각각의 경우 2x N을 갖는다. 마스크 갭(먼저 131, 둘째로 134)은 각각의 경우, 동일한 X-연장 즉, 각각의 경우 x N을 갖는다. 마스크 구조(130 및 135)는 마찬가지로 각각의 경우 동일한 x- 연장, 즉 각각의 경우 3x N을 갖는다.
따라서 마스크 구조(126, 127)는 광학 격자(64)의 각각의 연속적인 주기 p에 대해 교대로 상이한 레벨 측벽을 미리 규정한다. 주기 길이 p만큼 시프트함으로써, 대부분의 마스크 구조(126 및 127)는 서로 변환될 수 있다.
도 54는 광학 격자(64)의 리소그래피 생산 동안 2 개의 마스크 구조(136, 137)의 대안적인 실시예를 도시한다. 도 1 내지 도 53, 특히 도 14 내지 도 19, 도 44 및 도 53을 참조하여 이미 위에서 설명된 것들에 대응하는 구성 요소 및 기능에는 동일한 참조 부호를 가지며 다시 자세히 설명하지 않는다.
마스크 구조(136)는 마스크 영역(138, 139) 및 개재 마스크 갭(140, 141)을 갖는다. 마스크 구조(137)는 마스크 영역(142, 143) 및 개재 마스크 갭(144 및 145)을 갖는다. 마스크 영역(먼저 138, 둘째로 143)의 x- 연장은 3x N 이고 따라서 x N 인 마스크 영역(먼저 139, 둘째로 142)의 x- 연장 크기의 3 배이다. 마스크 갭(140, 141, 144 및 145)은 각각 2x N 의 연장을 갖는다.
광학 격자(64)의 리소그래피 생산 동안, 리소그래피 마스크 구조(136)는 마스크 영역(138)을 이용하여 격자(64)의 회절 구조 레벨(N1 내지 N3)의 제1 주기 P의 레벨 측벽(N3/N2 및 N2/N3)을 규정하며, 마스크 영역(139)는 회절 구조 레벨(N1 내지 N3)의 제2 주기 p의 레벨 측벽(먼저 N2/N1, 둘째로 N1/N2)을 규정한다. 추가 리소그래피 마스크 구조(137)는 마스크 영역(142)를 이용하여 제1 주기의 레벨 측벽(N2/N1 및 N1/N2)을 규정하고, 마스크 영역(143)을 이용하여 회절 구조 레벨(N1 내지 N3)의 연속하는 주기 p의 레벨 측벽(N3/N2 및 N2/N3)을 규정한다.
도 53에 따른 실시예의 경우와 유사한 방식으로, 마스크 구조(136 및 137)가 회절 구조 레벨(N 1 내지 N 3)의 연속 주기의 다른 레벨 측벽을 교대로 미리 규정 한다는 것 또한 유효하다. 마스크 구조(136 및 137)는 또한 주기 길이 p = 4x N 만큼 시프트함으로써 서로 변환될 수 있다.
2 개의 마스크 구조(147, 148)를 갖는 광학 격자(146)의 추가 실시예의 생산 동안의 관계는 도 55 를 참조하여 설명될 것이다. 각각 광학 격자(64)의 2 개의 격자 주기를 나타내는 도 53 및 도 54와 대조적으로, 도 55 에는 하나의 격자 주기 p가 도시되어 있다. 이 격자 주기 p 내에서, 광학 격자(146)는 진행 방향 x에서 다음과 같은 회절 구조 레벨 N i 순서를 갖는다 : N1, N2, N1, N2, N3 및 N2. 격자 주기 p는 6x N 의 연장을 갖는다. 모든 회절 레벨 N 1 은 각각의 경우 x N 의 연장을 갖는다.
마스크 구조(147)는 주기 p 마다 마스크 영역(149, 150) 및 개재 마스크 갭(151, 152)을 가지며, 마스크 구조(148)는 주기 p 마다 정확히 하나의 할당된 마스크 영역(153) 및 하나의 마스크 갭(154)을 갖는다. 마스크 영역(149) 및 마스크 영역(150)은 2x N 의 연장을 갖는다. 마스크 갭(151, 152)의 연장이 X N을 갖는다. 마스크 영역(153)에는 3xN의 연장을 갖는다. 마스크 갭(154)도 마찬가지로 3xN의 연장을 갖는다.
주기 진행 방향 x를 따라 주기 p에 걸친 레벨 측벽의 순서 내에서, 각 마스크 구조의 마스크 영역에 의한 각 레벨 측벽의 미리 규정에 관한 한 다음 할당은 유효하다.
Figure pct00014
2 개의 마스크 구조(156, 157)를 갖는 광학 격자(155)의 추가 실시예의 생산 동안의 관계는 도 56 을 참조하여 설명될 것이다. 각각 광학 격자(64)의 2 개의 격자 주기를 보여주는 도 53 및 도 54와 대조적으로 도 56에는 하나의 격자 주기 p가 도시되어 있다. 이 격자 주기 p 내에서 광학 격자(155)는 회절 구조 레벨 N i 의 다음 순서를 갖는다 : Ni: N2, N1, N2, N3, N2 및 N3. 따라서 격자(155)의 경우에도 6x N 의 연장을 갖는 주기 p 가 존재한다. 회절 구조 레벨 N i 는 각각의 경우 주기 진행 방향 x를 따라 x N 의 연장을 갖는다.
광학 격자(155)의 생산을 위해, 다시 한번 2 개의 리소그래피 마스크 구조(156 및 157)가 도 56 에 도시되어 있다. 이 경우, 마스크 구조(156)는 마스크 영역(158 및 159)과 개재 마스크 갭(160, 161)을 가지며, 마스크 구조(157)는 주기 마다 정확하게 하나의 마스크 영역(162) 및 하나의 마스크 갭(163)을 갖는다. 마스크 영역(158 및 159)은 각각의 경우에 연장 x N을 갖는다. 마스크 갭(160, 161)은 마찬가지로 각각의 경우에 2x N 의 연장을 갖는다. 먼저 마스크 영역(162) 및 두 번째로 마스크 갭(163)은 각각의 경우에 3x N 의 연장을 갖는다.
다음은 광학 격자(155)의 리소그래피 생산 동안의 레벨 측벽으로의 마스크 영역의 할당에 대해 유효하다.
Figure pct00015
전술한 광학 격자의 구조는, 예를 들어 EUV 컬렉터(24)에 의해 반사되는 적외선 파장을 갖는 미광 복사가 0 차에서 상쇄 간섭하여 미광 강도가 0 차에서 억제되는 효과를 가질 수 있다. 이 경우, 위에서 설명한 광학 회절 구성 요소는 일반적으로 반사 성분으로 사용된다.
EUV 컬렉터(24)의 본체는 알루미늄으로 제조될 수 있다. 이 본체의 대체 재료는 구리, 구리 및/또는 알루미늄 성분을 포함하는 합금 또는 분말 야금에 의해 생산된 구리 및 알루미늄 산화물 또는 실리콘의 합금이다.
미세 구조 또는 나노 구조 부품을 생산하기 위해, 투영 노광 장치(1)는 다음과 같이 사용된다: 먼저, 반사 마스크(10) 또는 레티클 및 기판 또는 웨이퍼(11)가 제공된다. 그 후, 레티클(10) 상의 구조는 투영 노광 장치(1)의 도움으로 웨이퍼(11)의 감광층 상에 투영된다. 그런 다음 웨이퍼(11)상의 미세 구조 또는 나노 구조, 따라서 미세 구조화된 부품은 감광층을 현상하여 생성된다.

Claims (22)

  1. 광학 회절 구성 요소(64; 117; 118; 119; 120; 121)로서,
    - 3 개의 회절 구조 레벨(N1 내지 N3; N1 내지 N4; N1 내지 N5)을 갖는 회절 구조를 포함하는 주기적 격자 구조 프로파일을 포함하고,
    - 기준면에 대한 다른 구조 깊이를 미리 규정하며,
    - 회절 구조의 배열은 적외선 파장 범위의 제1 목표 파장(λ1) - 제1 목표 파장은 상기 주기적 격자 구조 프로파일에 의해 회절됨 - 주위의 파장 범위가 제1 목표 파장(λ1)의 회절의 적어도 0차 및/또는 +/- 제1 차(들)에서 서로 상쇄적으로 간섭하는 적어도 3개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 갖도록 하며,
    - 상기 회절 구조 레벨(N1 내지 N3; N1 내지 N4; N1 내지 N5)은 주기 진행 방향(x)을 따라 규칙적으로 반복되는 주기적 격자 구조 프로파일의 격자 주기(p)의 지형을 미리 규정하고,
    - 여기서 상기 회절 구조 레벨(N1 내지 N3; N1 내지 N4; N1 내지 N5)은:
    -- 기준 높이 0에 해당하는 중성 회절 구조 레벨(N2),
    -- 상기 중성 회절 구조 레벨(N2)에 비해 λ1/4 +/-20%의 광학 경로 길이만큼 더 높게 배열되는 양성 회절 구조 레벨(N1), 및
    -- 중성 회절 구조 레벨(N2)에 비해 λ1/4 +/-20 %의 광 경로 길이만큼 더 낮게 배열되는 음성 회절 구조 레벨(N3; N3, N4; N3, N4, N5)을 포함하는, 광학 회절 구성 요소.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 주기적 격자 구조 프로파일의 격자 주기는 회절 구조 레벨의 4 개의 주기 섹션으로 세분되고, 4 개의 주기 섹션 중 2 개는 중성 회절 구조 레벨(N2)을 갖는 중성 회절 구조 섹션으로 구현되고, 4 개의 격자 주기 섹션 중 하나는 양성 회절 구조 레벨을 갖는 양성 회절 구조 섹션(N1)으로 구현되고, 4 개의 주기 섹션 중 하나는 음성 회절 구조 레벨을 갖는 음성 회절 구조 섹션(N3)으로 구현되는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  3. 청구항 2에 있어서, 4 개의 주기 섹션은 주기 진행 방향(x)을 따라 동일한 길이 (xN) +/- 20% 를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 4 개의 주기 섹션의 다음 순서: 양성 회절 구조 레벨(N1), 중성 회절 구조 레벨(N2), 음성 회절 구조 레벨(N3), 중성 회절 구조 레벨(N2)을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 회절 구조의 배열은 상기 주기적 격자 구조 프로파일에 의해 회절되는, 적외선 파장 범위에 있는, 제1 목표 파장(λ1)을 포함하는 목표 파장 범위가 적어도 제1 목표 파장(λ1)의 회절의 0차 및/또는 +/- 제1 차(들)에서 서로 상쇄 간섭하는 적어도 3 개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 갖도록 하며, 여기서 목표 파장 범위는 또한 제1 목표 파장(λ1) 이외에도 그와 다른 제2 목표 파장(λ2)을 포함하며, 상기 회절 구조의 배열은 주기적 격자 구조 프로파일에 의해 회절되는, 적외선 파장 범위에 있는, 제2 목표 파장(λ2) 주위의 파장 범위가 또한 적어도 제2 목표 파장(λ2)의 회절의 0차 및/또는 +/- 제1 차(들)에서 서로 상쇄 간섭하는 적어도 3 개의 상이한 위상을 갖는 방사 성분을 갖도록 되며, 여기서 두 목표 파장(λ1 및 λ2)에 대해 (λ1-λ2)2/(λ1+λ2)2 < 20%가 유효한 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  6. 상쇄 간섭에 의해 적어도 하나의 목표 파장(λN)을 억제하기 위한 광학 회절 구성 요소(34; 46; 47; 57; 58; 59; 60; 64; 71; 76; 80; 86; 91; 92; 93; 94; 95; 117; 118; 119; 120; 121)로서,
    - 기준면에 대한 서로 다른 구조 깊이(di)를 미리 규정하는 적어도 3 개의 회절 구조 레벨(Ni)을 포함하고,
    - 3 개의 회절 구조 레벨(Ni)은 적어도 2 개의 회절 구조 그룹(35, 36; 61, 62; 65, 66; 72, 73; 77, 78, 79; 81, 82, 83; 87, 88, 89; N1, N2; N2, N3; N3, N1; Nn, Nn + 1)에 할당될 수 있으며,
    - 제1 회절 구조 그룹(35; 61; 65; 72; 77; 81; 87; Nn, Nn + 1)은 0 차 회절에서 제1 목표 파장(λ1)을 억제하기 위해 구현되고,
    - 제2 회절 구조 그룹(36; 62; 66; 73; 78; 82; 88; Nn + 1, Nn + 2)은 0 차 회절에서 제2 목표 파장(λ2)를 억제하기 위해 구현되며,
    - 2 개의 목표 파장(λ1 및 λ2)에 대해, (λ1-λ2)2/(λ1+λ2)2 < 20% 가 유효하며,
    - 회절 구조 레벨(Ni)의 지형은 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹(35, 36; 61, 62; 65, 66; 72, 73; 77, 78, 79; 81, 82, 83; 87, 88, 89)의 중첩으로 설명될 수 있으며,
    - 여기서, 각각의 바이너리 회절 구조 그룹은:
    -- 제1 구조 깊이를 갖는 제1 표면 섹션(61P; 62P);
    -- 진행 방향(x)을 따라 제1 표면 섹션(61P, 61N)과 교호하는, 제2 구조 깊이를 갖는 제2 표면 섹션(61N; 62N)을 가지며,
    - 여기서 각각의 바이너리 회절 구조 그룹(35, 36; 61, 62; 65, 66; 72, 73; 77, 78, 79; 81, 82, 83; 87, 88, 89; N1, N2; N2, N3; N3, N1; Nn, Nn + 1)의 인접한 표면 섹션들(61P, 61N; 62P, 62N) 사이의 경계 영역(N3 / N1, N2 / N4, N4 / N3, N1 / N2)은 선형 코스를 가지며, 여기서
    -- 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹(35, 36; 61, 62; 65, 66; 72, 73; 77, 78, 79; 81, 82, 83; 87, 88, 89; N1, N2; N2, N3; N3, N1; Nn, Nn + 1) 중 첫 번째인 제1 경계 영역(N3 / N1, N2 / N4) 및
    - 2 개의 바이너리 회절 구조 그룹(35, 36; 61, 62; 65, 66; 72, 73; 77, 78, 79; 81, 82, 83; 87, 88, 89; N1, N2; N2, N3; N3, N1; Nn, Nn + 1) 중 두 번째인 제2 경계 영역(N4 / N3, N1 / N2)
    -- 은 최대한으로 이들의 선형 코스의 섹션을 따라 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  7. 청구항 1에 있어서, 2개의 바이너리 회절 구조 그룹(61, 62; 65, 66; 72, 73; 77, 78, 79; 81, 82, 83; 87, 88, 89; N1, N2; N2, N3; N3, N1; Nn, Nn + 1) 중 첫 번째의 제1 경계 영역(N3 / N1, N2 / N4) 과 2개의 바이너리 회절 구조 그룹(61, 62; 65, 66; 72, 73; 77, 78, 79; 81, 82, 83; 87, 88, 89; N1, N2; N2, N3; N3, N1; Nn, Nn + 1) 중 두 번째의 제2 경계 영역(N4 / N3, N1 / N2)은 서로 완전히 분리되어 진행되는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 제1 회절 구조 그룹(35; 61; 65; 72; 77; 81; 87)은 격자 표면(33)에 배열된 제1 회절 격자로서 구현되며, 상기 제1 회절 격자는
    -- 제1 격자 주기(ph; p1)를 가지며,
    -- 제1 회절 포지티브 구조(37)와 제1 회절 네거티브 구조(38) 사이의 광 경로 차이로서 측정된, 각각이 이들 제1 구조들(37, 38)을 둘러싸는 격자 표면(33)의 표면 섹션에 수직인, 제1 구조 깊이(dh; d1)를 가지며,
    - 제2 회절 구조 그룹(36; 62; 66; 73; 78; 82; 88)은 격자 표면(33)에 배열된 제2 회절 격자로서 구현되며, 상기 제2 회절 격자는
    -- 제2 격자 주기(pv; p2)를 가지며,
    -- 제2 회절 포지티브 구조(40)와 제2 회절 네거티브 구조(41) 사이의 광 경로 차이로서 측정된, 각각이 이들 제2 구조들(40, 41)을 둘러싸는 격자 표면(33)의 표면 섹션에 수직인 제2 구조 깊이(dv; d2)를 가지는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  9. 청구항 3에 있어서,
    - 제1 격자 주기(ph)는 제1 회절 격자(35)의 제1 주기 진행 방향(39)을 따라 진행되고,
    - 제2 격자 주기(pv)는 제2 회절 격자(36)의 제2 주기 진행 방향(42)을 따라 진행되고,
    - 여기서 2개의 주기 진행 방향(39, 42)은 서로 평행하게 진행되지 않는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  10. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서, 상기 격자 표면(33) 상에 배열된 적어도 하나의 추가 회절 격자(48)는,
    - 추가 회절 포지티브 구조(49) 및 추가 회절 네거티브 구조(50)를 가지며, 여기서 추가 회절 포지티브 구조(49)의 표면적 대 추가 회절 네거티브 구조(50)의 표면적의 표면적 비는 0.9에서 1.1 사이의 범위에 있으며,
    - 추가 격자 주기(pd)를 가지며,
    - 추가 회절 포지티브 구조(49)와 추가 회절 네거티브 구조(50) 사이의 광 경로 차이로서 측정된, 각각이 이들 추가 구조들(49, 50)을 둘러싸는 격자 표면(33)의 표면 섹션에 수직인 추가 구조 깊이(dd)를 가지는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  11. 청구항 5에 있어서,
    - 추가 격자 주기(pd)와 추가 구조 깊이(dd) 사이의, 10보다 큰, 비율(pd/dd), 및/또는
    - 제1 격자 주기(ph) 대 추가 격자 주기(pd)의, 0.9와 1.1 사이의 범위에 있는, 주기 비율(ph/pd), 및/또는
    -- 제1 격자 주기(ph)는 제1 회절 격자(35)의 제1 주기 진행 방향(39)을 따라 진행되고,
    -- 추가 격자 주기(pd)는 추가 회절 격자(48)의 추가 주기 진행 방향(51)을 따라 진행되며,
    -- 여기서 2 개의 주기 진행 방향(39, 51)은 서로 평행하게 진행하지 않는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  12. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 다양한 회절 구조 그룹(35, 36, 48)의 회절 포지티브 구조(37, 40, 49) 및 회절 네거티브 구조(38, 41, 50)의 표면적은 전체 격자 표면(33)에 동일한 기여를 하는 것을 특징으로 하는, 광학 회절 구성 요소.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 광학 회절 구성 요소(34; 46; 47; 57; 58; 59; 60; 64; 71; 76; 80; 86; 91; 92; 93; 94; 95; 117; 118; 119; 120; 121)를 포함하는 투영 노광 장치에 이용되는, 콜렉터(24).
  14. 청구항 13에 있어서, 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 광학 회절 구성 요소(34; 46; 47; 57; 58; 59; 60; 64; 71; 76; 80; 86; 91; 92; 93; 94; 95; 117; 118; 119; 120; 121)를 포함하는 EUV 투영 노광 장치에 이용되는 EUV 콜렉터로서 구현되는, 콜렉터.
  15. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서, 콜렉터 미러는 방사선(3)을 초점 영역(26)을 향해 안내하는 방식으로 구현되고, 상기 광학 회절 구성 요소는 적어도 하나의 목표 파장의 방사선(30)을 상기 초점 영역(26)으로부터 멀어지도록 안내하는 방식으로 구현되는 것을 특징으로 하는, 콜렉터.
  16. 청구항 13 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 기재된 콜렉터(24)를 포함하는 조명 시스템으로서, 이미징될 물체(10)가 배열될 수 있는 오브젝트 필드(4)를 조명하기 위한 조명 광학 유닛(6)을 포함하는, 조명 시스템.
  17. 청구항 16에 기재된 조명 시스템을 포함하는 광학 시스템으로서, 오브젝트 필드(4)를, 기판(11)이 배열될 수 있고 이미징될 물체(10)의 섹션이 이미징될 수 있는 이미지 필드(8)에 이미징하기 위한 투영 광학 유닛(7)을 포함하는, 광학 시스템.
  18. 청구항 17에 기재된 광학 시스템을 포함하고, 광원(2)을 포함하는, 투영 노광 장치(1).
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 광원(2)은 EUV 광원으로서 구현되고, EUV 파장을 생성하는 플라즈마를 생성하기 위한 펌프 광원을 포함하며, 상기 펌프 광원은 프리펄스 광 파장을 갖는 프리펄스를 생성하기 위해 및 메인 펄스 광 파장을 갖는 메인 펄스를 생성하기 위해 구현되며, 상기 프리펄스 광 파장은 메인 펄스 광 파장과는 상이한 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치(1).
  20. 구조화된 구성 요소를 생성하는 방법으로서:
    - 레티클(10) 및 웨이퍼(11)를 제공하는 단계,
    - 청구항 18 또는 청구항 19에 기재된 투영 노광 장치의 도움으로 상기 레티클(10) 상의 구조를 상기 웨이퍼(11)의 감광층 상에 투영하는 단계, 및
    - 상기 웨이퍼(11)에 미세 구조 및/또는 나노 구조를 생성하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  21. 청구항 20에 기재된 방법에 따라 생산되는, 구조화된 구성 요소.
  22. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 광학 회절 구성 요소의 제조 방법으로서,
    - 기판을 제공하는 단계,
    - 에칭 매체에 침투할 수 없는 마스크 영역(113, 115; 128, 129, 132, 133; 138, 139, 142, 143; 149, 150, 153; 158, 159, 162)을 가지고, 기판과 에칭 매체 용 소스 사이에 배치된 중간 마스크 갭(114, 116; 130, 131, 134, 135; 140, 141, 144, 145; 151, 152, 154; 160, 161, 163)을 갖는 적어도 하나의 마스크 구조(105, 106; 111, 112; 126, 127; 136, 137; 147, 148; 156, 157)를 제공하는 단계,
    - 에칭 매체에 의한 기판의 제1 에칭 단계,
    - 마스크 구조(111; 126; 136; 147; 156)를 추가 마스크 구조(112; 127; 137; 148; 157)로 교환하고/하거나 진행 방향(x)을 따라 상기 마스크 구조(105; 126)를 변위하는 단계, 및
    - 상기 에칭 매체에 의한 기판의 제2 에칭 단계를 포함하는, 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116559986A (zh) * 2023-05-15 2023-08-08 暨南大学 一种点阵投射器装置及其制备方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI831898B (zh) 2019-01-15 2024-02-11 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 藉由破壞性干涉抑制至少一目標波長的光學繞射元件
US11448918B2 (en) * 2019-01-30 2022-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Grating device, screen including the grating device, method of manufacturing the screen and display apparatus for augmented reality and/or virtual reality including the screen
DE102019213063A1 (de) * 2019-08-30 2021-03-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente
DE102020212367A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102022203745A1 (de) 2022-04-13 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022207545A1 (de) 2022-07-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102022209791B3 (de) 2022-09-19 2023-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1537703A (en) * 1976-01-27 1979-01-04 Rca Corp Fabrication of rectangular relief profiles in photoresist
CA2073409A1 (en) * 1991-10-15 1993-04-16 Paul F. Sullivan Light beam position detection and control apparatus employing diffraction patterns
DE19516741C2 (de) 1995-05-06 1997-05-07 Kurz Leonhard Fa Beugungsoptisch wirksame Strukturanordnung
JP3472103B2 (ja) * 1997-09-10 2003-12-02 キヤノン株式会社 回折光学素子及びそれを用いた光学系
JP2000299197A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線発生装置
DE10054503B4 (de) 2000-11-03 2005-02-03 Ovd Kinegram Ag Lichtbeugende binäre Gitterstruktur und Sicherheitselement mit einer solchen Gitterstruktur
DE60312871T2 (de) 2002-08-26 2007-12-20 Carl Zeiss Smt Ag Gitter basierter spektraler filter zur unterdrückung von strahlung ausserhalb des nutzbandes in einem extrem-ultraviolett lithographiesystem
FR2864252B1 (fr) * 2003-12-23 2006-04-07 Jobin Yvon Sas Reseau de diffraction a empilements multicouches alternes et son procede de fabrication et dispositifs spectroscopiques comportant ces reseaux
EP1743197B1 (en) * 2004-04-23 2011-08-10 Olivier M. Parriaux High efficiency optical diffraction device
JP4673120B2 (ja) * 2004-04-28 2011-04-20 キヤノン株式会社 回折光学素子及びこれを有する光学系
JP4345625B2 (ja) * 2004-09-22 2009-10-14 株式会社島津製作所 回折格子
EP1932050A2 (en) 2005-09-14 2008-06-18 Mirage Innovations Ltd. Diffractive optical device and system
US7710651B2 (en) * 2007-03-23 2010-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Contacting two-layer diffractive optical element
JP2010244588A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Sharp Corp 二波長用回折素子およびこれを用いた光ピックアップ
DE102009044462A1 (de) 2009-11-06 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element, Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage
NL2007216A (en) * 2010-09-08 2012-03-12 Asml Netherlands Bv Self-referencing interferometer, alignment system, and lithographic apparatus.
US9151881B2 (en) 2012-11-12 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Phase grating for mask inspection system
NL2011945A (en) * 2013-01-28 2014-07-29 Asml Netherlands Bv Projection system, mirror and radiation source for a lithographic apparatus.
JP6232210B2 (ja) * 2013-06-03 2017-11-15 ギガフォトン株式会社 ミラー装置、極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム
JP6357892B2 (ja) * 2014-06-09 2018-07-18 凸版印刷株式会社 光学素子
CN104567695B (zh) * 2015-01-09 2017-06-13 哈尔滨工业大学 一种使用双频激光和衍射光栅的三维位移测量装置
DE102016209359A1 (de) 2016-05-31 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
CN109479057B (zh) 2016-07-15 2021-11-23 三星电子株式会社 用于管理mcptt通信中的音频切入策略的系统和方法
EP3333633A1 (en) * 2016-12-09 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus
US11747528B2 (en) * 2018-08-31 2023-09-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Diffraction grating device, method of manufacturing the same, and optical apparatus including the diffraction grating device
TWI831898B (zh) 2019-01-15 2024-02-11 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 藉由破壞性干涉抑制至少一目標波長的光學繞射元件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116559986A (zh) * 2023-05-15 2023-08-08 暨南大学 一种点阵投射器装置及其制备方法

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